Method for manufacturing a memory device

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method for forming contact structure in three-dimensional memory device

Номер патента: CN111512439B. Автор: 王恩博,张富山,徐前兵,曾凡清,阳涵. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-31.

Method for manufacturing a non-volatile memory device

Номер патента: US20050142755A1. Автор: Il-Seok Han. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2005-06-30.

Method for manufacturing a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100291745A1. Автор: Masataka Kusumi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-11-18.

Method for Fabricating Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20080038907A1. Автор: Doo Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-02-14.

Method of manufacturing NAND flash memory device

Номер патента: US20070117318A1. Автор: In Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-24.

Method for forming source contact in NAND flash memory device

Номер патента: KR100799021B1. Автор: 정우영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-01-28.

Method for forming floating gate electrode of flash memory device

Номер патента: JP4567530B2. Автор: ▲オク▼ 玉 洪. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-10-20.

Method for forming a multi-bit non-volatile memory device

Номер патента: US7064030B2. Автор: Gowrishankar L. Chindalore,Jane A. Yater. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2006-06-20.

Method for producing a floating gate of flash memory device

Номер патента: KR20050014351A. Автор: 송정균. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-02-07.

Method for forming floating gate array of flash memory device

Номер патента: KR100731088B1. Автор: 정진효. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-06-22.

Method for forming gate structure of three-dimensional memory device

Номер патента: WO2019037509A1. Автор: Zhiliang Xia,Qiang Xu,Zongliang Huo,Ming SHAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-02-28.

Method of manufacturing a NAND flash memory device

Номер патента: KR100799030B1. Автор: 이병기. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-01-28.

Method of manufacturing a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7972927B2. Автор: Yoshio Ozawa,Katsuyuki Sekine,Ryota Fujitsuka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-07-05.

Method of manufacturing a NAND flash memory device

Номер патента: KR100833437B1. Автор: 장민식. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-05-29.

Method for fabricating memory cells for a memory device

Номер патента: US20060046317A1. Автор: Rainer Bruchhaus,Martin Gutsche. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-03-02.

Method for forming a capacitor in a memory cell in a dynamic random access memory device

Номер патента: US5897983A. Автор: Toshiyuki Hirota,Kazuki Yokota,Masanobu Zenke,Tomomi Kurokawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-04-27.

Techniques for manufacturing split-cell 3d-nand memory devices

Номер патента: US20220005827A1. Автор: XU Chang,Belgacem Haba,Rajesh Katkar,Javier A. Delacruz,David Edward Fisch. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2022-01-06.

Techniques for manufacturing split-cell 3d-nand memory devices

Номер патента: EP4176466A1. Автор: XU Chang,Belgacem Haba,Rajesh Katkar,Javier A. Delacruz,David Edward Fisch. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2023-05-10.

Method for producing a pillar-shaped phase change memory device

Номер патента: US9954032B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for fabricating cylindrical capacitor for a memory cell

Номер патента: US5827766A. Автор: Chine-Gie Lou. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 1998-10-27.

Methods of manufacturing a phase change memory device

Номер патента: US20140004680A1. Автор: Seong-Ho EUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-02.

Methods of manufacturing a phase change memory device including a heat sink

Номер патента: US09431610B2. Автор: Tae-Jin Park,Yoon-Jong Song,Chil-Hee Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of Manufacturing flash memory device

Номер патента: US20080081451A1. Автор: Se Hoon Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-04-03.

Three-dimensional memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220165747A1. Автор: Chih-Kai Yang,Tzung-Ting Han. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-26.

Memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US09735161B2. Автор: Tieh-Chiang Wu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Variable resistance memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200111954A1. Автор: Jaeho Jung,Young-Min Ko,Jonguk KIM,Byongju Kim,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-09.

Bitline contacts in a memory cell array

Номер патента: EP1390981A2. Автор: Elard Stein Von Kamienski,Klaus Feldner,Kae-Horng Wang,Grit Schwalbe. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-02-25.

Bitline contacts in a memory cell array

Номер патента: WO2002097890A2. Автор: Elard Stein Von Kamienski,Klaus Feldner,Kae-Horng Wang,Grit Schwalbe. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-12-05.

Bitline contacts in a memory cell array

Номер патента: WO2002097890A3. Автор: Von Kamienski Elard Stein,Klaus Feldner,Kae-Horng Wang,Grit Schwalbe. Владелец: Grit Schwalbe. Дата публикации: 2003-10-16.

Non-volatile memory device and methods for fabricating the same

Номер патента: US09812641B2. Автор: Hsiu-Han Liao,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Methods of operating a memory device

Номер патента: US10424583B2. Автор: Tieh-Chiang Wu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-24.

Three-dimensional memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230343705A1. Автор: Hyun Soo Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Methods of manufacturing phase-change memory device and semiconductor device

Номер патента: US20130102120A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-04-25.

Method of manufacturing a ferroelectric-capacitor memory device including recovery annealing

Номер патента: US8628981B2. Автор: Kouichi Nagai. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-01-14.

METHOD FOR MANUFACTURING A DYNAMIC RAM MEMORY DEVICE WITH A REDUCED CONSTRAINT LEVEL

Номер патента: FR2765397B1. Автор: Water Lur,Shih Wei Sun,Tri Rung Yew. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-06-08.

Semiconductor structure and method for forming the same, and memory

Номер патента: US20240064970A1. Автор: Yu-Cheng Liao,Muyu Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Method for manufacturing a flat cell memory device

Номер патента: KR100438403B1. Автор: 한창훈. Владелец: 동부전자 주식회사. Дата публикации: 2004-07-02.

Techniques for manufacturing split-cell 3d-nand memory devices

Номер патента: EP4176466A4. Автор: XU Chang,Belgacem Haba,Rajesh Katkar,David Edward Fisch,Javier A DELACRUZ. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2024-08-07.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US10861707B2. Автор: Shinichi Furukawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-12-08.

METHOD FOR MANUFACTURING STACK - TYPE CAPACITOR FOR MEMORY DEVICE.

Номер патента: FR2662851A1. Автор: Seo Kwang-Byeok,Jeong Tae-Young. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1991-12-06.

Method for manufacturing contacts for a chalcogenide memory device

Номер патента: WO2002097863A3. Автор: Robert M Quinn. Владелец: Bae Systems Information. Дата публикации: 2003-11-06.

Method for manufacturing contacts for a chalcogenide memory device

Номер патента: WO2002097863A2. Автор: Robert M. Quinn. Владелец: BAE SYSTEMS INFORMATION AND ELECTRONICS SYSTEMS INTEGRATION INC.. Дата публикации: 2002-12-05.

Method for manufacturing phase-change random access memory device

Номер патента: KR101899333B1. Автор: 이용석,조한우,윤효섭. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2018-10-31.

Method for manufacturing ultra-highly integrated semiconductor memory device

Номер патента: JP3195618B2. Автор: 大濟 陳,泳雨 朴. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-08-06.

Method of manufacturing NAND flash memory device

Номер патента: US7727839B2. Автор: Jae Chul Om,Nam Kyeong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-01.

Method for silver deposition for a non-volatile memory device

Номер патента: US9401475B1. Автор: Steven Patrick MAXWELL,Scott Brad Herner,Sung-Hyun JO. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2016-07-26.

Method for forming a bottom electrode of integrated memory device

Номер патента: KR100400247B1. Автор: 장민식,기영종. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-10-01.

Method for forming floating gate of a flash memory device

Номер патента: KR100850108B1. Автор: 신용욱. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-08-04.

Method for forming floating gate electrode in flush memory device

Номер патента: CN100431104C. Автор: 金载宪. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-11-05.

Method for fabricating fine conducting lines of semiconductor memory device

Номер патента: KR100486755B1. Автор: 최성곤. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-05-03.

Method of manufacturing a nand flash memory device

Номер патента: KR101087723B1. Автор: 이병기. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-11-29.

Method of manufacturing a non-volatile memory device

Номер патента: KR20080092540A. Автор: 임종순. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-10-16.

Method of manufacturing a non-volatile memory device

Номер патента: KR101166098B1. Автор: 이성훈. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2012-07-23.

Method of manufacturing a nand flash memory device

Номер патента: KR100685632B1. Автор: 안명규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-22.

Method of manufacturing memory device having word lines with improved resistance

Номер патента: US20240276701A1. Автор: Jung-Yu Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory device, semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230320063A1. Автор: Lin TANG,Mingguang ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Method for manufacturing memory and memory

Номер патента: US12082393B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for manufacturing memory and memory

Номер патента: US20220093606A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Method for manufacturing memory and memory

Номер патента: US12089399B2. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for manufacturing a memory device

Номер патента: US20040082128A1. Автор: Chong-Jen Huang,Kuang-Wen Liu,Jui-Lin Lu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Method for manufacturing a memory device

Номер патента: US6762089B2. Автор: Chong-Jen Huang,Kuang-Wen Liu,Jui-Lin Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-13.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10593676B2. Автор: Tzu-Ming Ou Yang,Shu-Ming LEE. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-03-17.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190319034A1. Автор: Meng-Chang Chan,Tzu-Ming Ou Yang,Shu-Ming LEE. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Method for manufacturing a buried strap contact in a memory cell

Номер патента: US20040048436A1. Автор: Peter Voigt,Gerhard Enders,Bjoern Fischer,Dietrich Bonart. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-03-11.

Semiconductor structure and method for manufacturing same, and memory

Номер патента: US20230189506A1. Автор: Ning Xi. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Method for manufacturing memory cell with increased threshold voltage accuracy

Номер патента: US6187638B1. Автор: Wen-Ying Wen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-02-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240282362A1. Автор: Kuo-Chiang WANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240282361A1. Автор: Kuo-Chiang WANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240365565A1. Автор: Erh-Kun Lai,Feng-Min Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for manufacturing memory and memory

Номер патента: US20220384445A1. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

Method for manufacturing non-volatile memory device

Номер патента: US10847525B2. Автор: Yi-Chung Chen,Cheng-Jen Lai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-11-24.

Method for manufacturing non-volatile memory device

Номер патента: US11818884B2. Автор: Chun-Hung Lin,Kao-Tsair Tsai,Chien-Hsien Wu,Yao-Ting Tsai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Memory cell constructions, and methods for fabricating memory cell constructions

Номер патента: US8921823B2. Автор: Jun Liu,JIAN Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-12-30.

A method for forming a three dimensional non-volatile memory device

Номер патента: KR101757454B1. Автор: 이명범,신승목,최대헌,장경태,손연실. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-07-27.

Method of manufacturing a phase-change memory device

Номер патента: KR20140081168A. Автор: 송윤종,박홍우. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2014-07-01.

Method for manufacturing a two-terminal memory device

Номер патента: US20240315047A1. Автор: Sang-Hyeok Yang,Jong-Seok Lee,Ui-Yeon Won. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Systems and methods for segmenting data structures in a memory system

Номер патента: US09690502B2. Автор: J. Thomas Pawlowski. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

System and method for conserving power consumption in a memory system

Номер патента: US09864536B2. Автор: Dexter Chun,Haw-Jing Lo. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Apparatus and method for rounded ONO formation in a flash memory device

Номер патента: US09564331B2. Автор: Di Li,Shenqing Fang,Tim Thurgate,Tung-Sheng Chen. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Apparatuses, systems, and methods for updating hash keys in a memory

Номер патента: US20220069992A1. Автор: Sujeet Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

System and method for conserving power consumption in a memory system

Номер патента: WO2015061541A1. Автор: Dexter Chun,Haw-Jing Lo. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-04-30.

Method for implementing a counter in a memory with increased memory efficiency

Номер патента: US20070189082A1. Автор: Richard Wahler,Alan Berenbaum. Владелец: Standard Microsystems LLC. Дата публикации: 2007-08-16.

System and Method for Storing Integer Ranges in a Memory

Номер патента: US20140003112A1. Автор: Yan Sun. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2014-01-02.

System and method for data collection and exchange with protected memory devices

Номер патента: WO2012088296A2. Автор: Martin Boliek,Robert D. Widergren,Wayne Hossenlopp. Владелец: Mo-Dv, Inc.. Дата публикации: 2012-06-28.

Method of manufacturing a non-volatile memory device

Номер патента: US7682906B2. Автор: Young-sun Kim,Seung-Hwan Lee,Han-mei Choi,Young-Geun Park,Se-hoon Oh,Sun-jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-23.

Apparatuses, systems, and methods for read clock timing alignment in stacked memory devices

Номер патента: US11854601B2. Автор: Kiyoshi Nakai,Seiji Narui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Apparatuses, systems, and methods for read clock timing alignment in stacked memory devices

Номер патента: US20230206985A1. Автор: Kiyoshi Nakai,Seiji Narui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Read-write method and memory device

Номер патента: EP3985494A1. Автор: Shuliang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-20.

Non-volatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220165884A1. Автор: Bo-An Tsai,Shiangshiou Yen. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Method of manufacturing three-dimensional memory device with vias connected to staircase structure

Номер патента: US12058855B2. Автор: Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US20170200724A1. Автор: Pu-Sung Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US09704872B1. Автор: Pu-Sung Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US6777285B2. Автор: Kent Kuohua Chang,Weng-Hsing Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-17.

