Method for manufacturing capacitor in nonvolatile semiconductor memory device
Номер патента: KR100372644B1
Опубликовано: 17-02-2003
Автор(ы): 김남경, 박기선, 박동수, 안병권, 한승규
Принадлежит: 주식회사 하이닉스반도체
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 17-02-2003
Автор(ы): 김남경, 박기선, 박동수, 안병권, 한승규
Принадлежит: 주식회사 하이닉스반도체
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for manufacturing a semiconductor device having a capping layer covering a capacitor of the semiconductor device
Номер патента: US6893501B2. Автор: Sung-Tae Kim,Young-sun Kim,Wan-Don Kim,Ki-chul Kim,Han-mei Choi,Yun-jung Lee,Jeong-hee Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-05-17.