• Главная
  • VERTICAL CHANNEL TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED GATE ELECTRODE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

VERTICAL CHANNEL TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED GATE ELECTRODE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Vertical field effect transistors (vfets) with self-aligned wordlines

Номер патента: US20200020805A1. Автор: Gilbert Dewey,Abhishek A. Sharma,Ravi Pillarisetty,Van H. Le,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Vertical transistor structures having vertical-surrounding-gates with self-aligned features

Номер патента: US20070020819A1. Автор: Sanh Tang,Grant Huglin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-25.

Bipolar transistor with self-aligned asymmetric spacer

Номер патента: US20230268401A1. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Jianwei PENG. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Trench mosfet with self-aligned body contact with spacer

Номер патента: EP3365919A1. Автор: Kyle Terrill,Lingpeng Guan,Seokjin Jo. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2018-08-29.

Bipolar transistor with self-aligned asymmetric spacer

Номер патента: US11935928B2. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Jianwei PENG. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Bipolar transistor with self-aligned asymmetric spacer

Номер патента: EP4235799A1. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Jianwei PENG. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Self-aligned gate MESFET and the method of fabricating same

Номер патента: USH390H. Автор: Robert E. Lee,Harold M. Levy. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 1987-12-01.

Self-aligned gate mesfet and the method of fabricating same

Номер патента: WO1985000077A2. Автор: Robert E Lee,Harold M Levy. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1985-01-03.

Self-aligned gate mesfet and the method of fabricating same

Номер патента: WO1985000077A3. Автор: Robert E Lee,Harold M Levy. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1985-02-14.

Self-aligned gate last III-N transistors

Номер патента: US09837499B2. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Seung Hoon Sung,Robert Chau,Sanaz Gardner,Marko Radosavlijevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Self-aligned gate edge and local interconnect and method to fabricate same

Номер патента: US09831306B2. Автор: Tahir Ghani,Mark Bohr,Szuya S. LIAO,Milton Clair Webb. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Self-aligned gate edge and local interconnect and method to fabricate same

Номер патента: MY182653A. Автор: Tahir Ghani,Mark Bohr,Milton Clair Webb,Szuya S LIAO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-01-27.

Graphene transistors with self-aligned gates

Номер патента: US20130302963A1. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Yu Zhu,Phaedon Avouris,Yu-Ming Lin,Damon B. Farmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-14.

Transistor cell with self-aligned gate contact

Номер патента: EP4327357A1. Автор: John Jianhong ZHU,Giridhar Nallapati,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-02-28.

Gate with self-aligned ledged for enhancement mode GaN transistors

Номер патента: US09748347B2. Автор: Jianjun Cao,Alexander Lidow,Alana Nakata. Владелец: Efficient Power Conversion Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Nanosheet transistors with self-aligned gate cut

Номер патента: US12107014B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Single-electron transistor with self-aligned coulomb blockade

Номер патента: US20170352751A1. Автор: Fei Liu,Kangguo Cheng,Qing Cao,Zhengwen Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

Normally-off hemt with self-aligned gate structure

Номер патента: EP3336901A3. Автор: Gilberto Curatola,Simone Lavanga,Marco Silvestri. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-10-17.

Nanosheet transistors with self-aligned gate cut

Номер патента: US20230099643A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

Nanosheet transistors with self-aligned gate cut

Номер патента: WO2023051596A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier,Huimei Zhou. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2023-04-06.

Method of manufacturing field-effect transistors with self-aligned grid and transistors thus obtained

Номер патента: US4429452A. Автор: Didier Meignant. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1984-02-07.

Transistors with self-aligned source-connected field plates

Номер патента: US20230197795A1. Автор: Philippe Renaud,Humayun Kabir,Ibrahim Khalil,Bernhard Grote,Bruce McRae Green. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Vertical memory cell with self-aligned thin film transistor

Номер патента: US11812600B2. Автор: Abhishek A. Sharma,Seung Hoon Sung,Jack Kavalieros,Van H. Le,Charles C. Kuo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Mosfet having self-aligned gate and buried shield

Номер патента: EP1103074B1. Автор: Francois Hebert. Владелец: Rovec Acquisitions Ltd LLC. Дата публикации: 2010-01-06.

Trench gate fet with self-aligned features

Номер патента: WO2008036603A1. Автор: Chanho Park. Владелец: Fairchild Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2008-03-27.

Vertical self aligned gate all around transistor

Номер патента: US20240194756A1. Автор: Jin Cai,Hou-Yu Chen,Cheng-Ting Chung,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

[structure of thin-film transistor and method and equipment for fabricating the structure]

Номер патента: US20040224446A1. Автор: Wen-Chang Yeh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-11.

Self-aligned gate jumper connecting adjacent gates

Номер патента: US20230411473A1. Автор: Ruilong Xie,Heng Wu,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190148518A1. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Mis transistor with self-aligned gate and method for making same

Номер патента: US20070001239A1. Автор: Simon Deleonibus. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2007-01-04.

Compound semiconductor field effect transistor with self-aligned gate

Номер патента: WO2018174999A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao,Periannan Chidambaram. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-09-27.

Compound semiconductor field effect transistor with self-aligned gate

Номер патента: US20190088765A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao,Periannan Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-03-21.

Compound semiconductor field effect transistor with self-aligned gate

Номер патента: US20180277657A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao,Periannan Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Compound semiconductor field effect transistor with self-aligned gate

Номер патента: EP3602612A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao,Periannan Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-02-05.

Method for making a closed gate MOS transistor with self-aligned contacts with dual passivation layer

Номер патента: US4272881A. Автор: Rodney L. Angle. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1981-06-16.

COMPOUND SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED GATE

Номер патента: US20190088765A1. Автор: YANG Bin,Li Xia,Tao Gengming,Chidambaram Periannan. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

COMPOUND SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED GATE

Номер патента: US20180277657A1. Автор: YANG Bin,Li Xia,Tao Gengming,Chidambaram Periannan. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

COMPOUND SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED GATE

Номер патента: US20180337242A1. Автор: YANG Bin,Li Xia,Tao Gengming,Chidambaram Periannan. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-22.

Compound semiconductor transistor with self aligned gate

Номер патента: US9443941B2. Автор: Oliver Häberlen,Gilberto Curatola. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-09-13.

Compound semiconductor transistor with self aligned gate

Номер патента: CN103456781A. Автор: G.库拉托拉,O.赫贝伦. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-12-18.

Method for fabricating ldmos with self-aligned body

Номер патента: US20180090613A1. Автор: Ji-Hyoung Yoo,Deming Xiao,Jeesung Jung,Joel M. McGregor,Zeqiang Yao. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Thin film transistor with self-aligned bottom gate

Номер патента: TW304306B. Автор: Lu-Chen Hsu Louis,Francis Shepard Joseph,Joseph Saccamango Mary. Владелец: Ibm. Дата публикации: 1997-05-01.

Normally Off HEMT with Self Aligned Gate Structure

Номер патента: US20180151681A1. Автор: Curatola Gilberto,Lavanga Simone,Silvestri Marco. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

Self aligned gate jfet structure and method

Номер патента: WO2007146734A3. Автор: Ashok Kumar Kapoor. Владелец: Ashok Kumar Kapoor. Дата публикации: 2008-02-21.

Self-aligned gate contact for VTFETs

Номер патента: US12107147B2. Автор: Kangguo Cheng,Miaomiao Wang,Su Chen Fan,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Quantum well structure with self-aligned gate and method of making the same

Номер патента: US5548129A. Автор: Randall L. Kubena. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1996-08-20.

Junction field-effect transistor with self-aligning gate

Номер патента: GB2172747A. Автор: Franz-Josef Tegude. Владелец: International Standard Electric Corp. Дата публикации: 1986-09-24.

Recessed gate silicon-on-insulator floating body device with self-aligned lateral isolation

Номер патента: US20140332880A1. Автор: John Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-11-13.

Recessed gate silicon-on-insulator floating body device with self-aligned lateral isolation

Номер патента: US09553186B2. Автор: John Kim. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2017-01-24.

Self-aligned gate endcap (SAGE) architecture having gate contacts

Номер патента: US11935892B2. Автор: Walid M. Hafez,Sairam Subramanian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Self-aligned gate endcap (sage) architectures with gate-all-around devices

Номер патента: US20240243203A1. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Dax M. CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Self-aligned gate endcap (sage) architectures with vertical sidewalls

Номер патента: US20240243202A1. Автор: Kiran Chikkadi,Ritesh K. Das,Ryan Pearce. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Self-aligned gate cut structures

Номер патента: EP4138122A1. Автор: Yang-chun Cheng,Guillaume Bouche,Anand S. Murthy,Andy Chih-Hung Wei,Ryan Pearce. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-02-22.

Self-aligned gate cut structures

Номер патента: US20230057326A1. Автор: Yang-chun Cheng,Guillaume Bouche,Anand S. Murthy,Andy Chih-Hung Wei,Ryan Pearce. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-02-23.

Self-aligned gate endcap (SAGE) architecture having gate or contact plugs

Номер патента: US11444171B2. Автор: Walid M. Hafez,Sairam Subramanian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-09-13.

Self-aligned gate endcap (SAGE) architecture having gate or contact plugs

Номер патента: US11876121B2. Автор: Walid M. Hafez,Sairam Subramanian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Self-aligned gate endcap (sage) architecture having gate contacts

Номер патента: US20200286890A1. Автор: Walid M. Hafez,Sairam Subramanian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Self-aligned gate endcap (sage) architectures with gate-all-around devices

Номер патента: US20240030348A1. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Dax M. CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Self-aligned gate endcap (SAGE) architectures with gate-all-around devices

Номер патента: US11855223B2. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Dax M. CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Self-aligned gate endcap (sage) architectures with gate-all-around devices

Номер патента: EP4318594A2. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Dax M. CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-07.

