Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • 用于ac led的硅衬底上的氮化镓led与氮化铝镓/氮化镓器件的集成

用于ac led的硅衬底上的氮化镓led与氮化铝镓/氮化镓器件的集成

Номер патента: CN104170089A
Опубликовано: 26-11-2014
Автор(ы): T.钟
Принадлежит: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Integration of leds on gallium-nitride with devices on aluminum/gallium nitride, gallium nitride on silicon substrates for led ac

Номер патента: RU2615215C2. Автор: Теодор ЧУНГ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-04-04.

Integration of gallium nitride LEDs with aluminum gallium nitride/gallium nitride devices on silicon substrates for AC LEDs

Номер патента: TW201347228A. Автор: Theodore Chung. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2013-11-16.

LEDs with three color RGB pixels for displays

Номер патента: US09941330B2. Автор: Ajey P. Jacob,Srinivasa Banna,Deepak Nayak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

LEDs WITH THREE COLOR RGB PIXELS FOR DISPLAYS

Номер патента: US20180197913A1. Автор: Ajey P. Jacob,Srinivasa Banna,Deepak Nayak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-07-12.

Stress relaxation trenches for gallium nitride microled layers on silicon substrates

Номер патента: US20230369532A1. Автор: Raghav SREENIVASAN,Tyler Sherwood. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Indium gallium nitride red light emitting diode and method of making thereof

Номер патента: US20230387350A1. Автор: Michael Jansen,Fan Ren,Nathan Gardner,Fariba DANESH,Richard P. Schneider. Владелец: GLO Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

Indium gallium nitride red light emitting diode and method of making thereof

Номер патента: US20200403121A1. Автор: Michael Jansen,Fan Ren,Nathan Gardner,Richard P. Schneider, Jr.,Fariba DANESH. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2020-12-24.

Indium gallium nitride red light emitting diode and method of making thereof

Номер патента: US20200119229A1. Автор: Michael Jansen,Fan Ren,Nathan Gardner,Richard P. Schneider, Jr.,Fariba DANESH. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2020-04-16.

Indium gallium nitride red light emitting diode and method of making thereof

Номер патента: EP3529838A1. Автор: Michael Jansen,Fan Ren,Nathan Gardner,Fariba DANESH,Richard P. SCHNEIDER JR.. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2019-08-28.

Method for manufacturing display device, and substrate for manufacturing display device

Номер патента: US12080580B2. Автор: Hyunwoo Cho,Wonjae Chang,Jisoo KO,Bongchu Shim,Hyeyoung Yang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-09-03.

Monolithic integration of different light emitting structures on a same substrate

Номер патента: WO2020210563A1. Автор: Gang He,Sheila Hurtt. Владелец: Raxium, Inc.. Дата публикации: 2020-10-15.

Monolithic integration of multicolor light emitting diodes

Номер патента: US20240213299A1. Автор: Yi Sun,Yuanpeng Wu,Zetian Mi,Xianhe Liu,Yakshita MALHOTRA. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2024-06-27.

Optoelectronic device with light-emitting diodes a doped region of which incorporates an external segment based on aluminium and gallium nitride

Номер патента: US12074191B2. Автор: Benoit Amstatt,Pierre Tchoulfian. Владелец: Aledia. Дата публикации: 2024-08-27.

INTEGRATION OF GALLIUM NITRIDE LEDS WITH ALUMINUM GALLIUM NITRIDE/GALLIUM NITRIDE DEVICES ON SILICON SUBSTRATES FOR AC LEDS

Номер патента: US20150014628A1. Автор: Chung Theodore. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS N.V.. Дата публикации: 2015-01-15.

Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound

Номер патента: CA2054242C. Автор: Masahiro Kotaki,Isamu Akasaki,Hiroshi Amano. Владелец: Nagoya University NUC. Дата публикации: 1996-06-25.

Selective gallium nitride regrowth on (100) silicon

Номер патента: US9099381B2. Автор: Devendra K. Sadana,Can Bayram,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-04.

Method for manufacturing epitaxial wafer for ultraviolet ray emission device, method for manufacturing substrate for ultraviolet ray emission device, epitaxial wafer for ultraviolet ray emission device, and substrate for ultraviolet ray emission device

Номер патента: US20240234623A9. Автор: Masato Yamada,Keitaro Tsuchiya. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for manufacturing epitaxial wafer for ultraviolet ray emission device, method for manufacturing substrate for ultraviolet ray emission device, epitaxial wafer for ultraviolet ray emission device, and substrate for ultraviolet ray emission device

Номер патента: US20240136466A1. Автор: Masato Yamada,Keitaro Tsuchiya. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Method for manufacturing epitaxial wafer for ultraviolet light-emitting element, method for manufacturing substrate for ultraviolet light-emitting element, epitaxial wafer for ultraviolet light-emitting element, and substrate for ultraviolet light-emitting element

Номер патента: EP4303940A1. Автор: Masato Yamada,Keitaro Tsuchiya. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-10.

