Long wavelength surface emitting semiconductor laser .

Long wavelength surface emitting semiconductor laser

Номер патента: JP4722404B2
Опубликовано: 13-07-2011
Автор(ы): 博之鈴木, 学満原, 義孝大礒, 航太浅香
Принадлежит: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Long wavelength, vertical cavity surface emitting laser with vertically integrated optical pump

Номер патента: US5513204A. Автор: Vijaysekhar Jayaraman. Владелец: Optical Concepts Inc. Дата публикации: 1996-04-30.

Long wavelength, vertical cavity surface emitting laser with vertically integrated optical pump

Номер патента: CA2190843C. Автор: Vijaysekhar Jayaraman. Владелец: Optical Concepts Inc. Дата публикации: 2000-05-16.

Method of fabricating long wavelength vertical-cavity surface-emitting lasers

Номер патента: US6727109B2. Автор: Won Seok Han,O Kyun Kwon,Jae Heon Shin,Young Gu Ju,Byueng Su Yoo,Jung Rae Ro. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2004-04-27.

Long wavelength vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US20020150135A1. Автор: Andrew Jackson,Ryan Naone,Leo M. Chirovsky. Владелец: Chirovsky Leo M. F.. Дата публикации: 2002-10-17.

Long wavelength vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US6898215B2. Автор: Andrew W. Jackson,Leo M. F. Chirovsky,Ryan Likeke Naone. Владелец: Optical Communication Products Inc. Дата публикации: 2005-05-24.

Apparatus & method for fabricating a chirped grating in a surface emitting distributed feedback semiconductor laser diode device

Номер патента: EP0552028A1. Автор: Stephen H. Macomber,Jeffrey S. Mott. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1993-07-21.

Long wavelength vertical cavity surface emitting laser with integrated photodetector

Номер патента: EP1508946A1. Автор: Tak Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-02-23.

Long wavelength vertical cavity surface emitting laser device and method for fabricating the same

Номер патента: KR100918400B1. Автор: 박미란,권오균. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2009-09-21.

Oxide aperture long-wavelength vertical cavity surface emitting lasers and method of manufacturing the same

Номер патента: KR100726324B1. Автор: 박성주,유병수,노정래,이기황. Владелец: 주식회사 레이칸. Дата публикации: 2007-06-11.

Long wavelength, vertical cavity surface emitting laser with vertically integrated optical pump

Номер патента: EP0765536B1. Автор: Vijaysekhar Jayaraman. Владелец: Optical Concepts Inc. Дата публикации: 2000-10-11.

Long wavelength vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: AU2001271279A1. Автор: Kent D. Choquette,John F. Klem. Владелец: Sandia Corp. Дата публикации: 2001-12-11.

Long wavelength vertical-cavity surface emitting laser having oxide-aperture and method for fabricating the same

Номер патента: KR100397371B1. Автор: 한원석,신재헌,유병수,권오균,주영구. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2003-09-13.

Long wavelength, vertical cavity surface emitting laser with vertically integrated optical pump

Номер патента: AU5297396A. Автор: Vijaysekhar Jayaraman. Владелец: Optical Concepts Inc. Дата публикации: 1996-10-30.

Long wavelength vertical cavity surface emitting laser with monolithically grown photodetector

Номер патента: CN1585215A. Автор: 金泽. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-02-23.

Multiple wavelength and long-wavelength vertical cavity surface emitting laser array and fabricating method the same

Номер патента: KR100460839B1. Автор: 한원석,김종희,신재헌,유병수,권오균,주영구. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2004-12-09.

GALLIUM ARSENIDE BASED MULTI-JUNCTION DILUTE NITRIDE LONG-WAVELENGTH VERTICAL-CAVITY SURFACE-EMITTING LASER

Номер патента: US20220416512A1. Автор: YANG Jun,Barve Ajit Vijay,Zhao Guowei,HEGBLOM Eric R.,PETERS Matthew Glenn. Владелец: . Дата публикации: 2022-12-29.

Surface-emitting device, display device, sealing member sheet for surface-emitting device, and method for producing surface-emitting device

Номер патента: US20230378403A1. Автор: Atsuo Tsuzuki,Yoshihiro Kanai,Keita Arihara,Marii NISHIKAWA. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Photodetector capable of detecting long wavelength radiation

Номер патента: US20150333211A1. Автор: Doyeol Ahn. Владелец: Industry Cooperation Foundation of University of Seoul. Дата публикации: 2015-11-19.

Semiconductor laser module and three-dimensional laminating and shaping apparatus

Номер патента: US20180231724A1. Автор: Hajime Mori,Yuta Ishige,Etsuji Katayama. Владелец: Technology Research Association for Future Additive Manufacturing (TRAFAM). Дата публикации: 2018-08-16.

Long-wavelength semiconductor light emitting device and its manufacturing method

Номер патента: US20050040408A1. Автор: Hironobu Narui,Tomonori Hino,Jugo Mitomo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-02-24.

Method for producing a long wavelength indium gallium arsenide nitride (InGaAsN) active region

Номер патента: EP1361601A3. Автор: YING-LAN Chang,Tetsuya Takeuchi,David P. Bour,Scott Corzine,Michael R.T. Tan,Ashish Tandon. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2005-07-27.

Method of fabricating semiconductor laser device using the light generated by the laser to disorder its active layer at the end surfaces thereby forming window regions

Номер патента: US5171707A. Автор: Kazuhisa Takahashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-12-15.

Method of fabricating semiconductor laser device

Номер патента: CA2051254A1. Автор: Kazuhisa Takahashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-03-14.

Method for controlling a semiconductor-laser-diode-based ss- interferometer system

Номер патента: US20220244178A1. Автор: Thomas Pabst,Manfred Dick,Roland Bergner,Ralf Ebersbach,Rainer Leitgeb. Владелец: CARL ZEISS MEDITEC AG. Дата публикации: 2022-08-04.

Method for classifying light-emitting semiconductor components and image sensor application having an image sensor and a semiconductor element

Номер патента: US20170100751A1. Автор: Peter Brick,Felix Kimme. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-04-13.

Vertical cavity surface emitting laser device, vertical cavity surface emitting laser array, optical scanning apparatus, image forming apparatus, optical transmission module and optical transmission system

Номер патента: US09570887B2. Автор: Naoto Jikutani,Shunichi Sato,Satoru Sugawara,Hiroshi Motomura. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Surface-emitting laser device, surface-emitting laser array, optical scanner, and image forming apparatus

Номер патента: EP2577822A1. Автор: Shunichi Sato,Katsunari Hanaoka,Masahiro Hayashi,Akihiro Itoh,Kazuhiro Harasaka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-10.

Surface-emitting laser element, method for manufacturing a surface-emitting laser element, and atomic oscillator

Номер патента: US09496686B2. Автор: Shunichi Sato,Ryoichiro SUZUKI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Surface-emitting laser device, surface-emitting laser array, optical scanner, and image forming apparatus

Номер патента: WO2011148957A1. Автор: Shunichi Sato,Katsunari Hanaoka,Masahiro Hayashi,Akihiro Itoh,Kazuhiro Harasaka. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2011-12-01.

Semiconductor laser and optical module

Номер патента: US7502403B2. Автор: Koichiro Adachi,Hideo Arimoto,Kazunori Shinoda. Владелец: Opnext Japan Inc. Дата публикации: 2009-03-10.

Bilateral cooling type semiconductor laser system for medical beauty use

Номер патента: US09510907B2. Автор: Yao Sun,Di Wu,Xingsheng Liu,Lei CAI,Ye Dai,Hengjun ZONG,Lishun TONG. Владелец: Focuslight Technologies Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Surface-emitting laser element, surface-emitting laser array, optical scanning apparatus, image forming apparatus, and method of manufacturing surface-emitting laser element

Номер патента: WO2010140600A1. Автор: Yasuhiro Higashi,Kazuhiro Harasaka. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2010-12-09.

Light source arrangement having a plurality of semiconductor laser light sources

Номер патента: US9822935B2. Автор: Martin Daniels. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2017-11-21.

Surface-emitting laser element, surface-emitting laser array, optical scanning apparatus, image forming apparatus, and method of manufacturing surface-emitting laser element

Номер патента: EP2438662A1. Автор: Yasuhiro Higashi,Kazuhiro Harasaka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-11.

Surface-emitting laser element, surface-emitting laser array, optical scanning apparatus, image forming apparatus, and method of manufacturing surface-emitting laser element

Номер патента: US20120086765A1. Автор: Yasuhiro Higashi,Kazuhiro Harasaka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-12.

Semiconductor laser driver and image forming apparatus incorporating same

Номер патента: US8559476B2. Автор: Tomohiko Kamatani. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-15.

Surface-emitting laser module, optical scanner device, and image forming apparatus

Номер патента: US09831633B2. Автор: Shunichi Sato,Toshihiro Ishii,Kazuhiko Adachi,Satoru Sugawara,Yoshihiro Ohba,Kazuhiro Harasaka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Surface-emitting laser device, surface-emitting laser array, optical scanning apparatus and image forming apparatus

Номер патента: US8958449B2. Автор: Naoto Jikutani,Shunichi Sato,Kazuhiro Harasaka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-17.

Surface emitting laser diode, optical scanning apparatus and image forming apparatus

Номер патента: US20120294652A1. Автор: Naoto Jikutani,Shunichi Sato,Akihiro Itoh,Kazuhiro Harasaka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-22.

Two-color signature simulation using mid-infrared test source semiconductor lasers

Номер патента: US09791558B2. Автор: Steven C. Tidwell. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor laser module, optical amplifier, and method of manufacturing the semiconductor laser module

Номер патента: US20080044936A1. Автор: Toshio Kimura,Takeshi Aikiyo,Masashi Nakae. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-21.

Surface-emitting laser device, optical scanner device, and image forming apparatus

Номер патента: US20130033559A1. Автор: Toshihide Sasaki,Kazuhiro Harasaka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-07.

Two-dimensional photonic crystal surface-emitting laser

Номер патента: US20070075318A1. Автор: Koujirou Sekine,Mitsuru Yokoyama,Susumu Noda,Eiji Miyai. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2007-04-05.

Surface emitting laser array element, optical scanning device, and image forming apparatus

Номер патента: US20130251408A1. Автор: Katsunari Hanaoka,Masayuki Numata,Hiroyoshi Shouji. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Semiconductor laser driver and image forming apparatus incorporating same

Номер патента: US20110228034A1. Автор: Hiroaki Kyogoku. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-22.

Semiconductor laser element

Номер патента: US20040120378A1. Автор: Akira Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-06-24.

Method of manufacturing semiconductor laser, semiconductor laser, optical pickup, optical disk device, method of manufacturing semiconductor device, semiconductor device, and method of growing nitride type group iii-v compound semiconductor layer

Номер патента: US20120207185A1. Автор: Eiji Nakayama,Masaru Kuramoto,Yoshitsugu Ohizumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Semiconductor laser module and method of manufacturing the same

Номер патента: US09859679B2. Автор: Naoki Kimura. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Vertical cavity surface-emitting semiconductor laser device, optical transmission module, optical transmission device, and optical switching method

Номер патента: US20090074025A1. Автор: Takashi Takahashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-19.

Semiconductor laser device and optoelectronic component

Номер патента: US20240235150A1. Автор: Johann Ramchen,Joerg Erich Sorg. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-07-11.

Solderless mounting for semiconductor lasers

Номер патента: US09646949B2. Автор: Gabi Neubauer,Alfred Feitisch,Mathias Schrempel. Владелец: SpectraSensors Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor laser module and laser machining apparatus

Номер патента: US20240305060A1. Автор: Yuki Okamoto,Daisuke Morita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor laser

Номер патента: US20090141763A1. Автор: Hitoshi Nakamura,Ichiro Nomura,Katsumi Kishino,Shigehisa Tanaka,Tsunenori Asatsuma,Sumiko Fujisaki,Takeshi Kikawa. Владелец: Sophia School Corp. Дата публикации: 2009-06-04.

Semiconductor laser oscillator

Номер патента: US09917416B2. Автор: Minoru Ogata,Kaori USUDA. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2018-03-13.

Surface-emitting semiconductor laser and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030016713A1. Автор: Tsuyoshi Kaneko. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-01-23.

High-density, independently addressable surface emitting semiconductor laser/light emitting diode array

Номер патента: CA2051223C. Автор: Thomas L. Paoli. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1996-07-09.

Method for producing a waveguide structure in a surface-emitting semiconductor laser and surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US20060078029A1. Автор: Markus-Christian Amann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-13.

Surface emitting semiconductor laser and method of manufacture thereof

Номер патента: EP2550711A1. Автор: Hans Zogg,Mohamed Rahim,Ferdinand Felder,Matthias Fill,Martin Arnild. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zurich ETHZ. Дата публикации: 2013-01-30.

Filament with light-emitting semiconductor chips, lighting means and method of producing a filament

Номер патента: US20190113181A1. Автор: Ivar Tangring,Thomas Schlereth,Michael Bestele,Elena Rachkova. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-04-18.

Semiconductor laser module, laser oscillator, and laser machining apparatus

Номер патента: US20240339809A1. Автор: Yuki Okamoto,Daisuke Morita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor laser, operating method for a semiconductor laser, and method for determining the optimum fill factor of a semiconductor laser

Номер патента: US11942763B2. Автор: Harald KÖNIG,Alfred Lell,Bernhard Stojetz,Muhammad Ali. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor laser module and laser machining apparatus

Номер патента: US20240088620A1. Автор: Yuki Okamoto,Daisuke Morita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Vertical cavity surface emitting semiconductor laser device

Номер патента: US20080144683A1. Автор: Koichiro Adachi,Tomonobu Tsuchiya,Kouji Nakahara,Takashi Shiota,Kazunori Shinoda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-19.

Optically pumped, surface-emitting semiconductor laser device and method for the manufacture thereof

Номер патента: US6954479B2. Автор: Tony Albrecht,Johann Luft,Norbert Linder. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2005-10-11.

Independently-addressable high power surface-emitting laser array with tight-pitch packing

Номер патента: EP4142076A3. Автор: Joerg Martini,Zhihong Yang,Peter Kiesel,Christopher L Chua,Patrick Y Maeda,Noble M Johnson. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2023-07-26.

Nitride semiconductor laser chip, nitride semiconductor laser device, and manufacturing method of nitride semiconductor laser chip

Номер патента: US20090180507A1. Автор: Yasuhiko Matsushita. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-16.

Semiconductor laser device and method of manufacturing the same, and optical transmission module and optical disk apparatus using the semiconductor laser device

Номер патента: US20070243644A1. Автор: Katsuhiko Kishimoto,Shuichi Hirukawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-18.

Surface-emission semiconductor laser device

Номер патента: US7881359B2. Автор: Norihiro Iwai,Noriyuki Yokouchi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-01.

Group-III nitride semiconductor laser device, and method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device

Номер патента: US8420419B2. Автор: Koji Katayama,Masaki Ueno,Takatoshi Ikegami,Yusuke Yoshizumi,Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-04-16.

Group-III nitride semiconductor laser device, and method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device

Номер патента: US8594145B2. Автор: Koji Katayama,Masaki Ueno,Takatoshi Ikegami,Yusuke Yoshizumi,Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-11-26.

Visible light surface emitting semiconductor laser

Номер патента: US5258990A. Автор: Jack L. Jewell,Gregory R. Olbright. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 1993-11-02.

Nitride semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090180505A1. Автор: Yuji Ishida,Shinichi Kohda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-07-16.

Nitride semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110096805A1. Автор: Yuji Ishida,Shinichi Kohda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2011-04-28.

Semiconductor laser system for laser medical cosmetology

Номер патента: US09510908B2. Автор: Yao Sun,Di Wu,Xingsheng Liu,Lei CAI,Ye Dai,Hengjun ZONG,Lishun TONG. Владелец: Focuslight Technologies Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor laser driving apparatus, electronic equipment, and manufacturing method of semiconductor laser driving apparatus

Номер патента: US20220346288A1. Автор: Masayuki Nagao,Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor laser drive device, electronic equipment, and method of manufacturing semiconductor laser drive device

Номер патента: EP4040615A1. Автор: Masayuki Nagao,Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-08-10.

Surface emitting semiconductor laser

Номер патента: US4949350A. Автор: Axel Scherer,Jack L. Jewell. Владелец: Bell Communications Research Inc. Дата публикации: 1990-08-14.

Surface emitting laser device, light-emitting device including the same and manufacturing method thereof

Номер патента: US12051886B2. Автор: Yeo Jae YOON,Keun Uk PARK. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Surface emitting laser device and light emitting device including the same

Номер патента: US12080991B2. Автор: Yong Gyeong Lee,Tae Yong Lee,Se Yeon Jung. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor laser drive device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11962123B2. Автор: Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor laser drive device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240154385A1. Автор: Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor laser drive device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210143607A1. Автор: Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor laser drive device and method for manufacturing same

Номер патента: EP3783759A1. Автор: Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-02-24.

Semiconductor laser array

Номер патента: EP1143584A3. Автор: Kunio Ito,Seiichiro Tamai,Masaaki Yuri,Masaru Kazamura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-23.

Vertical-cavity surface-emitting laser and method for manufacturing the same

Номер патента: US6127200A. Автор: Takashi Kurokawa,Chikara Amano,Kouta Tateno,Hirokazu Takenouchi,Yoshio Itoh,Yoshitaka Ohiso,Yoshitaka Kohama. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2000-10-03.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09685759B2. Автор: Takashi Nakagawa,Naoto Morizumi,Daisuke Komoda,Takashi Namie,Hiroaki Shozui. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

High-powered semiconductor laser array apparatus

Номер патента: EP1146617A3. Автор: Kunio Ito,Seiichiro Tamai,Masaru Kazumura,Masaaki Yuri,Toru Takayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-23.

Semiconductor laser structures

Номер патента: CA1295722C. Автор: Leslie David Westbrook,Michael John Adams. Владелец: British Telecommunications plc. Дата публикации: 1992-02-11.

Gallium nitride semiconductor light emitting element with active layer having multiplex quantum well structure and semiconductor laser light source device

Номер патента: US6377597B1. Автор: Toshiyuki Okumura. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2002-04-23.

Edge-Emitting Semiconductor Laser

Номер патента: US20140211821A1. Автор: Alvaro Gomez-Iglesias,Harald Koenig,Christian Lauer,Guenther Groenninger. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2014-07-31.

Edge-Emitting Semiconductor Laser

Номер патента: US20120263205A1. Автор: Alvaro Gomez-Iglesias,Harald Koenig,Christian Lauer,Guenther Groenninger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-18.

Semiconductor laser device

Номер патента: GB2304993A. Автор: Jeremy Burroughes,Angus North. Владелец: Toshiba Cambridge Research Centre Ltd. Дата публикации: 1997-03-26.

Multiquantum-well semiconductor laser

Номер патента: US5737353A. Автор: Yoshihiro Sasaki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-04-07.

Vertical cavity surface emitting laser including indium and nitrogen in the active region

Номер патента: US7408964B2. Автор: Ralph H. Johnson. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2008-08-05.

Vertical cavity surface emitting laser including indium in the active region

Номер патента: CA2470858A1. Автор: Ralph H. Johnson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-03.

System for electronically controlling and driving independently addressable semiconductor lasers

Номер патента: US11984701B2. Автор: Joerg Martini,David K. Biegelsen,Sourobh Raychaudhuri,Joseph Lee,Christopher Chua. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Edge-Emitting Semiconductor Laser

Номер патента: US20120201262A1. Автор: Christoph Eichler,Marc Schillgalies,Teresa Lermer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-08-09.

Edge-emitting semiconductor laser

Номер патента: US8625648B2. Автор: Christoph Eichler,Marc Schillgalies,Teresa Lermer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2014-01-07.

High power semiconductor laser device

Номер патента: US7466737B2. Автор: Byung Jin MA,Seong Ju Bae. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-16.

Narrow spectral width high power distributed feedback semiconductor lasers

Номер патента: CA2329416C. Автор: Dan Botez,Thomas L. Earles,Luke J. Mawst. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2005-05-17.

Semiconductor laser module

Номер патента: US5584569A. Автор: Chaochi Huang. Владелец: Quarton Inc. Дата публикации: 1996-12-17.

Surface emitting semiconductor device

Номер патента: US20080019410A1. Автор: Yutaka Onishi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2008-01-24.

Semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070058687A1. Автор: Masaya Mannoh,Toshiya Fukuhisa,Tsutomu Ukai,Yoshiyuki Matsuki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-15.

Ingan diode-laser pumped ii-vi semiconductor lasers

Номер патента: WO2005124948A2. Автор: Luis A. Spinelli,Hailong Zhou,Russel R. Austin. Владелец: Coherent, Inc.. Дата публикации: 2005-12-29.

Ingan diode-laser pumped ii-vi semiconductor lasers

Номер патента: WO2005124948A3. Автор: Luis A Spinelli,Hailong Zhou,Russel R Austin. Владелец: Russel R Austin. Дата публикации: 2006-03-30.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20030202551A1. Автор: Shoji Hirata,Tsuyoshi Nagatake. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-10-30.

Semiconductor laser device

Номер патента: US7113532B2. Автор: Shoji Hirata,Tsuyoshi Nagatake. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-09-26.

Semiconductor laser device and laser module using same

Номер патента: US20040179565A1. Автор: Michio Ohkubo,Satoru Okada,Tsuyoshi Fujimoto,Kiyofumi Muro,Yutaka Ohki,Takeshi Koiso,Atsushi Ohkubo. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-16.

Nitride semiconductor laser element and external-cavity semiconductor laser device

Номер патента: US7970035B2. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2011-06-28.

