Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Surface emitting semiconductor laser

Номер патента: US6816527B2
Опубликовано: 09-11-2004
Автор(ы): Nobuaki Ueki
Принадлежит: Fuji Xerox Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Vertical-cavity surface-emitting semiconductor laser diode with the mode filter

Номер патента: US20230116144A1. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,Van-Truoung Dai,Van-Chien Nguyen. Владелец: Visual Photonics Expitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-13.

Vertical cavity surface emitting laser and method of fabricating same

Номер патента: EP4131676A1. Автор: Stephan Gronenborn,Alexander WEIGL. Владелец: Trumpf Photonic Components GmbH. Дата публикации: 2023-02-08.

Vertical Cavity Surface-Emitting Laser with Independent Definition of Current and Light Confinement

Номер патента: US20240339814A1. Автор: Wolfgang Kaiser,Evgeny Zibik,Antoine Pissis,Stefano TIRELLI,Eimantas Duda. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Single-mode vertical cavity surface emitting lasers and methods of making the same

Номер патента: US7218660B2. Автор: Scott W. Corzine,Laura Giovane,Bernhard Ulrich Koelle,An-Nien Chang. Владелец: Avago Technologies Fiber IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2007-05-15.

Method for increasing laser efficiency in a vertical-cavity surface emitting laser

Номер патента: US5879961A. Автор: Jeffrey W. Scott. Владелец: Optical Concepts Inc. Дата публикации: 1999-03-09.

Surface-emitting semiconductor laser and method for manufacturing thereof as well as optical device

Номер патента: EP1528647A3. Автор: Atsushi Matsuzono,Satoshi Sasaki,Toshihiko Baba,Akio Furukawa,Mitsunari Hoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-04-11.

Method for manufacturing surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US20070202622A1. Автор: Atsushi Matsuzono,Satoshi Sasaki,Toshihiko Baba,Akio Furukawa,Mitsunari Hoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-08-30.

Surface-emitting laser and surface-emitting laser array, method of manufacturing a surface-emitting laser and method of manufacturing a surface-emitting laser array, and optical apparatus including a surface-emitting laser array

Номер патента: US20130044780A1. Автор: Takeshi Uchida,Tatsuro Uchida,Yasuhisa Inao. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-02-21.

Single Mode Vertical Cavity Surface Emitting Laser Using Photonic Crystals With A Central Defect

Номер патента: US20090232176A1. Автор: Jan Lipson,Hongyu Deng,Thomas Lenosky. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-17.

Vertical-cavity surface-emitting laser device

Номер патента: US5903590A. Автор: Kent D. Choquette,Kevin L. Lear,G. Ronald Hadley,Adelbert Awyoung. Владелец: Sandia Corp. Дата публикации: 1999-05-11.

Vertical cavity surface emitting laser and image forming apparatus using the vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: EP2040345B1. Автор: Takeshi c/o Canon Kabushiki Kaisha Uchida,Tetsuya c/o Canon Kabushiki Kaisha Takeuchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-04-18.

Coupled cavity anti-guided vertical cavity surface emitting laser (vcsel)

Номер патента: AU7471000A. Автор: Andrew Clark,James Gunter,Ralph Herbert Johnson. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 2001-03-26.

Vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US20040037337A1. Автор: Michael Cohen,Chennupati Jagadish. Владелец: Australian National University. Дата публикации: 2004-02-26.

Single mode vertical cavity surface emitting laser using photonic crystals with a central defect

Номер патента: US20050008060A1. Автор: Jan Lipson,Hongyu Deng,Thomas Lenosky. Владелец: Thomas Lenosky. Дата публикации: 2005-01-13.

A vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: WO2002039554A1. Автор: Chennupati Jagadish,Michael Israel Cohen. Владелец: THE AUSTRALIAN NATIONAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2002-05-16.

Detecting pinholes in vertical cavity surface-emitting laser passivation

Номер патента: US7011979B2. Автор: Robert W. Herrick,Suning Xie,Gregory N. DeBrabander,Matthew C. Slater. Владелец: Avago Technologies Fiber IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2006-03-14.

Vertical cavity surface emitting laser device

Номер патента: GB2434914A. Автор: Brian Corbett,John Justice. Владелец: University College Cork. Дата публикации: 2007-08-08.

Detecting pinholes in vertical cavity surface-emitting laser passivation

Номер патента: US20050175051A1. Автор: Gregory Debrabander,Robert Herrick,Matthew Slater,Suning Xie. Владелец: Slater Matthew C.. Дата публикации: 2005-08-11.

Detecting pinholes in vertical cavity surface-emitting laser passivation

Номер патента: US20040180454A1. Автор: Gregory Debrabander,Robert Herrick,Matthew Slater,Suning Xie. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2004-09-16.

Two dimensional photonic crystal vertical cavity surface emitting lasers

Номер патента: US09444222B2. Автор: Yoshikatsu Miura,Dai Onishi,Seita Iwahashi,Takui Sakaguchi,Eiji Miyai,Wataru Kunishi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Surface emitting laser

Номер патента: US20120114006A1. Автор: Shoichi Kawashima,Yasuhiro Nagatomo. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-05-10.

Vertical-cavity surface-emitting laser device having relief structure

Номер патента: US8649411B2. Автор: Jin-Wei Shi,Ying-Jay Yang. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2014-02-11.

Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser Device Having Relief Structure

Номер патента: US20120163407A1. Автор: Jin-Wei Shi,Ying-Jay Yang. Владелец: Ying-Jay Yang. Дата публикации: 2012-06-28.

Grating coupled surface emitting device

Номер патента: US5970081A. Автор: Yuzo Hirayama,Kazuhiro Inoue,Makoto Ohashi,Keiji Takaoka,Motoyasu Morinaga,Masaki Tohyama,Masahisa Funemizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-10-19.

Surface emitting semiconductor laser

Номер патента: US20080285612A1. Автор: Yutaka Onishi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2008-11-20.

Two-dimensional photonic crystal surface emitting laser

Номер патента: US7656925B2. Автор: Koji Otsuka,Susumu Noda,Yoshitaka Kurosaka,Dai Ohnishi,Eiji Miyai,Wataru Kunishi,Kyosuke Sakai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2010-02-02.

Surface emitting laser, laser device, detection device, and mobile object

Номер патента: WO2023144611A1. Автор: Naoto Jikutani,Kazuhiro Harasaka,Ryoichiro SUZUKI. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2023-08-03.

Vertical-cavity surface-emitting laser

Номер патента: US09979158B1. Автор: James A. Lott,Dieter Bimberg,Gunter Larisch. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET BERLIN. Дата публикации: 2018-05-22.

High-Speed Vertical Cavity Surface Emitting Laser, Electronic Device with the Same and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20240079855A1. Автор: Jiaxing Wang,Huawen Hu. Владелец: Shenzhen Berxel Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Vertical cavity surface emitting semiconductor laser device

Номер патента: US20080144683A1. Автор: Koichiro Adachi,Tomonobu Tsuchiya,Kouji Nakahara,Takashi Shiota,Kazunori Shinoda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-19.

Optically pumpable surface-emitting semiconductor laser device

Номер патента: US20050259700A1. Автор: Stephan Lutgen,Tony Albrecht,Johann Luft,Norbert Linder,Werner Späth,Ulrich STEEGMÜLLER. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2005-11-24.

Semiconductor laser, surface emitting semiconductor laser, semiconductor laser module, and non-linear optical device

Номер патента: US20120320447A1. Автор: Norihiro Iwai,Hirotatsu Ishii,Shinya Ootomo,Keishi Takaki. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-20.

Vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: EP4439884A1. Автор: Yao Cui,Chihchiang SHEN,Yipeng Ji,Constance Jui-Hua Chang-Hasnain,Jonas Horst KAPRAUN. Владелец: Zhejiang Brexel Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Vertical Cavity Surface Emitting Laser

Номер патента: US20240332905A1. Автор: Yao Cui,Chihchiang SHEN,Yipeng Ji,Constance Jui-Hua Chang-Hasnain,Jonas Horst KAPRAUN. Владелец: Zhejiang Berxel Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Vertical cavity surface emitting laser (vcsel) with improved gain-switching behavior

Номер патента: EP3642915A1. Автор: Ulrich Weichmann. Владелец: Trumpf Photonic Components GmbH. Дата публикации: 2020-04-29.

Method of manufacturing vertical-cavity surface emitting laser and vertical-cavity surface emitting laser array

Номер патента: US20110064108A1. Автор: Norihiro Iwai,Koji Hiraiwa,Keishi Takaki. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-17.

Structure of Vertical Cavity Surface Emitting Laser

Номер патента: US20200403377A1. Автор: Chih-Cheng Chen,Jia-Yu Lin,Yen Hsiang Wu. Владелец: TrueLight Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Electroabsorption vertical cavity surface emitting laser modulator and/or detector

Номер патента: WO2006105545A1. Автор: Ian Young,Edris Mohammed,Serge Oktyabrsky,Michael Yakimov. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2006-10-05.

Multi-Electrode Device Using Vertical Cavity Surface Emitting Laser Array with Improved Electro-to-Optical Frequency Response

Номер патента: US20240154389A1. Автор: Jin-Wei Shi. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2024-05-09.

Vertical cavity surface emitting laser apparatus

Номер патента: US8306080B2. Автор: Naoki Tsukiji,Keishi Takaki,Suguru Imai. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-06.

Vertical cavity surface emitting laser apparatus

Номер патента: US20110261846A1. Автор: Naoki Tsukiji,Keishi Takaki,Suguru Imai. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Low-coherence surface-emitting laser (lcsel)

Номер патента: WO2024044998A1. Автор: Dong Liang,Ming Dong,Junping Zhang,Boon S. OOI,Tien Khee Ng,Omar ALKHAZRAGI,Hakan BAGCI. Владелец: King Abdullah University Of Science & Technology. Дата публикации: 2024-03-07.

Surface emitting laser

Номер патента: US20230112925A1. Автор: Shinichi Agatuma. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Surface-emitting laser diode

Номер патента: US5555255A. Автор: Anton Kock,Erich Gornik. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1996-09-10.

Optically matched vertical-cavity surface-emitting laser (vcsel) with passivation

Номер патента: US20200358247A1. Автор: Elad Mentovich,Itshak Kalifa. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2020-11-12.

Structure of vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US11831125B2. Автор: Chih-Cheng Chen,Jia-Yu Lin,Yen Hsiang Wu. Владелец: TrueLight Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Enhanced polarization control and stabilization by macroscopic in-plane anisotropic strain in vertical-cavity surface-emitting lasers

Номер патента: US20030075725A1. Автор: Hugo Thienpont,Krassimir Panajotov,Irina Veretennicoff. Владелец: VRIIE UNIVERSITEIT BRUSSEL. Дата публикации: 2003-04-24.

Semiconductor laser and method for processing semiconductor laser

Номер патента: US20180212403A1. Автор: Jian Chen,Zhiguang Xu,Jing Hu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-26.

Step-tunable external-cavity surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: WO2003028172A2. Автор: Luis A. Spinelli,Juan L. Chilla,Andrea Caprara,Briggs Atherton. Владелец: Coherent, Inc.. Дата публикации: 2003-04-03.

Vertical cavity surface-emitting semiconductor laser device, optical transmission module, optical transmission device, and optical switching method

Номер патента: US20090074025A1. Автор: Takashi Takahashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-19.

Vertical external-cavity surface-emitting laser

Номер патента: EP4060834A1. Автор: Hisashi Ogawa,Tetsushi Takano. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2022-09-21.

Semiconductor laser package including a lead frame and plastic resin housing

Номер патента: US5939773A. Автор: Michael S. Lebby,Wenbin Jiang,Craig A. Gaw. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-08-17.

Surface emitting laser element and light source device

Номер патента: US20240348013A1. Автор: Hideki Watanabe. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Surface-emitting laser with surface relief, surface-emitting laser array, method of manufacturing a surface-emitting laser, method of manufacturing a surface-emitting laser array and optical apparatus equipped with said surface-emitting laser array

Номер патента: WO2012063884A1. Автор: Takeshi Uchida,Tatsuro Uchida. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-05-18.

Surface emitting element, method for detecting optic characteristic, and method for adjusting optical characteristic

Номер патента: US20240120709A1. Автор: Rintaro Koda,Kentaro Hayashi,Eiji Nakayama,Tatsushi Hamaguchi,Hidekazu Kawanishi. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US09882355B2. Автор: Philipp Henning Gerlach,Roland Aloisius JAEGER. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2018-01-30.

Operating vertical-cavity surface-emitting lasers

Номер патента: WO2013162535A1. Автор: Dacheng Zhou,Daniel A. Berkram,Zhubiao Zhu. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2013-10-31.

Surface-emitting laser and surface-emitting laser array

Номер патента: US8331414B2. Автор: Mitsuhiro Ikuta. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-12-11.

Vertical cavity surface emitting laser with lateral injection

Номер патента: US5164949A. Автор: Donald E. Ackley,Paige M. Holm. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1992-11-17.

Vertical cavity surface emitting device

Номер патента: US20210351568A1. Автор: Masaru Kuramoto. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Surface emitting laser

Номер патента: US20110044363A1. Автор: Takeshi Uchida. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-02-24.

Surface emitting laser element array

Номер патента: US20100195689A1. Автор: Norihiro Iwai,Kazuaki Nishikata,Takeo Kageyama,Maiko Ariga. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-05.

Red-green-blue, vertical-cavity, surface-emitting laser array

Номер патента: EP4398429A2. Автор: Christopher Kocot,Francesco Schiattone,Norbert Lichtenstein,Giovanni Barbarossa,Julie Eng,Anna Tatarczak,Jason Lin-Chew Tan. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Method for manufacturing a distributed bragg reflector for 1550 nm vertical-cavity surface-emitting laser

Номер патента: US20240146028A1. Автор: Chao-Chieh Chu. Владелец: Well & Fortune Tech LLC. Дата публикации: 2024-05-02.

Vertical cavity surface emitting laser with integrated photodiode

Номер патента: US20240291238A1. Автор: David Tsi Shi,Chinh Tan,Matthew D. Blasczak. Владелец: Zebra Technologies Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Vertical cavity surface emitting laser with integrated photodiode

Номер патента: WO2024182081A1. Автор: David Tsi Shi,Chinh Tan,Matthew D. Blasczak. Владелец: Zebra Technologies Corporation. Дата публикации: 2024-09-06.

Semi-transparent monitor detector for surface emitting light emitting devices

Номер патента: US6037644A. Автор: Henry M. Daghighian,Michael F. Cina. Владелец: Whitaker LLC. Дата публикации: 2000-03-14.

Surface-emitting laser, surface-emitting laser array, method of manufacturing surface-emitting laser, method of manufacturing surface-emitting laser array and optical apparatus equipped with surface-emitting laser array

Номер патента: US20130223465A1. Автор: Takeshi Uchida,Tatsuro Uchida. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-08-29.

Vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: EP3198691A1. Автор: Philipp Henning Gerlach,Roland Aloisius JÄGER. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-08-02.

Surface emitting laser, surface emitting laser array, and electronic device

Номер патента: US20240072514A1. Автор: Kota Tokuda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Flip chip power monitoring system for vertical cavity surface emitting lasers

Номер патента: US5757829A. Автор: Michael S. Lebby,Wenbin Jiang. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-05-26.

Surface-emitting laser, laser device, detection device, mobile object, and method for driving surface-emitting laser

Номер патента: EP4358326A1. Автор: Naoto Jikutani,Yutaka Maita,Naofumi Ueno,Kazuhiro Harasaka,Ryoichiro SUZUKI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-24.

Surface-emitting laser, laser device, detection device, mobile object, and method for driving surface-emitting laser

Номер патента: US20240136793A1. Автор: Naoto Jikutani,Yutaka Maita,Naofumi Ueno,Kazuhiro Harasaka,Ryoichiro SUZUKI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Surface-emitting laser, surface-emitting laser array, and electronic apparatus

Номер патента: EP4340142A1. Автор: Kota Tokuda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-03-20.

Surface emitting laser, laser device, detection device, mobile object, and surface emitting laser driving method

Номер патента: EP4378032A1. Автор: Naoto Jikutani,Kazuhiro Harasaka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

Vertical cavity surface emitting laser device with integrated photodiode

Номер патента: US12034272B2. Автор: Philipp Henning Gerlach. Владелец: Trumpf Photonic Components GmbH. Дата публикации: 2024-07-09.

Vertical cavity surface emitting laser and atomic oscillator

Номер патента: EP2887468A3. Автор: Shoji Ono,Satoshi Takenaka,Yuji Kurachi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2015-09-02.

Vertical-cavity surface-emitting laser

Номер патента: EP3568886A1. Автор: James A. Lott,Dieter Bimberg,Gunter Larisch. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET BERLIN. Дата публикации: 2019-11-20.

Vertical-cavity surface-emitting laser

Номер патента: WO2018130462A1. Автор: James A. Lott,Dieter Bimberg,Gunter Larisch. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAT BERLIN. Дата публикации: 2018-07-19.

Method for manufacturing vertical cavity surface emitting laser device

Номер патента: US20240250502A1. Автор: Sae Kyoung Kang,Gyeong Cheol PARK. Владелец: Inoptix Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of forming an electrical metal contact and method of producing a vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US11862933B2. Автор: Alexander WEIGL,Roman KOERNER. Владелец: Trumpf Photonic Components GmbH. Дата публикации: 2024-01-02.

Vertical cavity surface emitting laser device with integrated photodiode

Номер патента: EP3741014A1. Автор: Philipp Henning Gerlach. Владелец: Trumpf Photonic Components GmbH. Дата публикации: 2020-11-25.

Three-dimensional cavity surface emitting laser structure and fabrication method thereof

Номер патента: US5895224A. Автор: Hye-Yong Chu,Hyo-Hoon Park,Byueng-Su Yoo. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 1999-04-20.

Vertical cavity surface emitting laser with integrated electrostatic discharge protection

Номер патента: US20060118877A1. Автор: Jimmy Tatum,James Guenter,Jose Aizpuru. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2006-06-08.

Surface emitting type device having a resistance to damage by static electricity

Номер патента: US7566909B2. Автор: Tomoko Koyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-07-28.

Surface emitting type device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060175617A1. Автор: Tomoko Koyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-08-10.

Multi-channel DWDM transmitter based on a vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US20020097768A1. Автор: Robert Thornton. Владелец: Siros Technologies Inc. Дата публикации: 2002-07-25.

Vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US20020181530A1. Автор: Keith Goossen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Surface-emitting type device and its manufacturing method

Номер патента: US20060208655A1. Автор: Hajime Onishi,Tetsuo Nishida. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-09-21.

Q-switched grating vertical-cavity surface-emitting laser system and method for fabricating the same

Номер патента: US20120189024A1. Автор: David A. Fattal,Raymond G. Beausoleil,Michael Renne Ty Tan. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2012-07-26.

Method for physical random number generation using a vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US12080993B2. Автор: Valerio Pruneri,Carlos Abellán Sánchez,Waldimar Amaya,Morgan Mitchell. Владелец: Institucio Catalana De Recerca | Estudis Avancats. Дата публикации: 2024-09-03.

Vertical-cavity surface-emitting laser diode and optical transmission apparatus

Номер патента: US09806498B2. Автор: Hamed Dalir,Takashi Kondo,Fumio Koyama,Hideo Nakayama,Kazutaka Takeda,Naoki Jogan. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2017-10-31.

Structure and method for the fabrication of a gallium nitride vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US09640947B2. Автор: Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,James S. Speck,Daniel F. Feezell,Casey O. Holder. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-05-02.

Vertical cavity surface emitting laser and atomic oscillator

Номер патента: US09634467B2. Автор: Shoji Ono,Satoshi Takenaka,Yuji Kurachi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Vertical cavity surface emitting laser and atomic oscillator

Номер патента: US09397478B2. Автор: Satoshi Takenaka,Yuji Kurachi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Passively mode-locked optically pumped semiconductor external-cavity surface-emitting laser

Номер патента: AU2994401A. Автор: Rudiger Paschotta,Ursula Keller,Reto Haring. Владелец: Giga Tera AG. Дата публикации: 2001-08-20.

Passively mode-locked optically pumped semiconductor external-cavity surface-emitting laser

Номер патента: EP1264373A1. Автор: Rudiger Paschotta,Ursula Keller,Reto Haring. Владелец: GigaTera AG. Дата публикации: 2002-12-11.

Operating vertical-cavity surface-emitting lasers

Номер патента: US20160087400A1. Автор: Dacheng Zhou,Daniel A. Berkram,Zhubiao Zhu. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2016-03-24.

Surface emitting laser, laser device, detection device, mobile object, and surface emitting laser driving method

Номер патента: EP4378031A1. Автор: Naoto Jikutani,Kazuhiro Harasaka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

Surface-emitting laser and surface-emitting laser array

Номер патента: US20110182318A1. Автор: Mitsuhiro Ikuta. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-07-28.

Vertical cavity surface emitting lasers with transparent electrodes

Номер патента: CA2054404C. Автор: Rose Fasano Kopf,George John Zydzik,Erdmann Frederick Schubert,Li-Wei Tu,Yeong-Her Wang,Henry Miles O'bryan Jr. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1994-03-08.

Vertical cavity surface emitting lasers with transparent electrodes

Номер патента: CA2054404A1. Автор: Rose Fasano Kopf,George John Zydzik,Erdmann Frederick Schubert,Li-Wei Tu,Yeong-Her Wang,Henry Miles O'bryan Jr. Владелец: Henry Miles O'bryan Jr. Дата публикации: 1992-07-04.

Long wavelength light emitting vertical cavity surface emitting laser and method of fabrication

Номер патента: US5835521A. Автор: Michael S. Lebby,Jamal Ramdani,Wenbin Jiang. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-11-10.

Long wavelength light emitting vertical cavity surface emitting laser and method of fabrication

Номер патента: US6121068A. Автор: Michael S. Lebby,Jamal Ramdani,Wenbin Jiang. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-09-19.

Bottom emitting vertical-cavity surface-emitting lasers

Номер патента: WO2019210104A1. Автор: Michael Renne Ty Tan,Wayne Victor Sorin,Stanley Cheung,Sagi Varghese Mathai. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2019-10-31.

Vertical-cavity surface-emitting laser

Номер патента: US20220239070A1. Автор: Daisuke Inoue. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Surface emitting laser element and atomic oscillator

Номер патента: US20170040771A1. Автор: Ryoichiro SUZUKI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-09.

Surface-emitting quantum cascade laser

Номер патента: US20190148912A1. Автор: Shinji Saito,Tomohiro Takase,Rei Hashimoto,Yuichiro Yamamoto,Kei Kaneko,Tsutomu Kakuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Surface emitting laser element and atomic oscillator

Номер патента: US10170887B2. Автор: Ryoichiro SUZUKI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-01.

Surface-emitting quantum cascade laser

Номер патента: US10490977B2. Автор: Shinji Saito,Tomohiro Takase,Rei Hashimoto,Yuichiro Yamamoto,Kei Kaneko,Tsutomu Kakuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-11-26.

Red-green-blue, vertical-cavity, surface-emitting laser array

Номер патента: US20240204486A1. Автор: Christopher Kocot,Francesco Schiattone,Norbert Lichtenstein,Giovanni Barbarossa,Julie Eng,Anna Tatarczak,Jason Lin-Chew Tan. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Augmented semiconductor lasers with spontaneous emissions blockage

Номер патента: US11777275B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Augmented semiconductor lasers with spontaneous emissions blockage

Номер патента: CA3166664C. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Augmented semiconductor lasers with spontaneous emissions blockage

Номер патента: AU2021238958B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Multi-gigahertz frequency-modulated vertical-cavity surface emitting laser

Номер патента: WO1996041403A1. Автор: Robert A. Morgan. Владелец: Honeywell Inc.. Дата публикации: 1996-12-19.

Vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) tuned through application of mechanical stress via a piezoelectric material

Номер патента: US11769988B2. Автор: Eran Aharon,Elad Mentovich,Itshak Kalifa,Isabelle Cestier,Matan Galanty. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Vertical cavity surface emitting laser device with monolithically integrated photodiode

Номер патента: EP2277245A1. Автор: Roger King,Marcel F. C. Schemmann,Philipp H. Gerlach. Владелец: Philips Intellectual Property and Standards GmbH. Дата публикации: 2011-01-26.

Method for physical random number generation using a vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US11631964B2. Автор: Valerio Pruneri,Carlos Abelian Sanchez,Waldimar Amaya,Morgan Mitchell. Владелец: Institucio Catalana De Recerca I Estudis Avancais. Дата публикации: 2023-04-18.

