Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Parallel capacitor and high frequency semiconductor device

Parallel capacitor and high frequency semiconductor device

Номер патента: US09576737B2
Опубликовано: 21-02-2017
Автор(ы): Kazutaka Takagi
Принадлежит: Toshiba Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device with capacitor and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20030067053A1. Автор: Katsunobu Hori,Kenichiro Shiozawa,Moriaki Akazawa,Takeshi Matsunuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-04-10.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20020180053A1. Автор: Hirokazu Ejiri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20240258308A1. Автор: Kyu Jin Choi,Seong Min MA,Kyu Chan SHIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20240282768A1. Автор: Kyu Jin Choi,Seong Min MA,Kyu Chan SHIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Capacitor and method for fabricating the same, and semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20120302033A1. Автор: Makoto Yasuda,Yoshihiro Matsuoka,Akiyoshi Watanabe. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Capacitor and method for fabricationg the same, and semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20110037110A1. Автор: Makoto Yasuda,Yoshihiro Matsuoka,Akiyoshi Watanabe. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-02-17.

Semiconductor device

Номер патента: US11949411B2. Автор: Hitoshi Kurusu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09978774B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Satoru Okamoto,Yuta Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20020047204A1. Автор: Hiroshi Hayashizaki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-04-25.

High-frequency semiconductor device

Номер патента: US11855601B2. Автор: Shinsuke Watanabe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

HIGH VOLTAGE, HIGH FREQUENCY ESD PROTECTION CIRCUIT FOR RF ICs

Номер патента: WO2011091064A1. Автор: Eugene R. Worley,Byungwook Min,Der-Woei Wu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-07-28.

High frequency semiconductor amplifier

Номер патента: US11979117B2. Автор: Yoshinobu Sasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor devices, methods of manufacture thereof, and capacitors

Номер патента: US09899467B2. Автор: Wen-Chih Chiou,Shin-puu Jeng,Ebin Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09881917B2. Автор: Chien-Hua Chen,Sheng-chi Hsieh,Teck-Chong Lee,Hsu-Chiang Shih. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180158816A1. Автор: Satoshi Kura,Keiji Sakamoto,Taichi Iwasaki,Mitsuo Nissa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-07.

Semiconductor device, lower layer wiring designing device, method of designing lower layer wiring and computer program

Номер патента: US20100301451A1. Автор: Takayuki Iwaki. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-12-02.

Semiconductor device with an upper surface of a substrate at different levels and method of manufacturing the same

Номер патента: US09917083B2. Автор: Satoshi Kura,Keiji Sakamoto,Taichi Iwasaki,Mitsuo Nissa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

High frequency semiconductor device

Номер патента: US09712142B2. Автор: Kazutaka Takagi,Tomohito Oomori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Varactor shunt switches with parallel capacitor architecture

Номер патента: US20130342289A1. Автор: Guru Subramanyam. Владелец: University of Dayton. Дата публикации: 2013-12-26.

High frequency semiconductor device and producing the same

Номер патента: WO2004036650A1. Автор: Choong-Mo Nam. Владелец: Telephus Inc.. Дата публикации: 2004-04-29.

High frequency equalizer using a demultiplexing technique and related semiconductor device

Номер патента: US6983010B1. Автор: Soo-In Cho,Jung-Bae Lee,Hong-Joon Park,Jae-Yoon Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-01-03.

High frequency semiconductor device

Номер патента: US20150280697A1. Автор: Kazutaka Takagi,Tomohito Oomori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Semiconductor device

Номер патента: US8134206B2. Автор: Xingbi Chen. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2012-03-13.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20200194590A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yuta Endo,Yoko Tsukamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20180331229A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yuta Endo,Yoko Tsukamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20160284858A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yuta Endo,Yoko Tsukamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20180090618A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yuta Endo,Yoko Tsukamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20230093689A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yuta Endo,Yoko Tsukamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor device formed on high-resistance substrate

Номер патента: US8154083B2. Автор: Young Jin Park. Владелец: PETARI Inc. Дата публикации: 2012-04-10.

Active device and high voltage-semiconductor device with the same

Номер патента: US20160190270A1. Автор: Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09837546B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yuta Endo,Yoko Tsukamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Active device and high voltage-semiconductor device with the same

Номер патента: US09385203B1. Автор: Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110175194A1. Автор: Young Jin Park. Владелец: PETARI Inc. Дата публикации: 2011-07-21.

Semiconductor device, semiconductor module, and wireless communication apparatus

Номер патента: US20240322028A1. Автор: Katsuji Matsumoto,Naoki Kakoiyama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor Device And Method Of Manufacturing Such A Device

Номер патента: US20080169527A1. Автор: Wibo Daniel Van Noort. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-07-17.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: US7659600B2. Автор: Wibo Daniel Van Noort. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-02-09.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US10903201B2. Автор: Xin Gui ZHANG,Yao QI DONG. Владелец: SMIC Advanced Technology R&D Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-01-26.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190206853A1. Автор: Xin Gui ZHANG,Yao QI DONG. Владелец: SMIC Advanced Technology R&D Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Semiconductor device and method for driving semiconductor device

Номер патента: US20240321205A1. Автор: Takanori Matsuzaki,Susumu Kawashima,Yutaka Okazaki,Yuki Okamoto,Hidetomo Kobayashi,Munehiro KOZUMA,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor Device and Method for Adjusting Characteristics Thereof

Номер патента: US20090108955A1. Автор: Tsuneo Ito,Kanji Otsuka,Fumio Mizuno,Yutaka Akiyama,Saburo Yokokura,Yuko Tanba,Munekazu Takano. Владелец: Tama-Tlo Ltd. Дата публикации: 2009-04-30.

Semiconductor device and method for adjusting characteristics thereof

Номер патента: US7804111B2. Автор: Tsuneo Ito,Kanji Otsuka,Fumio Mizuno,Yutaka Akiyama,Saburo Yokokura,Yuko Tanba,Munekazu Takano. Владелец: Tama-Tlo Corp. Дата публикации: 2010-09-28.

Semiconductor device

Номер патента: US11527526B2. Автор: Xin Gui ZHANG,Yao QI DONG. Владелец: SMIC Advanced Technology R&D Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-12-13.

Semiconductor device and integrated circuit

Номер патента: US09991171B1. Автор: Zhi-Biao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20050012178A1. Автор: Akinao Kitahara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Semiconductor device

Номер патента: US09704868B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Capacitor and method for fabricating the same and semiconductor device

Номер патента: US20030184950A1. Автор: Shunji Nakamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-10-02.

Capacitor and manufacturing method thereof, and semiconductor device

Номер патента: US20230170382A1. Автор: Weiping BAI,Xingsong SU,Mengkang YU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170373146A1. Автор: Kiyoshi Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Semiconductor device with well resistor and alternated insulating and active regions between input and output terminals

Номер патента: US09786738B2. Автор: Kiyoshi Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor devices including capacitor and methods of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20230084276A1. Автор: Hyunsuk Lee,Gihee CHO,Sangyeol KANG,Jungoo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Capacitor and method of forming a capacitor

Номер патента: US09881991B2. Автор: Markus Meyer,Wolfgang Lehnert,Michael Stadtmueller,Stefan Pompl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-30.

Capacitor and method for fabricating the same, and semiconductor device

Номер патента: KR100509851B1. Автор: 구라사와마사키,구리하라가즈아키,마루야마겐지. Владелец: 후지쯔 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2005-08-23.

High frequency semiconductor device

Номер патента: US20060187977A1. Автор: Yoshihiro Notani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2006-08-24.

High-frequency semiconductor device with protection device

Номер патента: US5719428A. Автор: Wilhelmus G. Voncken,Louis Praamsma. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1998-02-17.

High-frequency semiconductor amplifier

Номер патента: US09985584B2. Автор: Kazutaka Takagi,Yukio Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

High-frequency semiconductor amplifier

Номер патента: US09935581B2. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

High-frequency semiconductor amplifier

Номер патента: US09929693B2. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

High frequency semiconductor integrated circuit capable of switching between characteristics

Номер патента: US20020186089A1. Автор: Ko Kanaya,Shin Chaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-12.

Compact combiner for semiconductor devices operating in the ultra-high frequency range

Номер патента: US4839712A. Автор: Alain Bert,Narquise Mamodaly. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1989-06-13.

High frequency semiconductor amplifier

Номер патента: US09947628B2. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

High-frequency power transistor and high-frequency power amplifier

Номер патента: US11984413B2. Автор: Olof Bengtsson,Sophie Paul,Tobias Kuremyr. Владелец: Ferdinand Braun Institut GgmbH Leibniz Institut fuer Hoechstfrequenztechnik. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device and method for producing the same, power supply device, and high-frequency amplifier

Номер патента: US09755061B2. Автор: Naoya Okamoto,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Miniature passive structures, high frequency electrostatic discharge protection networks, and high frequency electrostatic discharge protection schemes

Номер патента: US09496253B2. Автор: Keping Wang,Kiat Seng Yeo,Kai Xue Ma. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device

Номер патента: US09972588B2. Автор: Katsuya Kato. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Compound semiconductor device, method for producing the same, power-supply unit, and high-frequency amplifier

Номер патента: US09831310B2. Автор: Norikazu Nakamura,Junji Kotani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

High frequency module device and method for its preparation

Номер патента: EP1189345A3. Автор: Akihiko c/o Sony Corporation Okubora,Tsuyoshi c/o SONY CORPORATION Ogawa,Hirokazu c/o Sony Corporation Nakayama,Yoichi c/o Sony Corporation Oya. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-11-10.

High frequency semiconductor amplifier

Номер патента: US20170373652A1. Автор: Osamu Moriya,Tomohiro SENJU. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Wireless communication unit and semiconductor device having a power amplifier therefor

Номер патента: US20110031571A1. Автор: Gerard Bouisse. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-02-10.

Radio frequency semiconductor structure

Номер патента: WO2002099885A1. Автор: Clinton C. Powell. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2002-12-12.

High frequency semiconductor amplifier

Номер патента: US09887676B2. Автор: Osamu Moriya,Tomohiro SENJU. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

High-frequency semiconductor device

Номер патента: US6577200B2. Автор: Takao Moriwaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-06-10.

Magnetoresistance effect device and high frequency device

Номер патента: US20200274511A1. Автор: Takekazu Yamane. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

High frequency capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: US12014881B2. Автор: Dong Su Kim,Jun Chul Kim,Jong Min YOOK,Je In YU. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2024-06-18.

High-Frequency Amplifier And High-Frequency Radio Communication Device

Номер патента: GB2423417A. Автор: Koichi Sakamoto,Hiroyasu Matsuzaki,Kazutaka Mukaiyama. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-23.

High-frequency semiconductor amplifier

Номер патента: EP3179630A1. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-14.

Semiconductor device having transistor with high electro-static discharge capability and high noise capability

Номер патента: US20040238893A1. Автор: Shin Kiuchi,Yuichi Harada,Tatsuhiko Fujihira,Takeshi Ichimura,Hiroshi Tobisaka,Yoshiaki Minoya,Naoki Yaezawa,Ryu Saitou,Shouichi Furuhata. Владелец: Fuji Electric Device Technology Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-02.

Isolated 3D semiconductor device package with transistors attached to opposing sides of leadframe sharing leads

Номер патента: US12074160B2. Автор: Jerome Teysseyre,KeunHyuk Lee,Tiburcio A. Maldo. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-08-27.

Miniature passive structures, high frequency electrostatic discharge protection networks, and high frequency electrostatic discharge protection schemes

Номер патента: WO2013100861A1. Автор: Keping Wang,Kiat Seng Yeo,Kai Xue Ma. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-07-04.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09966473B2. Автор: Yuta Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Insulated gate type semiconductor device having built-in protection circuit

Номер патента: US5719420A. Автор: Yoshitaka Sugawara,Yasuhiko Kohno. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-02-17.

Methods for fabricating a compound semiconductor protection device for low voltage and high speed data lines

Номер патента: US20030176042A1. Автор: Vrej Barkhordarian. Владелец: Linfinity Microelectronics Inc. Дата публикации: 2003-09-18.

Semiconductor device and fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US20210005751A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Ryota Hodo,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Semiconductor device structure and method for forming same

Номер патента: US20240332395A1. Автор: Zeyong CHEN,Yunbo Chen,Yohtz Julian CHANG,Canyang HUANG. Владелец: Guangzhou Cansemi Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09954111B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and electronic device with data voltages read accurately without the influence of threshold voltage variation

Номер патента: US09640226B2. Автор: Takanori Matsuzaki,Atsushi Miyaguchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Power semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070096205A1. Автор: NAM Kim,Choul Ko. Владелец: Dougbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-03.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220037326A1. Автор: Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Power Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20100314675A1. Автор: Nam Joo Kim,Choul Joo Ko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-16.

Transistor and semiconductor device

Номер патента: US20240258434A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and battery pack

Номер патента: US12132334B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kei Takahashi,Hiroki Inoue,Yuki Okamoto,Takahiko Ishizu,Minato ITO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Transistor and semiconductor device

Номер патента: US09947801B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device having decoupling capacitors and dummy transistors

Номер патента: US20130320405A1. Автор: Hee-Sung Kang,Suk-joo Lee,Dae-ho Yoon,Dal-Hee LEE,Joong-Won JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-05.

Stacked semiconductor device and method

Номер патента: US12057446B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20100271864A1. Автор: Kiyoo Itoh,Riichiro Takemura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240008293A1. Автор: Takanori Matsuzaki,Daisuke Matsubayashi,Yoshinobu Asami,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Stacked semiconductor device and method

Номер патента: US20240355815A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12063798B2. Автор: Takanori Matsuzaki,Daisuke Matsubayashi,Yoshinobu Asami,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

High frequency circuit

Номер патента: US12063021B2. Автор: Takashi Sumiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Capacitively-coupled field-plate structures for semiconductor devices

Номер патента: US09887268B2. Автор: Bin Lu,Ling Xia. Владелец: Cambridge Electronics Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11955562B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yoshihiro Komatsu,Naoki Okuno,Haruyuki Baba,Toshikazu OHNO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Method of manufacturing amorphous metal oxide film and methods of manufacturing capacitance element having amorphous metal oxide film and semiconductor device

Номер патента: US20030219985A1. Автор: Satoshi Horiuchi,Kiwamu Adachi,Tetsuya Yukimoto. Владелец: CV Research Corp. Дата публикации: 2003-11-27.

Method of manufacturing amorphous metal oxide film and methods of manufacturing capacitance element having amorphous metal oxide film and semiconductor device

Номер патента: US20050095850A1. Автор: Satoshi Horiuchi,Kiwamu Adachi,Tetsuya Yukimoto. Владелец: Cv Res Corp. Дата публикации: 2005-05-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240276706A1. Автор: Hung-Yu Wei. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor devices including capacitor and methods of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20240186368A1. Автор: Hyunsuk Lee,Gihee CHO,Sangyeol KANG,Jungoo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

Metal-insulator-metal capacitor and methods of fabrication

Номер патента: US09818689B1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Metal-insulator-metal (mim) capacitor and semiconductor device

Номер патента: US20200273946A1. Автор: Junghyun Cho,Song yi Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-27.

High frequency switch and semiconductor device

Номер патента: US12113523B2. Автор: Takayuki Teraguchi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

High frequency switch and semiconductor device

Номер патента: US20240097676A1. Автор: Takayuki Teraguchi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Porous film made of polyparaxililine and its substitutes, method of the porous film manufacture and semiconductor device with its use

Номер патента: RU2218365C2. Автор: С.Н. Чвалун,Акио ТАКАХАСИ,И.Е. Кардаш,А.В. Пебалк,К.А. Маилян,Юичи САТСУ,Харуказу НАКАЙ. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я.Карпова". Дата публикации: 2003-12-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09923001B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120146107A1. Автор: Eun Soo Nam,Dong Min Kang,Jong-Won Lim,Hae Cheon Kim,Hokyun Ahn,Woojin CHANG. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2012-06-14.

Matching circuit and high-frequency high-power semiconductor device using the same

Номер патента: JP3506647B2. Автор: 和之 今川. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-03-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20150021752A1. Автор: Shingo Itoh. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-22.

Semiconductor Device And Method For Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20230343856A1. Автор: Yuta Endo,Tetsuya Kakehata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20050263787A1. Автор: Eitaro Ishimura,Nobuyuki Tomita,Eiji Yagyu,Masaharu Nakaji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2005-12-01.

HIGH FREQUENCY CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR DEVICE FOR FITTING SUCH A CIRCUIT

Номер патента: FR2529013B1. Автор: Willem Goedbloed. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1987-04-17.

High-frequency high-power semiconductor device

Номер патента: JPS5621377A. Автор: Masataka Tatsuta. Владелец: Tohoku Metal Industries Ltd. Дата публикации: 1981-02-27.

Mount for evaluating high-frequency characteristic of semiconductor device

Номер патента: JPS5913339A. Автор: Kenji Watanabe,謙二 渡辺. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-01-24.

Spin noozzzle for ultra-fine pattern and high-efficiency cleaning in the semiconductor device

Номер патента: KR20220076365A. Автор: 채수희. Владелец: 채수희. Дата публикации: 2022-06-08.

Metal thin film and method of manufacturing the same, dielectric capacitor and method of manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US7425738B2. Автор: Tatsuo Sawasaki,Kenichi Tsuchiya,Kenichi Kurokawa,Teruo Tagawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-09-16.

High frequency oscillator and wireless power supply device

Номер патента: US10680462B2. Автор: Shinji Abe,Naoki Sakai,Takashi Ohira,Masayoshi Sugino,Satoshi Kitabayashi. Владелец: Toyohashi University of Technology NUC. Дата публикации: 2020-06-09.

Low noise and high performance lsi device

Номер патента: US20150311189A1. Автор: Shigenobu Maeda,Jeong-hwan Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-29.

Low noise and high performance LSI device

Номер патента: US09899386B2. Автор: Shigenobu Maeda,Jeong Hwan Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Low noise and high performance LSI device

Номер патента: US09425182B2. Автор: Shigenobu Maeda,Jeong Hwan Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device and methods of formation

Номер патента: US20230290863A1. Автор: Kun-Yu Lin,Chih-Teng Liao,Yu-Ling Ko,Guo-Cheng LYU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor circuit and semiconductor device

Номер патента: US09423466B2. Автор: Yoshihiro Murakami. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device

Номер патента: US09698258B2. Автор: Tae Hoon Lee,Yu Shin RYU,Bo Seok OH. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device, communication device, and semiconductor device inspecting method

Номер патента: US20050093026A1. Автор: Toshiki Seshita,Yoshitomo Sagae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-05-05.

High frequency switch

Номер патента: US20140124908A1. Автор: Takuo Morimoto,Masahiko Kohama,Fuminori Sameshima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-05-08.

High frequency filter and high frequency module equipped with same

Номер патента: US09859861B2. Автор: Ryuji Murata. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device including memory structure

Номер патента: US20240237326A9. Автор: Yu-Ting Lin,Shih-Fan Kuan,Wei-Chen Pan,Huei-Ru Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Three-dimensional semiconductor device with co-fabricated adjacent capacitor

Номер патента: US09601495B2. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

TFT substrate having three parallel capacitors

Номер патента: US09589995B2. Автор: Longqiang Shi,Xiaowen LV,Hejing ZHANG,Chihyuan Tseng,Chihyu SU,Wenhui Li,Yutong HU. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

High-frequency magnetic ceramic and high-frequency circuit component

Номер патента: US20030197571A1. Автор: Hiroaki Kikuta. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-23.

High-frequency magnetic ceramic and high-frequency circuit component

Номер патента: EP1269488A1. Автор: Hiroaki Intellectual Property Group KIKUTA. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-02.

Antenna device and high-frequency transmitter

Номер патента: US09998196B2. Автор: Yasushi Kouno,Takuya Fuse,Eiichi Okuno,Yuu Watanabe,Koutarou MIZUNUMA,Hirokazu OHYABU. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Plasma processing apparatus, plasma processing method and high frequency generator

Номер патента: US09418822B2. Автор: Naoki Matsumoto,Hideo Kato,Koji Koyama,Kiyotaka Ishibashi,Kazushi Kaneko,Kazunori Funazaki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Method for controlling high-frequency power supply device, and high-frequency power supply device

Номер патента: US20230073768A1. Автор: Hirokazu Takada,Atsushi Takayanagi,Soichi Yokoyama,Toshinori Takeuchi,Hiro Nakayama. Владелец: Kyosan Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-09.

Method for controlling high-frequency power supply device and high-frequency power supply device

Номер патента: EP4110023A1. Автор: Hirokazu Takada,Atsushi Takayanagi,Soichi Yokoyama,Toshinori Takeuchi,Hiro Nakayama. Владелец: Kyosan Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-28.

Semiconductor device and high frequency switch

Номер патента: US20240321773A1. Автор: Keita Masuda,Takahiro Nakagawa,Kazuya Nishihori,Akihiro Imada. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

High frequency semiconductor switch

Номер патента: US20130187204A1. Автор: Tsuyoshi Sugiura. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-25.

Semiconductor device and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US7161222B2. Автор: Motoki Kobayashi,Fumio Ichikawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-09.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09431545B2. Автор: Toshihiko Saito,Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Akihiro Ishizuka,Junichi Koezuka,Atsuo Isobe,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060081852A1. Автор: Kazushige Hotta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-04-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240274696A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Motomu Kurata,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US09997545B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09954003B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinpei Matsuda,Masayuki Sakakura,Yuta Endo,Shuhei Nagatsuka,Yuki HATA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US09614062B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09601632B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Motomu Kurata,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Silicon-on-plastic semiconductor device and method of making the same

Номер патента: US09583414B2. Автор: Julio C. Costa,David M. Shuttleworth,Michael J. Antonell. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09923000B2. Автор: Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

High-frequency filter and high-frequency module

Номер патента: US20180102752A1. Автор: Ken Kishimoto. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-12.

High frequency power supply device and high frequency power supply method

Номер патента: US20200313628A1. Автор: Mitsuya Inoue,Mitsutoshi ASHIDA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

High frequency power supply device and high frequency power supply method

Номер патента: US11411541B2. Автор: Mitsuya Inoue,Mitsutoshi ASHIDA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-08-09.

High-frequency filter

Номер патента: US20140077895A1. Автор: Mitsutoshi Imamura. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12074210B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Kojiro SHIRAISHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Capacitors of semiconductor device capable of operating in high frequency operation environment

Номер патента: US20230420487A1. Автор: Jaeho Lee,Jooho Lee,Younggeun Park,Boeun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Capacitors of semiconductor device capable of operating in high frequency operation environment

Номер патента: US11791372B2. Автор: Jaeho Lee,Jooho Lee,Younggeun Park,Boeun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09852926B2. Автор: Kengo Akimoto,Yukinori Shima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20230041837A1. Автор: Wei-Lin Chen,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Yu-Cheng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor device and display device including the same

Номер патента: US12002886B2. Автор: Seiichi Yoneda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Thin film transistor and semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US6008076A. Автор: Takeshi Fukada,Naoya Sakamoto,Yukio Yamauchi,Mitsufumi Codama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1999-12-28.