Semiconductor laser element, laser module using it

Номер патента: EP1437810A4. Автор: Michio Ohkubo,Satoru Okada,Tsuyoshi Fujimoto,Kiyofumi Muro,Yutaka Ohki,Takeshi Koiso,Atsushi Ohkubo. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-11-23.

Mode-locked semiconductor laser diode with dispersion-compensated external cavity

Номер патента: WO2013069301A1. Автор: Rintaro Koda,Hideki Watanabe,Takao Miyajima,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2013-05-16.

Semiconductor laser device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090080483A1. Автор: Kenji Yoshikawa,Takayuki Kashima,Kouji Makita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-26.

Mode-locked semiconductor laser diode with dispersion-compensated external cavity

Номер патента: EP2777108A1. Автор: Rintaro Koda,Hideki Watanabe,Takao Miyajima,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-09-17.

Semiconductor laser with low relative intensity noise of individual longitudinal modes and optical transmission system incorporating the laser

Номер патента: WO2010065731A3. Автор: Alexey Gubenko,Daniil Livshits,Sergey Mikhrin,Igor Krestnikov,Greg Wojcik,Alexey Kovsh. Владелец: Innolume GmbH. Дата публикации: 2010-09-23.

Semiconductor laser with low relative intensity noise of individual longitudinal modes and optical transmission system incorporating the laser

Номер патента: EP2371044A2. Автор: Alexey Gubenko,Daniil Livshits,Sergey Mikhrin,Igor Krestnikov,Greg Wojcik,Alexey Kovsh. Владелец: Innolume GmbH. Дата публикации: 2011-10-05.

Semiconductor laser with low relative intensity noise of individual longitudinal modes and optical transmission system incorporating the laser

Номер патента: WO2010065731A9. Автор: Alexey Gubenko,Daniil Livshits,Sergey Mikhrin,Igor Krestnikov,Greg Wojcik,Alexey Kovsh. Владелец: Innolume GmbH. Дата публикации: 2010-07-29.

Semiconductor laser apparatus assembly

Номер патента: US09906000B2. Автор: Rintaro Koda,Hideki Watanabe,Takao Miyajima,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor laser device assembly

Номер патента: US09537288B2. Автор: Hideki Watanabe,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for producing nitride semiconductor laser light source and apparatus for producing nitride semiconductor laser light source

Номер патента: US20060068516A1. Автор: Masaya Ishida,Atsushi Ogawa,Takuro Ishikura,Yoshihiko Tani,Daisuke Hanaoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-30.

Semiconductor laser diode device

Номер патента: US20080049803A1. Автор: Hitoshi Nakamura,Ichiro Nomura,Katsumi Kishino,Shigehisa Tanaka,Tsukuru Ohtoshi,Tsunenori Asatsuma,Sumiko Fujisaki,Takeshi Kikawa. Владелец: Sophia School Corp. Дата публикации: 2008-02-28.

Quantum cascade semiconductor laser

Номер патента: US20200067282A1. Автор: Hiroyuki Yoshinaga. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20020196828A1. Автор: Shinji Abe,Tetsuya Yagi,Harumi Nishiguchi,Nobuyuki Kasai,Junji Tanimura,Yoshihisa Tashiro,Motoharu Miyashita,Yuji Ohkura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Method for fabricating a group III nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20050048682A1. Автор: Shigetoshi Ito,Takayuki Yuasa,Kensaku Motoki,Mototaka Taneya,Kunihiro Takatani. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-03-03.

Semiconductor laser device

Номер патента: EP1286440A3. Автор: Masayuki Iwami,Hirotatsu Ishii,Mikihiro Yokozeki,Kaname Saito. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-27.

Improved semiconductor laser

Номер патента: WO2002011257A1. Автор: John Haig Marsh,Craig James Hamilton,Olek Peter Kowalski. Владелец: THE UNIVERSITY COURT OF THE UNIVERSITY OF GLASGOW. Дата публикации: 2002-02-07.

Semiconductor laser and production method thereof

Номер патента: US20020181531A1. Автор: Masakazu Ukita. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor laser having fabry-perot resonator

Номер патента: US20080240198A1. Автор: Tetsuya Yagi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2008-10-02.

Ridge-structure DFB semiconductor laser and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020064199A1. Автор: Yoshiaki Watanabe,Kiyoshi Takei,Kiyofumi Chikuma,Nong Chen. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2002-05-30.

Semiconductor laser including N-doped quaternary layer

Номер патента: US20030086458A1. Автор: Kenneth Bacher. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2003-05-08.

Semiconductor laser

Номер патента: US09407065B2. Автор: Shigeyuki Takagi,Takayoshi Fujii,Akira Maekawa,Yasutomo Shiomi,Hidehiko Yabuhara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor laser mount

Номер патента: US4802177A. Автор: Hiromi Ishikawa,Kazuo Horikawa,Kenichi Yamagishi. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 1989-01-31.

Method for manufacturing an edge emitting semiconductor laser diode

Номер патента: WO2024017553A1. Автор: Peter Fuchs,Teresa Langer,Markus CHRZASCIEL,Solveig PUTZSCHKE. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2024-01-25.

Surface emitting laser device, surface emitting laser array, optical scanning device, image forming apparatus, and method of manufacturing the surface emitting laser device

Номер патента: EP2395613A3. Автор: Shunichi Sato,Masayuki Numata. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-11.

Surface emitting laser device, surface emitting laser array, optical scanning device, image forming apparatus, and method of manufacturing the surface emitting laser device

Номер патента: EP3667841A1. Автор: Shunichi Sato,Masayuki Numata. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-17.

Improved semiconductor laser

Номер патента: EP1413020A1. Автор: John Haig Marsh,Craig James Hamilton,Olek Peter c/o University of Glasgow KOWALSKI. Владелец: University of Glasgow. Дата публикации: 2004-04-28.

Process for the production of a semiconductor laser with tape geometry and laser obtained by this process

Номер патента: US4742013A. Автор: Louis Menigaux. Владелец: Individual. Дата публикации: 1988-05-03.

Surface emitting laser devices and methods for manufacturing same

Номер патента: WO2024134145A1. Автор: Richard Taylor,David Childs,Richard Hogg. Владелец: Vector Photonics Limited. Дата публикации: 2024-06-27.

Surface emitting laser element, surface emitting laser array, optical scanning unit, image forming apparatus and method of manufacturing surface emitting laser element

Номер патента: US20110304682A1. Автор: Mitsugu Irinoda. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

Semiconductor laser

Номер патента: WO2012153136A1. Автор: Alf Adams. Владелец: UNIVERSITY OF SURREY. Дата публикации: 2012-11-15.

Nitride semiconductor laser device and semiconductor laser apparatus

Номер патента: US11133651B2. Автор: Yoshihiko Tani,Yuhzoh Tsuda,Akinori Noguchi,Yoshimi TANIMOTO. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2021-09-28.

Nitride semiconductor laser device and semiconductor laser apparatus

Номер патента: US20200244041A1. Автор: Yoshihiko Tani,Yuhzoh Tsuda,Akinori Noguchi,Yoshimi TANIMOTO. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device

Номер патента: US9036671B2. Автор: Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-05-19.

Surface emitting laser

Номер патента: US20110044363A1. Автор: Takeshi Uchida. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-02-24.

Semiconductor laser and method of manufacturing semiconductor laser

Номер патента: US20100220759A1. Автор: Masahide Kobayashi,Kenji Endo,Kentaro Tada,Tetsuro Okuda,Kazuo Fukagai. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-09-02.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09564739B2. Автор: Tsuguki Noma,Minoru Akutsu,Yoshito NISHIOKA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Apparatus and methods for sensing long wavelength light

Номер патента: US12113086B2. Автор: Ying-Hao Chen,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor laser driving device, lidar provided with semiconductor laser driving device, and vehicle provided with semiconductor laser driving device

Номер патента: EP4242686A1. Автор: Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-09-13.

Semiconductor laser driving apparatus, lidar including semiconductor laser driving apparatus, and vehicle including semiconductor laser driving apparatus

Номер патента: US20240006850A1. Автор: Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor laser device and optical fiber amplifier

Номер патента: CA2371504C. Автор: Yasuaki Yoshida,Takeshi Fujita,Kimio Shigihara,Kiyohide Sakai,Tatsuo Hatta,Yuuhiko Hamada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2008-06-17.

Semiconductor laser

Номер патента: US20050232325A1. Автор: Masahiro Kume,Isao Kidoguchi,Tetsuo Ueda,Toshiya Kawata. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-20.

Method for fabricating semiconductor laser

Номер патента: US8551797B2. Автор: Shinji Abe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-10-08.

Semiconductor laser with reduced heat loss

Номер патента: US20080212626A1. Автор: Peter Brick. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor laser device and a method of growing a semiconductor laser device

Номер патента: US5828685A. Автор: Geoffrey Duggan. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1998-10-27.

Method for fabricating semiconductor laser

Номер патента: US20130217157A1. Автор: Shinji Abe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-08-22.

Method for fabricating group-iii nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20130280837A9. Автор: Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-10-24.

Method for fabricating group-iii nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20130065336A1. Автор: Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-03-14.

Semiconductor laser and method of manufacturing semiconductor laser

Номер патента: US8228966B2. Автор: Masahide Kobayashi,Kenji Endo,Kentaro Tada,Tetsuro Okuda,Kazuo Fukagai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-07-24.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: EP1037342A3. Автор: Masato Ishino,Yoshiaki Nakano,Masahiro Kito,Tomoaki Toda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-05.

Method for fabricating group-iii nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20130065337A1. Автор: Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-03-14.

Method and apparatus for driving semiconductor lasers, and method and apparatus for deriving drive current patterns for semiconductor lasers

Номер патента: US20090141754A1. Автор: Yuichi Teramura. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-06-04.

Method and apparatus for driving semiconductor lasers, and method and apparatus for deriving drive current patterns for semiconductor lasers

Номер патента: US7970029B2. Автор: Yuichi Teramura. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2011-06-28.

Method and apparatus for driving semiconductor lasers, and method and apparatus for deriving drive current patterns for semiconductor lasers

Номер патента: WO2007043597A1. Автор: Yuichi Teramura. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2007-04-19.

Vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US20100085999A1. Автор: Tatsuro Uchida. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2010-04-08.

Vertical cavity surface emitting laser (vcsel), vcsel array device, optical scanning apparatus, and image forming apparatus

Номер патента: US20090296768A1. Автор: Kei Hara,Morimasa Kaminish. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-03.

Construction, surface emitting laser, and device having the surface emitting laser

Номер патента: US20080192779A1. Автор: Mitsuhiro Ikuta. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2008-08-14.

Group-iii nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20130308670A1. Автор: Koji Katayama,Hiroshi Nakajima,Masaki Ueno,Takao Nakamura,Takatoshi Ikegami,Katsunori Yanashima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Surface emitting laser, surface emitting laser array, and optical apparatus having surface emitting laser array

Номер патента: US20120093188A1. Автор: Mitsuhiro Ikuta. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-04-19.

Circular polarization spin semiconductor laser using magnetic semiconductor and laser beam generating method

Номер патента: EP1478066A4. Автор: Kazunori Sato,Hiroshi Yoshida. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2006-12-13.

Semiconductor laser

Номер патента: US20040233957A1. Автор: Keiji Ito,Toru Takayama,Isao Kidoguchi,Osamu Imafuji. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-25.

Surface emitting laser

Номер патента: US7693205B2. Автор: Tatsuro Uchida. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2010-04-06.

Surface emitting laser, and transceiver, optical transceiver, and optical communication system employing the surface emitting laser

Номер патента: US20100086311A1. Автор: Norihiro Iwai,Hitoshi Shimizu,Takeshi Hama,Setiagung Casimirus,Yasukazu Shiina. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-08.

Surface emitting laser, and transceiver, optical transceiver, and optical communication system employing the surface emitting laser

Номер патента: US20050123014A1. Автор: Norihiro Iwai,Hitoshi Shimizu,Takeshi Hama,Setiagung Casimirus,Yasukazu Shiina. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-09.

Method for making a semiconductor laser by cleaving a cantilever heterostructure

Номер патента: US4769342A. Автор: Tetsuya Yagi,Hitoshi Kagawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1988-09-06.

Semiconductor laser element and laser device using the same element

Номер патента: CA2106562C. Автор: YOSHIKAZU Yamada,Yuji Yoshida,Tsuyoshi Fujimoto,Shoji Ishizaka,Kiyofumi Muro. Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 1999-05-04.

Semiconductor laser device

Номер патента: CA2018928C. Автор: Akihiko Oka,Shinji Sakano,Kazuhisa Uomi,Makoto Okai,Naoki Chinone,Tomonobu Tsuchiya,Tsukuru Ohtoshi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-07-26.

Method for controlling a unipolar semiconductor laser

Номер патента: US6738404B1. Автор: Vincent Berger,Carlo Sirtori. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 2004-05-18.

Semiconductor laser device with plural active layers and changing optical properties

Номер патента: US5177758A. Автор: Akihiko Oka,Shinji Sakano,Kazuhisa Uomi,Makoto Okai,Naoki Chinone,Tomonobu Tsuchiya,Tsukuru Ohtoshi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1993-01-05.

Semiconductor laser with low beam divergence

Номер патента: US5815521A. Автор: Daryoosh Vakhshoori,William Scott Hobson. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1998-09-29.

Complex-coupled distributed feedback semiconductor laser

Номер патента: US20070053404A1. Автор: Toshihiko Makino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-08.

Semiconductor laser with aperiodic photonic lattice

Номер патента: WO2008012527A1. Автор: Alexander Giles Davies,Edmund Harold Linfield,Subhasish Chakraborty. Владелец: UNIVERSITY OF LEEDS. Дата публикации: 2008-01-31.

A semiconductor laser

Номер патента: WO2003021726A3. Автор: Vitaly Shchukin,Nikolai Ledenstov. Владелец: PBC Lasers Ltd. Дата публикации: 2004-02-26.

n-TYPE MODULATION DOPE MULTIPLE QUANTUM WELL SEMICONDUCTOR LASER

Номер патента: EP1071180A1. Автор: Hitoshi The Furukawa Electric Co. Ltd. SHIMIZU,Akihiko The Furukawa Electric Co. Ltd. KASUKAWA,Kouji The Furukawa Electric Co. Ltd. KUMADA. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2001-01-24.

Semiconductor laser comprising a plurality of optically active regions

Номер патента: US20040120377A1. Автор: John Marsh,Shin-Sung Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-24.

Long semiconductor laser cavity in a compact chip

Номер патента: EP2643907A1. Автор: Alex Behfar,Cristian Stagarescu. Владелец: BinOptics LLC. Дата публикации: 2013-10-02.

Semiconductor laser comprising a plurality of optically active regions

Номер патента: EP1362395B1. Автор: John Haig Marsh,Shin-Sung Kim. Владелец: University of Glasgow. Дата публикации: 2005-04-13.

Surface emitting laser, surface-emitting-laser array, and image forming apparatus

Номер патента: US20150036711A1. Автор: Mitsuhiro Ikuta. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-02-05.

Nitride semiconductor laser element

Номер патента: US20110026554A1. Автор: Shingo Masui. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2011-02-03.

Two-wavelength semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7071497B2. Автор: Chong Mann Koh. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-04.

Two-wavelength semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050224837A1. Автор: Chong Koh. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-13.

Apparatus and methods for sensing long wavelength light

Номер патента: US20230402478A1. Автор: Ying-Hao Chen,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Apparatus and methods for sensing long wavelength light

Номер патента: US11798969B2. Автор: Ying-Hao Chen,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor laser assembly and packaging system

Номер патента: US09537284B2. Автор: David M. Bean,John J. Callahan. Владелец: SEMINEX CORP. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor laser device and method of manufacture

Номер патента: GB1476118A. Автор: . Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1977-06-10.

Semiconductor laser assembly and packaging system

Номер патента: US20140322840A1. Автор: David M. Bean,John J. Callahan. Владелец: SEMINEX CORP. Дата публикации: 2014-10-30.

Surface-emitting semiconductor laser, surface-emitting semiconductor laser device, optical transmission device, and information processing device

Номер патента: US09502863B2. Автор: Takashi Kondo,Jun Sakurai,Akemi Murakami,Kazutaka Takeda,Junichiro Hayakawa,Naoki Jogan. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor laser with integrated phototransistor

Номер патента: US09735546B2. Автор: Marcel Franz Christian Schemmann. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-08-15.

Method for manufacturing a surface emitting type AlGaAs/GaAs semiconductor laser diode

Номер патента: US4950622A. Автор: Tae Kyung Yoo,Young Se Kwon. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 1990-08-21.

Long Wavelength Absorbing Porphyrin Photosensitizers for Dye-Sensitized Solar Cells

Номер патента: US20120302743A1. Автор: Wei Pan,David R. Evans,Sean Andrew VAIL. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-29.

Long wavelength absorbing porphyrin photosensitizers for dye-sensitized solar cells

Номер патента: WO2012165641A1. Автор: Wei Pan,David R. Evans,Sean Andrew VAIL. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-12-06.

Method and apparatus for inspection of light emitting semiconductor devices using photoluminescence imaging

Номер патента: US09638741B2. Автор: Tom Marivoet,Steven Boeykens. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor laser driving device, electronic equipment, and method of manufacturing semiconductor laser driving device

Номер патента: EP4027379A1. Автор: Hirohisa Yasukawa,Kiyohisa Sakai. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-07-13.

Semiconductor laser driving apparatus, electronic equipment, and manufacturing method of semiconductor laser driving apparatus

Номер патента: US20220302674A1. Автор: Hirohisa Yasukawa,Kiyohisa Sakai. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor laser and laser radar device having the semiconductor laser

Номер патента: US11817678B2. Автор: Seiichi Takayama,Ryuji Fujii,Ryo Hosoi,Kang GAO. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor laser drive device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor laser drive device

Номер патента: EP4019895A1. Автор: Takashi Kobayashi,Nobuaki Kaji,Motoi Kimura,Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-06-29.

Semiconductor Laser and Laser Radar Device Having the Semiconductor Laser

Номер патента: US20220311217A1. Автор: Seiichi Takayama,Ryuji Fujii,Ryo Hosoi,Kang GAO. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2022-09-29.

Surface-emitting semiconductor laser, surface-emitting semiconductor laser device, optical transmission device, and information processing device

Номер патента: US20160064899A1. Автор: Takashi Kondo,Jun Sakurai,Akemi Murakami,Kazutaka Takeda,Junichiro Hayakawa,Naoki Jogan. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Apparatus and method for profiling a beam of a light emitting semiconductor device

Номер патента: EP3080568A1. Автор: Vincent Brennan,Christopher Percival. Владелец: Infiniled Ltd. Дата публикации: 2016-10-19.

Vertical cavity surface emitting laser with integrated photodiode

Номер патента: US12107388B2. Автор: Ulrich Weichmann. Владелец: Trumpf Photonic Components GmbH. Дата публикации: 2024-10-01.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: GB201207790D0. Автор: . Владелец: Avago Technologies Fiber IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2012-06-13.

Long wavelength infrared sensor materials and method of synthesis thereof

Номер патента: US09431556B2. Автор: Alexandre Freundlich,Lekhnath Bhusal. Владелец: UNIVERSITY OF HOUSTON SYSTEM. Дата публикации: 2016-08-30.

Surface emitting laser, method for producing surface emitting laser, and image forming apparatus

Номер патента: EP2282383A3. Автор: Mitsuhiro Ikuta. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-09-07.

Method of manufacturing masked semiconductor laser

Номер патента: US4840922A. Автор: Hiroshi Kobayashi,Makoto Harigaya,Hideaki Ema,Haruhiko Machida,Yasushi Ide,Jun Akedo. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1989-06-20.

Method of making a semiconductor laser

Номер патента: US5045500A. Автор: Tetsuya Yagi,Shigeru Mitsui,Ryo Hattori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1991-09-03.

Long wavelength infrared sensor materials and method of synthesis thereof

Номер патента: US20120074462A1. Автор: Alexandre Freundlich,Lekhnath Bhusal. Владелец: UNIVERSITY OF HOUSTON SYSTEM. Дата публикации: 2012-03-29.

Radiant beam combining of multiple multimode semiconductor laser diodes for directional laser beam delivery applications

Номер патента: US11973319B2. Автор: Augustinas VIZBARAS,Kristijonas Vizbaras,Edgaras Dvinelis. Владелец: Uab Brolis Semiconductors. Дата публикации: 2024-04-30.

Folded adjustable optical path in a frequency doubled semiconductor laser

Номер патента: EP2288950A1. Автор: Jacques Gollier,Etienne Almoric,Garrett A. Piech,Lawrence C. Hughes, Jr.. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2011-03-02.

Folded adjustable optical path in a frequency doubled semiconductor laser

Номер патента: WO2009151559A1. Автор: Jacques Gollier,Etienne Almoric,Garrett A. Piech,Lawrence C. Hughes, Jr.. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2009-12-17.

Semiconductor laser device, and image display device

Номер патента: US20080192787A1. Автор: Kiminori Mizuuchi,Kazuhisa Yamamoto,Shinichi Kadowaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-14.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20190252851A1. Автор: Shingo Tanisaka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Surface-emitting laser package

Номер патента: US11784458B2. Автор: Baek Jun KIM,Myung Sub Kim,Ki Bum Sung,Ba Ro LEE. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Method of frequency-pulse modulation of a semiconductor laser source of optical radiation for optical interferometric sensors

Номер патента: RU2646420C1. Автор: Артем Сергеевич Алейник,Михаил Викторович Мехреньгин,Михаил Юрьевич Плотников,Александр Юрьевич Киреенков. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО). Дата публикации: 2018-03-05.