High speed high bandwidth vertical-cavity surface-emitting laser

Номер патента: US20200106242A1. Автор: Elad Mentovich,Itshak Kalifa. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Vertical cavity surface emitting laser mode control

Номер патента: US20200335943A1. Автор: Albert Yuen,Chien-Yao Lu,Pengfei Qiao. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2020-10-22.

Vertical-cavity surface-emitting laser (vcsel) tuned through application of mechanical stress via a piezoelectric material

Номер патента: US20210126431A1. Автор: Eran Aharon,Elad Mentovich,Itshak Kalifa,Isabelle Cestier,Matan Galanty. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Vertical-cavity surface-emitting laser array with integrated capacitor

Номер патента: US20220209500A1. Автор: Hao Huang,Lijun Zhu,Matthew Glenn Peters,Siu Kwan Cheung,Mohammad Ali SHIRAZI HOSSEINI DOKHT. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2022-06-30.

Vertical-cavity surface-emitting laser with high modulation speed

Номер патента: US20180366905A1. Автор: Elad Mentovich,Sylvie Rockman,Alexei Sirbu,Vladimir Iakovlev,Itshak Kalifa,Yuri Berk. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2018-12-20.

Method for physical random number generation using a vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: EP3709456A1. Автор: Valerio Pruneri,Carlos Abellán Sánchez,Waldimar Amaya,Morgan Mitchell. Владелец: Institut de Ciencies Fotoniques ICFO. Дата публикации: 2020-09-16.

Method for physical random number generation using a vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US20230291174A1. Автор: Valerio Pruneri,Carlos Abellán Sánchez,Waldimar Amaya,Morgan Mitchell. Владелец: Institucio Catalana de Recerca i Estudis Avancats ICREA. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for physical random number generation using a vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US20210216284A1. Автор: Valerio Pruneri,Carlos Abellán Sánchez,Waldimar Amaya,Morgan Mitchell. Владелец: Institut de Ciencies Fotoniques ICFO. Дата публикации: 2021-07-15.

Light-emitting semiconductor device, optoelectronic component, projection device and electronic device

Номер патента: WO2023247720A1. Автор: Joerg Erich Sorg,Bilal SAIF. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-12-28.

Surface emitting semiconductor laser device

Номер патента: US09653883B2. Автор: Takashi Kondo,Jun Sakurai,Akemi Murakami,Kazutaka Takeda,Junichiro Hayakawa,Naoki Jogan. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US20230246420A1. Автор: Yoshiaki Watanabe,Takayuki Kawasumi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US12068581B2. Автор: Yoshiaki Watanabe,Takayuki Kawasumi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Surface emitting semiconductor laser device and fabricating method of the same

Номер патента: US5821566A. Автор: Seok-Jin Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-10-13.

Surface emitting semiconductor laser diode

Номер патента: WO2023247129A1. Автор: Christoph Eichler,Hubert Halbritter,Jelena Ristic,Damir Borovac,Åsa HAGLUND,Joachim CIERS. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-12-28.

Ring cavity type surface emitting semiconductor laser and fabrication method thereof

Номер патента: US6088378A. Автор: Yukio Furukawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2000-07-11.

Surface emitting semiconductor laser device

Номер патента: US20160276808A1. Автор: Takashi Kondo,Jun Sakurai,Akemi Murakami,Kazutaka Takeda,Junichiro Hayakawa,Naoki Jogan. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-22.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US20210265819A1. Автор: Yoshiaki Watanabe,Takayuki Kawasumi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Coupled cavity high power semiconductor laser

Номер патента: WO2001067563A9. Автор: Aram Mooradian. Владелец: Novalux Inc. Дата публикации: 2003-01-03.

Fabrication method for surface emitting semiconductor device and surface emitting semiconductor device

Номер патента: US20040144984A1. Автор: Markus Weyers,Hans Wenzel,Martin Zorn,Andrea Knigge. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2004-07-29.

Surface emitting laser element, surface emitting laser array, optical scanning unit, image forming apparatus and method of manufacturing surface emitting laser element

Номер патента: US20110304682A1. Автор: Mitsugu Irinoda. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

Surface-emitting laser

Номер патента: US20190052059A1. Автор: Ryosuke Kubota. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-02-14.

Surface emitting laser device

Номер патента: US20220271507A1. Автор: Daiju TAKAMIZU. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-08-25.

Vertical cavity surface emitting laser and atomic oscillator

Номер патента: US20150180211A1. Автор: Yasutaka IMAI. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2015-06-25.

Vertical cavity surface emitting laser and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120082178A1. Автор: Takemasa Tamanuki. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2012-04-05.

Vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US20220385040A1. Автор: Ryosuke Kubota. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US11437782B2. Автор: Dong Hwan Kim,Keuk Kim,Won Jin Choi. Владелец: Rayir Co. Дата публикации: 2022-09-06.

Vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US20210336419A1. Автор: Dong Hwan Kim,Keuk Kim,Won Jin Choi. Владелец: Rayir Co. Дата публикации: 2021-10-28.

Surface-emitting laser device

Номер патента: US20240006854A1. Автор: Masashi Yamamoto,Minoru Murayama,Ryo TODO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-04.

Surface emitting laser luminescent diode structure

Номер патента: US10541512B2. Автор: Li-Ping Chou,Wei-Yu Yen,Chih-Sung Chang,Tau-Jin Wu. Владелец: HIGH POWER OPTO Inc. Дата публикации: 2020-01-21.

Polarized/lensed back-side emitting (bse) vertical-cavity surface-emitting laser (vcsel)

Номер патента: US20240186766A1. Автор: Dmitri Iazikov,Norbert Lichtenstein,Lukas Mutter,Anna Tatarczak,Jason Lin-Chew Tan,Michael A. Steib,Chris Kocot,Alex LAURAIN,Alirio A. Melgar. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Surface emitting laser luminescent diode structure

Номер патента: US20190334319A1. Автор: Li-Ping Chou,Wei-Yu Yen,Chih-Sung Chang,Tau-Jin Wu. Владелец: HIGH POWER OPTO Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Polarized/lensed back-side emitting (bse) vertical-cavity surface-emitting laser (vcsel)

Номер патента: EP4369536A2. Автор: Dmitri Iazikov,Norbert Lichtenstein,Lukas Mutter,Michael Steib,Anna Tatarczak,Jason Lin-Chew Tan,Chris Kocot,Alirio MELGAR,Alex LAURAIN. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-05-15.

Polarized/lensed back-side emitting (bse) vertical-cavity surface-emitting laser (vcsel)

Номер патента: EP4369536A3. Автор: Dmitri Iazikov,Norbert Lichtenstein,Lukas Mutter,Michael Steib,Anna Tatarczak,Jason Lin-Chew Tan,Chris Kocot,Alirio MELGAR,Alex LAURAIN. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

Methods for fabricating a vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: EP4420203A1. Автор: Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,Srinivas GANDROTHULA. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-08-28.

Small-mode-volume, vertical-cavity, surface-emitting laser

Номер патента: US09991676B2. Автор: Jingjing Li,David A. Fattal,Marco Fiorentino,Wayne V. Sorin,Michael Renne Ty Tan. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-06-05.

Electrodes for light emitting semiconductor devices

Номер патента: GB2333896A. Автор: Jan Jonsson,Vilhelm Oscarsson. Владелец: Mitel Semiconductor AB. Дата публикации: 1999-08-04.

Surface-emitting laser and method of manufacturing the same

Номер патента: US12027820B2. Автор: Hiroyuki Hiiro. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Vertical-cavity surface-emitting laser and method for forming the same

Номер патента: US20220311212A1. Автор: Jiun-Tsuen Lai,Min-Chang Tu,Wan-Ting CHIEN. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Vertical-cavity surface-emitting laser and method for forming the same

Номер патента: US12095231B2. Автор: Jiun-Tsuen Lai,Min-Chang Tu,Wan-Ting CHIEN. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Surface-emitting laser light source using two-dimensional photonic crystal

Номер патента: US20120002692A1. Автор: Susumu Noda,Dai Ohnishi,Eiji Miyai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

Surface emitting laser and surface emitting laser array

Номер патента: US20240022040A1. Автор: Rintaro Koda,Shuhei Yamaguchi,Hideki Watanabe,Yasutaka Higa,Go Hirano,Tatsuya Matou. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Surface emitting laser device and a light emitting device including the same

Номер патента: US11984703B2. Автор: Jeong Sik Lee. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Surface emitting laser device and a light emitting device including the same

Номер патента: US11894659B2. Автор: Yong Gyeong Lee,Jeong Sik Lee,Su Jung YOON. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Vertical-cavity surface-emitting laser array, vertical-cavity surface-emitting laser device, optical transmission apparatus, and information processing apparatus

Номер патента: US8654802B2. Автор: Masaya KUMEI. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-18.

Methods for fabricating a vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: WO2023069771A1. Автор: Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,Srinivas GANDROTHULA. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2023-04-27.

Surface-emitting laser device and light emitting device including the same

Номер патента: US11942762B2. Автор: Jeong Sik Lee,Sang Heon Han,Yeo Jae YOON,Keun Uk PARK. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Vertical cavity surface-emitting laser

Номер патента: US20190372301A1. Автор: Hiroyuki Yoshinaga,Yutaka Onishi,Rei Tanaka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Vertical cavity surface-emitting laser

Номер патента: EP3584894A3. Автор: Hiroyuki Yoshinaga,Yutaka Onishi,Rei Tanaka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-03-18.

Vertical cavity surface-emitting laser

Номер патента: US10819083B2. Автор: Hiroyuki Yoshinaga,Yutaka Onishi,Rei Tanaka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-10-27.

Small-mode-volume, vertical-cavity, surface-emitting laser

Номер патента: US20130209110A1. Автор: Jingjing Li,David A. Fattal,Marco Fiorentino,Wayne V. Sorin,Michael Renne Ty Tan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-08-15.

High speed high bandwidth vertical-cavity surface-emitting laser with controlled overshoot

Номер патента: US20200358253A1. Автор: Elad Mentovich,Itshak Kalifa. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2020-11-12.

Vertical cavity surface emitting laser and method for manufacturing the same, electronic apparatus, and printer

Номер патента: US20190006820A1. Автор: Masamitsu Mochizuki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Single mode vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: EP1218987A1. Автор: Jeffrey W. Scott,John G. Wasserbaur. Владелец: Cielo Communications Inc. Дата публикации: 2002-07-03.

Matrix addressable vertical cavity surface emitting laser array

Номер патента: US20220344909A1. Автор: Eric R. Hegblom,Yeyu ZHU,Yuefa Li. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2022-10-27.

Vertical cavity surface emitting laser diode having a high reflective distributed Bragg reflector

Номер патента: US7330495B2. Автор: Mitsuo Takahashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2008-02-12.

Surface-emitting laser and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210320476A1. Автор: Hiroyuki Hiiro. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Techniques for vertical cavity surface emitting laser oxidation

Номер патента: US20200076162A1. Автор: Chen Yu Chen,Ming Chyi Liu,Jhih-Bin CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Techniques for vertical cavity surface emitting laser oxidation

Номер патента: US20220239067A1. Автор: Chen Yu Chen,Ming Chyi Liu,Jhih-Bin CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Techniques for vertical cavity surface emitting laser oxidation

Номер патента: US11309685B2. Автор: Chen Yu Chen,Ming Chyi Liu,Jhih-Bin CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-19.

Polarization-Stable Surface-Emitting Laser Diode

Номер патента: US20130336351A1. Автор: Markus-Christian Amann,Markus Ortsiefer,Jürgen ROSSKOPF. Владелец: VERTILAS GmbH. Дата публикации: 2013-12-19.

Techniques for vertical cavity surface emitting laser oxidation

Номер патента: US20210028601A1. Автор: Chen Yu Chen,Ming Chyi Liu,Jhih-Bin CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Surface emitting laser

Номер патента: US20200412089A1. Автор: Hiroyuki Yoshinaga,Natsumi Mori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US11437783B2. Автор: Masashi Yamamoto,Minoru Murayama,Yuji Tsuji,Daiju TAKAMIZU. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-09-06.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US20210075192A1. Автор: Masashi Yamamoto,Minoru Murayama,Yuji Tsuji,Daiju TAKAMIZU. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor laser device and optoelectronic component

Номер патента: US20240235150A1. Автор: Johann Ramchen,Joerg Erich Sorg. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing surface-emitting semiconductor laser element

Номер патента: US09762030B2. Автор: Takashi Kondo,Jun Sakurai,Akemi Murakami,Junichiro Hayakawa,Naoki Jogan. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Surface-emitting semiconductor laser device and method for producing the same

Номер патента: US09444223B2. Автор: Takashi Kondo,Jun Sakurai,Akemi Murakami,Kazutaka Takeda,Masaya KUMEI,Junichiro Hayakawa. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Non-collinearly pumped linearly polarized external cavity surface emitting semiconductor lasers

Номер патента: WO2024154091A1. Автор: Ningyi Luo,Haiwen Wang,Jihchuang Robin Huang. Владелец: Pavilion Integration Corporation. Дата публикации: 2024-07-25.

Optically pumped, surface-emitting semiconductor laser device and method for the manufacture thereof

Номер патента: US6954479B2. Автор: Tony Albrecht,Johann Luft,Norbert Linder. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2005-10-11.

High-density, independently addressable surface emitting semiconductor laser/light emitting diode array

Номер патента: CA2051223C. Автор: Thomas L. Paoli. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1996-07-09.

Surface-emitting semiconductor laser and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030016713A1. Автор: Tsuyoshi Kaneko. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-01-23.

Surface-emission semiconductor laser device

Номер патента: US7881359B2. Автор: Norihiro Iwai,Noriyuki Yokouchi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-01.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US11979001B2. Автор: Hiroshi Nakajima,Rintaro Koda,Tatsushi Hamaguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor Laser, Laser Assembly and Method of Making a Semiconductor Laser

Номер патента: US20180212404A1. Автор: Martin Rudolf Behringer,Hubert Halbritter,Roland Enzmann. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-07-26.

Surface emitting semiconductor laser and method of manufacture thereof

Номер патента: EP2550711A1. Автор: Hans Zogg,Mohamed Rahim,Ferdinand Felder,Matthias Fill,Martin Arnild. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zurich ETHZ. Дата публикации: 2013-01-30.

Surface-emitting semiconductor laser chip

Номер патента: US11979000B2. Автор: Hubert Halbritter,Tilman Rügheimer. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-05-07.

Intracavity frequency-converted optically-pumped semiconductor laser

Номер патента: US6167068A. Автор: Luis A. Spinelli,Juan L. Chilla,Andrea Caprara. Владелец: Coherent Inc. Дата публикации: 2000-12-26.

Intracavity frequency-converted optically-pumped semiconductor laser

Номер патента: EP1125350B2. Автор: Luis A. Spinelli,Juan L. Chilla,Andrea Caprara. Владелец: Coherent Inc. Дата публикации: 2008-12-03.

High-power external-cavity optically-pumped semiconductor lasers

Номер патента: US20020024987A1. Автор: Andrea Caprara,Luis Spinelli,Juan Chilla. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-28.

Surface-emitting laser module, optical scanner device, and image forming apparatus

Номер патента: US09831633B2. Автор: Shunichi Sato,Toshihiro Ishii,Kazuhiko Adachi,Satoru Sugawara,Yoshihiro Ohba,Kazuhiro Harasaka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Surface emitting laser, surface emitting laser device, light source device, and detection apparatus

Номер патента: US12068577B2. Автор: Katsunari Hanaoka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Surface-emitting semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same, optical module, and light-transmission device

Номер патента: EP1341278B1. Автор: Tsuyoshi Kaneko. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-04-26.

Independently-addressable high power surface-emitting laser array with tight-pitch packing

Номер патента: EP4142076A3. Автор: Joerg Martini,Zhihong Yang,Peter Kiesel,Christopher L Chua,Patrick Y Maeda,Noble M Johnson. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2023-07-26.

Surface emitting laser element, electronic device, and method for manufacturing surface emitting laser element

Номер патента: US20240235167A1. Автор: Kota Tokuda,Jugo Mitomo. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Surface emitting laser, light source device, electronic device, and method for manufacturing surface emitting laser

Номер патента: US20240146024A1. Автор: Masato Ogawa,Shinichi Agatuma. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Tilted cavity semiconductor laser (tcsl) and method of making same

Номер патента: WO2003069737A2. Автор: Nikolai Nikolaevich Ledentsov,Vitaly Alexandrovich Shchukin. Владелец: Vitaly Alexandrovich Shchukin. Дата публикации: 2003-08-21.

Vertical-cavity surface-emitting laser and preparation method

Номер патента: EP4325675A1. Автор: Dong Liang,Song Liu,Weicheng WENG,Weizun DING,Junyan PENG. Владелец: Vertilite Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-21.

Surface-emitting light emitting device, manufacturing method for the same, optical module, and optical transmission apparatus

Номер патента: EP1403988A3. Автор: Tsuyoshi Kaneko,Tetsuo Hiramatsu,Satoshi Kito. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-02-09.

Surface-emitting laser array, light source module, and distance-measuring apparatus

Номер патента: CA3210713A1. Автор: Naoto Jikutani,Kazuma Izumiya,Kazuhiro Harasaka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Vertical cavity surface emitting laser comprising a modulator monolithically integrated on top

Номер патента: EP1547215A1. Автор: Oleg Okhotnikov,Tomi Jouhti,Markus Pessa. Владелец: EpiCrystals Oy. Дата публикации: 2005-06-29.

Vertical-cavity surface-emitting laser and preparation method

Номер патента: US20240283221A1. Автор: Song Liu,Weicheng WENG,Weizun DING,Junyan PENG. Владелец: Vertilite Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Vertical-cavity surface-emitting laser device and vertical-cavity surface-emitting laser array device

Номер патента: US09698568B2. Автор: Hiroshi Watanabe,Keiji Iwata,Masashi Yanagase,Ippei Matsubara,Takayuki Kona. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Vertical cavity surface emitting laser element and method of producing vertical cavity surface emitting laser element

Номер патента: US20230299559A1. Автор: Hiroshi Nakajima,Mikihiro Yokozeki,Tomomasa Watanabe,Daiji Kasahara. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Surface emitting laser package

Номер патента: US12142891B2. Автор: Ju Young Park,Myung Sub Kim,Woo Jin MOON. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Surface emitting laser apparatus and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240235159A9. Автор: Li-Hung Lai,Li-Wen Lai. Владелец: HLJ TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Top-emitting vertical-cavity surface-emitting laser with bottom-emitting structure

Номер патента: US20210194207A1. Автор: Albert Yuen. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2021-06-24.

Top-emitting vertical-cavity surface-emitting laser with bottom-emitting structure

Номер патента: US12119610B2. Автор: Albert Yuen. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2024-10-15.

Bottom-emitting vertical cavity surface emitting laser array with integrated directed beam diffuser

Номер патента: US12126145B2. Автор: Eric R. Hegblom,Kevin Wang. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2024-10-22.

Surface-emitting laser, laser device, detection device, mobile object, information terminal apparatus, and method for driving surface-emitting laser

Номер патента: EP4435982A1. Автор: Naoto Jikutani,Naofumi Ueno. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Vertical Cavity Surface Emitting Laser, Electronic Device with Same and Manufacturing Method for Same

Номер патента: US20240079854A1. Автор: Jiaxing Wang,Qinpei LIU. Владелец: Shenzhen Berxel Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Surface emitting laser apparatus and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240235158A9. Автор: Li-Hung Lai,Li-Wen Lai. Владелец: HLJ TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing vertical cavity surface emitting laser element and vertical cavity surface emitting laser element

Номер патента: US20240243552A1. Автор: Kenichi Terao,Ryoma Shimazu. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Surface emitting laser device, light-emitting device including the same and manufacturing method thereof

Номер патента: US12051886B2. Автор: Yeo Jae YOON,Keun Uk PARK. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Surface emitting laser device and light emitting device including the same

Номер патента: US12068583B2. Автор: Jeong Sik Lee,Keun Uk PARK. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Surface-emitting laser device with conductive thin film and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240283217A1. Автор: Li-Hung Lai,Li-Wen Lai. Владелец: HLJ TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Bottom surface emitting vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US20240332900A1. Автор: Christopher Kocot,Giovanni Barbarossa,Anna Tatarczak. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Surface-emitting laser and method for manufacturing surface-emitting laser

Номер патента: US20240305064A1. Автор: Hiroshi Nakajima,Masayuki Tanaka,Mikihiro Yokozeki,Tomomasa Watanabe. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Bottom surface emitting vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: EP4443674A1. Автор: Giovanni Barbarossa,Anna Tatarczak, Christopher KOCOT. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Vertical cavity surface emitting laser assembly

Номер патента: US09525267B2. Автор: Mohammad Azadeh. Владелец: O Net Communications Shenzhen Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Vertical Cavity Surface Emitting Laser and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20240136797A1. Автор: Sui ZHANG,Jiaxing Wang. Владелец: Shenzhen Berxel Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Vertical Cavity Surface Emitting Laser and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20240235162A9. Автор: Sui ZHANG,Jiaxing Wang. Владелец: Shenzhen Berxel Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Surface emitting laser array, solid-state laser apparatus, and subject information acquisition apparatus including the solid-state laser apparatus

Номер патента: WO2015190615A3. Автор: Mamoru Uchida,Tatsuro Uchida. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2016-03-24.

Surface emitting laser array, solid-state laser apparatus, and subject information acquisition apparatus including the solid-state laser apparatus

Номер патента: WO2015190615A2. Автор: Mamoru Uchida,Tatsuro Uchida. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2015-12-17.

Surface emitting laser, method for producing surface emitting laser, and image forming apparatus

Номер патента: EP2282383A3. Автор: Mitsuhiro Ikuta. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-09-07.

Surface emitting laser

Номер патента: US7693205B2. Автор: Tatsuro Uchida. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2010-04-06.

Vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US20100085999A1. Автор: Tatsuro Uchida. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2010-04-08.

Surface emitting laser, atomic oscillator, and manufacturing method of surface emitting laser

Номер патента: US20160126703A1. Автор: Takashi Hagino. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-05-05.

Surface-emitting laser with multilayer thermally conductive mirror

Номер патента: US20240106199A1. Автор: Chuan-Wei Chen. Владелец: Taiwan Asia Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Vertical cavity surface emitting laser device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220294185A1. Автор: Cheng-Dong Wang. Владелец: Triple Win Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Electro-absorption modulator integrated with a vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: WO2007005566A2. Автор: Hongyu Deng. Владелец: FINISAR CORPORATION. Дата публикации: 2007-01-11.

Vertical cavity surface emitting laser and method of manufacturing vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US20230025212A1. Автор: Daisuke Inoue,Akito Fujita. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Multi-junction bottom emitting vertical cavity surface emitting laser and the fabrication method of the same

Номер патента: EP4369537A2. Автор: Yuhui Luo,Chuyuen CHAN. Владелец: Brightlaser Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Multi-junction bottom emitting vertical cavity surface emitting laser and the fabrication method of the same

Номер патента: EP4369537A3. Автор: Yuhui Luo,Chuyuen CHAN. Владелец: Brightlaser Ltd. Дата публикации: 2024-05-29.

Surface emitting laser, surface emitting laser device, light source device, and detection apparatus

Номер патента: US12046872B2. Автор: Naoto Jikutani,Kazuma Izumiya,Kazuhiro Harasaka,Ryoichiro SUZUKI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Surface emitting laser, and transceiver, optical transceiver, and optical communication system employing the surface emitting laser

Номер патента: US20100086311A1. Автор: Norihiro Iwai,Hitoshi Shimizu,Takeshi Hama,Setiagung Casimirus,Yasukazu Shiina. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-08.

Surface emitting laser array element, optical scanning device, and image forming apparatus

Номер патента: US20130251408A1. Автор: Katsunari Hanaoka,Masayuki Numata,Hiroyoshi Shouji. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Surface emitting laser, and transceiver, optical transceiver, and optical communication system employing the surface emitting laser

Номер патента: US20050123014A1. Автор: Norihiro Iwai,Hitoshi Shimizu,Takeshi Hama,Setiagung Casimirus,Yasukazu Shiina. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-09.

Photonic crystal electrically pumped surface-emitting laser and preparation method thereof

Номер патента: US20240322524A1. Автор: Ping Sun,Zhaoyu Zhang,Wentao Xie,Yuanhao Gong,Xiaolei Shen. Владелец: Chinese University of Hong Kong Shenzhen. Дата публикации: 2024-09-26.

Vertical cavity surface emitting laser array and method for manufacturing vertical cavity surface emitting laser array

Номер патента: US09787062B2. Автор: Takashi Kondo,Jun Sakurai,Akemi Murakami,Junichiro Hayakawa,Naoki Jogan. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Surface emitting laser module, optical device, and surface emitting laser substrate

Номер патента: EP3918678A1. Автор: Naoto Jikutani,Misaki Ishida,Kazuma Izumiya. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-08.