Semiconductor device, method for producing same, and electronic device

Номер патента: EP4425535A1. Автор: Keisuke Hatano. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Semiconductor device and display device including the same

Номер патента: US20240313117A1. Автор: Seiichi Yoneda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device including oxide semiconductor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09425045B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Toshinari Sasaki,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of high-frequency signal amplitude and phase modulation and device for implementation thereof

Номер патента: RU2665903C1. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Владимир Александрович Головков,Александр Николаевич Дружинин,Наталия Александровна Дружинина. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2018-09-04.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120302004A1. Автор: Akiharu Miyanaga. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Matcher, substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer-readable recording medium

Номер патента: US20240312764A1. Автор: Tsuyoshi Takeda,Daisuke Hara. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09865712B2. Автор: Shinya Sasagawa,Satoru Okamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09812587B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09768318B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Motomu Kurata,Yutaka Okazaki,Kensuke Yoshizumi,Yoshinobu Asami,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Voltage and high frequency signal supply for a diode mounted in a waveguide

Номер патента: US4764741A. Автор: Klaus Jünger. Владелец: ANT Nachrichtentechnik GmbH. Дата публикации: 1988-08-16.

Dc voltage and high frequency signal supply for a diode

Номер патента: CA1248188A. Автор: Klaus Jünger. Владелец: ANT Nachrichtentechnik GmbH. Дата публикации: 1989-01-03.

High-frequency power supply system

Номер патента: US11756768B2. Автор: Yuichi Hasegawa,Yuya Ueno. Владелец: Daihen Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device and driving method of semiconductor device

Номер патента: US7508035B2. Автор: Masanao Kobayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-03-24.

Semiconductor device structure with capacitor and method for forming the same

Номер патента: US09997520B2. Автор: Che-Cheng Chang,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

High-frequency power supply device

Номер патента: US20240222074A1. Автор: Yuichi Hasegawa,Yuya Ueno. Владелец: Daihen Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Noise filter of high frequency generator

Номер патента: US20040070345A1. Автор: Sung-chol Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-04-15.

Noise filter for high frequency generator

Номер патента: EP1408608A3. Автор: Sung-chol Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-06-23.

Multi-level stacked transistor device including capacitor and different semiconductor materials

Номер патента: US09755084B2. Автор: Yasuyuki Arai,Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09721953B2. Автор: Hidetomo Kobayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US09490179B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device

Номер патента: US09472677B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Ellipsoidal resonator markers with high frequency stability and gain

Номер патента: RU2704624C1. Автор: Куртис Л. ШОЕМАКЕР,Зияд Х. ДОАНЫ,Динг ВАН. Владелец: 3М Инновейтив Пропертиз Компани. Дата публикации: 2019-10-30.

High-Frequency Module

Номер патента: US20220029259A1. Автор: Hiroshi Hamada,Hideyuki Nosaka. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor device and driving method thereof

Номер патента: US20150048370A1. Автор: Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-19.

Light-emitting metal-oxide-semiconductor devices and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US12046694B2. Автор: Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Capacitor comprising anti-ferroelectric layers and high-k dielectric layers

Номер патента: US20240313040A1. Автор: Se Hun Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Light-emitting metal-oxide-semiconductor devices and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US20240339557A1. Автор: Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Light-emitting metal-oxide-semiconductor devices and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US09997662B2. Автор: Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

High-frequency module and communication device

Номер патента: US09912370B2. Автор: Takanori Uejima. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device including gate electrode for applying tensile stress to silicon substrate, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09847417B2. Автор: Hirokazu Sayama,Hidekazu Oda,Kazunobu Ohta,Kouhei Sugihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

High frequency signal termination device

Номер патента: US09825605B2. Автор: Seunghwan Yoon. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Direct coupled biasing circuit for high frequency applications

Номер патента: US09793880B2. Автор: Zaw Soe,KhongMeng Tham. Владелец: Tensorcom Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device including gate electrode for applying tensile stress to silicon substrate, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09614081B2. Автор: Hirokazu Sayama,Hidekazu Oda,Kazunobu Ohta,Kouhei Sugihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and driving method thereof

Номер патента: US09508759B2. Автор: Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Fabrication method of semiconductor device with capacitor

Номер патента: US20030100156A1. Автор: Kiyoshi Mori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-29.

Fabrication method of semiconductor device with capacitor

Номер патента: US6624020B2. Автор: Kiyoshi Mori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-09-23.

High-K metal-insulator-metal capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09876068B1. Автор: Chih-Chao Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Metal-oxide-semiconductor capacitor and circuit board including the same embedded therein

Номер патента: US12080809B2. Автор: Cory Nelson. Владелец: Kyocera Avx Components Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20030186491A1. Автор: Shunji Kubo,Atsushi Amoo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-02.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device

Номер патента: US20080173980A1. Автор: Yoshitaka Nakamura,Tomohiro Uno. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-07-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030030095A1. Автор: Yoshinori Tanaka,Yoshitaka Fujiishi,Eiji Hasunuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-02-13.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6596582B2. Автор: Yoshinori Tanaka,Yoshitaka Fujiishi,Eiji Hasunuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-07-22.

Semiconductor device including memory structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240237327A9. Автор: Yu-Ting Lin,Shih-Fan Kuan,Wei-Chen Pan,Huei-Ru Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20130193555A1. Автор: Kuo-Chi Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-08-01.

Method of Forming Top Electrode for Capacitor and Interconnection in Integrated Passive Device (IPD)

Номер патента: US20130171800A1. Автор: Yaojian Lin,Robert C. Frye. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Method for manufacturing capacitor array, capacitor array, and semiconductor device

Номер патента: US20230231007A1. Автор: Liutao ZHOU,Shuo Pan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor Device and Method Fabricating the Same

Номер патента: US20160307841A1. Автор: Chi-Feng Huang,Victor Chiang Liang,Hsiao-Chun LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor device and method fabricating the same

Номер патента: US9768112B2. Автор: Chi-Feng Huang,Victor Chiang Liang,Hsiao-Chun LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040238865A1. Автор: Takahisa Hayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-02.

Method of manufacturing storage electrode in semiconductor device

Номер патента: US20010048127A1. Автор: Dong Kim,Sang Park,Seung Lee,Cha Dong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Method of manufacturing storage electrode in semiconductor device

Номер патента: US20020066918A1. Автор: Dong Kim,Sang Park,Seung Lee,Cha Dong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-06-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240306368A1. Автор: Shosuke Fujii,Kotaro Noda,Takeru MAEDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Capacitor and a semiconductor device including the same

Номер патента: US09997591B2. Автор: Hyun-Suk Lee,Jongmyeong Lee,Dongkyun PARK,Heesook Park,Jin-Su Lee,Gihee CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and method fabricating the same

Номер патента: US09768112B2. Автор: Chi-Feng Huang,Victor Chiang Liang,Hsiao-Chun LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

High-frequency power amplifier device and high-frequency module including the same

Номер патента: US5325072A. Автор: Masahito Numanami,Iwamichi Kohjiro. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-06-28.

High-frequency power diode and method of its manufacturing

Номер патента: RU2684921C2. Автор: Ярослав ГОМОЛА,Иржи ПОДЗЕМСКИ,Ладислав РАДВАН,Илья МУЛЛЕР. Владелец: АББ ШВАЙЦ АГ. Дата публикации: 2019-04-16.

High-frequency component and high-frequency module including the same

Номер патента: US09743519B2. Автор: Shinya HITOMI,Hidenori OBIYA,Kiyofumi Takai. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

High frequency reaction processing apparatus and high frequency reaction processing system

Номер патента: US20240212986A1. Автор: Toshiyuki Takamatsu. Владелец: SST Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

High power and high frequency plastic pre-molded cavity package

Номер патента: US09865528B2. Автор: Zhang Xiao PING,Sin Chi WAI. Владелец: UBOTIC Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Circuit board for high frequency devices, and high frequency device

Номер патента: US20240098891A1. Автор: Hirofumi Yamamoto,Takeyuki Kato,Yutaka Kuroiwa,Nobuo Inuzuka. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

High-frequency board, high-frequency package, and high-frequency module

Номер патента: US11758648B2. Автор: Yoshiki Kawazu. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Method for manufacturing high frequency signal transmission structure and high frequency signal transmission structure obtained thereby

Номер патента: US20180196192A1. Автор: Ming-Jaan Ho,Fu-Yun Shen,Xian-qin HU,Feng-Yuan Hu. Владелец: Avary Holding Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-12.

Semiconductor device for radio communication device, and radio communication device using said semiconductor device

Номер патента: US7088983B2. Автор: Junichi Hikita,Hiroo Mochida,Katsutoshi Nagi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-08-08.

Antenna-integrated high-frequency semiconductor package and method of manufacturing same

Номер патента: US20240282724A1. Автор: Dong Su Kim,Jong Min YOOK,Je In YU. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2024-08-22.

Sequential deposition and high frequency plasma treatment of deposited film on patterned and un-patterned substrates

Номер патента: US20200176241A1. Автор: Deenesh Padhi,Philip Allan Kraus,Thai Cheng Chua,Hang Yu,Abhijit B. MALLICK,Changling Li,Mihaela A. Balseanu,Vinayak Veer Vats,Sanjay G. KAMATH,Lakmal Charidu KALUTARAGE,Mark Joseph Saly,William John Durand. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor device and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US20090189200A1. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

EMI shield for high frequency layer transferred devices

Номер патента: US09786613B2. Автор: Michael A. Stuber. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

High frequency semiconductor device

Номер патента: US20020140057A1. Автор: Osamu Baba,Yutaka Mimino. Владелец: Fujitsu Quantum Devices Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

High-frequency wiring board and high-frequency module that uses the wiring board

Номер патента: US20110128100A1. Автор: Risato Ohhira. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-06-02.

Semiconductor package and high frequency module

Номер патента: US20240250052A1. Автор: Michikazu Tomita. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Radio frequency semiconductor device and method for fabricating a radio frequency semiconductor device

Номер патента: EP4421866A1. Автор: Walter Hartner,Simon Kornprobst,Tuncay ERDOL. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-28.

Semiconductor package and high frequency module

Номер патента: EP4273919A1. Автор: Michikazu Tomita. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2023-11-08.

Radio frequency semiconductor device and method for fabricating a radio frequency semiconductor device

Номер патента: US20240290733A1. Автор: Walter Hartner,Simon Kornprobst,Tuncay ERDOL. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-29.

Two-end driving, high-frequency sub-substrate structure and high-frequency transmission structure including the same

Номер патента: US09847307B1. Автор: Hua-Hsin Su,Po-Chao Huang,Pi-Cheng Law,Yi-Ching Chiu,Ho-I Chen. Владелец: LuxNet Corp Taiwan. Дата публикации: 2017-12-19.

Wiring board and high frequency module using same

Номер патента: US09431357B2. Автор: Suguru Fujita,Ryosuke Shiozaki. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

High-frequency semiconductor package

Номер патента: US3626259A. Автор: Vahan Garboushian,Herbert Ruzinsky. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1971-12-07.

High-frequency semiconductor device

Номер патента: GB2238908A. Автор: Masanori Koga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1991-06-12.

High frequency semiconductor device

Номер патента: US5109270A. Автор: Osamu Ishikawa,Chinatsu Azuma,Shutaro Nambu. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1992-04-28.

High frequency semiconductor device

Номер патента: US20020140087A1. Автор: Yoshio Aoki,Osamu Baba,Yutaka Mimino,Muneharu Gotoh. Владелец: Fujitsu Quantum Devices Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

Lateral-optical-mode-controlled high-power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240291234A1. Автор: Wu Zhao,Jun Wang,Shaoyang TAN,Xinsheng LIAO,Bangguo WANG,Wuling LIU. Владелец: Everbright Institute Of Semiconductor Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Switching board on aluminum nitride for power and high-power microwave semiconductor devices, mounted on the base of the device housing

Номер патента: RU2696369C1. Автор: Игорь Петрович Смирнов,Александр Александрович Тевяшов,Андрей Сергеевич Корпухин. Владелец: Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (АО "Российские космические системы"). Дата публикации: 2019-08-01.

Plasma generation device, substrate processing apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200173027A1. Автор: Tsuyoshi Takeda. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2020-06-04.

Substrate processing apparatus, method of processing substrate, method of manufacturing semiconductor device, and plasma generation device

Номер патента: US20230220552A1. Автор: Tsuyoshi Takeda. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20030218238A1. Автор: Takashi Kubo,Hiroshi Kikuchi,Norio Nakazato,Hiroyasu Sasaki,Takashi Suga,Masanori Fukuhara,Satoru Isomura,Hideko Ando,Naotaka Tanaka,Fujiaki Nose. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-11-27.

High voltage semiconductor device having high breakdown voltage isolation region

Номер патента: US20020175392A1. Автор: Chang-Ki Jeon,Jong-jib Kim,Sung-lyong Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2688863C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-05-22.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2737722C1. Автор: Николай Александрович Брюхно,Василий Васильевич Афанаскин,Маргарита Юрьевна Котова,Александр Евгеньевич Яценко. Владелец: Акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ". Дата публикации: 2020-12-02.

System and method for photomixer -based heterodyne high-frequency spectrometer and receiver

Номер патента: EP3775758A1. Автор: Ning Wang,Mona JARRAHI. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2021-02-17.

High frequency ic package, high frequency unit using high frequency ic package, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030094694A1. Автор: Hiroaki Matsuki,Masayoshi Shouno,Tomohiko Tamaki. Владелец: Denso Ten Ltd. Дата публикации: 2003-05-22.

Transistor switch for high frequency and high power applications

Номер патента: US20050127396A1. Автор: Chayan Mitra,Ramakrishna Rao,Ahmed Elasser,Jeffrey Fedison. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2005-06-16.

High frequency semiconductor switch

Номер патента: US20140210543A1. Автор: Masayuki Sugiura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-07-31.

Manufacturing method of high frequency module and high frequency module

Номер патента: US20210043583A1. Автор: Tadashi Nomura,Toru Komatsu. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Bonding wire for semiconductor device

Номер патента: SG10201908464VA. Автор: Haibara Teruo,Uno Tomohiro,Yamada Takashi,Oda Daizo. Владелец: Nippon Steel Chemical & Material Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20030211694A1. Автор: Tatsuhiko Fujihira,Manabu Takei. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20030211693A1. Автор: Tatsuhiko Fujihira,Manabu Takei. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-13.

Method of making semiconductor device

Номер патента: RU2584273C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Магомед-Али Вахаевич Зубхаджиев,Асламбек Идрисович Хасанов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Чеченский государственный университет (ФГБОУ ВПО Чеченский государственный университет). Дата публикации: 2016-05-20.

Electron cyclotron resonance -plasma source to process semiconductor structures, method to process semiconductor structures, process of manufacture of semiconductor devices and integrated circuits ( variants ), semiconductor device or integrated circuit ( variants )

Номер патента: RU2216818C1. Автор: Ю.С. Четверов,В.А. Тулин,С.Ю. Шаповал,ков В.Е. Земл,В.Е. Земляков,В.Л. Гуртовой. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЭпиЛаб". Дата публикации: 2003-11-20.

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20080138995A1. Автор: Mitsuhiro Omura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-12.

Semiconductor device, electric equipment, bidirectional field effect transistor, and mounted structure body

Номер патента: US20160093691A1. Автор: Fumihiko Nakamura,Shuichi Yagi,Hiroji Kawai,Souta Matsumoto,Shoko ECHIGOYA. Владелец: Powdec KK. Дата публикации: 2016-03-31.

Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer

Номер патента: US11776968B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Power semiconductor device

Номер патента: EP2600399A3. Автор: Yasuhiro Nemoto,Hisashi Tanie,Keisuke Horiuchi,Yu Harubeppu,Takayuki Kushima. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2017-08-09.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110045615A1. Автор: Mitsuhiro Omura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140246668A1. Автор: Daigo Ito,Akihisa Shimomura,Tomoaki Moriwaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-04.

Bonding wire for semiconductor device

Номер патента: MY164384A. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Teruo Haibara. Владелец: Nippon Steel & Sumikin Mat Co. Дата публикации: 2017-12-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12080720B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device having a polarization super junction field effect transistor, electric equipment, bidirectional field effect transistor, and mounted structure body having the same

Номер патента: US09991335B2. Автор: Fumihiko Nakamura,Shuichi Yagi,Hiroji Kawai,Souta Matsumoto,Shoko ECHIGOYA. Владелец: Powdec KK. Дата публикации: 2018-06-05.

Electromagnetic resonant coupler and high-frequency transmission device

Номер патента: US09735456B2. Автор: Daisuke Ueda,Shuichi Nagai,Yasufumi Kawai. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09728648B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09466725B2. Автор: Akihisa Shimomura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Substrate and semiconductor device package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210327815A1. Автор: Shin-Luh Tarng,Ian HU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060043418A1. Автор: Katsuyoshi Washio,Makoto Miura,Hiromi Shimamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2006-03-02.

Copper alloy bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: US20230018430A1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Teruo Haibara,Motoki Eto. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2023-01-19.

Copper alloy bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: US20200312808A1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Teruo Haibara,Motoki Eto. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Copper alloy bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: PH12018502683B1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Teruo Haibara,Motoki Eto. Владелец: Nippon Steel Chemical And Mat Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-21.

Silicon carbide semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US09825166B2. Автор: Takashi Takahama,Satoru Akiyama,Tadao Morimoto,Ryuta Tsuchiya,Naoki Tega,Digh Hisamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device

Номер патента: US09668338B2. Автор: Takashi Uno,Kazuhiro Yahata. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

High beta, high frequency transistor structure

Номер патента: US4151540A. Автор: Wendell B. Sander,William H. Shepherd. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1979-04-24.

Encapsulated low-noise ultra-high frequency semiconductor device

Номер патента: US4872049A. Автор: Daniel Delagebeaudeuf,Didier Adam,Henri Derewonko,Patrick Resneau. Владелец: Thomson Hybrides et Microondes. Дата публикации: 1989-10-03.

High-frequency wireless communication system on a single ultrathin silicon on sapphire chip

Номер патента: CA2165334A1. Автор: Mark L. Burgener,Ronald E. Reedy. Владелец: Ronald E. Reedy. Дата публикации: 1995-01-26.

High-frequency wireless communication system on a single ultrathin silicon on sapphire chip

Номер патента: US5663570A. Автор: Mark L. Burgener,Ronald E. Reedy. Владелец: Peregrine Semiconductor Corp. Дата публикации: 1997-09-02.

High frequency base body, high frequency package, and high frequency module

Номер патента: EP3531449A1. Автор: Yoshiki Kawazu. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2019-08-28.

High-frequency board, high-frequency package, and high-frequency module

Номер патента: US20230380052A1. Автор: Yoshiki Kawazu. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Graphics Processing Unit and High Bandwidth Memory Integration Using Integrated Interface and Silicon Interposer

Номер патента: US20210050339A1. Автор: Chan H. Yoo,Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Graphics Processing Unit and High Bandwidth Memory Integration Using Integrated Interface and Silicon Interposer

Номер патента: US20200144241A1. Автор: Chan H. Yoo,Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Silicon nitride film, and semiconductor device

Номер патента: US09847355B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Toru Takayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor devices with magnetic regions and attracter material and methods of fabrication

Номер патента: US09786841B2. Автор: Witold Kula,Manzar Siddik,Andy Lyle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Memory cells, methods of fabrication, and semiconductor devices

Номер патента: US09608197B2. Автор: Witold Kula,Manzar Siddik,Andy Lyle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09559022B1. Автор: Tsuyoshi Takeda,Toshiyuki Kikuchi. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-01-31.

High-frequency module

Номер патента: US09532475B2. Автор: Satoshi Masuda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Multilayer interconnection substrate for high frequency and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2017173350A1. Автор: Hisashi Kobuke,Naoki Sotoma,Yousuke Futamata,Emi Ninomiya,Atsushi ISHIMOTO. Владелец: SNAPTRACK, INC.. Дата публикации: 2017-10-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20210184041A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Tatsuya Honda,Takehisa Hatano. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Method for fabrication of semiconductor device

Номер патента: US12062722B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Tatsuya Honda,Takehisa Hatano. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for forming a silicide layer of semiconductor device

Номер патента: US20030119309A1. Автор: Jeong Lee,Chang Ryoo,Yong Sohn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-06-26.

Substrate for semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020177328A1. Автор: Kimihiro Sasaki,Tomonobu Hata,Akira Kamisawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor device, method for manufacturing the semiconductor device, and power conversion device

Номер патента: US20240274708A1. Автор: Tomoyasu Furukawa,Tomoyuki Miyoshi. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Current protection-type semiconductor device

Номер патента: EP4435864A1. Автор: Wenfang Du,Xinjiang LV,Xuqiang ZHU. Владелец: Nanjing Sinnopower Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

High-purity copper or high-purity copper alloy sputtering target, process for manufacturing the sputtering target, and high-purity copper or high-purity copper alloy sputtered film

Номер патента: US09441289B2. Автор: Atsushi Fukushima,Susumu Shimamoto,Yuichiro Shindo. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2709603C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-12-18.

High frequency semiconductor device

Номер патента: US20020139969A1. Автор: Yoshio Aoki,Osamu Baba,Yutaka Mimino,Muneharu Gotoh. Владелец: Fujitsu Quantum Devices Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

Sequential deposition and high frequency plasma treatment of deposited film on patterned and un-patterned substrates

Номер патента: WO2020112330A1. Автор: Deenesh Padhi,Philip Allan Kraus,Thai Cheng Chua,Hang Yu,Abhijit B. MALLICK,Changling Li,Mihaela A. Balseanu,Vinayak Veer Vats,Sanjay G. KAMATH,Lakmal Charidu KALUTARAGE,Mark Joseph Saly,William John Durand. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor device having reinforced low-k insulating film and its manufacture method

Номер патента: US8772182B2. Автор: Yoshiyuki Ohkura. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-07-08.

Cu ALLOY CORE BONDING WIRE WITH Pd COATING FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190164927A1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Teruo Haibara. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

Cu ALLOY CORE BONDING WIRE WITH Pd COATING FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200013747A1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Teruo Haibara. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12132084B2. Автор: Yohei Kagoyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09911865B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09412755B2. Автор: Kazuhiko Sato,Hiroshi Ishida. Владелец: Synaptics Display Devices GK. Дата публикации: 2016-08-09.

High-frequency circuit package and high-frequency circuit device

Номер патента: US20120061133A1. Автор: Satoshi Masuda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-03-15.

Gallium nitride device for high frequency and high power applications

Номер патента: US20230058073A1. Автор: James G. Fiorenza,Puneet Srivastava. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Method for producing high frequency circuit board, and high frequency circuit board

Номер патента: US20200260572A1. Автор: Akira Nakatsu,Takeshi Okunaga,Kojiro IWASA,Yusuke NATSUHARA. Владелец: Nippon Pillar Packing Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-13.

Gallium nitride device for high frequency and high power applications

Номер патента: US12009207B2. Автор: James G. Fiorenza,Puneet Srivastava. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Extension of pvd chamber with multiple reaction gases, high bias power, and high power impulse source for deposition, implantation, and treatment

Номер патента: WO2018140193A2. Автор: Srinivas D. Nemani,Ludovic Godet,Yongmei Chen,Jingjing Liu,Anantha K. Subramani. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2018-08-02.

