VERTICAL CHANNEL TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED GATE ELECTRODE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
Номер патента: US20150031180A1
Опубликовано: 29-01-2015
Автор(ы): CHO Heung-Jae, HWANG Eui-Seong, PARK Eun-Shil
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 29-01-2015
Автор(ы): CHO Heung-Jae, HWANG Eui-Seong, PARK Eun-Shil
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of forming vertical field effect transistors with self-aligned gates and gate extensions and the resulting structure
Номер патента: US20190088767A1. Автор: Hui Zang,Ruilong Xie,Lars Liebmann,Steven Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-03-21.