Substrate-transfer vertical cavity surface emitting laser and method for manufacture thereof

Номер патента: US20220102938A1. Автор: Chihchiang SHEN. Владелец: Zhejiang Berxel Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US20230163568A1. Автор: Takeshi Aoki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Surface emitting laser element and manufacturing method of the same

Номер патента: US12113333B2. Автор: Yoshinori Tanaka,Susumu Noda,Tomoaki Koizumi,Kenji Ishizaki,Kei EMOTO,Menaka DE ZOYSA. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2024-10-08.

Vertical-cavity surface-emitting laser and preparation method

Номер патента: GB2621741A. Автор: Liu Song,Liang Dong,Weng Weicheng,Ding Weizun,Peng Junyan. Владелец: Vertilite Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-21.

Surface emitting laser element, electronic device, and method for producing surface emitting laser element

Номер патента: EP4336685A1. Автор: Kota Tokuda,Jugo Mitomo. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-03-13.

Method of fabricating long wavelength vertical-cavity surface-emitting lasers

Номер патента: US6727109B2. Автор: Won Seok Han,O Kyun Kwon,Jae Heon Shin,Young Gu Ju,Byueng Su Yoo,Jung Rae Ro. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2004-04-27.

Vertical cavity surface emitting laser illuminator package with embedded capacitor

Номер патента: US20230047740A1. Автор: WEI Shi,Hao Huang,Lijun Zhu,Siu Kwan Cheung,Huanlin ZHU. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2023-02-16.

Vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) array package and manufacturing method

Номер патента: US12107387B2. Автор: Yang Wang. Владелец: Shenzhen Raysees Ai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Surface-emitting laser array, detection device, and laser device

Номер патента: EP3769382A1. Автор: Naoto Jikutani,Masayuki Numata,Tsuyoshi Ueno,Toshiyuki Ikeoh,Kazuma Izumiya. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-27.

Vertical cavity surface emitting laser device

Номер патента: US20220302679A1. Автор: Feng Zhao,Qing Wang,Guoyang Xu. Владелец: Ams Sensors Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Vertical-cavity surface-emitting laser

Номер патента: GB2619216A. Автор: Zhang Cheng,Liu Song,Liang Dong,Weng Weicheng. Владелец: Vertilite Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Vertical-cavity surface-emitting laser (vcsel) with cascaded active region

Номер патента: US20240235160A9. Автор: Elad Mentovich,Tamir Sharkaz,Yuri Berk,Vladimir lakovlev. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Emitter assembly with vertical cavity surface emitting laser (vcsel) clusters

Номер патента: US20240195153A1. Автор: Raman Srinivasan,WEI Shi,Joseph Leigh,Lijun Zhu,Gianluca Bacchin,Huanlin ZHU,Suhit Ranjan Das,Yuefa Li,Qianhuan YU,Jacob U. LOPEZ RUVALCABA. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Surface light emitting semiconductor laser element

Номер патента: US10578819B2. Автор: Yoshinori Yamauchi,Yoshiyuki Tanaka,Yoshiaki Watanabe,Hironobu Narui,Yuichi Kuromizu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-03-03.

Vertical-cavity surface emitting laser for emitting a single mode laser beam

Номер патента: US20220021186A1. Автор: Chao-Hsin Wu,Szu-Yu Min,Hao-Tien Cheng. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2022-01-20.

Encoded pixel structure of vertical cavity surface emitting laser and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190341741A1. Автор: Dong Liang,Song Liu,Yijie HUO. Владелец: Vertilite Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Vertical cavity surface emitting laser driving circuit

Номер патента: US6067307A. Автор: Ashok V. Krishnamoorthy. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2000-05-23.

Encoded pixel structure of vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US20190341746A1. Автор: Dong Liang,Song Liu,Yijie HUO. Владелец: Vertilite Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Surface-emitting laser array, light source module, and distance-measuring apparatus

Номер патента: EP4305716A1. Автор: Naoto Jikutani,Kazuma Izumiya,Kazuhiro Harasaka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-17.

Surface emitting laser element, illumination device, projection device, measurement device, robot, electronic apparatus, mobile body, and modeling device

Номер патента: US20200303901A1. Автор: Kazuhiro Yoneda,Naoki Fukuoka,Kazuki Nagasawa,Yoshihiko Miki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-09-24.

Surface-emitting laser array, light source module, and distance-measuring apparatus

Номер патента: US20240128725A1. Автор: Naoto Jikutani,Kazuma Izumiya,Kazuhiro Harasaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-04-18.

Surface emitting laser device, electronic device, and manufacturing method for surface emitting laser device

Номер патента: US20230352906A1. Автор: Jugo Mitomo. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Surface emitting laser element and atomic oscillator

Номер патента: US20140354366A1. Автор: Shunichi Sato,Ryoichiro SUZUKI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-04.

Measurement method, manufacturing method, measurement apparatus of surface-emitting laser, and non-transitory storage medium storing measurement program of surface-emitting laser

Номер патента: US20220115840A1. Автор: Ryosuke Kubota. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-04-14.

Vertical-cavity surface-emitting laser element and method for manufacturing vertical-cavity surface-emitting laser element

Номер патента: EP4207515A1. Автор: Hiroshi Nakajima,Mikihiro Yokozeki,Tomomasa Watanabe,Daiji Kasahara. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-07-05.

Surface emitting laser element, surface emitting laser, surface emitting laser device, light source device, and detection apparatus

Номер патента: US11901701B2. Автор: Katsunari Hanaoka,Masayuki Fujiwara. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: GB2622175A. Автор: Liu Song,Liang Dong,Weng Weicheng. Владелец: Vertilite Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Method of producing vertical cavity surface emitting laser, vertical cavity surface emitting laser, distance sensor, and electronic apparatus

Номер патента: US20210175687A1. Автор: Hideki Kimura. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-06-10.

Vertical cavity surface emitting laser design with shorter oxidation length and/or larger number of trenches

Номер патента: US11831129B2. Автор: Ajit Vijay Barve,Mohammad Ali SHIRAZI HOSSEINI DOKHT. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2023-11-28.

Vertical cavity surface emitting laser, vertical-cavity-surface-emitting-laser device, optical transmission apparatus, and information processing apparatus

Номер патента: US20110317540A1. Автор: Takashi Kondo,Kazutaka Takeda,Kazuyuki Matsushita. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-29.

Surface-emitting laser device with vertical external resonator with optical pumping

Номер патента: RU2623663C2. Автор: Стефан ГРОНЕНБОРН,Михаэль МИЛЛЕР. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-06-28.

Surface emitting laser, method for producing surface emitting laser, and image forming apparatus

Номер патента: US20120171790A1. Автор: Mitsuhiro Ikuta. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-07-05.

Surface-emitting quantum cascade laser

Номер патента: US10447012B2. Автор: Shinji Saito,Tomohiro Takase,Rei Hashimoto,Tsutomu Kakuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-10-15.

Surface-emitting quantum cascade laser

Номер патента: US20190148915A1. Автор: Shinji Saito,Tomohiro Takase,Rei Hashimoto,Tsutomu Kakuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Surface-emitting laser with external cavity formed by a waveguide bragg grating

Номер патента: US20050265418A1. Автор: Dmitri Nikonov. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-12-01.

Surface emitting laser apparatus and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240136792A1. Автор: Li-Hung Lai,Li-Wen Lai. Владелец: HLJ TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Top-emitting vertical-cavity surface-emitting laser with bottom-emitting structure

Номер патента: US20230163557A1. Автор: Albert Yuen. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2023-05-25.

Air-cavity dominant vertical cavity surface emitting lasers

Номер патента: WO2019013846A2. Автор: Connie Chang-Hasnain,Kevin Cook,Pengfei Qiao. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2019-01-17.

Emitter assembly with a redistribution layer for a vertical cavity surface emitting laser (vcsel) chip

Номер патента: US20240195145A1. Автор: Raman Srinivasan,WEI Shi,Joseph Leigh,Eric R. Hegblom,Lijun Zhu,Gianluca Bacchin,Huanlin ZHU,Suhit Ranjan Das,Yuefa Li,Qianhuan YU,Jacob U. LOPEZ RUVALCABA. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Electrically-pumped (ga,in, ai) n vertical-cavity surface-emitting laser

Номер патента: WO2007133766A8. Автор: Shuji Nakamura,Masahiro Ishida,Robert M Farrell,Daniel F Feezell,Daniel A Cohen. Владелец: Daniel A Cohen. Дата публикации: 2008-03-13.

Electrically-pumped (ga,in, ai) n vertical-cavity surface-emitting laser

Номер патента: WO2007133766A3. Автор: Shuji Nakamura,Masahiro Ishida,Robert M Farrell,Daniel F Feezell,Daniel A Cohen. Владелец: Daniel A Cohen. Дата публикации: 2008-07-03.

Vertical cavity surface emitting laser and preparation method therefor

Номер патента: US20240258770A1. Автор: Dong Liang,Song Liu,Weicheng WENG,Weizun DING,Junyan PENG. Владелец: Vertilite Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Vertical-cavity surface-emitting laser array with multiple metal layers for addressing different groups of emitters

Номер патента: US20210075196A1. Автор: Eric R. Hegblom. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2021-03-11.

Vertical-cavity surface-emitting laser

Номер патента: US20220385034A1. Автор: Yuji Koyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Air-cavity dominant vertical cavity surface emitting lasers

Номер патента: US20180301870A1. Автор: Connie Chang-Hasnain,Pengfei Qiao,Kevin Taylor Cook. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2018-10-18.

Vertical cavity surface emitting laser device with monolithically integrated photodiode

Номер патента: EP3977574A1. Автор: Philipp Henning Gerlach,Ulrich Weichmann,Holger Joachim MOENCH,Susanne Weidenfeld. Владелец: Trumpf Photonic Components GmbH. Дата публикации: 2022-04-06.

Electric Pumping Vertical External Cavity Surface Emitting Laser (EP-VECSEL) array

Номер патента: US12057675B1. Автор: Mahmoud Fallahi,Chris Hessenius. Владелец: Deuve Photonics Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Regulating a Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) -Based Optical Communication Link

Номер патента: US20120300801A1. Автор: Nikola Nedovic,Scott McLeod. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Vertical-cavity surface emitting laser support assembly

Номер патента: EP3864450A1. Автор: William A. Bayer,Michael R. Daun,Nicolai B. MORTENSEN. Владелец: Thermo Electron Scientific Instruments LLC. Дата публикации: 2021-08-18.

Matrix addressable vertical-cavity surface-emitting laser array

Номер патента: US20240283218A1. Автор: Eric R. Hegblom,Yeyu ZHU,Slava KHASSINE. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Vertical-cavity surface emitting laser support assembly

Номер патента: WO2020077092A1. Автор: William A. Bayer,Michael R. Daun,Nicolai B. MORTENSEN. Владелец: Thermo Electron Scientific Instruments LLC. Дата публикации: 2020-04-16.

Vertical-cavity surface-emitting laser

Номер патента: US11764544B2. Автор: Ki Hwang Lee,Byueng Su Yoo,Jeong Rae Ro. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Manufacturing of surface emitting lasers including an integrated metastructure

Номер патента: US20240222938A1. Автор: James EILERTSEN,Maksim ZALKOVSKIJ,Brian Bilenberg,Theodor Nielsen. Владелец: Nilt Switzerland Gmbh. Дата публикации: 2024-07-04.

Plated trench for parasitic capacitance control of vertical cavity surface emitting laser devices

Номер патента: US20240348014A1. Автор: Albert Yuen,Shibajyoti Ghosh DASTIDER,Yeyu ZHU,Chien-Yao Lu. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Vertical cavity surface emitting laser and method of producing same

Номер патента: US20240364081A1. Автор: Ulrich Weichmann,Sven Bader. Владелец: Trumpf Photonic Components GmbH. Дата публикации: 2024-10-31.

Vertical cavity surface emitting laser device with an integrated ground layer

Номер патента: US20240348008A1. Автор: Lijun Zhu,Matthew Glenn Peters,Siu Kwan Cheung,Jacob U. LOPEZ RUVALCABA. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Photonic crystal surface-emitting laser

Номер патента: US12088063B2. Автор: Tien-Chang Lu,Kuo-Bin HONG,Lih-Ren Chen,Ten-Hsing Jaw. Владелец: General Interface Solotion Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Vertical external cavity surface emitting laser utilizing an external micromirror array

Номер патента: US09780532B1. Автор: Thomas Wunderer,Farsane Tabataba-Vakili. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Vertical cavity surface emitting laser with composite reflectors

Номер патента: US09735545B1. Автор: Xianglin Zeng,Vincent Gambin,Yaochung Chen. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Surface emitting laser element

Номер патента: US09735544B2. Автор: Ji-Hao Liang,Komei Tazawa. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Vertical-cavity surface-emitting laser system and method for fabricating the same

Номер патента: US09711947B2. Автор: Jingjing Li,David A. Fattal,Raymond G. Beausoleil,Michael Renne Ty Tan. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-07-18.

Passivated vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US5719893A. Автор: Paul Claisse,Michael S. Lebby,Wenbin Jiang. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-02-17.

A surface emitting laser device and light emitting device including the same

Номер патента: US20210399528A1. Автор: Jeong Sik Lee,Keun Uk PARK. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Surface emitting laser element and method for producing surface emitting laser element

Номер патента: EP3849031A1. Автор: Yoshinori Tanaka,Susumu Noda,Tomoaki Koizumi,Kenji Ishizaki,Kei EMOTO,Zoysa Menaka De. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-14.

Surface emitting laser apparatus and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240136791A1. Автор: Li-Hung Lai,Li-Wen Lai. Владелец: HLJ TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Manufacturing method of vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US20230396038A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Surface emitting laser, method for fabricating surface emitting laser

Номер патента: WO2023233541A1. Автор: Srinivas GANDROTHULA. Владелец: Sanoh Industrial Co.,Ltd.. Дата публикации: 2023-12-07.

Iii-nitride surface-emitting laser and method of fabrication

Номер патента: US20200244036A1. Автор: Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,James S. Speck,Seunggeun Lee,Erin C. Young,Charles FORMAN,Jared KEARNS. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2020-07-30.

Vertical cavity surface emitting laser, head gimbal assembly, and fabrication process

Номер патента: US11817677B2. Автор: Takuya Matsumoto,Barry C. Stipe. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Surface-emitting laser device

Номер патента: EP4266356A1. Автор: Rintaro Koda,Hideki Watanabe,Hirohisa Yasukawa,Yasutaka Higa,Hayato Kamizuru,Tatsuya Matou. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-10-25.

Surface emitting laser, atomic oscillator, and manufacturing method of surface emitting laser

Номер патента: US9484716B2. Автор: Takashi Hagino. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Surface emitting laser and method of manufacturing the same

Номер патента: US11309686B2. Автор: Susumu Sato,Hiroshi Nakajima,Masamichi Ito,Tatsushi Hamaguchi,Jugo Mitomo,Hidekazu Kawanishi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2022-04-19.

Vertical cavity surface-emitting laser epitaxial structure having a current spreading layer

Номер патента: US20230307889A1. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,Van-Truong Dai,Jhao-Hang He. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Method for fabricating surface emitting laser

Номер патента: US20170271841A1. Автор: Yukihiro Tsuji. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Surface emitting laser, method for fabricating surface emitting laser

Номер патента: WO2023188405A1. Автор: Srinivas GANDROTHULA. Владелец: Sanoh Industrial Co.,Ltd.. Дата публикации: 2023-10-05.

Serially interconnected vertical-cavity surface emitting laser arrays

Номер патента: US20120051384A1. Автор: Jonathan C. Geske,Chad Shin-deh Wang,Michael MacDougal. Владелец: Aerius Photonics LLC. Дата публикации: 2012-03-01.

Surface emitting quantum cascade laser

Номер патента: US20190074663A1. Автор: Shinji Saito,Yasunobu Kai,Rei Hashimoto,Kei Kaneko,Tsutomu Kakuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Surface emitting laser device and surface emitting laser apparatus having the same

Номер патента: US12003075B2. Автор: Seung Hwan Kim,Se Yeon Jung. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Vertical cavity surface emitting laser, vertical cavity surface emitting laser device, optical transmission device, and information processing apparatus

Номер патента: US20130034922A1. Автор: Masahiro Yoshikawa,Kazutaka Takeda,Kazuyuki Matsushita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-02-07.

Surface emitting quantum cascade laser

Номер патента: US20200006922A1. Автор: Shinji Saito,Yasunobu Kai,Rei Hashimoto,Kei Kaneko,Tsutomu Kakuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Surface emitting quantum cascade laser

Номер патента: US10424899B2. Автор: Shinji Saito,Yasunobu Kai,Rei Hashimoto,Kei Kaneko,Tsutomu Kakuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-09-24.

Method of manufacturing vertical-cavity surface-emitting laser element

Номер патента: US20240146025A1. Автор: Kenichi Terao,Hitoshi Takayama. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Vertical cavity surface emitting laser with enhanced second harmonic generation and method of making same

Номер патента: US5724375A. Автор: Frank H. Peters. Владелец: WL Gore and Associates Inc. Дата публикации: 1998-03-03.

Photonic crystal surface-emitting laser

Номер патента: US20230055037A1. Автор: Tien-Chang Lu,Kuo-Bin HONG,Lih-Ren Chen,Ten-Hsing Jaw. Владелец: Interface Optoelectronics Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-23.

Method of fabricating a resonant cavity and distributed bragg reflector mirrors for a vertical cavity surface emitting laser on a wing of an epitaxial lateral overgrowth region

Номер патента: US20240079856A1. Автор: Masahiro Araki,Takeshi Kamikawa,Gandrothula Srinlvas. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-03-07.

Surface emitting laser element and manufacturing method of the same

Номер патента: US20210328406A1. Автор: Yoshinori Tanaka,Susumu Noda,Tomoaki Koizumi,Kenji Ishizaki,Kei EMOTO,Menaka DE ZOYSA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Two-dimensional photonic crystal surface emitting laser

Номер патента: EP4300732A1. Автор: Masahiro Yoshida,Takuya Inoue,Susumu Noda,Kenji Ishizaki. Владелец: KYOTO UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-01-03.

Electro-absorption modulator integrated with a vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: WO2007005566A3. Автор: Hongyu Deng. Владелец: Hongyu Deng. Дата публикации: 2007-04-05.

Multi-junction bottom emitting vertical cavity surface emitting laser and the fabrication method of the same

Номер патента: US20240162683A1. Автор: Yuhui Luo,Chuyuen CHAN. Владелец: Brightlaser Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Two-dimensional photonic-crystal surface-emitting laser

Номер патента: US20240120710A1. Автор: Masahiro Yoshida,Takuya Inoue,Susumu Noda,Kenji Ishizaki. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2024-04-11.

Front-surface emitting diode laser

Номер патента: US5034958A. Автор: Hoi-Jun Yoo,Young-Se Kwon. Владелец: Bell Communications Research Inc. Дата публикации: 1991-07-23.

Optical pick-up using vertical resonator surface emitting laser diode

Номер патента: KR970002956A. Автор: 신현국,이유신. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-01-28.

Electron beam pumped semiconductor laser screen and associated fabrication method

Номер патента: US20040028109A1. Автор: Robert Morgan,Robert Rice,Neil Ruggieri,J. Whiteley,Richard Skogman. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2004-02-12.

Vertical-cavity surface-emitting laser (vcsel) with cascaded active region

Номер патента: US20240136795A1. Автор: Elad Mentovich,Tamir Sharkaz,Yuri Berk,Vladimir lakovlev. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Ingan diode-laser pumped ii-vi semiconductor lasers

Номер патента: WO2005124948A2. Автор: Luis A. Spinelli,Hailong Zhou,Russel R. Austin. Владелец: Coherent, Inc.. Дата публикации: 2005-12-29.

Ingan diode-laser pumped ii-vi semiconductor lasers

Номер патента: WO2005124948A3. Автор: Luis A Spinelli,Hailong Zhou,Russel R Austin. Владелец: Russel R Austin. Дата публикации: 2006-03-30.

Integrated assembly comprising vertical cavity surface-emitting laser array with Fresnel microlenses

Номер патента: US5073041A. Автор: Kasra Rastani. Владелец: Bell Communications Research Inc. Дата публикации: 1991-12-17.

Two-dimensional photonic crystal surface-emitting laser

Номер патента: US20080240193A1. Автор: Susumu Noda,Dai Ohnishi,Wataru Kunishi,Jun-ichi Kashiwagi. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2008-10-02.

Method, system and apparatus for hybrid optical and electrical pumping of semiconductor lasers and leds for improved reliability at high temperatures

Номер патента: US20150333477A1. Автор: Duane Louderback. Владелец: Zephyr Photonics Inc. Дата публикации: 2015-11-19.

Method, system and apparatus for hybrid optical and electrical pumping of semiconductor lasers and LEDs for improved reliability at high temperatures

Номер патента: US09728936B2. Автор: Duane Louderback. Владелец: Zephyr Photonics Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Temperature-insensitive vertical-cavity surface-emitting lasers and method for fabrication thereof

Номер патента: US5712865A. Автор: Weng W. Chow,Kent D. Choquette,Paul L. Gourley. Владелец: Sandia Corp. Дата публикации: 1998-01-27.

Vertical cavity surface emitting lasers with consistent slope efficiencies

Номер патента: CA2350463C. Автор: Jeffrey W. Scott. Владелец: Optical Communication Products Inc. Дата публикации: 2006-02-14.

Vertical-cavity surface-emitting lasers with intra-cavity structures

Номер патента: US5245622A. Автор: Jack L. Jewell,Gregory Olbright. Владелец: Bandgap Technology Corp. Дата публикации: 1993-09-14.

hybrid metal-bonded vertical cavity surface emitting laser and fabricating method thereof

Номер патента: KR100627703B1. Автор: 송현우,한원석,김종희,박미란,권오균. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2006-09-26.

Photonic crystal surface-emitting laser

Номер патента: US20230044996A1. Автор: Tien-Chang Lu,Kuo-Bin HONG,Lih-Ren Chen,Ten-Hsing Jaw. Владелец: Interface Optoelectronics Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Resonant active grating mirror for surface emitting lasers

Номер патента: US9373936B1. Автор: Zhigang Chen,Jiamin Zhang,Manoj Kanskar. Владелец: NLight Inc. Дата публикации: 2016-06-21.

Variable trace width for individual vertical cavity surface emitting laser channels for time of flight illuminators

Номер патента: US11936158B2. Автор: Ajit Vijay Barve,Matthew Glenn Peters,Mohammad Ali SHIRAZI HOSSEINI DOKHT. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2024-03-19.

Vertical cavity surface emitting laser and method of producing same

Номер патента: EP3926769A1. Автор: Ulrich Weichmann,Sven Bader. Владелец: Trumpf Photonic Components GmbH. Дата публикации: 2021-12-22.

Method of fabricating surface-emitting laser

Номер патента: US20180287344A1. Автор: Yukihiro Tsuji. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Method for fabricating surface emitting laser

Номер патента: US20170271840A1. Автор: Yukihiro Tsuji. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Surface emitting type optical semiconductor device

Номер патента: US7426228B2. Автор: Mitsuhiro Kushibe,Rei Hashimoto,Michihiko Nishigaki,Mizunori Ezaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-09-16.

Surface emitting type optical semiconductor device

Номер патента: US20080317081A1. Автор: Mitsuhiro Kushibe,Rei Hashimoto,Michihiko Nishigaki,Mizunori Ezaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

Improved vertical external cavity surface emitting laser

Номер патента: WO2005055381A1. Автор: Erling Riis,Richard H. Abram,Allister I. Ferguson. Владелец: UNIVERSITY OF STRATHCLYDE. Дата публикации: 2005-06-16.

Surface emitting laser

Номер патента: US20210044087A1. Автор: Takahiro Arakida,Takayuki Kimura,Yuuta Yoshida. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Apparatus and method for improving electrical conduction structure of a vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: WO2003085788A3. Автор: Xiaobo Zhang. Владелец: Xiaobo Zhang. Дата публикации: 2003-12-04.

Surface-emitting laser device

Номер патента: US11973307B2. Автор: Yong Gyeong Lee,Seung Hwan Kim,Se Yeon Jung. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Vertical cavity surface emitting laser device with monolithically integrated photodiode

Номер патента: WO2020244862A1. Автор: Philipp Henning Gerlach,Ulrich Weichmann,Holger Joachim MOENCH,Susanne Weidenfeld. Владелец: Trumpf Photonic Components GmbH. Дата публикации: 2020-12-10.

