Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Power-on bias circuit using Schmitt Trigger

Номер патента: US7202713B2
Опубликовано: 10-04-2007
Автор(ы): Tsung-Hsin Yu
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

SCHMITT TRIGGER INVERTER CIRCUIT

Номер патента: US20190229714A1. Автор: SAITO Isao. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2019-07-25.

Schmitt trigger inverter circuit

Номер патента: JP7073734B2. Автор: 功 斉藤. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-24.

Schmitt trigger circuit with hysteresis determined by modified polysilicon gate dopants

Номер патента: US09935618B1. Автор: Amos Fenigstein. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Schmitt Trigger Circuit With Hysteresis Determined By Modified Polysilicon Gate Dopants

Номер патента: US20180097510A1. Автор: Amos Fenigstein. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-04-05.

SOI CMOS Schmitt trigger circuits with controllable hysteresis

Номер патента: US6441663B1. Автор: Jente Benedict Kuang,Ching-Te Kent Chuang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-08-27.

Schmitt trigger with current assistance circuit

Номер патента: US11901900B2. Автор: Manoj Kumar,Kailash KUMAR. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-02-13.

Schmitt trigger with gated transition level control

Номер патента: US20100327930A1. Автор: Axel Thomsen,Zhiwei Dong,Shouli Yan. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Complementary IGFET Schmitt trigger logic circuit having a variable bias voltage logic gate section

Номер патента: US4464587A. Автор: Kenji Matsuo,Yasoji Suzuki. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-08-07.

Schmitt trigger with pull-up transistor

Номер патента: US11923855B2. Автор: Manoj Kumar Tiwari,Saiyid Mohammad Irshad Rizvi. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-03-05.

Schmitt trigger with pull-up transistor

Номер патента: US20240186991A1. Автор: Manoj Kumar Tiwari,Saiyid Mohammad Irshad Rizvi. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-06-06.

Schmitt trigger device with disable

Номер патента: US6624678B1. Автор: Frederic Boutaud,Paul D. Krivacek,Sean M. Fitzpatrick. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2003-09-23.

Low-swing schmitt triggers

Номер патента: US20220200586A1. Автор: Mohit Gupta,Santosh Mahadeo Narawade,Jithin K. Владелец: Alphawave Semi Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Rapid transition schmitt trigger circuit

Номер патента: US09584101B2. Автор: Yang Li. Владелец: Smarted Microelectronics (guang Zhou) Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

CMOS Schmitt trigger circuit and associated methods

Номер патента: US09467125B2. Автор: VINOD KUMAR,Saiyid Mohammad Irshad Rizvi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2016-10-11.

Integrated circuit having a voltage hysteresis for use as a schmitt trigger

Номер патента: US3873856A. Автор: Albrecht Gerlach,Wolfgang Gollinger,Gunter Lindstedt. Владелец: Deutsche ITT Industries GmbH. Дата публикации: 1975-03-25.

Reduced area schmitt trigger circuit

Номер патента: US20110043265A1. Автор: Rajeev Jain. Владелец: STMICROELECTRONICS PVT LTD. Дата публикации: 2011-02-24.

Schmitt-trigger-based level detection circuit

Номер патента: US20090189665A1. Автор: Sheng-Hua Chen,Jeng-Huang Wu. Владелец: Faraday Technology Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Schmitt trigger circuit

Номер патента: US20230163753A1. Автор: Yasushi Imai,Junichi Kanno. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Schmitt trigger circuit

Номер патента: US11894849B2. Автор: Yasushi Imai,Junichi Kanno. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Replica bias circuit

Номер патента: US20070120600A1. Автор: Hyun Yu,Sang Byun. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2007-05-31.

Current-controlled CMOS circuit using higher voltage supply in low voltage CMOS process

Номер патента: EP1394947A3. Автор: Ichiro Fujimori,Armond Hairapetian,Guangmin Yin. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2006-11-08.

Schmitt trigger voltage comparator

Номер патента: US20210159890A1. Автор: Geethanadh Asam,Walter Luis Tercariol,Maikel Pieter Sturkenboom. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2021-05-27.

Schmitt trigger circuit

Номер патента: US20190074822A1. Автор: Takayuki Hiraoka. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

SCHMITT TRIGGER CIRCUIT

Номер патента: US20190305762A1. Автор: HIRAOKA Takayuki. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-03.

CMOS Schmitt Trigger (CMOS SCHMITT TRIGGER)

Номер патента: KR970706653A. Автор: 데니스 리,마크 윌리암 넥트,칼라인 막 윙,오이콴 짱. Владелец: 이시마루 미키오. Дата публикации: 1997-11-03.

Cmos schmitt-trigger circuit

Номер патента: DE3072154D1. Автор: Osamu Takagi,Masayoshi Tomita,Keizo Okamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-05-24.

Schmitt Trigger Circuit With Hysteresis Determined By Modified Polysilicon Gate Dopants

Номер патента: US20180097510A1. Автор: Fenigstein Amos. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-05.

CMOS SCHMITT TRIGGER CIRCUIT AND ASSOCIATED METHODS

Номер патента: US20160182022A1. Автор: KUMAR Vinod,RIZVI Saiyid Mohammad Irshad. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

SCHMITT TRIGGER CIRCUIT AND NON-VOLATILE MEMORY DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20160241220A1. Автор: KANG KYOUNG-TAE,RAJAGOPAL Devraj Matharampallil. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-18.

SCHMITT TRIGGER IN FDSOI TECHNOLOGY

Номер патента: US20150263707A1. Автор: KUMAR Ravinder. Владелец: STMICROELECTRONICS INTERNATIONAL N.V.. Дата публикации: 2015-09-17.

RAPID TRANSITION SCHMITT TRIGGER CIRCUIT

Номер патента: US20150280694A1. Автор: LI YANG. Владелец: SMARTER MICROELECTRONICS (GUANG ZHOU) CO., LTD.. Дата публикации: 2015-10-01.

Capacitive isolator with schmitt trigger

Номер патента: US8451032B2. Автор: Ka Y. Leung,Zhiwei Dong. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2013-05-28.

Cmos schmitt trigger circuit

Номер патента: JPS5679522A. Автор: Masahiro Mikami. Владелец: Suwa Seikosha KK. Дата публикации: 1981-06-30.

Schmitt trigger circuit

Номер патента: JPS5558619A. Автор: Toshimasa Kihara,Kiyoshi Matsubara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1980-05-01.

Schmitt trigger circuit

Номер патента: JPS5923915A. Автор: Mikio Koyama,小山　幹雄. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-02-07.

Schmitt trigger circuit having constant hystersis in wide voltage

Номер патента: KR100429553B1. Автор: 김선민,조병선,차욱진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-05-03.

Schmitt Trigger made of the low-voltage-devices and capable of withstanding high voltage inputs

Номер патента: TWI230510B. Автор: Ming-Dou Ker,Shih-Lun Chen. Владелец: Admtek Inc. Дата публикации: 2005-04-01.

Amplifier with threshold comprising Schmitt trigger and additional circuits for hysteresis thresholds invalidation to obtain functioning as inverter as inverter at low logic supply voltages

Номер патента: FR2812984A1. Автор: Francois Taillet. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2002-02-15.

SCHMITT TRIGGER

Номер патента: DE3327260A1. Автор: Mikio Yokohama Koyama. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-02-09.

Tri-state type schmitt trigger

Номер патента: KR0158658B1. Автор: 정계언. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-03-20.

Schmitt trigger circuit

Номер патента: JPS54158156A. Автор: Hideji Koike. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1979-12-13.

SCHMITT TRIGGER CIRCUIT IN YOURSELF

Номер патента: FR2853474A1. Автор: Thierry Favard. Владелец: Soisic SA. Дата публикации: 2004-10-08.

Adjustable Schmitt trigger

Номер патента: US8502564B2. Автор: Donald G. Mikan, Jr.. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-08-06.

Schmitt trigger circuit

Номер патента: EP0107189A1. Автор: Tetsuya Iida,Yoshihiro Iwamoto. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-05-02.

Schmitt Trigger Circuit

Номер патента: US20090066388A1. Автор: Sung Jin Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-03-12.

Schmitt trigger circuit for rc oscillator

Номер патента: KR100243263B1. Автор: 이상헌. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-02-01.

Schmitt trigger circuit

Номер патента: CN113131905B. Автор: 张利地. Владелец: SG Micro Beijing Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-16.

SCHMITT-TRIGGER CIRCUIT IN SOI-TECHNIK

Номер патента: DE602004006734D1. Автор: Thierry Favard. Владелец: Soisic SA. Дата публикации: 2007-07-12.

Schmitt trigger with disable function

Номер патента: EP1550213A1. Автор: Frederic Boutaud,Paul D. Krivacek,Sean M. Fitzpatrick. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2005-07-06.

Schmitt trigger circuit

Номер патента: JPS5623022A. Автор: Juichi Yoneyama. Владелец: Toko Inc. Дата публикации: 1981-03-04.

Cmos schmitt trigger

Номер патента: WO1996015588A1. Автор: Dennis Lee,Oikwan Tsang,Mark William Knecht,Kalaine Mak Wong. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1996-05-23.

Schmitt trigger for use in electronic circuit, has latch with middle point between supply terminal and output, and negative feedback acting on middle point to fix one of thresholds according to supply potential

Номер патента: FR2853781A1. Автор: Mohamad Chehadi,David Naura,Bertrand Bertrand. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2004-10-15.

Schmitt trigger circuit having mismatched input and supply

Номер патента: US11881859B2. Автор: Abhishek Gupta,Sayantan Gupta. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Schmitt trigger circuit having mismatched input and supply

Номер патента: US20230378942A1. Автор: Abhishek Gupta,Sayantan Gupta. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Schmitt-trigger-schaltung in soi-technik

Номер патента: ATE363766T1. Автор: Thierry Favard. Владелец: Soisic. Дата публикации: 2007-06-15.

Integrierter Schmitt-Trigger

Номер патента: DE2816577C2. Автор: Wolfgang Dipl.-Ing. Dr.-Ing. 5210 Troisdorf Steinhagen. Владелец: Engl Walter L Prof Drrernat 5120 Herzogenrath De. Дата публикации: 1984-11-22.

Schmitt trigger with test circuit and method for testing

Номер патента: US20120049875A1. Автор: Eric W. Tisinger,Mitchell A. Belser. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-01.

Schmitt trigger

Номер патента: DE4215423A1. Автор: Ricardo Erckert. Владелец: SGS Thomson Microelectronics GmbH. Дата публикации: 1993-11-18.

Level shifter circuit using boosting circuit

Номер патента: US09762216B1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Jonathan Tsung-Yung Chang,Chiting Cheng,Mahmut Sinangil,Hsin-Hsin Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Oscillator using schmitt trigger circuit

Номер патента: US20080122548A1. Автор: Ha Woong JEONG,Kyoung Soo Kwon. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-29.

ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTION CIRCUIT HAVING VARIABLE SCHMITT TRIGGER CHARACTERISTICS

Номер патента: US20200176980A1. Автор: PARK Jin-Hee,JEON Ju-Ho,KWON Hyuck-Joon. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-04.

Four-transistor Schmitt trigger inverter with hysteresis

Номер патента: US8236631B2. Автор: Paul J. Schuele,Apostolos T. Voutsas,Themistokles Afentakis. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2012-08-07.

Schmitt trigger voltage comparator

Номер патента: CN112838846A. Автор: 吉萨纳德·阿萨姆,沃尔特·特尔卡里奥,迈克尔·斯图肯博姆. Владелец: Anshi Co ltd. Дата публикации: 2021-05-25.

VMOS-FET IMPATT diode pulse bias circuit

Номер патента: US4476402A. Автор: Wronald S. Best. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1984-10-09.

Power-up control circuit including a comparator, Schmitt trigger, and latch

Номер патента: US4716322A. Автор: Sebastiano D'Arrigo,Giuliano Imondi,Sossio Vergara. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1987-12-29.

Glitch-free low-pass filter circuit and system circuit using the same

Номер патента: US20240056055A1. Автор: Chou-Chuan Chen. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Feed-forward bias circuit

Номер патента: US09998099B2. Автор: Le Zhang,Guangming Yin,Chulkyu Lee,Wenjun Su. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Low voltage detection floating n well bias circuit

Номер патента: US20240267043A1. Автор: Hyun Sup Jung,Sang Mok Lee,Seung Hyun KOU. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Interface device and dynamic tracking bias circuit

Номер патента: US20240364339A1. Автор: Yu-Shen Lin,Jui-Ming Chen,Federico Agustin ALTOLAGUIRRE. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Power Transistor Bias Circuit

Номер патента: US20190288593A1. Автор: LIANG Chen,Xinyu Wang,Qiang Xie. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Bias circuit

Номер патента: US20240113709A1. Автор: Jean-Robert Tourret. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-04-04.

Bias circuit and electronic circuit

Номер патента: US20210218395A1. Автор: Takayuki Kawano,Hideyo YAMASHIRO. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

Bias circuit

Номер патента: EP4345571A1. Автор: Jean-Robert Tourret. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-04-03.

Bias circuit having second order process variation compensation in a current source topology

Номер патента: US09450568B1. Автор: David D. Heston,Michael G. Hawkins. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2016-09-20.

Adaptive bias circuit for power event detection comparator

Номер патента: US20190326895A1. Автор: Kevin FRONCZAK,Mark PUDE. Владелец: Synaptics Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Diode element circuit and switch circuit using the same

Номер патента: US20010048337A1. Автор: Keiichi Yamamoto,Yoshihiko Hayashi,Akio Oosaki. Владелец: Hitachi Electronics Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-06.

Logic gate using schmitt trigger circuit

Номер патента: US20150303918A1. Автор: So Young Kim,Kyung Soo Kim,Wan Soo NAH. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2015-10-22.

Logic gate using schmitt trigger circuit

Номер патента: US9401716B2. Автор: So Young Kim,Kyung Soo Kim,Wan Soo NAH. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2016-07-26.

Supply independent Schmitt trigger RC oscillator

Номер патента: US20070069828A1. Автор: Bojko Marholev,Chin Chien. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-29.

Oscillator with schmitt trigger

Номер патента: US20240235534A1. Автор: Gareth Yeo. Владелец: Atmosic Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Resistive switching schmitt triggers and comparators

Номер патента: WO2015095200A1. Автор: Yun Wang,Federico Nardi. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2015-06-25.

Oscillator having compensation for a schmitt trigger response delay

Номер патента: US6172573B1. Автор: Chang-sik Lim. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2001-01-09.

Schmitt trigger circuit and power supply monitoring apparatus

Номер патента: US09673791B2. Автор: Takaaki Ishii,Yasutaka WAKASUGI. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Bias circuit for a complementary current mode logic drive circuit

Номер патента: US20110148838A1. Автор: Xin Liu,Kevin YiKai Liang,Arvind Bomdica,Ming-Ju Edward Lee. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2011-06-23.

Schmitt trigger with controlled hysteresis

Номер патента: US3584241A. Автор: Michiyuki Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 1971-06-08.

Circuit for controllably driving a schmitt trigger in response to preselected variations in an analog input signal and in a digitalized input signal

Номер патента: US3736444A. Автор: D Luchaco. Владелец: Bendix Corp. Дата публикации: 1973-05-29.

Impedance adjustment circuit and method, bias circuit structure and amplifier

Номер патента: US11936345B2. Автор: Ping Li,Jinliang DENG. Владелец: Smarter Microelectronics Guangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Improvements in or relating to schmitt trigger circuits

Номер патента: GB1058682A. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1967-02-15.

Passive redundant digital data receiver with schmitt-trigger

Номер патента: US20040066859A1. Автор: Karl Bois,David Quint,Randy Rannow. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2004-04-08.

Schmitt trigger circuit and non-volatile memory device including the same

Номер патента: US09929724B2. Автор: Devraj Matharampallil Rajagopal,Kyoung-Tae Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Schmitt trigger input gate having delayed feedback for pulse width discrimination

Номер патента: US4596939A. Автор: Tatsuo Yamada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1986-06-24.

Cmos schmitt trigger

Номер патента: CA1214226A. Автор: Joseph M. Mcgrail. Владелец: British Telecommunications plc. Дата публикации: 1986-11-18.

Schmitt trigger circuit and non-volatile memory device including the same

Номер патента: US20160241220A1. Автор: Devraj Matharampallil Rajagopal,Kyoung-Tae Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-18.

Fast Wi-Fi switch with dynamic bias circuit

Номер патента: US09641178B1. Автор: Carl E. Wojewoda. Владелец: Tagore Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Substrate bias circuit and method for biasing a substrate

Номер патента: US09584118B1. Автор: Stefano Pietri,Chris C. Dao,Robert S. Ruth,Juxiang Ren. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Inner bias circuit for generating ECL bias voltages from a single common bias voltage reference

Номер патента: US4678935A. Автор: Yasunori Kanai,Kazumasa Nawata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1987-07-07.

Temperature-compensating bias circuit

Номер патента: US4492914A. Автор: Hisakazu Hitomi. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-01-08.

Programme-controlled logic circuit using spin-torque transfer magnetoresistive devices

Номер патента: RU2420865C1. Автор: Сеунг Х. КАНГ,Матью Майкл НОВАК,Лью Г. ЧУА-ЕОАН. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2011-06-10.

Comparator and oscillator circuit using said comparator

Номер патента: US20200106427A1. Автор: Kenji NAKAGOMI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Interference-free multivibrator switching circuit using saturated undoped transistors with large base-to-emitter capacity

Номер патента: US3582673A. Автор: Kenneth Hubert Clayson,Anthony Waddington-Morris. Владелец: Wilmot Breeden Ltd. Дата публикации: 1971-06-01.

Low-noise differential bias circuit and differential signal processing apparatus

Номер патента: EP1557949A1. Автор: Toshifumi Nakatani,Jyunji Itoh,Shinichi Osako. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-27.

Adaptive Keeper Circuit to Control Domino Logic Dynamic Circuits Using Rate Sensing Technique

Номер патента: US20100073030A1. Автор: Navakanta Bhat,David Rakesh Gnana. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-25.

An adaptive keeper circuit to control domino logic dynamic circuits using rate sensing technique

Номер патента: WO2008146299A3. Автор: Navakanta Bhat,Rakesh Gnana David Jeyasingh. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF SCIENCE. Дата публикации: 2009-09-24.

Oscillator and pll circuit using the same

Номер патента: EP1485989B1. Автор: Masayuki Katakura,Yoshihiro Komatsu,Kwnji Hiromoto,Tsuyoshi Kousaka,Li Ping Fai Ben. Владелец: Sony Electronics Inc. Дата публикации: 2007-05-30.

Timing circuits and driving circuits used in lighting systems

Номер патента: US09420648B2. Автор: LIN Feng,Yuedong Chen. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Narrow pulse generation circuit used in sequential equivalent sampling system

Номер патента: US20210359668A1. Автор: Wenhua Lin,Jian Xiao,Yufeng Guo,Zhikuang CAI,Xuanchen QI,Guowei SHI. Владелец: Nantong Institute Of Nanjing University Of Posts And Telecommunications Co ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Reading circuit used for floppy disk unit

Номер патента: US5161071A. Автор: Akira Nakamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1992-11-03.

Method and system for reducing power consumption in digital circuit using charge redistribution circuits

Номер патента: EP1443650A2. Автор: Ashish Kumar,Vivek Nautiyal. Владелец: STMICROELECTRONICS PVT LTD. Дата публикации: 2004-08-04.

Method of designing ternary logic circuit using mosfets having depletion-mode and multi-vths, and device and recording medium for performing the same

Номер патента: US20240028806A1. Автор: Hyundong LEE,Taigon SONG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of KNU. Дата публикации: 2024-01-25.

An adaptive keeper circuit to control domino logic dynamic circuits using rate sensing technique

Номер патента: WO2008146299A2. Автор: Navakanta Bhat,Rakesh Gnana David Jeyasingh. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF SCIENCE. Дата публикации: 2008-12-04.

Josephson memory and logic circuits using quasi-long-junction interconnect

Номер патента: US20200350006A1. Автор: Quentin P. Herr,Anna Y. Herr. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2020-11-05.

Josephson memory and logic circuits using quasi-long-junction interconnect

Номер патента: EP3959716A1. Автор: Quentin P. Herr,Anna Y. Herr. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2022-03-02.

Josephson memory and logic circuits using quasi-long-junction interconnect

Номер патента: WO2020219187A1. Автор: Quentin P. Herr,Anna Y. Herr. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2020-10-29.

Logic circuits using neuristors

Номер патента: US20140035614A1. Автор: Matthew D. Pickett. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2014-02-06.

Multi-die FPGA implementing built-in analog circuit using active silicon connection layer

Номер патента: US12009307B2. Автор: Hua Yan,Yueer SHAN,Yanfeng Xu,Jicong FAN,Yanfei Zhang. Владелец: Wuxi Esiontech Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Phase locked loop using a schmitt trigger block

Номер патента: US6043695A. Автор: Eugene O'sullivan. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-03-28.

Click/pop free bias circuit

Номер патента: US5436588A. Автор: Parviz Ghaffaripour. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1995-07-25.

Bias circuit and power amplifier circuit

Номер патента: EP4398483A2. Автор: Henrik Sjöland,Christian Elgaard. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2024-07-10.

Bias circuit and amplifier device

Номер патента: EP4007163A1. Автор: Chih-Sheng Chen,Tien-Yun Peng. Владелец: Richwave Technology Corp. Дата публикации: 2022-06-01.

Voltage limiting bias circuit for reduction of hot electron degradation effects in mos cascode circuits

Номер патента: EP1195004A2. Автор: Pawel M. Gradzki. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2002-04-10.

Voltage limiting bias circuit for reduction of hot electron degradation effects in mos cascode circuits

Номер патента: AU2001249919A1. Автор: Pawel M. Gradzki. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2001-11-07.

Bias circuit and power amplifier circuit

Номер патента: EP4398483A3. Автор: Henrik Sjöland,Christian Elgaard. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2024-10-16.

Radio-frequency circuit and bias circuit

Номер патента: US20240223133A1. Автор: Chih-Sheng Chen,Tien-Yun Peng,Chang-Heng Chen. Владелец: Richwave Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Bias circuit and power amplifier circuit

Номер патента: US20240267011A1. Автор: Henrik Sjöland,Christian Elgaard. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2024-08-08.

Bias circuit and amplifier

Номер патента: EP4096090A1. Автор: Shintaro Shinjo,Masatake Hangai,Yutaro YAMAGUCHI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-11-30.

High Amplitude Voltage-Controlled Oscillator with Dynamic Bias Circuit

Номер патента: US20120306584A1. Автор: Zhiheng Cao. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Control circuit, bias circuit, and control method

Номер патента: US20200083807A1. Автор: Yang Li,Jun Ma,Jiangtao Yi,Qiang Su. Владелец: Smarter Microelectronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-12.

Cascode Amplifier Bias Circuits

Номер патента: US20240348211A1. Автор: Robert Mark Englekirk,Tero Tapio Ranta,David Kovac,Eric S. Shapiro,Christopher C. Murphy,Keith Bargroff,Jonathan James Klaren. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Bias circuit having reduced power consumption

Номер патента: US09634613B1. Автор: John P. Bettencourt,Christopher M. LAIGHTON,Edward A. Watters. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-04-25.

Multimode power amplifier bias circuit with selectable bandwidth

Номер патента: US09413313B2. Автор: Philip H. Thompson,Matthew Lee BANOWETZ,Michael Lynn Gerard,Ramanan Bairavasubramanian. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Integrated FM detector including an oscillator having a capacitor and Schmitt trigger

Номер патента: US5274338A. Автор: Martin Rieger,Sabine Roth. Владелец: Deutsche Thomson Brandt GmbH. Дата публикации: 1993-12-28.

Bias circuit having reduced power consumption

Номер патента: WO2017160417A1. Автор: John P. Bettencourt,Christopher M. LAIGHTON,Edward A. Watters. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2017-09-21.

Bias circuit having reduced power consumption

Номер патента: EP3430718A1. Автор: John P. Bettencourt,Christopher M. LAIGHTON,Edward A. Watters. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2019-01-23.

Active bias circuit

Номер патента: US20220006533A1. Автор: Wayne Kennan,Toshi Omori. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Bias circuit for a radio frequency power-amplifier and method therefor

Номер патента: EP2005600A1. Автор: Pierre Savary,Didier Salle,Arnaud Girardot,Gérald HAENNIG. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-12-24.

