Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Short-Gate Tunneling Field Effect Transistor Having Non-Uniformly Doped Vertical Channel and Fabrication Method Thereof

Short-Gate Tunneling Field Effect Transistor Having Non-Uniformly Doped Vertical Channel and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20160020306A1
Опубликовано: 21-01-2016
Автор(ы): Chao Wang, Chunlei Wu, Jiaxin Wang, Qianqian Huang, Ru Huang, Yangyuan Wang
Принадлежит: PEKING UNIVERSITY
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Short-gate tunneling field effect transistor having non-uniformly doped vertical channel and fabrication method thereof

Номер патента: US09508839B2. Автор: Chao Wang,Ru Huang,Jiaxin Wang,Qianqian Huang,Chunlei Wu,Yangyuan Wang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-11-29.

Short gate tunneling field effect transistor of vertical non-uniform doping channel and preparation method thereof

Номер патента: CN103151391A. Автор: 王超,黄如,黄芊芊,王阳元,吴春蕾,王佳鑫. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-06-12.

Vertical field effect transistor with biaxial stressor layer

Номер патента: US09773904B2. Автор: PALLE Dharmendar,Mark Rodder,Titash Rakshit,Borna Obradovic,Chris Bowen. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Method for manufacturing field effect transistor having widened trench

Номер патента: US09741825B1. Автор: Yi-Lung Tsai,Po-Wen Yang,Aryadeep Mrinal,Mohammad Amanullah,Shu-Siang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Fin-type field effect transistor having a wrap-around gate with bottom isolation and inner spacers to reduce parasitic capacitance

Номер патента: US12094949B2. Автор: Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Ruilong Xie,Chanro Park. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

A method of fabricating a field effect short channel transistor having less length fluctuation by using an amorphous electrode material during implantation

Номер патента: DE102009006801B4. Автор: Sven Beyer,Thilo Scheiper,Andy Wei. Владелец: AMD Fab 36 LLC and Co KG. Дата публикации: 2011-05-19.

Structure and fabrication of field-effect transistor having source/drain extension defined by multiple local concentration maxima

Номер патента: WO2010110900A8. Автор: Constantin Bulucea,William D. French. Владелец: National Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2011-07-28.

Structure and fabrication of field-effect transistor having source/drain extension defined by multiple local concentration maxima

Номер патента: EP2412014A1. Автор: William D. French,Contsantin BULUCEA. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-02-01.

Field effect transistor having a multi-width electrode structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09905690B1. Автор: Yi-Lung Tsai,Po-Wen Yang,Aryadeep Mrinal,Mohammad Amanullah,Shu-Siang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Methods for producing a tunnel field-effect transistor

Номер патента: US09390975B2. Автор: Ronald Kakoschke,Helmut Horst Tews. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-07-12.

Field effect transistor having channel silicon germanium

Номер патента: SG168481A1. Автор: Hiroyuki Ota,Vincent Sih. Владелец: Toshiba America Electronic. Дата публикации: 2011-02-28.

Field effect transistor having an asymmetric gate electrode

Номер патента: US20120104513A1. Автор: Huilong Zhu,Qingqing Liang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-03.

Semiconductor device for compensating internal delay, methods thereof, and data processing system having the same

Номер патента: US09917172B2. Автор: Kwan Jae SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device for compensating internal delay, methods thereof, and data processing system having the same

Номер патента: US09508819B2. Автор: Kwan Jae SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Tunnel field effect transistors having low turn-on voltage

Номер патента: US09728639B2. Автор: Jing Wang,Nuo XU,Woosung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Fin field effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20190081169A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Metal gate structures for field effect transistors and method of fabrication

Номер патента: WO2014149128A1. Автор: Naomi Yoshida,Adam Brand. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-09-25.

Field effect transistor with spacers and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355898A1. Автор: Chang-Miao Liu,xu-sheng Wu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Tunnel field-effect transistor

Номер патента: US09853102B2. Автор: Teng-Chun Tsai,De-Fang Chen,Li-Ting Wang,Hung-Ta Lin,Chien-Hsun Wang,Cheng-Tung Lin,Chih-tang Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of manufacturing a field effect transistor by tilted implantation of dopants into inner sidewalls of gate spacers

Номер патента: US12062707B2. Автор: Chang-Miao Liu,xu-sheng Wu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor fuses with nanowire fuse links and fabrication methods thereof

Номер патента: US10332834B2. Автор: Min-Hwa Chi,Chun Yu Wong,Ashish Baraskar,Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-06-25.

Tunnel field-effect transistor

Номер патента: US09941394B2. Автор: Teng-Chun Tsai,De-Fang Chen,Li-Ting Wang,Hung-Ta Lin,Chien-Hsun Wang,Cheng-Tung Lin,Chih-tang Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871123B2. Автор: Chih-Jung Wang,Tong-Yu Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Vertical tunnel field effect transistor (FET)

Номер патента: US09647097B2. Автор: Gerben Doornbos,Matthias Passlack,Krishna Kumar Bhuwalka. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor fuses with nanowire fuse links and fabrication methods thereof

Номер патента: US09601428B2. Автор: Min-Hwa Chi,Chun Yu Wong,Ashish Baraskar,Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Fin field effect transistors having conformal oxide layers and methods of forming same

Номер патента: US09515188B2. Автор: Syun-Ming Jang,Chia-Cheng Chen,Hui-Cheng Chang,Liang-Yin Chen,Xiong-Fei Yu,Meng-Shu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Tunnel field-effect transistor

Номер патента: US09419114B2. Автор: Amey Mahadev Walke,Krishna Kumar Bhuwalka,Anne Vandooren. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-08-16.

Method of forming a field effect transistor having a gate structure with a first section having a first effective work function above a center portion of the channel region and with second sections having a second effective work function above opposing sidewalls of the channel region

Номер патента: US20140070330A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9691907B1. Автор: Shih-Chang Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US09954066B2. Автор: Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Low temperature poly-silicon thin film transistor and fabrication method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09768308B2. Автор: Zheng Liu,Chunping Long,Xiaolong Li,Liang Sun,Xiaoyong Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09691907B1. Автор: Shih-Chang Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US09536878B2. Автор: Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

N-type fin field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US9929267B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

N-type fin field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20160322494A1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Buried contact structures for a vertical field-effect transistor

Номер патента: US09831317B1. Автор: Hui Zang,Tek Po Rinus Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Hybrid circuit including a tunnel field-effect transistor

Номер патента: US09748271B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,Tamilmani Ethirajan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Structure and fabrication of field-effect transistor using empty well in combination with source/drain extensions or/and halo pocket

Номер патента: WO2010110904A8. Автор: Sandeep R. Bahl,Constantin Bulucea,Jeng-Jiun Yang,William D. French,D. Courtney Parker. Владелец: National Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2011-08-11.

Structure and fabrication of field-effect transistor using empty well in combination with source/drain extensions or/and halo pocket

Номер патента: EP2412018A1. Автор: Sandeep R. Bahl,Constantin Bulucea,Jeng-Jiun Yang,William D. French,D. Courtney Parker. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-02-01.

Vertical reconfigurable field effect transistor

Номер патента: GB2615947A. Автор: Reznicek Alexander,Hekmatshoartabari Bahman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-23.

Buried contact structures for a vertical field-effect transistor

Номер патента: US20180254327A1. Автор: Hui Zang,Tek Po Rinus Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-09-06.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device integrated with vertical field effect transistor

Номер патента: US09960155B2. Автор: Brent A. Anderson,Alain Loiseau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device integrated with vertical field effect transistor

Номер патента: US09929144B2. Автор: Brent A. Anderson,Alain Loiseau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device integrated with vertical field effect transistor

Номер патента: US09875945B2. Автор: Brent A. Anderson,Alain Loiseau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Silicon carbide power metal-oxide semiconductor field effect transistors having a shorting channel and methods of fabricating silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors having a shorting channel

Номер патента: US6956238B2. Автор: Mrinal Kanti Das,Ranbir Singh,John W. Palmour,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Lori A. Lipkin. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-10-18.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20140035049A1. Автор: Hui-min Huang,Ta-Hsun Yeh,Yuh-Sheng Jean. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180047829A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Field effect transistor with elevated active regions and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09859422B2. Автор: Akira Inoue,Masatoshi Nishikawa,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Vertical transistor having an asymmetric gate

Номер патента: WO2013054212A1. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Shu-Jen Han,Jun Yuan. Владелец: IBM Japan Limited. Дата публикации: 2013-04-18.

Method of making MIS-field effect transistor having a short channel length

Номер патента: US4382826A. Автор: Hans-Jorg Pfleiderer,Dietrich Widmann. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1983-05-10.

Remote Doped High Performance Transistor Having Improved Subthreshold Characteristics

Номер патента: US20130105910A1. Автор: Prashant Majhi,Kausik Majumdar. Владелец: International SEMATECH. Дата публикации: 2013-05-02.

Configuration and fabrication of semiconductor structure using empty and filled wells

Номер патента: WO2010110893A8. Автор: Sandeep R. Bahl,Constantin Bulucea,Jeng-Jiun Yang,Prasad Chaparala,William D. French,Donald M. Archer,D. Courtney Parker. Владелец: National Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2011-08-11.

Configuration and fabrication of semiconductor structure using empty and filled wells

Номер патента: US20130126970A1. Автор: Sandeep Bahl,Constantin Bulucea,David Courtney Parker,William French,Jeng-Jiun Yang,Prasad Chaparala,Donald Archer. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-05-23.

Configuration and fabrication of semiconductor structure using empty and filled wells

Номер патента: WO2010110893A1. Автор: Sandeep R. Bahl,Jeng-Jiun Yang,Prasad Chaparala,William D. French,Donald M. Archer,D. Courtney Parker. Владелец: National Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2010-09-30.

Configuration and fabrication of semiconductor structure using empty and filled wells

Номер патента: EP2412027A1. Автор: Sandeep R. Bahl,Constantin Bulucea,Jeng-Jiun Yang,Prasad Chaparala,William D. French,Donald M. Archer,D. Courtney Parker. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-02-01.

Oxygen vacancy passivation in high-k dielectrics for vertical transport field effect transistor

Номер патента: US20220130732A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-04-28.

Methods of Forming Field Effect Transistors on Substrates

Номер патента: US20130230957A1. Автор: Sanh D. Tang,Robert J. Hanson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-05.

Trench power MOSFET structure fabrication method

Номер патента: US9035378B2. Автор: Hsiu-wen Hsu,Chun-Ying Yeh,Yuan-Ming Lee. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-19.

Configuration and fabrication of semiconductor structure having asymmetric field-effect transistor with tailored pocket portion along source/drain zone

Номер патента: US8415752B2. Автор: Sandeep R. Bahl,Constantin Bulucea,Jeng-Jiun Yang. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-04-09.

Structure and fabrication of semiconductor architecture having field-effect transistors especially suitable for analog applications.

Номер патента: WO2009058187A1. Автор: Constantin Bulucea. Владелец: National Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2009-05-07.

Field Effect Transistor Device, and Method for Improving Short-Channel Effect and Output Characteristic Thereof

Номер патента: US20230223466A1. Автор: Dongli Zhang,Mingxiang WANG,Lekai Chen,Huaisheng WANG. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-07-13.

Gate Electrodes of HVMOS Devices Having Non-Uniform Doping Concentrations

Номер патента: US20110008944A1. Автор: Ru-Yi Su,Puo-Yu Chiang,Chien-Chih Chou,Chun-Lin Tsai,Jeng Gong,Tsung-Yi Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-01-13.

MOS Devices Having Non-Uniform Stressor Doping

Номер патента: US20150171189A1. Автор: Lin Chih-Hsun,Wang Ling-Sung,Lin Mei-Hsuan,CHU Ching-Hua. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor devices including channel regions having non-uniform Ge concentration

Номер патента: US11961911B2. Автор: Guan-Jie Shen,Hsiao-Chun CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Transistor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US09647073B2. Автор: Min-Hwa Chi,Xusheng Wu,Jin Ping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Tunneling Field-Effect Transistor And Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20190013413A1. Автор: Chen-Xiong Zhang,Xichao Yang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-10.

Transistor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20160126316A1. Автор: Min-Hwa Chi,Xusheng Wu,Jin Ping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-05-05.

Transistor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20170213890A1. Автор: Min-Hwa Chi,Xusheng Wu,Jin Ping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-07-27.

Vertical tunneling field-effect transistor cell and fabricating the same

Номер патента: US09853125B2. Автор: Ming Zhu,Chi-Wen Liu,Harry-Hak-Lay Chuang,Cheng-Cheng Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Vertical tunneling field-effect transistor cell and fabricating the same

Номер патента: US09806172B2. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Cheng-Cheng Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and method thereof

Номер патента: US09875943B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Tunnel field-effect transistor and method for manufacturing tunnel field-effect transistor

Номер патента: US20180261689A1. Автор: Jing Zhao,Chen-Xiong Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Self-limiting manufacturing techniques to prevent electrical shorts in a complementary field effect transistor (CFET)

Номер патента: US12080608B2. Автор: Xi-Wei Lin,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Nanostructure field-effect transistors with enhanced mobility source/drain regions

Номер патента: US09978836B1. Автор: Bartlomiej J. Pawlak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Nanostructure field-effect transistors with enhanced mobility source/drain regions

Номер патента: US20180130878A1. Автор: Bartlomiej J. Pawlak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Field-effect transistors with source/drain regions of reduced topography

Номер патента: US09536989B1. Автор: Viorel Ontalus,Annie Levesque. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

A semiconductor device including stress inducing films formed over n-channel and p-channel field effect transistors and a method of manufacturing the same

Номер патента: MY135557A. Автор: Yusuke Nonaka,Akihiro Shimizu,Nagatoshi Ooki,Katsuhiko Ichinose. Владелец: Hitachi Ulsi Sys Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-30.

Vertical Tunneling Field-Effect Transistor Cell and Fabricating the Same

Номер патента: US20150054065A1. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Cheng-Cheng Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-02-26.

Vertical Tunneling Field-Effect Transistor Cell and Fabricating the Same

Номер патента: US20140256102A1. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Cheng-Cheng Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-11.

Vertical tunneling field-effect transistor cell and fabricating the same

Номер патента: US8883594B2. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Cheng-Cheng Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-11-11.

Self-limiting manufacturing techniques to prevent electrical shorts in a complementary field effect transistor (cfet)

Номер патента: WO2022015927A1. Автор: Xi-Wei Lin,Victor Moroz. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2022-01-20.

Dual channel vertical field effect transistor including an embedded electrode

Номер патента: US09343507B2. Автор: Seje TAKAKI. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2016-05-17.

Vertical channel field effect transistor (vcfet) with reduced contact resistance and/or parasitic capacitance, and related fabrication methods

Номер патента: US20240096964A1. Автор: Xia Li,Giridhar Nallapati,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Vertical channel field effect transistor (vcfet) with reduced contact resistance and/or parasitic capacitance, and related fabrication methods

Номер патента: WO2024064565A3. Автор: Xia Li,Giridhar Nallapati,Junjing Bao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-05-16.

Vertical channel field effect transistor (vcfet) with reduced contact resistance and/or parasitic capacitance, and related fabrication methods

Номер патента: WO2024064565A2. Автор: Xia Li,Giridhar Nallapati,Junjing Bao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-03-28.

Tunneling field effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US10475892B2. Автор: Chun-Hsien Lin,An-Chi Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-11-12.

Tunneling field effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US10147795B1. Автор: Chun-Hsien Lin,An-Chi Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-12-04.

Complementary nanowire semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09972543B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Complementary nanowire semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09779999B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Field effect transistor having electrode coated sequentially by oxide layer and nitride layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US09960244B2. Автор: Yi-Lung Tsai,Po-Wen Yang,Aryadeep Mrinal,Mohammad Amanullah,Shu-Siang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Vertical field effect transistor having an elongated channel

Номер патента: US09905645B2. Автор: Sang Woo Lee,Seung Han Park,Keon Yong Cheon,Yong Hee Park,Myung Gil Kang,Sang Hoon BAEK,Sung Man WHANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Field effect transistor having electrode coated sequentially by oxide layer and nitride layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US09799742B1. Автор: Yi-Lung Tsai,Po-Wen Yang,Aryadeep Mrinal,Mohammad Amanullah,Shu-Siang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Tunnel field effect transistors

Номер патента: US09577079B2. Автор: Harald Gossner,Ramgopal Rao,Ram Asra. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY BOMBAY. Дата публикации: 2017-02-21.

Cross-point lightly-doped drain-source trench transistor and fabrication process therefor

Номер патента: CA2006745C. Автор: Wei Hwang,Sang H. Dhong,Nicky C.-C. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-06-15.

Field-effect transistor and method for the production thereof

Номер патента: GB2552488A. Автор: Ali Moazzam,Rajendran Nair Rakesh. Владелец: Saralon GmbH. Дата публикации: 2018-01-31.

Complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and method thereof

Номер патента: US10553496B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Integrated device with vertical field-effect transistors and hybrid channels

Номер патента: US20200161303A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Integrated device with vertical field-effect transistors and hybrid channels

Номер патента: US20200161302A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Complementary field-effect transistors

Номер патента: US20210210349A1. Автор: Alexander Reznicek,Jingyun Zhang,Ruilong Xie,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09825039B1. Автор: Ming-Chih Chen,Szu-Hao Lai,Po-Hsieh Lin,Yi-Chuen Eng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US9825039B1. Автор: Ming-Chih Chen,Szu-Hao Lai,Po-Hsieh Lin,Yi-Chuen Eng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Vertical ferroelectric field effect transistor constructions, constructions comprising a pair of vertical ferroelectric field effect transistors, vertical strings of ferroelectric field effect transistors, and vertical strings of laterally opposing pairs of vertical ferroelectric field effect transistors

Номер патента: US09559118B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Chandra Mouli,Kamal M. Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09502555B2. Автор: Jin Woo Han. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Vertical tunnel field effect transistor

Номер патента: US09425296B2. Автор: Xia Li,Ming Cai,Bin Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Organic light emitting diode display, and fabricating and inspecting methods thereof

Номер патента: US09547036B2. Автор: Woocheol Jeong,Imkuk KANG,Sungjun YUN. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

EEPROM cell structures having non-uniform channel-dielectric thickness and methods of making the same

Номер патента: CN1599071A. Автор: 尹胜范,韩晶昱,姜盛泽,朴成佑. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-03-23.

Oxide semiconductor thin film transistor having spaced channel and barrier strips and manufacturing method thereof

Номер патента: US10749036B2. Автор: Qianyi Zhang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-18.

Steep-slope field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US11869950B2. Автор: Yang-Kyu Choi,Myung-Su Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-01-09.

Field-effect transistor and fabrication method of field-effect transistor

Номер патента: US11043575B2. Автор: Stephane Badel,Xiaolong Ma,Riqing Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-22.

Fin field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20180130710A1. Автор: Xu Dong YI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-10.

Structure and fabrication of mosfet having multi-part channel

Номер патента: WO1996032747A1. Автор: Constantin Bulucea. Владелец: National Semiconductor Corporation. Дата публикации: 1996-10-17.

Complementary Field Effect Transistors Using Gallium Polar and Nitrogen Polar III-Nitride Material

Номер патента: US20150221649A1. Автор: Charles R. Eddy, Jr.,Francis J. Kub,Travis J. Anderson,Michael A. Mastro,Jennifer K. Hite. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2015-08-06.

Field effect transistor including silicon oxide film and nitrided oxide film as gate insulator film and manufacturing method thereof

Номер патента: US5554876A. Автор: Shigeru Kusunoki,Masahide Inuishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-09-10.

Field effect transistor and preparation method therefor, and semiconductor structure

Номер патента: EP4160696A1. Автор: Wen YIN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-05.

Insulated gate field effect transistor having passivated schottky barriers to the channel

Номер патента: US09583614B2. Автор: Daniel J. Connelly,Daniel E. Grupp. Владелец: Acorn Technologies Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Field-effect transistor and fabrication method of field-effect transistor

Номер патента: US20190280104A1. Автор: Stephane Badel,Xiaolong Ma,Riqing Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-12.

Complementary metal oxide semiconductor field effect transistor, metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09536792B2. Автор: Chien-Ting Lin,Shih-Hung Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Field-effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US7825493B2. Автор: Keiji Ikeda. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-11-02.

Field-effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US8187957B2. Автор: Keiji Ikeda. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-05-29.

Tunnel field-effect transistor having a stacked structure including a first active region and a second active region

Номер патента: US11081550B2. Автор: Koichi Matsumoto. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-08-03.

Single sided channel mesa power junction field effect transistor

Номер патента: US11869982B2. Автор: Sudarsan Uppili,Vipindas Pala. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Single Sided Channel Mesa Power Junction Field Effect Transistor

Номер патента: US20220059706A1. Автор: Sudarsan Uppili,Vipindas Pala. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Single sided channel mesa power junction field effect transistor

Номер патента: WO2022040155A1. Автор: Sudarsan Uppili,Vipindas Pala. Владелец: Monolithic Power Systems, Inc.. Дата публикации: 2022-02-24.

Complementary field effect transistor with hybrid nanostructure

Номер патента: US20230307456A1. Автор: Yi-Bo Liao,Chun-Fu CHENG,Yi-Han WANG,Meng-Yu Lin,Szuya Liao,Cheng-Yin WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

High-mobility bulk silicon pfet fabrication method

Номер патента: EP1792346B1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,Louis D. c/o IBM United Kingdom Limited LANZEROTTI. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-06-13.

Methods of forming an asymmetric field effect transistor

Номер патента: US7442613B2. Автор: Joo-Sung Park,Kyung-Seok Oh,Ki-Jae Hur,Jung-Hyun Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-28.

Asymmetric field effect transistor

Номер патента: US20070034926A1. Автор: Joo-Sung Park,Kyung-Seok Oh,Ki-Jae Hur,Jung-Hyun Shin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-15.

High voltage field effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US5907173A. Автор: Oh Kyong Kwon,Mueng Ryul Lee. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-05-25.

Gate-last ferroelectric field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US11996454B2. Автор: Min Liao,Yichun ZHOU,Binjian ZENG,Jiajia LIAO,Qiangxiang PENG,Yanwei HUAN. Владелец: XIANGTAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-05-28.

Gate-all-around field effect transistors having end portions of nanosheet channel layers adjacent to source/drain regions being wider than the center portions

Номер патента: US12094972B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Nanosheet transistor having abrupt junctions between the channel nanosheets and the source/drain extension regions

Номер патента: US20210151608A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Gate-all-around field-effect-transistor with wrap-around-channel inner spacer

Номер патента: EP4449502A1. Автор: Veeraraghavan Basker,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Andrew Greene,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-23.

