Method of operating FET low current 3D Re-RAM

31-03-2015 дата публикации

Номер:

US8995169B1

Автор: Abhijit Bandyopadhyay, Brian Le, Chandrasekhar R. Gorla, Roy E. Scheuerlein

Принадлежит: SanDisk 3D LLC

Контакты:

Номер заявки:

Дата заявки:

CPC - классификация

G G1 G11 G11C G11C1 G11C11 G11C11/G11C11/5 G11C11/56 G11C11/561 G11C11/5614 G11C11/567 G11C11/5678 G11C13 G11C13/G11C13/0 G11C13/00 G11C13/000 G11C13/0002 G11C13/0004 G11C13/0007 G11C13/003 G11C13/006 G11C13/0069 G11C16 G11C16/G11C16/3 G11C16/34 G11C16/345 G11C16/3454 G11C2 G11C20 G11C201 G11C2013 G11C2013/G11C2013/0 G11C2013/00 G11C2013/008 G11C2013/0083 G11C22 G11C221 G11C2213 G11C2213/G11C2213/7 G11C2213/71 G11C2213/78 G11C2213/79 G11C7 G11C7/G11C7/0 G11C7/00

IPC - классификация

G G1 G11 G11C G11C1 G11C11 G11C11/G11C11/3 G11C11/36 G11C11/4 G11C11/40 G11C11/406 G11C13 G11C13/G11C13/0 G11C13/00 G11C13/006 G11C13/0069

Получить PDF