Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Reaction chamber for vapor deposition process

Номер патента: WO2014036886A1
Опубликовано: 13-03-2014
Автор(ы): 何晓崐, 叶芷飞, 孙仁君, 左然, 田益西, 谭华强
Принадлежит: 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US8298338B2. Автор: Ji Hye Shim,Changsung Sean KIM,Sang Duk Yoo,Jong Pa HONG,Won Shin LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-10-30.

Truncated susceptor for vapor-phase deposition

Номер патента: WO2000068472A8. Автор: Tetsuzo Ueda,David J Miller,Glenn S Solomon. Владелец: CBL Technologies Inc. Дата публикации: 2001-04-19.

Truncated susceptor for vapor-phase deposition

Номер патента: EP1190121A1. Автор: Tetsuzo Ueda,David J. Miller,Glenn S. Solomon. Владелец: CBL Technologies Inc. Дата публикации: 2002-03-27.

High temperature chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: EP1853748A2. Автор: Demetrius Sarigiannis,Marc Schaepkens,Atul Pant,Patricia Hubbard,Muralidharan Lakshmipathy. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2007-11-14.

An atomic layer deposition reaction chamber and an atomic layer deposition reactor

Номер патента: US20240344197A1. Автор: Pekka Soininen,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Esko Karppanen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-10-17.

Radiation heated reactor for chemical vapor deposition on substrates

Номер патента: US4263872A. Автор: Vladimir S. Ban. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1981-04-28.

Reaction chamber for deposition of a semiconductor layer on the plurality substrates in batches

Номер патента: EP2744925A1. Автор: Peter Nemeth,Zsolt Vadadi,Tamas Strausz. Владелец: ECOSOLIFER AG. Дата публикации: 2014-06-25.

Gas distribution system for a reaction chamber

Номер патента: EP2744924A1. Автор: Peter Nemeth,Zsolt Vadadi,Tamas Strausz. Владелец: ECOSOLIFER AG. Дата публикации: 2014-06-25.

An atomic layer deposition reaction chamber and an atomic layer deposition reactor

Номер патента: FI20215853A1. Автор: Pekka Soininen,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Esko Karppanen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-02-14.

An atomic layer deposition reaction chamber and an atomic layer deposition reactor

Номер патента: EP4384649A1. Автор: Pekka Soininen,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Esko Karppanen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-06-19.

System and apparatus for a reaction chamber

Номер патента: US20240076778A1. Автор: Michael Schmotzer,Jessica Akemi Cimada da Silva. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-03-07.

Multi-disc chemical vapor deposition system

Номер патента: US20240175132A1. Автор: Bojan Mitrovic,Ajit Paranjpe,Alexander Gurary. Владелец: Veeco Instruments Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Multi-disc chemical vapor deposition system

Номер патента: WO2024118468A1. Автор: Bojan Mitrovic,Ajit Paranjpe,Alexander Gurary. Владелец: VEECO INSTRUMENTS INC.. Дата публикации: 2024-06-06.

Multi-disc chemical vapor deposition system with cross flow gas injection

Номер патента: WO2024118472A1. Автор: Johannes Kaeppeler,Ajit Paranjpe,Alexander Gurary. Владелец: VEECO INSTRUMENTS INC.. Дата публикации: 2024-06-06.

Multi-disc chemical vapor deposition system with cross flow gas injection

Номер патента: US20240175133A1. Автор: Johannes Kaeppeler,Ajit Paranjpe,Alexander Gurary. Владелец: Veeco Instruments Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Reaction chamber component, deposition apparatus provided with such component and method of protecting such component

Номер патента: US20240084446A1. Автор: Christiaan Werkhoven,Ivo Johannes Raaijmakers,Loke Yuen WONG,Iordan Iordanov,Osama Khalil. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-03-14.

Selective area chemical vapor deposition

Номер патента: CA2028438C. Автор: Michael A. Pickering,Raymond L. Taylor,Joseph T. Keeley,Jitendra Singh Goela. Владелец: CVD Inc. Дата публикации: 1993-11-30.

Film cassette for gaseous vapor deposition

Номер патента: WO2011026066A3. Автор: Richard Dale Kinard,Calixto Estrada,Peter Francis Carcia,Robert Scott Mclean,Kirstin H Shilkitus. Владелец: E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY. Дата публикации: 2011-06-16.

Method for manufacturing polycrystalline silicone in the form of large-area plates and chamber for silicone deposition

Номер патента: RU2158324C1. Автор: В.В. Добровенский,Ю.А. Канатаев,М.К. Юлин. Владелец: Закрытое акционерное общество "Панджшер-Холдинг". Дата публикации: 2000-10-27.

Film cassette for gaseous vapor deposition

Номер патента: WO2011026066A2. Автор: Richard Dale Kinard,Calixto Estrada,Peter Francis Carcia,Robert Scott Mclean,Kirstin H Shilkitus. Владелец: E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY. Дата публикации: 2011-03-03.

Chemical vapor deposition furnace with a cleaning gas system to provide a cleaning gas

Номер патента: US12077854B2. Автор: Herbert Terhorst,Bert Jongbloed,Dieter Pierreux,Theodorus G. M. Oosterlaken,Lucian JDIRA. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-03.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition coating system

Номер патента: US20220275509A1. Автор: Attila Nagy,Benjamin Lawrence,Ludmil Zambov,Daniel Pulsipher,Pravin Chaubey,John Winterroth. Владелец: HZO Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition coating system

Номер патента: EP4298665A1. Автор: Attila Nagy,Benjamin Lawrence,Ludmil Zambov,Daniel Pulsipher,Pravin Chaubey,John Winterroth. Владелец: HZO Inc. Дата публикации: 2024-01-03.

Vapor deposition and vapor deposition method

Номер патента: US09932672B2. Автор: Sang-Joon SEO,Myung-Soo Huh,Jin-Kwang Kim,Choel-Min JANG,Jeong-Ho Yi,Cheol-Rae JO,Seung-Hun Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Metal organic chemical vapor deposition apparatus for solar cell

Номер патента: US20160225933A1. Автор: Heonmin Lee,Dongjoo YOU,Wonki Yoon. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-08-04.

Apparatus for gaseous vapor deposition

Номер патента: WO2011026078A3. Автор: Geoffrey Nunes,Richard Dale Kinard,Peter Francis Carcia,Robert Scott Mclean,Kirstin H Shilkitus. Владелец: E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY. Дата публикации: 2011-06-16.

Apparatus for gaseous vapor deposition

Номер патента: WO2011026078A2. Автор: Geoffrey Nunes,Richard Dale Kinard,Peter Francis Carcia,Robert Scott Mclean,Kirstin H Shilkitus. Владелец: E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY. Дата публикации: 2011-03-03.

Method for chemical vapor deposition of titanium nitride films at low temperatures

Номер патента: US5378501A. Автор: Robert F. Foster,Joseph T. Hillman. Владелец: Materials Research Corp. Дата публикации: 1995-01-03.

Reaction chamber for processing a substrate wafer, and method for operating the chamber

Номер патента: US20020092840A1. Автор: Alfred Kersch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-07-18.

Device and methods for chemical vapor deposition

Номер патента: US20230257882A1. Автор: Chyi-Tsong Ni,Chih-Tsung Lee,Kuang-Wei Cheng,Yung-Tsun LIU,Sung-Ju Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

System and method for vapor deposition coating of extrusion dies using impedance disks

Номер патента: US11697873B2. Автор: Min Shen,Thomas William Brew,Yuehao LI. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2023-07-11.

System and method for vapor deposition coating of extrusion dies using impedance disks

Номер патента: US20220056579A1. Автор: Min Shen,Thomas William Brew,Yuehao LI. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Apparatus and method for chemical vapor deposition using an axially symmetric gas flow

Номер патента: GB2181460A. Автор: Mcdonald Robinson,Klavs F Jensen,Wayne L Johnson,Wiebe B Deboer,Gary W Read. Владелец: Epsilon LP. Дата публикации: 1987-04-23.

Antimicrobial nanolaminates using vapor deposited methods such as atomic layer deposition

Номер патента: EP4395800A1. Автор: Prerna Goradia,Neil Amit GORADIA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-10.

Low-pressure chemical vapor deposition apparatus and thin-film deposition method thereof

Номер патента: US09478440B2. Автор: XIAO Wu,Xunhui Wang,Qijun Guo,Jianchao Fan. Владелец: University of Utah Research Foundation UURF. Дата публикации: 2016-10-25.

Antimicrobial nanolaminates using vapor deposited methods

Номер патента: US20230072705A1. Автор: Prerna Goradia. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-03-09.

Chemical vapor deposition apparatus and blocker plate

Номер патента: US20200131640A1. Автор: Chao-chun WANG,Keith Kuang-Kuo Koai,Chih-Yu Wu,Huan-Chieh CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Chemical vapor deposition wafer boat

Номер патента: CA1234972A. Автор: Arthur J. Learn,Dale R. DuBois. Владелец: Anicon Inc. Дата публикации: 1988-04-12.

Method of chemical vapor deposition in a continuous treatment line

Номер патента: US5352490A. Автор: Masahiro Abe,Kazuhisa Okada,Shuzo Fukuda. Владелец: NKK Corp. Дата публикации: 1994-10-04.

Vapor deposition apparatus for using solid starting materials

Номер патента: US5334250A. Автор: Koichi Tanaka,Shigeo Nakajima,Masaru Yoshida,Takashi Ogura,Akiyoshi Mikami,Kouji Taniguchi,Hiroaki Nakaya,Takuo Yamashita,Katsushi Okibayashi,Kousuke Terada. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1994-08-02.

A processing chamber for a chemical vapor deposition (CVD) reactor and a thermal process using the chamber.

Номер патента: JP7161996B2. Автор: ナル、パトリス,ボレア、クリストフ. Владелец: コブス エスアエス. Дата публикации: 2022-10-27.

TREATMENT CHAMBER FOR A CHEMICAL VAPOR DEPOSITION REACTOR (CVD) AND METHOD OF THERMALIZATION IMPLEMENTED IN THIS CHAMBER

Номер патента: FR3061914B1. Автор: Christophe Borean,Patrice NAL. Владелец: KOBUS SAS. Дата публикации: 2019-05-31.

TREATMENT CHAMBER FOR A CHEMICAL VAPOR DEPOSITION REACTOR (CVD) AND METHOD OF THERMALIZATION IMPLEMENTED IN THIS CHAMBER

Номер патента: FR3061914A1. Автор: Christophe Borean,Patrice NAL. Владелец: KOBUS SAS. Дата публикации: 2018-07-20.

Particle reactor for atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD) processes

Номер патента: US09896763B2. Автор: Mei Cai,Gayatri V. Dadheech,Prasad Gadgil. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2018-02-20.

Vapor deposition of LiF thin films

Номер патента: US09909211B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Jani Hämäläinen,Miia Mäntymäki. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-03-06.

Vertical chemical vapor deposition apparatus having nozzle for spraying reaction gas toward wafers

Номер патента: US20090159004A1. Автор: Takahiro Yoshioka. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-06-25.

Method and apparatus for the continuous vapor deposition of silicon on substrates

Номер патента: US11862462B2. Автор: Stefan Reber,Kai Schillinger. Владелец: NexWafe GmbH. Дата публикации: 2024-01-02.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US20230105104A1. Автор: Jinsan Moon,Wonbae Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-04-06.

Chemical vapor deposition

Номер патента: US5871586A. Автор: John A. Crawley,Victor J. Saywell. Владелец: Thomas Swan and Co Ltd. Дата публикации: 1999-02-16.

Compact head and compact system for vapor deposition

Номер патента: US12043894B2. Автор: David MUNOZ-ROJAS. Владелец: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS. Дата публикации: 2024-07-23.

Vapour deposition process and device

Номер патента: WO2009141304A1. Автор: Rutger Schlatmann,Jozef Lenssen. Владелец: HELIANTHOS B.V.. Дата публикации: 2009-11-26.

Vapor deposition apparatus

Номер патента: US20230052532A1. Автор: Zhiwu Wang. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

Reaction chamber for processing semiconductor substrates with gas flow control capability

Номер патента: US20230411176A1. Автор: Arun THOTTAPPAYIL,Dongrak Jeong. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-12-21.

Chemical vapor infiltration apparatus and assembly for gas inflow in reaction chamber

Номер патента: AU2023200191A1. Автор: Sheng Ma,Edward M. Willis,Akshay Vinayak Dhamankar. Владелец: Zimmer Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Species controlled chemical vapor deposition

Номер патента: US20170327950A1. Автор: Keith Daniel Humfeld,De'Andre James Cherry. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-11-16.

Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers

Номер патента: US09447498B2. Автор: Eiichiro Shiba. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-09-20.

Chemical vapor deposition method of silicon dioxide film

Номер патента: US5360646A. Автор: Katsumi Morita. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1994-11-01.

Apparatus for dielectric deposition process

Номер патента: US09631273B2. Автор: Ding-I Liu,Si-Wen Liao,Po-Hsiung Leu,Yong-Hung Yang,Lan-Hai Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Synthesis and use of precursors for vapor deposition of tungsten containing thin films

Номер патента: US20190300468A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Miika Mattinen,Timo Hatanpää. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2019-10-03.

Systems and methods for stabilizing reaction chamber pressure

Номер патента: US12098460B2. Автор: Eiichiro Shiba. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for stabilizing reaction chamber pressure

Номер патента: US09663857B2. Автор: Wataru Adachi,Ryu Nakano. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-05-30.

Stacked showerhead assembly for delivering gases and rf power to a reaction chamber

Номер патента: WO1999053116A1. Автор: Joseph T. Hillman. Владелец: Tokyo Electron Arizona, Inc.. Дата публикации: 1999-10-21.

VAPOR DEPOSITION OF LiF THIN FILMS

Номер патента: US20160369397A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Jani Hämäläinen,Miia Mäntymäki. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-12-22.

MITIGATING PYROPHORIC DEPOSITS DURING SiC CVI/CVD PROCESSES BY INTRODUCING A MITIGATION AGENT INTO AN EXHAUST CONDUIT DOWNSTREAM OF A REACTION CHAMBER

Номер патента: US20220112134A1. Автор: Ying She,Zissis A. Dardas,Thomas P. Filburn,Gavin Charles Richards,Naveen Menon. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2022-04-14.

Mitigating pyrophoric deposits during SiC CVI/CVD processes by introducing a mitigation agent into an exhaust conduit downstream of a reaction chamber

Номер патента: US11713281B2. Автор: Ying She,Zissis A. Dardas,Thomas P. Filburn,Gavin Charles Richards,Naveen Menon. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2023-08-01.

Method for tuning a deposition rate during an atomic layer deposition process

Номер патента: US20140248772A1. Автор: Jiang Lu,Mei Chang,Paul Ma,Joseph F. Aubuchon. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-09-04.

Tritertbutyl aluminum reactants for vapor deposition

Номер патента: US10556799B2. Автор: Mohith E. Verghese,Eric J. Shero. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2020-02-11.

Chemical vapor infiltration apparatus and assembly for gas inflow in reaction chamber

Номер патента: AU2023200191B2. Автор: Sheng Ma,Edward M. Willis,Akshay Vinayak Dhamankar. Владелец: Zimmer Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Tritertbutyl aluminum reactants for vapor deposition

Номер патента: US20170096345A1. Автор: Mohith E. Verghese,Eric J. Shero. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-04-06.

Tritertbutyl aluminum reactants for vapor deposition

Номер патента: US20180339907A1. Автор: Mohith E. Verghese,Eric J. Shero. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-11-29.

Chemical vapor infiltration apparatus and assembly for gas inflow in reaction chamber

Номер патента: CA3187109A1. Автор: Sheng Ma,Edward M. Willis,Akshay Vinayak Dhamankar. Владелец: Zimmer Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Chemical vapor infiltration apparatus and assembly for gas inflow in reaction chamber

Номер патента: EP4219789A1. Автор: Sheng Ma,Edward M. Willis,Akshay Vinayak Dhamankar. Владелец: Zimmer Inc. Дата публикации: 2023-08-02.

Transition metal deposition processes and deposition assembly

Номер патента: US20240209504A1. Автор: Jan Willem Maes,Charles DEZELAH,Elina Färm,Patricio Romero,Janne-Petteri Niemelä. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-06-27.

Integration of vapor deposition process into plasma etch reactor

Номер патента: US20230260759A1. Автор: Eric A. Hudson,Ramesh Chandrasekharan,Andrew Clark SERINO,Alan M. Schoepp,Thad NICHOLSON. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Zirconium-containing film forming compositions for vapor deposition of zirconium-containing films

Номер патента: WO2016106090A1. Автор: Christian Dussarrat,Clement Lansalot-Matras,Julien LIEFFRIG,Hana ISHII. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2016-06-30.

Inverted diffusion stagnation point flow reactor for vapor deposition of thin films

Номер патента: CA2016970A1. Автор: Prasad N. Gadgil. Владелец: SIMON FRASER UNIVERSITY. Дата публикации: 1991-11-16.

Methods for forming a boron nitride film by a plasma enhanced atomic layer deposition process

Номер патента: US20230272527A1. Автор: Atsuki Fukazawa. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-08-31.

Processing system and method for chemical vapor deposition

Номер патента: EP1100980A2. Автор: Joseph T. Hillman. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2001-05-23.

Chemical vapor deposition process for depositing a titanium oxide coating

Номер патента: US09938619B2. Автор: Jun Ni,Srikanth Varanasi,Douglas M. Nelson. Владелец: Pilkington Group Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Fluoro-containing thermal chemical vapor deposition process and article

Номер патента: US20180163308A1. Автор: David A. Smith. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

Methods of vapor deposition of metal halides

Номер патента: US20230386759A1. Автор: Roy G. Gordon,Luke M. DAVIS,Eliza Kate SPEAR. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2023-11-30.

Chemical vapor deposition system arrangement

Номер патента: US20160053375A1. Автор: William David Grove,Nicholas Peter Deskevich. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Loading device, arrangement and method for loading a reaction chamber

Номер патента: US20240026536A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-01-25.

Loading device, arrangement and method for loading a reaction chamber

Номер патента: FI20215378A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2022-05-13.

Indium precursors for vapor depositions

Номер патента: US20230357281A1. Автор: Venkateswara R. Pallem,Claudia Fafard,Kayla Diemoz,Bradley McKEOWN. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Loading device, arrangement and method for loading a reaction chamber

Номер патента: WO2022207976A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2022-10-06.

Silicon carbide thin films and vapor deposition methods thereof

Номер патента: US20240271279A1. Автор: Barry C. Arkles,Alain E. Kaloyeros. Владелец: Gelest Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Methods for controlling mass flow rates and pressures in passageways coupled to reaction chambers and systems for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers

Номер патента: US20040226507A1. Автор: Danny Dynka,Craig Carpenter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-18.

Apparatus for providing a gas mixture to a reaction chamber and method of using same

Номер патента: US20240141486A1. Автор: Eric Shero,Jereld Lee Winkler,Todd Robert Dunn,Michael Eugene Givens,Hannu Huotari,Paul Ma. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-05-02.

Silicon carbide thin films and vapor deposition methods thereof

Номер патента: WO2022072258A1. Автор: Barry C. Arkles,Alain E. Kaloyeros. Владелец: Gelest, Inc.. Дата публикации: 2022-04-07.

Chamber for reducing contamination during chemical vapor deposition

Номер патента: US6114227A. Автор: Joseph P. Ellul,Stephen M. Campbell,Chung J. Lee,Giovanni Antonio Foggiato,David Leksell,Ming Xi Chan,Jeanne L. Luce,David T. Ryan,Iqbal A. Shareef. Владелец: Quester Technology Inc. Дата публикации: 2000-09-05.

Method for tuning a deposition rate during an atomic layer deposition process

Номер патента: WO2010132172A2. Автор: Jiang Lu,Mei Chang,Joseph F. Aubuchon,Paul F. Ma. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-11-18.

Gas injection system for reaction chambers in CVD systems

Номер патента: US5819684A. Автор: Mcdonald Robinson,Mark R. Hawkins. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 1998-10-13.

Gas injectors for reaction chambers in CVD systems

Номер патента: US5411590A. Автор: Mcdonald Robinson,Mark R. Hawkins. Владелец: Advanced Semiconductor Materials America Inc. Дата публикации: 1995-05-02.

Vapor deposition of thin films comprising gold

Номер патента: US10145009B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Timo Hatanpää,Maarit Mäkelä. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-12-04.

Cold thermal chemical vapor deposition

Номер патента: US20240117495A1. Автор: David A. Smith,Min YUAN,Jesse BISCHOF,James B. Mattzela,Gary A. Barone,Geoffrey K. WHITE,Nicholas P. DESKEVICH,Pierre A. LECLAIR. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Low temperature deposition process

Номер патента: EP4315400A1. Автор: Han Wang,Bryan C. Hendrix. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-02-07.

Thermal chemical vapor deposition coating

Номер патента: US20180258529A1. Автор: James B. Mattzela,Paul H. Silvis,Gary A. Barone,Thomas F. Vezza,William David Grove. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2018-09-13.

Vapor deposition system and method of operating

Номер патента: WO2008121601A1. Автор: Jacques Faguet. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2008-10-09.

Selective vapor deposition process for additive manufacturing

Номер патента: EP3587618A3. Автор: Aaron T. Nardi,Thomas J. Martin,Sergey Mironets,Alexander Staroselsky. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2020-03-11.

Vapor deposition of chalcogenide-containing films

Номер патента: US09543144B2. Автор: Julien Gatineau,Hana ISHII,Nathanaelle Schneider. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2017-01-10.

Deposition process for molybdenum or tungsten materials

Номер патента: EP4334490A1. Автор: Robert L. Wright. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-03-13.

Deposition process for molybdenum or tungsten materials

Номер патента: US11932935B2. Автор: Robert L. Wright, Jr.. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Semi-Continuous Vapor Deposition Process for the Manufacture of Coated Particles

Номер патента: US20110236575A1. Автор: Paul Lichty,David M. King,Alan W. Weimer. Владелец: PneumatiCoat Technologies LLC. Дата публикации: 2011-09-29.

Chemical vapor deposition system with a plasma chamber having separate process gas and cleaning gas injection ports

Номер патента: USRE38097E1. Автор: Felix Kozakevich,David Trussell,C. Robert Koemtzopoulos. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2003-04-29.

Silicon carbide thin films and vapor deposition methods thereof

Номер патента: EP4222293A1. Автор: Barry C. Arkles,Alain E. Kaloyeros. Владелец: Gelest Inc. Дата публикации: 2023-08-09.

Silicon carbide thin films and vapor deposition methods thereof

Номер патента: US11987882B2. Автор: Barry C. Arkles,Alain E. Kaloyeros. Владелец: Gelest Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Organometallic precursors for deposition of ruthenium metal and/or ruthenium oxide thin films, and deposition process of the thin films

Номер патента: KR20100060482A. Автор: 박정우,김준영,신현국,이경은,류경희. Владелец: 주식회사 유피케미칼. Дата публикации: 2010-06-07.

Silicon-nitride-containing thermal chemical vapor deposition coating

Номер патента: US20170167015A1. Автор: David A. Smith,Min YUAN,James B. Mattzela. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Vapor deposition apparatus, deposition method using the same, and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus

Номер патента: US20140322849A1. Автор: Jae-Hyun Kim,Myung-Soo Huh. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-30.

Vapor deposition apparatus, deposition method using the same, and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus

Номер патента: US9543518B2. Автор: Jae-Hyun Kim,Myung-Soo Huh. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for vapor-phase growth of phase-change thin film, and device for vapor-phase growth of phase-change thin film

Номер патента: US09911916B2. Автор: Takashi Kobayashi,Yoshihisa Fujisaki,Yoshitaka Sasago. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Vapor deposition apparatus, deposition method using the same, and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus

Номер патента: US09543518B2. Автор: Jae-Hyun Kim,Myung-Soo Huh. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Chemical vapor deposition process for producing diamond

Номер патента: US11905594B2. Автор: Neil Fox,Hugo DOMINGUEZ ANDRADE,Thomas B SCOTT,Edward JD MAHONEY,Alexander CROOT. Владелец: University of Bristol. Дата публикации: 2024-02-20.

Method for vapor-phase growth of phase-change thin film, and device for vapor-phase growth of phase-change thin film

Номер патента: US20170125675A1. Автор: Takashi Kobayashi,Yoshihisa Fujisaki,Yoshitaka Sasago. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-05-04.

Apparatus for in situ deposition of multilayer structures via atomic layer deposition and ultra-high vacuum physical or chemical vapor deposition

Номер патента: US09994956B2. Автор: Rongtao Lu,Judy Z. Wu,Allen Hase,Alan Elliot. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2018-06-12.

Thin film vapor deposition method and thin film vapor deposition apparatus

Номер патента: US09506146B2. Автор: Ju-Hwan Park,Byung-Chul Cho,In-Hwan Yi. Владелец: Wonik Ips Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of manufacturing an injector for chemical vapor deposition processing

Номер патента: US5935647A. Автор: Jay B. DeDontney,Nicholas M. Gralenski,Adam Q. Miller. Владелец: WJ Semiconductor Equipment Group Inc. Дата публикации: 1999-08-10.

Chemical vapor deposition film profile uniformity control

Номер патента: US20130149871A1. Автор: Chin-Hsiang Lin,Chia-Ho Chen,Chih-Tsung Lee,You-Hua Chou,Ming-Chin Tsai,Ming-Shiou Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-06-13.

Vapor deposition apparatus, vapor deposition method and method of manufacturing organic light emitting display apparatus

Номер патента: US09481929B2. Автор: In-Kyo Kim,Myung-Soo Huh,Suk-Won Jung,Choel-Min JANG,Sung-Hun KEY. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Vapor deposition apparatus

Номер патента: US20190169747A1. Автор: Jae-Hyun Kim,Sung-Chul Kim,Seung-Yong Song,Myung-Soo Huh,Suk-Won Jung,Jin-Kwang Kim,Choel-Min JANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

Defined dosing atmospheric temperature and pressure vapor deposition system

Номер патента: US09562288B2. Автор: Adam Zax,Russell C. SLAYBAUGH,Michael Stephen METCALFE,Guillermo SETA. Владелец: Diamon Fusion International Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Selective vapor deposition process for additive manufacturing

Номер патента: EP3587618A2. Автор: Aaron T. Nardi,Thomas J. Martin,Sergey Mironets,Alexander Staroselsky. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2020-01-01.

Antimicrobial nanolaminates using vapor deposited methods such as atomic layer deposition

Номер патента: WO2023031951A1. Автор: Prerna Goradia,Neil Amit GORADIA. Владелец: Prerna Goradia. Дата публикации: 2023-03-09.

Methods of depositing aluminum nitride templating layers using thermal pulsed chemical vapor deposition for the enhancement of aluminum nitride thick films and related films

Номер патента: US20240052493A1. Автор: Andrew Kummel,Aaron McLeod,Scott UEDA. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-02-15.

Systems and methods for production of graphene by plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20140255621A1. Автор: Peter V. Bedworth,Steven W. Sinton. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Vapor deposition apparatus

Номер патента: US12065735B2. Автор: Jae-Hyun Kim,Sung-Chul Kim,Seung-Yong Song,Myung-Soo Huh,Suk-Won Jung,Jin-Kwang Kim,Choel-Min JANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Process and aparatus for atmospheric pressure plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2009073292A1. Автор: Robert P. Haley,Mark G.C. Vreys,Christina A. Rhoton,Alphonsus J.P. De Rijcke. Владелец: Dow Global Technologies Inc.. Дата публикации: 2009-06-11.

