Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Semiconductor device to improve reliability of read operation for memory cells

Semiconductor device to improve reliability of read operation for memory cells

Номер патента: US09543031B2
Опубликовано: 10-01-2017
Автор(ы): Woo Hyun Kim
Принадлежит: SK hynix Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Methods of enhancing speed of reading data from memory device

Номер патента: US20210280258A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Reading of a nonvolatile memory cell by taking account of the stored state of a neighboring memory cell

Номер патента: WO2008083137A1. Автор: Nima Mokhlesi. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2008-07-10.

Nonvolatile memory device and method of reading the same

Номер патента: US09508423B2. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Reducing injection type of read disturb in a cold read of a memory device

Номер патента: WO2019147326A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device, memory system and semiconductor memory device

Номер патента: US20220301642A1. Автор: Shinji Maeda,Katsuhiko Iwai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device

Номер патента: US09564223B2. Автор: SUNG Wook Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Non-volatile memory with customized control of injection type of disturb during read operations

Номер патента: WO2017209812A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-07.

Non-volatile memory with customized control of injection type of disturb during read operations

Номер патента: US09747992B1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Nonvolatile memory device and method of detecting defective memory cell block of nonvolatile memory device

Номер патента: US20240021255A1. Автор: Wontaeck Jung,Daehan Kim,Myungnam Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Nonvolatile memory device and method of detecting defective memory cell block of nonvolatile memory device

Номер патента: US11763901B2. Автор: Wontaeck Jung,Daehan Kim,Myungnam Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Refresh operations for memory cells based on susceptibility to read errors

Номер патента: WO2021162730A1. Автор: Jiahui Yuan,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-08-19.

Refresh operations for memory cells based on susceptibility to read errors

Номер патента: EP4049278A1. Автор: Jiahui Yuan,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-08-31.

Nonvolatile semiconductor memory device with first and second read operations with different read voltages

Номер патента: US09691489B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US12068040B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US20240347113A1. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Nonvolatile semiconductor memory device having a control circuit that controls voltage applied to non-selected word lines connected to unselected memory cells

Номер патента: US09947415B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US20240005999A1. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US11817155B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Apparatus and methods for determining read voltages for a read operation

Номер патента: US20200152278A1. Автор: Luca De Santis,Marco-Domenico Tiburzi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor device and method for operating the same

Номер патента: US20170236591A1. Автор: Yasuhiro Shimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-17.

Semiconductor device and method for operating the same

Номер патента: US09805808B2. Автор: Yasuhiro Shimura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Three-dimensional semiconductor device with top dummy cells, bottom dummy cells and operating method thereof

Номер патента: US09754647B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of searching read voltage of nonvolatile memory device using regression analysis and method of reading data from nonvolatile memory device using the same

Номер патента: US11961553B2. Автор: Wijik LEE,Kwanwoo NOH,Hyeonjong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US20160141011A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-19.

Method of reading the bits of nitride read-only memory cell

Номер патента: US20080205135A1. Автор: Hsien-Wen Hsu,Jian-Yuan Shen,Chi-Ling Chu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Method of reading nonvolatile memory device and method of operating nonvolatile memory device

Номер патента: US20110128783A1. Автор: Sam Kyu Won,Kwang Ho Baek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-02.

Method of reading nonvolatile memory device and method of operating nonvolatile memory device

Номер патента: US7898865B2. Автор: Sam Kyu Won,Kwang Ho Baek. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-01.

Read disturb mitigation based on signal and noise characteristics of memory cells collected for read calibration

Номер патента: US20240296896A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device and reading method

Номер патента: US09665426B2. Автор: Hiroyuki Nagashima,Kazunori Kanebako,Yuichiro Mitani,Kuniharu Takahashi,Katsuki Matsudera,Jiezhi Chen. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Method of improving read current stability in analog non-volatile memory by post-program tuning for memory cells exhibiting random telegraph noise

Номер патента: US12080355B2. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Word line voltage detection for selection of read voltages in non-volatile memory

Номер патента: WO2018164744A1. Автор: Jun Wan,Idan Alrod,Deepanshu Dutta,Huai-Yuan Tseng,Sarath Puthenthermadam,Amul DESAI,Ken Cheah. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-09-13.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09330766B1. Автор: SUNG Wook Jung,Dong Hun Lee,Tae Hwa Lee,Hye Eun Heo,Ji Hui Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-03.

Inspection method for memory integrity, nonvolatile memory and electronic device

Номер патента: US10762970B2. Автор: Jun-Lin Yeh. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-09-01.

Read disturb mitigation based on signal and noise characteristics of memory cells collected for read calibration

Номер патента: US11984172B2. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device

Номер патента: US09564220B2. Автор: Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Memory device to execute read operation using read target voltage

Номер патента: US20210343350A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

Memory device to execute read operation using read target voltage

Номер патента: US20190115089A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-04-18.

Memory device to execute read operation using read target voltage

Номер патента: US20230352105A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Memory device to execute read operation using read target voltage

Номер патента: US20180182464A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-28.

Memory device to execute read operation using read target voltage

Номер патента: US10186323B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-01-22.

Memory device to execute read operation using read target voltage

Номер патента: US10699792B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-06-30.

Memory device to execute read operation using read target voltage

Номер патента: US20200294607A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Memory device to execute read operation using read target voltage

Номер патента: US11990190B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Memory device to execute read operation using read target voltage

Номер патента: US11715533B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-01.

Programming select gate transistors and memory cells using dynamic verify level

Номер патента: EP2954529A1. Автор: Ken Oowada,Masaaki Higashitani,Yingda Dong,Cynthia Hsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-12-16.

Method of reading the bits of nitride read-only memory cell

Номер патента: TW200641894A. Автор: Hsien-Wen Hsu,Jian-Yuan Shen,Chi-Ling Chu. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-01.

Programming select gate transistors and memory cells using dynamic verify level

Номер патента: WO2014123739A1. Автор: Ken Oowada,Masaaki Higashitani,Yingda Dong,Cynthia Hsu. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-08-14.

Data reading device and semiconductor device

Номер патента: US09424943B2. Автор: Makoto Mitani,Kotaro Watanabe. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Determining voltage offsets for memory read operations

Номер патента: US20230282293A1. Автор: Peter Feeley,Kishore Kumar Muchherla,Shane Nowell,Sivagnanam Parthasarathy,Mustafa N Kaynak,Sampath K Ratnam. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Determining voltage offsets for memory read operations

Номер патента: WO2022221713A1. Автор: Peter Feeley,Kishore Kumar Muchherla,Shane Nowell,Sampath K. Ratnam,Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-10-20.

Determining voltage offsets for memory read operations

Номер патента: US11823722B2. Автор: Peter Feeley,Kishore Kumar Muchherla,Shane Nowell,Sivagnanam Parthasarathy,Mustafa N Kaynak,Sampath K Ratnam. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Data reading device and semiconductor device

Номер патента: US20150162091A1. Автор: Makoto Mitani,Kotaro Watanabe. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2015-06-11.

Semiconductor device and operating method of semiconductor device

Номер патента: US20240331779A1. Автор: Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of determining default read voltage of non-volatile memory device and method of reading data of non-volatile memory device

Номер патента: US09666292B2. Автор: Kyung-Ryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US20180130544A1. Автор: Jae Won Cha,Sam Kyu Won,Myung Su KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Operation method for memory device

Номер патента: US20240282380A1. Автор: Yi-Chen Fan,Chieh-Yen Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09899102B2. Автор: Jae Won Cha,Sam Kyu Won,Myung Su KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09620224B2. Автор: Hae Soon Oh,Yoo Nam Jeon,Keon Soo Shim,Bong Yeol PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Adjusting operational parameters for memory cells

Номер патента: US8687419B2. Автор: Seong Je Park. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-01.

Adjusting operational parameters for memory cells

Номер патента: US20140211569A1. Автор: Seong Je Park. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-31.

Adjusting operational parameters for memory cells

Номер патента: US9117524B2. Автор: Seong Je Park. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-25.

Method of reading data from a nonvolatile memory device, nonvolatile memory device, and method of operating a memory system

Номер патента: US09412471B2. Автор: Kyung-Ryun Kim,Sang-Yong Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device

Номер патента: US09633737B2. Автор: Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Triggering of stronger write pulses in a memory device based on prior read operations

Номер патента: US12131778B2. Автор: Zhongyuan Lu,Robert John Gleixner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device with improved programming reliability

Номер патента: US09589647B1. Автор: Ji Hyun Seo,Sung Yong CHUNG,Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Triggering of stronger write pulses in a memory device based on prior read operations

Номер патента: US20240071491A1. Автор: Zhongyuan Lu,Robert John Gleixner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Bias control for memory cells with multiple gate electrodes

Номер патента: US12057177B2. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: US20150236036A1. Автор: Keon Soo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Bias control for memory cells with multiple gate electrodes

Номер патента: US20240355398A1. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: US09853041B2. Автор: Keon Soo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09627078B2. Автор: Hae Soon Oh,Yoo Nam Jeon,Keon Soo Shim,Bong Yeol PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09576668B2. Автор: Sung Ho Kim,Min Sang Park,Kyong Taek LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20160217863A1. Автор: Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-28.

First read solution for memory

Номер патента: US09952944B1. Автор: Alon Eyal,Idan Alrod,Eran Sharon,Liang PANG,Evgeny Mekhanik. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-24.

Operation method for memory device

Номер патента: US20220013180A1. Автор: Tzu-Hsuan Hsu,Po-Kai Hsu,Hang-Ting Lue,Teng-Hao Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

Post-program conditioning of stacked memory cells prior to an initial read operation

Номер патента: US09940232B1. Автор: Young Pil Kim,Antoine Khoueir. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and method of testing semiconductor device

Номер патента: US20080192554A1. Автор: Kiyokazu Hashimoto,Nobutoshi Tsunesada. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-08-14.

Semiconductor device and programming method thereof

Номер патента: US09543021B2. Автор: Se Jun Kim,Kyung Hwan Park,Jae Il TAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Non-volatile memory cell read failure reduction

Номер патента: US20090067238A1. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-03-12.

Semiconductor device and operation method thereof

Номер патента: US20050023601A1. Автор: Riichiro Shirota,Yuji Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-02-03.

Semiconductor memory device to hold 5-bits of data per memory cell

Номер патента: US12027203B2. Автор: Tomonori Takahashi,Osamu Torii,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Obtaining threshold voltage measurements for memory cells based on a user read mode

Номер патента: EP4385019A2. Автор: Liang Li,Jiahui Yuan,Qianqian Yu,Loc Tu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Obtaining threshold voltage measurements for memory cells based on a user read mode

Номер патента: US11756630B2. Автор: Liang Li,Jiahui Yuan,Qianqian Yu,Loc Tu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US09679638B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method for operating the same

Номер патента: US09620222B1. Автор: Yasuhiro Shimura,Yoichi MINEMURA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor memory device to hold 5-bits of data per memory cell

Номер патента: US20210134360A1. Автор: Tomonori Takahashi,Osamu Torii,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor memory device to hold 5-bits of data per memory cell

Номер патента: US10923186B2. Автор: Tomonori Takahashi,Osamu Torii,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-02-16.

Apparatus and methods for determining data states of memory cells

Номер патента: US11776633B2. Автор: Violante Moschiano,Ugo Russo,William C. Filipiak,Andrea D'Alessandro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Apparatus and methods for determining data states of memory cells

Номер патента: US20200194084A1. Автор: Violante Moschiano,Ugo Russo,William C. Filipiak,Andrea D'Alessandro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Memory controller controlling semiconductor storage device and semiconductor device

Номер патента: US20100122147A1. Автор: Shinichi Kanno,Toshio Shirakihara,Yosuke Kuroda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Semiconductor memory device to hold 5-bits of data per memory cell

Номер патента: US20230290407A1. Автор: Tomonori Takahashi,Osamu Torii,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Memory controller controlling semiconductor storage device and semiconductor device

Номер патента: US7848143B2. Автор: Shinichi Kanno,Toshio Shirakihara,Yosuke Kuroda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-12-07.

Semiconductor device having high-voltage transistor

Номер патента: US09576681B2. Автор: Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US09484102B2. Автор: Eun Mee KWON,Dong Yean Oh,Bong Hoon LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device and erasing method

Номер патента: US12080353B2. Автор: Masaru Yano,Toshiaki Takeshita. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and erasing method

Номер патента: US20220328105A1. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-10-13.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09496013B1. Автор: Seung Woo Lee,Min Ho HER. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device

Номер патента: US09466381B2. Автор: Won Hee Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09466379B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Foggy-fine programming for memory cells with reduced number of program pulses

Номер патента: WO2023014413A1. Автор: Liang Li,Ming Wang,Yichen WANG,Will Li,Bruce Li. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2023-02-09.

Foggy-fine programming for memory cells with reduced number of program pulses

Номер патента: US20230043349A1. Автор: Liang Li,Ming Wang,Yichen WANG,Will Li,Bruce Li. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor device

Номер патента: US09978455B2. Автор: Takashi Kurafuji. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20170278575A1. Автор: Takashi Kurafuji. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20180240524A1. Автор: Takashi Kurafuji. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-23.

Varying-polarity read operations for polarity-written memory cells

Номер патента: US20240312518A1. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Hari Giduturi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Varying-polarity read operations for polarity-written memory cells

Номер патента: US11923002B2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Hari Giduturi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Apparatuses and methods of operating for memory endurance

Номер патента: WO2013033375A1. Автор: Chandra C. Varanasi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-03-07.

Semiconductor device and method of driving semiconductor device

Номер патента: US20120230114A1. Автор: Yusuke Sekine. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-13.

Semiconductor memory device, semiconductor device, and data write method

Номер патента: US7570522B2. Автор: Tokumasa Hara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-08-04.

Method for testing memory cell in semiconductor device

Номер патента: US6556493B2. Автор: Tae-Kyu Kim,Yoon-Soo Jang,Young-Seon You,Mun-Hwa Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-04-29.

Semiconductor device

Номер патента: US8477535B2. Автор: Tamiyu Kato. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-07-02.

Semiconductor device, nonvolatile semiconductor memory, system including a plurality of semiconductor devices or nonvolatile semiconductor memories, electric card including semiconductor device or nonvolatile semiconductor memory, and electric device with which this electric card can be used

Номер патента: US20030133338A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Kenichi Imamiya,Koichi Kawai,Kazushige Kanda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-17.

Method for dynamically managing host read operation and read refresh operation in a storage device, storage device, and storage medium

Номер патента: US11789659B2. Автор: Ching-Chung Lai,Lian-Chun Lee,Chun-Shu CHEN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Contemporaneous Margin Verification And Memory Access For Memory Cells In Cross-Point Memory Arrays

Номер патента: US20110267871A1. Автор: Christophe Chevallier,Chang Hua Siau. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-11-03.

Read offset compensation in read operation of memory device

Номер патента: US20240233833A1. Автор: Hua Tan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Read offset compensation in read operation of memory device

Номер патента: WO2024145860A1. Автор: Hua Tan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device having multi-level cell and method of reading the same

Номер патента: US09548125B2. Автор: Byoung Young KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09721670B1. Автор: Jung Hyeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Memory device and method of reading data

Номер патента: US20200365213A1. Автор: Ji Young Lee,Seung Bum Kim,Su Chang Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor device and read operation method including a source line check circuit

Номер патента: US09508445B2. Автор: Sang Oh Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and control method

Номер патента: US20190287628A1. Автор: Shinya Naito,Takayuki KAKEGAWA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20200303009A1. Автор: Koji Sakui,Takayuki Ohba. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2020-09-24.

Memory arrays, memory devices and methods of reading memory cells

Номер патента: US20100259990A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-10-14.

Methods of reading memory cells

Номер патента: US20130286739A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-10-31.

Memory device and method of reading data

Номер патента: US20200098433A1. Автор: Ji Young Lee,Seung Bum Kim,Su Chang Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-26.

Memory device and method of reading data

Номер патента: US20210074364A1. Автор: Ji Young Lee,Seung Bum Kim,Su Chang Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-11.

Memory device and method of reading data

Номер патента: US11380404B2. Автор: Ji Young Lee,Seung Bum Kim,Su Chang Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-05.