Self adaptable bias circuit for enabling dynamic control of quiescent current in a linear power amplifier

Номер патента: EP1586161B1. Автор: Christophe Joly. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-05-02.

Bias circuit of transistor

Номер патента: US20010038307A1. Автор: Hiroyuki Abe,Norio Hosoi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

Bias circuit for stacked power amplifiers with a variable power supply

Номер патента: WO2024225361A1. Автор: Rui Ma,Shota Ishihara. Владелец: MURATA MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2024-10-31.

Dynamic bias circuit

Номер патента: US20070188353A1. Автор: Wilson Wong,Sergey Shumarayev,Tin Lai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-16.

Dynamic bias circuit

Номер патента: US7414559B2. Автор: Wilson Wong,Tin Lai,Sergey Yurevich Shumarayev. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2008-08-19.

Schottky enhanced bias circuit

Номер патента: US20160094184A1. Автор: David Steven Ripley. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2016-03-31.

Schottky enhanced bias circuit

Номер патента: US09929694B2. Автор: David Steven Ripley. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Bias circuit for low quiescent current amplifier

Номер патента: US09722546B2. Автор: Yut Hoong Chow,Jagadheswaran Rajendran. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor Power Device with Bias Circuit

Номер патента: US20090184756A1. Автор: Cynthia Blair,Prasanth Perugupalli. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2009-07-23.

Bias circuits and methods for stacked devices

Номер патента: WO2015130885A1. Автор: Marco Cassia,Joonhoi Hur,Paul Joseph Draxler,Calogero Presti. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-09-03.

Magnetic flux bias circuit

Номер патента: US20240202560A1. Автор: Tsuyoshi Yamamoto,Naoki Takeuchi,Nobuyuki Yoshikawa,Yoshihito Hashimoto,Fuminori HIRAYAMA. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2024-06-20.

Bias circuit

Номер патента: US20210013842A1. Автор: Takashi Soga. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

A threshold voltage (vth), power supply (vdd), and temperature compensation bias circuit for cmos passive mixer

Номер патента: SG147283A1. Автор: Tan Chun Geik,Masaaki Itoh. Владелец: Oki Techno Ct Singapore Pte. Дата публикации: 2008-11-28.

Envelope tracking bias circuit and envelope tracking bias method thereof

Номер патента: US20240275342A1. Автор: SHINICHI IIZUKA,Hyejin Lee,JeongHoon Kim,Youngwong JANG,Jongok HA. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Off-state isolation bias circuit for d-mode amplifiers

Номер патента: US20240313715A1. Автор: John P. Bettencourt,John C. Tremblay,Joseph Peter Davis. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-09-19.

Wideband bias circuits and methods

Номер патента: US09467106B2. Автор: Calogero Davide Presti,Jose Cabanillas. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Active bias circuit for power amplifier, and mobile terminal

Номер патента: US20180034414A1. Автор: Xu NIU. Владелец: Shanghai Vanchip Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-01.

Bias circuit and power amplifier

Номер патента: US20240235498A9. Автор: Qiang Gu. Владелец: Shanghai Wuqi Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Wideband adaptive bias circuits for power amplifiers

Номер патента: US20170230006A1. Автор: Fei Song,Keng Leong Fong,Osama K.A. Shana'a,Yuenhui Chee,Chiyuan Lu,I-Chang Wu,Hsing-ting Yu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-08-10.

Bias circuit and power amplifier circuit

Номер патента: US20240056034A1. Автор: Yuri Honda. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Segmented power amplifier arrangements with feedforward adaptive bias circuits

Номер патента: US11764738B2. Автор: Mohamed Moussa Ramadan Esmael. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2023-09-19.

Gate bias circuit

Номер патента: US20100097147A1. Автор: Tomohisa Hirayama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2010-04-22.

Bias circuit for avalanche diodes

Номер патента: US4058776A. Автор: Hirohisa Kawamoto,Elmer Lawrence Allen, Jr.. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1977-11-15.

Power amplifier bias circuit having parallel emitter follower

Номер патента: US09634619B2. Автор: Matthew Lee BANOWETZ,Michael Lynn Gerard,Ramanan Bairavasubramanian,Dwayne Allen ROWLAND. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Bias circuit for a transistor amplifier

Номер патента: US09548701B2. Автор: Timothy John Ridgers,Louis Praamsma. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-01-17.

Rf power amplifier with distributed bias circuit

Номер патента: CA2400759A1. Автор: Thomas R. Apel,Robert E. Knapp. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Bias circuit and power amplifier circuit

Номер патента: EP3909127A1. Автор: Henrik Sjöland,Christian Elgaard. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2021-11-17.

Bias circuit and power amplifier circuit

Номер патента: US10666211B2. Автор: Sung Hwan Park,Jun Goo WON,Ki Joong KIM,Bo Hyun HWANG,Da Hye Park,Dae Hee NO. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-26.

Bias circuit and power amplifier circuit

Номер патента: WO2020143934A1. Автор: Henrik Sjöland,Christian Elgaard. Владелец: Telefonaktiebolaget lM Ericsson (publ). Дата публикации: 2020-07-16.

Bias circuit and power amplifier circuit

Номер патента: US20190199303A1. Автор: Sung Hwan Park,Jun Goo WON,Ki Joong KIM,Bo Hyun HWANG,Da Hye Park,Dae Hee NO. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-27.

FET bias circuit

Номер патента: US7948321B2. Автор: Hironori Sakamoto,Tamaki Honda,Kenjiro Okadome. Владелец: Japan Radio Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-24.

Bias circuit

Номер патента: US5783965A. Автор: Hideo Sugawara,Hajime Iwatsuki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-07-21.

Power amplifier with integrated bias circuit having multi-point input

Номер патента: US11190145B2. Автор: Xin Fu,Xavier Hue,Margaret Szymanowski. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2021-11-30.

Voltage limiting bias circuit for reduction of hot electron degradation effects in mos cascode circuits

Номер патента: CA2375073A1. Автор: Pawel M. Gradzki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-01.

Cascode Amplifier Bias Circuits

Номер патента: US20230387864A1. Автор: Robert Mark Englekirk,Tero Tapio Ranta,David Kovac,Eric S. Shapiro,Christopher C. Murphy,Keith Bargroff,Jonathan James Klaren. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Bias circuit and amplifying device having temperature compensation function

Номер патента: US20200304077A1. Автор: Seong Geun Kim,Hyeon Seok Hwang,Seung Chul PYO,Geun Yong LEE. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Bias circuit and amplifying device having temperature compensation function

Номер патента: US11043923B2. Автор: Seong Geun Kim,Hyeon Seok Hwang,Geun Yong LEE,Seung Chui Pyo. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-22.

Gain compensation device and bias circuit device

Номер патента: US11843358B2. Автор: Jianxing NI,Jinghao Feng. Владелец: Radrock Shenzhen Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Coupling a bias circuit to an amplifier using an adaptive coupling arrangement

Номер патента: US20200395894A1. Автор: Mohamed ESMAEL. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2020-12-17.

Microphone assembly having a direct current bias circuit

Номер патента: US11778390B2. Автор: Raminder Jit Singh,Jose Prado. Владелец: Knowles Electronics LLC. Дата публикации: 2023-10-03.

Bias circuit for power amplifier

Номер патента: WO2023150587A1. Автор: Baker Scott,George Maxim,Stephen James Franck,Sudipta Saha. Владелец: QORVO US, INC.. Дата публикации: 2023-08-10.

Cascode amplifier bias circuits

Номер патента: US11955932B2. Автор: Robert Mark Englekirk,Tero Tapio Ranta,David Kovac,Eric S. Shapiro,Christopher C. Murphy,Keith Bargroff,Jonathan James Klaren. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Bias circuit and power amplifier circuit

Номер патента: US11990875B2. Автор: Henrik Sjöland,Christian Elgaard. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2024-05-21.

Bias circuit and amplifier

Номер патента: US20200186093A1. Автор: Jong Myeong Kim,Nack Gyun SEONG. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-11.

Self adaptable bias circuit for enabling dynamic control of quiescent current in a linear power amplifier

Номер патента: EP1586161A1. Автор: Christophe Joly. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-10-19.

Bias circuit and amplifying device with temperature compensation

Номер патента: US20200336116A1. Автор: Kyu Jin Choi,Je Hee CHO. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-22.

Coupling a bias circuit to an amplifier using an adaptive coupling arrangement

Номер патента: EP4350987A2. Автор: Mohamed ESMAEL. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-04-10.

Bias circuit for power amplifier

Номер патента: WO2023150587A4. Автор: Baker Scott,George Maxim,Stephen James Franck,Sudipta Saha. Владелец: QORVO US, INC.. Дата публикации: 2023-10-26.

Coupling a bias circuit to an amplifier using an adaptive coupling arrangement

Номер патента: EP4350987A3. Автор: Mohamed ESMAEL. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-07-03.

Bias circuit, high-power amplifier, and portable information terminal

Номер патента: US20100301935A1. Автор: Masahiro Ito,SATOSHI Tanaka,Kyoichi Takahashi,Masatoshi Hase. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-12-02.

Open loop process and temperature independent bias circuit for stacked device amplifiers

Номер патента: US20220302881A1. Автор: Brian K. Kormanyos,Chris M. Thomas. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2022-09-22.

Current source bias circuit with hot carrier injection tracking

Номер патента: US6720228B1. Автор: Francois Hebert,John F. Sevic. Владелец: Cree Microwave LLC. Дата публикации: 2004-04-13.

Microphone bias circuit

Номер патента: US20150311879A1. Автор: Kenta Yamada,Hirotsugu EGO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-10-29.

Bias circuit

Номер патента: US9379677B2. Автор: Takao Okazaki,Kenta Mochiduki,Ichiro Somada. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-06-28.

Configurable circuits using phase change switches

Номер патента: US20080029753A1. Автор: Yang Xu,Mehdi Asheghi,Lawrence Pileggi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-07.

Bias circuit

Номер патента: US20150002223A1. Автор: Takao Okazaki,Kenta Mochiduki,Ichiro Somada. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2015-01-01.

Amplifier bias circuit

Номер патента: US09941842B2. Автор: Shu-Hsien Liao,Cheng-han WANG,Feipeng Wang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Constant transconductance bias circuit

Номер патента: US09729113B2. Автор: Yu-Jiu Wang,Ching-Yun Chu. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-08-08.

Current mirror bias circuit with voltage adjustment

Номер патента: US09632522B2. Автор: Tony QUAGLIETTA. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Constant transconductance bias circuit

Номер патента: US09413297B2. Автор: Yu-Jiu Wang,Ching-Yun Chu. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2016-08-09.

Bias circuit for fet

Номер патента: CA1049106A. Автор: Katsuaki Tsurushima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1979-02-20.

Bias circuit

Номер патента: US20190074796A1. Автор: Takashi Soga. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-07.

Bias circuit

Номер патента: US20200153390A1. Автор: Gao-Ching Lin,Wei-Tsung LI. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2020-05-14.

Bias circuit and amplifier

Номер патента: US20140300419A1. Автор: Tong Wang,Masahiro Hosoya,Tetsuro Itakura,Shusuke Kawai,Shigehito Saigusa,Toshiya Mitomo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

Bias circuit

Номер патента: US20180167035A1. Автор: Takashi Soga. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Bias circuit and amplification apparatus

Номер патента: US20190372527A1. Автор: Tetsuo Endoh,Satoru Tanoi. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2019-12-05.

Bias circuit for a linear amplifier

Номер патента: US4246544A. Автор: Noriji Itoh. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1981-01-20.

Power amplifier bias circuit

Номер патента: US9935593B2. Автор: Aleksey A. LYALIN. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Bias circuit and bias systemusing such circuit

Номер патента: NL2024625A. Автор: Gvozdenovic Aleksandar. Владелец: Semiconductor Ideas To The Market Itom Bv. Дата публикации: 2020-02-17.

Bias circuit

Номер патента: US20110080230A1. Автор: Atsushi Fukuda,Hiroshi Okazaki,Shoichi Narahashi. Владелец: NTT DOCOMO INC. Дата публикации: 2011-04-07.

A common bias circuit for a plurality of discrete ic''s each having their own bias circuitry

Номер патента: MY109253A. Автор: Basil Lendaro Jeffrey. Владелец: Thomson Consumer Electronics Inc. Дата публикации: 1996-12-31.

Bias circuit and method for biasing a transistor in a class c amplifier

Номер патента: WO2008041063A1. Автор: Jean Jacques Bouny. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2008-04-10.

Bias circuit for the wireless transceiver

Номер патента: US7825730B2. Автор: Shu-Fen Wei,John-San Yang. Владелец: Airoha Technology Corp. Дата публикации: 2010-11-02.

Semiconductor amplifier bias circuit and semiconductor amplifier device

Номер патента: US9590562B2. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Bias circuit for a low noise amplifier of a front end interface of a radio frequency communication device that enables fast transitions between different operating modes

Номер патента: US11811446B2. Автор: Yu Su,Mustafa H. Koroglu,Luigi Panseri. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Bias circuit and power amplifier

Номер патента: US20240136985A1. Автор: Qiang Gu. Владелец: Shanghai Wuqi Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Bias circuit and power amplifier

Номер патента: EP4362327A1. Автор: Qiang Gu. Владелец: Shanghai Wuqi Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-01.

Wideband adaptive bias circuits for power amplifiers

Номер патента: US10079574B2. Автор: Fei Song,Keng Leong Fong,Yuenhui Chee,Chiyuan Lu,Osama K. A. Shana'a,I-Chang Wu,Hsing-ting Yu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-09-18.

Offset compensation gamma buffer and gray scale voltage generation circuit using the same

Номер патента: WO2009066882A2. Автор: Dae Seong Kim,Joon Ho Na,An Young Kim,Dae Keun Han,Man Jeong Ko. Владелец: SILICON WORKS CO., LTD. Дата публикации: 2009-05-28.

Delay line, analog-to-digital converting device and load-sensing circuit using the same

Номер патента: US7292176B1. Автор: Ke-Horng Chen,Li-Ren Huang,Sy-Yen Kuo,Hong-Wei Huang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-11-06.

Bias circuit for junction diodes

Номер патента: US4019152A. Автор: Leopold Albert Harwood,Erwin Johann Wittmann. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1977-04-19.

Bias circuit for a differential amplifier

Номер патента: US3622897A. Автор: Masanobu Tsugita. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1971-11-23.

Bias circuit for changing class of part of multistage amplifier

Номер патента: GB2269716A. Автор: Glen Collinson. Владелец: Texas Instruments Ltd. Дата публикации: 1994-02-16.

Power amplifier module having bias circuit

Номер патента: US8736376B2. Автор: Yoo Sam Na,Gyu Suck KIM. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-27.

Rf power amplifier employing bias circuit topologies for minimization of rf amplifier memory effects

Номер патента: CA2483107A1. Автор: Ahmad Khanifar,Nikolai Maslennikov,Gareth Spiller. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-06.

Bias circuit for radio frequency power amplifier

Номер патента: US11777454B1. Автор: Guohao Zhang,Jianqiang Chen,Zhihao Zhang. Владелец: GUANGDONG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-10-03.

Signal processing bias circuit for microphone

Номер патента: US11297421B2. Автор: Desheng Hu,Dawei Guo,Jiazhou Liu,Donghui GAO. Владелец: Beken Corp. Дата публикации: 2022-04-05.

Amplifier bias circuit

Номер патента: WO2016114925A1. Автор: Shu-Hsien Liao,Cheng-han WANG,Feipeng Wang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-07-21.

Bias circuit and amplifier with current limit function

Номер патента: US9071213B2. Автор: SHINICHI IIZUKA,Ju Young Park,Youn Suk Kim,Young Jean SONG,Jun Goo WON,Ki Joong KIM,Myeong Woo HAN. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-30.

Bias circuit

Номер патента: US11863129B2. Автор: Hideyo YAMASHIRO. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Rf power amplifier employing bias circuit topologies for minimization of rf amplifier memory effects

Номер патента: EP1576724A4. Автор: Ahmad Khanifar,Nikolai Maslennikov,Gareth Spiller. Владелец: Powerwave Technologies Inc. Дата публикации: 2006-10-04.

Rf power amplifier employing bias circuit topologies for minimization of rf amplifier memory effects

Номер патента: EP1576724A2. Автор: Ahmad Khanifar,Nikolai Maslennikov,Gareth Spiller. Владелец: Powerwave Technologies Inc. Дата публикации: 2005-09-21.

Rf power amplifier employing bias circuit topologies for minimization of rf amplifier memory effects

Номер патента: WO2003092153A2. Автор: Ahmad Khanifar,Nikolai Maslennikov,Gareth Spiller. Владелец: POWERWAVE TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2003-11-06.

Transconductance compensating bias circuit and amplifier

Номер патента: US20090108941A1. Автор: Kazuaki Oishi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-04-30.

Current source bias circuit with hot carrier injection tracking

Номер патента: WO2001017105A9. Автор: Francois Hebert,John F Sevic. Владелец: Spectrian. Дата публикации: 2002-09-12.

Signal processing bias circuit for microphone

Номер патента: US20210297774A1. Автор: Desheng Hu,Dawei Guo,Jiazhou Liu,Donghui GAO. Владелец: Beken Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Bias Circuit for Supplying a Bias Current to an RF Power Amplifier

Номер патента: US20200350881A1. Автор: Chih-Wen Wu,Po Chang Lin,Chun Hua Tseng. Владелец: Rafael Microelectronics Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Amplifier with bias circuit having replicated transconductance devices

Номер патента: US20240022221A1. Автор: Abhijeet Paul,Peter Graeme Clarke,Zaid Aboush,Noshir Behli Dubash. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Current source bias circuit with hot carrier injection tracking

Номер патента: WO2001017105A1. Автор: Francois Hebert,John F. Sevic. Владелец: Spectrian. Дата публикации: 2001-03-08.

Microwave oscillation circuit using a dielectric resonator

Номер патента: US20010019293A1. Автор: Yasushi Kose,Akihiro Ogisou. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-09-06.

Charge pump circuit used for charge pump phase-locked loop

Номер патента: US09419631B2. Автор: JIAN Fang,Hua PAN,Yaoyao Jia,Tongwei Yuan. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2016-08-16.

Source follower circuit using fets

Номер патента: CA1114035A. Автор: Tohru Sampei. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1981-12-08.

Synchronous video detector circuit using phase-locked loop

Номер патента: CA1194592A. Автор: Mitsuo Isobe,Namio Yamaguchi,Toshihide Tanaka,Tetsuo Kutsuki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1985-10-01.

De-interleaving circuit using one superframe memory storage

Номер патента: CA2337008C. Автор: Akihiro Horii,Kenichi Shiraishi,Soichi Shinjo. Владелец: Kenwood KK. Дата публикации: 2012-05-01.

Synchronous video detector circuit using phase-locked loop

Номер патента: US4524389A. Автор: Mitsuo Isobe,Namio Yamaguchi,Toshihide Tanaka,Tetsuo Kutsuki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1985-06-18.

Parameter control method for integrated circuit and integrated circuit using the same

Номер патента: US9490816B2. Автор: Tso-Min Chen,Rong-Jie Tu. Владелец: Eosmem Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Control device of lc circuit using spiral inductor

Номер патента: US20150109067A1. Автор: Jong Hoon Park,Chang Kun Park. Владелец: FOUNDATION OF SOONGSIL UNIVERSITY INDUSTRY COOPERATION. Дата публикации: 2015-04-23.

Digital-to-analog converter circuit using charge subtraction method and charge transfer interpolation method

Номер патента: US20110279298A1. Автор: Ji-Hun Kim,Joon-Ho Na,Sang-Gug Lee,Jeong-Yeol Bae,Yeong-Joon Son. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-17.

Mute control circuit used upon power-on or power-of, control method, and audio device

Номер патента: US20200244241A1. Автор: Liangcai SUN. Владелец: JRD Communication Shenzhen Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Mute control circuit used upon power-on or power-of, control method, and audio device

Номер патента: EP3668111A1. Автор: Liangcai SUN. Владелец: JRD Communication Shenzhen Ltd. Дата публикации: 2020-06-17.

Parameter control method for integrated circuit and integrated circuit using the same

Номер патента: US20160156359A1. Автор: Tso-Min Chen,Rong-Jie Tu. Владелец: Noveltek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-06-02.

Bistabile Kippschaltung mit Tunneldioden nach Art eines Schmitt-Triggers

Номер патента: DE1190505B. Автор: Brian Elliott Sear. Владелец: Sperry Rand Corp. Дата публикации: 1965-04-08.

POWER GATING CIRCUITS USING SCHMITT TRIGGER CIRCUITS, SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS INCLUDING THE POWER GATING CIRCUITS

Номер патента: US20140232449A1. Автор: SHIN Young-Min. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-21.

Power gating circuits using schmitt trigger circuits, semiconductor integrated circuits and systems including power gating circuits.

Номер патента: NL2012213A. Автор: Young-min Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-25.

Bias circuit for a switched capacitor level shifter

Номер патента: US09584126B2. Автор: Richard J. Biskup. Владелец: Atieva Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Bias circuit, sensor device, and wireless sensor device

Номер патента: US11967949B2. Автор: Tomokazu Kojima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Bias Circuit, Sensor Device, and Wireless Sensor Device

Номер патента: US20230068062A1. Автор: Tomokazu Kojima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Schmitt trigger with threshold voltage close to rail voltage

Номер патента: WO2015171525A1. Автор: Dan Shen. Владелец: Cirrus Logic, Inc.. Дата публикации: 2015-11-12.

Schmitt trigger with threshold voltage close to rail voltage

Номер патента: GB2545335B. Автор: Shen Dan. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2021-11-10.

SCHMITT TRIGGER CIRCUIT WITH INDEPENDENT CONTROL OVER HIGH AND LOW TRIP POINTS USING A SPLIT ARCHITECTURE

Номер патента: US20200136595A1. Автор: Garg Manish. Владелец: STMICROELECTRONICS INTERNATIONAL N.V.. Дата публикации: 2020-04-30.

CIRCUIT ARRANGEMENT FOR OPTO-SCHMITT-TRIGGER

Номер патента: DE4006504A1. Автор: Bernhard Dipl Phys Schuch,Peter Dr Mischel,Ulrich Dipl Ing Wicke. Владелец: Telefunken Electronic GmbH. Дата публикации: 1991-09-05.

Schmitt trigger or multivibrator control of a diode bridge microsecond switch and chopper circuit

Номер патента: US3388270A. Автор: Davidoff Dorsey. Владелец: Navy Usa. Дата публикации: 1968-06-11.

BIAS CIRCUIT AND POWER AMPLIFICATION CIRCUIT

Номер патента: US20200067456A1. Автор: Su Qiang,LI Yongle,XU Baiming. Владелец: SMARTER MICROELECTRONICS (SHANGHAI) CO., LTD.. Дата публикации: 2020-02-27.

BIAS CIRCUIT AND ELECTRONIC CIRCUIT

Номер патента: US20210218395A1. Автор: Kawano Takayuki,YAMASHIRO Hideyo. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-15.

Bias circuit and wireless communication device including the bias circuit

Номер патента: US20110304385A1. Автор: Yasuyuki Masumoto. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-12-15.

Operational amplifier circuit and switching circuit using the same

Номер патента: US20240213939A1. Автор: Yang Cheng. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Mixed-voltage CMOS I/O buffer with thin oxide device and dynamic N-well bias circuit

Номер патента: TWI290417B. Автор: Ming-Dou Ker,Chia-Sheng Tsai,Che-Hao Chuang. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2007-11-21.

Techniques For Testing Input And Output Buffer Circuits Using A Test Bus

Номер патента: US20240319262A1. Автор: Ching Sia LIM,Pai Ho Bong,Sean Woei Voon,Wee Sun Voon. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Switch circuit using ldmos device

Номер патента: US20140264578A1. Автор: Young Sik Kim,Young Jin Woo,Kong Soon Park. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Bootstrap circuit and a sampling circuit using the same

Номер патента: US20200195242A1. Автор: Jung Ho Lee,Michael Choi,Eun Seok SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-18.

Bootstrap circuit and a sampling circuit using the same

Номер патента: US20200350900A1. Автор: Jung Ho Lee,Michael Choi,Eun Seok SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-05.

SUBSTRATE BIAS CIRCUIT AND METHOD FOR BIASING A SUBSTRATE

Номер патента: US20170063371A1. Автор: Pietri Stefano,Dao Chris C.,Ren Juxiang,Ruth Robert S.. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

BIAS CIRCUIT AND POWER AMPLIFIER HAVING THE SAME

Номер патента: US20160134245A1. Автор: Kim Youn Suk,Kim Ki Joong,Won Jun Goo,TONAMI Yoshiyuki. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2016-05-12.