Gas shower device, chemical vapor deposition device and method

Номер патента: US09945031B2. Автор: Yong Jiang,Zhiyou Du. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Vapor deposition systems and methods

Номер патента: US09556519B2. Автор: Jill Svenja Becker,Douwe Johannes Monsma. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of reducing carbon incorporation into films produced by chemical vapor deposition involving organic precursor compounds

Номер патента: US5576071A. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1996-11-19.

Vapor deposition device, vapor deposition method and organic EL display device

Номер патента: US8658545B2. Автор: Satoshi Inoue,Tohru Sonoda,Shinichi Kawato. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2014-02-25.

Precursor compound for atomic layer deposition(ald), chemical vapor deposition(cvd) and ald/cvd deposition using the same

Номер патента: KR20210093011A. Автор: 박정우,석장현,문기영,염규현,이현경. Владелец: 주식회사 한솔케미칼. Дата публикации: 2021-07-27.

Atmospheric pressure chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US4834020A. Автор: Lawrence D. Bartholomew,Nicholas M. Gralenski,Michael A. Richie,Michael L. Hersh. Владелец: Watkins Johnson Co. Дата публикации: 1989-05-30.

Chemical vapor deposition apparatus and method for forming parylene film

Номер патента: US20110151121A1. Автор: Chun-Hao Chang,Chuan-Sheng Zhuang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2011-06-23.

Apparatus for in situ deposition of multilayer structures via atomic layer deposition and ultra-high vacuum physical or chemical vapor deposition

Номер патента: US20160040288A1. Автор: Rongtao Lu,Judy Z. Wu,Allen Hase,Alan Elliot. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2016-02-11.

Apparatus for low pressure chemical vapor deposition

Номер патента: US5441570A. Автор: Chul-Ju Hwang. Владелец: Jein Technics Co Ltd. Дата публикации: 1995-08-15.

Gas delivering apparatus for chemical vapor deposition

Номер патента: US6123776A. Автор: Kuen-Jian Chen,Horng-Bor Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-09-26.

Chemical vapor deposition

Номер патента: CA1251100A. Автор: Guy Brien,Richard Cloutier,Laszlo Szolgyemy,Edward C.D. Darwall. Владелец: Edward C.D. Darwall. Дата публикации: 1989-03-14.

Gas injection system for chemical vapor deposition using sequenced valves

Номер патента: WO2012082225A1. Автор: William E. Quinn,Eric A. Armour. Владелец: VEECO INSTRUMENTS INC.. Дата публикации: 2012-06-21.

Gas Injection System For Chemical Vapor Deposition Using Sequenced Valves

Номер патента: US20160168710A1. Автор: William E. Quinn,Eric A. Armour. Владелец: Veeco Instruments Inc. Дата публикации: 2016-06-16.

Dispenser system for atomic beam assisted metal organic chemical vapor deposition (MOCVD)

Номер патента: US20080026575A1. Автор: Supratik Guha,Fenton R. McFeely,John J. Yurkas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-01-31.

Technique for high efficiency metalorganic chemical vapor deposition

Номер патента: US20030049932A1. Автор: Sam Yang,Weimin Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-13.

Chemical vapor deposition of silicon nitride using a remote plasma

Номер патента: WO2024102586A1. Автор: Andrew J. McKerrow,Shane Tang,Gopinath Bhimarasetti. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-05-16.

Apparatus of chemical vapor deposition with a showerhead regulating injection velocity of reactive gases positively and method thereof

Номер патента: US09476121B2. Автор: Chul Soo Byun,Man Cheol Han. Владелец: Piezonics Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

High density plasma chemical vapor deposition chamber

Номер патента: US20020112666A1. Автор: Pei-Ren Jeng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-22.

Gas distribution for chemical vapor deposition/infiltration

Номер патента: US20200040447A1. Автор: Ying She,Zissis A. Dardas,Xiaodan Cai,Thomas P. Filburn,Naveen G. Menon. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Gas distribution for chemical vapor deposition/infiltration

Номер патента: US10975467B2. Автор: Ying She,Zissis A. Dardas,Xiaodan Cai,Thomas P. Filburn,Naveen G. Menon. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2021-04-13.

Gas distribution for chemical vapor deposition/infiltration

Номер патента: US20190085446A1. Автор: Ying She,Zissis A. Dardas,Xiaodan Cai,Thomas P. Filburn,Naveen G. Menon. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Auxiliary gasline-heating unit in chemical vapor deposition

Номер патента: US20010042930A1. Автор: Chien-Hsin Lai,Juen-Kuen Lin,Peng-Yih Peng,Fu-Yang Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

Plasma chemical vapor deposition device

Номер патента: US10151033B2. Автор: Yuji Takano,Hiromichi Nakata,Yoji Sato,Takayasu Sato,Kazutaka Tachibana,Osamu Ariyada,Ryo TSURUMOTO. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-12-11.

개시제를 이용한 화학 기상 증착법(iCVD, initiated chemical vapor deposition)을 통해 전자 부품에 고분자 박막을 형성하는 장치 및 그 제조 방법

Номер патента: KR20220168089A. Автор: 김하영,김호연,김용호,김창재,김광순,이다미. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-12-22.

Device and method for coating channels of a sample by means of vapor deposition

Номер патента: US20230074081A1. Автор: Manuel Müller,Robert Zierold,Irene Fernandez-Cuesta. Владелец: UNIVERSITAET HAMBURG. Дата публикации: 2023-03-09.

Plasma chemical vapor deposition device

Номер патента: US20160376707A1. Автор: Yuji Takano,Hiromichi Nakata,Yoji Sato,Takayasu Sato,Kazutaka Tachibana,Osamu Ariyada,Ryo TSURUMOTO. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Shower head unit and chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US09493875B2. Автор: Pyung-Yong Um. Владелец: Eugene Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Chemical vapor deposition manifold

Номер патента: US6024799A. Автор: Karl Anthony Littau,Chen-An Chen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-02-15.

Chemical vapor deposition

Номер патента: US4107352A. Автор: Mohammad Javid Hakim. Владелец: Westinghouse Canada Inc. Дата публикации: 1978-08-15.

Apparatus for chemical vapor deposition (CVD) with showerhead

Номер патента: US8298370B2. Автор: Chul Soo Byun. Владелец: Piezonics Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-30.

Chemical vapor deposition of mullite coatings and powders

Номер патента: AU4963496A. Автор: Rao Mulpuri,Vinod Sarin. Владелец: Boston University. Дата публикации: 1996-07-24.

Vapor deposition method and vapor deposition device

Номер патента: US12100590B2. Автор: Naoyuki Wada,Yu Minamide. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US09410247B2. Автор: Jung Hyun Lee,Jong Hyun Lee,Young Sun Kim,Ki Sung Kim,Suk Ho Yoon,Hyun Seok Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-09.

Temperature controlled reaction chamber

Номер патента: US12125684B2. Автор: Jun Yoshikawa. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-10-22.

Reaction chamber for an epitaxial reactor of semiconductor material with non-uniform longitudinal section and reactor

Номер патента: EP3880863A1. Автор: Maurilio Meschia,Silvio PRETI,Francesco COREA. Владелец: LPE SpA. Дата публикации: 2021-09-22.

Linear batch chemical vapor deposition system

Номер патента: WO2011149678A3. Автор: Piero Sferlazzo. Владелец: Aventa Systems, Llc. Дата публикации: 2012-04-19.

Reaction chamber and reaction device

Номер патента: EP4417731A1. Автор: Xin Xu,Jiaming LIU,Guofang ZHONG,Yunzhang XIAO,Shuaishuai HUANG,Lianghui LIU,Bingan CHEN. Владелец: Shenzhen Naso Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Apparatus for producing diamonds by chemical vapor deposition and articles produced therefrom

Номер патента: US5204145A. Автор: Steven M. Gasworth. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1993-04-20.

Fixtures and methods for positioning process kit components within reaction chambers

Номер патента: US20220243324A1. Автор: Kihyun Kim. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2022-08-04.

Reaction chamber with covering system and epitaxial reactor

Номер патента: US20240271319A1. Автор: Srinivas Yarlagadda,Silvio PRETI,Francesco COREA,Stefano POLLI. Владелец: LPE SpA. Дата публикации: 2024-08-15.

Reaction chamber, atomic layer deposition apparatus and method

Номер патента: FI20225272A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Olli-Pekka Suhonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-10-01.

Reaction chamber, atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: WO2023187257A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Olli-Pekka Suhonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-10-05.

Electrode structure for use in a reaction chamber

Номер патента: WO2013024313A1. Автор: Zsolt Vadadi,Tamas Strausz. Владелец: ECOSOLIFER AG. Дата публикации: 2013-02-21.

Vapor deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus

Номер патента: US20150191822A1. Автор: Sang-Joon SEO,Jae-eung Oh. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

Showerhead apparatus for a linear batch chemical vapor deposition system

Номер патента: US09869021B2. Автор: Piero Sferlazzo,Robert P. Couilliard,Darren M. Simonelli,Dennis R. Stucky,Paul Thomas Fabiano,Matthew C. Farrell. Владелец: AVENTA TECHNOLOGIES Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Pulsed plasma enhanced chemical vapor deposition process, system, and coated vessels

Номер патента: US20230340670A1. Автор: Robert Abrams,Matthew Wills,Ahmad Taha. Владелец: SIO2 Medical Products Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Pulsed plasma enhanced chemical vapor deposition process and system

Номер патента: WO2022036147A3. Автор: Robert Abrams,Matthew Wills,Ahmad Taha. Владелец: SiO2 Medical Products, Inc.. Дата публикации: 2022-04-14.

Pulsed plasma enhanced chemical vapor deposition process and system

Номер патента: WO2022036147A4. Автор: Robert Abrams,Matthew Wills,Ahmad Taha. Владелец: SiO2 Medical Products, Inc.. Дата публикации: 2022-06-23.

Vapor deposition apparatus, vapor deposition method, and method for producing organic electroluminescent element

Номер патента: US09614155B2. Автор: Satoshi Inoue,Takashi Ochi,Masahiro Ichihara,Eiichi Matsumoto,Katsuhiro Kikuchi,Yuhki Kobayashi,Yoshiyuki Isomura,Shinichi Kawato. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Microwave plasma chemical vapor deposition apparatus comprising an inclined rotating substrate holder

Номер патента: US5234502A. Автор: Osamu Mochizuki,Toshiharu Hoshi,Hiroaki Itoh. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 1993-08-10.

Vapor deposition device capable of reciprocating rotation and lifting

Номер патента: US20240327987A1. Автор: Wenjun Xie,Weicong SONG. Владелец: Betone Technology Shanghai Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

A vapor deposition apparatus

Номер патента: US20170037508A1. Автор: Peng Zhang,Lifei Ma. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-09.

Metal organic chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US20240175135A1. Автор: Sung-Chul Choi,Kwang-Il Cho. Владелец: Tes Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Method of producing near-net shape free standing articles by chemical vapor deposition

Номер патента: US20010048171A1. Автор: Jitendra Goela,Michael Pickering,Zlatko Salihbegovic,Mitch Boudreaux. Владелец: Shipley Co LLC. Дата публикации: 2001-12-06.

Chemical vapor deposition device capable of reciprocating rotation and lifting

Номер патента: US20240327986A1. Автор: Xueqin Pan,Xiaoliang Jin,Weicong SONG. Владелец: Betone Technology Shanghai Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus and method of manufacturing display apparatus using the same

Номер патента: US09663855B2. Автор: Jung-Sik Lee,Seok-won JUNG,Myung-Su Heo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Method to prevent backside growth on substrates in a vapor deposition system

Номер патента: CA2023278C. Автор: Jitendra S. Goela,Raymond L. Taylor,Roy D. Jaworski. Владелец: CVD Inc. Дата публикации: 1993-08-31.

Plasma vapor deposition system and method for making multi-junction silicon thin film solar cell modules and panels

Номер патента: WO2010008439A1. Автор: Mohd Aslami. Владелец: Mohd Aslami. Дата публикации: 2010-01-21.

Plasma vapor deposition system and method for making multi-junction silicon thin film solar cell modules and panels

Номер патента: EP2318561A1. Автор: Mohd Aslami. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-11.

Method of forming a film on a substrate by chemical vapor deposition

Номер патента: US11885022B2. Автор: Waichi Yamamura,Chikara MORI. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Metal organic chemical vapor deposition method and apparatus

Номер патента: US20130095658A1. Автор: Chien-Chih Chen,Ching-Chiun Wang,Chih-Yung Huang,Szu-Hao Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2013-04-18.

Plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus and method for controlling the same

Номер патента: EP2689048A2. Автор: Kwangho Lee,Jinhyouk Shin,Jangwoo Lee,Junggeun Oh,Jeonggyu Kim,Moonkap Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2014-01-29.

Wafer carrier and metal organic chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US20220064791A1. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu,Shen-Jie Wang,Chien-Chih Yen. Владелец: PlayNitride Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Novel coating method of complex 3d structures using low pressure chemical vapor deposition

Номер патента: US20240102167A1. Автор: William C. West,Matthew R. Dickie,Harold Frank GREER,Billy Chun-Yip Li,Su C. Chi. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2024-03-28.

Multifunctional wafer pretreatment chamber and chemical vapor deposition device

Номер патента: US20240337011A1. Автор: Yongjun Feng,Dongping Zhou,Weicong SONG. Владелец: Betone Technology Shanghai Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Method for testing susceptor of chemical vapor deposition apparatus and method for manufacturing organic light emitting display apparatus by using the same

Номер патента: US09508613B2. Автор: Jin-Woo Yang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Chemical vapor deposition reactor

Номер патента: US8778079B2. Автор: Michael J. Begarney,Frank J. Campanale. Владелец: Valence Process Equipment Inc. Дата публикации: 2014-07-15.

Chemical vapor deposition method for the thin film of semiconductor

Номер патента: CA1268688A. Автор: Seiji Kojima,Hiroshi Kikuchi,Masakiyo Ikeda,Yuzo Kashiwayanagi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1990-05-08.

Chemical vapor deposition method for the thin film of semiconductor

Номер патента: US4705700A. Автор: Seiji Kojima,Hiroshi Kikuchi,Masakiyo Ikeda,Yuzo Kashiwayanagi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1987-11-10.

Low pressure chemical vapor deposition apparatus including a process gas heating subsystem

Номер патента: US5782980A. Автор: Michael B. Allen,Dennis C. Swartz,Patrick B. Lee. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1998-07-21.

Method of operating filament assisted chemical vapor deposition system

Номер патента: WO2012112334A2. Автор: Jacques Faguet,Eric M. Lee. Владелец: Tokyo Electron America, Inc.. Дата публикации: 2012-08-23.

Burner for a vapour deposition process

Номер патента: EP1448486A1. Автор: Antonio Mileo,Andrea Demergazzi,Sergio Pellegrini. Владелец: Pirelli and C SpA. Дата публикации: 2004-08-25.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US5803974A. Автор: Tadahiro Ohmi,Nobumasa Suzuki,Nobuo Mikoshiba,Kazuo Tsubouchi,Kazuya Masu. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1998-09-08.

Apparatus and method for vaporizing solid precursor for CVD or atomic layer deposition

Номер патента: US20040170403A1. Автор: Lawrence Lei. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-09-02.

Vapor deposition processes

Номер патента: US12065739B2. Автор: Mikko Ritala,Timo Hatanpää,Anton Vihervaara. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-08-20.

Vapor Deposition Processes

Номер патента: US20240368763A1. Автор: Mikko Ritala,Timo Hatanpää,Anton Vihervaara. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for direct formation of origami 3d graphene on copper foil using chemical vapor deposition

Номер патента: US20240052481A1. Автор: Haijun LIU,Thuc Hue LY,Quoc Huy THI. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2024-02-15.

A method for operating a chemical vapor deposition process

Номер патента: SE2250842A1. Автор: Henrik Pedersen,Jens Birch,Choolakkal Arun Haridas. Владелец: CANATU OY. Дата публикации: 2024-01-05.

A method for operating a chemical vapor deposition process

Номер патента: WO2024008472A2. Автор: Henrik Pedersen,Jens Birch,Arun HARIDAS CHOOLAKKAL. Владелец: CANATU OY. Дата публикации: 2024-01-11.

A method for operating a chemical vapor deposition process

Номер патента: WO2024008472A3. Автор: Henrik Pedersen,Jens Birch,Arun HARIDAS CHOOLAKKAL. Владелец: CANATU OY. Дата публикации: 2024-02-29.

Photochemical vapor deposition apparatus and method

Номер патента: CA1181719A. Автор: John W. Peters,Frank L. Gebhart. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1985-01-29.

Chemical vapor deposition process

Номер патента: US4547404A. Автор: Bryant A. Campbell,Nicholas E. Miller. Владелец: Anicon Inc. Дата публикации: 1985-10-15.

Method for chemical infiltration or vapor deposition

Номер патента: RU2738718C2. Автор: Стефан ГУЖАР,Адриен ДЕЛЬКАМ,Седрик ДЕСКАМ. Владелец: Сафран Серамикс. Дата публикации: 2020-12-15.

Particulate reduction baffle with wafer catcher for chemical-vapor-deposition apparatus

Номер патента: US5322567A. Автор: Norma Riley,Paul L. Deaton,James V. Rinnovatore. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1994-06-21.

Reaction chamber comprising a rotating element for the deposition of a semiconductor material

Номер патента: US20210388492A1. Автор: Danilo Crippa,Maurilio Meschia,Francesco COREA,Yuichiro TOKUDA. Владелец: LPE SpA. Дата публикации: 2021-12-16.

Apparatus and method for photochemical vapor deposition

Номер патента: CA1297831C. Автор: Scott C. Jackson,Richard E. Rocheleau. Владелец: University of Delaware. Дата публикации: 1992-03-24.

A vapor deposition apparatus

Номер патента: EP1531189A1. Автор: Dennis R. Christensen. Владелец: Specialty Coating Systems Inc. Дата публикации: 2005-05-18.

Titanium-containing film forming compositions for vapor deposition of titanium-containing films

Номер патента: US09790591B2. Автор: Julien Gatineau,Clement Lansalot-Matras,Julien LIEFFRIG,Hana ISHII,Changhee Ko. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2017-10-17.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US6110283A. Автор: Takaaki Kawahara,Mikio Yamamuka,Tsuyoshi Horikawa,Masayoshi Tarutani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-08-29.

Reaction chamber and semiconductor equipment

Номер патента: US20240368803A1. Автор: Xue Dong,Xiaojun Li,Xiaoqin Sun,Jingjing Liu,Boyu Dong,Keke Xu,Leilei Wang,Shikai Li,Donghua ZHAO,Fushun YUAN,Guangzheng LIU,Zhaohui Gong,Wanyong JIA,Lifei XU,Tieran WANG. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method and apparatus for cleaning a reaction chamber

Номер патента: FI131079B1. Автор: Tom Blomberg,Vaino Kilpi,Veli-Matti Rissa. Владелец: Picosun Oy. Дата публикации: 2024-09-09.

Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber

Номер патента: US09790595B2. Автор: Sung-hoon Jung,Petri Raisanen,Eric Jen Cheng Liu,Mike Schmotzer. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-10-17.

Chemical vapor deposition process and coated article

Номер патента: US09915001B2. Автор: David A. Smith,Min YUAN,James B. Mattzela,Paul H. Silvis. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

CVD reaction chamber

Номер патента: US4596208A. Автор: Robert G. Wolfson,Stanley M. Vernon. Владелец: Spire Corp. Дата публикации: 1986-06-24.

Method for vacuum vapor deposition with improved mass flow control

Номер патента: US4717596A. Автор: William J. Patrick,Steven G. Barbee,Gerard Seeley,Gregory P. Devine. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1988-01-05.

Reaction chamber and semiconductor processing apparatus

Номер патента: EP4375395A1. Автор: Xue Dong,Xiaojun Li,Xiaoqin Sun,Jingjing Liu,Boyu Dong,Keke Xu,Leilei Wang,Shikai Li,Donghua ZHAO,Fushun YUAN,Guangzheng LIU,Zhaohui Gong,Wanyong JIA,Lifei XU,Tieran WANG. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-29.

Method of eliminating undesirable carbon product deposited on the inside of a reaction chamber

Номер патента: US4816113A. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1989-03-28.

Apparatus for cleaning exhaust part and vacuum pump of reaction chamber for semiconductor device and LCD manufacturing equipment

Номер патента: US20070286766A1. Автор: Byoung-Chun Choi. Владелец: Teratech Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-13.

Abatement of effluent from chemical vapor deposition processes using ligand exchange resistant metal-organic precursor solutions

Номер патента: EP1230420A1. Автор: Jose Arno,Mark Holst,Ray Dubois,Rebecca Faller. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2002-08-14.

Coating particles in a fluidized bed by vapor deposition

Номер патента: EP1298182A3. Автор: Christoforos Kazazis,Daniel Carril,Keith-A Klinedinst. Владелец: Osram Sylvania Inc. Дата публикации: 2006-02-08.

Method of coating particles by vapor deposition

Номер патента: US20030059530A1. Автор: Christoforos Kazazis,Daniel Carril,Keith Klinedinst. Владелец: Osram Sylvania Inc. Дата публикации: 2003-03-27.

Vapor deposition process for the manufacture of coated particles

Номер патента: US09546424B2. Автор: David M. King,Alan W. Weimer,Paul R. LICHTY. Владелец: PneumatiCoat Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-17.

Apparatus and method for improved delivery of vaporized reactant gases to a reaction chamber

Номер патента: US5451258A. Автор: Joseph T. Hillman,W. Chuck Ramsey. Владелец: Materials Research Corp. Дата публикации: 1995-09-19.

Chemical vapor deposition process and coated article

Номер патента: US20160060763A1. Автор: David A. Smith,Min YUAN,James B. Mattzela,Paul H. Silvis. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

Reaction chamber with covering system and epitaxial reactor

Номер патента: EP4352284A1. Автор: Srinivas Yarlagadda,Silvio PRETI,Francesco COREA,Stefano POLLI. Владелец: LPE SpA. Дата публикации: 2024-04-17.

Continuous-feed chemical vapor deposition system

Номер патента: US20230002906A1. Автор: Yaakov Gridish,Elad Mentovich,Yaniv Rotem,Doron NAVEH,Chen STERN,Yosi BEN-NAIM,Ariel Ismach,Tal KAUFMAN,Eran BAR-RABI. Владелец: Simtal Nano Coatings Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Continuous chemical vapor deposition reactor

Номер патента: CA1068582A. Автор: Roger N. Anderson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1979-12-25.

Process and apparatus for supplying zinc vapor continuously to a chemical vapor deposition process from a continuous supply of solid zinc

Номер патента: US5383969A. Автор: Michael A. Pickering,Jeffery L. Kirsch,James C. Macdonald,Alexander Teverovsky. Владелец: CVD Inc. Дата публикации: 1995-01-24.

Apparatus and method for chemical vapor deposition control

Номер патента: EP2580368A1. Автор: Eric J. Strang,Jacques Faguet,Eric M. Lee. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-04-17.

Method of automatically cleaning a vacuum vapor deposition tank

Номер патента: US5492569A. Автор: Junji Nakada. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 1996-02-20.

Prevention of low pressure chemical vapor deposition silicon dioxide undercutting and flaking

Номер патента: CA1166129A. Автор: Bernard M. Kemlage. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-04-24.

Vacuum deposition process and apparatus for producing films having high uniformity

Номер патента: US5063086A. Автор: Douglas B. Meakin. Владелец: General Electric Co PLC. Дата публикации: 1991-11-05.

Abatement of effluent from chemical vapor deposition processes using ligand exchange resistant metal-organic precursor solutions

Номер патента: WO2001029281A9. Автор: Jose Arno,Mark Holst,Ray Dubois,Rebecca Faller. Владелец: Advanced Tech Materials. Дата публикации: 2001-09-27.

Reagents to remove oxygen from metal oxyhalide precursors in thin film deposition processes

Номер патента: US11821080B2. Автор: Feng Li,Jean-Marc Girard,Nicolas Blasco,Yumin Liu,Venkateswara R. Pallem,Zhengning Gao,Rocio Alejandra Arteaga Muller. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2023-11-21.

Vapor deposition device, vapor deposition method, and organic electroluminescence element manufacturing method

Номер патента: US09893283B2. Автор: Satoshi Inoue,Takashi Ochi,Masahiro Ichihara,Eiichi Matsumoto,Katsuhiro Kikuchi,Yuhki Kobayashi,Shinichi Kawato,Kazuki Matsunaga. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Apparatus and method for vapor generation and film deposition

Номер патента: US09797593B2. Автор: Benjamin Y. H. Liu,Yamin Ma,Thuc M. Dinh. Владелец: MSP Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Reagents to remove oxygen from metal oxyhalide precursors in thin film deposition processes

Номер патента: EP4301896A1. Автор: Feng Li,Jean-Marc Girard,Nicolas Blasco,Yumin Liu,Rocia Alejandra ARTEAGA MULLER,Vankateswara R. PALLEM,Zhengning Gao. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-01-10.

Vaporizer, center rod used therein, and method for vaporizing material carried by carrier gas

Номер патента: US09885113B2. Автор: Masaru Umeda,Masayuki Toda. Владелец: Watanabe Shoko KK. Дата публикации: 2018-02-06.

Shell connection device and chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: LU505605B1. Автор: Haibo Huo. Владелец: Univ Zhengzhou Aeronautics. Дата публикации: 2024-05-24.

Triangular deposition chamber for a vapor deposition system

Номер патента: CA2120092C. Автор: Jitendra S. Goela,Lee E. Burns,James C. Macdonald,Alexander Teverovsky. Владелец: CVD Inc. Дата публикации: 1997-05-20.

Vapor deposition device and vapor deposition method

Номер патента: US20190233930A1. Автор: Jian Xu,Yaoyang Liu. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Systems and methods for vaporization and vapor distribution

Номер патента: EP3824112A1. Автор: Rick POWELL,Nirav Vora,Aaron Roggelin,John BARDEN. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2021-05-26.

Process for the deposition of thin layers by chemical vapor deposition

Номер патента: US20020127338A1. Автор: Annette Saenger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-09-12.

Laser-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20230203660A1. Автор: Rodney S. Harris,Stephen G. Topping. Владелец: River Electro Optics LLC. Дата публикации: 2023-06-29.

Metal-organic (MO) chemical vapor deposition method and MO chemical vapor deposition reactor

Номер патента: US6180541B1. Автор: Jae-Hyun Joo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-01-30.

Method of determining a time to clean a low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) system

Номер патента: US6099902A. Автор: Tang Yu,Eddie Chen,Jumn-Min Fam. Владелец: United Silicon Inc. Дата публикации: 2000-08-08.

Apparatus and method for vapor generation and film deposition

Номер патента: US20180044789A1. Автор: Yamin Ma,Benjamin Y.H. Liu,Thuc M. Dinh. Владелец: MSP Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Production method of epitaxial silicon wafer and vapor deposition apparatus

Номер патента: US20160083836A1. Автор: Hitoshi Takamiya,Kan Yoshitake,Motoki GOTO,Yusuke Kurozumi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2016-03-24.

Initiated chemical vapor deposition and structuration of polyoxymethylene

Номер патента: US20220372201A1. Автор: Kenneth K.S. Lau,Zhengtao CHEN. Владелец: DREXEL UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-11-24.

System and Method for Sealing a Vapor Deposition Source

Номер патента: US20110255950A1. Автор: Joseph D. LoBue,Robert A. Enzenroth,Lawrence J. Knipp. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-20.

Initiated chemical vapor deposition and structuration of polyoxymethylene

Номер патента: WO2021163025A1. Автор: Kenneth K.S. Lau,Zhengtao CHEN. Владелец: Drexel Uniiversity. Дата публикации: 2021-08-19.