Memory device and method of reading data

Номер патента: US11955183B2. Автор: Ji Young Lee,Seung Bum Kim,Su Chang Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20240312532A1. Автор: Kensuke Yamamoto,Masaru Koyanagi,Ryo Fukuda,Junya Matsuno,Masato Dome,Kei Shiraishi,Kenro Kubota,Kazuhiko Satou. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory device and method of reading data

Номер патента: US20220293190A1. Автор: Ji Young Lee,Seung Bum Kim,Su Chang Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor device and data reading method using the same

Номер патента: US20210057030A1. Автор: Daehyun Kim,Dongsoo Lee,Guyeon WEI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Nonvolatile memory device, semiconductor device, and method for operating semiconductor device

Номер патента: US09761291B2. Автор: Byoung-In Joo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Obtaining threshold voltage measurements for memory cells based on a user read mode

Номер патента: US20230048326A1. Автор: Liang Li,Jiahui Yuan,Qianqian Yu,Loc Tu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20240315038A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Tomoaki Atsumi,Yuta Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Read operations and circuits for memory devices having programmable elements, including programmable resistance elements

Номер патента: US09570166B1. Автор: Nad Edward Gilbert,Narbeh Derhacobian,Ishai Naveh. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Varying-polarity read operations for polarity-written memory cells

Номер патента: US11430509B2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Hari Giduturi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-30.

Varying-polarity read operations for polarity-written memory cell

Номер патента: EP4107727A4. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Hari Giduturi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-26.

Semiconductor device

Номер патента: US5841698A. Автор: Toshiyuki Honda,Hiroshige Hirano. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-24.

Semiconductor device having a controllable voltage supply

Номер патента: US5706242A. Автор: Toshiyuki Honda,Hiroshige Hirano. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-01-06.

Semiconductor device

Номер патента: US5687126A. Автор: Toshiyuki Honda,Hiroshige Hirano. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1997-11-11.

Memory system, semiconductor device and methods of operating the same

Номер патента: US09922687B2. Автор: Jee Yul KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Efficiency for consecutive read operations

Номер патента: US20240264745A1. Автор: Giuseppe Cariello,Fulvio Rori. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Read offset compensation in read operation of memory device

Номер патента: EP4416730A1. Автор: Hua Tan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Semiconductor memory device capable of determining an initial program condition for different memory cells

Номер патента: US09679651B2. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Zero-power programmable memory cell

Номер патента: USRE40311E1. Автор: Sunil D. Mehta,Fabiano Fontana. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-05-13.

Semiconductor device and method for controlling a semiconductor device

Номер патента: US20090010069A1. Автор: Hiroaki Wada,Norihiro Yamaki,Keiichirou Kikuchi. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-01-08.

Semiconductor device including nonvolatile memory configured to switch between a reference current reading system and a complementary reading system

Номер патента: US09824766B2. Автор: Takanobu Suzuki,Tamiyu Kato. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Memory transistor gate oxide stress release and improved reliability

Номер патента: US20070206417A1. Автор: Jianguo Wang,David Fong,Harry Luan,Jack Peng. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2007-09-06.

Strategic memory cell reliability management

Номер патента: US12112057B2. Автор: Daniele Balluchi,Marco Sforzin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device with improved insulating film and floating gate arrangement to decrease memory cell size without reduction of capacitance

Номер патента: US8212305B2. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-07-03.

Control circuitry for memory cells

Номер патента: US20120314508A1. Автор: Luca Milani,Rainer Herberholz,Justin Penfold,Kwangseok Han. Владелец: Cambridge Silicon Radio Ltd. Дата публикации: 2012-12-13.

Memory array utilizing multi-state memory cells

Номер патента: WO1996025742A1. Автор: Manzur Gill. Владелец: National Semiconductor Corporation. Дата публикации: 1996-08-22.

Memory system managing number of read operations using two counters

Номер патента: US20230280943A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Takehiko Amaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory system and method for managing number of read operations using two counters

Номер патента: US12050812B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Takehiko Amaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Storage device related to performing a read operation and method of operating the storage device

Номер патента: US11854626B2. Автор: Kang Woo Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20060022257A1. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-02.

Semiconductor Device and a Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20110284945A1. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-24.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US7312123B2. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-12-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050151168A1. Автор: Takashi Kobayashi,Yoshitaka Sasago. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-07-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20120001243A1. Автор: Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20210225427A1. Автор: Koji Sakui,Takayuki Ohba. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2021-07-22.

Semiconductor device and method of making

Номер патента: US20230352089A1. Автор: Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and method of driving semiconductor device

Номер патента: US20120275245A1. Автор: Yusuke Sekine,Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-01.

Semiconductor device and integrated semiconductor device

Номер патента: US8659018B2. Автор: Masami Kuroda,Gaku Shimada. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-02-25.

Semiconductor device and integrated semiconductor device

Номер патента: US20110297932A1. Автор: Masami Kuroda,Gaku Shimada. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20140167132A1. Автор: Hideaki YAMAKOSHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20210090663A1. Автор: Dae Seok Byeon,Jae Ick Son,Bong Soon LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device

Номер патента: US12082387B2. Автор: Yuki Inuzuka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device, semiconductor wafer, and electronic device

Номер патента: US20170271516A1. Автор: Kiyoshi Kato,Tomoaki Atsumi,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Memory device for performing read protection operation of limiting read operation and method of operating the same

Номер патента: US20240153546A1. Автор: Byung Goo CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8385124B2. Автор: Yutaka Okuyama,Yasuhiro Shimamoto,Digh Hisamoto,Tsuyoshi Arigane. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-02-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110242888A1. Автор: Yutaka Okuyama,Yasuhiro Shimamoto,Digh Hisamoto,Tsuyoshi Arigane. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor device with one-time programmable memory cell including anti-fuse with maetal/polycide gate

Номер патента: US20130301356A1. Автор: Re-Long Chiu,Shu-Lan Ying,Wen-Szu Chung. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2013-11-14.

Semiconductor device with one-time programmable memory cell including anti-fuse with metal/polycide gate

Номер патента: US20140233319A1. Автор: Re-Long Chiu,Shu-Lan Ying,Wen-Szu Chung. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2014-08-21.

Semiconductor device with one-time programmable memory cell including anti-fuse with metal/polycide gate

Номер патента: US9136271B2. Автор: Re-Long Chiu,Shu-Lan Ying,Wen-Szu Chung. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2015-09-15.

Semiconductor device with one-time programmable memory cell including anti-fuse with metal/polycide gate

Номер патента: US8743585B2. Автор: Re-Long Chiu,Shu-Lan Ying,Wen-Szu Chung. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2014-06-03.

Semiconductor device, memory device, and driving method thereof

Номер патента: US09887010B2. Автор: Yoshinobu Asami. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Memory device and semiconductor device

Номер патента: US09472559B2. Автор: Hiroyuki Miyake,Kiyoshi Kato,Yutaka Shionoiri. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20210217763A1. Автор: Go Hyun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US20210328141A1. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11864477B2. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Compensation for reference transistors and memory cells in analog neuro memory in deep learning artificial neural network

Номер патента: US20220383087A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

3d semiconductor memory devices and structures with memory cells

Номер патента: US20240260262A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device

Номер патента: US09490021B2. Автор: Jae Wook Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US09466360B2. Автор: Deung Kak YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20130256771A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Takanori Matsuzaki,Hiroki Inoue,Jun Koyama,Shuhei Nagatsuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Method of fabricating memory cell in semiconductor device

Номер патента: US20050189581A1. Автор: Tae Park. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-01.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12120870B2. Автор: Kohei Nakagami. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device including transistor with back gate, and memory device including the semiconductor device

Номер патента: US09990997B2. Автор: Kiyoshi Kato,Takanori Matsuzaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20060170035A1. Автор: Kazuyoshi Shiba,Yasushi Oka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-08-03.

Semiconductor device, semiconductor system having the same and operating method thereof

Номер патента: US09384841B2. Автор: Hyun Seung Yoo,Keon Soo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor device performing data read operation and controller controlling the same

Номер патента: US20240170080A1. Автор: Hyung Jin Choi,Jung Hoon Ham. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor system performing status read for semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09535607B2. Автор: Se Chun Park,Ho Jung YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20120319187A1. Автор: Takashi Kobayashi,Taro Osabe,Kazuo Yano,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-12-20.

Semiconductor device including write access transistor having channel region including oxide semiconductor

Номер патента: US09589961B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device configured to store parity data and method of operating the semiconductor device

Номер патента: US20240021223A1. Автор: Byoung Sung You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device and data storage system including the same

Номер патента: US20240249775A1. Автор: Jiwon Kim,Sungmin Hwang,Jaeho Ahn,Sukkang SUNG,Joonsung Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: WO2018087630A1. Автор: Takayuki Ikeda,Seiichi Yoneda. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2018-05-17.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US20180130539A1. Автор: Takayuki Ikeda,Seiichi Yoneda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-10.

Soft read operations with progressive data output

Номер патента: NL2031797A. Автор: Khakifirooz Ali,Motwani Ravi,Chen Renjie,Ramalingam Anand,Kalwitz George. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-19.

Semiconductor device, semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20150294736A1. Автор: Young-Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-15.

Controlling a semiconductor device

Номер патента: WO2008057498A3. Автор: Naoharu Shinozaki. Владелец: Naoharu Shinozaki. Дата публикации: 2008-07-24.

Semiconductor device, driving method of semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US20240298447A1. Автор: Hiromichi Godo,Hitoshi KUNITAKE,Kazuki Tsuda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Controlling a semiconductor device

Номер патента: WO2008057498A2. Автор: Naoharu Shinozaki. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-05-15.

Semiconductor memory capable of reading data without accessing memory cell

Номер патента: US09672887B2. Автор: Masahiko Nakayama,Katsuhiko Hoya,Hironobu FURUHASHI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and electronic device with data voltages read accurately without the influence of threshold voltage variation

Номер патента: US09640226B2. Автор: Takanori Matsuzaki,Atsushi Miyaguchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Error-correction coding for hot-swapping semiconductor devices

Номер патента: US09484113B2. Автор: David A. Roberts. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Bipolar reading technique for a memory cell having an electrically floating body transistor

Номер патента: WO2006066890A1. Автор: Serguei Okhonin,Mikhail Nagoga. Владелец: Innovative Silicon S.A.. Дата публикации: 2006-06-29.

Semiconductor device and method for operating the same

Номер патента: US20180108424A1. Автор: Jeong-Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP3343615A3. Автор: Takashi Hashimoto,Yoshiyuki Kawashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-22.

Semiconductor device having capability of generating chip identification information

Номер патента: US20160358667A1. Автор: Yoshikazu Saito,Koji Nii,Makoto Yabuuchi,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-08.

Semiconductor device having capability of generating chip identification information

Номер патента: US09984767B2. Автор: Yoshikazu Saito,Koji Nii,Makoto Yabuuchi,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device or electronic component including the same

Номер патента: US09728243B2. Автор: Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device having capability of generating chip identification information

Номер патента: US09449715B2. Автор: Yoshikazu Saito,Koji Nii,Makoto Yabuuchi,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Driving Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20240029774A1. Автор: Yuki Okamoto,Tatsuya Onuki,Kazuma Furutani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device

Номер патента: US09679943B2. Автор: Jong Chul Park,Kyung Rae Byun,Shin Jae Kang,Shin Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20060139999A1. Автор: Takeshi Sakata,Hideyuki Matsuoka,Kenichi Osada,Riichiro Takemura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2006-06-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20200335457A1. Автор: Takamichi Kasai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Semiconductor device

Номер патента: US11075174B2. Автор: Takamichi Kasai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-07-27.

Method and circuitry to generate a reference current for reading a memory cell, and device implementing same

Номер патента: US20080144403A1. Автор: Philippe Bauser. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-19.

Differential subthreshold read of memory cell pair in a memory device

Номер патента: US20230377646A1. Автор: Umberto Di Vincenzo,Michele Maria Venturini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY AND METHOD FOR TESTING RELIABILITY OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190006023A1. Автор: Sugahara Takahiko. Владелец: MegaChips Corporation. Дата публикации: 2019-01-03.

Method and circuitry to generate a reference current for reading a memory cell, and device implementing same

Номер патента: EP1927111A2. Автор: Philippe Bauser. Владелец: Innovative Silicon ISi SA. Дата публикации: 2008-06-04.

Method and circuitry to generate a reference current for reading a memory cell, and device implementing same

Номер патента: EP1927111B1. Автор: Philippe Bauser. Владелец: Innovative Silicon ISi SA. Дата публикации: 2009-06-03.

Semiconductor memory device with clock timing to activate memory cells for subsequent access

Номер патента: US5875486A. Автор: Haruki Toda,Shozo Saito,Kaoru Tokushige. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-02-23.

VARYING-POLARITY READ OPERATIONS FOR POLARITY-WRITTEN MEMORY CELLS

Номер патента: US20210264972A1. Автор: Tortorelli Innocenzo,Pellizzer Fabio,Giduturi Hari. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-26.

VARYING-POLARITY READ OPERATIONS FOR POLARITY-WRITTEN MEMORY CELLS

Номер патента: US20220359005A1. Автор: Tortorelli Innocenzo,Pellizzer Fabio,Giduturi Hari. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-10.

Reliable set operation for phase-change memory cell

Номер патента: US20130258768A1. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-10-03.

RELIABLE SET OPERATION FOR PHASE-CHANGE MEMORY CELL

Номер патента: US20140098603A1. Автор: Bedeschi Ferdinando. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-04-10.

Reliable set operation for phase-change memory cell

Номер патента: US20100165725A1. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200312851A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12075635B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200411383A1. Автор: Nobuo Tsuboi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Memory cell read operation techniques

Номер патента: US12094533B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Francesco Mastroianni,Nevil N. Gajera,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device, semiconductor system including the same and test method thereof

Номер патента: US09911507B2. Автор: Kwang-Hyun Kim,Kang-Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device

Номер патента: US12101945B2. Автор: Tomoaki Atsumi,Yuta Endo,Shuhei Nagatsuka,Tamae Moriwaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device

Номер патента: US09653611B2. Автор: Tomoaki Atsumi,Yuta Endo,Shuhei Nagatsuka,Tamae Moriwaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device having architecture for reducing area and semiconductor system including the same

Номер патента: US20100172174A1. Автор: Jung Min Lee,Hyun Ho CHOI,Ho Jung Kim,Chul Woo Park,Sang Beom Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-08.

Memory device through use of semiconductor device

Номер патента: US12108589B2. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device wherein an oxide semiconductor layer has a degree of crystallization of 80% or more

Номер патента: US09583509B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata,Hotaka Maruyama,Masashi TSUBUKU,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and driving method thereof

Номер патента: US09922685B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device comprising a plurality of N-channel transistors wherein the oxide semiconductor layer comprises a portion being in an oxygen-excess state

Номер патента: US09837442B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata,Hotaka Maruyama,Masashi TSUBUKU,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor memory device capable of reading data of signature fuse through normal read operation and method of reading data of signature fuse in semiconductor memory device through normal read operation

Номер патента: US20040151048A1. Автор: Sung-Bum Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-08-05.

Semiconductor device including refresh circuit for memory cell

Номер патента: US09922692B2. Автор: Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device including memory cell

Номер патента: US20240257852A1. Автор: Taehwan Kim,Jongsun Park. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20110283039A1. Автор: Motoyasu Terao,Hitoshi Kume,Masaharu Kinoshita,Satoru Hanzawa,Minoru Ogushi,Norikatsu Takaura,Yoshitaka Sasago. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-11-17.

Estimation of level-thresholds for memory cells

Номер патента: US09583184B2. Автор: Thomas Mittelholzer,Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Thomas Parnell,Milos Stanisavljevic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device with sense amplifier for memory cells

Номер патента: US7242628B2. Автор: Tadashi Haruki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-07-10.

Data line switching control circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20210035616A1. Автор: Kyeong Pil KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor device

Номер патента: US09755648B2. Автор: Munehiro KOZUMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Replaceable, precise-tracking reference lines for memory products

Номер патента: EP2619762A1. Автор: Toshio Sunaga,Lejan Pu. Владелец: MagIC Technologies Inc. Дата публикации: 2013-07-31.

Replaceable, precise-tracking reference lines for memory products

Номер патента: US20120069644A1. Автор: Toshio Sunaga,Lejan Pu. Владелец: MagIC Technologies Inc. Дата публикации: 2012-03-22.

