Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Inductively-coupled plasma (icp) resonant source element

Inductively-coupled plasma (icp) resonant source element

Номер патента: WO2011041087A3
Опубликовано: 29-09-2011
Автор(ы): John M. White, Jonghoon Baek, Tsutomu Tanaka (Tom)
Принадлежит: Applied Materials, Inc.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Inductive coil structure and inductively coupled plasma generation system

Номер патента: US20240162004A1. Автор: Sae Hoon Uhm,Yun Seong Lee. Владелец: En2Core Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Inductive coil structure and inductively coupled plasma generation system

Номер патента: US11935725B2. Автор: Sae Hoon Uhm,Yun Seong Lee. Владелец: En2Core Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Impedance matching circuit for inductive coupled plasma source

Номер патента: KR100444189B1. Автор: 김정식,이승원,고부진,권기청,변홍식,김홍습,한순석. Владелец: 주성엔지니어링(주). Дата публикации: 2004-08-18.

Inductively coupled plasma generating electrode and substrate processing apparatus including the same

Номер патента: JP2012517074A. Автор: イ、ギョンホ. Владелец: Tera Semicon Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

High voltage isolation of an inductively coupled plasma ion source with a liquid that is not actively pumped

Номер патента: US09591735B2. Автор: N. William Parker,Mark W. Utlaut,Sean Kellogg,Andrew B. Wells,James B. McGinn. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2017-03-07.

Inductively coupled plasma reactor and wire structure for antenna coil of inductively coupled plasma reactor

Номер патента: US20230136312A1. Автор: Min Jae Kim,Jin Ho Bae,Geon Bo SIM. Владелец: Lot Ces Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Inductively Coupled Plasma Processing Apparatus

Номер патента: KR100731734B1. Автор: 김상진,김도근,정민재. Владелец: 삼성에스디아이 주식회사. Дата публикации: 2007-06-22.

Antenna electrode for inductively coupled plasma generation apparatus

Номер патента: US20030095072A1. Автор: Gi-Chung Kwon,Jeong-Beom Lee,Hong-Sik Byun. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-22.

Inductively coupled plasma source with symmetrical RF feed

Номер патента: US09928987B2. Автор: Shahid Rauf,Kartik Ramaswamy,Kenneth S. Collins,Richard Fovell,Jason A. Kenney,James D. Carducci. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Inductively coupled plasma antenna element, inductively coupled plasma processing device and inductively coupled plasma processing method

Номер патента: TWI594668B. Автор: Ryo Sato,Toshihiro Tojo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Antenna unit for inductively coupled plasma, inductively coupled plasma processing apparatus and method therefor

Номер патента: KR101956478B1. Автор: 도시히로 도조,료 사토. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2019-03-08.

Inductively coupled plasma apparatus with novel faraday shield

Номер патента: WO2024081735A1. Автор: Costel Biloiu,Kevin M. Daniels,Benjamin Alexandrovich,Adam CALKINS,Solomon Belangedi BASAME. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-04-18.

INDUCTIVE COIL STRUCTURE AND INDUCTIVELY COUPLED PLASMA GENERATION SYSTEM

Номер патента: US20200111641A1. Автор: LEE Yun Seong,Uhm Sae Hoon. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-09.

INDUCTIVE COIL STRUCTURE AND INDUCTIVELY COUPLED PLASMA GENERATION SYSTEM

Номер патента: US20210142981A1. Автор: LEE Yun Seong,Uhm Sae Hoon. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-13.

Inductive coil structure and inductively coupled plasma generation system

Номер патента: US10541114B2. Автор: Sae Hoon Uhm,Yun Seong Lee. Владелец: En2Core Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-21.

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCE WITH SYMMETRICAL RF FEED AND REACTANCE ELEMENTS

Номер патента: US20180218873A1. Автор: Collins Kenneth S.,Ramaswamy Kartik,FOVELL RICHARD,Rauf Shahid,Carducci James D.,KENNEY JASON A.. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-02.

Inductively coupled plasma processing device

Номер патента: KR101019818B1. Автор: 사토요시츠토무. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2011-03-04.

Antenna for inductively coupled plasma

Номер патента: KR101848906B1. Автор: 최정수,박우종,한대호. Владелец: 인베니아 주식회사. Дата публикации: 2018-05-15.

Antenna for inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: KR101666933B1. Автор: 조생현. Владелец: (주)브이앤아이솔루션. Дата публикации: 2016-10-17.

Inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: KR101454700B1. Автор: 이경석. Владелец: 엘아이지에이디피 주식회사. Дата публикации: 2014-11-03.

Antenna structure for generating inductively coupled plasma

Номер патента: KR102407388B1. Автор: 최주현,인정환,김선훈. Владелец: 한국광기술원. Дата публикации: 2022-06-10.

Adjusting current ratios in inductively coupled plasma processing systems

Номер патента: US9305750B2. Автор: Maolin Long,Seyed Jafar Jafarian-Tehrani. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-04-05.

Inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: KR20140086338A. Автор: 이경석. Владелец: 엘아이지에이디피 주식회사. Дата публикации: 2014-07-08.

Inductively coupled plasma processing apparatus and control method thereof

Номер патента: KR20140059422A. Автор: 임정환. Владелец: 엘아이지에이디피 주식회사. Дата публикации: 2014-05-16.

Inductively coupled plasma processing apparatus and control method thereof

Номер патента: KR20140137964A. Автор: 임정환. Владелец: 엘아이지에이디피 주식회사. Дата публикации: 2014-12-03.

Multi inductively coupled plasma inductor

Номер патента: KR100464808B1. Автор: 최대규. Владелец: 최대규. Дата публикации: 2005-01-05.

Inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: KR101547189B1. Автор: 김정태. Владелец: 엘아이지인베니아 주식회사. Дата публикации: 2015-08-25.

Adjusting current ratios in inductively coupled plasma processing systems

Номер патента: KR101708075B1. Автор: 마오린 롱,세예드 자파르 자파리안-테라니. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2017-02-17.

Thermal management of inductively coupled plasma reactors

Номер патента: WO2007021522A1. Автор: Qiwei Liang,SIQING Lu,Ellie Y. Yieh,Young S. Lee,Muhammad M. Rasheed,Steven H. Kim,Irene Chou. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2007-02-22.

Adjusting current ratios in inductively coupled plasma processing systems

Номер патента: TW201127224A. Автор: Seyed Jafar Jafarian-Tehrani,mao-lin Long. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2011-08-01.

Apparatus and method for generating inductively coupled plasma

Номер патента: TW201250822A. Автор: Soo-Hyun Lee. Владелец: Smatek Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-16.

Inductively coupled plasma apparatus with novel faraday shield

Номер патента: US20240128052A1. Автор: Costel Biloiu,Kevin M. Daniels,Benjamin Alexandrovich,Adam CALKINS,Solomon Belangedi BASAME. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Inductively coupled plasma apparatus for exhaust gas treatment and impedance matching method thereof

Номер патента: US20230377842A1. Автор: Min Jae Kim,Jin Ho Bae,Sang Don CHOI. Владелец: Lot Ces Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Dynamic ion radical sieve and ion radical aperture for an inductively coupled plasma (ICP) reactor

Номер патента: TW201248721A. Автор: AJAY Kumar,Saravjeet Singh,Graeme Jamieson SCOTT. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-12-01.

Antenna unit for induction coupling plasma and induction coupling plasma processing apparatus

Номер патента: JP2012256660A. Автор: Akira Sato,Hitoshi Saito,亮 佐藤,均 齊藤. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-12-27.

Antenna of apparatus for generating inductively coupled plasma and apparatus for generating inductively coupled plasma having the same

Номер патента: KR20120097052A. Автор: 김정태. Владелец: 엘아이지에이디피 주식회사. Дата публикации: 2012-09-03.

INDUCTIVE COIL STRUCTURE AND INDUCTIVELY COUPLED PLASMA GENERATION SYSTEM

Номер патента: US20180122619A1. Автор: LEE Yun Seong,Uhm Sae Hoon. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-03.

Inductively coupled plasma antenna and Plasma processing apparatus using the same

Номер патента: KR101253297B1. Автор: 강찬호,이영종,손형규. Владелец: 엘아이지에이디피 주식회사. Дата публикации: 2013-04-10.

Inductive coupled plasma source with plasma discharging tube covered with magnetic core block

Номер патента: KR100803794B1. Автор: 최대규. Владелец: 최대규. Дата публикации: 2008-02-14.

Inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: KR101446378B1. Автор: 히토시 사이토,료 사토. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2014-10-01.

Inductively coupled plasma reactor having a built-in radio frequency antenna

Номер патента: KR101283645B1. Автор: 최대규. Владелец: 최대규. Дата публикации: 2013-07-09.

Inductively coupled plasma generating apparatus with double layer coil antenna

Номер патента: KR100486712B1. Автор: 오재준. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-05-03.

Antenna Structure for Inductively Coupled Plasma

Номер патента: KR101473371B1. Автор: 김대웅,김정형,신용현,성대진,유신재. Владелец: 한국표준과학연구원. Дата публикации: 2014-12-16.

Antenna device for generating inductively coupled plasma

Номер патента: KR100338057B1. Автор: 김성식,이용관,이평우,윤남식. Владелец: 황 철 주. Дата публикации: 2002-05-24.

Antenna for treating device of inductively coupled plasma using ferrite

Номер патента: KR100882450B1. Автор: 정진욱,이관재,조국형,김영렬. Владелец: 참앤씨(주). Дата публикации: 2009-02-06.

Inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: KR100556983B1. Автор: 사토요시츠토무. Владелец: 동경 엘렉트론 주식회사. Дата публикации: 2006-03-03.

Inductively-coupled plasma device

Номер патента: US8222822B2. Автор: James A. Gilbert. Владелец: TYCO HEALTHCARE GROUP LP. Дата публикации: 2012-07-17.

Inductively coupled plasma reactor having multi rf antenna

Номер патента: KR100980287B1. Автор: 최대규. Владелец: 주식회사 뉴파워 프라즈마. Дата публикации: 2010-09-06.

Inductively coupled plasma reactor with multiple magnetic cores

Номер патента: CN101064986A. Автор: 崔大圭. Владелец: New Power Plasma Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-31.

Inductively coupled plasma source

Номер патента: KR100481313B1. Автор: 최대규. Владелец: 최대규. Дата публикации: 2005-04-07.

Inductive coupled plasma source

Номер патента: KR100731998B1. Автор: 최대규. Владелец: 주식회사 뉴파워 프라즈마. Дата публикации: 2007-06-27.

Antenna Source And Inductive Coupling Plasma Processing Apparatus Using The Same

Номер патента: KR101522702B1. Автор: 이창근,이경석,이경한,구병희,황영주,최지숙. Владелец: 엘아이지인베니아 주식회사. Дата публикации: 2015-05-27.

Inductively coupled plasma processing equipment

Номер патента: JP3880864B2. Автор: 務 里吉. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-02-14.

Inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: KR101124754B1. Автор: 히토시 사이토,료 사토. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2012-03-23.

Inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: KR20030066452A. Автор: 사토요시츠토무. Владелец: 동경 엘렉트론 주식회사. Дата публикации: 2003-08-09.

Inductively coupled plasma generator

Номер патента: JP4302630B2. Автор: リ，ヨンクァン,ジュン，ウォンボン,リ，サンウォン,オム，セフン,リ，ドンソク. Владелец: プラズマート カンパニー リミテッド. Дата публикации: 2009-07-29.

Method for lighting an inductively coupled plasma at low pressure

Номер патента: US20020067133A1. Автор: Jeffrey Brown,John Keller,Waldemar Kocon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-06-06.

Inductively coupled plasma treatment apparatus

Номер патента: KR100737750B1. Автор: 정영철,김형준,김인준. Владелец: 세메스 주식회사. Дата публикации: 2007-07-10.

Inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: KR101765233B1. Автор: 홍보한. Владелец: 주식회사 원익아이피에스. Дата публикации: 2017-08-16.

Radio frequency inductively coupled plasma generator confined using magnetic field produced by field coil with soft magnetic material shell

Номер патента: WO2011116496A1. Автор: 张伟,于翔,岳�文,王成彪,付志强,彭志坚. Владелец: 中国地质大学（北京）. Дата публикации: 2011-09-29.

Inductive coupling plasma processing device

Номер патента: JP2003229410A. Автор: 務 里吉,Tsutomu Satoyoshi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2003-08-15.

Inductively coupled plasma treatment apparatus

Номер патента: TWI247050B. Автор: Osamu Tsuji,Hirohiko Nakano,Michihiro Hiramoto. Владелец: Samco Inc. Дата публикации: 2006-01-11.

High voltage isolation of an inductively coupled plasma ion source with a liquid that is not actively pumped

Номер патента: EP2724359B1. Автор: N. William Parker,Mark W. Utlaut,Sean Kellogg,Andrew B. Wells,James B. McGinn. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2016-09-28.

Inductive Coil And Inductively Coupled Plasma Apparatus

Номер патента: KR101812743B1. Автор: 이윤성,엄세훈. Владелец: 인투코어테크놀로지 주식회사. Дата публикации: 2018-01-30.

Induction coil structure and device for generating inductively coupled plasma

Номер патента: WO2018084508A1. Автор: 이윤성,엄세훈. Владелец: 인투코어테크놀로지 주식회사. Дата публикации: 2018-05-11.

Inductance coil structure and inductively coupled plasma body generate system

Номер патента: CN109417011A. Автор: 李润星,严世勋. Владелец: Yuanduoke Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-01.

Inductive coil structure and inductively coupled plasma generation system

Номер патента: CN109417011B. Автор: 李润星,严世勋. Владелец: En2Core Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-14.

Inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: KR102020622B1. Автор: 오수호. Владелец: 주식회사 원익아이피에스. Дата публикации: 2019-09-10.

Inductively Coupled Plasma Apparatus

Номер патента: KR101253295B1. Автор: 강찬호,이영종,손형규. Владелец: 엘아이지에이디피 주식회사. Дата публикации: 2013-04-10.

Inductively coupled plasma antenna

Номер патента: KR101017100B1. Автор: 이정인,이창환,오현택,노일호,공병윤. Владелец: 세메스 주식회사. Дата публикации: 2011-02-25.

Hybrid impedance matching for inductively coupled plasma system

Номер патента: US9918376B2. Автор: George Thomas,Panya Wongsenakhum,Francisco J. Juarez. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Inductively coupled plasma generating apparatus incorporating serpentine coil antenna

Номер патента: US7381292B2. Автор: Jai-Kwang Shin,Seong-Gu Kim,Young-Dong Lee,Yuri Nikolaevich Tolmachev. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-03.

Inductively coupled plasma source with phase control

Номер патента: US8933628B2. Автор: Zhigang Chen,Samer Banna,Valentin Todorow. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-01-13.

A printed circuit board type antenna for inductively coupled plasma generating device

Номер патента: KR100734954B1. Автор: 김재현,이상원,이용관. Владелец: 주식회사 플라즈마트. Дата публикации: 2007-07-03.

Hybrid impedance matching for inductively coupled plasma system

Номер патента: TWI586225B. Автор: 潘亞 王塞納克運,喬治 湯瑪士,法蘭西斯柯Ｊ 亞雷茲. Владелец: 諾發系統有限公司. Дата публикации: 2017-06-01.

Substrate treatment device using inductively coupled plasma and opening/closing apparatus of its upper structure

Номер патента: KR101208571B1. Автор: 손형규. Владелец: 엘아이지에이디피 주식회사. Дата публикации: 2012-12-06.

Control method and inductively coupled plasma processing device Capable of controlling plasma density with higher precision

Номер патента: TW202215527A. Автор: 佐野僚,山科伊作. Владелец: 日商東京威力科創股份有限公司. Дата публикации: 2022-04-16.

Etching Apparatus Using Inductively Coupled Plasma

Номер патента: US20150359079A1. Автор: Jong-Woo Sun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-12-10.

Inductively Coupled Plasma Processing Apparatus and Method having an Internal Cleaning Function

Номер патента: KR101649315B1. Автор: 최대규. Владелец: 최대규. Дата публикации: 2016-08-18.

Inductively coupled plasma apparatus for treating exhaust gas and impedance matching method thereof

Номер патента: KR20220118078A. Автор: 김민재,최상돈,배진호. Владелец: 주식회사 알에프프로듀서. Дата публикации: 2022-08-25.

Inductively coupled plasma processing apparatus controlled faraday shield independently

Номер патента: KR100849396B1. Автор: 이승호,김문주. Владелец: (주)아이씨디. Дата публикации: 2008-07-31.

Spatially tunable inductively coupled plasma antenna

Номер патента: WO2023204995A1. Автор: David French,Jozef Kudela. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-10-26.

Dielectric window supporting structure for inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: US09818581B1. Автор: Saeng Hyun Cho. Владелец: Vni Solution Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Inductively coupled coil and inductively coupled plasma device using the same

Номер патента: US20170092466A1. Автор: Jianhui Nan,Qiaoli Song. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-30.

Inductively coupled coil and inductively coupled plasma device using the same

Номер патента: US09552965B2. Автор: Jianhui Nan,Qiaoli Song. Владелец: Beijing NMC Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: US09543121B2. Автор: Kazuo Sasaki,Toshihiro Tojo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Inductively coupled plasma source

Номер патента: WO2014110237A1. Автор: Yang Yang,Kartik Ramaswamy,Andrew Nguyen,Steven Lane. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-07-17.

Dielectric window supporting structure for inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: US20170323770A1. Автор: Saeng Hyun Cho. Владелец: Vni Solution Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-09.

Compact rf antenna for an inductively coupled plasma ion source

Номер патента: WO2012044977A2. Автор: Shouyin Zhang. Владелец: FEI COMPANY. Дата публикации: 2012-04-05.

Antenna for inductively coupled plasma excitation, antenna unit for inductively coupled plasma excitation, and plasma processing apparatus

Номер патента: US20230343553A1. Автор: Yohei Yamazawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Inductively coupled plasma type ion implanter

Номер патента: US20240021409A1. Автор: Seung Jae MOON,Jong Jin HWANG,Sung Mook JUNG. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-01-18.

Inductively coupled plasma apparatus

Номер патента: US6696663B2. Автор: Yuichi Tachino. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-02-24.

Window and mounting arrangement for twist-and-lock gas injector assembly of inductively coupled plasma chamber

Номер патента: WO2013062866A1. Автор: David Schaefer,Rish Chhatre. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2013-05-02.

Window and mounting arrangement for twist-and-lock gas injector assembly of inductively coupled plasma chamber

Номер патента: US09947512B2. Автор: David Schaefer,Rish Chhatre. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of multiple zone symmetric gas injection for inductively coupled plasma

Номер патента: US09472379B2. Автор: Yang Yang,Kartik Ramaswamy,Steven Lane,Lawrence Wong. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Inductively coupled plasma treatment system

Номер патента: US11837439B2. Автор: NA Li,Haiyang Liu,Xuedong Li,Xiaobo Liu,Song Guo,Dongdong HU,Shiran CHENG,Kaidong Xu. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Transmission line based inductively coupled plasma source with stable impedance

Номер патента: WO2002019387A2. Автор: Marwan H. Khater,Lawrence J. Overzet. Владелец: Board of Regents. Дата публикации: 2002-03-07.

Apparatus and method for inductively-coupled-plasma-enhanced ionized physical-vapor deposition

Номер патента: WO1999027153A1. Автор: Mehrdad M. Moslehi. Владелец: Cvc, Inc.. Дата публикации: 1999-06-03.

Compact, distributed inductive element for large scale inductively-coupled plasma sources

Номер патента: WO2005074000A3. Автор: Jozef Brcka. Владелец: Tokyo Electron America Inc. Дата публикации: 2005-12-15.

Compact, distributed inductive element for large scale inductively-coupled plasma sources

Номер патента: WO2005074000A2. Автор: Jozef Brcka. Владелец: Tokyo Electron America, Inc.. Дата публикации: 2005-08-11.

Three-coil inductively coupled plasma source with individually controlled coil currents from a single rf power generator

Номер патента: WO2013162962A1. Автор: Jonathan Liu,Shahid Rauf,Kartik Ramaswamy,Kenneth S. Collins,Andrew Nguyen,Steven Lane,Jason A. Kenney,Leonid Dorf. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-10-31.

Three-coil inductively coupled plasma source with individually controlled coil currents from a single rf power generator

Номер патента: WO2013162826A1. Автор: Jonathan Liu,Shahid Rauf,Kartik Ramaswamy,Kenneth S. Collins,Andrew Nguyen,Steven Lane,Jason A. Kenney,Leonid Dorf. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-10-31.

Oxygen reduction device in ion source region of inductively coupled plasma

Номер патента: US12057291B2. Автор: Xin Jiang,Jie Lin,Yongsheng Liu,Chengyi ZHANG,Haibo Ding,Xiaofeng XIA,Wengui Liu,Shuimiao LU,Lifei CHEN. Владелец: Hangzhou Puyu Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Apparatus and methods for actively controlling rf peak-to-peak voltage in an inductively coupled plasma etching system

Номер патента: WO2001075930A3. Автор: Shu Nakajima. Владелец: Shu Nakajima. Дата публикации: 2002-05-23.

Etching device and method of inductively coupled plasma

Номер патента: US20210398774A1. Автор: Lu Chen,Jia Wang,Xuedong Li,Xiaobo Liu,Dongdong HU,Kaidong Xu,Dongchen CHE,Kangning XU. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Inductively coupled plasma etching apparatus

Номер патента: WO2001075931A3. Автор: Shu Nakajima. Владелец: Shu Nakajima. Дата публикации: 2002-03-21.

Inductively coupled plasma etching apparatus

Номер патента: EP1269513A2. Автор: Shu Nakajima. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2003-01-02.

Oxygen Reduction Device in Ion Source Region of Inductively Coupled Plasma

Номер патента: US20230137483A1. Автор: Xin Jiang,Jie Lin,Yongsheng Liu,Chengyi ZHANG,Haibo Ding,Xiaofeng XIA,Wengui Liu,Shuimiao LU,Lifei CHEN. Владелец: Hangzhou Puyu Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Inductively coupled plasma light source with direct gas injection

Номер патента: WO2024123564A1. Автор: Donald K. Smith,Kosuke Saito,Stephen F. Horne,Wolfram Neff,Michael J. Roderick. Владелец: Energetiq Technology, Inc.. Дата публикации: 2024-06-13.

Inductively Coupled Plasma Light Source with Direct Gas Injection

Номер патента: US20240194454A1. Автор: Donald K. Smith,Kosuke Saito,Stephen F. Horne,Wolfram Neff,Michael J. Roderick. Владелец: Energetiq Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Steered inductively coupled plasma

Номер патента: WO2024044840A1. Автор: Brian Chan,Joshua O. Oseh. Владелец: PerkinElmer Scientific Canada ULC. Дата публикации: 2024-03-07.

Steered inductively coupled plasma

Номер патента: US20240074024A1. Автор: Brian Chan,Joshua O. Oseh. Владелец: PerkinElmer Scientific Canada ULC. Дата публикации: 2024-02-29.

Induction devices for inductively coupled plasma torches and methods and systems including same

Номер патента: US20240164005A1. Автор: Peter Morrisroe,Michael Pawlyk,Cindy Anderau. Владелец: Perkinelmer US LLC. Дата публикации: 2024-05-16.

Induction devices for inductively coupled plasma torches and methods and systems including same

Номер патента: WO2024107717A1. Автор: Peter Morrisroe,Michael Pawlyk,Cindy Anderau. Владелец: Perkinelmer U.S. Llc. Дата публикации: 2024-05-23.

Devices and methods to generate an inductively coupled plasma

Номер патента: WO2024020286A1. Автор: Peter Morrisroe. Владелец: Perkinelmer U.S. Llc. Дата публикации: 2024-01-25.

Generating inductively coupled plasma

Номер патента: US20240032181A1. Автор: Peter Morrisroe. Владелец: Perkinelmer US LLC. Дата публикации: 2024-01-25.

Heat transfer system for an inductively coupled plasma device

Номер патента: US09820370B2. Автор: Yoshitomo Nakagawa,Yutaka Ikku. Владелец: Hitachi High Tech Science Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Switchable matching network and an inductively coupled plasma processing apparatus having such network

Номер патента: US20200090908A1. Автор: Hiroshi Iizuka,Tuqiang Ni,Kui Zhao,Xiaobei Pang. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

Method for attachment of an electrode into an inductively-coupled plasma

Номер патента: US09530625B2. Автор: Noel Smith,Mark W. Utlaut,Gregory A. Schwind,Sean Kellogg,Shouyin Zhang,Anthony Graupera,Walter Skoczylas,Andrew B. Wells,William N. Parker. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2016-12-27.

Inductively coupled plasma alignment apparatus and method

Номер патента: US7273996B2. Автор: Philip Marriott,Jonathan Herbert Bradford,Jim Stringer,Timothy Alan Whitechurch. Владелец: Thermo Fisher Scientific Inc. Дата публикации: 2007-09-25.

Inductively coupled plasma alignment apparatus and method

Номер патента: US20070045247A1. Автор: Philip Marriott,Timothy Whitechurch,Jim Stringer,Jonathan Bradford. Владелец: Thermo Fisher Scientific Inc. Дата публикации: 2007-03-01.

System for Attachment of an Electrode into an Inductively Coupled Plasma Source

Номер патента: US20130134855A1. Автор: Noel Smith,N. William Parker,Mark W. Utlaut,Gregory A. Schwind,Sean Kellogg,Shouyin Zhang,Anthony Graupera,Walter Skoczylas,Andrew B. Wells. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2013-05-30.

Inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: EP1815494A1. Автор: Reinhard Fendler,Pascal Colpo,François Rossi. Владелец: European Community EC Belgium. Дата публикации: 2007-08-08.

Inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: CA2588505A1. Автор: Reinhard Fendler,Pascal Colpo,François Rossi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-01.

Method of multiple zone symmetric gas injection for inductively coupled plasma

Номер патента: US20150371824A1. Автор: Yang Yang,Kartik Ramaswamy,Steven Lane,Lawrence Wong. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-12-24.

Inductively coupled plasma based atomic analysis systems and methods

Номер патента: US12087568B2. Автор: Michael Sullivan,Mark Armstrong,Alexander Loboda,Raymond Jong,Serguei VOROBIEV,Robert ROTENBERG,Maxim VORONOV,Emil D. Stratulativ. Владелец: Standard Biotools Canada Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Inductively coupled plasma based atomic analysis systems and methods

Номер патента: US11776801B2. Автор: Michael Sullivan,Mark Armstrong,Alexander Loboda,Raymond Jong,Serguei VOROBIEV,Robert ROTENBERG,Maxim VORONOV,Emil D. Stratulativ. Владелец: Standard Biotools Canada Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Inductively coupled plasma based atomic analysis systems and methods

Номер патента: US20230411136A1. Автор: Michael Sullivan,Mark Armstrong,Alexander Loboda,Raymond Jong,Serguei VOROBIEV,Robert ROTENBERG,Maxim VORONOV,Emil D. Stratulativ. Владелец: Standard Biotools Canada Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Heat management for inductively coupled plasma systems

Номер патента: US11917744B2. Автор: William Fisher,Hamid Badiei,Tak Shun Cheung,Chui Ha Cindy WONG. Владелец: PerkinElmer Scientific Canada ULC. Дата публикации: 2024-02-27.

Heat management for inductively coupled plasma systems

Номер патента: EP4360119A1. Автор: William Fisher,Hamid Badiei,Tak Shun Cheung,Chui Ha Cindy WONG. Владелец: PerkinElmer Scientific Canada ULC. Дата публикации: 2024-05-01.

Plasma reactor for inductively coupled plasma and method of assembling the same

Номер патента: US12062528B2. Автор: Min Jae Kim,Jin Ho Bae,Geon Bo SIM,Tae Wook Yoo. Владелец: Lot Ces Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Plasma reactor for inductively coupled plasma and method of assembling the same

Номер патента: US20230134862A1. Автор: Min Jae Kim,Jin Ho Bae,Geon Bo SIM,Tae Wook Yoo. Владелец: Lot Ces Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Air-cooled interface for inductively coupled plasma mass spectrometer (icp-ms)

Номер патента: CA3139598A1. Автор: Gholamreza Javahery,Javad Mostaghimi,Kaveh Kahen,Sina Alavi. Владелец: Kimia Analytics Inc. Дата публикации: 2022-05-18.

Air-cooled interface for inductively coupled plasma mass spectrometer (ICP-MS)

Номер патента: US11864303B2. Автор: Gholamreza Javahery,Javad Mostaghimi,Kaveh Kahen,Sina Alavi. Владелец: Kimia Analytics Inc.. Дата публикации: 2024-01-02.

Inductively coupled plasma generator

Номер патента: US20200022244A1. Автор: Hidemiki Hayashi. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA GENERATOR

Номер патента: US20200022244A1. Автор: HAYASHI Hidemiki. Владелец: SHIMADZU CORPORATION. Дата публикации: 2020-01-16.

RF system, magnetic filter, and high voltage isolation for an inductively coupled plasma ion source

Номер патента: US09655223B2. Автор: Noel S. Smith,Paul P. Tesch,Roderick W. Boswell,Noel P. Martin. Владелец: OREGON PHYSICS LLC. Дата публикации: 2017-05-16.

Inductively coupled plasma flood gun using an immersed low inductance rf coil and multicusp magnetic arrangement

Номер патента: US20130320854A1. Автор: Victor M. Benveniste,Peter F. Kurunczi,Oliver V. Naumovski. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2013-12-05.

Inductively coupled plasma source for plasma processing

Номер патента: US09653264B2. Автор: Dongsoo Lee,Andreas Kadavanich,Vladimir Nagorny. Владелец: Mattson Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Inductive coupling plasma（ICP）Power deposition control in reactor

Номер патента: CN107564793A. Автор: S·袁,S·巴纳,T-J·龚,V·克尼亚齐克,K·坦蒂翁,D·A·马洛尔,V·N·托多罗. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Inductive coupling plasma（ICP）Power deposition control in reactor

Номер патента: CN105409332B. Автор: S·袁,S·巴纳,T-J·龚,V·克尼亚齐克,K·坦蒂翁,D·A·马洛尔,V·N·托多罗. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-11-02.

System and method for selective coil excitation in inductively coupled plasma processing reactors

Номер патента: US20160027616A1. Автор: Yang Yang,Kartik Ramaswamy,Steven Lane,Joseph F. Aubuchon,Lawrence Wong,Travis Koh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-01-28.

System and method for selective coil excitation in inductively coupled plasma processing reactors

Номер патента: US09659751B2. Автор: Yang Yang,Kartik Ramaswamy,Steven Lane,Joseph F. Aubuchon,Lawrence Wong,Travis Koh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

POWER DEPOSITION CONTROL IN INDUCTIVELY COUPLED PLASMA (ICP) REACTORS

Номер патента: US20150068682A1. Автор: GUNG TZA-JING,BANNA SAMER,TODOROW Valentin N.,YUEN Stephen,KNYAZIK VLADIMIR,TANTIWONG KYLE,MAROHL DAN A.. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-12.

Inductive coupled coil and inductive coupled plasma device using the same

Номер патента: TW200908816A. Автор: qiao-li Song,jian-hui Nan. Владелец: Beijing NMC Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-16.

ANTENNA FOR INDUCTIVELY COUPLED PLASMA EXCITATION, ANTENNA UNIT FOR INDUCTIVELY COUPLED PLASMA EXCITATION, AND PLASMA PROCESSING APPARATUS

Номер патента: US20220270851A1. Автор: Fujiwara Naoki,Kurashina Daisuke,SAITO Takehisa,Nakajima Toshiki,TAMAZAWA Yohei. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2022-08-25.

Inductively coupled plasma antenna unit and inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: JP5894785B2. Автор: 利洋 東条. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-03-30.

INDUCTIVELY COUPLED COIL AND INDUCTIVELY COUPLED PLASMA DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20170092466A1. Автор: Nan Jianhui,SONG Qiaoli. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-30.

Device and Method for Generating Capacitively Coupled Plasma Enhanced Inductively Coupled Plasma

Номер патента: KR100391063B1. Автор: 이상원,이용관,배근희,엄세훈. Владелец: 주식회사 플라즈마트. Дата публикации: 2003-07-16.

Inductively coupled plasma source with parallel helical rf coils

Номер патента: WO2024137370A1. Автор: Wei Yi Luo,Himanshu CHOKSHI,Abhinav Prakash,Norman MERTKE. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-06-27.

Inductively coupled plasma apparatus

Номер патента: TW561547B. Автор: Yuichi Tachino. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-11-11.

Window and mounting arrangement for twist-and-lock gas injector assembly of inductively coupled plasma chamber

Номер патента: SG10201603198RA. Автор: David Schaefer,Rish Chhatre. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2016-05-30.

Window and mounting arrangement for twist-and-lock gas injector assembly of inductively coupled plasma chamber

Номер патента: SG11201401748VA. Автор: David Schaefer,Rish Chhatre. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2014-05-29.

Compact rf antenna for an inductively coupled plasma ion source

Номер патента: EP2622625A4. Автор: Shouyin Zhang. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2015-02-25.

Inductively coupled plasma flood gun using an immersed low inductance rf coil and multicusp magnetic arrangement

Номер патента: US20130320854A1. Автор: Victor M. Benveniste,Peter F. Kurunczi,Oliver V. Naumovski. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2013-12-05.

INDUCTIVE COIL STRUCTURE AND INDUCTIVELY COUPLED PLASMA GENERATION SYSTEM

Номер патента: US20200105502A1. Автор: LEE Yun Seong,Uhm Sae Hoon. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

Near-Substrate Supplemental Plasma Density Generation with Low Bias Voltage within Inductively Coupled Plasma Processing Chamber

Номер патента: US20180204708A1. Автор: Xu Qing,Paterson Alex,Wu Ying,Sriraman Saravanapriyan,Zhang Yiting,TAN Zhongkui,FU Qian. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-19.

Inductively Coupled Plasma Source for Plasma Processing

Номер патента: US20170243721A1. Автор: LEE Dongsoo,Nagorny Vladimir,Kadavanich Andreas. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-24.

Inductively coupled plasma processing apparatus and plasma processing method using the same

Номер патента: KR20140112710A. Автор: 전상진,이정윤,전경엽,박해중. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2014-09-24.

Methods and apparatus for a hybrid capacitively-coupled and an inductively-coupled plasma processing system

Номер патента: US10276348B2. Автор: Rajinder Dhindsa,Alexei Marakhtanov,Neil Benjamin,Eric A Hudson. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2019-04-30.

Methods and apparatus for a hybrid capacitively-coupled and an inductively-coupled plasma processing system

Номер патента: CN101809722A. Автор: 拉金德尔·德辛德萨,阿列克谢·马拉赫塔诺夫,尼尔·本杰明,艾瑞克·胡德森. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2010-08-18.

Inline Capacitive Ignition of Inductively Coupled Plasma Ion Source

Номер патента: US20130305988A1. Автор: William D. Lee,William F. Divergilio,Tomoya Nakatsugawa,Walter Hrynyk,Mike Cristoforo,Robert L. Moffett. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2013-11-21.

SYMMETRICAL INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCE WITH SIDE RF FEEDS AND RF DISTRIBUTION PLATES

Номер патента: US20140021861A1. Автор: Collins Kenneth S.,Ramaswamy Kartik,FOVELL RICHARD,Rauf Shahid,Carducci James D.,KENNEY JASON A.. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-01-23.

System and method for selective coil excitation in inductively coupled plasma processing reactors

Номер патента: US20160027616A1. Автор: Yang Yang,Kartik Ramaswamy,Steven Lane,Joseph F. Aubuchon,Lawrence Wong,Travis Koh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-01-28.

SWITCHABLE MATCHING NETWORK AND AN INDUCTIVELY COUPLED PLASMA PROCESSING APPARATUS HAVING SUCH NETWORK

Номер патента: US20200090908A1. Автор: Ni Tuqiang,Iizuka Hiroshi,Zhao Kui,Pang Xiaobei. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

Magnetically Enhanced, Inductively coupled Plasma Source For a Focused Ion Beam System

Номер патента: US20150130348A1. Автор: Noel Smith,Lawrence Scipioni,Christine Charles,John Keller,Roderick Boswell,Orson Sutherland. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2015-05-14.

SYMMETRICAL INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCE WITH SIDE RF FEEDS AND SPIRAL COIL ANTENNA

Номер патента: US20140232263A1. Автор: Collins Kenneth S.,NGUYEN ANDREW,Ramaswamy Kartik,Lane Steven,Yang Yang,Rauf Shahid,KENNEY JASON A.,Vishwanath Yogananda Sarode. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-08-21.

Enhanced Ignition in Inductively Coupled Plasmas For Workpiece Processing

Номер патента: US20220310359A1. Автор: Savas Stephen E.,Ma Shawming. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-29.

MULTIPLE COIL INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCE WITH OFFSET FREQUENCIES AND DOUBLE-WALLED SHIELDING

Номер патента: US20140265832A1. Автор: Collins Kenneth S.,Ramaswamy Kartik,FOVELL RICHARD,Rauf Shahid,Carducci James D.,KENNEY JASON A.. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-09-18.

Poly-phased Inductively Coupled Plasma Source

Номер патента: US20170243720A1. Автор: Brcka Jozef. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-24.

GAS SUPPLY STRUCTURE FOR INDUCTIVELY COUPLED PLASMA PROCESSING APPARATUS

Номер патента: US20170316922A1. Автор: CHO Saeng Hyun. Владелец: VNI Solution Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-11-02.

RF ANTENNA STRUCTURE FOR INDUCTIVELY COUPLED PLASMA PROCESSING APPARATUS

Номер патента: US20170323766A1. Автор: CHO Saeng Hyun. Владелец: VNI Solution Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-11-09.

Dielectric window supporting structure for inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: US20170323767A1. Автор: Saeng Hyun Cho. Владелец: Vni Solution Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-09.

DIELECTRIC WINDOW SUPPORTING STRUCTURE FOR INDUCTIVELY COUPLED PLASMA PROCESSING APPARATUS

Номер патента: US20170323769A1. Автор: CHO Saeng Hyun. Владелец: VNI Solution Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-11-09.

DIELECTRIC WINDOW SUPPORTING STRUCTURE FOR INDUCTIVELY COUPLED PLASMA PROCESSING APPARATUS

Номер патента: US20170323770A1. Автор: CHO Saeng Hyun. Владелец: VNI Solution Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-11-09.

LOW-TEMPERATURE IONIZATION OF METASTABLE ATOMS EMITTED BY AN INDUCTIVELY COUPLED PLASMA ION SOURCE

Номер патента: US20200350142A1. Автор: KNUFFMAN Brenton J.,STEELE Adam V.. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-05.

Inductive coupled plasma reactor with improved vertical etching efficiency

Номер патента: KR100777841B1. Автор: 최대규. Владелец: 최대규. Дата публикации: 2007-11-21.

Inductively coupled plasma reactor having multi rf antenna

Номер патента: KR100772452B1. Автор: 최대규. Владелец: 최대규. Дата публикации: 2007-11-02.

Inductively coupled plasma generator using grid-type gas injection

Номер патента: KR970063436A. Автор: 장홍영,서상훈,손명호. Владелец: 손명호. Дата публикации: 1997-09-12.

Inductively coupled plasma reactor with multi laser scanning line

Номер патента: KR101434145B1. Автор: 위순임. Владелец: 주식회사 뉴파워 프라즈마. Дата публикации: 2014-08-26.

Inductively Coupled Plasma Apparatus for Large Area Processing Using Dual Frequency

Номер патента: KR100748392B1. Автор: 김경남,염근영. Владелец: 성균관대학교산학협력단. Дата публикации: 2007-08-10.

Inductively coupled plasma treatment apparatus

Номер патента: KR100785401B1. Автор: 김형준,이기영,이승배,김인준. Владелец: 세메스 주식회사. Дата публикации: 2007-12-13.

Inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: KR20220164294A. Автор: 박준수,김태민,김우현,김대일,유광종,유도형. Владелец: 주식회사 원익아이피에스. Дата публикации: 2022-12-13.

Inductively coupled plasma reactor

Номер патента: CN104821269A. Автор: 崔大圭. Владелец: Jin Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-05.

Apparatus for processing inductively coupled plasma

Номер патента: KR102195981B1. Автор: 이창근. Владелец: 인베니아 주식회사. Дата публикации: 2020-12-29.

Method for etching thin film using advanced inductively coupled plasma source

Номер патента: KR101383247B1. Автор: 최대규. Владелец: 최대규. Дата публикации: 2014-04-08.

Apparatus for processing inductively coupled plasma

Номер патента: KR20190136311A. Автор: 홍성준,최정수,신영식. Владелец: 인베니아 주식회사. Дата публикации: 2019-12-10.

Inductively coupled plasma device

Номер патента: CN105931940A. Автор: 刘军,魏钰. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-07.

Inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: KR102180640B1. Автор: 이창근,박우종. Владелец: 인베니아 주식회사. Дата публикации: 2020-11-19.

Inductively coupled plasma processing system

Номер патента: CN110416053B. Автор: 李娜,刘海洋,郭颂,刘小波,胡冬冬,程实然,许开东,李雪冬. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-16.

Modulated gap segmented antenna for inductively-coupled plasma processing system

Номер патента: US7854213B2. Автор: Jozef Brcka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-12-21.

Inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: US20220005671A1. Автор: Sung Hwan Cho,Ho-Jun Lee,Seung Bo SHIM,Doug Yong SUNG,Jee Hun Jeong,Ju-Hong Cha. Владелец: University Industry Cooperation Foundation of Pusan National University. Дата публикации: 2022-01-06.

inductive coupled plasma generation source

Номер патента: KR100415944B1. Автор: 이승원,전재홍,권기청,최성혁,한순석. Владелец: 주성엔지니어링(주). Дата публикации: 2004-01-24.

Magnetically enhanced, inductively coupled plasma source for a focused ion beam system

Номер патента: US8829468B2. Автор: Noel Smith,Lawrence Scipioni,Christine Charles,John Keller,Roderick Boswell,Orson Sutherland. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2014-09-09.

Multi Magnetized Inductively Coupled Plasmas Structure

Номер патента: KR100719804B1. Автор: 박용준,엄용택,윤대근. Владелец: 주식회사 아이피에스. Дата публикации: 2007-05-18.

Inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: KR102543128B1. Автор: 김태영,홍성재,노일호,양호식,김신평. Владелец: 주식회사 원익아이피에스. Дата публикации: 2023-06-13.

Induction coupling plasma generating equipment containing zigzag coil antenna

Номер патента: CN1498057A. Автор: ,李永东,申在光,金圣九,尤里·N·托尔马切夫,N���ж����з�. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-19.

Inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: CN211295030U. Автор: 李昌根,朴宇钟. Владелец: Invenia Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-18.

Multi inductively coupled plasma reactor and method thereof

Номер патента: US20110204023A1. Автор: Dae-Kyu Choi,Sung-Min Park,No-Hyun Huh,Gyoo-Dong Kim,Chang-Woo Nam. Владелец: Gen Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-25.

Inductively coupled plasma reactor

Номер патента: CN104821269B. Автор: 崔大圭. Владелец: Jin Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-10.

Improvements to an inductively coupled plasma source

Номер патента: KR20220031766A. Автор: 제임스 로저스,존 폴로스. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2022-03-11.

Magnetically Enhanced, Inductively Coupled Plasma Source for a Focused Ion Beam System

Номер патента: US20100294648A1. Автор: Noel Smith,Lawrence Scipioni,Christine Charles,John Keller,Roderick Boswell,Orson Sutherland. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2010-11-25.

Inductively coupled plasma processing device

Номер патента: TWI611455B. Автор: Kazuo Sasaki,Tsutomu Satoyoshi,Toshihiro Tojo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-01-11.

Single-turn and laminated-wall inductively coupled plasma sources

Номер патента: WO2020180935A1. Автор: Andrew Shabalin,Scott Polak,Yong Jiun Lee,David W. Madsen. Владелец: ADVANCED ENERGY INDUSTRIES, INC.. Дата публикации: 2020-09-10.

A kind of inductively coupled plasma body processing system

Номер патента: CN110416053A. Автор: 李娜,刘海洋,郭颂,刘小波,胡冬冬,程实然,许开东,李雪冬. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-05.

Dual mode inductively coupled plasma reactor with adjustable phase coil assembly

Номер патента: CN102054648A. Автор: 陈志刚,王泽江,肯尼思·S·柯林斯,瓦伦丁·N·托多罗夫,安德鲁·阮,萨姆尔·班纳,马丁·杰夫·萨利纳斯,安库尔·阿加瓦尔,阿尼茹达·帕. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2011-05-11.

Poly-phased inductively coupled plasma source

Номер патента: US10431425B2. Автор: Jozef Brcka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-10-01.

Magnetically enhanced inductively coupled plasma source having external linear antenna therein for large area processing

Номер патента: KR100483355B1. Автор: 이영준,김경남,염근영,송병관. Владелец: 학교법인 성균관대학. Дата публикации: 2005-04-15.

Dual mode inductively coupled plasma reactor with adjustable phase coil assembly

Номер патента: TW201130031A. Автор: Shahid Rauf,Kenneth S Collins,Andrew Nguyen,Ankur Agarwal,Aniruddha Pal,Valentin N Todorow,Samer Banna,Tse-Chiang Wang,Martin Jeff Salinas,Zhi-Gang Chen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2011-09-01.

High efficiency gas dissociation in inductively coupled plasma reactor with improved uniformity

Номер патента: US8920599B2. Автор: Saravjeet Singh,Jivko Dinev,Roy C. Nangoy. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-12-30.

Insulating material window, manufacturing method thereof and inductively coupled plasma processing device

Номер патента: CN112071734A. Автор: 左涛涛,庞晓贝. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai. Дата публикации: 2020-12-11.

Oscillator generators and methods of using them

Номер патента: US09635750B2. Автор: Tak Shun Cheung,Chui Ha Cindy WONG. Владелец: PerkinElmer Health Sciences Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Inductively coupled plasma based atomic analysis systems and methods

Номер патента: US20240369566A1. Автор: Michael Sullivan,Mark Armstrong,Alexander Loboda,Raymond Jong,Serguei VOROBIEV,Robert ROTENBERG,Maxim VORONOV,Emil D. Stratulativ. Владелец: Standard Biotools Canada Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Near-substrate supplemental plasma density generation with low bias voltage within inductively coupled plasma processing chamber

Номер патента: WO2018136121A1. Автор: Qing Xu,Qian Fu,Yiting Zhang,Saravanapriyan Sriraman,Alex Paterson,Ying Wu,Zhongkui Tan. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2018-07-26.

Torch for inductively coupled plasma

Номер патента: US20180220520A1. Автор: Javad Mostaghimi,Sina Alavi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-08-02.

ICP (Inductively Coupled Plasma) 프로세싱 챔버 내에서 저 바이어스 전압을 사용하여 기판 근방에서 보충 플라즈마 밀도 생성

Номер патента: KR20190100395A. Автор: 칭 슈,이팅 장,알렉스 패터슨,종규 탄,첸 푸,잉 우,사라바라프리얀 스리라만. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2019-08-28.

Insulated dielectric window assembly of an inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: US09437400B2. Автор: Brett C. Richardson,David Setton,Gautam Bhattacharyya. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Torch for inductively coupled plasma

Номер патента: WO2019144220A1. Автор: Javad Mostaghimi,Sina Alavi. Владелец: Sina Alavi. Дата публикации: 2019-08-01.

ICP (Inductively Coupled Plasma) 프로세싱 챔버 내에서 저 바이어스 전압을 사용하여 기판 근방에서 보충 플라즈마 밀도 생성

Номер патента: KR102552807B1. Автор: 칭 슈,이팅 장,알렉스 패터슨,종규 탄,첸 푸,잉 우,사라바라프리얀 스리라만. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2023-07-06.

Dual frequency matching circuit for inductively coupled plasma (ICP) loads

Номер патента: US12040159B2. Автор: Maolin Long. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Dual Frequency Matching Circuit for Inductively Coupled Plasma (ICP) Loads

Номер патента: US20240339298A1. Автор: Maolin Long. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Apparatus for improving plasma distribution and performance in an inductively coupled plasma

Номер патента: EP1166324A2. Автор: Jozef Brcka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2002-01-02.

Inductively coupled plasma light source

Номер патента: EP4420488A1. Автор: Kosuke Saito,Stephen F. Horne,Wolfram Neff,Robert M. Grzybinski,Michael J. Roderick. Владелец: Energetiq Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Low inductance large area coil for an inductively coupled plasma source

Номер патента: AU6289296A. Автор: Duane Charles Gates. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 1997-02-05.

Inductively coupled plasma process chamber with shield electrode interposed between antenna and dielectric window

Номер патента: EP1238407A1. Автор: Robert E. Ryan,Arthur Sato,Zhiwen Sun,Xueyu Qian,Valentin N. Todorov,Jin-Yuan Chen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2002-09-11.

Multiple coil antenna for inductively-coupled plasma generation systems

Номер патента: EP1092229A1. Автор: Jian J. Chen,Robert G. Veltrop,Thomas E. Wicker. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2001-04-18.

DYNAMIC ION RADICAL SIEVE AND ION RADICAL APERTURE FOR AN INDUCTIVELY COUPLED PLASMA (ICP) REACTOR

Номер патента: US20160181067A1. Автор: Kumar Ajay,Singh Saravjeet,SCOTT Graeme Jamieson. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

Dynamic ion radical sieve and ion radical aperture for an inductively coupled plasma (icp) reactor

Номер патента: WO2012166264A2. Автор: AJAY Kumar,Saravjeet Singh,Graeme Jamieson SCOTT. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-12-06.

Inductively coupled plasma processing apparatus for very large area using dual frequency

Номер патента: US20070012250A1. Автор: Kyong-Nam Kim,Geun-Young Yeom. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2007-01-18.

Apparatus for improving plasma distribution and performance in an inductively coupled plasma

Номер патента: EP1166324B1. Автор: Jozef Brcka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2004-03-03.

Smaller diameter coil to enhance uniformity of metal film formed by inductively coupled plasma deposition

Номер патента: WO1999054909A1. Автор: ZHENG Xu,Praburam Gopalraja,Ralf Hofmann. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 1999-10-28.

Plasma generation method and plasma generation apparatus including inductively coupled plasma generation source

Номер патента: JP3653524B2. Автор: アシュティアニ，カイハン. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2005-05-25.

Plasma immersion ion implantation apparatus including an inductively coupled plasma source having low dissociation and low minimum plasma voltage

Номер патента: US20040107908A1. Автор: Kartik Ramaswamy,Hiroji Hanawa,Amir Al-Bayati,Biagio Gallo,Andrew Nguyen,Kenneth Collins,Gonzalo MONROY. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-06-10.

An inductively-coupled plasma etch apparatus and a feedback control method thereof

Номер патента: TW200636853A. Автор: Cheng-Hung Chang,Chaung Lin,Keh-Chyang Leou,Kai-Mu Shiao. Владелец: Univ Nat Tsing Hua. Дата публикации: 2006-10-16.

Inductive coupling plasma igniting method

Номер патента: TWI272879B. Автор: Atsushi Matsushita. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-01.

Transmission line based inductively coupled plasma source with stable impedance

Номер патента: TW536437B. Автор: Marwan H Khater,Lawrence J Overzet. Владелец: Univ Texas. Дата публикации: 2003-06-11.

Transmission line based inductively coupled plasma source with stable impedance

Номер патента: AU2001286661A1. Автор: Marwan H. Khater,Lawrence J. Overzet. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2002-03-13.

Method of manufacturing optical waveguide device using inductively coupled plasma system

Номер патента: GB9821310D0. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-11-25.

Apparatus and methods for actively controlling RF peak-to-peak voltage in an inductively coupled plasma etching system

Номер патента: TW534928B. Автор: Shu Nakajima. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2003-06-01.

Substrate cooling apparatus for plasma etching device using inductively coupled plasma chamber

Номер патента: KR100468793B1. Автор: 송형승. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-03-16.

Apparatus and method for improving plasma distribution and performance in an inductively coupled plasma

Номер патента: US6474258B2. Автор: Jozef Brcka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2002-11-05.

Magnetically enhanced inductively coupled plasma reactor with magnetically confined plasma

Номер патента: US20010004920A1. Автор: Peter Loewenhardt,Gerald Yin,Philip Salzman. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2001-06-28.

Apparatus and method for improving plasma distribution and performance in inductively coupled plasma

Номер патента: CN1513197A. Автор: Լɪ��������,约瑟夫·布尔卡. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2004-07-14.

Inductively coupled plasma using an internal inductive element

Номер патента: WO2002019364A2. Автор: Jozef Brcka. Владелец: Tokyo Electron Arizona, Inc.. Дата публикации: 2002-03-07.

Plasma producing method and apparatus including an inductively-coupled plasma source

Номер патента: GB9820829D0. Автор: . Владелец: Materials Research Corp. Дата публикации: 1998-11-18.

Plasma producing method and apparatus including an inductively-coupled plasma source

Номер патента: GB2326974B. Автор: Kaihan Ashtiani. Владелец: Materials Research Corp. Дата публикации: 2000-11-15.

Apparatus and method for improving plasma distribution and performance in inductively coupled plasmas

Номер патента: JP4037760B2. Автор: ジョゼフ・ブルッカ. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-01-23.

Inductively coupled plasma processing apparatus, plasma process method and storage medium

Номер патента: KR101143742B1. Автор: 사사키 가즈오,사이토 히토시,사토 료. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2012-05-11.

Process apparatus and method for improving plasma production of an inductively coupled plasma

Номер патента: US7255774B2. Автор: Mirko Vukovic,Edward L. Sill. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-08-14.

Low inductance large area coil for an inductively coupled plasma source

Номер патента: EP0835518B1. Автор: Duane Charles Gates. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2002-02-27.

Inductance coupling plasma processing equipment and plasma processing method

Номер патента: TW200939898A. Автор: Hitoshi Saito,Ryo Sato,Kohji Yamamoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-09-16.

METHODS AND APPARATUS FOR A HYBRID CAPACITIVELY-COUPLED AND AN INDUCTIVELY-COUPLED PLASMA PROCESSING SYSTEM

Номер патента: US20160155615A1. Автор: Dhindsa Rajinder,Benjamin Neil,Hudson Eric A.,Marakhtanov Alexei. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-02.

Inductively Coupled Plasma source having internal linear antenna therein coupled with magnetic fields for large area processing

Номер патента: KR100465907B1. Автор: 이영준,김경남,염근영,송병관. Владелец: 학교법인 성균관대학. Дата публикации: 2005-01-13.

THREE-COIL INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCE WITH INDIVIDUALLY CONTROLLED COIL CURRENTS FROM A SINGLE RF POWER GENERATOR

Номер патента: US20130278142A1. Автор: Collins Kenneth S.,NGUYEN ANDREW,Ramaswamy Kartik,Lane Steven,Dorf Leonid,Rauf Shahid,KENNEY JASON A.,Liu Jonathan. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-24.

INTERNAL SPLIT FARADAY SHIELD FOR AN INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCE

Номер патента: US20150008213A1. Автор: Zhang Shouyin,Miller Thomas G.. Владелец: FEI COMPANY. Дата публикации: 2015-01-08.

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA CHAMBER HAVING A MULTI-ZONE SHOWERHEAD

Номер патента: US20180047542A1. Автор: NGUYEN ANDREW,CHANG Xue. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-15.

METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT, AND INDUCTIVELY COUPLED PLASMA PROCESSING APPARATUS

Номер патента: US20190088865A1. Автор: YAMADA Masaki. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCE

Номер патента: US20190108974A1. Автор: Rogers James,POULOSE John. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-11.

SINGLE-TURN AND LAMINATED-WALL INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCES

Номер патента: US20220277929A1. Автор: Polak Scott,Lee Yong Jiun,Shabalin Andrew,Madsen David W.. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-01.

Inductively Coupled Plasma Wafer Bevel Strip Apparatus

Номер патента: US20190131112A1. Автор: Desai Dixit V.,Ma Shawming,Pakulski Ryan M.. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA DEVICE

Номер патента: US20180174799A1. Автор: Liu Jun,Wei Yu. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

Methods for reducing etch nonuniformity in the presence of a weak magnetic field in an inductively coupled plasma reactor

Номер патента: US20140273304A1. Автор: Alvaro Garcia de Gorordo,Samer Banna,Waheb Bishara. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA APPARATUS

Номер патента: US20160196953A1. Автор: Agarwal Ankur,BANNA SAMER,NGUYEN ANDREW,Chen Zhigang,Rauf Shahid,TODOROW Valentin N.,Salinas Martin Jeff,WANG TSE-CHIANG. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

SINGLE-TURN AND LAMINATED-WALL INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCES

Номер патента: US20200286712A1. Автор: Polak Scott,Lee Yong Jiun,Shabalin Andrew,Madsen David W.. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-10.

Generator of inductively coupled plasma

Номер патента: KR100297887B1. Автор: 김홍습. Владелец: 아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2001-10-19.

Inductively coupled plasma apparatus

Номер патента: KR100318690B1. Автор: 염근영. Владелец: 우형철. Дата публикации: 2001-12-28.

Structure of chamber in etching apparatus of Inductive coupling plasma

Номер патента: KR100470999B1. Автор: 이동복. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-03-11.

Device for prducing inductively coupled plasma and method

Номер патента: KR100455350B1. Автор: 권광호,심재기. Владелец: 권광호. Дата публикации: 2004-11-06.

Inductively coupled plasma reactor

Номер патента: KR100806522B1. Автор: 최대규. Владелец: 최대규. Дата публикации: 2008-02-21.

Inductive coupling plasma processing apparatus

Номер патента: KR100745942B1. Автор: 사토요시츠토무,아마노겐지. Владелец: 동경 엘렉트론 주식회사. Дата публикации: 2007-08-02.

Inductive coupled plasma processing apparatus

Номер патента: KR20060094409A. Автор: 이창근,김형수,최준영,이영종,이정빈. Владелец: 주식회사 에이디피엔지니어링. Дата публикации: 2006-08-29.

Inductively coupled plasma reactor capable

Номер патента: KR101281191B1. Автор: 최대규. Владелец: 최대규. Дата публикации: 2013-07-02.

Apparatus for manufacturing large-size LCD substrates using inductively coupled plasma and including insulating plate

Номер патента: KR101021874B1. Автор: 권기청. Владелец: 주성엔지니어링(주). Дата публикации: 2011-03-17.

Inductively coupled plasma reactor

Номер патента: KR101281188B1. Автор: 최대규. Владелец: 최대규. Дата публикации: 2013-07-02.

Inductively coupled plasma processing equipment

Номер патента: JP4672113B2. Автор: 務 里吉,健次 天野. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-04-20.

Inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: KR100553757B1. Автор: 이강일,정지영. Владелец: 삼성에스디아이 주식회사. Дата публикации: 2006-02-20.

Inductively coupled plasma reactor with multiple magnetic cores

Номер патента: EP1850367B1. Автор: Dae-Kyu Choi. Владелец: Gen Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-21.

A temperature control device of dielectric lid for inductively-coupled plasma processing unit

Номер патента: KR100666445B1. Автор: 김재현,이상원,이용관. Владелец: 주식회사 플라즈마트. Дата публикации: 2007-01-09.

Inductively coupled plasma treatment apparatus

Номер патента: KR100631479B1. Автор: 황창훈,안정수,송하진. Владелец: 두산디앤디 주식회사. Дата публикации: 2006-10-09.

Multi inductively coupled plasma reactor and method thereof

Номер патента: KR101200743B1. Автор: 남창우,박성민,최대규,김규동,허노현. Владелец: (주)젠. Дата публикации: 2012-11-13.

Inductively coupled plasma apparatus

Номер патента: US20110094994A1. Автор: Shahid Rauf,Andrew Nguyen,Ankur Agarwal,Zhigang Chen,Valentin N. Todorow,Samer Banna,Tse-Chiang Wang,Martin Jeff Salinas. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2011-04-28.

Inductively Coupled Plasma Processing Apparatus

Номер патента: KR100897176B1. Автор: 김도근,김명수,이규성,김한기. Владелец: 삼성모바일디스플레이주식회사. Дата публикации: 2009-05-14.

Single-tube interlaced inductively coupling plasma source

Номер патента: US6855225B1. Автор: Yuh-Jia Su,David Lee Chen,Vincent Bernard Decaux. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2005-02-15.

Distributed inductively-coupled plasma source

Номер патента: US6273022B1. Автор: Hongching Shan,Claes Björkman,Mike Welch,Bryan Y. Pu,Kenny Doan,Richard Raymond Mett. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2001-08-14.

Method and chamber for inductively coupled plasma processing for cylinderical material with three-dimensional surface

Номер патента: WO2010008116A3. Автор: Hyun Seok Oh,Sung Il Chung,S.A. Nikiforov,Jeong Woo Jeon,Yu Sung Kim. Владелец: Korea Electro Technology Research Institute. Дата публикации: 2010-07-22.

Inductively coupled plasma processing method and apparatus

Номер патента: JP2003523483A. Автор: コルポ，パスカル,ロッシ，フランソワ. Владелец: ユーロピアン コミュニティ（イーシー）. Дата публикации: 2003-08-05.

Inductively coupled plasma apparatus

Номер патента: US20090133840A1. Автор: Seung-Jae Jung,Kyong-Nam Kim,Geun-Young Yeom. Владелец: SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2009-05-28.

Device for producing inductively coupled plasma and method thereof

Номер патента: AU2003208033A1. Автор: Kwang-Ho Kwon,Jae-Ki Sim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-02.

Apparatus and method for etching a substrate using inductively coupled plasma

Номер патента: JP2003505868A. Автор: レルマー フランツ,ベッカー フォルカー,シルプ アンドレア. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2003-02-12.

Inductively Coupled Plasma Sputter Chamber with Conductive Material Sputtering Capabilities

Номер патента: KR100349426B1. Автор: 로버트 바이어,알렉산더 디. 랜트스맨,제임스 에이. 세르마르코. Владелец: 도쿄 엘렉트론 가부시키가이샤. Дата публикации: 2003-01-06.

Apparatus and method for etching a substrate using inductively coupled plasma

Номер патента: JP4847671B2. Автор: レルマー フランツ,ベッカー フォルカー,シルプ アンドレア,ブライトシュヴェルト フランツ. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2011-12-28.

Inductively coupled plasma reactor with multiple magnetic cores

Номер патента: EP1850367A1. Автор: Dae-Kyu Choi. Владелец: New Power Plasma Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-31.

Inductive-coupled plasma apparatus employing shield and method for manufacturing the shield

Номер патента: TW449805B. Автор: Jin-Man Kim,Hun Cha,Baik-soon Choi,Eun-hee Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-08-11.

Apparatus and method for etching a substrate using inductively coupled plasma

Номер патента: JP2004512680A. Автор: フランツ　ブライトシュヴェルト,フォルカー　ベッカー,フランツ　レルマー,アンドレア　シルプ. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2004-04-22.

Inductively coupled plasma source for improved process uniformity

Номер патента: US20030087488A1. Автор: Steven Fink,Janusz Sosnowski. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2003-05-08.

Device and method for etching a substrate by means of an inductively coupled plasma

Номер патента: WO2001006539A1. Автор: Franz Laermer,Andrea Schilp,Volker Becker. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2001-01-25.

Device and method for the etching of a substrate by means of an inductively coupled plasma

Номер патента: EP1275133A1. Автор: Franz Laermer,Andrea Schilp,Volker Becker,Franz Breitschwerdt. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2003-01-15.

Pulsed excitation of inductively coupled plasma sources

Номер патента: WO2005029527A3. Автор: Fernando Gustavo Tomasel,Juan Jose Gonzalez,Andrew Shabalin. Владелец: Advanced Energy Ind Inc. Дата публикации: 2005-05-12.

Device and method for etching a substrate using an inductively coupled plasma

Номер патента: KR100818068B1. Автор: 벡커폴케르,레머프란츠,쉴프안드레아. Владелец: 로베르트 보쉬 게엠베하. Дата публикации: 2008-04-01.

Internal split faraday shield for an inductively coupled plasma source

Номер патента: EP2584583A2. Автор: Tom Miller,Shouyin Zhang. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2013-04-24.

Inductively coupled plasma generation system with a parallel antenna array having evenly distributed power input and ground nodes and improved field distribution

Номер патента: US20060124059A1. Автор: Yunju Ra,Harqkyun Kim. Владелец: BMR. Дата публикации: 2006-06-15.

Inductively coupled plasma reactor having RF phase control and methods of use thereof

Номер патента: TW201103086A. Автор: Valentin N Todorow,Samer Banna. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2011-01-16.

Inductively coupled plasma apparatus

Номер патента: US10573493B2. Автор: Shahid Rauf,Andrew Nguyen,Ankur Agarwal,Zhigang Chen,Valentin N. Todorow,Samer Banna,Tse-Chiang Wang,Martin Jeff Salinas. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-02-25.

Inductively coupled plasma sputter chamber with conductive material sputtering capabilities

Номер патента: AU1332895A. Автор: Robert Bayer,Alexander D Lantsman,James A Seirmarco. Владелец: Materials Research Corp. Дата публикации: 1996-05-15.

Induction coupled plasma system

Номер патента: JP2003249493A. Автор: Dong-joon Ma,Chang-wook Moon,Yuri Nikolaevich Tolmachev,東 俊 馬,ニコライビッチ トルマチェフ ユーリ,昌 郁 文,Hea-Young Yoon,惠 榮 尹. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-09-05.

Adjustable coil for inductively coupled plasma

Номер патента: WO2014099398A1. Автор: Teruo Sasagawa. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2014-06-26.

Apparatus and method for etching a substrate using inductively coupled plasma

Номер патента: JP4690618B2. Автор: レルマー フランツ,ベッカー フォルカー,シルプ アンドレア. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2011-06-01.

Transmission line based inductively coupled plasma source with stable impedance

Номер патента: US20020023899A1. Автор: Marwan Khater,Lawrence Overzet. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2002-02-28.

Reactor with inductively coupled plasma source

Номер патента: US20230033058A1. Автор: Shashank Sharma,Diwakar Kedlaya,Khokan Chandra Paul,Truong Van Nguyen,Maziar Aghvami,Vijet Patil. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Method and apparatus for inductively coupled plasma treatment

Номер патента: US20030006130A1. Автор: Pascal Colpo,François Rossi. Владелец: EURPOEAN COMMUNITY. Дата публикации: 2003-01-09.

Apparatus and method for etching a substrate using inductively coupled plasma

Номер патента: JP2003505869A. Автор: レルマー フランツ,ベッカー フォルカー,シルプ アンドレア. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2003-02-12.

Method of manufacturing optical waveguide device using inductively coupled plasma system

Номер патента: GB2329873B. Автор: Sun-Tae Jung,Dong-Su Kim,Hyung-seung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-11-10.

Apparatus, system and method for sustaining inductively coupled plasma

Номер патента: EP3965139B1. Автор: Alenka Vesel,Miran Mozetic,Rok ZAPLOTNIK,Gregor PRIMC. Владелец: INSTITUT JOZEF STEFAN. Дата публикации: 2024-03-27.

Apparatus and method for processing a substrate using inductively coupled plasma technology

Номер патента: TW200933798A. Автор: WEI Liu,Johanes Swenberg,Woong Choi,Roger Curtis,Hanh D Nguyen,Son T Nguyen,Philip A Bottini,Michael J Mark,Theresa K Guarini. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-08-01.

Multiple coil antenna for inductively-coupled plasma generation systems

Номер патента: AU4954499A. Автор: Jian J. Chen,Robert G. Veltrop,Thomas E. Wicker. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2000-01-17.

Apparatus, system and method for sustaining inductively coupled plasma

Номер патента: EP3965139C0. Автор: Alenka Vesel,Miran Mozetic,Rok ZAPLOTNIK,Gregor PRIMC. Владелец: INSTITUT JOZEF STEFAN. Дата публикации: 2024-03-27.

유도 커플링 플라즈마 (inductively coupled plasma) 에서 이온 에너지를 향상시키고 이온 에너지 확산을 감소시키기 위한 방법 및 장치

Номер патента: KR20240073030A. Автор: 알렉산더 밀러 패터슨,위호우 왕,줄린 숍,명 열 최. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2024-05-24.

Inductively coupled plasma reactor with top electrode for enhancing plasma ignition

Номер патента: US5685941A. Автор: Bradley O. Stimson,John Forster,Barney M. Cohen,George Proulx. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1997-11-11.

Inductively coupled plasma spectrometers and radio-frequency power supply therefor

Номер патента: US5383019A. Автор: Regis C. Farrell,James J. Hornsby. Владелец: Fisons Ltd. Дата публикации: 1995-01-17.

Inductively Coupled Plasma Light Source

Номер патента: US20230268167A1. Автор: Kosuke Saito,Stephen F. Horne,Wolfram Neff,Robert M. Grzybinski,Michael J. Roderick. Владелец: Energetiq Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Inductively coupled plasma light source

Номер патента: WO2023158909A1. Автор: Kosuke Saito,Stephen F. Horne,Wolfram Neff,Robert M. Grzybinski,Michael J. Roderick. Владелец: Energetiq Technology, Inc.. Дата публикации: 2023-08-24.

Inductively coupled plasma ion source with tunable radio requency power

Номер патента: US20180330909A1. Автор: Noel S. Smith,Philip J. Witham,Paul P. Tesch,Roderick W. Boswell,Noel P. Martin. Владелец: OREGON PHYSICS LLC. Дата публикации: 2018-11-15.

Inductively coupled plasma ion source with multiple antennas for wide ion beam

Номер патента: US20140042337A1. Автор: Joseph C. Olson,Costel Biloiu,Manny Sieradzki,Edward W. Bell. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2014-02-13.

Inductively Coupled Plasma Generating Device and Inductively Coupled Plasma Analysis Device

Номер патента: US20160270201A1. Автор: Ikku Yutaka,Nakagawa Yoshitomo. Владелец: HITACHI HIGH-TECH SCIENCE CORPORATION. Дата публикации: 2016-09-15.

Inductively coupled plasma generation device

Номер патента: TW201215252A. Автор: Seiji Nishikawa,Ryuichi Matsuda. Владелец: Mitsubishi Heavy Ind Ltd. Дата публикации: 2012-04-01.

Inductively Coupled Plasma Reactor With Electrodes To Improve Plasma Ignition

Номер патента: KR960002626A. Автор: 포스터 존,엠. 코헨 바니,오. 스팀슨 브래들리,플록쓰 조지. Владелец: 제임스 조셉 드롱. Дата публикации: 1996-01-26.

Inductively coupled plasma reactor with an electrode for enhancing plasma ignition

Номер патента: EP0685873B1. Автор: Bradley O. Stimson,John Forster,Barney M. Cohen,George Proulx. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1998-12-16.

Inductively Coupled Plasma Reactor With Electrodes To Improve Plasma Ignition

Номер патента: KR100328135B1. Автор: 존포스터,바니엠.코헨,브래들리오.스팀슨,조지플록쓰. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2002-08-14.

Inductance coil and inductance coupling plasma processing device

Номер патента: CN104637767B. Автор: 倪图强,梁洁. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai. Дата публикации: 2017-02-15.

THREE-COIL INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCE WITH INDIVIDUALLY CONTROLLED COIL CURRENTS FROM A SINGLE RF POWER GENERATOR

Номер патента: US20130278141A1. Автор: Collins Kenneth S.,NGUYEN ANDREW,Ramaswamy Kartik,Lane Steven,Dorf Leonid,Rauf Shahid,KENNEY JASON A.,Liu Jonathan. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-24.

Enhanced Ignition in Inductively Coupled Plasmas For Workpiece Processing

Номер патента: US20210050213A1. Автор: Savas Stephen E.,Ma Shawming. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-18.

Inductively Coupled Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition

Номер патента: US20160097118A1. Автор: Tanaka Samuel L.,Greenberg Thomas L.,Platt Christopher L.,Tong Joseph. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

Inductively Coupled Plasma For Hydrogenation of Type II Superlattices

Номер патента: US20190131486A1. Автор: Boieriu Paul,Grein Christoph H. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

Inductively coupled plasma ion source with tunable radio requency power

Номер патента: US20180330909A1. Автор: Noel S. Smith,Philip J. Witham,Paul P. Tesch,Roderick W. Boswell,Noel P. Martin. Владелец: OREGON PHYSICS LLC. Дата публикации: 2018-11-15.

METHOD FOR ATTACHMENT OF AN ELECTRODE INTO AN INDUCTIVELY-COUPLED PLASMA

Номер патента: US20150357166A1. Автор: Zhang Shouyin,Smith Noel,Skoczylas Walter,Kellogg Sean,Utlaut Mark W.,Graupera Anthony,Wells Andrew B.,Schwind Gregory A.,Parker William N.. Владелец: FEI COMPANY. Дата публикации: 2015-12-10.

METHOD OF MULTIPLE ZONE SYMMETRIC GAS INJECTION FOR INDUCTIVELY COUPLED PLASMA

Номер патента: US20150371824A1. Автор: Ramaswamy Kartik,Lane Steven,Yang Yang,Wong Lawrence. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

Inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: KR101848908B1. Автор: 최정수,정석철. Владелец: 인베니아 주식회사. Дата публикации: 2018-05-15.

Inductive couple plasma processing device

Номер патента: CN107846768A. Автор: 崔正秀. Владелец: Invenia Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Inductively-coupled plasma source

Номер патента: US20080142729A1. Автор: XING Chen. Владелец: MKS Instruments Inc. Дата публикации: 2008-06-19.

High speed metal etching method with no residues left by high frequency high power inductively coupled plasma

Номер патента: KR960012358A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1996-04-20.

RF antenna assembly for treatment of inner surfaces of tubes with inductively coupled plasma

Номер патента: US7967945B2. Автор: Yuri Glukhoy,Tatiana Kerzhner,Anna Ryaboy. Владелец: Anna Ryaboy. Дата публикации: 2011-06-28.

RF antenna structure for inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: KR101798384B1. Автор: 조생현. Владелец: (주)브이앤아이솔루션. Дата публикации: 2017-11-17.

Radio frequency power source for generating an inductively coupled plasma

Номер патента: EP1203441A1. Автор: Wayne L. Johnson,Leonard G. West. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2002-05-08.

Hybrid RF capacitively and inductively coupled plasma source using multifrequency RF powers and methods of use thereof

Номер патента: TW200824506A. Автор: Eric Hudson,Andreas Fischer,Rajinder Dhindsa,Alexei Marakhtanov. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2008-06-01.

Apparatus and method for controlling edge performance in an inductively coupled plasma chamber

Номер патента: US8999106B2. Автор: WEI Liu,Son T. Nguyen,Michael J. Mark,Hanh D. Nguyen,Roger Curtis,Philip A. Bottini,Johanes F. Swenberg. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-04-07.

Apparatus and method for controlling edge performance of an inductively coupled plasma chamber

Номер патента: JP5704923B2. Автор: ウェイ リュ，,ジョハネス， エフ． スウェンバーグ，,ジョハネス， エフ． スウェンバーグ，,ハン， ディー． グエン，,ハン， ディー． グエン，,サン， ティー． グエン，,サン， ティー． グエン，,ロジャー カーティス，,フィリップ， エー． ボッティニ，,フィリップ， エー． ボッティニ，,マイケル， ジェイ． マーク，,マイケル， ジェイ． マーク，. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-04-22.

Magnetron reactor for providing a high density, inductively coupled plasma source for sputtering metal films and dielectric films

Номер патента: DE19936199B4. Автор: Mark Feldman,Tamarak Pandumsoporn. Владелец: Alcatel Lucent SAS. Дата публикации: 2013-01-24.

For the remote inductively coupled plasma source of CVD chamber cleaning

Номер патента: CN104362066B. Автор: 卡尔A·索伦森,乔瑟夫·库德拉. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: KR101468657B1. Автор: 이창근,최지숙. Владелец: 엘아이지에이디피 주식회사. Дата публикации: 2014-12-03.

Inductively coupled plasma system

Номер патента: CN110911262B. Автор: 李兴存,张受业. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-22.

Inductively coupled plasma system

Номер патента: TW202119465A. Автор: 李興存,張受業. Владелец: 大陸商北京北方華創微電子裝備有限公司. Дата публикации: 2021-05-16.

Field enhanced inductively coupled plasma (fe-icp) reactor

Номер патента: WO2010014433A2. Автор: Kartik Ramaswamy,Michael D. Willwerth,Valentin N. Todorow,Samer Banna. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-02-04.

Radio frequency power source for generating an inductively coupled plasma

Номер патента: TW494708B. Автор: Wayne L Johnson,Leonard G West. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2002-07-11.

Inductively coupled plasma generator

Номер патента: JP5595136B2. Автор: 竜一 松田,誠二 西川. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2014-09-24.

A kind of changeable matching network and inductively coupled plasma processor

Номер патента: CN108712813B. Автор: 倪图强,赵馗,庞晓贝,饭塚浩. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai. Дата публикации: 2019-01-04.

Remote inductively coupled plasma source for CVD chamber cleaning

Номер патента: US8075734B2. Автор: Jozef Kudela,Carl A. Sorensen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2011-12-13.

Hybrid RF capacitively and inductively coupled plasma source using multifrequency RF powers and methods of use thereof

Номер патента: US20080020574A1. Автор: Eric Hudson,Andreas Fischer,Rajinder Dhindsa,Alexei Marakhtanov. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2008-01-24.

Hybrid rf capacitively and inductively coupled plasma source using multifrequency rf powers and methods of use thereof

Номер патента: US20110059615A1. Автор: Eric Hudson,Andreas Fischer,Rajinder Dhindsa,Alexei Marakhtanov. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2011-03-10.

Inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: KR20140086342A. Автор: 이창근,최지숙. Владелец: 엘아이지에이디피 주식회사. Дата публикации: 2014-07-08.

Inductively Coupled Plasma Alignment Apparatus and Method

Номер патента: AU2006201971A1. Автор: Philip Marriott,Jonathan H Bradford,Jim Stringer,Timothy A. Whitechurch. Владелец: Thermo Fisher Scientific Inc. Дата публикации: 2007-03-01.

Plasma igniter for an inductively coupled plasma ion source

Номер патента: EP2362410B1. Автор: Tom Miller,Sean Kellogg,Shouyin Zhang,Anthony Graupera,Dustin Laur,Antonius Basitianus Wilhelmus Dirriwachter. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2014-11-26.

High frequency induction coupled plasma torch with concentric pipes having flanges thereon

Номер патента: US4578560A. Автор: Gotaro Tanaka,Kunio Fujiwara,Tetsuo Miyajiri. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1986-03-25.

Torch for inductively coupled plasma spectrometry

Номер патента: US5684581A. Автор: John Barry French,Raymond Jong,Bernard Etkin. Владелец: MDS Inc. Дата публикации: 1997-11-04.

Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor

Номер патента: US09605342B2. Автор: Robert Brennan Milligan,Fred Alokozai. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-03-28.

Connector assembly for an inductively coupled plasma source

Номер патента: US09450330B2. Автор: Craig PETERS. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2016-09-20.

Inductively coupled plasma etching apparatus, and inductively coupled plasma etching method using same

Номер патента: US20240055226A1. Автор: Byung Jun Lee,Kwang Ho KWON,No Min LIM. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-02-15.

Gas distribution showerhead for inductively coupled plasma etch reactor

Номер патента: US09934979B2. Автор: Alex Paterson,Michael Kang,Ian J. Kenworthy. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Mass analysis method and inductively coupled plasma mass spectrometer

Номер патента: US09865443B2. Автор: Tadashi Taniguchi. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Inductively coupled plasma spectrometric system and inductively coupled plasma spectrometric method

Номер патента: US20210272784A1. Автор: Akihiro WAKISAKA,Yoshiyuki Teramoto. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2021-09-02.

Inductively coupled plasma MS/MS mass analyzer

Номер патента: US8610053B2. Автор: Takeo Kuwabara,Noriyuki Yamada,Jun Kitamoto. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2013-12-17.

Use of a nebulizer to add gas to eliminate metal deposition on the sampling orifices of an inductively coupled plasma mass spectrometer

Номер патента: US20030082826A1. Автор: Tracey Jacksier,Farouk Kimour,Janet Graehling. Владелец: AMERICAN LIQUIDE AMERICA Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Inductively coupled plasma mass spectrometer

Номер патента: EP4435426A1. Автор: Junichi Taniguchi,Ryo Fujita,Tomoyoshi Matsushita. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Spinning Cell Device for Fast Standardization in Laser Ablation Inductively Coupled Plasma Spectrometry

Номер патента: US20140070085A1. Автор: John L Molloy,Naomi Bier,Fanny Claverie,Julien Malherbe. Владелец: National Institute of Standards and Technology (NIST). Дата публикации: 2014-03-13.

Method for analyzing metal microparticles, and inductively coupled plasma mass spectrometry method

Номер патента: US20230335387A1. Автор: Katsuhiko Kawabata,Tatsuya Ichinose,Kohei Nishiguchi. Владелец: IAS Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Mass analysis method and inductively coupled plasma mass spectrometer

Номер патента: US20170256388A1. Автор: Tadashi Taniguchi. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Inductively Coupled Plasma For Hydrogenation of Type II Superlattices

Номер патента: US20190131486A1. Автор: Paul Boieriu,Christoph H Grein. Владелец: Sivananthan Laboratories Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

Optical emission spectroscope with a pivotably mounted inductively coupled plasma source

Номер патента: US20170343478A1. Автор: Manfred A. Bergsch. Владелец: Spectro Analytical Instruments GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-11-30.

Inductively coupled plasma ms/ms mass analyzer

Номер патента: US20130175442A1. Автор: Takeo Kuwabara,Noriyuki Yamada,Jun Kitamoto. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2013-07-11.

Apparatus for introducing samples into an inductively coupled, plasma source mass spectrometer

Номер патента: CA1307360C. Автор: Hideki Matsunaga,Naoyuki Hirate. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-09-08.

Inductively coupled plasma mass spectrometry (icp-ms) with improved signal-to-noise and signal-to-background ratios

Номер патента: US20190287776A1. Автор: Noriyuki Yamada,Erina Shimizu. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2019-09-19.

Inductively coupled plasma mass spectroscopic apparatus

Номер патента: US5939718A. Автор: Kenichi Sakata,Noriyuki Yamada,Shigeru Nawa. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1999-08-17.

Inductively coupled plasma source mass spectrometry for silicon measurement

Номер патента: US20230170197A1. Автор: Isabelle ISNARD,Marta GARCIA-CORTES. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-06-01.

Symmetrical inductively coupled plasma source with side RF feeds and spiral coil antenna

Номер патента: US09449794B2. Автор: Yang Yang,Shahid Rauf,Kartik Ramaswamy,Kenneth S. Collins,Andrew Nguyen,Steven Lane,Jason A. Kenney,Yogananda SARODE VISHWANATH. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Multiple coil inductively coupled plasma source with offset frequencies and double-walled shielding

Номер патента: US10170279B2. Автор: Shahid Rauf,Kartik Ramaswamy,Kenneth S. Collins,Richard Fovell,Jason A. Kenney,James D. Carducci. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-01-01.

Symmetrical inductively coupled plasma source with side rf feeds and spiral coil antenna

Номер патента: US20140232263A1. Автор: Yang Yang,Shahid Rauf,Kartik Ramaswamy,Kenneth S. Collins,Andrew Nguyen,Steven Lane,Jason A. Kenney,Yogananda SARODE VISHWANATH. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-08-21.

Inductively coupled plasma based atomic analysis systems and methods

Номер патента: EP4215025A4. Автор: Michael Sullivan,Mark Armstrong,Alexander Loboda,Raymond Jong,Serguei VOROBIEV,Robert ROTENBERG,Emil STRATULATIV,Maxim VORONOV. Владелец: Fluidigm Canada Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Inductively-coupled plasma reactor for plasma uniformity and efficiency enhancement and method for manufacturing semiconductor substrate using the device

Номер патента: KR101488243B1. Автор: 투치앙 니,송린 쉬,강 스. Владелец: 어드밴스드 마이크로 패브리케이션 이큅먼트 인코퍼레이티드, 상하이. Дата публикации: 2015-01-30.

Plasma reactor for inductively coupled plasma and assembling method of the same

Номер патента: KR102329032B1. Автор: 김민재,유태욱,배진호,심건보. Владелец: (주)엘오티씨이에스. Дата публикации: 2021-11-19.

Plasma reactor for inductively coupled plasma and assembling method of the same

Номер патента: KR20210141910A. Автор: 김민재,유태욱,배진호,심건보. Владелец: (주)엘오티씨이에스. Дата публикации: 2021-11-23.

Inductively Coupled Plasma Based Atomic Analysis Systems and Methods

Номер патента: US20220093382A1. Автор: Jong Raymond,Armstrong Mark,Sullivan Michael,Rotenberg Robert,Loboda Alexander,Vorobiev Serguei,Stratulativ Emil D.,Voronov Maxim. Владелец: Fluidigm Canada Inc.. Дата публикации: 2022-03-24.

Inductively-Coupled Plasma Processing Apparatus

Номер патента: US20200227236A1. Автор: Hitoshi Saito,Kazuo Sasaki,Tsutomu Satoyoshi,Toshihiro Tojo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-07-16.

REACTION GAS SUPPLY EQUIPMENT OF AN INDUCTIVE COUPLED PLASMA MASS SPECTROMETER COMPRISES AN AMMONIA SUPPLY END AND A HELIUM SUPPLY END AND A REACTION GAS SUPPLY EQUIPMENT

Номер патента: US20200294782A1. Автор: Chen Wei Fan. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-17.

Antenna Structure of Inductively Coupled Plasma Generating Device

Номер патента: KR200253559Y1. Автор: 이상원,이용관,엄세훈. Владелец: 주식회사 플라즈마트. Дата публикации: 2001-11-22.

Spectroscopy using inductively coupled plasma

Номер патента: DE69118264T2. Автор: Ian Lawrence Turner. Владелец: Varian Australia Pty Ltd. Дата публикации: 1996-08-29.

Inductively coupled plasma spectroscopy

Номер патента: CA2047571A1. Автор: Ian Lawrence Turner. Владелец: Varian Australia Pty, Ltd.. Дата публикации: 1992-01-25.

Inductively coupled plasma based atomic analysis systems and methods

Номер патента: CA3193031A1. Автор: Michael Sullivan,Mark Armstrong,Alexander Loboda,Raymond Jong,Serguei VOROBIEV,Robert ROTENBERG,Emil STRATULATIV,Maxim VORONOV. Владелец: Fluidigm Canada Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Inductively coupled plasma torch structure with flared outlet

Номер патента: TW202300893A. Автор: 丹尼爾 R 懷德林,蓋瑞 Ｊ 貝瑞特,凱文 懷德林. Владелец: 美商自然科學公司. Дата публикации: 2023-01-01.

Inductively coupled plasma torch with reverse vortex flow and method of operation

Номер патента: WO2020092236A9. Автор: Alexander Loboda,Adam CAREW. Владелец: Fluidigm Canada Inc.. Дата публикации: 2021-04-22.

Antenna unit and inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: KR101351661B1. Автор: 히토시 사이토,료 사토. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2014-01-14.

Inductively-coupled plasma torch

Номер патента: US20060024199A1. Автор: Kenichi Sakata,Hiroaki Tao,Tetsuya Nakazato. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2006-02-02.

Plasma apparatus

Номер патента: EP3611752A1. Автор: Paul Bennett. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2020-02-19.

Plasma apparatus

Номер патента: US20200058466A1. Автор: Paul Bennett. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Methods and Structures for Rapid Switching Between Different Process Gases in an Inductively-Coupled Plasma (ICP) Ion Source

Номер патента: US20140306607A1. Автор: Kellogg Sean,Parker N. William,Utlaut Mark W.,Graupera Anthony. Владелец: FEI COMPANY. Дата публикации: 2014-10-16.

Method and Apparatus for Actively Monitoring an Inductively-Coupled Plasma Ion Source using an Optical Spectrometer

Номер патента: US20130250293A1. Автор: N. William Parker,Mark W. Utlaut,Sean Kellogg,Shouyin Zhang,Anthony Graupera,Philip Brundage,Doug Kinion. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2013-09-26.

Inductively-coupled plasma ion source for use with a focused ion beam column with selectable ions

Номер патента: US20160027607A1. Автор: Anthony Graupera,Charles Otis. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2016-01-28.

Inductively coupled plasma source as an electron beam source for spectroscopic analysis

Номер патента: US8716673B2. Автор: Brian Roberts Routh, JR.. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2014-05-06.

Inductively-coupled plasma ion source for use with a focused ion beam column with selectable ions

Номер патента: US8822913B2. Автор: Anthony Graupera,Charles Otis. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2014-09-02.

Methods and structures for rapid switching between different process gases in an inductively-coupled plasma (IPC) ion source

Номер патента: EP2546863B1. Автор: N. William Parker,Mark Utlaut,Sean Kellogg,Anthony Graupera. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2014-01-08.

Method of processing surface of silicon carbide plates in low-temperature inductively coupled plasma

Номер патента: RU2708812C1. Автор: Сергей Евгеньевич Александров,Артём Арменакович Осипов,Екатерина Вячеславовна Ендиярова. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ"). Дата публикации: 2019-12-11.

Method for removing burrs of battery electrode plates by inductively coupled plasma dry etching

Номер патента: US20140042121A1. Автор: Tao Tao,Yi Li,Peng Chen,Bing Liu,Yi Shi,Rong Zhang,Ping Han,Ting Zhi,Zhili Xie,Zhiguo Yu,Xiangqian Xiu,Youdou Zheng. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-02-13.

Method for removing burrs of battery electrode plates by inductively coupled plasma dry etching

Номер патента: US9276254B2. Автор: Tao Tao,Yi Li,Peng Chen,Bing Liu,Yi Shi,Rong Zhang,Ping Han,Ting Zhi,Zhili Xie,Zhiguo Yu,Xiangqian Xiu,Youdou Zheng. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-03-01.

Method for Fabricating Solar Cell Using Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition

Номер патента: US20120077306A1. Автор: Jong Ho Lee,Ho-Sung Kim,Chaehwan JEONG,Seongjae Boo. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2012-03-29.

High efficiency inductively coupled plasma source with customized RF shield for plasma profile control

Номер патента: US09945033B2. Автор: Samer Banna,Vladimir KNYAZIK,Valentin Todorow,Waheb Bishara. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Symmetrical inductively coupled plasma source with symmetrical flow chamber

Номер патента: US09745663B2. Автор: Shahid Rauf,Kartik Ramaswamy,Kenneth S. Collins,Andrew Nguyen,Ajit Balakrishna,Douglas A. Buchberger, Jr.,Richard Fovell,Ankur Agarwal,Jason A. Kenney,James D. Carducci,Leonid Dorf. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Inductively coupled plasma source with multiple dielectric windows and window-supporting structure

Номер патента: US09896769B2. Автор: Shahid Rauf,Kartik Ramaswamy,Kenneth S. Collins,Andrew Nguyen,Ajit Balakrishna,Douglas A. Buchberger, Jr.,Richard Fovell,Ankur Agarwal,Jason A. Kenney,James D. Carducci,Leonid Dorf. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Elemental analysis preprocessing container, elemental analysis method, inductive coupling plasma torch and elemental analysis device

Номер патента: TW200508430A. Автор: Masataka Arai,Noboru Kimura,Zoji Kuniya. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2005-03-01.

Elemental analysis preprocessing container, elemental analysis method, inductive coupling plasma torch and elemental analysis device

Номер патента: TWI304102B. Автор: Masataka Arai,Noboru Kimura,Joji Kuniya. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2008-12-11.

Symmetrical inductively coupled plasma source with symmetrical flow chamber

Номер патента: US20140020835A1. Автор: Shahid Rauf,Kartik Ramaswamy,Kenneth S. Collins,Andrew Nguyen,Ajit Balakrishna,Douglas A. Buchberger, Jr.,Ankur Agrawal,Richard Fovell,Jason A. Kenney,James D. Carducci,Leonid Dorf. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Torch for inductively coupled plasma

Номер патента: US20180220520A1. Автор: Javad Mostaghimi,Sina Alavi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-08-02.

Symmetrical Inductively Coupled Plasma Source with Symmetrical Flow Chamber

Номер патента: US20170350017A1. Автор: Agarwal Ankur,Collins Kenneth S.,NGUYEN ANDREW,Ramaswamy Kartik,FOVELL RICHARD,BALAKRISHNA AJIT,Dorf Leonid,Rauf Shahid,Carducci James D.,BUCHBERGER,JR. DOUGLAS A.,KENNEY JASON A.. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-07.

Inductively Coupled Plasma Source with Multiple Dielectric Windows and Window Supporting Structure

Номер патента: US20170350018A1. Автор: Agarwal Ankur,Collins Kenneth S.,NGUYEN ANDREW,Ramaswamy Kartik,FOVELL RICHARD,BALAKRISHNA AJIT,Dorf Leonid,Rauf Shahid,Carducci James D.,KENNEY JASON A.,Buchberger Douglas A.. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-07.

Gas introducing apparatus and inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: KR101778334B1. Автор: 아츠시 헤미,나오야 사에구사. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2017-09-13.

Symmetrical inductively coupled plasma source with symmetrical flow chamber

Номер патента: CN104412717A. Автор: K·S·柯林斯,K·拉马斯瓦米,A·阿加瓦尔,J·A·肯尼,L·多尔夫,A·恩盖耶,S·拉乌夫,J·D·卡达希,D·A·布齐伯格,A·巴拉克利斯纳,R·福韦尔. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-03-11.

Inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: KR101768744B1. Автор: 도시히로 도조,츠토무 사토요시,가즈오 사사키. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2017-08-17.

An insulated dielectric window assembly of an inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: SG194336A1. Автор: Bhattacharyya Gautam,Setton David,C Richardson Brett. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2013-11-29.

Inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: US8597463B2. Автор: Kazuo Sasaki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-12-03.

Inductive couple plasma processing device

Номер патента: CN104299879B. Автор: 山田洋平,佐佐木和男,笠原稔大. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Inductive coupled plasma device

Номер патента: KR101104571B1. Автор: 차오리 송,지안회이 난. Владелец: 베이징 엔엠씨 씨오., 엘티디.. Дата публикации: 2012-01-11.

Film formation device for performing sputtering film formation with inductively coupled plasma

Номер патента: WO2021261484A1. Автор: 栄 田中. Владелец: 三国電子有限会社. Дата публикации: 2021-12-30.

Magnetic-field concentration in inductively coupled plasma reactors

Номер патента: TW200629375A. Автор: Ellie Y Yieh,Steven H Kim,Jason Bloking,Irene Chou,qi-wei Liang,si-qing Lu,mao-lin Long,Can-Feng Lai. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2006-08-16.

Embedded multi-inductive large area plasma source

Номер патента: US20080308409A1. Автор: Jozef Brcka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-12-18.

Particulate anode materials and methods for their preparation by inductively-coupled plasma

Номер патента: US20240097110A1. Автор: Jiayin Guo,Abdelbast Guerfi,Karim Zaghib,Dominic Leblanc,Maher Boulos,Richard DOLBEC. Владелец: Tekna Plasma Systems Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Hybrid plasma reactor

Номер патента: US09451686B2. Автор: Dae-Kyu Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-20.

A radio frequency inductively coupled plasma (rf-icp) torch

Номер патента: US20230345611A1. Автор: Javad Mostaghimi,Patrick Michael MIREK,Sina Alavi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-26.

Inductively coupled plasma torches and methods and systems including same

Номер патента: AU2022209881A9. Автор: William Fisher,Tak Shun Cheung,Chui Ha Cindy WONG,Hamid R. Badiei. Владелец: Perkinelmer Scient Canada Ulc. Дата публикации: 2024-10-17.

Inductively coupled plasma torches and methods and systems including same

Номер патента: AU2022209881A1. Автор: William Fisher,Tak Shun Cheung,Chui Ha Cindy WONG,Hamid R. Badiei. Владелец: Perkinelmer Scient Canada Ulc. Дата публикации: 2023-08-17.

Inductively coupled plasma torches and methods and systems including same

Номер патента: CA3208773A1. Автор: William Fisher,Tak Shun Cheung,Chui Ha Cindy WONG,Hamid R. Badiei. Владелец: Perkinelmer Health Sciences Canada Ulc. Дата публикации: 2022-07-28.

Inductively coupled plasma torches and methods and systems including same

Номер патента: EP4272519A1. Автор: William Fisher,Tak Shun Cheung,Chui Ha Cindy WONG,Hamid R. Badiei. Владелец: PerkinElmer Scientific Canada ULC. Дата публикации: 2023-11-08.

Inductively coupled plasma generation source electrode and substrate processing apparatus comprising the same

Номер патента: KR101117670B1. Автор: 이경호. Владелец: 주식회사 테라세미콘. Дата публикации: 2012-03-07.

Inductively coupled plasma torches and methods and systems including same

Номер патента: US20220232691A1. Автор: William Fisher,Tak Shun Cheung,Chui Ha Cindy WONG,Hamid R. Badiei. Владелец: PerkinElmer Health Sciences Canada Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

Inductively coupled plasma-generating source electrode and substrate-processing apparatus comprising same

Номер патента: WO2010087648A2. Автор: 이경호. Владелец: 주식회사 테라세미콘. Дата публикации: 2010-08-05.

Double-frequency power-driven inductively coupled plasma torch, and apparatus for generating nanoparticle using same

Номер патента: US10785860B2. Автор: Jeong-Soo Kim,Dong-Won Yun,Jun-Ho SEO,Hee-Chang Park,Mi-yeon Lee,Junseok NAM. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Chonbuk National University. Дата публикации: 2020-09-22.

Inductively coupled plasma reactor with core cover

Номер патента: KR101349195B1. Автор: 최대규. Владелец: 최대규. Дата публикации: 2014-01-09.

Method and system for reducing damage to substrates during plasma processing with a resonator source

Номер патента: WO2001046492A1. Автор: Murray D. Sirkis,Wayne L. Johnson. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2001-06-28.

Inductively coupled plasma torch intergrated with cylindrically molded structure of induction coil

Номер патента: KR100631828B1. Автор: 서준호,홍상희. Владелец: 재단법인서울대학교산학협력재단. Дата публикации: 2006-10-04.

SYMMETRICAL INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCE WITH COAXIAL RF FEED AND COAXIAL SHIELDING

Номер патента: US20140020838A1. Автор: Collins Kenneth S.,Ramaswamy Kartik,FOVELL RICHARD,Rauf Shahid,Carducci James D.,KENNEY JASON A.. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-23.

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCE WITH SYMMETRICAL RF FEED

Номер патента: US20140020839A1. Автор: Collins Kenneth S.,Ramaswamy Kartik,FOVELL RICHARD,Rauf Shahid,Carducci James D.,KENNEY JASON A.. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-23.

INDUCTIVELY-COUPLED PLASMA ION SOURCE FOR USE WITH A FOCUSED ION BEAM COLUMN WITH SELECTABLE IONS

Номер патента: US20150129759A1. Автор: Graupera Anthony,Otis Charles. Владелец: FEI COMPANY. Дата публикации: 2015-05-14.

Imtroduction of samples do inductively coupled plasma

Номер патента: GB9316742D0. Автор: . Владелец: UNIVERSITY OF WATERLOO. Дата публикации: 1993-09-29.

ANTENNA UNIT FOR INDUCTIVELY COUPLED PLASMA, INDUCTIVELY COUPLED PLASMA PROCESSING APPARATUS AND METHOD THEREFOR

Номер патента: US20130200043A1. Автор: Sato Ryo,TOJO Toshihiro. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2013-08-08.

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURE WITH PHASE CONTROL

Номер патента: US20130106286A1. Автор: BANNA SAMER,TODOROW VALENTIN,Chen Zhigang. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-05-02.

INDEPENDENT CONTROL OF RF PHASES OF SEPARATE COILS OF AN INDUCTIVELY COUPLED PLASMA REACTOR

Номер патента: US20130284370A1. Автор: Kobayashi Satoru,Collins Kenneth S.,Ramaswamy Kartik,Yang Yang,Rauf Shahid,Wong Lawrence,Liu Jonathan. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-31.

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCE WITH PLURAL TOP COILS OVER A CEILING AND AN INDEPENDENT SIDE COIL

Номер патента: US20140020836A1. Автор: Agarwal Ankur,Collins Kenneth S.,NGUYEN ANDREW,Ramaswamy Kartik,FOVELL RICHARD,BALAKRISHNA AJIT,Dorf Leonid,Rauf Shahid,Carducci James D.,BUCHBERGER,JR. DOUGLAS A.,KENNEY JASON A.. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-23.

System, Method and Apparatus for an Inductively Coupled Plasma Arc Whirl Filter Press

Номер патента: US20170135191A1. Автор: Foret Todd. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

DOUBLE-FREQUENCY POWER-DRIVEN INDUCTIVELY COUPLED PLASMA TORCH, AND APPARATUS FOR GENERATING NANOPARTICLE USING SAME

Номер патента: US20180192504A1. Автор: Kim Jeong-Soo,Yun Dong-Won,SEO Jun-Ho,LEE Mi-yeon,PARK Hee-Chang,NAM Junseok. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-05.

HYBRID IMPEDANCE MATCHING FOR INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SYSTEM

Номер патента: US20150313000A1. Автор: Thomas George,Wongsenakhum Panya,Juarez Francisco J.. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-29.

Inductively Coupled Plasma Apparatus

Номер патента: KR101715340B1. Автор: 이윤성,엄세훈. Владелец: 인투코어테크놀로지 주식회사. Дата публикации: 2017-03-13.

System, method and apparatus for an inductively coupled plasma Arc Whirl filter press

Номер патента: US9560731B2. Автор: Todd Foret. Владелец: Foret Plasma Labs LLC. Дата публикации: 2017-01-31.

Inductively Coupled Plasma Apparatus

Номер патента: KR102280380B1. Автор: 이윤성,엄세훈. Владелец: 인투코어테크놀로지 주식회사. Дата публикации: 2021-07-22.

A kind of inductively coupled plasma processor

Номер патента: CN106937474A. Автор: 周旭升,黄智林. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai. Дата публикации: 2017-07-07.

A kind of water cooling cage high-frequency induction coupled plasma reactor

Номер патента: CN107182164A. Автор: 刘祥,马建平,刘金涛,陈连忠,陈海群,朱兴营,周法. Владелец: China Academy of Aerospace Aerodynamics CAAA. Дата публикации: 2017-09-19.

Diagnostic and calibration system for inductively coupled plasma mass spectrometer

Номер патента: JP4822346B2. Автор: 健一 阪田,辰也 渋川. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2011-11-24.

Inductively coupled plasma processing device

Номер патента: TWI655882B. Автор: 黄允文,狄 吳,連增迪,劉季霖. Владелец: 中微半導體設備（上海）有限公司. Дата публикации: 2019-04-01.

Deposition of superconducting thick films by spray inductively coupled plasma method

Номер патента: US5032568A. Автор: Yuk-Chiu Lau,Emil Pfender. Владелец: University of Minnesota. Дата публикации: 1991-07-16.

Enhanced ignition in inductively coupled plasmas for workpiece processing

Номер патента: US11848204B2. Автор: Shawming Ma,Stephen E. Savas. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Enhanced ignition in inductively coupled plasmas for workpiece processing

Номер патента: EP4000088A1. Автор: Shawming Ma,Stephen E. Savas. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-25.

Enhanced ignition in inductively coupled plasmas for workpiece processing

Номер патента: WO2021030342A1. Автор: Shawming Ma,Stephen E. Savas. Владелец: Beijing E-town Semiconductor Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-02-18.

Enhanced Ignition in Inductively Coupled Plasmas For Workpiece Processing

Номер патента: US20210050213A1. Автор: Shawming Ma,Stephen E. Savas. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-18.

Enhanced Ignition in Inductively Coupled Plasmas For Workpiece Processing

Номер патента: US20240071754A1. Автор: Shawming Ma,Stephen E. Savas. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Method and apparatus for high efficiency gas dissociation in inductive coupled plasma reactor

Номер патента: WO2011037757A3. Автор: AJAY Kumar,Saravjeet Singh,Jon C. Farr,Sharma V. Pamarthy,Roy C. Nangoy. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2011-06-23.

Adjustment of deposition uniformity in an inductively coupled plasma source

Номер патента: TW405162B. Автор: Praburam Gopalraja,Murali Narasimhan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-09-11.

Apparatus for producing sample vapour for transferral into an inductively coupled plasma

Номер патента: GB9200536D0. Автор: . Владелец: Bodenseewerk Perkin Elmer and Co GmbH. Дата публикации: 1992-02-26.

Sample introduction device, inductively coupled plasma analyzing device and analyzing method

Номер патента: US20210333212A1. Автор: Shinichi Miyashita,Shinichiro Fujii,Taisuke Mizuno,Kazumi INAGAKI. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Apparatus for inductively coupled plasma mass spectrometry

Номер патента: GB202409404D0. Автор: . Владелец: Thermo Fisher Scientific Bremen GmbH. Дата публикации: 2024-08-14.

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA MS/MS MASS ANALYZER

Номер патента: US20130175442A1. Автор: YAMADA NORIYUKI,KITAMOTO JUN,KUWABARA TAKEO. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2013-07-11.

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA ION SOURCE WITH MULTIPLE ANTENNAS FOR WIDE ION BEAM

Номер патента: US20140042337A1. Автор: Biloiu Costel,Olson Joseph C.,Bell Edward W.,Sieradzki Manny. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2014-02-13.

Gas distribution showerhead for inductively coupled plasma etch reactor

Номер патента: US20140065827A1. Автор: Alex Paterson,Michael Kang,Ian J. Kenworthy. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Spinning Cell Device for Fast Standardization in Laser Ablation Inductively Coupled Plasma Spectrometry

Номер патента: US20140070085A1. Автор: Molloy John L,Bier Naomi,Claverie Fanny,Malherbe Julien. Владелец: THE NATIONAL INSTITUTE OF STANDARDS AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2014-03-13.

INTERCHANGEABLE, VISUALLY MARKED SAMPLE INTRODUCTION SYSTEM MOUNTING STRUCTURE AND COMPONENTS FOR INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SYSTEMS

Номер патента: US20170010216A1. Автор: Wiederin Daniel R.. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-12.

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA MASS SPECTROMETRY (ICP-MS) WITH IMPROVED SIGNAL-TO-NOISE AND SIGNAL-TO-BACKGROUND RATIOS

Номер патента: US20210050199A1. Автор: YAMADA NORIYUKI,Shimizu Erina. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-18.

ION SOURCE FOR INDUCTIVELY COUPLED PLASMA MASS SPECTROMETRY

Номер патента: US20220181135A1. Автор: GUNTHER Detlef,HATTENDORF Bodo,VONDERACH Thomas. Владелец: ETH Zurich. Дата публикации: 2022-06-09.

Skimmer cone and inductively coupled plasma mass spectrometer

Номер патента: US20210142995A1. Автор: Shinichi Asahi. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

AUTOMATED DETECTION OF NANOPARTICLES USING SINGLE-PARTICLE INDUCTIVELY COUPLED PLASMA MASS SPECTROMETRY (SP-ICP-MS)

Номер патента: US20200135443A1. Автор: Itagaki Takayuki,Wilbur Steven,Yamanaka Michiko. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA MASS SPECTROMETER WITH MASS CORRECTION

Номер патента: US20200144046A1. Автор: SUGIYAMA Naoki,Liba Amir,Kelinske Mark Lee,Woods Glenn David. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2020-05-07.

Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor

Номер патента: US20150184291A1. Автор: Robert Brennan Milligan,Fred Alokozai. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2015-07-02.

PROCESS GAS MANAGEMENT FOR AN INDUCTIVELY-COUPLED PLASMA DEPOSITION REACTOR

Номер патента: US20170191164A1. Автор: Alokozai Fred,Milligan Robert Brennan. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

SYSTEMS AND METHODS FOR AUTOMATED OPTIMIZATION OF A MULTI-MODE INDUCTIVELY COUPLED PLASMA MASS SPECTROMETER

Номер патента: US20150235827A1. Автор: Badiei Hamid,Patel Pritesh,Bazargan Samad. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

Systems and Methods for Automated Analysis of Output In Single Particle Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry and Similar Data Sets

Номер патента: US20150235833A1. Автор: Badiei Hamid,Bazargan Samad. Владелец: PerkinElmer Health Sciences, Inc.. Дата публикации: 2015-08-20.

Recursive coils for inductively coupled plasmas

Номер патента: US20200219698A1. Автор: II Jay D. Pinson,Rupankar CHOUDHURY,Zheng John Ye,Luke Bonecutter,Abhijit Kangude. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

Mass analysis method and inductively coupled plasma mass spectrometer

Номер патента: US20170256388A1. Автор: Tadashi Taniguchi. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Ionized Physical Vapor Deposition (IPVD) Apparatus And Method For An Inductively Coupled Plasma Sweeping Source

Номер патента: US20170278686A1. Автор: Brcka Jozef. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-28.

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA MASS SPECTROMETRY (ICP-MS) WITH IMPROVED SIGNAL-TO-NOISE AND SIGNAL-TO-BACKGROUND RATIOS

Номер патента: US20190287776A1. Автор: YAMADA NORIYUKI,Shimizu Erina. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-19.

Gas distribution showerhead for inductively coupled plasma etch reactor

Номер патента: US20150318147A1. Автор: Alex Paterson,Michael Kang,Ian J. Kenworthy. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2015-11-05.

SELF-IONIZED AND INDUCTIVELY-COUPLED PLASMA FOR SPUTTERING AND RESPUTTERING

Номер патента: US20180327893A1. Автор: Fu Jianming,Xu Zheng,FORSTER John C.,GOPALRAJA Praburam,TANG XIANMIN,MILLER Michael A.,DING Peijun,SUNDARRAJAN Arvind,TAO RONG,Lubben Daniel C.,RENGARAJAN Suraj,MOSELY Roderick C.,CHEN Fusen. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-15.

OPTICAL EMISSION SPECTROSCOPE WITH A PIVOTABLY MOUNTED INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCE

Номер патента: US20170343478A1. Автор: BERGSCH Manfred A.. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

SYSTEMS AND METHODS FOR AUTOMATED ANALYSIS OF OUTPUT IN SINGLE PARTICLE INDUCTIVELY COUPLED PLASMA MASS SPECTROMETRY AND SIMILAR DATA SETS

Номер патента: US20170358438A1. Автор: Badiei Hamid,Bazargan Samad. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-14.

CONNECTOR ASSEMBLY FOR AN INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCE

Номер патента: US20150380864A1. Автор: Peters Craig. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-31.

Systems and methods for automated analysis of output in single particle inductively coupled plasma mass spectrometry and similar data sets

Номер патента: US9754774B2. Автор: Samad Bazargan,Hamid Badiei. Владелец: PerkinElmer Health Sciences Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for analyzing metal microparticles, and inductively coupled plasma mass spectrometry method

Номер патента: EP3739329A1. Автор: Katsuhiko Kawabata,Tatsuya Ichinose,Kohei Nishiguchi. Владелец: IAS Inc. Дата публикации: 2020-11-18.

Inductively coupled plasma mass spectrometry

Номер патента: JP2904507B2. Автор: 秀樹 松永. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-06-14.

Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor

Номер патента: US9021985B2. Автор: Robert Brennan Milligan,Fred Alokozai. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2015-05-05.

Inductively coupled plasma mass spectrometer with mass correction

Номер патента: CN111146071A. Автор: 杉山尚树,A·利巴,M·L·克林斯克,G·D·伍兹. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2020-05-12.

Inductively Coupled Plasma Apparatus of Module Type for Large Area Processing

Номер патента: KR100599816B1. Автор: 김경남,정승재,염근영. Владелец: 학교법인 성균관대학. Дата публикации: 2006-07-13.

Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor

Номер патента: KR102044040B1. Автор: 로버트 브레넌 밀리건,프레드 알로코자이. Владелец: 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.. Дата публикации: 2019-11-12.

Metal particle analysis method and inductively coupled plasma mass spectrometry method

Номер патента: KR102181778B1. Автор: 가츠히코 가와바타,다츠야 이치노세,고헤이 니시구치. Владелец: 가부시키가이샤 이아스. Дата публикации: 2020-11-24.

Interchangeable sample introduction system mounting structure and components with visual indicia for inductively coupled plasma systems

Номер патента: CN108027327B. Автор: D·R·维德林. Владелец: Basic Science Corp. Дата публикации: 2021-08-13.

Method and apparatus for improving sidewall coverage during sputtering in a chamber with inductively coupled plasma

Номер патента: KR19980070835A. Автор: 공다 야오,쳉 수. Владелец: 어플라이드머티어리얼스,인코포레이티드. Дата публикации: 1998-10-26.

Test solution manufacturing method for analyzing inductively coupled plasma of samples comprising more than 2% of tungsten in steels

Номер патента: KR101916260B1. Автор: 박장근,신선휴,최엄두. Владелец: 주식회사 포스코. Дата публикации: 2018-11-07.

Apparatus for manufacturing large-size LCD substrates using inductively coupled plasma and including insulating plate

Номер патента: KR101063740B1. Автор: 권기청. Владелец: 주성엔지니어링(주). Дата публикации: 2011-09-08.

Systems and methods for automated optimization of a multi-mode inductively coupled plasma mass spectrometer

Номер патента: CA2938675A1. Автор: Samad Bazargan,Hamid Badiei,Pritesh Patel. Владелец: PerkinElmer Health Sciences Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Enhanced inductively coupled plasma reactor

Номер патента: KR100311234B1. Автор: 오범환,김철호,정재성,박세근. Владелец: 학교법인 인하학원. Дата публикации: 2001-11-02.

Systems and methods for automated optimization of a multi-mode inductively coupled plasma mass spectrometer

Номер патента: AU2015218336B2. Автор: Samad Bazargan,Hamid Badiei,Pritesh Patel. Владелец: PerkinElmer Health Sciences Inc. Дата публикации: 2019-08-15.

Inductively coupled plasma chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: GB2311298B. Автор: Jin Jang,Se-Il Cho,Jae-Gak Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-09-29.

Inductively coupled plasma mass spectrometer

Номер патента: JP4903515B2. Автор: 健一 阪田,憲幸 山田. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2012-03-28.

Method and apparatus for improving sidewall coverage during sputtering in a chamber having an inductively coupled plasma

Номер патента: US6899799B2. Автор: Seshadri Ramaswami,Kenny King-Tai Ngan,Ying Yin Hui. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2005-05-31.

Inductively coupled plasma chemical vapor deposition system

Номер патента: JP4713903B2. Автор: 漢 基 金,明 洙 許,明 洙 金,奎 成 李,錫 憲 鄭. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-29.

Interchangeable, visually marked sample introduction system mounting structure and components for inductively coupled plasma systems

Номер патента: US10837911B2. Автор: Daniel R. Wiederin. Владелец: Elemental Scientific Inc. Дата публикации: 2020-11-17.

Gas distribution showerhead for inductively coupled plasma etch reactor

Номер патента: US8562785B2. Автор: Alex Paterson,Michael Kang,Ian J. Kenworthy. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2013-10-22.

Gas Distribution Showerhead For Inductively Coupled Plasma Etch Reactor

Номер патента: KR101985031B1. Автор: 알렉스 패터슨,마이클 강,제이. 켄워시 이안. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2019-05-31.

Gas distribution showerhead for inductively coupled plasma etch reactor

Номер патента: TW201300570A. Автор: Alex Paterson,Michael Kang,Ian J Kenworthy. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2013-01-01.

Method and apparatus for enhancing sidewall coverage during sputtering in a chamber having an inductively coupled plasma

Номер патента: US6451179B1. Автор: ZHENG Xu,Gongda Yao. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2002-09-17.

Processes used in an inductively coupled plasma reactor

Номер патента: US20020004309A1. Автор: Tetsuya Ishikawa,David W. Groechel,Jeffrey Marks,Jerry Yuen-Kui Wong,Peter R. Keswick,Chan-Lon Yang,Kenneth S. Collins,Craig A. Roderick,John R. Trow,Lawrence Chang-Lai Lei,Masato M. Toshima,Jay D. Pinson. Владелец: Jay D. Pinson. Дата публикации: 2002-01-10.

Connection arrangement for an inductively coupled plasma source

Номер патента: DE102015211095A1. Автор: Craig PETERS. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2015-12-31.

Systems and methods for automated analysis of output in single particle inductively coupled plasma mass spectrometry and similar data sets

Номер патента: US10431444B2. Автор: Samad Bazargan,Hamid Badiei. Владелец: PerkinElmer Health Sciences Inc. Дата публикации: 2019-10-01.

Improved sample chamber for laser ablation inductively coupled plasma mass spectroscopy

Номер патента: WO2011123664A3. Автор: Leif Summerfield,Jay Wilkins,Robert Hutchinson,Shane Hilliard. Владелец: ELECTRO SCIENTIFIC INDUSTRIES, INC.. Дата публикации: 2012-02-23.

Self-ionized and inductively-coupled plasma for sputtering and resputtering

Номер патента: US20050006222A1. Автор: RONG Tao,Arvind Sundarrajan,Michael Miller,ZHENG Xu,Roderick Mosely,Praburam Gopalraja,Peijun Ding,Xianmin Tang,Jianming Fu,Fusen Chen,John Forster,Suraj Rengarajan,Daniel Lubben. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2005-01-13.

Gas distribution showerhead for inductively coupled plasma etch reactor

Номер патента: TWI563121B. Автор: Alex Paterson,Michael Kang,Ian J Kenworthy. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2016-12-21.

Side wall magnet improving uniformity of inductively coupled plasma and shield used therewith

Номер патента: JP2011080154A. Автор: Peijun Ding,Xianmin Tang,John Forster,Marc Schweitzer,Tza-Jing Gung,Ilya Lavitsky,ペイジュン ディン，,Keith A Miller,タザ‐ジン グァング，,シャンミン タン，,ジョン フォースター，,マーク シュバイツァー，,キース， エー． ミラー，,イリヤ ラヴィトスキー，. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2011-04-21.

Connector assembly for inductively coupled plasma source

Номер патента: JP6670487B2. Автор: ピーターズ クレイグ. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2020-03-25.

Methods And Apparatus For Pulsed Inductively Coupled Plasma For Surface Treatment Processing

Номер патента: US20210343506A1. Автор: Shuang Meng,Hua Chung,Michael X. Yang,Shawming Ma,Ryan M. Pakulski,Haichun Yang,QiQun Zhang,Ting Xie,Haochen Li,Dave Kohl. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Series connection collision/reaction tank of inductivity coupled plasma mass spectrometry analysis

Номер патента: CN110277299A. Автор: 山田宪幸,惠理奈清水,悠冈本. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2019-09-24.

Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor

Номер патента: US10023960B2. Автор: Robert Brennan Milligan,Fred Alokozai. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-07-17.

Gas distribution showerhead for inductively coupled plasma etching reactor

Номер патента: JP5891300B2. Автор: カン・マイケル,パターソン・アレックス,ケンワーシー・イアン・ジェイ．. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-03-22.

Inductively coupled plasma CVD

Номер патента: KR100497778B1. Автор: 브라이언 맥밀린,폴 케빈 셔플보담,알렉스 티. 디모스,후옹 구옌,부치 베르니,모니크 벤-도르. Владелец: 램 리서치 코포레이션. Дата публикации: 2005-06-23.

Sidewall magnet improving uniformity of inductively coupled plasma and shields used therewith

Номер патента: CN1813332A. Автор: 丁培军,唐先民,龚则敬,约翰·福斯特,马克·施韦策,基斯·A·米勒,伊利娅·拉维斯凯. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2006-08-02.

Connector component and inductively coupled plasma spectrum appearance

Номер патента: CN205319466U. Автор: C·彼得斯. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2016-06-15.

Mass-spectrometer for inductively coupled plasma

Номер патента: JPH1097838A. Автор: Kenichi Sakata,健一 阪田,Noriyuki Yamada,憲幸 山田,Shigeru Nawa,繁 縄. Владелец: Yokogawa Analytical Systems Inc. Дата публикации: 1998-04-14.

Sighting device and emission spectrometer with inductively coupled plasma source comprising such a device

Номер патента: US20030231307A1. Автор: Alain Marchand,Christophe Pecheyran,Emmanuel Fretel. Владелец: HORIBA JOBIN YVON SAS. Дата публикации: 2003-12-18.

Inductively coupled plasma reactor and method

Номер патента: JP3959145B2. Автор: マイケル・ジェイ・ハーティング,ジョン・シー・アーノルド. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2007-08-15.

Gas distribution showerhead for inductively coupled plasma etch reactor

Номер патента: CN103597113B. Автор: 亚历克斯·帕特森,迈克·康,伊恩·J·肯沃西. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-08-17.

Method for analyzing fine metal particles and inductively-coupled plasma mass spectrometry therefor

Номер патента: TW202109042A. Автор: 川端克彦,西口講平,一之瀬達也. Владелец: 日商埃耶士股份有限公司. Дата публикации: 2021-03-01.

OXYGEN-FREE PASSIVATION CLEANING PROCESS IN AN INDUCTIVELY COUPLED PLASMA REACTOR

Номер патента: FR2805185B1. Автор: Wolfgang Helle,Jean Francois Christaud. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2002-09-20.

Ion source for inductively coupled plasma mass spectrometry

Номер патента: EP3712923A1. Автор: Detlef Günther,Bodo Hattendorf,Thomas VONDERACH. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zurich ETHZ. Дата публикации: 2020-09-23.

Inductively-coupled plasma mass spectrometry process for analysis of historic polar ice samples trace elements

Номер патента: DE19934561A1. Автор: Heiko Reinhardt,Erich Dunker,Erwin Hoffmann,Michael Kriews,Ingo Beninga,Christian Luedke. Владелец: IMPRES GmbH. Дата публикации: 2001-02-08.

Sample chamber for laser ablation inductively coupled plasma mass spectroscopy

Номер патента: US20110240839A1. Автор: Leif Summerfield,Jay Wilkins,Robert Hutchinson,Shane Hilliard. Владелец: Electro Scientific Industries Inc. Дата публикации: 2011-10-06.

Gas distribution showerhead for inductively coupled plasma etch reactor

Номер патента: KR20140039010A. Автор: 알렉스 패터슨,마이클 강,제이. 켄워시 이안. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2014-03-31.

Device for chemical vapor deposition with inductively coupled plasma

Номер патента: DE19711267A1. Автор: Jin Jang,Se-Il Cho,Jae-Gak Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1997-10-30.

Apparatus for producing sample vapour for transferral into an inductively coupled plasma

Номер патента: GB2252160B. Автор: Rolf Tamm,Andrea Ulrich,Stefan Meiners. Владелец: Bodenseewerk Perkin Elmer and Co GmbH. Дата публикации: 1995-02-01.

Inductively coupled plasma cvd

Номер патента: WO1998028465A1. Автор: Brian McMillin,Huong Nguyen,Paul Kevin Shufflebotham,Butch Berney,Alex T. Demos,Monique Ben-Dor. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 1998-07-02.

Method and apparatus for high efficiency gas dissociation in inductive coupled plasma reactor

Номер патента: KR20120073292A. Автор: 사라브지트 싱,어제이 쿠마르,로이 씨. 낭고이,존 씨 파르,쉐르마 브이. 파말씨. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2012-07-04.

Inductively coupled plasma mass spectrometry (ICP-MS) with improved signal-to-noise and signal-to-background ratios

Номер патента: US10854438B2. Автор: Noriyuki Yamada,Erina Shimizu. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2020-12-01.

Interchangeable sample introduction system mounting structure and components with visual indicia for inductively coupled plasma systems

Номер патента: CN113390861A. Автор: D·R·维德林. Владелец: Basic Science Corp. Дата публикации: 2021-09-14.

Recursive coils for inductively coupled plasmas

Номер патента: WO2020146034A1. Автор: Jay D. II PINSON,Rupankar CHOUDHURY,Zheng John Ye,Luke Bonecutter,Abhijit Kangude. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-07-16.

Skimmer cone and inductively coupled plasma mass spectrometer

Номер патента: JPWO2019202719A1. Автор: 伸一 朝日. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2021-02-12.

Method for analyzing metal fine particles, and inductive coupling plasma mass spectrometry method

Номер патента: EP3739329C0. Автор: Katsuhiko Kawabata,Tatsuya Ichinose,Kohei Nishiguchi. Владелец: IAS Inc. Дата публикации: 2023-10-04.

Method for analyzing metal fine particles, and inductive coupling plasma mass spectrometry method

Номер патента: EP3739329B1. Автор: Katsuhiko Kawabata,Tatsuya Ichinose,Kohei Nishiguchi. Владелец: IAS Inc. Дата публикации: 2023-10-04.

Method for manufacturing magnetic tunnel junction element, and inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: US20190088865A1. Автор: Masaki Yamada. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Enhanced ignition in inductively coupled plasmas for workpiece processing

Номер патента: EP4000088A4. Автор: Shawming Ma,Stephen E. Savas. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-28.

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA ARC DEVICE

Номер патента: US20150103860A1. Автор: Foret Todd. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-16.

Inductively coupled plasma source

Номер патента: DE69301952D1. Автор: Peter H Gagne. Владелец: Perkin Elmer Corp. Дата публикации: 1996-05-02.

Inductively coupled plasma generator

Номер патента: JP3167221B2. Автор: ピーター・エイチ・ギャグン,ピーター・ジェイ・モリスロー. Владелец: ザ・パーキン・エルマー・コーポレイション. Дата публикации: 2001-05-21.

Inductively coupled plasma light source with switched power supply

Номер патента: WO2024123565A1. Автор: Donald K. Smith,Matthew M. Besen,Stephen F. Horne,Michael J. Roderick,Frederick Marvin NIELL, III,David B. Reisman,Daniel J. ARCARO. Владелец: Energetiq Technology, Inc.. Дата публикации: 2024-06-13.

Inductively Coupled Plasma Light Source with Switched Power Supply

Номер патента: US20240196506A1. Автор: Donald K. Smith,Matthew M. Besen,Stephen F. Horne,Michael J. Roderick,Frederick Marvin NIELL, III,David B. Reisman,Daniel J. ARCARO. Владелец: Energetiq Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA GENERATION DEVICE

Номер патента: US20130088146A1. Автор: Matsuda Ryuichi,Nishikawa Seiji. Владелец: MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD.. Дата публикации: 2013-04-11.

RF SYSTEM, MAGNETIC FILTER, AND HIGH VOLTAGE ISOLATION FOR AN INDUCTIVELY COUPLED PLASMA ION SOURCE

Номер патента: US20140077699A1. Автор: Boswell Roderick W.,Smith Noel S.,Tesch Paul P.,Martin Noel P.. Владелец: Oregon Physics, LLC. Дата публикации: 2014-03-20.

High Voltage Isolation of an Inductively Coupled Plasma Ion Source with a Liquid that is not Actively Pumped

Номер патента: US20150102230A1. Автор: Kellogg Sean,Parker N. William,Utlaut Mark W.,Wells Andrew B.,Mcginn James B.. Владелец: FEI COMPANY. Дата публикации: 2015-04-16.

SYSTEM, METHOD AND APPARATUS FOR AN INDUCTIVELY COUPLED PLASMA ARC WHIRL FILTER PRESS

Номер патента: US20140209573A1. Автор: Foret Todd. Владелец: FORET PLASMA LABS, LLC. Дата публикации: 2014-07-31.

Method for judging thermal balance of inductively coupled plasma

Номер патента: CN111753474A. Автор: 李小平,刘彦明,刘东林,包为民,牛越. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2020-10-09.

Device and process for the destruction of liquid, powder or gaseous waste using inductively coupled plasma

Номер патента: TW200531925A. Автор: Erick Meillot,Daivd Guenadou. Владелец: Commissariat Energie Atomique. Дата публикации: 2005-10-01.

DEVICE AND METHOD FOR Destructing Liquid, Powdery or Gaseous Waste Using Inductively Coupled Plasma

Номер патента: DE602005001614D1. Автор: Erick Meillot,David Guenadou. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2007-08-23.

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA PROCESSING APPARATUS AND PLASMA PROCESSING METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20140273484A1. Автор: Lee Jeong-Yun,JEON Sang-Jean,JEON Kyung-yub,Park Hae-Joong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-09-18.

Method for removing burrs of battery electrode plates by inductively coupled plasma dry etching

Номер патента: US20140042121A1. Автор: Tao Tao,Yi Li,Peng Chen,Bing Liu,Yi Shi,Rong Zhang,Ping Han,Ting Zhi,Zhili Xie,Zhiguo Yu,Xiangqian Xiu,Youdou Zheng. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-02-13.

PLANARIZATION OF GaN BY PHOTORESIST TECHNIQUE USING AN INDUCTIVELY COUPLED PLASMA

Номер патента: US20140061861A1. Автор: Williams Adrian D.,Moustakas Theodore D.. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-06.

Methods of Using Inductively Coupled Plasma Mass Spectroscopy Systems for Analyzing a Cellular Sample

Номер патента: US20160097089A1. Автор: Ornatsky Olga. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

Methods of Using Inductively Coupled Plasma Mass Spectroscopy Systems for Analyzing a Cellular Sample

Номер патента: US20190161790A1. Автор: Ornatsky Olga. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

METHOD AND APPARATUS FOR HIGH EFFICIENCY GAS DISSOCIATION IN INDUCTIVE COUPLED PLASMA REACTOR

Номер патента: US20140256148A1. Автор: Kumar Ajay,NANGOY Roy C.,Singh Saravjeet,FARR Jon C.,PAMARTHY Sharma V.. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-11.

Apparatus and Method for Conformal Treatment of Dielectric Films Using Inductively Coupled Plasma

Номер патента: US20140302686A1. Автор: Liu Wei,Olsen Christopher S.,Bevan Malcolm J.,Chu David,Pan Heng,ROGERS Matthew Scott,Swenberg Johanes F.. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-09.

Planarization of GaN by photoresist technique using an inductively coupled plasma

Номер патента: US9230818B2. Автор: Theordore D Moustakas,Adrian D Williams. Владелец: Boston University. Дата публикации: 2016-01-05.

High aspect ratio sub-micron contact etch process in an inductively-coupled plasma processing system

Номер патента: KR20010099887A. Автор: 린다 마퀴스. Владелец: 로브그렌 리차드 에이치.. Дата публикации: 2001-11-09.

Rf inductively coupled plasma torch with modular water-cooled injector and multi-stage nozzle structure for injection of reactants

Номер патента: KR100586466B1. Автор: 서준호,홍상희,주원태,남준석. Владелец: 재단법인서울대학교산학협력재단. Дата публикации: 2006-06-07.

Method of fabricating Micropatterns of Platinum Thin Films by Fluoride-Based Inductively Coupled Plasma Eching

Номер патента: KR101574250B1. Автор: 김남영,왕종,요소,이양. Владелец: 광운대학교 산학협력단. Дата публикации: 2015-12-04.

Planarization of GaN by photoresist technique using an inductively coupled plasma

Номер патента: US8257987B2. Автор: Theodore D. Moustakas,Adrian D. Williams. Владелец: Boston University. Дата публикации: 2012-09-04.

Method for manufacturing semiconductor optical device using inductive coupled plasma-enhance CVD

Номер патента: US20070020954A1. Автор: Toshio Nomaguchi,Tetsuya Hattori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2007-01-25.

Methods of using inductively coupled plasma mass spectroscopy systems for analyzing a cellular sample

Номер патента: US10577648B2. Автор: Olga Ornatsky. Владелец: Fluidigm Canada Inc. Дата публикации: 2020-03-03.

Element with a low temperature poly-Si film, method of direct poly-Si deposition at low temperature and inductively-coupled plasma chemical vapor deposition

Номер патента: TW200715374A. Автор: Te-Chi Wong,I-Hsuan Peng,Jung-Fang Chang,Liang-Tang Wang,Chin-Jen Huang. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2007-04-16.

Cold cathode electron source element and method for making

Номер патента: US5860844A. Автор: Katsuto Nagano,Masato Susukida,Jun Hagiwara. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 1999-01-19.

HIGH EFFICIENCY INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCE WITH CUSTOMIZED RF SHIELD FOR PLASMA PROFILE CONTROL

Номер патента: US20150191823A1. Автор: BANNA SAMER,TODOROW VALENTIN,Bishara Waheb,KNYAZIK VLADIMIR. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-09.

Inductively coupled plasma arc device

Номер патента: US8904749B2. Автор: Todd Foret. Владелец: Foret Plasma Labs LLC. Дата публикации: 2014-12-09.

A radio frequency inductively coupled plasma (rf-icp) torch

Номер патента: CA3193637A1. Автор: Javad Mostaghimi,Patrick Michael MIREK,Sina Alavi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-04-14.

Device for implanting ions into a nickel-titanium shape memory alloy part comprises an electron cyclotron resonance source and a control system for producing a beam of multi-energy ions

Номер патента: FR2907797A1. Автор: Denis Busardo. Владелец: Quertech Ingenierie SA. Дата публикации: 2008-05-02.

Power source element replacement during vehicle operation

Номер патента: US09714012B1. Автор: Guillaume Hoareau,Johannes J. Liebenberg,John G. Musial,Todd R. Whitman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Light source device having laser light emitting elements adhesively fixed to a light source element holder, projector, and light source device fabrication method

Номер патента: US09477145B2. Автор: Tomio Higo. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

LED illumination system having a plurality of alterable light source elements

Номер патента: US09557042B2. Автор: Tatsuya Motoike. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2017-01-31.

Power source element replacement during vehicle operation

Номер патента: US20170210355A1. Автор: Guillaume Hoareau,Johannes J. Liebenberg,John G. Musial,Todd R. Whitman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-27.

Power source element replacement during vehicle operation

Номер патента: US20170274875A1. Автор: Guillaume Hoareau,Johannes J. Liebenberg,John G. Musial,Todd R. Whitman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Semiconductor light source element for beam forming

Номер патента: EP2127483A1. Автор: Ronald Gregory Hare,Ronald Owen Woodward,James Mcfadden. Владелец: Magna International Inc. Дата публикации: 2009-12-02.

Induction-coupled plasma synthesis of boron nitride nanotubes

Номер патента: US20180029885A1. Автор: Michael W. Smith,Kevin C. Jordan,Jonathan C. Stevens. Владелец: BNNT LLC. Дата публикации: 2018-02-01.

A boron nitride coating method with inductively coupled plasma

Номер патента: WO2023172227A2. Автор: Bilgin KAFTANOGLU,Tugce HACALOGLU,Berkay Dogan. Владелец: Atilim Universitesi. Дата публикации: 2023-09-14.

A boron nitride coating method with inductively coupled plasma

Номер патента: WO2023172227A3. Автор: Bilgin KAFTANOGLU,Tugce HACALOGLU,Berkay Dogan. Владелец: Atilim Universitesi. Дата публикации: 2023-10-12.

Induction-coupled plasma synthesis of boron nitride nanotubes

Номер патента: US09776865B2. Автор: Michael W. Smith,Kevin C. Jordan,Jonathan C. Stevens. Владелец: BNNT LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for determining mass concentrations of heavy metals in soil by the method for mass spectrometry with inductively coupled plasma

Номер патента: RU2756458C1. Автор: Александр Сергеевич Родионов,Наталия Евгеньевна Федорова,Сергей Владимирович Кузьмин,Марина Валентиновна Егорова. Владелец: Федеральное государственное учреждение науки "Федеральный научный центр гигиены им. Ф.Ф. Эрисмана" Федеральной службы по надзору в сфере зашиты прав потребителей и благополучия человека. Дата публикации: 2021-09-30.

Method of measuring mass concentrations of niobium and tantalum in air of working zone by mass spectrometry with inductively coupled plasma

Номер патента: RU2730954C1. Автор: Нина Владимировна Зайцева,Татьяна Сергеевна Уланова,Елена Вячеславовна Стенно,Галина Ахметовна Вейхман,Анна Владимировна Недошитова,Марина Валерьевна Волкова. Владелец: Федеральное бюджетное учреждение науки "Федеральный научный центр медико-профилактических технологий управления рисками здоровью населения" Федеральной службы по надзору в сфере защиты прав потребителей и благополучия человека (ФБУН "ФНЦ медико-профилактических технологий управления рисками здоровью. Дата публикации: 2020-08-26.

Method of determining content of cadmium, lead, arsenic, chromium, nickel, copper, zinc, manganese, vanadium, strontium, selenium, thallium in blood by mass spectrometry with inductively coupled plasma

Номер патента: RU2585369C1. Автор: Нина Владимировна Зайцева,Татьяна Сергеевна Уланова,Елена Вячеславовна Стенно,Галина Ахметовна Вейхман,Анна Владимировна Недошитова,Марина Александровна Баканина,Ольга Владимировна Гилева. Владелец: Федеральное бюджетное учреждение науки "Федеральный научный центр медико-профилактических технологий управления рисками здоровью населения" (ФБУН "ФНЦ медико-профилактических технологий управления рисками здоровью населения"). Дата публикации: 2016-05-27.

Method of quantitative determination of aluminium, vanadium, tungsten, iron, cadmium, cobalt, magnesium, manganese, copper, nickel, lead, strontium, titanium, chrome, zinc in atmospheric air by mass spectrometry with inductively coupled plasma

Номер патента: RU2627854C1. Автор: Нина Владимировна Зайцева,Татьяна Сергеевна Уланова,Елена Вячеславовна Стенно,Галина Ахметовна Вейхман,Анна Владимировна Недошитова,Марина Александровна Баканина,Ольга Владимировна Гилева. Владелец: Федеральное бюджетное учреждение науки "Федеральный научный центр медико-профилактических технологий управления рисками здоровью населения" (ФБУН "ФНЦ медико-профилактических технологий управления рисками здоровью населения"). Дата публикации: 2017-08-14.

Method of determining concentration of rare-earth elements: lanthanum, cerium, praseodymium, neodymium, samarium, europium, gadolinium, terbium, dysprosium, holmium, erbium, thulium, ytterbium, lutetium and yttrium, in air of the working zone by mass spectrometry with inductively coupled plasma

Номер патента: RU2697479C1. Автор: Нина Владимировна Зайцева,Татьяна Сергеевна Уланова,Елена Вячеславовна Стенно,Галина Ахметовна Вейхман,Анна Владимировна Недошитова,Марина Валерьевна Волкова. Владелец: Федеральное бюджетное учреждение науки "Федеральный научный центр медико-профилактических технологий управления рисками здоровью населения" Федеральной службы по надзору в сфере защиты прав потребителей и благополучия человека (ФБУН "ФНЦ медико-профилактических технологий управления рисками здоровью. Дата публикации: 2019-08-14.

Method for determining mass concentrations of impurities in atmospheric air by inductively coupled plasma mass spectrometry

Номер патента: RU2748671C1. Автор: Александр Сергеевич Родионов,Наталия Евгеньевна Федорова,Сергей Владимирович Кузьмин,Марина Валентиновна Егорова. Владелец: Федеральное бюджетное учреждение науки "Федеральный научный центр гигиены им. Ф.Ф. Эрисмана" Федеральной службы по надзору в сфере защиты прав потребителей и благополучия человека. Дата публикации: 2021-05-28.

Method of measuring weight concentrations of arsenic, cadmium, lead, mercury in meat and meat-containing products by mass spectrometry with inductively coupled plasma

Номер патента: RU2738166C1. Автор: Нина Владимировна Зайцева,Татьяна Сергеевна Уланова,Елена Вячеславовна Стенно,Галина Ахметовна Вейхман,Анна Владимировна Недошитова,Марина Валерьевна Волкова,Алена Евгеньевна Николаева. Владелец: Федеральное бюджетное учреждение науки "Федеральный научный центр медико-профилактических технологий управления рисками здоровью населения" Федеральной службы по надзору в сфере защиты прав потребителей и благополучия человека (ФБУН "ФНЦ медико-профилактических технологий управления рисками здоровью. Дата публикации: 2020-12-09.

Thin film coating process using an inductively coupled plasma

Номер патента: US4897282A. Автор: Frederick A. Schmidt,Brian D. Merkle,Richard N. Kniseley. Владелец: Iowa State University Research Foundation ISURF. Дата публикации: 1990-01-30.

Torch glassware for use with inductively coupled plasma-optical emission spectrometer

Номер патента: US20020089666A1. Автор: Michael Erath. Владелец: PerkinElmer Instruments LLC. Дата публикации: 2002-07-11.

Ion source element, ion implanter having the same and method of modifying thereof

Номер патента: KR100688573B1. Автор: 윤수한,김성구,배도인,양종현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-03-02.

MICROWAVE ICP RESONATOR

Номер патента: US20130328483A1. Автор: Gesche Roland,Porteanu Horia-Eugen,Kühn Silvio. Владелец: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.. Дата публикации: 2013-12-12.

Method and software defined network controller for performing round-trip time determination between a source element and a target element

Номер патента: US20200084128A1. Автор: Fabian Schneider,Anton MATSIUK,Dimitrios GKOUNIS. Владелец: NEC Laboratories Europe GmbH. Дата публикации: 2020-03-12.

Aluminium alloy component ion implantation system for nitriding uses electronic cyclotronic resonance source producing multi-energy ions

Номер патента: FR2876390A1. Автор: Denis Busardo,Frederic Guernalec. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-14.

Field emission type electron source element, electron gun, cathode ray tube apparatus, and method for manufacturing cathode ray tube

Номер патента: US20040051461A1. Автор: Toru Kawase,Keisuke Koga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-18.

MAGNETIC DEVICE, ESPECIALLY FOR ELECTRONIC CYCLONE RESONANCE SOURCES, WHICH MAY ENABLE THE PRODUCTION OF CLOSED SURFACES WITH A CONSTANT MAGNETIC FIELD BANK AND ANY OTHER SIZE

Номер патента: DE69737461T2. Автор: Renan Leroy,Jean-Yves Pacquet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2007-12-06.

ELECTRIC FIELD EMITTING SOURCE, ELEMENT USING SAME, AND PRODUCTION METHOD THEREFOR

Номер патента: US20140191650A1. Автор: Shin Dong Hoon,Lee Cheol Jin,Shin Ji Hong. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2014-07-10.

Sublimation getter pump employing a consumable getter source element heated by radiation

Номер патента: US3367564A. Автор: William A Lloyd. Владелец: Varian Associates Inc. Дата публикации: 1968-02-06.

Cold-cathode electron source element and method for producing the same

Номер патента: WO1995015002A1. Автор: Katsuto Nagano,Masato Susukida,Jun Hagiwara. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 1995-06-01.

Field-emission electron source element and image display apparatus

Номер патента: US20040032194A1. Автор: Toru Kawase,Keisuke Koga,Kenichi Honda,Tetsuya Norikane. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-02-19.

Cleaning method for plasma etching chamber, and application thereof

Номер патента: EP4403270A1. Автор: FENG LIANG,Jiahe LI,Xuedong Li,Xiaobo Liu,Kaidong Xu,Yuxin Yang,Taiyan PENG. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

플라즈마 식각 챔버의 세정 방법 및 그 응용

Номер патента: KR20240055013A. Автор: 유씬 양,지아허 리,타이옌 펑,카이동 쑤,펑 리앙,쑤에동 리,씨아오보 리우. Владелец: 장쑤 루벤 인스트루먼츠 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2024-04-26.

POWER SOURCE ELEMENT REPLACEMENT DURING VEHICLE OPERATION

Номер патента: US20170210355A1. Автор: Musial John G.,Hoareau Guillaume,Liebenberg Johannes J.,Whitman Todd R.. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-27.

POWER SOURCE ELEMENT REPLACEMENT DURING VEHICLE OPERATION

Номер патента: US20170274875A1. Автор: Musial John G.,Hoareau Guillaume,Liebenberg Johannes J.,Whitman Todd R.. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-28.

Method and apparatus for driving light source element

Номер патента: JP3159866B2. Автор: 朴鍾浩. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-04-23.

Method of manufacturing light source element heat dissipation structure

Номер патента: JP6510433B2. Автор: 克宏 今井,隆史 吉野,政彦 滑川,滑川　政彦,倉岡　義孝,義孝 倉岡. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2019-05-08.

Semiconductor light source element and method of manufacturing optical semiconductor waveguide window structure

Номер патента: WO2020255183A1. Автор: 藤原　直樹,慈 金澤,隆彦 進藤,明晨 陳. Владелец: 日本電信電話株式会社. Дата публикации: 2020-12-24.

Single-photon light source element and manufacturing method thereof

Номер патента: CN104425659B. Автор: 黄世晟,凃博闵,林雅雯,邱镜学. Владелец: Zhanjing Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-26.

Highly integrated power source element

Номер патента: JPS61165965A. Автор: Keiichi Kanebori,恵一 兼堀,Katsumi Miyauchi,Tetsuichi Kudo,Hideo Sunami,徹一 工藤,英夫 角南,宮内　克己. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1986-07-26.

Integrated induction coil and microwave antenna as an all-planar source

Номер патента: US09530621B2. Автор: Lee Chen,Peter L. G. Ventzek. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Integrated induction coil & microwave antenna as an all-planar source

Номер патента: WO2015184053A1. Автор: Lee Chen,Peter L. G. Ventzek. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2015-12-03.

Fixing structure for heat source element and heat conducting member, and method of fixing heat source element and heat conducting member

Номер патента: EP2461660A3. Автор: Masashi Takano,Yoichiro Taka,Tarou Aikawa. Владелец: Aisin AW Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-27.

Power delivery to a plasma via inductive coupling

Номер патента: US12106937B2. Автор: Randy Heckman. Владелец: Advanced Energy Industries Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Transformer coupled capacitive tuning circuit with fast impedance switching for plasma etch chambers

Номер патента: US09515633B1. Автор: Alex Paterson,Maolin Long. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Plasma detection in semiconductor fabrication apparatuses

Номер патента: WO2024015694A1. Автор: Michael John Martin,Luc Albarede,Alexander Miller PATERSON,Ananya Rajagopal,Yuhou WANG. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-01-18.

Plasma source enhanced with booster chamber and low cost plasma strength sensor

Номер патента: US09997335B2. Автор: Ximan Jiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-06-12.

Plasma source enhanced with booster chamber and low cost plasma strength sensor

Номер патента: US09691592B2. Автор: Ximan Jiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-27.

플라즈마 내부식성 평가 장치 및 방법

Номер патента: KR20240152585A. Автор: 최은미,박광수,김기봉,이동진,서정필. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2024-10-22.

Apparatus for producing silicon nanoparticle using inductive coupled plasma

Номер патента: US09802826B2. Автор: Joon-Soo Kim,Bo-Yun JANG,Hee-Eun SONG. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2017-10-31.

Inductively coupled plasma atomic emission spectroscopy

Номер патента: GB2291184B. Автор: Mark Cave. Владелец: Natural Environment Research Council. Дата публикации: 1998-04-29.

Aerosol production in inductively coupled plasma emission spectroscopy

Номер патента: US4673656A. Автор: Hans Pink. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1987-06-16.

Inductively-coupled plasma source producing uniform plasma by using multi-coils

Номер патента: KR100532365B1. Автор: 김형준,이승욱,엄용택,김종복,설여송,고영진,김완승. Владелец: 주식회사 아이피에스. Дата публикации: 2005-11-30.

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA APPARATUS

Номер патента: US20130134129A1. Автор: Agarwal Ankur,BANNA SAMER,NGUYEN ANDREW,Chen Zhigang,Rauf Shahid,TODOROW Valentin N.,Salinas Martin Jeff,WANG TSE-CHIANG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-05-30.

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCE WITH MULTIPLE DIELECTRIC WINDOWS AND WINDOW-SUPPORTING STRUCTURE

Номер патента: US20140020837A1. Автор: Agarwal Ankur,Collins Kenneth S.,NGUYEN ANDREW,Ramaswamy Kartik,FOVELL RICHARD,BALAKRISHNA AJIT,Dorf Leonid,Rauf Shahid,Carducci James D.,BUCHBERGER,JR. DOUGLAS A.,KENNEY JASON A.. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-23.

INDUCTION-COUPLED PLASMA SYNTHESIS OF BORON NITRIDE NANOTUBES

Номер патента: US20180029885A1. Автор: SMITH Michael W.,STEVENS Jonathan C.,JORDAN Kevin C.. Владелец: BNNT, LLC. Дата публикации: 2018-02-01.

ADJUSTABLE COIL FOR INDUCTIVELY COUPLED PLASMA

Номер патента: US20140175055A1. Автор: Sasagawa Teruo. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2014-06-26.

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCE

Номер патента: US20140196849A1. Автор: NGUYEN ANDREW,Ramaswamy Kartik,Lane Steven,Yang Yang. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-07-17.

INDUCTION-COUPLED PLASMA SYNTHESIS OF BORON NITRIDE NANOTUBES

Номер патента: US20150125374A1. Автор: SMITH Michael W.,STEVENS Jonathan C.,JORDAN Kevin C.. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-07.

SELF-IONIZED AND INDUCTIVELY-COUPLED PLASMA FOR SPUTTERING AND RESPUTTERING

Номер патента: US20140305802A1. Автор: Fu Jianming,Xu Zheng,FORSTER John C.,GOPALRAJA Praburam,TANG XIANMIN,MILLER Michael A.,DING Peijun,SUNDARRAJAN Arvind,TAO RONG,Lubben Daniel C.,RENGARAJAN Suraj,MOSELY Roderick C.,CHEN Fusen. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-10-16.

INDUCTION-COUPLED PLASMA SYNTHESIS OF BORON NITRADE NANOTUBES

Номер патента: US20160272496A1. Автор: SMITH Michael W.,STEVENS Jonathan C.,JORDAN Kevin C.. Владелец: BNNT, LLC. Дата публикации: 2016-09-22.

INDUCTION-COUPLED PLASMA SYNTHESIS OF BORON NITRADE NANOTUBES

Номер патента: US20190322529A1. Автор: SMITH Michael W.,STEVENS Jonathan C.,JORDAN Kevin C.. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-24.

APPARATUS FOR PRODUCING SILICON NANOPARTICLE USING INDUCTIVE COUPLED PLASMA

Номер патента: US20160362302A1. Автор: SONG Hee-eun,JANG Bo-Yun,KIM Joon-Soo. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-15.

Inductive coupling plasma treatment apparatus

Номер патента: KR100625319B1. Автор: 정영철,김형준,이기영,이승배. Владелец: 세메스 주식회사. Дата публикации: 2006-09-20.

Fabricating method of optical waveguide using inductively coupled plasma etcher

Номер патента: KR100361097B1. Автор: 김동근,박철희,이용태,신동선,신양수. Владелец: 우리로광통신주식회사. Дата публикации: 2002-11-21.

Light emitting spectrochemical analysis method using high frequency induction coupled plasma

Номер патента: JPS5960247A. Автор: Haruo Mizukami,Shotaro Asada,浅田　庄太郎,水上　治男. Владелец: Shimazu Seisakusho KK. Дата публикации: 1984-04-06.

Matching and driving device of inductively coupled plasma light source

Номер патента: CN201639840U. Автор: 张德元,杜江,周志恒,吴天彪,李毅德. Владелец: BEIJING GEOLOGY INSTRUMENT FACTORY MINISTRY OF GEOLOGY AND MINERALS. Дата публикации: 2010-11-17.

Inductively coupled plasma source for improving sputter yield and apparatus for sputtering using the same

Номер патента: KR101556830B1. Автор: 김기석,김경남,김태형,서진석,염근영. Владелец: 성균관대학교산학협력단. Дата публикации: 2015-10-01.

Antenna having multiple central axix and inductively coupled plasma generating apparatus applying the same

Номер патента: KR100603286B1. Автор: 이강일,정지영,김영각. Владелец: 삼성에스디아이 주식회사. Дата публикации: 2006-07-20.

Method for simultaneously detecting multiple components of cement sample by ICP-AES (inductively coupled plasma-atomic emission spectrometry) process and application thereof

Номер патента: CN106383108A. Автор: 李勇,陈晓健,许雪芹,凌美英. Владелец: FUJIAN INSPECTION AND RESEARCH INSTITUTE FOR PRODUCT QUALITY. Дата публикации: 2017-02-08.

Method for eliminating surface defects of single crystal diamond seed crystal by utilizing inductive coupling plasma technology

Номер патента: CN109183146B. Автор: 王伟华,杨磊,朱嘉琦,代兵,王杨,刘康,刘雪冬,舒国阳,赵继文,孙明琪,韩杰才,薛晶晶,李一村,姚凯丽,刘本建. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2020-08-07.

Method for fabricating optical waveguide on fused silica substrates using inductively coupled plasma etcher

Номер патента: KR100439749B1. Автор: 김동근,박철희,이종표,신동선,신양수,설운학. Владелец: 우리로광통신주식회사. Дата публикации: 2004-07-12.

Antenna for inductive coupled plasma generating apparatus

Номер патента: KR100817290B1. Автор: 정진욱,전형탁,이원기,최익진. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2008-03-31.

The method of tin amount in alkali fusion-inductively coupled plasma mass spectrometry measurement tin ore

Номер патента: CN108828052A. Автор: 范志平,雷占昌,蒋常菊,孟宸羽,费发源. Владелец: Qinghai Institute Of Nuclear Geology Nuclear Industry Geology Bureau (qinghai Nuclear Industry Geology Bureau Test And Test Center). Дата публикации: 2018-11-16.

Method for measuring content of selenium in vegetables through collision cell-inductively coupled plasma source mass spectrometer

Номер патента: CN106596704A. Автор: 董瑞,于文江,刘艳明,张喜琦,赵发,祝建华,高喜凤. Владелец: Shandong Institute for Food and Drug Control. Дата публикации: 2017-04-26.

Low-Frequency Type Inductively Coupled Plasma Generating Device

Номер патента: KR100488362B1. Автор: 이상원,이용관,엄세훈. Владелец: 주식회사 플라즈마트. Дата публикации: 2005-05-11.

The method that sodium peroxide inductivity coupled plasma mass spectrometry measures tin amount in tin ore

Номер патента: CN110031535A. Автор: 范志平,雷占昌,蒋常菊,孟宸羽,费发源. Владелец: Qinghai Nuclear Industry Nuclear Geology Research Institute (qinghai Nuclear Industry Testing And Testing Center). Дата публикации: 2019-07-19.

Method for rapidly determining contents of chromium and iron in nickel-based superalloy by ICP-OES (inductively coupled plasma-optical emission spectrometry)

Номер патента: CN112834487A. Автор: 朱杰,浦益龙,杜佳佳,年季强,吕水永. Владелец: Jiangsu Longda Superalloy Material Co ltd. Дата публикации: 2021-05-25.

Inductively coupled plasma apparatus

Номер патента: KR101255720B1. Автор: 이승헌,송명곤,이정락,도재철,전부일,최승대. Владелец: 주성엔지니어링(주). Дата публикации: 2013-04-17.

Method of measuring gadolinia content using inductively coupled plasma-atomic emission spectrometry

Номер патента: US20110134424A1. Автор: Chan-Jun Park,Pil-Sang Kang,Chul-Joo Park,Bum-Sik Koh,Jun-No Lee,Hyoung-Joong Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-09.

Inductively coupled plasma emission spectroscopy analysis method of acid soluble aluminum and acid insoluble aluminum

Номер патента: CN106568764A. Автор: 沈克,张昌强,吕琦,张兆雄,古兵平. Владелец: Wuhan Iron and Steel Corp. Дата публикации: 2017-04-19.

Inductively coupled plasma light source sharing light-spectrum and mass-spectrum measuring device and method

Номер патента: CN106442476A. Автор: 徐成,孙卫东,方晓东,游利兵,徐红云,龚革联,李聪隐. Владелец: Guangzhou Institute of Geochemistry of CAS. Дата публикации: 2017-02-22.

Inductively coupled plasma atomic emission spectrometer

Номер патента: DE19532213A1. Автор: Winfried Dipl Phys Quillfeldt. Владелец: Carl Zeiss Jena GmbH. Дата публикации: 1997-03-06.

Method for simultaneous analysis of multiple elements of hair sample by inductively coupled plasma mass spectrometry(icp-ms)

Номер патента: KR100372526B1. Автор: Sung Hyun Kim,Jun Mo Kang,Myoung Jin Cha,Joung Hae Lee,Chang Joon Park. Владелец: Medinex. Дата публикации: 2003-02-15.

Inductively coupled plasma spectrometer and high-radioactivity waste liquid measuring system

Номер патента: CN113418906A. Автор: 陈勇,沈琛林,窦远,杨菡,张兆清,刘权卫,陈云清,侯留东. Владелец: China Nuclear Power Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-21.

Method for jointly measuring silicon, aluminum, barium, manganese, phosphorus and iron in silicon-aluminum-barium by inductively coupled plasma

Номер патента: CN112630210A. Автор: 傅余东,许家宝,伍绍双,柳锐松,覃双环. Владелец: Yangchun New Iron and Steel Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-09.

Method for determining silver by inductively coupled plasma mass spectrometry

Номер патента: CN111398399A. Автор: 陈剑平,张文捷,陈思慧,阳国运,潘倩妮,何雨珊,覃盛,刘梓楠,齐永辉,唐裴颖,梁鑫佳. Владелец: Guangxi Geology & Mineral Test Research Center. Дата публикации: 2020-07-10.

Inductively coupled plasma mass spectrometry detection of 10 elements in peripheral blood

Номер патента: CN113984872A. Автор: 王艳,张宇杰,金芳,袁红,吕倩,马庆伟,张成芳,倪鑫,宋文琪,李启亮,苗旭东,朱柯文,钱婧雨. Владелец: Beijing Clin Bochuang Biotechnology Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-28.

Method and reagent for the specific identification and quantification of one or more proteins in a sample using inductively coupled plasma-mass spectrometry

Номер патента: CA2649154A1. Автор: Stefan Pieper,Christian Scheler,Michael Linscheid,Robert Ahrends. Владелец: Humbold-Universitaet Zu Berlin. Дата публикации: 2007-10-25.

Fire-polishing-assisted inductive coupling plasma processing method

Номер патента: CN104950355A. Автор: 张鹏,王波,辛强,王骏,苏星. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2015-09-30.

Inductively coupled plasma assisted chemical vapor deposition device

Номер патента: KR100952533B1. Автор: 윤기준. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2010-04-12.

Microwave digestion and ICP-OES (inductively coupled plasma-optical emission spectrometry) test of heavy metal elements in leather product

Номер патента: CN110186909B. Автор: 朱禹,曾斓,胥兆林. Владелец: Shanghai Hanhai Detection Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-28.

Method for calibrating ICP-MS (inductively coupled plasma-mass spectrometry) trace element analyzer by using internal standard combined solution

Номер патента: CN112557492B. Автор: 向华,马庆伟,朱柯文,熊婵. Владелец: Beijing Clin Bochuang Biotechnology Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-17.

Power supply apparatus for inductive coupling plasma light source

Номер патента: JPS58169051A. Автор: Koji Okada,秀雄 服部,Hideo Hattori,幸治 岡田. Владелец: Shimazu Seisakusho KK. Дата публикации: 1983-10-05.

Analysis method for detecting chloride content in sodium sulfate by ICP-AES (inductively coupled plasma-atomic emission Spectrometry)

Номер патента: CN114136953A. Автор: 黄磊,杨丽芬,罗锦辉,龚灵雪,黄祖凤. Владелец: Guangxi Beigang New Material Co ltd. Дата публикации: 2022-03-04.

Laser probe induction coupled plasma emission analyzing apparatus

Номер патента: JPS54162597A. Автор: Yuzuru Komiyama,Yutaka Hiratsuka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1979-12-24.

Inductively coupled plasma mass spectrometry detection kit for elements in whole blood and application

Номер патента: CN108195924B. Автор: 许骋,楼敬伟,黄永富,霍志远,荆莲艳,闻颖,俞东堃. Владелец: SHANGHAI ZHANGJIANG TRANSLATIONAL MEDICINE RESEARCH CENTER Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-07.

Method of determining blood content of rare-earth elements: yttrium, lanthanum, cerium, praseodymium, neodymium, samarium, europium, gadolinium, terbium, dysprosium, holmium, erbium, thulium, ytterbium and lutetium by mass spectrometry with inductively coupled plasma

Номер патента: RU2696011C1. Автор: Нина Владимировна Зайцева,Татьяна Сергеевна Уланова,Елена Вячеславовна Стенно,Галина Ахметовна Вейхман,Анна Владимировна Недошитова,Марина Валерьевна Волкова. Владелец: Федеральное бюджетное учреждение науки "Федеральный научный центр медико-профилактических технологий управления рисками здоровью населения" Федеральной службы по надзору в сфере защиты прав потребителей и благополучия человека (ФБУН "ФНЦ медико-профилактических технологий управления рисками здоровью. Дата публикации: 2019-07-30.

Method for operating a spectrometer with inductively coupled plasma e.g. for analytical atomic spectrometry

Номер патента: DE19518563A1. Автор: Winfried Dipl Phys Quillfeldt,Gunter Hes. Владелец: Carl Zeiss Jena GmbH. Дата публикации: 1996-11-21.

A kind of method of Ti content in inductively coupled plasma atomic emission spectrometry measure manganese metal

Номер патента: CN107727643A. Автор: 陆军,宋祖峰,荚江霞,王昔文. Владелец: Maanshan Iron and Steel Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-23.

Method for joint determination of chemical components of high-aluminum-manganese-iron by ICP (inductively coupled plasma)

Номер патента: CN114739979A. Автор: 许家宝,伍绍双,柳锐松,覃双环. Владелец: Yangchun New Iron and Steel Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-12.

Inductively Coupled Plasma Processing Apparatus

Номер патента: KR100721572B1. Автор: 김상진,김도근,정민재,정석헌. Владелец: 삼성에스디아이 주식회사. Дата публикации: 2007-05-23.

ICP-MS (Inductively Coupled Plasma-Mass Spectrometry) analysis method

Номер патента: CN105628782A. Автор: 郑毅,刘立鹏,韩双来,俞晓峰,梁炎. Владелец: Focused Photonics Hangzhou Inc. Дата публикации: 2016-06-01.

System and method for simultaneously detecting atomic mass spectrum and spectrum of inductively coupled plasma

Номер патента: CN111257253A. Автор: 蒋小明,侯贤灯,邓宇佳. Владелец: Sichuan University. Дата публикации: 2020-06-09.

Method for measuring contents of lanthanum, cobalt, strontium, barium and calcium in permanent magnetic ferrite by ICP (inductively coupled plasma)

Номер патента: CN109324036B. Автор: 刘超,陈晓宇,黄小琴,寇清,薛寒. Владелец: Hunan Aerospace Magnet and Magneto Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-27.

Method for measuring arsenic in food additive by ICP-MS (inductively coupled plasma-mass spectrometry)

Номер патента: CN110954589B. Автор: 李庚�,刘亚平,黄玲珠,毛善勇,黄晓蔓,庞恩. Владелец: Guangzhou Kingmed Diagnostics Central Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-31.

Analysis of an element concentration of a sample, comprises irradiating the sample with the help of a laser ablation- inductive coupled plasma mass spectrometer

Номер патента: DE102004048380A1. Автор: . Владелец: FORSCHUNGSZENTRUM JUELICH GMBH. Дата публикации: 2006-04-13.

Automatic ignition control method of ICP (Inductively Coupled Plasma) ion source

Номер патента: CN104597785A. Автор: 金星,张晶晶,方健. Владелец: China University of Geosciences. Дата публикации: 2015-05-06.

Inductively coupled plasma atomic emission spectroscopy

Номер патента: GB9413381D0. Автор: . Владелец: Natural Environmental Research Council. Дата публикации: 1994-08-24.

Method for highly anisotropic etching of titanium oxide spacer using selective top-deposition

Номер патента: US12009211B2. Автор: Stephanie OYOLA-REYNOSO,Angelique RALEY,Shihsheng Chang,Eric Chih-Fang Liu,Katie Lutker-Lee,Ya-Ming Chen. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Activated species generator for rapid cycle deposition processes

Номер патента: US20060035025A1. Автор: Ashok Sinha,Donald Verplancken. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2006-02-16.

METHOD AND SOFTWARE DEFINED NETWORK CONTROLLER FOR PERFORMING ROUND-TRIP TIME DETERMINATION BETWEEN A SOURCE ELEMENT AND A TARGET ELEMENT

Номер патента: US20200084128A1. Автор: MATSIUK Anton,SCHNEIDER Fabian,Gkounis Dimitrios. Владелец: NEC Laboratories Europe GmbH. Дата публикации: 2020-03-12.

SYSTEM AND METHOD FOR INTELLIGENTLY MAPPING A SOURCE ELEMENT TO A TARGET ELEMENT IN AN INTEGRATION CLOUD SERVICE DESIGN TIME

Номер патента: US20160359689A1. Автор: Hora Thomas,Herreria Jorge. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-08.

System and method for intelligently mapping source elements to target elements in a cloud-based integration service

Номер патента: CN107408009B. Автор: J·赫雷利亚,T·霍拉. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2020-10-09.

Vibration-proof device for optic source element of upper transparency adapter

Номер патента: US20020089730A1. Автор: Chun-I Hsiao,Chi-Chih Tseng. Владелец: Umax Data System Inc. Дата публикации: 2002-07-11.

DIELECTRIC RESONATOR SOURCE IN GALLERY MODE

Номер патента: FR2750816A1. Автор: Marc Trier,Aline Bazil. Владелец: Matra Marconi Space France SA. Дата публикации: 1998-01-09.

DIELECTRIC RESONATOR SOURCE IN GALLERY MODE

Номер патента: FR2750816B1. Автор: Marc Trier,Aline Bazil. Владелец: Matra Marconi Space France SA. Дата публикации: 1998-10-23.

Implementation method for constructing generation of power electronic harmonic resonance source

Номер патента: CN110718917B. Автор: 李婷,陈云,杨洋,李建文,刘扬,马文强,李永刚,王剑锋,陈巍巍,汪世锋,董耀,杨怀建,郭海庆,裘建云,户志斌,谈守卿,张占俊. Владелец: Haixi Power Supply Co Of State Grid Qinghai Electric Power Co. Дата публикации: 2022-03-25.

Control device for controlling light source element and image forming apparatus with control device built therein

Номер патента: US8582159B2. Автор: Masaya Tashiro. Владелец: Kyocera Mita Corp. Дата публикации: 2013-11-12.

Power source element detection and monitoring

Номер патента: US09764703B2. Автор: Guillaume Hoareau,Johannes J. Liebenberg,John G. Musial,Todd R. Whitman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Method and system for pneumatic control for vibrator source element

Номер патента: US09891329B2. Автор: Dominique Thomas,Robert Dowle,John Sallas,Thierry AMEIL. Владелец: CGG SERVICES SAS. Дата публикации: 2018-02-13.

Method and system for pneumatic control for vibrator source element

Номер патента: US09535180B2. Автор: Dominique Thomas,Robert Dowle,John Sallas,Thierry AMEIL. Владелец: CGG SERVICES SAS. Дата публикации: 2017-01-03.

Surface light source element

Номер патента: CA2068422A1. Автор: Issei Chiba,Makoto Ohe. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-03-13.

Surface light source element and image display device provided with the surface light source element

Номер патента: EP2239491A1. Автор: Seiji Kinoshita. Владелец: Kuraray Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-13.

Controlling seismic source elements based on determining a three-dimensional geometry of the seismic source elements

Номер патента: WO2009048683A3. Автор: Nicolas Goujon,Aslaug Stroemmen Melboe,Luren Yang. Владелец: Geco Technology B.V.. Дата публикации: 2010-06-03.

Continuous downhole resonance source

Номер патента: RU2330309C2. Автор: Питер С. АРОНСТАМ. Владелец: Бейкер Хьюз Инкорпорейтед. Дата публикации: 2008-07-27.

Method for marine acoustic projector piston for vibrator source element

Номер патента: EP2959320A1. Автор: Dominique Thomas,Robert Dowle,Benoit Teyssandier. Владелец: CGG SERVICES SAS. Дата публикации: 2015-12-30.

X-ray holography light source element and x-ray holography system

Номер патента: US20120288055A1. Автор: Kohei Okamoto,Hirokatsu Miyata,Atsushi Komoto. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-11-15.

Plasma processing device, plasma processing method and method of manufacturing electronic devices

Номер патента: US09627183B2. Автор: Tomohiro Okumura. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Cooling plate for ICP-MS

Номер патента: AU2019261698A1. Автор: Joachim Hinrichs. Владелец: Thermo Fisher Scientific Bremen GmbH. Дата публикации: 2020-07-02.

Cooling plate for ICP-MS

Номер патента: AU2019261698B2. Автор: Joachim Hinrichs. Владелец: Thermo Fisher Scientific Bremen GmbH. Дата публикации: 2021-06-24.

Cooling plate for ICP-MS

Номер патента: GB2585327A. Автор: Hinrichs Joachim. Владелец: Thermo Fisher Scientific Bremen GmbH. Дата публикации: 2021-01-13.

Generator for spectrometry

Номер патента: US12022603B2. Автор: Frank CLAUS,Andreas Bielert. Владелец: Analytik Jena Gmbh+co Kg. Дата публикации: 2024-06-25.

Closed-loop downhole resonant source

Номер патента: CA2535887A1. Автор: Peter S. Aronstam,Roger Fincher,Larry Watkins,James E. Goodson, Jr.,Michael Carmody. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-03-24.

Closed-loop downhole resonant source

Номер патента: CA2535887C. Автор: Peter S. Aronstam,Roger Fincher,Larry Watkins,James E. Goodson, Jr.,Michael Carmody. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2015-06-16.

PROCESSORS, METHODS, SYSTEMS, AND INSTRUCTIONS TO STORE SOURCE ELEMENTS TO CORRESPONDING UNMASKED RESULT ELEMENTS WITH PROPAGATION TO MASKED RESULT ELEMENTS

Номер патента: US20170017487A1. Автор: PLOTNIKOV Mikhail. Владелец: lntel Corporation. Дата публикации: 2017-01-19.

PROCESSORS, METHODS, SYSTEMS, AND INSTRUCTIONS TO STORE CONSECUTIVE SOURCE ELEMENTS TO UNMASKED RESULT ELEMENTS WITH PROPAGATION TO MASKED RESULT ELEMENTS

Номер патента: US20170017488A1. Автор: PLOTNIKOV Mikhail. Владелец: lntel Corporation. Дата публикации: 2017-01-19.

Processors, methods, systems, and instructions to store source elements to corresponding unmasked result elements with propagation to masked result elements

Номер патента: KR101818985B1. Автор: 미하일 플로트니코프. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2018-02-28.

Processors, methods, systems, and instructions to store consecutive source elements to unmasked result elements with propagation to masked result elements

Номер патента: CN106030513A. Автор: M.普罗特尼科夫. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-12.

Surface light source element and lighting device including the same

Номер патента: TW201221858A. Автор: Yoshimi Ohta,Ikuo Onishi. Владелец: Kuraray Co. Дата публикации: 2012-06-01.

Downhole Sensor System Using Resonant Source

Номер патента: US20190024481A1. Автор: Shanfield Stanley,Greenbaum Adam J.,Prestero Mark. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Permanent downhole resonant source

Номер патента: WO2004074869A3. Автор: Peter S Aronstam. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2005-01-20.

Permanent downhole resonant source

Номер патента: CA2514640C. Автор: Peter S. Aronstam. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2014-10-28.

Permanent downhole resonant source

Номер патента: EP1595164A2. Автор: Peter S. Aronstam. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2005-11-16.

Closed-loop downhole resonant source

Номер патента: WO2005026775A1. Автор: Peter S. Aronstam,Roger Fincher,Larry Watkins,James E. Goodson, Jr.,Michael Carmody. Владелец: BAKER HUGHES INCORPORATED. Дата публикации: 2005-03-24.

Closed-loop downhole resonant source

Номер патента: US7823689B2. Автор: Peter S. Aronstam,Roger Fincher,Larry Watkins,James E. Goodson, Jr.,Michael Carmody. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2010-11-02.

Permanent downhole resonant source

Номер патента: CA2514640A1. Автор: Peter S. Aronstam. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-02.

Closed-loop downhole resonant source

Номер патента: GB2420178B. Автор: Roger Fincher,Larry Watkins,Peter S Aronstam,Michael Carmody,James E Goodson Jr. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2007-04-11.

Atypical multi resonant source formula frequency viewer

Номер патента: CN106898208A. Автор: 蒋丹,杨远敏. Владелец: Chongqing Zunlai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

SYSTEM AND METHOD FOR RETRIEVING A SOURCE ELEMENT FROM A LOGGING TOOL LOCATED IN A WELL

Номер патента: US20220074300A1. Автор: Al Daif Mohammed Y.. Владелец: Saudi Arabian Oil Company. Дата публикации: 2022-03-10.

METHOD AND SYSTEM FOR PNEUMATIC CONTROL FOR VIBRATOR SOURCE ELEMENT

Номер патента: US20170068005A1. Автор: DOWLE Robert,SALLAS John,THOMAS Dominique,AMEIL Thierry. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-09.

DIAGNOSTICS OF DECLARATIVE SOURCE ELEMENTS

Номер патента: US20140181592A1. Автор: Fanning Michael C.,ANDREW Felix Gerard Torquil Ifor,AHMAD Ahmad Khalifa Eesa. Владелец: MICROSOFT CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-26.

Marine acoustic projector piston for vibrator source element and method

Номер патента: US20140238771A1. Автор: Dominique Thomas,Robert Dowle,Benoit Teyssandier. Владелец: CGG SERVICES SAS. Дата публикации: 2014-08-28.

METHOD AND SYSTEM FOR PNEUMATIC CONTROL FOR VIBRATOR SOURCE ELEMENT

Номер патента: US20140238773A1. Автор: DOWLE Robert,SALLAS John,THOMAS Dominique,AMEIL Thierry. Владелец: CGG SERVICES SA. Дата публикации: 2014-08-28.

POWER SOURCE ELEMENT DETECTION AND MONITORING

Номер патента: US20170210313A1. Автор: Musial John G.,Hoareau Guillaume,Liebenberg Johannes J.,Whitman Todd R.. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-27.

POWER SOURCE ELEMENT DETECTION AND MONITORING

Номер патента: US20170313272A1. Автор: Musial John G.,Hoareau Guillaume,Liebenberg Johannes J.,Whitman Todd R.. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

MECHANISM AND METHOD FOR REDUCED AIR CONSUMPTION IN A MARINE VIBRATORY SOURCE ELEMENT

Номер патента: US20170343688A1. Автор: DOWLE Robert,SALLAS John. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

Light source element with lateral, angular light injection

Номер патента: KR100402718B1. Автор: 헤르베르트 브루너,귄터 바이틀,베른하르트 바흘,프란츠 셸호른,귄터 키르히베르거. Владелец: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하. Дата публикации: 2003-10-22.

Processor and method for executing masked source element store with propagation instructions

Номер патента: CN106030514B. Автор: M.普罗特尼科夫. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-09-13.

Surface light source element, light control member used therefor, and image display device using the same

Номер патента: JPWO2008029911A1. Автор: 伊久雄 大西,佳実 大田. Владелец: Kuraray Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-21.

Light Source Element with Lateral, Oblique Light Infeed

Номер патента: US20070263411A1. Автор: Gunter Waitl,Herbert Brunner,Franz Schellhorn,Bernhard Bachl,Günter KIRCHBERGER. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2007-11-15.

Surface light source element and image display device having the same

Номер патента: JP5486504B2. Автор: 誠二 木下. Владелец: Kuraray Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-07.

Display device using electron source elements and method of driving same

Номер патента: US20050093801A1. Автор: Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-05.

Surface light source element array and image display device

Номер патента: JPWO2009047891A1. Автор: 浩司 安部,龍男 内田,内田　龍男,安部　浩司. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2011-02-17.

Digital regulation control system for electrical power source element array

Номер патента: US3487229A. Автор: Alfred Krausz. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1969-12-30.

CONFINEMENT ENCLOSURE FOR A SOURCE-ELEMENT CAPABLE OF GENERATING A CONTAMINANT FLUID

Номер патента: FR2975214B1. Автор: Bruno Deletre,Sebastien Durand,James Gazeau,Remy Prioleau,Jerome Pelle. Владелец: Gaztransport et Technigaz SARL. Дата публикации: 2013-06-28.

Apparatus for sorting electric energy chemical source elements by height

Номер патента: SU1043766A1. Автор: Леонид Гершевич Рувинский,Макс Наумович Крейнин,Лариса Николаевна Шпанова. Владелец: Всесоюзный Научно-Исследовательский Проектно-Конструкторский И Технологический Институт Источников Тока. Дата публикации: 1983-09-23.

Solid state separation type light source element for display system and preparation of irradiation display

Номер патента: JPS5984287A. Автор: ブレント・ダブリユ・ブラウン. Владелец: INTEGUREITEITSUDO SYSTEMS ENG Inc. Дата публикации: 1984-05-15.

CONFINEMENT ENCLOSURE FOR A SOURCE-ELEMENT CAPABLE OF GENERATING A CONTAMINANT FLUID

Номер патента: FR2975214A1. Автор: Bruno Deletre,Sebastien Durand,James Gazeau,Remy Prioleau,Jerome Pelle. Владелец: Gaztransport et Technigaz SARL. Дата публикации: 2012-11-16.

Light diffusion film and planar light source element and liquid crystal display device utilizing the same

Номер патента: US7967492B2. Автор: Atsushi Nagasawa,Yasuyuki Sanai. Владелец: Kuraray Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-28.

Method of operation of power generating system, power generating system and electrochemical current source element for its implementation

Номер патента: RU2538552C2. Автор: Александр Викторович Даукш,Анатолий Анатолиевич Дядик (умер). Владелец: Анатолий Анатолиевич Дядик (умер). Дата публикации: 2015-01-10.

Device for separating single cells from source element and laser photolysis induced high-voltage pulse wave

Номер патента: CN106520549B. Автор: 张永康,郭钟宁,黄志刚,邓宇,刘江文,王文兵,洪文生,麦文豪,朱紫红. Владелец: GUANGDONG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-04-14.

Light-source element with inclined light-coupling in side

Номер патента: TW454100B. Автор: Gunter Waitl,Franz Schellhorn,Bernhard Bachl,Guenther Kirchberger. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2001-09-11.

Method and system for pneumatic control for vibrator source element

Номер патента: WO2014128219A3. Автор: Dominique Thomas,Robert Dowle,John Sallas,Thierry AMEIL. Владелец: CGG SERVICES SA. Дата публикации: 2015-01-08.

Surface light source element and liquid crystal display device, sign device and traffic control sign device using same

Номер патента: US6099135A. Автор: Masaharu Oda,Yasuko Hayashi,Issei Chiba. Владелец: Mitsubishi Rayon Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-08.

Display device using electron source elements and method of driving same

Номер патента: US20110134098A1. Автор: Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-09.

Display device using electron source elements and method of driving same

Номер патента: US7888878B2. Автор: Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-15.

Method and system for pneumatic control for vibrator source element

Номер патента: WO2014128219A2. Автор: Dominique Thomas,Robert Dowle,John Sallas,Thierry AMEIL. Владелец: CGG SERVICES SA. Дата публикации: 2014-08-28.

Surface light source element and image display apparatus including the same

Номер патента: US8159632B2. Автор: Seiji Kinoshita. Владелец: Kuraray Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-17.

Method and apparatus for assessing sourced elements

Номер патента: US20080163173A1. Автор: Eric Jonathan Bauer,Paul Hampton Franklin,David A. Gatenby,Meenakshi Sharma. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

method and system for pneumatic control for vibratory source element

Номер патента: BR112015020117A2. Автор: DOWLE Robert,SALLAS John,THOMAS Dominique,AMEIL Thierry. Владелец: CGG SERVICES SA. Дата публикации: 2017-07-18.

Light diffusive sheet and area light source element using the same

Номер патента: TWI282014B. Автор: Masashi Takai,Yasumaro Toshima,Hideharu Nagami. Владелец: Ktmoto Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-01.

Use of a chemically reactive plasma for thermal-chemical processes

Номер патента: US6153852A. Автор: Andreas S. Blutke,Edward M. Bohn,Robert S. Ottinger,Michel G. Tuszewski,John S. Vavruska. Владелец: THERMAL CONVERSION CORP. Дата публикации: 2000-11-28.

Analysis of samples for mass-cytometry

Номер патента: RU2637795C2. Автор: Александр ЛОБОДА. Владелец: Флуидигм Кэнада Инк.. Дата публикации: 2017-12-07.

Precise etching apparatus for preparing recessed-gate enhancement device and etching method for the same

Номер патента: US20220157609A1. Автор: Guoqiang Li,Runze LI,Zhikun Liu,Dingbo Chen,Lijun Wan,Peiye SUN,Xianfeng QUE,Shunan YAO. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2022-05-19.

화학기상증착장치

Номер патента: KR20100044518A. Автор: 전영수,신인철. Владелец: 주식회사 케이씨텍. Дата публикации: 2010-04-30.

Sample transferring apparatus for mass cytometry

Номер патента: US09431227B2. Автор: Raymond Jong. Владелец: Fluidigm Canada Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Methods for Forming Microlenses

Номер патента: US20130323933A1. Автор: Rao V. Annapragada,Tinghao Frank Wang,Cecilia Laura Quinteros,Linda Nancy Marquez,Steven M. Kennedy. Владелец: Mattson Technology Inc. Дата публикации: 2013-12-05.

Membrane-based purge gas and sample transfer for laser ablation sample processing

Номер патента: US20230298877A1. Автор: Daniel R. Wiederin,Michael P. FIELD,Ross Coenen,Mark Casper,Jude Sakowski. Владелец: Elemental Scientific Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Membrane-based purge gas and sample transfer for laser ablation sample processing

Номер патента: WO2023177731A1. Автор: Daniel R. Wiederin,Michael P. FIELD,Ross Coenen,Mark Casper,Jude Sakowski. Владелец: Elemental Scientific, Inc.. Дата публикации: 2023-09-21.

Sample transport apparatus for mass spectrometry

Номер патента: US20220134343A1. Автор: Ran Wei,Shuangwu SUN,Yuchong WANG,Yupeng Cheng. Владелец: Shanghai Polaris Biology Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Sample transport apparatus for mass spectrometry

Номер патента: US11986826B2. Автор: Ran Wei,Shuangwu SUN,Yuchong WANG,Yupeng Cheng. Владелец: Shanghai Polaris Biology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

A method and system to align the firing of a laser ablation apparatus with the cyclic measurement periods of a mass-spectrometer

Номер патента: AU2020434576B2. Автор: Nicholas WEST,Charles Norris. Владелец: Norris Scient Pty Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Mirror clip

Номер патента: GB2586123A. Автор: Wohlers Dirk,Rathkamp Jan. Владелец: Thermo Fisher Scientific Bremen GmbH. Дата публикации: 2021-02-10.

Method for forming silicon dots

Номер патента: US20100260944A1. Автор: Hirokazu Kaki,Eiji Takahashi,Atsushi Tomyo. Владелец: Nissin Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-14.

A sliding door assembly for an ICP torch box

Номер патента: GB2586047A. Автор: Wolf Tobias,Rathkamp Jan,Piero Yannik. Владелец: Thermo Fisher Scientific Bremen GmbH. Дата публикации: 2021-02-03.

Method for separate determination of inorganic and organic arsenic in seafood

Номер патента: RU2760237C1. Автор: Алексей Иванович Колобанов,Сергей Анатольевич Хотимченко,Иван Всеволодович Гмошинский,Антонина Александровна Шумакова,Сергей Николаевич Зорин,Владимир Владимирович Бессонов,Алексей Дмитриевич Малинкин,Анна Дмитриевна Мусаева,Ольга Викторовна Багрянцева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки "Федеральный исследовательский центр питания, биотехнологии и безопасности пищи" (ФГБУН "ФИЦ питания и биотехнологии"). Дата публикации: 2021-11-23.

Ion-sorption method of lithochemical prospecting of polymetallic deposits

Номер патента: RU2713177C1. Автор: Сергей Анатольевич Миляев,Сергей Гаврилович Кряжев,Юлия Владимировна Виленкина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение «Центральный научно-исследовательский геологоразведочный институт цветных и благородных металлов» (ФГБУ «ЦНИГРИ»). Дата публикации: 2020-02-04.

Analytical laser ablation of solid samples for ICP, ICP-MS and FAG-MS analysis

Номер патента: US09694447B1. Автор: Robert C. Fry,Steven K. Hughes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-04.

무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법 및 무촉매 기판 성장 그래핀

Номер патента: KR20160104882A. Автор: 이윤택. Владелец: 이윤택. Дата публикации: 2016-09-06.

무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법 및 무촉매 기판 성장 그래핀

Номер патента: KR20160089244A. Автор: 이윤택. Владелец: 이윤택. Дата публикации: 2016-07-27.

무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법 및 무촉매 기판 성장 그래핀

Номер патента: KR20160106331A. Автор: 이윤택. Владелец: 이윤택. Дата публикации: 2016-09-12.

무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법 및 무촉매 기판 성장 그래핀

Номер патента: KR20160106334A. Автор: 이윤택. Владелец: 이윤택. Дата публикации: 2016-09-12.

무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법 및 무촉매 기판 성장 그래핀

Номер патента: KR20160104881A. Автор: 이윤택. Владелец: 이윤택. Дата публикации: 2016-09-06.

무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법 및 무촉매 기판 성장 그래핀

Номер патента: KR20160092246A. Автор: 이윤택. Владелец: 이윤택. Дата публикации: 2016-08-04.

무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법 및 무촉매 기판 성장 그래핀

Номер патента: KR20160092249A. Автор: 이윤택. Владелец: 이윤택. Дата публикации: 2016-08-04.

무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법 및 무촉매 기판 성장 그래핀

Номер патента: KR20160093902A. Автор: 이윤택. Владелец: 이윤택. Дата публикации: 2016-08-09.

무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법 및 무촉매 기판 성장 그래핀

Номер патента: KR20160093903A. Автор: 이윤택. Владелец: 이윤택. Дата публикации: 2016-08-09.

무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법 및 무촉매 기판 성장 그래핀

Номер патента: KR20160095760A. Автор: 이윤택. Владелец: 이윤택. Дата публикации: 2016-08-12.

무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법 및 무촉매 기판 성장 그래핀

Номер патента: KR20160095761A. Автор: 이윤택. Владелец: 이윤택. Дата публикации: 2016-08-12.

무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법 및 무촉매 기판 성장 그래핀

Номер патента: KR20160095971A. Автор: 이윤택. Владелец: 이윤택. Дата публикации: 2016-08-12.

무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법 및 무촉매 기판 성장 그래핀

Номер патента: KR20160095970A. Автор: 이윤택. Владелец: 이윤택. Дата публикации: 2016-08-12.

무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법 및 무촉매 기판 성장 그래핀

Номер патента: KR20160085005A. Автор: 이윤택. Владелец: 이윤택. Дата публикации: 2016-07-15.

무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법 및 무촉매 기판 성장 그래핀

Номер патента: KR20160087718A. Автор: 이윤택. Владелец: 이윤택. Дата публикации: 2016-07-22.

무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법 및 무촉매 기판 성장 그래핀

Номер патента: KR20160086213A. Автор: 이윤택. Владелец: 이윤택. Дата публикации: 2016-07-19.

무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법 및 무촉매 기판 성장 그래핀

Номер патента: KR20160086212A. Автор: 이윤택. Владелец: 이윤택. Дата публикации: 2016-07-19.

무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법 및 무촉매 기판 성장 그래핀

Номер патента: KR20160086229A. Автор: 이윤택. Владелец: 이윤택. Дата публикации: 2016-07-19.

무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법 및 무촉매 기판 성장 그래핀

Номер патента: KR20160088027A. Автор: 이윤택. Владелец: 이윤택. Дата публикации: 2016-07-25.

무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법 및 무촉매 기판 성장 그래핀

Номер патента: KR20160088025A. Автор: 이윤택. Владелец: 이윤택. Дата публикации: 2016-07-25.

무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법 및 무촉매 기판 성장 그래핀

Номер патента: KR20160089055A. Автор: 이윤택. Владелец: 이윤택. Дата публикации: 2016-07-27.

무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법 및 무촉매 기판 성장 그래핀

Номер патента: KR20160089054A. Автор: 이윤택. Владелец: 이윤택. Дата публикации: 2016-07-27.

무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법 및 무촉매 기판 성장 그래핀

Номер патента: KR20160089243A. Автор: 이윤택. Владелец: 이윤택. Дата публикации: 2016-07-27.

무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법 및 무촉매 기판 성장 그래핀

Номер патента: KR20160091536A. Автор: 이윤택. Владелец: 이윤택. Дата публикации: 2016-08-03.

무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법 및 무촉매 기판 성장 그래핀

Номер патента: KR20160091537A. Автор: 이윤택. Владелец: 이윤택. Дата публикации: 2016-08-03.

Method of producing fluid exhaust head

Номер патента: RU2422289C1. Автор: Масатака КАТО,Казухиро ХАЯКАВА. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2011-06-27.

기판 성장 그래핀의 제조방법 및 기판 성장 그래핀 및 제조 장치

Номер патента: KR20160106459A. Автор: 이윤택. Владелец: 이윤택. Дата публикации: 2016-09-12.

기판 성장 그래핀의 제조방법 및 기판 성장 그래핀 및 제조 장치

Номер патента: KR20160092179A. Автор: 이윤택. Владелец: 이윤택. Дата публикации: 2016-08-04.

기판 성장 그래핀의 제조방법 및 기판 성장 그래핀 및 제조 장치

Номер патента: KR20160093240A. Автор: 이윤택. Владелец: 이윤택. Дата публикации: 2016-08-08.

기판 성장 그래핀의 제조방법 및 기판 성장 그래핀 및 제조 장치

Номер патента: KR20160094028A. Автор: 이윤택. Владелец: 이윤택. Дата публикации: 2016-08-09.

Fabrication of a total internal reflection optical switch with vertical fluid fill-holes

Номер патента: US6324316B1. Автор: Julie E. Fouquet,Datong Chen. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2001-11-27.

기판 성장 그래핀의 제조방법 및 기판 성장 그래핀 및 제조 장치

Номер патента: KR20160086726A. Автор: 이윤택. Владелец: 이윤택. Дата публикации: 2016-07-20.

기판 성장 그래핀의 제조방법 및 기판 성장 그래핀 및 제조 장치

Номер патента: KR20160099317A. Автор: 이윤택. Владелец: 이윤택. Дата публикации: 2016-08-22.

기판 성장 그래핀의 제조방법 및 기판 성장 그래핀 및 제조 장치

Номер патента: KR20160099328A. Автор: 이윤택. Владелец: 이윤택. Дата публикации: 2016-08-22.

기판 성장 그래핀의 제조방법 및 기판 성장 그래핀 및 제조 장치

Номер патента: KR20160100162A. Автор: 이윤택. Владелец: 이윤택. Дата публикации: 2016-08-23.

기판 성장 그래핀의 제조방법 및 기판 성장 그래핀 및 제조 장치

Номер патента: KR20160100466A. Автор: 이윤택. Владелец: 이윤택. Дата публикации: 2016-08-24.

기판 성장 그래핀의 제조방법 및 기판 성장 그래핀 및 제조 장치

Номер патента: KR20160094047A. Автор: 이윤택. Владелец: 이윤택. Дата публикации: 2016-08-09.

기판 성장 그래핀의 제조방법 및 기판 성장 그래핀 및 제조 장치

Номер патента: KR20160094045A. Автор: 이윤택. Владелец: 이윤택. Дата публикации: 2016-08-09.

기판 성장 그래핀의 제조방법 및 기판 성장 그래핀 및 제조 장치

Номер патента: KR20160100467A. Автор: 이윤택. Владелец: 이윤택. Дата публикации: 2016-08-24.

기판 성장 그래핀의 제조방법 및 기판 성장 그래핀 및 제조 장치

Номер патента: KR20160091575A. Автор: 이윤택. Владелец: 이윤택. Дата публикации: 2016-08-03.

기판 성장 그래핀의 제조방법 및 기판 성장 그래핀 및 제조 장치

Номер патента: KR20160091577A. Автор: 이윤택. Владелец: 이윤택. Дата публикации: 2016-08-03.

기판 성장 그래핀의 제조방법 및 기판 성장 그래핀 및 제조 장치

Номер патента: KR20160091560A. Автор: 이윤택. Владелец: 이윤택. Дата публикации: 2016-08-03.

기판 성장 그래핀의 제조방법 및 기판 성장 그래핀 및 제조 장치

Номер патента: KR20160091559A. Автор: 이윤택. Владелец: 이윤택. Дата публикации: 2016-08-03.

기판 성장 그래핀의 제조방법 및 기판 성장 그래핀 및 제조 장치

Номер патента: KR20160091555A. Автор: 이윤택. Владелец: 이윤택. Дата публикации: 2016-08-03.

Method of detecting rhenium in molybdenum-containing materials via inductively coupled plasma atomic emission spectrometry

Номер патента: RU2465585C1. Автор: Надежда Викторовна Печищева,Константин Юрьевич Шуняев,Ольга Викторовна Евдокимова,Анна Александровна Стасик. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии Уральского отделения Российской академии наук (ИМЕТ УрО РАН). Дата публикации: 2012-10-27.

Method of determining concentration of vanadium in atmospheric air by inductively coupled plasma mass spectrometry (versions)

Номер патента: RU2466096C1. Автор: Нина Владимировна Зайцева,Татьяна Сергеевна Уланова,Елена Вячеславовна Стенно,Галина Ахметовна Вейхман,Марина Александровна Баканина,Юлия Васильевна Шардакова,Ольга Владимировна Гилева. Владелец: Федеральное бюджетное учреждение науки "Федеральный научный центр медико-профилактических технологий управления рисками здоровью населения" (ФБУН "ФНЦ медико-профилактических технологий управления рисками здоровью населения"). Дата публикации: 2012-11-10.

Atomizing chamber of sampling system of inductively coupled plasma (ICP) spectrometer

Номер патента: CN201628684U. Автор: 张树龙,应刚. Владелец: Jiangsu Skyray Instrument Co Ltd. Дата публикации: 2010-11-10.

Etching cavity of dry-etching hard inorganic material substrate inductively coupled plasma (ICP) etching machine

Номер патента: CN202259153U. Автор: 陈波,李超波,汪明刚,黄成强. Владелец: JIAXING MICROELECTRONIC INSTRUMENT AND EQUIPMENT ENGINEERING CENTER CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-05-30.

DYNAMIC ION RADICAL SIEVE AND ION RADICAL APERTURE FOR AN INDUCTIVELY COUPLED PLASMA (ICP) REACTOR

Номер патента: US20120305184A1. Автор: Kumar Ajay,Singh Saravjeet,SCOTT Graeme Jamieson. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-12-06.

INCREASED DEPOSITION EFFICIENCY AND HIGHER CHAMBER CONDUCTANCE WITH SOURCE POWER INCREASE IN AN INDUCTIVELY COUPLED PLASMA (ICP) CHAMBER

Номер патента: US20130005152A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-01-03.

Methods and Structures for Rapid Switching Between Different Process Gases in an Inductively-Coupled Plasma (ICP) Ion Source

Номер патента: US20130015765A1. Автор: Kellogg Sean,Parker N. William,Utlaut Mark W.,Graupera Anthony. Владелец: FEI COMPANY. Дата публикации: 2013-01-17.

ANTENNA FOR INDUCTIVELY COUPLED PLASMA GENERATION, INDUCTIVELY COUPLED PLASMA GENERATOR, AND METHOD OF DRIVING THE SAME

Номер патента: US20120037491A1. Автор: Park Young June,Kim Il Wook. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-16.

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA MASS SPECTROSCOPY APPARATUS AND MEASURED DATA PROCESSING METHOD IN THE INDUCTIVELY COUPLED PLASMA MASS SPECTROSCOPY APPARATUS

Номер патента: US20120074309A1. Автор: . Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2012-03-29.

Method and device for treatment of dispersed thermoplastic materials by inductively coupled plasma

Номер патента: RU2178392C2. Автор: Л.А. Иванов,Н.Н. Киселев,В.А. Слугин,В.А. Побережный,М.Г. Сотенский. Владелец: Закрытое акционерное общество "СПЕЦХИММОНТАЖ". Дата публикации: 2002-01-20.

High frequency antenna for induction coupling plasma and induction coupling plasma source with the antenna

Номер патента: JPH1197199A. Автор: ウィクラマナヤカ スニル,Uikuramanayaka Suniru. Владелец: Anelva Corp. Дата публикации: 1999-04-09.

Induction coupling coil and induction coupling plasma device

Номер патента: CN1925074B. Автор: 宋巧丽. Владелец: Beijing North Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-11.

Induction coupling coil and induction coupling plasma device

Номер патента: CN1925074A. Автор: 宋巧丽. Владелец: Beijing North Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-07.

Inductance coupling coil and inductance coupling plasma apparatus

Номер патента: CN101409126B. Автор: 刘宏,刘晓晗,袁洁静. Владелец: SUZHOU HANSHEN MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2011-07-13.

Inductively coupled plasma reactor

Номер патента: AU2002231067A1. Автор: Valery Godyak. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-08.

Inductive coupling plasma processing device and heating element thereof

Номер патента: TWI570768B. Автор: Lei Wan,Jun Wang,Xiao-Bing Xie. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-11.

Inductively coupled plasma control with external magnetic material

Номер патента: AU2002256073A1. Автор: Andrew Perry,Neil Benjamin,Takumasa Nishida,Shu Nakajima. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2002-10-28.

Antenna structure for inductively coupled plasma generator

Номер патента: AU2002313937A1. Автор: Young Kwan Lee,Sang Won Lee,Sae Hoon Uhm. Владелец: Plasmart Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-17.

Fume extractor of inductively coupled plasma mass spectrometer

Номер патента: CN221983372U. Автор: 张蕊,张晓楠,林凤,郝凤平,闫玉春,林天宠. Владелец: Tianjin Yuxiang Jinzhun Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Plasma Igniter for an Inductively Coupled Plasma Ion Source

Номер патента: US20120032092A1. Автор: Zhang Shouyin,Kellogg Sean,Graupera Anthony,Miller Tom,Laur Dustin,Dirriwachter Antonius Bastianus Wilhelmus. Владелец: FEI COMPANY. Дата публикации: 2012-02-09.

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA FLOOD GUN USING AN IMMERSED LOW INDUCTANCE FR COIL AND MULTICUSP MAGNETIC ARRANGEMENT

Номер патента: US20120085917A1. Автор: Benveniste Victor M.,Kurunczi Peter F.,Naumovski Oliver V.. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2012-04-12.

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCE FOR PLASMA PROCESSING

Номер патента: US20120152901A1. Автор: LEE Dongsoo,Nagorny Vladimir,Kadavanich Andreas. Владелец: MATTSON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-06-21.

PLASMA REACTOR HAVING DUAL INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCE

Номер патента: US20130052830A1. Автор: CHOI Dae-Kyu,KIM Gyoo-Dong. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-28.

FIELD ENHANCED INDUCTIVELY COUPLED PLASMA PROCESSING APPARATUS AND PLASMA FORMING METHOD

Номер патента: US20140102641A1. Автор: Lee Soo-Hyun. Владелец: SMATEK CO., LTD. Дата публикации: 2014-04-17.

Inductive coupling plasma coil and plasma injection device

Номер патента: CN103165383A. Автор: 李楠,李超波,夏洋,窦伟. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-06-19.

Inductively coupled plasma spray gun and plasma device

Номер патента: CN104867801B. Автор: 邬苏东,叶继春,张胜,韩灿,高平奇,杨映虎. Владелец: Ningbo Institute of Material Technology and Engineering of CAS. Дата публикации: 2017-01-18.

Inductively coupled plasma spray gun and plasma apparatus

Номер патента: CN204614759U. Автор: 邬苏东,叶继春,张胜,韩灿,高平奇,杨映虎. Владелец: Ningbo Institute of Material Technology and Engineering of CAS. Дата публикации: 2015-09-02.

Inductively coupled plasma treatment device and plasma etching method

Номер патента: TW201618180A. Автор: Di Wu,Zeng-Di Lian,Yun-Wen Huang,Tu Qiang Ni. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Shanghai Co L. Дата публикации: 2016-05-16.

Inductively coupled plasma coil and plasma injection device

Номер патента: CN103165383B. Автор: 李楠,李超波,夏洋,窦伟. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-05-11.

Two-dimensional mobile platform applied to adjust plasma position of ICP (Inductively Coupled Plasma) analytical instrument

Номер патента: CN104880455A. Автор: 何淼,曹海霞,董海洋,赵英飞,罗剑秋,唐振山. Владелец: NCS TESTING TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-02.

Inductively coupled plasma processing apparatus and self-inducting coil thereof and method thereof for manufacturing semiconductor substrate

Номер патента: TWI615063B. Автор: Jun Wang. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-11.

Inductively coupled plasma coil and plasma injection device

Номер патента: CN202352478U. Автор: 李楠,李超波,夏洋,窦伟. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-07-25.

Method for Fabricating Solar Cell Using Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition

Номер патента: US20120077303A1. Автор: Lee Jong Ho,Jeong Chaehwan,Kim Ho-Sung,Boo Seongjae. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology. Дата публикации: 2012-03-29.

Method for Fabricating Solar Cell Using Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition

Номер патента: US20120077306A1. Автор: Lee Jong Ho,Jeong Chaehwan,Kim Ho-Sung,Boo Seongjae. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology. Дата публикации: 2012-03-29.

Compact RF Antenna for an Inductively Coupled Plasma Ion Source

Номер патента: US20120080148A1. Автор: Zhang Shouyin. Владелец: FEI COMPANY. Дата публикации: 2012-04-05.

HIGH EFFICIENCY GAS DISSOCIATION IN INDUCTIVELY COUPLED PLASMA REACTOR WITH IMPROVED UNIFORMITY

Номер патента: US20120091098A1. Автор: NANGOY Roy C.,Singh Saravjeet,Dinev Jivko. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-04-19.

Inductively Coupled Plasma Arc Device

Номер патента: US20120097648A1. Автор: . Владелец: FORET PLASMA LABS, LLC. Дата публикации: 2012-04-26.

ANALYZER CONSTITUTED BY GAS CHROMATOGRAPH COMBINED WITH INDUCTIVELY COUPLED PLASMA MASS SPECTROMETER

Номер патента: US20120126113A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-05-24.

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA PROCESSING APPARATUS

Номер патента: US20120267051A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-10-25.

Inductively-Coupled Plasma Device

Номер патента: US20120268010A1. Автор: . Владелец: TYCO HEALTHCARE GROUP LP. Дата публикации: 2012-10-25.

GAS DISTRIBUTION SHOWERHEAD FOR INDUCTIVELY COUPLED PLASMA ETCH REACTOR

Номер патента: US20120309204A1. Автор: Paterson Alex,Kang Michael,Kenworthy Ian J.. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-06.

MAGNETICALLY ENHANCED, INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCE FOR A FOCUSED ION BEAM SYSTEM

Номер патента: US20120319000A1. Автор: . Владелец: FEI COMPANY. Дата публикации: 2012-12-20.

SAMPLE CHAMBER FOR LASER ABLATION INDUCTIVELY COUPLED PLASMA MASS SPECTROSCOPY

Номер патента: US20130042703A1. Автор: Summerfield Leif,Wilkins Jay,HILLIARD SHANE,HUTCHINSON Robert. Владелец: ELECTRO SCIENTIFIC INDUSTRIES, INC.. Дата публикации: 2013-02-21.

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA PROCESSING APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING SUBSTRATE WITH THE SAME

Номер патента: US20130062311A1. Автор: LIU Zhongdu. Владелец: ADVANCED MICRO-FABRICATION EQUIPMENT INC, SHANGHAI. Дата публикации: 2013-03-14.

WINDOW AND MOUNTING ARRANGEMENT FOR TWIST-AND-LOCK GAS INJECTOR ASSEMBLY OF INDUCTIVELY COUPLED PLASMA CHAMBER

Номер патента: US20130098554A1. Автор: Schaefer David,Chhatre Rish. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2013-04-25.

Internal Split Faraday Shield for an Inductively Coupled Plasma Source

Номер патента: US20130098871A1. Автор: Zhang Shouyin,Miller Tom. Владелец: FEI COMPANY. Дата публикации: 2013-04-25.

HIGH EFFICIENCY TRIPLE-COIL INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCE WITH PHASE CONTROL

Номер патента: US20130105086A1. Автор: BANNA SAMER,TODOROW VALENTIN,LUBOMIRSKY DMITRY,Bishara Waheb,Tantiwong Kyle R.,GIAR RYAN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-05-02.

Inductively Coupled Plasma Source as an Electron Beam Source for Spectroscopic Analysis

Номер патента: US20130134307A1. Автор: Routh,JR. Brian Roberts. Владелец: FEI COMPANY. Дата публикации: 2013-05-30.

System for Attachment of an Electrode into an Inductively Coupled Plasma Source

Номер патента: US20130134855A1. Автор: Zhang Shouyin,Smith Noel,Skoczylas Walter,Kellogg Sean,Parker N. William,Utlaut Mark W.,Graupera Anthony,Wells Andrew B.,Schwind Gregory A.. Владелец: FEI COMPANY. Дата публикации: 2013-05-30.

Inductively-Coupled Plasma Ion Source for Use with a Focused Ion Beam Column with Selectable Ions

Номер патента: US20130140450A1. Автор: Graupera Anthony,Otis Charles. Владелец: FEI COMPANY. Дата публикации: 2013-06-06.

INSULATED DIELECTRIC WINDOW ASSEMBLY OF AN INDUCTIVELY COUPLED PLASMA PROCESSING APPARATUS

Номер патента: US20130292055A1. Автор: Richardson Brett C.,Bhattacharyya Gautam,Setton David. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2013-11-07.

Process Gas Management for an Inductively-Coupled Plasma Deposition Reactor

Номер патента: US20140073143A1. Автор: Alokozai Fred,Milligan Robert Brennan. Владелец: ASM IP HOLDINGS B.V.. Дата публикации: 2014-03-13.

HYBRID IMPEDANCE MATCHING FOR INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SYSTEM

Номер патента: US20140097751A1. Автор: Thomas George,Wongsenakhum Panya,Juarez Francisco J.. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-10.

Inductively Coupled Plasma ION Source Chamber with Dopant Material Shield

Номер патента: US20140097752A1. Автор: Koo Bon-Woong,Renau Anthony,Biloui Costel,Miller Timonthy J.. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2014-04-10.

Inductively Coupled Plasma Processing Apparatus

Номер патента: KR101695380B1. Автор: 조생현. Владелец: (주)브이앤아이솔루션. Дата публикации: 2017-01-11.

Preparation method of radio frequency glow discharge inductively coupled plasmas of nano powder material

Номер патента: CN101733405B. Автор: 梁奕清. Владелец: GUANGDONG XINGFA ALUMINIUM CO Ltd. Дата публикации: 2012-01-11.

Method for measuring impurities in pure silver by electrical inductance-coupled plasma emission spectrometer

Номер патента: CN102565029A. Автор: 韩鹏,陈晓宇,闫雅坤. Владелец: BEIJING NON-FERROUS METAL AND RARE-EARTH APPLICATION INST. Дата публикации: 2012-07-11.

The method that inductively coupled plasma emission spectrography measures multiple metallic element in zinc abstraction acid leaching residue simultaneously

Номер патента: CN109781713A. Автор: 吴敏,王茂盛,韩俊丽,李颜君,王景凤,隆英兰,马悦茹,董更福,申嘉龄,秦月兰. Владелец: QINGHAI WEST MINING ENGINEERING TECHNOLOGY RESEARCH Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-21.

Inductive coupled plasma cvd device

Номер патента: JPH1022279A. Автор: Satoshi Fukuyama,聡 福山,Yutaka Asanome,裕 浅野目. Владелец: Toshiba Machine Co Ltd. Дата публикации: 1998-01-23.

High frequency inductively coupled plasma mass spectrometer

Номер патента: JP2591822B2. Автор: 紀一郎 大塚. Владелец: NIPPON ELECTRON OPTICS LAB. Дата публикации: 1997-03-19.

Inductively coupled plasma mass spectrometer

Номер патента: JP3154831B2. Автор: 昌三 小野. Владелец: 横河アナリティカルシステムズ株式会社. Дата публикации: 2001-04-09.

Inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: KR101634603B1. Автор: 김진홍,이향주. Владелец: 주식회사 원익아이피에스. Дата публикации: 2016-06-29.

Inductive coupling plasma device

Номер патента: JPH11251088A. Автор: Yasushi Sakakibara,康史 ▲榊▼原. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-09-17.

Preparation method of sample for testing content of sulfur in fuel oil by ID-ICP-MS (isotope dilution inductively coupled plasma mass spectrometry) method

Номер патента: CN104006993A. Автор: 王康,王雪蓉,周燕萍,孟祥艳,魏莉萍,李峙澂,刘运传. Владелец: No 53 Institute of China North Industries Group Corp. Дата публикации: 2014-08-27.

For producing the antenna of inductively coupled plasma

Номер патента: CN207303334U. Автор: 崔正秀,朴宇钟,韩垡昊. Владелец: Invenia Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Inductance coupling plasma equipment

Номер патента: CN2785310Y. Автор: 申浩南. Владелец: Beijing North Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2006-05-31.

Inductively coupled plasma mass spectrometer

Номер патента: JP3153337B2. Автор: 斉 佐川. Владелец: 横河アナリティカルシステムズ株式会社. Дата публикации: 2001-04-09.

Sample introduction device for inductively coupled plasma mass spectrometry

Номер патента: JP2598073B2. Автор: 秀樹 松永,直之 平手. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-04-09.

System and method for automated analysis of output and similar data sets in single particle inductively coupled plasma mass spectrometry

Номер патента: JP6620189B2. Автор: バザルガン サマド,バディエイ ハミド. Владелец: PerkinElmer Health Sciences Inc. Дата публикации: 2019-12-11.

Method of synthesizing diamond fine particle by using low pressure induction coupling plasma

Номер патента: JP2003055087A. Автор: Katsuyuki Okada,勝行 岡田,Masajiro Komatsu,正次郎 小松. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2003-02-26.

A kind of inductively coupled plasma reactor

Номер патента: CN105810545B. Автор: 倪图强,张辉. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai. Дата публикации: 2017-09-29.

Inductance coupling plasma processing chamber, anti-corrosion insulation window thereof, and manufacturing method thereof

Номер патента: TW201545198A. Автор: Tuqiang Ni,Xiaoming He,Hai-Hui Sun. Владелец: Advanced Micro Fab Equip Inc. Дата публикации: 2015-12-01.

Inductively coupled plasma processing chamber and corrosionresistant insulating window thereof and manufacturing method thereof

Номер патента: TWI633571B. Автор: 圖強 倪,小明 賀,孫海輝. Владелец: 中微半導體設備（上海）有限公司. Дата публикации: 2018-08-21.

High-frequency inductive coupling plasma mass spectrometer

Номер патента: JPS646351A. Автор: Hideki Kawanako. Владелец: Yokogawa Electric Corp. Дата публикации: 1989-01-10.

Inductively coupled plasma generating equipment for concave cavity coil antenna

Номер патента: CN101043786A. Автор: 陈志鹏,欧阳亮,王慧慧,李弘�,刘万东,胡北,白小燕,罗辰,吉亮亮. Владелец: University of Science and Technology of China USTC. Дата публикации: 2007-09-26.

inductively coupled plasma processing system and processing method

Номер патента: CN106298418B. Автор: 倪图强,刘骁兵,罗伟义. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai. Дата публикации: 2018-10-16.

Exhaust equipment of inductively coupled plasma emission spectrometer

Номер патента: CN213209890U. Автор: 刘小冲. Владелец: Sichuan Zhonghuanbo Environmental Testing Co ltd. Дата публикации: 2021-05-14.

Method for determining content of silicon, phosphor and aluminium in ferrocolumbium through inductive coupling plasma emission spectroscopy

Номер патента: CN103149196A. Автор: 刘建华,戴文杰,王宴秋,刘钢耀,段晓晨,战丽君. Владелец: Baotou Iron and Steel Group Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-12.

Sample injector for liquid chromatogram-inductively coupled plasma mass spectrometer

Номер патента: CN215339683U. Автор: 张�杰,杨振东,周骏,白若石,马雁军,徐同广,芦楠,刘德水,刘兴余,严莉红. Владелец: Shanghai Tobacco Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-28.

Induction coupled plasma emission analyzing instrument

Номер патента: JPS61270645A. Автор: Masao Hashimoto,明 米谷,Akira Yonetani,Chikayoshi Okamura,岡村　京美,橋本　正雄. Владелец: Hitachi Instruments Engineering Co Ltd. Дата публикации: 1986-11-29.

Inductively coupled plasma emission spectrophotometer

Номер патента: JPH11166896A. Автор: Yoichi Harada,洋一 原田. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 1999-06-22.

ICP-MS (Inductively Coupled Plasma-Mass Spectrometry) online sampling device and online monitoring method of metal impurities

Номер патента: CN102269663B. Автор: 方明海,吴静銮,张士仁,刘克斌. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-30.

Inductively coupled plasma device

Номер патента: JPH10162993A. Автор: Akio Shimizu,Genichi Katagiri,Yasushi Sakakibara,明夫 清水,源一 片桐,康史 榊原. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-19.

Inductively coupled plasma processing apparatus and method

Номер патента: JP5500097B2. Автор: 智洋 奥村,一郎 中山. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-05-21.

High frequency induction coupling plasma mass analyzer

Номер патента: JPS62243233A. Автор: Hirotoshi Ishikawa,石川　宏俊. Владелец: Yokogawa Electric Corp. Дата публикации: 1987-10-23.

A kind of inductively-coupled plasma spectrometer seal operation case

Номер патента: CN208580031U. Автор: 李峰峰,何辉,唐洪彬,常尚文,欧阳应根. Владелец: China Institute of Atomic of Energy. Дата публикации: 2019-03-05.

Capillary Electrophoresis-inductivity coupled plasma mass spectrometry interface arrangement

Номер патента: CN209043838U. Автор: 蒋红梅,卢向阳,方俊,覃晓丽,苏招红,桂清文,李慕一. Владелец: Hunan Agricultural University. Дата публикации: 2019-06-28.

Method for measuring metal impurities in high-purity MgO film material by using inductively coupled plasma mass spectrometer

Номер патента: CN102033101A. Автор: 王长华,潘元海,墨淑敏. Владелец: Beijing General Research Institute for Non Ferrous Metals. Дата публикации: 2011-04-27.

ICP (inductively coupled plasma) registration method based on feature-enhanced multi-dimensional weight descriptor

Номер патента: CN109934859B. Автор: 朱青,王耀南,郑海华,林澍,毛建旭,田吉委,余铎. Владелец: Hunan University. Дата публикации: 2023-03-24.

Inductively coupled plasma treatment device

Номер патента: TW201223341A. Автор: Wei-Yi Luo,song-lin Xu. Владелец: Advanced Micro Fab Equip Inc. Дата публикации: 2012-06-01.

Method for measuring impurity metallic elements in oil sample by using ICP-AES (inductively coupled plasma-atomic emission spectrometry)

Номер патента: CN103115917A. Автор: 吴敏,艾明,郑建明,余正东. Владелец: Jiangsu Skyray Instrument Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-22.

Method for determining traces of mercury, cadmium, lead and arsenic in food by inductively coupled plasma mass spectrometry (ICP-MS)

Номер патента: CN103940897A. Автор: 唐竞,陈斯佳,张远志,舒凤,黎楚瑜,孔祥词,林霖玉. Владелец: Guangzhou Kingmed Diagnostics Central Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-23.

An electrodeless RF induction coupled plasma dischargable atomic source

Номер патента: CN101060060A. Автор: 王东,侯洵,张景文. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2007-10-24.

Inductive coupling plasma device

Номер патента: CN102573258B. Автор: 彭东阳. Владелец: Beijing North Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-05.

Inductively coupled plasma physical analyzer and waste liquid collector thereof

Номер патента: CN217972649U. Автор: 李宝忠,闫宝伟. Владелец: Xing'an Branch Of Inner Mongolia Autonomous Region Environmental Monitoring Station. Дата публикации: 2022-12-06.

Cover fixture and cover fixing device of induction coupling plasma processing apparatus

Номер патента: CN103533739A. Автор: 佐藤亮,天野健次,齐藤均. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-01-22.

Inductive coupling plasma device

Номер патента: JPH10162991A. Автор: Akio Shimizu,Genichi Katagiri,Yasushi Sakakibara,明夫 清水,源一 片桐,康史 榊原. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-19.

Method for determining content of elements in potassium-bearing ore by ICP (Inductively Coupled Plasma) internal standard method

Номер патента: CN105806826A. Автор: 李平,于建国,刘程琳,薛金,罗孟杰,江友法. Владелец: EAST CHINA UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-07-27.

High frequency inductively coupled plasma mass spectrometer

Номер патента: JPH0638372Y2. Автор: 正 内山,健一 阪田. Владелец: Yokogawa Electric Corp. Дата публикации: 1994-10-05.

Light source with inductively coupled plasma for spectrometer

Номер патента: RU2031379C1. Автор: М.Е. Карпуничев,С.Ф. Лунев,В.П. Рытаровский. Владелец: Малое внедренческое предприятие "Эридан". Дата публикации: 1995-03-20.

Atomizer of atomic emission spectroscopy of inductively coupled plasma and measurement method

Номер патента: CN103364393A. Автор: 傅慧敏,周益奇,王巧环. Владелец: Research Center for Eco Environmental Sciences of CAS. Дата публикации: 2013-10-23.

Inductively coupled plasma processing equipment

Номер патента: JP4997619B2. Автор: 秀夫 大槻,理 辻,博彦 中野. Владелец: Samco Inc. Дата публикации: 2012-08-08.

Analyzer of high frequency induction coupled plasma

Номер патента: JPH01117262A. Автор: 純 石川,Jun Ishikawa,Youtetsu Ri,容 哲 李. Владелец: NIPPON KAGAKU ENG KK. Дата публикации: 1989-05-10.

Introductions of samples to inductively coupled plasma

Номер патента: GB9317136D0. Автор: . Владелец: UNIVERSITY OF WATERLOO. Дата публикации: 1993-10-06.

An electrodeless RF induction coupled plasma dischargable atomic source

Номер патента: CN100530510C. Автор: 王东,侯洵,张景文. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2009-08-19.

Inductive coupling plasma mass spectrograph

Номер патента: JPH11185695A. Автор: Atsushi Kitamoto,淳 北本. Владелец: Yokogawa Analytical Systems Inc. Дата публикации: 1999-07-09.

A kind of device for inductively coupled plasma processing

Номер патента: CN106686875B. Автор: 倪图强,左涛涛,吴狄. Владелец: Medium And Micro Semiconductor Equipment (shanghai) Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-17.

Inductively coupled plasma torch for introduction of high boiling gaseous molecules

Номер патента: JP3118567B2. Автор: 博明 田尾,衛 冨永. Владелец: 工業技術院長. Дата публикации: 2000-12-18.

Large-area parallel connected high density inductively coupled plasma source

Номер патента: CN2907173Y. Автор: 辛煜,宁兆元. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2007-05-30.

Inductively coupled plasma treatment device

Номер патента: TWI451815B. Автор: Songlin Xu,Weiyi Luo. Владелец: Advanced Micro Fab Equip Inc. Дата публикации: 2014-09-01.

Sensitivity adjustment method for inductively coupled plasma mass spectrometer

Номер патента: JP2759237B2. Автор: 正己 高須賀,俊男 向. Владелец: Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC. Дата публикации: 1998-05-28.

Inductive coupled plasma reactor apparatus and driving method thereof

Номер патента: KR101720339B1. Автор: 문종원,김정대,이강인,서풍부,정완우. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2017-03-27.

Applications of inductively coupled plasma mass spectrometry in boron detection of water-based gel

Номер патента: CN103399079A. Автор: 朱静,吴晶晶,田兆福,叶长文,陈志燕,蒋宏霖,周芸,李小兰,许蔼飞,蒋锦峰. Владелец: China Tobacco Guangxi Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-20.

Method for determining content of cadmium in soil by ICP-AES (Inductively Coupled Plasma-Atomic Emission Spectrometry)

Номер патента: CN104034718A. Автор: 张秋芳,徐继荣,丁奇芳,周阳靖. Владелец: Ningbo University. Дата публикации: 2014-09-10.

High frequency inductively coupled plasma / mass spectrometer

Номер патента: JPH0736324B2. Автор: 英樹 川那子. Владелец: Yokogawa Electric Corp. Дата публикации: 1995-04-19.

Inductively coupled plasma atomic emission spectrometer

Номер патента: JPS6263840A. Автор: Hideki Kawanako,川那子　英樹. Владелец: Yokogawa Electric Corp. Дата публикации: 1987-03-20.

Inductively coupled plasma treatment apparatus

Номер патента: JP2003234338A. Автор: Shinji Iino,伸治 飯野. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2003-08-22.

Method for testing total phosphorus in soil and sediments by virtue of microwave digestion ICP-AES (Inductively Coupled Plasma-Atomic Emission Spectrometry)

Номер патента: CN104198415A. Автор: 吴越,徐越,江帅,陈巧,陈云飞,何莲. Владелец: ZHEJIANG ZHONGYI INSPECTION RESEARCH INSTITUTE Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-10.

High-frequency induction coupled plasma spectrograph

Номер патента: JPH1140100A. Автор: Hisafumi Matsuzaki,Noriteru Fujimoto,憲輝 藤本,Yoshitoshi Amano,俊寿 天野,寿文 松崎. Владелец: Yokogawa Analytical Systems Inc. Дата публикации: 1999-02-12.

High frequency inductively coupled plasma mass spectrometer

Номер патента: JPH0615392Y2. Автор: 健一 阪田,英樹 川那子,宏俊 石川. Владелец: Yokogawa Electric Corp. Дата публикации: 1994-04-20.

Multiple coils structure for applying to inductively coupled plasma generator

Номер патента: TW201112883A. Автор: Shih-Sin Luo,Ying-Hung Bai. Владелец: ADVANCED SYSTEM TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-01.

Inductive coupling plasma system with single-turn RF flat coil

Номер патента: TW200518639A. Автор: Jin-Long Wu,Chen-Chung Hu. Владелец: ADVANCED SYSTEM TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-01.

Inductively coupled plasma torch

Номер патента: AUPR609901A0. Автор: . Владелец: Varian Australia Pty Ltd. Дата публикации: 2001-07-26.

Inductively coupled plasma torch

Номер патента: AUPR634701A0. Автор: . Владелец: Varian Australia Pty Ltd. Дата публикации: 2001-08-02.

Apparatus for inductively coupled plasma mass spectrometry

Номер патента: GB202310043D0. Автор: . Владелец: Thermo Fisher Scientific Bremen GmbH. Дата публикации: 2023-08-16.

FIXING STRUCTURE FOR HEAT SOURCE ELEMENT AND HEAT CONDUCTING MEMBER, AND METHOD OF FIXING HEAT SOURCE ELEMENT AND HEAT CONDUCTING MEMBER

Номер патента: US20120140418A1. Автор: TAKA Yoichiro,TAKANO Masashi,AIKAWA Tarou. Владелец: AISIN AW CO., LTD.. Дата публикации: 2012-06-07.

Light transmission body for surface light source element and surface light source element

Номер патента: JPH1031113A. Автор: Kazukiyo Chiba,Masaharu Oda,雅春 小田,Yasuko Hayashi,一清 千葉,泰子 林. Владелец: Mitsubishi Rayon Co Ltd. Дата публикации: 1998-02-03.

Light transmission body for surface light source element and surface light source element

Номер патента: JPH1020121A. Автор: Kazukiyo Chiba,Masaharu Oda,雅春 小田,Yasuko Hayashi,一清 千葉,泰子 林. Владелец: Mitsubishi Rayon Co Ltd. Дата публикации: 1998-01-23.

Improved structure of light source element for lighting device

Номер патента: TWM281129U. Автор: Fu-Ching Yang. Владелец: Fu-Ching Yang. Дата публикации: 2005-11-21.

LED lamp with replaceable lighting source element

Номер патента: TWM375826U. Автор: zan-qi Chen. Владелец: zan-qi Chen. Дата публикации: 2010-03-11.

Welding resonance source

Номер патента: SU1669656A1. Автор: Петр Григорьевич Жуковский,Валерий Иванович Таракановский,Дмитрий Яковлевич Глухов. Владелец: Институт Электросварки Им.Е.О.Патона. Дата публикации: 1991-08-15.

Old and useless subassembly of many resonant sources decomposes sieving mechanism

Номер патента: CN212702940U. Автор: 刘兵,彭军,刘建发,夏巨龙. Владелец: Hunan Xinyalin Engineering Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-16.

X-RAY HOLOGRAPHY LIGHT SOURCE ELEMENT AND X-RAY HOLOGRAPHY SYSTEM

Номер патента: US20120288055A1. Автор: . Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-11-15.

Solid-State Lighting Apparatus Including an Energy Storage Module for Applying Power to a Light Source Element During Low Power Intervals and Methods of Operating the Same

Номер патента: US20130162149A1. Автор: Van de Ven Antony P.,Ni Liqin. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-27.

Device for protection of power supply source elements

Номер патента: SU1679575A1. Автор: Олег Александрович Алексеев,Эдуард Георгиевич Соколов. Владелец: Sokolov Eduard G. Дата публикации: 1991-09-23.

Surface light source element

Номер патента: JPH0727136B2. Автор: 誠 大江,一清 千葉. Владелец: Mitsubishi Rayon Co Ltd. Дата публикации: 1995-03-29.

Double-sided light emitting surface light source element and liquid crystal display device using the same

Номер патента: JP4866230B2. Автор: 敦 長澤. Владелец: Kuraray Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-01.

Surface light source element for liquid crystal display device

Номер патента: JP3656967B2. Автор: 雅春 小田,一清 千葉,泰子 林. Владелец: Mitsubishi Rayon Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-08.

Composite resin sheet and face light source element

Номер патента: JPH10175260A. Автор: Kazukiyo Chiba,Masaharu Oda,雅春 小田,Yasuko Hayashi,一清 千葉,泰子 林. Владелец: Mitsubishi Rayon Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-30.

Surface light source element

Номер патента: JPH0727137B2. Автор: 誠 大江,一清 千葉. Владелец: Mitsubishi Rayon Co Ltd. Дата публикации: 1995-03-29.

Surface light source element and display device using the same

Номер патента: JP4443723B2. Автор: 伊久雄 大西. Владелец: Kuraray Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-31.

Surface light source element

Номер патента: JP4046621B2. Автор: 雅春 小田,一清 千葉,泰子 林. Владелец: Mitsubishi Rayon Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-13.

Two-wavelength light source element

Номер патента: JP2948645B2. Автор: 昭仁 大谷,雅也 名波. Владелец: Anritsu Corp. Дата публикации: 1999-09-13.

Surface light source element and display device using the same

Номер патента: JP4181927B2. Автор: 伊久雄 大西,徳夫 猪狩,功 浜島,達也 岡田,俊之 吉川. Владелец: Kuraray Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-19.

Surface light source element and liquid crystal display unit usable in both reflective and transmissive modes

Номер патента: JPH10106328A. Автор: Seiji Umemoto,清司 梅本. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 1998-04-24.

Manufacturing method of cold cathode electron source element

Номер патента: JP3467347B2. Автор: 真人 薄田,萩原　　淳,透 木練. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2003-11-17.

Surface light source element and display device using the same

Номер патента: JP4181935B2. Автор: 伊久雄 大西,克也 藤澤. Владелец: Kuraray Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-19.

Surface light source element and display device using the same

Номер патента: JP4184889B2. Автор: 伊久雄 大西. Владелец: Kuraray Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-19.

Surface light source element and display device including the same

Номер патента: JP5685099B2. Автор: 誠二 木下. Владелец: Kuraray Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-18.

Surface light source element, light control member used therefor, and image display device using the same

Номер патента: JP5199780B2. Автор: 伊久雄 大西,佳実 大田. Владелец: Kuraray Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-15.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PLASMA TREATMENT APPARATUS AND PLASMA TREATMENT METHOD

Номер патента: US20120000887A1. Автор: Saito Makoto,SUZUKI Keiji,ETO Hideo,Nishiyama Nobuyasu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Large Area Nitride Crystal and Method for Making It

Номер патента: US20120000415A1. Автор: Speck James S.,"DEvelyn Mark P.". Владелец: Soraa, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR EXPOSING A SUBSTRATE TO UV RADIATION USING A REFLECTOR HAVING BOTH ELLIPTICAL AND PARABOLIC REFLECTIVE SECTIONS

Номер патента: US20120003398A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN ELECTROCHEMICAL DEVICE USING ULTRAFAST PULSED LASER DEPOSITION

Номер патента: US20120003395A1. Автор: CHE Yong,HU Zhendong. Владелец: IMRA AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ENERGY STORAGE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003535A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Preparing Small Volume Reaction Containers

Номер патента: US20120003675A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF ENERGY STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003383A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of measuring density of electrons in plasma by optical spectroscopy

Номер патента: RU2587468C2. Автор: Александр Сергеевич Ковалев,Сергей Михайлович Зырянов,Юрий Александрович Манкелевич,Александр Юрьевич Поройков,Александр Турсунович Рахимов,Александр Александрович Ястребов,Дмитрий Викторович Лопаев,Ольга Вячеславовна Прошина,Дмитрий Григорьевич Волошин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2016-06-20.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002090A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, AND LIGHTING SYSTEM

Номер патента: US20120001196A1. Автор: CHOI Kwang Ki,JEONG Hwan Hee,MOON Ji hyung,LEE Sang Youl,SONG June O,JUNG Se Yeon,SEONG Tae Yeon. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Composition of gas mixture to form tantalum nitride metal gate by plasma etch chemistry

Номер патента: RU2450385C1. Автор: Геннадий Яковлевич Красников,Олег Павлович Гущин,Андрей Владимирович Данила,Михаил Родионович Бакланов,Денис Георгиевич Шамирян. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2012-05-10.

BARRIER ASSEMBLY

Номер патента: US20120003451A1. Автор: Kidane Samuel,Roehrig Mark A.,Nachtigal Alan K.,HENDERSON ANDREW J.,Weigel Mark D.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Platinum Enhanced Alloy and Intravascular or Implantable Medical Devices Manufactured Therefrom

Номер патента: US20120004718A1. Автор: . Владелец: BOSTON SCIENTIFIC SCIMED, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.