Semiconductor laser drive device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor laser drive device

Номер патента: EP4033619A1. Автор: Nobuaki Kaji,Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-07-27.

Measurement method of reflection spectrum of vertical cavity surface emitting laser diode (VCSEL) and epitaxial wafer test fixture

Номер патента: US11482830B2. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,Van-Truong Dai. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-25.

Measurement method of reflection spectrum of vertical cavity surface emitting laser diode (vcsel) and epitaxial wafer test fixture

Номер патента: US20210075185A1. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,Van-Truong Dai. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Peripheral surface-emitting linear light guide and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240176057A1. Автор: Seiji Kojima,Ryuta Takahashi,kota Tachibana. Владелец: Proterial Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Surface emitting laser element, electronic device, and method for manufacturing surface emitting laser element

Номер патента: US20240235167A1. Автор: Kota Tokuda,Jugo Mitomo. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Vertical cavity surface emitting laser including meta structure reflector and optical device including the vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US20180278023A1. Автор: Seunghoon HAN,Byunghoon NA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-09-27.

Surface emitting laser, surface emitting laser device, light source device, and detection apparatus

Номер патента: US12068577B2. Автор: Katsunari Hanaoka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor laser structure

Номер патента: US09653382B2. Автор: Jui-Ying Lin,Chia-Hsin Chao,Yao-Jun Tsai,Yen-Hsiang Fang,Yi-Chen Lin. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-05-16.

Wavelength control in wavelength selective, phase, and gain regions of semiconductor lasers

Номер патента: US20080089370A1. Автор: Jacques Gollier,Daniel Ohen Ricketts,Vikram Bhatia,David August Sniezek Loeber,Martin Hai Hu. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2008-04-17.

Wavelength control in wavelength selective, phase, and gain regions of semiconductor lasers

Номер патента: WO2008048474A1. Автор: Jacques Gollier,Vikram Bhatia,Martin H. Hu,David A. Loeber,Daniel O. Ricketts. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2008-04-24.

Method of fabricating surface-emitting laser

Номер патента: US20180356459A1. Автор: Ryosuke Kubota. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-12-13.

Surface emitting laser, light source device, electronic device, and method for manufacturing surface emitting laser

Номер патента: US20240146024A1. Автор: Masato Ogawa,Shinichi Agatuma. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Surface-emitting laser array, light source module, and distance-measuring apparatus

Номер патента: CA3210713A1. Автор: Naoto Jikutani,Kazuma Izumiya,Kazuhiro Harasaka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Surface emitting laser and optical coherence tomography apparatus including the same

Номер патента: US09709381B2. Автор: Takeshi Uchida. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Surface emitting laser, laser array, light source device, information acquisition device, and optical coherence tomography apparatus

Номер патента: US09991675B2. Автор: Mamoru Uchida,Tatsuro Uchida. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor laser device and analysis apparatus

Номер патента: US11949210B2. Автор: Shintaro Masuda,Makoto Matsuhama,Yusuke AWANE,Kimihiko Arimoto,Hirotaka ISEKI. Владелец: Horiba Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20240146020A1. Автор: Takuya Ido,Makoto Matsuhama,Yusuke AWANE,Kosuke TSUKATANI,Kodai Niina. Владелец: Horiba Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor laser device

Номер патента: EP4303564A1. Автор: Takuya Ido,Makoto Matsuhama,Yusuke AWANE,Kosuke TSUKATANI,Kodai Niina. Владелец: Horiba Ltd. Дата публикации: 2024-01-10.

Surface emitting laser and optical coherence tomography apparatus

Номер патента: EP3020105A1. Автор: Yasuhisa Inao. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-05-18.

Surface emitting laser and electronic device

Номер патента: US20240146031A1. Автор: Masayuki Tanaka,Michinori Shiomi,Mikihiro Yokozeki,Tomomasa Watanabe. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Surface-emitting laser, laser device, detection device, mobile object, information terminal apparatus, and method for driving surface-emitting laser

Номер патента: EP4435982A1. Автор: Naoto Jikutani,Naofumi Ueno. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Surface-emitting laser, laser device, detection device, mobile object, information terminal apparatus, and method for driving surface-emitting laser

Номер патента: US20240322525A1. Автор: Naoto Jikutani,Naofumi Ueno. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Wavelength tunable surface emitting laser and optical coherence tomography apparatus including the same

Номер патента: US09945658B2. Автор: Takeshi Uchida,Toshimitsu Matsuu. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Light detection and ranging (lidar) devices having vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) emitters

Номер патента: US12072422B2. Автор: James Dunphy,Matthew Last,David Schleuning,Augusto Tazzoli. Владелец: Waymo LLC. Дата публикации: 2024-08-27.

Light detection and ranging (lidar) devices having vertical-cavity surface-emitting laser (vcsel) emitters

Номер патента: US20240319378A1. Автор: James Dunphy,Matthew Last,David Schleuning,Augusto Tazzoli. Владелец: Waymo LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Bottom-emitting vertical cavity surface emitting laser array with integrated directed beam diffuser

Номер патента: US12126145B2. Автор: Eric R. Hegblom,Kevin Wang. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2024-10-22.

Vertical cavity surface emitting laser assembly

Номер патента: US09525267B2. Автор: Mohammad Azadeh. Владелец: O Net Communications Shenzhen Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor laser drive device, electronic equipment, and method for manufacturing semiconductor laser drive device

Номер патента: EP4035236A1. Автор: Nobuaki Kaji,Tatsuya Oiwa,Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-08-03.

Semiconductor laser drive device, electronic equipment, and method for manufacturing semiconductor laser drive device

Номер патента: US20220344897A1. Автор: Nobuaki Kaji,Tatsuya Oiwa,Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

A method of monitoring the performance of a semiconductor laser diode arrangement

Номер патента: WO2010113066A1. Автор: Jens Pollmann-Retsch,Pavel Pekarski. Владелец: Philips Intellectual Property & Standards Gmbh. Дата публикации: 2010-10-07.

Method and apparatus for wafer-level testing of semiconductor lasers

Номер патента: US20020109520A1. Автор: David Heald,Legardo REYES. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Semiconductor laser apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US09484711B2. Автор: Babu Dayal PADULLAPARTHI. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Method of manufacturing surface-emitting lasers, method of testing surface-emitting lasers, and surface-emitting-laser-testing apparatus

Номер патента: US11631958B2. Автор: Ryosuke Kubota. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-04-18.

Method of manufacturing surface-emitting lasers, method of testing surface-emitting lasers, and surface-emitting-laser-testing apparatus

Номер патента: US20220407284A1. Автор: Ryosuke Kubota. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Semiconductor laser and fabrication method therefor

Номер патента: US12107383B2. Автор: Chao-Chen Cheng,Anh Chuong Tran. Владелец: Shenzhen Lighting Institute. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor laser and lidar system and also laser system with the semiconductor laser

Номер патента: US20230208110A1. Автор: Peter Fuchs,Alvaro Gomez-Iglesias,Martin Rudolf Behringer,Hubert Halbritter,Christian Lauer,Bruno Jentzsch,Tomasz Swietlik,Dean Maximilian SCHOKE. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2023-06-29.

Surface emitting laser module, optical device, and surface emitting laser substrate

Номер патента: EP3918678A1. Автор: Naoto Jikutani,Misaki Ishida,Kazuma Izumiya. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-08.

Surface emitting laser element, electronic device, and method for producing surface emitting laser element

Номер патента: EP4336685A1. Автор: Kota Tokuda,Jugo Mitomo. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-03-13.

Surface emitting laser

Номер патента: US20240128721A1. Автор: Rintaro Koda,Shuhei Yamaguchi,Hideki Watanabe. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Surface emitting laser, surface emitting laser device, light source device, and detection apparatus

Номер патента: US12046872B2. Автор: Naoto Jikutani,Kazuma Izumiya,Kazuhiro Harasaka,Ryoichiro SUZUKI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Surface emitting laser apparatus, electronic device, and method for manufacturing surface emitting laser apparatus

Номер патента: US20230283048A1. Автор: Jugo Mitomo. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Surface emitting laser having a factor of equivalent refractive index constraint by scaled central wavelengths and optical coherence tomography apparatus equipped with such surface emitting laser

Номер патента: US09429415B2. Автор: Yoshinobu Sekiguchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Surface-emitting laser array, light source module, and distance-measuring apparatus

Номер патента: EP4305716A1. Автор: Naoto Jikutani,Kazuma Izumiya,Kazuhiro Harasaka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-17.

Vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: GB2622175A. Автор: Liu Song,Liang Dong,Weng Weicheng. Владелец: Vertilite Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Surface-emitting laser array, light source module, and distance-measuring apparatus

Номер патента: US20240128725A1. Автор: Naoto Jikutani,Kazuma Izumiya,Kazuhiro Harasaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-04-18.

Signs-of-deterioration detector for semiconductor laser

Номер патента: US20130056621A1. Автор: Takeshi Uchida,Takako Suga. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-03-07.

Inhomogeneity tunable erbium-doped fiber amplifier with long wavelength gain band and method of blocking propagation of backward amplified spontaneous light emission in the same

Номер патента: US20020063950A1. Автор: Jong Lee,Kwang Kim,Jyung Lee,Moo Chu. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2002-05-30.

Dual wavelength semiconductor laser source for optical pickup

Номер патента: US6941046B2. Автор: Susumu Koike,Kenichi Matsuda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-06.

Semiconductor laser drive circuit and light beam scanning system using semiconductor laser

Номер патента: US6091748A. Автор: Hiroaki Yasuda. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2000-07-18.

Dual wavelength semiconductor laser source for optical pickup

Номер патента: US20030142897A1. Автор: Susumu Koike,Kenichi Matsuda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-31.

Semiconductor laser source unit

Номер патента: US4953171A. Автор: Tomohiro Nakajima,Kazuyuki Shimada,Katsumi Yamaguchi,Nobuo Sakuma,Seizoh Suzuki. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1990-08-28.

Semiconductor laser and fabrication method therefor

Номер патента: US20220247147A1. Автор: Chao-Chen Cheng,Anh Chuong Tran. Владелец: Shenzhen Lighting Institute. Дата публикации: 2022-08-04.

Surface emitting light source

Номер патента: US20210320087A1. Автор: Mamoru Imada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2021-10-14.

Semiconductor laser, light source device, image forming apparatus, image display device, object device, and colored-light generation method

Номер патента: WO2017188100A1. Автор: Kohji Sakai,Miho HIGUCHI. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2017-11-02.

Semiconductor laser, light source device, image forming apparatus, image display device, object device, and colored-light generation method

Номер патента: EP3449539A1. Автор: Kohji Sakai,Miho HIGUCHI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-06.

Surface emitting laser and photodiode, manufacturing method therefor, and optoelectric integrated circuit using the surface emitting laser and the photodiode

Номер патента: US6687268B2. Автор: Takeo Kaneko,Atsushi Harada,Tsugio Ide,Shojiro Kitamura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-02-03.

Semiconductor laser device and optical pickup using the same

Номер патента: US20040066813A1. Автор: Kazunori Matsubara,Hideshi Koizumi,Ayumi Yagi,Nobumasa Kaneko. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-04-08.

Semiconductor laser device and optical pickup using the same

Номер патента: US6983002B2. Автор: Kazunori Matsubara,Hideshi Koizumi,Ayumi Yagi,Nobumasa Kaneko. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-01-03.

Wavelength normalization in phase section of semiconductor lasers

Номер патента: WO2010002471A1. Автор: Dragan Pikula,Martin H Hu,Daniel O Ricketts. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2010-01-07.

Semiconductor laser apparatus and optical pickup apparatus using same

Номер патента: US20030174748A1. Автор: Kazunori Matsubara,Ayumi Yagi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-09-18.

Semiconductor laser assembly

Номер патента: WO1990010312A1. Автор: Wai-Hon Lee. Владелец: Pencom International Corporation. Дата публикации: 1990-09-07.

Two-level semiconductor laser driver

Номер патента: WO1999000764A2. Автор: Douglas S. Goodman,William T. Plummer,Marc Thompson,Peter P. Clark. Владелец: Polaroid Corporation. Дата публикации: 1999-01-07.

Semiconductor laser module, method of controlling a semiconductor laser beam and video display apparatus

Номер патента: US20050063436A1. Автор: Nobuyuki Nishimura,Toshitaka Yamada,Tooru Sugiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-03-24.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09948060B2. Автор: Takahiro Sugiyama,Yuu Takiguchi,Yoshiro Nomoto,Yoshitaka Kurosaka,Kazuyoshi Hirose. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor laser and method for producing a semiconductor laser

Номер патента: US12040588B2. Автор: Peter Jander. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor laser optical waveguide telecommunications module and method of making

Номер патента: EP1192518A2. Автор: Dana C. Bookbinder. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2002-04-03.

Semiconductor laser device

Номер патента: US5590144A. Автор: Akira Amano,Shoji Kitamura,Yoichi Shindo. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 1996-12-31.

Semiconductor laser module

Номер патента: US09766466B2. Автор: Arne Heinrich,Clemens HAGEN. Владелец: Pantec Engineering AG. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor laser device, and optical pickup apparatus using the device

Номер патента: US20030123499A1. Автор: Toshio Takeuchi,Koji Yamashita,Susumu Ishida,Kiyoaki Tsumura,Kenji Kan,Kenji Ohgiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-07-03.

Surface light emitting semiconductor laser element

Номер патента: US10578819B2. Автор: Yoshinori Yamauchi,Yoshiyuki Tanaka,Yoshiaki Watanabe,Hironobu Narui,Yuichi Kuromizu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-03-03.

Semiconductor laser light source and solid-state laser apparatus

Номер патента: CA2233473C. Автор: Yasuo Oeda,Kouichi Igarashi,Kiyofumi Muro. Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 2001-09-25.

Semiconductor laser apparatus

Номер патента: US09331457B2. Автор: Satoshi Nishida,Susumu Konno,Shuichi Fujikawa,Naoki Miyamoto,Kenji Kumamoto,Tomotaka Katsura,Daiji Morita,Hiroaki Kurokawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

Method and device for controlling a semiconductor laser

Номер патента: US5778017A. Автор: Shinichi Sato,Ichiro Shinoda,Isao Iwaguchi,Munenori Ohtsuki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-07-07.

Semiconductor laser element and method of obtaining information from the semiconductor laser element

Номер патента: US09870525B2. Автор: Atsushi Tanaka,Mitsuhiro Nonaka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Seminconductor laser and method for producing a semiconductor laser

Номер патента: US20220013979A1. Автор: Peter Jander. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-01-13.

Laser light output apparatus, image display apparatus, and semiconductor laser driving control method

Номер патента: US20040240495A1. Автор: Naoki Akamatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-12-02.

Laser support for semiconductor laser fixation and laser support element assembly

Номер патента: US20160141829A1. Автор: Nicolas Abele,Lucio Kilcher. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-05-19.

Focusing optical system for semiconductor lasers

Номер патента: US5465178A. Автор: Koji Ishikawa,Tsuyoshi Sato,Sadao Nakai,Kimiaki Yamamoto,Masanobu Yamanaka,Mikihiko Terashima. Владелец: Kimnon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1995-11-07.

Semiconductor laser drive device and image forming apparatus incorporating same

Номер патента: US20120027037A1. Автор: Hiroaki Kyogoku,Daijiroh SUMINO. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-02.

Surface emitting laser, surface emitting laser element and atomic oscillator

Номер патента: WO2015137174A1. Автор: Shunichi Sato,Ryoichiro SUZUKI. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor laser chip and method for fabricating a semiconductor laser chip

Номер патента: US20020102756A1. Автор: Bernd Borchert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-01.

Semiconductor laser module

Номер патента: US20170315311A1. Автор: Naoki Hayamizu,Yuta Ishige,Etsuji Katayama,Toshia KIMURA. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

Semiconductor laser module

Номер патента: US09746627B2. Автор: Toshio Kimura,Naoki Hayamizu,Yuta Ishige,Etsuji Katayama. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor laser module

Номер патента: US09373932B2. Автор: Toshio Kimura,Naoki Hayamizu,Yuta Ishige. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-21.

Semiconductor laser device

Номер патента: EP4207520A1. Автор: Liang Hao,Rui Liu,Xiaoguang He. Владелец: Nanjing Fiber Foton Technologies Corp Ltd. Дата публикации: 2023-07-05.

Semiconductor Laser Component and Method for Operating at Least One Semiconductor Laser

Номер патента: US20230198231A1. Автор: Jörg Erich SORG,Harald KÖNIG,Jan Seidenfaden,Markus Reinhard Horn. Владелец: Ams Osram Lnternational GmbH. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor laser device and backlight device using the semiconductor laser device

Номер патента: US09748733B2. Автор: Eiichiro OKAHISA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor laser module

Номер патента: US09692205B2. Автор: Toshio Kimura,Tetsuya Matsuyama,Naoki Hayamizu,Yuta Ishige,Jun Miyokawa. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Thermal compensation in semiconductor lasers

Номер патента: EP2062336A1. Автор: Chung-En Zah,Martin Hai Hu,Daniel O Ricketts. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2009-05-27.

Thermal compensation in semiconductor lasers

Номер патента: WO2008039313A1. Автор: Chung-En Zah,Martin Hai Hu,Daniel O Ricketts. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2008-04-03.

Broadband light source composed of supercontinuum light source and single-wavelength semiconductor laser diodes

Номер патента: US10277000B2. Автор: Weijia Yang,Kangkang CHEN. Владелец: Wuhan Yangtze Soton Laser Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-30.

Wavelength-stabilized semiconductor laser source

Номер патента: US20190097385A1. Автор: Henry A. Blauvelt. Владелец: Emcore Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Surface-emitting laser apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US09966730B2. Автор: Naoto Jikutani,Kazuhiko Adachi. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor laser module and method of manufacturing the same

Номер патента: US09647421B2. Автор: Naoki Kimura,Susumu Nakaya. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor laser apparatus for optical head

Номер патента: CA1277406C. Автор: Yoshiyuki Matsumoto,You Yoshitoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1990-12-04.

Vertical cavity surface emitting laser, vertical-cavity-surface-emitting-laser device, optical transmission apparatus, and information processing apparatus

Номер патента: US20120147727A1. Автор: Takashi Kondo. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-14.

Surface emitting laser and image forming apparatus

Номер патента: US20120237261A1. Автор: Aihiko Numata,Mitsuhiro Ikuta. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-09-20.

Surface emitting laser and image forming apparatus

Номер патента: US8625649B2. Автор: Aihiko Numata,Mitsuhiro Ikuta. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-01-07.

Semiconductor laser micro-heating element structure

Номер патента: WO2008013712A1. Автор: Martin H. Hu,Chung-En Zah,Xingsheng Liu. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2008-01-31.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09793681B2. Автор: Yuu Takiguchi,Yoshiro Nomoto. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09660415B2. Автор: Yuu Takiguchi,Yoshiro Nomoto. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2017-05-23.

Submount for semiconductor laser and optical fibers

Номер патента: US20200044412A1. Автор: Jock T. Bovington,Ashley J. MAKER,Kumar Satya Harinadh Potluri. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductor laser element, integrated semiconductor laser element, and method for producing semiconductor laser element

Номер патента: US9509121B2. Автор: Go Kobayashi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor laser module and semiconductor laser

Номер патента: EP4235987A1. Автор: Ning Li,Ziwei Wang,Huixuan HU,Mengdi WU,Kunzhong LU,Dapeng Yan. Владелец: Wuhan Raycus Fiber Laser Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-30.

Semiconductor laser module

Номер патента: US20200373733A1. Автор: Yuta Ishige,Etsuji Katayama. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Semiconductor laser module

Номер патента: US11962120B2. Автор: Yuta Ishige,Etsuji Katayama. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20230108080A1. Автор: Masaharu Fukakusa. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor laser device and method of controlling semiconductor laser device

Номер патента: US20230333396A1. Автор: Hideo Yamaguchi,Masaharu Fukakusa. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Wafer-level etched facet for perpendicular coupling of light from a semiconductor laser device

Номер патента: US20240275123A1. Автор: Stephen B. Krasulick,John Zyskind,Majid Sodagar,Murtaza Askari. Владелец: Skorpios Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Vertical cavity surface emitting laser comprising a modulator monolithically integrated on top

Номер патента: EP1547215A1. Автор: Oleg Okhotnikov,Tomi Jouhti,Markus Pessa. Владелец: EpiCrystals Oy. Дата публикации: 2005-06-29.

Semiconductor laser driving device and semiconductor laser driving method

Номер патента: US20090232174A1. Автор: Junichi Furukawa,Kiyoshi Tateishi. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2009-09-17.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20110013655A1. Автор: Hiroaki Maehara,Hitoshi Tada,Yoshihiro Hisa,Hitoshi Sakuma,Tadashi Takase. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2011-01-20.

Laser oscillation amplifier comprising semiconductor laser shaping device

Номер патента: US20230253752A1. Автор: Huaping Zhang,Shaofeng Zhang,Xingduan Huang,Guanglei Ding,Jianyang Yang,Haocheng Hu,Chengkai Ding,Jiwu Ling. Владелец: Fujian Hitronics Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Distributed Feedback Semiconductor Laser Based on Reconstruction-Equivalent-Chirp Technology and the Manufacture Method of the Same

Номер патента: US20090010295A1. Автор: Xiangfei Chen. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2009-01-08.

Encoded pixel structure of vertical cavity surface emitting laser and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190341741A1. Автор: Dong Liang,Song Liu,Yijie HUO. Владелец: Vertilite Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Encoded pixel structure of vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US20190341746A1. Автор: Dong Liang,Song Liu,Yijie HUO. Владелец: Vertilite Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Semiconductor laser apparatus

Номер патента: US4998256A. Автор: Mitsuko Nakamura,Shigeru Ohshima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1991-03-05.