Replaceable, precise-tracking reference lines for memory products

Номер патента: WO2012039774A1. Автор: Toshio Sunaga,Lejan Pu. Владелец: MAGIC TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2012-03-29.

Test mode circuit for memory apparatus

Номер патента: US09852809B2. Автор: Toru Ishikawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210335788A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor device related to calibrating a termination resistance

Номер патента: US20230335168A1. Автор: Jung Taek You,Sang Sic Yoon,Saeng Hwan Kim,Hong Joo SONG,Kyu Dong HWANG,Chae Sung Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Memory device and semiconductor device including memory device

Номер патента: US20160172021A1. Автор: Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-16.

Memory device and semiconductor device including memory device

Номер патента: US09583177B2. Автор: Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device with stacked structure of memory cells over sensing amplifiers, circuit board, and electronic device

Номер патента: US09704562B2. Автор: Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu,Wataru Uesugi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor devices with memory cells

Номер патента: US20220223609A1. Автор: WEI CHANG,Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-07-14.

Method of reading memory cell

Номер патента: US20120188837A1. Автор: AMIT Kumar Gupta,Sanjeev Kumar Jain,Devesh Dwivedi,Yatender MISHRA. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-07-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20240257856A1. Автор: Youngnam HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device including abnormality detection circuit and semiconductor device control method for detecting abnormality

Номер патента: US11908534B2. Автор: Hiroyuki Fujimoto,Masahiro Yanagida. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20220069011A1. Автор: Jinwoo Lee,Wonjun Lee,Zhe Wu,Dongho Ahn,Kwangmin Park,Chungman Kim,Segab Kwon,Seunggeun Yu,Jabin LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US09852787B2. Автор: Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu,Wataru Uesugi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Apparatuses and methods for outputting addresses of defective memory cells of a semiconductor device including a roll call circuit

Номер патента: US09704597B2. Автор: Masashi Oya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Two-stage read/write 3D architecture for memory devices

Номер патента: US09690510B2. Автор: Ching-Wei Wu,Kuang Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device including a transistor with an oxide semiconductor film channel coupled to a capacitor

Номер патента: US09666271B2. Автор: Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09646676B1. Автор: Sang Ah HYUN,Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Adjustment method of signal level in semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09548090B2. Автор: Tomoyuki Yamada,Morimi Arita,Tomoya Tsuruta. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device and information processing device

Номер патента: US09466346B2. Автор: Masanao Yamaoka,Chihiro Yoshimura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device, semiconductor system including the same and test method thereof

Номер патента: US9633746B2. Автор: Kwang-Hyun Kim,Kang-Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device, semiconductor system including the same and test method thereof

Номер патента: US20170194060A1. Автор: Kwang-Hyun Kim,Kang-Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-06.

Semiconductor device, semiconductor system including the same and test method thereof

Номер патента: US20150003171A1. Автор: Kwang-Hyun Kim,Kang-Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-01-01.

Semiconductor device including memory cell and sense amplifer, and IC card including semiconductor device

Номер патента: US9543007B2. Автор: Ryotaro Azuma,Yoshikazu Katoh. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US20210358530A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US20230139527A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20240234423A9. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor Device

Номер патента: US20010021131A1. Автор: Motoyasu Kitazawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-09-13.

Semiconductor device and semiconductor device test method for identifying a defective portion

Номер патента: US8325548B2. Автор: Tatsuru Matsuo. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-12-04.

Semiconductor device and semiconductor device test method

Номер патента: US20100322023A1. Автор: Tatsuru Matsuo. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-12-23.

Bonded semiconductor devices having processor and nand flash memory and methods for forming the same

Номер патента: EP3891798A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

Semiconductor Device and Method for Driving Semiconductor Device

Номер патента: US20240296881A1. Автор: Tomoaki Atsumi,Junpei Sugao. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US11545203B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-03.

Semiconductor device having input/output line drive circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09959922B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device having input/output line drive circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09916887B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Cost effective semiconductor devices and semiconductor systems with reduced test time

Номер патента: US09911505B2. Автор: Mi Hyun Hwang,Chul Moon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device including multilayer wiring layer

Номер патента: US09786668B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device having input/output line drive circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09779799B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device having electrically floating body transistor, semiconductor device having both volatile and non-volatile functionality and method of operating

Номер патента: US09747983B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device having electrically floating body transistor, semiconductor device having both volatile and non-volatile functionality and method of operating

Номер патента: US09614080B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device including power management unit for refresh operation

Номер патента: US09496022B2. Автор: Takuro Ohmaru. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device having electrically floating body transistor, semiconductor device having both volatile and non-volatile functionality and method of operating

Номер патента: US09455262B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US09443564B2. Автор: Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu,Wataru Uesugi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device controlling refresh operation for preventing wordline disturbance

Номер патента: US09437255B2. Автор: Joon-Woo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Nonvolatile memory apparatus for performing a read operation and a method of operating the same

Номер патента: US11024377B2. Автор: Seok Joon KANG,Moo Hui PARK,Jun Ho Cheon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-01.

Semiconductor device having its standby current reduced

Номер патента: US20110222329A1. Автор: Shuichi Tsukada. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-09-15.

Method and related apparatus for improving memory cell performance in semiconductor-on-insulator technology

Номер патента: US20220262857A1. Автор: Jack Liu,Charles Chew-Yuen Young. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Method and related apparatus for improving memory cell performance in semiconductor-on-insulator technology

Номер патента: US20210057485A1. Автор: Jack Liu,Charles Chew-Yuen Young. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor device

Номер патента: US12040005B2. Автор: Gyuseong KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Testing operations for memory systems

Номер патента: US12067257B2. Автор: Yuan He,Sujeet V. Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device having a redundant memory cell and method for recovering the same

Номер патента: US20050052911A1. Автор: Ryo Haga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-03-10.

Semiconductor device having a redundant memory cell and method for recovering the same

Номер патента: US20040047192A1. Автор: Ryo Haga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-11.

Semiconductor device and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US20240268092A1. Автор: Tatsuya Onuki,Yuto Yakubo,Seiya SAITO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for supplying reference potential to sense amplifier circuit in semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit, semiconductor device equipped with many of the semiconductor integrated circuits, and electronic apparatus using the simconductor device

Номер патента: US20020015324A1. Автор: Akira Maruyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190189623A1. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20210118472A1. Автор: Youjin JUNG,Hongseon KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180277548A1. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor device and power distribution network

Номер патента: US09978428B2. Автор: Bum Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device using fuse arrays to store weak cell addresses

Номер патента: US09886339B2. Автор: Jong Sam Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Enhanced charge storage materials, related semiconductor memory cells and semiconductor devices, and related systems and methods

Номер патента: US09871044B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Wayne I. Kinney,Sumeet C. Pandey,Karl W. Holtzclaw. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and information processing device

Номер патента: US09823882B2. Автор: Kenichi Osada,Masanao Yamaoka,Chihiro Yoshimura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor devices to store test data in memory cell array

Номер патента: US09761327B2. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device, memory device, electronic device, and method for driving semiconductor device

Номер патента: US09754657B2. Автор: Yutaka Shionoiri,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device capable of attaining ground state in an ising model

Номер патента: US09633715B2. Автор: Tomonori Sekiguchi,Tatsuya Tomaru,Masanao Yamaoka,Chihiro Yoshimura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Memory device and semiconductor device

Номер патента: US09601178B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Memory cell read operation techniques

Номер патента: US20240038301A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Francesco Mastroianni,Nevil N. Gajera,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Write Algorithm for Memory

Номер патента: US20180315464A1. Автор: William J. Gallagher,Yi-Chun Shih,Yu-Der Chih,Yi-Chieh Chiu,Chien-Ye Lee,Jenn-Jou Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-01.

Semiconductor device

Номер патента: US12033718B2. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Marina Yamaguchi,Kensuke Ota. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory built-in self-test with automated reference trim feedback for memory sensing

Номер патента: US12046315B2. Автор: Benoit Nadeau-Dostie,Martin Keim,Jongsin Yun. Владелец: Siemens Industry Software Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20140241051A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Satoru Hanzawa,Nozomu Matsuzaki,Fumihiko Nitta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20110211390A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Satoru Hanzawa,Nozomu Matsuzaki,Fumihiko Nitta. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2011-09-01.

Semiconductor devices

Номер патента: US20190027482A1. Автор: Sungwoo KIM,Bong-Soo Kim,Youngbae Kim,Kijae Hur,Gwanhyeob Koh,HyeongSun HONG,Yoosang Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-01-24.

Method Of Manufacturing Semiconductor Device And Semiconductor Device Having Unequal Pitch Vertical Channel Transistors

Номер патента: US20160284764A1. Автор: Teruyuki Mine. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor device enabling refreshing of redundant memory cell instead of defective memory cell

Номер патента: US20150049564A1. Автор: Yuki Hosoe. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2015-02-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240290717A1. Автор: Hideto Takekida. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor devices

Номер патента: US20190325960A1. Автор: Sungwoo KIM,Bong-Soo Kim,Youngbae Kim,Kijae Hur,Gwanhyeob Koh,HyeongSun HONG,Yoosang Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-24.

Semiconductor devices

Номер патента: US20190019554A1. Автор: Sungwoo KIM,Bong-Soo Kim,Youngbae Kim,Kijae Hur,Gwanhyeob Koh,HyeongSun HONG,Yoosang Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-01-17.

Semiconductor device testing memory cells and test method

Номер патента: US20100254196A1. Автор: Jung-Sik Kim,Joung-Wook Moon,Kwun-Soo Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-10-07.

Semiconductor device whose operation frequency and power supply voltage are dynamically controlled according to load

Номер патента: US7532539B2. Автор: Osamu Hirabayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-05-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240282362A1. Автор: Kuo-Chiang WANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor Device and Method for Driving Semiconductor Device

Номер патента: US20200126991A1. Автор: Takayuki Ikeda,Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Kiyoshi Kato,Yuta Endo,Junpei Sugao. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor device

Номер патента: US6084815A. Автор: Yuichi Matsushita,Kenji Satou. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2000-07-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240282361A1. Автор: Kuo-Chiang WANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers

Номер патента: US12100611B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device

Номер патента: US12080348B2. Автор: Chanho LEE,Taehyung Kim,Inhak LEE,Suk Youn,Sangyeop BAECK,Kyuwon CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240341206A1. Автор: Tae Jung Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and method for driving semiconductor device

Номер патента: US12052853B2. Автор: Takayuki Ikeda,Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Kiyoshi Kato,Yuta Endo,Junpei Sugao. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device including metal-oxide-semiconductor disposed in a column decoder region

Номер патента: US09997223B2. Автор: Duk Su Chun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices including a capacitance enhanced through via and method of manufacture

Номер патента: US09842830B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-12-12.

Two phase write scheme to improve low voltage write ability in dedicated read and write port SRAM memories

Номер патента: US09842642B2. Автор: M. Sultan M. SIDDIQUI,Amit Khanuja,Shailendra Sharad,Hemant Vats. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device

Номер патента: US09818490B2. Автор: Yoshiki Tsujihashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device having a write prohibited region

Номер патента: US09728257B2. Автор: Seiji Miura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US09666725B2. Автор: Takanori Matsuzaki,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device including a memory cell

Номер патента: US09613964B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US09553204B2. Автор: Takanori Matsuzaki,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers

Номер патента: US12033884B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and method of designing the same

Номер патента: US20150028451A1. Автор: Kenji Watanabe. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-01-29.

Semiconductor device

Номер патента: US7697353B2. Автор: Kazuaki Kawaguchi,Naoaki Kanagawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-13.

Storage device, semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US10860080B2. Автор: Kiyoshi Kato,Shuhei Maeda,Shuhei Nagatsuka,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-08.

Semiconductor device test system and method

Номер патента: US20080246505A1. Автор: Carsten Ohlhoff,Markus Kollwitz. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-10-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20240251567A1. Автор: Takanori Matsuzaki,Yuki Okamoto,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor devices including reversible and one-time programmable magnetic tunnel junctions

Номер патента: US20190198077A1. Автор: Choong Jae Lee,Gwanhyeob Koh,Yongkyu Lee,BoYoung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor device

Номер патента: US7593253B2. Автор: Hiromasa Takahashi,Takayuki Kawahara,Kenchi Ito,Riichiro Takemura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2009-09-22.

Semiconductor devices, capacitor antifuses, dynamic random access memories, and cell plate bias connection methods

Номер патента: US20050207256A1. Автор: H. Manning. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-22.

3d semiconductor device and structure with metal layers and memory cells

Номер патента: US20240250163A1. Автор: Zvi Or-Bach. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells

Номер патента: US12094965B2. Автор: Zvi Or-Bach. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells

Номер патента: US12125737B1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

3d semiconductor device and structure with metal layers and memory cells

Номер патента: US20240363385A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Memory device, read clock generation circuit, and method for controlling read operation in memory device

Номер патента: US20240339140A1. Автор: Sanjeev Kumar Jain,Atul Katoch. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Methods of forming memory cells, arrays of magnetic memory cells, and semiconductor devices

Номер патента: US09972770B2. Автор: Wei Chen,Witold Kula,Sunil Murthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device

Номер патента: US09818472B2. Автор: Hiroyuki Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices including a capacitance enhanced through via and method of manufacture

Номер патента: US09685427B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor devices and semiconductor systems

Номер патента: US09589669B1. Автор: Sang Hee Kim,Ji Eun Jang,Young Hyun Baek,Bo Yeun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device

Номер патента: US09558810B2. Автор: Hideaki Yoshida,Mitsunori Katsu,Masayuki Satou,Hiroyuki Kozutsumi. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Memory, semiconductor device including the same, and method for testing the same

Номер патента: US09472247B2. Автор: Cheng-Hsiung Kuo,Gu-Huan Li,Chung-chieh Chen,Jih-Chen Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and method of designing the same

Номер патента: US09455258B2. Автор: Kenji Watanabe. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device

Номер патента: US09455016B2. Автор: Jong-Yeol Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device including main amplifers between memory cell arrays

Номер патента: US09443573B2. Автор: Hidekazu Egawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Reconfigurable semiconductor device

Номер патента: US09425798B2. Автор: Masayuki Satou,Koshi Sato. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Memory cells, methods of fabrication, semiconductor device structures, and memory systems

Номер патента: US09379315B2. Автор: Wei Chen,Witold Kula,Sunil Murthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Memory controller and method of operating the same for processing the failed read operation

Номер патента: US11037639B2. Автор: Dong Hyun Kim,Seung Il Kim,Youn Ho Jung,Min Ho HER. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-15.

Efficient and robust random access memory cell suitable for programmable logic configuration control

Номер патента: US20020001222A1. Автор: Rafael Camarota. Владелец: Adaptive Silicon Inc. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor device and method for performing test

Номер патента: US20240120015A1. Автор: Choung Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20170243874A1. Автор: Tomoaki Atsumi,Yuta Endo,Shuhei Nagatsuka,Tamae Moriwaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20230371286A1. Автор: Tomoaki Atsumi,Yuta Endo,Shuhei Nagatsuka,Tamae Moriwaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20190189622A1. Автор: Tomoaki Atsumi,Yuta Endo,Shuhei Nagatsuka,Tamae Moriwaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20210398988A1. Автор: Tomoaki Atsumi,Yuta Endo,Shuhei Nagatsuka,Tamae Moriwaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20220406883A1. Автор: Jongwook Park,Hyelee KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20210375362A1. Автор: Makoto Yabuuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Multiplexor for a semiconductor device

Номер патента: WO2022186865A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Yuan He. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-09-09.

Semiconductor structures, memory cells and devices, systems including same, and related methods

Номер патента: WO2018208507A1. Автор: Yi Fang Lee,Albert Liao,Wayne I. Kinney,Manzar Siddik. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-11-15.

Read measurement of a plurality of resistive memory cells

Номер патента: US20140211541A1. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Abu Sebastian. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-31.

Semiconductor device having hierarchically structured bit lines

Номер патента: US9236149B2. Автор: Noriaki Mochida. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2016-01-12.

Redundancy array column decoder for memory

Номер патента: US10468085B2. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-05.

3D semiconductor device and structure with bonding and DRAM memory cells

Номер патента: US12068187B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor Device Having Hierarchically Structured Bit Lines

Номер патента: US20160125961A1. Автор: Noriaki Mochida. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2016-05-05.

