高周波用半導体装置の製造方法
Номер патента: JPS6030174A
Опубликовано: 15-02-1985
Автор(ы): Takayoshi Uchiumi, Tatsuro Mitani, Yutaka Tomizawa, 三谷 達郎, 内海 崇善, 富澤 豊
Принадлежит: Toshiba Corp
Опубликовано: 15-02-1985
Автор(ы): Takayoshi Uchiumi, Tatsuro Mitani, Yutaka Tomizawa, 三谷 達郎, 内海 崇善, 富澤 豊
Принадлежит: Toshiba Corp
Реферат: (57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた め要約のデータは記録されません。
High-frequency semiconductor device
Номер патента: US6577200B2. Автор: Takao Moriwaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-06-10.