Metalorganic chemical vapor deposition system and method.

Metalorganic chemical vapor deposition system and method

Номер патента: US11661655B2
Опубликовано: 30-05-2023
Автор(ы): Kazuhiro Ohkawa
Принадлежит: King Abdullah University of Science and Technology KAUST
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Metalorganic chemical vapor deposition system and method

Номер патента: US20200115800A1. Автор: Kazuhiro Ohkawa. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2020-04-16.

Metal organic chemical vapor deposition system and method

Номер патента: EP3652358A1. Автор: Kazuhiro Ohkawa. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2020-05-20.

Method of growing nitride single crystal and method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US09871162B2. Автор: Min Ho Kim,William SOLARI,Heon Ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Method for making compound semiconductor and method for making semiconductor device

Номер патента: US20050205873A1. Автор: Yasuo Sato,Hironobu Narui,Tomonori Hino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-09-22.

Systems and methods for thermally managing high-temperature processes on temperature sensitive substrates

Номер патента: US09634175B2. Автор: Joseph H. Armstrong,Lawrence M. Woods,Rosine Ribelin. Владелец: Ascent Solar Technologies Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Thermal chemical vapor deposition system and operating method thereof

Номер патента: US20170107619A1. Автор: Ding-I Liu,Si-Wen Liao,Po-Hsiung Leu,Kai-Shiung Hsu,Jui-Fu Hsu,Cheng-Tsung WU,Yi-Fang Lai,Yen-Chan LO,Jheng-Uei HSIEH,Shian-Huei LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Reactant vaporizer and related systems and methods

Номер патента: US11926894B2. Автор: Mohith Verghese,Herbert Terhorst,Kyle Fondurulia,Carl Louis White,Eric James Shero. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-03-12.

Reactant vaporizer and related systems and methods

Номер патента: US20240209501A1. Автор: Mohith Verghese,Herbert Terhorst,Kyle Fondurulia,Carl Louis White,Eric James Shero. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-06-27.

Method and system for conditioning a vapor deposition target

Номер патента: EP2013373B1. Автор: Robert Huff,Milan Ilic,George McDonough. Владелец: Advanced Energy Industries Inc. Дата публикации: 2011-08-31.

System and method for controlling wafer and thin film surface temperature

Номер патента: US20160148803A1. Автор: Chung-Yuan Wu,Bu-Chin Chung. Владелец: Hermes Epitek Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Induction heater, chemical vapor deposition apparatus comprising the same and method of controlling temperature distribution of chemical vapor deposition apparatus comprising induction heater

Номер патента: KR101223246B1. Автор: 이창엽. Владелец: 엘아이지에이디피 주식회사. Дата публикации: 2013-01-17.

GAS PIPING SYSTEM, CHEMICAL VAPOR DEPOSITION DEVICE, FILM DEPOSITION METHOD, AND METHOD FOR PRODUCING SiC EPITAXIAL WAFER

Номер патента: US20190169742A1. Автор: Bando Akira,ISHIBASHI Naoto,FUKADA Keisuke,UTASHIRO Tomoya. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2019-06-06.

Gas piping system, chemical vapor deposition equipment, film formation method and method for manufacturing SiC epitaxial wafer

Номер патента: JP6814561B2. Автор: 章坂東,直人石橋,啓介深田,智也歌代. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2021-01-20.

Chemical vapor deposition apparatus and method of manufacturing display apparatus using the same

Номер патента: US11842883B2. Автор: Jong-Hoon Park,Sukwon Jung,Hyunwoo Joo,Jaihyuk Choi,Kyungjoo Min,Wonwoong Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Chemical vapor deposition apparatus and method of manufacturing display apparatus using the same

Номер патента: EP4243052A3. Автор: Jong-Hoon Park,Sukwon Jung,Hyunwoo Joo,Jaihyuk Choi,Kyungjoo Min,Wonwoong Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Chemical vapor deposition apparatus and method of manufacturing display apparatus using the same

Номер патента: EP4243052A2. Автор: Jong-Hoon Park,Sukwon Jung,Hyunwoo Joo,Jaihyuk Choi,Kyungjoo Min,Wonwoong Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-13.

Laser-assisted metal-organic chemical vapor deposition devices and methods of use thereof

Номер патента: US20210355581A1. Автор: Hongping Zhao,Zhaoying Chen. Владелец: Ohio State Innovation Foundation. Дата публикации: 2021-11-18.

Wafer support, chemical vapor phase growth device, epitaxial wafer and manufacturing method thereof

Номер патента: US10208398B2. Автор: Daisuke Muto,Jun NORIMATSU. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2019-02-19.

Chemical vapor deposition reactor

Номер патента: US8778079B2. Автор: Michael J. Begarney,Frank J. Campanale. Владелец: Valence Process Equipment Inc. Дата публикации: 2014-07-15.

Device, system and method for plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20230349046A1. Автор: Jens-Uwe FUCHS,Ralf Reize,Mirko Tröller,Roland Leichtle. Владелец: Centrotherm International AG. Дата публикации: 2023-11-02.

Low Interface State Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20160268124A1. Автор: Ke Wei,Chao Zhao,Xinyu Liu,Junfeng Li,Xinhua Wang,Wenwu Wang,Sen Huang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-09-15.

Low interface state device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10276366B2. Автор: Ke Wei,Chao Zhao,Xinyu Liu,Junfeng Li,Xinhua Wang,Wenwu Wang,Sen Huang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2019-04-30.

High pressure spatial chemical vapor deposition system and related process

Номер патента: US20240209502A1. Автор: Siddha Pimputkar. Владелец: Lehigh University. Дата публикации: 2024-06-27.

Composite sic-substrate and method of its production

Номер патента: RU2726283C2. Автор: Содзи АКИЯМА,Йосихиро КУБОТА,Хироюки НАГАСАВА. Владелец: Кусик Инк.. Дата публикации: 2020-07-10.

System and method for chemical vapor deposition process control

Номер патента: EP2109878A1. Автор: Michael W. Stowell. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-10-21.

Device, system and method for plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: CA3192596A1. Автор: Jens-Uwe FUCHS,Ralf Reize,Mirko Tröller,Roland Leichtle. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-03-24.

Chemical vapor deposition of silicon oxide films using alkylsiloxane oligomers with ozone

Номер патента: EP1204987A4. Автор: ZHENG Yuan,Sanjeev Jain. Владелец: ASML US Inc. Дата публикации: 2002-10-30.

Chemical vapor deposition of silicon oxide films using alkylsiloxane oligomers with ozone

Номер патента: EP1204987A1. Автор: ZHENG Yuan,Sanjeev Jain. Владелец: ASML US Inc. Дата публикации: 2002-05-15.

System and method for controlling wafer and thin film surface temperature

Номер патента: US09617636B2. Автор: Chung-Yuan Wu,Bu-Chin Chung. Владелец: Hermes Epitek Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device having a passivation layer and method of making the same

Номер патента: US20180166406A1. Автор: Yi-An Lin,C. C. Chang,Yu-Lung Shih,Alan KUO,Chao-Keng Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Silicon Compounds And Methods For Depositing Films Using Same

Номер патента: US20230123377A1. Автор: XINJIAN LEI,Manchao Xiao,Daniel P. Spence,William R. Entley,Jennifer Lynn Anne Achtyl,Robert Gordon Ridgeway,Raymond N. Vrtis. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-04-20.

Chemical vapor deposition apparatus and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09899210B2. Автор: Ren-Hua GUO,Ju-Ru HSIEH,Jen-Hao Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Structures and methods for use in photolithography

Номер патента: US12055863B2. Автор: David Kurt De Roest,Daniele Piumi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-08-06.

Material deposition systems, and related methods, microelectronic devices, and memory devices

Номер патента: US20210175072A1. Автор: Richard L. Elliott,Christopher W. Petz,Clement Jacob. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Hybrid deposition system & methods

Номер патента: EP1374282A1. Автор: David J. Miller,Glenn S. Solomon. Владелец: CBL Technologies Inc. Дата публикации: 2004-01-02.

Electroless deposition apparatus and method

Номер патента: WO2003065423A3. Автор: Dmitry Lubomirsky,Yeuk-Fai Edwin Mok,Joseph J Stevens,Ian Pancham,Donald J Olgado,Howard E Grunes. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-11-06.

Oxide/organic polymer multilayer thin films deposited by chemical vapor deposition

Номер патента: WO1999057330A9. Автор: Seshu B Desu,John J Senkevich. Владелец: Seshu B Desu. Дата публикации: 2000-02-10.

Method for depositing amorphous silicon thin film by chemical vapor deposition

Номер патента: WO2010032978A2. Автор: Chang Auck Choi,Byoung Gon Yu,Woo Seok Yang,Sang Hoon Cheon,Seong Mok Cho,Ho Jun Ryu. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2010-03-25.

Apparatus of chemical vapor deposition with a showerhead regulating injection velocity of reactive gases positively and method thereof

Номер патента: US09476121B2. Автор: Chul Soo Byun,Man Cheol Han. Владелец: Piezonics Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Chemical vapor deposition of chalcogenide materials

Номер патента: CA2595761A1. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Smuruthi Kamepalli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-10.

Neutral beam-assisted atomic layer chemical vapor deposition apparatus and method of processing substrate using the same

Номер патента: US7799706B2. Автор: Sung-Woo Kim,Geun-Young Yeom,Byoung-Jae Park,Jong-Tae Lim. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2010-09-21.

Apparatus for in situ deposition of multilayer structures via atomic layer deposition and ultra-high vacuum physical or chemical vapor deposition

Номер патента: US09994956B2. Автор: Rongtao Lu,Judy Z. Wu,Allen Hase,Alan Elliot. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2018-06-12.

Chemical vapor deposition film profile uniformity control

Номер патента: US20130149871A1. Автор: Chin-Hsiang Lin,Chia-Ho Chen,Chih-Tsung Lee,You-Hua Chou,Ming-Chin Tsai,Ming-Shiou Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-06-13.

Liquid delivery and vaporization apparatus and method

Номер патента: US20200095681A1. Автор: Chui-Ya Peng,Hsin-Lung Yang,Chih-Ta KUAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Methods of forming semiconductor films and methods of manufacturing transistors including semiconductor films

Номер патента: US09384973B2. Автор: Myung-kwan Ryu,Tae-Sang Kim,Jong-baek Seon,Chil Hee Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-05.

Method and apparatus for low temperature, low pressure chemical vapor deposition of epitaxial silicon layers

Номер патента: CA1328796C. Автор: Bernard Steele Meyerson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1994-04-26.

High pressure spatial chemical vapor deposition system and related process

Номер патента: US11885018B2. Автор: Siddha Pimputkar. Владелец: Lehigh University. Дата публикации: 2024-01-30.

Composition control of chemical vapor deposition nitrogen doped germanium antimony tellurium

Номер патента: US20190345607A1. Автор: Takeshi Masuda,Robert Bruce,Matthew J. BrightSky,Norma Edith Sosa,Fabio Carta,Gloria W.Y. Fraczak. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Metal-organic (MO) chemical vapor deposition method and MO chemical vapor deposition reactor

Номер патента: US6180541B1. Автор: Jae-Hyun Joo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-01-30.

Method and system for inline chemical vapor deposition

Номер патента: WO2012170166A3. Автор: Piero Sferlazzo,Thomas Michael Lampros. Владелец: AVENTA TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2013-04-25.

Methods of forming a pattern and methods of manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US09425059B2. Автор: Jin-Seo Lee,Jung-Sik Choi,Youn-Joung Cho,Hyo-Jin Yun,Ji-man Park,Jun-Hyun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of ensuring adhesion of chemically vapor deposited oxide to gold integrated circuit interconnect lines

Номер патента: US4716071A. Автор: Dyer A. Matlock,Bruce E. Roberts,Jimmy C. Black. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1987-12-29.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US4503807A. Автор: Satoshi Nakayama,Shigeru Takeda,Masuo Suzuki,Hideaki Takeuchi,Harushige Kurokawa,Junichi Murota,Tatuhiko Hurukado,Humihide Ikeda. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1985-03-12.

Low thermal budget chemical vapor deposition processing

Номер патента: US20080119059A1. Автор: Yuji Maeda,R. Suryanarayanan Iyer,Jacob W. Smith. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-22.

Method for depositing amorphous silicon thin film by chemical vapor deposition

Номер патента: WO2010032978A3. Автор: Chang Auck Choi,Byoung Gon Yu,Woo Seok Yang,Sang Hoon Cheon,Seong Mok Cho,Ho Jun Ryu. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2013-01-03.

Metal organic chemical vapor depostion (mocvd) tunnel junction growth in iii-nitride devices

Номер патента: US20220029049A1. Автор: Steven P. DenBaars,James S. Speck,Ahmed Alyamani,Abdulrahman Albadri,Abdullah Ibrahim Alhassan. Владелец: King Abdulaziz City for Science and Technology KACST. Дата публикации: 2022-01-27.

Apparatus and concept for minimizing parasitic chemical vapor deposition during atomic layer deposition

Номер патента: EP1238421A4. Автор: Ofer Sneh,Carl Galewski. Владелец: Genus Inc. Дата публикации: 2006-06-21.

Metal organic chemical vapor depostion (mocvd) tunnel junction growth in iii-nitride devices

Номер патента: US20190245112A1. Автор: Steven P. DenBaars,James S. Speck,Abdullah Ibrahim Alhassan. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2019-08-08.

Physical vapor deposition methods and systems to form semiconductor films using counterbalance magnetic field generators

Номер патента: US20150311065A1. Автор: Jeonghee Park,Jae Yeol Park. Владелец: Semicat Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

Single crystal transition metal dichalcogenide thin film and method for synthesizing the same

Номер патента: US20210222322A1. Автор: Soo Ho CHOI,Ki Kang KIM. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-07-22.

Single crystal transition metal dichalcogenide thin film and method for synthesizing the same

Номер патента: US11859308B2. Автор: Soo Ho CHOI,Ki Kang KIM. Владелец: SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-01-02.

Multifunctional wafer pretreatment chamber and chemical vapor deposition device

Номер патента: US20240337011A1. Автор: Yongjun Feng,Dongping Zhou,Weicong SONG. Владелец: Betone Technology Shanghai Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Physical vapor deposition methods and systems to form semiconductor films using counterbalance magnetic field generators

Номер патента: US09761441B2. Автор: Jeonghee Park,Jae Yeol Park. Владелец: Semicat Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US09410247B2. Автор: Jung Hyun Lee,Jong Hyun Lee,Young Sun Kim,Ki Sung Kim,Suk Ho Yoon,Hyun Seok Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-09.

Chamber for reducing contamination during chemical vapor deposition

Номер патента: US6114227A. Автор: Joseph P. Ellul,Stephen M. Campbell,Chung J. Lee,Giovanni Antonio Foggiato,David Leksell,Ming Xi Chan,Jeanne L. Luce,David T. Ryan,Iqbal A. Shareef. Владелец: Quester Technology Inc. Дата публикации: 2000-09-05.

Method for the selective deposition of bismuth based ferroelectric thin films by chemical vapor deposition

Номер патента: US6120846A. Автор: Thomas H. Baum,Frank Hintermaier,Bryan Hendrix,Peter Van Buskirk,Jeff Roeder. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2000-09-19.

Exclusion guard and gas-based substrate protection for chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US5843233A. Автор: Barry L. Chin,Eliot K. Broadbent,Jeffrey C. Benzing,Christopher W. Burkhart,Edward J. McInerney,Everhardus P. van de Ven,Lawrence C. Lane. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 1998-12-01.

Chemical vapor deposition of chalcogenide materials via alternating layers

Номер патента: US20090022883A1. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Smuruthi Kamepalli. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2009-01-22.

Titanium containing dielectric films and methods of forming same

Номер патента: AU7083400A. Автор: Cem Basceri,Dan Gealy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-03-26.

Titanium containing dielectric films and methods of forming same

Номер патента: EP1212476A1. Автор: Cem Basceri,Dan Gealy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-06-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110287621A1. Автор: Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

Apparatus and methods for pumping gases from a chamber

Номер патента: US20200095679A1. Автор: Fung-Chih HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Photo-chemical vapor deposition of silicon nitride film

Номер патента: US4588610A. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1986-05-13.

Silicon compounds and methods for depositing films using same

Номер патента: EP4325548A2. Автор: XINJIAN LEI,Manchao Xiao,Daniel P. Spence,William Robert Entley,Jennifer Lynn Anne Achtyl,Robert Gordon Ridgeway,Raymond Nicholas VIRTIS. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-02-21.

Apparatus for in situ deposition of multilayer structures via atomic layer deposition and ultra-high vacuum physical or chemical vapor deposition

Номер патента: US20160040288A1. Автор: Rongtao Lu,Judy Z. Wu,Allen Hase,Alan Elliot. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2016-02-11.

Silicon compounds and methods for depositing films using same

Номер патента: EP4325548A3. Автор: XINJIAN LEI,Manchao Xiao,Daniel P. Spence,William Robert Entley,Jennifer Lynn Anne Achtyl,Robert Gordon Ridgeway,Raymond Nicholas VIRTIS. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-04-10.

Carbon hard masks for patterning applications and methods related thereto

Номер патента: US11784042B2. Автор: Yang Yang,Abhijit Basu Mallick,Pramit MANNA,Kartik Ramaswamy,Eswaranand VENKATASUBRAMANIAN,Takehito KOSHIZAWA. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Methods for depositing polymer layer for sensor applications via hot wire chemical vapor deposition

Номер патента: EP3551780A1. Автор: Pravin K. Narwankar,Yuriy Melnik,Colin NEIKIRK. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-10-16.

Methods for depositing polymer layer for sensor applications via hot wire chemical vapor deposition

Номер патента: WO2018106886A1. Автор: Pravin K. Narwankar,Yuriy Melnik,Colin NEIKIRK. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2018-06-14.

Vapor deposition device, vapor deposition method, and method of manufacturing organic electroluminescent display device

Номер патента: US09714466B2. Автор: Satoshi Inoue,Satoshi Hashimoto,Tohru Sonoda,Shinichi Kawato. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Deposition of silicon nitride by plasma-enchanced chemical vapor deposition

Номер патента: US5508067A. Автор: Atsushi Tabata,Tatsuya Sato,Naoaki Kobayashi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1996-04-16.

Alkoxysilacyclic or acyloxysilacyclic compounds and methods for depositing films using same

Номер патента: US11884689B2. Автор: XINJIAN LEI,Raymond Nicholas Vrtis,William Robert Entley,Jennifer Lynn Anne Achtyl,Robert Gordon Ridgeway. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-01-30.

Alkoxysilacyclic or acyloxysilacyclic compounds and methods for depositing films using same

Номер патента: US20240182499A1. Автор: XINJIAN LEI,Raymond Nicholas Vrtis,William Robert Entley,Jennifer Lynn Anne Achtyl,Robert Gordon Ridgeway. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-06-06.

Hardmasks and processes for forming hardmasks by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20220119953A1. Автор: Pramit MANNA,Karthik Janakiraman,Krishna Nittala,Jui-Yuan Hsu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Hardmasks and processes for forming hardmasks by plasma- enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2022086708A1. Автор: Pramit MANNA,Karthik Janakiraman,Krishna Nittala,Jui-Yuan Hsu. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-04-28.

Apparatus for plasma chemical vapor deposition and method for fabricating semiconductor device by using the same

Номер патента: US20080194104A1. Автор: Sang-Tae Ahn,Dong-Sun Sheen,Seok-Pyo Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-08-14.

Apparatus for plasma chemical vapor deposition and method for fabricating semiconductor device by using the same

Номер патента: US20060094218A1. Автор: Sang-Tae Ahn,Dong-Sun Sheen,Seok-Pyo Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-05-04.

Chemical vapor deposition of low density silicon dioxide films

Номер патента: US6054206A. Автор: Thomas Weller Mountsier. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2000-04-25.

Structures and methods for use in photolithography

Номер патента: US20220019149A1. Автор: David Kurt De Roest,Daniele Piumi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2022-01-20.

Structures and methods for use in photolithography

Номер патента: US20230259043A1. Автор: David Kurt De Roest,Daniele Piumi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-08-17.

High-k perovskite material and methods of making and using the same

Номер патента: WO2012177642A3. Автор: Jeffrey F. Roeder,Steven M. Bilodeau,Bryan C. Hendrix,Gregory T. Stauf,Ing-Shin Barry Chen. Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2013-03-21.

Shadow mask, method of manufacturing a shadow mask and method of manufacturing a display device using a shadow mask

Номер патента: US09780341B2. Автор: Takeshi OKAWARA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Process and method for in-situ dry cleaning of thin film deposition reactors and thin film layers

Номер патента: WO2014094103A1. Автор: Rajesh Odedra. Владелец: SEASTAR CHEMICALS INC.. Дата публикации: 2014-06-26.

Apparatus and Methods for Low K Dielectric Layers

Номер патента: US20130072031A1. Автор: Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Joung-Wei Liou,Hui-Chun Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-03-21.

Method for manufacturing cigs light absorption layer for solar cell through chemical vapor deposition

Номер патента: EP4340047A1. Автор: Seung Hyun Lee,Hyuk Kyoo Jang,Gyu Hyun LEE,Hea Yong KWON,Tae Yeop Jeon,Tae Woo Eom. Владелец: Mecaroenergy Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-20.

Material deposition system for depositing materials on a substrate

Номер патента: WO2013082090A2. Автор: Dennis G. Doyle,Thomas C. Prentice,Patsy A. Mattero,David P. Prince. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC.. Дата публикации: 2013-06-06.

Vapor deposition apparatus and method associated

Номер патента: EP2839055A1. Автор: Masashi Mizuta. Владелец: Furukawa Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-25.

Vapor deposition apparatus and method associated

Номер патента: WO2013157057A1. Автор: Masashi Mizuta. Владелец: FURUKAWA CO., LTD.. Дата публикации: 2013-10-24.

Material deposition system for depositing materials on a substrate

Номер патента: EP2785893A2. Автор: Dennis G. Doyle,Thomas C. Prentice,Patsy A. Mattero,David P. Prince. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC. Дата публикации: 2014-10-08.

System and method for atomic layer deposition

Номер патента: US20180274096A1. Автор: Ji Hye Kim,Tae Ho Yoon,Hyung Sang Park. Владелец: Isac Research Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

LPCVD furnace uniformity improvement by temperature ramp down deposition system

Номер патента: US6461979B1. Автор: Chih-Hao Lin,Bu-Fang Chen,Xi-Sheng Zhuang,Song-Fu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-10-08.

Heating lamp system and methods thereof

Номер патента: WO2010107839A3. Автор: Gang He,Andreas Hegedus,Gregg Higashi,Khurshed Sorabji,Roger Hamamjy. Владелец: Alta Devices, Inc.. Дата публикации: 2011-01-13.

Equipment for chemical vapor deposition

Номер патента: KR20070002277A. Автор: 나민재. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-01-05.

Deposition system with multi-cathode and method of manufacture thereof

Номер патента: US11600476B2. Автор: Ashish Goel,DEEPAK JADHAV,Prashanth Kothnur,Chi Hong Ching,Anantha K. Subramani,Hanbing Wu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-03-07.

Substrate treatment method, substrate treatment system and directed self-assembling material

Номер патента: US20200013617A1. Автор: Tomoki Nagai,Hiroyuki Komatsu,Motohiro SHIRATANI,Hitoshi Osaki,Miki TAMADA. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Sacvd system and method for reducing obstructions therein

Номер патента: US20230151484A1. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng,Cheng-Lung Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Amino(iodo)silane precursors for ALD/CVD silicon-containing film applications and methods of using the same

Номер патента: US09777373B2. Автор: Bastien Lefevre,Glenn KUCHENBEISER. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Methods of forming semiconductor films and methods of manufacturing transistors including semiconductor films

Номер патента: US20150064860A1. Автор: Myung-kwan Ryu,Tae-Sang Kim,Jong-baek Seon,Chil Hee Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-05.

Vapor deposition of chalcogenide-containing films

Номер патента: US09543144B2. Автор: Julien Gatineau,Hana ISHII,Nathanaelle Schneider. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2017-01-10.

Foundation substrate for producing diamond film and method for producing diamond substrate using same

Номер патента: EP3358049A1. Автор: Hitoshi Noguchi,Satoshi Yamasaki,Hiromitsu Kato,Hiroyuki Kawashima,Masahiko Ogura,Toshiharu Makino,Norio Tokuda. Владелец: Univ Nat Corp Kanazawa. Дата публикации: 2018-08-08.

Chemical vapor deposition apparatus, film forming method, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090286398A1. Автор: Hiroyuki Uesugi. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-11-19.

System and method based on low-pressure chemical vapor deposition for fabricating perovskite film

Номер патента: AU2015304774A1. Автор: Yabing Qi,Matthew Ryan LEYDEN. Владелец: Okinawa Inst Science & Tech School Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

System and method based on low-pressure chemical vapor deposition for fabricating perovskite film

Номер патента: EP3183376A1. Автор: Yabing Qi,Matthew Ryan LEYDEN. Владелец: Okinawa Inst Science & Tech School Corp. Дата публикации: 2017-06-28.

Workpiece holder, system, and operating method for pecvd

Номер патента: US20230349044A1. Автор: Jens-Uwe FUCHS,Ralf Reize,Mirko Tröller,Roland Leichtle. Владелец: Centrotherm International AG. Дата публикации: 2023-11-02.

Wafter carrier for chemical vapor deposition systems

Номер патента: US10316412B2. Автор: Yuliy Rashkovsky,Sandeep Krishnan,Alexander I. Gurary,Lukas Urban,Jeffrey Scott Montgomery. Владелец: Veeco Instruments Inc. Дата публикации: 2019-06-11.

Unitary wafer plasma enhanced chemical vapor deposition holding device

Номер патента: US5478399A. Автор: Calvin K. Willard. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1995-12-26.

Wafer carrier for metal organic chemical vapor deposition

Номер патента: EP3907308A1. Автор: Yuxi Wan,Zetao PENG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-10.

Chemical vapor deposition coating, article, and method

Номер патента: US09777368B2. Автор: David A. Smith,James B. Mattzela,Paul H. Silvis,Gary A. Barone. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Systems and methods for depositing materials on either side of a freestanding film using laser-assisted chemical vapor deposition (LA-CVD), and structures formed using same

Номер патента: US09583354B2. Автор: David P. Taylor,Margaret H. Abraham. Владелец: Aerospace Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Physical vapor deposition system and methods of operating the same

Номер патента: US20240271271A1. Автор: Yen-Yu Chen,Chia-Hsi Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Tantalum and tantalum-based films formed using fluorine-containing source precursors and methods of making the same

Номер патента: WO2000070118A1. Автор: Barry C. Arkles,Alain E. Kaloyeros. Владелец: Gelest, Inc.. Дата публикации: 2000-11-23.