Dram memory cells reconfigured to provide bulk capacitance

Номер патента: WO2014008584A1. Автор: Yonghua Liu,James Kosolowski. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2014-01-16.

Maintenance operations for memory devices

Номер патента: US20220404969A1. Автор: Ning Chen,Fangfang Zhu,Ying Yu Tai,Jiangli Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-22.

Semiconductor device including semiconductor dies of differing sizes and capacities

Номер патента: US20220230992A1. Автор: Hooi Bin Lim,Ahmad Zarif Bin Azahar,Nur Syazwani Binti Mohd Najman,Muhammad Syafiq Bin Mazlan,Rolando Reyes, JR.. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20230380176A1. Автор: Kyunghwan Lee,Daewon HA,Youngnam HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240339135A1. Автор: Yong Jin Jeong,Sang Gu Yeo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20240332262A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Takanori Matsuzaki,Yuki Okamoto,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Apparatuses and methods for refreshing memory cells of a semiconductor device

Номер патента: US09984738B2. Автор: Kenji Yoshida,Hiroki Fujisawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Redundancy schemes for memory cell repair

Номер патента: US09911510B1. Автор: Young Suk Kim,Lalit Gupta,Fakhruddin Ali Bohra,Vivek Nautiyal,Pranay Prabhat,Jungtae Kwon,Shri Sagar Dwivedi,Satinderjit Singh. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device

Номер патента: US09851942B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09837326B2. Автор: Akira Yajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and driving method thereof

Номер патента: US09825037B2. Автор: Kiyoshi Kato,Takanori Matsuzaki,Hiroki Inoue,Shuhei Nagatsuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device, method for driving semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09716100B2. Автор: Tomoaki Atsumi,Shuhei Nagatsuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor devices comprising magnetic memory cells

Номер патента: US09711565B2. Автор: Stephen J. Kramer,Witold Kula,Wayne I. Kinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device with hierarchical word line scheme

Номер патента: US09691438B2. Автор: Seol Hee LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device

Номер патента: US09679634B2. Автор: Hiroyuki Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device

Номер патента: US09672873B2. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device having hierarchically structured bit lines

Номер патента: US09666306B2. Автор: Noriaki Mochida. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device and error correction information writing method

Номер патента: US09619319B2. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Read measurement of a plurality of resistive memory cells for alleviating resistance and current drift

Номер патента: US09576650B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Abu Sebastian. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and driving method thereof

Номер патента: US09525051B2. Автор: Kiyoshi Kato,Takanori Matsuzaki,Hiroki Inoue,Shuhei Nagatsuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device having stacked layers

Номер патента: US09514792B2. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device and driving method thereof

Номер патента: US09443563B2. Автор: Tomoaki Atsumi,Yoshiya Takewaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device

Номер патента: US09437273B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device applicable to a multi-context programmable logic device

Номер патента: US09384813B2. Автор: Takeshi Aoki,Munehiro KOZUMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Nonvolatile semiconductor memory device, method of supplying voltage in the same, and semiconductor device

Номер патента: US8248865B2. Автор: Daichi KAKU. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-21.

Read algorithm for memory device

Номер патента: US11869565B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20230337439A1. Автор: Kousuke Sasaki,Yuki Okamoto,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Apparatus, method and system to reduce memory window latency and read disturb in a memory device for memory operations

Номер патента: US20230267988A1. Автор: LU LIU,Raymond Zeng,Hemant P. Rao,Phoebe P. Yeoh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200127008A1. Автор: In Su Park,Dong Sun Sheen. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-04-23.

Current references for memory cells

Номер патента: US20240203490A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Pierguido Garofalo,Umberto Di Vincenzo,Claudia Palattella. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Improved timing circuit for memories

Номер патента: EP3482396A1. Автор: ChangHo Jung,Sonia Ghosh. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-05-15.

Improved timing circuit for memories

Номер патента: EP4213151A1. Автор: ChangHo Jung,Sonia Ghosh. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-07-19.

Improved timing circuit for memories

Номер патента: WO2018009298A1. Автор: ChangHo Jung,Sonia Ghosh. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-01-11.

Semiconductor device having a diode type electrical fuse (e-fuse) cell array

Номер патента: US20210125677A1. Автор: Seong Jun Park,Kee Sik AHN,Sung Bum Park,Jong Min CHO. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Sequence circuit and semiconductor device using sequence circuit

Номер патента: EP1204119A3. Автор: Masaharu Wada,Atsushi c/o Fujitsu Limited Takeuchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-02-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20230317151A1. Автор: Shinji Tanaka,Daiki Kitagata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20210398570A1. Автор: Kenjiro Matoba. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20110292717A1. Автор: Takeshi Ohgami. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20160062951A1. Автор: Masato Hayashi,Masanao Yamaoka,Chihiro Yoshimura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20220130434A1. Автор: Hiroyuki Takahashi,Tetsuo FUKUSHI,Muneaki Matsushige. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor device

Номер патента: EP3989228A1. Автор: Hiroyuki Takahashi,Tetsuo FUKUSHI,Muneaki Matsushige. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-04-27.

Semiconductor device having a high-speed memory with stable operation

Номер патента: US11710511B2. Автор: Hiroyuki Takahashi,Tetsuo FUKUSHI,Muneaki Matsushige. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-07-25.

Distributed write driver for memory array

Номер патента: US20240170051A1. Автор: Mohit Gupta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-05-23.

Ferroelectric devices and ferroelectric memory cells

Номер патента: US12080329B2. Автор: Yi Fang Lee,Albert Liao,Wayne I. Kinney,Manzar Siddik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Reconfigurable semiconductor device

Номер патента: US09972536B2. Автор: Hideaki Yoshida,Mitsunori Katsu,Hiroyuki Kozutsumi. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and error correction method

Номер патента: US09892784B2. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and method for writing thereto

Номер патента: US09859016B2. Автор: Naoki Ueda,Sumio Katoh. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Timing circuit for memories

Номер патента: US09858988B1. Автор: ChangHo Jung,Sonia Ghosh. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09842641B2. Автор: Nak-Kyu Park,Sun-Hye Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device(s) and method of refreshing the semiconductor device

Номер патента: US09711204B1. Автор: Youk Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09640245B2. Автор: Nak-Kyu Park,Sun-Hye Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and error correction method

Номер патента: US09558063B2. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device

Номер патента: US09508418B1. Автор: Kyong Ha Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device

Номер патента: US09472266B2. Автор: Hee Jin Byun,Jin Cheol SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Charge leakage detection for memory system reliability

Номер патента: US11749330B2. Автор: Angelo Visconti,Riccardo Pazzocco,Jonathan J. Strand,Kevin T. Majerus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device having plural banks

Номер патента: US20120134217A1. Автор: Hiroki Fujisawa,Yuuji Motoyama. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-05-31.

System and Method for Memory Array Decoding

Номер патента: US20110305095A1. Автор: Pantas Sutardja,Winston Lee. Владелец: Winston Lee. Дата публикации: 2011-12-15.

Charge leakage detection for memory system reliability

Номер патента: EP4128237A1. Автор: Angelo Visconti,Riccardo Pazzocco,Jonathan J. Strand,Kevin T. Majerus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-08.

Charge leakage detection for memory system reliability

Номер патента: US20230114735A1. Автор: Angelo Visconti,Riccardo Pazzocco,Jonathan J. Strand,Kevin T. Majerus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Method to improve accuracy and reliability of motion estimated with phase correlation

Номер патента: US20140307120A1. Автор: Yutaka Yoneda,Mark Robertson,Yoshihiro Murakami,Toru Kurata,Ming-Chang Liu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-10-16.

Integration of monolayer graphene with a semiconductor device

Номер патента: US20170350835A1. Автор: Seyedeh Maryam Mortazavi Zanjani,Deji Akinwande,Mir Mohammad Sadeghi,Milo Holt. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2017-12-07.

Adaptive data relocation for improved data management for memory

Номер патента: US20230048133A1. Автор: Luigi Esposito,Massimo Iaculo,Paolo Papa,Alberto Sassara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Methods and device to reduce the requirements for memory for software applications in the process control systems

Номер патента: RU2634220C2. Автор: Дэвид Кёртис ИНГРЭМ. Владелец: ФИШЕР КОНТРОЛЗ ИНТЕРНЕШНЕЛ ЛЛС. Дата публикации: 2017-10-24.

Simulation of autonomous vehicle to improve safety and reliability of autonomous vehicle

Номер патента: US20220068052A1. Автор: Silvio Maeta,Ankita Nugyal. Владелец: MOTIONAL AD LLC. Дата публикации: 2022-03-03.

Simulation of autonomous vehicle to improve safety and reliability of autonomous vehicle

Номер патента: KR102388237B1. Автор: 실비오 마에타,안키타 누걀. Владелец: 모셔널 에이디 엘엘씨. Дата публикации: 2022-04-19.

Simulation of autonomous vehicle to improve safety and reliability of autonomous vehicle

Номер патента: GB202213787D0. Автор: . Владелец: MOTIONAL AD LLC. Дата публикации: 2022-11-02.

Simulation of autonomous vehicle to improve safety and reliability of autonomous vehicle

Номер патента: GB2607849B. Автор: Maeta Silvio,Nugyal Ankita. Владелец: MOTIONAL AD LLC. Дата публикации: 2023-08-30.

Method to improve accuracy and reliability of motion estimated with phase correlation

Номер патента: US20120098986A1. Автор: Yutaka Yoneda,Mark Robertson,Yoshihiro Murakami,Toru Kurata,Ming-Chang Liu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-04-26.

Autonomous vehicle simulation to improve safety and reliability of autonomous vehicles

Номер патента: CN114117719A. Автор: S·梅塔,A·纽亚尔. Владелец: MOTIONAL AD LLC. Дата публикации: 2022-03-01.

Adhesive composition for producing semiconductor device, and adhesive sheet for producing semiconductor device

Номер патента: US20110190421A1. Автор: Yasushi Inoue,Takeshi Matsumura,Kenji Oonishi,Yuichiro Shishido,Yuta Kimura. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2011-08-04.

Method for improving performance and reliability of MOS technologies and data retention characteristics of flash memory cells

Номер патента: US20010007785A1. Автор: Kenneth Harvey,Timothy Rost. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-12.

Semiconductor device having conductive bump with improved reliability

Номер патента: US09768135B2. Автор: Ze-Qiang Yao,Fayou Yin,Xiaodan Shang. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device having dual work function gate structure, method for fabricating the same, transistor circuit having the same, memory cell having the same, and electronic device having the same

Номер патента: US09634109B2. Автор: Dong-Soo Kim,Eun-Jeong Kim,Tae-Kyung Oh,Jin-Yul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device having dual work function gate structure, method for fabricating the same, transistor circuit having the same, memory cell having the same, and electronic device having the same

Номер патента: US09508847B2. Автор: Dong-Soo Kim,Eun-Jeong Kim,Tae-Kyung Oh,Jin-Yul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Methods and apparatus to improve reliability of isolated vias

Номер патента: US20120299190A1. Автор: Lawrence N. Herr,Douglas M. Reber. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20180102310A1. Автор: Toshitsugu Ishii,Hidekazu Iwasaki,Jun MATSUHASHI,Naohiro Makihira. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09466756B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata,Hotaka Maruyama,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device and method for programming healing patterns on memory blocks

Номер патента: US09588700B2. Автор: Yeon Joo JEONG,Suk Kwang PARK,Soon Ok Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for determining resistance of microwave semiconductor devices to effect of ionizing radiations

Номер патента: RU2602416C1. Автор: Сергей Анатольевич МЕШКОВ,Александр Григорьевич Гудков,Виктор Георгиевич Усыченко,Александр Владимирович Мещеряков,Владимир Николаевич Вьюгинов,Владимир Анатольевич Добров,Иван Николаевич Маржановский,Татьяна Юрьевна Кудряшова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (МГТУ им. Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2016-11-20.

Method of automated determination of thermal resistance transition - body of packed power semiconductor devices

Номер патента: RU2653962C1. Автор: Леонид Алексеевич Потапов. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device, data processing system, data reading method, and data reading program

Номер патента: US20190146683A1. Автор: Seiji Mochizuki,Toshiyuki Kaya,Katsushige Matsubara,Nhat Van HUYNH. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Decoding Status Flag Techniques for Memory Circuits

Номер патента: US20230325274A1. Автор: Farid Nemati,Yi Chun Chen,Gregory S. Mathews,Kevin C. Wong,Kalpana Bansal,Steven R. Hutsell. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Method and apparatus for memory aliasing detection in an out-of-order instruction execution platform

Номер патента: US09710389B2. Автор: Sebastian Winkel,Ethan Schuchman,Yongjun PARK,Igor Yanover,Polychronis Xekalakis,Oleg Margulis,Vineeth Mekkat,Sumit Ahuja. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Fragmentation management for memory systems

Номер патента: WO2024129864A1. Автор: Nicola Colella,Nitul Gohain. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080057441A1. Автор: Sung-ho Jun. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09508592B2. Автор: Takahiro Iguchi,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20190384669A1. Автор: Ho Kyun AN,Dong Hyun Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20220050739A9. Автор: Ho Kyun AN,Dong Hyun Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Method and apparatus to improve reliability of vias

Номер патента: US20140091475A1. Автор: Douglas M. Reber. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor devices

Номер патента: US20190371782A1. Автор: Jaeseung Choi,Sang-Yeop BAECK,Inhak LEE,Hyunsu Choi,SangShin Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-05.

Concurrent memory operations for read operation preemption

Номер патента: US09851905B1. Автор: Pranav Kalavade,Anand S. Ramalingam,Aliasgar S. Madraswala. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device, computer, and electronic device

Номер патента: US09785566B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device, image segmentation method, and image processor

Номер патента: US09430845B2. Автор: Chihiro Yoshimura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

System and method for semiconductor device compact modeling using multiple specialized artificial neural networks for each semiconductor device operation region

Номер патента: US20230385494A1. Автор: Jung Hwan Park,Chan Woo Park. Владелец: Alsemy Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Information processing system and image forming apparatus capable of accurately predicting lifetime of semiconductor device, and control method therefor

Номер патента: US20210382630A1. Автор: Yo Kobayashi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Handler for testing semiconductor device and method for checking whether semiconductor device remains using the same

Номер патента: US09964588B2. Автор: Jae Hun Jeong,Sung Il KWON. Владелец: Techwing Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for transfer of semiconductor devices

Номер патента: US09871023B2. Автор: Andrew Huska,Cody Peterson,Clinton Adams,Sean Kupcow. Владелец: Rohinni LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

Testing semiconductor devices

Номер патента: US09470719B2. Автор: Scott E. Meninger,Jonathan K. Brown,Rohan Arora. Владелец: Cavium LLC. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6955870B2. Автор: Hideo Miura,Hideyuki Aoki,Masatoshi Kanamaru,Ryuji Kohno,Hiroya Shimizu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-10-18.

Cooling apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20080180124A1. Автор: Young Bae Chung. Владелец: ISC Tech Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-31.

Cooling apparatus for semiconductor device

Номер патента: SG144855A1. Автор: Young Bae Chung. Владелец: Isc Technology Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Method and system for testing a semiconductor device against electrostatic discharge

Номер патента: US09897644B2. Автор: Philippe Debosque,Patrice Besse,Alain SALLES,Stephane Compaing. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxially formed material

Номер патента: US09864135B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Using harmonic component(s) to calculate a temperature of a semiconductor device in an inverter module

Номер патента: US09705487B2. Автор: Michael Cade,Gareth Christopher James. Владелец: Nidec Control Techniques Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09477593B2. Автор: Hong-Sik Kim,Dong-Gun KIM,Yong-Kee KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Adjustable coarse alignment tooling for packaged semiconductor devices

Номер патента: US20010021341A1. Автор: Jim Nuxoll,Julian Aberasturi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20160293564A1. Автор: Tamaki Wada,Yuichi Morinaga,Kenji Oyachi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Adjustable coarse alignment tooling for packaged semiconductor devices

Номер патента: US20010022031A1. Автор: Jim Nuxoll,Julian Aberasturi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-20.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10998246B2. Автор: Noriaki MINETA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-04.

System controller, semiconductor device, and method of testing interface

Номер патента: US20090285214A1. Автор: Kenji Uchida. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-11-19.

