用于高密度的局部互连结构.

用于高密度的局部互连结构

Номер патента: CN105009274A
Опубликовано: 28-10-2015
Автор(ы): G·纳拉帕蒂, J·J·朱, P·齐达姆巴兰姆
Принадлежит: Qualcomm Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device including recessed interconnect structure

Номер патента: US12033935B2. Автор: Cheng-Chi Chuang,Yi-Hsun CHIU,Guo-Huei Wu,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device including recessed interconnect structure

Номер патента: US20240222269A1. Автор: Cheng-Chi Chuang,Yi-Hsun CHIU,Guo-Huei Wu,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Recessed local interconnect formed over self-aligned double diffusion break

Номер патента: US11955369B2. Автор: Chen Zhang,LAN Yu,Ruilong Xie,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Methods of forming reduced resistance local interconnect structures and the resulting devices

Номер патента: US09553028B2. Автор: Ruilong Xie,Ryan Ryoung-Han Kim. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Self-aligned local interconnects

Номер патента: US20200258778A1. Автор: Gilbert Dewey,Patrick Morrow,Richard Schenker,Willy Rachmady,Aaron D. Lilak,Ehren Mannebach,Anh Phan,Stephanie A. BOJARSKI,Hui Jae Yoo,Nafees KABIR,Jeffery Bielefeld. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Self-aligned local interconnect technology

Номер патента: US20170221808A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Andrew M. Greene,Ruilong Xie,Injo OK,Charan V.V.S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-03.

Self-aligned local interconnect technology

Номер патента: US09698101B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Andrew M. Greene,Ruilong Xie,Injo OK,Charan V. V. S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Self-aligned local interconnect technology

Номер патента: US20170062325A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Andrew M. Greene,Ruilong Xie,Injo OK,Charan V.V.S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Self-aligned local interconnect technology

Номер патента: US20190013268A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Andrew M. Greene,Ruilong Xie,Injo OK,Charan V.V.S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-01-10.

Integrated circuit (ic) structure for high performance and functional density

Номер патента: US20200066584A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Kuan-Chieh Huang,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Integrated circuit (ic) structure for high performance and functional density

Номер патента: US20200043783A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Kuan-Chieh Huang,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Backside connection structures for nanostructures and methods of forming the same

Номер патента: US12100656B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for forming an integrated circuit having transistor gates over an interconnection structure

Номер патента: US12062658B2. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor devices including finFETs and local interconnect layers and methods of fabricating the same

Номер патента: US09443851B2. Автор: RWIK Sengupta,RAHEEL Azmat. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Interconnect structure for fin-like field effect transistor

Номер патента: US12100628B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Interconnect structure for fin-like field effect transistor

Номер патента: US20240379460A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Self-aligned vertical transistor with local interconnect

Номер патента: US09917059B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Method for fabricating a local interconnect in a semiconductor device

Номер патента: US20180269213A1. Автор: Yen-Ming Chen,Jeng-Ya David Yeh,Sai-Hooi Yeong,Jui-Yao Lai,Ying-Yan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-09-20.

Method for fabricating a local interconnect in a semiconductor device

Номер патента: US20170162581A1. Автор: Yen-Ming Chen,Jeng-Ya David Yeh,Sai-Hooi Yeong,Jui-Yao Lai,Ying-Yan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-08.

Method for fabricating a local interconnect in a semiconductor device

Номер патента: US09997522B2. Автор: Yen-Ming Chen,Jeng-Ya David Yeh,Sai-Hooi Yeong,Jui-Yao Lai,Ying-Yan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Middle-of-line (MOL) manufactured integrated circuits (ICs) employing local interconnects of metal lines using an elongated via, and related methods

Номер патента: US09620454B2. Автор: Kern Rim,John Jianhong ZHU,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Da YANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Local interconnect for cross coupling

Номер патента: US20230360971A1. Автор: Brent A. Anderson,Albert M. Young,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Heng Wu,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

3DIC structure for high voltage device on a SOI substrate

Номер патента: US12136627B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu,Wen-Tuo Huang,Hsin Fu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Dual metal capped via contact structures for semiconductor devices

Номер патента: US12100745B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Dual metal capped via contact structures for semiconductor devices

Номер патента: US20240363708A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device with transistor local interconnects

Номер патента: US20210013150A1. Автор: Suresh Venkatesan,Scott Johnson,Subramani Kengeri,Chinh Nguyen,Mahbub Rashed,Marc Tarabbia,Steven Soss,Jeff Kim,Irene Y. Lin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor device with transistor local interconnects

Номер патента: US20190326219A1. Автор: Suresh Venkatesan,Scott Johnson,Subramani Kengeri,Chinh Nguyen,Mahbub Rashed,Marc Tarabbia,Steven Soss,Jeff Kim,Irene Y. Lin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Semiconductor device with transistor local interconnects

Номер патента: US10833018B2. Автор: Suresh Venkatesan,Scott Johnson,Subramani Kengeri,Chinh Nguyen,Mahbub Rashed,Marc Tarabbia,Steven Soss,Jeff Kim,Irene Y. Lin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-11-10.

Testing structure for an integrated chip having a high-voltage device

Номер патента: US20230170249A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu,Chung-Jen Huang,Chia-Sheng Lin,Wen-Tuo Huang,Ya-Chi HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Local interconnection method and structure for use in semiconductor device

Номер патента: US20040248406A1. Автор: Yong-Sun Ko,Sung-Un Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-12-09.

High sheet resistance structure for high density integrated circuits

Номер патента: CA1102011A. Автор: Augustine W. Chang,Narasipur G. Anantha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1981-05-26.

Interconnection structures for semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09941206B2. Автор: Minsung Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Substrate comprising a high-density interconnect portion embedded in a core layer

Номер патента: WO2021252104A1. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We,Kuiwon Kang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-12-16.

Substrate comprising a high-density interconnect portion embedded in a core layer

Номер патента: EP4122003A1. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We,Kuiwon Kang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-01-25.

Substrate comprising a high-density interconnect portion embedded in a core layer

Номер патента: US20210391247A1. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We,Kuiwon Kang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Interconnect structure including middle of line (MOL) metal layer local interconnect on ETCH stop layer

Номер патента: US09786607B2. Автор: Sukwon Hong,Su Chen Fan,William J. Taylor, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Interconnection structure and method for fabricating the same

Номер патента: WO2013082844A1. Автор: Xiaoxu KANG,Yuhang Zhao. Владелец: Shanghai Ic R&D Center Co.,Ltd. Дата публикации: 2013-06-13.

Use of polysilicon layer for local interconnect in a CMOS or BiCMOS technology incorporating sidewall spacers

Номер патента: US5082796A. Автор: Michael P. Brassington,Reda R. Razouk,Monir H. El-Diwany. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1992-01-21.

Hybrid interconnect structure for performance improvement and reliability enhancement

Номер патента: US7973409B2. Автор: Chih-Chao Yang,Keith Kwong Hon Wong,Thomas M. Shaw,Haining S. Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-07-05.

Interconnect structure having tungsten contact copper wiring

Номер патента: US09761526B2. Автор: Anthony K. Stamper,Baozhen Li. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Cap structure for interconnect dielectrics and methods of fabrication

Номер патента: WO2022132263A1. Автор: Charles Wallace,Sudipto NASKAR,Shashi Vyas. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-06-23.

Subtractively patterned interconnect structures for integrated circuits

Номер патента: US12027458B2. Автор: Ramanan Chebiam,Noriyuki Sato,James M. Blackwell,Kevin Lin,Hui Jae Yoo,Matthew Metz,Manish Chandhok,Tristan TRONIC,Michael Christenson,Christopher Jezewski,Jiun-Ruey Chen,Miriam Reshotko,Nafees KABIR,Jeffery Bielefeld,Elijah Karpov,Carl Naylor. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Subtractively patterned interconnect structures for integrated circuits

Номер патента: US20240304543A1. Автор: Ramanan Chebiam,Noriyuki Sato,James M. Blackwell,Kevin Lin,Hui Jae Yoo,Matthew Metz,Manish Chandhok,Tristan TRONIC,Michael Christenson,Christopher Jezewski,Jiun-Ruey Chen,Miriam Reshotko,Nafees KABIR,Jeffery Bielefeld,Elijah Karpov,Carl Naylor. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Interconnect structure for semiconductor devices with multiple power rails and redundancy

Номер патента: US09812396B1. Автор: Guillaume Bouche,Jason Eugene STEPHENS,Shreesh Narasimha,Byoung Youp Kim,Craig Michael CHILD, JR.,Patrick Ryan Justison. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Methods of forming interconnect structures using via holes filled with dielectric film first and structures formed thereby

Номер патента: US20200365451A1. Автор: Chung-Ju Lee,Chih-Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Wei-Hao Liao,Pin-Ren Dai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Barrier structure for copper interconnect

Номер патента: US09984975B2. Автор: Yu-Hung Lin,Chih-Wei Chang,Yu-Min Chang,You-Hua Chou,Ching-Fu YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Barrier structure for copper interconnect

Номер патента: US09966339B2. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,Yu-Min Chang,You-Hua Chou,Ching-Fu YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor interconnect structures and methods of formation

Номер патента: US20230137108A1. Автор: Ming-Hsing Tsai,Chien Chang,Chih-Wei Chang,Lin-Yu HUANG,Hung-Yi Huang,Kan-Ju LIN,Chih-Shiun Chou,Tai Min CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Interconnection structure with sidewall dielectric protection layer

Номер патента: US09859156B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Reliable packaging and interconnect structures

Номер патента: US09711401B2. Автор: Belgacem Haba,Cyprian Emeka Uzoh,Craig Mitchell. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Local interconnect structure

Номер патента: US20190096909A1. Автор: Ru-Gun Liu,Chia-Tien Wu,Chih-Ming Lai,Wei-Cheng Lin,Cheng-Chi Chuang,Jiann-Tyng Tzeng,Chih-Liang Chen,Charles Chew-Yuen Young,Lei-Chun Chou,Wei-An Lai,Hui-Ting Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Interconnect Structure and Methods Thereof

Номер патента: US20180350738A1. Автор: Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Method for routing local interconnect structure at same level as reference metal line

Номер патента: US11916077B2. Автор: Ru-Gun Liu,Chia-Tien Wu,Chih-Ming Lai,Wei-Cheng Lin,Cheng-Chi Chuang,Jiann-Tyng Tzeng,Chih-Liang Chen,Charles Chew-Yuen Young,Lei-Chun Chou,Wei-An Lai,Hui-Ting Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Local interconnect structure

Номер патента: US20240194682A1. Автор: Ru-Gun Liu,Chia-Tien Wu,Chih-Ming Lai,Wei-Cheng Lin,Cheng-Chi Chuang,Jiann-Tyng Tzeng,Chih-Liang Chen,Charles Chew-Yuen Young,Lei-Chun Chou,Wei-An Lai,Hui-Ting Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Local interconnect structure

Номер патента: US20210280607A1. Автор: Ru-Gun Liu,Chia-Tien Wu,Chih-Ming Lai,Wei-Cheng Lin,Cheng-Chi Chuang,Jiann-Tyng Tzeng,Chih-Liang Chen,Charles Chew-Yuen Young,Lei-Chun Chou,Wei-An Lai,Hui-Ting Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Interconnect structure and methods thereof

Номер патента: US20180061753A1. Автор: Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

Integrated circuit having local interconnect for reduing signal cross coupled noise

Номер патента: US5717242A. Автор: Robert Dawson,H. Jim Fulford, Jr.,Fred N. Hause,Basab Bandyopadhyay,Mark W. Michael,William S. Brennan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1998-02-10.

Methods, structures and designs for self-aligning local interconnects used in integrated circuits

Номер патента: WO2009054936A3. Автор: Michael C Smayling,Scott T Becker. Владелец: Scott T Becker. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor structure with a bit line in a different configuration than a local interconnect line

Номер патента: US20240314996A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Cross-cell local interconnect with buried power rail and gate contact over active region

Номер патента: WO2023099097A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Su Chen Fan,Julien Frougier. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-06-08.

Interconnect Structure for Semiconductor Devices

Номер патента: US20150187697A1. Автор: Liang-Guang Chen,Han-Hsin Kuo,Chi-Ming Tsai,Chung-Chi Ko,Neng-Jye Yang,Fu-Ming HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Interconnect structure for semiconductor devices

Номер патента: US09460997B2. Автор: Liang-Guang Chen,Han-Hsin Kuo,Chi-Ming Tsai,Chung-Chi Ko,Neng-Jye Yang,Fu-Ming HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Local interconnect power rails and upper power rails

Номер патента: US20230335484A1. Автор: Jia ZENG,Mahbub Rashed,Xuelian ZHU,James P. Mazza,Navneet K. Jain. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor structure with a bit line in a different configuration than a local interconnect line

Номер патента: US12022644B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Interconnect structure for semiconductor devices

Номер патента: US09679848B2. Автор: Liang-Guang Chen,Han-Hsin Kuo,Chi-Ming Tsai,Chung-Chi Ko,Neng-Jye Yang,Fu-Ming HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Methods, Structures, and Designs for Self-Aligning Local Interconnects Used in Integrated Circuits

Номер патента: US20200381429A1. Автор: Michael C. Smayling,Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Methods, Structures, and Designs for Self-Aligning Local Interconnects Used in Integrated Circuits

Номер патента: US20180145075A1. Автор: Michael C. Smayling,Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2018-05-24.

Methods, Structures, and Designs for Self-Aligning Local Interconnects Used in Integrated Circuits

Номер патента: US20160133625A1. Автор: Michael C. Smayling,Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

Methods, Structures, and Designs for Self-Aligning Local Interconnects Used in Integrated Circuits

Номер патента: US20160133626A1. Автор: Michael C. Smayling,Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

Method of forming high density, high shorting margin, and low capacitance interconnects by alternating recessed trenches

Номер патента: US09911694B2. Автор: Christopher J. Jezewski,Jasmeet S. Chawla. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Methods, structures, and designs for self-aligning local interconnects used in integrated circuits

Номер патента: US09859277B2. Автор: Michael C. Smayling,Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Methods, structures, and designs for self-aligning local interconnects used in integrated circuits

Номер патента: US09741719B2. Автор: Michael C. Smayling,Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Local interconnect at backside to enable flexible routing across different cell

Номер патента: US20240105788A1. Автор: Daniel Schmidt,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Interconnect Structures for Substrate

Номер патента: US20150206799A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou,Shin-puu Jeng,Tsang-Jiuh Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Interconnect structures and methods of fabrication

Номер патента: US09412695B1. Автор: Andreas Knorr,Ruilong Xie,Hiroaki Niimi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Interconnect Structure for Semiconductor Devices

Номер патента: US20170278785A1. Автор: Liang-Guang Chen,Han-Hsin Kuo,Chi-Ming Tsai,Chung-Chi Ko,Neng-Jye Yang,Fu-Ming HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-28.

Laser scribe structures for a wafer

Номер патента: US09728509B1. Автор: Anthony K. Stamper,Edward C. Cooney, III,Laurie M. Krywanczyk. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for manufacturing interconnect structures incorporating air gap spacers

Номер патента: US09613851B2. Автор: Shom Ponoth,Satya V. Nitta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Seal-ring structure for stacking integrated circuits

Номер патента: US09972603B2. Автор: Pao-Tung Chen,Shuang-Ji Tsai,Kuan-Chieh Huang,Yi-Shin Chu,Yi-Hao Chen,Feng-Kuei Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of forming high density, high shorting margin, and low capacitance interconnects by alternating recessed trenches

Номер патента: US11380617B2. Автор: Christopher J. Jezewski,Jasmeet S. Chawla. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-07-05.

Interconnect structures incorporating air-gap spacers

Номер патента: US09673087B2. Автор: Shom Ponoth,Satya V. Nitta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Bilayer hdp cvd/pe cvd cap in advanced beol interconnect structure and method thereof

Номер патента: IL162435A. Автор: . Владелец: Ibm. Дата публикации: 2008-11-26.

Hybrid copper structure for advance interconnect usage

Номер патента: US09837354B2. Автор: Tai-I Yang,Cheng-Chi Chuang,Hsiang-Wei Liu,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Stacked damascene structures for microelectronic devices

Номер патента: US09431343B1. Автор: Jinseok Kim,Ki-Don Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Air gap based low dielectric constant interconnect structure and method of making same

Номер патента: US6057226A. Автор: Lawrence D. Wong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2000-05-02.

Interconnect structures for integrated circuits and their formation

Номер патента: US20160042995A1. Автор: Vishal Sipani,Ming-chuan Yang,Tyler G. HANSEN. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-02-11.

Three-dimensional semiconductor device including a mold structure providing gap regions and an interconnection structure including a plurality of interconnection patterns formed in the gap regions

Номер патента: US8742466B2. Автор: Woojin Cho,Hansoo Kim,Jaehoon Jang,Wonseok Cho,Jae-Joo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-03.

Interconnect structures for integrated circuits and their formation

Номер патента: US09972532B2. Автор: Vishal Sipani,Ming-chuan Yang,Tyler G. HANSEN. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Interconnect structure having an etch stop layer over conductive lines

Номер патента: US09685368B2. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Cheng-Hsiung Tsai,Chung-Ju Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Interconnect structure for package-on-package devices and a method of fabricating

Номер патента: US09922903B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Jui-Pin Hung,Der-Chyang Yeh,Shuo-Mao Chen,Chiung-Han Yeh,Yi-Jou Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Interconnect structure for package-on-package devices and a method of fabricating

Номер патента: US09460987B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Jui-Pin Hung,Der-Chyang Yeh,Shuo-Mao Chen,Chiung-Han Yeh,Yi-Jou Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Processes and structures for IC fabrication

Номер патента: US20150111376A1. Автор: Jayna Sheats. Владелец: Terepac Corp. Дата публикации: 2015-04-23.

Processes and structures for IC fabrication

Номер патента: US20130193561A1. Автор: Jayna Sheats. Владелец: Terepac Corp. Дата публикации: 2013-08-01.

Processes and structures for IC fabrication

Номер патента: US9224641B2. Автор: Jayna Sheats. Владелец: Terepac Corp. Дата публикации: 2015-12-29.

Interconnection structure of semiconductor device

Номер патента: US20070096322A1. Автор: Hiroshi Tobimatsu,Hiroyuki Kawata,Mahito Sawada,Koyu Asai. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-05-03.

Standard cell device and method of forming an interconnect structure for a standard cell device

Номер патента: US20200328109A1. Автор: Juergen Boemmels,Julien Ryckaert. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-10-15.

Interconnect Structure for Logic Circuit

Номер патента: US20190304900A1. Автор: Fang Chen,Jhon Jhy Liaw,Min-Chang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Interconnect Structure for Logic Circuit

Номер патента: US20230197605A1. Автор: Fang Chen,Jhon Jhy Liaw,Min-Chang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Interconnection structure of an integrated circuit

Номер патента: US12048257B2. Автор: Philippe Brun,Jean-Philippe REYNARD,Sylvie Del Medico. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2024-07-23.

Interconnect structure for an integrated circuit and corresponding fabrication method

Номер патента: US20030098467A1. Автор: Wolfgang Ruf,Alexander Benedix,Reinhard Dueregger,Stefan Dankowski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-05-29.

Interconnect structure for an integrated circuit and corresponding fabrication method

Номер патента: US6806121B2. Автор: Wolfgang Ruf,Alexander Benedix,Reinhard Dueregger,Stefan Dankowski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-10-19.

Semiconductor device and method of forming a vertical interconnect structure for 3-D FO-WLCSP

Номер патента: US09768155B2. Автор: KANG Chen,Yaojian Lin,Seung Wook Yoon. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and method of forming interconnect structure for encapsulated die having pre-applied protective layer

Номер патента: US09559029B2. Автор: Il Kwon Shim,Seng Guan Chow,Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Interconnection structure and method of forming the same

Номер патента: US09780026B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Interconnect Structure and Related Methods

Номер патента: US20200105667A1. Автор: Christian Witt,Houman Zahedmanesh,Victoria L. Calero diaz del castillo. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-04-02.

Three-dimensional (3d) interconnect structures employing via layer conductive structures in via layers and related fabrication methods

Номер патента: US20230061693A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Three-dimensional (3d) interconnect structures employing via layer conductive structures in via layers and related fabrication methods

Номер патента: EP4393012A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Three-dimensional (3D) interconnect structures employing via layer conductive structures in via layers and related fabrication methods

Номер патента: US12057394B2. Автор: Xia Li,Bin Yang,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Interconnect structure for multi-thickness semiconductor device

Номер патента: US20240332065A1. Автор: Kuo-Ming Wu,Yi-Min Chen,Dah-Chuen Ho,Ying-De Chen,Yao-Hong You. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Interconnect structure of three-dimensional memory device

Номер патента: US12137567B2. Автор: Zhenyu Lu,Feng Pan,Wenguang Shi,Steve Weiyi Yang,Yongna LI,Lidong SONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Self-aligned gate edge and local interconnect and method to fabricate same

Номер патента: US09831306B2. Автор: Tahir Ghani,Mark Bohr,Szuya S. LIAO,Milton Clair Webb. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Self-aligned gate edge and local interconnect and method to fabricate same

Номер патента: MY182653A. Автор: Tahir Ghani,Mark Bohr,Milton Clair Webb,Szuya S LIAO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-01-27.

Semiconductor device with buried local interconnects

Номер патента: US09953857B2. Автор: Effendi Leobandung,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Selective local interconnect to gate in a self aligned local interconnect process

Номер патента: US20100304564A1. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-02.

Method for fabricating a local interconnect in a semiconductor device

Номер патента: US09881872B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Jui-Yao Lai,Ying-Yan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Low-profile local interconnect and method of making the same

Номер патента: WO2013002851A1. Автор: Shom Ponoth,Chih-Chao Yang,David V. Horak,Charles W. Koburger. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-01-03.

Method of fabricating local interconnection using selective epitaxial growth

Номер патента: US20040209454A1. Автор: Jin-Ho Choi,Han-Su Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-10-21.

Semiconductor local interconnect and contact

Номер патента: US20050130402A1. Автор: Yelehanka Ramachandramurthy Pradeep,Tong Chen,Tian GU,Zhen Zheng,Zhi HAN,Kelvin Ong,Syn Cheah. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-16.

Polycide local interconnect method and structure

Номер патента: US5294822A. Автор: Douglas P. Verrett. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1994-03-15.

Process for selectively forming a self aligned local interconnect to gate

Номер патента: WO2010141394A1. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2010-12-09.

Methods, apparatus and system for a local interconnect feature over an active region in a finfet device

Номер патента: US20200105597A1. Автор: Haiting Wang,Hui Zang,Andreas Knorr,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-04-02.

Redundant metal barrier structure for interconnect applications

Номер патента: EP2382658A1. Автор: Chih-Chao Yang,Thomas McCarroll Shaw. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-11-02.

Redundant metal barrier structure for interconnect applications

Номер патента: US20120264292A1. Автор: Chih-Chao Yang,Thomas M. Shaw. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-10-18.

High density package interconnects

Номер патента: US20180182696A1. Автор: Sanka Ganesan,Krishna Srinivasan,Robert L. Sankman,Zhiguo Qian,Zhaohui Zhu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-06-28.

High density package interconnects

Номер патента: US20140217579A1. Автор: Sanka Ganesan,Krishna Srinivasan,Robert L. Sankman,Zhiguo Qian,Zhaohui Zhu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-08-07.

High density package interconnects

Номер патента: US09922916B2. Автор: Sanka Ganesan,Krishna Srinivasan,Robert L. Sankman,Zhiguo Qian,Zhaohui Zhu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Local interconnect for integrated circuits

Номер патента: US5349229A. Автор: Che-Chia Wei,Fu-Tai Liou. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 1994-09-20.

Local interconnect for integrated circuit

Номер патента: US20050156196A1. Автор: Jeffrey Hanson,Derryl Allman. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2005-07-21.

Local interconnect for integrated circuit

Номер патента: US7081379B2. Автор: Derryl D. J. Allman,Jeffrey F. Hanson. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2006-07-25.

Local interconnect layer enhanced ESD in a bipolar-CMOS-DMOS

Номер патента: US09653447B2. Автор: Jan Claes,Albert Jan Huitsing. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-05-16.

Feedback structure for an sram cell

Номер патента: US20090175062A1. Автор: Howard L. Tigelaar,Theodore W. Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-07-09.

Use of a polysilicon layer for local interconnect in a CMOS or BICMOS technology incorporating sidewall spacers

Номер патента: US5081518A. Автор: Michael P. Brassington,Reda R. Razouk,Monir H. El-Diwany. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1992-01-14.

High density dual encapsulation materials for capacitors and methods of fabrication

Номер патента: US11839070B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Niloy Mukherjee,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI,Mauricio Manfrini,Somilkumar J. Rathi. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor device and method of forming ultra high density embedded semiconductor die package

Номер патента: US09627338B2. Автор: See Chian Lim,Teck Tiong Tan,Yung Kuan Hsiao,Ching Meng Fang,Yoke Hor Phua,Bartholomew Liao. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Contact capping local interconnect

Номер патента: US6680514B1. Автор: Anthony K. Stamper,David V. Horak,Robert M. Geffken. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-01-20.

Metallization barrier structures for bonded integrated circuit interfaces

Номер патента: US20210098387A1. Автор: Ramanan Chebiam,Mauro Kobrinsky,Richard Vreeland,Jeffery Bielefeld,Carl Naylor,Brennen Mueller,William Brezinski. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Methods of forming local interconnects and conductive lines, and resulting structure

Номер патента: WO2000054331A9. Автор: H Montgomery Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-06-19.

Method of forming a local interconnect

Номер патента: US20020048865A1. Автор: H. Manning. Владелец: Manning H. Montgomery. Дата публикации: 2002-04-25.

Methods of forming local interconnects and conductive lines, and resulting structure

Номер патента: WO2000054331A1. Автор: H. Montgomery Manning. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2000-09-14.

Methods of forming local interconnects and conductive lines, and resulting structure

Номер патента: EP1177578A1. Автор: H. Montgomery Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-02-06.

Logic cell layout design for high density transistors

Номер патента: US12046651B2. Автор: Jia ZENG,Motoi Ichihashi,Elizabeth Strehlow,Xuelian ZHU,James P. Mazza. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Methods for forming passivation protection for an interconnection structure

Номер патента: WO2015134118A1. Автор: Mehul B. Naik,He REN,Yong Cao,Yana Cheng,Mei-Yee Shek,Sree Rangasai V. Kesapragada. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-09-11.