Method for producing nickel thin film on a Si substrate by chemical vapor deposition method, and method for producing Ni silicide thin film on Si substrate

Номер патента: US09805936B2. Автор: Takayuki Sone,Ryosuke Harada,Kazuharu Suzuki,Shunichi Nabeya,Michihiro YOKOO. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2017-10-31.

Plasma enhanced chemical vapor deposition method of forming titanium silicide comprising layers

Номер патента: US20030170982A1. Автор: Gurtej Sandhu,Cem Basceri,Ammar Derraa,Philip Campbell,Irina Vasilyeva. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-11.

Plasma enhanced chemical vapor deposition method of forming titanium silicide comprising layers

Номер патента: US20060172087A1. Автор: Gurtej Sandhu,Cem Basceri,Ammar Derraa,Philip Campbell,Irina Vasilyeva. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-03.

Precursor and process design for photo-assisted metal atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD)

Номер патента: US09932671B2. Автор: Florian Gstrein,James M. Blackwell,Robert L. Bristol,Paul A. Zimmerman,Scott B. Clendenning,Patricio E. Romero,Harsono S. Simka,Grant M. Kloster. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Low-pressure chemical vapor deposition apparatus and thin-film deposition method thereof

Номер патента: US09478440B2. Автор: XIAO Wu,Xunhui Wang,Qijun Guo,Jianchao Fan. Владелец: University of Utah Research Foundation UURF. Дата публикации: 2016-10-25.

Binary and ternary metal chalcogenide materials and method of making the same

Номер патента: EP2130942A3. Автор: Liu Yang,Manchao Xiao. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2012-12-05.

Precursor compositions for atomic layer deposition and chemical vapor deposition of titanate, lanthanate, and tantalate dielectric films

Номер патента: US09534285B2. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Tianniu Chen,Chongying Xu,Thomas M. Cameron. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Reductive elimination chemical vapor deposition processes utilizing organometallic precursor compounds in semiconductor wafer processing

Номер патента: US5384289A. Автор: Donald L. Westmoreland. Владелец: Micron Semiconductor Inc. Дата публикации: 1995-01-24.

Method of reducing carbon incorporation into films produced by chemical vapor deposition involving organic precursor compounds

Номер патента: US5661115A. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1997-08-26.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US6110283A. Автор: Takaaki Kawahara,Mikio Yamamuka,Tsuyoshi Horikawa,Masayoshi Tarutani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-08-29.

Very low pressure chemical vapor deposition process for deposition of titanium silicide films

Номер патента: US4957777A. Автор: Vida Ilderem,L. Rafael Reif,Prabha K. Tedrow. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 1990-09-18.

Dispenser system for atomic beam assisted metal organic chemical vapor deposition (MOCVD)

Номер патента: US20080026575A1. Автор: Supratik Guha,Fenton R. McFeely,John J. Yurkas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-01-31.

Method for tungsten chemical vapor deposition on a semiconductor substrate

Номер патента: EP1219725A1. Автор: Joris Baele,Hans Vercammen. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2002-07-03.

Precursor compositions for atomic layer deposition and chemical vapor deposition of titanate, lanthanate, and tantalate dielectric films

Номер патента: WO2007106788A2. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Tianniu Chen,Chongying Xu,Thomas M. Cameron. Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2007-09-20.

Haloalkynyl dicobalt hexacarbonyl precursors for chemical vapor deposition of cobalt

Номер патента: US11804375B2. Автор: Thomas H. Baum,Bryan C. Hendrix,Seobong CHANG,Sangbum Han,JaeEon Park. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Haloalkynyl dicobalt hexacarbonyl precursors for chemical vapor deposition of cobalt

Номер патента: US20240096631A1. Автор: Thomas H. Baum,Bryan C. Hendrix,Seobong CHANG,Sangbum Han,JaeEon Park. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Surface mounted circuits including hybrid circuits, having cvd interconnects, and method of preparing the circuits

Номер патента: CA1242810A. Автор: Jaime Reyes,David Allred. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 1988-10-04.

Systems and methods for controlling etch selectivity of various materials

Номер патента: WO2013003676A2. Автор: Raashina Humayun,Ronald Powell,Michal Danek,Anand Chandrashekar,Esther Jeng. Владелец: NOVELLUS SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2013-01-03.

Conformal and smooth titanium nitride layers and methods of forming the same

Номер патента: US20230215725A1. Автор: Sung-hoon Jung,Niloy Mukherjee,Hae Young Kim,Yoshikazu Okuyama,Nariman Naghibolashrafi,Bunsen B. Nie,Somilkumar J. Rathi. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Conformal and smooth titanium nitride layers and methods of forming the same

Номер патента: US20210104396A1. Автор: Sung-hoon Jung,Niloy Mukherjee,Hae Young Kim,Yoshikazu Okuyama,Nariman Naghibolashrafi,Bunsen B. Nie,Somilkumar J. Rathi. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Tungsten silicide nitride films and methods of formation

Номер патента: US09461137B1. Автор: Zhiyong Wang,Jianxin Lei,Rajkumar Jakkaraju,Jothilingam RAMALINGAM. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Inverted positive vertical flow chemical vapor deposition chamber

Номер патента: CA1209330A. Автор: James D. Parsons. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1986-08-12.

Phosphorus-nitrogen-oxygen composition and method for making such composition and applications of the same

Номер патента: US4289539A. Автор: Pei-Ching Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1981-09-15.

Electromagnetic Module for Physical Vapor Deposition

Номер патента: US20210071295A1. Автор: Yen-Yu Chen,Chun-Chih Lin,Hsuan-Chih Chu,Chien-Hsun Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Method for enhancing growth of semipolar (Al,In,Ga,B)N via metalorganic chemical vapor deposition

Номер патента: US8405128B2. Автор: Hitoshi Sato,Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,Benjamin A. Haskell,John F. Kaeding,Michael Iza,Troy J. Baker. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2013-03-26.

Growth of non-polar m-plane iii-nitride film using metalorganic chemical vapor deposition (mocvd)

Номер патента: US20080026502A1. Автор: James Speck,Steven DenBaars,Bilge Imer. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2008-01-31.

Chemical vapor deposition methods and methods of etching a contact opening over a node location on a semiconductor substrate

Номер патента: US20020123221A1. Автор: Chris Hill,Mark Jost. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Reactor and method for production of silicon by chemical vapor deposition

Номер патента: US09793116B2. Автор: Werner O. Filtvedt,Josef Filtvedt. Владелец: Dynatec Engineering AS. Дата публикации: 2017-10-17.

Selective area deposition of metal films by atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD)

Номер патента: US09583389B2. Автор: Florian Gstrein,Scott B. Clendenning,Patricio E. Romero,Jeanette M. Roberts. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Superhard dielectric compounds and methods of preparation

Номер патента: WO2003058644A2. Автор: John Kouvetakis,John Tolle,I. S. T. Tsong,Levi Torrison. Владелец: Arizona Board of Regents. Дата публикации: 2003-07-17.

Superhard dielectric compounds and methods of preparation

Номер патента: US20040191151A1. Автор: John Kouvetakis,John Tolle,Levi Torrison,I S T Tsong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-30.

Method for performing metallo-organic chemical vapor deposition of titanium nitride at reduced temperature

Номер патента: US20020001928A1. Автор: Mei Chang,Ming Xi,Keith K. Koai,Shulin Wang,Huan LUO,Russell C. Ellwanger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Process for chemical vapor deposition of materials with via filling capability and structure formed thereby

Номер патента: US20080164579A1. Автор: Alejandro G. Schrott,Fenton R. McFeely,John J. Yurkas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-07-10.

Polycrystalline silicon carbide substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240332011A1. Автор: Carlo Riva,Alexandre Ellison,Björn MAGNUSSON LINDGREN. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-03.

Polycrystalline silicon carbide substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4439630A1. Автор: Carlo Riva,Alexandre Ellison,Björn MAGNUSSON LINDGREN. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-02.

Magnetically enhanced high density plasma-chemical vapor deposition plasma source for depositing diamond and diamond-like films

Номер патента: US09951414B2. Автор: Roman Chistyakov,Bassam Hanna Abraham. Владелец: IonQuest Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Vapor deposition method for the gaas thin film

Номер патента: CA1274429A. Автор: Seiji Kojima,Hiroshi Kikuchi,Masakiyo Ikeda,Yuzo Kashiwayanagi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1990-09-25.

Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same

Номер патента: US09793115B2. Автор: John Tolle. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of growing gallium nitride based semiconductor layers and method of fabricating light emitting device therewith

Номер патента: US09449815B2. Автор: Seung Kyu Choi,Chae Hon KIM,Woo Chul Kwak,Jung Whan JUNG. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Chemical vapor deposition processes using ruthenium precursor and reducing gas

Номер патента: WO2020096976A1. Автор: Thomas H. Baum,Bryan C. Hendrix,Philip S.H. Chen. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2020-05-14.

Chemical vapor deposition processes using ruthenium precursor and reducing gas

Номер патента: US11987878B2. Автор: Thomas H. Baum,Bryan C. Hendrix,Philip S. H. Chen. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Metal structures, devices, and methods

Номер патента: US11769729B2. Автор: Jason Farmer,Daniel J. Zierath,Michael Mcswiney,Akm Shaestagir CHOWDHURY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Chemical vapor deposition reactor having ceramic lining for production of polysilicon

Номер патента: US20140235041A1. Автор: Anatoly Alexandrovich Goncharov,Yury Dmitrievich Kalashnikov. Владелец: Ecolive Technologies Ltd. Дата публикации: 2014-08-21.

Polycrystalline silicon carbide substrate with density gradient and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4439628A1. Автор: Carlo Riva,Björn MAGNUSSON LINDGREN. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-02.

Vapor phase epitaxial growth method by organometallic chemical vapor deposition

Номер патента: CA1242623A. Автор: Yoshinobu Matsuda,Akio Sasaki,Shigeo Fujita. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1988-10-04.

Silacycloalkane Compounds And Methods For Depositing Silicon Containing Films Using Same

Номер патента: US20200075323A1. Автор: XINJIAN LEI,Raymond Nicholas Vrtis,Manchao Xiao,Daniel P. Spence,Robert Gordon Ridgeway. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2020-03-05.

Chemical vapor deposition of titanium

Номер патента: US20090039517A1. Автор: Gurtej Singh Sandhu,Donald L. Westmoreland. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-02-12.

Chemical vapor deposition of titanium

Номер патента: US6903462B2. Автор: Gurtej Singh Sandhu,Donald L. Westmoreland. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-06-07.

Method and system for producing graphene on a copper substrate by modified chemical vapor deposition (AP-CVD)

Номер патента: US11624114B2. Автор: Patricio HÄBERLE TAPIA,Christian ORELLANA GÓMEZ. Владелец: Universidad Tecnica Federico Santa Maria USM. Дата публикации: 2023-04-11.

Methods and devices for graphene formation on flexible substrates by plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US11823895B2. Автор: Chyi-Ming Leu,Chih-Cheng Lin,Nai-Chang Yeh,Chi-Fu Tseng,Chen-Hsuan LU. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2023-11-21.

Formation of thin semiconductor layers by low-energy plasma enhanced chemical vapor deposition and semiconductor heterostructure devices

Номер патента: US20070003696A1. Автор: Hans Von Kaenel. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zurich ETHZ. Дата публикации: 2007-01-04.

Formation of thin semiconductor layers by low-energy plasma enhanced chemical vapor deposition and semiconductor heterostructure devices

Номер патента: EP1608799A1. Автор: Hans Von Kaenel. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zurich ETHZ. Дата публикации: 2005-12-28.

Method of selective growth of van der waals heterostructures on a graphene substrate by chemical vapor deposition using electron-beam irradiation and a heterostructure manufactured by this method

Номер патента: WO2024058678A1. Автор: Jakub SITEK,Karolina CZERNIAK-ŁOSIEWICZ. Владелец: Politechnika Warszawska. Дата публикации: 2024-03-21.

Formation of thin semiconductor layers by low-energy plasma enhanced chemical vapor deposition and semiconductor heterostructure devices

Номер патента: WO2004085717A1. Автор: Hans Von Kaenel. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zuerich. Дата публикации: 2004-10-07.

Method of growing gallium nitride based semiconductor layers and method of fabricating light emitting device therewith

Номер патента: WO2014092320A1. Автор: Seung Kyu Choi,Chae Hon KIM,Woo Chul Kwak,Jung Whan JUNG. Владелец: Seoul Viosys Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-06-19.

Technique for high efficiency metalorganic chemical vapor deposition

Номер патента: US20030049932A1. Автор: Sam Yang,Weimin Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-13.

Thin film deposition apparatus with mask roll including multiple mask patterns and method of making organic light emitting device using the apparatus

Номер патента: US09708705B2. Автор: Ki-Hyun Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for testing susceptor of chemical vapor deposition apparatus and method for manufacturing organic light emitting display apparatus by using the same

Номер патента: US09508613B2. Автор: Jin-Woo Yang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Deposition systems and processes for transport polymerization and chemical vapor deposition

Номер патента: US6086679A. Автор: HUI Wang,Chung J. Lee,Giovanni Antonio Foggiato. Владелец: Quester Technology Inc. Дата публикации: 2000-07-11.

Substrate holder for a vapour deposition system

Номер патента: EP1630261A3. Автор: Richard I. Seddon. Владелец: JDS Uniphase Corp. Дата публикации: 2008-12-10.

Methods for area-selective deposition of polymer films using sequentially pulsed initiated chemical vapor deposition (spicvd)

Номер патента: WO2024019842A1. Автор: Jacques Faguet,Omid Zandi,Ornella Sathoud. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-01-25.

Low zirconium, hafnium-containing compositions, processes for the preparation thereof and methods of use thereof

Номер патента: US20120029219A1. Автор: Scott Houston Meiere,James Philip Natwora, Jr.. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Compound and method for producing the same

Номер патента: US20100136712A1. Автор: Hui-Yun Bor,Cuo-Yo Nieh,Chao-Nan Wei,Yuan-Pang Wu,jian-hong Liao. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2010-06-03.

Physical vapor deposition system comprising positioning marker and method for adjusting distance between crucible and substrate

Номер патента: EP3717675A1. Автор: BASTIAN SIEPCHEN,MICHAEL HARR,SHOU PENG,Bettina Späth,Xinjian Yin,Ganhua FU,Marcel MISCHKE. Владелец: China Triumph International Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-07.

Physical vapor deposition system comprising positioning marker and method for adjusting distance between crucible and substrate

Номер патента: WO2019104727A1. Автор: BASTIAN SIEPCHEN,MICHAEL HARR,SHOU PENG,Bettina Späth,Xinjian Yin,Ganhua FU,Marcel MISCHKE. Владелец: CTF SOLAR GMBH. Дата публикации: 2019-06-06.

Temperature-controlled purge gate valve for chemical vapor deposition chamber

Номер патента: US20090205563A1. Автор: Chantal Arena,Christiaan Werkhoven. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2009-08-20.

A chemical vapor deposition chamber article

Номер патента: WO2020242292A8. Автор: Marcus Gerardus Van Munster,Guiming SONG. Владелец: Schunk Xycarb Technology B.V.. Дата публикации: 2021-01-28.

System and method to control pvd deposition uniformity

Номер патента: WO2020214908A1. Автор: Wen Xiao,Sanjay Bhat,Vibhu Jindal. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-10-22.

Platinum source compositions for chemical vapor deposition of platinum

Номер патента: US5783716A. Автор: Thomas H. Baum,Peter S. Kirlin,Sofia Pombrik. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 1998-07-21.

Method of fabricating nonpolar gallium nitride-based semiconductor layer, nonpolar semiconductor device, and method of fabricating the same

Номер патента: US09966497B2. Автор: Seung Kyu Choi,Chae Hon KIM,Jung Whan JUNG. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Superconducting thin-film material and method of making said material

Номер патента: RU2384907C1. Автор: Судзи ХАХАКУРА,Казуя ОХМАЦУ,Мунецугу ЮЯМА,Кацуя ХАСЕГАВА. Владелец: Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд.. Дата публикации: 2010-03-20.

Feedback control of sub-atmospheric chemical vapor deposition processes

Номер патента: US20030049376A1. Автор: Arulkumar Shanmugasundram,Manuel Hernandez,Rong Pan,Alexander Schwarm,Amna Mohammad. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-03-13.

Chemical Vapor Deposition Diamond (CVDD) Wires for Thermal Transport

Номер патента: US20210143080A1. Автор: Philip Andrew Swire,Nina Biddle. Владелец: Microsemi Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Materials and methods for thermal and electrical conductivity

Номер патента: US09562284B2. Автор: Ali Dhinojwala,Sunny Sethi. Владелец: UNIVERSITY OF AKRON. Дата публикации: 2017-02-07.

Vapor deposition apparatus and method for producing organic electroluminescent element

Номер патента: US09493872B2. Автор: Satoshi Inoue,Takashi Ochi,Masahiro Ichihara,Eiichi Matsumoto,Katsuhiro Kikuchi,Yuhki Kobayashi,Shinichi Kawato. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Apparatus for forming single crystal piezoelectric layers using low-vapor pressure metalorganic precursors in cvd reactors with temperature-controlled injector columns and methods of forming single crystal piezoelectric layers using the same

Номер патента: US20230235459A1. Автор: Craig Moe,Jeffrey M. Leathersich. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Metal organic chemical vapor deposition apparatus for solar cell

Номер патента: US20160225933A1. Автор: Heonmin Lee,Dongjoo YOU,Wonki Yoon. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-08-04.

Laser-assisted metal-organic chemical vapor deposition devices and methods of use thereof for suppressing background carbon incorporation

Номер патента: US11846024B2. Автор: Hongping Zhao,Yuxuan ZHANG,Zhaoying Chen. Владелец: Ohio State Innovation Foundation. Дата публикации: 2023-12-19.

Method for manufacturing vapor deposition mask and method for vapor deposition of organic light-emittng material

Номер патента: US20190355938A1. Автор: YASUHIRO Mizuno,Ying-Chieh Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-21.

Method of controlling contamination of vapor deposition apparatus and method of producing epitaxial wafer

Номер патента: US20200392618A1. Автор: Shota Kinose. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-12-17.

Vapor deposition apparatus, vapor deposition method, and method for producing organic electroluminescent element

Номер патента: US09614155B2. Автор: Satoshi Inoue,Takashi Ochi,Masahiro Ichihara,Eiichi Matsumoto,Katsuhiro Kikuchi,Yuhki Kobayashi,Yoshiyuki Isomura,Shinichi Kawato. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Modular system and process for continuous deposition of a thin film layer on a substrate

Номер патента: MY170105A. Автор: Russell Weldon Black,Christopher Rathweg,Max William Reed,Mark Jeffrey Pavol,Edwin Jackson Little,Brian Robert Murphy. Владелец: First Solar Malaysia Sdn Bhd. Дата публикации: 2019-07-05.

Vapor deposition apparatus, deposition method using the same, and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus

Номер патента: US20140322849A1. Автор: Jae-Hyun Kim,Myung-Soo Huh. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-30.

Vapor deposition apparatus, deposition method using the same, and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus

Номер патента: US9543518B2. Автор: Jae-Hyun Kim,Myung-Soo Huh. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Apparatus for forming gas blocking layer and method thereof

Номер патента: US09732419B2. Автор: Jun Young Lee,Munpyo Hong,You Jong Lee,Yun-Sung Jang. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2017-08-15.

Vapor deposition apparatus, deposition method using the same, and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus

Номер патента: US09543518B2. Автор: Jae-Hyun Kim,Myung-Soo Huh. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Plasma vapor deposition system and method for making multi-junction silicon thin film solar cell modules and panels

Номер патента: EP2318561A1. Автор: Mohd Aslami. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-11.

Organic vapor phase deposition system and methods of use for simultaneous deposition of low and high evaporation temperature materials, and devices produced therein

Номер патента: US20170361354A1. Автор: Stephen R. Forrest,Byeongseop SONG. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2017-12-21.

Mask for vapor deposition apparatus, vapor deposition apparatus, vapor deposition method, and method for producing organic electroluminescence element

Номер патента: US09845530B2. Автор: Satoshi Inoue,Takashi Ochi,Masahiro Ichihara,Eiichi Matsumoto,Katsuhiro Kikuchi,Yuhki Kobayashi,Shinichi Kawato,Kazuki Matsunaga. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Chemical vapor deposition of perovskite thin films

Номер патента: US20190074439A1. Автор: Xiao Chen,Parag Banerjee,Peifu Cheng,Yoon Myung. Владелец: Washington University in St Louis WUSTL. Дата публикации: 2019-03-07.

Method for Fabricating Solar Cell Using Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition

Номер патента: US20120077306A1. Автор: Jong Ho Lee,Ho-Sung Kim,Chaehwan JEONG,Seongjae Boo. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2012-03-29.

Plasma vapor deposition system and method for making multi-junction silicon thin film solar cell modules and panels

Номер патента: WO2010008439A1. Автор: Mohd Aslami. Владелец: Mohd Aslami. Дата публикации: 2010-01-21.

Cleaning apparatus of a high density plasma chemical vapor deposition chamber and cleaning thereof

Номер патента: US20050211279A1. Автор: Sung Hwang,Kyoung Chin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-29.

Organic vapor phase deposition system and methods of use for simultaneous deposition of low and high evaporation temperature materials, and devices produced therein

Номер патента: EP3230489A1. Автор: Stephen R. Forrest,Byeongseop SONG. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2017-10-18.

Film-forming apparatus component and method for cleaning same

Номер патента: US20060246735A1. Автор: Shinji Isoda,Yutaka Kadowaki,Katsuhiko Mushiake,Akisuke Hirata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-02.

Vapor deposition method and method for producing an organic electroluminescence display device

Номер патента: US09741932B2. Автор: Satoshi Inoue,Tohru Sonoda,Shinichi Kawato. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Anisotropic piezoelectric device, system, and method

Номер патента: US20200006623A1. Автор: Morteza Safai,Keith D. Humfeld. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2020-01-02.

Systems and methods for vaporization and vapor distribution

Номер патента: EP3824112A1. Автор: Rick POWELL,Nirav Vora,Aaron Roggelin,John BARDEN. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2021-05-26.

Plasma enhanced chemical vapor reactor with shaped electrodes

Номер патента: US5628869A. Автор: Thomas G. Mallon. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1997-05-13.

Vapor deposition apparatus, vapor deposition method, and method for manufacturing organic el display apparatus

Номер патента: US20220220600A1. Автор: Katsuhiko Kishimoto,Kozo Yano,Susumu Sakio,Koshi Nishida. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Vapor deposition mask, method for manufacturing vapor deposition mask, vapor deposition method, and method for manufacturing organic el display device

Номер патента: US20190106781A1. Автор: Katsuhiko Kishimoto,Susumu Sakio,Koshi Nishida. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-11.

Metalorganic chemical vapor deposition of zinc oxide

Номер патента: WO2009131842A1. Автор: Bunmi T. Adekore,Jonathan Pierce. Владелец: Lumenz, Inc.. Дата публикации: 2009-10-29.

Metalorganic chemical vapor deposition of zinc oxide

Номер патента: EP2279284A1. Автор: Bunmi T. Adekore,Jonathan Pierce. Владелец: LUMENZ Inc. Дата публикации: 2011-02-02.

Process-specific wafer carrier correction to improve thermal uniformity in chemical vapor deposition systems and processes

Номер патента: US20170053049A1. Автор: Sandeep Krishnan,Lukas Urban. Владелец: Veeco Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-23.

Chemical-vapor-deposition silicon carbide bulk having improved etching characteristic

Номер патента: US11859309B2. Автор: Kang Suk Kim,Young Ju Kim,Hak Jun AHN,Youn Woong JUNG,Jun Baek SONG,Won Geun SON. Владелец: DS TECHNO Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Precursor for formation of europium-containing thin film, and method for forming europium-containing thin film

Номер патента: US8747965B2. Автор: Takayuki Mogi,Yoshinori Kuboshima,Shintaro Higashi,Kaoru KIKUKAWA. Владелец: Kojundo Kagaku Kenkyusho KK. Дата публикации: 2014-06-10.

Method and apparatus for low temperature, low pressure chemical vapor deposition of epitaxial silicon layers

Номер патента: US5298452A. Автор: Bernard S. Meyerson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1994-03-29.

Method of making primary current detector using plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US4851367A. Автор: David J. Wolf. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1989-07-25.

Low κ dielectric inorganic/organic hybrid films and method of making

Номер патента: US7153580B2. Автор: John Felts,Peter Rose,Eugene Lopata. Владелец: Aviza Technology Inc. Дата публикации: 2006-12-26.

Substrate surface modifier for atomic layer deposition and method for modifying surface of substrate using the same

Номер патента: US20220259722A1. Автор: Jun Young Kim,Tae Wook Kim,Cheol Kyu Bok,Man Ho Han,Jae Woo Lee,So Jeong YEO. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Composition and method for low temperature deposition of silicon-containing films such as films including silicon, silicon nitride, silicon dioxide and/or silicon-oxynitride

Номер патента: US7786320B2. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Ziyun Wang,Chongying Xu,Bryan C. Hendrix,Ravi K. Laxman. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2010-08-31.

Deposition system for growth of inclined c-axis piezoelectric material structures

Номер патента: US09922809B2. Автор: John BELSICK,Kevin MCCARRON. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Vanadium-containing film forming compositions and vapor deposition of vanadium-containing films

Номер патента: US09691771B2. Автор: Wontae NOH,Clement Lansalot-Matras. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2017-06-27.

Physical Vapor Deposition Chamber Particle Reduction Apparatus And Methods

Номер патента: US20190057849A1. Автор: Sanjay Bhat,Majeed A. Foad,Vibhu Jindal. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-02-21.

Physical vapor deposition chamber particle reduction apparatus and methods

Номер патента: US10763091B2. Автор: Sanjay Bhat,Majeed A. Foad,Vibhu Jindal. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-09-01.

Apparatus and method for manufacturing thin film encapsulation

Номер патента: US09853192B2. Автор: Yong-Suk Lee,Myung-Soo Huh,Jeong-Ho Yi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Apparatus and method for manufacturing thin film encapsulation

Номер патента: EP4033559A1. Автор: Yong-Suk Lee,Myung-Soo Huh,Jeong-Ho Yi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-27.

In-situ p-type activation of iii-nitride films grown via metal organic chemical vapor deposition

Номер патента: US20210151329A1. Автор: Manijeh Razeghi. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2021-05-20.

Method for efficiently eliminating graphene wrinkles formed by chemical vapor deposition

Номер патента: US12116281B2. Автор: Jie Xu,Libo GAO,Guowen Yuan. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-10-15.

Iridium oxide nanowires and method for forming same

Номер патента: US7255745B2. Автор: Sheng Teng Hsu,Fengyan Zhang,Robert A. Barrowcliff. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2007-08-14.