Chemical vapor deposition of thick inorganic coating on a polarizer

Номер патента: US11746418B2. Автор: Brian Johnson,Matthew R. Linford,Anubhav Diwan. Владелец: Moxtek Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Production method of epitaxial silicon wafer and vapor deposition apparatus

Номер патента: US09670581B2. Автор: Hitoshi Takamiya,Kan Yoshitake,Motoki GOTO,Yusuke Kurozumi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Method for preventing vacuum pump pipeline from blockage, and chemical vapor deposition machine

Номер патента: US20200208262A1. Автор: Jianfeng SHAN. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

Chemical vapor deposition apparatus for forming thin film

Номер патента: US5209182A. Автор: Tomohiro Ohta,Eiichi Kondoh,Kenichi Otsuka,Tohru Mitomo,Hiroshi Sekihashi. Владелец: Kawasaki Steel Corp. Дата публикации: 1993-05-11.

Vapor-deposited foamed body

Номер патента: CA2861849C. Автор: Takeshi Aihara,Kentarou Ichikawa,Nobuhisa Koiso. Владелец: Toyo Seikan Group Holdings Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Vapor deposition apparatus

Номер патента: US5264039A. Автор: Raymond W. Gobush,Bryan J. Lovejoy. Владелец: Union Carbide Chemicals and Plastics Technology LLC. Дата публикации: 1993-11-23.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US4539933A. Автор: Dale R. DuBois,Bryant A. Campbell,Nicholas E. Miller,Ralph F. Manriquez. Владелец: Anicon Inc. Дата публикации: 1985-09-10.

Method for improving film uniformity in plasma enhanced chemical vapor deposition system

Номер патента: US20050025906A1. Автор: Hui-Chu Lin,Wen-Cheng Lu. Владелец: Toppoly Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2005-02-03.

Novel group IV metal precursors and a method of chemical vapor deposition using the same

Номер патента: US20020058843A1. Автор: Dae Kim,Young Cho,Wan Lee,Ik Lee,Yo Min,Sun Lim,Bo Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-16.

Chemical vapor deposition system and method

Номер патента: EP1204782A1. Автор: Robert J. Bailey,Thomas E. Kane,Lisa H. Michael. Владелец: Silicon Valley Group Thermal Systems LLC. Дата публикации: 2002-05-15.

Aerosol-assisted chemical vapor deposition of nickel sulfide nanowires for electrochemical water oxidation

Номер патента: US20230407497A1. Автор: Muhammad Ali Ehsan,Abbas Saeed Hakeem. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2023-12-21.

Vapor deposition mask, frame-equipped vapor deposition mask, vapor deposition mask preparation body, vapor deposition pattern forming method, method for producing organic semiconductor element, and method for producing organic el display

Номер патента: US20190211437A1. Автор: Katsunari Obata,Kumiko Hokari,Yasuko Sone. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2019-07-11.

Vapor deposition mask, frame-equipped vapor deposition mask, vapor deposition mask preparation body, vapor deposition pattern forming method, method for producing organic semiconductor element, and method for producing organic el display

Номер патента: US20210222283A1. Автор: Katsunari Obata,Kumiko Hokari,Yasuko Sone. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2021-07-22.

Method of chemical vapor deposition of metal films

Номер патента: EP1021589A1. Автор: Chantal Arena,Joseph T. Hillman,Emmanuel Guidotti,Ronald T. Bertram. Владелец: Tokyo Electron Arizona Inc. Дата публикации: 2000-07-26.

Chemical vapor deposition system and method

Номер патента: WO2006116776A3. Автор: Eunsung Park,Kevin Casey,Catherine E Talor. Владелец: Catherine E Talor. Дата публикации: 2007-05-03.

Chemical vapor deposition raw material containing organic nickel compound, and chemical vapor deposition method using the chemical vapor deposition raw material

Номер патента: US20160115587A1. Автор: Masayuki Saito,Satoshi Miyazaki,Ryosuke Harada,Kazuharu Suzuki,Shunichi Nabeya. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2016-04-28.

Low pressure chemical vapor deposition of silicon dioxide with oxygen enhancement of the chlorosilane- nitrous oxide reaction

Номер патента: CA1166128A. Автор: Bernard M. Kemlage. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-04-24.

Photochemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US4516527A. Автор: Shinji Sugioka. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 1985-05-14.

Method of cooling induction-heated vapor deposition apparatus and cooling apparatus therefor

Номер патента: US4293755A. Автор: Dennis Garbis,Lawrence Hill,Robert Heller. Владелец: General Instrument Corp. Дата публикации: 1981-10-06.

Methods and systems for stabilizing filaments in a chemical vapor deposition reactor

Номер патента: WO2014100401A1. Автор: Jeffrey C. Gum,Wenjun Qin,Chad Fero,Aaron D. RHODES. Владелец: GTAT CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-26.

Chemical vapor deposition tool and operating method thereof

Номер патента: US20170032940A1. Автор: Chien-Ta Lee,Pen-Li HUNG,Yu-Shan SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-02.

Methods and systems for stabilizing filaments in a chemical vapor deposition reactor

Номер патента: MY174019A. Автор: Wenjun Qin,Aaron D Rhodes,Chad Fero,Jeffrey C Gum. Владелец: OCI Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-04.

Methods and Systems for Stabilizing Filaments in a Chemical Vapor Deposition Reactor

Номер патента: US20140170337A1. Автор: Jeffrey C. Gum,Wenjun Qin,Chad Fero,Aaron Dean Rhodes. Владелец: GTAT Corp. Дата публикации: 2014-06-19.

Method for preparing multi-wall carbon nanotubes using chemical vapor deposition with an atomization system

Номер патента: US9878912B2. Автор: Muataz Ali Atieh,Fahad Ali RABBANI,Zuhair Omar MALAIBARI. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2018-01-30.

Compounds for forming alumina films using chemical vapor deposition method and process for preparing the compound

Номер патента: US20030010256A1. Автор: Hyun-koock Shin. Владелец: Shipley Co LLC. Дата публикации: 2003-01-16.

Solid source and method for the synthesis of silicon-containing precursors for chemical vapor deposition

Номер патента: US09944532B2. Автор: Mihai Scarlete,Cetin Aktik. Владелец: SOCPRA Sciences et Genie SEC. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for preparing multi-wall carbon nanotubes using chemical vapor deposition with an atomization system

Номер патента: US09878912B2. Автор: Muataz Ali Atieh,Fahad Ali RABBANI,Zuhair Omar MALAIBARI. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2018-01-30.

Methods and systems for stabilizing filaments in a chemical vapor deposition reactor

Номер патента: US09701541B2. Автор: Jeffrey C. Gum,Wenjun Qin,Chad Fero,Aaron Dean Rhodes. Владелец: OCI Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Chemical vapor deposition using N,O polydentate ligand complexes of metals

Номер патента: US09528182B2. Автор: Gary S. Silverman,Roman Y. Korotkov,Martin E. Bluhm. Владелец: Arkema Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Method and apparatus for the combustion chemical vapor deposition of films and coatings

Номер патента: CA2158568C. Автор: Andrew T. Hunt,Joe K. Cochran,William Brent Carter. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2001-12-04.

Chemical vapor deposition method of growing oxide films with giant magnetoresistance

Номер патента: US5487356A. Автор: Jiming Zhang,Yi-Oun Li. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 1996-01-30.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: CA1216419A. Автор: Dale R. DuBois,Bryant A. Campbell,Nicholas E. Miller,Ralph F. Manriquez. Владелец: Anicon Inc. Дата публикации: 1987-01-13.

Method and chamber for backside physical vapor deposition

Номер патента: US20230335393A1. Автор: Yong Cao,Kevin Vincent Moraes,Shane Lavan,Jothilingam RAMALINGAM,Chunming Zhou. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Variable-temperature vapor deposition process

Номер патента: US20240209498A1. Автор: Paul Connolly Quayle. Владелец: Great Lakes Crystal Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Variable-temperature vapor deposition process

Номер патента: WO2024138229A1. Автор: . Владелец: Great Lakes Crystal Technologies, Inc.. Дата публикации: 2024-06-27.

High speed chemical vapor deposition process utilizing a reactor having a fiber coating liquid seal and a gas sea;

Номер патента: US4863760A. Автор: Christopher A. Schantz,Ronald Hiskes. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1989-09-05.

Substrate processing apparatus, material layer deposition apparatus, and atmospheric pressure chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US11784026B2. Автор: YoonJung Lee,Woongsik Kim,Nongmoon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-10.

Method of hot-filament chemical vapor deposition of diamond

Номер патента: WO2000047795A1. Автор: Yonhua Tzeng. Владелец: Auburn University Industrial Programs & Tech Transfer. Дата публикации: 2000-08-17.

Mask for vapor deposition apparatus, vapor deposition apparatus, vapor deposition method, and method for producing organic electroluminescence element

Номер патента: US09845530B2. Автор: Satoshi Inoue,Takashi Ochi,Masahiro Ichihara,Eiichi Matsumoto,Katsuhiro Kikuchi,Yuhki Kobayashi,Shinichi Kawato,Kazuki Matsunaga. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Chemical vapor deposition process for depositing titanium nitride films from an organo-metallic compound

Номер патента: US20020051847A1. Автор: Salman Akram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-02.

Reaction chamber and semiconductor processing apparatus

Номер патента: US11715632B2. Автор: Xingcun LI. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Method to reduce plasma charge damage from high density plasma chemical vapor deposition (hdp-cvd) process

Номер патента: US20080146039A1. Автор: Daewon Yang,Jeffery B. Maxson,Ann N. McDonald. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-06-19.

Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes

Номер патента: US12040177B2. Автор: Yoshio SUSA. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-07-16.

Chemical vapor deposition process for depositing titanium nitride films from an organo-metallic compound

Номер патента: US20030165619A1. Автор: Salman Akram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-04.

Methods for forming a topographically selective silicon oxide film by a cyclical plasma-enhanced deposition process

Номер патента: US20230143580A1. Автор: Atsuki Fukazawa,Aurélie Kuroda. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-05-11.

Fixed abrasive planarization pad conditioner incorporating chemical vapor deposited polycrystalline diamond and method for making same

Номер патента: US6632127B1. Автор: Jerry W. Zimmer,Todd W. Buley,Albert B. Stubbmann. Владелец: Albert B. Stubbmann. Дата публикации: 2003-10-14.

Reductive elimination chemical vapor deposition processes utilizing organometallic precursor compounds in semiconductor wafer processing

Номер патента: US5384289A. Автор: Donald L. Westmoreland. Владелец: Micron Semiconductor Inc. Дата публикации: 1995-01-24.

Chemical vapor deposition method

Номер патента: US3565676A. Автор: Robert A Holzl. Владелец: Fansteel Inc. Дата публикации: 1971-02-23.

Apparatus for the simultaneous deposition by physical vapor deposition and chemical vapor deposition and method therefor

Номер патента: US6186090B1. Автор: Joachim Doehler,Herbert C. Ovshinsky,II Buddy R. Dotter,Timothy Ellison,Masatsugo Izu. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 2001-02-13.

Method of producing tungsten rhenium alloys by chemical vapor deposition

Номер патента: US3637374A. Автор: Frederick A Glaski,Robert A Holzi,James R Humphrey. Владелец: Fansteel Inc. Дата публикации: 1972-01-25.

Organometallic antimony compounds useful in chemical vapor deposition processes

Номер патента: US4960916A. Автор: John C. Pazik. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1990-10-02.

Method of forming a layer of material using an atomic layer deposition process

Номер патента: WO2007146537B1. Автор: Neal Rueger,John Smythe. Владелец: John Smythe. Дата публикации: 2008-12-18.

Method of forming a layer of material using an atomic layer deposition process

Номер патента: EP2027304A2. Автор: Neal Rueger,John Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-02-25.

Organometallic Precursors and Related Intermediates for Deposition Processes, Their Production and Methods of Use

Номер патента: US20110198756A1. Автор: Min Li,Mikko Ritala,David Nalewajek,Markku Leskelä,Jingyu Lao,Chien-Wei Li,Martin Cheney,Kaupo Kukli,ü Thenappan,Eric Eisenbraun,Nathaniel Berliner,Linda Cheney. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2011-08-18.

Method for depositing amorphous silicon thin film by chemical vapor deposition

Номер патента: WO2010032978A2. Автор: Chang Auck Choi,Byoung Gon Yu,Woo Seok Yang,Sang Hoon Cheon,Seong Mok Cho,Ho Jun Ryu. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2010-03-25.

Single-unit reactor design for combined oxidative, initiated, and plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US09957618B2. Автор: Karen K. Gleason,Miles C. Barr,Dhiman Bhattacharyya. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2018-05-01.

Vapor deposition apparatus, method of forming thin film using the same and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus

Номер патента: US9390841B2. Автор: Jae-Hyun Kim,Sung-Chul Kim,Seung-Yong Song,Myung-Soo Huh,Suk-Won Jung,Jin-Kwang Kim,Choel-Min JANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-12.

Platinum source compositions for chemical vapor deposition of platinum

Номер патента: US5783716A. Автор: Thomas H. Baum,Peter S. Kirlin,Sofia Pombrik. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 1998-07-21.

Chromium -free passivation process of vapor deposited aluminum surfaces

Номер патента: EP2539488A1. Автор: John R. Kochilla,Jacob Grant Wiles. Владелец: Atotech Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2013-01-02.

Directing plasma distribution in plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US09543125B2. Автор: Hsiang-Wei Lin,Chia-Ho Chen,Bo-Hung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Systems and methods for depositing materials on either side of a freestanding film using laser-assisted chemical vapor deposition (LA-CVD), and structures formed using same

Номер патента: US09583354B2. Автор: David P. Taylor,Margaret H. Abraham. Владелец: Aerospace Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Growth of silicon and boron nitride nanomaterials on carbon fibers by chemical vapor deposition

Номер патента: US09676627B2. Автор: Lingchuan Li. Владелец: University of Dayton. Дата публикации: 2017-06-13.

Vapor deposition of arsenic

Номер патента: US4814203A. Автор: Robert N. DePriest. Владелец: Ethyl Corp. Дата публикации: 1989-03-21.

Method for depositing amorphous silicon thin film by chemical vapor deposition

Номер патента: WO2010032978A3. Автор: Chang Auck Choi,Byoung Gon Yu,Woo Seok Yang,Sang Hoon Cheon,Seong Mok Cho,Ho Jun Ryu. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2013-01-03.

Methods and apparatus for microwave plasma assisted chemical vapor deposition reactors

Номер патента: US11702749B2. Автор: Jing Lu,Jes Asmussen,Yajun Gu,Shreya Nad. Владелец: Michigan State University MSU. Дата публикации: 2023-07-18.

Graphene vapor deposition system and process

Номер патента: US20230416908A1. Автор: Richard Tracy McDaniel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-12-28.

Apparatus for gas injection in a physical vapor deposition chamber

Номер патента: US20140261177A1. Автор: Alan A. Ritchie,Keith A. Miller,Muhammad Rasheed,Kirankumar Savandaiah,Isaac Porras. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Device, system and method for plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20230349046A1. Автор: Jens-Uwe FUCHS,Ralf Reize,Mirko Tröller,Roland Leichtle. Владелец: Centrotherm International AG. Дата публикации: 2023-11-02.

Method for efficiently eliminating graphene wrinkles formed by chemical vapor deposition

Номер патента: US12116281B2. Автор: Jie Xu,Libo GAO,Guowen Yuan. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-10-15.

Vapor deposition methods to form group 8-containing films

Номер патента: US09738971B2. Автор: Satoko GATINEAU,Grigory Nikiforov. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2017-08-22.

Plasma vapor deposition-based diamond film and preparation method thereof

Номер патента: IES87296Y1. Автор: Wu Jianbo,YANG Chunmei,Jiang Jianhong,MAN Weidong,ZHU Changzheng,GONG Chuang. Владелец: Shanghai Zhengshi Tech Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-13.

Plasma vapor deposition-based diamond film and preparation method thereof

Номер патента: IE20210002U1. Автор: Wu Jianbo,YANG Chunmei,Jiang Jianhong,MAN Weidong,ZHU Changzheng,GONG Chuang. Владелец: Shanghai Zhengshi Tech Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-13.

Plasma source and methods for depositing thin film coatings using plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US09478401B2. Автор: Peter Maschwitz. Владелец: AGC Flat Glass North America Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for producing articles by chemical vapor deposition and the articles produced therefrom

Номер патента: CA2068152A1. Автор: Thomas R. Anthony,Robert H. Ettinger,Charles D. Iacovangelo,William L. Mowrey,Sidney P. Young,David W. Woodruff. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1992-12-13.

Chemical vapor deposition raw material containing organic nickel compound, and chemical vapor deposition method using the chemical vapor deposition raw material

Номер патента: US9447495B2. Автор: Masayuki Saito,Satoshi Miyazaki,Ryosuke Harada,Kazuharu Suzuki,Shunichi Nabeya. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2016-09-20.

Methods and apparatus for microwave plasma assisted chemical vapor deposition reactors

Номер патента: US11854775B2. Автор: Timothy A. Grotjohn,Jes Asmussen. Владелец: Michigan State University MSU. Дата публикации: 2023-12-26.

Deposition of silicon nitride by plasma-enchanced chemical vapor deposition

Номер патента: US5508067A. Автор: Atsushi Tabata,Tatsuya Sato,Naoaki Kobayashi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1996-04-16.

Chemical vapor deposition coatings on titanium

Номер патента: US3787223A. Автор: C Reedy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1974-01-22.

Method for low temperature chemical vapor deposition of aluminides containing easily oxidized metals

Номер патента: US5503874A. Автор: John F. Ackerman,William R. Stowell,John H. Wood,Adrian M. Beltran. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1996-04-02.

Vapor deposition reactor and method for forming thin film

Номер патента: US20100310771A1. Автор: Sang In LEE. Владелец: Synos Technology Inc. Дата публикации: 2010-12-09.

Plasma vapor deposited (pvd) coating process

Номер патента: US20170058399A1. Автор: Ann Marie Straccia,Larry P. Haack,Steven J. Simko. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2017-03-02.

Hardmasks and processes for forming hardmasks by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20220119953A1. Автор: Pramit MANNA,Karthik Janakiraman,Krishna Nittala,Jui-Yuan Hsu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Hardmasks and processes for forming hardmasks by plasma- enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2022086708A1. Автор: Pramit MANNA,Karthik Janakiraman,Krishna Nittala,Jui-Yuan Hsu. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-04-28.

Microwave plasma chemical vapor deposition device

Номер патента: US20240158910A1. Автор: Zhiwen Kang,Bingfeng CAI,Kangfu GUO. Владелец: Wuhan Youmeike Automation Co ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Device, system and method for plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: CA3192596A1. Автор: Jens-Uwe FUCHS,Ralf Reize,Mirko Tröller,Roland Leichtle. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-03-24.

Substituted cycloalkene new copper precursors for chemical vapor deposition of copper metal thin films

Номер патента: WO2002086189A1. Автор: David R. Evans,Sheng Teng Hsu,Tue Nguyen,Wei-Wei Zhuang,Lawrence J. Charneski. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2002-10-31.

Substituted cycloalkene new copper precursors for chemical vapor deposition of copper metal thin films

Номер патента: EP1387898A1. Автор: David R. Evans,Sheng Teng Hsu,Tue Nguyen,Wei-Wei Zhuang,Lawrence J. Charneski. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-02-11.

Method for producing nickel thin film on a Si substrate by chemical vapor deposition method, and method for producing Ni silicide thin film on Si substrate

Номер патента: US09805936B2. Автор: Takayuki Sone,Ryosuke Harada,Kazuharu Suzuki,Shunichi Nabeya,Michihiro YOKOO. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2017-10-31.

Articles, including wheels, having plasma vapor deposited (PVD) coating

Номер патента: US09522569B2. Автор: Ann Marie Straccia,Larry P. Haack,Steven J. Simko. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2016-12-20.

Method for the production of highly pure copper thin films by chemical vapor deposition

Номер патента: US5441766A. Автор: Hyung S. Choi,Young S. Cho,Chong J. Lim,Soon T. Hwang. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 1995-08-15.

Metal organic vapor deposition procedure for preparing group III--V compounds on a heated substrate

Номер патента: US4436769A. Автор: Rodney H. Moss,Marc M. Faktor. Владелец: British Telecommunications plc. Дата публикации: 1984-03-13.

Physical vapor deposition apparatus

Номер патента: US12077850B2. Автор: Wei-Chen Liao,Ming-Hsien Lin,Kuo-Lung Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Physical vapor deposition apparatus

Номер патента: US20240360545A1. Автор: Wei-Chen Liao,Ming-Hsien Lin,Kuo-Lung Huo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

METHOD AND CHAMBER FOR BACKSIDE PHYSICAL VAPOR DEPOSITION

Номер патента: US20210062325A1. Автор: CAO YONG,Zhou Chunming,RAMALINGAM Jothilingam,Che Xiaozhou,LAVAN Shane. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-04.

Vapor deposition processes

Номер патента: US12104250B2. Автор: Mikko Ritala,Timo Hatanpää,Anton Vihervaara. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-10-01.

Metalorganic chemical vapor deposition system and method

Номер патента: US20200115800A1. Автор: Kazuhiro Ohkawa. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2020-04-16.

Chemistry for chemical vapor deposition of titanium containing films

Номер патента: US6777330B2. Автор: Sujit Sharan,Gurtej S. Sandhu,Howard E. Rhodes,Philip J. Ireland. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-08-17.

Vapor deposition processes and a deposition assembly

Номер патента: US20230245899A1. Автор: Mikko Ritala,Alexander Weiss,Georgi Popov,Marianna Kemell. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-08-03.

Coaxial hollow cathode plasma assisted directed vapor deposition and related method thereof

Номер патента: US09640369B2. Автор: Goesta Mattausch,Haydn N. G. Wadley,Henry Morgner,Frank-Holm Roegner. Владелец: UNIVERSITY OF VIRGINIA PATENT FOUNDATION. Дата публикации: 2017-05-02.

Toposelective vapor deposition using an inhibitor

Номер патента: US20220181163A1. Автор: Michael Givens,Varun Sharma,Shaoren Deng,Marko Tuominen,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2022-06-09.

Metalorganic chemical vapor deposition system and method

Номер патента: US11661655B2. Автор: Kazuhiro Ohkawa. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2023-05-30.

Metal organic chemical vapor deposition system and method

Номер патента: EP3652358A1. Автор: Kazuhiro Ohkawa. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2020-05-20.

Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures

Номер патента: US12094936B2. Автор: Peng-Fu Hsu,Qi Xie,Michael Eugene Givens,Fu Tang. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-17.

Vacuum vapor deposition apparatus

Номер патента: US20110005460A1. Автор: Yuji Yanagi,Tatsuya Hirano,Nobuyuki Shigeoka. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2011-01-13.

Method for controlling the temperature of the walls of a reaction chamber during processing

Номер патента: US6083323A. Автор: David K. Carlson,Norma Riley,Roger N. Anderson. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-07-04.

Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process

Номер патента: US12043899B2. Автор: Mark Hawkins,Tom Kirschenheiter,Eric Hill,Hyeongeu Kim,Loren Jacobs. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-07-23.

Method for manufacturing vapor deposition mask and method for vapor deposition of organic light-emittng material

Номер патента: US20190355938A1. Автор: YASUHIRO Mizuno,Ying-Chieh Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-21.

Device for vapor depositing metal

Номер патента: US20210348260A1. Автор: Lixia RUAN,Daoxu LIU. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Vapor deposition material

Номер патента: US6143437A. Автор: Yoshitaka Kubota,Satoshi Kondou. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2000-11-07.

Base paper for vapor deposition paper and vapor deposition paper

Номер патента: US20240309588A1. Автор: Yasutomo Noishiki,Yuta SHAMOTO,Miyoko Tanaka,Misaki Wakabayashi. Владелец: Oji Holdings Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Manufacturing method for vapor deposition mask device and manufacturing apparatus for vapor deposition mask device

Номер патента: US12128500B2. Автор: Hideyuki Okamoto. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Vapor deposition method of forming low cost semiconductor solar cells including reconstitution of the reacted gases

Номер патента: US3969163A. Автор: Gene Felix Wakefield. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1976-07-13.

Reaction chamber and semi-conductor processing device

Номер патента: US09978570B2. Автор: Peng Chen,qing She,Yanzhao Zhang. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Vapor deposition mask, method for manufacturing vapor deposition mask, vapor deposition method, and method for manufacturing organic el display device

Номер патента: US20190106781A1. Автор: Katsuhiko Kishimoto,Susumu Sakio,Koshi Nishida. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-11.

Temperature-controlled purge gate valve for chemical vapor deposition chamber

Номер патента: US20090205563A1. Автор: Chantal Arena,Christiaan Werkhoven. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2009-08-20.

Apparatus and concept for minimizing parasitic chemical vapor deposition during atomic layer deposition

Номер патента: EP1238421A4. Автор: Ofer Sneh,Carl Galewski. Владелец: Genus Inc. Дата публикации: 2006-06-21.

Reaction chamber

Номер патента: US11773505B2. Автор: Gang Xu. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Reaction chamber passivation and selective deposition of metallic films

Номер патента: US09803277B1. Автор: Han Wang,SHANG Chen,Qi Xie,Jan Willem Maes,Dai Ishikawa,Toshiharu Watarai,Delphine Longrie,Antti Juhani Niskanen,Takahiro Onuma,Kunitoshi Namba. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-10-31.

Oxidative conversion in atomic layer deposition processes

Номер патента: US20210272801A1. Автор: Joseph R. Abel,Douglas Walter Agnew,Bart Jan van Schravendijk. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2021-09-02.

Vapor deposition apparatus and process for continuous indirect deposition of a thin film layer on a substrate

Номер патента: US09412892B2. Автор: Stacy Ann Black. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Mask for vapor deposition

Номер патента: WO2006020469A3. Автор: Tsutomu Miura,Nobuyuki Mori. Владелец: Nobuyuki Mori. Дата публикации: 2006-05-04.

Method for texturing the surface of a crystalline silicon layer and associated reaction chamber

Номер патента: EP3748695A1. Автор: Erik Johnson,Pere Roca I Cabarrocas,Wanghua Chen. Владелец: Institut Photovoltaique dIle de France IPVF. Дата публикации: 2020-12-09.

Method for texturing the surface of a crystalline silicon layer and associated reaction chamber

Номер патента: WO2020245419A1. Автор: Erik Johnson,Pere Roca I Cabarrocas,Wanghua Chen. Владелец: TOTAL SE. Дата публикации: 2020-12-10.

Vapor Deposition Apparatus and Process for Continuous Indirect Deposition of a Thin Film Layer on a Substrate

Номер патента: US20130122630A1. Автор: Stacy Ann Black. Владелец: Primestar Solar Inc. Дата публикации: 2013-05-16.

Optical element and reaction chamber

Номер патента: EP4359583A1. Автор: Wolfgang Braun. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2024-05-01.

Methods for depositing amorphous silicon layers or silicon oxycarbide layers via physical vapor deposition

Номер патента: US20180142343A1. Автор: Yong Cao,Huixiong Dai,Khoi Phan,Xianmin Tang,Christopher Ngai,Rongjun Wang,Weimin Zeng,Daniel Lee Diehl. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-05-24.

Vapor deposition apparatus and process for continuous deposition of a doped thin film layer on a substrate

Номер патента: MY161000A. Автор: Scott Daniel Feldman-Peabody,Mark Jeffrey Pavol. Владелец: First Solar Malaysia Sdn Bhd. Дата публикации: 2017-03-31.