Polysilicon fuse, manufacturing method thereof, and semiconductor device including polysilicon fuse

Номер патента: US20140339675A1. Автор: Hideaki KATAKURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-20.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20200303221A1. Автор: Kazuyuki Fukuyama,Masaru Hatano. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Wide Band Gap Semiconductor Device and a Method for Forming a Wide Band Gap Semiconductor Device

Номер патента: US20190198621A1. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Josef Lutz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20130032795A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-07.

Semiconductor device and method of forming the same as well as data processing system including the semiconductor device

Номер патента: US20120025324A1. Автор: Yoshihiro Takaishi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Wide band gap semiconductor device and a method for forming a wide band gap semiconductor device

Номер патента: US10700168B2. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Josef Lutz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-06-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20160111557A1. Автор: Hiroaki Yamazaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170323976A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-09.

High frequency circuit device

Номер патента: US20130106503A1. Автор: Kiyoshi Kajii. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2013-05-02.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20130248876A1. Автор: Masaya Okada,Makoto Kiyama,Seiji Yaegashi,Kazutaka Inoue,Mitsunori Yokoyama,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20230260556A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Tomoaki Atsumi,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Method for forming metal line in a semiconductor device

Номер патента: US20070166987A1. Автор: Han-Choon Lee,In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20020130363A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Yurika Satou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-19.

Method for forming metal line in a semiconductor device

Номер патента: US7632754B2. Автор: Han-Choon Lee,In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-12-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09997499B2. Автор: Hiroshi Kuroda,Hideo Koike. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09859439B2. Автор: Hidekazu Miyairi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09837545B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yuichi Sato,Junichi Koezuka,Shinji Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09831309B2. Автор: Hidekazu Miyairi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09754919B2. Автор: Hiroshi Kuroda,Hideo Koike. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09728651B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device with integrated antenna

Номер патента: US09698110B2. Автор: Motoi Ishida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device, power diode, and rectifier

Номер патента: US09685562B2. Автор: Satoshi Kobayashi,Shunpei Yamazaki,Hiromichi Godo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device

Номер патента: US09472660B2. Автор: Hong-fei LU. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Wide band gap semiconductor device

Номер патента: US09450084B2. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Systems Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09287407B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yuichi Sato,Junichi Koezuka,Shinji Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-15.

Gallium nitride device for high frequency and high power applications

Номер патента: US20230317801A1. Автор: James G. Fiorenza,Puneet Srivastava. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1771885B1. Автор: Raymond J. E. Hueting,Prabhat Agarwal,Erwin Hijzen,Godefridus A. M. Hurkx. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-12-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1771885A1. Автор: Raymond J. E. Hueting,Prabhat Agarwal,Erwin Hijzen,Godefridus A. M. Hurkx. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-04-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140004673A1. Автор: Masashi Shima. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-01-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110133273A1. Автор: Masashi Shima. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-06-09.

Design techniques for high-frequency and high-speed signals in a package with thin build-up layers

Номер патента: WO2023208844A1. Автор: Martin Hansson,Peter Svensson,Agneta LJUNGBRO,Raihan RAFIQUE. Владелец: Telefonaktiebolaget lM Ericsson (publ). Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device, semiconductor body and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1604401A1. Автор: Josephus A. A. Den Ouden. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-12-14.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4228007A1. Автор: Tao Liu,Wei Lu,Haijun Li,Juncai Ma,Zhili Zhang,Cen TANG,Jin Rao,Lingcong LE. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: US20090174034A1. Автор: Wibo D. Van Noort,Francois Neuilly,T. M. Donkers Johannes J.. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-07-09.

Semiconductor device for radio communication device, and radio communication device using said semiconductor device

Номер патента: US20040043732A1. Автор: Junichi Hikita,Hiroo Mochida,Katsutoshi Nagi. Владелец: Katsutoshi Nagi. Дата публикации: 2004-03-04.

Semiconductor device and operating method of semiconductor device

Номер патента: US12034322B2. Автор: Takayuki Ikeda,Kei Takahashi,Yuki Okamoto,Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor package with low and high-speed signal paths

Номер патента: WO2006088609A3. Автор: Ming Li,Sayeh Khalili,Donald R Mullen. Владелец: Donald R Mullen. Дата публикации: 2007-02-01.

Integration of horizontal nanosheet device and a lateral device having narrow and high nanowire segments

Номер патента: WO2023100054A1. Автор: Tao Li,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Tsung-Sheng KANG. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor device having a field effect transistor and a method of manufacturing such a device

Номер патента: EP1151476A1. Автор: Johannus W. Weekamp,Erik C. E. Van Grunsven,Marc A. De Samber,Jacob Klerk,Johannes Bloos,Antonius W. J. P. Den Boer. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-11-07.

Noble Metal-Coated Silver Wire for Ball Bonding and Method for Producing The Same, And Semiconductor Device using Noble Metal-Coated Silver Wire for Ball Bonding and Method for Producing The Same

Номер патента: MY195404A. Автор: Jun Chiba,Yuki Antoku,Shota KAWANO. Владелец: Tanaka Electronics Ind. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor package with low and high-speed signal paths

Номер патента: WO2006088609A2. Автор: Ming Li,Donald R. Mullen,Sayeh Khalili. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2006-08-24.

Semiconductor package with low and high-speed signal paths

Номер патента: EP1851800A2. Автор: Ming c/o Rambus Inc. LI,Sayeh c/o Rambus Inc. KHALILI,Donald R. c/o Rambus Inc. MULLEN. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2007-11-07.

Production method for semiconductor device

Номер патента: US20070224800A1. Автор: Kei Miyoshi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-27.

Device detecting abnormality of secondary battery and semiconductor device

Номер патента: US20220045370A1. Автор: Kei Takahashi,Takanori Matsuzaki,Yuki Okamoto,Takahiko Ishizu,Minato ITO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor package with low and high-speed signal paths

Номер патента: US20060180902A1. Автор: Ming Li,Sayeh Khalili,Donald Mullen. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2006-08-17.

Semiconductor dies including low and high workfunction semiconductor devices

Номер патента: US12069862B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20030107061A1. Автор: Hiroki Ootera. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-06-12.

Semiconductor device

Номер патента: US5761040A. Автор: Kiyoshi Arai,Tatuya Iwasa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-06-02.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170005182A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-05.

Noble Metal-Coated Silver Wire for Ball Bonding and Method for Producing The Same, And semiconductor device using noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for Producing The Same

Номер патента: MY195984A. Автор: Jun Chiba,Yuki Antoku,Shota KAWANO. Владелец: Tanaka Electronics Ind. Дата публикации: 2023-02-27.

Noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same, and semiconductor device using noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same

Номер патента: US20200395330A1. Автор: Jun Chiba,Yuki Antoku,Shota KAWANO. Владелец: Tanaka Denshi Kogyo KK. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor device having ferroelectric or negative capacitor and method of manufacturing the same, and electronic device

Номер патента: US20240306396A1. Автор: Huilong Zhu,Weixing Huang. Владелец: Institute Of Microelectronics Chinese Academy Sciences. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US12120443B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Takeshi Aoki,Munehiro KOZUMA,Takuro Kanemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09978878B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09935203B2. Автор: Shinya Sasagawa,Takashi Hamada,Akihisa Shimomura,Satoru Okamoto,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and method of forming a fan-out structure with integrated passive device and discrete component

Номер патента: US09865482B2. Автор: KANG Chen,Yaojian Lin,Jianmin Fang,Haijing Cao. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing method

Номер патента: US09837261B2. Автор: Atsushi Sano,Yoshiro Hirose,Satoshi Shimamoto,Yoshitomo Hashimoto,Yugo Orihashi. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09773919B2. Автор: Shinya Sasagawa,Takashi Hamada,Akihisa Shimomura,Satoru Okamoto,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device

Номер патента: US09768199B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device, memory device, electronic device, and method for driving semiconductor device

Номер патента: US09754657B2. Автор: Yutaka Shionoiri,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Modified product of polyhedral structure polysiloxane, polyhedral structure polysiloxane composition, cured product, and optical semiconductor device

Номер патента: US09698320B2. Автор: Hiroyuki Tanaka,Takao Manabe. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09449852B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Manufacturing method of semiconductor device with steps of heat treatment in nitrogen containing atmosphere, oxygen doping treatment and heat treatment in oxygen containing atmosphere

Номер патента: US09373707B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-21.

Memory cells, semiconductor devices, and methods of fabrication

Номер патента: US09349945B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sumeet C. Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-05-24.

Semiconductor device including two or more stacked semiconductor structures

Номер патента: US20240021553A1. Автор: Choung Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device having high frequency wiring and dummy metal layer at multilayer wiring structure

Номер патента: US20120187532A1. Автор: Shinichi Uchida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

Semiconductor device having high frequency wiring and dummy metal layer at multilayer wiring structure

Номер патента: US20110169130A1. Автор: Shinichi Uchida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-14.

Semiconductor device having high frequency wiring and dummy metal layer at multilayer wiring structure

Номер патента: US8174092B2. Автор: Shinichi Uchida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-05-08.

Semiconductor device having high frequency wiring and dummy metal layer at multilayer wiring structure

Номер патента: US8450831B2. Автор: Shinichi Uchida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-05-28.

Semiconductor Devices Having Phase-Change Material (PCM) Radio Frequency (RF) Switches and Integrated Passive Devices

Номер патента: US20200058851A1. Автор: David J. Howard,Gregory P. Slovin,Jefferson E. Rose,Nabil El-Hinnawy. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor device and storage system

Номер патента: US20230007849A1. Автор: Yanwu WANG,Huifang Dai,Yade FANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device

Номер патента: US11742014B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Kiyoshi Kato,Atsushi Miyaguchi,Tatsunori Inoue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: WO2013150927A1. Автор: Kenichi Okazaki,Toshinari Sasaki,Takashi HAMOCHI,Shuhei Yokoyama. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2013-10-10.

Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20230006064A1. Автор: Kenichi Okazaki,Toshinari Sasaki,Takashi HAMOCHI,Shuhei Yokoyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20200365739A1. Автор: Kenichi Okazaki,Toshinari Sasaki,Takashi HAMOCHI,Shuhei Yokoyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer-readable recording medium

Номер патента: US20200168434A1. Автор: Masanori Nakayama,Teruo Yoshino,Koichiro Harada,Hiroto Igawa,Masaki Murobayashi. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140106502A1. Автор: Hideomi Suzawa,Toshihiko Takeuchi,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Semiconductor device manufacturing method, semiconductor device, semiconductor device manufacturing apparatus and storage medium

Номер патента: US20140103529A1. Автор: Kenji Matsumoto,Atsushi Gomi,Tatsuo Hatano,Tatsufumi Hamada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Non-punch-through reverse-conducting power semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US20200395442A1. Автор: Munaf Rahimo,Iulian NISTOR. Владелец: MQSemi AG. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160111546A1. Автор: Hideomi Suzawa,Toshihiko Takeuchi,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-21.

Light receiving semiconductor device with PIN structure

Номер патента: US20030017681A1. Автор: Hiroshi Yano,Masaki Yanagisawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2003-01-23.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20010034098A1. Автор: Hitomi Watanabe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-25.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US5399510A. Автор: Akihisa Taniguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-03-21.

Group 13 nitride composite substrate semiconductor device, and method for manufacturing group 13 nitride composite substrate

Номер патента: US09882042B2. Автор: Makoto Iwai,Yoshitaka Kuraoka,Mikiya Ichimura. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09660098B2. Автор: Hideomi Suzawa,Toshihiko Takeuchi,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor encapsulation resin composition and semiconductor device comprised of cured product of the semiconductor encapsulation resin composition

Номер патента: US09633921B2. Автор: Shoichi Osada,Naoyuki Kushihara,Ryuhei Yokota. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09570626B2. Автор: Kenichi Okazaki,Toshinari Sasaki,Takashi HAMOCHI,Shuhei Yokoyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Vertical MOS semiconductor device for high-frequency applications, and related manufacturing process

Номер патента: US09508846B2. Автор: Antonino Schillaci,Alfonso Patti,Paola Maria Ponzio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device having an inner power supply plate structure

Номер патента: US09431337B2. Автор: Seisei Oyamada. Владелец: Noda Screen Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device

Номер патента: WO2011058720A1. Автор: Yoshitaka Kawase. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2011-05-19.

Semiconductor device having built-in high frequency bypass capacitor and method for its fabrication

Номер патента: MY113129A. Автор: Stephen W Foster,James F Wenzel,Mona A Choppa. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2001-11-30.

Method of increasing resistivity of silicon carbide wafer and high-frequency device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230207386A1. Автор: Mao-Nan Chang,Ta-Ching HSIAO,Kuo-Lun Huang,Pei-Ying Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2023-06-29.

Spin current magnetization rotational element, spin-orbit-torque magnetoresistance effect element, magnetic memory, and high-frequency magnetic element

Номер патента: US20190088395A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Minoru Ota,Hirokazu Takahashi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Semiconductor device having high frequency wiring and dummy metal layer at multilayer wiring structure

Номер патента: US20130241032A1. Автор: Shinichi Uchida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-09-19.

Semiconductor device having high frequency wiring and dummy metal layer at multilayer wiring structure

Номер патента: US20160163660A1. Автор: Shinichi Uchida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor device having high frequency wiring and dummy metal layer at multilayer wiring structure

Номер патента: US8686540B2. Автор: Shinichi Uchida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-04-01.

High frequency integrated devices

Номер патента: US20020140049A1. Автор: Mitsuru Tanabe. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

Method of manufacturing electronic device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050029593A1. Автор: Osamu Ohara,Manabu Kudo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-02-10.

Semiconductor device, memory device, electronic device, or method for driving the semiconductor device

Номер патента: US20170125420A1. Автор: Takanori Matsuzaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

High-frequency current suppression body using magnetic loss material exhibiting outstanding complex permeability characteristics

Номер патента: MY128406A. Автор: Koji Kamei,Shinya Watanabe,Yoshio Awakura. Владелец: NEC Tokin Corp. Дата публикации: 2007-01-31.

Semiconductor device with capacitor and/or inductor and method of making

Номер патента: US20110001214A1. Автор: Ertugrul Demircan,Jack M. Higman. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-01-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20040135200A1. Автор: Kazuhiro Shimizu,Riichiro Shirota,Seiichi Aritome,Hiroaki Hazama,Hirohisa Iizuka,Norihisa Arai,Akira Goda,Naoki Koido,Tohru Maruyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-07-15.

Semiconductor device, memory device, electronic device, or method for driving the semiconductor device

Номер патента: US09773787B2. Автор: Takanori Matsuzaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

High-frequency circuit package and sensor module

Номер патента: US09648725B2. Автор: Takuya Suzuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device, power supply apparatus and high-frequency amplifier

Номер патента: US9941401B2. Автор: Naoya Okamoto,Kozo Makiyama,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device, fabrication method for semiconductor device, power supply apparatus and high-frequency amplifier

Номер патента: US20170352755A1. Автор: Atsushi Yamada,Tatsuya Hirose,Masato Nishimori. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-12-07.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US20200052573A1. Автор: Takeshi Horiguchi,Takashi Masuhara,Mamoru Kamikura,Kodai Katagiri. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

High-frequency line structure, subassembly, line card, and method for manufacturing high-frequency line structure

Номер патента: CA3160512C. Автор: Hiromasa Tanobe,Josuke OZAKI. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor device including deep trench capacitors and via contacts

Номер патента: US12074227B2. Автор: Stefan Rusu,Po-Chia Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor Device And Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20240258431A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Plasma generating device, substrate processing apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240249923A1. Автор: Akihiro Sato,Tsuyoshi Takeda,Yukitomo Hirochi. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12113074B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09991288B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09837548B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09780226B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09728555B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Companion integrated circuit having decoupling capacitor and mobile device having the same

Номер патента: US09648747B2. Автор: Jeong-Sik Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device, display device, and electronic device

Номер патента: US09569996B2. Автор: Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

High-speed and high-capacity mos transistor and its manufacturing process

Номер патента: RU2197769C2. Автор: Хюн-Сик Ким,Хеон-Йонг Син,Соо-Чеол Ли. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2003-01-27.

Case of powerful hybrid ultra-high frequency integrated circuit

Номер патента: RU2659304C1. Автор: Евгений Матвеевич Савченко,Владимир Алексеевич Сидоров,Михаил Сергеевич Попов,Михаил Миронович Крымко,Андрей Анатольевич Пронин,Вадим Владимирович Груздов,Александр Дмитриевич Першин. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2018-06-29.

Semiconductor device, power supply apparatus and high-frequency amplifier

Номер патента: US20170125569A1. Автор: Naoya Okamoto,Kozo Makiyama,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

High-frequency circuit board

Номер патента: EP2555236A4. Автор: Yoshiyuki Ishida,Sadao Matushima,Toshihide Fukuchi. Владелец: Furukawa Automotive Systems Inc. Дата публикации: 2013-12-25.

Encapsulated high-frequency electrical circuit

Номер патента: US20030141589A1. Автор: Guanghua Huang,Simon Leung. Владелец: HEI Inc. Дата публикации: 2003-07-31.

Noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same, and semiconductor device using noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same

Номер патента: US11456271B2. Автор: Jun Chiba,Yuki Antoku,Shota KAWANO. Владелец: Tanaka Denshi Kogyo KK. Дата публикации: 2022-09-27.

High-frequency grounding device and vacuum valve having high-frequency grounding device

Номер патента: US20220375732A1. Автор: Arthur Büchel,Adrian WEITNAUER. Владелец: VAT HOLDING AG. Дата публикации: 2022-11-24.

High frequency magnetostrictive transducers for waveguide applications

Номер патента: US09960341B1. Автор: Steven Cheney Taylor,Joshua Earl Daw,Joy Lynn Rempe. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device or electronic component including the same

Номер патента: US09728243B2. Автор: Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

High-frequency package

Номер патента: US09693492B2. Автор: Takuya Suzuki,Tomoyuki Unno,Yusuke Kitsukawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Electronic high frequency device and manufacturing method

Номер патента: US09620854B2. Автор: Ralf Reuter. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Plasma etching method of modulating high frequency bias power to processing target object

Номер патента: US09548214B2. Автор: Fumio Yamazaki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Solid electrolytic capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060279909A1. Автор: Lik Kee. Владелец: Samxon Electronics Dong Guan Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-14.

High voltage and high efficiency polymer electrolytic capacitors

Номер патента: US20110252613A1. Автор: Philip M. Lessner,Yuri Freeman,Steven C. Hussey,Yongjian Qiu,Jake Yongjian Qiu. Владелец: Kemet Electronics Corp. Дата публикации: 2011-10-20.

High voltage and high efficiency polymer electrolytic capacitors

Номер патента: EP2422350A2. Автор: Philip M. Lessner,Yuri Freeman,Yongjian Qiu,Stephen C. Hussey. Владелец: Kemet Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-29.

High voltage and high efficiency polymer electrolytic capacitors

Номер патента: WO2010123936A2. Автор: Philip M. Lessner,Yuri Freeman,Yongjian Qiu,Stephen C. Hussey. Владелец: KEMET ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2010-10-28.

Electrolytic solution for electrolytic capacitor, and electrolytic capacitor

Номер патента: US09536674B2. Автор: Shingo Takeuchi. Владелец: Nippon Chemi Con Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Dielectric material, capacitor and method

Номер патента: US09887042B1. Автор: Scott Ehrenberg. Владелец: Ehrenberg Industries Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Electrolyte solution for electrochemical devices, aluminum electrolytic capacitor, and electric double layer capacitor

Номер патента: US09583272B2. Автор: Noriko Yamamoto,Shunji Oyama,Naoka HIRABAYASHI. Владелец: Sumitomo Seika Chemicals Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Hybrid electrolytic capacitor and method for manufacturing same

Номер патента: US11929214B2. Автор: Kenji Machida,Kazuhiro NAGAHARA,Kazuya Koseki. Владелец: Nippon Chemi Con Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

Solid electrolytic capacitor and method for manufacturing same

Номер патента: US12009158B2. Автор: Kazuma Okura,Kazuhiro NAGAHARA,Kazuya Koseki. Владелец: Nippon Chemi Con Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Solid electrolytic capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040264111A1. Автор: Yuji Mido,Koji Shimoyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-30.

Hybrid aluminum electrolytic capacitor and fabrication method therefor

Номер патента: EP3664113A1. Автор: I-Chu Lin,Jun Xiong. Владелец: Capxon Electronic Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-10.

Device and method for making air, gas or vacuum capacitors and other microwave components

Номер патента: US20070281421A1. Автор: William S. H. Cheung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-06.

Hybrid aluminum electrolytic capacitor and method for making same

Номер патента: US12100549B2. Автор: Chu Lin,Jun Xiong. Владелец: Capxon Electronic Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Solid electrolytic capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020149903A1. Автор: Masakazu Tanahashi,Masashi Shoji,Seigo Shiraishi,Emiko Igaki,Mikinari Shimada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-17.

High-frequency switch circuit, semiconductor device and communication terminal apparatus

Номер патента: US20070085592A1. Автор: Tadayoshi Nakatsuka,Kenichi Hidaka,Taketo Kunihisa,Eiji Yasuda,Toshihiro Shougaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-19.

High-frequency circuit and semiconductor device

Номер патента: DE602004015853D1. Автор: Tadayoshi Nakatsuka,Katsushi Tara,Atsushi Suwa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-25.

High-frequency power supply device

Номер патента: US09648719B2. Автор: Toshiya Habu. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Thin-film multilayer electrode coupled by high-frequency electromagnetic field, high-frequency transmission line, high-frequency resonator, high-frequency filter, high- frequency band-pass rejection filter and high-frequency device

Номер патента: RU2139613C1. Автор: Исикава Еухеи,Хидака Сеидзи. Владелец: Мурата Мануфакчуринг Ко., Лтд.. Дата публикации: 1999-10-10.

Nanocrystalline soft magnetic alloy with high magnetic induction and high frequency and preparation method thereof

Номер патента: US20240258001A1. Автор: Yu Sun,Jiawei Li,Aina He,Yaqiang DONG. Владелец: Ningbo Institute Of Materials Technology & Engineering Chineering Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2024-08-01.

High-frequency filter circuit and high-frequency communication device

Номер патента: US6989726B2. Автор: Yoshihisa Amano. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-01-24.

Low band and high band dipole designs for triple band antenna systems and related methods

Номер патента: US09966664B2. Автор: Raja Reddy KATIPALLY,Aaron T. Rose. Владелец: Alcatel Lucent Shanghai Bell Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Electronic element and high-frequency winding thereof

Номер патента: EP4390987A1. Автор: Jiacai Zhuang,Guoqing Cai. Владелец: Sungrow Power Supply Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

High-frequency substrate and high-frequency module

Номер патента: US20110032056A1. Автор: Risato Ohhira. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-02-10.

High-voltage, high-frequency and high-power transformer

Номер патента: RU2625909C2. Автор: МОРЕНО ВАЛЬЕХО Ильдефонсо,ДИАС КАРМЕНА Франсиско,ДИАС КАРМЕНА Анхель. Владелец: Сосьедад Эспаньола Де Электромедисина И Калидад, С.А.. Дата публикации: 2017-07-19.