Interconnect structures for semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12142532B2. Автор: Yu-Lien Huang,Ching-Feng Fu,Huan-Just Lin,Che-Ming Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Deep trench capacitor fuse structure for high voltage breakdown defense and methods for forming the same

Номер патента: US20240222358A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

High density and fine pitch interconnect structures in an electric test apparatus

Номер патента: US20210088554A1. Автор: Mark Bohr,Pooya Tadayon,Joe Walczyk. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Forming self-aligned vertical interconnect accesses (vias) in interconnect structures for integrated circuits (ics)

Номер патента: EP3433877A1. Автор: John Jianhong ZHU,Jeffrey Junhao XU,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-01-30.

Metal and metal silicide nitridization in a high density, low pressure plasma reactor

Номер патента: EP1016130A1. Автор: Ching-Hwa Chen,Yun-Yen Jack Yang,Yea-Jer Arthur Chen. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2000-07-05.

High density substrate and stacked silicon package assembly having the same

Номер патента: US20200161229A1. Автор: Jaspreet Singh Gandhi. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Package comprising a substrate with high density interconnects

Номер патента: EP4406015A1. Автор: Suhyung HWANG,Kun FANG,Hyunchul Cho,Jaehyun YEON. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Package comprising a substrate with high density interconnects

Номер патента: US12125742B2. Автор: Suhyung HWANG,Kun FANG,Hyunchul Cho,Jaehyun YEON. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of forming a local interconnect

Номер патента: EP1070348A1. Автор: Robert Dawson,H. Jim Fulford, Jr.,Mark W. Michael,Frederick N. Hause,Mark I. Gardner,Bradley T. Moore,Derick J. Wristers. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-01-24.

Method for improving local interconnects of multi-level interconnects process

Номер патента: US20020072224A1. Автор: Jui-Tsen Huang,Michael Wc Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-06-13.

Method for forming local interconnect metal structures via the addition of a titanium nitride anti-reflective coating

Номер патента: US6020267A. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Ching-Yau Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2000-02-01.

Local interconnect formed using silicon spacer

Номер патента: US6150266A. Автор: Xi-Wei Lin,Emmanuel de Muizon. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 2000-11-21.

Method for forming self-aligned contacts and local interconnects simultaneously

Номер патента: US20070235798A1. Автор: Kuang-Chao Chen,Tuung Luoh,Ling-Wuu Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-11.

Method of making a local interconnect in an embedded memory

Номер патента: US20020098694A1. Автор: Chien-Li Kuo,Sun-Chieh Chien. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

Semiconductor fabrication employing a local interconnect

Номер патента: US5970375A. Автор: Thomas E. Spikes, Jr.,Mark I. Gardner,Daniel Kadosh. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-10-19.

Process for forming low resistance metal silicide local interconnects

Номер патента: US20010026960A1. Автор: Jigish Trivedi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-04.

Process for making integrated circuit structure with thin dielectric between at least local interconnect level and first metal interconnect level

Номер патента: US6486056B2. Автор: Nicholas F. Pasch,Rajat Rakkhit. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2002-11-26.

Semiconductor device with fully self-aligned local interconnects, and method for fabricating the device

Номер патента: US20020098672A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

Method and system for providing electrical insulation for local interconnect in a logic circuit

Номер патента: US20010014527A1. Автор: Fei Wang,Sunil Mehta,Stewart Logie,William George En. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-16.

Method of selectively forming local interconnects using design rules

Номер патента: US20020114180A1. Автор: Jigish Trivedi,Mike Violette,Todd Abbott,Chuck Dennison. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-22.

Method for forming titanium tungsten local interconnect for integrated circuits

Номер патента: US5376585A. Автор: Johnson J. Lin,David R. Wyke. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1994-12-27.

Local interconnect

Номер патента: US20030186531A1. Автор: Derryl Allman,James Hightower,Phonesavanh Saopraseuth. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2003-10-02.

Method of making thin film transistor and a silicide local interconnect

Номер патента: US5468662A. Автор: Robert H. Havemann. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1995-11-21.

SOC PMUT suitable for high-density system integration, array chip, and manufacturing method thereof

Номер патента: US12060264B2. Автор: HUI Li,Feng Yin. Владелец: Nanjing Shengxi Xinying Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device including a local interconnection between an interconnection layer and an adjoining impurity region

Номер патента: US5621232A. Автор: Takio Ohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-04-15.

Method and system for providing electrical insulation for local interconnect in a logic circuit

Номер патента: US5956610A. Автор: Fei Wang,Sunil Mehta,William George En,Stewart Gordon Logie. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-09-21.

Local interconnect etch technique

Номер патента: US4980020A. Автор: Monte A. Douglas. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1990-12-25.

Process for patterning local interconnects

Номер патента: US4657628A. Автор: Che-Chia Wei,Roger A. Haken,Thomas C. Holloway,David A. Bell,Thomas E. Tang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1987-04-14.

Method of forming self-aligned contacts and local interconnects

Номер патента: US20090280633A1. Автор: An Chyi Wei. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-12.

Plasma enhanced chemical vapor deposited (PECVD) silicon nitride barrier layer for high density plasma chemical vapor deposited (HDP-CVD) dielectric layer

Номер патента: US6127238A. Автор: Wei Lu,Yih-Shung Lin,Jia Zhen Zheng,Marvin De-Dui Liao,Kho Liep Chok. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2000-10-03.

Methods for forming interconnection structures in an integrated cluster system for semicondcutor applications

Номер патента: US09508561B2. Автор: Srinivas D. Nemani,Mehul B. Naik,He REN,Takehito KOSHIZAWA. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Interconnect structure for electrical connecting a pair of microwave transmission lines formed on a pair of spaced structure members

Номер патента: US09978698B1. Автор: Susan C. Trulli,Christopher M. LAIGHTON,Elicia K. HARPER. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2018-05-22.

Methods for etching a metal layer to form an interconnection structure for semiconductor applications

Номер патента: US09960052B2. Автор: Sumit Agarwal,Bradley J. Howard,Mark Hoinkis,Chiu-Pien KUO,Ann Chien. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Capping dielectric structures for transistor gates

Номер патента: US09490347B2. Автор: Sameer S. Pradhan,Aaron W. Rosenbaum,Din-How Mei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

High density plasma chemical vapor deposition process

Номер патента: US20020030033A1. Автор: Water Lur,Shih-Wei Sun,Chih-Chien Liu,Ta-Shan Tseng,W.B. Shieh,J.Y. Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Method of forming polysilicon local interconnects

Номер патента: US5780347A. Автор: Ashok K. Kapoor. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-07-14.

Method for rounding bottom corner in LOCOS process by using high density plasma poly etcher

Номер патента: US20030040165A1. Автор: Chun-Hung Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-27.

Structures for testing nanoscale devices including ferroelectric capacitors and methods for forming the same

Номер патента: US11729994B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Die interconnection scheme for providing a high yielding process for high performance microprocessors

Номер патента: EP3675164A1. Автор: Mark T. Bohr,Altug Koker,Rajabali Koduri,Swaminathan Sivakumar,Wilfred Gomes,Leonard NEIBERG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-01.

Die interconnection scheme for providing a high yielding process for high performance microprocessors

Номер патента: US20230245974A1. Автор: Mark Bohr,Altug Koker,Rajabali Koduri,Swaminathan Sivakumar,Wilfred Gomes,Leonard NEIBERG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

High density capacitor structure and method

Номер патента: US20160315138A1. Автор: Ping-Chuan Wang,Wai-Kin Li,Chengwen Pei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

High density capacitor structure and method

Номер патента: US09960226B2. Автор: Ping-Chuan Wang,Wai-Kin Li,Chengwen Pei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

High density capacitor structure and method

Номер патента: US09755013B2. Автор: Ping-Chuan Wang,Wai-Kin Li,Chengwen Pei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

High density capacitor structure and method

Номер патента: US20170323937A1. Автор: Ping-Chuan Wang,Wai-Kin Li,Chengwen Pei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-09.

Method for forming an ultra high density inverter using a stacked transistor arrangement

Номер патента: US5872029A. Автор: Mark I. Gardner,Daniel Kadosh. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-02-16.

Design structure, structure and method of latch-up immunity for high and low voltage integrated circuits

Номер патента: US20130168818A1. Автор: Steven H. Voldman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

MOM capacitor having electrodes made from local interconnects and manufacturing method thereof

Номер патента: EP2581935A3. Автор: Xiangdong Chen,Henry Kuo-Shun Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-10-02.

MOM Capacitor Having Local Interconnect Metal Plates and Related Method

Номер патента: US20130087886A1. Автор: Xiangdong Chen,Henry Kuo-Shun Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-04-11.

Systems, devices, and methods for high-density power converters

Номер патента: WO2023064672A2. Автор: David Giuliano,Sebastien Kouassi. Владелец: pSemi Corporation. Дата публикации: 2023-04-20.

Systems, devices, and methods for high-density power converters

Номер патента: WO2023064672A3. Автор: David Giuliano,Sebastien Kouassi. Владелец: pSemi Corporation. Дата публикации: 2023-07-06.

Stacked complementary transistor structure for three-dimensional integration

Номер патента: GB2628503A. Автор: Cheng Kangguo,Mochizuki Shogo,Li Juntao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Structure for a semiconductor resistive element, particularly for high voltage applications and respective manufacturing process

Номер патента: US20020063307A1. Автор: Davide Patti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-05-30.

Structure for a semiconductor resistive element, particularly for high voltage applications

Номер патента: US6590272B2. Автор: Davide Patti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-07-08.

Device topologies for high current lateral power semiconductor devices

Номер патента: US12027449B2. Автор: Edward MacRobbie,Hossein MOUSAVIAN. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Device topologies for high current lateral power semiconductor devices

Номер патента: US20220139809A1. Автор: Edward MacRobbie,Hossein MOUSAVIAN. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Localized high density substrate routing

Номер патента: US09679843B2. Автор: Robert Starkston,John S. Guzek,Ravindranath V. Mahajan,Chia-Pin Chiu,Debendra Mallik,Deepak Kulkarni. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Interconnect structure for insertion loss reduction in signal transmission and method thereof

Номер патента: US20220319865A1. Автор: Cheng Yu Lee,Chien Chang Huang,Cheng En Ho,Shun Cheng CHANG,Jun Chou YU. Владелец: YUAN ZE UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-10-06.

Localized high density substrate routing

Номер патента: US11984396B2. Автор: Robert Starkston,John S. Guzek,Chia-Pin Chiu,Debendra Mallik,Deepak Kulkarni,Ravi V. Mahajan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Self-registered capacitor bottom plate local interconnect scheme for dram

Номер патента: GB2294807B. Автор: Min-Liang Chen,Nan-Hsiung Tsai. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 1998-10-21.

High density substrate routing in package

Номер патента: US12051667B2. Автор: Chia-Pin Chiu,Weng Hong Teh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

High density substrate routing in BBUL package

Номер патента: US09929119B2. Автор: Chia-Pin Chiu,Weng Hong Teh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

High density substrate routing in BBUL package

Номер патента: US09437569B2. Автор: Chia-Pin Chiu,Weng Hong Teh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

High Density IC Capacitor Structure

Номер патента: US20210020736A1. Автор: Abhijeet Paul. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Pad structure for backside illuminated (bsi) image sensors

Номер патента: US20170301715A1. Автор: Kai-Fung Chang,Ching-Hung Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-19.

Power interconnect structure for balanced bitline capacitance in a memory array

Номер патента: EP1905082A1. Автор: Takao Akaogi. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-04-02.

High density substrate routing in package

Номер патента: US11810884B2. Автор: Chia-Pin Chiu,Weng Hong Teh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

High density substrate routing in package

Номер патента: US20210043596A1. Автор: Chia-Pin Chiu,Weng Hong Teh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

High density substrate routing in package

Номер патента: US20190393180A1. Автор: Chia-Pin Chiu,Weng Hong Teh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

High density substrate routing in package

Номер патента: US20240021562A1. Автор: Chia-Pin Chiu,Weng Hong Teh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

High density substrate routing in package

Номер патента: US20220130789A1. Автор: Chia-Pin Chiu,Weng Hong Teh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-04-28.

String contact structure for high voltage ESD

Номер патента: US20080093672A1. Автор: Huang Yung-Sheng,Shui-Hung Chen,Jian-Hsing Lee,D. J. Perng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-04-24.

Controlling of height of high-density interconnection structure on substrate

Номер патента: US12087596B2. Автор: Keishi Okamoto,Akihiro Horibe,Hiroyuki Mori. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

High density interconnect structures configured for manufacturing and performance

Номер патента: US20190252322A1. Автор: Ajay Jain,Henning Braunisch,Zhiguo Qian,Kemel Aygun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-08-15.

High density interconnect structures configured for manufacturing and performance

Номер патента: US20210057345A1. Автор: Ajay Jain,Henning Braunisch,Kemal Aygun,Zhiguo Qian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

High density interconnect structures configured for manufacturing and performance

Номер патента: EP3479399A1. Автор: Ajay Jain,Henning Braunisch,Kemal Aygun,Zhiguo Qian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-05-08.

High density interconnect structures configured for manufacturing and performance

Номер патента: US10833020B2. Автор: Ajay Jain,Henning Braunisch,Kemal Aygun,Zhiguo Qian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-10.

Batch assembly of high density hermetic packages for power semiconductor chips

Номер патента: CA2080690A1. Автор: Constantine Alois Neugebauer,Victor Albert Keith Temple. Владелец: Victor Albert Keith Temple. Дата публикации: 1992-08-29.

Semiconductor package including test pad and bonding pad structure for die connection and methods for forming the same

Номер патента: US12094844B2. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor Package Including Test Pad and Bonding Pad Structure for Die Connection and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20240363565A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Controlling of height of high-density interconnection structure on substrate

Номер патента: US20210343545A1. Автор: Keishi Okamoto,Akihiro Horibe,Hiroyuki Mori. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

Very high density wafer scale device architecture

Номер патента: WO1991015853A1. Автор: Mammen Thomas,James W. Hively,Richard L. Bechtel. Владелец: Tactical Fabs, Inc.. Дата публикации: 1991-10-17.

Integrated circuit packages including high density bump-less build up layers and a lesser density core or coreless substrate

Номер патента: US09941245B2. Автор: John Guzek,Ravi Mahajan,Oswald Skeete. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Methods for etching a hardmask layer for an interconnection structure for semiconductor applications

Номер патента: US09653320B2. Автор: Sumit Agarwal,Chiu-Pien KUO,Shang-Ting HSIEH,Guochuan HONG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

High density interconnect device and method

Номер патента: US20200111745A1. Автор: Mathew J. Manusharow,Mihir K. Roy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-09.

High density interconnect device and method

Номер патента: US20170162509A1. Автор: Mathew J. Manusharow,Mihir K. Roy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

High density interconnect device and method

Номер патента: US20150035144A1. Автор: Mathew J. Manusharow,Mihir K. Roy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-02-05.

High density interconnect device and method

Номер патента: US20230253337A1. Автор: Mathew J. Manusharow,Mihir K. Roy. Владелец: Tahoe Research Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

High density interconnect device and method

Номер патента: US11158578B2. Автор: Mihir K Roy,Mathew J Manusharow. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-10-26.

Packaging for high speed chip to chip communication

Номер патента: US09666539B1. Автор: Shidong Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

High density interconnect device and method

Номер патента: US10446499B2. Автор: Mihir K Roy,Mathew J Manusharow. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-15.

Packaging for high speed chip to chip communication

Номер патента: US20170162517A1. Автор: Shidong Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

Fine pitch chip interconnect structure for bump bridge and high temperature storage improvement and methods for forming the same

Номер патента: US20230317577A1. Автор: Shin-puu Jeng,Chien-Sheng Chen,Yu-Sheng Lin,Han-Hsiang Huang,Wei-Chieh Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

A method for controlling stress in thin film layers deposited over a high density interconnect common circuit base

Номер патента: EP1114573A1. Автор: Jan I. Strandberg,Scott M. Westbrook. Владелец: Kulicke and Soffa Holdings Inc. Дата публикации: 2001-07-11.

Semiconductor device and method of forming a vertical interconnect structure for 3-D FO-WLCSP

Номер патента: US09847324B2. Автор: KANG Chen,Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Bonded structure with interconnect structure

Номер патента: US20240234353A1. Автор: Belgacem Haba. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method of forming build-up interconnect structures over a temporary substrate

Номер патента: US09818734B2. Автор: KANG Chen,Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Process for high density flash EPROM cell

Номер патента: US5460988A. Автор: Gary Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1995-10-24.

High density organic interconnect structures

Номер патента: US20240355641A1. Автор: Siddharth K. Alur,Sri Chaitra Jyotsna Chavali,Lilia May,Amanda E. Shuckman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

High density organic interconnect structures

Номер патента: US12062551B2. Автор: Siddharth K. Alur,Sri Chaitra Jyotsna Chavali,Lilia May,Amanda E. Schuckman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

High density flash EPROM

Номер патента: US5721442A. Автор: Gary Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1998-02-24.

High density organic interconnect structures

Номер патента: US20200312675A1. Автор: Siddharth K. Alur,Sri Chaitra Jyotsna Chavali,Lilia May,Amanda E. Amanda. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

High density organic interconnect structures

Номер патента: US20220059367A1. Автор: Siddharth K. Alur,Sri Chaitra Jyotsna Chavali,Lilia May,Amanda E. Schuckman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

High density organic interconnect structures

Номер патента: US20230223278A1. Автор: Siddharth K. Alur,Sri Chaitra Jyotsna Chavali,Lilia May,Amanda E. Shuckman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

High density organic interconnect structures

Номер патента: US20190221447A1. Автор: Siddharth K. Alur,Sri Chaitra Jyotsna Chavali,Amanda E. Schuckman,Lillia May. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

High density organic interconnect structures

Номер патента: US10685850B2. Автор: Siddharth K. Alur,Sri Chaitra Jyotsna Chavali,Lilia May,Amanda E. Schuckman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-06-16.

High density organic interconnect structures

Номер патента: US11631595B2. Автор: Siddharth K. Alur,Sri Chaitra Jyotsna Chavali,Lilia May,Amanda E. Schuckman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-04-18.

High density metal-insulator-metal capacitor

Номер патента: WO2022086635A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Jun Yuan,Haining Yang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-04-28.

High density metal-insulator-metal capacitor

Номер патента: EP4229677A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Jun Yuan,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-08-23.

Structure for protecting air bridges on semiconductor chips from damage

Номер патента: US5757072A. Автор: James Wilson Rose,Bernard Gorowitz,Renato Guida,Charles Adrian Becker,Thomas Bert Gorczyca. Владелец: Martin Marietta Corp. Дата публикации: 1998-05-26.

High density 3d interconnect configuration

Номер патента: US20210242170A1. Автор: Jun Zhai,Sanjay Dabral,Kunzhong Hu,Zhitao Cao. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

High Density 3D Interconnect Configuration

Номер патента: US20230335494A1. Автор: Jun Zhai,Sanjay Dabral,Kunzhong Hu,Zhitao Cao. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Interconnect structure and method for on-chip information transfer

Номер патента: US20180151802A1. Автор: Tao Wang,Wei Du,Christian Albertus NIJHUIS. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2018-05-31.

Substrate structure with high-density wiring and manufacturing method thereof

Номер патента: US11024573B2. Автор: Dyi-chung Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-06-01.

Substrate structure with high-density wiring and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200227346A1. Автор: Dyi-chung Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-07-16.

Wirebond interconnect structures for stacked die packages

Номер патента: MY204170A. Автор: Hann Sir Jiun,Huat Goh Eng,Suet Lim Min. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Electromigration test structure for Cu barrier integrity and blech effect evaluations

Номер патента: US09759766B2. Автор: Elbert E. Huang,Baozhen Li,Griselda Bonilla,Paul S. McLaughlin,Chao-Kun Hu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Electromigration test structure for Cu barrier integrity and blech effect evaluations

Номер патента: US09472477B1. Автор: Elbert E. Huang,Baozhen Li,Griselda Bonilla,Paul S. McLaughlin,Chao-Kun Hu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Adaptive interconnect structure

Номер патента: US20120171819A1. Автор: Leland Chang,Matthew R. Wordeman,Albert M. Young. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Adaptive interconnect structure

Номер патента: US20100270676A1. Автор: Leland Chang,Matthew R. Wordeman,Albert M. Young. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-10-28.

Package substrate with high-density interconnect layer having pillar and via connections for fan out scaling

Номер патента: US20190363063A1. Автор: Javier Soto Gonzalez,Aleksandar Aleksov,Srinivas V. Pietambaram,Robert Alan May,Sri Ranga Sai Boyapati,Kwangmo Chris LIM,Kristof Kuwawi Darmawikarta. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Partially-overlapped interconnect structure and method of making

Номер патента: US20020111012A1. Автор: Kenneth Rodbell,Jeffrey Gambino,Evan Colgan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-08-15.

High density organic bridge device and method

Номер патента: US09548264B2. Автор: Mihir K. Roy,Wei-Lun Kane Jen,Stefanie M. Lotz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Interconnect structure for integrated circuits having improved electromigration characteristics

Номер патента: EP2283515A1. Автор: Theodorus Standaert,Sujatha Sankaran,Stephan Grunow,Andrew H. Simon,Chao-Kun Hu,Ronald Filippi,Kaushik Chandra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-02-16.

Interconnect structure for integrated circuits having improved electromigration characteristics

Номер патента: WO2009148855A1. Автор: Theodorus Standaert,Sujatha Sankaran,Stephan Grunow,Andrew H. Simon,Chao-Kun Hu,Ronald Filippi,Kaushik Chandra. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2009-12-10.

Circuit with High-Density Capacitors Using Bootstrapped Non-Metal Layer

Номер патента: US20120092069A1. Автор: Scott C. McLeod. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-19.

High density integrated circuit package structure and integrated circuit

Номер патента: US09768101B2. Автор: Dazhong LIANG. Владелец: CHINA CHIPPACKING TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

High density fan out package structure

Номер патента: WO2016069112A1. Автор: Shiqun Gu,Dong Wook Kim,Jae Sik Lee,Hong Bok We. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-05-06.

High density fan out package structure

Номер патента: EP3213345A1. Автор: Shiqun Gu,Dong Wook Kim,Jae Sik Lee,Hong Bok We. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-09-06.

Ferroelectric structure lining conductive interconnect structure

Номер патента: US20240274532A1. Автор: Yu-Sheng Chen,Kuo-Ching Huang,Yi Ching Ong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Device with interconnection structure for forming a conduction path or a conducting plane with high decoupling capacitance

Номер патента: US20170236778A1. Автор: José-Luis Gonzalez Jimenez. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-08-17.

Interconnection structure of system on wafer and PCB base on TSV process and method for manufacturing the same

Номер патента: US11705437B1. Автор: Kun Zhang,Qingwen Deng,Ruyun Zhang,Shunbin Li. Владелец: Zhejiang Lab. Дата публикации: 2023-07-18.

Device with interconnection structure for forming a conduction path or a conducting plane with high decoupling capacitance

Номер патента: US09929084B2. Автор: José-Luis Gonzalez Jimenez. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-03-27.

High density pick and sequential place transfer process and tool

Номер патента: US12057331B2. Автор: Dariusz Golda,Hyeun-Su Kim,Chae Hyuck Ahn,Kevin T. Huang,Eric B. Newton. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Methods of forming spacer patterns using assist layer for high density semiconductor devices

Номер патента: WO2008089153A3. Автор: Tuan Duc Pham,James Kai,Takashi Orimoto,Masaaki Higashitani,George Metamis. Владелец: George Metamis. Дата публикации: 2008-09-12.

High Density Pick and Sequential Place Transfer Process and Tool

Номер патента: US20220013379A1. Автор: Antoine Manens,Dariusz Golda,Hyeun-Su Kim. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

High density pick and sequential place transfer process and tool

Номер патента: US20220013380A1. Автор: Dariusz Golda,Hyeun-Su Kim,Chae Hyuck Ahn,Kevin T. Huang,Eric B. Newton. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

High density pick and sequential place transfer process and tool

Номер патента: US11948815B2. Автор: Antoine Manens,Dariusz Golda,Hyeun-Su Kim. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Anisotropic and selective nitride etch process for high aspect ratio features in high density plasma

Номер патента: US6051504A. Автор: Michael David Armacost,Richard Stephen Wise. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-04-18.

Interface interconnect structure for efficient heat dissipation of power electronic device and preparation method therefor

Номер патента: US20240145336A1. Автор: LIN ZHU,Jing Ren,Feifei Huang,Mingliang Huang. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2024-05-02.

Interface interconnect structure for efficient heat dissipation of power electronic device and preparation method therefor

Номер патента: US12068220B2. Автор: LIN ZHU,Jing Ren,Feifei Huang,Mingliang Huang. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2024-08-20.

Process for using a removeable plating bus layer for high density substrates

Номер патента: US5981311A. Автор: Chok J. Chia,Patrick Variot,Seng Sooi Lim. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1999-11-09.

Manufacturing method for multilayer high density substrate

Номер патента: US20020072216A1. Автор: Hui Chen,Chung Chang,Hsuan Chang,Wen Shieh,Ning Huang,Hua-Wen Chiang,Chia-Chieh Hu,Feng Tu,Fu Huang,Yung-Cheng Chuang. Владелец: Orient Semiconductor Electronics Ltd. Дата публикации: 2002-06-13.

High density stocker

Номер патента: US20180122677A1. Автор: Gerhard Dovids,Bernd Rahrbach,Christian Wohanka,Yves Fenner,John Fiddes. Владелец: Murata Machinery Ltd. Дата публикации: 2018-05-03.

Methods for running a high density plasma etcher to achieve reduced transistor device damage

Номер патента: WO2000036638A1. Автор: Eric A. Hudson,Jaroslaw W. Winniczek,Joel M. Cook,Helen L. Maynard. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2000-06-22.

Method of etching doped silicon dioxide with selectivity to undoped silicon dioxide with a high density plasma etcher

Номер патента: EP1110238A1. Автор: Kei-Yu Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-06-27.

Method of etching doped silicon dioxide with selectivity to undoped silicon dioxide with a high density plasma etcher

Номер патента: AU8664298A. Автор: Kei-Yu Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-02-14.

Method of high density plasma etching for semiconductor manufacture

Номер патента: US5783100A. Автор: Guy Blalock,Kevin Donohoe. Владелец: Micron Display Technology Inc. Дата публикации: 1998-07-21.

Resonant structure for electron cyclotron resonant (ecr) plasma ionization

Номер патента: US20200013594A1. Автор: Barton Lane. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-01-09.

Packaging structure for retinal prosthesis implant chip and packaging method therefor

Номер патента: AU2018403777B2. Автор: Nhan Tran,Jiawei YANG,Xuyan YANG,Guangjun Yu. Владелец: Hangzhou Nanochap Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Kink poly structure for improving random single bit failure

Номер патента: US20130113031A1. Автор: Chin-Ta Su,Yung-Tai Hung,Shing Ann Luo,Tahone Yagn. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-09.

