Trench dmos device with improved drain contact
Номер патента: KR100967883B1
Опубликовано: 05-07-2010
Автор(ы): 군종 소, 윌리엄 존 넬슨, 존 이. 아마토, 푸아-이우안 흐시에흐
Принадлежит: 제네럴 세미컨덕터, 인코포레이티드
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 05-07-2010
Автор(ы): 군종 소, 윌리엄 존 넬슨, 존 이. 아마토, 푸아-이우안 흐시에흐
Принадлежит: 제네럴 세미컨덕터, 인코포레이티드
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device with elongated pattern
Номер патента: US20220384268A1. Автор: Po-Chin Chang,Pinyen Lin,Li-Te Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.