Semiconductor laser device and semiconductor laser module

Номер патента: US5353294A. Автор: Kazuo Shigeno. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-10-04.

Semiconductor laser beam combining device

Номер патента: US11784465B2. Автор: Qian Zhang,Quan Zhou,Dashan Li,Yaping Zhao. Владелец: II VI Suwtech Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Integrated semiconductor laser element, semiconductor laser module, and optical transmission system

Номер патента: US20120128375A1. Автор: Tatsuya Kimoto,Toshikazu Mukaihara. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-24.

Semiconductor laser shaping device

Номер патента: US20210255467A1. Автор: Huaping Zhang,Shaofeng Zhang,Guanglei Ding,Jianyang Yang,Haocheng Hu,Yawei Yan,Renliang Wan. Владелец: Fujian Haichuang Photoelectric Co ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor laser chip and method for fabricating a semiconductor laser chip

Номер патента: US6836500B2. Автор: Bernd Borchert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-12-28.

Semiconductor laser, semiconductor laser set and display device

Номер патента: US10429664B2. Автор: Shinichi Komura,Toshihiko FUKUMA,Ken Onoda,Youichi ASAKAWA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2019-10-01.

Semiconductor laser, semiconductor laser set and display device

Номер патента: US20180329224A1. Автор: Shinichi Komura,Toshihiko FUKUMA,Ken Onoda,Youichi ASAKAWA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2018-11-15.

Method of characterizing bistable semiconductor lasers

Номер патента: US5007735A. Автор: Riccardo Calvani,Renato Caponi. Владелец: CSELT Centro Studi e Laboratori Telecomunicazioni SpA. Дата публикации: 1991-04-16.

Circuit for preventing destruction of semiconductor laser element, and optical disc device provided with the circuit

Номер патента: US20120300605A1. Автор: Tsutomu Asai. Владелец: Funai Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor laser module and method for forming semiconductor laser module

Номер патента: US6836497B1. Автор: Masami Hatori. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-28.

Method of characterizing bistable semiconductor lasers

Номер патента: CA1321484C. Автор: Riccardo Calvani,Renato Caponi. Владелец: CSELT Centro Studi e Laboratori Telecomunicazioni SpA. Дата публикации: 1993-08-24.

Generating optical pulses via a soliton state of an optical microresonator coupled with a chip based semiconductor laser

Номер патента: US20220050356A1. Автор: Tobias Kippenberg,Hairun GUO,Arslan Sajid Raja,Michael L. Gorodetsky. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor laser apparatus, information recording/reproduction apparatus and image recording apparatus

Номер патента: US20020057721A1. Автор: Toyoki Taguchi,Tetsuya Nagahama,Masayuki Tazawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Alignment method in wavelength-converted, wavelength-modulated semiconductor lasers

Номер патента: EP2179481A1. Автор: Jacques Gollier,Dragan Pikula,Etienne Almoric,Vikram Bhatia,Daniel O Ricketts. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2010-04-28.

Alignment method in wavelength-converted, wavelength-modulated semiconductor lasers

Номер патента: WO2009014662A1. Автор: Jacques Gollier,Dragan Pikula,Etienne Almoric,Vikram Bhatia,Daniel O. Ricketts. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2009-01-29.

Semiconductor laser device and optical pickup device

Номер патента: US7088754B2. Автор: Kazunori Matsubara. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-08-08.

Semiconductor laser device and optical pickup device

Номер патента: US20040165627A1. Автор: Kazunori Matsubara. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-08-26.

Semiconductor laser unit and optical pick-up device using the same

Номер патента: US20020044589A1. Автор: Takahiro Miyake,Kentaro Terashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-18.

Semiconductor laser

Номер патента: US20050207462A1. Автор: Shiro Uchida,Shinichi Agatsuma. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-09-22.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20020075915A1. Автор: Ayumi Yagi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Coherent lidar system based on semiconductor laser and amplifier

Номер патента: RU2484500C2. Автор: Христиан ПЕДЕРСЕН,Рене Сков ХАНСЕН. Владелец: Данмаркс Текниске Университет. Дата публикации: 2013-06-10.

Semiconductor laser driving apparatus to be used for optical information recording and reproducing apparatus

Номер патента: US5018155A. Автор: Nobuo Miyairi. Владелец: Olympus Optical Co Ltd. Дата публикации: 1991-05-21.

Optical information recording/reproducing apparatus supplying a smaller high-frequency current to a first semiconductor laser for generating a light beam to record information than to a second semiconductor laser for reproducing recorded information

Номер патента: US5781222A. Автор: Akira Miyashita,Takeshi Yamawaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1998-07-14.

Semiconductor laser drive system and semiconductor laser driving method

Номер патента: US20090147809A1. Автор: Minoru Yamada. Владелец: Kanazawa University NUC. Дата публикации: 2009-06-11.

Semiconductor laser drive system and semiconductor laser driving method

Номер патента: US7620083B2. Автор: Minoru Yamada. Владелец: Kanazawa University NUC. Дата публикации: 2009-11-17.

Semiconductor laser drive circuit with peak detection and control

Номер патента: US4701609A. Автор: Kenji Koishi,Tamotsu Matsuo. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1987-10-20.

Semiconductor laser and optical pickup with the same

Номер патента: US6122304A. Автор: Minoru Ohyama. Владелец: Victor Company of Japan Ltd. Дата публикации: 2000-09-19.

Semiconductor laser device

Номер патента: US7106767B2. Автор: Tetsuyoshi Inoue. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-09-12.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20040228378A1. Автор: Tetsuyoshi Inoue. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-11-18.

Semiconductor Laser Device and Method for Fabrication Thereof

Номер патента: US20080247439A1. Автор: Seiji Kawamoto,Kenji Nakashima,Yozo Uchida. Владелец: Tottori Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-09.

Ridge-shaped laser structure and surface etched grating semiconductor laser with periodic pumping

Номер патента: US20230216274A1. Автор: Fang Wu,Yury Logvin,Kirill Y. PIMENOV,Christopher D. WATSON,Yongbo TANG. Владелец: Shenzhen Banyan Photonics Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Photonic crystal electrically pumped surface-emitting laser and preparation method thereof

Номер патента: US20240322524A1. Автор: Ping Sun,Zhaoyu Zhang,Wentao Xie,Yuanhao Gong,Xiaolei Shen. Владелец: Chinese University of Hong Kong Shenzhen. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor laser driver and image forming apparatus incorporating same

Номер патента: US20170219951A1. Автор: Tomohiko Kamatani. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Operating vertical-cavity surface-emitting lasers

Номер патента: WO2013162544A1. Автор: Dacheng Zhou,Daniel A. Berkram,Zhubiao Zhu. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2013-10-31.

Semiconductor laser driver and image forming apparatus incorporating same

Номер патента: US9983503B2. Автор: Tomohiko Kamatani. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Surface emitting apparatus and image display apparatus using the surface emitting apparatus

Номер патента: US20090021959A1. Автор: Hiroshi Yamaguchi,Kazuhiko Ishimaru,Motonobu Yoshikawa,Erina YABUSHITA. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-22.

Ultraviolet absorber having excellent heat resistance and long-wavelength absorption

Номер патента: EP3960831A1. Автор: Koji Kawai,Daisuke Nakamura,Nobuhiro Kaneko,Kotaro Kaneko. Владелец: Miyoshi Yushi KK. Дата публикации: 2022-03-02.

Method for the producing of a light-emitting semiconductor chip, method for the production of a conversion die and light-emitting semiconductor chip

Номер патента: EP2702833A1. Автор: Norwin von Malm,Madis Raukas,Darshan KUNDALIYA. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2014-03-05.

Bar-shaped semiconductor laser chip and method of fabrication thereof

Номер патента: US20100103968A1. Автор: Yasuo Baba,Yasuhiko Matsushita,Yukio Gotoh. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-29.

Triplet-triplet energy transfer with light excitation at long wavelengths and methods thereof

Номер патента: US12064482B2. Автор: Weiping Wang,Wen LYU. Владелец: University of Hong Kong HKU. Дата публикации: 2024-08-20.

Alingaas/ingaasp/inp edge emitting semiconductor laser including multiple monolithic laser diodes

Номер патента: US20230223742A1. Автор: David M. Bean,Sidi Aboujja. Владелец: SEMINEX CORP. Дата публикации: 2023-07-13.

Surface-emitting semiconductor laser and method for manufacturing thereof as well as optical device

Номер патента: EP1528647A3. Автор: Atsushi Matsuzono,Satoshi Sasaki,Toshihiko Baba,Akio Furukawa,Mitsunari Hoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-04-11.

Alingaas/ingaasp/inp edge emitting semiconductor laser including multiple monolithic laser diodes

Номер патента: EP4158741A1. Автор: David M. Bean,Sidi Aboujja. Владелец: SEMINEX CORP. Дата публикации: 2023-04-05.

Method for the production of a semiconductor laser device

Номер патента: US5171706A. Автор: Mitsuhiro Matsumoto,Masaki Kondo,Kazuaki Sasaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1992-12-15.

Method of manufacturing nitride-composite semiconductor laser element, with disclocation control

Номер патента: US7781244B2. Автор: Shigetoshi Ito,Takayuki Yuasa,Kensaku Motoki,Mototaka Taneya,Yoshihiro Ueta,Zenpei Tani. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-08-24.

Nitride-composite semiconductor laser element, its manufacturing method, and semiconductor optical device

Номер патента: US20100278205A1. Автор: Shigetoshi Ito,Takayuki Yuasa,Kensaku Motoki,Mototaka Taneya,Yoshihiro Ueta,Zenpei Tani. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-11-04.

Photolithographic methods of producing structures in radiation-emitting semiconductor components

Номер патента: US09466487B2. Автор: Bernd Böhm,Sebastian Hoibl. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-10-11.

Method for manufacturing surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US20070202622A1. Автор: Atsushi Matsuzono,Satoshi Sasaki,Toshihiko Baba,Akio Furukawa,Mitsunari Hoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-08-30.

Surface-emitting semiconductor laser and method for producing a surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US20240332901A1. Автор: Lutz Hoeppel,Sven GERHARD,Hubert Halbritter. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor laser drive device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor laser drive device

Номер патента: EP4007091A1. Автор: Nobuaki Kaji,Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-06-01.

Triplet-triplet energy transfer with light excitation at long wavelengths and methods thereof

Номер патента: US20210228719A1. Автор: Weiping Wang,Wen LYU. Владелец: University of Hong Kong HKU. Дата публикации: 2021-07-29.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US11437783B2. Автор: Masashi Yamamoto,Minoru Murayama,Yuji Tsuji,Daiju TAKAMIZU. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-09-06.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US20210075192A1. Автор: Masashi Yamamoto,Minoru Murayama,Yuji Tsuji,Daiju TAKAMIZU. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-03-11.

Optic coupler with semiconductor laser

Номер патента: RU2752615C1. Автор: Игорь Григорьевич Кирин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Оренбургский государственный университет». Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor laser device

Номер патента: US4329658A. Автор: Ryoichi Ito,Satoshi Nakamura,Kunio Aiki,Naoki Chinone,Atsutoshi Doi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1982-05-11.

Semi-transparent monitor detector for surface emitting light emitting devices

Номер патента: US6037644A. Автор: Henry M. Daghighian,Michael F. Cina. Владелец: Whitaker LLC. Дата публикации: 2000-03-14.

Surface-emitting semiconductor laser device and method for producing the same

Номер патента: US09444223B2. Автор: Takashi Kondo,Jun Sakurai,Akemi Murakami,Kazutaka Takeda,Masaya KUMEI,Junichiro Hayakawa. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Step-tunable external-cavity surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: WO2003028172A2. Автор: Luis A. Spinelli,Juan L. Chilla,Andrea Caprara,Briggs Atherton. Владелец: Coherent, Inc.. Дата публикации: 2003-04-03.

Method of manufacturing surface-emitting semiconductor laser element

Номер патента: US09762030B2. Автор: Takashi Kondo,Jun Sakurai,Akemi Murakami,Junichiro Hayakawa,Naoki Jogan. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Surface-emitting semiconductor laser device and method for producing the same

Номер патента: US09466945B2. Автор: Takashi Kondo,Jun Sakurai,Akemi Murakami,Kazutaka Takeda,Junichiro Hayakawa,Naoki Jogan. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Surface emitting semiconductor laser

Номер патента: US20080285612A1. Автор: Yutaka Onishi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2008-11-20.

Semiconductor laser treatment unit

Номер патента: CA1284186C. Автор: Toshio Ohshiro,Tokuharu Hayashi. Владелец: MEDICAL LASER RESEARCH Co Ltd. Дата публикации: 1991-05-14.

Surface emitting semiconductor laser device

Номер патента: US09653883B2. Автор: Takashi Kondo,Jun Sakurai,Akemi Murakami,Kazutaka Takeda,Junichiro Hayakawa,Naoki Jogan. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

High power semiconductor laser diode

Номер патента: US20040215176A1. Автор: Jong-Yoon Bahk. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-28.

Apparatus and method for providing a single-mode grating-outcoupled surface emitting laser with detuned second-order outcoupler grating

Номер патента: US20060140237A1. Автор: Steven Patterson,Gary Evans,Taha Masood,Nuditha Amarasinghe. Владелец: Photodigm Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Non-collinearly pumped linearly polarized external cavity surface emitting semiconductor lasers

Номер патента: WO2024154091A1. Автор: Ningyi Luo,Haiwen Wang,Jihchuang Robin Huang. Владелец: Pavilion Integration Corporation. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor laser package including a lead frame and plastic resin housing

Номер патента: US5939773A. Автор: Michael S. Lebby,Wenbin Jiang,Craig A. Gaw. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-08-17.

Phosphor-converted single-color LED including a long-wavelength pass filter

Номер патента: US9293668B2. Автор: Young-rag Do,Yeon-Goog Sung. Владелец: PSI Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-22.

Vertical-cavity surface-emitting semiconductor laser diode with the mode filter

Номер патента: US20230116144A1. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,Van-Truoung Dai,Van-Chien Nguyen. Владелец: Visual Photonics Expitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-13.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US20230246420A1. Автор: Yoshiaki Watanabe,Takayuki Kawasumi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

Surface-emitting semiconductor laser and sensing module

Номер патента: EP3611812A1. Автор: Yuji Masui,Hidehiko Nakata,Yuji Furushima. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2020-02-19.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US12068581B2. Автор: Yoshiaki Watanabe,Takayuki Kawasumi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Surface-emitting semiconductor laser based on a triple-lattice photonic crystal structure

Номер патента: US20230231363A1. Автор: Lijun Wang,Huanyu Lu,Ziye WANG,Cunzhu Tong,Pinyao WANG. Владелец: Changchun Institute Of Optics Fine Mechanics And Physics Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2023-07-20.

Optically pumpable surface-emitting semiconductor laser device

Номер патента: US20050259700A1. Автор: Stephan Lutgen,Tony Albrecht,Johann Luft,Norbert Linder,Werner Späth,Ulrich STEEGMÜLLER. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2005-11-24.

Surface-emitting semiconductor laser and method for producing a surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US20240097401A1. Автор: Hubert Halbritter,Laura KREINER. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-03-21.

Long wavelength vcsel with tunnel junction and implant

Номер патента: WO2004049528A3. Автор: Tzu-Yu Wang,Ralph H Johnson. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2004-11-04.

Long wavelength vcsel with tunnel junction and implant

Номер патента: WO2004049528A2. Автор: Ralph H. Johnson,Tzu-Yu Wang. Владелец: FINISAR CORPORATION. Дата публикации: 2004-06-10.

Surface emitting semiconductor laser device and fabricating method of the same

Номер патента: US5821566A. Автор: Seok-Jin Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-10-13.

Semiconductor laser device

Номер патента: US5343486A. Автор: Kazuhiko Itaya,Koichi Nitta,Genichi Hatakoshi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-08-30.

Semiconductor Laser, Laser Assembly and Method of Making a Semiconductor Laser

Номер патента: US20180212404A1. Автор: Martin Rudolf Behringer,Hubert Halbritter,Roland Enzmann. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-07-26.

Surface emitting semiconductor laser diode

Номер патента: WO2023247129A1. Автор: Christoph Eichler,Hubert Halbritter,Jelena Ristic,Damir Borovac,Åsa HAGLUND,Joachim CIERS. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor laser module

Номер патента: US09722396B2. Автор: Susumu Noda,Akiyoshi Watanabe,Takahiro Sugiyama,Yoshitaka Kurosaka,Kazuyoshi Hirose. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor Laser Equipment

Номер патента: US20080043791A1. Автор: Hirofumi Kan,Hirofumi Miyajima,Masanobu Yamanaka. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2008-02-21.

Cooler, semiconductor laser light source, semiconductor laser light source unit, method for producing semiconductor laser light source unit, and solid laser

Номер патента: EP1253685A4. Автор: Toru Sugiyama,Jiro Kitayama,Mitsuyasu Matsuo,Youichi Hisamori,Kyoko Fukumura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2006-09-20.

Soldering system of semiconductor laser element

Номер патента: US20170373466A1. Автор: Tetsuhisa Takazane. Владелец: FANUC Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

High power semiconductor laser diode

Номер патента: EP1897190A2. Автор: Michael Schwarz,Abram Jakubowicz,Nicolai Matuschek,Christoph Harder,Joerg Troger. Владелец: Bookham Technology PLC. Дата публикации: 2008-03-12.

High power semiconductor laser diode

Номер патента: WO2007000615A2. Автор: Michael Schwarz,Abram Jakubowicz,Nicolai Matuschek,Christoph Harder,Joerg Troger. Владелец: Bookham Technology PLC. Дата публикации: 2007-01-04.

Long-wavelength fps

Номер патента: WO2005047460A3. Автор: Robert Keenan,Steven Haddock,Christine Schnitzler,Robert Mccord. Владелец: Monterey Bay Aquarium Res Inst. Дата публикации: 2006-10-05.

Fabrication of cleaved semiconductor lasers

Номер патента: CA1201520A. Автор: Paul A. Kohl,Charles A. Burrus, Jr.,Tien P. Lee,Frederick W. Ostermayer, Jr.. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1986-03-04.

Light emitting diode and semiconductor laser

Номер патента: CA2398377C. Автор: Hideo Hosono,Masahiro Hirano,Hiromichi Ota,Kenichi Kawamura,Masahiro Orita,Nobuhiko Sarukura. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2006-04-11.

Semiconductor laser light source having an edge-emitting semiconductor body

Номер патента: US9214785B2. Автор: Alfred Lell,Christoph Eichler,Andreas Breidenassel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2015-12-15.

Semiconductor laser light source having an edge-emitting semiconductor body

Номер патента: US9385507B2. Автор: Alfred Lell,Christoph Eichler,Andreas Breidenassel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor laser light source having an edge-emitting semiconductor body

Номер патента: US20160099547A1. Автор: Alfred Lell,Christoph Eichler,Andreas Breidenassel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-04-07.

Semiconductor laser device, method for manufacturing the same and optical pickup apparatus

Номер патента: US7489716B2. Автор: Osamu Hamaoka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-02-10.

Semiconductor laser apparatus and method of producing the same

Номер патента: US20030063640A1. Автор: Ikuo Kohashi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-04-03.

Semiconductor laser device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070063212A1. Автор: Yasuhiro Watanabe,Kouji Ueyama,Shinichirou Akiyoshi. Владелец: Tottori Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-22.

To-can package semiconductor laser device having a pinless region on the underside of the package

Номер патента: US10804675B2. Автор: Yasushi Takizawa,Shintaro MIYAMOTO,Masato Hagimoto. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2020-10-13.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20080008221A1. Автор: Takashi Ueda,Koji Yamada,Yoshihiko Kobayashi,Tomoki Nozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-10.

Vertical-cavity surface-emitting laser device and vertical-cavity surface-emitting laser array device

Номер патента: US09698568B2. Автор: Hiroshi Watanabe,Keiji Iwata,Masashi Yanagase,Ippei Matsubara,Takayuki Kona. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Terraced substrate semiconductor laser

Номер патента: US4333061A. Автор: Yukihiro Sasatani. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1982-06-01.

Intracavity frequency-converted optically-pumped semiconductor laser

Номер патента: EP1125350B2. Автор: Luis A. Spinelli,Juan L. Chilla,Andrea Caprara. Владелец: Coherent Inc. Дата публикации: 2008-12-03.

Intracavity frequency-converted optically-pumped semiconductor laser

Номер патента: US6167068A. Автор: Luis A. Spinelli,Juan L. Chilla,Andrea Caprara. Владелец: Coherent Inc. Дата публикации: 2000-12-26.

Ring cavity type surface emitting semiconductor laser and fabrication method thereof

Номер патента: US6088378A. Автор: Yukio Furukawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2000-07-11.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US11979001B2. Автор: Hiroshi Nakajima,Rintaro Koda,Tatsushi Hamaguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

High-power external-cavity optically-pumped semiconductor lasers

Номер патента: US20020024987A1. Автор: Andrea Caprara,Luis Spinelli,Juan Chilla. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-28.

Semiconductor laser light source having an edge-emitting semiconductor body

Номер патента: US20150085889A1. Автор: Alfred Lell,Christoph Eichler,Andreas Breidenassel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2015-03-26.