LDMOS device and fabrication method thereof

Номер патента: US09721806B2. Автор: Lei Fang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Enhanced-shaped extension region(s) for gate-all-around (gaa) field effect transistor (fet) device, and related fabrication methods

Номер патента: US20240371924A1. Автор: Yan Sun,Peijie Feng,Shreesh Narasimha. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Field-effect transistor with two-dimensional channel realized with lateral heterostructures based on hybridized graphene

Номер патента: US09620634B2. Автор: Giuseppe IANNACCONE,Fiori Gianluca. Владелец: UNIVERSITÀ DI PISA. Дата публикации: 2017-04-11.

Field-Effect Transistor Device with Equivalent Source and Drain Region Optimization

Номер патента: US20240371937A1. Автор: Dongli Zhang,Mingxiang WANG,Lekai Chen,Huaisheng WANG,Yeye Guo. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-11-07.

Fin field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: EP3190610A3. Автор: Gang MAO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-19.

Silicon-containing, tunneling field-effect transistor including III-N source

Номер патента: US09773909B2. Автор: Anirban Basu,Bahman Hekmatshoartabari,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Fabricating method of mos transistor, fin field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20130001707A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Chin-Fu Lin,Chin-Cheng Chien,Chan-Lon Yang,Yu-Ren Wang,Chien-Liang Lin,Ying-Wei Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

Transistor having germanium channel on silicon nanowire and fabrication method thereof

Номер патента: US09935189B2. Автор: Seongjae Cho,Mina Yun. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Gachon University. Дата публикации: 2018-04-03.

Low-noise gate-all-around junction field effect transistor

Номер патента: US20210320205A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-10-14.

Vertical tunneling field-effect transistor cell and fabricating the same

Номер патента: US09536977B2. Автор: Ming Zhu,Chi-Wen Liu,Harry-Hak-Lay Chuang,Cheng-Cheng Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20180166342A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

Vertical tunneling field effect transistor device and fabrication method thereof

Номер патента: US10446660B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-10-15.

Vertical Tunneling Field-Effect Transistor Cell and Fabricating the Same

Номер патента: US20190123184A1. Автор: Ming Zhu,Chi-Wen Liu,Harry-Hak-Lay Chuang,Cheng-Cheng Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-25.

Staggered-type Tunneling Field Effect Transistor

Номер патента: US20200043727A1. Автор: Steve S. Chung,E. Ray Hsieh,Kuan-Yu Chang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2020-02-06.

Fin field effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US10553722B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Field-effect-transistors and fabrication methods thereof

Номер патента: US10211203B2. Автор: Jian Pan,Xi Lin,Yi Hua SHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-02-19.

Fin field effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20190027595A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Three-dimensional tunneling field-effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20200176592A1. Автор: Chang Hwan Choi,Dong Hwan Lim. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2020-06-04.

Multi-Gate Device Integration with Separated Fin-Like Field Effect Transistor Cells and Gate-All-Around Transistor Cells

Номер патента: US20240379681A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Field effect transistor having same gate and source doping, cell structure, and preparation method

Номер патента: EP4141960A1. Автор: Xing Huang,Xin Lu CHEN. Владелец: Pn Junction Semiconductor Hangzhou Co ltd. Дата публикации: 2023-03-01.

Fin field-effect transistor structure and manufacturing process thereof

Номер патента: US20120241863A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Chin-Fu Lin,Chin-Cheng Chien. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Interfacial layer regrowth control in high-k gate structure for field effect transistor

Номер патента: EP2294609A1. Автор: Markus Mueller,Jasmine Petry,Guillaume Boccardi. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-03-16.

Fin field-effect transistor structure and manufacturing process thereof

Номер патента: US20130089957A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Chin-Fu Lin,Chin-Cheng Chien. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-04-11.

PMOS transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09741820B2. Автор: Lihong Xiao,Qiuhua Han. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Field effect semiconductor component and methods for operating and producing it

Номер патента: US09496364B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Peter Irsigler,Helmut Strack. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-11-15.

Staggered-type Tunneling Field Effect Transistor

Номер патента: US20200020526A1. Автор: Steve S. Chung,E. Ray Hsieh,Kuan-Yu Chang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2020-01-16.

Staggered-type Tunneling Field Effect Transistor

Номер патента: US20200020525A1. Автор: Steve S. Chung,E. Ray Hsieh,Kuan-Yu Chang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2020-01-16.

Staggered-type Tunneling Field Effect Transistor

Номер патента: US20200043726A1. Автор: Steve S. Chung,E. Ray Hsieh,Kuan-Yu Chang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2020-02-06.

Field effect transistor having a gate dielectric with a dipole layer and having a gate stressor layer

Номер патента: US11984506B2. Автор: Szuya S. LIAO,Rishabh Mehandru,Dan S. Lavric,Michal MLECZKO,Vishal Tiwari. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

FinFET and fabrication method thereof

Номер патента: US9647067B1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Display panel, array substrate, and fabrication method thereof

Номер патента: US20170221925A1. Автор: Junhui Lou,Tianyi Wu. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Metal oxide semiconductor field effect transistor having variable thickness gate dielectric

Номер патента: US09917168B2. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Symmetric tunnel field effect transistor

Номер патента: US09911598B2. Автор: Edward J. Nowak,Mohit Bajaj,Kota V. R. M. Murali,Suresh Gundapaneni,Aniruddha Konar,Narasimha R. Mavilla. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Symmetric tunnel field effect transistor

Номер патента: US09876084B2. Автор: Edward J. Nowak,Mohit Bajaj,Kota V. R. M. Murali,Suresh Gundapaneni,Aniruddha Konar,Narasimha R. Mavilla. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Silicon carbide semiconductor element and fabrication method thereof

Номер патента: US09728606B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Symmetric tunnel field effect transistor

Номер патента: US09613867B2. Автор: Edward J. Nowak,Mohit Bajaj,Kota V. R. M. Murali,Suresh Gundapaneni,Aniruddha Konar,Narasimha R. Mavilla. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Field-effect transistor manufacturing method

Номер патента: RU2706296C1. Автор: Юкико АБЕ,Наоюки УЕДА,Юки НАКАМУРА,Синдзи МАЦУМОТО,Юдзи СОНЕ,Риоити САОТОМЕ,Саданори АРАЕ,Минехиде КУСАЯНАГИ. Владелец: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД.. Дата публикации: 2019-11-15.

Coating liquid for forming thin metal oxide film, thin metal oxide film, field-effect transistor and method of making field-effect transistor

Номер патента: RU2546725C2. Автор: Юкико АБЕ,Наоюки УЕДА,Юки НАКАМУРА,Юдзи СОНЕ. Владелец: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД.. Дата публикации: 2015-04-10.

Structure and fabrication of asymmetric field-effect transistor having asymmetric channel zone and differently configured source/drain extensions

Номер патента: US20100244131A1. Автор: Sandeep R. Bahl,Constantin Bulucea,Peter B. Johnson,Jeng-Jiun Yang,William D. French,Donald M. Archer,D. Courtney Parker. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Field effect transistors having improved breakdown voltages and methods of forming the same

Номер патента: EP2622638A1. Автор: Edward John Coyne,Jagar Singh,William Allan Lane,Patrick Martin McGuinness,Paul Malachy Daly,Seamus Whiston. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2013-08-07.

Field effect transistor having same gate and source doping, cell structure, and preparation method

Номер патента: US20230178636A1. Автор: Xing Huang,Xin Lu CHEN. Владелец: Pn Junction Semiconductor (hangzhou) Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Finfet pcm access transistor having gate-wrapped source and drain regions

Номер патента: US20170054005A1. Автор: Chung-Hsun Lin,Chung H. Lam,Philip J. Oldiges,Darsen D. Lu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-23.

Field effect transistor with stacked nanowire-like channels and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09853114B1. Автор: Mark S. Rodder,Borna Obradovic. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

FinFET PCM access transistor having gate-wrapped source and drain regions

Номер патента: US09825094B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Chung H. Lam,Philip J. Oldiges,Darsen D. Lu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

FinFET PCM access transistor having gate-wrapped source and drain regions

Номер патента: US09825093B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Chung H. Lam,Philip J. Oldiges,Darsen D. Lu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Fabricating field effect transistor(s) with stressed channel region(s) and low-resistance source/drain regions

Номер патента: US09735057B2. Автор: Min-Hwa Chi,Shashidhar Shreeshail SHINTRI. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Field effect transistors having multiple effective work functions

Номер патента: US09484427B2. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Min Dai,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Multi-Gate Device Integration with Separated Fin-Like Field Effect Transistor Cells and Gate-All-Around Transistor Cells

Номер патента: US20230387122A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Memory cell and methods thereof

Номер патента: US20230223066A1. Автор: Stefan Ferdinand Müller. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2023-07-13.

Active layer, thin film transistor, array substrate, and display apparatus and fabrication methods

Номер патента: EP3403281A1. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Guangcai Yuan,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2018-11-21.

Semiconductor stacking layer and fabricating method thereof

Номер патента: US8188470B2. Автор: Chih-Yuan Hou. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-05-29.

Memory cell and methods thereof

Номер патента: US20230284454A1. Автор: Johannes Ocker,Patrick Polakowski,Stefan Ferdinand Müller. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor stacking layer and fabricating method thereof

Номер патента: US20120202339A1. Автор: Chih-Yuan Hou. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-08-09.

Semiconductor stacking layer and fabricating method thereof

Номер патента: US20100258800A1. Автор: Chih-Yuan Hou. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-10-14.

Semiconductor device having high voltage MOS transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20060148183A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Fin-type field effect transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09997632B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Thin film transistor (TFT) array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09991398B2. Автор: Liangchen YAN,Dini XIE,Xiaojin Zhang,Xianbin Xu,Meili Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Thin film transistor and fabrication method thereof, array substrate and display

Номер патента: US09929277B2. Автор: Zhenyu Zhang,Changgang HUANG. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Fin-type field effect transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09899526B2. Автор: Yi-Wei Chiu,Li-Te Hsu,Chih-Hsiang Chu,Chung-Fan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Fabrication of vertical field effect transistors with uniform structural profiles

Номер патента: US09837410B1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Thin film transistor including diffusion blocking layer and fabrication method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09825175B2. Автор: WEI Liu,Chunsheng Jiang,Lung Pao Hsin. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Fin-type field effect transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09768168B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09755067B2. Автор: Jung Hwan Lee,Min Gyu Lim,Yi Sun Chung. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Partially dielectric isolated fin-shaped field effect transistor (FinFET)

Номер патента: US09735277B2. Автор: Kern Rim,Kangguo Cheng,Edward J. Nowak,Ramachandra Divakaruni,Johnathan E. Faltermeier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Fin-type field effect transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09722079B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Thin film transistor and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09705007B2. Автор: WEI YANG,Wenlin Zhang,Woo Bong Lee,ce Ning. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Partially dielectric isolated fin-shaped field effect transistor (FinFET)

Номер патента: US09537011B1. Автор: Kern Rim,Kangguo Cheng,Edward J. Nowak,Ramachandra Divakaruni,Johnathan E. Faltermeier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Fin-type field effect transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09530887B1. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Field effect transistor having a Fermi filter between a source and source contact thereof

Номер патента: US10236345B2. Автор: Ian A. Young,Uygar E. Avci. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-03-19.

Modified tunneling field effect transistors and fabrication methods

Номер патента: US09673757B2. Автор: Min-Hwa Chi,Yanxiang Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Fin field effect transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US09716178B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Fin field effect transistor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09634125B2. Автор: Yi-Wei Chen,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Chung-Fu Chang,Chia-Jong Liu,Yen-Liang Wu,Man-Ling Lu,Wen-Jiun Shen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Interconnects for vertical-transport field-effect transistors

Номер патента: US09887192B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Thin film tunnel field effect transistors having relatively increased width

Номер патента: US20200168636A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Brian S. Doyle,Ravi Pillarisetty,Elijah V. KARPOV,Prashant Majhi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Field-effect transistors having black phosphorus channel and methods of making the same

Номер патента: US09929282B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Ling-Yen Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Group III-Nitride compound heterojunction tunnel field-effect transistors and methods for making the same

Номер патента: US09954085B2. Автор: Debdeep Jena,Patrick Fay,Wenjun Li,Lina Cao. Владелец: University of Notre Dame . Дата публикации: 2018-04-24.

Circuit Including a Field-Effect Transistor and a Bipolar Transistor

Номер патента: US20190074374A1. Автор: Gary Horst Loechelt. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-03-07.

Structure of a field effect transistor having metallic silicide and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070158757A1. Автор: Takashi Ichimori,Norio Hirashita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-12.

Group III-nitride compound heterojunction tunnel field-effect transistors and methods for making the same

Номер патента: US09905647B2. Автор: Debdeep Jena,Patrick Fay,Wenjun Li. Владелец: University of Notre Dame . Дата публикации: 2018-02-27.

Methods of fabricating vertical channel field effect transistors having insulating layers thereon

Номер патента: US20070066018A1. Автор: Tai-su Park,Jong-ho Lee,Si-Young Choi,U-In Chung,Eui-Joon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-22.

Field effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20240128324A1. Автор: Chung-Yi Chiu,Li-Han Chen,Kuo-Chih Lai,Shih-Min Chou,Nien-Ting Ho,Wei-Ming Hsiao,Szu-Yao Yu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for producing a vertical field-effect transistor structure and corresponding vertical field-effect transistor structure

Номер патента: US20240371928A1. Автор: Daniel Krebs,Kevin Dannecker. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-11-07.

Tunneling field effect transistors (TFETs) for CMOS architectures and approaches to fabricating N-type and P-type TFETs

Номер патента: US09911835B2. Автор: Gilbert Dewey,Ian A. Young,Uygar E. Avci,Roza Kotlyar,Benjamin Chu-Kung,Kelin J. Kuhn,Stephen M. Cea,Rafael Rios,Anurag Chaudhry,Thomas D. Linton, Jr.. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Field-effect transistors having black phosphorus channel and methods of making the same

Номер патента: US09620627B1. Автор: Yee-Chia Yeo,Ling-Yen Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Tunnel field-effect transistor (TFET) with supersteep sub-threshold swing

Номер патента: US09748368B2. Автор: Abhijit MALLIK. Владелец: University of Calcutta. Дата публикации: 2017-08-29.

Pillar-type field effect transistor having low leakage current

Номер патента: US09564200B2. Автор: Jong-ho Lee. Владелец: SNU R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2017-02-07.

Method for producing a vertical field-effect transistor structure and corresponding vertical field-effect transistor structure

Номер патента: US20240290880A1. Автор: Daniel Krebs,Kevin Dannecker. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-08-29.

Lateral field-effect transistor having an insulated trench gate electrode

Номер патента: EP1639651A1. Автор: Raymond J. E. Philips Intellectual HUETING,Erwin A. Philips Intellectual Property HIJZEN. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-03-29.

Memory cells comprising a programmable field effect transistor having a reversibly programmable gate insulator

Номер патента: US09947687B2. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Field-effect transistor using oxide film to transmit information and preparation method thereof

Номер патента: RU2400865C2. Автор: Тацуя ИВАСАКИ,Хидея КУМОМИ,Тацуя ИВАСАКИ (JP),Хидея КУМОМИ (JP). Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2010-09-27.

Field effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US7453124B2. Автор: Alberto O Adan. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-11-18.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240274684A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050085036A1. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-21.

Cascade Tunneling Field Effect Transistors

Номер патента: US20190348536A1. Автор: Tillmann C. Kubis,Prasad Sarangapani. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2019-11-14.

Three-dimensional memory device containing peripheral circuit with fin and planar field effect transistors and method of making thereof

Номер патента: US20240371760A1. Автор: Mohan DUNGA,Satoru Mayuzumi,Sudarshan Narayanan. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Power field effect transistor, a power field effect transistor device and a method of manufacturing a power field effect transistor

Номер патента: US09660044B2. Автор: Jean Michel Reynes,Pierre Jalbaud,Dale Neil VAUGHAN,Graeme John Anderson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Heterojunction tunnel field effect transistor fabrication using limited lithography steps

Номер патента: US09614042B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Heterosection tunnel field-effect transistor (TFET)

Номер патента: US09608094B2. Автор: Anne S. Verhulst,Rita Rooyackers,Geoffrey Pourtois. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-03-28.

N-type and P-type tunneling field effect transistors (TFETs)

Номер патента: US9412872B2. Автор: Gilbert Dewey,Ian A. Young,Uygar E. Avci,Roza Kotlyar,Benjamin Chu-Kung,Kelin J. Kuhn,Stephen M. Cea,Rafael Rios,Anurag Chaudhry,Thomas D. Linton, Jr.. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Silicon carbide metal-insulator semiconductor field effect transistor

Номер патента: CA2257232A1. Автор: Ranbir Singh,John W. Palmour. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-12-11.

Silicon carbide metal-insulator semiconductor field effect transistor

Номер патента: CA2257232C. Автор: Ranbir Singh,John W. Palmour. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2004-03-30.

Field effect transistors having ferroelectric or antiferroelectric gate dielectric structure

Номер патента: EP3688815A1. Автор: Ian A. Young,Uygar E. Avci,Daniel H. Morris,Seiyon Kim,Joshua M. HOWARD. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-08-05.

Method of forming fin field effect transistor having tapered sidewalls

Номер патента: US09825150B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Thin film transistor and fabrication method thereof, array substrate, and display device

Номер патента: US09716108B2. Автор: Jun Cheng,Guangcai Yuan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Tunnel field-effect transistor (TFET) with lateral oxidation

Номер патента: US10312355B2. Автор: Han Zhao,Jack C. Lee. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2019-06-04.

Tunnel field-effect transistor (tfet) with supersteep sub-threshold swing

Номер патента: WO2015001399A1. Автор: Abhijit MALLIK. Владелец: University of Calcutta. Дата публикации: 2015-01-08.

Tunnel field-effect transistor (tfet) with lateral oxidation

Номер патента: US20180108761A1. Автор: Han Zhao,Jack C. Lee. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2018-04-19.

Tunnel field-effect transistor (tfet) with supersteep sub-threshold swing

Номер патента: US20160141398A1. Автор: Abhijit MALLIK. Владелец: University of Calcutta. Дата публикации: 2016-05-19.

Vertical tunneling field effect transistor with dual liner bottom spacer

Номер патента: US20210104440A1. Автор: Kangguo Cheng,Eric Miller,Marc A. Bergendahl,Sean TEEHAN,John SPORRE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-08.

Tunnel field effect transistor (TFET) with lateral oxidation

Номер патента: US9853135B2. Автор: Han Zhao,Jack C. Lee. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device having a fin structure and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20190259840A1. Автор: Yong-Seung Kim,Dong-Suk Shin,Dong-Woo Kim,Kwan-Heum Lee,Hyun-Ho NOH,Yu-yeong Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-22.

Normally-closed device and fabrication method thereof

Номер патента: US20220285538A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Thin film transistor and fabricating method thereof, and array substrate

Номер патента: US10535781B2. Автор: Lin Chen,Mengyu Luan,Chengshao Yang,Haijiao QIAN. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-14.

Vertical ferroelectric field effect transistor constructions, constructions comprising a pair of vertical ferroelectric field effect transistors, vertical strings of ferroelectric field effect transistors, and vertical strings of laterally opposing pairs of vertical ferroelectric field effect transistors

Номер патента: WO2015023403A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Chandra Mouli,Kamal M. Karda. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-02-19.

Thin film transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US20020005540A1. Автор: Dong Kim,Kyo Moon. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-17.

Active element and fabricating method thereof

Номер патента: US20160190342A1. Автор: Chia-Ming Chiang,Chih-Wen Lai,hao-wei Wang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Thin film transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US20020121667A1. Автор: Dong Kim,Kyo Moon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Termination structures for trench-gate field-effect transistors

Номер патента: US20220013647A1. Автор: Takashi Ogura,Takashi Hiroshima,Toshimitsu Taniguchi. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240355933A1. Автор: Gang Wu,Shiwei HE,Yongjian Yu,Guoguo Kong,Mingru Ge,Wangqin Yang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Thin film transistor and fabrication method thereof, array substrate and display panel

Номер патента: US09721976B2. Автор: Lung Pao Hsin. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Thin film transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US09660060B2. Автор: Chih-Pang Chang,Tzu-Yin Kuo. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-05-23.

Thin-film transistor and fabricating method thereof, array substrate and display apparatus

Номер патента: US09608011B2. Автор: Ying Zhang,Xin Li,Hong Zhu,Hongjun Yu. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of making high voltage vertical field effect transistor with improved safe operating area

Номер патента: US4970173A. Автор: Stephen P. Robb. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1990-11-13.

Integrated circuit including field effect transistors having a contact on active gate compatible with a small cell area having a small contacted poly pitch

Номер патента: US20190148298A1. Автор: RWIK Sengupta,Mark Rodder,Titash Rakshit,Joon Goo Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-16.

Method for Operating Field-Effect Transistor, Field-Effect Transistor and Circuit Configuration

Номер патента: US20140184306A1. Автор: Markus Zundel,Peter Nelle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-07-03.

Tunnelling field effect transistor

Номер патента: US09793351B2. Автор: Jin He,Dan Li,Haijun LOU,Xinnan LIN. Владелец: Peking University Shenzhen Graduate School. Дата публикации: 2017-10-17.

Field effect transistor having staggered field effect transistor cells

Номер патента: EP3539158A1. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2019-09-18.

Field effect transistor having staggered field effect transistor cells

Номер патента: WO2018089424A1. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2018-05-17.

Composite group III-V and group IV transistor having a switched substrate

Номер патента: US09461034B2. Автор: YANG Pan,Mohamed Imam. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Omega Shaped Nanowire Tunnel Field Effect Transistors

Номер патента: US20120138900A1. Автор: Josephine B. Chang,Isaac Lauer,Jeffrey W. Sleight,Sarunya Bangsaruntip. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-06-07.

Vertical tunneling field-effect transistor cell with coaxially arranged gate contacts and drain contacts

Номер патента: US09466714B2. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Cheng-Cheng Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Multi-gate tunnel field-effect transistor (TFET)

Номер патента: US09741848B2. Автор: Mohammad Ali Pourghaderi,Alireza Alian. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-08-22.

Mobility enhancement by strained channel CMOSFET with single workfunction metal-gate and fabrication method thereof

Номер патента: US20070069298A1. Автор: Zing-Way Pei,Yu-Ming Lin,Min-Hung Lee,Wen Hsieh,Shin-Chii Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-03-29.

Field Effect Transistor Device

Номер патента: US20240304729A1. Автор: Dongli Zhang,Mingxiang WANG,Lekai Chen,Huaisheng WANG. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-09-12.

Three-dimensional memory device having non-uniform spacing among memory stack structures and method of making thereof

Номер патента: US09929174B1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Akihiro Ueda,Fumiaki TOYAMA,Yuki Mizutani,Masaaki Higashitani,Fumitaka Amano,Kota Funayama. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-27.

