• Главная
  • Method for manufacturing capacitor in nonvolatile semiconductor memory device

Method for manufacturing capacitor in nonvolatile semiconductor memory device

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20150372007A1. Автор: Junichi Hashimoto,Katsunori Yahashi,Tadashi Iguchi,Daigo Ichinose. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-24.

Method for manufacturing gate in semiconductor device

Номер патента: US20020001934A1. Автор: Hai Won Kim,Kwang Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-01-03.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160056166A1. Автор: Shosuke Fujii,Masahiro Kiyotoshi,Kiwamu Sakuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09805927B2. Автор: Shosuke Fujii,Kiwamu Sakuma,Masumi SAITOH. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Vertical channel-type 3D semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09613981B2. Автор: Ming Liu,Zongliang Huo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-04-04.

Vertical channel-type 3D semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09437609B2. Автор: Ming Liu,Zongliang Huo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09508739B2. Автор: Naoki Yasuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for forming silicon oxide film and for manufacturing capacitor and semiconductor device

Номер патента: US20070218637A1. Автор: Yoshiko Harada,Naotada Ogura. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2007-09-20.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160284868A1. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Shigeki Hattori,Masaya Terai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20190319043A1. Автор: Akira Takashima,Yuuichi Kamimuta,Tsunehiro Ino,Ayaka SUKO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09842849B1. Автор: Hiroyuki Yamasaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09754961B2. Автор: Hiroyuki Yamasaki,Makoto Fujiwara,Daisuke Nishida. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09685321B2. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Shigeki Hattori,Masaya Terai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09837264B2. Автор: Hideto Takekida,Reiko SHAMOTO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140239373A1. Автор: Atsushi Murakoshi,Daisuke Matsushita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09911752B2. Автор: Masahiro Fukuda,Takayuki Kashima,Takashi Hirotani. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Three-dimensional structured memory devices

Номер патента: US20170294447A1. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Jin Ho Bin,II Young Kwon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-12.

Three-dimensional structured memory devices

Номер патента: US10847533B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Il Young Kwon,Jin Ho Bin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-24.

Three-dimensional structured memory devices

Номер патента: US09691785B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Il Young Kwon,Jin Ho Bin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Three-dimensional structured memory devices

Номер патента: US10096617B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Il Young Kwon,Jin Ho Bin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-09.

Three-dimensional structured memory devices

Номер патента: US9691785B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Il Young Kwon,Jin Ho Bin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Memory device, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210183820A1. Автор: Chih-Wei Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160049414A1. Автор: Koichi Matsuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150091075A1. Автор: Katsuhiro Sato,Kazuhito Nishitani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09666694B2. Автор: Katsuhiro Sato,Kazuhito Nishitani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130153980A1. Автор: Masashi Honda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-20.

Method of manufacturing capacitor array

Номер патента: US12034034B2. Автор: Yu-Shan Wu,Zhi-Xuan Shen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of manufacturing capacitor array

Номер патента: US20230238424A1. Автор: Yu-Shan Wu,Zhi-Xuan Shen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Decoupling composite capacitor in a semiconductor wafer

Номер патента: US8883605B2. Автор: WEI Xia,Xiangdong Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2014-11-11.

Decoupling Composite Capacitor in a Semiconductor Wafer

Номер патента: US20130309833A1. Автор: WEI Xia,Xiangdong Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Method for forming storage node of capacitor in semiconductor device

Номер патента: TW200625547A. Автор: Sung-Kwon Lee,Jun-Hyeub Sun,Sung-Yoon Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-16.

Method for forming storage node of capacitor in semiconductor device

Номер патента: US7410866B2. Автор: Sung-Kwon Lee,Jun-Hyeub Sun,Sung-Yoon Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-08-12.

Method for forming storage node of capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100721548B1. Автор: 이성권,조성윤. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-05-23.

Method for manufacturing semiconductor structure, semiconductor structure, and semiconductor memory

Номер патента: US20230157008A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Interconnect structure of three-dimensional memory device

Номер патента: US12137567B2. Автор: Zhenyu Lu,Feng Pan,Wenguang Shi,Steve Weiyi Yang,Yongna LI,Lidong SONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Gate-all-around transistor based non-volatile memory devices

Номер патента: US20200013896A1. Автор: ZHENG Xu,Dexin Kong,Zhenxing Bi,Qianwen Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Method for fabricating metal-insulator-metal capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100731138B1. Автор: 김선희. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-06-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150372003A1. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170271366A1. Автор: Gaku Sudo,Yumiko Miyano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09966386B2. Автор: Naoki Yamamoto,Hisashi Kato,Hideki Inokuma. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09972635B2. Автор: Hiroshi Itokawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09502470B2. Автор: Atsushi Takahashi,Toshiyuki Sasaki,Tsubasa IMAMURA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09502291B2. Автор: Kilho Lee,Shinhee Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US9831270B2. Автор: Gaku Sudo,Yumiko Miyano. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110312155A1. Автор: Masayuki Tanaka,Hirofumi IIKAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Method for manufacturing capacitor for semiconductor device

Номер патента: US20070020869A1. Автор: Chang Han. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-25.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20090305481A1. Автор: Ji Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-12-10.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7338876B2. Автор: Kensuke Okonogi,Kiyonori Oyu. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-03-04.

Memory cell and semiconductor memory device with the same

Номер патента: US20240284655A1. Автор: Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for manufacturing capacitor, capacitor array structure and semiconductor memory

Номер патента: US11889676B2. Автор: Jun Xia,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Method for manufacturing a memory capacitor in semiconductor memory device

Номер патента: KR960006745B1. Автор: 김재갑. Владелец: 정몽헌. Дата публикации: 1996-05-23.

Method for fabricating cylinder type capacitor

Номер патента: US6949431B2. Автор: Chang-Goo Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-27.

method for forming bottom electrode of capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100345664B1. Автор: 오수진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-07-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150041876A1. Автор: Toshihiko Iinuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130228844A1. Автор: Satoshi Nagashima,Fumitaka Arai,Hisataka Meguro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030080374A1. Автор: Hajime Arai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09754888B2. Автор: Toshiyuki Sasaki,Kazuhito FURUMOTO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor memory device and methods for manufacturing the same

Номер патента: US09806092B1. Автор: Yoichi MINEMURA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09530697B1. Автор: Hiroshi Nakaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110287624A1. Автор: Hiroyuki Nitta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-11-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09786683B1. Автор: Kiwamu Sakuma,Keiji Ikeda,Masumi SAITOH. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for manufacturing contact structures for dram semiconductor memories

Номер патента: US20060270143A1. Автор: Audrey Dupont,Matthias Goldbach,Clemens Fritz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-11-30.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110241094A1. Автор: Mutsuo Morikado. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09391086B1. Автор: Eiichi Soda,Kazunori HORIGUCHI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Method for forming asymmetric flash EEPROM with a pocket to focus electron injections

Номер патента: US6130134A. Автор: Chia-Shing Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2000-10-10.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09985044B2. Автор: Shigeo Kondo,Hiroki TOKUHIRA,Takahisa Kanemura,Michiru Hogyoku. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09960179B2. Автор: Kenta Yamada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Three-dimensional semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09947683B2. Автор: Yoshiro Shimojo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09917096B2. Автор: Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09892930B1. Автор: Masayuki Tanaka,Shinji Mori,Keiichi SAWA,Katsuyuki KITAMOTO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09852942B2. Автор: Wataru Sakamoto,Osamu Matsuura,Hideki Inokuma. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09837430B2. Автор: Toshihiko Iinuma,Osamu Arisumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09646988B2. Автор: Sadatoshi Murakami,Hiroomi Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09466667B2. Автор: Mitsuru Sato,Megumi Ishiduki,Soichirou Kitazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130049098A1. Автор: Tatsuo Izumi,Tohru Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Apparatuses including contacts in a peripheral region and methods for forming the same

Номер патента: US20230056343A1. Автор: Yutaka Nakae. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150262932A1. Автор: Osamu Yamane,Tadashi Iguchi,Hiromitsu Mashita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20120241843A1. Автор: Ryota Katsumata,Hiromitsu IINO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160056164A1. Автор: Noriaki Mikasa,Ken Komiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Buried word line and connection pad for memory device

Номер патента: US8698233B2. Автор: Hyoung Soon Yune,Joo Hong Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-04-15.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150069497A1. Автор: Kiyohito Nishihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120043549A1. Автор: Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-23.