Gas-discharge generator of high-frequency pulses

Номер патента: RU2751542C1. Автор: Дмитрий Викторович Вялых,Виктор Станиславович Жданов,Игорь Львович Львов,Сергей Александрович Садовой,Евгений Александрович Садчиков. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2021-07-14.

Rf detector and high-frequency module comprising same

Номер патента: EP4131636A1. Автор: Takeshi Ichihara,Kenichi Mitsugi. Владелец: Yokowo Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-08.

High frequency matrix transformer

Номер патента: US5093646A. Автор: Edward Herbert. Владелец: FMTT Inc. Дата публикации: 1992-03-03.

High frequency-resistant thermosetting coatings and high frequency-resistant enamelled wires produced therefrom

Номер патента: US6376073B1. Автор: Ru-Shi Liu,Wen-Hsiung Liu,Wen-Cheng Wu,Chih-Min Jang,Chi-Ting Du,Yung-Chin Lin,Shang-Yen Chang,Wen-Lu Tai,Yao-Chung Tu. Владелец: Tai-I Electric Wire and Cable Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-23.

High frequency transmission device and high frequency signal transmission method

Номер патента: US11791526B2. Автор: Kosuke Sasada,Hayato Kondo. Владелец: Hosiden Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

High Frequency Transmission Device and High Frequency Signal Transmission Method

Номер патента: US20220029264A1. Автор: Kosuke Sasada,Hayato Kondo. Владелец: Hosiden Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

High-frequency antenna element and high-frequency antenna module

Номер патента: US20170288305A1. Автор: Takashi Ono,Shin-ichi Ohkoshi,Marie YOSHIKIYO,Asuka Namai. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2017-10-05.

High-Frequency Magnetoimpedance Testing Apparatus and Method

Номер патента: US20220137000A1. Автор: Rui Liu,Ze Li,Jingshun LIU,Guanyu Cao,Shuqin XIAO. Владелец: Inner Mongolia University of Technology. Дата публикации: 2022-05-05.

High frequency plasma ignition device

Номер патента: US09617966B2. Автор: Thomas Schmid,Gunnar ARMBRECHT,Michael Wollitzer. Владелец: Rosenberger Hochfrequenztechnik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-04-11.

High-frequency filtrr circuit and high-frequency communication device

Номер патента: US20040257174A1. Автор: Yoshihisa Amano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Glass substrate, liquid crystal antenna and high-frequency device

Номер патента: US20210013598A1. Автор: Kazutaka Ono,Shuhei Nomura. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Glass substrate, liquid crystal antenna and high-frequency device

Номер патента: EP3770129A1. Автор: Kazutaka Ono,Shuhei Nomura. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-27.

Glass substrate, liquid crystal antenna and high-frequency device

Номер патента: US20220102850A1. Автор: Kazutaka Ono,Shuhei Nomura. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Signal converter and high-frequency circuit module

Номер патента: US8564383B2. Автор: Yoji Ohashi,Toshihiro Shimura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-10-22.

Low-cost high-frequency current signal sensor

Номер патента: GB2621421A8. Автор: Ma Qing,Wu Hao. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2024-10-09.

Liquid-crystalline medium and high-frequency components comprising same

Номер патента: US09593279B2. Автор: Volker REIFFENRATH,Michael Wittek,Atsutaka Manabe,Dagmar Klass,Christian Jasper,Constanze Brocke,Detlef Pauluth. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2017-03-14.

Soft magnetic exchange-coupled composite structure, and high-frequency device component, antenna module, and magnetoresistive device including the soft magnetic exchange-coupled composite structure

Номер патента: US09437358B2. Автор: Young-Jae Kang,Sang-mock Lee,Kyung-han AHN,Young-Min Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

Grounding unit for high-frequency connector and high-frequency connector module having the same

Номер патента: US20120295455A1. Автор: Yong Goo Lee,Kyoung Il Kang,Dong-Il Lim,Jang Mook Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-22.

Combined low frequency and high frequency current sensor

Номер патента: US20200182921A1. Автор: Andi Jakupi,Robert Isaacson,Carlton R. Rodrigues. Владелец: Schneider Electric USA Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Circulating fluid cooled delay line for high frequency tubes, and high frequency tubes having such a delay line

Номер патента: US4243914A. Автор: Bernard Delory,Georges Fleury,Jean-Claude Kuntzmann. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1981-01-06.

High frequency AC-powered drain cleaning and inspection apparatus and methods

Номер патента: US11846095B2. Автор: Mark S. Olsson,Jan Soukup,Alexander L. Warren,David A. Cox,Stephanie M. Bench,Inho Shin. Владелец: Seescan Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Dummy load for high power and high bandwidth

Номер патента: US20190181527A1. Автор: Bernhard Kaehs. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2019-06-13.

Optical pickup and high-frequency superposition module therefor

Номер патента: US20020163875A1. Автор: Masamichi Tanaka. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2002-11-07.

Plasma processing apparatus and high-frequency power application method of plasma processing apparatus

Номер патента: US12027347B2. Автор: Naoki Matsumoto,Masaru Sasaki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Circuits and methods for high frequency filters

Номер патента: WO2024191495A1. Автор: William Richard Smith, JR.. Владелец: MURATA MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2024-09-19.

Antenna structure and high-frequency multi-band wireless communication terminal

Номер патента: US11962099B2. Автор: Huan-Chu Huang,Yijin Wang,Xianjing JIAN. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

High-frequency magnetic material, producing method for the same and high-frequency magnetic device

Номер патента: EP1641001A3. Автор: Koichi Harada,Seiichi Suenaga,Takayuki Fukasawa,Tomohiro Suetsuna. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-05-14.

High-frequency acceleration cavity core and high-frequency acceleration cavity in which same is used

Номер патента: US20220210903A1. Автор: Tadao Saito,Satoru Habu. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

High-frequency signal transmission device and high-frequency signal transmission cable

Номер патента: EP4328936A1. Автор: Akira Yonezawa,Hiroshi Takahira. Владелец: Yamaichi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-28.

High-frequency acceleration cavity core, and high-frequency acceleration cavity in which same is used

Номер патента: EP4044773A1. Автор: Tadao Saito,Satoru Habu. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-17.

Semiconductor laser device with wavelength selection and high-frequency modulation of driving current

Номер патента: US6678306B1. Автор: Shinichiro Sonoda. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-13.

High-frequency signal transmission device and high-frequency signal transmission cable

Номер патента: US20240172360A1. Автор: Akira Yonezawa,Hiroshi Takahira. Владелец: Yamaichi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Inductor for high frequency and high power applications

Номер патента: EP3497706A1. Автор: Timo Frederik Sattel,Oliver Woywode,Jens RADVAN,Christian Willy VOLLERTSEN. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2019-06-19.

Method for high frequency synchronization of an electric system and an electronic board used for that purpose

Номер патента: RU2309546C2. Автор: Ульрих ХЕТЦЕР,Петер БРЕШЕ. Владелец: Адц Гмбх. Дата публикации: 2007-10-27.

Semiconductor device, control device for transmission, and control method of electronic control unit

Номер патента: US20240186046A1. Автор: Yoichiro Kobayashi,Keishi KOMORIYAMA,Minoru MIGITA. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Device for measuring volumes of a liquid in a container by measuring an emitted high-frequency radiation

Номер патента: US20230024911A1. Автор: Robert Lindemann,David HANNES,Felix Wege. Владелец: FRESENIUS MEDICAL CARE DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2023-01-26.

Hybrid structure for ultra-widebandterahertz generation and reception with semiconductor devices

Номер патента: AU2023254411A1. Автор: Luis Enrique Garcia Muñoz,Guillermo CARPINTERO DEL BARRIO,Alejandro Rivera Lavado,Muhsin ALI. Владелец: Universidad Carlos III de Madrid. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for controlling high-frequency plasma display

Номер патента: RU2200984C2. Автор: С.В. Голубев,Н.А. Богатов,Ю.Я. Бродский,А.Г. Литвак. Владелец: Литвак Александр Григорьевич. Дата публикации: 2003-03-20.

Method for transmitting an analog high-frequency signal over a fiber-optic communication line

Номер патента: RU2760745C1. Автор: Владимир Владимирович Задорожный,Александр Юрьевич Ларин,Алексей Сергеевич Трекин,Алексей Сергеевич Абакумов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Ростовский-на-Дону научно-исследовательский институт радиосвязи" (ФГУП "РНИИРС"). Дата публикации: 2021-11-30.

Generator of high frequency pulses on the basis of discharge with full cathode

Номер патента: RU2657240C1. Автор: Дмитрий Викторович Вялых,Александр Евгеньевич Дубинов,Виктор Станиславович Жданов,Игорь Львович Львов,Сергей Александрович Садовой. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2018-06-09.

High-frequency generator for ionic and electronic sources

Номер патента: RU2461908C2. Автор: Вернер КАДРНОШКА,Райнер КИЛЛИНГЕР,Йоханн МЮЛЛЕР,Антон ЛЕБЕДА,Штефан ВАЙС. Владелец: Астриум Гмбх. Дата публикации: 2012-09-20.

Balanced-type dielectric filter and high frequency circuit using balanced-type dielectric filter

Номер патента: US5489882A. Автор: Moriaki Ueno. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 1996-02-06.

Magnetron and microwave oven and high frequency heating apparatus each equipped with the same

Номер патента: US20040118841A1. Автор: Jong-Chull Shon,Boris Rayskiy,Hyun-Jun Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-06-24.

Liquid crystal (lc) composition with extremely-low dielectric loss and high-frequency component including same

Номер патента: US20230235228A1. Автор: Cheng Yang,LU Zhang,JIAN Li,Minggang Hu,Juanli Li,Zhaoyi Che,Lingchao Mo,Zhongwei An,Danyang Wan,Xiaozhe Yang,Fengjiao Shi. Владелец: Xian Modern Chemistry Research Institute. Дата публикации: 2023-07-27.

Connector and high-frequency signal transmission device

Номер патента: EP4329105A1. Автор: Akira Yonezawa,Hiroshi Takahira. Владелец: Yamaichi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-28.

Connector and high-frequency signal transmission device

Номер патента: US20240195127A1. Автор: Akira Yonezawa,Hiroshi Takahira. Владелец: Yamaichi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Coaxial cable connecting board, converter, and high frequency apparatus

Номер патента: US20080057783A1. Автор: Hiroyuki Dohata. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-03-06.

Substrate, liquid crystal antenna and high-frequency device

Номер патента: EP3770128A1. Автор: Kazutaka Ono,Shuhei Nomura. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-27.

High-frequency circuit board and antenna module

Номер патента: US20230354507A1. Автор: Naoya Okamoto,Yoshihiro Nakata,Naoki Hara,Toshihiro Ohki,Shirou Ozaki,Yusuke Kumazaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

High-frequency triggered tire pressure detection system and wake-up method

Номер патента: US20240198739A1. Автор: Shih-Yao Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-20.

Printed circuit board having high-speed or high-frequency signal connector

Номер патента: US09806474B2. Автор: Yong-hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor Device Manufacturing Apparatus Capable Of Reducing Particle Contamination

Номер патента: US20120003837A1. Автор: Kenji Maeda,Hiroyuki Kobayashi,Kenetsu Yokogawa,Masaru Izawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus and method for enhanced chemical processing in high pressure and atmospheric plasmas produced by high frequency electromagnetic waves

Номер патента: US4883570A. Автор: Dennis J. Helfritch,Philip C. Efthimion. Владелец: Research Cottrell Inc. Дата публикации: 1989-11-28.

High-frequency radiation generator based on discharge with hollow cathode

Номер патента: RU2605202C1. Автор: Виктор Дмитриевич Селемир,Дмитрий Викторович Вялых,Виктор Станиславович Жданов,Игорь Львович Львов,Сергей Александрович Садовой. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2016-12-20.

Broadband antenna of very high frequency band

Номер патента: RU2646534C1. Автор: Юрий Кахрамонович Худайназаров,Владимир Петрович Чернолес,Алексей Романович Авдеев,Александр Александрович Чернолес,Владислав Юрьевич Поздняк. Владелец: федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Военная академия связи имени Маршала Советского Союза С.М. Буденного" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2018-03-05.

High-frequency hailer reactor

Номер патента: RU2721375C1. Автор: Борис Александрович Волков,Илья Михайлович Бузунов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Уральский завод новых технологий". Дата публикации: 2020-05-19.

High-frequency power supply device and output control method therefor

Номер патента: US12040158B2. Автор: Hiroyuki Kojima,Takeshi Fujiwara,Satoshi Kawai. Владелец: Kyosan Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Integrated high-frequency generator system utilizing the magnetic field of the target application

Номер патента: EP2663882A1. Автор: Thorsten Maly,Jagadishwar R. Sirigiri. Владелец: Bridge 12 Technologies Inc. Дата публикации: 2013-11-20.

High frequency phase shifter unit

Номер патента: US20160276745A1. Автор: Dan Fleancu,Joerg Langenberg,Michael THUNN. Владелец: Kathrein Werke KG. Дата публикации: 2016-09-22.

High-frequency filter device, filter device combined to a transmit-receive antenna, and wireless apparatus using the same

Номер патента: US20030184402A1. Автор: Toru Yamada,Toshio Ishizaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-02.

Method to manufacture semiconductor device with optical grating

Номер патента: US20120094402A1. Автор: Yutaka Oonishi,Katsumi Uesaka,Kuniaki Ishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

High-frequency circuit module

Номер патента: US20230135728A1. Автор: Mikoto Nakamura,Yusuke Yahata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

High-frequency clock generator with low power consumption

Номер патента: US20030021369A1. Автор: Hsiao-Chyi Lin. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2003-01-30.

High frequency inverter / distributed gap inductor – capacitor filter apparatus and method of use thereof

Номер патента: US20200343034A1. Автор: Grant A. MacLennan,Hans Wennerstrom,Edward Handy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-10-29.

Method for manufacturing magnetic powder, magnetic field-amplifying magnetic material, and ultra high frequency-absorbing magnetic material

Номер патента: EP4438201A1. Автор: Shuichi Tada,Masahiro Abe,Satoshi Abe,Satoshi Yamanaka,Jun Akamatsu,Kenta Iwai,Nobuyoshi Imaoka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

High frequency integrated point-of-load power converter with embedded inductor substrate

Номер патента: US09564264B2. Автор: QIANG LI,Fred C. Lee,Wenli Zhang,Yipeng Su. Владелец: Virginia Tech Intellectual Properties Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

High-frequency power supply device

Номер патента: US09526161B2. Автор: Toshiya Habu. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

High-frequency neutron source such as neutralizer

Номер патента: RU2270491C2. Автор: Ханс-Петер ХАРМАНН,Карл-Хайнц ШАРТНЕР,Хорст ЛОЕБ,Ханс Юрген ЛЯЙТЕР,Карл-Хайнц ШАРТНЕР (DE),Хорст ЛОЕБ (DE),Ханс Юрген ЛЯЙТЕР (DE),Ханс-Петер ХАРМАНН (DE). Владелец: ЕАДС СПЕЙС Транспортейшн,ГмбХ,. Дата публикации: 2006-02-20.

Mesogenic compounds, liquid crystal compositions containing these compounds and devices for high-frequency equipment

Номер патента: RU2633578C2. Автор: Александр Николаевич ХРИПКОВ,Геннадий Александрович Евтюшкин,Вонбин ХОНГ,Елена Александровна Шепелева,Тимофей Викторович Камышев,Геннадий Михайлович Сосновский,Валерий Иванович Лапаник. Владелец: Слс-Институт Прикладных Физических Проблем Им. А.Н. Севченко (Слс-И). Дата публикации: 2017-10-13.

High-frequency pulse gas-discharge generator

Номер патента: RU2717091C1. Автор: Дмитрий Викторович Вялых,Виктор Станиславович Жданов,Игорь Львович Львов,Сергей Александрович Садовой. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2020-03-18.

High-frequency vector phase shifter

Номер патента: RU2647217C1. Автор: Александр Станиславович Коротков,Евгений Владимирович Балашов,Иван Александрович Румянцев. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ"). Дата публикации: 2018-03-14.

High-frequency rotation connection with quarter-wave circuit between stator and rotor

Номер патента: RU2396643C2. Автор: Франц ФИШЕР,Кристиан ШТАДЛЕР. Владелец: Шпиннер Гмбх. Дата публикации: 2010-08-10.

Liquid cooled high-frequency filter

Номер патента: US20070022153A1. Автор: Ivan Milak. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2007-01-25.

High-frequency radiation unit and multi-frequency base station antenna

Номер патента: EP4407804A1. Автор: Zhixiang Li,Zhanjun LAI,Mingchao Li,Zhilun ZHENG,Jiaju LIANG,Weishao LI. Владелец: Comba RF Technology Guangzhou Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

High-frequency input coupler and waveguide

Номер патента: US20230420821A1. Автор: Hideharu Takahashi. Владелец: Canon Electron Tubes and Devices Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

High frequency adapter

Номер патента: US20130130558A1. Автор: Ted Ju,Tien Chih Yu. Владелец: Lotes Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-23.

High frequency power source, plasma processing apparatus, inspection method for plasma processing apparatus, and plasma processing method

Номер патента: US20020113738A1. Автор: Tomohiro Okumura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-22.

High frequency antenna device

Номер патента: US10978814B2. Автор: Jui-Hung Chou. Владелец: Auden Techno Corp. Дата публикации: 2021-04-13.

Optical semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US7920613B2. Автор: Yasutaka Sakata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-04-05.

High-frequency module including a laminated filter having alternating conductive and dielectric layers and a through hole extending through the filter for coupling to a transmission line

Номер патента: US12100880B2. Автор: Takashi Okawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Circuit board equipped with a high-frequency component emitting interference waves

Номер патента: US09801268B2. Автор: Thomas Blödt. Владелец: Endress and Hauser SE and Co KG. Дата публикации: 2017-10-24.

High frequency electrical connector

Номер патента: US09787041B1. Автор: Jiun Fu Ke,Kun Shen Wu. Владелец: GREENCONN CORP. Дата публикации: 2017-10-10.

Transmission of signals via a high-frequency waveguide

Номер патента: US09698460B2. Автор: Kenji Komori,Yasuhiro Okada,Takahiro Takeda,Sho Ohashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

High-frequency transmission line and antenna device

Номер патента: US09583836B2. Автор: Noboru Kato,Satoshi Sasaki. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

HIGH-FREQUENCY AMPLIFIER CIRCUIT, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING DEVICE

Номер патента: US20140312972A1. Автор: AJIOKA Atsushi,TSUMITA Atsushi,Shibuya Tomohiko,YONEDA Sadaharu. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2014-10-23.

High-frequency switching circuit module

Номер патента: US20090243703A1. Автор: Koji Furutani. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-01.

High frequency semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240322808A1. Автор: Takayuki Teraguchi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

High frequency semiconductor switch

Номер патента: US8482337B2. Автор: Tsuyoshi Sugiura. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-09.

High frequency transmitter and receiver radio frequency interface including transmit/receive switch with electrostatic discharge protection and biasing schemes

Номер патента: US20230353186A1. Автор: YING Chen,Xiaohua Yu,Tienyu Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Decoupling circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20160197603A1. Автор: Gil-Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-07.

Decoupling circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09692424B2. Автор: Gil-Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Gate driving circuit and method for driving semiconductor device

Номер патента: US09543928B2. Автор: Keisuke Yamashiro,Hiromu Takubo. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

High-frequency electrosurgical device with automatic power cut-off function

Номер патента: US20240307104A1. Автор: Jongho Song,Sechan Park,Siwoo PARK. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-19.

Integrated high-frequency MOS oscillator

Номер патента: US6897736B2. Автор: Paulus Thomas Maria Van Zeijl,Jurjen Tangenberg. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2005-05-24.

High frequency switching circuit

Номер патента: US20090160264A1. Автор: Eiichiro Otobe,Norihisa Otani. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2009-06-25.

High-frequency switching circuit

Номер патента: US09570974B2. Автор: Nikolay Ilkov,Winfried Bakalski,Hans Taddiken,Herbert Kebinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-14.

High-Frequency Power Supply Circuit and Determining Method of Constants of Amplifier Circuit

Номер патента: US20210111676A1. Автор: Hiroyuki Kotani. Владелец: Daihen Corp. Дата публикации: 2021-04-15.

Electric motor system and high-frequency harmonic suppressing device of the same

Номер патента: US20200006939A1. Автор: Ching-Chuan Lan. Владелец: Kong Ming Motor Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Synchronization between low frequency and high frequency digital signals

Номер патента: US20050285640A1. Автор: Atsushi Nakamura. Владелец: Teradyne Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

Backward-compatible integration of high frequency reconstruction techniques for audio signals

Номер патента: AU2024200687B2. Автор: Heiko Purnhagen,Lars Villemoes,Kristofer Kjoerling,Per Ekstrand. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2024-10-17.

Filter apparatus comprising series connected low pass and high pass filters with acoustic resonators

Номер патента: US09729125B2. Автор: Koji Nosaka. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

High frequency crystal oscillator and high frequency signal generating method

Номер патента: US20020109557A1. Автор: Takeo Oita. Владелец: Nihon Dempa Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-15.

High frequency circuit and high frequency module

Номер патента: US20130033327A1. Автор: Akio Yamamoto,Norio Hayashi,Satoshi Shimizu,Ryo Kadoi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-02-07.

Low power high frequency digital pulse frequency modulator

Номер патента: WO2014200461A1. Автор: Peng Zou,Fenardi Thenus,Henry W. Koertzen,Raghu Nandan CHEPURI. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2014-12-18.

Low power high frequency digital pulse frequency modulator

Номер патента: US09711108B2. Автор: Peng Zou,Fenardi Thenus,Raghu Nandan CHEPURI,Henry K. KOERTZEN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Backward compatible integration methods for high-frequency recovery of audio signals

Номер патента: RU2757322C2. Автор: Ларс ВИЛЛЕМОЕС,Хейко ПУРНХАГЕН,Пер ЭКСТРАНД,Кристофер ЧЕРЛИНГ. Владелец: Долби Интернэшнл Аб. Дата публикации: 2021-10-13.

Synchronization between low frequency and high frequency digital signals

Номер патента: US7061286B2. Автор: Atsushi Nakamura. Владелец: Teradyne Inc. Дата публикации: 2006-06-13.

Power supply device for high frequency power amplification circuit and high frequency power amplification device

Номер патента: US20150002232A1. Автор: Hitoshi Tsuji. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-01.

All NPN class-AB log-domain integrator with supporting input and output circuitry for low-voltage and high-frequency continuous-time filtering

Номер патента: US20010033191A1. Автор: Mourad El-Gamal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-25.

Inversely compatible integration of techniques of high-frequency reconstruction for audio signals

Номер патента: RU2740688C1. Автор: Ларс ВИЛЛЕМОЕС,Хейко ПУРНХАГЕН,Пер ЭКСТРАНД,Кристофер ЧЕРЛИНГ. Владелец: Долби Интернэшнл Аб. Дата публикации: 2021-01-19.