Bump structures for high density flip chip interconnection

Номер патента: US20190244924A1. Автор: Wei Zhang,Wei Huang,Joshua Lund,Namwoong Paik. Владелец: Sensors Unlimited Inc. Дата публикации: 2019-08-08.

Integrated circuit packages with detachable interconnect structures

Номер патента: US09893034B2. Автор: Yuanlin Xie. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Integrated Fin-Local Interconnect Structure

Номер патента: US20090007036A1. Автор: Louis Lu-Chen Hsu,Kangguo Cheng,Jack Allan Mandelman,William Robert Tonti. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-01-01.

Vertical transistor and local interconnect structure

Номер патента: US09583615B2. Автор: Yung-Tin Chen,Christopher Petti,Guangle ZHOU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor Package with Local Interconnect and Chiplet Integration

Номер патента: US20240105626A1. Автор: Jun Zhai,Sanjay Dabral,Kunzhong Hu,SivaChandra Jangam,Zhitao Cao. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor package with local interconnect and chiplet integration

Номер патента: WO2024063942A1. Автор: Jun Zhai,Sanjay Dabral,Kunzhong Hu,SivaChandra Jangam,Zhitao Cao. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2024-03-28.

Connection patterns for high-density device packaging

Номер патента: US09824978B2. Автор: Arun Ramakrishnan. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

High density interconnect structure with top mounted components

Номер патента: US5200810A. Автор: Charles W. Eichelberger,Robert J. Wojnarowski. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1993-04-06.

Symmetric SRAM cell with buried N+ local interconnection line

Номер патента: US5354704A. Автор: Ming-Tzong Yang,Chen-Chin Hsue. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1994-10-11.

Method and apparatus for superior step coverage and interface control for high k dielectric capacitors and related electrodes

Номер патента: EP1101249A1. Автор: Charles Dornfest,John Egermeier,Nitin Khurana. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2001-05-23.

Connection Patterns for High-Density Device Packaging

Номер патента: US20170033054A1. Автор: Arun Ramakrishnan. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-02-02.

Compact high density interconnect structure

Номер патента: US5241456A. Автор: Charles W. Eichelberger,Robert J. Wojnarowski,Walter M. Marcinkiewicz. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1993-08-31.

Reworkable high density interconnect structure incorporating a release layer

Номер патента: US5434751A. Автор: Herbert S. Cole, Jr.,John H. Lupinski,Robert J. Wojnarowski,Theresa A. Sitnik-Nieters. Владелец: Martin Marietta Corp. Дата публикации: 1995-07-18.

Three-dimensional interconnect structure adapted for high frequency RF circuits

Номер патента: US09900985B2. Автор: Timothy E. Shirley. Владелец: Keysight Technologies Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Intra-module spare routing for high density electronic packages

Номер патента: US5414637A. Автор: Claude L. Bertin,Christopher P. Miller,David J. Perlman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1995-05-09.

Bonding structures for stacked image sensor

Номер патента: US20240079434A1. Автор: Chen-Jong Wang,Dun-Nian Yaung,Yu-Chun Chen,Kuan-Chieh Huang,Wei-Cheng Hsu,Tzu-Jui WANG,Hao-Lin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Integrated multi-channel analog front end and digitizer for high speed imaging applications

Номер патента: EP2810244A1. Автор: Henrik Nielsen,Kurt Lehman,David L. Brown,Venkatraman Iyer,Guowu Zheng,Lance Glasser,Mansour Kermat,Alex Chuang,Kenneth Hatch. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2014-12-10.

Method for manufacturing a circuit board with buried element having high density pin count and the circuit board structure

Номер патента: US09439292B1. Автор: Ting-Hao Lin,An-Ping Tseng,Yi-Fan Kao,Jaen-Don Lan,Yung-Lin Chia. Владелец: Kinsus Interconnect Technology Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Adaptive lithography accommodation of tolerances in chip positioning in high density interconnection structures

Номер патента: US5019997A. Автор: Thoedore R. Haller. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1991-05-28.

Packaging for high speed chip to chip communication

Номер патента: US09953935B2. Автор: Shidong Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

High-density memory assembly

Номер патента: WO2011022949A1. Автор: Wei-Hu Koh. Владелец: Gainteam Holdings Limited. Дата публикации: 2011-03-03.

Bond pad structure for bonding improvement

Номер патента: US12113090B2. Автор: Hsun-Chung KUANG,Sheng-Chan Li,Sheng-Chau Chen,Chin-Wei Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Bond pad structure for bonding improvement

Номер патента: US20240355864A1. Автор: Hsun-Chung KUANG,Sheng-Chan Li,Sheng-Chau Chen,Chin-Wei Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Flexible synchronous/asynchronous cell structure for a high density programmable logic device

Номер патента: US5489857A. Автор: Om P. Agrawal,Kerry A. Ilgenstein. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1996-02-06.

Flexible synchronous/asynchronous cell structure for a high density programmable logic device

Номер патента: US5811986A. Автор: Om P. Agrawal,Kerry A. Ilgenstein. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1998-09-22.

Embedded packaging for high voltage, high temperature operation of power semiconductor devices

Номер патента: US20210020573A1. Автор: Thomas MacElwee. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Three-dimensional component stacking using high density multichip interconnect decals

Номер патента: WO1999017368A1. Автор: Robert W. Warren. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 1999-04-08.

Method for manufacturing a circuit board with buried element having high density pin count and the circuit board structure

Номер патента: US20160262267A1. Автор: Ting-Hao Lin,An-Ping Tseng,Yi-Fan Kao,Jaen-Don Lan,Yung-Lin Chia. Владелец: Kinsus Interconnect Technology Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Embedded packaging for high voltage, high temperature operation of power semiconductor devices

Номер патента: US20200328158A1. Автор: Thomas MacElwee. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Burn-in pads for tab interconnect structures

Номер патента: CA1303752C. Автор: Richard A. Chase. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1992-06-16.

Compliant passivated edge seal for low-k interconnect structures

Номер патента: WO2005067598A2. Автор: Daniel Edelstein,Lee M. Nicholson. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2005-07-28.

Electrically Optimized and Structurally Protected Via Structure for High Speed Signals

Номер патента: US20080272862A1. Автор: Gen Yamada,Paul M. Harvey,Kazushige Kawasaki. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-06.

Interconnect structure for surface mounted devices

Номер патента: US20020130410A1. Автор: Krystyna Semkow,Edward Pillai,Linda Rapp. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-09-19.

Wide input output memory with low density, low latency and high density, high latency blocks

Номер патента: EP2609622A2. Автор: Anand Srinivasan,Shiqun Gu,Matthew M. Nowak. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-07-03.

Wide input output memory with low density, low latency and high density, high latency blocks

Номер патента: WO2012027423A2. Автор: Anand Srinivasan,Shiqun Gu,Matthew M. Nowak. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2012-03-01.

Redistribution layer structure for high-density semiconductor package assembly

Номер патента: WO2023179496A1. Автор: I-Hsuan Peng,Yi-Jou Lin,Wei-Chen Chang,Laurene Yip,Tsai-Ming Lai. Владелец: MEDIATEK INC.. Дата публикации: 2023-09-28.

Processes and structures for IC fabrication

Номер патента: US9006096B1. Автор: Jayna Sheets. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-04-14.

Processes and structures for IC fabrication

Номер патента: US8153517B2. Автор: Jayna Sheats. Владелец: Terepac Corp. Дата публикации: 2012-04-10.

Processes and structures for IC fabrication

Номер патента: US20100314735A1. Автор: Jayna Sheats. Владелец: Terepac Corp. Дата публикации: 2010-12-16.

Bump-on-trace interconnection structure for flip-chip packages

Номер патента: US20140110847A1. Автор: Chen-Shien Chen,Mirng-Ji Lii,Tin-Hao Kuo,Yu-Jen Tseng,Yen-Liang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-24.

Interconnection structure for integrated circuit package

Номер патента: US20240266278A1. Автор: Yi Sun,Heng Yang,Deming Xiao. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Bump-on-trace interconnection structure for flip-chip packages

Номер патента: US09917035B2. Автор: Chen-Shien Chen,Mirng-Ji Lii,Tin-Hao Kuo,Yu-Jen Tseng,Yen-Liang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

High Density Multi-Component Packages

Номер патента: US20190082539A1. Автор: John McConnell,John Bultitude,Galen W. Miller. Владелец: Kemet Electronics Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Header having high-density conductor arrangement and method of making same

Номер патента: US3636235A. Автор: Neal T Williams. Владелец: Sealtronics Inc. Дата публикации: 1972-01-18.

High Density Multi-Component Packages

Номер патента: US20190090348A1. Автор: John E. McConnell,John Bultitude,Galen Miller. Владелец: Kemet Electronics Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Package to board interconnect structure with built-in reference plane structure

Номер патента: US09974174B1. Автор: David Clegg,Tingdong Zhou,Robert Wenzel. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Lithography process monitoring of local interconnect continuity

Номер патента: US09443775B2. Автор: Hui Zang,Hyun-Jin Cho,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

High density vertical structure nitride flash memory

Номер патента: WO2009102458A1. Автор: Seiki Ogura,Nori Ogura,Tomoko Ogura Iwasaki. Владелец: Gumbo Logic, Inc.. Дата публикации: 2009-08-20.

High Density Vertical Structure Nitride Flash Memory

Номер патента: US20140219030A1. Автор: Seiki Ogura,Nori Ogura,Tomoko Iwasaki. Владелец: Halo LSI Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Lithography process monitoring of local interconnect continuity

Номер патента: US20140361298A1. Автор: Hui Zang,Hyun-Jin Cho,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-11.

Manufacturing sequences for high density interconnect printed circuit boards and a high density interconnect printed circuit board

Номер патента: US12063751B2. Автор: Sven Lamprecht,Kai-Jens Matejat,Akif ÖZKÖK,Mustafa Özkök,Bert Reents,Markus Youkhanis,Marko MIRKOVIC,Horst Brüggmann. Владелец: Atotech Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-08-13.

Low impedance high density deep trench capacitor

Номер патента: US09978829B2. Автор: Jyun-Ying LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Electrical interface to integrated device having high density i/o count

Номер патента: WO1999012208A1. Автор: Dave Corbin,Eric Bogatin. Владелец: Silicon Light Machines. Дата публикации: 1999-03-11.

Electrical interface to integrated device having high density i/o count

Номер патента: EP1021834A1. Автор: Dave Corbin,Eric Bogatin. Владелец: Silicon Light Machines Inc. Дата публикации: 2000-07-26.

Display structure for smooth transition between different pixel density regions in an oled display

Номер патента: US20220190064A1. Автор: Sangmoo Choi,David Morris Hoffman. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2022-06-16.

Single crystal material having high density dislocations arranged one-dimensionally in straight line form, functional device using said single crystal material, and method for their preparation

Номер патента: US20050217563A1. Автор: Takahisa Yamamoto,Yuichi Ikuhara. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2005-10-06.

Single crystal material having high density dislocations arranged one-dimensionally in straight line form, functional device using said single crystal material, and method for their preparation

Номер патента: US7374613B2. Автор: Takahisa Yamamoto,Yuichi Ikuhara. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2008-05-20.

Multiple lamination high density interconnect process and structure employing a variable crosslinking adhesive

Номер патента: CA2049272C. Автор: Stanton Earl Weaver, Jr.,Robert John Wojnarowski,Thomas Bert Gorczyca. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2002-02-12.

Contact interconnect structures for light-emitting diode chips and related methods

Номер патента: US20240372039A1. Автор: Michael Check,Steven Wuester. Владелец: Creeled Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of manufacturing a multiple fin-shaped capacitor for high density DRAMs

Номер патента: US6114201A. Автор: Shye-Lin Wu. Владелец: Texas Instruments Acer Inc. Дата публикации: 2000-09-05.

Thermo-controllable high-density chips for multiplex analyses

Номер патента: US09909171B2. Автор: VICTOR Joseph,Jie Zhou,Amjad Huda,Alnoor Shivji. Владелец: Takara Bio Usa Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

High speed electrical signal interconnect structure

Номер патента: US5260892A. Автор: James Testa. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 1993-11-09.

Thermally and electrically conductive interconnect structures

Номер патента: WO2009082732A1. Автор: Radesh Jewram,Sanjay Misra. Владелец: The Bergquist Company. Дата публикации: 2009-07-02.

Thermally and electrically conductive interconnect structures

Номер патента: EP2232969A1. Автор: Radesh Jewram,Sanjay Misra. Владелец: Bergquist Co Inc. Дата публикации: 2010-09-29.

Conductive interconnection structure for a glass-glass photovoltaic module

Номер патента: US20190088809A1. Автор: Luigi Marras,Elisa BACCINI,Bruno Bucci. Владелец: EBFOIL Srl. Дата публикации: 2019-03-21.

Branched proximal connectors for high density neural interfaces

Номер патента: US11395923B2. Автор: Kedar Shah,Bo Lu. Владелец: Verily Life Sciences LLC. Дата публикации: 2022-07-26.

Dielectric for high density substrate interconnects

Номер патента: WO2018208317A1. Автор: Robert A. May,Sri Ranga Sai Boyapati,Kristof Darmawikarta,Andrew J. Brown. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-11-15.

High density ferroelectric random access memory (FeRAM) devices and methods of fabrication

Номер патента: US11832451B1. Автор: Ramamoorthy Ramesh,Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Niloy Mukherjee,Amrita MATHURIYA,Jason Y. Wu,Gabriel Antonio Paulius Velarde,Debraj Guhabiswas,Maria Isabel Perez,James David Clarkson. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Component assemblies and embedding for high density electronics

Номер патента: US11744018B2. Автор: John Bultitude,Peter Alexandre BLAIS,James A. Burk,Galen W. Miller,Hunter HAYES,Allen TEMPLETON,Lonnie G. Jones,Mark R. LAPS. Владелец: Kemet Electronics Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Dielectric for high density substrate interconnects

Номер патента: US20200118917A1. Автор: Robert A. May,Sri Ranga Sai Boyapati,Kristof Darmawikarta,Andrew J. Brown. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Component assemblies and embedding for high density electronics

Номер патента: WO2021146270A3. Автор: John Bultitude,Peter Alexandre BLAIS,James A. Burk,Galen W. Miller,Hunter HAYES,Allen TEMPLETON,Lonnie G. Jones,Mark R. LAPS. Владелец: KEMET ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2021-09-23.

Cross couple design for high density standard cells

Номер патента: US20230395675A1. Автор: Jia ZENG,Mahbub Rashed,Neha Nayyar,Xuelian ZHU,James P. Mazza,Collin A. Tranter. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Combination underfill-dam and electrical-interconnect structure for an opto-electronic engine

Номер патента: US09917647B2. Автор: Michael Renne Ty Tan,Paul Kessler Rosenberg,Wayne Victor Sorin,Sagi Varghese Mathai,Georgios Panotopoulos,Joseph Straznicky,Susant K. Patra. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-03-13.

Integrated on chip detector and zero waveguide module structure for use in dna sequencing

Номер патента: US20160201123A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Ultra-high density single-walled carbon nanotube horizontal array and its controllable preparation method

Номер патента: US20170247256A1. Автор: JIN Zhang,Yue Hu,Shuchen ZHANG,Lixing KANG,Qiuchen ZHAO. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-08-31.

Integrated on chip detector and zero waveguide module structure for use in dna sequencing

Номер патента: US20170263801A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Resilient interconnect structure for electronic components and method for making the same

Номер патента: EP1200992A1. Автор: Gary W. Grube,Benjamin N. Eldridge,Gaetan L. Mathieu,Richard A. Larder. Владелец: Formfactor Inc. Дата публикации: 2002-05-02.

Interconnect structure for advanced packaging and method for the same

Номер патента: US20240304573A1. Автор: Yonggang Jin. Владелец: Oip Technology Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated on chip detector and zero waveguide module structure for use in DNA sequencing

Номер патента: US09666748B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Interconnecting structure for electrically connecting a first electronic device with a second electronic device

Номер патента: US20150068024A1. Автор: Chun-Hsing Li,Chien-Nan Kuo,Chun-Lin Ko. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2015-03-12.

Test pad structure for reuse of interconnect level masks

Номер патента: US8766257B2. Автор: Gerald Matusiewicz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-01.

Test pad structure for reuse of interconnect level masks

Номер патента: US20110233543A1. Автор: Gerald Matusiewicz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-09-29.

Test pad structure for reuse of interconnect level masks

Номер патента: US20140234757A1. Автор: Gerald Matusiewicz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-08-21.

Test pad structure for reuse of interconnect level masks

Номер патента: US20130001552A1. Автор: Gerald Matusiewicz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

Interconnecting structure for electrically connecting a first electronic device with a second electronic device

Номер патента: US09577308B2. Автор: Chun-Hsing Li,Chien-Nan Kuo,Chun-Lin Ko. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-02-21.

Test pad structure for reuse of interconnect level masks

Номер патента: US09348216B2. Автор: Gerald Matusiewicz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-05-24.

Metallic bridge structure for hetero-junction bipolar transistor

Номер патента: US20020060327A1. Автор: Henry Chen,Shi-Ming Chen,Juh-Yuh Su,Wen-Liang Li. Владелец: Epitech Corp Ltd. Дата публикации: 2002-05-23.

Small pitch and high density contact array

Номер патента: US09543502B2. Автор: Alex See,Zheng Zou. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Single crystal material having high density dislocations arranged one-dimensionally in straight line form, functional device using said single crystal material, and method for their preparation

Номер патента: EP1500722A4. Автор: Takahisa Yamamoto,Yuichi Ikuhara. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2007-10-10.

Hybrid printed circuit assembly with low density main core and embedded high density circuit regions

Номер патента: US09699906B2. Автор: James Rathburn. Владелец: HSIO Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-04.

High-density microbump arrays with enhanced adhesion and methods of forming the same

Номер патента: US20230107847A1. Автор: Yi-Wen WU,Po-Hao Tsai,Mirng-Ji Lii,Kuo-Chin Chang,Yen-Kun Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Memory system having combined high density, low bandwidth and low density, high bandwidth memories

Номер патента: EP4432354A2. Автор: Farid Nemati,Sukalpa Biswas. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-09-18.

Composite graphite heat insulating material containing high-density compressed and expanded graphite particles and method for manufacturing same

Номер патента: US09574125B2. Автор: Su-Han Lee,Duk-Joon Jung. Владелец: GTS CO Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Fluid cooled thermal management technique for a high-density composite focal plane array

Номер патента: US20130063604A1. Автор: Dennis P. Bowler,Gerard A. Esposito. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2013-03-14.

Semiconductor structures for galvanic isolation

Номер патента: US11764273B2. Автор: Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Self-Aligned Gate and Drift Design for High-Critical Field Strength Semiconductor Power Transistors with Ion Implantation

Номер патента: US20200357887A1. Автор: Kelson D Chabak,Andrew J Green,Gregg H Jessen. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 2020-11-12.

Memory system having combined high density, low bandwidth and low density, high bandwidth memories

Номер патента: US11468935B2. Автор: Farid Nemati,Sukalpa Biswas. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2022-10-11.

Memory system having combined high density, low bandwidth and low density, high bandwidth memories

Номер патента: US11830534B2. Автор: Farid Nemati,Sukalpa Biswas. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Memory System Having Combined High Density, Low Bandwidth and Low Density, High Bandwidth Memories

Номер патента: US20240161804A1. Автор: Farid Nemati,Sukalpa Biswas. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Functional devices using single crystal material having high density dislocations arranged one-dimensionally in straight line form and method for their preparation

Номер патента: EP1500722B1. Автор: Takahisa Yamamoto,Yuichi Ikuhara. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2010-05-26.

Uniformly distributed self-assembled solder dot formation for high efficiency solar cells

Номер патента: US20140065752A1. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Jae-Woong Nah,Augustin J. HONG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

LDMOS transistor with enhanced termination region for high breakdown voltage with on-resistance

Номер патента: US7208385B2. Автор: Mohamed Imam,Zia Hossain,Joe Fulton. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2007-04-24.

Rechargeable sodium cells for high energy density battery use

Номер патента: RU2742351C2. Автор: Дэвид П. БРАУН,Андраш КОВАЧ,Тапани Аласаарела,Дебора РУИС-МАРТИНЕС,Роберто ГОМЕС-ТОРРЕГРОСА. Владелец: Бродбит Баттериз Ой. Дата публикации: 2021-02-05.

High density card edge connector with hybrid interface

Номер патента: US20240322465A1. Автор: Peng Huang,Chao ZOU,Zhineng Fan,Luyun Yi. Владелец: Amphenol Commercial Products Chengdu Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

High density, high speed, high performance card edge connector

Номер патента: US20240275089A1. Автор: Xiaodong Hu,Kui YANG. Владелец: Amphenol Commercial Products Chengdu Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Connectors for high density neural interfaces

Номер патента: US20240342493A1. Автор: Bo Lu,Benjamin K Yaffe. Владелец: Verily Life Sciences LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

High density laser optics

Номер патента: US20140376580A1. Автор: David A. Fattal,Wayne V. Sorin,Michael Renne Ty Tan,Sagi Varghese Mathai. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2014-12-25.

Connectors for high density neural interfaces

Номер патента: US12053636B2. Автор: Benjamin K. Yaffe,Bo Lu. Владелец: Verily Life Sciences LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Apparatus and method for high density detachable electrical interface

Номер патента: WO2021101749A1. Автор: Susant Patra. Владелец: Lawrence Livermore National Security, LLC. Дата публикации: 2021-05-27.

Apparatus and method for high density detachable electrical interface

Номер патента: US11742605B2. Автор: Susant Patra. Владелец: Lawrence Livermore National Security LLC. Дата публикации: 2023-08-29.

Pluggable lga socket for high density interconnects

Номер патента: US20160118760A1. Автор: Hilton T. Toy,Benjamin Vito Fasano,Paul Francis Fortier,Alan F. Benner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-28.

Connector apparatus for high density coaxial cables

Номер патента: CA1300700C. Автор: Kouji Ishikawa,Jerzy R. Sochor,Kyoichiro Kawano,Teruo Murase,C. Timothy Norman. Владелец: Amdahl Corp. Дата публикации: 1992-05-12.

Connector for high amperage applications

Номер патента: US3732530A. Автор: R Linn,G Shea. Владелец: UNDERWRITERS SAFETY DEVICE Co. Дата публикации: 1973-05-08.

High-density edge connector

Номер патента: US11870171B2. Автор: Qian Feng,Rongzhe Guo,Tao Zeng. Владелец: Amphenol Commercial Products Chengdu Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Monolithic high density arrays of independently addressable semiconductor laser sources

Номер патента: US4870652A. Автор: Robert L. Thornton. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1989-09-26.

System for high density testing of batteries within an environmental test chamber

Номер патента: US11802914B1. Автор: Beran Peter,Brockton Kenyon. Владелец: Associated Environmental Systems Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Preparation method for high density aluminum doped cobalt oxide

Номер патента: US12006228B2. Автор: Chao Wang,Kaihua Xu,Zhenkang JIANG,Aiqing Zhang,Bingzhong Li,Dongwei Xu. Владелец: Gem Jiangsu Cobalt Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Connectors for high density neural interfaces

Номер патента: WO2020219295A1. Автор: Benjamin K. Yaffe,Bo Lu. Владелец: Verily Life Sciences LLC. Дата публикации: 2020-10-29.

High density laser optics

Номер патента: EP2805391A1. Автор: David A. Fattal,Sagi V. Mathai,Wayne V. Sorin,Michael Renne Ty Tan. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2014-11-26.

Formation of slurry for high loading sulfur cathodes

Номер патента: US20170194636A1. Автор: Naoki Osada,John Muldoon,Claudiu B. Bucur. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2017-07-06.

Quick electrical-connecting structure for high-voltage high-frequency pulse environment

Номер патента: US20240055797A1. Автор: Zhao Yuan,RUI Jiang,Shaohua Li,Pei Cao,Xiangyu Xu. Владелец: Beijing RSlaser Opto Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Laser grid structures for wireless high speed data transfers

Номер патента: US12119878B2. Автор: William K. Szaroletta,John Richard JOSEPH,Feng HOU. Владелец: Optipulse Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Method and apparatus for high density wire harness manufacture

Номер патента: CA1246329A. Автор: Steven J. Young. Владелец: Unimation Inc. Дата публикации: 1988-12-13.

Adapter for high density connectors

Номер патента: US3865454A. Автор: Marvin Blinder. Владелец: Loral Corp. Дата публикации: 1975-02-11.

Close-range communication systems for high-density wireless networks

Номер патента: US20220238999A1. Автор: Zhuohui Zhang,Kiran Uln,Matteo Bassi,Daniel Oloumi. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-07-28.

Electrode structure for secondary battery, method of manufacturing the same, and secondary battery comprising the same

Номер патента: US20230102903A1. Автор: Huisu Jeong,Kyounghwan Kim,Joungwon Park,Jeongkuk Shon,Jinsuck HEO,Samuel Robert Cross. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-30.

Conductive structure for high gain antenna and antenna

Номер патента: WO2010035934A2. Автор: Dongho Kim,Wangjoo Lee,Jae-Ick Choi,Jeongho JU. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2010-04-01.

Laser Grid Structures for Wireless High Speed Data Transfers

Номер патента: US20230327771A1. Автор: William K. Szaroletta,John Richard JOSEPH,Feng HOU. Владелец: Optipulse Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Laser grid structures for wireless high speed data transfers

Номер патента: AU2018316346B2. Автор: John Richard JOSEPH,Feng HOU,William K SZAROLETTA. Владелец: Optipulse Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Microporous high density polyethylene film and method of producing the same

Номер патента: EP1765920A4. Автор: Byoung Cheon Jo,Young Keun Lee,Jang Weon Rhee,Jung Moon Sung,In Hwa Jung,Chol Ho Lee,Won Young Cho,Byung Rae Jung. Владелец: SK Corp. Дата публикации: 2007-06-20.

High-density polyethylene compositions, preparation methods thereof, articles made therefrom, and method of making said articles

Номер патента: RU2444545C2. Автор: Дейл М. ЭЛЛИ-БРИСТОУ,Уилльям Дж. МИЧИ,Стефани М. УАЙТЕД,Томас В. КЕЙ,Дэвид Т. ГИЛЛЕСПИ,Лонни Дж. ХЭЗЛИТТ. Владелец: ДАУ ГЛОБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2012-03-10.

High-density polyethylene compositions, method of making the same, injection molded articles made therefrom, and method of making such articles

Номер патента: CA2656845C. Автор: Stephanie M. Whited,William J. Michie, Jr.,Dale M. Elley-Bristow,Nathan J. Wiker. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2015-09-22.