Method for manufacturing a magnetic memory device

Номер патента: US7211511B2. Автор: Hiroshi Horikoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-05-01.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20090236653A1. Автор: Yukie Nishikawa,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Hirotaka Nishino,Shoko Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-09-24.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09536898B2. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Shigeki Hattori,Masaya Terai,Misako Morota. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for manufacturing a gate-control diode semiconductor memory device

Номер патента: US20130237010A1. Автор: Wei Zhang,Pengfei Wang,Xi Lin,Qingqing Sun. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-09-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030011024A1. Автор: Naho Nishioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09768380B2. Автор: Masahiro Kiyotoshi,Kiwamu Sakuma,Atsuhiro Kinoshita,Haruka KUSAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for manufacturing de-powder device for piping, and method for installing same

Номер патента: US12024771B2. Автор: Gi Nam KIM. Владелец: Baron Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Nonvolatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8848455B2. Автор: Kenji Noma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-30.

Method for forming a silicide layer of semiconductor device

Номер патента: US20030119309A1. Автор: Jeong Lee,Chang Ryoo,Yong Sohn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-06-26.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120086069A1. Автор: Tetsuya Kai,Yoshio Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-12.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120153375A1. Автор: Hiroaki Takasu. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

Non-volatile semiconductor memory device, and manufacture method for non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100001338A1. Автор: Kenichiro Nakagawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-01-07.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09590117B2. Автор: Naoki Yasuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09953685B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Wein-Town Sun,Chun-Yuan Lo,Jui-Ming Kuo. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for forming a dielectric having a plurality of thicknesses for a semiconductor memory

Номер патента: JP4796593B2. Автор: 政昭 東谷,ファム,チュアン. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2011-10-19.

Small-area side-capacitor read-only memory device, memory array and method for operating the same

Номер патента: US11742039B2. Автор: Yu Ting Huang,Chi Pei Wu. Владелец: Yield Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Small-area side-capacitor read-only memory device, memory array and method for operating the same

Номер патента: US20230230646A1. Автор: Yu Ting Huang,Chi Pei Wu. Владелец: Yield Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Gate-all-around transistor based non-volatile memory devices

Номер патента: US10586875B2. Автор: ZHENG Xu,Dexin Kong,Zhenxing Bi,Qianwen Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-10.

Method for scalable, low-cost polysilicon capacitor in a planar DRAM

Номер патента: US7087486B2. Автор: Randy W. Mann,Jeffrey S. Brown. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-08-08.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100072525A1. Автор: Yoshinori Kumura,Tohru Ozaki,Yoshiro Shimojo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-03-25.

Method for manufacturing capacitor of highly integrated semiconductor memory device

Номер патента: US5134086A. Автор: Ji-Hong Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1992-07-28.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: US7875515B2. Автор: Sang Man Bae,Hyoung Ryeun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-01-25.

Method for manufacturing capacitor array, capacitor array, and semiconductor device

Номер патента: US20230231007A1. Автор: Liutao ZHOU,Shuo Pan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Method for manufacturing capacitor structure

Номер патента: US12034038B2. Автор: Chun-Hung Chen,Chu-Fu Lin,Teng-Chuan Hu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8106445B2. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-01-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100084702A1. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-08.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8836010B2. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120168851A1. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060244025A1. Автор: Tomomi Yamanobe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-02.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09818754B2. Автор: Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09666596B2. Автор: Tomohiro Takamatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Method for manufacturing capacitor lower electrodes of semiconductor memory

Номер патента: US8088668B2. Автор: Chung-Yi Chang,Shin Bin Huang,Jung-Hung Wang. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2012-01-03.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09865616B2. Автор: Shinya Takahashi,Takashi Shimizu,Ryota Katsumata,Hisataka Meguro. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09659957B2. Автор: Kenji Aoyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor memory device and method for fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US7821049B2. Автор: Hiroyuki Kanaya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-10-26.

Method for forming semiconductor memory device

Номер патента: US20240276704A1. Автор: Yifei Yan. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US6489644B1. Автор: Jeong Min Seon. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-03.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09679910B2. Автор: Kotaro Nomura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Method For Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20080081408A1. Автор: Myung Hwan Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-04-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09627400B2. Автор: Kenji Koshiishi,Junji Kataoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150069491A1. Автор: Takamasa Usui,Yoshiaki Himeno,Jun Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09589974B2. Автор: Takamasa Usui,Yoshiaki Himeno,Jun Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140027836A1. Автор: Tadashi Iguchi,Ryota Katsumata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09978765B2. Автор: Keiichi SAWA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20110001178A1. Автор: Masao Iwase,Tadahi Iguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20210335816A1. Автор: Masayuki Tanaka,Akira Takashima,Kenichiro TORATAI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20170263640A1. Автор: Masayuki Tanaka,Akira Takashima,Kenichiro TORATANI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Non-volatile semiconductor memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20020145155A1. Автор: Kenji Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-10-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and production method for the same

Номер патента: US20150048436A1. Автор: Masayuki Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20100080065A1. Автор: Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and production method for the same

Номер патента: US20120193699A1. Автор: Masayuki Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09728550B2. Автор: Mitsuhiro Omura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for manufacturing non-volatile semiconductor memory and non-volatile semiconductor memory manufactured thereby

Номер патента: US20010021133A1. Автор: Mitsuteru Iijima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-09-13.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09953998B2. Автор: Hideaki Masuda,Masahisa Sonoda,Hisataka Meguro. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for manufacturing non-volatile semiconductor memory and non-volatile semiconductor memory manufactured thereby

Номер патента: US20030008488A1. Автор: Mitsuteru Iijima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-01-09.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7145200B2. Автор: Kazuo Saito,Shogo Takamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-12-05.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120241828A1. Автор: Seung Hyun Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20120068244A1. Автор: Yoshiki Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Nonvolatile semiconductor memory and manufacturing method for the same

Номер патента: US20060255396A1. Автор: Akiko Nara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-11-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20060017121A1. Автор: Masatoshi Arai,Keita Takahashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-26.

Pad arrangement in semiconductor memory device and method of driving semiconductor device

Номер патента: US20040256641A1. Автор: Jung-Bae Lee,Mee-Hyun Ahn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US7518180B2. Автор: Masatoshi Arai,Keita Takahashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-04-14.

Manufacturing method for a semiconductor device

Номер патента: US11462627B2. Автор: Xiang Peng,Haoyu Chen,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-10-04.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20230298634A1. Автор: Yusuke Mori. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7608488B2. Автор: Susumu Yoshikawa,Yasuyuki Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-27.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20180047741A1. Автор: Hideto Onuma,Masayuki Shishido,Akira KURAMOTO,Tatsuya Fujishima,Nobuhito KUGE. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Stacked type semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09871051B2. Автор: Shinya Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Systems and methods for stacked semiconductor memory devices

Номер патента: US09472243B2. Автор: Anthony Fai,Nicholas C. Seroff. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090194807A1. Автор: Hiroki Yamashita,Hiroshi Akahori,Wakako Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-06.

Data reading method for semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20090077337A1. Автор: Daisuke Oda. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-19.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150263014A1. Автор: Shoichi Watanabe,Satoshi Nagashima,Kazunari TOYONAGA,Karin TAKAYAMA,Shotaro Murata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12068263B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Nonvolatile memory and methods for manufacturing the same with molecule-engineered tunneling barriers

Номер патента: US20100246269A1. Автор: Tuo-Hung Hou,Edwin C. Kan. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2010-09-30.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130292758A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Dielectric structure in nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20100181611A1. Автор: Kwon Hong,Kwan-Yong Lim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-22.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240363555A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120099374A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-26.