Power modulation systems and methods that separately amplify low and high frequency portions of an amplitude waveform

Номер патента: EP1183776B1. Автор: William O. Camp, Jr.,Bengt Lindoff. Владелец: Ericsson Inc. Дата публикации: 2002-10-16.

Backward-compatible integration of high frequency reconstruction techniques for audio signals

Номер патента: AU2024200687A1. Автор: Heiko Purnhagen,Lars Villemoes,Kristofer Kjoerling,Per Ekstrand. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2024-02-22.

Backward-compatible integration of high frequency reconstruction techniques for audio signals

Номер патента: AU2023255020B2. Автор: Heiko Purnhagen,Lars Villemoes,Kristofer Kjoerling,Per Ekstrand. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2024-03-14.

Backward-compatible integration of high frequency reconstruction techniques for audio signals

Номер патента: AU2023255020A1. Автор: Heiko Purnhagen,Lars Villemoes,Kristofer Kjoerling,Per Ekstrand. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2023-11-16.

Backward-compatible integration of high frequency reconstruction techniques for audio signals

Номер патента: AU2021240113B2. Автор: Heiko Purnhagen,Lars Villemoes,Kristofer Kjoerling,Per Ekstrand. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2023-11-02.

High-frequency semiconductor amplifier circuit

Номер патента: US10033332B2. Автор: Yasuhiko Kuriyama,Toshiki Seshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-07-24.

Power amplification module, method for controlling power amplification module, and high-frequency front end circuit

Номер патента: US20190348954A1. Автор: Masakazu Hirobe. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-14.

High-frequency oscillator of frequency switching type and high-frequency oscillation method

Номер патента: CA2385222A1. Автор: Takeo Oita. Владелец: Nihon Dempa Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-08.

High frequency amplifier

Номер патента: US20100033241A1. Автор: Masatoshi Nakayama,Kazutomi Mori,Teruyuki Shimura,Akira Ohta,Kazuhiro Iyomasa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-02-11.

High frequency intensity amplifier circuitry arrangement for indoor cable television

Номер патента: CA2187815A1. Автор: Bark-Lee Yee. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-04-11.

A high-output-power and high-efficiency power amplifier

Номер патента: LU101196B1. Автор: Shaohua Zhou,Jianguo Ma. Владелец: Univ Tianjin. Дата публикации: 2019-08-26.

Low power high frequency digital pulse frequency modulator

Номер патента: US20170301309A1. Автор: Peng Zou,Fenardi Thenus,Raghu Nandan CHEPURI,Henry K. KOERTZEN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-19.

Method for modulation of amplitude and phase of high-frequency signals and device for its implementation

Номер патента: RU2694784C2. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Владимир Александрович Головков,Александр Николаевич Дружинин,Наталия Александровна Дружинина. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2019-07-16.

High frequency power amplifivation device

Номер патента: US20240195369A1. Автор: Masatoshi Kamitani,Kazuhiko Ohhashi. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for generation of high-frequency signals and device for its implementation

Номер патента: RU2698543C1. Автор: Владислав Викторович Кирюшкин,Александр Афанасьевич Головков,Владимир Александрович Головков,Владимир Николаевич Гаврюшин,Александр Анатольевич Новиков. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2019-08-28.

Method for modulation of amplitude and phase of high-frequency signals and device for its implementation

Номер патента: RU2694429C2. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Владимир Александрович Головков,Александр Николаевич Дружинин,Наталия Александровна Дружинина. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2019-07-15.

Method and device for recovering audio-signal high-frequency component

Номер патента: RU2244386C2. Автор: Сеун-хан Жеон,А.С. Петухов,В.А. Свириденко,Т.М. Юдина. Владелец: СПИРИТ Корп.. Дата публикации: 2005-01-10.

Control method for fast trapping and high-frequency mutual ejection of cold atom groups

Номер патента: US20210265072A1. Автор: Bin Wang,CHEN Huang,Jun Cheng,Fusheng Chen,Kangqi LIU,Haicen MAO,Jiapeng ZHOU. Владелец: 717th Research Institute of CSIC. Дата публикации: 2021-08-26.

Systems and methods for compressing high frequency signals

Номер патента: DK179177B1. Автор: Brian F HOWARD. Владелец: Gen Electric. Дата публикации: 2018-01-08.

High frequency power amplifier, high frequency front-end circuit, and radio communication device

Номер патента: US09787334B2. Автор: Shinya HITOMI,Takaya Wada,Hisao Hayafuji,Hidenori OBIYA. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device comprising successive approximation register analog to digital converter with variable sampling capacitor

Номер патента: US09722624B2. Автор: Jong-Woo Lee,Seung-Hyun OH,Thomas Byung-Hak CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Method and apparatus for encoding and decoding high frequency signal

Номер патента: US09478227B2. Автор: LEI Miao,Ki-hyun Choo,Eun-mi Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Digital apparatus for determining the spectrum of received signals with high frequency resolution

Номер патента: RU2756024C1. Автор: Александр Александрович Кузнецов,Олег Евгеньевич Славянский,Кирилл Анатольевич Селеня,Светлана Валерьевна Малюкова. Владелец: Акционерное общество "ОКБ-Планета" АО "ОКБ-Планета". Дата публикации: 2021-09-24.

Controlled very high frequency travelling-wave amplifier

Номер патента: RU2564632C2. Автор: Этьенн КЮИНЬЕ,Филипп ФЕ,Эмили ТОНЕЛЛО. Владелец: Таль. Дата публикации: 2015-10-10.

Wideband modification of high-frequency key power amplifier

Номер патента: RU2732966C1. Автор: Вячеслав Вячеславович Воронович,Артур Геннадьевич Гадзиковский. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "18 Центральный научно-исследовательский институт" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2020-09-25.

High frequency amplification circuit, high frequency front-end circuit, and communication device

Номер патента: US20190334486A1. Автор: Shigeru Tsuchida. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-31.

High-frequency amplifier

Номер патента: EP1592128A1. Автор: Keiichiro c/o ALPS ELECTRIC CO. LTD. Sato. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-11-02.

Device and method for switching a frequency range of a high frequency amplifier

Номер патента: US20230103586A1. Автор: Sebastian Stempfl. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-04-06.

High-frequency amplifier, feed-forward amplifier and distortion compensation amplifier

Номер патента: EP1317063A1. Автор: Masatoshi c/o MITSUBISHI DENKI K K NAKAYAMA,Kenichi c/o MITSUBISHI DENKI K K HORIGUCHI,Yukio c/o MITSUBISHI DENKI K K IKEDA,Satoshi c/o MITSUBISHI DENKI K K KUNUGI,Yuji c/o MITSUBISHI DENKI K K SAKAI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-06-04.

Semiconductor device

Номер патента: US12074571B2. Автор: Jun Suk Bang,Dong Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

High-frequency power device and method for controlling high-frequency power

Номер патента: US20060220573A1. Автор: Hiroyuki Kotani,Ryohei Tanaka,Hiroshi Matoba,Hirotaka Takei. Владелец: Daihen Corp. Дата публикации: 2006-10-05.

Electrical circuit for generating precise high frequency oscillation intermittently modulatable in frequency

Номер патента: US3736529A. Автор: Der Floe H Van,J Langendorf. Владелец: Autophon AG. Дата публикации: 1973-05-29.

High-frequency signal amplifier circuit, power amplifier module, front-end circuit, and communication apparatus

Номер патента: US09780735B1. Автор: Reiji Nakajima,Hidenori OBIYA. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device comprising analog to digital converters sharing reference capacitor and system on chip comprising the same

Номер патента: US09503117B2. Автор: Jong-Woo Lee,Seung-Hyun OH,Byung-Hak Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

High-frequency amplifier

Номер патента: CA2225855C. Автор: Kenichi Sakusabe. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2000-10-10.

High-frequency circuit, front end module, and communication apparatus

Номер патента: US20190103843A1. Автор: Kiyoshi Aikawa. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-04.

High frequency power amplifier

Номер патента: US20080088376A1. Автор: Haruhiko Koizumi,Masahiko Inamori,Kazuki Tateoka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-17.

Counting circuit for determining the incoming frequency or received channel in a high-frequency superhet receiver

Номер патента: US4193686A. Автор: Otto Klank. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1980-03-18.

Pseudo-envelope follower power management system with high frequency ripple current compensation

Номер патента: EP2649724A1. Автор: Nadim Khlat,Michael R. Kay,Philippe Gorisse. Владелец: RF Micro Devices Inc. Дата публикации: 2013-10-16.

High frequency push-push oscillator

Номер патента: US20210281217A1. Автор: Bassem Fahs,Mona Hella. Владелец: RENSSELAER POLYTECHNIC INSTITUTE. Дата публикации: 2021-09-09.

High-frequency module

Номер патента: US09948269B2. Автор: Hiromichi Kitajima. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

High-frequency signal predistortion device and nonlinear distortion correcting device for power amplifier

Номер патента: US09923582B2. Автор: Seong Jin Kim,Sang Il Lee,Yong Hoon Lee,Jong Ok HA,Soon Il Hong,Min Hyun Kim,Eui Rim Jeong,Young Wook SIRL. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-03-20.

Transmitting device for driving a high-frequency antenna of a magnetic-resonance device

Номер патента: US09488706B2. Автор: Markus Vester. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2016-11-08.

Power feedback power factor correction high frequency inverter

Номер патента: US20050146906A1. Автор: Kanghong Zhang,Yih-Fang Chiou,James Chien Chao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-07.

High voltage generator and high voltage generating method of semiconductor device

Номер патента: KR101024137B1. Автор: 강인호,권이현. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-03-22.

Semiconductor device and high-frequency module

Номер патента: US09444512B2. Автор: Yasushi Shigeno,Shigeki Koya,Eigo Tange,Akishige Nakajima. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

High-frequency power supply apparatus for supplying high-frequency power

Номер патента: US09537422B2. Автор: Eizo Kawato. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

High-frequency heating apparatus for progressive die and high-frequency heating method using the same

Номер патента: US20180236524A1. Автор: Young Seck NA. Владелец: Korea Precision Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-23.

Method for suspending high-frequency shield and high-frequency shield

Номер патента: RU2733647C1. Автор: Алексей Павлович Лебедев,Виталий Федотович Буткевич. Владелец: Акционерное Общество «Россети Тюмень». Дата публикации: 2020-10-06.

Dual-frequency power-supply apparatus, high-frequency heating apparatus, and high-frequency quenching apparatus

Номер патента: US20230318478A1. Автор: Hirotaka Tanaka,Masato Sugimoto,Yohei Masuda. Владелец: Neturen Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Method for coating and forming novel material layer structure of high-frequency circuit board and article thereof

Номер патента: US20240244763A1. Автор: LongKai LI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-18.

High-definition television signal processing system and high-definition television signal receiving system (design versions)

Номер патента: RU2127493C1. Автор: Хью Эдвард Уайт. Владелец: Дженерал Электрик Компани. Дата публикации: 1999-03-10.

Method for preparing novel material layer structure of high-frequency circuit board and article thereof

Номер патента: US20240244757A1. Автор: LongKai LI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-18.

Earphone with stand-alone high-frequency driver

Номер патента: US09516403B2. Автор: To-Teng Huang. Владелец: Jetvox Acoustic Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

High-frequency detecting elements and high-frequency heater using the same

Номер патента: US20010003370A1. Автор: Hideaki Niimi,Yuichi Takaoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-06-14.

Composite material, high-frequency circuit substrate made therefrom and making method thereof

Номер патента: US09890276B2. Автор: Ming-She Su. Владелец: Shengyi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Copper foil for high frequency circuit, method of production and apparatus for production of same, and high frequency circuit using copper foil

Номер патента: US20070042212A1. Автор: Yuuji Suzuki,Akira Matsuda,Takami Moteki,Kazuhiro Hoshino,Kensaku Shinozaki. Владелец: Furukawa Circuit Foil Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-22.

Dc bias suppression method and high-frequency power conversion circuit using the same

Номер патента: US20240322664A1. Автор: HONG Liu,Wen Zhang,Baihui SONG. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Dc bias suppression method and high-frequency power conversion circuit using the same

Номер патента: EP4443724A1. Автор: HONG Liu,Wen Zhang,Baihui SONG. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

DOPO derivative and composite of epoxy applied in high-frequency substrate

Номер патента: US09956742B2. Автор: Tung-Ying Hsieh,Qi Shen,Jung-Che Lu. Владелец: Jiangsu Yoke Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Three-electrode semiconductor device

Номер патента: RU2654352C1. Автор: Дмитрий Владимирович Кантюк,Сергей Иванович Толстолуцкий,Анна Владимировна Толстолуцкая. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Ростовский-на-Дону научно-исследовательский институт радиосвязи" (ФГУП "РНИИРС"). Дата публикации: 2018-05-17.

An adaptive protection method for impedance of parallel capacitors

Номер патента: CA3047488C. Автор: Li Ding,SHU Xu,Zhen Jin,Zhongpeng SONG,Qunbing YU,Kaida DONG. Владелец: NR Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-22.

Wireless Power Transmitter For High Fidelity Communications And High Power Transfer

Номер патента: US20240204580A1. Автор: Alberto Peralta,Pavel Shostak. Владелец: Nucurrent Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Wireless power transmitter for high fidelity communications and high power transfer

Номер патента: US12100973B2. Автор: Alberto Peralta,Pavel Shostak. Владелец: Nucurrent Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

High-frequency heating apparatus for progressive die and high-frequency heating method using the same

Номер патента: US10589337B2. Автор: Young Seck NA. Владелец: Korea Precision Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-17.

Apparatus and method for preventing alterations and distortions in high fidelity and high fidelity high end audio and/or video reproduction

Номер патента: EP4231537A1. Автор: Davide DE BERNARDI. Владелец: Ingelva SRL. Дата публикации: 2023-08-23.

Communication earpiece without impulse and high frequency noise

Номер патента: WO2001003405A1. Автор: Chung-Yu Lin. Владелец: Chen, Chung, Chin. Дата публикации: 2001-01-11.

Apparatus and method for preventing alterations and distortions in high fidelity and high fidelity high end audio and/or video reproduction

Номер патента: WO2023156842A1. Автор: Davide DE BERNARDI. Владелец: Ingelva S.r.l.. Дата публикации: 2023-08-24.

Electronic device and high frequency circuit board thereof

Номер патента: US20100163299A1. Автор: Wei-Chih Chang,Ching-Jung Tsai,Hsu-Kuan Hsu,Shih-Nien Huang. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Metal-resin composite, surface treatment method, and substrate of circuit board for high-frequency and high-speed signal transmission

Номер патента: US20240342968A1. Автор: Wei Chen,Xiaoliang Wang,Qi Xue,Dongshan Zhou,Linling Li,Huijie ZHUANG,Jianglong HAN. Владелец: Jiangsu Hhck Advanced Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Device for transferring current of high amperage and high frequency

Номер патента: RU2401493C2. Автор: Жак ЛАКОМБ,Патрис БРЮН,Тьерри ФЛАМЕН,Эрик ШОВЕН,Антони ПРОД'ОММ. Владелец: Арева Нс. Дата публикации: 2010-10-10.

Circuit arrangement for producing a direct voltage with reduction of harmonic and high-frequency interferences

Номер патента: US5612856A. Автор: Manfred Albach. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1997-03-18.

High frequency generating device and high frequency generating method used in plasma ignition apparatus

Номер патента: US9826620B2. Автор: Akio Okahara,Yusuke Masuda,Masashi Shibayama,Jyunya TOKINAGA,Shoko Yamoto,Saori Aiba. Владелец: Denso Ten Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Ultra low loss dielectric thermosetting resin composition and high performance laminates manufactured therefrom

Номер патента: US09596753B2. Автор: Sajal Das,Patrick Shipman. Владелец: NOVOSET LLC. Дата публикации: 2017-03-14.

Ultra low loss dielectric thermosetting resin compositions and high performance laminates manufactured therefrom

Номер патента: US09332637B2. Автор: Sajal Das,Patrick Shipman. Владелец: NOVOSET LLC. Дата публикации: 2016-05-03.

Electrophysical device for gas cleaning from environmentally hazardous impurities, air disinfection and sterilization by means of combination of frequency-pulse and high-voltage direct voltage

Номер патента: RU2733755C1. Автор: Алексей Семенович Смирнов,Александр Васильевич Плохов,Александр Залманович Понизовский,Олег Станиславович Кужель. Владелец: Олег Станиславович Кужель. Дата публикации: 2020-10-06.

High frequency generating device and high frequency generating method used in plasma ignition apparatus

Номер патента: US20170064805A1. Автор: Akio Okahara,Yusuke Masuda,Masashi Shibayama,Jyunya TOKINAGA,Shoko Yamoto,Saori Aiba. Владелец: Denso Ten Ltd. Дата публикации: 2017-03-02.

Method and apparatus for switching of parallel capacitors in an HID bi-level dimming system using voltage suppression

Номер патента: US6856101B1. Автор: William Henry Hitchcock. Владелец: Acuity Brands Inc. Дата публикации: 2005-02-15.

Method for preparing novel material layer structure of high-frequency circuit board and article thereof

Номер патента: US20220304161A1. Автор: LongKai LI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-09-22.

Integrated cold plasma and high frequency plasma electrosurgical system and method

Номер патента: US11950831B2. Автор: Jerome Canady,Taisen ZHUANG,Alexey Shashurin,Michael Keidar. Владелец: US Patent Innovations LLC. Дата публикации: 2024-04-09.

Cyclotron capable of accelerating alpha particles and h2+ particles, and high-gain method and high-precision method

Номер патента: EP4319493A1. Автор: Fei Wang,Wei Fu,Chuan Wang,Suping Zhang,Jingyuan Liu,Zhichao CHU,Tianjue ZHANG,Zhiguo YIN,Bohan ZHAO,Sumin WEI,Zhaojun JIN. Владелец: China Institute of Atomic of Energy. Дата публикации: 2024-02-07.

System and method for generating high-frequency and mid-frequency audible sound via piezoelectric actuators of a haptic keyboard

Номер патента: US20210240271A1. Автор: James H. Hallar,Michiel Knoppert,Priyank Gajiwala,Frank van Valkenhoef,Thomas M. Hinskens. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2021-08-05.

Electronic tuner and high frequency receiving device using the same

Номер патента: US20110122975A1. Автор: Takashi Umeda,Hiroaki Ozeki,Akira Fujishima. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-05-26.

High efficiency high frequency resonant power conversion

Номер патента: US09755534B2. Автор: Hengchun Mao. Владелец: Nuvolta Technologies Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

High-frequency switch circuit and high-frequency transmitting/receiving apparatus

Номер патента: US20050239415A1. Автор: Toshiki Seshita,Yoshitomo Sagae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-27.

High-frequency high-speed swing motor and method for implementing same

Номер патента: US20230253866A1. Автор: Haojing HUANG,Guoyun ZHANG. Владелец: Zhejiang Dongyang Dongci Chengji Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Composite material, high-frequency circuit substrate made therefrom and making method thereof

Номер патента: US20100021687A1. Автор: Min She Su. Владелец: Shengyi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-28.

High frequency ferroresonant power supply for a deflection and high voltage circuit

Номер патента: CA1140254A. Автор: Frank S. Wendt. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1983-01-25.

Matching device for an antenna and high-frequency receiver using the same

Номер патента: EP1750375A3. Автор: Ryuichi Matsushita Elec. Ind. Co. Ltd. Kamimoto,Akira Matsushita Elec. Ind. Co. Ltd. Ito,Matsushita Elec. Ind. Co. Ltd. Hibino Yasuhiro. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-08-05.

Spectrum spread communication method and system using very weak power, and high frequency radio apparatus

Номер патента: US8090004B2. Автор: Kaoru Kobayashi,Nobuo Tsukamoto. Владелец: Nihon Dempa Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-03.

Pulse width modulation control circuit for a high frequency series resonant ac/dc converter

Номер патента: CA2354454C. Автор: Haibo Zhang,Praveen Kumar Jain. Владелец: ChipPower com Inc. Дата публикации: 2004-12-14.

High-Frequency and High-Voltage Supply Unit with Retroactive Control

Номер патента: US20080030145A1. Автор: Gianfranco Nadalutti,Massimo Gritti. Владелец: STERN LASER Srl. Дата публикации: 2008-02-07.

Current Protection-Type Semiconductor Device

Номер патента: US20240322558A1. Автор: Wenfang Du,Xinjiang LV,Xuqiang ZHU. Владелец: Nanjing Sinnopower Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

A new cellular mobile phone that minimizes the negative effects on human health, by moving the parts that emit potentially hazardous high frequency and high power electromagnetic waves, away from the user

Номер патента: WO2011148360A3. Автор: Naim Sungur,Emel Ozen. Владелец: Emel Ozen. Дата публикации: 2012-09-13.

Wireless power transmitter for high fidelity communications and high power transfer

Номер патента: US11476725B2. Автор: Alberto Peralta,Pavel Shostak. Владелец: Nucurrent Inc. Дата публикации: 2022-10-18.

High frequency heating device with flexible coil

Номер патента: CA2253139C. Автор: Takayuki Kawano,Takijiro Shimamoto,Masanori Terasaki. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2001-01-30.

Wireless power transmitter for high fidelity communications and high power transfer

Номер патента: US11489372B2. Автор: Alberto Peralta,Pavel Shostak. Владелец: Nucurrent Inc. Дата публикации: 2022-11-01.

Wireless Power Transmitter for High Fidelity Communications and High Power Transfer

Номер патента: US20230223795A1. Автор: Alberto Peralta,Pavel Shostak. Владелец: Nucurrent Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Communication earpiece without impulse and high frequency noise

Номер патента: WO2001003405A8. Автор: Chung-Yu Lin. Владелец: Lin Chung Yu. Дата публикации: 2001-04-19.

Wireless power transmitter for high fidelity communications and high power transfer

Номер патента: US11770031B2. Автор: Alberto Peralta,Pavel Shostak. Владелец: Nucurrent Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Communication earpiece without impulse and high frequency noise

Номер патента: EP1198942A1. Автор: Chung-Yu Lin,Chung Chin Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-24.

Communication earpiece without impulse and high frequency noise

Номер патента: EP1198942A4. Автор: Chung-Yu Lin,Chung Chin Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-14.

Earpiece without impulse and high frequency noise

Номер патента: CA2378262C. Автор: Chung-Yu Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-05.

Extremely high throughput and high frequency bandwidth support indication

Номер патента: WO2024076798A1. Автор: Imran ANSARI,Rajeev Kumar Singh,Prashant Harkude,Shaikh Asfaquz Zaman. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-04-11.

Extremely high throughput and high frequency bandwidth support indication

Номер патента: US20240137923A1. Автор: Imran ANSARI,Rajeev Kumar Singh,Prashant Harkude,Shaikh Asfaquz Zaman. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Heat sink element and high-frequency electronic circuit substrate using such

Номер патента: US20020071252A1. Автор: Tadashi Ito,Choichirou Kodaka,Masashiro Shindo. Владелец: Kokusai Denki Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2002-06-13.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20240237376A9. Автор: Kazunori Watanabe,Satoshi Yoshimoto,Tomoaki Atsumi,Koji KUSUNOKI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US12069876B2. Автор: Kazunori Watanabe,Satoshi Yoshimoto,Tomoaki Atsumi,Koji KUSUNOKI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20240365572A1. Автор: Kazunori Watanabe,Satoshi Yoshimoto,Tomoaki Atsumi,Koji KUSUNOKI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

High frequency AC power distribution network for electric vehicles

Номер патента: US12068711B2. Автор: Hiroshi UKEGAWA,Yanghe Liu,Chungchih Chou,Qunfang WU,Mengqi WANG,Weiyang Zhou. Владелец: University of Michigan Medical School. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory cells, semiconductor structures, semiconductor devices, and methods of fabrication

Номер патента: EP3130014A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sumeet C. Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-15.