Filtrate media for high- tension molding

Номер патента: WO2009002024A3. Автор: Dong-Gul Lee,Dong-Hyeop Lee. Владелец: Dong-Hyeop Lee. Дата публикации: 2009-03-05.

Robust hard bias/conductor lead structures for future GMR heads

Номер патента: US20040047081A1. Автор: Chyu-Jiuh Torng,Cherng-Chyi Han,Mao-Min Chen,Ru-Ying Tong,Cheng Horng,Chen-Jung Chien. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2004-03-11.

Rapid 3d prototyping and fabricating of slow-wave structures, including electromagnetic meta-material structures, for millimeter-wavelength and terahertz-frequency high-power vacuum electronic devices

Номер патента: EP3183081A1. Автор: Andrey D. Andreev,J. Gregory Moxness,Maysa-Maria K. Peterson Lach. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-06-28.

Current lead for high-temperature superconducting (hts) cable and design method thereof

Номер патента: AU2021355610B2. Автор: Jian Zheng,Zhiyong Zhang,Jianping Yang,Honglei LI,Qiqi ZHANG,Bengang WEI,Zhiyue CHEN,ting Jiao,Yijia HUANG,Yunwu HAN,Xize Zhang,Xihua ZONG. Владелец: Shanghai International Superconduction Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

High density parallel interconnect

Номер патента: WO1993020598A1. Автор: David W. Mendenhall,Steven Paul Marian,Cheryne Malo. Владелец: Augat Inc.. Дата публикации: 1993-10-14.

Rapid 3d prototyping and fabricating of slow-wave structures, including electromagnetic meta-material structures, for millimeter-wavelength and terahertz-frequency high-power vacuum electronic devices

Номер патента: WO2016028344A1. Автор: Andrey D. Andreev,J. Gregory Moxness,Maysa-Maria K. Peterson Lach. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2016-02-25.

High density electrode and battery using the electrode

Номер патента: EP1652247A1. Автор: A. Omachi Plant Showa Denko KK SUDOH,M. Corporate R&D Center Showa Denko KK TAKEUCHI. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2006-05-03.

Voltage sensor for high and medium voltage use and a method of making the same

Номер патента: US12078655B2. Автор: Radek Javora. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-09-03.

Absorber Structure for High-Voltage Stores, Energy Storage Arrangement, Energy Store Housing, and Process for Manufacturing an Absorber Structure

Номер патента: US20240274948A1. Автор: Sandro Cifaldi,Jan Paulus. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated optoelectronic device with optical interconnect structure for improved beol device integration

Номер патента: US20240266801A1. Автор: Christian Mai,Lars Zimmermann,Karsten Voigt,Jochen Kreissl. Владелец: Ihp Innovations For High Performance Microelectronics/leibniz InstitFuer Innovative GmbH. Дата публикации: 2024-08-08.

Current lead for high-temperature superconducting (hts) cable and design method thereof

Номер патента: AU2021355610A1. Автор: Jian Zheng,Zhiyong Zhang,Jianping Yang,Honglei LI,Qiqi ZHANG,Bengang WEI,Zhiyue CHEN,ting Jiao,Yijia HUANG,Yunwu HAN,Xize Zhang,Xihua ZONG. Владелец: Shanghai International Superconduction Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Stretchable interconnect structure and method of fabricating the same

Номер патента: US12120814B2. Автор: Yue Zhao,Chee Keong Tee,Yu Jun TAN. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2024-10-15.

High density connector

Номер патента: US09680266B2. Автор: Luca Cafiero,Franco Tomada. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

High-density 3D graphene-based monolith and related materials, methods, and devices

Номер патента: US09601226B2. Автор: Supakit Charnvanichborikarn,Juergen Biener,Marcus A. Worsley,Theodore F. Baumann,Sergei Kucheyev,Elizabeth Montalvo,Swanee Shin,Elijah Tylski. Владелец: Lawrence Livermore National Security LLC. Дата публикации: 2017-03-21.

Heat insulation structure for high-temperature reaction room

Номер патента: US20230253582A1. Автор: Yoshiki Kato,Koji Miyamoto,Kenta Araki,Shigenori SUEMORI,Keijo Hara. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Attenuation reduction structure for high frequency signal connection pads of circuit board with insertion component

Номер патента: US09577304B2. Автор: Chih-Heng Chuo,Gwun-Jin Lin,Kuo-Fu Su. Владелец: Advanced Flexible Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

High-density polyethylene compositions, method of making the same, articles made therefrom, and method of making such articles

Номер патента: CA2623750C. Автор: Stephanie M. Whited,William J. Michie, Jr.,Lonnie G. Hazlitt,Thomas W. Kay,Dale M. Elley-Bristow,David T. Gillespie. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2014-08-05.

High-density polyethylene compositions, method of making the same, wire and cable jackets made therefrom, and method of making such wire and cable jackets

Номер патента: CA2621688C. Автор: William J. Michie, Jr.,Chester J. Kmiec. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2014-04-08.

Method for high frequency synchronization of an electric system and an electronic board used for that purpose

Номер патента: RU2309546C2. Автор: Ульрих ХЕТЦЕР,Петер БРЕШЕ. Владелец: Адц Гмбх. Дата публикации: 2007-10-27.

Method of producing microporous high density polyethylene film

Номер патента: US20080139681A1. Автор: Byoung Cheon Jo,Young Keun Lee,Jang Weon Rhee,Jung Moon Sung,In Hwa Jung,Chol Ho Lee,Won Young Cho,Byung Rae Jung. Владелец: Byung Rae Jung. Дата публикации: 2008-06-12.

Axially symmetric high-density beamforming topology

Номер патента: US20220216903A1. Автор: Siddhartha Ghosh,Daniel Steven Roukos. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2022-07-07.

High-density field emission elements and a method for forming said emission elements

Номер патента: US20090280585A1. Автор: Seong Jin Koh,Gerald W. Gibson, Jr.. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2009-11-12.

Sustainable high density polyethylene and process for making same

Номер патента: WO2023076238A1. Автор: Jun Luo,Argiri Tsami-Schulte,Rainer WALKENHORST,Dominique SCHROEER,Britta RICHTER,Nina NORDLANDER,Uwe WERTHEIMER. Владелец: Celanese International Corporation. Дата публикации: 2023-05-04.

Sustainable high density polyethylene and process for making same

Номер патента: EP4423189A1. Автор: Jun Luo,Argiri Tsami-Schulte,Rainer WALKENHORST,Dominique SCHROEER,Britta RICHTER,Nina NORDLANDER,Uwe WERTHEIMER. Владелец: Celanese International Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Interconnect structure for coupling an electronic unit and an optical unit, and optoelectronic module

Номер патента: US09814153B2. Автор: Peter Lindberg,Andrei Kaikkonen,Lennart Per Olof Lundqvist,Lars-Goete SVENSSON. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Curved filter high density microwave feed network

Номер патента: US09748623B1. Автор: Jason Stewart WRIGLEY,Philip Elwood Venezia,Lee Man Lee-Yow. Владелец: Custom Microwave Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Fuel cell electrodes using high density support material

Номер патента: US09431662B2. Автор: Taehee Han. Владелец: Nissan North America Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Improved interrupter for high-current or high-voltage applications at direct current, for example, for industrial and / or railway applications

Номер патента: RU2721374C1. Автор: Клаудио МОНДЕЛЛИНИ,Марко КОРНА,Лоренцо СТЕНДАРДИ. Владелец: Микроэлеттрика Шентифика С.П.А.. Дата публикации: 2020-05-19.

Target Structure For Enhanced Electron Screening

Номер патента: US20190045617A1. Автор: David K. Fork,Joseph B. Murray,Tarun Narayan,Jeremy N. Munday. Владелец: UNIVERSITY OF MARYLAND AT COLLEGE PARK. Дата публикации: 2019-02-07.

Screening solid state ionic conductors for high ionic conductivity

Номер патента: US09904772B2. Автор: William Richards,Gerbrand Ceder,Shyue Ping Ong,Yifei Mo,Lincoln J Miara. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Mesogenic compounds, liquid crystal compositions containing these compounds and devices for high-frequency equipment

Номер патента: RU2633578C2. Автор: Александр Николаевич ХРИПКОВ,Геннадий Александрович Евтюшкин,Вонбин ХОНГ,Елена Александровна Шепелева,Тимофей Викторович Камышев,Геннадий Михайлович Сосновский,Валерий Иванович Лапаник. Владелец: Слс-Институт Прикладных Физических Проблем Им. А.Н. Севченко (Слс-И). Дата публикации: 2017-10-13.

Arrester for overvoltage protection for high voltages

Номер патента: RU2598027C2. Автор: Аксель ПРАЙДЕЛЬ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2016-09-20.

Power supply battery and power supply system for high-speed maglev trains

Номер патента: CA3123697C. Автор: XING Chen,Donghua WU,Jianying Liang,Guimei DENG,Jiankang XUE. Владелец: CRRC Qingdao Sifang Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Galvanic isolation interface for high-speed data link for spacecraft electronics, and method of using same

Номер патента: US09385891B2. Автор: Garry H. Boggan. Владелец: Aerospace Corp. Дата публикации: 2016-07-05.

Inspection window and earthing terminal for high-voltage system

Номер патента: RU2510542C2. Автор: Андреас КЛЯЙНШМИДТ,Марио ЙЕККЕ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2014-03-27.

Connection bar architecture for high-power converter

Номер патента: RU2653846C2. Автор: Филипп ЖОСС,Жоэль ДЕВОТУР,Рафаэль БЕЛАНКУР. Владелец: АЛЬСТОМ ТЕКНОЛОДЖИ ЛТД. Дата публикации: 2018-05-15.

Cleaning and cooling system for high-voltage electrical machine commutator

Номер патента: RU2316861C2. Автор: Роберт Генри РЕДЕР,Йангксин ЛИ. Владелец: Дженерал Электрик Кэнада Инк.. Дата публикации: 2008-02-10.

Shield fittings for high-voltage insulation structures (embodiments)

Номер патента: RU2766554C1. Автор: Николай Алексеевич Карасев,Евгений Алексеевич Юданов,Ен Дар Ким,Максим Викторович Шеленберг. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Форэнерго-Инжиниринг" (Ооо"Форэнерго-Инжиниринг"). Дата публикации: 2022-03-15.

High-density plasma-processing tool with toroidal magnetic field

Номер патента: US5505780A. Автор: Satoshi Hamaguchi,Manoj Dalvie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1996-04-09.

High density coaxial cable connector

Номер патента: US4660918A. Автор: Charles I. Tighe, Jr.. Владелец: AMP Inc. Дата публикации: 1987-04-28.

Optical sheet for high resolution, filter comprising the same, and display device having the sheet or the filter

Номер патента: WO2008123665A1. Автор: Jong-Pil Chun,Bu-Seup Song,Woo-Ju Jeong,Ki-Chul Yoon. Владелец: SAMSUNG FINE CHEMICALS CO., LTD.. Дата публикации: 2008-10-16.

Improved contactor for high-current switching

Номер патента: RU2713460C1. Автор: Клаудио МОНДЕЛЛИНИ,Марко КОРНА,Лоренцо СТЕНДАРДИ. Владелец: Микроэлеттрика Шентифика С.П.А.. Дата публикации: 2020-02-05.

Localized noc switching interconnect for high bandwidth interfaces

Номер патента: WO2022220959A1. Автор: Ygal Arbel,Eun Mi Kim,Sagheer Ahmad,Abbas Morshed,Aman Gupta. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2022-10-20.

Localized noc switching interconnect for high bandwidth interfaces

Номер патента: US20220337923A1. Автор: Ygal Arbel,Eun Mi Kim,Sagheer Ahmad,Abbas Morshed,Aman Gupta. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Localized NoC switching interconnect for high bandwidth interfaces

Номер патента: US11832035B2. Автор: Ygal Arbel,Eun Mi Kim,Sagheer Ahmad,Abbas Morshed,Aman Gupta. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Localized noc switching interconnect for high bandwidth interfaces

Номер патента: EP4323883A1. Автор: Ygal Arbel,Eun Mi Kim,Sagheer Ahmad,Abbas Morshed,Aman Gupta. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-02-21.

A hybrid relay for high density venues

Номер патента: EP4029350A1. Автор: Vishal Satyendra Desai,Jerome Henry,Robert E. BARTON,Indermeet Singh Gandhi. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-20.

A hybrid relay for high density venues

Номер патента: WO2021050373A1. Автор: Vishal Satyendra Desai,Jerome Henry,Robert E. BARTON,Indermeet Singh Gandhi. Владелец: CISCO TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-03-18.

Multi-current harmonized paths for low power local interconnect network (lin) receiver

Номер патента: EP2974155A1. Автор: Philippe Deval,Patrick Besseux,Marija FERNANDEZ. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Multi-current harmonized paths for low power local interconnect network (LIN) receiver

Номер патента: US09735820B2. Автор: Philippe Deval,Patrick Besseux,Marija FERNANDEZ. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Self-registered capacitor bottom plate local interconnect scheme for dram

Номер патента: GB9422069D0. Автор: . Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 1994-12-21.

Local interconnect network system and method, and computer readable medium for implementing the method

Номер патента: US09825775B2. Автор: Soo Yun KIM. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

System and Method for Dynamic Bi-Directional Communication Over a Local Interconnect Network Bus

Номер патента: US20190132147A1. Автор: QING Chen. Владелец: BENDIX COMMERCIAL VEHICLE SYSTEMS LLC. Дата публикации: 2019-05-02.

Method of increasing life of self-glowing hollow cathode in high-density discharge in axially-symmetric magnetic field

Номер патента: RU2642847C2. Автор: Николай Васильевич Гаврилов,Андрей Игоревич Меньшаков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт электрофизики Уральского отделения Российской академии наук (ИЭФ УрО РАН). Дата публикации: 2018-01-29.

High density storage of information on a compact disc

Номер патента: CA1296424C. Автор: Lowell A. Noble. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-02-25.

Different HDD gap architecture to reduce upstream preheat for high-density storage

Номер патента: US09968005B2. Автор: Chao-Jung Chen,Wei-Chun Chang,Yi-Chieh Chen,Jen-Mao CHEN. Владелец: QUANTA COMPUTER INC. Дата публикации: 2018-05-08.

Low profile, high density memory system

Номер патента: WO2002017328A1. Автор: Zhineng Fan,Che-Yu Li,Ai D. Le. Владелец: High Connection Density, Inc.. Дата публикации: 2002-02-28.

Host/peripheral local interconnect that is compatible with self-configurable peripheral device

Номер патента: US20110040900A1. Автор: Paul Chinn,Anand Dalal,ROBERTO GABRIEL Yepez,Josh Graessley. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2011-02-17.

Data center having rack clusters with high density, air-cooled server racks

Номер патента: US20200288606A1. Автор: Alex R. Naderi. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Decoding apparatus for high-density recording medium

Номер патента: US8341494B2. Автор: Yi-Kai Chen,Sih-Kai Wang,Sun-How Jiang. Владелец: Sunplus Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-25.

Decoding apparatus for high-density recording medium

Номер патента: US20100064202A1. Автор: Yi-Kai Chen,Sih-Kai Wang,Sun-How Jiang. Владелец: Sunplus Technology Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-11.

Multilayered circuit board for high-speed, differential signals

Номер патента: WO2005074336A3. Автор: John Mitchell,James Clink,John E Benham. Владелец: John E Benham. Дата публикации: 2005-10-06.

Frame structure with reduced signal field and method for high-efficiency Wi-Fi (HEW) communication

Номер патента: US09860893B2. Автор: Shahrnaz Azizi,Thomas J. Kenney,Eldad Perahia. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Method and Apparatus for High Density Pulse Density Modulation

Номер патента: US20140119427A1. Автор: Peter Kiss,Donald R. Laturell,Kameran Azadet,Said E. Abdelli,James F. MacDonald,Ross S. Wilson. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Method for making a high capacitance multi-level storage node for high density TFT load SRAMS with low soft error rates

Номер патента: US5489544A. Автор: Thekkemadathil V. Rajeevakumar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1996-02-06.

Self test structure for interconnect and logic element testing in programmable devices

Номер патента: US20070011539A1. Автор: Danish Syed,Vishal Srivastava. Владелец: STMICROELECTRONICS PVT LTD. Дата публикации: 2007-01-11.

Suspension for high power micro speaker and high power micro speaker having the same

Номер патента: US09900703B2. Автор: Kyu Dong Choi,In Ho Jeong,Cheon Myeong Kim. Владелец: EM Tech Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Sense threshold amplifier for high density memory

Номер патента: US3911293A. Автор: Philip E Shafer. Владелец: Burroughs Corp. Дата публикации: 1975-10-07.

Interconnect structure for E/O engines having impedance compensation at the integrated circuits' front end

Номер патента: US09923636B2. Автор: Robert Smith,Andrei Kaikkonen,Lars-Goete SVENSSON,Lennart Lundquist. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Interconnect structure for E/O engines having impedance compensation at the integrated circuits' front end

Номер патента: US09544057B2. Автор: Robert Smith,Andrei Kaikkonen,Lars-Goete SVENSSON,Lennart Lundquist. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Coding/decoding method for high density data recording and reproduction

Номер патента: US6072410A. Автор: Jin-Sook Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-06-06.

Memory redundancy for high density memory

Номер патента: US5889711A. Автор: Nien Chao Yang,Chung Ju Chen,Chun Jung Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 1999-03-30.

Static and dynamic input multiplexing for high-density neural signal recording

Номер патента: US20230273681A1. Автор: SungWon Chung,Dongjin Seo,Do Yeon Yoon. Владелец: Neuralink Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Error correction method for high density disc

Номер патента: US7401285B2. Автор: In-sik Park,Jae-Seong Shim,Myoung-June Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-15.

Method and system for high-density converged storage via memory bus

Номер патента: US20190012094A1. Автор: Shu Li,Jianjian Huo. Владелец: Alibaba Group Holding Ltd. Дата публикации: 2019-01-10.

Static and dynamic input multiplexing for high-density neural signal recording

Номер патента: WO2023163901A1. Автор: SungWon Chung,Dongjin Seo,Do Yeon Yoon. Владелец: Neuralink Corp.. Дата публикации: 2023-08-31.

Error correction method for high density disc

Номер патента: US20060242548A1. Автор: In-sik Park,Jae-Seong Shim,Myoung-June Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-10-26.

Error correction method for high density disc

Номер патента: US20060242528A1. Автор: In-sik Park,Jae-Seong Shim,Myoung-June Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-10-26.

Error correction method for high density disc

Номер патента: US20040250199A1. Автор: In-sik Park,Jae-Seong Shim,Myoung-June Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-12-09.

Error correction method for high density disc

Номер патента: EP1067695A3. Автор: In-sik Park,Jae-Seong Shim,Myoung-June Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-08-06.

Two-dimensional modulation encoding for high density optical storage

Номер патента: WO2004105252A1. Автор: Albert H. J. Immink,Willem M. J. M. Coene. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-12-02.

Correcting gradation value to appoximate an output characteristic to target characteristic updated based on corrected high density region target density

Номер патента: US09467578B2. Автор: Kazuyuki Takahashi,Yosuke TASHIRO,Shinya Takaishi,Kaori TOMINAGA. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Recording medium with data structure for controlling resumption of playback of video data recorded on said medium and methods and devices for recording and playback

Номер патента: RU2387028C2. Автор: Пюн Чин КИМ,Чеа Ён ЁО,Ми Хюн КИМ. Владелец: Эл Джи Электроникс Инк.. Дата публикации: 2010-04-20.

Ibypass high density device and methods thereof

Номер патента: EP2540063A2. Автор: Robert Shaw,Dennis Carpio,Eldad Matityahu,Wei Lian,Siuman Hui. Владелец: Net Optics Inc. Дата публикации: 2013-01-02.

Method of forming high-density thick piezoelectric layer and piezoelectric device including high-density thick piezoelectric layer formed using the method

Номер патента: US20080122319A1. Автор: Jae-Woo Chung,Tae-Kyung Lee,Seung-Mo Lim,Hwa-Sun Lee,Kyo-yeol Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

High density sensor module

Номер патента: US20170254680A1. Автор: Jen-Tsorng Chang,Yi-Cheng Lin,Tsung-Ju Wu,Hsin-Pei Hsieh. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-07.

High-density optical waveguide structure and printed circuit board and preparation method thereof

Номер патента: US11693181B2. Автор: Jun Zhang,Xinhong SHI,Haitao Fu,Huamei ZHOU,Longxiu ZHU,Marika Immonen. Владелец: TTM Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-04.

Recording medium having data structure for managing graphic information, as well as recording and playback methods and devices

Номер патента: RU2383950C2. Автор: Канг Соо СЕО,Дзеа Йонг ЙОО,Биунг Дзин КИМ. Владелец: ЭлДжи ЭЛЕКТРОНИКС ИНК.. Дата публикации: 2010-03-10.

Recording medium with data structure for playing back recorded static images and recording and playback methods and devices

Номер патента: RU2330334C2. Автор: Бён Джин КИМ,Ган Су СО,Сон Хён ЫМ,Сын Ван ПАК. Владелец: Эл Джи Электроникс Инк.. Дата публикации: 2008-07-27.

Energy-saving method of accessing channel for radio communication devices in radio communication networks with high density of stations

Номер патента: RU2688267C1. Автор: Ситтабрата ГОШ,Чэнь КОДЗОКАРО,Эльдад ПЕРАХИА,Шарназ АЗИЗИ. Владелец: ИНТЕЛ АйПи КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2019-05-21.

Frame structure with reduced signal field and method for high-efficiency wi-fi (hew) communication

Номер патента: EP3072247A1. Автор: Shahrnaz Azizi,Thomas J. Kenney,Eldad Perahia. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2016-09-28.

Multilayered circuit board for high-speed, differential signals

Номер патента: WO2005074336A2. Автор: John Mitchell,John E. Benham,James Clink. Владелец: Litton Systems, Inc.. Дата публикации: 2005-08-11.

Resistance Random Access Memory Structure for Enhanced Retention

Номер патента: US20120037876A1. Автор: Erh-Kun Lai,ChiaHua Ho,Kuang Yeu Hsieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-16.

Interconnect structures for integration of memory cells and logic cells

Номер патента: US20240306362A1. Автор: Feng-Ming Chang,Jui-Lin Chen,Ping-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Method to increase the surface area of a storage node electrode, of an STC structure, for DRAM devices, via formation of polysilicon columns

Номер патента: US5792688A. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-08-11.

Device and method of manufacture of an interconnection structure for printed circuit boards

Номер патента: WO2006007166A3. Автор: Stephen C Joy. Владелец: Stephen C Joy. Дата публикации: 2007-01-11.

Device and method of manufacture of an interconnection structure for printed circuit boards

Номер патента: WO2006007166A2. Автор: Stephen C. Joy. Владелец: Joy Stephen C. Дата публикации: 2006-01-19.

Bearing structure for high-low-voltage conversion circuit

Номер патента: US12096582B2. Автор: Wen-Lung Huang,Sheng-Hua Li,Chun-Han Lin,Jui-Chien Hung. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Structures for z-axis interconnection of multilayer electronic substrates

Номер патента: US09545017B2. Автор: Kenneth C Holcomb,G Delbert Friesen,Christopher A Hunrath,Khang Duy Tran,Catherine A Shearer. Владелец: Integral Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

High-density, fail-in-place switches for computer and data networks

Номер патента: US09634959B2. Автор: Fuad E. Doany,Paul W. Coteus,Todd E. Takken,Shawn A. Hall,Shurong Tian,Mark D. Schultz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for manufacturing a multi-layer module of electronic board with high density of positioning of elements

Номер патента: RU2279770C2. Автор: ОЛИВЕЙРА Руи ДЕ,ОЛИВЕЙРА Руи ДЕ (FR). Владелец: Организасьон Еропеэн Пур Ля Решерш Нюклеэр. Дата публикации: 2006-07-10.

Pulsed current generator for high-voltage electrohydraulic technologies

Номер патента: RU2666225C1. Автор: Виктор Сергеевич Ратушняк,Анатолий Васильевич Юрьев,Евгений Сергеевич Ильин,Александр Евгеньевич Гаранин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "научно-производственное предприятие "СибТрансНаука". Дата публикации: 2018-09-06.

Electronic regulator for high-voltage discharge lamp

Номер патента: RU2339190C2. Автор: Луодинг Янг. Владелец: Лоу Фанглу. Дата публикации: 2008-11-20.

Resource allocation method for internet of vehicles (iov) in high-density in-vehicle communication environment

Номер патента: US20210274505A1. Автор: Bin-jie HU,Qirui Yan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2021-09-02.

Time-sensitive networking in high density networks

Номер патента: US20220417925A1. Автор: Pascal Thubert,Jerome Henry,Akram I. SHERIFF,Robert E. BARTON. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

High-density actuator with in-motor transmission

Номер патента: WO2023150893A1. Автор: Francisco Soucy,Nathaniel ZOSO,Martin Beaumont,Marcus BROOKSHAW. Владелец: B-TEMIA INC.. Дата публикации: 2023-08-17.

Fabrication Of Uniform High Density Nanostructure Array

Номер патента: US20240099036A1. Автор: Young Geun Park,Somin Eunice Lee. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2024-03-21.

High density sensor module

Номер патента: US09891740B2. Автор: Jen-Tsorng Chang,Yi-Cheng Lin,Tsung-Ju Wu,Hsin-Pei Hsieh. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

High-density circuit and method of its manufacture

Номер патента: US4897676A. Автор: Donald C. Sedberry. Владелец: Levy Max Autograph Inc. Дата публикации: 1990-01-30.

High-density optical waveguide structure and printed circuit board and preparation method thereof

Номер патента: WO2019222769A2. Автор: Jun Zhang,Xinhong SHI,Haitao Fu,Huamei ZHOU,Longxiu ZHU,Marika Immonen. Владелец: Ttm Technologies, Inc.. Дата публикации: 2019-11-21.

Method and apparatus for a low complexity transform unit partitioning structure for HEVC

Номер патента: US10200718B2. Автор: Minhua Zhou. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-02-05.

Probabilistic shaping techniques for high performance coherent optical transceivers

Номер патента: US20210044360A1. Автор: Mario Rafael Hueda,Mario Alejandro Castrillon,Ramiro Rogelio Lopez,Damian Alfonso Morero,Cristian Cavenio,Gabriel Infante. Владелец: Inphi Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Probabilistic shaping techniques for high performance coherent optical transceivers

Номер патента: US12081274B1. Автор: Mario Rafael Hueda,Ramiro Rogelio Lopez,Damian Alfonso Morero,Cristian Cavenio,Gabriel Infante,Mario A. Castrillion. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for high-precision true color three-dimensional reconstruction of a mechanical component

Номер патента: US20220182593A1. Автор: Kai Chen,Junjie Liu,Zhibo LI,Chun Yin,Zeqi Wang,Yuhua Cheng,Xutong TAN,Gen QIU,Jianhao Luo,Aolin YANG. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2022-06-09.