Multi-level type nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20020145161A1. Автор: Yasuo Sato,Hirotomo Miura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-10.

Techniques for controlling a direct injection semiconductor memory device

Номер патента: US20120176845A1. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-07-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100301405A1. Автор: Shigeto Oota,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-02.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12089410B2. Автор: Masaki Tsuji,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi,Shinya Arai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09520407B2. Автор: Masaki Tsuji,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi,Shinya Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Techniques for providing a direct injection semiconductor memory device

Номер патента: US09425190B2. Автор: Serguei Okhonin,Mikhail Nagoga,Yogesh Luthra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160260722A1. Автор: Hirofumi Inoue,Yasuyuki Baba,Kazuichi Komenaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150263031A1. Автор: Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140061751A1. Автор: Hiroomi Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Nonvolatile semiconductor memory device having word line hookup region with dummy word lines

Номер патента: US09620519B2. Автор: Hirofumi Inoue,Yasuyuki Baba,Kazuichi Komenaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20180226422A1. Автор: Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240114674A1. Автор: Chang Sik Kim,Jae Won Na,Jun Hwa Song,Ji Hee Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210217759A1. Автор: Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8779499B2. Автор: Masahiro Kiyotoshi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-07-15.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20160268274A1. Автор: Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi,Tomoya Kawai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20160300846A1. Автор: Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-13.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170271350A1. Автор: Hiroshi NAKAKl,Takashi Maegawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10186517B2. Автор: Hiroshi Nakaki,Takashi Maegawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-01-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110049609A1. Автор: Takaaki Nagai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110316066A1. Автор: Masayuki Tanaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the device

Номер патента: US20020025630A1. Автор: Masao Tanimoto,Seichi Mori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-28.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170110462A1. Автор: Yoshihiro AKUTSU. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09960178B2. Автор: Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi,Tomoya Kawai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09929177B2. Автор: Toshiharu Nagumo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09853050B2. Автор: Keisuke Kikutani. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09825100B2. Автор: Takashi Izumida,Nobutoshi Aoki,Yuki SEKINO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09818753B2. Автор: Yoshihiro AKUTSU. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09761601B2. Автор: Shota ISHIBASHI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09698150B2. Автор: Hiroshi Nakaki,Takashi Maegawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09679945B2. Автор: Yusuke Kobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09673291B2. Автор: Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09627402B2. Автор: Masayuki Tanaka,Takashi Furuhashi,Kenichiro TORATANI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory device and method for accessing the same

Номер патента: US09542990B2. Автор: Zhijiong Luo,Zhengyong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09524979B2. Автор: Shinya Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09397109B1. Автор: Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor memory device and method for forming semiconductor memory device

Номер патента: US20240268097A1. Автор: PENG Guo,Yuanbao WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US7750394B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Koichi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-06.

Methods for manufacturing magnetic memory devices

Номер патента: US09954164B2. Автор: Yoonjong Song,Daeeun JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Non-volatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220165884A1. Автор: Bo-An Tsai,Shiangshiou Yen. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Non-volatile semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20020000603A1. Автор: Kiyohiko Sakakibara,Hirotada Kuriyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12080791B2. Автор: Ki Seok Lee,Min Hee Cho,Min Su Lee,Sang Hoon Uhm,Min Tae RYU,Won Sok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100123184A1. Автор: Takashi Izumida,Nobutoshi Aoki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-05-20.

Nonvolatile semiconductor memory device and process for same

Номер патента: US20020089002A1. Автор: Satoshi Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-07-11.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030011025A1. Автор: Naoki Tsuji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-16.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120146128A1. Автор: Takashi Izumida,Nobutoshi Aoki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120139031A1. Автор: Takashi Izumida,Nobutoshi Aoki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-07.

Semiconductor memory device and method for biasing same

Номер патента: US09559216B2. Автор: Timothy Thurgate,Michael A. Van Buskirk,Srinivasa Rao Banna. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09502431B2. Автор: Kiwamu Sakuma,Daisuke Matsushita,Chika Tanaka,Masumi SAITOH,Kensuke Ota. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150069492A1. Автор: Kotaro Fujii. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20200043940A1. Автор: Keiichi SAWA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20230354596A1. Автор: Keiichi SAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20090057753A1. Автор: Tsunehiro Ino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

Flash memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080067579A1. Автор: Joo-Hyeon LEE. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-20.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070076482A1. Автор: Juri Kato. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140061764A1. Автор: Akira Takashima,Daisuke Matsushita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Nonvolatile semiconductor memory device comprising high concentration diffused region

Номер патента: US20040021167A1. Автор: Katsutoshi Saeki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-02-05.

Nonvolatile semiconductor memory device comprising high concentration diffused region

Номер патента: US6784482B2. Автор: Katsutoshi Saeki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-31.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110073935A1. Автор: Yoshio Ozawa,Masaaki Higuchi,Akiko Sekihara,Tesuya Kai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140252453A1. Автор: Yoshio Ozawa,Masaaki Higuchi,Katsuyuki Sekine,Ryota Fujitsuka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09548373B2. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Tsukasa Tada,Shigeki Hattori,Masaya Terai,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20110115014A1. Автор: Tadashi Iguchi,Daigo Ichinose. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-05-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US8247860B2. Автор: Masao Iwase,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-21.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140246717A1. Автор: Fumiki Aiso. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-04.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190319034A1. Автор: Meng-Chang Chan,Tzu-Ming Ou Yang,Shu-Ming LEE. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Nonvolatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110217831A1. Автор: Takeshi Kikuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10593676B2. Автор: Tzu-Ming Ou Yang,Shu-Ming LEE. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-03-17.

Semiconductor memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230164974A1. Автор: PENG Guo,Yuanbao WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20230165005A1. Автор: Seong-hun Jeong,Joon Sung Kim,Byoung Il Lee,Jun Eon Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20080087937A1. Автор: Yoshio Ozawa,Hiroshi Akahori,Wakako Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-17.

Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US12058863B2. Автор: Seong-hun Jeong,Joon Sung Kim,Byoung Il Lee,Jun Eon Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Nonvolatile semiconductor memory device including pillars buried inside through holes

Номер патента: US09859211B2. Автор: Takashi Maeda,Yoshihisa Iwata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09711716B2. Автор: KyungTae Nam,Gwanhyeob Koh,Yoonjong Song,Kiseok Suh,Myoungsu SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Nonvolatile semiconductor memory device including pillars buried inside through holes same

Номер патента: US09412756B2. Автор: Takashi Maeda,Yoshihisa Iwata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US09412454B2. Автор: Kunihiro Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor memory device and method for making the same

Номер патента: US20220384470A1. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Nonvolatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120195116A1. Автор: Kenji Noma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US20100008143A1. Автор: Akira Umezawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-14.

Resistive memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140061571A1. Автор: Hyo Seob Yoon,Han Woo Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Resistive memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8916949B2. Автор: Hyo Seob Yoon,Han Woo Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-12-23.

Method for manufacturing memory device having word line with dual conductive materials

Номер патента: US20230301072A1. Автор: Jhen-Yu Tsai,Yu-Ping Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20100246256A1. Автор: Kenji Sawamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Method for forming semiconductor memory device

Номер патента: US20230299160A1. Автор: LIANG Yi,Zhiguo Li,Chi REN,Xiaojuan GAO. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for forming semiconductor memory device having a t-shaped erase gate

Номер патента: US12057481B2. Автор: LIANG Yi,Zhiguo Li,Chi REN,Xiaojuan GAO. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Non-volatile semiconductor memory and erasing method thereof

Номер патента: US09870828B2. Автор: Riichiro Shirota,Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140284692A1. Автор: Hiroshi Shinohara,Ryota Katsumata,Yoshihiro AKUTSU. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Semiconductor memory device and method for forming semiconductor memory device

Номер патента: US20240224499A1. Автор: PENG Guo,Yuanbao WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120168845A1. Автор: Hiroaki Takasu. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2012-07-05.