[memory device and method for fabricating the same]

Номер патента: US20040110344A1. Автор: Kent Kuohua Chang,Weng-Hsing Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-10.

Method for manufacturing touch-panel conductive sheet, and touch-panel conductive sheet

Номер патента: US09891777B2. Автор: Akira Ichiki. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200243499A1. Автор: Tae Kyung Kim,Kun Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Apparatus and method for accessing compressed data

Номер патента: US09838045B1. Автор: Jon C. R. Bennett. Владелец: VIOLIN SYSTEMS LLC. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for protecting data stored in a memory, and corresponding integrated circuit

Номер патента: US12125808B2. Автор: Fabrice Marinet,Pascal Fornara. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20230253039A1. Автор: Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190027486A1. Автор: Chung-Jen Huang,Yun-Chi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor structure and method for manufacturing same, memory and operation method thereof

Номер патента: US20230422492A1. Автор: Yanzhe TANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for reading and writing and memory device

Номер патента: US11894088B2. Автор: Shuliang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Method for reading and writing and memory device

Номер патента: US20210313003A1. Автор: Shuliang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Three-dimensional memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230317609A1. Автор: Jin HO KIM,Chan Ho YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Three-dimensional memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11955429B2. Автор: Jin HO KIM,Chan Ho YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

On-chip capacitors in semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240213144A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Lei Xue. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240015962A1. Автор: Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Method for updating software

Номер патента: US20230359456A1. Автор: Jan Pepke. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-11-09.

Method for use in manufacturing a semiconductor device die

Номер патента: US09553022B1. Автор: Michaela Braun,Markus Menath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-24.

Systems and methods for executing application programs from a memory device linked to a server

Номер патента: CA2248086A1. Автор: Steven Domenikos,George C. Domenikos. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-09-18.

Memory and method for checking reading errors thereof

Номер патента: US8190984B2. Автор: Wen-Chiao Ho,Kuen-Long Chang,Chun-Hsiung Hung,Chin-Hung Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-29.

Memory and method for checking reading errors thereof

Номер патента: US20080109697A1. Автор: Wen-Chiao Ho,Kuen-Long Chang,Chun-Hsiung Hung,Chin-Hung Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-08.

Memory and method for checking reading errors thereof

Номер патента: US8347185B2. Автор: Wen-Chiao Ho,Kuen-Long Chang,Chun-Hsiung Hung,Chin-Hung Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-01.

Memory and method for checking reading errors thereof

Номер патента: US20110173512A1. Автор: Wen-Chiao Ho,Kuen-Long Chang,Ching-Hung Chang,Chung-Hsiung Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-14.

Systems and methods for detecting erratic programming in a memory system

Номер патента: US11817157B2. Автор: Liang Li,Ming Wang,Shih-Chung Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-14.

Non-volatile memory devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09564519B2. Автор: Young Woo Park,Jae Duk Lee,Jin Taek Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Method for protecting data stored in a memory, and corresponding integrated circuit

Номер патента: US20230317637A1. Автор: Fabrice Marinet,Pascal Fornara. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2023-10-05.

Apparatuses and methods for dynamic column select swapping

Номер патента: US20230290428A1. Автор: Yoshinori Fujiwara,Kristopher Kopel,Kosei Kudo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Charging reminding method for rechargeble device and memory

Номер патента: GB2590132A. Автор: LIAO Cheng-Yang. Владелец: Tymphany Acoustic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-23.

METHOD FOR MANUFACTURING A CONDUCTIVE BRIDGING MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220302386A1. Автор: Hsu Chih-Chieh,LIU Po-Tsun,GAN Kai-Jhih. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-22.

Method for manufacturing a non-volatile memory device

Номер патента: KR100669864B1. Автор: 황재성,권성운,이대엽,장대현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-01-16.

APPARATUS, COMPUTER PROGRAM PRODUCT, SYSTEM, AND METHOD FOR MANAGING MULTIPLE REGIONS OF A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190079859A1. Автор: Li Peng,Trika Sanjeev N.. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-14.

Systems and methods for executing application programs from a memory device linked to a server

Номер патента: EP2506142A2. Автор: Steven Domenikos,George C. Domenikos. Владелец: Nortel Networks Ltd. Дата публикации: 2012-10-03.

Method for performing double domain encryption a memory device

Номер патента: CN102461114A. Автор: R.巴齐莱,M.霍尔茨曼. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2012-05-16.

Method for performing double domain encryption a memory device

Номер патента: WO2010141174A1. Автор: Michael Holtzman,Ron Barzilai. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2010-12-09.

Method for performing double domain encryption a memory device

Номер патента: EP2438732A1. Автор: Michael Holtzman,Ron Barzilai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-04-11.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130341729A1. Автор: Shima Akio,YOSHIMOTO Hiroyuki,HISAMOTO Digh,Saito Shinichi. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-26.

Semiconductor Device, Method for Manufacturing Same, and Nonvolatile Semiconductor Memory Device

Номер патента: US20160071882A1. Автор: Shima Akio,YOSHIMOTO Hiroyuki,HISAMOTO Digh,Saito Shinichi. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-10.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190279878A1. Автор: FURUKAWA Shinichi. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2019-09-12.

Method for manufacturing memory cell of nonvolatile memory device

Номер патента: KR970072434A. Автор: 최정혁,신왕철,주경중. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-11-07.

Method for manufacturing memory cell of nonvolatile memory device

Номер патента: KR970072441A. Автор: 김재윤. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-11-07.

METHOD FOR TRANSMITTING ACOUSTIC SIGNALS FROM A MEMORY OR CHIP CARD, AND CARD FOR IMPLEMENTING THE METHOD

Номер патента: FR2770717A1. Автор: Cedric Colnot. Владелец: Elva SA. Дата публикации: 1999-05-07.

System and Method for Storing Integer Ranges in a Memory

Номер патента: US20140003112A1. Автор: Yan Sun. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2014-01-02.

METHOD FOR PROTECTING DATA STORED IN A MEMORY, AND CORRESPONDING INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20210028128A1. Автор: Fornara Pascal,Marinet Fabrice. Владелец: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS. Дата публикации: 2021-01-28.

APPARATUSES, SYSTEMS, AND METHODS FOR UPDATING HASH KEYS IN A MEMORY

Номер патента: US20220069992A1. Автор: Ayyapureddi Sujeet. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-03.

SYSTEM AND METHOD FOR PRINTING LARGE FILES FROM A MEMORY CONSTRAINED MOBILE DEVICE

Номер патента: US20220272227A1. Автор: GALLEGOS Guillermo Hernandez,VACA Kevin Marquez. Владелец: . Дата публикации: 2022-08-25.

ANTI-THEFT MOBILE TERMINAL AND METHOD FOR CONTROLLING THE EXTRACTION OF A MEMORY CARD OUT FROM A MOBILE TERMINAL

Номер патента: US20200404506A1. Автор: GUO Zhihong,Jiao Shi. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-24.

Method for protecting data stored in a memory, and corresponding integrated circuit

Номер патента: FR3099259B1. Автор: Fabrice Marinet,Pascal Fornara. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2021-08-13.

Systems and methods for segmenting data structures in a memory system

Номер патента: EP3149595A4. Автор: J. Thomas Pawlowski. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-28.

METHOD FOR COMPENSATING THE CORRUPTION OF A MEMORY OF AN ELECTRONIC COMPUTER

Номер патента: FR2982066A1. Автор: Nicolas Santiago. Владелец: PEUGEOT CITROEN AUTOMOBILES SA. Дата публикации: 2013-05-03.

Method for protecting data stored in a memory, and corresponding integrated circuit

Номер патента: EP3770789A1. Автор: Fabrice Marinet,Pascal Fornara. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2021-01-27.

Method for protecting data stored in a memory, and corresponding integrated circuit

Номер патента: FR3099259A1. Автор: Fabrice Marinet,Pascal Fornara. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2021-01-29.

Method for protecting data stored in a memory and corresponding integrated circuit

Номер патента: CN112307524A. Автор: F·马里内特,P·弗纳拉. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2021-02-02.

Anti-theft mobile terminal and method for controlling the extraction of a memory card out from a mobile terminal

Номер патента: US11558748B2. Автор: Zhihong Guo,Shi JIAO. Владелец: ORANGE SA. Дата публикации: 2023-01-17.

Method for contact size control for nand technology

Номер патента: US20010006847A1. Автор: Hao Fang,Mark Chang,John Wang,Angela Hui,Kent Chang,Kelwin Wai Ko. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-07-05.

TECHNIQUES FOR MANUFACTURING SPLIT-CELL 3D-NAND MEMORY DEVICES

Номер патента: US20220005827A1. Автор: Haba Belgacem,Katkar Rajesh,Chang Xu,Fisch David Edward,Delacruz Javier A.. Владелец: . Дата публикации: 2022-01-06.

Method for forming device isolation layer in semiconductor memory device

Номер патента: KR100955677B1. Автор: 은병수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-05-06.

System and method for data collection and exchange with protected memory devices

Номер патента: US20120159518A1. Автор: Martin Boliek,Robert D. Widergren,Wayne Hossenlopp. Владелец: Mo DV Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

Method for driving nonvolatile memory element, and nonvolatile memory device

Номер патента: US20140029330A1. Автор: Takeshi Takagi,Shunsaku Muraoka,Satoru Mitani. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

METHOD FOR FORMING GATE STRUCTURE OF THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190067323A1. Автор: Huo Zongliang,Xu Qiang,XIA Zhiliang,Shao Ming. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-02-28.

SYSTEM AND METHOD FOR DATA COLLECTION AND EXCHANGE WITH PROTECTED MEMORY DEVICES

Номер патента: US20160078233A1. Автор: Widergren Robert D.,Boliek Martin,Hossenlopp Wayne. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

METHODS FOR FORMING CHANNEL STRUCTURES IN THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES

Номер патента: US20210257381A1. Автор: ZHU Hongbin,Zheng Xiaofen,Gu Lixun,Yi Hanwei. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-19.

SYSTEM AND METHOD FOR DATA COLLECTION AND EXCHANGE WITH PROTECTED MEMORY DEVICES

Номер патента: US20200251475A1. Автор: Widergren Robert D.,Boliek Martin,Hossenlopp Wayne. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-06.

SEMICONDUCTOR APPARATUS, METHOD FOR FABRICATING THE SAME, AND VARIABLE RESISTIVE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150325695A1. Автор: CHOI Kang Sik,SUH Jun Kyo. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-12.

Method for forming capacitor of ferroelectric random access memory device

Номер патента: KR100321690B1. Автор: 유용식,권순용,염승진. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-03-08.

Method for forming the contact hall of semiconductor memory device

Номер патента: KR100976684B1. Автор: 김진구. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-08-18.

Method for forming gate electrode in non volatile memory device

Номер патента: KR100616193B1. Автор: 이병석. Владелец: 에스티마이크로일렉트로닉스 엔.브이.. Дата публикации: 2006-08-25.

Method for forming an floating gate of semiconductor memory device

Номер патента: KR100672722B1. Автор: 최부경. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-01-22.

A survival memory management method for a Viterbi decoder and a survival memory device therefor

Номер патента: KR970063964A. Автор: 최형진,조성배,정석진,이형길. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-09-12.

The Manufacturing Method for Oxide-Nitride-Oxide layers of flash memory device

Номер патента: KR100557216B1. Автор: 김재용. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-03-07.

Method for enhancing error correction capability, and associated memory device and controller thereof

Номер патента: TWI456579B. Автор: Tsung Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2014-10-11.

Apparatus and method for calibrating on-die termination in semiconductor memory device

Номер патента: US20080253201A1. Автор: Dong Uk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-16.

Method for fabricating a buried vertical split gate memory device with high coupling ratio

Номер патента: US6271088B1. Автор: De-Yuan Wu,Chih-Cheng Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-08-07.

Apparatus and method for determining on die termination modes in memory device

Номер патента: US20080100335A1. Автор: Sung-Ho Choi,Reum Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-01.

Method for fabricating capacitor of ferroelectric random access memory device

Номер патента: KR100333667B1. Автор: 권순용. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-04-24.

Method for storing nfc applications in a secure memory device

Номер патента: WO2009147548A3. Автор: Alexandre Corda. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2010-01-28.

Method for fabricating capacitor of dynamic random access memory device

Номер патента: KR20020094597A. Автор: 이성훈. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-12-18.

Method for fabricating vertical channel type non-volatile memory device

Номер патента: KR20110121938A. Автор: 이기홍,주문식,김범용. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-11-09.

Method for fabricating vertical channel type non-volatile memory device

Номер патента: US20110129992A1. Автор: Young-Kyun Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-02.

Structure and method for forming programmable high-k/metal gate memory device

Номер патента: TW201044511A. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Kang-Guo Cheng,Cheng-Wen Pei,Roger A Booth Jr. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2010-12-16.

Method of manufacturing a non-volatile memory device having a vertical structure

Номер патента: US20130089974A1. Автор: Ki-Hyun Hwang,Sung-Hae Lee,Jin-Gyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-11.

METHOD FOR USE IN MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE DIE

Номер патента: US20170011963A1. Автор: Menath Markus,Braun Michaela. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-12.