Memory cells, semiconductor structures, semiconductor devices, and methods of fabrication

Номер патента: WO2015157080A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sumeet C. Pandey. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-10-15.

Method for driving semiconductor device

Номер патента: US12080254B2. Автор: Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

High-frequency, low-voltage switch devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240341204A1. Автор: Kuo-Pin Chang,Kuo-Ching Huang,Yu-Wei Ting,Hung-Ju Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Method for driving semiconductor device

Номер патента: US09978320B2. Автор: Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of providing maximum high-frequency electrical energy transmission ratio when changing distance between microstrip structures in certain limits

Номер патента: RU2740957C1. Автор: Игорь Борисович Широков,Игорь Владимирович Сердюк,Елена Игоревна Широкова,Андрей Андреевич Азаров. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Генезис-Таврида". Дата публикации: 2021-01-22.

Engine fault detection system based on high-frequency signals supply by means of communication

Номер патента: RU2730902C1. Автор: Вэй Чен,Синьминь ЛИ,Тинна ШИ,Чанлян СЯ,Шухай ДУН. Владелец: Тяньгун Юниверсити. Дата публикации: 2020-08-26.

Device and method for fixing electromechanical composite high-frequency vibration systems

Номер патента: RU2568141C2. Автор: Хольгер ХИЛШЕР,Харальд ХИЛШЕР,Томас ХИЛШЕР. Владелец: Др. Хилшер Гмбх. Дата публикации: 2015-11-10.

Method and apparatus for decreasing superimposed or induced alternating currents in direct current and high frequency circuits

Номер патента: US3839686A. Автор: W Vogl. Владелец: Individual. Дата публикации: 1974-10-01.

Method and device for encoding a high frequency signal, and method and device for decoding a high frequency signal

Номер патента: US20170316789A1. Автор: Anisse Taleb,LEI Miao,Zexin LIU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

Method and Device for Encoding a High Frequency Signal, and Method and Device for Decoding a High Frequency Signal

Номер патента: US20230298604A1. Автор: Anisse Taleb,LEI Miao,Zexin LIU. Владелец: Crystal Clear Codec LLC. Дата публикации: 2023-09-21.

Method and system for acquiring high frequency carrier in a wireless communication network

Номер патента: US11778577B2. Автор: ANSHUMAN Nigam,ANIL Agiwal. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Multi-band high-frequency circuit, multi-band high frequency circuit component and multi-band communication apparatus using same

Номер патента: US7982554B2. Автор: Masayuki Uchida,Shigeru Kemmochi,Kazuhiro Hagiwara,Keisuke Fukamachi. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2011-07-19.

High frequency signal reradiating device, high frequency signal receiving device, and wireless system

Номер патента: US20230299799A1. Автор: Katsuyuki Tanaka,Tatsuhiro Kawaguchi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Method and device for encoding a high frequency signal, and method and device for decoding a high frequency signal

Номер патента: US12087313B2. Автор: Anisse Taleb,LEI Miao,Zexin LIU. Владелец: Crystal Clear Codec LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Method and device for injecting high frequency current vector

Номер патента: US20240313680A1. Автор: Nicolas Voyer,Guilherme BUENO MARIANI,Gianmario PELLEGRINO,Anantaram Varatharajan. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Method and device for encoding a high frequency signal, and method and device for decoding a high frequency signal

Номер патента: US09728197B2. Автор: Anisse Taleb,LEI Miao,Zexin LIU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of operating a cellular network, including a high-frequency packet transmission

Номер патента: RU2713410C1. Автор: Лили ЧЖАН,Бин ЛЮ,Нейтан Эдвард ТЕННИ,Ричард СТЁРЛИНГ-ГАЛАХЕР. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-02-05.

High-frequency processing method of structurally complex articles from polymer materials

Номер патента: RU2717804C1. Автор: Александр Сергеевич Попов,Сергей Константинович Каргапольцев,Денис Витальевич Буторин,Николай Григорьевич Филиппенко,Александр Валерьевич Лившиц,Денис Викторович Баканин,Владимир Сергеевич Бычковский,Алексей Сергеевич Курайтис. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Иркутский государственный университет путей сообщения (ФГБОУ ВО ИрГУПС). Дата публикации: 2020-03-25.

Transmitting communication complex of high-frequency and extremely-frequency ranges with deep-sunk and remote objects

Номер патента: RU2653110C1. Автор: Андрей Андреевич Катанович,Виктор Леонидович Муравченко,Вячеслав Александрович Цыванюк,Рубен Александрович Маркосян. Владелец: Закрытое акционерное общество "Проектно-конструкторское бюро "РИО". Дата публикации: 2018-05-07.

High-frequency data exchange system

Номер патента: RU2681692C1. Автор: Александр Владимирович Кейстович. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Полет". Дата публикации: 2019-03-12.

High-frequency current heating device

Номер патента: RU2521995C2. Автор: Коудзи КАНЗАКИ,Хисахиро НИСИТАНИ. Владелец: ПАНАСОНИК КОРПОРЭЙШН. Дата публикации: 2014-07-10.

Handling High Data Rates in Protocol Stack when Using High Frequency Spectrum

Номер патента: US20240205723A1. Автор: Dawei Zhang,Haijing Hu,Yuqin Chen,Fangli XU,Sethuraman Gurumoorthy,Srinivasan NIMMALA,Srirang A. Lovlekar,Zhibin Wu,Sarma V. Vangala,Naveen Kumar R. Palle VENKATA,Ralf ROSSBACH. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Modem performance optimization under high frequency drift

Номер патента: WO2024137924A1. Автор: Ravinder Kumar,Tae Min Kim,Levent Aydin,Paolo Minero. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for emulating low frequency serial clock data recovery rf control bus operation using high frequency data

Номер патента: US20120287971A1. Автор: Boris Radovcic,James C. Gower. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2012-11-15.

Method and system for acquiring high frequency carrier in a wireless communication network

Номер патента: US20210360559A1. Автор: ANSHUMAN Nigam,ANIL Agiwal. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-18.

Method and system for acquiring high frequency carrier in a wireless communication network

Номер патента: EP2989730A1. Автор: ANSHUMAN Nigam,ANIL Agiwal. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-02.

High-frequency dielectric heating device

Номер патента: US20180110098A1. Автор: Shinji Yamada,Tomoki Maruyama. Владелец: Toyo Seikan Group Holdings Ltd. Дата публикации: 2018-04-19.

Dc current detection method and apparatus for high-frequency power source apparatus

Номер патента: MY143887A. Автор: Toshiyuki Kano,Iwao Kurata. Владелец: Fuji Electric Systems Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-15.

High frequency heating apparatus

Номер патента: US20240196486A1. Автор: Takashi Uno,Mikio Fukui,Shinji Takano,Daisuke Hosokawa,Chikako HOSOKAWA. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20240314999A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Generator system based on high-frequency isolated matrix converter and regulation method thereof

Номер патента: US20240356457A1. Автор: Yang Xu,Zheng Wang,Yinzhen SHEN. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-10-24.

High-frequency heating apparatus

Номер патента: US12120805B2. Автор: Kazuki Maeda,Yoshiharu Oomori,Daisuke Hosokawa. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

High-frequency-pass sample adaptive offset in video coding

Номер патента: US09912942B2. Автор: Wei Pu,Jianle Chen,Marta Karczewicz,Krishnakanth RAPAKA. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

High-frequency switching type conversion device

Номер патента: US09882508B2. Автор: Naoki Ayai,Tetsuo Akita,Toshiaki Okumura,Kenji ABIRU. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for simultaneous transmission of high-frequency transmission signals via a common high-frequency line

Номер патента: US09778330B2. Автор: Ralph Oppelt,Jian Min Wang. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2017-10-03.

Method and apparatus for high data rate high frequency data link (HDR-HFDL)

Номер патента: US09596685B1. Автор: Walter H. Hewett,Scott F. Bauler,Fred J. Studenberg, Jr.,Kenneth K. Hamby,David V. Kazanovicz,Bikram S. Aulakh. Владелец: ROCKWELL COLLINS INC. Дата публикации: 2017-03-14.

Image processing technique using high frequency data analysis to filter low frequency data by dynamic kernel adjustment

Номер патента: US09582861B2. Автор: Gregory Roffet. Владелец: STMicroelectronics Grenoble 2 SAS. Дата публикации: 2017-02-28.

Generator system based on high-frequency isolated matrix converter and regulation method thereof

Номер патента: US12149181B2. Автор: Yang Xu,Zheng Wang,Yinzhen SHEN. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-11-19.

Electromagnetic wave high frequency hybrid plasma torch

Номер патента: US09451685B2. Автор: Ji-Hun Kim,Jung-Sik Yoon,Yong-Cheol Hong. Владелец: Korea Basic Science Institute KBSI. Дата публикации: 2016-09-20.

High-frequency cavity resonator and accelerator

Номер патента: RU2589739C2. Автор: Оливер ХАЙД. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2016-07-10.

High-frequency piezoelectric ceramic material based on sodium niobate

Номер патента: RU2751324C1. Автор: Светлана Ивановна Дудкина,Лариса Андреевна Резниченко,Илья Александрович Вербенко,Константин Петрович Андрюшин,Инна Николаевна Андрюшина,Екатерина Викторовна Глазунова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Южный федеральный университет». Дата публикации: 2021-07-13.

Method for manufacturing high-frequency printed circuit boards

Номер патента: RU2765105C1. Автор: Николай Владимирович Луконин,Сергей Анатольевич Толмачев,Андрей Глебович Масанов,Вадим Юрьевич Изотов,Владимир Сергеевич Катышев. Владелец: Акционерное общество «Информационные спутниковые системы» имени академика М.Ф.Решетнёва». Дата публикации: 2022-01-25.

Discriminator for synchronization by delay of high frequency discrete-encoded signal

Номер патента: RU2754123C1. Автор: Сергей Николаевич Татаринов,Андрей Павлович Лось,Евгений Михайлович Свиридов. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Военный учебно-научный центр Военно-Морского Флота "Военно-морская академия им. Адмирала Флота Советского Союза Н.Г. Кузнецова". Дата публикации: 2021-08-27.

High-frequency heating device

Номер патента: RU2399169C2. Автор: Нобуо СИРОКАВА,Синити САКАИ,Хидеаки МОРИЯ,Харуо СУЕНАГА,Манабу КИНОСИТА. Владелец: ПАНАСОНИК КОРПОРЭЙШН. Дата публикации: 2010-09-10.

Colored Ultrathin High Frequency Cover Film with High Haze and Preparation Method Thereof

Номер патента: US20180343738A1. Автор: ChihMing Lin,Lichih YANG,Weichih LEE,Chienhui LEE. Владелец: Kunshan Aplus Tec Corp. Дата публикации: 2018-11-29.

Colored ultrathin high frequency cover film with high haze and preparation method thereof

Номер патента: US10609815B2. Автор: ChihMing Lin,Lichih YANG,Weichih LEE,Chienhui LEE. Владелец: Kunshan Aplus TecCorporation. Дата публикации: 2020-03-31.

Methods, apparatuses, systems, etc. directed to enhanced control channel and shared channel transmission at high frequencies

Номер патента: EP4229814A1. Автор: Paul Marinier,Moon Il Lee,Nazli KHAN BEIGI,Young Woo Kwak,Prasanna Herath. Владелец: InterDigital Patent Holdings Inc. Дата публикации: 2023-08-23.

High-frequency circuit module

Номер патента: US20140051367A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Tetsuo Saji. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2014-02-20.

Apparatus and method for calculating the prediction value of the high frequency and low frequency components of an image

Номер патента: US20060083435A1. Автор: Fu-Chung Chi. Владелец: Ali Corp. Дата публикации: 2006-04-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20070198821A1. Автор: Hiroshi Kamiya,Yasushi Nobutaka,Kunio Ohno. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-23.

High-frequency dielectric heating device and image forming apparatus

Номер патента: US20170066254A1. Автор: Yukie Inoue,Dan Ozasa. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-09.

Radio frequency signal boosters serving as outdoor infrastructure in high frequency cellular networks

Номер патента: US12101163B2. Автор: SCOTT Terry,Hongtao Zhan. Владелец: Cellphone Mate Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Device for sensing a high-frequency event signal in a rotating electrical machine

Номер патента: US12135355B2. Автор: Martin Meyer,Jürgen SCHIMMER,Dirk Scheibner. Владелец: Innomotics GmbH. Дата публикации: 2024-11-05.

Fast transient power supply with a separated high frequency and low frequency path signals

Номер патента: US09831781B2. Автор: JIAN Li,Henry Jindong ZHANG. Владелец: Linear Technology LLC. Дата публикации: 2017-11-28.

High-frequency dielectric heating device and image forming apparatus

Номер патента: US09770921B2. Автор: Yukie Inoue,Dan Ozasa. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

High-frequency induction heating apparatus and film label attaching apparatus

Номер патента: US09510397B2. Автор: Hiroki Tanaka,Kouji Wakisaka. Владелец: Toyo Seikan Group Holdings Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

High-frequency heating device

Номер патента: US09510396B2. Автор: Toshiyuki Okajima. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

High-frequency circuit substrate

Номер патента: US09497852B2. Автор: Kazuaki Ikeda,Makoto Nakabayashi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC FINE POLYMER INC. Дата публикации: 2016-11-15.

High frequency heating coil

Номер патента: US09485812B2. Автор: Hiroyuki Yamashita,Masao Saiki,Yosihide Oti. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Safety system for needle probe card for high-voltage and high-current test on power semiconductor devices, related test machine and corresponding testing method

Номер патента: US12092659B2. Автор: Carlo CIANFEROTTI,Marco Marcinno′. Владелец: CREA COLLAUDI ELETTRONICI AUTOMATIZZATI Srl. Дата публикации: 2024-09-17.

High-frequency tester for semiconductor devices

Номер патента: US20020125878A1. Автор: Mitchell Alsup,Joe Jones. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-12.

Safety system for needle probe card for high-voltage and high-current test on power semiconductor devices, related test machine and corresponding testing method

Номер патента: WO2021240431A1. Автор: Marco Marcinno',Carlo CIANFEROTTI. Владелец: Crea Collaudi Elettronici Automatizzati S.R.L.. Дата публикации: 2021-12-02.

Safety system for needle probe card for high-voltage and high-current test on power semiconductor devices, related test machine and corresponding testing method

Номер патента: EP4018207A1. Автор: Marco Marcinno',Carlo CIANFEROTTI. Владелец: Crea Collaudi Elettr Automatizzati Srl. Дата публикации: 2022-06-29.

Safety system for needle probe card for high-voltage and high-current test on power semiconductor devices, related test machine and corresponding testing method

Номер патента: EP4018207B1. Автор: Marco Marcinno',Carlo CIANFEROTTI. Владелец: CREA COLLAUDI ELETTRONICI AUTOMATIZZATI Srl. Дата публикации: 2024-08-28.

Test system for high-voltage and high-current testing on a plurality of power semiconductor devices comprised in a wafer, and contacting system

Номер патента: WO2023187701A1. Автор: Marco Marcinno',Carlo CIANFEROTTI. Владелец: Crea Collaudi Elettronici Automatizzati S.R.L.. Дата публикации: 2023-10-05.

Surgical navigation instrument having needle electrode depth adjusting structure for detecting impedance and high frequency energy control method using same

Номер патента: US12053234B2. Автор: Il-Kwon Lee,Kee-Seok Lee,Jong-Jun Yim. Владелец: CHUNGWOO MEDICAL Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

High-frequency control unit and high-frequency treatment system

Номер патента: US09974596B2. Автор: Tsuyoshi Hayashida,Sadayoshi Takami. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Electrode for high-frequency surgery and high-frequency surgery device

Номер патента: US09561072B2. Автор: Kwang Chon Ko. Владелец: Lutronic Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

High-efficiency pulse-width modulator for linear modulation of high-frequency key mode power amplifiers

Номер патента: RU2522881C2. Автор: Алексей Николаевич Плюснин,Павел Вячеславович Балаев. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Федеральное государственное казенное учреждение "Войсковая часть 35533". Дата публикации: 2014-07-20.

System and method for indicating coronary artery disease risk based on low and high frequency bands

Номер патента: US09451921B2. Автор: Johannes Jan Struijk,Samuel Emil Schmidt. Владелец: ACARIX AS. Дата публикации: 2016-09-27.

Method for producing a high-frequency device, use of a polymerizable liquid crystal medium for producing a highfrequency device, and high-frequency device

Номер патента: EP4455250A1. Автор: Michael Wittek,Matthias Jost,Carsten FRITZSCH,Rolf Jakoby,Holger Maune. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2024-10-30.

Methods and devices for generating high-amplitude and high-frequency focused ultrasound with light-absorbing materials

Номер патента: US09601103B2. Автор: Lingjie Jay Guo,Hyoung Won Baac. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2017-03-21.

High-power high-frequency directional transmission underwater acoustic transducer and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4173728A1. Автор: Lei Qin,Likun Wang,Chao Zhong. Владелец: Beijing Information Science and Technology University. Дата публикации: 2023-05-03.

Magnetic resonance imaging apparatus and high-frequency magnetic field dertermination method

Номер патента: US09588206B2. Автор: Binrong Wu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

High-frequency-vibration-assisted electrolytic grinding method and device therefor

Номер патента: US09751142B2. Автор: Satoshi Kobayashi,Masayuki Takahashi,Toru Tachibana,Kazunori Koike,Chikashi Murakoshi. Владелец: Micron Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Reconstructing an audio signal having a baseband and high frequency components above the baseband

Номер патента: US09653085B2. Автор: Mark S. Vinton,Michael M. Truman. Владелец: Dolby Laboratories Licensing Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

A quick heating and sterilizing device with high frequency electromagnetic induction, for dental technology, odontology, microsurgery, aesthetics tools and similar

Номер патента: WO1995024931A1. Автор: Roberto Giorgis. Владелец: Roberto Giorgis. Дата публикации: 1995-09-21.

Probe head for high frequency signal test and medium or low frequency signal test at the same time

Номер патента: US20210048452A1. Автор: Ching-Fang Yu,Chin-Tien Yang,Shang-Jung Hsieh,Hui-Pin Yang,Yu-Wen Chou,Huo-Kang HSU. Владелец: MPI Corp. Дата публикации: 2021-02-18.

High frequency skull crucible for melting high refractive index metal oxide and high refractive index metal oxide melting system having same

Номер патента: US20240263880A1. Автор: Jae Kun Lee,Jae Koo OH. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-08-08.

Laser heterodyne interferometric signal processing method based on locking edge with high frequency digital signal

Номер патента: US09797705B2. Автор: Liping Yan,Benyong Chen,Enzheng Zhang. Владелец: Zhejiang Sci Tech University ZSTU. Дата публикации: 2017-10-24.

High frequency surgical device and high frequency surgical system with a voltage limiter

Номер патента: US09393038B2. Автор: Uwe Fischer,Timo STRAUSS,Stefan SCHIDDEL,Antonios Patelis. Владелец: OLYMPUS Winter and Ibe GmbH. Дата публикации: 2016-07-19.

Implantable medical devices including low frequency and high frequency clocks and related methods

Номер патента: WO2021141858A9. Автор: Eiji Shirai,Dean Andersen. Владелец: PACESETTER, INC.. Дата публикации: 2021-09-10.

Implantable medical devices including low frequency and high frequency clocks and related methods

Номер патента: US11759623B2. Автор: Eiji Shirai,Dean Andersen. Владелец: Pacesetter Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

High speed and high spatial density parameter measurement using fiber optic sensing technology

Номер патента: US09664506B2. Автор: Anthony Piazza,Allen R Parker, Jr.,Hon Man Chan,William Lance Richards,Philip J Hamory. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2017-05-30.

High-frequency vibration nicking device and high-frequency vibration nicking method for microbead surfaces

Номер патента: US20230242440A1. Автор: Yong Shi. Владелец: Inner Mongolia University of Technology. Дата публикации: 2023-08-03.

Heating device comprising heating element and high-frequency heating assembly

Номер патента: CA3129628A1. Автор: Tuanfang Liu. Владелец: Shenzhen Eigate Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-02.

Liquid crystal medium and high frequency components comprising same

Номер патента: US09605204B2. Автор: Volker REIFFENRATH,Atsutaka Manabe,Dagmar Klass,Christian Jasper,Constanze Brocke,Detlef Pauluth. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2017-03-28.

Leg blood flow stimulation system and method for combining low and high frequency acoustic vibration

Номер патента: EP4442237A1. Автор: Algimantas Bubulis,Vytautas JURĖNAS,Joris VĖŽYS,Vytautas OSTAŠEVIČIUS,Vincentas VEIKUTIS,Mantas VENSLAUSKAS,Linas VELICKA. Владелец: Lithuanian University of Health Sciences. Дата публикации: 2024-10-09.

Method of detecting and high-speed determination of parameters of marine ice fields and a radar location system for its implementation

Номер патента: RU2660752C1. Автор: Виктор Иванович Дикарев,Владимир Васильевич Ефимов,Сергей Михайлович Паршин,Андрей Владимирович Гурьянов,Юрий Владимирович Сербин. Владелец: Открытое акционерное общество "Авангард". Дата публикации: 2018-07-10.

High-frequency control unit and high-frequency treatment system

Номер патента: EP3219276A1. Автор: Tsuyoshi Hayashida,Sadayoshi Takami. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2017-09-20.

Electro-hydraulic servo actuator capable of implementing long-stroke and high-frequency loading, and control method

Номер патента: US11867207B2. Автор: Peng PAN,Zhizhou HE,Youming GUO. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-01-09.

Electro-hydraulic servo actuator capable of implementing long-stroke and high-frequency loading, and control method

Номер патента: US20220196044A1. Автор: Peng PAN,Zhizhou HE,Youming GUO. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-06-23.

A high frequency, high resolution 2d phased array ultrasonic transducer

Номер патента: WO2023183978A1. Автор: Sean Suixiang LI,Danyang WANG,Weichang Wu,Jiyang Dai. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LIMITED. Дата публикации: 2023-10-05.

Test bench combining high-frequency tribological stress and oligocyclic fatigue, on a blade disk of turboshaft engine of an aircraft including a test piece having a portion with a shape of a blade root of a rotor and is engaged in a groove shape complementary to another test piece

Номер патента: US09869621B2. Автор: Laurent Houze,Jean Vincent Manuel Meriaux,Jean Philippe Lapuyade,Franck Vernis,Francois Vogel. Владелец: Turbomeca SA. Дата публикации: 2018-01-16.