Probabilistic shaping techniques for high performance coherent optical transceivers

Номер патента: US20200244372A1. Автор: Mario Rafael Hueda,Mario Alejandro Castrillon,Ramiro Rogelio Lopez,Damian Alfonso Morero,Cristian Cavenio,Gabriel Infante. Владелец: Inphi Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Method and apparatus for transmitting and receiving ultra-high definition broadcasting signal for high dynamic range representation in digital broadcasting system

Номер патента: US09712781B2. Автор: Jongyeul Suh,Soojin HWANG,Hyunmook OH. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-07-18.

Probabilistic shaping techniques for high performance coherent optical transceivers

Номер патента: US11190276B2. Автор: Mario Rafael Hueda,Mario Alejandro Castrillon,Ramiro Rogelio Lopez,Damian Alfonso Morero,Cristian Cavenio,Gabriel Infante. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2021-11-30.

Method for high-speed packet transmission of descending data in mobile communications system with intellectual antenna

Номер патента: RU2284661C2. Автор: Шихэ ЛИ,Гуйл н ЯН,Гуйлян ЯН. Владелец: Да Тан Мобайл Комьюникейшнс Эквипмент Ко., Лтд. Дата публикации: 2006-09-27.

Special pattern of paths diagram of the heater that covers a thin heating plate for high temperature uniformity

Номер патента: RU2658622C1. Автор: Нури Гокхан КОРКУСУЗ,БОЯДЖЫ Бирдже ГУЛЕДЖ. Владелец: Аселсан Электроник Санайи Ве Тиджарет Аноним Ширкети. Дата публикации: 2018-06-22.

Electro-acoustic sensor for high-pressure media

Номер патента: RU2382441C2. Автор: Джеффри Си. АНДЛЕ. Владелец: Вецтрон Интернатионал, Инк. Дата публикации: 2010-02-20.

Method and device for high-speed burst data transfer and short-delay data transfer

Номер патента: RU2286652C2. Автор: Стейн А. ЛЭНДБИ,Леонид РАЗУМОВ,Ганг БАО. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2006-10-27.

Multi-tiered hierarchical high speed switch matrix structure for very high-density complex programmable logic devices

Номер патента: US5818254A. Автор: Bradley A. Sharpe-Geisler,Om P. Agrawal. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1998-10-06.

High density stacked circuit module

Номер патента: US6014320A. Автор: Theodore T. Paczkowski,Shawn M. Mahon,Steven R. Schmieg. Владелец: HEI Inc. Дата публикации: 2000-01-11.

High density interposers with modular memory units

Номер патента: US20240080988A1. Автор: Xiang Li,Todd A. Hinck,Michael T. Crocker,Vijaya K. Boddu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Auto focus system for inspection of high-density parts

Номер патента: US20230366823A1. Автор: Robert P. Bishop,Timothy Pinkney. Владелец: Velocity Image Processing LLC. Дата публикации: 2023-11-16.

Auto focus system for inspection of high-density parts

Номер патента: WO2023205109A1. Автор: Robert P. Bishop,Timothy Pinkney. Владелец: Velocity Image Processing LLC. Дата публикации: 2023-10-26.

Two-phase immersion-type heat dissipation structure having high density heat dissipation fins

Номер патента: US20240090173A1. Автор: Chun-Te Wu,Ching-Ming Yang,Tze-Yang Yeh. Владелец: Amulaire Thermal Tech Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

High availability in packet processing for high-speed networks

Номер патента: US20180048546A1. Автор: Cheng-Ta Lee,Wei-Shiau Suen,Ming-Hsun Wu,Paul Coccoli,Gregory L. Galloway. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Data transmission unit for high bit-rate signals, especially high bit-rate optical data signals greater than 1 gbit/s

Номер патента: US20080267636A1. Автор: Mirko Lawin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-30.

Scalable interconnect structure utilizing quality-of-service handling

Номер патента: EP1400068A2. Автор: John E. Hesse,Coke S. Reed. Владелец: Interactic Holdings LLC. Дата публикации: 2004-03-24.

Scalable interconnect structure utilizing quality-of-service handling

Номер патента: WO2002033899A3. Автор: Coke S Reed,John E Hess. Владелец: Interactic Holdings LLC. Дата публикации: 2004-01-08.

Signal synchronization method and apparatus for high frequency communication

Номер патента: US20170251444A1. Автор: Yi Wang,Lei Huang,Zhenyu Shi. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-31.

Transform unit partitioning structure for video coding

Номер патента: US20240298032A1. Автор: Minhua Zhou. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Methods and procedures for high-speed accessing user equipment

Номер патента: RU2429567C2. Автор: Драган ВУЙЦИЦ,Ён-Хён КВОН. Владелец: Эл Джи Электроникс Инк.. Дата публикации: 2011-09-20.

Global and local interconnect structure comprising routing matrix to support the execution of instruction sequences by a plurality of engines

Номер патента: US09442772B2. Автор: Mohammad Abdallah. Владелец: Soft Machines Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Driving device for double-cylinder pump for high-density materials and method of its operation

Номер патента: RU2358154C2. Автор: Манфред ШВАРЦ,Георг МЮЛЛЕР,Йозеф-Фридрих ШНИТТКЕР. Владелец: Швинг Гмбх. Дата публикации: 2009-06-10.

Continuous Measuring System for High-density Resistivity of Capacitor Electrodes and Measuring Method

Номер патента: LU500628B1. Автор: Zhixin Liu,Zhanguo Lu,Xingang Xu. Владелец: Univ China Mining. Дата публикации: 2022-03-07.

Pneumatic feeding device for high-density pond culture

Номер патента: LU501561B1. Автор: Xiaolong Chen. Владелец: Fishery Machinery & Instrument Res Inst Cafs. Дата публикации: 2023-09-05.

Method for obtaining a high-density polymer ud structure for individual means of armor protection and armoring curved surfaces

Номер патента: RU2756069C1. Автор: Сергей Викторович Щербина,Олег Дмитриевич Марченко. Владелец: Олег Дмитриевич Марченко. Дата публикации: 2021-09-27.

Method for high density plasma nitridng

Номер патента: RU2611251C2. Автор: Камиль Нуруллаевич Рамазанов,Владимир Васильевич Будилов,Илья Владимирович Золотов,Лиана Наилевна Заббарова,Расим Фаритович Хуснутдинов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уфимский государственный авиационный технический университет". Дата публикации: 2017-02-21.

A metal-organic framework with optimized open metal sites and pore spaces for high methane storage at room termerature

Номер патента: EP2675815A2. Автор: Banglin Chen,Zhiyong Guo. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2013-12-25.

Metal-organic framework with optimized open metal sites and pore spaces for high methane storage at room temperature

Номер патента: US20140194639A1. Автор: Banglin Chen,Zhiyong Guo. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2014-07-10.

A metal-organic framework with optimized open metal sites and pore spaces for high methane storage at room termerature

Номер патента: WO2012112660A3. Автор: Banglin Chen,Zhiyong Guo. Владелец: BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM. Дата публикации: 2013-01-31.

Metal-organic framework with optimized open metal sites and pore spaces for high methane storage at room temperature

Номер патента: US09376641B2. Автор: Banglin Chen,Zhiyong Guo. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2016-06-28.

Fiber optic connector for high density applications and method of manufacturing fiber optic connectors

Номер патента: CA1143974A. Автор: John A. Makuch,Lawrence J. Coyne,John J. Esposito. Владелец: Bunker Ramo Corp. Дата публикации: 1983-04-05.

Catheter with irrigated tip electrode with porous substrate and high density surface micro-electrodes

Номер патента: US12064169B2. Автор: Assaf Govari,Christopher Thomas Beeckler,Athanassios Papaioannou. Владелец: Biosense Webster Israel Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Process cartridge and image forming method using toner having properties for high image quality

Номер патента: US09575461B2. Автор: Katsuhisa Yamazaki,Koji Nishikawa,Hiroki Akiyama,Kosuke Fukudome,Shohei Tsuda,Daisuke Yoshiba,Shotaro Nomura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

High density random sample storage and retrieval

Номер патента: WO2024137996A1. Автор: Xianfeng Eric ZHAO,Andy LAZUARDI,Dony PRASETYO,Wahyudin RUDIANTO,Andri SETYADI,Chaidir Ilham EL MALIK,Ezra Clement BUDIARSO. Владелец: Formulatrix, Llc. Дата публикации: 2024-06-27.

Knotless micro suture anchor array for high density anatomical attachment of soft tissue to bone

Номер патента: AU2022253023B2. Автор: Thomas A. Westling,Zak Zenz-Olson,Nathaniel Van Tran,Howard W. Harris,Marc Labbé,Patrick M. Connor,David M. Crompton. Владелец: Integrity Orthopaedics Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Knotless micro suture anchor array for high density anatomical attachment of soft tissue to bone

Номер патента: AU2022253023A1. Автор: Thomas A. Westling,Zak Zenz-Olson,Nathaniel Van Tran,Howard W. Harris,Marc Labbé,Patrick M. Connor,David M. Crompton. Владелец: Integrity Orthopaedics Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for high-density microarray mediated gene expression profiling

Номер патента: US20040002094A1. Автор: Yan Wei,Robert Larossa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-01.

Pallet tower for high density pallet storage and method

Номер патента: CA3240167A1. Автор: Paul Redman. Владелец: Qtek Design Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Metalloboranes for high density hydrogen storage

Номер патента: US10125151B2. Автор: Alireza AKBARZADEH,Christopher John Tymczak,Daniel Vrinceanu. Владелец: Texas Southern University. Дата публикации: 2018-11-13.

Compressor resources for high density storage units

Номер патента: US09778885B2. Автор: Rodney N. Mullendore,Radoslav Danilak. Владелец: Skyera LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Monolithic tape head and actuator for high density recording

Номер патента: US09466334B1. Автор: Robert G. Biskeborn,David H. F. Harper. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Seal configuration for high density lubrication oils

Номер патента: WO2024039747A1. Автор: Charles Collins,David Tanner,Ryan Semple,Aron MEYER. Владелец: Baker Hughes Oilfield Operations LLC. Дата публикации: 2024-02-22.

Seal configuration for high density lubrication oils

Номер патента: US20240060502A1. Автор: Charles Collins,David Tanner,Ryan Semple,Aron MEYER. Владелец: Baker Hughes Oilfield Operations LLC. Дата публикации: 2024-02-22.

High-density magneto-optical disk apparatus

Номер патента: US5719830A. Автор: Yong-Jae Lee,Kyo-bang Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-02-17.

High density and multiplexed nanopore devices with transverse tunneling junction for biomolecule detection and sequencing

Номер патента: EP4308922A1. Автор: Quan Qing. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2024-01-24.

High density and multiplexed nanopore devices with transverse tunneling junction for biomolecule detection and sequencing

Номер патента: US20240151682A1. Автор: Quan Qing. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2024-05-09.

Temperature sensor for high temperature

Номер патента: US09927303B2. Автор: Takashi Mihara,Mitsuaki Mochizuki. Владелец: Okazaki Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Comprehensive geophysical exploration system for high-temperature geothermal field, and geothermal sweet spot area evaluation method

Номер патента: GB2618212A. Автор: Yu Gang,GUO LIANG,Wang Ximing,Liu Xuejun,Xia Shujun,An Shujie,Song Xilin,Xiao Mengxiong. Владелец: Optical Science And Tech Chengdu Ltd. Дата публикации: 2023-11-01.

Valve construction for high density pulp cleaner

Номер патента: US5725104A. Автор: Gerald O. Walraven. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-03-10.

Optical pickup for high density recording/reproduction and method to detect a reproduction signal

Номер патента: US20020006101A1. Автор: Kun-Ho Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-01-17.

Optical Fiber Plug For High Density Optical Fiber Connections

Номер патента: US20130202252A1. Автор: Qiyue Wang,Zhigang Xia. Владелец: Sunsea Telecommunications Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-08.

High density magnetic storage system

Номер патента: US3930265A. Автор: Noboru Kimura. Владелец: Vrc California Inc. Дата публикации: 1975-12-30.

Method combining in situ target capture and spatial unique molecular identifier (sumi) identification with in vitro sequencing for high density spatial multiomics

Номер патента: US20230323438A1. Автор: Robert Pinard,Andreas Bosio,Seiyu Hosono,Thomas Rothmann. Владелец: Miltenyi Biotec GmbH. Дата публикации: 2023-10-12.

Vessel for high purity chemicals of carbon filled high density polyethylene

Номер патента: WO1995027754A1. Автор: Cor Jansen,Peter Marriott,Joachim Leifels. Владелец: Micro-Image Technology Ltd.. Дата публикации: 1995-10-19.

Stabilising mixture for high chlorine resistance

Номер патента: RU2408617C2. Автор: Майкл Е. ГЕЛБИН. Владелец: Кемтура Корпорейшн. Дата публикации: 2011-01-10.

High density magnetic storage system

Номер патента: CA1063718A. Автор: Noboru Kimura. Владелец: Vrc California Inc. Дата публикации: 1979-10-02.

Composite hamr media structure for high areal density

Номер патента: US20180082713A1. Автор: Ganping Ju,Jan-Ulrich Thiele,Pin-Wei Huang,Zengyuan Liu,Randall Victora. Владелец: University of Minnesota. Дата публикации: 2018-03-22.

Cold water solubility for high density detergent powders

Номер патента: US5415806A. Автор: John A. Hockey,Teri-Anne Pepe,Daniel J. Fox. Владелец: Lever Brothers Co. Дата публикации: 1995-05-16.

Fabrication process for high density powder composite hardfacing rod

Номер патента: EP1231014A3. Автор: Eric F. Drake,Harold Arthur Sreshta. Владелец: Camco International UK Ltd. Дата публикации: 2004-02-04.

High density nanofluidics

Номер патента: US20190210020A1. Автор: Robert Dubrow,Andrew Golden,Laurent Menard,Hardeep Singh,Jeff KROGMEIER,Samrudhi SHARMA. Владелец: Genturi Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

Centroid markers for image analysis of high density clusters in complex polynucleotide sequencing

Номер патента: US09758825B2. Автор: Alan D. Kersey,Jonathan Mark Boutell. Владелец: Illumina Cambridge Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for manufacturing a stamper for high-density recording discs

Номер патента: US5480763A. Автор: Tetsuya Kondo,Yoshikazu Nagai,Kei Murata,Katunori Ohshima. Владелец: Victor Company of Japan Ltd. Дата публикации: 1996-01-02.

Method and Device for High Density Optical Disk Data Storage

Номер патента: US20070086309A1. Автор: Jianwen Yang. Владелец: New Span Opto Tech Inc. Дата публикации: 2007-04-19.

Method and apparatus for high density storage and handling of bit-plane data

Номер патента: US7593016B2. Автор: Woodrow L. Meeker. Владелец: Teranex Systems Inc. Дата публикации: 2009-09-22.

Polyethylene naphthalate film for high-density magnetic recording media of floppy disk

Номер патента: US4876137A. Автор: Shigeo Utsumi. Владелец: Diafoil Co Ltd. Дата публикации: 1989-10-24.

Sheet member, high-density region-containing sheet manufacturing method and disposable diaper using sheet member

Номер патента: EP2039504A4. Автор: Satoru Sakaguchi. Владелец: Unicharm Corp. Дата публикации: 2009-07-29.

Structures for managing and mounting cable assemblies

Номер патента: WO2010024853A2. Автор: Terry L. Cooke,Tory A. Klavuhn,Manuel Alejandro Lopez Sanchez,David L. Dean Jr.,Harley J. Staber. Владелец: Corning Cable Systems LLC. Дата публикации: 2010-03-04.

Branching structures for managing cable assemblies in a shelf assembly

Номер патента: WO2010024853A3. Автор: Terry L. Cooke,Tory A. Klavuhn,Manuel Alejandro Lopez Sanchez,David L. Dean Jr.,Harley J. Staber. Владелец: Corning Cable Systems LLC. Дата публикации: 2010-05-27.

Channel-specific convolution-based convolutional neural network structure for high-speed object recognition using 3d lidar

Номер патента: EP4024284A1. Автор: Tae Hyoung Park. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of CBNU. Дата публикации: 2022-07-06.

Design structure for task based debugger (transaction-event -job-trigger)

Номер патента: US20080215923A1. Автор: Kenneth J. Goodnow,Gregory J. Mann,Serafino Bueti,Todd E. Leonard,Charles S. Woodruff. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

Multistage solvent extraction method for high-density oil pools

Номер патента: RU2547861C2. Автор: Джон НЕННИГЕР. Владелец: Н-Солв Хеви Ойл Корпорейшн. Дата публикации: 2015-04-10.

Crosslinking high density polyethylene with t-octyl silicon peroxides

Номер патента: US4245056A. Автор: Lawrence A. Bock,Reidar Halle. Владелец: Argus Chemical Corp. Дата публикации: 1981-01-13.

Method of producing high-density and high-energy rocket and aviation fuel based on 2-vinyl norbornane (versions)

Номер патента: RU2739190C1. Автор: Вячеслав Геннадьевич Певгов,Александр Викторович Кулик,Константин Борисович Рудяк,Антон Львович Максимов,Вадим Олегович Самойлов,Максим Владимирович Бермешев,Сергей Валерьевич Шорунов,Екатерина Сергеевна Пискунова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Ордена Трудового Красного Знамени Институт нефтехимического синтеза им. А.В. Топчиева Российской академии наук (ИНХС РАН). Дата публикации: 2020-12-21.

Adaptive writing method for high-density optical recording apparatus and circuit thereof

Номер патента: MY135200A. Автор: Kyung-geun Lee,Jin-Gyo Seo,Chang-jin Yang,Du-Seop Yoon,Myung-Do Roh,Yong-Jin Ahn,Seoung-Soo Kim,Myeong-Ho Cho,Jong-Kyu Kim,Sung-Ro Ko,Tatsuhiro Ohtsuka,Seong-Sin Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-29.

Methods and systems for high density RFID part scanning

Номер патента: US10163046B1. Автор: Edward Li,Kevin Yong Ung,Jack Fredrickson,William David Kelsey,John Jiang Yu,Brian James Smith. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2018-12-25.

Tote bin for high density articles and material handling system

Номер патента: CA1057216A. Автор: Robert J. Troller. Владелец: CECOR. Дата публикации: 1979-06-26.

Lead-free glaze for high density alumina

Номер патента: US3927238A. Автор: Frank Vincent Dimarcello. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1975-12-16.

High density protein arrays for screening of protein activity

Номер патента: CA2408291C. Автор: Mark Reed,Michael Snyder,Heng Zhu,James Frank Klemic. Владелец: YALE UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-07-15.

Method for determining high-density metals in plants

Номер патента: RU2675379C1. Автор: Сарра Абрамовна Бекузарова,Владислав Борисович Заалишвили,Ольга Германовна Бурдзиева,Тамерлан Таймуразович Магкоев,Туган Аланович Дулаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный научный центр "Владикавказский научный центр Российской академии наук" (ВНЦ РАН). Дата публикации: 2018-12-19.

Guiding reed for high density warping

Номер патента: GB1215484A. Автор: . Владелец: Benninger AG Maschinenfabrik. Дата публикации: 1970-12-09.

High density lipoprotein cholesterol assay

Номер патента: US4188188A. Автор: Howard Willner,Robert J. Kapteyn. Владелец: Bio Rad Laboratories Inc. Дата публикации: 1980-02-12.

Polyester film for high-density magnetic tape

Номер патента: CA2073276A1. Автор: Masashi Inagaki,Yuko Watanuki,Utsumi Shigeo. Владелец: Utsumi Shigeo. Дата публикации: 1993-01-19.

Method for manufacturing a magnetic powder for high density magnetic recording

Номер патента: CA1188882A. Автор: Tadashi Ido,Osamu Kubo,Hirotaka Yokoyama,Tutomu Nomura. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-06-18.

Digital data formatting system for high density magnetic recording

Номер патента: US4367497A. Автор: Vaughn J. Jenkins. Владелец: Sperry Corp. Дата публикации: 1983-01-04.

Method of shed opening of planar warp for high density three dimensional weaving

Номер патента: US5449025A. Автор: Amotz Weinberg. Владелец: Shenkar College of Textile Technology and Fashion. Дата публикации: 1995-09-12.

Self-synchronizing servo control system and servo data code for high density disk drives

Номер патента: US4987355A. Автор: Randall L. Sandusky,Robert Y. Noguchi,Mark W. E. Leaper. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1991-01-22.

Compact axial turbine for high density working fluid

Номер патента: US11898451B2. Автор: Joseph Harris,Paul Angel. Владелец: Industrom Power LLC. Дата публикации: 2024-02-13.

Small form factor detector module for high density diffuse optical tomography

Номер патента: US11864865B2. Автор: Joseph Culver,Edward Richter,Adam T. Eggebrecht. Владелец: Washington University in St Louis WUSTL. Дата публикации: 2024-01-09.

Tunnel for high density packaged goods

Номер патента: US20180157879A1. Автор: Ian J. Forster. Владелец: AVERY DENNISON RETAIL INFORMATION SERVICES LLC. Дата публикации: 2018-06-07.

Anatomically contoured stimulation leads for high density neural interface

Номер патента: EP4054704A1. Автор: Bo Lu,Ken RYS. Владелец: Verily Life Sciences LLC. Дата публикации: 2022-09-14.

Coating composition for high density polyethylene tubing

Номер патента: EP1280850A1. Автор: Carl Horowitz,Mohan L. Sanduja,Paul Thottathil,Robert Mishiyev. Владелец: Logstar Ror As. Дата публикации: 2003-02-05.

High density soilless plant growth system and method

Номер патента: MY192265A. Автор: Gideo Van Der Merwe Pieter. Владелец: E Smarts Global Licensing Ltd. Дата публикации: 2022-08-15.

Improved tunnel for high density packaged goods

Номер патента: WO2018102390A1. Автор: Ian J. Forster. Владелец: Avery Dennison Retail Information Services, LLC. Дата публикации: 2018-06-07.

Knotless micro suture anchor array for high density anatomical attachment of soft tissue to bone

Номер патента: CA3214410A1. Автор: Thomas A. Westling,Zak Zenz-Olson,Nathaniel Van Tran,Howard W. Harris,Marc Labbé,Patrick M. Connor,David M. Crompton. Владелец: Integrity Orthopaedics Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Knotless micro suture anchor array for high density anatomical attachment of soft tissue to bone

Номер патента: WO2022216960A1. Автор: Thomas A. Westling,Zak Zenz-Olson,Nathaniel Van Tran,Howard W. Harris,Marc Labbé,Patrick M. Connor,David M. Crompton. Владелец: Integrity Orthopaedics, Inc.. Дата публикации: 2022-10-13.

Knotless micro suture anchor array for high density anatomical attachment of soft tissue to bone

Номер патента: EP4291106A1. Автор: Thomas A. Westling,Zak Zenz-Olson,Nathaniel Van Tran,Howard W. Harris,Marc Labbé,Patrick M. Connor,David M. Crompton. Владелец: Integrity Orthopaedics Inc. Дата публикации: 2023-12-20.

Improved tunnel for high density packaged goods

Номер патента: EP3549054A1. Автор: Ian J. Forster. Владелец: AVERY DENNISON RETAIL INFORMATION SERVICES LLC. Дата публикации: 2019-10-09.

Locking aid for high density bd-rom discs

Номер патента: EP1861850A2. Автор: Alexander Padiy,Bart Van Rompaey. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-12-05.

Locking aid for high density bd-rom discs

Номер патента: MY138687A. Автор: Alexander Padiy,Bart Van Rompaey. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2009-07-31.

Proactive data placement in high density storage by a hybrid non-volatile storage controller

Номер патента: US20240256440A1. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Timothy J. Fisher,Andrew D. Walls,Nikolas Ioannou,Roman Alexander Pletka,Radu Ioan Stoica,Aaron Daniel Fry. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of manufacturing high-density, including optical, ceramics using electrophoretic deposition of nanoparticles

Номер патента: RU2638205C1. Автор: Максим Геннадьевич Иванов,Елена Григорьевна Калинина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт электрофизики Уральского отделения Российской академии наук (ИЭФ УрО РАН). Дата публикации: 2017-12-12.

Method of regenerating material from high-density polyethylene (hdpe) by thermal fusion and regenerated products from hdpe

Номер патента: RU2735016C1. Автор: ОСОРИО Габриэль Игнасио БАРАОНА,ПАЭС Сильвия Монсеррат БРУНА. Владелец: Сосьедад Комерсиаль Арут Спа. Дата публикации: 2020-10-27.

Interconnect structure for display device and projection display apparatus

Номер патента: US20070171216A1. Автор: Hiroshi Sata,Koichi Katagawa,Hideaki Kawaura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-07-26.

Proactive data placement in high density storage by a hybrid non-volatile storage controller

Номер патента: US12093171B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Timothy J. Fisher,Andrew D. Walls,Nikolas Ioannou,Roman Alexander Pletka,Radu Ioan Stoica,Aaron Daniel Fry. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Vibration suppression bar handle structures for high-vibration handheld machines

Номер патента: US20240316742A1. Автор: Xingjian JING. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2024-09-26.

Vibration suppression bar handle structures for high-vibration handheld machines

Номер патента: US12109673B1. Автор: Xingjian JING. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2024-10-08.

High density polyethylene compositions

Номер патента: WO2024215428A1. Автор: Keran LU,Fengyi Zhang. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Corrosion-resistant structure for high-temperature water system and corrosion-preventing method thereof

Номер патента: US09969889B2. Автор: Seiji Yamamoto,Kenji Yamazaki,Koji Negishi,Osamu Shibasaki,Masato Okamura,Hajime Hirasawa,Tetsuji Kaneko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Corrosion-resistant structure for high-temperature water system and corrosion-preventing method thereof

Номер патента: US09771482B2. Автор: Seiji Yamamoto,Kenji Yamazaki,Koji Negishi,Osamu Shibasaki,Masato Okamura,Hajime Hirasawa,Tetsuji Kaneko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of manufacture of ceramic material of high density with use of hexagonal boron nitride

Номер патента: RU2662488C1. Автор: Дзянфэн ЧЖАН,Юипин У,Гайе ЛИ,Шен ХУН,Вэнмин ГУО. Владелец: Хохай Юнивесити. Дата публикации: 2018-07-26.

Modular method of improving quality and system for improving quality of oil shale in high-density coal beds

Номер патента: RU2698754C1. Автор: Бо Чжан,Лян ДУН,Чэньлун ДУАНЬ,Юэминь ЧЖАО,Сюйчэнь ФАНЬ,Чэньян ЧЖОУ,Цзинфэн ХЭ. Владелец: Чайна Юниверсити Оф Майнинг Энд Текнолоджи. Дата публикации: 2019-08-29.

