Layout and wiring scheme for memory cells with vertical transistors .

Layout and wiring scheme for memory cells with vertical transistors

Номер патента: KR100683295B1
Опубликовано: 15-02-2007
Автор(ы): 로렌드 라디어스
Принадлежит: 인피니언 테크놀로지스 노쓰 아메리카 코포레이션
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Memory cell configuration

Номер патента: US20020005535A1. Автор: Rolf Weis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-17.

Integrated circuit memory cells and methods of forming

Номер патента: WO2005064672A2. Автор: Alexander Paterson. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2005-07-14.

Integrated circuit memory cells and methods of forming

Номер патента: EP1700339A2. Автор: Alexander Paterson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-09-13.

Semiconductor memory having a memory cell array

Номер патента: US20010032991A1. Автор: Franz Hofmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-10-25.

Dual port gain cell with side and top gated read transistor

Номер патента: WO2007023011A3. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Geng Wang,Jack Mandelman,Ramachandra Divakaruni. Владелец: Ramachandra Divakaruni. Дата публикации: 2007-06-21.

Dual port gain cell with side and top gated read transistor

Номер патента: WO2007023011B1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Geng Wang,Jack Mandelman,Ramachandra Divakaruni. Владелец: Ramachandra Divakaruni. Дата публикации: 2007-07-12.

Dram gain cell with side and top gated read transistor

Номер патента: EP1938378A2. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Geng Wang,Jack Mandelman,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-07-02.

Vertically stacked storage nodes and access devices with vertical access lines

Номер патента: US20240064956A1. Автор: Haitao Liu,Kamal M. Karda,Si-Woo Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Memory cell suitable for dram memory

Номер патента: EP2225773A2. Автор: Sophie Puget,Pascale L. A. Mazoyer. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-09-08.

Dopant-modulated etching for memory devices

Номер патента: US20240049610A1. Автор: Innocenzo Tortorelli,Mattia Robustelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Dopant-modulated etching for memory devices

Номер патента: US11800816B2. Автор: Innocenzo Tortorelli,Mattia Robustelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Memory devices with vertical transistors

Номер патента: US20230276615A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: US20230380142A1. Автор: He Chen,WEI Liu,Yanhong Wang,Ziqun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Dynamic random access memory cell layout and fabrication method thereof

Номер патента: US20050045936A1. Автор: Yi-Nan Chen,Tieh-Chiang Wu,Jeng-Ping Lin,Ming-Cheng Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-03-03.

Vertical transistor trench capacitor memory cell and method of making the same

Номер патента: WO2002086904A3. Автор: Carl J Radens,Thomas W Dyer,Stephan P Kudelka,Venkatachaiam C Jaiprakash. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2003-11-06.

Bottom-electrode interface structure for memory

Номер патента: US20230363178A1. Автор: Tzu-Yu Lin,Yao-Wen Chang,Chia-Wen Zhong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Bottom-electrode interface structure for memory

Номер патента: US11792996B2. Автор: Tzu-Yu Lin,Yao-Wen Chang,Chia-Wen Zhong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Memory device having vertical transistors and method for forming the same

Номер патента: WO2023216884A1. Автор: He Chen,Ziqun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-16.

Diagonal memory with vertical transistors and wrap-around control lines

Номер патента: US20230200084A1. Автор: Abhishek A. Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230064388A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Ziqun HUA,Hongbin Zhu,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory cell with trench, and method for production thereof

Номер патента: US20010030337A1. Автор: Rolf Weis. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-10-18.

Trench capacitor dram cell with vertical transistor

Номер патента: WO2000067326A1. Автор: Lothar Risch,Matthias Ilg,Gerhard Enders,Dietrich Widmann. Владелец: Widmann, Helga. Дата публикации: 2000-11-09.

Trench capacitor dram cell with vertical transistor

Номер патента: EP1186043A1. Автор: Lothar Risch,Matthias Ilg,Gerhard Enders,Helga Widmann. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2002-03-13.

Memory cell capacitor structures for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20230397401A1. Автор: Yuan He,Sheyang NING,Song Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Method for producing a memory cell for a semiconductor memory

Номер патента: US20020127803A1. Автор: Franz Hofmann,Till Schlosser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-09-12.

Single-poly EEPROM cell with lightly doped MOS capacitors

Номер патента: EP1760786A3. Автор: Gary R. Gardner,James E Riekels,Bradley J. Larsen,Thomas B. Lucking. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2008-07-02.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US7445986B2. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-11-04.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US20060175650A1. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-08-10.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US20060270144A1. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Buried metal signal rail for memory arrays

Номер патента: WO2024051689A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Kohji Hosokawa,Nicholas Anthony Lanzillo,Geoffrey Burr,Seiji Munetoh,Biswanath Senapati. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-03-14.

Non-volatile memory devices with vertically integrated capacitor electrodes

Номер патента: US09659954B2. Автор: Hyun-Suk Kim,Kee-jeong Rho,Joon-Hee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Variable capacitances for memory cells within a cell group

Номер патента: WO2003103050A3. Автор: Michael Jacob,Daisaburo Takashima,Joerg Wohlfahrt,Norbert Rehm. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2004-03-11.

Structure and method to fabricate resistive memory with vertical pre-determined filament

Номер патента: US20210343938A1. Автор: Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Ruilong Xie,Chanro Park. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

Contact structure, contact pad layout and structure, mask combination and manufacturing method thereof

Номер патента: US12075609B2. Автор: Yu-Cheng Tung,Yi-Wang JHAN,Xiaopei FANG,Yung-Tai HUANG,Shaoyi WU,Yi-Lei TSENG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Three-dimensional semiconductor device with vertical and horizontal channels in stack structure having electrodes vertically stacked on the substrate

Номер патента: US09685452B2. Автор: Youngwoo Park,Changhyun LEE,Heonkyu Lee,Shinhwan Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Buried metal signal rail for memory arrays

Номер патента: US20240079326A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Kohji Hosokawa,Nicholas Anthony Lanzillo,Geoffrey Burr,Seiji Munetoh,Biswanath Senapati. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Metal oxide liner for cross-point phase change memory cell

Номер патента: US20220102625A1. Автор: Rajesh Venkatasubramanian,Hari Chandrasekaran,Hoi-sung Chung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Thickened Sidewall Dielectric for Memory Cell

Номер патента: US20200203360A1. Автор: Ronald A. Weimer,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Thomas M. Graettinger,Kyu S. Min. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Thickened sidewall dielectric for memory cell

Номер патента: US20140159136A1. Автор: Nirmal Ramaswamy,Ron Weimer,Kyu Min,Tom Graettinger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-06-12.

Method for fabricating a non-volatile semiconductor memory cell with a separate tunnel window

Номер патента: US20020119626A1. Автор: Kai Huckels,Olaf Heitzsch,Peter Wawer,Christoph Ludwig,Christoph Kutter,Konrad Wolf,Oliver Springmann,Reinhold Rennekamp,Mayk Röhrich,Elard Von Kamienski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-29.

Semiconductor memory device having memory cells arranged three-dimensionally and method of manufacturing the same

Номер патента: US09806088B2. Автор: Takuya INATSUKA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Resistive memory cell with intrinsic current control

Номер патента: US09735357B2. Автор: XU Zhao,Sung Hyun Jo,Joanna BETTINGER,Xianliang LIU,Zeying Ren,FNU Atiquzzaman,Fengchiao Joyce Lin. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Doped ternary nitride embedded resistors for resistive random access memory cells

Номер патента: US09425389B2. Автор: Yun Wang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Self-aligned etching techniques for memory formation

Номер патента: US20230395704A1. Автор: John Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Layout and processing method thereof, storage medium, and program product

Номер патента: US20230172072A1. Автор: WEI CHANG,XIAOGUANG WANG,Kanyu Cao,Huihui Li. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-06-01.

Formation for memory cells

Номер патента: US20230397431A1. Автор: Marcello Mariani,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Giorgio Servalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Phase change memory cell with heat shield

Номер патента: US20140252294A1. Автор: Chung H. Lam,Alejandro G. Schrott,Matthew J. BrightSky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Memory Arrays and Methods of Forming Memory Cells

Номер патента: US20130193403A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,John Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-08-01.

Nvram cell with planar control gate

Номер патента: US20020003254A1. Автор: Randy W. Mann,Joyce E. Molinelli Acocella. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-10.

Resistance-switching memory cell with multiple raised structures in a bottom electrode

Номер патента: US09466644B2. Автор: Yuan Zhang,Henry Chien,George Matamis,James K Kai,Vinod R Purayath. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-11.

Memory cell with independently-sized elements

Номер патента: US09640588B2. Автор: Marcello Ravasio,Samuele Sciarrillo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Memory apparatus and methods including merged process for memory cell pillar and source structure

Номер патента: US20230345722A1. Автор: Byeung Chul Kim,Richard J. Hill,Damir Fazil,Joshua Wolanyk. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Divider and contact formation for memory cells

Номер патента: US20230354601A1. Автор: Shuangqiang Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Fully logic process compatible non-volatile memory cell with a high coupling ratio and process of making the same

Номер патента: US20080121973A1. Автор: Hung-Der Su. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2008-05-29.

Resistive Memory Cell with Sloped Bottom Electrode

Номер патента: US20150236257A1. Автор: Paul Fest,James Walls. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Fully logic process compatible non-volatile memory cell with a high coupling ratio and process of making the same

Номер патента: US20090117696A1. Автор: Hung-Der Su. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-05-07.

Self aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with control gates protruding portions, and a memory array made thereby

Номер патента: US20020034847A1. Автор: Chih Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Mim memory cell with backside interconnect structures

Номер патента: US20240315014A1. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure, semiconductor structure for memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240188278A1. Автор: Yukihiro Nagai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Array Of Vertical Transistors, An Array Of Memory Cells Comprising An Array Of Vertical Transistors, And A Method Used In Forming An Array Of Vertical Transistors

Номер патента: US20220068722A1. Автор: Marcello Mariani,Antonino Rigano,Marcello Calabrese. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Dram with vertical transistor and trench capacitor memory cells and method of fabrication

Номер патента: EP1340254A2. Автор: Norbert Arnold,Michel Seitz,V. C. Jaiprakash. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-09-03.

Dram with vertical transistor and trench capacitor memory cells and method of fabrication

Номер патента: WO2002047159A2. Автор: Norbert Arnold,Michel Seitz,V. C. Jaiprakash. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2002-06-13.

Method and system of merging memory cells into multi-bit registers in an integrated circuit layout

Номер патента: US09779197B1. Автор: Howard Shih Hao Chang,Kenneth David Wagner,Kanwaldeep Singh Chhokar,Redentor De La Merced,Yoo Ho Cho. Владелец: Microsemi Solutions US Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

High density stacked vertical transistor static random access memory structure

Номер патента: WO2023186507A1. Автор: Brent Anderson,Albert Chu,Junli Wang,Hemanth Jagannathan. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-10-05.

High density stacked vertical transistor static random access memory structure

Номер патента: US20230320055A1. Автор: Junli Wang,Hemanth Jagannathan,Brent A Anderson,Albert M Chu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Circuit and method for an open bit line memory cell with a vertical transistor and trench plate trench capacitor

Номер патента: US20020053689A1. Автор: Leonard Forbes,Wendell P. Noble. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Dram with vertical transistor and trench capacitor memory cells and method of fabrication

Номер патента: WO2002047159A3. Автор: Norbert Arnold,V C Jaiprakash,Michel Seitz. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2003-05-22.

Three-dimensional monolithic vertical transistor memory cell with unified inter-tier cross-couple

Номер патента: US20200144274A1. Автор: Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Well contact cell with doped tap region separated from active region, and methods to form same

Номер патента: US10909298B1. Автор: Nigel Chan,Navneet Jain. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2021-02-02.

Vertical transistor trench capacitor dram cell and method of making the same

Номер патента: EP1320885A2. Автор: Andreas Knorr,Laertis Economikos,Thomas W. Dyer,Scott Halle. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-06-25.

Circuit and method for an open bit line memory cell with a vertical transistor and trench plate trench capacitor

Номер патента: US20010000918A1. Автор: Leonard Forbes,Wendell Noble. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-05-10.

Semiconductor device with sense amplifier for memory cells

Номер патента: US7242628B2. Автор: Tadashi Haruki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-07-10.

Layouts and fabrication methods for static random access memory

Номер патента: US09679902B2. Автор: Yu Li,Gong Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Three-dimensional monolithic vertical transistor memory cell with unified inter-tier cross-couple

Номер патента: US20200066732A1. Автор: Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Vertical Transistor Cell Structures Utilizing Topside and Backside Resources

Номер патента: US20240105727A1. Автор: Thomas Hoffmann,Xin Miao,Praveen Raghavan,Saurabh P. Sinha. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Vertical transistor cell structures utilizing topside and backside resources

Номер патента: WO2024063901A1. Автор: Thomas Hoffmann,Xin Miao,Praveen Raghavan,Saurabh P. Sinha. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2024-03-28.

Array of capacitors, an array of memory cells, method used in forming an array of memory cells, methods used in forming an array of capacitors, and methods used in forming a plurality of horizontally-spaced conductive lines

Номер патента: US11764234B2. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Array Of Capacitors, An Array Of Memory Cells, Method Used In Forming An Array Of Memory Cells, Methods Used In Forming An Array Of Capacitors, And Methods Used In Forming A Plurality Of Horizontally-Spaced Conductive Lines

Номер патента: US20220173135A1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-02.

An Array Of Capacitors, An Array Of Memory Cells, Method Used In Forming An Array Of Memory Cells, Methods Used In Forming An Array Of Capacitors, And Methods Used In Forming A Plurality Of Horizontally-Spaced Conductive Lines

Номер патента: US20230378200A1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Vertically integrated memory cell

Номер патента: US20150348977A1. Автор: John E. Barth, Jr.,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-03.

Vertically integrated memory cell

Номер патента: US09570363B2. Автор: John E. Barth, Jr.,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Vertically integrated memory cell

Номер патента: US09466614B2. Автор: John E. Barth, Jr.,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Integrated circuit with switching unit for memory cell coupling, and method for producing an integrated circuit for memory cell coupling

Номер патента: US7791940B2. Автор: Andreas Taeuber. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-09-07.

Integrated Circuit with Switching Unit for Memory Cell Coupling, and Method for Producing an Integrated Circuit for Memory Cell Coupling

Номер патента: US20090091976A1. Автор: Andreas Taeuber. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-04-09.

Memory device having vertical transistors and method for forming the same

Номер патента: US20230371244A1. Автор: He Chen,Ziqun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method Used In Forming An Array Of Vertical Transistors And Method Used In Forming An Array Of Memory Cells Individually Comprising A Vertical Transistor And A Storage Device Above The Vertical Transistor

Номер патента: US20220068934A1. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Structure and method of fabricating high-density, trench-based non-volatile random access sonos memory cells for soc applications

Номер патента: WO2006110781A2. Автор: Herbert Ho,Jack Mandelman,Yoichi Otani,Tak Ning. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-10-19.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming thereof

Номер патента: EP4449835A1. Автор: WEI Liu,Ya Wang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu,Fandong LIU,Wenyu HUA,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240381620A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Vertical DRAM cell with TFT over trench capacitor

Номер патента: US20010021553A1. Автор: David Horak,Rick Mohler,Gorden Starkey. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2001-09-13.

Memory cell with independently-sized electrode

Номер патента: US09831428B2. Автор: Andrea Gotti,Marcello Ravasio,Samuele Sciarrillo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Memory device, method, layout, and system

Номер патента: US20240251541A1. Автор: Yen-Huei Chen,Kao-Cheng LIN,Wei Min Chan,Yen Lin CHUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

DRAM layout with vertical FETS and method of formation

Номер патента: US7989866B2. Автор: Todd R. Abbott,Homer M. Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-08-02.

Contact for memory cell

Номер патента: US8361832B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-29.

Memory cells with vertically overlapping wordlines

Номер патента: US20210134881A1. Автор: Anuj Gupta,Bipul C. Paul. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

Memory cell formation in three dimensional memory arrays using atomic layer deposition

Номер патента: US20230354721A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Contact for memory cell

Номер патента: US20100068879A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-18.

Contact for memory cell

Номер патента: US20130149861A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-06-13.

Contact for memory cell

Номер патента: US8728932B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-20.

Method of forming eeprom cell with channel hot electron programming

Номер патента: US5874337A. Автор: Stephen Frank Geissler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-02-23.

Memory cells with recessed electrode contacts

Номер патента: US09466795B2. Автор: Scott E. Sills,D. V. Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Phase change memory cell with improved phase change material

Номер патента: US20150048291A1. Автор: Simone Raoux,Huai-Yu Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-19.

Phase change memory cell with improved phase change material

Номер патента: US09653683B2. Автор: Simone Raoux,Huai-Yu Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Asymmetric static random access memory cell with dual stress liner

Номер патента: WO2012170465A3. Автор: Shaofeng Yu,Wah Kit Loh. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2013-04-25.

Asymmetric static random access memory cell with dual stress liner

Номер патента: WO2012170465A2. Автор: Shaofeng Yu,Wah Kit Loh. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2012-12-13.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: WO2023028869A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Ziqun HUA,Hongbin Zhu,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-03-09.

Vertical three-dimensional memory with vertical channel

Номер патента: WO2022103552A1. Автор: Haitao Liu,Kamal M. Karda,Litao YANG. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-05-19.

Method of generating layout and method of manufacturing semiconductor devices using same

Номер патента: US20190131139A1. Автор: Dong Hyun Kim,Sung Keun Park,Byung Sung Kim,Ho Jun Choi,In Wook OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-02.

Vertical transistors with merged active area regions

Номер патента: US09761712B1. Автор: Brent A. Anderson,Albert M. Chu,Terence B. Hook,Seong-Dong Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor Device with Vertical Transistor Channels and a Compensation Structure

Номер патента: US20150008517A1. Автор: Anton Mauder,Rolf Weis,Katarzyna Kowalik-Seidl,Uwe Wahl. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2015-01-08.

Integrated circuit layout and integrated circuit layout method for filter

Номер патента: US20230187426A1. Автор: Chia-Wei Yu,Chao-Yang Chen,Yung-Tai Chen,Sheng-Yang Ho. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Stacked vertical transistor memory cell

Номер патента: WO2021094856A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Heng Wu. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-05-20.

Stacked vertical transistor memory cell

Номер патента: GB2604510A. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Zhang Chen,Wu Heng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-09-07.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230062141A1. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming thereof

Номер патента: WO2023029142A1. Автор: WEI Liu,Simon Shi-ning Yang,Hongbin Zhu,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-03-09.

Memory cells which include transistors having gap channel material

Номер патента: EP3639298A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Martin C. Roberts. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-22.

Integrated circuit with vertical structures on nodes of a grid

Номер патента: US20200161310A1. Автор: Juergen Pille,Tobias Werner,Dieter Wendel,Rolf Sautter,Albert Frisch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Fin field-effect transistor (finfet) based semiconductor memory array having memory cells with a reduced surface area

Номер патента: EP4326024A3. Автор: Andreas Burg,Robert GITERMAN,Halil Andac Yigit. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2024-05-29.

Methods and apparatuses with vertical strings of memory cells and support circuitry

Номер патента: US20190341394A1. Автор: Koji Sakui,Takehiro Hasegawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-07.

Methods and apparatuses with vertical strings of memory cells and support circuitry

Номер патента: EP3097561A1. Автор: Koji Sakui,Takehiro Hasegawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-30.