Manufacturing of surface emitting lasers including an integrated metastructure

Номер патента: EP4335007A1. Автор: James EILERTSEN,Maksim ZALKOVSKIJ,Brian Bilenberg,Theodor Nielsen. Владелец: Nilt Switzerland Gmbh. Дата публикации: 2024-03-13.

Vertical-cavity surface-emitting laser array with multiple metal layers for addressing different groups of emitters

Номер патента: US11398716B2. Автор: Eric R. Hegblom. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2022-07-26.

Surface-emitting laser

Номер патента: US20220224081A1. Автор: Chien-Ping Lee,Chien-Hung Lin,Bo-Tsun Chou,Kuo-Jui Lin. Владелец: Phosertek Corp. Дата публикации: 2022-07-14.

Vertical cavity surface emitting laser device with at least one bonding layer

Номер патента: US20220416506A1. Автор: Ajit Vijay Barve,Qianhuan YU. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2022-12-29.

Vertical External Cavity Surface Emitting Laser

Номер патента: US20080019406A1. Автор: Erling Riis,Richard H. Abram,Allister I Ferguson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-24.

Vertical-cavity surface-emitting laser layout for high bandwidth output

Номер патента: US20180375287A1. Автор: Elad Mentovich,Sylvie Rockman,Itshak Kalifa. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2018-12-27.

Improved vertical external cavity surface emitting laser

Номер патента: EP1738445A1. Автор: Erling Riis,Richard H. Abram,Allister I. c/o Univ. of Strathclyde FERGUSON. Владелец: UNIVERSITY OF STRATHCLYDE. Дата публикации: 2007-01-03.

Apparatus and method for improving electrical conduction structure of a vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: AU2003218480A1. Автор: Xiaobo Zhang. Владелец: AXT Inc. Дата публикации: 2003-10-20.

Apparatus and method for improving electrical conduction structure of a vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: WO2003085788A2. Автор: Xiaobo Zhang. Владелец: Axt, Inc.. Дата публикации: 2003-10-16.

Vertical cavity surface emitting laser (vcsel), laser sensor and method of producing a vcsel

Номер патента: US20240204479A1. Автор: Ulrich Weichmann,Holger Joachim MOENCH. Владелец: Trumpf Photonic Components GmbH. Дата публикации: 2024-06-20.

Opto-isolator including a vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US20140197338A1. Автор: Richard L. Bell,James K. Guenter,Jimmy A. Tatum,Jose Joaquin Aizpuru,Norman Brent Stapleton,Harold Young Walker. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2014-07-17.

Vertical cavity surface emitting laser and corresponding fabricating method

Номер патента: US12015246B2. Автор: Xianfeng Ni,Ying Cui,Qian Fan,Bin Hua. Владелец: Suzhou Han Hua Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Quantum cascade semiconductor laser

Номер патента: US20200067282A1. Автор: Hiroyuki Yoshinaga. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

A method of monitoring the performance of a semiconductor laser diode arrangement

Номер патента: WO2010113066A1. Автор: Jens Pollmann-Retsch,Pavel Pekarski. Владелец: Philips Intellectual Property & Standards Gmbh. Дата публикации: 2010-10-07.

Semiconductor laser drive device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor laser drive device

Номер патента: EP4019895A1. Автор: Takashi Kobayashi,Nobuaki Kaji,Motoi Kimura,Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-06-29.

Surface-emitting semiconductor laser device and method for producing the same

Номер патента: US09466945B2. Автор: Takashi Kondo,Jun Sakurai,Akemi Murakami,Kazutaka Takeda,Junichiro Hayakawa,Naoki Jogan. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Surface-emitting semiconductor laser and sensing module

Номер патента: EP3611812A1. Автор: Yuji Masui,Hidehiko Nakata,Yuji Furushima. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2020-02-19.

Semiconductor laser module

Номер патента: US09722396B2. Автор: Susumu Noda,Akiyoshi Watanabe,Takahiro Sugiyama,Yoshitaka Kurosaka,Kazuyoshi Hirose. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2017-08-01.

Surface-emitting type semiconductor laser, optical transmission apparatus, and manufacturing method of surface-emitting type semiconductor laser

Номер патента: US20240250501A1. Автор: Atsushi Mukai,Kazutaka Takeda,Takeshi MINAMIRU,Naoya SEKITA,Yuto IWANE,Koga MIZUNO. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Surface emitting semiconductor laser

Номер патента: US4949350A. Автор: Axel Scherer,Jack L. Jewell. Владелец: Bell Communications Research Inc. Дата публикации: 1990-08-14.

Semiconductor laser module

Номер патента: US20170012407A1. Автор: Susumu Noda,Akiyoshi Watanabe,Takahiro Sugiyama,Yoshitaka Kurosaka,Kazuyoshi Hirose. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2017-01-12.

Surface emitting quantum cascade laser and control method thereof

Номер патента: US20240113507A1. Автор: Shinji Saito,Rei Hashimoto,Kei Kaneko,Tsutomu Kakuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Surface emitting semiconductor device

Номер патента: US20080019410A1. Автор: Yutaka Onishi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2008-01-24.

Surface emitting laser device, surface emitting laser array, optical scanning device, image forming apparatus, and method of manufacturing the surface emitting laser device

Номер патента: EP2395613A3. Автор: Shunichi Sato,Masayuki Numata. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-11.

Surface emitting laser device, surface emitting laser array, optical scanning device, image forming apparatus, and method of manufacturing the surface emitting laser device

Номер патента: EP3667841A1. Автор: Shunichi Sato,Masayuki Numata. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-17.

Vertical-cavity surface-emitting lasers

Номер патента: EP2756564A1. Автор: David A. Fattal,Raymond G. Beausoleil,Michael Renne Ty Tan. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2014-07-23.

Horizontal cavity surface emitting laser device

Номер патента: US09601903B2. Автор: Takanori Suzuki,Koichiro Adachi. Владелец: Oclaro Japan Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Photonic crystal surface-emitting laser and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240170917A1. Автор: Naoki Fujiwara,Yuki Ito,Akira Furuya,Takuya Inoue,Susumu Noda,Kenji Ishizaki,Naoya KONO. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2024-05-23.

Surface emitting laser device and light emitting device including the same

Номер патента: US12080991B2. Автор: Yong Gyeong Lee,Tae Yong Lee,Se Yeon Jung. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Surface emitting laser device and a light emitting device including the same

Номер патента: US12136799B2. Автор: Ju Young Park,Myung Sub Kim,Jun Hee Park. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Surface-emitting ring-cavity quantum cascade laser with ring-shaped phase shifter and related methods

Номер патента: US09819150B2. Автор: Robert E. Peale,Pedro Figueiredo,Andrey V. MURAVIEV. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2017-11-14.

Construction, surface emitting laser, and device having the surface emitting laser

Номер патента: US20080192779A1. Автор: Mitsuhiro Ikuta. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2008-08-14.

Vertical cavity surface emitting laser and method for manufacturing vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US20200076161A1. Автор: Takamichi Sumitomo,Suguru Arikata,Kei Fujii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Surface emitting device and method for manufacturing surface emitting device

Номер патента: US20240339813A1. Автор: Hiroshi Nakajima,Masayuki Tanaka,Michinori Shiomi,Mikihiro Yokozeki,Tomomasa Watanabe,Daiji Kasahara. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Vertical cavity surface emitting laser device and method of producing a vertical cavity surface emitting laser device

Номер патента: US20240006851A1. Автор: Hiroshi Nakajima,Mikihiro Yokozeki,Tomomasa Watanabe,Daiji Kasahara. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Vertical cavity surface emitting laser (vcsel), vcsel array device, optical scanning apparatus, and image forming apparatus

Номер патента: US20090296768A1. Автор: Kei Hara,Morimasa Kaminish. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-03.

Vertical cavity surface emitting laser and atomic oscillator

Номер патента: US09711946B2. Автор: Tsuyoshi Kaneko,Tetsuo Nishida,Yuji Kurachi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Photonic crystal surface-emitting laser and optical system

Номер патента: US20230140206A1. Автор: Hao-Chung Kuo,Kuo-Fong Tseng,Kuo-Bin HONG,Tzu-Hsiang Lan,Shih-Chen Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Surface emitting laser, electronic device, and method for manufacturing surface emitting laser

Номер патента: US20240055833A1. Автор: Takahiro Arakida,Rintaro Koda,Osamu Maeda,Kota Tokuda,Yasutaka Higa,Shinichi Agatuma. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Photonic crystal surface-emitting laser and optical system

Номер патента: EP4175078A1. Автор: Hao-Chung Kuo,Kuo-Fong Tseng,Kuo-Bin HONG,Tzu-Hsiang Lan,Shih-Chen Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-03.

Surface emitting laser device and atomic oscillator

Номер патента: US20140023104A1. Автор: Shunichi Sato,Ryoichiro SUZUKI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-23.

Vertical cavity surface emitting laser device

Номер патента: US20240128722A1. Автор: Rintaro Koda,Kentaro Hayashi,Eiji Nakayama,Mikihiro Yokozeki,Tatsushi Hamaguchi. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Vertical cavity surface emitting laser element

Номер патента: EP4293842A1. Автор: Rintaro Koda,Kentaro Hayashi,Eiji Nakayama,Mikihiro Yokozeki,Tatsushi Hamaguchi. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-12-20.

Surface emitting device

Номер патента: US20240313506A1. Автор: Hiroshi Nakajima,Masayuki Tanaka,Michinori Shiomi,Mikihiro Yokozeki,Tomomasa Watanabe,Daiji Kasahara,Masashi Takanohashi. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Nitride semiconductor surface emitting laser and method of manufacturing the same

Номер патента: US09356428B2. Автор: Takeshi Kawashima. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-05-31.

Photonic crystal surface-emitting laser and method for manufacturing same

Номер патента: EP4311043A1. Автор: Naoki Fujiwara,Yuki Ito,Akira Furuya,Takuya Inoue,Susumu Noda,Kenji Ishizaki,Naoya KONO. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-01-24.

Surface-emitting laser diode

Номер патента: US5568504A. Автор: Anton Kock,Erich Gornik. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1996-10-22.

Surface-emitting ring-cavity quantum cascade laser with ring-shaped phase shifter and related methods

Номер патента: US20170214217A1. Автор: Robert E. Peale,Pedro Figueiredo,Andrey V. MURAVIEV. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2017-07-27.

Distributed feedback surface emitting laser

Номер патента: US8861564B2. Автор: Takeshi Kawashima,Yasuhiro Nagatomo. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-10-14.

Surface emitting laser

Номер патента: US20110216796A1. Автор: Takeshi Uchida,Yasuhiro Nagatomo. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-09-08.

Surface emitting laser with photonic crystal waveguiding and outcoupling by a discontinuous cladding layer

Номер патента: WO2010113774A1. Автор: Takeshi Uchida,Yasuhiro Nagatomo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2010-10-07.

Vertical cavity surface emitting laser (vcsel), vcsel array device, optical scanning apparatus, and image forming apparatus

Номер патента: EP2131458A3. Автор: HARA Kei,Kaminishi Morimasa. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-09.

Semiconductor laser apparatus

Номер патента: US20050169335A1. Автор: Xin Gao,Yujin Zheng. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2005-08-04.

Method for producing a surface-emitting laser

Номер патента: US5416044A. Автор: Toyoji Chino,Kenichi Matsuda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1995-05-16.

Vertical cavity surface emitting laser and atomic oscillator

Номер патента: EP2887469A3. Автор: Tsuyoshi Kaneko,Tetsuo Nishida,Yuji Kurachi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2015-09-09.

Vertical cavity surface emitting laser diode and a method for producing the same

Номер патента: US7813403B2. Автор: Yutaka Onishi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-10-12.

Gain guide implant in oxide vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: WO2003058267A2. Автор: James K. Guenter,James R. Biard. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2003-07-17.

Surface emitting laser including a metal film having a periodic fine structure

Номер патента: US7924901B2. Автор: Mitsuhiro Ikuta. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-04-12.

Array of Surface-Emitting Lasers with High-Brightness Unipolar Output

Номер патента: US20210336423A1. Автор: Jin-Wei Shi. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2021-10-28.

Array of surface-emitting lasers with high-brightness unipolar output

Номер патента: US11316324B2. Автор: Jin-Wei Shi. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2022-04-26.

Iii-nitride-based vertical cavity surface emitting laser (vcsel) with a dielectric p-side lens and an activated tunnel junction

Номер патента: WO2024044567A3. Автор: Shuji Nakamura,Stephen Gee,Daniel A. Cohen,Jared KEARNS,Nathan PALMQUIST. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2024-03-28.

Method and apparatus including improved vertical-cavity surface-emitting lasers

Номер патента: WO2013016676A3. Автор: Matthew M. Dummer,Klein L. Johnson,Mary K. Hibbs-Brenner. Владелец: MYTEK, LLC (doing business as VIXAR). Дата публикации: 2013-07-04.

Semiconductor laser with low relative intensity noise of individual longitudinal modes and optical transmission system incorporating the laser

Номер патента: WO2010065731A3. Автор: Alexey Gubenko,Daniil Livshits,Sergey Mikhrin,Igor Krestnikov,Greg Wojcik,Alexey Kovsh. Владелец: Innolume GmbH. Дата публикации: 2010-09-23.

Semiconductor laser with low relative intensity noise of individual longitudinal modes and optical transmission system incorporating the laser

Номер патента: EP2371044A2. Автор: Alexey Gubenko,Daniil Livshits,Sergey Mikhrin,Igor Krestnikov,Greg Wojcik,Alexey Kovsh. Владелец: Innolume GmbH. Дата публикации: 2011-10-05.

Semiconductor laser with low relative intensity noise of individual longitudinal modes and optical transmission system incorporating the laser

Номер патента: WO2010065731A9. Автор: Alexey Gubenko,Daniil Livshits,Sergey Mikhrin,Igor Krestnikov,Greg Wojcik,Alexey Kovsh. Владелец: Innolume GmbH. Дата публикации: 2010-07-29.

Surface-emitting semiconductor laser and method for producing a surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US20240332901A1. Автор: Lutz Hoeppel,Sven GERHARD,Hubert Halbritter. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for producing a waveguide structure in a surface-emitting semiconductor laser and surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US20060078029A1. Автор: Markus-Christian Amann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-13.

Visible light surface emitting semiconductor laser

Номер патента: US5258990A. Автор: Jack L. Jewell,Gregory R. Olbright. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 1993-11-02.

Vertical-cavity surface-emitting laser and method for manufacturing the same

Номер патента: US6127200A. Автор: Takashi Kurokawa,Chikara Amano,Kouta Tateno,Hirokazu Takenouchi,Yoshio Itoh,Yoshitaka Ohiso,Yoshitaka Kohama. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2000-10-03.

Method of manufacturing vertical-cavity surface emitting laser

Номер патента: US20110076854A1. Автор: KAGEYAMA Takeo,Norihiro Iwai,Koji Hiraiwa,Yoshihiko Ikenaga. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-31.

Semiconductor surface emitting device

Номер патента: US20050135450A1. Автор: Tsukuru Katsuyama,Jun-Ichi Hashimoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2005-06-23.

Control of current spread in semiconductor laser devices

Номер патента: US12095232B2. Автор: Evgeny Zibik,Wilfried Maineult. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Surface-emitting semiconductor light-emitting device

Номер патента: US11881674B2. Автор: Shinji Saito,Rei Hashimoto,Kei Kaneko,Tsutomu Kakuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Surface-emitting semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20230027967A1. Автор: Shinji Saito,Rei Hashimoto,Kei Kaneko,Tsutomu Kakuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Surface emitting laser and electronic device

Номер патента: US20240146031A1. Автор: Masayuki Tanaka,Michinori Shiomi,Mikihiro Yokozeki,Tomomasa Watanabe. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Surface emitting laser, laser array, light source device, information acquisition device, and optical coherence tomography apparatus

Номер патента: US09991675B2. Автор: Mamoru Uchida,Tatsuro Uchida. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Surface Emitting Laser With Hybrid Grating Structure

Номер патента: US20230291177A1. Автор: Chien Hung Pan,Cheng Zu Wu. Владелец: TrueLight Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Surface emitting laser and optical coherence tomography apparatus including the same

Номер патента: US09709381B2. Автор: Takeshi Uchida. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Surface-emitting laser, laser device, detection device, mobile object, information terminal apparatus, and method for driving surface-emitting laser

Номер патента: US20240322525A1. Автор: Naoto Jikutani,Naofumi Ueno. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Fiber extended, semiconductor laser

Номер патента: WO2004093270A3. Автор: Robert L Thornton. Владелец: Robert L Thornton. Дата публикации: 2005-01-06.

Wavelength tunable surface emitting laser and optical coherence tomography apparatus including the same

Номер патента: US09945658B2. Автор: Takeshi Uchida,Toshimitsu Matsuu. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Compact emitter design for a vertical-cavity surface-emitting laser

Номер патента: US09742153B1. Автор: Albert Yuen,Ajit Vijay Barve. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2017-08-22.

Surface emitting laser, surface emitting laser element and atomic oscillator

Номер патента: WO2015137174A1. Автор: Shunichi Sato,Ryoichiro SUZUKI. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2015-09-17.

Vertical cavity surface-emitting laser

Номер патента: US20230036079A1. Автор: Takeshi Aoki,Takamichi Sumitomo,Suguru Arikata,Susumu Yoshimoto,Kei Fujii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Giant cavity surface emitting laser

Номер патента: EP4432490A1. Автор: Dong Liang,Cheng Zhang. Владелец: Vertilite Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Giant cavity surface emitting laser

Номер патента: GB2627420A. Автор: Zhang Cheng,Liang Dong. Владелец: Vertilite Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Surface emitting laser, method for fabricating surface emitting laser

Номер патента: WO2024185048A1. Автор: Srinivas GANDROTHULA. Владелец: Sanoh Industrial Co.,Ltd.. Дата публикации: 2024-09-12.

Surface emitting laser

Номер патента: US20240088627A1. Автор: Takahiro Arakida. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Vertical cavity surface emitting laser including meta structure reflector and optical device including the vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US20180278023A1. Автор: Seunghoon HAN,Byunghoon NA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-09-27.

Surface emitting laser

Номер патента: US20240128721A1. Автор: Rintaro Koda,Shuhei Yamaguchi,Hideki Watanabe. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Two-dimensional photonic crystal surface-emitting laser

Номер патента: US20090016395A1. Автор: Takuji Hatano,Mitsuru Yokoyama,Susumu Noda. Владелец: Konica Minolta Opto Inc. Дата публикации: 2009-01-15.

Two-dimensional photonic crystal surface-emitting laser

Номер патента: US7978745B2. Автор: Takuji Hatano,Mitsuru Yokoyama,Susumu Noda. Владелец: Konica Minolta Opto Inc. Дата публикации: 2011-07-12.

Surface emitting laser and image forming apparatus

Номер патента: US20120237261A1. Автор: Aihiko Numata,Mitsuhiro Ikuta. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-09-20.

Surface emitting laser apparatus, electronic device, and method for manufacturing surface emitting laser apparatus

Номер патента: US20230283048A1. Автор: Jugo Mitomo. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Vertical cavity surface emitting laser element and electronic apparatus

Номер патента: US20210057882A1. Автор: Rintaro Koda,Katsunori Yanashima,Kota Tokuda,Mikihiro Yokozeki,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Surface emitting laser and image forming apparatus

Номер патента: US8625649B2. Автор: Aihiko Numata,Mitsuhiro Ikuta. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-01-07.

Light detection and ranging (lidar) devices having vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) emitters

Номер патента: US12072422B2. Автор: James Dunphy,Matthew Last,David Schleuning,Augusto Tazzoli. Владелец: Waymo LLC. Дата публикации: 2024-08-27.

Light detection and ranging (lidar) devices having vertical-cavity surface-emitting laser (vcsel) emitters

Номер патента: US20240319378A1. Автор: James Dunphy,Matthew Last,David Schleuning,Augusto Tazzoli. Владелец: Waymo LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Surface emitting laser having a factor of equivalent refractive index constraint by scaled central wavelengths and optical coherence tomography apparatus equipped with such surface emitting laser

Номер патента: US09429415B2. Автор: Yoshinobu Sekiguchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Surface emitting laser, surface emitting laser array, and optical apparatus having surface emitting laser array

Номер патента: US20120093188A1. Автор: Mitsuhiro Ikuta. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-04-19.

Surface-emitting laser device, optical scanner device, and image forming apparatus

Номер патента: US20130033559A1. Автор: Toshihide Sasaki,Kazuhiro Harasaka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-07.

Vertically offset vertical cavity surface emitting lasers

Номер патента: US12046876B2. Автор: Guowei Zhao,Benjamin Kesler. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2024-07-23.

Surface emitting laser, surface-emitting-laser array, and image forming apparatus

Номер патента: EP2628219A1. Автор: Mitsuhiro Ikuta. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-08-21.

Vertical cavity surface emitting laser with integrated photodiode

Номер патента: US12107388B2. Автор: Ulrich Weichmann. Владелец: Trumpf Photonic Components GmbH. Дата публикации: 2024-10-01.

Surface emitting laser array and production method therefor

Номер патента: US8311072B2. Автор: Shoichi Kawashima,Katsuyuki Hoshino. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-11-13.

Surface emitting laser array and production method therefor

Номер патента: US20100284432A1. Автор: Shoichi Kawashima,Katsuyuki Hoshino. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2010-11-11.

Surface emitting laser, surface-emitting-laser array, and image forming apparatus

Номер патента: US20150036711A1. Автор: Mitsuhiro Ikuta. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-02-05.

Surface emitting laser, surface-emitting-laser array, and image forming apparatus

Номер патента: US8897330B2. Автор: Mitsuhiro Ikuta. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-11-25.

Vertical cavity surface emitting laser and atomic oscillator

Номер патента: US09748739B2. Автор: Tsuyoshi Kaneko,Tetsuo Nishida,Yuji Kurachi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Vertical-cavity surface-emitting laser and method for forming the same

Номер патента: US12149049B2. Автор: Yu-Chun Chen,Yu-Hsuan Huang,Chia-Ta Chang. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Surface emitting laser, laser array, light source device, information acquisition device, and optical coherence tomography apparatus

Номер патента: US20170149212A1. Автор: Mamoru Uchida,Tatsuro Uchida. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-05-25.

Photonic crystal surface emitting laser

Номер патента: US20110158280A1. Автор: Takeshi Uchida,Yasuhiro Nagatomo. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-06-30.

Surface emitting laser with hybrid grating structure

Номер патента: US11791609B2. Автор: Chien Hung Pan,Cheng Zu Wu. Владелец: TrueLight Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Surface emitting laser and method for manufacturing surface emitting laser

Номер патента: US20240146026A1. Автор: Hiroshi Nakajima,Michinori Shiomi,Mikihiro Yokozeki,Tomomasa Watanabe. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Surface emitting laser with hybrid grating structure

Номер патента: US11967800B2. Автор: Chien Hung Pan,Cheng Zu Wu. Владелец: TrueLight Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Vertical-cavity surface-emitting laser

Номер патента: US20230369826A1. Автор: Ki Hwang Lee,Byueng Su Yoo,Jeong Rae Ro,Yoon Sang Jeon,Gong Hee Choi. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Optical device including multilayer reflector and vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US7756187B2. Автор: Tetsuya Takeuchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2010-07-13.

Vertical cavity surface emitting laser and atomic oscillator

Номер патента: US20160248226A1. Автор: Tsuyoshi Kaneko,Tetsuo Nishida,Yuji Kurachi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Vertical-cavity surface-emitting laser

Номер патента: US12068582B2. Автор: Ki Hwang Lee,Byueng Su Yoo,Jeong Rae Ro,Yoon Sang Jeon,Gong Hee Choi. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Filamented multi-wavelength vertical-cavity surface emitting laser

Номер патента: EP1025625A1. Автор: Robert A. Morgan. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 2000-08-09.

Vertical-cavity surface-emitting laser

Номер патента: US11764545B2. Автор: Ki Hwang Lee,Byueng Su Yoo,Jeong Rae Ro,Yoon Sang Jeon,Gong Hee Choi. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Surface emitting laser device

Номер патента: US20100008674A1. Автор: Hitoshi Shimizu,Takeo Kageyama. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-14.

A reservoir computing system based on mutually coupled quantum dot spin-polarized vertical cavity surface emitting lasers

Номер патента: AU2020101517A4. Автор: Xiao Jiang,Yiyuan Xie,Bocheng Liu,Qianfeng Tang. Владелец: SOUTHWEST UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-09-03.