Deposition system with integrated carrier cleaning modules

Номер патента: US12104242B2. Автор: Alexander I. Gurary,Ajit Paranjpe,Mandar Deshpande. Владелец: Veeco Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Slab laser and amplifier and method of use

Номер патента: RU2650807C9. Автор: Стивен Л. КАННИНГЕМ,Мартин А. СТЮАРТ. Владелец: Мартин А. СТЮАРТ. Дата публикации: 2018-09-06.

Control over dislocations and strains in mask-free processes with help of substrate patterning and methods for fabrication of devices

Номер патента: RU2570220C2. Автор: КЕНЕЛЬ Ханс ФОН,Леонида МИЛЬО. Владелец: Пайлгроут Тек С.р.л.. Дата публикации: 2015-12-10.

Systems and methods for integrated resputtering in a physical vapor deposition chamber

Номер патента: US09887072B2. Автор: Syun-Ming Jang,Ming-Hsing Tsai,Ching-Hua Hsieh,Shing-Chyang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Plasma source and methods for depositing thin film coatings using plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US09478401B2. Автор: Peter Maschwitz. Владелец: AGC Flat Glass North America Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Multicathode deposition system and methods

Номер патента: US12051576B2. Автор: Sanjay Bhat,Vibhu Jindal. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Systems and methods for improved gas delivery

Номер патента: WO2004032200A2. Автор: Gi-Youl Kim,Marbert G. Moore Iii,Adrian Jansz,David Foote,Richard Hendrickson,Ken Doering. Владелец: Genus, Inc.. Дата публикации: 2004-04-15.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: EP1397260A1. Автор: Ram Sabnis,Douglas J. Guerrero. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2004-03-17.

Chemical vapor deposition tool and process for fabrication of photovoltaic structures

Номер патента: US09972740B2. Автор: Jianming Fu,Yongkee Chae. Владелец: Tesla Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2002062593A1. Автор: Ram Sabnis,Douglas J. Guerrero. Владелец: Brewer Science, Inc.. Дата публикации: 2002-08-15.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition reactors and associated methods

Номер патента: US20240282546A1. Автор: W. Shannan O'Shaughnessy,Andrew Grant,Sergio Fernandez,Lucas BLACK. Владелец: Kayaku Advanced Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Chemical vapor deposition tool and operating method thereof

Номер патента: US20170032940A1. Автор: Chien-Ta Lee,Pen-Li HUNG,Yu-Shan SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-02.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition reactors and associated methods

Номер патента: WO2024168346A1. Автор: W. Shannan O'Shaughnessy,Andrew Grant,Sergio Fernandez,Lucas BLACK. Владелец: Kayaku Advanced Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-08-15.

Gate Structures in Transistor Devices and Methods of Forming Same

Номер патента: US20240249938A1. Автор: Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Kun-Yu LEE,Jia-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: AU2003232015A1. Автор: Ram W. Sabnis. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2003-11-17.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: EP1502292B1. Автор: Ram W. Sabnis. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2010-08-25.

Low resistivity tungsten film and method of manufacture

Номер патента: WO2022046320A1. Автор: Wei Lei,Joung Joo Lee,Kai Wu,Zhebo CHEN,Xi CEN,Feihu Wang,Chunming Zhou,Zhibo YUAN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-03-03.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus and method of manufacturing display apparatus using the same

Номер патента: US09663855B2. Автор: Jung-Sik Lee,Seok-won JUNG,Myung-Su Heo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

High density plasma chemical vapor deposition process

Номер патента: US20020030033A1. Автор: Water Lur,Shih-Wei Sun,Chih-Chien Liu,Ta-Shan Tseng,W.B. Shieh,J.Y. Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Laser-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20230203660A1. Автор: Rodney S. Harris,Stephen G. Topping. Владелец: River Electro Optics LLC. Дата публикации: 2023-06-29.

Plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus and method for controlling the same

Номер патента: EP2689048A2. Автор: Kwangho Lee,Jinhyouk Shin,Jangwoo Lee,Junggeun Oh,Jeonggyu Kim,Moonkap Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2014-01-29.

Methods for stabilization of self-assembled monolayers (sams) using sequentially pulsed initiated chemical vapor deposition (spicvd)

Номер патента: WO2024019841A1. Автор: Jacques Faguet,Omid Zandi,Ornella Sathoud. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for improving film uniformity in plasma enhanced chemical vapor deposition system

Номер патента: US20050025906A1. Автор: Hui-Chu Lin,Wen-Cheng Lu. Владелец: Toppoly Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2005-02-03.

Directing plasma distribution in plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US09543125B2. Автор: Hsiang-Wei Lin,Chia-Ho Chen,Bo-Hung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Methods For Stabilization Of Self-Assembled Monolayers (SAMs) Using Sequentially Pulsed Initiated Chemical Vapor Deposition (spiCVD)

Номер патента: US20240017290A1. Автор: Jacques Faguet,Omid Zandi,Ornella Sathoud. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Silicon precursor and method of fabricating silicon-containing thin film using the same

Номер патента: US20210348026A1. Автор: Yeong-eun Kim,Jang-Hyun Seok,Jae-Seok AN,Jung-Woo Park. Владелец: Hansol Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Process and aparatus for atmospheric pressure plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2009073292A1. Автор: Robert P. Haley,Mark G.C. Vreys,Christina A. Rhoton,Alphonsus J.P. De Rijcke. Владелец: Dow Global Technologies Inc.. Дата публикации: 2009-06-11.

Plasma enhanced chemical vapor deposited (PECVD) silicon nitride barrier layer for high density plasma chemical vapor deposited (HDP-CVD) dielectric layer

Номер патента: US6127238A. Автор: Wei Lu,Yih-Shung Lin,Jia Zhen Zheng,Marvin De-Dui Liao,Kho Liep Chok. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2000-10-03.

Ono dielectric for memory cells and method for fabricating the same

Номер патента: US20040207000A1. Автор: Jung-Yu Hsieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-21.

Physical vapor deposition system and physical vapor depositing method using the same

Номер патента: US09887073B2. Автор: Hung-Wen Su,Chih-Chien Chi,Pei-Hsuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Apparatus and method for preparing superconducting joints

Номер патента: GB2262106A. Автор: Daniel Scott McAtee,Clifford Lawrence Spiro,Philip George Kosky,Herbert Clark Peters. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1993-06-09.

Apparatus for the simultaneous deposition by physical vapor deposition and chemical vapor deposition and method therefor

Номер патента: US6186090B1. Автор: Joachim Doehler,Herbert C. Ovshinsky,II Buddy R. Dotter,Timothy Ellison,Masatsugo Izu. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 2001-02-13.

Rapid hybrid chemical vapor deposition for perovskite solar modules

Номер патента: WO2021250499A1. Автор: Yabing Qi,Luis Katsuya ONO,Longbin Qiu,Sisi He. Владелец: OKINAWA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY SCHOOL CORPORATION. Дата публикации: 2021-12-16.

Rapid hybrid chemical vapor deposition for perovskite solar modules

Номер патента: EP4143363A1. Автор: Yabing Qi,Luis Katsuya ONO,Longbin Qiu,Sisi He. Владелец: Okinawa Institute of Science and Technology School Corp. Дата публикации: 2023-03-08.

Method for forming a film and method for manufacturing a thin film transistor

Номер патента: US5480818A. Автор: Yuji Murata,Junichi Watanabe,Kenichi Oki,Masahiro Okabe,Jun Inoue,Teruhiko Ichimura,Tomotaka Matsumoto,Mari Hodate,Yoshio Nagahiro. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1996-01-02.

High k dielectric film and method for making

Номер патента: WO2003079413A3. Автор: Bich-Yen Nguyen,Xiao-Ping Wang,Hong-Wei Zhou. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-12-18.

High k dielectric film and method for making

Номер патента: EP1374311A1. Автор: Bich-Yen Nguyen,Srinivas V. Pietambaram,Vidya S. Kaushik,James Kenyon Schaeffer, Iii. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2004-01-02.

High k dielectric film and method for making

Номер патента: EP1485941A2. Автор: Bich-Yen Nguyen,Xiao-Ping Wang,Hong-Wei Zhou. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2004-12-15.

High k dielectric film and method for making

Номер патента: WO2003079413A2. Автор: Bich-Yen Nguyen,Xiao-Ping Wang,Hong-Wei Zhou. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2003-09-25.

Diamond manufacturing system and method via chemical vapor deposition assisted with laser initiated plasma fed with microwave energy

Номер патента: EP3291279A1. Автор: Elena PALACIOS ZAMBRANO,Pedro Julián MARTÍN VELASCO,Vasily LENNIKOV,Susana Maria LUACES OROBITG. Владелец: Nano Coatings SL. Дата публикации: 2018-03-07.

Method for preparing perovskite solar cell absorbing layer by means of chemical vapor deposition

Номер патента: US20220230813A1. Автор: Hyuk Kyoo Jang,Gyu Hyun LEE,So Yeon Lee. Владелец: Mecaroenergy Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09865699B2. Автор: Shintaro Sato,Daiyu Kondo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

System and method for manufacturing photovoltaic structures with a metal seed layer

Номер патента: US09761744B2. Автор: Wei Wang. Владелец: Tesla Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

System for chemical vapor deposition at ambient temperature using electron cyclotron resonance and method for depositing metal composite film using the same

Номер патента: US20030000827A1. Автор: Byung-Won Cho,Joong-Kee Lee,Dal-Keun Park,Joo-Man Woo,Bup-Ju Jeon. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2003-01-02.

Multiple Chamber System for Plasma Chemical Vapor Deposition of Diamond and Related Materials

Номер патента: US20230392255A1. Автор: William Holber. Владелец: PLASMABILITY LLC. Дата публикации: 2023-12-07.

Localized atmospheric laser chemical vapor deposition

Номер патента: EP2842156A1. Автор: Selim Elhadj,Manyalibo Joseph Matthews. Владелец: Lawrence Livermore National Security LLC. Дата публикации: 2015-03-04.

Microwave plasma chemical vapor deposition device

Номер патента: US20240158910A1. Автор: Zhiwen Kang,Bingfeng CAI,Kangfu GUO. Владелец: Wuhan Youmeike Automation Co ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

High density plasma chemical vapor deposition chamber

Номер патента: US20020112666A1. Автор: Pei-Ren Jeng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-22.

Single-crystal diamond, method for manufacturing single-crystal diamond, and chemical vapor deposition device used in same

Номер патента: US20190031515A1. Автор: Yutaka Kobayashi,Yoshiki Nishibayashi,Natsuo Tatsumi,Hitoshi Sumiya,Akihiko Ueda,Takuya NOHARA. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC HARDMETAL CORP. Дата публикации: 2019-01-31.

Plasma chemical vapor deposition device

Номер патента: US10151033B2. Автор: Yuji Takano,Hiromichi Nakata,Yoji Sato,Takayasu Sato,Kazutaka Tachibana,Osamu Ariyada,Ryo TSURUMOTO. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-12-11.

Plasma chemical vapor deposition device

Номер патента: US20160376707A1. Автор: Yuji Takano,Hiromichi Nakata,Yoji Sato,Takayasu Sato,Kazutaka Tachibana,Osamu Ariyada,Ryo TSURUMOTO. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Methods for fabricating integrated circuits using flowable chemical vapor deposition techniques with low-temperature thermal annealing

Номер патента: US09831098B2. Автор: TAO Han,Sukwon Hong,Sandeep Gaan,Xinyuan Dou,Shimpei Yamaguchi,Satyajit Shinde,Carlos Chacon. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Thin film semiconductor device and method of production

Номер патента: US5389580A. Автор: Mitsutoshi Miyasaka. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1995-02-14.

Methods and apparatus for microwave plasma assisted chemical vapor deposition reactors

Номер патента: US11702749B2. Автор: Jing Lu,Jes Asmussen,Yajun Gu,Shreya Nad. Владелец: Michigan State University MSU. Дата публикации: 2023-07-18.

Solar Cell With Selectively Doped Conductive Oxide Layer and Method of Making the Same

Номер патента: US20180190844A1. Автор: James W. Mccamy,Ashtosh Ganjoo,Gary J. Nelis,Peter Tausch. Владелец: Vitro SAB de CV. Дата публикации: 2018-07-05.

Surface modified diamond materials and methods of manufacturing

Номер патента: US20180212026A1. Автор: Mark A. Hollis,Theodore H. Fedynyshyn,Michael W. Geis. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2018-07-26.

Chemical vapor deposition method of growing oxide films with giant magnetoresistance

Номер патента: US5487356A. Автор: Jiming Zhang,Yi-Oun Li. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 1996-01-30.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US6137176A. Автор: Michio Asahina,Yukio Morozumi,Eiji Suzuki,Kazuki Matsumoto,Naohiro Moriya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2000-10-24.

Chemical vapor deposition reactor to grow diamond film by microwave plasma chemical vapor deposition

Номер патента: US11214871B2. Автор: Elgin E. Eissler,David SABENS,Charles D. Tanner. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2022-01-04.

Silicon Compounds and Methods for Depositing Films Using Same

Номер патента: US20190385840A1. Автор: XINJIAN LEI,William Robert Entley,Jennifer Lynn Anne Achtyl,Robert G. Ridgeway,Raymond N. Vrtis. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2019-12-19.

Pulsed plasma enhanced chemical vapor deposition process, system, and coated vessels

Номер патента: US20230340670A1. Автор: Robert Abrams,Matthew Wills,Ahmad Taha. Владелец: SIO2 Medical Products Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Methods and apparatus for microwave plasma assisted chemical vapor deposition reactors

Номер патента: US11854775B2. Автор: Timothy A. Grotjohn,Jes Asmussen. Владелец: Michigan State University MSU. Дата публикации: 2023-12-26.

Gate structures in transistor devices and methods of forming same

Номер патента: US11967504B2. Автор: Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Kun-Yu LEE,Jia-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Integrated circuit devices and methods of forming memory array and peripheral circuitry isolation

Номер патента: US20130249050A1. Автор: Jie Sun,Zhaoli Sun,H. Jim Fulford,James Mathew,Yunjun Ho,Brett D. Lowe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-26.

Integrated Circuit Devices And Methods Of Forming Memory Array And Peripheral Circuitry Isolation

Номер патента: US20130087883A1. Автор: Jie Sun,Zhaoli Sun,H. Jim Fulford,James Mathew,Yunjun Ho,Brett D. Lowe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-11.

Nanocrystal silicon layer structures formed using plasma deposition technique, methods of forming the same, nonvolatile memory devices having the nanocrystal silicon layer structures, and methods of fabricating the nonvolatile memory devices

Номер патента: US8110485B2. Автор: SUNG Wook Jung,Kyung Soo Jang,Jae Hyun Cho,Byoung Deog Choi,Jun Sin Yi. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2012-02-07.

Silicon carbide carrier for wafer processing and method for making same

Номер патента: US5776391A. Автор: Thomas Sibley. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-07-07.

RF powered plasma enhanced chemical vapor deposition reactor and methods

Номер патента: US6112697A. Автор: Paul Smith,Sujit Sharan,Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-09-05.

Multicathode Deposition System

Номер патента: US20200051797A1. Автор: Sanjay Bhat,Vibhu Jindal,Kamatchigobinath Manoharan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-02-13.

Method for producing multiple-surface imposition vapor deposition mask, multiple-surface imposition vapor deposition mask obtained therefrom, and method for producing organic semiconductor element

Номер патента: US09343679B2. Автор: Hiroyuki Nishimura,Yutaka Matsumoto,Toshihiko Takeda,Katsunari Obata,Yoshinori Hirobe,Masato Ushikusa. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2016-05-17.

Transistor isolation regions and methods of forming the same

Номер патента: US11908751B2. Автор: Szu-Ying Chen,Yee-Chia Yeo,Sen-Hong Syue,Huicheng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Transistor isolation regions and methods of forming the same

Номер патента: US20230378000A1. Автор: Szu-Ying Chen,Yee-Chia Yeo,Sen-Hong Syue,Huicheng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

High density plasma chemical vapor deposition chamber and method of using

Номер патента: US20210125811A1. Автор: Ding-I Liu,Wen-Long Lee,Wei-Ching Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus and method for controlling the same

Номер патента: EP2689049A2. Автор: Kwangho Lee,Jinhyouk Shin,Jangwoo Lee,Junggeun Oh,Jeonggyu Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2014-01-29.

PE-CVD apparatus and method

Номер патента: US09783886B2. Автор: Andrew Price,Stephen R Burgess,Katherine Crook,Daniel T Archard,Mark I Carruthers,Keith E Buchanan. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Consistent alignment mark profiles on semiconductor wafers using metal organic chemical vapor deposition titanium nitride protective layer

Номер патента: US6157087A. Автор: Joe W. Zhao,Keith K. Chao,Shumay X. Dou. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2000-12-05.

Pulsed plasma enhanced chemical vapor deposition process and system

Номер патента: WO2022036147A3. Автор: Robert Abrams,Matthew Wills,Ahmad Taha. Владелец: SiO2 Medical Products, Inc.. Дата публикации: 2022-04-14.

Device and method for patterning structures on a substrate

Номер патента: US8053037B2. Автор: Siegfried F. Karg,Walter Heinrich Riess,Roland Germann,Reto Schlittler,Heike E. Riel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-11-08.

High throughput chemical vapor deposition electrode

Номер патента: US20160329456A1. Автор: Moon Chun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-10.

High throughput chemical vapor deposition electrode

Номер патента: WO2016182824A1. Автор: Moon Chun. Владелец: SunPower Corporation. Дата публикации: 2016-11-17.

Pulsed plasma enhanced chemical vapor deposition process and system

Номер патента: WO2022036147A4. Автор: Robert Abrams,Matthew Wills,Ahmad Taha. Владелец: SiO2 Medical Products, Inc.. Дата публикации: 2022-06-23.

Silicon fixtures for supporting wafers during thermal processing and method of fabrication

Номер патента: EP1297558A2. Автор: Robert L. Davis,Raanan Y. Zehavi,James E. Boyle,Laurence D. Delaney. Владелец: Integrated Materials Inc. Дата публикации: 2003-04-02.

Vapor deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus

Номер патента: US20150191822A1. Автор: Sang-Joon SEO,Jae-eung Oh. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor processing tool and methods of operation

Номер патента: US20240347327A1. Автор: Yen-Liang Lin,Yu-Kang Huang,Yu-Chuan TAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for high volume manufacture of electrochemical cells using physical vapor deposition

Номер патента: US09303315B2. Автор: Chia-Wei Wang,Ann Marie Sastry,Fabio Albano. Владелец: Sakti3 Inc. Дата публикации: 2016-04-05.

Germanium nitride layers on semiconductor structures, and methods for forming the same

Номер патента: US11721721B2. Автор: Georgios Vellianitis,Martin Christopher Holland. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Germanium Nitride Layers on Semiconductor Structures, and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20210296442A1. Автор: Georgios Vellianitis,Martin Christopher Holland. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Germanium Nitride Layers on Semiconductor Structures, and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20200135855A1. Автор: Georgios Vellianitis,Martin Christopher Holland. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Systems and Methods for Integrated Resputtering in a Physical Vapor Deposition Chamber

Номер патента: US20180158658A1. Автор: Syun-Ming Jang,Ming-Hsing Tsai,Ching-Hua Hsieh,Shing-Chyang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-07.

Semiconductor processing tool and methods of operation

Номер патента: US12087563B2. Автор: Yen-Liang Lin,Yu-Kang Huang,Yu-Chuan TAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device metallization systems and methods

Номер патента: US09548241B2. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Tung-Ching Tseng,Hsiang-Huan Lee,Wen-Cheng Yang,Hai-Ching Chen,Chung-En Kao,Hsin-Yen Huang,Keith Kuang-Kuo Koai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Migration and plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: CA2756994C. Автор: Kenneth Scott Alexander Butcher. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-07.

Power-delivery mechanism and apparatus of plasma-enhanced chemical vapor deposition using the same

Номер патента: US20080295771A1. Автор: Kuan-Chou Chen,Fu-Ching Tung,Yuan-Yuan Chiang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-12-04.

Porogens, Porogenated Precursors and Methods for Using the Same to Provide Porous Organosilica Glass Films with Low Dielectric Constants

Номер патента: US20130095255A1. Автор: Mark Leonard O'Neill,Raymond Nicholas Vrtis,Mary Kathryn Haas,Jean Louise Vincent,Aaron Scott Lukas. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2013-04-18.

Gachemical vapor deposition apparatus with cleaning gas flow guiding member

Номер патента: US20230098570A1. Автор: Tung-Ching Tseng,Tsung-Lin Lee,Yi-Ming Lin,Sheng-chun YANG,Chih-Hung Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Chemical vapor deposition method for fabricating two-dimensional materials

Номер патента: EP3443138A1. Автор: Nigel Pickett,Ombretta Masala,Nicky Prabhudas SAVJANI. Владелец: Nanoco Technologies Ltd. Дата публикации: 2019-02-20.

Apparatus and method for depositing coating onto porous substrate

Номер патента: US4609562A. Автор: Arnold O. Isenberg,Gregory E. Zymboly. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1986-09-02.

Multicathode deposition system and methods

Номер патента: WO2021113590A1. Автор: Sanjay Bhat,Vibhu Jindal. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-06-10.

Low halide lanthanum precursors for vapor deposition

Номер патента: US20230382927A1. Автор: Sergei V. Ivanov,Neil Osterwalder. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

System for and method of planarizing the contact region of a via by use of a continuous inline vacuum deposition process

Номер патента: WO2006081352A3. Автор: Thomas P Brody,Joseph A Marcanio. Владелец: Joseph A Marcanio. Дата публикации: 2007-04-19.

System for and method of planarizing the contact region of a via by use of a continuous inline vacuum deposition process

Номер патента: WO2006081352A2. Автор: Thomas P. Brody,Joseph A. Marcanio. Владелец: Advantech Global, Ltd.. Дата публикации: 2006-08-03.

Low halide lanthanum precursors for vapor deposition

Номер патента: US11753420B2. Автор: Sergei V. Ivanov,Neil Osterwalder. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-09-12.

Low Halide Lanthanum Precursors For Vapor Deposition

Номер патента: US20210363162A1. Автор: Sergei V. Ivanov,Neil Osterwalder. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2021-11-25.

Apparatus and method for physical vapor deposition

Номер патента: US20240339310A1. Автор: Wen-Cheng Yang,Chyi-Tsong Ni,Yu-Young Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Sputtering targets, sputter reactors, methods of forming cast ingots, and methods of forming metallic articles

Номер патента: WO2003008656B1. Автор: Wuwen Yi,Chi Tse Wu,Frederick B Hidden. Владелец: Frederick B Hidden. Дата публикации: 2004-04-08.

Deposition systems including effusion sources, and related methods

Номер патента: WO2017189447A1. Автор: William Alan Doolittle. Владелец: Innovative Advanced Materials, Inc.. Дата публикации: 2017-11-02.

Method of forming compressive nitride film and method of manufacturing metal oxide semiconductor

Номер патента: US20070243686A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Chien-Chung Huang,Neng-Kuo Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Sputter deposition system and method

Номер патента: WO2011051294A1. Автор: Marcus Bender,Andreas Lopp. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2011-05-05.

Advanced BEOL interconnect structures with low-k PE CVD cap layer and method thereof

Номер патента: US6939797B2. Автор: JIA LEE,John A. Fitzsimmons,Vincent McGahay,Stephen M. Gates,Thomas H. Ivers,Edward Barth,Darryl D. Restaino,Sarah L. Lane,Ann McDonald. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-09-06.

Apparatus for providing a liquefied material, dosage system and method for dosing a liquefied material

Номер патента: WO2022154960A1. Автор: Andreas Sauer,Thomas Deppisch,Volker Hacker,Ralf SCHEIDT. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-07-21.

Plasma enhanced chemical vapor deposition of graphene on optical fibers

Номер патента: US20230212743A1. Автор: Nai-Chang Yeh,Deepan Kishore Kumar. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2023-07-06.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus and method of forming lithium-based film by using the same

Номер патента: US20220025515A1. Автор: Jooho Lee,Yongsung Kim,Changseung LEE,Sungjin Lim,Junsik Hwang,Wooyoung Yang,Sanghoon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-27.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus and method of forming lithium-based film by using the same

Номер патента: US20180010245A1. Автор: Jooho Lee,Yongsung Kim,Changseung LEE,Sungjin Lim,Junsik Hwang,Wooyoung Yang,Sanghoon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-11.

Aerosol assisted chemical vapor deposition methods useful for making dye-sensitized solar cells with platinum dialkyldithiocarbamate complexes

Номер патента: US11742151B2. Автор: Muhammad Ali Ehsan,Abdul REHMAN,Abbas Saeed Hakeem. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2023-08-29.

Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method of forming vanadium oxide films and vanadium oxide thin-films prepared thereby

Номер патента: US6156395A. Автор: Ping Liu,David K. Benson,C. Edwin Tracy,Ji-Guang Zhang,John A. Turner. Владелец: Midwest Research Institute. Дата публикации: 2000-12-05.

Thin film batteries and methods for manufacturing same

Номер патента: EP2291876A2. Автор: Michael Stowell,Nety Krishna,Byung Sung Kwak. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2011-03-09.

VAPOR-DEPOSITED COATING FOR BARRIER FILMS AND METHODS OF MAKING AND USING THE SAME

Номер патента: US20130302627A1. Автор: Klun Thomas P.,Roehrig Mark A.,Nachtigal Alan K.,Iyer Suresh. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2013-11-14.

Interconnection system and method for producing the same

Номер патента: US20020045334A1. Автор: Kazunori Matsuura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-18.

Semiconductor interconnection structure and method of fabrication

Номер патента: EP1317772A1. Автор: Stefan Weber,Roy Iggulden. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-06-11.

Device and method for reducing contact resistance of a metal

Номер патента: US20190252247A1. Автор: Hung-Wen Su,Yu-Hung Lin,Ya-Lien Lee,Kuei-Pin Lee,Yu-Min Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Systems and methods for selective tungsten deposition in vias

Номер патента: WO2012047571A2. Автор: Wei Lei,Michal Danek,Juwen Gao,Rajkumar Jakkaraju. Владелец: Novellus Systems Inc.. Дата публикации: 2012-04-12.

Metal silicide nanowires and methods of their production

Номер патента: US20100279115A1. Автор: Song Jin,Andrew L. Schmitt,Yipu Song. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2010-11-04.

Bilayer hdp cvd/pe cvd cap in advanced beol interconnect structure and method thereof

Номер патента: IL162435A. Автор: . Владелец: Ibm. Дата публикации: 2008-11-26.

Low contact resistance semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20120241752A1. Автор: Fu-Bang CHEN,Te-Chung Wang,Hsiu-Mu Tang. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Growth of carbon nanotube (cnt) leads on circuits in substrate-free continuous chemical vapor deposition (cvd) process

Номер патента: US20170077370A1. Автор: Keith Daniel Humfeld. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-03-16.