Self-aligned gate endcap (sage) architecture having gate contacts

Номер патента: US20240145477A1. Автор: Walid M. Hafez,Sairam Subramanian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Self-aligned gate endcap (sage) architectures with gate-all-around devices

Номер патента: EP4318594A3. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Dax M. CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Self-aligned gate edge trigate and finfet devices

Номер патента: US20210249411A1. Автор: Tahir Ghani,Szuya S. LIAO,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Christopher N. Kenyon. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Self-aligned gate isolation with asymmetric cut placement

Номер патента: WO2021009579A1. Автор: Veeraraghavan Basker,Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-01-21.

Self-aligned gate isolation with asymmetric cut placement

Номер патента: GB2600316A. Автор: Radens Carl,Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Basker Veeraraghavan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-04-27.

METHOD FOR FABRICATING LDMOS WITH SELF-ALIGNED BODY

Номер патента: US20180374949A1. Автор: Yoo Ji-Hyoung,McGregor Joel M.,Jung Jeesung,Yao Zeqiang,Xiao Deming. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-27.

STRUCTURE AND PROCESS FOR OVERTURNED THIN FILM DEVICE WITH SELF-ALIGNED GATE AND S/D CONTACTS

Номер патента: US20170162711A1. Автор: Clevenger Lawrence A.,Radens Carl J.,Zhang John H.,XU Yiheng. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

Semiconductor device with self-aligning contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20220271036A1. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Vertical transistor with self-aligned gate

Номер патента: US11728433B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Vertical transistor with self-aligned gate

Номер патента: US20210057565A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor devices with self-aligned contacts and low-k spacers

Номер патента: US09543426B2. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Integration of air spacer with self-aligned contact in transistor

Номер патента: US20200083101A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Field-effect transistors with self-aligned p-shield contacts

Номер патента: US20240274712A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Field-effect transistors with self-aligned p-shield contacts

Номер патента: EP4415051A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

III-V MOSFET with self-aligned diffusion barrier

Номер патента: US09947755B2. Автор: Cheng-Wei Cheng,Jack Oon Chu,Kevin K. Chan,Yanning Sun,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device with self-aligned contact plugs

Номер патента: US20150221590A1. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-08-06.

Method for fabricating semiconductor device with self-aligning contact

Номер патента: US11764223B2. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Method for fabricating semiconductor device with self-aligning contact

Номер патента: US20220293602A1. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Graphene/nanostructure fet with self-aligned contact and gate

Номер патента: WO2011160922A1. Автор: Isaac Lauer,Jeffrey Sleight,Josephine Chang. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2011-12-29.

Multi-gate semiconductor device with self-aligned epitaxial source and drain

Номер патента: EP2517231A1. Автор: Tahir Ghani,Harry Gomez,Annalisa Cappellani,Anand S. Murthy,Kuan-Yueh Shen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-10-31.

Field effect transistors with self-aligned metal plugs and methods

Номер патента: US20200035555A1. Автор: Hui Zang,Laertis Economikos,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Integration of air spacer with self-aligned contact in transistor

Номер патента: US20200161169A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Transistor formed with self-aligned contacts

Номер патента: WO2007033337A3. Автор: Andrew Marshall,Tito Gelsomini,Harvey Edd Davis. Владелец: Harvey Edd Davis. Дата публикации: 2009-04-23.

Transistor formed with self-aligned contacts

Номер патента: WO2007033337A2. Автор: Andrew Marshall,Tito Gelsomini,Harvey Edd Davis. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2007-03-22.

Self aligned gate and guard ring structure for use in a sit

Номер патента: EP2033224B1. Автор: Li-Shu Chen. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2011-03-02.

High density fet with self-aligned source atop the trench

Номер патента: US20060172487A1. Автор: Igor Bol. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2006-08-03.

MOSFET in SiC with self-aligned lateral MOS channel

Номер патента: US11923450B2. Автор: Adolf SCHÖNER,Nicolas THIERRY-JEBALI,Hossein ELAHIPANAH,Sergey RESHANOV. Владелец: Ii Vi Advanced Materials LLC. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor device having self-aligned gate contacts

Номер патента: US09941129B2. Автор: Josephine B. Chang,Michael A. Guillorn,Paul Chang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Self-aligned gate tie-down contacts with selective etch stop liner

Номер патента: US09570573B1. Автор: Lars W. Liebmann,Ruilong Xie,Su Chen Fan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Iii-v mosfet with self-aligned diffusion barrier

Номер патента: US20170092722A1. Автор: Cheng-Wei Cheng,Jack Oon Chu,Kevin K. Chan,Yanning Sun,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

III-V MOSFET with self-aligned diffusion barrier

Номер патента: US9853109B2. Автор: Cheng-Wei Cheng,Jack Oon Chu,Kevin K. Chan,Yanning Sun,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Etching composition for removing silicon and method for removing silicon by using the same

Номер патента: US20230193132A1. Автор: Shang-Chen HUANG,Cheng-Huan HSIEH. Владелец: LCY Chemical Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Etching method and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US09972696B2. Автор: Sang Won Bae,Hoyoung Kim,Wonsang Choi,Jae-Jik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Self aligned gate and guard ring structure for use in a sit

Номер патента: EP2033224A2. Автор: Li-Shu Chen. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2009-03-11.

Self aligned gate and guard ring structure for use in a sit

Номер патента: EP2033224A4. Автор: Li-Shu Chen. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2009-06-03.

Method for manufacturing semiconductor element and method for forming mask pattern of the same

Номер патента: US20170256629A1. Автор: Masafumi Hamaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Fin field effect transistor devices with self-aligned gates

Номер патента: US20200294803A1. Автор: John R. Sporre,Ruilong Xie,Wenyu Xu,Stuart A. Sieg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Structures and methods of self-aligned gate for sb-based fets

Номер патента: US20130075822A1. Автор: Heng-Kuang Lin,Han-Chieh Ho. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2013-03-28.

SEMICONDUCTOR DEVICES WITH SELF-ALIGNED SOURCE DRAIN CONTACTS AND METHODS FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20130307082A1. Автор: MANABE Kenzo. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2013-11-21.

Method and system for a gallium nitride vertical jfet with self-aligned gate metallization

Номер патента: US20140203328A1. Автор: Richard J. Brown,Hui Nie,Donald R. Disney. Владелец: Avogy Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Method and system for a gan vertical jfet with self-aligned gate metallization

Номер патента: US20130299873A1. Автор: Richard J. Brown,Hui Nie,Donald R. Disney. Владелец: Avogy Inc. Дата публикации: 2013-11-14.

Vertical dual gate thin film transistor with self-aligned gates/offset drain

Номер патента: TW301801B. Автор: Francis Shepard Joseph. Владелец: Ibm. Дата публикации: 1997-04-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNING CONTACT AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20220271036A1. Автор: Lai Chun-Chi. Владелец: . Дата публикации: 2022-08-25.

Transistor with self-aligned source and drain contacts and method of making same

Номер патента: US20170047349A1. Автор: John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-02-16.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210328038A1. Автор: Jinwoo Kim,Juyoun Kim,Junmo Park,Sangjung Kang,Seulgi Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-21.

Transistor with self-aligned source and drain contacts and method of making same

Номер патента: US09922993B2. Автор: John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-03-20.

Methods for fabricating a bipolar junction transistor with self-aligned terminals

Номер патента: US8999804B2. Автор: Qizhi Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-04-07.

VERTICAL TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED GATE

Номер патента: US20210057565A1. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Park Chanro,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-25.

REPLACEMENT METAL GATE SCHEME WITH SELF-ALIGNMENT GATE FOR VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20180226493A1. Автор: Guo Dechao,Bao Raqiang. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

REPLACEMENT METAL GATE SCHEME WITH SELF-ALIGNMENT GATE FOR VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20180254330A1. Автор: Guo Dechao,Bao Raqiang. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-06.

Methods for manufacturing enhancement-mode HEMTs with self-aligned field plate

Номер патента: US8168486B2. Автор: Francois Hebert. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2012-05-01.

Method of manufacturing a field-effect transistor with self-aligned gates

Номер патента: EP1968106A2. Автор: Bernard Previtali. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2008-09-10.

Method of making a double gate semiconductor device with self-aligned gates and structure thereof

Номер патента: WO2006023019A2. Автор: Yang Du,Leo Mathew. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-03-02.

Method of producing a field effect transistor with self-aligned gate metallization

Номер патента: EP0197838A1. Автор: Erhard Kohn. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1986-10-15.

Replacement metal gate scheme with self-alignment gate for vertical field effect transistors

Номер патента: US9960254B1. Автор: Dechao Guo,Raqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Buried power rails with self-aligned vias to trench contacts

Номер патента: US12094822B2. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei,Changyok Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Recessed gate electrode MOS transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US8058141B2. Автор: Soo Hyun Kim,Se Aug Jang,Jun Ki Kim,Hyun Chul Sohn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-11-15.

METHOD FOR PRODUCING A TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: FR2752644A1. Автор: Simon Deleonibus. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1998-02-27.

Systems and methods for fabricating FinFETs with different threshold voltages

Номер патента: US12027522B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNING CONTACT

Номер патента: US20220293602A1. Автор: Lai Chun-Chi. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-15.

Lateral Transistor with Self-Aligned Body Implant

Номер патента: US20240234149A9. Автор: Jurgen Faul,Achim Gratz,Swapnil Pandey. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of forming a transistor with self-aligned contacts

Номер патента: EP1935012B1. Автор: Andrew Marshall,Tito Gelsomini,Harvey Edd Davis. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-07-24.