Universal testing machine for mechanical tests of samples of materials and articles for tension, compression and bending at static load application and for low- and high-cycle fatigue at tension-compression at cyclic load application at normal and high temperatures

Номер патента: RU2766998C1. Автор: Евгений Николаевич Потаенко,Эдуард Халилевич Шайхлисламов,Артур Аветикович Арутюнян. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЗИМ Точмашприбор". Дата публикации: 2022-03-16.

Liquid-crystalline medium and high-frequency components comprising same

Номер патента: EP3303519A1. Автор: Michael Wittek,Dagmar Klass. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2018-04-11.

Liquid-crystalline medium and high-frequency components comprising same

Номер патента: EP3240861A1. Автор: Michael Wittek,Dagmar Klass. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2017-11-08.

Liquid crystal medium and high-frequency components containing the same

Номер патента: US09657231B2. Автор: Atsutaka Manabe,Elvira Montenegro,Mark Goebel. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2017-05-23.

High frequency vibration insertion apparatus

Номер патента: US4027370A. Автор: John J. Bachar. Владелец: Branson Ultrasonics Corp. Дата публикации: 1977-06-07.

Speech decoder utilizing temporal envelope shaping and high band generation and adjustment

Номер патента: CA2844635C. Автор: Kei Kikuiri,Nobuhiko Naka,Kosuke Tsujino. Владелец: NTT DOCOMO INC. Дата публикации: 2016-03-29.

High-frequency electric resistance welding method using irradiation with a laser beam

Номер патента: CA1245298A. Автор: Katsuhiro Minamida,Nobuo Mizuhashi,Hiroyo Haga,Hideo Takafuji. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1988-11-22.

Electronic watt/watthour meter with automatic error correction and high frequency digital output

Номер патента: CA1218414A. Автор: Miran Milkovic. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1987-02-24.

Electrode unit and high frequency treatment device

Номер патента: EP4233754A1. Автор: Atsushi Ikeuchi. Владелец: Top KK. Дата публикации: 2023-08-30.

Ultra-fast sintering method and sintering system for preparing nano-ceramics by ultrasound-assisted pressurization coupled with high frequency induction

Номер патента: US20240173887A1. Автор: Gang Xue,Wen Zhang,Wenjie Liu,Yuchen XU,Chonghai XU,Mingdong YI,Kaining Liu,Chenyang Yi. Владелец: Qilu University of Technology. Дата публикации: 2024-05-30.

High-frequency enhanced electrochemical strain microscope and high-frequency enhanced electrochemical strain microscopy using the same

Номер патента: US20240094241A1. Автор: Yoshiomi Hiranaga. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2024-03-21.

Magnetic resonance imaging apparatus and high-frequency magnetic field dertermination method

Номер патента: US20140111204A1. Автор: Binrong Wu. Владелец: Hitachi Medical Corp. Дата публикации: 2014-04-24.

High-efficiency cultivation method for high-frequency drip irrigation, water saving, seedling survival and strengthening, and yield increase of cotton fields in saline-alkali soil

Номер патента: US20230292682A1. Автор: YU Yu,Qiong Wang,XIN Wang,Jing Wang,Gang Wang,Bing Chen,Hai Lin,Donghai Zhang,Xiaofeng Peng,Taijie LIU,Zongming XIE,Xianhui KONG,Jianqiang CUI,Fangyong WANG,Huanyong HAN,Jihai FU. Владелец: Water Conservancy And Construction Institute Xinjiang Shihezi Vocational College. Дата публикации: 2023-09-21.

High frequency uniform droplet maker and method

Номер патента: EP2900387A1. Автор: Eric Jordan,Kamal Hadidi,Makhlouf Redjdal. Владелец: Amastan Technologies Inc. Дата публикации: 2015-08-05.

Implantable medical devices including low frequency and high frequency clocks and related methods

Номер патента: WO2021141858A1. Автор: Eiji Shirai,Dean Andersen. Владелец: PACESETTER, INC.. Дата публикации: 2021-07-15.

Ignition coil apparatus for high-frequency discharge

Номер патента: US09447766B2. Автор: Kimihiko Tanaya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Insulated, shielded partial discharge sensor device of the high-frequency current transformer (hfct) type, with high gain and low distortion, and with self-check system for high-voltage equipment and installations

Номер патента: EP4303597A1. Автор: Fernando Garnacho Vecino,Abderrahim KHAMLICHI EL KHAMLICHI. Владелец: Viesgo Distribucion Electrica SL. Дата публикации: 2024-01-10.

Heating device comprising heating element and high-frequency heating assembly

Номер патента: EP4035541A1. Автор: Tuanfang Liu. Владелец: Shenzhen Eigate Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-03.

Isolated and shielded partial discharge sensor device of high-frequency current transformer type, hfct, high gain and low distortion with self-heating system for high voltage equipment and installations

Номер патента: US20240168078A1. Автор: Fernando Garnacho Vecino,Abderrahim KHAMLICHI EL KHAMLICHI. Владелец: Viesgo Distribucion Electrica SL. Дата публикации: 2024-05-23.

Apparatus for manufacturing double-layer fabric for down products having pattern joining line formed by high-frequency bonding

Номер патента: EP3202973A1. Автор: Young Chul Park,Soo Han Chae. Владелец: HOJEON Ltd. Дата публикации: 2017-08-09.

High density and high frequency digital recording using elongated bits to overcome the effects of tape droupouts

Номер патента: US3701134A. Автор: Paul O Gillard. Владелец: Commonwealth of Australia. Дата публикации: 1972-10-24.

Carburized and high-frequency hardened part having high strength

Номер патента: US8894778B2. Автор: Toshiyuki Morita,Kouji Ohbayashi,Yutaka Eto,Masaki Kuwabara,Taro Matsukawa,Kohki Mizuno. Владелец: Daido Steel Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-25.

High-frequency coil device and magnetic resonance imaging apparatus using the same

Номер патента: US20240142551A1. Автор: Koichi Arai,Yosuke Otake,Asuka Ikeda. Владелец: Fujifilm Healthcare Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

High-frequency coil device and magnetic resonance imaging apparatus using the same

Номер патента: EP4361660A1. Автор: Koichi Arai,Yosuke Otake,Asuka Ikeda. Владелец: Fujifilm Healthcare Corp. Дата публикации: 2024-05-01.

Method and device for immobilization of polarizable cells of higher plants by the use of a high frequency ac-field

Номер патента: WO2000055339A3. Автор: Beata Barnabas,Peter Finy,Zsolt Ponya. Владелец: Mta Mezogazdasagi Ki. Дата публикации: 2000-12-28.

Semiconductor device, semiconductor memory device and data strobe method

Номер патента: US7460417B2. Автор: Sung-Hoon Kim,Kwang-Il Park,Joung-yeal Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-02.

Semiconductor device, semiconductor memory device and data strobe method

Номер патента: US20060203573A1. Автор: Sung-Hoon Kim,Kwang-Il Park,Joung-yeal Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-09-14.

High-frequency acoustic safety estimation method

Номер патента: RU2699740C1. Автор: Алексей Валерьевич Богомолов,Сергей Павлович Драган,Юрий Александрович Кукушкин,Алёна Александровна Замышляева,Наталья Николаевна Соловьева. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южно-Уральский государственный университет (национальный исследовательский университет)" ФГАОУ ВО "ЮУрГУ (НИУ)". Дата публикации: 2019-09-09.

Method of determining super-high-frequency parameters of material in a frequency band and a device for realizing said method

Номер патента: RU2688588C1. Автор: Максим Олегович Забежайлов,Виталий Петрович Крылов,Роман Александрович Чирков. Владелец: Акционерное общество "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология" им. А.Г. Ромашина". Дата публикации: 2019-05-21.

Methods and device for coding and decoding of high-frequency range voice signal part

Номер патента: RU2402826C2. Автор: Анантхападманабхан А. КАНДХАДАЙ,Кон Бернард ВОС. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2010-10-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20110283039A1. Автор: Motoyasu Terao,Hitoshi Kume,Masaharu Kinoshita,Satoru Hanzawa,Minoru Ogushi,Norikatsu Takaura,Yoshitaka Sasago. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-11-17.

Method for predicting high frequency band signal, encoding device, and decoding device

Номер патента: US09704500B2. Автор: LEI Miao,Zexin LIU,Fengyan Qi. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Low dielectric loss thermoset resin system at high frequency for use in electrical components

Номер патента: US09580577B2. Автор: Roger Tietze,Yen-Loan Nguyen. Владелец: Huntsman International LLC. Дата публикации: 2017-02-28.

Apparatus and method of generating high frequency audio signal using adaptive oversampling

Номер патента: RU2547220C2. Автор: Ларс ВИЛЛЕМОЕС,Фредерик НАГЕЛ,Саша ДИШ,Пер ЭКСТРАНД,Штефан ВИЛД. Владелец: Долби Интернешнл Аб. Дата публикации: 2015-04-10.

Adapter element, high-frequency surgical instrument, adapter nozzle and system

Номер патента: RU2644264C2. Автор: Мартин ХАГГ. Владелец: Эрбе Электромедицин Гмбх. Дата публикации: 2018-02-08.

Spectral band replication and high frequency reconstruction audio coding methods and apparatuses using adaptive noise-floor addition and noise substitution limiting

Номер патента: EP1617418A2. Автор: Fredrik Henn,Lars Liljeryd,Per Ekstrand,Kristofer KJÖRLING. Владелец: Coding Technologies Sweden Ab. Дата публикации: 2006-01-18.

Process for the manufacture of elastic polyurethane foams capable of being flame laminated and high frequency welded

Номер патента: US4306037A. Автор: Peter Seifert,Heinz Müller,Klaus Konig,Wolfgang Reichmann,Hans-Walter Illger. Владелец: Bayer AG. Дата публикации: 1981-12-15.

Process for the manufacture of elastic polyurethane foams capable of being flame laminated and high frequency welded

Номер патента: CA1141098A. Автор: Peter Seifert,Heinz Müller,Klaus Konig,Wolfgang Reichmann,Hans-Walter Illger. Владелец: Bayer AG. Дата публикации: 1983-02-08.

Processing of audio signals during high frequency reconstruction

Номер патента: US12002476B2. Автор: Kristofer Kjoerling. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2024-06-04.

Processing of audio signals during high frequency reconstruction

Номер патента: CA3239820A1. Автор: Kristofer Kjoerling. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2012-01-26.

Photonic Crystal Supporting High Frequency Sensitivity Self-collimation Phenomenon and Design Method and Use thereof

Номер патента: US20160259090A1. Автор: Wei Li,LIANG Chen,Xiaogang Zhang,Xunya Jiang,Xulin Lin. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2016-09-08.

Processing of audio signals during high frequency reconstruction

Номер патента: US20240282315A1. Автор: Kristofer Kjoerling. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2024-08-22.

Processing of audio signals during high frequency reconstruction

Номер патента: AU2024205260A1. Автор: Kristofer Kjoerling. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2024-08-22.

Processing of audio signals during high frequency reconstruction

Номер патента: AU2024205275A1. Автор: Kristofer Kjoerling. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2024-08-22.

Processing of audio signals during high frequency reconstruction

Номер патента: US20240282317A1. Автор: Kristofer Kjoerling. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2024-08-22.

Processing of audio signals during high frequency reconstruction

Номер патента: US20240282316A1. Автор: Kristofer Kjoerling. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2024-08-22.

Methods and systems for efficient recovery of high frequency audio content

Номер патента: US09984695B2. Автор: Michael Schug,Robin Thesing. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for operating semiconductor device

Номер патента: US09972389B2. Автор: Masashi Fujita,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Processing of audio signals during high frequency reconstruction

Номер патента: US09911431B2. Автор: Kristofer Kjoerling. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2018-03-06.

Methods and systems for efficient recovery of high frequency audio content

Номер патента: US09666200B2. Автор: Michael Schug,Robin Thesing. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2017-05-30.

Processing of audio signals during high frequency reconstruction

Номер патента: US09640184B2. Автор: Kristofer Kjoerling. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2017-05-02.

Method for operating semiconductor device

Номер патента: US09633710B2. Автор: Masashi Fujita,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of detecting, measuring range and speed of low altitude low-speed target in pulse-doppler radar stations with high frequency of pulses repetition and inverted linear frequency modulation

Номер патента: RU2697509C2. Автор: Валерий Николаевич Коврегин,Галина Михайловна Коврегина. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2019-08-15.

Method of controlling process of high-frequency welding of pipes and device for implementation thereof

Номер патента: RU2722957C1. Автор: Иван Викторович Пейганович,Павел Петрович Степанов,Иван Васильевич Ефимов,Александр Евгеньевич Сорокин,Иван Васильевич Михеев,Александр Валерьевич Краснов. Владелец: Акционерное общество "Выксунский металлургический завод". Дата публикации: 2020-06-05.

Sensor semiconductor device

Номер патента: US20200064295A1. Автор: Frederik Willem Maurits Vanhelmont,Nebojsa NENADOVIC,Dimitri Soccol,Micha IN'T ZANDT. Владелец: Sciosense BV. Дата публикации: 2020-02-27.

High-frequency sensitive neural network

Номер патента: EP4348497A1. Автор: David Mendlovic,Dan Raviv,Khen COHEN,Lior GELBERG,Mor-Avi AZULAY,Menahem KOREN. Владелец: Ramot at Tel Aviv University Ltd. Дата публикации: 2024-04-10.

Method for determining an optimal structure of a high-frequency shield of a high-frequency antenna of a magnetic resonance arrangement

Номер патента: US20130090896A1. Автор: Volker Matschl,Jürgen NISTLER,Sebastian Martius,Dirk Diehl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2013-04-11.

Inkjet head, method for producing same, method for producing semiconductor device using same, and printing device

Номер патента: US20240227395A9. Автор: Shinri Sakai,Ryoichi BIZEN. Владелец: SII Printek Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

High frequency suspension thermal transfer printers without pressure

Номер патента: US11173738B2. Автор: Guangfeng He. Владелец: Yiwushi Taile Mechanical Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-16.

High frequency sensitive neural network

Номер патента: US20240281642A1. Автор: David Mendlovic,Dan Raviv,Khen COHEN,Lior GELBERG,Mor-Avi AZULAY,Menahem KOREN. Владелец: Ramot at Tel Aviv University Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and memory system

Номер патента: US20240265978A1. Автор: Takayuki Tsukamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Ultra-high frequency antenna device, ultra-high frequency antenna assembly, device method of forming such an antenna device, and support body material supply

Номер патента: WO2024147023A1. Автор: Lars Klemm. Владелец: Linxens Holding. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for high frequency pulse application for cosmetic improvement effect of skin and skin care device using the same

Номер патента: US12070600B2. Автор: Sun Young Kang. Владелец: Shenb Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

High frequency easy melting multiple layered structure

Номер патента: US20210395573A1. Автор: Kuo Kuang Cheng,Chih Yi Lin,Chien Min Wu,Chia Ho Lin,Chien Chia Huang,Wei Chao Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-12-23.

High-frequency signal observations in electronic systems

Номер патента: US09804991B2. Автор: Chad Everett Winemiller,Russell Coleman Deans,Jon Raymond Boyette. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for determining a position-dependent attenuation map of high-frequency coils of a magnetic resonance pet device

Номер патента: US09658299B2. Автор: Dominik Paul. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of producing high-density and high-energy rocket and aviation fuel based on 2-vinyl norbornane (versions)

Номер патента: RU2739190C1. Автор: Вячеслав Геннадьевич Певгов,Александр Викторович Кулик,Константин Борисович Рудяк,Антон Львович Максимов,Вадим Олегович Самойлов,Максим Владимирович Бермешев,Сергей Валерьевич Шорунов,Екатерина Сергеевна Пискунова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Ордена Трудового Красного Знамени Институт нефтехимического синтеза им. А.В. Топчиева Российской академии наук (ИНХС РАН). Дата публикации: 2020-12-21.

Device for controlling space in front of escalator and moving sidewalk with help of high-frequency sensors

Номер патента: RU2356823C2. Автор: Дирк БЛОНДИО,Герхард ШТОИБЕР. Владелец: Инвенцио Аг. Дата публикации: 2009-05-27.

Control means for a high-temperature and high pressure device

Номер патента: RU2652534C1. Автор: Синья МОРИОКА,Таканобу ХОСИКАВА. Владелец: Мицубиси Хеви Индастриз, Лтд.. Дата публикации: 2018-04-26.

A device for the measurement and quick control of the quality factor, or damping factor, of inductance coils, capacitors and resonant circuits

Номер патента: GB660420A. Автор: . Владелец: Tesla AS. Дата публикации: 1951-11-07.

Printer with high frequency charge carrier generation

Номер патента: US5014076A. Автор: Robert A. Moore,William R. Buchan,Wendell J. Caley, Jr.. Владелец: Delphax Systems Inc. Дата публикации: 1991-05-07.

Real-time impedance matching method for high frequency treatment device

Номер патента: EP4368245A1. Автор: Ki Hang Kim. Владелец: Tentech Inc. Дата публикации: 2024-05-15.

Semiconductor Device

Номер патента: US20110235295A1. Автор: Tatsuji Nishijima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-29.

High frequency circuit analyser

Номер патента: NZ544848A. Автор: Johannes Benedikt,Paul Juan Tasker. Владелец: Univ Cardiff. Дата публикации: 2007-06-29.

Extracorporeal shock wave therapy apparatus having added high-frequency and low-frequency treatment functions

Номер патента: EP4245282A1. Автор: Keun Deok Lee. Владелец: ITC Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Method for preparing high-nickel, high-zinc and high-water single-crystal diopside under high-temperature and high-pressure condition

Номер патента: LU503141B1. Автор: Haiying Hu,Lidong Dai. Владелец: Inst Geochemistry Cas. Дата публикации: 2023-06-07.

Method and apparatus for analyzing high-frequency qrs-complex data

Номер патента: EP4403108A1. Автор: Xiaoqin LI,Qingxi HUANG,Qinghong HUANG. Владелец: Hyperbio Biological Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Downhole assembly to mitigate high frequency torsional oscillation, and oscillation mitigation tool suitable for use in a downhole assembly

Номер патента: GB2618515A. Автор: Brendan Crowley Daniel,Donald John Sedgeman Robert. Владелец: Rockatek Ltd. Дата публикации: 2023-11-08.

Downhole assembly to mitigate high frequency torsional oscillation, and oscillation mitigation tool suitable for use in a downhole assembly

Номер патента: CA3210587A1. Автор: Daniel Brendan Crowley,Robert Donald John Sedgeman. Владелец: Rockatek Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Method for reading ultra high frequency rfid tag

Номер патента: EP3832522A1. Автор: Liqun Yu. Владелец: Wuxi Hyesoft Softwave Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-09.

Selective high frequency backup

Номер патента: US20230229565A1. Автор: Thomas K. Cheriyan. Владелец: OwnBackup LTD. Дата публикации: 2023-07-20.

Chemical reactor operating at high frequency electric field

Номер патента: WO2000048726A1. Автор: Richard Anthony McFarlane,Jian-Yang Yuan,Ezra Eddy Isaacs,Haibo Huang,Alexander Joseph Babchin,Ross Sam Chow,Dmytro Vassily Prudkyy. Владелец: Alberta Research Council Inc.. Дата публикации: 2000-08-24.

Semiconductor device performing a multiplication and accumulation operation

Номер патента: US12062411B2. Автор: Wanyeong JUNG,Minki Jeong. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-08-13.

Electrode device comprising high-frequency electrode and multi-functional electrode

Номер патента: US20240252227A1. Автор: Kyung Hoon Shin,Dong Un Kim,Jeong Min Lee,Sang Pyo Hong,Jun Hyok Lee. Владелец: STARMED Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Ai method and apparatus for extracting crack length from high-frequency ae (acoustic emission)

Номер патента: US20220412926A1. Автор: Victor Giurgiutiu,Hanfei MEI,Joseph Garrett,Kimberly Cardillo. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH CAROLINA. Дата публикации: 2022-12-29.

High-frequency injection for sensorless control of a bldc stand mixer

Номер патента: US20240268605A1. Автор: Joseph Wilson Latham. Владелец: Haier US Appliance Solutions Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Method and apparatus for analyzing high-frequency qrs-complex data

Номер патента: US20240324937A1. Автор: Xiaoqin LI,Qingxi HUANG,Qinghong HUANG. Владелец: Hyperbio Biological Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

High-frequency reciprocal transducer calibration

Номер патента: US11754436B2. Автор: David A. Mills,Mark Sheplak. Владелец: Interdisciplinary Consulting Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Method of constructing high-frequency vibratory stress relief device for eliminating residual stress of small work-piece

Номер патента: US12128504B2. Автор: PING Wang,Siqi Wang,Xiong HU,Zhipeng HUO,Jiayi Zhuang,Zhongshan WANG,Haoran Wu,Bangping Gu. Владелец: Shanghai Maritime University. Дата публикации: 2024-10-29.

High frequency phase reference standard signal

Номер патента: US09897637B2. Автор: Johannes Benedikt,Tudor Vyvyan Williams. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-02-20.

System and method for ultra-high frequency ultrasound treatment

Номер патента: US09700340B2. Автор: Michael H. Slayton,Peter G. Barthe. Владелец: Guided Therapy Systems LLC. Дата публикации: 2017-07-11.

Positive-type photosensitive resin composition, method for producing semiconductor device including cured film using the same

Номер патента: US09454078B2. Автор: Hiroyuki Onishi,Masao Tomikawa,Yuki Masuda. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2016-09-27.

Metal thin film and method for manufacturing the same, dielectric capacitor and method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: JP2010157748A. Автор: Kenichi Tsuchiya,Kenichi Kurokawa,健一 土屋,Tatsuo Sawazaki,立雄 沢崎,Teruo Tagawa,輝男 田川,賢一 黒川. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2010-07-15.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRICAL SYSTEM USING HIGH FREQUENCY AC AND HAVING INDUCTIVELY CONNECTED LOADS, AND RELATED POWER SUPPLIES AND LUMINAIRES

Номер патента: US20120001563A1. Автор: RIMMER Philip John,Sherrington Carole. Владелец: JUICE TECHNOLOGY LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

HIGH FREQUENCY SWITCH CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120001676A1. Автор: IRAHA Tomoyuki,Maruyama Tatsuhiko. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Formation method of two-dimensional linear high-frequency electric field, and device for its implementation

Номер патента: RU2497226C1. Автор: Евгений Васильевич Мамонтов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рязанский государственный радиотехнический университет". Дата публикации: 2013-10-27.

Electric high-frequency transformer

Номер патента: RU2337423C1. Автор: Василий Иванович Верютин,Дмитрий Семенович Стребков,Владимир Захарович Трубников,Алексей Иосифович Некрасов,Олег Алексеевич Рощин. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ). Дата публикации: 2008-10-27.

