Low noise and high performance lsi device
Номер патента: US20150311189A1
Опубликовано: 29-10-2015
Автор(ы): Jeong-hwan Yang, Shigenobu Maeda
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 29-10-2015
Автор(ы): Jeong-hwan Yang, Shigenobu Maeda
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Low noise amplifier
Номер патента: US20070105523A1. Автор: Tadahiro Ohmi,Shigetoshi Sugawa,Hiroshi Miyagi,Akinobu Teramoto,Takefumi Nishimuta. Владелец: Nigata Semitsu Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-10.