TUNNEL FINFET WITH SELF-ALIGNED GATE

Номер патента: US20180138307A1. Автор: Nowak Edward J.,Asra Ram,KOTA MURALI V R M.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2018-05-17.

Field effect transistor with self-aligned gate

Номер патента: CA1082371A. Автор: Robert H. Dennard,Vincent L. Rideout. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-07-22.

Techniques for device fabrication with self-aligned electrodes

Номер патента: EP2005499A2. Автор: Henning Sirringhaus,Paul A. Cain,Yong-Young Noh. Владелец: Plastic Logic Ltd. Дата публикации: 2008-12-24.

Forming semiconductor fins with self-aligned patterning

Номер патента: US09704859B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Forming semiconductor fins with self-aligned patterning

Номер патента: US09601347B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Method for Forming Hole Pattern and Method for Manufacturing TFT Display Using the Same

Номер патента: US20160225801A1. Автор: Seong-jung YUN,Je-Geon YOO. Владелец: Hydis Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-04.

Nanosheet transistor with self-aligned dielectric pillar

Номер патента: AU2020423612B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Forming semiconductor fins with self-aligned patterning

Номер патента: US9595613B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor structure with self-aligned wells and multiple channel materials

Номер патента: US20160111335A1. Автор: David P. Brunco. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor structure with self-aligned wells and multiple channel materials

Номер патента: US9793168B2. Автор: David P. Brunco. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor structure with self-aligned wells and multiple channel materials

Номер патента: US20180012805A1. Автор: David P. Brunco. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-11.

Positive photosensitive resin composition and method for forming patterns by using the same

Номер патента: US20140065526A1. Автор: kai-min Chen,Chun-An Shih. Владелец: Chi Mei Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Thinned wafer having stress dispersion parts and method for manufacturing semiconductor package using the same

Номер патента: US20090001520A1. Автор: Sung Ho Hyun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-01-01.

Thinned wafer having stress dispersion parts and method for manufacturing semiconductor package using the same

Номер патента: US7800201B2. Автор: Sung Ho Hyun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-09-21.

Thin film transistor with a high impurity region overlapping the gate electrode

Номер патента: US8263982B2. Автор: Hidenori Kawata. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-09-11.

Semiconductor structure with self-aligned wells and multiple channel materials

Номер патента: US9953872B2. Автор: David P. Brunco. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for fabricating mos device with self-aligned contacts

Номер патента: CA1210528A. Автор: Tarsaim L. Batra. Владелец: American Microsystems Holding Corp. Дата публикации: 1986-08-26.

Self-aligned gated emitter tip arrays

Номер патента: US20140285084A1. Автор: Arash Akhavan Fomani,Luis Fernando Velasquez-Garcia,Akintunde Ibitayo Akinwande. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-09-25.

Self-aligned gate isolation

Номер патента: WO2007046920A1. Автор: Peter Chang. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2007-04-26.

Semiconductor device with self-aligned landing pad and method for fabricating the same

Номер патента: US11121137B1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-14.

Semiconductor device with self-aligned air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09640426B2. Автор: Jong-Min Lee,Il-Cheol RHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Method for fabricating semiconductor device with self-aligned landing pad

Номер патента: US20210351187A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

RF-transistors with self-aligned point contacts

Номер патента: US09698363B1. Автор: Shu-Jen Han. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Electrochemical device with self-aligned insulation

Номер патента: US10388874B2. Автор: Ping Mei,Brent S. Krusor,Jonathan Rivnay. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2019-08-20.

Electrochemical device with self-aligned insulation

Номер патента: US20180284059A1. Автор: Ping Mei,Brent S. Krusor,Jonathan Rivnay. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

Integrated circuit package, and methods and tools for fabricating the same

Номер патента: US09947560B1. Автор: David Tan,Mohsen H. Mardi,Gamal Refai-Ahmed. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Opto-electronic device with self-aligned ohmic contact layer

Номер патента: US20010054716A1. Автор: Hiroyuki Fujiwara,Masaharu Nobori,Masumi Koizumi. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2001-12-27.

Rf-transistors with self-aligned point contacts

Номер патента: US20170237007A1. Автор: Shu-Jen Han. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-17.

Rf-transistors with self-aligned point contacts

Номер патента: US20170237008A1. Автор: Shu-Jen Han. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-17.

Rf-transistors with self-aligned point contacts

Номер патента: US20170194582A1. Автор: Shu-Jen Han. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Microelectronic devices with self-aligned interconnects, and related methods

Номер патента: US11764146B2. Автор: Fabio Pellizzer,Lorenzo Fratin,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

A bicmos device having a cmos gate electrode and a bipolar emitter each containing two imurities of the same conductivity type

Номер патента: US20020145167A1. Автор: Toru Yamazaki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-10-10.

Photodiode with self-aligned implants for high quantum efficiency and method of formation

Номер патента: US20070155040A1. Автор: Howard Rhodes,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-05.

Apparatus for treating substrate and method for aligning dielectric plate using the same

Номер патента: US20240274409A1. Автор: Ju-Yong Park,Kwang-Sung YOO. Владелец: PSK Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Underfill material and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20150348859A1. Автор: Hironobu Moriyama. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2015-12-03.

Apparatus for fabricating a semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20080057734A1. Автор: Dae Young Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Semiconductor element and method and apparatus for fabricating the same

Номер патента: US6132585A. Автор: Hirofumi Ichinose,Tsutomu Murakami,Takahiro Mori,Takafumi Midorikawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2000-10-17.

Adhesive sheet for temporary attachment and method for producing semiconductor device using the same

Номер патента: US12065595B2. Автор: Kwang Joo Lee,Mi Jang,Sera Kim,Ji Ho HAN. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Fingerprint image sensor and method for optical wireless communications using the same

Номер патента: US09971921B2. Автор: Weiping Lin,Hong Zhu. Владелец: Shanghai Oxi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Underfill material and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09957411B2. Автор: Takayuki Saito,Taichi Koyama,Hironobu Moriyama. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Atomic layer deposition apparatus and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20080057738A1. Автор: June Woo Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Underfill material and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20160017191A1. Автор: Taichi Koyama. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2016-01-21.

Underfill material and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09840645B2. Автор: Taichi Koyama. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Formation of contact/via hole with self-alignment

Номер патента: US09805934B2. Автор: Chi-Chung JEN,Yu-Hua YEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Shallow trench isolation with self aligned PSG layer

Номер патента: US5729043A. Автор: Joseph F. Shepard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-03-17.

Microelectronic devices with self-aligned interconnects, and related methods

Номер патента: US20210351125A1. Автор: Fabio Pellizzer,Lorenzo Fratin,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Pod and method for containing a reticle using the same

Номер патента: US20200243361A1. Автор: Ming-Chien Chiu,Hsin-Min Hsueh,Chia-Ho CHUANG. Владелец: Gudeng Precision Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Substrate attachment device of display device and method for manufacturing display device using the same

Номер патента: US8992278B2. Автор: Youngjo Ko. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-31.

Resist pattern filling liquid and method for manufacturing resist pattern using the same

Номер патента: WO2024223449A1. Автор: Kazuma Yamamoto,Hiroshi Yanagita. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2024-10-31.

Exposure mask and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20100159701A1. Автор: Hyoung Soon Yune,Joo Kyoung SONG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-24.

Nonvolatile memory device and method of processing in memory (pim) using the same

Номер патента: US20210183446A1. Автор: Se-Hwan Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-17.

Conductive paste and method for producing ceramic substrate using the same

Номер патента: US6080335A. Автор: Yoshiki Nakagawa,Kazuhito Ohshita. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2000-06-27.

Panel substrate and method for manufacturing display device including the same

Номер патента: US20220028313A1. Автор: KwangMin Lee,Jong-Duk Roh. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Laser annealing apparatus and method of manufacturing display apparatus by using the same

Номер патента: US20170040352A1. Автор: Hongro Lee,Chunghwan Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-09.

Array Substrate, Display Panel And Method For Detecting Bent Degree of The Same

Номер патента: US20160299530A1. Автор: Bin Zhang,Yu Xie,Zhihan Zhou. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-13.

Underfill material and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US9653371B2. Автор: Hironobu Moriyama. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Positive photosensitive resin composition and method for forming cured film using the same

Номер патента: US8329380B2. Автор: Satoshi Takita. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2012-12-11.

Anti-reflective layer and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US5593725A. Автор: Gi-sung Yeo,Chun-Geun Park,Jung-Chul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-01-14.

Semiconductor cleaning equipment and method for cleaning through vias using the same

Номер патента: US11854794B2. Автор: Daping Yao,Liqiang Cao. Владелец: National Center for Advanced Packaging Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Deposition device and method for manufacturing display device using the same

Номер патента: US20240057463A1. Автор: Young Min Moon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Laser annealing system and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20210138581A1. Автор: Hyukjun Kwon,Seongkeun CHO. Владелец: EO Technics Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Laser annealing apparatus and method of manufacturing display apparatus by using the same

Номер патента: US9812471B2. Автор: Hongro Lee,Chunghwan Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Electronic device and a method for making the same

Номер патента: US20020000616A1. Автор: Chisato Iwasaki,Hirofumi Fukui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Eeprom cell with self-aligned tunneling window

Номер патента: US20010042883A1. Автор: Sunil D. Mehta,Xiao Yu Li,Christopher O. Schmidt. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

High density mosfet array with self-aligned contacts enhancement plug and method

Номер патента: US20160035846A1. Автор: Hong Chang,Yeeheng Lee,Jongoh Kim. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-02-04.

Lateral transistor with self-aligning base and base contact and method of producing same

Номер патента: JPS57100763A. Автор: Bii Bora Majiyukaaru. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1982-06-23.

Process for producing of a thin film transistor with self-aligned gate

Номер патента: EP0139585B1. Автор: Bernard Diem,Andre Chenevas-Paule. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1987-06-24.