Virtual electrode for high-frequency fulguration and method for making and using thereof

Номер патента: RU2400171C2. Автор: Валерий Николаевич Макаров,Юрий Александрович Хитров. Владелец: Юрий Александрович Хитров. Дата публикации: 2010-09-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US20120001230A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method and Apparatus For Inspecting Defect Of Pattern Formed On Semiconductor Device

Номер патента: US20120002861A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Device for phase stabilization of voltage of transformer station with high-frequency unit

Номер патента: RU2126167C1. Автор: В.С. Климаш,Р.В. Шибеко. Владелец: Шибеко Роман Владимирович. Дата публикации: 1999-02-10.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Polymer composition for absorbing high-frequency energy

Номер патента: RU2495069C1. Автор: Иван Иванович Зайченко,Любовь Федоровна Чувилина,Галина Владимировна Брызгалина,Татьяна Игнатьевна Галеева,Орест Александрович Поцепня,Владислав Алексеевич Трегубов,Александр Валерьевич Хромов. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт приборостроения имени В.В. Тихомирова". Дата публикации: 2013-10-10.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

High frequency system and method for exchanging packet data

Номер патента: RU2286030C1. Автор: Юрий Петрович Палочкин,Владимир Алексеевич Фролов,Геннадий Иванович Калашников,чева Тамара Ивановна Гор,Тамара Ивановна Горячева,Дмитрий Сергеевич Кулаков. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Полет". Дата публикации: 2006-10-20.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Filter for Removing DC Signal and High Frequency Noise and Method Thereof for Touch Sensor

Номер патента: US20120001857A1. Автор: . Владелец: HIMAX TECHNOLOGIES LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

POWER STORAGE DEVICE, LITHIUM-ION SECONDARY BATTERY, ELECTRIC DOUBLE LAYER CAPACITOR AND LITHIUM-ION CAPACITOR

Номер патента: US20120002349A1. Автор: ITO Kyosuke,Itakura Toru. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Marine ac high-frequency electrical system with electric propulsion system and matrix frequency converters

Номер патента: RU2510781C2. Автор: Борис Алексеевич Скворцов,Валентин Алексеевич Хомяк,Валентин Петрович Александров. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Крыловский государственный научный центр (ФГУП "Крыловский государственный научный центр"). Дата публикации: 2014-04-10.

Integrated multifunctional magneto-semiconductor device

Номер патента: RU2280917C1. Автор: Александр Анатольевич Игнатьев,Александр Викторович Ляшенко,шенко Александр Викторович Л. Владелец: ОАО "Тантал". Дата публикации: 2006-07-27.

Solid-state high-frequency shock-excited generator

Номер патента: RU2523163C1. Автор: Андрей Викторович Пономарев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт электрофизики Уральского отделения Российской академии наук (ИЭФ УрО РАН). Дата публикации: 2014-07-20.

Method of making nitride semiconductor and p-type nitride semiconductor device

Номер патента: RU2371806C1. Автор: Хее Сеок ПАРК,Андрей Евгеньевич Николаев,Андрей Федорович Цацульников,Алексей Валентинович Сахаров,Всеволод Владимирович Лундин,Евгений Евгеньевич Заварин,Сеонг Сук ЛИ,Михаил Алексеевич СИНИЦЫН. Владелец: Самсунг Электро-Меканикс Ко., Лтд.. Дата публикации: 2009-10-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001194A1. Автор: Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of detection and high-accuracy determination of marine ice floes and radiolocating system that implements it

Номер патента: RU2467347C1. Автор: Александр Ильич Баскаков,Виктор Валентинович Егоров,Михаил Владимирович Исаков,Юрий Иванович Лукашенко,Валерий Александрович Пермяков. Владелец: Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России). Дата публикации: 2012-11-20.

Electric high-frequency transformer

Номер патента: RU2421838C1. Автор: Дмитрий Семенович Стребков. Владелец: Российская академия сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ ВИЭСХ РОССЕЛЬХОЗАКАДЕМИИ). Дата публикации: 2011-06-20.

Method of high-frequency processing of polyamide parts and device to this end

Номер патента: RU2497673C2. Автор: Сергей Константинович Каргапольцев,Андрей Яковлевич Машович,Николай Григорьевич Филиппенко,Александр Валерьевич Лившиц. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Иркутский государственный университет путей сообщения (ФГБОУ ВПО ИрГУПС). Дата публикации: 2013-11-10.

Device for uninterrupted alternating current power supply using intermediate high-frequency conversion

Номер патента: RU2079202C1. Автор: Николай Николаевич Патлых,Бахтияр Газиевич Шамсиев. Владелец: Бахтияр Газиевич Шамсиев. Дата публикации: 1997-05-10.

High-frequency composite dielectric

Номер патента: RU2544646C2. Автор: Игорь Анатольевич Козлов,Леонид Гурьевич Шушарин,Андрей Германович Поваров,Валентин Федорович Лукин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Спецкомпозит". Дата публикации: 2015-03-20.

Method of making interconnections for semiconductor device

Номер патента: RU2421847C1. Автор: Сергей Александрович Гаврилов,Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Андрей Евгеньевич Миронов,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (МИЭТ). Дата публикации: 2011-06-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

High-frequency dc-to-ac transistor converter incorporating electronic protective gear

Номер патента: RU2249295C2. Автор: Л.Г. Кощеев. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уралэнергоцветмет". Дата публикации: 2005-03-27.

Installation for high-frequency treatment of dielectric materials

Номер патента: RU2043586C1. Автор: Николай Васильевич Цугленок,Андрей Владимирович Бастрон,Сергей Николаевич Шахматов,Николай Васильевич Кулаков. Владелец: Николай Васильевич Кулаков. Дата публикации: 1995-09-10.

High-frequency generator of plasma

Номер патента: RU2035130C1. Автор: Александр Савосьянович Тоболкин. Владелец: Александр Савосьянович Тоболкин. Дата публикации: 1995-05-10.

Device for connecting high-frequency communication equipment to power transmission line conductors

Номер патента: RU2231898C1. Автор: хов С.С. Шл,С.С. Шляхов. Владелец: Шляхов Станислав Сергеевич. Дата публикации: 2004-06-27.

HIGH FREQUENCY CIRCUIT

Номер патента: US20120001686A1. Автор: . Владелец: Icom Incorporated. Дата публикации: 2012-01-05.

High-Frequency Coupler

Номер патента: US20120001705A1. Автор: Nozue Daisuke,Naito Takaki,Dobashi Daisuke,Takasu Shunnosuke. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

High-frequency ozonator

Номер патента: RU2075433C1. Автор: С.В. Шапиро,Б.А. Воронов. Владелец: Шапиро Семен Вольфович. Дата публикации: 1997-03-20.

Method for frequency modulation and demodulation of high-frequency signals and apparatus for realising said method

Номер патента: RU2483435C2. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Владимир Александрович Головков. Владелец: Федеральное государственное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный авиационный инженерный университет" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2013-05-27.

Method for amplitude, phase and frequency modulation of high-frequency signals and multifunctional apparatus for realising said method

Номер патента: RU2488943C2. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Владимир Александрович Головков,Александр Викторович Нагалин. Владелец: Федеральное государственное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный авиационный инженерный университет" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2013-07-27.

Method for amplitude and phase modulation, frequency and amplitude demodulation of high-frequency signals and multifunctional device for realising said method

Номер патента: RU2482602C2. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Владимир Александрович Головков. Владелец: Федеральное государственное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный авиационный инженерный университет" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2013-05-20.

Method for frequency modulation and demodulation of high-frequency signals and apparatus for realising said method

Номер патента: RU2463689C1. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Владимир Александрович Головков. Владелец: Федеральное государственное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный авиационный инженерный университет" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2012-10-10.

Method for amplitude, phase and frequency modulation of high-frequency signals and multifunctional apparatus for realising said method

Номер патента: RU2488944C2. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Владимир Александрович Головков,Сергей Владимирович Дедов. Владелец: Федеральное государственное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный авиационный инженерный университет" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2013-07-27.

Method for generation and frequency modulation of high-frequency signals and apparatus therefor

Номер патента: RU2592463C1. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Александр Александрович Чаплыгин,Александр Владиславович Рагозин,Александр Германович Волобуев. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2016-07-20.

Method of amplitude-phase modulation of high-frequency signal and device for its implementation

Номер патента: RU2589864C1. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Ирина Александровна Малютина. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2016-07-10.

Method of generating high-frequency signals and device therefor

Номер патента: RU2568927C1. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Виталий Николаевич Димитренко,Александр Александрович Чаплыгин,Александр Германович Волобуев. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2015-11-20.

Method for amplitude-phase modulation of high-frequency signal and device for its implementation

Номер патента: RU2589304C1. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Владимир Александрович Головков. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2016-07-10.

Metre of fluctuation in throughput high-frequency devices

Номер патента: RU2366963C1. Автор: Валерий Лазаревич Лосев,Владимир Юрьевич Манько. Владелец: Негосударственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дальневосточный институт коммуникаций" (НОУ ВПО "ДВИК"). Дата публикации: 2009-09-10.

Method for generating and frequency modulating high-frequency signals and respective device

Номер патента: RU2595567C2. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Александр Александрович Чаплыгин,Александр Владиславович Рагозин,Александр Германович Волобуев. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2016-08-27.

Method for amplitude-phase modulation of high-frequency signal and apparatus for realising said method

Номер патента: RU2496225C2. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Владимир Александрович Головков. Владелец: Федеральное государственное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный авиационный инженерный университет" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2013-10-20.

Method for generation and frequency modulation of high-frequency signals and apparatus therefor

Номер патента: RU2568380C1. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Дмитрий Александрович Ишутин. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2015-11-20.

Method of generation and frequency-modulation of high-frequency signals and device for its implementation

Номер патента: RU2568388C1. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Дмитрий Александрович Ишутин. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2015-11-20.

Method for frequency modulation and demodulation of high-frequency signals and apparatus for realising said method

Номер патента: RU2483436C2. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Владимир Александрович Головков. Владелец: Федеральное государственное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный авиационный инженерный университет" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2013-05-27.

Method for amplitude modulation and demodulation of high-frequency signals and apparatus for realising said method

Номер патента: RU2488217C2. Автор: Андрей Николаевич Киселев,Александр Афанасьевич Головков,Ирина Александровна Малютина,Иван Сергеевич Безбородов. Владелец: Федеральное государственное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный авиационный инженерный университет" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2013-07-20.

Method for amplitude, phase and frequency modulation of high-frequency signals and multifunctional apparatus for realising said method

Номер патента: RU2488946C2. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Ирина Александровна Малютина,Сергей Владимирович Дедов. Владелец: Федеральное государственное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный авиационный инженерный университет" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2013-07-27.

Method for amplitude modulation and demodulation of high-frequency signals and apparatus for realising said method

Номер патента: RU2454790C1. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Ирина Александровна Малютина. Владелец: Федеральное государственное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный авиационный инженерный университет" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2012-06-27.

Method of wireless transmission of electric energy of high frequency

Номер патента: RU2704602C1. Автор: Игорь Борисович Широков. Владелец: Игорь Борисович Широков. Дата публикации: 2019-10-30.

Method of generating high-frequency signals and device therefor

Номер патента: RU2589407C1. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Дмитрий Александрович Ишутин. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2016-07-10.

Extrusion vacuum-freeze ultra-high frequency dryer

Номер патента: RU2259525C1. Автор: С.В. Шахов,С.Т. Антипов,И.Т. Кретов,А.С. Белозерцев,И.С. Моисеева,С.А. Бокадаров,А.С. Кумицкий,В.Ю. Мирошниченко. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Воронежская государственная технологическая академия. Дата публикации: 2005-08-27.

Method of generating high-frequency signals and device therefor

Номер патента: RU2599348C2. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Виталий Николаевич Димитренко,Александр Александрович Чаплыгин,Александр Германович Волобуев. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2016-10-10.

Method of generating high-frequency signals and apparatus therefor

Номер патента: RU2568374C1. Автор: Николай Михайлович Тихомиров,Александр Афанасьевич Головков,Владимир Александрович Головков,Дмитрий Николаевич Рахманин. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2015-11-20.

Method for amplitude, phase and frequency modulation of high-frequency signals and multifunctional apparatus for realising said method

Номер патента: RU2488947C2. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Владимир Александрович Головков,Александр Викторович Нагалин. Владелец: Федеральное государственное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный авиационный инженерный университет" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2013-07-27.

Method for amplitude modulation and demodulation of high-frequency signals and apparatus for realising said method

Номер патента: RU2454789C1. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Владимир Александрович Головков. Владелец: Федеральное государственное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный авиационный инженерный университет" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2012-06-27.

Method for generation and frequency-modulation of high-frequency signals and apparatus for realising said method

Номер патента: RU2500066C2. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Ирина Александровна Малютина. Владелец: Федеральное государственное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный авиационный инженерный университет" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2013-11-27.

High-frequency structure for accelerating cluster ions

Номер патента: RU2560108C1. Автор: Владимир Иванович Турчин,Сергей Валентинович Плотников. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" "Государственный научный центр Российской Федерации-Институт Теоретической и Экспериментальной Физики". Дата публикации: 2015-08-20.

Method for amplitude-phase modulation of high-frequency signal and apparatus for realising said method

Номер патента: RU2496223C2. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Владимир Александрович Головков. Владелец: Федеральное государственное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный авиационный инженерный университет" (г.Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2013-10-20.

High-frequency multi-crystal oscillator

Номер патента: RU2498499C1. Автор: Юрий Станиславович Гуськов,Евгений Александрович Силаев. Владелец: Евгений Александрович Силаев. Дата публикации: 2013-11-10.

SUPPORT DISC FOR SUPPORTING HIGH FREQUENCY (HF) COMPONENTS

Номер патента: US20120001032A1. Автор: Weiss Frank. Владелец: ROSENBERGER HOCHFREQUENZTECHNIK GMBH & CO. KG. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PROVIDING REAL-TIME SERVICE OF HUGE AND HIGH QUALITY DIGITAL IMAGE ON INTERNET

Номер патента: US20120002893A1. Автор: KIM Sung-Min. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Three-phase sine-voltage regulator with high- frequency section

Номер патента: RU2156024C1. Автор: В.С. Климаш,Р.В. Шибеко. Владелец: Комсомольский-на-Амуре государственный технический университет. Дата публикации: 2000-09-10.

Method to generate high-frequency signals and device for its realisation

Номер патента: RU2494527C2. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Владимир Александрович Головков. Владелец: Федеральное государственное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный авиационный инженерный университет" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2013-09-27.

Generator of high-frequency emission based on discharge with hollow cathode

Номер патента: RU2462783C1. Автор: Виктор Дмитриевич Селемир,Дмитрий Викторович Вялых,Александр Евгеньевич Дубинов,Виктор Станиславович Жданов,Игорь Львович Львов,Сергей Александрович Садовой. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр-Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики"-ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ". Дата публикации: 2012-09-27.

Super high frequency aerial measurement method

Номер патента: RU2284535C2. Автор: Павел Васильевич Миляев,Анатолий Павлович Миляев,Всеволод Леонидович Морев,Юрий Николаевич Калинин,ев Павел Васильевич Мил,ев Анатолий Павлович Мил. Владелец: Ооо Нпп "Трим". Дата публикации: 2006-09-27.

Device to excite high-frequency flare discharge

Номер патента: RU2499373C1. Автор: Виктор Алексеевич Власов,Вячеслав Федорович Мышкин,Дмитрий Александрович Ижойкин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2013-11-20.

High-frequency striker

Номер патента: RU2310541C2. Автор: Александр Викторович Лобусов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный технологический университет" (ГОУВПО "КубГТУ"). Дата публикации: 2007-11-20.

Generation method of chaotic super-high-frequency pulses

Номер патента: RU2421876C1. Автор: Евгений Николаевич Бегинин,Юрий Павлович Шараевский,Сергей Валерьевич Гришин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского". Дата публикации: 2011-06-20.

Method of generating high-frequency signals and apparatus for realising said method

Номер патента: RU2486636C1. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Ирина Александровна Малютина. Владелец: Федеральное государственное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный авиационный инженерный университет" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2013-06-27.

Seismic compensator of interferences of ultra high frequency of fish searching fathometer

Номер патента: RU2321023C1. Автор: Андрей Васильевич Червинко,Сергей Владимирович Мороз,Сергей Васильевич Василенко. Владелец: КАЛИНИНГРАДСКИЙ ПОГРАНИЧНЫЙ ИНСТИТУТ ФСБ РОССИИ. Дата публикации: 2008-03-27.

Method of generating high-frequency signals and apparatus for realising said method

Номер патента: RU2496220C2. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Владимир Александрович Головков. Владелец: Федеральное государственное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный авиационный инженерный университет" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2013-10-20.

High-frequency accelerating structure for ion beams extracted from laser plasma

Номер патента: RU2533194C2. Автор: Владимир Иванович Турчин,Сергей Валентинович Плотников,Александр Николаевич Балабаев,Юрий Алексеевич Сатов,Александр Викторович Шумшуров,Сергей Михайлович Савин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Государственный научный центр Российской Федерации - Институт Теоретической и Экспериментальной Физики". Дата публикации: 2014-11-20.

Accelerator having high-frequency power source

Номер патента: RU2249927C2. Автор: В.И. Каминский,В.Я. Маклашевский. Владелец: Войсковая часть 75360. Дата публикации: 2005-04-10.

Generation method of high-frequency signals and device for its implementation

Номер патента: RU2568925C1. Автор: Николай Михайлович Тихомиров,Александр Афанасьевич Головков,Владимир Александрович Головков,Дмитрий Николаевич Рахманин. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2015-11-20.

Improvements in or in connection with Generators for High Frequency Electric Currents.

Номер патента: GB190808972A. Автор: John Groeme Balsillie. Владелец: Individual. Дата публикации: 1909-04-26.

SYSTEMS, APPARATUS, AND METHODS FOR DIGITAL IMAGE CAPTURE WITH VARIABLE DENSITY DISPLAY AND HIGH RESOLUTION ELECTRONIC ZOOM

Номер патента: US20120002084A1. Автор: . Владелец: TRUE VISION SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Polymer composition for absorbing high-frequency energy

Номер патента: RU2497851C1. Автор: Иван Иванович Зайченко,Любовь Федоровна Чувилина,Галина Владимировна Брызгалина,Владислав Алексеевич Трегубов,Владимир Александрович Митин. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт приборостроения имени В.В. Тихомирова". Дата публикации: 2013-11-10.

Method of erecting high-voltage overhead transmission line and high-voltage overhead power transmission line, built using said method

Номер патента: RU2594197C1. Автор: Вера Сергеевна Субботина. Владелец: Вера Сергеевна Субботина. Дата публикации: 2016-08-10.

Process of measurement of high-frequency spectra of surface waves and device for its implementation

Номер патента: RU2040780C1. Автор: Г.Н. Христофоров,А.С. Запевалов,Ю.А. Мищенчук,В.Е. Смолов. Владелец: Морской гидрофизический институт. Дата публикации: 1995-07-25.

Protective cover for high frequency electronic boards

Номер патента: RU2298301C1. Автор: Александр Михайлович Слушков,Валерий Геннадьевич Малов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Полет". Дата публикации: 2007-04-27.

High frequency multidifferential amplifier

Номер патента: RU2374759C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Алексей Сергеевич Будяков,Даниил Николаевич Конев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС"). Дата публикации: 2009-11-27.

Method of high-frequency sealed cable terminal manufacturing

Номер патента: RU2351030C1. Автор: Николай Сергеевич Костюков,Виктор Александрович Демчук,Борис Борисович Калиниченко,Владимир Александрович Охотников. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Амуратом". Дата публикации: 2009-03-27.

High frequency atomiser

Номер патента: RU2555489C2. Автор: Дмитрий Григорьевич Громаковский,Михаил Васильевич Карпухин,Александр Петрович Бураков,Евгений Павлович Кочеров,Наталья Анатольевна Карева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Самарский государственный технический университет. Дата публикации: 2015-07-10.

Method for generation and frequency-modulation of high-frequency signals and apparatus for realising said method

Номер патента: RU2496192C2. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Владимир Александрович Головков. Владелец: Федеральное государственное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный авиационный инженерный университет" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2013-10-20.

Method of erecting high-voltage overhead transmission line and high-voltage overhead power transmission line, built using said method

Номер патента: RU2594198C1. Автор: Вера Сергеевна Субботина. Владелец: Вера Сергеевна Субботина. Дата публикации: 2016-08-10.

High-frequency signal generation method and device for its implementation

Номер патента: RU2589305C1. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Дмитрий Александрович Ишутин. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2016-07-10.

Method to build and adjust relay protection with high-frequency exchange blocking signal along line wires

Номер патента: RU2435267C1. Автор: Алексей Федорович Прутик,Анатолий Васильевич Шмойлов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2011-11-27.

High-frequency transceiving antenna system

Номер патента: RU2262783C1. Автор: А.Е. Федоров,Н.Д. Малютин,А.П. Рыбин,Н.Я. Перевалов. Владелец: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР). Дата публикации: 2005-10-20.

Method for amplitude modulation and demodulation of high-frequency signals and apparatus for realising said method

Номер патента: RU2488948C2. Автор: Андрей Николаевич Киселев,Александр Афанасьевич Головков,Ирина Александровна Малютина,Иван Сергеевич Безбородов. Владелец: Федеральное государственное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный авиационный инженерный университет" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2013-07-27.

Method of erecting high-voltage overhead transmission line and high-voltage overhead power transmission line, built using said method

Номер патента: RU2594208C1. Автор: Анастасия Владимировна Федосова. Владелец: Анастасия Владимировна Федосова. Дата публикации: 2016-08-10.

Method of erecting high-voltage overhead transmission line and high-voltage overhead power transmission line, built using said method

Номер патента: RU2594191C1. Автор: Вадим Романович Сысоев. Владелец: Вадим Романович Сысоев. Дата публикации: 2016-08-10.

Method of generating high-frequency signals and apparatus for realising said method

Номер патента: RU2483425C2. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Владимир Александрович Головков,Егор Владимирович Кондратьев. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный авиационный инженерный университет" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2013-05-27.

Method of presowing cultivation of mustard seeds with electromagnetic field of super high frequency

Номер патента: RU2373676C1. Автор: Николай Васильевич Цугленок,Андрей Владимирович Бастрон,Галина Ивановна Цугленок,Андрей Васильевич Мещеряков,Анна Петровна Халанская. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Красноярский Государственный аграрный университет. Дата публикации: 2009-11-27.

Method of ultra-high-frequency impact at total toxic damage

Номер патента: RU2082456C1. Автор: Александр Павлович Кузнецов,Михаил Борисович Голант. Владелец: Михаил Борисович Голант. Дата публикации: 1997-06-27.

Device for high-frequency excitation of gas laser

Номер патента: RU2113750C1. Автор: Н.В. Архипова,В.И. Юдин. Владелец: Научно-исследовательский институт радиоэлектроники и лазерной техники МГТУ им.Н.Э.Баумана. Дата публикации: 1998-06-20.

High-frequency coaxial cable

Номер патента: RU2413318C1. Автор: Алексей Григорьевич Ионов,Тамара Николаевна Петина,Ирина Львовна Ильина,Марина Васильевна Гусева,Николай Степанович Куприянов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Особое конструкторское бюро кабельной промышленности". Дата публикации: 2011-02-27.

Method of erecting high-voltage overhead transmission line and high-voltage overhead power transmission line, built using said method

Номер патента: RU2594204C1. Автор: Мария Сергеевна Селиванова. Владелец: Мария Сергеевна Селиванова. Дата публикации: 2016-08-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.