BIAS CIRCUIT FOR A SWITCHED CAPACITOR LEVEL SHIFTER

Номер патента: US20140266381A1. Автор: Biskup Richard J.. Владелец: ATIEVA, INC.. Дата публикации: 2014-09-18.

BIAS CIRCUIT FOR A HIGH POWER RADIO FREQUENCY SWITCHING DEVICE

Номер патента: US20150256172A1. Автор: Campbell Charles F.. Владелец: TRIQUINT SEMICONDUCTOR, INC.. Дата публикации: 2015-09-10.

BIAS CIRCUIT AND METHOD FOR A HIGH-VOLTAGE RF SWITCH

Номер патента: US20190267990A1. Автор: Kehrer Daniel,Bauder Ruediger,Schleicher Bernd,Solomko Valentyn. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-29.

BIAS CIRCUIT AND POWER AMPLIFIER HAVING THE SAME

Номер патента: US20180294809A1. Автор: Kim Youn Suk,Kim Ki Joong,Won Jun Goo,TONAMI Yoshiyuki. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2018-10-11.

Power Transistor Bias Circuit

Номер патента: US20190288593A1. Автор: LIANG Chen,Xinyu Wang,Qiang Xie. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

ADAPTIVE BIAS CIRCUIT FOR POWER EVENT DETECTION COMPARATOR

Номер патента: US20190326895A1. Автор: PUDE Mark,FRONCZAK Kevin. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-24.

LOGIC GATE USING SCHMITT TRIGGER CIRCUIT

Номер патента: US20150303918A1. Автор: Kim Kyung Soo,Kim So Young,NAH Wan Soo. Владелец: RESEARCH & BUSINESS FOUNDATION SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-10-22.

Pulse shaping or regeneration circuit - uses a Schmitt trigger and memory with two parallel networks

Номер патента: FR2268398A1. Автор: . Владелец: Lignes Telegraphiques et Telephoniques LTT SA. Дата публикации: 1975-11-14.

Clock supply bias circuit and single-phase clock drive frequency dividing circuit using the same

Номер патента: US20020163367A1. Автор: Glenn Murata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-11-07.

Clock supply bias circuit and single-phase clock drive frequency dividing circuit using the same

Номер патента: US6765418B2. Автор: Glenn Keiji Murata. Владелец: NEC Compound Semiconductor Devices Ltd. Дата публикации: 2004-07-20.

A bias circuit for a low voltage differential circuit

Номер патента: AU2002232774A1. Автор: John S. Prentice. Владелец: Intersil Inc. Дата публикации: 2002-07-01.

A bias circuit for a low voltage differential circuit

Номер патента: TW517450B. Автор: John S Prentice. Владелец: Intersil Inc. Дата публикации: 2003-01-11.

Buffer circuit and bias circuit

Номер патента: US5648734A. Автор: Tetsuya Tanabe,Satoru Tanoi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1997-07-15.

Replica bias circuit for high speed low voltage common mode driver

Номер патента: US20090153219A1. Автор: Charles Qingle Wu,Yun-Hak Koh. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2009-06-18.

Schmitt-Trigger

Номер патента: DE2226418B2. Автор: Michael John Scottsdale Ariz. Gay (V.St.A.). Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1974-03-21.

Schmitt-Trigger-Schaltung.

Номер патента: DE3887829D1. Автор: Toru Nakamura,Masao Kumagai,Hiromu Enomoto,Kimitaka Yoshiyama,Hirofumi Doghome. Владелец: Kyushu Fujitsu Electronics Ltd. Дата публикации: 1994-03-24.

A novel comparator circuit with schmitt trigger hysteresis character

Номер патента: TW200742257A. Автор: Ming-Hung Wang,Yen-An Chang. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2007-11-01.

Amplitudendiskriminator mit einem Schmitt-Trigger

Номер патента: DE1201870B. Автор: Dipl-Ing Peter Aemmer. Владелец: Siemens Albis AG. Дата публикации: 1965-09-30.

Schmitt-Trigger

Номер патента: DE1149056B. Автор: Georg Karau. Владелец: Krone KG. Дата публикации: 1963-05-22.

Schmitt-Trigger

Номер патента: CH410053A. Автор: Adolf Dipl Ing Kolar. Владелец: Oerlikon Maschf. Дата публикации: 1966-03-31.

CMOS Schmitt trigger receiver for thin oxide technology

Номер патента: US12119815B2. Автор: Yung-Shun Chen,Chih-Chiang Chang,Yung-Chow Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Spin wave device and logic circuit using spin wave device

Номер патента: US09602103B2. Автор: Kenchi Ito,Susumu Ogawa,Masaki Yamada,Katsuya Miura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

SCHMITT TRIGGER CIRCUIT AND POWER SUPPLY MONITORING APPARATUS

Номер патента: US20160028382A1. Автор: Ishii Takaaki,WAKASUGI Yasutaka. Владелец: Yazaki Corporation. Дата публикации: 2016-01-28.

SCHMITT TRIGGER VOLTAGE COMPARATOR

Номер патента: US20210159890A1. Автор: TERCARIOL Walter Luis,ASAM Geethanadh,Sturkenboom Maikel Pieter. Владелец: NEXPERIA B.V.. Дата публикации: 2021-05-27.

SCHMITT TRIGGER WITH THRESHOLD VOLTAGE CLOSE TO RAIL VOLTAGE

Номер патента: US20150318844A1. Автор: Shen Dan. Владелец: Cirrus Logic, Inc.. Дата публикации: 2015-11-05.

Schmitt trigger circuit

Номер патента: JPS5457943A. Автор: Shigeki Kumagai. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1979-05-10.

Schmitt trigger circuit

Номер патента: JPS547843A. Автор: Masaaki Kanda. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1979-01-20.

Schmitt trigger circuit

Номер патента: JPS5643825A. Автор: Masaru Hashimoto. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1981-04-22.

Schmitt trigger circuit

Номер патента: JPS54151360A. Автор: Yukio Miyazaki,Masaaki Tanioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1979-11-28.

Power supply voltage-, temperature-independent R-C oscillator using controllable Schmitt trigger

Номер патента: KR100446305B1. Автор: 정규영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-09-01.

Schmitt trigger circuit

Номер патента: JPS5539413A. Автор: Osamu Yamashiro,Kanji Yo. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1980-03-19.

Schmitt trigger circuit

Номер патента: JPS5813017A. Автор: Hidetsugu Asada,浅田　英嗣. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1983-01-25.

Schmitt trigger circuit

Номер патента: KR970024603A. Автор: 이병준. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-05-30.

Schmitt trigger circuit

Номер патента: JPS6069910A. Автор: Seiichiro Oishi,大石　誠一郎. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1985-04-20.

Schmitt trigger with an adjustable duty

Номер патента: KR101781740B1. Автор: 이창현,박창근,김현희,이아람,최화영,신후영,문동우,김혜준. Владелец: 숭실대학교산학협력단. Дата публикации: 2017-09-25.

Schmitt trigger circuit

Номер патента: JPS524761A. Автор: Shigeru Aoyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1977-01-14.

Schmitt trigger circuit characterized by noise insensitivity

Номер патента: US3205372A. Автор: Jr Robert A Pacl. Владелец: Sperry Rand Corp. Дата публикации: 1965-09-07.

Schmitt trigger using analog switch

Номер патента: KR0139329B1. Автор: 최병권. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-07-15.

Schmitt trigger circuit

Номер патента: JPS5375848A. Автор: Noriaki Oka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1978-07-05.

Schmitt trigger circuit

Номер патента: JPS59225609A. Автор: Ken Hara,原　謙. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1984-12-18.

Schmitt trigger circuit

Номер патента: US6335649B1. Автор: Koji Maeda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-01.

Circuit arrangement for increasing the input resistance of a Schmitt trigger

Номер патента: DE1167887B. Автор: Ludwig Bruckmoser. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1964-04-16.

Schmitt trigger circuit with a hysteresis characteristic

Номер патента: IE52132B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1987-07-08.

Circuit for varying the hysteresis of a schmitt trigger

Номер патента: US3474264A. Автор: Richard S Hughes. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1969-10-21.

Method for protecting integrated circuit, Schmitt trigger and electrostatic protection circuit

Номер патента: CN111277260A. Автор: 朴真熙,田周鄠,权赫准. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-12.

Schmitt trigger circuit

Номер патента: JPS55162625A. Автор: Yoshitaka Umeki. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1980-12-18.

Schmitt trigger circuit

Номер патента: JPS61264909A. Автор: Koichi Saito,Fumio Ogawa,Yoshihiro Sakai,公一 斉藤,Fujito Fukutome,Shinichi Yonemoto,小川　富美雄,坂井　良広,伸一 米本,福留　不二燈. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-11-22.

Schmitt-trigger circuit

Номер патента: EP0334447A2. Автор: Ingo Martiny. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1989-09-27.

Transistorized and temperature-compensated Schmitt trigger for use as a voltage discriminator, especially for control devices in communications engineering

Номер патента: DE1171010B. Автор: Dipl-Ing Joel Korn. Владелец: Telefunken Patentverwertungs GmbH. Дата публикации: 1964-05-27.

Schmitt trigger circuit

Номер патента: JPS5780823A. Автор: Hiroshi Takahashi. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1982-05-20.

Schmitt trigger circuit

Номер патента: EP0098155A2. Автор: Yasushi Yasuda,Hiromu Enomoto,Akinori Tahara,Shimauchi Yoshiki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-01-11.

Schmitt trigger

Номер патента: EP0555547B1. Автор: Michael Lenz. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1996-06-12.

Alternating voltage level detector - has Schmitt trigger with complementary device to maintain excitation state

Номер патента: FR2394808A1. Автор: . Владелец: IND CONTROLE EQUIPEMENT. Дата публикации: 1979-01-12.

Schmitt trigger circuit and non-volatile memory device including the same

Номер патента: KR20160099861A. Автор: 강경태,마사람팔리 라자고팔 데브라지. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-08-23.

A schmitt trigger device

Номер патента: AU3661889A. Автор: Pierre-Paul Francois Maurice Marie Guebels,Johannes Mathilda Josephus Sevenhans. Владелец: Alcatel NV. Дата публикации: 1990-01-04.

A schmitt trigger device

Номер патента: AU619560B2. Автор: Pierre-Paul Francois Maurice Marie Guebels,Johannes Mathilda Josephus Sevenhans. Владелец: Alcatel NV. Дата публикации: 1992-01-30.

Schmitt trigger

Номер патента: GB9518738D0. Автор: . Владелец: Thomson Multimedia SA. Дата публикации: 1995-11-15.

Schmitt-trigger

Номер патента: DE2355407A1. Автор: Masayasu Niimi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1974-05-16.

Schaltungsanordnung mit Schmitt-Trigger-Spannungsdiskriminatoren und Taktgebern zur Verwendung in Regelkreisen, insbesondere fuer die stufenweise Pegelregelung von Vielkanal-Traegerfrequenz-Weitverkehrssystemen

Номер патента: DE1167392B. Автор: Dipl-Ing Joel Korn. Владелец: Telefunken Patentverwertungs GmbH. Дата публикации: 1964-04-09.

Cmos schmitt trigger receiver for thin oxide technology

Номер патента: US20240088892A1. Автор: Yung-Shun Chen,Chih-Chiang Chang,Yung-Chow Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Linear amplifier and Schmitt trigger using an analogue switch

Номер патента: GB2402565B. Автор: Robert Anthony Currell,Dennis Jaques. Владелец: Vetco Gray Controls Ltd. Дата публикации: 2006-04-19.

Schaltungsanordnung mit einem schmitt-trigger zur ueberwachung eines spannungsbereiches

Номер патента: DE1253305C2. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1973-11-15.

Adder circuit using lookup tables

Номер патента: EP4268371A1. Автор: Christopher C. LaFrieda,Virantha N. Ekanayake. Владелец: Achronix Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-11-01.

Adder circuit using lookup tables

Номер патента: US20240281212A1. Автор: Christopher C. LaFrieda,Virantha N. Ekanayake. Владелец: Achronix Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Current sense circuit using a single opamp having DC offset auto-zeroing

Номер патента: US09444414B2. Автор: Vincenzo Peluso. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Impedance adjustment circuit and method, bias circuit structure and amplifier

Номер патента: US20210359648A1. Автор: Ping Li,Jinliang DENG. Владелец: Smarter Microelectronics Guangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Integrated Circuit Device Body Bias Circuits and Methods

Номер патента: US20150318026A1. Автор: Clark Lawrence T.,Kidd David A.,Kuo Augustine. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-05.

Buffer circuit and bias circuit

Номер патента: DE69522196T2. Автор: Tetsuya Tanabe,Satoru Tanio. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-18.

Buffer circuit and bias circuit

Номер патента: KR960027331A. Автор: 데쓰야 다나베,사토루 다노이. Владелец: 오끼뎅끼 고오교오 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1996-07-22.

A bias circuit for an emitter coupled logic circuit

Номер патента: EP0083208B1. Автор: Yasunori Kanai,Eiji Sugiyama,Kazumasa Nawata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1988-09-28.

Buffer circuit and bias circuit

Номер патента: EP0720296B1. Автор: Tetsuya Oki Electric Industry Co. Ltd Tanabe,Satoru Oki Electric Industry Co. Ltd Tanio. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-16.

Buffer circuit and bias circuit

Номер патента: EP0720296A2. Автор: Tetsuya Oki Electric Industry Co. Ltd Tanabe,Satoru Oki Electric Industry Co. Ltd Tanio. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1996-07-03.

Shutdown mode for bandgap and bias circuit with voltage comparator to reduce leakage current

Номер патента: US11942779B2. Автор: Bang Li LIANG,Tom Taoufik Bourdi. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Rectangular pulse driving circuit using cathode pre-charge and cathode-pull compensation

Номер патента: US12092768B2. Автор: Hao Huang,Lijun Zhu,Mikhail DOLGANOV. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Resonance circuit used for measurement device and measurement device

Номер патента: US09518854B2. Автор: Masami Wada,Yuki IKADAI. Владелец: Yokogawa Electric Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Programmable application specific integrated circuit using logic circuits to program antifuses therein

Номер патента: US5477167A. Автор: Hua-Thye Chua. Владелец: QuickLogic Corp. Дата публикации: 1995-12-19.

An integrated optical SERDES transceiver circuit using LVDS amplifiers

Номер патента: GB2432468A. Автор: Nishanth Kulasekeram. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-05-23.

Clock check circuits using delayed signals

Номер патента: US4295220A. Автор: Bernd Spaeth,Arnold Blum,Hellmuth R. Geng,Hermann Schulze-Schoelling. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1981-10-13.

Amplifier circuit using feedback load

Номер патента: CA2003401C. Автор: Haruhiko Ichino,Noboru Ishihara. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1994-03-15.

Ring oscillator and delay circuit using low threshold voltage type MOSFETS

Номер патента: US6154100A. Автор: Toshiharu Okamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-11-28.

Amplifier circuit using feedback load

Номер патента: US5045807A. Автор: Haruhiko Ichino,Noboru Ishihara. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1991-09-03.

Igfet decode circuit using series-coupled transistors

Номер патента: WO1981000494A1. Автор: D Mcallister,J Pfiester. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1981-02-19.

Current sense circuit using a single opamp having dc offset auto-zeroing

Номер патента: EP3167546A1. Автор: Vincenzo F. Peluso. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-17.

Adder circuit using lookup tables

Номер патента: US20230315390A1. Автор: Christopher C. LaFrieda,Virantha N. Ekanayake. Владелец: Achronix Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Adder circuit using lookup tables

Номер патента: US11960857B2. Автор: Christopher C. LaFrieda,Virantha N. Ekanayake. Владелец: Achronix Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

BIAS CIRCUIT AND OPTICAL RECEIVER

Номер патента: US20190028071A1. Автор: Sakai Yasufumi,DOI Yoshiyasu. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2019-01-24.

FEED-FORWARD BIAS CIRCUIT

Номер патента: US20170077907A1. Автор: ZHANG LE,Lee Chulkyu,Su Wenjun,Yin Guangming. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

Bias Circuit for Comparators

Номер патента: US20160087607A1. Автор: Huang Wei,Rajaee Omid,Guo Yuhua. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

BIAS CIRCUIT FOR A SWITCHED CAPACITOR LEVEL SHIFTER

Номер патента: US20150244368A1. Автор: Biskup Richard J.. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

TEMPERATURE-SENSITIVE BIAS CIRCUIT

Номер патента: US20200235729A1. Автор: Stamper Anthony K.,Jain Vibhor. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-23.

LOW-POWER ACTIVE BIAS CIRCUIT FOR A HIGH IMPEDANCE INPUT

Номер патента: US20200235738A1. Автор: DELORME Nicolas Pierre,LE BLANC Christophe,SAIAS Daniel. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-23.

Bias circuit

Номер патента: JP3158000B2. Автор: 哲也 田邉,聡 田野井. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-04-23.

Bias circuit and optical receiver

Номер патента: JP6922511B2. Автор: 靖文 坂井,義康 土肥. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2021-08-18.

Gate driver output stage with bias circuit for high and wide operating voltage range

Номер патента: KR100846880B1. Автор: 영덕 정. Владелец: 인터내쇼널 렉티파이어 코포레이션. Дата публикации: 2008-07-17.

Phase locked loop circuit using Schmitt trigger circuit

Номер патента: JP3055607B2. Автор: オサリバン ユージン. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-06-26.

Controllable Temperature Coefficient Bias Circuit

Номер патента: US20240094757A1. Автор: Robert Mark Englekirk,Tero Tapio Ranta,Christopher C. Murphy,Keith Bargroff. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Impedance circuit and bias circuit

Номер патента: US20200044613A1. Автор: Chih-Sheng Chen,Tien-Yun Peng,Hung-Chia Lo. Владелец: Richwave Technology Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Amplifier having bias circuit self-compensating for vgs process variation and ids aging

Номер патента: EP1205025A1. Автор: Steven J. Laureanti. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2002-05-15.

Amplifier having bias circuit self-compensating for vgs process variation and ids aging

Номер патента: WO2001008298A1. Автор: Steven J. Laureanti. Владелец: Nokia Inc.. Дата публикации: 2001-02-01.

Active element bias circuit for RF power transistor input

Номер патента: US20030020546A1. Автор: Lennart Mathe,Thomas Marra. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2003-01-30.

Distributed bias circuit for wideband amplifiers

Номер патента: US20230291364A1. Автор: Charles Forrest Campbell. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Bias circuit for generating an output bias current, phase-locked loop circuit, bias circuit

Номер патента: TW201128954A. Автор: Shiue-Shin Liu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2011-08-16.

Process-compensated HBT power amplifier bias circuits and methods

Номер патента: US09419567B2. Автор: Hongxiao Shao,Peter J. Zampardi, JR.,Philip John Lehtola,David Steven Ripley,Tin Myint Ko,Matthew Thomas Ozalas. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

DC BIAS CIRCUIT AND THE RADIO FREQUENCY RECEIVER CIRCUIT USING THE SAME

Номер патента: US20160380599A1. Автор: Chen Hsien-Ku,CHEN Pei-Wei. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-12-29.

Optically coupled bias circuit for complementary output circuit and method

Номер патента: US4121168A. Автор: Robert M. Stitt. Владелец: Burr Brown Research Corp. Дата публикации: 1978-10-17.

Controllable temperature coefficient bias circuit

Номер патента: US11720136B2. Автор: Robert Mark Englekirk,Tero Tapio Ranta,Christopher C. Murphy,Keith Bargroff. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Controllable temperature coefficient bias circuit

Номер патента: US10775827B2. Автор: Robert Mark Englekirk,Tero Tapio Ranta,Christopher C. Murphy,Keith Bargroff. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2020-09-15.

Controllable Temperature Coefficient Bias Circuit

Номер патента: US20210026391A1. Автор: Robert Mark Englekirk,Tero Tapio Ranta,Christopher C. Murphy,Keith Bargroff. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2021-01-28.

Controllable Temperature Coefficient Bias Circuit

Номер патента: US20190121383A1. Автор: Robert Mark Englekirk,Tero Tapio Ranta,Christopher C. Murphy,Keith Bargroff. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2019-04-25.

Controllable temperature coefficient bias circuit

Номер патента: US11507125B2. Автор: Robert Mark Englekirk,Tero Tapio Ranta,Christopher C. Murphy,Keith Bargroff. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2022-11-22.

Controllable temperature coefficient bias circuit

Номер патента: US12007803B2. Автор: Robert Mark Englekirk,Tero Tapio Ranta,Christopher C. Murphy,Keith Bargroff. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Controllable Temperature Coefficient Bias Circuit

Номер патента: US20230152836A1. Автор: Robert Mark Englekirk,Tero Tapio Ranta,Christopher C. Murphy,Keith Bargroff. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Single to differential converting circuit, differential to single converting circuit and bias circuit

Номер патента: KR100707621B1. Автор: 박용성,권오경. Владелец: 삼성에스디아이 주식회사. Дата публикации: 2007-04-13.

Wide band transistor amplifier protection system - has control loop which includes differential amplifier, Schmitt trigger and temp. monitor

Номер патента: FR2318526A1. Автор: Jean-Claude Balin. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1977-02-11.

Process-compensated HBT power amplifier bias circuits and methods

Номер патента: US10116274B2. Автор: Hongxiao Shao,Peter J. Zampardi, JR.,Philip John Lehtola,David Steven Ripley,Tin Myint Ko,Matthew Thomas Ozalas. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2018-10-30.

Phase locked loop circuit utilizing schmitt trigger circuit

Номер патента: JPH10336021A. Автор: オサリバン ユージン,O Sullivan Eugene. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-12-18.

Phase locked loop using a Schmitt trigger block

Номер патента: EP0881774B1. Автор: Eugene O'sullivan. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-08-02.

Amplifier bias circuit, method for biasing an amplifier and integrated circuit comprising an amplifier bias circuit

Номер патента: US7286016B2. Автор: Jordan Konstantinov Svechtarov,Josephus Henricus Bartholomeaus Van Der Zanden. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2007-10-23.

Tunable laser bias circuit

Номер патента: EP3616281A1. Автор: Tao Zhang,Liang Du,Xiangjun Zhao,Cedric Fung Lam,Changhong Joy Jiang,Shuang Yin,Adam Edwin Taylor Barratt. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2020-03-04.

Tunable laser bias circuit

Номер патента: WO2019089091A1. Автор: Tao Zhang,Liang Du,Xiangjun Zhao,Cedric Fung Lam,Changhong Joy Jiang,Shuang Yin,Adam Edwin Taylor Barratt. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2019-05-09.

Clock and data recovery circuit using neural network circuit to obtain frequency difference information

Номер патента: US20240007110A1. Автор: Chien-Kai Kao,Tse-Hsien Yeh,Shih-Che Hung. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Analog-to-digital conversion circuit using comparator and counter, photoelectric conversion apparatus using comparator and counter, and photoelectric conversion system using comparator and counter

Номер патента: US11627269B2. Автор: Koichiro Iwata,Kohichi Nakamura,Hiroaki Kameyama,Yu Arishima. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-04-11.

Analog-to-digital conversion circuit using comparator and counter, photoelectric conversion apparatus using comparator and counter, and photoelectric conversion system using comparator and counter

Номер патента: US20220141414A1. Автор: Koichiro Iwata,Kohichi Nakamura,Hiroaki Kameyama,Yu Arishima. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Gain compensation circuit using a variable offset voltage

Номер патента: WO2002069485A3. Автор: Anthony Chandler,Jason Terosky,Paul E White,Thomas A Ii Bachman. Владелец: Andrew Corp. Дата публикации: 2003-10-23.

Gain compensation circuit using a variable offset voltage

Номер патента: WO2002069485A2. Автор: Thomas A. Ii Bachman,Paul E. White,Anthony Chandler,Jason Terosky. Владелец: ANDREW CORPORATION. Дата публикации: 2002-09-06.