Organic light emitting diode display, and fabricating and inspecting methods thereof

Номер патента: CN104701348A. Автор: 郑宇喆,康任局,尹圣埈. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-10.

Heterojunction bipolar transistor having non-uniformly doped collector for improved safe-operating area

Номер патента: US20040065897A1. Автор: Yan Chen,Chien Lee,Nanlei Wang,Barry Lin,Hin Chau,Clarence Dunnrowicz. Владелец: Eic Corp. Дата публикации: 2004-04-08.

Nanowire Field Effect Transistor Detection Device and the Detection Method thereof

Номер патента: US20190206990A1. Автор: Chii Dong CHEN,Li Chu TSAI,Chia Jung CHU,Ying Pin WU. Владелец: Academia Sinica. Дата публикации: 2019-07-04.

Nanowire field effect transistor detection device and the detection method thereof

Номер патента: US10784343B2. Автор: Chii Dong CHEN,Li Chu TSAI,Chia Jung CHU,Ying Pin WU. Владелец: Academia Sinica. Дата публикации: 2020-09-22.

Semi-metal tunnel field effect transistor

Номер патента: WO2017046024A1. Автор: James Greer,Lida ANSARI,Giorgos FAGAS. Владелец: University College Cork. Дата публикации: 2017-03-23.

Semi-metal tunnel field effect transistor

Номер патента: EP3350840A1. Автор: James Greer,Lida ANSARI,Giorgos FAGAS. Владелец: University College Cork. Дата публикации: 2018-07-25.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09418896B2. Автор: Kang-ill Seo,Jin-Wook Lee,Yong-min Cho,Hyun-Jae Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-16.

Fin field-effect transistor (FinFET) resonator

Номер патента: US12057821B2. Автор: Harald Pretl,Ehrentraud Hager. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Transistor having dielectric stressor elements for applying in-plane shear stress

Номер патента: US20070096223A1. Автор: Dureseti Chidambarrao,Kern Rim,Brian Greene. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-05-03.

Semiconductor devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US09768169B2. Автор: Jung-Gun You,Sug-Hyun Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device, FinFET transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09799676B2. Автор: Ming Zhou,Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Fin field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09871120B2. Автор: Xiaopeng Yu,Youfeng He,Zhengling Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Fin field-effct transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20150380241A1. Автор: Xiaopeng Yu,Youfeng He,Zhengling Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-12-31.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US09837534B2. Автор: Takashi Yokoyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US20170053914A1. Автор: Takeshi Ishitsuka,Hiroko Tashiro. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-02-23.

Semiconductor Device Including a Ferroelectric Field-Effect Transistor, and Semiconductor Integrated Circuit Device Employing Same

Номер патента: US20080151599A1. Автор: Masato Moriwake,Daisuke Nishinohara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2008-06-26.

Ferroelectric field-effect transistor with high permittivity interfacial layer

Номер патента: US20240234574A9. Автор: Sayeef Salahuddin,Ava Jiang TAN. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-07-11.

Single-Gate Field Effect Transistor and Method for Modulating the Drive Current Thereof

Номер патента: US20230120523A1. Автор: Dongli Zhang,Jinfeng Zhao,Mingxiang WANG,Huaisheng WANG. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-04-20.

Single-gate field effect transistor and method for modulating the drive current thereof

Номер патента: US11908935B2. Автор: Dongli Zhang,Jinfeng Zhao,Mingxiang WANG,Huaisheng WANG. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-02-20.

FinFET fabrication method using buffer layers between channel and semiconductor substrate

Номер патента: US09425101B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Stacked vertical-transport field-effect transistors

Номер патента: US09824933B1. Автор: Bartlomiej J. Pawlak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

FinFET having buffer layer between channel and substrate

Номер патента: US09608115B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Field-effect transistor

Номер патента: US09698235B2. Автор: Hiroyuki Ota,Koichi Fukuda,Shinji Migita. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof, memory systems

Номер патента: US20240164117A1. Автор: LAN Yao,CHENG Chen,Jing Li,Quan Zhang,Yanwei Shi,Boru Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Heterogeneous pocket for tunneling field effect transistors (TFETs)

Номер патента: US09871106B2. Автор: Gilbert Dewey,Ian A. Young,Uygar E. Avci,Roza Kotlyar,Benjamin Chu-Kung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Field effect transistor with a negative capacitance gate structure

Номер патента: US20220344471A1. Автор: Igor Lukyanchuk,Yurii TIKHONOV,Valerii VINOKOUR,Anna Razumnaya. Владелец: Terra Quantum AG. Дата публикации: 2022-10-27.

Electrostatic discharge (esd) protection circuits using tunneling field effect transistor (tfet) and impact ionization mosfet (imos) devices

Номер патента: US20230318287A1. Автор: Radhakrishnan Sithanandam. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-10-05.

Field effect transistor with a negative capacitance gate structure

Номер патента: AU2022202468A1. Автор: Igor Lukyanchuk,Yurii TIKHONOV,Valerii VINOKOUR,Anna Razumnaya. Владелец: Terra Quantum AG. Дата публикации: 2022-11-03.

Field effect transistor with a negative capacitance gate structure

Номер патента: CA3156440A1. Автор: Igor Lukyanchuk,Yurii TIKHONOV,Valerii VINOKOUR,Anna Razumnaya. Владелец: Terra Quantum AG. Дата публикации: 2022-10-15.

Field effect transistor with a negative capacitance gate structure

Номер патента: AU2022202468B2. Автор: Igor Lukyanchuk,Yurii TIKHONOV,Valerii VINOKOUR,Anna Razumnaya. Владелец: Terra Quantum AG. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor Device and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20080079098A1. Автор: Ji Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor having a consistent channel width

Номер патента: US09893169B1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Chemically-sensitive field effect transistors, systems and methods for manufacturing and using the same

Номер патента: US09857328B2. Автор: Paul Hoffman. Владелец: Agilome Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor having a consistent channel width

Номер патента: US09837405B1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Ferroelectric field-effect transistor with high permittivity interfacial layer

Номер патента: US20240136437A1. Автор: Sayeef Salahuddin,Ava Jiang TAN. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-04-25.

Metal oxide semiconductor field effect transistor having a relatively high doped region in the channel for improved linearity

Номер патента: US20020125509A1. Автор: Larry M. Tichauer. Владелец: Ophir RF Inc. Дата публикации: 2002-09-12.

Ferroelectric field effect transistors based approach for euclidean distance calculation in neuromorphic hardware

Номер патента: US20240194237A1. Автор: Rashmi Jha,Siddharth Barve. Владелец: Universty Of Cincinnati. Дата публикации: 2024-06-13.

Enhancement-mode field effect transistor having metal oxide channel layer

Номер патента: US09680030B1. Автор: Albert Chin,Chen-Wei Shih. Владелец: Advanced Device Research Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device structures with self-aligned fin structure(s) and fabrication methods thereof

Номер патента: US09478661B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Insulated gate field effect transistor with source field shield extending over multiple region channel

Номер патента: US4172260A. Автор: Isao Yoshida,Mineo Katsueda,Takeaki Okabe,Shikayuki Ochi,Yukio Shirota,Hidefumi Itoh,Masatomo Furumi,Toru Toyabe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1979-10-23.

Cmos transistors having differentially stressed spacers

Номер патента: US20130134523A1. Автор: Bruce B. Doris,Sanjay C. Mehta,Balasubramanian S. Haran,Lahir S. Adam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-30.

High frequency field-effect transistor

Номер патента: EP2269219A1. Автор: Lukas Frederik Tiemeijer. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-01-05.

High frequency field-effect transistor

Номер патента: US20110024835A1. Автор: Lukas Frederik Tiemeijer. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-02-03.

High frequency field-effect transistor

Номер патента: WO2009128035A1. Автор: Lukas Frederik Tiemeijer. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2009-10-22.

Microelectronic device with two field-effect transistors

Номер патента: US20240030221A1. Автор: Sylvain Barraud,Joris Lacord. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-01-25.

Field effect transistor including strained germanium fins

Номер патента: US20170148680A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Normally-off field effect transistor

Номер патента: US09887267B2. Автор: Michael Shur,Grigory Simin. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Field effect transistor including strained germanium fins

Номер патента: US09799568B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09761716B2. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Field effect transistor devices having interconnect structures and manufacturing method thereof

Номер патента: US09627316B1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Field effect transistor including strained germanium fins

Номер патента: US09570443B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device integrated with memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190273119A1. Автор: Zhi-Biao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Field effect transistor and manufacturing method therefor, and switching circuit and circuit board

Номер патента: EP4300549A1. Автор: Yuhua Zhang,Xingfei Ke,Mingtao Zhou,Mengqi Yang,Gaochao XU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-03.

Field-effect transistor having improved layout

Номер патента: NL2024135B1. Автор: Valk Patrick. Владелец: Ampleon Netherlands Bv. Дата публикации: 2021-07-19.

Field-effect transistor having improved layout

Номер патента: WO2021086189A1. Автор: Patrick Valk. Владелец: Ampleon Netherlands B.V.. Дата публикации: 2021-05-06.

Field-effect transistor having improved layout

Номер патента: EP4052300A1. Автор: Patrick Valk. Владелец: Samba Holdco Netherlands BV. Дата публикации: 2022-09-07.

Thin-film field effect transistor, driving method thereof, array substrate, display device, and electronic product

Номер патента: US09515191B2. Автор: Bo Wu,Xiaojing QI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Fin field-effect transistor (finfet) based semiconductor memory array having memory cells with a reduced surface area

Номер патента: EP4326024A3. Автор: Andreas Burg,Robert GITERMAN,Halil Andac Yigit. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2024-05-29.

Tunneling field effect transistor structure and method for forming the same

Номер патента: US20130105764A1. Автор: Jing Wang,Jun Xu,Renrong Liang,Ning Cui. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-05-02.

Fin field-effect transistor (FinFET) based semiconductor memory array having memory cells using a reduced surface area

Номер патента: US12068027B2. Автор: Andreas Burg,Robert GITERMAN,Halil Andac Yigit. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2024-08-20.

Single field effect transistor capacitor-less memory device and method of operating the same

Номер патента: US09508854B2. Автор: Arnab Biswas,Mihai Adrian Ionescu,Nilay DAGTEKIN. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2016-11-29.

Substrate of semiconductor device and fabrication method thereof as well as semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20020014626A1. Автор: Hisashi Ohtani,Shunpei Yamazaki,Satoshi Teramoto,Setsuo Nakajima,Toshiji Hamatani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-07.

Process for producing an MOS field effect transistor with a recombination zone

Номер патента: US20020081785A1. Автор: Friedrich Kröner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-06-27.

Substrate of semiconductor device and fabrication method thereof as well as semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20050032339A1. Автор: Hisashi Ohtani,Shunpei Yamazaki,Satoshi Teramoto,Setsuo Nakajima,Toshiji Hamatani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-10.

A vertical channel-all-around metal-antiferroelectric-metal-insulator-semiconductor field effect transistor

Номер патента: WO2024091179A1. Автор: Dong Zhang,Xiao Gong,Zijie ZHENG,Leming JIAO,Zuopu ZHOU. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for fabricating a field-effect transistor having a floating gate

Номер патента: US20030119261A1. Автор: Franz Hofmann,Robert Strenz,Georg Tempel,Robert Wiesner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-06-26.

Array substrate and fabrication method thereof and display panel

Номер патента: US20190067339A1. Автор: Haihong Zheng. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Array substrate and fabrication method thereof and display device

Номер патента: US09804463B2. Автор: Qi Yao,Zhanfeng CAO,Xiaoyang Tong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

UV mask and fabrication method thereof

Номер патента: US09638845B2. Автор: Sung Hun Song. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Amplifiers including tunable tunnel field effect transistor pseudo resistors and related devices

Номер патента: US09526436B2. Автор: Jing Wang,Nuo XU,Woosung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09502517B2. Автор: Jun Cheng,Guangcai Yuan,Dongfang Wang,Xiangyong Kong,Ce ZHAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09437487B2. Автор: Shi Shu,Feng Zhang,Feng Gu,Fang He,Yaohui GU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Tunneling field effect transistor structure and method for forming the same

Номер патента: US8853674B2. Автор: Jing Wang,Jun Xu,Renrong Liang,Ning Cui. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-10-07.

Field-Effect Transistor, Production Method Thereof, Switching Circuit, and Circuit Board

Номер патента: US20240030351A1. Автор: Yuhua Zhang,Xingfei Ke,Mingtao Zhou,Mengqi Yang,Gaochao XU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Field effect transistor having high breakdown withstand capacity

Номер патента: EP1063705A3. Автор: Hideyuki c/o Shindengen Electric Manuf. Nakamura,Nobuki c/o Shindengen Electric Manuf. Miyakoshi. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-21.

Liquid crystal display and fabricating method thereof

Номер патента: US20020001868A1. Автор: Tae-Hyung Ihn,Seung-Ki Joo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Thin film transistor having an annealed gate oxide and method of making same

Номер патента: US4633284A. Автор: Zvi Yaniv,Vincent D. Cannella,Gregory L. Hansell. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 1986-12-30.

Fin Field-Effect Transistor (FinFET) Based Semiconductor Memory Array Having Memory Cells Using A Reduced Surface Area

Номер патента: US20240062811A1. Автор: Andreas Burg,Robert GITERMAN,Halil Andac Yigit. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2024-02-22.

Fin field-effect transistor (finfet) based semiconductor memory array having memory cells with a reduced surface area

Номер патента: EP4326024A2. Автор: Andreas Burg,Robert GITERMAN,Halil Andac Yigit. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2024-02-21.

Single event transient hardened majority carrier field effect transistor

Номер патента: US20090230440A1. Автор: Keith Golke,James Seefeldt, III. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2009-09-17.

Photosensitive field-effect transistor including a two-dimensional material

Номер патента: EP3707754A1. Автор: Mark Allen,Alexander Bessonov. Владелец: EMBERION OY. Дата публикации: 2020-09-16.

Photosensitive field-effect transistor including a two-dimensional material

Номер патента: WO2019092313A1. Автор: Mark Allen,Alexander Bessonov. Владелец: EMBERION OY. Дата публикации: 2019-05-16.

Electro-static discharge assembly, array substrate and fabrication method thereof, and display panel

Номер патента: US20180204830A1. Автор: Xiaodong Pan,Zhiming Hu,Chunxiang NAN,Chen Ting LIU. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Semiconductor structure, memory structure and fabrication methods thereof

Номер патента: US20220415898A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09893090B2. Автор: Heecheol KIM,Seungjin Choi,Youngsuk Song,Seongyeol Yoo. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Field-effect transistors with a non-relaxed strained channel

Номер патента: US09871057B2. Автор: Karen A. Nummy,Claude Ortolland. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Field effect transistor with a multilevel gate electrode for integration with a multilevel memory device

Номер патента: US09620512B1. Автор: Masatoshi Nishikawa,Fumiaki TOYAMA,Junji Oh,Hiroaki Koketsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-11.

Field effect Trench transistor having lightly doped epitaxial region on the surface portion thereof

Номер патента: US5910669A. Автор: Fwu-Iuan Hshieh,King Owyang,Mike F. Chang,Sze-Hon Kwan. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 1999-06-08.

Method for fabricating complementary tunneling field effect transistor based on standard cmos ic process

Номер патента: US20140220748A1. Автор: ZHAN Zhan,Ru Huang,Qianqian Huang,Yingxin Qiu,Yangyuan Wang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-08-07.

Structure and method for bipolar transistor having non-uniform collector-base junction

Номер патента: US7482673B2. Автор: Marwan H. Khater. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-01-27.

Bipolar device having non-uniform depth base-emitter junction

Номер патента: US6803642B2. Автор: Gregory G. Freeman,Jae-Sung Rieh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-10-12.

Tunneling field effect transistor switch device

Номер патента: US20100295058A1. Автор: Jin Cho. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2010-11-25.

Tunnel field effect transistor with improved subthreshold swing

Номер патента: EP2309544A3. Автор: Anne S. Verhulst. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2012-10-10.

Mps diode having a non-uniformly doped region and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240097046A1. Автор: Massimo Cataldo MAZZILLO. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-03-21.

3D fin tunneling field effect transistor

Номер патента: US09508597B1. Автор: Xin Sun,Tenko Yamashita,Zuoguang Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Self-aligned trench field effect transistors with regrown gates and bipolar junction transistors with regrown base contact regions and methods of making

Номер патента: CA2632233A1. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-14.

Tunneling Field Effect Transistor and Manufacturing Method Thereof, Display Panel and Display Apparatus

Номер патента: US20240297243A1. Автор: Jie Huang,Kun Zhao,Yan Qu,Zhengliang Li,Feifei Li,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Jiayu HE,Nianqi YAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Two-dimensional electrostrictive field effect transistor (2d-efet)

Номер патента: US20200335637A1. Автор: Saptarshi Das. Владелец: PENN STATE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2020-10-22.

Self-aligned trench field effect transistors with regrown gates and bipolar junction transistors with regrown base contact regions and methods of making

Номер патента: US20120305994A1. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: SS SC IP LLC. Дата публикации: 2012-12-06.

Self-aligned trench field effect transistors with regrown gates and bipolar junction transistors with regrown base contact regions and methods of making

Номер патента: EP1969617A1. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2008-09-17.

Tunnel field effect transistor device and method for making the device

Номер патента: US9070720B2. Автор: Marc Heyns,Anne S. Verhulst,Rita Rooyackers,Quentin Smets. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2015-06-30.

Low-power consumption tunneling field-effect transistor with finger-shaped gate structure

Номер патента: US20120223361A1. Автор: ZHAN Zhan,Ru Huang,Qianqian Huang,Yangyuan Wang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-09-06.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US09543378B2. Автор: Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Heterojunction bipolar transistor having non-uniformly doped collector for improved safe-operating area

Номер патента: TW200605233A. Автор: Yan Chen,Chien-Ping Lee,Clarence John Dunnrowicz,Barry Jia-Fu Lin,Frank Hin Fai Chau,Nan-Lei Larry Wang. Владелец: WJ Communications Inc. Дата публикации: 2006-02-01.

Memory cell using a dielectric having non-uniform thickness

Номер патента: TW200746401A. Автор: Craig T Swift,Gowrishankar L Chindalore. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-12-16.

Memory cell using a dielectric having non-uniform thickness

Номер патента: WO2007111732A3. Автор: Craig T Swift,Gowrishankar L Chindalore. Владелец: Gowrishankar L Chindalore. Дата публикации: 2008-05-02.

Memory cell using a dielectric having non-uniform thickness

Номер патента: WO2007111732A2. Автор: Gowrishankar L. Chindalore,Craig T. Swift. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-10-04.

Reduced scale resonant tunneling field effect transistor

Номер патента: WO2014099019A1. Автор: Ian A. Young,Dmitri E. Nikonov,Uygar E. Avci. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2014-06-26.

Reduced scale resonant tunneling field effect transistor

Номер патента: US09583566B2. Автор: Ian A. Young,Dmitri E. Nikonov,Uygar E. Avci. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Carbon field effect transistors having charged monolayers to reduce parasitic resistance

Номер патента: GB2504643A. Автор: Shu-Jen Han,Hsin-Ying Chiu,Hareem T Maune. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-05.

Reconfigurable tunnel field-effect transistors

Номер патента: US9293467B2. Автор: Heike E. Riel,Kirsten E. Moselund. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-22.

Tunneling field effect transistors and transistor circuitry employing same

Номер патента: US09941117B2. Автор: Paul R. Berger. Владелец: Ohio State Innovation Foundation. Дата публикации: 2018-04-10.

Transistor with MIS connections and fabricating process

Номер патента: US09831319B2. Автор: Yves Morand,Fabrice Nemouchi,Heimanu Niebojewski,Louis HUTIN,Julien BORREL. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-11-28.

Mos transistors having inverted t-shaped gate electrodes and fabrication methods thereof

Номер патента: US20070096217A1. Автор: Sung-min Kim,Shin-Ae Lee,Dong-gun Park,Seong-Ho Kim,Chang-Sub Lee,Jeong-Dong Choe. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-03.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12046647B2. Автор: King Yuen Wong,Hang Liao,Lijie Zhang. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20170365514A1. Автор: Lan-Lin Chao,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190259848A1. Автор: Lan-Lin Chao,Chi-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-22.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11735635B2. Автор: Lan-Lin Chao,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09754827B1. Автор: Lan-Lin Chao,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Field effect transistor having improved gate structures

Номер патента: WO2021061252A1. Автор: Jeffrey R. LaRoche,John P. Bettencourt,Kelly P. Ip,Paul J. Duval. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2021-04-01.

Method of making asymmetrically optimized CMOS field effect transistors

Номер патента: US4874713A. Автор: Samuel C. Gioia. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1989-10-17.

CHARGE TRANSFER LOGIC (CTL) USING COMPLEMENTARY CURRENT FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES (CiFET) AND / OR COMPLEMENTARY SWITCHED CURRENT FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES (CsiFET)

Номер патента: US20210020766A1. Автор: Terrence R. Hudrlik,Susan Marya SCHOBER,Robert C. Schober,Aaron CURRY,Timothy Howard Richards. Владелец: Circuit Seed LLC. Дата публикации: 2021-01-21.

Nitride-based transistors and fabrication methods with an etch stop layer

Номер патента: EP1905097A2. Автор: Scott T. Allen,Scott T. Sheppard,Richard P. Smith,Andrew K. Mackenzie. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2008-04-02.

Field effect transistor having field plate

Номер патента: AU2020375557B2. Автор: Michael S. Davis,Eduardo M. Chumbes,Brian T. APPLETON JR.. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-09-05.

Tunnel field-effect transistor

Номер патента: GB2506558A. Автор: Phillip Stanley-Marbell,Kirsten Emilie Moselund,Andreas Christian Doering,Mikael T Bjoerk. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-04-02.

Multi-bit memory unit and fabrication method thereof

Номер патента: US6858495B2. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-22.

Multi-bit memory unit and fabrication method thereof

Номер патента: US20050035388A1. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-17.

Multi-bit memory unit and fabrication method thereof

Номер патента: US20030235967A1. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-25.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12068373B2. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Read-only memory cell and fabrication method thereof

Номер патента: US20050087823A1. Автор: Ying-Cheng Chuang,Ching-Nan Hsiao,Chao-Sung Lai,Yung-Meng Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-28.

Mps diode having a non-uniformly doped region and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4340034A1. Автор: Massimo Cataldo MAZZILLO. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-03-20.

Mps diode having non-uniformly spaced wells and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4340035A1. Автор: Massimo Cataldo MAZZILLO. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-03-20.

Mps diode having non-uniformly spaced wells and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240097048A1. Автор: Massimo Cataldo MAZZILLO. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-03-21.

Mps diode having non-uniformly spaced wells and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240097049A1. Автор: Massimo Cataldo MAZZILLO. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-03-21.