METHOD FOR USE IN MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE DIE

Номер патента: US20170092552A1. Автор: Menath Markus,Braun Michaela. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-30.

METHOD FOR PHOTOLITHOGRAPHY TO MANUFACTURE A TWO-SIDED TOUCH SENSOR

Номер патента: US20210318769A1. Автор: PETCAVICH Robert,Morrione Michael,Routh Robert. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-14.

Method of forming a contact and Method of manufacturing a phase change memory device using thereof

Номер патента: KR101872777B1. Автор: 김용준,김은정,고승필. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2018-08-02.

Method of manufacturing a single electron memory device using a submicron mask

Номер патента: ES2527228T3. Автор: Leonard Forbes,Kie Y Ahn. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2015-01-21.

Method for use in manufacturing a semiconductor device die

Номер патента: CN106340491A. Автор: M·布劳恩,M·梅纳斯. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-18.

METHODS OF MANUFACTURING A PHASE CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140004680A1. Автор: EUN Seong-Ho. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-02.

METHOD OF MANUFACTURING A VARIABLE RESISTANCE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190148632A1. Автор: LEE Dong-kyu,LEE Jung-Min,Kim Ju-Hyun,OH Se-Chung,Park Jung-Hwan,HONG Kyung-Il. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

METHOD OF FILLING AN OPENING AND METHOD OF MANUFACTURING A PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20150325787A1. Автор: Park Jeong-Hee,AHN Jun-Ku. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-12.

METHOD OF MANUFACTURING A PHASE CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150364678A1. Автор: Cho Sung-Lae,WU Zhe,Park Jeong-Hee,Park Jung-Hwan,Ahn Dong-ho,Horii Hideki,AHN Jun-Ku. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-17.

Method of manufacturing a phase change memory device

Номер патента: KR101823500B1. Автор: 박정환,박정희,박순오,오진호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2018-01-31.

Method of manufacturing a phase-changeable memory device

Номер патента: KR100669851B1. Автор: 김경현,고용선,김태원,박기종. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-01-16.

Method of manufacturing a variable resistance memory device

Номер патента: KR102451018B1. Автор: 이정민,박정환,오세충,이동규,김주현,홍경일. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-10-05.

Method of manufacturing a nand flash memory device

Номер патента: KR100673228B1. Автор: 최은석,김남경. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-22.

Method of manufacturing a nand flash memory device

Номер патента: KR100812942B1. Автор: 최은석,김남경. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-03-11.

Method of manufacturing a non-volatile memory device

Номер патента: KR100814418B1. Автор: 이승환,최한메,박기연,김선정,류민경. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-03-18.

Method of manufacturing a non-volatile memory device

Номер патента: KR100776909B1. Автор: 홍영옥. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-11-19.

Method of manufacturing a non-volatile memory device

Номер патента: KR100885787B1. Автор: 조휘원,김정근,명성환. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-02-26.

Method of manufacturing a non-volatile memory device

Номер патента: KR100718253B1. Автор: 박재현,유재민,임지운,윤인구,권철순,정영천. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-05-16.

Method of manufacturing a non-volatile memory device

Номер патента: KR100814374B1. Автор: 이승환,최한메,박기연,박영근,김선정. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-03-18.

Method of manufacturing a non-volatile memory device

Номер патента: KR100757324B1. Автор: 이승환,최한메,김영선,박영근,김선정,오세훈. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-09-11.

Method of manufacturing a non-volatile memory device

Номер патента: KR101001466B1. Автор: 이인노. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-12-14.

Method of manufacturing a non-volatile memory device

Номер патента: KR100757333B1. Автор: 구본영,지정근,김철성,노영진,백성권. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-09-11.

Method of manufacturing a nand flash memory device

Номер патента: KR20070004338A. Автор: 최은석,김남경. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-09.

Method of manufacturing a stacked semiconductor memory device

Номер патента: KR100681262B1. Автор: 이종욱,손용훈,강성관. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-02-09.

Method of manufacturing a nand flash memory device

Номер патента: KR100806516B1. Автор: 최재욱. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-02-21.

Nonvolatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8848455B2. Автор: Kenji Noma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-30.

Nonvolatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120195116A1. Автор: Kenji Noma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

Vertical and 3D memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09589979B2. Автор: Shih-Ping Hong. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for manufacturing memory device having word line with dual conductive materials

Номер патента: US20230301072A1. Автор: Jhen-Yu Tsai,Yu-Ping Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory device structure and method

Номер патента: US09406519B2. Автор: Kun-Tsang Chuang,Ping-Pang Hsieh,Chia Hsing Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Method for manufacturing memory device

Номер патента: US12114514B2. Автор: Erh-Kun Lai,Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng,Dai-Ying LEE. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for manufacturing a memory

Номер патента: US12106817B2. Автор: Zhongming Liu,Longyang Chen,Yexiao Yu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for manufacturing memory having stacked integrated circuit chip

Номер патента: US09978736B1. Автор: Tieh-Chin Hsieh,Yu-Yin Kuo,Hsi-Yang Huang. Владелец: Atp Electronics Taiwan Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09608077B1. Автор: Jae-Sung Kim,Kun-Young Lee,Jeong-Seob KYE,Tae-Kyum KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Memory device, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210183820A1. Автор: Chih-Wei Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Method for manufacturing electrode assembly and method for manufacturing secondary battery

Номер патента: US11749841B2. Автор: Woo Yong Lee,Hyun Tae Kim,Shin Hwa Lee. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Method for manufacturing memory system including a storage device

Номер патента: US12148469B2. Автор: Tadashi Miyakawa,Katsuhiko Hoya. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190393317A1. Автор: Toshiya Saitoh. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Methods for activity-based memory maintenance operations and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20230144541A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-05-11.

Apparatus and method for performing garbage collection in a memory system

Номер патента: US12039184B2. Автор: Hyoung Pil CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

System and method for adaptive memory layers in a memory device

Номер патента: US09632705B2. Автор: Alan Welsh Sinclair. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-25.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11990191B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Systems and methods for data path power savings in ddr5 memory devices

Номер патента: US20200133525A1. Автор: Ravi Kiran Kandikonda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Apparatus and method for enforcing timing requirements for a memory device

Номер патента: US20170177240A1. Автор: Jason K. Yu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Systems and methods for reducing power consumption in a memory architecture

Номер патента: US09857864B1. Автор: Robert Nasry Hasbun,Sathish Thoppay Egambaram. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for providing controlled access to a memory card and memory card

Номер патента: US09524401B2. Автор: Sebastiaan Hoeksel,Najib Koraichi. Владелец: Vodafone Holding GmbH. Дата публикации: 2016-12-20.

Apparatus and methods for managing packet transfer across a memory fabric physical layer interface

Номер патента: EP4070203A1. Автор: Sergey Blagodurov. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2022-10-12.

Memory arrangement and method for detecting an attack on a memory arrangement

Номер патента: US09449172B2. Автор: Thomas Kuenemund,Artur Wroblewski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-20.

System and method for managing access requests to a memory storage subsystem

Номер патента: US09477413B2. Автор: Lan D. Phan. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Apparatuses and methods for limiting string current in a memory

Номер патента: US09349474B2. Автор: Vishal Sarin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-05-24.

Method for implementing a queue in a memory, and memory arrangement

Номер патента: US20010021964A1. Автор: Jukka-Pekka Iivonen. Владелец: Nokia Networks Oy. Дата публикации: 2001-09-13.

Method for implementing a queue in a memory, and memory arrangement

Номер патента: WO2000014642A2. Автор: Jukka-Pekka Iivonen. Владелец: Nokia Networks Oy. Дата публикации: 2000-03-16.

Method for implementing a queue in a memory, and memory arrangement

Номер патента: WO2000014642A3. Автор: Jukka-Pekka Iivonen. Владелец: Iivonen Jukka Pekka. Дата публикации: 2000-06-02.

Method for transmitting extended commands to a memory system

Номер патента: US09501223B2. Автор: Martin Roeder,Martin Preiser. Владелец: HYPERSTONE GMBH. Дата публикации: 2016-11-22.

Systems and methods for performing data recovery in a memory system

Номер патента: US09965362B2. Автор: Abhijeet Manohar,Chris Avila. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-08.

Memory with low current consumption and method for reducing current consumption of a memory

Номер патента: US09773533B2. Автор: Chun Shiah. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Apparatuses, systems, and methods for managing metadata storage at a memory

Номер патента: US20240321328A1. Автор: Sujeet Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for writing data bits to a memory array

Номер патента: US20030137891A1. Автор: Michael Christian Fischer. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-07-24.

System and method for random data distribution in a memory array

Номер патента: US12079478B2. Автор: Avidan Akerib. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for performing access control in a memory device, associated memory device and controller thereof

Номер патента: US20190163571A1. Автор: Chiao-Wen Cheng. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-05-30.

Method for performing host-directed operations, and associated memory device and controller thereof

Номер патента: US20120278540A1. Автор: Ming-Yen Lin,Hsu-Ping Ou. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2012-11-01.

Method for repairing defective memory cells in semiconductor memory device

Номер патента: US09704601B2. Автор: Ki-Seok Park,Ji-Hyuk OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for performing access control in a memory device, associated memory device and controller thereof

Номер патента: US20200285411A1. Автор: Chiao-Wen Cheng. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

Methods for activity-based memory maintenance operations and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20200201698A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Methods for activity-based memory maintenance operations and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US11947412B2. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-02.

Methods for activity-based memory maintenance operations and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240202056A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Methods for modelling and manufacturing a device

Номер патента: EP4443325A1. Автор: LIU Jin,Warner Matthew,Bornoff Robin,BLACKMORE Byron,Alkhenaizi Mahmood. Владелец: Siemens Industry Software NV. Дата публикации: 2024-10-09.

Memory device and method for monitoring the performances of a memory device

Номер патента: US20240028246A1. Автор: Antonino Mondello,Alberto Troia. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-25.

Memory device and method for monitoring the performances of a memory device

Номер патента: US11782633B2. Автор: Antonino Mondello,Alberto Troia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Memory device and method for monitoring the performances of a memory device

Номер патента: US20210405910A1. Автор: Antonino Mondello,Alberto Troia. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-12-30.

Memory device and method for monitoring the performances of a memory device

Номер патента: WO2020240226A8. Автор: Antonino Mondello,Alberto Troia. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-03.

System and method for machine learning architecture with a memory management module

Номер патента: WO2023023845A1. Автор: Hasham BURHANI,Xiao Qi SHI,Kiarash Jamali. Владелец: ROYAL BANK OF CANADA. Дата публикации: 2023-03-02.

System and method for machine learning architecture with a memory management module

Номер патента: EP4392758A1. Автор: Hasham BURHANI,Xiao Qi SHI,Kiarash Jamali. Владелец: ROYAL BANK OF CANADA. Дата публикации: 2024-07-03.

System and method for machine learning architecture with a memory management module

Номер патента: CA3129291A1. Автор: Hasham BURHANI,Xiao Qi SHI,Kiarash Jamali. Владелец: ROYAL BANK OF CANADA. Дата публикации: 2023-02-25.

System and method for designing and manufacturing a protective sports helmet

Номер патента: US12059051B2. Автор: Thad M. Ide,Vittorio Bologna,Murphy GILLOGLY. Владелец: Riddell Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Systems and methods for controlling power assertion in a memory device

Номер патента: US11915789B2. Автор: Sanjeev Kumar Jain. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11894059B2. Автор: Tae Hun Park,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Systems and methods for controlling power assertion in a memory device

Номер патента: US11386942B2. Автор: Sanjeev Kumar Jain. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-12.

Systems and Methods for Controlling Power Assertion In a Memory Device

Номер патента: US20240153545A1. Автор: Sanjeev Kumar Jain. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Systems and Methods for Controlling Power Assertion In a Memory Device

Номер патента: US20220068330A1. Автор: Sanjeev Kumar Jain. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Method for erasing memory cells in a flash memory device

Номер патента: US6137729A. Автор: Ki-hwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-10-24.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11887669B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Method for low power accessing a phase change memory device

Номер патента: US20100165713A1. Автор: Claudio Resta,Ferdinando Bedeschui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-01.

System and method for programming cells in non-volatile integrated memory devices

Номер патента: EP1590811A1. Автор: Nima Mokhlesi,John H. Pasternak. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2005-11-02.

Method for regulating reading voltage of NAND flash memory device

Номер патента: US09558816B2. Автор: Seung-Hyun Han,Sun-Mo Hwang. Владелец: THE-AIO Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Apparatus and method for erasing data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11929122B2. Автор: Tae Heui Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11915762B2. Автор: Hyung Jin Choi,Tae Hun Park,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Method for customizing and manufacturing a composite helmet liner

Номер патента: US09545127B1. Автор: Alan T. Sandifer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-17.

Shift redundancy circuit, method for controlling shift redundancy circuit, and semiconductor memory device

Номер патента: US20060067142A1. Автор: Kazufumi Komura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-03-30.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US20240028216A1. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Error tolerant memory array and method for performing error correction in a memory array

Номер патента: US20210073072A1. Автор: John L. Mccollum. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-11.