Growth of carbon nanotube (CNT) leads on circuits in substrate-free continuous chemical vapor deposition (CVD) process

Номер патента: US09825210B2. Автор: Keith Daniel Humfeld. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-11-21.

Growth of carbon nanotube (CNT) leads on circuits in substrate-free continuous chemical vapor deposition (CVD) process

Номер патента: US09544998B1. Автор: Keith Daniel Humfeld. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of carrying out plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US6432493B1. Автор: Tetsuya Taguwa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-08-13.

Device and method for reducing contact resistance of a metal

Номер патента: US09892963B2. Автор: Hung-Wen Su,Yu-Hung Lin,Ya-Lien Lee,Kuei-Pin Lee,Yu-Min Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Systems and methods of forming a reduced capacitance device

Номер патента: US09472453B2. Автор: Kern Rim,John Jianhong ZHU,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Chemical vapor deposition technique for depositing titanium silicide on semiconductor wafers

Номер патента: US5278100A. Автор: Trung T. Doan,Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1994-01-11.

Air gap based low dielectric constant interconnect structure and method of making same

Номер патента: US6057226A. Автор: Lawrence D. Wong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2000-05-02.

Transistor with pi-gate structure and method for producing the same

Номер патента: US20020063293A1. Автор: Yeon-Sik Chae,Jin-Koo Rhee,Hyun-Sik Park,Dan An. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-30.

Chemical vapor deposition process

Номер патента: US20020058413A1. Автор: Anand Srinivasan,Raj Narasimhan,Sujit Sharon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Ruthenium silicide diffusion barrier layers and methods of forming same

Номер патента: EP1114449A1. Автор: Brian A. Vaartstra,Eugene P. Marsh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-07-11.

Semiconductor devices and methods for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09576872B2. Автор: Horst Theuss,Thomas Mueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-21.

Composite dielectric structures for semiconductor die assemblies and associated systems and methods

Номер патента: US11862607B2. Автор: yu chun Chen,Hung Cheng Chen,Hsuan Chao Hou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Composite dielectric structures for semiconductor die assemblies and associated systems and methods

Номер патента: US20240145436A1. Автор: yu chun Chen,Hung Cheng Chen,Hsuan Chao Hou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Diffusion barrier layers and methods of forming same

Номер патента: US6323081B1. Автор: Eugene P. Marsh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-11-27.

Method of forming an electrically conductive contact plug, method of forming a reactive or diffusion barrier layer over a substrate, integrated circuitry, and method of forming a layer of titanium boride

Номер патента: US5977636A. Автор: Sujit Sharan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-11-02.

Semiconductor devices having through-vias and methods for fabricating the same

Номер патента: US20150093896A1. Автор: Pil-Kyu Kang,Ho-Jin Lee,Byung Lyul Park,Gilheyun CHOI,Kyu-Ha Lee,Hyunsoo Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2015-04-02.

Plasma enhanced chemical vapor deposition system for forming carbon nanotubes

Номер патента: US20060008594A1. Автор: Sung Kang,Woo Bae. Владелец: JAPAN ASIA INVESTMENT Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-12.

Plasma enhanced chemical vapor deposition system for forming carbon nanotubes

Номер патента: WO2006017340A2. Автор: Sung Gu Kang,Woo Kyung Bae. Владелец: Cdream Corporation. Дата публикации: 2006-02-16.

Electrode membrane assembly and method for manufacturing the same

Номер патента: US5750013A. Автор: Andrew S. Lin. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 1998-05-12.

Chemical vapor deposition of dense and transparent zirconia films

Номер патента: US5145720A. Автор: Toshio Hirai,Hisanori Yamane. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 1992-09-08.

Method of manufacturing self-healing polymer that can control physical character according to composition using initiated chemical vapor deposition

Номер патента: US11680124B2. Автор: Yujin Lee,SungGap IM,Moon Jin KWAK,Kihoon JEONG,Youson KIM. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-06-20.

Carbon nanostructures and networks produced by chemical vapor deposition

Номер патента: US09617156B2. Автор: Gerardus Joseph Maria Koper,Krishna Narayan Kumar Kowlgi,Rutger Alexander David Van Raalten. Владелец: Carbonx BV. Дата публикации: 2017-04-11.

Chemical vapor deposition graphene foam electrodes for pseudo-capacitors

Номер патента: US9263196B2. Автор: Thomas A. Yager. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2016-02-16.

Process for preparing contact lens with film by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20190310494A1. Автор: Wen-Pin Lin,Meng-Jiy WANG. Владелец: Brighten Optix Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

Negative electrode active material for non-aqueous electrolyte secondary battery and method for manufacturing the same

Номер патента: US09543578B2. Автор: Kazuyuki Taniguchi,Yoshiyasu Yamada,Tetsuo Nakanishi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Porous carbon product and method of its production

Номер патента: RU2568616C2. Автор: Кристиан НОЙМАНН. Владелец: Хераеус Кварцглас Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2015-11-20.

Carbon nanostructures and networks produced by chemical vapor deposition.

Номер патента: NL2005365C2. Автор: Rutger Alexander David Raalten,Gerardus Joseph Maria Koper,Krishna Narayan Kumar Kowlgi. Владелец: Univ Delft Tech. Дата публикации: 2012-03-20.

Carbon nanostructures and networks produced by chemical vapor deposition

Номер патента: CA2812166A1. Автор: Gerardus Joseph Maria Koper,Krishna Narayan Kumar Kowlgi,Rutger Alexander David Van Raalten. Владелец: Delft Enterprises BV. Дата публикации: 2012-03-22.

Carbon nanostructures and networks produced by chemical vapor deposition

Номер патента: CA2812166C. Автор: Gerardus Joseph Maria Koper,Krishna Narayan Kumar Kowlgi,Rutger Alexander David Van Raalten. Владелец: Carbonx BV. Дата публикации: 2021-04-06.

Manufacturing apparatus and method for making silicon nanowires on carbon based powders for use in batteries

Номер патента: US10862114B2. Автор: Vincent Pluvinage,Yimin Zhu. Владелец: OneD Material Inc. Дата публикации: 2020-12-08.

Manufacturing apparatus and method for making silicon nanowires on carbon based powders for use in batteries

Номер патента: EP4292702A3. Автор: Vincent Pluvinage,Yimin Zhu. Владелец: OneD Material Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Manufacturing apparatus and method for making silicon nanowires on carbon based powders for use in batteries

Номер патента: EP4273296A1. Автор: Vincent Pluvinage,Yimin Zhu. Владелец: OneD Material Inc. Дата публикации: 2023-11-08.

Manufacturing apparatus and method for making silicon nanowires on carbon based powders for use in batteries

Номер патента: US20230352668A1. Автор: Vincent Pluvinage,Yimin Zhu. Владелец: OneD Material Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Manufacturing apparatus and method for making silicon nanowires on carbon based powders for use in batteries

Номер патента: EP4292702A2. Автор: Vincent Pluvinage,Yimin Zhu. Владелец: OneD Material Inc. Дата публикации: 2023-12-20.

Manufacturing apparatus and method for making silicon nanowires on carbon based powders for use in batteries

Номер патента: US20240162426A1. Автор: Vincent Pluvinage,Yimin Zhu. Владелец: OneD Material Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Magnetic semiconductor material and method for preparation thereof

Номер патента: US20040014244A1. Автор: Katsuaki Sato,Takayuki Ishibashi,Gennadiy Medvedkin. Владелец: Japan Science and Technology Corp. Дата публикации: 2004-01-22.

Capacitor for a semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US20070004133A1. Автор: Moon-han Park,Ho-kyu Kang,Seok-jun Won,Yong-kuk Jeong,Hong-Ki Kim,Kyung-hun Kim,Myong-Geun Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-04.

Multi-Value Nonvolatile Organic Resistive Random Access Memory and Method for Preparing the Same

Номер патента: US20160240778A1. Автор: QIANG LI,Yimao Cai,Ru Huang,Yue Pan,Yichen FANG,Zongwei Wang,Muxi Yu,Yefan Liu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-08-18.

System and method for mass-production of high-efficiency photovoltaic structures

Номер патента: US09842956B2. Автор: Jiunn Benjamin Heng,Zhigang Xie,Anand J. Reddy,Chunguang Xiao. Владелец: Tesla Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Display panel and method for manufacturing same

Номер патента: US20200043959A1. Автор: Huailiang He. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Metal Organic Chemical Vapor Deposition of Embedded Resistors for ReRAM Cells

Номер патента: US20150179937A1. Автор: Yun Wang,Chien-Lan Hsueh. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Very low resistance films and methods for modifying or creating them

Номер патента: RU2567021C2. Автор: Дуглас Дж. ГИЛБЕРТ,Тимоти С. КЕЙЛ. Владелец: АМБАЧЕР Эл.Эл.Си.. Дата публикации: 2015-10-27.

Piezoelectric element and method of producing the same

Номер патента: US09444032B2. Автор: Makoto Ishida,Noriyuki Matsushita,Hiroyuki Wado,Daisuke Akai. Владелец: Toyohashi University of Technology NUC. Дата публикации: 2016-09-13.

Silicon thin film transistors, systems, and methods of making same

Номер патента: WO2009094639A1. Автор: John Snyder,John M. Heitzinger. Владелец: Soligie, Inc.. Дата публикации: 2009-07-30.

Avalanche photodiode and method for its manufacture

Номер патента: RU2769749C1. Автор: Наталья Александровна Валишева,Татьяна Александровна Левцова,Евгений Александрович Емельянов,Игорь Борисович Чистохин,Михаил Альбертович Путято,Валерий Владимирович Преображенский,Игорь Ильич Рябцев,Михаил Олегович Петрушков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2022-04-05.

System and method for mass-production of high-efficiency photovoltaic structures

Номер патента: US20170179326A1. Автор: Jiunn Benjamin Heng,Zhigang Xie,Anand J. Reddy,Chunguang Xiao. Владелец: SolarCity Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Solid state imaging device and method of fabricating the same

Номер патента: US20050181528A1. Автор: Hiroaki Takao. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-18.

Solid state imaging device and method of fabricating the same

Номер патента: US7265432B2. Автор: Hiroaki Takao. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2007-09-04.

Plattenanordnung mit CVDD-(Chemical Vapor Deposition Diamond)-Fenstern für den Wärmetransport

Номер патента: DE112019007581B4. Автор: Philip Andrew Swire,Nina Biddle. Владелец: Microchip Tech Caldicot Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Nanoscopic wire-based devices, arrays, and method of their manufacture

Номер патента: CA2372707C. Автор: Thomas Rueckes,Kevin Kim,Charles M. Lieber,Ernesto Joselevich. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2014-12-09.

Liquid chemical vapor recovery device, wet stripping device, photoresist stripping process, and method for manufacturing thin film transistor-liquid crystal display using the same

Номер патента: US20190064674A1. Автор: Hao Yin,Xiaoning Liu,Qianqian Li,Mingming Wang,Dongseob Kim,Shikai Wang,Yadong Xu,Jun Geng,Yadong Liang,Zhongren JIANG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor device with memory capacitor and method of manufacturing such a device

Номер патента: WO1999003152A2. Автор: Wiebe Barteld De Boer,Marieke Cornelia Martens. Владелец: Philips Ab. Дата публикации: 1999-01-21.

Vapor deposition material for organic device and method for manufacturing organic device

Номер патента: WO2011013626A1. Автор: 誠之林. Владелец: 富士フイルム株式会社. Дата публикации: 2011-02-03.

Vapor deposition material for organic device and method for manufacturing organic device

Номер патента: KR20120030163A. Автор: 마사유키 하야시. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2012-03-27.

Deposition system, deposition apparatus, and method of operating a deposition system

Номер патента: TWI664303B. Автор: 史丹分班格特,馬提爾斯柯比斯. Владелец: 美商應用材料股份有限公司. Дата публикации: 2019-07-01.

Chemical vaporizer for material deposition systems and associated methods

Номер патента: US20120289059A1. Автор: Eugene P. Marsh,David R. Atwell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-11-15.

Chemical vaporizer for material deposition systems and associated methods

Номер патента: US20140026925A1. Автор: Eugene P. Marsh,David R. Atwell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-30.

Chemical vaporizer for material deposition systems and associated methods

Номер патента: US20090035465A1. Автор: Eugene P. Marsh,David R. Atwell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-02-05.

Superconducting wire and method of formation thereof

Номер патента: RU2767282C1. Автор: Сын-Хён МУН,Джудит ДРИСКОЛЛ,Ахмед КУРУСУМОВИЧ,Джон ФЕЙГАН. Владелец: Санам Ко., Лтд.. Дата публикации: 2022-03-17.

Superconducting wire and method for formation thereof

Номер патента: RU2597247C2. Автор: Сын-Хён МУН,Чжае Хун ЛИ,Хун-Чжу ЛИ. Владелец: Санам Ко., Лтд.. Дата публикации: 2016-09-10.

System and method for shielding during PECVD deposition processes

Номер патента: EP1921658A2. Автор: Michael W. Stowell. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-05-14.

Anode Active Material for All-Solid-State Battery Comprising Carbon-Based Material and Silicon-Based Material and Method of Manufacturing Same

Номер патента: US20220166008A1. Автор: HONG Seok Min,Sang Heon Lee,Yun Sung Kim,Yong Gu Kim,Sung Woo Noh,Yong Jun Jang,In Woo Song,Ju Yeong Seong,Yong Sub Yoon,Jae Phil Cho,A Reum Ha,Ki Hong Ahn. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Temperature influenced chemical vaporization and detection of compounds having low volatility

Номер патента: US09689857B1. Автор: Jack A. Syage,Andrey N. Vilkov,Joseph A. Widjaja. Владелец: Morpho Detection LLC. Дата публикации: 2017-06-27.

Chemical vaporization and detection of compounds having low volatility

Номер патента: US09683981B1. Автор: Jack A. Syage,Karl A. Hanold,Andrey N. Vilkov,Joseph A. Widjaja. Владелец: Morpho Detection LLC. Дата публикации: 2017-06-20.

Selective chemical vapor deposition of tungsten for microdynamic structures

Номер патента: US5149673A. Автор: Liang-Yuh Chen,Noel C. MacDonald,Zuoying L. Zhang. Владелец: Cornell Research Foundation Inc. Дата публикации: 1992-09-22.

Techniques for direct deposition of superconductor material and related systems and methods

Номер патента: WO2021055037A3. Автор: Daniel Brunner,Robert MUMGAARD. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2021-05-14.

Method for manufacturing laser diode chip, optical transmitting/receiving module and method for aligning positions thereof

Номер патента: US20020039805A1. Автор: HONG Jun,Ho Lee,Jun Song,Ki Shin,Bon Koo,Euy Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-04.

Filled carbon nanotubes and methods of synthesizing the same

Номер патента: US11417885B1. Автор: Wenzhi Li,Yuba Poudel. Владелец: Florida International University FIU. Дата публикации: 2022-08-16.

Atomically dispersed platinum-group metal-free catalysts and method for synthesis of the same

Номер патента: US11978912B2. Автор: Gang Wu,HUI XU,Shuo DING,Shengwen LIU. Владелец: Giner Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Embedded wire chemical vapor deposition (ewcvd)

Номер патента: EP4363630A1. Автор: Joseph Pegna,Kirk L. Williams,Shay L. Harrison. Владелец: Free Form Fibers LLC. Дата публикации: 2024-05-08.

Substrate and method for the formation of continuous magnesium diboride and doped magnesium diboride wires

Номер патента: US20050127353A1. Автор: Raymond Suplinskas,Douglas Finnemore,Paul Canfield,Serquei Bud'ko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-16.

Substrate and method for the formation of continuous magnesium diboride and doped magnesium diboride wires

Номер патента: US20120178631A1. Автор: Raymond J. Suplinskas,Janet Suplinskas. Владелец: Specialty Materials Inc. Дата публикации: 2012-07-12.

Substrate and method for the formation of continuous magnesium diboride and doped magnesium diboride wires

Номер патента: WO2004048292A1. Автор: Raymond J. Suplinskas. Владелец: Suplinskas Raymond J. Дата публикации: 2004-06-10.

Apparatus and method for delivering reagents in vapor form to a CVD reactor, incorporating a cleaning subsystem

Номер патента: US5362328A. Автор: Peter S. Kirlin,Peter Van Buskirk,Robin A. Gardiner. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 1994-11-08.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12069934B2. Автор: Jongwoo Kim,Hyein Yang,Jaeheung Ha,Wonjong KIM,Changyeong SONG,Woosuk Jung,Yongchan Ju,Heeyeon Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Apparatus for forming single crystal piezoelectric layers using low-vapor pressure metalorganic precursors in cvd reactors with temperature-controlled injector columns and methods of forming single crystal piezoelectric layers using the same

Номер патента: WO2023141620A2. Автор: Craig Moe,Jeffrey M. Leathersich. Владелец: Akoustis, Inc.. Дата публикации: 2023-07-27.

Systems, devices, and methods for forming layers comprising a group 14 element, a pnictogen, and a chalcogen

Номер патента: US20240175129A1. Автор: Varun Sharma,Michael Eugene Givens,Charles DEZELAH,Bart Vermeulen,Jerome Innocent. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-05-30.

Plasma chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US11956884B2. Автор: Igor Milicevic,Mattheus Jacobus Nicolaas Van Stralen,Gertjan KRABSHUIS,Antonius Henricus Elisabeth Breuls. Владелец: Draka Comteq BV. Дата публикации: 2024-04-09.

Plasma Chemical Vapor Deposition Apparatus

Номер патента: US20220377871A1. Автор: Igor Milicevic,Mattheus Jacobus Nicolaas Van Stralen,Gertjan KRABSHUIS,Antonius Henricus Elisabeth Breuls. Владелец: Draka Comteq BV. Дата публикации: 2022-11-24.

Moisture-resistant electroluminescent phosphor with high initial brightness and method of making

Номер патента: WO2007087479A3. Автор: Frank Schwab,Chen-Wen Fan,Tuan Dang,Joan Coveleskie,Dale Benjamin,David Sheppeck. Владелец: David Sheppeck. Дата публикации: 2008-05-15.

Chemical vapor deposition process for producing diamond

Номер патента: US11905594B2. Автор: Neil Fox,Hugo DOMINGUEZ ANDRADE,Thomas B SCOTT,Edward JD MAHONEY,Alexander CROOT. Владелец: University of Bristol. Дата публикации: 2024-02-20.

Vapor deposition apparatus, vapor deposition method and method of manufacturing organic light emitting display apparatus

Номер патента: US09481929B2. Автор: In-Kyo Kim,Myung-Soo Huh,Suk-Won Jung,Choel-Min JANG,Sung-Hun KEY. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Vapor deposition apparatus and method for producing organic electronic device

Номер патента: EP3822388A1. Автор: Shinichiro Kobayashi,HIROSHI Miyazaki,Hiroshi Fujimoto. Владелец: Fukuoka Industry Science and Technology Foundation. Дата публикации: 2021-05-19.

A deposit system for OLED and method of fabricating of OLED using the same

Номер патента: KR101248004B1. Автор: 박경민,이석종,허정수,박재희. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2013-03-27.

A kind of chemical vapor deposition prepares the system and method for zirconium clad

Номер патента: CN110373652A. Автор: 朱庆山,宋淼,向茂乔,赵宏丹. Владелец: Institute of Process Engineering of CAS. Дата публикации: 2019-10-25.

Apparatus of chemical vapor deposition with a shower head and method therof

Номер патента: KR100731164B1. Автор: 변철수. Владелец: 주식회사 피에조닉스. Дата публикации: 2007-06-20.

Method for forming composite vapor-deposited films with varied compositions formed in the initial and final stages of deposition, composite vapor-deposition material for the film and method for manufacture thereof

Номер патента: US6372362B1. Автор: Shinji Furuichi,Shigetoshi Takashima. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2002-04-16.

Chemical vaporizer for material deposition systems and associated methods

Номер патента: US20140026925A1. Автор: Eugene P. Marsh,David R. Atwell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-30.

A kind of vapor deposition contraposition effect detection device and method

Номер патента: CN108118291A. Автор: 吴俊雄,陈聪,李建华,苏君海,柯贤军,周扬川. Владелец: Truly Huizhou Smart Display Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

DEPOSITION SYSTEM, DEPOSITION APPARATUS, AND METHOD OF OPERATING A DEPOSITION SYSTEM

Номер патента: US20200224305A1. Автор: Bangert Stefan,Krebs Matthias. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-07-16.

Electro-luminescent device and method for its manufacture

Номер патента: RU2269876C2. Автор: Паскаль МАГЭН,Рене УИНАН. Владелец: Решерш Е Девелопман Дю Груп Кокрилл Самбр. Дата публикации: 2006-02-10.

Integrated micro/nanogenerator and method of fabricating the same

Номер патента: US09762151B2. Автор: Haixia Zhang,Xiaosheng Zhang,Mengdi Han,Fuyun Zhu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-09-12.

Systems and methods for residual material collection in laser-assisted deposition

Номер патента: WO2023166473A1. Автор: Michael Zenou. Владелец: Reophotonics, Ltd.. Дата публикации: 2023-09-07.

Fluid deposition system and method

Номер патента: EP3972877A1. Автор: David Dellal,Hector Castillo,Mitchell GUILLAUME. Владелец: Floe Inc. Дата публикации: 2022-03-30.

Fluid deposition system and method

Номер патента: WO2021046511A1. Автор: David Dellal,Hector Castillo,Mitchell GUILLAUME. Владелец: Floe, LLC. Дата публикации: 2021-03-11.

Sensor stack having a graphical element formed by physical vapor deposition

Номер патента: US09871897B1. Автор: Benjamin B. Lyon,Scott A. Myers,Patrick E. O'Brien. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Material deposition system and method for depositing materials on a substrate

Номер патента: US9039146B2. Автор: Kui-Chiu Kwok,Scott A. Reid,Thomas J. Karlinski,Robert W. Tracy,Rita Mohanty,Kenneth C. Crouch. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC. Дата публикации: 2015-05-26.

Systems and methods for reducing interference level within actively used frequency range

Номер патента: RU2763167C2. Автор: Антонио ФОРЕНЦА,Стивен Дж. ПЕРЛМАН,Фэди СЭЙБИ,Марио ДИ ДИО. Владелец: Риарден, Ллк. Дата публикации: 2021-12-28.

Abatement of effluent from chemical vapor deposition processes using ligand exchange resistant metal-organic precursor solutions

Номер патента: EP1230420A1. Автор: Jose Arno,Mark Holst,Ray Dubois,Rebecca Faller. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2002-08-14.

Chemical vapor deposition system arrangement

Номер патента: US20160053375A1. Автор: William David Grove,Nicholas Peter Deskevich. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Materials and methods for growing complex perovskite oxide thin films

Номер патента: EP1081154A3. Автор: Hideaki Intern. Superconductivity Techn C. Zama,Keiichi Intern Superconductivity Techn C. Tanabe,Tadataka Intern Superc. Techn. Center Morishita. Владелец: International Superconductivity Technology Center. Дата публикации: 2003-03-19.

Abatement of effluent from chemical vapor deposition processes using ligand exchange resistant metal-organic precursor solutions

Номер патента: WO2001029281A9. Автор: Jose Arno,Mark Holst,Ray Dubois,Rebecca Faller. Владелец: Advanced Tech Materials. Дата публикации: 2001-09-27.

Defined dosing atmospheric temperature and pressure vapor deposition system

Номер патента: US09562288B2. Автор: Adam Zax,Russell C. SLAYBAUGH,Michael Stephen METCALFE,Guillermo SETA. Владелец: Diamon Fusion International Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Chemical vapor deposition system and method

Номер патента: EP1204782A1. Автор: Robert J. Bailey,Thomas E. Kane,Lisa H. Michael. Владелец: Silicon Valley Group Thermal Systems LLC. Дата публикации: 2002-05-15.

Processing system and method for chemical vapor deposition

Номер патента: EP1100980A2. Автор: Joseph T. Hillman. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2001-05-23.

Compact head and compact system for vapor deposition

Номер патента: US12043894B2. Автор: David MUNOZ-ROJAS. Владелец: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS. Дата публикации: 2024-07-23.

Part with substrate from mono-crystal superalloy on base of nickel and method of its manufacturing

Номер патента: RU2738628C2. Автор: Амар САБУНДЖИ,Виржини ЖАКЕ,Жереми РАМ. Владелец: Сафран. Дата публикации: 2020-12-15.

Systems and methods for production of graphene by plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20140255621A1. Автор: Peter V. Bedworth,Steven W. Sinton. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Continuous-feed chemical vapor deposition system

Номер патента: US20230002906A1. Автор: Yaakov Gridish,Elad Mentovich,Yaniv Rotem,Doron NAVEH,Chen STERN,Yosi BEN-NAIM,Ariel Ismach,Tal KAUFMAN,Eran BAR-RABI. Владелец: Simtal Nano Coatings Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Novel compound, precursor composition comprising same, and method for preparing thin film using same

Номер патента: US20240218005A1. Автор: Min-Sung Park,Jang-Hyeon Seok,Hyo-Suk Kim,Min-Hyuk Nim,Jung-Woo Park. Владелец: Hansol Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of operating filament assisted chemical vapor deposition system

Номер патента: WO2012112334A2. Автор: Jacques Faguet,Eric M. Lee. Владелец: Tokyo Electron America, Inc.. Дата публикации: 2012-08-23.

Shell connection device and chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: LU505605B1. Автор: Haibo Huo. Владелец: Univ Zhengzhou Aeronautics. Дата публикации: 2024-05-24.

Gas shower device, chemical vapor deposition device and method

Номер патента: US09945031B2. Автор: Yong Jiang,Zhiyou Du. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Chemical vapor deposition process and coated article

Номер патента: US09915001B2. Автор: David A. Smith,Min YUAN,James B. Mattzela,Paul H. Silvis. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Direct liquid injection for halide vapor phase epitaxy systems and methods

Номер патента: US09644285B2. Автор: Ronald Thomas Bertram, JR.. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-05-09.

Touch surface for an electronic device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09598765B2. Автор: Jacques Robert,Stephen Harvey,Xiaoling Liu,Ken Delaney,Changliang LI,Zhaoyang Han,Chienchung CHEN,Jianqing HU,Wei Han LIAO,Tsu Hsien LEE,Yi Ling CAI. Владелец: Logitech Europe SA. Дата публикации: 2017-03-21.

Vapor deposition systems and methods

Номер патента: US09556519B2. Автор: Jill Svenja Becker,Douwe Johannes Monsma. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

System and method for polycrystalline silicon deposition

Номер патента: EP2547624A2. Автор: Wenjun Qin. Владелец: GTAT Corp. Дата публикации: 2013-01-23.

Precursor with (methoxy)(methyl) silyolefin ligand to deposit copper and method for the same

Номер патента: MY128338A. Автор: Masato Kobayashi,Tue Nguyen,Yoshihide Senzaki,Lawrence Joel Charneski. Владелец: Sharp Microelect Tech Inc. Дата публикации: 2007-01-31.

