• Главная
  • 於基板上形成半導體材料膜層之方法及混合膜層形成裝置

於基板上形成半導體材料膜層之方法及混合膜層形成裝置

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method for depositing layers of high quality semiconductor material

Номер патента: EP1110248A4. Автор: Subhendu Guha,Chi C Yang. Владелец: United Solar Systems Corp. Дата публикации: 2004-09-08.

Method for depositing layers of high quality semiconductor material

Номер патента: WO2000011726A1. Автор: Subhendu Guha,Chi C. Yang. Владелец: United Solar Systems Corporation. Дата публикации: 2000-03-02.

Method for depositing layers of high quality semiconductor material

Номер патента: AU6130399A. Автор: Subhendu Guha,Chi C Yang. Владелец: United Solar Systems Corp. Дата публикации: 2000-03-14.

Method for depositing layers of high quality semiconductor material

Номер патента: AU751748B2. Автор: Subhendu Guha,Chi C Yang. Владелец: United Solar Systems Corp. Дата публикации: 2002-08-29.

Method for depositing layers of high quality semiconductor material

Номер патента: EP1110248A1. Автор: Subhendu Guha,Chi C. Yang. Владелец: United Solar Systems Corp. Дата публикации: 2001-06-27.

Apparatus and methods for manufacturing thin-film solar cells

Номер патента: US20090255469A1. Автор: Jeffrey S. Britt,Scot Albright. Владелец: Global Solar Energy Inc. Дата публикации: 2009-10-15.

Method for depositing high-quality microcrystalline semiconductor materials

Номер патента: WO2005072302A2. Автор: Subhendu Guha,Baojie Yan,Chi C. Yang. Владелец: United Solar Systems Corporation. Дата публикации: 2005-08-11.

Method for depositing high-quality microcrystalline semiconductor materials

Номер патента: EP1743360A2. Автор: Subhendu Guha,Baojie Yan,Chi C. Yang. Владелец: United Solar Systems Corp. Дата публикации: 2007-01-17.

Methods for the formation of thin film layers using short-time thermal processes

Номер патента: EP1495489A2. Автор: Daniel F. Downey. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2005-01-12.

Methods For Depositing Blocking Layers On Conductive Surfaces

Номер патента: US20210134593A1. Автор: Mark Saly,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Wenyi Liu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090189221A1. Автор: Gwang Su Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-30.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7732879B2. Автор: Gwang Su Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-08.

Methods for forming large area diamond substrates

Номер патента: WO2019222458A1. Автор: Timothy A. Grotjohn,Aaron Hardy,Ramon DIAZ. Владелец: Fraunhofer Usa. Дата публикации: 2019-11-21.

Methods for forming large area diamond substrates

Номер патента: EP3794631A1. Автор: Timothy A. Grotjohn,Aaron Hardy,Ramon DIAZ. Владелец: Fraunhofer USA Inc. Дата публикации: 2021-03-24.

Fabricating equipment for semiconductor device and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20230225102A1. Автор: Han Jin Lim,Intak Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-13.

Method for producing thin film transistor

Номер патента: US20210151585A1. Автор: Yasunori Ando,Daisuke Matsuo,Yoshitaka Setoguchi,Shigeaki Kishida. Владелец: Nissin Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Process for forming dielectric films

Номер патента: US20090170341A1. Автор: Hideo Kitagawa,Nobumasa Suzuki,Yusuke Fukuchi,Naomu Kitano. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

PROCESS FOR FORMING A MONOCRYSTALLINE THIN LAYER OF SEMICONDUCTOR COMPOUND

Номер патента: FR2578680A1. Автор: Hitoshi Abe,Junichi Nishizawa,Soubei Suzuki. Владелец: Research Development Corp of Japan. Дата публикации: 1986-09-12.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7507619B2. Автор: Gwang Su Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-24.

Method and apparatus for tuning film properties during thin film deposition

Номер патента: US12029129B2. Автор: Lizhong Sun,Xiao Dong Yang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Method and system for forming copper thin film

Номер патента: US20020052109A1. Автор: Atsushi Sekiguchi,Akiko Kobayashi,Toshiaki Sasaki,Susumu Akiyama,Minjuan Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-02.

Method and system for forming copper thin film

Номер патента: US6726954B2. Автор: Atsushi Sekiguchi,Akiko Kobayashi,Toshiaki Sasaki,Susumu Akiyama,Minjuan Zhang. Владелец: Anelva Corp. Дата публикации: 2004-04-27.

Method for production of a metallic or metal-containing layer

Номер патента: US20040132313A1. Автор: Thomas Hecht,Annette Saenger,Bernhard Sell. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-07-08.

Methods for depositing silicon-containing films

Номер патента: US11851756B2. Автор: XINJIAN LEI,Ming Li,Manchao Xiao,Robert G. Ridgeway,Raymond N. Vrtis. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-12-26.

Method of forming metal interconnection layer of semiconductor device

Номер патента: US5670420A. Автор: Kyeong Keun Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1997-09-23.

Resin product and method for manufacturing a resin product

Номер патента: US20180097169A1. Автор: Taisuke Iwashita. Владелец: Canon Components Inc. Дата публикации: 2018-04-05.

Method for direct patterned growth of atomic layer transition metal dichalcogenides

Номер патента: US20190371605A1. Автор: Avetik Harutyunyan,Xufan Li. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Method for Generating Graphene Structures

Номер патента: US20130323863A1. Автор: Sean Barstow,Sandip Niyogi. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-12-05.

Production method for a catalyst-coated three-dimensionally structured electrode

Номер патента: AU2022207651A9. Автор: Ralph Krähnert,Denis Bernsmeier,Michael Bernicke. Владелец: Nano Cats GmbH. Дата публикации: 2024-02-08.

Production method for a catalyst-coated three-dimensionally structured electrode

Номер патента: AU2022207651A1. Автор: Ralph Krähnert,Denis Bernsmeier,Michael Bernicke. Владелец: Nano Cats GmbH. Дата публикации: 2023-07-13.

Systems and methods for selectively coating a substrate using shadowing features

Номер патента: US10814609B2. Автор: Isaac Mayer Ehrenberg. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2020-10-27.

Method for manufacturing galium naitride wafer

Номер патента: EP2532022A2. Автор: Yong Jin Kim,Ho Jun Lee,Kye Jin Lee,Dong Kun Lee,Doo Soo Kim. Владелец: LG Siltron Inc. Дата публикации: 2012-12-12.

Improvements in or relating to the preparation of monocrystalline semiconductor materials

Номер патента: GB1002899A. Автор: . Владелец: Siemens and Halske AG. Дата публикации: 1965-09-02.

Fabrication Of Semiconductor Substrates

Номер патента: US20200083042A1. Автор: Heinz Schmid,Lukas Czornomaz,Philipp Staudinger,Yannick Baumgartner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Systems and methods for selectively coating a substrate using shadowing features

Номер патента: US11795539B2. Автор: Isaac Mayer Ehrenberg. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2023-10-24.

Systems and Methods for Selectively Coating a Substrate Using Shadowing Features

Номер патента: US20170273196A1. Автор: Isaac Mayer Ehrenberg. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2017-09-21.

Systems and methods for selectively coatng a substrate using shadowing features

Номер патента: US20240209492A1. Автор: Isaac Mayer Ehrenberg. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2024-06-27.

Epitaxial wafer and method for manufacturing same

Номер патента: US09773932B2. Автор: Takashi Kyono,Kaoru Shibata,Katsushi Akita,Koji Nishizuka,Kei Fujii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Method for industrial manufacturing of a semiconductor structure with reduced bowing

Номер патента: EP3449497A1. Автор: Leonida Miglio. Владелец: PILEGROWTH TECH Srl. Дата публикации: 2019-03-06.

Method for forming and patterning a layer and/or substrate

Номер патента: WO2020242645A1. Автор: Tejinder Singh,Rui CHENG,Takehito KOSHIZAWA,Hidetaka Oshio. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-12-03.

Method for industrial manufacturing of a semiconductor structure with reduced bowing

Номер патента: US20190131127A1. Автор: Leonida Miglio. Владелец: PILEGROWTH TECH Srl. Дата публикации: 2019-05-02.

Method for depositing a strain relaxed graded buffer layer of silicon germanium on a surface of a substrate

Номер патента: WO2023143804A1. Автор: Peter Storck,Lucas Becker. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2023-08-03.

Methods for manufacturing photoelectrosynthetically active heterostructures

Номер патента: US09935234B2. Автор: Eric McFarland,Tim Young,Nirala Singh,Syed Mubeen Jawahar Hussaini. Владелец: HYPERSOLAR Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

System and method for forming a thin-film phosphor layer for phosphor-converted light emitting devices

Номер патента: US09797041B2. Автор: Chieh Chen. Владелец: MAVEN Optronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

System and method for forming a thin-film phosphor layer for phosphor-converted light emitting devices

Номер патента: EP2412037A2. Автор: Chieh Chen. Владелец: Maven Optronics International Ltd. Дата публикации: 2012-02-01.

System and method for forming a thin-film phosphor layer for phosphor-converted light emitting devices

Номер патента: WO2010057023A2. Автор: Chieh Chen. Владелец: Maven Optronics Corp.. Дата публикации: 2010-05-20.

System and method for forming a thin-film phosphor layer for phosphor-converted light emitting devices

Номер патента: US20150275372A1. Автор: Chieh Chen. Владелец: MAVEN Optronics Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Composition of, and method for forming, a semiconductor structure with multiple insulator coatings

Номер патента: US20160333264A1. Автор: Juanita N. Kurtin,Weiwen Zhao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-17.

Method of forming a tunnel oxide layer of a non-volatile memory cell

Номер патента: US20020076883A1. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-06-20.

Thermoelectric conversion material and method for manufacturing same

Номер патента: US20150075578A1. Автор: Kunihisa Kato,Tsuyoshi MUTOU. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Methods for activating openings for jets electroplating

Номер патента: US09911614B2. Автор: Uri Cohen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for Stress Reduced Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: US20140141592A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Peter Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-05-22.

Process for forming electronic circuit

Номер патента: US5759638A. Автор: Keiji Kabeta,Shigeru Wakamatsu,Takafumi Imai,Kiyoaki Syuto. Владелец: Toshiba Silicone Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-02.

Method for manufacturing thin substrate

Номер патента: US20190371644A1. Автор: Michihiro Sugo,Masahito Tanabe. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210090987A1. Автор: Hiroyuki Kawashima,Hitoshi Okano. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230005931A1. Автор: Zhan Ying,Xin Li,Junyi Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Methods for protecting film layers while removing hardmasks during fabrication of semiconductor devices

Номер патента: US20110086495A1. Автор: Rohit Pal,Janice MONZET. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-04-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11810851B2. Автор: Hiroyuki Kawashima,Hitoshi Okano. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Method for forming multi-layer film and patterning process

Номер патента: US09785049B2. Автор: Jun Hatakeyama,Daisuke Kori. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for measuring thickness variations in a layer of a multilayer semiconductor structure

Номер патента: US09759546B2. Автор: Oleg Kononchuk,Didier Dutartre. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for measuring thickness variations in a layer of a multilayer semiconductor structure

Номер патента: US20180347966A1. Автор: Oleg Kononchuk. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220085021A1. Автор: Xinran Liu,Yule SUN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Method for making FINFETs and semiconductor structures formed therefrom

Номер патента: US8729638B2. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2014-05-20.