Methods for executing data access commands and flash memory devices using the same

Номер патента: US09959232B2. Автор: Yu-Chuan Chang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Data storage device and method for writing test data to a memory

Номер патента: US8151150B2. Автор: Mau-Jung Lu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2012-04-03.

Memory Controller and Method for Coupling a Network and a Memory

Номер патента: US20080201537A1. Автор: Artur Burchard,Ewa Hekstra-Nowacka,Atul Pratap Chauhan. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-08-21.

Memory controller and method for coupling a network and a memory

Номер патента: WO2006131899A3. Автор: Artur Burchard,Ewa Hekstra-Nowacka,Atul P S Chauhan. Владелец: Atul P S Chauhan. Дата публикации: 2007-04-26.

Apparatus and method for repairing a defect of a memory module, and a memory system

Номер патента: US20210313005A1. Автор: Yong Zhang,Gang Shan. Владелец: Montage Technology Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Apparatus and methods for managing packet transfer across a memory fabric physical layer interface

Номер патента: WO2021112947A1. Автор: Sergey Blagodurov. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2021-06-10.

Apparatus and method for pumping memory cells in a memory

Номер патента: US20030002319A1. Автор: Francois Ricodeau. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2003-01-02.

Memory controller and memory control method for generating commands based on a memory request

Номер патента: US11893278B2. Автор: Seungwon Lee,Seungwoo Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-06.

Apparatus and method for testing a defect of a memory module and a memory system

Номер патента: US20210313000A1. Автор: Yong Zhang,Gang Shan. Владелец: Montage Technology Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Method for collecting failure information for a memory using an embedded test controller

Номер патента: US20030226073A1. Автор: Jean-Francois Cote,Benoit Nadeau-Dostie. Владелец: LogicVision Inc. Дата публикации: 2003-12-04.

Semiconductor chip apparatus and method for checking the integrity of a memory

Номер патента: US20230367912A1. Автор: Steffen Sonnekalb,Marcus Janke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-16.

Systems and methods for performing data recovery in a memory system

Номер патента: US9471419B2. Автор: Abhijeet Manohar,Chris Avila. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-18.

Circuit and method for refreshing data stored in a memory cell

Номер патента: US20010036117A1. Автор: Patrick Mullarkey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-11-01.

Apparatuses, systems, and methods for managing metadata storage at a memory

Номер патента: US20230352064A1. Автор: Sujeet Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Apparatuses, systems, and methods for managing metadata storage at a memory

Номер патента: US12014797B2. Автор: Sujeet Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Apparatuses and methods for generating a voltage in a memory

Номер патента: US20190035434A1. Автор: Hitoshi Tanaka,Yasunori Orito. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-31.

Method for mapping logic design memory into physical memory device of a programmable logic device

Номер патента: US6871328B1. Автор: Ryan Fung,Ketan Padalia. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2005-03-22.

Access control unit and method for use with synchronous dynamic random access memory device

Номер патента: US20050125596A1. Автор: Chang-Cheng Yap. Владелец: RDC Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-09.

Circuit and method for controlling local data line in semiconductor memory device

Номер патента: US20090168560A1. Автор: Sung-Soo Chi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Method for designing and manufacturing a micromechanical device

Номер патента: US6514670B1. Автор: Bernhard Elsner,Josef Hirtreiter. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2003-02-04.

Apparatus and method for detecting over-programming condition in multistate memory device

Номер патента: US6112314A. Автор: Christophe J. Chevallier,Robert D. Norman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-08-29.

System and method for dynamic allocation to a host of memory device controller memory resources

Номер патента: US20200004445A1. Автор: Shay Benisty. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Method for clock control in dynamic random access memory devices

Номер патента: US20150243344A1. Автор: Kallol Mazumder,Debra Bell. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2015-08-27.

System and method for addressing errors in a multiple-chip memory device

Номер патента: US20090006887A1. Автор: Hoon Ryu,Ryan Patterson,Klaus Nierle,Koonhee Lee. Владелец: Qimonda North America Corp. Дата публикации: 2009-01-01.

Open block management in memory devices

Номер патента: US20240061575A1. Автор: Juane LI,Michael Winterfeld. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Open block management in memory devices

Номер патента: US20240201851A1. Автор: Juane LI,Michael Winterfeld. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Mitigation of runaway programming of a memory device

Номер патента: US20100039863A1. Автор: Vishal Sarin,Frankie F. Roohparvar,Jonathan Pabustan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-18.

Mitigation of runaway programming of a memory device

Номер патента: US20110096608A1. Автор: Vishal Sarin,Frankie F. Roohparvar,Jonathan Pabustan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-04-28.

Memory device and method for managing read counts of memory device

Номер патента: US20210365213A1. Автор: Yen-Hsiang Chen,Nai-Ping Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Managing data compaction for zones in memory devices

Номер патента: US12147705B2. Автор: Naveen Bolisetty. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Method for reading and writing and memory device

Номер патента: US20210311836A1. Автор: Jun He,Zhan Ying,Jie Liu,Shuliang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US09530508B2. Автор: Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Memory device and method for synchronizing command start point (csp)

Номер патента: US20240265957A1. Автор: Taeyoung Oh,Hyeran Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Preserving blocks experiencing program failure in memory devices

Номер патента: US20240363193A1. Автор: Pranam Shetty,Arunkumar B,Haritima Swapnil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Preserving blocks experiencing program failure in memory devices

Номер патента: US12068052B2. Автор: Pranam Shetty,Arunkumar B,Haritima Swapnil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Manufacturing method for a building system in regards to structural and environmental factors

Номер патента: US11141881B2. Автор: Sevil YAZICI. Владелец: OZYEGIN UNIVERSITESI. Дата публикации: 2021-10-12.

Memory device for synchronizing command start point (csp)

Номер патента: EP4411546A1. Автор: Taeyoung Oh,Hyeran Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Systems and methods for erasing a memory

Номер патента: WO2010056551A2. Автор: Vishal Sarin. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-05-20.

Apparatuses and methods for single-ended sense amplifiers

Номер патента: US12051460B2. Автор: Tae H. Kim,Christopher J. KAWAMURA,Jiyun Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Program and sense operations in a non-volatile memory device

Номер патента: US20100124115A1. Автор: Chang Wan Ha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-05-20.

Architecture and method for memory programming

Номер патента: US09343169B2. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,Michele Incarnati,Tommaso Vali. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-05-17.

Protection and recovery from sudden power failure in non-volatile memory devices

Номер патента: US09696918B2. Автор: Avraham Poza Meir,Etai Zaltsman. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Systems and methods for erasing a memory

Номер патента: US20120106261A1. Автор: Vishal Sarin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-05-03.

System and method for automatic DQS gating based on counter signal

Номер патента: US09524255B2. Автор: Shawn Chen,Jun Zhu,Joseph Jun Cao. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Method for reducing power consumption of memory system, and memory controller

Номер патента: US09927860B2. Автор: Mingyu Chen,Yongbing HUANG,Yuan RUAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Apparatuses and methods for configuring I/Os of memory for hybrid memory modules

Номер патента: US09921980B2. Автор: Matthew A. Prather. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for preventing read-disturb errors, memory control circuit unit and memory storage apparatus

Номер патента: US09563498B2. Автор: Chih-Kang Yeh. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Method for improving the read signal in a memory having passive memory elements

Номер патента: US20050128796A1. Автор: Kurt Hoffmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-06-16.

Method for erasing a memory cell

Номер патента: US20040047198A1. Автор: Eli Lusky,Boaz Eitan. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2004-03-11.

Apparatuses and methods for address based memory performance

Номер патента: US12073872B2. Автор: Beau D. Barry. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for generating random number, memory storage device and control circuit

Номер патента: US09465584B2. Автор: Wei Lin,Yu-Cheng Hsu,Siu-Tung Lam. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Memory circuit, drive circuit for a memory and method for writing write data into a memory

Номер патента: US20090073773A1. Автор: Udo Ausserlechner,Martin Mueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-03-19.

Systems and methods for intelligently compressing whole slide images

Номер патента: US20230215052A1. Автор: Kenneth Tang,Val Anthony Alvero,Yixiao Zhao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-07-06.

Control circuit, method for reading and writing and memory

Номер патента: US12080340B2. Автор: Sungsoo CHI,Fengqin Zhang,Shuyan JIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Read-write method and memory device

Номер патента: EP3936996A1. Автор: Jun He,Zhan Ying,Jie Liu,Shuliang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-12.

Computer-implemented method and system for ordering and manufacturing a set of decorative panels

Номер патента: WO2024033478A1. Автор: Li Lin. Владелец: Patentwerk B.V.. Дата публикации: 2024-02-15.

Computer-Implemented Method and System for Ordering and Manufacturing a Set of Decorative Panels

Номер патента: US20240054466A1. Автор: LIN Li. Владелец: Northann Building Solutions LLC. Дата публикации: 2024-02-15.

Systems and methods for identifying malware injected into a memory of a computing device

Номер патента: US12079337B2. Автор: Joseph W. DESIMONE. Владелец: Endgame Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for reading and writing and memory device

Номер патента: US11869615B2. Автор: Shuliang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Read-write method and memory device

Номер патента: EP3964941A1. Автор: Jun He,Zhan Ying,Jie Liu,Shuliang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-09.

Read-write method and memory device

Номер патента: EP4006710A1. Автор: Shuliang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-01.

Method for reading and writing and memory device

Номер патента: US20210327531A1. Автор: Shuliang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Managing data compaction for zones in memory devices

Номер патента: US20240069806A1. Автор: Naveen Bolisetty. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Open block management in memory devices

Номер патента: US11934657B2. Автор: Juane LI,Michael Winterfeld. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Method for reading and writing and memory device

Номер патента: US20210313002A1. Автор: Jun He,Zhan Ying,Jie Liu,Shuliang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Systems and methods for reducing standby power in floating body memory devices

Номер патента: US11769550B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Systems and methods for providing restock notifications using a batch framework

Номер патента: US20210255908A1. Автор: JIE Min,Zhongxing WANG. Владелец: Coupang Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Systems and methods for providing restock notifications using a batch framework

Номер патента: AU2020266307A1. Автор: JIE Min,Zhongxing WANG. Владелец: Coupang Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

Systems and methods for reducing standby power in floating body memory devices

Номер патента: US09947387B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for designing a surgical guide

Номер патента: US09785747B2. Автор: Benjamin Geebelen. Владелец: Materialise NV. Дата публикации: 2017-10-10.

Systems and methods for reducing standby power in floating body memory devices

Номер патента: US09536595B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for reading and writing and memory device

Номер патента: US11899971B2. Автор: Jun He,Zhan Ying,Jie Liu,Shuliang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Parameter estimation based on previous read attempts in memory devices

Номер патента: US20220398031A1. Автор: Fan Zhang,Aman BHATIA,Meysam Asadi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-12-15.

Method for reading and writing and memory device

Номер патента: US20210311666A1. Автор: Jun He,Zhan Ying,Jie Liu,Shuliang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Granular refresh rate control for memory devices

Номер патента: US20200327928A1. Автор: Cyril Guyot,Yongjune Kim,Won Ho Choi,Yuval Cassuto. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Keeping file systems or partitions private in a memory device

Номер патента: EP2672415A3. Автор: Jacek Nawrot,Maxine Matton. Владелец: BlackBerry Ltd. Дата публикации: 2014-04-02.

Differential non-volatile memory device and bit reading method for the same

Номер патента: US20040190346A1. Автор: Fabio Pasolini,Michele Tronconi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-09-30.

Method for reading and writing and memory device

Номер патента: US11914479B2. Автор: Jun He,Zhan Ying,Jie Liu,Shuliang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Method and apparatus for performing data management of memory device with aid of targeted protection control

Номер патента: US20240028258A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Program verify operation in a memory device

Номер патента: US20120127794A1. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,Michele Incarnati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-05-24.

Low latency parity for a memory device

Номер патента: US11940873B2. Автор: Vimal Kumar Jain,Ramanathan Muthiah. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Low latency parity for a memory device

Номер патента: US20230214291A1. Автор: Vimal Kumar Jain,Ramanathan Muthiah. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Method and apparatus for performing data management of memory device with aid of targeted protection control

Номер патента: US12014087B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Apparatuses and methods for access based refresh timing

Номер патента: US11955158B2. Автор: Daniel B. Penney,Jason M. Brown. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Apparatuses and methods for access based refresh timing

Номер патента: US20230105151A1. Автор: Daniel B. Penney,Jason M. Brown. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-06.

Memory device and method for forming sense amplifiers of memory device

Номер патента: US20230298635A1. Автор: Chun-Yen Lin,Cheng-Chang Chen,Chih-Chieh Chiu. Владелец: Sonic Star Global Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Support pad for a drill head and method for designing and manufacturing a support pad

Номер патента: US09999959B2. Автор: Tony Evans,Simon LAWES. Владелец: Sandvik Intellectual Property AB. Дата публикации: 2018-06-19.

Methods of memory address verification and memory devices employing the same

Номер патента: US20240126701A1. Автор: Alberto Troia. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-18.

Temperature management in open-channel memory devices

Номер патента: US20190043559A1. Автор: Jeffrey L. McVay. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-02-07.