Method of manufacture of the laminated paper of the high density and with the high oxygen permeability and the paper of the high-density produced by this method

Номер патента: RU2299812C2. Автор: Кнут Магне ФУРУХЕЙМ. Владелец: Кнут Магне ФУРУХЕЙМ. Дата публикации: 2007-05-27.

Mattress with casing having a quilted layer of high density foam method and system for making same

Номер патента: US20170088990A1. Автор: Stephen J. Schiller,Ryan B. Bethea. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-30.

High-density port tap fiber optic modules, and related systems and methods for monitoring optical networks

Номер патента: EP2850475A1. Автор: Terry Lee Cooke,Brian Keith Rhoney,Scott Eaker BUFF,Christopher Shawn Houser,Ronald Alan LEONARD. Владелец: CORNING OPTICAL COMMUNICATIONS LLC. Дата публикации: 2015-03-25.

Method of recording addresses onto high-density read-only recording medium, a high-density read-only recording medium containing addresses recorded by the method, and reproducing method of the high-density read-only recording medium

Номер патента: WO2004017313A1. Автор: Sang Woon Suh,Jung Bae Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2004-02-26.

Edge couplers including a rounded region adjacent to an opening in the interconnect structure

Номер патента: US11774686B2. Автор: Yusheng Bian,Edward Kiewra,Robert K. Leidy,Abdelsalam Aboketaf,Brett Cucci. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

High-density optical disk with a polymer film featuring thermochromism

Номер патента: US20030108709A1. Автор: Jin Kim,Kyung Park,Bum Rhee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2003-06-12.

Structure for high resolution mouse

Номер патента: US20020180702A1. Автор: Chia-Hui Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Vibration suppression split handle structures for high-vibration handheld

Номер патента: US20240316741A1. Автор: Xingjian JING. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2024-09-26.

High temperature lubricating agent for updating viscosity of low- and high-density brines

Номер патента: RU2453576C2. Автор: Рейналдо Конрадо Наваррете,Чженкьян ВЭЙ. Владелец: Акцо Нобель Н.В.. Дата публикации: 2012-06-20.

Method for manufacturing solid-state composite additive for high performance structural component

Номер патента: GB2615443A. Автор: Zhao Bing,Li Zhiqiang,Chen Fulong. Владелец: AVIC Manufacturing Technology Institute. Дата публикации: 2023-08-09.

Peptide-attached pillar[5]arene for highly permeable and selective artificial water channel, and its synthesis and characterization

Номер патента: WO2019182517A1. Автор: Qing Li,Rong Wang,Choon Hong Tan. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-09-26.

Enhanced bag drop film and packaging using oriented high-density polyethylene

Номер патента: EP4247640A1. Автор: Robert M. Sheppard,Eric T. Gohr. Владелец: Jindal Films Americas LLC. Дата публикации: 2023-09-27.

Enhanced Bag Drop Film and Packaging Using Oriented High-Density Polyethylene

Номер патента: US20230311467A1. Автор: Robert M. Sheppard,Eric T. Gohr. Владелец: Jindal Films Americas LLC. Дата публикации: 2023-10-05.

High-density optical disk with a polymer film featuring thermochromism

Номер патента: US20030108758A1. Автор: Jin Kim,Kyung Park,Bum Rhee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2003-06-12.

Cholesterol-free high-density lipoprotein particles

Номер патента: EP4414379A1. Автор: Masaki Takahashi,Taro Okada,Nami Yoshikawa,Masakazu KAKUNI. Владелец: Phoenixbio Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

High density readable only optical disc and method of preparing the same

Номер патента: WO2005029484A9. Автор: In-Oh Hwang,Joo-Ho Kim,Hyun-Ki Kim,Du-Seop Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-06.

High density readable only optical disc and method of preparing the same

Номер патента: WO2005029484A1. Автор: In-Oh Hwang,Joo-Ho Kim,Hyun-Ki Kim,Du-Seop Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2005-03-31.

High-density polyethylene mixed resin particles, composite resin particles, foamed particles and foamed molded body

Номер патента: US09902828B2. Автор: Yuichi GONDOH,Hiroki Oowaki. Владелец: Sekisui Plastics Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Low, medium and high density single-catalyst polyethylenes

Номер патента: RU2388766C2. Автор: Райнер КОЛЬБ,Джон Ф. СУЛЬ. Владелец: ЮНИВЕЙШН ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2010-05-10.

Method of producing high-density composite material based on al2o3 - ticn

Номер патента: RU2741032C1. Автор: Владимир Андреевич Батаев,Владимир Григорьевич Буров,Гарегин Раймондович Карагедов,Анатолий Андреевич Батаев,Сергей Викторович Веселов,Руслан Изатович Кузьмин,Василий Васильевич Янпольский,Андрей Геннадиевич Тюрин,Алексей Олегович Лазарев,Вячеслав Игоревич Квашнин,Екатерина Дмитриевна Зыкова,Захар Алексеевич Карпович,Алексей Александрович Виноградов,Руслан Александрович Максимов. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ «НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ». Дата публикации: 2021-01-22.

Coupling for fiber connector with high density of placing full set of fibers

Номер патента: RU2630201C2. Автор: Шух ЛИ,Роберт Риэн ВАЛЛАНС,Майкл К. БАРНОСКИ,Грегори Л. КЛОТЦ. Владелец: Нанопресижен Продактс, Инк.. Дата публикации: 2017-09-06.

Method for preparation of base brine with high density for creation of killing and completion fluids

Номер патента: RU2720023C1. Автор: Денис Валерьевич Фроловский. Владелец: Денис Валерьевич Фроловский. Дата публикации: 2020-04-23.

Supported plasma sputtering apparatus for high deposition rate over large area

Номер патента: US4038171A. Автор: Ronald W. Moss,Edwin D. McClanahan, Jr.,Nils Laegreid. Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 1977-07-26.

Method of manufacturing a heat-resistant filled high density foam

Номер патента: RU2651156C1. Автор: Евгений Владимирович Седов,Ирина Юрьевна Андреева,Галина Васильевна Котко. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики имени академика Е.И. Забабахина". Дата публикации: 2018-04-18.

Abrasive surfaced article for high temperature service

Номер патента: CA1237990A. Автор: Harry E. Eaton,Alfred P. Matarese,Richard C. Novak,James M. Goodman. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 1988-06-14.

High density disk drive performance enhancement system

Номер патента: US20140019681A1. Автор: Daniel R. Zaharris,Daniel S. Fisher,Gregory L. Huff. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2014-01-16.

Flexible high-density mapping catheter tips and flexible ablation catheter tips with onboard high-density mapping electrodes

Номер патента: EP4272631A3. Автор: Alan de la Rama,Cary Hata,Carlo Pappone,Donald C. DENO. Владелец: St Jude Medical Cardiology Division Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Ultra-high density cell banking methods

Номер патента: AU2022204128B2. Автор: Xiaoxia JIN,Claudia BUSER. Владелец: Genzyme Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Carbon Foam and High Density Carbon Foam Assembly

Номер патента: US20100136320A1. Автор: Thomas M. Matviya. Владелец: Touchstone Research Laboratory Ltd. Дата публикации: 2010-06-03.

Simultaneous Production of High Density Carbon Foam Sections

Номер патента: US20070128102A1. Автор: Thomas Matviya. Владелец: Touchstone Research Laboratory Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Use of high density map in occupancy grid

Номер патента: US20240190460A1. Автор: Oliver F. Schwindt,Stephan Reuter,Marcel Brueckner. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-06-13.

High-density fiber management system

Номер патента: WO2023183352A1. Автор: Gregory L. Kuffel,Jeremy S. Parrish. Владелец: PANDUIT CORP.. Дата публикации: 2023-09-28.

Methods for quantitating high-density lipoprotein cholesterol

Номер патента: AU8750998A. Автор: Kazuo Nakanishi,Mitsuhiro Nakamura,Koichi Hino,Mitsuhisa Manabe. Владелец: Sekisui Medical Co Ltd. Дата публикации: 1999-03-16.

Methods for quantitating high-density lipoprotein cholesterol

Номер патента: AU757184B2. Автор: Kazuo Nakanishi,Mitsuhiro Nakamura,Koichi Hino,Mitsuhisa Manabe. Владелец: Daiichi Pure Chemicals Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-06.

Methods for quantitating high-density lipoprotein cholesterol

Номер патента: EP1046716B1. Автор: Kazuo-Daiichi Pure Chemicals Co. Ltd. NAKANISHI,Mitsuhiro-Daiichi Pure Chemicals Co. Lt NAKAMURA,Koichi-Daiichi Pure Chemicals Co. Ltd. HINO,Mitsuhisa-Daiichi Pure Chemicals Co. Ltd. MANABE. Владелец: Sekisui Medical Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-24.

Information processing apparatuses system suitable to implement and modify a high density computational business logic program only acting on the high density computational business logic program placed in the database server computer

Номер патента: US20130138722A1. Автор: Andrea Conti,Riccardo Angelo Enrico Bella,Barbara Maria Bozzi,Stefano Galleni,Francesco Giovanni Gelfi,Danilo Francesco Nervo,Andrea Luigi Innocente Villa Luraschi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-05-30.

System and method for synthetic breast tissue image generation by high density element suppression

Номер патента: US20240260923A1. Автор: Xiaomin Liu,Haili Chui,Nikolaos Gkanatsios,Xiangwei Zhang. Владелец: Hologic Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Flexible High-Density Mapping Catheter Tips and Flexible Ablation Catheter Tips With Onboard High-Density Mapping Electrodes

Номер патента: US20240252815A1. Автор: Alan de la Rama,Cary Hata,Carlo Pappone,Don Curtis Deno. Владелец: St Jude Medical Cardiology Division Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

High density polyethylene compositions, method of producing the same, closure devices made therefrom, and method of making such closure devices

Номер патента: US20240301117A1. Автор: Mridula Kapur,Stephanie M. Whited,Keran LU. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-12.

Methods of making coatings containing high density metal material and making coated articles with the same

Номер патента: US20180371282A1. Автор: Jason P. Dutter. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2018-12-27.

Ultra-high density cell banking methods

Номер патента: AU2024220017A1. Автор: Xiaoxia JIN,Claudia BUSER. Владелец: Genzyme Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

High density brines for use in wellbore fluids

Номер патента: CA2602004A1. Автор: HUI Zhang,Robert L. Horton,Bethicia B. Prasek,Mary L.K. Dimataris. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-22.

Housing for high-pressure fluid applications

Номер патента: US09989053B2. Автор: Tang Jun,Bill Ladd,Wang Cheng CAI. Владелец: Serva Group LLC. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for combinatorial particle manipulation for producing high-density molecule arrays, in particular peptide arrays, and molecule arrays that can be obtained by means thereof

Номер патента: US09925509B2. Автор: Frank Breitling,Frieder Märkle,Alexander NESTEROV-MÜLLER,Felix LÖFFLER,Sebastian SCHILLO,Valentina BYKOVSKAYA,Clemens VON BOJNICIC-KNINSKI,Klaus Leibe. Владелец: Pepperprintgmbh (de/de). Дата публикации: 2018-03-27.

Method for quantitatively sensing and effectively marking interaction with target material by using energy transfer and signal change based on high-density display of material

Номер патента: US09759717B2. Автор: Tae Kook Kim. Владелец: T&k Bioinnovation Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

High density fuels from isoprene

Номер патента: US09650315B1. Автор: Benjamin G. Harvey. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-05-16.

High-density electrode-based medical device system

Номер патента: US09480525B2. Автор: Saar Moisa,Fernando Luis De Souza Lopes,Peter Josiah Hawes. Владелец: Kardium Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Bimodal polyethylene resins of high density and composition with improved properties, and ways of their production and application

Номер патента: RU2629120C2. Автор: Джошуа Аллен КОТТЛ,Марк Антони ГЕССНЕР,Роберт Эрнест САНДЕР,Люк ДЁР. Владелец: Инеос Олефинс & Полимерз Ю-Эс-Эй, Э Дивижн Оф Инеос Ю-Эс-Эй Ллк. Дата публикации: 2017-08-24.

Cross-laminated multilayer film structure for use in the production of banknotes or the like

Номер патента: US5618630A. Автор: Gordon L. Benoit,Rudolph VanderVelden. Владелец: Mobil Oil Corp. Дата публикации: 1997-04-08.

High-density polyethylene compositions and method of making the same

Номер патента: MY145620A. Автор: Michael A Kinnan,Stephanie M Whited,William J Michie,Debra R Wilson. Владелец: DOW GLOBAL TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2012-03-15.

High-density polyethylene compositions and method of making the same

Номер патента: CA2652812C. Автор: Michael A. Kinnan,Stephanie M. Whited,William J. Michie, Jr.,Debra R. Wilson. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2014-10-14.

Method for detection and recognition of visual markers of long range and high density

Номер патента: RU2729399C1. Автор: Хуан Мануэль САЭС МАРТИНЕС,Франциско ЭСКОЛАНО РУИС,Мигель Анхель ЛОЗАНО ОРТЕГА,Хавьер ПИТА ЛОЗАНО. Владелец: Универсидад Де Аликанте. Дата публикации: 2020-08-06.

Tread for a ribbed pneumatic tire having high density siping zones located in the rib regions

Номер патента: CA2054838C. Автор: Daniel Edward Schuster. Владелец: Goodyear Tire and Rubber Co. Дата публикации: 2001-02-20.

Surfboard construction without using a stringer, instead using a high density foam sandwich with a spine

Номер патента: NZ601398A. Автор: Paul Barron. Владелец: Paul Barron. Дата публикации: 2013-01-25.

High-density fiber management system

Номер патента: US20230305252A1. Автор: Gregory L. Kuffel,Jeremy S. Parrish. Владелец: Panduit Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

High flexural strength high density environmental friendly artificial glass composite slab and the preparation method thereof

Номер патента: US20200123330A1. Автор: Jinpan Chen. Владелец: Foshan Monica Quartz Stone Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Tracking system for use in regular and high density optical recording mediums

Номер патента: US5561643A. Автор: Hiroaki Yoshida,Eiichi Nakamura,Koichi Yamazaki. Владелец: Nippon Conlux Co Ltd. Дата публикации: 1996-10-01.

High density fuels from isoprene

Номер патента: US09845436B1. Автор: Benjamin G. Harvey. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-12-19.

High-density polyethylene copolymer and synthesis method thereof

Номер патента: RU2434887C2. Автор: Уилльям Дж. МИЧИ,Дебра Р. УИЛСОН,Стефани М. УАЙТЕД,Майкл А. КИННЭН. Владелец: ДАУ ГЛОБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2011-11-27.

High-density polyethylene composition and closure

Номер патента: RU2647852C2. Автор: Бретт Кристофер Домой,Барретт Алберт АНГЕР,Марк Т. ЯБЛОНКА. Владелец: Унилевер Н.В.. Дата публикации: 2018-03-21.

Method for producing high-density jet fuel for supersonic aviation

Номер патента: RU2657733C1. Автор: Сергей Викторович Иванов,Антон Львович Максимов,Вадим Олегович Самойлов,Альберт Борисович Куликов,Наталья Николаевна Петрухина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Ордена Трудового Красного Знамени Институт нефтехимического синтеза им. А.В. Топчиева Российской академии наук (ИНХС РАН). Дата публикации: 2018-06-15.

Multilaminar high density polyethylene film with high biaxial orientation

Номер патента: US5885721A. Автор: Tien-Kuei Su,Robert V. Poirier. Владелец: Mobil Oil Corp. Дата публикации: 1999-03-23.

Paraloid extrusion aids for high molecular weight HDPE film resins

Номер патента: US4963622A. Автор: William D. Heitz. Владелец: Union Carbide Chemicals and Plastics Technology LLC. Дата публикации: 1990-10-16.

Method of reforming by using high-density catalyst

Номер патента: RU2388534C2. Автор: Марк П. Лапински,Марк Д. МОЗЕР,Вероника М. ГОДФРИ,Мишель Дж. КОЭН. Владелец: Юоп Ллк. Дата публикации: 2010-05-10.

Method of producing high-density and high-energy rocket and aviation fuel component based on methyl-substituted 2,2'-bis (norbornanyl) (versions)

Номер патента: RU2739242C1. Автор: Вячеслав Геннадьевич Певгов,Александр Викторович Кулик,Константин Борисович Рудяк,Антон Львович Максимов,Вадим Олегович Самойлов,Максим Владимирович Бермешев,Сергей Валерьевич Шорунов,Екатерина Сергеевна Пискунова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Ордена Трудового Красного Знамени Институт нефтехимического синтеза им. А.В. Топчиева Российской академии наук (ИНХС РАН). Дата публикации: 2020-12-22.

Electroplatable high-density plastic

Номер патента: US20200362167A1. Автор: Shih-Yuan Liao. Владелец: Pontex Polyblend Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Blends containing linear low density polyethylene, high density polyethylene, and low density polyethylene particularly suitable for extrusion coating and films

Номер патента: WO2002048258A2. Автор: Ray Edwards,Bruce Alexander Gillespie,Diane Hines Farnham. Владелец: EASTMAN CHEMICAL COMPANY. Дата публикации: 2002-06-20.

Method of producing high density quartz ceramics and articles thereof

Номер патента: RU2637352C1. Автор: Феодосий Яковлевич Бородай. Владелец: Акционерное общество "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология" им. А.Г. Ромашина". Дата публикации: 2017-12-04.

Methods for creation of high density cell bank (variants)

Номер патента: RU2668796C2. Автор: Сяося ЦЗИНЬ,Хаоди ДУН,Клаудия БАСТЕР. Владелец: Джензим Корпорейшн. Дата публикации: 2018-10-02.

High-density vibro-damping elastomeric materials

Номер патента: RU2637689C1. Автор: Юрий Владимирович Исаев,Анатолий Николаевич Выборов,Сергей Юрьевич Кукушкин,Сергей Владимирович Санкин,Михаил Александрович Абакумов,Анастасия Сергеевна Санкина. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр РЕЗИНА-Подольск". Дата публикации: 2017-12-06.

Self-oriented high-pressure casing and mechanism for high pressure casing and injector connection

Номер патента: RU2709546C2. Автор: Майкл А. СПОН,Кевин П. КОУЭН,Барри Л. ТАККЕР,III Артур И. УБЕР,Эдвард Дж. РАЙНХАРТ. Владелец: БАЙЕР ХелсКер ЛЛСи. Дата публикации: 2019-12-18.

Method for producing high-density jet fuel (options)

Номер патента: RU2670449C1. Автор: Сергей Викторович Иванов,Антон Львович Максимов,Вадим Олегович Самойлов,Наталья Николаевна Петрухина,Мария Игоревна Онищенко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Ордена Трудового Красного Знамени Институт нефтехимического синтеза им. А.В. Топчиева Российской академии наук (ИНХС РАН). Дата публикации: 2018-10-23.

Method for producing high-density press workpieces with dispersed grains in powder metallurgy of metal-ceramic, mineral-ceramic and refractory alloys

Номер патента: RU2746657C1. Автор: Вадим Вениаминович Бражкин,Лев Григорьевич Хвостанцев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики высоких давлений им. Л.Ф. Верещагина Российской академии наук (ИФВД РАН). Дата публикации: 2021-04-19.

Multilaminar high density polyethylene film with high biaxial orientation

Номер патента: CA2305391A1. Автор: Robert Victor Poirier,Su Tien-Kuei. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-04-08.

Method and installation for high purity oxygen provision by means of cryogenic distillation of air

Номер патента: RU2354902C2. Автор: Ален ГИЙЯР,Ксавье ПОНТОН,Жан-Жак ШОЛЛА. Владелец: Л`Эр Ликид Сосьете Аноним А Директуар Э Консей Де Сюрвейянс Пур Л`Этюд Э Л`Эксплуатасьон Де Проседе Жорж Клод. Дата публикации: 2009-05-10.

Method for quantifying cholesterol in high-density lipoprotein

Номер патента: CA2246308C. Автор: Akira Fujiwara,Hiroshi Matsui,Shuichi Ohara,Yasuki Ito. Владелец: Denka Seiken Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-18.

Method of quantifying cholesterol in high density lipoprotein and reagent compositions

Номер патента: CA2481851C. Автор: Hiroshi Matsui,Motoko Ohta. Владелец: Denka Seiken Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-03.

High-density optical disc, method for recording and reproducing encrypted data thereon

Номер патента: US7599279B2. Автор: Jin Yong Kim,Sang Woon Suh. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2009-10-06.

Electrolytic methods for production of high density copper powder

Номер патента: US3994785A. Автор: Ralph E. Rippere. Владелец: Individual. Дата публикации: 1976-11-30.

Process for continuous production of high density detergent agglomerates in a single mixer/densifier

Номер патента: USH1604H. Автор: William T. Campbell,Robert G. Welch. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 1996-11-05.

Methods and apparatus for a putter club head with high density inserts

Номер патента: GB2393914A. Автор: Bradley D Schweigert,John A Solheim,Eric V Cole. Владелец: Karsten Manufacturing Corp. Дата публикации: 2004-04-14.

Method for manufacturing high-density wood laminate material

Номер патента: CA3037327A1. Автор: Koji Nagaoka,Kazuki Sakamoto,Katsuhito Oshima,Yasushi Sugio. Владелец: Daiken Corp. Дата публикации: 2019-03-29.

Method of recording addresses onto high-density read-only recording medium, a high-density read-only recording medium containing addresses recorded by the method, and reproducing method of the high-density read-only recording medium

Номер патента: EP1529287A4. Автор: Sang Woon Suh,Jung Bae Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2008-04-02.

Process for preparing high-density quercetin

Номер патента: EP4289417A1. Автор: José Ángel MARAÑÓN MAROTO,Patricia MORENO PUENTE,Cristina LOZANO MARTÍN,María MANCHA AVELLÁN,David MUÑOZ PLAZA,Carlos RAMÍREZ BORREGO. Владелец: Tradichem Industrial Services SL. Дата публикации: 2023-12-13.

Method for manufacturing high-density ink-jet print head

Номер патента: US20010048452A1. Автор: Ming-Ling Lee,Chieh-Wen Wang,Yuan-Liang Lan,Yi-Yung Wu,Yi-Hsuan Lai. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2001-12-06.

Use of a high-density paper substrate, the coated high-density substrate and a laminated packaging material and packaging container comprising it

Номер патента: CA3213669A1. Автор: Fredrik Nordström,Ulf NYMAN,Mats Aldén,Olivia MARKBO. Владелец: Tetra Laval Holdings and Finance SA. Дата публикации: 2022-10-20.

Process for preparing high-density quercetin

Номер патента: US20230399305A1. Автор: José Ángel MARAÑÓN MAROTO,Patricia MORENO PUENTE,Cristina LOZANO MARTÍN,María MANCHA AVELLÁN,David MUÑOZ PLAZA,Carlos RAMÍREZ BORREGO. Владелец: Tradichem Industrial Services SL. Дата публикации: 2023-12-14.

Use of a high-density paper substrate, the coated high-density substrate and a laminated packaging material and packaging container comprising it

Номер патента: US20240200271A1. Автор: Fredrik Nordström,Ulf NYMAN,Mats Aldén,Olivia MARKBO. Владелец: Tetra Laval Holdings and Finance SA. Дата публикации: 2024-06-20.

A method for forming molecular layers having high density of primary amine group on solid supports

Номер патента: EP1274768A1. Автор: Hong-Jin Kim,Joon-Won Park. Владелец: Pohang University of Science and Technology Foundation POSTECH. Дата публикации: 2003-01-15.

Method for forming molecular layers having high density of primary amine group on solid supports

Номер патента: US20030134041A1. Автор: Hong-Jin Kim,Joon-Won Park. Владелец: Pohang University of Science and Technology Foundation POSTECH. Дата публикации: 2003-07-17.

Portable roadway warning device with high-density filler and absent rigid metal ballast inserts

Номер патента: CA3212063A1. Автор: Donald REITER. Владелец: Plastic Safety Systems Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Portable roadway warning device with high-density filler and absent rigid metal ballast inserts

Номер патента: US20240018730A1. Автор: Donald REITER. Владелец: Plastic Safety Systems Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Method for maximizing coronavirus killing activity of high-density lipoproteins, and pharmaceutical composition for preventing or treating covid-19

Номер патента: US20230390333A1. Автор: Kyung-Hyun Cho. Владелец: Raydel Korea Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Method for maximizing coronavirus killing activity of high-density lipoproteins, and pharmaceutical composition for preventing or treating covid-19

Номер патента: EP4252765A1. Автор: Kyung-Hyun Cho. Владелец: Raydel Korea Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

High density microarrays and uses thereof

Номер патента: WO2024137511A1. Автор: Andrew Stephens,Katsuo Kurabayashi,Yujing SONG,Shiuan-Haur SU. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2024-06-27.

Flexible high-density mapping catheter

Номер патента: US12036027B2. Автор: Gregory K. Olson,Don Curtis Deno. Владелец: St Jude Medical Cardiology Division Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

DNA-peptide composite comprising high-density functional group, DNA-peptide-nanomaterial composite and preparation method therefor, and DNA-metal nanowire and manufacturing method therefor

Номер патента: US12037580B2. Автор: Su Ji Kim,Jung Heon Lee,Kyung Il Kim,Seong Hyun LEE,Kyu Bong JO,Xuelin JIN. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-07-16.

Cholesterol-free high-density lipoprotein particles

Номер патента: CA3234502A1. Автор: Masaki Takahashi,Taro Okada,Nami Yoshikawa,Masakazu KAKUNI. Владелец: Phoenixbio Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-13.

High density labeling of dna with modified or "chromophore"carrying nucleotides and dna polymerases used

Номер патента: EP1208230A2. Автор: Frank Seela,Waltraud Ankenbauer,Klaus Muehlegger,Martin Augustin,Bernhard Angerer,Karin Gumbiowski,Matthias Zulauf. Владелец: Roche Diagnostics GmbH. Дата публикации: 2002-05-29.

Flexible high-density mapping catheter

Номер патента: US20220061727A1. Автор: Gregory K. Olson,Don Curtis Deno. Владелец: St Jude Medical Cardiology Division Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

High density recording medium, recording apparatus, recording method, reproducing apparatus, and reproducing method in which synchronization patterns are recorded with a shift so that positions in a track direction do not overlap

Номер патента: US10546606B2. Автор: Satoru Higashino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-01-28.

Protective trays with high density of storage

Номер патента: WO2024158413A1. Автор: Saumitra Bhargava,Jonathan Godfrey. Владелец: LIFOAM INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2024-08-02.

