Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Inductively-coupled plasma reactor for plasma uniformity and efficiency enhancement and method for manufacturing semiconductor substrate using the device

Inductively-coupled plasma reactor for plasma uniformity and efficiency enhancement and method for manufacturing semiconductor substrate using the device

Номер патента: KR101488243B1
Опубликовано: 30-01-2015
Автор(ы): 강 스, 송린 쉬, 투치앙 니
Принадлежит: 어드밴스드 마이크로 패브리케이션 이큅먼트 인코퍼레이티드, 상하이
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Insulated dielectric window assembly of an inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: US09437400B2. Автор: Brett C. Richardson,David Setton,Gautam Bhattacharyya. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Inductively coupled plasma reactor with top electrode for enhancing plasma ignition

Номер патента: US5685941A. Автор: Bradley O. Stimson,John Forster,Barney M. Cohen,George Proulx. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1997-11-11.

Near-substrate supplemental plasma density generation with low bias voltage within inductively coupled plasma processing chamber

Номер патента: WO2018136121A1. Автор: Qing Xu,Qian Fu,Yiting Zhang,Saravanapriyan Sriraman,Alex Paterson,Ying Wu,Zhongkui Tan. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2018-07-26.

ICP (Inductively Coupled Plasma) 프로세싱 챔버 내에서 저 바이어스 전압을 사용하여 기판 근방에서 보충 플라즈마 밀도 생성

Номер патента: KR20190100395A. Автор: 칭 슈,이팅 장,알렉스 패터슨,종규 탄,첸 푸,잉 우,사라바라프리얀 스리라만. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2019-08-28.

ICP (Inductively Coupled Plasma) 프로세싱 챔버 내에서 저 바이어스 전압을 사용하여 기판 근방에서 보충 플라즈마 밀도 생성

Номер патента: KR102552807B1. Автор: 칭 슈,이팅 장,알렉스 패터슨,종규 탄,첸 푸,잉 우,사라바라프리얀 스리라만. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2023-07-06.

Inductively coupled plasma etching apparatus, and inductively coupled plasma etching method using same

Номер патента: US20240055226A1. Автор: Byung Jun Lee,Kwang Ho KWON,No Min LIM. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-02-15.

Adaptively plasma source and method of processing semiconductor wafer using the same

Номер патента: EP1800333A1. Автор: Nam-Hun Kim. Владелец: Adaptive Plasma Technology Corp. Дата публикации: 2007-06-27.

Inductively Coupled Plasma Reactor With Electrodes To Improve Plasma Ignition

Номер патента: KR960002626A. Автор: 포스터 존,엠. 코헨 바니,오. 스팀슨 브래들리,플록쓰 조지. Владелец: 제임스 조셉 드롱. Дата публикации: 1996-01-26.

Inductively coupled plasma reactor with an electrode for enhancing plasma ignition

Номер патента: EP0685873B1. Автор: Bradley O. Stimson,John Forster,Barney M. Cohen,George Proulx. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1998-12-16.

Inductively Coupled Plasma Reactor With Electrodes To Improve Plasma Ignition

Номер патента: KR100328135B1. Автор: 존포스터,바니엠.코헨,브래들리오.스팀슨,조지플록쓰. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2002-08-14.

Hybrid RF capacitively and inductively coupled plasma source using multifrequency RF powers and methods of use thereof

Номер патента: TW200824506A. Автор: Eric Hudson,Andreas Fischer,Rajinder Dhindsa,Alexei Marakhtanov. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2008-06-01.

Hybrid RF capacitively and inductively coupled plasma source using multifrequency RF powers and methods of use thereof

Номер патента: US20080020574A1. Автор: Eric Hudson,Andreas Fischer,Rajinder Dhindsa,Alexei Marakhtanov. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2008-01-24.

Hybrid rf capacitively and inductively coupled plasma source using multifrequency rf powers and methods of use thereof

Номер патента: US20110059615A1. Автор: Eric Hudson,Andreas Fischer,Rajinder Dhindsa,Alexei Marakhtanov. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2011-03-10.

Inductively coupled plasma processing apparatus controlled faraday shield independently

Номер патента: KR100849396B1. Автор: 이승호,김문주. Владелец: (주)아이씨디. Дата публикации: 2008-07-31.

Inductively coupled plasma apparatus

Номер патента: US6696663B2. Автор: Yuichi Tachino. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-02-24.

Apparatus and methods for actively controlling rf peak-to-peak voltage in an inductively coupled plasma etching system

Номер патента: WO2001075930A3. Автор: Shu Nakajima. Владелец: Shu Nakajima. Дата публикации: 2002-05-23.

Wide-gap semiconductor substrate, apparatus for manufacturing wide-gap semiconductor substrate, and method for manufacturing wide-gap semiconductor substrate

Номер патента: EP3640973A1. Автор: Takashi Yamamoto. Владелец: SPP Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-22.

Wide-Gap Semiconductor Substrate, Apparatus For Manufacturing Wide-Gap Semiconductor Substrate, And Method For Manufacturing Wide-Gap Semiconductor Substrate

Номер патента: US20200127090A1. Автор: Takashi Yamamoto. Владелец: SPP Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Inductively coupled plasma reactor with core cover

Номер патента: KR101349195B1. Автор: 최대규. Владелец: 최대규. Дата публикации: 2014-01-09.

Method and apparatus for high efficiency gas dissociation in inductive coupled plasma reactor

Номер патента: WO2011037757A3. Автор: AJAY Kumar,Saravjeet Singh,Jon C. Farr,Sharma V. Pamarthy,Roy C. Nangoy. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2011-06-23.

Method for removing surface contamination on semiconductor substrates

Номер патента: US20020111023A1. Автор: Densen Cao,Becky Losee. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-08-15.

Method of processing surface of silicon carbide plates in low-temperature inductively coupled plasma

Номер патента: RU2708812C1. Автор: Сергей Евгеньевич Александров,Артём Арменакович Осипов,Екатерина Вячеславовна Ендиярова. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ"). Дата публикации: 2019-12-11.

Systems and methods for selectively etching tungsten in a downstream reactor

Номер патента: US09837286B2. Автор: Joydeep Guha,Dengliang Yang,Helen H. Zhu,Joon Hong Park,Brad Jacobs,George Matamis. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Gas introducing apparatus and inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: KR101778334B1. Автор: 아츠시 헤미,나오야 사에구사. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2017-09-13.

Method for manufacturing magnetic tunnel junction element, and inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: US20190088865A1. Автор: Masaki Yamada. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Wide-gap semiconductor substrate, apparatus for manufacturing wide-gap semiconductor substrate, and method for manufacturing wide-gap semiconductor substrate

Номер патента: US20220416021A1. Автор: Takashi Yamamoto,Naoya Ikemoto. Владелец: SPP Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Chamber filler kit for plasma etch chamber useful for fast gas switching

Номер патента: US09679751B2. Автор: Alex Paterson,Jon McChesney,Theo Panagopoulos,Craig Blair. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Precise etching apparatus for preparing recessed-gate enhancement device and etching method for the same

Номер патента: US20220157609A1. Автор: Guoqiang Li,Runze LI,Zhikun Liu,Dingbo Chen,Lijun Wan,Peiye SUN,Xianfeng QUE,Shunan YAO. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2022-05-19.

Chamber filler kit for plasma etch chamber useful for fast gas switching

Номер патента: WO2013138085A2. Автор: Alex Paterson,Jon McChesney,Theo Panagopoulos,Craig Blair. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2013-09-19.

Multi inductively coupled plasma reactor and method thereof

Номер патента: KR101200743B1. Автор: 남창우,박성민,최대규,김규동,허노현. Владелец: (주)젠. Дата публикации: 2012-11-13.

Apparatus and methods for actively controlling RF peak-to-peak voltage in an inductively coupled plasma etching system

Номер патента: TW534928B. Автор: Shu Nakajima. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2003-06-01.

Methods for reducing etch nonuniformity in the presence of a weak magnetic field in an inductively coupled plasma reactor

Номер патента: US20140273304A1. Автор: Alvaro Garcia de Gorordo,Samer Banna,Waheb Bishara. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Inductive-coupled plasma apparatus employing shield and method for manufacturing the shield

Номер патента: TW449805B. Автор: Jin-Man Kim,Hun Cha,Baik-soon Choi,Eun-hee Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-08-11.

Apparatus and method for etching a substrate using inductively coupled plasma

Номер патента: JP2003505868A. Автор: レルマー フランツ,ベッカー フォルカー,シルプ アンドレア. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2003-02-12.

Apparatus and method for etching a substrate using inductively coupled plasma

Номер патента: JP4847671B2. Автор: レルマー フランツ,ベッカー フォルカー,シルプ アンドレア,ブライトシュヴェルト フランツ. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2011-12-28.

Apparatus and method for etching a substrate using inductively coupled plasma

Номер патента: JP2004512680A. Автор: フランツ　ブライトシュヴェルト,フォルカー　ベッカー,フランツ　レルマー,アンドレア　シルプ. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2004-04-22.

Device and method for etching a substrate using an inductively coupled plasma

Номер патента: KR100818068B1. Автор: 벡커폴케르,레머프란츠,쉴프안드레아. Владелец: 로베르트 보쉬 게엠베하. Дата публикации: 2008-04-01.

Apparatus and method for etching a substrate using inductively coupled plasma

Номер патента: JP4690618B2. Автор: レルマー フランツ,ベッカー フォルカー,シルプ アンドレア. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2011-06-01.

Apparatus and method for etching a substrate using inductively coupled plasma

Номер патента: JP2003505869A. Автор: レルマー フランツ,ベッカー フォルカー,シルプ アンドレア. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2003-02-12.

Inductively coupled plasma apparatus

Номер патента: TW561547B. Автор: Yuichi Tachino. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-11-11.

Near-Substrate Supplemental Plasma Density Generation with Low Bias Voltage within Inductively Coupled Plasma Processing Chamber

Номер патента: US20180204708A1. Автор: Xu Qing,Paterson Alex,Wu Ying,Sriraman Saravanapriyan,Zhang Yiting,TAN Zhongkui,FU Qian. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-19.

Inductively Coupled Plasma source having internal linear antenna therein coupled with magnetic fields for large area processing

Номер патента: KR100465907B1. Автор: 이영준,김경남,염근영,송병관. Владелец: 학교법인 성균관대학. Дата публикации: 2005-01-13.

Device and method for etching a substrate by means of an inductively coupled plasma

Номер патента: WO2001006539A1. Автор: Franz Laermer,Andrea Schilp,Volker Becker. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2001-01-25.

Device and method for the etching of a substrate by means of an inductively coupled plasma

Номер патента: EP1275133A1. Автор: Franz Laermer,Andrea Schilp,Volker Becker,Franz Breitschwerdt. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2003-01-15.

Structure of chamber in etching apparatus of Inductive coupling plasma

Номер патента: KR100470999B1. Автор: 이동복. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-03-11.

High aspect ratio sub-micron contact etch process in an inductively-coupled plasma processing system

Номер патента: KR20010099887A. Автор: 린다 마퀴스. Владелец: 로브그렌 리차드 에이치.. Дата публикации: 2001-11-09.

Inductively Coupled Plasma Processing Apparatus

Номер патента: KR100897176B1. Автор: 김도근,김명수,이규성,김한기. Владелец: 삼성모바일디스플레이주식회사. Дата публикации: 2009-05-14.

Method for producing self-supporting nitride semiconductor substrate and self-supporting nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP2119815A1. Автор: Masataka Watanabe,Shoichi Takamizawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-18.

Method for separating dies from a semiconductor substrate

Номер патента: US20240339361A1. Автор: Benjamin Bernard,Mario Stefenelli,Franz-Josef Pichler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-10.

Plasma processing apparatus and method for carrying out plasma processing by using such plasma processing apparatus

Номер патента: US5567268A. Автор: Shingo Kadomura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1996-10-22.

Improved method for etching vias

Номер патента: EP1493177A2. Автор: David J. Johnson,Russell Westerman. Владелец: Unaxis USA Inc. Дата публикации: 2005-01-05.

Improved method for etching vias

Номер патента: EP1493177A4. Автор: Russell Westerman,David J Johnson. Владелец: Unaxis USA Inc. Дата публикации: 2009-03-11.

Improved method for etching vias

Номер патента: WO2003088313A2. Автор: David J. Johnson,Russell Westerman. Владелец: Unaxis Usa, Inc.. Дата публикации: 2003-10-23.

Magnetically enhanced inductively coupled plasma reactor with magnetically confined plasma

Номер патента: US20010004920A1. Автор: Peter Loewenhardt,Gerald Yin,Philip Salzman. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2001-06-28.

METHOD AND APPARATUS FOR HIGH EFFICIENCY GAS DISSOCIATION IN INDUCTIVE COUPLED PLASMA REACTOR

Номер патента: US20140256148A1. Автор: Kumar Ajay,NANGOY Roy C.,Singh Saravjeet,FARR Jon C.,PAMARTHY Sharma V.. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-11.

Enhanced inductively coupled plasma reactor

Номер патента: KR100311234B1. Автор: 오범환,김철호,정재성,박세근. Владелец: 학교법인 인하학원. Дата публикации: 2001-11-02.

Method and apparatus for high efficiency gas dissociation in inductive coupled plasma reactor

Номер патента: KR20120073292A. Автор: 사라브지트 싱,어제이 쿠마르,로이 씨. 낭고이,존 씨 파르,쉐르마 브이. 파말씨. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2012-07-04.

Method for performing plasma process on particles

Номер патента: US6649076B2. Автор: Naoki Tamitani. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-11-18.

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA PROCESSING APPARATUS AND PLASMA PROCESSING METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20140273484A1. Автор: Lee Jeong-Yun,JEON Sang-Jean,JEON Kyung-yub,Park Hae-Joong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-09-18.

Device for prducing inductively coupled plasma and method

Номер патента: KR100455350B1. Автор: 권광호,심재기. Владелец: 권광호. Дата публикации: 2004-11-06.

Device for producing inductively coupled plasma and method thereof

Номер патента: AU2003208033A1. Автор: Kwang-Ho Kwon,Jae-Ki Sim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-02.

PLANARIZATION OF GaN BY PHOTORESIST TECHNIQUE USING AN INDUCTIVELY COUPLED PLASMA

Номер патента: US20140061861A1. Автор: Williams Adrian D.,Moustakas Theodore D.. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-06.

High speed metal etching method with no residues left by high frequency high power inductively coupled plasma

Номер патента: KR960012358A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1996-04-20.

Method of fabricating Micropatterns of Platinum Thin Films by Fluoride-Based Inductively Coupled Plasma Eching

Номер патента: KR101574250B1. Автор: 김남영,왕종,요소,이양. Владелец: 광운대학교 산학협력단. Дата публикации: 2015-12-04.

Etching device and method of inductively coupled plasma

Номер патента: US20210398774A1. Автор: Lu Chen,Jia Wang,Xuedong Li,Xiaobo Liu,Dongdong HU,Kaidong Xu,Dongchen CHE,Kangning XU. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Planarization of GaN by photoresist technique using an inductively coupled plasma

Номер патента: US8257987B2. Автор: Theodore D. Moustakas,Adrian D. Williams. Владелец: Boston University. Дата публикации: 2012-09-04.

Recursive coils for inductively coupled plasmas

Номер патента: US20200219698A1. Автор: II Jay D. Pinson,Rupankar CHOUDHURY,Zheng John Ye,Luke Bonecutter,Abhijit Kangude. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

Methods And Apparatus For Pulsed Inductively Coupled Plasma For Surface Treatment Processing

Номер патента: US20210343506A1. Автор: Shuang Meng,Hua Chung,Michael X. Yang,Shawming Ma,Ryan M. Pakulski,Haichun Yang,QiQun Zhang,Ting Xie,Haochen Li,Dave Kohl. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Method for patterning semiconductor devices on a silicon substrate using oxynitride film

Номер патента: US20010027021A1. Автор: Liang-Gi Yao,Pin-Ting Wang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Method for patterning semiconductor devices on a silicon substrate using oxynitride film

Номер патента: US20010024875A1. Автор: Liang-Gi Yao,Pin-Ting Wang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

Method for patterning semiconductor devices on a silicon substrate using oxynitride film

Номер патента: US6413885B2. Автор: Liang-Gi Yao,Pin-Ting Wang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-07-02.

Plasma method for reducing post-lithography line width roughness

Номер патента: US09520298B2. Автор: Peter De Schepper,Efrain Altamirano Sanchez,Jean-Francois De Marneffe. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-12-13.

Device for manufacturing semiconductor substrate comprising temperature gradient inversion means and method for manufacturing semiconductor substrate

Номер патента: EP3951026A1. Автор: Tadaaki Kaneko. Владелец: Toyota Tsusho Corp. Дата публикации: 2022-02-09.

Device for manufacturing semiconductor substrate comprising temperature gradient inversion means and method for manufacturing semiconductor substrate

Номер патента: US12014939B2. Автор: Tadaaki Kaneko. Владелец: Toyota Tsusho Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Cleaning agent for semiconductor substrates and method for processing semiconductor substrate surface

Номер патента: US09862914B2. Автор: Hironori Mizuta,Tsutomu Watahiki,Kohei Hayashi,Takayuki Kajikawa. Владелец: Wako Pure Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Planarization of GaN by photoresist technique using an inductively coupled plasma

Номер патента: US9230818B2. Автор: Theordore D Moustakas,Adrian D Williams. Владелец: Boston University. Дата публикации: 2016-01-05.

OXYGEN-FREE PASSIVATION CLEANING PROCESS IN AN INDUCTIVELY COUPLED PLASMA REACTOR

Номер патента: FR2805185B1. Автор: Wolfgang Helle,Jean Francois Christaud. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2002-09-20.

Method for highly anisotropic etching of titanium oxide spacer using selective top-deposition

Номер патента: US12009211B2. Автор: Stephanie OYOLA-REYNOSO,Angelique RALEY,Shihsheng Chang,Eric Chih-Fang Liu,Katie Lutker-Lee,Ya-Ming Chen. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Method for etching thin film using advanced inductively coupled plasma source

Номер патента: KR101383247B1. Автор: 최대규. Владелец: 최대규. Дата публикации: 2014-04-08.

Method for manufacturing semiconductor optical device using inductive coupled plasma-enhance CVD

Номер патента: US20070020954A1. Автор: Toshio Nomaguchi,Tetsuya Hattori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2007-01-25.

Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor

Номер патента: US09605342B2. Автор: Robert Brennan Milligan,Fred Alokozai. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-03-28.

Mode-Switching Plasma Systems and Methods of Operating Thereof

Номер патента: US20210151296A1. Автор: Alok Ranjan,Peter Ventzek,Michael Hummel,Mitsunori Ohata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Method and apparatus for manufacturing semiconductor substrate dedicated to semiconductor device, and method and apparatus for manufacturing semiconductor device

Номер патента: TW201108313A. Автор: Kazunari Kurita. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

Plasma reactor for inductively coupled plasma and method of assembling the same

Номер патента: US12062528B2. Автор: Min Jae Kim,Jin Ho Bae,Geon Bo SIM,Tae Wook Yoo. Владелец: Lot Ces Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Inductively coupled plasma apparatus for exhaust gas treatment and impedance matching method thereof

Номер патента: US20230377842A1. Автор: Min Jae Kim,Jin Ho Bae,Sang Don CHOI. Владелец: Lot Ces Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Inductively coupled plasma reactor and wire structure for antenna coil of inductively coupled plasma reactor

Номер патента: US20230136312A1. Автор: Min Jae Kim,Jin Ho Bae,Geon Bo SIM. Владелец: Lot Ces Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Plasma reactor for inductively coupled plasma and method of assembling the same

Номер патента: US20230134862A1. Автор: Min Jae Kim,Jin Ho Bae,Geon Bo SIM,Tae Wook Yoo. Владелец: Lot Ces Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Steered inductively coupled plasma

Номер патента: WO2024044840A1. Автор: Brian Chan,Joshua O. Oseh. Владелец: PerkinElmer Scientific Canada ULC. Дата публикации: 2024-03-07.

Induction devices for inductively coupled plasma torches and methods and systems including same

Номер патента: US20240164005A1. Автор: Peter Morrisroe,Michael Pawlyk,Cindy Anderau. Владелец: Perkinelmer US LLC. Дата публикации: 2024-05-16.

Induction devices for inductively coupled plasma torches and methods and systems including same

Номер патента: WO2024107717A1. Автор: Peter Morrisroe,Michael Pawlyk,Cindy Anderau. Владелец: Perkinelmer U.S. Llc. Дата публикации: 2024-05-23.

Inductively coupled plasma based atomic analysis systems and methods

Номер патента: US12087568B2. Автор: Michael Sullivan,Mark Armstrong,Alexander Loboda,Raymond Jong,Serguei VOROBIEV,Robert ROTENBERG,Maxim VORONOV,Emil D. Stratulativ. Владелец: Standard Biotools Canada Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Heat transfer system for an inductively coupled plasma device

Номер патента: US09820370B2. Автор: Yoshitomo Nakagawa,Yutaka Ikku. Владелец: Hitachi High Tech Science Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Devices and methods to generate an inductively coupled plasma

Номер патента: WO2024020286A1. Автор: Peter Morrisroe. Владелец: Perkinelmer U.S. Llc. Дата публикации: 2024-01-25.

Switchable matching network and an inductively coupled plasma processing apparatus having such network

Номер патента: US20200090908A1. Автор: Hiroshi Iizuka,Tuqiang Ni,Kui Zhao,Xiaobei Pang. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

Generating inductively coupled plasma

Номер патента: US20240032181A1. Автор: Peter Morrisroe. Владелец: Perkinelmer US LLC. Дата публикации: 2024-01-25.

High voltage isolation of an inductively coupled plasma ion source with a liquid that is not actively pumped

Номер патента: US09591735B2. Автор: N. William Parker,Mark W. Utlaut,Sean Kellogg,Andrew B. Wells,James B. McGinn. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2017-03-07.

Gas distribution showerhead for inductively coupled plasma etch reactor

Номер патента: US09934979B2. Автор: Alex Paterson,Michael Kang,Ian J. Kenworthy. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Inductively coupled plasma alignment apparatus and method

Номер патента: US7273996B2. Автор: Philip Marriott,Jonathan Herbert Bradford,Jim Stringer,Timothy Alan Whitechurch. Владелец: Thermo Fisher Scientific Inc. Дата публикации: 2007-09-25.

Inductively coupled plasma alignment apparatus and method

Номер патента: US20070045247A1. Автор: Philip Marriott,Timothy Whitechurch,Jim Stringer,Jonathan Bradford. Владелец: Thermo Fisher Scientific Inc. Дата публикации: 2007-03-01.

Steered inductively coupled plasma

Номер патента: US20240074024A1. Автор: Brian Chan,Joshua O. Oseh. Владелец: PerkinElmer Scientific Canada ULC. Дата публикации: 2024-02-29.

Inductive coil structure and inductively coupled plasma generation system

Номер патента: US11935725B2. Автор: Sae Hoon Uhm,Yun Seong Lee. Владелец: En2Core Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Inductive coil structure and inductively coupled plasma generation system

Номер патента: US20240162004A1. Автор: Sae Hoon Uhm,Yun Seong Lee. Владелец: En2Core Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Inductively coupled plasma based atomic analysis systems and methods

Номер патента: US11776801B2. Автор: Michael Sullivan,Mark Armstrong,Alexander Loboda,Raymond Jong,Serguei VOROBIEV,Robert ROTENBERG,Maxim VORONOV,Emil D. Stratulativ. Владелец: Standard Biotools Canada Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Inductively coupled plasma based atomic analysis systems and methods

Номер патента: US20230411136A1. Автор: Michael Sullivan,Mark Armstrong,Alexander Loboda,Raymond Jong,Serguei VOROBIEV,Robert ROTENBERG,Maxim VORONOV,Emil D. Stratulativ. Владелец: Standard Biotools Canada Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Inductively Coupled Plasma For Hydrogenation of Type II Superlattices

Номер патента: US20190131486A1. Автор: Paul Boieriu,Christoph H Grein. Владелец: Sivananthan Laboratories Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

Air-cooled interface for inductively coupled plasma mass spectrometer (icp-ms)

Номер патента: CA3139598A1. Автор: Gholamreza Javahery,Javad Mostaghimi,Kaveh Kahen,Sina Alavi. Владелец: Kimia Analytics Inc. Дата публикации: 2022-05-18.

Air-cooled interface for inductively coupled plasma mass spectrometer (ICP-MS)

Номер патента: US11864303B2. Автор: Gholamreza Javahery,Javad Mostaghimi,Kaveh Kahen,Sina Alavi. Владелец: Kimia Analytics Inc.. Дата публикации: 2024-01-02.

Inductively Coupled Plasma Processing Apparatus

Номер патента: KR100731734B1. Автор: 김상진,김도근,정민재. Владелец: 삼성에스디아이 주식회사. Дата публикации: 2007-06-22.

Inductively coupled plasma generating electrode and substrate processing apparatus including the same

Номер патента: JP2012517074A. Автор: イ、ギョンホ. Владелец: Tera Semicon Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

Heat management for inductively coupled plasma systems

Номер патента: US11917744B2. Автор: William Fisher,Hamid Badiei,Tak Shun Cheung,Chui Ha Cindy WONG. Владелец: PerkinElmer Scientific Canada ULC. Дата публикации: 2024-02-27.

Heat management for inductively coupled plasma systems

Номер патента: EP4360119A1. Автор: William Fisher,Hamid Badiei,Tak Shun Cheung,Chui Ha Cindy WONG. Владелец: PerkinElmer Scientific Canada ULC. Дата публикации: 2024-05-01.

Silicon carbide semiconductor substrate, method for manufacturing silicon carbide semiconductor substrate, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device where depression supression layer is formed on backside surface of base substrate opposite to main surface on which epitaxial layer is formed

Номер патента: US09818608B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Plasma processing device, plasma processing method and method of manufacturing electronic devices

Номер патента: US09627183B2. Автор: Tomohiro Okumura. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for manufacturing a silicon semiconductor substrate including a diffusion layer prior to forming a semiconductor device thereon

Номер патента: US09450070B2. Автор: Haruo Nakazawa,Masaaki Ogino,Hideaki Teranishi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Device and method for simultaneously microstructuring and doping semiconductor substrates

Номер патента: US20120058588A1. Автор: Ingo Krossing,Andreas Rodofili,Kuno Mayer,Filip Granek,Carsten Knapp,Matthias Mesec. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2012-03-08.

Methods for forming doped regions in semiconductor substrates using non-contact printing processes and dopant-comprising inks for forming such doped regions using non-contact printing processes

Номер патента: US20090239363A1. Автор: Wenya Fan,De-Ling Zhou,Roger Yu-Kwan Leung. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2009-09-24.

Silicon nitride film for semiconductor element, and method and apparatus for manufacturing silicon nitride film

Номер патента: US20130071671A1. Автор: Seiji Nishikawa,Hidetaka Kafuku. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2013-03-21.

Electronic component embedded connector, and method and device for manufacturing the same

Номер патента: US20110189893A1. Автор: Shinji Yamaguchi,Kenichi Abe,Tetsu Hirose. Владелец: Union Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-04.

Circuit connection structure, method for manufacturing same, and semiconductor substrate for circuit connection structure

Номер патента: EP1918989A1. Автор: Yuichi c/o Yamazaki R & D center Hitachi Chemical DuPont Microsystems Ltd. KANEYA,Toshiaki c/o Electronic materials R & D center Hitachi Chemical Company Ltd TANAKA,Toshiaki c/o Hitachi Chemical DuPont Microsystems Ltd. ITABASHI. Владелец: Hitachi Chemical DuPont Microsystems Ltd. Дата публикации: 2008-05-07.

Growth inhibitor for forming thin film, method for forming thin film and semiconductor substrate prepared therefrom

Номер патента: US20220049351A1. Автор: Sojung Kim,Hyeran Byun,Taeho Song,Changbong YEON,Jaesun Jung,Seokjong Lee. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Growth inhibitor for forming thin film, method for forming thin film and semiconductor substrate prepared therefrom

Номер патента: US20220049352A1. Автор: Sojung Kim,Hyeran Byun,Taeho Song,Changbong YEON,Jaesun Jung,Seokjong Lee. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Method for minimizing defects in a semiconductor substrate due to ion implantation

Номер патента: WO2012044361A1. Автор: Toshifumi Mori,Ken-ichi Okabe,Toshiki Miyake,Pushkar Ranade. Владелец: SUVOLTA, INC.. Дата публикации: 2012-04-05.

System and method for thermal processing of a semiconductor substrate

Номер патента: US6046439A. Автор: Brad S. Mattson,Kristian E. Johnsgard,James Mcdiarmid,Vladimir J. Zeitlin. Владелец: Mattson Technology Inc. Дата публикации: 2000-04-04.

Systems and methods for manipulating liquid films on semiconductor substrates

Номер патента: US20090068848A1. Автор: Hiroyuki Mori,Paul D. Shirley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-03-12.

Systems and methods for manipulating liquid films on semiconductor substrates

Номер патента: US20070197050A1. Автор: Hiroyuki Mori,Paul Shirley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-23.

Surface treatment method for imparting alcohol repellency to semiconductor substrate

Номер патента: EP3633711A1. Автор: Kenji Shimada,Priangga Perdana Putra. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2020-04-08.

Method for Stress Reduced Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: US20140141592A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Peter Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-05-22.

Method for minimizing defects in a semiconductor substrate due to ion implantation

Номер патента: US20120083132A1. Автор: Toshifumi Mori,Ken-ichi Okabe,Toshiki Miyake,Pushkar Ranade. Владелец: Suvolta Inc. Дата публикации: 2012-04-05.

Method for Implanting Ions into a Semiconductor Substrate and an Implantation System

Номер патента: US20170243747A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Moriz Jelinek,Werner Schustereder,Michael Brugger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-24.

Method for manufacturing gallium nitride single crystalline substrate using self-split

Номер патента: EP2077345A1. Автор: Yong-Jin Kim,Ho-Jun Lee,Doo-Soo Kim,Dong-Kun Lee. Владелец: Siltron Inc. Дата публикации: 2009-07-08.

Methods for fabricating integrated circuits with semiconductor substrate protection

Номер патента: US20140273375A1. Автор: Ralf Richter,Jan Hoentschel,Peter Javorka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Metal chalcogenide film and method and device for manufacturing the same

Номер патента: US20230313365A1. Автор: Hyeonjin Shin,Kyung-Eun Byun,Taejin Park,Hyoungsub Kim,Hoijoon KIM,Wonsik AHN,Mirine LEEM. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-10-05.

Method for forming narrow images on semiconductor substrates

Номер патента: US4546066A. Автор: Russell C. Lange,Cheryl B. Field. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1985-10-08.

Electronic component embedded connector, and method and device for manufacturing the same

Номер патента: US8458901B2. Автор: Shinji Yamaguchi,Kenichi Abe,Tetsu Hirose. Владелец: Union Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-11.

Plasma processing device, plasma processing method and method of manufacturing electronic devices

Номер патента: US20150118867A1. Автор: Tomohiro Okumura. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-30.

Methods for fabricating strained layers on semiconductor substrates

Номер патента: US20030215990A1. Автор: Eugene Fitzgerald,Matthew Currie. Владелец: Amber Wave Systems Inc. Дата публикации: 2003-11-20.

Surface treatment method of 2-dimensional thin layer and method of manufacturing an electric element

Номер патента: KR20170102771A. Автор: 이성주,전재호,장성규,가정원. Владелец: 성균관대학교산학협력단. Дата публикации: 2017-09-12.

Inductively coupled plasma based atomic analysis systems and methods

Номер патента: US20240369566A1. Автор: Michael Sullivan,Mark Armstrong,Alexander Loboda,Raymond Jong,Serguei VOROBIEV,Robert ROTENBERG,Maxim VORONOV,Emil D. Stratulativ. Владелец: Standard Biotools Canada Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Torch for inductively coupled plasma

Номер патента: US20180220520A1. Автор: Javad Mostaghimi,Sina Alavi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-08-02.

Torch for inductively coupled plasma

Номер патента: WO2019144220A1. Автор: Javad Mostaghimi,Sina Alavi. Владелец: Sina Alavi. Дата публикации: 2019-08-01.

Method for Fabricating Solar Cell Using Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition

Номер патента: US20120077306A1. Автор: Jong Ho Lee,Ho-Sung Kim,Chaehwan JEONG,Seongjae Boo. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2012-03-29.

Plasma processing apparatus and method, and method of manufacturing electronic device

Номер патента: US09595458B2. Автор: Tomohiro Okumura,Satoshi Suemasu. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Plasma processing apparatus, plasma processing method, and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US20160293455A1. Автор: Tomohiro Okumura,Satoshi Suemasu. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Inductively coupled plasma source with symmetrical RF feed

Номер патента: US09928987B2. Автор: Shahid Rauf,Kartik Ramaswamy,Kenneth S. Collins,Richard Fovell,Jason A. Kenney,James D. Carducci. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

RF system, magnetic filter, and high voltage isolation for an inductively coupled plasma ion source

Номер патента: US09655223B2. Автор: Noel S. Smith,Paul P. Tesch,Roderick W. Boswell,Noel P. Martin. Владелец: OREGON PHYSICS LLC. Дата публикации: 2017-05-16.

Symmetrical inductively coupled plasma source with side RF feeds and spiral coil antenna

Номер патента: US09449794B2. Автор: Yang Yang,Shahid Rauf,Kartik Ramaswamy,Kenneth S. Collins,Andrew Nguyen,Steven Lane,Jason A. Kenney,Yogananda SARODE VISHWANATH. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Inductively coupled plasma ion source with tunable radio requency power

Номер патента: US20180330909A1. Автор: Noel S. Smith,Philip J. Witham,Paul P. Tesch,Roderick W. Boswell,Noel P. Martin. Владелец: OREGON PHYSICS LLC. Дата публикации: 2018-11-15.

Multiple coil inductively coupled plasma source with offset frequencies and double-walled shielding

Номер патента: US10170279B2. Автор: Shahid Rauf,Kartik Ramaswamy,Kenneth S. Collins,Richard Fovell,Jason A. Kenney,James D. Carducci. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-01-01.

Symmetrical inductively coupled plasma source with side rf feeds and spiral coil antenna

Номер патента: US20140232263A1. Автор: Yang Yang,Shahid Rauf,Kartik Ramaswamy,Kenneth S. Collins,Andrew Nguyen,Steven Lane,Jason A. Kenney,Yogananda SARODE VISHWANATH. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-08-21.

Inductively coupled plasma generator

Номер патента: US20200022244A1. Автор: Hidemiki Hayashi. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Symmetrical inductively coupled plasma source with symmetrical flow chamber

Номер патента: US09745663B2. Автор: Shahid Rauf,Kartik Ramaswamy,Kenneth S. Collins,Andrew Nguyen,Ajit Balakrishna,Douglas A. Buchberger, Jr.,Richard Fovell,Ankur Agarwal,Jason A. Kenney,James D. Carducci,Leonid Dorf. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Particulate anode materials and methods for their preparation by inductively-coupled plasma

Номер патента: US20240097110A1. Автор: Jiayin Guo,Abdelbast Guerfi,Karim Zaghib,Dominic Leblanc,Maher Boulos,Richard DOLBEC. Владелец: Tekna Plasma Systems Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Inductively coupled plasma source with multiple dielectric windows and window-supporting structure

Номер патента: US09896769B2. Автор: Shahid Rauf,Kartik Ramaswamy,Kenneth S. Collins,Andrew Nguyen,Ajit Balakrishna,Douglas A. Buchberger, Jr.,Richard Fovell,Ankur Agarwal,Jason A. Kenney,James D. Carducci,Leonid Dorf. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Light emitting device, display device, electronic instrument, and method and apparatus for manufacturing light emitting device

Номер патента: EP4376105A1. Автор: Yuichiro Hayashi,Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Yuki Taniguchi,Kentaro Murakawa,Katsuaki Masaki. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-05-29.

System and method for high speed inspection of semiconductor substrates

Номер патента: US11749571B2. Автор: Yan-Cheng Chen,Jun Xiu Liu,Chung-Pin CHOU,Sheng He HUANG,Shiue-Ming GUO,Hsuan-Chia KAO,Sheng-Ching KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

System and method for high speed inspection of semiconductor substrates

Номер патента: US12119273B2. Автор: Yan-Cheng Chen,Jun Xiu Liu,Chung-Pin CHOU,Sheng He HUANG,Shiue-Ming GUO,Hsuan-Chia KAO,Sheng-Ching KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Compound semiconductor substrate, a pellicle film, and a method for manufacturing a compound semiconductor substrate

Номер патента: US11626283B2. Автор: Hidehiko Oku,Ichiro Hide. Владелец: AIR WATER INC. Дата публикации: 2023-04-11.

Etchant composition and methods for manufacturing metal pattern and array substrate using the same

Номер патента: US20200172807A1. Автор: Bong-Kyun Kim,Seung-Hee Kim,SeungBo SHIM,Donghee Lee,Jinseuk KIM,Shinhyuk Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Electronic interface apparatus and method and system for manufacturing same

Номер патента: WO2009060425A3. Автор: Oded Bashan,Guy Shafran. Владелец: ON TRACK INNOVATIONS LTD.. Дата публикации: 2010-03-11.

Electronic interface apparatus and method and system for manufacturing same

Номер патента: US09773201B2. Автор: Oded Bashan,Guy Shafran. Владелец: Smartrac IP BV. Дата публикации: 2017-09-26.

Method for producing el display device and transfer substrate used in producing el display device

Номер патента: US20150214509A1. Автор: Yoichi Shintani,Atsushi Tsuno. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2015-07-30.

Method for evaluating defect region of semiconductor substrate

Номер патента: US09958493B2. Автор: Takashi Aratani. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

System and method for high speed inspection of semiconductor substrates

Номер патента: US20230360975A1. Автор: Yan-Cheng Chen,Jun Xiu Liu,Chung-Pin CHOU,Sheng He HUANG,Shiue-Ming GUO,Hsuan-Chia KAO,Sheng-Ching KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Light emitting device, and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: EP2257999A2. Автор: Hideo Tamura,Reiji Ono,Kuniaki Konno,Tetsuro Komatsu,Hiroaki Oshio. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-12-08.

Light emitting device, and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: WO2009118985A4. Автор: Hideo Tamura,Reiji Ono,Kuniaki Konno,Tetsuro Komatsu,Hiroaki Oshio. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2010-07-01.

Electronic interface apparatus and method and system for manufacturing same

Номер патента: US20100200661A1. Автор: Oded Bashan,Guy Shafran. Владелец: Smartrac IP BV. Дата публикации: 2010-08-12.

Photosensitive assembly, imaging module, smart terminal, and method and mould for manufacturing photosensitive assembly

Номер патента: US11843009B2. Автор: TAKEHIKO Tanaka,Zhenyu Chen,Zhewen Mei. Владелец: Ningbo Sunny Opotech Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Inductors Embedded in Package Substrate and Board and Method and System for Manufacturing the Same

Номер патента: US20230395305A1. Автор: Michael Su,Bryan Black,Michael Alfano,Siddharth Ravichandran. Владелец: Chipletz Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Inductively coupled coil and inductively coupled plasma device using the same

Номер патента: US20170092466A1. Автор: Jianhui Nan,Qiaoli Song. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-30.

Inductively coupled coil and inductively coupled plasma device using the same

Номер патента: US09552965B2. Автор: Jianhui Nan,Qiaoli Song. Владелец: Beijing NMC Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Apparatus and method for inductively-coupled-plasma-enhanced ionized physical-vapor deposition

Номер патента: WO1999027153A1. Автор: Mehrdad M. Moslehi. Владелец: Cvc, Inc.. Дата публикации: 1999-06-03.

Three-coil inductively coupled plasma source with individually controlled coil currents from a single rf power generator

Номер патента: WO2013162962A1. Автор: Jonathan Liu,Shahid Rauf,Kartik Ramaswamy,Kenneth S. Collins,Andrew Nguyen,Steven Lane,Jason A. Kenney,Leonid Dorf. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-10-31.

Inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: US09543121B2. Автор: Kazuo Sasaki,Toshihiro Tojo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Three-coil inductively coupled plasma source with individually controlled coil currents from a single rf power generator

Номер патента: WO2013162826A1. Автор: Jonathan Liu,Shahid Rauf,Kartik Ramaswamy,Kenneth S. Collins,Andrew Nguyen,Steven Lane,Jason A. Kenney,Leonid Dorf. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-10-31.

Connector assembly for an inductively coupled plasma source

Номер патента: US09450330B2. Автор: Craig PETERS. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2016-09-20.

Transmission line based inductively coupled plasma source with stable impedance

Номер патента: WO2002019387A2. Автор: Marwan H. Khater,Lawrence J. Overzet. Владелец: Board of Regents. Дата публикации: 2002-03-07.

Compact rf antenna for an inductively coupled plasma ion source

Номер патента: WO2012044977A2. Автор: Shouyin Zhang. Владелец: FEI COMPANY. Дата публикации: 2012-04-05.

Antenna for inductively coupled plasma excitation, antenna unit for inductively coupled plasma excitation, and plasma processing apparatus

Номер патента: US20230343553A1. Автор: Yohei Yamazawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Inductively coupled plasma source

Номер патента: WO2014110237A1. Автор: Yang Yang,Kartik Ramaswamy,Andrew Nguyen,Steven Lane. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-07-17.

Mass analysis method and inductively coupled plasma mass spectrometer

Номер патента: US09865443B2. Автор: Tadashi Taniguchi. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Dielectric window supporting structure for inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: US09818581B1. Автор: Saeng Hyun Cho. Владелец: Vni Solution Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for attachment of an electrode into an inductively-coupled plasma

Номер патента: US09530625B2. Автор: Noel Smith,Mark W. Utlaut,Gregory A. Schwind,Sean Kellogg,Shouyin Zhang,Anthony Graupera,Walter Skoczylas,Andrew B. Wells,William N. Parker. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2016-12-27.

Inductively coupled plasma spectrometric system and inductively coupled plasma spectrometric method

Номер патента: US20210272784A1. Автор: Akihiro WAKISAKA,Yoshiyuki Teramoto. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2021-09-02.

Inductively coupled plasma type ion implanter

Номер патента: US20240021409A1. Автор: Seung Jae MOON,Jong Jin HWANG,Sung Mook JUNG. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-01-18.

Inductively coupled plasma MS/MS mass analyzer

Номер патента: US8610053B2. Автор: Takeo Kuwabara,Noriyuki Yamada,Jun Kitamoto. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2013-12-17.

Spatially tunable inductively coupled plasma antenna

Номер патента: WO2023204995A1. Автор: David French,Jozef Kudela. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-10-26.

Compact, distributed inductive element for large scale inductively-coupled plasma sources

Номер патента: WO2005074000A3. Автор: Jozef Brcka. Владелец: Tokyo Electron America Inc. Дата публикации: 2005-12-15.

Compact, distributed inductive element for large scale inductively-coupled plasma sources

Номер патента: WO2005074000A2. Автор: Jozef Brcka. Владелец: Tokyo Electron America, Inc.. Дата публикации: 2005-08-11.

Oxygen reduction device in ion source region of inductively coupled plasma

Номер патента: US12057291B2. Автор: Xin Jiang,Jie Lin,Yongsheng Liu,Chengyi ZHANG,Haibo Ding,Xiaofeng XIA,Wengui Liu,Shuimiao LU,Lifei CHEN. Владелец: Hangzhou Puyu Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Window and mounting arrangement for twist-and-lock gas injector assembly of inductively coupled plasma chamber

Номер патента: WO2013062866A1. Автор: David Schaefer,Rish Chhatre. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2013-05-02.

Use of a nebulizer to add gas to eliminate metal deposition on the sampling orifices of an inductively coupled plasma mass spectrometer

Номер патента: US20030082826A1. Автор: Tracey Jacksier,Farouk Kimour,Janet Graehling. Владелец: AMERICAN LIQUIDE AMERICA Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Inductively coupled plasma mass spectrometer

Номер патента: EP4435426A1. Автор: Junichi Taniguchi,Ryo Fujita,Tomoyoshi Matsushita. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Window and mounting arrangement for twist-and-lock gas injector assembly of inductively coupled plasma chamber

Номер патента: US09947512B2. Автор: David Schaefer,Rish Chhatre. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of multiple zone symmetric gas injection for inductively coupled plasma

Номер патента: US09472379B2. Автор: Yang Yang,Kartik Ramaswamy,Steven Lane,Lawrence Wong. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Inductively coupled plasma treatment system

Номер патента: US11837439B2. Автор: NA Li,Haiyang Liu,Xuedong Li,Xiaobo Liu,Song Guo,Dongdong HU,Shiran CHENG,Kaidong Xu. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Spinning Cell Device for Fast Standardization in Laser Ablation Inductively Coupled Plasma Spectrometry

Номер патента: US20140070085A1. Автор: John L Molloy,Naomi Bier,Fanny Claverie,Julien Malherbe. Владелец: National Institute of Standards and Technology (NIST). Дата публикации: 2014-03-13.

Method for analyzing metal microparticles, and inductively coupled plasma mass spectrometry method

Номер патента: US20230335387A1. Автор: Katsuhiko Kawabata,Tatsuya Ichinose,Kohei Nishiguchi. Владелец: IAS Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: EP1815494A1. Автор: Reinhard Fendler,Pascal Colpo,François Rossi. Владелец: European Community EC Belgium. Дата публикации: 2007-08-08.

Inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: CA2588505A1. Автор: Reinhard Fendler,Pascal Colpo,François Rossi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-01.

System for Attachment of an Electrode into an Inductively Coupled Plasma Source

Номер патента: US20130134855A1. Автор: Noel Smith,N. William Parker,Mark W. Utlaut,Gregory A. Schwind,Sean Kellogg,Shouyin Zhang,Anthony Graupera,Walter Skoczylas,Andrew B. Wells. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2013-05-30.

Mass analysis method and inductively coupled plasma mass spectrometer

Номер патента: US20170256388A1. Автор: Tadashi Taniguchi. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Inductively coupled plasma etching apparatus

Номер патента: WO2001075931A3. Автор: Shu Nakajima. Владелец: Shu Nakajima. Дата публикации: 2002-03-21.

Inductively coupled plasma etching apparatus

Номер патента: EP1269513A2. Автор: Shu Nakajima. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2003-01-02.

Dielectric window supporting structure for inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: US20170323770A1. Автор: Saeng Hyun Cho. Владелец: Vni Solution Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-09.

Optical emission spectroscope with a pivotably mounted inductively coupled plasma source

Номер патента: US20170343478A1. Автор: Manfred A. Bergsch. Владелец: Spectro Analytical Instruments GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-11-30.

Inductively coupled plasma ms/ms mass analyzer

Номер патента: US20130175442A1. Автор: Takeo Kuwabara,Noriyuki Yamada,Jun Kitamoto. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2013-07-11.

Inductively coupled plasma mass spectroscopic apparatus

Номер патента: US5939718A. Автор: Kenichi Sakata,Noriyuki Yamada,Shigeru Nawa. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1999-08-17.

Apparatus for introducing samples into an inductively coupled, plasma source mass spectrometer

Номер патента: CA1307360C. Автор: Hideki Matsunaga,Naoyuki Hirate. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-09-08.

Method of multiple zone symmetric gas injection for inductively coupled plasma

Номер патента: US20150371824A1. Автор: Yang Yang,Kartik Ramaswamy,Steven Lane,Lawrence Wong. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-12-24.

Inductively coupled plasma mass spectrometry (icp-ms) with improved signal-to-noise and signal-to-background ratios

Номер патента: US20190287776A1. Автор: Noriyuki Yamada,Erina Shimizu. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2019-09-19.

Inductively coupled plasma source mass spectrometry for silicon measurement

Номер патента: US20230170197A1. Автор: Isabelle ISNARD,Marta GARCIA-CORTES. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-06-01.

Oxygen Reduction Device in Ion Source Region of Inductively Coupled Plasma

Номер патента: US20230137483A1. Автор: Xin Jiang,Jie Lin,Yongsheng Liu,Chengyi ZHANG,Haibo Ding,Xiaofeng XIA,Wengui Liu,Shuimiao LU,Lifei CHEN. Владелец: Hangzhou Puyu Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Method for removing burrs of battery electrode plates by inductively coupled plasma dry etching

Номер патента: US20140042121A1. Автор: Tao Tao,Yi Li,Peng Chen,Bing Liu,Yi Shi,Rong Zhang,Ping Han,Ting Zhi,Zhili Xie,Zhiguo Yu,Xiangqian Xiu,Youdou Zheng. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-02-13.

Method for removing burrs of battery electrode plates by inductively coupled plasma dry etching

Номер патента: US9276254B2. Автор: Tao Tao,Yi Li,Peng Chen,Bing Liu,Yi Shi,Rong Zhang,Ping Han,Ting Zhi,Zhili Xie,Zhiguo Yu,Xiangqian Xiu,Youdou Zheng. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-03-01.

Inductively coupled high density plasma reactor for plasma assisted materials processing

Номер патента: US5540800A. Автор: Xueyu Qian. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1996-07-30.

Plasma reactor having RF power applicator and a dual-purpose window

Номер патента: US6790311B2. Автор: Michael Rice,Kenneth S Collins,Craig A Roderick,Farahmand E Askarinam,Douglas A Buchberger, Jr.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-14.

Apparatus for improving plasma distribution and performance in an inductively coupled plasma

Номер патента: EP1166324A2. Автор: Jozef Brcka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2002-01-02.

System and method for selective coil excitation in inductively coupled plasma processing reactors

Номер патента: US20160027616A1. Автор: Yang Yang,Kartik Ramaswamy,Steven Lane,Joseph F. Aubuchon,Lawrence Wong,Travis Koh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-01-28.

Enhanced ignition in inductively coupled plasmas for workpiece processing

Номер патента: US11848204B2. Автор: Shawming Ma,Stephen E. Savas. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Enhanced ignition in inductively coupled plasmas for workpiece processing

Номер патента: EP4000088A1. Автор: Shawming Ma,Stephen E. Savas. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-25.

Enhanced ignition in inductively coupled plasmas for workpiece processing

Номер патента: WO2021030342A1. Автор: Shawming Ma,Stephen E. Savas. Владелец: Beijing E-town Semiconductor Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-02-18.

Enhanced Ignition in Inductively Coupled Plasmas For Workpiece Processing

Номер патента: US20210050213A1. Автор: Shawming Ma,Stephen E. Savas. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-18.

Enhanced Ignition in Inductively Coupled Plasmas For Workpiece Processing

Номер патента: US20240071754A1. Автор: Shawming Ma,Stephen E. Savas. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Inductively coupled plasma reactor having RF phase control and methods of use thereof

Номер патента: TW201103086A. Автор: Valentin N Todorow,Samer Banna. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2011-01-16.

Inductively coupled plasma reactor with multi laser scanning line

Номер патента: KR101434145B1. Автор: 위순임. Владелец: 주식회사 뉴파워 프라즈마. Дата публикации: 2014-08-26.

Apparatus for manufacturing large-size LCD substrates using inductively coupled plasma and including insulating plate

Номер патента: KR101063740B1. Автор: 권기청. Владелец: 주성엔지니어링(주). Дата публикации: 2011-09-08.

Processes used in an inductively coupled plasma reactor

Номер патента: US20020004309A1. Автор: Tetsuya Ishikawa,David W. Groechel,Jeffrey Marks,Jerry Yuen-Kui Wong,Peter R. Keswick,Chan-Lon Yang,Kenneth S. Collins,Craig A. Roderick,John R. Trow,Lawrence Chang-Lai Lei,Masato M. Toshima,Jay D. Pinson. Владелец: Jay D. Pinson. Дата публикации: 2002-01-10.

Apparatus for improving plasma distribution and performance in an inductively coupled plasma

Номер патента: EP1166324B1. Автор: Jozef Brcka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2004-03-03.

Apparatus and method for processing a substrate using inductively coupled plasma technology

Номер патента: TW200933798A. Автор: WEI Liu,Johanes Swenberg,Woong Choi,Roger Curtis,Hanh D Nguyen,Son T Nguyen,Philip A Bottini,Michael J Mark,Theresa K Guarini. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-08-01.

Apparatus and method for improving plasma distribution and performance in an inductively coupled plasma

Номер патента: US6474258B2. Автор: Jozef Brcka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2002-11-05.

Apparatus and method for improving plasma distribution and performance in inductively coupled plasma

Номер патента: CN1513197A. Автор: Լɪ��������,约瑟夫·布尔卡. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2004-07-14.

Apparatus and method for improving plasma distribution and performance in inductively coupled plasmas

Номер патента: JP4037760B2. Автор: ジョゼフ・ブルッカ. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-01-23.

Adjustment of deposition uniformity in an inductively coupled plasma source

Номер патента: TW405162B. Автор: Praburam Gopalraja,Murali Narasimhan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-09-11.

Substrate cooling apparatus for plasma etching device using inductively coupled plasma chamber

Номер патента: KR100468793B1. Автор: 송형승. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-03-16.

System and method for selective coil excitation in inductively coupled plasma processing reactors

Номер патента: US20160027616A1. Автор: Yang Yang,Kartik Ramaswamy,Steven Lane,Joseph F. Aubuchon,Lawrence Wong,Travis Koh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-01-28.

Ionized Physical Vapor Deposition (IPVD) Apparatus And Method For An Inductively Coupled Plasma Sweeping Source

Номер патента: US20170278686A1. Автор: Brcka Jozef. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-28.

Apparatus and method for controlling edge performance in an inductively coupled plasma chamber

Номер патента: US8999106B2. Автор: WEI Liu,Son T. Nguyen,Michael J. Mark,Hanh D. Nguyen,Roger Curtis,Philip A. Bottini,Johanes F. Swenberg. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-04-07.

Apparatus and method for controlling edge performance of an inductively coupled plasma chamber

Номер патента: JP5704923B2. Автор: ウェイ リュ，,ジョハネス， エフ． スウェンバーグ，,ジョハネス， エフ． スウェンバーグ，,ハン， ディー． グエン，,ハン， ディー． グエン，,サン， ティー． グエン，,サン， ティー． グエン，,ロジャー カーティス，,フィリップ， エー． ボッティニ，,フィリップ， エー． ボッティニ，,マイケル， ジェイ． マーク，,マイケル， ジェイ． マーク，. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-04-22.

Enhanced Ignition in Inductively Coupled Plasmas For Workpiece Processing

Номер патента: US20210050213A1. Автор: Savas Stephen E.,Ma Shawming. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-18.

Inductively Coupled Plasma Wafer Bevel Strip Apparatus

Номер патента: US20190131112A1. Автор: Desai Dixit V.,Ma Shawming,Pakulski Ryan M.. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor

Номер патента: US20150184291A1. Автор: Robert Brennan Milligan,Fred Alokozai. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2015-07-02.

PROCESS GAS MANAGEMENT FOR AN INDUCTIVELY-COUPLED PLASMA DEPOSITION REACTOR

Номер патента: US20170191164A1. Автор: Alokozai Fred,Milligan Robert Brennan. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

RF ANTENNA STRUCTURE FOR INDUCTIVELY COUPLED PLASMA PROCESSING APPARATUS

Номер патента: US20170323766A1. Автор: CHO Saeng Hyun. Владелец: VNI Solution Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-11-09.

Dielectric window supporting structure for inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: US20170323767A1. Автор: Saeng Hyun Cho. Владелец: Vni Solution Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-09.

SELF-IONIZED AND INDUCTIVELY-COUPLED PLASMA FOR SPUTTERING AND RESPUTTERING

Номер патента: US20180327893A1. Автор: Fu Jianming,Xu Zheng,FORSTER John C.,GOPALRAJA Praburam,TANG XIANMIN,MILLER Michael A.,DING Peijun,SUNDARRAJAN Arvind,TAO RONG,Lubben Daniel C.,RENGARAJAN Suraj,MOSELY Roderick C.,CHEN Fusen. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-15.

Inductively coupled plasma apparatus

Номер патента: KR100318690B1. Автор: 염근영. Владелец: 우형철. Дата публикации: 2001-12-28.

Inductively Coupled Plasma Apparatus for Large Area Processing Using Dual Frequency

Номер патента: KR100748392B1. Автор: 김경남,염근영. Владелец: 성균관대학교산학협력단. Дата публикации: 2007-08-10.

Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor

Номер патента: US9021985B2. Автор: Robert Brennan Milligan,Fred Alokozai. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2015-05-05.

Inductive coupling plasma processing apparatus

Номер патента: KR100745942B1. Автор: 사토요시츠토무,아마노겐지. Владелец: 동경 엘렉트론 주식회사. Дата публикации: 2007-08-02.

Inductive coupled plasma processing apparatus

Номер патента: KR20060094409A. Автор: 이창근,김형수,최준영,이영종,이정빈. Владелец: 주식회사 에이디피엔지니어링. Дата публикации: 2006-08-29.

Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor

Номер патента: KR102044040B1. Автор: 로버트 브레넌 밀리건,프레드 알로코자이. Владелец: 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.. Дата публикации: 2019-11-12.

Method and apparatus for improving sidewall coverage during sputtering in a chamber with inductively coupled plasma

Номер патента: KR19980070835A. Автор: 공다 야오,쳉 수. Владелец: 어플라이드머티어리얼스,인코포레이티드. Дата публикации: 1998-10-26.

Inductively coupled plasma processing equipment

Номер патента: JP4672113B2. Автор: 務 里吉,健次 天野. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-04-20.

Inductively coupled plasma treatment apparatus

Номер патента: KR100631479B1. Автор: 황창훈,안정수,송하진. Владелец: 두산디앤디 주식회사. Дата публикации: 2006-10-09.

RF antenna structure for inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: KR101798384B1. Автор: 조생현. Владелец: (주)브이앤아이솔루션. Дата публикации: 2017-11-17.

Method and apparatus for improving sidewall coverage during sputtering in a chamber having an inductively coupled plasma

Номер патента: US6899799B2. Автор: Seshadri Ramaswami,Kenny King-Tai Ngan,Ying Yin Hui. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2005-05-31.

Inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: US20220005671A1. Автор: Sung Hwan Cho,Ho-Jun Lee,Seung Bo SHIM,Doug Yong SUNG,Jee Hun Jeong,Ju-Hong Cha. Владелец: University Industry Cooperation Foundation of Pusan National University. Дата публикации: 2022-01-06.

Method and chamber for inductively coupled plasma processing for cylinderical material with three-dimensional surface

Номер патента: WO2010008116A3. Автор: Hyun Seok Oh,Sung Il Chung,S.A. Nikiforov,Jeong Woo Jeon,Yu Sung Kim. Владелец: Korea Electro Technology Research Institute. Дата публикации: 2010-07-22.

Method and apparatus for enhancing sidewall coverage during sputtering in a chamber having an inductively coupled plasma

Номер патента: US6451179B1. Автор: ZHENG Xu,Gongda Yao. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2002-09-17.

Self-ionized and inductively-coupled plasma for sputtering and resputtering

Номер патента: US20050006222A1. Автор: RONG Tao,Arvind Sundarrajan,Michael Miller,ZHENG Xu,Roderick Mosely,Praburam Gopalraja,Peijun Ding,Xianmin Tang,Jianming Fu,Fusen Chen,John Forster,Suraj Rengarajan,Daniel Lubben. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2005-01-13.

Side wall magnet improving uniformity of inductively coupled plasma and shield used therewith

Номер патента: JP2011080154A. Автор: Peijun Ding,Xianmin Tang,John Forster,Marc Schweitzer,Tza-Jing Gung,Ilya Lavitsky,ペイジュン ディン，,Keith A Miller,タザ‐ジン グァング，,シャンミン タン，,ジョン フォースター，,マーク シュバイツァー，,キース， エー． ミラー，,イリヤ ラヴィトスキー，. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2011-04-21.

Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor

Номер патента: US10023960B2. Автор: Robert Brennan Milligan,Fred Alokozai. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-07-17.

Inductively coupled plasma CVD

Номер патента: KR100497778B1. Автор: 브라이언 맥밀린,폴 케빈 셔플보담,알렉스 티. 디모스,후옹 구옌,부치 베르니,모니크 벤-도르. Владелец: 램 리서치 코포레이션. Дата публикации: 2005-06-23.

Sidewall magnet improving uniformity of inductively coupled plasma and shields used therewith

Номер патента: CN1813332A. Автор: 丁培军,唐先民,龚则敬,约翰·福斯特,马克·施韦策,基斯·A·米勒,伊利娅·拉维斯凯. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2006-08-02.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: WO2023131742A1. Автор: Ville Vilokkinen,Riina Ulkuniemi,Petri Melanen. Владелец: Modulight Corporation. Дата публикации: 2023-07-13.

Method for forming silicon dots

Номер патента: US20100260944A1. Автор: Hirokazu Kaki,Eiji Takahashi,Atsushi Tomyo. Владелец: Nissin Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-14.

Symmetrical mask system and method for laser irradiation

Номер патента: US20030175599A1. Автор: Apostolos Voutsas,Mark A. Crowder,Yasuhiro Mitiani. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2003-09-18.

Impurity introducing method, impurity introducing apparatus, and method of manufacturing semiconductor element

Номер патента: US09659774B2. Автор: Haruo Nakazawa,Masaaki Ogino,Kenichi Iguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20090233423A1. Автор: Takayuki Suzuki,Takeshi Meguro,Ken Ikeda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-17.

Method for cleaning semiconductor substrate, method for manufacturing processed semiconductor substrate, and composition for exfoliation and dissolution

Номер патента: EP4401115A1. Автор: Tetsuya Shinjo,Takahisa OKUNO,Masafumi YAGYU. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2024-07-17.

Silicon carbide semiconductor substrate, method for manufacturing silicon carbide semiconductor substrate, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: CN107636808B. Автор: 俵武志. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-23.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4394093A1. Автор: Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4407657A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Template substrate, method and apparatus for manufacturing template substrate, semiconductor substrate, method and apparatus for manufacturing semiconductor substrate

Номер патента: US20240145622A1. Автор: Takeshi Kamikawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Nitride semiconductor substrate, semiconductor device, and methods for manufacturing nitride semiconductor substrate and semiconductor device

Номер патента: US20130252401A1. Автор: Naoki Matsumoto,Hidenori Mikami,Sayuri Yamaguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Nitride semiconductor substrate, semiconductor device, and methods for manufacturing nitride semiconductor substrate and semiconductor device

Номер патента: US20110068434A1. Автор: Naoki Matsumoto,Hidenori Mikami,Sayuri Yamaguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-03-24.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP4400636A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20240371628A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Apparatus and Method for Conformal Treatment of Dielectric Films Using Inductively Coupled Plasma

Номер патента: US20140302686A1. Автор: Liu Wei,Olsen Christopher S.,Bevan Malcolm J.,Chu David,Pan Heng,ROGERS Matthew Scott,Swenberg Johanes F.. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-09.

Method for making Cu2-xSe nanoparticles and method for making deposited Cu2-xSe thin film by electrophoresis

Номер патента: US20140017884A1. Автор: Chu-Chi Ting,Wen-Yuan Lee. Владелец: NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-01-16.

Multiple coil antenna for inductively-coupled plasma generation systems

Номер патента: EP1092229A1. Автор: Jian J. Chen,Robert G. Veltrop,Thomas E. Wicker. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2001-04-18.

Inductively coupled plasma source for plasma processing

Номер патента: US09653264B2. Автор: Dongsoo Lee,Andreas Kadavanich,Vladimir Nagorny. Владелец: Mattson Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Smaller diameter coil to enhance uniformity of metal film formed by inductively coupled plasma deposition

Номер патента: WO1999054909A1. Автор: ZHENG Xu,Praburam Gopalraja,Ralf Hofmann. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 1999-10-28.

Method and device for manufacturing of sealed panel and method and device for manufacturing of plasma display panel

Номер патента: RU2435246C2. Автор: Эйити ИИДЗИМА,Мунето ХАКОМОРИ,Тосихару КУРАУТИ,Таканобу ЯНО,Юити ОРИИ. Владелец: Улвак, Инк.. Дата публикации: 2011-11-27.

Apparatus for processing plasma and method of processing plasma and manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20240128055A1. Автор: Jihwan Kim,Juho Lee,SeungBo SHIM,Hyunjae Lee,Sangki NAM,Hyunbae Kim,Daeun Son,Hyunhak Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Discharge lamp with a base and method and fixture for manufacturing the same

Номер патента: EP1439569A3. Автор: István Mudra,Pal Garamvolgyi,Szabolcs Bella. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2007-08-29.

Semiconductor substrate-based system for an RFID device, RFID device, and method for manufacturing such a semiconductor substrate-based system

Номер патента: US09608307B2. Автор: Andreas Krauss,Janpeter Wolff,Tjalf Pirk,Laura Bohne. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-03-28.

Case body assembly, battery, electrical device, and method and apparatus for manufacturing case body assembly

Номер патента: EP4239772A1. Автор: Yangzhi HUANG,Qifeng Chen,Xiping LIAO. Владелец: Jiangsu Contemporary Amperex Technology Ltd. Дата публикации: 2023-09-06.

Stepped battery and method and device for manufacturing the same

Номер патента: US09882233B2. Автор: Young Hoon Kim,Ki Woong Kim,Dong Myung Kim,Sung Jin Kwon. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Battery cell, battery, electrical device, and method and device for manufacturing battery cell

Номер патента: EP4407758A1. Автор: Xing Li,HU XU,Shaojun Niu. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Battery, electric apparatus, and method and apparatus for manufacturing battery

Номер патента: US20240204317A1. Автор: Xing Li,HU XU,Haizu Jin,Shaojun Niu. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Case of battery, battery, power consumption device, and method and device for manufacturing battery

Номер патента: CA3227987A1. Автор: Yao Li,Xiaobo Chen,Jinru YUE,Piaopiao YANG,Mingguang GU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Battery, power consuming device, and method and apparatus for manufacturing battery

Номер патента: US20230387559A1. Автор: Aifang Huang,Qifeng Chen. Владелец: Jiangsu Contemporary Amperex Technology Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

System and method of measuring for manufacture and deployment of distribution cable assemblies

Номер патента: EP4252057A1. Автор: Terry Lee Cooke,Lars Kristian Nielsen,Michael Todd Faulkner. Владелец: Corning Research and Development Corp. Дата публикации: 2023-10-04.

Battery cell, battery, electrical device, and method and device for manufacturing battery cell

Номер патента: EP4418445A1. Автор: PENG Wang,Long Chen,Haizu Jin,Yulian ZHENG,Shoujun HUANG,Xinxiang CHEN,Denghua LIN. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Energy storage container and method and device for manufacturing energy storage container

Номер патента: US20240204330A1. Автор: Hao Luo,Zengzhong Wang,Haoran PENG,Haibin SU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Battery, electric device, and method and apparatus for manufacturing battery

Номер патента: EP4372864A1. Автор: PENG Wang,Xiaoteng Huang,Zhanyu SUN,Haiqi Yang,Langchao Hu,Chenyi XU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-22.

Battery cell, battery, electrical device, and method and apparatus for manufacturing battery cell

Номер патента: EP4398406A1. Автор: ZHEN Li,MENG Li,Zhixin LUO. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Battery cell, battery, electrical device, and method and equipment for manufacturing battery cell

Номер патента: US20240304965A1. Автор: PENG Wang,Long Chen,Haizu Jin,Yulian ZHENG,Shoujun HUANG,Xinxiang CHEN,Denghua LIN. Владелец: Contemporary Amperex Technology Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Battery protection structure, battery, electric device, and method and apparatus for manufacturing battery

Номер патента: EP4435944A1. Автор: Qingpeng Ke. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Battery cell, battery, electrical device, and method and apparatus for manufacturing battery cell

Номер патента: US20240322407A1. Автор: Jun Xiao,Caiying SUN,Song DUAN. Владелец: Contemporary Amperex Technology Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Negative electrode pole piece, electrode assembly, battery cell, battery, electrical device, and method and device for manufacturing negative electrode pole piece

Номер патента: EP4447169A1. Автор: Yujie Chen,Xiaoming Ge,Yulei FAN. Владелец: Contemporary Amperex Technology Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Battery protective structure, battery, power consuming device, and method and apparatus for manufacturing battery

Номер патента: US20240339709A1. Автор: Qingpeng Ke. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Enclosure frame, battery, electric apparatus, and method and apparatus for manufacturing enclosure frame

Номер патента: EP4447208A1. Автор: Pengfei Lv,Guangyue Zhong,Ruilian NIE,Zhaoyu SHANG. Владелец: Contemporary Amperex Technology Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Battery, electrical device, and method and equipment for manufacturing battery

Номер патента: US20240363960A1. Автор: Yao Li,Mingguang GU,Pengcheng YAO,Bingfeng LI,Zequan LU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Battery module, battery pack, apparatus, and method and device for manufacturing battery module

Номер патента: US12132217B2. Автор: Wei Li,Chengdu Liang,Qian Liu,Haizu Jin,Yonghuang YE,Quanguo LI. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Enclosure frame, battery, electric device, and method and device for manufacturing enclosure frame

Номер патента: US20240372205A1. Автор: Pengfei Lv,Guangyue Zhong,Ruilian NIE,Zhaoyu SHANG. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Battery module and method and equipment for manufacturing the same, battery pack, and apparatus

Номер патента: US12062812B2. Автор: Wei Li,Chengdu Liang,Xia Hu,Qian Liu,Yonghuang YE,Quanguo LI. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Pole piece, electrode assembly, battery cell, battery, electrical device, and method and device for manufacturing pole piece

Номер патента: EP4462520A1. Автор: Yujie Chen,Xiaoming Ge,Yulei FAN. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-13.

Crimp terminal, and method and apparatus for manufacturing a crimp terminal

Номер патента: US09548545B2. Автор: Yasushi Kihara,Yukihiro Kawamura,Saburo Yagi. Владелец: Furukawa Automotive Systems Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Electromagnetic insulation wire, and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US20050006131A1. Автор: Takanori Yamazaki,Matahiro Komuro,Naofumi Chiwata,Masato Miyataki. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2005-01-13.

Battery, electric apparatus, and method and apparatus for manufacturing battery

Номер патента: US20230411761A1. Автор: HU XU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Battery cell and method and equipment for manufacturing same, battery, and electrical device

Номер патента: US20230361439A1. Автор: Chao Liu,Ying Li,Qingkui Chi. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Base station antenna, sealing member, and method and device for manufacturing the sealing member

Номер патента: US11557832B2. Автор: Peng Xiao,Hong Ye,JIN Xu,Lei Ju,Qingyun Chen,Junfeng Yu,Yingin Shao. Владелец: CommScope Technologies LLC. Дата публикации: 2023-01-17.

Base station antenna, sealing member, and method and device for manufacturing the sealing member

Номер патента: US20200313290A1. Автор: Peng Xiao,Hong Ye,JIN Xu,Lei Ju,Qingyun Chen,Junfeng Yu,Yingin Shao. Владелец: CommScope Technologies LLC. Дата публикации: 2020-10-01.

Battery cell, battery, power consuming device, and method and device for manufacturing battery cell

Номер патента: EP4152491A1. Автор: Huasheng Su,Quankun Li,Chengyou Xing,Kun FANG,Wenqi ZHU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-22.

Battery cell, battery, electrical apparatus, and method and system for manufacturing battery cell

Номер патента: US20230327243A1. Автор: Xiaomei Liu,Yichen Wu,Limei YANG,Qineng Zhong. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Battery cell, battery, electric device, and method and device for manufacturing battery cell

Номер патента: EP4300702A1. Автор: Rui Yang,Kun FANG,Yuqian WEN,Wenqi ZHU. Владелец: Jiangsu Contemporary Amperex Technology Ltd. Дата публикации: 2024-01-03.

Battery cell, battery, electric device, and method and device for manufacturing battery cell

Номер патента: EP4300673A1. Автор: Guodong DU,Yiming Li,Yanpeng LI,Yizhen Wu,Jianxiong YANG,Yongtao ZUO. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-03.

Battery, electric apparatus, and method and apparatus for manufacturing battery

Номер патента: US20230420798A1. Автор: PENG Wang,Xiaoteng Huang,Zhanyu SUN,Xiaozhi Wu,Haiqi Yang,Langchao Hu,Chenyi XU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Unit Cell and Method and Apparatus for Manufacturing A Unit Cell

Номер патента: US20230402640A1. Автор: Sang Wook Kim,Sung Chul Park,Dong Hyeuk PARK,Hyeon Jin LEE,Gi Yang. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Unit cell, and method and device for manufacturing same

Номер патента: EP4270568A2. Автор: Sang Wook Kim,Sung Chul Park,Dong Hyeuk PARK,Hyeon Jin LEE,Gi Yang. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-11-01.

Battery, electric device, and method and device for manufacturing battery

Номер патента: US20230411756A1. Автор: HU XU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Battery, electrical device, and method and device for manufacturing battery

Номер патента: US20220376360A1. Автор: Tingting ZHU,Liwen Jiang,Rulai Cai,Fuping Luo,Wumei FANG. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Battery cell, battery, power consuming apparatus, and method and apparatus for manufacturing battery cell

Номер патента: US20240055705A1. Автор: PENG Wang,Lulu BAI,Quankun Li,Wenlin Zhou,Shengwang CHEN,Ningsheng WU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Battery, power consuming apparatus, and method and apparatus for manufacturing battery

Номер патента: US20230369698A1. Автор: PENG Wang,Yu Tang,Xiaoteng Huang,Haiqi Yang,Zhimin ZENG. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

System and method of measuring for manufacture and deployment of distribution cable assemblies

Номер патента: US20230282391A1. Автор: Terry Lee Cooke,Lars Kristian Nielsen,Michael Todd Faulkner. Владелец: Corning Research and Development Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Battery box, battery, electric device, and method and device for manufacturing battery

Номер патента: US20230361408A1. Автор: PENG Wang,Yu Tang,Xiaoteng Huang,Haiqi Yang,Zhimin ZENG,Chenyi XU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Battery cell, and method and device for manufacturing battery cell, battery, and power consuming device

Номер патента: EP4354642A1. Автор: HU XU,Haizu Jin,Siying HUANG,Wenqi ZHU,Shaojun Niu. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Battery, power consuming apparatus, and method and apparatus for manufacturing battery

Номер патента: US20230335845A1. Автор: PENG Wang,Yu Tang,Xiaoteng Huang,Haiqi Yang,Zhimin ZENG,Chenyi XU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Battery cell, battery, power consuming apparatus, and method and apparatus for manufacturing battery cell

Номер патента: US20240055693A1. Автор: Xing Li,Quankun Li,Wenlin Zhou,Liangfan XU,Wenwei Chen. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Battery, electric device, and method and device for manufacturing battery

Номер патента: US20230344059A1. Автор: Yongguang Wang,Yangzhi HUANG,Jinfeng Li,Cunrui Liu. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Battery cell, battery, electrical device, and method and equipment for manufacturing battery cell

Номер патента: US20240154281A1. Автор: Huasheng Su. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Battery cell and method and system for manufacturing same, and battery and electric device

Номер патента: EP4358277A1. Автор: Yuqian WEN,Wenqi ZHU,Zhenfei Yang. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-24.

Battery cell, battery, power consumption apparatus, and method and apparatus for manufacturing battery cell

Номер патента: EP4354649A1. Автор: Huasheng Su. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Battery cell, battery, electric device, and method and device for manufacturing battery cell

Номер патента: EP4369510A1. Автор: Wenqi ZHU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Battery casing, battery, electrical device, and method and device for manufacturing battery

Номер патента: EP4266462A1. Автор: PENG Wang,Yu Tang,Xiaoteng Huang,Haiqi Yang,Zhimin ZENG,Chenyi XU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-25.

Battery cell and method and apparatus for manufacturing same, battery, and electrical device

Номер патента: EP4333193A1. Автор: HU XU,Haizu Jin,Fenggang Zhao,Siying HUANG. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Adapter component, battery cell, battery, electric device, and method and device for manufacturing battery cell

Номер патента: EP4181307A1. Автор: WEI ZHONG,Qiang Liu,Xiaowen Zhang,Xigen Zhou,Haihe XIAO,Mingxiang LIN. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-17.

Battery, power consuming device, and method and device for manufacturing battery

Номер патента: US20230344033A1. Автор: Yao Li,Xiaobo Chen,Xianda Li,Piaopiao YANG,Mingguang GU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Electrode assembly, battery cell, battery, and method and device for manufacturing electrode assembly

Номер патента: EP4053960A1. Автор: Xing Li,HU XU,Chengdu Liang,Haizu Jin,Yuqun Zeng,Xinxin DU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-07.

Case of battery, battery, power consuming apparatus, and method and apparatus for manufacturing battery

Номер патента: US20230369714A1. Автор: PENG Wang,Yu Tang,Xiaoteng Huang,Haiqi Yang,Zhimin ZENG. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Battery cell, battery, electrical device, and method and equipment for manufacturing battery cell

Номер патента: US20240178531A1. Автор: Wenqi ZHU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Battery, electrical device, and method and device for manufacturing battery

Номер патента: US12002992B2. Автор: Tingting ZHU,Liwen Jiang,Rulai Cai,Fuping Luo,Wumei FANG. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Battery, electric device, and method and device for manufacturing battery

Номер патента: EP4096009A1. Автор: HU XU,Chengdu Liang,Haizu Jin,Yuqun Zeng. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-30.

Battery, electrical device, and method and device for manufacturing battery

Номер патента: EP4258457A1. Автор: Junrong Li. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-11.

Battery cell, battery, power consuming device, and method and apparatus for manufacturing battery cell

Номер патента: EP4391166A1. Автор: Lulu BAI,Quankun Li,Ting Zheng,Wenlin Zhou,Ningsheng WU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Battery cell, battery, power consuming device, and method and apparatus for manufacturing battery cell

Номер патента: EP4354601A1. Автор: Yang Zou,Qingkui Chi,Zhisheng CHAI. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Wound Electrode Assembly for an Electrochemical Cell, and Methods and Devices for Manufacture of same

Номер патента: US20170279156A1. Автор: Mark KOTIK,Eugene Levin,Paul Frick,Mehul BOTADRA. Владелец: Robert Bosch Battery Systems LLC. Дата публикации: 2017-09-28.

Wound Electrode Assembly for an Electrochemical Cell, and Methods and Devices for Manufacture of Same

Номер патента: US20190131661A1. Автор: Mark KOTIK,Eugene Levin,Paul Frick,Mehul BOTADRA. Владелец: Robert Bosch Battery Systems LLC. Дата публикации: 2019-05-02.

Hybrid plasma reactor

Номер патента: US09451686B2. Автор: Dae-Kyu Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-20.

Methods for Forming Microlenses

Номер патента: US20130323933A1. Автор: Rao V. Annapragada,Tinghao Frank Wang,Cecilia Laura Quinteros,Linda Nancy Marquez,Steven M. Kennedy. Владелец: Mattson Technology Inc. Дата публикации: 2013-12-05.

Plasma processing apparatus, plasma processing method, and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US09741538B2. Автор: Tomohiro Okumura,Satoshi Suemasu. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Oscillator generators and methods of using them

Номер патента: US09635750B2. Автор: Tak Shun Cheung,Chui Ha Cindy WONG. Владелец: PerkinElmer Health Sciences Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Oscillator generators and methods of using them

Номер патента: US20160360602A1. Автор: Tak Shun Cheung,Chui Ha Cindy WONG. Владелец: PerkinElmer Health Sciences Inc. Дата публикации: 2016-12-08.

Cleaning method for plasma etching chamber, and application thereof

Номер патента: EP4403270A1. Автор: FENG LIANG,Jiahe LI,Xuedong Li,Xiaobo Liu,Kaidong Xu,Yuxin Yang,Taiyan PENG. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Inductively coupled plasma spectrometers and radio-frequency power supply therefor

Номер патента: US5383019A. Автор: Regis C. Farrell,James J. Hornsby. Владелец: Fisons Ltd. Дата публикации: 1995-01-17.

Plasma processing apparatus, plasma processing method, and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US20170309451A1. Автор: Tomohiro Okumura,Satoshi Suemasu. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-26.

Plasma reactor for inductively coupled plasma and assembling method of the same

Номер патента: KR102329032B1. Автор: 김민재,유태욱,배진호,심건보. Владелец: (주)엘오티씨이에스. Дата публикации: 2021-11-19.

Plasma reactor for inductively coupled plasma and assembling method of the same

Номер патента: KR20210141910A. Автор: 김민재,유태욱,배진호,심건보. Владелец: (주)엘오티씨이에스. Дата публикации: 2021-11-23.

Inductively coupled plasma antenna element, inductively coupled plasma processing device and inductively coupled plasma processing method

Номер патента: TWI594668B. Автор: Ryo Sato,Toshihiro Tojo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Antenna unit for inductively coupled plasma, inductively coupled plasma processing apparatus and method therefor

Номер патента: KR101956478B1. Автор: 도시히로 도조,료 사토. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2019-03-08.

Inductively coupled plasma reactor and method

Номер патента: JP3959145B2. Автор: マイケル・ジェイ・ハーティング,ジョン・シー・アーノルド. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2007-08-15.

Inductively coupled plasma based atomic analysis systems and methods

Номер патента: EP4215025A4. Автор: Michael Sullivan,Mark Armstrong,Alexander Loboda,Raymond Jong,Serguei VOROBIEV,Robert ROTENBERG,Emil STRATULATIV,Maxim VORONOV. Владелец: Fluidigm Canada Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Inductively Coupled Plasma Generating Device and Inductively Coupled Plasma Analysis Device

Номер патента: US20160270201A1. Автор: Ikku Yutaka,Nakagawa Yoshitomo. Владелец: HITACHI HIGH-TECH SCIENCE CORPORATION. Дата публикации: 2016-09-15.

Inductively coupled plasma reactor having a built-in radio frequency antenna

Номер патента: KR101283645B1. Автор: 최대규. Владелец: 최대규. Дата публикации: 2013-07-09.

Antenna unit for induction coupling plasma and induction coupling plasma processing apparatus

Номер патента: JP2012256660A. Автор: Akira Sato,Hitoshi Saito,亮 佐藤,均 齊藤. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-12-27.

Inductively coupled plasma reactor having multi rf antenna

Номер патента: KR100980287B1. Автор: 최대규. Владелец: 주식회사 뉴파워 프라즈마. Дата публикации: 2010-09-06.

Inductively coupled plasma reactor with multiple magnetic cores

Номер патента: CN101064986A. Автор: 崔大圭. Владелец: New Power Plasma Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-31.

Thermal management of inductively coupled plasma reactors

Номер патента: WO2007021522A1. Автор: Qiwei Liang,SIQING Lu,Ellie Y. Yieh,Young S. Lee,Muhammad M. Rasheed,Steven H. Kim,Irene Chou. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2007-02-22.

Antenna of apparatus for generating inductively coupled plasma and apparatus for generating inductively coupled plasma having the same

Номер патента: KR20120097052A. Автор: 김정태. Владелец: 엘아이지에이디피 주식회사. Дата публикации: 2012-09-03.

Plasma igniter for an inductively coupled plasma ion source

Номер патента: EP2362410B1. Автор: Tom Miller,Sean Kellogg,Shouyin Zhang,Anthony Graupera,Dustin Laur,Antonius Basitianus Wilhelmus Dirriwachter. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2014-11-26.

Inductively coupled plasma antenna and Plasma processing apparatus using the same

Номер патента: KR101253297B1. Автор: 강찬호,이영종,손형규. Владелец: 엘아이지에이디피 주식회사. Дата публикации: 2013-04-10.

METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT, AND INDUCTIVELY COUPLED PLASMA PROCESSING APPARATUS

Номер патента: US20190088865A1. Автор: YAMADA Masaki. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

Inductively coupled plasma apparatus with novel faraday shield

Номер патента: WO2024081735A1. Автор: Costel Biloiu,Kevin M. Daniels,Benjamin Alexandrovich,Adam CALKINS,Solomon Belangedi BASAME. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-04-18.

Dynamic ion radical sieve and ion radical aperture for an inductively coupled plasma (ICP) reactor

Номер патента: TW201248721A. Автор: AJAY Kumar,Saravjeet Singh,Graeme Jamieson SCOTT. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-12-01.

Inductively coupled plasma treatment apparatus

Номер патента: TWI247050B. Автор: Osamu Tsuji,Hirohiko Nakano,Michihiro Hiramoto. Владелец: Samco Inc. Дата публикации: 2006-01-11.

Inductively coupled plasma generation device

Номер патента: TW201215252A. Автор: Seiji Nishikawa,Ryuichi Matsuda. Владелец: Mitsubishi Heavy Ind Ltd. Дата публикации: 2012-04-01.

High voltage isolation of an inductively coupled plasma ion source with a liquid that is not actively pumped

Номер патента: EP2724359B1. Автор: N. William Parker,Mark W. Utlaut,Sean Kellogg,Andrew B. Wells,James B. McGinn. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2016-09-28.

INDUCTIVE COIL STRUCTURE AND INDUCTIVELY COUPLED PLASMA GENERATION SYSTEM

Номер патента: US20200111641A1. Автор: LEE Yun Seong,Uhm Sae Hoon. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-09.

INDUCTIVE COIL STRUCTURE AND INDUCTIVELY COUPLED PLASMA GENERATION SYSTEM

Номер патента: US20210142981A1. Автор: LEE Yun Seong,Uhm Sae Hoon. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-13.

INDUCTIVE COIL STRUCTURE AND INDUCTIVELY COUPLED PLASMA GENERATION SYSTEM

Номер патента: US20180122619A1. Автор: LEE Yun Seong,Uhm Sae Hoon. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-03.

Inductive Coil And Inductively Coupled Plasma Apparatus

Номер патента: KR101812743B1. Автор: 이윤성,엄세훈. Владелец: 인투코어테크놀로지 주식회사. Дата публикации: 2018-01-30.

Inductive coupled plasma source with plasma discharging tube covered with magnetic core block

Номер патента: KR100803794B1. Автор: 최대규. Владелец: 최대규. Дата публикации: 2008-02-14.

Inductive coil structure and inductively coupled plasma generation system

Номер патента: US10541114B2. Автор: Sae Hoon Uhm,Yun Seong Lee. Владелец: En2Core Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-21.

Induction coil structure and device for generating inductively coupled plasma

Номер патента: WO2018084508A1. Автор: 이윤성,엄세훈. Владелец: 인투코어테크놀로지 주식회사. Дата публикации: 2018-05-11.

Inductance coil structure and inductively coupled plasma body generate system

Номер патента: CN109417011A. Автор: 李润星,严世勋. Владелец: Yuanduoke Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-01.

Control method and inductively coupled plasma processing device Capable of controlling plasma density with higher precision

Номер патента: TW202215527A. Автор: 佐野僚,山科伊作. Владелец: 日商東京威力科創股份有限公司. Дата публикации: 2022-04-16.

Inductive coil structure and inductively coupled plasma generation system

Номер патента: CN109417011B. Автор: 李润星,严世勋. Владелец: En2Core Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-14.

Method of evaluating cleanliness, method of determining cleaning condition, and method of manufacturing silicon wafer

Номер патента: US11920257B2. Автор: Hirokazu Kato,Takashi Muramatsu. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

Inductively Coupled Plasma Based Atomic Analysis Systems and Methods

Номер патента: US20220093382A1. Автор: Jong Raymond,Armstrong Mark,Sullivan Michael,Rotenberg Robert,Loboda Alexander,Vorobiev Serguei,Stratulativ Emil D.,Voronov Maxim. Владелец: Fluidigm Canada Inc.. Дата публикации: 2022-03-24.

Antenna Source And Inductive Coupling Plasma Processing Apparatus Using The Same

Номер патента: KR101522702B1. Автор: 이창근,이경석,이경한,구병희,황영주,최지숙. Владелец: 엘아이지인베니아 주식회사. Дата публикации: 2015-05-27.

Inductively coupled plasma based atomic analysis systems and methods

Номер патента: CA3193031A1. Автор: Michael Sullivan,Mark Armstrong,Alexander Loboda,Raymond Jong,Serguei VOROBIEV,Robert ROTENBERG,Emil STRATULATIV,Maxim VORONOV. Владелец: Fluidigm Canada Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Inductively coupled plasma torch with reverse vortex flow and method of operation

Номер патента: WO2020092236A9. Автор: Alexander Loboda,Adam CAREW. Владелец: Fluidigm Canada Inc.. Дата публикации: 2021-04-22.

Inductively Coupled Plasma Processing Apparatus and Method having an Internal Cleaning Function

Номер патента: KR101649315B1. Автор: 최대규. Владелец: 최대규. Дата публикации: 2016-08-18.

Apparatus and method for generating inductively coupled plasma

Номер патента: TW201250822A. Автор: Soo-Hyun Lee. Владелец: Smatek Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-16.

Inductively Coupled Plasma Alignment Apparatus and Method

Номер патента: AU2006201971A1. Автор: Philip Marriott,Jonathan H Bradford,Jim Stringer,Timothy A. Whitechurch. Владелец: Thermo Fisher Scientific Inc. Дата публикации: 2007-03-01.

Gas distribution showerhead for inductively coupled plasma etch reactor

Номер патента: US20140065827A1. Автор: Alex Paterson,Michael Kang,Ian J. Kenworthy. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA GENERATOR

Номер патента: US20200022244A1. Автор: HAYASHI Hidemiki. Владелец: SHIMADZU CORPORATION. Дата публикации: 2020-01-16.

Inductively Coupled Plasma For Hydrogenation of Type II Superlattices

Номер патента: US20190131486A1. Автор: Boieriu Paul,Grein Christoph H. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCE WITH SYMMETRICAL RF FEED AND REACTANCE ELEMENTS

Номер патента: US20180218873A1. Автор: Collins Kenneth S.,Ramaswamy Kartik,FOVELL RICHARD,Rauf Shahid,Carducci James D.,KENNEY JASON A.. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-02.

Inductively-Coupled Plasma Processing Apparatus

Номер патента: US20200227236A1. Автор: Hitoshi Saito,Kazuo Sasaki,Tsutomu Satoyoshi,Toshihiro Tojo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-07-16.

REACTION GAS SUPPLY EQUIPMENT OF AN INDUCTIVE COUPLED PLASMA MASS SPECTROMETER COMPRISES AN AMMONIA SUPPLY END AND A HELIUM SUPPLY END AND A REACTION GAS SUPPLY EQUIPMENT

Номер патента: US20200294782A1. Автор: Chen Wei Fan. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-17.

Gas distribution showerhead for inductively coupled plasma etch reactor

Номер патента: US20150318147A1. Автор: Alex Paterson,Michael Kang,Ian J. Kenworthy. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2015-11-05.

Inductively coupled plasma ion source with tunable radio requency power

Номер патента: US20180330909A1. Автор: Noel S. Smith,Philip J. Witham,Paul P. Tesch,Roderick W. Boswell,Noel P. Martin. Владелец: OREGON PHYSICS LLC. Дата публикации: 2018-11-15.

Etching Apparatus Using Inductively Coupled Plasma

Номер патента: US20150359079A1. Автор: Jong-Woo Sun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-12-10.

Inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: KR102020622B1. Автор: 오수호. Владелец: 주식회사 원익아이피에스. Дата публикации: 2019-09-10.

Inductively Coupled Plasma Apparatus

Номер патента: KR101253295B1. Автор: 강찬호,이영종,손형규. Владелец: 엘아이지에이디피 주식회사. Дата публикации: 2013-04-10.

Antenna Structure of Inductively Coupled Plasma Generating Device

Номер патента: KR200253559Y1. Автор: 이상원,이용관,엄세훈. Владелец: 주식회사 플라즈마트. Дата публикации: 2001-11-22.

Inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: KR101848908B1. Автор: 최정수,정석철. Владелец: 인베니아 주식회사. Дата публикации: 2018-05-15.

Inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: KR101446378B1. Автор: 히토시 사이토,료 사토. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2014-10-01.

Inductively coupled plasma processing device

Номер патента: KR101019818B1. Автор: 사토요시츠토무. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2011-03-04.

Impedance matching circuit for inductive coupled plasma source

Номер патента: KR100444189B1. Автор: 김정식,이승원,고부진,권기청,변홍식,김홍습,한순석. Владелец: 주성엔지니어링(주). Дата публикации: 2004-08-18.

Antenna for inductively coupled plasma

Номер патента: KR101848906B1. Автор: 최정수,박우종,한대호. Владелец: 인베니아 주식회사. Дата публикации: 2018-05-15.

Inductive couple plasma processing device

Номер патента: CN107846768A. Автор: 崔正秀. Владелец: Invenia Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Antenna for inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: KR101666933B1. Автор: 조생현. Владелец: (주)브이앤아이솔루션. Дата публикации: 2016-10-17.

Spectroscopy using inductively coupled plasma

Номер патента: DE69118264T2. Автор: Ian Lawrence Turner. Владелец: Varian Australia Pty Ltd. Дата публикации: 1996-08-29.

Inductively-coupled plasma source

Номер патента: US20080142729A1. Автор: XING Chen. Владелец: MKS Instruments Inc. Дата публикации: 2008-06-19.

Inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: KR101454700B1. Автор: 이경석. Владелец: 엘아이지에이디피 주식회사. Дата публикации: 2014-11-03.

Antenna structure for generating inductively coupled plasma

Номер патента: KR102407388B1. Автор: 최주현,인정환,김선훈. Владелец: 한국광기술원. Дата публикации: 2022-06-10.

Inductively coupled plasma generating apparatus with double layer coil antenna

Номер патента: KR100486712B1. Автор: 오재준. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-05-03.

Antenna Structure for Inductively Coupled Plasma

Номер патента: KR101473371B1. Автор: 김대웅,김정형,신용현,성대진,유신재. Владелец: 한국표준과학연구원. Дата публикации: 2014-12-16.

Inductively coupled plasma antenna

Номер патента: KR101017100B1. Автор: 이정인,이창환,오현택,노일호,공병윤. Владелец: 세메스 주식회사. Дата публикации: 2011-02-25.

Antenna device for generating inductively coupled plasma

Номер патента: KR100338057B1. Автор: 김성식,이용관,이평우,윤남식. Владелец: 황 철 주. Дата публикации: 2002-05-24.

Antenna for treating device of inductively coupled plasma using ferrite

Номер патента: KR100882450B1. Автор: 정진욱,이관재,조국형,김영렬. Владелец: 참앤씨(주). Дата публикации: 2009-02-06.

Inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: KR100556983B1. Автор: 사토요시츠토무. Владелец: 동경 엘렉트론 주식회사. Дата публикации: 2006-03-03.

Adjusting current ratios in inductively coupled plasma processing systems

Номер патента: US9305750B2. Автор: Maolin Long,Seyed Jafar Jafarian-Tehrani. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-04-05.

Inductively coupled plasma chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: GB2311298B. Автор: Jin Jang,Se-Il Cho,Jae-Gak Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-09-29.

Inductively coupled plasma spectroscopy

Номер патента: CA2047571A1. Автор: Ian Lawrence Turner. Владелец: Varian Australia Pty, Ltd.. Дата публикации: 1992-01-25.

Inductively-coupled plasma device

Номер патента: US8222822B2. Автор: James A. Gilbert. Владелец: TYCO HEALTHCARE GROUP LP. Дата публикации: 2012-07-17.

Inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: KR20140086338A. Автор: 이경석. Владелец: 엘아이지에이디피 주식회사. Дата публикации: 2014-07-08.

Inductively coupled plasma processing apparatus and control method thereof

Номер патента: KR20140059422A. Автор: 임정환. Владелец: 엘아이지에이디피 주식회사. Дата публикации: 2014-05-16.

Hybrid impedance matching for inductively coupled plasma system

Номер патента: US9918376B2. Автор: George Thomas,Panya Wongsenakhum,Francisco J. Juarez. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Radio frequency power source for generating an inductively coupled plasma

Номер патента: EP1203441A1. Автор: Wayne L. Johnson,Leonard G. West. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2002-05-08.

Inductively coupled plasma generating apparatus incorporating serpentine coil antenna

Номер патента: US7381292B2. Автор: Jai-Kwang Shin,Seong-Gu Kim,Young-Dong Lee,Yuri Nikolaevich Tolmachev. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-03.

Inductively coupled plasma processing apparatus and control method thereof

Номер патента: KR20140137964A. Автор: 임정환. Владелец: 엘아이지에이디피 주식회사. Дата публикации: 2014-12-03.

Inductively coupled plasma source with phase control

Номер патента: US8933628B2. Автор: Zhigang Chen,Samer Banna,Valentin Todorow. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-01-13.

Inductively coupled plasma source

Номер патента: KR100481313B1. Автор: 최대규. Владелец: 최대규. Дата публикации: 2005-04-07.

Inductive coupled plasma source

Номер патента: KR100731998B1. Автор: 최대규. Владелец: 주식회사 뉴파워 프라즈마. Дата публикации: 2007-06-27.

Gas distribution showerhead for inductively coupled plasma etch reactor

Номер патента: US8562785B2. Автор: Alex Paterson,Michael Kang,Ian J. Kenworthy. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2013-10-22.

A printed circuit board type antenna for inductively coupled plasma generating device

Номер патента: KR100734954B1. Автор: 김재현,이상원,이용관. Владелец: 주식회사 플라즈마트. Дата публикации: 2007-07-03.

Gas Distribution Showerhead For Inductively Coupled Plasma Etch Reactor

Номер патента: KR101985031B1. Автор: 알렉스 패터슨,마이클 강,제이. 켄워시 이안. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2019-05-31.

Gas distribution showerhead for inductively coupled plasma etch reactor

Номер патента: TW201300570A. Автор: Alex Paterson,Michael Kang,Ian J Kenworthy. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2013-01-01.

Inductively coupled plasma processing equipment

Номер патента: JP3880864B2. Автор: 務 里吉. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-02-14.

Inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: KR101124754B1. Автор: 히토시 사이토,료 사토. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2012-03-23.

Inductively-coupled plasma (icp) resonant source element

Номер патента: WO2011041087A3. Автор: John M. White,Jonghoon Baek,Tsutomu Tanaka (Tom). Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2011-09-29.

Multi inductively coupled plasma inductor

Номер патента: KR100464808B1. Автор: 최대규. Владелец: 최대규. Дата публикации: 2005-01-05.

Gas distribution showerhead for inductively coupled plasma etch reactor

Номер патента: TWI563121B. Автор: Alex Paterson,Michael Kang,Ian J Kenworthy. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2016-12-21.

Inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: KR101547189B1. Автор: 김정태. Владелец: 엘아이지인베니아 주식회사. Дата публикации: 2015-08-25.

Inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: KR20030066452A. Автор: 사토요시츠토무. Владелец: 동경 엘렉트론 주식회사. Дата публикации: 2003-08-09.

Gas distribution showerhead for inductively coupled plasma etching reactor

Номер патента: JP5891300B2. Автор: カン・マイケル,パターソン・アレックス,ケンワーシー・イアン・ジェイ．. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-03-22.

Hybrid impedance matching for inductively coupled plasma system

Номер патента: TWI586225B. Автор: 潘亞 王塞納克運,喬治 湯瑪士,法蘭西斯柯Ｊ 亞雷茲. Владелец: 諾發系統有限公司. Дата публикации: 2017-06-01.

Inductively coupled plasma generator

Номер патента: JP4302630B2. Автор: リ，ヨンクァン,ジュン，ウォンボン,リ，サンウォン,オム，セフン,リ，ドンソク. Владелец: プラズマート カンパニー リミテッド. Дата публикации: 2009-07-29.

Inductively coupled plasma light source with direct gas injection

Номер патента: WO2024123564A1. Автор: Donald K. Smith,Kosuke Saito,Stephen F. Horne,Wolfram Neff,Michael J. Roderick. Владелец: Energetiq Technology, Inc.. Дата публикации: 2024-06-13.

Vessel for pretreatment of elementary analysis, method for analysing elements, inductively coupled plasme torch and apparatus for elementary analysis

Номер патента: EP1509067A3. Автор: Noboru c/o Gunma Complex Kimura,Joji c/o Gunma Complex Kuniya,Masataka c/o Gunma Complex Arai. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-03.

Stabilized ICP emission spectrometer and method of using

Номер патента: US09726611B2. Автор: Yoshitomo Nakagawa. Владелец: Hitachi High Tech Science Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

High efficiency inductively coupled plasma source with customized RF shield for plasma profile control

Номер патента: US09945033B2. Автор: Samer Banna,Vladimir KNYAZIK,Valentin Todorow,Waheb Bishara. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Inductively Coupled Plasma Light Source with Direct Gas Injection

Номер патента: US20240194454A1. Автор: Donald K. Smith,Kosuke Saito,Stephen F. Horne,Wolfram Neff,Michael J. Roderick. Владелец: Energetiq Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Light-emitting diode with nanostructured layer and methods of manufacturing and usage

Номер патента: RU2569638C2. Автор: Валерий Константинович Смирнов,Дмитрий Станиславович Кибалов. Владелец: Востек, Инк.. Дата публикации: 2015-11-27.

Magnetic-field concentration in inductively coupled plasma reactors

Номер патента: TW200629375A. Автор: Ellie Y Yieh,Steven H Kim,Jason Bloking,Irene Chou,qi-wei Liang,si-qing Lu,mao-lin Long,Can-Feng Lai. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2006-08-16.

Method for cleaning semiconductor substrate, method for producing processed semiconductor substrate, and peeling and dissolving composition

Номер патента: EP4404244A1. Автор: Tetsuya Shinjo,Takahisa OKUNO,Masafumi YAGYU. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2024-07-24.

Oxide interface and a method for fabricating oxide thin films

Номер патента: US6902960B2. Автор: John W. Hartzell,Masahiro Adachi,Yoshi Ono,Pooran Chandra Joshi. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2005-06-07.

Manufacturing method for high-voltage led chip

Номер патента: US20240222546A1. Автор: Zhen Zhang,Hongfeng Wang,Xiaoxiong Lin,Wenguang HUANG,Yufei Cao. Владелец: Focus Lightings Tech Co ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Elemental analysis preprocessing container, elemental analysis method, inductive coupling plasma torch and elemental analysis device

Номер патента: TW200508430A. Автор: Masataka Arai,Noboru Kimura,Zoji Kuniya. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2005-03-01.

Elemental analysis preprocessing container, elemental analysis method, inductive coupling plasma torch and elemental analysis device

Номер патента: TWI304102B. Автор: Masataka Arai,Noboru Kimura,Joji Kuniya. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2008-12-11.

Method for analyzing silicon substrate

Номер патента: US20210118751A1. Автор: Jiahong Wu,Katsuhiko Kawabata,Mitsumasa IKEUCHI,Sungjae Lee. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Anti-reflection optical substrates and methods of manufacture

Номер патента: WO2019170357A1. Автор: Parag Vinayak KELKAR. Владелец: ASML Holding N.V.. Дата публикации: 2019-09-12.

Symmetrical inductively coupled plasma source with symmetrical flow chamber

Номер патента: US20140020835A1. Автор: Shahid Rauf,Kartik Ramaswamy,Kenneth S. Collins,Andrew Nguyen,Ajit Balakrishna,Douglas A. Buchberger, Jr.,Ankur Agrawal,Richard Fovell,Jason A. Kenney,James D. Carducci,Leonid Dorf. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Torch for inductively coupled plasma

Номер патента: US20180220520A1. Автор: Javad Mostaghimi,Sina Alavi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-08-02.

Symmetrical Inductively Coupled Plasma Source with Symmetrical Flow Chamber

Номер патента: US20170350017A1. Автор: Agarwal Ankur,Collins Kenneth S.,NGUYEN ANDREW,Ramaswamy Kartik,FOVELL RICHARD,BALAKRISHNA AJIT,Dorf Leonid,Rauf Shahid,Carducci James D.,BUCHBERGER,JR. DOUGLAS A.,KENNEY JASON A.. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-07.

Inductively Coupled Plasma Source with Multiple Dielectric Windows and Window Supporting Structure

Номер патента: US20170350018A1. Автор: Agarwal Ankur,Collins Kenneth S.,NGUYEN ANDREW,Ramaswamy Kartik,FOVELL RICHARD,BALAKRISHNA AJIT,Dorf Leonid,Rauf Shahid,Carducci James D.,KENNEY JASON A.,Buchberger Douglas A.. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-07.

Symmetrical inductively coupled plasma source with symmetrical flow chamber

Номер патента: CN104412717A. Автор: K·S·柯林斯,K·拉马斯瓦米,A·阿加瓦尔,J·A·肯尼,L·多尔夫,A·恩盖耶,S·拉乌夫,J·D·卡达希,D·A·布齐伯格,A·巴拉克利斯纳,R·福韦尔. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-03-11.

Torch for inductively coupled plasma spectrometry

Номер патента: US5684581A. Автор: John Barry French,Raymond Jong,Bernard Etkin. Владелец: MDS Inc. Дата публикации: 1997-11-04.

High frequency induction coupled plasma torch with concentric pipes having flanges thereon

Номер патента: US4578560A. Автор: Gotaro Tanaka,Kunio Fujiwara,Tetsuo Miyajiri. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1986-03-25.

A radio frequency inductively coupled plasma (rf-icp) torch

Номер патента: US20230345611A1. Автор: Javad Mostaghimi,Patrick Michael MIREK,Sina Alavi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-26.

Inductively coupled plasma light source

Номер патента: EP4420488A1. Автор: Kosuke Saito,Stephen F. Horne,Wolfram Neff,Robert M. Grzybinski,Michael J. Roderick. Владелец: Energetiq Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Low inductance large area coil for an inductively coupled plasma source

Номер патента: AU6289296A. Автор: Duane Charles Gates. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 1997-02-05.

Inductively coupled plasma process chamber with shield electrode interposed between antenna and dielectric window

Номер патента: EP1238407A1. Автор: Robert E. Ryan,Arthur Sato,Zhiwen Sun,Xueyu Qian,Valentin N. Todorov,Jin-Yuan Chen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2002-09-11.

Antenna for plasma generation and plasma processing device having the same

Номер патента: US09947511B2. Автор: Yasunori Ando,Dongwei Li. Владелец: Nissin Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

System and method for selective coil excitation in inductively coupled plasma processing reactors

Номер патента: US09659751B2. Автор: Yang Yang,Kartik Ramaswamy,Steven Lane,Joseph F. Aubuchon,Lawrence Wong,Travis Koh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Inductively coupled plasma flood gun using an immersed low inductance rf coil and multicusp magnetic arrangement

Номер патента: US20130320854A1. Автор: Victor M. Benveniste,Peter F. Kurunczi,Oliver V. Naumovski. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2013-12-05.

Inductive coupled coil and inductive coupled plasma device using the same

Номер патента: TW200908816A. Автор: qiao-li Song,jian-hui Nan. Владелец: Beijing NMC Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-16.

Transformer coupled capacitive tuning circuit with fast impedance switching for plasma etch chambers

Номер патента: US09515633B1. Автор: Alex Paterson,Maolin Long. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Dual frequency matching circuit for inductively coupled plasma (ICP) loads

Номер патента: US12040159B2. Автор: Maolin Long. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Dual Frequency Matching Circuit for Inductively Coupled Plasma (ICP) Loads

Номер патента: US20240339298A1. Автор: Maolin Long. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Inductively Coupled Plasma Light Source

Номер патента: US20230268167A1. Автор: Kosuke Saito,Stephen F. Horne,Wolfram Neff,Robert M. Grzybinski,Michael J. Roderick. Владелец: Energetiq Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Inductively coupled plasma light source

Номер патента: WO2023158909A1. Автор: Kosuke Saito,Stephen F. Horne,Wolfram Neff,Robert M. Grzybinski,Michael J. Roderick. Владелец: Energetiq Technology, Inc.. Дата публикации: 2023-08-24.

Inductively coupled plasma ion source with multiple antennas for wide ion beam

Номер патента: US20140042337A1. Автор: Joseph C. Olson,Costel Biloiu,Manny Sieradzki,Edward W. Bell. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2014-02-13.

High resolution imaging apparatus and method

Номер патента: CA3104126A1. Автор: Alexander Loboda,Paul Corkum. Владелец: Fluidigm Canada Inc. Дата публикации: 2019-12-26.

High resolution imaging apparatus and method

Номер патента: US20240371622A1. Автор: Paul Corkum,Alexander V. Loboda. Владелец: Standard Biotools Canada Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Systems and methods for detection and quantification of selenium and silicon in samples

Номер патента: US09922810B2. Автор: Hamid Badiei,Kenneth Neubauer. Владелец: PerkinElmer Health Sciences Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Reagents and methods for simultaneously detecting absolute concentrations of a plurality of elements in a liquid sample

Номер патента: US20180102240A1. Автор: Timothy G. Bromage,Melanie Bäuchle. Владелец: New York University NYU. Дата публикации: 2018-04-12.

ANTENNA FOR INDUCTIVELY COUPLED PLASMA EXCITATION, ANTENNA UNIT FOR INDUCTIVELY COUPLED PLASMA EXCITATION, AND PLASMA PROCESSING APPARATUS

Номер патента: US20220270851A1. Автор: Fujiwara Naoki,Kurashina Daisuke,SAITO Takehisa,Nakajima Toshiki,TAMAZAWA Yohei. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2022-08-25.

Multi inductively coupled plasma reactor and method thereof

Номер патента: US20110204023A1. Автор: Dae-Kyu Choi,Sung-Min Park,No-Hyun Huh,Gyoo-Dong Kim,Chang-Woo Nam. Владелец: Gen Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-25.

Inductively coupled plasma processing apparatus for very large area using dual frequency

Номер патента: US20070012250A1. Автор: Kyong-Nam Kim,Geun-Young Yeom. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2007-01-18.

Inductive coupled plasma reactor with improved vertical etching efficiency

Номер патента: KR100777841B1. Автор: 최대규. Владелец: 최대규. Дата публикации: 2007-11-21.

Inductively coupled plasma reactor having multi rf antenna

Номер патента: KR100772452B1. Автор: 최대규. Владелец: 최대규. Дата публикации: 2007-11-02.

Inductively coupled plasma reactor

Номер патента: KR100806522B1. Автор: 최대규. Владелец: 최대규. Дата публикации: 2008-02-21.

Inductively coupled plasma reactor capable

Номер патента: KR101281191B1. Автор: 최대규. Владелец: 최대규. Дата публикации: 2013-07-02.

Apparatus for manufacturing large-size LCD substrates using inductively coupled plasma and including insulating plate

Номер патента: KR101021874B1. Автор: 권기청. Владелец: 주성엔지니어링(주). Дата публикации: 2011-03-17.

Inductively coupled plasma reactor

Номер патента: CN104821269A. Автор: 崔大圭. Владелец: Jin Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-05.

Inductively coupled plasma reactor

Номер патента: KR101281188B1. Автор: 최대규. Владелец: 최대규. Дата публикации: 2013-07-02.

Inductively coupled plasma reactor with multiple magnetic cores

Номер патента: EP1850367B1. Автор: Dae-Kyu Choi. Владелец: Gen Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-21.

Inductively coupled plasma antenna unit and inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: JP5894785B2. Автор: 利洋 東条. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-03-30.

Inductively coupled plasma reactor with multiple magnetic cores

Номер патента: EP1850367A1. Автор: Dae-Kyu Choi. Владелец: New Power Plasma Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-31.

Inductively coupled plasma reactor

Номер патента: CN104821269B. Автор: 崔大圭. Владелец: Jin Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-10.

Dual mode inductively coupled plasma reactor with adjustable phase coil assembly

Номер патента: CN102054648A. Автор: 陈志刚,王泽江,肯尼思·S·柯林斯,瓦伦丁·N·托多罗夫,安德鲁·阮,萨姆尔·班纳,马丁·杰夫·萨利纳斯,安库尔·阿加瓦尔,阿尼茹达·帕. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2011-05-11.

Dual mode inductively coupled plasma reactor with adjustable phase coil assembly

Номер патента: TW201130031A. Автор: Shahid Rauf,Kenneth S Collins,Andrew Nguyen,Ankur Agarwal,Aniruddha Pal,Valentin N Todorow,Samer Banna,Tse-Chiang Wang,Martin Jeff Salinas,Zhi-Gang Chen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2011-09-01.

High efficiency gas dissociation in inductively coupled plasma reactor with improved uniformity

Номер патента: US8920599B2. Автор: Saravjeet Singh,Jivko Dinev,Roy C. Nangoy. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-12-30.

Standard sample film, method for producing standard sample film, standard sample, sample set, quantitative analysis method, and transfer film

Номер патента: EP4382902A1. Автор: Kaoru Iwato,Takafumi Hirata,Takuro SUGIYAMA,Yuko TERAO,Yasuhiko HIRANA. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2024-06-12.

Standard sample film, method for producing standard sample film, standard sample, sample set, quantitative analysis method, and transfer film

Номер патента: US20240170272A1. Автор: Kaoru Iwato,Takafumi Hirata,Takuro SUGIYAMA,Yuko TERAO,Yasuhiko HIRANA. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2024-05-23.

Standard sample film, manufacturing method for standard sample film, standard sample, sample set, quantitative analysis method, and transfer film

Номер патента: EP4102541A1. Автор: Takafumi Hirata,Akinori SUGISHIMA,Takuro SUGIYAMA,Tetsuro Otsuka,Yuko TERAO,Yasuharu SHIRAISHI,Yoshiki Makino,Yasuhiko HIRANA. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2022-12-14.

INDUCTIVELY COUPLED COIL AND INDUCTIVELY COUPLED PLASMA DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20170092466A1. Автор: Nan Jianhui,SONG Qiaoli. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-30.

Device and Method for Generating Capacitively Coupled Plasma Enhanced Inductively Coupled Plasma

Номер патента: KR100391063B1. Автор: 이상원,이용관,배근희,엄세훈. Владелец: 주식회사 플라즈마트. Дата публикации: 2003-07-16.

Inductively coupled plasma processing apparatus and plasma processing method using the same

Номер патента: KR20140112710A. Автор: 전상진,이정윤,전경엽,박해중. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2014-09-24.

Atmospheric purge system and method for laser ablation sample processing

Номер патента: US20230298879A1. Автор: Daniel R. Wiederin,Michael P. FIELD,Ross Coenen,Mark Casper. Владелец: Elemental Scientific Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Atmospheric purge system and method for laser ablation sample processing

Номер патента: WO2023177736A1. Автор: Daniel R. Wiederin,Michael P. FIELD,Ross Coenen,Mark Casper. Владелец: Elemental Scientific, Inc.. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for adjusting voltage on a powered faraday shield

Номер патента: US20050194355A1. Автор: Andrew Bailey,Andras Kuthi,Shrikant Lohokare. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2005-09-08.

Plasma generation method and plasma generation apparatus including inductively coupled plasma generation source

Номер патента: JP3653524B2. Автор: アシュティアニ，カイハン. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2005-05-25.

Plasma immersion ion implantation apparatus including an inductively coupled plasma source having low dissociation and low minimum plasma voltage

Номер патента: US20040107908A1. Автор: Kartik Ramaswamy,Hiroji Hanawa,Amir Al-Bayati,Biagio Gallo,Andrew Nguyen,Kenneth Collins,Gonzalo MONROY. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-06-10.

Process apparatus and method for improving plasma production of an inductively coupled plasma

Номер патента: US7255774B2. Автор: Mirko Vukovic,Edward L. Sill. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-08-14.

Inductively coupled plasma source with parallel helical rf coils

Номер патента: WO2024137370A1. Автор: Wei Yi Luo,Himanshu CHOKSHI,Abhinav Prakash,Norman MERTKE. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-06-27.

An inductively-coupled plasma etch apparatus and a feedback control method thereof

Номер патента: TW200636853A. Автор: Cheng-Hung Chang,Chaung Lin,Keh-Chyang Leou,Kai-Mu Shiao. Владелец: Univ Nat Tsing Hua. Дата публикации: 2006-10-16.

Icp-ms method for multi-element determination by direct sample injection of high salt water

Номер патента: NL2033445B1. Автор: Wang Hua,Chen Xin,DENG Wei,WANG Xiaojuan,LI XIAOMIN,MA Dongdong,Li Shengyong,WANG Xinrui,Chen Changshu,Lu Chuqian,Zhang Minxia,Lan Shengying,Lv Yanru,Ni Zhixin,Jia Houlei,Shangguan Maosen,Xiao Yuzhang,Zhuang Zebin. Владелец: South China Sea Env Monitoring Center Of The State Oceanic Administration Inspection And Identificat. Дата публикации: 2023-06-14.

Inductive coupling plasma igniting method

Номер патента: TWI272879B. Автор: Atsushi Matsushita. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-01.

Apparatus for producing sample vapour for transferral into an inductively coupled plasma

Номер патента: GB9200536D0. Автор: . Владелец: Bodenseewerk Perkin Elmer and Co GmbH. Дата публикации: 1992-02-26.

Window and mounting arrangement for twist-and-lock gas injector assembly of inductively coupled plasma chamber

Номер патента: SG10201603198RA. Автор: David Schaefer,Rish Chhatre. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2016-05-30.

Window and mounting arrangement for twist-and-lock gas injector assembly of inductively coupled plasma chamber

Номер патента: SG11201401748VA. Автор: David Schaefer,Rish Chhatre. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2014-05-29.

Transmission line based inductively coupled plasma source with stable impedance

Номер патента: TW536437B. Автор: Marwan H Khater,Lawrence J Overzet. Владелец: Univ Texas. Дата публикации: 2003-06-11.

Transmission line based inductively coupled plasma source with stable impedance

Номер патента: AU2001286661A1. Автор: Marwan H. Khater,Lawrence J. Overzet. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2002-03-13.

Compact rf antenna for an inductively coupled plasma ion source

Номер патента: EP2622625A4. Автор: Shouyin Zhang. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2015-02-25.

Icp-ms method for multi-element determination by direct sample injection of high salt water

Номер патента: NL2033445A. Автор: Wang Hua,Chen Xin,DENG Wei,WANG Xiaojuan,LI XIAOMIN,MA Dongdong,Li Shengyong,WANG Xinrui,Chen Changshu,Lu Chuqian,Zhang Minxia,Lan Shengying,Lv Yanru,Ni Zhixin,Jia Houlei,Shangguan Maosen,Xiao Yuzhang,Zhuang Zebin. Владелец: South China Sea Env Monitoring Center Of The State Oceanic Administration Inspection And Identificat. Дата публикации: 2023-06-05.

Method of manufacturing optical waveguide device using inductively coupled plasma system

Номер патента: GB9821310D0. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-11-25.

Sample introduction device, inductively coupled plasma analyzing device and analyzing method

Номер патента: US20210333212A1. Автор: Shinichi Miyashita,Shinichiro Fujii,Taisuke Mizuno,Kazumi INAGAKI. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Method for ICPMS instrument stability control with strong acid resistant spray chamber

Номер патента: US12040172B1. Автор: Daniel R. Wiederin,Kevin Wiederin. Владелец: Elemental Scientific Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Apparatus for inductively coupled plasma mass spectrometry

Номер патента: GB202409404D0. Автор: . Владелец: Thermo Fisher Scientific Bremen GmbH. Дата публикации: 2024-08-14.

Inductively coupled plasma flood gun using an immersed low inductance rf coil and multicusp magnetic arrangement

Номер патента: US20130320854A1. Автор: Victor M. Benveniste,Peter F. Kurunczi,Oliver V. Naumovski. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2013-12-05.

INDUCTIVE COIL STRUCTURE AND INDUCTIVELY COUPLED PLASMA GENERATION SYSTEM

Номер патента: US20200105502A1. Автор: LEE Yun Seong,Uhm Sae Hoon. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

Inductively Coupled Plasma Source for Plasma Processing

Номер патента: US20170243721A1. Автор: LEE Dongsoo,Nagorny Vladimir,Kadavanich Andreas. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-24.

Inductively coupled plasma using an internal inductive element

Номер патента: WO2002019364A2. Автор: Jozef Brcka. Владелец: Tokyo Electron Arizona, Inc.. Дата публикации: 2002-03-07.

Plasma producing method and apparatus including an inductively-coupled plasma source

Номер патента: GB9820829D0. Автор: . Владелец: Materials Research Corp. Дата публикации: 1998-11-18.

Plasma producing method and apparatus including an inductively-coupled plasma source

Номер патента: GB2326974B. Автор: Kaihan Ashtiani. Владелец: Materials Research Corp. Дата публикации: 2000-11-15.

System for introducing particle-containing samples to an analytical instrument and methods of use

Номер патента: CA3107338A1. Автор: Chady STEPHAN,Chung Ryu. Владелец: Perkin Elmer Yuhan Hoesa. Дата публикации: 2020-01-30.

Inductively coupled plasma processing apparatus, plasma process method and storage medium

Номер патента: KR101143742B1. Автор: 사사키 가즈오,사이토 히토시,사토 료. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2012-05-11.

Systems and methods for detection and quantification of selenium and silicon in samples

Номер патента: CA2941565C. Автор: Hamid Badiei,Kenneth Neubauer. Владелец: PerkinElmer Health Sciences Inc. Дата публикации: 2021-01-26.

Systems and methods for detection and quantification of selenium and silicon in samples

Номер патента: CA2941565A1. Автор: Hamid Badiei,Kenneth Neubauer. Владелец: PerkinElmer Health Sciences Inc. Дата публикации: 2015-11-05.

Low inductance large area coil for an inductively coupled plasma source

Номер патента: EP0835518B1. Автор: Duane Charles Gates. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2002-02-27.

Inductance coil and inductance coupling plasma processing device

Номер патента: CN104637767B. Автор: 倪图强,梁洁. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai. Дата публикации: 2017-02-15.

Universal transfer apparatus and method to use same

Номер патента: US20070104471A1. Автор: Robyn Hannigan,David Clarke. Владелец: Arkansas State University Research and Development Institute ASU RDI. Дата публикации: 2007-05-10.

High resolution imaging apparatus and method

Номер патента: US11967496B2. Автор: Paul Corkum,Alexander V. Loboda. Владелец: Standard Biotools Canada Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Batch processing chambers for plasma-enhanced deposition

Номер патента: WO2024112433A1. Автор: HAITAO Wang,Srinivas Gandikota,Mandyam Sriram,Steven V. Sansoni,Jianming Fu,Sanjeev Baluja,Tza-Jing Gung. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-05-30.

Batch processing chambers for plasma-enhanced deposition

Номер патента: US20240170254A1. Автор: HAITAO Wang,Srinivas Gandikota,Mandyam Sriram,Steven V. Sansoni,Jianming Fu,Sanjeev Baluja,Tza-Jing Gung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Inductance coupling plasma processing equipment and plasma processing method

Номер патента: TW200939898A. Автор: Hitoshi Saito,Ryo Sato,Kohji Yamamoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-09-16.

High resolution imaging apparatus and method

Номер патента: EP3807922A1. Автор: Alexander Loboda,Paul Corkum. Владелец: Fluidigm Canada Inc. Дата публикации: 2021-04-21.

High resolution imaging apparatus and method

Номер патента: US20220223398A1. Автор: Paul Corkum,Alexander V. Loboda. Владелец: Fluidigm Canada Inc. Дата публикации: 2022-07-14.

METHODS AND APPARATUS FOR A HYBRID CAPACITIVELY-COUPLED AND AN INDUCTIVELY-COUPLED PLASMA PROCESSING SYSTEM

Номер патента: US20160155615A1. Автор: Dhindsa Rajinder,Benjamin Neil,Hudson Eric A.,Marakhtanov Alexei. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-02.

SYSTEMS AND METHODS FOR AUTOMATED OPTIMIZATION OF A MULTI-MODE INDUCTIVELY COUPLED PLASMA MASS SPECTROMETER

Номер патента: US20150235827A1. Автор: Badiei Hamid,Patel Pritesh,Bazargan Samad. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

Systems and Methods for Automated Analysis of Output In Single Particle Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry and Similar Data Sets

Номер патента: US20150235833A1. Автор: Badiei Hamid,Bazargan Samad. Владелец: PerkinElmer Health Sciences, Inc.. Дата публикации: 2015-08-20.

SYSTEMS AND METHODS FOR AUTOMATED ANALYSIS OF OUTPUT IN SINGLE PARTICLE INDUCTIVELY COUPLED PLASMA MASS SPECTROMETRY AND SIMILAR DATA SETS

Номер патента: US20170358438A1. Автор: Badiei Hamid,Bazargan Samad. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-14.

Systems and methods for automated analysis of output in single particle inductively coupled plasma mass spectrometry and similar data sets

Номер патента: US9754774B2. Автор: Samad Bazargan,Hamid Badiei. Владелец: PerkinElmer Health Sciences Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Systems and methods for automated optimization of a multi-mode inductively coupled plasma mass spectrometer

Номер патента: CA2938675A1. Автор: Samad Bazargan,Hamid Badiei,Pritesh Patel. Владелец: PerkinElmer Health Sciences Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Systems and methods for automated optimization of a multi-mode inductively coupled plasma mass spectrometer

Номер патента: AU2015218336B2. Автор: Samad Bazargan,Hamid Badiei,Pritesh Patel. Владелец: PerkinElmer Health Sciences Inc. Дата публикации: 2019-08-15.

Systems and methods for automated analysis of output in single particle inductively coupled plasma mass spectrometry and similar data sets

Номер патента: US10431444B2. Автор: Samad Bazargan,Hamid Badiei. Владелец: PerkinElmer Health Sciences Inc. Дата публикации: 2019-10-01.

Methods and apparatus for a hybrid capacitively-coupled and an inductively-coupled plasma processing system

Номер патента: US10276348B2. Автор: Rajinder Dhindsa,Alexei Marakhtanov,Neil Benjamin,Eric A Hudson. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2019-04-30.

Magnetron reactor for providing a high density, inductively coupled plasma source for sputtering metal films and dielectric films

Номер патента: DE19936199B4. Автор: Mark Feldman,Tamarak Pandumsoporn. Владелец: Alcatel Lucent SAS. Дата публикации: 2013-01-24.

Methods and apparatus for a hybrid capacitively-coupled and an inductively-coupled plasma processing system

Номер патента: CN101809722A. Автор: 拉金德尔·德辛德萨,阿列克谢·马拉赫塔诺夫,尼尔·本杰明,艾瑞克·胡德森. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2010-08-18.

Method for phosphorus quantitation

Номер патента: CA2453556A1. Автор: Scott D. Tanner,Vladimir I. Baranov,Dmitry R. Bandura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-30.

Apparatus, system and method for sustaining inductively coupled plasma

Номер патента: EP3965139B1. Автор: Alenka Vesel,Miran Mozetic,Rok ZAPLOTNIK,Gregor PRIMC. Владелец: INSTITUT JOZEF STEFAN. Дата публикации: 2024-03-27.

Apparatus, system and method for sustaining inductively coupled plasma

Номер патента: EP3965139C0. Автор: Alenka Vesel,Miran Mozetic,Rok ZAPLOTNIK,Gregor PRIMC. Владелец: INSTITUT JOZEF STEFAN. Дата публикации: 2024-03-27.

Systems and methods for single particle analysis

Номер патента: EP3983808A1. Автор: Yupeng Cheng. Владелец: Shanghai Polaris Biology Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-20.

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA MS/MS MASS ANALYZER

Номер патента: US20130175442A1. Автор: YAMADA NORIYUKI,KITAMOTO JUN,KUWABARA TAKEO. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2013-07-11.

Method and Apparatus for Actively Monitoring an Inductively-Coupled Plasma Ion Source using an Optical Spectrometer

Номер патента: US20130250293A1. Автор: N. William Parker,Mark W. Utlaut,Sean Kellogg,Shouyin Zhang,Anthony Graupera,Philip Brundage,Doug Kinion. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2013-09-26.

THREE-COIL INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCE WITH INDIVIDUALLY CONTROLLED COIL CURRENTS FROM A SINGLE RF POWER GENERATOR

Номер патента: US20130278141A1. Автор: Collins Kenneth S.,NGUYEN ANDREW,Ramaswamy Kartik,Lane Steven,Dorf Leonid,Rauf Shahid,KENNEY JASON A.,Liu Jonathan. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-24.

THREE-COIL INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCE WITH INDIVIDUALLY CONTROLLED COIL CURRENTS FROM A SINGLE RF POWER GENERATOR

Номер патента: US20130278142A1. Автор: Collins Kenneth S.,NGUYEN ANDREW,Ramaswamy Kartik,Lane Steven,Dorf Leonid,Rauf Shahid,KENNEY JASON A.,Liu Jonathan. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-24.

Inline Capacitive Ignition of Inductively Coupled Plasma Ion Source

Номер патента: US20130305988A1. Автор: William D. Lee,William F. Divergilio,Tomoya Nakatsugawa,Walter Hrynyk,Mike Cristoforo,Robert L. Moffett. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2013-11-21.

SYMMETRICAL INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCE WITH COAXIAL RF FEED AND COAXIAL SHIELDING

Номер патента: US20140020838A1. Автор: Collins Kenneth S.,Ramaswamy Kartik,FOVELL RICHARD,Rauf Shahid,Carducci James D.,KENNEY JASON A.. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-23.

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCE WITH SYMMETRICAL RF FEED

Номер патента: US20140020839A1. Автор: Collins Kenneth S.,Ramaswamy Kartik,FOVELL RICHARD,Rauf Shahid,Carducci James D.,KENNEY JASON A.. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-23.

SYMMETRICAL INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCE WITH SIDE RF FEEDS AND RF DISTRIBUTION PLATES

Номер патента: US20140021861A1. Автор: Collins Kenneth S.,Ramaswamy Kartik,FOVELL RICHARD,Rauf Shahid,Carducci James D.,KENNEY JASON A.. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-01-23.

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA ION SOURCE WITH MULTIPLE ANTENNAS FOR WIDE ION BEAM

Номер патента: US20140042337A1. Автор: Biloiu Costel,Olson Joseph C.,Bell Edward W.,Sieradzki Manny. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2014-02-13.

Spinning Cell Device for Fast Standardization in Laser Ablation Inductively Coupled Plasma Spectrometry

Номер патента: US20140070085A1. Автор: Molloy John L,Bier Naomi,Claverie Fanny,Malherbe Julien. Владелец: THE NATIONAL INSTITUTE OF STANDARDS AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2014-03-13.

INTERNAL SPLIT FARADAY SHIELD FOR AN INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCE

Номер патента: US20150008213A1. Автор: Zhang Shouyin,Miller Thomas G.. Владелец: FEI COMPANY. Дата публикации: 2015-01-08.

INTERCHANGEABLE, VISUALLY MARKED SAMPLE INTRODUCTION SYSTEM MOUNTING STRUCTURE AND COMPONENTS FOR INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SYSTEMS

Номер патента: US20170010216A1. Автор: Wiederin Daniel R.. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-12.

Inductively-coupled plasma ion source for use with a focused ion beam column with selectable ions

Номер патента: US20160027607A1. Автор: Anthony Graupera,Charles Otis. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2016-01-28.

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA MASS SPECTROMETRY (ICP-MS) WITH IMPROVED SIGNAL-TO-NOISE AND SIGNAL-TO-BACKGROUND RATIOS

Номер патента: US20210050199A1. Автор: YAMADA NORIYUKI,Shimizu Erina. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-18.

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA CHAMBER HAVING A MULTI-ZONE SHOWERHEAD

Номер патента: US20180047542A1. Автор: NGUYEN ANDREW,CHANG Xue. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-15.

POWER DEPOSITION CONTROL IN INDUCTIVELY COUPLED PLASMA (ICP) REACTORS

Номер патента: US20150068682A1. Автор: GUNG TZA-JING,BANNA SAMER,TODOROW Valentin N.,YUEN Stephen,KNYAZIK VLADIMIR,TANTIWONG KYLE,MAROHL DAN A.. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-12.

Inductively Coupled Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition

Номер патента: US20160097118A1. Автор: Tanaka Samuel L.,Greenberg Thomas L.,Platt Christopher L.,Tong Joseph. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

SWITCHABLE MATCHING NETWORK AND AN INDUCTIVELY COUPLED PLASMA PROCESSING APPARATUS HAVING SUCH NETWORK

Номер патента: US20200090908A1. Автор: Ni Tuqiang,Iizuka Hiroshi,Zhao Kui,Pang Xiaobei. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCE

Номер патента: US20190108974A1. Автор: Rogers James,POULOSE John. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-11.

ION SOURCE FOR INDUCTIVELY COUPLED PLASMA MASS SPECTROMETRY

Номер патента: US20220181135A1. Автор: GUNTHER Detlef,HATTENDORF Bodo,VONDERACH Thomas. Владелец: ETH Zurich. Дата публикации: 2022-06-09.

Skimmer cone and inductively coupled plasma mass spectrometer

Номер патента: US20210142995A1. Автор: Shinichi Asahi. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

INDUCTIVELY-COUPLED PLASMA ION SOURCE FOR USE WITH A FOCUSED ION BEAM COLUMN WITH SELECTABLE IONS

Номер патента: US20150129759A1. Автор: Graupera Anthony,Otis Charles. Владелец: FEI COMPANY. Дата публикации: 2015-05-14.

Magnetically Enhanced, Inductively coupled Plasma Source For a Focused Ion Beam System

Номер патента: US20150130348A1. Автор: Noel Smith,Lawrence Scipioni,Christine Charles,John Keller,Roderick Boswell,Orson Sutherland. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2015-05-14.

SINGLE-TURN AND LAMINATED-WALL INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCES

Номер патента: US20220277929A1. Автор: Polak Scott,Lee Yong Jiun,Shabalin Andrew,Madsen David W.. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-01.

AUTOMATED DETECTION OF NANOPARTICLES USING SINGLE-PARTICLE INDUCTIVELY COUPLED PLASMA MASS SPECTROMETRY (SP-ICP-MS)

Номер патента: US20200135443A1. Автор: Itagaki Takayuki,Wilbur Steven,Yamanaka Michiko. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

SYMMETRICAL INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCE WITH SIDE RF FEEDS AND SPIRAL COIL ANTENNA

Номер патента: US20140232263A1. Автор: Collins Kenneth S.,NGUYEN ANDREW,Ramaswamy Kartik,Lane Steven,Yang Yang,Rauf Shahid,KENNEY JASON A.,Vishwanath Yogananda Sarode. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-08-21.

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA MASS SPECTROMETER WITH MASS CORRECTION

Номер патента: US20200144046A1. Автор: SUGIYAMA Naoki,Liba Amir,Kelinske Mark Lee,Woods Glenn David. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2020-05-07.

Enhanced Ignition in Inductively Coupled Plasmas For Workpiece Processing

Номер патента: US20220310359A1. Автор: Savas Stephen E.,Ma Shawming. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-29.

DYNAMIC ION RADICAL SIEVE AND ION RADICAL APERTURE FOR AN INDUCTIVELY COUPLED PLASMA (ICP) REACTOR

Номер патента: US20160181067A1. Автор: Kumar Ajay,Singh Saravjeet,SCOTT Graeme Jamieson. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

MULTIPLE COIL INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCE WITH OFFSET FREQUENCIES AND DOUBLE-WALLED SHIELDING

Номер патента: US20140265832A1. Автор: Collins Kenneth S.,Ramaswamy Kartik,FOVELL RICHARD,Rauf Shahid,Carducci James D.,KENNEY JASON A.. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-09-18.

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA DEVICE

Номер патента: US20180174799A1. Автор: Liu Jun,Wei Yu. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA APPARATUS

Номер патента: US20160196953A1. Автор: Agarwal Ankur,BANNA SAMER,NGUYEN ANDREW,Chen Zhigang,Rauf Shahid,TODOROW Valentin N.,Salinas Martin Jeff,WANG TSE-CHIANG. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

Methods and Structures for Rapid Switching Between Different Process Gases in an Inductively-Coupled Plasma (ICP) Ion Source

Номер патента: US20140306607A1. Автор: Kellogg Sean,Parker N. William,Utlaut Mark W.,Graupera Anthony. Владелец: FEI COMPANY. Дата публикации: 2014-10-16.

Poly-phased Inductively Coupled Plasma Source

Номер патента: US20170243720A1. Автор: Brcka Jozef. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-24.

Mass analysis method and inductively coupled plasma mass spectrometer

Номер патента: US20170256388A1. Автор: Tadashi Taniguchi. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA MASS SPECTROMETRY (ICP-MS) WITH IMPROVED SIGNAL-TO-NOISE AND SIGNAL-TO-BACKGROUND RATIOS

Номер патента: US20190287776A1. Автор: YAMADA NORIYUKI,Shimizu Erina. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-19.

SINGLE-TURN AND LAMINATED-WALL INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCES

Номер патента: US20200286712A1. Автор: Polak Scott,Lee Yong Jiun,Shabalin Andrew,Madsen David W.. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-10.

GAS SUPPLY STRUCTURE FOR INDUCTIVELY COUPLED PLASMA PROCESSING APPARATUS

Номер патента: US20170316922A1. Автор: CHO Saeng Hyun. Владелец: VNI Solution Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-11-02.

DIELECTRIC WINDOW SUPPORTING STRUCTURE FOR INDUCTIVELY COUPLED PLASMA PROCESSING APPARATUS

Номер патента: US20170323769A1. Автор: CHO Saeng Hyun. Владелец: VNI Solution Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-11-09.

DIELECTRIC WINDOW SUPPORTING STRUCTURE FOR INDUCTIVELY COUPLED PLASMA PROCESSING APPARATUS

Номер патента: US20170323770A1. Автор: CHO Saeng Hyun. Владелец: VNI Solution Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-11-09.

OPTICAL EMISSION SPECTROSCOPE WITH A PIVOTABLY MOUNTED INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCE

Номер патента: US20170343478A1. Автор: BERGSCH Manfred A.. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

METHOD FOR ATTACHMENT OF AN ELECTRODE INTO AN INDUCTIVELY-COUPLED PLASMA

Номер патента: US20150357166A1. Автор: Zhang Shouyin,Smith Noel,Skoczylas Walter,Kellogg Sean,Utlaut Mark W.,Graupera Anthony,Wells Andrew B.,Schwind Gregory A.,Parker William N.. Владелец: FEI COMPANY. Дата публикации: 2015-12-10.

METHOD OF MULTIPLE ZONE SYMMETRIC GAS INJECTION FOR INDUCTIVELY COUPLED PLASMA

Номер патента: US20150371824A1. Автор: Ramaswamy Kartik,Lane Steven,Yang Yang,Wong Lawrence. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

LOW-TEMPERATURE IONIZATION OF METASTABLE ATOMS EMITTED BY AN INDUCTIVELY COUPLED PLASMA ION SOURCE

Номер патента: US20200350142A1. Автор: KNUFFMAN Brenton J.,STEELE Adam V.. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-05.

CONNECTOR ASSEMBLY FOR AN INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCE

Номер патента: US20150380864A1. Автор: Peters Craig. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-31.

Method for analyzing metal microparticles, and inductively coupled plasma mass spectrometry method

Номер патента: EP3739329A1. Автор: Katsuhiko Kawabata,Tatsuya Ichinose,Kohei Nishiguchi. Владелец: IAS Inc. Дата публикации: 2020-11-18.

Generator of inductively coupled plasma

Номер патента: KR100297887B1. Автор: 김홍습. Владелец: 아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2001-10-19.

Inductively coupled plasma mass spectrometry

Номер патента: JP2904507B2. Автор: 秀樹 松永. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-06-14.

Inductively coupled plasma generator using grid-type gas injection

Номер патента: KR970063436A. Автор: 장홍영,서상훈,손명호. Владелец: 손명호. Дата публикации: 1997-09-12.

Inductively coupled plasma mass spectrometer with mass correction

Номер патента: CN111146071A. Автор: 杉山尚树,A·利巴,M·L·克林斯克,G·D·伍兹. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2020-05-12.

Inductively Coupled Plasma Apparatus of Module Type for Large Area Processing

Номер патента: KR100599816B1. Автор: 김경남,정승재,염근영. Владелец: 학교법인 성균관대학. Дата публикации: 2006-07-13.

Inductively coupled plasma treatment apparatus

Номер патента: KR100785401B1. Автор: 김형준,이기영,이승배,김인준. Владелец: 세메스 주식회사. Дата публикации: 2007-12-13.

Inductive coupling plasma（ICP）Power deposition control in reactor

Номер патента: CN107564793A. Автор: S·袁,S·巴纳,T-J·龚,V·克尼亚齐克,K·坦蒂翁,D·A·马洛尔,V·N·托多罗. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Metal particle analysis method and inductively coupled plasma mass spectrometry method

Номер патента: KR102181778B1. Автор: 가츠히코 가와바타,다츠야 이치노세,고헤이 니시구치. Владелец: 가부시키가이샤 이아스. Дата публикации: 2020-11-24.

Interchangeable sample introduction system mounting structure and components with visual indicia for inductively coupled plasma systems

Номер патента: CN108027327B. Автор: D·R·维德林. Владелец: Basic Science Corp. Дата публикации: 2021-08-13.

Inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: KR20220164294A. Автор: 박준수,김태민,김우현,김대일,유광종,유도형. Владелец: 주식회사 원익아이피에스. Дата публикации: 2022-12-13.

Test solution manufacturing method for analyzing inductively coupled plasma of samples comprising more than 2% of tungsten in steels

Номер патента: KR101916260B1. Автор: 박장근,신선휴,최엄두. Владелец: 주식회사 포스코. Дата публикации: 2018-11-07.

Inductively coupled plasma source as an electron beam source for spectroscopic analysis

Номер патента: US8716673B2. Автор: Brian Roberts Routh, JR.. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2014-05-06.

Apparatus for processing inductively coupled plasma

Номер патента: KR102195981B1. Автор: 이창근. Владелец: 인베니아 주식회사. Дата публикации: 2020-12-29.

Apparatus for processing inductively coupled plasma

Номер патента: KR20190136311A. Автор: 홍성준,최정수,신영식. Владелец: 인베니아 주식회사. Дата публикации: 2019-12-10.

Inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: KR100553757B1. Автор: 이강일,정지영. Владелец: 삼성에스디아이 주식회사. Дата публикации: 2006-02-20.

A temperature control device of dielectric lid for inductively-coupled plasma processing unit

Номер патента: KR100666445B1. Автор: 김재현,이상원,이용관. Владелец: 주식회사 플라즈마트. Дата публикации: 2007-01-09.

Inductively coupled plasma device

Номер патента: CN105931940A. Автор: 刘军,魏钰. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-07.

Inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: KR102180640B1. Автор: 이창근,박우종. Владелец: 인베니아 주식회사. Дата публикации: 2020-11-19.

Inductively coupled plasma mass spectrometer

Номер патента: JP4903515B2. Автор: 健一 阪田,憲幸 山田. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2012-03-28.

Inductively coupled plasma processing system

Номер патента: CN110416053B. Автор: 李娜,刘海洋,郭颂,刘小波,胡冬冬,程实然,许开东,李雪冬. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-16.

Inductively coupled plasma apparatus

Номер патента: US20110094994A1. Автор: Shahid Rauf,Andrew Nguyen,Ankur Agarwal,Zhigang Chen,Valentin N. Todorow,Samer Banna,Tse-Chiang Wang,Martin Jeff Salinas. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2011-04-28.

RF antenna assembly for treatment of inner surfaces of tubes with inductively coupled plasma

Номер патента: US7967945B2. Автор: Yuri Glukhoy,Tatiana Kerzhner,Anna Ryaboy. Владелец: Anna Ryaboy. Дата публикации: 2011-06-28.

Modulated gap segmented antenna for inductively-coupled plasma processing system

Номер патента: US7854213B2. Автор: Jozef Brcka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-12-21.

Inductively coupled plasma chemical vapor deposition system

Номер патента: JP4713903B2. Автор: 漢 基 金,明 洙 許,明 洙 金,奎 成 李,錫 憲 鄭. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-29.

inductive coupled plasma generation source

Номер патента: KR100415944B1. Автор: 이승원,전재홍,권기청,최성혁,한순석. Владелец: 주성엔지니어링(주). Дата публикации: 2004-01-24.

Magnetically enhanced, inductively coupled plasma source for a focused ion beam system

Номер патента: US8829468B2. Автор: Noel Smith,Lawrence Scipioni,Christine Charles,John Keller,Roderick Boswell,Orson Sutherland. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2014-09-09.

Single-tube interlaced inductively coupling plasma source

Номер патента: US6855225B1. Автор: Yuh-Jia Su,David Lee Chen,Vincent Bernard Decaux. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2005-02-15.

Distributed inductively-coupled plasma source

Номер патента: US6273022B1. Автор: Hongching Shan,Claes Björkman,Mike Welch,Bryan Y. Pu,Kenny Doan,Richard Raymond Mett. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2001-08-14.

Interchangeable, visually marked sample introduction system mounting structure and components for inductively coupled plasma systems

Номер патента: US10837911B2. Автор: Daniel R. Wiederin. Владелец: Elemental Scientific Inc. Дата публикации: 2020-11-17.

Multi Magnetized Inductively Coupled Plasmas Structure

Номер патента: KR100719804B1. Автор: 박용준,엄용택,윤대근. Владелец: 주식회사 아이피에스. Дата публикации: 2007-05-18.

Inductively coupled plasma processing method and apparatus

Номер патента: JP2003523483A. Автор: コルポ，パスカル,ロッシ，フランソワ. Владелец: ユーロピアン コミュニティ（イーシー）. Дата публикации: 2003-08-05.

Inductively coupled plasma apparatus

Номер патента: US20090133840A1. Автор: Seung-Jae Jung,Kyong-Nam Kim,Geun-Young Yeom. Владелец: SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2009-05-28.

Inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: KR102543128B1. Автор: 김태영,홍성재,노일호,양호식,김신평. Владелец: 주식회사 원익아이피에스. Дата публикации: 2023-06-13.

Connection arrangement for an inductively coupled plasma source

Номер патента: DE102015211095A1. Автор: Craig PETERS. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2015-12-31.

Improved sample chamber for laser ablation inductively coupled plasma mass spectroscopy

Номер патента: WO2011123664A3. Автор: Leif Summerfield,Jay Wilkins,Robert Hutchinson,Shane Hilliard. Владелец: ELECTRO SCIENTIFIC INDUSTRIES, INC.. Дата публикации: 2012-02-23.

Connector assembly for inductively coupled plasma source

Номер патента: JP6670487B2. Автор: ピーターズ クレイグ. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2020-03-25.

Inductively Coupled Plasma Sputter Chamber with Conductive Material Sputtering Capabilities

Номер патента: KR100349426B1. Автор: 로버트 바이어,알렉산더 디. 랜트스맨,제임스 에이. 세르마르코. Владелец: 도쿄 엘렉트론 가부시키가이샤. Дата публикации: 2003-01-06.

Induction coupling plasma generating equipment containing zigzag coil antenna

Номер патента: CN1498057A. Автор: ,李永东,申在光,金圣九,尤里·N·托尔马切夫,N���ж����з�. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-19.

Inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: CN211295030U. Автор: 李昌根,朴宇钟. Владелец: Invenia Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-18.

Series connection collision/reaction tank of inductivity coupled plasma mass spectrometry analysis

Номер патента: CN110277299A. Автор: 山田宪幸,惠理奈清水,悠冈本. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2019-09-24.

Inductively coupled plasma source for improved process uniformity

Номер патента: US20030087488A1. Автор: Steven Fink,Janusz Sosnowski. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2003-05-08.

Connector component and inductively coupled plasma spectrum appearance

Номер патента: CN205319466U. Автор: C·彼得斯. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2016-06-15.

Electrical steel sheet with oriented grain structure and method for its manufacture

Номер патента: RU2771282C1. Автор: Такаси КАТАОКА,Йосиюки УСИГАМИ,Сунсуке ОКУМУРА,Хироясу ФУДЗИИ,Сеики ТАКЕБАЯСИ. Владелец: Ниппон Стил Корпорейшн. Дата публикации: 2022-04-29.

Method for analysis of residual lithium compounds in positive electrode active material

Номер патента: EP4286843A1. Автор: Dong Wook Lee,Min Hwan Jung,Kyeongrak KIM,Youkyong SEO. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Uses and methods for elementomic characterization analysis in diagnosis and prognosis of medical diseases and conditions

Номер патента: US20240230630A1. Автор: Huijuan Shi,Baoli ZHANG,Waichi SHUM. Владелец: ShanghaiTech University. Дата публикации: 2024-07-11.

Cathode active materials for lithium-ion batteries and methods of manufacture

Номер патента: WO2024208774A1. Автор: Jacob HAAG,James A SIOSS,Bohang SONG. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2024-10-10.

Method for Analysis of Residual Lithium Compounds in Positive Electrode Active Material

Номер патента: US20240151697A1. Автор: Dong Wook Lee,Min Hwan Jung,Kyeongrak KIM,Youkyong SEO. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Uses and methods for elementomic characterization analysis in diagnosis and prognosis of medical diseases and conditions

Номер патента: WO2022233222A1. Автор: Huijuan Shi,Baoli ZHANG,Waichi SHUM. Владелец: ShanghaiTech University. Дата публикации: 2022-11-10.

Uses and methods for elementomic characterization analysis in diagnosis and prognosis of medical diseases and conditions

Номер патента: EP4334710A1. Автор: Huijuan Shi,Baoli ZHANG,Waichi SHUM. Владелец: ShanghaiTech University. Дата публикации: 2024-03-13.

Positive electrode active material for non-aqueous electrolyte secondary battery, and method for producing positive electrode active material for non-aqueous electrolyte secondary battery

Номер патента: EP3719888A1. Автор: Takeshi Ogasawara,Toshinobu Kanai,Tetsuo Kadohata. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-07.

Composite particle, positive electrode, all-solid-state battery, and method for producing composite particle

Номер патента: US20230361280A1. Автор: Hideaki Watanabe,Masaru Kubota. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Positive electrode active material for non-Aqueous electrolyte secondary battery, non-Aqueous electrolyte secondary battery, and method for producing positive electrode active material for non-aqueous electrolyte secondary battery

Номер патента: US12002954B2. Автор: Takeshi Ogasawara,Toshinobu Kanai,Noriko FUKAMICHI. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Positive electrode active material for nonaqueous electrolyte secondary batteries, nonaqueous electrolyte secondary battery, and method for producing positive electrode active material for nonaqueous electrolyte secondary batteries

Номер патента: US20230097630A1. Автор: Takeshi Ogasawara,Toshinobu Kanai,Noriko FUKAMICHI. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Method for removing burrs of battery electrode plates by inductively coupled plasma dry etching

Номер патента: US20140042121A1. Автор: Tao Tao,Yi Li,Peng Chen,Bing Liu,Yi Shi,Rong Zhang,Ping Han,Ting Zhi,Zhili Xie,Zhiguo Yu,Xiangqian Xiu,Youdou Zheng. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-02-13.

Methods of Using Inductively Coupled Plasma Mass Spectroscopy Systems for Analyzing a Cellular Sample

Номер патента: US20160097089A1. Автор: Ornatsky Olga. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

Methods of Using Inductively Coupled Plasma Mass Spectroscopy Systems for Analyzing a Cellular Sample

Номер патента: US20190161790A1. Автор: Ornatsky Olga. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

Rf inductively coupled plasma torch with modular water-cooled injector and multi-stage nozzle structure for injection of reactants

Номер патента: KR100586466B1. Автор: 서준호,홍상희,주원태,남준석. Владелец: 재단법인서울대학교산학협력재단. Дата публикации: 2006-06-07.

Deposition of superconducting thick films by spray inductively coupled plasma method

Номер патента: US5032568A. Автор: Yuk-Chiu Lau,Emil Pfender. Владелец: University of Minnesota. Дата публикации: 1991-07-16.

Method for manufacturing ceramic substrate and ceramic substrate using the same

Номер патента: US20120040125A1. Автор: Ki Pyo Hong,Myung Whun Chang,Dae Hyeong Lee. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-16.

Method for rendering a non-platable semiconductor substrate platable

Номер патента: US4228201A. Автор: Nathan Feldstein. Владелец: Individual. Дата публикации: 1980-10-14.

MoSi2 ARC-SHAPED HEATER, AND METHOD AND DEVICE FOR MANUFACTURING THE HEATER

Номер патента: EP1383355B1. Автор: Hiroshi TAKAMURA,Daisuke TAKAGAKI. Владелец: Nippon Mining and Metals Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-29.

Inductively coupled plasma torches and methods and systems including same

Номер патента: AU2022209881A9. Автор: William Fisher,Tak Shun Cheung,Chui Ha Cindy WONG,Hamid R. Badiei. Владелец: Perkinelmer Scient Canada Ulc. Дата публикации: 2024-10-17.

Oscillator generators and methods of using them

Номер патента: AU2017257870A1. Автор: Tak Shun Cheung,Chui Ha Cindy WONG. Владелец: PerkinElmer Health Sciences Inc. Дата публикации: 2018-12-13.

Inductively coupled plasma torches and methods and systems including same

Номер патента: AU2022209881A1. Автор: William Fisher,Tak Shun Cheung,Chui Ha Cindy WONG,Hamid R. Badiei. Владелец: Perkinelmer Scient Canada Ulc. Дата публикации: 2023-08-17.

Inductively coupled plasma torches and methods and systems including same

Номер патента: CA3208773A1. Автор: William Fisher,Tak Shun Cheung,Chui Ha Cindy WONG,Hamid R. Badiei. Владелец: Perkinelmer Health Sciences Canada Ulc. Дата публикации: 2022-07-28.

Inductively coupled plasma torches and methods and systems including same

Номер патента: EP4272519A1. Автор: William Fisher,Tak Shun Cheung,Chui Ha Cindy WONG,Hamid R. Badiei. Владелец: PerkinElmer Scientific Canada ULC. Дата публикации: 2023-11-08.

Inductively coupled plasma light source with switched power supply

Номер патента: WO2024123565A1. Автор: Donald K. Smith,Matthew M. Besen,Stephen F. Horne,Michael J. Roderick,Frederick Marvin NIELL, III,David B. Reisman,Daniel J. ARCARO. Владелец: Energetiq Technology, Inc.. Дата публикации: 2024-06-13.

Inductively Coupled Plasma Light Source with Switched Power Supply

Номер патента: US20240196506A1. Автор: Donald K. Smith,Matthew M. Besen,Stephen F. Horne,Michael J. Roderick,Frederick Marvin NIELL, III,David B. Reisman,Daniel J. ARCARO. Владелец: Energetiq Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

ANTENNA UNIT FOR INDUCTIVELY COUPLED PLASMA, INDUCTIVELY COUPLED PLASMA PROCESSING APPARATUS AND METHOD THEREFOR

Номер патента: US20130200043A1. Автор: Sato Ryo,TOJO Toshihiro. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2013-08-08.

INDEPENDENT CONTROL OF RF PHASES OF SEPARATE COILS OF AN INDUCTIVELY COUPLED PLASMA REACTOR

Номер патента: US20130284370A1. Автор: Kobayashi Satoru,Collins Kenneth S.,Ramaswamy Kartik,Yang Yang,Rauf Shahid,Wong Lawrence,Liu Jonathan. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-31.

A kind of water cooling cage high-frequency induction coupled plasma reactor

Номер патента: CN107182164A. Автор: 刘祥,马建平,刘金涛,陈连忠,陈海群,朱兴营,周法. Владелец: China Academy of Aerospace Aerodynamics CAAA. Дата публикации: 2017-09-19.

Inductively coupled plasma torch intergrated with cylindrically molded structure of induction coil

Номер патента: KR100631828B1. Автор: 서준호,홍상희. Владелец: 재단법인서울대학교산학협력재단. Дата публикации: 2006-10-04.

Inductively coupled plasma torches and methods and systems including same

Номер патента: US20220232691A1. Автор: William Fisher,Tak Shun Cheung,Chui Ha Cindy WONG,Hamid R. Badiei. Владелец: PerkinElmer Health Sciences Canada Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

DEVICE AND METHOD FOR Destructing Liquid, Powdery or Gaseous Waste Using Inductively Coupled Plasma

Номер патента: DE602005001614D1. Автор: Erick Meillot,David Guenadou. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2007-08-23.

Rf coil resonator systems and methods

Номер патента: WO2023244714A1. Автор: Alexander Loboda,Emil STRATULATIV,Maxim VORONOV. Владелец: Standard BioTools Inc.. Дата публикации: 2023-12-21.

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA GENERATION DEVICE

Номер патента: US20130088146A1. Автор: Matsuda Ryuichi,Nishikawa Seiji. Владелец: MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD.. Дата публикации: 2013-04-11.

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURE WITH PHASE CONTROL

Номер патента: US20130106286A1. Автор: BANNA SAMER,TODOROW VALENTIN,Chen Zhigang. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-05-02.

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCE WITH PLURAL TOP COILS OVER A CEILING AND AN INDEPENDENT SIDE COIL

Номер патента: US20140020836A1. Автор: Agarwal Ankur,Collins Kenneth S.,NGUYEN ANDREW,Ramaswamy Kartik,FOVELL RICHARD,BALAKRISHNA AJIT,Dorf Leonid,Rauf Shahid,Carducci James D.,BUCHBERGER,JR. DOUGLAS A.,KENNEY JASON A.. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-23.

RF SYSTEM, MAGNETIC FILTER, AND HIGH VOLTAGE ISOLATION FOR AN INDUCTIVELY COUPLED PLASMA ION SOURCE

Номер патента: US20140077699A1. Автор: Boswell Roderick W.,Smith Noel S.,Tesch Paul P.,Martin Noel P.. Владелец: Oregon Physics, LLC. Дата публикации: 2014-03-20.

High Voltage Isolation of an Inductively Coupled Plasma Ion Source with a Liquid that is not Actively Pumped

Номер патента: US20150102230A1. Автор: Kellogg Sean,Parker N. William,Utlaut Mark W.,Wells Andrew B.,Mcginn James B.. Владелец: FEI COMPANY. Дата публикации: 2015-04-16.

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA ARC DEVICE

Номер патента: US20150103860A1. Автор: Foret Todd. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-16.

SYSTEM, METHOD AND APPARATUS FOR AN INDUCTIVELY COUPLED PLASMA ARC WHIRL FILTER PRESS

Номер патента: US20140209573A1. Автор: Foret Todd. Владелец: FORET PLASMA LABS, LLC. Дата публикации: 2014-07-31.

System, Method and Apparatus for an Inductively Coupled Plasma Arc Whirl Filter Press

Номер патента: US20170135191A1. Автор: Foret Todd. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

DOUBLE-FREQUENCY POWER-DRIVEN INDUCTIVELY COUPLED PLASMA TORCH, AND APPARATUS FOR GENERATING NANOPARTICLE USING SAME

Номер патента: US20180192504A1. Автор: Kim Jeong-Soo,Yun Dong-Won,SEO Jun-Ho,LEE Mi-yeon,PARK Hee-Chang,NAM Junseok. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-05.

HYBRID IMPEDANCE MATCHING FOR INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SYSTEM

Номер патента: US20150313000A1. Автор: Thomas George,Wongsenakhum Panya,Juarez Francisco J.. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-29.

Inductively Coupled Plasma Apparatus

Номер патента: KR101715340B1. Автор: 이윤성,엄세훈. Владелец: 인투코어테크놀로지 주식회사. Дата публикации: 2017-03-13.

Method for judging thermal balance of inductively coupled plasma

Номер патента: CN111753474A. Автор: 李小平,刘彦明,刘东林,包为民,牛越. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2020-10-09.

System, method and apparatus for an inductively coupled plasma Arc Whirl filter press

Номер патента: US9560731B2. Автор: Todd Foret. Владелец: Foret Plasma Labs LLC. Дата публикации: 2017-01-31.

Inductively coupled plasma generation source electrode and substrate processing apparatus comprising the same

Номер патента: KR101117670B1. Автор: 이경호. Владелец: 주식회사 테라세미콘. Дата публикации: 2012-03-07.

Inductively Coupled Plasma Apparatus

Номер патента: KR102280380B1. Автор: 이윤성,엄세훈. Владелец: 인투코어테크놀로지 주식회사. Дата публикации: 2021-07-22.

Imtroduction of samples do inductively coupled plasma

Номер патента: GB9316742D0. Автор: . Владелец: UNIVERSITY OF WATERLOO. Дата публикации: 1993-09-29.

A kind of inductively coupled plasma processor

Номер патента: CN106937474A. Автор: 周旭升,黄智林. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai. Дата публикации: 2017-07-07.

HIGH EFFICIENCY INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCE WITH CUSTOMIZED RF SHIELD FOR PLASMA PROFILE CONTROL

Номер патента: US20150191823A1. Автор: BANNA SAMER,TODOROW VALENTIN,Bishara Waheb,KNYAZIK VLADIMIR. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-09.

Inductively coupled plasma arc device

Номер патента: US8904749B2. Автор: Todd Foret. Владелец: Foret Plasma Labs LLC. Дата публикации: 2014-12-09.

A radio frequency inductively coupled plasma (rf-icp) torch

Номер патента: CA3193637A1. Автор: Javad Mostaghimi,Patrick Michael MIREK,Sina Alavi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-04-14.

Method for determining mass concentrations of heavy metals in soil by the method for mass spectrometry with inductively coupled plasma

Номер патента: RU2756458C1. Автор: Александр Сергеевич Родионов,Наталия Евгеньевна Федорова,Сергей Владимирович Кузьмин,Марина Валентиновна Егорова. Владелец: Федеральное государственное учреждение науки "Федеральный научный центр гигиены им. Ф.Ф. Эрисмана" Федеральной службы по надзору в сфере зашиты прав потребителей и благополучия человека. Дата публикации: 2021-09-30.

Method of measuring mass concentrations of niobium and tantalum in air of working zone by mass spectrometry with inductively coupled plasma

Номер патента: RU2730954C1. Автор: Нина Владимировна Зайцева,Татьяна Сергеевна Уланова,Елена Вячеславовна Стенно,Галина Ахметовна Вейхман,Анна Владимировна Недошитова,Марина Валерьевна Волкова. Владелец: Федеральное бюджетное учреждение науки "Федеральный научный центр медико-профилактических технологий управления рисками здоровью населения" Федеральной службы по надзору в сфере защиты прав потребителей и благополучия человека (ФБУН "ФНЦ медико-профилактических технологий управления рисками здоровью. Дата публикации: 2020-08-26.

Method of determining content of cadmium, lead, arsenic, chromium, nickel, copper, zinc, manganese, vanadium, strontium, selenium, thallium in blood by mass spectrometry with inductively coupled plasma

Номер патента: RU2585369C1. Автор: Нина Владимировна Зайцева,Татьяна Сергеевна Уланова,Елена Вячеславовна Стенно,Галина Ахметовна Вейхман,Анна Владимировна Недошитова,Марина Александровна Баканина,Ольга Владимировна Гилева. Владелец: Федеральное бюджетное учреждение науки "Федеральный научный центр медико-профилактических технологий управления рисками здоровью населения" (ФБУН "ФНЦ медико-профилактических технологий управления рисками здоровью населения"). Дата публикации: 2016-05-27.

A boron nitride coating method with inductively coupled plasma

Номер патента: WO2023172227A2. Автор: Bilgin KAFTANOGLU,Tugce HACALOGLU,Berkay Dogan. Владелец: Atilim Universitesi. Дата публикации: 2023-09-14.

A boron nitride coating method with inductively coupled plasma

Номер патента: WO2023172227A3. Автор: Bilgin KAFTANOGLU,Tugce HACALOGLU,Berkay Dogan. Владелец: Atilim Universitesi. Дата публикации: 2023-10-12.

Method of quantitative determination of aluminium, vanadium, tungsten, iron, cadmium, cobalt, magnesium, manganese, copper, nickel, lead, strontium, titanium, chrome, zinc in atmospheric air by mass spectrometry with inductively coupled plasma

Номер патента: RU2627854C1. Автор: Нина Владимировна Зайцева,Татьяна Сергеевна Уланова,Елена Вячеславовна Стенно,Галина Ахметовна Вейхман,Анна Владимировна Недошитова,Марина Александровна Баканина,Ольга Владимировна Гилева. Владелец: Федеральное бюджетное учреждение науки "Федеральный научный центр медико-профилактических технологий управления рисками здоровью населения" (ФБУН "ФНЦ медико-профилактических технологий управления рисками здоровью населения"). Дата публикации: 2017-08-14.

Method of determining concentration of rare-earth elements: lanthanum, cerium, praseodymium, neodymium, samarium, europium, gadolinium, terbium, dysprosium, holmium, erbium, thulium, ytterbium, lutetium and yttrium, in air of the working zone by mass spectrometry with inductively coupled plasma

Номер патента: RU2697479C1. Автор: Нина Владимировна Зайцева,Татьяна Сергеевна Уланова,Елена Вячеславовна Стенно,Галина Ахметовна Вейхман,Анна Владимировна Недошитова,Марина Валерьевна Волкова. Владелец: Федеральное бюджетное учреждение науки "Федеральный научный центр медико-профилактических технологий управления рисками здоровью населения" Федеральной службы по надзору в сфере защиты прав потребителей и благополучия человека (ФБУН "ФНЦ медико-профилактических технологий управления рисками здоровью. Дата публикации: 2019-08-14.

Method for determining mass concentrations of impurities in atmospheric air by inductively coupled plasma mass spectrometry

Номер патента: RU2748671C1. Автор: Александр Сергеевич Родионов,Наталия Евгеньевна Федорова,Сергей Владимирович Кузьмин,Марина Валентиновна Егорова. Владелец: Федеральное бюджетное учреждение науки "Федеральный научный центр гигиены им. Ф.Ф. Эрисмана" Федеральной службы по надзору в сфере защиты прав потребителей и благополучия человека. Дата публикации: 2021-05-28.

Method of measuring weight concentrations of arsenic, cadmium, lead, mercury in meat and meat-containing products by mass spectrometry with inductively coupled plasma

Номер патента: RU2738166C1. Автор: Нина Владимировна Зайцева,Татьяна Сергеевна Уланова,Елена Вячеславовна Стенно,Галина Ахметовна Вейхман,Анна Владимировна Недошитова,Марина Валерьевна Волкова,Алена Евгеньевна Николаева. Владелец: Федеральное бюджетное учреждение науки "Федеральный научный центр медико-профилактических технологий управления рисками здоровью населения" Федеральной службы по надзору в сфере защиты прав потребителей и благополучия человека (ФБУН "ФНЦ медико-профилактических технологий управления рисками здоровью. Дата публикации: 2020-12-09.

Thin film coating process using an inductively coupled plasma

Номер патента: US4897282A. Автор: Frederick A. Schmidt,Brian D. Merkle,Richard N. Kniseley. Владелец: Iowa State University Research Foundation ISURF. Дата публикации: 1990-01-30.

Induction-coupled plasma synthesis of boron nitride nanotubes

Номер патента: US20180029885A1. Автор: Michael W. Smith,Kevin C. Jordan,Jonathan C. Stevens. Владелец: BNNT LLC. Дата публикации: 2018-02-01.

Induction-coupled plasma synthesis of boron nitride nanotubes

Номер патента: US09776865B2. Автор: Michael W. Smith,Kevin C. Jordan,Jonathan C. Stevens. Владелец: BNNT LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Torch glassware for use with inductively coupled plasma-optical emission spectrometer

Номер патента: US20020089666A1. Автор: Michael Erath. Владелец: PerkinElmer Instruments LLC. Дата публикации: 2002-07-11.

Apparatus for producing silicon nanoparticle using inductive coupled plasma

Номер патента: US09802826B2. Автор: Joon-Soo Kim,Bo-Yun JANG,Hee-Eun SONG. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2017-10-31.

Aerosol production in inductively coupled plasma emission spectroscopy

Номер патента: US4673656A. Автор: Hans Pink. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1987-06-16.

Method for manufacturing lithium hydroxide and method using same for manufacturing lithium carbonate

Номер патента: US09598291B2. Автор: Ki Young Kim,Chang Ho Song,Uong Chon,Im Chang Lee,Gi-Chun Han,So Ra Jung. Владелец: MPPLY Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

System and Method for Driving a Power Tool into a Substrate using a Negative Pressure Produced by a Suction Device

Номер патента: US20220279997A1. Автор: Hans-Joerg Rieger,Marco Balter. Владелец: Hilti AG. Дата публикации: 2022-09-08.

Valvular closure element, closure cap comprising valvular closure element and method and apparatus for manufacturing valvular closure element

Номер патента: RU2660059C2. Автор: Михай РИДЕГ. Владелец: ФАЗЕКАШ, Габор. Дата публикации: 2018-07-04.

Device and method for testing transparency effect of transparent display substrate using a reference object with two kinds of regions of different colors

Номер патента: US09818320B2. Автор: Xinli MA,Hangman LAI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

System and method for measuring properties of a semiconductor substrate in a non-destructive way

Номер патента: EP1382958A3. Автор: Wilfried Vandervorst,Trudo Clarysse. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2004-05-12.

Nanocellulose composite sheet for use as dermatological treatment or medical device and methods and devices for manufacture thereof

Номер патента: WO2021096742A1. Автор: Raghuram Dhumpa,Ali DARKAZALLI. Владелец: Innovatech Engineering, LLC. Дата публикации: 2021-05-20.

Transparent composite material and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US20150190992A1. Автор: JongWon Lee,Kyungho JUNG,Eunseck Kang,Deokhai Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2015-07-09.

Method and apparatus for electrolytic surface roughening treatment of aluminium and method and apparatus for manufacturing planographic printing plate precursor

Номер патента: EP2551385A3. Автор: Hiroshi Komatsu,Hisashi Hotta. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2014-07-02.

Prism film and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US09885811B2. Автор: Rui Li,Junguo Liu. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Carbon nanostructure, and method and apparatus for manufacturing carbon nanostructure

Номер патента: US20160002041A1. Автор: Takeshi Hikata,Soichiro Okubo,Jun-Ichi Fujita,Risa Utsunomiya,Yugo Higashi,Katsuhisa Murakami. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-01-07.

Packing and/or transport unit for insulation slabs of mineral wool and method and device for manufacturing such

Номер патента: EP2289807A3. Автор: Erik ÅSTRAND,Bjarne Walli. Владелец: Paroc Oy Ab. Дата публикации: 2013-10-09.

A cover and method and device for manufacturing the same

Номер патента: WO1995006566A1. Автор: Urpo Latvakangas,Jan Sabelstrom. Владелец: BINDOMATIC AB. Дата публикации: 1995-03-09.

Rfid tag and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: US20090066517A1. Автор: Kenneth R. Erikson. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2009-03-12.

Spray diffusers and method and mold for manufacture of same

Номер патента: US20020180100A1. Автор: Juergen Speier,Rudolf Notz. Владелец: Lechler GmbH. Дата публикации: 2002-12-05.

Scaffold board and method and device for manufacturing thereof

Номер патента: WO1995021976A1. Автор: Waltherus Joseph Maria Van Erven. Владелец: Zodiac Europe S.A.. Дата публикации: 1995-08-17.

Rod for a smoking article and method and apparatus for manufacture

Номер патента: US09770052B2. Автор: Edward Awty,William David Lewis,Paulo Oliveira,Andy Davis. Владелец: British American Tobacco Investments Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Carbon nanostructure, and method and apparatus for manufacturing carbon nanostructure

Номер патента: US09493354B2. Автор: Takeshi Hikata,Soichiro Okubo,Jun-Ichi Fujita,Risa Utsunomiya,Yugo Higashi,Katsuhisa Murakami. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Method and device for manufacturing a mould, and method and device for manufacturing a product using the mould

Номер патента: EP1871581A1. Автор: Bernardus L.L. Hijlkema. Владелец: Hijlkema Bernardus LL. Дата публикации: 2008-01-02.

A method for purifying a thermoplastic norbornene resin, a substrate using such a resin, and a magnetic recording medium using such a substrate

Номер патента: MY130403A. Автор: Syoji Sakaguchi,Youich Tei,Kstsunori Suzuki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-29.

Use of machine learning techniques to enhance and accelerate inversion methods for the interpretation of deep directional resistivity measurements

Номер патента: WO2024123722A1. Автор: LIN Liang,Michael Thiel,Dzevat Omeragic,Tianyu Wang. Владелец: Schlumberger Technology B.V.. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for arranging a chemical barrier in a gasifying reactor for black liquor, a chemical gasifying reactor, a barrier layer of a reactor and a method for manufacturing a building block for such a barrier layer

Номер патента: WO2007030078A3. Автор: Ragnar Tegman. Владелец: Ragnar Tegman. Дата публикации: 2007-05-03.

Method for arranging a chemical barrier in a gasifying reactor for black liquor, a chemical gasifying reactor, a barrier layer of a reactor and a method for manufacturing a building block for such a barrier layer

Номер патента: EP1922296A2. Автор: Ragnar Tegman. Владелец: CHEMREC AB. Дата публикации: 2008-05-21.

A Method For Arranging A Chemical Barrier In A Gasifying Reactor For Black Liquor, A Chemical Gasifying Reactor, A Barrier Layer Of A Reactor And A Method For Manufacturing A Building Block For Such a Barrier Layer

Номер патента: US20080199374A1. Автор: Ragnar Tegman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-21.

Method for arranging a chemical barrier in a gasifying reactor for black liquor, a chemical gasifying reactor, a barrier layer of a reactor and a method for manufacturing a building block for such a barrier layer

Номер патента: WO2007030078A2. Автор: Ragnar Tegman. Владелец: CHEMREC AKTIEBOLAG. Дата публикации: 2007-03-15.

Method for arranging a chemical barrier in a gasifying reactor for black liquor, a chemical gasifying reactor, a barrier layer of a reactor and a method for manufacturing a building block for such a barrier layer

Номер патента: CA2621188A1. Автор: Ragnar Tegman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-15.

Method for arranging a chemical barrier in a gasifying reactor for black liquor, a chemical gasifying reactor, a barrier layer of a reactor and a method for manufacturing a building block for such a barrier layer

Номер патента: US9175439B2. Автор: Ragnar Tegman. Владелец: CHEMREC AB. Дата публикации: 2015-11-03.

Thin-walled elastic products and methods and systems for manufacturing same

Номер патента: US09943995B1. Автор: Fielding B. STATON,David STRUMPF. Владелец: Newtonoid Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-17.

Coated paper product and method and apparatus for manufacture thereof

Номер патента: EP1831463A1. Автор: Markku Leskelä,Stina Nygard,Juha Koponen. Владелец: M Real Oyj. Дата публикации: 2007-09-12.

Supply packs and methods and systems for manufacturing supply packs

Номер патента: US09896206B2. Автор: Jeffrey J. Potter,Iain A. Mcneil,Terry C. Potter,Andrew E. Potter,Matthew J. Medlin. Владелец: SKYLIFE COMPANY Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Supply packs and methods and systems for manufacturing supply packs

Номер патента: US09457902B2. Автор: Matthew J. Medlin,Greg J. Konczal,Rory T. Mcdonnell,Jeffrey J Potter. Владелец: SKYLIFE COMPANY Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Individual dental implant and method and system for manufacturing individual dental implant

Номер патента: RU2768469C1. Автор: Джереми Э. ДЖО. Владелец: Дентсплай Сирона Инк.. Дата публикации: 2022-03-24.

Coat made from synthetic film and method and device for manufacture of such coat

Номер патента: RU2244599C2. Автор: Клаус ВИЛЬБУЕР,Хельмут ХОРСТЕМКЕ,Манфред ГУГАУ,Торстен ТРОССМАНН. Владелец: Металлферэдлунг Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2005-01-20.

Laminated glass, and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: SG167651A1. Автор: Hyung Gyu Jang,Hwang Doo Ha. Владелец: P & H Glass Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-28.

Pre-assembled, two-part merchandise display hook and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: CA1303006C. Автор: Thomas O. Nagel. Владелец: Trion Industries Inc. Дата публикации: 1992-06-09.

Decorative food and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: CA2274347C. Автор: Tokuji Akutagawa. Владелец: Akutagawa Confectionery Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-10.

Gasket for heat exchanger and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: EP1110016B1. Автор: Steven M. Suggs,Reid M. Meyer. Владелец: Acadia Elastomers Corp. Дата публикации: 2005-12-21.

Plastic and Wood Fiber Based Composite Product and Method and Apparatus for Manufacturing Said Plastic and Wood Fiber Based Composite Product

Номер патента: US20230241828A1. Автор: Dirk Van Dijk,Wilhelmus Johannes Maria DERKSEN,Albert TEN BUSSCHEN. Владелец: Aviplast Wfc BV. Дата публикации: 2023-08-03.

Rolling-element bearing, and method and apparatus for manufacturing rolling-element bearing

Номер патента: US20120275740A1. Автор: Kazuyuki Hirata. Владелец: Toyota Boshoku Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Elastic steel band for sun cap or hat and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US20060143786A1. Автор: Soon Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-07-06.

Reinforcing woven fabric and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US5783278A. Автор: Akira Nishimura,Kiyoshi Homma,Ikuo Horibe. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 1998-07-21.

Container provided with metallic cover and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US5584634A. Автор: Hideto Akiba,Sadao Kuramochi,Mitsuo Okabe,Junichi Hashikawa,Kimiaki Hyakutome. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 1996-12-17.

Wet waste compostable bag and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: CA2408989C. Автор: George P. Colgan. Владелец: Bag to Earth Inc. Дата публикации: 2009-11-17.

Hermetically sealed package, and method and machine for manufacturing it

Номер патента: CA2259904A1. Автор: Luca Cerani. Владелец: Luca Cerani. Дата публикации: 1998-01-15.

Rod for a smoking article and method and apparatus for manufacture

Номер патента: US9380809B2. Автор: Edward Awty,William David Lewis,Paulo Oliveira,Andy Davis. Владелец: British American Tobacco Investments Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Magnetic tape cassette accommodating case and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: US5323904A. Автор: Kiyoo Morita,Teruo Ashikawa,Shingo Katagiri. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 1994-06-28.

Cigarette package, wrapping paper for cigarette package, and method and machine for manufacturing wrapping paper

Номер патента: CA2586653C. Автор: Hitoshi Tanbo,Kanji Yukifune,Kinya Onimaru. Владелец: Japan Tobacco Inc. Дата публикации: 2010-03-30.

Cushioning material for packaging and method and device for manufacturing the cushioning material

Номер патента: CA2377847C. Автор: Yoshihito Miyazaki,Toshiyuki Hashiuchi. Владелец: PTM Packaging Tools Machinery Pte Ltd. Дата публикации: 2008-06-10.

Tobacco smoke filter contoured to provide undiluted air flow and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: CA1190114A. Автор: Richard M. Berger. Владелец: American Filtrona Corp. Дата публикации: 1985-07-09.

Abradable material feedstock and methods and apparatus for manufacture

Номер патента: EP3685938A1. Автор: Christopher W. STROCK. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2020-07-29.

Abradable Material Feedstock and Methods and Apparatus for Manufacture

Номер патента: US20190143404A1. Автор: Christopher W. STROCK. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Abradable Material Feedstock and Methods and Apparatus for Manufacture

Номер патента: US20180029120A1. Автор: Christopher W. STROCK. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2018-02-01.

Light guide plate, and method and mold for manufacturing the same

Номер патента: US20140104884A1. Автор: Kun Lu,Kai Yan,Zhanchang Bu. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Gait-related devices and methods including articles for manufacture of sensors

Номер патента: WO2021035113A1. Автор: Timothy Hess,Stacy J. Morris Bamberg,Joseph A. Juratovac,David E. Huizenga,James Wesley CAPPER. Владелец: Moterum Technologies, Inc.. Дата публикации: 2021-02-25.

Extruded and Co-extruded High-Altitude Balloons and Methods and Apparatus for Manufacture

Номер патента: US20190039709A1. Автор: Austyn Daniel Crites. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-02-07.

Paper cigarette filter and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: EP4327670A1. Автор: Sung Hyun Cho,Sung Jae Cho,Ki Sik Lee,Jong Guk Yoon,In Kyu Jung,Hyun Chan Jeong. Владелец: Taeyoung Industry Corp. Дата публикации: 2024-02-28.

Porous flexible sheet and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: US20140308481A1. Автор: Satoshi Mitsui. Владелец: Casio Electronics Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-16.

A vegetal concrete masonry unit and method and system for manufacture thereof

Номер патента: WO2021149076A1. Автор: Tarun Jami. Владелец: Greenjams Buildtech Private Limited. Дата публикации: 2021-07-29.

Floor board, and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: US20200392742A1. Автор: Xiao FANG,Fuyou WANG. Владелец: Nantong Cimc Eco New Material Development Co ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Method and apparatus for electrolytic surface roughening treatment and method and apparatus for manufacturing planographic printing plate precursor

Номер патента: US20130026047A1. Автор: Hiroshi Komatsu,Hisashi Hotta. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2013-01-31.

A vegetal concrete masonry unit and method and system for manufacture thereof

Номер патента: ZA202209336B. Автор: Tarun Jami. Владелец: Greenjams Buildtech Private Ltd. Дата публикации: 2023-09-27.

A vegetal concrete masonry unit and method and system for manufacture thereof

Номер патента: AU2021210697A1. Автор: Tarun Jami. Владелец: Greenjams Buildtech Private Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

A vegetal concrete masonry unit and method and system for manufacture thereof

Номер патента: GB2607775A. Автор: Jami Tarun. Владелец: Greenjams Buildtech Private Ltd. Дата публикации: 2022-12-14.

Confection and method and apparatus for manufacturing it

Номер патента: CA1327483C. Автор: Vijay Arjun Sawant. Владелец: UNILEVER PLC. Дата публикации: 1994-03-08.

Thin-walled elastic products and methods and systems for manufacturing same

Номер патента: CA3001220C. Автор: Fielding B. STATON,David STRUMPF. Владелец: Newtonoid Technologies LLC. Дата публикации: 2019-02-26.

Elastic and non-elastic narrow fabric and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US3685549A. Автор: Antonio Schiappa,Richard E Goff. Владелец: Individual. Дата публикации: 1972-08-22.

Method for filling liquid-discharge-head cartridge with liquid, and method and apparatus for manufacturing liquid-discharge-head cartridge

Номер патента: US8485650B2. Автор: Yoshinori Misumi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-07-16.

Method for filling liquid-discharge-head cartridge with liquid, and method and apparatus for manufacturing liquid-discharge-head cartridge

Номер патента: US20100149290A1. Автор: Yoshinori Misumi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2010-06-17.

Supply packs and methods and systems for manufacturing supply packs

Номер патента: CA2809033C. Автор: Jeffrey J. Potter,Iain A. Mcneil,Terry C. Potter,Andrew E. Potter. Владелец: SKYLIFE COMPANY Inc. Дата публикации: 2015-12-22.

Supply packs and methods and systems for manufacturing supply packs

Номер патента: CA2867122C. Автор: Jeffrey J. Potter,Matthew J. Medlin,Greg J. Konczal,Rory T. Mcdonnell. Владелец: SKYLIFE COMPANY Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

A composite brake disc and method and apparatus for manufacture of the same

Номер патента: CA2926866C. Автор: Daniel Dériaz. Владелец: Ernst Grob AG. Дата публикации: 2021-10-19.

Supply packs and methods and systems for manufacturing supply packs

Номер патента: US20180178913A1. Автор: Jeffrey J. Potter,Iain A. Mcneil,Terry C. Potter,Andrew E. Potter,Matthew J. Medlin. Владелец: SKYLIFE COMPANY Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Supply Packs and Methods and Systems for Manufacturing Supply Packs

Номер патента: US20160257402A1. Автор: Jeffrey J. Potter,Iain A. Mcneil,Terry C. Potter,Andrew E. Potter,Matthew J. Medlin. Владелец: SKYLIFE COMPANY Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Supply packs and methods and systems for manufacturing supply packs

Номер патента: US20140319280A1. Автор: Jeffrey J. Potter,Iain A. Mcneil,Terry C. Potter,Andrew E. Potter,Matthew J. Medlin. Владелец: SkyLife Tech Holdings LLC. Дата публикации: 2014-10-30.

Supply packs and methods and systems for manufacturing supply packs

Номер патента: US20190047708A1. Автор: Jeffrey J. Potter,Iain A. Mcneil,Terry C. Potter,Andrew E. Potter,Matthew J. Medlin. Владелец: SKYLIFE COMPANY Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Plasma reactor with magnetic system

Номер патента: RU2483501C2. Автор: Вадим Александрович Сологуб,Вадим Васильевич Одиноков,Георгий Яковлевич Павлов,Игорь Васильевич Короташ,Валерий Федорович Семенюк,Эдуард Михайлович Руденко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "СЕМПОН-2". Дата публикации: 2013-05-27.

Device including transparent polymer with hydrophilic coating, and method of making same

Номер патента: US20230399744A1. Автор: Li-Chih Hu,Elizabeth Carr,Richard CLOSSER,Frank Streller,David Michael Lynch. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2023-12-14.

Magnetic field furnace and a method of using the same to manufacture semiconductor substrates

Номер патента: EP1348047A2. Автор: Hilton F. Glavish,Kentaro Fujita,Keiji Maishigi,Hideyuki Isozaki. Владелец: Ebara Solar Inc. Дата публикации: 2003-10-01.

Magnetic field furnace and a method of using the same to manufacture semiconductor substrates

Номер патента: WO2002059399A3. Автор: Kentaro Fujita,Hilton F Glavish,Keiji Maishigi,Hideyuki Isozaki. Владелец: Ebara Solar Inc. Дата публикации: 2002-10-24.

Magnetic field furnace and a method of using the same to manufacture semiconductor substrates

Номер патента: WO2002059399A2. Автор: Hilton F. Glavish,Kentaro Fujita,Hideyuki Isozaki,Keiji Maishigi.. Владелец: Ebara Solar, Inc.. Дата публикации: 2002-08-01.

Methods for oil refining

Номер патента: RU2573916C2. Автор: Кристофер Л.Г. ДЕЙТОН,Флавию Да Силва ГАЛЬЯРДУ,Нельсон Бартон,Тим Хитчмэн,Джонатан Лайон,Эйлин О'Донохью,Марк А. Уолл. Владелец: Бандж Ойлз, Инк.. Дата публикации: 2016-01-27.

Method for quantitative determination of weight of carbon nanostructures in samples

Номер патента: RU2698718C1. Автор: Александр Анатольевич Гусев,Владимир Федорович Демин,Павел Константинович Кашкаров,Анна Александровна Анциферова,Юрий Петрович Бузулуков,Лилия Минвагизовна Фатхутдинова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2019-08-29.

Method of using a magnetic field furnace to manufacture semiconductor substrates

Номер патента: US20030097978A1. Автор: Kentaro Fujita,Hilton Glavish,Keiji Maishigi,Hideyuki Isozaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Method for preparing silicate and carbonate samples of rocks and kimberlite indicator minerals for spectrometric analysis

Номер патента: RU2686913C1. Автор: Мария Олеговна Коленченко,Александра Александровна Александрова,Розалия Трофимовна Никифорова. Владелец: Акционерная Компания "АЛРОСА" (публичное акционерное общество) (АК "АЛРОСА" (ПАО)). Дата публикации: 2019-05-06.

Method for prediction of milk productivity of cows by element composition of wool

Номер патента: RU2701350C1. Автор: Олег Александрович Завьялов,Сергей Александрович Мирошников,Борис Георгиевич Рогачев,Алексей Николаевич Фролов,Светлана Викторовна Нотова,Марина Яковлевна Курилкина,Артур Владимирович Егиазарян. Владелец: Федеральное Государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный научный центр биологических систем и агротехнологий российской академии наук". Дата публикации: 2019-09-25.

Method for separate determination of inorganic and organic arsenic in seafood

Номер патента: RU2760237C1. Автор: Алексей Иванович Колобанов,Сергей Анатольевич Хотимченко,Иван Всеволодович Гмошинский,Антонина Александровна Шумакова,Сергей Николаевич Зорин,Владимир Владимирович Бессонов,Алексей Дмитриевич Малинкин,Анна Дмитриевна Мусаева,Ольга Викторовна Багрянцева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки "Федеральный исследовательский центр питания, биотехнологии и безопасности пищи" (ФГБУН "ФИЦ питания и биотехнологии"). Дата публикации: 2021-11-23.

Method for detecting the content of constants and impurity elements in montmorillonite, powders and tablets thereof

Номер патента: AU2021101503A4. Автор: QI Liu,Lei Zhang,Zhen Chen,Weijian Wang,Defu Hu,Yuwen Xu,Yanjun Nie,Mingzhe XU. Владелец: Shandong Institute for Food and Drug Control. Дата публикации: 2021-05-27.

Method for separating four chemical phases in cobalt-rich crusts and polymetallic nodules

Номер патента: LU504003B1. Автор: Jingjing GAO. Владелец: The First Inst Of Oceanography Mnr. Дата публикации: 2023-10-20.

Methods for optimal use and enhanced estimation of corrosive oil products and fractions

Номер патента: RU2246725C2. Автор: Роберт Джон Луи ЧИМЕНТИ,Джералд Мартин ХАЛПЕРН,Патриши Х. КАЛАМАРАС,Патришия Х. КАЛАМАРАС,Майкл Пол АНДЕРСОН,Морин АЙАННУЧЧИ. Владелец: Экссонмобайл Рисерч Энд Энджиниринг Компани. Дата публикации: 2005-02-20.

Method for fabricating nanopatterned substrates

Номер патента: WO2023237569A1. Автор: Parvaneh Mokarian. Владелец: The Provost, Fellows, Scholars And Other Members Of The Board Of Trinity College Dublin. Дата публикации: 2023-12-14.

Steel cord for improving rubber and method of production thereof

Номер патента: RU2768910C1. Автор: Пён Йол ПАК,Гон Ки КИМ,Дон Кил ЛИ,Сан Хо КИМ. Владелец: Трефил Арбед Корея Ко., Лтд.. Дата публикации: 2022-03-25.

System and Method For Automated Sample Introduction

Номер патента: US20100229999A1. Автор: Ryan G. Brennan,Savelas A. Rabb. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-16.

Catalyst, Method for Producing Catalyst, and Method for Producing alpha,beta-Unsaturated Aldehydes, alpha,beta-Unsaturated Carboxylic Acids and alpha,beta-Unsaturated Carboxylic Acid Esters

Номер патента: US20240009653A1. Автор: Takuro Watanabe,Yu Kurihara,Kensuke Nishiki. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

ScAlMgO4 MONOCRYSTALLINE SUBSTRATE, AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20200263319A1. Автор: Akihiko Ishibashi,Masaki Nobuoka,Kentaro Miyano,Naoya Ryoki. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Method for geochemical monitoring of well operation after hydraulic fracturing

Номер патента: RU2751305C1. Автор: Данис Карлович Нургалиев,Булат Ирекович Гареев,Артур Альбертович Шакиров,Владислав Анатольевич Судаков,Мария Сергеевна Шипаева,Артем Александрович Заикин,Георгий Александрович Баталин. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Казанский (Приволжский) федеральный университет" (ФГАОУ ВО КФУ). Дата публикации: 2021-07-13.

Method for early assesment of dairy productivity of cows

Номер патента: RU2755816C1. Автор: Олег Александрович Завьялов,Борис Георгиевич Рогачев,Шамиль Гафиуллович Рахматуллин,Святослав Валерьевич Лебедев,Светлана Викторовна Нотова,Ольга Владимировна Маршинская,Татьяна Витальевна Казакова,Екатерина Ивановна Тарасова. Владелец: Федеральное Государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный научный центр биологических систем и агротехнологий российской академии наук". Дата публикации: 2021-09-21.

Method for biomonitoring of aerosol pollution of the atmosphere by metals

Номер патента: RU2650739C1. Автор: Игорь Николаевич Межеумов,Александра Федоровна Мейсурова,Александр Александрович Нотов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тверской государственный университет". Дата публикации: 2018-04-17.

Method for producing silica gel with immobilized aldehyde group

Номер патента: RU2753408C1. Автор: Валерий Викторович Коншин,Ида Александровна Лупанова,Джамиля Наибовна Коншина,Сергей Евгеньевич Ефименко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный университет" (ФГБОУ ВО "КубГУ"). Дата публикации: 2021-08-16.

Method for functionalization of silica gel surface by aldehyde groups

Номер патента: RU2750868C1. Автор: Валерий Викторович Коншин,Джамиля Наибовна Коншина,Сергей Евгеньевич Ефименко,Дарья Александровна Чупрынина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный университет" (ФГБОУ ВО "КубГУ"). Дата публикации: 2021-07-05.

Single-phase polycrystalline yttrium-aluminum garnet, activated with erbium, ytterbium, and a method for production thereof

Номер патента: RU2705848C1. Автор: Ирина Сергеевна Чикулина,Людмила Викторовна Тарала,Екатерина Александровна Евтушенко,Анатолий Федорович Голота,Дмитрий Сергеевич Вакалов,Станислав Николаевич Кичук,Федор Федорович Малявин,Марина Сергеевна Шама,Любовь Дмитриевна Прокопенко. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ. Дата публикации: 2019-11-12.

A method for monitoring the chemical parameters of an existing mineral resources processing or water treatment plant, a system designed for this purpose, and a processing station containing such a system

Номер патента: RU2742577C2. Автор: Кристофер Джон ГРЕ. Владелец: Маготто Интернасьональ С.А.. Дата публикации: 2021-02-08.

Method for determination of antimony and arsenic in steel and cast iron

Номер патента: RU2613311C1. Автор: Надежда Викторовна Печищева,Анастасия Анатольевна Белозерова,Константин Юрьевич Шуняев,Анна Владимировна Майорова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии Уральского отделения Российской академии наук (ИМЕТ УрО РАН). Дата публикации: 2017-03-15.

Method for assessing the reproductive qualities of arab thoroughbred stallions by the level of cobalt content in blood serum

Номер патента: RU2751142C1. Автор: Олег Александрович Завьялов,Александр Михайлович Зайцев,Сергей Александрович Мирошников,Алексей Николаевич Фролов,Татьяна Валерьевна Калашникова,Валерий Васильевич Калашников,Марина Яковлевна Курилкина,Михаил Михайлович Атрощенко,Нина Васильевна Блохина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Всероссийский научно-исследовательский институт коневодства". Дата публикации: 2021-07-08.

Method for Analyzing Content and Distribution of Boron Introduced Into Positive Electrode Active Material

Номер патента: US20230324304A1. Автор: JUNG Hye Won,Min Hwan Jung,Sung Hag Kim,Jung Eun Song,Kyeongrak KIM. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Method for rapidly determining sulfur content in a plurality of samples

Номер патента: US20190101514A1. Автор: Jonathan Samuel TSCHRITTER. Владелец: DuPont Safety and Construction Inc. Дата публикации: 2019-04-04.

Method for rapidly determining sulfur content in a plurality of samples

Номер патента: WO2019067668A1. Автор: Jonathan Samuel TSCHRITTER. Владелец: E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY. Дата публикации: 2019-04-04.

Method for rapidly determining sulfur content in a plurality of samples

Номер патента: EP3688448A1. Автор: Jonathan Samuel TSCHRITTER. Владелец: DuPont Safety and Construction Inc. Дата публикации: 2020-08-05.

Inductively coupled plasma atomic emission spectroscopy

Номер патента: GB2291184B. Автор: Mark Cave. Владелец: Natural Environment Research Council. Дата публикации: 1998-04-29.

Method for measuring recovery of catalytic elements from fuel cells

Номер патента: US20090301171A1. Автор: Lawrence Shore,Ramail Matlin. Владелец: BASF Corp. Дата публикации: 2009-12-10.

Method for measuring recovery of catalytic elements from fuel cells

Номер патента: WO2009149245A1. Автор: Lawrence Shore,Ramail Matlin. Владелец: BASF Catalysts LLC. Дата публикации: 2009-12-10.

Additive manufacturing method for making a three-dimensional object using selective laser sintering

Номер патента: US12145312B2. Автор: Chantal Louis,Christopher Ward,Craig Swanson. Владелец: Solvay Specialty Polymers USA LLC. Дата публикации: 2024-11-19.

Methods for obtaining polyolefins, possessing multimodal molecular-weight distribution

Номер патента: RU2579518C2. Автор: Маттью У. ХОЛТКЭМП,Маттью С. БЕДОЯ. Владелец: Юнивейшн Текнолоджиз,ЛЛК. Дата публикации: 2016-04-10.

Methods for improving intensifying cellulolytic activity of polypeptide

Номер патента: RU2510417C2. Автор: Кейт МакФАРЛАНД,Пол Харрис. Владелец: Новозаймз, Инк.. Дата публикации: 2014-03-27.

Reductive isomerisation catalyst, method of mineral oil dewaxing, method of producing base oil and method of producing lubrication base oil

Номер патента: RU2434677C2. Автор: Казуаки ХАЯСАКА. Владелец: Ниппон Ойл Корпорейшн. Дата публикации: 2011-11-27.

Organoselenium compounds compositions and methods for use thereof

Номер патента: RU2731383C2. Автор: Цзы-Цзянь ЛАНЬ,Ронан Пауэр. Владелец: Олтек, Инк.. Дата публикации: 2020-09-02.

Using titanium dioxide-containing catalyst, particularly to obtain phthalic anhydride, method of obtaining catalyst and method of using catalyst

Номер патента: RU2434840C2. Автор: Кристиан ГЮККЕЛЬ,Марфин ЭСТЕНФЕЛЬДЕР,Герхард МЕСТЛ. Владелец: Зюд-Хеми Аг. Дата публикации: 2011-11-27.

Method for fabricating optical waveguide on fused silica substrates using inductively coupled plasma etcher

Номер патента: KR100439749B1. Автор: 김동근,박철희,이종표,신동선,신양수,설운학. Владелец: 우리로광통신주식회사. Дата публикации: 2004-07-12.

Inductively-coupled plasma source producing uniform plasma by using multi-coils

Номер патента: KR100532365B1. Автор: 김형준,이승욱,엄용택,김종복,설여송,고영진,김완승. Владелец: 주식회사 아이피에스. Дата публикации: 2005-11-30.

Diagnostic testing method for a spectrometer

Номер патента: GB2601182A. Автор: MURTAZIN Ayrat,GEISLER Sebastian. Владелец: Thermo Fisher Scientific Bremen GmbH. Дата публикации: 2022-05-25.

Inductively coupled plasma source for improving sputter yield and apparatus for sputtering using the same

Номер патента: KR101556830B1. Автор: 김기석,김경남,김태형,서진석,염근영. Владелец: 성균관대학교산학협력단. Дата публикации: 2015-10-01.

Inductively coupled plasma light source sharing light-spectrum and mass-spectrum measuring device and method

Номер патента: CN106442476A. Автор: 徐成,孙卫东,方晓东,游利兵,徐红云,龚革联,李聪隐. Владелец: Guangzhou Institute of Geochemistry of CAS. Дата публикации: 2017-02-22.

System and method for simultaneously detecting atomic mass spectrum and spectrum of inductively coupled plasma

Номер патента: CN111257253A. Автор: 蒋小明,侯贤灯,邓宇佳. Владелец: Sichuan University. Дата публикации: 2020-06-09.

Printing device and method

Номер патента: US20080267655A1. Автор: Richard L. Swantner,Jeffrey L. Trask. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2008-10-30.

Root canal filling material containing mesenchymal stem cells and method for regenerating dental tissue using the same

Номер патента: US09962237B2. Автор: Misako Nakashima,Koichiro Iohara. Владелец: NATIONAL CENTER FOR GERIATRICS AND GERONTOLOGY. Дата публикации: 2018-05-08.

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA APPARATUS

Номер патента: US20130134129A1. Автор: Agarwal Ankur,BANNA SAMER,NGUYEN ANDREW,Chen Zhigang,Rauf Shahid,TODOROW Valentin N.,Salinas Martin Jeff,WANG TSE-CHIANG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-05-30.

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCE WITH MULTIPLE DIELECTRIC WINDOWS AND WINDOW-SUPPORTING STRUCTURE

Номер патента: US20140020837A1. Автор: Agarwal Ankur,Collins Kenneth S.,NGUYEN ANDREW,Ramaswamy Kartik,FOVELL RICHARD,BALAKRISHNA AJIT,Dorf Leonid,Rauf Shahid,Carducci James D.,BUCHBERGER,JR. DOUGLAS A.,KENNEY JASON A.. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-23.

INDUCTION-COUPLED PLASMA SYNTHESIS OF BORON NITRIDE NANOTUBES

Номер патента: US20180029885A1. Автор: SMITH Michael W.,STEVENS Jonathan C.,JORDAN Kevin C.. Владелец: BNNT, LLC. Дата публикации: 2018-02-01.

ADJUSTABLE COIL FOR INDUCTIVELY COUPLED PLASMA

Номер патента: US20140175055A1. Автор: Sasagawa Teruo. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2014-06-26.

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCE

Номер патента: US20140196849A1. Автор: NGUYEN ANDREW,Ramaswamy Kartik,Lane Steven,Yang Yang. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-07-17.

INDUCTION-COUPLED PLASMA SYNTHESIS OF BORON NITRIDE NANOTUBES

Номер патента: US20150125374A1. Автор: SMITH Michael W.,STEVENS Jonathan C.,JORDAN Kevin C.. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-07.

SELF-IONIZED AND INDUCTIVELY-COUPLED PLASMA FOR SPUTTERING AND RESPUTTERING

Номер патента: US20140305802A1. Автор: Fu Jianming,Xu Zheng,FORSTER John C.,GOPALRAJA Praburam,TANG XIANMIN,MILLER Michael A.,DING Peijun,SUNDARRAJAN Arvind,TAO RONG,Lubben Daniel C.,RENGARAJAN Suraj,MOSELY Roderick C.,CHEN Fusen. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-10-16.

INDUCTION-COUPLED PLASMA SYNTHESIS OF BORON NITRADE NANOTUBES

Номер патента: US20160272496A1. Автор: SMITH Michael W.,STEVENS Jonathan C.,JORDAN Kevin C.. Владелец: BNNT, LLC. Дата публикации: 2016-09-22.

INDUCTION-COUPLED PLASMA SYNTHESIS OF BORON NITRADE NANOTUBES

Номер патента: US20190322529A1. Автор: SMITH Michael W.,STEVENS Jonathan C.,JORDAN Kevin C.. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-24.

APPARATUS FOR PRODUCING SILICON NANOPARTICLE USING INDUCTIVE COUPLED PLASMA

Номер патента: US20160362302A1. Автор: SONG Hee-eun,JANG Bo-Yun,KIM Joon-Soo. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-15.

Inductive coupling plasma treatment apparatus

Номер патента: KR100625319B1. Автор: 정영철,김형준,이기영,이승배. Владелец: 세메스 주식회사. Дата публикации: 2006-09-20.

Method for producing hydrophobic paper

Номер патента: RU2769708C1. Автор: Ракель БОН ШТОЛЬЦ,Биргитта ЛИНДБЕРГ. Владелец: Ска Форест Продактс Аб. Дата публикации: 2022-04-05.

Method for determination of silicon by electrothermal atomic adsorption spectrometry

Номер патента: RU2749071C1. Автор: Владимир Борисович Гурвич,Татьяна Николаевна Штин,Оксана Евгеньевна Галашева. Владелец: Федеральное бюджетное учреждение науки "Екатеринбургский медицинский-научный центр профилактики и охраны здоровья рабочих промпредприятий" Федеральной службы по надзору в сфере защиты прав потребителей и благополучия человека (ФБУН ЕМНЦ ПОЗРПП Роспотребнадзора). Дата публикации: 2021-06-03.

Fabricating method of optical waveguide using inductively coupled plasma etcher

Номер патента: KR100361097B1. Автор: 김동근,박철희,이용태,신동선,신양수. Владелец: 우리로광통신주식회사. Дата публикации: 2002-11-21.

Light emitting spectrochemical analysis method using high frequency induction coupled plasma

Номер патента: JPS5960247A. Автор: Haruo Mizukami,Shotaro Asada,浅田　庄太郎,水上　治男. Владелец: Shimazu Seisakusho KK. Дата публикации: 1984-04-06.

Matching and driving device of inductively coupled plasma light source

Номер патента: CN201639840U. Автор: 张德元,杜江,周志恒,吴天彪,李毅德. Владелец: BEIJING GEOLOGY INSTRUMENT FACTORY MINISTRY OF GEOLOGY AND MINERALS. Дата публикации: 2010-11-17.

Antenna having multiple central axix and inductively coupled plasma generating apparatus applying the same

Номер патента: KR100603286B1. Автор: 이강일,정지영,김영각. Владелец: 삼성에스디아이 주식회사. Дата публикации: 2006-07-20.

Method for simultaneously detecting multiple components of cement sample by ICP-AES (inductively coupled plasma-atomic emission spectrometry) process and application thereof

Номер патента: CN106383108A. Автор: 李勇,陈晓健,许雪芹,凌美英. Владелец: FUJIAN INSPECTION AND RESEARCH INSTITUTE FOR PRODUCT QUALITY. Дата публикации: 2017-02-08.

Method for eliminating surface defects of single crystal diamond seed crystal by utilizing inductive coupling plasma technology

Номер патента: CN109183146B. Автор: 王伟华,杨磊,朱嘉琦,代兵,王杨,刘康,刘雪冬,舒国阳,赵继文,孙明琪,韩杰才,薛晶晶,李一村,姚凯丽,刘本建. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2020-08-07.

Antenna for inductive coupled plasma generating apparatus

Номер патента: KR100817290B1. Автор: 정진욱,전형탁,이원기,최익진. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2008-03-31.

The method of tin amount in alkali fusion-inductively coupled plasma mass spectrometry measurement tin ore

Номер патента: CN108828052A. Автор: 范志平,雷占昌,蒋常菊,孟宸羽,费发源. Владелец: Qinghai Institute Of Nuclear Geology Nuclear Industry Geology Bureau (qinghai Nuclear Industry Geology Bureau Test And Test Center). Дата публикации: 2018-11-16.

Method for measuring content of selenium in vegetables through collision cell-inductively coupled plasma source mass spectrometer

Номер патента: CN106596704A. Автор: 董瑞,于文江,刘艳明,张喜琦,赵发,祝建华,高喜凤. Владелец: Shandong Institute for Food and Drug Control. Дата публикации: 2017-04-26.

Low-Frequency Type Inductively Coupled Plasma Generating Device

Номер патента: KR100488362B1. Автор: 이상원,이용관,엄세훈. Владелец: 주식회사 플라즈마트. Дата публикации: 2005-05-11.

The method that sodium peroxide inductivity coupled plasma mass spectrometry measures tin amount in tin ore

Номер патента: CN110031535A. Автор: 范志平,雷占昌,蒋常菊,孟宸羽,费发源. Владелец: Qinghai Nuclear Industry Nuclear Geology Research Institute (qinghai Nuclear Industry Testing And Testing Center). Дата публикации: 2019-07-19.

Method for rapidly determining contents of chromium and iron in nickel-based superalloy by ICP-OES (inductively coupled plasma-optical emission spectrometry)

Номер патента: CN112834487A. Автор: 朱杰,浦益龙,杜佳佳,年季强,吕水永. Владелец: Jiangsu Longda Superalloy Material Co ltd. Дата публикации: 2021-05-25.

Inductively coupled plasma apparatus

Номер патента: KR101255720B1. Автор: 이승헌,송명곤,이정락,도재철,전부일,최승대. Владелец: 주성엔지니어링(주). Дата публикации: 2013-04-17.

Method of measuring gadolinia content using inductively coupled plasma-atomic emission spectrometry

Номер патента: US20110134424A1. Автор: Chan-Jun Park,Pil-Sang Kang,Chul-Joo Park,Bum-Sik Koh,Jun-No Lee,Hyoung-Joong Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-09.

Inductively coupled plasma emission spectroscopy analysis method of acid soluble aluminum and acid insoluble aluminum

Номер патента: CN106568764A. Автор: 沈克,张昌强,吕琦,张兆雄,古兵平. Владелец: Wuhan Iron and Steel Corp. Дата публикации: 2017-04-19.

Inductively coupled plasma atomic emission spectrometer

Номер патента: DE19532213A1. Автор: Winfried Dipl Phys Quillfeldt. Владелец: Carl Zeiss Jena GmbH. Дата публикации: 1997-03-06.

Method for simultaneous analysis of multiple elements of hair sample by inductively coupled plasma mass spectrometry(icp-ms)

Номер патента: KR100372526B1. Автор: Sung Hyun Kim,Jun Mo Kang,Myoung Jin Cha,Joung Hae Lee,Chang Joon Park. Владелец: Medinex. Дата публикации: 2003-02-15.

Inductively coupled plasma spectrometer and high-radioactivity waste liquid measuring system

Номер патента: CN113418906A. Автор: 陈勇,沈琛林,窦远,杨菡,张兆清,刘权卫,陈云清,侯留东. Владелец: China Nuclear Power Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-21.

Method for jointly measuring silicon, aluminum, barium, manganese, phosphorus and iron in silicon-aluminum-barium by inductively coupled plasma

Номер патента: CN112630210A. Автор: 傅余东,许家宝,伍绍双,柳锐松,覃双环. Владелец: Yangchun New Iron and Steel Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-09.

Method for determining silver by inductively coupled plasma mass spectrometry

Номер патента: CN111398399A. Автор: 陈剑平,张文捷,陈思慧,阳国运,潘倩妮,何雨珊,覃盛,刘梓楠,齐永辉,唐裴颖,梁鑫佳. Владелец: Guangxi Geology & Mineral Test Research Center. Дата публикации: 2020-07-10.

Inductively coupled plasma mass spectrometry detection of 10 elements in peripheral blood

Номер патента: CN113984872A. Автор: 王艳,张宇杰,金芳,袁红,吕倩,马庆伟,张成芳,倪鑫,宋文琪,李启亮,苗旭东,朱柯文,钱婧雨. Владелец: Beijing Clin Bochuang Biotechnology Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-28.

Method and reagent for the specific identification and quantification of one or more proteins in a sample using inductively coupled plasma-mass spectrometry

Номер патента: CA2649154A1. Автор: Stefan Pieper,Christian Scheler,Michael Linscheid,Robert Ahrends. Владелец: Humbold-Universitaet Zu Berlin. Дата публикации: 2007-10-25.

Fire-polishing-assisted inductive coupling plasma processing method

Номер патента: CN104950355A. Автор: 张鹏,王波,辛强,王骏,苏星. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2015-09-30.

Inductively coupled plasma assisted chemical vapor deposition device

Номер патента: KR100952533B1. Автор: 윤기준. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2010-04-12.

Microwave digestion and ICP-OES (inductively coupled plasma-optical emission spectrometry) test of heavy metal elements in leather product

Номер патента: CN110186909B. Автор: 朱禹,曾斓,胥兆林. Владелец: Shanghai Hanhai Detection Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-28.

Method for calibrating ICP-MS (inductively coupled plasma-mass spectrometry) trace element analyzer by using internal standard combined solution

Номер патента: CN112557492B. Автор: 向华,马庆伟,朱柯文,熊婵. Владелец: Beijing Clin Bochuang Biotechnology Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-17.

Power supply apparatus for inductive coupling plasma light source

Номер патента: JPS58169051A. Автор: Koji Okada,秀雄 服部,Hideo Hattori,幸治 岡田. Владелец: Shimazu Seisakusho KK. Дата публикации: 1983-10-05.

Analysis method for detecting chloride content in sodium sulfate by ICP-AES (inductively coupled plasma-atomic emission Spectrometry)

Номер патента: CN114136953A. Автор: 黄磊,杨丽芬,罗锦辉,龚灵雪,黄祖凤. Владелец: Guangxi Beigang New Material Co ltd. Дата публикации: 2022-03-04.

Laser probe induction coupled plasma emission analyzing apparatus

Номер патента: JPS54162597A. Автор: Yuzuru Komiyama,Yutaka Hiratsuka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1979-12-24.

Inductively coupled plasma mass spectrometry detection kit for elements in whole blood and application

Номер патента: CN108195924B. Автор: 许骋,楼敬伟,黄永富,霍志远,荆莲艳,闻颖,俞东堃. Владелец: SHANGHAI ZHANGJIANG TRANSLATIONAL MEDICINE RESEARCH CENTER Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-07.

Method of detecting rhenium in molybdenum-containing materials via inductively coupled plasma atomic emission spectrometry

Номер патента: RU2465585C1. Автор: Надежда Викторовна Печищева,Константин Юрьевич Шуняев,Ольга Викторовна Евдокимова,Анна Александровна Стасик. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии Уральского отделения Российской академии наук (ИМЕТ УрО РАН). Дата публикации: 2012-10-27.

Method of determining concentration of vanadium in atmospheric air by inductively coupled plasma mass spectrometry (versions)

Номер патента: RU2466096C1. Автор: Нина Владимировна Зайцева,Татьяна Сергеевна Уланова,Елена Вячеславовна Стенно,Галина Ахметовна Вейхман,Марина Александровна Баканина,Юлия Васильевна Шардакова,Ольга Владимировна Гилева. Владелец: Федеральное бюджетное учреждение науки "Федеральный научный центр медико-профилактических технологий управления рисками здоровью населения" (ФБУН "ФНЦ медико-профилактических технологий управления рисками здоровью населения"). Дата публикации: 2012-11-10.

Scaffold board and method and device for manufacturing thereof

Номер патента: WO1995021976B1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1995-08-31.

Confection and method and apparatus for manufacturing it

Номер патента: CA1336828C. Автор: Vijay Arjun Sawant. Владелец: UNILEVER PLC. Дата публикации: 1995-08-29.

Methods for forming fine patterns in semiconductor substrates

Номер патента: MY129097A. Автор: Sang-jun Choi,Joo-tae Moon,Yool Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-30.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Preparing Small Volume Reaction Containers

Номер патента: US20120003675A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ENERGY STORAGE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003535A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR EXPOSING A SUBSTRATE TO UV RADIATION USING A REFLECTOR HAVING BOTH ELLIPTICAL AND PARABOLIC REFLECTIVE SECTIONS

Номер патента: US20120003398A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Large Area Nitride Crystal and Method for Making It

Номер патента: US20120000415A1. Автор: Speck James S.,"DEvelyn Mark P.". Владелец: Soraa, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003811A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003823A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SUSPENSION OF CELLULOSE FIBERS AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120000392A1. Автор: Isogai Akira,Mukai Kenta,Kumamoto Yoshiaki. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Inductively coupled plasma processing apparatus and self-inducting coil thereof and method thereof for manufacturing semiconductor substrate

Номер патента: TWI615063B. Автор: Jun Wang. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-11.

Inductively coupled plasma reactor

Номер патента: AU2002231067A1. Автор: Valery Godyak. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-08.

Method for determining thorium-234 concentration in seawater

Номер патента: RU2541449C1. Автор: Сергей Борисович Гулин,Юрий Сергеевич Горелов,Илья Геннадьевич Сидоров. Владелец: Институт биологии южных морей им. А.О. Ковалевского. Дата публикации: 2015-02-10.

ANTENNA FOR INDUCTIVELY COUPLED PLASMA GENERATION, INDUCTIVELY COUPLED PLASMA GENERATOR, AND METHOD OF DRIVING THE SAME

Номер патента: US20120037491A1. Автор: Park Young June,Kim Il Wook. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-16.

PLASMA REACTOR HAVING DUAL INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCE

Номер патента: US20130052830A1. Автор: CHOI Dae-Kyu,KIM Gyoo-Dong. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-28.

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA MASS SPECTROSCOPY APPARATUS AND MEASURED DATA PROCESSING METHOD IN THE INDUCTIVELY COUPLED PLASMA MASS SPECTROSCOPY APPARATUS

Номер патента: US20120074309A1. Автор: . Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2012-03-29.

HIGH EFFICIENCY GAS DISSOCIATION IN INDUCTIVELY COUPLED PLASMA REACTOR WITH IMPROVED UNIFORMITY

Номер патента: US20120091098A1. Автор: NANGOY Roy C.,Singh Saravjeet,Dinev Jivko. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-04-19.

Method and device for treatment of dispersed thermoplastic materials by inductively coupled plasma

Номер патента: RU2178392C2. Автор: Л.А. Иванов,Н.Н. Киселев,В.А. Слугин,В.А. Побережный,М.Г. Сотенский. Владелец: Закрытое акционерное общество "СПЕЦХИММОНТАЖ". Дата публикации: 2002-01-20.

A kind of inductively coupled plasma reactor

Номер патента: CN105810545B. Автор: 倪图强,张辉. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai. Дата публикации: 2017-09-29.

High frequency antenna for induction coupling plasma and induction coupling plasma source with the antenna

Номер патента: JPH1197199A. Автор: ウィクラマナヤカ スニル,Uikuramanayaka Suniru. Владелец: Anelva Corp. Дата публикации: 1999-04-09.

Inductive coupled plasma reactor apparatus and driving method thereof

Номер патента: KR101720339B1. Автор: 문종원,김정대,이강인,서풍부,정완우. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2017-03-27.

BELTS FOR ELECTROSTATOGRAPHIC APPARATUS AND METHODS FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20120003415A1. Автор: FROMM Paul M.. Владелец: XEROX CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Induction coupling coil and induction coupling plasma device

Номер патента: CN1925074B. Автор: 宋巧丽. Владелец: Beijing North Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-11.

Induction coupling coil and induction coupling plasma device

Номер патента: CN1925074A. Автор: 宋巧丽. Владелец: Beijing North Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-07.

Inductance coupling coil and inductance coupling plasma apparatus

Номер патента: CN101409126B. Автор: 刘宏,刘晓晗,袁洁静. Владелец: SUZHOU HANSHEN MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2011-07-13.

Method for beryllium intoxication simulation

Номер патента: RU2641380C1. Автор: Максим Борисович Иванов,Вадим Анатольевич Кашуро,Евгений Юрьевич Дробышев,Сергей Глебович Дагаев,Наталья Борисовна Иваненко,Лариса Георгиевна Кубарская,Андрей Викторович Носов,Николай Дмитриевич Соловьев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки "Институт токсикологии Федерального медико-биологического агентства". Дата публикации: 2018-01-17.

Inductive coupling plasma processing device and heating element thereof

Номер патента: TWI570768B. Автор: Lei Wan,Jun Wang,Xiao-Bing Xie. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-11.

Inductively coupled plasma control with external magnetic material

Номер патента: AU2002256073A1. Автор: Andrew Perry,Neil Benjamin,Takumasa Nishida,Shu Nakajima. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2002-10-28.

Antenna structure for inductively coupled plasma generator

Номер патента: AU2002313937A1. Автор: Young Kwan Lee,Sang Won Lee,Sae Hoon Uhm. Владелец: Plasmart Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-17.

Fume extractor of inductively coupled plasma mass spectrometer

Номер патента: CN221983372U. Автор: 张蕊,张晓楠,林凤,郝凤平,闫玉春,林天宠. Владелец: Tianjin Yuxiang Jinzhun Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Plasma Igniter for an Inductively Coupled Plasma Ion Source

Номер патента: US20120032092A1. Автор: Zhang Shouyin,Kellogg Sean,Graupera Anthony,Miller Tom,Laur Dustin,Dirriwachter Antonius Bastianus Wilhelmus. Владелец: FEI COMPANY. Дата публикации: 2012-02-09.

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA FLOOD GUN USING AN IMMERSED LOW INDUCTANCE FR COIL AND MULTICUSP MAGNETIC ARRANGEMENT

Номер патента: US20120085917A1. Автор: Benveniste Victor M.,Kurunczi Peter F.,Naumovski Oliver V.. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2012-04-12.

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCE FOR PLASMA PROCESSING

Номер патента: US20120152901A1. Автор: LEE Dongsoo,Nagorny Vladimir,Kadavanich Andreas. Владелец: MATTSON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-06-21.

FIELD ENHANCED INDUCTIVELY COUPLED PLASMA PROCESSING APPARATUS AND PLASMA FORMING METHOD

Номер патента: US20140102641A1. Автор: Lee Soo-Hyun. Владелец: SMATEK CO., LTD. Дата публикации: 2014-04-17.

Inductive coupling plasma coil and plasma injection device

Номер патента: CN103165383A. Автор: 李楠,李超波,夏洋,窦伟. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-06-19.

Inductively coupled plasma spray gun and plasma device

Номер патента: CN104867801B. Автор: 邬苏东,叶继春,张胜,韩灿,高平奇,杨映虎. Владелец: Ningbo Institute of Material Technology and Engineering of CAS. Дата публикации: 2017-01-18.

Inductively coupled plasma spray gun and plasma apparatus

Номер патента: CN204614759U. Автор: 邬苏东,叶继春,张胜,韩灿,高平奇,杨映虎. Владелец: Ningbo Institute of Material Technology and Engineering of CAS. Дата публикации: 2015-09-02.

Inductively coupled plasma treatment device and plasma etching method

Номер патента: TW201618180A. Автор: Di Wu,Zeng-Di Lian,Yun-Wen Huang,Tu Qiang Ni. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Shanghai Co L. Дата публикации: 2016-05-16.

Inductively coupled plasma coil and plasma injection device

Номер патента: CN103165383B. Автор: 李楠,李超波,夏洋,窦伟. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-05-11.

Two-dimensional mobile platform applied to adjust plasma position of ICP (Inductively Coupled Plasma) analytical instrument

Номер патента: CN104880455A. Автор: 何淼,曹海霞,董海洋,赵英飞,罗剑秋,唐振山. Владелец: NCS TESTING TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-02.

Inductively coupled plasma coil and plasma injection device

Номер патента: CN202352478U. Автор: 李楠,李超波,夏洋,窦伟. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-07-25.

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA PROCESSING APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING SUBSTRATE WITH THE SAME

Номер патента: US20130062311A1. Автор: LIU Zhongdu. Владелец: ADVANCED MICRO-FABRICATION EQUIPMENT INC, SHANGHAI. Дата публикации: 2013-03-14.

System and method for automated analysis of output and similar data sets in single particle inductively coupled plasma mass spectrometry

Номер патента: JP6620189B2. Автор: バザルガン サマド,バディエイ ハミド. Владелец: PerkinElmer Health Sciences Inc. Дата публикации: 2019-12-11.

Inductively coupled plasma processing apparatus and method

Номер патента: JP5500097B2. Автор: 智洋 奥村,一郎 中山. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-05-21.

Method for Fabricating Solar Cell Using Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition

Номер патента: US20120077303A1. Автор: Lee Jong Ho,Jeong Chaehwan,Kim Ho-Sung,Boo Seongjae. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology. Дата публикации: 2012-03-29.

Method for Fabricating Solar Cell Using Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition

Номер патента: US20120077306A1. Автор: Lee Jong Ho,Jeong Chaehwan,Kim Ho-Sung,Boo Seongjae. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology. Дата публикации: 2012-03-29.

Compact RF Antenna for an Inductively Coupled Plasma Ion Source

Номер патента: US20120080148A1. Автор: Zhang Shouyin. Владелец: FEI COMPANY. Дата публикации: 2012-04-05.

Inductively Coupled Plasma Arc Device

Номер патента: US20120097648A1. Автор: . Владелец: FORET PLASMA LABS, LLC. Дата публикации: 2012-04-26.

ANALYZER CONSTITUTED BY GAS CHROMATOGRAPH COMBINED WITH INDUCTIVELY COUPLED PLASMA MASS SPECTROMETER

Номер патента: US20120126113A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-05-24.

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA PROCESSING APPARATUS

Номер патента: US20120267051A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-10-25.

Inductively-Coupled Plasma Device

Номер патента: US20120268010A1. Автор: . Владелец: TYCO HEALTHCARE GROUP LP. Дата публикации: 2012-10-25.

DYNAMIC ION RADICAL SIEVE AND ION RADICAL APERTURE FOR AN INDUCTIVELY COUPLED PLASMA (ICP) REACTOR

Номер патента: US20120305184A1. Автор: Kumar Ajay,Singh Saravjeet,SCOTT Graeme Jamieson. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-12-06.

GAS DISTRIBUTION SHOWERHEAD FOR INDUCTIVELY COUPLED PLASMA ETCH REACTOR

Номер патента: US20120309204A1. Автор: Paterson Alex,Kang Michael,Kenworthy Ian J.. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-06.

MAGNETICALLY ENHANCED, INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCE FOR A FOCUSED ION BEAM SYSTEM

Номер патента: US20120319000A1. Автор: . Владелец: FEI COMPANY. Дата публикации: 2012-12-20.

INCREASED DEPOSITION EFFICIENCY AND HIGHER CHAMBER CONDUCTANCE WITH SOURCE POWER INCREASE IN AN INDUCTIVELY COUPLED PLASMA (ICP) CHAMBER

Номер патента: US20130005152A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-01-03.

Methods and Structures for Rapid Switching Between Different Process Gases in an Inductively-Coupled Plasma (ICP) Ion Source

Номер патента: US20130015765A1. Автор: Kellogg Sean,Parker N. William,Utlaut Mark W.,Graupera Anthony. Владелец: FEI COMPANY. Дата публикации: 2013-01-17.

SAMPLE CHAMBER FOR LASER ABLATION INDUCTIVELY COUPLED PLASMA MASS SPECTROSCOPY

Номер патента: US20130042703A1. Автор: Summerfield Leif,Wilkins Jay,HILLIARD SHANE,HUTCHINSON Robert. Владелец: ELECTRO SCIENTIFIC INDUSTRIES, INC.. Дата публикации: 2013-02-21.

WINDOW AND MOUNTING ARRANGEMENT FOR TWIST-AND-LOCK GAS INJECTOR ASSEMBLY OF INDUCTIVELY COUPLED PLASMA CHAMBER

Номер патента: US20130098554A1. Автор: Schaefer David,Chhatre Rish. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2013-04-25.

Internal Split Faraday Shield for an Inductively Coupled Plasma Source

Номер патента: US20130098871A1. Автор: Zhang Shouyin,Miller Tom. Владелец: FEI COMPANY. Дата публикации: 2013-04-25.

HIGH EFFICIENCY TRIPLE-COIL INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCE WITH PHASE CONTROL

Номер патента: US20130105086A1. Автор: BANNA SAMER,TODOROW VALENTIN,LUBOMIRSKY DMITRY,Bishara Waheb,Tantiwong Kyle R.,GIAR RYAN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-05-02.

Inductively Coupled Plasma Source as an Electron Beam Source for Spectroscopic Analysis

Номер патента: US20130134307A1. Автор: Routh,JR. Brian Roberts. Владелец: FEI COMPANY. Дата публикации: 2013-05-30.

System for Attachment of an Electrode into an Inductively Coupled Plasma Source

Номер патента: US20130134855A1. Автор: Zhang Shouyin,Smith Noel,Skoczylas Walter,Kellogg Sean,Parker N. William,Utlaut Mark W.,Graupera Anthony,Wells Andrew B.,Schwind Gregory A.. Владелец: FEI COMPANY. Дата публикации: 2013-05-30.

Inductively-Coupled Plasma Ion Source for Use with a Focused Ion Beam Column with Selectable Ions

Номер патента: US20130140450A1. Автор: Graupera Anthony,Otis Charles. Владелец: FEI COMPANY. Дата публикации: 2013-06-06.

INSULATED DIELECTRIC WINDOW ASSEMBLY OF AN INDUCTIVELY COUPLED PLASMA PROCESSING APPARATUS

Номер патента: US20130292055A1. Автор: Richardson Brett C.,Bhattacharyya Gautam,Setton David. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2013-11-07.

Process Gas Management for an Inductively-Coupled Plasma Deposition Reactor

Номер патента: US20140073143A1. Автор: Alokozai Fred,Milligan Robert Brennan. Владелец: ASM IP HOLDINGS B.V.. Дата публикации: 2014-03-13.

HYBRID IMPEDANCE MATCHING FOR INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SYSTEM

Номер патента: US20140097751A1. Автор: Thomas George,Wongsenakhum Panya,Juarez Francisco J.. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-10.

Inductively Coupled Plasma ION Source Chamber with Dopant Material Shield

Номер патента: US20140097752A1. Автор: Koo Bon-Woong,Renau Anthony,Biloui Costel,Miller Timonthy J.. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2014-04-10.

Inductively Coupled Plasma Processing Apparatus

Номер патента: KR101695380B1. Автор: 조생현. Владелец: (주)브이앤아이솔루션. Дата публикации: 2017-01-11.

Preparation method of radio frequency glow discharge inductively coupled plasmas of nano powder material

Номер патента: CN101733405B. Автор: 梁奕清. Владелец: GUANGDONG XINGFA ALUMINIUM CO Ltd. Дата публикации: 2012-01-11.

Method for assessment of milk productivity of cows by element composition of wool

Номер патента: RU2705315C1. Автор: Олег Александрович Завьялов,Галимжан Калиханович Дускаев,Сергей Александрович Мирошников,Борис Георгиевич Рогачев,Алексей Николаевич Фролов,Марина Яковлевна Курилкина,Любовь Геннадьевна Сурундаева,Алёна Игоревна Яшкевич. Владелец: Федеральное Государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный научный центр биологических систем и агротехнологий российской академии наук". Дата публикации: 2019-11-06.

Method for measuring impurities in pure silver by electrical inductance-coupled plasma emission spectrometer

Номер патента: CN102565029A. Автор: 韩鹏,陈晓宇,闫雅坤. Владелец: BEIJING NON-FERROUS METAL AND RARE-EARTH APPLICATION INST. Дата публикации: 2012-07-11.

The method that inductively coupled plasma emission spectrography measures multiple metallic element in zinc abstraction acid leaching residue simultaneously

Номер патента: CN109781713A. Автор: 吴敏,王茂盛,韩俊丽,李颜君,王景凤,隆英兰,马悦茹,董更福,申嘉龄,秦月兰. Владелец: QINGHAI WEST MINING ENGINEERING TECHNOLOGY RESEARCH Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-21.

Inductive coupled plasma cvd device

Номер патента: JPH1022279A. Автор: Satoshi Fukuyama,聡 福山,Yutaka Asanome,裕 浅野目. Владелец: Toshiba Machine Co Ltd. Дата публикации: 1998-01-23.

High frequency inductively coupled plasma mass spectrometer

Номер патента: JP2591822B2. Автор: 紀一郎 大塚. Владелец: NIPPON ELECTRON OPTICS LAB. Дата публикации: 1997-03-19.

Inductively coupled plasma mass spectrometer

Номер патента: JP3154831B2. Автор: 昌三 小野. Владелец: 横河アナリティカルシステムズ株式会社. Дата публикации: 2001-04-09.

Inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: KR101634603B1. Автор: 김진홍,이향주. Владелец: 주식회사 원익아이피에스. Дата публикации: 2016-06-29.

Inductive coupling plasma device

Номер патента: JPH11251088A. Автор: Yasushi Sakakibara,康史 ▲榊▼原. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-09-17.

Preparation method of sample for testing content of sulfur in fuel oil by ID-ICP-MS (isotope dilution inductively coupled plasma mass spectrometry) method

Номер патента: CN104006993A. Автор: 王康,王雪蓉,周燕萍,孟祥艳,魏莉萍,李峙澂,刘运传. Владелец: No 53 Institute of China North Industries Group Corp. Дата публикации: 2014-08-27.

For producing the antenna of inductively coupled plasma

Номер патента: CN207303334U. Автор: 崔正秀,朴宇钟,韩垡昊. Владелец: Invenia Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Inductance coupling plasma equipment

Номер патента: CN2785310Y. Автор: 申浩南. Владелец: Beijing North Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2006-05-31.

Inductively coupled plasma mass spectrometer

Номер патента: JP3153337B2. Автор: 斉 佐川. Владелец: 横河アナリティカルシステムズ株式会社. Дата публикации: 2001-04-09.

Sample introduction device for inductively coupled plasma mass spectrometry

Номер патента: JP2598073B2. Автор: 秀樹 松永,直之 平手. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-04-09.

Method of synthesizing diamond fine particle by using low pressure induction coupling plasma

Номер патента: JP2003055087A. Автор: Katsuyuki Okada,勝行 岡田,Masajiro Komatsu,正次郎 小松. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2003-02-26.

Inductance coupling plasma processing chamber, anti-corrosion insulation window thereof, and manufacturing method thereof

Номер патента: TW201545198A. Автор: Tuqiang Ni,Xiaoming He,Hai-Hui Sun. Владелец: Advanced Micro Fab Equip Inc. Дата публикации: 2015-12-01.

Inductively coupled plasma processing chamber and corrosionresistant insulating window thereof and manufacturing method thereof

Номер патента: TWI633571B. Автор: 圖強 倪,小明 賀,孫海輝. Владелец: 中微半導體設備（上海）有限公司. Дата публикации: 2018-08-21.

High-frequency inductive coupling plasma mass spectrometer

Номер патента: JPS646351A. Автор: Hideki Kawanako. Владелец: Yokogawa Electric Corp. Дата публикации: 1989-01-10.

Inductively coupled plasma generating equipment for concave cavity coil antenna

Номер патента: CN101043786A. Автор: 陈志鹏,欧阳亮,王慧慧,李弘�,刘万东,胡北,白小燕,罗辰,吉亮亮. Владелец: University of Science and Technology of China USTC. Дата публикации: 2007-09-26.

inductively coupled plasma processing system and processing method

Номер патента: CN106298418B. Автор: 倪图强,刘骁兵,罗伟义. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai. Дата публикации: 2018-10-16.

Exhaust equipment of inductively coupled plasma emission spectrometer

Номер патента: CN213209890U. Автор: 刘小冲. Владелец: Sichuan Zhonghuanbo Environmental Testing Co ltd. Дата публикации: 2021-05-14.

Method for determining content of silicon, phosphor and aluminium in ferrocolumbium through inductive coupling plasma emission spectroscopy

Номер патента: CN103149196A. Автор: 刘建华,戴文杰,王宴秋,刘钢耀,段晓晨,战丽君. Владелец: Baotou Iron and Steel Group Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-12.

Sample injector for liquid chromatogram-inductively coupled plasma mass spectrometer

Номер патента: CN215339683U. Автор: 张�杰,杨振东,周骏,白若石,马雁军,徐同广,芦楠,刘德水,刘兴余,严莉红. Владелец: Shanghai Tobacco Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-28.

Induction coupled plasma emission analyzing instrument

Номер патента: JPS61270645A. Автор: Masao Hashimoto,明 米谷,Akira Yonetani,Chikayoshi Okamura,岡村　京美,橋本　正雄. Владелец: Hitachi Instruments Engineering Co Ltd. Дата публикации: 1986-11-29.

Etching cavity of dry-etching hard inorganic material substrate inductively coupled plasma (ICP) etching machine

Номер патента: CN202259153U. Автор: 陈波,李超波,汪明刚,黄成强. Владелец: JIAXING MICROELECTRONIC INSTRUMENT AND EQUIPMENT ENGINEERING CENTER CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-05-30.

Inductively coupled plasma emission spectrophotometer

Номер патента: JPH11166896A. Автор: Yoichi Harada,洋一 原田. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 1999-06-22.

ICP-MS (Inductively Coupled Plasma-Mass Spectrometry) online sampling device and online monitoring method of metal impurities

Номер патента: CN102269663B. Автор: 方明海,吴静銮,张士仁,刘克斌. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-30.

Inductively coupled plasma device

Номер патента: JPH10162993A. Автор: Akio Shimizu,Genichi Katagiri,Yasushi Sakakibara,明夫 清水,源一 片桐,康史 榊原. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-19.

High frequency induction coupling plasma mass analyzer

Номер патента: JPS62243233A. Автор: Hirotoshi Ishikawa,石川　宏俊. Владелец: Yokogawa Electric Corp. Дата публикации: 1987-10-23.

A kind of inductively-coupled plasma spectrometer seal operation case

Номер патента: CN208580031U. Автор: 李峰峰,何辉,唐洪彬,常尚文,欧阳应根. Владелец: China Institute of Atomic of Energy. Дата публикации: 2019-03-05.

Capillary Electrophoresis-inductivity coupled plasma mass spectrometry interface arrangement

Номер патента: CN209043838U. Автор: 蒋红梅,卢向阳,方俊,覃晓丽,苏招红,桂清文,李慕一. Владелец: Hunan Agricultural University. Дата публикации: 2019-06-28.

Method for measuring metal impurities in high-purity MgO film material by using inductively coupled plasma mass spectrometer

Номер патента: CN102033101A. Автор: 王长华,潘元海,墨淑敏. Владелец: Beijing General Research Institute for Non Ferrous Metals. Дата публикации: 2011-04-27.

ICP (inductively coupled plasma) registration method based on feature-enhanced multi-dimensional weight descriptor

Номер патента: CN109934859B. Автор: 朱青,王耀南,郑海华,林澍,毛建旭,田吉委,余铎. Владелец: Hunan University. Дата публикации: 2023-03-24.

Inductively coupled plasma treatment device

Номер патента: TW201223341A. Автор: Wei-Yi Luo,song-lin Xu. Владелец: Advanced Micro Fab Equip Inc. Дата публикации: 2012-06-01.

Method for measuring impurity metallic elements in oil sample by using ICP-AES (inductively coupled plasma-atomic emission spectrometry)

Номер патента: CN103115917A. Автор: 吴敏,艾明,郑建明,余正东. Владелец: Jiangsu Skyray Instrument Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-22.

Method for determining traces of mercury, cadmium, lead and arsenic in food by inductively coupled plasma mass spectrometry (ICP-MS)

Номер патента: CN103940897A. Автор: 唐竞,陈斯佳,张远志,舒凤,黎楚瑜,孔祥词,林霖玉. Владелец: Guangzhou Kingmed Diagnostics Central Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-23.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.