Fluoro-containing thermal chemical vapor deposition process and article

Номер патента: US20180163308A1. Автор: David A. Smith. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

Vapor deposition system and method

Номер патента: US20160237562A1. Автор: Norman L. Kester,Cliff J. Leidecker. Владелец: Quantum Innovations Inc. Дата публикации: 2016-08-18.

Vapor deposition system and method

Номер патента: US09580805B2. Автор: Cliff J. Leidecker,Norman L Kester. Владелец: Quantum Innovations Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Silicon-nitride-containing thermal chemical vapor deposition coating

Номер патента: US20170167015A1. Автор: David A. Smith,Min YUAN,James B. Mattzela. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Pvd-coated cutting tools and method for making the same

Номер патента: US20170218511A1. Автор: Yixiong Liu,Vineet Kumar,Mark S. Greenfield,Ronald M. Penich,Peter R. Leicht. Владелец: Kennametal Inc. Дата публикации: 2017-08-03.

Pvd-coated cutting tools and method for making the same

Номер патента: US20160265106A1. Автор: Yixiong Liu,Vineet Kumar,Mark S. Greenfield,Ronald M. Penich,Peter R. Leicht. Владелец: Kennametal Inc. Дата публикации: 2016-09-15.

PVD-coated cutting tools and method for making the same

Номер патента: US09650713B2. Автор: Yixiong Liu,Vineet Kumar,Mark S. Greenfield,Ronald M. Penich,Peter R. Leicht. Владелец: Kennamtetal Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Single-unit reactor design for combined oxidative, initiated, and plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US09957618B2. Автор: Karen K. Gleason,Miles C. Barr,Dhiman Bhattacharyya. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2018-05-01.

Antimicrobial nanolaminates using vapor deposited methods such as atomic layer deposition

Номер патента: EP4395800A1. Автор: Prerna Goradia,Neil Amit GORADIA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-10.

Wear parts having coating run-out and methods of producing the same

Номер патента: EP2636766A3. Автор: Liam PINGREE,Michael Ware. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2016-09-21.

Apparatus and method for chemical vapor deposition control

Номер патента: EP2580368A1. Автор: Eric J. Strang,Jacques Faguet,Eric M. Lee. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-04-17.

Thin film diamond coating system and method

Номер патента: US20180127871A1. Автор: Adam Khan,Robert Polak. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-10.

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF CuInXGa1- X(SeyS1-y)2 THIN FILMS AND USES THEREOF

Номер патента: WO2008151067A3. Автор: Tim Anderson,W K Kim. Владелец: W K Kim. Дата публикации: 2009-02-19.

Compounds for forming alumina films using chemical vapor deposition method and process for preparing the compound

Номер патента: US20030010256A1. Автор: Hyun-koock Shin. Владелец: Shipley Co LLC. Дата публикации: 2003-01-16.

Microwave plasma chemical vapor deposition apparatus comprising an inclined rotating substrate holder

Номер патента: US5234502A. Автор: Osamu Mochizuki,Toshiharu Hoshi,Hiroaki Itoh. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 1993-08-10.

Chemical vapor deposition system and method

Номер патента: WO2006116776A3. Автор: Eunsung Park,Kevin Casey,Catherine E Talor. Владелец: Catherine E Talor. Дата публикации: 2007-05-03.

Solid source and method for the synthesis of silicon-containing precursors for chemical vapor deposition

Номер патента: US09944532B2. Автор: Mihai Scarlete,Cetin Aktik. Владелец: SOCPRA Sciences et Genie SEC. Дата публикации: 2018-04-17.

Triangular deposition chamber for a vapor deposition system

Номер патента: CA2120092C. Автор: Jitendra S. Goela,Lee E. Burns,James C. Macdonald,Alexander Teverovsky. Владелец: CVD Inc. Дата публикации: 1997-05-20.

Method to reduce plasma charge damage from high density plasma chemical vapor deposition (hdp-cvd) process

Номер патента: US20080146039A1. Автор: Daewon Yang,Jeffery B. Maxson,Ann N. McDonald. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-06-19.

Method for preventing vacuum pump pipeline from blockage, and chemical vapor deposition machine

Номер патента: US20200208262A1. Автор: Jianfeng SHAN. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

Chemical vapor deposition process for depositing a titanium oxide coating

Номер патента: US09938619B2. Автор: Jun Ni,Srikanth Varanasi,Douglas M. Nelson. Владелец: Pilkington Group Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Growth of silicon and boron nitride nanomaterials on carbon fibers by chemical vapor deposition

Номер патента: US09676627B2. Автор: Lingchuan Li. Владелец: University of Dayton. Дата публикации: 2017-06-13.

Gas injection system for chemical vapor deposition using sequenced valves

Номер патента: WO2012082225A1. Автор: William E. Quinn,Eric A. Armour. Владелец: VEECO INSTRUMENTS INC.. Дата публикации: 2012-06-21.

Gas Injection System For Chemical Vapor Deposition Using Sequenced Valves

Номер патента: US20160168710A1. Автор: William E. Quinn,Eric A. Armour. Владелец: Veeco Instruments Inc. Дата публикации: 2016-06-16.

Chemical vapor deposition process for depositing titanium nitride films from an organo-metallic compound

Номер патента: US20020051847A1. Автор: Salman Akram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-02.

Liquid delivery system, heater apparatus for liquid delivery system, and vaporizer

Номер патента: US5882416A. Автор: Peter C. Van Buskirk,Steven M. Bilodeau,Ralph J. Carl, Jr.. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 1999-03-16.

Initiated chemical vapor deposition and structuration of polyoxymethylene

Номер патента: US20220372201A1. Автор: Kenneth K.S. Lau,Zhengtao CHEN. Владелец: DREXEL UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-11-24.

Initiated chemical vapor deposition and structuration of polyoxymethylene

Номер патента: WO2021163025A1. Автор: Kenneth K.S. Lau,Zhengtao CHEN. Владелец: Drexel Uniiversity. Дата публикации: 2021-08-19.

High temperature chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: EP1853748A2. Автор: Demetrius Sarigiannis,Marc Schaepkens,Atul Pant,Patricia Hubbard,Muralidharan Lakshmipathy. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2007-11-14.

Chemical vapor deposition process and coated article

Номер патента: US20160060763A1. Автор: David A. Smith,Min YUAN,James B. Mattzela,Paul H. Silvis. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

Chemical vapor deposition of thick inorganic coating on a polarizer

Номер патента: US11746418B2. Автор: Brian Johnson,Matthew R. Linford,Anubhav Diwan. Владелец: Moxtek Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Apparatus and methods for processing ceramic fiber

Номер патента: US09815736B2. Автор: James Anthony Ruud,James Scott Vartuli,Daniel Gene Dunn,Gregory Scot Corman,Pierre-Andre Bui. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-11-14.

Organometallic compound, precursor composition comprising same, and method for manufacturing thin film using same

Номер патента: US20230257406A1. Автор: Min-Sung Park,Jang-Hyeon Seok,Hyo-Suk Kim,Min-Hyuk Nim,Jung-Woo Park. Владелец: Hansol Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Graphene vapor deposition system and process

Номер патента: US20230416908A1. Автор: Richard Tracy McDaniel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-12-28.

Corrosion-resistant coated article and thermal chemical vapor deposition coating process

Номер патента: US12036765B2. Автор: Min YUAN. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Synthesis of advanced scintillators via vapor deposition techniques

Номер патента: US20130341513A1. Автор: Vinod K. Sarin,Stephen Gibson Topping. Владелец: Boston University. Дата публикации: 2013-12-26.

Chemical vapor deposition of wear resistant coatings onto piston ring running face, side face, and inner diameter in one coating run

Номер патента: EP2906738A1. Автор: Robert Aharonov,Haron GEKONDE. Владелец: Federal Mogul LLC. Дата публикации: 2015-08-19.

Process for the deposition of thin layers by chemical vapor deposition

Номер патента: US20020127338A1. Автор: Annette Saenger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-09-12.

Chemical vapor deposition device capable of reciprocating rotation and lifting

Номер патента: US20240327986A1. Автор: Xueqin Pan,Xiaoliang Jin,Weicong SONG. Владелец: Betone Technology Shanghai Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Thermal chemical vapor deposition coating process

Номер патента: US20240359430A1. Автор: Min YUAN. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Chemical vapor deposition apparatus and method for forming parylene film

Номер патента: US20110151121A1. Автор: Chun-Hao Chang,Chuan-Sheng Zhuang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2011-06-23.

Chemical vapor deposition raw material containing organic nickel compound, and chemical vapor deposition method using the chemical vapor deposition raw material

Номер патента: US20160115587A1. Автор: Masayuki Saito,Satoshi Miyazaki,Ryosuke Harada,Kazuharu Suzuki,Shunichi Nabeya. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2016-04-28.

Chemical vapor deposition raw material containing organic nickel compound, and chemical vapor deposition method using the chemical vapor deposition raw material

Номер патента: US9447495B2. Автор: Masayuki Saito,Satoshi Miyazaki,Ryosuke Harada,Kazuharu Suzuki,Shunichi Nabeya. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2016-09-20.

Thermal chemical vapor deposition coating

Номер патента: US20180258529A1. Автор: James B. Mattzela,Paul H. Silvis,Gary A. Barone,Thomas F. Vezza,William David Grove. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2018-09-13.

Synthesis of advanced scintillators via vapor deposition techniques

Номер патента: US20100200757A1. Автор: Vinod K. Sarin,Stephen Gibson Topping. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-12.

Metal organic chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US20240175135A1. Автор: Sung-Chul Choi,Kwang-Il Cho. Владелец: Tes Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Method of producing near-net shape free standing articles by chemical vapor deposition

Номер патента: US20010048171A1. Автор: Jitendra Goela,Michael Pickering,Zlatko Salihbegovic,Mitch Boudreaux. Владелец: Shipley Co LLC. Дата публикации: 2001-12-06.

Variable-temperature vapor deposition process

Номер патента: US20240209498A1. Автор: Paul Connolly Quayle. Владелец: Great Lakes Crystal Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Variable-temperature vapor deposition process

Номер патента: WO2024138229A1. Автор: . Владелец: Great Lakes Crystal Technologies, Inc.. Дата публикации: 2024-06-27.

Chemical vapor deposition of wear resistant coatings onto piston ring running face, side face, and inner diameter in one coating run

Номер патента: US09909210B2. Автор: Robert Aharonov,Haron GEKONDE. Владелец: Federal Mogul LLC. Дата публикации: 2018-03-06.

Process and apparatus for supplying zinc vapor continuously to a chemical vapor deposition process from a continuous supply of solid zinc

Номер патента: US5383969A. Автор: Michael A. Pickering,Jeffery L. Kirsch,James C. Macdonald,Alexander Teverovsky. Владелец: CVD Inc. Дата публикации: 1995-01-24.

High strength alloys and methods for making same

Номер патента: WO2002044437A8. Автор: Robert A Holzl,Robert J Shinavski. Владелец: Composite Tool Company Inc. Дата публикации: 2003-04-17.

System and Method for Sealing a Vapor Deposition Source

Номер патента: US20110255950A1. Автор: Joseph D. LoBue,Robert A. Enzenroth,Lawrence J. Knipp. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-20.

High strength alloys and methods for making same

Номер патента: WO2002044437A3. Автор: Robert A Holzl,Robert J Shinavski. Владелец: Composite Tool Company Inc. Дата публикации: 2003-08-14.

Chemical vapor deposition furnace with a cleaning gas system to provide a cleaning gas

Номер патента: US12077854B2. Автор: Herbert Terhorst,Bert Jongbloed,Dieter Pierreux,Theodorus G. M. Oosterlaken,Lucian JDIRA. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-03.

Coated body wherein the coating scheme includes a coating layer of TiAl2O3 and method of making the same

Номер патента: US09903018B2. Автор: Zhenyu Liu,Yixiong Liu,Mark S. Greenfield,Peter R. Leicht,Rodrigo A. COOPER. Владелец: Kennametal Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Device and method for continuous chemical vapour deposition under atmospheric pressure and use thereof

Номер патента: US09683289B2. Автор: Stefan Reber,Norbert Schillinger,Albert Hurrle. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for producing articles by chemical vapor deposition and the articles produced therefrom

Номер патента: CA2068152A1. Автор: Thomas R. Anthony,Robert H. Ettinger,Charles D. Iacovangelo,William L. Mowrey,Sidney P. Young,David W. Woodruff. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1992-12-13.

Prevention of low pressure chemical vapor deposition silicon dioxide undercutting and flaking

Номер патента: CA1166129A. Автор: Bernard M. Kemlage. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-04-24.

Selective area chemical vapor deposition

Номер патента: CA2028438C. Автор: Michael A. Pickering,Raymond L. Taylor,Joseph T. Keeley,Jitendra Singh Goela. Владелец: CVD Inc. Дата публикации: 1993-11-30.

Chemical vapor deposition

Номер патента: CA1251100A. Автор: Guy Brien,Richard Cloutier,Laszlo Szolgyemy,Edward C.D. Darwall. Владелец: Edward C.D. Darwall. Дата публикации: 1989-03-14.

Apparatus and method for chemical vapor deposition using an axially symmetric gas flow

Номер патента: GB2181460A. Автор: Mcdonald Robinson,Klavs F Jensen,Wayne L Johnson,Wiebe B Deboer,Gary W Read. Владелец: Epsilon LP. Дата публикации: 1987-04-23.

Continuous chemical vapor deposition reactor

Номер патента: CA1068582A. Автор: Roger N. Anderson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1979-12-25.

Antimicrobial nanolaminates using vapor deposited methods

Номер патента: US20230072705A1. Автор: Prerna Goradia. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-03-09.

Tritertbutyl aluminum reactants for vapor deposition

Номер патента: US10556799B2. Автор: Mohith E. Verghese,Eric J. Shero. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2020-02-11.

Antimicrobial nanolaminates using vapor deposited methods such as atomic layer deposition

Номер патента: WO2023031951A1. Автор: Prerna Goradia,Neil Amit GORADIA. Владелец: Prerna Goradia. Дата публикации: 2023-03-09.

Tritertbutyl aluminum reactants for vapor deposition

Номер патента: US20170096345A1. Автор: Mohith E. Verghese,Eric J. Shero. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-04-06.

Fixed abrasive planarization pad conditioner incorporating chemical vapor deposited polycrystalline diamond and method for making same

Номер патента: US6632127B1. Автор: Jerry W. Zimmer,Todd W. Buley,Albert B. Stubbmann. Владелец: Albert B. Stubbmann. Дата публикации: 2003-10-14.

Inverted diffusion stagnation point flow reactor for vapor deposition of thin films

Номер патента: CA2016970A1. Автор: Prasad N. Gadgil. Владелец: SIMON FRASER UNIVERSITY. Дата публикации: 1991-11-16.

Apparatus and method for large-scale production of graphene

Номер патента: US20230357017A1. Автор: Marius Andreassen Jakobsen,Vitali Datsyuk. Владелец: CealTech AS. Дата публикации: 2023-11-09.

Cold thermal chemical vapor deposition

Номер патента: US20240117495A1. Автор: David A. Smith,Min YUAN,Jesse BISCHOF,James B. Mattzela,Gary A. Barone,Geoffrey K. WHITE,Nicholas P. DESKEVICH,Pierre A. LECLAIR. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Tritertbutyl aluminum reactants for vapor deposition

Номер патента: US20180339907A1. Автор: Mohith E. Verghese,Eric J. Shero. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-11-29.

Thin metal coating methods for high conductivity graphane-metal composites and methods of manufacture

Номер патента: US20180100233A1. Автор: James J. Farquhar,Choon Ming SEAH. Владелец: Fourte' International Sdn Bhd. Дата публикации: 2018-04-12.

Novel group IV metal precursors and a method of chemical vapor deposition using the same

Номер патента: US20020058843A1. Автор: Dae Kim,Young Cho,Wan Lee,Ik Lee,Yo Min,Sun Lim,Bo Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-16.

Aerosol-assisted chemical vapor deposition of nickel sulfide nanowires for electrochemical water oxidation

Номер патента: US20230407497A1. Автор: Muhammad Ali Ehsan,Abbas Saeed Hakeem. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2023-12-21.

Initiated chemical vapor deposition of vinyl polymers for the encapsulation of particles

Номер патента: US09492805B2. Автор: Karen K. Gleason,Kenneth K. S. Lau. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2016-11-15.

Chemical vapor deposition coatings on titanium

Номер патента: US3787223A. Автор: C Reedy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1974-01-22.

Method and apparatus for the combustion chemical vapor deposition of films and coatings

Номер патента: CA2158568C. Автор: Andrew T. Hunt,Joe K. Cochran,William Brent Carter. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2001-12-04.

Method of producing tungsten rhenium alloys by chemical vapor deposition

Номер патента: US3637374A. Автор: Frederick A Glaski,Robert A Holzi,James R Humphrey. Владелец: Fansteel Inc. Дата публикации: 1972-01-25.

Method of forming a film on a substrate by chemical vapor deposition

Номер патента: US11885022B2. Автор: Waichi Yamamura,Chikara MORI. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Multi-disc chemical vapor deposition system

Номер патента: WO2024118468A1. Автор: Bojan Mitrovic,Ajit Paranjpe,Alexander Gurary. Владелец: VEECO INSTRUMENTS INC.. Дата публикации: 2024-06-06.

Multi-disc chemical vapor deposition system with cross flow gas injection

Номер патента: WO2024118472A1. Автор: Johannes Kaeppeler,Ajit Paranjpe,Alexander Gurary. Владелец: VEECO INSTRUMENTS INC.. Дата публикации: 2024-06-06.

Multi-disc chemical vapor deposition system with cross flow gas injection

Номер патента: US20240175133A1. Автор: Johannes Kaeppeler,Ajit Paranjpe,Alexander Gurary. Владелец: Veeco Instruments Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Multi-disc chemical vapor deposition system

Номер патента: US20240175132A1. Автор: Bojan Mitrovic,Ajit Paranjpe,Alexander Gurary. Владелец: Veeco Instruments Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Monosilane or disilane derivatives and method for low temperature deposition of silicon-containing films using the same

Номер патента: US20120156894A1. Автор: Thomas H. Baum,Ziyun Wang,Chongying Xu. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

Device for producing and method for producing dodecacarbonyl triruthenium

Номер патента: US09499411B2. Автор: Hirofumi Nakagawa,Hirofumi Ishida,Tasuku ISHIZAKA,Ken Hagiwara,Akiko KUMAKURA. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2016-11-22.

Atmospheric pressure chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US4834020A. Автор: Lawrence D. Bartholomew,Nicholas M. Gralenski,Michael A. Richie,Michael L. Hersh. Владелец: Watkins Johnson Co. Дата публикации: 1989-05-30.

Organometallic chemical vapor deposition of films utilizing organic heterocyclic compounds

Номер патента: US4509997A. Автор: Peter J. Wright,Brian Cockayne,Richard J. M. Griffiths. Владелец: UK Secretary of State for Defence. Дата публикации: 1985-04-09.

Chemical vapor deposition process for depositing titanium nitride films from an organo-metallic compound

Номер патента: US20030165619A1. Автор: Salman Akram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-04.

Device and methods for chemical vapor deposition

Номер патента: US20230257882A1. Автор: Chyi-Tsong Ni,Chih-Tsung Lee,Kuang-Wei Cheng,Yung-Tsun LIU,Sung-Ju Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Thermal insulation material and method for producing thermal insulation material

Номер патента: US20240336534A1. Автор: Tomoya Kobayashi,Hiro KITAGUCHI. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Chemical vapor deposition method of silicon dioxide film

Номер патента: US5360646A. Автор: Katsumi Morita. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1994-11-01.

High-strength material coated article made from metal, solid alloy, cermet or ceramic and method of making said articles

Номер патента: RU2588933C2. Автор: Ингольф ЭНДЛЕР,Себастьян ШОЛЬЦ. Владелец: Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф.. Дата публикации: 2016-07-10.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US8298338B2. Автор: Ji Hye Shim,Changsung Sean KIM,Sang Duk Yoo,Jong Pa HONG,Won Shin LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-10-30.

Apparatus for producing diamonds by chemical vapor deposition and articles produced therefrom

Номер патента: US5204145A. Автор: Steven M. Gasworth. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1993-04-20.

Low pressure chemical vapor deposition of silicon dioxide with oxygen enhancement of the chlorosilane- nitrous oxide reaction

Номер патента: CA1166128A. Автор: Bernard M. Kemlage. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-04-24.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition coating system

Номер патента: US20220275509A1. Автор: Attila Nagy,Benjamin Lawrence,Ludmil Zambov,Daniel Pulsipher,Pravin Chaubey,John Winterroth. Владелец: HZO Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Synthesis and use of precursors for vapor deposition of tungsten containing thin films

Номер патента: US20190300468A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Miika Mattinen,Timo Hatanpää. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2019-10-03.

Compressible tray for solid chemical vaporizing chamber

Номер патента: US20230115177A1. Автор: Jacob Thomas,Chase Parker,Bryan C. Hendrix,John N. Gregg,Scott L. Battle,Donn K. Naito,James Schindler,Benjamin H. OLSON. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Chemical vapor deposition apparatus and blocker plate

Номер патента: US20200131640A1. Автор: Chao-chun WANG,Keith Kuang-Kuo Koai,Chih-Yu Wu,Huan-Chieh CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Modular tray for solid chemical vaporizing chamber

Номер патента: WO2023059827A1. Автор: Jacob Thomas,John N. Gregg,Scott L. Battle,Benjamin H. OLSON. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2023-04-13.

Metal organic chemical vapor deposition method and apparatus

Номер патента: US20130095658A1. Автор: Chien-Chih Chen,Ching-Chiun Wang,Chih-Yung Huang,Szu-Hao Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2013-04-18.

Methods and systems for stabilizing filaments in a chemical vapor deposition reactor

Номер патента: MY174019A. Автор: Wenjun Qin,Aaron D Rhodes,Chad Fero,Jeffrey C Gum. Владелец: OCI Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-04.

Methods and systems for stabilizing filaments in a chemical vapor deposition reactor

Номер патента: WO2014100401A1. Автор: Jeffrey C. Gum,Wenjun Qin,Chad Fero,Aaron D. RHODES. Владелец: GTAT CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-26.

Modular tray for solid chemical vaporizing chamber

Номер патента: WO2023059827A9. Автор: Jacob Thomas,John N. Gregg,Scott L. Battle,Benjamin H. OLSON. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2024-02-15.

Wafer carrier and metal organic chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US20220064791A1. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu,Shen-Jie Wang,Chien-Chih Yen. Владелец: PlayNitride Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Modular tray for solid chemical vaporizing chamber

Номер патента: EP4413177A1. Автор: Jacob Thomas,John N. Gregg,Scott L. Battle,Benjamin H. OLSON. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Methods and Systems for Stabilizing Filaments in a Chemical Vapor Deposition Reactor

Номер патента: US20140170337A1. Автор: Jeffrey C. Gum,Wenjun Qin,Chad Fero,Aaron Dean Rhodes. Владелец: GTAT Corp. Дата публикации: 2014-06-19.

Gas distribution for chemical vapor deposition/infiltration

Номер патента: US20200040447A1. Автор: Ying She,Zissis A. Dardas,Xiaodan Cai,Thomas P. Filburn,Naveen G. Menon. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Gas distribution for chemical vapor deposition/infiltration

Номер патента: US10975467B2. Автор: Ying She,Zissis A. Dardas,Xiaodan Cai,Thomas P. Filburn,Naveen G. Menon. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2021-04-13.

Gas distribution for chemical vapor deposition/infiltration

Номер патента: US20190085446A1. Автор: Ying She,Zissis A. Dardas,Xiaodan Cai,Thomas P. Filburn,Naveen G. Menon. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Compressible tray for solid chemical vaporizing chamber

Номер патента: EP4413176A1. Автор: Jacob Thomas,Chase Parker,Bryan C. Hendrix,John N. Gregg,Scott L. Battle,Donn K. Naito,James Schindler,Benjamin H. OLSON. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Auxiliary gasline-heating unit in chemical vapor deposition

Номер патента: US20010042930A1. Автор: Chien-Hsin Lai,Juen-Kuen Lin,Peng-Yih Peng,Fu-Yang Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

Method for preparing multi-wall carbon nanotubes using chemical vapor deposition with an atomization system

Номер патента: US9878912B2. Автор: Muataz Ali Atieh,Fahad Ali RABBANI,Zuhair Omar MALAIBARI. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2018-01-30.

개시제를 이용한 화학 기상 증착법(iCVD, initiated chemical vapor deposition)을 통해 전자 부품에 고분자 박막을 형성하는 장치 및 그 제조 방법

Номер патента: KR20220168089A. Автор: 김하영,김호연,김용호,김창재,김광순,이다미. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-12-22.

Substituted cycloalkene new copper precursors for chemical vapor deposition of copper metal thin films

Номер патента: WO2002086189A1. Автор: David R. Evans,Sheng Teng Hsu,Tue Nguyen,Wei-Wei Zhuang,Lawrence J. Charneski. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2002-10-31.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: WO2023160793A1. Автор: Hristo Strakov,Vasileios PAPAGEORGIOU,Manfred Pfitzner,Anja BÄUMCHEN. Владелец: Ihi Bernex Ag. Дата публикации: 2023-08-31.

Novel coating method of complex 3d structures using low pressure chemical vapor deposition

Номер патента: US20240102167A1. Автор: William C. West,Matthew R. Dickie,Harold Frank GREER,Billy Chun-Yip Li,Su C. Chi. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2024-03-28.

Substituted cycloalkene new copper precursors for chemical vapor deposition of copper metal thin films

Номер патента: EP1387898A1. Автор: David R. Evans,Sheng Teng Hsu,Tue Nguyen,Wei-Wei Zhuang,Lawrence J. Charneski. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-02-11.

Method for preparing multi-wall carbon nanotubes using chemical vapor deposition with an atomization system

Номер патента: US09878912B2. Автор: Muataz Ali Atieh,Fahad Ali RABBANI,Zuhair Omar MALAIBARI. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2018-01-30.

Super-hydrophobic thin film and method for preparing the same

Номер патента: US09702040B2. Автор: Yoonseok Choi,Jeongeon HAN,Su Bong JIN,Jun Suck LEE. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2017-07-11.

Methods and systems for stabilizing filaments in a chemical vapor deposition reactor

Номер патента: US09701541B2. Автор: Jeffrey C. Gum,Wenjun Qin,Chad Fero,Aaron Dean Rhodes. Владелец: OCI Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Chemical vapor deposition using N,O polydentate ligand complexes of metals

Номер патента: US09528182B2. Автор: Gary S. Silverman,Roman Y. Korotkov,Martin E. Bluhm. Владелец: Arkema Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Shower head unit and chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US09493875B2. Автор: Pyung-Yong Um. Владелец: Eugene Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Coated bodies made of metal, solid alloy, cermet or ceramic and method of coating said bodies

Номер патента: RU2563080C2. Автор: Ингольф ЭНДЛЕР,Мэнди ХЁН. Владелец: Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф.. Дата публикации: 2015-09-20.