Architecture for three dimensional non-volatile storage with vertical bit lines

Номер патента: EP2731108A3. Автор: Roy E. Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2014-09-03.

Fabrication of an eeprom cell with emitter-polysilicon source/drain regions

Номер патента: WO2006016972A2. Автор: Muhammad I. Chaudhry. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2006-02-16.

Fabrication of an eeprom cell with emitter-polysilicon source/drain regions

Номер патента: EP1779424A2. Автор: Muhammad I.; CHAUDHRY. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2007-05-02.

Three-dimensional (3d) memory cell with read/write ports and access logic on different tiers of the integrated circuit

Номер патента: EP2973706A1. Автор: Yang Du,Jing Xie. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Method and Structure for Integrating Capacitor-less Memory Cell with Logic

Номер патента: US20140038367A1. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-02-06.

Method and Structure for Integrating Capacitor-less Memory Cell with Logic

Номер патента: US20130003452A1. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-03.

Method and structure for integrating capacitor-less memory cell with logic

Номер патента: WO2010080277A1. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-07-15.

Lateral/vertical transistor structures and process of making and using same

Номер патента: US09908115B2. Автор: Justin K. Valley,Eric D. Hobbs. Владелец: Berkeley Lights Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Non-linear load element for memory cell

Номер патента: WO1985003168A1. Автор: Thomas S. W. Wong. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1985-07-18.

Memory cell with charge trap transistors and method thereof capable of storing data by trapping or detrapping charges

Номер патента: US20200105338A1. Автор: Chun-Chen Liu,Yuan Du,Junjie Su,Mingzhe Jiang. Владелец: Kneron Taiwan Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Integration of vertical transistors with 3d long channel transistors

Номер патента: US20170317080A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Self-aligned vertical transistor with local interconnect

Номер патента: US09917059B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Integration of vertical transistors with 3D long channel transistors

Номер патента: US09837409B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Integration of vertical transistors with 3D long channel transistors

Номер патента: US09607899B1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Deep trench isolation structure layout and method thereof

Номер патента: US20150255537A1. Автор: Randall C. Gray,Brent D. Rogers,John M. Pigott. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-09-10.

Array of vertical transistors having channel regions connected by an elongated conductor line

Номер патента: US12119269B2. Автор: Haitao Liu,Kamal M. Karda,Deepak Chandra Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Top metal pads as local interconnectors of vertical transistors

Номер патента: US09911855B2. Автор: Chih-Hao Wang,Jia-Chuan You,Wai-Yi Lien,Yi-Hsun CHIU,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Top metal pads as local interconnectors of vertical transistors

Номер патента: US09524907B2. Автор: Chih-Hao Wang,Jia-Chuan You,Wai-Yi Lien,Yi-Hsun CHIU,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Reference cells with integration capacitor

Номер патента: US6687177B2. Автор: Wlodek Kurjanowicz. Владелец: Atmos Corp. Дата публикации: 2004-02-03.

Array Of Vertical Transistors, An Array Of Memory Cells Comprising An Array Of Vertical Transistors, And A Method Used In Forming An Array Of Vertical Transistors

Номер патента: US20220068722A1. Автор: Mariani Marcello,Rigano Antonino,Calabrese Marcello. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-03.

Array Of Vertical Transistors, An Array Of Memory Cells Comprising An Array Of Vertical Transistors, And A Method Used In Forming An Array Of Vertical Transistors

Номер патента: US20220278001A1. Автор: Marcello Mariani,Antonino Rigano,Marcello Calabrese. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Reading scheme for 1TNC ferroelectric memory bit-cell with plate-line parallel to bit-line and with individual switches and control on plate-lines of the bit-cell

Номер патента: US11817140B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Writing scheme for 1TNC ferroelectric memory bit-cell with plate-lines parallel to a bit-line and with individual switches and control on the plate-lines of the bit-cell

Номер патента: US11769543B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Reduced pitch memory subsystem for memory device

Номер патента: US20240234311A1. Автор: Haitao Liu,Michael A. Smith,Vladimir Mikhalev. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Reduced pitch memory subsystem for memory device

Номер патента: US11973031B2. Автор: Haitao Liu,Michael A. Smith,Vladimir Mikhalev. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Shared Pick-Up Regions for Memory Devices

Номер патента: US20230354573A1. Автор: Feng-Ming Chang,Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Lien-Jung Hung,Ping-Wei Wang,Chia-Hao Pao,Chao-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Vertical transistors stressed from various directions

Номер патента: US09947789B1. Автор: Puneet Harischandra Suvarna. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Memory cell protective layers in a three-dimensional memory array

Номер патента: WO2024123561A2. Автор: Farrell M. Good. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory cells with sidewall and bulk regions in vertical structures

Номер патента: US20240315150A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Doped sidewall spacer/etch stop layer for memory

Номер патента: US12127483B2. Автор: Hsun-Chung KUANG,Cheng-Yuan Tsai,Hai-Dang Trinh,Bi-Shen LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Doped sidewall spacer/etch stop layer for memory

Номер патента: US20240373760A1. Автор: Hsun-Chung KUANG,Cheng-Yuan Tsai,Hai-Dang Trinh,Bi-Shen LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

SRAM memory cell, memory cell arrangement and method for fabricating a memory cell arrangement

Номер патента: US20040099902A1. Автор: Thomas Schulz,Christian Pacha,Erhard Landgraf,Richard Luyken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-05-27.

Memory cell heights

Номер патента: US20090109752A1. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Layout and structure of memory

Номер патента: US20090032858A1. Автор: Chung-Lin Huang,Ching-Nan Hsiao,Shin-Bin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-02-05.

Memory cell protective layers in a three-dimensional memory array

Номер патента: US20240188308A1. Автор: Farrell M. Good. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Memory cells with sidewall and bulk regions in vertical structures

Номер патента: US11957068B2. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Top electrode last scheme for memory cell to prevent metal redeposit

Номер патента: US20230380304A1. Автор: Chung-Yen Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Top electrode last scheme for memory cell to prevent metal redeposit

Номер патента: US11800818B2. Автор: Chung-Yen Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Memory cells with sidewall and bulk regions in vertical structures

Номер патента: EP4348714A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Structure and method to fabricate resistive memory with vertical pre-determined filament

Номер патента: US11937521B2. Автор: Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Ruilong Xie,Chanro Park. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Method of making single layer thin film transistor static random access memory cell

Номер патента: US5451534A. Автор: Ming-Tzong Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1995-09-19.

Single layer thin film transistor static random access memory cell

Номер патента: US5592011A. Автор: Ming-Tzong Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1997-01-07.

Three-terminal electro-chemical memory cell with vertical structure for neuromorphic computation and memory cell array including the same

Номер патента: US11963372B2. Автор: Yun Seog Lee,Hyunjoon Lee. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-04-16.

Low-resistance contact to top electrodes for memory cells and methods for forming the same

Номер патента: US20240260480A1. Автор: Qiang Fu,Chung-Te Lin,Yu-Feng Yin,Han-Ting Tsai,Tai-Yen PENG,An-Shen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Sidewall spacer structure for memory cell

Номер патента: US11818962B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Hung Cho Wang,Sheng-Huang Huang,Chia-Hua Lin,Yao-Wen Chang,Yuan-Tai Tseng,Tsung-Hsueh Yang,Chung-Chiang Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Thickened sidewall dielectric for memory cell

Номер патента: US20100197131A1. Автор: Nirmal Ramaswamy,Ron Weimer,Kyu Min,Tom Graettinger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-08-05.

Thickened sidewall dielectric for memory cell

Номер патента: US20120032252A1. Автор: Nirmal Ramaswamy,Ron Weimer,Kyu Min,Tom Graettinger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-02-09.

Sidewall spacer structure for memory cell

Номер патента: US20230389445A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Hung Cho Wang,Sheng-Huang Huang,Chia-Hua Lin,Yao-Wen Chang,Yuan-Tai Tseng,Tsung-Hsueh Yang,Chung-Chiang Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

NAND ferroelectric memory cell with three-dimensional structure and preparation method thereof

Номер патента: US11917830B2. Автор: Min Liao,Qijun Yang,Yichun ZHOU,Yanwei HUAN,Siwei DAI,Zhaotong LIU. Владелец: XIANGTAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-02-27.

Memory cell structures and memory arrays

Номер патента: WO2013112253A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,John K. Zahurak. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-08-01.

Fabrication of an eeprom cell with sige source/drain regions

Номер патента: EP1787324A1. Автор: Muhammad I. Chaudhry. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2007-05-23.

A method of operating a split gate flash memory cell with coupling gate

Номер патента: WO2012158366A1. Автор: Nhan Do,Yuri Tkachev,Henry A. Om'Mani,Mandana TADAYONI,Elizabeth A. CUEVAS. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2012-11-22.

Process for forming an integrated circuit comprising non-volatile memory cells and side transistors of at least two different types, and corresponding ic

Номер патента: US20020000636A1. Автор: Carlo Riva,Cesare Clementi,Gabriella Ghidini. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Structure and method to fabricate resistive memory with vertical pre-determined filament

Номер патента: GB2604518A. Автор: Xie Ruilong,Park Chanro,Lee Choonghyun,Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-09-07.

Structure and method to fabricate resistive memory with vertical pre-determined filament

Номер патента: WO2021084353A1. Автор: Cheng Kangguo,ChoongHyun Lee,Ruilong Xie,Chanro Park. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-05-06.

Method for manufacturing memory cell with increased threshold voltage accuracy

Номер патента: US6187638B1. Автор: Wen-Ying Wen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-02-13.

Method for fabricating an array of ultra-small pores for chalcogenide memory cells

Номер патента: US6104038A. Автор: Raymond A. Turi,Fernando N. M. Gonzalez. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-08-15.

Simplified process for defining the tunnel area in non-aligned, non-volatile semiconductor memory cells

Номер патента: US6444526B1. Автор: Bruno Vajana,Matteo Patelmo,Giovanna Dalla Libera,Nadia Galbiati. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-09-03.

Multi-port sram cell with metal interconnect structures

Номер патента: US20240306359A1. Автор: Feng-Ming Chang,Jui-Lin Chen,Ping-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Buried signal wires for memory applications

Номер патента: WO2021260377A1. Автор: Yew Keong Chong,Mudit Bhargava,Rahul Mathur,Saurabh Pijuskumar Sinha,Brian Tracy CLINE. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2021-12-30.

Low-resistance contact to top electrodes for memory cells and methods for forming the same

Номер патента: US11985906B2. Автор: Qiang Fu,Chung-Te Lin,Yu-Feng Yin,Han-Ting Tsai,Tai-Yen PENG,An-Shen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Buried Signal Wires for Memory Applications

Номер патента: US20230354571A1. Автор: Yew Keong Chong,Mudit Bhargava,Rahul Mathur,Saurabh Pijuskumar Sinha,Brian Tracy CLINE. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Nitride ready only memory cell with two top oxide layers and the method for manufacturing the same

Номер патента: US20030129794A1. Автор: Chen-Chin Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Nitride ready only memory cell with two top oxide layers and the method for manufacturing the same

Номер патента: US6509231B1. Автор: Li-Jen Chen,Chen-Chin Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-21.

Magnetic memory cell with shape anisotropy

Номер патента: US20040240264A1. Автор: Joel Drewes,Theodore Zhu,Yong Lu,Anthony Arrott. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-02.

Resistive memory cell with sloped bottom electrode

Номер патента: WO2015126906A1. Автор: Paul Fest,James Walls. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2015-08-27.

Memory cell with magnetic access selector apparatus

Номер патента: US12137617B2. Автор: Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Memory cell with magnetic access selector apparatus

Номер патента: US20240373757A1. Автор: Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Static Random Access Memory Cell with Single-Sided Buffer and Asymmetric Construction

Номер патента: US20130182490A1. Автор: Anand Seshadri,Xiaowei Deng,Wah Kit Loh,Zhonghai Shi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-07-18.

Static random access memory cell with single-sided buffer and asymmetric construction

Номер патента: US20140078819A1. Автор: Xiaowei Deng,Wah Kit Loh,Zhonghai Shi,Anand Seshardi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-03-20.

Si photodiode with symmetry layout and deep well bias in CMOS technology

Номер патента: US8598639B2. Автор: Guan-Yu Chen,Ching-Wen Wang,Yue-Ming Hsin,Fang-Ping Chou. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2013-12-03.

Si photodiode with symmetry layout and deep well bias in cmos technology

Номер патента: US20120175690A1. Автор: Guan-Yu Chen,Ching-Wen Wang,Yue-Ming Hsin,Fang-Ping Chou. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2012-07-12.

Layout and timing schemes for ping-pong readout architecture

Номер патента: US09787928B2. Автор: Steven Huang,Yingying Wang,Dexue Zhang,Loc Truong. Владелец: Forza Silicon Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Apparatuses and methods for memory including ferroelectric memory cells and dielectric memory cells

Номер патента: US11901005B2. Автор: Scott J. Derner,Michael A. Shore. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Vertically integrated memory cell

Номер патента: US20160365291A1. Автор: John E. Barth, Jr.,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-15.

Vertical three-dimensional memory with vertical channel

Номер патента: US20230022021A1. Автор: Haitao Liu,Kamal M. Karda,Litao YANG. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Vertical three-dimensional memory with vertical channel

Номер патента: US20220149046A1. Автор: Haitao Liu,Kamal M. Karda,Litao YANG. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Memory arrays with vertical thin film transistors coupled between digit lines

Номер патента: US20200066327A1. Автор: Scott J. Derner,Charles L. Ingalls. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Memory arrays with vertical thin film transistors coupled between digit lines

Номер патента: US20210125661A1. Автор: Scott J. Derner,Charles L. Ingalls. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-29.

Memory arrays with vertical thin film transistors coupled between digit lines

Номер патента: WO2020040832A1. Автор: Scott J. Derner,Charles L. Ingalls. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-02-27.

Memory cell having dielectric memory element

Номер патента: US09721655B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Split gate non-volatile memory cell with 3D finFET structure, and method of making same

Номер патента: US09634018B2. Автор: Hieu Van Tran,Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Electrodes, method and apparatus for memory structure

Номер патента: AU2002339770B2. Автор: Geirr I. Leistad,Hans Gude Gudesen. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2006-01-05.

Single-crystal transistors for memory devices

Номер патента: US11862668B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Masihhur R. Laskar,Nicholas R. Tapias,Darwin Franseda Fan,Manuj Nahar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Single-crystal transistors for memory devices

Номер патента: US20240105766A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Masihhur R. Laskar,Nicholas R. Tapias,Darwin Franseda Fan,Manuj Nahar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Memory cell with vertical floating gate transistor

Номер патента: WO2002045158A2. Автор: Daniele Casarotto. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2002-06-06.

Anti-fuse storage layout and circuit thereof, and anti-fuse memory and design method thereof

Номер патента: US20230207456A1. Автор: Rumin JI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Memory cells with asymmetrical electrode interfaces

Номер патента: US12082513B2. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Kolya Yastrebenetsky,Anna Maria Conti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Vertical Transistors With Backside Power Delivery

Номер патента: US20240105617A1. Автор: Thomas Hoffmann,Xin Miao,Praveen Raghavan. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Integrated device with vertical field-effect transistors and hybrid channels

Номер патента: US20200161303A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Integrated device with vertical field-effect transistors and hybrid channels

Номер патента: US20200161302A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Memory with vertical transistors and wrap-around control lines

Номер патента: US20230200075A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Layout and wiring method therefor, and comparison method, preparation method, device and storage medium

Номер патента: EP4287062A1. Автор: Zhonghua Li,Zhihao SONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-06.

Nonlinear gate vertical transistor

Номер патента: EP4391075A3. Автор: Chih-Wei Hsu,Deepak Chandra Pandey. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-07-17.

Vertical transistor fabrication for memory applications

Номер патента: US12108604B2. Автор: Mahendra Pakala,Jaesoo AHN,Thomas Kwon. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory arrays with vertical access transistors

Номер патента: US20210028176A1. Автор: Scott J. Derner,Charles L. Ingalls. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Memory cell with vertical floating gate transistor

Номер патента: WO2002045158A3. Автор: Daniele Casarotto. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Nonlinear gate vertical transistor

Номер патента: EP4391073A1. Автор: Chih-Wei Hsu,Deepak Chandra Pandey. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-06-26.

Programmable device compatible with vertical transistor flow

Номер патента: US20190189625A1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Qintao Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Three-dimensional memory device with vertical field effect transistors and method of making thereof

Номер патента: US20220068966A1. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-03-03.

Layout and wiring method, comparison method, fabrication method, device, and storage medium

Номер патента: US20230015810A1. Автор: Zhonghua Li,Zhihao SONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Array Of Memory Cells, Methods Used In Forming An Array Of Memory Cells, Methods Used In Forming An Array Of Vertical Transistors, Methods Used In Forming An Array Of Vertical Transistors, And Methods Used In Forming An Array Of Capacitors

Номер патента: US20220173109A1. Автор: Antonino Rigano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-02.

Vertical transistor and transistor fabrication method

Номер патента: US20030080346A1. Автор: Rolf Weis. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-05-01.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20240332232A1. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

High density programmable e-fuse co-integrated with vertical FETs

Номер патента: US09728542B1. Автор: Michael A. Guillorn,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Device and method for detecting alignment of active areas and memory cell structures in dram devices

Номер патента: US20050184289A1. Автор: BO Jiang,Yu-Wei Ting,Chien-Chang Huang,Chin-Ling Huang,Tie Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-08-25.

Structures and methods for memory cells

Номер патента: US20200083225A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Van H. Le,Aaron D. Lilak,Sean T. MA,Gilbert W. DEWEY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US12080665B2. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Foggy-fine programming for memory cells with reduced number of program pulses

Номер патента: US20230043349A1. Автор: Liang Li,Ming Wang,Yichen WANG,Will Li,Bruce Li. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Two-stage read/write 3D architecture for memory devices

Номер патента: US09851915B2. Автор: Ching-Wei Wu,Kuang Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Contact strap for memory array

Номер патента: US09842844B2. Автор: Sung Mun Jung,Jianbo Yang,Ling Wu,Kian Hong LIM. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Horizontal memory devices with vertical gates

Номер патента: US6838726B1. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-01-04.

Three-dimensional memory device with vertical field effect transistors and method of making thereof

Номер патента: US11569215B2. Автор: Peter Rabkin,Kwang-Ho Kim. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-01-31.

Memory cells with asymmetrical electrode interfaces

Номер патента: EP3750187A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Kolya Yastrebenetsky,Anna Maria Conti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-16.

Memory cells with asymmetrical electrode interfaces

Номер патента: US20190252606A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Kolya Yastrebenetsky,Anna Maria Conti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-15.

Memory cells with asymmetrical electrode interfaces

Номер патента: WO2019156857A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Kolya Yastrebenetsky,Anna Maria Conti. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-08-15.

Memory cells with asymmetrical electrode interfaces

Номер патента: US20200119273A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Kolya Yastrebenetsky,Anna Maria Conti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Memory cells with asymmetrical electrode interfaces

Номер патента: US20220059763A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Kolya Yastrebenetsky,Anna Maria Conti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Three-dimensional memory device with vertical field effect transistors and method of making thereof

Номер патента: US11963352B2. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-16.

Programmable logic array with vertical transistors

Номер патента: US20010002109A1. Автор: Leonard Forbes,Wendell Noble. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-05-31.

Programmable logic array with vertical transistors

Номер патента: US20010002108A1. Автор: Leonard Forbes,Wendell Noble. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-05-31.