Edge emitting semiconductor laser

Номер патента: US09559494B2. Автор: Alvaro Gomez-Iglesias,Christian Lauer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor Laser Diode

Номер патента: US20200194957A1. Автор: Alfred Lell,Sven GERHARD,Christoph Eichler,Bernhard Stojetz. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09979154B2. Автор: Masashi Tatsukawa,Mitsuyuki Mochizuki,Yuichi Shibata. Владелец: Koito Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09853415B2. Автор: Takayuki Yoshida,Jing-bo WANG. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor laser device, light source device, method of producing semiconductor laser device, and method of producing light source device

Номер патента: US09559489B2. Автор: Eiichiro OKAHISA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Production of radiation-emitting semiconductor components

Номер патента: US20190273191A1. Автор: Ivar Tangring,Markus Richter. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-09-05.

Radiation-emitting semiconductor body and method of producing a semiconductor layer sequence

Номер патента: US20190280159A1. Автор: Peter Stauss,Alexander Tonkikh. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-09-12.

Radiation-emitting semiconductor chip and method for producing a radiation-emitting semiconductor chip

Номер патента: US20240063345A1. Автор: Attila Molnar,Fabian Kopp,Ban Loong Chris Ng,Hong Pin Loh. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-02-22.

Producing a light-emitting semiconductor component by connecting first and second semiconductor bodies

Номер патента: US09853186B2. Автор: Patrick Rode,Matthias Sabathil,Hans-Jürgen Lugauer,Andreas Plöβl,Alexander Linkov. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-12-26.

Light-emitting semiconductor component and method of producing light-emitting semiconductor components

Номер патента: US09837591B2. Автор: Stefan Illek,Thomas Schwarz,Frank Singer,Alexander Linkov,Wolfgang Mönch. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-12-05.

Surface emitting semiconductor laser device

Номер патента: US20160276808A1. Автор: Takashi Kondo,Jun Sakurai,Akemi Murakami,Kazutaka Takeda,Junichiro Hayakawa,Naoki Jogan. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor laser, surface emitting semiconductor laser, semiconductor laser module, and non-linear optical device

Номер патента: US20120320447A1. Автор: Norihiro Iwai,Hirotatsu Ishii,Shinya Ootomo,Keishi Takaki. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-20.

Edge Emitting Semiconductor Laser

Номер патента: US20110317732A1. Автор: Wolfgang Schmid,Uwe D. ZEITNER,Hans-Christoph Eckstein. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2011-12-29.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20240030678A1. Автор: Nobutaka Suzuki,Tadataka Edamura,Naota Akikusa. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09780523B2. Автор: Hideyuki Fujimoto,Masatoshi Nakagaki. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Light-emitting semiconductor component and method for producing a light-emitting semiconductor component

Номер патента: US09954150B2. Автор: Stefan Illek,Thomas Schwarz. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-04-24.

Radiation-emitting semiconductor chip and method of producing radiation-emitting semiconductor chips

Номер патента: US09721940B2. Автор: Andreas Plossl,Heribert Zull. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-08-01.

Method to fabricate GaN-based vertical-cavity surface-emitting devices featuring silicon-diffusion defined current blocking layer

Номер патента: US09819152B2. Автор: Ching-Chin Huang,Ping-hui Yeh,Meng-Chun Yu,Jia-Huan Lin. Владелец: National Taiwan University of Science and Technology NTUST. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for Manufacturing a Radiation-Emitting Semiconductor Component and Radiation-Emitting Semiconductor Component

Номер патента: US20200013926A1. Автор: Christian Leirer,Isabel OTTO. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-01-09.

Near-ultraviolet light-emitting semiconductor light-emitting element and group iii nitride semiconductor template used therefor

Номер патента: US20190140140A1. Автор: Sung Min Hwang,In Sung Cho,Doo Soo Kim,Won Taeg Lim. Владелец: SOFT-EPI Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

Driving device for semiconductor laser

Номер патента: US5084887A. Автор: Tsuyoshi Ohashi. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 1992-01-28.

Semiconductor laser light source device, semiconductor laser light source system, and image display apparatus

Номер патента: US09899795B2. Автор: Hideyuki Murai,Tatsuro Hirose. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor laser element and method of making semiconductor laser device

Номер патента: US09692204B2. Автор: Shintaro MIYAMOTO,Koichi Kozu,Masato Hagimoto. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2017-06-27.

Radiation-emitting semiconductor component and method for producing a radiation-emitting semiconductor component

Номер патента: US20230178695A1. Автор: Peter Stauss,Hubert Halbritter. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2023-06-08.

Light emitting semiconductor component including an absorptive layer

Номер патента: US09685584B2. Автор: Ivar Tangring,Petrus Sundgren. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-06-20.

Radiation-emitting semiconductor chip comprising a structured mirror layer which is electrically non-conductive during operation

Номер патента: US09627587B2. Автор: Markus Maute. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-04-18.

Long wavelength light emitting vertical cavity surface emitting laser and method of fabrication

Номер патента: US5835521A. Автор: Michael S. Lebby,Jamal Ramdani,Wenbin Jiang. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-11-10.

Long wavelength light emitting vertical cavity surface emitting laser and method of fabrication

Номер патента: US6121068A. Автор: Michael S. Lebby,Jamal Ramdani,Wenbin Jiang. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-09-19.

Device comprising a high brightness broad-area edge-emitting semiconductor laser and method of making the same

Номер патента: US09705285B2. Автор: Dieter Bimberg,Vladimir Kalosha. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET BERLIN. Дата публикации: 2017-07-11.

Wavelength control in phase region of semiconductor lasers

Номер патента: EP2220732A1. Автор: Jacques Gollier. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2010-08-25.

Semiconductor laser driving apparatus, electronic equipment, and manufacturing method of semiconductor laser driving apparatus

Номер патента: US20220294179A1. Автор: Nobuaki Kaji,Hirohisa Yasukawa,Kiyohisa Sakai. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor laser drive device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor laser drive device

Номер патента: EP4024627A1. Автор: Nobuaki Kaji,Hirohisa Yasukawa,Kiyohisa Sakai. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-07-06.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20210005800A1. Автор: Kazuma KOZURU,Ryota OKUNO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2021-01-07.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20220190224A1. Автор: Kazuma KOZURU,Ryota OKUNO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor laser device

Номер патента: EP1313184A4. Автор: Yasuhiro Watanabe,Shoji Honda,Yasuyuki Bessho,Kentarou Tanaka. Владелец: Tottori Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-07.

Semiconductor laser device and manufacturing method thereof, and submount manufacturing method

Номер патента: US09496680B2. Автор: Hiroki Sakata,Eiichiro OKAHISA,Kazuma KOZURU,Hiroaki YUTO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Radiation-emitting semiconductor chip

Номер патента: US20160049556A1. Автор: Markus Maute. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-02-18.

Light emitting semiconductor component including an absorptive layer

Номер патента: US20160284931A1. Автор: Ivar Tangring,Petrus Sundgren. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-09-29.

Wavelength division multiplexed array of long-wavelength vertical cavity lasers

Номер патента: WO2000069037A2. Автор: Frank Peters,Vijaysekhar Jayaraman,Jonathan Geske. Владелец: GORE ENTERPRISE HOLDINGS, INC.. Дата публикации: 2000-11-16.

Edge-Emitting Semiconductor Laser Diode and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20220102941A1. Автор: Uwe Strauss,Petrus Sundgren,Jens Ebbecke,Martin Hetzl. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-03-31.

Edge-emitting semiconductor laser and method for the production thereof

Номер патента: US20160141837A1. Автор: Harald KÖNIG,Alvaro Gomez-Iglesias,Christian Lauer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-05-19.

Surface-emitting type semiconductor laser, optical transmission apparatus, and manufacturing method of surface-emitting type semiconductor laser

Номер патента: US20240250501A1. Автор: Atsushi Mukai,Kazutaka Takeda,Takeshi MINAMIRU,Naoya SEKITA,Yuto IWANE,Koga MIZUNO. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of fabricating semiconductor laser diode apparatus and semiconductor laser diode apparatus

Номер патента: US8085825B2. Автор: Masayuki Hata,Yasuyuki Bessho,Yasumitsu Kunoh. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-27.

Semiconductor laser bonding technique

Номер патента: CA1152231A. Автор: Tibor F. I. Kovats,Tibor F. Devenyi,Christopher Michael Look. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1983-08-16.

Method of stacking semiconductor laser devices in a sub-mount and heatsink

Номер патента: US6479325B2. Автор: Masafumi Ozawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-11-12.

Semiconductor laser apparatus and optical apparatus

Номер патента: US20050232321A1. Автор: Masayuki Hata,Daijiro Inoue,Yasuhiko Nomura,Yasuyuki Bessho. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-20.

Semiconductor Laser Module and Method for Controlling the Same

Номер патента: US20070242712A1. Автор: Tomoyuki Funada. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2007-10-18.

Method and Apparatus For Driving Semiconductor Lasers, and Method and Apparatus For Deriving Drive Current Patterns For Semiconductor Lasers

Номер патента: US20080279235A1. Автор: Yuichi Teramura. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2008-11-13.

Method, system and apparatus for hybrid optical and electrical pumping of semiconductor lasers and leds for improved reliability at high temperatures

Номер патента: US20150333477A1. Автор: Duane Louderback. Владелец: Zephyr Photonics Inc. Дата публикации: 2015-11-19.

Semiconductor laser module

Номер патента: CA2779062C. Автор: Akira Nakamura,Motoaki Tamaya,Chise Nanba. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-10-13.

Method for producing a radiation-emitting semiconductor chip and radiation-emitting semiconductor chip

Номер патента: US20240313148A1. Автор: Laura KREINER,Jelena Ristic. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-09-19.

Surface-emitting semiconductor laser device

Номер патента: US4847844A. Автор: Keisuke Kojima,Susumu Noda,Kazuo Kyuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1989-07-11.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US20210265819A1. Автор: Yoshiaki Watanabe,Takayuki Kawasumi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Surface-emitting semiconductor laser chip

Номер патента: US11979000B2. Автор: Hubert Halbritter,Tilman Rügheimer. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-05-07.

Edge-emitting semiconductor laser and method for the production thereof

Номер патента: US09812844B2. Автор: Harald KÖNIG,Alvaro Gomez-Iglesias,Christian Lauer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor laser device

Номер патента: US5729561A. Автор: Misao Hironaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-03-17.

Mounting semiconductor lasers on heat sinks

Номер патента: GB2304995A. Автор: Misao Hironaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-03-26.

Semiconductor laser and method for manufacturing the same

Номер патента: US6845112B2. Автор: Takeshi Yamamoto,Masayoshi Muranishi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2005-01-18.

Semiconductor laser device including heat sink with pn junction

Номер патента: US5636234A. Автор: Kazuhisa Takagi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-06-03.

Semiconductor laser structure and manufacture

Номер патента: CA1128634A. Автор: Peter Marschall,Ewald Schlosser,Claus Wolk. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1982-07-27.

Semiconductor laser apparatus

Номер патента: US20030231672A1. Автор: Satoshi Komoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-12-18.

Semiconductor laser device, optical pickup and fabrication method of semiconductor laser device

Номер патента: US20040004983A1. Автор: Masayuki Honda,Takehiro Shiomoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-08.

Semiconductor laser device, method for manufacturing the same and optical pickup apparatus

Номер патента: US20070165684A1. Автор: Osamu Hamaoka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-07-19.

Method, system and apparatus for hybrid optical and electrical pumping of semiconductor lasers and LEDs for improved reliability at high temperatures

Номер патента: US09728936B2. Автор: Duane Louderback. Владелец: Zephyr Photonics Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Solar-panel-based power supply system for driving semiconductor laser

Номер патента: NL2029408B1. Автор: Liu Qing,Li Ke,ZHAO Xiaolong,ZHANG Mingxia,Ling Weijun,Dong Zhong,Lu Feiping,Li Xiangbing,Xin Jianyuan. Владелец: Univ Tianshui Normal. Дата публикации: 2023-05-11.

Nitride semiconductor laser device and method for producing its electrode

Номер патента: RU2238607C2. Автор: Масахико САНО. Владелец: Нития Корпорейшн. Дата публикации: 2004-10-20.

Multi-wavelength semiconductor laser device

Номер патента: GB2470984A. Автор: Yuji Okura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-12-15.

Semiconductor laser device

Номер патента: US5825794A. Автор: Shoji Kitamura,Yoichi Shindo,Koji Nemoto,Shinji Ogino,Naokazu Sakamoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-10-20.

Semiconductor laser device

Номер патента: US4430741A. Автор: Susumu Takahashi,Michiharu Nakamura,Tadashi Fukuzawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1984-02-07.

Semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: CA1125898A. Автор: Ryoichi Ito,Satoshi Nakamura,Kunio Aiki,Naoki Chinone,Atsutoshi Doi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1982-06-15.

Surface emitting laser element array

Номер патента: US20100195689A1. Автор: Norihiro Iwai,Kazuaki Nishikata,Takeo Kageyama,Maiko Ariga. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-05.

Jig for Can-Package Semiconductor Laser

Номер патента: US20150349489A1. Автор: Kenichi Tamura,Yoshinori Sunaga. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2015-12-03.

Surface emitting device, manufacturing method thereof and projection display device using the same

Номер патента: US20070111347A1. Автор: Chan Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2007-05-17.

Forced wavelength chirping in semiconductor lasers

Номер патента: US20080175285A1. Автор: Martin Hai Hu. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2008-07-24.

Testing method of semiconductor laser and laser testing device

Номер патента: US20100238426A1. Автор: Isao Baba,Makoto Sugiyama,Haruyoshi Ono. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2010-09-23.

Semiconductor laser driving apparatus and laser scanner

Номер патента: US20020180862A1. Автор: Tadaaki Suda. Владелец: Asahi Kogaku Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor laser module

Номер патента: US20170012407A1. Автор: Susumu Noda,Akiyoshi Watanabe,Takahiro Sugiyama,Yoshitaka Kurosaka,Kazuyoshi Hirose. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2017-01-12.

Edge-emitting semiconductor laser with photonic-bandgap structure formed by intermixing

Номер патента: US20100142575A1. Автор: Jason P. Watson,Thomas C. Hasenberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-10.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20230387653A1. Автор: Yutaka Inoue,Masato Hagimoto,Shigeta Sakai. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of manufacturing vertical-cavity surface emitting laser

Номер патента: US20110076854A1. Автор: KAGEYAMA Takeo,Norihiro Iwai,Koji Hiraiwa,Yoshihiko Ikenaga. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-31.

Semiconductor laser light source device, semiconductor laser light source system, and image display aparatus

Номер патента: CA2979520C. Автор: Hideyuki Murai,Tatsuro Hirose. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-12-01.

System and method for modulating a semiconductor laser

Номер патента: US20060159139A1. Автор: Nobuhiko Nishiyama,Chung-En Zah,Martin Hu. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2006-07-20.

Semiconductor laser apparatus

Номер патента: US20180054038A1. Автор: Jeong-Soo Kim. Владелец: Phovel Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-22.

Very low cost surface emitting laser diode arrays

Номер патента: WO2006081173A3. Автор: Mark Osowski. Владелец: Quintessence Photonics Corp. Дата публикации: 2007-03-01.

Very low cost surface emitting laser diode arrays

Номер патента: EP1846995A2. Автор: Mark Osowski. Владелец: Quintessence Photonics Corp. Дата публикации: 2007-10-24.

Control of current spread in semiconductor laser devices

Номер патента: US12095232B2. Автор: Evgeny Zibik,Wilfried Maineult. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Very low cost surface emitting laser diode arrays

Номер патента: WO2006081173A2. Автор: Mark Osowski. Владелец: Quintessence Photonics Corporation. Дата публикации: 2006-08-03.

Wavelength control in semiconductor lasers

Номер патента: US7483458B2. Автор: Jacques Gollier,Daniel Ohen Ricketts,Vikram Bhatia,Martin H. Hu,David A. Loeber,Chung-En Zah. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2009-01-27.

Semiconductor laser diode with integrated etalon

Номер патента: US5629954A. Автор: Michael Jansen,Dennis P. Bowler,Phillip D. Hayashida,Simon S. Ou. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1997-05-13.

High-power edge-emitting semiconductor laser with asymmetric structure

Номер патента: US20230387665A1. Автор: Jung Min Hwang,Chen Yu Chiang,Jin Yuan Hsing. Владелец: Arima Lasers Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor laser module and optical transmission apparatus using the semiconductor laser module

Номер патента: US7593448B2. Автор: Junji Yoshida,Keishi Takaki. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-09-22.

Semiconductor laser module and optical transmission apparatus using the semiconductor laser module

Номер патента: US20050249259A1. Автор: Junji Yoshida,Keishi Takaki. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-11-10.

Tilted cavity semiconductor laser (tcsl) and method of making same

Номер патента: WO2003069737A2. Автор: Nikolai Nikolaevich Ledentsov,Vitaly Alexandrovich Shchukin. Владелец: Vitaly Alexandrovich Shchukin. Дата публикации: 2003-08-21.

Vertical external-cavity surface-emitting laser

Номер патента: EP4060834A1. Автор: Hisashi Ogawa,Tetsushi Takano. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2022-09-21.

Edge-emitting semiconductor laser with high thermal conductivity and low reflection front mirror surface

Номер патента: US20230387656A1. Автор: Jung Min Hwang,Chen Yu Chiang. Владелец: Arima Lasers Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Coupled cavity high power semiconductor laser

Номер патента: WO2001067563A9. Автор: Aram Mooradian. Владелец: Novalux Inc. Дата публикации: 2003-01-03.

Optical amplifier using semiconductor laser as multiplexer

Номер патента: US5235604A. Автор: Koyu Chinen. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-08-10.

Arrangement comprising a semiconductor laser diode

Номер патента: CA1157930A. Автор: Giok D. Khoe,Christiaan H.F. Velzel. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1983-11-29.

Surface-emitting semiconductor light-emitting device

Номер патента: US11881674B2. Автор: Shinji Saito,Rei Hashimoto,Kei Kaneko,Tsutomu Kakuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Surface-emitting semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20230027967A1. Автор: Shinji Saito,Rei Hashimoto,Kei Kaneko,Tsutomu Kakuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Diode laser package for bidirectionally emitting semiconductor laser devices

Номер патента: US11824323B1. Автор: Manoj Kanskar. Владелец: NLight Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor surface emitting device

Номер патента: US20050135450A1. Автор: Tsukuru Katsuyama,Jun-Ichi Hashimoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2005-06-23.

Fabrication method for surface emitting semiconductor device and surface emitting semiconductor device

Номер патента: US20040144984A1. Автор: Markus Weyers,Hans Wenzel,Martin Zorn,Andrea Knigge. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2004-07-29.

Surface emitting laser, atomic oscillator, and manufacturing method of surface emitting laser

Номер патента: US20160126703A1. Автор: Takashi Hagino. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-05-05.

Fiber extended, semiconductor laser

Номер патента: WO2004093270A3. Автор: Robert L Thornton. Владелец: Robert L Thornton. Дата публикации: 2005-01-06.

Edge-emitting semiconductor laser

Номер патента: US12021350B2. Автор: Jan Wagner,Werner Bergbauer,Alfred Lell,Christoph Eichler,Matthias Peter,Georg Brüderl. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-06-25.

Surface-emitting semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same, optical module, and light-transmission device

Номер патента: EP1341278B1. Автор: Tsuyoshi Kaneko. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-04-26.

Vertical cavity surface emitting laser with lateral injection

Номер патента: US5164949A. Автор: Donald E. Ackley,Paige M. Holm. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1992-11-17.

Edge-emitting semiconductor laser and method for the production thereof

Номер патента: US20180048114A1. Автор: Harald KÖNIG,Adrian Stefan Avramescu,Alfred Lell. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-02-15.

Electrically-pumped organic semiconductor laser arrangement

Номер патента: WO2024175876A1. Автор: Ifor Samuel,Kou Yoshida,Graham TURNBULL,Junyi GONG. Владелец: UNIVERSITY COURT OF THE UNIVERSITY OF ST ANDREWS. Дата публикации: 2024-08-29.

Dual wavelength semiconductor laser emitting apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US7184456B2. Автор: Chih-Sung Chang,Shu-Wei Chiu. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2007-02-27.

Multi-beam semiconductor laser device

Номер патента: US20230344195A1. Автор: Yutaka Inoue,Masato Hagimoto,Shigeta Sakai. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2023-10-26.

Method for producing a multiplicity of semiconductor laser chips, and semiconductor laser chip

Номер патента: US20240364073A1. Автор: Norwin von Malm,Martin Rudolf Behringer. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-10-31.

Electron beam pumped semiconductor laser screen and associated fabrication method

Номер патента: US20040028109A1. Автор: Robert Morgan,Robert Rice,Neil Ruggieri,J. Whiteley,Richard Skogman. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2004-02-12.

Clamping jig for semiconductor laser bars

Номер патента: US20050000451A1. Автор: Hiroshi Inada,Nobuyuki Mitsui. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2005-01-06.

Semiconductor laser unit and method for manufacturing optical reflection film

Номер патента: US20070071049A1. Автор: Naoki Kohara,Hironari Takehara,Hisatada Yasukawa,Takai Iwai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-29.

Heterostructure semiconductor laser diode

Номер патента: US4794610A. Автор: Werner Schairer,Jochen Gerner. Владелец: Telefunken Electronic GmbH. Дата публикации: 1988-12-27.

Semiconductor laser excited solid state laser device and laser light output method

Номер патента: US20150078407A1. Автор: Kazuya Inoue,Katsuhiko Tokuda,Mamoru Hisamitsu,Kazutomo Kadokura. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20240146035A1. Автор: Seiji Kitamura. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2024-05-02.

Dual wavelength semiconductor laser emitting apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050243880A1. Автор: Chih-Sung Chang,Shu-Wei Chiu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-11-03.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20220166185A1. Автор: Naoki Nakamura,Naoki Kosaka,Ryosuke MIYAGOSHI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Method of designing semiconductor laser device, method of designing raman amplifier, methods of manufacturing semiconductor laser device, semiconductor laser device, raman amplifier, and optical communication system

Номер патента: US20160285237A1. Автор: Junji Yoshida,Hideaki Hasegawa,Noriyuki Yokouchi,Satoshi Irino,Taketsugu SAWAMURA. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-29.

Method for producing semiconductor lasers and semiconductor lasers

Номер патента: US12057676B2. Автор: Jörg Erich SORG,Andreas Plossl,Thomas Schwarz,Frank Singer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor-laser-device assembly

Номер патента: US9780526B2. Автор: Rintaro Koda,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor laser apparatus and method of observing semiconductor laser apparatus

Номер патента: US20010046770A1. Автор: Shigemitsu Shiba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-29.

Semiconductor laser device

Номер патента: US12080990B2. Автор: Atsushi Yamaguchi,Koki Sakamoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor-laser-device assembly

Номер патента: US09780526B2. Автор: Rintaro Koda,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Tunable semiconductor laser based on reconstruction-equivalent chirp and series mode or series and parallel hybrid integration, and preparation thereof

Номер патента: US09742152B2. Автор: Jun Lu,Song Tang,Yunshan ZHANG,Xiangfei Chen,Lianyan LI. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of designing semiconductor laser device, method of designing raman amplifier, methods of manufacturing semiconductor laser device, semiconductor laser device, raman amplifier, and optical communication system

Номер патента: US09711945B2. Автор: Junji Yoshida,Hideaki Hasegawa,Noriyuki Yokouchi,Satoshi Irino,Taketsugu SAWAMURA. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor laser array

Номер патента: US09466946B2. Автор: Toru Yoshihara,Tetsuya Nishimura,Yuki Hasegawa,Mitsuaki Futami,Shinji Yagyu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor laser based on epitaxial heterostructure

Номер патента: RU2582302C1. Автор: Виктор Владимирович Безотосный,Владислав Александрович Олещенко. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2016-04-20.

Wavelength Selective and Tunable Semiconductor Laser Device With Coupled Cavities

Номер патента: US20080181265A1. Автор: David S. McCallum,Alan R. Sugg. Владелец: VEGA WAVE SYSTEMS Inc. Дата публикации: 2008-07-31.

Stability factors for tuneable multi-section semiconductor lasers

Номер патента: EP1442509A2. Автор: Neal Tsunami Photonics Limited O'GORMAN. Владелец: Tsunami Photonics Ltd. Дата публикации: 2004-08-04.

Stability factors for tuneable multi-section semiconductor lasers

Номер патента: WO2003038954A3. Автор: Neal O'Gorman. Владелец: Tsunami Photonics Ltd. Дата публикации: 2004-01-22.

Augmented semiconductor lasers with spontaneous emissions blockage

Номер патента: US11777275B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Augmented semiconductor lasers with spontaneous emissions blockage

Номер патента: CA3166664C. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Augmented semiconductor lasers with spontaneous emissions blockage

Номер патента: AU2021238958B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor laser drive circuit and photoelectric sensor

Номер патента: EP1494324A3. Автор: Takayuki Takeda,Takayuki Ochiai. Владелец: Sunx Ltd. Дата публикации: 2005-01-12.

Wavelength Tunable Semiconductor Laser Having Multiple Sets of Intercavity Spacings

Номер патента: US20110019703A1. Автор: David S. McCallum,Alan R. Sugg. Владелец: VEGA WAVE SYSTEMS Inc. Дата публикации: 2011-01-27.

Transient wavelength drift reduction in semiconductor lasers

Номер патента: US20180006428A1. Автор: Thomas Pfeiffer,Romain Brenot,Hélène Debregeas,Jean-Guy Provost. Владелец: Provenance Asset Group LLC. Дата публикации: 2018-01-04.

Method of operating a semiconductor laser as a mode-locked semiconductor laser and devices for implementing the method

Номер патента: CA2069657A1. Автор: Michael Schilling,Olaf Hildebrand,Klaus Wunstel,Dieter Baums,Heinz Schweizer,Kaspar Dütting,Wilfried Idler,Gert Laube. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-12-01.

Stability factors for tuneable multi-section semiconductor lasers

Номер патента: AU2002237484A1. Автор: Neal O'Gorman. Владелец: Tsunami Photonics Ltd. Дата публикации: 2003-05-12.

Semiconductor laser device, semiconductor laser module, and semiconductor laser control method

Номер патента: US20030063646A1. Автор: Junji Yoshida. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-03.

Transient wavelength drift reduction in semiconductor lasers

Номер патента: WO2016116565A1. Автор: Thomas Pfeiffer,Romain Brenot,Hélène Debregeas,Jean-Guy Provost. Владелец: ALCATEL LUCENT. Дата публикации: 2016-07-28.

Semiconductor laser device and method of controlling light amount of semiconductor laser

Номер патента: US20010048697A1. Автор: Kiyoshi Kondou. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-06.

Semiconductor laser apparatus

Номер патента: US20050169335A1. Автор: Xin Gao,Yujin Zheng. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2005-08-04.

Tunable laser assembly including tunable semiconductor laser apparatus and photodetector outside of laser housing

Номер патента: US12100933B2. Автор: Liang Luo,Yuzhou SUN,Wenkai Tu,Jinan GU. Владелец: Innolight Technology Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor laser device

Номер патента: US12113330B2. Автор: Kenji Sakai,Kazuyoshi Izumi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for producing semiconductor laser elements and semi-conductor laser element

Номер патента: US09608401B2. Автор: Thomas Veit,Markus Horn,Roland Enzmann,Markus Arzberger,Stefan Listl,Markus Graul,Juergen Dachs. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-03-28.

Ultra fast semiconductor laser

Номер патента: US09601895B2. Автор: Konstantinos Papadopoulos,Idan Mandelbaum. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Method for manufacturing semiconductor laser diode

Номер патента: RU2205485C1. Автор: А.Н. Алексеев,В.П. Чалый,А.П. Шкурко,А.А. Веденеев,Ю.В. Погорельский,Д.М. Красовицкий,В.М. Щевлюга,К.Н. Ельцов. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научное и технологическое оборудование". Дата публикации: 2003-05-27.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20050147149A1. Автор: Kazuyoshi Fuse. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-07-07.

Semiconductor laser device and method for stabilising the wavelength of a semiconductor laser device

Номер патента: WO2012046079A1. Автор: Nadhum Kadhum Zayer. Владелец: OCLARO TECHNOLOGY LIMITED. Дата публикации: 2012-04-12.

Semiconductor laser module constituted by optically coupling optical fiber having fiber grating and laser diode

Номер патента: US20020097757A1. Автор: Takeshi Fujita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-07-25.

Method of tuning a semiconductor laser device having coupled cavities

Номер патента: US20110019702A1. Автор: David S. McCallum,Alan R. Sugg. Владелец: VEGA WAVE SYSTEMS Inc. Дата публикации: 2011-01-27.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20050265413A1. Автор: Masaya Ishida,Daisuke Hanaoka,Yuhzoh Tsuda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-01.

Semiconductor laser wavelength control device

Номер патента: US20050105570A1. Автор: Akio Mukai,Zhigang Peng,Izumi Kawata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-19.

Semiconductor laser

Номер патента: US10811843B2. Автор: Alfred Lell,Sven GERHARD,Christoph Eichler,Clemens Vierheilig,Andreas LOEFFLER. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-10-20.

Semiconductor Laser Diode and Method for Producing a Semiconductor Laser Diode

Номер патента: US20180152002A1. Автор: Jens Ebbecke. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor laser device

Номер патента: EP2642622A3. Автор: Tsuyoshi Hirao,Shingo Masui,Yasuhiro Kawata. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-01-11.

Vertical-cavity surface-emitting lasers

Номер патента: EP2756564A1. Автор: David A. Fattal,Raymond G. Beausoleil,Michael Renne Ty Tan. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2014-07-23.

Semiconductor laser device, manufacturing method thereof, and laser bar locking apparatus

Номер патента: US20030122136A1. Автор: Noboru Oshima. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-07-03.

Semiconductor laser emitting apparatus

Номер патента: US20010043631A1. Автор: Yuichi Hamaguchi,Tomoyuki Kitamura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-11-22.

Semiconductor laser emitting apparatus

Номер патента: US6628687B2. Автор: Yuichi Hamaguchi,Tomoyuki Kitamura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-09-30.

Method and apparatus for semiconductor laser driving capable of stably generating consistent optical pulse widths of laser diodes

Номер патента: US20050141576A1. Автор: Junichi Ikeda,Hiroaki Kyougoku. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20090285254A1. Автор: Hitoshi Sato,Toru Takayama,Hiroki Nagai,Isao Kidoguchi,Tomoya Satoh. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-11-19.

Passivation layer for semiconductor laser and semiconductor laser and laser module using the same

Номер патента: US20020021727A1. Автор: Michio Ohkubo,Noriyuki Yokouchi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-21.

Surface emitting laser element and light source device

Номер патента: US20240348013A1. Автор: Hideki Watanabe. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09935423B2. Автор: Kyosuke Kuramoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor laser device assembly

Номер патента: US09735538B2. Автор: Rintaro Koda,Hideki Watanabe,Takao Miyajima,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Bidirectional long cavity semiconductor laser for improved power and efficiency

Номер патента: US09647416B2. Автор: Matthew Glenn Peters,Abdullah Demir. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Electrodes for light emitting semiconductor devices

Номер патента: GB2333896A. Автор: Jan Jonsson,Vilhelm Oscarsson. Владелец: Mitel Semiconductor AB. Дата публикации: 1999-08-04.

Edge-emitting semiconductor laser element

Номер патента: US20140036947A1. Автор: Susumu Noda,Akiyoshi Watanabe,Takahiro Sugiyama,Yoshitaka Kurosaka,Kazuyoshi Hirose,Kousuke Shibata. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2014-02-06.

Semiconductor laser wavelength control device

Номер патента: US7372881B2. Автор: Akio Mukai,Zhigang Peng,Izumi Kawata. Владелец: Asahi Kasei Microsystems Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-13.

Surface emitting element, method for detecting optic characteristic, and method for adjusting optical characteristic

Номер патента: US20240120709A1. Автор: Rintaro Koda,Kentaro Hayashi,Eiji Nakayama,Tatsushi Hamaguchi,Hidekazu Kawanishi. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor laser light-emitting device and method for manufacturing semiconductor laser light-emitting device

Номер патента: US20240006843A1. Автор: Masanori Hiroki,Shigeo Hayashi,Hiroki SHIROZONO. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor laser pump locker incorporating multiple gratings

Номер патента: WO2002075390A2. Автор: Dmitry S. Starobudov. Владелец: Sabeus Photonics, Inc.. Дата публикации: 2002-09-26.

Vertical-cavity surface-emitting laser and preparation method

Номер патента: EP4325675A1. Автор: Dong Liang,Song Liu,Weicheng WENG,Weizun DING,Junyan PENG. Владелец: Vertilite Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-21.

High-power single-mode triple-ridge waveguide semiconductor laser

Номер патента: US20220368109A1. Автор: LIN ZHU,Xiaolei Zhao,Yeyu ZHU,Siwei Zeng. Владелец: Clemson University. Дата публикации: 2022-11-17.

Photonic crystal surface-emitting laser and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240170917A1. Автор: Naoki Fujiwara,Yuki Ito,Akira Furuya,Takuya Inoue,Susumu Noda,Kenji Ishizaki,Naoya KONO. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2024-05-23.

INP-Based Monolithic Integrated Chaotic Semiconductor Laser Chip Capable Of Feeding Back Randomly Diffused Light

Номер патента: US20200412092A1. Автор: Yi Liu,TONG Zhao,Jianzhong Zhang,Mingjiang Zhang,Lijun Qiao,Anbang Wang,Yuncai Wang,Ya'nan Niu. Владелец: TAIYUAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-12-31.

Semiconductor laser driving circuit

Номер патента: US20190027894A1. Автор: Kazuma Watanabe,Ichiro Fukushi,Akiyuki KADOYA. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor Laser and Optical Transmitter

Номер патента: US20240266799A1. Автор: Takahiko Shindo,Shigeru Kanazawa,Meishin Chin. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor laser

Номер патента: US20060182161A1. Автор: Shiro Uchida,Shinichi Agatsuma. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-08-17.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US20040240499A1. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-12-02.

Vertical-cavity surface-emitting laser and preparation method

Номер патента: US20240283221A1. Автор: Song Liu,Weicheng WENG,Weizun DING,Junyan PENG. Владелец: Vertilite Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Surface-emitting light emitting device, manufacturing method for the same, optical module, and optical transmission apparatus

Номер патента: EP1403988A3. Автор: Tsuyoshi Kaneko,Tetsuo Hiramatsu,Satoshi Kito. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-02-09.

Low noise non-resonant gain structure semiconductor lasers

Номер патента: WO2024121825A1. Автор: Ningyi Luo,Haiwen Wang,Jihchuang Robin Huang. Владелец: Pavilion Integration Corporation. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for manufacturing semiconductor laser device and method for inspecting semiconductor laser bar

Номер патента: US20090053838A1. Автор: Keiji Ito,Takayuki Kashima,Kouji Makita. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-02-26.

Semiconductor laser module and method of making the same

Номер патента: EP1195862A3. Автор: Toshio c/o The Furukawa Electric Co. Ltd. Kimura,Sadayoshi c/o Furukawa Electric Co. Ltd Kanamaru,Tomoya c/o The Furukawa Electric Co. Ltd Kato. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-02.

Semiconductor laser apparatus and semiconductor laser device

Номер патента: US12119611B2. Автор: Masayuki Ono,Kazuya Yamada,Mitsuru Nishitsuji,Hiroshi Asaka,Tohru Nishikawa,Katsuya Samonji. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-10-15.

Surface-emitting light source and laser apparatus

Номер патента: US09608410B2. Автор: Nobuyuki Arai,Kenichi Shimizu,Keisuke Ikeda. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor laser light source

Номер патента: US09450380B2. Автор: Akira Nakamura,Shuhei Yamamoto,Kazutaka Ikeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor laser

Номер патента: US20190273362A1. Автор: Christian Lauer,Tomasz Swietlik. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-09-05.

Surface emitting laser apparatus and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240235159A9. Автор: Li-Hung Lai,Li-Wen Lai. Владелец: HLJ TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor lasers with improved frequency modulation response

Номер патента: CA3186204A1. Автор: Michel Morin,Andre Babin,Sylvain Boudreau,Simon Ayotte,Keven BEDARD,Francois Costin. Владелец: Teraxion Inc. Дата публикации: 2022-01-27.

Method and apparatus for efficient operation of a solid-state laser optically pumped by an unstable resonator semiconductor laser

Номер патента: WO1993022809A1. Автор: Brian Baird,Richard DeFreez. Владелец: ELECTRO SCIENTIFIC INDUSTRIES, INC.. Дата публикации: 1993-11-11.

Semiconductor laser device

Номер патента: US12040590B2. Автор: Kenji Sakai,Hiroyuki Tajiri,Kazuyoshi Izumi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US20070096138A1. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-05-03.

Semiconductor lasers with improved frequency modulation response

Номер патента: WO2022016281A9. Автор: Michel Morin,Andre Babin,Sylvain Boudreau,Simon Ayotte,Keven BEDARD,Francois Costin. Владелец: TERAXION INC.. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor lasers with improved frequency modulation response

Номер патента: EP4186131A1. Автор: Michel Morin,Andre Babin,Sylvain Boudreau,Simon Ayotte,Keven BEDARD,Francois Costin. Владелец: Teraxion Inc. Дата публикации: 2023-05-31.

Semiconductor laser element, testing method, and testing device

Номер патента: US11824326B2. Автор: Hiroki Nagai,Kazumasa Nagano. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US7399997B2. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-07-15.

Semiconductor lasers with improved frequency modulation response

Номер патента: US12040597B2. Автор: Michel Morin,Andre Babin,Sylvain Boudreau,Simon Ayotte,Keven BEDARD,Francois Costin. Владелец: Teraxion Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor laser device, optical apparatus, and method of controlling semiconductor laser device

Номер патента: US20240250499A1. Автор: Daisuke Inoue. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor laser with conductive current mask

Номер патента: WO1983001155A1. Автор: Inc. Western Electric Company,Larry Allen Coldren. Владелец: Western Electric Co. Дата публикации: 1983-03-31.

Semiconductor laser device manufacturing method and semiconductor laser device

Номер патента: US20060121633A1. Автор: Tadashi Takeoka,Takuroh Ishikura. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-06-08.

Semiconductor laser

Номер патента: US7369594B2. Автор: Shiro Uchida,Shinichi Agatsuma. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-05-06.

Semiconductor laser device, diffraction grating structure, and diffraction grating

Номер патента: US20180351328A1. Автор: Yasumasa Kawakita,Kazuaki Kiyota. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Method of fabricating semiconductor laser

Номер патента: US20100291718A1. Автор: Kenji Hiratsuka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-11-18.

Multimode semiconductor laser module, wavelength detector, wavelength stabilizer, and raman amplifier

Номер патента: WO2003030310A2. Автор: Goro Sasaki. Владелец: Sumitomo Electric Asia Ltd.. Дата публикации: 2003-04-10.

Segmented contact for current control in semiconductor lasers and optical amplifiers

Номер патента: EP4406079A1. Автор: Paul Orville LEISHER,Jenna Nicole CAMPBELL,Michelle Helena LABRECQUE. Владелец: Freedom Photonics Llc. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor laser module and method of making the same

Номер патента: US20020122446A1. Автор: Toshio Kimura,Tomoya Kato,Sadayoshi Kanamaru. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-05.

Semiconductor Laser Device

Номер патента: US20080285611A1. Автор: Tsuyoshi Fujimoto. Владелец: Optoenergy Inc. Дата публикации: 2008-11-20.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20030193976A1. Автор: Takehiro Shiomoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-10-16.

Semiconductor laser with integrated heating element and method of manufacturing same

Номер патента: US20060039427A1. Автор: Paul Charles. Владелец: Avago Technologies Fiber IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2006-02-23.

Semiconductor laser

Номер патента: US20090185595A1. Автор: Yasuyuki Nakagawa,Yosuke Suzuki,Harumi Nishiguchi,Kyosuke Kuramoto,Masatsugu Kusunoki,Hiromasu Matsuoka,Takeo Shirahama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-07-23.

Distributed feedback semiconductor laser element and method for making the same

Номер патента: US20010039069A1. Автор: Yoshiaki Watanabe,Kiyoshi Takei,Kiyofumi Chikuma,Nong Chen. Владелец: Pioneer Electronic Corp. Дата публикации: 2001-11-08.

Semiconductor laser body, semiconductor laser element, semiconductor laser substrate, electronic apparatus, and manufacturing method and manufacturing apparatus of semiconductor laser device

Номер патента: US20240283219A1. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Multi-beam semiconductor laser device

Номер патента: US8494019B2. Автор: Yutaka Inoue,Hideki Hara,Hiroshi Moriya,Yoshihiko IGA,Keiichi Miyauchi. Владелец: Oclaro Japan Inc. Дата публикации: 2013-07-23.

Semiconductor laser device with an inspection window, and an inspection method therefor

Номер патента: US6553047B1. Автор: Shigemitsu Shiba. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2003-04-22.

Semiconductor laser module and method of making the same

Номер патента: US6804277B2. Автор: Toshio Kimura,Tomoya Kato,Sadayoshi Kanamaru. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-12.

Vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: EP4439884A1. Автор: Yao Cui,Chihchiang SHEN,Yipeng Ji,Constance Jui-Hua Chang-Hasnain,Jonas Horst KAPRAUN. Владелец: Zhejiang Brexel Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Semiconductor lasers having single crystal mirror layers grown directly on facet

Номер патента: EP1060545A1. Автор: Mark McElhinney,Paul Colombo. Владелец: ADC Telecommunications Inc. Дата публикации: 2000-12-20.

Vertical Cavity Surface Emitting Laser

Номер патента: US20240332905A1. Автор: Yao Cui,Chihchiang SHEN,Yipeng Ji,Constance Jui-Hua Chang-Hasnain,Jonas Horst KAPRAUN. Владелец: Zhejiang Berxel Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor lasers with improved frequency modulation response

Номер патента: US20240356305A1. Автор: Michel Morin,Andre Babin,Sylvain Boudreau,Simon Ayotte,Keven BEDARD,Francois Costin. Владелец: Teraxion Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Quantum cascade semiconductor laser

Номер патента: US09774168B2. Автор: Jun-Ichi Hashimoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Two-section semiconductor laser with modulation-independent grating section to reduce chirp

Номер патента: US09762028B2. Автор: Jun Zheng,Klaus Alexander Anselm,Stefan Murry,Huanlin Zhang,Dion McIntosh-Dorsey. Владелец: Applied Optoelectronics Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor laser module

Номер патента: US20020172252A1. Автор: Masahiro Kanda,Masahiko Namiwaka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-11-21.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20150023380A1. Автор: Kimio Shigihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-01-22.

Semiconductor laser

Номер патента: US20240113498A1. Автор: Atsushi Nakamura. Владелец: Lumentum Japan Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

A semiconductor laser

Номер патента: WO1996024972A1. Автор: Gregory Jason Parker. Владелец: British Technology Group Limited. Дата публикации: 1996-08-15.

Semiconductor laser device and manufacturing method therefor

Номер патента: US11081857B2. Автор: Nobuhiro Ohkubo. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2021-08-03.