Vertical-cavity surface-emitting laser with asymmetric aperture for improved polarization stability

Номер патента: US20240348016A1. Автор: Richa Dubey,Matthew Glenn Peters. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Vertical cavity surface emitting laser device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12126136B2. Автор: Cheng-Yi Ou,Chih-Yuan Lin,Cheng-Hsiao Chi,Te-Lieh Pan. Владелец: Abocom Systems Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Tunnel junction patterning for controlling optical and current confinement in a vertical-cavity surface-emitting laser

Номер патента: US20240380184A1. Автор: Elad Mentovich,Vladimir Iakovlev,Yuri Berk,Isabelle Cestier. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2024-11-14.

Mode control in vertical-cavity surface-emitting lasers

Номер патента: US09742154B2. Автор: Benjamin Kesler,John Michael Dallesasse,Thomas O'Brien, JR.. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2017-08-22.

Surface emitting laser device and atomic oscillator

Номер патента: US20140152393A1. Автор: Shunichi Sato,Hiroshi Motomura. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-05.

Top-emitting surface emitting laser structures

Номер патента: CA2037013C. Автор: Yong H. Lee,Benjamin Tell. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1994-02-08.

Top-emitting surface emitting laser structures

Номер патента: CA2037013A1. Автор: Yong H. Lee,Benjamin Tell. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1991-10-14.

Bi-directional vertical cavity surface emitting lasers

Номер патента: US11870217B2. Автор: Benjamin Kesler. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2024-01-09.

Compact emitter design for a vertical-cavity surface-emitting laser

Номер патента: US20170310086A1. Автор: Albert Yuen,Ajit Vijay Barve. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2017-10-26.

Bi-directional vertical cavity surface emitting lasers

Номер патента: US20240136798A1. Автор: Benjamin Kesler. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2024-04-25.

Vertical cavity surface emitting device

Номер патента: US20220140570A1. Автор: Masaru Kuramoto,Seiichiro Kobayashi. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Compact emitter design for a vertical-cavity surface-emitting laser

Номер патента: US20170244219A1. Автор: Albert Yuen,Ajit Vijay Barve. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2017-08-24.

Compact emitter design for a vertical-cavity surface-emitting laser

Номер патента: US20200194972A1. Автор: Albert Yuen,Ajit Vijay Barve. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2020-06-18.

Compact emitter design for a vertical-cavity surface-emitting laser

Номер патента: US20230006422A1. Автор: Albert Yuen,Ajit Vijay Barve. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2023-01-05.

Process for producing surface-emitting laser and process for producing surface-emitting laser array

Номер патента: US20110165712A1. Автор: Tatsuro Uchida. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-07-07.

Vertical-cavity surface emitting laser assay display system

Номер патента: US5325386A. Автор: Jack L. Jewell,Gregory R. Olbright. Владелец: Bandgap Technology Corp. Дата публикации: 1994-06-28.

Surface emitting laser, surface emitting laser element and atomic oscillator

Номер патента: US20170025820A1. Автор: Shunichi Sato,Ryoichiro SUZUKI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-26.

High efficiency vertical cavity surface emitting laser and its manufacturing method (Low resistance top emitting ridge VCSEL and method of fabrication)

Номер патента: KR970024412A. Автор: 지앙 웬빈,에스. 레비 마이클,사이어 찬-롱. Владелец: 빈센트 비. 인그라시아. Дата публикации: 1997-05-30.

Vertical cavity surface emitting laser element and electronic apparatus

Номер патента: US11973316B2. Автор: Rintaro Koda,Katsunori Yanashima,Kota Tokuda,Mikihiro Yokozeki,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Vertical-cavity surface-emitting laser, manufacturing method, distance measuring device and electronic device

Номер патента: US20220329044A1. Автор: Yongsheng Hou,Shujuan Li,Zhanqi Xie. Владелец: Silead Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Bragg distributed feedback surface emitting laser

Номер патента: US4675876A. Автор: Mikelis N. Svilans. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1987-06-23.

Vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) having small divergence angle, chip, and light source for use in lidar system

Номер патента: GB2618958A. Автор: Zhang Cheng,Liang Dong. Владелец: Vertilite Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-22.

Vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) having small divergence angle, chip, and light source for use in lidar system

Номер патента: GB2618958A8. Автор: Zhang Cheng,Liang Dong. Владелец: Vertilite Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-10.

Vertical-cavity surface-emitting laser array with isolated cathodes and a common anode

Номер патента: US11855413B2. Автор: Jun Yang,Guowei Zhao,Eric R. Hegblom,Matthew Glenn Peters. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2023-12-26.

Vertical-cavity surface-emitting laser array with isolated cathodes and a common anode

Номер патента: US20240146027A1. Автор: Jun Yang,Guowei Zhao,Eric R. Hegblom,Matthew Glenn Peters. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2024-05-02.

Vertical-cavity surface-emitting laser (vcsel) having separate electrical and optical confinement

Номер патента: US20240022046A1. Автор: Petter Westbergh. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Vertical cavity surface emitting laser (vcsel) having small divergence angle, chip, and light source for use in lidar system

Номер патента: EP4290710A1. Автор: Dong Liang,Cheng Zhang. Владелец: Vertilite Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Multiphase growth sequence for forming a vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US20220209501A1. Автор: Jun Yang,Ajit Vijay Barve,Guowei Zhao,Matthew Glenn Peters. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2022-06-30.

Vertical cavity surface emitting laser and atomic oscillator

Номер патента: US9337621B2. Автор: Tsuyoshi Kaneko,Tetsuo Nishida,Yuji Kurachi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Vertical cavity surface emitting laser and atomic oscillator

Номер патента: US20160226221A1. Автор: Tsuyoshi Kaneko,Tetsuo Nishida,Yuji Kurachi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Surface emitting laser and method of manufacturing the same

Номер патента: US11923661B2. Автор: Yoshiaki Watanabe,Hideki Kimura,Kota Tokuda,Takayuki Kawasumi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

Vertical cavity surface emitting laser including indium and nitrogen in the active region

Номер патента: US7408964B2. Автор: Ralph H. Johnson. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2008-08-05.

Method for highly compact vertical cavity surface emitting lasers

Номер патента: US6297068B1. Автор: Robert L. Thornton. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2001-10-02.

Vertical cavity surface emitting laser including indium in the active region

Номер патента: CA2470858A1. Автор: Ralph H. Johnson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-03.

Current confinement for a vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: CA2257888C. Автор: Mary K. Hibbs-Brenner,James R. Biard. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2005-05-24.

Nanocrystal surface-emitting lasers

Номер патента: US11909176B2. Автор: Zetian Mi,Xianhe Liu,Yong-Ho Ra,Roksana Tonny RASHID. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2024-02-20.

Vertical cavity surface emitting laser with active layer-specific addressability

Номер патента: US20230420918A1. Автор: Benjamin Kesler. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Vertical cavity surface emitting laser with enhanced modulation bandwidth

Номер патента: US20240136794A1. Автор: Yeyu ZHU,Chien-Yao Lu. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2024-04-25.

Iii-nitride-based vertical cavity surface emitting laser (vcsel) with a dielectric p-side lens and an activated tunnel junction

Номер патента: WO2024044567A2. Автор: Shuji Nakamura,Stephen Gee,Daniel A. Cohen,Jared KEARNS,Nathan PALMQUIST. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2024-02-29.

Surface emitting laser

Номер патента: US9046807B2. Автор: Mitsuhiro Ikuta. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-06-02.

Nanoseconds-pulse based current/voltage measurement for testing vertical-cavity surface-emitting laser

Номер патента: US11959945B2. Автор: Jun Lu,Wendi SONG,John George BANASKA,Matthew Tate DOUGAN,Jeffrey Allan CORNELL,Xuechen HAN,Kunal Harsad PATEL. Владелец: National Instruments Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Surface emitting laser, projection apparatus, head-up display, moving body, head-mounted display, and optometry apparatus

Номер патента: WO2023175482A1. Автор: Hirokazu Iwata,Morimasa Kaminishi. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2023-09-21.

Mesa/trench free vertical cavity surface emitting laser (vcsel)

Номер патента: US20240022045A1. Автор: Attila Fülöp,Petter Westbergh. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Vertical-cavity surface-emitting laser

Номер патента: WO2016139473A1. Автор: Manus HAYNE,Peter David HODGSON. Владелец: Lancaster University Business Enterprises Ltd. Дата публикации: 2016-09-09.

Vertical cavity surface emitting laser and preparation method therefor

Номер патента: GB2620534A. Автор: Liu Song,Liang Dong,Weng Weicheng,Ding Weizun,Peng Junyan. Владелец: Vertilite Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-10.

Surface-emitting laser device, detection apparatus, and mobile object

Номер патента: WO2023170489A1. Автор: Ryoichiro SUZUKI. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2023-09-14.

Surface emitting optical devices

Номер патента: WO2008043526A1. Автор: Torsten Wipiejewski. Владелец: FIRECOMMS LIMITED. Дата публикации: 2008-04-17.

Two-dimensional photonic crystal surface emitting laser light source

Номер патента: US8923358B2. Автор: Susumu Noda,Yoshitaka Kurosaka,Dai Ohnishi,Eiji Miyai,Wataru Kunishi. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2014-12-30.

Vertical cavity surface emitting laser and atomic oscillator

Номер патента: US9360845B2. Автор: Tsuyoshi Kaneko,Tetsuo Nishida,Yuji Kurachi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-06-07.

Vertical cavity surface emitting laser (vcsel) emitter with guided-antiguided waveguide

Номер патента: US20240162685A1. Автор: Evgeny Zibik,Antoine Pissis,Stefano TIRELLI. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Surface emitting laser

Номер патента: US20120147918A1. Автор: Mitsuhiro Ikuta. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-06-14.

Surface-emitting laser device

Номер патента: US20240195150A1. Автор: Takahiro Sugiyama,Hiroki Kamei,Kazuyoshi Hirose,Masahiro HITAKA. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-06-13.

Vertical-cavity surface-emitting laser

Номер патента: EP3266080A1. Автор: Manus HAYNE,Peter David HODGSON. Владелец: Lancaster University Business Enterprises Ltd. Дата публикации: 2018-01-10.

Vertical cavity surface emitting laser (vcsel) emitter with guided-antiguided waveguide

Номер патента: EP4372933A1. Автор: Evgeny Zibik,Antoine Pissis,Stefano TIRELLI. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-05-22.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: GB201207790D0. Автор: . Владелец: Avago Technologies Fiber IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2012-06-13.

Surface-emitting semiconductor laser based on a triple-lattice photonic crystal structure

Номер патента: US20230231363A1. Автор: Lijun Wang,Huanyu Lu,Ziye WANG,Cunzhu Tong,Pinyao WANG. Владелец: Changchun Institute Of Optics Fine Mechanics And Physics Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2023-07-20.

Surface-emitting semiconductor laser and method for producing a surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US20240097401A1. Автор: Hubert Halbritter,Laura KREINER. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-03-21.

Very low cost surface emitting laser diode arrays

Номер патента: WO2006081173A3. Автор: Mark Osowski. Владелец: Quintessence Photonics Corp. Дата публикации: 2007-03-01.

Very low cost surface emitting laser diode arrays

Номер патента: WO2006081173A2. Автор: Mark Osowski. Владелец: Quintessence Photonics Corporation. Дата публикации: 2006-08-03.

Very low cost surface emitting laser diode arrays

Номер патента: EP1846995A2. Автор: Mark Osowski. Владелец: Quintessence Photonics Corp. Дата публикации: 2007-10-24.

Semiconductor laser diode with integrated etalon

Номер патента: US5629954A. Автор: Michael Jansen,Dennis P. Bowler,Phillip D. Hayashida,Simon S. Ou. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1997-05-13.

Edge-emitting semiconductor laser and method for the production thereof

Номер патента: US20160141837A1. Автор: Harald KÖNIG,Alvaro Gomez-Iglesias,Christian Lauer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-05-19.

Edge-emitting semiconductor laser and method for the production thereof

Номер патента: US09812844B2. Автор: Harald KÖNIG,Alvaro Gomez-Iglesias,Christian Lauer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-11-07.

Edge-emitting semiconductor laser with photonic-bandgap structure formed by intermixing

Номер патента: US20100142575A1. Автор: Jason P. Watson,Thomas C. Hasenberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-10.

Surface emitting quantum cascade laser

Номер патента: US09893493B2. Автор: Shinji Saito,Osamu Yamane,Akira Tsumura,Tsutomu Kakuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Two-dimensional photonic crystal surface-emitting laser

Номер патента: US09627850B2. Автор: Yoshinori Tanaka,Susumu Noda,Yong Liang,Tsuyoshi Okino,Kyoko Kitamura,Daiki Yasuda. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2017-04-18.

Two-dimensional photonic crystal surface-emitting laser

Номер патента: US09531160B2. Автор: Yoshinori Tanaka,Susumu Noda,Yong Liang,Tsuyoshi Okino,Kyoko Kitamura. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2016-12-27.

Surface-emitting laser device and method for manufacturing surface-emitting laser device

Номер патента: US12057678B2. Автор: Susumu Noda,Tomoaki Koizumi,Kei EMOTO. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2024-08-06.

Surface-emitting quantum cascade laser

Номер патента: US20210399526A1. Автор: Shinji Saito,Rei Hashimoto,Kei Kaneko,Tsutomu Kakuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Photonic crystal surface-emitting laser device and optical system

Номер патента: US20230139244A1. Автор: Hao-Chung Kuo,Kuo-Fong Tseng,Kuo-Bin HONG,Tzu-Hsiang Lan,Shih-Chen Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Surface-emitting laser element, atomic oscillator, and surface-emitting laser element testing method

Номер патента: EP2686923A1. Автор: Shunichi Sato. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-22.

Surface-emitting laser element, atomic oscillator, and surface-emitting laser element testing method

Номер патента: US20130335155A1. Автор: Shunichi Sato. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-19.

Photonic-crystal surface emitting laser, laser array using the laser, and image forming apparatus using the laser array

Номер патента: US20120063481A1. Автор: Yasuhiro Nagatomo. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-03-15.

Vertical Cavity Surface Emitting Laser Assembly

Номер патента: US20160172821A1. Автор: Mohammad Azadeh. Владелец: O Net Communications Shenzhen Ltd. Дата публикации: 2016-06-16.

Surface-emitting laser device and method for manufacturing surface-emitting laser device

Номер патента: US11837850B2. Автор: Susumu Noda,Tomoaki Koizumi,Kei EMOTO. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Surface emitting laser with monolithic integrated lens

Номер патента: US4935939A. Автор: James N. Walpole,Zong-Long Liau. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 1990-06-19.

Hybrid two-dimensional surface-emitting laser arrays

Номер патента: US4881237A. Автор: Joseph P. Donnelly. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 1989-11-14.

Surface emitting laser

Номер патента: US7876800B2. Автор: Mitsuhiro Ikuta. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-01-25.

Electrically-pumped organic semiconductor laser arrangement

Номер патента: WO2024175876A1. Автор: Ifor Samuel,Kou Yoshida,Graham TURNBULL,Junyi GONG. Владелец: UNIVERSITY COURT OF THE UNIVERSITY OF ST ANDREWS. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for producing a multiplicity of semiconductor laser chips, and semiconductor laser chip

Номер патента: US20240364073A1. Автор: Norwin von Malm,Martin Rudolf Behringer. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of manufacturing a photonic crystal surface-emitting laser element

Номер патента: EP4283804A1. Автор: Susumu Noda,Hiroshi Kotani,Tomoaki Koizumi,Kei EMOTO. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Method of manufacturing surface-emitting laser element

Номер патента: US20230387659A1. Автор: Susumu Noda,Hiroshi Kotani,Tomoaki Koizumi,Kei EMOTO. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Integrated surface-emitting laser and modulator device

Номер патента: US20020131465A1. Автор: Yu-Hwa Lo,Zuhua Zhu,Shabbir Bashar. Владелец: Nova Crystals Inc. Дата публикации: 2002-09-19.

Horizontal cavity surface-emitting laser (HCSEL) monolithically integrated with a photodetector

Номер патента: US11909175B2. Автор: Tong Chen,Chih-Wei Chuang,Peter L. Chang. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Photonic-crystal surface emitting laser and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240047944A1. Автор: Naoki Fujiwara,Yuki Ito,Takuya Inoue,Susumu Noda,Kenji Ishizaki,Naoya KONO,Menaka DE ZOYSA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

System, Method and Apparatus for Internal Polarization Rotation for Horizontal Cavity, Surface Emitting Laser Beam for Thermally Assisted Recording in Disk Drive

Номер патента: US20120195341A1. Автор: Thomas Dudley Boone, JR.,Timothy Carl Strand,Bruce David Terris. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2012-08-02.

Horizontal cavity surface-emitting laser (hcsel) monolithically integrated with a photodetector

Номер патента: WO2022155094A2. Автор: Tong Chen,Chih-Wei Chuang,Peter L. Chang. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2022-07-21.

Two-dimensional photonic crystal surface emitting laser

Номер патента: US20130243026A1. Автор: Susumu Noda,Toshiyuki Nobuoka,Seita Iwahashi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2013-09-19.

Electrically pumped photonic-crystal surface-emitting laser

Номер патента: US20210344169A1. Автор: Chien-Hung Lin,Yu-Chen Chen,Bo-Tsun Chou,Chin-Yuan Weng. Владелец: Phosertek Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

Horizontal cavity surface-emitting laser (hcsel) monolithically integrated with a photodetector

Номер патента: WO2022155094A3. Автор: Tong Chen,Chih-Wei Chuang,Peter L. Chang. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2022-09-15.

Surface emitting photonic device

Номер патента: WO2010144835A1. Автор: Alex Behfar,Cristian Stagarescu. Владелец: BinOptics Corporation. Дата публикации: 2010-12-16.

Two-dimensional photonic crystal surface emitting laser

Номер патента: EP4024630A1. Автор: Masahiro Yoshida,Takuya Inoue,Susumu Noda,Menaka DE ZOYSA. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2022-07-06.

Edge-emitting semiconductor laser element

Номер патента: US20140036947A1. Автор: Susumu Noda,Akiyoshi Watanabe,Takahiro Sugiyama,Yoshitaka Kurosaka,Kazuyoshi Hirose,Kousuke Shibata. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2014-02-06.

Semiconductor laser

Номер патента: US20190273362A1. Автор: Christian Lauer,Tomasz Swietlik. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-09-05.

High-power single-mode triple-ridge waveguide semiconductor laser

Номер патента: US20220368109A1. Автор: LIN ZHU,Xiaolei Zhao,Yeyu ZHU,Siwei Zeng. Владелец: Clemson University. Дата публикации: 2022-11-17.

Surface-emitting semiconductor laser device

Номер патента: US4847844A. Автор: Keisuke Kojima,Susumu Noda,Kazuo Kyuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1989-07-11.

Method for manufacturing a surface emitting type AlGaAs/GaAs semiconductor laser diode

Номер патента: US4950622A. Автор: Tae Kyung Yoo,Young Se Kwon. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 1990-08-21.

Surface emitting laser devices and methods for manufacturing same

Номер патента: WO2024134145A1. Автор: Richard Taylor,David Childs,Richard Hogg. Владелец: Vector Photonics Limited. Дата публикации: 2024-06-27.

Surface emitting laser

Номер патента: EP2195894A1. Автор: Mitsuhiro Ikuta. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2010-06-16.

Surface emitting laser

Номер патента: WO2009048159A1. Автор: Mitsuhiro Ikuta. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2009-04-16.

Surface emitting laser and photodiode, manufacturing method therefor, and optoelectric integrated circuit using the surface emitting laser and the photodiode

Номер патента: US6687268B2. Автор: Takeo Kaneko,Atsushi Harada,Tsugio Ide,Shojiro Kitamura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-02-03.

Surface emitting laser devices and methods for manufacturing same

Номер патента: GB2625726A. Автор: Hogg Richard,Timothy Dylan Childs David,James Edward Taylor Richard. Владелец: Vector Photonics Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Curved grating surface-emitting distributed feedback laser

Номер патента: CA2165547A1. Автор: Steven H. Macomber. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-10-26.

Surface emitting multiwavelength distributed-feedback concentric ring lasers

Номер патента: EP2820727A1. Автор: Feng Xie,Chung-En Zah,Catherine Genevieve Caneau. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2015-01-07.

High power surface-emitting distributed feedback laser

Номер патента: US20030072345A1. Автор: Steven Macomber. Владелец: Spectra Physics Semiconductor Lasers Inc. Дата публикации: 2003-04-17.

Method for producing micro-optics on surface-emitting laser diodes (vcsel)

Номер патента: US20230118706A1. Автор: Johannes Meyer,Johannes Hofmann,Tobias Wilm. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-04-20.

Wavelength-tunable vertical cavity surface emitting laser for swept source optical coherence tomography system

Номер патента: US09762031B2. Автор: Toshihiko Makino,Tongning LI,David EU. Владелец: Inphenix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Surface-emitting laser and method for manufacturing surface-emitting laser

Номер патента: US20200251887A1. Автор: Yoshinori Tanaka,Susumu Noda,Junichi Sonoda,Tomoaki Koizumi,Kei EMOTO,Menaka DE ZOYSA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Random number generator comprising a vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US20230387660A1. Автор: Carlos ABELLAN,Waldimar Amaya,Domenico Tulli,Miquel RUDÉ. Владелец: Quside Technologies SL. Дата публикации: 2023-11-30.

Surface emitting lasers with combined output

Номер патента: CA1318722C. Автор: Donald Barry Carlin. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1993-06-01.

Vertical cavity surface emitting laser (vcsel) integration on a photonic integrated circuit (pic)

Номер патента: US20240019646A1. Автор: Zhaoming Zhu. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-18.

Grating-coupled surface-emitting superluminescent device

Номер патента: CA2000525C. Автор: Gary Alan Evans,Nils William Carlson. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1994-05-10.

Semiconductor laser with integrated phototransistor

Номер патента: US09735546B2. Автор: Marcel Franz Christian Schemmann. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-08-15.

Distributed talbot filter surface-emitting distributed feedback laser

Номер патента: US5442650A. Автор: Steven H. Macomber. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1995-08-15.

Wavelength-tunable vertical cavity surface emitting laser for swept source optical coherence tomography system

Номер патента: CA2917147C. Автор: Toshihiko Makino,Tongning LI,David EU. Владелец: Inphenix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Vertical cavity surface emitting laser optimized for thermal sensitivity

Номер патента: US20050286587A1. Автор: James Guenter. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2005-12-29.

Photonic crystal surface-emitting lasers enabled by an accidental dirac point

Номер патента: US20140064310A1. Автор: Marin Soljacic,Ling Lu,Song Liang Chua. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2014-03-06.

Photonic crystal surface-emitting lasers

Номер патента: US20150043602A1. Автор: Marin Soljacic,Ling Lu,Song Liang Chua. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2015-02-12.

Device comprising a high brightness broad-area edge-emitting semiconductor laser and method of making the same

Номер патента: US09705285B2. Автор: Dieter Bimberg,Vladimir Kalosha. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET BERLIN. Дата публикации: 2017-07-11.

Edge-Emitting Semiconductor Laser

Номер патента: US20140211821A1. Автор: Alvaro Gomez-Iglesias,Harald Koenig,Christian Lauer,Guenther Groenninger. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2014-07-31.

Edge-Emitting Semiconductor Laser

Номер патента: US20120263205A1. Автор: Alvaro Gomez-Iglesias,Harald Koenig,Christian Lauer,Guenther Groenninger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-18.

Edge emitting semiconductor laser

Номер патента: US09559494B2. Автор: Alvaro Gomez-Iglesias,Christian Lauer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-01-31.

Edge Emitting Semiconductor Laser

Номер патента: US20110317732A1. Автор: Wolfgang Schmid,Uwe D. ZEITNER,Hans-Christoph Eckstein. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2011-12-29.

Semiconductor-laser-device assembly

Номер патента: US9780526B2. Автор: Rintaro Koda,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor-laser-device assembly

Номер патента: US09780526B2. Автор: Rintaro Koda,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Tunable semiconductor laser based on reconstruction-equivalent chirp and series mode or series and parallel hybrid integration, and preparation thereof

Номер патента: US09742152B2. Автор: Jun Lu,Song Tang,Yunshan ZHANG,Xiangfei Chen,Lianyan LI. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-08-22.

Stability factors for tuneable multi-section semiconductor lasers

Номер патента: EP1442509A2. Автор: Neal Tsunami Photonics Limited O'GORMAN. Владелец: Tsunami Photonics Ltd. Дата публикации: 2004-08-04.

Stability factors for tuneable multi-section semiconductor lasers

Номер патента: AU2002237484A1. Автор: Neal O'Gorman. Владелец: Tsunami Photonics Ltd. Дата публикации: 2003-05-12.