Closed cell lateral MOSFET using silicide source and body regions with self-aligned contacts

Номер патента: US09853143B2. Автор: Shekar Mallikarjunaswamy. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-12-26.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH SELF-ALIGNED SPACERS AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20170018460A1. Автор: Hung Yu-Hsiang,Jenq Jyh-Shyang,Hsu Chih-Kai,Fu Ssu-I. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-19.

Fabrication of a vertical transistor with self-aligned bottom source/drain

Номер патента: US20180350691A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

METHOD AND SYSTEM FOR A GALLIUM NITRIDE VERTICAL JFET WITH SELF-ALIGNED GATE METALLIZATION

Номер патента: US20140203328A1. Автор: NIE Hui,DISNEY Donald R.,Brown Richard J.. Владелец: AVOGY, INC.. Дата публикации: 2014-07-24.

Metallic bipolar plate for fuel cell and method for forming surface layer of the same

Номер патента: US20090269623A1. Автор: Jeong Hoon Kim. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2009-10-29.

Tin solution for tin film formation and method for forming tin film using the same

Номер патента: US20200157697A1. Автор: Hirofumi Iisaka. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Battery, electrical device, and method and device for fabricating battery

Номер патента: EP4354618A1. Автор: HU XU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Field emission display and method for forming negative holes of the same

Номер патента: US20030042842A1. Автор: Kyu-Won Jung,Jae-Cheol Cha,Ho-Su Han. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-06.

Field emission display and method for forming negative holes of the same

Номер патента: US6948992B2. Автор: Kyu-Won Jung,Jae-Cheol Cha,Ho-Su Han. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-27.

Backplate of field emission device with self aligned focus structure and spacer wall locators

Номер патента: US5650690A. Автор: Duane A. Haven. Владелец: Candescent Technologies Inc. Дата публикации: 1997-07-22.

Ptc planar heater and method for adjusting the resistance of the same

Номер патента: CA2159496C. Автор: Masanori Saito,Takashi Kaimoto,Osamu Nakano,Koichi Inenaga. Владелец: Nippon Tungsten Co Ltd. Дата публикации: 1999-05-04.

Tube and method for bracing functional elements in the same

Номер патента: US7332693B2. Автор: Andreas Hamburger. Владелец: Eichenauer Heizelemente GmbH and Co KG. Дата публикации: 2008-02-19.

Design method for antenna and antenna using the same

Номер патента: US20050113952A1. Автор: Yuki Satoh,Yukinori Sasaki,Hidehito Shimizu. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-26.

Phosphor paste composition and method of manufacturing flat display device using the same

Номер патента: US7429340B2. Автор: Seung-Uk Kwon. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-30.

Magnet assembly for orientation and orientation method for active material layer using the same

Номер патента: EP4332999A2. Автор: Yeonhee YOON,Jinhyon Lee. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Catalyst complex for fuel cells and a method for manufacturing an electrode including the same

Номер патента: US20210135241A1. Автор: Bo Ki Hong,Jongkil OH. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Magnet assembly for orientation and orientation method for active material layer using the same

Номер патента: EP4332999A3. Автор: Yeonhee YOON,Jinhyon Lee. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

A multipole rod assembly and a method for manufacturing rod supports for the same

Номер патента: GB2620672A. Автор: GORDON David,Langridge David,Ayrton Stephen,Walford Mark. Владелец: Micromass UK Ltd. Дата публикации: 2024-01-17.

Semiconductor device with self-aligned waveguide and method therefor

Номер патента: US20240332206A1. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device with self-aligned air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US20140187037A1. Автор: Jong-Min Lee,Il-Cheol RHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNED AIR GAP AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150132936A1. Автор: LEE Jong-Min,RHO Il-Cheol. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-14.

Semiconductor device with self-aligned air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US8962472B2. Автор: Jong-Min Lee,Il-Cheol RHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-02-24.

Multi-Metal Fill with Self-Align Patterning

Номер патента: US20200051853A1. Автор: Tai-I Yang,Chia-Tien Wu,Cheng-Chi Chuang,Wei-Chen CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Flash memory chip with self aligned isolation fill between pillars

Номер патента: US20230136139A1. Автор: John Hopkins,Prasanna Srinivasan,Anil CHANDOLU,Nancy LOMELI. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2023-05-04.

Multi-metal fill with self-align patterning

Номер патента: US20180308749A1. Автор: Tai-I Yang,Chia-Tien Wu,Cheng-Chi Chuang,Wei-Chen CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Semiconductor device and method and apparatus for fabricating the same

Номер патента: US20010033025A1. Автор: Takeshi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-25.

Semiconductor device with self-aligned waveguide and method therefor

Номер патента: US20230017646A1. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device with self-aligned waveguide and method therefor

Номер патента: US12033950B2. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

A method of forming differential spacers for individual optimization of n-channel and p-channel transistors

Номер патента: EP1454342A2. Автор: Dong-Hyuk Ju. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-09-08.

INTEGRATED CIRCUITS AND METHODS FOR FABRICATING INTEGRATED CIRCUITS WITH SELF-ALIGNED VIAS

Номер патента: US20160254185A1. Автор: RYAN Errol Todd,Lin Sean X.. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-01.

Semiconductor fabrication technique using local planarization with self-aligned transistors

Номер патента: US5340774A. Автор: Ting-Pwu Yen. Владелец: Paradigm Technology Inc. Дата публикации: 1994-08-23.

Apparatus with self-aligned connection and related methods

Номер патента: US20240194529A1. Автор: David H. Wells,Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Phase change memory cell with self-aligned vertical heater and low resistivity interface

Номер патента: US20150188040A1. Автор: Barbara Zanderighi,Francesco Pipia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Integrated circuit with self-aligned line and via

Номер патента: US20070075371A1. Автор: Alex See,Randall Cha,Yeow Lim,Wang Goh. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Broad spectrum light emitting devices and method for fabricating the same

Номер патента: EP1446838A2. Автор: Gerald H. Negley,Norbert Hiller,Scott Schwab. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2004-08-18.

Structures and methods for ring oscillator fabrication

Номер патента: US9165925B2. Автор: Ruey-Bin Sheen,Shyh-An Chi,Chih-Hsien Chang,Chao-Chieh Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-10-20.

Method for surface treatment of substrate and method for forming fine wiring

Номер патента: US20080311312A1. Автор: Jae-Woo Joung,Hyun-Chul Jung. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-18.

Method for surface treatment of substrate and method for forming fine wiring

Номер патента: US7776407B2. Автор: Jae-Woo Joung,Hyun-Chul Jung. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-17.

AMOLED array substrate, method for manufacturing the same and display device

Номер патента: US09831297B2. Автор: Kun CAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

SEMICONDUCTOR DEVICES WITH SELF-ALIGNED SOURCE DRAIN CONTACTS AND METHODS FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20130270648A1. Автор: MANABE Kenzo. Владелец: Renesas Eletronics Corporation. Дата публикации: 2013-10-17.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNED LANDING PAD

Номер патента: US20210351187A1. Автор: CHEN TE-YIN. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device with self aligned silicide layer and method for forming the same

Номер патента: KR20020048618A. Автор: 김진호. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-06-24.

Coupled quantum dots with self-aligned gates

Номер патента: US20240196767A1. Автор: Peter Mueller,Kirsten Emilie Moselund,Bogdan Cezar Zota. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

High-speed communication link with self-aligned scrambling

Номер патента: EP4360268A1. Автор: Lior Amarilio,Sharon Graif,Tomer Rafael Ben-Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-05-01.

High-speed communication link with self-aligned scrambling

Номер патента: US11843486B2. Автор: Lior Amarilio,Sharon Graif,Tomer Rafael Ben-Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Hybrid induction electric motor with self-aligning inner rotor based on permanent magnets

Номер патента: RU2638829C2. Автор: Луис ФИНКЛ. Владелец: Луис ФИНКЛ. Дата публикации: 2017-12-18.

Hybrid electric motor with self aligning permanent magnet and squirrel cage rotors

Номер патента: RU2669206C2. Автор: Луис ФИНКЛ. Владелец: Луис ФИНКЛ. Дата публикации: 2018-10-09.

Magnetically connectable device with self-aligning connector

Номер патента: US09876311B2. Автор: Timothy Jing Yin SZETO,Jeremy Zhi-Qiao Chan. Владелец: Nanoport Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Coating bar and method for manufacturing separator using the same

Номер патента: US20240261812A1. Автор: Won-Sik Bae,So-Mi Jeong,So-Jung Park,Jong-Yoon Lee,So-Yeong LEE. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Coating bar and method for manufacturing separator using the same

Номер патента: US12115549B2. Автор: Won-Sik Bae,So-Mi Jeong,So-Jung Park,Jong-Yoon Lee,So-Yeong LEE. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Browser and method for domain name resolution by the same

Номер патента: US09729499B2. Автор: Binyan Dong,Huan Ren. Владелец: Beijing Qihoo Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Electronic device and method for handling incoming call of the same

Номер патента: US09584644B2. Автор: Bongjae RHEE,Jeehee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Method to scale dram with self aligned bit line process

Номер патента: US11765889B2. Автор: Abdul Wahab MOHAMMED,Gill Yong Lee,Sung-Kwan Kang,Fredrick FISHBURN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Method to scale dram with self aligned bit line process

Номер патента: WO2022232473A1. Автор: Abdul Wahab MOHAMMED,Gill Yong Lee,Sung-Kwan Kang,Fredrick FISHBURN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-11-03.

Motor controller, active short circuit thereof, and method for controlling active short via the same

Номер патента: US11177751B2. Автор: Yang Min,Wenjie Chen. Владелец: Sungrow Power Supply Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-16.