Apparatuses and methods for access based refresh operations

Номер патента: US12125514B2. Автор: Takamasa Suzuki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for calibrating and manufacturing a force-sensing touch screen panel

Номер патента: US09500552B2. Автор: William R. Williams. Владелец: Motorola Solutions Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for searching and displaying results in a pen-based computer system

Номер патента: US5710844A. Автор: Stephen P. Capps,Shifteh Karimi,Sarah Clark. Владелец: Apple Computer Inc. Дата публикации: 1998-01-20.

Method for Erasing Data of NAND Flash Memory Device

Номер патента: US20080158994A1. Автор: Hea Jong Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Apparatuses and methods for direct access hybrid testing

Номер патента: WO2021067610A1. Автор: Chiaki Dono,Roman A. Royer,Chikara Kondo. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-04-08.

Apparatuses and methods for direct access hybrid testing

Номер патента: US20210104293A1. Автор: Chiaki Dono,Roman A. Royer,Chikara Kondo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

METHODS FOR MANUFACTURING AND OPERATING A MEMORY DEVICE AND A METHOD FOR OPERATING A SYSTEM HAVING THE SAME

Номер патента: US20160005454A1. Автор: Cho Young Jin,YOO Young Kwang,MUN Kui Yon. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

Architecture and method for memory programming

Номер патента: US20120287726A1. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,Michele Incarnati,Tommaso Vali. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-11-15.

Architecture and method for memory programming

Номер патента: US20150170755A9. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,Michele Incarnati,Tommaso Vali. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Architecture and method for memory programming

Номер патента: US20140133224A1. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,Michele Incarnati,Tommaso Vali. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-15.

Method and apparatus for performing access management of memory device with aid of buffer usage reduction control

Номер патента: US11704054B1. Автор: An-Pang Li. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-07-18.

Protection and recovery from sudden power failure in non-volatile memory devices

Номер патента: US20160011806A1. Автор: Avraham Poza Meir,Etai Zaltsman. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-01-14.

Systems and methods for erasing a memory

Номер патента: WO2010056551A3. Автор: Vishal Sarin. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-07-22.

Method and apparatus for performing access management of memory device with aid of buffer usage reduction control

Номер патента: US20230214154A1. Автор: An-Pang Li. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Method, apparatus and system for use in manufacturing a material

Номер патента: WO2023110387A1. Автор: Nick Talken,Zack Kisner,Natarajan CHENNIMALAI KUMAR. Владелец: Henkel AG & Co. KGaa. Дата публикации: 2023-06-22.

Flash memory device having a page mode of operation

Номер патента: US5742543A. Автор: Albert Fazio. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1998-04-21.

Apparatuses and methods for multi-bank refresh timing

Номер патента: EP3899945A1. Автор: Jason M. Johnson,Daniel S. Miller,Christopher G. Wieduwilt,Yoshinori S. Fujiwara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-27.

Apparatuses and methods for configuring I/Os of memory for hybrid memory modules

Номер патента: US11886754B2. Автор: Matthew A. Prather. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-30.

Memory controller, method for performing access control to memory module

Номер патента: US20190205049A1. Автор: Yi Li,Gang Shan,Howard Chonghe YANG. Владелец: Montage Technology Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

APPARATUSES AND METHODS FOR CONFIGURING I/Os OF MEMORY FOR HYBRID MEMORY MODULES

Номер патента: US20240152297A1. Автор: Matthew A. Prather. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-09.

Method for reducing power consumption of memory system, and memory controller

Номер патента: US20150220135A1. Автор: Mingyu Chen,Yongbing HUANG,Yuan RUAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-06.

Design and Manufacturing Method For a Building System in Regards to Structural and Environmental Factors

Номер патента: US20190375132A1. Автор: Sevil YAZICI. Владелец: OZYEGIN UNIVERSITESI. Дата публикации: 2019-12-12.

Test method for self-refresh frequency of memory array and memory array test device

Номер патента: US20220270704A1. Автор: Tianchen LU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Method for setting programming start bias for flash memory device and programming method using the same

Номер патента: TW200822121A. Автор: Suk-Kyung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-05-16.

Method for setting programming start bias for flash memory device and programming method using the same

Номер патента: TWI344647B. Автор: Suk Kyung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-07-01.

Method for programming memory cells of a memory device and related memory device

Номер патента: CN111540398A. Автор: 李昌炫,合田晃,W·C·菲利皮亚克. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-14.

Systems and Methods for DQS Gating

Номер патента: US20140359207A1. Автор: Jun Zhu,Shaw Chen,Joseph Jun Cao. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-12-04.

Systems and methods for dqs gating

Номер патента: WO2014191838A2. Автор: Shawn Chen,Jun Zhu,Joseph Jun Cao. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2014-12-04.

Method for determining location where memory error occurs

Номер патента: US20200151046A1. Автор: Jin Chen,Kai Bao. Владелец: Inventec Pudong Technology Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Method for in-situ manufacturing a protective liner on an elongated structural part of an aircraft

Номер патента: US20240336024A1. Автор: Jose Martins. Владелец: AIRBUS OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2024-10-10.

A method for in-situ manufacturing a protective liner on an elongated structural part of an aircraft

Номер патента: EP4442441A1. Автор: Jose Martins. Владелец: AIRBUS OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2024-10-09.

Rendering data invalid in a memory array

Номер патента: US20180165036A1. Автор: Siamak Tavallaei,Gregg B. Lesartre,Russ W. Herrell. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-06-14.

Apparatus and methods for managing packet transfer across a memory fabric physical layer interface

Номер патента: EP4070203B1. Автор: Sergey Blagodurov. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Method for detecting bank collision at a memory and device therefor

Номер патента: US20150006827A1. Автор: Ravindraraj Ramaraju,Kathryn C. Stacer. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-01-01.

Apparatuses and methods for switching refresh state in a memory circuit

Номер патента: WO2020005849A1. Автор: Kallol Mazumder. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-01-02.

Apparatus and methods for retaining bedding and methods for manufacturing same

Номер патента: US5946751A. Автор: Steven E. DeMay. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-09-07.

METHODS FOR CLOCK SIGNAL ALIGNMENT IN A MEMORY DEVICE AND MEMORY DEVICES AND SYSTEMS EMPLOYING THE SAME

Номер патента: US20210027816A1. Автор: Khatri Dirgha,Richards Randon K.. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-28.

METHOD FOR PERFORMING REFRESH MANAGEMENT IN A MEMORY DEVICE, ASSOCIATED MEMORY DEVICE AND CONTROLLER THEREOF

Номер патента: US20190146687A1. Автор: Chien Jieh-Hsin,Pao Yi-Hua. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

METHOD FOR PERFORMING ACCESS CONTROL IN A MEMORY DEVICE, ASSOCIATED MEMORY DEVICE AND CONTROLLER THEREOF

Номер патента: US20190163571A1. Автор: Cheng Chiao-Wen. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

METHOD FOR PERFORMING WRITING MANAGEMENT IN A MEMORY DEVICE, AND ASSOCIATED MEMORY DEVICE AND CONTROLLER THEREOF

Номер патента: US20190235789A1. Автор: Yan Wei-Lun,LIN MING-YEN,Chang Chin-Pang. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-01.

Method for performing access control in a memory device, associated memory device and controller thereof

Номер патента: US20200285411A1. Автор: Chiao-Wen Cheng. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

METHOD FOR PERFORMING WRITING MANAGEMENT IN A MEMORY DEVICE, AND ASSOCIATED MEMORY DEVICE AND CONTROLLER THEREOF

Номер патента: US20190377517A1. Автор: Yan Wei-Lun,LIN MING-YEN,Chang Chin-Pang. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-12.

METHOD FOR WRITING DATA WHEN TESTING A MEMORY DEVICE, AND MEMORY DEVICE TESTING CIRCUIT

Номер патента: FR2648266B1. Автор: Hoon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-12-24.

A memory device and method for reducing local pressure in a memory device

Номер патента: DE102006053687A1. Автор: Bernd Hartmann,Michael Haul. Владелец: HAUNI MASCHINENBAU GMBH. Дата публикации: 2008-05-15.

System and method for executing transactions

Номер патента: US7689788B2. Автор: Mark S. Moir,Virendra J. Marathe. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2010-03-30.

Method and device for processing data stored in a memory unit

Номер патента: US11947807B2. Автор: Manuel Jauss,Mustafa Kartal. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-04-02.

Method and device for processing data stored in a memory unit

Номер патента: US20220028472A1. Автор: Manuel Jauss,Mustafa Kartal. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2022-01-27.

Managing garbage collection in a memory subsystem based on characteristics of data streams

Номер патента: US20210019255A1. Автор: William Akin,Shirish D. Bahirat. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

SYSTEM AND METHOD FOR ADAPTIVE MEMORY LAYERS IN A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160179372A1. Автор: Sinclair Alan Welsh. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

Method for Manufacturing and Monetizing a Memorial Badge with a Permanent Mourning Band and Thin Blue Line

Номер патента: US20160270489A1. Автор: Herbert Earl Culver, Jr.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-22.

Circuit and method for accessing memory cells of a memory device

Номер патента: EP0745998A1. Автор: Michael C. Parris,Kim C. Hardee,Douglas B. Butler. Владелец: Nippon Steel Semiconductor Corp. Дата публикации: 1996-12-04.

Memory Circuit, Drive Circuit For A Memory And Method For Writing Write Data Into A Memory

Номер патента: US20070189075A1. Автор: Udo Ausserlechner,Martin Mueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-08-16.

System and method for performing discriminative predictive read

Номер патента: US20200371940A1. Автор: Idan Alrod,Ariel Navon,Eran Sharon. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

Memory device and method for managing data read from a memory

Номер патента: TW201124843A. Автор: Wei-Yi Hsiao. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2011-07-16.

Managing garbage collection in a memory subsystem based on characteristics of data streams

Номер патента: US10891070B1. Автор: William Akin,Shirish D. Bahirat. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-12.

Method for low power accessing a phase change memory device

Номер патента: TW201027537A. Автор: Ferdinando Bedeschi,Claudio Resta. Владелец: Numonyx Bv. Дата публикации: 2010-07-16.

Circuit and method for controlling self-refresh operation in semiconductor memory device

Номер патента: US20120051168A1. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-01.

Circuits and methods for changing page length in a semiconductor memory device

Номер патента: TW200425162A. Автор: Yun-sang Lee,One-gyun La. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-16.

Method for Processing Data Stored in a Memory Device and a Data Storage Device Utilizing the Same

Номер патента: US20190095276A1. Автор: Lin Wen-Sheng,Chen Yu-Da. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-28.

Memory chip with a data generator and test logic and method for testing memory cells of a memory chip

Номер патента: DE10229164B4. Автор: Peter Beer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-07-22.

APPARATUS AND METHOD FOR ENFORCING TIMING REQUIREMENTS FOR A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190012096A1. Автор: YU Jason K.. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-10.

APPARATUS AND METHOD FOR ENFORCING TIMING REQUIREMENTS FOR A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170177240A1. Автор: YU Jason K.. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

Systems and Methods for Controlling Power Assertion In a Memory Device

Номер патента: US20220068330A1. Автор: JAIN Sanjeev Kumar. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

APPARATUS AND METHOD FOR PERFORMING DATA SCRUBBING ON A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140229766A1. Автор: CAMPBELL Michael Andrew. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2014-08-14.

System and Method for Utilizing History Information in a Memory Device

Номер патента: US20160188401A1. Автор: Shen Zhenlei,Chen Lei,HU Xinde,Song Yiwei. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2016-06-30.

Apparatus and method for performing data scrubbing on a memory device

Номер патента: US9454451B2. Автор: Michael Andrew Campbell. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2016-09-27.

Apparatus and method for coupling data lines in a memory device

Номер патента: CN111902871A. Автор: 清水秀生,北山一,藤光元次. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-06.

Apparatus and method for a thermal management of a memory device

Номер патента: US20110029150A1. Автор: David A. Wyatt. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-02-03.

Processing arrangement, memory card device and method for operating and manufacturing a processing arrangement

Номер патента: TWI333627B. Автор: Gilad Ofir,Curatolo Giacomo. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-11-21.

ERROR TOLERANT MEMORY ARRAY AND METHOD FOR PERFORMING ERROR CORRECTION IN A MEMORY ARRAY

Номер патента: US20210073072A1. Автор: McCollum John L.. Владелец: Microchip Technology Inc.. Дата публикации: 2021-03-11.

SYSTEM AND METHOD FOR DYNAMICALLY ALLOCATING MEMORY AT A MEMORY CONTROLLER

Номер патента: US20180081590A1. Автор: Roberts David A.,Jayasena Nuwan,Farahani Amin Farmahini. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

MEMORY ARRANGEMENT AND METHOD FOR DETECTING AN ATTACK ON A MEMORY ARRANGEMENT

Номер патента: US20150242624A1. Автор: KUENEMUND Thomas,Wroblewski Artur. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

MEMORY WITH LOW CURRENT CONSUMPTION AND METHOD FOR REDUCING CURRENT CONSUMPTION OF A MEMORY

Номер патента: US20140362656A1. Автор: Shiah Chun. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-11.

Method for checking electrical connections between a memory module and a semiconductor memory module

Номер патента: DE10203570B4. Автор: Thomas Huber,Manfred Moser,Dr. Adler Frank. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2012-03-15.

Method for writing memory sectors in a memory deletable by blocks

Номер патента: US20070061545A1. Автор: Reinhard KÜHNE. Владелец: Hyperstone Ag. Дата публикации: 2007-03-15.

Memory controller and method for coupling a network and a memory

Номер патента: US8065493B2. Автор: Artur Tadeusz Burchard,Peter Van Den Hamer,Ewa Hekstra-Nowacka,Atul Pratap Chauhan. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-11-22.

Apparatus and method for pumping memory cells in a memory.

Номер патента: EP1220227A3. Автор: Francois Pierre Ricodeau. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-02-04.

Memory arrangement and method for detecting an attack on a memory array

Номер патента: DE102014102623A1. Автор: Thomas Kunemund,Artur Wroblewski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-08-27.

Systems and methods for machine-learning assisted inventory placement

Номер патента: AU2020265680A1. Автор: Xin Shi. Владелец: Coupang Corp. Дата публикации: 2020-12-10.

Control system and method for controlling movement of vehicle

Номер патента: EP3472028A1. Автор: Stefano Di Cairano,Karl Berntorp,Uros Kalabic. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-04-24.

Apparatuses and methods for access based refresh operations

Номер патента: US20230352075A1. Автор: Takamasa Suzuki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

METHOD FOR ACCESSING ALL CELLS IN A MEMORY ZONE FOR WRITING OR READING BLOCKS IN THESE CELLS

Номер патента: FR3000826B1. Автор: Ahmadou Sere,Frederic Boulet. Владелец: Morpho SA. Дата публикации: 2015-01-16.

METHOD FOR ADDRESSING A SYMBOL IN A MEMORY, AND DEVICE FOR PROCESSING SYMBOLS

Номер патента: FR2884002B1. Автор: Jose Sanches,Ludovic Chotard. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2008-03-07.

METHOD FOR ACCESSING ALL CELLS IN A MEMORY ZONE FOR WRITING OR READING BLOCKS IN THESE CELLS

Номер патента: FR3000826A1. Автор: Ahmadou Sere,Frederic Boulet. Владелец: Morpho SA. Дата публикации: 2014-07-11.

Methods for repairing and for operating a memory component

Номер патента: US7372749B2. Автор: Peter Poechmueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-05-13.

Methods and systems for serial memory device control

Номер патента: US20190371373A1. Автор: Kishalay Haldar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Method for collecting failure information for a memory using embedded test controller

Номер патента: AU2003231259A1. Автор: Jean-Francois Cote,Benoit Nadeau-Dostie. Владелец: LogicVision Inc. Дата публикации: 2003-12-19.

Systems and Methods for Performing Data Recovery in a Memory System

Номер патента: US20170004052A1. Автор: Avila Chris,Manohar Abhijeet. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-05.

METHOD FOR DETECTING BANK COLLISION AT A MEMORY AND DEVICE THEREFOR

Номер патента: US20150006827A1. Автор: Ramaraju Ravindraraj,Stacer Kathryn C.. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2015-01-01.

APPARATUSES AND METHODS FOR SWITCHING REFRESH STATE IN A MEMORY CIRCUIT

Номер патента: US20200005856A1. Автор: Mazumder Kallol. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-01-02.

System and method for managing access requests to a memory storage subsystem

Номер патента: US20170031607A1. Автор: Lan D. Phan. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-02-02.

APPARATUSES AND METHODS FOR GENERATING A VOLTAGE IN A MEMORY

Номер патента: US20190035434A1. Автор: TANAKA Hitoshi,Orito Yasunori. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-01-31.

APPARATUSES AND METHODS FOR REDUCING CURRENT LEAKAGE IN A MEMORY

Номер патента: US20150049565A1. Автор: Derner Scott J.,Kirsch Howard C.,Ingalls Charles L.,Xia Zhong-yi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-02-19.

Apparatus and method for transmitting map information in a memory system

Номер патента: US20210064293A1. Автор: Young-Ick CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Apparatus and method for maintaining data stored in a memory system

Номер патента: US20220171564A1. Автор: Yong Jin,Jun Hee Ryu,Woo Suk Chung,Hyung Jin Lim,Myeong Joon Kang,Kwang Jin KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-02.

SYSTEM AND METHOD FOR CONSERVING POWER CONSUMPTION IN A MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20150121096A1. Автор: LO Haw-Jing,CHUN DEXTER. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-04-30.

APPARATUS AND METHODS FOR MANAGING PACKET TRANSFER ACROSS A MEMORY FABRIC PHYSICAL LAYER INTERFACE

Номер патента: US20210165606A1. Автор: Blagodurov Sergey. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-03.

Systems and Methods for Performing Data Recovery in a Memory System

Номер патента: US20150169420A1. Автор: SHARON ERAN,Shapira Ofer,LIEBER Opher,Alord Idan. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2015-06-18.

APPARATUSES AND METHODS FOR DETECTION REFRESH STARVATION OF A MEMORY

Номер патента: US20190172521A1. Автор: Morgan Donald M.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-06-06.

APPARATUS AND METHOD FOR ISSUING ACCESS REQUESTS TO A MEMORY CONTROLLER

Номер патента: US20160188209A1. Автор: Hansson Andreas,Bratt Ian Rudolf. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

SYSTEMS AND METHODS FOR DURABLE DATABASE OPERATIONS IN A MEMORY-MAPPED ENVIRONMENT

Номер патента: US20150193463A1. Автор: Horowitz Eliot,Merriman Dwight,Stearn Mathias. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-09.

APPARATUSES AND METHODS FOR GENERATING A VOLTAGE IN A MEMORY

Номер патента: US20190180794A1. Автор: TANAKA Hitoshi,Orito Yasunori. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-06-13.

Systems and Methods for Performing Data Recovery in a Memory System

Номер патента: US20140281250A1. Автор: Avila Chris,Manohar Abhijeet. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

APPARATUSES AND METHODS FOR SWITCHING REFRESH STATE IN A MEMORY CIRCUIT

Номер патента: US20200194055A1. Автор: Mazumder Kallol. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-18.

SYSTEM AND METHOD FOR DETERMINING PHYSICAL ORIENTATION OF A MEMORY MODULE USING ON-BOARD THERMAL SENSORS

Номер патента: US20210263820A1. Автор: Berke Stuart Allen. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-26.

APPARATUS AND METHOD FOR PERFORMING GARBAGE COLLECTION IN A MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20210278990A1. Автор: CHOI Hyoung Pil. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

Apparatus and method for controlling map data in a memory system

Номер патента: US20210279180A1. Автор: Gi Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

SYSTEMS AND METHODS FOR IMPLEMENTING POWER COLLAPSE IN A MEMORY

Номер патента: US20160259398A1. Автор: Attar Rashid Ahmed Akbar,Newham Adam Edward,EASTON Kenneth David. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-08.

APPARATUS AND METHOD FOR CONTROLLING MAP DATA IN A MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20210311879A1. Автор: KANG Hye Mi. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-07.

APPARATUS AND METHOD FOR TRANSMITTING MAP INFORMATION IN A MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20200250104A1. Автор: BYUN Eu-Joon. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2020-08-06.

Apparatuses and methods for limiting string current in a memory

Номер патента: US20140376313A1. Автор: Vishal Sarin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-12-25.

APPARATUSES AND METHODS FOR GENERATING A VOLTAGE IN A MEMORY

Номер патента: US20190287576A1. Автор: TANAKA Hitoshi,Orito Yasunori. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-09-19.

SYSTEMS AND METHODS FOR SEGMENTING DATA STRUCTURES IN A MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20150347019A1. Автор: Pawlowski J. Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

Apparatus and method for transmitting map segment in a memory system

Номер патента: US20200334138A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

APPARATUSES AND METHODS FOR DETECTION REFRESH STARVATION OF A MEMORY

Номер патента: US20180342282A1. Автор: Morgan Donald M.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-11-29.

METHOD FOR TRANSMITTING EXTENDED COMMANDS TO A MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20150378608A1. Автор: Roeder Martin,PREISER MARTIN. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-31.

SYSTEMS AND METHODS FOR SIMULATED DEVICE TESTING USING A MEMORY-BASED COMMUNICATION PROTOCOL

Номер патента: US20200381071A1. Автор: JR. Frank,Liu,Organ Donald. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-03.

APPARATUS AND METHOD FOR PERFORMING GARBAGE COLLECTION IN A MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20220413738A1. Автор: CHOI Hyoung Pil. Владелец: . Дата публикации: 2022-12-29.

Method for reducing leakage current of a memory and related device

Номер патента: CN101714402A. Автор: 裴睿其. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2010-05-26.

Apparatus and methods for multi-level sensing in a memory array

Номер патента: US7142464B2. Автор: Oleg Dadashev. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2006-11-28.

Method for managing concurrent access to a memory by several users.

Номер патента: FR2706651B1. Автор: DONNAN Gary. Владелец: Alcatel Alsthom Compagnie Generale dElectricite. Дата публикации: 1995-08-18.

SECURE METHOD FOR MODIFYING DATA RECORDED IN A MEMORY CARD

Номер патента: FR2848702B1. Автор: Nicolas Pangaud. Владелец: ASK SA. Дата публикации: 2005-03-18.

METHOD FOR AUTHENTICATING DATA CONTAINED IN A MEMORY OBJECT

Номер патента: FR2856815B1. Автор: Jan Saggiori,Andrey Kozlov. Владелец: OMEGA TECHNOLOGY Ltd. Дата публикации: 2005-09-16.

Method for treating defective elements in a memory.

Номер патента: FR2699301B1. Автор: Patrick Pignon. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1995-02-10.

Apparatus and method for managing valid data in a memory system

Номер патента: CN110895449A. Автор: 李宗珉. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-20.

METHOD FOR COMPOSING THE ADDRESSES OF A MEMORY

Номер патента: FR2520544A1. Автор: Toshifumi Inoue,Mitsuhiko Yomada,Tsukasa Nishida. Владелец: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1983-07-29.

Apparatus and methods for multi-level sensing in a memory array

Номер патента: TWI379306B. Автор: Oleg Dadashev. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2012-12-11.

Apparatus and method for handling data stored in a memory system

Номер патента: KR20220103378A. Автор: 신숭선,진병민. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2022-07-22.

Secure method for modifying data recorded in a memory card

Номер патента: CA2508119A1. Автор: Nicolas Pangaud. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-01.

Method for treating defective elements in a memory.

Номер патента: FR2699301A1. Автор: Patrick Pignon,Pignon Patrick. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1994-06-17.

DEVICE AND METHOD FOR PROTECTING AGAINST ACCESS TO A MEMORY AND POSTAGE MACHINE USING THE SAME

Номер патента: FR2786289B1. Автор: Hote Frederic L,Jean Marc Dery. Владелец: Secap SA. Дата публикации: 2001-10-26.

System and method for determining the value of a memory element

Номер патента: US20060002193A1. Автор: Kenneth Smith,Corbin Champion,Richard Hilton. Владелец: Champion Corbin L. Дата публикации: 2006-01-05.

Method for storing data structures in a memory

Номер патента: EP0945794B1. Автор: Arie Ben-Ephraim,Alexandre Saper,Avi Ginsberg. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-10-15.

Circuit and method for authenticating the content of a memory location

Номер патента: EP1118065B1. Автор: Armin Wedel,Erwin Hess,Wolfgang Pockrandt,Markus Gail. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-09-03.

System and method for adaptively managing pages in a memory

Номер патента: US20050235114A1. Автор: Nimrod Megiddo,Dharmendra Modha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-10-20.

Device and method for using complementary bits in a memory array

Номер патента: WO2002082456A1. Автор: David L. Pinney. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2002-10-17.

Chip, Multi-Chip System in a Method for Performing a Refresh of a Memory Array

Номер патента: US20090268539A1. Автор: Dominique Savignac,Hermann Ruckerbauer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-10-29.

Circuits, systems and methods for interfacing processing circuitry with a memory

Номер патента: KR100255259B1. Автор: 에이. 크로스 랜돌프. Владелец: 로버트 에프. 도나휴. Дата публикации: 2000-05-01.

METHOD FOR VERIFYING BLOCK CLEARANCE OF A MEMORY

Номер патента: FR2890468A1. Автор: David Naura,Pierre Rizzo,Ahmed Kari,Christophe Moreaux. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2007-03-09.

Device and method for treating a state of a memory

Номер патента: EP1625592A1. Автор: Wieland Fischer,Christian Samec. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-02-15.

System and method for security of information in a memory

Номер патента: US6804781B1. Автор: Eugene Villa Castro. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2004-10-12.

Apparatus and method for maintaining data stored in a memory system

Номер патента: CN114579040A. Автор: 秦龙,姜明俊,郑宇席,柳准熙,林炯辰,高光振. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-03.

System and method for concurrently decoding and transmitting a memory request

Номер патента: US7516205B2. Автор: John D. Pape. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2009-04-07.

Apparatuses and methods for detection refresh starvation of a memory

Номер патента: US10755763B2. Автор: Donald M. Morgan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-25.

Apparatus and method for performing garbage collection in a memory system

Номер патента: CN113342705A. Автор: 崔炯弼. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-03.

Systems and methods for implementing power collapse in a memory

Номер патента: WO2016140770A3. Автор: Rashid Ahmed Akbar Attar,Adam Edward NEWHAM,Kenneth David Easton. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-11-03.

Method for determining the size of a memory

Номер патента: EP0471532A2. Автор: Daniel Frederick White. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1992-02-19.

Integrated circuit and method for reading the content of a memory cell

Номер патента: US20090244992A1. Автор: Marco Goetz. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-10-01.

Method for modification of data on a memory card on a transaction

Номер патента: WO2003088262A1. Автор: Eric Gerbault. Владелец: ASK S.A.. Дата публикации: 2003-10-23.

Apparatuses and methods for detection refresh starvation of a memory

Номер патента: KR102513775B1. Автор: 도날드 엠. 모간. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크.. Дата публикации: 2023-03-28.

Computer-implemented method and system for ordering and manufacturing a set of decorative panels

Номер патента: NL2032744B1. Автор: LIN Li. Владелец: Northann Building Solutions LLC. Дата публикации: 2024-02-16.

Circuits systems and methods for modifying data stored in a memory using logic operations

Номер патента: HK1007912A1. Автор: Sudhir Sharma,Michael E Runas,Robert M Nally. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 1999-04-30.

Method and apparatus for programming data in non-volatile memory device

Номер патента: US20130308390A1. Автор: Jun-Woo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-11-21.

Apparatuses and methods for switching refresh state in a memory circuit

Номер патента: US20200194055A1. Автор: Kallol Mazumder. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

A sense amplifier and a method for sensing the value of a memory cell

Номер патента: TW200818209A. Автор: Chin-Huang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-04-16.

Module and method for managing the access to a memory

Номер патента: EP3382566B1. Автор: Fabio Enrico Carlo Disegni,Michele Febbrarino,Federico Goller. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-03-04.

Method for performing wear-leveling in a memory module

Номер патента: TW200947201A. Автор: Chien-Cheng Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2009-11-16.

Systems and Methods for Reducing Standby Power in Floating Body Memory Devices

Номер патента: US20230395138A1. Автор: Yuniarto Widjaja,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Method for for manufacturing reinforcing fabric for a transmission belt

Номер патента: EP3263947B1. Автор: Toshihiro Nishimura,Taisuke Kimura,Masakuni Yoshida. Владелец: Mitsuboshi Belting Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Systems and methods for configuring an additive manufacturing device

Номер патента: WO2020086717A1. Автор: Daniel Adam THEIRL. Владелец: AVANA TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2020-04-30.

Support pad for a drill head and method for designing and manufacturing a support pad

Номер патента: US20140056661A1. Автор: Tony Evans,Simon LAWES. Владелец: Sandvik Intellectual Property AB. Дата публикации: 2014-02-27.

Method for updating a firmware on a low memory device

Номер патента: EP3087478A1. Автор: Stephane Durand. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2016-11-02.

Method for updating a firmware on a low memory device

Номер патента: WO2015096947A1. Автор: Stephane Durand. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2015-07-02.

Method for designing and manufacturing a bone implant

Номер патента: CA2896947C. Автор: Andre Furrer,Wolfgang Holler,Emanuel Benker. Владелец: DePuy Synthes Products Inc. Дата публикации: 2021-02-09.

Systems and methods for balancing multiple partitions of non-volatile memory

Номер патента: US20220147258A1. Автор: Andrew W. Vogan,Alexander Paley. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

METHOD FOR PREPARING OR MANUFACTURING A MEDICINAL PRODUCT WITH ANTIVIRAL ACTIVITY AND METHOD FOR PREPARING A PURINE DERIVATIVE

Номер патента: NL175061B. Автор: . Владелец: Wellcome Found. Дата публикации: 1984-04-16.

METHOD FOR PREPARING OR MANUFACTURING A MEDICINAL PRODUCT WITH ANTIVIRAL ACTIVITY AND METHOD FOR PREPARING A PURINE DERIVATIVE

Номер патента: NL175061C. Автор: . Владелец: Wellcome Found. Дата публикации: 1984-09-17.

Support pad for a drill head and method for designing and manufacturing a support pad

Номер патента: US20140056661A1. Автор: LAWES Simon,EVANS Tony. Владелец: Sandvik Intellectual Property AB. Дата публикации: 2014-02-27.

PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MULTI-LEVEL PROGRAMMING OF PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140293688A1. Автор: KIM Deok Kee. Владелец: Intellectual Discovery Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-10-02.

Support pad for a drill head and method for designing and manufacturing a support pad

Номер патента: US20160361794A1. Автор: LAWES Simon,EVANS Tony. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-15.

METHOD FOR PREPARING OR MANUFACTURING A PERFUMED PREPARATION AND FOR PREPARING A NEW PERFUME MIXTURE.

Номер патента: NL169459C. Автор: . Владелец: Int Flavors & Fragrances Inc. Дата публикации: 1982-07-16.

METHOD FOR PREPARING OR MANUFACTURING A PHARMACEUTICAL PREPARATION WITH BETA RECEPTORS LOCKING OPERATION; METHOD FOR PREPARING THE COMPOUNDS

Номер патента: NL181360C. Автор: . Владелец: Knoll Ag. Дата публикации: 1987-08-03.

SECURE METHOD FOR FAST WRITING OF INFORMATION FOR MASS MEMORY DEVICE.

Номер патента: FR2656441B1. Автор: Daniel Carteau,Philippe Schreck. Владелец: Bull SA. Дата публикации: 1993-12-10.

SECURE METHOD FOR FAST WRITING OF INFORMATION FOR MASS MEMORY DEVICE.

Номер патента: FR2656441A1. Автор: Carteau Daniel,Schreck Philippe. Владелец: Bull SA. Дата публикации: 1991-06-28.

Method for data sampling for ues in semiconductor memory device and circuits thereof

Номер патента: KR100558557B1. Автор: 이종철,조욱래,윤용진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-03-10.

System and method for preventing data corruption in solid-state memory devices after a power failure

Номер патента: US7107480B1. Автор: Mark Moshayedi,Brian H. Robinson. Владелец: Simpletech Inc. Дата публикации: 2006-09-12.

METHOD FOR DRIVING VARIABLE RESISTANCE ELEMENT, AND NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130223131A1. Автор: TAKAGI Takeshi,Katayama Koji. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-29.

SYSTEM AND METHOD FOR DYNAMIC ALLOCATION TO A HOST OF MEMORY DEVICE CONTROLLER MEMORY RESOURCES

Номер патента: US20200004445A1. Автор: Benisty Shay. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

Systems and Methods for Reducing Standby Power in Floating Body Memory Devices

Номер патента: US20150016207A1. Автор: Louie Benjamin S.,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-15.

METHOD FOR REPAIRING DEFECTIVE MEMORY CELLS IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160062819A1. Автор: Park Ki-Seok,OH Ji-Hyuk. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

SYSTEMS AND METHODS FOR DATA PATH POWER SAVINGS IN DDR5 MEMORY DEVICES

Номер патента: US20190065090A1. Автор: Kandikonda Ravi Kiran. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

Systems and Methods for Reducing Standby Power in Floating Body Memory Devices

Номер патента: US20170076784A1. Автор: Yuniarto Widjaja,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-03-16.

Systems and Methods for Reducing Standby Power in Floating Body Memory Devices

Номер патента: US20190080746A1. Автор: Louie Benjamin S.,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-14.

METHOD FOR PERFORMING MEMORY ACCESS MANAGEMENT, AND ASSOCIATED MEMORY DEVICE AND CONTROLLER THEREOF

Номер патента: US20160093371A1. Автор: Yang Tsung-Chieh,Chang Hsiao-Te,Wang Wen-Long. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-31.

Methods for internal data movements of a flash memory device and apparatuses using the same

Номер патента: US20190095123A1. Автор: Sheng-Liu Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

SYSTEMS AND METHODS FOR DATA PATH POWER SAVINGS IN DDR5 MEMORY DEVICES

Номер патента: US20200133525A1. Автор: Kandikonda Ravi Kiran. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

Systems and Methods for Reducing Standby Power in Floating Body Memory Devices

Номер патента: US20160148674A1. Автор: Louie Benjamin S.,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.

Methods for executing data access commands and flash memory devices using the same

Номер патента: US20150169250A1. Автор: Yu-Chuan Chang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

APPARATUS AND METHODS FOR PROLONGING SERVICE LIFE OF SOLID-STATE MEMORY DEVICE IN A DIGITAL VIDEO RECORDER

Номер патента: US20140281213A1. Автор: Dinallo Chris,Kozlowski Tomasz. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

Systems and Methods for Reducing Standby Power in Floating Body Memory Devices

Номер патента: US20180204611A1. Автор: Louie Benjamin S.,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-19.

Methods for activity-based memory maintenance operations and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20200201698A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

METHOD FOR REGULATING READING VOLTAGE OF NAND FLASH MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160225440A1. Автор: HAN Seung-Hyun,Hwang Sun-Mo. Владелец: THE-AIO INC.. Дата публикации: 2016-08-04.

METHOD FOR CLOCK CONTROL IN DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICES

Номер патента: US20150243344A1. Автор: Mazumder Kallol,Bell Debra. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

MEMORY CONTROLLER OPERATING METHOD FOR READ OPERATIONS IN SYSTEM HAVING NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140372831A1. Автор: KIM Dong-min,OH Sangyoon,KIM YOUNGMOON. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

Storage Module and Low-Complexity Methods for Assessing the Health of a Flash Memory Device

Номер патента: US20140380106A1. Автор: SHARON ERAN,ALROD IDAN,PRESMAN Noam. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-25.

Systems and Methods for Reducing Standby Power in Floating Body Memory Devices

Номер патента: US20190295629A1. Автор: Louie Benjamin S.,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-26.

Method for updating a firmware on a low memory device

Номер патента: US20160321003A1. Автор: Stephane Durand. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2016-11-03.

METHOD FOR READ DISTURBANCE MANAGEMENT IN NON-VOLATILE MEMORY DEVICES

Номер патента: US20150339188A1. Автор: Chen Hsieh-Chun,Hu Kun-Juao. Владелец: Transcend Information, Inc.. Дата публикации: 2015-11-26.

Systems and Methods for Reducing Standby Power in Floating Body Memory Devices

Номер патента: US20200335156A1. Автор: Louie Benjamin S.,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-22.

APPARATUS AND METHOD FOR PROGRAMMING DATA IN A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220415401A1. Автор: CHOI Hyung Jin,PARK Tae Hun,Kwak Dong Hun. Владелец: . Дата публикации: 2022-12-29.

Method for operating page buffer of non-volatile memory device

Номер патента: KR100672149B1. Автор: 주기석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-19.

Method for discharging a word line and semiconductor memory device using the same

Номер патента: KR100510484B1. Автор: 이재구. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-08-26.

METHOD FOR DESIGNING AND MANUFACTURING A PERSONALIZED APPARATUS WHICH SHAPE IS ADAPTED TO A USER'S MORPHOLOGY

Номер патента: FR3054691A1. Автор: Frederick Van Meer. Владелец: Anatoscope. Дата публикации: 2018-02-02.

A method for pre-operatively manufacturing a dental implant superstructure

Номер патента: CA2477951A1. Автор: Michel Poirier. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-12.

Systems and methods for reducing standby power in floating body memory devices

Номер патента: US11342018B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-05-24.

System and method for tracking data stored in a flash memory device

Номер патента: US20030163631A1. Автор: Yongqi Yang,Jered Aasheim. Владелец: Microsoft Corp. Дата публикации: 2003-08-28.

Method for storing E-Fuse data in flash memory device

Номер патента: KR100935889B1. Автор: 임영호,강상구. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2010-01-07.

METHOD FOR DESIGNING AND MANUFACTURING A PERSONALIZED APPARATUS WHICH SHAPE IS ADAPTED TO A USER'S MORPHOLOGY

Номер патента: FR3054692A1. Автор: Frederick Van Meer. Владелец: Anatoscope. Дата публикации: 2018-02-02.

Apparatus and method for increasing data input/output speed of memory device

Номер патента: CN115116500A. Автор: 权利玹. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-27.

Systems and methods for reducing standby power in floating body memory devices

Номер патента: US10354718B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-07-16.

Method for controlling power supply of magnetic bubble memory device

Номер патента: JPS5922284A. Автор: Shigeru Takai,Shigeru Takagi,茂 高木,Toshihiro Hoshi,高井 盛,星 敏弘. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-02-04.

Verify read method for use in a nand-type flash memory device

Номер патента: KR20010092073A. Автор: 권석천,신덕준. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-10-24.

METHOD FOR PREPARING OR MANUFACTURING A PHARMACEUTICAL PREPARATION WITH A BRONCHI-REMOVING ACTIVITY AND SUITABLE ACTIVE SUBSTANCES

Номер патента: NL166469B. Автор: . Владелец: Tanabe Seiyaku Co. Дата публикации: 1981-03-16.

METHOD FOR PREPARING OR MANUFACTURING A PREPARATION INTENDED FOR VETERINARY USE

Номер патента: NL180276B. Автор: . Владелец: Roussel Uclaf. Дата публикации: 1986-09-01.

Method for precharging a channel of a semiconductor memory device

Номер патента: JP5599049B2. Автор: 正 達 崔,在 熏 張. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-10-01.

METHOD FOR DESIGNING AND MANUFACTURING A CONNECTION OF PIPES, IN PARTICULAR FOR AN AIRCRAFT.

Номер патента: FR2860611B1. Автор: Herve Lanvin,Robert Rossato. Владелец: AIRBUS OPERATIONS SAS. Дата публикации: 2007-05-25.

Storage module and low-complexity methods for assessing the health of a flash memory device

Номер патента: US9152488B2. Автор: Idan Alrod,Eran Sharon,Noam Presman. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-10-06.

Apparatus and method for controlling data output of a semiconductor memory device

Номер патента: US20040218429A1. Автор: Young-Bo Shim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-11-04.

Apparatus and method for detecting over-programming condition in multistate memory device

Номер патента: US20040153817A1. Автор: Christophe Chevallier,Robert Norman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-08-05.

Apparatus and method for erasing data in a non-volatile memory device

Номер патента: US20230017178A1. Автор: Tae Heui Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Methods for executing data access commands and flash memory devices using the same

Номер патента: CN104714892A. Автор: 张佑全. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2015-06-17.

Method for updating a firmware on a low memory device

Номер патента: EP3087478B1. Автор: Stephane Durand. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2017-10-25.

Circuit and method for controlling local data line in semiconductor memory device

Номер патента: TW200935444A. Автор: Sung-Soo Chi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-08-16.

Method for accessing a flash memory and associated memory device

Номер патента: TW201110129A. Автор: Chi-hsiang Hung,Po-Syuan Chen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2011-03-16.

Method for performing meta block management, and associated memory device and controller thereof

Номер патента: TW201214113A. Автор: Yang-Chih Shen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2012-04-01.

Method for accessing a flash memory, and associated memory device and controller thereof

Номер патента: TW201017670A. Автор: Jen-Wen Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2010-05-01.

Circuit and method for controlling self-refresh operation in semiconductor memory device

Номер патента: US8395957B2. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-03-12.

Data managing method for non-volatile memory and non-volatile memory device using the same

Номер патента: TW201022940A. Автор: Wu-Chi Kuo. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2010-06-16.

Apparatus and method for improving dynamic refresh in a semiconductor memory device by temperature measurement

Номер патента: IL180483A0. Автор: . Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2007-06-03.

System and methods for designing and manufacturing a bespoke protective sports helmet

Номер патента: US20210001207A1. Автор: Thad M. Ide,Vittorio Bologna,Murphy GILLOGLY,Andrew Tryner. Владелец: Riddell Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

SYSTEM AND METHODS FOR DESIGNING AND MANUFACTURING A BESPOKE PROTECTIVE SPORTS HELMET

Номер патента: US20180021661A1. Автор: Bologna Vittorio,Ide Thad M.,Tryner Andrew,GILLOGLY Murphy. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-25.

METHOD FOR DESIGNING AND MANUFACTURING A BONE IMPLANT

Номер патента: US20140195205A1. Автор: Furrer André,Benker Emanuel,Hoeller Wolfgang. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-10.

Method For Designing And Manufacturing A Bone Implant

Номер патента: US20190130054A1. Автор: Furrer André,Benker Emanuel,Hoeller Wolfgang. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

METHOD FOR CALIBRATING AND MANUFACTURING A FORCE-SENSING TOUCH SCREEN PANEL

Номер патента: US20150338303A1. Автор: Williams William R.. Владелец: Motorola Solutions, Inc. Дата публикации: 2015-11-26.

Method for processing or manufacturing a 3d printed object

Номер патента: US20160361908A1. Автор: Conor MacCormack,Fintan MacCormack. Владелец: Mcor Technologies Ltd. Дата публикации: 2016-12-15.

Improvements on looms and method for knit fabrics manufacturing a long hair and fabric obtained.

Номер патента: BE1000844A3. Автор: . Владелец: Torrens Vallhonrat Manuel. Дата публикации: 1989-04-18.

System and methods for designing and manufacturing a bespoke protective sports helmet

Номер патента: US11033796B2. Автор: Thad M. Ide,Vittorio Bologna,Murphy GILLOGLY,Andrew Tryner. Владелец: Riddell Inc. Дата публикации: 2021-06-15.

CHARGE EQUILIBRIUM ACCELERATION IN A FLOATING GATE MEMORY DEVICE VIA A REVERSE FIELD PULSE

Номер патента: US20120002482A1. Автор: Kalavade Pranav,Franklin Nathan R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PROGRAMMING A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002481A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for fabricating stacked capacitors in a memory device

Номер патента: TW484231B. Автор: Hung-Huei Tzeng. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 2002-04-21.

Method for preparing and manufacturing a composition to boost and enchange immune system

Номер патента: MY160444A. Автор: Bin Hj Ibrahim Othman. Владелец: Bin Hj Ibrahim Othman. Дата публикации: 2017-03-15.

Computer and method for restarting the computer having a memory error

Номер патента: TW201211757A. Автор: yu-gang Zhang. Владелец: Hon Hai Prec Ind Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-16.

Fixture and method for testing bending resistance of a memory module

Номер патента: TW491760B. Автор: Tung-Bao Lu. Владелец: CHIPMOS TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2002-06-21.

Memory Protection Unit and a Method for Controlling an Access to a Memory Device

Номер патента: US20120144140A1. Автор: . Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2012-06-07.

MEMORY DEVICE AND METHOD FOR SENSING A CONTENT OF A MEMORY CELL

Номер патента: US20120213026A1. Автор: Levy Ido,Aviv Lior,Hartmann Eyal. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2012-08-23.

Method for fabricating metal oxide semiconductor transistor and memory device memory cell array thereof

Номер патента: TWI289907B. Автор: Chong-Jen Hwang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-11.

Access control unit and method for use with synchronous dynamic random-access memory device

Номер патента: TWI236596B. Автор: Chang Cheng Yap. Владелец: RDC Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-21.

Method for fabricating metal oxide semiconductor transistor and memory device memory cell array thereof

Номер патента: TW200541019A. Автор: Chong-Jen Huang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-16.

Access control unit and method for use with synchronous dynamic random-access memory device

Номер патента: TW200405169A. Автор: Chang Cheng Yap. Владелец: RDC Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-01.

METHODS FOR MANUFACTURING A PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120142161A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-06-07.

TEST METHOD FOR SCREENING MANUFACTURING DEFECTS IN A MEMORY ARRAY

Номер патента: US20120020164A1. Автор: Huang Yin Chin,Huang Chu Pang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-26.

APPARATUS AND METHOD FOR IMPROVED DATA RESTORE IN A MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20120317382A1. Автор: Steed Torry J.. Владелец: AgigA Tech Inc.. Дата публикации: 2012-12-13.

APPARATUS AND METHOD FOR BUFFERED WRITE COMMANDS IN A MEMORY

Номер патента: US20120324179A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-12-20.

SYSTEMS AND METHODS FOR DURABLE DATABASE OPERATIONS IN A MEMORY-MAPPED ENVIRONMENT

Номер патента: US20130110771A1. Автор: Horowitz Eliot,Merriman Dwight,Stearn Mathias. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-02.

Monitoring system and monitoring method for monitoring a chip and a memory

Номер патента: TWI302652B. Автор: Kun Long Lin,Don Wu,Chih Chung Wen. Владелец: Via Tech Inc. Дата публикации: 2008-11-01.

Method of manufacturing a non-volatile memory device

Номер патента: TWI261919B. Автор: Erh-Kun Lai,Yi-Hung Li. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-11.

Method of manufacturing a non-volatile memory device

Номер патента: TW200605332A. Автор: Erh-Kun Lai,Yi-Hung Li. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-01.

Memory device and method for selecting regional bit line in the memory device

Номер патента: CN103208302B. Автор: 洪硕男. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-15.

CIRCUIT AND METHOD FOR CONTROLLING SELF-REFRESH OPERATION IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120051168A1. Автор: SONG Choung-Ki. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-01.

METHOD FOR PERFORMING META BLOCK MANAGEMENT, AND ASSOCIATED MEMORY DEVICE AND CONTROLLER THEREOF

Номер патента: US20120079169A1. Автор: Shen Yang-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-29.

METHOD FOR ENHANCING ERROR CORRECTION CAPABILITY, AND ASSOCIATED MEMORY DEVICE AND CONTROLLER THEREOF

Номер патента: US20120124450A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-05-17.

APPARATUS AND METHOD FOR DETECTING OVER-PROGRAMMING CONDITION IN MULTISTATE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120192018A1. Автор: . Владелец: ROUND ROCK RESEARCH, LLC. Дата публикации: 2012-07-26.

APPARATUS AND METHOD FOR MULTI-MODE OPERATION OF A FLASH MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120240012A1. Автор: Melik-Martirosian Ashot,WEATHERS Anthony D.,BARNDT Richard D.. Владелец: STEC, INC.. Дата публикации: 2012-09-20.

METHOD FOR PERFORMING HOST-DIRECTED OPERATIONS, AND ASSOCIATED MEMORY DEVICE AND CONTROLLER THEREOF

Номер патента: US20120278540A1. Автор: Ou Hsu-Ping,LIN MING-YEN. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-01.

CIRCUIT AND METHOD FOR CONTROLLING LEAKAGE CURRENT IN RANDOM ACCESS MEMORY DEVICES

Номер патента: US20120287739A1. Автор: . Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc.. Дата публикации: 2012-11-15.

Methods for Forming Strained Channel Dynamic Random Access Memory Devices

Номер патента: US20120302032A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-11-29.

APPARATUS AND METHOD FOR ROUNDED ONO FORMATION IN A FLASH MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140001534A1. Автор: FANG Shenqing,CHEN Tung-Sheng,Li Di,THURGATE Tim. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-02.

Method for writing data, Memory Controller and memorizer memory devices

Номер патента: CN102446137B. Автор: 黄意翔. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2015-12-09.

Method for reducing errors incapable of being corrected, memory device and controller thereof

Номер патента: CN102141944A. Автор: 杨宗杰. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2011-08-03.

The method for writing data of storer and data memory device

Номер патента: CN102222044B. Автор: 萧惟益. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2015-09-02.

Method for writing data, Memory Controller and memorizer memory devices

Номер патента: CN103077124B. Автор: 陈庆聪,蔡来福. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2015-11-18.

Method for forming charge storage electrode of semiconductor memory device

Номер патента: KR980006255A. Автор: 최흥길. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method for forming charge storage electrode of semiconductor memory device

Номер патента: KR100284310B1. Автор: 우상호. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2001-04-02.

Method for forming charge storage electrode of semiconductor memory device

Номер патента: KR980006389A. Автор: 이해정. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method for setting threshold voltage of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: JP2624716B2. Автор: 眞一 南. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1997-06-25.

A method for avoiding data error when a flash memory device executing copy back instruction

Номер патента: TW200622588A. Автор: Cheng-hui Yang,Chun-Yung Yang. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2006-07-01.

Method for use in manufacturing a loudspeaker

Номер патента: GB202313986D0. Автор: . Владелец: PSS Belgium NV. Дата публикации: 2023-10-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR CHARACTERIZING FAULT CLEARING DEVICES

Номер патента: US20120004867A1. Автор: . Владелец: ABB RESEARCH LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR POWER LINE EVENT ZONE IDENTIFICATION

Номер патента: US20120004869A1. Автор: . Владелец: ABB RESEARCH LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR OPERATING RFID DEVICES ON SINGLE-USE CONNECTORS

Номер патента: US20120001731A1. Автор: . Владелец: GE HEALTHCARE BIOSCIENCE BIOPROCESS CORP.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR ASSISTING VISUALLY-IMPAIRED USERS TO VIEW VISUAL CONTENT

Номер патента: US20120001932A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE MEMORY APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING CONFIGURATION INFORMATION THEREOF

Номер патента: US20120002486A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE MEMORY APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING CONFIGURATION INFORMATION THEREOF

Номер патента: US20120002487A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Circuit and method for eliminating bit line leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002496A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

VIDEO ENCODER WITH NON-SYNTAX REUSE AND METHOD FOR USE THEREWITH

Номер патента: US20120002719A1. Автор: Wang Limin,Zhao Xu Gang. Владелец: VIXS SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR TRACKING OF MAIL USING A UNIVERSAL CODING SYSTEM

Номер патента: US20120004765A1. Автор: Hamilton Daryl. Владелец: United States Postal Service. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR MANAGING POWER CONSUMPTION IN A SENSOR NETWORK

Номер патента: US20120004782A1. Автор: KOSKAN PATRICK D.,SWOPE CHARLES B.. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTANCE CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002458A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

VIDEO ENCODER WITH VIDEO DECODER REUSE AND METHOD FOR USE THEREWITH

Номер патента: US20120002720A1. Автор: . Владелец: VIXS SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHOD FOR REPLICATING A USER INTERFACE AT A DISPLAY

Номер патента: US20120004033A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR PROVIDING A SAFETY MECHANISM FOR A LASER-EMITTING DEVICE

Номер патента: US20120002691A1. Автор: TAO XIAO WEI. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.