Process for forming monocrystalline and poly

Номер патента: US3698947A. Автор: Bernard M Kemlage,Hans B Pogge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1972-10-17.

Method of forming crystalline layer, method of forming a battery half cell

Номер патента: WO2021094773A1. Автор: Robert Gruar. Владелец: Dyson Technology Limited. Дата публикации: 2021-05-20.

Method of forming a crystalline layer, method of forming a battery half cell

Номер патента: GB2588944A. Автор: Ian Joseph Gruar Robert. Владелец: Dyson Technology Ltd. Дата публикации: 2021-05-19.

Method for Forming Metal Silicide Layers

Номер патента: US20140335646A1. Автор: Mónica ALEMÁN,Thierry Emeraud,Loic TOUS,Joachim John. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2014-11-13.

Method for forming metal silicide layers

Номер патента: EP2783396A1. Автор: Mónica ALEMÁN,Thierry Emeraud,Loic TOUS,Joachim John. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2014-10-01.

Method for manufacturing transparent conductive film

Номер патента: US20130056149A1. Автор: Tomotake Nashiki,Yuka Yamazaki. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2013-03-07.

Method For Fracturing And Forming A Pattern Using Shaped Beam Charged Particle Beam Lithography

Номер патента: US20160103390A1. Автор: Michael Tucker,Akira Fujimura. Владелец: D2S Inc. Дата публикации: 2016-04-14.

Method for forming thermal oxide film of semiconductor substrate

Номер патента: EP4160657A1. Автор: Tatsuo Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-05.

Method for forming organic film and method for manufacturing substrate for semiconductor apparatus

Номер патента: US09984891B2. Автор: Tsutomu Ogihara,Rie Kikuchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for reducing cracks in a step-shaped cavity

Номер патента: US20180068888A1. Автор: Xianchao WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Method for manufacturing thin-film transistor

Номер патента: US09711625B2. Автор: Xiangyang Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for fabricating precision layer silicon-over-oxide semiconductor structure

Номер патента: US3869321A. Автор: Stanley R Davis. Владелец: Signetics Corp. Дата публикации: 1975-03-04.

Method of forming a device wafer with recyclable support

Номер патента: US20080261377A1. Автор: George K. Celler. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2008-10-23.

Method for manufacturing a doped zone of a microelectronic device

Номер патента: US11942323B2. Автор: Shay REBOH. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-03-26.

Method for forming thermal oxide film on semiconductor substrate

Номер патента: US20230268175A1. Автор: Tatsuo Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Method for Forming a Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20230197525A1. Автор: Juergen Boemmels,Basoene Briggs,Boon Teik CHAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-22.

Method of growing n-type III-V semiconductor materials on a substrate using SiI4

Номер патента: US5821155A. Автор: Shigekazu Izumi,Yutaka Uneme. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-10-13.

Method of fabricating a structure with an oxide layer of a desired thickness on a Ge or SiGe substrate

Номер патента: US20060270244A1. Автор: Nicolas Daval,Yves-Mathieu Le Vaillant. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2006-11-30.

Method for forming crisscrossed conductive lines of thin-film solar module

Номер патента: EP4295417A1. Автор: Yilei SHEN,Bala-Krishna GADDIGOPULA. Владелец: Triumph Science & Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-27.

Method for fabricating finfet isolation structure

Номер патента: US20170110557A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Method for fabricating FinFET isolation structure

Номер патента: US09917176B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Heterogeneous semiconductor material integration techniques

Номер патента: EP3087583A1. Автор: Kimin Jun,Alejandro X. Levander. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-02.

Heterogeneous semiconductor material integration techniques

Номер патента: US20160056180A1. Автор: Kimin Jun,Alejandro X. Levander. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Method for forming semiconductor device and resulting device

Номер патента: US20190067129A1. Автор: Tsung-Han Wu,Tong-Min Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Substrate treating apparatus and method for inspecting treatment liquid nozzle

Номер патента: US10985007B2. Автор: Kwangsup Kim. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-20.

Substrate treating apparatus and method for inspecting treatment liquid nozzle

Номер патента: US20190111450A1. Автор: Kwangsup Kim. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

Method for local thinning of top silicon layer of SOI wafer

Номер патента: US9601389B1. Автор: Zhangli LIU. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Method for forming films or layers

Номер патента: GB9826405D0. Автор: . Владелец: SOUTH BANK UNIVERSITY ENTERPRISES LTD. Дата публикации: 1999-01-27.

Method for using a modified post-etch clean rinsing agent

Номер патента: US7732345B2. Автор: Phillip Daniel Matz,Trace Hurd. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-06-08.

Electronic device including metal-insulator-semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20170294484A1. Автор: Ki-Seon Park,Chi-Ho Kim,Jong-Han Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-12.

Method for using a modified post-etch clean rinsing agent

Номер патента: US20080057730A1. Автор: Phillip Daniel Matz,Trace Hurd. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-03-06.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: WO2011029010A2. Автор: Deva N. Pattanayak,Kyle Terrill,Robert Xu,Kuo-In Chen,Sharon Shi,Hamilton Lu,The-Tu Chau. Владелец: VISHAY-SILICONIX. Дата публикации: 2011-03-10.

Electronic device including metal-insulator-semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US09842881B2. Автор: Ki-Seon Park,Chi-Ho Kim,Jong-Han Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Process for forming photoresist mask over integrated circuit structures with critical dimension control

Номер патента: US5902704A. Автор: Philippe Schoenborn,John Haywood. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1999-05-11.

Method of etching indium-based semiconductor materials

Номер патента: WO2023209378A1. Автор: Kevin Powell,Andrew Newton,Katie HORE,Kasia STOKELEY. Владелец: Oxford Instruments Nanotechnology Tools Limited. Дата публикации: 2023-11-02.

Method for forming fully relaxed silicon germanium on silicon

Номер патента: US20120299155A1. Автор: Jinping Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2012-11-29.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20090246945A1. Автор: Toru Takasone. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Method for manufacturing thin-film transistor

Номер патента: US20160343834A1. Автор: Xiangyang Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Vertical channel-type 3d semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150179661A1. Автор: Ming Liu,Zongliang Huo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-06-25.

Method for depositing a strain relaxed graded buffer layer of silicon germanium on a surface of a substrate

Номер патента: EP4220686B1. Автор: Peter Storck,Lucas Becker. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2024-07-10.

Method for producing ceramic laminate

Номер патента: US20030085494A1. Автор: Yukihisa Takeuchi,Akio Iwase,Tetsuji Ito,Toshio Ooshima,Shige Kadotani,Shoji Osaki. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2003-05-08.

Method for fabricating semiconductor device with damascene structure by using etch stop layer

Номер патента: US20230307248A1. Автор: Wei-Chen Pan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

A method of forming a semiconductor or dielectric layer on a substrate

Номер патента: GB2624846A. Автор: Guiney Ivor,MORRIS Oliver,Dixon Sebastian. Владелец: Paragraf Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09818612B2. Автор: Hidetami Yaegashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Methods of forming a silicon nitride film, a capacitor dielectric layer and a capacitor

Номер патента: US6077754A. Автор: Sujit Sharan,Gurtej S. Sandhu,Anand Srinivasan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-06-20.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US11942522B2. Автор: Zhongming Liu,Yexiao Yu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Method for Forming Doped Epitaxial Layer of Contact Image Sensor

Номер патента: US20220069145A1. Автор: Chang Sun,Jun Qian,Chenchen Qiu,Zhengying Wei. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Method for forming doped epitaxial layer of contact image sensor

Номер патента: US11508859B2. Автор: Chang Sun,Jun Qian,Chenchen Qiu,Zhengying Wei. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-11-22.

Method for forming a fine pattern

Номер патента: US20190267246A1. Автор: Jongchul Park,Hak-sun Lee,Young-Ju Park,Keunhee Bai,Seungjun Kim,SeungJu PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-29.

Method for producing semiconductor element, and semiconductor device

Номер патента: EP4086941A1. Автор: Katsunori Azuma,Tomohisa Hirayama. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2022-11-09.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230274972A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Hui-Cheng Chang,Tsai-Yu Huang,Po-Kai Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device with air gap and method for preparing the same

Номер патента: US20210098389A1. Автор: Chih-Tsung WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Method for making epitaxial structure

Номер патента: US20150279657A1. Автор: Yang Wei,Shou-Shan Fan. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-01.

Method for making epitaxial structure

Номер патента: US9472400B2. Автор: Yang Wei,Shou-Shan Fan. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Method for gluing components, forming a temperature-resistant adhesive layer

Номер патента: US20110221308A1. Автор: Roland Mueller,Gerhard Hueftle,Irene Jennrich,Patrick Stihler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-15.

Method for measuring the thickness of a layer of material, galvanizing method and related measuring device

Номер патента: US09797709B2. Автор: Jean Inard-Charvin,Geoffrey BRUNO. Владелец: ENOVASENSE. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for manufacturing steel plate with a layered structure

Номер патента: US20130000789A1. Автор: Yasushi Sasaki,Weonhui Lee. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2013-01-03.

Method for fabricating fluid ejection device

Номер патента: US9403365B2. Автор: David Bernard,Andrew McNees,James Mrvos. Владелец: Funai Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Method for gravure printing transparent electrodes, and ink composition therefor

Номер патента: WO2005069068A1. Автор: Arie R. Van Doorn,Wouter Maessen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2005-07-28.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12087821B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09954073B2. Автор: Jun Sakakibara,Shoji Mizuno,Yuichi Takeuchi,Nozomu Akagi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

A method for manufacturing a semiconductor device having diffusion junctions

Номер патента: GB1273199A. Автор: . Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1972-05-03.

Method for polishing leads for semiconductor packages

Номер патента: US6726533B2. Автор: Takeyuki Sato. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-27.

Phase shift mask with enhanced resolution and method for fabricating the same

Номер патента: US8257886B2. Автор: Sang Jin Jo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-09-04.

Phase Shift Mask with Enhanced Resolution and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20100233588A1. Автор: Sang Jin Jo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-09-16.

Method for forming micro groove structure

Номер патента: US20030211739A1. Автор: Tatsuhiro Nakazawa,Keiji Tsunetomo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-13.

Semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170076980A1. Автор: Takashi Ohashi,Takuya Ohtsuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Fabrication apparatus for fabricating a layer structure

Номер патента: US20140272326A1. Автор: Christoph Rickers,Pieter Gijsbertus Maria Kruijt. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2014-09-18.

Methods of forming a finfet semiconductor device with undoped fins

Номер патента: US20150123214A1. Автор: Teck Jung Tang,Andy C. Wei,Akshey Sehgal,Francis M. Tambwe,Seung Y. Kim. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-05-07.

Microdevice substrate and method for making micropattern devices

Номер патента: CA1066209A. Автор: James H. Mcalear,John M. Wehrung. Владелец: DIOS. Дата публикации: 1979-11-13.

Method for forming fine pattern by spacer patterning technology

Номер патента: US7727889B2. Автор: Sung Yoon Cho,Ik Soo Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-01.