Method of reducing carbon incorporation into films produced by chemical vapor deposition involving organic precursor compounds

Номер патента: US5576071A. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1996-11-19.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition coating system

Номер патента: EP4298665A1. Автор: Attila Nagy,Benjamin Lawrence,Ludmil Zambov,Daniel Pulsipher,Pravin Chaubey,John Winterroth. Владелец: HZO Inc. Дата публикации: 2024-01-03.

Method of chemical vapor deposition of metal films

Номер патента: EP1021589A1. Автор: Chantal Arena,Joseph T. Hillman,Emmanuel Guidotti,Ronald T. Bertram. Владелец: Tokyo Electron Arizona Inc. Дата публикации: 2000-07-26.

Methods of depositing aluminum nitride templating layers using thermal pulsed chemical vapor deposition for the enhancement of aluminum nitride thick films and related films

Номер патента: US20240052493A1. Автор: Andrew Kummel,Aaron McLeod,Scott UEDA. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-02-15.

Apparatus and method for managing a temperature profile using reflective energy in a thermal decomposition reactor

Номер патента: US20160177447A1. Автор: Timothy Troutman,Bryan J. Loushin,Joe Ruschetti. Владелец: REC SILICON INC. Дата публикации: 2016-06-23.

Precursor compound for atomic layer deposition(ald), chemical vapor deposition(cvd) and ald/cvd deposition using the same

Номер патента: KR20210093011A. Автор: 박정우,석장현,문기영,염규현,이현경. Владелец: 주식회사 한솔케미칼. Дата публикации: 2021-07-27.

Diamond films and methods of making diamond films

Номер патента: CA2548782A1. Автор: John Harvie Chaffin Iii. Владелец: Nanotech Llc. Дата публикации: 2005-06-23.

Chemical vapor deposition wafer boat

Номер патента: CA1234972A. Автор: Arthur J. Learn,Dale R. DuBois. Владелец: Anicon Inc. Дата публикации: 1988-04-12.

Chemical vapor deposition system cleaner

Номер патента: US5109562A. Автор: John W. Albrecht. Владелец: C V D System Cleaners Corp. Дата публикации: 1992-05-05.

Chemical vapor deposition

Номер патента: US4107352A. Автор: Mohammad Javid Hakim. Владелец: Westinghouse Canada Inc. Дата публикации: 1978-08-15.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US5803974A. Автор: Tadahiro Ohmi,Nobumasa Suzuki,Nobuo Mikoshiba,Kazuo Tsubouchi,Kazuya Masu. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1998-09-08.

Organometallic antimony compounds useful in chemical vapor deposition processes

Номер патента: US4960916A. Автор: John C. Pazik. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1990-10-02.

In-situ solid chemical vapor deposition precursor delivery

Номер патента: US20240060178A1. Автор: Ying She,Olivier H. Sudre,Jun NABLE. Владелец: Raytheon Technologies Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

In-situ solid chemical vapor deposition precursor delivery

Номер патента: EP4328351A1. Автор: Ying She,Olivier H. Sudre,Jun NABLE. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-02-28.

Metal organic chemical vapor deposition device

Номер патента: US20240167159A1. Автор: Sung-Chul Choi,Kwang-Il Cho. Владелец: Tes Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Ferroelectric composition, ferroelectric vapor deposition target and method of making a ferroelectric vapor deposition target

Номер патента: US20020132721A1. Автор: Jianxing Li,Tim Scott,Tamara White. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2002-09-19.

Ferroelectric composition, ferroelectric vapor deposition target and method of making a ferroelectric vapor deposition target

Номер патента: WO2001044535A1. Автор: Jianxing Li,Tim Scott,Tamara White. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2001-06-21.

Colourless monocrystalline diamond and method for production thereof

Номер патента: RU2473720C2. Автор: Стивен Дейвид УИЛЛЬЯМС,Даниел Джеймс ТУИТЧЕН,Филип Морис МАРТИНОУ,Джеффри Алан СКАРСБРУК,Айан ФРИЛ. Владелец: Элемент Сикс Лимитед. Дата публикации: 2013-01-27.

Apparatus for low pressure chemical vapor deposition

Номер патента: US5441570A. Автор: Chul-Ju Hwang. Владелец: Jein Technics Co Ltd. Дата публикации: 1995-08-15.

Chemical vapor deposition method

Номер патента: US3565676A. Автор: Robert A Holzl. Владелец: Fansteel Inc. Дата публикации: 1971-02-23.

Chemical vapor deposition

Номер патента: US5871586A. Автор: John A. Crawley,Victor J. Saywell. Владелец: Thomas Swan and Co Ltd. Дата публикации: 1999-02-16.

Method for low temperature chemical vapor deposition of aluminides containing easily oxidized metals

Номер патента: US5503874A. Автор: John F. Ackerman,William R. Stowell,John H. Wood,Adrian M. Beltran. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1996-04-02.

Gas delivering apparatus for chemical vapor deposition

Номер патента: US6123776A. Автор: Kuen-Jian Chen,Horng-Bor Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-09-26.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US4539933A. Автор: Dale R. DuBois,Bryant A. Campbell,Nicholas E. Miller,Ralph F. Manriquez. Владелец: Anicon Inc. Дата публикации: 1985-09-10.

Plasma Chemical Vapor Deposition Process

Номер патента: US20230312392A1. Автор: Igor Milicevic,Mattheus Jacobus Nicolaas Van Stralen,Gertjan KRABSHUIS,Antonius Henricus Elisabeth Breuls. Владелец: Draka Comteq BV. Дата публикации: 2023-10-05.

Chemical vapor deposition of silicon nitride using a remote plasma

Номер патента: WO2024102586A1. Автор: Andrew J. McKerrow,Shane Tang,Gopinath Bhimarasetti. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-05-16.

Nitride protective coatings on aerospace components and methods for making the same

Номер патента: US20210363630A1. Автор: Yuriy Melnik,Lance A. Scudder,Sukti Chatterjee,David Alexander Britz. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Systems and methods for carbon-carbon materials incorporating yttrium and zirconium compounds

Номер патента: US09970497B2. Автор: Jean-Francois Le Costaouec,Paul Perea. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Tool, especially cutting tool and method for the cvd deposition of a two phase layer on a substrate body

Номер патента: CA2524643A1. Автор: Volkmar Sottke,Hartmut Westphal,Hendrikus van den Berg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-18.

Fluidized bed reactor to deposit a material on a surface by chemical vapour deposition, and methods of forming a coated substrate therewith

Номер патента: WO1998049366A1. Автор: David M. Lowe,Angel Sanjurjo,Kai-Hung Lau,Liqiang Jiang. Владелец: SRI INTERNATIONAL. Дата публикации: 1998-11-05.

Vapor deposition systems and methods, and nanomaterials formed by vapor deposition

Номер патента: WO2023122250A2. Автор: Liangbing Hu,Xizheng Wang. Владелец: University of Maryland, College Park. Дата публикации: 2023-06-29.

Coating Having Solar Control Properties for a Substrate, and Method and System for Depositing Said Coating on the Substrate

Номер патента: US20200199016A1. Автор: Miguel Arroyo Ortega,Mario MIKI YOSHIDA,Patricia AMEZAGA MADRID,Pedro PIZA RUIZ,Wilber ANTUNEZ FLOREZ,Oscar VEGA BECERRA,Sandra Viridiana FLORES AREVALO,Rosa Elena RAMIREZ GARCIA,Zoulfia NAGAMEDIANOVA. Владелец: Vitro Vidrio y Cristal SA de CV. Дата публикации: 2020-06-25.

Coating Having Solar Control Properties for a Substrate, and Method and System for Depositing Said Coating on the Substrate

Номер патента: US20230038481A1. Автор: Miguel Arroyo Ortega,Mario MIKI YOSHIDA,Patricia AMEZAGA MADRID,Pedro PIZA RUIZ,Wilber ANTUNEZ FLOREZ,Oscar VEGA BECERRA,Sandra Viridiana FLORES AREVALO,Rosa Elena RAMIREZ GARCIA,Zoulfia NAGAMEDIANOVA. Владелец: Vitro Vidrio y Cristal SA de CV. Дата публикации: 2023-02-09.

Silicon Bond Coat With Columnar Grains and Methods of its Formation

Номер патента: US20200039892A1. Автор: Glen Harold Kirby,Brian Harvey Pilsner,John Tam Nguyen,Justin Michael Nagy,Jeffery Allen Bross,Robert Martin Fecke. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-02-06.

Vapor deposition systems and methods, and nanomaterials formed by vapor deposition

Номер патента: WO2023122250A3. Автор: Liangbing Hu,Xizheng Wang. Владелец: University of Maryland, College Park. Дата публикации: 2023-08-17.

Chemical vapor deposition apparatus and methods of using the apparatus

Номер патента: SG153849A1. Автор: Michael Howard Rucker,Scott Andrew Weaver,George Theodore Dalakos,Daniel Joseph Lewis,Matthew David Saylor,Victor Lienkong Lou. Владелец: Gen Electric. Дата публикации: 2009-07-29.

Physical vapor deposition target assemblies, and methods of forming physical vapor deposition target assemblies

Номер патента: EP1335994A2. Автор: Jianxing Li,Timothy Scott. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2003-08-20.

Apparatus and method for introducing small amounts of refractory elements into a vapor deposition coating

Номер патента: US20030140856A1. Автор: Reed Corderman,Melvin Jackson,Richard Nardi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-31.

Non-axisymmetric gas diffuser for plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20240352584A1. Автор: Jrjyan Jerry Chen,Yu-Min Wang,Cheng-Yuan Lin,Wen-Hao Wu,Yu-Hsuan Wu,Hsiao-Ling YANG,Teng Mao Wang,Yi-Jiun SHIU,Yan-Chi Pan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Deposition metalizing bulk material by chemical vapor

Номер патента: US4606941A. Автор: William C. Jenkin. Владелец: Jenkin William C. Дата публикации: 1986-08-19.

Chemical vapor deposition manifold

Номер патента: US6024799A. Автор: Karl Anthony Littau,Chen-An Chen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-02-15.

Radiation heated reactor for chemical vapor deposition on substrates

Номер патента: US4263872A. Автор: Vladimir S. Ban. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1981-04-28.

Chemical vapor deposition method for the thin film of semiconductor

Номер патента: CA1268688A. Автор: Seiji Kojima,Hiroshi Kikuchi,Masakiyo Ikeda,Yuzo Kashiwayanagi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1990-05-08.

Plasma-activated chemical vapor deposition of fluoridated cyclic siloxanes

Номер патента: US5230929A. Автор: Gerardo Caporiccio,Riccardo D'agostino,Pietro Favia. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 1993-07-27.

Method for the production of highly pure copper thin films by chemical vapor deposition

Номер патента: US5441766A. Автор: Hyung S. Choi,Young S. Cho,Chong J. Lim,Soon T. Hwang. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 1995-08-15.

Method of chemical vapor deposition in a continuous treatment line

Номер патента: US5352490A. Автор: Masahiro Abe,Kazuhisa Okada,Shuzo Fukuda. Владелец: NKK Corp. Дата публикации: 1994-10-04.

Apparatus for chemical vapor deposition (CVD) with showerhead

Номер патента: US8298370B2. Автор: Chul Soo Byun. Владелец: Piezonics Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-30.

Chemical vapor deposition of mullite coatings and powders

Номер патента: AU4963496A. Автор: Rao Mulpuri,Vinod Sarin. Владелец: Boston University. Дата публикации: 1996-07-24.

Method for chemical vapor deposition of titanium nitride films at low temperatures

Номер патента: US5378501A. Автор: Robert F. Foster,Joseph T. Hillman. Владелец: Materials Research Corp. Дата публикации: 1995-01-03.

Chemical vapor deposition process

Номер патента: US4547404A. Автор: Bryant A. Campbell,Nicholas E. Miller. Владелец: Anicon Inc. Дата публикации: 1985-10-15.

Metal organic vapor deposition procedure for preparing group III--V compounds on a heated substrate

Номер патента: US4436769A. Автор: Rodney H. Moss,Marc M. Faktor. Владелец: British Telecommunications plc. Дата публикации: 1984-03-13.

Coated article and method of manufacturing the article

Номер патента: CA1329567C. Автор: Stephen J. Hudgens,Annette Johncock,Kevin Dean,Arnold Register,Russell C. Custer,Robert Burkhardt. Владелец: Ovonic Synthetic Materials Co Inc. Дата публикации: 1994-05-17.

Chemical vapor deposition method for the thin film of semiconductor

Номер патента: US4705700A. Автор: Seiji Kojima,Hiroshi Kikuchi,Masakiyo Ikeda,Yuzo Kashiwayanagi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1987-11-10.

Halogen-assisted chemical vapor deposition of diamond

Номер патента: US5071677A. Автор: Donald E. Patterson,Robert H. Hauge,John L. Margrave,C. Judith Chu. Владелец: Houston Advanced Research Center HARC. Дата публикации: 1991-12-10.

Method of producing articles by chemical vapor deposition and the support mandrels used therein

Номер патента: US5869133A. Автор: Thomas Richard Anthony,Robert Helmut Ettinger,James Fulton Fleischer. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1999-02-09.

Atmospheric pressure plasma enhanced chemical vapor deposition process

Номер патента: US20100323127A1. Автор: John Matthew Warakomski,Christina Ann Rhoton. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-23.

Halogen-assisted chemical vapor deposition of diamond

Номер патента: WO1992019791A1. Автор: Donald E. Patterson,Robert H. Hauge,Judith C. Chu,John L. Margrave. Владелец: Houston Advanced Research Center. Дата публикации: 1992-11-12.

Coated cutting tool and method for making coating layer

Номер патента: US20230286056A1. Автор: Dong Seob Kim,Geun Woo Park,Hye Min AHN. Владелец: YG-1 Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Chemical vapor deposition method and apparatus

Номер патента: EP3377671A1. Автор: Daniel J. DESROSIER,Chad R. FERO. Владелец: GTAT Corp. Дата публикации: 2018-09-26.

Additive chemical vapor deposition methods and systems

Номер патента: EP4208583A1. Автор: Dmitri S. Terekhov. Владелец: Tcm Research Ltd. Дата публикации: 2023-07-12.

Additive chemical vapor deposition methods and systems

Номер патента: CA3193161A1. Автор: Dmitri S. Terekhov. Владелец: Tcm Research Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Methods of vapor deposition of ruthenium using an oxygen-free co-reactant

Номер патента: US11976352B2. Автор: Jacob Woodruff,Guo Liu,Ravindra Kanjolia. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2024-05-07.

Non-axisymmetric gas diffuser for plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2024220210A1. Автор: Jrjyan Jerry Chen,Yu-Min Wang,Cheng-Yuan Lin,Wen-Hao Wu,Yu-Hsuan Wu,Hsiao-Ling YANG,Teng Mao Wang,Yi-Jiun SHIU,Yan-Chi Pan. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-24.

Vapor deposition system and method of operating

Номер патента: WO2008121601A1. Автор: Jacques Faguet. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2008-10-09.

Magnesium oxide single crystal and method for producing the same

Номер патента: US20090053131A1. Автор: Yoshifumi Kawaguchi,Masaaki Kunishige,Atsuo Toutsuka. Владелец: TATEHO CHENMICAL Ind Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-26.

System and method for transporting and sputter coating a substrate in a sputter deposition system

Номер патента: US20010030128A1. Автор: Robert Martinson,Ken Lee,Mikhail Mazur,Ke Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-18.

Thin film deposition preparation device and method

Номер патента: US20190186015A1. Автор: Fei Zhang,Jie Xiong,Xiaohui Zhao,Yanrong LI,Bowan TAO,Chaoren LI. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2019-06-20.

Process for the elaboration of powders uniformly coated with ultrafine silicon-base particles using chemical vapor decomposition in the presence of core powders

Номер патента: US5298296A. Автор: Jean-Marie Friedt,Masahiko Matsukata,Toshinori Kojima,Eiichi Ozawa. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 1994-03-29.

Plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus, and manufacturing method of nano-structured particles

Номер патента: KR100779082B1. Автор: 정우석,백문철,유용구. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2007-11-27.

Chemical vapor deposition apparatus for forming thin film

Номер патента: US5209182A. Автор: Tomohiro Ohta,Eiichi Kondoh,Kenichi Otsuka,Tohru Mitomo,Hiroshi Sekihashi. Владелец: Kawasaki Steel Corp. Дата публикации: 1993-05-11.

Method for etching and controlled chemical vapor deposition

Номер патента: US4468283A. Автор: Irfan Ahmed. Владелец: Individual. Дата публикации: 1984-08-28.

METHOD FOR PREPARING THICKNESS-CONTROLLED GRAPHENE USING CHEMICAL VAPOR DEPOSITION AND Cu-Ni THIN FILM LAMINATE CATALYST

Номер патента: KR101999564B1. Автор: 조길원,이효찬,유민석. Владелец: 재단법인 나노기반소프트일렉트로닉스연구단. Дата публикации: 2019-07-12.

Chemical vapor deposition of polycrystalline diamond with orientation and growth facets

Номер патента: US5437891A. Автор: Thomas R. Anthony,James F. Fleischer,David E. Slutz. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1995-08-01.

Chemical vapor deposition method and coatings produced therefrom

Номер патента: CA2393531C. Автор: William J. Dalzell, Jr.,Miodrag Oljaca,Andrew T. Hunt,Subramaniam Shanmugham,Girish Deshpande,Shara S. Shoup,Jan Tzyy-Jiuan Hwang,Nii Sowa Laye,Trifon Tomov,Aimee Poda,Michelle Hendrick. Владелец: Microcoating Technologies Inc. Дата публикации: 2011-02-15.

High speed chemical vapor deposition process utilizing a reactor having a fiber coating liquid seal and a gas sea;

Номер патента: US4863760A. Автор: Christopher A. Schantz,Ronald Hiskes. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1989-09-05.

Cooled mirror construction by chemical vapor deposition

Номер патента: US4378626A. Автор: Frederick G. Eitel. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 1983-04-05.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: CA1216419A. Автор: Dale R. DuBois,Bryant A. Campbell,Nicholas E. Miller,Ralph F. Manriquez. Владелец: Anicon Inc. Дата публикации: 1987-01-13.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US20040200413A1. Автор: Ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-10-14.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US20230105104A1. Автор: Jinsan Moon,Wonbae Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-04-06.

Methods for the photo-initiated chemical vapor deposition (picvd) of coatings and coatings produced by these methods

Номер патента: EP2989229A1. Автор: Christopher Alex DORVAL DION,Jason Robert TAVARES. Владелец: Polyvalor LP. Дата публикации: 2016-03-02.

Selenophene-Based Low Band Gap Active Layers by Chemical Vapor Deposition

Номер патента: US20130089659A1. Автор: Karen K. Gleason,Dhiman Bhattacharyya. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2013-04-11.

A method for operating a chemical vapor deposition process

Номер патента: WO2024008472A3. Автор: Henrik Pedersen,Jens Birch,Arun HARIDAS CHOOLAKKAL. Владелец: CANATU OY. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for preparing low-loss hydrogenated amorphous silicon that is transparent in visible light, method for preparing low-loss hydrogenated amorphous silicon nitride that is transparent in visible light, and method for preparing low-loss hydrogenated amorphous silicon oxide that is transparent in visible light

Номер патента: US20240084444A1. Автор: Jun Suk RHO,Young Hwan YANG,Gwan Ho YOON. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2024-03-14.

Selenophene-based low band gap active layers by chemical vapor deposition

Номер патента: WO2013095733A3. Автор: Karen K. Gleason,Dhiman Bhattacharyya. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2013-08-22.

Pvd deposited ternary and quaternary niti alloys and methods of making same

Номер патента: WO2022251205A1. Автор: Scott Carpenter. Владелец: Vactronix Scientific, Llc. Дата публикации: 2022-12-01.

PVD deposited ternary and quaternary NiTi alloys and methods of making same

Номер патента: US12091742B2. Автор: Scott P. Carpenter. Владелец: Vactronix Scientific LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Chemical vapor deposition wafer boat

Номер патента: US4694778A. Автор: Arthur J. Learn,Dale R. DuBois. Владелец: Anicon Inc. Дата публикации: 1987-09-22.

Exhaust system for chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US4608063A. Автор: Takashi Kurokawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1986-08-26.

Chemical vapor deposition chamber having an adjustable flow flange

Номер патента: US6080241A. Автор: Tingkai Li,Dane C. Scott,Brian Wyckoff. Владелец: Emcore Corp. Дата публикации: 2000-06-27.

Method of manufacturing an injector for chemical vapor deposition processing

Номер патента: US5935647A. Автор: Jay B. DeDontney,Nicholas M. Gralenski,Adam Q. Miller. Владелец: WJ Semiconductor Equipment Group Inc. Дата публикации: 1999-08-10.

Method and a device for epitaxial growth of objects by chemical vapor deposition

Номер патента: US6093253A. Автор: Yujing Liu,Christer Hallin,Peter Lofgren,Chun Yuan Gu. Владелец: ABB Research Ltd Switzerland. Дата публикации: 2000-07-25.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US7217326B2. Автор: Ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-15.

Precursor for chemical vapor deposition and thin film formation process using the same

Номер патента: US20040086643A1. Автор: Hiroki Sato,Kazuhisa Onozawa. Владелец: Asahi Denka Kogyo KK. Дата публикации: 2004-05-06.

Chemical vapor deposition apparatus having a gas diffusing nozzle designed to diffuse gas equally at all levels

Номер патента: US6146461A. Автор: Tae-Chul Kim,Chang-Zip Yang,Jae-Hyuck An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-11-14.

Chemical vapor deposition of aluminum films using dimethylethylamine alane

Номер патента: US5191099A. Автор: Everett C. Phillips,Wayne L. Gladfelter. Владелец: University of Minnesota. Дата публикации: 1993-03-02.

Photo-induced hydrophilic article and method of making same

Номер патента: US20070218265A1. Автор: Caroline Harris,Janos Szanyi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-20.

Chemical vapor deposition

Номер патента: CA1087040A. Автор: Jeffrey N. Crosby,Robert S. Hanley. Владелец: Vale Canada Ltd. Дата публикации: 1980-10-07.

Chemical vapor deposition

Номер патента: US4250210A. Автор: Jeffrey N. Crosby,Robert S. Hanley. Владелец: International Nickel Co Inc. Дата публикации: 1981-02-10.

Chemical vapor deposition apparatus of in-line type

Номер патента: US5288329A. Автор: Kazuyuki Ito,Masanori Hashimoto,Michio Ishikawa,Yoshifumi Ota,Kyuzo Nakamura,Noriaki Tani. Владелец: Nihon Shinku Gijutsu KK. Дата публикации: 1994-02-22.

Photo-induced hydrophilic article and method of making same

Номер патента: WO2002085809A8. Автор: Janos Szanyi,Caroline S Harris. Владелец: Ppg Ind Ohio Inc. Дата публикации: 2003-04-10.

Chemical vapor deposition method and apparatus

Номер патента: US4638762A. Автор: Montri Viriyayuthakorn,Myung K. Kim. Владелец: AT&T Technologies Inc. Дата публикации: 1987-01-27.

Chemical vapor deposition apparatus for flat display

Номер патента: CN101016622A. Автор: 金南珍,金俊洙. Владелец: SFA Engineering Corp. Дата публикации: 2007-08-15.

Gas distribution for chemical vapor deposition/infiltration

Номер патента: US10480065B2. Автор: Ying She,Zissis A. Dardas,Xiaodan Cai,Thomas P. Filburn,Naveen G. Menon. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2019-11-19.

Single ended ultra-high vacuum chemical vapor deposition (uhv/cvd) reactor

Номер патента: US5181964A. Автор: Bernard S. Meyerson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-01-26.

Vertical chemical vapor deposition apparatus having nozzle for spraying reaction gas toward wafers

Номер патента: US20090159004A1. Автор: Takahiro Yoshioka. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-06-25.

A method for operating a chemical vapor deposition process

Номер патента: SE2250842A1. Автор: Henrik Pedersen,Jens Birch,Choolakkal Arun Haridas. Владелец: CANATU OY. Дата публикации: 2024-01-05.

Chemical vapor deposition during additive manufacturing

Номер патента: US11851763B2. Автор: Scott Alan Gold. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-12-26.

A method for operating a chemical vapor deposition process

Номер патента: WO2024008472A2. Автор: Henrik Pedersen,Jens Birch,Arun HARIDAS CHOOLAKKAL. Владелец: CANATU OY. Дата публикации: 2024-01-11.

Chemical vapor deposition during additive manufacturing

Номер патента: US20240076779A1. Автор: Scott Alan Gold. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2024-03-07.

Method for growing halide perovskite nanocrystals through in-situ chemical vapor deposition

Номер патента: US20240035194A1. Автор: Chao FAN,Haiping He,Xingliang DAI. Владелец: Wenzhou Xinxin Taijing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

High strength alloys and methods for making same

Номер патента: US20020088508A1. Автор: Robert Hölzl,Robert Shinavski. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Method for recycling organic ruthenium compound for chemical vapor deposition

Номер патента: US20150087851A1. Автор: Masayuki Saito,Ryosuke Harada,Toshiyuki Shigetomi,Shunichi Nabeya. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2015-03-26.

Species controlled chemical vapor deposition

Номер патента: US20170327950A1. Автор: Keith Daniel Humfeld,De'Andre James Cherry. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-11-16.

Selenophene-based low band gap active layers by chemical vapor deposition

Номер патента: WO2013095733A2. Автор: Karen K. Gleason,Dhiman Bhattacharyya. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2013-06-27.

Group 4 metal element-containing compound, precursor composition including same, and method for manufacturing thin film using same

Номер патента: US20230312614A1. Автор: Jang-Hyeon Seok,Jung-Woo Park,Hyun-Kee Kim,Ki-Yeung Mun,Cheol-Wan Park,Ee-Seul SHIN,Eun-Jeong CHO. Владелец: Hansol Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Electrode structure and method of manufacturing an electrode structure

Номер патента: WO2016202667A1. Автор: Gerald Urban,Can DINCER,Stephan Kasemann,Stefan Partel,Jochen Kieninger. Владелец: Fachhochschule Vorarlberg Gmbh. Дата публикации: 2016-12-22.

Pvd deposited ternary and quaternary niti alloys and methods of making same

Номер патента: EP4347911A1. Автор: Scott Carpenter. Владелец: Vactronix Scientific LLC. Дата публикации: 2024-04-10.