Tunable laser assembly including tunable semiconductor laser apparatus and photodetector outside of laser housing

Номер патента: US12100933B2. Автор: Liang Luo,Yuzhou SUN,Wenkai Tu,Jinan GU. Владелец: Innolight Technology Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Ultra fast semiconductor laser

Номер патента: US09601895B2. Автор: Konstantinos Papadopoulos,Idan Mandelbaum. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Wavelength Selective and Tunable Semiconductor Laser Device With Coupled Cavities

Номер патента: US20080181265A1. Автор: David S. McCallum,Alan R. Sugg. Владелец: VEGA WAVE SYSTEMS Inc. Дата публикации: 2008-07-31.

Stability factors for tuneable multi-section semiconductor lasers

Номер патента: WO2003038954A3. Автор: Neal O'Gorman. Владелец: Tsunami Photonics Ltd. Дата публикации: 2004-01-22.

Method of tuning a semiconductor laser device having coupled cavities

Номер патента: US20110019702A1. Автор: David S. McCallum,Alan R. Sugg. Владелец: VEGA WAVE SYSTEMS Inc. Дата публикации: 2011-01-27.

Wavelength Tunable Semiconductor Laser Having Multiple Sets of Intercavity Spacings

Номер патента: US20110019703A1. Автор: David S. McCallum,Alan R. Sugg. Владелец: VEGA WAVE SYSTEMS Inc. Дата публикации: 2011-01-27.

Semiconductor laser device and laser module using same

Номер патента: US20040179565A1. Автор: Michio Ohkubo,Satoru Okada,Tsuyoshi Fujimoto,Kiyofumi Muro,Yutaka Ohki,Takeshi Koiso,Atsushi Ohkubo. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-16.

Method of operating a semiconductor laser as a mode-locked semiconductor laser and devices for implementing the method

Номер патента: CA2069657A1. Автор: Michael Schilling,Olaf Hildebrand,Klaus Wunstel,Dieter Baums,Heinz Schweizer,Kaspar Dütting,Wilfried Idler,Gert Laube. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-12-01.

Semiconductor laser module constituted by optically coupling optical fiber having fiber grating and laser diode

Номер патента: US20020097757A1. Автор: Takeshi Fujita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-07-25.

Semiconductor laser emitting apparatus

Номер патента: US20010043631A1. Автор: Yuichi Hamaguchi,Tomoyuki Kitamura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-11-22.

Semiconductor laser emitting apparatus

Номер патента: US6628687B2. Автор: Yuichi Hamaguchi,Tomoyuki Kitamura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-09-30.

INP-Based Monolithic Integrated Chaotic Semiconductor Laser Chip Capable Of Feeding Back Randomly Diffused Light

Номер патента: US20200412092A1. Автор: Yi Liu,TONG Zhao,Jianzhong Zhang,Mingjiang Zhang,Lijun Qiao,Anbang Wang,Yuncai Wang,Ya'nan Niu. Владелец: TAIYUAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-12-31.

Semiconductor laser element, laser module using it

Номер патента: EP1437810A4. Автор: Michio Ohkubo,Satoru Okada,Tsuyoshi Fujimoto,Kiyofumi Muro,Yutaka Ohki,Takeshi Koiso,Atsushi Ohkubo. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-11-23.

Semiconductor laser pump locker incorporating multiple gratings

Номер патента: WO2002075390A2. Автор: Dmitry S. Starobudov. Владелец: Sabeus Photonics, Inc.. Дата публикации: 2002-09-26.

Semiconductor lasers with improved frequency modulation response

Номер патента: CA3186204A1. Автор: Michel Morin,Andre Babin,Sylvain Boudreau,Simon Ayotte,Keven BEDARD,Francois Costin. Владелец: Teraxion Inc. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor lasers with improved frequency modulation response

Номер патента: WO2022016281A9. Автор: Michel Morin,Andre Babin,Sylvain Boudreau,Simon Ayotte,Keven BEDARD,Francois Costin. Владелец: TERAXION INC.. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor lasers with improved frequency modulation response

Номер патента: EP4186131A1. Автор: Michel Morin,Andre Babin,Sylvain Boudreau,Simon Ayotte,Keven BEDARD,Francois Costin. Владелец: Teraxion Inc. Дата публикации: 2023-05-31.

Semiconductor lasers with improved frequency modulation response

Номер патента: US12040597B2. Автор: Michel Morin,Andre Babin,Sylvain Boudreau,Simon Ayotte,Keven BEDARD,Francois Costin. Владелец: Teraxion Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor laser device, optical apparatus, and method of controlling semiconductor laser device

Номер патента: US20240250499A1. Автор: Daisuke Inoue. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor laser with conductive current mask

Номер патента: WO1983001155A1. Автор: Inc. Western Electric Company,Larry Allen Coldren. Владелец: Western Electric Co. Дата публикации: 1983-03-31.

Semiconductor laser device, diffraction grating structure, and diffraction grating

Номер патента: US20180351328A1. Автор: Yasumasa Kawakita,Kazuaki Kiyota. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Low noise non-resonant gain structure semiconductor lasers

Номер патента: WO2024121825A1. Автор: Ningyi Luo,Haiwen Wang,Jihchuang Robin Huang. Владелец: Pavilion Integration Corporation. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor laser body, semiconductor laser element, semiconductor laser substrate, electronic apparatus, and manufacturing method and manufacturing apparatus of semiconductor laser device

Номер патента: US20240283219A1. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor lasers with improved frequency modulation response

Номер патента: US20240356305A1. Автор: Michel Morin,Andre Babin,Sylvain Boudreau,Simon Ayotte,Keven BEDARD,Francois Costin. Владелец: Teraxion Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor laser device assembly

Номер патента: US09537288B2. Автор: Hideki Watanabe,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Monolithically Integrated Tunable Semiconductor Laser

Номер патента: US20150010033A1. Автор: Robert Griffin,Andrew John Ward,Sam Davies,Neil David Whitbread. Владелец: OCLARO TECHNOLOGY LTD. Дата публикации: 2015-01-08.

Semiconductor laser module

Номер патента: US20020172252A1. Автор: Masahiro Kanda,Masahiko Namiwaka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-11-21.

Semiconductor laser and method for producing a semiconductor laser comprising a feedback element

Номер патента: US20150318669A1. Автор: Lars Nähle,Johannes Koeth. Владелец: Nanoplus Nanosystems And Technologies Gmbh. Дата публикации: 2015-11-05.

Semiconductor laser light source having an edge-emitting semiconductor body

Номер патента: US9214785B2. Автор: Alfred Lell,Christoph Eichler,Andreas Breidenassel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2015-12-15.

Semiconductor laser light source having an edge-emitting semiconductor body

Номер патента: US20150085889A1. Автор: Alfred Lell,Christoph Eichler,Andreas Breidenassel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2015-03-26.

Semiconductor laser light source having an edge-emitting semiconductor body

Номер патента: US9385507B2. Автор: Alfred Lell,Christoph Eichler,Andreas Breidenassel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor laser light source having an edge-emitting semiconductor body

Номер патента: US20160099547A1. Автор: Alfred Lell,Christoph Eichler,Andreas Breidenassel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-04-07.

Edge-Emitting Semiconductor Laser Diode and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20220102941A1. Автор: Uwe Strauss,Petrus Sundgren,Jens Ebbecke,Martin Hetzl. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20230387653A1. Автор: Yutaka Inoue,Masato Hagimoto,Shigeta Sakai. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2023-11-30.

Multi-beam semiconductor laser device

Номер патента: US20230344195A1. Автор: Yutaka Inoue,Masato Hagimoto,Shigeta Sakai. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2023-10-26.

Nitride semiconductor laser chip, nitride semiconductor laser device, and manufacturing method of nitride semiconductor laser chip

Номер патента: US20090180507A1. Автор: Yasuhiko Matsushita. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-16.

High power semiconductor laser diode

Номер патента: EP1897190A2. Автор: Michael Schwarz,Abram Jakubowicz,Nicolai Matuschek,Christoph Harder,Joerg Troger. Владелец: Bookham Technology PLC. Дата публикации: 2008-03-12.

High power semiconductor laser diode

Номер патента: WO2007000615A2. Автор: Michael Schwarz,Abram Jakubowicz,Nicolai Matuschek,Christoph Harder,Joerg Troger. Владелец: Bookham Technology PLC. Дата публикации: 2007-01-04.

Semiconductor laser device, semiconductor laser module, and semiconductor laser control method

Номер патента: US20030063646A1. Автор: Junji Yoshida. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-03.

Semiconductor Laser Diode and Method for Producing a Semiconductor Laser Diode

Номер патента: US20180152002A1. Автор: Jens Ebbecke. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-05-31.

Group-III nitride semiconductor laser device, and method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device

Номер патента: US8420419B2. Автор: Koji Katayama,Masaki Ueno,Takatoshi Ikegami,Yusuke Yoshizumi,Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-04-16.

Group-III nitride semiconductor laser device, and method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device

Номер патента: US8594145B2. Автор: Koji Katayama,Masaki Ueno,Takatoshi Ikegami,Yusuke Yoshizumi,Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-11-26.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09935423B2. Автор: Kyosuke Kuramoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor Laser and Optical Transmitter

Номер патента: US20240266799A1. Автор: Takahiko Shindo,Shigeru Kanazawa,Meishin Chin. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Ridge-shaped laser structure and surface etched grating semiconductor laser with periodic pumping

Номер патента: US20230216274A1. Автор: Fang Wu,Yury Logvin,Kirill Y. PIMENOV,Christopher D. WATSON,Yongbo TANG. Владелец: Shenzhen Banyan Photonics Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Segmented contact for current control in semiconductor lasers and optical amplifiers

Номер патента: EP4406079A1. Автор: Paul Orville LEISHER,Jenna Nicole CAMPBELL,Michelle Helena LABRECQUE. Владелец: Freedom Photonics Llc. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor Laser Diode

Номер патента: US20200194957A1. Автор: Alfred Lell,Sven GERHARD,Christoph Eichler,Bernhard Stojetz. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-06-18.

Improved semiconductor laser

Номер патента: WO2002011257A1. Автор: John Haig Marsh,Craig James Hamilton,Olek Peter Kowalski. Владелец: THE UNIVERSITY COURT OF THE UNIVERSITY OF GLASGOW. Дата публикации: 2002-02-07.

Semiconductor laser device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150357789A1. Автор: Kimio Shigihara,Kazushige Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Semiconductor laser

Номер патента: US20240113498A1. Автор: Atsushi Nakamura. Владелец: Lumentum Japan Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Method for producing a plurality of semiconductor lasers and semiconductor laser

Номер патента: US20240047935A1. Автор: Sven GERHARD,Lars Nähle. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-02-08.

Improved semiconductor laser

Номер патента: EP1413020A1. Автор: John Haig Marsh,Craig James Hamilton,Olek Peter c/o University of Glasgow KOWALSKI. Владелец: University of Glasgow. Дата публикации: 2004-04-28.

Semiconductor laser device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9397472B2. Автор: Kimio Shigihara,Kazushige Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor laser

Номер патента: WO1992015136A1. Автор: Rodney Stuart Tucker. Владелец: THE UNIVERSITY OF MELBOURNE. Дата публикации: 1992-09-03.

Method and device for testing semiconductor laser

Номер патента: US20050164415A1. Автор: Yuichiro Okunuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2005-07-28.

Ridge-structure DFB semiconductor laser and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020064199A1. Автор: Yoshiaki Watanabe,Kiyoshi Takei,Kiyofumi Chikuma,Nong Chen. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2002-05-30.

Semiconductor laser including N-doped quaternary layer

Номер патента: US20030086458A1. Автор: Kenneth Bacher. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2003-05-08.

Semiconductor laser light source and fabrication method

Номер патента: US09948059B2. Автор: Tsuyoshi Yamamoto,Tokuharu Kimura,Kazumasa Takabayashi,Ayahito Uetake. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09882354B2. Автор: Hirofumi Kan,Yujin Zheng. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2018-01-30.

Apparatus and method for providing a single-mode grating-outcoupled surface emitting laser with detuned second-order outcoupler grating

Номер патента: US20060140237A1. Автор: Steven Patterson,Gary Evans,Taha Masood,Nuditha Amarasinghe. Владелец: Photodigm Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Narrow spectral width high power distributed feedback semiconductor lasers

Номер патента: CA2329416C. Автор: Dan Botez,Thomas L. Earles,Luke J. Mawst. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2005-05-17.

Heterostructure semiconductor laser diode

Номер патента: US4794610A. Автор: Werner Schairer,Jochen Gerner. Владелец: Telefunken Electronic GmbH. Дата публикации: 1988-12-27.

Method and apparatus for efficient operation of a solid-state laser optically pumped by an unstable resonator semiconductor laser

Номер патента: WO1993022809A1. Автор: Brian Baird,Richard DeFreez. Владелец: ELECTRO SCIENTIFIC INDUSTRIES, INC.. Дата публикации: 1993-11-11.

Distributed feedback semiconductor laser element and method for making the same

Номер патента: US20010039069A1. Автор: Yoshiaki Watanabe,Kiyoshi Takei,Kiyofumi Chikuma,Nong Chen. Владелец: Pioneer Electronic Corp. Дата публикации: 2001-11-08.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20020196828A1. Автор: Shinji Abe,Tetsuya Yagi,Harumi Nishiguchi,Nobuyuki Kasai,Junji Tanimura,Yoshihisa Tashiro,Motoharu Miyashita,Yuji Ohkura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20040101010A1. Автор: Shoji Hirata,Tsunenori Asatsuma. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-05-27.

Semiconductor laser device with multi-dimensional-photonic-crystallized region

Номер патента: US7248612B2. Автор: Shoji Hirata,Tsunenori Asatsuma. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-07-24.

Apparatus & method for fabricating a chirped grating in a surface emitting distributed feedback semiconductor laser diode device

Номер патента: EP0552028A1. Автор: Stephen H. Macomber,Jeffrey S. Mott. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1993-07-21.

System for electronically controlling and driving independently addressable semiconductor lasers

Номер патента: US11984701B2. Автор: Joerg Martini,David K. Biegelsen,Sourobh Raychaudhuri,Joseph Lee,Christopher Chua. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Edge-Emitting Semiconductor Laser

Номер патента: US20120201262A1. Автор: Christoph Eichler,Marc Schillgalies,Teresa Lermer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-08-09.

Edge-emitting semiconductor laser

Номер патента: US8625648B2. Автор: Christoph Eichler,Marc Schillgalies,Teresa Lermer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2014-01-07.

Semiconductor laser excited solid state laser device and laser light output method

Номер патента: US20150078407A1. Автор: Kazuya Inoue,Katsuhiko Tokuda,Mamoru Hisamitsu,Kazutomo Kadokura. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20220166185A1. Автор: Naoki Nakamura,Naoki Kosaka,Ryosuke MIYAGOSHI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Driving device for semiconductor laser

Номер патента: US5084887A. Автор: Tsuyoshi Ohashi. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 1992-01-28.

Thermal compensation in semiconductor lasers

Номер патента: EP2062336A1. Автор: Chung-En Zah,Martin Hai Hu,Daniel O Ricketts. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2009-05-27.

Thermal compensation in semiconductor lasers

Номер патента: WO2008039313A1. Автор: Chung-En Zah,Martin Hai Hu,Daniel O Ricketts. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2008-04-03.

Method of designing semiconductor laser device, method of designing raman amplifier, methods of manufacturing semiconductor laser device, semiconductor laser device, raman amplifier, and optical communication system

Номер патента: US20160285237A1. Автор: Junji Yoshida,Hideaki Hasegawa,Noriyuki Yokouchi,Satoshi Irino,Taketsugu SAWAMURA. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor laser device

Номер патента: US12080990B2. Автор: Atsushi Yamaguchi,Koki Sakamoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of designing semiconductor laser device, method of designing raman amplifier, methods of manufacturing semiconductor laser device, semiconductor laser device, raman amplifier, and optical communication system

Номер патента: US09711945B2. Автор: Junji Yoshida,Hideaki Hasegawa,Noriyuki Yokouchi,Satoshi Irino,Taketsugu SAWAMURA. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor laser drive circuit and photoelectric sensor

Номер патента: EP1494324A3. Автор: Takayuki Takeda,Takayuki Ochiai. Владелец: Sunx Ltd. Дата публикации: 2005-01-12.

Wavelength control in phase region of semiconductor lasers

Номер патента: EP2220732A1. Автор: Jacques Gollier. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2010-08-25.

Transient wavelength drift reduction in semiconductor lasers

Номер патента: WO2016116565A1. Автор: Thomas Pfeiffer,Romain Brenot,Hélène Debregeas,Jean-Guy Provost. Владелец: ALCATEL LUCENT. Дата публикации: 2016-07-28.

Semiconductor laser device and method of controlling light amount of semiconductor laser

Номер патента: US20010048697A1. Автор: Kiyoshi Kondou. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-06.

Semiconductor laser device

Номер патента: US12113330B2. Автор: Kenji Sakai,Kazuyoshi Izumi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Soldering system of semiconductor laser element

Номер патента: US20170373466A1. Автор: Tetsuhisa Takazane. Владелец: FANUC Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Circuit for preventing destruction of semiconductor laser element, and optical disc device provided with the circuit

Номер патента: US20120300605A1. Автор: Tsutomu Asai. Владелец: Funai Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor laser apparatus, information recording/reproduction apparatus and image recording apparatus

Номер патента: US20020057721A1. Автор: Toyoki Taguchi,Tetsuya Nagahama,Masayuki Tazawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20050265413A1. Автор: Masaya Ishida,Daisuke Hanaoka,Yuhzoh Tsuda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-01.

Transient wavelength drift reduction in semiconductor lasers

Номер патента: US20180006428A1. Автор: Thomas Pfeiffer,Romain Brenot,Hélène Debregeas,Jean-Guy Provost. Владелец: Provenance Asset Group LLC. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor laser device and method for stabilising the wavelength of a semiconductor laser device

Номер патента: WO2012046079A1. Автор: Nadhum Kadhum Zayer. Владелец: OCLARO TECHNOLOGY LIMITED. Дата публикации: 2012-04-12.

Semiconductor laser drive device and image forming apparatus incorporating same

Номер патента: US20120027037A1. Автор: Hiroaki Kyogoku,Daijiroh SUMINO. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-02.

Semiconductor laser wavelength control device

Номер патента: US20050105570A1. Автор: Akio Mukai,Zhigang Peng,Izumi Kawata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-19.

Method and apparatus for semiconductor laser driving capable of stably generating consistent optical pulse widths of laser diodes

Номер патента: US20050141576A1. Автор: Junichi Ikeda,Hiroaki Kyougoku. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor laser wavelength control device

Номер патента: US7372881B2. Автор: Akio Mukai,Zhigang Peng,Izumi Kawata. Владелец: Asahi Kasei Microsystems Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-13.

Semiconductor laser driving circuit

Номер патента: US20190027894A1. Автор: Kazuma Watanabe,Ichiro Fukushi,Akiyuki KADOYA. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20080008221A1. Автор: Takashi Ueda,Koji Yamada,Yoshihiko Kobayashi,Tomoki Nozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-10.

Semiconductor laser micro-heating element structure

Номер патента: WO2008013712A1. Автор: Martin H. Hu,Chung-En Zah,Xingsheng Liu. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2008-01-31.

To-can package semiconductor laser device having a pinless region on the underside of the package

Номер патента: US10804675B2. Автор: Yasushi Takizawa,Shintaro MIYAMOTO,Masato Hagimoto. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2020-10-13.

Mode-locked semiconductor laser diode with dispersion-compensated external cavity

Номер патента: WO2013069301A1. Автор: Rintaro Koda,Hideki Watanabe,Takao Miyajima,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2013-05-16.

Semiconductor laser

Номер патента: US7369594B2. Автор: Shiro Uchida,Shinichi Agatsuma. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-05-06.

Semiconductor laser

Номер патента: US20060182161A1. Автор: Shiro Uchida,Shinichi Agatsuma. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-08-17.

Multimode semiconductor laser module, wavelength detector, wavelength stabilizer, and raman amplifier

Номер патента: WO2003030310A2. Автор: Goro Sasaki. Владелец: Sumitomo Electric Asia Ltd.. Дата публикации: 2003-04-10.

Semiconductor laser with integrated heating element and method of manufacturing same

Номер патента: US20060039427A1. Автор: Paul Charles. Владелец: Avago Technologies Fiber IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2006-02-23.

Semiconductor laser apparatus assembly

Номер патента: US09906000B2. Автор: Rintaro Koda,Hideki Watanabe,Takao Miyajima,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Mode-locked semiconductor laser diode with dispersion-compensated external cavity

Номер патента: EP2777108A1. Автор: Rintaro Koda,Hideki Watanabe,Takao Miyajima,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-09-17.

Two-section semiconductor laser with modulation-independent grating section to reduce chirp

Номер патента: US09762028B2. Автор: Jun Zheng,Klaus Alexander Anselm,Stefan Murry,Huanlin Zhang,Dion McIntosh-Dorsey. Владелец: Applied Optoelectronics Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor laser device, light source device, method of producing semiconductor laser device, and method of producing light source device

Номер патента: US09559489B2. Автор: Eiichiro OKAHISA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20240030678A1. Автор: Nobutaka Suzuki,Tadataka Edamura,Naota Akikusa. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor laser driving apparatus and method and image-forming apparatus

Номер патента: US20010017869A1. Автор: Takuya Takata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Forced wavelength chirping in semiconductor lasers

Номер патента: US20080175285A1. Автор: Martin Hai Hu. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2008-07-24.

Semiconductor laser driving circuit, light emitting device, and disk drive

Номер патента: US7912103B2. Автор: Toshio Nishida,Sho Maruyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2011-03-22.

Semiconductor laser device

Номер патента: US11967802B2. Автор: Kimio Shigihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor laser driving circuit, light emitting device, and disk drive

Номер патента: US20070115227A1. Автор: Toshio Nishida,Sho Maruyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2007-05-24.

Semiconductor laser and production method thereof

Номер патента: US20020181531A1. Автор: Masakazu Ukita. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Single mode semiconductor laser with phase control

Номер патента: US20210376559A1. Автор: Nicolas Koslowski,Tim Koslowski. Владелец: Nanoplus Nanosystems And Technologies Gmbh. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor laser having fabry-perot resonator

Номер патента: US20080240198A1. Автор: Tetsuya Yagi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2008-10-02.

Induction of force performed by the semiconductor laser diodes

Номер патента: US09882348B2. Автор: Elio Battista Porcelli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor laser diode

Номер патента: US09531163B2. Автор: Alfred Lell,Christoph Eichler,Bernhard Stojetz. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-12-27.

Optical pumping-type solid-state laser apparatus with a semiconductor laser device

Номер патента: US5025449A. Автор: Osamu Yamamoto,Toshihiko Yoshida. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1991-06-18.

Method of detecting semiconductor laser mode hopping and semiconductor laser beam source apparatus

Номер патента: US4807992A. Автор: Masaru Noguchi,Kazuo Horikawa,Ichirou Miyagawa. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 1989-02-28.

Semiconductor laser drive device, electronic equipment, and method for manufacturing semiconductor laser drive device

Номер патента: EP4035236A1. Автор: Nobuaki Kaji,Tatsuya Oiwa,Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-08-03.

Semiconductor laser driving apparatus, electronic equipment, and manufacturing method of semiconductor laser driving apparatus

Номер патента: US20220294179A1. Автор: Nobuaki Kaji,Hirohisa Yasukawa,Kiyohisa Sakai. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor laser drive device, electronic equipment, and method for manufacturing semiconductor laser drive device

Номер патента: US20220344897A1. Автор: Nobuaki Kaji,Tatsuya Oiwa,Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor laser drive system and semiconductor laser driving method

Номер патента: US20090147809A1. Автор: Minoru Yamada. Владелец: Kanazawa University NUC. Дата публикации: 2009-06-11.

Semiconductor laser drive device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor laser drive device

Номер патента: EP4024627A1. Автор: Nobuaki Kaji,Hirohisa Yasukawa,Kiyohisa Sakai. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-07-06.

Semiconductor laser and optical module

Номер патента: US7502403B2. Автор: Koichiro Adachi,Hideo Arimoto,Kazunori Shinoda. Владелец: Opnext Japan Inc. Дата публикации: 2009-03-10.

Semiconductor laser apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US09484711B2. Автор: Babu Dayal PADULLAPARTHI. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Surface-emitting laser apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US09966730B2. Автор: Naoto Jikutani,Kazuhiko Adachi. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Alingaas/ingaasp/inp edge emitting semiconductor laser including multiple monolithic laser diodes

Номер патента: US20230223742A1. Автор: David M. Bean,Sidi Aboujja. Владелец: SEMINEX CORP. Дата публикации: 2023-07-13.

Alingaas/ingaasp/inp edge emitting semiconductor laser including multiple monolithic laser diodes

Номер патента: EP4158741A1. Автор: David M. Bean,Sidi Aboujja. Владелец: SEMINEX CORP. Дата публикации: 2023-04-05.