Two-stage read/write 3D architecture for memory devices

Номер патента: US09690510B2. Автор: Ching-Wei Wu,Kuang Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Methods of forming conductive elements of semiconductor devices and of forming memory cells

Номер патента: US09865812B2. Автор: Nishant Sinha,Scott E. Sills,Sanh D. Tang,Whitney L. West,Rob B. Goodwin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Field programmable logic arrays with vertical transistors

Номер патента: US6124729A. Автор: Leonard Forbes,Wendell P. Noble. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-09-26.

Vertical transistor fabrication for memory applications

Номер патента: WO2021015895A1. Автор: Mahendra Pakala,Ellie Y. Yieh,Arvind Kumar,Sanjeev MANHAS. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-01-28.

Vertical transistor fabrication for memory applications

Номер патента: WO2020159663A1. Автор: Mahendra Pakala,Jaesoo AHN,Thomas Kwon. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-08-06.

Memory arrays with vertical transistors and the formation thereof

Номер патента: US20210028308A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Scott J. Derner,Toby D. Robbs,Steve V. Cole. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Back-end-of-line selector for memory device

Номер патента: US20240276738A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Multinary bit cells for memory devices and network applications and method of manufacturing the same

Номер патента: US12136457B2. Автор: Chung-Te Lin,Katherine H. Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device with vertical memory

Номер патента: US09905570B2. Автор: Young-woo Park,Jae-Duk Lee,Yoo-Cheol Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Layout of transmission vias for memory device

Номер патента: US09761564B1. Автор: Kayoko Shibata. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device with vertical memory

Номер патента: US09431415B2. Автор: Young-woo Park,Jae-Duk Lee,Yoo-Cheol Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Mechanical design of memory cell with vertical crosses arranged one above other

Номер патента: RU2156013C2. Автор: Марк Т. Бор,Джеффри К. Гризон. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2000-09-10.

High density programmable e-fuse co-integrated with vertical fets

Номер патента: US20190312044A1. Автор: Michael A. Guillorn,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

High density programmable e-fuse co-integrated with vertical fets

Номер патента: US20170345829A1. Автор: Michael A. Guillorn,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-30.

Nonlinear Gate Vertical Transistor

Номер патента: US20240213318A1. Автор: Chih-Wei Hsu,Deepak Chandra Pandey. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-06-27.

Nonlinear Gate Vertical Transistor

Номер патента: US20240213365A1. Автор: Chih-Wei Hsu,Deepak Chandra Pandey. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-06-27.

Nonlinear gate vertical transistor

Номер патента: EP4391075A2. Автор: Chih-Wei Hsu,Deepak Chandra Pandey. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-06-26.

Design Method for Circuit Layout and Rapid Thermal Annealing Method for Semiconductor Apparatus

Номер патента: US20110078647A1. Автор: Xian J. Ning,Jianhua Ju. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-03-31.

Gated ferroelectric memory cells for memory cell array and methods of forming the same

Номер патента: US12069868B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Sidewall structures for memory cells in vertical structures

Номер патента: US20240298553A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Gated Ferroelectric Memory Cells for Memory Cell Array and Method for Forming the Same

Номер патента: US20240357834A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Ball grid array package with protective circuitry layout and a substrate utilized in the package

Номер патента: US09859187B2. Автор: Yong-Cheng Chuang. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Line layout and method of spacer self-aligned quadruple patterning for the same

Номер патента: US09524878B2. Автор: Chi-Sheng Peng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Via landing enhancement for memory device

Номер патента: US11785862B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Hung Cho Wang,Chun-Heng Liao,Chang-Jen Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

HIGH-DENSITY FIELD-ENHANCED ReRAM INTEGRATED WITH VERTICAL TRANSISTORS

Номер патента: US20200203428A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Vertical 1t-1r memory cells, memory arrays and methods of forming the same

Номер патента: WO2015069524A1. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2015-05-14.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230065806A1. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US12033967B2. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Array of Memory Cells, Methods Used in Forming an Array of Memory Cells, Methods Used in Forming an Array of Vertical Transistors, Methods Used in Forming an Array of Vertical Transistors, and Methods Used in Forming an Array of Capacitors

Номер патента: US20240107747A1. Автор: Antonino Rigano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Technologies for dynamic biasing for memory cells

Номер патента: US20230317154A1. Автор: Yasir Mohsin Husain,Xuming Zhao. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230069096A1. Автор: WEI Liu,Simon Shi-ning Yang,Hongbin Zhu,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230060149A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230066312A1. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Shared bit lines for memory cells

Номер патента: US20210305262A1. Автор: Feng-Ming Chang,Chih-Chuan Yang,Ping-Wei Wang,Lien Jung Hung,Kian-Long Lim,Kuo-Hsiu Hsu,Ruey-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Nor memory cell with vertical floating gate

Номер патента: EP3682466A1. Автор: Bing Yeh. Владелец: Greenliant Ip LLC. Дата публикации: 2020-07-22.

Obtaining threshold voltage measurements for memory cells based on a user read mode

Номер патента: US20230048326A1. Автор: Liang Li,Jiahui Yuan,Qianqian Yu,Loc Tu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

NOR Memory Cell with Vertical Floating Gate

Номер патента: US20200365608A1. Автор: Bing Yeh. Владелец: Greenliant Ip C/o Greenliant Systems Inc LLC. Дата публикации: 2020-11-19.

NOR Memory Cell with Vertical Floating Gate

Номер патента: US20210358932A1. Автор: Bing Yeh. Владелец: Greenliant Ip LLC. Дата публикации: 2021-11-18.

Vertical transistor for resistive memory

Номер патента: US09559297B2. Автор: Philippe Boivin,Julien Delalleau. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-01-31.

Method to prevent oxide damage and residue contamination for memory device

Номер патента: US09536888B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Fabrication of electrodes for memory cells

Номер патента: EP3815148A1. Автор: Yao Jin,Hongqi Li,Andrea Gotti,Yongjun J. Hu,Pengyuan Zheng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-05.

Fabrication of electrodes for memory cells

Номер патента: US20210098697A1. Автор: Yao Jin,Hongqi Li,Andrea Gotti,Yongjun J. Hu,Pengyuan Zheng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Fabrication of electrodes for memory cells

Номер патента: WO2019236273A1. Автор: Yao Jin,Hongqi Li,Andrea Gotti,Yongjun J. Hu,Pengyuan Zheng. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-12-12.

Structures and methods for memory cells

Номер патента: US20230057464A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Van H. Le,Aaron D. Lilak,Sean T. MA,Gilbert W. DEWEY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-02-23.

Fabrication of electrodes for memory cells

Номер патента: US11545623B2. Автор: Yao Jin,Hongqi Li,Andrea Gotti,Yongjun J. Hu,Pengyuan Zheng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-03.

Structures and methods for memory cells

Номер патента: EP3621079A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Van H. Le,Aaron D. Lilak,Sean T. MA,Gilbert W. DEWEY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-11.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230062524A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Ziqun HUA,Hongbin Zhu,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Non-volatile memory cell with a hybrid access transistor

Номер патента: SG192499A1. Автор: Lim Louis,Xiaoyu Chen,Sung Mun Jung,Siow Lee Chwa,Donghua Liu,Swee Tuck Woo,Low Rachel. Владелец: Globalfoundries Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2013-08-30.

Non-volatile memory cell with a hybrid access transistor

Номер патента: SG158882A1. Автор: Liu Donghua,JUNG Sung Mun,WOO Swee Tuck,Chen Xiaoyu,CHWA SIOW LEE,Rachel Low,Louis Lim. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-02-26.

Memory cell array with row direction gap between erase gate lines and dummy floating gates

Номер патента: US20240257880A1. Автор: Hieu Van Tran,Jinho Kim,Nhan Do,Xian Liu,Parviz Ghazavi,Steven Lemke,Henry A. Om'Mani,Louisa Schneider. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory cell array with row direction gap between erase gate lines and dummy floating gates

Номер патента: WO2024162973A1. Автор: Hieu Van Tran,Jinho Kim,Nhan Do,Xian Liu,Parviz Ghazavi,Steven Lemke,Louisa Schneider,Henry Om'mani. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory cell array with row direction gap between erase gate lines and dummy floating gates

Номер патента: US12131786B2. Автор: Hieu Van Tran,Jinho Kim,Nhan Do,Xian Liu,Parviz Ghazavi,Steven Lemke,Henry A. Om'Mani,Louisa Schneider. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Magnetic memory cells with low switching current density

Номер патента: US09542987B2. Автор: Eng Huat Toh,Kiok Boone Elgin Quek,Vinayak Bharat Naik. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Array of memory cells

Номер патента: US11877438B2. Автор: Antonino Rigano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Bidirectional Selector Device for Memory Applications

Номер патента: US20220352255A9. Автор: Zhiqiang Wei,Hongxin Yang. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Structure of memory cell with asymmetric cell structure and method for fabricating the same

Номер патента: US09793278B1. Автор: Sung-Bin Lin,Yen-Ting Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Select device for memory cell applications

Номер патента: US09735200B2. Автор: David H. Wells,Caner Onal,Christopher D. Cardon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Integration of via and bottom electrode for memory cell

Номер патента: US20240379533A1. Автор: Tzu-Yu Chen,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Sheng-Hung SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Low power memory cell with high sensing margin

Номер патента: US09583167B2. Автор: Yang Hong,Tze Ho Simon Chan,Yong Wee Francis POH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Select device for memory cell applications

Номер патента: US09425390B2. Автор: David H. Wells,Caner Onal,Christopher D. Cardon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Write assist for memories with resistive bit lines

Номер патента: US20180261279A1. Автор: Russell Homer,Alfred Yeung,Abhiram Saligram Chandrashekar. Владелец: Ampere Computing LLC. Дата публикации: 2018-09-13.

Nonvolatile memory device with vertical string including semiconductor and resistance change layers, and method of operating the same

Номер патента: US20210350851A1. Автор: Youngjin Cho,Cheol Seong Hwang,Soichiro Mizusaki,Jungho YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-11.

Method for fabricating photomask layout and method for fabricating of semiconductor device using the same

Номер патента: US20230244136A1. Автор: Sung-Yong Moon,Won-Chan LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-03.

Technologies for current biasing for memory cells

Номер патента: US20230307043A1. Автор: Ashraf B. Islam,Yasir Mohsin Husain,Jonathan Y. Wang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Clamp elements, memories, and apparatuses for memories and methods for forming the same

Номер патента: US20140247654A1. Автор: Fabio Pellizzer,Antonino Rigano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-09-04.

Design method for wafer layout and lithography machine exposure system

Номер патента: EP3985715A1. Автор: Wei Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-20.

Vertical transistor, memory cell, device, system and method of forming same

Номер патента: US20150262643A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-09-17.

Non-volatile memory cell with a hybrid access transistor

Номер патента: SG147369A1. Автор: Liu Donghua,JUNG Sung Mun,WOO Swee Tuck,Chen Xiaoyu,CHWA SIOW LEE,Rachel Low,Louis Lim. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-11-28.

Vertical transistor, memory cell, device, system and method of forming same

Номер патента: US20130258756A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-10-03.

Method Of Forming Split Gate Memory Cells With Thinned Side Edge Tunnel Oxide

Номер патента: US20210399127A1. Автор: Jinho Kim,Jean Francois Thiery,Nhan Do,Catherine Decobert,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Elizabeth Cuevas,Bernard Bertello,Gilles Festes. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Method of forming split gate memory cells with thinned side edge tunnel oxide

Номер патента: EP4169071A1. Автор: Jinho Kim,Jean Francois Thiery,Nhan Do,Catherine Decobert,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Elizabeth Cuevas,Bernard Bertello,Gilles Festes. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-26.

Method for producing dynamic semiconductor memory cells with random access (RAM) by double polysilicon gate technology

Номер патента: US4414058A. Автор: Wolfgang Mueller. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1983-11-08.

Non-volatile memory cell with charge storage layer in u-shaped groove

Номер патента: WO2009086433A3. Автор: Gary Bela Bronner. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2009-08-27.

High-k metal gate (hkmg) process for forming a memory cell with a large operation window

Номер патента: US20190067302A1. Автор: Cheng-Bo Shu,Yun-Chi Wu,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

P-channel dynamic flash memory cells with ultrathin tunnel oxides

Номер патента: US20020093045A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-07-18.

Memory bit cells with three-dimensional cross field effect transistors

Номер патента: US20240304241A1. Автор: Richard T. Schultz,Kerrie Vercant Underhill. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory bit cells with three-dimensional cross field effect transistors

Номер патента: WO2024187130A1. Автор: Richard T. Schultz,Kerrie Vercant Underhill. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2024-09-12.

Vertical transistor and memory cell

Номер патента: US6018176A. Автор: Byung-hak Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-01-25.

Atomic layer deposition of metal oxide materials for memory applications

Номер патента: WO2013032809A1. Автор: Imran Hashim,Yun Wang,Tony Chiang,Dipankar Pramanik,Vidyut Gopal. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2013-03-07.

Methods of forming a phase change memory with vertical cross-point structure

Номер патента: US20200303459A1. Автор: Federico Nardi,Christopher J. Petti,Gerrit Jan Hemink. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-24.

Layout of transmission vias for memory device

Номер патента: US20180005995A1. Автор: Kayoko Shibata. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-04.

Multi-gate selector switches for memory cells and methods of forming the same

Номер патента: US20230380186A1. Автор: Chung-Te Lin,Mauricio Manfrini,Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method for forming a homogeneous bottom electrode via (beva) top surface for memory

Номер патента: US20200144172A1. Автор: Wen-Ting Chu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Method for forming a homogeneous bottom electrode via (beva) top surface for memory

Номер патента: US20190096795A1. Автор: Wen-Ting Chu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Multinary bit cells for memory devices and network applications and method of manufacturing the same

Номер патента: US11749341B2. Автор: Chung-Te Lin,Katherine H. Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Multinary bit cells for memory devices and network applications and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220208260A1. Автор: Chung-Te Lin,Katherine H. Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Resistive memory with vertical transport transistor

Номер патента: US20220399491A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-12-15.

Back-end-of-line selector for memory device

Номер патента: US11997855B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Compensating for memory input capacitance

Номер патента: US20190229075A1. Автор: Timothy M. Hollis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-25.

Multinary bit cells for memory devices and network applications and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230360698A1. Автор: Chung-Te Lin,Katherine H. Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Memory cell with independent-gate controlled access devices and memory using the cell

Номер патента: US7738284B2. Автор: Keunwoo Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-06-15.

Memory devices having adjacent memory cells with mitigated disturb risk

Номер патента: US20240292630A1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli,Riccardo Pazzocco. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Compact EEPROM memory cell with a gate dielectric layer having two different thicknesses

Номер патента: US12052861B2. Автор: Francois Tailliet. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2024-07-30.

Voltage supply devices generating voltages applied to nonvolatile memory cells

Номер патента: US09620185B1. Автор: Hoe Sam Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Connections for memory electrode lines

Номер патента: US09613902B2. Автор: Fabio Pellizzer,Hernan A. Castro,Everardo Torres Flores. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Magnetic memory cells with fast read/write speed

Номер патента: US09570138B2. Автор: Eng Huat Toh,Chenchen Jacob WANG,Kiok Boone Elgin Quek,Vinayak Bharat Naik. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Connections for memory electrode lines

Номер патента: US09443562B2. Автор: Fabio Pellizzer,Hernan A. Castro,Everardo Torres Flores. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Non-volatile memory cell devices and methods, having a storage cell with two sidewall bit cells

Номер патента: US09390799B2. Автор: Yue-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-12.

Sidewall structures for memory cells in vertical structures

Номер патента: EP4348715A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Split gate non-volatile memory cells with finfet structure and hkmg memory and logic gates, and method of making same

Номер патента: EP3891804A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-13.

Split gate non-volatile memory cells with finfet structure and hkmg memory and logic gates, and method of making same

Номер патента: WO2020117329A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storge Technology, Inc.. Дата публикации: 2020-06-11.

Method Of Programming A Split-Gate Flash Memory Cell With Erase Gate

Номер патента: US20200066738A1. Автор: Nhan Do,Yuri Tkachev,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

One time programming memory cell with fin field-effect transistor using physically unclonable function technology

Номер патента: US20240021256A1. Автор: Lun-Chun Chen,Ping-Lung Ho. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Method of programming a split-gate flash memory cell with erase gate

Номер патента: EP3841581A1. Автор: Nhan Do,Yuri Tkachev,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-30.

Method of programming a split-gate flash memory cell with erase gate

Номер патента: WO2020040894A1. Автор: Nhan Do,Yuri Tkachev,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2020-02-27.

Non-volatile ferroelectric memory cells with multilevel operation

Номер патента: US20170249983A1. Автор: Ji Hoon Park,Ihab N. Odeh,Husam N. Alshareef,Mohd A. KHAN. Владелец: SABIC Global Technologies BV. Дата публикации: 2017-08-31.

Memory Arrays Comprising Vertically-Alternating Tiers Of Insulative Material And Memory Cells And Methods Of Forming A Memory Array Comprising Memory Cells Individually Comprising A Transistor And A Capacitor

Номер патента: US20240298451A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory cell storage node length

Номер патента: US20100091577A1. Автор: Hussein I. Hanafi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-04-15.

Low program voltage flash memory cells with embedded heater in the control gate

Номер патента: EP4409629A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Methods of forming pillars for memory cells using sequential sidewall patterning

Номер патента: WO2011056534A2. Автор: Roy E. Scheuerlein,Yoichiro Tanaka,Christopher J. Petti. Владелец: SANDISK 3D, LLC. Дата публикации: 2011-05-12.

Asymmetrical multi-gate string driver for memory device

Номер патента: US20190122737A1. Автор: Haitao Liu,Akira Goda,Guangyu Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-25.

One time programming memory cell with gate-all-around transistor for physically unclonable function technology

Номер патента: US20240023328A1. Автор: Lun-Chun Chen,Ping-Lung Ho. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

3d nand memory cell with flat trap base profile

Номер патента: US20230164987A1. Автор: Jin Lu,LINLIN Sun,Jie Li,Junmin Choi,Yu Yuwen,Jialin Ma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

A multi-transistor based non-volatile memory cell with dual threshold voltage

Номер патента: WO2008038236A3. Автор: Schaijk Robertus T F Van,Michiel Slotboom,Nader Akil,Almudena Huerta,Duuren Michiel J Van. Владелец: Duuren Michiel J Van. Дата публикации: 2008-07-03.

Nonvolatile memory cell with improved isolation structures

Номер патента: US10115789B2. Автор: Swen WANG. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2018-10-30.

Flash memory cell and associated decoders

Номер патента: US09953719B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Vertical transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09911848B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kai-Chieh Yang,Wai-Yi Lien,Carlos H. Diaz,Hao-Ling Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Memory cell with functions of storage element and selector

Номер патента: US09786842B1. Автор: Chih-Ming Lai,Lung-Han Peng,Jiun-Yun Li,I-Chun CHENG,Ming-Yi Yan,Jhih-You Lu,Hsien-Chih Huang,Yun-Shiuan LI,Yue-Lin Huang. Владелец: Opto Tech Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Memory cells with p-type diffusion read-only port

Номер патента: US09401200B1. Автор: Mark T. Chan,Shankar Prasad Sinha. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-07-26.

Memory cell located pulse generator

Номер патента: US10127979B2. Автор: Daniel Robert SHEPARD,Mac D. Apodaca. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-11-13.

Ball grid array package with protective circuitry layout and a substrate utilized in the package

Номер патента: US20170194231A1. Автор: Yong-Cheng Chuang. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-06.

Via landing enhancement for memory device

Номер патента: US20200127189A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Hung Cho Wang,Chun-Heng Liao,Chang-Jen Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Memory Cell with Phonon-Blocking Insulating Layer

Номер патента: US20130200476A1. Автор: WEI Tian,Zheng Gao,Yuankai Zheng,Haiwen Xi,Xiaohua Lou. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2013-08-08.

NOR Memory Cell with Floating Gate

Номер патента: US20240265976A1. Автор: Bing Yeh. Владелец: Greenliant Ip LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

Flash memory cell with a flair gate

Номер патента: US20080277712A1. Автор: Kuo-Tung Chang,Meng Ding,Shenqing Fang,YouSeok Suh. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-11-13.

Flash memory cell with flair gate

Номер патента: US9190531B2. Автор: Kuo-Tung Chang,Meng Ding,Shenqing Fang,YouSeok Suh. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-11-17.

Flash memory cell with a gate having a flaring shape and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2008140661A1. Автор: Kuo-Tung Chang,Meng Ding,Shenqing Fang,YouSeok Suh. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-11-20.

Devices including vertical transistors

Номер патента: US20240363763A1. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Three terminal SOT memory cell with anomalous Hall effect

Номер патента: US09830966B2. Автор: Neil Smith,Goran Mihajlovic. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for integrating non-volatile memory cells with static random access memory cells and logic transistors

Номер патента: US09653164B2. Автор: Cheong Min Hong,Laureen H. Parker. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Memory cell with improved write margin

Номер патента: US09646681B1. Автор: Sei Seung Yoon,ChangHo Jung,Keejong Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Three-dimensional charge trapping NAND cell with discrete charge trapping film

Номер патента: US09508736B2. Автор: Chun Chen,Kuo-Tung Chang,Shenqing Fang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Symmetric SRAM cell with buried N+ local interconnection line

Номер патента: US5354704A. Автор: Ming-Tzong Yang,Chen-Chin Hsue. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1994-10-11.

Storage capacitor for DRAM memory cell

Номер патента: US5867362A. Автор: Anchor Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-02-02.

Sidewall structures for memory cells in vertical structures

Номер патента: US11903333B2. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Decoding architecture for memory tiles

Номер патента: US20220336015A1. Автор: Andrea Martinelli,Claudio Nava,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Select device for memory cell applications

Номер патента: US20160329377A1. Автор: David H. Wells,Caner Onal,Christopher D. Cardon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-10.

Select device for memory cell applications

Номер патента: US20190006420A1. Автор: David H. Wells,Caner Onal,Christopher D. Cardon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-03.

Select device for memory cell applications

Номер патента: US20170358627A1. Автор: David H. Wells,Caner Onal,Christopher D. Cardon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-14.

Bidirectional Selector Device for Memory Applications

Номер патента: US20210313393A1. Автор: Zhiqiang Wei. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Stacked vertical transistor erasable programmable read-only memory and programmable inverter devices

Номер патента: US20210151449A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Tak Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Stacked vertical transistor erasable programmable read-only memory and programmable inverter devices

Номер патента: US20200303388A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Tak Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Wiring board, semiconductor device, and wiring board production method

Номер патента: EP3723120A1. Автор: Koji Imayoshi. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-14.

Racetrack memory cells with a vertical nanowire storage element

Номер патента: US9165675B2. Автор: Anthony J. Annunziata. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-10-20.

MOS memory cell with exponentially-profiled doping and offset floating gate tunnel oxidation

Номер патента: US4985717A. Автор: Sheldon Aronowitz,George P. Walker,Donald D. Forsythe,Bhaskar V. S. Gadepally. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1991-01-15.

Method of forming split gate memory cells with thinned tunnel oxide

Номер патента: EP4101003A1. Автор: Jinho Kim,Nhan Do,Catherine Decobert,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Elizabeth Cuevas,Bernard Bertello,Gilles Festes. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-14.

Method of forming split gate memory cells with thinned tunnel oxide

Номер патента: WO2021158257A1. Автор: Jinho Kim,Nhan Do,Catherine Decobert,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Elizabeth Cuevas,Bernard Bertello,Gilles Festes. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2021-08-12.

Method for producing integrated circuit memory cells with less dedicated lithographic steps

Номер патента: US09929165B1. Автор: PEY Kin Leong,Fan Zhang,Daxiang Wang,Danny Pak-Chum Shum,Soh Yun Siah,Pinghui Li,Juan Boon Tan,Laiqiang LUO,Zhiqiang Teo,Yu Jin Eugene Kong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Vertical memory cell with non-self-aligned floating drain-source implant

Номер патента: US09876122B2. Автор: Francesco La Rosa,Stephan Niel,Arnaud Regnier,Marc Mantelli,Julien Delalleau. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-01-23.

Memory cell with redundant carbon nanotube

Номер патента: US09842991B2. Автор: Keith W. Golke,David K. Nelson. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Memory cell with high endurance for multiple program operations

Номер патента: US09792993B2. Автор: Shih-Chen Wang,Chun-Yuan Lo,Wen-hao Ching. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor memory device for sensing memory cell with variable resistance

Номер патента: US09747966B2. Автор: Katsuyuki Fujita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

EEPROM memory cell with a coupler region and method of making the same

Номер патента: US09450052B1. Автор: Albert Bergemont,Eric Braun,Joel M. McGregor. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Electrically reprogrammable EPROM cell with merged transistor and optiumum area

Номер патента: US5293328A. Автор: James Brennan, Jr.,Alaaeldin A. M. Amin. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1994-03-08.

Substrate component layout and bonding method for increased package capacity

Номер патента: US11810896B2. Автор: Fen YU,Hope Chiu,Jiandi Du,Rui YUan,Zengyu Zhou. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Connections for memory electrode lines

Номер патента: US20160133300A1. Автор: Fabio Pellizzer,Hernan A. Castro,Everardo Torres Flores. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-05-12.

Content addressable memory using threshold-adjustable vertical transistors and methods of forming the same

Номер патента: US20200006383A1. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-01-02.

Content addressable memory using threshold-adjustable vertical transistors and methods of forming the same

Номер патента: EP3685382A1. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-07-29.

Substrate Component Layout and Bonding Method for Increased Package Capacity

Номер патента: US20220375896A1. Автор: Fen YU,Hope Chiu,Jiandi Du,Rui YUan,Zengyu Zhou. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-24.

Shielded gate trench mosfets with hexagonal deep trench layouts and multiple epitaxial layers

Номер патента: US20240186265A1. Автор: Fu-Yuan Hsieh. Владелец: Nami Mos Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Single igfet memory cell with buried storage element

Номер патента: CA1068001A. Автор: Fredrick B. Jenne. Владелец: American Microsystems Holding Corp. Дата публикации: 1979-12-11.

Vertical 1t ferroelectric memory cells, memory arrays and methods of forming the same

Номер патента: WO2019152087A1. Автор: Christopher J. Petti,Teruyuki Mine. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-08-08.

Non-volatile semiconductor memory cell with control gate and floating gate and select gate located above the channel

Номер патента: US5859455A. Автор: Shih-Chiang Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-01-12.

Multiple select gates with non-volatile memory cells

Номер патента: US7433231B2. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-10-07.

Phase-change memory cell with asymmetric structure, a memory device including the phase-change memory cell, and a method for manufacturing the phase-change memory cell

Номер патента: US20230240160A1. Автор: Andrea Redaelli,Mario Allegra. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-07-27.

Perpendicular spin transfer torque mram memory cell with in-stack thermal barriers

Номер патента: WO2020256777A1. Автор: Goran Mihajlovic,Tiffany Santos,Michael Grobis. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2020-12-24.

SRAM read preferred bit cell with write assist circuit

Номер патента: US09583178B2. Автор: Bin Yang,Seong-Ook Jung,Choh fei Yeap,Younghwi Yang. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2017-02-28.

Membrane switch circuit layout and method for manufacturing

Номер патента: WO2003002346A2. Автор: Wayne Nelson,Joel Theisen,John Pesonen. Владелец: Icorp.. Дата публикации: 2003-01-09.

Membrane switch circuit layout and method for manufacturing

Номер патента: US20030000820A1. Автор: Wayne Nelson,Joel Theisen,John Pesonen. Владелец: Icorp. Дата публикации: 2003-01-02.

Keyboard based on key position layout and input method thereof applied to electronic device

Номер патента: US12061749B1. Автор: Misheng Zhao. Владелец: Mihuan Technology (changchun) Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Circuit board pad layout and mechanical retainer

Номер патента: US09799973B2. Автор: Donald Mark Sizemore,Curtis Rylee Keim,Nicholas Daniel Parry,Thomas Curtis Brown,Mark Justin Sonderegger. Владелец: Ross Video Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Wire fastening method and wire harness

Номер патента: RU2513899C1. Автор: Хироси КОБАЯСИ,Цутому ТАКАЯМА,Саори МУРАМАЦУ,Синья КАИ,Такахито НАКАДЗИМА. Владелец: Ядзаки Корпорейшн. Дата публикации: 2014-04-20.

Wire manipulation tool, component for wire manipulation tool, wire cutting method, and wire connection method

Номер патента: AU2019417007B2. Автор: Takayuki NAGAKI,Tomoharu Miyazawa. Владелец: Nagaki Seiki Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of radiation cross-linking of polymer insulation of electric cables and wires and the device for its implementation

Номер патента: RU2662532C1. Автор: Александр Ильич Смирнов,Владимир Викторович Новиков,Василий Васильевич Потапов,Константин Витальевич Суслов,Геннадий Кириллович Новиков,Вадим Валентинович Федчишин,Ольга Евгеньевна Пушко. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Иркутский национальный исследовательский технический университет" (ФГБОУ ВО "ИРНИТУ"). Дата публикации: 2018-07-26.

Circuit board pad layout and mechanical retainer

Номер патента: CA2941284C. Автор: Donald Mark Sizemore,Curtis Rylee Keim,Nicholas Daniel Parry,Thomas Curtis Brown,Mark Justin Sonderegger. Владелец: Ross Video Ltd. Дата публикации: 2022-04-05.

Strain Relief and Wire Management System

Номер патента: US20210305747A1. Автор: Thomas Scott Richter. Владелец: Adrian Steel Co. Дата публикации: 2021-09-30.

Verify while write scheme for non-volatile memory cell

Номер патента: US20110194355A1. Автор: Chen-Hao Po. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2011-08-11.

Precharging scheme for reading a memory cell

Номер патента: US20040037137A1. Автор: Keith Wong,Michael Chung,Pau-Ling Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-26.

Yield recovery scheme for memory

Номер патента: US20240096405A1. Автор: Brian C. Gaide. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Data recovery method for memory device

Номер патента: US20240136009A1. Автор: Wen-Jer Tsai,You-Liang CHOU. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Data recovery method for memory device

Номер патента: US20240233856A9. Автор: Wen-Jer Tsai,You-Liang CHOU. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Far End Driver for Memory Clock

Номер патента: US20240290366A1. Автор: Atul Katoch. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Programming techniques for memory devices having partial drain-side select gates

Номер патента: US20220399063A1. Автор: Parth AMIN,Anubhav Khandelwal. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-12-15.

Control of conference layout and control protocol

Номер патента: RU2396730C2. Автор: Арун ПУНДЖ,Ричард Е. ХЬЮБЕР. Владелец: Эрикссон Аб. Дата публикации: 2010-08-10.

Foggy-fine programming for memory cells with reduced number of program pulses

Номер патента: WO2023014413A1. Автор: Liang Li,Ming Wang,Yichen WANG,Will Li,Bruce Li. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2023-02-09.

Foggy-fine programming for memory cells with reduced number of program pulses

Номер патента: EP4381505A1. Автор: Liang Li,Ming Wang,Yichen WANG,Will Li,Bruce Li. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-12.

Memory devices having vertical transistors in staggered layouts

Номер патента: US12082399B2. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Control circuitry for memory cells

Номер патента: US20120314508A1. Автор: Luca Milani,Rainer Herberholz,Justin Penfold,Kwangseok Han. Владелец: Cambridge Silicon Radio Ltd. Дата публикации: 2012-12-13.

Integrated circuit with separate supply voltage for memory that is different from logic circuit supply voltage

Номер патента: US09672901B2. Автор: Daniel C. Murray,Brian J. Campbell,Sribalan Santhanam,Vincent R. von Kaenel,Gregory S. Scott. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory with respective power voltages for memory cells

Номер патента: US20180277199A1. Автор: Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Chih-Yu Lin,Kao-Cheng LIN,Wei-Min CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Decoding architecture for memory devices

Номер патента: US11869577B2. Автор: Fabio Pellizzer,Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Decoding architecture for memory devices

Номер патента: US20230238050A1. Автор: Fabio Pellizzer,Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Memory cells with sidewall and bulk regions in planar structures

Номер патента: US20240147872A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Data recovery method for memory device

Номер патента: US11990202B2. Автор: Wen-Jer Tsai,You-Liang CHOU. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Far end driver for memory clock

Номер патента: US12009055B2. Автор: Atul Katoch. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Memory cells with sidewall and bulk regions in planar structures

Номер патента: WO2022251792A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-12-01.

Decoding architecture for memory devices

Номер патента: US20240203481A1. Автор: Fabio Pellizzer,Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Obtaining threshold voltage measurements for memory cells based on a user read mode

Номер патента: EP4385019A2. Автор: Liang Li,Jiahui Yuan,Qianqian Yu,Loc Tu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Obtaining threshold voltage measurements for memory cells based on a user read mode

Номер патента: US11756630B2. Автор: Liang Li,Jiahui Yuan,Qianqian Yu,Loc Tu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Magnetic random access memory cell with dual junction for ternary content addressable memory applications

Номер патента: RU2572464C2. Автор: Бертран КАМБУ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-01-10.

Memory devices having vertical transistors in staggered layouts

Номер патента: WO2023070640A1. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-05-04.

Circuit board with double-sided universal circuit layout and layout method thereof

Номер патента: US20120145443A1. Автор: Ching-Feng Hsieh,Kuo-Chan Peng. Владелец: Askey Computer Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Aircraft electrical layout, aircraft comprising said layout, and method for operation of this layout

Номер патента: RU2765513C2. Автор: Фредерик ЛАКО,Стефан ГЮГЕН,Амира МААЛУФ. Владелец: Таль. Дата публикации: 2022-01-31.

Tunable timer for memory arrays

Номер патента: US5120987A. Автор: Robert C. Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1992-06-09.

Neighbor bit line coupling enhanced gate-induced drain leakage erase for memory apparatus with on-pitch semi-circle drain side select gate technology

Номер патента: US11881266B2. Автор: Xiang Yang,Ohwon KWON,Kou Tei. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-23.

Apparatus, method and system to reduce memory window latency and read disturb in a memory device for memory operations

Номер патента: US20230267988A1. Автор: LU LIU,Raymond Zeng,Hemant P. Rao,Phoebe P. Yeoh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory device having error correction function and error correction method for memory device

Номер патента: US20180260275A1. Автор: Seung Yeob Lee,Joon Sung YANG. Владелец: Research & Business Foundation Sungkyunwan University. Дата публикации: 2018-09-13.

Error protection for memory devices

Номер патента: US20130246895A1. Автор: Christophe Laurent,Richard Fackenthal,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-19.

Error protection for memory devices

Номер патента: EP2845101A1. Автор: Christophe Laurent,Richard Fackenthal,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-03-11.

Error protection for memory devices

Номер патента: WO2013138083A1. Автор: Christophe Laurent,Richard Fackenthal,Paolo Amato. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-09-19.

Write Driver Boost Circuit for Memory Cells

Номер патента: US20240135983A1. Автор: Sanjeev Kumar Jain. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

In wheel motor layout and drive method

Номер патента: US20220060082A1. Автор: Shigeki Tada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-02-24.

Write assist for memories with resistive bit lines

Номер патента: WO2018106866A1. Автор: Russell Homer,Alfred Yeung,Abhiram Saligram Chandrashekar. Владелец: Ampere Computing LLC. Дата публикации: 2018-06-14.

Circuit board layout and corresponding method

Номер патента: RU2722682C1. Автор: Зигфрид БЁМЕ,Хайко ХОЛИГХАУС,Даниэль БРЮК. Владелец: Ритталь Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2020-06-03.

Encoding method and system for memory device including qlc cells

Номер патента: US20190213074A1. Автор: Fan Zhang,Naveen Kumar,Aman BHATIA. Владелец: SK Hynix Memory Solutions America Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

Structure of pixel layout and electroluminescent display

Номер патента: US20240057381A1. Автор: Shih-Song Cheng,Sen-Chuan Hung. Владелец: Ultradisplay Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Wind farm layout and yaw control method and electronic device

Номер патента: US20240200534A1. Автор: Lidong ZHANG,Guohao Li,Changpeng Song,Xiandong XU,Yuze ZHAO. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-06-20.

Sensing scheme for low power refram-based physical unclonable functions

Номер патента: US20220044727A1. Автор: Bertrand F. Cambou,Ian Burke,Taylor Wilson,Julie B. Heynssens. Владелец: Northern Arizona University. Дата публикации: 2022-02-10.

Reconfigurable programmable logic device with P-channel non-volatile memory cells

Номер патента: US20080024164A1. Автор: Cheng-Hsiung Kuo,Hsiang-Tai Lu,Yue-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-01-31.

Mobile terminal having qwerty key layout and method of setting and inputting symbol therein

Номер патента: US20090184928A1. Автор: Nam Hee Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-07-23.

Selective inhibit bitline voltage to cells with worse program disturb

Номер патента: US20230274785A1. Автор: Ravi Kumar,Yu-Chung Lien,Xue Pitner,Sujjatul Islam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

Non-volatile ferroelectric memory cells with multilevel operation

Номер патента: EP3143650A1. Автор: Ji Hoon Park,Ihab N. Odeh,Husam N. Alshareef,Mohd A. KHAN. Владелец: SABIC Global Technologies BV. Дата публикации: 2017-03-22.

Programming schemes for multi-level analog memory cells

Номер патента: US09449705B2. Автор: Ofir Shalvi,Naftali Sommer,Dotan Sokolov,Yoav Kasorla. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Two-layer code with low parity cost for memory sub-systems

Номер патента: WO2020257057A1. Автор: James Fitzpatrick,Sanjay Subbarao. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-12-24.

Preconditioning operation for a memory cell with a spontaneously-polarizable memory element

Номер патента: US11996131B2. Автор: Johannes Ocker,Foroozan Koushan. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2024-05-28.

Differential amplifier schemes for sensing memory cells

Номер патента: EP3766068A1. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo,Stefan Frederik Schippers. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-20.

Wiring duct tool, wiring unit having electric device and said tool, and wiring unit having wiring duct and said tool

Номер патента: RU2492563C2. Автор: Бруно ГОТЬЕ. Владелец: Легран Франс. Дата публикации: 2013-09-10.

Differential amplifier schemes for sensing memory cells

Номер патента: US20210166736A1. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

Differential amplifier schemes for sensing memory cells

Номер патента: US11735234B2. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Programming techniques for memory devices having partial drain-side select gates

Номер патента: US11823744B2. Автор: Xiang Yang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-21.

Obtaining threshold voltage measurements for memory cells based on a user read mode

Номер патента: WO2023018453A2. Автор: Liang Li,Jiahui Yuan,Qianqian Yu,Loc Tu. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2023-02-16.

Variable modulation scheme for memory device access or operation

Номер патента: US20240303194A1. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Jeffrey P. Wright,Timothy M. Hollis. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-12.

Straight-through fixing accessory for installation and wiring duct using such accessories

Номер патента: RU2251181C2. Автор: Бертран ДЕКОР,Рафаэль ДЕКОР. Владелец: Легран. Дата публикации: 2005-04-27.

Decoding architecture for memory tiles

Номер патента: US11804264B2. Автор: Andrea Martinelli,Claudio Nava,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Write driver boost circuit for memory cells

Номер патента: US11881250B2. Автор: Sanjeev Kumar Jain. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

Power source switching circuit for memory device

Номер патента: US20240145019A1. Автор: Sang Ho Lee,Hyoung Kyu Kim,Il Jun KIM,Kwon Young OH. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Select device for memory cell applications

Номер патента: EP3207575A1. Автор: David H. Wells,Caner Onal,Christopher D. Cardon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-23.

Select device for memory cell applications

Номер патента: WO2016060973A1. Автор: David H. Wells,Caner Onal,Christopher D. Cardon. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2016-04-21.

Write Driver Boost Circuit for Memory Cells

Номер патента: US20220262423A1. Автор: Sanjeev Kumar Jain. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Wiring verification system, wiring verification method, and wiring verification program product

Номер патента: US20100251195A1. Автор: Masahito Kumazaki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Memory cell with de-initialization circuitry

Номер патента: US09608827B1. Автор: Stephen M. Trimberger. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Three dimensional memory device including memory cells with resistance change layers

Номер патента: US09508430B2. Автор: Kenichi Murooka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Hardware for mounting installation and wiring duct on base for laying electric cables

Номер патента: RU2251184C2. Автор: Бертран ДЕКОР,Давид ПИОЛЬ. Владелец: Легран. Дата публикации: 2005-04-27.

DRAM memory cell for programmable logic devices

Номер патента: US5847577A. Автор: Stephen M. Trimberger. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 1998-12-08.

Method for computer-assisted operation of a memory unit and execution of application programs having memory checking for memory errors

Номер патента: AU2023202494A1. Автор: Andreas Schallenberg,Stefan Gerken,Markus Seemann. Владелец: Siemens Mobility GmbH. Дата публикации: 2023-11-09.

Fabrication method of a MgB2 superconducting tape and wire

Номер патента: US8173579B2. Автор: Hiroaki Kumakura,Takayuki Nakane,Hiroki Fujii,Hitoshi Kitaguchi. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2012-05-08.

System and method for memory compression for deep learning networks

Номер патента: US12118212B2. Автор: Andreas Moshovos,Alberto DELMAS LASCORZ,Sayeh SHARIFYMOGHADDAM,Isak Edo Vivancos. Владелец: University of Toronto. Дата публикации: 2024-10-15.

Method for computer-assisted operation of a memory unit and execution of application programs having memory checking for memory errors

Номер патента: AU2023202494B2. Автор: Andreas Schallenberg,Stefan Gerken,Markus Seemann. Владелец: Siemens Mobility GmbH. Дата публикации: 2024-10-03.

System and method for memory compression for deep learning networks

Номер патента: CA3178577A1. Автор: Andreas Moshovos,Alberto DELMAS LASCORZ,Sayeh SHARIFYMOGHADDAM,Isak Edo Vivancos. Владелец: University of Toronto. Дата публикации: 2021-11-18.

Wound stator and wires for the same

Номер патента: US09831732B2. Автор: Chun-Yuan Wang,Ming-Laang Liou. Владелец: Victory Industrial Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Read-assist circuits for memory bit cells employing a P-type field-effect transistor (PFET) read port(s), and related memory systems and methods

Номер патента: US09741452B2. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoan Huu Nguyen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Method and device for memory size adapted serial data transfer

Номер патента: RU2597502C2. Автор: Флориан ХАРТВИХ. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 2016-09-10.

Methods and device to reduce the requirements for memory for software applications in the process control systems

Номер патента: RU2634220C2. Автор: Дэвид Кёртис ИНГРЭМ. Владелец: ФИШЕР КОНТРОЛЗ ИНТЕРНЕШНЕЛ ЛЛС. Дата публикации: 2017-10-24.

Control gate and word line voltage boosting scheme for twin MONOS memory cells

Номер патента: EP1274096B1. Автор: Seiki Ogura,Nori Ogura. Владелец: Halo LSI Design and Device Technology Inc. Дата публикации: 2007-09-19.

Fast sensing scheme for floating-gate memory cells

Номер патента: US7206240B2. Автор: Tommaso Vali,Giulio Giuseppe Marotta,Girolamo Gallo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-04-17.

Techniques for memory cell reset using dummy word lines

Номер патента: US20230395123A1. Автор: Yuan He,Wenlun Zhang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory array with multiplexed select lines and two transistor memory cells

Номер патента: US12131766B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Bias control for memory cells with multiple gate electrodes

Номер патента: US12057177B2. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Bias control for memory cells with multiple gate electrodes

Номер патента: US20240355398A1. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Fractional program commands for memory devices

Номер патента: US09966142B2. Автор: Gary B. Bronner,Ian Shaeffer,Brent S. Haukness. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-05-08.

Redundancy schemes for memory cell repair

Номер патента: US09911510B1. Автор: Young Suk Kim,Lalit Gupta,Fakhruddin Ali Bohra,Vivek Nautiyal,Pranay Prabhat,Jungtae Kwon,Shri Sagar Dwivedi,Satinderjit Singh. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Gate drive voltage boost schemes for memory array ii

Номер патента: EP2467853A1. Автор: Hsu Kai Yang. Владелец: MagIC Technologies Inc. Дата публикации: 2012-06-27.

Advanced programming verification schemes for memory cells

Номер патента: US20150193293A1. Автор: Eyal Gurgi,Yoav Kasorla,Barak Rotbard,Shai Ojalvo. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2015-07-09.

Redundancy schemes for memory

Номер патента: US09711243B1. Автор: Fakhruddin Ali Bohra,Vivek Nautiyal,Shri Sagar Dwivedi,Jitendra Dasani,Satinderjit Singh. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Advanced programming verification schemes for memory cells

Номер патента: US09417948B2. Автор: Eyal Gurgi,Yoav Kasorla,Barak Rotbard,Shai Ojalvo. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Redundancy and swapping scheme for memory repair

Номер патента: US20240232028A1. Автор: Simon J. Lovett,Jaeil Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Systems, methods, and apparatus for memory cells with common source lines

Номер патента: US09818484B2. Автор: Xiaojun Yu,Igor G. Kouznetsov,Venkatraman Prabhakar,Bo Jin,Long T Hinh. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Systems, methods, and apparatus for memory cells with common source lines

Номер патента: US09627073B2. Автор: Xiaojun Yu,Igor G. Kouznetsov,Venkatraman Prabhakar,Bo Jin,Long Hinh. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Current references for memory cells

Номер патента: US20240203490A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Pierguido Garofalo,Umberto Di Vincenzo,Claudia Palattella. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Operation method for memory device

Номер патента: US20220013180A1. Автор: Tzu-Hsuan Hsu,Po-Kai Hsu,Hang-Ting Lue,Teng-Hao Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

Redundancy array column decoder for memory

Номер патента: US10468085B2. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-05.

Three-dimensional (3-d) write assist scheme for memory cells

Номер патента: US20220343958A1. Автор: Chia-En HUANG,Fu-An Wu,Chih-Chieh Chiu,I-Han HUANG,Jung-Ping Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Operation method for memory device

Номер патента: US20240282380A1. Автор: Yi-Chen Fan,Chieh-Yen Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Word line drivers for memory devices

Номер патента: US20240194256A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui,Brenton P. Van Leeuwen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Distributed write driver for memory array

Номер патента: US20240170051A1. Автор: Mohit Gupta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-05-23.

Improved timing circuit for memories

Номер патента: EP3482396A1. Автор: ChangHo Jung,Sonia Ghosh. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-05-15.

Improved timing circuit for memories

Номер патента: EP4213151A1. Автор: ChangHo Jung,Sonia Ghosh. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-07-19.

Improved timing circuit for memories

Номер патента: WO2018009298A1. Автор: ChangHo Jung,Sonia Ghosh. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-01-11.

Three-dimensional (3-d) write assist scheme for memory cells

Номер патента: US20190096458A1. Автор: Chia-En HUANG,Fu-An Wu,Chih-Chieh Chiu,I-Han HUANG,Jung-Ping Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Inspection method for memory integrity, nonvolatile memory and electronic device

Номер патента: US10762970B2. Автор: Jun-Lin Yeh. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-09-01.

Method and system for registering circuit design layout and scanning electron microscope image, circuit design layout and imaging error calculation method thereof, and electronic device

Номер патента: US12062196B2. Автор: GE Yan,QIANG LI. Владелец: Shenzhen Jingyuan Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Timing circuit for memories

Номер патента: US09858988B1. Автор: ChangHo Jung,Sonia Ghosh. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Memory cell coupling compensation

Номер патента: US09552257B2. Автор: Peter Feeley,William H. Radke,Zhenlei Shen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Circuit for memory cell recovery

Номер патента: US20130272077A1. Автор: Rajiv V. Joshi,Jente B. Kuang,Carl J. Radens,Rouwaida N. Kanj. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-10-17.

Programming method and reading method for memory device

Номер патента: US11276464B2. Автор: Yu-Sheng Chen,Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-15.

Programming method and reading method for memory device

Номер патента: US20200105341A1. Автор: Yu-Sheng Chen,Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Folded addressing method for memory architectures

Номер патента: US6370076B1. Автор: Luigi Penza,Gianluca Blasi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-04-09.

Memory address decode array with vertical transistors

Номер патента: US20030087495A1. Автор: Leonard Forbes,Wendell Noble. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-05-08.

Programming method and reading method for memory device

Номер патента: US20210043254A1. Автор: Yu-Sheng Chen,Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Data type identification schemes for memory systems

Номер патента: US20240289053A1. Автор: Giuseppe Cariello. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Method and system for registering circuit design layout and scanning electron microscope image, circuit design layout and imaging error calculation method thereof, and electronic device

Номер патента: US20220092799A1. Автор: GE Yan,QIANG LI. Владелец: Shenzhen Jingyuan Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Method of improving read current stability in analog non-volatile memory by post-program tuning for memory cells exhibiting random telegraph noise

Номер патента: US12080355B2. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Circuits and methods of mitigating hold time failure of pipeline for memory device

Номер патента: US12119079B2. Автор: Jaspal Singh Shah. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Circuits and methods of mitigating hold time failure of pipeline for memory device

Номер патента: US20240371418A1. Автор: Jaspal Singh Shah. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Lower power high speed decoding based dynamic tracking for memories

Номер патента: US09978442B2. Автор: Rui Li,Sei Seung Yoon,Bin Liang,Tony Chung Yiu Kwok. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Linear programming based decoding for memory devices

Номер патента: US09424945B2. Автор: Xudong Ma. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2016-08-23.

Imprint recovery for memory cells

Номер патента: US20210319843A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Imprint recovery for memory cells

Номер патента: US20230187010A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Imprint recovery for memory cells

Номер патента: US12040038B2. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of preparing a layout and system for performing the same

Номер патента: US20150161325A1. Автор: Wei Min Chan,Chen-Lin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-06-11.

Redundancy concept for memory circuits having ROM memory cells

Номер патента: US5986952A. Автор: Manfred Bromba,Eckehard Plättner,Konrad SCHÖNEMANN,Jochen Breilmann,Roderick McConnell,Klaus Bernauer. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-11-16.

Method and apparatus for memory fault tolerance

Номер патента: US20130141995A1. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Glenn Gulak,Vadim Smolyakov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-06.

Method and apparatus for memory fault tolerance

Номер патента: US8705298B2. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Glenn Gulak,Vadim Smolyakov. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2014-04-22.

Resistive memory and data writing method for memory cell thereof

Номер патента: US09627059B2. Автор: Po-Wei Huang,Chia-hung Lin,Lih-Wei Lin,Ju-Chieh Cheng,Tsung-Huan Tsai,I-Hsien Tseng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Write controlling method for memory

Номер патента: US09558833B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Test method for memory

Номер патента: US09548138B2. Автор: Tsung-Yi Chou,Shih-Fu Huang,Ying-Tsai Ting,Che-Chin Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Efficient and robust random access memory cell suitable for programmable logic configuration control

Номер патента: US20020001222A1. Автор: Rafael Camarota. Владелец: Adaptive Silicon Inc. Дата публикации: 2002-01-03.

Memory cells for storing operational data

Номер патента: US20220172782A1. Автор: Innocenzo Tortorelli,Mattia Boniardi,Anna Maria Conti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-02.

Memory cells for storing operational data

Номер патента: US11783897B2. Автор: Innocenzo Tortorelli,Mattia Boniardi,Anna Maria Conti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Bias control for memory cells with multiple gate electrodes

Номер патента: US20220130470A1. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Imprint recovery management for memory systems

Номер патента: US12019506B2. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Switch and hold biasing for memory cell imprint recovery

Номер патента: US20230395114A1. Автор: Angelo Visconti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Switch and hold biasing for memory cell imprint recovery

Номер патента: US20240096390A1. Автор: Angelo Visconti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Systems and methods for memory cell accesses

Номер патента: US20220246209A1. Автор: Yen Chun LEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

Precharge circuitry for memory

Номер патента: WO2021228953A1. Автор: Adam Makosiej. Владелец: Xenergic. Дата публикации: 2021-11-18.

Imprint recovery for memory arrays

Номер патента: US20220199155A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Systems and methods for memory cell accesses

Номер патента: US11948634B2. Автор: Yen Chun LEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Methods and devices for determining writing current for memory cells

Номер патента: US20060203537A1. Автор: Hung-Cheng Sung,Der-Shin Shyu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-09-14.

Edge word line concurrent programming with verify for memory apparatus with on-pitch semi-circle drain side select gate technology

Номер патента: US12046302B2. Автор: Xiang Yang,Ken Oowada,Deepanshu Dutta. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-23.

Testing operations for memory systems

Номер патента: US12067257B2. Автор: Yuan He,Sujeet V. Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Reference word line and data propagation reproduction circuit for memories provided with hierarchical decoders

Номер патента: US5754483A. Автор: Luigi Pascucci,Paolo Rolandi,Marco Fontana,Antonio Barcella. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1998-05-19.

Adjusting operational parameters for memory cells

Номер патента: US8687419B2. Автор: Seong Je Park. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-01.

Method and apparatus for memory fault tolerance

Номер патента: US20130141996A1. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Glenn Gulak,Vadim Smolyakov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-06.

Method and apparatus for memory fault tolerance

Номер патента: US8897086B2. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Glenn Gulak,Vadim Smolyakov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-11-25.

Memory cell read operation techniques

Номер патента: US12094533B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Francesco Mastroianni,Nevil N. Gajera,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device to improve reliability of read operation for memory cells

Номер патента: US09543031B2. Автор: Woo Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of dynamically selecting memory cell capacity

Номер патента: US09437254B2. Автор: Federico Pio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Fractional program commands for memory devices

Номер патента: US20210174875A1. Автор: Gary Bela Bronner,Ian Shaeffer,Brent S. Haukness. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2021-06-10.

Method of designing circuit layout and system for implementing the same

Номер патента: US9558314B2. Автор: TE-YU LIU,Chia-Yi Chen,Ke-Ying Su,Ke-Wei Su,Cheng Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Correction method of mask layout and mask containing corrected layout

Номер патента: US20210216008A1. Автор: Yaojun DU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-07-15.

Write assist circuit for memory device

Номер патента: US20230335186A1. Автор: Chia-Che Chung,Hsin-cheng Lin,Chee-Wee Liu. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2023-10-19.

Methods for decomposing circuit design layouts and for fabricating semiconductor devices using decomposed patterns

Номер патента: US20130219347A1. Автор: Peng XIE,Yi Zou,Luigi Capodieci,Vito Dai,Swamy Muddu,Lynn T. Wang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

Automatic test-pattern generation for memory-shadow-logic testing

Номер патента: US20180025787A1. Автор: Nishu Kohli. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2018-01-25.

Correction method of mask layout and mask containing corrected layout

Номер патента: US11624977B2. Автор: Yaojun DU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-04-11.

Method and apparatus for memory fault tolerance

Номер патента: WO2012158222A1. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Glenn Gulak,Vadim Smolyakov. Владелец: MaxLinear, Inc.. Дата публикации: 2012-11-22.

Automatic test-pattern generation for memory-shadow-logic testing

Номер патента: US20150179282A1. Автор: Nishu Kohli. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2015-06-25.

Customizable Software Keyboard Layouts and Accessory View

Номер патента: US20170075431A1. Автор: Vahagn Nurijanyan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-16.

Automatic test-pattern generation for memory-shadow-logic testing

Номер патента: US09812219B2. Автор: Nishu Kohli. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-11-07.

Techniques for memory system refresh

Номер патента: US20230253024A1. Автор: QI Dong,Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Techniques for memory system refresh

Номер патента: US11961547B2. Автор: QI Dong,Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Fractional program commands for memory devices

Номер патента: US20180301194A1. Автор: Gary Bela Bronner,Ian Shaeffer,Brent S. Haukness. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-10-18.

Techniques for memory cell refresh

Номер патента: US20230317134A1. Автор: Vincenzo Reina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Determining categories for memory fail conditions

Номер патента: US09620244B1. Автор: Martin Eckert,Otto A. Torreiter,Nils Schlemminger. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Estimation of level-thresholds for memory cells

Номер патента: US09583184B2. Автор: Thomas Mittelholzer,Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Thomas Parnell,Milos Stanisavljevic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Global write driver for memory array structure

Номер патента: US09411392B2. Автор: Ajay Bhatia,Michael Dreesen. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Determining categories for memory fail conditions

Номер патента: US09401222B1. Автор: Martin Eckert,Otto A. Torreiter,Nils Schlemminger. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-26.

Verify before program resume for memory devices

Номер патента: US20200142819A1. Автор: Ian Shaeffer,Brent S. Haukness. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2020-05-07.

Multi-pass programming process for memory device which omits verify test in first program pass

Номер патента: EP3711053A1. Автор: Yingda Dong,Ashish Baraskar,Ching-Huang Lu,Vinh Diep. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-23.

Proactive edge word line leak detection for memory apparatus with on-pitch semi-circle drain side select gate technology

Номер патента: US20230125748A1. Автор: Xiang Yang,Xiaochen Zhu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-04-27.

Maintenance operations for memory devices

Номер патента: US20220404969A1. Автор: Ning Chen,Fangfang Zhu,Ying Yu Tai,Jiangli Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-22.

Touchup for memory device using embedded encoder/decoder

Номер патента: US20240289218A1. Автор: Vikas RANA,Kishore Kumar Muchherla,James Fitzpatrick,William Richard Akin,Kevin R. Brandt,Dung V. Nguyen,David Ebsen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Touchup for memory device using embedded encoder and decoder

Номер патента: WO2024178374A1. Автор: Vikas RANA,Kishore Kumar Muchherla,James Fitzpatrick,William Richard Akin,Kevin R. Brandt,Dung V. Nguyen,David Ebsen. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-08-29.

Electronic device capable of providing multi-window layout and operation method therefor

Номер патента: US12112026B2. Автор: Won Lee,Eunjung Huh,Younghak Oh,Changmo YANG,Heeyul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Global responder signal circuitry for memory arrays

Номер патента: US12131779B2. Автор: Eli Ehrman,Avidan Akerib. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

First read solution for memory

Номер патента: US09952944B1. Автор: Alon Eyal,Idan Alrod,Eran Sharon,Liang PANG,Evgeny Mekhanik. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-24.

Bit writability implementation for memories

Номер патента: US09875776B1. Автор: Rakesh Kumar Sinha,Priyankar Mathuria,Sharad Kumar Gupta. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Test mode circuit for memory apparatus

Номер патента: US09852809B2. Автор: Toru Ishikawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Write-tracking circuit for memory

Номер патента: US09830978B2. Автор: Wei Fang,Zengbo Shi. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Table game management system, gaming table layout, and gaming table

Номер патента: US12148263B2. Автор: Yasushi Shigeta. Владелец: Angel Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Multi-die DRAM banks arrangement and wiring

Номер патента: US09548102B2. Автор: Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-01-17.

Smart read scheme for memory array sensing

Номер патента: US20140241090A1. Автор: Yingchang Chen,Jeffrey Koon Yee Lee. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2014-08-28.

Write Algorithm for Memory

Номер патента: US20180315464A1. Автор: William J. Gallagher,Yi-Chun Shih,Yu-Der Chih,Yi-Chieh Chiu,Chien-Ye Lee,Jenn-Jou Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-01.

Apparatuses and methods of operating for memory endurance

Номер патента: WO2013033375A1. Автор: Chandra C. Varanasi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-03-07.

Power mode wake-up for memory on different power domains

Номер патента: US11763873B2. Автор: Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh,Che-Ju Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Power mode wake-up for memory on different power domains

Номер патента: US12068018B2. Автор: Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh,Che-Ju Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Voltage generator for memory array

Номер патента: US20100246282A1. Автор: Emmanuel Racape. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Current Magnitude Compensation for Memory Cells in a Data Storage Array

Номер патента: US20110007550A1. Автор: Markus Jan Peter Siegert,Andrew John Carter,Michael Xuefei Tang,Alan Xuguang Wang. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2011-01-13.

Generating collage digital images by combining scene layouts and pixel colors utilizing generative neural networks

Номер патента: US12136151B2. Автор: Taesung PARK,Elya Shechtman,Alexei A. Efros,Richard Zhang,Nadav Epstein. Владелец: Adobe Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Power mode wake-up for memory on different power domains

Номер патента: US20240371428A1. Автор: Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh,Che-Ju Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Electronic device, over-erase detection and elimination methods for memory cells

Номер патента: US11862259B2. Автор: Ying Sun,Hong Nie. Владелец: China Flash Co Ltd Shanghai. Дата публикации: 2024-01-02.

Current references for memory cells

Номер патента: US11942151B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Pierguido Garofalo,Umberto Di Vincenzo,Claudia Palattella. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Current separation for memory sensing

Номер патента: US20210193211A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Method And Apparatus For Memory Power And/Or Area Reduction

Номер патента: US20180151202A1. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Glenn Gulak,Vadim Smolyakov. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2018-05-31.

Method And Apparatus For Memory Power And/Or Area Reduction

Номер патента: US20170162233A1. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Glenn Gulak,Vadim Smolyakov. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2017-06-08.

Method and apparatus for memory power and/or area reduction

Номер патента: US20120294100A1. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Glenn Gulak,Vadim Smolyakov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-22.

Method and apparatus for memory power and/or area reduction

Номер патента: EP2712445A1. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Glenn Gulak,Vadim Smolyakov. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2014-04-02.

Method and apparatus for memory power and/or area reduction

Номер патента: WO2012158223A1. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Vadim Smolyakov. Владелец: Gulak, Glenn. Дата публикации: 2012-11-22.

Method and apparatus for memory power and/or area reduction

Номер патента: US20150023122A1. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Glenn Gulak,Vadim Smolyakov. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2015-01-22.

Method And Apparatus For Memory Power And/Or Area Reduction

Номер патента: US20190139584A1. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Glenn Gulak,Vadim Smolyakov. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

Method and apparatus for memory power and/or area reduction

Номер патента: US9881653B2. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Glenn Gulak,Vadim Smolyakov. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Method and apparatus for memory power and/or area reduction

Номер патента: US9576614B2. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Glenn Gulak,Vadim Smolyakov. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Read algorithm for memory device

Номер патента: US11869565B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Current separation for memory sensing

Номер патента: US10937483B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-02.

Current separation for memory sensing

Номер патента: WO2019125797A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-06-27.

Redundancy array column decoder for memory

Номер патента: US20180374527A1. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-27.

Redundancy array column decoder for memory

Номер патента: EP3510597A1. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-17.

Redundancy array column decoder for memory

Номер патента: US20200090726A1. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

Redundancy array column decoder for memory

Номер патента: WO2018048608A1. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-03-15.

Redundancy array column decoder for memory

Номер патента: SG11201901209VA. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

Overwrite read methods for memory devices

Номер патента: US20200388332A1. Автор: Daniel Bedau,Christopher J. Petti,Michael K. Grobis. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-12-10.

Generating patterns for memory threshold voltage difference

Номер патента: US11978513B2. Автор: Zhongyuan Lu,Robert J. Gleixner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Memory device and control method for memory device

Номер патента: US11983068B1. Автор: Po-Yuan TANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Modified write voltage for memory devices

Номер патента: EP4115420A1. Автор: Sanjay Rangan,Mase J. Taub,Kiran Pangal,Koushik Banerjee,Nevil Gajera,Sandeepan DasGupta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-11.

Modified write voltage for memory devices

Номер патента: WO2021178109A1. Автор: Sanjay Rangan,Mase J. Taub,Kiran Pangal,Koushik Banerjee,Nevil Gajera,Sandeepan DasGupta. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-09-10.

Current references for memory cells

Номер патента: US20230335191A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Pierguido Garofalo,Umberto Di Vincenzo,Claudia Palattella. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Current separation for memory sensing

Номер патента: US20190287601A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Current separation for memory sensing

Номер патента: EP3729434A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-28.

Current separation for memory sensing

Номер патента: US20190189178A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Robust functionality for memory management associated with high-temperature storage and other conditions

Номер патента: US20230395115A1. Автор: Angelo Visconti,Jonathan J. Strand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Decoder architecture for memory device

Номер патента: US12051463B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Corrado Villa,Jeffrey E. Koelling,Hari Giduturi,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Methods and devices for memory reads with precharged data lines

Номер патента: US20140029353A1. Автор: Aaron Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-30.

Two-pass corrective programming for memory cells that store multiple bits and power loss management for two-pass corrective programming

Номер патента: US12068034B2. Автор: Kishore Kumar Muchherla,Michele Incarnati,Akira Goda,Daniel J. Hubbard,Huai-Yuan Tseng,James Fitzpatrick,Umberto Siciliani,Walter Di Francesco,Jeffrey S. McNeil,Giovanni Maria Paolucci,Dave Scott Ebsen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Keyboard with key position layout and input method thereof applied to electronic device

Номер патента: US12061747B1. Автор: Misheng Zhao. Владелец: Mihuan Technology (changchun) Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Lifetime markers for memory devices

Номер патента: US20110242901A1. Автор: Todd Marquart. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-10-06.

Shielded vertically stacked data line architecture for memory

Номер патента: US09734915B2. Автор: Koji Sakui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of layout and spatial orientation of photoelectric panels in solar electric station without tracing sun

Номер патента: RU2640795C1. Автор: Валерий Владимирович Харченко,Юлия Владимировна Даус,Игорь Викторович Юдаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный аграрный университет" (ФГБОУ ВО Донской ГАУ). Дата публикации: 2018-01-12.

Modified write voltage for memory devices

Номер патента: US20210280244A1. Автор: Sanjay Rangan,Mase J. Taub,Kiran Pangal,Koushik Banerjee,Nevil Gajera,Sandeepan DasGupta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Modified write voltage for memory devices

Номер патента: US20220068385A1. Автор: Sanjay Rangan,Mase J. Taub,Kiran Pangal,Koushik Banerjee,Nevil Gajera,Sandeepan DasGupta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Adaptive Control of Programming Currents for Memory Cells

Номер патента: US20120106259A1. Автор: PING Wang,Cheng-Hsiung Kuo,Yue-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-05-03.

Memory cell programming that cancels threshold voltage drift

Номер патента: US11887665B2. Автор: Hari Giduturi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Method of determining at least a target layout and associated metrology apparatus

Номер патента: EP4320482A1. Автор: Roy Werkman,Manouk RIJPSTRA,Jochem Sebastiaan WILDENBERG. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2024-02-14.

System and Method for Memory Array Decoding

Номер патента: US20110305095A1. Автор: Pantas Sutardja,Winston Lee. Владелец: Winston Lee. Дата публикации: 2011-12-15.

Circuits and methods of mitigating hold time failure of pipeline for memory device

Номер патента: US20230282252A1. Автор: Jaspal Singh Shah. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Method of improving read current stability in analog non-volatile memory by post-program tuning for memory cells exhibiting random telegraph noise

Номер патента: EP4348651A1. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Timing circuit for memories

Номер патента: US20180012649A1. Автор: ChangHo Jung,Sonia Ghosh. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-11.

Circuit for memory cell recovery

Номер патента: US20130077415A1. Автор: Rajiv V. Joshi,Jente B. Kuang,Carl J. Radens,Rouwaida N. Kanj. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Programming non-volatile storage includng reducing impact from other memory cells

Номер патента: EP2561511A1. Автор: Ken Oowada,Yingda Dong,Shih-Chung Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2013-02-27.

Memory device including address table and operating method for memory controller

Номер патента: EP4273707A1. Автор: Changmin Lee,Dohan Kim,Insu Choi,Namhyung Kim,Taekyeong Ko,Bobae KIM,Chinam Kim,Byeongnoh Kim,Kyeongjin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-08.

Automated layout and design for recording text and images in any of disparate three-dimensional objects

Номер патента: US20140049787A1. Автор: Mark Halstead,Karl Jacob. Владелец: Coveroo Inc. Дата публикации: 2014-02-20.

Magnetic random access memory cell with low power consumption

Номер патента: RU2573757C2. Автор: Иоан Люсиан ПРЕЖБЕАНЮ,Селин ПОРТЕМОН,Кларисс ДЮКРЮЭ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-01-27.

Memory cell circuit for executing specific tests on memory cells that have been designated by address data

Номер патента: US6108803A. Автор: Ichiro Sase. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-22.

Memory cell biasing techniques

Номер патента: US11908506B2. Автор: Angelo Visconti,Giorgio Servalli,Andrea Locatelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Memory layouts and conversion to improve neural network inference performance

Номер патента: US11645512B2. Автор: Min Guo. Владелец: Baidu USA LLC. Дата публикации: 2023-05-09.

Error control for memory device

Номер патента: US20220310189A1. Автор: Victor Wong,Nobuo Yamamoto,Jongtae Kwak,Donald Martin Morgan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Write operation techniques for memory systems

Номер патента: WO2021112956A1. Автор: Hongmei Wang,Christina Papagianni,Zhongyuan Lu,Robert J. Gleixner. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-10.

Method and apparatus for memory redundancy in a microprocessor

Номер патента: US20090316460A1. Автор: Mamun Rashid,Ioannis Orginos,Mark E. Steigerwald. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2009-12-24.

Apparatuses and methods for decoding addresses for memory

Номер патента: US11869592B2. Автор: Gary L. Howe,Scott E. Smith. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-09.

Access line having a resistive layer for memory cell access

Номер патента: US11862215B2. Автор: Chandrasekhar MANDALAPU,Iniyan Soundappa Elango,Robert Douglas Cassel,Sundaravadivel Rajarajan,Srivatsan Venkatesan,Sateesh Talasila. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Apparatuses and methods for decoding addresses for memory

Номер патента: US20200227118A1. Автор: Gary L. Howe,Scott E. Smith. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Error control for memory device

Номер патента: WO2021252163A1. Автор: Victor Wong,Nobuo Yamamoto,Jongtae Kwak,Donald Martin Morgan. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-12-16.

Memory cell biasing techniques

Номер патента: EP3984033A1. Автор: Angelo Visconti,Giorgio Servalli,Andrea Locatelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-20.

Memory cell biasing techniques

Номер патента: US20200395056A1. Автор: Angelo Visconti,Giorgio Servalli,Andrea Locatelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Memory cell biasing techniques

Номер патента: WO2020251754A1. Автор: Angelo Visconti,Giorgio Servalli,Andrea Locatelli. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-12-17.

Write operation techniques for memory systems

Номер патента: US20210166746A1. Автор: Hongmei Wang,Christina Papagianni,Zhongyuan Lu,Robert J. Gleixner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

Write operation techniques for memory systems

Номер патента: US20220130444A1. Автор: Hongmei Wang,Christina Papagianni,Zhongyuan Lu,Robert J. Gleixner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Write operation techniques for memory systems

Номер патента: EP4070314A1. Автор: Hongmei Wang,Christina Papagianni,Zhongyuan Lu,Robert J. Gleixner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-12.

Imprint recovery for memory cells

Номер патента: US11557371B2. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-17.

Error control for memory device

Номер патента: US20210383888A1. Автор: Victor Wong,Nobuo Yamamoto,Jongtae Kwak,Donald Martin Morgan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Memory sub-system for memory cell touch-up

Номер патента: US11967386B2. Автор: Bin Wang,Pitamber Shukla,Scott A. Stoller. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Memory sub-system for memory cell touch-up

Номер патента: US20230377664A1. Автор: Bin Wang,Pitamber Shukla,Scott A. Stoller. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Imprint recovery for memory cells

Номер патента: US20210090681A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Error detection method for memory device

Номер патента: US11797193B2. Автор: Shih-Chung Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Self-latched control circuit for memory program operation

Номер патента: US20060133162A1. Автор: Chien-fan Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-06-22.

Quick activate for memory sensing

Номер патента: US20210149573A1. Автор: Kevin T. Majerus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Quick activate for memory sensing

Номер патента: US20220011957A1. Автор: Kevin T. Majerus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Selectors on interface die for memory device

Номер патента: US20180096734A1. Автор: Ryota Suzuki,Tomoyuki Shibata,Chikara Kondo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-05.

Source side sensing scheme for virtual ground read of flash eprom array with adjacent bit precharge

Номер патента: WO2003063168A3. Автор: Yu Sun,Pau-Ling Chen,Michael A Vanbuskirk. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-11-27.

Inert anode aluminum electrolytic cell with vertical structure

Номер патента: AU2023312378A1. Автор: Xu Shi,Shengzhong BAO,Xinping Tang,Fangfang Zhang,Kaibin Chen,Yanhui Liu,Guanghui Hou,Lifen LUO,Huaijiang WANG. Владелец: Zhengzhou Non Ferrous Metals Res Institute Co Ltd Of Chalco. Дата публикации: 2024-07-18.

Efficient Data Layout and Alignment for Wide-Vector Accelerator Systems

Номер патента: US20230305841A1. Автор: Yasuteru Kohda,Geoffrey Burr,Shubham Jain. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Decoder for memory device

Номер патента: WO2006096783A1. Автор: Takao Akaogi. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-09-14.

Systems and methods for decoupling website composition, layout, and processing

Номер патента: US11734380B2. Автор: Jesus MARTINEZ CAUDILLO,Joseph CERTESIO,Sterling M VAUGHAN. Владелец: JPMorgan Chase Bank NA. Дата публикации: 2023-08-22.

Layout and measuring tool

Номер патента: US20200282548A1. Автор: Richard M. Hummel,Steven Charles Cross. Владелец: Woodpeckers LLC. Дата публикации: 2020-09-10.

Selectors on interface die for memory device

Номер патента: US09881693B2. Автор: Ryota Suzuki,Tomoyuki Shibata,Chikara Kondo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Division operations for memory

Номер патента: US10055196B2. Автор: Kyle B. Wheeler. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-08-21.

Test method for memory chip and device therefor

Номер патента: EP4258266A1. Автор: Dong Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-11.

Dedicated commands for memory operations

Номер патента: US20210319829A1. Автор: Marco Dallabora,Graziano Mirichigni,Daniele Balluchi,Danilo Caraccio,Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Counter management for memory systems

Номер патента: US11948656B1. Автор: Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Digital address compensation for memory devices

Номер патента: US20210217463A1. Автор: Christian Peters,Jan Otterstedt,Wolf Allers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-07-15.

On-the-fly programming and verifying method for memory cells based on counters and ECC feedback

Номер патента: US11776590B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Usage-based temporal degradation estimation for memory elements

Номер патента: US9058448B2. Автор: Jae-Joon Kim,Aditya Bansal,Rahul M. Rao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-06-16.

Systems and Methods for Memory Operation Using Local Word Lines

Номер патента: US20230307024A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hidehiro Fujiwara,Yi-Hsin Nien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Imprint management for memory

Номер патента: WO2021061359A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-04-01.

Segmented reference trimming for memory arrays

Номер патента: US20200066335A1. Автор: Yi-Chun Shih,Chia-Fu Lee,Yu-Der Chih,Hon-Jarn Lin,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Usage-based temporal degradation estimation for memory elements

Номер патента: US20130138403A1. Автор: Jae-Joon Kim,Aditya Bansal,Rahul M. Rao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-30.

Method for memory storage and access

Номер патента: US11892906B2. Автор: Thomas Kern,Michael Goessel,Thomas Rabenalt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-06.

Low power wake up for memory

Номер патента: US11854587B2. Автор: Sanjeev Kumar Jain,Atul Katoch. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Adjusting operational parameters for memory cells

Номер патента: US20140211569A1. Автор: Seong Je Park. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-31.

Adjusting operational parameters for memory cells

Номер патента: US9117524B2. Автор: Seong Je Park. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-25.

Method for memory cell erasure with a programming monitor of reference cells

Номер патента: US20130343127A1. Автор: ANDREI Mihnea,Akira Goda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-12-26.

Sub-Word Line Driver Placement For Memory Device

Номер патента: US20230267989A1. Автор: Hung-jen Liao,Ching-Wei Wu,Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Testing operations for memory systems

Номер патента: US20240094921A1. Автор: Yuan He,Sujeet V. Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Imprint recovery for memory arrays

Номер патента: US20210090641A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Temperature and leakage compensation for memory cells in an analog neural memory system used in a deep learning neural network

Номер патента: EP3844680A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-07.

Low power wake up for memory

Номер патента: US20240087618A1. Автор: Sanjeev Kumar Jain,Atul Katoch. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Memory cell read operation techniques

Номер патента: US20240038301A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Francesco Mastroianni,Nevil N. Gajera,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Edge word line data retention improvement for memory apparatus with on-pitch semi-circle drain side select gate technology

Номер патента: US11961572B2. Автор: Xiang Yang,Abhijith Prakash,Shubhajit Mukherjee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-16.

Memory layouts and conversion to improve neural network inference performance

Номер патента: US20200349424A1. Автор: Min Guo. Владелец: Baidu USA LLC. Дата публикации: 2020-11-05.

Temperature and leakage compensation for memory cells in an analog memory system for use in a deep learning neural network

Номер патента: EP4138079A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-22.

Switch and hold biasing for memory cell imprint recovery

Номер патента: US11862221B2. Автор: Angelo Visconti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Sub-Word Line Driver Placement For Memory Device

Номер патента: US20240185911A1. Автор: Hung-jen Liao,Ching-Wei Wu,Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Sub-word line driver placement for memory device

Номер патента: US11929109B2. Автор: Hung-jen Liao,Ching-Wei Wu,Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

On-the-fly programming and verifying method for memory cells based on counters and ecc feedback

Номер патента: US20210280223A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

On-the-fly programming and verifying method for memory cells based on counters and ecc feedback

Номер патента: EP3876233A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-08.

Imprint management for memory

Номер патента: US20220044759A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

Imprint management for memory

Номер патента: EP4035158A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-03.

Imprint management for memory

Номер патента: US20210090680A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Imprint management for memory

Номер патента: US20230253064A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Method for memory storage and access

Номер патента: US20240126640A1. Автор: Thomas Kern,Michael Goessel,Thomas Rabenalt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-04-18.

Sub-word line driver placement for memory device

Номер патента: US20220130446A1. Автор: Hung-jen Liao,Ching-Wei Wu,Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Sub-word line driver placement for memory device

Номер патента: US20220199145A1. Автор: Hung-jen Liao,Ching-Wei Wu,Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Imprint recovery management for memory systems

Номер патента: EP4035010A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-03.

Imprint recovery management for memory systems

Номер патента: WO2021061365A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-04-01.

Sense timing coordination for memory

Номер патента: EP4374373A1. Автор: Makoto Kitagawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-29.

Adaptive data relocation for improved data management for memory

Номер патента: US20230048133A1. Автор: Luigi Esposito,Massimo Iaculo,Paolo Papa,Alberto Sassara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Quick precharge for memory sensing

Номер патента: US20210134340A1. Автор: Kevin T. Majerus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

Data masking for memory

Номер патента: US12050784B2. Автор: Daniele Vimercati,Jahanshir Javanifard,Angelo Visconti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Drain side sensing scheme for virtual ground flash eprom array with adjacent bit charge and hold

Номер патента: WO2003036651A3. Автор: Kazuhiro Kurihara,Buskirk Michael A Van,Pau-Ling Chen,Binh Q Le,Shane Hollmer,Santosh K Yachareni,Michael S C Chung. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-11-13.

On-chip characterization of noise-margins for memory arrays

Номер патента: US20090116325A1. Автор: Keith A. Jenkins,Kevin G. Stawiasz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-05-07.

Determining soft data for fractional digit memory cells

Номер патента: US20160104527A1. Автор: Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-14.

Method and device for reading dual bit memory cells using multiple reference cells with two side read

Номер патента: US20030081458A1. Автор: Kazuhiro Kurihara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-01.

Determining soft data for fractional digit memory cells

Номер патента: US20140208054A1. Автор: Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Computer-aided layout and application of tape

Номер патента: WO2003050627A3. Автор: Hung T Tran,Leif O Erickson,William R Slobotski. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2003-10-02.

Computer-aided layout and application of tape

Номер патента: EP1451653A2. Автор: Hung T. Tran,Leif O. Erickson,William R. Slobotski. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2004-09-01.

Computer-aided layout and application of tape

Номер патента: WO2003050627A2. Автор: Hung T. Tran,Leif O. Erickson,William R. Slobotski. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2003-06-19.

Silicon-on-insulator sense amplifier for memory cell

Номер патента: US20060170460A1. Автор: Atsushi Kawasumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-03.

Eeprom memory cell with improved protection against errors due to cell breakdown

Номер патента: US5107461A. Автор: Carlo Riva. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1992-04-21.

Restore function for memory cells using negative bitline-selection

Номер патента: US5798975A. Автор: Stefan Buttner,Dieter Wendel,Friedrich Wernicke,Jürgen Pille. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-08-25.

Differential and Hierarchical Sensing for Memory Circuits

Номер патента: US20080175085A1. Автор: Matthew R. Wordeman,William Robert Reohr,Paul C. Parries,John Edward Barth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-07-24.

Data separation configurations for memory systems

Номер патента: US20240289031A1. Автор: Nicola Colella,Nitul Gohain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Determining soft data for fractional digit memory cells

Номер патента: US09875792B2. Автор: Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Voltage control circuit for memory cell and the method thereof

Номер патента: US09779827B2. Автор: Da Chen,Tianzhu Zhang. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Measuring device with a display memory having memory cells with a reduced number of bits and a corresponding method

Номер патента: US09672794B2. Автор: Michael Reinhold. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-06-06.

Access methods and circuits for memory devices having multiple banks

Номер патента: US09666255B2. Автор: Jun Li,Thinh Tran,Joseph Tzou. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Magnetic random access memory cell with improved dispersion of switching field

Номер патента: RU2599956C2. Автор: Иоан Люсиан ПРЕЖБЕАНЮ,Люсьен ЛОМБАР. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-10-20.

Signal sensing circuits for memory system using dynamic gain memory

Номер патента: US5646883A. Автор: Wolfgang Krautschneider,Klaus J. Lau. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1997-07-08.

Image forming device, layouter, and renderer

Номер патента: US7508539B2. Автор: Norio Tagawa. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2009-03-24.

Counter management for memory systems

Номер патента: US20240096436A1. Автор: Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Agent for mixing into a service fluid for a technical layout, concentrate for mixing into a service fluid for a technical layout, and the service fluid

Номер патента: US20140179569A1. Автор: Stefan Bill. Владелец: REWITEC GmbH. Дата публикации: 2014-06-26.

Memory cell access techniques for memory systems

Номер патента: US11880595B2. Автор: Benjamin Rivera,Joseph A. DE LA CERDA,Nicolas Soberanes,Bruce J. Ford. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Method for adjusting soft keyboard layout and mobile terminal

Номер патента: US20120256841A1. Автор: Shibao Zhao,Hongchao Leng. Владелец: Huawei Device Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-11.

Counter-based sense amplifier method for memory cells

Номер патента: US11842783B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Memory array and operation method for memory device, including data inversion

Номер патента: US9620239B2. Автор: Chia-Chi Yang,Chen-Yi Huang,Cheng-Tai Huang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Memory array and operation method for memory device

Номер патента: US20150318050A1. Автор: Chia-Chi Yang,Chen-Yi Huang,Cheng-Tai Huang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-11-05.

Method for memory cell erasure with a programming monitor of reference cells

Номер патента: US20120327712A1. Автор: ANDREI Mihnea,Akira Goda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-12-27.

Two-terminal one-time programmable fuses for memory cells

Номер патента: US11948630B2. Автор: Federico Nardi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Table game management system, gaming table layout, and gaming table

Номер патента: AU2024202521A1. Автор: Yasushi Shigeta. Владелец: Angel Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Memory cell folding operations using host system memory

Номер патента: US20240160352A1. Автор: Sridhar Prudviraj Gunda,Jameer Mulani,Ritesh Tiwari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Raw bit error rate based trim level adjustments for memory

Номер патента: US11994942B2. Автор: Christopher Moore,Benjamin Rivera,Joseph A. DE LA CERDA,Ezra E. Hartz,Nicolas Soberanes,Bruce J. Ford. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Counter-based sense amplifier method for memory cells

Номер патента: US20240177792A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Dual bit line driver for memory

Номер патента: US20030012053A1. Автор: Christophe Chevallier. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-01-16.

Memory cell with temperature modulated read voltage

Номер патента: US20220230680A1. Автор: Chao-I Wu,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

An ultra low power memory cell with a supply feedback loop configured for minimal leakage operation

Номер патента: WO2012153258A3. Автор: Alexander Fish,Adam Teman,Lidor Pergament,Omer Cohen. Владелец: Ben-Gurion University of the Negev Research and Development Authority. Дата публикации: 2013-01-24.

Static random access memory cell with improved stability

Номер патента: US20080225573A1. Автор: Kenneth P. Rodbell,Sampath Purushothaman,Stephen V. Kosonocky,Azeez Bhavnagarwala. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-09-18.

Static random access memory cell with improved stability

Номер патента: US20070247896A1. Автор: Kenneth Rodbell,Sampath Purushothaman,Stephen Kosonocky,Azeez Bhavnagarwala. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-10-25.

Power reduction for a sensing operation of a memory cell

Номер патента: US09990977B2. Автор: Christopher John Kawamura. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Physical addressing schemes for non-volatile memory systems employing multi-die interleave schemes

Номер патента: US09983829B2. Автор: Narendhiran Chinnaanangur Ravimohan,Muralitharan Jayaraman. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-29.

Programming scheme for next starting pulse based on a current program pulse for improving programming speed

Номер патента: US09679653B2. Автор: Han-Sung Chen,Ming-Chao Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Programming two-terminal memory cells with reduced program current

Номер патента: US09627057B2. Автор: Sang Nguyen,Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Sensing and tuning for memory die power management

Номер патента: US11133053B2. Автор: Thomas H. Kinsley,Fuad Badrieh,Baekkyu Choi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-28.

Circuit and method for memory device with defect current isolation

Номер патента: US6154401A. Автор: Brent Keeth,Stephen L. Casper,David Pinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-11-28.

Maintenance operations for memory devices

Номер патента: US11861167B2. Автор: Ning Chen,Fangfang Zhu,Ying Yu Tai,Jiangli Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Test mode circuit for memory apparatus

Номер патента: US20170186499A1. Автор: Toru Ishikawa. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2017-06-29.

Automated vdm adjustment for memory device

Номер патента: WO2023034330A1. Автор: Fangfang Zhu,Yi-Min Lin,Chih-kuo Kao. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-03-09.

Sensing and tuning for memory die power management

Номер патента: US20240005978A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Fuad Badrieh,Baekkyu Choi. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-04.

Techniques for memory cell refresh

Номер патента: US11929107B2. Автор: Vincenzo Reina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Write-tracking circuit for memory

Номер патента: US20170287552A1. Автор: Wei Fang,Zengbo Shi. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Global write driver for memory array structure

Номер патента: WO2015119830A1. Автор: Ajay Bhatia,Michael Dreesen. Владелец: 1/Apple Inc.. Дата публикации: 2015-08-13.

System, method and apparatus for memory with semaphore controlled access of component ram cells by an external component

Номер патента: WO2010079450A2. Автор: Eli Ehrman,Avidan Akerib,Oren Agam,Moshe Meyassed,Yair Alpern,Josh Meir. Владелец: ZIKBIT LTD.. Дата публикации: 2010-07-15.

Automated voltage demarcation (VDM) adjustment for memory device

Номер патента: US11798614B2. Автор: Fangfang Zhu,Yi-Min Lin,Chih-kuo Kao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Memory controller, memory system, recording and reproducing method for memory system, and recording apparatus

Номер патента: US20110191552A1. Автор: Takeaki Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-08-04.

Systems and methods for memory refresh

Номер патента: US20220068363A1. Автор: David R. Brown,Joo-Sang Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Refresh operations for memory cells based on susceptibility to read errors

Номер патента: WO2021162730A1. Автор: Jiahui Yuan,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-08-19.

Global write driver for memory array structure

Номер патента: US20150227456A1. Автор: Ajay Bhatia,Michael Dreesen. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2015-08-13.

Maintenance operations for memory devices

Номер патента: US20210019050A1. Автор: Ning Chen,Fangfang Zhu,Ying Yu Tai,Jiangli Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Global responder signal circuitry for memory arrays

Номер патента: US20230317165A1. Автор: Eli Ehrman,Avidan Akerib. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Temperature compensation for memory cells in an analog neural memory system used in a deep learning neural network

Номер патента: US20200350015A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Multi-Die DRAM Banks Arrangement and Wiring

Номер патента: US20150348613A1. Автор: Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2015-12-03.

Refresh operations for memory cells based on susceptibility to read errors

Номер патента: EP4049278A1. Автор: Jiahui Yuan,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-08-31.

Method of designing circuit layout and system for implementing the same

Номер патента: US20160180008A1. Автор: TE-YU LIU,Chia-Yi Chen,Ke-Ying Su,Ke-Wei Su,Cheng Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Decoding Status Flag Techniques for Memory Circuits

Номер патента: US20230325274A1. Автор: Farid Nemati,Yi Chun Chen,Gregory S. Mathews,Kevin C. Wong,Kalpana Bansal,Steven R. Hutsell. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Memory controller, memory system, recording and reproducing method for memory system, and recording apparatus

Номер патента: US20100020619A1. Автор: Takeaki Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-01-28.

Memory controller, memory system, recording and reproducing method for memory system, and recording apparatus

Номер патента: US7936609B2. Автор: Takeaki Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-05-03.

Multi-pass programming process for memory device which omits verify test in first program pass

Номер патента: WO2020139423A1. Автор: Yingda Dong,Ashish Baraskar,Ching-Huang Lu,Vinh Diep. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-07-02.

Leakage compensation for memory arrays

Номер патента: US20200185019A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Leakage compensation for memory arrays

Номер патента: US20220020417A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Leakage compensation for memory arrays

Номер патента: WO2020123151A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-18.

Leakage compensation for memory arrays

Номер патента: EP3895165A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-20.

Identification of a condition of a sector of memory cells in a non-volatile memory

Номер патента: US20170200483A1. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-07-13.

Programming memory cells with concurrent storage of multi-level data as single-level data for power loss protection

Номер патента: US20220406398A1. Автор: Xiang Yang,Toru Miwa,Ken Oowada,Gerrit Jan Hemink. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-12-22.

Parallel access for memory subarrays

Номер патента: US20210020213A1. Автор: Graziano Mirichigni,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Sram cell with dynamic split ground and split wordline

Номер патента: US20190304537A1. Автор: Robert C. Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Sram cell with dynamic split ground and split wordline

Номер патента: US20180068718A1. Автор: Robert C. Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Sram cell with dynamic split ground and split wordline

Номер патента: US20190272869A1. Автор: Robert C. Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Sram cell with dynamic split ground and split wordline

Номер патента: US20170025168A1. Автор: Robert C. Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Sram cell with dynamic split ground and split wordline

Номер патента: US20170025169A1. Автор: Robert C. Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Sram cell with dynamic split ground and split wordline

Номер патента: US20160155493A1. Автор: Robert C. Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-02.

Pre-charge circuit and method for memory devices with shared sense amplifiers

Номер патента: US20030043666A1. Автор: Michael Killian,Mark Jacunski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-03-06.

SRAM cell with dynamic split ground and split wordline

Номер патента: US09934843B2. Автор: Robert C. Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Ground reference scheme for a memory cell

Номер патента: US09934837B2. Автор: Daniele Vimercati,Umberto Di Vincenzo,Christopher John Kawamura,Scott James Derner,Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

SRAM cell with dynamic split ground and split wordline

Номер патента: US09881668B2. Автор: Robert C. Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Apparatus for providing adjustable reference voltage for sensing read-out data for memory

Номер патента: US09859000B1. Автор: Chi-Shun Lin,Douk-Hyoun Ryu,Seow-Fong Lim,Ngatik Cheung,Koying Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Access methods and circuits for memory devices having multiple channels and multiple banks

Номер патента: US09640237B1. Автор: Jun Li,Joseph Tzou. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Identification of an operational condition of a sector of memory cells in a non-volatile memory

Номер патента: US09640230B2. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-05-02.

SRAM cell with dynamic split ground and split wordline

Номер патента: US09576646B2. Автор: Robert C. Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Memory cell and memory

Номер патента: US09496047B2. Автор: HUA Chen,YONG Li,Jun Yang,Ju Shen,Hwong-Kwo Lin. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Resistive memory device implementing selective memory cell refresh

Номер патента: US09496030B2. Автор: Justin Kim,Seong Jun Jang,Geun-Young Park. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Refresh of nonvolatile memory cells and reference cells with resistance drift

Номер патента: US09472274B1. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Read circuit for memory

Номер патента: US5898622A. Автор: Richard Ferrant. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1999-04-27.

Separation of document layout and data elements

Номер патента: CA1313271C. Автор: Barbara A. Barker,Thomas R. Edel,Jeffrey A. Stark. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-01-26.

Table game management system, gaming table layout, and gaming table

Номер патента: AU2023254961A1. Автор: Yasushi Shigeta. Владелец: Angel Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Power mode wake-up for memory on different power domains

Номер патента: US20230395122A1. Автор: Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh,Che-Ju Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

System, method and apparatus for memory with control logic to control associative computations

Номер патента: WO2010079448A2. Автор: Eli Ehrman,Avidan Akerib,Oren Agam,Moshe Meyassed,Yair Alpern,Josh Meir. Владелец: ZIKBIT LTD.. Дата публикации: 2010-07-15.

Proactive edge word line leak detection for memory apparatus with on-pitch semi-circle drain side select gate technology

Номер патента: US11783903B2. Автор: Xiang Yang,Xiaochen Zhu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-10.

Music System Having An Asymmetrical Keyboard Layout And Notation System And Method Of Using Same

Номер патента: US20190066636A1. Автор: James Clyde McCartney. Владелец: Saulsbury Steven James. Дата публикации: 2019-02-28.

Apparatuses and methods of operating for memory endurance

Номер патента: US8762630B2. Автор: Chandra C. Varanasi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-06-24.

Apparatuses and methods of operating for memory endurance

Номер патента: US20130311714A1. Автор: Chandra C. Varanasi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-11-21.

Cache architectures with address delay registers for memory devices

Номер патента: US11954035B2. Автор: Nicola Del Gatto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Power mode wake-up for memory on different power domains

Номер патента: US20210241811A1. Автор: Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh,Che-Ju Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Apparatuses and methods of operating for memory endurance

Номер патента: EP2751659A1. Автор: Chandra C. Varanasi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-09.

Cache architectures for memory devices

Номер патента: US20230100015A1. Автор: Nicola Del Gatto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Sensing scheme for a memory with shared sense components

Номер патента: US20230148359A1. Автор: Yuan He,Tae H. Kim,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-11.

Adaptive programming and erasure schemes for analog memory cells

Номер патента: WO2013112336A3. Автор: Ofir Shalvi,Eyal Gurgi,Yoava KASORLA. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2013-09-26.

Method for trimming non-volatile memory cells

Номер патента: US20020196660A1. Автор: Theodore Pekny. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-26.

Sensing scheme for a memory with shared sense components

Номер патента: US20240274180A1. Автор: Yuan He,Tae H. Kim,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Sensing scheme for programmable resistance memory using voltage coefficient characteristics

Номер патента: US20050002218A1. Автор: Hagop Nazarian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-06.

Erasing non-volatile memory utilizing changing word line conditions to compensate for slower frasing memory cells

Номер патента: WO2006124122A3. Автор: Masaaki Higashitani. Владелец: Masaaki Higashitani. Дата публикации: 2006-12-28.

Adaptive reference scheme for magnetic memory

Номер патента: WO2017116763A3. Автор: Po-Kang Wang,Guenole Jan,John DeBrosse,Yuan-Jen Lee. Владелец: HEADWAY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2017-10-19.

Mitigating reliability degradation of analog memory cells during long static and erased state retention

Номер патента: US9455040B2. Автор: Naftali Sommer,Eyal Gurgi,Yoav Kasorla,Moshe Neerman,Avraham Poza Meir,Yael Shur,Etai Zaltsman,Meir Dalal. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Single-ended memory cell with improved read stability, memory using the cell, and methods of operating and designing same

Номер патента: US20080192525A1. Автор: Rajiv V. Joshi,Keunwoo Kim,Vinod Ramadurai. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-08-14.

Systems and methods for ensuring high read reliability in pre-programmed memory cells

Номер патента: US20240062796A1. Автор: Doug Smith,Sushil Sakhare. Владелец: Veevx Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Non-volatile xnor and non-volatile sram system with enhanced store capability for memory and in-memory compute bnn applications and methods of use

Номер патента: US20240153574A1. Автор: Rouwaida Kanj,Zeinab Soueidan. Владелец: American University of Beirut. Дата публикации: 2024-05-09.

