High electron mobility transistor and fabrication method thereof

29-10-2024 дата публикации

Номер:

US12132103B2

Автор: Li-Wen CHUANG, Tsung-Hsiang Lin, Yu-Chieh Chou, Yung-Fong Lin

Принадлежит: Vanguard International Semiconductor Corp

Контакты:

Номер заявки:

Дата заявки:

CPC - классификация

H H0 H01 H01L H01L2 H01L21 H01L21/H01L21/2 H01L21/28 H01L21/285 H01L21/2858 H01L21/28581 H01L29 H01L29/H01L29/1 H01L29/10 H01L29/106 H01L29/1066 H01L29/2 H01L29/20 H01L29/200 H01L29/2003 H01L29/205 H01L29/4 H01L29/41 H01L29/417 H01L29/4176 H01L29/41766 H01L29/42 H01L29/423 H01L29/4231 H01L29/42316 H01L29/43 H01L29/432 H01L29/47 H01L29/475 H01L29/6 H01L29/66 H01L29/664 H01L29/6646 H01L29/66462 H01L29/7 H01L29/77 H01L29/778 H01L29/7786

IPC - классификация

H H0 H01 H01L H01L2 H01L29 H01L29/H01L29/2 H01L29/20 H01L29/200 H01L29/2003 H01L29/205 H01L29/6 H01L29/66 H01L29/664 H01L29/6646 H01L29/66462

Получить PDF