Light wave separation lattices and methods of forming light wave separation lattices

Номер патента: US09746678B2. Автор: Yong Cao,Mingwei Zhu,Daniel Lee Diehl,Tai-Chou Papo CHEN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Device for vacuum coating and method of substrate coating

Номер патента: RU2744334C1. Автор: Эрик СИЛЬБЕРБЕРГ,Сержио ПАС,Реми БОННЕМАН,Бруно ШМИЦ,Дидье МАРНЕФФЕ. Владелец: Арселормиттал. Дата публикации: 2021-03-05.

COATED BODY WHEREIN THE COATING SCHEME INCLUDES A COATING OF LAYER OF TiAL2O3 AND METHOD OF MAKING THE SAME

Номер патента: WO2014153324A1. Автор: Zhenyu Liu,Yixiong Liu,Mark S. Greenfield,Peter R. Leicht,Rodrigo A. COOPER. Владелец: KENNAMETAL INC.. Дата публикации: 2014-09-25.

Vapor deposition method for coating a spectacle lens, physical vapor deposition system and crucible for physical vapor deposition

Номер патента: US11866818B2. Автор: Artur Laukart. Владелец: CARL ZEISS VISION INTERNATIONAL GMBH. Дата публикации: 2024-01-09.

Vapor deposition method for coating a spectacle lens, physical vapor deposition system and crucible for physical vapor deposition

Номер патента: US20230265553A1. Автор: Artur Laukart. Владелец: CARL ZEISS VISION INTERNATIONAL GMBH. Дата публикации: 2023-08-24.

Vapor deposition system and method

Номер патента: US20170306487A9. Автор: Norman L. Kester,Cliff J. Leidecker. Владелец: Quantum Innovations Inc. Дата публикации: 2017-10-26.

Vapor deposition method for coating a spectacle lens, physical vapor deposition system and crucible for physical vapor deposition

Номер патента: EP4211288A1. Автор: Artur Laukart. Владелец: CARL ZEISS VISION INTERNATIONAL GMBH. Дата публикации: 2023-07-19.

Vapor deposition method for coating a spectacle lens, physical vapor deposition system and crucible for physical vapor deposition

Номер патента: WO2022184585A1. Автор: Artur Laukart. Владелец: CARL ZEISS VISION INTERNATIONAL GMBH. Дата публикации: 2022-09-09.

Deposition system and method of coating a surface of a substrate

Номер патента: WO2024132143A1. Автор: Wolfgang Braun,Dong Yeong Kim. Владелец: MAX-PLANCK-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER WISSENSCHAFTEN E.V.. Дата публикации: 2024-06-27.

Optimized system and method for transporting and moving substrates in a modular coating facility

Номер патента: EP3927865A1. Автор: Markus Esselbach,Simon Abraham,Othmar Zueger,Michael EBENBERGER,Andreas Flueck. Владелец: Oerlikon Surface Solutions AG Pfaeffikon. Дата публикации: 2021-12-29.

Polylactic acid formed body having a vapor-deposited film and method of producing the same

Номер патента: US09845175B2. Автор: Kazuhiko Yamazaki,Takuro Ito,Satoru Kito,Satomi Ozawa. Владелец: Toyo Seikan Group Holdings Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Apparatus for depositing a single-crystal silicon and method of cleaning a quiartz tube in the apparatus

Номер патента: KR100398042B1. Автор: 정우석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-09-19.

Monosilane or disilane derivatives and method for low temperature deposition of silicon-containing films using the same

Номер патента: WO2005038871A2. Автор: Thomas H. Baum,Ziyun Wang,Chongying Xu. Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2005-04-28.

Unusually stable glasses and methods for forming same

Номер патента: US20080213365A1. Автор: TIAN Wu,Lian YU,Mark D. Ediger,Stephen Swallen,Ken Kearns. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-04.

Systems and methods for vaporization and vapor distribution

Номер патента: US20240247363A1. Автор: Zhigang Ban,Litian Liu,Rick POWELL,Nirav Vora,Yaojun Xu,John BARDEN,Jerry DRENNAN. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Conveyor Assembly with Removable Rollers for a Vapor Deposition System

Номер патента: US20110155063A1. Автор: Christopher Rathweg,Edwin Jackson Little. Владелец: Primestar Solar Inc. Дата публикации: 2011-06-30.

System and method for vapor deposition coating of extrusion dies using impedance disks

Номер патента: US11697873B2. Автор: Min Shen,Thomas William Brew,Yuehao LI. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2023-07-11.

System and method for vapor deposition coating of extrusion dies using impedance disks

Номер патента: US20220056579A1. Автор: Min Shen,Thomas William Brew,Yuehao LI. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Device for producing and method for producing dodecacarbonyl triruthenium

Номер патента: US20160251232A1. Автор: Hirofumi Nakagawa,Hirofumi Ishida,Tasuku ISHIZAKA,Ken Hagiwara,Akiko KUMAKURA. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2016-09-01.

Zn—Sn—O based oxide sintered body and method for producing the same

Номер патента: US09834838B2. Автор: Makoto Ozawa,Kentaro Sogabe. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Highly porous fine particles with coating, composition and method of production

Номер патента: RU2399432C2. Автор: Стюарт Дж. мл. БЕРЧИЛЛ. Владелец: Стюарт Дж. мл. БЕРЧИЛЛ. Дата публикации: 2010-09-20.

Photochemical vapor deposition apparatus and method

Номер патента: CA1181719A. Автор: John W. Peters,Frank L. Gebhart. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1985-01-29.

In-line deposition system and process for deposition of a thin film layer

Номер патента: US20130084669A1. Автор: Scott Daniel Feldman-Peabody,Russell Weldon Black,Christopher Rathweg. Владелец: Primestar Solar Inc. Дата публикации: 2013-04-04.

In-line deposition system and process for deposition of a thin film layer

Номер патента: MY165560A. Автор: Scott Daniel Feldman-Peabody,Russell Weldon Black,Christopher Rathweg. Владелец: Primestar Solar Inc. Дата публикации: 2018-04-05.

NiPd nano-alloy film as a electrocatalyst and methods of preparation thereof

Номер патента: US11802335B1. Автор: Muhammad Ali Ehsan,Abbas Saeed Hakeem. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2023-10-31.

Composite coating based on carbon nanotubes and method of its production

Номер патента: RU2727604C2. Автор: Науфаль БАЛАВАН. Владелец: Люксембург Инститьют Оф Сайенс Энд Текнолоджи (Лист). Дата публикации: 2020-07-22.

Pyrolytic chemical vapor deposition of silicone films

Номер патента: US6045877A. Автор: Karen K. Gleason,Michael C. Kwan. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2000-04-04.

Saw for cutting silicon into seed rods for use in a chemical vapor deposition polysilicon reactor

Номер патента: EP2731770A1. Автор: Rodolfo Bovo,Paolo Molino. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2014-05-21.

Film deposition system, solar cell and method for producing solar cell

Номер патента: JP2010111948A. Автор: Hisato Shinohara,Naoto Kusumoto,Masahito Yonezawa,久人篠原,直人楠本,雅人米澤. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-20.

Building facade system and and method of providing a building facade

Номер патента: US20230340788A1. Автор: James Jonathan White,Edward Mitry Coosaia, JR.,Jason S. Eastwood. Владелец: Ubfs Llc. Дата публикации: 2023-10-26.

Enhanced particle deposition system and method

Номер патента: US20240270624A1. Автор: David McDonald Stirling. Владелец: ASI/Silica Machinery LLC. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of manufacturing film structure, method of manufacturing optical waveguide substrate and method of manufacturing second harmonic generation device

Номер патента: US20010046552A1. Автор: Takashi Yoshino,Makoto Iwai,Makoto Ohmori. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2001-11-29.

Particle deposition system and method

Номер патента: US20050109066A1. Автор: Bedros Orchanian,Franklin Dabby. Владелец: ASI/Silica Machinery LLC. Дата публикации: 2005-05-26.

Enhanced particle deposition system and method

Номер патента: US11993532B2. Автор: David McDonald Stirling. Владелец: ASI/Silica Machinery LLC. Дата публикации: 2024-05-28.

Chemical vapor deposition functionalization

Номер патента: US09975143B2. Автор: David A. Smith,Paul H. Silvis. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Flowable chips and methods for the preparation and use of same, and apparatus for use in the methods

Номер патента: US09909231B2. Автор: Michael John Molnar,Arvid Neil Arvidson,Terence Lee Horstman,Chris Tim Schmidt,Roger Dale Spencer, Jr.. Владелец: Hemlock Semiconductor Operations LLC. Дата публикации: 2018-03-06.

Silicon-based explosive devices and methods of manufacture

Номер патента: US20120174808A1. Автор: Ronald G. Polcawich,Luke J. Currano,Wayne Churaman,Mark Gelak. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 2012-07-12.

Anode for electrolysis of aqueous solution of alkali and method of making anode for electrolysis of aqueous solution of alkali

Номер патента: RU2709479C1. Автор: Фумия ЦУДЗИИ,Акихиро КАТО,Юдзи КАМЕИ,Икуо СИМОМУРА,Икуо НАГАСИМА. Владелец: Кавасаки Юкогё Кабусики Кайся. Дата публикации: 2019-12-18.

Producing coated textiles using photo-initiated chemical vapor deposition

Номер патента: EP4329948A1. Автор: Adrian J. BEACH,Sayantani NANDY,Trisha Lionel Andrew. Владелец: Soliyarn LLC. Дата публикации: 2024-03-06.

Systems and methods for synthesis of extended length nanostructures

Номер патента: EP1709213A2. Автор: Robert C. Dean, Jr.,David S. Lashmore,Joseph J. Brown,Peter L. Antoinette. Владелец: Nanocomp Technologies Inc. Дата публикации: 2006-10-11.

Method for selecting polycrystalline silicon rod, and method for producing single crystalline silicon

Номер патента: US09605356B2. Автор: Shigeyoshi Netsu,Junichi Okada,Shuichi Miyao. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Gas injectors including a funnel- or wedge-shaped channel for chemical vapor deposition (CVD) systems and CVD systems with the same

Номер патента: US9481944B2. Автор: Chantal Arena,Christiaan Werkhoven,Ed Lindow,Ronald Thomas Bertram, JR.. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2016-11-01.

Article and method of preparing pigments using multiple deposition sources

Номер патента: US6777085B1. Автор: Roger W. Phillips,Alberto Argoitia,Ludvik Martinu,Jolanta E. Klemberg-Sapieha. Владелец: Optical Coating Laboratory Inc. Дата публикации: 2004-08-17.

Chemical vapor deposition functionalization

Номер патента: US20160059260A1. Автор: David A. Smith,Paul H. Silvis. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

Manufacturing of diffractive pigments by fluidized bed chemical vapor deposition

Номер патента: US09732228B2. Автор: Alberto Argoitia. Владелец: VIAVI SOLUTIONS INC. Дата публикации: 2017-08-15.

Chemical vapor deposition method for the gaas thin film

Номер патента: CA1305910C. Автор: Seiji Kojima,Hiroshi Kikuchi,Masakiyo Ikeda,Yuzo Kashiwayanagi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1992-08-04.

Chemical film on substrate and method of forming the same, method of forming paracyclophane containing functional ground with disulfide bond

Номер патента: US10246412B2. Автор: Chih-Yu Wu,Hsien-Yeh Chen,Zhen-Yu Guan. Владелец: May-Hwa Enterprise Corp. Дата публикации: 2019-04-02.

Combination gas curtains for continuous chemical vapor deposition production of silicon bodies

Номер патента: CA1178179A. Автор: Henry W. Gutsche. Владелец: Monsanto Co. Дата публикации: 1984-11-20.

Producing coated textiles using photo-initiated chemical vapor deposition

Номер патента: WO2022232583A8. Автор: Adrian J. BEACH,Sayantani NANDY,Trisha Lionel Andrew. Владелец: Soliyarn, Llc. Дата публикации: 2023-12-21.

Producing coated textiles using photo-initiated chemical vapor deposition

Номер патента: US20240209567A1. Автор: Adrian J. BEACH,Sayantani NANDY,Trisha Lionel Andrew. Владелец: Soliyarn Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Templated synthesis of shape-controlled polymeric nanofibers by chemical vapor deposition (CVD) in liquid crystals

Номер патента: US10907038B2. Автор: Joerg Lahann,Nicholas L. Abbott,Kenneth Cheng,Marco A. BEDOLLA PANTOJA. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2021-02-02.

Carbon nanomaterials produced from heavy oil fractions and method for producing same

Номер патента: US20110280792A1. Автор: Luiz Depine De Castro,Alexandre Taschetto De Castro,Adelci Menezes de Oliveira. Владелец: Petroleo Brasileiro SA Petrobras. Дата публикации: 2011-11-17.

Method for forming aluminum oxide/carbon nanotubes by ultrasonic atomization and chemical vapor deposition

Номер патента: US09834444B2. Автор: Muataz Ali Atieh,Fahad Ali RABBANI,Zuhair Omar MALAIBARI. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2017-12-05.

Synthesis of ordered microporous carbons by chemical vapor deposition

Номер патента: US09604194B2. Автор: Cemal Ercan,Minkee Choi,Rashid M. Othman,Yuguo Wang,Seokin Choi. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-03-28.

Enhanced low friction coating for medical leads and methods of making

Номер патента: US09737905B2. Автор: James P. Rohl,Mary M. Byron,Diana K. Ma,Frank De Francesco,Hood Chatham. Владелец: Cardiac Pacemakers Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

PLASMA-CHEMICAL METHOD OF PRODUCING CHALCOGENIDE GLASS OF As-S SYSTEM AND DEVICE THEREFOR

Номер патента: RU2585479C1. Автор: Александр Владимирович Костров,Аскольд Витальевич Стриковский,Владимир Михайлович Воротынцев,Леонид Александрович Мочалов,Алексей Сергеевич Лобанов,Андрей Николаевич Степанов,Алексей Владимирович Нежданов,Александр Иванович Машин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт прикладной физики Российской академии наук (ИПФ РАН). Дата публикации: 2016-05-27.

Chemical vapor deposition reactor in polysilicon production process

Номер патента: US20240084480A1. Автор: David Keck,Chad Fero. Владелец: Advanced Material Solutions. Дата публикации: 2024-03-14.

Apparatus for growing epitaxial layers on wafers by chemical vapor deposition

Номер патента: US6547876B2. Автор: Michael Spencer,Ian Ferguson,Alexander Gurary. Владелец: Emcore Corp. Дата публикации: 2003-04-15.

Compounds for use as chemical vapor deposition precursors, thermochromic materials light-emitting diodes, and molecular charge-transfer salts and methods of making these compounds

Номер патента: US6103459A. Автор: Bruce Diel. Владелец: Midwest Research Institute. Дата публикации: 2000-08-15.

Multiple metal coated superabrasive grit and methods for their manufacture

Номер патента: IE72188B1. Автор: Chien-Min Sung,Sy-Hwa Chen. Владелец: Norton Co. Дата публикации: 1997-03-26.

Sic composite and method of production thereof

Номер патента: US20010033936A1. Автор: Yasuhiro Akune,Kichiya Tanino. Владелец: Nippon Pillar Packing Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-25.

Coated articles and method for the prevention of fuel thermal degradation deposits

Номер патента: US5805973A. Автор: George A. Coffinberry,John F. Ackerman. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1998-09-08.

Internal coating of a glass tube by plasma pulse-induced chemical vapor deposition

Номер патента: US5059231A. Автор: Volker Paquet,Ulrich Ackermann,Hartmut Bauch. Владелец: Schott Glaswerke AG. Дата публикации: 1991-10-22.

Novel combination catalysts based on iron for the substantial synthesis of multi-walled carbon nanotubes by chemical vapor deposition

Номер патента: US20120177545A1. Автор: Abdulaziz A. Bagabas,Mohammed Abdullah Bahattab,Ibrahim M. Al-Najjar. Владелец: King Abdulaziz City for Science and Technology KACST. Дата публикации: 2012-07-12.

Chemical vapor deposition apparatus for obtaining high quality epitaxial layer with uniform film thickness

Номер патента: US4992301A. Автор: Masao Mikami,Fumitoshi Toyokawa,Seiichi Shishiguchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1991-02-12.

Multiple metal coated superabrasive grit and methods for their manufacture

Номер патента: CA2002385A1. Автор: Chien-Min Sung,Sy-Hwa Chen. Владелец: Sy-Hwa Chen. Дата публикации: 1990-05-07.

Templated synthesis of shape-controlled polymeric nanofibers by chemical vapor deposition (cvd) in liquid crystals

Номер патента: US20190136033A1. Автор: Joerg Lahann,Nicholas L. Abbott,Kenneth Cheng,Marco A. BEDOLLA PANTOJA. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2019-05-09.

Reactor and method for production of silicon

Номер патента: US20120100060A1. Автор: Werner O. Filtvedt,Josef Filtvedt. Владелец: Dynatec Engineering AS. Дата публикации: 2012-04-26.

Templated synthesis of shape-controlled polymeric nanofibers by chemical vapor deposition (cvd) in liquid crystals

Номер патента: WO2017181108A1. Автор: Joerg Lahann,Nicholas L. Abbott,Kenneth Cheng,Marco A. BEDOLLA PANTOJA. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2017-10-19.

Templated synthesis of shape-controlled polymeric nanofibers by chemical vapor deposition (cvd) in liquid crystals

Номер патента: EP3442901A1. Автор: Joerg Lahann,Nicholas L. Abbott,Kenneth Cheng,Marco A. BEDOLLA PANTOJA. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2019-02-20.

Hybrid chemical-physical vapor deposition process for the synthesis of environmental barrier coatings

Номер патента: CA3232941A1. Автор: Dianying Chen,Beno Widrig,Juergen Ramm. Владелец: Oerlikon Surface Solutions AG Pfaeffikon. Дата публикации: 2023-06-08.

Hybrid chemical-physical vapor deposition process for the synthesis of environmental barrier coatings

Номер патента: EP4408816A1. Автор: Dianying Chen,Beno Widrig,Juergen Ramm. Владелец: Oerlikon Surface Solutions AG Pfaeffikon. Дата публикации: 2024-08-07.

System and method for producing synthetic diamond

Номер патента: EP2189555A2. Автор: Patrick J. Doering,Robert C Linares. Владелец: Apollo Diamond Inc. Дата публикации: 2010-05-26.

Core-shell composite material and method for manufacturing the same

Номер патента: US10974994B1. Автор: sheng-min Yu,Ming-Hui Chang,Kai-Hsiang Chuang,Chien-Chung Hsu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2021-04-13.

Reactor and method for production of silicon

Номер патента: EP2435365A1. Автор: Werner O. Filtvedt,Josef Filtvedt. Владелец: Dynatec Engineering AS. Дата публикации: 2012-04-04.

Roll-to-roll light directed electrophoretic deposition system and method

Номер патента: US20160222538A1. Автор: Joshua Kuntz,Andrew J. Pascall. Владелец: Lawrence Livermore National Security LLC. Дата публикации: 2016-08-04.

Systems and methods for electrochemical additive manufacturing of parts using capacitive sensing

Номер патента: US12104264B2. Автор: Jeffrey Herman,Charles Pateros,David Pain,Andrew Edmonds,Kareemullah Shaik,Ryan Nicholl. Владелец: Fabric8Labs Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Roll-to-roll light directed electrophoretic deposition system and method

Номер патента: US09670587B2. Автор: Joshua Kuntz,Andrew J. Pascall. Владелец: LAWRENCE LEVERMORE NATIONAL SECURITY LLC. Дата публикации: 2017-06-06.

Multifunctional oxidation catalysts and methods of making

Номер патента: EP2240272A1. Автор: Thomas E. Wood,Duane D. Fansler. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2010-10-20.

Anti-reflective lenses and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20130301133A1. Автор: Kai C. Su,Leslie F. Stebbins,Bill Mantch,Eugene C. Letter. Владелец: QSPEX TECHNOLOGIES Inc. Дата публикации: 2013-11-14.

Cement slurries, cured cement and methods of making and use thereof

Номер патента: EP3990566A1. Автор: Santra Ashok,Peter J. Boul. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2022-05-04.

Chemical film on substrate and method of forming the same, method of forming paracyclophane containing functional ground with disulfide bond

Номер патента: US20170166520A1. Автор: Chih-Yu Wu,Hsien-Yeh Chen,Zhen-Yu Guan. Владелец: May-Hwa Enterprise Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Fuel tank and method of its making

Номер патента: RU2565857C2. Автор: Мехмет Челаль ГЁКЦЕН. Владелец: Полимтек Инжиниринг Аг, Морен (Фл), Суккурсале Ди Лугано. Дата публикации: 2015-10-20.

Optically clear, durable infrared windows, and method of making the same

Номер патента: WO2000022206A1. Автор: Stephen A. Gabelich,William W. Chen,Norman H. Harris. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2000-04-20.

Solar cell and method and system for making said solar cell

Номер патента: RU2467851C2. Автор: Реийо ЛАППАЛАИНЕН,Веса МЮЛЛЮМЯКИ,Лассе ПУЛЛИ,Яри РУУТУ,Юха МЯКИТАЛО. Владелец: Пикодеон Лтд Ой. Дата публикации: 2012-11-27.

Apparatus and method for reflective image display with dielectric layer

Номер патента: US11982918B2. Автор: Michiel Koen CALLENS,Thomas Johansson,Robert J. Fleming,Steven GOU,Graham Beales. Владелец: Wuxi Clearink Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Apparatus and method for reflective image display with dielectric layer

Номер патента: EP3785063A1. Автор: Michiel Koen CALLENS,Thomas Johansson,Robert J. Fleming,Steven GOU,Graham Beales. Владелец: Concord HK International Education Ltd. Дата публикации: 2021-03-03.

Thermal-emitting radiator and method for thermal emission implementing said radiator

Номер патента: RU2262815C2. Автор: Масами КУДЗИРАИ. Владелец: Кабусикикайся Секуто Кагаку. Дата публикации: 2005-10-20.

Optically clear, durable infrared windows, and method of making the same

Номер патента: EP1040213A1. Автор: Stephen A. Gabelich,William W. Chen,Norman H. Harris. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2000-10-04.

Multi-layer coating system and method

Номер патента: WO2006125086A2. Автор: David A. Glocker. Владелец: Isoflux, Inc.. Дата публикации: 2006-11-23.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2003087233A3. Автор: Wu-Sheng Shih,Ram W Sabnis. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2004-02-05.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: EP1493061A4. Автор: Wu-Sheng Shih,Ram W Sabnis. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2009-01-07.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: EP1493061A2. Автор: Wu-Sheng Shih,Ram W. Sabnis. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2005-01-05.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2003087233A2. Автор: Wu-Sheng Shih,Ram W. Sabnis. Владелец: Brewer Science, Inc.. Дата публикации: 2003-10-23.

Method of producing zeolites and zeolite-like structures doped with metals, and methods for use thereof for catalytic reduction of nitrogen oxides

Номер патента: RU2595336C2. Автор: Даниель ХЕРАЙН,Фэй ВЭНЬ,Барри У. Л. САУТУОРД,Лисбет ЙОНГЕН,Александр ХОФМАНН. Владелец: Умикоре Аг Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2016-08-27.

Apparatus and method for sorting gemstones

Номер патента: RU2754085C2. Автор: Николас Мэттью ДЭВИС,Эндрю Джон ПОРТСМУТ,Дэвид ФИШЕР,Колин МАКГИННЕСС. Владелец: Де Бирс Юк Лимитед. Дата публикации: 2021-08-26.

Organic polymeric antireflective coatings deposited by chemical vapor deposition

Номер патента: CA2400157A1. Автор: Ram W. Sabnis,Terry Brewer,Douglas Guerrero,Mary J. Spencer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Miniaturized mr device comprising a cell culture micro-chamber and method for manufacturing such a device

Номер патента: EP3857247A1. Автор: Giovanni Boero,Juergen Brugger,Marco GRISI,Gaurasundar Marc CONLEY. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2021-08-04.

Vapor deposition deposited photoresist, and manufacturing and lithography systems therefor

Номер патента: US09829805B2. Автор: Timothy W. Weidman,Paul Deaton,Timothy Michaelson,Barry Lee Chin,Majeed Foad. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Magnetic recording medium and method of fabricating the same

Номер патента: US20050048322A1. Автор: Hitoshi Wako. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-03-03.

Thin film implantable electrode and method of manufacture

Номер патента: US5324322A. Автор: Warren M. Grill, Jr.,Graham H. Creasey,David A. Ksienski,Claude S. Veraart,J. Thomas Mortimer. Владелец: CASE WESTERN RESERVE UNIVERSITY. Дата публикации: 1994-06-28.

Mixing or dispersing element and method of static mixing or dispersing

Номер патента: RU2538879C2. Автор: Себастьян ХИРШБЕРГ,Марсель ЗУНЕР. Владелец: Зульцер Хемтех Аг. Дата публикации: 2015-01-10.

Producing coated textiles using photo-initiated chemical vapor deposition

Номер патента: CA3217114A1. Автор: Adrian J. BEACH,Sayantani NANDY,Trisha Lionel Andrew. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-11-03.

Devices and methods for the controlled formation and dispension of small drops of highly viscous and/or non-newtonian liquids

Номер патента: US20160175874A1. Автор: David Mathew Johnson,Victor Alfred Beck. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2016-06-23.

Devices and methods for the controlled formation and dispension of small drops of highly viscous and/or non-newtonian liquids

Номер патента: US09782790B2. Автор: David Mathew Johnson,Victor Alfred Beck. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of producing photoluminescence of individual color centers in vapor-deposited diamond

Номер патента: RU2655026C1. Автор: Владимир Алексеевич Кукушкин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" (ИПФ РАН). Дата публикации: 2018-05-23.

Decorated resin molded article and method for producing the same

Номер патента: US20090068425A1. Автор: Takane Suzuki,Kaoru Ito,Masumi Noguchi,Hirotoshi Matsui. Владелец: Kojima Press Industry Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-12.

System and method for modeling coupled systems of hydrodynamics and sediment transport

Номер патента: EP3365710A1. Автор: Tao Sun,Kaveh Ghayour. Владелец: Chevron USA Inc. Дата публикации: 2018-08-29.

System and method for modeling coupled systems of hydrodynamics and sediment transport

Номер патента: US20170107797A1. Автор: Tao Sun,Kaveh Ghayour. Владелец: Chevron USA Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

System and method for modeling coupled systems of hydrodynamics and sediment transport

Номер патента: WO2017069860A1. Автор: Tao Sun,Kaveh Ghayour. Владелец: Chevron U.S.A. INC.. Дата публикации: 2017-04-27.

Material dispensing system and methods

Номер патента: US09616447B2. Автор: Thomas Elliot Rabe,Faiz Feisal Sherman,Stephan Gary Bush,Stephan James Andreas Meschkat. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2017-04-11.