System controller, semiconductor device, and method of testing interface

Номер патента: US8488606B2. Автор: Kenji Uchida. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-07-16.

Reconfigurable semiconductor device

Номер патента: US20150042377A1. Автор: Masayuki Satou,Koshi Sato. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2015-02-12.

Reconfigurable semiconductor device

Номер патента: US9287877B2. Автор: Masayuki Satou,Koshi Sato. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2016-03-15.

Semiconductor device testing apparatus

Номер патента: US20140167806A1. Автор: Jae Kyoung Mun,Eun Soo Nam,Dong Min Kang,Sang-Heung Lee,Hyung Sup Yoon,Jong-Won Lim,Chul Won Ju,Seong-Il Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2014-06-19.

Simulation device for semiconductor device, and short-circuit determination method for semiconductor device

Номер патента: US20170068757A1. Автор: Ryota NIHEI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor devices with integrated test structures

Номер патента: US20240321651A1. Автор: Rahul R. Potera,In-Hwan Ji. Владелец: Woflspeed Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Method and system for testing indirect bandgap semiconductor devices using luminescence imaging

Номер патента: US09912291B2. Автор: Thorsten Trupke,Robert Andrew Bardos. Владелец: BT IMAGING PTY LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device

Номер патента: US09583455B2. Автор: Tamaki Wada,Yuichi Morinaga,Kenji Oyachi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device

Номер патента: US09524124B2. Автор: Hong-Sik Kim,Dong-Gun KIM,Yong-Kee KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Method and system for testing indirect bandgap semiconductor devices using luminescence imaging

Номер патента: US09482625B2. Автор: Thorsten Trupke,Robert Andrew Bardos. Владелец: BT IMAGING PTY LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device

Номер патента: US09337134B2. Автор: Tamaki Wada,Yuichi Morinaga,Kenji Oyachi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Voltage fluctuation estimating method and apparatus, semiconductor device operation verification apparatus, semiconductor device designing method, printed circuit board designing method, and program

Номер патента: US20100023909A1. Автор: Yasuo Kouzaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-01-28.

Semiconductor device for adjusting threshold value shift due to short channel effect

Номер патента: US20040113649A1. Автор: Jörg Berthold,Rafael Guardia. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-06-17.

Semiconductor device measurement method using x-ray scattering and semiconductor device manufacturing method including the measurement method

Номер патента: US20230380783A1. Автор: Hidong Kwak,Jaeyong Lee,Minjung Shin,Chuhee LEE,Seungryeol Oh,Byunghyun HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Test system for testing semiconductor devices

Номер патента: US20240183878A1. Автор: Chih-Ming Chen,Chih-Kang TOH. Владелец: Taiwan Mask Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Cooler for semiconductor devices

Номер патента: WO2017039874A1. Автор: Christian Geissler,Andreas Wolter,Klaus Reingruber,Georg Seidemann,Sven Albers,Alexandra Atzesdorfer,Sonja Koller. Владелец: Intel IP Corporation. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor device, methods of manufacturing semiconductor device, and semiconductor module

Номер патента: US20240243198A1. Автор: Koichi Hasegawa,Kazuhisa Mori,Yasutaka Nakashiba,Hiroshi Yanagigawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Methods and apparatus for releasably mounting a semiconductor device to a printed circuit board

Номер патента: WO2008014194A2. Автор: Francis Rapheal Thamarayoor. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2008-01-31.

Classifying an area as hazardous or non-hazardous based on an operation of a semiconductor device

Номер патента: US20240231993A1. Автор: Poorna Kale,Saideep Tiku,Shashank Bangalore Lakshman,Pavana Prakash,Febin Sunny. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Touchup for memory device using embedded encoder/decoder

Номер патента: US20240289218A1. Автор: Vikas RANA,Kishore Kumar Muchherla,James Fitzpatrick,William Richard Akin,Kevin R. Brandt,Dung V. Nguyen,David Ebsen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Touchup for memory device using embedded encoder and decoder

Номер патента: WO2024178374A1. Автор: Vikas RANA,Kishore Kumar Muchherla,James Fitzpatrick,William Richard Akin,Kevin R. Brandt,Dung V. Nguyen,David Ebsen. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-08-29.

Test apparatus for semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240345156A1. Автор: Takuya Yoshimura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device

Номер патента: US12118333B2. Автор: Takayuki Ikeda,Roh YAMAMOTO,Shuichi KATSUI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Formation method of metallic electrode of semiconductor device and metallic electrode formation apparatus

Номер патента: US8263490B2. Автор: Yutaka Fukuda,Yuji Fukuda,Akira Tai,Kazuo Akamatsu,Manabu Tomisaka,Yoshiko Fukuda,Hidetoshi Katou,Mika Ootsuki. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-09-11.

Formation method of metallic electrode of semiconductor device and metallic electrode formation apparatus

Номер патента: US20110207241A1. Автор: Yutaka Fukuda,Akira Tai,Kazuo Akamatsu,Manabu Tomisaka,Yoshiko Fukuda,Hidetoshi Katou. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Method for preparing test samples for semiconductor devices

Номер патента: US20210348990A1. Автор: Qiang Chen,Yanrong Qiu,Jinde Gao. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Method for screening semiconductor devices for contact coplanarity

Номер патента: US20030059965A1. Автор: Lik Wong. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-03-27.

Techniques for testing semiconductor devices

Номер патента: US12079097B2. Автор: Ashish Kumar,Rahul Garg,Shantanu SARANGI,Animesh Khare. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and structure

Номер патента: US09853089B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,Deepak C. Sekar,Zeev Wurman. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device

Номер патента: US09460377B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device having fuse pattern

Номер патента: US09449918B2. Автор: Eun-Chul Ahn,Sang-Young Kim,Min-Ho Lee,Moon-Gi Cho,Joo-weon Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Method and apparatus for memory retry

Номер патента: US5210867A. Автор: George J. Barlow,Michelle A. Pence,Raymond D. Bowden, III. Владелец: Bull HN Information Systems Inc. Дата публикации: 1993-05-11.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11889679B2. Автор: Eunjung Kim,Sungyeon RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Minority carrier semiconductor devices with improved reliabilty

Номер патента: US20020003237A1. Автор: Daniel A. Steigerwald,Changhua Chen,Stephen A. Stockman. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2002-01-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09899275B2. Автор: Kenzo Naito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4012758A1. Автор: Xiao Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-15.

Semiconductor device and bonding method

Номер патента: US12080675B2. Автор: Kazunori Fuji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and bonding method

Номер патента: US20240379610A1. Автор: Kazunori Fuji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240130107A1. Автор: Eunjung Kim,Sungyeon RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160197050A1. Автор: Toshihiko Akiba,Yuki YAGYU,Akihiro Tobita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Composite material, process of its production, panel of semiconductor device emitting heat, semiconductor device ( variants ), dielectric panel and electrostatic absorbing facility

Номер патента: RU2198949C2. Автор: Казутака ОКАМОТО,Йасуо КОНДО,Теруйоси АБЕ,Йасухиса АОНО,Дзунйа КАНЕДА,Риуити САИТО,Йосихико КОИКЕ. Владелец: Хитачи, Лтд.. Дата публикации: 2003-02-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20050082655A1. Автор: Naoto Kusumoto,Hidekazu Takahashi,Hiroki Adachi,Kazuo Nishi,Yuusuke Sugawara,Daiki Yamada,Yoshikazu Hiura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-21.

Method of semiconductor device protection, package of semiconductor device

Номер патента: US20050072972A1. Автор: Shigeyuki Maruyama,Kazuhiro Tashiro,Keisuke Fukuda,Naohito Kohashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-04-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20240341086A1. Автор: Ilyoung Yoon,Jonghyuk Park,Yanghee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of patterning multiple-layered resist film and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070141764A1. Автор: Eiichi Soda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-06-21.

Method of patterning multiple-layered resist film and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7754543B2. Автор: Eiichi Soda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-07-13.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170256464A1. Автор: Kenzo Naito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and electronic equipment

Номер патента: US20200235155A1. Автор: Tomohiro Sugiyama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor device with bonding pads and method of manufacturing the same

Номер патента: US11257802B2. Автор: Tomoya Sanuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2022-02-22.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20120107970A1. Автор: Seje TAKAKI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-05-03.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240040773A1. Автор: Tsuo-Wen Lu,Mingqin Shangguan,Changfu Ye,Xiqin Wang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: EP4379790A1. Автор: Yuji Nishida,Kazutoshi Yokoyama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-06-05.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080087935A1. Автор: Koichi Matsuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-04-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070082488A1. Автор: Hiroaki Katou. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-04-12.

Semiconductor devices, and methods for same

Номер патента: CA2243170A1. Автор: Joseph W. Lyding,Karl Hess. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-07-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11817327B2. Автор: Akira Furuta,Nobuhiro HIGASHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device with stacked memory periphery and array and method for forming the same

Номер патента: US20240138156A1. Автор: Han-Jong Chia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150333030A1. Автор: Toshihiko Akiba,Yuki YAGYU,Akihiro Tobita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-11-19.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING CONDUCTIVE BUMP WITH IMPROVED RELIABILITY

Номер патента: US20170179059A1. Автор: Yin Fayou,Yao Ze-Qiang,Shang Xiaodan. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

Semiconductor device

Номер патента: EP4138142A1. Автор: Il Young Yoon,Seung Hoon Choi,Ja Eung KOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230268276A1. Автор: Seung-Heon Lee,Jun Hyuk LIM,Sang Hoon AHN,Kyung Seok Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4231341A1. Автор: Seung-Heon Lee,Jun Hyuk LIM,Sang Hoon AHN,Kyung Seok Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-23.

Electrode structure of a carrier substrate of a semiconductor device

Номер патента: GB2368719B. Автор: Manabu Mizusaki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-04-02.

Semiconductor device

Номер патента: EP4199101A3. Автор: Seung Chul Oh,Jung Gun YOU,Sug Hyun SUNG,Chan Kyo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING DUAL WORK FUNCTION GATE STRUCTURE, METHOD FOR FABRICATING THE SAME, TRANSISTOR CIRCUIT HAVING THE SAME, MEMORY CELL HAVING THE SAME, AND ELECTRONIC DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20170047421A1. Автор: KIM Dong-Soo,LEE Jin-Yul,OH Tae-Kyung,KIM Eun-Jeong. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING DUAL WORK FUNCTION GATE STRUCTURE, METHOD FOR FABRICATING THE SAME, TRANSISTOR CIRCUIT HAVING THE SAME, MEMORY CELL HAVING THE SAME, AND ELECTRONIC DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20160172488A1. Автор: KIM Dong-Soo,LEE Jin-Yul,OH Tae-Kyung,KIM Eun-Jeong. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-16.

Methods of manufacturing semiconductor device in order to improve the electrical characteristics of a dielectric

Номер патента: KR100729354B1. Автор: 조학주,강상범,신유균,박홍배. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-06-15.

Methods of manufacturing semiconductor device in order to improve the electrical characteristics of a dielectric

Номер патента: KR20070059707A. Автор: 조학주,강상범,신유균,박홍배. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-06-12.

System to improve safety and reliability of a lithium-ion (li-ion) battery pack

Номер патента: WO2020120780A1. Автор: Rahul Singh,Evgeniy Leyvi,Vijaya Kumar AIYAWAR,Melinda Zhao,Joe DEMORE,Jack Jianhong GUO,Uday REDDY. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS N.V.. Дата публикации: 2020-06-18.

SYSTEM TO IMPROVE SAFETY AND RELIABILITY OF A LITHIUM-ION (LI-ION) BATTERY PACK

Номер патента: US20220077515A1. Автор: Singh Rahul,Leyvi Evgeniy,AIYAWAR VIJAYA KUMAR,ZHAO MELINDA,DEMORE JOE,GUO JACK JIANHONG,REDDY UDAY. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-10.

METHOD TO IMPROVE ACCURACY AND RELIABILITY OF MOTION ESTIMATED WITH PHASE CORRELATION

Номер патента: US20140307120A1. Автор: Yoneda Yutaka,Liu Ming-Chang,Robertson Mark,MURAKAMI Yoshihiro,Kurata Toru. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-16.

Method and structure for surface state passivation to improve yield and reliability of integrated circuit structures

Номер патента: KR100345432B1. Автор: 로스티븐케이. Владелец: 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션. Дата публикации: 2002-07-26.

Automatic power and duration control on electric oven, particularly microwave oven to improve quality and reliability of results

Номер патента: FR2773872A1. Автор: Van Suu Maurice Le. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1999-07-23.

Image sensor architecture employing one or more non-volatile memory cells

Номер патента: US20070177042A1. Автор: FAN He,Carl Shurboff. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2007-08-02.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09905703B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09349593B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

Methods of forming conductive elements of semiconductor devices and of forming memory cells

Номер патента: US09865812B2. Автор: Nishant Sinha,Scott E. Sills,Sanh D. Tang,Whitney L. West,Rob B. Goodwin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09972591B2. Автор: Hideki Harano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Method and device to improve reliability of point stimulation

Номер патента: RU2521573C2. Автор: Гэри А. МАЙЕР,Джим Б. СУРЬЯАТМАДЬЯ,Фрейзер МакНЕЙЛ,Кит А. РИСПЛЕР. Владелец: Халлибёртон Энерджи Сервисиз, Инк.. Дата публикации: 2014-06-27.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09722056B2. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Mitsuhiro Ichijo,Toshiya Endo,Akihisa Shimomura,Yuhei Sato,Satoshi Toriumi,Toshihiko Takeuchi,Takashi Ohtsuki,Masashi TSUBUKU,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Extrinsic field termination structures for improving reliability of high-voltage, high-power active devices

Номер патента: US20240222444A1. Автор: Wayne Mack Struble,Allen W. Hanson,Chuanxin Lian. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12107138B2. Автор: Yoshiyuki Kawashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device, display device, input/output device, and electronic device

Номер патента: US09876099B2. Автор: Junichi Koezuka,Masami Jintyou,Suzunosuke Hiraishi,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device having semiconductor layer on insulating structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US7772645B2. Автор: Shigeru Mori. Владелец: NEC LCD Technologies Ltd. Дата публикации: 2010-08-10.

Semiconductor device having a transistor portion that includes an output resistive portion

Номер патента: US10916539B2. Автор: Takatoshi Oe. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-09.

Semiconductor device

Номер патента: US09818678B2. Автор: Nobuhiro Kinoshita,Kazunori Hasegawa,Michiaki Sugiyama,Takafumi Nishita,Jumpei Konno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device comprising oxide semiconductor

Номер патента: US09634031B2. Автор: Junichi Koezuka,Masami Jintyou,Suzunosuke Hiraishi,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Device to control field of dc traction motor

Номер патента: RU2283248C1. Автор: Александр Сергеевич Мазнев,Андрей Михайлович Евстафьев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Петербургский государственный университет путей сообщения". Дата публикации: 2006-09-10.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20130221440A1. Автор: Shigeru Mori. Владелец: NLT Technologeies Ltd. Дата публикации: 2013-08-29.

Semiconductor device having semiconductor layer on insulating structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100283106A1. Автор: Shigeru Mori. Владелец: NEC LCD Technologies Ltd. Дата публикации: 2010-11-11.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US12119353B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Tomoaki Atsumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Bonding wire for semiconductor device

Номер патента: SG10201908464VA. Автор: Haibara Teruo,Uno Tomohiro,Yamada Takashi,Oda Daizo. Владелец: Nippon Steel Chemical & Material Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-28.

Semiconductor device

Номер патента: US11764074B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiko Hayakawa,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Suzunosuke Hiraishi,Takashi HAMOCHI,Yasuharu Hosaka,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device

Номер патента: US09647128B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiko Hayakawa,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Suzunosuke Hiraishi,Takashi HAMOCHI,Yasuharu Hosaka,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device

Номер патента: US09461016B2. Автор: Shuuichi Kariyazaki,Kenichi Kuboyama,Ryuichi Oikawa,Wataru SHIROI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130105919A1. Автор: LI Jiang,Mingqi Li,Pulei Zhu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-05-02.

Semiconductor devices to reduce stress on a metal interconnect

Номер патента: US7501706B2. Автор: Jae Suk Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030148572A1. Автор: Satoshi Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-08-07.

Semiconductor device and power converter

Номер патента: US20240321986A1. Автор: Kazunari Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and preparation method therefor

Номер патента: EP4383340A1. Автор: MEI Yuan,Liang Song,Qiang Zhang,Lin Luo,Yanan Wang,Yongshun LI,Huajun JIN. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

Vertical transistor fabrication for memory applications

Номер патента: US12108604B2. Автор: Mahendra Pakala,Jaesoo AHN,Thomas Kwon. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20190103413A1. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20100025754A1. Автор: Kazuyoshi Shiba. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Semiconductor device and method of preparing the same

Номер патента: US20200365598A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20060186553A1. Автор: Tomoki Kato,Mitsuru Ohta. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-08-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20090152729A1. Автор: Tomoki Kato,Mitsuru Ohta. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20120074551A1. Автор: Tomoki Kato,Mitsuru Ohta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

Semiconductor device

Номер патента: US8044521B2. Автор: Tomoki Kato,Mitsuru Ohta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-10-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09985043B2. Автор: Shibun TSUDA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Method to improve reliability of replacement gate device

Номер патента: US09972697B2. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Eduard A. Cartier,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Method to improve reliability of replacement gate device

Номер патента: US09960252B2. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Eduard A. Cartier,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device having shallow trench isolation structure

Номер патента: US09741723B2. Автор: Tsuyoshi Tomoyama. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Method to improve reliability of replacement gate device

Номер патента: US09484438B2. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Eduard A. Cartier,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Method to improve reliability of replacement gate device

Номер патента: US09472643B2. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Eduard A. Cartier,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Method to improve reliability of replacement gate device

Номер патента: US09466692B2. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Eduard A. Cartier,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20180197962A1. Автор: Hiroyoshi Kitahara. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-07-12.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160225902A1. Автор: Takashi Hashimoto,Koichi Toba,Kentaro Saito,Yoshiyuki Kawashima,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160118394A1. Автор: Takashi Hashimoto,Koichi Toba,Kentaro Saito,Yoshiyuki Kawashima,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-04-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20170062314A1. Автор: Akihiko Iwaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Manufacturing method of oxide semiconductor device

Номер патента: US10446689B1. Автор: Hui-Ling Chen,Chien-Ming Lai,Sheng-Yao HUANG,Yen-Chen Chen,Han Chuan Fang,Jen-Po Huang,Seng Wah Liau. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-10-15.

Bonding wire for semiconductor device

Номер патента: MY164384A. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Teruo Haibara. Владелец: Nippon Steel & Sumikin Mat Co. Дата публикации: 2017-12-15.

Semiconductor device

Номер патента: US09887151B2. Автор: Akira Muto,Yukihiro Sato,Ryo Kanda,Takamitsu Kanazawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device

Номер патента: US09805981B2. Автор: Akihiko Iwaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device

Номер патента: US09589887B2. Автор: Tadashi Maeda,Shinichi Uchida,Shinpei Watanabe,Kazuo Henmi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09570610B2. Автор: Takashi Hashimoto,Koichi Toba,Kentaro Saito,Yoshiyuki Kawashima,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Trench-gate semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4343850A1. Автор: FENG Zhou,Yi Zhang,Bo Gao,Fei Hu,Boning Huang,Longgu TANG. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180337281A1. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Method of forming semiconductor device including p-n diode

Номер патента: US20180019318A1. Автор: Ho Kyun AN,Dong Hyun Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190148518A1. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Shallow trench isolation structure and semiconductor device with the same

Номер патента: US20210313422A1. Автор: Chao-Wei Lin,Huixian Lai,Yu Cheng Tung,Chiayi Chu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor device integrated with memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190273119A1. Автор: Zhi-Biao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200006372A1. Автор: Feng Ji,Haoyu Chen,Qiwei Wang,Jinshuang Zhang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor device and preparation method therefor

Номер патента: US20240304720A1. Автор: MEI Yuan,Liang Song,Qiang Zhang,Lin Luo,Yanan Wang,Yongshun LI,Huajun JIN. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US09972505B2. Автор: Masahiro Matsumoto,Kazuyoshi Maekawa,Yuichi Kawano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Bonding wire for semiconductor device

Номер патента: US09887172B2. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Kazuyuki Saito,Daizo Oda,Teruo Haibara,Ryo Oishi,Motoki Eto. Владелец: Nippon Steel and Sumikin Materials Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Methods of forming a memory cell material, and related methods of forming a semiconductor device structure, memory cell materials, and semiconductor device structures

Номер патента: US09735359B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,John A. Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device structures with improved planarization uniformity, and related methods

Номер патента: US09728449B2. Автор: Giulio Albini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Device architecture and method for precision enhancement of vertical semiconductor devices

Номер патента: US09589889B2. Автор: Thomas E. Harrington, III. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device having common source line layer, electronic system including the same, and related method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP4398694A1. Автор: Jiwon Kim,Dohyung Kim,Ahreum LEE,Junhyoung Kim,Sukkang SUNG,Joonyoung KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Semiconductor device having common source line layer, electronic system including the same, and related method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240237340A1. Автор: Jiwon Kim,Dohyung Kim,Ahreum LEE,Junhyoung Kim,Sukkang SUNG,Joonyoung KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device

Номер патента: US9728487B2. Автор: Yumi Imamura,Takashi Karashima,Yosuke Imazeki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200027962A1. Автор: Masafumi Hamaguchi,Shinji KAWAHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-01-23.

Semiconductor device having increased capacitance of capacitor for data storage and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070161177A1. Автор: Hiroyuki Uchiyama. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-07-12.

Embedded packaging for high voltage, high temperature operation of power semiconductor devices

Номер патента: US20210020573A1. Автор: Thomas MacElwee. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Embedded packaging for high voltage, high temperature operation of power semiconductor devices

Номер патента: US20200328158A1. Автор: Thomas MacElwee. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20060163668A1. Автор: Tomoko Matsuda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-07-27.

Stacked type semiconductor device and printed circuit board

Номер патента: WO2013051247A1. Автор: Yoshitomo Fujisawa. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2013-04-11.

Device architecture and method for precision enhancement of vertical semiconductor devices

Номер патента: US09997455B2. Автор: Thomas E. Harrington, III. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device having transistor and capacitor

Номер патента: US09793276B2. Автор: Kiyoshi Kato,Takanori Matsuzaki,Hiroki Inoue,Shuhei Nagatsuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09786752B2. Автор: Chikara Terada. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09748360B2. Автор: Takuya Hagiwara,Tetsuro Hanawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09721873B2. Автор: Masazumi Matsuura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09679908B2. Автор: Masaaki Shinohara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Method to improve reliability of high-K metal gate stacks

Номер патента: US09634116B2. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Eduard A. Cartier,Barry P. Linder. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09620564B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09496376B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Mitsuhiro Ichijo,Noriyoshi Suzuki,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160254387A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-01.

Semiconductor device including oxide semiconductor layer and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US20240222515A1. Автор: Yongsung Kim,Kwanghee Lee,Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Moonil Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US7977183B2. Автор: Yuki KOIDE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-12.

Metal-insulator-metal (mim) capacitor and semiconductor device

Номер патента: US20200273946A1. Автор: Junghyun Cho,Song yi Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20110260256A1. Автор: Yuki KOIDE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-10-27.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US8779522B2. Автор: Yuki KOIDE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-07-15.

Semiconductor base plate and semiconductor device

Номер патента: US20230064989A1. Автор: Qiang LONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6608344B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-08-19.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6514812B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-02-04.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US20010008789A1. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-19.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US20020038881A1. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-04.

Methods of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor memory device thereby

Номер патента: US20120187471A1. Автор: Seong-soo Lee,Dae-hyun Jang,Gyung-Jin Min,Suk-Ho Joo,Yoo-Chul Kong,Han-Geun YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-07-26.

Vertically mountable semiconductor device and methods

Номер патента: US20020031857A1. Автор: Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20070252188A1. Автор: Kazuaki Isobe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-01.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20100068857A1. Автор: Kazuaki Isobe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-18.

Semiconductor device including memory cells and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030015747A1. Автор: Jiro Ida,Naoko Nakayama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-23.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12087619B2. Автор: Yu-Ting Chen,Yen-De Lee,Chi-Ching Liu,Chang-Tsung Pai,Shun-Li Lan,Chih-Jung Ni. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US12051684B2. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Self-aligned front-end charge trap flash memory cell and capacitor design for integrated high-density scaled devices

Номер патента: US12089411B2. Автор: Walid M. Hafez,Ting Chang,Rahul RAMASWAMY,Daniel B. O'Brien,Tanuj Trivedi,Rohan Bambery,Christopher Alan NOLPH. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09966300B1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,David Jon Hiner,Michael G. Kelly,Won Chul Do. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09929162B1. Автор: Yu-Chieh Lin,Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Chien-Ting Ho. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Method to improve gate dielectric quality for FinFET

Номер патента: US09911832B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887301B2. Автор: Hideki Makiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device

Номер патента: US09812585B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Reducing defects and improving reliability of BEOL metal fill

Номер патента: US09741605B2. Автор: Sunil Kumar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of producing a semiconductor device

Номер патента: US09640585B1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device

Номер патента: US09607991B2. Автор: Takeshi Aoki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device package and manufacturing method thereof

Номер патента: US12136565B2. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,David Jon Hiner,Michael G. Kelly,Won Chul Do. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09455273B2. Автор: Hideki Makiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Way to improve the reliability of an electric drive with a multilevel inverter

Номер патента: RU2743196C1. Автор: Дмитрий Валерьевич Хачатуров. Владелец: Дмитрий Валерьевич Хачатуров. Дата публикации: 2021-02-16.

Semiconductor devices with memory cells

Номер патента: US20210217859A1. Автор: WEI CHANG,Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-07-15.

Stress Compensation Layer to Improve Device Uniformity

Номер патента: US20140353833A1. Автор: Kang-Min Kuo,Bor-Zen Tien,Yen-Ming Peng,Chen-Chung Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-12-04.

Semiconductor devices and systems comprising memory cells and a source

Номер патента: US20200161187A1. Автор: Darwin A. Clampitt,Matthew J. King,Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190051746A1. Автор: Tetsuji Togami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10121888B2. Автор: Tetsuji Togami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-11-06.

Semiconductor device having a plurality of semiconductor elements interconnected by a redistribution layer

Номер патента: US20020050639A1. Автор: Yoshitaka Aiba,Toshio Hamano,Mitsutaka Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Semiconductor device, control system, and synchronization method

Номер патента: US20180159540A1. Автор: Hitoshi Suzuki,Hiromichi Yamada,Teppei Hirotsu,Akihiro YAMATE,Yoichi Yuyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-07.

Nanosheet semiconductor device comprising a multilayer source/drain region

Номер патента: EP4383341A3. Автор: Dong Suk Shin,Jung Taek Kim,Nam Kyu Cho,Seok Hoon Kim,Hyun-Kwan Yu,Pan Kwi Park,Seo Jin Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor device packages including thermally insulating materials and methods of making and using such semiconductor packages

Номер патента: EP2873094A1. Автор: JIAN Li,Shijian Luo,Steven Groothuis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-05-20.

Semiconductor device packages including thermally insulating materials and methods of making and using such semiconductor packages

Номер патента: WO2014011638A1. Автор: JIAN Li,Shijian Luo,Steven Groothuis. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-01-16.

Semiconductor substrate, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor substrate

Номер патента: US20160315220A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050026314A1. Автор: Koji Yamaguchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-02-03.

Semiconductor dies including low and high workfunction semiconductor devices

Номер патента: US12069862B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20200227435A1. Автор: Sung Min Hwang,Woo Sung Yang,Dong Sik Lee,Joon Sung Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-16.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US20240290752A1. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20090154282A1. Автор: Masayuki Satoh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20240268130A1. Автор: Kiseok LEE,Hyungeun CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20020045305A1. Автор: Ki Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20050253202A1. Автор: Hiroaki Hazama,Kazuhito Narita,Hirohisa Iizuka,Eiji Kamiya,Norio Ohtani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-11-17.

Semiconductor device including memory cell including thyristor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240276741A1. Автор: Bo Min Park,Seung Wook Ryu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20180308884A1. Автор: Fumitoshi Takahashi,Yotaro Goto,Takeshi Kamino. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Metal rail conductors for non-planar semiconductor devices

Номер патента: US12113132B2. Автор: Wei-Hao Wu,Ru-Gun Liu,Chia-Hao Chang,Chih-Ming Lai,Kuo-Cheng Chiang,Ching-Wei Tsai,Jiann-Tyng Tzeng,Chih-Liang Chen,Yi-Hsiung Lin,Charles Chew-Yuen Young,Lei-Chun Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device

Номер патента: US09893192B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and electronic appliance

Номер патента: US09818784B2. Автор: Toshihiko Miyazaki,Koichi Baba,Hiroaki Ammo,Takashi Kubodera. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Tray for semiconductor devices

Номер патента: US09818632B2. Автор: Yu-Nan Lo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-11-14.

Memory semiconductor device with peripheral circuit multi-layer conductive film gate electrode and method of manufacture

Номер патента: US09780232B2. Автор: Tomohiro Yamashita,Yukio Nishida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09728544B2. Автор: Jae Hyun Park,Yong Tae Kim,Tea Kwang YU,Kyong Sik YEOM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09722096B2. Автор: Shoji Yoshida,Yoshiyuki Kawashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device with a variable-width vertical channel formed through a plurality of semiconductor layers

Номер патента: US09680002B2. Автор: Sam Ziqun Zhao,Frank Hui. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Metal Rail Conductors For Non-Planar Semiconductor Devices

Номер патента: US20240379854A1. Автор: Wei-Hao Wu,Ru-Gun Liu,Chia-Hao Chang,Chih-Ming Lai,Kuo-Cheng Chiang,Ching-Wei Tsai,Jiann-Tyng Tzeng,Chih-Liang Chen,Yi-Hsiung Lin,Lei-Chun Chou,Charles Chew -Yuen Young. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09590175B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09553041B1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,David Jon Hiner,Michael G. Kelly,Won Chul Do. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09543314B2. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device with electro-static discharge protection device above semiconductor device area

Номер патента: US09530769B2. Автор: Naoya Inoue,Yoshihiro Hayashi,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09520504B2. Автор: Koichi Toba,Yoshiyuki Kawashima,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Device for holding multiple semiconductor devices during thermocompression bonding and method of bonding

Номер патента: US09484241B2. Автор: Chun Ho Fan,Man Chung CHAN. Владелец: ASM TECHNOLOGY SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09478559B2. Автор: Sung Lae OH,Jae Eun JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Flash memory semiconductor device and method thereof

Номер патента: US09412597B2. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Method for production of semiconductor device

Номер патента: RU2751982C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова» (КБГУ). Дата публикации: 2021-07-21.

Semiconductor devices comprising silver

Номер патента: US10862030B2. Автор: Nishant Sinha,Scott E. Sills,Sanh D. Tang,Whitney L. West,Rob B. Goodwin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-08.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US9831318B2. Автор: Hirofumi TOKITA,Tamotsu Ogata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20240074199A1. Автор: Hiroshi Takeda,Keitaro Naito. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20140061753A1. Автор: Kenrou KIKUCHI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20210043752A1. Автор: Chiang-Ming Chuang,Yi-Chuan Lin,Shang-Yen WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor device

Номер патента: US11411097B2. Автор: Chiang-Ming Chuang,Yi-Chuan Lin,Shang-Yen WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230087572A1. Автор: Tomonari SHIODA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor device and system and method of crystal sharing

Номер патента: WO2007145653A2. Автор: Michael R. May,Marcus William May. Владелец: SIGMATEL, INC.. Дата публикации: 2007-12-21.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240147705A1. Автор: Thomas Jongwan Kwon,Hae Won Choi,Yun Sang Kim. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Process for fabricating a semiconductor device

Номер патента: EP1126518A3. Автор: Yuji Segawa,Takeshi Nogami,Naoki Komai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-01-22.

Reduced susceptibility to electrostatic discharge during 3d semiconductor device bonding and assembly

Номер патента: US20130127046A1. Автор: Shiqun Gu,Dong Wook Kim,Reza Jalilizeinali,Brian M. Henderson,Ronnie A. Lindley,Matthiew M. Nowak. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

Method of reducing low-frequency noise for semiconductor devices and circuits

Номер патента: US6773936B2. Автор: Mikio Fujiwara,Makoto Akiba. Владелец: Communications Research Laboratory. Дата публикации: 2004-08-10.