Method of fabricating surface-emitting laser

Номер патента: US20180356459A1. Автор: Ryosuke Kubota. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-12-13.

Surface emitting laser and optical coherence tomography apparatus

Номер патента: EP3020105A1. Автор: Yasuhisa Inao. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-05-18.

Measurement method of reflection spectrum of vertical cavity surface emitting laser diode (VCSEL) and epitaxial wafer test fixture

Номер патента: US11482830B2. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,Van-Truong Dai. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-25.

Measurement method of reflection spectrum of vertical cavity surface emitting laser diode (vcsel) and epitaxial wafer test fixture

Номер патента: US20210075185A1. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,Van-Truong Dai. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Surface-emitting light source and laser apparatus

Номер патента: US09608410B2. Автор: Nobuyuki Arai,Kenichi Shimizu,Keisuke Ikeda. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of manufacturing surface-emitting lasers, method of testing surface-emitting lasers, and surface-emitting-laser-testing apparatus

Номер патента: US20220407284A1. Автор: Ryosuke Kubota. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Method of manufacturing surface-emitting lasers, method of testing surface-emitting lasers, and surface-emitting-laser-testing apparatus

Номер патента: US11631958B2. Автор: Ryosuke Kubota. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-04-18.

High-power edge-emitting semiconductor laser with asymmetric structure

Номер патента: US20230387665A1. Автор: Jung Min Hwang,Chen Yu Chiang,Jin Yuan Hsing. Владелец: Arima Lasers Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Surface emitting laser diode, optical scanning apparatus and image forming apparatus

Номер патента: US20120294652A1. Автор: Naoto Jikutani,Shunichi Sato,Akihiro Itoh,Kazuhiro Harasaka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-22.

Edge-emitting semiconductor laser with high thermal conductivity and low reflection front mirror surface

Номер патента: US20230387656A1. Автор: Jung Min Hwang,Chen Yu Chiang. Владелец: Arima Lasers Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for manufacturing an edge emitting semiconductor laser diode

Номер патента: WO2024017553A1. Автор: Peter Fuchs,Teresa Langer,Markus CHRZASCIEL,Solveig PUTZSCHKE. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2024-01-25.

Diode laser package for bidirectionally emitting semiconductor laser devices

Номер патента: US11824323B1. Автор: Manoj Kanskar. Владелец: NLight Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Surface emitting laser and optical coherence tomography apparatus

Номер патента: US20160164254A1. Автор: Yasuhisa Inao. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Surface-emitting laser diode module having improved focusing performance

Номер патента: US20120177078A1. Автор: Hsin-Chih Tung. Владелец: Lecc Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-12.

Edge-emitting semiconductor laser

Номер патента: US12021350B2. Автор: Jan Wagner,Werner Bergbauer,Alfred Lell,Christoph Eichler,Matthias Peter,Georg Brüderl. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-06-25.

Device including a multiple-wavelength vertical-cavity surface-emitting laser (vcsel) array

Номер патента: WO2023170188A3. Автор: Tracy Wotherspoon,Robert Bowen,Dan Graham,Mohsin HAJI. Владелец: Npl Management Limited. Дата публикации: 2023-10-19.

Device including a multiple-wavelength vertical-cavity surface-emitting laser (vcsel) array

Номер патента: US20230291182A1. Автор: Tracy Wotherspoon,Daniel Graham,Robert Bowen,Mohsin HAJI. Владелец: Microchip Technology Caldicot Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Device including a multiple-wavelength vertical-cavity surface-emitting laser (vcsel) array

Номер патента: WO2023170188A2. Автор: Tracy Wotherspoon,Robert Bowen,Dan Graham,Mohsin HAJI. Владелец: Npl Management Limited. Дата публикации: 2023-09-14.

Edge-emitting semiconductor laser and method for the production thereof

Номер патента: US20180048114A1. Автор: Harald KÖNIG,Adrian Stefan Avramescu,Alfred Lell. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-02-15.

Vertical-cavity surface-emitting laser, structured light module and method for light projection and terminal

Номер патента: US20200153206A1. Автор: Chung-Te Li,Yung-Lin Huang,Hao-Jen Wang. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Laser light output apparatus, image display apparatus, and semiconductor laser driving control method

Номер патента: US20040240495A1. Автор: Naoki Akamatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-12-02.

Dual wavelength semiconductor laser emitting apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US7184456B2. Автор: Chih-Sung Chang,Shu-Wei Chiu. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2007-02-27.

Semiconductor laser drive device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor laser drive device

Номер патента: EP4033619A1. Автор: Nobuaki Kaji,Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-07-27.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20110013655A1. Автор: Hiroaki Maehara,Hitoshi Tada,Yoshihiro Hisa,Hitoshi Sakuma,Tadashi Takase. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2011-01-20.

Dual wavelength semiconductor laser emitting apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050243880A1. Автор: Chih-Sung Chang,Shu-Wei Chiu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-11-03.

Method for producing semiconductor lasers and semiconductor lasers

Номер патента: US12057676B2. Автор: Jörg Erich SORG,Andreas Plossl,Thomas Schwarz,Frank Singer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-08-06.

Wavelength-stabilized semiconductor laser source

Номер патента: US20190097385A1. Автор: Henry A. Blauvelt. Владелец: Emcore Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Laser support for semiconductor laser fixation and laser support element assembly

Номер патента: US20160141829A1. Автор: Nicolas Abele,Lucio Kilcher. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-05-19.

Semiconductor laser light source device, semiconductor laser light source system, and image display apparatus

Номер патента: US09899795B2. Автор: Hideyuki Murai,Tatsuro Hirose. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor laser array

Номер патента: US09466946B2. Автор: Toru Yoshihara,Tetsuya Nishimura,Yuki Hasegawa,Mitsuaki Futami,Shinji Yagyu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Fixture assembly for testing surface emitting laser diodes and testing apparatus having the same

Номер патента: US20200303894A1. Автор: James E. Hopkins. Владелец: Chroma ATE Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Vertical cavity surface-emitting laser, manufacturing method thereof, and inspection method thereof

Номер патента: US20200412084A1. Автор: Yukihiro Tsuji. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Surface emitting laser element and atomic oscillator

Номер патента: US20140133510A1. Автор: Shunichi Sato. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-15.

Surface emitting laser element and atomic oscillator

Номер патента: EP2729998A1. Автор: Shunichi Sato. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-14.

Semiconductor Laser Equipment

Номер патента: US20080043791A1. Автор: Hirofumi Kan,Hirofumi Miyajima,Masanobu Yamanaka. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2008-02-21.

Semiconductor laser chip and method for fabricating a semiconductor laser chip

Номер патента: US20020102756A1. Автор: Bernd Borchert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-01.

Semiconductor laser device and method of manufacturing the same, and optical transmission module and optical disk apparatus using the semiconductor laser device

Номер патента: US20070243644A1. Автор: Katsuhiko Kishimoto,Shuichi Hirukawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-18.

Semiconductor laser unit and method for manufacturing optical reflection film

Номер патента: US20070071049A1. Автор: Naoki Kohara,Hironari Takehara,Hisatada Yasukawa,Takai Iwai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-29.

Broadband light source composed of supercontinuum light source and single-wavelength semiconductor laser diodes

Номер патента: US10277000B2. Автор: Weijia Yang,Kangkang CHEN. Владелец: Wuhan Yangtze Soton Laser Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-30.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20240146035A1. Автор: Seiji Kitamura. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor laser apparatus and method of observing semiconductor laser apparatus

Номер патента: US20010046770A1. Автор: Shigemitsu Shiba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-29.

Semiconductor laser module

Номер патента: US20170315311A1. Автор: Naoki Hayamizu,Yuta Ishige,Etsuji Katayama,Toshia KIMURA. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

Semiconductor laser module

Номер патента: US09746627B2. Автор: Toshio Kimura,Naoki Hayamizu,Yuta Ishige,Etsuji Katayama. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor laser module

Номер патента: US09373932B2. Автор: Toshio Kimura,Naoki Hayamizu,Yuta Ishige. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-21.

Surface emitting laser element and atomic oscillator

Номер патента: WO2013005813A1. Автор: Shunichi Sato. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2013-01-10.

Semiconductor laser drive circuit and light beam scanning system using semiconductor laser

Номер патента: US6091748A. Автор: Hiroaki Yasuda. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2000-07-18.

Semiconductor laser and method for producing a semiconductor laser

Номер патента: US12040588B2. Автор: Peter Jander. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor laser device

Номер патента: EP4207520A1. Автор: Liang Hao,Rui Liu,Xiaoguang He. Владелец: Nanjing Fiber Foton Technologies Corp Ltd. Дата публикации: 2023-07-05.

Semiconductor laser module, laser oscillator, and laser machining apparatus

Номер патента: US20240339809A1. Автор: Yuki Okamoto,Daisuke Morita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor laser device and backlight device using the semiconductor laser device

Номер патента: US09748733B2. Автор: Eiichiro OKAHISA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor laser module

Номер патента: US09692205B2. Автор: Toshio Kimura,Tetsuya Matsuyama,Naoki Hayamizu,Yuta Ishige,Jun Miyokawa. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Method for manufacturing semiconductor laser diode

Номер патента: RU2205485C1. Автор: А.Н. Алексеев,В.П. Чалый,А.П. Шкурко,А.А. Веденеев,Ю.В. Погорельский,Д.М. Красовицкий,В.М. Щевлюга,К.Н. Ельцов. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научное и технологическое оборудование". Дата публикации: 2003-05-27.

Semiconductor laser based on epitaxial heterostructure

Номер патента: RU2582302C1. Автор: Виктор Владимирович Безотосный,Владислав Александрович Олещенко. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2016-04-20.

Semiconductor laser device and optical pickup using the same

Номер патента: US20040066813A1. Автор: Kazunori Matsubara,Hideshi Koizumi,Ayumi Yagi,Nobumasa Kaneko. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-04-08.

Semiconductor laser device and optical pickup using the same

Номер патента: US6983002B2. Автор: Kazunori Matsubara,Hideshi Koizumi,Ayumi Yagi,Nobumasa Kaneko. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-01-03.

Semiconductor laser device, manufacturing method thereof, and laser bar locking apparatus

Номер патента: US20030122136A1. Автор: Noboru Oshima. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-07-03.

Semiconductor laser assembly

Номер патента: WO1990010312A1. Автор: Wai-Hon Lee. Владелец: Pencom International Corporation. Дата публикации: 1990-09-07.

Semiconductor laser module, optical amplifier, and method of manufacturing the semiconductor laser module

Номер патента: US20080044936A1. Автор: Toshio Kimura,Takeshi Aikiyo,Masashi Nakae. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-21.

Passivation layer for semiconductor laser and semiconductor laser and laser module using the same

Номер патента: US20020021727A1. Автор: Michio Ohkubo,Noriyuki Yokouchi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-21.

Semiconductor Laser Component and Method for Operating at Least One Semiconductor Laser

Номер патента: US20230198231A1. Автор: Jörg Erich SORG,Harald KÖNIG,Jan Seidenfaden,Markus Reinhard Horn. Владелец: Ams Osram Lnternational GmbH. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor laser module and laser machining apparatus

Номер патента: US20240305060A1. Автор: Yuki Okamoto,Daisuke Morita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for producing semiconductor laser elements and semi-conductor laser element

Номер патента: US09608401B2. Автор: Thomas Veit,Markus Horn,Roland Enzmann,Markus Arzberger,Stefan Listl,Markus Graul,Juergen Dachs. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20050147149A1. Автор: Kazuyoshi Fuse. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-07-07.

Semiconductor laser

Номер патента: US10811843B2. Автор: Alfred Lell,Sven GERHARD,Christoph Eichler,Clemens Vierheilig,Andreas LOEFFLER. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-10-20.

Semiconductor laser device

Номер патента: EP2642622A3. Автор: Tsuyoshi Hirao,Shingo Masui,Yasuhiro Kawata. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-01-11.

Nitride semiconductor laser element and external-cavity semiconductor laser device

Номер патента: US7970035B2. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2011-06-28.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20090285254A1. Автор: Hitoshi Sato,Toru Takayama,Hiroki Nagai,Isao Kidoguchi,Tomoya Satoh. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-11-19.

Semiconductor laser and fabrication method therefor

Номер патента: US12107383B2. Автор: Chao-Chen Cheng,Anh Chuong Tran. Владелец: Shenzhen Lighting Institute. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor laser device assembly

Номер патента: US09735538B2. Автор: Rintaro Koda,Hideki Watanabe,Takao Miyajima,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Bidirectional long cavity semiconductor laser for improved power and efficiency

Номер патента: US09647416B2. Автор: Matthew Glenn Peters,Abdullah Demir. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor laser device, method for manufacturing the same and optical pickup apparatus

Номер патента: US7489716B2. Автор: Osamu Hamaoka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-02-10.

Semiconductor laser apparatus and method of producing the same

Номер патента: US20030063640A1. Автор: Ikuo Kohashi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-04-03.

Semiconductor laser device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070063212A1. Автор: Yasuhiro Watanabe,Kouji Ueyama,Shinichirou Akiyoshi. Владелец: Tottori Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-22.

Semiconductor laser module and method of manufacturing the same

Номер патента: US09859679B2. Автор: Naoki Kimura. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor laser assembly and packaging system

Номер патента: US09537284B2. Автор: David M. Bean,John J. Callahan. Владелец: SEMINEX CORP. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor laser system for laser medical cosmetology

Номер патента: US09510908B2. Автор: Yao Sun,Di Wu,Xingsheng Liu,Lei CAI,Ye Dai,Hengjun ZONG,Lishun TONG. Владелец: Focuslight Technologies Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor laser light source

Номер патента: US09450380B2. Автор: Akira Nakamura,Shuhei Yamamoto,Kazutaka Ikeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20190252851A1. Автор: Shingo Tanisaka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Semiconductor laser light-emitting device and method for manufacturing semiconductor laser light-emitting device

Номер патента: US20240006843A1. Автор: Masanori Hiroki,Shigeo Hayashi,Hiroki SHIROZONO. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-01-04.

Testing method of semiconductor laser and laser testing device

Номер патента: US20100238426A1. Автор: Isao Baba,Makoto Sugiyama,Haruyoshi Ono. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2010-09-23.

Semiconductor laser device

Номер патента: US12040590B2. Автор: Kenji Sakai,Hiroyuki Tajiri,Kazuyoshi Izumi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US20070096138A1. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-05-03.

Semiconductor laser element, testing method, and testing device

Номер патента: US11824326B2. Автор: Hiroki Nagai,Kazumasa Nagano. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US7399997B2. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-07-15.

Semiconductor laser apparatus and optical pickup apparatus using same

Номер патента: US20030174748A1. Автор: Kazunori Matsubara,Ayumi Yagi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-09-18.

Semiconductor laser device and optical pickup device

Номер патента: US7088754B2. Автор: Kazunori Matsubara. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-08-08.

Method for the production of a semiconductor laser device

Номер патента: US5171706A. Автор: Mitsuhiro Matsumoto,Masaki Kondo,Kazuaki Sasaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1992-12-15.

Semiconductor laser device manufacturing method and semiconductor laser device

Номер патента: US20060121633A1. Автор: Tadashi Takeoka,Takuroh Ishikura. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-06-08.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US20040240499A1. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-12-02.

Bar-shaped semiconductor laser chip and method of fabrication thereof

Номер патента: US20100103968A1. Автор: Yasuo Baba,Yasuhiko Matsushita,Yukio Gotoh. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-29.

Method of fabricating semiconductor laser

Номер патента: US20100291718A1. Автор: Kenji Hiratsuka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-11-18.

Nitride semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090180505A1. Автор: Yuji Ishida,Shinichi Kohda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-07-16.

Nitride semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110096805A1. Автор: Yuji Ishida,Shinichi Kohda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2011-04-28.

Semiconductor laser device and optical pickup device

Номер патента: US20040165627A1. Автор: Kazunori Matsubara. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-08-26.

Method for manufacturing semiconductor laser device and method for inspecting semiconductor laser bar

Номер патента: US20090053838A1. Автор: Keiji Ito,Takayuki Kashima,Kouji Makita. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-02-26.

Semiconductor laser module and method of making the same

Номер патента: US20020122446A1. Автор: Toshio Kimura,Tomoya Kato,Sadayoshi Kanamaru. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-05.

Semiconductor Laser Device

Номер патента: US20080285611A1. Автор: Tsuyoshi Fujimoto. Владелец: Optoenergy Inc. Дата публикации: 2008-11-20.

Semiconductor laser unit and optical pick-up device using the same

Номер патента: US20020044589A1. Автор: Takahiro Miyake,Kentaro Terashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-18.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20030193976A1. Автор: Takehiro Shiomoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-10-16.

Semiconductor laser

Номер патента: US20090185595A1. Автор: Yasuyuki Nakagawa,Yosuke Suzuki,Harumi Nishiguchi,Kyosuke Kuramoto,Masatsugu Kusunoki,Hiromasu Matsuoka,Takeo Shirahama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-07-23.

Semiconductor laser device with an inspection window, and an inspection method therefor

Номер патента: US6553047B1. Автор: Shigemitsu Shiba. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2003-04-22.

Semiconductor laser module and method of making the same

Номер патента: EP1195862A3. Автор: Toshio c/o The Furukawa Electric Co. Ltd. Kimura,Sadayoshi c/o Furukawa Electric Co. Ltd Kanamaru,Tomoya c/o The Furukawa Electric Co. Ltd Kato. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-02.

Semiconductor laser module and method of making the same

Номер патента: US6804277B2. Автор: Toshio Kimura,Tomoya Kato,Sadayoshi Kanamaru. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-12.

Semiconductor laser apparatus and semiconductor laser device

Номер патента: US12119611B2. Автор: Masayuki Ono,Kazuya Yamada,Mitsuru Nishitsuji,Hiroshi Asaka,Tohru Nishikawa,Katsuya Samonji. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor lasers having single crystal mirror layers grown directly on facet

Номер патента: EP1060545A1. Автор: Mark McElhinney,Paul Colombo. Владелец: ADC Telecommunications Inc. Дата публикации: 2000-12-20.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09979154B2. Автор: Masashi Tatsukawa,Mitsuyuki Mochizuki,Yuichi Shibata. Владелец: Koito Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor laser oscillator

Номер патента: US09917416B2. Автор: Minoru Ogata,Kaori USUDA. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09853415B2. Автор: Takayuki Yoshida,Jing-bo WANG. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Quantum cascade semiconductor laser

Номер патента: US09774168B2. Автор: Jun-Ichi Hashimoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor laser module

Номер патента: US09766466B2. Автор: Arne Heinrich,Clemens HAGEN. Владелец: Pantec Engineering AG. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor laser module and method of manufacturing the same

Номер патента: US09647421B2. Автор: Naoki Kimura,Susumu Nakaya. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Multi-beam semiconductor laser device

Номер патента: US8494019B2. Автор: Yutaka Inoue,Hideki Hara,Hiroshi Moriya,Yoshihiko IGA,Keiichi Miyauchi. Владелец: Oclaro Japan Inc. Дата публикации: 2013-07-23.

Semiconductor laser device and manufacturing method therefor

Номер патента: US11081857B2. Автор: Nobuhiro Ohkubo. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2021-08-03.

Method for fabricating a group III nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20050048682A1. Автор: Shigetoshi Ito,Takayuki Yuasa,Kensaku Motoki,Mototaka Taneya,Kunihiro Takatani. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-03-03.

Nitride-composite semiconductor laser element, its manufacturing method, and semiconductor optical device

Номер патента: US20100278205A1. Автор: Shigetoshi Ito,Takayuki Yuasa,Kensaku Motoki,Mototaka Taneya,Yoshihiro Ueta,Zenpei Tani. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-11-04.

Semiconductor laser diode and method of fabricating the same

Номер патента: US09997893B2. Автор: Jaesoong LEE,Youngho SONG,Jinwoo JU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

A semiconductor laser

Номер патента: WO1996024972A1. Автор: Gregory Jason Parker. Владелец: British Technology Group Limited. Дата публикации: 1996-08-15.

Solar-panel-based power supply system for driving semiconductor laser

Номер патента: NL2029408B1. Автор: Liu Qing,Li Ke,ZHAO Xiaolong,ZHANG Mingxia,Ling Weijun,Dong Zhong,Lu Feiping,Li Xiangbing,Xin Jianyuan. Владелец: Univ Tianshui Normal. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor laser element

Номер патента: US20190379179A1. Автор: Yasuo Kan,Ryuhichi Sogabe. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

Method of manufacturing nitride-composite semiconductor laser element, with disclocation control

Номер патента: US7781244B2. Автор: Shigetoshi Ito,Takayuki Yuasa,Kensaku Motoki,Mototaka Taneya,Yoshihiro Ueta,Zenpei Tani. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-08-24.

Semiconductor laser device

Номер патента: EP1286440A3. Автор: Masayuki Iwami,Hirotatsu Ishii,Mikihiro Yokozeki,Kaname Saito. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-27.

Semiconductor laser device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200185878A1. Автор: Nobuhiro Ohkubo. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

High speed semiconductor laser driver circuits

Номер патента: WO1999001914A2. Автор: Garry N. Link. Владелец: MAXIM INTEGRATED PRODUCTS, INC.. Дата публикации: 1999-01-14.

Method for manufacturing semiconductor laser device

Номер патента: US20240283213A1. Автор: Atsushi Sugiyama,Satoru OKAWARA,Keita Furuoka,Takehito Nagakura. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-08-22.

High speed semiconductor laser driver circuits

Номер патента: WO1999001914A3. Автор: Garry N Link. Владелец: MAXIM INTEGRATED PRODUCTS. Дата публикации: 1999-03-25.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09780523B2. Автор: Hideyuki Fujimoto,Masatoshi Nakagaki. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor laser array

Номер патента: EP1143584A3. Автор: Kunio Ito,Seiichiro Tamai,Masaaki Yuri,Masaru Kazamura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-23.

Semiconductor laser module and laser machining apparatus

Номер патента: US20240128711A1. Автор: Yuki Okamoto,Daisuke Morita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor laser light source and solid-state laser apparatus

Номер патента: CA2233473C. Автор: Yasuo Oeda,Kouichi Igarashi,Kiyofumi Muro. Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 2001-09-25.

High-powered semiconductor laser array apparatus

Номер патента: EP1146617A3. Автор: Kunio Ito,Seiichiro Tamai,Masaru Kazumura,Masaaki Yuri,Toru Takayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-23.

Multi-beam semiconductor laser device

Номер патента: US7149235B2. Автор: Osamu Goto,Masao Ikeda,Shiro Uchida,Tsuyoshi Tojo,Tomonori Hino,Yoshifumi Yabuki,Shinichi Ansai. Владелец: Sony Shiroishi Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-12-12.

Method for producing nitride semiconductor laser light source and apparatus for producing nitride semiconductor laser light source

Номер патента: US20060068516A1. Автор: Masaya Ishida,Atsushi Ogawa,Takuro Ishikura,Yoshihiko Tani,Daisuke Hanaoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-30.

Semiconductor-laser-pumped, solid-state laser

Номер патента: US5257277A. Автор: Takashi Yamamoto,Shigenori Yagi,Mayumi Fujimura,Toyohiro Uchiumi,Akira Ishimori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-10-26.

Semiconductor laser driving apparatus, electronic equipment, and manufacturing method of semiconductor laser driving apparatus

Номер патента: US20220302674A1. Автор: Hirohisa Yasukawa,Kiyohisa Sakai. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor laser module

Номер патента: US20200373733A1. Автор: Yuta Ishige,Etsuji Katayama. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Semiconductor laser module

Номер патента: US11962120B2. Автор: Yuta Ishige,Etsuji Katayama. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor laser driving device, electronic equipment, and method of manufacturing semiconductor laser driving device

Номер патента: EP4027379A1. Автор: Hirohisa Yasukawa,Kiyohisa Sakai. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-07-13.

Surface-emitting semiconductor laser, surface-emitting semiconductor laser device, optical transmission device, and information processing device

Номер патента: US09502863B2. Автор: Takashi Kondo,Jun Sakurai,Akemi Murakami,Kazutaka Takeda,Junichiro Hayakawa,Naoki Jogan. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Surface-emitting semiconductor laser, surface-emitting semiconductor laser device, optical transmission device, and information processing device

Номер патента: US20160064899A1. Автор: Takashi Kondo,Jun Sakurai,Akemi Murakami,Kazutaka Takeda,Junichiro Hayakawa,Naoki Jogan. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Surface-emitting laser element, surface-emitting laser array, optical scanning apparatus, image forming apparatus, and method of manufacturing surface-emitting laser element

Номер патента: WO2010140600A1. Автор: Yasuhiro Higashi,Kazuhiro Harasaka. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2010-12-09.