IMPEDANCE CIRCUIT AND BIAS CIRCUIT

Номер патента: US20200044613A1. Автор: CHEN Chih-Sheng,Peng Tien-Yun,Lo Hung-Chia. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

BIAS CIRCUIT AND POWER AMPLIFIER CIRCUIT

Номер патента: US20190068124A1. Автор: TSAI Li-Fan. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

BIAS CIRCUIT FOR USE WITH AMPLIFIER CIRCUIT, CONTROL METHOD THEREOF, AND SIGNAL AMPLIFIER

Номер патента: US20160142014A1. Автор: Maeda Masakatsu,Nakamura Shigeki,OKAZAKI YUKIO,DAIMO AKINORI. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

BIAS CIRCUIT AND BIAS SYSTEM USING SUCH CIRCUIT

Номер патента: US20210208620A1. Автор: Gvozdenovic Aleksandar. Владелец: Semiconductor Ideas to the Market (ITOM) B.V.. Дата публикации: 2021-07-08.

BIAS CIRCUIT AND POWER AMPLIFIER CIRCUIT

Номер патента: US20190199303A1. Автор: Park Sung Hwan,Hwang Bo Hyun,Kim Ki Joong,Won Jun Goo,NO Dae Hee,PARK Da Hye. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-06-27.

Bias circuit and control circuit thereof

Номер патента: CN100481716C. Автор: Y·杨,K·乔依,N-C·郑. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2009-04-22.

Bias circuit and analog integrated circuit comprising the same

Номер патента: KR101685016B1. Автор: 조민형,김이경,권종기,김봉찬. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2016-12-13.

Bias circuits and signal amplifier circuits

Номер патента: US20080143444A1. Автор: Zhi-Yuan Liu,Yi-Jan Chen. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2008-06-19.

Temperature compensated bias circuit

Номер патента: US4956567A. Автор: Kevin Ovens,Steven A. Hunley. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1990-09-11.

High-frequency amplifier circuit having a directly-connected bias circuit

Номер патента: US20020125954A1. Автор: Tirdad Sowlati,Sifen Luo. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-09-12.

Power stage bias circuit with improved efficiency and stability

Номер патента: US5534810A. Автор: Charles M. White. Владелец: Thomson Consumer Electronics Inc. Дата публикации: 1996-07-09.

Bias circuit of single-ended push-pull amplifying circuit

Номер патента: JPS5910009A. Автор: Takeshi Sato,Takashi Fujii,Kazuo Toda,Hideyasu Jikou,剛士 佐藤,Katsuhiko Higashiyama,Shizuyoshi Matsubara,勝比古 東山,秀保 慈幸,喬 藤井,戸田　一雄,松原　静喜. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1984-01-19.

Bias circuit, power amplifier, and current mirror circuit

Номер патента: US8471631B2. Автор: SATOSHI Tanaka,Makoto Tabei,Fuminori Morisawa. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-25.

Bias circuit and semiconductor integrated circuit having the same

Номер патента: JPWO2008149517A1. Автор: 浩二 岡,岡　浩二,剛 松下,松下　剛,中　順一,順一 中. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-08-19.

Impedance circuit and bias circuit

Номер патента: CN110798156B. Автор: 陈智圣,彭天云,罗弘家. Владелец: Richwave Technology Corp. Дата публикации: 2023-04-07.

Bias circuit for use with amplifier circuit, control method thereof, and signal amplifier

Номер патента: US9654063B2. Автор: Shigeki Nakamura,Yukio Okazaki,Masakatsu Maeda,Akinori Daimo. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

VOLTAGE-LIMITING BIAS CIRCUIT FOR REDUCING DEGRADATION EFFECTS IN MOS CASCODE CIRCUITS

Номер патента: ATE278264T1. Автор: Pawel M Gradzki. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2004-10-15.

Bias circuit and method for controlling bias circuit

Номер патента: EP2216902A4. Автор: Tomoyuki Arai,Masahiro Kudo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-03-26.

Bias circuit and power amplifier circuit

Номер патента: EP3909127B1. Автор: Henrik Sjöland,Christian Elgaard. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2024-05-29.

Techniques for utilizing a multiplexed stage-two amplifier to improve power consumption of analog front-end circuits used to process biopotential signals, and wearable devices, systems, and methods of use thereof

Номер патента: US20240225520A1. Автор: Igor Gurovski,Peter Andrew Matsimanis,Tahir Turan Caliskan,Per-Erik Bergstrom,Pascal Bentioulis,Johan Olof Anders Wennersten. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Vco circuit, pll circuit using vco circuit, and data recording apparatus using the pll circuit

Номер патента: TWI294621B. Автор: Masaki Sano,Kinji Kayanuma. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-03-11.

Microcontroller With Average Current Measurement Circuit Using Voltage-To-Current Converters

Номер патента: US20160344289A1. Автор: Bryan Kris,James Bartling. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-24.

Microcontroller with average current measurement circuit using voltage-to-current converters

Номер патента: EP3298418A1. Автор: James E. Bartling,Bryan Kris. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-28.

Microcontroller with average current measurement circuit using voltage-to-current converters

Номер патента: WO2016187400A1. Автор: James E. Bartling,Bryan Kris. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2016-11-24.

Amplifier bias circuit

Номер патента: IL312697A. Автор: Valery S Kaper,John P Bettencourt,Steven M Lardizabal. Владелец: Steven M Lardizabal. Дата публикации: 2024-07-01.

Bias circuit, LNA, LNB, communication receiver, communication transmitter and sensing system

Номер патента: TWI449326B. Автор: Masahiko Maruyama. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2014-08-11.

Bias circuit and amplifier

Номер патента: EP4096090A4. Автор: Shintaro Shinjo,Masatake Hangai,Yutaro YAMAGUCHI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Bias circuit for audio amplifier

Номер патента: TW200638785A. Автор: Shih-Hua Chang,Jen-Shiun Chiang. Владелец: Samhop Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-11-01.

Bias circuit for independent control of on and off switching time

Номер патента: US20240243705A1. Автор: Zijiang Yang,Nuttapong Srirattana. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Coupling a bias circuit to an amplifier using an adaptive coupling arrangement

Номер патента: EP3751732C0. Автор: Mohamed ESMAEL. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-05-29.

VCO circuit, PLL circuit using VCO circuit, and data recording apparatus using the PLL circuit

Номер патента: TW200531030A. Автор: Masaki Sano,Kinji Kayanuma. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-09-16.

Push-pull low noise amplifier with variable gain, push-pull low noise amplifier with common gate bias circuit and amplifier with auxiliary matching

Номер патента: TW201228219A. Автор: Yu-Hsin Lin,Ming-Da Tsai. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2012-07-01.

Push-pull low noise amplifier with variable gain, push-pull low noise amplifier with common gate bias circuit and amplifier with auxiliary matching

Номер патента: US20120154045A1. Автор: Yu-Hsin Lin,Ming-Da Tsai. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

PAM-4 Baud-rate clock and data recovery circuit using stochastic phase detection technique

Номер патента: US11818240B2. Автор: Sung Ho Lee,Ha Ram JU,Deog Kyoon Jeong. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2023-11-14.

Digital to analog converter and bias circuit therefor

Номер патента: GB9800667D0. Автор: . Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1998-03-11.

Bias circuit, lna, lnb, receiver for communication, transmitter for communication, and sensor system

Номер патента: TW201138293A. Автор: Masahiko Maruyama. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2011-11-01.

Bias circuit and amplifier

Номер патента: EP4096090B1. Автор: Shintaro Shinjo,Masatake Hangai,Yutaro YAMAGUCHI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

Single-ended differential circuit using complementary devices

Номер патента: US20040100329A1. Автор: Bonkee Kim,Kwyro Lee,Ilku Nam. Владелец: Integrant Technologies Inc. Дата публикации: 2004-05-27.

Single-ended differential circuit using complementary devices

Номер патента: US20040095163A1. Автор: Bonkee Kim,Kwyro Lee,Ilku Nam. Владелец: Integrant Technologies Inc. Дата публикации: 2004-05-20.

Self-centering bias circuit for dc coupled class b transistor amplifier

Номер патента: US3426289A. Автор: Iqbal Singh Uppal. Владелец: Sylvania Electric Products Inc. Дата публикации: 1969-02-04.

Sampling circuit, use method of sampling circuit, storage medium, and electronic device

Номер патента: EP4436047A1. Автор: Hejie Yu. Владелец: Sanechips Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Transconductance bias circuit, amplifier and method

Номер патента: TW201109878A. Автор: zhi-heng Cao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-03-16.

Body bias circuit for current steering dac switches

Номер патента: EP3664299B1. Автор: Mayank Bothra. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-30.

ANALOG-TO-DIGITAL CONVERSION CIRCUIT USING COMPARATOR AND COUNTER, PHOTOELECTRIC CONVERSION APPARATUS USING COMPARATOR AND COUNTER, AND PHOTOELECTRIC CONVERSION SYSTEM USING COMPARATOR AND COUNTER

Номер патента: US20220141414A1. Автор: Kameyama Hiroaki,Nakamura Kohichi,Iwata Koichiro,Arishima Yu. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

Testing of on-chip analog-mixed signal circuits using on-chip memory

Номер патента: EP4307566A1. Автор: KUMAR ABHISHEK,Xiankun Jin,Mark Lehmann. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-01-17.

Reconfigurable wideband high-frequency circuits using non-reciprocal circulators

Номер патента: US20210384598A1. Автор: Matthew A. Morton,Jason C. SORIC,Zhaoyang C. WANG,Ajay Subramanian. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2021-12-09.

Reconfigurable wideband high-frequency circuits using non-reciprocal circulators

Номер патента: WO2021247185A1. Автор: Matthew A. Morton,Jason C. SORIC,Zhaoyang C. WANG,Ajay Subramanian. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2021-12-09.

Reconfigurable wideband high-frequency circuits using non-reciprocal circulators

Номер патента: EP4162565A1. Автор: Matthew A. Morton,Jason C. SORIC,Zhaoyang C. WANG,Ajay Subramanian. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-04-12.

Amplifier circuit using voltage-to-current conversion and associated envelope tracking supply modulator using the same

Номер патента: US11848646B2. Автор: Sung-Han Wen,Kuan-Ta Chen,Shih-Hsiung Chien. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Testing of on-chip analog-mixed signal circuits using on-chip memory

Номер патента: US11961577B2. Автор: KUMAR ABHISHEK,Xiankun Jin,Mark Lehmann. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Variable impedance circuit using cell arrays

Номер патента: WO2005025051A1. Автор: Hendrik Visser. Владелец: U.S. Philips Corporation. Дата публикации: 2005-03-17.

Front end automatic gain control circuit using a control word generator

Номер патента: US7239678B2. Автор: Syed Habib Rahman. Владелец: Terayon Communication Systems Inc. Дата публикации: 2007-07-03.

Clock and data recovery circuit using neural network circuit to obtain frequency difference information

Номер патента: EP4304093A1. Автор: Chien-Kai Kao,Tse-Hsien Yeh,Shih-Che Hung. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-01-10.

Testing of on-chip analog-mixed signal circuits using on-chip memory

Номер патента: US20240013848A1. Автор: KUMAR ABHISHEK,Xiankun Jin,Mark Lehmann. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Current sensing circuit using temperature self-compensated trans-resistance amplifier

Номер патента: US20220416740A1. Автор: Antonio SPINA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-12-29.

Front end automatic gain control circuit using a control word generator

Номер патента: US20060120492A1. Автор: Syed Rahman. Владелец: Terayon Communication Systems Inc. Дата публикации: 2006-06-08.

Push-pull low noise amplifier with variable gain, push-pull low noise amplifier with common gate bias circuit and amplifier with auxiliary matching

Номер патента: US20120154045A1. Автор: Yu-Hsin Lin,Ming-Da Tsai. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

Low noise bias circuit for a pll oscillator

Номер патента: US20130076450A1. Автор: Alvin Wang,Shaishav Desai,Chethan Rao. Владелец: Mosys Inc. Дата публикации: 2013-03-28.

Process-compensated hbt power amplifier bias circuits and methods

Номер патента: US20130344825A1. Автор: Hongxiao Shao,Peter J. Zampardi, JR.,Philip John Lehtola,David Steven Ripley,Tin Myint Ko,Matthew Thomas Ozalas. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2013-12-26.

BIAS CIRCUIT

Номер патента: US20150002223A1. Автор: Somada Ichiro,Okazaki Takao,Mochiduki Kenta. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

Bias circuit and power amplifier with selection function of power mode

Номер патента: US20150002224A1. Автор: SHINICHI IIZUKA,Youn Suk Kim,Young Jean SONG,Jun Goo WON,Ki Joong KIM,Myeong Woo HAN. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-01.

ACTIVE BIAS CIRCUIT

Номер патента: US20220006533A1. Автор: Kennan Wayne,Omori Toshi. Владелец: . Дата публикации: 2022-01-06.

BIAS CIRCUIT

Номер патента: US20180006608A1. Автор: Tanaka Satoshi,Adachi Tetsuaki,WATANABE Kazuo,YAMAMOTO Yasuhisa,NUMANAMI Masahito. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

Cascode Amplifier Bias Circuits

Номер патента: US20210013841A1. Автор: BARGROFF Keith,Englekirk Robert Mark,SHAPIRO Eric S.,Ranta Tero Tapio,Murphy Christopher C.,Klaren Jonathan James,Kovac David. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-14.

BIAS CIRCUIT

Номер патента: US20210013842A1. Автор: Soga Takashi. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-14.

PROCESS-COMPENSATED HBT POWER AMPLIFIER BIAS CIRCUITS AND METHODS

Номер патента: US20170019076A1. Автор: JR. Peter J.,Ripley David Steven,Zampardi,Ko Tin Myint,Lehtola Philip John,Ozalas Matthew Thomas,Shao Hongxiao. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-19.

Controllable Temperature Coefficient Bias Circuit

Номер патента: US20210026391A1. Автор: BARGROFF Keith,Englekirk Robert Mark,Ranta Tero Tapio,Murphy Christopher C.. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-28.

FLICKER NOISE ELIMINATION IN A DOUBLE BALANCED MIXER DC BIAS CIRCUIT

Номер патента: US20220045646A1. Автор: Dey Aritra,Pamir Tolga,Haroun Mostafa. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-10.

ENVELOPE TRACKING CURRENT BIAS CIRCUIT WITH OFFSET REMOVAL FUNCTION AND POWER AMPLIFIER

Номер патента: US20190028060A1. Автор: Kim Jeong Hoon,Jo Byeong Hak,HA Jong Ok. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-01-24.

BIAS CIRCUIT FOR HIGH EFFICIENCY COMPLIMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) POWER AMPLIFIERS

Номер патента: US20200028477A1. Автор: Esmael Mohamed Moussa Ramadan,ABDALLA Mohamed Ahmed Youssef. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-23.

BIAS CIRCUIT FOR LOW QUIESCENT CURRENT AMPLIFIER

Номер патента: US20170033748A1. Автор: CHOW Yut Hoong,Rajendran Jagadheswaran. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

BIAS CIRCUITS AND METHODS FOR DEPLETION MODE SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20170033749A1. Автор: SCHMUKLER Bruce C.. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

ACTIVE BIAS CIRCUIT FOR POWER AMPLIFIER, AND MOBILE TERMINAL

Номер патента: US20180034414A1. Автор: NIU Xu. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-01.

RADIO FREQUENCY (RF) AMPLIFIER BIAS CIRCUIT

Номер патента: US20220052656A1. Автор: Zhang Xiangdong,Wang Xinwei,HAU Yan Kit Gary,RYU Jisun,FU Guoqing,DU Chenliang. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

CONSTANT GM BIAS CIRCUIT INSENSITIVE TO SUPPLY VARIATIONS

Номер патента: US20150054586A1. Автор: Jaffari Nasrin. Владелец: Samsung Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-02-26.

WIDEBAND BIAS CIRCUITS AND METHODS

Номер патента: US20160056779A1. Автор: Cabanillas Jose,Presti Calogero Davide. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

BIAS-BOOSTING BIAS CIRCUIT FOR RADIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER

Номер патента: US20150061770A1. Автор: Luo Sifen,Nohra George,Burger Kerry. Владелец: TRIQUINT SEMICONDUCTOR, INC.. Дата публикации: 2015-03-05.

Bias circuit and power amplifier for improving linearity

Номер патента: US20200059202A1. Автор: Byeong Hak Jo,Jong Ok HA,Jeong Hoon Kim,Young Wong JANG. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

WIDEBAND BIAS CIRCUITS AND METHODS

Номер патента: US20150070095A1. Автор: Cabanillas Jose,Presti Calogero Davide. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-03-12.

Envelope tracking bias circuit

Номер патента: US20190068122A1. Автор: Byeong Hak Jo,Jong Ok HA,Jeong Hoon Kim. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

BIAS CIRCUIT

Номер патента: US20190074796A1. Автор: Soga Takashi. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-07.

BIAS CIRCUIT, OPERATIONAL AMPLIFIER, AND DELTA SIGMA TYPE AD CONVERTER

Номер патента: US20160079924A1. Автор: Imai Shigeo,Nakatsuka Shinji,Ogawa Yosuke. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

SEGMENTED POWER AMPLIFIER ARRANGEMENTS WITH FEEDFORWARD ADAPTIVE BIAS CIRCUITS

Номер патента: US20220094306A1. Автор: Esmael Mohamed Moussa Ramadan. Владелец: Analog Devices International Unlimited Company. Дата публикации: 2022-03-24.

Cascode Amplifier Bias Circuits

Номер патента: US20180083578A1. Автор: Murphy Christopher,Nobbe Dan William,BARGROFF Keith,Englekirk Robert Mark,Calanca Neil,SHAPIRO Eric S.,Ranta Tero Tapio,Kovac David,Ayranci Emre,Wagh Poojan,Klaren Jonathan. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

BIAS CIRCUIT AND POWER AMPLIFIER WITH DUAL-POWER MODE

Номер патента: US20140167861A1. Автор: SONG Young Jean. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-06-19.

SCHOTTKY ENHANCED BIAS CIRCUIT

Номер патента: US20160094184A1. Автор: Ripley David Steven. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-31.

POWER AMPLIFIER BIAS CIRCUIT

Номер патента: US20160094189A1. Автор: LYALIN Aleksey A.. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-31.

Optical receivers with dc cancellation bias circuit and embedded offset cancellation

Номер патента: US20200092010A1. Автор: Abdelrahman Ahmed,Alexander Rylyakov,Ariel Leonardo Vera Villarroel. Владелец: Elenion Technologies LLC. Дата публикации: 2020-03-19.

BIAS CIRCUIT AND AMPLIFIER DEVICE

Номер патента: US20220173707A1. Автор: CHEN Chih-Sheng,Peng Tien-Yun. Владелец: RICHWAVE TECHNOLOGY CORP.. Дата публикации: 2022-06-02.

BIAS CIRCUIT

Номер патента: US20210126586A1. Автор: Soga Takashi. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-29.

ENVELOPE TRACKING CURRENT BIAS CIRCUIT AND POWER AMPLIFYING DEVICE

Номер патента: US20190115872A1. Автор: Kim Jeong Hoon,Jo Byeong Hak,HA Jong Ok. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-04-18.

Microphone assembly having a direct current bias circuit

Номер патента: US20210144486A1. Автор: Raminder Jit Singh,Jose Prado. Владелец: Knowles Electronics LLC. Дата публикации: 2021-05-13.

SEMICONDUCTOR AMPLIFIER BIAS CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR AMPLIFIER DEVICE

Номер патента: US20160126897A1. Автор: TAKAGI Kazutaka. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2016-05-05.

ENVELOPE TRACKING CURRENT BIAS CIRCUIT AND POWER AMPLIFIER APPARATUS

Номер патента: US20180123528A1. Автор: Kim Jeong Hoon,Jo Byeong Hak,Kim Youn Suk,HA Jong Ok. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2018-05-03.

Controllable Temperature Coefficient Bias Circuit

Номер патента: US20190121383A1. Автор: BARGROFF Keith,Englekirk Robert Mark,Ranta Tero Tapio,Murphy Christopher C.. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-25.

MULTIMODE POWER AMPLIFIER BIAS CIRCUIT WITH SELECTABLE BANDWIDTH

Номер патента: US20150133186A1. Автор: BANOWETZ Matthew Lee,Thompson Philip H.,BAIRAVASUBRAMANIAN Ramanan,GERARD Michael Lynn. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-14.

ENVELOPE TRACKING BIAS CIRCUIT AND POWER AMPLIFYING DEVICE

Номер патента: US20190123689A1. Автор: Kim Jeong Hoon,Jo Byeong Hak,HA Jong Ok. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-04-25.

BIAS CIRCUIT

Номер патента: US20140210557A1. Автор: Bouny Jean-Jacques. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2014-07-31.

Bias circuit and amplifier with current limit function

Номер патента: US20140232459A1. Автор: SHINICHI IIZUKA,Ju Young Park,Youn Suk Kim,Young Jean SONG,Jun Goo WON,Ki Joong KIM,Myeong Woo HAN. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-21.

Bias circuit and amplifier controlling bias voltage

Номер патента: US20140240049A1. Автор: SHINICHI IIZUKA,Ju Young Park,Youn Suk Kim,Jun Goo WON,Ki Joong KIM,Myeong Woo HAN. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-28.

OPEN LOOP PROCESS AND TEMPERATURE INDEPENDENT BIAS CIRCUIT FOR STACKED DEVICE AMPLIFIERS

Номер патента: US20220302881A1. Автор: Kormanyos Brian K.,Thomas Chris M.. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-22.

Cascode Amplifier Bias Circuits

Номер патента: US20190158031A1. Автор: Robert Mark Englekirk,Tero Tapio Ranta,David Kovac,Eric S. Shapiro,Christopher C. Murphy,Keith Bargroff,Jonathan James Klaren. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

BIAS CIRCUIT

Номер патента: US20200153390A1. Автор: LIN Gao-Ching,LI Wei-Tsung. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

BIAS CIRCUIT

Номер патента: US20180167035A1. Автор: Soga Takashi. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-14.

Gain Compensation Device and Bias Circuit Device

Номер патента: US20220311402A1. Автор: Ni Jianxing,Feng Jinghao. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-29.

BIAS CIRCUIT

Номер патента: US20190173432A1. Автор: YANG XIN,van der Heijden Mark Pieter,de Jong Gerben Willem. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-06.

Bias Circuit for a Transistor Amplifier

Номер патента: US20160190992A1. Автор: Praamsma Louis,Ridgers Timothy John. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

AMPLIFIER HAVING A SWITCHABLE CURRENT BIAS CIRCUIT

Номер патента: US20190190456A1. Автор: Bettencourt John P.,Lardizabal Steven M.,Kaper Valery S.. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2019-06-20.

BIAS CIRCUIT AND AMPLIFIER

Номер патента: US20200186093A1. Автор: Kim Jong Myeong,SEONG Nack Gyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-06-11.

Power amplifier with integrated bias circuit having multi-point input

Номер патента: US20200186096A1. Автор: Xin Fu,Xavier Hue,Margaret Szymanowski. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Amplifier bias circuit

Номер патента: US20160211804A1. Автор: Shu-Hsien Liao,Cheng-han WANG,Feipeng Wang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-07-21.

BIAS CIRCUIT AND AMPLIFIER

Номер патента: US20140300419A1. Автор: Mitomo Toshiya,Itakura Tetsuro,WANG Tong,SAIGUSA Shigehito,Kawai Shusuke,HOSOYA Masahiro. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-09.

POWER AMPLIFIER SYSTEM AND ASSOCIATED BIAS CIRCUIT

Номер патента: US20170214369A1. Автор: Tsai Ming-Da,TSENG Chien-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-27.

Adaptive Bias Circuit For A Radio Frequency (RF) Amplifier

Номер патента: US20170222608A1. Автор: Chang-Ho Lee,Minsik Ahn,Woonyun Kim,Jeongwon Cha. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-08-03.

Mixer bias circuit

Номер патента: US20200212845A1. Автор: Chan Ka-Un,WU Chao-Huang,YEH RONG-FU. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

POWER AMPLIFIER BIAS CIRCUIT WITH A MIRROR DEVICE TO PROVIDE A MIRROR BIAS SIGNAL

Номер патента: US20180226925A1. Автор: LYALIN Aleksey A.. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

WIDEBAND ADAPTIVE BIAS CIRCUITS FOR POWER AMPLIFIERS

Номер патента: US20170230006A1. Автор: FONG Keng Leong,WU I-chang,Song Fei,Chee YuenHui,"Shanaa Osama K.A.",Lu Chiyuan,Yu Hsing-ting. Владелец: MEDIATEK INC.. Дата публикации: 2017-08-10.