Heating apparatus in semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: EP4135477A1. Автор: Bing Li. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240172452A1. Автор: Tae Jung Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device and production method thereof

Номер патента: US20140091447A1. Автор: Hiroshi Yamada,Kazuhiko Itaya,Yutaka Onozuka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor device, static random access memory cell and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10170483B2. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-01.

Semiconductor device with chips on isolated mount regions

Номер патента: US8759955B2. Автор: Isao Ochiai,Hideyuki Iwamura. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2014-06-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20130187261A1. Автор: Isao Ochiai,Hideyuki Iwamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-07-25.

mask sheet for assembly of semiconductor device and assembling method of semiconductor device

Номер патента: MY138636A. Автор: Toshihiro NAKAJIMA,Yuichi Moriya,Katsuji Nakaba. Владелец: Tomoegawa Paper Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-31.

Method of reducing low-frequency noise for semiconductor devices and circuits

Номер патента: US20030087508A1. Автор: Mikio Fujiwara,Makoto Akiba. Владелец: Communications Research Laboratory. Дата публикации: 2003-05-08.

Method and system for making and cleaning semiconductor device

Номер патента: US8673764B1. Автор: Zhugen Yuan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2014-03-18.

Group III-V semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20080149953A1. Автор: Yoshinori Kinoshita,Masanobu Ando,Toshiya Uemura,Shigemi Horiuchi,Ryohei Inazawa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Packaged Semiconductor Devices, Methods of Packaging Semiconductor Devices, and PoP Devices

Номер патента: US20150050779A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Jui-Pin Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-02-19.

Semiconductor devices and manufacturing methods of the same

Номер патента: US20200105721A1. Автор: Hyun Mog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Composite Semiconductor Device with Active Oscillation Prevention

Номер патента: EP2503693B1. Автор: Jason Zhang,Tony Bramian. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2013-11-20.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20240290886A1. Автор: Feng-Ming Chang,Chih-Chuan Yang,Lien Jung Hung,Kian-Long Lim,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor Device and Power Conversion Device

Номер патента: US20210091217A1. Автор: Mutsuhiro Mori,Masaki Shiraishi,Tomoyasu Furukawa,Tomoyuki Miyoshi,Yujiro Takeuchi. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080211004A1. Автор: Takashi Suzuki,Yoshio Ozawa,Ichiro Mizushima,Hirokazu Ishida,Yoshitaka Tsunashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-04.

Apparatus for Detecting a State of Operation of a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20110210711A1. Автор: Michael Lenz,Matthias Kunze,Georg Pelz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-01.

Vertically mountable semiconductor device, assembly, and methods

Номер патента: US20020008310A1. Автор: Walter Moden,Warren Farnworth,Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-24.

Vertically mountable and alignable semiconductor device, assembly, and methods

Номер патента: US20010026023A1. Автор: Walter Moden,Warren Farnworth,Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220029093A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Sheng-Huang Huang,Hung-Cho WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor device having a rectifying junction and method of manufacturing same

Номер патента: EP1008187A2. Автор: Hendrik G. A. Huizing,Godefridus A. M. Hurkx,Wiebe B. De Boer,Adam R. Brown,Michael S. Peter. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-06-14.

Method for passivating silicon-based semiconductor device, and silicon-based semiconductor device

Номер патента: US12125936B2. Автор: Xinyu Zhang,Xueting Yuan. Владелец: Jinko Green Energy Shanghai Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12068299B2. Автор: Tomoya Sanuki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US09972555B2. Автор: Soshi KURODA,Tatsuya Kobayashi,Takanori Aoki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device

Номер патента: US09911864B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masashi Oota,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masashi TSUBUKU,Masami Jintyou,Noritaka ISHIHARA,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887211B2. Автор: Yoshiki Yamamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device with split gate flash memory cell structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09837425B2. Автор: Chi REN,Aaron Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09805937B2. Автор: Tomoya KASHIWAZAKI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09799667B2. Автор: Keisuke Tsukamoto,Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device, static random access memory cell and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09768178B2. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device

Номер патента: US09761734B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masashi Oota,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masashi TSUBUKU,Masami Jintyou,Noritaka ISHIHARA,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Apparatus for flipping semiconductor device for transferring the semiconductor device between substrates

Номер патента: US09754808B2. Автор: Chia-Liang Hsu,Chih-Wei WEI. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09698154B2. Автор: Woo Jung Kim,Joon Sung Lim,Kyu Baik CHANG,Sung Hoi HUR. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Vertical semiconductor device with thinned substrate

Номер патента: US09673219B2. Автор: Michael A. Stuber,Stuart B. Molin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Methods of manufacturing semiconductor devices with improved metal gate fill-in for vertical memory cell and devices thereof

Номер патента: US09627220B1. Автор: Chih-Yuan Wu,Chun-Min Cheng,Jung-Yi Guo,Jr-Meng Wang,Kuanf-Wen Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09620650B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of manufacturing a semiconductor device including applying ultrasonic waves to a ball portion of the semiconductor device

Номер патента: US09508678B2. Автор: Naoki Kawanabe. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Stacked semiconductor devices and methods of forming same

Номер патента: US09496189B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chien-Hsun Lee,Tsung-Ding Wang,Jung Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Fabricating shallow-trench isolation semiconductor devices to reduce or eliminate oxygen diffusion

Номер патента: US09484402B2. Автор: Ming Cai,Dechao Guo,Chun-Chen Yeh,Liyang Song. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device having circular light-blocking layer

Номер патента: US09449991B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device

Номер патента: US09425217B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masashi Oota,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masashi TSUBUKU,Masami Jintyou,Noritaka ISHIHARA,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device including memory cell having a capacitance element added to a node of the cell

Номер патента: US5714778A. Автор: Toru Yamazaki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-02-03.

Semiconductor cell structure and power semiconductor device

Номер патента: US20190027563A1. Автор: Yi Zhong,Yong Liu,YANG Cao,Jianan Wang,Gangyi Hu,Kaizhou Tan,Yonghui Yang,Zhaohuan Tang,Kunfeng Zhu. Владелец: CETC 24 Research Institute. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US8101507B2. Автор: Shigeru Tahara,Ryuichi Asako,Gousuke Shiraishi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-01-24.

Semiconductor devices and data storage systems including the same

Номер патента: US20240215253A1. Автор: Seonghun Jeong,Joonhee Lee,Byoungil Lee,Bosuk Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20180182700A1. Автор: Yoshiaki Sato,Kazuyuki Nakagawa,Shuuichi Kariyazaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-28.

Substrate-transferred, deep trench isolation silicon-on-insulator (soi) semiconductor devices formed from bulk semiconductor wafers

Номер патента: WO2017048531A1. Автор: Matthew Michael Nowak,Jonghae Kim,Daeik Daniel Kim,Changhan Hobie Yun,Je-Hsiung Jeffrey Lan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-03-23.

Semiconductor memory device and semiconductor device including multilayer gate electrode

Номер патента: US7541654B2. Автор: Fumitaka Arai,Makoto Sakuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-02.

Semiconductor Device Having a Flexible Printed Circuit

Номер патента: US20090091014A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuyuki Arai,Junya Maruyama,Toru Takayama,Noriko Shibata,Yuugo Goto,Yumiko Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20200343174A1. Автор: Junichi Murakami,Kota Nakamura,Hiromi Tominaga,Hidenori Shigeoka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240222500A1. Автор: Takeshi Ishida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for assembling a carrier and a semiconductor device

Номер патента: US20010007288A1. Автор: Jeffrey Coffin,Peter Brofman,Kathleen Stalter,Anson Call. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20210202520A1. Автор: Bong-Tae Park,So-Ra Kim,Young-jin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20200144287A1. Автор: Bong-Tae Park,So-Ra Kim,Young-jin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor device and method for its manufacture

Номер патента: US20020113295A1. Автор: Ryoichi Nakamura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-08-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080239815A1. Автор: Yoshitaka Nakamura,Mitsutaka Izawa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-10-02.

Semiconductor device and methods of formation

Номер патента: US20230307241A1. Автор: SHEN Wang,Hsu Ming Hsiao,Kung Shu HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Insulating film and method of producing semiconductor device

Номер патента: US20020153565A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Takeshi Fukuda,Hiroshi Uehara,Mitsunori Sakama,Yukiko Uehara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060202262A1. Автор: Dong Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-09-14.

Semiconductor device having surface regions with different crystal orientation and manufacturing method

Номер патента: EP1677350A3. Автор: Dong-Suk Shin,Ho Lee,Seung-Hwan Lee,Tetsuji Ueno,Hwa-Sung Rhee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-30.

Semiconductor device

Номер патента: US5914527A. Автор: John J. Freeman,O. Melville Clark,Arlene Bennett. Владелец: Microsemi Corp. Дата публикации: 1999-06-22.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10347644B2. Автор: Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-09.

Gallium nitride material based semiconductor devices including thermally conductive regions

Номер патента: WO2002069373A2. Автор: T. Warren Weeks,Ricardo M. Borges,Kevin J. Linthicum,Thomas Gehrke. Владелец: Nitronex Corporation. Дата публикации: 2002-11-14.

Embedded die packaging for power semiconductor devices

Номер патента: US20220246503A1. Автор: Greg P. KLOWAK,Cameron MCKNIGHT-MACNEIL. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor device and power converting device

Номер патента: US20240274557A1. Автор: Seiji Oka,Tetsu Negishi,Yo Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of forming a semiconductor device with memory cells, high voltage devices and logic devices on a substrate using a dummy area

Номер патента: US20230262975A1. Автор: Nhan Do,Serguei Jourba,Xian Liu,Leo XING,Zhuoqiang Jia. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20240268129A1. Автор: Jinwoo Han,Jay-Bok Choi,Moonyoung JEONG,Kiseok LEE,Hui-jung Kim,Seokhan Park,Keunnam Kim,Hongjun LEE,Hyungeun CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20120001342A1. Автор: Yukihiro Sato,Tomoaki Uno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20130147064A1. Автор: Yukihiro Sato,Tomoaki Uno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-06-13.

Semiconductor device having a chip mounting portion on which a separated plated layer is disposed

Номер патента: US9478483B2. Автор: Yukihiro Sato,Tomoaki Uno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Internal packaging of a semiconductor device mounted on die pads

Номер патента: US8395364B2. Автор: Yukihiro Sato,Tomoaki Uno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-03-12.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12074182B2. Автор: Masaki Hatano. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120032242A1. Автор: Yasuyuki Aoki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-09.

Method of manufacturing a thin dielectric layer using a heat treatment and a semiconductor device formed using the method

Номер патента: US7041557B2. Автор: Ji-hoon Park,Sung-Woo Park,Jeong-Uk Han,Sung-taeg Kang,Bo-Young Seo,Seung-Beom Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020146864A1. Автор: Hiromichi Suzuki,Kunihiko Nishi,Kazunari Suzuki,Yoshinori Miyaki. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230140664A1. Автор: Hiroyuki Harada,Yusuke Kaji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20240268110A1. Автор: Young-woo Park,Jae-Duk Lee,Yoo-Cheol Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US20240324220A1. Автор: Masaki Nakamura,Yutaka Shimizu,Hideo Wada,Go Oike,Yoshikazu HOSOMURA,Hironobu HAMANAKA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160027651A1. Автор: Kentaro Saito,Yoshiyuki Kawashima,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-28.

Semiconductor device having a rectifying junction and method of manufacturing same

Номер патента: WO1999053553A3. Автор: Godefridus A M Hurkx,Hendrik G A Huizing,Adam R Brown,Michael S Peter,Boer Wiebe B De. Владелец: Philips Svenska AB. Дата публикации: 2000-01-20.

Method for forming a shielding layer on a semiconductor device

Номер патента: US20240332209A1. Автор: KyoWang Koo,JiSik MOON,Hyunseok Park. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240334673A1. Автор: Jin Woo Han,Ki Seok Lee,Keun Nam KIM,Hyun Geun Choi,In Cheol NAM,Bo Won YOO,Hong Jun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device, systems and methods of manufacture

Номер патента: US12029040B2. Автор: TAEKYUNG KIM,Seong Soon Cho,Sunghoi Hur,Kwang Soo SEOL,JinTae KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US09972713B2. Автор: Satoshi Eguchi,Tetsuya Iida,Akio Ichimura,Yuya ABIKO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor devices with wider field gates for reduced gate resistance

Номер патента: US09941377B2. Автор: Xiangdong Chen,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device with vertical memory

Номер патента: US09905570B2. Автор: Young-woo Park,Jae-Duk Lee,Yoo-Cheol Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09842869B2. Автор: Masatoshi Kimura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device having air gap and method for manufacturing the same, memory cell having the same and electronic device having the same

Номер патента: US09799739B2. Автор: Seung-Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09748403B2. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09735127B2. Автор: Tadatoshi Danno,Atsushi Nishikizawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor devices including a diode structure over a conductive strap and methods of forming such semiconductor devices

Номер патента: US09646869B2. Автор: Ming Zhang,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

System for making and cleaning semiconductor device

Номер патента: US09640425B2. Автор: Zhugen Yuan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09589923B2. Автор: Masatoshi Yasunaga,Kenya Hironaga,Soshi KURODA,Tatsuya Hirai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device having a chip mounting portion on which a separated plated layer is disposed

Номер патента: US09478483B2. Автор: Yukihiro Sato,Tomoaki Uno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for forming semiconductor device package having metal thermal interface material

Номер патента: US20240371656A1. Автор: Chen-Shien Chen,Chien-Li Kuo,Chin-Fu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device with vertical memory

Номер патента: US09431415B2. Автор: Young-woo Park,Jae-Duk Lee,Yoo-Cheol Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170287859A1. Автор: Hideki Harano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9070690B2. Автор: Yoshihiro Oka,Naohito Suzumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-06-30.

High performance semiconductor devices fabricated with strain-induced processes and methods for making same

Номер патента: US20050079677A1. Автор: Chih-Hsin Ko,Yee-Chia Yeo,Wen-Chin Lee,Chenming Hu,Chung-Hu Ke. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-04-14.

Memory cell protective layers in a three-dimensional memory array

Номер патента: WO2024123561A2. Автор: Farrell M. Good. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20220102429A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Wen-Jen Wang,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20220359618A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Wen-Jen Wang,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor device having shielding member

Номер патента: US20230282598A1. Автор: Hyun Soo Shin,Sung Lae OH,Seung Pil LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20170243840A1. Автор: Hiroaki Sekikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Semiconductor device with recess and method of manufacturing the same

Номер патента: US11049869B2. Автор: Takashi Hashimoto,Shinichiro Abe,Hideaki YAMAKOSHI,Yuto OMIZU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-06-29.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US9679858B2. Автор: Hiroaki Sekikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: US6661038B2. Автор: Hidenori Shimawaki,Fumio Harima,Masahiro Tanomura,Kouji Azuma,Yousuke Miyoshi. Владелец: NEC Compound Semiconductor Devices Ltd. Дата публикации: 2003-12-09.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US9343395B2. Автор: Hiroshi Tsukamoto,Akira Yajima,Hiromi Shigihara,Hisao Shigihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor device and method for forming the wiring structures avoiding short circuit thereof

Номер патента: US20240244836A1. Автор: Junya Suzuki,Hiroshi Ichikawa,Hidenori Yamaguchi,Katsumi Koge. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20010026980A1. Автор: Yuri Mizuo. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Power semiconductor devices with high temperature electrical insulation

Номер патента: US20210407878A1. Автор: David Richard Esler,Emad A. Andarawis. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2021-12-30.

3D semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US12051674B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240251569A1. Автор: Hun Kim,Kyung Seop KIM,Jae Wan Choi,Chi Ho Kim,Chang Jun Yoo,Young Cheol Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device having a memory cell region and a peripheral circuit region and method of manufacturing thereof

Номер патента: US6849490B2. Автор: Fumihiko Hayashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-02-01.

Capacitor for semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090127655A1. Автор: Seung-Min Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-05-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20230320066A1. Автор: Sangho Lee,Moonyoung JEONG,Kiseok LEE,Hyungeun CHOI,Hyungjun NOH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20140021618A1. Автор: Hiroshi Tsukamoto,Akira Yajima,Hiromi Shigihara,Hisao Shigihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Semiconductor device having surface protective films on bond pad

Номер патента: US8390134B2. Автор: Yoshifumi Takata,Takuro Homma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-03-05.