Micro-machined thin film sensor arrays for the detection of H2 containing gases, and method of making and using the same

Номер патента: US6596236B2. Автор: Thomas H. Baum,Frank DiMeo, Jr.. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2003-07-22.

Additive deposition system and method

Номер патента: US20170203505A1. Автор: Scott A. Elrod,David Mathew Johnson,David K. Biegelsen,Victor Alfred Beck. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2017-07-20.

Additive deposition system and method

Номер патента: US20170203504A1. Автор: Scott A. Elrod,David Mathew Johnson,David K. Biegelsen,Victor Alfred Beck. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2017-07-20.

Metal-organic framework sorbents having hierarchical pore structure and method of making the same

Номер патента: US09474997B1. Автор: Gregory W Peterson,Jared B. DeCoste,Tyler J Demasky. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 2016-10-25.

Directed vapor deposition and assembly of polymer micro - and nanostructures

Номер патента: WO2023081751A1. Автор: Kenneth K.S. Lau,Zhengtao CHEN,Tien Hong NGUYEN. Владелец: DREXEL UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-05-11.

Honeycomb seal and method of its manufacturing

Номер патента: RU2515869C2. Автор: Пол Мэтью УОЛКЕР,Дэвид ФЭЙРБОУРН. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2014-05-20.

Mass-controlled viscous material deposition system, apparatus and method

Номер патента: US11787064B2. Автор: William Miller. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-17.

System and Method for Remote Deposit System

Номер патента: US20130159182A1. Автор: Steven Davis,Stephen A. Schutze. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-20.

System and method for remote deposit system

Номер патента: US20140058942A1. Автор: Steven Davis,Stephen A. Schutze. Владелец: EFT Network Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Thermal ink jet with chemical vapor deposited nozzle plate

Номер патента: CA2506728C. Автор: Kia Silverbrook. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2010-08-24.

Apparatus and method for high-accuracy alignment

Номер патента: US5317141A. Автор: Michael E. Thomas. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1994-05-31.

Chemically vapor deposited saw guides

Номер патента: US5415069A. Автор: Jerry Collins,John Hoover,Al Latham. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1995-05-16.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition of advanced lubricant for thin film storage medium

Номер патента: US20090263592A1. Автор: Lei Li,Michael Joseph Stirniman,Jing Gui,Jianwei Liu,Yiao-Tee Hsia. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2009-10-22.

System for machining seed rods for use in a chemical vapor deposition polysilicon reactor

Номер патента: WO2013135631A1. Автор: Rodolfo Bovo,Paolo Molino. Владелец: MEMC Electronic Materials S.p.A.. Дата публикации: 2013-09-19.

System for machining seed rods for use in a chemical vapor deposition polysilicon reactor

Номер патента: EP2825350A1. Автор: Rodolfo Bovo,Paolo Molino. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2015-01-21.

Passive vapor deposition system and method

Номер патента: US10814611B2. Автор: Francisco Zirilli. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2020-10-27.

Passive vapor deposition system and method

Номер патента: US20190263108A1. Автор: Francisco Zirilli. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2019-08-29.

Passive vapor deposition system and method

Номер патента: US20200139697A1. Автор: Francisco Zirilli. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Machine and method for treating parts of different shapes

Номер патента: US20230294200A1. Автор: Christophe Heau,Philippe Maurin-Perrier,Florent Pigeon,Florence Garrelie,Jean-Philippe COLOMBIER. Владелец: Hydromecanique et Frottement SAS. Дата публикации: 2023-09-21.

Coated woven materials and method of preparation

Номер патента: US4265982A. Автор: David W. Carroll,William J. McCreary. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 1981-05-05.

Coated woven materials and method of preparation

Номер патента: CA1136008A. Автор: David W. Carroll,William J. McCreary. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 1982-11-23.

Metal droplet deposition system

Номер патента: CA3236965A1. Автор: Peter Schmitt,Matthew McCAMBRIDGE. Владелец: Fluent Metal Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Molecule sensor component and method for manufacturing same

Номер патента: WO2021108780A1. Автор: Meni Wanunu,Mohammadamin Alibakhshi,Xinqi Kang. Владелец: NORTHEASTERN UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-06-03.

CHEMICAL VAPORIZER FOR MATERIAL DEPOSITION SYSTEMS AND ASSOCIATED METHODS

Номер патента: US20120289059A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-11-15.

Vapor deposition apparatus, film deposition method, and method for manufacturing organic el device

Номер патента: JP2012052187A. Автор: Naomi Nagai,直美永井,Yoshifumi Kuribe,栄史栗部. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2012-03-15.

Electro-deposition system of target and method thereof

Номер патента: TW201219612A. Автор: Wen-Hsi Lee. Владелец: Univ Nat Cheng Kung. Дата публикации: 2012-05-16.

Vapor-deposited polyamide resin film roll and method for producing the same

Номер патента: JP4449822B2. Автор: 忠嗣西,克彦野瀬,尚伸小田,義紀宮口. Владелец: Toyobo Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-14.

Vapor deposition device for producing semiconductor and method for growing semiconductor crystal

Номер патента: JPH01139757A. Автор: Yoshikazu Goto,Teruyuki Takizawa,芳和後藤,Yukiyoshi Nishino,幸良西野,輝之滝沢. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1989-06-01.

Large Area Nitride Crystal and Method for Making It

Номер патента: US20120000415A1. Автор: Speck James S.,"DEvelyn Mark P.". Владелец: Soraa, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

COATING METHODS, SYSTEMS, AND RELATED ARTICLES

Номер патента: US20120003497A1. Автор: Gleason Karen K.,Pryce Lewis Hilton G.,Bansal Neeta P.,Handy Erik S.,"OShaughnessy W. Shannan",White Aleksander J.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUSES AND METHODS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120000422A1. Автор: Zheng Bo,Ai Hua,YU SANG HO,UMOTOY Salvador P.,Lam Hyman,Jackson Michael,Yuan Xiaoxiong (John),Wang Hou Gong. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ISOLATING A VIEWPORT

Номер патента: US20120000301A1. Автор: LITTLE Edwin Jackson,PAVOL Mark J.. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR REGION AND METHOD FOR MANUFACTURING POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003807A1. Автор: SHIMAZU Takashi,FURUNO Makoto. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM ARTICLE AND METHOD FOR FORMING A REDUCED CONDUCTIVE AREA IN TRANSPARENT CONDUCTIVE FILMS FOR PHOTOVOLTAIC MODULES

Номер патента: US20120000520A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel,FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

Antireflective Coatings for Via Fill and Photolithography Applications and Methods of Preparation Thereof

Номер патента: US20120001135A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTIVE RAM DEVICES AND METHODS

Номер патента: US20120001144A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSPARENT ELECTRICALLY CONDUCTIVE LAYER AND METHOD FOR FORMING SAME

Номер патента: US20120000519A1. Автор: FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

ENERGY STORAGE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003535A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002285A1. Автор: Matsuda Manabu. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Deposition Apparatus And Methods To Reduce Deposition Asymmetry

Номер патента: US20120000772A1. Автор: Cox Michael S.,RITCHIE ALAN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Perpendicular Magnetic Write head and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120002326A1. Автор: Matono Naoto,SASAKI Kenji,Mino Tetsuya,Onodera Ikuhito,Nishiyama Kazushi,Tsuchiya Michitoshi. Владелец: SAE Magnetics (H.K.) Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Alignment Mark and Method of Formation

Номер патента: US20120001337A1. Автор: Yu Chen-Hua,Lin Jing-Cheng,Jeng Shin-Puu,Chiou Wen-Chih,Wu Weng-Jin,Chen Chia-Ho,Tsai Fang Wen,Tsai Chen-Yu,Wang Shih-Hui,Chiu Chien-Ming. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR OPERATING RFID DEVICES ON SINGLE-USE CONNECTORS

Номер патента: US20120001731A1. Автор: . Владелец: GE HEALTHCARE BIOSCIENCE BIOPROCESS CORP.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR EXPOSING A SUBSTRATE TO UV RADIATION USING A REFLECTOR HAVING BOTH ELLIPTICAL AND PARABOLIC REFLECTIVE SECTIONS

Номер патента: US20120003398A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Recording Media Having a Nanocomposite Protection Layer and Method of Making Same

Номер патента: US20120003399A1. Автор: Li Lei,Kiely James Dillon,Jones Paul Max,Hsia Yiao-Tee,Johns Earl Chrzaszcz. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Radiation-resistant fibre-optic guide, method for production thereof and method of improving radiation resistance of fibre-optic guide (versions)

Номер патента: RU2537523C1. Автор: Валерий Ефимович Карасик,Алексей Николаевич Гурьянов,Евгений Михайлович Дианов,Алексей Борисович Пнев,Владимир Федорович Хопин,Михаил Юрьевич Салганский,Александр Леонидович Томашук,Павел Федорович Кашайкин. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России). Дата публикации: 2015-01-10.

PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000518A1. Автор: Tokioka Hidetada,ORITA Tae,YAMARIN Hiroya. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003426A1. Автор: . Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

System For Monitoring Foreign Particles, Process Processing Apparatus And Method Of Electronic Commerce

Номер патента: US20120002196A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOVOLTAIC MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000506A1. Автор: Kim Dong-Jin,KANG Ku-Hyun,NAM Yuk-Hyun,Lee Jung-Eun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Package and Method of Forming Similar Structure for Top and Bottom Bonding Pads

Номер патента: US20120001326A1. Автор: . Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SINGLE-WALLED CARBON NANOTUBE/SIRNA COMPLEXES AND METHODS RELATED THERETO

Номер патента: US20120003278A1. Автор: . Владелец: ENSYSCE BIOSCIENCES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

RRAM structure and method of making the same

Номер патента: US20120001141A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL MODULATOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120003767A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR FORMING DOUBLE EMULSION DROPLET COMPOSITIONS AND POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120000777A1. Автор: Garrell Robin L.,Tucker-Schwartz Alexander K.,Shepherd Heather,Chatterjee Debalina. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001182A1. Автор: Choi Jong-Hyun,Lee Dae-Woo. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING LOW THERMAL STRESS AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120001303A1. Автор: TU PO-MIN,HUANG SHIH-CHENG,YANG SHUN-KUEI,HUANG CHIA-HUNG. Владелец: ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Metal coating of upgraded adhesion to material of pad and method of fabrication of this coating

Номер патента: RU2358034C2. Автор: Александр Германович Ермилов,Сергей Иванович Сухонос,Дмитрий Николаевич Вовк. Владелец: Дмитрий Николаевич Вовк. Дата публикации: 2009-06-10.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003781A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000517A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120002142A1. Автор: Fujiwara Sayuri,Satoh Eiji,Asaoka Yasushi,Deguchi Kazuhiro,Tanimoto Kazunori,MATSUDA TAKAFUMI,MIKUMO KATSUHIRO. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL WAVEGUIDE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120002931A1. Автор: Watanabe Shinya. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DIODE HAVING A THERMAL CONDUCTIVE SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003766A1. Автор: . Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITE MATERIAL C/Al2O3 AND METHOD OF ITS OBTAINING

Номер патента: RU2552634C1. Автор: Анатолий Владимирович Романенко,Артём Борисович Аюпов,Галина Николаевна Ильинич,Рэн Ил Квон. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2015-06-10.

APPARATUS AND METHOD FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120003396A1. Автор: . Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurweten schappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2012-01-05.

ANNEALED WAFER, METHOD FOR PRODUCING ANNEALED WAFER AND METHOD FOR FABRICATING DEVICE

Номер патента: US20120001301A1. Автор: Ebara Koji,KIKUCHI Hiroyasu,Hayamizu Yoshinori. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR DETECTING RADIATION

Номер патента: US20120001761A1. Автор: Voutilainen Martti,Pasanen Pirjo. Владелец: Nokia Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Carbon nanofibre and method of obtaining of multiwall carbon nanotubes

Номер патента: RU2567628C1. Автор: Михаил Рудольфович Предтеченский. Владелец: МСД Текнолоджис частная компания с ограниченной ответственностью. Дата публикации: 2015-11-10.

Masking techniques in chemical vapor deposition

Номер патента: CA1199715A. Автор: Robert D. Burnham. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1986-01-21.

Cvd-reactor and method of synthesis of hetero-epitaxial films of silicon carbide on silicon

Номер патента: RU2394117C2. Автор: Борис Михайлович Синельников,Виталий Алексеевич Тарала,Иван Сергеевич Митченко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью научно-производственная фирма "Эпикрист". Дата публикации: 2010-07-10.

Chemical vapor deposition of metal compound coatings utilizing metal sub-halide

Номер патента: CA1224091A. Автор: M. Javid Hakim. Владелец: Liburdi Engineering Ltd. Дата публикации: 1987-07-14.

Vacuum deposition system and methods of depositing a stack of layers on a substrate

Номер патента: WO2024224139A1. Автор: Florian Ries,Takashi Anjiki,Matthias HEYMANNS,Jürgen Henrich,Sebastian Gunther ZANG,Matthias Krebs. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-31.

Conductive ink and method of making said ink

Номер патента: RU2388774C2. Автор: Кванг-Чоон ЧУНГ,Хиун-Нам ЧО,Миоунг-Сеон ГОНГ,Йи-Суп ХАН,Дзеонг-Бин ПАРК,Сеонг-Йонг УХМ,Йоунг-Кван СЕО,Донг-Хун НАМ,Нам-Боо ЧО. Владелец: Инктек Ко., Лтд.. Дата публикации: 2010-05-10.

Material supply system and method

Номер патента: MY163570A. Автор: Charles Powell Ricky,Kelly Gray Andrew,Alden Coleman Todd. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2017-09-29.

SPECTRAL DATA ANALYZER, BIOLOGICAL SUBSTANCE DETECTION SYSTEM, AND BIOLOGICAL SUBSTANCE DETECTION METHOD

Номер патента: US20120004856A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for production of applied catalyst and method for production of carbon nanotubes

Номер патента: RU2389550C1. Автор: Александр Владимирович Окотруб,Любовь Геннадьевна Булушева,Елена Валентиновна Шляхова,Владимир Петрович Федин,Эльвина Тельмановна Костина,Наталья Валентиновна Изарова. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт неорганической химии им. А.В. Николаева Сибирского отделения РАН. Дата публикации: 2010-05-20.

Engine systems and methods of operating an engine

Номер патента: US20120000435A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CONTROL SYSTEM AND METHOD OF USE FOR CONTROLLING CONCENTRATIONS OF ELECTROLYZED WATER IN CIP APPLICATIONS

Номер патента: US20120000488A1. Автор: Herdt Brandon,Ryther Robert. Владелец: ECOLAB USA INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

HIGH SOLIDS CONTENT SLURRIES, SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20120000641A1. Автор: Chen Yiyan,Panga Mohan,Bedel Jean-Philippe. Владелец: SCHLUMBERGER TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

BLOWOUT PREVENTERS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120000647A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

HIGH SOLIDS CONTENT SLURRY SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20120000651A1. Автор: Panga Mohan K.R.,Photos Peter J.,Drochon Bruno,Still John W.,Gadiyar Balkrishna,Patel Dinesh R.,Parlar Mehmet,Watson Graham M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Acoustically Controlled Subsea Latching and Sealing System and Method for an Oilfield Device

Номер патента: US20120000664A1. Автор: Bailey Thomas F.,Gray Kevin L.,NAS Stephanus Wilhelmus Maria,Anderson Waybourn "Bo" J.. Владелец: WEATHERFORD/LAMB, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

WATER TREATMENT SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20120000851A1. Автор: . Владелец: DXV Water Technologies, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

System and method for grouping precursor and fragment ions using selected ion chromatograms

Номер патента: US20120001066A1. Автор: Geromanos Scott J.,Silva Jeffrey Cruz,GORENSTEIN Marc Victor,LI Guo-Zhong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS FOR USE IN FLASH DETECTION

Номер патента: US20120001071A1. Автор: SNIDER Robin Terry,MCGEE Jeffrey Dykes,PERRY Michael Dale. Владелец: General Atomics. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR CONTROLLING AN ENERGY STORAGE PACK

Номер патента: US20120001483A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus, System, and Method for Direct Phase Probing and Mapping of Electromagnetic Signals

Номер патента: US20120001656A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

AVIONICS DEVICE, SYSTEMS AND METHODS OF DISPLAY

Номер патента: US20120001773A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR COMPRESSING DATA AND CONTROLLING DATA COMPRESSION IN BOREHOLE COMMUNICATION

Номер патента: US20120001776A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR CREATING, MANAGING, SHARING AND DISPLAYING PERSONALIZED FONTS ON A CLIENT-SERVER ARCHITECTURE

Номер патента: US20120001921A1. Автор: Escher Marc,Hoffman Franz. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus, System, and Method for Increasing Measurement Accuracy in a Particle Imaging Device

Номер патента: US20120002194A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method for Storing and Retrieving Digital Content with Physical File Systems

Номер патента: US20120002244A1. Автор: ROTHSCHILD LEIGH M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MINITURIZATION TECHNIQUES, SYSTEMS, AND APPARATUS RELATNG TO POWER SUPPLIES, MEMORY, INTERCONNECTIONS, AND LEDS

Номер патента: US20120002455A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Seismic Acquisition in Marine Environments Using Survey Paths Following a Series of Linked Deviated Paths and Methods of Use

Номер патента: US20120002503A1. Автор: EICK Peter M.,BREWER Joel D.,Shan Shan,Janiszewski Frank D.. Владелец: ConocoPhillips Company. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE COMMUNICATION SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20120002640A1. Автор: BALUJA Shumeet,Chu Michael,Matsuno Mayumi. Владелец: GOOGLE INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DTV TRANSMITTING SYSTEM AND METHOD OF PROCESSING BROADCAST DATA THEREIN

Номер патента: US20120002730A1. Автор: Choi In Hwan,Kwak Kook Yeon,Lee Hyoung Gon,Kim Byoung Gill,Kim Jin Woo,Kim Jong Moon,Song Won Gyu,KIM Jae Hyung,HONG Sung Ryong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD OF PROVIDING AN EMERGENCY CONTACT PARTY LINE

Номер патента: US20120002791A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD TO DIRECT TELEPHONE CALLS TO ADVERTISERS

Номер патента: US20120002799A1. Автор: . Владелец: Marchex, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR ONLINE IDENTITY VERIFICATION

Номер патента: US20120002847A1. Автор: Geosimonian Armen. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR SHIFT INVARIANT DIFFERENTIAL (SID) IMAGE DATA INTERPOLATION IN FULLY POPULATED SHIFT INVARIANT MATRIX

Номер патента: US20120002874A1. Автор: Dosluoglu Taner. Владелец: YOULIZA, GEHTS B.V. LIMITED LIABILITY COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR REDUCING NOISE IN AN IMAGE

Номер патента: US20120002896A1. Автор: Kim Yeong-Taeg,Lertrattanapanich Surapong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS OF USE OF TARGETING PEPTIDES FOR DIAGNOSIS AND THERAPY OF HUMAN CANCER

Номер патента: US20120003152A1. Автор: Pasqualini Renata,Arap Wadih,KOLONIN Mikhail G.,Mintz Paul J.,Zurita Amado J.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Compositions and Methods of Using Living and Non-Living Bioactive Devices with Components Derived from Self-Renewing Colony Forming Cells Cultured and Expanded In Vitro

Номер патента: US20120003188A1. Автор: KOPEN Gene,RAGAGLIA Vanessa,BRAYFIELD Candace. Владелец: Garnet Biotherapeutics, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Materials and Methods to Enhance Hematopoietic Stem Cells Engraftment Procedures

Номер патента: US20120003189A1. Автор: Pelus Louis M.,Hoggatt Jonathan,Singh Pratibha. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

VALPROIC ACID, DERIVATIVES, ANALOGUES, AND COMPOSITIONS INCLUDING SAME AND METHODS FOR THEIR THERAPEUTIC USE

Номер патента: US20120003191A1. Автор: Burkin Dean J.,Gurpur Praveen B.,Kaufman Stephen J.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS FOR MODULATING VASCULAR DEVELOPMENT

Номер патента: US20120003208A1. Автор: Ye Weilan,Parker,Schmidt Maike,Filvaroff Ellen,IV Leon H.,Hongo Jo-Anne S.. Владелец: Genentech, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

NEONATAL Fc RECEPTOR (FcRn)- BINDING POLYPEPTIDE VARIANTS, DIMERIC Fc BINDING PROTEINS AND METHODS RELATED THERETO

Номер патента: US20120003210A1. Автор: FARRINGTON Graham K.,LUGOVSKOY Alexey Alexandrovich,MEIER Werner,ELDREDGE John K.,GARBER Ellen. Владелец: BIOGEN IDEC MA INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMMUNO-MOLECULES CONTAINING VIRAL PROTEINS, COMPOSITIONS THEREOF AND METHODS OF USING

Номер патента: US20120003249A1. Автор: Reiter Yoram,Lev Avital. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

VIRUS LIKE PARTICLE COMPOSITIONS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120003266A1. Автор: . Владелец: The United States of America,as represented by The Secretary, National Institues of Health. Дата публикации: 2012-01-05.

Compositions and Methods for the Treatment of Ophthalmic Disease

Номер патента: US20120003275A1. Автор: Donello John E.,Schweighoffer Fabien J.,Rodrigues Gerard A.,McLaughlin Anne P.,Mahé Florence. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS FOR TREATING LYMPHOMA

Номер патента: US20120003297A1. Автор: Goldie James H.,SARRIS Andreas,CABANILLAS Fernando,LOGAN Patricia M.,BURGE Clive T.R.,WEBB Murray S.. Владелец: Talon Therapeutics, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Compositions and Methods for Stimulation MAGP-1 to Improve the Appearance of Skin

Номер патента: US20120003332A1. Автор: Lyga John W.,Zheng Qian,Chen Siming W.,Santhanam Uma. Владелец: AVON PRODUCTS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE MATERIAL AND METHOD FOR FORMING ELECTRODE MATERIAL

Номер патента: US20120003529A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE, POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL OF SECOND BATTERY USING THE METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SECONDARY BATTERY USING THE POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003539A1. Автор: MIKAMI Mayumi,Nara Koji. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CANCER BIOMARKERS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120003639A1. Автор: KERLIKOWSKE KARLA,TLSTY THEA D.,GAUTHIER MONA L.,BERMAN HAL K.,BREMER TROY,MOLINARO ANNETTE M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS FOR DETECTING MUTATIONS IN JAK2 NUCLEIC ACID

Номер патента: US20120003653A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Biological Clean Fuel Processing Systems and Methods

Номер патента: US20120003705A1. Автор: MORRIS Jeffrey M.,Jin Song,Fallgren Paul,Bland Alan E.,Newcomer Jesse D.,Colberg Patricia,Richards Patick. Владелец: The University of Wyoming Research Corporation d/b/a Western Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTROPORATION APPARATUS AND METHODS

Номер патента: US20120003740A1. Автор: . Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

NUCLEOTIDE SEQUENCES ENCODING GSH1 POLYPEPTIDES AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004114A1. Автор: . Владелец: E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY AND PIONEER HI-BRED INTERNATIONAL. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR PURIFICATION AND USE OF INORGANIC PYROPHOSPHATASE FROM AQUIFEX AEOLICUS

Номер патента: US20120004115A1. Автор: Shenoy Suresh Gopalkrishna,Link Kristian Hurd,Pino Luan,Gratalo Dawn,Sangan Pitchai. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS OF DELIVERY OF PHARMACOLOGICAL AGENTS

Номер патента: US20120004177A1. Автор: Trieu Vuong,Desai Neil P.,Soon-Shiong Patrick. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

BIGLYCAN MUTANTS AND RELATED THERAPEUTICS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004178A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEANS AND METHODS FOR MANUFACTURING HIGHLY PURE NEUROTOXIN

Номер патента: US20120004179A1. Автор: Taylor Harold Victor,Eisele Karl-Heinz,PFEIL Michael,Friedrich Josef,Brünn Cornelia. Владелец: Merz Pharma GmbH & Co. KGaA. Дата публикации: 2012-01-05.

BUMETANIDE, FUROSEMIDE, PIRETANIDE, AZOSEMIDE, AND TORSEMIDE ANALOGS, COMPOSITIONS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004225A1. Автор: COLLINS Stephen D.,Partridge John J.,Wanaski Stephen. Владелец: NeuroTherapeutics Pharma, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

INHIBITION OF FATTY ACID SYNTHESIS BY IODO-NITROBENZAMIDE COMPOUNDS AND METHODS OF TREATMENT THEREOF

Номер патента: US20120004260A1. Автор: Sherman Barry,Ossovskaya Valeria. Владелец: BIPAR SCIENCES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

PDK INHIBITOR COMPOUNDS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120004284A1. Автор: . Владелец: UNIVERSITY OF FLORIDA RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2012-01-05.

REAGENT AND METHOD FOR PROVIDING COATINGS ON SURFACES

Номер патента: US20120004339A1. Автор: . Владелец: SURMODICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATED EGG PROTEIN AND EGG LIPID MATERIALS, AND METHODS FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120004399A1. Автор: Mason David. Владелец: Rembrandt Enterprises, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMPLANTABLE HEART ASSIST SYSTEM AND METHOD OF APPLYING SAME

Номер патента: US20120004495A1. Автор: . Владелец: Thoratec Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRASOUND IMAGING SYSTEM AND METHODS OF IMAGING USING THE SAME

Номер патента: US20120004539A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method for Treating Hemorrhoids

Номер патента: US20120004546A1. Автор: Neuberger Wolfgang,Groenhoff Endrick. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS OF DETERMINING PATIENT PHYSIOLOGICAL PARAMETERS FROM AN IMAGING PROCEDURE

Номер патента: US20120004561A1. Автор: John Kalafut F.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHOD FOR ACCELEROMETER-BASED CHARACTERIZATION OF CARDIAC SYNCHRONY AND DYSSYNCHRONY

Номер патента: US20120004564A1. Автор: Dobak,III John Daniel. Владелец: CARDIOSYNC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR CUTTING AND EVACUATING TISSUE

Номер патента: US20120004595A1. Автор: DUBOIS Brian R.,NIELSEN James T.,GORDON Alexander. Владелец: LAURIMED, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTION AND ALIGNMENT DETECTION SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20120004602A1. Автор: HANSON Ian B.,Bente,IV Paul F.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DRUG DELIVERY MANAGEMENT SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20120004637A1. Автор: . Владелец: Lifes-can, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method for Joint Resurface Repair

Номер патента: US20120004663A1. Автор: . Владелец: ARTHROSURFACE INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR OPTIMIZING MAINTENANCE AND OTHER OPERATIONS OF FIELD DEVICES IN A PROCESS CONTROL SYSTEM USING USER-DEFINED DEVICE CONFIGURATIONS

Номер патента: US20120004743A1. Автор: . Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Metalorganic chemical vapor deposition system and method

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты