• Главная
  • Write/Sense amplifier with vertical transistors for DRAM

Write/Sense amplifier with vertical transistors for DRAM

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Read / write amplifier with vertical transistors for DRAM memories

Номер патента: DE10009346A1. Автор: Alexander Frey,Werner Weber,Till Schloesser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-09-06.

Vertical three-dimensional memory with vertical channel

Номер патента: WO2022103552A1. Автор: Haitao Liu,Kamal M. Karda,Litao YANG. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-05-19.

Memory arrays with vertical access transistors

Номер патента: US20210028176A1. Автор: Scott J. Derner,Charles L. Ingalls. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Vertical transistor fuse latches

Номер патента: US12113015B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory devices having vertical transistors in staggered layouts

Номер патента: US12082399B2. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230066312A1. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Hybrid manufacturing of access transistors for memory

Номер патента: US20240098965A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Pushkar Sharad RANADE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Sense amplifier with digit line multiplexing

Номер патента: US20230352080A1. Автор: Daniele Vimercati,Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Sense amplifier with digit line multiplexing

Номер патента: US12073870B2. Автор: Daniele Vimercati,Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Sense amplifier with split capacitors

Номер патента: US20210319820A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Sense amplifier with split capacitors

Номер патента: US20200051606A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-13.

Sense amplifier with split capacitors

Номер патента: EP3837687A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-23.

Sense amplifier with split capacitors

Номер патента: US10998028B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-04.

Sense amplifier with split capacitors

Номер патента: WO2020036744A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-02-20.

On-chip word line voltage generation for dram embedded in logic process

Номер патента: EP1105875A1. Автор: Wingyu Leung,Fu-Chieh Hsu. Владелец: Monolithic System Technology Inc. Дата публикации: 2001-06-13.

Word line driver for dram embedded in a logic process

Номер патента: WO2007002509A3. Автор: Wingyu Leung. Владелец: Monolithic System Tech Inc. Дата публикации: 2007-06-21.

Word line driver for dram embedded in a logic process

Номер патента: EP1894202A2. Автор: Wingyu Leung. Владелец: Monolithic System Technology Inc. Дата публикации: 2008-03-05.

Word line driver for dram embedded in a logic process

Номер патента: EP1894202A4. Автор: Wingyu Leung. Владелец: Mosys Inc. Дата публикации: 2009-03-25.

Word line driver for dram embedded in a logic process

Номер патента: WO2007002509A2. Автор: Wingyu Leung. Владелец: Monolithic System Technology, Inc.. Дата публикации: 2007-01-04.

Vertical three-dimensional memory with vertical channel

Номер патента: US20230022021A1. Автор: Haitao Liu,Kamal M. Karda,Litao YANG. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Vertical three-dimensional memory with vertical channel

Номер патента: US20220149046A1. Автор: Haitao Liu,Kamal M. Karda,Litao YANG. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Wordline driver for dram and driving method thereof

Номер патента: US20090245011A1. Автор: Chih Jen Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Capacitors for dram cells

Номер патента: GB2235335A. Автор: Young Jong Lee. Владелец: Goldstar Electron Co Ltd. Дата публикации: 1991-02-27.

Dram and data access method for dram

Номер патента: KR100323966B1. Автор: 스나가도시오,와따나베신뻬이. Владелец: 포만 제프리 엘. Дата публикации: 2002-02-16.

DRAM and data access method for DRAM

Номер патента: JP3362775B2. Автор: 登志男 砂永,晋平 渡辺. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-01-07.

Memory with vertical transistors and wrap-around control lines

Номер патента: US20230200075A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Memory arrays with vertical transistors and the formation thereof

Номер патента: US20210028308A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Scott J. Derner,Toby D. Robbs,Steve V. Cole. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Diode connected vertical transistor

Номер патента: US09953973B1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Content addressable memory using threshold-adjustable vertical transistors and methods of forming the same

Номер патента: EP3685382A1. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-07-29.

Sense amplifier with offset compensation

Номер патента: US20170236563A1. Автор: Saim Ahmad Qidwai,Stephen Keith Heinrich-Barna,Robert Antonio GLAZEWSKI. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-17.

Sense amplifier with offset compensation

Номер патента: US09704554B2. Автор: Saim Ahmad Qidwai,Stephen Keith Heinrich-Barna,Robert Antoni Glazewski. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

3d voltage switching transistors for 3d vertical gate memory array

Номер патента: US20160329344A1. Автор: Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu,Lee-Yin Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-10.

3D voltage switching transistors for 3D vertical gate memory array

Номер патента: US09478259B1. Автор: Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu,Lee-Yin Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Method and system for a track and hold amplifier with extended dynamic range

Номер патента: US20200005882A1. Автор: Oleksiy Zabroda. Владелец: Luxtera LLC. Дата публикации: 2020-01-02.

Extended flash writing circuit for dram-test

Номер патента: CN1015031B. Автор: 崔勋,赵秀仁. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1991-12-04.

Refresh management for dram

Номер патента: US20220188024A1. Автор: Kevin M. Brandl. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Intermediate circuit and method for dram

Номер патента: US8988963B2. Автор: Hao Yang,WEI Wei,Qian Hu,Yu Fei Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-03-24.

Intermediate circuit and method for dram

Номер патента: US20140092699A1. Автор: Hao Yang,WEI Wei,Qian Hu,Yu Fei Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Refresh management list for DRAM

Номер патента: CN116250041A. Автор: 凯文·M·布兰德尔. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-06-09.

Refresh management for DRAM

Номер патента: CN115516563A. Автор: 王静,凯达尔纳特·巴拉里斯南,凯文·M·布兰德尔,沈冠豪. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2022-12-23.

Refresh management list for DRAM

Номер патента: US11809743B2. Автор: Kevin M. Brandl. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

DRAM and refresh method for DRAM

Номер патента: TWI276102B. Автор: Shinpei Watanabe,Toshio Sunaga. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2007-03-11.

1T1D DRAM CELL AND ACCESS METHOD AND ASSOCIATED DEVICE FOR DRAM

Номер патента: US20190362778A1. Автор: Tang Chao-Jing. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-28.

Monolithic three dimensional (3d) integrated circuits (ics) (3dics) with vertical memory components

Номер патента: EP3060967A1. Автор: Yang Du,Kambiz Samadi,Pratyush Kamal. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-08-31.

Memory address decode array with vertical transistors

Номер патента: US20030087495A1. Автор: Leonard Forbes,Wendell Noble. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-05-08.

Memory device having a simplified sense amplifier with a buffer conductive during both precharge and read operations

Номер патента: US4811300A. Автор: Michel Lanfranca. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1989-03-07.

Read-only memory with vertical transistors

Номер патента: US20230076056A1. Автор: Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-09.

Reliability for dram device stack

Номер патента: US20230099474A1. Автор: Dongyun Lee,Carl W. Werner,Torsten Partsch. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-03-30.

MEMORY ARRAYS WITH VERTICAL TRANSISTORS AND THE FORMATION THEREOF

Номер патента: US20210028308A1. Автор: Derner Scott J.,Simsek-Ege Fatma Arzum,Cole Steve V.,Robbs Toby D.. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-28.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US7445986B2. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-11-04.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US20060175650A1. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-08-10.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US20060270144A1. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Diagonal memory with vertical transistors and wrap-around control lines

Номер патента: US20230200084A1. Автор: Abhishek A. Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240381620A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Memory device having vertical transistors and method for forming the same

Номер патента: US20230371244A1. Автор: He Chen,Ziqun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Memory device having vertical transistors and method for forming the same

Номер патента: WO2023216884A1. Автор: He Chen,Ziqun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-16.

Vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: WO2024103343A1. Автор: WEI Liu,Weihua Cheng,Hongbin Zhu,Wenyu HUA,Zichen LIU,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-23.

Vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20240172415A1. Автор: WEI Liu,Weihua Cheng,Hongbin Zhu,Wenyu HUA,Zichen LIU,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Vertical transistor trench capacitor memory cell and method of making the same

Номер патента: WO2002086904A3. Автор: Carl J Radens,Thomas W Dyer,Stephan P Kudelka,Venkatachaiam C Jaiprakash. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2003-11-06.

Method of making dynamic random access memory having a vertical transistor

Номер патента: US5376575A. Автор: Jong S. Kim,Hee-Koo Yoon,Chung G. Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1994-12-27.

Vertical Transistors With Backside Power Delivery

Номер патента: US20240105617A1. Автор: Thomas Hoffmann,Xin Miao,Praveen Raghavan. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Vertical transistors with merged active area regions

Номер патента: US09761712B1. Автор: Brent A. Anderson,Albert M. Chu,Terence B. Hook,Seong-Dong Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Design-assisted inspection for DRAM and 3D NAND devices

Номер патента: US11783470B2. Автор: Xiaochun Li,Junqing Huang,Hucheng Lee,Sangbong Park. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Current measuring device with vertical clamping on terminal of an accumulator battery

Номер патента: RU2708903C1. Автор: Инаки БАРРОСО,Фабрис ГИНЯР. Владелец: Рено Сас. Дата публикации: 2019-12-12.

Load sensor using vertical transistor

Номер патента: US20160202132A1. Автор: Takashi Inoue,Kenichi Sakai,Tetsuya Katoh,Junichi Takeya,Mayumi Uno,Kensuke HATA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Load sensor using vertical transistor

Номер патента: US9658121B2. Автор: Takashi Inoue,Kenichi Sakai,Tetsuya Katoh,Junichi Takeya,Mayumi Uno,Kensuke HATA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Parametric Amplifiers With Inductive Input Coupling For Quantum Computing Systems

Номер патента: US20240289666A1. Автор: Ofer Naaman. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Optical phase-sensitive amplifier with fiber bragg grating phase shifter

Номер патента: US09997887B1. Автор: Youichi Akasaka,Tadashi Ikeuchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Nanoscale field-effect transistors for biomolecular sensors and other applications

Номер патента: US09541522B2. Автор: Charles M. Lieber,Xueliang Liu,Hwan Sung Choe. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2017-01-10.

Operational amplifier with slew recovery enhancement

Номер патента: CA1136228A. Автор: George A. Cavigelli. Владелец: Warner Lambert Co LLC. Дата публикации: 1982-11-23.

Split-steer amplifier with invertible output

Номер патента: US11469720B2. Автор: Oded Katz,Tom Heller,Yanir SCHWARTZ. Владелец: Aydee Kay LLC. Дата публикации: 2022-10-11.

Split-steer amplifier with invertible output

Номер патента: US11791781B2. Автор: Oded Katz,Tom Heller,Yanir SCHWARTZ. Владелец: Ay Dee Kay. Дата публикации: 2023-10-17.

Split-steer amplifier with invertible output

Номер патента: US20220006432A1. Автор: Oded Katz,Tom Heller,Yanir SCHWARTZ. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2022-01-06.

Current sensing amplifier with offset cancellation

Номер патента: WO2024006848A1. Автор: Ravi Ananth,Edward Lee,Michael Chapman. Владелец: Efficient Power Conversion Corporation. Дата публикации: 2024-01-04.

Current sensing amplifier with offset cancellation

Номер патента: US20230417806A1. Автор: Ravi Ananth,Edward Lee,Michael Chapman. Владелец: Efficient Power Conversion Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Combined valve amplifier with dsp

Номер патента: EP4095846A2. Автор: Paul Stevens. Владелец: BLACKSTAR AMPLIFICATION Ltd. Дата публикации: 2022-11-30.

Combined valve amplifier with dsp

Номер патента: EP4095846A3. Автор: Paul Stevens. Владелец: BLACKSTAR AMPLIFICATION Ltd. Дата публикации: 2023-03-08.

Thin-film semiconductor device having a thin-film transistor for circuits that differs from a thin-film transistor for pixels

Номер патента: US6563136B2. Автор: Masafumi Kunii. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-05-13.

Method for making thin film transistors for a liquid crystal display

Номер патента: US5652158A. Автор: Byung Seong Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-07-29.

Transistor for implementing photo-responsive neuronal device

Номер патента: US20240047600A1. Автор: Yang-Kyu Choi,Joon-Kyu HAN. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-02-08.

Nanoscale field-effect transistors for biomolecular sensors and other applications

Номер патента: US20150212039A1. Автор: Charles M. Lieber,Xueliang Liu,Hwan Sung. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2015-07-30.

Alternative thin film transistors for liquid crystal displays

Номер патента: US20040246393A1. Автор: Thomas Credelle,Matthew Schlegel,Candice Elliott. Владелец: Clairvoyante Inc. Дата публикации: 2004-12-09.

Memory devices with vertical transistors

Номер патента: US20230276615A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Electronic discharge protective circuit for DRAM

Номер патента: US6121080A. Автор: Tsung-Chih Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-09-19.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: EP4449503A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2023217069A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-16.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: US20230380142A1. Автор: He Chen,WEI Liu,Yanhong Wang,Ziqun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method for manufacturing contact structures for dram semiconductor memories

Номер патента: US20060270143A1. Автор: Audrey Dupont,Matthias Goldbach,Clemens Fritz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-11-30.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: US20230371241A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Bitline structure for DRAM and method of forming the same

Номер патента: US20040106280A1. Автор: Kuo-Chien Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-06-03.

Bitline structure for DRAM and method of forming the same

Номер патента: US6790771B2. Автор: Kuo-Chien Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-09-14.

DRAM layout with vertical FETS and method of formation

Номер патента: US7989866B2. Автор: Todd R. Abbott,Homer M. Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-08-02.

Self-aligned vertical transistor dram structure and its manufacturing methods

Номер патента: US20040036519A1. Автор: Ching-Yuan Wu. Владелец: Intelligent Sources Development Corp. Дата публикации: 2004-02-26.

Apparatus and method for generating assistance data with vertical access areas and predicted vertical movement models

Номер патента: US09664520B2. Автор: Ju-Yong Do. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Apparatus and method for generating assistance data with vertical access areas and predicted vertical movement models

Номер патента: EP3074784A1. Автор: Ju-Yong Do. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-10-05.

Testing head with vertical probes, particularly for high frequency applications

Номер патента: MY187095A. Автор: Daniele Acconcia. Владелец: Technoprobe SpA. Дата публикации: 2021-08-31.

Testing head with vertical probes, particularly for high frequency applications

Номер патента: EP3268751A1. Автор: Daniele Acconcia. Владелец: Technoprobe SpA. Дата публикации: 2018-01-17.

Testing head with vertical probes for a probe card and corresponding method of assembly

Номер патента: EP4261547A1. Автор: Giuseppe Amelio. Владелец: Microtest SpA. Дата публикации: 2023-10-18.

Optical amplifier with reduced nonlinearity

Номер патента: CA1311039C. Автор: Adel A. M. Saleh. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1992-12-01.

Semiconductor circuit of MOS transistors for generation of reference voltage

Номер патента: US4641081A. Автор: Ryoichi Sato,Toshio Mimoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1987-02-03.

Variable tick for DRAM interface calibration

Номер патента: US11875875B2. Автор: Anwar Kashem,Craig Daniel EATON,Pouya Najafi Ashtiani. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Variable tick for dram interface calibration

Номер патента: WO2023129398A1. Автор: Anwar Kashem,Craig Daniel EATON,Pouya Najafi Ashtiani. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2023-07-06.

Programmable device compatible with vertical transistor flow

Номер патента: US20190189625A1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Qintao Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Three-dimensional memory device with vertical field effect transistors and method of making thereof

Номер патента: US11569215B2. Автор: Peter Rabkin,Kwang-Ho Kim. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-01-31.

Programmable logic array with vertical transistors

Номер патента: US20010002109A1. Автор: Leonard Forbes,Wendell Noble. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-05-31.

Programmable logic array with vertical transistors

Номер патента: US20010002108A1. Автор: Leonard Forbes,Wendell Noble. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-05-31.

Field programmable logic arrays with vertical transistors

Номер патента: US6124729A. Автор: Leonard Forbes,Wendell P. Noble. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-09-26.

Memory cell with vertical floating gate transistor

Номер патента: WO2002045158A2. Автор: Daniele Casarotto. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2002-06-06.

Vertical Transistor Cell Structures Utilizing Topside and Backside Resources

Номер патента: US20240105727A1. Автор: Thomas Hoffmann,Xin Miao,Praveen Raghavan,Saurabh P. Sinha. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

HIGH-DENSITY FIELD-ENHANCED ReRAM INTEGRATED WITH VERTICAL TRANSISTORS

Номер патента: US20200203428A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Vertical transistor cell structures utilizing topside and backside resources

Номер патента: WO2024063901A1. Автор: Thomas Hoffmann,Xin Miao,Praveen Raghavan,Saurabh P. Sinha. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2024-03-28.

Memory cell with vertical floating gate transistor

Номер патента: WO2002045158A3. Автор: Daniele Casarotto. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

System and methods for dram contact formation

Номер патента: WO2022225618A1. Автор: Byeong Chan Lee,Fredrick FISHBURN,Nicolas Louis BREIL. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-10-27.

Lateral/vertical transistor structures and process of making and using same

Номер патента: US09908115B2. Автор: Justin K. Valley,Eric D. Hobbs. Владелец: Berkeley Lights Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Vertical transistor and transistor fabrication method

Номер патента: US20030080346A1. Автор: Rolf Weis. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-05-01.

Devices including vertical transistors

Номер патента: US20240363763A1. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Vertical transistors stressed from various directions

Номер патента: US09947789B1. Автор: Puneet Harischandra Suvarna. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Integration of vertical transistors with 3d long channel transistors

Номер патента: US20170317080A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Integration of vertical transistors with 3D long channel transistors

Номер патента: US09837409B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Integration of vertical transistors with 3D long channel transistors

Номер патента: US09607899B1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Devices including vertical transistors, and related methods

Номер патента: US12040411B2. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US12080665B2. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20240332232A1. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Tight pitch inverter using vertical transistors

Номер патента: US09876015B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Double-gate vertical transistor semiconductor device

Номер патента: US10355128B2. Автор: Praveen Raghavan,Odysseas Zografos. Владелец: KU Leuven Research and Development. Дата публикации: 2019-07-16.

Vertical transistor devices and techniques

Номер патента: US20200058798A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Ravi Pillarisetty,Van H. Le,Willy Rachmady,Gilbert W. DEWEY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-02-20.

Vertical transistors stressed from various directions

Номер патента: US20180108776A1. Автор: Puneet Harischandra Suvarna. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-19.

Semiconductor device including vertical transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130126964A1. Автор: Kyoung Han LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

A massive energy storage system with vertical or nearly vertical movement of heavy mass

Номер патента: WO2018094448A1. Автор: Daming Zhang. Владелец: Daming Zhang. Дата публикации: 2018-05-31.

Methods of Gate Contact Formation for Vertical Transistors

Номер патента: US20220130963A1. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Structures of gate contact formation for vertical transistors

Номер патента: US11769809B2. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Methods of gate contact formation for vertical transistors

Номер патента: US11978777B2. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Methods of Gate Contact Formation for Vertical Transistors

Номер патента: US20240154013A1. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Structures of Gate Contact Formation for Vertical Transistors

Номер патента: US20240021689A1. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Vertical transistor devices for embedded memory and logic technologies

Номер патента: US09871117B2. Автор: Brian S. Doyle,Uday Shah,Roza Kotlyar,Charles C. Kuo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Vertical transistor structures having vertical-surrounding-gates with self-aligned features

Номер патента: US20070020819A1. Автор: Sanh Tang,Grant Huglin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-25.

Vertical transistor with field region structure

Номер патента: US20070117328A1. Автор: Jenn-Yu Lin,Ta-Yung Yang,Chih-Feng Huang,Tuo-Hsin Chien. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-24.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230062141A1. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Isolation structure for stacked vertical transistors

Номер патента: US20200335581A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Isolation structure for stacked vertical transistors

Номер патента: US11908890B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Amplifier with post-distortion linearization

Номер патента: EP3864750A1. Автор: Jihoon Kim,Sangho Lee,Youngchang Yoon,Kyuhwan AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-18.

Bipolar transistor for use in linear amplifiers

Номер патента: WO1996010844A1. Автор: Pablo E. D'Anna,William H. Mccalpin,Rickey C. Wong. Владелец: Spectrian, Inc.. Дата публикации: 1996-04-11.

Self-aligned gate endcap (sage) architectures with vertical sidewalls

Номер патента: US20240243202A1. Автор: Kiran Chikkadi,Ritesh K. Das,Ryan Pearce. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Amplifier with post-distortion linearization

Номер патента: US20200220505A1. Автор: Jihoon Kim,Sangho Lee,Youngchang Yoon,Kyuhwan AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-09.

Vertical transistor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20180342480A1. Автор: Chih-Chieh Yeh,Wei-Sheng Yun,Shao-Ming Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

DRAM Arrays, Vertical Transistor Structures, and Methods of Forming Transistor Structures and DRAM Arrays

Номер патента: US20110018045A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-01-27.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230065806A1. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230060149A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US12033967B2. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Vertical transistor with uniform fin thickness

Номер патента: US20200035828A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Vertical transistor with edram

Номер патента: US20190363092A1. Автор: Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Vertical transistor with self-aligned gate

Номер патента: US11728433B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Methods of simultaneously forming bottom and top spacers on a vertical transistor device

Номер патента: US20180114850A1. Автор: John H. Zhang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-26.

Fin cut etch process for vertical transistor devices

Номер патента: US10957783B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-03-23.

Method of manufacturing vertical transistors

Номер патента: US8613861B2. Автор: Masahiko Ohuchi,Chien-Hua Tsai,Sheng-Chang Liang,Hsiao-chia Chen. Владелец: Rexchip Electronics Corp. Дата публикации: 2013-12-24.

Vertical transistor component

Номер патента: US8093654B2. Автор: Walter Rieger,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2012-01-10.

Pillars for vertical transistors

Номер патента: US20140097479A1. Автор: Patrick Thomas. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-10.

Method for producing a vertical transistor component

Номер патента: US20100270612A1. Автор: Walter Rieger,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-10-28.

Vertical transistor with self-aligned gate

Номер патента: US20210057565A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Methods of forming gate electrodes on a vertical transistor device

Номер патента: US09966456B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Steven Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Vertical transistor including controlled gate length and a self-aligned junction

Номер патента: US09954109B2. Автор: Kangguo Cheng,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US09735253B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Vertical transistor with air-gap spacer

Номер патента: US09698245B2. Автор: Kangguo Cheng,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Vertical transistor with air-gap spacer

Номер патента: US09691850B2. Автор: Kangguo Cheng,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Vertical transistor and variable resistive memory device including the same

Номер патента: US09691819B2. Автор: Nam Kyun PARK,Dong Yean Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Top metal contact for vertical transistor structures

Номер патента: US09685409B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Vertical transistor having uniform bottom spacers

Номер патента: US09627511B1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Qintao Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Vertical transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09577091B2. Автор: Ted-Hong Shinn,Chia-Chun Yeh,Cheng-Hang Hsu,Wei-Tsung Chen. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Vertical transistor device with halo pocket contacting source

Номер патента: US09496390B2. Автор: Hao Su,Hong Liao,Hang HU. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Non-floating vertical transistor structure

Номер патента: US09466713B2. Автор: Tzung-Han Lee. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Vertical transistor with air gap spacers

Номер патента: US09443982B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Vertical transistor and method of making

Номер патента: US7041556B2. Автор: Fernando Gonzalez. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-05-09.

Vertical transistor and memory cell

Номер патента: US6018176A. Автор: Byung-hak Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-01-25.

Vertical transistors with gate connection grid

Номер патента: EP4278387A1. Автор: Thomas Neyer,Herbert DE VLEESCHOUWER,Fredrik Allerstam. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-11-22.

High voltage field effect transistor with vertical current paths and method of making the same

Номер патента: US20220109071A1. Автор: Mitsuhiro Togo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-04-07.

Vertical transistors with gate connection grid

Номер патента: WO2022192830A1. Автор: Thomas Neyer,Herbert DE VLEESCHOUWER,Fredrik Allerstam. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2022-09-15.

High voltage field effect transistor with vertical current paths and method of making the same

Номер патента: US11978774B2. Автор: Mitsuhiro Togo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-07.

Techniques for forming vertical transistor architectures

Номер патента: EP3158588A1. Автор: Patrick Morrow,Kimin Jun. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-26.

Vertical transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240079468A1. Автор: Kwanghee Lee,Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Moonil Jung,EunTae KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Vertical transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US11961908B2. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor device including vertical transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US8759892B2. Автор: Kyoung Han LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-24.

Vertical transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240222502A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Vertical transistors and method for producing the same

Номер патента: US20240213366A1. Автор: Christian Huber,Roland Puesche,Jens Baringhaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-06-27.

Vertical transistor with air-gap spacer

Номер патента: US20170294537A1. Автор: Kangguo Cheng,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-12.

Laser of emitting surface with vertical cavity

Номер патента: RU2655716C1. Автор: Филипп Хеннинг ГЕРЛАХ,Роджер КИНГ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2018-05-29.

Double-scanning non-interlace television receiver with vertical aperture correction circuit

Номер патента: CA1192300A. Автор: Yasunari Ikeda,Takashi Okada,Yutaka Tanaka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1985-08-20.

Source or drain structures with vertical trenches

Номер патента: US11935887B2. Автор: Anand Murthy,Peter Wells,Aaron Budrevich,Nicholas MINUTILLO,Ryan KEECH. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor interconnect structures with vertically offset bonding surfaces, and associated systems and methods

Номер патента: US20230197656A1. Автор: Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor interconnect structures with vertically offset bonding surfaces, and associated systems and methods

Номер патента: US11942444B2. Автор: Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Mechanical locking of floor panels with vertical snap folding

Номер патента: US11987990B2. Автор: DARKO PERVAN,Marcus Nilsson Ståhl. Владелец: VALINGE INNOVATION AB. Дата публикации: 2024-05-21.

Source or drain structures with vertical trenches

Номер патента: US20240170484A1. Автор: Anand Murthy,Peter Wells,Aaron Budrevich,Nicholas MINUTILLO,Ryan KEECH. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor interconnect structures with vertically offset bonding surfaces, and associated systems and methods

Номер патента: US20240222300A1. Автор: Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Amplifiers with wide input range and low input capacitance

Номер патента: US20210367572A1. Автор: Yoshinori Kusuda. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Power amplifier with dynamically added supply voltages

Номер патента: US20120200360A1. Автор: Udo Karthaus. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-08-09.

Semiconductor device with vertically integrated pHEMTs

Номер патента: US09923088B2. Автор: Sheila K. Hurtt,Corey A. Nevers,Dana A. Schwartz. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Mechanical locking of floor panels with vertical snap folding

Номер патента: US09777487B2. Автор: DARKO PERVAN,Marcus Nilsson Ståhl. Владелец: VALINGE INNOVATION AB. Дата публикации: 2017-10-03.

Distributed amplifier with improved stabilization

Номер патента: US09425752B2. Автор: Keith Benson. Владелец: Hittite Microwave LLC. Дата публикации: 2016-08-23.

Vertical transistors having different gate lengths

Номер патента: US9653465B1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Vertical transistor having first and second tensile layers

Номер патента: US8569832B2. Автор: Eun Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-10-29.

Vertical transistor structure

Номер патента: US4811071A. Автор: Herbert F. Roloff. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1989-03-07.

Vertical transistor with back bias and reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20180286977A1. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Vertical transistor with back bias and reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20180286978A1. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Producing a vertical transistor including reentrant profile

Номер патента: US20130084681A1. Автор: David H. Levy,Lee W. Tutt,Shelby F. Nelson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-04.

Vertical transistor with edram

Номер патента: US20190363090A1. Автор: Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Vertical transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150076588A1. Автор: Ted-Hong Shinn,Chia-Chun Yeh,Cheng-Hang Hsu,Wei-Tsung Chen. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2015-03-19.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US20200066882A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US20180323283A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-08.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US10096695B2. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-09.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US20180061967A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

Bottom contact formation for vertical transistor devices

Номер патента: US20200111895A1. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Su Chen Fan,Ekmini A. De Silva. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-09.

Vertical transistor with self-align backside contact

Номер патента: WO2024046738A1. Автор: Brent Anderson,Ruilong Xie,Su Chen Fan,Jay William Strane. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2024-03-07.

Vertical transistor with self- align backside contact

Номер патента: US20240079461A1. Автор: Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Su Chen Fan,Jay William Strane. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Fin cut etch process for vertical transistor devices

Номер патента: US20200083355A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Product that includes a plurality of vertical transistors with a shared conductive gate plug

Номер патента: US20200013684A1. Автор: Steven Bentley,Steven Soss. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Class D amplifier with increased efficiency

Номер патента: US7619471B2. Автор: Lance Weston,Tony T Li,John J Ryan. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2009-11-17.

Class d amplifier with increased efficiency

Номер патента: US20090033419A1. Автор: Lance Weston,Tony T. Li,John J. Ryan. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2009-02-05.

Operational amplifier with class AB output

Номер патента: US09871494B2. Автор: AMIT Kumar Gupta,Peng CAO. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Power amplifier with stabilising network

Номер патента: US09859854B2. Автор: Martin Paul Wilson. Владелец: SnapTrack Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device with vertically integrated phemts

Номер патента: US20180012986A1. Автор: Sheila K. Hurtt,Corey A. Nevers,Dana A. Schwartz. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-01-11.

Mechanical locking of floor panels with vertical snap folding

Номер патента: EP4357553A2. Автор: DARKO PERVAN,Marcus Stahl. Владелец: VALINGE INNOVATION AB. Дата публикации: 2024-04-24.

Mechanical locking of floor panels with vertical snap folding

Номер патента: EP4357553A3. Автор: DARKO PERVAN,Marcus Stahl. Владелец: VALINGE INNOVATION AB. Дата публикации: 2024-06-12.

Optical amplifier with optical gain-control

Номер патента: EP1925107A1. Автор: Tomasz Rogowski,Karin Ennser. Владелец: ERICSSON AB. Дата публикации: 2008-05-28.

Optical amplifier with optical gain-control

Номер патента: WO2007025929A1. Автор: Tomasz Rogowski,Karin Ennser. Владелец: ERICSSON AB. Дата публикации: 2007-03-08.

Switching power amplifier with output harmonic suppression

Номер патента: US20230170855A1. Автор: Mustafa H. Koroglu,Francesco Barale,Diptendu Ghosh,Dayasagar Gaade. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2023-06-01.

Switching power amplifier with output harmonic suppression

Номер патента: US12047042B2. Автор: Mustafa H. Koroglu,Francesco Barale,Diptendu Ghosh,Dayasagar Gaade. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Charge amplifier with bias compensation

Номер патента: US20010045514A1. Автор: Gary Johnson. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2001-11-29.

Pulse modulation power amplifier with enhanced cascade control method

Номер патента: WO1998019391A3. Автор: NIELSEN Karsten. Владелец: Bang & Olufsen As. Дата публикации: 1998-07-23.

Amplifier with active auxiliary non-linearity cancellation circuitry

Номер патента: US20240356500A1. Автор: Ming-Da Tsai,Omar E. Elaasar. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Power amplifier with double operational mode

Номер патента: RU2144256C1. Автор: Дж.Швент Дейл,М.Османи Рашид,М.Кристиано Гэри. Владелец: МОТОРОЛА, ИНК.. Дата публикации: 2000-01-10.

Dual-mode power amplifier with switchable operating frequencies

Номер патента: US12034413B2. Автор: Xiumei Cao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-09.

Amplifier with power supply switching

Номер патента: US4329657A. Автор: Shingo Kamiya. Владелец: Nippon Gakki Co Ltd. Дата публикации: 1982-05-11.

Amplifier with a converting circuit with reduced intrinsic time constant

Номер патента: EP3984129A1. Автор: Luca PIAZZON. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-20.

Stacked power amplifier with temperature compensation

Номер патента: LU101284B1. Автор: Shaohua Zhou,Jianguo Ma. Владелец: Qingdao Institute For Ocean Technology Of Tianjin Univ. Дата публикации: 2019-11-08.

Amplifier with continuous gain control

Номер патента: EP4005089A2. Автор: Michiel Antonius Petrus Pertijs,Eunchul Kang. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2022-06-01.

Dual band power amplifier with improved isolation

Номер патента: EP1595330A2. Автор: Thomas Aaron Winslow,Xinjian Zhau. Владелец: MA Com Inc. Дата публикации: 2005-11-16.

Apparatus and methods for power amplifiers with positive envelope feedback

Номер патента: US20180316312A1. Автор: Smarjeet SHARMA,Nicolas Gerard CONSTANTIN. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2018-11-01.

Ping-pong auto-zero amplifier with glitch reduction

Номер патента: US20070222505A1. Автор: Mark Larson. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2007-09-27.

Slab laser amplifier with parasitic oscillation suppression

Номер патента: US20060126685A1. Автор: Xinbing Liu,Craig First. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-15.

Ultra-wideband raman amplifier with comb source

Номер патента: US20190020171A1. Автор: Nitin Kumar Goel,Satyajeet Singh Ahuja. Владелец: Facebook Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

Thermal droop compensation in power amplifiers with field-effect transistors (fets)

Номер патента: US20240275339A1. Автор: John Bellantoni,Michael Simcoe,Michael Kevin O'Neal. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Power amplifiers with supply capacitor switching

Номер патента: US12095422B2. Автор: Netsanet GEBEYEHU,Weiya Gong,Shao-Min Hsu. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Gate driver for class d audio amplifier with adaptive dv/dt control

Номер патента: WO2006107815A3. Автор: Jun Honda. Владелец: Jun Honda. Дата публикации: 2007-12-13.

Gate driver for class d audio amplifier with adaptive dv/dt control

Номер патента: WO2006107815A2. Автор: Jun Honda. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2006-10-12.

Distributed amplifiers with controllable linearization

Номер патента: US20210257974A1. Автор: Jonathan Xiang Wu. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Power amplifier with decreased RF return current losses

Номер патента: US12009792B2. Автор: Yi Zhu,Iouri Volokhine,Vittorio Cuoco,Jos Van Der Zanden. Владелец: Samba Holdco Netherlands BV. Дата публикации: 2024-06-11.

Amplifier with adjustable gain

Номер патента: US09948244B1. Автор: Chih-Huang Lin. Владелец: Faraday Technology Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Method and system for a configurable low-noise amplifier with programmable band-selection filters

Номер патента: US09887719B2. Автор: Raja Pullela,Wenjian Chen,Vamsi Paidi. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Linear amplifier with extended linear output range

Номер патента: US09882532B1. Автор: Subramaniam Shankar,Carl Pobanz,Ariel Leonardo Vera Villarroel,Steffen O. Nielsen. Владелец: Inphi Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Quasi-differential RF power amplifier with high level of harmonics rejection

Номер патента: US09866196B2. Автор: Oleksandr Gorbachov. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Chopper stabilized amplifier with synchronous switched capacitor noise filtering

Номер патента: US09473074B1. Автор: Eric Blom. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2016-10-18.

Optical amplifier with self-adjusting gain based on reflected feedback

Номер патента: US09419408B2. Автор: Venkatesh G. Mutalik,Kevin Orazietti. Владелец: ARRIS Enterprises LLC. Дата публикации: 2016-08-16.

Method and system for a configurable low-noise amplifier with programmable band-selection filters

Номер патента: US09312821B2. Автор: Raja Pullela,Wenjian Chen,Vamsi Paidi. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2016-04-12.

Field transistors for electrostatic discharge protection and methods for fabricating the same

Номер патента: US20020113269A1. Автор: Jong-Hwan Kim,Taeg-Hyun Kang,Jun-Hyeong Ryu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-22.

Cascode amplifier with an improved biasing arrangement

Номер патента: US4587495A. Автор: Michitaka Osawa,Kunio Ando,Hitoshi Maekawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1986-05-06.

Output transistor protection circuit in a power amplifier with collector power dissipation limitation

Номер патента: US4530026A. Автор: Masao Noro. Владелец: Nippon Gakki Co Ltd. Дата публикации: 1985-07-16.

Amplifier with improved linearity

Номер патента: US20180083575A1. Автор: Baker Scott,Marcus Granger-Jones,Dirk Robert Walter Leipold,George Maxim,Kelvin Kai Tuan Yan. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

Variable gain amplifier with temperature compensated gain

Номер патента: EP4385127A1. Автор: John R. Francis. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Power gating dummy power transistors for back side power delivery networks

Номер патента: WO2024068454A1. Автор: Tao Li,Kangguo Cheng,Ruilong Xie. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2024-04-04.

Wiring structure of transistor for driving a display panel and a display driver ic including the same

Номер патента: US20240194693A1. Автор: Cheongsik YU. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Variable gain amplifier with temperature compensated gain

Номер патента: US12028025B2. Автор: John R. Francis. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Analogue amplifier with multiplexing capability

Номер патента: US20040150469A1. Автор: Javier Arguelles. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-08-05.

Switching audio power amplifier with de-noise function

Номер патента: US20090015327A1. Автор: Po-Yu Li,Kuo-Hung Wu. Владелец: Himax Analogic Inc. Дата публикации: 2009-01-15.

Amplifier with integrated filter

Номер патента: EP2122826A1. Автор: Gurkanwal Singh Sahota,Tae Wook Kim,Kenneth Charles Barnett,Guy Klemens,Susanta Sengupta. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2009-11-25.

Power amplifier with clamp and feedback protection circuitry

Номер патента: US20230253930A1. Автор: Hui Liu,Baker Scott,George Maxim,Sukchan Kang,Chong Woo. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Chopper amplifiers with multiple sensing points for correcting input offset

Номер патента: US20210367569A1. Автор: Yoshinori Kusuda. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Electronic amplifier with signal gain dependent bias

Номер патента: US7282996B2. Автор: Frank J. DeMonte. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-10-16.

Doherty power amplifiers with coupled line combiners

Номер патента: US20210273612A1. Автор: John William Mitchell Rogers,Brendan J. Korba,Hassan SARBISHAEI. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Power amplifiers with broadband matching networks

Номер патента: US20230299729A1. Автор: Haibo CAO,Kun Chen,Aleksey A. LYALIN,Yu-Jui LIN,Taesong HWANG,Min-Chung Vincent Ho. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Audio amplifier with duty ratio control

Номер патента: US12088267B2. Автор: Che-Wei Hsu,Wun-Long Yu. Владелец: Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Single-ended amplifier with bias stabilization

Номер патента: EP4409742A1. Автор: Duy Nguyen,Stefano D'Agostino,Trong Phan,Ray MORONEY. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Amplifier with enhanced slew rate

Номер патента: US12107549B2. Автор: Jia-Hui Wang,Yi-Lun Chiang. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Amplifier with stacked transconducting cells in parallel and/or cascade “current mode” combining

Номер патента: US12113486B2. Автор: Brian K. Kormanyos,Chris M. Thomas. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-10-08.

Cmos amplifier with integrated tunable band-pass function

Номер патента: EP2301151A1. Автор: Xiaoyuan Xu,Xiaodan Zou,Yong Lian,Libin Yao. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2011-03-30.

Power amplifier with bias adjustment circuit

Номер патента: US09893686B2. Автор: David Steven Ripley. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Cascode power amplifier with voltage limiter

Номер патента: US09673853B2. Автор: Gregory A. Blum. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Amplifiers with noise splitting

Номер патента: US09543903B2. Автор: Rui Xu,Li-Chung Chang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Amplifier with distortion correction of output cascade

Номер патента: RU2689817C1. Автор: Игорь Алексеевич Шуков. Владелец: Игорь Алексеевич Шуков. Дата публикации: 2019-05-29.

Radio frequency power amplifier with harmonic suppression

Номер патента: US11764739B2. Автор: Qiang Su,Zhenfei PENG. Владелец: Smarter Microelectronics Guangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

High frequency amplifier with phase compensation

Номер патента: CA1199378A. Автор: Paul Bura. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1986-01-14.

High fidelity regenerative amplifier with phase correction circuit

Номер патента: CA2005228C. Автор: Saburoh Ohkuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 1993-12-07.

Amplifying with directly coupled, cascaded amplifiers

Номер патента: CA2024850C. Автор: Lars P. Allfather. Владелец: Doble Engineering Co. Дата публикации: 1999-11-09.

Differential amplifier with common-mode bias feedback

Номер патента: US4904953A. Автор: Gary D. McCormack. Владелец: Triquint Semiconductor Inc. Дата публикации: 1990-02-27.

Differential operational amplifier with common mode feedback

Номер патента: CA1206217A. Автор: Yusuf A. Haque,Erwin Ofner. Владелец: American Microsystems Holding Corp. Дата публикации: 1986-06-17.

Charge sensitive amplifier with high common mode signal rejection

Номер патента: CA2244720C. Автор: Richard E. Colbeth,Martin Mallinson,Max J. Allen. Владелец: Varian Medical Systems Inc. Дата публикации: 2002-01-22.

Car amplifier with optional plug-in modules

Номер патента: US5285500A. Автор: Stephen Mantz. Владелец: Audio Products Inc. Дата публикации: 1994-02-08.

Power amplifier with multiple power supplies

Номер патента: US20020030543A1. Автор: Bob May,John French. Владелец: Indigo Manufacturing Inc. Дата публикации: 2002-03-14.

Differential amplifier with improved voltage gain

Номер патента: US5812026A. Автор: Alexander Fairgrieve. Владелец: Elantec Inc. Дата публикации: 1998-09-22.

CMOS operational amplifier with improved common-mode rejection

Номер патента: US4656437A. Автор: Veikko R. Saari. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1987-04-07.

Optical amplifier with reduced nonlinearity

Номер патента: US5017885A. Автор: Adel A. M. Saleh. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1991-05-21.

Transistor amplifier with over-current prevention circuitry

Номер патента: GB1537484A. Автор: . Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1978-12-29.

Radio frequency amplifiers with capacitance neutralization

Номер патента: US20240097624A1. Автор: Yan Yan,Bumkyum KIM,Junhyung Lee. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Optical device with semiconductor optical amplifier with automatic current supply control

Номер патента: US20160226219A1. Автор: Christophe Caillaud,Jean-Yves Dupuy. Владелец: Alcatel Lucent SAS. Дата публикации: 2016-08-04.

Image sensor amplifiers with reduced inter-circulation currents

Номер патента: US20220103776A1. Автор: Anilkumar Prathipati. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2022-03-31.

Push-pull amplifier with transformational negative feedback

Номер патента: US7432764B2. Автор: Ralph Oppelt. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2008-10-07.

Multi-core digital power amplifier with unbalanced combiner

Номер патента: US20220416736A1. Автор: Ofir Degani,Assaf Ben-Bassat,Anna NAZIMOV,Naor Shay,David Ben-Haim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Extended operational bandwidth amplifiers with fractional instantaneous bandwidth feed forward correction

Номер патента: AU2019275570B2. Автор: Rodney W. Hagen. Владелец: Motorola Solutions Inc. Дата публикации: 2020-10-08.

Amplifier with improved return loss and mismatch over gain modes

Номер патента: GB2605900A. Автор: Lee Junhyung. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2022-10-19.

N-way rf power amplifier with increased backoff power and power added efficiency

Номер патента: EP1470636A1. Автор: Raymond Sydney Pengelly. Владелец: Cree Microwave LLC. Дата публикации: 2004-10-27.

Extended operational bandwidth amplifiers with fractional instantaneous bandwidth feed forward correction

Номер патента: AU2019275570A1. Автор: Rodney W. Hagen. Владелец: Motorola Solutions Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Distributed amplifier with improved stabilization

Номер патента: US20140320211A1. Автор: Keith Benson. Владелец: Hittite Microwave LLC. Дата публикации: 2014-10-30.

Differential amplifier with a plurality of input pairs

Номер патента: US20080150636A1. Автор: Shang-Hsiu Wu. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2008-06-26.

N-way rf power amplifier with increased backoff power and power added efficiency

Номер патента: EP1470636A4. Автор: Raymond Sydney Pengelly. Владелец: Cree Microwave LLC. Дата публикации: 2005-05-04.

N-way rf power amplifier with increased backoff power and power added efficiency

Номер патента: EP1470636B1. Автор: Raymond Sydney Pengelly. Владелец: Cree Microwave LLC. Дата публикации: 2009-08-26.

Transistor for emitting laser with a fixed frequency

Номер патента: US11749965B2. Автор: Shu-Wei Chang,Chao-Hsin Wu,Chien-Ting Tung. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2023-09-05.

Pull-push amplifier with inductive inphase decoupling

Номер патента: RU2538320C2. Автор: Оливер ХАЙД. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2015-01-10.

Sense amplifier with tri-state bus line capabilities

Номер патента: CA1044334A. Автор: Ury Priel. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1978-12-12.

Switched mode vertical amplifier with elimination of feedback ringing

Номер патента: CA1093683A. Автор: Peter E. Haferl. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1981-01-13.

Amplifier with cross-over current control

Номер патента: CA1147405A. Автор: Adel A. A. Ahmed. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1983-05-31.

Low noise logic amplifier with nondifferential to differential conversion

Номер патента: US5343094A. Автор: Thai M. Nguyen. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1994-08-30.

Differential amplifier with current steering to enhance slew rate

Номер патента: CA1257346A. Автор: Rudy J. VAN DE Plassche. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1989-07-11.

Amplifier with adaptive output allocation and method thereof

Номер патента: US5778307A. Автор: Brian J. Budnik. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-07-07.

Differential amplifier with common-mode rejection for low supply voltages

Номер патента: US5568091A. Автор: Johannes O. Voorman,Joao N. V. L. Ramalho. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1996-10-22.

An RF composite class AB CMOS push-pull amplifier with good bandwidth and efficiency

Номер патента: GB2481069A. Автор: Martin Wilson. Владелец: Nujira Ltd. Дата публикации: 2011-12-14.

Amplifier with continuous gain control

Номер патента: WO2021015618A2. Автор: Michiel Antonius Petrus Pertijs,Euchul KANG. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2021-01-28.

Power amplifier with low noise figure and voltage variable gain

Номер патента: WO2011131625A1. Автор: Pascal Roux,Muriel Gohn,Yves Baeyens. Владелец: ALCATEL LUCENT. Дата публикации: 2011-10-27.

Slab laser amplifier with parasitic oscillation suppression

Номер патента: WO2006065982A2. Автор: Xinbing Liu,Craig First. Владелец: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.. Дата публикации: 2006-06-22.

Class-d amplifier with nested feedback loops

Номер патента: US20240088843A1. Автор: Anders Lind. Владелец: QSC LLC. Дата публикации: 2024-03-14.

Transimpedance amplifier with bandwidth extender

Номер патента: US20180351519A1. Автор: Michael P. Khaw. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2018-12-06.

Power amplifiers with supply capacitor switching

Номер патента: US20220014152A1. Автор: Netsanet GEBEYEHU,Weiya Gong,Shao-Min Hsu. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Chopper stabilized amplifier with synchronous switched capacitor noise filtering

Номер патента: US9698741B2. Автор: Eric Blom. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2017-07-04.

Chopper Stabilized Amplifier With Synchronous Switched Capacitor Noise Filtering

Номер патента: US20170077881A1. Автор: Eric Blom. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2017-03-16.

Non-inverting feedback amplifier with high disabled impedance

Номер патента: US6307432B1. Автор: Kimo Y. F. Tam,Kenneth A. Lawas. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2001-10-23.

Ping-pong auto-zero amplifier with glitch reduction

Номер патента: EP1992067A1. Автор: Mark R. Larson. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2008-11-19.

Slab laser amplifier with parasitic oscillation suppression

Номер патента: WO2006065982A3. Автор: Xinbing Liu,Craig First. Владелец: Craig First. Дата публикации: 2007-08-09.

Chopper amplifiers with low intermodulation distortion

Номер патента: US11973476B2. Автор: Kofi A. A. Makinwa,Johan H. Huijsing,Casper Thije Rooijers. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2024-04-30.

Class-D amplifier with nested feedback loops

Номер патента: US11784615B2. Автор: Anders Lind. Владелец: QSC LLC. Дата публикации: 2023-10-10.

Small signal amplifier with large signal output boost stage

Номер патента: EP1955437A1. Автор: Paul A. Brokaw. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2008-08-13.

Extended operational bandwidth amplifiers with fractional instantaneous bandwidth feed forward correction

Номер патента: GB2581010A. Автор: W Hagen Rodney. Владелец: Motorola Solutions Inc. Дата публикации: 2020-08-05.

Power amplifier with feedback ballast resistance

Номер патента: US20230246599A1. Автор: Baker Scott,George Maxim,Chong Woo. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2023-08-03.

Amplifier with a converting circuit with reduced intrinsic time constant

Номер патента: WO2020259804A1. Автор: Luca PIAZZON. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-12-30.

Dual-mode power amplifier with switchable working power and mode switch method

Номер патента: US12003221B2. Автор: Xiumei Cao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-04.

Controllable rf broadband amplifier with a constant input impedance

Номер патента: WO2004064250A1. Автор: Heinrich Schemmann,Sabine Roth,Mehmet Ipek. Владелец: THOMSON LICENSING S.A.. Дата публикации: 2004-07-29.

Power amplifier with linearization

Номер патента: WO2023121742A1. Автор: Chuanzhao Yu,Stefano Pellerano,Jongseok Park,LiChung Tony Chang. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2023-06-29.

Chopper amplifiers with low intermodulation distortion

Номер патента: WO2022048912A1. Автор: Kofi A. A. Makinwa,Johan H. Huijsing,Casper Thije Rooijers. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2022-03-10.

Power amplifier with feedback ballast resistance

Номер патента: EP4220954A1. Автор: Baker Scott,George Maxim,Chong Woo. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2023-08-02.

Amplifier with an at least second order filter in the control loop

Номер патента: US20200382084A1. Автор: Lars Risbo,Bruno PUTZEYS. Владелец: Purifi APS. Дата публикации: 2020-12-03.

An amplifier with an at least second order filter in the control loop

Номер патента: EP3721555A1. Автор: Lars Risbo,Bruno PUTZEYS. Владелец: Purifi APS. Дата публикации: 2020-10-14.

Dual band power amplifier with improved isolation

Номер патента: US20040155706A1. Автор: Xinjian Zhao,Thomas Winslow. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-12.

Additional honeycomb amplifier with small operating range

Номер патента: RU2387075C2. Автор: Бехзад МОХЕББИ. Владелец: Бехзад МОХЕББИ. Дата публикации: 2010-04-20.

Wideband amplifier with active high-frequency compensation

Номер патента: CA1252526A. Автор: James Woo. Владелец: Tektronix Inc. Дата публикации: 1989-04-11.

Amplifier with dynamic rail control drive circuit

Номер патента: US6816007B1. Автор: Joseph Y. Sahyoun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-09.

Audio amplifier with phase modulated pulse width modulation

Номер патента: CA2009775C. Автор: Brian E. Attwood,Larry E. Hand,Lee C. Santillano. Владелец: Peavey Electronics Corp. Дата публикации: 1994-12-06.

Operational amplifier with increased settling speed

Номер патента: CA1143018A. Автор: Veikko R. Saari. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1983-03-15.

Amplifier with muting circuit

Номер патента: CA1085004A. Автор: Tadao Yoshida. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1980-09-02.

Limiting amplifier with a power detection circuit

Номер патента: US20030234675A1. Автор: Hiroyuki Yamada,Shigeyuki Tamura. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-25.

Amplifier with modulated resistor gain control

Номер патента: CA1295380C. Автор: Robert Evan Myer. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1992-02-04.

Efficient power amplifier with staggered power supply voltages

Номер патента: CA1149891A. Автор: Richard A. Sunderland. Владелец: Tektronix Inc. Дата публикации: 1983-07-12.

Modular amplifier with discrete power reduction switching

Номер патента: CA1139379A. Автор: William E. Jones. Владелец: Hazeltine Corp. Дата публикации: 1983-01-11.

Alternating current amplifier with digitally controlled frequency response

Номер патента: CA1307328C. Автор: Robert M. Henderon,Leslie L. Szepesi. Владелец: John Fluke Manufacturing Co Inc. Дата публикации: 1992-09-08.

Dual polarity power amplifier with nonlinear supply modulation

Номер патента: WO2024008306A1. Автор: Henrik Sjöland,Christian Elgaard. Владелец: Telefonaktiebolaget lM Ericsson (publ). Дата публикации: 2024-01-11.

Radio frequency amplifier with constant gain setting

Номер патента: US20090134942A1. Автор: Yuyu Chang. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2009-05-28.

Amplifiers with boosted or deboosted source degeneration inductance

Номер патента: WO2014165480A1. Автор: Rui Xu,Li-Chung Chang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-10-09.

Class ab amplifier with resistive level-shifting circuitry

Номер патента: EP2380277A1. Автор: Cheng-han WANG,Roger Brockenbrough,Tzu-Wang Pan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-10-26.

Superconducting output amplifiers with interstage filters

Номер патента: EP4315610A1. Автор: Jonathan D. Egan,Derek Leslie Knee. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-02-07.

Class ab amplifier with resistive level-shifting circuitry

Номер патента: WO2010071876A1. Автор: Cheng-han WANG,Roger Brockenbrough,Tzu-Wang Pan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-06-24.

Differential amplifier with large input common mode signal range

Номер патента: US20050195032A1. Автор: Hongwei Wang,Ardie Venes. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2005-09-08.

Doherty power amplifiers with controllable capacitor for tuning harmonic termination and inverter

Номер патента: US20240146250A1. Автор: Philip John Lehtola. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Amplifier with voltage and current feedback error correction

Номер патента: US20140070886A1. Автор: Derek Bowers. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2014-03-13.

Differential amplifier with gain substantially independent of temperature

Номер патента: EP1254511A1. Автор: Denis Flandre,Vincent Dessard. Владелец: Universite Catholique de Louvain UCL. Дата публикации: 2002-11-06.

Electronic amplifier with signal gain dependent bias

Номер патента: US20060232339A1. Автор: Frank DeMonte. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-19.

Power amplifier with analog predistortion

Номер патента: WO2023150539A1. Автор: Baker Scott,George Maxim,Christopher T. Brown,Stephen James Franck. Владелец: QORVO US, INC.. Дата публикации: 2023-08-10.

Amplifiers with configurable mutually-coupled source degeneration inductors

Номер патента: EP3028381A1. Автор: ZHANG Jin,Li-Chung Chang,Ahmed A Youssef. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-06-08.

Amplifiers with configurable mutually-coupled source degeneration inductors

Номер патента: WO2015017487A1. Автор: ZHANG Jin,Li-Chung Chang,Ahmed A Youssef. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-02-05.

A high-output-power RF power amplifier with enhanced stability

Номер патента: LU101197B1. Автор: Shaohua Zhou,Jianguo Ma. Владелец: Univ Tianjin. Дата публикации: 2019-08-26.

Amplifier with start-up common mode feedback

Номер патента: US8319554B1. Автор: Abhijit Kumar Das. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-11-27.

Amplifiers with boosted or deboosted source degeneration inductance

Номер патента: EP2984752A1. Автор: Rui Xu,Li-Chung Chang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-02-17.

Amplifier with enhanced slew rate

Номер патента: US20230318530A1. Автор: Jia-Hui Wang,Yi-Lun Chiang. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Superconducting output amplifiers with interstage filters

Номер патента: WO2022203803A1. Автор: Jonathan D. Egan,Derek Leslie Knee. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2022-09-29.

Amplifiers with noise splitting

Номер патента: EP3790190A1. Автор: Rui Xu,Li-Chung Chang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-03-10.

Amplifiers with noise splitting

Номер патента: EP2909929A1. Автор: Rui Xu,Li-Chung Chang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-08-26.

Differential amplifier with large input common mode signal range

Номер патента: EP1354399A2. Автор: Ardie Venes,Hong Wei Wang. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2003-10-22.

Amplifier with high power supply noise rejection

Номер патента: US20130002359A1. Автор: Vijayakumar Dhanasekaran. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-01-03.

Amplifier with high power supply noise rejection

Номер патента: EP2727240A1. Автор: Vijayakumar Dhanasekaran. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-05-07.

Thin film transistor for antistatic circuit

Номер патента: GB2309588A. Автор: Jae Goan Jeong,Gun Woo Park. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1997-07-30.

High voltage transistor for sub-micron CMOS processes

Номер патента: US5837571A. Автор: Vijay Pathak. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1998-11-17.

Single-crystal transistors for memory devices

Номер патента: US11862668B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Masihhur R. Laskar,Nicholas R. Tapias,Darwin Franseda Fan,Manuj Nahar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Transistor for a semiconductor device and method for fabricating same

Номер патента: US20010015467A1. Автор: Tae Huh,Joong Shin. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-23.

Power gating dummy power transistors for back side power delivery networks

Номер патента: US20240113125A1. Автор: Tao Li,Kangguo Cheng,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Junction field effect transistor for voltage protection

Номер патента: WO2012036815A1. Автор: Derek F. Bowers,Eric Modica,Edward J. Coyne. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2012-03-22.

Junction field effect transistor for voltage protection

Номер патента: US20120063049A1. Автор: Derek F. Bowers,Eric Modica,Edward J. Coyne. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2012-03-15.

Self-aligned vertical pnp transistor for high performance sige cbicmos process

Номер патента: SG153807A1. Автор: Zhang Shaoqiang,PURAKH Raj Verma,Sanford Chu. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-07-29.

Trench capacitor dram cell with vertical transistor

Номер патента: WO2000067326A1. Автор: Lothar Risch,Matthias Ilg,Gerhard Enders,Dietrich Widmann. Владелец: Widmann, Helga. Дата публикации: 2000-11-09.

Trench capacitor dram cell with vertical transistor

Номер патента: EP1186043A1. Автор: Lothar Risch,Matthias Ilg,Gerhard Enders,Helga Widmann. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2002-03-13.

Semiconductor device structure with vertical transistor over underground bit line

Номер патента: US20240145536A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory device with vertical transistor and trench capacitor and fabrication method thereof

Номер патента: TW200629527A. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-08-16.

Method of making a dram storage cell with vertical transistor

Номер патента: HK1003545A1. Автор: Franz Hofmann,Wolfgang Krautschneider,Lothar Risch,Wolfgang Rosner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1998-10-30.

Semiconductor device with vertical transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: KR100910228B1. Автор: 선우경. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-07-31.

Devices and methods for dram leakage reduction

Номер патента: US20240049443A1. Автор: Yan Zhang,Armin Saeedi Vahdat,John Hautala,Johannes M. van Meer. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Vertically stacked storage nodes and access devices with vertical access lines

Номер патента: US20240064956A1. Автор: Haitao Liu,Kamal M. Karda,Si-Woo Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Integrated current mirror circuit with vertical transistors.

Номер патента: DE68912415D1. Автор: Pieter Buitendijk. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1994-03-03.

Design assisted verification for DRAM and 3D NAND devices

Номер патента: CN114223017A. Автор: 李晓春,李胡成,S·S·帕克,俊青·珍妮·黄. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2022-03-22.

Time-of-flight pixel with vertical photogates

Номер патента: EP4158381A1. Автор: Minseok Oh. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-04-05.

Dual display device with vertical structure

Номер патента: US09299758B2. Автор: Sang Hee Park,Chi Sun Hwang. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2016-03-29.

Semiconductor Device for DRAM and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: KR20220153483A. Автор: 박인성,박영욱,김선용. Владелец: 박영욱. Дата публикации: 2022-11-18.

Self-registered capacitor bottom plate local interconnect scheme for dram

Номер патента: GB9422069D0. Автор: . Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 1994-12-21.

Local connection structure and method of bottom of self storage capacitor for DRAM

Номер патента: KR960019719A. Автор: 민 리앙 첸,난 흐시웅 차이. Владелец: 후 홍치우. Дата публикации: 1996-06-17.

Single polysilicon process for dram

Номер патента: US20040121533A1. Автор: Chen-Yong Lin,Jenn-Ming Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-06-24.

Method for producing trenches for DRAM cell configurations

Номер патента: US20010034112A1. Автор: Uwe Rudolph,Maik Stegemann,Lothar Brencher. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-25.

Single poly-si process for DRAM by deep N-well (NW) plate

Номер патента: US7030440B2. Автор: Jenn-Ming Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-04-18.

Method of manufacture of coaxial capacitor for dram memory cell and cell manufactured thereby

Номер патента: US5550076A. Автор: Chung-Zen Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 1996-08-27.

Semiconductor device with vertical transistor and buried word line

Номер патента: TW410463B. Автор: Johann Alsmeier,Thomas S Rupp. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2000-11-01.

Semiconductor device with vertical transistor and buried word line

Номер патента: EP0948053A3. Автор: Johann Alsmeier,Thomas Rupp. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2003-08-13.

Layout and wiring scheme for memory cells with vertical transistors

Номер патента: EP1186045B1. Автор: Roland Radius. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2012-07-11.

Building structure with vertical walls containing thermoplastic polymer

Номер патента: RU2507347C2. Автор: Анджело МОЛЬФЕТТА. Владелец: Ауреа С.Р.Л.. Дата публикации: 2014-02-20.

Wind turbine with vertical axle (versions)

Номер патента: RU2322610C2. Автор: Ричард КОХРАН. Владелец: Квайэт Револьюшн Лимитед. Дата публикации: 2008-04-20.

Wind-energetic plant with vertical axis

Номер патента: RU2329398C2. Автор: Масахико СУЗУКИ. Владелец: КАБУСИКИ КАЙСЯ ЭфДжейСи. Дата публикации: 2008-07-20.

Multi-diameter rebar brace with vertical rebar positioner and system for rebar securement

Номер патента: WO2024081855A1. Автор: Dwight J. LAMM. Владелец: Step Ahead Tools, LLC. Дата публикации: 2024-04-18.

Windmill with vertical rotation axle

Номер патента: RU2246635C1. Автор: А.Н. Бутаков. Владелец: Бутаков Александр Николаевич. Дата публикации: 2005-02-20.

Rotorcraft with vertical takeoff

Номер патента: RU2563921C1. Автор: Андрей Зелимханович Парастаев. Владелец: Андрей Зелимханович Парастаев. Дата публикации: 2015-09-27.

Hammer grain grinder with vertical rotor

Номер патента: RU2742509C1. Автор: Роман Викторович Бесполденов. Владелец: Роман Викторович Бесполденов. Дата публикации: 2021-02-08.

Turbo machine with vertical rotor

Номер патента: RU2566869C2. Автор: Фредерик БАТЛЛЬ. Владелец: Турбомека. Дата публикации: 2015-10-27.

Personal flight apparatus with vertical take-off and landing

Номер патента: CA3138750A1. Автор: Răzvan SABIE. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-10-24.

Personal flight apparatus with vertical take-off and landing

Номер патента: EP3781479A1. Автор: Răzvan SABIE. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-02-24.

Box-shaped air intake silencer with vertical baffles for gas turbine system

Номер патента: US20230184164A1. Автор: Balakrishnan Ponnuraj,Quoc Hoai Nguyen,Ravinder Yerram. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-06-15.

Bag packaging machine with vertical intermittent operation

Номер патента: WO2007091284A1. Автор: Roberto Talacci. Владелец: Perfect Pack S.R.L.. Дата публикации: 2007-08-16.

Power plant with vertical axis wind turbines

Номер патента: WO2024184746A1. Автор: Laurent JOSPIN. Владелец: Energypier Ag. Дата публикации: 2024-09-12.

Aircraft with vertical takeoff and landing and its operating process

Номер патента: WO2017105266A1. Автор: SABIE Razvan. Владелец: IOSIF, Tăposu. Дата публикации: 2017-06-22.

Downwardly and rearwardly directed air stream for harvester with vertically offset accelerator rolls

Номер патента: CA1245529A. Автор: Michael L. Huhman. Владелец: Deutz Allis Corp. Дата публикации: 1988-11-29.

Ship with vertical draught system

Номер патента: WO2013164339A1. Автор: Juan Fernando BARREIROS FORMOSO. Владелец: Ocean Shift, S.L.. Дата публикации: 2013-11-07.

Box-shaped air intake silencer with vertical baffles for gas turbine system

Номер патента: US11815018B2. Автор: Balakrishnan Ponnuraj,Quoc Hoai Nguyen,Ravinder Yerram. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-11-14.

Ship with vertical draught system

Номер патента: EP2844541A1. Автор: Juan Fernando BARREIROS FORMOSO. Владелец: Ocean Shift S L. Дата публикации: 2015-03-11.

Bag packaging machine with vertical intermittent operation

Номер патента: EP1989039A1. Автор: Roberto Talacci. Владелец: Perfect Pack Srl. Дата публикации: 2008-11-12.

Packaging machine with vertical forming tube

Номер патента: EP1404577A1. Автор: Gino Rapparini. Владелец: Ica Spa. Дата публикации: 2004-04-07.

Packaging machine with vertical forming tube

Номер патента: WO2003006317A1. Автор: Gino Rapparini. Владелец: Ica Spa. Дата публикации: 2003-01-23.

Packaging machine with vertical forming tube

Номер патента: EP1404577B1. Автор: Gino Rapparini. Владелец: Ica Spa. Дата публикации: 2004-10-27.

Escalator System with Vertical Step Risers and Step-Mounted Angled Side Flanges

Номер патента: US20190202668A1. Автор: Frank Mario Sansevero. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-07-04.

Transmission system for rotors of wind driven electric generators with vertical axis

Номер патента: US20160252077A1. Автор: Orlando Lozzi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-01.

Wheelchair with vertical seat installation

Номер патента: RU2387435C2. Автор: Хайнрих ПЕРК. Владелец: ОТТО БОК ХЕЛСКЕА АйПи ГМБХ ЭНД КО. КГ. Дата публикации: 2010-04-27.

Wind turbine with vertical axis and wind power plant

Номер патента: CA2704146C. Автор: Viktor Gyoergyi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-05-24.

Multiple machine for row-cropping with vertically operating axes

Номер патента: CA1145606A. Автор: Paolo Barato. Владелец: Individual. Дата публикации: 1983-05-03.

Furniture with vertical base displacement

Номер патента: EP4349223A1. Автор: José Luis Casielles López. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-04-10.

Asymmetric MIM Capacitor for DRAM Devices

Номер патента: US20130093051A1. Автор: Hiroyuki Ode,Hanhong Chen. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-04-18.

Method of manufacturing semiconductor device with vertical transistor

Номер патента: KR101061174B1. Автор: 김은정,안상태,전승준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-09-01.

Non-volatile memory devices with vertically integrated capacitor electrodes

Номер патента: US09659954B2. Автор: Hyun-Suk Kim,Kee-jeong Rho,Joon-Hee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Dram 셀용 기억 캐패시터 제조방법(process for producing storage capacitors for dram cells)

Номер патента: KR950702748A. Автор: 볼프강 뢰스너. Владелец: 발도르프, 옴케. Дата публикации: 1995-07-29.

Integrated voltage regulator circuit with vertical transistor

Номер патента: US5909110A. Автор: Han-Tzong Yuan,Albert H. Taddiken,Donald L. Plumton,Jau-Yuann Yang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1999-06-01.

A kind of verification method for dram controller

Номер патента: CN106383762B. Автор: 罗军. Владелец: Xian Unilc Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-15.

Memory controller to process requests for dram, control method for memory controller, and storage medium

Номер патента: US20220350735A1. Автор: Motohisa Ito,Daisuke Shiraishi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Page stream sorter for DRAM systems

Номер патента: US7376803B1. Автор: Roger E. Eckert. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2008-05-20.

Computer system with power management scheme for dram devices

Номер патента: EP1135721A1. Автор: Michael W. Williams,Samuel D. Benn. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2001-09-26.

Computer system with power management scheme for dram devices

Номер патента: EP1135721A4. Автор: Michael W Williams,Samuel D Benn. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-05-14.

Hinge assembly with vertical torque engine

Номер патента: US20200183463A1. Автор: Kuan-Ting Wu,Wei-Chung Chen,Chung-Hua Ku. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2020-06-11.

Systems and methods for 3-axis accelerometer calibration with vertical sample buffers

Номер патента: US09459277B2. Автор: Peter Hergesheimer,Alexandre Dlagnekov,Todd Sprague. Владелец: CALAMP CORP. Дата публикации: 2016-10-04.

Computing system with vertical clock delivery architecture

Номер патента: US20240353905A1. Автор: Jin Zhao,William Chang,Timothy Fischer,Raghuvir RAMACHANDRAN,Shishuang Sun. Владелец: Tesla Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Portable computer with vertically positionable keyboard

Номер патента: US6064564A. Автор: Sung-Ming Song,Ping-Huang Kuo. Владелец: Compaq Computer Corp. Дата публикации: 2000-05-16.

Vertical transistor for resistive memory

Номер патента: US09559297B2. Автор: Philippe Boivin,Julien Delalleau. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-01-31.

VERTICAL OVERFLOW DRAIN COMBINED WITH VERTICAL TRANSISTOR

Номер патента: US20190355778A1. Автор: Chen Gang,Mao Duli,Grant Lindsay,Zheng Yuanwei,Tai Dyson. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-21.

Self-registered capacitor bottom plate local interconnect scheme for dram

Номер патента: GB2294807B. Автор: Min-Liang Chen,Nan-Hsiung Tsai. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 1998-10-21.

Molybdenum Oxide Top Electrode for DRAM Capacitors

Номер патента: US20130056851A1. Автор: Hiroyuki Ode,Hanhong Chen,Wim Y. Deweerd. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-03-07.

Molybdenum oxide top electrode for dram capacitors

Номер патента: US20120322221A1. Автор: Hiroyuki Ode,Hanhong Chen,Wim Deweerd. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-12-20.

High performance 3D vertical transistor device enhancement design

Номер патента: US12087817B2. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Vertical deflection with vertical shrink mode.

Номер патента: MY111024A. Автор: Albert Wilber James. Владелец: Thomson Consumer Electronics Inc. Дата публикации: 1999-07-31.

High Temperature ALD Process for Metal Oxide for DRAM Applications

Номер патента: US20140077337A1. Автор: Hiroyuki Ode,Sandra Malhotra,Hanhong Chen,Edward Haywood. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-03-20.

Doped electrode for dram applications

Номер патента: US20130052791A1. Автор: Hiroyuki Ode,Xiangxin Rui. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-02-28.

Vertical memory devices with vertical isolation structures and methods of fabricating the same

Номер патента: US09905572B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Storage capacitor for DRAM memory cell

Номер патента: US5867362A. Автор: Anchor Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-02-02.

Method and resulting structure for dram cell and peripheral transistor

Номер патента: US20080138947A1. Автор: Hae Wang Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2008-06-12.

Stacked vertical transistor memory cell

Номер патента: WO2021094856A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Heng Wu. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-05-20.

Stacked vertical transistor memory cell

Номер патента: GB2604510A. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Zhang Chen,Wu Heng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-09-07.

Doped electrodes for dram applications

Номер патента: US20130270673A1. Автор: Hiroyuki Ode,Xiangxin Rui. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-10-17.

Doped Electrode for DRAM Capacitor Stack

Номер патента: US20160099303A1. Автор: Prashant B. Phatak. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2016-04-07.

Nonlinear gate vertical transistor

Номер патента: EP4391073A1. Автор: Chih-Wei Hsu,Deepak Chandra Pandey. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-06-26.

Nonlinear gate vertical transistor

Номер патента: EP4391075A3. Автор: Chih-Wei Hsu,Deepak Chandra Pandey. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-07-17.

Vertical transistor with extended drain region

Номер патента: US20200135916A1. Автор: Saumitra Raj Mehrotra,Bernhard Grote,Ljubo Radic. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Esd protection device with vertical transistor structure

Номер патента: US20120018778A1. Автор: Kun-Hsien LIN,Ryan Hsin-Chin Jiang,Zi-Ping Chen. Владелец: Amazing Microelectronic Corp. Дата публикации: 2012-01-26.

Semiconductor Device with Vertical Transistor Channels and a Compensation Structure

Номер патента: US20150008517A1. Автор: Mauder Anton,Wahl Uwe,Weis Rolf,Kowalik-Seidl Katarzyna. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-08.

PROGRAMMABLE DEVICE COMPATIBLE WITH VERTICAL TRANSISTOR FLOW

Номер патента: US20190189625A1. Автор: Cheng Kangguo,Wang Geng,Li Juntao,Zhang Qintao. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

HIGH-DENSITY FIELD-ENHANCED ReRAM INTEGRATED WITH VERTICAL TRANSISTORS

Номер патента: US20190198572A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

HIGH-DENSITY FIELD-ENHANCED ReRAM INTEGRATED WITH VERTICAL TRANSISTORS

Номер патента: US20200203428A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

ONE-TIME PROGRAMMABLE DEVICE COMPATIBLE WITH VERTICAL TRANSISTOR PROCESSING

Номер патента: US20200365607A1. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Park Chanro,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor device with vertical transistor and buried word line

Номер патента: KR100643425B1. Автор: 토마스에스. 루프,요한 알스마이어. Владелец: 지멘스 악티엔게젤샤프트. Дата публикации: 2006-11-13.

Method of manufacturing semiconductor device with vertical transistor

Номер патента: KR100905789B1. Автор: 박형순,신종한,박점용,김성준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-07-02.

Bimodal ESD Protection for DRAM Power Supplies and SCRs for DRAMs and Logic Circuits

Номер патента: KR970024166A. Автор: 샤바카 더버리,마이클 디. 샤인. Владелец: 윌리엄 이. 힐러. Дата публикации: 1997-05-30.

Semiconductor device with vertical transistor and method for fabricating the same

Номер патента: KR101075492B1. Автор: 신종한. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-10-21.

Semiconductor device with vertical transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: KR100881392B1. Автор: 선우경. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-02-05.

Method of making a self-aligning, planar, monolithic integrated circuit with vertical transistors

Номер патента: DE69216304D1. Автор: Amolak R Ramde. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1997-02-13.

Semiconductor device with vertical transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: KR100967678B1. Автор: 김용택. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-07-07.

Semiconductor device with vertical transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20100237405A1. Автор: Jong-Han Shin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-09-23.

High-performance trench capacitors for dram cells

Номер патента: CA1244143A. Автор: William T Lynch,Joseph Lebowitz. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1988-11-01.

Esd protection device with vertical transistor structure

Номер патента: TWI427765B. Автор: Ryan Hsin Chin Jiang,Kun Hsien Lin,Zi Ping Chen. Владелец: Amazing Microelectronic Corp. Дата публикации: 2014-02-21.

SRAM cell manufacturing method with vertical transistor

Номер патента: KR970008618A. Автор: 신헌종. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-02-24.

Dram cells with vertical transistors

Номер патента: US20090096000A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-04-16.

Method for fabricating semiconductor device with vertical transistor structure

Номер патента: US9012303B2. Автор: Ying-Cheng Chuang,Shyam Surthi,Sheng-Wei Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2015-04-21.

DRAM cells with vertical transistors

Номер патента: US20060046407A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-02.

Top Electrode Templating for DRAM Capacitor

Номер патента: US20130119512A1. Автор: Hiroyuki Ode,Sandra G. Malhotra,Hanhong Chen,Wim Y. Deweerd. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-05-16.

Vertical transistor with enhanced drive current

Номер патента: US20180342617A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-29.

Low inductance power module with vertical power loop structure and insulated baseplates

Номер патента: US20240032261A1. Автор: JIN Wang,Xintong Lyu. Владелец: Ohio State Innovation Foundation. Дата публикации: 2024-01-25.

Segmented pillar layout for a high-voltage vertical transistor

Номер патента: US7557406B2. Автор: Vijay Parthasarathy,Wayne Bryan Grabowski. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2009-07-07.

Segmented pillar layout for a high-voltage vertical transistor

Номер патента: US20090134457A1. Автор: Vijay Parthasarathy,Wayne Bryan Grabowski. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2009-05-28.

Method and structure for improving vertical transistor

Номер патента: US09935102B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Checkerboarded High-Voltage Vertical Transistor Layout

Номер патента: US20130234243A1. Автор: Vijay Parthasarathy,Sujit Banerjee,Martin H. Manley. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2013-09-12.

High performance 3d vertical transistor device enhancement design

Номер патента: US20220238652A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Vertical transistor having an asymmetric gate

Номер патента: WO2013054212A1. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Shu-Jen Han,Jun Yuan. Владелец: IBM Japan Limited. Дата публикации: 2013-04-18.

Continuous processing apparatus by plasma polymerization with vertical chamber

Номер патента: EP1404722A1. Автор: Young-Man Jeong,Sam-Chul Ha,Dong-Sik Youn,Seak-Je Jo. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2004-04-07.

Method of wafer-level hermetic packaging with vertical feedthroughs

Номер патента: EP3044162A1. Автор: Tayfun Akin,Said Emre ALPER,Mustafa Mert TORUNBALCI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-07-20.

Method of wafer-level hermetic packaging with vertical feedthroughs

Номер патента: US09556020B2. Автор: Tayfun Akin,Said Emre ALPER,Mustafa Mert TORUNBALCI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-31.

High-voltage vertical transistor with a multi-layered extended drain structure

Номер патента: US20030197220A1. Автор: Donald Disney. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2003-10-23.

Vertical transistor contact for cross-coupling in a memory cell

Номер патента: US20200161472A1. Автор: Brent A. Anderson,Terence B. Hook,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Low inductance power module with vertical power loop structure and insulated baseplates

Номер патента: US12004331B2. Автор: JIN Wang,Xintong Lyu. Владелец: Ohio State Innovation Foundation. Дата публикации: 2024-06-04.

Nonlinear Gate Vertical Transistor

Номер патента: US20240213318A1. Автор: Chih-Wei Hsu,Deepak Chandra Pandey. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-06-27.

Nonlinear Gate Vertical Transistor

Номер патента: US20240213365A1. Автор: Chih-Wei Hsu,Deepak Chandra Pandey. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-06-27.

Power-down protection circuit, electronic equipment and the method for DRAM data

Номер патента: CN109782888A. Автор: 郭聪聪,冼启源,张成亚. Владелец: Tianjin Comba Telecom Systems Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-21.

Barbecue with vertical fireboxes and walled cooking enclosure

Номер патента: US20190328176A1. Автор: Nadir Necer. Владелец: SMOW. Дата публикации: 2019-10-31.

Push scooter with vertically active suspension

Номер патента: EP2688794A1. Автор: Craig Swinney,Kameron Swinney,Kyle Swinney. Владелец: Springtech LLC. Дата публикации: 2014-01-29.

Machining centre with vertical support for long and flexible workpieces

Номер патента: EP2983859A1. Автор: Lucio CARRARO. Владелец: PROMAC SRL. Дата публикации: 2016-02-17.

Machining centre with vertical support for long and flexible workpieces

Номер патента: WO2014167385A1. Автор: Lucio CARRARO. Владелец: PROMAC SRL. Дата публикации: 2014-10-16.

Distillation system with vertically oriented rotating plates

Номер патента: EP2361226A2. Автор: Samuel T. Kjellman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-31.

Flying roller coaster with vertical load and launch

Номер патента: US09440156B2. Автор: Nicholas J. Comorre. Владелец: Disney Enterprises Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Modular aircraft with vertical takeoff and landing capability

Номер патента: AU2018266343B2. Автор: Peter Josef KUNZ,Wayne David GOODRICH,Jacob Scott ALLEN,Matthew Jacob BARTOW. Владелец: Insitu Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Aircraft engine mount with vertical vibration isolation

Номер патента: US4725019A. Автор: John L. White. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 1988-02-16.

Windmill with vertical axis of rotation

Номер патента: RU2013648C1. Автор: Вадим Федорович Копосов. Владелец: Вадим Федорович Копосов. Дата публикации: 1994-05-30.

Bipolar diaphragm cell with vertical flow channels

Номер патента: CA1169808A. Автор: Alberto Pellegri. Владелец: Oronzio de Nora Impianti Elettrochimici SpA. Дата публикации: 1984-06-26.

Device for coupling with vertical pipeline

Номер патента: RU2273786C2. Автор: Харальд Арнт ФРИЙСК. Владелец: Норск Хюдро Аса. Дата публикации: 2006-04-10.

Module of juice squeezer and juice squeezer with vertical screw

Номер патента: RU2448633C1. Автор: Дзонг Боо КИМ. Владелец: Ньюк Электроникс Ко., Лтд.. Дата публикации: 2012-04-27.

A Trailer Stand having a Set of Handles with Vertical and horizontal Handle Sections

Номер патента: AU201815980S. Автор: . Владелец: Rite Hite Holding Corp. Дата публикации: 2018-11-07.

Amplifier with positive feedback

Номер патента: RU2400010C2. Автор: Евгений Михайлович Плышевский. Владелец: Евгений Михайлович Плышевский. Дата публикации: 2010-09-20.

Tube amplifier with directly intercoupled stages

Номер патента: RU2258299C1. Автор: С.А. Шабад. Владелец: Шабад Сергей Александрович. Дата публикации: 2005-08-10.

Measurement amplifier with controlled gain factor

Номер патента: RU2025893C1. Автор: А.Н. Глазков. Владелец: Акционерное общество "ОРЛЭКС". Дата публикации: 1994-12-30.

Self-biased, high-gain differential amplifier with feedback

Номер патента: CA1289631C. Автор: Mel Bazes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1991-09-24.

Multichannel amplifier with sequential light display

Номер патента: CA174882S. Автор: . Владелец: Dolby Laboratories Licensing Corp. Дата публикации: 2019-01-11.

Multichannel amplifier with sequential light display

Номер патента: CA174881S. Автор: . Владелец: Dolby Laboratories Licensing Corp. Дата публикации: 2019-01-11.

Network-on-chip-based optimization method for DRAM communication

Номер патента: CN103383671A. Автор: 任鹏举,杨挺,郑南宁,孟庆欣,葛晨阳,刘卜,任晓伟,闵泰. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2013-11-06.

Memory device with vertical transistors and deep trench capacitors and method of fabricating the same

Номер патента: TW200507182A. Автор: Yi-Nan Chen,Chang-Rong Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-02-16.

Memory device with vertical transistors and deep trench capacitors and method of fabricating the same

Номер патента: TWI222718B. Автор: Yi-Nan Chen,Chang-Rung Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-10-21.

Memory device with vertical transistor and trench capacitor memory cells and method of fabrication

Номер патента: TW200632906A. Автор: Neng-Tai Shih,Chien-Chang Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-09-16.

Controller for dram, and the dram

Номер патента: JPH1011348A. Автор: 正之 石上,Masayuki Ishigami. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1998-01-16.

3D MEMORY ARRAY WITH VERTICAL TRANSISTOR

Номер патента: US20120074466A1. Автор: . Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-03-29.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH VERTICAL TRANSISTOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120098053A1. Автор: SHIN Jong-Han. Владелец: . Дата публикации: 2012-04-26.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH VERTICAL TRANSISTOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120100704A1. Автор: SHIN Jong-Han. Владелец: . Дата публикации: 2012-04-26.

Memory device with vertical transistor and trench capacitor and fabrication method thereof

Номер патента: TWI269433B. Автор: Neng-Tai Shih,Shian-Jyh Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-12-21.

Memory device with vertical transistor and trench capacitor and fabrication method thereof

Номер патента: TW200605328A. Автор: Neng-Tai Shih,Shian-Jyh Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-02-01.