AUTO-BIAS CIRCUIT FOR STACKED FET POWER AMPLIFIER

Номер патента: US20170230015A1. Автор: Roberg Michael. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-10.

BIAS CIRCUITS AND METHODS FOR STACKED DEVICES

Номер патента: US20150244322A1. Автор: Hur Joonhoi,Draxler Paul Joseph,CASSIA Marco,PRESTI Calogero. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

ADAPTIVE BIAS CIRCUIT AND POWER AMPLIFIER

Номер патента: US20150244326A1. Автор: JEONG Chan Yong,Hong Song Cheol,KIM Gyu Suck,JOO Tae Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

APPARATUS AND METHODS FOR POWER AMPLIFIER BIAS CIRCUITS

Номер патента: US20160248386A1. Автор: Lam Lui. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-25.

DIGITAL DYNAMIC BIAS CIRCUIT

Номер патента: US20180241347A1. Автор: PETROVIC BRANISLAV A,BUER KENNETH V,BREWER KENNETH P,KENT STEVE L,JALALEDDINE SATEH. Владелец: VIASAT, INC.. Дата публикации: 2018-08-23.

CONSTANT TRANSCONDUCTANCE BIAS CIRCUIT

Номер патента: US20150256131A1. Автор: WANG Yu-Jiu,CHU Ching-Yun. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-10.

OPTICAL RECEIVERS WITH DC CANCELLATION BIAS CIRCUIT AND EMBEDDED OFFSET CANCELLATION

Номер патента: US20200235820A1. Автор: Rylyakov Alexander,Ahmed Abdelrahman,Vera Villarroel Ariel Leonardo. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-23.

SENSE AMPLIFIERS INCLUDING BIAS CIRCUITS

Номер патента: US20140354361A1. Автор: Lee Seong-Hoon. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-04.

SCHOTTKY ENHANCED BIAS CIRCUIT

Номер патента: US20180269838A1. Автор: Ripley David Steven. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-20.

Bias circuit

Номер патента: US20180275709A1. Автор: Chih-Sheng Chen,Tien-Yun Peng,Jhao-Yi Lin. Владелец: Richwave Technology Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

BIAS CIRCUIT

Номер патента: US20200266763A1. Автор: Soga Takashi. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-20.

Bias Circuit Based on BiFET Technology for Supplying a Bias Current to an RF Power Amplifier

Номер патента: US20200266767A1. Автор: WU Chih-Wen,Chu Szu-Yao. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-20.

Bias circuit for radio-frequency amplifier

Номер патента: US20170294880A1. Автор: Matthew Lee BANOWETZ,Michael Lynn Gerard,Ramanan Bairavasubramanian,Dwayne Allen ROWLAND. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-10-12.

BIAS CIRCUIT FOR POWER AMPLIFIER

Номер патента: US20170294881A1. Автор: QUAGLIETTA Tony. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-12.

DYNAMICALLY CONFIGURABLE BIAS CIRCUIT FOR CONTROLLING GAIN EXPANSION OF MULTI-MODE, SINGLE CHAIN LINEAR POWER AMPLIFIERS

Номер патента: US20180294779A1. Автор: Allen Wade C.. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-11.

Microphone bias circuit

Номер патента: US20150311879A1. Автор: Kenta Yamada,Hirotsugu EGO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-10-29.

BIAS CIRCUIT AND AMPLIFYING DEVICE WITH BIAS COMPENSATION FUNCTION

Номер патента: US20200287510A1. Автор: Park Sang Wook,Park Sung Hwan,Kim Hyun Jun,Hwang Bo Hyun,Kim Ki Joong,Won Jun Goo,NO Dae Hee,PARK Da Hye,TONAMI Yoshiyuki. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-09-10.

CONSTANT TRANSCONDUCTANCE BIAS CIRCUIT

Номер патента: US20160315593A1. Автор: WANG Yu-Jiu,CHU Ching-Yun. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

BIAS CIRCUIT AND AMPLIFYING DEVICE HAVING TEMPERATURE COMPENSATION FUNCTION

Номер патента: US20200304077A1. Автор: Pyo Seung Chul,Hwang Hyeon Seok,KIM Seong Geun,LEE Geun Yong. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-09-24.

SENSOR BIAS CIRCUIT FOR IMPROVED NOISE PERFORMANCE

Номер патента: US20180323750A1. Автор: "ODONNELL John Jude",Wang Hanqing. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-08.

Power amplifier bias circuit having parallel emitter follower

Номер патента: US20150349715A1. Автор: Matthew Lee BANOWETZ,Michael Lynn Gerard,Ramanan Bairavasubramanian,Dwayne Allen ROWLAND. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2015-12-03.

ENVELOPE-TRACKING CURRENT BIAS CIRCUIT WITH OFFSET CANCELLATION FUNCTION

Номер патента: US20180342984A1. Автор: Kim Jeong Hoon,Jo Byeong Hak,HA Jong Ok. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2018-11-29.

Bias circuit and amplifying device with dual compensation

Номер патента: US20200336115A1. Автор: Kyu Jin Choi,Je Hee CHO. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-22.

BIAS CIRCUIT AND AMPLIFYING DEVICE WITH TEMPERATURE COMPENSATION

Номер патента: US20200336116A1. Автор: CHOI Kyu Jin,CHO Je Hee. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-10-22.

Bias Circuit for Supplying a Bias Current to an RF Power Amplifier

Номер патента: US20200350881A1. Автор: WU Chih-Wen,Lin Po Chang,Tseng Chun Hua. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-05.

BIAS CIRCUIT AND AMPLIFICATION APPARATUS

Номер патента: US20190372527A1. Автор: Endoh Tetsuo,Tanoi Satoru. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-05.

SCHOTTKY ENHANCED BIAS CIRCUIT

Номер патента: US20190379332A1. Автор: Ripley David Steven. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-12.

BIAS CIRCUIT

Номер патента: US20190386620A1. Автор: Wang Yi-Fong. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-19.

DUAL LOOP BIAS CIRCUIT WITH OFFSET COMPENSATION

Номер патента: US20200393706A1. Автор: Lim Daihyun,Rylyakov Alexander,Ahmed Abdelrahman,Vera Villarroel Ariel Leonardo. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-17.

COUPLING A BIAS CIRCUIT TO AN AMPLIFIER USING AN ADAPTIVE COUPLING ARRANGEMENT

Номер патента: US20200395894A1. Автор: Esmael Mohamed. Владелец: Analog Devices International Unlimited Company. Дата публикации: 2020-12-17.

BIAS CIRCUIT

Номер патента: US20190393840A1. Автор: HASHINAGA Tatsuya,TANGO Hideki,TSUJI Harutoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2019-12-26.

BIAS CIRCUIT AND AMPLIFIER

Номер патента: US20220360234A1. Автор: SHINJO Shintaro,HANGAI Masatake,YAMAGUCHI Yutaro. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2022-11-10.

CASCODE AMPLIFIER BIAS CIRCUITS

Номер патента: US20220368287A1. Автор: BARGROFF Keith,Englekirk Robert Mark,SHAPIRO Eric S.,Ranta Tero Tapio,Murphy Christopher C.,Klaren Jonathan James,Kovac David. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-17.

ADAPTIVE BIAS CIRCUITS AND METHODS FOR CMOS MILLIMETER-WAVE POWER AMPLIFIERS

Номер патента: US20220416726A1. Автор: ROSTOMYAN Narek,Asbeck Peter M.,Alluri Sravya,Rabet Seyed Bagher. Владелец: . Дата публикации: 2022-12-29.

Active bias circuit for operating push-pull amplifiers in class A mode

Номер патента: US3995228A. Автор: Nelson S. Pass. Владелец: Threshold Corp. Дата публикации: 1976-11-30.

Bias circuit

Номер патента: JPS5314541A. Автор: Koichi Yamada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1978-02-09.

Envelope tracking current bias circuit and power amplifying device

Номер патента: KR102093152B1. Автор: 김정훈,조병학,하종옥. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2020-03-25.

Adaptive bias circuit and power amplifier

Номер патента: KR102000759B1. Автор: 홍성철,김규석,정찬용,주태환. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2019-07-17.

Bias circuit and power amplifier having the same

Номер патента: KR101792271B1. Автор: 박주영,김기중,김윤석,송영진,한명우,신이치 이이쯔까,원준구. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2017-11-01.

Apd bias circuit

Номер патента: JPS5838041A. Автор: Shinichi Suzuki,新一 鈴木. Владелец: Asahi Kogaku Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 1983-03-05.

A bias circuit for a transistor amplifier

Номер патента: CN104935274A. Автор: 蒂莫西·里奇斯,路易斯·普拉姆斯玛. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2015-09-23.

Improved power amplifier bias circuit having parallel emitter follower

Номер патента: KR102428154B1. Автор: 마이클 린 제라드,라마난 바이라바수브라마니안,드웨인 앨런 롤랜드,매튜 리 바노웨츠. Владелец: 스카이워크스 솔루션즈, 인코포레이티드. Дата публикации: 2022-08-02.

Bias circuit for amplifier

Номер патента: JPS5547708A. Автор: Ryuichi Fukuda,Yutaka Nanami. Владелец: Nippon Columbia Co Ltd. Дата публикации: 1980-04-04.

A temperature compensated bias circuit for a power amplifier

Номер патента: KR100654646B1. Автор: 김정현,전문석,정상화. Владелец: 아바고테크놀로지스코리아 주식회사. Дата публикации: 2006-12-08.

CLICK / POP FREE BIAS CIRCUIT

Номер патента: KR960701506A. Автор: 파르비즈 개파리포. Владелец: 내쇼날 세미컨덕터 코포레이션. Дата публикации: 1996-02-24.

Envelope tracking current bias circuit and power amplifying device

Номер патента: KR20190042888A. Автор: 김정훈,조병학,하종옥. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2019-04-25.

Bias circuit and low noise amplifier

Номер патента: CN107404291B. Автор: 冯昊,李小勇,李旋. Владелец: Shanghai Weile Microelectronic Co ltd. Дата публикации: 2020-09-11.

Bias circuit of field effect transistor

Номер патента: JPS55682A. Автор: Katsuaki Tsurushima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1980-01-07.

Fet bias circuit

Номер патента: KR100712430B1. Автор: 히로노리 사카모토,타마키 혼다,타케토 타카하시. Владелец: 일본무선주식회사. Дата публикации: 2007-04-27.

Millimeter-wave amplifier and bias circuit for the same

Номер патента: KR101094359B1. Автор: 강동민,김동영,장우진,김해천,임종원,이상흥,문재경,안호균,남은수,지홍구. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2011-12-15.

Linearizing Bias Circuit for GaN MMIC Amplifier

Номер патента: KR101891619B1. Автор: 노윤섭,최윤호,염인복. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2018-08-27.

Adaptive bias circuit for power amplifier

Номер патента: KR100550930B1. Автор: 노윤섭,박철순. Владелец: 학교법인 한국정보통신학원. Дата публикации: 2006-02-13.

Process-compensated hbt power amplifier bias circuits and mehtods

Номер патента: KR101944337B1. Автор: 데이비드 스티븐 리플리,필립 존 레톨라,주니어 피터 제이. 잠파디,홍시아오 샤오,틴 민트 코,매튜 토마스 오잘라스. Владелец: 스카이워크스 솔루션즈, 인코포레이티드. Дата публикации: 2019-02-01.

Self-adaptive bias circuit for power amplifier chip

Номер патента: CN111262534A. Автор: 杜琳. Владелец: Xi'an Borui Jixin Electronic Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-06-09.

Adaptive bias circuit for controlling operation of amplifier and power amplifier system

Номер патента: CN101764580B. Автор: 李洞护,安奎焕,李彰浩,乔伊·拉斯卡尔,韩正侯. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2013-09-18.

Fixed bias circuit

Номер патента: JPS61157106A. Автор: ジヤン‐クリストフ・ザルニツク,ルネ・デイオツト. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1986-07-16.

Gate bias circuit for MOS charge coupled devices

Номер патента: US20050280025A1. Автор: Michael Anthony,Jeff Venuti. Владелец: Kenet LLC. Дата публикации: 2005-12-22.

Gate bias circuit mos charge coupled devices

Номер патента: WO2006009895A3. Автор: Michael P Anthony,Jeff Venuti. Владелец: Kenet Inc. Дата публикации: 2006-08-10.

Gate bias circuit mos charge coupled devices

Номер патента: WO2006009895A2. Автор: Michael P. Anthony,Jeff Venuti. Владелец: Kenet, Inc.. Дата публикации: 2006-01-26.

Magnetic bead, bias circuit, optical module, and communication device

Номер патента: EP4443449A1. Автор: Zhiwei Li,Wenjun SHI,Lihui Hu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Integrated circuit device body bias circuits and methods

Номер патента: US09853019B2. Автор: Lawrence T. Clark,David A. Kidd,Augustine Kuo. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Power up body bias circuits and methods

Номер патента: US09710006B2. Автор: Edward J. Boling. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Integrated circuit device body bias circuits and methods

Номер патента: US09548086B2. Автор: Lawrence T. Clark,David A. Kidd,Augustine Kuo. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Laser transmitter bias circuit

Номер патента: US20030002550A1. Автор: Marcel Schemmann,Venkatesh Mutalik. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-01-02.

Bias circuit and method for operating the same

Номер патента: WO2006065013A3. Автор: U Hyun Kim. Владелец: U Hyun Kim. Дата публикации: 2007-09-20.

Bias circuit for a switching power supply

Номер патента: US20100109754A1. Автор: Victor M. Simi. Владелец: Osram Sylvania Inc. Дата публикации: 2010-05-06.

Laser diode coupling and bias circuit and method

Номер патента: US5706303A. Автор: Zachary Andrew Lawrence. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-01-06.

Ac coupled bias circuit for power converters

Номер патента: WO2007019086A2. Автор: David A. Williams,Ramanujam Ramabhadran. Владелец: Power-One, Inc.. Дата публикации: 2007-02-15.

Polyester flex circuit constructions and fabrication methods for ink-resistant flex circuits used in ink jet printing

Номер патента: WO2007027604A1. Автор: Terry F. Hayden,Matthew P. Jones,Daniel F. Mcclure,Robert E. Loftis. Владелец: Innovex, Inc.. Дата публикации: 2007-03-08.

Fault detection in a LED bias circuit

Номер патента: US20020141125A1. Автор: Kenneth Stafford. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2002-10-03.

An apd bias circuit with dual analog feedback loop control

Номер патента: US20240271998A1. Автор: HAIMIN TAO,Aleksandar Sevo,Karnekumar ARULANDU,Christian Jordan. Владелец: Signify Holding BV. Дата публикации: 2024-08-15.

An apd bias circuit with dual analog feedback loop control

Номер патента: EP4352792A1. Автор: HAIMIN TAO,Aleksandar Sevo,Karnekumar ARULANDU,Christian Jordan. Владелец: Signify Holding BV. Дата публикации: 2024-04-17.

Ferrite bead, bias circuit, optical module, and communication device

Номер патента: US20240347261A1. Автор: Zhiwei Li,Wenjun SHI,Lihui Hu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Multi-level power factor correction circuit using hybrid devices

Номер патента: WO2019011341A1. Автор: Dianbo Fu,Heping Dai,Xiaolin Mao. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-01-17.

Semiconductor device with mode designation and substrate bias circuits

Номер патента: US9646679B2. Автор: Nobuyuki Sugii,Takumi Hasegawa,Shiro Kamohara,Yasushi Yamagata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Bias circuit with improved noise performance

Номер патента: US11985442B2. Автор: Francisco Tejada,Stephen Holden Black,Paul Richard Behmen. Владелец: NU-TREK Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Devices and Methods for Radiation Hardening Integrated Circuits Using Shallow Trench Isolation

Номер патента: US20200357681A1. Автор: Emily Ann Donnelly. Владелец: Tallannquest dba Apogee Semiconductor LLC. Дата публикации: 2020-11-12.

Memory circuit using oxide semiconductor

Номер патента: US11996133B2. Автор: Munehiro KOZUMA,Fumika AKASAWA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Electrically conductive adhesive, electronic circuit using the same, and method for manufacturing such electronic circuit

Номер патента: US20230319988A1. Автор: Toshio Nakatani,Hideaki Minamiyama. Владелец: Toyo Aluminum KK. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory circuit using resistive random access memory arrays in a secure element

Номер патента: US09588908B2. Автор: Bertrand F. Cambou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for controlling synchronous rectifier of power converter and control circuit using the same

Номер патента: US09509224B2. Автор: Ta-Yung Yang,Chou-Sheng Wang,Tse-Jen Tseng. Владелец: Fairchild Taiwan Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Bias circuit for an avalanche photodiode

Номер патента: US4730128A. Автор: Yoshihito Seki. Владелец: Iwatsu Electric Co Ltd. Дата публикации: 1988-03-08.

Integrated device with AC to DC conversion function and integrated circuit using same

Номер патента: US8354826B2. Автор: Jeng-Feng Lan,Shang-Ming Hung,Chien-Teng Huang. Владелец: Chip Goal Electronics Corp ROC. Дата публикации: 2013-01-15.

Integrated device with AC to DC conversion function and integrated circuit using same

Номер патента: US20100296323A1. Автор: Jeng-Feng Lan,Shang-Ming Hung,Chien-Teng Huang. Владелец: Chip Goal Electronics Corp ROC. Дата публикации: 2010-11-25.

Packaging plate for magnetic circuit, method for packaging magnetic circuit using the same, and magnetic circuit package

Номер патента: US20050052266A1. Автор: Yuhito Doi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-10.

Copper foil for high frequency circuit, method of production and apparatus for production of same, and high frequency circuit using copper foil

Номер патента: US20070042212A1. Автор: Yuuji Suzuki,Akira Matsuda,Takami Moteki,Kazuhiro Hoshino,Kensaku Shinozaki. Владелец: Furukawa Circuit Foil Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-22.

Circuit, use, and method for controlling a receiver circuit

Номер патента: US20100215131A1. Автор: Ulrich Grosskinsky,Werner Blatz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-26.

Dc bias suppression method and high-frequency power conversion circuit using the same

Номер патента: US20240322664A1. Автор: HONG Liu,Wen Zhang,Baihui SONG. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Circuit, Use, and Method for Controlling a Receiver Circuit

Номер патента: US20140112419A1. Автор: Ulrich Grosskinsky,Werner Blatz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-04-24.

Memory circuit using dynamic random access memory arrays

Номер патента: US09804974B2. Автор: Bertrand F. Cambou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-31.

Methods for fabricating guide patterns and methods for fabricating integrated circuits using such guide patterns

Номер патента: US09455154B2. Автор: Gerard M. Schmid,Richard Farrell. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Boost PFC converter, method and control circuit used for boost PFC converter

Номер патента: US09444327B2. Автор: Sicong Lin. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Methods for fabricating integrated circuits using designs of integrated circuits adapted to directed self-assembly fabrication to form via and contact structures

Номер патента: US09305834B1. Автор: Ji xU,Azat Latypov. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-04-05.

Power supply and electric circuit using this power supply

Номер патента: RU2218653C2. Автор: Роберт РАЙНЕР,Михель СМОЛА,Херберт ПАЛЬМ. Владелец: Инфинеон Текнолоджиз Аг. Дата публикации: 2003-12-10.

Generation of scattered sound for binaural coding circuits using key information

Номер патента: RU2384014C2. Автор: Юрген ХЕРРЕ,Кристоф ФАЛЛЕР,Саша ДИШ,Эрик АЛЛАМАНХЕ. Владелец: Эйджир Системс Инк.. Дата публикации: 2010-03-10.

Molecular electric wire, molecular electric wire circuit using the same and process for producing the molecular electric wire circuit

Номер патента: US20060119921A1. Автор: Takatoshi Kinoshita,Shintaro Washizu. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-08.

Integrated circuit using an insulated gate field effect transistor

Номер патента: CA1091815A. Автор: Minoru Yamamoto,Masaichi Shinoda,Tetsuo Nakamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1980-12-16.

Security circuit using at least two finite state machine units and methods using the same

Номер патента: US20070171754A1. Автор: Jae-Chul Park,Kyung-Wan Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-26.

Integrated digital multiplier circuit using current mode logic

Номер патента: CA1110773A. Автор: John J. Muramatsu. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1981-10-13.

Logic circuits using vertical transistors with backside source or drain regions

Номер патента: WO2024005789A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Pushkar Sharad RANADE. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2024-01-04.

Methods for fabricating integrated circuits using non-oxidizing resist removal

Номер патента: US20130029464A1. Автор: Thomas Feudel,Stefan Flachowsky,Steven Langdon. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-31.

Control circuit used for circuit breaker, and electronic device

Номер патента: EP4207235A1. Автор: Jian Wu,Ara BISSAL,Shuai Wang,Zhen Xu. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-05.

On-chip ESD protection circuit using enhancement-mode HEMT/MESFET technology

Номер патента: US20080080108A1. Автор: Yu-Chi Wang,Joseph Liu,Cheng-Kuo Lin,Jean Sun. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2008-04-03.

Cookware detection circuit using half-bridge drive heating, heating device, cookware detection method, and storage medium

Номер патента: US20240057811A1. Автор: Jun LEI,Yunfeng Wang,Deyong JIANG,Wenhua Liu,Lutian ZENG,Chengbin ZHU. Владелец: Foshan Shunde Midea Electrical Heating Appliances Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Logic circuits using vertical transistors with backside source or drain regions

Номер патента: US20230422496A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Pushkar Sharad RANADE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Devices and Methods for Radiation Hardening Integrated Circuits Using Shallow Trench Isolation

Номер патента: US20200090981A1. Автор: Emily Ann Donnelly. Владелец: Tallannquest dba Apogee Semiconductor LLC. Дата публикации: 2020-03-19.

Variable inductor and integrated circuit using the variable inductor

Номер патента: US20190189556A1. Автор: Yen-Cheng Kuan,Chien-Te Yu,Ching-Wen Chiang,Chia-Jen Liang. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2019-06-20.

Method and apparatus for generating grover oracle quantum circuit, and grover oracle quantum circuit using the same

Номер патента: US20240070505A1. Автор: You-Seok Lee. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-02-29.

Surface emitting laser and photodiode, manufacturing method therefor, and optoelectric integrated circuit using the surface emitting laser and the photodiode

Номер патента: US6687268B2. Автор: Takeo Kaneko,Atsushi Harada,Tsugio Ide,Shojiro Kitamura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-02-03.

Floating battery feed circuit using multifilar transformer

Номер патента: CA1296767C. Автор: Howard Frank Jirka. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1992-03-03.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit using a selective disposable spacer technique and semiconductor integrated circuit manufactured thereby

Номер патента: US20060118855A1. Автор: Sang-eun Lee,Yun-Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-08.

Method for making multilayer circuits using embedded catalyst receptors

Номер патента: CA1275740C. Автор: Roxy N. Fan,John A. Quinn,Abraham B. Cohen. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 1990-10-30.

Receiver circuit using nanotube-based switches and transistors

Номер патента: CA2570429C. Автор: Claude L. Bertin. Владелец: Nantero Inc. Дата публикации: 2011-09-13.

Latch-up protection circuit for integrated circuits using complementary mos circuit technology

Номер патента: US4791317A. Автор: Werner Reczek,Josef Winnerl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1988-12-13.

Control of Lamp Striking Voltage and Recovery of Energy From Resonant Lamp Strike Circuits Used for Electronic High Intensity Discharge Lamp Ballasting and Other Lamp Ballasts

Номер патента: US20100052553A1. Автор: Simon Richard Greenwood,Stephen Soar. Владелец: Greenwood Soar IP Ltd. Дата публикации: 2010-03-04.

Diversity circuit and frame phase (or sampling timing) estimation circuit using the diversity circuit

Номер патента: CA2037824C. Автор: Hiroshi Kubo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-11-09.

Transmission circuit using strip line in three dimensions

Номер патента: US6023211A. Автор: Junichi Somei. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2000-02-08.

Latch-up protection circuit for integrated circuits using complementary MOS circuit technology

Номер патента: US4791316A. Автор: Werner Reczek,Wolfgang Pribyl,Josef Winnerl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1988-12-13.

Sampling method and data recovery circuit using the same

Номер патента: US8139697B2. Автор: Hai Thanh Nguyen,Wei-Liang Chen,Yuan-Hui Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-03-20.

Latch-up protection circuit fo integrated circuits using complementarymos circuit technology

Номер патента: CA1275456C. Автор: Werner Reczek,Wolfgang Pribyl,Josef Winnerl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1990-10-23.