Media device and method for setting a configuration of the same

Номер патента: US20170339244A1. Автор: Jeong Kyu Kim. Владелец: Humax Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-23.

Virtual input device and method for receiving user input using the same

Номер патента: US09933854B2. Автор: Barath Raj KANDUR RAJA,Wan Seok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

System and method for associating devices moving along the same travel path

Номер патента: US09689698B2. Автор: Kees Wesselius,Sander Gols. Владелец: TomTom International BV. Дата публикации: 2017-06-27.

Mobile apparatus including template based flash image generation function and method for generating flash image using the same

Номер патента: EP2059874A1. Автор: Young Muk Cha. Владелец: MOBIDERS Inc. Дата публикации: 2009-05-20.

Screen print system and method for cleaning a mask of the same

Номер патента: US20120000380A1. Автор: Tetsuya Tanaka,Kunihiko Tokita. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-01-05.

Feedback device and method for providing thermal feedback using the same

Номер патента: US12102452B2. Автор: Kyoungsoo YI,Ockkyun OH. Владелец: Tegway Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Inkjet apparatus and method for manufacturing functional element using the same

Номер патента: US20200391527A1. Автор: Junri Ishikura,Masayuki Morohashi,Norihiko Ochi,Naoari Shibata. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Terminal, system and method for measuring network state using the same

Номер патента: US09559927B2. Автор: Jin Bum HWANG,Min Woo Song,Joong Bae JEON,Hye Jin BAN. Владелец: Samsung SDS Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Monitoring camera for generating 3-dimensional image and method of generating 3-dimensional image using the same

Номер патента: US09641754B2. Автор: Jae-Yoon Oh. Владелец: Hanwha Techwin Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Internet game service system capable of indicating bad users and method for indicating bad users in the same

Номер патента: WO2006075825A1. Автор: Won Seok Yoo. Владелец: NHN CORPORATION. Дата публикации: 2006-07-20.

VoIP system and method for preventing data loss in the same

Номер патента: US7099274B2. Автор: Min Soo Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2006-08-29.

Browser and method for domain name resolution by the same

Номер патента: US20150244670A1. Автор: Binyan Dong,Huan Ren. Владелец: Qizhi Software Beijing Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-27.

Motor controller, active short circuit thereof, and method for controlling active short via the same

Номер патента: US20200295692A1. Автор: Yang Min,Wenjie Chen. Владелец: Sungrow Power Supply Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Display device and method for realizing holographic display by the same

Номер патента: US20190079451A1. Автор: Yuxin Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-14.

System and method to identify low performing parameters of the same content hosted on different platforms

Номер патента: US11810068B2. Автор: Mainak ROY,Rathi Babu. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2023-11-07.

Bus interconnection system and method for detecting bad routing by the same

Номер патента: US11734212B2. Автор: Yung-Hui YU. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Antenna system and method for reporting receiving power of the same

Номер патента: US9510293B2. Автор: Hongwei Yang,Yun Deng,Feng She. Владелец: Alcatel Lucent SAS. Дата публикации: 2016-11-29.

Voip device and method for processing dial strings by the same

Номер патента: US20080062967A1. Автор: Chien-Sheng Wu. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-13.

Antenna system and method for reporting receiving power of the same

Номер патента: EP2777335A1. Автор: Hongwei SH YANG,Feng She,Yun A DENG. Владелец: Alcatel Lucent SAS. Дата публикации: 2014-09-17.

Antenna system and method for reporting receiving power of the same

Номер патента: WO2013068838A1. Автор: Hongwei SH YANG,Feng She,Yun A DENG. Владелец: ALCATEL LUCENT. Дата публикации: 2013-05-16.

Sound signal processor and method for processing sound signal using the same

Номер патента: US20070127727A1. Автор: Hyun Jeong. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2007-06-07.

Media playback apparatus and method for providing multimedia content using the same

Номер патента: EP2168126A1. Автор: John Kim,Wonjang BAEK,Seong Baek Lee. Владелец: Dreamer. Дата публикации: 2010-03-31.

Passive Optical Network System and Method for Protecting the Services of the Same

Номер патента: US20070217788A1. Автор: Gang Zheng,Hai Gao. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-20.

Display device and method for inspecting signal lines of the same

Номер патента: US20190279544A1. Автор: Byoungsun Na,Donghee Shin,Soohong Cheon,Hyungjin Song,Yoomi RA. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-12.

Lighting device and method for adjusting light attribute of the same

Номер патента: CA3160081A1. Автор: Jie Gao,Jia Zhu,Kun Xiao,Yankun Gong,Pan Yao. Владелец: Savant Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-01.

Etchant, replenishment solution and method for producing copper wiring using the same

Номер патента: EP1500719A1. Автор: Kenji Toda,Yukari Morinaga,Takahiro Teshima,Ai Kuroda. Владелец: MEC Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-26.

Feedback device and method for providing thermal feedback using the same

Номер патента: US20240023897A1. Автор: Kyoungsoo YI,Ockkyun OH. Владелец: Tegway Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Feedback device and method for providing thermal feedback using the same

Номер патента: US11813089B2. Автор: Kyoungsoo YI,Ockkyun OH. Владелец: Tegway Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Optical fiber cable and system and method of distributing ultra high power using the same

Номер патента: AU2022210766A1. Автор: Edward McKenna,Gerald Leon WALLACE Jr.. Владелец: Macleon LLC. Дата публикации: 2023-09-07.

Wireless repeater apparatus and method for providing information service using the same

Номер патента: WO2008102941A1. Автор: Sung-Jun Baik. Владелец: Airpoint. Дата публикации: 2008-08-28.

Optical fiber cable and system and method of distributing ultra high power using the same

Номер патента: EP4281704A1. Автор: Edward McKenna,Gerald Leon WALLACE Jr.. Владелец: Macleon LLC. Дата публикации: 2023-11-29.

[scan device and a method for enhacing the life of the same]

Номер патента: US20040105130A1. Автор: Chin-Chung Lien. Владелец: Veutron Corp. Дата публикации: 2004-06-03.

Active monitoring headphone and a method for regularizing the inversion of the same

Номер патента: US10582325B2. Автор: Ville Pulkki,Aki Mäkivirta,Javier Gómez-Bolaños. Владелец: GENELEC OY. Дата публикации: 2020-03-03.

Reversible actuator, method for producing and device using the same

Номер патента: EP3620895A1. Автор: Jin Han Jeon,Yong Heng SO. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2020-03-11.

Six-wheel bogie with self-aligning axles

Номер патента: RU2278040C2. Автор: Вольфганг АУЕР. Владелец: БОМБАРДИР ТРАНСПОРТАЦИОН ГМБХ. Дата публикации: 2006-06-20.

Archery bow with self-aligning combination handgrip and forearm protector

Номер патента: CA1285190C. Автор: Emil Vyprachticky. Владелец: Individual. Дата публикации: 1991-06-25.

Motion board drive system with self alignment

Номер патента: US4771558A. Автор: William D. Roberts,Graham M. Stopford. Владелец: ESKRIDGE JOE JOHN. Дата публикации: 1988-09-20.

Structures and methods for forming SRAM cells with self-aligned contacts

Номер патента: TW200739886A. Автор: Haining S Yang,Robert C Wong. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2007-10-16.

Three terminal phase change memory with self-aligned contacts

Номер патента: US12108692B2. Автор: TIAN Shen,Jingyun Zhang,Heng Wu,Kevin W. Brew. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Apparatus and method for scheduling resource allocation of same

Номер патента: EP3861790A1. Автор: Huei-Ming Lin. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2021-08-11.

Apparatus and method for transmission power control of same

Номер патента: US12101723B2. Автор: Huei-Ming Lin. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Fabricating method for micro gas sensor and the same

Номер патента: WO2009084871A1. Автор: Seong Dong Kim,Kwang Bum Park,Min Ho Lee,Joon Shik Park. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2009-07-09.

Anti-Slide Sheath of Grip and Methods for Using and Fabricating the Same

Номер патента: US20220096904A1. Автор: Yicong Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-03-31.

Circuit board testing device with self aligning plates

Номер патента: US20110234248A1. Автор: Troy Fossum,David Kariniemi. Владелец: Circuit Check Inc. Дата публикации: 2011-09-29.

Circuit board testing device with self aligning plates

Номер патента: US8004300B2. Автор: Troy Fossum,David Kariniemi. Владелец: Circuit Check Inc. Дата публикации: 2011-08-23.

Circuit board testing device with self aligning plates

Номер патента: US20100019793A1. Автор: Troy Fossum,David Kariniemi. Владелец: Circuit Check Inc. Дата публикации: 2010-01-28.

Photoactivated blood products and methods and apparatus for fabrication and use of same

Номер патента: EP3976109A1. Автор: JR. Nicholas William MEDENDORP,Katelyn REIGHARD CRIZER. Владелец: Know Bio LLC. Дата публикации: 2022-04-06.

Vector for expressing nc protein of hiv and method for producing nc protein using the same

Номер патента: US20100047865A1. Автор: Ji Chang You. Владелец: AVIXGEN INC. Дата публикации: 2010-02-25.

PAL-18 polypeptides, nucleic acids encoding the same and methods for screening for or modulating the same

Номер патента: US20020106765A1. Автор: Michael Corey,Robert Kinders. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-08.

Scrub-resistant ink and methods and apparatus for fabrication and use thereof

Номер патента: US20220306879A1. Автор: Eric Stroud,Gary J. Pieringer. Владелец: VISCOT MEDICAL LLC. Дата публикации: 2022-09-29.

Scrub-resistant ink and methods and apparatus for fabrication and use thereof

Номер патента: US20200392356A1. Автор: Eric Stroud,Gary J. Pieringer. Владелец: VISCOT MEDICAL LLC. Дата публикации: 2020-12-17.