Minority carrier sink for a memory cell array comprising nonvolatile semiconductor memory cells

Номер патента: US20080277717A1. Автор: Elard Stein Von Kamienski. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-11-13.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020039823A1. Автор: Seiki Ogura,Masataka Kusumi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-04.

Nonvolatile semiconductor memory with stable characteristic

Номер патента: US20050184333A1. Автор: Kenichiro Nakagawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-08-25.

Semiconductor memory device, method for fabricating the same and electronic system including the same

Номер патента: US20240306383A1. Автор: Ki Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for producing a solid electrolytic capacitor in chip design with a fuse element.

Номер патента: DE59008794D1. Автор: Werner Dr Ing Dipl Ph Schnabel. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1995-05-04.

Switching power supply and method for controlling voltage of bulk capacitor in the switching power supply

Номер патента: US09787193B2. Автор: Haibin Song,Daofei Xu. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Jig for manufacturing capacitor element and method for manufacturing capacitor element

Номер патента: US20140366350A1. Автор: Masahiro Suzuki,Kazumi Naito,Katsutoshi Tamura. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2014-12-18.

Method and device for manufacturing capacitor element

Номер патента: US09865395B2. Автор: Junya Tanaka. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for manufacturing of pole tip of automatic circuit breaker

Номер патента: RU2572811C2. Автор: Венкай ШАНГ. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ АГ. Дата публикации: 2016-01-20.

Method and apparatus for protecting an intermediate circuit capacitor in a power converter

Номер патента: US09553441B2. Автор: Stefan Volkel. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2017-01-24.

Method for measuring a temperature in an electronic device having a battery and a memory device

Номер патента: US20120166862A1. Автор: Simon J. Lovett. Владелец: Round Rock Research LLC. Дата публикации: 2012-06-28.

Method for measuring a temperature in an electronic device having a battery and a memory device

Номер патента: US20140361753A1. Автор: Simon J. Lovett. Владелец: Round Rock Research LLC. Дата публикации: 2014-12-11.

Circuit and method for protecting emergency head-retract capacitor in a hard disk drive

Номер патента: US7623316B1. Автор: Siew Yong Chui,Yayue Zhang,Sakti Rana. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2009-11-24.

Method for manufacturing a trench capacitor in dram cell

Номер патента: KR100231140B1. Автор: 박찬,권경국. Владелец: 금성일렉트론주식회사. Дата публикации: 1999-11-15.

Method for manufacturing a cell capacitor in dram

Номер патента: KR960005574B1. Автор: 이봉재. Владелец: 금성일렉트론주식회사. Дата публикации: 1996-04-26.

Memory device and method for embedding host-identification information into content

Номер патента: WO2010151444A8. Автор: Jason T. Lin,Alexander Kanaris,Joseph E. Halpern. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2011-03-03.

Memory device and method for embedding host-identification information into content

Номер патента: EP2446387A1. Автор: Jason T. Lin,Alexander Kanaris,Joseph E. Halpern. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-05-02.

Method for charging an intermediate circuit capacitor

Номер патента: US9531211B2. Автор: Stefan Butzmann,Holger Fink,Ralph Schmidt. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

METHOD FOR MEASURING A TEMPERATURE IN AN ELECTRONIC DEVICE HAVING A BATTERY AND A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140361753A1. Автор: Lovett Simon J.. Владелец: ROUND ROCK RESEARCH, LLC. Дата публикации: 2014-12-11.

Switching power supply and method for controlling voltage of bulk capacitor in the same

Номер патента: US20160181931A1. Автор: Haibin Song,Daofei Xu. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2016-06-23.

METHOD FOR PROTECTING AN INTERMEDIATE CIRCUIT CAPACITOR IN A POWER CONVERTER CIRCUIT

Номер патента: US20140321019A1. Автор: Völke Stefan. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

System and method for pre-charging a bootstrap capacitor in a switching regulator with high pre-bias voltage

Номер патента: US8154334B2. Автор: Jue Wang. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2012-04-10.

Switching power supply and method for controlling voltage of bulk capacitor in the same

Номер патента: EP3035513A3. Автор: Haibin Song,Daofei Xu. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2016-07-06.

System and method for pre-charging a bootstrap capacitor in a swithing regulator with high pre- bias voltage

Номер патента: WO2011011503A4. Автор: Jue Wang. Владелец: INTERSIL AMERICAS INC.. Дата публикации: 2011-07-14.

Method for detecting resistive bridge defects in the global data bus of semiconductor memories

Номер патента: WO2005088643A1. Автор: Mohamed Azimane,Ananta Majhi. Владелец: U.S. Philips Corporation. Дата публикации: 2005-09-22.

Method for activating a plurality of word lines in a refresh cycle, and electronic memory device

Номер патента: US20060126414A1. Автор: Manfred Moser,Richard Antretter. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-06-15.

Method for producing nonvolatile semiconductor memory device and the device itself

Номер патента: US20040077146A1. Автор: Hiroaki Tsunoda,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-04-22.

Method for producing nonvolatile semiconductor memory device and the device itself

Номер патента: US6927132B2. Автор: Hiroaki Tsunoda,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-08-09.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090014778A1. Автор: Keita Takahashi,Koichi Kawashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-15.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US7791121B2. Автор: Keita Takahashi,Koichi Kawashima. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-09-07.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020033495A1. Автор: Jeong-Seok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-03-21.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020089037A1. Автор: Jeong-Seok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-11.

Semiconductor memory device, semiconductor wafer, and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20120161206A1. Автор: Hiroshi SHIMODE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050270845A1. Автор: Keita Takahashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-08.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20240315015A1. Автор: Masashi ARINO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Nonvolatile semiconductor memory device with a plurality of memory blocks and a shared block decoder

Номер патента: US12062393B2. Автор: Gou FUKANO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110299320A1. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7208801B2. Автор: Koichi Matsuno,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050265112A1. Автор: Koichi Matsuno,Tadashi Iguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070148854A1. Автор: Koichi Matsuno,Tadashi Iguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-28.

Semiconductor memory device, electronic device and method for setting the same

Номер патента: US20240361823A1. Автор: Ki-Seok OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Reduced size semiconductor device and method for manufacture thereof

Номер патента: US09424926B2. Автор: Kuan Fu Chen,Ya Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Nonvolatile semiconductor memory and fabrication method for the same

Номер патента: US20120037976A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Masayuki Ichige,Fumitaka Arai,Atsuhiro Sato,Kikuko Sugimae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-02-16.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140098612A1. Автор: Koji Hosono,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-10.

Nonvolatile semiconductor memory and fabrication method for the same

Номер патента: US20070109848A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Masayuki Ichige,Fumitaka Arai,Atsuhiro Sato,Kikuko Sugimae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-05-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090065844A1. Автор: Toshihiko Iinuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

Semiconductor memory device, electronic device and method for setting the same

Номер патента: US12086011B2. Автор: Ki-Seok OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device and operating method for a semiconductor memory device

Номер патента: US20060275928A1. Автор: Siegfried Schwarzl,Stefan Wurm. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-12-07.

Method of manufacturing memory device having word lines with improved resistance

Номер патента: US20240276701A1. Автор: Jung-Yu Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20060065920A1. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-03-30.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20070257306A1. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-08.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US7238570B2. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-07-03.

Method for manufacturing a buried strap contact in a memory cell

Номер патента: US20040048436A1. Автор: Peter Voigt,Gerhard Enders,Bjoern Fischer,Dietrich Bonart. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-03-11.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240284810A1. Автор: Haider Abbas,Diing Shenp Ang. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-22.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20030127681A1. Автор: Naoki Tsuji,Naho Nishioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-07-10.

