Phase change memory element and manufacturing method thereof
Номер патента: JP4424604B2
Опубликовано: 03-03-2010
Автор(ы): 憲 龍 張
Принадлежит: Hynix Semiconductor Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 03-03-2010
Автор(ы): 憲 龍 張
Принадлежит: Hynix Semiconductor Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Phase change memory devices with,bipolar transitstors and manufacturing methods thereof
Номер патента: WO2008097910A2. Автор: Albert Wu,Chien-Chuan Wei,Roger Switzer. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2008-08-14.