Memory device for multiplication using memory cells with different thresholds based on bit significance

Номер патента: US20240304255A1. Автор: Hernan Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Adaptive reference scheme for magnetic memory applications

Номер патента: US09747965B2. Автор: Po-Kang Wang,Guenole Jan,Yuan-Jen Lee,John De Brosse. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Mitigating reliability degradation of analog memory cells during long static and erased state retention

Номер патента: US09455040B2. Автор: Naftali Sommer,Eyal Gurgi,Yoav Kasorla,Moshe Neerman,Avraham Poza Meir,Yael Shur,Etai Zaltsman,Meir Dalal. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Row clear features for memory devices and associated methods and systems

Номер патента: US11881251B2. Автор: Gary L. Howe,Brian W. Huber,Scott E. Smith,Miles S. Wiscombe,Tony M. Brewer. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-23.

Memory device including address table and operating method for memory controller

Номер патента: US20230350809A1. Автор: Changmin Lee,Dohan Kim,Insu Choi,Namhyung Kim,Taekyeong Ko,Bobae KIM,Chinam Kim,Byeongnoh Kim,Kyeongjin Cho. Владелец: Seong Haseob Seon. Дата публикации: 2023-11-02.

Two-pass corrective programming for memory cells that store multiple bits and power loss management for two-pass corrective programming

Номер патента: US20240071510A1. Автор: Kishore Kumar Muchherla,Michele Incarnati,Akira Goda,Daniel J. Hubbard,Huai-Yuan Tseng,James Fitzpatrick,Umberto Siciliani,Walter Di Francesco,Jeffrey S. McNeil,Giovanni Maria Paolucci,Dave Scott Ebsen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Row clear features for memory devices and associated methods and systems

Номер патента: US20240161809A1. Автор: Gary L. Howe,Brian W. Huber,Scott E. Smith,Miles S. Wiscombe,Tony M. Brewer. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-16.

Device Aware Test for Memory Units

Номер патента: NL2023751B1. Автор: Hamdioui Said,TAOUIL Mottaqiallah. Владелец: Univ Delft Tech. Дата публикации: 2021-05-12.

Dynamic leakage control for memory arrays

Номер патента: EP2387786A1. Автор: Shinye Shiu,Vincent R. von Kaenel. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2011-11-23.

Digital compute-in-memory (DCIM) bit cell circuit layouts and DCIM arrays for multiple operations per column

Номер патента: US11581037B2. Автор: Mustafa Badaroglu,Zhongze Wang,Xiaonan Chen,Yandong Gao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-02-14.

Apparatus for memory device testing and field applications

Номер патента: US20190385690A1. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Read assist circuit for memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240038296A1. Автор: Yorinobu FUJINO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Decoder architecture for memory device

Номер патента: US20220399055A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Corrado Villa,Jeffrey E. Koelling,Hari Giduturi,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-15.

Apparatus for memory device testing and field applications

Номер патента: US20190006022A1. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Digital compute-in-memory (dcim) bit cell circuit layouts and dcim arrays for multiple operations per column

Номер патента: EP4352633A1. Автор: Mustafa Badaroglu,Zhongze Wang,Xiaonan Chen,Yandong Gao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Digital compute-in-memory (dcim) bit cell circuit layouts and dcim arrays for multiple operations per column

Номер патента: WO2022261582A1. Автор: Mustafa Badaroglu,Zhongze Wang,Xiaonan Chen,Yandong Gao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-12-15.

Digital compute-in-memory (dcim) bit cell circuit layouts and dcim arrays for multiple operations per column

Номер патента: US20220392524A1. Автор: Mustafa Badaroglu,Zhongze Wang,Xiaonan Chen,Yandong Gao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

Dual threshold voltage sram cell with bit line leakage control

Номер патента: EP1155413A1. Автор: Kevin Zhang,Vivek De,Yibin Ye,Ali Keshavarzi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2001-11-21.

Access schemes for activity-based data protection in a memory device

Номер патента: US20210335407A1. Автор: Corrado Villa,Andrea Martinelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

System and a method for designing a hybrid memory cell with memristor and complementary metal-oxide semiconductor

Номер патента: US20160189772A1. Автор: Baker Shehadah Mohammad,Dirar AL-HOMOUZ. Владелец: Khalifa University of Science, Technology and Research (KUSTAR). Дата публикации: 2016-06-30.

System and a method for designing a hybrid memory cell with memristor and complementary metal-oxide semiconductor

Номер патента: US20140369108A1. Автор: Baker Shehadah Mohammad,Dirar AL-HOMOUZ. Владелец: Khalifa University of Science, Technology and Research (KUSTAR). Дата публикации: 2014-12-18.

System and a method for designing a hybrid memory cell with memristor and complementary metal-oxide semiconductor

Номер патента: US9299425B2. Автор: Baker Shehadah Mohammad,Dirar AL-HOMOUZ. Владелец: Khalifa University of Science, Technology and Research (KUSTAR). Дата публикации: 2016-03-29.

A system and a method for designing a hybrid memory cell with memristor and complementary metal-oxide semiconductor

Номер патента: WO2014083411A1. Автор: Baker Shehadah Mohammad,irar AL-HOMOUZ. Владелец: Khalifa University of Science, Technology & Research (KUSTAR). Дата публикации: 2014-06-05.

Memory cell with stability switch for stable read operation and improved write operation

Номер патента: US20060171188A1. Автор: Atsushi Kawasumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-03.

Bus circuits for memory devices

Номер патента: WO2016036441A3. Автор: Balaji Srinivasan,Nicolas L. IRIZARRY. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-08-25.

Bus circuits for memory devices

Номер патента: WO2016036441A2. Автор: Balaji Srinivasan,Nicolas L. IRIZARRY. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-03-10.

Bus circuits for memory devices

Номер патента: US20160071553A1. Автор: Balaji Srinivasan,Nicolas L. IRIZARRY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-03-10.

Writing scheme for phase change material-content addressable memory

Номер патента: US20140026008A1. Автор: Jing Li,Chung H. Lam,Robert K. Montoye. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Semiconductor memory device incorporating redundancy memory cells having parallel test function

Номер патента: US5394369A. Автор: Akihiko Kagami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-02-28.

System and a method for designing a hybrid memory cell with memristor and complementary metal-oxide semiconductor

Номер патента: US09653162B2. Автор: Baker Shehadah Mohammad,Dirar AL-HOMOUZ. Владелец: Khalifa University. Дата публикации: 2017-05-16.

Memory cell with decoupled read/write path

Номер патента: US09530462B2. Автор: Chun-Yang Tsai,Kuo-Ching Huang,Yu-Wei Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Construction layout and angle measurement tool

Номер патента: US20080052938A1. Автор: John Moss. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-06.

Chips placed in full-custom layout and electronic device for implementing mining algorithm

Номер патента: US11947889B2. Автор: Weixin Kong,Nan Li,Zuoxing YANG,Zhijun Fan,WenBo TIAN. Владелец: Shenzhen MicroBT Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Chips placed in full-custom layout and electronic devices for implementing mining algorithm

Номер патента: CA3194145A1. Автор: Weixin Kong,Nan Li,Zuoxing YANG,Zhijun Fan,WenBo TIAN. Владелец: Shenzhen MicroBT Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Drive circuit with improved timing margin for memory device

Номер патента: US20240021241A1. Автор: Masaru Haraguchi,Yoshisato Yokoyama,Yorinobu FUJINO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Dynamic bit-scan techniques for memory device programming

Номер патента: US10971222B2. Автор: Lei Lin,Henry Chin,Cynthia Hsu,Zhuojie Li. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-04-06.

Dynamic bit-scan techniques for memory device programming

Номер патента: US20190371395A1. Автор: Lei Lin,Henry Chin,Cynthia Hsu,Zhuojie Li. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-12-05.

Quick activate for memory sensing

Номер патента: US11740814B2. Автор: Kevin T. Majerus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Memory device, display device equipped with memory device, drive method for memory device, and drive method for display device

Номер патента: US20120179923A1. Автор: Shuji Nishi,Yuhichiroh Murakami,Yasushi Sasaki,Seijirou Gyouten,Shige Furuta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2012-07-12.

Dynamic bit-scan techniques for memory device programming

Номер патента: US20200126613A1. Автор: Lei Lin,Henry Chin,Cynthia Hsu,Zhuojie Li. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-04-23.

Dynamic bit-scan techniques for memory device programming

Номер патента: WO2019236151A1. Автор: Lei Lin,Henry Chin,Cynthia Hsu,Zhoujie LI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-12-12.

Keyboard layout and method for data entry

Номер патента: EP1206736A1. Автор: Valerie Sacrez Liebhold. Владелец: Thomson Licensing SAS. Дата публикации: 2002-05-22.

Sense amplifier of a memory cell

Номер патента: US20150194192A1. Автор: Thomas Kern,Mihail Jefremow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-07-09.

Metal filament reram cell with current limiting during program and erase

Номер патента: WO2021002883A1. Автор: John L. Mccollum,Fengliang Xue. Владелец: Microchip Technology Inc.. Дата публикации: 2021-01-07.

Code addressable memory cell in flash memory device

Номер патента: US20010024385A1. Автор: Byung-Jin Ahn. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-09-27.

Metal filament reram cell with current limiting during program and erase

Номер патента: US20210005256A1. Автор: John L. Mccollum,Fengliang Xue. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Storage device and method for modifying memory cells of a storage device

Номер патента: US12079507B2. Автор: Steffen Sonnekalb. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-03.

Page programming sequences and assignment schemes for a memory device

Номер патента: US09715928B2. Автор: Makoto Kitagawa,Jun Sumino. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Systems, and devices, and methods for programming a resistive memory cell

Номер патента: US09576658B2. Автор: Xiaonan Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Sense amplifier of a memory cell

Номер патента: US09460759B2. Автор: Thomas Kern,Mihail Jefremow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-10-04.

Page programming sequences and assignment schemes for a memory device

Номер патента: US09373397B1. Автор: Makoto Kitagawa,Jun Sumino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-06-21.

Memory systems and methods of managing failed memory cells of semiconductor memories

Номер патента: US09330791B2. Автор: Sangyeun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-03.

System for securing of carcass for welding wire in butting device and wire inlet nozzle for fastening system

Номер патента: RU2536842C2. Автор: Иоханнес ФЮРЛИНГЕР,Вальтер МИТТЕРХУМЕР. Владелец: Фрониус Интернэшнл Гмбх. Дата публикации: 2014-12-27.

Method of creating low-resistance electric connection between split ring electrode and wire by means of contact pressure

Номер патента: RU2680200C2. Автор: Томас В. СЕЛКИ. Владелец: Байосенс Вебстер (Изрэйл) Лтд.. Дата публикации: 2019-02-18.

Method of fabricating wire tape made up of lots of parallel wire threads, and wire tape thus produced

Номер патента: RU2454291C2. Автор: Карл-Херманн ШТАЛЬ. Владелец: Карл-Херманн ШТАЛЬ. Дата публикации: 2012-06-27.

N, n '-substituted 3, 7-diazabicyclo[3,3,1]nonane drug for memory regeneration in health and disease in patients of all age groups, based pharmaceutical composition and method of application thereof

Номер патента: RU2417082C2. Автор: Сергей Олегович Бачурин,Николай Серафимович Зефиров,Владимир Викторович Григорьев,Мстислав Игоревич Лавров,Владимир Александрович Палюлин,Константин Владимирович Анохин,Наталья Викторовна Комисарова,Анна Александровна Тиунова. Владелец: Учреждение Российской Академии Наук Институт Физиологически Активных Веществ Ран (Ифав Ран). Дата публикации: 2011-04-27.

Semiconductor memory device having breaker associated with address decoder circuit for deactivating defective memory cell

Номер патента: US5285417A. Автор: Keita Maeda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-02-08.

Apparatuses and methods for providing power for memory refresh operations

Номер патента: US10438646B1. Автор: Harish N. Venkata,Jason M. Brown. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-08.

Data masking for memory

Номер патента: US20230350582A1. Автор: Daniele Vimercati,Jahanshir Javanifard,Angelo Visconti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Automated voltage demarcation (vdm) adjustment for memory device

Номер патента: US20230410878A1. Автор: Fangfang Zhu,Yi-Min Lin,Chih-kuo Kao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Address obfuscation for memory

Номер патента: US11853230B2. Автор: Donald M. Morgan,Bryce D. Cook,Sean S. Eilert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Method and apparatus for process corner compensation for memory state sensing

Номер патента: US20180254089A1. Автор: Qiang Tang,Kalyan C. Kavalipurapu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-09-06.

Granular refresh rate control for memory devices

Номер патента: US20200327928A1. Автор: Cyril Guyot,Yongjune Kim,Won Ho Choi,Yuval Cassuto. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Quick precharge for memory sensing

Номер патента: US11626150B2. Автор: Kevin T. Majerus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-11.

Quick precharge for memory sensing

Номер патента: US20220084577A1. Автор: Kevin T. Majerus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Granular refresh rate control for memory devices

Номер патента: WO2020209906A1. Автор: Cyril Guyot,Yongjune Kim,Won Ho Choi,Yuval Cassuto. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2020-10-15.

Voltage supply structure for memory cell capable of securing area margin, semiconductor apparatus including the same, and operating method of the semiconductor apparatus

Номер патента: US20240221816A1. Автор: Eun Gu Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for control of wind-powered engine rotor rotation frequency with vertical axis and wind-powered engine for its realisation

Номер патента: RU2364748C1. Автор: Владимир Алексеевич Коновалов,Сергей Федорович Бокарев. Владелец: Сергей Федорович Бокарев. Дата публикации: 2009-08-20.

System and method for interactive visual representation of information content and relationships using layout and gestures

Номер патента: US8296666B2. Автор: William Wright,David Schroh,Pascale Proulx,Alex Skaburskis,Brian Cort. Владелец: Oculus Info Inc. Дата публикации: 2012-10-23.

Semiconductor memory device comprising memory cell having charge accumulation layer and control gate and method of erasing data thereof

Номер патента: US20120243312A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Hiroshi Maejima. Дата публикации: 2012-09-27.

Номер патента: US09691503B2. Автор: Arnold S. Weksler,Rafael Rodrigues Machado,Maurício de Moraes Barros Neto,Fernando José Vieira da Silva,Fernando Ferraz Silva,Dênis Alberto Silverio,Rafael Teodoro. Владелец: Lenovo Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Wing of special aerodynamic profile with vertical combs and carrying system of aircraft of vertical take-off and landing (a vtoal), using this wing

Номер патента: RU2742396C2. Автор: Виталий Степанович Платонов. Владелец: Виталий Степанович Платонов. Дата публикации: 2021-02-05.

Method of control over windmill rotor blades with vertical rotary shaft

Номер патента: RU2525998C2. Автор: Игорь Альбертович Кашманов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью научно-технический центр "АРГО" (ООО НТЦ "АРГО"). Дата публикации: 2014-08-20.

Wind power module with vertical centripetal turbine, and high-efficiency power plant for alternate current generation

Номер патента: RU2511780C1. Автор: Виталий Валентинович Плихунов,Олег Сергеевич Сироткин,Игорь Сергеевич Карпейкин,Константин Николаевич Зюзя. Владелец: Открытое акционерное общество "Национальный институт авиационных технологий" (ОАО НИАТ). Дата публикации: 2014-04-10.

Measuring device with a display memory having memory cells with a reduced number of bits and a corresponding method

Номер патента: EP2990809A1. Автор: Michael Dr. Reinhold. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-03-02.

Refueling complex for servicing and operation of filling stations with vertical fixation of reservoir units, said gas station, replaceable reservoir unit for it

Номер патента: RU2725350C1. Автор: Николай Титович Краснов. Владелец: Николай Титович Краснов. Дата публикации: 2020-07-02.

Bimodal operation mode of ferroelectric and electret memory cells and memory units on their basis

Номер патента: RU2329553C1. Автор: Гейрр И. Лейстад,Ханс Гуде Гудесен,Гёран ГУСТАФССОН,Исак ЭНГКУИСТ. Владелец: Тин Филм Электроникс Аса. Дата публикации: 2008-07-20.

Fracturable x-y storage array using a ram cell with bidirectional shift

Номер патента: US4813015A. Автор: Michael E. Spak,Craig S. Tyl,Philip C. Wottrich. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1989-03-14.

Memory apparatus including programmable non-volatile multi-bit memory cell, and apparatus and method for demarcating memory states of the cell

Номер патента: US6002614A. Автор: Gerald J. Banks. Владелец: BTG International Inc. Дата публикации: 1999-12-14.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Номер патента: RU2303656C1. Автор: Виктор Васильевич Авдеев,Виктор Христьянович Манн,Василий Андреевич Крюковский,Михаил Павлович Петухов,Олег Владимирович Буркацкий,Виктор Христь нович Манн,Владимир Константинович Фризоргер,Николай Григорьевич Афанасиади. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Русская инжиниринговая компания". Дата публикации: 2007-07-27.

Dampener of low-frequency oscillations in wires, cables and wire ropes

Номер патента: RU2501138C2. Автор: Александр Николаевич Данилин,Лев Наумович Рабинский,Александр Абрамович Виноградов,Иосиф Иосифович Сергей,Жан-Луи Лильен. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский авиационный институт (национальный исследовательский университет)" (МАИ). Дата публикации: 2013-12-10.

Номер патента: RU2376677C2. Автор: Аркадий Евгеньевич Бердников,Александр Александрович Мироненко,Александр Александрович Орликовский,Александр Афанасьевич Попов,Владимир Дмитриевич Черномордик. Владелец: Физико-технологический институт Российской академии наук (статус государственного учреждения). Дата публикации: 2009-12-20.

Procedure for development of oil deposit complicated with vertical rupture

Номер патента: RU2431740C1. Автор: Надежда Васильевна Музалевская,Ильшат Мухаметович Бакиров,Ольга Васильевна Разуваева,Светлана Юрьевна Ибатуллина,Рудаль Ильнурович Мухаметвалеев. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2011-10-20.

Method for restoring fully lacking crown part of frontal teeth group with composite materials and wire reinforcement net being applied

Номер патента: RU2253400C1. Автор: н М.Л. Мелик,М.Л. Меликян,н Г.М. Мелик,Г.М. Меликян,н К.М. Мелик,К.М. Меликян. Владелец: Меликян Карине Меликсетовна. Дата публикации: 2005-06-10.

Номер патента: RU2465659C1. Автор: Виктор Николаевич Мурашев,Сергей Александрович Леготин,Олег Михайлович Орлов,Николай Алексеевич Шелепин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2012-10-27.

Disc actuating element of smoothing machine with vertical oscillations and oppositely rotating disc elements

Номер патента: RU2337813C1. Автор: Леонид Алексеевич Мамаев,Вячеслав Сергеевич Федоров,Сергей Николаевич Гарасимов,В чеслав Сергеевич Федоров,Алексей Сергеевич Беспрозванных. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Братский государственный университет". Дата публикации: 2008-11-10.

Front elevator with vertical and horizontal movement of cradle

Номер патента: RU2704655C1. Автор: Вячеслав Егорович Кокорев,Николай Егорович Кокорев,Вера Александровна Кокорева. Владелец: Вячеслав Егорович Кокорев. Дата публикации: 2019-10-30.

Layout and wiring scheme for memory cells with vertical transistors

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты