SEMICONDUCTOR DEVICE WITH AIR GAP AND METHOD FOR PREPARING THE SAME
Номер патента: US20210074578A1
Опубликовано: 11-03-2021
Автор(ы): CHOU Liang-Pin
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 11-03-2021
Автор(ы): CHOU Liang-Pin
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device with conductive cap layer over conductive plug and method for forming the same
Номер патента: US20200373308A1. Автор: Hung-Chi Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-11-26.