Methods of forming a MIM capacitor and MIM capacitors fabricated using the same
Номер патента: KR100653709B1
Опубликовано: 04-12-2006
Автор(ы): 김기철, 김진용, 이광희, 이진일, 임재순, 임한진, 정숙진, 조규호
Принадлежит: 삼성전자주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 04-12-2006
Автор(ы): 김기철, 김진용, 이광희, 이진일, 임재순, 임한진, 정숙진, 조규호
Принадлежит: 삼성전자주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of increasing embedded 3d metal-insulator-metal (mim) capacitor capacitance density for wafer level packaging
Номер патента: WO2019032789A1. Автор: Guan Huei See,Arvind Sundarrajan,Yu Gu,Peng Suo. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-02-14.