Semiconductor device and method for reduced bias temperature instability (bti) in silicon carbide devices
Номер патента: CA2822132A1
Опубликовано: 30-01-2014
Автор(ы): Joseph Darryl Michael, Stephen Daley Arthur
Принадлежит: General Electric Co
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 30-01-2014
Автор(ы): Joseph Darryl Michael, Stephen Daley Arthur
Принадлежит: General Electric Co
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Silicon carbide semiconductor device, power converter, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device
Номер патента: US11984492B2. Автор: Yasuhiro Kagawa,Yuji Ebiike. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-05-14.