Polishing process for manufacturing dopant-striation-free polished silicon wafers
Номер патента: US6189546B1
Опубликовано: 20-02-2001
Автор(ы): David Zhang, Henry F. Erk, Sharon Brumer
Принадлежит: SunEdison Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 20-02-2001
Автор(ы): David Zhang, Henry F. Erk, Sharon Brumer
Принадлежит: SunEdison Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Composition for post-polishing to be used after primary polishing of silicon wafers
Номер патента: US11884844B2. Автор: Eiichiro ISHIMIZU,Hibiki ISHIJIMA. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2024-01-30.