Semiconductor laser driving circuit, light emitting device, and disk drive

Номер патента: US7912103B2. Автор: Toshio Nishida,Sho Maruyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2011-03-22.

Branching optical waveguide for an index-guided semiconductor laser device

Номер патента: US4752932A. Автор: Mitsuhiro Matsumoto,Sadayoshi Matsui,Mototaka Taneya. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1988-06-21.

Semiconductor laser and method for producing a semiconductor laser comprising a feedback element

Номер патента: US20150318669A1. Автор: Lars Nähle,Johannes Koeth. Владелец: Nanoplus Nanosystems And Technologies Gmbh. Дата публикации: 2015-11-05.

Light-emitting semiconductor device, optoelectronic component, projection device and electronic device

Номер патента: WO2023247720A1. Автор: Joerg Erich Sorg,Bilal SAIF. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20040101010A1. Автор: Shoji Hirata,Tsunenori Asatsuma. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-05-27.

Semiconductor laser device with multi-dimensional-photonic-crystallized region

Номер патента: US7248612B2. Автор: Shoji Hirata,Tsunenori Asatsuma. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-07-24.

Method for producing a plurality of semiconductor lasers and semiconductor laser

Номер патента: US20240047935A1. Автор: Sven GERHARD,Lars Nähle. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor laser element

Номер патента: US20190379179A1. Автор: Yasuo Kan,Ryuhichi Sogabe. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

Semiconductor laser device

Номер патента: US11967802B2. Автор: Kimio Shigihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor laser driving circuit, light emitting device, and disk drive

Номер патента: US20070115227A1. Автор: Toshio Nishida,Sho Maruyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2007-05-24.

Monolithically Integrated Tunable Semiconductor Laser

Номер патента: US20150010033A1. Автор: Robert Griffin,Andrew John Ward,Sam Davies,Neil David Whitbread. Владелец: OCLARO TECHNOLOGY LTD. Дата публикации: 2015-01-08.

Semiconductor laser device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200185878A1. Автор: Nobuhiro Ohkubo. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Vertical cavity surface emitting device

Номер патента: US20210351568A1. Автор: Masaru Kuramoto. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor laser device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9397472B2. Автор: Kimio Shigihara,Kazushige Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor laser device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150357789A1. Автор: Kimio Shigihara,Kazushige Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Single mode semiconductor laser with phase control

Номер патента: US20210376559A1. Автор: Nicolas Koslowski,Tim Koslowski. Владелец: Nanoplus Nanosystems And Technologies Gmbh. Дата публикации: 2021-12-02.

Surface-emitting laser and surface-emitting laser array, method of manufacturing a surface-emitting laser and method of manufacturing a surface-emitting laser array, and optical apparatus including a surface-emitting laser array

Номер патента: US20130044780A1. Автор: Takeshi Uchida,Tatsuro Uchida,Yasuhisa Inao. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-02-21.

Surface-emitting laser with surface relief, surface-emitting laser array, method of manufacturing a surface-emitting laser, method of manufacturing a surface-emitting laser array and optical apparatus equipped with said surface-emitting laser array

Номер патента: WO2012063884A1. Автор: Takeshi Uchida,Tatsuro Uchida. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-05-18.

Semiconductor laser

Номер патента: WO1992015136A1. Автор: Rodney Stuart Tucker. Владелец: THE UNIVERSITY OF MELBOURNE. Дата публикации: 1992-09-03.

Semiconductor laser driving apparatus and method and image-forming apparatus

Номер патента: US20010017869A1. Автор: Takuya Takata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Semiconductor laser

Номер патента: US9099841B2. Автор: Satoshi Uchida,Tsutomu Ishikawa,Tsuguki Noma,Miroru Murayama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-08-04.

Method and device for testing semiconductor laser

Номер патента: US20050164415A1. Автор: Yuichiro Okunuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2005-07-28.

High speed semiconductor laser driver circuits

Номер патента: WO1999001914A2. Автор: Garry N. Link. Владелец: MAXIM INTEGRATED PRODUCTS, INC.. Дата публикации: 1999-01-14.

Semiconductor laser and method for processing semiconductor laser

Номер патента: US20180212403A1. Автор: Jian Chen,Zhiguang Xu,Jing Hu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-26.

High speed semiconductor laser driver circuits

Номер патента: WO1999001914A3. Автор: Garry N Link. Владелец: MAXIM INTEGRATED PRODUCTS. Дата публикации: 1999-03-25.

Semiconductor laser diode and method of fabricating the same

Номер патента: US09997893B2. Автор: Jaesoong LEE,Youngho SONG,Jinwoo JU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor laser light source and fabrication method

Номер патента: US09948059B2. Автор: Tsuyoshi Yamamoto,Tokuharu Kimura,Kazumasa Takabayashi,Ayahito Uetake. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US09882355B2. Автор: Philipp Henning Gerlach,Roland Aloisius JAEGER. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09882354B2. Автор: Hirofumi Kan,Yujin Zheng. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2018-01-30.

Induction of force performed by the semiconductor laser diodes

Номер патента: US09882348B2. Автор: Elio Battista Porcelli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor laser diode

Номер патента: US09531163B2. Автор: Alfred Lell,Christoph Eichler,Bernhard Stojetz. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-12-27.

Surface-emitting laser with multilayer thermally conductive mirror

Номер патента: US20240106199A1. Автор: Chuan-Wei Chen. Владелец: Taiwan Asia Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Vertical cavity surface emitting laser (vcsel) with improved gain-switching behavior

Номер патента: EP3642915A1. Автор: Ulrich Weichmann. Владелец: Trumpf Photonic Components GmbH. Дата публикации: 2020-04-29.

Surface emitting laser apparatus and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240235158A9. Автор: Li-Hung Lai,Li-Wen Lai. Владелец: HLJ TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Top-emitting vertical-cavity surface-emitting laser with bottom-emitting structure

Номер патента: US20210194207A1. Автор: Albert Yuen. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2021-06-24.

Surface Emitting Laser With Hybrid Grating Structure

Номер патента: US20230291177A1. Автор: Chien Hung Pan,Cheng Zu Wu. Владелец: TrueLight Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Vertical cavity surface emitting laser element and method of producing vertical cavity surface emitting laser element

Номер патента: US20230299559A1. Автор: Hiroshi Nakajima,Mikihiro Yokozeki,Tomomasa Watanabe,Daiji Kasahara. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Operating vertical-cavity surface-emitting lasers

Номер патента: WO2013162535A1. Автор: Dacheng Zhou,Daniel A. Berkram,Zhubiao Zhu. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2013-10-31.

Surface emitting laser device and light emitting device including the same

Номер патента: US12068583B2. Автор: Jeong Sik Lee,Keun Uk PARK. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Surface-emitting laser device with conductive thin film and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240283217A1. Автор: Li-Hung Lai,Li-Wen Lai. Владелец: HLJ TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for manufacturing semiconductor laser device

Номер патента: US20240283213A1. Автор: Atsushi Sugiyama,Satoru OKAWARA,Keita Furuoka,Takehito Nagakura. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-08-22.

Top-emitting vertical-cavity surface-emitting laser with bottom-emitting structure

Номер патента: US12119610B2. Автор: Albert Yuen. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2024-10-15.

Surface emitting laser device and a light emitting device including the same

Номер патента: US12136799B2. Автор: Ju Young Park,Myung Sub Kim,Jun Hee Park. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Surface emitting laser package

Номер патента: US12142891B2. Автор: Ju Young Park,Myung Sub Kim,Woo Jin MOON. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Horizontal cavity surface emitting laser device

Номер патента: US09601903B2. Автор: Takanori Suzuki,Koichiro Adachi. Владелец: Oclaro Japan Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Optical pumping-type solid-state laser apparatus with a semiconductor laser device

Номер патента: US5025449A. Автор: Osamu Yamamoto,Toshihiko Yoshida. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1991-06-18.

Semiconductor-laser-pumped, solid-state laser

Номер патента: US5257277A. Автор: Takashi Yamamoto,Shigenori Yagi,Mayumi Fujimura,Toyohiro Uchiumi,Akira Ishimori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-10-26.

Solid-state laser apparatus excited by laser light from semiconductor laser unit having increased resonator length

Номер патента: US6795475B1. Автор: Yoji Okazaki,Hisashi Ohtsuka. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-21.

Semiconductor laser module and laser machining apparatus

Номер патента: US20240128711A1. Автор: Yuki Okamoto,Daisuke Morita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor laser

Номер патента: US5715266A. Автор: Kazuhisa Takagi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-02-03.

Waveguide heterostructure for dispersion compensation in semiconductor laser

Номер патента: US20200287353A1. Автор: Yves BIDAUX,Jerome Faist,Filippos KAPSALIDIS. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zurich ETHZ. Дата публикации: 2020-09-10.

Electro-absorption modulator integrated with a vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: WO2007005566A2. Автор: Hongyu Deng. Владелец: FINISAR CORPORATION. Дата публикации: 2007-01-11.

Multi-junction bottom emitting vertical cavity surface emitting laser and the fabrication method of the same

Номер патента: EP4369537A2. Автор: Yuhui Luo,Chuyuen CHAN. Владелец: Brightlaser Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Multi-junction bottom emitting vertical cavity surface emitting laser and the fabrication method of the same

Номер патента: EP4369537A3. Автор: Yuhui Luo,Chuyuen CHAN. Владелец: Brightlaser Ltd. Дата публикации: 2024-05-29.

Surface emitting quantum cascade laser and control method thereof

Номер патента: US20240113507A1. Автор: Shinji Saito,Rei Hashimoto,Kei Kaneko,Tsutomu Kakuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Tunable semiconductor laser device and method for operating a tunable semiconductor laser device

Номер патента: EP2647092A1. Автор: Michael Engelmann,Bob Van Someren. Владелец: Euphoenix Bv. Дата публикации: 2013-10-09.

Vertical Cavity Surface Emitting Laser, Electronic Device with Same and Manufacturing Method for Same

Номер патента: US20240079854A1. Автор: Jiaxing Wang,Qinpei LIU. Владелец: Shenzhen Berxel Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor laser

Номер патента: US20060239318A1. Автор: Fumie Kunimasa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-10-26.

Semiconductor laser and method of fabricating the same

Номер патента: US20020027934A1. Автор: Yoshihiro Sasaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-07.

Vertical Cavity Surface Emitting Laser and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20240136797A1. Автор: Sui ZHANG,Jiaxing Wang. Владелец: Shenzhen Berxel Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Two-dimensional photonic crystal surface-emitting laser

Номер патента: US20090016395A1. Автор: Takuji Hatano,Mitsuru Yokoyama,Susumu Noda. Владелец: Konica Minolta Opto Inc. Дата публикации: 2009-01-15.

Two-dimensional photonic crystal surface-emitting laser

Номер патента: US7978745B2. Автор: Takuji Hatano,Mitsuru Yokoyama,Susumu Noda. Владелец: Konica Minolta Opto Inc. Дата публикации: 2011-07-12.

Vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US11437782B2. Автор: Dong Hwan Kim,Keuk Kim,Won Jin Choi. Владелец: Rayir Co. Дата публикации: 2022-09-06.

Driver circuit and method for a semiconductor laser

Номер патента: US20240243547A1. Автор: Jon C. Zeisler. Владелец: Streamlight Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Control of current spreading in semiconductor laser diodes

Номер патента: US6931043B2. Автор: John C. Connolly,Louis A. Dimarco. Владелец: Trumpf Photonics Inc. Дата публикации: 2005-08-16.

Semiconductor laser element and method of manufacturing semiconductor laser element

Номер патента: US20160276804A1. Автор: Takeshi Namegaya,Hirotatsu Ishii,Hidehiro Taniguchi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-22.

Distributed feedback semiconductor laser

Номер патента: US20190081454A1. Автор: Shinji Saito,Osamu Yamane,Akira Tsumura,Tsutomu Kakuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Surface-emitting quantum cascade laser

Номер патента: US20210399526A1. Автор: Shinji Saito,Rei Hashimoto,Kei Kaneko,Tsutomu Kakuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Vertical Cavity Surface Emitting Laser and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20240235162A9. Автор: Sui ZHANG,Jiaxing Wang. Владелец: Shenzhen Berxel Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Surface emitting laser array, solid-state laser apparatus, and subject information acquisition apparatus including the solid-state laser apparatus

Номер патента: WO2015190615A3. Автор: Mamoru Uchida,Tatsuro Uchida. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2016-03-24.

Semiconductor laser and method of producing the same

Номер патента: US20020080837A1. Автор: Minoru Murayama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-06-27.

Giant cavity surface emitting laser

Номер патента: EP4432490A1. Автор: Dong Liang,Cheng Zhang. Владелец: Vertilite Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Surface emitting laser array, solid-state laser apparatus, and subject information acquisition apparatus including the solid-state laser apparatus

Номер патента: WO2015190615A2. Автор: Mamoru Uchida,Tatsuro Uchida. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2015-12-17.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20240291241A1. Автор: Takahiro Nakamura,Yasuhiko Arakawa,Jinkwan Kwoen,Masahiro Kakuda. Владелец: Aio Core Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Giant cavity surface emitting laser

Номер патента: GB2627420A. Автор: Zhang Cheng,Liang Dong. Владелец: Vertilite Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Bottom surface emitting vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US20240332900A1. Автор: Christopher Kocot,Giovanni Barbarossa,Anna Tatarczak. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Surface-emitting laser and method for manufacturing surface-emitting laser

Номер патента: US20240305064A1. Автор: Hiroshi Nakajima,Masayuki Tanaka,Mikihiro Yokozeki,Tomomasa Watanabe. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Bottom surface emitting vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: EP4443674A1. Автор: Giovanni Barbarossa,Anna Tatarczak, Christopher KOCOT. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Surface emitting quantum cascade laser

Номер патента: US09893493B2. Автор: Shinji Saito,Osamu Yamane,Akira Tsumura,Tsutomu Kakuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Surface-emitting ring-cavity quantum cascade laser with ring-shaped phase shifter and related methods

Номер патента: US09819150B2. Автор: Robert E. Peale,Pedro Figueiredo,Andrey V. MURAVIEV. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2017-11-14.

Compact emitter design for a vertical-cavity surface-emitting laser

Номер патента: US09742153B1. Автор: Albert Yuen,Ajit Vijay Barve. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2017-08-22.

Two-dimensional photonic crystal surface-emitting laser

Номер патента: US09627850B2. Автор: Yoshinori Tanaka,Susumu Noda,Yong Liang,Tsuyoshi Okino,Kyoko Kitamura,Daiki Yasuda. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2017-04-18.

Two-dimensional photonic crystal surface-emitting laser

Номер патента: US09531160B2. Автор: Yoshinori Tanaka,Susumu Noda,Yong Liang,Tsuyoshi Okino,Kyoko Kitamura. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor laser diode with shortened cavity length

Номер патента: US09466947B2. Автор: Nobumasa Okada. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor laser array

Номер патента: CA2875175C. Автор: Toru Yoshihara,Tetsuya Nishimura,Yuki Hasegawa,Mitsuaki Futami,Shinji Yagyu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Multi-beam semiconductor laser device

Номер патента: US7149235B2. Автор: Osamu Goto,Masao Ikeda,Shiro Uchida,Tsuyoshi Tojo,Tomonori Hino,Yoshifumi Yabuki,Shinichi Ansai. Владелец: Sony Shiroishi Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-12-12.

Integrated semiconductor laser with electronic directivity and focusing control

Номер патента: US5233623A. Автор: Sheldon S. L. Chang. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 1993-08-03.

Semiconductor laser device including columns of semiconductor lasers with non-central light emitting regions

Номер патента: US5636235A. Автор: Yasunori Miyazaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-06-03.

Method of detecting semiconductor laser mode hopping and semiconductor laser beam source apparatus

Номер патента: US4807992A. Автор: Masaru Noguchi,Kazuo Horikawa,Ichirou Miyagawa. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 1989-02-28.

Inspection method for semiconductor laser device and inspection device for semiconductor laser device

Номер патента: US20220376465A1. Автор: Akio SHIRASAKI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20220231478A1. Автор: Takeshi YAMATOYA,Takashi Nagira. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-07-21.

Tunable semiconductor laser based on reconstruction-equivalent chirp and series mode or series and parallel hybrid integration, and preparation thereof

Номер патента: US20160134082A1. Автор: Jun Lu,Song Tang,Yunshan ZHANG,Xiangfei Chen,Lianyan LI. Владелец: Nanjing University Science Park Development Co ltd. Дата публикации: 2016-05-12.

Method for making a high power semiconductor laser diode

Номер патента: US20080123697A1. Автор: Boris Sverdlov,Berthold Schmidt,Achim Thies,Silke Traut. Владелец: Bookham Technology PLC. Дата публикации: 2008-05-29.

High power semiconductor laser diode and method for making such a diode

Номер патента: EP1547216A1. Автор: Boris Sverdlov,Berthold Schmidt,Achim Thies,Silke Traut. Владелец: Bookham Technology PLC. Дата публикации: 2005-06-29.

Method for making a high power semiconductor laser diode

Номер патента: US20050201438A1. Автор: Boris Sverdlov,Berthold Schmidt,Achim Thies,Silke Traut. Владелец: Bookham Technology PLC. Дата публикации: 2005-09-15.

Semiconductor laser device

Номер патента: US6021148A. Автор: Eitaro Ishimura,Keisuke Matsumoto,Kazuhisa Takagi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-02-01.

Method for manufacturing semiconductor laser

Номер патента: US20020146857A1. Автор: Jun Ichihara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-10-10.

Semiconductor laser and method of manufacturing semiconductor laser

Номер патента: US20240235154A9. Автор: Hideki Watanabe,Yasuhiro Kadowaki. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Waveguide heterostructure for dispersion compensation in semiconductor laser

Номер патента: EP3692609A1. Автор: Yves BIDAUX,Jerome Faist,Filippos KAPSALIDIS. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zurich ETHZ. Дата публикации: 2020-08-12.

Semiconductor laser

Номер патента: US20040258120A1. Автор: Takashi Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-12-23.

Semiconductor laser wafer and semiconductor laser

Номер патента: US20200274331A1. Автор: Shinji Saito,Tomohiro Takase,Rei Hashimoto,Yuichiro Yamamoto,Kei Kaneko,Tsutomu Kakuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US20210336419A1. Автор: Dong Hwan Kim,Keuk Kim,Won Jin Choi. Владелец: Rayir Co. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor laser wafer and semiconductor laser

Номер патента: US11114821B2. Автор: Shinji Saito,Tomohiro Takase,Rei Hashimoto,Yuichiro Yamamoto,Kei Kaneko,Tsutomu Kakuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-09-07.

Nitride semiconductor laser element

Номер патента: US20230019645A1. Автор: Hideo Kitagawa,Shinji Yoshida. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2023-01-19.

Bulk avalanche semiconductor laser

Номер патента: WO1989003602A1. Автор: Stephen J. Davis,Larry O. Ragle. Владелец: Power Spectra, Inc.. Дата публикации: 1989-04-20.

Semiconductor laser wafer and semiconductor laser

Номер патента: EP3703200A2. Автор: Shinji Saito,Tomohiro Takase,Rei Hashimoto,Yuichiro Yamamoto,Kei Kaneko,Tsutomu Kakuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-09-02.

Surface emission semiconductor laser device

Номер патента: US20030152121A1. Автор: Kazushi Mori,Ryoji Hiroyama,Koji Tominaga,Atsushi Tajiri,Yasuhiko Nomura. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-08-14.

Nitride based semiconductor laser diode device with a bar mask

Номер патента: US7126972B2. Автор: Wen-How Lan,Yuh-Der Shiang,Jia-Ching Lin,Ker-Jun Lin,Kai-Fung Perng,Ya-Tung Cherng. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2006-10-24.

Semiconductor laser and method for manufacturing the same

Номер патента: US20050121680A1. Автор: Ki Kim,Yong Baek,Chul Lee,Jung Song. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2005-06-09.

Semiconductor laser device with first order diffraction grating extending to facet

Номер патента: US20230344197A1. Автор: Manoj Kanskar. Владелец: NLight Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Fracture resistant metallization pattern for semiconductor lasers

Номер патента: WO2010123807A1. Автор: Chung-En Zah,Martin H Hu,Lawrence C. Hughes, Jr.,Satish C Chaparala. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor laser device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20020187576A1. Автор: Tetsuya Hosoda. Владелец: NEC Compound Semiconductor Devices Ltd. Дата публикации: 2002-12-12.

Semiconductor laser device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20030092211A1. Автор: Tetsuya Hosoda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-15.

Semiconductor laser and semiconductor optical integrated device

Номер патента: US20090059988A1. Автор: Shigeaki Sekiguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-03-05.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20090116528A1. Автор: Shigetoshi Ito,Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-05-07.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20010015991A1. Автор: Akihiko Kasukawa,Mikihiro Yokozeki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-23.

Method for manufacturing semiconductor laser device, and semiconductor laser device

Номер патента: US20240283212A1. Автор: Atsushi Sugiyama,Satoru OKAWARA,Keita Furuoka,Takehito Nagakura. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor laser element and laser module

Номер патента: US20240120712A1. Автор: Kyogo Kaneko,Kousuke Torii. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-04-11.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US7792172B2. Автор: Shigetoshi Ito,Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-09-07.

Semiconductor laser device

Номер патента: EP1130721A3. Автор: Akihiko The Furukawa Electric Co. Ltd. KASUKAWA,Mikihiro The Furukawa Electric Co. Ltd. Yokozeki. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-05.

Semiconductor laser and method of producing the same

Номер патента: US6683899B2. Автор: Minoru Murayama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-01-27.

