Semiconductor structure and manufacturing method thereof

02-03-2023 дата публикации

Номер:

US20230067509A1

Автор: Dinggui Zeng, Huihui Li, Kanyu Cao, XIAOGUANG WANG

Принадлежит: Beijing Superstring Academy of Memory Technology, Changxin Memory Technologies Inc

Контакты:

Номер заявки:

Дата заявки:

CPC - классификация

H H0 H01 H01L H01L2 H01L27 H01L27/H01L27/2 H01L27/22 H01L27/228 H01L29 H01L29/H01L29/6 H01L29/66 H01L29/669 H01L29/6696 H01L29/66969 H01L29/7 H01L29/78 H01L29/786 H01L29/7864 H01L29/78642 H01L29/7869 H01L4 H01L43 H01L43/H01L43/1 H01L43/12 H1 H10 H10B H10B6 H10B61 H10B61/H10B61/2 H10B61/22 H10N H10N5 H10N50 H10N50/H10N50/0 H10N50/01

IPC - классификация

H H0 H01 H01L H01L2 H01L21 H01L21/H01L21/3 H01L21/38 H01L21/383 H01L4 H01L43 H01L43/H01L43/0 H01L43/08 H01L43/1 H01L43/12

Получить PDF