One-time programmable memory based on 3d stacked array and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: KR102555572B1. Автор: 김재성,박준희,권희태,윤 김. Владелец: 서울시립대학교 산학협력단. Дата публикации: 2023-07-13.

Bonded unified semiconductor chips and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: EP3891788A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

Bonded unified semiconductor chips and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: US20220093614A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Tunnel field-effect transistor, method for manufacturing same, and switch element

Номер патента: US09634114B2. Автор: Takashi Fukui,Katsuhiro Tomioka. Владелец: Hokkaido University NUC. Дата публикации: 2017-04-25.

Nand flash memory array with cut-off gate line and methods for operating and fabricating the same

Номер патента: US20110256680A1. Автор: Byung-gook Park,Seongjae Cho. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY INDUSTRY FOUNDATION. Дата публикации: 2011-10-20.

Method of making a field effect transistor having an elevated source and an elevated drain

Номер патента: US6057200A. Автор: Sujit Sharan,Kirk Prall,Pai-Hung Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-05-02.

Method of manufacturing junction field effect transistor

Номер патента: US09627433B2. Автор: Hideomi Kumano. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Fabrication method for reduced-dimension integrated circuits

Номер патента: WO1998034268A3. Автор: Somit Talwar,Karl-Josef Kramer,Kurt Weiner,Guarav Verma. Владелец: Ultratech Stepper Inc. Дата публикации: 1999-02-18.

Fabrication method for reduced-dimension integrated circuits

Номер патента: EP1012879B1. Автор: Somit Talwar,Karl-Josef Kramer,Kurt Weiner,Guarav Verma. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2002-09-04.

Process of forming a field effect transistor without spacer mask edge defects

Номер патента: US5956590A. Автор: Shu-Jen Chen,Yong-Fen Hsieh,Joe Ko. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-09-21.

Sonos memory cells having non-uniform tunnel oxide and methods for fabricating same

Номер патента: US20130277732A1. Автор: Gang Xue,Shenqing Fang,Wenmei Li,Inkuk Kang. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2013-10-24.

SONOS MEMORY CELLS HAVING NON-UNIFORM TUNNEL OXIDE AND METHODS FOR FABRICATING SAME

Номер патента: US20130277732A1. Автор: Li Wenmei,FANG Shenqing,XUE Gang,KANG Inkuk. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-24.

Manufacture of semiconductor device having non-uniform distribution of impurity concentration

Номер патента: JPS60251631A. Автор: Junichi Nishizawa,潤一 西澤. Владелец: Semiconductor Research Foundation. Дата публикации: 1985-12-12.

Electrochemically-gated field-effect transistor, methods for its manufacture, its use, and electronics comprising said field-effect transistor

Номер патента: US20140319466A1. Автор: Horst Hahn,Subho Dasgupta,Babak Nasr. Владелец: Karlsruher Institut fuer Technologie KIT. Дата публикации: 2014-10-30.

Adjustable Electrically Biased Suspended Graphene Field Effect Transistor

Номер патента: NL2034511A. Автор: Shan Dan,TANG Mingjun,Chen Xuesheng,Shi Fanfeng,Wang Menglong,Yang Ruihong,Sun Daoyuan,Cao Yunquing. Владелец: Yangzhou Polytechnic Inst. Дата публикации: 2023-06-29.

Adjustable Electrically Biased Suspended Graphene Field Effect Transistor

Номер патента: NL2034511B1. Автор: Shan Dan,TANG Mingjun,Chen Xuesheng,Shi Fanfeng,Wang Menglong,Yang Ruihong,Sun Daoyuan,Cao Yunquing. Владелец: Yangzhou Polytechnic Inst. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor devices including nanowire capacitors and fabricating methods thereof

Номер патента: US09646971B2. Автор: Han-jin Lim,Ki-Vin Im,Kong-Soo Lee,Dong-Hyun Im,Jin-Won MA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Tunneling field-effect transistor with a plurality of nano-wires and fabrication method thereof

Номер патента: US20170194428A1. Автор: Yang-Kyu Choi,Jun-Young Park. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-07-06.

Tunneling field-effect transistor with a plurality of nano-wires and fabrication method thereof

Номер патента: US09997596B2. Автор: Yang-Kyu Choi,Jun-Young Park. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-06-12.

Sense amplifier configuration having a field-effect transistor having a short channel length and an adjustable threshold voltage

Номер патента: US6417722B1. Автор: Helmut Schneider,Jürgen Lindolf,Hermann Ruckerbauer,Thomas Borst. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-07-09.

Isolated gate field effect transistor and manufacture method thereof

Номер патента: US09722064B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Gate structure for field effect transistor

Номер патента: WO2009133515A1. Автор: Markus Mueller,Jasmine Petry,Guillaume Boccardi. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2009-11-05.

High-voltage depletion-mode current source, transistor, and fabrication methods

Номер патента: US20220399328A1. Автор: Michael Lueders,Chang Soo Suh,Maik Peter Kaufmann. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-12-15.

Method of forming field effect transistors relative to a semiconductor substrate and field effect transistors produced according to the method

Номер патента: US5597746A. Автор: Kirk Prall. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1997-01-28.

Systems and methods for cmos-integrated junction field effect transistors for dense and low-noise bioelectronic platforms

Номер патента: US20150214384A1. Автор: Kenneth L. Shepard,Jacob Rosenstein,Ryan Michael Field,Dan Fleischer. Владелец: Columbia University in the City of New York. Дата публикации: 2015-07-30.

Systems and methods for cmos-integrated junction field effect transistors for dense and low-noise bioelectronic platforms

Номер патента: US20170317219A1. Автор: Kenneth L. Shepard. Владелец: Columbia University in the City of New York. Дата публикации: 2017-11-02.

Systems and methods for CMOS-integrated junction field effect transistors for dense and low-noise bioelectronic platforms

Номер патента: US09741870B2. Автор: Kenneth L. Shepard,Jacob Rosenstein,Ryan Michael Field,Dan Fleischer. Владелец: Columbia University in the City of New York. Дата публикации: 2017-08-22.

High electron mobility transistor, field-effect transistor, epitaxial substrate, method of manufacturing epitaxial substrate, and method of manufacturing group iii nitride transistor

Номер патента: CA2570558A1. Автор: Takashi Sakurada,Makoto Kiyama,Shin Hashimoto,Tatsuya Tanabe,Tomihito Miyazaki,Kouhei Miura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-30.

Semiconductor device with junction fet transistor having multi pinch-off voltage and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240243132A1. Автор: Ji Man Kim,Hee Hwan JI,Song Hwa HONG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

High-electron-mobility transistor having a buried field plate

Номер патента: US09728630B2. Автор: Oliver Haeberlen,Clemens Ostermaier,Gerhard Prechtl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US11990518B2. Автор: Jian-Feng Li,Chia-Hua Chang,Hsiang-Chieh Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Field effect transistor, preparation method thereof, and electronic circuit

Номер патента: US20240213322A1. Автор: Hui Sun,Hongsheng YI,Biao Gao,Haolin Hu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Split-gate non-volatile memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20200027888A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-23.

Field effect transistor, manufacturing method therefor, and electronic circuit

Номер патента: EP4379809A1. Автор: Hui Sun,Hongsheng YI,Biao Gao,Haolin Hu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

Method of manufacturing field-effect transistor array by direct carbon nanotube printing and field effect transistor array manufactured by the same

Номер патента: US20240204078A1. Автор: Yoonhee Lee,Hongki KANG,Soohyun PARK,Minhye Shin. Владелец: DAEGU GYEONGBUK INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US9786508B2. Автор: Jie Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12087583B2. Автор: Jen-Chou Huang,Shengan ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09786508B2. Автор: Jie Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Diodes and fabrication methods thereof

Номер патента: US09768325B2. Автор: Min-Hwa Chi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor lasers and etched-facet integrated devices having non-uniform trenches

Номер патента: US20140233596A1. Автор: Roberto Paoletti,Giammarco Rossi,Ruiyu Fang. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2014-08-21.

Non-uniform doping of photoelectrochemical cell electrodes

Номер патента: US20160194768A1. Автор: Ofer Neufeld,Maytal Caspary Toroker,Natav Yatom. Владелец: Technion Research and Development Foundation Ltd. Дата публикации: 2016-07-07.

Wide-Bandgap Semiconductor Bipolar Charge-Trapping Non-Volatile Memory with Single Insulating Layer and A Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20230050475A1. Автор: LI ZHANG,Tao Chen,Jing Chen,Zheyang ZHENG. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2023-02-16.

Fin tunnel field effect transistor (FET)

Номер патента: US09614049B2. Автор: Krishna Bhuwalka. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Normally-off high electron mobility transistors and fabrication methods thereof

Номер патента: US09786775B2. Автор: Shang-Ju TU. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Field-effect transistor

Номер патента: RU2222845C1. Автор: А.Н. Алексеев,И.А. Соколов,В.П. Чалый,Ю.В. Погорельский,Д.М. Красовицкий. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научное и технологическое оборудование". Дата публикации: 2004-01-27.

Field effect transistor with integrated series capacitance

Номер патента: EP4343831A1. Автор: Jeremy Fisher,Gerard Bouisse. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-03-27.

Field effect transistor with integrated series capacitance

Номер патента: US20240105712A1. Автор: Jeremy Fisher,Gerard Bouisse. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Novel III-V Heterojunction Field Effect Transistor

Номер патента: US20180254326A1. Автор: Zhihua Dong,Guohua Liu,Zhiqun Cheng,Huajie Ke. Владелец: Hangzhou Dianzi University. Дата публикации: 2018-09-06.

Embedded non-volatile memory device and fabrication method of the same

Номер патента: US20210134811A1. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Junction field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2011053932A1. Автор: Andrew David Bain,Bernard Patrick Stenson,William Allan Lane,Patrick Martin McGuinness,Derek Frederick Bowers,Paul Malachy Daly,Anne Maria Deignan,Michael Thomas Dunbar. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2011-05-05.

Hybrid junction field-effect transistor and active matrix structure

Номер патента: US09620726B2. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Bahman Hekmatshoartabari,Ghavam G. Shahidi,Tze-Chiang Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor heterostructure of field-effect transistor

Номер патента: RU2316076C1. Автор: Дмитрий Михайлович Красовицкий,Алексей Николаевич Алексеев,Юрий Васильевич Погорельский,Виктор Петрович ЧАЛЫЙ,Алексей Петрович Шкурко,Игорь Альбертович Соколов. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Светлана-Рост". Дата публикации: 2008-01-27.

Semiconductor field-effect transistor, power amplifier comprising the same and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230290830A1. Автор: Chan-Shin Wu. Владелец: Ultraband Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Esd field-effect transistor and integrated diffusion resistor

Номер патента: US20130020645A1. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Rahul Mishra,Shunhua T. Chang,Kiran V. Chatty,Junjun Li,John B. Campi, JR.,Mujahid Muhammad. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-01-24.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20090065893A1. Автор: Chien-Jung Yang,Chi-Huang Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-03-12.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8980683B2. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-03-17.

Group iii nitride transistor structure capable of reducing leakage current and fabricating method thereof

Номер патента: US20230260988A1. Автор: XING Wei,Xiaodong Zhang,Baoshun Zhang,Desheng Zhao. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2023-08-17.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8890104B2. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-18.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20130228733A1. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-05.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20140322886A1. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

High voltage field effect transitor finger terminations

Номер патента: US09564497B2. Автор: Andrew P. Ritenour,Kevin Wesley Kobayashi,Haldane S. Henry. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Field effect transistor and semiconductor device including the same

Номер патента: US20240260270A1. Автор: Hyunho Kim,Jeehoon HAN,Janggn Yun,Taeyoon HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Heterostructural field-effect transistor based on gallium nitride with improved stability of the current-voltage characteristic to ionizing radiation

Номер патента: RU2646529C1. Автор: Александр Григорьевич Гудков,Владимир Николаевич Вьюгинов,Святослав Игоревич Видякин,Владимир Геннадьевич Тихомиров,Артем Аркадьевич Городничев,Андрей Артурович Зыбин,Яков Михайлович Парнес. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана (национальный исследовательский университет)" (МГТУ им. Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2018-03-05.

Transverse non-uniform doping method for high-voltage semiconductor device

Номер патента: CN113436967A. Автор: 赵建明,黄武,夏建新,廖楠,金晓静. Владелец: Sichuan Blue Colour Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-24.

Field effect transistor with conduction band electron channel and uni-terminal response

Номер патента: US09768289B2. Автор: Matthias Passlack. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor pressure sensor and fabrication method thereof

Номер патента: US09395258B2. Автор: Kimitoshi Sato. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Field Effect Transistor with Conduction Band Electron Channel and Uni-Terminal Response

Номер патента: US20160126341A1. Автор: Matthias Passlack. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-05.

Wafer level package having a pressure sensor and fabrication method thereof

Номер патента: US20120001274A1. Автор: Shih-Kuang Chiu,Chien-An Chen,Hong-Da Chang,Chun-An Huang,Hsin-Yi Liao. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Field effect transistor, method for manufacturing the same, and biosensor

Номер патента: US20110291075A1. Автор: Osamu Takahashi,Hiroaki Kikuchi,Motonori Nakamura,Tomoaki Yamabayashi,Agus Subagyo,Katsunori Kondo. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-01.

Schottky diode with low leakage current and fabrication method thereof

Номер патента: US7382035B2. Автор: Hyung Choi,Dong-sik Shim,Il-Jong Song,Ja-nam Ku,Young-hoon Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-03.

Wafer level package having a pressure sensor and fabrication method thereof

Номер патента: US9133021B2. Автор: Shih-Kuang Chiu,Chien-An Chen,Hong-Da Chang,Chun-An Huang,Hsin-Yi Liao. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-15.

Semiconductor and fabrication method thereof

Номер патента: US20040188723A1. Автор: Takashi Noguchi,Minoru Sugawara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-30.

Field-effect transistor having dual channels

Номер патента: US20200328211A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20090242947A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20100167473A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Field-effect transistor and corresponding manufacturing method

Номер патента: US20020089006A1. Автор: Federico Pio,Paola Zuliani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-07-11.

Three-dimensional memory device with vertical field effect transistors and method of making thereof

Номер патента: US20220068966A1. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor structure and fabrication method thereof, and memory

Номер патента: US20230189518A1. Автор: Heng-Chia Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Split-gate non-volatile memory and fabrication method thereof

Номер патента: US10636801B2. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-28.

Switches with multiple field-effect transistors having proximity electrodes

Номер патента: US10431612B2. Автор: Jerod F. Mason,Dylan Charles BARTLE,Hailing Wang,Hanching Fuh. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2019-10-01.

Bonded unified semiconductor chips and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: EP3891788B1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor chip, and fabrication and packaging methods thereof

Номер патента: US20180337143A1. Автор: Ya Ping Wang,Li Hui Lu,Chun Chao FEI,Po Yuan CHIANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Substrate structure, and fabrication and packaging methods thereof

Номер патента: US20220238351A1. Автор: Peng Chen,XinRu Zeng,Houde Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

BONDED UNIFIED SEMICONDUCTOR CHIPS AND FABRICATION AND OPERATION METHODS THEREOF

Номер патента: US20220093614A1. Автор: Liu Jun,CHENG Weihua. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

TESTING STRUCTURE, AND FABRICATION AND TESTING METHODS THEREOF

Номер патента: US20180190551A1. Автор: Li Yong. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-05.

SEMICONDUCTOR CHIP, AND FABRICATION AND PACKAGING METHODS THEREOF

Номер патента: US20180337143A1. Автор: LU Li Hui,FEI Chun Chao,CHIANG Po Yuan,WANG Ya Ping. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-22.

Bonded memory devices having flash memory controller and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: US20200350286A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

BONDED UNIFIED SEMICONDUCTOR CHIPS AND FABRICATION AND OPERATION METHODS THEREOF

Номер патента: US20200350322A1. Автор: Liu Jun,CHENG Weihua. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-05.

Bonded memory devices having flash memory controller and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: EP3891808A4. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-09.

Bonded memory devices having flash memory controller and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: WO2020220483A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-11-05.

Integrated circuits with metal-titanium oxide contacts and fabrication methods

Номер патента: US20160079168A1. Автор: Hoon Kim,Guillaume Bouche,Andy Wei,Kisik Choi,Hiroaki Niimi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

Contact liners for integrated circuits and fabrication methods thereof

Номер патента: US09431303B2. Автор: Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Lateral trench field-effect transistors in wide bandgap semiconductor materials, methods of making, and integrated circuits incorporating the transistors

Номер патента: CA2589028A1. Автор: Igor Sankin,Joseph N. Merrett,Jeffrey B. Casady. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-08.

Field Effect Transistor Having Loop Distributed Field Effect Transistor Cells

Номер патента: US20170053910A1. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-02-23.

Field effect transistor having loop distributed field effect transistor cells

Номер патента: EP3338308A1. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2018-06-27.

Field effect transistor having loop distributed field effect transistor cells

Номер патента: WO2017030825A1. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2017-02-23.

Field effect transistor having loop distributed field effect transistor cells

Номер патента: US09698144B2. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-07-04.

Field effect transistor having two-dimensionally distributed field effect transistor cells

Номер патента: US09685438B2. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-06-20.

Lateral trench field-effect transistors in wide bandgap semiconductor materials, methods of making, and integrated circuits incorporating the transistors

Номер патента: EP2375451A3. Автор: Igor Sankin,Joseph N. Merrett,Jeffrey. B Casady. Владелец: SS SC IP LLC. Дата публикации: 2012-04-18.

Integrated circuits with metal-titanium oxide contacts and fabrication methods

Номер патента: US20150325473A1. Автор: Hoon Kim,Guillaume Bouche,Andy Wei,Kisik Choi,Hiroaki Niimi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-11-12.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20090242946A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor device structures and fabrication methods thereof

Номер патента: WO2018223967A1. Автор: Rongfu ZHU. Владелец: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2018-12-13.

Field effect transistor assemblies, integrated circuitry, and methods of forming field effect transistors and integrated circuitry

Номер патента: US20030094633A1. Автор: Fernando Gonzalez,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-22.

Field effect transistor assemblies, integrated circuitry, and methods of forming field effect transistors and integrated circuitry

Номер патента: US20010019868A1. Автор: Fernando Gonzalez,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-06.

High-voltage transistor having shielding gate

Номер патента: US09590052B2. Автор: Kikuko Sugimae,Takeshi Kamigaichi,Hiroyuki Kutsukake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Diffusion barrier layer for semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20030047811A1. Автор: Sung-Man Lee,Jae-Hee Ha,Hong Baik. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-13.

Conductive plug structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09837311B2. Автор: Liang Wang,Xiaotian Ma. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210066462A1. Автор: Qingchun Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Compound semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7294900B2. Автор: Tetsuro Asano. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-13.

Semiconductor device and driving method thereof

Номер патента: US20200373437A1. Автор: Kan TANAKA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

Structure of metal-insulator-semiconductor-like multiple-negative-differential-resistance device and fabrication method thereof

Номер патента: US6197622B1. Автор: Wen-Chau Liu,Lih-Wen Laih. Владелец: National Science Council. Дата публикации: 2001-03-06.

Junction field effect transistor with vertical gate region

Номер патента: US4916499A. Автор: Hiroji Kawai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1990-04-10.

Field-effect transistor with schottky barrier

Номер патента: RU2743225C1. Автор: Сергей Александрович Богданов,Юрий Михайлович Богданов,Константин Сергеевич Журавлев,Владимир Михайлович Лукашин,Владимир Григорьевич Лапин,Андрей Борисович Пашковский. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2021-02-16.

Jet impingement cooling apparatuses having non-uniform jet orifice sizes

Номер патента: US09903664B2. Автор: Shailesh N. Joshi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

JET IMPINGEMENT COOLING APPARATUSES HAVING NON-UNIFORM JET ORIFICE SIZES

Номер патента: US20140284787A1. Автор: JOSHI Shailesh N.. Владелец: Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc.. Дата публикации: 2014-09-25.

Jet impingement cooling apparatuses having non-uniform jet orifice sizes

Номер патента: US8981556B2. Автор: Shailesh N. Joshi. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2015-03-17.

ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY, AND FABRICATING AND INSPECTING METHODS THEREOF

Номер патента: US20150162393A1. Автор: YUN Sungjun,Kang Imkuk,JEONG Woocheol. Владелец: LG DISPLAY CO., LTD.. Дата публикации: 2015-06-11.

DATA STORAGE DEVICE, AND FABRICATION AND CONTROL METHODS THEREOF

Номер патента: US20140307504A1. Автор: Park Eungjoon,HUNG Hsi-Hsien. Владелец: WINBOND ELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2014-10-16.

FLEXIBLE VERTICAL CHANNEL ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURE METHOD THEREOF

Номер патента: US20180219055A1. Автор: Bu Chenghao,HU Guoren. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-02.

IMAGE SENSORS, AND FABRICATION AND OPERATION METHODS THEREOF

Номер патента: US20180277586A1. Автор: LIU Xuan Jie,ZHANG Hai Fang,Lu Jue,YAO Guo Feng. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

VERTICAL CHANNEL ORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20180287081A1. Автор: Liu Zhe. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

Image sensors including non-uniformly doped transfer gate in recess

Номер патента: US09831279B2. Автор: Jungchak Ahn,Younggu Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

IMAGE SENSORS INCLUDING NON-UNIFORMLY DOPED TRANSFER GATE IN RECESS

Номер патента: US20170069672A1. Автор: AHN Jungchak,JIN YOUNGGU. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-09.

Mask and fabricating method thereof, and displaying base plate and fabricating method thereof

Номер патента: US20220149282A1. Автор: Pengcheng LU,Yunlong Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Laser firing apparatus for high efficiency solar cell and fabrication method thereof

Номер патента: WO2010077018A2. Автор: Jong-Hwan Kim,Hwa-Nyeon Kim,Ju-Hwan Yun. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2010-07-08.

Composite film and fabrication method thereof, photoelectric element and photoelectric apparatus

Номер патента: US09828544B2. Автор: Chen Tang,Jingxia Gu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Integrated structure of mems device and cmos image sensor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20100148283A1. Автор: Hui-Shen Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Using a field effect device for identifying translocating charge-tagged molecules in a nanopore sequencing device

Номер патента: US09488636B2. Автор: William A. Goddard, Iii,Andres JARAMILLO-BOTERO. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2016-11-08.

Integrated circuits with varying gate structures and fabrication methods

Номер патента: US09576952B2. Автор: Richard J. Carter,Manfred Eller,Srikanth Balaji Samavedam,Manoj Joshi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and fabrication process thereof

Номер патента: US20070066043A1. Автор: Tetsuo Yoshimura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-03-22.

Semiconductor device and fabrication process thereof

Номер патента: US20050282386A1. Автор: Tetsuo Yoshimura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-12-22.

