RESISTANCE VARIABLE MEMORY DEVICE WITH NANOPARTICLE ELECTRODE AND METHOD OF FABRICATION
Номер патента: US20150041754A1
Опубликовано: 12-02-2015
Автор(ы): Campbell Kristy A., Liu Jun
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 12-02-2015
Автор(ы): Campbell Kristy A., Liu Jun
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device with conductive elements formed over dielectric layers and method of fabrication therefor
Номер патента: US20240250130A1. Автор: Humayun Kabir,Ibrahim Khalil,Bernhard Grote,Bruce McRae Green. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-07-25.