Method for manufacturing memory device

Номер патента: US12114514B2. Автор: Erh-Kun Lai,Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng,Dai-Ying LEE. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20060039175A1. Автор: Yoshinori Odake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-23.

Semiconductor memory device and driving method for the same

Номер патента: US7948800B2. Автор: Keita Takahashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20080165591A1. Автор: Yoon-Jae Shin,Kyoung-Nam Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-10.

Semiconductor memory device and driving method for the same

Номер патента: US20090185427A1. Автор: Keita Takahashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-07-23.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US7936635B2. Автор: Yoon-Jae Shin,Kyoung-Nam Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-05-03.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20100165762A1. Автор: Yoon-Jae Shin,Kyoung-Nam Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor memory device and method for making the same

Номер патента: US12096624B2. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240365565A1. Автор: Erh-Kun Lai,Feng-Min Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for fabricating memory cells for a memory device

Номер патента: US20060046317A1. Автор: Rainer Bruchhaus,Martin Gutsche. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-03-02.

Sense amplifier circuit, method for operating same, and fabrication method for same

Номер патента: US12100440B2. Автор: Qinghua Han. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Programming method for nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140219029A1. Автор: Cheng-Hung Tsai. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Semiconductor memory test circuit and method for the same

Номер патента: US6389563B1. Автор: Young Hee Kim,Jin Keun Oh. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-14.

System and method for controlling the speed of vehicle

Номер патента: WO2014026987A1. Автор: James Kelly,Andrew Fairgrieve,Daniel WOOLLISCROFT,Mark Stanton. Владелец: JAGUAR LAND ROVER LIMITED. Дата публикации: 2014-02-20.

System and method for controlling the speed of vehicle

Номер патента: EP2885183A1. Автор: James Kelly,Andrew Fairgrieve,Daniel WOOLLISCROFT,Mark Stanton. Владелец: Jaguar Land Rover Ltd. Дата публикации: 2015-06-24.

System and method for controlling the speed of a vehicle

Номер патента: US09682706B2. Автор: James Kelly,Andrew Fairgrieve,Daniel WOOLLISCROFT,Mark Stanton. Владелец: Jaguar Land Rover Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for detecting a leakage current of a semiconductor memory

Номер патента: US20070047355A1. Автор: Manfred Proell,Tobias Graf,Stephan Schroeder,Herbert Benzinger,Joerg Kliewer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-03-01.

Method and apparatus for processing sequential writes to a block group of physical blocks in a memory device

Номер патента: WO2017172248A1. Автор: Frank T. Hady. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-10-05.

Method for for manufacturing reinforcing fabric for a transmission belt

Номер патента: EP3263947B1. Автор: Toshihiro Nishimura,Taisuke Kimura,Masakuni Yoshida. Владелец: Mitsuboshi Belting Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Memory access control using a resident control circuitry in a memory device

Номер патента: US11789653B2. Автор: Vijay S. Ramesh,Allan Porterfield. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

In-situ testing of electric double layer capacitors in electric meters

Номер патента: EP4214523A1. Автор: Frank J. Boudreau,Matthew E. Kraus. Владелец: Landis and Gyr Innovations Inc. Дата публикации: 2023-07-26.

In-situ testing of electric double layer capacitors in electric meters

Номер патента: WO2022060786A8. Автор: Frank J. Boudreau, JR.,Matthew E. Kraus. Владелец: Landis+Gyr Innovations, Inc.. Дата публикации: 2023-03-16.

In-situ testing of electric double layer capacitors in electric meters

Номер патента: US20220082637A1. Автор: Frank J. Boudreau, JR.,Matthew E. Kraus. Владелец: Landis and Gyr Innovations Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

In-situ testing of electric double layer capacitors in electric meters

Номер патента: CA3192416A1. Автор: Frank J. Boudreau Jr.,Matthew E. Kraus. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-03-24.

Method for optimizing distribution profile of cell threshold voltages in a nand-type flash memory device

Номер патента: KR100407572B1. Автор: 최선미,이영택. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-12-01.

METHOD FOR ADDRESSING A NON-VOLATILE MEMORY ON AN I²C BUS AND CORRESPONDING MEMORY DEVICE

Номер патента: FR3065304A1. Автор: Francois Tailliet,Marc Battista. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-10-19.

Pumping voltage generating circuit in nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20060098487A1. Автор: Hui-Kwon Seo,Woo-Il Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-11.

Nonvolatile semiconductor memory device and verification control method for the same

Номер патента: US20130176791A1. Автор: Mitsuharu Sakakibara. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-07-11.

Memory device and method for testing memory devices with repairable redundancy

Номер патента: US20060198215A1. Автор: Martin Perner,Volker Kilian. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-09-07.

Refresh method capable of reducing memory cell access time in semiconductor memory device

Номер патента: US20020141269A1. Автор: Jong-Yul Park,Seong-kue Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-03.

Memory system performing read of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09767913B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150357042A1. Автор: Kenji Sawamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US9899095B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Data storage in nonvolatile memory

Номер патента: US20130031304A1. Автор: Kenneth Kay Smith,David G. Butler,Adam J. Snyder. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2013-01-31.

Method for repairing defective memory cells in semiconductor memory device

Номер патента: US09704601B2. Автор: Ki-Seok Park,Ji-Hyuk OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor memory device and method for operating semiconductor memory device

Номер патента: US7898835B2. Автор: Kotaro Kashiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

Semiconductor memory device and method for adjusting internal voltage thereof

Номер патента: US20050270868A1. Автор: Jae-Hyuk Im,Kee-Teok Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-08.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20120069628A1. Автор: Hiroshi Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-22.

Nonvolatile semiconductor memory device having multi-level memory cells and page buffer used therefor

Номер патента: US20070195636A1. Автор: Ho Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-23.

A semiconductor memory device with an on-chip error correction circuit and a method of correcting a data error therein

Номер патента: GB9910278D0. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-06-30.

Flash memory device

Номер патента: US09966133B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Method and system for accessing a flash memory device

Номер патента: US09836227B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040125657A1. Автор: Hidenori Mitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-01.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6885588B2. Автор: Hidenori Mitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-26.

Power management in semiconductor memory system

Номер патента: US20130028039A1. Автор: David T. Wang. Владелец: Inphi Corp. Дата публикации: 2013-01-31.

Semiconductor memory device and verification method for input data

Номер патента: US20170256322A1. Автор: Hidemitsu Kojima. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Programming method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20030026146A1. Автор: Takashi Kobayashi,Hideaki Kurata,Katsutaka Kimura,Naoki Kobayashi,Shunichi Saeki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Nonvolatile Semiconductor Memory Device

Номер патента: US20100149875A1. Автор: Yoshiki Kawajiri,Natsuo Ajika,Masaaki Mihara,Shoji Shukuri. Владелец: Genusion Inc. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor memory device and verification method for input data

Номер патента: US09842656B2. Автор: Hidemitsu Kojima. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Non-volatile semiconductor memory device and improved verification and programming method for the same

Номер патента: US09646701B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7532519B2. Автор: Toshio Mukunoki. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-05-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080137434A1. Автор: Toshio Mukunoki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20060250841A1. Автор: Toshio Mukunoki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7333368B2. Автор: Toshio Mukunoki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-19.

Semiconductor memory device and method for reading data therefrom

Номер патента: US5459692A. Автор: Yasuhiro Shin,Hidetaka Kodama. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20060028884A1. Автор: Katsuaki Matsui. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-09.

Non-volatile semiconductor memory device and erase method thereof

Номер патента: US09779830B2. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Systems and methods for testing a semiconductor memory device having a reference memory array

Номер патента: US09767919B1. Автор: Yutaka Ito,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device, semiconductor memory system and method for controlling self refresh cycle thereof

Номер патента: US09564207B2. Автор: Kwi-Dong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140078813A1. Автор: Kei Sakamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20050174868A1. Автор: Shinsuke Anzai,Yasumichi Mori. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-08-11.