Method for manufacturing vapor deposition mask and method for vapor deposition of organic light-emitting material

Номер патента: US10553834B2. Автор: YASUHIRO Mizuno,Ying-Chieh Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-04.

Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures

Номер патента: US20240030296A1. Автор: Peng-Fu Hsu,Qi Xie,Michael Eugene Givens,Fu Tang. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-01-25.

Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures

Номер патента: US11798999B2. Автор: Peng-Fu Hsu,Qi Xie,Michael Eugene Givens,Fu Tang. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-10-24.

Vapor deposition apparatus, vapor deposition method and method of manufacturing organic el display apparatus

Номер патента: US20190067582A1. Автор: Katsuhiko Kishimoto. Владелец: Sakai Display Products Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Particle reduction in physical vapor deposition of amorphous silicon

Номер патента: WO2024081221A1. Автор: Mingdong Li,Chengyu Liu,Peijiao FANG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-04-18.

Film quality control in a linear scan physical vapor deposition process

Номер патента: US20190311905A1. Автор: Joung Joo Lee,Xianmin Tang,Bencherki Mebarki. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-10-10.

Vapor deposition routes to nanoporous silica

Номер патента: US6022812A. Автор: Douglas M. Smith,Teresa Ramos,Kevin H. Roderick. Владелец: AlliedSignal Inc. Дата публикации: 2000-02-08.

Method of providing a reaction chamber, reaction chamber and laser evaporation system

Номер патента: EP4271850A1. Автор: Jochen Mannhart,Wolfgang Braun,Johannes Arnoldus BOSCHKER. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2023-11-08.

Method of providing a reaction chamber, reaction chamber and laser evaporation system

Номер патента: US20240110275A1. Автор: Jochen Mannhart,Wolfgang Braun,Johannes Arnoldus BOSCHKER. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2024-04-04.

Reaction chamber component, preparation method, and reaction chamber

Номер патента: US20240271310A1. Автор: Yulin Peng,Yicheng Li,Yongyou CAO. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Vapor deposition method for depositing a film of fluorine-containing glass on a substrate

Номер патента: US5454847A. Автор: Olivier Perrot,Charles Jacoboni,Brigitte Boulard. Владелец: Alcatel Alsthom Compagnie Generale dElectricite. Дата публикации: 1995-10-03.

Electrode for vapor deposition and vapor-deposition method using same

Номер патента: US4978556A. Автор: Eduard Pinkahsov. Владелец: Vapor Technologies Inc. Дата публикации: 1990-12-18.

An injector configured for arrangement within a reaction chamber of a substrate processing apparatus

Номер патента: EP4446463A2. Автор: Lucian C. Jdira,Chris G.M. De Ridder. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-10-16.

Photo-chemical vapor deposition of silicon nitride film

Номер патента: US4588610A. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1986-05-13.

Sputtering reaction chamber and process assembly of sputtering reaction chamber

Номер патента: US20230055006A1. Автор: Bing Li,Keke Zhao,Liren HAN,Lixin PEI,Guodong Bian. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-23.

Sputtering reaction chamber and process assembly of sputtering reaction chamber

Номер патента: US11952653B2. Автор: Bing Li,Keke Zhao,Liren HAN,Lixin PEI,Guodong Bian. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for vapor-depositing strip-shaped substrates with a transparent barrier layer made of aluminum oxide

Номер патента: CA2505027C. Автор: Nicolas Schiller,Steffen Straach,Matthias Fahland,Christoph Charton,Mathias Raebisch. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2011-02-22.

Methods for depositing a hafnium lanthanum oxide film on a substrate by a cyclical deposition process in a reaction chamber

Номер патента: US11769664B2. Автор: Michael Eugene Givens,Tatiana Ivanova,Perttu Sippola. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-09-26.

Photon induced cleaning of a reaction chamber

Номер патента: US20090173359A1. Автор: Dries Dictus. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2009-07-09.

Method of forming memory device with physical vapor deposition system

Номер патента: US12035538B2. Автор: Chin-Szu Lee,Yu-Jen Chien,I-Pin CHIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Chemical vapor deposition of chalcogenide materials

Номер патента: CA2595761A1. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Smuruthi Kamepalli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-10.

Vapor deposition mask, manufacturing method for vapor deposition mask, and manufacturing method for display device

Номер патента: US11877499B2. Автор: Takehiro Nishi. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Silicon single crystal substrate for vapor deposition, vapor deposition substrate, and manufacturing methods therefor

Номер патента: EP4137617A1. Автор: Masaru Shinomiya,Keitaro Tsuchiya,Weifeng Qu. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-22.

Reaction chamber of an epitaxial reactor and reactor that uses said chamber

Номер патента: US9382642B2. Автор: Srinivas Yarlagadda,Natale Speciale,Franco Preti,Mario Preti. Владелец: LPE SpA. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor reaction chamber and semiconductor processing apparatus

Номер патента: US20230223280A1. Автор: Jian Liu. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Selective deposition process

Номер патента: WO1987003741A1. Автор: George Joseph Collins,Werner Adam Metz, Jr.. Владелец: NCR Corporation. Дата публикации: 1987-06-18.

Organic matter vapor deposition device and organic light emitting display manufactured thereby

Номер патента: US09502478B2. Автор: Tong-Jin Park,Joo Hwa Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Vapor deposition method including specified solid angle of radiant heater

Номер патента: US3560252A. Автор: Kurt D Kennedy. Владелец: Air Reduction Co Inc. Дата публикации: 1971-02-02.

System for vapor deposition of thin films

Номер патента: US3845739A. Автор: H Schroeder,F Erhart. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1974-11-05.

Elongated thermal physical vapor deposition source with plural apertures

Номер патента: US20050211172A1. Автор: Dennis Freeman,Neil Redden,Steven Slyke. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2005-09-29.

Substrate support device for a reaction chamber of an epitaxial reactor with gas flow rotation, reaction chamber and epitaxial reactor

Номер патента: EP4065747A1. Автор: Maurilio Meschia,Silvio PRETI. Владелец: LPE SpA. Дата публикации: 2022-10-05.

Injector configured for arrangement within a reaction chamber of a substrate processing apparatus

Номер патента: US11891696B2. Автор: Lucian C. Jdira,Chris G. M. de Ridder. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-02-06.

Injector configured for arrangement within a reaction chamber of a substrate processing apparatus

Номер патента: US20240167158A1. Автор: Lucian C. Jdira,Chris G.M. De Ridder. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-05-23.

Oxide/organic polymer multilayer thin films deposited by chemical vapor deposition

Номер патента: WO1999057330A9. Автор: Seshu B Desu,John J Senkevich. Владелец: Seshu B Desu. Дата публикации: 2000-02-10.

Vapor deposition device

Номер патента: US09315893B2. Автор: Chunyun Huang. Владелец: EverDisplay Optronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-19.

Reaction chamber for epitaxial growth with a loading/unloading device and reactor

Номер патента: EP3084034A1. Автор: Franco Preti,Danilo Crippa,Vincenzo Ogliari,Carmelo VECCHIO,Francesco COREA,Marco Mauceri,Laura GOBBO,Marco Puglisi. Владелец: LPE SpA. Дата публикации: 2016-10-26.

Magnetic device, vapor deposition device and vapor deposition method

Номер патента: US09650709B2. Автор: Jie Yin,Dejiang Zhao,Jianwei Yu,Haoran GAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Tablet for vapor deposition and method for producing the same

Номер патента: US8765026B2. Автор: Azusa Oshiro. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2014-07-01.

Methods for area-selective deposition of polymer films using sequentially pulsed initiated chemical vapor deposition (spicvd)

Номер патента: WO2024019842A1. Автор: Jacques Faguet,Omid Zandi,Ornella Sathoud. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-01-25.

Particle Reduction in Physical Vapor Deposition of Amorphous Silicon

Номер патента: US20240128075A1. Автор: Mingdong Li,Chengyu Liu,Peijiao FANG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Plasma enhanced chemical vapor deposition method of forming titanium silicide comprising layers

Номер патента: US20030170982A1. Автор: Gurtej Sandhu,Cem Basceri,Ammar Derraa,Philip Campbell,Irina Vasilyeva. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-11.

Plasma enhanced chemical vapor deposition method of forming titanium silicide comprising layers

Номер патента: US20060172087A1. Автор: Gurtej Sandhu,Cem Basceri,Ammar Derraa,Philip Campbell,Irina Vasilyeva. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-03.

Methods of reducing particles in a physical vapor deposition (pvd) chamber

Номер патента: WO2022197723A1. Автор: Yong Cao,Mingdong Li,Chengyu Liu,Shane Lavan,Jothilingam RAMALINGAM,Wei Dou. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-09-22.

Methods of reducing particles in a physical vapor deposition (pvd) chamber

Номер патента: US20220301828A1. Автор: Yong Cao,Mingdong Li,Chengyu Liu,Shane Lavan,Jothilingam RAMALINGAM,Wei Dou. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-09-22.

Apparatus for performing a plasma chemical vapour deposition process

Номер патента: US09580808B2. Автор: Igor Milicevic,Mattheus Jacobus Nicolaas Van Stralen,Johannes Antoon Hartsuiker. Владелец: Draka Comteq BV. Дата публикации: 2017-02-28.

Tungsten nitride atomic layer deposition processes

Номер патента: US7745329B2. Автор: Ming Li,Lee Luo,Shulin Wang,Aihua Chen,Ulrich Kroemer. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2010-06-29.

Feedback control of sub-atmospheric chemical vapor deposition processes

Номер патента: US20030049376A1. Автор: Arulkumar Shanmugasundram,Manuel Hernandez,Rong Pan,Alexander Schwarm,Amna Mohammad. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-03-13.

Dynamic wafer leveling/tilting/swiveling during a chemical vapor deposition process

Номер патента: WO2017184293A1. Автор: Tuan Anh Nguyen,Karthik Janakiraman,Juan Carlos Rocha-Alvarez,Amit Kumar BANSAL. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2017-10-26.

Method for the selective deposition of bismuth based ferroelectric thin films by chemical vapor deposition

Номер патента: US6120846A. Автор: Thomas H. Baum,Frank Hintermaier,Bryan Hendrix,Peter Van Buskirk,Jeff Roeder. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2000-09-19.

Very low pressure chemical vapor deposition process for deposition of titanium silicide films

Номер патента: US4957777A. Автор: Vida Ilderem,L. Rafael Reif,Prabha K. Tedrow. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 1990-09-18.

Electrostatic chuck and reaction chamber

Номер патента: US11837491B2. Автор: Qiwei Huang,Quanyu SHI. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures

Номер патента: US11908736B2. Автор: Qi Xie,Chiyu Zhu,Kiran Shrestha,Bhushan Zope,Shankar Swaminathan,Henri Jussila. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-02-20.

Chemical vapor deposition of chalcogenide materials via alternating layers

Номер патента: US20090022883A1. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Smuruthi Kamepalli. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2009-01-22.

Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures

Номер патента: US20240153817A1. Автор: Qi Xie,Chiyu Zhu,Kiran Shrestha,Bhushan Zope,Shankar Swaminathan,Henri Jussila. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-05-09.

Physical vapor deposition system and physical vapor depositing method using the same

Номер патента: US09887073B2. Автор: Hung-Wen Su,Chih-Chien Chi,Pei-Hsuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Low thermal budget chemical vapor deposition processing

Номер патента: US20080119059A1. Автор: Yuji Maeda,R. Suryanarayanan Iyer,Jacob W. Smith. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-22.

Method and system for inline chemical vapor deposition

Номер патента: WO2012170166A3. Автор: Piero Sferlazzo,Thomas Michael Lampros. Владелец: AVENTA TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2013-04-25.

Vapor deposition carrier plate and method for performing vapor deposition on substrate by using vapor deposition carrier plate

Номер патента: US20210180181A1. Автор: Zhiqiao LIU. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

In-line deposition processes for thin film battery fabrication

Номер патента: WO2005041324A2. Автор: Michael A. Haase,Paul F. Baude,Tommie W. Kelley,Dawn V. Muyres,Steven D. Theiss. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2005-05-06.

Physical vapor deposition processing systems target cooling

Номер патента: SG11201905739QA. Автор: Vishwas Kumar Pandey,Kartik Shah,Wei W Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-08-27.

Plasma Chemical Vapor Deposition Process

Номер патента: US20230312392A1. Автор: Igor Milicevic,Mattheus Jacobus Nicolaas Van Stralen,Gertjan KRABSHUIS,Antonius Henricus Elisabeth Breuls. Владелец: Draka Comteq BV. Дата публикации: 2023-10-05.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition methods for graphene deposition

Номер патента: US20170253962A1. Автор: Zhihong Chen,Sunny Chugh,Ruchit Mehta. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2017-09-07.

Electron beam vaporizer and method for vaporizing a vaporization material by means of an electron beam

Номер патента: US20190318909A1. Автор: Carsten Deus. Владелец: Von Ardenne Asset GmbH and Co KG. Дата публикации: 2019-10-17.

Vapor deposition method and vapor deposition container

Номер патента: US20240110274A1. Автор: Yoshihiko Mochizuki,Mitsuru Iwata,Yasunori Yonekuta. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: WO2023160793A1. Автор: Hristo Strakov,Vasileios PAPAGEORGIOU,Manfred Pfitzner,Anja BÄUMCHEN. Владелец: Ihi Bernex Ag. Дата публикации: 2023-08-31.

Vapor deposition device, vapor deposition method, and method of manufacturing organic electroluminescent display device

Номер патента: US09714466B2. Автор: Satoshi Inoue,Satoshi Hashimoto,Tohru Sonoda,Shinichi Kawato. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Vapor deposition apparatus and method for producing organic electroluminescent element

Номер патента: US09493872B2. Автор: Satoshi Inoue,Takashi Ochi,Masahiro Ichihara,Eiichi Matsumoto,Katsuhiro Kikuchi,Yuhki Kobayashi,Shinichi Kawato. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Vapor deposition method and vapor deposition apparatus

Номер патента: US09458532B2. Автор: Nobuhiro Hayashi,Tohru Sonoda,Shinichi Kawato. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Manufacturing medical devices by vapor deposition

Номер патента: US20030018381A1. Автор: Makoto Takeuchi,Forrest Whitcher. Владелец: Scimed Life Systems Inc. Дата публикации: 2003-01-23.

Atmospheric pressure plasma enhanced chemical vapor deposition process

Номер патента: US20100323127A1. Автор: John Matthew Warakomski,Christina Ann Rhoton. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-23.

Apparatus and method for inductively-coupled-plasma-enhanced ionized physical-vapor deposition

Номер патента: WO1999027153A1. Автор: Mehrdad M. Moslehi. Владелец: Cvc, Inc.. Дата публикации: 1999-06-03.

Physical vapor deposition target assemblies, and methods of forming physical vapor deposition target assemblies

Номер патента: EP1335994A2. Автор: Jianxing Li,Timothy Scott. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2003-08-20.

Ferroelectric composition, ferroelectric vapor deposition target and method of making a ferroelectric vapor deposition target

Номер патента: US20020132721A1. Автор: Jianxing Li,Tim Scott,Tamara White. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2002-09-19.

Ferroelectric composition, ferroelectric vapor deposition target and method of making a ferroelectric vapor deposition target

Номер патента: WO2001044535A1. Автор: Jianxing Li,Tim Scott,Tamara White. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2001-06-21.

Vapor deposition method for producing an organic EL panel

Номер патента: US09947904B2. Автор: Nobuhiro Hayashi,Tohru Sonoda,Shinichi Kawato. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for stretching vapor deposition mask, method for producing frame-equipped vapor deposition mask, method for producing organic semiconductor element, and stretching apparatus

Номер патента: US09705083B2. Автор: Toshihiko Takeda,Hideyuki Okamoto,Yoshiyuki Honma,Katsunari Obata. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Pulsed dc source for high power impulse magnetron sputtering physical vapor deposition of dielectric films and methods of application

Номер патента: WO2019089190A1. Автор: Vaibhav Soni,Adolph Miller Allen,Zhong Qiang Hua,Viachslav Babayan,Vanessa FAUNE,Bhargav Citla,Ronald D. Dedore,Menglu Wu. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-05-09.

Close couple diffuser for physical vapor deposition web coating

Номер патента: EP4367285A1. Автор: Visweswaren Sivaramakrishnan,David Masayuki Ishikawa,Sumedh Dattatraya ACHARYA. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-15.

Vapor deposition apparatus and method associated

Номер патента: EP2839055A1. Автор: Masashi Mizuta. Владелец: Furukawa Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-25.

Vapor deposition apparatus and method associated

Номер патента: WO2013157057A1. Автор: Masashi Mizuta. Владелец: FURUKAWA CO., LTD.. Дата публикации: 2013-10-24.

System for vaporizing materials onto substrate surface

Номер патента: WO2005107392A3. Автор: Ronald Steven Cok. Владелец: Ronald Steven Cok. Дата публикации: 2006-04-27.

Vapor-deposited film having barrier performance

Номер патента: US09650191B2. Автор: Shigenobu Yoshida,Koji Yamauchi,Shigeto Kimura,Tooru Hachisuka. Владелец: MITSUBISHI PLASTICS INC. Дата публикации: 2017-05-16.

Catalytic carbon--carbon deposition process

Номер патента: US5690997A. Автор: Dana T. Grow. Владелец: Sioux Manufacturing Corp. Дата публикации: 1997-11-25.

Physical vapor deposition tile arrangement and physical vapor deposition arrangement

Номер патента: US20150114824A1. Автор: Klaus Schneider,Christoph Kaiser,Bernd Teichert,Michael Rivkin,George Arthur Proulx. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2015-04-30.

Physical vapor deposition apparatus and physical vapor deposition method

Номер патента: US09447494B2. Автор: Atsushi Yumoto,Fujio Hiroki,Naotake Niwa,Takashisa Yamamoto. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2016-09-20.

Method and system for operating a physical vapor deposition process

Номер патента: US20070072434A1. Автор: Chia Wen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2007-03-29.

Physical vapor deposition processing systems target cooling

Номер патента: WO2018136395A1. Автор: Vishwas Kumar Pandey,Kartik Shah,Wei W. Wang. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2018-07-26.

Scan vapor deposition metal mask, vapor deposition device, vapor deposition method, and electroluminescence display device

Номер патента: US20190071762A1. Автор: Satoshi Inoue,Katsuhiro Kikuchi,Yuhki Kobayashi,Manabu Niboshi,Shinichi Kawato. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Systems and methods for vaporization and vapor distribution

Номер патента: US20240247363A1. Автор: Zhigang Ban,Litian Liu,Rick POWELL,Nirav Vora,Yaojun Xu,John BARDEN,Jerry DRENNAN. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Chemical vapor deposition of wear resistant coatings onto piston ring running face, side face, and inner diameter in one coating run

Номер патента: EP2906738A1. Автор: Robert Aharonov,Haron GEKONDE. Владелец: Federal Mogul LLC. Дата публикации: 2015-08-19.

Vapor deposition apparatus and method for producing organic electronic device

Номер патента: EP3822388A1. Автор: Shinichiro Kobayashi,HIROSHI Miyazaki,Hiroshi Fujimoto. Владелец: Fukuoka Industry Science and Technology Foundation. Дата публикации: 2021-05-19.

Vapor deposition method and vapor deposition apparatus for forming organic thin films

Номер патента: US20030131796A1. Автор: Toshitaka Kawashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-17.

Method for changing physical vapor deposition film form

Номер патента: US20100022101A1. Автор: Yi-Hao Ting. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2010-01-28.

Physical vapor deposition of low-stress nitrogen-doped tungsten films

Номер патента: US09938616B2. Автор: Michael Ng,Michael Rumer. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Precursor and process design for photo-assisted metal atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD)

Номер патента: US09932671B2. Автор: Florian Gstrein,James M. Blackwell,Robert L. Bristol,Paul A. Zimmerman,Scott B. Clendenning,Patricio E. Romero,Harsono S. Simka,Grant M. Kloster. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Chemical vapor deposition of wear resistant coatings onto piston ring running face, side face, and inner diameter in one coating run

Номер патента: US09909210B2. Автор: Robert Aharonov,Haron GEKONDE. Владелец: Federal Mogul LLC. Дата публикации: 2018-03-06.

Ion vapor deposition of aluminum on non-metallic materials

Номер патента: US09909207B1. Автор: Timothy Cranford. Владелец: Cametoid Technologies Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Vacuum vapor deposition method

Номер патента: US09863034B2. Автор: Yuji Yanagi. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of rapidly changing deposition amount in a continuous vacuum deposition process

Номер патента: CA1249491A. Автор: Mitsuo Kato,Tetsuyoshi Wada,Kenichi Yanagi,Yoshio Shimozato,Heizaburo Furukawa,Kanji Wake,Norio Tsukiji,Takuya Aiko,Arihiko Morita,Yasuji Nakanishi,Toshiharu Kittaka. Владелец: Nisshin Steel Co Ltd. Дата публикации: 1989-01-31.

Method of rapidly changing deposition amount in a continuous vacuum deposition process

Номер патента: US4587134A. Автор: Mitsuo Kato,Tetsuyoshi Wada,Kenichi Yanagi,Yoshio Shimozato,Heizaburo Furukawa,Kanji Wake,Norio Tsukiji,Takuya Aiko,Arihiko Morita,Yasuji Nakanishi,Toshiharu Kittaka. Владелец: Nisshin Steel Co Ltd. Дата публикации: 1986-05-06.

Apparatus and method for vaporizing molten metal

Номер патента: US3725045A. Автор: J Bourne,J Roblin,F Cole. Владелец: Republic Steel Corp. Дата публикации: 1973-04-03.

Vapor deposition apparatus, vapor deposition method, and method for manufacturing organic el display apparatus

Номер патента: US20220220600A1. Автор: Katsuhiko Kishimoto,Kozo Yano,Susumu Sakio,Koshi Nishida. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

A chemical vapor deposition chamber article

Номер патента: WO2020242292A8. Автор: Marcus Gerardus Van Munster,Guiming SONG. Владелец: Schunk Xycarb Technology B.V.. Дата публикации: 2021-01-28.

Chemical vapor deposition of silicon oxide films using alkylsiloxane oligomers with ozone

Номер патента: EP1204987A4. Автор: ZHENG Yuan,Sanjeev Jain. Владелец: ASML US Inc. Дата публикации: 2002-10-30.

Chemical vapor deposition of silicon oxide films using alkylsiloxane oligomers with ozone

Номер патента: EP1204987A1. Автор: ZHENG Yuan,Sanjeev Jain. Владелец: ASML US Inc. Дата публикации: 2002-05-15.

Method of controlling contamination of vapor deposition apparatus and method of producing epitaxial wafer

Номер патента: US20200392618A1. Автор: Shota Kinose. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-12-17.

Electron beam physical vapor deposition apparatus and processes

Номер патента: EP1939924A3. Автор: Richard S. Mullin,Igor V. Belousov,Yurity M. Barabash,Yurity G. Kononenko. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2008-11-12.

Physical vapor deposition chamber with rotating magnet assembly and centrally fed rf power

Номер патента: WO2011139439A3. Автор: Keith Miller,Alan Ritchie. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-26.

Embedded wire chemical vapor deposition (ewcvd)

Номер патента: EP4363630A1. Автор: Joseph Pegna,Kirk L. Williams,Shay L. Harrison. Владелец: Free Form Fibers LLC. Дата публикации: 2024-05-08.

Apparatus and method for introducing small amounts of refractory elements into a vapor deposition coating

Номер патента: US20030140856A1. Автор: Reed Corderman,Melvin Jackson,Richard Nardi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-31.

Physical vapor deposition apparatus

Номер патента: US20230175113A1. Автор: Sangwook Park,Kyuhee Han,Jaesuk KIM,Gukrok YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-08.

Transparent vapor-deposited film

Номер патента: US09822440B2. Автор: Shigeki Matsui,Hiroshi Miyama,Hiroshi Matsuzaki,Kaoru Miyazaki,Takakazu Goto,Teruhisa Komuro,Tatsuo Asuma. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Precursor compositions for atomic layer deposition and chemical vapor deposition of titanate, lanthanate, and tantalate dielectric films

Номер патента: US09534285B2. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Tianniu Chen,Chongying Xu,Thomas M. Cameron. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Vapor deposition apparatus

Номер патента: US3931789A. Автор: Ryozo Hiraga,Keijiro Nishida,Tadayoshi Kasahara,Tomomasa Nakano,Mitsuo Kakei,Masao Shimabayashi,Ichiro Komatsubara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1976-01-13.

Vapor deposition source for vacuum vapor deposition apparatus

Номер патента: US20230279536A1. Автор: Toshimitsu Nakamura,Jungo Onoda. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Physical vapor deposition system and methods of operating the same

Номер патента: US20240271271A1. Автор: Yen-Yu Chen,Chia-Hsi Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Indium electroplating on physical vapor deposition tantalum

Номер патента: US11753736B2. Автор: Eric R. Miller,Michael J. Rondon,Jon Sigurdson. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-09-12.

Neutral beam-assisted atomic layer chemical vapor deposition apparatus and method of processing substrate using the same

Номер патента: US7799706B2. Автор: Sung-Woo Kim,Geun-Young Yeom,Byoung-Jae Park,Jong-Tae Lim. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2010-09-21.

Method of producing articles by vapor deposition of multiconstituent material

Номер патента: CA1209949A. Автор: Robert P.H. Chang. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1986-08-19.

Vacuum deposition apparatus and vapor deposition method

Номер патента: US20170283938A1. Автор: Peng Xu,Gu Yao,Suwei ZENG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

Evaporation boats for use in vapor deposition

Номер патента: US4043748A. Автор: Motoyasu Terao,Tsutomu Fujita,Kazuo Sunahara,Kiyoshi Watanabe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1977-08-23.

Method of reducing carbon incorporation into films produced by chemical vapor deposition involving organic precursor compounds

Номер патента: US5661115A. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1997-08-26.

Method and system for conditioning a vapor deposition target

Номер патента: EP2013373B1. Автор: Robert Huff,Milan Ilic,George McDonough. Владелец: Advanced Energy Industries Inc. Дата публикации: 2011-08-31.

Exclusion guard and gas-based substrate protection for chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US5843233A. Автор: Barry L. Chin,Eliot K. Broadbent,Jeffrey C. Benzing,Christopher W. Burkhart,Edward J. McInerney,Everhardus P. van de Ven,Lawrence C. Lane. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 1998-12-01.

Method and apparatus for depositing a layer on a semiconductor wafer by vapor deposition in a process chamber

Номер патента: MY166009A. Автор: Brenninger Georg. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2018-05-21.

Vapor deposition method for coating a spectacle lens, physical vapor deposition system and crucible for physical vapor deposition

Номер патента: US11866818B2. Автор: Artur Laukart. Владелец: CARL ZEISS VISION INTERNATIONAL GMBH. Дата публикации: 2024-01-09.

Vapor deposition systems and methods, and nanomaterials formed by vapor deposition

Номер патента: WO2023122250A2. Автор: Liangbing Hu,Xizheng Wang. Владелец: University of Maryland, College Park. Дата публикации: 2023-06-29.

Vapor deposition method for coating a spectacle lens, physical vapor deposition system and crucible for physical vapor deposition

Номер патента: US20230265553A1. Автор: Artur Laukart. Владелец: CARL ZEISS VISION INTERNATIONAL GMBH. Дата публикации: 2023-08-24.