Color slide fastener and method and apparatus for fabricating the same

Номер патента: US20010007376A1. Автор: Young-Chul Kang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-12.

Welding base metal for recycling railway wheel and method for recycling railway wheel using the same

Номер патента: US12104220B2. Автор: Young Jin Lee. Владелец: Asiatech Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Optical disk apparatus and method for compensating recording power for the same

Номер патента: US20080112286A1. Автор: Hiroharu Sakai. Владелец: Hitachi LG Data Storage Inc. Дата публикации: 2008-05-15.

Apparatus for dispensing viscous fluid and method for dispensing viscous fluid with the same

Номер патента: EP4072741A1. Автор: Jing Li,Zhenzhong Li,Yutao Hu. Владелец: Tonsan Adhesive Inc. Дата публикации: 2022-10-19.

Natural lubricant for direct compression and method for preparing natural tablet using the same

Номер патента: US09827201B2. Автор: Sung Ki KIM,Jae Seok Shim,Sang Hyeon Kim. Владелец: CJ CHEILJEDANG CORP. Дата публикации: 2017-11-28.

Etalons and methods and systems for fabricating same

Номер патента: US9903759B2. Автор: Dar-Tson SHEN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-02-27.

Etalons and methods and systems for fabricating same

Номер патента: US20160273964A1. Автор: Dar-Tson SHEN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-22.

Microcontroller, electronic device, and method for encrypting transmission data using the same

Номер патента: US20240273240A1. Автор: Kuan-Lun Chiu. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

In-vehicle payment system and method for generating authorization information using the same

Номер патента: US20210162947A1. Автор: Sang Jun Lee,Ki Tag Yoo. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Burning apparatus and method for manufacturing reduced iron using the same

Номер патента: US09976806B2. Автор: Jong In Park,Min Kyu Wang,Sang Han Son,Byung Woon Hwang. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Bone-mounted dental arch veneers and methods for fabricating and utilizing the same

Номер патента: US11786346B2. Автор: Christopher C. Cosse,Mark Coreil. Владелец: Trion Concepts Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Bone-mounted dental arch veneers and methods for fabricating and utilizing the same

Номер патента: US20240041577A1. Автор: Christopher C. Cosse,Mark Coreil. Владелец: Trion Concepts Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Film forming device and method for forming metal film using the same

Номер патента: US20200190685A1. Автор: Hirofumi Iisaka. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Systems for electroencephalography and methods for use and manufacture of the same

Номер патента: WO2024011174A3. Автор: Giorgio Bonmassar. Владелец: The General Hospital Corporation. Дата публикации: 2024-06-27.

Synthetic Polymer Adhesives And Methods For Making, Using And Delivering The Same

Номер патента: US20110276088A1. Автор: Brian Thomas,Donald Yakimicki. Владелец: Zimmer Inc. Дата публикации: 2011-11-10.

Road wheel composition and method for manufacturing road wheel using the same

Номер патента: US20040041458A1. Автор: Chirl Shin. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2004-03-04.

Distance measuring device and method for measuring distance by using the same

Номер патента: US20220113414A1. Автор: Inoh HWANG,Jisan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-14.

Road wheel composition and method for manufacturing road wheel using the same

Номер патента: US6872264B2. Автор: Chirl Soo Shin. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2005-03-29.

Manifolds for a medical waste collection assembly and methods of collecting a tissue sample with the same

Номер патента: US11759563B2. Автор: Michael ZOLLINGER,Michael Peterson. Владелец: Stryker Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Plum extract and method for improving physical function with the same

Номер патента: US20220273749A1. Автор: Yung-Hsiang Lin,Wei-Chun Lee. Владелец: TCI Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Material for high carburizing steel and method for producing a gear using the same

Номер патента: US09945004B2. Автор: Jae Hong Park,Jung Ho Shin,Woon Jae Lee. Владелец: Seah Besteel Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Variable ICE and methods for measuring sample properties with the same

Номер патента: US09683932B2. Автор: Li Gao,Michael T. Pelletier,David L. Perkins. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Fusion protein containing a single-stranded dna binding protein and methods for expression and purification of the same

Номер патента: US20110237777A1. Автор: Daochun Kong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-29.

Phospholipid derivatives of dha and methods for treating respiratory failure using the same

Номер патента: US20080160066A1. Автор: Gerard Pieroni,Thierry Coste. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-03.

Aerosol pressurized inhalation delivery device and methods for manufacture and use of the same

Номер патента: US12016401B2. Автор: Robert L. Senter,Robert E. Matuszewski. Владелец: Air 2 LLC. Дата публикации: 2024-06-25.

Fusion protein containing a single-stranded dna binding protein and methods for expression and purification of the same

Номер патента: US20140235823A1. Автор: Daochun Kong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-08-21.

Sustained release pheromone preparation and method for controlling insect pest using the same

Номер патента: EP3888460A1. Автор: Ryuichi Saguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-06.

Contents index structure, and method and apparatus for demanding contents using the same

Номер патента: WO2005117017A1. Автор: Soon-Hyun Kwon,Dong-Hoon Shin,Jin-hyuk Choi,Il-Ku Kang. Владелец: Bizkiz Corp.. Дата публикации: 2005-12-08.

Contents index structure, and method and apparatus for demanding contents using the same

Номер патента: EP1754226A4. Автор: Soon-Hyun Kwon,Dong-Hoon Shin,Jin-hyuk Choi,Il-Ku Kang. Владелец: Bizkiz Corp. Дата публикации: 2009-01-21.

A dice game kit and method of playing a dice game using the same

Номер патента: WO2014176412A2. Автор: Wilma D. MIZANOSKI. Владелец: Commercial Technology LLC. Дата публикации: 2014-10-30.

Aerosol pressurized delivery device and methods for manufacture and use of the same

Номер патента: US12108809B1. Автор: Robert L. Senter,Robert E. Matuszewski. Владелец: Air 2 LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

A dice game kit and method of playing a dice game using the same

Номер патента: WO2014176412A9. Автор: Wilma D. MIZANOSKI. Владелец: Commercial Technology LLC. Дата публикации: 2014-12-18.

Catalyst and method for synthesizing cyclic carbonate by the same

Номер патента: US09839906B1. Автор: Kuo-Chen Shih,Mao-Lin Hsueh,yi-zhen Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-12-12.

Camp receptor protein variant and method of producing l-amino acid using the same

Номер патента: CA3070377C. Автор: Ji Sun Lee,Ki Yong Cheong,Seok Myung Lee,Chang Ii Seo. Владелец: CJ CHEILJEDANG CORP. Дата публикации: 2023-09-19.

Mask blank and method of fabricating phase shift mask from the same

Номер патента: US20030194620A1. Автор: Yong-Hoon Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-16.

Bellows core and method and apparatus for fabrication thereof

Номер патента: US4924756A. Автор: Amitava Datta,Donald N. Berube. Владелец: EG&G Sealol Inc. Дата публикации: 1990-05-15.

Lamp and method and apparatus for fabricating lamp

Номер патента: US7575495B2. Автор: Kazuhiro Yamazaki,Fujihiko Sugiyama,Chiharu Matsunaga,Masahiro Enoki. Владелец: Koito Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-18.

Dynamic nanophotonic filter and method for tuning and fabricating the same

Номер патента: US20230341713A1. Автор: Liping Wang,Jeremy Chao,Sydney Taylor. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2023-10-26.

Aziridinyl containing compounds and methods of inactivating nucleic acid molecules using the same

Номер патента: US20190106386A1. Автор: David R. Tabatadze. Владелец: ZATA PHARMACEUTICALS Inc. Дата публикации: 2019-04-11.

Bonded Plate for Sink Bowl and Method of Forming the Sink Bowl Using the Same Through Pressing

Номер патента: US20080299387A1. Автор: Bong-Jun Lee,Hae-sik Lee. Владелец: HAEWON MSC Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Phase error compensation device and method of radar, and radar device including the same

Номер патента: US20240319334A1. Автор: Jung Hwan Choi,Jingu LEE. Владелец: HL Klemove Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Free air dilution smoke filter and method and apparatus for fabricating same

Номер патента: CA1182712A. Автор: Richard M. Berger. Владелец: American Filtrona Corp. Дата публикации: 1985-02-19.

Wiper blade, jig for heat treating wiper frame of wiper blade and method for machining wiper frame using the same

Номер патента: CA2569175C. Автор: In Kyu Kim. Владелец: ADM21 Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-13.

Vector for expressing NC protein of HIV and method for producing NC protein using the same

Номер патента: US9738905B2. Автор: Ji Chang You. Владелец: AVIXGEN INC. Дата публикации: 2017-08-22.

Systems, compositions and methods of determining viability of embryos using the same

Номер патента: EP4228674A1. Автор: Timothy J. Barder,Nicholas Dainiak,Etyan R. BARNEA. Владелец: BioIncept LLC. Дата публикации: 2023-08-23.

Recording medium, and method and apparatus for recording data in the same

Номер патента: US7602689B2. Автор: Sung Wan Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2009-10-13.

Method for building map data for probing tester, and method for testing semiconductor chip using the same

Номер патента: WO2008078882A1. Автор: Dong Il Kim,Kyeong Yong Kang. Владелец: Secron Co., Ltd.. Дата публикации: 2008-07-03.

Welding base metal for recycling railway wheel and method for recycling railway wheel using the same

Номер патента: US20230272501A1. Автор: Young Jin Lee. Владелец: Asiatech Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Smart thermometer and method for measuring body temperature using the same

Номер патента: US11931129B2. Автор: Byung Kyu Lee. Владелец: Littleone Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Eco-friendly vehicle and method of supporting audio input/output for the same

Номер патента: US11904836B2. Автор: Jin Kyeom Cho. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Domestic porridge making appliance and method for making porridge by using the same

Номер патента: US20050072310A1. Автор: Hong-Bae Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-07.