Nonvolatile semiconductor memory device having divided bit lines

Номер патента: US20030053339A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Ching-Song Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100149850A1. Автор: Daisaburo Takashima,Ryu Ogiwara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor memory device and method for initializing the same

Номер патента: EP1488424A2. Автор: Hiroshige Hirano,Yasuo Murakuki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-22.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150325296A1. Автор: Junya Matsunami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-11-12.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09940031B2. Автор: Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Nonvolatile semiconductor memory device with read voltage setting controller

Номер патента: US09875804B2. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Nonvolatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09792983B2. Автор: Masaru Koyanagi,Yasuhiro HIRASHIMA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09612762B2. Автор: Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09472295B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of writing data of a nonvolatile semiconductor memory device including setting and removing operations

Номер патента: US09355722B2. Автор: Junya Matsunami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US09355714B2. Автор: Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100238708A1. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110128774A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-06-02.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160049186A1. Автор: Ryousuke Takizawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20140362643A1. Автор: Naoki Yasuda,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-11.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9406395B1. Автор: Masahiro Hosoya,Tomoyuki Hamano,Takuyo Kodama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120206968A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US12080354B2. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory device and method for writing data into the semiconductor memory device

Номер патента: US20070064499A1. Автор: Thomas Kern,Luca Ambroggi. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-03-22.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8149611B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-03.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20080198667A1. Автор: Takuya Futatsuyama,Yoshikazu HOSOMURA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-08-21.

Dynamic semiconductor memory device and method of controlling refresh thereof

Номер патента: US20030112690A1. Автор: Shyuichi Tsukada. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2003-06-19.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US20150170722A1. Автор: Young-Jun Ku,Tae-Sik Yun,Jae-Bum Ko. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150262689A1. Автор: Hiroyasu Tanaka,Takuya Futatsuyama,Toshifumi Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09805798B2. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US09754672B2. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor memory device and method for transferring weak cell information

Номер патента: US09697885B1. Автор: Youk-Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09595311B2. Автор: Ryousuke Takizawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09543020B2. Автор: Yuya Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Controller controlling semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09542269B1. Автор: Se Chun Park,Young Dong Roh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09530510B2. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor memory device and method for refreshing memory cells

Номер патента: US09466351B2. Автор: In Chul JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US09437308B2. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9449708B2. Автор: Ryota Hirai,Yasuhiro Shiino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Circuit and method for selecting test self-refresh period of semiconductor memory device

Номер патента: US20080062799A1. Автор: Kyong-Ha Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-13.

Circuit and method for selecting test self-refresh period of semiconductor memory device

Номер патента: US20060221745A1. Автор: Kyong-Ha Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-05.

Semiconductor memory device and method for operating semiconductor memory device

Номер патента: US20080320215A1. Автор: Kotaro Kashiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US5617353A. Автор: Kang-Deog Suh,Young-Ho Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-04-01.

Nonvolatile semiconductor memory device achieving shorter erasure time

Номер патента: US20020141243A1. Автор: Yasuhiko Tanuma,Takayuki Yoneda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

Memory device, control method for the memory device, and controller

Номер патента: US09996278B2. Автор: Tatsuya Zettsu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor memory device and method for detecting weak cells

Номер патента: US09922726B2. Автор: Young-Geun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09812195B2. Автор: Hirofumi Inoue,Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09558837B2. Автор: Yoshikazu Harada,Masahiro Yoshihara,Akio SUGAHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09543011B2. Автор: Hirofumi Inoue,Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Nonvolatile memory device and method of writing data in nonvolatile memory device

Номер патента: US09524782B2. Автор: Ki-hwan Choi,Oh-Suk Kwon,Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8274845B2. Автор: Katsumi Abe,Masahiro Yoshihara,Masaru Koyanagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-25.

Nonvolatile semiconductor memory device detecting sign of data transformation

Номер патента: US20020105832A1. Автор: Yukitoshi Kawakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-08-08.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100309733A1. Автор: Katsumi Abe,Masahiro Yoshihara,Masaru Koyanagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-12-09.

Write controlling method for memory

Номер патента: US09558833B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Device and method for manufacturing pressed brick workpieces

Номер патента: RU2761452C2. Автор: Лотар БАУЭРЗАХС. Владелец: Лангенштайн И Шеманн Гмбх. Дата публикации: 2021-12-08.

Voltage detection circuit and method for semiconductor memory devices

Номер патента: US20030198088A1. Автор: Duane Laurent. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2003-10-23.

Voltage detection circuit and method for semiconductor memory devices

Номер патента: EP1355315A3. Автор: Duane Giles Laurent. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-12-15.

Memory device and operating method for target refresh operation based on number of accesses

Номер патента: US20240274182A1. Автор: Woongrae Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20090168527A1. Автор: Makoto Hamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US09595309B2. Автор: Chang-Hyun Kim,Jae-Jin Lee,Min-Chang Kim,Do-Yun LEE,Hun-Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Sound absorbing material and method for manufacture thereof

Номер патента: RU2667584C2. Автор: Кеун Йоунг КИМ,Вон Дзин СЕО. Владелец: Хендэ Мотор Компани. Дата публикации: 2018-09-21.

Insulated structure for tank and method for manufacture thereof

Номер патента: RU2676630C2. Автор: Марк ЭЛЬБИНГ,Нильс МОМАЙЕР,Бернд ФРИККЕ. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2019-01-09.

Method for manufacturing a handle

Номер патента: RU2676112C2. Автор: Карл-Олоф ХОЛМ,Йоуни РИИКОНЕН. Владелец: Фискарс Финлэнд Ой Аб. Дата публикации: 2018-12-26.

Method for manufacture of parts for means of travel

Номер патента: RU2351699C2. Автор: Хендрикус Антониус ХОГЛАНД. Владелец: Эсим Текнолоджиз Б.В.. Дата публикации: 2009-04-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160111138A1. Автор: Hiroshi Kawaguchi,Masahiko Yoshimoto,Shintaro Izumi,Tomoki Nakagawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20110158023A1. Автор: Kang-Seol Lee,Tae-Sik Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-30.

Semiconductor memory apparatus and method for outputting data

Номер патента: US20020005547A1. Автор: Kenji Hibino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-17.

Semiconductor memory device and method for adjusting threthold voltage thereof

Номер патента: US11100975B2. Автор: Yutaka Shimizu,Makoto Morimoto,Rui Ito,Ryuichi Fujimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-24.

Memory device and host device

Номер патента: US09983794B2. Автор: Akihisa Fujimoto. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09830990B2. Автор: Hiroshi Kawaguchi,Masahiko Yoshimoto,Shintaro Izumi,Tomoki Nakagawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US09484106B2. Автор: Katsuaki Matsui. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for manufacture of extruded leguminous micropellets

Номер патента: RU2576448C2. Автор: Номан ХАН,Сара ВЕРТМАН. Владелец: Дзе Квейкер Оутс Компани. Дата публикации: 2016-03-10.

Tantalum carbide-covered carbon material and method for manufacturing thereof

Номер патента: RU2576406C2. Автор: Мика КОНДО. Владелец: Тойо Тансо Ко., Лтд.. Дата публикации: 2016-03-10.

Method for manufacturing absorbent product

Номер патента: RU2757840C2. Автор: Казуо ЙОКОБОРИ,Хидео АОКИ. Владелец: КАО КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2021-10-21.

Method and device for manufacturing corrugated material sheet

Номер патента: RU2765704C2. Автор: Шарлотт КОЛЛУ. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2022-02-02.

Conveyor for canvas and method for absorbing product manufacturing

Номер патента: RU2524598C2. Автор: Хироки ЯМАМОТО. Владелец: Юни-Чарм Корпорейшн. Дата публикации: 2014-07-27.