Manufacturing method for a finished product of a heat sink composite having heat dissipation function

Номер патента: US20210094087A1. Автор: Shih Pao Chien. Владелец: Trusval Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US9595472B1. Автор: Takashi Ohashi,Takuya Ohtsuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Flexible display device, method for manufacturing flexible display device, and foldable display device

Номер патента: US12117634B2. Автор: Akira Sakai,Masahiro Hasegawa,Miho Yamada. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

METHOD FOR FORMING AND PATTERNING A LAYER AND/OR SUBSTRATE

Номер патента: US20200373159A1. Автор: Singh Tejinder,Cheng Rui,KOSHIZAWA Takehito,OSHIO Hidetaka. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-26.

Method for producing a semiconductor component and a semiconductor component

Номер патента: US09887180B2. Автор: Tansen Varghese,Matthew Meitl,Christopher Bower. Владелец: X Celeprint Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Method for forming silicide of semiconductor device

Номер патента: US8105910B2. Автор: Hee-Jae Shin. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2012-01-31.

Apparatuses and methods for forming die stacks

Номер патента: US09881910B2. Автор: Michel Koopmans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for forming shallow trench in semiconductor device

Номер патента: US20050148152A1. Автор: Tse-Yao Huang,Yi-Nan Chen,Hsiu-Chun Lee. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-07-07.

Process for forming vertical semiconductor device having increased source contact area

Номер патента: EP1067596A3. Автор: Thomas Grebs,Jason Trost. Владелец: Intersil Corp. Дата публикации: 2003-05-28.

Formation method for air spacer layer and semiconductor structure

Номер патента: US20220020632A1. Автор: Jie Bai,Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Formation method for air spacer layer and semiconductor structure

Номер патента: US12087617B2. Автор: Jie Bai,Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

A device and method for inhibiting oxidation of contact plugs in ferroelectric capacitor devices

Номер патента: EP1680807A1. Автор: Jingyu Lian. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-07-19.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230258866A1. Автор: Houssein EL DIRANI. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-08-17.

Method for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20020197858A1. Автор: Tsai-Sen Lin,Chon-Shin Jou,Chieh-Ju Chang,Lung-Yu Yen. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2002-12-26.

Methods for forming low resistivity interconnects

Номер патента: US09812328B2. Автор: Er-Xuan Ping,Sundar Ramamurthy,Xianmin Tang,Kaushal K. Singh,Randhir Thakur. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Systems and methods for forming contact definitions

Номер патента: US09804491B1. Автор: Subramanian Krishnan,Shekhar Bhansali,Rudraskandan Ratnadurai. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2017-10-31.

Interconnection Wires of Semiconductor Devices

Номер патента: US20140315382A1. Автор: Chung-Ju Lee,Hsiang-Huan Lee,Sunil Kumar Singh,Hsin-Chieh Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-10-23.

Method of forming a semiconductor device having several gate levels

Номер патента: US4724218A. Автор: Pierre Blanchard,Jean P. Cortot. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1988-02-09.

Multi-deck three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US10600763B1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-24.

Multi-deck three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20200194403A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-18.

Method for forming silicide of semiconductor device

Номер патента: US20100072521A1. Автор: Hee-Jae Shin. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-03-25.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20200135735A1. Автор: RWIK Sengupta,Mark S. Rodder,Vassilios Gerousis,Joon Goo Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor package and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234269A9. Автор: Donghyeon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for fabricating semiconductor device with protection liner for bit line

Номер патента: US12057348B2. Автор: Huan-Yung Yeh,Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for fabricating polycide dual gate in semiconductor device

Номер патента: US20010006832A1. Автор: Jong Bae,Ji Park,Dong Sohn. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-05.

Method for fabricating semiconductor device with protection liner for bit line

Номер патента: US20240355674A1. Автор: Huan-Yung Yeh,Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Methods for producing a multilayer semiconductor structure

Номер патента: US20050191824A1. Автор: Bruno Ghyselen,Carlos Mazure. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2005-09-01.

Method for forming package structure

Номер патента: US20230253276A1. Автор: Szu-Wei Lu,Chih-hao Chen,Chin-Fu Kao,Li-Hui Cheng,Chih-Chien Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Method for forming package structure with cavity substrate

Номер патента: US11967579B2. Автор: Ming-Da Cheng,Po-Hao Tsai,Mirng-Ji Lii. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Method for Forming an Interconnect Structure

Номер патента: US20240036470A1. Автор: Zheng Tao,Waikin Li. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor integrated device and manufacturing method for the same

Номер патента: US20110143523A1. Автор: Hitoshi Okamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-06-16.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US9142667B2. Автор: Hideki Okumura,Hiroto Misawa,Takahiro Kawano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-22.

Semiconductor integrated device and manufacturing method for the same

Номер патента: US8372704B2. Автор: Hitoshi Okamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-02-12.

Method of manufacturing semiconductor substrate and method of manufacturing substrate for liquid ejection head

Номер патента: US20190263123A1. Автор: Koji Sasaki,Kouji Hasegawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140179075A1. Автор: Hideki Okumura,Hiroto Misawa,Takahiro Kawano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-26.

Method for manufacturing a semiconductor device with increased breakdown voltage

Номер патента: US09812554B2. Автор: Shinya Sato,Akihiro Shimada,Noboru Yokoyama,Tomoyuki SAKUMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Methods for forming semiconductor devices using metal hardmasks

Номер патента: US20240079246A1. Автор: Minjoon PARK,Alec Dorfner. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

A method for forming an interconnect structure

Номер патента: EP4312252A1. Автор: Zheng Tao,Waikin Li. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-01-31.

Method for forming package structure

Номер патента: US20210343611A1. Автор: Szu-Wei Lu,Chih-hao Chen,Chin-Fu Kao,Li-Hui Cheng,Chih-Chien Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Methods for forming semiconductor devices using metal hardmasks

Номер патента: WO2024049609A1. Автор: Minjoon PARK,Alec Dorfner. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-03-07.

Methods for fabricating an STI film of a semiconductor device

Номер патента: US7217633B2. Автор: Geon-Ook Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-15.

Methods for fabricating an STI film of a semiconductor device

Номер патента: US20050142805A1. Автор: Geon-Ook Park. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method for fusing a laser fuse and method for processing a wafer

Номер патента: US20140057412A1. Автор: Gunther Mackh,Gerhard Leschik. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-02-27.

Method for wafer level reliability

Номер патента: US09842780B2. Автор: KyeNam Lee,HyunHo Jang. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240071829A1. Автор: Jeng-Ya Yeh,Hsin-Che Chiang,Chi-Wei Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Transfer of stress to a layer

Номер патента: WO2008014032A1. Автор: Gregory S. Spencer,Vishal P. Trivedi,Narayanan C. Ramani,Venkat R. Kolagunta. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2008-01-31.

Embedded chip packages and methods for manufacturing an embedded chip package

Номер патента: US09721920B2. Автор: Gottfried Beer,Walter Hartner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-01.

Mid-processing removal of semiconductor fins during fabrication of integrated circuit structures

Номер патента: US11887860B2. Автор: Anurag Jain,Szuya S. LIAO,Mehmet O. BAYKAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Mid-processing removal of semiconductor fins during fabrication of integrated circuit structures

Номер патента: US20200227267A1. Автор: Anurag Jain,Szuya S. LIAO,Mehmet O. BAYKAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Method for forming conductive feature

Номер патента: US20230343640A1. Автор: Che-Li Lin,Ling-Sung Wang,Li-Yi Chen,Kuan Wei Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Mid-processing removal of semiconductor fins during fabrication of integrated circuit structures

Номер патента: US20230343599A1. Автор: Anurag Jain,Szuya S. LIAO,Mehmet O. BAYKAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150221564A1. Автор: Takuya Yoshida,Kazutoyo Takano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-08-06.

Method for exposing polysilicon gates

Номер патента: US20170084466A1. Автор: Hong Lin. Владелец: Shanghai IC R&D Center Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-23.

Method for exposing polysilicon gates

Номер патента: US09941138B2. Автор: Hong Lin. Владелец: Shanghai IC R&D Center Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for fabricating an isolated NMOS transistor on a digital BiCMOS process

Номер патента: US6033946A. Автор: Jeffrey P. Smith,Louis N. Hutter. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-03-07.

Method of forming a deep trench isolation structure for isolation of high-voltage devices

Номер патента: US11830765B2. Автор: Hung-Ling Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Methods of processing a substrate with minimal scalloping

Номер патента: US20050211668A1. Автор: Tamarak Pandhumsoporn. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2005-09-29.

Method for fabricating semiconductor package

Номер патента: US7413925B2. Автор: Yoshimi Egawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-19.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240145256A1. Автор: Daisuke Ikeda,Hiroaki Matsubara,Shogo Sobue,Saeko OGAWA. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for forming interlevel dielectric (ild) layer

Номер патента: US20140199836A1. Автор: Yuh-Min Lin,Jei-Ming Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-07-17.

Image sensor package, method for manufacturing the same and endoscope using the same

Номер патента: US20230327054A1. Автор: Shangyi Wu,Jia-De ZHOU. Владелец: Medimaging Integrated Solution Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Formation of semiconductor devices including electrically programmable fuses

Номер патента: US20200027830A1. Автор: Chih-Chao Yang,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-23.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240363362A1. Автор: Feng Gao,Wen Yi Tan,Wind Zhu. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for forming a split-gate device

Номер патента: US20150279853A1. Автор: Mehul D. Shroff,Mark D. Hall. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-10-01.

Process for forming gate oxide layer

Номер патента: US20020006704A1. Автор: Chien-Ping Chang,Chiao-Shun Chuang,Mao-Song Tseng,Su-wen Chang. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2002-01-17.

Method of forming a gate oxide film for a high voltage region of a flash memory device

Номер патента: US7235449B2. Автор: Eun Soo Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-26.

Method of forming a gate oxide film for a high voltage region of a flash memory device

Номер патента: US20060258106A1. Автор: Eun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-11-16.

Method of forming a gate oxide film for a high voltage region of a flash memory device

Номер патента: US20070210358A1. Автор: Eun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-09-13.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US20240063188A1. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Resonator and Preparation Method for Resonator

Номер патента: US20230318557A1. Автор: Chengliang SUN,Yang Zou,Yao Cai,Dawdon CHEAM,Bowoon SOON,Zhipeng DING,Binghui LIN. Владелец: Wuhan Memsonics Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US11837580B2. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200381324A1. Автор: Hiroyuki Nagai,Teiji Yamamoto,Masayuki AOIKE. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11776865B2. Автор: Hiroyuki Nagai,Teiji Yamamoto,Masayuki AOIKE. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Gate structure and method for preparing the same

Номер патента: US20060284272A1. Автор: Heng Hsu. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2006-12-21.

METHOD FOR FORMING A VIA CONTACTING SEVERAL LEVELS OF SEMICONDUCTOR LAYERS

Номер патента: US20130196500A1. Автор: Batude Perrine,Morand Yves. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-01.

Method for forming titanium silicide ohmic contact layer of semiconductor device

Номер патента: KR100626741B1. Автор: 손현철,엄장웅. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-09-22.

Method for growing conformal epi layers and structure thereof

Номер патента: US20130168736A1. Автор: Abhishek Dube,Jophy Stephen Koshy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

Method for manufacturing transistor

Номер патента: US20210226143A1. Автор: Shohei Koizumi. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240030183A1. Автор: Daisuke Ikeda,Hiroaki Matsubara,Shogo Sobue,Saeko OGAWA,Keisuke OKAWARA. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Methods for vacuum assisted underfilling

Номер патента: WO2012096743A1. Автор: Alec J. Babiarz,Thomas L. Ratledge,Haratio QUINONES. Владелец: Nordson Corporation. Дата публикации: 2012-07-19.

Method for manufacturing semiconductor memory device, semiconductor wafer and semiconductor memory device

Номер патента: US20170077107A1. Автор: Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Method for forming the Isolation Layer and body contact of Semiconductor Device

Номер патента: KR100415440B1. Автор: 장민우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-01-24.

Methods and apparatus for forming light emitting diodes

Номер патента: US20220216363A1. Автор: Shiva Rai. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Mechanisms for forming metal-insulator-metal (mim) capacitor structure

Номер патента: US20160233158A1. Автор: Chia-Lun Hsu,Chi-Chung JEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-11.

Mechanisms for forming metal-insulator-metal (MIM) capacitor structure

Номер патента: US09960111B2. Автор: Chia-Lun Hsu,Chi-Chung JEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Light-emitting diode module and method for manufacture thereof

Номер патента: RU2510102C1. Автор: Вон Санг ЛИ,Йоунг Кеун КИМ. Владелец: Даевон Инност Ко., Лтд. Дата публикации: 2014-03-20.

Method for manufacturing hva pixel electrode and array substrate

Номер патента: US20170123278A1. Автор: Ming Hung Shih,Jiali Jiang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Packaging structure of silicon condenser microphone and method for producing thereof

Номер патента: WO2007007929A1. Автор: Sung Ho Park,Jun Lim. Владелец: BSE CO., LTD.. Дата публикации: 2007-01-18.

Method for forming pcm and rram 3-d memory cells

Номер патента: US20170133435A1. Автор: Daniel Robert SHEPARD. Владелец: HGST Inc. Дата публикации: 2017-05-11.

Method for forming PCM and RRAM 3-D memory cells

Номер патента: US09837472B2. Автор: Daniel Robert SHEPARD. Владелец: HGST Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Thin film transistor array substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US20040124451A1. Автор: Seung Nam,Jae Oh. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-01.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240222460A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for making a semiconductor device using a double side molding technology

Номер патента: US20240234229A1. Автор: Hyunyoung Kim,KyoWang Koo,Jieun KWON,SooBin YOO. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for fabricating array substrate

Номер патента: US10242886B2. Автор: WEI YANG,ce Ning. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-26.

Method for making nanostructure transistors with offset source/drain dopant blocking structures including a superlattice

Номер патента: US20240322005A1. Автор: DongHun Kang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for making nanostructure transistors with flush source/drain dopant blocking structures including a superlattice

Номер патента: US20240322014A1. Автор: DongHun Kang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for making nanostructure transistors with source/drain trench contact liners

Номер патента: US20240322015A1. Автор: DongHun Kang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Wafer, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2020103873A1. Автор: Chih-Wei Chang,Changhao QUAN,Dingyou LIN. Владелец: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2020-05-28.

Solid-state imaging device, method for producing solid-state imaging device and electronic apparatus

Номер патента: US09748296B2. Автор: Takayuki Enomoto,Yoshiki Ebiko. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20210098589A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Method for manufacturing semiconductor light emitting device

Номер патента: US9337402B2. Автор: Tadaaki Ikeda. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Semiconductor structure and method for forming thereof

Номер патента: US20070170500A1. Автор: Jiunn-Ren Hwang,Wei-Tsun Shiau,Yi-Cheng (Alex) Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-07-26.

Multi-deck three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP3867954A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-25.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20110254083A1. Автор: Hae Il SONG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Semiconductor device having a buried gate and method for forming the same

Номер патента: US8536644B2. Автор: Hae Il SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-09-17.

Structures and methods for long-channel devices in nanosheet technology

Номер патента: US09947743B2. Автор: Bruce B. Doris,Terence B. Hook. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09818936B2. Автор: Sang-soo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor structure and method for fabricating same

Номер патента: US20230328965A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12082396B2. Автор: Kun Young Lee,Seo Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for increasing heat conductivity in systems that use high power density leds

Номер патента: EP2848092A1. Автор: Massimiliano Dal Pont. Владелец: Printabled Srl. Дата публикации: 2015-03-18.

Method for increasing heat conductivity in systems that use high power density leds

Номер патента: WO2013164756A1. Автор: Massimiliano Dal Pont. Владелец: Printabled S.R.L.. Дата публикации: 2013-11-07.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20240114673A1. Автор: Daohuan FENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

TFT substrate, TFT switch and manufacturing method for the same

Номер патента: US09798208B2. Автор: Longqiang Shi. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for detecting wafer processing parameters with micro resonator array sensors

Номер патента: WO2019168799A1. Автор: Chuang-Chia Lin,Upendra Ummethala. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-09-06.

Method for detecting wafer processing parameters with micro resonator array sensors

Номер патента: US20190265287A1. Автор: Chuang-Chia Lin,Upendra Ummethala. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Method for manufacturing color micro led display chip module

Номер патента: EP4243093A1. Автор: Fan Zhang,Yongsheng Wu,Jiapeng Qi. Владелец: Fujian Prima Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-13.

Chip package structure and method for forming the same

Номер патента: US20130020693A1. Автор: Chien-Hung Liu,Tsang-Yu Liu,Yen-Shih Ho,Ying-Nan Wen,Ho-Yin Yiu. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Method for the manufacture of a display screen based on thin-film transistors and capacitors

Номер патента: US4563806A. Автор: Joseph Richard,Francois Morin,Pierre Coissard. Владелец: Pierre Coissard. Дата публикации: 1986-01-14.

Electroluminescence display having repair structure and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4203659A1. Автор: Sangpil Park,Sungbin Shim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-28.

Method for producing a semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20170345971A1. Автор: Shingo Totani,Kimiyasu IDE. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-30.

Method for fabricating array substrate

Номер патента: US20180247833A1. Автор: WEI YANG,ce Ning. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-30.

Method for manufacturing semiconductor wafer

Номер патента: SG139533A1. Автор: Kazuma Sekiya,Kazuhisa Arai. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2008-02-29.

Nonvolatile memory with enhanced carrier generation and method for programming the same

Номер патента: US5258949A. Автор: Ming-Bing Chang,Ko-Min Chang. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1993-11-02.

Manufacturing method for semiconductor storage device

Номер патента: US5169797A. Автор: Kazunori Kanebako,Michiaki Noda,Kazushige Inagawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-12-08.

Lens assembly and method for forming the same

Номер патента: US20110069395A1. Автор: Chieh-Yuan Cheng,Tzy-Ying Lin. Владелец: VisEra Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230260937A1. Автор: Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Led chip and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2013040974A1. Автор: GE ZHANG. Владелец: Shenzhen Byd Auto R&D Company Limited. Дата публикации: 2013-03-28.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080038911A1. Автор: Ching-Hung Kao,Chin-Shun Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-02-14.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230078585A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Method for forming a diode in a surface layer of an SOI substrate

Номер патента: US6103564A. Автор: Takashi Masuda. Владелец: Citizen Watch Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-15.

Display substrate, method for preparing the same, and display device

Номер патента: US20200161401A1. Автор: Ning Liu. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US9530819B2. Автор: Kazuyoshi Maekawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for Transferring Semiconductor Bodies and Semiconductor Chip

Номер патента: US20200035855A1. Автор: Lutz Höppel. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-01-30.

Method of forming a layer of a doped semiconductor material and apparatus

Номер патента: EP1643568A1. Автор: Ansgar Werner,Jan Birnstock,Sven Murano. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2006-04-05.

Method for manufacturing light emitting diode package

Номер патента: US10593850B2. Автор: Hyoung Jin Lim,Jong Hyeon Chae,Yeon Cheol Cho,Cun Bok Jeong. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-17.

Method for manufacturing light emitting diode package

Номер патента: US20180138382A1. Автор: Hyoung Jin Lim,Jong Hyeon Chae,Yeon Cheol Cho,Cun Bok Jeong. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Structures and Methods for Long-Channel Devices in Nanosheet Technology

Номер патента: US20170365661A1. Автор: Bruce B. Doris,Terence B. Hook. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

Chip arrangement and method for forming a sintered contact connection

Номер патента: US20230369284A1. Автор: Matthias Fettke,Ricardo Geelhaar. Владелец: Pac Tech Packaging Technologies GmbH. Дата публикации: 2023-11-16.

TFT Substrate, TFT Switch And Manufacturing Method For The Same

Номер патента: US20170184890A1. Автор: Longqiang Shi. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240107890A1. Автор: Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Ching-Hua Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210296322A1. Автор: Kun Young Lee,Seo Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Radiation correction method for electron beam lithography

Номер патента: US20040086786A1. Автор: San-De Tzu,Wei-Zen Chou,Chia Wu,Ching Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-05-06.

Method for improving performance of layered electrode materials

Номер патента: US20210320319A1. Автор: Yuancheng Cao,Shun TANG,Yaqing GUO. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2021-10-14.

Methods for coating current collector with polymeric adhesives

Номер патента: US6007588A. Автор: Porter H. Mitchell. Владелец: VALENCE TECHNOLOGY INC. Дата публикации: 1999-12-28.

Articles and methods for protecting substrates

Номер патента: CA1314770C. Автор: James P. Reed. Владелец: Raychem Corp. Дата публикации: 1993-03-23.

Method for manufacturing electrode assembly

Номер патента: EP4459734A1. Автор: Dong Wook Sung,Won Sik Bae,So Yeong Lee. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-11-06.

Method for producing a component with a layer of transparent quartz glass

Номер патента: US20110120189A1. Автор: Thomas Kayser,Walter Lehmann. Владелец: Heraeus Quarzglas GmbH and Co KG. Дата публикации: 2011-05-26.

Method for producing a component with a layer of transparent quartz glass

Номер патента: SG171559A1. Автор: Thomas Kayser,Walter Lehmann. Владелец: Heraeus Quarzglas. Дата публикации: 2011-06-29.

Method of forming a flux concentrating layer of a magnetic device

Номер патента: WO2004079742A2. Автор: Jaynal A. Molla,J. Jack Ren,John J. D'urson. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2004-09-16.

Method of forming a flux concentrating layer of a magnetic device

Номер патента: WO2004079742A3. Автор: Jaynal A Molla,J Jack Ren,Urson John J D. Владелец: Urson John J D. Дата публикации: 2005-03-17.

Thin film deposition apparatus

Номер патента: US20240200181A1. Автор: Jung-Min Lee,Choong-ho Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Thin film deposition apparatus

Номер патента: US09873937B2. Автор: Jung-Min Lee,Choong-ho Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Thin film deposition apparatus

Номер патента: US11920233B2. Автор: Jung-Min Lee,Choong-ho Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Method for fabricating a group III nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20050048682A1. Автор: Shigetoshi Ito,Takayuki Yuasa,Kensaku Motoki,Mototaka Taneya,Kunihiro Takatani. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-03-03.

Method of forming regular array of microscopic structures on a substrate

Номер патента: US20020181304A1. Автор: François Bardou,James Snowdon,Marcus Batzill. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Template-based epitaxial growth of lattice mismatched materials on silicon

Номер патента: US20190033524A1. Автор: Harry E. Ruda,Igor SAVELYEV,Marina BLUMIN,Christina F. SOUZA. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-31.

Method for manufacturing semiconductor laser device

Номер патента: US20240291227A1. Автор: Atsushi Sugiyama,Satoru OKAWARA,Keita Furuoka,Takehito Nagakura. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for fixation onto layer comprising amorphous carbon film, and laminate

Номер патента: US09828671B2. Автор: Takeshi Sato,Kunihiko Shibusawa. Владелец: TAIYO YUDEN CHEMICAL TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for manufacturing semiconductor optical device and semiconductor optical device

Номер патента: US20130023077A1. Автор: Kenji Hiratsuka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-01-24.

Methods for sample characterization

Номер патента: EP4434629A2. Автор: Erik T. GENTALEN. Владелец: Intabio LLC. Дата публикации: 2024-09-25.

Means and method for therapy and emergency prevention of diseases caused by the sars-cov-2 virus based on a recombinant antibody and a humanized monoclonal antibody

Номер патента: RU2769223C1. Автор: Александр Леонидович Гинцбург,Андрей Павлович Карпов,Денис Юрьевич Логунов,Ольга Вадимовна Зубкова,Инна Вадимовна Должикова,Борис Савельевич Народицкий,Ирина Александровна Алексеева,Надежда Леонидовна Лубенец,Дмитрий Викторович Щебляков,Ильяс Булатович Есмагамбетов,Андрей Геннадьевич Ботиков,Ирина Алексеевна Фаворская,Артем Алексеевич Деркаев,Александр Сергеевич Семихин,Екатерина Игоревна Рябова,Дарья Владимировна Воронина,Владимир Владимирович Прокофьев,Илья Дмитриевич Зорков,Анна Алексеевна Илюхина,Юрий Степанович Лебедин,Анна Витальевна Ковыршина. Владелец: федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр эпидемиологии и микробиологии имени почетного академика Н.Ф. Гамалеи" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2022-03-29.

Method for manufacturing a target material

Номер патента: US20240141476A1. Автор: William Hsieh,Bo-Chen Wu,jun-cheng Wang,Chii-Feng Huang. Владелец: Taiwan Steel Group Aerospace Additive Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for manufacturing nanowires

Номер патента: US20160047048A1. Автор: Kyung Min Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

Method for manufacturing nanowires

Номер патента: US9453283B2. Автор: Kyung Min Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Thin film deposition method

Номер патента: US20240263307A1. Автор: Yong Hyun Kim,Yong Hyun Lee,Jun Seok Lee,Dong Hwan Lee,Chang Kyun PARK,Byung Gwan LIM,Il Houng PARK,Won Ju OH. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor Photoelectrode and Method for Manufacturing Same

Номер патента: US20230392269A1. Автор: Akihiro Kono,Takeshi Komatsu,Yuya Uzumaki,Sayumi Sato. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Surface treatment method for magnesium alloy

Номер патента: US20100080918A1. Автор: Shih-Ying Chang,Wei-Shen Chen,Hsien-Hsueh Lee,Yi-Yuan Ke. Владелец: National Yunlin University of Science and Technology. Дата публикации: 2010-04-01.

Substrate heating apparatus for forming thin films on substrate surface

Номер патента: US5119761A. Автор: Rempei Nakata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-06-09.

Method for cyclic cvd

Номер патента: WO2003028069A2. Автор: Lee Luo,Shulin Wang,Aihua Chen,Sang Hoon AHN,Ramaseshan Suryanarayanan Iyer,Randhir P. Singh Thakur. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2003-04-03.

Apparatus for forming deposited film

Номер патента: US5322568A. Автор: Masaaki Hirooka,Jun-Ichi Hanna,Isamu Shimizu,Shunichi Ishihara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1994-06-21.

Coated cutting tool and method for making coating layer

Номер патента: US20230286056A1. Автор: Dong Seob Kim,Geun Woo Park,Hye Min AHN. Владелец: YG-1 Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Cleaning method of semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20070074738A1. Автор: Takayuki Furusawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Method for forming protective surface film on aluminum shaped articles

Номер патента: CA1198038A. Автор: Akira Hasegawa,Koichi Tanikawa. Владелец: Yoshida Kogyo KK. Дата публикации: 1985-12-17.

Diamond film deposition on substrate arrays

Номер патента: US6173672B1. Автор: Cecil B. Shepard, Jr.. Владелец: Celestech Inc. Дата публикации: 2001-01-16.

PROCESS FOR FORMING A MONOCRYSTALLINE THIN LAYER OF SEMICONDUCTOR ELEMENT

Номер патента: FR2578681A1. Автор: Hitoshi Abe,Junichi Nishizawa,Soubei Suzuki. Владелец: Research Development Corp of Japan. Дата публикации: 1986-09-12.

Heat-resistant coat member packaged body, and method for packaging heat-resistant coat member

Номер патента: EP4209475A1. Автор: Waichi Yamamura,Shoji Kano. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-12.

Heat-resistant coat member packaged body, and method for packaging heat-resistant coat member

Номер патента: US20230304148A1. Автор: Waichi Yamamura,Shoji Kano. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Method for manufacturing holographic blazed grating

Номер патента: US09864113B2. Автор: Quan Liu,Jianhong Wu,Minghui Chen. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for the in vitro prediction of the probability of a patient developing severe dengue, based on a blood sample

Номер патента: US09863948B2. Автор: Frederic Bedin. Владелец: bioMerieux SA. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for laminating and forming a composite laminate in a single operation

Номер патента: EP1401647A2. Автор: David D'arcy Clifford. Владелец: Dofasco Inc. Дата публикации: 2004-03-31.

OLED light-emitting device, method for preparing OLED light-emitting device, and lamp

Номер патента: US12048177B2. Автор: Hang DONG,Wenkang WANG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Process for placing single or multiple patterned layers of conductive material on a substrate

Номер патента: US4869767A. Автор: William E. Brown,Richard A. Robinson. Владелец: Hallmark Cards Inc. Дата публикации: 1989-09-26.

Method for noise reduction of a three-phase-driven electrical machine

Номер патента: GB2605686A. Автор: Nägelkrämer Jan,Barkow Maximilian. Владелец: Dr Ing HCF Porsche AG. Дата публикации: 2022-10-12.

Methods for making capacitive microphone

Номер патента: US20110131794A1. Автор: Jen-Yi Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2011-06-09.

Multi-layered structures and methods for manufacturing the multi-layered structures

Номер патента: US6768654B2. Автор: Rocky R. Arnold,John Zarganis,Steve Toyama. Владелец: Wavezero Inc. Дата публикации: 2004-07-27.

Measuring device and a method for measuring the thickness of a layer of a moving strip

Номер патента: EP1749186A1. Автор: Bengt Akerblom. Владелец: Daprox AB. Дата публикации: 2007-02-07.

Measuring device and a method for measuring the thickness of a layer of a moving strip

Номер патента: WO2005116576A1. Автор: Bengt Akerblom. Владелец: Daprox AB. Дата публикации: 2005-12-08.

Station for forming a stack of layers of articles

Номер патента: EP1243511B1. Автор: Gianluigi Gamberini. Владелец: Tissue Machinery Co SpA. Дата публикации: 2006-07-19.

Method for measuring the thickness of a layer and apparatus for carrying out the method

Номер патента: US5561251A. Автор: Hansueli Greminger,Niklaus Schoenenberger. Владелец: BUEHLER AG. Дата публикации: 1996-10-01.

Method for measuring the thickness of a layer and apparatus for carrying out the method

Номер патента: US5747675A. Автор: Hansueli Greminger,Niklaus Schoenenberger. Владелец: BUEHLER AG. Дата публикации: 1998-05-05.

An apparatus and method for measuring a property of a layer in a multilayered structure

Номер патента: WO1999064842A1. Автор: Peter G. Borden,Jiping Li. Владелец: Boxer Cross Incorporated. Дата публикации: 1999-12-16.

Apparatus and method for measuring a property of a layer in a multilayered structure

Номер патента: EP1101098A1. Автор: Peter G. Borden,Jiping Li. Владелец: Boxer Cross Inc. Дата публикации: 2001-05-23.

Method for determining the temperature of an active layer of a heating resistor

Номер патента: US12071042B2. Автор: Maximilian Benkert,Egor SAWAZKI. Владелец: Vitesco Technologies GmbH. Дата публикации: 2024-08-27.

System and method for detecting an anomaly in a hidden layer of a multi-layer structure

Номер патента: EP2462433A1. Автор: James P. Dunne,Edward V. White. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2012-06-13.

System and method for detecting an anomaly in a hidden layer of a multi-layer structure

Номер патента: WO2011016936A1. Автор: James P. Dunne,Edward V. White. Владелец: The Boeing Company. Дата публикации: 2011-02-10.

Method for determining a temperature of a depletion layer of a semiconductor switch, and device

Номер патента: US20240288318A1. Автор: Ingmar Kallfass,Kanuj Sharma. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-08-29.

A hot press forming apparatus and a method for hot press forming a blank

Номер патента: EP3962673A1. Автор: Lars Sandberg,Joakim INNALA,Petter ULFBERG. Владелец: Autotech Engineering SL. Дата публикации: 2022-03-09.

Apparatus and method for high speed forming a hinged carton

Номер патента: US4549876A. Автор: Thomas R. Baker,William H. Hittenberger,Boris J. Posen. Владелец: Kliklok LLC. Дата публикации: 1985-10-29.

UV-blocking filter comprising a layer of temperature stable silver-containing diffusion paint on a borosilicate glass body

Номер патента: US7466480B2. Автор: Wolfgang Berninger. Владелец: SCHOTT AG. Дата публикации: 2008-12-16.

Method for Determining the Temperature of an Active Layer of a Heating Resistor

Номер патента: US20200276901A1. Автор: Maximilian Benkert,Egor SAWAZKI. Владелец: Vitesco Technologies GmbH. Дата публикации: 2020-09-03.

Systems and methods for dynamic blocks forming a passageway

Номер патента: US9795866B2. Автор: Jeb Belcher,Earl Wilson Belcher. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-24.

Apparatus and methods for providing a route using a map layer of one or more sound events

Номер патента: US11898870B2. Автор: Leon Stenneth,Jerome Beaurepaire,Jeremy Young. Владелец: Here Global BV. Дата публикации: 2024-02-13.

Method for continuously extruding and depositing an unbroken layer of mortar on a work surface or substrate

Номер патента: US20190024395A9. Автор: Douglas S. Campbell. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-01-24.

Method for coating and forming novel material layer structure of high-frequency circuit board and article thereof

Номер патента: US20240244763A1. Автор: LongKai LI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-18.

Layered electronic device and a method for producing the layered electronic device

Номер патента: WO2022237964A1. Автор: Jin Han Jeon,Tony Fook. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2022-11-17.

Apparatus and method for forming a resist fine pattern

Номер патента: US20230182488A1. Автор: Jong-Gyun Lee,Seog-Soon Kim,Hee-Jun Han. Владелец: Unijet Co ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Method for manufacturing organic transistor and organic transistor

Номер патента: US20090256144A1. Автор: Masataka Kano,Kazuhito Tsukagoshi,Takeo MINARI. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2009-10-15.

Method for manufacturing phosphorescent plate, and phosphorescent plates

Номер патента: US20100136305A1. Автор: Yasuhiro Sakai. Владелец: SAKAI SILK SCREEN CO Ltd. Дата публикации: 2010-06-03.

Method for manufacturing resonator

Номер патента: US11984864B2. Автор: Liang Li,Dongsheng Liang,Xin Lv. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2024-05-14.

Devices and methods for analyte detection using distorted liquid crystals

Номер патента: US20100081123A1. Автор: Nicholas L. Abbott,Brian H. Clare. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2010-04-01.

Thin film transistor and method for manufacturing thin film transistor

Номер патента: US20100264410A1. Автор: Akira Yumoto,Kazumasa Nomoto,Mao Katsuhara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-10-21.

Dry adhesives and methods for making dry adhesives

Номер патента: US11773298B2. Автор: Michael Murphy,Metin Sitti,Burak Aksak. Владелец: CARNEGIE MELLON UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-10-03.

Method of forming a line of high density floating gate transistors

Номер патента: US5658814A. Автор: Roger R. Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1997-08-19.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US20210087052A1. Автор: Chia-Hua Chu,Chen Hsiung Yang,Chun-Wen Cheng,En-Chan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

Method for preparing OLED by imprinting process

Номер патента: US20110183454A1. Автор: Jwo-huei Jou,Sun-Zen Chen,Shiang-Hau Peng,Bo-Shian Wu. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2011-07-28.

Chip-on-film structure, display apparatus and method for manufacturing same

Номер патента: US12041829B2. Автор: Lian Xiang,Yanping Ren,Yudan Shui. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Display device and assembling method for the same

Номер патента: US20210307180A1. Автор: Chih-Hao Lu. Владелец: Pegatron Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Method for reducing particles and defects during flash memory fabrication

Номер патента: US20030181008A1. Автор: Kent Chang,Weng-Hsing Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-25.

Method for manufacturing a display device

Номер патента: US20080108157A1. Автор: Keiichi Kagami,Eisuke Matsuda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-05-08.

Method for processing coniferous wood

Номер патента: RU2744181C1. Автор: Максим Анатольевич Тимофеев. Владелец: Максим Анатольевич Тимофеев. Дата публикации: 2021-03-03.

Method for fabricating electroluminescent element

Номер патента: EP1566987A4. Автор: Mitsuhiro Kashiwabara. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2009-08-19.

Methods for producing ligand arrays

Номер патента: WO2005005039A1. Автор: John S. Hargreaves. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2005-01-20.

Method for fabricating a resistor for a resistance random access memory

Номер патента: US20110171811A1. Автор: Tseung-Yuen Tseng,Sheng-Yu Wang,Chen-Han Tsai. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2011-07-14.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240023330A1. Автор: Jin Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

System and method for reducing circuit elements in high-performance flip-flops

Номер патента: US12047072B2. Автор: Steve Dao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-23.

Array substrate and display apparatus

Номер патента: WO2023115553A1. Автор: PENG Wang,LU Wang,Zhiqiang Jiao,Xiaoyun Liu,Xiaohu Li,Liangliang KANG. Владелец: BOE Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-06-29.

Method for coating substrates with a carbon-based material

Номер патента: CA2520122A1. Автор: Bernhard Mayer,Joerg Rathenow,Juergen Kunstmann,Andreas Ban. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-25.

OLED with one color emitting layer on a convex portion

Номер патента: US11943971B2. Автор: Masamitsu Furuie. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Method for preempting resources for data transmission

Номер патента: EP3706492A1. Автор: Peng Zhang,Yongxia Lyu,Bai DU,Amine Maaref,Toufiqul Islam. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-09.

Method for processing black liquor soap

Номер патента: FI20205682A1. Автор: Jukka Leppänen,Petro Suvanto,Olavi Raatikainen,Jouko Vepsalainen,Petri Turhanen. Владелец: Molcycle Oy. Дата публикации: 2021-12-27.

Method for displaying a virtual keyboard on a mobile terminal screen

Номер патента: US20210089205A1. Автор: CHENG Chen,Zhihong Guo. Владелец: ORANGE SA. Дата публикации: 2021-03-25.

Method and system to provide subtitles on a wireless comminications device

Номер патента: CA3239931A1. Автор: David Chung,Terry Tam,Jerry So,Dick Wong,Jason Tsui,Ka Wong. Владелец: Rovi Guides Inc. Дата публикации: 2011-07-14.

Method for radio link monitoring, terminal, base station, and storage medium

Номер патента: US12120722B2. Автор: Xueming PAN,Huaming Wu,Zichao JI. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Method for adjusting lo frequencies in receiver and associated receiver

Номер патента: US09762271B2. Автор: Ming Li. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for manufacturing a grain boundary type josephson junction device

Номер патента: CA2143522C. Автор: Tatsuoki Nagaishi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1998-12-29.

A method for producing interference elements

Номер патента: EP4423176A1. Автор: Oliver Seeger,Gloria Ruiz Gomez,Nikolay A GRIGORENKO,Andre OSWALD. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2024-09-04.

Method for manufacturing flexible display panel

Номер патента: US20130260030A1. Автор: Chun-Wei Su,Jan-Tian Lian,Hung-Yu Wu. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Method for the preparation of a superlattice multilayered film

Номер патента: US5565030A. Автор: Shigeyuki Yamamoto,Tetsuo Kado. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1996-10-15.

Method for forming an oxide coated substrate

Номер патента: EP2941409A1. Автор: Amane Mochizuki,Rajesh Mukherjee,Takuya Fukumura,Ekambaram Sambandan. Владелец: Sanbandan Ekambaram. Дата публикации: 2015-11-11.

Method for producing zeolitic imidazolate framework (zif) crystals and coatings

Номер патента: EP4286334A1. Автор: Ravi Sharma,Joeri Denayer,Tom Van Assche. Владелец: Vrije Universiteit Brussel VUB. Дата публикации: 2023-12-06.

Method for producing zeolitic imidazolate framework (zif) crystals and coatings

Номер патента: WO2023232717A1. Автор: Ravi Sharma,Joeri Denayer,Tom Van Assche. Владелец: VRIJE UNIVERSITEIT BRUSSEL. Дата публикации: 2023-12-07.

Optical member, curable composition, and production method for optical member

Номер патента: US20220017775A1. Автор: Teruo Yamashita,Shogo Kubota,Yusuke SEKIGUCHI. Владелец: Hoya Lens Thailand Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Optical member, curable composition, and production method for optical member

Номер патента: US20220026739A1. Автор: Teruo Yamashita,Shogo Kubota,Yusuke SEKIGUCHI. Владелец: Hoya Lens Thailand Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Method for manufacture of quartz glass plates

Номер патента: US5667547A. Автор: Anton Steinkohl,Uwe Christiansen. Владелец: Heraeus Quarzglas GmbH and Co KG. Дата публикации: 1997-09-16.

Antibacterial substrate and preparation method thereof

Номер патента: US20210282394A1. Автор: Tian Qiu,Zhilin QIU. Владелец: SHENZHEN ORIENT TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Aqueous colored base coating composition and method for forming topcoat

Номер патента: CA2183187C. Автор: Akira Kasari,Junichi Kajima,Hiroaki Oda,Mikio Shimakawa. Владелец: Kansai Paint Co Ltd. Дата публикации: 2001-01-02.

Aqueous Colored Base Coating Composition and Method for Forming Topcoat

Номер патента: CA2183187A1. Автор: Akira Kasari,Junichi Kajima,Hiroaki Oda,Mikio Shimakawa. Владелец: Kansai Paint Co Ltd. Дата публикации: 1997-02-26.

Method for Forming an Oxide Coated Substrate

Номер патента: US20150343434A1. Автор: Amane Mochizuki,Rajesh Mukherjee,Takuya Fukumura,Ekambaram Sambandan. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2015-12-03.

Method for producing SiC substrate

Номер патента: US09951441B2. Автор: Katsunori Danno. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Thermally conductive silicone composition and method for producing the same

Номер патента: EP4413072A1. Автор: Shunsuke Yamada,Kazuya Sakai. Владелец: Wacker Chemie AG. Дата публикации: 2024-08-14.

A method for reproducing molecular arrays

Номер патента: CA2348696A1. Автор: David Klenerman,Shankar Balasubramanian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-05-18.

Method for releasing aldehyde or ketone

Номер патента: US20210348081A1. Автор: Shinya Yamada,Masato Murai,Takahiro Ishikawa,Tadahide Hatakeyama. Владелец: Takasago International Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Method for applying a coating composition to a substrate

Номер патента: WO2023224630A1. Автор: Richard Cooper,Eric C. Greyson,Joy A. GALLAGHER. Владелец: Rohm and Haas Company. Дата публикации: 2023-11-23.

Method for bonding objects using thermoset polyimide layers

Номер патента: US20230287245A1. Автор: Sahnggi Park,KyungEun Kim. Владелец: OPROCESSOR INC. Дата публикации: 2023-09-14.

Optical module and method for manufacturing the same

Номер патента: US11746259B2. Автор: Sahnggi Park,KyungEun Kim. Владелец: OPROCESSOR INC. Дата публикации: 2023-09-05.

Method for bonding objects using thermoset polyimide layers

Номер патента: US11970642B2. Автор: Sahnggi Park,KyungEun Kim. Владелец: OPROCESSOR INC. Дата публикации: 2024-04-30.

Method for preparing titanium dioxide particles co-doped with nitrogen and fluorine

Номер патента: US20090074651A1. Автор: Ming-Kwei Lee,Tsung-Hsiang Shih. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2009-03-19.

Stable three-dimensional blood vessels and methods for forming the same

Номер патента: US11932876B2. Автор: Shahin Rafii,Brisa PALIKUQI. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-03-19.

Method for causing large-scale deletions in genomic dna and method for analyzing genomic dna

Номер патента: US20240052337A1. Автор: Yasunori Aizawa,Hitoyoshi YAMASHITA. Владелец: Logomix Inc USA. Дата публикации: 2024-02-15.

Magnetic disk substrate and production method of magnetic disk

Номер патента: WO2006025545A1. Автор: Hiroyuki Machida,Katsuaki Aida. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2006-03-09.

Luciferin derivatives and a method for synthesis thereof

Номер патента: WO2021061057A3. Автор: Pimchai Chaiyen,Pratchaya Watthaisong. Владелец: Vidyasirimedhi Institute Of Science And Technology. Дата публикации: 2021-08-26.

New method for automated on-demand biomolecular array synthesis

Номер патента: EP4127718A1. Автор: Yixin Zhang,Weilin LIN. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET DRESDEN. Дата публикации: 2023-02-08.

Nucleic acid circularization and amplification on a surface

Номер патента: US12071665B2. Автор: Daan WITTERS,Eli N. Glezer,Andrew King,Ryan SHULTZABERGER,Sabrina SHORE. Владелец: Singular Genomics Systems Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for predicting response to anticancer immunotherapy using dna methylation aberration

Номер патента: US20220243274A1. Автор: Hyun Chul Jung,Dae Yeon Cho,Jung Kyoon Choi. Владелец: Pentamedix Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-04.

Methods for additive manufacturing of a single piece piston

Номер патента: EP3254001A1. Автор: Scott J. Delmotte. Владелец: Dresser Rand Co. Дата публикации: 2017-12-13.

