Method for manufacturing a memory device
Номер патента: US20080096357A1
Опубликовано: 24-04-2008
Автор(ы): Allison Holbrook, Angela Hui, Hidehiko Shiraiwa, Kuo-Tung Chang, YouSeok Suh
Принадлежит: Advanced Micro Devices Inc, SPANSION LLC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 24-04-2008
Автор(ы): Allison Holbrook, Angela Hui, Hidehiko Shiraiwa, Kuo-Tung Chang, YouSeok Suh
Принадлежит: Advanced Micro Devices Inc, SPANSION LLC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for forming contact structure in three-dimensional memory device
Номер патента: CN111512439B. Автор: 王恩博,张富山,徐前兵,曾凡清,阳涵. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-31.