Flexible high-density fiberboard and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170144327A1. Автор: Hanaa Dahy,Jan KINPPERS. Владелец: Universität Stuttgart Institut Für Tragkonstruktionen Und Konstruktives Entwerfen. Дата публикации: 2017-05-25.

Flexible high-density fiberboard and method for manufacturing the same

Номер патента: EP3166765A1. Автор: Jan Knippers,Hanaa Dahy. Владелец: Universität Stuttgart Institut Für Tragkonstruktionen Und Konstruktives Entwerfen. Дата публикации: 2017-05-17.

Pronunciation function evaluation system based on array high-density surface electromyography

Номер патента: US20210128049A1. Автор: XIN Wang,Guanglin Li,Xiaochen WANG,Mingxing Zhu,Shixiong Chen,Zijian Yang,Jiashuo ZHUANG. Владелец: Shenzhen Institute of Advanced Technology of CAS. Дата публикации: 2021-05-06.

Slider composed of high-density silicon carbide sintered compact

Номер патента: US5075264A. Автор: Hisashi Kinugasa,Nobuto Mukae. Владелец: Nippon Pillar Packing Co Ltd. Дата публикации: 1991-12-24.

High density fiber terminator/connector

Номер патента: US20030202769A1. Автор: Roman Gutierrez,Tony Tang. Владелец: Siwave Inc. Дата публикации: 2003-10-30.

Method for manufacturing high-density artificial graphite electrode

Номер патента: EP3950639A1. Автор: Yoichi Kawano. Владелец: Nippon Steel Chemical and Materials Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-09.

High-density information storage media

Номер патента: US20030218965A1. Автор: Der-Ray Huang,Tzuan-Ren Jeng,Jau-Jiu Ju,Hai-Hsiang Tsai. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2003-11-27.

High Density Carbon Foam Composite Tooling

Номер патента: US20100264562A1. Автор: Thomas M. Matviya. Владелец: Touchstone Research Laboratory Ltd. Дата публикации: 2010-10-21.

Catheter with high density electrode spine array

Номер патента: US20240277277A1. Автор: Meir Bar-tal,Shubhayu Basu,Stuart Williams,Curt R. Eyster,Ryan Hoitink,Shamim Qutubuddin. Владелец: Biosense Webster Israel Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Protective trays with high density of storage

Номер патента: US20240253279A1. Автор: Saumitra Bhargava,Jonathan Godfrey. Владелец: Lifoam Industries LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

High-density thermodynamically stable nanostructured copper-based bulk metallic systems, and methods of making the same

Номер патента: US20160319397A1. Автор: Kristopher A. Darling,Laszlo J. Kecskes,Anthony J. Roberts,Micah J. Gallagher. Владелец: US Army Research Laboratory. Дата публикации: 2016-11-03.

Catheter with high density electrode spine array

Номер патента: US12089940B2. Автор: Meir Bar-tal,Shubhayu Basu,Stuart Williams,Curt R. Eyster,Ryan Hoitink,Shamim Qutubuddin. Владелец: Biosense Webster Israel Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Ingestible, high-density compressed-tablet fibre composition

Номер патента: AU7509287A. Автор: Robert W. Schumacher,Mary Beth Houston. Владелец: Warner Lambert Co LLC. Дата публикации: 1988-01-14.

Flexible High-Density Mapping Catheter

Номер патента: US20240350063A1. Автор: Gregory K. Olson,Don Curtis Deno. Владелец: St Jude Medical Cardiology Division Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Pipes including high density multimodal polyethylene compositions

Номер патента: WO2024220175A1. Автор: Andrew T. Heitsch,Joel D. Wieliczko,Todd A. Hogan,Rujul M. MEHTA,Elva L. LUGO,Rachel C. Anderson,Paul BALDING. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-24.

Nanoemulsion and method for preparation thereof, and high-temperature-resistant, high-density, oil-based well completion fluid and application thereof

Номер патента: US20240360354A1. Автор: Jianhua Wang,Shan GAO,Haijun Yang,Jiaqi Zhang,Rongchao CHENG,Xiaoxiao NI,Lili Yan,Fengbao Liu,Xiaobo CUI,Rentong LIU. Владелец: CNPC Engineering Technology R&D Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method and reagent for quantifying cholesterol in high density lipoprotein 3

Номер патента: US12066447B2. Автор: Noriyuki Sato,Yasuki Itoh. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Rotary high density heat exchanger

Номер патента: US09970712B2. Автор: John David JUDE,John Carl BASTIAN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-15.

High-density thermodynamically stable nanostructured copper-based bulk metallic systems, and methods of making the same

Номер патента: US09822430B2. Автор: Kristopher A. Darling,Laszlo J. Kecskes,Anthony J. Roberts,Micah J. Gallagher. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 2017-11-21.

Catheter with high density electrode spine array

Номер патента: US09820664B2. Автор: Meir Bar-tal,Stuart Williams,Curt R. Eyster,Ryan Hoitink,Shamim Qutubuddin,Shobhayu Basu. Владелец: Biosense Webster Israel Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for measuring cholesterol in high-density lipoprotein

Номер патента: US09670525B2. Автор: Yuki Katayama,Rie Utsugi. Владелец: Kyowa Medex Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Efficient conversion of pure and mixed terpene feedstocks to high density fuels

Номер патента: US09617488B1. Автор: Benjamin G Harvey,Heather A Meylemans,Roxanne L Quintana. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-04-11.

Injection-molded flexible tube based on high-density polyethylene

Номер патента: US09617042B2. Автор: Géry Dambricourt. Владелец: CEP TUBES. Дата публикации: 2017-04-11.

High density cyclic fuels derived from linear sesquiterpenes

Номер патента: US09493717B2. Автор: Benjamin G. Harvey. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2016-11-15.

High-density optical fiber ribbon and ribbon cable interconnects employing small diameter optical fibers

Номер патента: EP4459347A2. Автор: Scott Robertson Bickham,Ulrich Wilhelm Heinz Neukirch. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-11-06.

Method of measuring cross-linking degrees of low and high density polyethylene (versions) and device for its realisation

Номер патента: RU2624601C1. Автор: Александр Ильич Смирнов,Владимир Викторович Новиков,Василий Васильевич Потапов,Константин Витальевич Суслов,Геннадий Кириллович Новиков,Вадим Валентинович Федчишин,Ольга Евгеньевна Пушко. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Иркутский национальный исследовательский технический университет" (ФГБОУ ВО "ИРНИТУ"). Дата публикации: 2017-07-04.

Method for the separation of high density lipoprotein from blood samples

Номер патента: US5290703A. Автор: Chen-jung Hsu,Robert C. Payne,James A. Profitt. Владелец: Miles Inc. Дата публикации: 1994-03-01.

Device and method for highly concentrated plasma recovery from whole blood

Номер патента: RU2578418C2. Автор: Хон КИМ. Владелец: Хон КИМ. Дата публикации: 2016-03-27.

Billet for high-strength fasteners made from deformable titanium alloy, and method of manufacturing thereof

Номер патента: RU2724751C1. Автор: Михаил Оттович Ледер,Алексей Сергеевич Зайцев,Игорь Юрьевич Пузаков,Наталья Юрьевна Таренкова,Наталия Георгиевна Митропольская,Роберт Дэвид Бриггс. Владелец: Компания Боинг. Дата публикации: 2020-06-25.

Deformed high-entropy alloy for high-temperature applications

Номер патента: RU2696799C1. Автор: Геннадий Алексеевич Салищев,Сергей Валерьевич Жеребцов,Никита Дмитриевич Степанов,Никита Юрьевич Юрченко,Евгения Сергеевна Панина. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Белгородский государственный национальный исследовательский университет" (НИУ "БелГУ"). Дата публикации: 2019-08-06.

Device for high-speed high-sensitivity registration of x-ray images with discrimination of secondary scattered radiation

Номер патента: RU2754112C1. Автор: Максим Александрович Карпов,Надия Абдуллаевна Клеопова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ДАЙМОНД ВИЖЕН". Дата публикации: 2021-08-26.

Method for manufacturing and utilizing high-density air

Номер патента: MY186855A. Автор: Kumar T N Sharma Krishna. Владелец: KOBAYASHI Takaitsu. Дата публикации: 2021-08-26.

Method and device for high-pressure gas suppression system control

Номер патента: RU2427403C2. Автор: Бруно ЛЮДЕРС,Грегор ВИЛЬДЕРМУТ. Владелец: Тоталь Вальтер Гмбх Фойершутц Унд Зихерхайт. Дата публикации: 2011-08-27.

Coatings and coating systems containing high density metal material

Номер патента: US10414949B2. Автор: Jason P. Dutter. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2019-09-17.

High density disc

Номер патента: MY136791A. Автор: Chong-Sam Chung,Yong-Hoon Lee,Kyung-geun Lee,In-sik Park,Du-Seop Yoon,Han-Kook Choi,Heui-Jong Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-11-28.

Method and apparatus for separation of a liquid phase from a two phase fluid flow in a low density fraction and a high density fraction

Номер патента: EP1226857A2. Автор: Sven Ivar Hommeltoft. Владелец: Haldor Topsoe AS. Дата публикации: 2002-07-31.

Ultra-high density concrete composition, manufacturing method of such concrete composition, concrete member made by such concrete composition, and manufacturing method of such concrete member

Номер патента: US20220135491A1. Автор: Byung-Suk Kim,Kyung-Taek KOH,Gum-Sung RYU,Gi Hong AN,Jong-Dae BAEK,Jae-Yoon KANG,Jae-Joon Song. Владелец: Korea Institute of Civil Engineering and Building Technology KICT. Дата публикации: 2022-05-05.

Thermally stable high density polyethylene-asphaltene composite

Номер патента: US20200157323A1. Автор: Mohammad Nahid Siddiqui,Halim Hamid Redhwi,Muhammad Younas. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2020-05-21.

High-density warp-fiber woven fabric and methods of manufacturing the same

Номер патента: GB2583568A. Автор: Kumar Jain Mohit. Владелец: Indo Count Industries Ltd. Дата публикации: 2020-11-04.

Method and system for retrieving and storing items within at least one high density racking structure

Номер патента: US20230234782A1. Автор: Amir Khajepour. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-07-27.

Portable drive system for high masts

Номер патента: WO2022086469A1. Автор: İlker YÜCEL. Владелец: Mitas Endustri Sanayi Ticaret Anonim Sirketi. Дата публикации: 2022-04-28.

Scalable coding method for high quality audio

Номер патента: EP1210712A1. Автор: Louis Dunn Fielder,Stephen Decker Vernon. Владелец: Dolby Laboratories Licensing Corp. Дата публикации: 2002-06-05.

High temperature resistant epoxy resins for producing hollow fiber membrane modules for high temperature gas separation applications

Номер патента: US09637586B2. Автор: Chunqing Liu,Howie Q. Tran,Travis C. Bowen. Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 2017-05-02.

Trunnion for high-pressure turbin and turbojet engine including such trunnion

Номер патента: RU2657105C2. Автор: Морис Ги ЖЮДЭ,Ларан Жак Мишель КОЛОМБО,Фабрис ГАРЕН. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2018-06-08.

Device for high-clearance cultivation

Номер патента: RU2714292C1. Автор: Борис Федорович Тарасенко,Владимир Денисович Карпенко,Антон Алексеевич Скубак. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный аграрный университет имени И.Т. Трубилина". Дата публикации: 2020-02-13.

Apparatus for high-temperature mechanical tests of cylindrical objects

Номер патента: RU2582270C1. Автор: Виктор Владимирович Байрак,Нина Николаевна Скобелева,Алексей Владимирович Колосветов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики" - ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ". Дата публикации: 2016-04-20.

Colorful composition for high-speed screen printing, printed material manufactured through high-speed screen printed by painted composite, and method of manufacture of specified printed material

Номер патента: RU2664054C1. Автор: Такуя ТОРИХАТА,Томоми ОГАТА,Наото ТАКАДА. Владелец: Тейкоку Принтинг Инкс Мфг. Ко., Лтд. Дата публикации: 2018-08-14.

Tunnel for high-speed rolling stock

Номер патента: RU2683841C1. Автор: Владимир Николаевич Кавказский,Олег Олегович Шелгунов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Петербургский государственный университет путей сообщения Императора Александра I". Дата публикации: 2019-04-02.

Kit for high tibial osteotomy and method of correction of varus strain of knee joint by means of mini-invasive operation

Номер патента: RU2696243C2. Автор: Дмитрий Анатольевич Холявкин,Евгений Иосифович Бялик,Сергей Анатольевич Макаров,Валерий Евгеньевич Бялик. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ОСТЕОМЕД-М" (ООО "ОСТЕОМЕД-М"). Дата публикации: 2019-07-31.

Method for producing high-temperature ceramic thermoelectric converters for high-temperature thermometry from nitrides of elements of titanium and vanadium subgroups using method for oxidative engineering

Номер патента: RU2759827C1. Автор: Константин Александрович Солнцев,Герман Петрович Кочанов,Иван Александрович Ковалев,Андрей Станиславович Чернявский,Иван Дмитриевич Рубцов,Александр Владимирович Шокодько. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2021-11-18.

Aluminium sheet for high temperature soldering with high strength and excellent corrosion characteristics

Номер патента: RU2553133C2. Автор: Линда АХЛЬ,Стефан НОРГРЕН. Владелец: Сапа Хит Трансфер Аб. Дата публикации: 2015-06-10.

Ultra-fine aluminum alloys for high-strength articles made under superplasticity conditions, and a method of producing articles

Номер патента: RU2739926C1. Автор: Руслан Зуфарович Валиев,Максим Юрьевич Мурашкин,Елена Владимировна Бобрук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уфимский государственный авиационный технический университет". Дата публикации: 2020-12-29.

Plate steel for high-strength and high impact strength of steel pipes and method for production of plate steel

Номер патента: RU2698036C1. Автор: Нобуюки ИСИКАВА,Хидэюки КИМУРА,Кадзукуни ХАСЭ,Рё НАГАО. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2019-08-21.

Multiple jet propulsor for high-speed vessels moving on the water surface, above the water surface and under water (variants)

Номер патента: RU2651949C1. Автор: Борис Никифорович Сушенцев. Владелец: Борис Никифорович Сушенцев. Дата публикации: 2018-04-24.

Method and unit for high-temperature gas mixture separation

Номер патента: RU2642559C2. Автор: . Владелец: Благодаров Юрий Петрович. Дата публикации: 2018-01-25.

Integrated Research and Development System for High-throughput Preparation and Statistical Mapping Characterization of Materials

Номер патента: US20230205175A1. Автор: Lei Yu,XING Yu,HUI Wang,Lei Zhao,Lixia Yang,Haizhou Wang,Dongling LI,Xuejing Shen,Yunhai JIA,Xuebin Chen. Владелец: NCS TESTING TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

System and method for high-voltage disconnection in a vehicle

Номер патента: US20130307326A1. Автор: Jochen Fassnacht. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2013-11-21.

Burner device for high-temperature air combustion

Номер патента: US09869468B2. Автор: Masato Tamura,Takahiro Kozaki. Владелец: IHI Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

System and method for high-voltage disconnection in a vehicle

Номер патента: US09475437B2. Автор: Jochen Fassnacht. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-10-25.

High-density polyethylene

Номер патента: RU2419640C2. Автор: Портер С. ШЕННОН,Фред Д. ЭРМАНН. Владелец: ЮНИВЕЙШН ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2011-05-27.

High density polyethylene

Номер патента: RU2674695C2. Автор: Кристиан РАЙН,Андрей Буряк,Люк МОННИССАН,Гайр Кристиан ЙОНЗЕН,Джой ЧЕН. Владелец: АБУ-ДАБИ ПОЛИМЕРС КОМПАНИ ЛИМИТЕД (БОРУЖ) Эл.Эл.Си.. Дата публикации: 2018-12-12.

High-density bimodal polyethylene with increased resistance to cracking under influence of surrounding medium for blow moulding

Номер патента: RU2375393C2. Автор: Стефен ДЖЕЙКЕР. Владелец: ЮНИВЕЙШЕН ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2009-12-10.

Expression monitoring by hybridization to high density oligonucleotide arrays

Номер патента: US6040138A. Автор: Mark S. Chee,David J. Lockhart,Gordon G. Wong,Thomas R. Gingeras,Eugene L. Brown. Владелец: Affymetrix Inc. Дата публикации: 2000-03-21.

Process for making high density detergent agglomerates using an anhydrous powder additive

Номер патента: US5486303A. Автор: Adrian J. W. Angell,Scott W. Capeci,James W. Osborn,Paul van Dijk. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 1996-01-23.

High-density three-dimensional electroconductive micro- and mesoporous material based on carbon nanotubes and/or low-layer graphenes and method for production thereof

Номер патента: RU2744163C1. Автор: Сергей Вячеславович Савилов,Антон Сергеевич Иванов,Евгения Викторовна Суслова,Сергей Александрович Черняк,Екатерина Анатольевна Архипова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2021-03-03.

Piston-type pump to supply high-density media with constant rate

Номер патента: RU2324070C2. Автор: Манфред ЛЕНХАРТ. Владелец: Швинг Гмбх. Дата публикации: 2008-05-10.

Device for high-speed packaging in blister packs combined with device for packaging in cardboard boxes

Номер патента: RU2761251C1. Автор: Вэньлэй ЛИ,Ифу ЯН,Цзюньцзе ЛИ. Владелец: Чжэцзян Хопинг Машинери Ко., Лтд.. Дата публикации: 2021-12-06.

Heat hydro insulation pipeline products for high-temperature thermal networks, heat and technological pipelines and the method of its manufacture

Номер патента: RU2669218C1. Автор: . Владелец: Закрытое акционерное общество "ПЕТЕРПАЙП". Дата публикации: 2018-10-09.

Hydrogenation catalyst for highly aromatised middle-distillate petroleum raw materials and method for preparation thereof

Номер патента: RU2757368C1. Автор: Роман Эдуардович Болдушевский,Наталья Яковлевна Виноградова,Алёна Игоревна Гусева,Павел Анатольевич Никульшин,Алексей Вячеславович Юсовский,Людмила Алексеевна Гуляева,Ольга Ивановна Шмелькова,Людмила Николаевна Алексеенко. Владелец: Публичное акционерное общество "Нефтяная компания "Роснефть" (ПАО "НК "Роснефть"). Дата публикации: 2021-10-14.

Method for high-speed processing of oil tar

Номер патента: RU2768167C1. Автор: Андрей Валерьевич Чистяков,Марк Вениаминович Цодиков,Александр Ефимович Гехман,Роман Сергеевич Борисов,Григорий Игоревич Константинов,Вячеслав Иванович Пасевин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Ордена Трудового Красного Знамени Институт нефтехимического синтеза им. А.В. Топчиева Российской академии наук (ИНХС РАН). Дата публикации: 2022-03-23.

Measurement of urinary bladger temperature for high-intensity focused ultrasound

Номер патента: RU2686294C1. Автор: Мартинус Бернардус ВАН ДЕР МАРК,Эдвин ХЕЙМАН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2019-04-24.

Starting device for high-pressure gas-discharge lamps

Номер патента: RU2264696C2. Автор: В.В. Сумароков,С.Б. Злочевский,И.Г. Рогинский,А.В. Кочетов,Н.Н. Серегин. Владелец: Кочетов Антон Викторович. Дата публикации: 2005-11-20.

Silica-alumina filter for high-temperature chemical adsorption of caesium isotope vapours

Номер патента: RU2498430C2. Автор: Павел Владимирович Сизов,Сергей Васильевич Баранов,Альберт Семенович Алой,Александр Васильевич Стрельников,Вячеслав Ильич Соколов,Александр Дмитриевич Максименко. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное объединение "Радиевый институт им. В.Г. Хлопина". Дата публикации: 2013-11-10.

Support ring assembly for high pressure sealing

Номер патента: RU2606717C2. Автор: Петер Вебер,Петер НЮННЕРИХ,Вилфрид КНАУФ. Владелец: Уде Хай Преше Текнолоджиз Гмбх. Дата публикации: 2017-01-10.

Fail-safe unit fixing plug for high-speed safety locking device

Номер патента: RU2586806C2. Автор: Джеймс Честер ХОКИНС,Роман АЛЕКСАНДРУ-ВЛАД,Дэвид Е. ВУЛАМЗ,Тун НГУЕН. Владелец: Эмерсон Процесс Менеджмент Регьюлэйтор Текнолоджиз, Инк.. Дата публикации: 2016-06-10.

Mixture for high-temperature finishing concrete with glass coating

Номер патента: RU2394797C1. Автор: Юлия Алексеевна Щепочкина. Владелец: Юлия Алексеевна Щепочкина. Дата публикации: 2010-07-20.

Industrial 3d printer for high temperature printing

Номер патента: RU2770997C1. Автор: Артем Александрович Соломников,Дмитрий Евгеньевич Марченко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Компания ИМПРИНТА". Дата публикации: 2022-04-25.

Grouting polymer composition for high temperatures

Номер патента: RU2754527C1. Автор: Андрей Николаевич Утробин,Ильдар Робертович Арсланов,Алсу Венеровна Фахреева,Ольга Владимировна Балакирева,Наталья Анатольевна Сергеева. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Уфимский научно-технический центр" (ООО "Уфимский НТЦ"). Дата публикации: 2021-09-03.

System and method for high-speed actuation of hydraulic drive

Номер патента: RU2591224C2. Автор: Марио Р. ЛУГО,Райан Д. ФОНТЕНОТ,Саид М.Р. АЛИ. Владелец: Эксонмобил Апстрим Рисерч Компани. Дата публикации: 2016-07-20.

High strength spring, method for its manufacture, steel for high strength spring and method for its manufacture

Номер патента: RU2679288C1. Автор: Мотоки ВАТАНАБЕ,Коки МИНОГУТИ,Хироюки ОИСИ. Владелец: Мицубиси Стил Мфг. Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-02-07.

Laminate of a substrate and an extruded high density polyethylene layer

Номер патента: CA2396256C. Автор: Elaine Audrey Mertzel,James Patrick Sheets,John Walter Truskowski. Владелец: Cooper Standard Automotive Inc. Дата публикации: 2011-03-22.

Method for high-precision geomagnetic vector survey and corresponding device

Номер патента: RU2593436C1. Автор: Цзяньдун ГАО. Владелец: Управление Металлургии И Геологии Кнр Институт Геологической Разведки Шаньдун Чжэнюань. Дата публикации: 2016-08-10.

Multichannel hardware-software system for high-speed digital signal processing

Номер патента: RU2714493C2. Автор: Зуфар Барыевич Садыков,Давид Тимурович Лобжанидзе. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Казанский (Приволжский) федеральный университет" (ФГАОУ ВО КФУ). Дата публикации: 2020-02-18.

High density thermal recording and magnetic reading recording medium and system

Номер патента: US20050128885A1. Автор: Po-Cheng Kuo,Der-Ray Huang,Chao-Te Lee,Tzuan-Ren Jeng. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2005-06-16.

Reduction air nozzle for high-discharge ventilation systems

Номер патента: RU2517118C2. Автор: Борут ГРАУФ,Миклос НИКОЛИКС. Владелец: Штрабаг Аг. Дата публикации: 2014-05-27.

A foamable composition using high density polyethylene

Номер патента: CA2327933C. Автор: Ronnie D. Kisner,Gary R. Wilkes,Jeffrey J. Stimler. Владелец: Pregis Innovative Packaging Inc. Дата публикации: 2006-08-08.

High density recording medium having a non-magnetic, metallic layer on a flexible substrate

Номер патента: US6144525A. Автор: Hao-Jan Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-11-07.

Apparatus and methods for producing and using high-density cells and products therefrom

Номер патента: CA2360916C. Автор: Andrei I. Voznesensky,Gale E. Smith,John Knell. Владелец: Protein Sciences Corp. Дата публикации: 2013-05-21.

High-density ethylene-based polymer using hybrid supported metallocene catalyst, and preparation method

Номер патента: EP3450469A1. Автор: Ui Gab Joung,Dong Wook Jeong,Dong Ok Kim,Song Hee YANG,In Jun Lee,Won Jun Kang. Владелец: Hanwha Chemical Corp. Дата публикации: 2019-03-06.

Inertial navigation complex for high-speed manoeuvring object

Номер патента: RU2657293C1. Автор: Анатолий Сергеевич Хмелевский,Анатолий Георгиевич Щипицын,Александр Николаевич Лысов,Валентин Владимирович Коваленко. Владелец: Валентин Владимирович Коваленко. Дата публикации: 2018-06-13.

Safety system for high-altitude works (version of t-beam guide rail)

Номер патента: RU2708112C1. Автор: Николай Сергеевич Руднев. Владелец: Николай Сергеевич Руднев. Дата публикации: 2019-12-04.

Process for making a high density detergent composition via post drying mixing/densification

Номер патента: CA2268628C. Автор: John Frederick Lange,Frank William De Nome. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2003-07-29.

Cooling tower with sloping high density film fill sandwiched between low density film fill

Номер патента: US4934663A. Автор: Peter M. Phelps. Владелец: Individual. Дата публикации: 1990-06-19.

Ultra-high density cell banking methods

Номер патента: EP3193594A1. Автор: Xiaoxia JIN,Claudia BUSER. Владелец: Genzyme Corp. Дата публикации: 2017-07-26.

High density dot matrix printer

Номер патента: CA1208973A. Автор: Phillip P. Brown,An Wang. Владелец: Wang Laboratories Inc. Дата публикации: 1986-08-05.

High density polyethylene veneered crowns for children

Номер патента: US6106295A. Автор: George M. Wilson. Владелец: GSF Trust. Дата публикации: 2000-08-22.

Method of producing a high density silicon carbide product

Номер патента: CA1124996A. Автор: Richard H. Smoak. Владелец: Kennecott Corp. Дата публикации: 1982-06-08.

Process for making high density detergent

Номер патента: CA2263748C. Автор: Scott William Capeci,Paul Anthony Zaffiro,Larry Vincent Dalton,William Garrett Halvorsen,Antonio Williams. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2002-09-24.

A method of reducing the in vivo cholesterol ester transfer protein mediated transfer of cholesteryl esters between high density lipoproteins (HDL) and low density lipoproteins (LDL)

Номер патента: NZ531938A. Автор: Kishor M Wasan,Haydn P Pritchard. Владелец: Forbes Medi Tech Inc. Дата публикации: 2006-04-28.

High density polyethylene film

Номер патента: GB1413379A. Автор: . Владелец: DuPont Canada Inc. Дата публикации: 1975-11-12.

Method for producing high-density sintered silicon carbide articles

Номер патента: US4788018A. Автор: Koichi Yamada,Masahide Mouri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1988-11-29.

High density metal components manufactured by powder metallurgy

Номер патента: US5594186A. Автор: Robert F. Krause,Joseph H. Bularzik,Harold R. Kokal. Владелец: Magnetics International Inc. Дата публикации: 1997-01-14.