Phenolic chelate resin, process for producing the same, and method of recovering heavy metal ions with the same

Номер патента: CA1173995A. Автор: Akio Sasaki,Yoshiaki Echigo. Владелец: Unitika Ltd. Дата публикации: 1984-09-04.

Mobile terminal and method for forming human network using the same

Номер патента: EP2355006A3. Автор: Hyeong-baek JEON. Владелец: PANTECH CO LTD. Дата публикации: 2014-03-26.

Atp phosphoribosyltransferase variant and method for producing l-histidine using the same

Номер патента: CA3071280C. Автор: Jin Nam Lee,Nara Kwon,Myung Keun Park. Владелец: CJ CHEILJEDANG CORP. Дата публикации: 2022-05-31.

Camp receptor protein variant and method of producing l-amino acid using the same

Номер патента: CA3087627C. Автор: Ji Sun Lee,Chang Il Seo,Ki Yong Cheong,Seok Myung Lee. Владелец: CJ CHEILJEDANG CORP. Дата публикации: 2023-10-31.

Positive photosensitive resin composition and method for forming patterns by using the same

Номер патента: US20120287393A1. Автор: Chi-Ming Liu,Chun-An Shih. Владелец: Chi Mei Corp. Дата публикации: 2012-11-15.

Microfluidic apparatus and method for separating target cells using the same

Номер патента: US11772094B2. Автор: Min Seok Kim. Владелец: DAEGU GYEONGBUK INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-10-03.

Electrochemical test strip and method for testing a sample using the same

Номер патента: US20130180869A1. Автор: Cheng-Chuan Chen,Hung-Yun LIAO,Chi-Yan CHEN. Владелец: Delbio Inc. Дата публикации: 2013-07-18.

Data storage apparatus and method for preventing data error using the same

Номер патента: US20190325981A1. Автор: Yu-Hsuan Cheng. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Liquid crystal display and method for repairing alignment layer using the same

Номер патента: US9335571B2. Автор: Taek Joon Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-10.

Glass former composition and method for immobilizing nuclear waste using the same

Номер патента: US4759879A. Автор: Laurence H. Cadoff,David B. Smith-Magowan. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 1988-07-26.

Mask plate and method for detecting exposure defects using the same

Номер патента: US20140377691A1. Автор: Jian Guo,Dawei Shi. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-25.

Systems for electroencephalography and methods for use and manufacture of the same

Номер патента: WO2024011174A2. Автор: Giorgio Bonmassar. Владелец: The General Hospital Corporation. Дата публикации: 2024-01-11.

Torque pattern adjustment apparatus and method for adjusting torque pattern using the same

Номер патента: US11844740B2. Автор: Byung-Kwon Choi,Keehong SEO,Bokman LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-19.

Variable ice and methods for measuring sample properties with the same

Номер патента: WO2015038131A2. Автор: Li Gao,Michael T. Pelletier,David L. Perkins. Владелец: Halliburton Energy Services Inc.. Дата публикации: 2015-03-19.

Wound healing agents, methods for use and manufacture of the same

Номер патента: US20240082314A1. Автор: Eric Lewis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-03-14.

Camp Receptor Protein Variant and Method of Producing L-Amino Acid using the same

Номер патента: MY200992A. Автор: Yong Cheong Ki,Sun Lee Ji,Ii Seo Chang,Myung Lee Seok. Владелец: CJ CHEILJEDANG CORP. Дата публикации: 2024-01-29.

Method for producing gallium precursor and method for producing laminated body using the same

Номер патента: US20240102159A1. Автор: Hiroshi Hashigami. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Pressure mapping apparatus and method of cleaning glass substrate by using the same

Номер патента: WO2019018663A1. Автор: Sung-Ha Park,Sangmo KIM,Jun-Uk PARK,Young-Choon SONG. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2019-01-24.

Variable ice and methods for measuring sample properties with the same

Номер патента: WO2015038131A9. Автор: Li Gao,Michael T. Pelletier,David L. Perkins. Владелец: Halliburton Energy Services Inc.. Дата публикации: 2016-03-03.

Red rice ferment, preparation method thereof and method for improving skin condition with the same

Номер патента: US20230085603A1. Автор: Yung-Hsiang Lin,Margaret Lai. Владелец: TCI Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-16.

Memory array device and method for reducing read current of the same

Номер патента: US20140085986A1. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Cutting apparatus and method for chamfering film stack using the same

Номер патента: US20220072632A1. Автор: Young Tae Kim,Seul Ki Park,Yu Shik Hong,Bum Seung LIM,Do Weon YANG. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Moving robot system and method for generating boundary information of the same

Номер патента: US11914392B2. Автор: Jeongwoo JU,Minkuk JUNG. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-02-27.

Variable ICE and Methods for Measuring Sample Properties with the Same

Номер патента: US20160209323A1. Автор: Li Gao,Michael T. Pelletier,David L. Perkins. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2016-07-21.

Aerosol pressurized inhalation delivery device and methods for manufacture and use of the same

Номер патента: US20230329354A1. Автор: Robert L. Senter,Robert E. Matuszewski. Владелец: Air 2 LLC. Дата публикации: 2023-10-19.

Line array sonar and method for detecting target bearing of the same

Номер патента: WO2012133996A1. Автор: Joung Soo Park,Young Nam Na,Jee Woong Choi. Владелец: AGENCY FOR DEFENSE DEVELOPMENT. Дата публикации: 2012-10-04.

Electronic device, and method and computer program product for controlling the same

Номер патента: US20220269799A1. Автор: Yi-Chih Chan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-08-25.

System and methods for obtaining advantages and transacting the same

Номер патента: WO2001098991A1. Автор: Shawn D. Cartwright. Владелец: Cartwright Shawn D. Дата публикации: 2001-12-27.

Aziridinyl containing compounds and methods of inactivating nucleic acid molecules using the same

Номер патента: US20160289182A1. Автор: David R. Tabatadze. Владелец: ZATA PHARMACEUTICALS Inc. Дата публикации: 2016-10-06.

Variable ice and methods for measuring sample properties with the same

Номер патента: EP3011311A2. Автор: Li Gao,Michael T. Pelletier,David L. Perkins. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2016-04-27.

Film forming device and method for forming metal film using the same

Номер патента: EP3680367A2. Автор: Hirofumi Iisaka. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2020-07-15.

System and methods for obtaining advantages and transacting the same

Номер патента: EP1307839A1. Автор: Shawn D. Cartwright. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-07.

Display device and method for restoring deterioration data of the same

Номер патента: US20220059051A1. Автор: Sang Myeon Han,Byoung Kwan AN,Joon Hyeok JEON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

Novel promoter and method for producing purine nucleotide using the same

Номер патента: MY201125A. Автор: So-Jung Park,Ji Hye Lee,Min Ji Baek,Jee Yeon BAE. Владелец: CJ CHEILJEDANG CORP. Дата публикации: 2024-02-06.

Systems for electroencephalography and methods for use and manufacture of the same

Номер патента: WO2024011174A9. Автор: Giorgio Bonmassar. Владелец: The General Hospital Corporation. Дата публикации: 2024-05-23.

Auto jig trimmer and method of manufacturing pattern frame by using the same

Номер патента: WO2007024081A1. Автор: Hyoungjoon Seo. Владелец: Hyoungjoon Seo. Дата публикации: 2007-03-01.

Optical disk apparatus method for compensating recording power for the same

Номер патента: US7733748B2. Автор: Hiroharu Sakai. Владелец: Hitachi LG Data Storage Inc. Дата публикации: 2010-06-08.

Glass forming body and method of making a glass article using the same

Номер патента: EP4217321A1. Автор: Olus Naili Boratav. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2023-08-02.

Separation media and purification methods for carbohydrate containing molecules using the same

Номер патента: US20240190912A1. Автор: Jinxiang Zhou,Graham TEMPLES,Daniel Henn. Владелец: Donaldson Co Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Electrophotographic method for producing multiple copies from the same electrostatic image

Номер патента: CA1058272A. Автор: Robert A. Moore,Edward F. Mayer. Владелец: Itek Corp. Дата публикации: 1979-07-10.

Information storage medium and method and system for recording data on the same

Номер патента: CA2533651C. Автор: Kyung-geun Lee,Wook-Yeon Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-02-07.

Electrophotographic method for producing multiple copies from the same electrostatic image

Номер патента: US3961951A. Автор: Robert A. Moore,Edward F. Mayer. Владелец: Itek Corp. Дата публикации: 1976-06-08.

Data processing method for robot and robot with the same

Номер патента: US20190196490A1. Автор: Youjun Xiong,Caixia Li,Jiawen Hu,Gaobo Huang. Владелец: Ubtech Robotics Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Data processing method for robot and robot with the same

Номер патента: US10671080B2. Автор: Youjun Xiong,Caixia Li,Jiawen Hu,Gaobo Huang. Владелец: Ubtech Robotics Corp. Дата публикации: 2020-06-02.

Systems, compositions and methods of determining viability of embryos using the same

Номер патента: US20230400471A1. Автор: Timothy J. Barder,Eytan R. Barnea,Nicholas Dainiak. Владелец: BioIncept LLC. Дата публикации: 2023-12-14.

Apparatus and methods for monitoring self-aligned contact arrays

Номер патента: WO2003003375A3. Автор: Sanjay Tandon,Kurt H Weiner,Peter D Nunan. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2003-08-21.

Apparatus and methods for monitoring self-aligned contact arrays

Номер патента: WO2003003375A2. Автор: Kurt H. Weiner,Peter D. Nunan,Sanjay Tandon. Владелец: KLA-TENCOR CORPORATION. Дата публикации: 2003-01-09.

Gyratory crusher with self-aligning mainshaft features and method of assembly thereof

Номер патента: US20240299947A1. Автор: Stephen Richard HARRIS,William George Malone. Владелец: FLSmidth AS. Дата публикации: 2024-09-12.

Systems and methods for designing and fabricating mass-customized products

Номер патента: US20240057696A1. Автор: Huafeng Wen,Ashley Wen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-02-22.

Optical coupling module with self-aligned etched grooves and method for fabricating the same

Номер патента: KR100439088B1. Автор: 김번중,권영세. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2004-07-05.

Press with self aligning tooling

Номер патента: WO1989002845A1. Автор: Dean W. Martin. Владелец: CATERPILLAR INC.. Дата публикации: 1989-04-06.

Fiber optic connector microlens with self-aligning optical fiber cavity

Номер патента: US20110286698A1. Автор: Subhash Roy,Igor Zhovnirovsky,Reid Greenberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-24.

Reducing streaming ASR model delay with self alignment

Номер патента: US12057124B2. Автор: Han Lu,Anshuman Tripathi,Qian Zhang,JaeYoung Kim,Hasim Sak. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Reducing Streaming ASR Model Delay With Self Alignment

Номер патента: US20240371379A1. Автор: Han Lu,Anshuman Tripathi,Qian Zhang,JaeYoung Kim,Hasim Sak. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-11-07.

Fluid thrust assembly with self-aligning thrust bearings

Номер патента: CA2460475C. Автор: George A. Thomson,Keith Laskey. Владелец: Thordon Bearings Inc. Дата публикации: 2006-12-19.

Gyratory crusher with self-aligning mainshaft features and method of assembly thereof

Номер патента: US11850600B2. Автор: Stephen Richard HARRIS,William George Malone. Владелец: FLSmidth AS. Дата публикации: 2023-12-26.

Gyratory crusher with self-aligning mainshaft features and method of assembly thereof

Номер патента: US20230330681A1. Автор: Stephen Richard HARRIS,William George Malone. Владелец: FLSmidth AS. Дата публикации: 2023-10-19.

Gyratory crusher with self-aligning mainshaft features and method of assembly thereof

Номер патента: EP4210873A1. Автор: Stephen Richard HARRIS,William George Malone. Владелец: FLSmidth AS. Дата публикации: 2023-07-19.

Gyratory crusher with self-aligning mainshaft features and method of assembly thereof

Номер патента: AU2021339095B2. Автор: Stephen Richard HARRIS,William George Malone. Владелец: FLSmidth AS. Дата публикации: 2024-05-23.

Ophthalmic device with self alignment for operator-less operation

Номер патента: WO2024063996A1. Автор: Supriyo Sinha,Dimitri Azar. Владелец: Twenty Twenty Therapeutics LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

400g silicon photonic package with self-aligned fiber

Номер патента: US20240280766A1. Автор: Mark Tieu Ming Seng. Владелец: Shunyun Technology Zhongshan Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Container with self aligning magnetic sleeve

Номер патента: US20210261287A1. Автор: Sean Miller,Michael Mchale,Stephan WEMBACHER,Atman BUCH,Sophie LEFBVRE. Владелец: Weltraum GmbH. Дата публикации: 2021-08-26.

Container with self aligning magnetic sleeve

Номер патента: CA3073668A1. Автор: Sean Miller,Michael Mchale,Sophie Lefebvre,Stephan WEMBACHER,Atman BUCH. Владелец: Cosmo International Ltd. Дата публикации: 2021-08-24.

Glycosyltransferase variant, and method of preparing steviol glycosides using same

Номер патента: EP4455278A1. Автор: Jeongmin Kim,Eunsoo Choi,Junho Moon,Hyeokjin KO. Владелец: Samyang Corp. Дата публикации: 2024-10-30.

Method of fabricating carbon nanotube field emission display with self-aligned gate-emitter structure

Номер патента: KR100780286B1. Автор: 권상직. Владелец: 경원대학교 산학협력단. Дата публикации: 2007-11-28.

Method for Fabricating a Micromirror with Self-Aligned Actuators

Номер патента: US20110062110A1. Автор: Karthik Kumar,Xiaojing Zhang. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2011-03-17.

Reducing streaming asr model delay with self alignment

Номер патента: WO2022203735A1. Автор: Han Lu,Anshuman Tripathi,Qian Zhang,JaeYoung Kim,Hasim Sak. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2022-09-29.

Reducing streaming asr model delay with self alignment

Номер патента: EP4295356A1. Автор: Han Lu,Anshuman Tripathi,Qian Zhang,JaeYoung Kim,Hasim Sak. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-12-27.

Carton unloader with self-aligning interface

Номер патента: US20180257878A1. Автор: Michael L. Girtman,John Simons,Nathan Blough,Dean Roper,Steven W. GRIGGS. Владелец: INTELLIGRATED HEADQUARTERS LLC. Дата публикации: 2018-09-13.

Electrophotosensitive material, production method of the same and method for inspecting an intermediary of the same

Номер патента: US20030039907A1. Автор: Maki Uchida. Владелец: Kyocera Mita Corp. Дата публикации: 2003-02-27.

Travel information service system and method for providing travel information of the same system

Номер патента: EP2108176A1. Автор: Joonghie Won. Владелец: Thinkware Systems Corp. Дата публикации: 2009-10-14.

A peptide, a complex and a method for treating cancer

Номер патента: EP3886889A1. Автор: Aaron Ciechanover,Gilad GOLDHIRSH,Yelena KRAVTSOVA. Владелец: Technion Research and Development Foundation Ltd. Дата публикации: 2021-10-06.

Composition and imaging methods for pharmacokinetic and pharmacodynamic evaluation of therapeutic delivery system

Номер патента: WO2003059153A3. Автор: Dennis E Hallahan. Владелец: Dennis E Hallahan. Дата публикации: 2004-04-08.

Gyratory crusher with self-aligning mainshaft features and method of assembly thereof

Номер патента: EP4210873B1. Автор: Stephen Richard HARRIS,William George Malone. Владелец: FLSmidth AS. Дата публикации: 2024-10-02.

Altitude fuel limiter for engine and method of using the same

Номер патента: US09765708B2. Автор: David L. Kulp. Владелец: AVL Powertrain Engineering Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Self-aligned gate mesfet and the method of fabricating same

Номер патента: WO1985000077A1. Автор: Robert E. Lee,Harold M. Levy. Владелец: Hughes Aircraft Company. Дата публикации: 1985-01-03.

TISSUE MARKINGS AND METHODS FOR REVERSIBLY MARKING TISSUE EMPLOYING THE SAME

Номер патента: US20120003301A1. Автор: Agrawal Satish,Boggs Roger. Владелец: PERFORMANCE INDICATOR LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Stabilized nucleic acid compositions and methods for preparing, storing and using the same

Номер патента: WO2024193827A1. Автор: Heinrich Haas,Kaushik THANKI,Sukrut SOMANI. Владелец: BioNTech SE. Дата публикации: 2024-09-26.

Stabilized nucleic acid compositions and methods for preparing, storing and using the same

Номер патента: WO2024194454A1. Автор: Heinrich Haas,Kaushik THANKI,Sukrut SOMANI. Владелец: BioNTech SE. Дата публикации: 2024-09-26.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

VERTICAL CHANNEL TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED GATE ELECTRODE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130320433A1. Автор: CHO Heung-Jae,HWANG Eui-Seong,PARK Eun-Shil. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Flash memory with self-aligned split gate and methods for fabricating and for operating the same

Номер патента: TW544871B. Автор: Chih-Wei Hung,Cheng-Yuan Hsu. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2003-08-01.

Method for fabricating mask ROM with self-aligned coding

Номер патента: TW550760B. Автор: Ta-Hung Yang,Chun-Yi Yang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-01.

GRAPHENE TRANSISTORS WITH SELF-ALIGNED GATES

Номер патента: US20130299782A1. Автор: Afzali-Ardakani Ali,Zhu Yu,Farmer Damon B.,Lin Yu-Ming,AVOURIS PHAEDON. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-11-14.

GRAPHENE TRANSISTORS WITH SELF-ALIGNED GATES

Номер патента: US20130302963A1. Автор: Afzali-Ardakani Ali,Zhu Yu,Farmer Damon B.,Lin Yu-Ming,AVOURIS PHAEDON. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-11-14.

Compound Semiconductor Transistor with Self Aligned Gate

Номер патента: US20130320350A1. Автор: Curatola Gilberto,Häberlen Oliver. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-12-05.

METHOD AND SYSTEM FOR A GAN VERTICAL JFET WITH SELF-ALIGNED GATE METALLIZATION

Номер патента: US20130299873A1. Автор: NIE Hui,DISNEY Donald R.,Brown Richard J.. Владелец: AVOGY, INC.. Дата публикации: 2013-11-14.

Field effect transistor with self-aligned T-type gate

Номер патента: TW402749B. Автор: Hung-Jr Lin,Diau-Yuan Huang. Владелец: Shr Min. Дата публикации: 2000-08-21.

The producing method for SRAM with self-aligned contact

Номер патента: TW333700B. Автор: Jong-Jyh Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-11.

Manufacturing method of field effect transistor with self-aligned silicide

Номер патента: TW320750B. Автор: Shuenn-Liang Sheu,Taw-Jye Tsay. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 1997-11-21.

Thin film transistor with self-aligned offset structure

Номер патента: TW410482B. Автор: Ching-Nan Yang,Jia-Cheng Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2000-11-01.

PRINTED TFT AND TFT ARRAY WITH SELF-ALIGNED GATE

Номер патента: US20120037992A1. Автор: Street Robert A.. Владелец: PALO ALTO RESEARCH CENTER INCORPORATED. Дата публикации: 2012-02-16.