Method for fabricating a gate mask of a semiconductor device

Номер патента: US7309627B2. Автор: Osamu Kato. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-18.

Method of Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20140302662A1. Автор: Wei Zhou,Xu Ma,Yamin CAO. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8912073B2. Автор: Wei Zhou,Xu Ma,Yamin CAO. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-12-16.

Method of manufacturing a semiconductor device having a laminated structure comprising a boron-doped silicon germanium film and a metal film

Номер патента: US20130011988A1. Автор: Nobuyuki Sako. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-01-10.

Semiconductor device, semiconductor package, electronic device, and method for establishing information processing environment

Номер патента: US20060038270A1. Автор: Masaaki Oka. Владелец: Sony Computer Entertainment Inc. Дата публикации: 2006-02-23.

Semiconductor device, semiconductor package, electronic device, and method for establishing information processing environment

Номер патента: US20030080417A1. Автор: Masaaki Oka. Владелец: Sony Computer Entertainment Inc. Дата публикации: 2003-05-01.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20160240484A1. Автор: Hiroshi Tsukamoto,Akira Yajima,Hiromi Shigihara,Hisao Shigihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US20180190658A1. Автор: Mei-Ling Chen,Yi-Wei Chen,Shih-Fang Tzou,Ching-Hsiang Chang,Tzu-Chin Wu,Wei-Hsin Liu,Chia-Lung Chang,Jui-Min Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-05.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US10262895B2. Автор: Mei-Ling Chen,Yi-Wei Chen,Shih-Fang Tzou,Ching-Hsiang Chang,Tzu-Chin Wu,Wei-Hsin Liu,Chia-Lung Chang,Jui-Min Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-16.

Semiconductor devices with conductive lines that are laterally offset relative to corresponding contacts

Номер патента: US6903401B2. Автор: Tyler A. Lowrey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-06-07.

Memory cells, semiconductor structures, semiconductor devices, and methods of fabrication

Номер патента: EP3130014A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sumeet C. Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-15.

Semiconductor structures and devices and methods of forming semiconductor structures and magnetic memory cells

Номер патента: US20180226570A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sumeet C. Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Semiconductor structures and devices and methods of forming semiconductor structures and magnetic memory cells

Номер патента: US20160181513A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sumeet C. Pandey. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-06-23.

Memory cells, semiconductor structures, semiconductor devices, and methods of fabrication

Номер патента: WO2015157080A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sumeet C. Pandey. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-10-15.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12062624B2. Автор: Sangki Kim,Junghoon Han,Chulsoon Chang,Ilgeun Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20230197470A1. Автор: Takashi Katsuki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Gate structure of a semiconductor device

Номер патента: US7727844B2. Автор: Dae Kyeun Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-01.

Method of encapsulating semiconductor devices utilizing a dispensing apparatus with rotating orifices

Номер патента: US20020058360A1. Автор: Joseph M. Brand,Scott Gooch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Detection of force applied by pick-up tool for transferring semiconductor devices

Номер патента: US11756810B1. Автор: Daniel Brodoceanu,Pooya Saketi,Oscar Torrents Abad,Ali Sengül. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2023-09-12.

Radio frequency semiconductor device and method for fabricating a radio frequency semiconductor device

Номер патента: EP4421866A1. Автор: Walter Hartner,Simon Kornprobst,Tuncay ERDOL. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-28.

Method for fabricating a gate mask of a semiconductor device

Номер патента: US20060014341A1. Автор: Osamu Kato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-19.

Method of manufacturing a semiconductor device having a laminated structure comprising a boron-doped silicon germanium film and a metal film

Номер патента: US8883601B2. Автор: Nobuyuki Sako. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2014-11-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240292633A1. Автор: Jae Sun Song,Wan Sup SHIN,Il Do KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and manufacturing method, circuit board and electronic device thereof

Номер патента: US20040212100A1. Автор: Nobuaki Hashimoto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-10-28.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20070187779A1. Автор: Wen-Fang Lee,Dave Hsu,Asam Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-08-16.

Memory cell array in a semiconductor memory device

Номер патента: US20080251847A1. Автор: Keun Woo Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-16.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20090206398A1. Автор: Haruo Nakazawa,Manabu Takei,Noriyuki Iwamuro,Akio Sugi,Koh Yoshikawa,Kouta Takahashi. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2009-08-20.

Semiconductor device having an expanded storage node contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20100109075A1. Автор: Tae O Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-06.

Semiconductor device having an expanded storage node contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20110076835A1. Автор: Tae O. Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

Semiconductor device having plural cell capacitors embedded in embedding material

Номер патента: US20230010901A1. Автор: Hiroshi Amaike,Keisuke Otsuka,Yosuke Adachi,Shogo Omiya,Tomohiro Iwaki,Emi Seko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240276891A1. Автор: Woo Tae Lee,Su Jee KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Via for semiconductor device connection

Номер патента: US20240250020A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou,Der-Chyang Yeh,Tsang-Jiuh Wu,An-Jhih Su,Chi-Hsi Wu,Ming Shih Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240015990A1. Автор: Woo Tae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Radio frequency semiconductor device and method for fabricating a radio frequency semiconductor device

Номер патента: US20240290733A1. Автор: Walter Hartner,Simon Kornprobst,Tuncay ERDOL. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-29.

3d semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US20240321832A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240363552A1. Автор: Sangki Kim,Junghoon Han,Chulsoon Chang,Ilgeun Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09985118B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device

Номер патента: US09978769B2. Автор: Yasuhiro Shimura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09899403B2. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Three-dimensional semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09876055B1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Insulated gate semiconductor device having a shield electrode structure and method

Номер патента: US09842925B2. Автор: Zia Hossain,Shengling DENG. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-12-12.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09831101B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09793293B1. Автор: Atsuko Sakata,Shinichi Nakao,Kouji Matsuo,Kei Watanabe,Yasuhito Yoshimizu,Kosuke HORIBE. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09780201B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Yoshinori Ando,Yasutaka Suzuki,Miki Suzuki,Kosei Nei,Yoshinori IEDA,Naoto Yamade,Asako Higa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09761685B2. Автор: Toshikazu HANAWA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Resistive field structures for semiconductor devices and uses therof

Номер патента: US09761675B1. Автор: Albert G. Baca,Robert Kaplar,Sandeepan DasGupta,Matthew Marinella. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09761541B2. Автор: Kazuo Tomita,Hiroki Takewaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device

Номер патента: US09754920B2. Автор: Naoki Yamada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device with coils in different wiring layers

Номер патента: US09711451B2. Автор: Takayuki Igarashi,Takuo Funaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09711377B2. Автор: Toshihiko Akiba,Hiromi Shigihara,Kei YAJIMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and method for reduced bias temperature instability (BTI) in silicon carbide devices

Номер патента: US09576868B2. Автор: Joseph Darryl Michael,Stephen Daley Arthur. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device

Номер патента: US09576795B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Systems and methods for coupling a semiconductor device of an automation device to a heat sink

Номер патента: US09570374B2. Автор: RUI Zhou,Paul Jerome Grosskreuz,Jeremiah John Kopiness,Kelly James Bronk. Владелец: Rockwell Automation Technologies Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09564540B2. Автор: Yoshiki Maruyama,Yasuhiro Takeda,Shuichi Kudo,Keiichi Maekawa,Takumi Hasegawa,Kota Funayama,Kazutoshi Shiba,Hiroshi Uozaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Recess and epitaxial layer to improve transistor performance

Номер патента: US09536746B2. Автор: Tsung-Hsing Yu,Shih-Syuan Huang,Ken-Ichi Goto,Chia-Wen Liu,Yeh Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09515022B2. Автор: Dae-Sik Park,Se-Han Kwon,Ill-Hee JOE,Hwa-Chul LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09502434B2. Автор: Masayuki Sakakura,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09412878B2. Автор: Tomohiro Hayashi,Koji Ogata,Yoshiyuki Kawashima,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09412768B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09412621B2. Автор: Jae Bum Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09379004B1. Автор: Dae-Sik Park,Se-Han Kwon,Ill-Hee JOE,Hwa-Chul LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US09362373B2. Автор: Koji Sasaki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-07.

Memory cells, semiconductor devices, and methods of fabrication

Номер патента: US09349945B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sumeet C. Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-05-24.

Method for manufacturing semiconductor device to form a via hole

Номер патента: US7786005B2. Автор: Hiroaki Tomimori,Kenichi Yamamoto,Kazumi Saito,Katsuro Tateyama,Takamasa Itou,Masashige Moritoki,Kousei Ushijima,Takashi Shimane. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-31.

Semiconductor device

Номер патента: US20230369332A1. Автор: Sung Min Kim,Kyung Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device

Номер патента: EP4276893A2. Автор: Sung Min Kim,Kyung Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-15.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Device to regulate air bypassing from compressor or aircraft gas-turbine engine

Номер патента: RU2215908C2. Автор: А.Н. Саженков,Ю.С. Савенков,Ю.А. Трубников,А.Г. Панков,С.Х. Полатиди. Владелец: Открытое акционерное общество "Авиадвигатель". Дата публикации: 2003-11-10.

OPERATION METHODS FOR MEMORY CELL AND ARRAY FOR REDUCING PUNCH THROUGH LEAKAGE

Номер патента: US20120002484A1. Автор: Tsai Wen-Jer,HUANG JYUN-SIANG,OU TIEN-FAN,CHONG LIT-HO. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001177A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001294A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Housing of semiconductor device

Номер патента: RU2477544C1. Автор: Владимир Андреевич Кожевников,Тамара Ивановна Бражникова,Олег Васильевич Марченко,Олег Николаевич Пахомов. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники" (ОАО "НИИЭТ"). Дата публикации: 2013-03-10.

Device to supply sealing steam into steam turbine cylinder

Номер патента: RU2246009C2. Автор: нский А.С. Лис,А.С. Лисянский,Е.М. Сухоруков,В.Н. Митин,Л.Л. Дунаев,Н.П. Егоров,ров М.И. Шкл,М.И. Шкляров,В.Д. Гаев,Н.А. Мотова. Владелец: Открытое акционерное общество "Силовые машины-ЗТЛ, ЛМЗ, Электросила, Энергомашэкспорт"(ОАО "Силовые машины"). Дата публикации: 2005-02-10.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001194A1. Автор: Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US20120001230A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method and Apparatus For Inspecting Defect Of Pattern Formed On Semiconductor Device

Номер патента: US20120002861A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RECEIVER, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SIGNAL TRANSMISSION METHOD

Номер патента: US20120002771A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Memory cell for complementary metal-oxide-semiconductor ram structure

Номер патента: RU2580071C1. Автор: Владимир Яковлевич Стенин,Юрий Вячеславович Катунин. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук"(ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН). Дата публикации: 2016-04-10.

Device to produce silt deposits (versions)

Номер патента: RU2418914C1. Автор: Владимир Александрович ДЕМЕНТЬЕВ,Андрей Игоревич Маклаков. Владелец: Владимир Александрович ДЕМЕНТЬЕВ. Дата публикации: 2011-05-20.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001199A1. Автор: Bauer Friedhelm. Владелец: ABB RESEARCH LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of increasing reliability of ultrasonic nondestructive flaw-detective control

Номер патента: RU2548692C1. Автор: Александр Федорович Гетман,Александр Георгиевич Казанцев,Александр Александрович Тутнов,Александр Васильевич Михальчук,Геннадий Викторович Аркадов. Владелец: Акционерное общество "Всероссийский научно-исследовательский институт по эксплуатации атомных электростанций" (АО ВНИИАЭС). Дата публикации: 2015-04-20.

Method for improving reliability of products (versions)

Номер патента: RU2477526C2. Автор: Иван Никитович Сафронов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт машиностроения" (ФГУП ЦНИИмаш). Дата публикации: 2013-03-10.

Semiconductor device to control speed of single-phase double-winding induction motor

Номер патента: RU2420857C1. Автор: Майя Ивановна Стальная,Павел Сергеевич Черемисин,Антон Александрович Скорняков,Денис Юрьевич Гончаров. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Алтайский государственный технический университет им. И.И. Ползунова" (АлтГТУ). Дата публикации: 2011-06-10.

Method of making nitride semiconductor and p-type nitride semiconductor device

Номер патента: RU2371806C1. Автор: Хее Сеок ПАРК,Андрей Евгеньевич Николаев,Андрей Федорович Цацульников,Алексей Валентинович Сахаров,Всеволод Владимирович Лундин,Евгений Евгеньевич Заварин,Сеонг Сук ЛИ,Михаил Алексеевич СИНИЦЫН. Владелец: Самсунг Электро-Меканикс Ко., Лтд.. Дата публикации: 2009-10-27.

Method of forming contact to drain region of semiconductor device

Номер патента: RU2534439C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Айшат Расуловна Шахмаева,Патимат Расуловна Захарова. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2014-11-27.

Semiconductor device assembling method

Номер патента: RU2171520C2. Автор: В.В. Зенин,Ю.Е. Сегал,Ю.Л. Фоменко,А.А. Колбенков. Владелец: АООТ "Воронежский завод полупроводниковых приборов". Дата публикации: 2001-07-27.

Semiconductor device manufacturing process

Номер патента: RU2303314C1. Автор: Александр Васильевич Градобоев,Павел Владимирович Рубанов,Александр Васильевич Ащеулов. Владелец: Томский политехнический университет. Дата публикации: 2007-07-20.

Method of manufacturing interconnections for semiconductor devices

Номер патента: RU2593415C1. Автор: Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Евгений Александрович Лебедев,Борис Николаевич Рыгалин,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2016-08-10.

Method to weld lead in semiconductor device

Номер патента: RU2525962C1. Автор: Виктор Васильевич Зенин,Юрий Викторович Шарапов,Анатолий Александрович Колбенков,Андрей Анатольевич Стоянов. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2014-08-20.

High-temperature semiconductor device and process of its manufacture

Номер патента: RU2166221C1. Автор: В.А. Ильин,А.А. Петров,А.В. Афанасьев. Владелец: Центр Технологий Микроэлектроники (Цтм). Дата публикации: 2001-04-27.

Device to inspect exposed parts of breakage chamber and to set it into safe condition

Номер патента: RU2052100C1. Автор: Ю.Д. Шварц,В.И. Гридасов,Г.В. Пейхель,Д.С. Кутузов,И.С. Зицер,Б.Х. Блаев. Владелец: Тырнаузский вольфрамомолибденовый комбинат. Дата публикации: 1996-01-10.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Operating a Device to Capture High Dynamic Range Images

Номер патента: US20120002898A1. Автор: Cote Guy,Johnson Garrett M.,Orr,IV James Edmund. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

System of reading information from both sides of train on double-track section of railway

Номер патента: RU2203821C1. Автор: Н.Т. Рогатнев,М.М. Лебедев. Владелец: Закрытое акционерное общество "Энергет и Ко". Дата публикации: 2003-05-10.

Method of and device to control load-lifting crane

Номер патента: RU2309112C1. Автор: Игорь Германович Федоров,Михаил Иванович Затравкин,Леонид Станиславович Каминский,Дмитрий Матвеевич Маш,тницкий Игорь Андреевич П,Игорь Андреевич Пятницкий,ков Анатолий Петрович Черв,Анатолий Петрович Червяков,Михаил Иванович Спицын. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие "ЭГО". Дата публикации: 2007-10-27.

Method of manufacturing interconnections for semiconductor devices

Номер патента: RU2593416C1. Автор: Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Евгений Александрович Лебедев,Борис Николаевич Рыгалин,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2016-08-10.

Device to protect submersible pump motor against overload and dry running

Номер патента: RU2444104C1. Автор: Владимир Михайлович Гетманенко,Александра Михайловна Исупова,Виктор Александрович Черноносов. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Азово-Черноморская государственная агроинженерная академия" (ФГОУ ВПО АЧГАА). Дата публикации: 2012-02-27.

Device to control oil system of gas-turbine

Номер патента: RU2287074C2. Автор: Алексей Николаевич Саженков,Юрий Абрамович Трубников,Юрий Семенович Савенков,Анатолий Георгиевич Панков. Владелец: Открытое акционерное общество "Авиадвигатель". Дата публикации: 2006-11-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.