Ink jet printer head and method for fabricating the same

Номер патента: US7108359B2. Автор: TAKASHI KIKUCHI,Masashi Shimosato,Shinji Koizumi. Владелец: Toshiba TEC Corp. Дата публикации: 2006-09-19.

Ink jet printer head and method for fabricating the same

Номер патента: US20020109757A1. Автор: TAKASHI KIKUCHI,Masashi Shimosato,Shinji Koizuma. Владелец: Toshiba TEC Corp. Дата публикации: 2002-08-15.

Laminate and method for producing laminate

Номер патента: US11396167B2. Автор: Toshiya Ishii,Miki Fukugami,Tomoko OOKI. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-26.

Layered body and manufacturing method for layered body

Номер патента: EP3747651A1. Автор: Toshiya Ishii,Miki Fukugami,Tomoko OOKI. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-09.

Laminate and method for producing laminate

Номер патента: US20200346443A1. Автор: Toshiya Ishii,Miki Fukugami,Tomoko OOKI. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Diaphragm support and a method for initial sealing in a pressure cell

Номер патента: EP1365871A1. Автор: Keijo Hellgren. Владелец: Flow Holdings Sagl. Дата публикации: 2003-12-03.

Diaphragm support and a method for initial sealing in a pressure cell

Номер патента: WO2002043887A1. Автор: Keijo Hellgren. Владелец: Flow Holdings Sagl. Дата публикации: 2002-06-06.

Method for manufacturing a preform

Номер патента: RU2609168C2. Автор: Эрве ГРЕЛЕН. Владелец: Текспейс Аэро С.А.. Дата публикации: 2017-01-30.

Method for delivering biologically active substances

Номер патента: EP1532310A1. Автор: Stefan Koller,Veronique Hall-Goulle. Владелец: Ciba SC Holding AG. Дата публикации: 2005-05-25.

Standoffs for passive alignment of semiconductor chip and coupling bench

Номер патента: US20030138188A1. Автор: Yee Lam,Hwi Lim,Cher Randall Cha,Kian Teo. Владелец: DENSELIGHT SEMICONDUCTORS PTE LTD. Дата публикации: 2003-07-24.

Method for forming a panel, particularly skin for a hollow core door, and a method of manufacturing a hollow core door

Номер патента: WO2016081958A3. Автор: Fahiem Amod BUX. Владелец: Bux Fahiem Amod. Дата публикации: 2016-08-25.

Method for forming a self-aligned pixel electrode of an lcd

Номер патента: US20040017530A1. Автор: Hsin-Ming Chen. Владелец: Toppoly Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2004-01-29.

Method for forming pattern and method for fabricating LCD device using the same

Номер патента: US20070148603A1. Автор: Jae Oh,Hye Lee. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Recording head element with improved coil tap and method for manufacturing same

Номер патента: US5923506A. Автор: Steven C. Herrera. Владелец: Storage Technology Corp. Дата публикации: 1999-07-13.

Method for forming dye sublimation images in and texturing of solid substrates

Номер патента: US20200346483A1. Автор: John Moalli. Владелец: Fresco Infusion LLC. Дата публикации: 2020-11-05.

Method for inkjet printing a spectacle lens

Номер патента: WO2024008931A1. Автор: Martin Reese. Владелец: CARL ZEISS VISION INTERNATIONAL GMBH. Дата публикации: 2024-01-11.

Method for manufacturing element substrate, element substrate, and liquid ejection head

Номер патента: US20230311493A1. Автор: Tetsushi Ishikawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Machine and method for compacting ceramic powder

Номер патента: EP4331798A3. Автор: Stefano Scardovi,Claudio Ricci. Владелец: Sacmi Imola Sc. Дата публикации: 2024-06-12.

Mechanisms for forming micro-electro mechanical system device

Номер патента: US20150021723A1. Автор: Chun-Ren Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-01-22.

Floor panel for forming a floor covering, and substrate for a panel

Номер патента: US11746540B2. Автор: Martin Segaert. Владелец: Flooring Industries Ltd SARL. Дата публикации: 2023-09-05.

Apparatus and method for forming an article

Номер патента: US20010048185A1. Автор: Donald Weder,Frank Craig,Michael King. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Control method for nonvolatile memory device with vertically stacked structure

Номер патента: US9218853B2. Автор: Chrong-Jung Lin,Hsin-Wei Pan. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2015-12-22.

Control method for nonvolatile memory device with vertically stacked structure

Номер патента: US20150187398A1. Автор: Chrong-Jung Lin,Hsin-Wei Pan. Владелец: Lite On IT Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Method for removing organic compound by ultraviolet radiation and apparatus therefor

Номер патента: US20020168482A1. Автор: Kazuo Terada. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-11-14.

Apparatus and method for determining characteristics of a road surface

Номер патента: GB2629130A. Автор: Freeman Chris. Владелец: Highway Data Systems Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Apparatus for forming an article

Номер патента: US6296466B2. Автор: Donald E. Weder,Frank Craig,Michael J. King. Владелец: Southpac Trust International Inc, Highland. Дата публикации: 2001-10-02.

Imprint method, imprint apparatus, and method for manufacturing device

Номер патента: US09952504B2. Автор: Yukio Takabayashi,Yoshikazu Miyajima,Shinichi Shudo. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for manufacturing structural body and manufacturing apparatus therefor

Номер патента: EP3010699A1. Автор: Kazuhiro Nakajima,Hiroshi Taniuchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-04-27.

Method for controlling a lithographic apparatus and associated apparatuses

Номер патента: US12050406B2. Автор: Frank Staals. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2024-07-30.

Method for manufacturing curved liquid crystal panel

Номер патента: US09766508B2. Автор: Chao Ma,Yungjui LEE. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of processing a substrate made of a ferroelectric single crystalline material

Номер патента: US20010031123A1. Автор: Tatsuo Kawaguchi,Minoru Imaeda,Makoto Iwai. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2001-10-18.

Method for forming a sealed cell structure

Номер патента: EP2059848B1. Автор: Mark T. Johnson,Dirk J. Broer,Martinus H. W. M. Van Delden. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2010-12-29.

System and method for applying spacer elements

Номер патента: WO2007001913A8. Автор: Philip Burkum. Владелец: Philip Burkum. Дата публикации: 2007-05-18.

System and method for applying spacer elements

Номер патента: WO2007001913A1. Автор: Philip Burkum. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2007-01-04.

System and method for applying spacer elements

Номер патента: EP1896894A1. Автор: Philip Burkum. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2008-03-12.

Device and method for endoluminal therapy

Номер патента: EP1572007A1. Автор: Corbett Stone,Brian Kelleher. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-14.

Method of measuring the thickness of a layer, and a device for carrying out the method

Номер патента: AU4813993A. Автор: Hansueli Greminger,Niklaus Schoenenberger. Владелец: BUEHLER AG. Дата публикации: 1994-05-24.

Device and method for endoluminal therapy

Номер патента: US20190216458A9. Автор: Corbett Stone,Brian Kelleher. Владелец: Kelleher Brian Mr. Дата публикации: 2019-07-18.

Graphene-based molecular sieves and methods for production thereof

Номер патента: WO2015138801A3. Автор: Aaron L. Westman,Robert C. Mallory. Владелец: LOCKHEED MARTIN CORPORATION. Дата публикации: 2015-11-26.

Inspection method for array substrate and inspection device for the same

Номер патента: US20020017917A1. Автор: Tomoyuki Taguchi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-02-14.

Recyclable composite having dissolvable polymer layer, method for fabricating, and use with food containers

Номер патента: EP4399091A1. Автор: Corey BISHOP,Josh LORGE. Владелец: Ahlstrom Corp. Дата публикации: 2024-07-17.

Cleaning apparatus, cleaning method, imprint apparatus, and method for manufacturing an article

Номер патента: US20240091825A1. Автор: Hiroyuki Maruyama,Tadayasu Nishikawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Atomizing core, atomizer, aerosol generating device and method for machining atomizing core

Номер патента: EP4260716A1. Автор: Weihua Qiu. Владелец: Changzhou Paiteng Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-18.

Method for producing a sound absorbing panel

Номер патента: EP4379135A1. Автор: Paolo Milani,Giovanni Ghilardi,Massimo Gatelli,Isabella COLCIAGO. Владелец: Impact Acoustic Ag. Дата публикации: 2024-06-05.

Base for catalyst, catalyst and methods for producing those

Номер патента: US20100069231A1. Автор: Yasuyoshi Kato,Naomi Imada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-18.

Base for catalyst, catalyst and methods for producing those

Номер патента: US8518852B2. Автор: Yasuyoshi Kato,Naomi Imada. Владелец: Babcock Hitachi KK. Дата публикации: 2013-08-27.

A method for producing a biosensor having a covalently bound thin polymeric coat

Номер патента: EP1790984A3. Автор: Masayuki Kawakami,Taisei Nishimi,Koji Kuruma,Toshihide Ezoe. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2007-08-29.

Floor panel for forming a floor covering and a panel substrate

Номер патента: RU2733925C2. Автор: Мартин СЕГАРТ. Владелец: Юнилин, Бвба. Дата публикации: 2020-10-08.

Floor panel for forming a floor covering, and substrate for a panel

Номер патента: US20230374796A1. Автор: Martin Segaert. Владелец: Flooring Industries Ltd SARL. Дата публикации: 2023-11-23.

Low-temperature dry preparation method for flame-retardant fabric, and flame-retardant mattress cover

Номер патента: US12103290B2. Автор: PENG Shen,Zhanggen NI. Владелец: Healthcare Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Device for forming a circumferential groove on a pipe

Номер патента: RU2764631C1. Автор: Дуглас Р. ДОУЛ. Владелец: Виктаулик Компани. Дата публикации: 2022-01-19.

Method and a device for forming a droplet or droplets onto a fibre

Номер патента: US20200122364A1. Автор: Matti Hautala,Pasi Kallio,Mathias von Essen. Владелец: Fibrobotics Oy. Дата публикации: 2020-04-23.

Method for inkjet printing a spectacle lens

Номер патента: EP4302967A1. Автор: Martin Reese. Владелец: CARL ZEISS VISION INTERNATIONAL GMBH. Дата публикации: 2024-01-10.

Conditioning assembly, method for manufacturing the same, and assembled conditioner using the same

Номер патента: US20240001508A1. Автор: Ying-Tung Chen. Владелец: YTDIAMOND Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Method for enhancing a food item

Номер патента: US20200037652A1. Автор: William Myers,Scott Myers. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-02-06.

Rear receiver and methods for use with modular platform for gutter guard systems with interchangeable components

Номер патента: US20210348391A1. Автор: Michael Gori. Владелец: LeafFilter North LLC. Дата публикации: 2021-11-11.

Molding apparatus, molding method, and method for manufacturing a product

Номер патента: US12078926B2. Автор: Toshiaki Ando. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for producing a control element for an air-diffuser

Номер патента: US09764622B2. Автор: Steve Kober,Harald Noichl. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC. Дата публикации: 2017-09-19.

Isolation layer for semiconductor devices and method for forming the same

Номер патента: WO2006113806A3. Автор: Jason M Neidrich. Владелец: Jason M Neidrich. Дата публикации: 2006-12-21.