Power antenna control circuit used in vehicle

Номер патента: US4414551A. Автор: Taketsugu Torii,Kazuhiro Tadauchi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 1983-11-08.

Semiconductor wafers employing a fixed-coordinate metrology scheme and methods for fabricating integrated circuits using the same

Номер патента: US9318399B2. Автор: Soon Yoeng Tan,Hui Leang Ong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-04-19.

Receiving circuit, use, and method for receiving an encoded and modulated radio signal

Номер патента: US20100208849A1. Автор: Ulrich Grosskinsky. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-19.

Receiving circuit, use, and method for receiving an encoded and modulated radio signal

Номер патента: US8594259B2. Автор: Ulrich Grosskinsky. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2013-11-26.

Electrostatic discharge protection circuit using a double-triggered silicon controlling rectifier

Номер патента: US20080054297A1. Автор: Ming-Dou Ker,Kuo-Chun Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-06.

Dual gate dielectric thickness devices and circuits using dual gate dielectric thickness devices

Номер патента: US7615827B2. Автор: Brent A. Anderson,Terence B. Hook. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-11-10.

Transposable feedback field-effect electronic device and array circuit using the same

Номер патента: US20200075094A1. Автор: Sang Sig Kim,Kyoung Ah Cho,Jin Sun CHO,Doo Hyeok LIM,Sol A WOO. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2020-03-05.

Control circuit used for circuit breaker, and electronic device

Номер патента: US20230215673A1. Автор: Jian Wu,Ara BISSAL,Shuai Wang,Zhen Xu. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Feedback field-effect array device capable of converting between volatile and non-volatile operations and array circuit using the same

Номер патента: US20200075098A1. Автор: Hyun Gu Kang,Sang Sig Kim,Kyoung Ah Cho,Jin Sun CHO,Doo Hyeok LIM,Sol A WOO,Yoon Joong KIM. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2020-03-05.

Programming circuit using antifuse

Номер патента: US20120182814A1. Автор: Mi Hyun Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-07-19.

Match-insensitive low-current bias circuit

Номер патента: US6201377B1. Автор: Don R. Sauer. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-03-13.

Cmos bias circuit

Номер патента: US20100231289A1. Автор: Kan Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Fast start-up bias circuits

Номер патента: EP3566109A1. Автор: Paloyvind REICHELT. Владелец: Disruptive Technologies Research AS. Дата публикации: 2019-11-13.

Low headroom cascode bias circuit for cascode current mirrors

Номер патента: WO2024102255A1. Автор: Andrew Weil. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-05-16.

Low headroom cascode bias circuit for cascode current mirrors

Номер патента: US20240152170A1. Автор: Andrew Weil. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Resistivity sense bias circuits and methods of operating the same

Номер патента: US20080278859A1. Автор: Motomu Hashizume,Naoko Takemoto. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-11-13.

Automatic Bias Circuit for Sense Amplifier

Номер патента: US20090002058A1. Автор: Shine Chung,Fu-Lung Hsueh,Po Yao Ker. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2009-01-01.

Bias circuit for maintaining a constant value of transconductance divided by load capacitance

Номер патента: CA2437193C. Автор: Seyfollah Bazarjani,Jeremy Goldblatt. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2009-05-26.

Laser receiving circuit and LiDAR wherein the reverse DC voltage signals from a DC bias circuit and the AC voltage signals from an amplifier circuit are superimposed

Номер патента: US11835650B2. Автор: Xiaojun Zhou. Владелец: Suteng Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Bias circuit for multifunction bipolar integrated circuits

Номер патента: CA1226340A. Автор: Marco Siligoni,Vanni Poletto,Valerio Giorgetta,Mario Sartori. Владелец: CSELT Centro Studi e Laboratori Telecomunicazioni SpA. Дата публикации: 1987-09-01.

Low noise 3V/5V CMOS bias circuit

Номер патента: US5705921A. Автор: Ping Xu. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-01-06.

Photodiode bias circuit

Номер патента: WO2001063747A1. Автор: Gunnar Forsberg. Владелец: Telefonaktiebolaget lM Ericsson (publ). Дата публикации: 2001-08-30.

Memory system having a source bias circuit

Номер патента: US20190333575A1. Автор: Nihaar N. Mahatme,Alexander Hoefler. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Recommending changes in the design of an integrated circuit using a rules-based analysis of failures

Номер патента: WO2024078160A1. Автор: Charles Gates,Kerim Kalafala,Steven Joseph Kurtz,Chaitra M. Bhat,Morgan D. Davis,SheshaShayee K. Raghunathan,Debra Dean,Chris Cavitt,Richard William Taggart. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-04-18.

Voltage bias circuit with adjustable output, and chip and communication terminal

Номер патента: EP4250054A1. Автор: Sheng Lin,Chenyang GAO. Владелец: Vanchip Tianjin Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-27.

Body bias circuit and body bias generation method

Номер патента: US20240231409A1. Автор: Chih-Hsien Wang,Chu-Hua Lee. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2024-07-11.

Fast Start-Up Bias Circuits

Номер патента: US20170308112A1. Автор: Pål Øyvind Reichelt. Владелец: Disruptive Technologies Research AS. Дата публикации: 2017-10-26.

Fast start-up bias circuits

Номер патента: WO2018127724A1. Автор: Paloyvind REICHELT. Владелец: MOLDSVORE, Oystein. Дата публикации: 2018-07-12.

Simulating quantum computing circuits using sparse state partitioning

Номер патента: US20240311667A1. Автор: Matthew Jones,Taylor Lee Patti. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Method with function parameter setting and integrated circuit using the same

Номер патента: US09964979B2. Автор: Chih-Lien Chang. Владелец: uPI Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Method with function parameter setting and integrated circuit using the same

Номер патента: US09471079B2. Автор: Chih-Lien Chang. Владелец: uPI Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Bit Line Bias Circuit With Varying Voltage Drop

Номер патента: US20130286744A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chung-Kuang Chen,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-31.

Method for optimizing area of ternary FPRM circuit using population migration algorithm

Номер патента: US10108663B2. Автор: Pengjun WANG,Huihong ZHANG,Kangping LI. Владелец: Ningbo University. Дата публикации: 2018-10-23.

Layout of photonic integrated circuits using fixed coordinate grids

Номер патента: EP4107647A1. Автор: Remco Stoffer,Francesc VILA GARCIA. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2022-12-28.

Layout of photonic integrated circuits using fixed coordinate grids

Номер патента: US20210326508A1. Автор: Remco Stoffer,Francesc VILA GARCIA. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Layout of photonic integrated circuits using fixed coordinate grids

Номер патента: WO2021212060A1. Автор: Remco Stoffer,Francesc VILA GARCIA. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2021-10-21.

Single Event Effect Test Laser Facility for Integrated Circuits used in Aerospace

Номер патента: NL2028645B1. Автор: Zhu Xiang,Han Jianwei,Ma Yingqi,Shangguan Shipeng. Владелец: Nat Space Science Center Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2023-01-12.

Timing analysis of a digital integrated circuit using intent based timing constraints

Номер патента: US20240330551A1. Автор: Hemlata Gupta,Kerim Kalafala,Eric Foreman,Manish Verma,Adil Bhanji,Jack DiLullo,Jennifer Elizabeth Basile. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Systems and methods for simulation of quantum circuits using decoupled hamiltonians

Номер патента: AU2020477683A9. Автор: Dawei Ding,Yaoyun Shi,Huihai ZHAO. Владелец: Alibaba Group Holding Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Systems and methods for simulation of quantum circuits using extracted hamiltonians

Номер патента: AU2020477304A9. Автор: Dawei Ding,Hsiang-Sheng KU,Huihai ZHAO. Владелец: Alibaba Group Holding Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Integrated circuit using topology configurations

Номер патента: US09589601B2. Автор: Fakhruddin Ali Bohra,Mahmood Khayatzadeh,David Blaauw,Dennis Michael Chen Sylvester,Massimo Bruno Alioto. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Display driving method with multi-type common voltages and display driving circuit using the same

Номер патента: US09536486B2. Автор: Tse-Hung Wu. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-01-03.

Halogen-free resin composition, and prepreg and laminate for printed circuits using same

Номер патента: US09487652B2. Автор: JIANG You. Владелец: Shengyi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Methodology for designing an integrated circuit using a reduced cell library for preliminary synthesis

Номер патента: US5956497A. Автор: Richard L. Ratzel,John F. Croix,Stephen R. King. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-09-21.

Optical parametric circuit and optical circuit using the same

Номер патента: US5604618A. Автор: Masatoshi Saruwatari,Toshio Morioka,Kunihiko Mori. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1997-02-18.

Recommending changes in the design of an integrated circuit using a rules-based analysis of failures

Номер патента: US20240119205A1. Автор: Charles Gates,Kerim Kalafala,Steven Joseph Kurtz,Morgan D. Davis,SheshaShayee K Raghunathan,Debra Dean,Chris Cavitt,Chaitra M Bhat,Richard William Taggart. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Computation circuit using residual arithmetic

Номер патента: US4949294A. Автор: Claude Wambergue. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1990-08-14.

Simulating quantum computing circuits using kronecker factorization

Номер патента: US20240177034A1. Автор: Matthew Jones. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Tachometer processing circuit using logic device to generate equal width pulses

Номер патента: US3735257A. Автор: B Roesner. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1973-05-22.

Bistable optical circuit using saturable absorber within a resonant cavity

Номер патента: US3610731A. Автор: Harold Seidel. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1971-10-05.

Receiver circuit using nanotube-based switches and logic

Номер патента: CA2570416C. Автор: Claude L. Bertin. Владелец: Nantero Inc. Дата публикации: 2011-05-17.

Multiplier core circuit using quadritail cell

Номер патента: GB2321988A. Автор: Katsuji Kimura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-08-12.

Parallel adding circuit using 3×3 matrix of ± quinary number representation

Номер патента: US5280440A. Автор: Yukichi Sugimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 1994-01-18.

Wheel circuit using electromagnetic induction and electronic pen including the same

Номер патента: US9885589B2. Автор: Sung Chul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Integrated Circuit Using Topology Configurations

Номер патента: US20170178700A1. Автор: Fakhruddin Ali Bohra,Mahmood Khayatzadeh,David Theodore Blaauw,Dennis Michael Chen Sylvester,Massimo Bruno Alioto. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-06-22.

Tracking error balance adjustment circuit and a current control circuit used for an optical disk playback apparatus, and an optical disk playback apparatus including the same

Номер патента: US20030072227A1. Автор: Hiroyuki Haga,Ryuichi Yamashita,Shinobu Murai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

Systems and methods for simulation of quantum circuits using decoupled hamiltonians

Номер патента: EP4248371A1. Автор: Dawei Ding,Yaoyun Shi,Huihai ZHAO. Владелец: Alibaba Group Holding Ltd. Дата публикации: 2023-09-27.

Temperature compensation circuit and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US11809207B2. Автор: Masafumi Nakatani,Kimihisa Hiraga. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Reference power generating circuit and electronic circuit using the same

Номер патента: US20150261234A1. Автор: Muh-rong Yang. Владелец: MIDASTEK MICROELECTRONIC Inc. Дата публикации: 2015-09-17.

Method for optimizing area of ternary fprm circuit using population migration algorithm

Номер патента: US20170060943A1. Автор: Pengjun WANG,Huihong ZHANG,Kangping LI. Владелец: Ningbo University. Дата публикации: 2017-03-02.

Structure for controlling water passage switching and on-off of electrical circuit using single button and shower head

Номер патента: US20230201853A1. Автор: Lian Zhang,Mingfu Zhang,Boren Chen,Tingke Liu. Владелец: Xiamen Solex High Tech Industries Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Integrated Circuit Using Shaping and Timing Circuitries

Номер патента: US20180096715A1. Автор: Fakhruddin Ali Bohra,Vivek Nautiyal,Shri Sagar Dwivedi,Jitendra Dasani,Satinderjit Singh. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-04-05.

Systems and methods for simulation of quantum circuits using decoupled hamiltonians

Номер патента: US20240013082A1. Автор: Dawei Ding,Yaoyun Shi,Huihai ZHAO. Владелец: Alibaba Group Holding Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Systems and methods for simulation of quantum circuits using extracted hamiltonians

Номер патента: EP4248370A1. Автор: Dawei Ding,Hsiang-Sheng KU,Huihai ZHAO. Владелец: Alibaba Group Holding Ltd. Дата публикации: 2023-09-27.

Systems and methods for simulation of quantum circuits using extracted hamiltonians

Номер патента: AU2020477304A1. Автор: Dawei Ding,Hsiang-Sheng KU,Huihai ZHAO. Владелец: Alibaba Group Holding Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Systems and methods for simulation of quantum circuits using extracted hamiltonians

Номер патента: US20230419143A1. Автор: Dawei Ding,Hsiang-Sheng KU,Huihai ZHAO. Владелец: Alibaba Group Holding Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for fabricating a 3-d integrated circuit using a hard mask of silicon-oxynitride on amorphous carbon

Номер патента: WO2009003091A1. Автор: Michael W. Konevecki,Steven J. Radigan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2008-12-31.

U-link connector for RF signals with integrated bias circuit

Номер патента: EP2843776A3. Автор: Martin Herrmann,Dr. Anton LINDNER,Dr. Othmar Gotthard. Владелец: Spinner GmbH. Дата публикации: 2015-03-18.

Semiconductor device and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US20100327356A1. Автор: Takayuki Kawahara,Masanao Yamaoka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-12-30.

Semiconductor device and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US20100201429A1. Автор: Takayuki Kawahara,Masanao Yamaoka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-08-12.

Halogen-free resin composition, and a prepreg and a laminate used for printed circuit using the same

Номер патента: US09963590B2. Автор: JIANG You. Владелец: Shengyi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Schmitt trigger-based finfet sram cell

Номер патента: US20120014171A1. Автор: Chien-Yu Hsieh,Ching-Te Chuang,Ming-Long Fan,Pi-Ho Hu,Pin Su. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-19.

Omnipolar Schmitt Trigger

Номер патента: US20190094313A1. Автор: Pablo Javier Bolsinger. Владелец: Allegro Microsystems LLC. Дата публикации: 2019-03-28.

Two-circuit network for automatic phase lock control and chromaticity signal demodulation circuit using two-circuit network for automatic phase lock control

Номер патента: RU2216124C2. Автор: Нобуюки ТАКАГИ,Дзунити ОНОДЕРА,Масамити НАКАДЗИМА. Владелец: Фудзитсу Дженерал Лимитед. Дата публикации: 2003-11-10.

DC-DC converter utilizing a modified Schmitt trigger circuit and method of modulating a pulse width

Номер патента: US20060220627A1. Автор: Kyoung-Min Koh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-10-05.

Omnipolar Schmitt Trigger

Номер патента: US20190094313A1. Автор: Pablo Javier Bolsinger. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

A Schmitt Trigger Based FinFET Sub-threshold static random access memory (SRAM) Cells

Номер патента: TW201205578A. Автор: Chien-Yu Hsieh,Ching-Te Chuang,Ming-Long Fan,Pi-Ho Hu,Pin Su. Владелец: Univ Nat Chiao Tung. Дата публикации: 2012-02-01.

Schaltungsanordnung mit Schmitt-Trigger-Spannungsdiskriminatoren und Taktgebern zur Verwendung in Regelkreisen, insbesondere fuer die stufenweise Pegelregelung von Vielkanal-Traegerfrequenz-Weitverkehrssystemen

Номер патента: DE1158580B. Автор: Dipl-Ing Joel Korn. Владелец: Telefunken Patentverwertungs GmbH. Дата публикации: 1963-12-05.

Schaltungsanordnung mit Schmitt-Trigger-Spannungsdiskriminatoren und Taktgebern zur Verwendung in Regelkreisen, insbesondere fuer die stufenweise Pegelregelung von Vielkanal-Traegerfrequenz-Weitverkehrssystemen

Номер патента: DE1170014B. Автор: Dipl-Ing Joel Korn Backnang. Владелец: Telefunken Patentverwertungs GmbH. Дата публикации: 1964-05-14.

Restricting usage using a cryptographic circuit using stored message authentication codes and a cryptographic and a secure circuit

Номер патента: NZ581246A. Автор: Christian Gehrmann. Владелец: Ericsson Telefon Ab L M. Дата публикации: 2012-07-27.

Electrostatic discharge trigger circuit using voltage detection circuit to detect occurrence of electrostatic discharge event and associated method

Номер патента: EP4325678A3. Автор: Po-Ya Lai. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-03-13.

Galvanic isolator and circuit using galvanic isolation

Номер патента: US09866126B2. Автор: Tetsuo Sato. Владелец: Renesas Electronics America Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Terminal device, base station device, communication method, and integrated circuit using reference signals for demodulation

Номер патента: US09860885B2. Автор: Shoichi Suzuki,Kimihiko Imamura,Kazuyuki Shimezawa,Tatsushi Aiba. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Photonic integrated circuit using chip integration

Номер патента: US09762334B2. Автор: Chia-Ming Chang,Guilhem De Valicourt. Владелец: Alcatel Lucent USA Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Methods for optical proximity correction in the design and fabrication of integrated circuits using extreme ultraviolet lithography

Номер патента: US09651855B2. Автор: Lei Sun,Wenhui Wang,Ryan Ryoung-Han Kim. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

CONTROL CIRCUIT, BIAS CIRCUIT, AND CONTROL METHOD

Номер патента: US20200083807A1. Автор: LI YANG,Ma Jun,Su Qiang,YI Jiangtao. Владелец: SMARTER MICROELECTRONICS (SHANGHAI) CO., LTD.. Дата публикации: 2020-03-12.

High voltage operating field effect transistor, bias circuit therefor and high voltage circuit thereof

Номер патента: KR101220660B1. Автор: 유타카 하야시,히사히 하세가와,요시후미 요시다,쥰 오사나이. Владелец: 유타카 하야시. Дата публикации: 2013-01-18.

Bias circuit for semiconductor integrated circuit

Номер патента: JP3751785B2. Автор: 許烙源,金鍾善. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-03-01.

High-voltage operation field effect transistor, its bias circuit and its high-voltage circuit

Номер патента: JP2005277377A. Автор: Takashi Hasegawa,Yoshifumi Yoshida,潤 小山内,Yutaka Hayashi,豊 林,宜史 吉田,Jun Osanai,尚 長谷川. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2005-10-06.

Dimming bias circuit for LV halogen lamp - uses magnetic actuator providing DC magnetic field for controlling operating frequency of control transformer in bias circuit

Номер патента: DE4318996A1. Автор: Des Erfinders Auf Nennung Verzicht. Владелец: Medium Tech I G. Дата публикации: 1994-02-24.

High voltage operating field effect transistor, and bias circuit therefor and high voltage circuit thereof

Номер патента: KR101162771B1. Автор: 유타카 하야시,히사히 하세가와,요시후미 요시다,준 오사나이. Владелец: 유타카 하야시. Дата публикации: 2012-07-04.

Circuit unit, power supply bias circuit, lnb and transistor capable of suppressing oscillation of a board

Номер патента: CN101064994A. Автор: 仁部正之. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-10-31.

Integrated circuit and capacitive transducer bias circuit

Номер патента: CN113098262A. Автор: M·佩德森,M·沙扬,J·托夫特,M·纳瓦扎. Владелец: Knowles Electronics LLC. Дата публикации: 2021-07-09.

High voltage operating field effect transistor, and bias circuit therefor and high voltage circuit thereof

Номер патента: CN1758443B. Автор: 林丰,小山内润,吉田宜史,长谷川尚. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2010-06-16.

High voltage operating field effect transistor, and bias circuit therefor and high voltage circuit thereof

Номер патента: KR101232589B1. Автор: 유타카 하야시,히사히 하세가와,요시후미 요시다,준 오사나이. Владелец: 유타카 하야시. Дата публикации: 2013-02-12.

Data line bias circuit by generating a voltage for pre-charging a data line the circuit consumes substantially zero power when OFF

Номер патента: TW362175B. Автор: Jin-Yong Chung,Li-Chun Li,Pochung Young. Владелец: Promos Tech Inc. Дата публикации: 1999-06-21.

Shunt trip control circuits using shunt trip signal accumulator and methods of operating the same

Номер патента: EP3084796A1. Автор: Jon E. Hymel,Leonard S. Scheuring. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 2016-10-26.

On-chip impedance matching circuit using bond wire inductors

Номер патента: WO2003052823A2. Автор: Hamid Reza Rategh,Mehdi Frederik Soltan. Владелец: Celeritek, Inc.. Дата публикации: 2003-06-26.

Methods for fabricating integrated circuits using directed self-assembly

Номер патента: US20160027685A1. Автор: Ji xU,Gerard Schmid,Guillaume Bouche,Richard A. Farrell,Deniz Elizabeth Civay. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-01-28.

Communications system using adaptive filter circuit using parallel adaptive filters

Номер патента: IL194607A0. Автор: . Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2009-08-03.

Electrostatic discharge (esd) protection circuits using tunneling field effect transistor (tfet) and impact ionization mosfet (imos) devices

Номер патента: US20230318287A1. Автор: Radhakrishnan Sithanandam. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-10-05.

Cathode return bias circuit

Номер патента: US2228112A. Автор: Clarence W Hansell. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1941-01-07.

Electron tube apparatus having particular cathode-control grid bias circuit configuration

Номер патента: US3363053A. Автор: Robert W Hanson. Владелец: Admiral Corp. Дата публикации: 1968-01-09.

Cathode return bias circuit

Номер патента: US2227493A. Автор: Finch James Leslie. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1941-01-07.

Method of manufacturing integrated circuit using encapsulation during an etch process

Номер патента: US20200013950A1. Автор: Sanjeev Aggarwal,Sarin A. Deshpande,Kerry Joseph NAGEL. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Mounting material, mounting circuit using it and printed wiring board using it

Номер патента: AU5249400A. Автор: Kazuo Yoshida,Hiroaki Okamoto,Kinji Saijo,Shinji Ohsawa. Владелец: Toyo Kohan Co Ltd. Дата публикации: 2001-01-02.

Bias circuit and method for operating the same

Номер патента: TWI268099B. Автор: U-Hyun Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2006-12-01.

Telephone exchange apparatus, interface circuit used in the telephone exchange apparatus, and control method used for the telephone exchange apparatus

Номер патента: US20050286712A1. Автор: Mariko Koyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-29.

Method for measuring resistance for a subscriber line interface circuit using a protective circuit

Номер патента: US20050238165A1. Автор: Alberto Canella,Gerhard NÖSSING. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-10-27.

Methods of forming stacked integrated circuits using selective thermal atomic layer deposition on conductive contacts and structures formed using the same

Номер патента: US12027488B2. Автор: Victor Wang,Charles H. Winter,Muhannad Bakir,Andrew Kummel,Nyi Myat Khine LINN,Jonathan HOLLIN,Ming-Jui LI,Mike Breeden. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Apparatus For Implementing Multiple Integrated Circuits Using Different Gate Oxide Thicknesses On A Single Integrated Circuit Die

Номер патента: US20090289323A1. Автор: Ronald John Tessitore. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2009-11-26.

Photosite circuit using switched operational phases

Номер патента: EP4419939A1. Автор: Avraham Bakal,Uriel Levy,Omer KAPACH,Nadav Melamud. Владелец: Trieye Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Node, monitoring and administration method used thereupon, and transfer system, input circuit, and output circuit using same

Номер патента: EP2498453A4. Автор: Hiroshi Tanaka,Hiroyuki Takagi,Kazuo Takagi,Akira Sakurai,Masaki Umayabashi,Zhenlong Cui. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2017-01-04.

Method of manufacturing integrated circuit using encapsulation during an etch process

Номер патента: US12063865B2. Автор: Sanjeev Aggarwal,Sarin A. Deshpande,Kerry Joseph NAGEL. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Bias circuit and method for operating the same

Номер патента: TW200623845A. Автор: U-Hyun Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2006-07-01.

Integrated voltage regulating circuit useful in high voltage electronic encoders

Номер патента: WO1997033354A1. Автор: Kent Hewitt. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 1997-09-12.

Dc bias suppression method and high-frequency power conversion circuit using the same

Номер патента: EP4443724A1. Автор: HONG Liu,Wen Zhang,Baihui SONG. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Tubular LED lamp and a circuit used for the lamp

Номер патента: US12063727B2. Автор: Han Lu,Feng Ju,JING Yang,Xin Liu,Yuanqiang LIU,Deyong KONG,Liwei SUN. Владелец: Signify Holding BV. Дата публикации: 2024-08-13.