Physical vapor deposition chamber with target surface morphology monitor

Номер патента: US20200377997A1. Автор: Chii-Ming Wu,Hai-Dang Trinh,Shing-Chyang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Physical vapor deposition chamber with target surface morphology monitor

Номер патента: US20220349045A1. Автор: Chii-Ming Wu,Hai-Dang Trinh,Shing-Chyang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Haloalkynyl dicobalt hexacarbonyl precursors for chemical vapor deposition of cobalt

Номер патента: US11804375B2. Автор: Thomas H. Baum,Bryan C. Hendrix,Seobong CHANG,Sangbum Han,JaeEon Park. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Film stress control for plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US11854771B2. Автор: Soo Young Choi,Chien-Teh Kao,Shinichi Kurita,Tae Kyung Won,Carl A. Sorensen,Sanjay D. Yadav,Young dong Lee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Highly homogeneous glass sputter targets with large aspect ratio and high relative density for physical vapor deposition

Номер патента: US20240133023A1. Автор: Yoshio Okano,William Preston,James Marro,Azatuhi AYRIKYAN. Владелец: Schott Japan Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Film stress control for plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20240105427A1. Автор: Soo Young Choi,Chien-Teh Kao,Shinichi Kurita,Tae Kyung Won,Carl A. Sorensen,Sanjay D. Yadav,Young dong Lee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Haloalkynyl dicobalt hexacarbonyl precursors for chemical vapor deposition of cobalt

Номер патента: US20240096631A1. Автор: Thomas H. Baum,Bryan C. Hendrix,Seobong CHANG,Sangbum Han,JaeEon Park. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Vapor deposition method for coating a spectacle lens, physical vapor deposition system and crucible for physical vapor deposition

Номер патента: EP4211288A1. Автор: Artur Laukart. Владелец: CARL ZEISS VISION INTERNATIONAL GMBH. Дата публикации: 2023-07-19.

Vapor deposition systems and methods, and nanomaterials formed by vapor deposition

Номер патента: WO2023122250A3. Автор: Liangbing Hu,Xizheng Wang. Владелец: University of Maryland, College Park. Дата публикации: 2023-08-17.

Vapor deposition method for coating a spectacle lens, physical vapor deposition system and crucible for physical vapor deposition

Номер патента: WO2022184585A1. Автор: Artur Laukart. Владелец: CARL ZEISS VISION INTERNATIONAL GMBH. Дата публикации: 2022-09-09.

Highly homogeneous glass sputter targets with large aspect ratio and high relative density for physical vapor deposition

Номер патента: EP4363384A1. Автор: Yoshio Okano,William Preston,James Marro,Azatuhi AYRIKYAN. Владелец: Schott Japan Corp. Дата публикации: 2024-05-08.

Vacuum vapor-deposition apparatus

Номер патента: US20090314212A1. Автор: Chung-Pei Wang. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-24.

Synthesis of advanced scintillators via vapor deposition techniques

Номер патента: US20100200757A1. Автор: Vinod K. Sarin,Stephen Gibson Topping. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-12.

Corrosion-resistant coated article and thermal chemical vapor deposition coating process

Номер патента: US12036765B2. Автор: Min YUAN. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Physical vapor deposition system comprising positioning marker and method for adjusting distance between crucible and substrate

Номер патента: EP3717675A1. Автор: BASTIAN SIEPCHEN,MICHAEL HARR,SHOU PENG,Bettina Späth,Xinjian Yin,Ganhua FU,Marcel MISCHKE. Владелец: China Triumph International Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-07.

Physical vapor deposition system comprising positioning marker and method for adjusting distance between crucible and substrate

Номер патента: WO2019104727A1. Автор: BASTIAN SIEPCHEN,MICHAEL HARR,SHOU PENG,Bettina Späth,Xinjian Yin,Ganhua FU,Marcel MISCHKE. Владелец: CTF SOLAR GMBH. Дата публикации: 2019-06-06.

Process for manufacturing multi-layered thin film by dry vacuum vapor deposition

Номер патента: WO2009017376A3. Автор: Hong Chul Kim,Jeong Rae Kim,Hyun Joong Kim. Владелец: CEKO Corp Ltd. Дата публикации: 2009-04-16.

Set comprising a physical vapor deposition machine and an obstruction device, method for coating and obstruction device

Номер патента: EP4296401A1. Автор: Francis Henky,Mark Mildebrath. Владелец: Essilor International SAS. Дата публикации: 2023-12-27.

Films including a water-soluble layer and a vapor-deposited inorganic coating

Номер патента: US20210362924A1. Автор: Emily Charlotte Boswell,Srinivas Krishnaswamy Mirle,Vesselin Nikolov Shanov,Rachit MALIK,Colin William MCCONNELL. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2021-11-25.

Synthesis of advanced scintillators via vapor deposition techniques

Номер патента: US20130341513A1. Автор: Vinod K. Sarin,Stephen Gibson Topping. Владелец: Boston University. Дата публикации: 2013-12-26.

Physical vapor deposition machine with a shutter having at least one intermediate position

Номер патента: WO2023110807A1. Автор: Francis Henky. Владелец: Essilor International. Дата публикации: 2023-06-22.

Vapor deposition crucible

Номер патента: US20060013949A1. Автор: Makoto Adachi,Takeshi Mitsuishi,Takeshi Imizu,Ken-Ichi Shinde. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-19.

Set comprising a physical vapor deposition machine and an obstruction device, method for coating and obstruction device

Номер патента: WO2023247173A1. Автор: Francis Henky,Mark Mildebrath. Владелец: Essilor International. Дата публикации: 2023-12-28.

Methods and apparatus for physical vapor deposition (pvd) dielectric deposition

Номер патента: US20210050195A1. Автор: Jothilingam RAMALINGAM,William Fruchterman. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Physical vapor deposition chamber and physical vapor deposition apparatus

Номер патента: US11732346B2. Автор: Bing Li,Qiwei Huang,Hongrui GUO. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Indium electroplating on physical vapor deposition tantalum

Номер патента: US20240018684A1. Автор: Eric R. Miller,Michael J. Rondon,Jon Sigurdson. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-01-18.

Electron beam physical vapor deposition apparatus

Номер патента: EP1121475A1. Автор: Robert William Bruce,David John Wortman,Rudolfo Viguie,David Vincent Rigney,Antonio Frank Maricocchi,William Seth Willen,John Douglas Evans, Sr.. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2001-08-08.

Apparatus and method for physical vapor deposition

Номер патента: US20240339310A1. Автор: Wen-Cheng Yang,Chyi-Tsong Ni,Yu-Young Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Thermal chemical vapor deposition coating process

Номер патента: US20240359430A1. Автор: Min YUAN. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Apparatus for gas injection in a physical vapor deposition chamber

Номер патента: US09957601B2. Автор: Alan A. Ritchie,Keith A. Miller,Muhammad Rasheed,Kirankumar Savandaiah,Isaac Porras. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Methods of vapor deposition with multiple vapor sources

Номер патента: US09873942B2. Автор: Mohith Verghese,Eric Shero,Jan Willem Maes,Christophe Pomarede,Chang-gong Wang. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-01-23.

Polylactic acid formed body having a vapor-deposited film and method of producing the same

Номер патента: US09845175B2. Автор: Kazuhiko Yamazaki,Takuro Ito,Satoru Kito,Satomi Ozawa. Владелец: Toyo Seikan Group Holdings Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Vapor deposition mask, frame-equipped vapor deposition mask, and method for producing organic semiconductor element

Номер патента: US09806257B2. Автор: Hiroshi Kawasaki,Toshihiko Takeda,Katsunari Obata. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Vapor deposition method and method for producing an organic electroluminescence display device

Номер патента: US09741932B2. Автор: Satoshi Inoue,Tohru Sonoda,Shinichi Kawato. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Physical vapor deposition RF plasma shield deposit control

Номер патента: US09605341B2. Автор: Keith A. Miller. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Physical vapor deposition of an aluminum nitride film

Номер патента: US09484198B1. Автор: Yung-Chin Yang,Chen-Te Chang,Jyh-Wei Lee. Владелец: Ming Chi University of Technology. Дата публикации: 2016-11-01.

Deflection magnetic field type vacuum arc vapor deposition device

Номер патента: US20070023282A1. Автор: Yasuo Murakami. Владелец: Nissin Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-01.

Method for tungsten chemical vapor deposition on a semiconductor substrate

Номер патента: EP1219725A1. Автор: Joris Baele,Hans Vercammen. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2002-07-03.

Physical vapor deposition apparatus and physical vapor deposition method

Номер патента: US20110189390A1. Автор: Takahisa Yamamoto,Atsushi Yumoto,Fujio Hiroki,Naotake Niwa. Владелец: Tama-Tlo Ltd. Дата публикации: 2011-08-04.

Physical vapor deposition apparatus and physical vapor deposition method

Номер патента: US20150044391A1. Автор: Atsushi Yumoto,Fujio Hiroki,Naotake Niwa,Takashisa Yamamoto. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2015-02-12.

Deposition systems and processes for transport polymerization and chemical vapor deposition

Номер патента: US6086679A. Автор: HUI Wang,Chung J. Lee,Giovanni Antonio Foggiato. Владелец: Quester Technology Inc. Дата публикации: 2000-07-11.

Vapor-deposited film

Номер патента: CA2453596A1. Автор: Noboru Sasaki,Hiroshi Suzuki,Takayuki Nakajima,Takeshi Kanetaka,Miki Oohashi,Ryoji Ishii. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Method for depositing a thin layer on a substrate by laser pulse vapor deposition

Номер патента: US5578350A. Автор: Klaus Schubert,Hermann Mai,Reiner Dietsch. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 1996-11-26.

Zn-Mg alloy vapor deposition plated metals of high corrosion resistance, as well as method of producing them

Номер патента: US5002837A. Автор: Hiroshi Satoh,Masao Toyama,Shingo Nomura,Hirohiko Sakai,Shoji Miyake,Koki Ikeda,Kazutoshi Shimogori,Hidetoshi Shimoto,Junji Kawahuku. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 1991-03-26.

Methods for controlling physical vapor deposition metal film adhesion to substrates and surfaces

Номер патента: AU2019217883B2. Автор: Akhil Srinivasan,Yifei Wang. Владелец: Medtronic Minimed Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

System for cadmium telluride (cdte) reclamation in a vapor deposition caonveyor assembly

Номер патента: MY154653A. Автор: Reed Max William,Pavol Mark Jeffrey,Rathweg Christopher. Владелец: Primestar Solar Inc. Дата публикации: 2015-07-15.

Physical vapor deposition with impedance matching network

Номер патента: EP2398930A1. Автор: Youming Li,Jeffrey Birkmeyer,Takamichi Fujii,Takayuki Naono,Yoshikazu Hishinuma. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2011-12-28.

Physical vapor deposition with impedance matching network

Номер патента: WO2010096533A1. Автор: Youming Li,Jeffrey Birkmeyer,Takamichi Fujii,Takayuki Naono,Yoshikazu Hishinuma. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2010-08-26.

Methods for depositing polymer layer for sensor applications via hot wire chemical vapor deposition

Номер патента: EP3551780A1. Автор: Pravin K. Narwankar,Yuriy Melnik,Colin NEIKIRK. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-10-16.

Evaporation source for use in vapor deposition apparatus

Номер патента: US20230357919A1. Автор: Hironori Wakamatsu,Toshimitsu Nakamura,Fumitsugu Yanagihori,Masashi UMEHARA. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Vapor deposition of molybdenum using a bis(alkyl-arene) molybdenum precursor

Номер патента: EP3740600A1. Автор: Thomas H. Baum,Shuang Meng,Bryan C. Hendrix,Philip S.H. Chen,JR. Robert WRIGHT. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2020-11-25.

Method and apparatus for asymmetric selective physical vapor deposition

Номер патента: US20190276926A1. Автор: Joung Joo Lee,Keith Miller,Sudarsan Srinivasan,Xianmin Tang,Bencherki Mebarki,Sree Rangasai KESAPRAGADA. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-09-12.

Methods for depositing polymer layer for sensor applications via hot wire chemical vapor deposition

Номер патента: WO2018106886A1. Автор: Pravin K. Narwankar,Yuriy Melnik,Colin NEIKIRK. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2018-06-14.

Container-shaped physical vapor deposition targets

Номер патента: US20030015432A1. Автор: Jianxing Li,Steven Wu,Michael Pinter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-23.

Method of ensuring adhesion of chemically vapor deposited oxide to gold integrated circuit interconnect lines

Номер патента: US4716071A. Автор: Dyer A. Matlock,Bruce E. Roberts,Jimmy C. Black. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1987-12-29.

Transparent vapor-deposited film

Номер патента: PH12015500676B1. Автор: Shigeki Matsui,Hiroshi Miyama,Hiroshi Matsuzaki,Kaoru Miyazaki,Takakazu Goto,Teruhisa Komuro,Tatsuo Asuma. Владелец: Dainippon Printing Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-18.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US4503807A. Автор: Satoshi Nakayama,Shigeru Takeda,Masuo Suzuki,Hideaki Takeuchi,Harushige Kurokawa,Junichi Murota,Tatuhiko Hurukado,Humihide Ikeda. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1985-03-12.

Transparent vapor-deposited film

Номер патента: AU2013321072A1. Автор: Shigeki Matsui,Hiroshi Miyama,Hiroshi Matsuzaki,Kaoru Miyazaki,Takakazu Goto,Teruhisa Komuro,Tatsuo Asuma. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2015-05-07.

Optical coatings of variable refractive index and high laser-resistance from physical-vapor-deposited perfluorinated amorphous polymer

Номер патента: US5882773A. Автор: Ian M. Thomas,Robert Chow,Gary E. Loomis. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 1999-03-16.

Method and apparatus for pulsed energy induced vapor deposition of thin films

Номер патента: US5015492A. Автор: THIRUMALAI VENKATESAN,Xin D. Wu. Владелец: Bell Communications Research Inc. Дата публикации: 1991-05-14.

Precursor compositions for atomic layer deposition and chemical vapor deposition of titanate, lanthanate, and tantalate dielectric films

Номер патента: WO2007106788A2. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Tianniu Chen,Chongying Xu,Thomas M. Cameron. Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2007-09-20.

Method of vapor deposition

Номер патента: US3934059A. Автор: Murray Arthur Polinsky. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1976-01-20.

Take up type vacuum vapor deposition device

Номер патента: EP2037001B1. Автор: Nobuhiro Hayashi,Kenji Komatsu,Isao Tada,Atsushi Nakatsuka,Takayoshi Hirono. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2011-09-14.

Vapor deposition source and method for making organic light-emitting diode display panel

Номер патента: US11800779B2. Автор: Ying-Chieh Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Thermal conduction device and vapor deposition crucible

Номер патента: US20180148827A1. Автор: Yang Liu,Yawei Liu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Film forming source, vapor deposition apparatus, and apparatus for manufacturing an organic el element

Номер патента: US20110042208A1. Автор: Toshio Negishi,Tatsuhiko Koshida. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2011-02-24.

Silicon single crystal substrate for vapor phase growth, vapor phase growth substrate and methods for producing them

Номер патента: US20230235481A1. Автор: Masaru Shinomiya,Keitaro Tsuchiya,Weifeng Qu. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Resonant antenna for physical vapor deposition applications

Номер патента: US20240136151A1. Автор: Masaki Takagi,Barton Lane. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Rapid hybrid chemical vapor deposition for perovskite solar modules

Номер патента: WO2021250499A1. Автор: Yabing Qi,Luis Katsuya ONO,Longbin Qiu,Sisi He. Владелец: OKINAWA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY SCHOOL CORPORATION. Дата публикации: 2021-12-16.

Vapor deposition source and method for making organic light-emitting diode display panel

Номер патента: US20190214562A1. Автор: Ying-Chieh Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-11.

Vapor deposition mask and method for producing organic electronic device

Номер патента: US20240084434A1. Автор: Shinichiro Watanabe,Takahiro Yajima,Tatsuro Uchida. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Composition control of chemical vapor deposition nitrogen doped germanium antimony tellurium

Номер патента: US20190345607A1. Автор: Takeshi Masuda,Robert Bruce,Matthew J. BrightSky,Norma Edith Sosa,Fabio Carta,Gloria W.Y. Fraczak. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Rapid hybrid chemical vapor deposition for perovskite solar modules

Номер патента: EP4143363A1. Автор: Yabing Qi,Luis Katsuya ONO,Longbin Qiu,Sisi He. Владелец: Okinawa Institute of Science and Technology School Corp. Дата публикации: 2023-03-08.

Resonant antenna for physical vapor deposition applications

Номер патента: WO2024085938A1. Автор: Masaki Takagi,Barton Lane. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-04-25.

Resonant antenna for physical vapor deposition applications

Номер патента: US20240234089A9. Автор: Masaki Takagi,Barton Lane. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Electron beam physical vapor deposition apparatus

Номер патента: EP1117853A1. Автор: Robert William Bruce,David John Wortman,Keith H. Betscher,Antonio Frank Maricocchi,John Douglas Evans, Sr.,William Allen Bowlin,Harold Phillips Ii Dillon. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2001-07-25.

Evaporation source and vapor deposition apparatus

Номер патента: US20190203343A1. Автор: Aiguo Tu,Jinchuan Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Physical vapor deposition target assembly

Номер патента: WO2020154582A1. Автор: Wen Xiao,Sanjay Bhat,Vibhu Jindal,Shuwei Liu. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-07-30.

Electron beam physical vapor deposition apparatus and control panel therefor

Номер патента: WO2001011103A3. Автор: Robert William Bruce,Antonio Frank Maricocchi,John Douglas Evans Sr. Владелец: Gen Electric. Дата публикации: 2001-08-16.

Pixel arrangement structure, vapor deposition mask and irregular-shaped display screen

Номер патента: US20200273925A1. Автор: Zhu Hui,Zhang Tingting,HU Siming,Wang Zhixiang. Владелец: Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Vapor deposition device

Номер патента: US8251013B2. Автор: shao-kai Pei. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-28.

Physical vapor deposition methods and systems to form semiconductor films using counterbalance magnetic field generators

Номер патента: US20150311065A1. Автор: Jeonghee Park,Jae Yeol Park. Владелец: Semicat Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

Optimized crucible assembly and method for physical vapor deposition

Номер патента: EP4078648A1. Автор: Philippe PAGNON. Владелец: Essilor International SAS. Дата публикации: 2022-10-26.

Optimized crucible assembly and method for physical vapor deposition

Номер патента: US20230002880A1. Автор: Philippe PAGNON. Владелец: Essilor International Compagnie Generale dOptique SA. Дата публикации: 2023-01-05.

Electromagnetic vapor deposition apparatus

Номер патента: US20140326178A1. Автор: ChiaChen LI,TeinWang HUANG. Владелец: EverDisplay Optronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

Films including a water-soluble layer and a vapor-deposited inorganic coating

Номер патента: EP3642383A1. Автор: Emily Charlotte Boswell,Srinivas Krishnaswamy Mirle,Vesselin Nikolov Shanov,Rachit MALIK,Colin William MCCONNELL. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2020-04-29.

Vapor deposition device

Номер патента: US20110126763A1. Автор: shao-kai Pei. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-02.

Mgo Vapor Deposition Material

Номер патента: US20080003460A1. Автор: Hiroki Hirata,Hideaki Sakurai,Yoshitaka Mayuzumi. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2008-01-03.

LC/MS adduct mitigation by vapor deposition coated surfaces

Номер патента: US11740211B2. Автор: Paul Rainville,Kerri M. Smith. Владелец: Waters Technologies Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Conveyor Assembly with Removable Rollers for a Vapor Deposition System

Номер патента: US20110155063A1. Автор: Christopher Rathweg,Edwin Jackson Little. Владелец: Primestar Solar Inc. Дата публикации: 2011-06-30.

Chemical Vapor Deposition Diamond (CVDD) Wires for Thermal Transport

Номер патента: US20210143080A1. Автор: Philip Andrew Swire,Nina Biddle. Владелец: Microsemi Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

High pressure spatial chemical vapor deposition system and related process

Номер патента: US20240209502A1. Автор: Siddha Pimputkar. Владелец: Lehigh University. Дата публикации: 2024-06-27.

Plasma spray physical vapor deposition within internal cavity

Номер патента: EP3640359A1. Автор: Ann Bolcavage,Matthew Gold. Владелец: Rolls Royce Corp. Дата публикации: 2020-04-22.

LC/MS adduct mitigation by vapor deposition coated surfaces

Номер патента: US12117427B2. Автор: Paul Rainville,Kerri M. Smith. Владелец: Waters Technologies Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Chemical vapor deposition apparatus and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09899210B2. Автор: Ren-Hua GUO,Ju-Ru HSIEH,Jen-Hao Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Bipolar collimator utilized in a physical vapor deposition chamber

Номер патента: US09831074B2. Автор: Joung Joo Lee,Guojun Liu,Prashanth Kothnur,Wei W. Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Process kit of physical vapor deposition chamber and fabricating method thereof

Номер патента: US09803274B2. Автор: Wei Zhang,Yen-Yu Chen,Chang-Sheng Lee,Wei-Jen Chen,Wei-Chen Liao,Shih-Wei BIH,Hsien-Chieh HSIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Particle reduction in a physical vapor deposition chamber

Номер патента: US09773665B1. Автор: Yong Cao,Thanh X. Nguyen,Weimin Zeng. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Physical vapor deposition methods and systems to form semiconductor films using counterbalance magnetic field generators

Номер патента: US09761441B2. Автор: Jeonghee Park,Jae Yeol Park. Владелец: Semicat Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Vacuum vapor deposition apparatus

Номер патента: US09663853B2. Автор: Yuji Yanagi. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Physical vapor deposition chamber with capacitive tuning at wafer support

Номер патента: US09593411B2. Автор: Daniel J. Hoffman,Karl M. Brown,Ying Rui,John Pipitone. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Initiated chemical vapor deposition of vinyl polymers for the encapsulation of particles

Номер патента: US09492805B2. Автор: Karen K. Gleason,Kenneth K. S. Lau. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2016-11-15.

Thermal physical vapor deposition source with minimized internal condensation effects

Номер патента: US6893939B1. Автор: Dennis R. Freeman,Justin H. Klug,Jeremy M. Grace,Neil P. Redden. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2005-05-17.

Coils utilized in vapor deposition applications and methods of production

Номер патента: US9659758B2. Автор: Eal Lee,Nicole Truong,Robert Prater,Norm Sand. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Method and apparatus for ionized physical vapor deposition

Номер патента: GB2359189A. Автор: Jason Smolanoff,Jim Zibrida,Bruce Gittleman,Thomas J Licata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2001-08-15.

Plasma-activated chemical vapor deposition of fluoridated cyclic siloxanes

Номер патента: US5230929A. Автор: Gerardo Caporiccio,Riccardo D'agostino,Pietro Favia. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 1993-07-27.

Method and apparatus for physical-vapor deposition of material layers

Номер патента: US5354443A. Автор: Mehrdad M. Moslehi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1994-10-11.

Method of physical vapor deposition

Номер патента: US3912826A. Автор: Kurt D Kennedy. Владелец: Airco Inc. Дата публикации: 1975-10-14.

Al-cr alloy vapor-deposited material

Номер патента: CA1326615C. Автор: Hiroshi Satoh,Masao Toyama,Hidetoshi Nishimoto,Koki Ikeda,Kazutoshi Shimogori,Junji Kawafuku. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 1994-02-01.

Chemical vapor deposition of low density silicon dioxide films

Номер патента: US6054206A. Автор: Thomas Weller Mountsier. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2000-04-25.

Isolator ring clamp and physical vapor deposition chamber incorporating same

Номер патента: US11670493B2. Автор: Keith A. Miller,Ilya Lavitsky. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-06-06.

Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method of forming vanadium oxide films and vanadium oxide thin-films prepared thereby

Номер патента: US6156395A. Автор: Ping Liu,David K. Benson,C. Edwin Tracy,Ji-Guang Zhang,John A. Turner. Владелец: Midwest Research Institute. Дата публикации: 2000-12-05.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus and method of forming lithium-based film by using the same

Номер патента: US20220025515A1. Автор: Jooho Lee,Yongsung Kim,Changseung LEE,Sungjin Lim,Junsik Hwang,Wooyoung Yang,Sanghoon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-27.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus and method of forming lithium-based film by using the same

Номер патента: US20180010245A1. Автор: Jooho Lee,Yongsung Kim,Changseung LEE,Sungjin Lim,Junsik Hwang,Wooyoung Yang,Sanghoon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-11.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition method of forming lithium-based film by using the same

Номер патента: US11898244B2. Автор: Jooho Lee,Yongsung Kim,Changseung LEE,Sungjin Lim,Junsik Hwang,Wooyoung Yang,Sanghoon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Method and system for vapor extraction from gases

Номер патента: US4735633A. Автор: Kin-Chung R. Chiu. Владелец: Chiu Kin Chung R. Дата публикации: 1988-04-05.

Methods and apparatus for controlling ion fraction in physical vapor deposition processes

Номер патента: US12094699B2. Автор: Xiaodong Wang,Joung Joo Lee,Xianmin Tang,Rongjun Wang,Keith A. Miller,Shouyin Zhang,Fuhong Zhang,Martin Lee Riker,Adolph Miller Allen,William Fruchterman. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor processing device, reaction chamber thereof, and film layer deposition method

Номер патента: EP4249633A1. Автор: Yunfeng LAN,Fang Zhang,Huanyu Wang,Wenqiang Zhang,Haifeng Qin,Shuaitao SHI. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-27.

Selective area deposition of metal films by atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD)

Номер патента: US09583389B2. Автор: Florian Gstrein,Scott B. Clendenning,Patricio E. Romero,Jeanette M. Roberts. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Plasma-enhanced cyclic layer deposition process for barrier layers

Номер патента: US20060292864A1. Автор: Ming Xi,Michael Yang,Toshio Itoh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-28.

Chemical vapor deposition methods and methods of etching a contact opening over a node location on a semiconductor substrate

Номер патента: US20020123221A1. Автор: Chris Hill,Mark Jost. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Chemical vapor deposition processes using ruthenium precursor and reducing gas

Номер патента: WO2020096976A1. Автор: Thomas H. Baum,Bryan C. Hendrix,Philip S.H. Chen. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2020-05-14.

Chemical vapor deposition processes using ruthenium precursor and reducing gas

Номер патента: US11987878B2. Автор: Thomas H. Baum,Bryan C. Hendrix,Philip S. H. Chen. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Vanadium-containing film forming compositions and vapor deposition of vanadium-containing films

Номер патента: US09691771B2. Автор: Wontae NOH,Clement Lansalot-Matras. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2017-06-27.

Methods and apparatus for controlling ion fraction in physical vapor deposition processes

Номер патента: US20230402271A1. Автор: Xiaodong Wang,Joung Joo Lee,Xianmin Tang,Rongjun Wang,Keith A. Miller,Shouyin Zhang,Fuhong Zhang,Martin Lee Riker,Adolph Miller Allen,William Fruchterman. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Methods and apparatus for controlling ion fraction in physical vapor deposition processes

Номер патента: US11810770B2. Автор: Xiaodong Wang,Joung Joo Lee,Xianmin Tang,Rongjun Wang,Keith A. Miller,Shouyin Zhang,Fuhong Zhang,Martin Lee Riker,Adolph Miller Allen,William Fruchterman. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Oblique vapor deposition substrate, liquid crystal device, method for manufacturing liquid crystal device, and projection display device

Номер патента: US8654298B2. Автор: Koichi Terao. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2014-02-18.

Oblique vapor deposition substrate, liquid crystal device, method for manufacturing liquid crystal device, and projection display device

Номер патента: US20110242447A1. Автор: Koichi Terao. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Energy efficient apparatus for vaporizing a liquid and condensing the vapors thereof

Номер патента: US4357212A. Автор: Harry F. Osterman,George C. Nylen. Владелец: Allied Chemical Corp. Дата публикации: 1982-11-02.