Information processing apparatus and method for controlling information processing apparatus

Номер патента: US20210124514A1. Автор: Yo Kobayashi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor memory device and method for generating bit line equalizing signal

Номер патента: US20120176848A1. Автор: Chang-Ho Do. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-12.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US20110002179A1. Автор: Sung-Ho Kim,Kwi-Dong Kim,Mun-Phil Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-01-06.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US8379473B2. Автор: Sung-Ho Kim,Kwi-Dong Kim,Mun-Phil Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-02-19.

Semiconductor Memory Device and Method for Operating the Same

Номер патента: US20100290279A1. Автор: Kwang-Myoung Rho,Woo-Hyun Seo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-11-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and its operation program

Номер патента: US20160379711A1. Автор: Motofumi Saitoh. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Semiconductor memory having variable memory size and method for refreshing the same

Номер патента: US20050152200A1. Автор: You-Mi Lee,Kyung-Woo Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-07-14.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20100135081A1. Автор: Shoichi Kawamura,Masahito Takehara. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-03.

Semiconductor memory device and method for generating bit line equalizing signal

Номер патента: US20100008162A1. Автор: Chang-Ho Do. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-01-14.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US09875777B2. Автор: Dae-Ho YUN,Hee-Jin BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor memory device with a delay locked loop circuit and a method for controlling an operation thereof

Номер патента: US09564190B2. Автор: Hangi Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Voltage generation circuit, semiconductor memory device including the same, and method for driving the same

Номер патента: US09508398B1. Автор: Jae-Boum Park,Yoon-Jae Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor memory device with a delay locked loop circuit and a method for controlling an operation thereof

Номер патента: US09443565B2. Автор: Hangi Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Circuit and method for eliminating bit line leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002496A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for detecting resistive bridge defects in the global data bus of semiconductor memories

Номер патента: TW200603170A. Автор: Mohamed Azimane,Ananta Majhi. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2006-01-16.

Split gate type transistor, method for making a split gate type transistor, and a non-volatile semiconductor memory

Номер патента: TW369720B. Автор: Kenji Fukase. Владелец: Sanyo Electric Co. Дата публикации: 1999-09-11.

METHOD FOR MEASURING A TEMPERATURE IN AN ELECTRONIC DEVICE HAVING A BATTERY AND A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120166862A1. Автор: Lovett Simon J.. Владелец: ROUND ROCK RESEARCH, LLC. Дата публикации: 2012-06-28.

METHOD FOR DISCHARGING CHARGES REMAINING IN CAPACITOR IN DRIVE APPARATUS

Номер патента: US20130015802A1. Автор: HIROSE Satoshi. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2013-01-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR OPERATING RFID DEVICES ON SINGLE-USE CONNECTORS

Номер патента: US20120001731A1. Автор: . Владелец: GE HEALTHCARE BIOSCIENCE BIOPROCESS CORP.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002469A1. Автор: IMAMOTO Akihiro,Abiko Naofumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Memory With Improved Block Switching

Номер патента: US20120002476A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHOD FOR DETECTING MOVEMENT OF OBJECT

Номер патента: US20120002842A1. Автор: MURASHITA Kimitaka,WATANABE Yuri,Fujimura Koichi. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing thin film capacitor and thin film capacitor obtained by the same

Номер патента: US20120001298A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, CAPACITOR, BATTERY, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120003544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR CHARACTERIZING FAULT CLEARING DEVICES

Номер патента: US20120004867A1. Автор: . Владелец: ABB RESEARCH LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR POWER LINE EVENT ZONE IDENTIFICATION

Номер патента: US20120004869A1. Автор: . Владелец: ABB RESEARCH LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR PROVIDING A SAFETY MECHANISM FOR A LASER-EMITTING DEVICE

Номер патента: US20120002691A1. Автор: TAO XIAO WEI. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR USING ACCELEROMETER OUTPUTS TO CONTROL AN OBJECT ROTATING ON A DISPLAY

Номер патента: US20120004035A1. Автор: RABIN Steven. Владелец: NINTENDO CO., LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING A DROPLET DISCHARGE HEAD

Номер патента: US20120000595A1. Автор: Mase Atsushi,Shimizu Hideki,TANAKA Hidehiko. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

TEST SIGNAL GENERATING DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS USING THE SAME AND MULTI-BIT TEST METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002491A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003139A1. Автор: Kawakami Takahiro,Miwa Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLAME-RETARDANT POLY LACTIC ACID-CONTAINING FILM OR SHEET, AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120003459A1. Автор: . Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003811A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003823A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method and Device for Manufacturing a Three-Layer Cord of the Type Rubberized in Situ

Номер патента: US20120000174A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING AMINO ACID LIQUID FERTILIZER USING LIVESTOCK BLOOD AND AMINO ACID LIQUID FERTILIZER MANUFACTURED THEREBY

Номер патента: US20120000260A1. Автор: Oh Jin Yeol. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITE GEAR BLANK AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120000307A1. Автор: Oolderink Rob,Nizzoli Ermanno,Vandenbruaene Hendrik. Владелец: QUADRANT EPP AG. Дата публикации: 2012-01-05.

Solar Cell And Method For Manufacturing Solar Cell

Номер патента: US20120000512A1. Автор: HASHIMOTO Masanori,SAITO Kazuya,SHIMIZU Miho. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods for Manufacturing a Vacuum Chamber and Components Thereof, and Improved Vacuum Chambers and Components Thereof

Номер патента: US20120000811A1. Автор: . Владелец: Kurt J. Lesker Company. Дата публикации: 2012-01-05.

NANOPOROUS FILMS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000845A1. Автор: Park Han Oh,Kim Jae Ha,JIN Myung Kuk. Владелец: BIONEER CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD FOR SPARK PLUGS

Номер патента: US20120001532A1. Автор: Kyuno Jiro,Kure Keisuke. Владелец: NGK SPARK PLUG CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DUST CORE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001719A1. Автор: Oshima Yasuo,Handa Susumu,Akaiwa Kota. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002285A1. Автор: Matsuda Manabu. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION FILM, DECORATION DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003441A1. Автор: CHEN CHIA-FU. Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD, SYSTEM AND MOLDING TOOL FOR MANUFACTURING COMPONENTS FROM COMPOSITE FIBER MATERIALS

Номер патента: US20120003480A1. Автор: BECHTOLD Michael,JUNG Manuel. Владелец: AIRBUS OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2012-01-05.

HOLLOW MEMBER AND AN APPARATUS AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: US20120003496A1. Автор: Tomizawa Atsushi,Kubota Hiroaki. Владелец: Sumitomo Metal Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ENERGY STORAGE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003535A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20120003776A1. Автор: Park Sang Hyuk. Владелец: Intellectual Ventures II LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE WAFER

Номер патента: US20120003824A1. Автор: Lee Ho-jun,KIM Yong-Jin,Lee Dong-Kun,Kim Doo-Soo,Lee Kye-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING A DROPLET DISCHARGE HEAD

Номер патента: US20120003902A1. Автор: Mase Atsushi,Shimizu Hideki,TANAKA Hidehiko. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNESIUM DIBORIDE SUPERCONDUCTING WIRE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120004110A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING PASTE-TYPE ELECTRODE OF LEAD-ACID BATTERY AND APPARATUS THEREFOR

Номер патента: US20120000070A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000517A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SCANDIUM ALUMINUM NITRIDE FILM

Номер патента: US20120000766A1. Автор: Kano Kazuhiko,Nishikubo Keiko,TESHIGAHARA Akihiko,AKIYAMA Morito,Tabaru Tatsuo. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Lead Frame and Method For Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001307A1. Автор: . Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FILLET WELD JOINT AND METHOD FOR GAS SHIELDED ARC WELDING

Номер патента: US20120003035A1. Автор: Suzuki Reiichi,Kinefuchi Masao,KASAI RYU. Владелец: Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.). Дата публикации: 2012-01-05.