Nanowire field-effect sensor including nanowires having network structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09846139B2. Автор: Ki Hyun Kim,Dong Hoon Kim,Jeong Soo Lee,Chan Oh PARK. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2017-12-19.

Nanowire field-effect sensor including nanowires having network structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09638659B2. Автор: Ki Hyun Kim,Dong Hoon Kim,Jeong Soo Lee,Chan Oh PARK. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and fabrication process thereof

Номер патента: US7161195B2. Автор: Tetsuo Yoshimura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-01-09.

Forming a wrap-around contact to connect a source or drain epitaxial growth of a complimentary field effect transistor (cfet) to a buried power rail (bpr) of the cfet

Номер патента: WO2022015926A1. Автор: Xi-Wei Lin,Victor Moroz. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2022-01-20.

Fin-type field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09455255B2. Автор: Shuai ZHANG,Shaofeng Yu,Jianhua Ju. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor package structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09911702B2. Автор: Kuang-Hsiung Chen,Tien-Szu Chen,Sheng-Ming Wang,Yu-Ying Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Carrier, semiconductor package and fabrication method thereof

Номер патента: US09899237B2. Автор: Shih-Kuang Chiu,Meng-Tsung Lee,Chiang-Cheng Chang,Jung-Pang Huang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09893098B2. Автор: Jian Guo. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device using EMC wafer support system and fabricating method thereof

Номер патента: US09627368B2. Автор: Doo Hyun Park,Jin Young Kim,Ju Hoon Yoon,Seong Min Seo,Choon Heung Lee,Glenn Rinne. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09466624B2. Автор: Jian Guo. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8860003B2. Автор: Jae Min Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-14.

Mark structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09773739B2. Автор: Hong Wei Zhang,Kui Feng,Dao Liang LU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Integrated circuit chips having field effect transistors with different gate designs

Номер патента: US09425275B2. Автор: Mark S. Rodder,Borna J. Obradovic,Dharmendar Reddy Palle. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor integrated circuit device composed of insulated gate field-effect transistors

Номер патента: CA1070436A. Автор: Hiroto Kawagoe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1980-01-22.

CMOS Device for Reducing Charge Sharing Effect and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20130161757A1. Автор: DONG Yang,Xing Zhang,Ru Huang,Fei Tan,Xia An,Qianqian Huang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240194594A1. Автор: Min-Teng Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Packaging structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220246446A1. Автор: Lei Shi. Владелец: Nantong Tongfu Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2022-08-04.

Display substrate and fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US20170207420A1. Автор: Kun Li,Chun Ye,Yuting YANG,Shancai ZHANG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Semiconductor Device and Fabrication Method thereof

Номер патента: US20200303380A1. Автор: Chen-Chih WANG,Yeu-Yang WANG. Владелец: Hexas Technology Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor Device and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20100148278A1. Автор: Dong Woo Kang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Fingerprint identification substrate and fabrication method thereof, display panel and display apparatus

Номер патента: US20180307887A1. Автор: WEI Liu,Xue Dong,Rui Xu,Haisheng Wang,Yingming Liu,Changfeng LI,Xueyou CAO,Xiaoliang DING,Jing LV,Lijun Zhao,Pengpeng Wang,Yanling Han,Yuzhen GUO,Yanan Jia,chun wei Wu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Interconnection structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20040241978A1. Автор: Chih-Chao Yang,Ming-Shih Yeh,Chiung-Sheng Hsiung,Gwo-Shil Yang,Jen-Kon Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-02.

Semiconductor Package With EMI Shield and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20240274547A1. Автор: Sung Gyu Kim,Tae Yong Lee,Kyoung Yeon Lee,Doo Soub Shin. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US20220302061A1. Автор: Hung-Hsin Hsu,Nan-Chun Lin,Shang-Yu Chang-Chien. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Contact via structure and fabricating method thereof

Номер патента: US09978677B2. Автор: Ji Quan LIU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09972643B2. Автор: Ke Wang,Zhijun LV,Fangzhen Zhang,Jiushi WANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Organic light-emitting display apparatus and fabrication method thereof

Номер патента: US09853241B2. Автор: Defeng Bi,Kaen Jiang. Владелец: Shanghai Tianma AM OLED Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Package structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09666536B2. Автор: Yi-Wei Liu,Yi-Che Lai,Hung-Wen Liu,Mao-Hua Yeh,Yan-Heng Chen. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Memory device structure and fabricating method thereof

Номер патента: US09640432B2. Автор: Sheng-Fen Chiu,Shaobin Li,Jinshuang Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor integrated circuit device composed of insulated gate field-effect transistor

Номер патента: US4365263A. Автор: Hiroto Kawagoe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1982-12-21.

Forming a wrap-around contact to connect a source or drain epitaxial growth of a complimentary field effect transistor (CFET) to a buried power rail (BPR) of the CFET

Номер патента: US11915984B2. Автор: Xi-Wei Lin,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

MULTI-PIECE VEHICLE RADOME HAVING NON-UNIFORM BACK PIECE

Номер патента: US20180159207A1. Автор: SHURISH James Michael,BRUYNEEL NICHOLAS. Владелец: SRG Global Inc.. Дата публикации: 2018-06-07.

ELECTRIC VEHICLE LITHIUM BATTERIES HAVING NON-UNIFORM ANODE LAYER

Номер патента: US20200180441A1. Автор: Liu Ying,Tang Yifan,HAN Sangwoo,Rahimian Saeed Khaleghi,Forouzan Mehdi M.. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-11.

Hybrid vehicle battery with electrode/separator having non-uniform constituent distribution to prolong life of battery cells

Номер патента: US20190221806A1. Автор: Venkataramani Anandan,Rutooj D. Deshpande. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2019-07-18.

Multi-piece vehicle radome having non-uniform back piece

Номер патента: EP3549197C0. Автор: Nicholas Bruyneel,James Michael Shurish. Владелец: SRG Global LLC. Дата публикации: 2023-11-08.

Hybrid vehicle battery with electrode/separator having non-uniform constituent distribution to prolong life of battery cells

Номер патента: US20190221806A1. Автор: Venkataramani Anandan,Rutooj D. Deshpande. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2019-07-18.

Electric vehicle lithium batteries having non-uniform anode layer

Номер патента: US10668826B1. Автор: Ying Liu,Yifan Tang,Sangwoo Han,Saeed Khaleghi Rahimian,Mehdi M. Forouzan. Владелец: SF Motors Inc. Дата публикации: 2020-06-02.

Multi-piece vehicle radome having non-uniform back piece

Номер патента: EP3549197B1. Автор: Nicholas Bruyneel,James Michael Shurish. Владелец: SRG Global LLC. Дата публикации: 2023-11-08.

Electric vehicle lithium batteries having non-uniform anode layer

Номер патента: US20200180441A1. Автор: Ying Liu,Yifan Tang,Sangwoo Han,Saeed Khaleghi Rahimian,Mehdi M. Forouzan. Владелец: SF Motors Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Electric vehicle lithium batteries having non-uniform anode layer

Номер патента: US20200185759A1. Автор: Ying Liu,Yifan Tang,Sangwoo Han,Saeed Khaleghi Rahimian,Mehdi M. Forouzan. Владелец: SF Motors Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Organic field-effect transistor and fabrication method therefor

Номер патента: US20230093494A1. Автор: Hong Meng,Xinwei Wang,Lin Ai,Yuhao SHI. Владелец: Peking University Shenzhen Graduate School. Дата публикации: 2023-03-23.

High-voltage-withstanding semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20080111192A1. Автор: Osamu Koike. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-15.

Non-volatile semiconductor storage apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010054735A1. Автор: Takaaki Nagai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-27.

Array substrate for liquid crystal display device and fabrication method thereof

Номер патента: US8178881B2. Автор: Jae Young Oh,Soopool Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-15.

Inductor structure having conductive sheets having fan plate shape arranged in ring structure and fabrication method thereof, electronic package and fabrication method thereof, and method for fabricating packaging carrier

Номер патента: US12062685B2. Автор: Shih-Ping Hsu. Владелец: Phoenix Pioneer Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Circuit structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12133337B2. Автор: Yi Hung Lin,Li-Wei Sung. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Titanium oxide extended gate field effect transistor

Номер патента: US20080105914A1. Автор: Jung-Chuan Chou,Hung-Hsi Yang. Владелец: National Yunlin University of Science and Technology. Дата публикации: 2008-05-08.

Titanium oxide extended gate field effect transistor

Номер патента: US20060220092A1. Автор: Jung-Chuan Chou,Hung-Hsi Yang. Владелец: National Yunlin University of Science and Technology. Дата публикации: 2006-10-05.

Super-saturation current field effect transistor and trans-impedance mos device

Номер патента: US20200027880A1. Автор: Susan Marya SCHOBER,Robert C. Schober. Владелец: Circuit Seed LLC. Дата публикации: 2020-01-23.

Directly flat-attached switching component for active frequency selective surface and fabricating method thereof

Номер патента: US11056796B2. Автор: Shyh-Jer Huang,Yang-Kuo Kuo,Jian-Long Ruan. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2021-07-06.

Array substrate and fabrication method thereof, display device and driving method thereof

Номер патента: US09928801B2. Автор: Xin Gu,Jaegeon You. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Array substrate and fabricating method thereof, and display apparatus

Номер патента: US09696580B2. Автор: Tian Yang,Yanbing WU,Wenbo Li,Chunyan JI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Self-adjusting gate bias network for field effect transistors

Номер патента: US20110181324A1. Автор: Roland Gesche,Armin Liero,Silvio Kuehn,Ibrahim M. Khalil. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2011-07-28.

Image sensor pixel and fabrication method thereof

Номер патента: EP1900029A1. Автор: Cheol Soo Park. Владелец: Siliconfile Technologies Inc. Дата публикации: 2008-03-19.

Stacked semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US20030075788A1. Автор: Un-Young Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Semiconductor structures and fabrication method thereof, memory device and memory system

Номер патента: US20240355736A1. Автор: Min WEN,Zhen Pan,Chengbao Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Array substrate and fabrication method thereof, and display panel

Номер патента: US09929184B2. Автор: Seungjin Choi,Youngjin Song. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Display substrate and fabricating method thereof, and system for fabricating display substrate and display device

Номер патента: US09905762B2. Автор: ZHEN Wang. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Amorphous silicon photoelectric device and fabricating method thereof

Номер патента: US09741893B2. Автор: Xu Chen,Shaoying Xu,Zhenyu Xie. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Organic thin film transistor array substrate and fabrication method thereof

Номер патента: US09716135B2. Автор: Hongyuan Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

TN-type array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09620535B2. Автор: Song Wu,Jieqiong Bao. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

High performance power transistor having ultra-thin package

Номер патента: US09508633B2. Автор: Juan A. Herbsommer,Jonathan A. Noquil,Osvaldo J. Lopez. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Power rectifier using tunneling field effect transistor

Номер патента: US09391068B2. Автор: Suman Datta,Vijaykrishnan Narayanan,Huichu Liu,Ramesh Vaddi. Владелец: PENN STATE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2016-07-12.

High-sensitivity image sensor and fabrication method thereof

Номер патента: KR100531234B1. Автор: 김훈. Владелец: 전자부품연구원. Дата публикации: 2005-11-28.

Organic luminescent substrate, preparation method thereof, display apparatus, and display driving method

Номер патента: US20200266393A1. Автор: Yingsong XU,Nan Zhao,Guoqiang Tang. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Multiplexor logic functions implemented with circuits having tunneling field effect transistors (tfets)

Номер патента: EP3123522A1. Автор: Ian A. Young,Uygar E. Avci,Daniel H. Morris,Rafael Rios. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-01.

Hybrid integrated optical device and fabrication method thereof

Номер патента: US20140023313A1. Автор: Hyun Soo Kim,Mi-Ran Park,O-Kyun Kwon,Jong Sool Jeong,Byungseok CHOI. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2014-01-23.

Electronic Package Device and Fabrication Method Thereof, Method for Testing Electronic Package Device

Номер патента: US20160056381A1. Автор: Dan Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

Flexible substrate and fabrication method thereof, and flexible display apparatus

Номер патента: US20200381639A1. Автор: Dawei Wang,Weifeng ZHOU,Mingche HSIEH,Hejin WANG,Shanchen Kao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Multi-chip stack structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20080224289A1. Автор: Cheng-Hsu Hsiao,Chien-Ping Huang,Chin-Huang Chang,Chung-Lun Liu,Jung-Pin Huang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-18.

Electroluminescence display device and fabrication method thereof

Номер патента: US09508779B2. Автор: Yuxin Zhang,Hongfei Cheng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Integrated device with inductive and capacitive portions and fabrication methods

Номер патента: US09460996B1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semi-conductor inverter using complementary junction field effect transistor pair

Номер патента: US4329700A. Автор: Kojiro Tanaka. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 1982-05-11.

Conformal organic field-effect transistor, transistor array, and preparation method thereof

Номер патента: US11411190B2. Автор: Xiaoli Zhao,Yi Chun Liu,Qing xin TANG,Yan hong TONG. Владелец: NorthEast Normal University. Дата публикации: 2022-08-09.

Conformal organic field-effect transistor, transistor array, and preparation method thereof

Номер патента: US20210210704A1. Автор: Xiaoli Zhao,Yi Chun Liu,Qing xin TANG,Yan hong TONG. Владелец: NorthEast Normal University. Дата публикации: 2021-07-08.

Self-adjusting gate bias network for field effect transistors

Номер патента: WO2010029186A1. Автор: Roland Gesche,Armin Liero,Silvio Kuehn,M. Ibrahim Khalil. Владелец: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.. Дата публикации: 2010-03-18.

Structure for reducing stress for vias and fabricating method thereof

Номер патента: US20090156001A1. Автор: Yung-Yu Hsu,Ra-Min Tain,Shyi-Ching Liau,Chih-Yuan Cheng,Shou-Lung Chen,Shan-Pu Yu,Ji-cheng Lin,Rong-Chang Feng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-18.

Single-sided light-emitting led chips and fabrication method thereof

Номер патента: US20200020832A1. Автор: Hui Lin,Liangchen Wang,Zhaozhong LIU,Wenxin LAN. Владелец: Shenzhen Niceuv Optics Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Quantum dot light-emitting diode and fabrication method thereof

Номер патента: US20230043770A1. Автор: Zhiwen NIE. Владелец: TCL Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Display panel and fabricating method thereof, and displaying device

Номер патента: US20220157892A1. Автор: NA Li,Fei Chen,Myoungsoo Lee,Haijun Qiu,Chao Kong,Jibum Yang,Euiku LEE,Meishan XU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Photo sensor and fabrication method thereof

Номер патента: US20080023782A1. Автор: Cha-Hsin Lin,Lurng-Shehng Lee,Ching-Chiun Wang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-01-31.

Array substrate and fabrication method thereof, array substrate motherboard and display device

Номер патента: US20210335978A1. Автор: Hongfei Cheng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Compensated Photonic Device Structure And Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20170271543A1. Автор: Wang Chen,Su Li,Dong Pan,Pengfei Cai,Mengyuan Huang,Tzung-I Su,Ching-yin Hong. Владелец: SiFotonics Technologies Co Ltd Cayman Islands. Дата публикации: 2017-09-21.

Cover plate and fabricating method thereof, display panel and display device

Номер патента: US20200052241A1. Автор: Wei Li,WEI Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Semiconductor chip, semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US20160005697A1. Автор: Seok-Ha Lee,Hyun-Pil Noh,Jeong-Woon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor device package and fabricating method thereof

Номер патента: US20090020881A1. Автор: Sang Chul Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-01-22.

Single-sided light-emitting LED chips and fabrication method thereof

Номер патента: US10825960B2. Автор: Hui Lin,Liangchen Wang,Zhaozhong LIU,Wenxin LAN. Владелец: Shenzhen Niceuv Optics Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-03.

Three-dimensional memory devices having hydrogen blocking layer and fabrication methods thereof

Номер патента: US11728236B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Array substrate and fabrication method thereof, display panel

Номер патента: US20220285466A1. Автор: Ming Liu,Qiuhua Meng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Oled and fabrication method thereof, and display apparatus

Номер патента: US20160141343A1. Автор: Wenyu Ma. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-19.

Array substrate motherboard, display panel motherboard, and fabricating method thereof

Номер патента: WO2017161893A1. Автор: Wei Li,ZHI Li,Namin Kwon,Bin Cao,Jiaxin Yu,Fengwu YU,Jinhu CAO,Minghui MA,Xinlei CAO,Enke GUO. Владелец: BEIJING BOE DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2017-09-28.

Pixel structure and fabricating method thereof

Номер патента: US8030652B2. Автор: Shih-Chin Chen,Ming-Hung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2011-10-04.

Ingan-based led epitaxial wafer and fabrication method thereof

Номер патента: EP3906586A1. Автор: Richard Notzel. Владелец: SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-11-10.

InGaN-BASED LED EPITAXIAL WAFER AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20220115560A1. Автор: Richard Notzel. Владелец: SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-04-14.

Organic electroluminescence display substrate and fabrication method thereof, display panel and display device

Номер патента: US10454073B2. Автор: Guang YAN,Xing Fan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-22.

Organic Electroluminescence Display Substrate and Fabrication Method Thereof, Display Panel and Display Device

Номер патента: US20190019991A1. Автор: Guang YAN,Xing Fan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-17.

Array substrate motherboard, display panel motherboard, and fabricating method thereof

Номер патента: EP3433670A1. Автор: Wei Li,ZHI Li,Namin Kwon,Bin Cao,Jiaxin Yu,Fengwu YU,Jinhu CAO,Minghui MA,Xinlei CAO,Enke GUO. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-30.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: EP4454434A1. Автор: Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Lei Xue. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US12136599B2. Автор: He Chen,Yi Zhao,Shu Wu,Siping Hu,Ziqun HUA,Zhen Pan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Display apparatus and fabricating method thereof

Номер патента: US09978728B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Tsau-Hua Hsieh,Tzu-Chien Hung,Po-Min Tu,Shih-Cheng Huang,Chien-Chung Peng. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Flexible display device having a self-healing capability and fabrication method thereof

Номер патента: US09947899B2. Автор: Conghui LIU. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Fin-shaped field effect transistor and capacitor structures

Номер патента: US09941271B2. Автор: Akira Ito,Changyok Park,Shom Surendran PONOTH. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Organic light emitting display device and fabricating method thereof

Номер патента: US09923170B2. Автор: Taro Hasumi,Jongkyung KIM. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Mask read-only memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US09905566B2. Автор: Chao Zhang,YiPeng Chan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Array substrate and fabricating method thereof, display panel and display apparatus

Номер патента: US09893091B2. Автор: Hongming Zhan. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

OLED backplane and fabrication method thereof

Номер патента: US09882172B2. Автор: WEI Liu,Chunsheng Jiang,Jingfei Fang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semicondcutor light-emitting device and fabricating method thereof

Номер патента: US09865777B2. Автор: Tzu-Han Hsu,Tung-Bao Lu. Владелец: CHIPMOS TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2018-01-09.

OLED display device and fabrication method thereof, display panel and display device

Номер патента: US09847488B2. Автор: Feng Bai,Jiuxia YANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Array substrate and fabrication method thereof, display device

Номер патента: US09837479B2. Автор: Hee Cheol Kim,Young Suk Song,Seong Yeol Yoo,Seung Jin Choi. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

OLED and fabrication method thereof, and display apparatus

Номер патента: US09818810B2. Автор: Wenyu Ma. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Programmable via devices with metal/semiconductor via links and fabrication methods thereof

Номер патента: US09812393B2. Автор: Min-Hwa Chi,Ajey P. Jacob,Suraj K. Patil. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Resistive random access memory device having a nano-scale tip, memory array using the same and fabrication method thereof

Номер патента: US09768381B2. Автор: Byung-gook Park,Seongjae Cho,Sunghun Jung. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2017-09-19.

Tunneling nanotube field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09735362B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

OLED device with anode of silver nanowire and fabrication method thereof, display substrate

Номер патента: US09716244B2. Автор: Feng Bai,Jiuxia YANG,Jiantao Liu. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

OLED display device and fabrication method thereof

Номер патента: US09711577B2. Автор: Peng Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Electroluminescence display device with a protective layer and fabrication method thereof

Номер патента: US09698380B2. Автор: Yuxin Zhang,Hongfei Cheng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Optical cover plate with improved solder mask dam on glass for image sensor package and fabrication method thereof

Номер патента: US09653500B2. Автор: Chia-Sheng Lin. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Organic light-emitting diode display and fabrication method thereof

Номер патента: US09640590B2. Автор: Chen-Yu Liu,Hsi-Chien Lin,Hung-Chieh Lu. Владелец: TPK Touch Solutions Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor chip, semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US09620460B2. Автор: Seok-Ha Lee,Hyun-Pil Noh,Jeong-Woon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Organic light-emitting display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US09590177B2. Автор: Hung-Che Ting,Tsung-Hsiang Shih,Chia-Yang Lu,Shou-Wei Fang,Wei-Hao Tseng,Chien-Tao Chen. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-03-07.

Ge/Si avalanche photodiode with integrated heater and fabrication method thereof

Номер патента: US09583664B2. Автор: Wang Chen,Su Li,Nai ZHANG,Dong Pan,Pengfei Cai,Mengyuan Huang,Tuo SHI,Liangbo Wang,Ching-yin Hong. Владелец: SiFotonics Technologies USA Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Display substrate and fabricating method thereof, display panel, and display device

Номер патента: US09472578B2. Автор: Yunfei Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Motherboard, array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09461074B2. Автор: Xu Liu. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Electro-luminescence display panel and fabrication method thereof, display device

Номер патента: US09379332B2. Автор: Xue Dong,Peng Liu,Renwei Guo. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

Antenna with radiation element having non-uniform width part

Номер патента: US11942706B2. Автор: Shailendra Kaushal,Asahi Kan,Ning Guan. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Electron beam window tile having non-uniform cross-sections

Номер патента: US09715990B2. Автор: Imtiaz Rangwalla,Rich ALEXY,Jonathan Baroud. Владелец: Energy Sciences Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Resilient electrical interconnects having non-uniform cross-section

Номер патента: CA2293181C. Автор: David R. Crotzer,David A. Dedonato,Jonathan W. Goodwin,Stephen Delprete. Владелец: Thomas and Betts International LLC. Дата публикации: 2004-11-02.

Electrochemical fuel cell with fluid distribution layer having non-uniform permeability

Номер патента: US20040253504A1. Автор: Alexander Mossman,Emerson Gallagher. Владелец: Ballard Power Systems Inc. Дата публикации: 2004-12-16.

SEMICONDUCTOR LASERS AND ETCHED-FACET INTEGRATED DEVICES HAVING NON-UNIFORM TRENCHES

Номер патента: US20140233596A1. Автор: Fang Ruiyu,Rossi Giammarco,Paoletti Roberto. Владелец: Avago Technologies General IP (Singapore) Pte. Ltd.. Дата публикации: 2014-08-21.