Power supply system and method and circuit using the same

Номер патента: US09974123B2. Автор: Gang Wang,Shan Wang,Kai Qi TIAN. Владелец: Philips Lighting Holding BV. Дата публикации: 2018-05-15.

System and circuit using USB Type-C interface

Номер патента: US09971719B2. Автор: Tsung-Han Wu,Hsien-Sheng Huang,Ching-Gu Pan. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

LED driving circuit using double bridge diode and LED illumination device comprising same

Номер патента: US09848470B2. Автор: Hye Man Jung. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Methods for fabricating integrated circuits using flowable chemical vapor deposition techniques with low-temperature thermal annealing

Номер патента: US09831098B2. Автор: TAO Han,Sukwon Hong,Sandeep Gaan,Xinyuan Dou,Shimpei Yamaguchi,Satyajit Shinde,Carlos Chacon. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Power supply circuit using DC/DC converter

Номер патента: US09819276B2. Автор: Steven Thoen,Dave Kroekenstoel. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-11-14.

Method and apparatus for tuning a resonant circuit using a laser

Номер патента: US09728837B2. Автор: Giovanni Girlando,Alberto Pagani,Alessandro Finocchiaro. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of fabricating a semiconductor integrated circuit using a directed self-assembly block copolymer

Номер патента: US09640397B2. Автор: Tien-I Bao,Chieh-Han Wu,Chung-Ju Lee,Tsung-Yu Chen,Shinn-Sheng Yu,Jeng-Horng Chen,Yu-Fu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Driver circuit using dynamic regulation and related techniques

Номер патента: US09615413B2. Автор: Bassem AlNahas,Pranav Raval,Nai-Chi Lee. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Methods for fabricating integrated circuits using directed self-assembly chemoepitaxy

Номер патента: US09613807B2. Автор: Ji xU,Gerard Schmid,Richard A. Farrell. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Metal foil provided with electrically resistive layer, and board for printed circuit using said metal foil

Номер патента: US09578739B2. Автор: Toshio Kurosawa. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Shunt trip control circuits using shunt trip signal accumulator and methods of operating the same

Номер патента: US09577419B2. Автор: Jon E. Hymel,Leonard S. Scheuring. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

High performance power input circuits using synchronized mechanical switches

Номер патента: US09536690B2. Автор: Jeng-Jye Shau. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-03.

Forming JFET and LDMOS transistor in monolithic power integrated circuit using deep diffusion regions

Номер патента: US09460926B2. Автор: Shekar Mallikarjunaswamy. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-04.

Stability control of a power factor correction circuit using adaptive mulitplier voltage feedback

Номер патента: US09431893B1. Автор: Wei Xiong,Candice Ungacta. Владелец: Universal Lighting Technologies Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Electrostatic discharge protection circuits using biased and terminated PNP transistor chains

Номер патента: US5530612A. Автор: Timothy J. Maloney. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1996-06-25.

Peak and valley signal measuring circuit using single digital-to-analog converter

Номер патента: US5555452A. Автор: Gary L. Pace,Edgar H. Callaway, Jr.,James D. Hughes. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1996-09-10.

Gamma correction circuit using analog multiplier

Номер патента: US5933199A. Автор: Sang Young Yoon. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 1999-08-03.

Integrated circuit using a power supply input for digital logic

Номер патента: US6115595A. Автор: Eric B. Rodal,Chung Y. Lau. Владелец: TRIMBLE NAVIGATION LTD. Дата публикации: 2000-09-05.

Scanning format converting circuit using motion vectors

Номер патента: US5430490A. Автор: Chai Y. Rim. Владелец: Gold Star Co Ltd. Дата публикации: 1995-07-04.

High frequency receiver, integrated circuit used therefor, portable device using the same, transmitter used therefor, and method for manufacturing the high frequency receiver and the portable device

Номер патента: JP4214992B2. Автор: 雅明 野田,元祥 北川. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-01-28.

Charge pumping circuit using non-overlapping clock control

Номер патента: US5469110A. Автор: Tsuoe-Hsiang Liao. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 1995-11-21.

Transformer with controlled interwinding coupling and controlled leakage inducances and circuit using such transformer

Номер патента: US5719544A. Автор: Patrizio Vinciarelli,Jay M. Prager. Владелец: VLT Corp. Дата публикации: 1998-02-17.

Fluorescent-lamp excitation circuit using a piezoelectric acoustic transformer and methods for using same

Номер патента: US5548189A. Автор: James M. Williams. Владелец: Linear Technology LLC. Дата публикации: 1996-08-20.

Covering sheet, triplate line using the sheet, signal bus for computer using the sheet and covering structure of electronic circuit using the sheet

Номер патента: US6703909B2. Автор: Yoshikazu Fujishiro,Taro Miura. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2004-03-09.

Electrostatic discharge trigger circuit using voltage detection circuit to detect occurrence of electrostatic discharge event and associated method

Номер патента: US20240063633A1. Автор: Po-Ya Lai. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Executing an arithmetic circuit using fully homomorphic encryption (fhe) and multi-party computation (mpc)

Номер патента: US20230208610A1. Автор: Ehud Aharoni,HAYIM Shaul,Omri Soceanu,Dov Murik,Gilad Ezov. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Electrostatic discharge trigger circuit using voltage detection circuit to detect occurrence of electrostatic discharge event and associated method

Номер патента: EP4325678A2. Автор: Po-Ya Lai. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-02-21.

Redundant traces for flexible circuits used in an energy delivery device

Номер патента: US11839772B2. Автор: Martin Kenney,Craig Collins,Kurt Duclos. Владелец: Solta Medical Ireland Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Systems and Methods for Implementing Low-Latency Lookup Circuits Using Sparse Hash Functions

Номер патента: US20160259724A1. Автор: Guy L. Steele, Jr.,David R. Chase. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

System and method for creating a single port interface for simulating bidirectional signals in circuits using available circuit simulation standards

Номер патента: US20230333367A1. Автор: James Frederick Pond,Zeqin Lu,Adam Robert Reid,Vighen Pacradouni,Jui Feng Chung. Владелец: Ansys Lumerical IP LLC. Дата публикации: 2023-10-19.

System for designing integrated circuit using extracted model parameter and method of manufacturing integrated circuit using the same

Номер патента: US20200004911A1. Автор: Yo-Han Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-02.

Apparatus for controlling a high voltage circuit using a low voltage circuit

Номер патента: US20030071322A1. Автор: Alain Comeau,Jonas Weiland. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

Methods for fabricating integrated circuits using self-aligned quadruple patterning

Номер патента: US20150170973A1. Автор: Jason CANTONE,Ryan Ryoung Han Kim. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Surface mounting process of components for oscillators on printed circuits using conductive epoxy adhesive

Номер патента: WO1998006244A1. Автор: Sergio Ricci,Antonella Trombetta. Владелец: Italtel S.P.A.. Дата публикации: 1998-02-12.

Redundant traces for flexible circuits used in an energy delivery device

Номер патента: US20200069955A1. Автор: Martin Kenney,Craig Collins,Kurt Duclos. Владелец: Bausch Health Ireland Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Process/design methodology to enable high performance logic and analog circuits using a single process

Номер патента: WO2010039444A3. Автор: Qi Xiang,Weiqi Ding,Albert Ratnakumar,Jeffrey Xiaoqi Tung. Владелец: Altera Corporation. Дата публикации: 2010-07-22.

Process/design methodology to enable high performance logic and analog circuits using a single process

Номер патента: EP2342749A2. Автор: Qi Xiang,Weiqi Ding,Albert Ratnakumar,Jeffrey Xiaoqi Tung. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2011-07-13.

Process/design methodology to enable high performance logic and analog circuits using a single process

Номер патента: WO2010039444A2. Автор: Qi Xiang,Weiqi Ding,Albert Ratnakumar,Jeffrey Xiaoqi Tung. Владелец: Altera Corporation. Дата публикации: 2010-04-08.

CURRENT MIRROR BIAS CIRCUIT WITH VOLTAGE ADJUSTMENT

Номер патента: US20170023968A1. Автор: QUAGLIETTA Tony. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-26.

BIAS CIRCUIT AND ELECTRONIC APPARATUS

Номер патента: US20140125127A1. Автор: CHOU YING-TZU,LEE CHUN-TA. Владелец: WISTRON CORP.. Дата публикации: 2014-05-08.

ELECTRO-ABSORPTION BIAS CIRCUIT FOR ELECTRO-ABSORPTION MODULATORS

Номер патента: US20190068288A1. Автор: Liu Linda,SAAD Ricardo,HSUEH Yu-Ting,KUMAR Goutham. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

QUENCHING BIAS CIRCUIT DEVICE AND SINGLE PHOTON DETECTOR COMPRISING THE SAME

Номер патента: US20220090961A1. Автор: KWEON Kyoung-Chun,BURM Jin-wook,Park Him-Chan. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

BIAS CIRCUIT, IMAGE FORMATION DEVICE AND IMAGE FORMING APPARATUS

Номер патента: US20200103792A1. Автор: Okamura Hiroshi. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2020-04-02.

Microphone assembly having a direct current bias circuit with deep trench isolation

Номер патента: US20210195342A1. Автор: Michael Pedersen,Mohammad Shajaan,Mohsin Nawaz,Jakob Toft. Владелец: Knowles Electronics LLC. Дата публикации: 2021-06-24.

BIAS CIRCUIT FOR USE WITH DIVIDED BIT LINES

Номер патента: US20200260031A1. Автор: Wang Rui,Yang Zheng,Ebihara Hiroaki,Dai Teijun. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-13.

INTEGRATED CAPACITIVELY-COUPLED BIAS CIRCUIT FOR RF MEMS SWITCHES

Номер патента: US20150348714A1. Автор: Morris Francis J.. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2015-12-03.

DC BIAS CIRCUIT AND GAS DELIVERY SYSTEM FOR SUBSTRATE PROCESSING SYSTEMS

Номер патента: US20200332418A1. Автор: RAMSAYER Christopher,Boumatar Kareem,Dhas Arul. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-22.

Multiband or multimode receiver with shared bias circuit

Номер патента: US20080166984A1. Автор: Terrence John Shie,Russell David Wyse,Jinhua Zhong. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2008-07-10.

Semiconductor device with substrate bias circuit

Номер патента: KR930009810B1. Автор: 도오루 후루야마. Владелец: 아오이 죠이지. Дата публикации: 1993-10-11.

Direct current bias circuit

Номер патента: JPS5765001A. Автор: Takanori Onoda,Shigenobu Aihara. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1982-04-20.

Constant Output DC Bias Circuit Using an Open Loop Scheme

Номер патента: US20110003574A1. Автор: Hooman Darabi,Yuyu Chang. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-01-06.

Voltage and temperature adaptive memory leakage reduction bias circuit

Номер патента: US10937509B1. Автор: Kwan Him Lam. Владелец: Mentor Graphics Corp. Дата публикации: 2021-03-02.

Voltage and Temperature Adaptive Memory Leakage Reduction Bias Circuit

Номер патента: US20210065821A1. Автор: Kwan Him Lam. Владелец: Siemens Industry Software Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Process tolerant current leakage reduction in static random access memory (sram) by a supply voltage bias circuit

Номер патента: EP3080811A1. Автор: Venkatasubramanian Narayanan,Chirag Gulati,Ashish Akhilesh. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-10-19.

Bias circuit for a transistor of a storage cell

Номер патента: US20030001662A1. Автор: Michael Callahan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-02.

Bounded bias circuit with efficient vt-tracking for high voltage supply/low voltage device

Номер патента: US20140103991A1. Автор: Pankaj Kumar,Anuroop Iyengar. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

Reference Current Circuit and Low Power Bias Circuit Using the Same

Номер патента: US20090256628A1. Автор: Udo Gerlach,Nikolay Ilkov. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-10-15.

Bias Circuit with High Enablement Speed and Low Leakage Current

Номер патента: US20120119823A1. Автор: Hung-Chang Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-05-17.

Process tolerant current leakage reduction in static random access memory (sram) by a supply voltage bias circuit

Номер патента: WO2015089472A1. Автор: Venkatasubramanian Narayanan,Chirag Gulati,Ashish Akhilesh. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-06-18.

BIAS CIRCUIT USING NEGATIVE VOLTAGE

Номер патента: US20150137877A1. Автор: YOM In Bok,CHOI Yun Ho,JI Hong Gu,JEONG Jin Cheol,NOH Youn Sub. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

Bias circuit using band gap referance

Номер патента: KR940000105Y1. Автор: 최창원. Владелец: 주식회사 금성일렉트론. Дата публикации: 1994-01-10.

Drive circuit, drive circuit system, bias circuit, and drive circuit device

Номер патента: JP3482908B2. Автор: 弘 土. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2004-01-06.

Programmable analog bias circuits using floating gate cmos technology

Номер патента: US20050052223A1. Автор: Ilie Poenaru,Shashi Sakhuja. Владелец: Catalyst Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-03-10.

Reference current generator, bias voltage generator and amplifier bias circuit using the same

Номер патента: KR100629619B1. Автор: 최희철. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-10-02.

Analog computation circuits using synchronous demodulation and power meters and energy meters using the same

Номер патента: US20030080886A1. Автор: Joseph Petrofsky. Владелец: Linear Technology LLC. Дата публикации: 2003-05-01.

High-precision CMOS Schmitt trigger

Номер патента: DE3837821A1. Автор: Claudia Dipl Ing Kantner,Dirk-Holger Dipl Ing Kraemer,Paul Zehnich. Владелец: Asea Brown Boveri AG Germany. Дата публикации: 1990-05-10.

Electronic circuit to close slow running jet at over-run - has schmitt trigger with hysteresis ratio to partly restore fuel at predetermined low engine speed

Номер патента: DE2626862A1. Автор: Werner Dipl Ing Lettenmeyer. Владелец: Adam Opel GmbH. Дата публикации: 1977-12-22.

Speed sensor for stepped rotation of shaft - uses integrated hall effect sensor with Schmitt trigger circuit providing digital output

Номер патента: FR2512208A3. Автор: Heinz Leiber,Klaus Neidhard,Gunter Schmidt,Werner Herden,Erich Zabler,Hans Neu,Hermann Roozenbeek. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 1983-03-04.

Wireless remote control device using ultrasound for electrical system, has twin channel ultrasound transmitter signal from which is transmitted to bistable relay via demodulators and schmitt triggers

Номер патента: DE10011992A1. Автор: Juergen Blank. Владелец: PLAETTNER ELEKTRONIK GmbH. Дата публикации: 2000-10-19.

Resistance seam welding, esp. of austenitic sheet - using electronic control circuit contg. Hall generator and Schmitt triggers

Номер патента: DE2439285A1. Автор: Guido Drechsler. Владелец: Individual. Дата публикации: 1976-02-26.

Device for reading memory cells of SRAM type, comprises output precharge circuit and Schmitt trigger circuit, for improved reading speed

Номер патента: FR2823362A1. Автор: Leila Aitouarab,Sigrid Thomas. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2002-10-11.

Counting and display unit for coin operated machines - has timing circuit including Schmitt trigger to regulate electromagnets and motorised pawl wheels

Номер патента: DE2546066A1. Автор: Ernst Bergmann,Gerhard Ratzeburg,Egon Woltersdorf. Владелец: Bergmann & Co Th. Дата публикации: 1977-04-28.

Temperature compensated bias circuit

Номер патента: US3671770A. Автор: Thomas M Frederiksen. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1972-06-20.

Design of an integrated circuit using multiple and different process corners

Номер патента: US20230334214A1. Автор: Alexander W. Schaefer,Robin Andrew Joyce,Shaun M. Kittle,Scott Eugene Swanstrom,Josef Alexander Czaban. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Structural regularity extraction and floorplanning in datapath circuits using vectors

Номер патента: WO2001033441A2. Автор: Rajesh Gupta,Phani Saripella,Naresh Sehgal,Amit Chowdhary,Sudhaker Kale. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2001-05-10.

Auto test circuit using an intensifier

Номер патента: US20240247997A1. Автор: James Cook. Владелец: FMC Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Method and a circuit using an associative calculator for calculating a sequence of non-associative operations

Номер патента: US20070234128A1. Автор: Andre Dehon,Nachiket Kapre. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2007-10-04.

Type of Radial Circuit Used as LCD Drivers

Номер патента: US20080150922A1. Автор: Yun Yang,Liangtao Zhang. Владелец: BYD Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Scalable scribe regions for implementing user circuit designs in an integrated circuit using dynamic function exchange

Номер патента: US20230098098A1. Автор: Adam P. Donlin,Kyle Corbett,Christopher J. Case. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Debugging scan latch circuits using flip devices

Номер патента: US20160327608A1. Автор: James D. Warnock. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-10.

Type of radial circuit used as LCD drivers

Номер патента: US8040333B2. Автор: Yun Yang,Liangtao Zhang. Владелец: BYD Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-18.

Low power and area clock monitoring circuit using ring delay arrangement

Номер патента: US20240337690A1. Автор: Tezaswi Raja,Kedar Rajpathak. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Method and apparatus for verifying logic circuits using vector emulation with vector substitution

Номер патента: WO2010141512A1. Автор: Thomas B. Huang,Ting-Mao Chang,Chioumin M. Chang,Huan-Chih Tsai. Владелец: Inpa Systems, Inc.. Дата публикации: 2010-12-09.

Debugging scan latch circuits using flip devices

Номер патента: US20170131353A1. Автор: James D. Warnock. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-11.

Programmable Logic Circuits Using Lookup Tables (LUTs) Augmented with Configurable Logic Gates

Номер патента: US20240354480A1. Автор: Bee Yee Ng,Jeffrey Chromczak,Ilya Ganusov,Grace Zgheib. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-24.

Error correction circuit using multi-clock and semiconductor device including the same

Номер патента: US12100465B2. Автор: Geunyeong YU,Youngjun Hwang,Hongrak Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Designing circuits using pseudohierarchy

Номер патента: US09886539B2. Автор: Thomas Mitchell,Mani Viswanath. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Debugging scan latch circuits using flip devices

Номер патента: US09664735B2. Автор: James D. Warnock. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Debugging scan latch circuits using flip devices

Номер патента: US09618580B2. Автор: James D. Warnock. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Communicating in an integrated circuit using hardware-managed virtual channels

Номер патента: US09501439B1. Автор: Mark S. Fredrickson,Scott M. Willenborg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Memory e.g. ROM, circuit, has bias circuits connected to storage cells of groups to ensure same substrate and source/drain voltages, when groups are selected, and otherwise to ensure negative potential difference between voltages

Номер патента: FR2878068A1. Автор: Francois Jacquet,Florent Vautrin. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2006-05-19.

Current shutdown circuit for active bias circuit having process variation compensation

Номер патента: US6600301B1. Автор: John A. DeFalco. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2003-07-29.

Zero power start-up circuit for self-bias circuit

Номер патента: US7583070B2. Автор: Hagop A. Nazarian. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-09-01.

Semiconductor memory device including circuit for blocking operation of bias circuit and bias voltage generating method thereof

Номер патента: KR100761837B1. Автор: 김준배. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-09-28.

Bias circuit for a voltage reference circuit

Номер патента: EP0918272B1. Автор: Raymond D. Zoellick. Владелец: Fluke Corp. Дата публикации: 2001-11-28.

Bias supply, start-up circuit, and start-up method for bias circuit

Номер патента: US20090002061A1. Автор: Leaf Chen,Chih-shun Lee. Владелец: Beyond Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-01.

Bitline bias circuit and nor flash memory device including the bitline bias circuit

Номер патента: US7656714B2. Автор: Seung-Keun Lee,Hong-Soo Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-02-02.

Substrate bias circuit and method for integrated circuit device

Номер патента: US7911261B1. Автор: Prashant Shamarao. Владелец: Netlogic Microsystems Inc. Дата публикации: 2011-03-22.

Bias circuit of sensor and current inducing method for the bias circuit

Номер патента: JPH10163504A. Автор: Ira E Baskett,イラ・イー・バスケット. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-06-19.

Current bias circuit and current bias start-up circuit thereof

Номер патента: US20070080743A1. Автор: Chun-Yang Hsiao. Владелец: Denmos Technology Inc. Дата публикации: 2007-04-12.

Bias circuit

Номер патента: JPS54144163A. Автор: Yoshio Wada,Takashi Sugimoto. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1979-11-10.

Process tolerant current leakage reduction in static random access memory (sram) by a supply voltage bias circuit

Номер патента: EP3080811B1. Автор: Venkatasubramanian Narayanan,Chirag Gulati,Ashish Akhilesh. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-08-22.

Semiconductor circuit using floating body device for emulating neuron firing process

Номер патента: US9846838B2. Автор: Hyungjin Kim,Byung-gook Park,Min-Woo KWON. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2017-12-19.

Phase-change memory element driver circuits using measurement to control current and methods of controlling drive current of phase-change memory elements using measurement

Номер патента: TW200606947A. Автор: Sang-beom Kang,Woo-Yeong Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-02-16.

Test-facilitating circuit using built-in self test circuit

Номер патента: US20030145261A1. Автор: Tetsushi Tanizaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-07-31.

Repairing circuit for memory circuit and method thereof and memory circuit using the same

Номер патента: US20120287737A1. Автор: Jen-Shou Hsu. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2012-11-15.

Methods of operating cell libraries and of realizing large scale integrated circuits using a programmed compiler including a cell library

Номер патента: WO1992004684A1. Автор: Paul Holt,Frank T. Riherd,Valery F. Gravoulet,Michel Altheimer. Владелец: Vlsi Technology Inc.. Дата публикации: 1992-03-19.

Sweep expander bias circuit

Номер патента: US2843737A. Автор: Richard P Valenti. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1958-07-15.

Assignment of select input/output blocks to banks for integrated circuits using integer linear programming with proximity optimization

Номер патента: US8010924B1. Автор: Guenter Stenz,Parivallal Kannan,Victor Z. Slonim. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2011-08-30.

Photodiode bias circuit

Номер патента: AU2001232600A1. Автор: Gunnar Forsberg. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2001-09-03.

Method for simulating circuits using harmonic balance, and apparatus therefore

Номер патента: WO1999036872A8. Автор: Sergej Rusakov,Mark Gourary,Sergej Ulyanov,Michael Zarov,Kiran Gullapalli,Brian Mulvaney. Владелец: Brian Mulvaney. Дата публикации: 2000-03-30.

Bias circuit

Номер патента: JPS54102946A. Автор: Hiroshi Gomi. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1979-08-13.

Resonant wingbeat tuning circuit using strain-rate feedback for ornithoptic micro aerial vehicles

Номер патента: US20050001091A1. Автор: David Raney. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2005-01-06.

System and method for reducing power of a circuit using critical signal analysis

Номер патента: US20150356222A1. Автор: Fahim Rahim,Sean Safarpour,Solaiman Rahim,Shekaripuram V. Venkatesh,Siddharth Guha. Владелец: Atrenta Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Wafer test trigger signal generating circuit of a semiconductor memory apparatus, and a wafer test circuit using the same

Номер патента: US20100097872A1. Автор: Hyung Wook Moon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-04-22.

Device and method for probing instantaneous high-speed local supply voltage fluctuation in VLSI integrated circuits using IR emissions

Номер патента: US20020167327A1. Автор: Gary Woods,Paul Madland,Samie Samaan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-11-14.

Bias circuit

Номер патента: JPS54102945A. Автор: Hiroshi Gomi. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1979-08-13.

Bias circuit

Номер патента: JPS54102947A. Автор: Hiroshi Gomi. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1979-08-13.

Control method for eliminating deficient display and a display device using the same and driving circuit using the same

Номер патента: TW200842810A. Автор: Che-Li Lin. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2008-11-01.

Voltage bias circuit with adjustable output, and chip and communication terminal

Номер патента: EP4250054A4. Автор: Sheng Lin,Chenyang GAO. Владелец: Vanchip Tianjin Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Bias circuit for stacked hall devices

Номер патента: US09651635B2. Автор: Udo Ausserlechner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-16.

Method to detect loss of fluid or blockage in a hydraulic circuit using exponentially weighted moving average filter

Номер патента: US09611931B2. Автор: Ali K. Naqvi,Andrew M. Zettel,Nicholas Kokotovich,Vincent Rawls. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2017-04-04.

Touch detecting circuit and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US09557853B2. Автор: Takayuki Noto,Akihito Akai. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2017-01-31.

Control of a fluid circuit using an estimated sensor value

Номер патента: EP2417365A1. Автор: Qinghui Yuan. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 2012-02-15.