CASTING METHOD FOR MANUFACTURING A WORK PIECE

Номер патента: US20120003101A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods and Apparatus for Manufacturing Plasma Based Plastics and Bioplastics Produced Therefrom

Номер патента: US20120003193A1. Автор: Burgess James E.,Smith Jason,Campbell Phil G.,Weiss Lee E.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods and Apparatus for Manufacturing Plasma Based Plastics and Bioplastics Produced Therefrom

Номер патента: US20120003279A1. Автор: Burgess James E.,Smith Jason,Campbell Phil G.,Weiss Lee E.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR INDUCING AN IMMUNE RESPONSE

Номер патента: US20120003298A1. Автор: Maj Roberto,Pattarino Franco,Mura Emanuela,Barberis Alcide. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods and Apparatus for Manufacturing Plasma Based Plastics and Bioplastics Produced Therefrom

Номер патента: US20120003324A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION FILM, DECORATION DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003433A1. Автор: . Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL MODULATOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120003767A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003781A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus for Manufacturing Thin Film Photovoltaic Devices

Номер патента: US20120003789A1. Автор: . Владелец: Stion Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING EMBEDDED SUBSTRATE

Номер патента: US20120003793A1. Автор: HWANG Sun-Uk,Cho Young-Woong,Yoon Kyoung-Ro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING METAL GATE STACK STRUCTURE IN GATE-FIRST PROCESS

Номер патента: US20120003827A1. Автор: Xu Qiuxia,Li Yongliang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING OPTICAL FIBER PREFORM

Номер патента: US20120000249A1. Автор: HAMADA Takahiro. Владелец: FUJIKURA LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING PLASTIC LABELS WITH SELF-ADHESIVE PATTERN, AND ATTACHING SUCH LABELS TO A TIN

Номер патента: US20120000598A1. Автор: . Владелец: REYNDERS ETIKETTEN, NAAMLOZE VENNOOTSCHAP. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Light Emitting Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001202A1. Автор: Horng Ray-Hua. Владелец: NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND METHOD FOR MANUFACTURING AN IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001287A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING ANISOPTROPIC BULK MATERIALS

Номер патента: US20120001368A1. Автор: Filippov Andrey V.,Milia Charlotte Diane. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Preparing Small Volume Reaction Containers

Номер патента: US20120003675A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR CUTTING AND EVACUATING TISSUE

Номер патента: US20120004595A1. Автор: DUBOIS Brian R.,NIELSEN James T.,GORDON Alexander. Владелец: LAURIMED, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR AUTOMATICALLY SHIFTING A BASE LINE

Номер патента: US20120004890A1. Автор: Chen Po-Tsang. Владелец: INOTERA MEMORIES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRIC WIRE WITH TERMINAL

Номер патента: US20120000069A1. Автор: Hirai Hiroki,Tanaka Tetsuji,Ono Junichi,Otsuka Takuji,Shimoda Hiroki,HAGI Masahiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DISPLAY DEVICE FOR A VEHICLE AND METHOD FOR PRODUCING THE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002442A1. Автор: . Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for remote reading of vehicle data

Номер патента: RU2476938C2. Автор: Игорь Юрьевич Мацур. Владелец: Игорь Юрьевич Мацур. Дата публикации: 2013-02-27.

Method for Manufacturing Alloy Resistor

Номер патента: US20120000066A1. Автор: . Владелец: VIKING TECH CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Systems and Methods for Prevention of Open Loop Damage During or Immediately After Manufacturing

Номер патента: US20120000515A1. Автор: Kikinis Dan,Hadar Ron,Arditi Shmuel. Владелец: TIGO ENERGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus, System, and Method for Direct Phase Probing and Mapping of Electromagnetic Signals

Номер патента: US20120001656A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR CONDITIONALLY ATTEMPTING AN EMERGENCY CALL SETUP

Номер патента: US20120003954A1. Автор: . Владелец: RESEARCH IN MOTION LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

PROCESS FOR MANUFACTURING 5-(2--1-HYDROXYETHYL)-8-HYDROXYQUINOLIN-2(1H)-ONE

Номер патента: US20120004414A1. Автор: Marchueta Hereu Iolanda,Moyes Valls Enrique. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR MANAGING POWER CONSUMPTION IN A SENSOR NETWORK

Номер патента: US20120004782A1. Автор: KOSKAN PATRICK D.,SWOPE CHARLES B.. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Large Area Nitride Crystal and Method for Making It

Номер патента: US20120000415A1. Автор: Speck James S.,"DEvelyn Mark P.". Владелец: Soraa, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR SWITCHING TWO-DIMENSIONAL (2D) AND THREE-DIMENSIONAL (3D) DISPLAY MODES

Номер патента: US20120001899A1. Автор: HONG XU. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR ASSISTING VISUALLY-IMPAIRED USERS TO VIEW VISUAL CONTENT

Номер патента: US20120001932A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus, System, and Method for Increasing Measurement Accuracy in a Particle Imaging Device

Номер патента: US20120002194A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CHARGE EQUILIBRIUM ACCELERATION IN A FLOATING GATE MEMORY DEVICE VIA A REVERSE FIELD PULSE

Номер патента: US20120002482A1. Автор: Kalavade Pranav,Franklin Nathan R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

VIDEO ENCODER WITH NON-SYNTAX REUSE AND METHOD FOR USE THEREWITH

Номер патента: US20120002719A1. Автор: Wang Limin,Zhao Xu Gang. Владелец: VIXS SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

VIDEO ENCODER WITH VIDEO DECODER REUSE AND METHOD FOR USE THEREWITH

Номер патента: US20120002720A1. Автор: . Владелец: VIXS SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS FOR WIRELESS CHANNEL SOUNDING

Номер патента: US20120002735A1. Автор: McCoy James W.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MACHINE TOOL AND METHOD FOR PRODUCING GEARING

Номер патента: US20120003058A1. Автор: Hummel Erhard,Hutter Wolfgang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHOD FOR REPLICATING A USER INTERFACE AT A DISPLAY

Номер патента: US20120004033A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMPLANT PROCESSING METHODS FOR THERMALLY LABILE AND OTHER BIOACTIVE AGENTS AND IMPLANTS PREPARED FROM SAME

Номер патента: US20120004323A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR TRACKING OF MAIL USING A UNIVERSAL CODING SYSTEM

Номер патента: US20120004765A1. Автор: Hamilton Daryl. Владелец: United States Postal Service. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing alcohol-containing drink

Номер патента: RU2248391C2. Автор: Е.Ю. Попов. Владелец: Попов Евгений Юрьевич. Дата публикации: 2005-03-20.

Method for manufacturing removable combined gnathic maxillary prosthesis

Номер патента: RU2268681C2. Автор: . Владелец: Суворов Сергей Олегович. Дата публикации: 2006-01-27.

Method for manufacturing of outerwear

Номер патента: RU2417716C1. Автор: Людмила Юрьевна Какурина. Владелец: Людмила Юрьевна Какурина. Дата публикации: 2011-05-10.

STRESS-ENGINEERED RESISTANCE-CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120001148A1. Автор: . Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL IMAGE ACQUISITION APPARATUS HAVING ADAPTIVE OPTICS AND CONTROL METHOD FOR THE SAME

Номер патента: US20120002165A1. Автор: Saito Kenichi. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISH. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTANCE CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002458A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002472A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE MEMORY APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING CONFIGURATION INFORMATION THEREOF

Номер патента: US20120002486A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE MEMORY APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING CONFIGURATION INFORMATION THEREOF

Номер патента: US20120002487A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS FOR DETECTING MUTATIONS IN JAK2 NUCLEIC ACID

Номер патента: US20120003653A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing blended nectar with sugar

Номер патента: RU2426457C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2011-08-20.