Backfill paste production facility and method and apparatus for producing high density slurry and paste backfills

Номер патента: US5888026A. Автор: Long Jin Chen,Daniel G. Millette,Alfred Annor. Владелец: Canada Minister of Natural Resources. Дата публикации: 1999-03-30.

Method of producing a composite part from high-density glass granules

Номер патента: US7951317B2. Автор: Jean-Philippe Gasca,Yohann Barnaud,Ludovic Chichignoud. Владелец: OCV Intellectual Capital LLC. Дата публикации: 2011-05-31.

High density high strength alpha sialon based article and process for producing same

Номер патента: US5032553A. Автор: Christopher A. Tarry. Владелец: GTE Products Corp. Дата публикации: 1991-07-16.

Stratified panel structure possessing interleaved, thin-high-density, thick-low-density core-structure stack arrangement

Номер патента: US20100151216A1. Автор: Russell A. Monk,Lance A. Hicks. Владелец: High Impact Technology LLC. Дата публикации: 2010-06-17.

High-density optical disc and method for restricting playback of the high-density optical disc in optical disc apparatus

Номер патента: CA2459238C. Автор: Jin Yong Kim,Sang Woon Suh. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2012-10-09.

High-density electrode-based medical device system

Номер патента: US20240115316A1. Автор: Saar Moisa,Fernando Luis De Souza Lopes,Peter Josiah Hawes. Владелец: Kardium Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

High density hybrid rocket motor

Номер патента: US11787752B2. Автор: Brian WERRY,Eric BOYER,Andrew J. Sherman,Andrew Cortopassi. Владелец: Terves LLC. Дата публикации: 2023-10-17.

System and method for synthetic breast tissue image generation by high density element suppression

Номер патента: US11857358B2. Автор: Xiaomin Liu,Haili Chui,Nikolaos Gkanatsios,Xiangwei Zhang. Владелец: Hologic Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

High density aluminum parts from additive manufacturing

Номер патента: EP4271530A1. Автор: Patrick Dougherty,Deborah M. Wilhelmy,Kyle MYERS. Владелец: Exone Operating LLC. Дата публикации: 2023-11-08.

High-density electrode-based medical device system

Номер патента: US11896295B2. Автор: Saar Moisa,Fernando Luis De Souza Lopes,Peter Josiah Hawes. Владелец: Kardium Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Intelligent analysis system applied to ethology of various kinds of high-density minimal polypides

Номер патента: US20230401896A1. Автор: Chen Fang,Jie Su,Jianping Zhang,Jiamin GU. Владелец: Shihezi University. Дата публикации: 2023-12-14.

Bacillus mucilaginosus and high-density fermentation method and use thereof

Номер патента: US20180044701A1. Автор: QI Chen,Yaogui MU,Liangqi ZHAO,Wenwang QIN,lIHUA LV. Владелец: Shanxi Green Biotechnology Industry Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-15.

Bacillus mucilaginosus and high-density fermentation method and use thereof

Номер патента: US20220081697A1. Автор: QI Chen,Yaogui MU,Liangqi ZHAO,Wenwang QIN,lIHUA LV. Владелец: Shanxi Green Biotechnology Industry Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Bacillus mucilaginosus and high-density fermentation method and use thereof

Номер патента: US20200048660A1. Автор: QI Chen,Yaogui MU,Liangqi ZHAO,Wenwang QIN,lIHUA LV. Владелец: Shanxi Green Biotechnology Industry Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

High density polyethylene compositions and articles made therefrom

Номер патента: CA3218982A1. Автор: Mridula Kapur,Stephanie M. Whited,Keran LU. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2022-11-24.

Flexible high-density mapping catheter tips and flexible ablation catheter tips with onboard high-density mapping electrodes

Номер патента: EP2908723A1. Автор: Alan de la Rama,Cary Hata,Carlo Pappone,Donald C. DENO. Владелец: St Jude Medical Cardiology Division Inc. Дата публикации: 2015-08-26.

Flexible high-density mapping catheter tips and flexible ablation catheter tips with onboard high-density mapping electrodes

Номер патента: US20200297996A1. Автор: Alan de la Rama,Carlo Pappone,Don Curtis Deno,Cary K. Hata. Владелец: St Jude Medical Cardiology Division Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Flexible high-density mapping catheter tips and flexible ablation catheter tips with onboard high-density mapping electrodes

Номер патента: US20200138378A1. Автор: Alan de la Rama,Carlo Pappone,Don Curtis Deno,Cary K. Hata. Владелец: St Jude Medical Cardiology Division Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Flexible high-density mapping catheter tips and flexible ablation catheter tips with onboard high-density mapping electrodes

Номер патента: US20200330752A1. Автор: Alan de la Rama,Carlo Pappone,Don Curtis Deno,Cary K. Hata. Владелец: St Jude Medical Cardiology Division Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Flexible High-Density Mapping Catheter Tips and Flexible Ablation Catheter Tips With Onboard High-Density Mapping Electrodes

Номер патента: US20220370792A1. Автор: Alan de la Rama,Cary Hata,Carlo Pappone,Don Curtis Deno. Владелец: St Jude Medical Cardiology Division Inc. Дата публикации: 2022-11-24.

Flexible high-density mapping catheter tips and flexible ablation catheter tips with onboard high-density mapping electrodes

Номер патента: EP4272631A2. Автор: Alan de la Rama,Cary Hata,Carlo Pappone,Donald C. DENO. Владелец: St Jude Medical Cardiology Division Inc. Дата публикации: 2023-11-08.

A system for integration of data centers and high density farming

Номер патента: WO2023211995A1. Автор: Matthew Morris. Владелец: Matthew Morris. Дата публикации: 2023-11-02.

Ferrule-terminated high-density optical fiber cable assembly

Номер патента: US20240142720A1. Автор: QI Wu,Ming-Jun Li. Владелец: Corning Research and Development Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Ultra-high density cell banking methods

Номер патента: US20230309551A1. Автор: Xiaoxia JIN,Claudia BUSER. Владелец: Genzyme Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

High-density multi-layer optical disc and method for managing layer formatting thereof

Номер патента: EP1512144A1. Автор: Sang Woon Suh. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2005-03-09.

System and method for synthetic breast tissue image generation by high density element suppression

Номер патента: EP3856033A1. Автор: Xiaomin Liu,Haili Chui,Nikolaos Gkanatsios,Xiangwei Zhang. Владелец: Hologic Inc. Дата публикации: 2021-08-04.

Insulated window and door opening assemblies with high-density insulating cores

Номер патента: US11761258B1. Автор: Jeffrey M. Klein,Jeffrey A. Quillen. Владелец: Quantum Holdings LLC. Дата публикации: 2023-09-19.

High density aluminum parts from additive manufacturing

Номер патента: US20240058865A1. Автор: Patrick Dougherty,Deborah M. Wilhelmy,Kyle MYERS. Владелец: Exone Operating LLC. Дата публикации: 2024-02-22.

High density acrylic polymer for use on the interior side of existing windows

Номер патента: WO2017197484A1. Автор: Réjean QUINTAL. Владелец: Réjean QUINTAL. Дата публикации: 2017-11-23.

Device to separate particles of solids and high-density fluids from fluids of lower-density

Номер патента: US20060180527A1. Автор: Josef Klems,Otto Blaschke. Владелец: Willibrord Loesing Filterproduktion Gmbh. Дата публикации: 2006-08-17.

Electrochemical measuring of reactive oxygen species (ros) levels in peripheral blood to detect ratio of low-density neutrophils (ldns) to high-density neutrophils (hdns), suitable to alarm presence of cancer in suspicious cases

Номер патента: US20230140879A1. Автор: Mohammad ABDOLAHAD,Zohreh Sadat Miripour,Mina Amininfar. Владелец: Nano Hesgarsazan Salamat Arya. Дата публикации: 2023-05-11.

High density brain electrode assembly for read-out and/or stimulation of brain tissue, for example a high density brain read-out and/or stimulation electrode assembly to read-out and/or stimulate a lateral geniculate nucleus of the thalamus to create visual perceptions in a mammal.

Номер патента: NL2032152B1. Автор: Wang Feng,Chen Xing,Monna Bert,Heemskerk Maurice,Kooijmans Roxana,Balk Stijn,Van Veldhuizen John,Orlemann Corinne,Roelfsema Pieter,Lozano Antonio,Li Bingshuo. Владелец: Koninklijke Nederlandse Akademie van Wetenschappen. Дата публикации: 2023-12-20.

High-density optical disc, method for recording and reproducing encrypted data thereon

Номер патента: EP1509912A1. Автор: Jin Yong Kim,Sang Woon Suh. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2005-03-02.

High-density electrode-based medical device system

Номер патента: EP4335359A2. Автор: Saar Moisa,Fernando Luis De Souza Lopes,Peter Josiah Hawes. Владелец: Kardium Inc. Дата публикации: 2024-03-13.

High-density microchamber array and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160296928A1. Автор: Hiroaki Suga,Daishi Fujita,Hiroyuki Noji,Rikiya Watanabe. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2016-10-13.

High density polyethylene compositions and articles made therefrom

Номер патента: EP4341344A1. Автор: Mridula Kapur,Stephanie M. Whited,Keran LU. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-27.

High-density microchamber array and manufacturing method thereof

Номер патента: US10471429B2. Автор: Hiroaki Suga,Daishi Fujita,Hiroyuki Noji,Rikiya Watanabe. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2019-11-12.

High-density electrode-based medical device system

Номер патента: EP4335359A3. Автор: Saar Moisa,Fernando Luis De Souza Lopes,Peter Josiah Hawes. Владелец: Kardium Inc. Дата публикации: 2024-05-29.

Intelligent analysis system applied to ethology of various kinds of high-density minimal polypides

Номер патента: US11967182B2. Автор: Chen Fang,Jie Su,Jianping Zhang,Jiamin GU. Владелец: Shihezi University. Дата публикации: 2024-04-23.

3D high-precision tunnel gravity exploration method for locating and detecting deeply concealed inclined high-density orebodies

Номер патента: AU2021100044A4. Автор: Runsheng Han,Jiyu WANG,Wenyao LI,Ruihong Cheng. Владелец: Univ Kunming Science & Technology. Дата публикации: 2021-03-25.

High density brain electrode assembly for read-out and/or stimulation of brain tissue, for example a high density brain read-out and/or stimulation electrode assembly to read-out and/or stimulate a lateral geniculate nucleus of the thalamus to create visual perceptions in a mammal

Номер патента: WO2023242215A1. Автор: Feng Wang,XING Chen,John Van Veldhuizen,Bingshuo Li,Antonio Lozano,Pieter ROELFSEMA,Stijn BALK,Bert MONNA,Corinne ORLEMANN,Maurice HEEMSKERK,Roxana KOOIJMANS. Владелец: Koninklijke Nederlandse Akademie van Wetenschappen. Дата публикации: 2023-12-21.

High-density dynamic mail services

Номер патента: US20200294171A1. Автор: Nicole Blohm. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Large-capacity flexible disk and high-density type disk drive used therefor

Номер патента: US6411467B2. Автор: Yoshihiro Okano,Yoshinori Tangi,Eiichi Yoneyama,Tsuneo Uwabo. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-06-25.

Systems and methods for high moisture extrusion of bacterial proteins for meat analog food products

Номер патента: US20230063655A1. Автор: Julie Daoust. Владелец: Livekindly Company Switzerland GmbH. Дата публикации: 2023-03-02.

Display driver circuit for high resolution and high frame rate and display device using the same

Номер патента: US11114011B1. Автор: Wen-Shian Shie,Li-Shen Chang,Chien-Hsien Lin,Ko-Ming Su. Владелец: FocalTech Systems Ltd. Дата публикации: 2021-09-07.

Methods and systems for high pressure die casting

Номер патента: WO2023159080A3. Автор: Jasmine Li,Madelyn Li. Владелец: Metali LLC. Дата публикации: 2023-10-12.

Method of determining fatigue of pressure-resistant component for high-pressure hydrogen

Номер патента: US20110167921A1. Автор: Yasuhiko Tanaka,Ryoji Ishigaki,Yoru Wada. Владелец: Japan Steel Works Ltd. Дата публикации: 2011-07-14.

Model for high-throughput screening of endocrine disruptor and method for screening same

Номер патента: US20200194102A1. Автор: WEI Shi,Hongxia Yu,Qinchang Chen,Haoyue Tan. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-06-18.

Rock Damage mechanics test system for high temperature and high pressure deep earth environment

Номер патента: US20190331569A1. Автор: LU Wang,Fei Wu,Jianfeng Liu,Zhide WU,Heping XIE,Jianliang PEI,Huining XU,Wenxi FU,Jianhui Deng. Владелец: Sichuan University. Дата публикации: 2019-10-31.

Motion sensor lens structure for a building controller

Номер патента: US20190154499A1. Автор: Mark C. Buckley. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Polyurethane foam for high-frequency welding, laminate, and production method therefor

Номер патента: EP3725831A1. Автор: Yusuke Yamanaka. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2020-10-21.

Austenitic stainless steel for high vacuum and high purity gas tube application

Номер патента: US20110020165A1. Автор: Hak Kim,Young-Hwan Kim,Ki-Won Nam,Yong-Heon Lee. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-27.

Austenitic stainless steel for high vacuum and high purity gas tube application

Номер патента: EP2235228A1. Автор: Hak Kim,Young Hwan Kim,Yong Heon Lee,Ki Won Nam. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-06.

Seal for high pressure water jets

Номер патента: EP4230302A1. Автор: Do Hyoung Kim. Владелец: Bc Taechan Industrial Corp. Дата публикации: 2023-08-23.

Lipid-based food filling suitable for high-temperature, high-pressure cooking co-extrusion

Номер патента: WO2021007050A1. Автор: Joshua Smith,Yeong-Ching Albert Hong,Liyi Yang,Asya BAKHTINA,Michelle BEAVER,Kelly CHRISTIANSEN. Владелец: Intercontinental Great Brands LLC. Дата публикации: 2021-01-14.

A hybrid multilayer solar selective coating for high temperature solar thermal applications and a process for the preparation thereof

Номер патента: EP2954265A1. Автор: Harish Barshilia CHANDRA,Jyothi Bharathibai BASU,Lakshmi Ramachandrappa VARA. Владелец: Council of Scientific and Industrial Research CSIR. Дата публикации: 2015-12-16.

Transport method and transport device for high-quality fresh milk under transport- and environment-critical conditions

Номер патента: AU2019464010B2. Автор: Ludger Tacke,Roland Stange,Ulrich Rolle,Maria Carmen Leal Garcia. Владелец: ORIENTAL TANKS Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Transport method and transport apparatus for high-quality fresh milk in transport- and environment-critical conditions

Номер патента: NZ785438A. Автор: Ludger Tacke,Roland Stange,Ulrich Rolle,Garcia Maria Leal. Владелец: ORIENTAL TANKS Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-26.

Pump system for high pressure application

Номер патента: US09829002B2. Автор: Elden Crom. Владелец: Turbine Powered Technology. Дата публикации: 2017-11-28.

Hybrid multilayer solar selective coating for high temperature solar thermal applications and a process for the preparation thereof

Номер патента: US09726402B2. Автор: Harish Barshilia CHANDRA,Jyothi Bharathibai BASU,Lakshmi Ramachandrappa VARA. Владелец: Council of Scientific and Industrial Research CSIR. Дата публикации: 2017-08-08.

Systems and methods for high-pass filtering a photoplethysmograph signal

Номер патента: US09649071B2. Автор: Paul Stanley Addison,James N. Watson. Владелец: Nellcor Puritan Bennett Ireland ULC. Дата публикации: 2017-05-16.

Electrode for high-frequency surgery and high-frequency surgery device

Номер патента: US09561072B2. Автор: Kwang Chon Ko. Владелец: Lutronic Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Ignition coil apparatus for high-frequency discharge

Номер патента: US09447766B2. Автор: Kimihiko Tanaya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Cement curing formulation and method for high-level radioactive boron waste resins from nuclear reactor

Номер патента: US09443628B2. Автор: Zhigang Zhang,Ying Zhao,Ge Gao,Laixi Huang,Yucai Ye,Yongdong Ye,Caiyuan Deng,Jianchun Yuan. Владелец: Lingao Nuclear Power Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

High-pressure vessel for high-pressure press

Номер патента: RU2485389C1. Автор: Леннарт СВЕНССОН,Стефан СЕХЛЬСТЕДТ. Владелец: Авуре Текнолоджиз Аб. Дата публикации: 2013-06-20.

Improved optical bleaching compositions for high quality inkjet printing

Номер патента: RU2515297C2. Автор: Эндрю Клайв ДЖЕКСОН,Седрик КЛЯЙН,Девид ПУДДИПХАТТ. Владелец: Клариант Финанс (Бви) Лимитед. Дата публикации: 2014-05-10.

Disperse activator for high-intensity focused ultrasonic therapy and its application

Номер патента: RU2360700C2. Автор: Чжилун ВАН,Липин ЛЮ,Чжибяо ВАН,Фаци ЛИ,Яньбин СЯО,Цзывэнь СЯО. Владелец: Чунцин Хайфу(Хифу) Текнолоджи Ко., Лтд. Дата публикации: 2009-07-10.

5-(3,4-dichlorophenyl)-n-(2-hydroxycyclohexyl)-6-(2,2,2-trifluoroethoxy)nicotinamide and its salt as agents increasing high-density lipoprotein cholesterol concentration

Номер патента: RU2541475C2. Автор: РЁВЕР Штефан,РАЙТ Маттью. Владелец: Ф.Хоффманн-Ля Рош Аг. Дата публикации: 2015-02-20.

High-density mask for 3d substrates and method of its making

Номер патента: RU2573127C2. Автор: Адам ТОНЕР,Джеймс Дэниел РАЙЕЛЛ,Правин ПАНДОДЖИРАО-С. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2016-01-20.

Traction power system for high-speed train and its on-board energy and discharge accumulation system

Номер патента: RU2700238C1. Автор: Юйцюань СУН,Сяофан ГУАНЬ,Минхой ВАН. Владелец: Цзилинь Юниверсити. Дата публикации: 2019-09-13.

Device for high-temperature surfaces thermal and noise shielding

Номер патента: RU2650009C1. Автор: Александр Петрович Старостин,Ирина Евгеньевна Карпова,Юрий Михайлович Патраков,Александр Юрьевич Андреев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Крыловский государственный научный центр". Дата публикации: 2018-04-06.

Vibro-damping elastomeric material of high density

Номер патента: RU2631789C1. Автор: Юрий Владимирович Исаев,Анатолий Николаевич Выборов,Сергей Юрьевич Кукушкин,Сергей Владимирович Санкин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр РЕЗИНА-Подольск". Дата публикации: 2017-09-26.

Large larva storage with high density

Номер патента: RU2764801C1. Автор: Петрус Мария Янсен МАУРИЦ. Владелец: Бюлер Инсект Текнолоджи Солюшнз Аг. Дата публикации: 2022-01-21.

Laminate structure for collapsible dispensing container

Номер патента: US4526823A. Автор: Mark A. Williams,Christopher J. Farrell. Владелец: American Can Co. Дата публикации: 1985-07-02.

Replacement Gate Approach for High-K Metal Gate Stacks Based on a Non-Conformal Interlayer Dielectric

Номер патента: US20120001263A1. Автор: Richter Ralf,Frohberg Kai. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Package and Method of Forming Similar Structure for Top and Bottom Bonding Pads

Номер патента: US20120001326A1. Автор: . Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND STRUCTURE FOR DISSIPATING HEAT AWAY FROM A RESISTOR HAVING NEIGHBORING DEVICES AND INTERCONNECTS

Номер патента: US20120002375A1. Автор: Lin Jian-Hong,Lee Tzu-Li,TSAI CHIEN SHIH,Lin Bi-Ling,Wei Bor-Jou,PENG Chin Chuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Charge for production of material for high-current contacts and method of its production

Номер патента: RU2523156C1. Автор: Иосиф Сергеевич Гершман,Евгений Иосифович Гершман. Владелец: Негосударственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский новый университет" (НОУ ВПО "РосНОУ"). Дата публикации: 2014-07-20.

Multi-unit Modular Stackable Switched Reluctance Motor System with Parallely Excited Low Reluctance Circumferential Magnetic Flux loops for High Torque Density Generation

Номер патента: US20120001502A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ALIGNMENT OF DIGITAL IMAGES AND LOCAL MOTION DETECTION FOR HIGH DYNAMIC RANGE (HDR) IMAGING

Номер патента: US20120002890A1. Автор: Mathew Binu K.. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Sintering process for high density ceramic substrate

Номер патента: MY142828A. Автор: Mohamed Razman Yahya,Sabrina Mohd Shapee,Azmi Ibrahim,Rosidah Dr Alias,Mohd Nizam Osman,Abd Fatah Awang Dr Mat. Владелец: Telekom Malaysia Berhad. Дата публикации: 2011-01-14.

METHOD AND STRUCTURE FOR NASAL DILATOR

Номер патента: US20120004683A1. Автор: Gray David,Litman Mark A.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Transportation system of stores with high density tier storing of palletized load

Номер патента: RU2323149C1. Автор: Александр Сергеевич Медведев,Вячеслав Григорьевич Зубенко,Алексей Владимирович Лутовинин,Александр Сергеевич Медведев (RU),В чеслав Григорьевич Зубенко (RU),Алексей Владимирович Лутовинин (RU). Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Малое Научно-Производственное Предприятие "Сатурн". Дата публикации: 2008-04-27.

Composition of charge for high-porosity ceramic material with latticed-cellular structure

Номер патента: RU2525396C1. Автор: Владимир Николаевич Грунский,Александр Валентинович Беспалов,Микаэл Давидович Гаспарян,Евгений Степанович Лукин,Светлана Николаевна Санникова,Александр Дмитриевич Чепуренко,Неля Александровна Попова,Лиана Тагировна Павлюкова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский химико-технологический университет им. Д.И. Менделеева" (РХТУ им. Д.И. Менделеева)". Дата публикации: 2014-08-10.

Contact retention arrangement for high density cable connector assembly

Номер патента: CA2095684A1. Автор: Scott J. Lapraik,Eric D. Juntwait. Владелец: Eric D. Juntwait. Дата публикации: 1993-11-30.

High density ceramic blocks and composite armor comprising them

Номер патента: RU2462682C2. Автор: Майкл КОЭН. Владелец: Майкл КОЭН. Дата публикации: 2012-09-27.

Compensator for high-velocity rifles

Номер патента: PH22015000175U1. Автор: Servando U Topacio. Владелец: Servando U Topacio. Дата публикации: 2015-08-19.

Composition for preparing high-density non-solid phase process liquids

Номер патента: RU2423405C1. Автор: Евгений Николаевич Штахов,Алексей Александрович Бояркин,Михаил Евгеньевич Ламосов. Владелец: Михаил Евгеньевич Ламосов. Дата публикации: 2011-07-10.

Method for pressing of high-density stocks and parts of metal powder in presence of liquid phase

Номер патента: RU2399458C2. Автор: Валерий Николаевич Кокорин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2010-09-20.

Method of achieving combination of high hardness and crack resistance of high-density nanostructured tungsten carbide articles

Номер патента: RU2548252C2. Автор: Юрий Вячеславович Благовещенский,Владимир Николаевич Чувильдеев,Сергей Викторович Шотин,Максим Сергеевич Болдин,Никита Владимирович Сахаров,Алексей Владимирович Нохрин,Анна Владимировна Москвичева,Наталья Вячеславовна Исаева. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Нижегородский Государственный Университет Им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2015-04-20.

Method of producing strong material of high density on base of aluminium powder

Номер патента: RU2370341C1. Автор: Николай Мартемьянович Русин. Владелец: Институт физики прочности и материаловедения Сибирское отделение Российской академии наук (ИФПМ СО РАН). Дата публикации: 2009-10-20.

Linking zone structure made on carrier only for reading high density records, method and device for manufacturing and reading the carrier

Номер патента: RU2302043C2. Автор: Сан Вун СУ,Джин Ён КИМ,Сан Вун СУ (KR),Джин Ен КИМ (KR). Владелец: Эл Джи Электроникс Инк.. Дата публикации: 2007-06-27.

Vertical planting structure for urban setting

Номер патента: PH12019000400A1. Автор: Alexander B Quilang,Jovita A Anit. Владелец: Lampara Exedy C. Дата публикации: 2021-04-19.

Lamp shade structure for enhancing luminous efficiency

Номер патента: SG188020A1. Автор: Chun Hao Huang,Yung Chuan Huang. Владелец: Ecolite Technology Pte Ltd. Дата публикации: 2013-03-28.

MULTI-STROKE DELIVERY PUMPING MECHANISM FOR A DRUG DELIVERY DEVICE FOR HIGH PRESSURE INJECTIONS

Номер патента: US20120004639A1. Автор: Schoonmaker Ryan,Bruehwiler Michel,Rosen Melissa,Ira Spool. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPEN AND CLOSED VALVE MEDICATION DELIVERY SYSTEM FOR HIGH PRESSURE INJECTIONS

Номер патента: US20120004640A1. Автор: Spool Ira,Schoonmaker Ryan,Rosen Melissa,Michel Bruehwiler. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DUAL-CHAMBERED DRUG DELIVERY DEVICE FOR HIGH PRESSURE INJECTIONS

Номер патента: US20120004641A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

High-frequency gaseous-discharge source of high-density ions with low-impedance antenna

Номер патента: RU2171555C1. Автор: Е.В. Берлин. Владелец: Берлин Евгений Владимирович. Дата публикации: 2001-07-27.

Method for manufacture of high-density ferrite articles

Номер патента: RU2099309C1. Автор: Г.П. Попов,В.А. Харченко,Г.Н. Ильинова,В.В. Майзель,Г.М. Письменская. Владелец: Волгоградский государственный технический университет. Дата публикации: 1997-12-20.

Method of production of carbon high density articles

Номер патента: RU2217397C2. Автор: В.А. Коломиец,В.П. Фокин,Р.А.-Р. Исхаков,Д.Л. Яицкий,Д.М. Кузнецов. Владелец: ОАО "Новочеркасский электродный завод". Дата публикации: 2003-11-27.

High density compact disc

Номер патента: MY121959A. Автор: Yong-Jae Lee,Byeong-ho Park,Kyo-bang Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-03-31.

Screening method for high-quality, high-yield and high-efficiency varieties suitable for direct seeding of double-cropping rice

Номер патента: NL2026983B1. Автор: CHEN Song,Wang Danying,Xu Chunmei,Chu Guang,Zhang Xiufu. Владелец: China Nat Rice Res Inst. Дата публикации: 2021-05-28.