Process and temperature invariant power on reset circuit using a bandgap reference and a long delay chain

Номер патента: US7881144B1. Автор: Thomas Henry White,William Bradley Vest,Leo Min Maung. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2011-02-01.

Method and apparatus for programming embedded memories of a variety of integrated circuits using the IEEE test access port

Номер патента: US5596734A. Автор: Lawrence C. Ferra. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1997-01-21.

Method and system for fault testing integrated circuits using a light source

Номер патента: US5420522A. Автор: Michael Smayling. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1995-05-30.

Integrating circuit using a programmable unijunction transistor

Номер патента: US3644918A. Автор: David E Perlman. Владелец: Detection Systems Inc. Дата публикации: 1972-02-22.

Methods, apparatus and computer program products that perform layout versus schematic comparison of integrated circuits using advanced pin coloring operations

Номер патента: US6988253B1. Автор: Gary Bruce Lipton,Harry Clarkson Johnson, IV,Jonathan Calvin White. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2006-01-17.

Photomask with detector for optimizing an integrated circuit production process and method of manufacturing an integrated circuit using the same

Номер патента: US20080261123A1. Автор: Christopher Progler. Владелец: Photronics Inc. Дата публикации: 2008-10-23.

Efficient frequency domain analysis of large nonlinear analog circuits using compressed matrix storage

Номер патента: US5867416A. Автор: Peter Feldmann,David Esley Long,Robert C. Melville. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1999-02-02.

Test circuit using clock gating scheme to hold capture procedure and bypass mode, and integrated circuit including the same

Номер патента: US20230152372A1. Автор: Giha Nam,Sangsoon Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-18.

Error correction circuit using multi-clock and semiconductor device including the same

Номер патента: US20230065578A1. Автор: Geunyeong YU,Youngjun Hwang,Hongrak Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-02.

Solving optimization problems on shallow circuits using a quantum computer

Номер патента: EP4354359A1. Автор: Indradeep Ghosh,Sarvagya UPADHYAY,Xiaoyuan Liu. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Solving optimization problems on shallow circuits using a quantum computer

Номер патента: US20240135216A1. Автор: Indradeep Ghosh,Sarvagya UPADHYAY,Xiaoyuan Liu. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Test circuit using clock gating scheme to hold capture procedure and bypass mode, and integrated circuit including the same

Номер патента: US11959965B2. Автор: Giha Nam,Sangsoon Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Method and system for distributing clock signals on non manhattan semiconductor integrated circuit using parameterized rotation

Номер патента: US7730441B2. Автор: Akira Fujimura,Steven Teig,Raghu Chalasani. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2010-06-01.

Automatic test pattern generation for functional register transfer level circuits using assignment decision diagrams

Номер патента: EP1162472A3. Автор: Indradeep Ghosh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-04-07.

Sensor circuit using orthogonal phase coding

Номер патента: US20210181327A1. Автор: Zohar Agon. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

System and method for generating a floorplan for a digital circuit using reinforcement learning

Номер патента: US20230252215A1. Автор: Zhanguang Zhang,Yingxue Zhang,Wulong LIU,Mohammad AMINI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-08-10.

Handling of Undesirable Distribution of Unknown Values in Testing of Circuit Using Automated Test Equipment

Номер патента: US20150025819A1. Автор: Rohit Kapur,Parthajit Bhattacharya,Jyotirmoy Saikia,Anshuman Chandra,Subramanian Chebiyam. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2015-01-22.

Designing circuits using pseudohierarchy

Номер патента: US20170300601A1. Автор: Thomas Mitchell,Mani Viswanath. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2017-10-19.

Method and apparatus for designing electronic circuits using optimization

Номер патента: CA2573813A1. Автор: Bendt Sorensen,Bart De Smedt,Wim Verhaegen,Walter Daems,Erik Lauwers. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-16.

System and method for authenticating an integrated circuit using a diamond-based read-only memory

Номер патента: US20240126865A1. Автор: Omar Besim Hakim. Владелец: Ellansalabs Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

System and method authenticating an integrated circuit using a diamond-based read-only memory

Номер патента: WO2024129847A1. Автор: Omar Besim Hakim. Владелец: EllansaLabs Inc.. Дата публикации: 2024-06-20.

BOUNDED BIAS CIRCUIT WITH EFFICIENT VT-TRACKING FOR HIGH VOLTAGE SUPPLY/LOW VOLTAGE DEVICE

Номер патента: US20140103991A1. Автор: Kumar Pankaj,Iyengar Anuroop. Владелец: LSI Corporation. Дата публикации: 2014-04-17.

POWER UP BODY BIAS CIRCUITS AND METHODS

Номер патента: US20160026207A1. Автор: Boling Edward J.. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

Voltage and Temperature Adaptive Memory Leakage Reduction Bias Circuit

Номер патента: US20210065821A1. Автор: Lam Kwan Him. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-04.

LOW THRESHOLD VOLTAGE TRANSISTOR BIAS CIRCUIT

Номер патента: US20220137659A1. Автор: Pereira Angelo William,MALAVE-PEREZ Luis Ariel. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

WAKE UP BIAS CIRCUIT AND METHOD OF USING THE SAME

Номер патента: US20150102853A1. Автор: CHIU Chih-Chieh,Wu Fu-An,HUANG Chia-En,YANG Jung-Ping,HUANG I-Han. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-04-16.

BIAS CIRCUIT FOR STACKED HALL DEVICES

Номер патента: US20160124055A1. Автор: Ausserlechner Udo. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-05.

BIAS CIRCUIT

Номер патента: US20140306751A1. Автор: NAKAMOTO Hiroyuki. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2014-10-16.

ADAPTIVE BIAS CIRCUIT

Номер патента: US20150268680A1. Автор: David Stéphane,Rivière Fabian. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-24.

Fast Start-Up Bias Circuits

Номер патента: US20170308112A1. Автор: Reichelt Pål Øyvind. Владелец: Disruptive Technologies Research AS. Дата публикации: 2017-10-26.

MEMORY SYSTEM HAVING A SOURCE BIAS CIRCUIT

Номер патента: US20190333575A1. Автор: Mahatme Nihaar N.,Hoefler Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-31.

Bias circuit for stacked Hall devices

Номер патента: DE102015119025A1. Автор: Udo Ausserlechner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-05-12.

Bias circuit for series connected decoupling capacitors

Номер патента: US6429730B2. Автор: Russell J. Houghton,Christopher P. Miller. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-08-06.

Bias circuit

Номер патента: JP4932612B2. Автор: 蔵生 中川. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-05-16.

Semiconductor substrate bias circuit

Номер патента: JPH0783255B2. Автор: 東宣 閔,勳 崔. Владелец: 三星電子株式會社. Дата публикации: 1995-09-06.

Current bias circuit for controlling current in a digital region

Номер патента: KR100739327B1. Автор: 이준석. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2007-07-12.

Hall element bias circuit

Номер патента: JP3705727B2. Автор: 正憲 稲森,宏樹 土居. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-10-12.

Bias circuit and semiconductor memory device

Номер патента: JP3789241B2. Автор: 雅規 上久保. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-06-21.

Bias circuits for the enhanced reliability of flash memory cells

Номер патента: KR100626394B1. Автор: 임영호,채동혁. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-09-20.

Current bias circuit for cascode current mirror

Номер патента: KR100554441B1. Автор: 이정봉. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-02-22.

ADAPTIVE COMPENSATION OF THE PATIENT CIRCUIT USING THE PRESSURE SENSOR IN THE MASK

Номер патента: RU2015117634A. Автор: Натан Франсис О'КОННОР,Кристофер Скотт ЛУЧЧИ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2016-12-10.

Power-on bias circuit and operation thereof

Номер патента: TW576006B. Автор: Tsung-Hsin Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-02-11.

FAST POWER-ON BIAS CIRCUIT

Номер патента: US20120169412A1. Автор: Wilson John,Luo Lei,Leibowitz Brian,Dettloff Wayne,Zerbe Jared,Venkatesan Pravin Kumar. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2012-07-05.

Schmitt-trigger mit filtercharakteristik

Номер патента: DD203445A1. Автор: Frank-Dieter Richter. Владелец: Richter Frank Dieter. Дата публикации: 1983-10-19.

Linear pulse width converter with two outputs on digital microchips - schmitt trigger and two inverters

Номер патента: RU2409891C1. Автор: Лидия Дмитриевна Жуган,Валентин Николаевич Матвеев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2011-01-20.

Broadband bias circuit of static level in transistor stages of amplification and conversion of signals

Номер патента: RU2568317C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Илья Викторович Пахомов,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2015-11-20.

Method to adjust resistance strain gauge sensors with bridge measurement circuit using multiplicative temperature error with account of positive non-linearity of temperature characteristic of sensor output signal

Номер патента: RU2528242C2. Автор: Владимир Андреевич Тихоненков,Денис Александрович Солуянов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2014-09-10.

Lattice filter for waveform or speech synthesis circuits using digital logic

Номер патента: CA1126864A. Автор: George L. Brantingham,Richard H. Wiggins, Jr.. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1982-06-29.

Bias circuits for high frequency circuits utilizing voltage controlled negative resistance devices

Номер патента: AU2884563A. Автор: Henry Stern Sommers, Jr. Владелец: Radio Corporation of America. Дата публикации: 1964-10-01.

Bias circuits for high frequency circuits utilizing voltage controlled negative resistance devices

Номер патента: AU269811B2. Автор: Henry Stern Sommers, Jr. Владелец: Radio Corporation of America. Дата публикации: 1964-10-01.

Bias circuits for high frequency circuits utilizing voltage controlled negative resistance devices

Номер патента: CA734597A. Автор: Henry S. Sommers, Jr.. Владелец: Radio Corporation of America. Дата публикации: 1966-05-17.

CIRCUIT UNIT, BIAS CIRCUIT WITH CIRCUIT UNIT AND DIFFERENTIAL AMPLIFIER CIRCUIT WITH FIRST AND SECOND CIRCUIT UNIT

Номер патента: US20130033322A1. Автор: Balm Bart,van den Oever Léon C.M.,Bouwman Jeroen. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-07.

Schmitt trigger circuit

Номер патента: JPS549558A. Автор: Saburou Takaoka. Владелец: Pioneer Electronic Corp. Дата публикации: 1979-01-24.

Schmitt trigger with active collector to base coupling

Номер патента: CA763582A. Автор: L. Delanoy Richard,J. Laurer George. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1967-07-18.

Improvements in or relating to schmitt trigger circuits

Номер патента: AU96066A. Автор: Davies Eric. Владелец: Amalgamated Wireless Australasia Ltd. Дата публикации: 1967-08-03.

Improvements in or relating to schmitt trigger circuits

Номер патента: AU294581B2. Автор: Davies Eric. Владелец: Amalgamated Wireless Australasia Ltd. Дата публикации: 1967-08-03.

SCHMITT TRIGGER CIRCUIT OPERATED BASED ON PULSE WIDTH

Номер патента: US20120074999A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-03-29.

CAPACATIVE ISOLATOR WITH SCHMITT TRIGGER

Номер патента: US20120161841A1. Автор: Leung Ka Y.,DONG Zhiwei. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-28.

ADJUSTABLE SCHMITT TRIGGER

Номер патента: US20130027085A1. Автор: Jr. Donald G.,MIKAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-01-31.

Schmitt trigger circuit

Номер патента: KR101777865B1. Автор: 이상용. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2017-09-13.

Schmitt Trigger with Hysteresis Compensation

Номер патента: SU367527A1. Автор: И. А. Леднев В. М. Тарасов витель Г. С. Проймин. Владелец: Научно исследовательский институт медицинской радиологии Академии медицинских наук СССР. Дата публикации: 1973-01-23.

Schmitt trigger

Номер патента: SU788351A1. Автор: Витольд Владимирович Процюк. Владелец: За витель. Дата публикации: 1980-12-15.

Schmitt trigger

Номер патента: SU458089A1. Автор: Григорий Исакович Зайдман. Владелец: Томский Ордена Октябрьской Революции И Ордена Трудового Красного Знамени Политехнический Институт Им. С.М.Кирова. Дата публикации: 1975-01-25.

Schmitt trigger circuit

Номер патента: JPS6480120A. Автор: Kenji Takahashi,Masaaki Taihichi,Takeshi Tome. Владелец: Nippon Mining Co Ltd. Дата публикации: 1989-03-27.

Precision schmitt trigger

Номер патента: SU1647872A1. Автор: Владимир Ильич Турченков. Владелец: В.И.Турченков. Дата публикации: 1991-05-07.

Schmitt trigger

Номер патента: SU493900A1. Автор: Алексей Константинович Ваганов,Владимир Израильевич Гордин. Владелец: Предприятие П/Я А-7904. Дата публикации: 1975-11-28.

Schmitt trigger

Номер патента: SU600699A1. Автор: Илья Филиппович Клисторин,Сергей Николаевич Филимонов,Виктор Константинович Лефтер. Владелец: Кишиневский политехнический институт им.С.Лазо. Дата публикации: 1978-03-30.

Schmitt trigger circuit

Номер патента: JPH0666656B2. Автор: 三▲浩▼ 江本. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-08-24.

Schmitt trigger circuit

Номер патента: KR200211288Y1. Автор: 이중호. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2001-02-01.

Schmitt trigger

Номер патента: SU445977A1. Автор: Александр Александрович Романов,Алла Ароновна Захарова. Владелец: Предприятие П/Я В-2640. Дата публикации: 1974-10-05.

Schmitt trigger circuit

Номер патента: JPS62136914A. Автор: Fuminori Suzuki,Heihachiro Ebihara,文典 鈴木,平八郎 海老原. Владелец: Citizen Watch Co Ltd. Дата публикации: 1987-06-19.

Schmitt trigger

Номер патента: SU790244A1. Автор: Станислав Григорьевич Дворник,Станислав Алексеевич Скавронский. Владелец: Киевский Институт Автоматики Им. Хху Съезда Кпсс. Дата публикации: 1980-12-23.

Schmitt trigger circuit

Номер патента: JP2578886B2. Автор: 重雄 吉澤. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1997-02-05.

Oscillator circuit, oscillator for self-refresh using the oscillator circuit, and substrate bias circuit

Номер патента: JP3399616B2. Автор: 和樹 小川. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-04-21.

Schmitt trigger circuit

Номер патента: JPS61145924A. Автор: Toshiaki Fujita,藤田　利昭. Владелец: NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd. Дата публикации: 1986-07-03.

Schmitt trigger circuit, semiconductor device, and generator control device for vehicle generator

Номер патента: JP5955428B1. Автор: 敬佑 桂田,明夫 上村井. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-07-20.

Schmitt Trigger circuit

Номер патента: KR970072666A. Автор: 조국영,김원겸. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-11-07.

Schmitt trigger circuit

Номер патента: JPH01123517A. Автор: Yasunori Nakamura,伸次 庖丁,Masanori Yasuda,Shinji Houchiyou,真範 安田,靖紀 中村. Владелец: Nippon Soken Inc. Дата публикации: 1989-05-16.

Schmitt trigger

Номер патента: SU452063A1. Автор: Григорий Евдокимович Шепитько,Владимир Васильевич Тимонов,Владислав Евгеньевич Окишев. Владелец: Таганрогский Радиотехнический Институт. Дата публикации: 1974-11-30.

Schmitt trigger demonstration instrument for teaching properties of non-gate circuit

Номер патента: CN103646596A. Автор: 丁洪良. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-19.

Driving method of cmos inverter and schmitt trigger circuit

Номер патента: JPH10163826A. Автор: Takashi Matsumoto,敬史 松本,Kenichi Inatomi,研一 稲富. Владелец: Fujitsu Vlsi Ltd. Дата публикации: 1998-06-19.

Schmitt trigger

Номер патента: CN201191817Y. Автор: 黎明,刘尧,邹雪城,邹志革,李文海,竺明达. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2009-02-04.

Analog-digital signal conversion teaching demonstrator of Schmitt trigger

Номер патента: CN103646592A. Автор: 丁洪良. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-19.

Schmitt trigger circuit

Номер патента: JPS61234616A. Автор: Toshio Tsubota,坪田　俊雄. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1986-10-18.

Schmitt trigger circuit

Номер патента: JPS62122A. Автор: Hideji Koike,秀治 小池. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-01-06.

Schmitt trigger circuit

Номер патента: JPS6333918A. Автор: Kazuya Matsumoto,一也 松本. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1988-02-13.

The Schmitt trigger with exempting electrostatic discharge ability

Номер патента: TW333693B. Автор: Jau-Nenq Wu,Dah-Lih Yu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 1998-06-11.

Schmitt trigger circuit

Номер патента: JPS547842A. Автор: Shinichi Ikeda,Hiroto Takeuchi,Kesayuki Hama. Владелец: Takamisawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1979-01-20.

Schmitt trigger circuit

Номер патента: JPS5396656A. Автор: Saburou Takaoka. Владелец: Pioneer Electronic Corp. Дата публикации: 1978-08-24.

BIAS CIRCUIT AND ANALOG INTEGRATED CIRCUIT COMPRISING THE SAME

Номер патента: US20120154028A1. Автор: CHO Min-Hyung,KIM Yi-Gyeong,KWON Jong-Kee,KIM Bong Chan. Владелец: Electronics Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-06-21.

ADAPTIVE BODY BIAS CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20130009673A1. Автор: LEE Hoi-Jin,Kwon Seok-Il. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-01-10.

BIAS AND LOAD CIRCUIT, FAST BIAS CIRCUIT AND METHOD

Номер патента: US20130342261A1. Автор: Chiu Ying-Chung. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2013-12-26.

Bias circuit for emitter grounding amplifier circuit

Номер патента: JPH1168473A. Автор: Yoshitaka Tsuchiya,貴敬 土屋. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-03-09.

High voltage operating field effect transistor, bias circuit therefor and high voltage circuit thereof

Номер патента: CN100474619C. Автор: 林丰,小山内润,吉田宜史,长谷川尚. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2009-04-01.

ESD protection circuit, bias circuit and electronic installation

Номер патента: CN103872670B. Автор: 杨宗翰,陈哲宏. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-31.

Power down circuit and bias circuit

Номер патента: JP3110535B2. Автор: 裕子 丹場. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2000-11-20.

Bias circuit in fet complementary compensation circuit

Номер патента: JPS62100007A. Автор: Masaki Fujimaki,藤巻　正樹. Владелец: Individual. Дата публикации: 1987-05-09.

Starting circuit of stabilized bias circuit

Номер патента: JPS59228405A. Автор: Tsuneo Okubo,Yuji Mizoguchi,溝口　雄士,大久保　常雄. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1984-12-21.

Hall switch circuit and starting and bias circuit thereof

Номер патента: CN202872750U. Автор: 陈俊,宋红刚. Владелец: SENTRONIC TECHNOLOGY (SHANGHAI) Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-10.

Power supply circuit and bias circuit

Номер патента: JP2003233429A. Автор: Masaru Nakamura,勝 中村,Makoto Chiba,真 千葉. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-08-22.

Low-noise bias circuit and broadband voltage-controlled oscillation circuit

Номер патента: CN102195639A. Автор: 李玺,卢超,周健军. Владелец: Shanghai Xinpuzhen Microelectronic Co ltd. Дата публикации: 2011-09-21.

Control circuit for bias circuit of programmable gain amplifier

Номер патента: TW423211B. Автор: Chi-Ming Shiau. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2001-02-21.

Bias circuit

Номер патента: AU4677268A. Автор: Albert Santilli Richard. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1970-06-04.

Automatic bias circuit

Номер патента: CA443446A. Автор: J. Dailey Hampton. Владелец: Canadian Westinghouse Co Ltd. Дата публикации: 1947-08-05.

An electronic circuit used in illuminating neon lamps using direct current 12,21,36 valt

Номер патента: EG21425A. Автор: Mohamed Farouk Joussif. Владелец: Mohamed Farouk Joussif. Дата публикации: 2001-10-31.

Dynamic bias circuit

Номер патента: TW352187U. Автор: Shuo-Jang Liou,Jung-Ping An. Владелец: Elan Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-02-01.

Bias Circuit with High Enablement Speed and Low Leakage Current

Номер патента: US20120119823A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-05-17.

Bias circuit of electro-absorption modulated laser and calibration method thereof

Номер патента: US20120269215A1. Автор: Lv Shusheng. Владелец: ZTE CORPORATION. Дата публикации: 2012-10-25.

High Amplitude Voltage-Controlled Oscillator with Dynamic Bias Circuit

Номер патента: US20120306584A1. Автор: Cao Zhiheng. Владелец: BROADCOM CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-06.

BIAS CIRCUIT

Номер патента: US20120326755A1. Автор: Shioda Tomoki. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2012-12-27.

SENSE AMPLIFIERS INCLUDING BIAS CIRCUITS

Номер патента: US20130027133A1. Автор: Lee Seong-Hoon. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-01-31.

SYSTEMS AND METHODS FOR ADAPTIVE BIAS CIRCUITS FOR A POWER AMPLIFIER

Номер патента: US20130027135A1. Автор: Lee Chang-Ho,Chang Jae Joon,Kim Woonyun,Han Jeonghu,Yang Ki Seok. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS COMPANY. Дата публикации: 2013-01-31.

ADJUSTABLE BODY BIAS CIRCUIT

Номер патента: US20130038382A1. Автор: Groot Cas,Meijer Rinze,Villar Pique Gerard. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-14.

POWER AMPLIFIER MODULE HAVING BIAS CIRCUIT

Номер патента: US20130076447A1. Автор: Na Yoo Sam,KIM Gyu Suck. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-28.

Bit Line Bias Circuit With Varying Voltage Drop

Номер патента: US20130286744A1. Автор: Hung Chun-Hsiung,Chen Chung-Kuang,Chen Han-Sung. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2013-10-31.

BIAS CIRCUIT AND POWER AMPLIFIER HAVING THE SAME

Номер патента: US20130321086A1. Автор: Park Ju Young,Kim Youn Suk,Kim Ki Joong,Won Jun Goo,Han Myeong Woo,Iizuka Shinichi,SONG Young Jean. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-05.

Common Mode Bias Circuit

Номер патента: US20140009223A1. Автор: Rey-Losada Daniel. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2014-01-09.

LOW NOISE BIAS CIRCUIT FOR PHASED ARRAY ANTENNA ELEMENT

Номер патента: US20140038529A1. Автор: Adlerstein Michael G.. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2014-02-06.

Thermal compersation bias circuit of amp

Номер патента: KR910000689Y1. Автор: 오희석. Владелец: 최근선. Дата публикации: 1991-02-08.

Adaptive bias circuit in a kind of CMOS linear power amplifier

Номер патента: CN204697009U. Автор: 焦建堂,万颖高. Владелец: WUXI ZHONGPU MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2015-10-07.

Bias circuit for magnetic bubble

Номер патента: JPS53106529A. Автор: Hideki Obara. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1978-09-16.

DC bias circuit of X-waveband GaN HEMT power device

Номер патента: CN105262449A. Автор: 赵涛,董硕,刘鹏飞,姚崇斌,黄硕,吕利清,洪晨晖. Владелец: Shanghai Aerospace Measurement Control Communication Institute. Дата публикации: 2016-01-20.

Gate bias circuit

Номер патента: JPS62203406A. Автор: Toshiyuki Saito,Hisafumi Okubo,Yoshiaki Kaneko,Shiyuuji Kobayakawa,周磁 小早川,俊幸 斉藤,大久保　尚史,金子　良明. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1987-09-08.

METHOD FOR PRODUCING PROPERTIES frequency selective circuit using SPACE-TIME ALGORITHM FOR MEASURING THE ENERGY VALUE PACKAGE TO RAKE delay line, exhibit dispersion for wavelengths working range, and summing the results of performance of measurements

Номер патента: RU2009134748A. Автор: Андрей Витальевич Паргачёв,Андрей Витальевич Паргачёв (RU). Владелец: Андрей Витальевич Паргачёв (RU). Дата публикации: 2011-03-27.

Bias circuit

Номер патента: JPS5873211A. Автор: Hiroshi Gomi,五味　浩. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1983-05-02.

Hall bias circuit

Номер патента: JP3270304B2. Автор: 秀巨 前戸,正登 中村,正夫 水本. Владелец: Victor Company of Japan Ltd. Дата публикации: 2002-04-02.

Transistor bias circuit

Номер патента: JPS6410712A. Автор: Norio Orimo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1989-01-13.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.