System and method for coating substrates

Номер патента: US11944996B2. Автор: Tal Goichman,Ashkan Aghajani. Владелец: Orbotech Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

System and Method for Coating Substrates

Номер патента: US20220080453A1. Автор: Tal Goichman,Ashkan Aghajani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-03-17.

Isolation layer for semiconductor devices and method for forming the same

Номер патента: WO2006113806A2. Автор: Jason M. Neidrich. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2006-10-26.

Additive manufacturing method for functionally graded material

Номер патента: US20200198231A1. Автор: XI Yang,Mary Kathryn Thompson,Meredith Elissa Dubelman. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-06-25.

Systems and methods for bladder pressure forming a preform into a shaped body

Номер патента: EP4360857A1. Автор: Vijay V. Pujar,Katherine E. Waugh,Christopher C. Koroly. Владелец: Rohr Inc. Дата публикации: 2024-05-01.

Method for patterning a microstructure

Номер патента: US09904386B2. Автор: Muthu Sebastian,Michael W. Dolezal. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2018-02-27.

Machine and method for compacting ceramic powder

Номер патента: EP3468756A1. Автор: Stefano Scardovi,Claudio Ricci. Владелец: Sacmi Imola Sc. Дата публикации: 2019-04-17.

Method of and device for forming an image of a layer of a three-dimensional object

Номер патента: US4461016A. Автор: Hermann Weiss,Erhard Klotz. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1984-07-17.

Machine and method for compacting ceramic powder

Номер патента: EP4331798A2. Автор: Stefano Scardovi,Claudio Ricci. Владелец: Sacmi Imola Sc. Дата публикации: 2024-03-06.

Production method for chip-form film-forming component

Номер патента: US20060193974A1. Автор: Tadayuki Kurihara. Владелец: Fujinon Sano Corp. Дата публикации: 2006-08-31.

System and method for reducing dynamic range in images of patterned regions of semiconductor wafers

Номер патента: US09703207B1. Автор: Grace Chen,Daniel L. Cavan. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

System and method for data storage and processing

Номер патента: RU2670781C9. Автор: Илья Николаевич Логинов. Владелец: Илья Николаевич Логинов. Дата публикации: 2018-11-23.

Method for forming hologram,hologram and security medium using the hologram

Номер патента: GB2473582A. Автор: Mitsuru Kitamura. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2011-03-16.

Construction element and method for manufacturing a building structure

Номер патента: WO2011021930A3. Автор: Daniel Querido. Владелец: Werkgroep Restauratie. Дата публикации: 2012-02-16.

Integrated chirped-grating spectrometer-on-a-chip

Номер патента: WO2021102088A1. Автор: Alexander Neumann,Steven R. J. Brueck,Payman Zarkesh-Ha. Владелец: UNM Rainforest Innovations. Дата публикации: 2021-05-27.

Uv mask device and method for using the same

Номер патента: WO2017193661A1. Автор: Fuqiang Zhang,Jaehong Kim,Chihyeon CHO. Владелец: BEIJING BOE DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2017-11-16.

Machine and method for compacting powder material

Номер патента: EP3529019A1. Автор: Paolo Testi,Marco Salieri. Владелец: Sacmi Imola Sc. Дата публикации: 2019-08-28.

Uv mask device and method for using the same

Номер патента: EP3458911A1. Автор: Fuqiang Zhang,Jaehong Kim,Chihyeon CHO. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-27.

Method for making a conduit fitting

Номер патента: US3587163A. Автор: Richard W Horton. Владелец: United Mcgill Corp. Дата публикации: 1971-06-28.

Generic buffer circuits and methods for out of band signaling

Номер патента: EP2380086A1. Автор: Richard S. Ballantyne,Ralph D. Wittig,Henry E. Styles,Mark Paluszkiewicz,Catalin Baetonlu. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2011-10-26.

Method for adjusting the amount of marking material in a printed image

Номер патента: WO2012045624A1. Автор: Jantinus Woering. Владелец: OCE-TECHNOLOGIES B.V.. Дата публикации: 2012-04-12.

Method for adjusting the amount of marking material in a printed image

Номер патента: EP2625650A1. Автор: Jantinus Woering. Владелец: Oce Technologies BV. Дата публикации: 2013-08-14.

A machine for forming a formation protection layer of a track

Номер патента: GB9520528D0. Автор: . Владелец: Franz Plasser Bahnbaumaschinen Industrie GmbH. Дата публикации: 1995-12-13.

A machine for forming a formation protection layer of a track

Номер патента: GB2293847B. Автор: Josef Theurer,Herbert Woergoetter. Владелец: Franz Plasser Bahnbaumaschinen Industrie GmbH. Дата публикации: 1998-04-29.

Perspective method for physical whiteboard and generation method for virtual whiteboard

Номер патента: EP4246428A1. Автор: Xiaoshuai ZHANG,Haochen Ye. Владелец: Xiamen Yealink Network Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Devices, systems, and methods for suturing tissue

Номер патента: US7691112B2. Автор: David R. Widomski,Carol A. Devellian,Andrzej Chanduszko. Владелец: NMT Medical Inc. Дата публикации: 2010-04-06.

Dam forming method and method for manufacturing laminate

Номер патента: US20220332104A1. Автор: Yuko Takebayashi. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Method for identification of car order on a train and control device for a railcar

Номер патента: AU2021394613A1. Автор: Imre Busznyak. Владелец: Knorr Bremse Systeme fuer Schienenfahrzeuge GmbH. Дата публикации: 2023-07-27.

Method for identification of car order on a train and control device for a railcar

Номер патента: AU2021394613B2. Автор: Imre Busznyak. Владелец: Knorr Bremse Systeme fuer Schienenfahrzeuge GmbH. Дата публикации: 2024-05-02.

A method for estimating the lighting quality of vehicle headlights

Номер патента: WO2001022047A1. Автор: Tomasz Targosiński. Владелец: Instytut Transportu Samochodowego. Дата публикации: 2001-03-29.

Systems and methods for quality inspection and regulation adherence

Номер патента: US20240096503A1. Автор: Binh T. Nguyen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-03-21.

Systems and methods for application discovery, subsidy and assessment

Номер патента: WO2015102907A1. Автор: Henry George Wei,Zhong Zhuang. Владелец: Aetna Inc.. Дата публикации: 2015-07-09.

Method for tracking of intermediate products in a printing system

Номер патента: WO2015028350A1. Автор: Taco M. DE BOER. Владелец: OCE-TECHNOLOGIES B.V.. Дата публикации: 2015-03-05.

A method for estimating the lighting quality of vehicle headlights

Номер патента: EP1214574A1. Автор: Tomasz TargosiŃSki. Владелец: Instytut Transportu Samochodowego. Дата публикации: 2002-06-19.

Method of forming a micromechanical structure

Номер патента: US20060035439A1. Автор: Shen-Ping Wang,Ching-Heng Po,Chia-Chiang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-02-16.

System and method for creating cavitation and/or flash

Номер патента: US20240334957A1. Автор: James B. Wolff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-10.

Method for identification of car order on a train and control device for a railcar

Номер патента: AU2021394613A9. Автор: Imre Busznyak. Владелец: Knorr Bremse Systeme fuer Schienenfahrzeuge GmbH. Дата публикации: 2024-09-19.

Gaming system and method for providing a bonus game with a choice by another player(s)

Номер патента: US09990805B2. Автор: Alan Roireau. Владелец: Video Gaming Technologies Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for manufacturing multiple-diagnosis membrane sensor by using screen printing

Номер патента: US09970933B2. Автор: Ho-Jun Suk,Min-Gon Kim,Hyou-Arm Joung,Jun-Hyoung AHN. Владелец: INGIBIO Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Particle beam therapy system, and method for operating particle beam therapy system

Номер патента: US09795806B2. Автор: Toru Umekawa,Kazuki Matsuzaki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for forming the reticle bit line bottom plug of semiconductor device

Номер патента: KR100431991B1. Автор: 김광철,김문회,최상태. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-05-22.

Method for forming photomask pattern to control critical Demension of semiconductor device

Номер патента: KR101096979B1. Автор: 한덕선,김미혜. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-12-20.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003811A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003823A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

CLEANING AGENT FOR SUBSTRATE AND CLEANING METHOD

Номер патента: US20120000485A1. Автор: Mizuta Hironori,Kakizawa Masahiko,Hayashida Ichiro. Владелец: WAKO PURE CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Determining an Analyte in a Sample

Номер патента: US20120002207A1. Автор: Lagae Liesbet,De Vlaminck Iwijn,Van Dorpe Pol. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus, System, and Method for Direct Phase Probing and Mapping of Electromagnetic Signals

Номер патента: US20120001656A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Packaging Electronic Devices and Integrated Circuits

Номер патента: US20120003791A1. Автор: . Владелец: WAFER-LEVEL PACKAGING PORTFOLIO LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE WAFER

Номер патента: US20120003824A1. Автор: Lee Ho-jun,KIM Yong-Jin,Lee Dong-Kun,Kim Doo-Soo,Lee Kye-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR TRANSMITTING CONTROL SIGNAL TO RELAY NODE AT BASE STATION IN MIMO WIRELESS COMMUNICATION SYSTEM AND APPARATUS THEREFOR

Номер патента: US20120002596A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR REPAIRING GAS TURBINE BLADES AND GAS TURBINE BLADE

Номер патента: US20120000890A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND DEVICE FOR FORMING SURFACE PROCESSED DATA

Номер патента: US20120001908A1. Автор: Takahashi Kenji,Kikuta Mamoru,Miura Kenjiro,Uzuyama Daijiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR ADJUSTING AT LEAST ONE WORKING UNIT OF A SELF-PROPELLED HARVESTING MACHINE

Номер патента: US20120004813A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Producing Thermoelectric Module

Номер патента: US20120003771A1. Автор: Uchiyama Naoki,Nishio Toshiyuki,Kubo Kazuya,Mikami Masashi,Kobayashi Keizo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for forming a barrier metal layer of integrated circuit

Номер патента: TW421853B. Автор: Ting-Jiun Wang,Guo-Shian Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-02-11.

Fabric and apparatus and method for making same

Номер патента: CA1110863A. Автор: Daniel Duhl,Denton B. Wall. Владелец: Polylok Corp. Дата публикации: 1981-10-20.

Method for forming laminated synthetic leather

Номер патента: NZ533450A. Автор: Swei Mu Wang. Владелец: Swei Mu Wang. Дата публикации: 2005-10-28.

Method for use in forming a magnet unit for a loudspeaker

Номер патента: GB202314235D0. Автор: . Владелец: PSS Belgium NV. Дата публикации: 2023-11-01.

METHOD FOR INSULATING A SEMICONDUCTOR MATERIAL IN A TRENCH FROM A SUBSTRATE

Номер патента: US20120091563A1. Автор: Poelzl Martin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2012-04-19.

An aqueous adhesive which can be applied to a substrate by screen printing, a method for preparing same and the use of such an adhesive

Номер патента: WO1997005208B1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1997-03-27.

Method for producing purified graphite

Номер патента: AU2023251690A1. Автор: Christian Graf,Daniel Rische,Thomas Felbinger,Tobias Weidler. Владелец: Dorfner Anzaplan GmbH. Дата публикации: 2024-09-26.