ELECTRON BEAM WINDOW TILE HAVING NON-UNIFORM CROSS-SECTIONS TECHNICAL FIELD

Номер патента: US20160181056A1. Автор: Rangwalla Imtiaz,Alexy Rich. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

ELECTRIC VEHICLE LITHIUM BATTERIES HAVING NON-UNIFORM ANODE LAYER

Номер патента: US20200185759A1. Автор: Liu Ying,Tang Yifan,HAN Sangwoo,Rahimian Saeed Khaleghi,Forouzan Mehdi M.. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-11.

PRINTED ANTENNA HAVING NON-UNIFORM LAYERS

Номер патента: US20150311591A1. Автор: Golombek Harel. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-29.

Resilient electrical interconnects having non-uniform cross-section

Номер патента: CA2293181A1. Автор: David R. Crotzer,David A. Dedonato,Jonathan W. Goodwin,Stephen Delprete. Владелец: Thomas and Betts International LLC. Дата публикации: 2000-07-07.

Resilient electrical interconnects having non-uniform cross-section

Номер патента: US6348659B1. Автор: Jonathan Goodwin,Stephen Delprete,David Crotzer,David DeDonato. Владелец: Thomas and Betts International LLC. Дата публикации: 2002-02-19.

Electrochemical fuel cell with fluid distribution layer having non-uniform permeability

Номер патента: US7374838B2. Автор: Emerson R. Gallagher. Владелец: BDF IP Holdings Ltd. Дата публикации: 2008-05-20.

NON-UNIFORM DOPING OF PHOTOELECTROCHEMICAL CELL ELECTRODES

Номер патента: US20160194768A1. Автор: Toroker Maytal Caspary,Neufeld Ofer,Yatom Natav. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

Ultra-long silver nanowire material and fabrication method thereof

Номер патента: US12109621B2. Автор: Jing Zheng,Rui Dang. Владелец: Northwest Institute for Non Ferrous Metal Research. Дата публикации: 2024-10-08.

RF MEMS switch and fabrication method thereof

Номер патента: US7456713B2. Автор: Hee-Chul Lee,Jae-Yeong Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2008-11-25.

RF MEMS switch and fabrication method thereof

Номер патента: US20070109081A1. Автор: Hee-Chul Lee,Jae-Yeong Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-17.

Antenna and fabricating method thereof, and antenna device and fabricating method thereof

Номер патента: US20220077579A1. Автор: Meng Wei,Wei Zhang,YING Wang,Liang Li,HAO LIU,Jie Wu,Chuncheng CHE,Tienlun Ting,Haocheng JIA,Cuiwei TANG,Qiangqiang LI. Владелец: Beijing BOE Sensor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Stretchable composite electrode and fabricating method thereof

Номер патента: US20240212876A1. Автор: Wei Sheng CHEN,Ching Mao Huang,Jia Hui Zhou,Shu Xiong Wang,Chin Hui Lee,Huan Ran YUN. Владелец: TPK Advanced Solutions Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Directly Flat-Attached Switching Component for Active Frequency Selective Surface and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20210005974A1. Автор: Shyh-Jer Huang,Yang-Kuo Kuo,Jian-Long Ruan. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2021-01-07.

Magnesium ion battery cathode material doped at magnesium site and fabricating method thereof

Номер патента: AU2021104796A4. Автор: Zhenbo Peng,Zhaoshen YU,Zhengyong Yuan. Владелец: Ningbo Polytechnic. Дата публикации: 2021-09-30.

Touch-sensing liquid crystal panel and fabrication method thereof

Номер патента: US09355807B2. Автор: Kun-hua Tsai,Yu-Cheng Lin,Hsu-Ho Wu,Hsing-Ying LEE,Ping-Yuan Su. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Devices and methods related to switch linearization by compensation of a field-effect transistor

Номер патента: US11855361B2. Автор: Nuttapong Srirattana,Zhiyang Liu. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Alkaloid halogen-doped sulfide glasses for optical amplifier and fabricating method thereof

Номер патента: US20020025898A1. Автор: Sun-Tae Jung,Jong Heo,Dong-Chin Lee,Hye-Sun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-02-28.

Micro-connector structure and fabricating method thereof

Номер патента: US20060046552A1. Автор: Hsing Chen. Владелец: Solidlite Corp. Дата публикации: 2006-03-02.

Driving apparatus of plasma display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20040036685A1. Автор: Jin Ryu,Sam Cho,Bong Baik,Woo Jang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2004-02-26.

Driving apparatus of plasma display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20070236487A1. Автор: Jin Ryu,Sam Cho,Bong Baik,Woo Jang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2007-10-11.

Superconducting quantum circuit and fabrication method thereof, quantum computer

Номер патента: US20240341202A1. Автор: Liangliang Ma,Bing YOU. Владелец: Origin Quantum Computing Technology Hefei Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Sorting machine for sorting flat articles having non-uniform physical characteristics, and a method of sorting said flat articles

Номер патента: US09539617B2. Автор: Pierre Campagnolle,Jean-Michel Reboul,Guy Darmon,Xavier Bastien. Владелец: Solystic SAS. Дата публикации: 2017-01-10.

Silicone hydrogel contact lenses having non-uniform morphology

Номер патента: US11827755B2. Автор: Azaam Alli,Alexander Guzman,Donald E. Riederer,Bernardo Santa Maria. Владелец: Johnson and Johnson Vision Care Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Silicone hydrogel contact lenses having non-uniform morphology

Номер патента: EP4283345A2. Автор: Azaam Alli,Alexander Guzman,Donald E. Riederer,Bernardo Santa Maria. Владелец: Johnson and Johnson Vision Care Inc. Дата публикации: 2023-11-29.

Silicone hydrogel contact lenses having non-uniform morphology

Номер патента: EP4283345A3. Автор: Azaam Alli,Alexander Guzman,Donald E. Riederer,Bernardo Santa Maria. Владелец: Johnson and Johnson Vision Care Inc. Дата публикации: 2024-03-27.

Silicone hydrogel contact lenses having non-uniform morphology

Номер патента: US20230416470A1. Автор: Azaam Alli,Alexander Guzman,Donald E. Riederer,Bernardo Santa Maria. Владелец: Johnson and Johnson Vision Care Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Pultrusion of profiles having non-uniform cross sections

Номер патента: WO2020257410A1. Автор: Rob Sjostedt. Владелец: TSC, LLC. Дата публикации: 2020-12-24.

Side-edge backlight module having non-uniformly sized backlight sections and design method thereof

Номер патента: US09684121B2. Автор: Kuangyao Chang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Sustained release solid dosage forms having non-uniform distribution of active ingredient

Номер патента: IE56182B1. Автор: . Владелец: Merrell Dow Pharma. Дата публикации: 1991-05-08.

Compensated molds for manufacturing glass-based articles having non-uniform thicknesses

Номер патента: US12043569B2. Автор: Jeffrey Todd Kohli,Jason Thomas Harris. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Compensated molds for manufacturing glass-based articles having non-uniform thicknesses

Номер патента: US20240336520A1. Автор: Jeffrey Todd Kohli,Jason Thomas Harris. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Rectilinear macros having non-uniform channel spacing

Номер патента: US09697320B2. Автор: Sunil Kumar,Pak Kin Wong,Sreedhar Gudala,Kumar Gopal Rao,Francis Page. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

A method and an apparatus for weight controlled batching out of items having non uniform weight

Номер патента: WO2001027567A3. Автор: Pall Jensson. Владелец: Pall Jensson. Дата публикации: 2001-09-07.

Sustained release solid dosage forms having non-uniform¹distribution of active ingredient

Номер патента: IE832543L. Автор: . Владелец: Merrell Dow Pharma. Дата публикации: 1984-05-01.

Method for selectively plugging the more permeable regions of an underground formation having non-uniform permeability

Номер патента: US4745976A. Автор: John F. Scamehorn,Jeffrey H. Harwell. Владелец: University of Oklahoma . Дата публикации: 1988-05-24.

Image sensors having non-uniform light shields

Номер патента: EP2359588A1. Автор: SHEN Wang. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2011-08-24.

Image sensors having non-uniform light shields

Номер патента: WO2010065066A1. Автор: SHEN Wang. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 2010-06-10.

Image sensors having non-uniform light shields

Номер патента: US20100128158A1. Автор: SHEN Wang. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2010-05-27.

Optical system for facilitating plant growth having non-uniform light density distribution

Номер патента: WO2020146808A1. Автор: Qian Zhang,Liangliang Cao. Владелец: Verdant Lighting Technology, Inc.. Дата публикации: 2020-07-16.

Dual emissive electroluminescent displays and fabricating and display methods thereof

Номер патента: US20060033424A1. Автор: Chung-Wen Ko. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2006-02-16.

Optical system for facilitating plant growth having non-uniform light density distribution

Номер патента: US11800835B2. Автор: Qian Zhang,Liangliang Cao. Владелец: Verdant Lighting Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Optical system for facilitating plant growth having non-uniform light density distribution

Номер патента: US20240057528A1. Автор: Qian Zhang,Liangliang Cao. Владелец: Verdant Lighting Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Optical system for facilitating plant growth having non-uniform light density distribution

Номер патента: EP3908099A1. Автор: Qian Zhang,Liangliang Cao. Владелец: Verdant Lighting Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-17.

Image sensors having non-uniform light shields

Номер патента: EP2359588B1. Автор: SHEN Wang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2013-04-10.

Back plate apparatus with multiple layers having non-uniform openings

Номер патента: WO2013185013A2. Автор: Peter V. Loeppert,Eric J. Lautenschlager. Владелец: Knowles Electronics, LLC. Дата публикации: 2013-12-12.

Digital signal processing apparatus of communication terminal for adaptably transmitting voice data to allotted uplink channels and voice data transmission method thereof

Номер патента: US20040160940A1. Автор: Hoe-Won Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-08-19.

Cameras and methods having non-uniform image remapping using a small data-set

Номер патента: EP1389001B1. Автор: Kenneth A. Parulski,Craig M. Smith. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2006-03-29.

Controllable opto-electronic time stretcher, an electro-optical analog to digital converter having non-uniform sampling using the same, and related methods of operation

Номер патента: US09841658B1. Автор: Troy Rockwood,Mohiuddin Ahmed,Willie W. Ng. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2017-12-12.

Controllable opto-electronic time stretcher, an electro-optical analog to digital converter having non-uniform sampling using the same, and related methods of operation

Номер патента: US09438263B1. Автор: Troy Rockwood,Mohiuddin Ahmed,Willie W. Ng. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2016-09-06.

Back Plate Apparatus with Multiple Layers Having Non-Uniform Openings

Номер патента: US20130343580A1. Автор: Lautenschlager Eric J.,Loeppert Peter V.. Владелец: Knowles Electronics, LLC. Дата публикации: 2013-12-26.

Electric Motor Rotor Having Non-Uniform Laminations

Номер патента: US20210028662A1. Автор: Degner Michael W.,TANG CHUN,Leonardi Franco,RONG Chuanbing. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES, LLC. Дата публикации: 2021-01-28.

SYSTEM AND METHOD FOR BROKERING MISSION CRITICAL COMMUNICATION BETWEEN PARTIES HAVING NON-UNIFORM COMMUNICATION RESOURCES

Номер патента: US20210035436A1. Автор: NITSCH ROBERT,ROESENER CHARLOTTE,KAMPICHLER WOLFGANG. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-04.

SYSTEM AND METHOD FOR THROTTLING SERVICE REQUESTS HAVING NON-UNIFORM WORKLOADS

Номер патента: US20150100630A1. Автор: Rath Timothy Andrew,Xiao Wei,Yanacek David Craig,Filipe Miguel Mascarenhas,Maccanti Maximiliano,LUTZ DAVID ALAN. Владелец: Amazon Technologies, Inc.. Дата публикации: 2015-04-09.

SYSTEM AND METHOD FOR THROTTLING SERVICE REQUESTS HAVING NON-UNIFORM WORKLOADS

Номер патента: US20190306255A1. Автор: Rath Timothy Andrew,Xiao Wei,Yanacek David Craig,Filipe Miguel Mascarenhas,Maccanti Maximiliano,LUTZ DAVID ALAN. Владелец: Amazon Technologies, Inc.. Дата публикации: 2019-10-03.

System and method for throttling service requests having non-uniform workloads

Номер патента: US8914497B1. Автор: Wei Xiao,Miguel Mascarenhas Filipe,Timothy Andrew Rath,Maximiliano Maccanti,David A. Lutz,David C. Yanacek. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2014-12-16.

System and method for brokering mission critical communication between parties having non-uniform communication resources

Номер патента: US20210035436A1. Автор: Robert Nitsch,Charlotte Roesener,Wolfgang Kampichler. Владелец: Frequentis AG. Дата публикации: 2021-02-04.

System and method for brokering mission critical communication between parties having non-uniform communication resource

Номер патента: AU2020260515A1. Автор: Robert Nitsch,Charlotte Roesener,Wolfgang Kampichler. Владелец: Frequentis AG. Дата публикации: 2022-05-19.

HEAT CHANNELING AND DISPERSING STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160007440A1. Автор: LEE SHUN-LONG,HUANG HONG-GUANG. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

Microfluidic channel and preparation method and operation method thereof

Номер патента: US20210229088A1. Автор: Guangcai Yuan,Zhengliang Li,ce Ning,Xiaochen MA. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Eyeglass of 3D glasses and fabrication method thereof, and 3D glasses

Номер патента: US09841613B2. Автор: Junwei Wang. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Current sensing in power tool devices using a field effect transistor

Номер патента: US12105149B2. Автор: Timothy R. Obermann,Alexander T. Huber. Владелец: Milwaukee Electric Tool Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Photo-switchable and electrically-switchable organic field-effect transistor, manufacturing method thereof and use thereof as storage device

Номер патента: RU2580905C2. Автор: Сергей Михайлович Алдошин,Павел Анатольевич Трошин,Наталия Алексеевна Санина,Любовь Анатольевна Фролова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем химической физики Российской Академии наук (ИПХФ РАН). Дата публикации: 2016-04-10.

Metal-oxide semiconductor field-effect transistor with asymmetric parallel die and implementation method thereof

Номер патента: US20230037951A1. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Hsiang Chi Meng,Chih Ming Yu. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Organic luminescent substrate, preparation method thereof, display apparatus, and display driving method

Номер патента: WO2019114502A1. Автор: Yingsong XU,Nan Zhao,Guoqiang Tang. Владелец: CHENGDU BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2019-06-20.

Hybrid metal-oxide semiconductor field-effect transistor with variable gate impedance and implementation method thereof

Номер патента: US20230039285A1. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Shiu Hui Lee,Cho Lan Peng,Chuo Chien TSAO. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Composite transistor based on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2710846C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Дмитрий Геннадьевич Дроздов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Operational amplifier with "floating" input differential cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2741055C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук,Владислав Евгеньевич Чумаков,Дмитрий Владимирович Клейменкин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2021-01-22.

Triggering asynchronous d trigger on field-effect transistors

Номер патента: RU2689197C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2019-05-24.

Static random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240130099A1. Автор: Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Differential amplifier on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2766861C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Владислав Евгеньевич Чумаков,Алексей Вадимович Кунц,Алексей Арсеньевич Павлючик. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-03-16.

Operational amplifier on complementary field-effect transistors

Номер патента: RU2770916C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Алексей Евгеньевич Титов,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-04-25.

Broadband voltage-to-current converter on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2739213C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук,Алексей Евгеньевич Титов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-12-22.

Organic field-effect transistor and fabrication method therefor

Номер патента: US11937438B2. Автор: Hong Meng,Xinwei Wang,Lin Ai,Yuhao SHI. Владелец: Peking University Shenzhen Graduate School. Дата публикации: 2024-03-19.

Multifunctional current mirror on complementary field-effect transistors with control pn-junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2720557C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-12.

Trigger logic element and-not/or-not on field-effect transistors

Номер патента: RU2756096C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Юго-Западный государственный университет» (ЮЗГУ). Дата публикации: 2021-09-28.

Flip-flop on field-effect transistors of opposite conductivity type

Номер патента: RU2694152C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2019-07-09.

Electron transport material and fabricating method thereof, and organic light-emitting diode

Номер патента: US20240032419A1. Автор: Kui Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

High power rf field effect transistor switching using dc biases

Номер патента: WO2014085140A2. Автор: William Henry VON NOVAK III,Cody Burton Wheeland,Linda Stacey Irish,Gabriel Issac Mayo. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-06-05.

Desaturation protection of power field-effect transistor

Номер патента: US20240283441A1. Автор: Nan Xing,Zhemin Zhang,Yinglai Xia,Yalong Li. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Desaturation protection of power field-effect transistor

Номер патента: WO2024176172A1. Автор: Nan Xing,Zhemin Zhang,Yinglai Xia,Yalong Li. Владелец: Infineon Technologies Canada Inc.. Дата публикации: 2024-08-29.

Metal-oxide semiconductor field-effect transistor with asymmetric parallel dies and method of using the same

Номер патента: US12101026B2. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Hsiang Chi Meng,Chih Ming Yu. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Flexible display panel and fabricating method thereof, and image display terminal unit

Номер патента: US09591765B2. Автор: SeokHee JEONG,Jungchul Kim,Soonkwang Hong. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Trigger logic element on field-effect transistors

Номер патента: RU2715178C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2020-02-25.

Buffer amplifier of class ab on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2721940C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Елена Владимировна Овсепян,Екатерина Петровна Никитина. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-25.

Multi-output dc-dc converter using field-effect transistor switched at high frequency

Номер патента: CA2034531C. Автор: Hideo Nochi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-03-12.

Biasing network for use with field effect transistor ring mixer

Номер патента: US5153469A. Автор: Brian E. Petted,Jeffrey P. Ortiz,Leo J. Wilz,Robert J. Baeten. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1992-10-06.

Wide range linear controller using junction field effect transistors

Номер патента: CA1260076A. Автор: Edward S. Parsons,John J. Ludwick. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1989-09-26.

Organic luminescent substrate, preparation method thereof, display apparatus, and display driving method

Номер патента: EP3724935A1. Автор: Yingsong XU,Nan Zhao,Guoqiang Tang. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-21.

Method for processing input variables by means of a processing device comprising at least two field-effect transistors, device for executing the method, computing device, and use

Номер патента: US20240259031A1. Автор: Tobias Kirchner,Taha Soliman. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-08-01.

Circuit board structure for electrical testing and fabrication method thereof

Номер патента: US8222528B2. Автор: Pao-Hung Chou. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2012-07-17.

Differential amplifier based on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2736412C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Анна Витальевна Бугакова,Дмитрий Геннадьевич Дроздов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-11-17.

Degenerative-type voltage stabilizer on field-effect transistors for operation at low temperatures

Номер патента: RU2736548C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Илья Викторович Пахомов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-11-18.

Differential cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction of class ab with variable voltage of restriction of pass characteristic

Номер патента: RU2712414C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-28.

Ambipolar organic thin-film field-effect transistor and its fabrication method

Номер патента: EP1705726A2. Автор: Masateru Taniguchi,Tomoji Kawai,Ikuo Shin-Etsu Chemical Co. Ltd. Fukui,Eriko Mizuno. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2006-09-27.

Organic field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100025667A1. Автор: Hsin-Fei Meng,Chien-Cheng Liu,Sheng-fu Horng. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2010-02-04.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240237329A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US7445986B2. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-11-04.

Structure of a memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20040004256A1. Автор: Jiun-Ren Lai,Chun-Yi Yang,Shi-Xian Chen,Gwen Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-08.

Printed circuit board and fabricating method thereof, and displaying device

Номер патента: US20240224416A1. Автор: Bin Zhang,Chang Wang,Fei Li,Kun Zuo,Xin Mu,Jiaxiang ZHANG,Yonglin CHEN,Mingqiang Wang,Hongjin HU,Xin Bi,Seungyong OH,Jiuyuan BAI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Light emitting device and fabricating method thereof, and light emitting apparatus

Номер патента: US20240224582A1. Автор: Zhuo Chen,Tieshi WANG. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

[organic light-emtting device and fabricating method thereof]

Номер патента: US20040189192A1. Автор: Wei-Pang Huang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2004-09-30.

Discrete circuit for driving field effect transistors

Номер патента: EP1635463A3. Автор: Balakrishnan V. Nair,Gerald A. Kilgour. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2007-04-25.

Threshold voltage-programmable field effect transistor-based memory cells and look-up table implemented using the memory cells

Номер патента: US11990171B2. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Digital garment using digital band and fabricating method thereof

Номер патента: WO2009107907A1. Автор: Dae Hoon Lee,Gi Soo Chung,Jae Sang An. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology. Дата публикации: 2009-09-03.

Flexible housing and fabrication method thereof

Номер патента: US20190307004A1. Автор: Run YANG,Xiaoli Fan. Владелец: Lenovo Beijing Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Three-dimensional memory and fabricating method thereof

Номер патента: US20230144830A1. Автор: YING Zhou,Ming Li,Zhenzhen Zhang,LongDong LIU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Rotated field effect transistor topology amplifier

Номер патента: US9866175B1. Автор: Peter W. Evans. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Flat panel display device and fabrication method thereof

Номер патента: US20020041150A1. Автор: CHANG Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2002-04-11.

Flat panel display device and fabrication method thereof

Номер патента: EP1195814A3. Автор: Chang Nam Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2006-11-02.

Logic inverter, and a multi-output logic operator derived from this inverter, using at least two low-voltage-threshold field-effect transistors

Номер патента: US4485316A. Автор: Tung Pham Ngu,Gerard Nuzillat,Georges Bert. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1984-11-27.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US20060175650A1. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-08-10.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US20060270144A1. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Backlight Module and Fabricating Method Thereof, and Display Apparatus

Номер патента: US20160370536A1. Автор: Jifeng TAN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Threshold voltage-programmable field effect transistor-based memory cells and look-up table implemented using the memory cells

Номер патента: US20240221810A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Printed circuit board and fabricating method thereof, and displaying device

Номер патента: US12082337B2. Автор: Bin Zhang,Chang Wang,Fei Li,Kun Zuo,Xin Mu,Jiaxiang ZHANG,Yonglin CHEN,Mingqiang Wang,Hongjin HU,Xin Bi,Seungyong OH,Jiuyuan BAI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Mask ROM, and fabrication method thereof

Номер патента: US20030038310A1. Автор: Min Lim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-27.

Methods of forming flash field effect transistor gates and non-flash field effect transistor gates

Номер патента: US20030129801A1. Автор: Kevin Beaman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Mask rom, and fabrication method thereof

Номер патента: US20040173857A1. Автор: Min Gyu Lim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-09.

Color wheel unit and fabrication method thereof

Номер патента: US20070081265A1. Автор: Nak-Yun Sung,Yong-Wan Cho,Ji-Hyung Jung,Ju-Dong Oh,Kye-Woong Cho. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-12.