Surface-emitting laser element, method for manufacturing a surface-emitting laser element, and atomic oscillator

Номер патента: US09496686B2. Автор: Shunichi Sato,Ryoichiro SUZUKI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Surface-emitting laser device, surface-emitting laser array, optical scanner, and image forming apparatus

Номер патента: EP2577822A1. Автор: Shunichi Sato,Katsunari Hanaoka,Masahiro Hayashi,Akihiro Itoh,Kazuhiro Harasaka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-10.

Method to fabricate GaN-based vertical-cavity surface-emitting devices featuring silicon-diffusion defined current blocking layer

Номер патента: US09819152B2. Автор: Ching-Chin Huang,Ping-hui Yeh,Meng-Chun Yu,Jia-Huan Lin. Владелец: National Taiwan University of Science and Technology NTUST. Дата публикации: 2017-11-14.

Vertical cavity surface emitting laser device, vertical cavity surface emitting laser array, optical scanning apparatus, image forming apparatus, optical transmission module and optical transmission system

Номер патента: US09570887B2. Автор: Naoto Jikutani,Shunichi Sato,Satoru Sugawara,Hiroshi Motomura. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Vertical cavity surface-emitting laser (vcsel) with a light barrier

Номер патента: EP4038708A1. Автор: Robin Sharma,Karol Constantine Hatzilias,Christopher Yuan Ting Liao. Владелец: Facebook Technologies LLC. Дата публикации: 2022-08-10.

Vertical cavity surface-emitting laser (VCSEL) with a light barrier

Номер патента: US12074408B2. Автор: Robin Sharma,Karol Constantine Hatzilias,Christopher Yuan Ting Liao. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-27.

Vertical cavity surface emitting laser, vertical-cavity-surface-emitting-laser device, optical transmission apparatus, and information processing apparatus

Номер патента: US20120147727A1. Автор: Takashi Kondo. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-14.

Surface-emitting laser element, surface-emitting laser array, optical scanning apparatus, image forming apparatus, and method of manufacturing surface-emitting laser element

Номер патента: EP2438662A1. Автор: Yasuhiro Higashi,Kazuhiro Harasaka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-11.

Surface-emitting laser element, surface-emitting laser array, optical scanning apparatus, image forming apparatus, and method of manufacturing surface-emitting laser element

Номер патента: US20120086765A1. Автор: Yasuhiro Higashi,Kazuhiro Harasaka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-12.

Surface-emitting laser element, method for manufacturing a surface-emitting laser element, and atomic oscillator

Номер патента: EP2786457A1. Автор: Shunichi Sato,Ryoichiro SUZUKI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-08.

Two-dimensional photonic crystal surface-emitting laser

Номер патента: US20070075318A1. Автор: Koujirou Sekine,Mitsuru Yokoyama,Susumu Noda,Eiji Miyai. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2007-04-05.

Surface-emitting laser device, surface-emitting laser array, optical scanning apparatus and image forming apparatus

Номер патента: US8958449B2. Автор: Naoto Jikutani,Shunichi Sato,Kazuhiro Harasaka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-17.

Surface-emitting laser package

Номер патента: US11784458B2. Автор: Baek Jun KIM,Myung Sub Kim,Ki Bum Sung,Ba Ro LEE. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Surface-emitting laser device, surface-emitting laser array, optical scanner, and image forming apparatus

Номер патента: WO2011148957A1. Автор: Shunichi Sato,Katsunari Hanaoka,Masahiro Hayashi,Akihiro Itoh,Kazuhiro Harasaka. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2011-12-01.

Interferometer using vertical-cavity surface-emitting lasers

Номер патента: US20090201509A1. Автор: Young-Gu Ju. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of KNU. Дата публикации: 2009-08-13.

Optical device including laterally guided vertical-cavity surface-emitting lasers (vcsels) outputs and related methods

Номер патента: EP4145198A1. Автор: Fraser R. Dalgleish,Stephen J. Bauman. Владелец: Eagle Technology LLC. Дата публикации: 2023-03-08.

Surface emitting laser element, surface emitting laser array, optical scanning device, and image forming apparatus

Номер патента: EP2243203A1. Автор: Naoto Jikutani,Shunichi Sato,Satoru Sugawara. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-27.

Surface Emitting Laser, Method For Producing Surface Emitting Laser, Optical Signal Transmission Device, Robot, And Atomic Oscillator

Номер патента: US20190393677A1. Автор: Hiroto TOMIOKA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Surface emitting laser element, surface emitting laser array, optical scanning device, and image forming apparatus

Номер патента: EP2120302A3. Автор: Naoto Jikutani,Shunichi Sato,Toshihiro Ishii,Kazuhiro Harasaka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-09.

Semiconductor laser driving device and semiconductor laser driving method

Номер патента: US20090232174A1. Автор: Junichi Furukawa,Kiyoshi Tateishi. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2009-09-17.

Semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070058687A1. Автор: Masaya Mannoh,Toshiya Fukuhisa,Tsutomu Ukai,Yoshiyuki Matsuki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-15.

Addressable vertical cavity surface emitting laser array for generating structured light patterns

Номер патента: US11611197B2. Автор: Jonatan Ginzburg. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2023-03-21.

Semiconductor laser module and three-dimensional laminating and shaping apparatus

Номер патента: US20180231724A1. Автор: Hajime Mori,Yuta Ishige,Etsuji Katayama. Владелец: Technology Research Association for Future Additive Manufacturing (TRAFAM). Дата публикации: 2018-08-16.

Light emitting diode and semiconductor laser

Номер патента: CA2398377C. Автор: Hideo Hosono,Masahiro Hirano,Hiromichi Ota,Kenichi Kawamura,Masahiro Orita,Nobuhiko Sarukura. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2006-04-11.

Wavelength normalization in phase section of semiconductor lasers

Номер патента: WO2010002471A1. Автор: Dragan Pikula,Martin H Hu,Daniel O Ricketts. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2010-01-07.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20030202551A1. Автор: Shoji Hirata,Tsuyoshi Nagatake. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-10-30.

Semiconductor laser device

Номер патента: US7113532B2. Автор: Shoji Hirata,Tsuyoshi Nagatake. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-09-26.

Semiconductor laser device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090080483A1. Автор: Kenji Yoshikawa,Takayuki Kashima,Kouji Makita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-26.

Semiconductor laser, light source device, image forming apparatus, image display device, object device, and colored-light generation method

Номер патента: WO2017188100A1. Автор: Kohji Sakai,Miho HIGUCHI. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2017-11-02.

Semiconductor laser, light source device, image forming apparatus, image display device, object device, and colored-light generation method

Номер патента: EP3449539A1. Автор: Kohji Sakai,Miho HIGUCHI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-06.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09793681B2. Автор: Yuu Takiguchi,Yoshiro Nomoto. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09660415B2. Автор: Yuu Takiguchi,Yoshiro Nomoto. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2017-05-23.

Vertical-cavity surface emitting laser optical interconnect technology

Номер патента: US5266794A. Автор: Jack L. Jewell,Gregory R. Olbright. Владелец: Bandgap Technology Corp. Дата публикации: 1993-11-30.

Manufacturable vertical extended cavity surface emitting laser arrays

Номер патента: WO2006105258A2. Автор: John W. Green,Andrei V. Shchegrov,Michael Jansen,Jason P. Watson,Aram Mooradian,Rene Dato,Dicky Lee,Arvydas Umbrasas. Владелец: Novalux, Inc.. Дата публикации: 2006-10-05.

Digital heat injection by way of surface emitting semi-conductor devices

Номер патента: CA2754572C. Автор: Denwood F. Ross,Mark W. Moore,Don W. Cochran,Jonathan M. Katz,Benjamin D. Johnson,Noel E. Morgan. Владелец: Pressco Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Vertical-cavity surface-emitting laser for near-field illumination of an eye

Номер патента: US20200153204A1. Автор: Robin Sharma,Andrew John Ouderkirk,Gregory Olegovic Andreev,Christopher Yuan-Ting Liao,Paul Armen TCHERTCHIAN,Karol Contantine Hatzilias. Владелец: Facebook Technologies LLC. Дата публикации: 2020-05-14.

Vertical-cavity surface-emitting laser for near-field illumination of an eye

Номер патента: WO2020096851A3. Автор: Robin Sharma,Karol Constantine Hatzilias,Andrew John Ouderkirk,Gregory Olegovic Andreev,Christopher Yuan-Ting Liao,Paul Armen TCHERTCHIAN. Владелец: Facebook Technologies, LLC. Дата публикации: 2020-07-30.

Vertical-cavity surface-emitting laser for near-field illumination of an eye

Номер патента: WO2020096851A2. Автор: Robin Sharma,Karol Constantine Hatzilias,Andrew John Ouderkirk,Gregory Olegovic Andreev,Christopher Yuan-Ting Liao,Paul Armen TCHERTCHIAN. Владелец: Facebook Technologies, LLC. Дата публикации: 2020-05-14.

Vertical-cavity surface-emitting laser for near-field illumination of an eye

Номер патента: US20210083455A1. Автор: Robin Sharma,Karol Constantine Hatzilias,Andrew John Ouderkirk,Gregory Olegovic Andreev,Christopher Yuan Ting Liao,Paul Armen TCHERTCHIAN. Владелец: Facebook Technologies LLC. Дата публикации: 2021-03-18.

Systems including vertical cavity surface emitting lasers

Номер патента: WO2019164560A3. Автор: Shuji Nakamura,Dan Cohen,Kenneth S. Kosik,Charles FORMAN,Jared KEARNS. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2019-11-07.

Method for controlling a semiconductor-laser-diode-based ss- interferometer system

Номер патента: US20220244178A1. Автор: Thomas Pabst,Manfred Dick,Roland Bergner,Ralf Ebersbach,Rainer Leitgeb. Владелец: CARL ZEISS MEDITEC AG. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09948060B2. Автор: Takahiro Sugiyama,Yuu Takiguchi,Yoshiro Nomoto,Yoshitaka Kurosaka,Kazuyoshi Hirose. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor laser structure

Номер патента: US09653382B2. Автор: Jui-Ying Lin,Chia-Hsin Chao,Yao-Jun Tsai,Yen-Hsiang Fang,Yi-Chen Lin. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-05-16.

Process for the production of a semiconductor laser with tape geometry and laser obtained by this process

Номер патента: US4742013A. Автор: Louis Menigaux. Владелец: Individual. Дата публикации: 1988-05-03.

Branching optical waveguide for an index-guided semiconductor laser device

Номер патента: US4752932A. Автор: Mitsuhiro Matsumoto,Sadayoshi Matsui,Mototaka Taneya. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1988-06-21.

Semiconductor laser

Номер патента: US20050207462A1. Автор: Shiro Uchida,Shinichi Agatsuma. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-09-22.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20150023380A1. Автор: Kimio Shigihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-01-22.

Semiconductor laser diode device

Номер патента: US20080049803A1. Автор: Hitoshi Nakamura,Ichiro Nomura,Katsumi Kishino,Shigehisa Tanaka,Tsukuru Ohtoshi,Tsunenori Asatsuma,Sumiko Fujisaki,Takeshi Kikawa. Владелец: Sophia School Corp. Дата публикации: 2008-02-28.

Semiconductor laser

Номер патента: US9099841B2. Автор: Satoshi Uchida,Tsutomu Ishikawa,Tsuguki Noma,Miroru Murayama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-08-04.

Semiconductor laser

Номер патента: US09407065B2. Автор: Shigeyuki Takagi,Takayoshi Fujii,Akira Maekawa,Yasutomo Shiomi,Hidehiko Yabuhara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor laser

Номер патента: US5715266A. Автор: Kazuhisa Takagi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-02-03.

Semiconductor laser driving apparatus, electronic equipment, and manufacturing method of semiconductor laser driving apparatus

Номер патента: US20220346288A1. Автор: Masayuki Nagao,Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor laser drive device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11962123B2. Автор: Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Solid-state laser apparatus excited by laser light from semiconductor laser unit having increased resonator length

Номер патента: US6795475B1. Автор: Yoji Okazaki,Hisashi Ohtsuka. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-21.

Semiconductor laser drive device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240154385A1. Автор: Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor laser drive device, electronic equipment, and method of manufacturing semiconductor laser drive device

Номер патента: EP4040615A1. Автор: Masayuki Nagao,Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-08-10.

Semiconductor laser drive device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210143607A1. Автор: Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

Surface-emitting device, display device, sealing member sheet for surface-emitting device, and method for producing surface-emitting device

Номер патента: US20230378403A1. Автор: Atsuo Tsuzuki,Yoshihiro Kanai,Keita Arihara,Marii NISHIKAWA. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Surface emitting device, manufacturing method thereof and projection display device using the same

Номер патента: US20070111347A1. Автор: Chan Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2007-05-17.

Surface emitting light source

Номер патента: US20210320087A1. Автор: Mamoru Imada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2021-10-14.

Surface emitting heterojunction light emitting diode

Номер патента: US5151756A. Автор: Hans K. Nettelbladt,Karl M. Widman. Владелец: Asea Brown Boveri AB. Дата публикации: 1992-09-29.

Terraced substrate semiconductor laser

Номер патента: US4333061A. Автор: Yukihiro Sasatani. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1982-06-01.

Production of radiation-emitting semiconductor components

Номер патента: US20190273191A1. Автор: Ivar Tangring,Markus Richter. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-09-05.

Radiation-emitting semiconductor chip and method for producing a radiation-emitting semiconductor chip

Номер патента: US20240063345A1. Автор: Attila Molnar,Fabian Kopp,Ban Loong Chris Ng,Hong Pin Loh. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-02-22.

Producing a light-emitting semiconductor component by connecting first and second semiconductor bodies

Номер патента: US09853186B2. Автор: Patrick Rode,Matthias Sabathil,Hans-Jürgen Lugauer,Andreas Plöβl,Alexander Linkov. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-12-26.

Bilateral cooling type semiconductor laser system for medical beauty use

Номер патента: US09510907B2. Автор: Yao Sun,Di Wu,Xingsheng Liu,Lei CAI,Ye Dai,Hengjun ZONG,Lishun TONG. Владелец: Focuslight Technologies Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Radiation-emitting semiconductor body and method of producing a semiconductor layer sequence

Номер патента: US20190280159A1. Автор: Peter Stauss,Alexander Tonkikh. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-09-12.

Light-emitting semiconductor component and method of producing light-emitting semiconductor components

Номер патента: US09837591B2. Автор: Stefan Illek,Thomas Schwarz,Frank Singer,Alexander Linkov,Wolfgang Mönch. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-12-05.

Optic coupler with semiconductor laser

Номер патента: RU2752615C1. Автор: Игорь Григорьевич Кирин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Оренбургский государственный университет». Дата публикации: 2021-07-29.

Light-emitting semiconductor component and method for producing a light-emitting semiconductor component

Номер патента: US09954150B2. Автор: Stefan Illek,Thomas Schwarz. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-04-24.

Radiation-emitting semiconductor chip and method of producing radiation-emitting semiconductor chips

Номер патента: US09721940B2. Автор: Andreas Plossl,Heribert Zull. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-08-01.

Photolithographic methods of producing structures in radiation-emitting semiconductor components

Номер патента: US09466487B2. Автор: Bernd Böhm,Sebastian Hoibl. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-10-11.

Method for Manufacturing a Radiation-Emitting Semiconductor Component and Radiation-Emitting Semiconductor Component

Номер патента: US20200013926A1. Автор: Christian Leirer,Isabel OTTO. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-01-09.

Method for classifying light-emitting semiconductor components and image sensor application having an image sensor and a semiconductor element

Номер патента: US20170100751A1. Автор: Peter Brick,Felix Kimme. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-04-13.

Method and apparatus for inspection of light emitting semiconductor devices using photoluminescence imaging

Номер патента: US09638741B2. Автор: Tom Marivoet,Steven Boeykens. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Filament with light-emitting semiconductor chips, lighting means and method of producing a filament

Номер патента: US20190113181A1. Автор: Ivar Tangring,Thomas Schlereth,Michael Bestele,Elena Rachkova. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-04-18.

Near-ultraviolet light-emitting semiconductor light-emitting element and group iii nitride semiconductor template used therefor

Номер патента: US20190140140A1. Автор: Sung Min Hwang,In Sung Cho,Doo Soo Kim,Won Taeg Lim. Владелец: SOFT-EPI Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

Method for the producing of a light-emitting semiconductor chip, method for the production of a conversion die and light-emitting semiconductor chip

Номер патента: EP2702833A1. Автор: Norwin von Malm,Madis Raukas,Darshan KUNDALIYA. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2014-03-05.

Surface emitting apparatus and image display apparatus using the surface emitting apparatus

Номер патента: US20090021959A1. Автор: Hiroshi Yamaguchi,Kazuhiko Ishimaru,Motonobu Yoshikawa,Erina YABUSHITA. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-22.

Operating vertical-cavity surface-emitting lasers

Номер патента: WO2013162544A1. Автор: Dacheng Zhou,Daniel A. Berkram,Zhubiao Zhu. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2013-10-31.

Beam locking for free space optical communication using vertical-cavity surface-emitting lasers

Номер патента: US11711145B2. Автор: Harry Broers,Maurice Herman Johan Draaijer,Jan EKKEL. Владелец: Signify Holding BV. Дата публикации: 2023-07-25.

Semiconductor laser driver and image forming apparatus incorporating same

Номер патента: US20170219951A1. Автор: Tomohiko Kamatani. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Surface-emitting display device

Номер патента: US20110109611A1. Автор: Hideyo Nakamura. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2011-05-12.

One-to-many simultaneous and reconfigurable optical two-dimensional plane interconnections using multiple wavelength, vertical cavity, surface-emitting lasers and wavelength-dependent detector planes

Номер патента: US5546209A. Автор: Alan E. Willner,Constance J. Chang-Hasnain,James E. Leight. Владелец: University of Southern California USC. Дата публикации: 1996-08-13.

Method for evenly coating semiconductor laser end faces and frame used in the method

Номер патента: US20020076943A1. Автор: Masayuki Ohta. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Peripheral surface-emitting linear light guide and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240176057A1. Автор: Seiji Kojima,Ryuta Takahashi,kota Tachibana. Владелец: Proterial Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Passive alignment member for vertical surface emitting/detecting devices

Номер патента: EP1057059A1. Автор: Ching-Long Jiang,Robert A. Boudreau, Sr.. Владелец: Whitaker LLC. Дата публикации: 2000-12-06.

Semiconductor laser based sensing device

Номер патента: NZ511043A. Автор: Valentin Morozov,Chong Chang Mao,John K Korah,Kristina M Ohnson. Владелец: Univ Technology Corp. Дата публикации: 2003-12-19.

Gyro Employing Semiconductor Laser

Номер патента: US20080037027A1. Автор: Takahisa Harayama,Takehiro Fukushima. Владелец: ATR Advanced Telecommunications Research Institute International. Дата публикации: 2008-02-14.

Gyro employing semiconductor laser

Номер патента: EP1724552B1. Автор: Takahisa Harayama,Takehiro Fukushima. Владелец: ATR Advanced Telecommunications Research Institute International. Дата публикации: 2012-05-09.

Gyro employing semiconductor laser

Номер патента: US7835008B2. Автор: Takahisa Harayama,Takehiro Fukushima. Владелец: ATR Advanced Telecommunications Research Institute International. Дата публикации: 2010-11-16.

Semiconductor laser and optical system having a collimator lens

Номер патента: US20020008893A1. Автор: Naotaro Nakata,Akihisa Yoshida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-01-24.

Scanning optical device including first semiconductor laser, second semiconductor laser, first optical sensor, and second optical sensor which are mounted on circuit board

Номер патента: US20240168402A1. Автор: Koji Abe,Junichi Yokoi. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor laser control method and semiconductor laser control device

Номер патента: US20020070329A1. Автор: Kenji Koishi,Makoto Usui,Yasuhiro Ueki,Tomonori Ueno,Yutaka Osada,Toru Fujimoto,Kohjyu Konno,Yoshiyuki Miyabata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-13.

Semiconductor laser light source device and optical pickup device

Номер патента: US20050047315A1. Автор: Yuichi Atarashi. Владелец: Konica Minolta Opto Inc. Дата публикации: 2005-03-03.

Dual wavelength semiconductor laser source for optical pickup

Номер патента: US6941046B2. Автор: Susumu Koike,Kenichi Matsuda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-06.

Dual wavelength semiconductor laser source for optical pickup

Номер патента: US20030142897A1. Автор: Susumu Koike,Kenichi Matsuda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-31.

Coherent lidar system based on semiconductor laser and amplifier

Номер патента: RU2484500C2. Автор: Христиан ПЕДЕРСЕН,Рене Сков ХАНСЕН. Владелец: Данмаркс Текниске Университет. Дата публикации: 2013-06-10.

Method and apparatus for optical spectroscopy incorporating a vertical cavity surface emitting laser (vcsel) as an interferometer reference

Номер патента: US20030189709A1. Автор: Trent Ridder,John Maynard. Владелец: Rio Grande Medical Technologies Inc. Дата публикации: 2003-10-09.

Surface emitting photonic switching structure

Номер патента: US5424559A. Автор: Kenichi Kasahara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-06-13.

Semiconductor laser treatment unit

Номер патента: CA1284186C. Автор: Toshio Ohshiro,Tokuharu Hayashi. Владелец: MEDICAL LASER RESEARCH Co Ltd. Дата публикации: 1991-05-14.

Surface-emitting laser light source using two-dimensional photonic crystal

Номер патента: US20120002692A1. Автор: Noda Susumu,Miyai Eiji,Ohnishi Dai. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Surface emitting laser, method for fabricating surface emitting laser

Номер патента: WO2024185049A1. Автор: Srinivas GANDROTHULA. Владелец: Sanoh Industrial Co.,Ltd.. Дата публикации: 2024-09-12.

Surface emitting laser

Номер патента: WO2024185050A1. Автор: Srinivas GANDROTHULA. Владелец: Sanoh Industrial Co.,Ltd.. Дата публикации: 2024-09-12.

Bragg distributed feedback surface emitting laser

Номер патента: CA1238972A. Автор: Mikelis N. Svilans. Владелец: Bookham Technology PLC. Дата публикации: 1988-07-05.

Semiconductor laser driver

Номер патента: RU2529053C1. Автор: Сергей Евгеньевич Александров,Геннадий Андреевич Гаврилов,Галина Юрьевна Сотникова,Александр Леонович Тер-Мартиросян. Владелец: Закрытое акционерное общество "Полупроводниковые приборы". Дата публикации: 2014-09-27.

Method of determining amplitude of nanovibrations from spectrum of frequency-modulated semiconductor laser autodyne

Номер патента: RU2520945C1. Автор: Дмитрий Александрович Усанов,Анатолий Владимирович Скрипаль,Елисей Игоревич Астахов. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Саратовский Государственный Университет Имени Н.Г. Чернышевского". Дата публикации: 2014-06-27.

Semiconductor laser

Номер патента: RU2153745C1. Автор: И.Д. Залевский,В.В. Безотосный. Владелец: Безотосный Виктор Владимирович. Дата публикации: 2000-07-27.

Semiconductor laser unit and its manufacturing process

Номер патента: RU2262171C2. Автор: Хироаки МАТСУМУРА. Владелец: Нития Корпорейшн. Дата публикации: 2005-10-10.

Semiconductor laser (versions)

Номер патента: RU2529450C2. Автор: Борис Николаевич Звонков,Александр Алексеевич Дубинов,Владимир Яковлевич Алешкин,Сергей Михайлович Некоркин,Михаил Николаевич Колесников. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики микроструктур Российской академии наук (ИФМ РАН). Дата публикации: 2014-09-27.

Method of heat removal from heat dissipating electronic components on basis of use of semiconductor lasers

Номер патента: RU2562742C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Хаджимурат Магомедович Гаджиев,Татьяна Алексеевна Челушкина,Тимур Декартович Нежведилов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2015-09-10.

Optically pumped semiconductor laser

Номер патента: RU2047935C1. Автор: А.А. Чельный. Владелец: Акционерное общество "Сигма-Плюс". Дата публикации: 1995-11-10.

Semiconductor laser

Номер патента: RU2535649C1. Автор: Андрей Владимирович Крюков,Андрей Георгиевич Шаврин,Владимир Анатольевич Токарев,Борис Николаевич Звонков,Александр Алексеевич Дубинов,Владимир Яковлевич Алешкин,Сергей Михайлович Некоркин. Владелец: Федеральное Государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр-Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики-ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ". Дата публикации: 2014-12-20.

Method of making semiconductor laser device

Номер патента: CA2103716C. Автор: Hitoshi Kagawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-12-12.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.