Passivation against vapor deposition

Номер патента: US20210115559A1. Автор: Varun Sharma,Eva E. Tois. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2021-04-22.

Techniques for marking a substrate using a physical vapor deposition material

Номер патента: US09849650B2. Автор: Stephen Paul Zadesky,Douglas Weber,Christopher Prest,David Pakula. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for performing metallo-organic chemical vapor deposition of titanium nitride at reduced temperature

Номер патента: US20020001928A1. Автор: Mei Chang,Ming Xi,Keith K. Koai,Shulin Wang,Huan LUO,Russell C. Ellwanger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Process for chemical vapor deposition of materials with via filling capability and structure formed thereby

Номер патента: US20080164579A1. Автор: Alejandro G. Schrott,Fenton R. McFeely,John J. Yurkas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-07-10.

Chemical vapor deposition coating, article, and method

Номер патента: US09777368B2. Автор: David A. Smith,James B. Mattzela,Paul H. Silvis,Gary A. Barone. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Vapor deposition mask, and manufacturing method and manufacturing device for organic EL element using vapor deposition mask

Номер патента: US09580791B2. Автор: Satoshi Inoue,Nobuhiro Hayashi,Tohru Sonoda,Shinichi Kawato. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Vanadium-containing film forming compositions and vapor deposition of vanadium-containing films

Номер патента: US20160307905A1. Автор: Wontae NOH,Clement Lansalot-Matras. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2016-10-20.

Magnetically enhanced high density plasma-chemical vapor deposition plasma source for depositing diamond and diamond-like films

Номер патента: US09951414B2. Автор: Roman Chistyakov,Bassam Hanna Abraham. Владелец: IonQuest Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Photoelectric conversion device vapor deposition material, photoelectric conversion device, sensor, and imaging device

Номер патента: US09691999B2. Автор: Mitsumasa Hamano. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Methods and apparatus for extended chamber for through silicon via deposition

Номер патента: US11846013B2. Автор: Jiao Song,David Gunther,Kirankumar Neelasandra Savandaiah,Irena H. Wysok,Anthony CHIH-TUNG CHAN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Methods and apparatus for extended chamber for through silicon via deposition

Номер патента: WO2022026653A1. Автор: Jiao Song,David Gunther,Kirankumar Neelasandra Savandaiah,Irena H. Wysok,Anthony CHIH-TUNG CHAN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-02-03.

Chemical-vapor-deposition silicon carbide bulk having improved etching characteristic

Номер патента: US11859309B2. Автор: Kang Suk Kim,Young Ju Kim,Hak Jun AHN,Youn Woong JUNG,Jun Baek SONG,Won Geun SON. Владелец: DS TECHNO Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Aerosol assisted chemical vapor deposition methods useful for making dye-sensitized solar cells with platinum dialkyldithiocarbamate complexes

Номер патента: US11742151B2. Автор: Muhammad Ali Ehsan,Abdul REHMAN,Abbas Saeed Hakeem. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2023-08-29.

Techniques for Marking a Substrate using a Physical Vapor Deposition Material

Номер патента: US20180072021A1. Автор: Stephen Paul Zadesky,Douglas Weber,Christopher Prest,David Pakula. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-03-15.

Method of making primary current detector using plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US4851367A. Автор: David J. Wolf. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1989-07-25.

Plasma enhanced chemical vapor deposition of graphene on optical fibers

Номер патента: US20230212743A1. Автор: Nai-Chang Yeh,Deepan Kishore Kumar. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2023-07-06.

Metalorganic chemical vapor deposition of zinc oxide

Номер патента: WO2009131842A1. Автор: Bunmi T. Adekore,Jonathan Pierce. Владелец: Lumenz, Inc.. Дата публикации: 2009-10-29.

Metalorganic chemical vapor deposition of zinc oxide

Номер патента: EP2279284A1. Автор: Bunmi T. Adekore,Jonathan Pierce. Владелец: LUMENZ Inc. Дата публикации: 2011-02-02.

Chemical vapor deposition tool and process for fabrication of photovoltaic structures

Номер патента: US09972740B2. Автор: Jianming Fu,Yongkee Chae. Владелец: Tesla Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Reaction chamber for a catalytic cracking process in a fluidized layer and a method of realization of the catalytic cracking process in the fluidized layer (versions)

Номер патента: RU2268912C2. Автор: Хендрикус Ариен ДИРКСЕ,Эрнст Антониус БАККЕР,Дейвид Джон БРИДЖЕР,Стивен Брайан ФАУЛЕР. Владелец: Шелл Интернэшнл Рисерч Маатсхаппий Б.В.. Дата публикации: 2006-01-27.

Combined epitaxial growth system having multiple reaction chambers, operation method, device, and manufactured chip and application thereof

Номер патента: US20230387349A1. Автор: Bingfeng Fan,Zekai Hong. Владелец: Foshan University. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for vaporizing and reforming liquid fuels

Номер патента: CA2624762A1. Автор: Thomas Aicher,Lothar Griesser. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-19.

Method of producing dispersed aluminium nitride, installation and reaction chamber for its implementation

Номер патента: RU2638975C2. Автор: Аскольд Рафаилович Бекетов,Андрей Александрович Елагин,Михаил Владимирович Баранов,Роман Александрович Шишкин,Валерия Сергеевна Кудякова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2017-12-19.

Pyrolysis oil made with a microwave-transparent reaction chamber for production of fuel from an organic-carbon-containing feedstock

Номер патента: US09545609B2. Автор: Douglas M. Van Thorre,Michael L. Catto. Владелец: TEKGAR LLV. Дата публикации: 2017-01-17.

Char made with a microwave-transparent reaction chamber for production of fuel from an organic-carbon-containing feedstock

Номер патента: US09540580B2. Автор: Douglas M. Van Thorre,Michael L. Catto. Владелец: TEKGAR LLV. Дата публикации: 2017-01-10.

Apparatus of metal organic chemical vapor deposition for growing epitaxial layer of compound semiconductor

Номер патента: US4883020A. Автор: JUNJI Komeno,Hitoshi Tanaka,Kazumi Kasai,Hiromi Itoh,Tatsuya Oh-hori. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-11-28.

System and method using a horizontal sublimation chamber for production of fuel from a carbon-containing feedstock

Номер патента: US09567543B2. Автор: Douglas M. Van Thorre,Michael L. Catto. Владелец: TekGar LLC. Дата публикации: 2017-02-14.

Reaction chamber for exothermic material

Номер патента: US09533816B2. Автор: Fabrice Mazaudier. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-01-03.

Device for synthesizing a polymer with reduced formation of deposits in the reaction chamber

Номер патента: US09914805B2. Автор: Achim Stammer,Silke Biedasek,Uwe Witt,Joachim Clauss,Ning Zhu,Gad Kory. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2018-03-13.

Bioreactor having at least two reaction chambers

Номер патента: AU2002314140A1. Автор: Udo Holker. Владелец: Hofer Bioreact GmbH. Дата публикации: 2002-12-23.

Method of manufacturing an electrode for vapor deposition

Номер патента: US09988719B2. Автор: Jae Bum Kim. Владелец: Dae San Materials Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

System and methods for electrokinetic loading of sub-micron-scale reaction chambers

Номер патента: US20240209434A1. Автор: Jonathan M. Rothberg,Gerard Schmid,Jonathan C. Schultz,Jeremy Lackey,Guojun Chen,Ali Kabiri,Farshid Ghasemi,Keith G. Fife,Todd Rearick,Alexander Goryaynov. Владелец: Quantum Si Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Hydrophobic materials made by vapor deposition coating and applications thereof

Номер патента: EP2440402A1. Автор: HE Dong,Jikang Yuan. Владелец: Innovanano Inc. Дата публикации: 2012-04-18.

Hydrophobic Materials Made By Vapor Deposition Coating and Applications Thereof

Номер патента: US20140147655A1. Автор: HE Dong,Jikang Yuan. Владелец: Innovanano Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Method for vapor pressure controlled growth of infrared chalcogenide glasses

Номер патента: EP1611060B1. Автор: William David Autery,Gregory Stewart Tyber,Athanasios John Syllaios,Marissa Marie Barnard,Donald Bryan Christian,Allan Leroy Buehler,Andre Deon Walker. Владелец: Umicore NV SA. Дата публикации: 2007-06-20.

System and method for vapor pressure controlled growth of infrared chalcogenide glasses

Номер патента: US20040206119A1. Автор: Donald Christian,Andre Walker,Athanasios Syllaios,William Autery,Gregory Tyber,Marissa Barnard,Allan Buehler. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2004-10-21.

Chemical vapor deposition coating process employing radiant heat and a susceptor

Номер патента: US4496609A. Автор: Walter C. Benzing,Michael A. Mcneilly. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1985-01-29.

Self-metering of fluid into a reaction chamber

Номер патента: US20170065980A1. Автор: William M. Nelson,Aymeric Randanne de Vazeille,Kyle Armantrout. Владелец: Tetracore Inc. Дата публикации: 2017-03-09.

Reaction chamber for extraction of uranium dioxide powder by using method of uranium hexafluoride reductive pyrohydrolysis

Номер патента: MY196848A. Автор: Dmitry Yuryevich OSTROVSKY,Alexander Leonidovich KHLYTIN,Yury Vladimirovich OSTROVSKY,Grigory Mikhailovich ZABORTSEV,Ivan Ignatyevich ZHERIN. Владелец: Publichnoe Aktsionernoe Obshchestvo Novosibirsky Zavod Khimkontsentratov Pao Nzhk. Дата публикации: 2023-05-04.

Methods for producing 2D materials by moving forming layers disposed on carriers through a reaction chamber open to the atmosphere

Номер патента: US11542632B1. Автор: James Vig Sherrill,Gregory E. Erickson. Владелец: General Graphene Corp. Дата публикации: 2023-01-03.

Methods for producing 2d materials by moving forming layers disposed on carriers through a reaction chamber open to the atmosphere

Номер патента: US20230093707A1. Автор: James Vig Sherrill,Gregory E. Erickson. Владелец: General Graphene Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Chemical vapour deposition epitaxial reactor having two reaction chambers alternatively actuated and actuating method thereof

Номер патента: US20020112661A1. Автор: Franco Preti. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-22.

Process and apparatus for removal of h2s with separate absorber and oxidizer and a reaction chamber therebetween

Номер патента: CA2065546C. Автор: Leslie C. Hardison. Владелец: Wheelabrator Clean Air Systems Inc. Дата публикации: 1999-04-20.

Device with several reaction chambers for implementing liquid/solid oxidation-reduction reactions in a fluidized bed

Номер патента: CA2843828C. Автор: Franck Lancon. Владелец: Cleanmetals Sa. Дата публикации: 2019-02-26.

Droplet chemical reaction chamber

Номер патента: US5773238A. Автор: Ashok K. Shukla. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-06-30.

Device with several reaction chambers for implementing liquid/solid oxidation-reduction reactions in a fluidized bed

Номер патента: CA2843828A1. Автор: Franck Lancon. Владелец: Lefort, Guillaume. Дата публикации: 2013-02-07.

Device with several reaction chambers for implementing liquid/solid oxidation-reduction reactions in a fluidized bed

Номер патента: US9028760B2. Автор: Franck Lancon. Владелец: Cleanmetals Sa. Дата публикации: 2015-05-12.

Device for the synthesis of a polymer with extraction of a gaseous substance, comprising a reaction chamber having at least one circular-cylindrical section

Номер патента: CA2913498C. Автор: Achim Stammer,Joachim Clauss,Ning Zhu,Gad Kory. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2021-09-07.

Apparatus for growing epitaxial layers on wafers by chemical vapor deposition

Номер патента: US6547876B2. Автор: Michael Spencer,Ian Ferguson,Alexander Gurary. Владелец: Emcore Corp. Дата публикации: 2003-04-15.

System and process with assisted gas flow inside a reaction chamber

Номер патента: WO2020264464A8. Автор: Lu Yang,Yan Wang,Liang Yuh Chen. Владелец: eJoule, Inc.. Дата публикации: 2022-02-03.

System and process with assisted gas flow inside a reaction chamber

Номер патента: US20240075451A1. Автор: Lu Yang,Yan Wang,Liang-Yuh Chen. Владелец: eJoule Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Procedure and device for cracking of hydrocarbons using two successive reaction chambers

Номер патента: US20020096452A1. Автор: Marcellin Espeillac,Pierre Crespin. Владелец: Total Raffinage Distribution SA. Дата публикации: 2002-07-25.

Low halide lanthanum precursors for vapor deposition

Номер патента: US20230382927A1. Автор: Sergei V. Ivanov,Neil Osterwalder. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

Low halide lanthanum precursors for vapor deposition

Номер патента: US11753420B2. Автор: Sergei V. Ivanov,Neil Osterwalder. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-09-12.

Low Halide Lanthanum Precursors For Vapor Deposition

Номер патента: US20210363162A1. Автор: Sergei V. Ivanov,Neil Osterwalder. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2021-11-25.

Method for improving the reactant gas flow in a reaction chamber

Номер патента: US5096534A. Автор: Albert E. Ozias. Владелец: Epsilon Technology Inc. Дата публикации: 1992-03-17.

System and methods for electrokinetic loading of sub-micron-scale reaction chambers

Номер патента: US11932906B2. Автор: Jonathan M. Rothberg,Gerard Schmid,Jonathan C. Schultz,Jeremy Lackey,Guojun Chen,Ali Kabiri,Farshid Ghasemi,Keith G. Fife,Todd Rearick,Alexander Goryaynov. Владелец: Quantum Si Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Probe system for real-time quantitative and qualitative analysis of biomaterial, reaction chamber with said probe system, and analysis method thereof

Номер патента: US20170327878A1. Автор: Sun Young PARK,Jong Pil Park,Mun Cheol Paek,Nam Joong Kim,Su Jin Ku,Jin Seok Noh,Lee Kyung Kim,Do Bu Lee. Владелец: K-Mac Bio Center Corp. Дата публикации: 2017-11-16.

System and methods for electrokinetic loading of sub-micron-scale reaction chambers

Номер патента: AU2019205383B2. Автор: Jonathan M. Rothberg,Gerard Schmid,Jonathan C. Schultz,Jeremy Lackey,Guojun Chen,Ali Kabiri,Farshid Ghasemi,Keith G. Fife,Todd Rearick,Alexander Goryaynov. Владелец: Quantum Si Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

System and methods for electrokinetic loading of sub-micron-scale reaction chambers

Номер патента: AU2019205383A8. Автор: Jonathan M. Rothberg,Gerard Schmid,Jonathan C. Schultz,Jeremy Lackey,Guojun Chen,Ali Kabiri,Farshid Ghasemi,Keith G. Fife,Todd Rearick,Alexander Goryaynov. Владелец: Quantum Si Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

System and methods for electrokinetic loading of sub-micron-scale reaction chambers

Номер патента: AU2019205383B8. Автор: Jonathan M. Rothberg,Gerard Schmid,Jonathan C. Schultz,Jeremy Lackey,Guojun Chen,Ali Kabiri,Farshid Ghasemi,Keith G. Fife,Todd Rearick,Alexander Goryaynov. Владелец: Quantum Si Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Probe system for real-time quantitative and qualitative analysis of biomaterial, reaction chamber with said probe system, and analysis method thereof

Номер патента: WO2016085036A1. Автор: Sun Young PARK,Jong Pil Park,Mun Cheol Paek,Nam Joong Kim,Su Jin Ku,Jin Seok Noh,Lee Kyung Kim,Do Bu Lee. Владелец: K-MAC. Дата публикации: 2016-06-02.

Process for vapor phase epitaxy of compound semiconductor

Номер патента: US5970314A. Автор: Mitsuru Shimazu,Kensaku Motoki,Takuji Okahisa,Akinori Koukitu,Yoshiki Miura,Hisashi Seki,Masato Matsushima. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1999-10-19.

Alkylation reaction chamber

Номер патента: US3982903A. Автор: Robert F. Anderson. Владелец: Universal Oil Products Co. Дата публикации: 1976-09-28.

Installation with distribution mask for vapor deposition of a coating on optical articles on a rotary support

Номер патента: US11821072B2. Автор: Vicente ESTEVEZ RODRIGUEZ. Владелец: BNL Eurolens SAS. Дата публикации: 2023-11-21.

Lamp with particles coated by vapor deposition

Номер патента: US20030057824A1. Автор: Christoforos Kazazis,Daniel Carril,Keith Klinedinst. Владелец: Osram Sylvania Inc. Дата публикации: 2003-03-27.

Plurality of reaction chambers in test cassette

Номер патента: RU2644476C2. Автор: ФАБРА Хорди КАРРЕРА,ГИБЕРТ Рафаэль БРУ,КАСАС Анна КОМЕНХЕС,САНЧЕЗ Хосе Антонио ГАРСИА. Владелец: Стат-Диагностика Энд Инновэйшн, С.Л.. Дата публикации: 2018-02-12.

Nanoscale reaction chambers and methods of using the same

Номер патента: EP4323542A1. Автор: Wei-Ying Kuo,Joseph de Rutte,Sheldon ZHU. Владелец: Partillion Bioscience Corp. Дата публикации: 2024-02-21.

Nanoscale reaction chambers and methods of using the same

Номер патента: CA3215070A1. Автор: Wei-Ying Kuo,Joseph de Rutte,Sheldon ZHU. Владелец: Partillion Bioscience Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Distributing light in a reaction chamber

Номер патента: WO2019056137A1. Автор: Fariborz Taghipour,Manoj Singh,Babak Adeli Koudehi,Alireza Jalali. Владелец: Acuva Technologies Inc.. Дата публикации: 2019-03-28.

Nanoscale reaction chambers and methods of using the same

Номер патента: AU2022258444A1. Автор: Wei-Ying Kuo,Joseph de Rutte,Sheldon ZHU. Владелец: Partillion Bioscience Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Reaction chamber for amino-terminal sequence analysis of proteins or peptides

Номер патента: US5135720A. Автор: Toyoaki Uchida. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 1992-08-04.

Patch for microarray reaction chamber having adhesive means support and two or more adhesive materials

Номер патента: US20050136459A1. Автор: Jeong-Gun Lee,Hun-Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-06-23.

Biological reaction chamber apparatus

Номер патента: US3745091A. Автор: J Mccormick. Владелец: Miles Laboratories Inc. Дата публикации: 1973-07-10.

Alkylation reaction chamber

Номер патента: CA1051809A. Автор: Robert F. Anderson. Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 1979-04-03.

Spherical reactor having a plurality of cylindrical reaction chambers and method for carrying out a reaction using said spherical reactor

Номер патента: GB2110105A. Автор: Bunji Kinno,Jun Zanma,Tomoyoshi Nakano. Владелец: Toyo Engineering Corp. Дата публикации: 1983-06-15.

Reaction chamber and method for preparing preforms for optical fibers

Номер патента: US20060016224A1. Автор: Gilles Fonteneau,Catherine Boussard-Pledel,David Le Coq. Владелец: Umicore NV SA. Дата публикации: 2006-01-26.

Nitric oxide water generation system having purifying part for automatically purifying water in reaction chamber

Номер патента: US20230257267A1. Автор: Kiman Hwangbo,Daehwa Hwangbo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-08-17.

Low halide lanthanum precursors for vapor deposition

Номер патента: EP3659687A3. Автор: Sergei V. Ivanov,Neil Osterwalder. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2020-08-19.

Low halide lanthanum precursors for vapor deposition

Номер патента: EP3659687A2. Автор: Sergei V. Ivanov,Neil Osterwalder. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2020-06-03.

Two-phase spraying device and reaction chamber for the preparation of a product containing ammonium orthophosphate

Номер патента: US4370304A. Автор: Petrus F. A. M. Hendriks,Arie Jansen,Willem B. van den Berg,Cornelis Hoek. Владелец: Unie Van Kunstmestfabrieken BV. Дата публикации: 1983-01-25.

Dehydrogenation reactions in narrow reaction chambers and integrated reactors

Номер патента: US20040199039A1. Автор: Gary Roberts,Anna Tonkovich,Matthew Schmidt,G. Chadwell,John Brophy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-07.

Method and apparatus for manufacturing optical fiber preforms using the outside vapor deposition process

Номер патента: US20050076680A1. Автор: Hyung-Soo Shin,Chan-Yong Park,Man-Soo Choi,Bong-hun Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-14.

Vapor deposition apparatus and techniques using high purity polymer derived silicon carbide

Номер патента: EP4407079A2. Автор: Mark S. Land. Владелец: Pallidus Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Vapor deposition apparatus and techniques using high purity polymer derived silicon carbide

Номер патента: EP4407079A3. Автор: Mark S. Land. Владелец: Pallidus Inc. Дата публикации: 2024-10-30.

Method and a device for manufacturing an optical preform by means of an internal vapour deposition process, as well as corresponding substrate tube assembly

Номер патента: US09463994B2. Автор: Igor Milicevic,Mattheus Jacobus Nicolaas Van Stralen,Johannes Antoon Hartsuiker,Gertjan KRABSHUIS,Eric Aloysius Kuijpers. Владелец: Draka Comteq BV. Дата публикации: 2016-10-11.

Protective film for FPD, vapor deposited material for protective film and its production method, FPD, and manufacturing device for FPD protective film

Номер патента: US20020074623A1. Автор: Hideaki Sakurai,Yoshirou Kuromitsu. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2002-06-20.

Electrocoagulation reaction chamber and method

Номер патента: US20030070919A1. Автор: F. Gilmore. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

Microfluidic cartridge having a vent channel and method of filling a reaction chamber using same

Номер патента: WO2024036326A2. Автор: Patrick David ERB,Maxwell Pierce HENSLEY. Владелец: Canon Virginia, Inc.. Дата публикации: 2024-02-15.

Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film

Номер патента: US11827978B2. Автор: Qi Xie,Bhushan Zope,Shankar Swaminathan,Eric Christopher Stevens,Charles DEZELAH,Giuseppe Alessio Verni. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-28.

Microfluidic cartridge having a vent channel and method of filling a reaction chamber using same

Номер патента: WO2024036326A3. Автор: Patrick David ERB,Maxwell Pierce HENSLEY. Владелец: Canon Virginia, Inc.. Дата публикации: 2024-03-14.

Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film

Номер патента: US20240068092A1. Автор: Qi Xie,Bhushan Zope,Shankar Swaminathan,Eric Christopher Stevens,Charles DEZELAH,Giuseppe Alessio Verni. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-02-29.

Method and device for vaporizing a liquid reactant in manufacturing a glass preform

Номер патента: US20060010922A1. Автор: Marco Arimondi,Giacomo Roba,Marco Galante,Ilenia Santi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-19.

Niobium-containing film forming compositions and vapor deposition of niobium-containing films

Номер патента: US09786671B2. Автор: Wontae NOH,Clement Lansalot-Matras. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2017-10-10.

Vanadium-containing film forming compositions and vapor deposition of vanadium-containing films

Номер патента: US09691770B2. Автор: Wontae NOH,Clement Lansalot-Matras. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2017-06-27.

Tantalum-containing film forming compositions and vapor deposition of tantalum-containing films

Номер патента: US09748249B2. Автор: Wontae NOH,Clement Lansalot-Matras. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2017-08-29.

System and method for vapor recovery

Номер патента: RU2750595C2. Автор: Аарон БЭЙКЕР. Владелец: Флогистикс, Лп. Дата публикации: 2021-06-29.

System and method for vaporized hydrogen peroxide cleaning of an incubation chamber

Номер патента: US20230148051A1. Автор: Dale C. Barnett,Robert W. Dotterer,David N. Figel,Milton Ford Baker, JR.,Stephen Charles Keiser. Владелец: CARON PRODUCTS AND SERVICES Inc. Дата публикации: 2023-05-11.

System and Method for Vaporized Hydrogen Peroxide Cleaning of An Incubation Chamber

Номер патента: US20170175069A1. Автор: Dale C. Barnett,Robert W. Dotterer,David N. Figel,Milton Ford Baker, JR.,Stephen Charles Keiser. Владелец: CARON PRODUCTS AND SERVICES Inc. Дата публикации: 2017-06-22.

Method for producing multiple-surface imposition vapor deposition mask, multiple-surface imposition vapor deposition mask obtained therefrom, and method for producing organic semiconductor element

Номер патента: US09343679B2. Автор: Hiroyuki Nishimura,Yutaka Matsumoto,Toshihiko Takeda,Katsunari Obata,Yoshinori Hirobe,Masato Ushikusa. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2016-05-17.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: AU2003232015A1. Автор: Ram W. Sabnis. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2003-11-17.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: EP1502292B1. Автор: Ram W. Sabnis. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2010-08-25.

Conductive flakes by sputtering and vapor deposition

Номер патента: WO2004070733A2. Автор: Angelo Yializis,Michael G. Mikhael. Владелец: Sigma Laboratories Of Arizona, Inc.. Дата публикации: 2004-08-19.

Chemical vapor deposition functionalization

Номер патента: US09975143B2. Автор: David A. Smith,Paul H. Silvis. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Multiple-surface imposition vapor deposition mask

Номер патента: US09548453B2. Автор: Hiroyuki Nishimura,Yutaka Matsumoto,Toshihiko Takeda,Katsunari Obata,Yoshinori Hirobe,Masato Ushikusa. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2017-01-17.

Vapor Deposition Apparatus and Techniques Using High Purity Polymer Derived Silicon Carbide

Номер патента: US20240190710A1. Автор: Mark S. Land. Владелец: Pallidus Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Resin composition for direct vapor deposition, molded articles made by using the same, and surface-metallized lamp housing

Номер патента: US20100159134A1. Автор: Yoshihiro Nakai,Takahiro Ikebe,Hideyuki Shigemitsu,Keiji Obata. Владелец: Mitsubishi Rayon Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Vapor deposition mask with metal plate

Номер патента: US09527098B2. Автор: Hiroyuki Nishimura,Yutaka Matsumoto,Toshihiko Takeda,Katsunari Obata,Takashi Takekoshi,Yoshinori Hirobe,Masato Ushikusa. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

Localized atmospheric laser chemical vapor deposition

Номер патента: EP2842156A1. Автор: Selim Elhadj,Manyalibo Joseph Matthews. Владелец: Lawrence Livermore National Security LLC. Дата публикации: 2015-03-04.

System and method for vaporized hydrogen peroxide cleaning of an incubation chamber

Номер патента: US11965150B2. Автор: Dale C. Barnett,Robert W. Dotterer,David N. Figel,Milton Ford Baker, JR.,Stephen Charles Keiser. Владелец: CARON PRODUCTS AND SERVICES Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Organic film vapor deposition method and a scintillator panel

Номер патента: US20020190223A1. Автор: Toshio Takabayashi,Hiroto Sato,Takuya Homme. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2002-12-19.

Vanadium-containing film forming compositions and vapor deposition of vanadium-containing films

Номер патента: US20160304542A1. Автор: Wontae NOH,Clement Lansalot-Matras. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2016-10-20.

Niobium-containing film forming compositions and vapor deposition of niobium-containing films

Номер патента: US20160307902A1. Автор: Wontae NOH,Clement Lansalot-Matras. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2016-10-20.

Organic film vapor deposition method and a scintillator panel

Номер патента: US20020192372A1. Автор: Toshio Takabayashi,Hiroto Sato,Takuya Homme. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2002-12-19.

Multi-deposition process for high quality gallium nitride device manufacturing

Номер патента: US20200258741A1. Автор: Cem Basceri,Vladimir Odnoblyudov. Владелец: Qromis Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

Producing coated textiles using photo-initiated chemical vapor deposition

Номер патента: EP4329948A1. Автор: Adrian J. BEACH,Sayantani NANDY,Trisha Lionel Andrew. Владелец: Soliyarn LLC. Дата публикации: 2024-03-06.

Coating fibers using directed vapor deposition

Номер патента: US12054431B2. Автор: Kang N. Lee,Adam L. Chamberlain,Andrew J. Lazur. Владелец: Rolls Royce Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Coating fibers using directed vapor deposition

Номер патента: US09981880B2. Автор: Kang N. Lee,Adam L. Chamberlain,Andrew J. Lazur. Владелец: Rolls Royce Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Manufacturing of diffractive pigments by fluidized bed chemical vapor deposition

Номер патента: US09732228B2. Автор: Alberto Argoitia. Владелец: VIAVI SOLUTIONS INC. Дата публикации: 2017-08-15.

Catalyst for vapor hydrocarbon conversion

Номер патента: RU2650495C1. Автор: Ольга Леонидовна Овсиенко,Виктор Петрович Томин,Марина Ивановна Целютина. Владелец: Акционерное общество "Ангарский завод катализаторов и органического синтеза" (АО "АЗКиОС"). Дата публикации: 2018-04-16.

Vapor deposition method for the gaas thin film

Номер патента: CA1274429A. Автор: Seiji Kojima,Hiroshi Kikuchi,Masakiyo Ikeda,Yuzo Kashiwayanagi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1990-09-25.

Chemical vapor deposition method for the gaas thin film

Номер патента: CA1305910C. Автор: Seiji Kojima,Hiroshi Kikuchi,Masakiyo Ikeda,Yuzo Kashiwayanagi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1992-08-04.

Method For Vaporizing Lactic Acid, Apparatus For Vaporizing Lactic Acid, And Method For Preparing Acrylic Acid From Lactic Acid

Номер патента: US20230382842A1. Автор: Jiyoung LEE,Daeho Hong,Inho Choi,Hoiin Jeong,Yong O Im. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Vapor deposition mask with metal plate

Номер патента: US11511301B2. Автор: Hiroyuki Nishimura,Yutaka Matsumoto,Toshihiko Takeda,Katsunari Obata,Takashi Takekoshi,Yoshinori Hirobe,Masato Ushikusa. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2022-11-29.

Vapor deposition equipment including a selenization process for fabricating cigs film

Номер патента: US20160293789A1. Автор: Wen-Chueh Pan,Jen-Chieh Li,Chui-Yu Chiu,Tsang-Ming Hsu,Shih-Shan Wei,Tsan-Tung Chen. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2016-10-06.

Conductive flakes manufactured by combined sputtering and vapor deposition

Номер патента: US7754106B2. Автор: Angelo Yializis,Michael G. Mikhael. Владелец: Sigma Labs Inc. Дата публикации: 2010-07-13.

Enhancing performance stability of electroactive polymers by vapor-deposited organic networks

Номер патента: US20190055371A1. Автор: T. Alan Hatton,Karen K. Gleason,Andong Liu,Xianwen Mao. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2019-02-21.

Production system for vapor-grown carbon nanofibers

Номер патента: US09738525B2. Автор: Chun-Shan Wang,Teng-Hui WANG. Владелец: Yonyu Applied Technology Material Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for enhancing growth of semipolar (Al,In,Ga,B)N via metalorganic chemical vapor deposition

Номер патента: US8405128B2. Автор: Hitoshi Sato,Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,Benjamin A. Haskell,John F. Kaeding,Michael Iza,Troy J. Baker. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2013-03-26.

Chemical vapor deposition graphene foam electrodes for pseudo-capacitors

Номер патента: US9263196B2. Автор: Thomas A. Yager. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2016-02-16.

Method of producing particles by physical vapor deposition in an ionic liquid

Номер патента: CA2636662C. Автор: James J. Finley. Владелец: PPG Industries Ohio Inc. Дата публикации: 2011-08-16.

Combination gas curtains for continuous chemical vapor deposition production of silicon bodies

Номер патента: CA1178179A. Автор: Henry W. Gutsche. Владелец: Monsanto Co. Дата публикации: 1984-11-20.

Process for vapor phase cracking of dicyclopentadiene and synthesis of 2,3-dihydrodicyclopentadiene therefrom

Номер патента: CA1100533A. Автор: Parley C. Lane. Владелец: BF Goodrich Corp. Дата публикации: 1981-05-05.

Method for preparing perovskite solar cell absorbing layer by means of chemical vapor deposition

Номер патента: US20220230813A1. Автор: Hyuk Kyoo Jang,Gyu Hyun LEE,So Yeon Lee. Владелец: Mecaroenergy Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Chemical vapor deposition reactor having ceramic lining for production of polysilicon

Номер патента: US20140235041A1. Автор: Anatoly Alexandrovich Goncharov,Yury Dmitrievich Kalashnikov. Владелец: Ecolive Technologies Ltd. Дата публикации: 2014-08-21.

Method for making an eyeglass lens coated by means of physical vapor deposition pvd and intermediate assembly for the production of a coated eyeglass lens for said method

Номер патента: EP3695959A1. Автор: Marco QUEBOLI,Carlo RONI,Claudia Fagini,Danilo Mandelli. Владелец: The'lios SpA. Дата публикации: 2020-08-19.

Lightweight-foamed glass aggregates for vaporization suppression

Номер патента: US20210246622A1. Автор: Archibald Stewart Filshill,Thomas Liam McGrath. Владелец: Aero Aggregates of North America LLC. Дата публикации: 2021-08-12.

Lightweight-foamed glass aggregates for vaporization suppression

Номер патента: US20230027637A1. Автор: Archibald Stewart Filshill,Thomas Liam McGrath. Владелец: Aero Aggregates of North America LLC. Дата публикации: 2023-01-26.

Lightweight-foamed glass aggregates for vaporization suppression

Номер патента: US20200199014A1. Автор: Archibald Stewart Filshill,Thomas Liam McGrath. Владелец: Aeroaggregates LLC. Дата публикации: 2020-06-25.

Lightweight-foamed glass aggregates for vaporization suppression

Номер патента: US11459170B2. Автор: Archibald Stewart Filshill,Thomas Liam McGrath. Владелец: Aero Aggregates of North America LLC. Дата публикации: 2022-10-04.

Process for preparing contact lens with film by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20190310494A1. Автор: Wen-Pin Lin,Meng-Jiy WANG. Владелец: Brighten Optix Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

Chemical vapor deposition functionalization

Номер патента: US20160059260A1. Автор: David A. Smith,Paul H. Silvis. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

Method for forming aluminum oxide/carbon nanotubes by ultrasonic atomization and chemical vapor deposition

Номер патента: US09834444B2. Автор: Muataz Ali Atieh,Fahad Ali RABBANI,Zuhair Omar MALAIBARI. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2017-12-05.

Chemical vapor deposition of dense and transparent zirconia films

Номер патента: US5145720A. Автор: Toshio Hirai,Hisanori Yamane. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 1992-09-08.

Single-crystal diamond, method for manufacturing single-crystal diamond, and chemical vapor deposition device used in same

Номер патента: US20190031515A1. Автор: Yutaka Kobayashi,Yoshiki Nishibayashi,Natsuo Tatsumi,Hitoshi Sumiya,Akihiko Ueda,Takuya NOHARA. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC HARDMETAL CORP. Дата публикации: 2019-01-31.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition reactors and associated methods

Номер патента: WO2024168346A1. Автор: W. Shannan O'Shaughnessy,Andrew Grant,Sergio Fernandez,Lucas BLACK. Владелец: Kayaku Advanced Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-08-15.

Templated synthesis of shape-controlled polymeric nanofibers by chemical vapor deposition (CVD) in liquid crystals

Номер патента: US10907038B2. Автор: Joerg Lahann,Nicholas L. Abbott,Kenneth Cheng,Marco A. BEDOLLA PANTOJA. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2021-02-02.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition reactors and associated methods

Номер патента: US20240282546A1. Автор: W. Shannan O'Shaughnessy,Andrew Grant,Sergio Fernandez,Lucas BLACK. Владелец: Kayaku Advanced Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of manufacturing self-healing polymer that can control physical character according to composition using initiated chemical vapor deposition

Номер патента: US11680124B2. Автор: Yujin Lee,SungGap IM,Moon Jin KWAK,Kihoon JEONG,Youson KIM. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-06-20.

Reactor and method for production of silicon by chemical vapor deposition

Номер патента: US09793116B2. Автор: Werner O. Filtvedt,Josef Filtvedt. Владелец: Dynatec Engineering AS. Дата публикации: 2017-10-17.

Physical vapor deposited layers for protection of glass surfaces

Номер патента: US09751799B2. Автор: Charles Andrew Paulson. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Carbon nanostructures and networks produced by chemical vapor deposition

Номер патента: US09617156B2. Автор: Gerardus Joseph Maria Koper,Krishna Narayan Kumar Kowlgi,Rutger Alexander David Van Raalten. Владелец: Carbonx BV. Дата публикации: 2017-04-11.

Synthesis of ordered microporous carbons by chemical vapor deposition

Номер патента: US09604194B2. Автор: Cemal Ercan,Minkee Choi,Rashid M. Othman,Yuguo Wang,Seokin Choi. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-03-28.

Internal coating of a glass tube by plasma pulse-induced chemical vapor deposition

Номер патента: US5059231A. Автор: Volker Paquet,Ulrich Ackermann,Hartmut Bauch. Владелец: Schott Glaswerke AG. Дата публикации: 1991-10-22.

METHOD AND CHAMBER FOR BACKSIDE PHYSICAL VAPOR DEPOSITION

Номер патента: US20200350160A1. Автор: CAO YONG,Zhou Chunming,RAMALINGAM Jothilingam,LAVAN Shane,MORAES Kevin Vincent. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-05.

METHOD AND CHAMBER FOR BACKSIDE PHYSICAL VAPOR DEPOSITION

Номер патента: US20220415649A1. Автор: CAO YONG,Zhou Chunming,RAMALINGAM Jothilingam,LAVAN Shane,MORAES Kevin Vincent. Владелец: . Дата публикации: 2022-12-29.

Chemical vapor deposition process

Номер патента: US20020058413A1. Автор: Anand Srinivasan,Raj Narasimhan,Sujit Sharon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Reaction chamber arrangement and a method for forming a reaction chamber arrangement

Номер патента: US20130164566A1. Автор: Klaus Elian. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-06-27.

Emergency flotation device with chemical reaction chamber

Номер патента: WO2019106677A1. Автор: Moshe Shoham,Noam Hassidov,Oriya SHOHAM,Matityahu AZRIEL. Владелец: Sea-Ark Technologies Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

Single-use device with a reaction chamber and a method for controlling the temperature in the device and uses thereof

Номер патента: WO2015003722A1. Автор: Kenneth William Harlow,Morten Bech,Ivan R. PERCH-NIELSEN,Jan Harries Hansen. Владелец: Delta Dansk Elektronik, Lys & Akustik. Дата публикации: 2015-01-15.

Self-metering of fluid into a reaction chamber

Номер патента: US20200391214A1. Автор: William M. Nelson,Aymeric Randanne de Vazeille,Kyle Armantrout. Владелец: Tetracore Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Self-metering of fluid into a reaction chamber

Номер патента: US12103006B2. Автор: William M. Nelson,Aymeric Randanne de Vazeille,Kyle Armantrout. Владелец: Tetracore Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Plasma chamber with ancillary reaction chamber

Номер патента: EP4304772A1. Автор: Stefan Andrew McClelland,Jae Mo Koo,George Stephen LEONARD III,John Joseph REHAGEN. Владелец: ReCarbon Inc. Дата публикации: 2024-01-17.

Plasma chamber with ancillary reaction chamber

Номер патента: AU2022234467A1. Автор: Stefan Andrew McClelland,Jae Mo Koo,George Stephen LEONARD III,John Joseph REHAGEN. Владелец: ReCarbon Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Addressable micro-reaction chamber array

Номер патента: EP3897981A1. Автор: Benjamin Jones,Peter Peumans,Nicolas Vergauwe,Ahmed TAHER. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-10-27.

Plasma chamber with ancillary reaction chamber

Номер патента: CA3212953A1. Автор: Stefan Andrew McClelland,Jae Mo Koo,George Stephen LEONARD III,John Joseph REHAGEN. Владелец: ReCarbon Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Reaction chamber, processing system and processing method

Номер патента: CA3211291A1. Автор: Martin LIDSTRAND. Владелец: Trifilon AB. Дата публикации: 2022-09-15.

Reaction chamber, processing system and processing method

Номер патента: WO2022189409A1. Автор: Martin LIDSTRAND. Владелец: Trifilon AB. Дата публикации: 2022-09-15.

Methods for depositing dielectric films via physical vapor deposition processes

Номер патента: US09633839B2. Автор: Yong Cao,Yana Cheng,Xianmin Tang,Rongjun Wang,Thanh X. Nguyen,Srinivas Guggilla,Weimin Zeng,Daniel Lee Diehl. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

In-line, closed-system, downstream alteration of fluent substance within flexible-walled vessel using apparatus with reaction chamber

Номер патента: WO2005103225A3. Автор: Edwin D Neas,Jerald E Kuiken. Владелец: Jerald E Kuiken. Дата публикации: 2005-12-15.

Addressable micro-reaction chamber array

Номер патента: WO2020126985A1. Автор: Benjamin Jones,Peter Peumans,Nicolas Vergauwe,Ahmed TAHER. Владелец: IMEC VZW. Дата публикации: 2020-06-25.

Exhaust reaction chamber system of engine

Номер патента: CA1042351A. Автор: Shuichi Yamazaki,Ikuo Kajitani. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 1978-11-14.

Lower electrode mechanism and reaction chamber

Номер патента: US20200321198A1. Автор: Yahui Huang,Gang Wei,Yicheng Li,Xingfei MAO. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Reaction chamber lining

Номер патента: US20210398781A1. Автор: NA Li,Haiyang Liu,Chengyi Wang,Dongdong HU,Shiran CHENG,Kaidong Xu,Yonggang HOU,Zhaochao CHEN. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Carrier device and semiconductor reaction chamber

Номер патента: US20230274917A1. Автор: Xingfei MAO,Jinji XU. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Lower electrode mechanism and reaction chamber

Номер патента: US11410833B2. Автор: Yahui Huang,Gang Wei,Yicheng Li,Xingfei MAO. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-09.

Differential pressure, countergravity casting with alloyant reaction chamber

Номер патента: US5161604A. Автор: George D. Chandley,Bryant W. Crocker. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1992-11-10.

Imr-ms reaction chamber

Номер патента: EP3776629A1. Автор: Alfons Jordan. Владелец: Ionicon Analytik GmbH. Дата публикации: 2021-02-17.

Reaction chamber lining

Номер патента: US12112923B2. Автор: NA Li,Haiyang Liu,Chengyi Wang,Dongdong HU,Shiran CHENG,Kaidong Xu,Yonggang HOU,Zhaochao CHEN. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Reaction chamber with a fluidized bed, comprising a tubular wall structure with water

Номер патента: RU2727947C1. Автор: Пентти ЛАНКИНЕН,Джон К. МЕРФИ. Владелец: СУМИТОМО ЭсЭйчАй ФВ ЭНЕРДЖИА ОЙ. Дата публикации: 2020-07-27.

Method of carrying out plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US6432493B1. Автор: Tetsuya Taguwa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-08-13.

Arc chamber for ion implanter

Номер патента: US5892232A. Автор: Min-Huei Lin,Pei-Wei Tsai,Hua-Jen Tseng,Tzu-Hsin Huang. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 1999-04-06.

Reaction chamber for the decontamination of articles of clothing and equipment

Номер патента: CA2117839C. Автор: Norbert Klein,Paul Hellmuth,Michael Theis. Владелец: Dornier GmbH. Дата публикации: 2004-05-25.

Fluidics circuit of hermatology analyzer with heated reaction chamber

Номер патента: EP1515140A3. Автор: Bruce E. Behringer,Michael T. Peets,Joseph A. Raneri,Joseph J. Carlucci,Terry Goodsell. Владелец: Bayer HealthCare LLC. Дата публикации: 2007-03-14.

Plasma reaction chamber liner comprising ruthenium

Номер патента: US7131391B2. Автор: Li Li,Max F. Hineman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-11-07.

Exhaust reaction chamber for internal combustion engine

Номер патента: US4109463A. Автор: Satoru Ohata,Masao Watanabe,Kiyoyuki Itakura,Yohji Ishii. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 1978-08-29.

Micro-reaction chamber microelectrodes especially for neural and biointerfaces

Номер патента: US09592378B2. Автор: Bruce J. Gluckman,Balaji Shanmugasundaram. Владелец: PENN STATE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2017-03-14.

Systems and methods for vaporizing assembly

Номер патента: US09451792B1. Автор: Yariv Alima. Владелец: Atmos Nation LLC. Дата публикации: 2016-09-27.

Modular reaction chamber

Номер патента: US20230108280A1. Автор: Jianqiu HUANG,Ruchik Bhatt. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-04-06.

Formation of oxynitride and polysilicon layers in a single reaction chamber

Номер патента: US5998270A. Автор: Mark I. Gardner,Mark C. Gilmer. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-12-07.

Method and apparatus for continuously taking a hot gas sample to be analyzed from a reaction chamber

Номер патента: US4779466A. Автор: Wolfgang Ramsner,Karl Ruemer,Kurt Holzl. Владелец: Voestalpine AG. Дата публикации: 1988-10-25.

Vapor deposition deposited photoresist, and manufacturing and lithography systems therefor

Номер патента: US09829805B2. Автор: Timothy W. Weidman,Paul Deaton,Timothy Michaelson,Barry Lee Chin,Majeed Foad. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Conditioning of a reaction chamber

Номер патента: US20060202394A1. Автор: Steven Ott,Bill Crane,William Polinsky,John Gonzales. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Pre-lithiation reaction chamber apparatus

Номер патента: US11967699B2. Автор: Oh-Byong CHAE,Seung-Hae HWANG,Ye-Ri Kim. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Heating system of batch type reaction chamber and method thereof

Номер патента: US20070166656A1. Автор: Young Ho Lee,Byoung Il Lee,Taek Yong Jang. Владелец: Terasemicon Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Pre-lithiation reaction chamber apparatus

Номер патента: US20220085349A1. Автор: Oh-Byong CHAE,Seung-Hae HWANG,Ye-Ri Kim. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Cartridges for vaporizer devices

Номер патента: US12109355B2. Автор: Christopher James ROSSER,Simon J. Smith. Владелец: Juul Labs Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor reaction chamber

Номер патента: US20230230803A1. Автор: Wei Wang,Guodong Chen,Gang Wei,Xingfei MAO. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Method for measuring temperature of film in reaction chamber

Номер патента: US09696209B2. Автор: Lu Chen,Yousen Li,Yanzhong Ma,Chaoqian Zhang,Steven Tianxiao Lee,Zhehao Chen. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai. Дата публикации: 2017-07-04.

Miniature reaction chamber and devices incorporating same

Номер патента: US6132580A. Автор: Richard A. Mathies,Adam T. Woolley. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2000-10-17.

Mixed-phase distributor for fixed-bed catalytic reaction chambers

Номер патента: US4140625A. Автор: Robert H. Jensen. Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 1979-02-20.

A fluidized bed reaction chamber comprising a tubular waterwall structure

Номер патента: MY194817A. Автор: Pentti Lankinen,John Q Murphy. Владелец: SUMITOMO SHI FW ENERGIA OY. Дата публикации: 2022-12-16.

System for and method of planarizing the contact region of a via by use of a continuous inline vacuum deposition process

Номер патента: WO2006081352A2. Автор: Thomas P. Brody,Joseph A. Marcanio. Владелец: Advantech Global, Ltd.. Дата публикации: 2006-08-03.

System for and method of planarizing the contact region of a via by use of a continuous inline vacuum deposition process

Номер патента: WO2006081352A3. Автор: Thomas P Brody,Joseph A Marcanio. Владелец: Joseph A Marcanio. Дата публикации: 2007-04-19.

High density plasma chemical vapor deposition process

Номер патента: US20020030033A1. Автор: Water Lur,Shih-Wei Sun,Chih-Chien Liu,Ta-Shan Tseng,W.B. Shieh,J.Y. Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Reaction chamber, processing system and processing method

Номер патента: EP4305236A1. Автор: Martin LIDSTRAND. Владелец: Trifilon AB. Дата публикации: 2024-01-17.

Automated staining system and reaction chamber

Номер патента: CA2774503C. Автор: Xuan S. Bui,Toshiyuki Fujimaki,Shinji Tokudaiji,Yoshitake Okabe,Yoshitada Mizusawa,Anthony L. Hartman. Владелец: Sakura Finetek USA Inc. Дата публикации: 2021-06-29.

Methods for fabricating integrated circuits using flowable chemical vapor deposition techniques with low-temperature thermal annealing

Номер патента: US09831098B2. Автор: TAO Han,Sukwon Hong,Sandeep Gaan,Xinyuan Dou,Shimpei Yamaguchi,Satyajit Shinde,Carlos Chacon. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Heater for vaporizer device with air preheating element and method for producing the same

Номер патента: EP4221521A1. Автор: Richard C. Fuisz,Joseph M. Fuisz,Anatolii GORDOVSKYI,Yurii LYPSKYI. Владелец: Fuisz Hnb Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-09.

Prefabricated substrate of array substrate, vapor deposition method, array substrate and display apparatus

Номер патента: US09947902B2. Автор: Lujiang Huangfu,Libin LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Device for adjusting wafer, reaction chamber, and method for adjusting wafer

Номер патента: US11892778B2. Автор: Xing Zhang,Congjun Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Pin for holding and/or cooling of ceramic coatings in hot reaction chambers, and method of manufacturing the same

Номер патента: US4574713A. Автор: Norbert Ullrich,Reinhard Muller,Klaus Kohnen. Владелец: Krupp Koppers GmbH. Дата публикации: 1986-03-11.

Methods for stabilization of self-assembled monolayers (sams) using sequentially pulsed initiated chemical vapor deposition (spicvd)

Номер патента: WO2024019841A1. Автор: Jacques Faguet,Omid Zandi,Ornella Sathoud. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-01-25.

Methods For Stabilization Of Self-Assembled Monolayers (SAMs) Using Sequentially Pulsed Initiated Chemical Vapor Deposition (spiCVD)

Номер патента: US20240017290A1. Автор: Jacques Faguet,Omid Zandi,Ornella Sathoud. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

System and method for shielding during PECVD deposition processes

Номер патента: EP1921658A2. Автор: Michael W. Stowell. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-05-14.

Vaporizer for vaporization of liquefied gases and method of vaporizing liquefied gas

Номер патента: WO2021083547A9. Автор: Neil Wilson,David De Nardis. Владелец: Cryostar SAS. Дата публикации: 2021-06-24.

Vaporizer for vaporization of liquefied gases and method of vaporizing liquefied gas

Номер патента: EP4051947A1. Автор: Neil Wilson,David De Nardis. Владелец: Cryostar SAS. Дата публикации: 2022-09-07.

Device for vaporizing a fluid, particularly a fogging fluid or extinguishing fluid

Номер патента: US20050011651A1. Автор: Peter Lell. Владелец: Pyroglobe Gmbh. Дата публикации: 2005-01-20.

Apparatus for Vaporization of Liquid

Номер патента: US20080193112A1. Автор: Greg A. Whyatt,Michael R. Powell. Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 2008-08-14.

Apparatus for vaporization of liquid

Номер патента: EP2115354A2. Автор: Greg A. Whyatt,Michael R. Powell. Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 2009-11-11.

Method for vapor-phase analysis of combinations of water-soluble volatile and low-volatility reservoir indicators

Номер патента: RU2720658C1. Автор: Сергей Александрович Нечаев,Людмила Артемовна Онучак,Юрий Иванович Арутюнов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «КимТэк». Дата публикации: 2020-05-12.

Apparatus for vaporization of liquid

Номер патента: WO2008100836A2. Автор: Greg A. Whyatt,Michael R. Powell. Владелец: BATTELLE MEMORIAL INSTITUTE. Дата публикации: 2008-08-21.

Ir-spectrometric system for vapor-phase monitoring of chemical composition of liquid hydrocarbon mixes in a tank and method of performing spectrometric measurements with its use

Номер патента: RU2700331C1. Автор: Дарья Сергеевна Нехорошева,Валерия Михайловна Куклина,Любовь Степановна Клименко. Владелец: Дарья Сергеевна Нехорошева. Дата публикации: 2019-09-16.

Method and system for vapor precipitation and recovery in a continuous coater

Номер патента: CA1231838A. Автор: John Sharpless. Владелец: Nordson Corp. Дата публикации: 1988-01-26.

Vapor dosing platform for vaporization cartridges

Номер патента: AU2019321671A1. Автор: Yisroel Kirsh,Akiva WAGNER,Robert Stephen Walter Bates,Andrew James Weitz,Sidney Primas,Jeroen Arnold Norbert KOOLS,Prasad K. PANCHALAN. Владелец: Vapor Dosing Technologies Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Device for Vaporization of Concentrated Phyto Material Extracts

Номер патента: US20200222642A1. Автор: Michael Alexander Trzecieski. Владелец: Vapium Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Methods and systems for vapor cooling

Номер патента: US09943111B2. Автор: Gene Fein,John Cameron,Dean Becker. Владелец: Lunatech LLC. Дата публикации: 2018-04-17.

Electric sensor for vapors of hydrazine

Номер патента: RU2646419C1. Автор: Александр Васильевич Баранов,Юлия Александровна Громова,Владимир Григорьевич Маслов,Анна Олеговна Орлова,Анатолий Валентинович Фёдоров,Сергей Александрович Черевков,Алексей Юрьевич Дубовик,Екатерина Петровна Колесова,Максим Андреевич Миропольцев,Иван Алексеевич Резник. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО). Дата публикации: 2018-03-05.

Adapter for vaporization attachments

Номер патента: US20240277947A1. Автор: Elie Atalla,Patrick Bissen. Владелец: Kind Distribution LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Device and method for vaporizing game attractants

Номер патента: US09980478B2. Автор: Daniel Corey Roebuck. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-29.

Permeable electric thermal resistor foil for vaporizing fluids from single-use mouthpieces with vaporizer membranes

Номер патента: US09814265B2. Автор: Arno Rinker,Philipp Litzenberger. Владелец: PHILIP MORRIS PRODUCTS SA. Дата публикации: 2017-11-14.

Microfluidic-based apparatus and method for vaporization of liquids

Номер патента: US20240246007A1. Автор: Carl D. Meinhart,Brian Piorek,Nicholas B. Judy. Владелец: Numerical Design Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Cartridges for vaporizer devices

Номер патента: EP3876763A1. Автор: Andrew J. STRATTON. Владелец: Juul Labs Inc. Дата публикации: 2021-09-15.

Cartridges for Vaporizer Devices

Номер патента: US20200138118A1. Автор: Andrew J. STRATTON. Владелец: Juul Labs Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Cartridges for vaporizer devices

Номер патента: US12053024B2. Автор: Ariel Atkins,Esteban Leon Duque,Alexander M. HOOPAI,Christopher James ROSSER,Andrew J. STRATTON,Norbert WESELY. Владелец: Juul Labs Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Cartridges for Vaporizer Devices

Номер патента: US20240358080A1. Автор: Ariel Atkins,Esteban Leon Duque,Alexander M. HOOPAI,Christopher James ROSSER,Andrew J. STRATTON,Norbert WESELY. Владелец: Juul Labs Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Cartridges for vaporizer devices with combined wicking and heating element

Номер патента: US12133951B2. Автор: Andrew J. STRATTON,James P. WESTLEY,Emily K. Pettitt. Владелец: Juul Labs Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Method and apparatus for vaporizing a liquid

Номер патента: US12072065B2. Автор: Aurélie LUONG,Bhadri Prasad. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-08-27.

Component for vapor provision system

Номер патента: US20220125106A1. Автор: Mark Potter,Richard HAINES. Владелец: Nicoventures Trading Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Method and apparatus for vaporizing liquids or the like with a concealable vaporizer pen

Номер патента: US20180352608A1. Автор: Dana E. Shoched. Владелец: DES Products Ltd d/b/a O2VAPE. Дата публикации: 2018-12-06.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2002062593A1. Автор: Ram Sabnis,Douglas J. Guerrero. Владелец: Brewer Science, Inc.. Дата публикации: 2002-08-15.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: EP1397260A1. Автор: Ram Sabnis,Douglas J. Guerrero. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2004-03-17.

Method and Device for Vaporizing of Phyto Material

Номер патента: US20180304032A9. Автор: Michael Alexander Trzecieski. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-10-25.

Conformal coating of lithium anode via vapor deposition for rechargeable lithium ion batteries

Номер патента: US10608249B2. Автор: Fang Liu,Yunfeng Lu,Mei Cai,Qiangfeng Xiao,Duo Xu. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2020-03-31.

Method and device for vaporizing phyto material

Номер патента: US20180221604A1. Автор: Michael Alexander Trzecieski. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-08-09.

Cartridges with uninterrupted airflow and vapor paths for vaporizer devices

Номер патента: US11980710B2. Автор: Adam Bowen,Ariel Atkins,Christopher James ROSSER. Владелец: Juul Labs Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Vaporiser device, in particular a sterilisation vaporiser device, for vaporizing a liquid and/or an aerosol

Номер патента: US20230270169A1. Автор: Markus Zimmermann,Jürgen Haak,Korbinian Tomschi. Владелец: Ampack Gmbh. Дата публикации: 2023-08-31.

Thin film high TC oxide superconductors and vapor deposition methods for making the same

Номер патента: US5447906A. Автор: Richard J. Gambino,Praveen Chaudhari,Robert B. Laibowitz,James A. Lacey,Roger H. Koch,Joseph M. Viggiano. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1995-09-05.

Physical vapor deposition process for semiconductor interconnection structures

Номер патента: US20190164825A1. Автор: Hung-Wen Su,Nai-Hao YANG,Kuan-Chia Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Energy-efficient evaporation process with means for vapor recovery

Номер патента: CA1193570A. Автор: Ulrich Merten. Владелец: Bend Research Inc. Дата публикации: 1985-09-17.

Carbon bearings via vapor deposition

Номер патента: US4005163A. Автор: Jack C. Bokros. Владелец: General Atomics Corp. Дата публикации: 1977-01-25.

Device for Vaporization of Concentrated Phyto Material Extracts

Номер патента: US20210307395A1. Автор: Michael Trzecieski. Владелец: GS Holistic, LLC. Дата публикации: 2021-10-07.

Microfluidic-based apparatus and method for vaporization of liquids

Номер патента: US11821623B2. Автор: Carl D. Meinhart,Brian Piorek,Nicholas B. Judy. Владелец: Numerical Design Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Vapor dosing platform for vaporization cartridges

Номер патента: EP3836997A1. Автор: Yisroel Kirsh,Akiva WAGNER,Robert Stephen Walter Bates,Andrew James Weitz,Sidney Primas,Jeroen Arnold Norbert KOOLS,Prasad K PANCHALAN. Владелец: Vapor Dosing Technologies Inc. Дата публикации: 2021-06-23.

Vapor dosing platform for vaporization cartridges

Номер патента: CA3150295A1. Автор: Yisroel Kirsh,Akiva WAGNER,Robert Stephen Walter Bates,Andrew James Weitz,Sidney Primas,Jeroen Arnold Norbert KOOLS,Prasad K. PANCHALAN. Владелец: Vapor Dosing Technologies Inc. Дата публикации: 2020-02-20.

Method and device for vaporization injection of high volumes in gas chromatographic analysis

Номер патента: EP1459060A2. Автор: Paolo Magni,Thomas Porzano. Владелец: Thermo Finnigan Italia SpA. Дата публикации: 2004-09-22.

Physical Vapor Deposition Process for Semiconductor Interconnection Structures

Номер патента: US20190164827A1. Автор: Hung-Wen Su,Nai-Hao YANG,Kuan-Chia Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Microfluidic-based apparatus and method for vaporization of liquids

Номер патента: US20240191870A1. Автор: Carl D. Meinhart,Brian Piorek,Nicholas B. Judy. Владелец: Numerical Design Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Physical Vapor Deposition Process for Semiconductor Interconnection Structures

Номер патента: US20200144112A1. Автор: Hung-Wen Su,Nai-Hao YANG,Kuan-Chia Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Saw for cutting silicon into seed rods for use in a chemical vapor deposition polysilicon reactor

Номер патента: EP2731770A1. Автор: Rodolfo Bovo,Paolo Molino. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2014-05-21.

Electric vaporizer for vaporizing resins in vehicle cabins

Номер патента: WO1997039778A1. Автор: Matteo Bevilacqua,Carlo Alberto Zaccagna. Владелец: D'arienzo, Anna, Maria. Дата публикации: 1997-10-30.

Cartridges for vaporized devices

Номер патента: WO2020081527A1. Автор: James P. WESTLEY,Simon J. Smith,Christopher J. Rosser. Владелец: JUUL Labs, Inc.. Дата публикации: 2020-04-23.

Cartridges for vaporizer devices

Номер патента: WO2024030298A1. Автор: Eric Joseph Johnson,Steven Christensen,Ariel Atkins,Esteban Leon Duque,Jason King,Christopher L. BELISLE,Alexander M. HOOPAI,Matthew Rios,Andrew J. STRATTON,James P. WESTLEY,Joshua A. DE GROMOBOY DABROWICKI. Владелец: JUUL Labs, Inc.. Дата публикации: 2024-02-08.

Device for Vaporization of Concentrated Phyto Material Extracts

Номер патента: US20170065776A1. Автор: Michael Alexander Trzecieski. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-09.

Cartridges for Vaporizer Devices

Номер патента: US20240032596A1. Автор: Eric Joseph Johnson,Steven Christensen,Ariel Atkins,Esteban Leon Duque,Jason King,Christopher L. BELISLE,Alexander M. HOOPAI,Matthew Rios,Andrew J. STRATTON,James P. WESTLEY,Joshua A. DE GROMOBOY DABROWICKI. Владелец: Juul Labs Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Copper porous body for vaporization members, evaporative cooler and heat pipe

Номер патента: EP3708941A1. Автор: Jun Kato,Toshihiko SAIWAI. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2020-09-16.

Copper porous body for vaporization members, evaporative cooler and heat pipe

Номер патента: US20200224976A1. Автор: Jun Kato,Toshihiko SAIWAI. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Systems and methods for vaporization of a liquid

Номер патента: WO2023156934A1. Автор: Thomas William Bradshaw,Luke James MANN,Duncan Stuart GLASBY,Richard Alexander BAKER,Daniel Grant MCKELVEY. Владелец: BENNAMANN SERVICES LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Two-phase immersion-cooling heat-dissipation structure having shortened evacuation route for vapor bubbles

Номер патента: US20240276676A1. Автор: Chun-Te Wu,Ching-Ming Yang,Tze-Yang Yeh,Yu-Wei Chiu. Владелец: Amulaire Thermal Tech Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Apparatus and method for vaporizing oils

Номер патента: US12070074B2. Автор: Arash Janfada,Tashfiq ALAM,Sanad ARIDAH. Владелец: Clir Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Adapter for vaporizing devices

Номер патента: US20030231877A1. Автор: Christopher Wolpert,Donald Richardson,Phillip Bradley,Scott Richert. Владелец: Dial Corp. Дата публикации: 2003-12-18.

Pressure accumulator at high pressure side and waste heat re-use device for vapor compressed air conditioning or refrigeration equipment

Номер патента: US20020174677A1. Автор: Wei Fang,Way-Jone Hsiao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-28.

Cartridges for vaporizer devices

Номер патента: US12082618B2. Автор: Esteban Leon Duque,Christopher James ROSSER,Andrew J. STRATTON,Joshua A. DE GROMOBOY DABROWICKI. Владелец: Juul Labs Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

A handheld device for vaporizing liquid to be inhaled by a user and a method for manufacturing a handheld device

Номер патента: EP4434563A1. Автор: Samuel FREIENMUTH,Torsten PRENTER. Владелец: Eqoy International Group Ag. Дата публикации: 2024-09-25.

Supporting structure for vapor chamber

Номер патента: US09664458B2. Автор: Sheng-Huang Lin. Владелец: Asia Vital Components Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Photoresist pattern formation through etching where the imaging exposure changes in a given direction in the desired pattern and inclined vapor deposition is utilized to deposit a film

Номер патента: US5366849A. Автор: Yoshikazu Nakagawa,Masayuki Sonobe. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1994-11-22.

Process and apparatus for vaporizing liquefied natural gas

Номер патента: US3552134A. Автор: Edwin M Arenson. Владелец: Black Sivalls and Bryson Inc. Дата публикации: 1971-01-05.

Cartridges for vaporizer devices

Номер патента: WO2020097067A1. Автор: Ariel Atkins,Esteban Leon Duque,Alexander M. HOOPAI,Christopher James ROSSER,Andrew J. STRATTON,Norbert WESELY. Владелец: JUUL Labs, Inc.. Дата публикации: 2020-05-14.

Microfluidic-based apparatus and method for vaporization of liquids

Номер патента: US11883762B2. Автор: Carl D. Meinhart,Brian Piorek,Nicholas B. Judy. Владелец: Numerical Design Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Cartridges for vaporizer devices

Номер патента: US11838997B2. Автор: Christopher James ROSSER,Samuel L. Stean. Владелец: Juul Labs Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Cartridges for Vaporizer Devices

Номер патента: US20200138115A1. Автор: Andrew J. STRATTON,James P. WESTLEY,Emily K. Pettitt. Владелец: Juul Labs Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Cartridges for vaporizer devices

Номер патента: EP3876766A1. Автор: Ariel Atkins,Esteban Leon Duque,Alexander M. HOOPAI,Christopher James ROSSER,Andrew J. STRATTON,Norbert WESELY. Владелец: Juul Labs Inc. Дата публикации: 2021-09-15.

Cartridges for vaporizer devices

Номер патента: CA3118710A1. Автор: Ariel Atkins,Esteban Leon Duque,Alexander M. HOOPAI,Christopher James ROSSER,Andrew J. STRATTON,Norbert WESELY. Владелец: Juul Labs Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Microfluidic-based apparatus and method for vaporization of liquids

Номер патента: US20200191378A1. Автор: Carl D. Meinhart,Brian Piorek,Nicholas B. Judy. Владелец: Numerical Design Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Plasma enhanced chemical vapor deposited (PECVD) silicon nitride barrier layer for high density plasma chemical vapor deposited (HDP-CVD) dielectric layer

Номер патента: US6127238A. Автор: Wei Lu,Yih-Shung Lin,Jia Zhen Zheng,Marvin De-Dui Liao,Kho Liep Chok. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2000-10-03.

Heater for vaporizer device with air preheating element and method for producing the same

Номер патента: US20210212382A1. Автор: Richard Fuisz,Joseph Fuisz,Anatolii GORDOVSKYI,Yurii LYPSKYI. Владелец: Fuisz Hnb Technologies LLC. Дата публикации: 2021-07-15.

Method and Device for Vaporizing of Phyto Material

Номер патента: US20180110938A1. Автор: Michael Alexander Trzecieski. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-26.

Heater for vaporizer device with air preheating element and method for producing the same

Номер патента: EP4087418A1. Автор: Richard C. Fuisz,Joseph M. Fuisz,Anatolii GORDOVSKYI,Yurii LYPSKYI. Владелец: Fuisz Hnb Technologies LLC. Дата публикации: 2022-11-16.

Heater for vaporizer device with air preheating element and method for producing the same

Номер патента: US20230363453A1. Автор: Richard C. Fuisz,Joseph M. Fuisz,Anatolii GORDOVSKYI,Yurii LYPSKYI. Владелец: Fuisz Hnb Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-16.

Metal-germanium physical vapor deposition for semiconductor device defect reduction

Номер патента: US20080311747A1. Автор: Noel Russell,Douglas E. Mercer,Doufeng Yue,Peijun J. Chen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-12-18.

Method of depositing copper using physical vapor deposition

Номер патента: US9728414B2. Автор: Wen Yu,Stephen B. Robie,Jeremias D. Romero. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Offshore system for vaporizing a liquefied hydrocarbon stream, method of providing such a system, and method of vaporizing a liquefied hydrocarbon stream

Номер патента: EP2045506A1. Автор: Aart Alfons Geurtsen,Ewoud Van Haaften. Владелец: Shell Internationale Research Maatschappij BV. Дата публикации: 2009-04-08.

Cartridges for vaporizer devices

Номер патента: WO2020097341A1. Автор: Christopher James ROSSER. Владелец: JUUL Labs, Inc.. Дата публикации: 2020-05-14.

Heater for vapor generation device and vapor generation device

Номер патента: CA3205412A1. Автор: Jian Wu,Zhongli XU,Yonghai LI. Владелец: Shenzhen FirstUnion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Vapor deposition paper and method for producing same

Номер патента: EP4279263A1. Автор: Yasutomo Noishiki,Yuta SHAMOTO,Miyoko Tanaka,Misaki Wakabayashi. Владелец: Oji Holdings Corp. Дата публикации: 2023-11-22.

Heater for vaporizer device with air preheating element and method for producing the same

Номер патента: WO2021142195A1. Автор: Richard C. Fuisz,Joseph M. Fuisz,Anatolii GORDOVSKYI,Yurii LYPSKYI. Владелец: Fuisz Hnb Technologies LLC. Дата публикации: 2021-07-15.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2003087233A3. Автор: Wu-Sheng Shih,Ram W Sabnis. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2004-02-05.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: EP1493061A4. Автор: Wu-Sheng Shih,Ram W Sabnis. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2009-01-07.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: EP1493061A2. Автор: Wu-Sheng Shih,Ram W. Sabnis. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2005-01-05.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2003087233A2. Автор: Wu-Sheng Shih,Ram W. Sabnis. Владелец: Brewer Science, Inc.. Дата публикации: 2003-10-23.

Single cascade process for vaporization and recovery of residual liquefied natural gas in application related to floating tanks

Номер патента: RU2659858C2. Автор: Пол Рэймонд ДЭВИС,Джеймс Ли Мл. ХАРРИС. Владелец: Конокофиллипс Компани. Дата публикации: 2018-07-04.

Pharmaceuticals microencapsulated by vapor deposited polymers and method

Номер патента: US5393533A. Автор: Ronald J. Versic. Владелец: Dodge Ronald T Co. Дата публикации: 1995-02-28.

Nanoscale gold catalysts, activating agents, support media, and related methodologies useful for making such catalyst systems especially when the gold is deposited onto the support media using physical vapor deposition

Номер патента: CA2540036C. Автор: Thomas E. Wood,Allen R. Siedle,Marvin E. Jones,Craig S. Chamberlain,Larry A. Brey,Gina M. Buccellato. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2013-10-22.

Buffer Layer for Dielectric Protection in Physical Vapor Deposition Metal Liner Applications

Номер патента: US20240145300A1. Автор: Yu Lei,Wei Lei,Sahil Patel,Xingyao Gao,Shirish A. PETHE. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Buffer layer for dielectric protection in physical vapor deposition metal liner applications

Номер патента: WO2024097016A1. Автор: Yu Lei,Wei Lei,Sahil Patel,Xingyao Gao,Shirish A. PETHE. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-05-10.

Device for vaporizing and superheating a substance

Номер патента: FI20226070A1. Автор: Valtteri Haavisto,Reima VIINIKKALA,Kalle VÄHÄTALO,Lauri RANTASALO,John Ritman. Владелец: VAHTERUS OY. Дата публикации: 2024-06-02.

Apparatus for vaporizing a developer medium in developing devices for light-sensitive materials

Номер патента: US3907027A. Автор: Gerhard Marx. Владелец: Hoechst AG. Дата публикации: 1975-09-23.

Dual-flow tray for vapor-liquid contacting, and its use

Номер патента: US20240226768A9. Автор: Aadam ARYAN. Владелец: Distillation Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated cascade process for vaporization and recovery of residual LNG in a floating tank application

Номер патента: US09835373B2. Автор: Paul Raymond Davies,James Lee HARRIS, Jr.. Владелец: ConocoPhillips Co. Дата публикации: 2017-12-05.

Chemical vapor deposition technique for depositing titanium silicide on semiconductor wafers

Номер патента: US5278100A. Автор: Trung T. Doan,Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1994-01-11.

Insert for vapor-permeable and waterproof soles

Номер патента: CA2771929C. Автор: Mario Polegato Moretti. Владелец: Geox SpA. Дата публикации: 2018-03-06.

Organic polymeric antireflective coatings deposited by chemical vapor deposition

Номер патента: CA2400157A1. Автор: Ram W. Sabnis,Terry Brewer,Douglas Guerrero,Mary J. Spencer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Vapor deposition of photoconductive selenium onto a metallic substrate having a molten metal coating as bonding layer

Номер патента: US4094675A. Автор: Hans-Hermann Beschoner,Gottfried Guder,Hartmut Dulken,Karl-Heinz Kassel. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1978-06-13.

Electrical apparatus for vaporizing of active substances

Номер патента: US5222186A. Автор: Jürgen Fischer,Horst Hautmann,Georg Schimanski. Владелец: Globol GmbH. Дата публикации: 1993-06-22.

Electrode for vaporizing tissue

Номер патента: US5827274A. Автор: Manfred Boebel,Ludwig Bonnet. Владелец: RICHARD WOLF GMBH. Дата публикации: 1998-10-27.

An evaporator and a method for vaporizing a substance in an evaporator

Номер патента: FI127511B. Автор: Jyrki Sonninen. Владелец: VAHTERUS OY. Дата публикации: 2018-08-15.

Device for vaporizing oxalic acid comprising a semi-automatic dosing system of the powder of oxalic acid

Номер патента: WO2020174503A1. Автор: Umberto BENICCHI. Владелец: Benicchi Umberto. Дата публикации: 2020-09-03.

System for vaporization of liquids

Номер патента: US20060254667A1. Автор: Edgardo Mariani. Владелец: MISTING PUMPS USA. Дата публикации: 2006-11-16.

Device for Vaporizing of Phyto Material

Номер патента: US20180085539A1. Автор: Michael Alexander Trzecieski. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-29.

Device and method for vaporizing a liquid for an electric cigarette

Номер патента: WO2024104962A1. Автор: Horst Windt,Jörg Oppermann,Thore Wagner,Katharina Blümlein,Stefanie Scheffler. Владелец: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.. Дата публикации: 2024-05-23.

An electrical device for vaporizing insecticide

Номер патента: AU5600486A. Автор: Peter Dr. Schroder. Владелец: Henkel AG and Co KGaA. Дата публикации: 1986-10-16.

Device for vaporizing oxalic acid comprising a semi-automatic dosing system of the powder of oxalic acid

Номер патента: EP3930451A1. Автор: Umberto BENICCHI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-01-05.

Multiple stage deposition process for filling trenches

Номер патента: US20020055268A1. Автор: Yiwen Chen,Hung-Tien Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Apparatus and arrangements of magnetic field generators to facilitate physical vapor deposition to form semiconductor films

Номер патента: US20140265857A1. Автор: Jeonghee Park,Jae Yeol Park. Владелец: Semicat Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Catheter with vapor deposited features on tip

Номер патента: US20240198037A1. Автор: Shubhayu Basu,Dustin R. Tobey,Cesar FUENTES-ORTEGA,Pieter E. VAN NIEKERK. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-20.

Solid Electrolytic Capacitor Containing A Sequential Vapor-Deposited Dielectric Film

Номер патента: US20200176194A1. Автор: Jan Petrzilek,Mitchell D. Weaver. Владелец: AVX Corp. Дата публикации: 2020-06-04.

Capacitor having a physical vapor deposited electrode and method of manufacture

Номер патента: US20020044405A1. Автор: Ashish Shah,Barry Muffoletto,Neal Nesselbeck. Владелец: Greatbatch Ltd. Дата публикации: 2002-04-18.

Metal Organic Chemical Vapor Deposition of Embedded Resistors for ReRAM Cells

Номер патента: US20150179937A1. Автор: Yun Wang,Chien-Lan Hsueh. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Physical vapor deposition source and chamber assembly

Номер патента: US20240282558A1. Автор: Sathiyamurthi GOVINDASAMY,Suresh PALANISAMY,Naresh Kumar Asokan,Harish V. PENMETHSA,Karunakaran NATARAJ. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Plattenanordnung mit CVDD-(Chemical Vapor Deposition Diamond)-Fenstern für den Wärmetransport

Номер патента: DE112019007581B4. Автор: Philip Andrew Swire,Nina Biddle. Владелец: Microchip Tech Caldicot Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Physical vapor deposition source and chamber assembly

Номер патента: WO2024172995A1. Автор: Sathiyamurthi GOVINDASAMY,Suresh PALANISAMY,Naresh Kumar Asokan,Harish V. PENMETHSA,Karunakaran NATARAJ. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-08-22.

In-situ p-type activation of iii-nitride films grown via metal organic chemical vapor deposition

Номер патента: US20210151329A1. Автор: Manijeh Razeghi. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2021-05-20.

Growth of carbon nanotube (cnt) leads on circuits in substrate-free continuous chemical vapor deposition (cvd) process

Номер патента: US20170077370A1. Автор: Keith Daniel Humfeld. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-03-16.

Low-energy underlayer for room temperature physical vapor deposition of electrically conductive features

Номер патента: US20240363407A1. Автор: Jiang Lu,Jie Zhang,Wei Weng,Xianmin Tang,Rongjun Wang,Tsung-Han Yang,Liqi Wu,Qihao ZHU,Cory Lafollett. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

EUV photopatterning of vapor-deposited metal oxide-containing hardmasks

Номер патента: US09996004B2. Автор: David Smith,Dennis M. Hausmann. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Sensor stack having a graphical element formed by physical vapor deposition

Номер патента: US09871897B1. Автор: Benjamin B. Lyon,Scott A. Myers,Patrick E. O'Brien. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Growth of carbon nanotube (CNT) leads on circuits in substrate-free continuous chemical vapor deposition (CVD) process

Номер патента: US09825210B2. Автор: Keith Daniel Humfeld. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-11-21.

Growth of carbon nanotube (CNT) leads on circuits in substrate-free continuous chemical vapor deposition (CVD) process

Номер патента: US09544998B1. Автор: Keith Daniel Humfeld. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-01-10.

Low-energy underlayer for room temperature physical vapor deposition of electrically conductive features

Номер патента: WO2024226145A1. Автор: Jiang Lu,Jie Zhang,Wei Weng,Xianmin Tang,Rongjun Wang,Tsung-Han Yang,Liqi Wu,Qihao ZHU,Cory Lafollett. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of producing photoluminescence of individual color centers in vapor-deposited diamond

Номер патента: RU2655026C1. Автор: Владимир Алексеевич Кукушкин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" (ИПФ РАН). Дата публикации: 2018-05-23.

Visualization and enhancement of latent fingerprints using low pressure dye vapor deposition

Номер патента: US8507028B2. Автор: Calvin Thomas Knaggs. Владелец: Linde North America Inc. Дата публикации: 2013-08-13.

Consistent alignment mark profiles on semiconductor wafers using metal organic chemical vapor deposition titanium nitride protective layer

Номер патента: US6157087A. Автор: Joe W. Zhao,Keith K. Chao,Shumay X. Dou. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2000-12-05.

Methods for sidewall protection of metal interconnect for unlanded vias using physical vapor deposition

Номер патента: US6960529B1. Автор: Jagdish Prasad,Mark M. Nelson,Brett N. Williams. Владелец: AMI Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-01.

Selective chemical vapor deposition of tungsten for microdynamic structures

Номер патента: US5149673A. Автор: Liang-Yuh Chen,Noel C. MacDonald,Zuoying L. Zhang. Владелец: Cornell Research Foundation Inc. Дата публикации: 1992-09-22.

Gaseous-vapor deposition apparatus

Номер патента: RU2194088C2. Автор: В.А. Васин,В.А. Костенков,В.А. Пашкин,О.В. Сомов,Хорст Линн,В.Н. Крашенниников,Л.А. Шабалинска,Л.А. Шабалинская. Владелец: Шабалинская Людмила Александровна. Дата публикации: 2002-12-10.

Reaction chamber for producing uranium dioxide powder by pyrohydrolysis from uranium hexafluoride (versions)

Номер патента: RU2498941C2. Автор: Юрий Александрович Никонов,Игорь Витальевич Хмелевской. Владелец: Открытое акционерное общество "Машиностроительный завод". Дата публикации: 2013-11-20.

The high-temperature reactor reaction chamber

Номер патента: RU2286206C1. Автор: Борис Николаевич Улько,Эдуард Васильевич Завьялов,Анатолий Артемович Янин,Фарит Салихович Бурганов,лов Эдуард Васильевич Завь. Владелец: Борис Николаевич Улько. Дата публикации: 2006-10-27.

Tesner's method for creation of aerodynamic regime of flow of combustion products in thermal reactor reaction chamber of claus plant

Номер патента: RU2145257C1. Автор: П.А. Теснер,Н.Я. Зайцев,М.С. Немировский,И.С. Славкин. Владелец: Всероссийский научно-исследовательский институт природных газов и газовых технологий Российского акционерного общества "Газпром". Дата публикации: 2000-02-10.

Reaction chamber

Номер патента: MY158608A. Автор: Yoshihiro Nakatani. Владелец: Sumitomo Heavy Industries. Дата публикации: 2016-10-31.

Hinged suspension for mounting reaction chamber on flying vehicle

Номер патента: RU2090773C1. Автор: Игорь Алексеевич Клепиков,Аркадий Алексеевич Бахмутов. Владелец: Аркадий Алексеевич Бахмутов. Дата публикации: 1997-09-20.

Packing Material for Gas Purifiers or Washers, Condensers, Reaction Chambers, Hot-blast Stoves or the like

Номер патента: GB190721346A. Автор: Hugo Petersen. Владелец: Individual. Дата публикации: 1908-08-20.

Reactor for vapor and vapor-carbonic acid conversion of light hydrocarbons for production of gas containing hydrogen and carbon oxide

Номер патента: RU2452559C2. Автор: Игорь Олегович Геращенко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "СинТоп". Дата публикации: 2012-06-10.

Battery assembly for vaporizer

Номер патента: CA170002S. Автор: . Владелец: Kimree Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Separator for vapor-liquid mixture

Номер патента: RU2256485C1. Автор: И.Р. Хайрудинов,Э.Г. Теляшев,шев Э.Г. Тел,Р.Р. Загидуллин,Р.М. Загидуллин. Владелец: Государственное унитарное предприятие "Институт нефтехимпереработки "Республики Башкортостан (ГУП "ИНХП" РБ). Дата публикации: 2005-07-20.

Packaging container for vaporizer and capsule

Номер патента: CA169653S. Автор: . Владелец: JT INTERNATIONAL SA. Дата публикации: 2018-07-27.

An Improved Vaporizing Apparatus for Vaporizing Medicinal Compounds and the like.

Номер патента: GB189730200A. Автор: Arthur Marshall Chambers. Владелец: Individual. Дата публикации: 1898-04-30.

Chemical vapor deposition of metal compound coatings utilizing metal sub-halide

Номер патента: CA1224091A. Автор: M. Javid Hakim. Владелец: Liburdi Engineering Ltd. Дата публикации: 1987-07-14.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.