Method for manufacturing semiconductor laser device

Номер патента: US20240291227A1. Автор: Atsushi Sugiyama,Satoru OKAWARA,Keita Furuoka,Takehito Nagakura. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor laser array

Номер патента: US4694461A. Автор: Saburo Yamamoto,Sadayoshi Matsui,Mototaka Taneya,Seiki Yano. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1987-09-15.

Semiconductor laser diode

Номер патента: US12062887B2. Автор: Alfred Lell,Sven GERHARD,Christoph Eichler,Bernhard Stojetz. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-08-13.

Distributed feedback semiconductor laser element

Номер патента: US09859683B2. Автор: Yutaka Takagi,Takahiro Sugiyama,Masahiro HITAKA. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor laser device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09800021B2. Автор: Masami Ishiura. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Edge emitter semiconductor laser type of device with end segments for mirrors protection

Номер патента: US09755402B2. Автор: Iulian Basarab Petrescu-Prahova. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor laser element and semiconductor laser device

Номер патента: US09735548B2. Автор: Susumu Harada,Yasuhiro Kawata. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor laser diode

Номер патента: US09722394B2. Автор: Harald KÖNIG,Alexander Bachmann,Christian Lauer,Uwe Strauβ. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor laser element and method of manufacturing semiconductor laser element

Номер патента: US09478944B2. Автор: Takeshi Namegaya,Hirotatsu Ishii,Hidehiro Taniguchi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Wavelength tunable semiconductor laser

Номер патента: US09450372B1. Автор: Leonard Jan-Peter Ketelsen. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor laser diode

Номер патента: US09419411B2. Автор: Toshiyuki Taguchi. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Method and apparatus for extending and confirming the service life of semiconductor laser of bar code reader by detecting current increase corresponding to temperature of semiconductor laser

Номер патента: US5334826A. Автор: Shinichi Sato,Hiroaki Katoh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1994-08-02.

Semiconductor laser light source

Номер патента: CA2928970C. Автор: Hiroyuki Watanabe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-08-28.

Semiconductor laser control apparatus

Номер патента: US4888777A. Автор: Yoshinobu Takeyama. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1989-12-19.

Semiconductor laser device

Номер патента: GB2369929A. Автор: Arnaud GARNACHE-CREUILLOT. Владелец: University of Southampton. Дата публикации: 2002-06-12.

Method and apparatus for stabilizing the spectral characteristics of a semiconductor laser diode

Номер патента: CA1277701C. Автор: Bruce A. Richardson. Владелец: Bell Northern Research Ltd. Дата публикации: 1990-12-11.

Two-section complex coupled distributed feedback semiconductor laser with enhanced wavelength tuning range

Номер патента: US5936994A. Автор: Jin Hong,Hyung B. Kim,Toshi Makino. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1999-08-10.

Article comprising a wavelength-stabilized semiconductor laser

Номер патента: US5299212A. Автор: Sheryl L. Woodward,Thomas L. Koch. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1994-03-29.

Semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230275401A1. Автор: Seiji Kitamura,Shintaro MIYAMOTO. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20230246412A1. Автор: Nobuyuki Ogawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

Vertical cavity surface emitting laser device and method of producing a vertical cavity surface emitting laser device

Номер патента: US20240006851A1. Автор: Hiroshi Nakajima,Mikihiro Yokozeki,Tomomasa Watanabe,Daiji Kasahara. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Continuous-wave organic thin-film distributed feedback laser and electrically driven organic semiconductor laser diode

Номер патента: US11909177B2. Автор: Chihaya Adachi,Toshinori Matsushima,Sangarange Don Atula SANDANAYAKA,Fatima BENCHEIKH,Kenichi Goushi,Jean-Charles RIBIERRE,Takashi Fujihara,Kou Yoshida. Владелец: Koala Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor laser, semiconductor laser array and method of manufacturing semiconductor laser

Номер патента: US11870213B2. Автор: Yosuke Suzuki,Yohei HOKAMA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor laser

Номер патента: US20210281041A1. Автор: Jörg Erich SORG,Frank Singer,Christoph KOLLER. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor-laser-device assembly

Номер патента: US20160111857A1. Автор: Rintaro Koda,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor-laser-device assembly

Номер патента: US9184560B2. Автор: Rintaro Koda,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-11-10.

High power semiconductor laser diode

Номер патента: WO2007057715A1. Автор: Berthold Schmidt,Susanne Pawlik. Владелец: Bookham Technology PLC. Дата публикации: 2007-05-24.

Vertical-cavity surface-emitting laser and preparation method

Номер патента: GB2621741A. Автор: Liu Song,Liang Dong,Weng Weicheng,Ding Weizun,Peng Junyan. Владелец: Vertilite Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-21.

External cavity semiconductor laser

Номер патента: US11962127B2. Автор: Yushi Kaneda. Владелец: Arizona Board of Regents of University of Arizona. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor Laser Using External Resonator

Номер патента: US20110211602A1. Автор: Jeong Soo Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-01.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20230110167A1. Автор: Hideo Yamaguchi. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Semiconductor laser element and semiconductor laser element array

Номер патента: EP1796233A4. Автор: You Wang,Akiyoshi Watanabe,Hirofumi Kan,Hirofumi Miyajima. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2009-03-25.

Semiconductor laser

Номер патента: US11749959B2. Автор: Jörg Erich SORG,Frank Singer,Christoph KOLLER. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2023-09-05.

End-face-processing jig, and method of manufacturing semiconductor laser using end-face-processing jig

Номер патента: US20090181479A1. Автор: Yasuyuki Nakagawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-07-16.

Non-refrigerated tunable semiconductor laser based on multi-wavelength array and preparation method

Номер патента: US20210336415A1. Автор: Jun Lu,Tao FANG,Xiangfei Chen,Rulei XIAO,Yuechun Shi. Владелец: Nanjing Huafei Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor laser array and semiconductor laser array circuit arrangement

Номер патента: US11228161B2. Автор: Martin Mueller,Guenther Groenninger. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2022-01-18.

Semiconductor laser device and method for manufacturing semiconductor laser device

Номер патента: US20240120704A1. Автор: Akitsugu Niwa,Hodaka SHIRATAKI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor laser

Номер патента: US20240030677A1. Автор: Jörg Erich SORG,Frank Singer,Christoph KOLLER. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor laser with a lattice structure

Номер патента: US20040072379A1. Автор: Alfred Forchel,Martin Kamp. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-15.

Semiconductor laser with a weakly coupled grating

Номер патента: US20090117678A1. Автор: Lars Bach,Johann Peter Reithmaier. Владелец: Nanoplus GmbH. Дата публикации: 2009-05-07.

Semiconductor laser

Номер патента: US20190393676A1. Автор: Alfred Lell,Sven GERHARD,Christoph Eichler,Clemens Vierheilig,Andreas LOEFFLER. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-12-26.

Vertical-cavity surface-emitting laser

Номер патента: GB2619216A. Автор: Zhang Cheng,Liu Song,Liang Dong,Weng Weicheng. Владелец: Vertilite Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Continuous-wave organic thin-film distributed feedback laser and electrically driven organic semiconductor laser diode

Номер патента: US12015248B2. Автор: Chihaya Adachi,Toshinori Matsushima,Sangarange Don Atula SANDANAYAKA,Fatima BENCHEIKH,Kenichi Goushi,Jean-Charles RIBIERRE,Takashi Fujihara,Kou Yoshida. Владелец: Koala Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor laser array and semiconductor laser array circuit arrangement

Номер патента: US20200321753A1. Автор: Martin Mueller,Guenther Groenninger. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-10-08.

Vertical-cavity surface-emitting laser (vcsel) with cascaded active region

Номер патента: US20240235160A9. Автор: Elad Mentovich,Tamir Sharkaz,Yuri Berk,Vladimir lakovlev. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing vertical cavity surface emitting laser element and vertical cavity surface emitting laser element

Номер патента: US20240243552A1. Автор: Kenichi Terao,Ryoma Shimazu. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Emitter assembly with vertical cavity surface emitting laser (vcsel) clusters

Номер патента: US20240195153A1. Автор: Raman Srinivasan,WEI Shi,Joseph Leigh,Lijun Zhu,Gianluca Bacchin,Huanlin ZHU,Suhit Ranjan Das,Yuefa Li,Qianhuan YU,Jacob U. LOPEZ RUVALCABA. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Vertically offset vertical cavity surface emitting lasers

Номер патента: US12046876B2. Автор: Guowei Zhao,Benjamin Kesler. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2024-07-23.

Polarized/lensed back-side emitting (bse) vertical-cavity surface-emitting laser (vcsel)

Номер патента: US20240186766A1. Автор: Dmitri Iazikov,Norbert Lichtenstein,Lukas Mutter,Anna Tatarczak,Jason Lin-Chew Tan,Michael A. Steib,Chris Kocot,Alex LAURAIN,Alirio A. Melgar. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Surface emitting laser

Номер патента: EP2195894A1. Автор: Mitsuhiro Ikuta. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2010-06-16.

Automatic power control of a semiconductor laser array

Номер патента: US6115398A. Автор: Wenbin Jiang. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-09-05.

Semiconductor laser module

Номер патента: EP1087477A2. Автор: Yutaka The Furukawa Electric Co. Ltd. Ohki,Takeharu The Furukawa Electric Co. Ltd Yamaguchi,Yuichiro The Furukawa Electric Co. Ltd. IRIE. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2001-03-28.

Resonating cavity system for broadly tunable multi-wavelength semiconductor lasers

Номер патента: US6687275B2. Автор: Ching-Fuh Lin. Владелец: Arima Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2004-02-03.

Optical transmission apparatus, semiconductor laser device for use in optical transmission apparatus, and method for manufacturing semiconductor laser device

Номер патента: US20030043454A1. Автор: Youngduk Yoon,Takayuki Okazaki,Sakiko Sugihara. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-06.

Semiconductor laser device having a transparent waveguide and a large second harmonic generation output

Номер патента: US5208827A. Автор: Hiroaki Inoue,Misuzu Sagawa,Masahiro Ojima,Kimio Tatsuno. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1993-05-04.

Semiconductor Laser Pumped molecular gas lasers

Номер патента: US5506857A. Автор: Richard A. Meinzer. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 1996-04-09.

Phase-locked semiconductor laser device

Номер патента: CA1190635A. Автор: Takashi Kajimura,Takao Kuroda,Jun-Ichi Umeda,Hisao Nakashima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-07-16.

Semiconductor laser module

Номер патента: US9203212B2. Автор: Hideaki Hasegawa,Tatsuya Kimoto,Tatsuro Kurobe. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-01.

Driving apparatus for semiconductor laser and method for controlling driving of semiconductor laser

Номер патента: US6104736A. Автор: Kweon Kim. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-15.

Distributed feedback semiconductor laser

Номер патента: US4648096A. Автор: Kazuo Sakai,Yuichi Matsushima,Shigeyuki Akiba,Katsuyuki Utaka. Владелец: Kokusai Denshin Denwa KK. Дата публикации: 1987-03-03.

Semiconductor laser and method for fabricating the same

Номер патента: US5850410A. Автор: Akito Kuramata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-12-15.

Dual-wavelength semiconductor laser device and method for fabricating the same

Номер патента: US7706423B2. Автор: Masahiro Kume,Toru Takayama,Isao Kidoguchi,Shouichi Takasuka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-04-27.

Semiconductor laser and method of production of the same

Номер патента: US20040097000A1. Автор: Kazuhiko Nemoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-20.

Semiconductor laser with non-absorbing mirror facet

Номер патента: CA1206572A. Автор: Dan Botez. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1986-06-24.

Semiconductor laser resonator and semiconductor laser device including the same

Номер патента: US10211597B2. Автор: Hyochul KIM,Yeonsang Park,Chanwook BAIK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-19.

Semiconductor laser with conductive current mask

Номер патента: CA1194971A. Автор: Larry A. Coldren. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1985-10-08.

Photonic crystal surface-emitting laser and method for manufacturing same

Номер патента: EP4311043A1. Автор: Naoki Fujiwara,Yuki Ito,Akira Furuya,Takuya Inoue,Susumu Noda,Kenji Ishizaki,Naoya KONO. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-01-24.

Excessive current input suppressing semiconductor laser light emitting circuit

Номер патента: US20080225916A1. Автор: Junichi Ikeda,Hiroaki Kyougoku. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-18.

Method of manufacturing semiconductor laser element

Номер патента: US20170201064A1. Автор: Hitoshi Sakuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-07-13.

Bi-directional vertical cavity surface emitting lasers

Номер патента: US11870217B2. Автор: Benjamin Kesler. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor laser driving circuit and semiconductor laser driving method therefor

Номер патента: US6920163B2. Автор: Mitsuo Ishii. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-07-19.

Semiconductor laser device and external resonance-type laser device

Номер патента: US20220255293A1. Автор: Takashi Kano,Hiroyuki HAGINO. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor laser device assembly

Номер патента: US20150236474A1. Автор: Rintaro Koda,Hideki Watanabe,Takao Miyajima,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor laser light source module, semiconductor laser apparatus

Номер патента: US20220109285A1. Автор: Hitoshi Yamada,Yoshiaki Hoashi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2022-04-07.

Semiconductor laser diode and method for producing a semiconductor laser diode

Номер патента: US10270223B2. Автор: Jens Ebbecke. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-04-23.

Semiconductor laser and method of production for optoelectronic semiconductor parts

Номер патента: US11870214B2. Автор: Jörg Erich SORG,Herbert Brunner,Frank Singer,Harald KÖNIG,Alfred Lell,Roland Hüttinger,Karsten Auen,Florian Peskoller,Roland Schulz. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-01-09.

Multiplewavelength semiconductor laser device array and production method

Номер патента: US20010040906A1. Автор: Kenichi Kikuchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-11-15.

Vertical cavity surface emitting laser, vertical-cavity-surface-emitting-laser device, optical transmission apparatus, and information processing apparatus

Номер патента: US20110317540A1. Автор: Takashi Kondo,Kazutaka Takeda,Kazuyuki Matsushita. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-29.

Bidirectional long cavity semiconductor laser for improved power and efficiency

Номер патента: US20150333472A1. Автор: Matthew Glenn Peters,Abdullah Demir. Владелец: JDS Uniphase Corp. Дата публикации: 2015-11-19.

Semiconductor laser driving circuit

Номер патента: US20190027893A1. Автор: Kazuma Watanabe,Ichiro Fukushi,Akiyuki KADOYA. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor laser driving circuit

Номер патента: US10361535B2. Автор: Kazuma Watanabe,Ichiro Fukushi,Akiyuki KADOYA. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2019-07-23.

Photonic crystal surface-emitting laser and optical system

Номер патента: US20230140206A1. Автор: Hao-Chung Kuo,Kuo-Fong Tseng,Kuo-Bin HONG,Tzu-Hsiang Lan,Shih-Chen Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Vertical cavity surface emitting laser device

Номер патента: US20220302679A1. Автор: Feng Zhao,Qing Wang,Guoyang Xu. Владелец: Ams Sensors Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor laser device and driving method of the same

Номер патента: US20120147910A1. Автор: Chikara Amano,Nobuyuki Kondo. Владелец: NTT Electronics Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Cooling module for laser, fabricating method thereof, and semiconductor laser fabricated from the module

Номер патента: US20140204968A1. Автор: Xingsheng Liu. Владелец: Xian Focuslight Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-24.

Bi-directional vertical cavity surface emitting lasers

Номер патента: US20240136798A1. Автор: Benjamin Kesler. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2024-04-25.

Tunable semiconductor laser having cavity with ring resonator mirror and mach-zehnder interferometer

Номер патента: US20020085609A1. Автор: Alexander Ksendzov,Randy May. Владелец: Tunable Photonics Corp. Дата публикации: 2002-07-04.

Control system for a semiconductor laser

Номер патента: WO2004093271A2. Автор: Robert L. Thornton. Владелец: Thornton Robert L. Дата публикации: 2004-10-28.

Semiconductor laser, electronic device and method of manufacturing a semiconductor laser

Номер патента: WO2023224546A1. Автор: Feng Zhao,Qing Wang,Jean Francois Seurin,Baiming Guo,Wei Ting Chen,Amtout ABDENOUR. Владелец: Ams-Osram Asia Pacific Pte. Ltd.. Дата публикации: 2023-11-23.

Substrate-transfer vertical cavity surface emitting laser and method for manufacture thereof

Номер патента: US20220102938A1. Автор: Chihchiang SHEN. Владелец: Zhejiang Berxel Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Vertical cavity surface emitting device

Номер патента: US20220140570A1. Автор: Masaru Kuramoto,Seiichiro Kobayashi. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor laser element

Номер патента: US20230223740A1. Автор: Hiroyuki HAGINO. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor laser, method of designing diffraction grating layer of semiconductor laser, and method of manufacturing semiconductor laser

Номер патента: WO2024100836A1. Автор: Shinji Matsuo,Takuma AIHARA,Nikolaos-Panteleimon DIAMANTOPOULOS. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corporation. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor laser device, fabricating method thereof and optical pickup employing the semiconductor laser device

Номер патента: US20040053430A1. Автор: Takeshi Horiguchi,Osamu Hamaoka,Ikuo Kohashi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-03-18.

Semiconductor laser device, fabricating method thereof and optical pickup employing the semiconductor laser device

Номер патента: US20010002916A1. Автор: Takeshi Horiguchi,Osamu Hamaoka,Ikuo Kohashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-06-07.

Semiconductor laser module

Номер патента: EP1363147A3. Автор: Masahiko c/o Nec Corporation Namiwaka,Masahiro c/o NEC Corporation Kanda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2004-02-18.

Tunable semiconductor laser having a cavity with wavelength selective mirror and mach-tehnder interferometer

Номер патента: WO2002054544A2. Автор: Alexander Ksendzov,Randy Dean May. Владелец: Fiberspace, Inc.. Дата публикации: 2002-07-11.

Characterization of multiple section semiconductor lasers

Номер патента: WO2002013341A3. Автор: Dan Sadot,Shmuel Rubin,Efraim Buimovich. Владелец: Xlight Photonics Inc. Дата публикации: 2003-10-30.

Semiconductor laser driving circuit and semiconductor laser driving method therefor

Номер патента: US20030052370A1. Автор: Mitsuo Ishii. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Photonic crystal surface-emitting laser and optical system

Номер патента: EP4175078A1. Автор: Hao-Chung Kuo,Kuo-Fong Tseng,Kuo-Bin HONG,Tzu-Hsiang Lan,Shih-Chen Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-03.

Semiconductor laser and method of production for optoelectronic semiconductor parts

Номер патента: US20240088622A1. Автор: Jörg Erich SORG,Herbert Brunner,Frank Singer,Harald KÖNIG,Alfred Lell,Roland Hüttinger,Karsten Auen,Florian Peskoller,Roland Schulz. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor laser and method of production for optoelectronic semiconductor parts

Номер патента: US20230068945A1. Автор: Jörg Erich SORG,Herbert Brunner,Frank Singer,Harald KÖNIG,Alfred Lell,Roland Hüttinger,Karsten Auen,Florian Peskoller,Roland Schulz. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2023-03-02.

Bidirectional long cavity semiconductor laser for improved power and efficiency

Номер патента: US20170093125A1. Автор: Matthew Glenn Peters,Abdullah Demir. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2017-03-30.

Semiconductor laser element and laser beam deflecting device

Номер патента: US9048624B2. Автор: Susumu Noda,Akiyoshi Watanabe,Takahiro Sugiyama,Yoshitaka Kurosaka,Kazuyoshi Hirose. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2015-06-02.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US7573924B2. Автор: Masaya Ishida,Daisuke Hanaoka,Yuhzoh Tsuda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-08-11.

Semiconductor laser module

Номер патента: US20020117678A1. Автор: Michio Ohkubo,Yutaka Ohki. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-29.

Semiconductor laser device with wavelength selection and high-frequency modulation of driving current

Номер патента: US6678306B1. Автор: Shinichiro Sonoda. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-13.

Semiconductor laser unit having optical guide layers with increased total thickness and employing junction-up configuration

Номер патента: US6665324B1. Автор: Hideki Asano. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-16.

Systems and methods to correct seismic data for undesired effects caused by near surface velocity variations by correcting for long-wavelength statics

Номер патента: WO2022114985A1. Автор: Diego Rovetta,Anastasiia Andreevna GALAKTIONOVA,Andrei Sergeevich BELONOSOV,Mikhail Andreevich BELONOSOV. Владелец: Novosibirsk State University. Дата публикации: 2022-06-02.

Systems and methods to correct seismic data for undesired effects caused by near surface velocity variations by correcting for long-wavelength statics

Номер патента: US20220171083A1. Автор: Diego Rovetta,Mikhail Belonosov,Anastasiia Galaktionova,Andrei Belonosov. Владелец: Novosibirsk State University. Дата публикации: 2022-06-02.

Sensor detecting attenuated total reflection angle by using semiconductor laser unit driven with driving current on which high frequency component is superimposed

Номер патента: US20020109846A1. Автор: Masayuki Naya. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-15.

Multi-beam measuring device for 3d scanning of an environment having multiple semiconductor laser arrays and uniform beam distribution

Номер патента: EP3816661A2. Автор: Jürg Hinderling,Simon Bestler,Rainer Wohlgenannt. Владелец: HEXAGON TECHNOLOGY CENTER GMBH. Дата публикации: 2021-05-05.

Multi-beam measuring device for 3d scanning of an environment having multiple semiconductor laser arrays and uniform beam distribution

Номер патента: EP3816661A3. Автор: Jürg Hinderling,Simon Bestler,Rainer Wohlgenannt. Владелец: HEXAGON TECHNOLOGY CENTER GMBH. Дата публикации: 2021-09-29.