ELECTRONIC DEVICE INCLUDING A TRANSISTOR STRUCTURE HAVING DIFFERENT SEMICONDUCTOR BASE MATERIALS AND A PROCESS OF FORMING THE SAME
Номер патента: US20190043958A1
Опубликовано: 07-02-2019
Автор(ы): JR. John Michael, Loechelt Gary H., Moens Peter, Parsey, VANMEERBEEK Piet
Принадлежит: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 07-02-2019
Автор(ы): JR. John Michael, Loechelt Gary H., Moens Peter, Parsey, VANMEERBEEK Piet
Принадлежит: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Electronic device including side gate and two-dimensional material channel and method of manufacturing the electronic device
Номер патента: US20160300908A1. Автор: Jaeho Lee,Seongjun Park,Jinseong Heo,Kiyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-13.