Display device and fabrication method thereof

Номер патента: US20070153158A1. Автор: Gee-Sung Chae. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Three-transistor dram cell and associated fabrication method

Номер патента: US20030016569A1. Автор: Claus Dahl,Siegmar KÖPPE. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-01-23.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12101943B2. Автор: WEI CHANG,Qingsong DU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Display panel and fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US20240324405A1. Автор: PENG Hou,ZHU Wang,Shuo Li,Zhenglong Yan,Yanyang SHANG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12075705B2. Автор: Wen Bin XIA. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Organic electroluminescent structure and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US12048179B2. Автор: Li Liu,Pengcheng LU,Shengji Yang,Kui Zhang,Chao PU,Rongrong SHI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Display panel and fabrication method thereof, and electronic device

Номер патента: US20240334780A1. Автор: Ming Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Organic thin film transistor, and fabricating method thereof

Номер патента: EP3408876A1. Автор: Leilei CHENG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-05.

Differential amplifier with increased slope on field-effect transistors

Номер патента: RU2770915C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Анна Витальевна Бугакова,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-04-25.

Differential operational amplifier on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2739577C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-12-28.

Differential amplifier on arsenide-gallium field-effect transistors

Номер патента: RU2770912C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Владислав Евгеньевич Чумаков,Алексей Вадимович Кунц. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-04-25.

Differential amplifier on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2688225C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-05-21.

Non-inverting current mirror on complementary field-effect transistors with pn-junction control for operation at low temperatures

Номер патента: RU2720554C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-12.

Differential cascade on complementary jfet field-effect transistors with high attenuation of input in-phase signal

Номер патента: RU2710296C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-12-25.

Differential amplifier of class ab on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2736549C1. Автор: Петр Сергеевич Будяков,Илья Викторович Пахомов,Алексей Андреевич Жук,Иван Николаевич Третьяк. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-11-18.

Switching device with series connection of junction field-effect transistors

Номер патента: RU2550551C2. Автор: Йюрген БИЛА,Даниэль АГГЕЛЕР,Иоганн Вальтер КОЛАР. Владелец: Этх Цюрих. Дата публикации: 2015-05-10.

High voltage system using enhancement and depletion field effect transistors

Номер патента: US5051618A. Автор: Perry W. Lou. Владелец: Idesco Oy. Дата публикации: 1991-09-24.

Adhesive Tape having Non-uniform Adhesive forces, Preparation Apparatus and Method thereof

Номер патента: KR101190855B1. Автор: 김상필,최성환,문기정. Владелец: 도레이첨단소재 주식회사. Дата публикации: 2012-10-15.

Light guide plate, backlight unit having the same, and fabrication device and method thereof

Номер патента: WO2016177028A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Hefei Boe Display Light Co., Ltd.. Дата публикации: 2016-11-10.

Mat comprising a sandwich panel with outer layers having non-uniform thickness

Номер патента: GB2477105A. Автор: Richard Ian Chambers,Matthew Douglas Chambers. Владелец: STAGEWORKS GEAR Co. Дата публикации: 2011-07-27.

Light guide plate, backlight unit having the same, and fabrication device and method thereof

Номер патента: US10195800B2. Автор: XIANG Liu. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-05.

Light guide plate, backlight unit having the same, and fabrication device and method thereof

Номер патента: US20170139107A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

CAPACITIVE MICROMACHINED ULTRASONIC TRANSDUCERS (CMUTS) HAVING NON-UNIFORM PEDESTALS

Номер патента: US20220283121A1. Автор: Satir Sarp,Miao Lingyun. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-08.

SORTING MACHINE FOR SORTING FLAT ARTICLES HAVING NON-UNIFORM PHYSICAL CHARACTERISTICS, AND A METHOD OF SORTING SAID FLAT ARTICLES

Номер патента: US20140231317A1. Автор: CAMPAGNOLLE Pierre,REBOUL Jean-Michel,Darmon Guy,Bastien Xavier. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-21.

BLADE BEARING WITH SUPPORT STRUCTURE HAVING NON-UNIFORM STIFFNESS AND METHOD MANUFACTURE

Номер патента: US20140355922A1. Автор: Neubauer Jesper Lykkegaard,Mølgaard Jeppesen Ole,Baun Torben Friis,Lindholst Peter. Владелец: VESTAS WIND SYSTEMS A/S. Дата публикации: 2014-12-04.

Pultrusion of Profiles Having Non-Uniform Cross Sections

Номер патента: US20200400025A1. Автор: Sjostedt Rob. Владелец: TSC, LLC. Дата публикации: 2020-12-24.

A multistage bubble column with plates having non-uniformly distributed perforations

Номер патента: GB2307191A. Автор: Hideo Narahara,Korekazu Ueyama,Takanori Ito,Nobuhiro Kawara,Susumu Tsukada. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1997-05-21.

Blade bearing with support structure having non-uniform stiffness and method manufacture

Номер патента: US9181982B2. Автор: Ole Mølgaard Jeppesen,Peter Lindholst,Jesper Lykkegaard Neubauer,Torben Friis Baun. Владелец: Vestas Wind Systems AS. Дата публикации: 2015-11-10.

Blade bearing with support structure having non-uniform stiffness and method manufacture

Номер патента: CN104066975B. Автор: J·L·纽鲍尔,P·林德霍斯特,O·默尔加德·杰普森,T·F·包恩. Владелец: Vestas Wind Systems AS. Дата публикации: 2017-02-22.

Dielectrophoresis device and method having non-uniform arrays for manipulating particles

Номер патента: CA2556518A1. Автор: Blake Simmons,Yolanda Fintschenko,Eric B. Cummings. Владелец: Eric B. Cummings. Дата публикации: 2005-10-06.

Method and apparatus for weight controlled portioning of articles having non-uniform weight

Номер патента: CA2200047A1. Автор: John Bomholt,Thorkild Kvisgaard. Владелец: Thorkild Kvisgaard. Дата публикации: 1996-03-21.

Vehicle bumper beam having non-uniform cross sections

Номер патента: CN1997535A. Автор: B·刘,M·R·梅森,R·A·赞杰斯. Владелец: Tech R & D North America Inc F. Дата публикации: 2007-07-11.

Method of forecasting comfort inside a vehicle equipped with a mounted assembly having non-uniformities.

Номер патента: US20040065145A1. Автор: Pierre Fabry,Eric Dormegnie. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-08.

Vehicle bumper beam having non-uniform cross sections

Номер патента: CA2571036A1. Автор: Bing Liu,Murray Richard Mason,Ryszard Adam Zajac. Владелец: F.Tech R&D North America Inc.. Дата публикации: 2006-01-05.

Method for manufacturing foam tires having non-uniform inner bubbles, and structure of the foam tire

Номер патента: WO2011142521A1. Автор: 이성율. Владелец: 화인케미칼 주식회사. Дата публикации: 2011-11-17.

Pultrusion of profiles having non-uniform cross sections

Номер патента: EP3972749A4. Автор: Rob Sjostedt. Владелец: Galactic Co LLC. Дата публикации: 2024-01-17.

Pultrusion of profiles having non-uniform cross sections

Номер патента: IL288981A. Автор: . Владелец: Galactic Co LLC. Дата публикации: 2022-02-01.

Silicone hydrogel contact lenses having non-uniform morphology

Номер патента: EP3987323B9. Автор: Azaam Alli,Alexander Guzman,Donald E. Riederer,Bernardo Santa Maria. Владелец: Johnson and Johnson Vision Care Inc. Дата публикации: 2023-10-18.

MICROFLUIDIC CHANNEL AND PREPARATION METHOD AND OPERATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20210229088A1. Автор: YUAN Guangcai,MA Xiaochen,NING Ce,LI Zhengliang. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-29.

Method of generating a diffractive optical element having thin film layers having non uniform thickness, and illumination light guide having diffractive optical element thin film layers having

Номер патента: WO2024124040A1. Автор: Cheng Shi,Marcell KISS,Parashara PANDURANGA,Alexander Drayton,Jamie Dean Reynolds. Владелец: Snap Inc.. Дата публикации: 2024-06-13.

Golf balls having non-uniform core structures with metal-containing centers

Номер патента: US20140155195A1. Автор: Michael J. Sullivan,Mark L. Binette. Владелец: Acushnet Co. Дата публикации: 2014-06-05.

Golf balls having non-uniform core structures with metal-containing centers

Номер патента: US20160129316A1. Автор: Michael J. Sullivan,Mark L. Binette. Владелец: Acushnet Co. Дата публикации: 2016-05-12.

Golf balls having non-uniform core structures with metal-containing centers

Номер патента: US09962579B2. Автор: Michael J. Sullivan,Mark L. Binette. Владелец: Acushnet Co. Дата публикации: 2018-05-08.

Golf balls having non-uniform core structures with metal-containing centers

Номер патента: US09630061B2. Автор: Michael J. Sullivan,Mark L. Binette. Владелец: Acushnet Co. Дата публикации: 2017-04-25.

Thin film layers having non-uniform thicknesses

Номер патента: US20240192431A1. Автор: Cheng Shi,Marcell KISS,Parashara PANDURANGA,Alexander Drayton,Jamie Dean Reynolds. Владелец: Snap Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Apparatus for measuring the reflectance of strips having non-uniform color

Номер патента: US6124585A. Автор: Richard A. Riedel,James S. Hutchison. Владелец: UMM Electronics Inc. Дата публикации: 2000-09-26.

Knee prosthesis having non-uniform stiffness

Номер патента: US20230210670A1. Автор: Mathew J. Walkington. Владелец: DePuy Ireland ULC. Дата публикации: 2023-07-06.

Digitizer with serpentine conductor grid having non-uniform repeat increment

Номер патента: US5051545A. Автор: Robert M. McDermott. Владелец: Summagraphics Corp. Дата публикации: 1991-09-24.

Process for high engagement embossing on substrate having non-uniform stretch characteristics

Номер патента: US7597777B2. Автор: II Nicholas Jerome Wilke. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2009-10-06.

Process for high engagement embossing on substrate having non-uniform stretch characteristics

Номер патента: CA2622027C. Автор: Nicholas Jerome Ii Wilke. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2012-09-18.

SIDE-EDGE BACKLIGHT MODULE HAVING NON-UNIFORMLY SIZED BACKLIGHT SECTIONS AND DESIGN METHOD THEREOF

Номер патента: US20140029304A1. Автор: Chang Kuangyao. Владелец: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2014-01-30.

SIDE-EDGE BACKLIGHT MODULE HAVING NON-UNIFORMLY SIZED BACKLIGHT SECTIONS AND DESIGN METHOD THEREOF

Номер патента: US20170219764A1. Автор: Chang Kuangyao. Владелец: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2017-08-03.

Method for the formation of controlled weight batches of genders that have non-uniform weight

Номер патента: BR9914428A. Автор: Ulrich Carlin Nielsen,Svend Baekhof Jensen. Владелец: Scanvaegt Int As. Дата публикации: 2001-11-06.

Uniformity compensation method for liquid crystal display (LCD) having non-uniform backlight board, and the display

Номер патента: TW201017610A. Автор: Frank Wang. Владелец: Dynascan Technology Corp. Дата публикации: 2010-05-01.

Memory device having non-uniform refresh

Номер патента: US12020740B2. Автор: Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-06-25.

Sustained release solid dosage forms having non-uniform distribution of active ingredient

Номер патента: IL70071A0. Автор: . Владелец: Merrell Dow Pharma. Дата публикации: 1984-01-31.

Sustained release solid dosage forms having non-uniform distribution of active ingredient

Номер патента: PH20332A. Автор: Michael A Zoglio. Владелец: Merrell Dow Pharma. Дата публикации: 1986-12-02.

Memory device having non-uniform refresh

Номер патента: EP3815084A1. Автор: Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2021-05-05.

Interference filter and MEMS element having connected first and second grooves in a moveable substrate having non-uniform thickness

Номер патента: US09971143B2. Автор: Teruyuki Nishimura,Tomoki Sakashita. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Device for manufacturing a crystalline material from a crucible having non-uniform heat resistance

Номер патента: US09945046B2. Автор: Denis Camel,Fabrice Coustier,Anis Jouini,Etienne Pihan. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-04-17.

Antibacterial ultraviolet-proof fabric spraying agent and preparation method thereof, and fabric and preparation method thereof

Номер патента: CN111893774B. Автор: 刘慧香,谢玉青,张宜斐. Владелец: Shanghai Weilujia New Material Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-10-29.

Rotary machine having non-uniform blade and vane spacing

Номер патента: US20120099961A1. Автор: John McConnell Delvaux,Brian Denver Potter. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2012-04-26.

Golf Balls with Clusters of Dimples Having Non-Uniform Dimple Profiles

Номер патента: US20130085017A1. Автор: Goodwin David A.. Владелец: Nike, Inc.. Дата публикации: 2013-04-04.

DISPLAY PANEL HAVING NON-UNIFORM PIXEL DISTRIBUTION DENSITY

Номер патента: US20130278488A1. Автор: Huo Hung-Lung. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd.. Дата публикации: 2013-10-24.

PROPPANT HAVING NON-UNIFORM ELECTRICALLY CONDUCTIVE COATINGS AND METHODS FOR MAKING AND USING SAME

Номер патента: US20190048254A1. Автор: Cannan Chad,Bartel Lewis,Roper Todd. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-14.

GOLF BALLS HAVING NON-UNIFORM CORE STRUCTURES WITH METAL-CONTAINING CENTERS

Номер патента: US20140155195A1. Автор: Sullivan Michael J.,Binette Mark L.. Владелец: ACUSHNET COMPANY. Дата публикации: 2014-06-05.

Optical System For Facilitating Plant Growth Having Non-Uniform Light Density Distribution

Номер патента: US20220095546A1. Автор: Zhang Qian,Cao Liangliang. Владелец: Verdant Lighting Technology, Inc.. Дата публикации: 2022-03-31.

LATERAL ELECTRIC FIELD TYPE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE HAVING NON-UNIFORM SPACINGS BETWEEN TWO ELECTRODES

Номер патента: US20140160412A1. Автор: Peng Cheng-Chung,Shen Yuh-Ren,Lee Hsin-Ta. Владелец: VASTVIEW TECHNOLOGY INC.. Дата публикации: 2014-06-12.

COMPENSATED MOLDS FOR MANUFACTURING GLASS-BASED ARTICLES HAVING NON-UNIFORM THICKNESSES

Номер патента: US20220135472A1. Автор: Harris Jason Thomas,Kohli Jeffrey Todd. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

RECTILINEAR MACROS HAVING NON-UNIFORM CHANNEL SPACING

Номер патента: US20170091365A1. Автор: Kumar Sunil,WONG Pak Kin,Gudala Sreedhar,Rao Kumar Gopal,Page Francis. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-30.

GOLF BALLS HAVING NON-UNIFORM CORE STRUCTURES WITH METAL-CONTAINING CENTERS

Номер патента: US20160129316A1. Автор: Sullivan Michael J.,Binette Mark L.. Владелец: ACUSHNET COMPANY. Дата публикации: 2016-05-12.

DEVICE FOR MANUFACTURING A CRYSTALLINE MATERIAL FROM A CRUCIBLE HAVING NON-UNIFORM HEAT RESISTANCE

Номер патента: US20140224172A1. Автор: Pihan Etienne,Camel Denis,Coustier Fabrice,Jouini Anis. Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2014-08-14.

JET IMPINGEMENT COOLING APPARATUSES HAVING NON-UNIFORM JET ORIFICE SIZES

Номер патента: US20150184947A1. Автор: JOSHI Shailesh N.. Владелец: Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc.. Дата публикации: 2015-07-02.

PROPPANT HAVING NON-UNIFORM ELECTRICALLY CONDUCTIVE COATINGS AND METHODS FOR MAKING AND USING SAME

Номер патента: US20160222283A1. Автор: Cannan Chad,Bartel Lewis,Roper Todd. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

MEMORY DEVICE HAVING NON-UNIFORM REFRESH

Номер патента: US20210241822A1. Автор: Vogelsang Thomas. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2021-08-05.

GOLF BALLS HAVING NON-UNIFORM CORE STRUCTURES WITH METAL-CONTAINING CENTERS

Номер патента: US20170225043A1. Автор: Sullivan Michael J.,Binette Mark L.. Владелец: ACUSHNET COMPANY. Дата публикации: 2017-08-10.

SILICONE HYDROGEL CONTACT LENSES HAVING NON-UNIFORM MORPHOLOGY

Номер патента: US20200399429A1. Автор: Alli Azaam,Guzman Alexander,Riederer Donald E.,Santa Maria Bernardo. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-24.

Absorbent article with stabilized absorbent structure having non-uniform lateral compression stiffness

Номер патента: US7732039B2. Автор: Jayant Chakravarty,Mark J. Beitz,David L. Zenker. Владелец: Kimberly Clark Worldwide Inc. Дата публикации: 2010-06-08.

Absorbent article with stabilized absorbent structure having non-uniform lateral compression stiffness

Номер патента: KR100975167B1. Автор: 재얀트 차크라바티,마크 제이. 베이츠,데이비드 엘. 젠커. Владелец: 킴벌리-클라크 월드와이드, 인크.. Дата публикации: 2010-08-10.

Absorbent article with stabilized absorbent structure having non-uniform lateral compression stiffness

Номер патента: US20030119401A1. Автор: David Zenker,Mark Beitz,Jayant Chakravarty. Владелец: Kimberly Clark Worldwide Inc. Дата публикации: 2003-06-26.

Light diffusion plate having non-uniform local microlens array pattern and liquid crystal display device comprising the same

Номер патента: KR101413140B1. Автор: 김용수,박규엽,장성철,백승경,김장욱. Владелец: 주식회사 케이씨씨. Дата публикации: 2014-07-01.

Depth mapping using optical elements having non-uniform focal characteristics

Номер патента: US8494252B2. Автор: Barak Freedman,Yoel Arieli,Alexander Shpunt. Владелец: PRIMESENSE LTD. Дата публикации: 2013-07-23.

ROTARY MACHINE HAVING NON-UNIFORM SPACING BETWEEN MOBILE FINS AND FIXED FINS

Номер патента: FR2966496A1. Автор: John McConnell Delvaux,Brian Denver Potter. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2012-04-27.

Process for high engagement embossing on substrate having non-uniform stretch characteristics

Номер патента: CA2622027A1. Автор: Nicholas Jerome Ii Wilke. Владелец: Nicholas Jerome Ii Wilke. Дата публикации: 2007-03-15.

Prosthetic heart valve with suturing member having non-uniform radial width

Номер патента: WO1998010719A1. Автор: Gerald M. Lemole. Владелец: Medtronic, Inc.. Дата публикации: 1998-03-19.

Rolling cone drill bit having non-uniform legs

Номер патента: CA2571062A1. Автор: Scott D. Mcdonough,Amardeep Singh. Владелец: Smith International Inc. Дата публикации: 2007-06-14.

Fiber having non-uniform composition and method for making same

Номер патента: WO2010132763A1. Автор: Peter D. Gabriele,Jeffrey S. Haggard,Michael S. Flemmens,Matthew G. Weir,Andrew Hogan. Владелец: Hills, Inc.. Дата публикации: 2010-11-18.

Process for high engagement embossing on substrate having non-uniform stretch characteristics

Номер патента: WO2007030592A2. Автор: Nicholas Jerome Ii Wilke. Владелец: The Procter & Gamble Company. Дата публикации: 2007-03-15.

Golf balls with clusters of dimples having non-uniform dimple profiles

Номер патента: US8337334B2. Автор: David A. Goodwin. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2012-12-25.

Manufacturing method of polyester microfiber having non-uniform fineness and cross section

Номер патента: KR950003492A. Автор: 서종원,조재준. Владелец: 동양나일론 주식회사. Дата публикации: 1995-02-17.

Apparatus measuring reflectance of strips having non-uniform color

Номер патента: EP1125108A1. Автор: James Hutchison,Richard A. Riedel. Владелец: UMM Electronics Inc. Дата публикации: 2001-08-22.

Stent having non-uniform structure

Номер патента: EP1047357A1. Автор: Rao K. T. Venkateswara. Владелец: Advanced Cardiovascular Systems Inc. Дата публикации: 2000-11-02.

Multi-beam laser radar having non-uniform pulse distribution

Номер патента: WO2020001537A1. Автор: 向少卿. Владелец: 上海禾赛光电科技有限公司. Дата публикации: 2020-01-02.

Inflatable membrane having non-uniform inflation characteristic

Номер патента: US9140649B2. Автор: Manas C. Menon,Douglas P. Hart,Federico Frigerio,Douglas M. Johnston,Daniel Vlasic. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2015-09-22.

MRI gradient coil having non-uniform coolant passageway within gradient coil conductor

Номер патента: US10578692B2. Автор: Yoshitomo Sakakura,Kazuhiko Tsujita. Владелец: Toshiba Medical Systems Corp. Дата публикации: 2020-03-03.

Device for manufacturing a crystalline material from a crucible having non-uniform heat resistance

Номер патента: EP2753732A1. Автор: Denis Camel,Fabrice Coustier,Anis Jouini,Etienne Pihan. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2014-07-16.

Process for high engagement embossing on substrate having non-uniform stretch characteristics

Номер патента: US7678229B2. Автор: II Nicholas Jerome Wilke. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2010-03-16.

Slim floor structure using steel-concrete hybrid column and steel-concrete hybrid beams having non-uniform section

Номер патента: KR100899165B1. Автор: 이창남. Владелец: 주식회사 성림피에스. Дата публикации: 2009-05-26.

Process assignment by nodal affinity in a myultiprocessor system having non-uniform memory access storage architecture

Номер патента: US5784697A. Автор: Mark Robert Funk,Donald Arthur Morrison,Timothy Joseph Torzewski,Larry Keith Mcmains,Robert Anthony Petrillo,Robert Carl Seemann,Arthur Douglas Smet. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-07-21.

Proppant having non-uniform electrically conductive coatings and methods for making and using same

Номер патента: WO2016168719A1. Автор: Chad Cannan,Lewis BARTEL,Todd Roper. Владелец: CARBO CERAMICS, INC.. Дата публикации: 2016-10-20.

Absorbent article with stabilized absorbent structure having non-uniform lateral compression stiffness

Номер патента: WO2003053315A1. Автор: Jayant Chakravarty,Mark J. Beitz,David L. Zenker. Владелец: KIMBERLY-CLARK WORLDWIDE, INC.. Дата публикации: 2003-07-03.

Design method for optical lens having non-uniform thickness

Номер патента: EP3702814A1. Автор: Wenliang LIAO,Xiangjun LIAO. Владелец: Suzhou Lylap Mould Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-09-02.

Accessing a multi-channel memory system having non-uniform page sizes

Номер патента: EP2486488B1. Автор: Feng Wang,Matthew Michael Nowak,Jonghae Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-11-20.

Linear flexure bearings having non-uniform thickness, and systems and methods for using and making the same

Номер патента: IL310085A. Автор: Andreas Fiedler,Nathan T Paszek. Владелец: Nathan T Paszek. Дата публикации: 2024-03-01.

Linear flexure bearings having non-uniform thickness, and systems and methods for using and making the same

Номер патента: EP4377583A1. Автор: Andreas Fiedler,Nathan T. PASZEK. Владелец: Teledyne Flir Commercial Systems Inc. Дата публикации: 2024-06-05.

Accessing a multi-channel memory system having non-uniform page sizes

Номер патента: WO2011044389A1. Автор: Feng Wang,Matthew Michael Nowak,Jonghae Kim. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-04-14.

Accessing a multi-channel memory system having non-uniform page sizes

Номер патента: TW201131371A. Автор: Feng Wang,Matthew Michael Nowak,Jong-Hae Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-09-16.

Accessing a multi-channel memory system having non-uniform page sizes

Номер патента: EP2486488A1. Автор: Feng Wang,Matthew Michael Nowak,Jonghae Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-08-15.

Linear flexure bearings having non-uniform thickness, and systems and methods for using and making the same

Номер патента: US20240159265A1. Автор: Andreas Fiedler,Nathan T. PASZEK. Владелец: Flir Commercial Systems Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Self testing device for memory channels and memory control units and method thereof

Номер патента: US09589671B2. Автор: Chung-ching Chen,Chen-Nan Lin,Yi-Hao LO. Владелец: MStar Semiconductor Inc Taiwan. Дата публикации: 2017-03-07.

LIGHT GUIDE PLATE, BACKLIGHT UNIT HAVING THE SAME, AND FABRICATION DEVICE AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20170139107A1. Автор: LIU Xiang. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-18.

Liquid crystal display device and fabricating and driving method thereof

Номер патента: CN1991501A. Автор: 秋教燮,姜熙光. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-04.

Deodorant for clothes and fabrics and manufacturing method thereof

Номер патента: KR101822929B1. Автор: 윤혜진. Владелец: 윤혜진. Дата публикации: 2018-01-29.

Deodorant for clothes and fabrics and manufacturing method thereof

Номер патента: KR20170128861A. Автор: 윤혜진. Владелец: 윤혜진. Дата публикации: 2017-11-24.

Anti-skid and anti-bouncing yarn and fabric and production method thereof

Номер патента: CN110629342A. Автор: 贺光明,柯文博,周冰倩. Владелец: Foshan Shunde Lianjin Textile Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-31.

Heat insulation integrated ultra-thin panel fixing structural and fabrication and installation method thereof

Номер патента: CN106284899A. Автор: 周荣,周平,周奇,周述文. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-04.

Liquid crystal display device and fabricating and driving method thereof

Номер патента: US20110187954A1. Автор: Hee Kwang Kang,Kyo Seop Choo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-04.

Hybrid drive shaft using friction-stir welding and fabrication method thereof

Номер патента: US09958003B2. Автор: Dong Ho Kim. Владелец: Woo Shin Emc Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Connected field effect transistors

Номер патента: US11827512B2. Автор: Eric Martin,Tsuyoshi Yamashita,Rogelio Cicili. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2023-11-28.

Fluid actuators connected to field effect transistors

Номер патента: US20210206161A1. Автор: Eric Martin,James R Przybyla,Rogelio Cicili. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2021-07-08.

Connected field effect transistors

Номер патента: EP3857599A1. Автор: Eric Martin,Tsuyoshi Yamashita,Rogelio Cicili. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2021-08-04.

Connected field effect transistors

Номер патента: WO2020068035A1. Автор: Eric Martin,Tsuyoshi Yamashita,Rogelio Cicili. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2020-04-02.

Catalytic converter and fabrication method thereof

Номер патента: US09617896B2. Автор: Sungmu Choi. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20110195257A1. Автор: Shu-Lin Ho,Hsin-Chang Hsiung. Владелец: Core Precision Material Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-11.

Wire grid polarizer and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09897735B2. Автор: Yanbing WU,Yingyi LI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Flooring material and fabrication method thereof

Номер патента: US09833974B2. Автор: Gyeongmin Lee,Hyunjong Kwon,Kyungtae Ha. Владелец: LG HAUSYS LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Thermoluminescent dosimeter for radiation monitoring, comprising LiF doped with Mg, Cu, and Si, and fabrication method thereof

Номер патента: US20080142731A1. Автор: Jong-Soo Kim,Bong-Hwan Kim,Jung-Il Lee,Jang-Lyul Kim,Jeong-Sun Yang. Владелец: Korea Hydro and Nuclear Power Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-19.

Covering for railroad switch mechanisms in hollow sleepers and fabrication method thereof

Номер патента: EP2226426A3. Автор: Cesar Fernandez Sanchez,Luis Blanco Belda. Владелец: Desarrollos Y Fabricacion Dyf Sa. Дата публикации: 2014-01-01.

Inkjet printer head and fabricating method thereof

Номер патента: US20070171259A1. Автор: Won-Chul Sim,Soon-Young Kim,Jae-Woo Joung. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-26.

Silicide capacitive micro electromechanical structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230116389A1. Автор: Chun-Chieh Lin,Di-Bao Wang. Владелец: Taiwan Asia Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Aluminum alloy flux-cored welding wire and fabrication method thereof

Номер патента: US20240227087A1. Автор: Chang Miao,Rui CAO,Yutao Zhao,Xizhou Kai,Chengchao DU,Zhuangzhuang XU. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2024-07-11.

Artificial retinal nerve flexible microelectrode device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210290947A1. Автор: Chengzhi LUO. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Aluminum alloy flux-cored welding wire and fabrication method thereof

Номер патента: US12042885B1. Автор: Chang Miao,Rui CAO,Yutao Zhao,Xizhou Kai,Chengchao DU,Zhuangzhuang XU. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2024-07-23.

Nickel-iron alloy hydrogenation catalyst and fabricating method thereof

Номер патента: US20210113999A1. Автор: Chuh-Yung Chen,Cheng-Chien Wang,Ying-Ji Lin,Po-Wei LAN. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2021-04-22.

Nickel-iron alloy hydrogenation catalyst and fabricating method thereof

Номер патента: EP3808452A1. Автор: Chuh-Yung Chen,Cheng-Chien Wang,Ying-Ji Lin,Po-Wei LAN. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2021-04-21.

Nickel-iron alloy hydrogenation catalyst and fabricating method thereof

Номер патента: US11583835B2. Автор: Chuh-Yung Chen,Cheng-Chien Wang,Ying-Ji Lin,Po-Wei LAN. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2023-02-21.

Whispering gallery mode resonator based on cylindrical cavity in optical fiber and fabrication method thereof

Номер патента: US20240295794A1. Автор: Dongning Wang,Yongli Mei,Qiaoben Wang. Владелец: Shenzhen Technology University. Дата публикации: 2024-09-05.

Fluid injection devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20060071302A1. Автор: Hung-Sheng Hu,Wei-Lin Chen,Der-Rong Shyn. Владелец: BenQ Corp. Дата публикации: 2006-04-06.

Biomolecule detector based on field effect transistor arrays containing reference electrodes and detection method for biomolecules using the same

Номер патента: US20080315861A1. Автор: Jeo Young SHIM,Kyu Tae YOO,Won Seok CHUNG,Jung Im HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-25.

Power control circuit for memory circuit based on complementary field effect transistor devices

Номер патента: US20240321337A1. Автор: Chia-Che Chung,Chien-Chen Lin,Shang Lin Wu,Yen Lin CHUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Magnetically driven capsule robot with controllable drug administration and sampling functions and fabrication method thereof

Номер патента: US20240299715A1. Автор: Liang Li,WANG Zhang,Yuxuan Sun,Enmin SONG,Quanliang Cao. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-09-12.

Cell-assembled motherboard and fabrication method thereof, and liquid crystal display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US09488872B2. Автор: Mingchao Wang. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Natural adhesive using garlic and fabricating method of the same

Номер патента: US20110000396A1. Автор: Jin Hwa Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-06.

Natural adhesive using garlic and fabricating method of the same

Номер патента: EP2195399A2. Автор: Jin Hwa Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-16.

Biomimetic, nanofiber-based and directional moisture-wicking electronic skins and fabrication methods thereof

Номер патента: US20240260899A1. Автор: Jinlian Hu,Shuo SHI,Yifan Si,Chuanwei ZHI. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2024-08-08.

Liquid crystal display device and fabrication method thereof

Номер патента: US20060273315A1. Автор: Yong-Min Ha,Han-Wook Hwang. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-07.

Integrated circuit comprising field effect transistors and a programmable read-only memory

Номер патента: IE56337B1. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1991-06-19.

Display panel with single substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US09983446B2. Автор: Yanbing WU,Wenbo Li,Dongsheng Wang,Youmei Dong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Storage system having bilateral field effect transistor personalization

Номер патента: CA1169556A. Автор: Wilbur D. Pricer,James E. Selleck. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-06-19.

Touch device and fabrication method thereof

Номер патента: US09665230B2. Автор: FENG CHEN,Yuh-Wen Lee,Yanjun Xie,Hsiang-Lung Hsia,Xianbin Xu,Keming Ruan,Fengming Lin. Владелец: TPK Touch Solutions Xiamen Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Silicon-based rib-waveguide modulator and fabrication method thereof

Номер патента: US09429776B2. Автор: Changhua Chen,Dong Pan,Tuo SHI,Tzung-I Su,Yongbo Shao. Владелец: SiFotonics Technologies USA Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Liquid crystal display and fabricating method thereof

Номер патента: US20040227892A1. Автор: Ya-Hsiang Tai,Jun Chang Chen. Владелец: Toppoly Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2004-11-18.

Heat resistive particles for particle-based displays and fabrication methods thereof

Номер патента: US20130088768A1. Автор: Rong-Chang Liang,Jung-Yang Juang,Jiunn-Jye HWANG HWANG. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2013-04-11.

Liquid crystal panel and fabricating method thereof

Номер патента: US09933653B2. Автор: Yuejun TANG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Liquid crystal display panel, driving method and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09645455B2. Автор: Miki Kashima. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Gas-sensitive sensor based on field-effect transistor and process of determination of concentration of gases

Номер патента: RU2169363C2. Автор: В.А. Березкин,И.Г. Шкуропат,В.К. Дмитриев,В.Г. Певгов. Владелец: Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина. Дата публикации: 2001-06-20.

Organic silicon phosphate and fabrication method thereof

Номер патента: US20110160475A1. Автор: Dick Zhong,Hsueh-Tso Lin,Kuan-Ching Chen,Shang-Wei Tang. Владелец: Grand Tek Advance Material Science Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-30.

Liquid crystal display device and fabrication method thereof

Номер патента: US20100068965A1. Автор: Bong Chul Kim,Seung Hyun Lee,Jeong-Hyun Kim,Myoung Ho Lee,Min Joo Kim,Kyo Yong Koo,Hyeon Jin Seo,Se Jong Shin. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-18.

Display-panel motherboard and fabricating method thereof

Номер патента: US20200292862A1. Автор: JI Li,Lisen Wang,Zhiyang Gao,Zhaozhe Xu. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Touch substrate, mask plate for fabricating the same, and fabricating method thereof

Номер патента: EP3488329A1. Автор: Ming Zhang,Chunjian Liu,Ming Hu,Yu Zhu,Shifeng Xu,Zouming Xu,Xinbin TIAN,Qitao ZHENG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-29.

Solid-state light emitting display and fabrication method thereof

Номер патента: US20080280384A1. Автор: Chun-Hung Lin,Chia-Chiang Chang,Chia-Hung Hung. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-11-13.

Liquid crystal panel for improving the uniformity of the parasitic capacitor and fabrication method thereof

Номер патента: US8179511B2. Автор: Moon Soo Kang,Hyung Ho Ahn. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-15.

Liquid crystal panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20070103609A1. Автор: Moon Kang,Hyung Ahn. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-10.

Ferroelectric liquid crystal display and fabricating method thereof

Номер патента: US20020085145A1. Автор: Su Choi. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2002-07-04.

Ferroelectric liquid crystal display and fabricating method thereof

Номер патента: US20040070703A1. Автор: Su Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-15.

[pixel structure and fabricating method thereof]

Номер патента: US20050036079A1. Автор: Daisuke Nishino,Chih-Hung Chiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-17.

Optical storage media and fabrication method thereof

Номер патента: US20050142323A1. Автор: Shin-Shin Wang,Hui-Ping Tsai,Wen-Yih Liao,Ming-Chia Lee,Wen-Ping Chu,Hsin-Hong Yao. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2005-06-30.

Pixel structure and fabricating method thereof

Номер патента: US20060033101A1. Автор: Daisuke Nishino,Chih-Hung Chiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-16.

Recording medium cartridge and fabrication method thereof

Номер патента: US20070086111A1. Автор: Hideaki Shiga. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2007-04-19.

Suture-free coagulation-assisted fixed cardiac patch and preparation method thereof

Номер патента: US20240335272A1. Автор: Yang Zhu,Changyou Gao,Yuwen LU,Tanchen REN,Liyin SHEN,Xiaoqian HONG. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2024-10-10.

Display device and fabricating method thereof

Номер патента: US20180348552A1. Автор: Xin Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Composition for sheet using biomass, eco-friendly composite sheet, and fabrication method for thereof

Номер патента: US09963832B2. Автор: Chan Suk Yoon,Chung Ku Han,Seung In Hong. Владелец: CJ CHEILJEDANG CORP. Дата публикации: 2018-05-08.

Touch display panel and fabrication method thereof, and touch display apparatus

Номер патента: US09927911B2. Автор: Lei Wang,WEI Liu,Xue Dong,Xiaochuan Chen,Haisheng Wang,Yingming Liu,Changfeng LI,Shengji Yang,Weijie Zhao,Xiaoliang DING,Hongjuan Liu,Liguang DENG,Huizhong ZHU. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Array substrate and fabricating method thereof, and display panel

Номер патента: US09891495B2. Автор: Fu Chen,Zhi Hou,Ying Zhang,Xin Ding,Rong Shen,Yinan WANG,Ziheng Yang,Jianhui Liu,Daeoh Oh. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Touch panel and fabrication method thereof

Номер патента: US09874954B2. Автор: Yuh-Wen Lee,Xianbin Xu,Fengming Lin,Chuangdai Tang. Владелец: TPK Touch Solutions Xiamen Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Alignment film and fabrication method thereof, liquid crystal panel and display device

Номер патента: US09753331B2. Автор: Jifeng TAN,Xinxing Wang,Jikai YAO,Jaegeon You. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Polarizer and fabrication method thereof

Номер патента: US09739919B2. Автор: Long Zhang,Ting Zhou,Poping Shen. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Display substrate and fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US09696594B2. Автор: Xiaobin Yin. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Touch electrode and fabricating method thereof, capacitive touch device and touch dislay device

Номер патента: US09684401B2. Автор: Jing Wang,Yun Qiu,Youqiang Lu. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Device substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US09581906B2. Автор: Kai Pei. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-02-28.

Transflective liquid crystal panel, display device, array substrate, color filter substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US09513506B2. Автор: HUI Li,Zhiqiang Xu,Hyun Sic CHOI,Yoon Sung Um. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Color electrophoretic display panel and fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US09454058B2. Автор: Mingchao Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Radiation sensor having photonic crystal structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09377542B1. Автор: Vivek V. Nagarkar,Bipin Singh,Hamid Sabet,Jules Gardener. Владелец: Radiation Monitoring Devices Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Treatment method for oil field having non-uniform reservoirs

Номер патента: RU2302520C2. Автор: Анатолий Васильевич Шувалов,Фаат Фатхлба нович Хасанов,Фаат Фатхлбаянович Хасанов,Ильдар Шамильевич Гарифуллин,Рафаиль Хатмуллович Алмаев,Лиди Васильевна Базекина,Лидия Васильевна Базекина. Владелец: Открытое акционерное общество "Акционерная нефтяная компания "Башнефть"(ОАО "АНК "Башнефть"). Дата публикации: 2007-07-10.

MULTI-PIECE BOARD AND FABRICATION METHOD METHOD THEREOF

Номер патента: US20120047728A1. Автор: . Владелец: IBIDEN CO., LTD.. Дата публикации: 2012-03-01.

INFLATABLE MEMBRANE HAVING NON-UNIFORM INFLATION CHARACTERISTIC

Номер патента: US20120327426A1. Автор: Hart Douglas P.,Frigerio Federico,Johnston Douglas M.,Menon Manas C.,Vlasic Daniel. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-27.

MOS Devices Having Non-Uniform Stressor Doping

Номер патента: US20130234217A1. Автор: Lin Chih-Hsun,Wang Ling-Sung,Lin Mei-Hsuan,CHU Ching-Hua. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-09-12.

DISPLAY DEVICES HAVING NON-UNIFORM SUB-PIXEL SPACING AND METHODS THEREFOR

Номер патента: US20140111115A1. Автор: Zhang Weihong,Zhuang Zhiming,Bai Xiaoping. Владелец: MOTOROLA MOBILITY LLC. Дата публикации: 2014-04-24.

Method for stimulating oil bed having non-uniform reservoirs

Номер патента: RU2116438C1. Автор: Е.И. Богомольный,В.М. Малюгин,В.Е. Ступоченко,Вальдес Ласаро Хесус Мартинес. Владелец: Открытое акционерное общество "Удмуртнефть". Дата публикации: 1998-07-27.

Suction duct of air conditioner compressor and fabricating and connecting method thereof

Номер патента: CN101328878A. Автор: 马铁军,徐利华,戎谨,宗远华,谭嘉辉,余治忠,谭田养. Владелец: Guangdong Meizhi Compressor Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-24.

A kind of precast splice type arch rib of ultra-high performance concrete and fabrication and installation method thereof

Номер патента: CN103898831B. Автор: 蒋田勇,田仲初,陈福焕. Владелец: CHANGSHA UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-05-18.

Anti-fuse one-time-programmable nonvolatile memory cell and fabricating and programming method thereof

Номер патента: TWI289855B. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-11.

Embedded elastic retaining ring dust cover and fabrication and installation method thereof

Номер патента: CN106627636A. Автор: 李亚军,李鹏,罗燕,郭红锋,刘文松,杜方孟. Владелец: Zhuzhou Times New Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-10.

Multi-color blended yarn and fabric and production method thereof

Номер патента: CN102758363A. Автор: 徐伟杰,解新生,王景呈. Владелец: ZHEJIANG HUAFU MELANGE YARN CO Ltd. Дата публикации: 2012-10-31.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INPUT/OUTPUT DEVICE AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001874A1. Автор: KUROKAWA Yoshiyuki,IKEDA Takayuki. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE ELECTRODE AND GATE CONTACT PLUG LAYOUTS FOR INTEGRATED CIRCUIT FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20120001271A1. Автор: YAMADA Satoru,Chae Kyo-Suk,CHOI Young-Jin,Kim Wook-Je,HAN Sang-Yeon. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY HAVING TOUCH INPUT SENSING AND TOUCH SENSING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001865A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CHIP-SIZED PACKAGE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001328A1. Автор: Huang Chien-Ping,Ke Chun-Chi,Chang Chiang-Cheng. Владелец: SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT-EMITTING DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001219A1. Автор: Park Kyungwook. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER LEVEL PACKAGE HAVING A PRESSURE SENSOR AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001274A1. Автор: Chen Chien-An,Huang Chun-An,Chiu Shih-Kuang,Liao Hsin-Yi,Chang Hong-Da. Владелец: SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Organic light emitting diode display and fabricating method thereof

Номер патента: US20120001206A1. Автор: Jeong Beung-Hwa,Kim Kwang-Nam,Jung Young-Ro,Ham Yun-Sik. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making microwave field-effect transistor

Номер патента: RU2523060C2. Автор: Геннадий Андреевич Блинов,Елена Васильевна Бутенко. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт микроприборов-технология" (ЗАО "НИИМП-Т"). Дата публикации: 2014-07-20.

Junction field effect transistor structure

Номер патента: US20120001240A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Hydrosol for forming coatings of electrochemical peroxide-sensitive sensors and biosensors, method of producing said hydrosol, electrochemical sensor and biosensor, use and production methods thereof

Номер патента: RU2419785C1. Автор: Илья Николаевич Курочкин,Екатерина Александровна Донцова,Аркадий Вениаминович Еременко,Сергей Леонидович Кальнов,Дэвид Трудил. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЧипДетект". Дата публикации: 2011-05-27.

Flip-flop logic element not on field-effect transistors

Номер патента: RU2704748C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский,Максим Сергеевич Брусов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2019-10-30.

Temperature stable radiation-resistant reference-voltage source based on differential pair of field-effect transistors

Номер патента: RU2546083C1. Автор: Олег Владимирович Дворников,Евгений Иванович Старченко,Иван Васильевич Барилов. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2015-04-10.

Field effect transistor having improved threshold stability

Номер патента: CA1063251A. Автор: Ingrid E. Magdo,Richard C. Joy,Alfred Phillips (Jr.). Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-09-25.

Production method of super-high frequency (shf) field-effect transistor with schottki barrier

Номер патента: RU2361319C1. Автор: Александр Михайлович Темнов,Владимир Григорьевич Лапин,Константин Игнатьевич Петров. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток"). Дата публикации: 2009-07-10.

Method of field effect transistor production with schottky barrier

Номер патента: RU2349987C1. Автор: Вадим Леонидович Романов,Максим Викторович Драгуть. Владелец: Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета". Дата публикации: 2009-03-20.

Process of fabrication of self-scaling field-effect transistor with struct ure of superself-aligned bipolar transistor

Номер патента: RU2230392C2. Автор: Н.М. Манжа,Н.А. Щербаков,М.И. Лукасевич,Е.С. Горнев,М.И. Клычников. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2004-06-10.

Heterostructure modulated-doped field-effect transistor

Номер патента: RU2534437C1. Автор: Грачик Хачатурович Аветисян,Юрий Владимирович Колковский,Вадим Минхатович Миннебаев,Алексей Анатольевич Дорофеев. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2014-11-27.

Semiconductor integrated circuit device composed of insulated gate field-effect transistors

Номер патента: CA1079865A. Автор: Hiroto Kawagoe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1980-06-17.

Semiconductor integrated circuit device composed of insulated gate field-effect transistors

Номер патента: CA1079409A. Автор: Hiroto Kawagoe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1980-06-10.

Enhanced-shaped extension region(s) for gate-all-around (gaa) field effect transistor (fet) device, and related fabrication methods

Номер патента: WO2024233059A1. Автор: Yan Sun,Peijie Feng,Shreesh Narasimha. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-11-14.

Organic Light Emitting Diode Display and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001185A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Optical module and fabrication method

Номер патента: US20120002915A1. Автор: . Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.