Efficient group iii-nitride led devices and method of fabrication

Номер патента: US20240079525A1. Автор: Iulian Gherasoiu,Haralabos Efstathiadis. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 2024-03-07.

Light emitting device grown on silicon substrate

Номер патента: RU2657335C2. Автор: Раджвиндер СИНГХ,Джон Эдвард ЭПЛЕР. Владелец: Люмиледс Холдинг Б.В.. Дата публикации: 2018-06-13.

Gallium nitride-based light emitting diode

Номер патента: WO2013125822A1. Автор: Kenji Shimoyama,Ki Bum Nam,Seung Kyu Choi,Chae Hon KIM,Jung Whan JUNG,Kaori Kurihara. Владелец: MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION. Дата публикации: 2013-08-29.

Gallium nitride-based light emitting diode

Номер патента: US09853182B2. Автор: Kenji Shimoyama,Ki Bum Nam,Seung Kyu Choi,Chae Hon KIM,Jung Whan JUNG,Kaori Kurihara. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Surface morphology of non-polar gallium nitride containing substrates

Номер патента: US09831386B2. Автор: James W. RARING,Christiane Elsass. Владелец: Soraa Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

METHOD FOR FABRICATING THREE-DIMENSIONAL GALLIUM NITRIDE STRUCTURES WITH PLANAR SURFACES AND LIGHT EMITTING DIODE (LED) USING THREE-DIMENSIONAL GALLIUM NITRIDE (GaN)PILLAR STRUCTURES WITH PLANAR SURFACES

Номер патента: WO2013099249A1. Автор: Changqing Zhan,Mark Albert Crowder,Paul J. Schuele. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2013-07-04.

METHOD FOR GROWING A SEMI-POLAR GALLIUM NITRIDE EPITAXIAL LAYER USING ALUMINUM NITRIDE / GALLIUM NITRIDE SUPERLATTICES

Номер патента: US20220090294A1. Автор: BIN ABU BAKAR Ahmad Shuhaimi,AL- ZUHAIRI Omar Ayad Fadhil,AHMAD MAKINUDIN Abdullah Haaziq,BIN AZMAN SHAH Mohd Adreen Shah,BIN KAMARUNDZAMAN Anas. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

METHOD FOR MANUFACTURING INDIUM GALLIUM NITRIDE/GALLIUM NITRIDE QUANTUM-WELL PYRAMID

Номер патента: US20200203555A1. Автор: Wang Ying-Chieh,LO I-Kai,CHOU Ming-Chi,Tsai Cheng-Da. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

Method for manufacturing indium gallium nitride/gallium nitride quantum-well reversed pyramid

Номер патента: TWI682053B. Автор: 羅奕凱,周明奇,蔡承達,王映傑. Владелец: 國立中山大學. Дата публикации: 2020-01-11.

Method of depositing gallium nitride on a substrate

Номер патента: US11127878B2. Автор: Ahmad Shuhaimi Bin Abu Bakar,Mohd Adreen Shah Bin Azman Shah. Владелец: Universiti Malaya. Дата публикации: 2021-09-21.

Integrated photonic device comprising hollowed silicon substrate-based led and optical waveguide and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180267238A1. Автор: Hongbo Zhu,Yin Xu,Yongjin Wang,Dan Bai,Guixia ZHU,Jialei YUAN. Владелец: NANJING UNIVERSITY OF POSTS AND TELECOMMUNICATIONS. Дата публикации: 2018-09-20.

Polarization free gallium nitride-based photonic devices on nanopatterned silicon

Номер патента: US09608160B1. Автор: Ning Li,Tayfun Gokmen,Devendra K. Sadana,Can Bayram,John A. Ott,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of depositing gallium nitride on a substrate

Номер патента: US20200411714A1. Автор: Ahmad Shuhaimi Bin Abu Bakar,Mohd Adreen Shah Bin Azman Shah. Владелец: Universiti Malaya. Дата публикации: 2020-12-31.

GaN-type light emitting device formed on a silicon substrate

Номер патента: US5838029A. Автор: Yukio Shakuda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1998-11-17.

Method for making gallium nitride epitaxial layer by silicon substrate

Номер патента: US20180195204A1. Автор: Shou-Shan Fan,Qun-Qing Li,Yuan-Hao Jin. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-12.

Gallium-nitride light emitting diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120248404A1. Автор: Sung Bum Bae,Eun Soo Nam,Jong Moo Lee,Han Youl RYU. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2012-10-04.

Method of fabricating nonpolar gallium nitride-based semiconductor layer, nonpolar semiconductor device, and method of fabricating the same

Номер патента: US09966497B2. Автор: Seung Kyu Choi,Chae Hon KIM,Jung Whan JUNG. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Gallium nitride to silicon direct wafer bonding

Номер патента: EP2859592A1. Автор: Alexander Usenko. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2015-04-15.

Gallium nitride to silicon direct wafer bonding

Номер патента: WO2013181053A1. Автор: Alexander Usenko. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2013-12-05.

High indium uptake and high polarization ratio for group-iii nitride optoelectronic devices fabricated on a semipolar (20-2-1) plane of a gallium nitride substrate

Номер патента: WO2012149531A3. Автор: Shinichi Tanaka,Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,James S. Speck,Daniel F. Feezell,Yuji Zhao,Chia-Yen Huang. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2014-05-08.

Method for large scale growth and fabrication of iii-nitride devices on 2d-layered h-bn without spontaneous delamination

Номер патента: EP3973575A1. Автор: Abdallah Ougazzaden,Suresh Sundaram,Taha AYARI. Владелец: Georgia Tech Research Institute. Дата публикации: 2022-03-30.

A boride-based substrate for growing semiconducting layers thereon and a semiconductor device using the same

Номер патента: EP1176231A3. Автор: Shigeki Otani,Jun Suda,Hiroyuki Kyocera Shiga Factory Kinoshita. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2006-06-21.

Gallium nitride flip-chip light emitting diode

Номер патента: US09966519B2. Автор: Kei May Lau,Wing Cheung CHONG. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2018-05-08.

Gallium nitride compound-based semiconductor light emitting device and process for producing gallium nitride compound-based semiconductor thin film

Номер патента: MY114592A. Автор: Takeishi Hidemi,Kamei Hidenori,Oku Yasunari,Shinagawa Shuuichi. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-30.

Embedded gallium-nitride in silicon

Номер патента: US09685329B2. Автор: Effendi Leobandung,Devendra K. Sadana,Ghavam G. Shahidi,William J. Gallagher. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for manufacturing indium gallium nitride quantum well

Номер патента: US20230187576A1. Автор: I-Kai LO,Ying-Chieh Wang,Huei-Jyun Shih. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2023-06-15.

Indium-gallium-nitride light emitting diodes with increased quantum efficiency

Номер патента: US20240247407A1. Автор: Max Batres,Michael Chudzik,Michel Khoury. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Embedded gallium-nitride in silicon

Номер патента: US09911602B2. Автор: Effendi Leobandung,Devendra K. Sadana,Ghavam G. Shahidi,William J. Gallagher. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Gallium nitride on 3C—SiC composite wafer

Номер патента: US09515222B2. Автор: Peter Ward. Владелец: Anvil Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Method for directly depositing palladium onto a non-activated surface of a gallium nitride semiconductor

Номер патента: MY193073A. Автор: Andreas Walter. Владелец: ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2022-09-26.

Method for directly depositing palladium onto a non-activated surface of a gallium nitride semiconductor

Номер патента: EP3504355A1. Автор: Andreas Walter. Владелец: Atotech Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2019-07-03.

Method for directly depositing palladium onto a non-activated surface of a gallium nitride semiconductor

Номер патента: US20190242017A1. Автор: Andreas Walter. Владелец: Atotech Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2019-08-08.

High indium uptake and high polarization ratio for group-iii nitride optoelectronic devices fabricated on a semipolar (20-2-1) plane of a gallium nitride substrate

Номер патента: EP2702618A2. Автор: Shinichi Tanaka,Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,James S. Speck,Daniel F. Feezell,Yuji Zhao,Chia-Yen Huang. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2014-03-05.

Group-III Nitride Devices and Systems on IBAD-Textured Substrates

Номер патента: US20190221712A1. Автор: Vladimir Matias,Christopher Yung. Владелец: iBeam Materials Inc. Дата публикации: 2019-07-18.

Method for producing gallium nitride light emitting diode wafer

Номер патента: US7498187B2. Автор: Guocong Chen,Mengyuan Wang. Владелец: Podium Photonics Guangzhou Ltd. Дата публикации: 2009-03-03.

Method for producing gallium nitride light emitting diode wafer

Номер патента: US20070254395A1. Автор: Guocong Chen,Mengyuan Wang. Владелец: Podium Photonics Guangzhou Ltd. Дата публикации: 2007-11-01.

Methods and structures for preparing single crystal silicon wafers for use as substrates for epitaxial growth of crack-free gallium nitride FILMS and devices

Номер патента: US9337024B2. Автор: Ananda H. Kumar. Владелец: Siramics Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Gallium nitride self-supported substrate, light-emitting device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09548418B2. Автор: Yukihisa Takeuchi,Tsutomu Nanataki,Jun Yoshikawa,Takashi Yoshino,Kei Sato,Morimichi Watanabe,Katsuhiro Imai,Tomohiko Sugiyama. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Manufacturing method of gallium nitride film

Номер патента: US20230374649A1. Автор: Masanobu Ikeda. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

High efficiency light emitting diodes from bipolar gallium nitride

Номер патента: US5210051A. Автор: Calvin H. Carter, Jr.. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1993-05-11.

Buffer structure between silicon carbide and gallium nitride and resulting semiconductor devices

Номер патента: AU1300295A. Автор: Vladimir Dmitriev,John A. Edmond,Kenneth Irvine. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1995-07-03.

Method for producing by vapour-phase epitaxy a gallium nitride film with low defect density

Номер патента: US7455729B2. Автор: Jean-Pierre Faurie,Bernard Beaumont,Pierre Gibart. Владелец: Lumilog SA. Дата публикации: 2008-11-25.

Large area synthesis of cubic phase gallium nitride on silicon

Номер патента: US20230235480A1. Автор: Can Bayram,Muhammad Ali Johar. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2023-07-27.

Large area synthesis of cubic phase gallium nitride on silicon

Номер патента: US20230238246A1. Автор: Can Bayram,Muhammad Ali Johar. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2023-07-27.

Method of growing gallium nitride-based crystal and heat treatment apparatus

Номер патента: US09966258B2. Автор: Kota Umezawa,Yosuke Watanabe. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for the reuse of gallium nitride epitaxial substrates

Номер патента: US09396943B2. Автор: Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,Daniel F. Feezell,Casey O. Holder. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2016-07-19.

Gallium nitride material and device deposition on graphene terminated wafer and method of forming the same

Номер патента: US09574287B2. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Can Bayram,Keith E. Fogel,John A. Ott,Christos D. Dimitrakopoulos. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for the reuse of gallium nitride epitaxial substrates

Номер патента: US9773704B2. Автор: Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,Daniel F. Feezell,Casey O. Holder. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-09-26.

Gallium nitride base semiconductor device

Номер патента: US5239188A. Автор: ATSUSHI Watanabe,Tetsuya Takeuchi,Katsuhide Manabe,Isamu Akasaki,Hiroshi Amano. Владелец: Pioneer Electronic Corp. Дата публикации: 1993-08-24.

Method of growing a high quality III-V compound layer on a silicon substrate

Номер патента: US09691855B2. Автор: Hao-Chung Kuo,Zhen-Yu Li,Hsing-Kuo Hsia. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of manufacturing a gallium nitride substrate

Номер патента: US20180112330A1. Автор: Young-soo Park,Jun-Youn Kim,Young-jo Tak,Mi-Hyun Kim,Sam-Mook KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-26.

Gallium nitride semiconductor device on soi and process for making same

Номер патента: EP2210284A1. Автор: Kishor Purushottam Gadkaree,Linda R Pinckney,Rajaram Bhat,Jérôme Napierala,Chung-En Zah. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2010-07-28.

Stacked structure and gallium nitride-based semiconductor device

Номер патента: US20240282889A1. Автор: Masashi TSUBUKU,Masumi Nishimura,Masami Mesuda,Yoshihiro Ueoka,Yuya Suemoto. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

METHOD OF FORMING p-TYPE GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR, METHOD OF FORMING NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF FORMING EPITAXIAL WAFER

Номер патента: US20110111578A1. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Yusuke Yoshizumi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-05-12.

METHOD OF FORMING p-TYPE GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR, METHOD OF FORMING NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF FORMING EPITAXIAL WAFER

Номер патента: US20100279495A1. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Yusuke Yoshizumi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-11-04.

Stacked quantum well aluminum indium gallium nitride light emitting diodes

Номер патента: US5684309A. Автор: Forrest Gregg McIntosh,Salah Mohamed Bedair,Nadia Ahmed El-Masry,John Claassen Roberts. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1997-11-04.

Gallium nitride substrate and gallium nitride film deposition method

Номер патента: EP2019155A3. Автор: Seiji Nakahata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-09-22.

Methods of fabricating gallium nitride semiconductor layers by lateral overgrowth through masks, and gallium nitride semiconductor structures fabricated thereby

Номер патента: CA2321118C. Автор: Robert F. Davis,Ok-Hyun Nam,Tsvetanka Zheleva,Michael D. Bremser. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 2008-06-03.

Substrate for semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US10211295B2. Автор: Sun-Zen Chen,Puru Lin,Jiann-Heng Chen. Владелец: National Chi Nan University. Дата публикации: 2019-02-19.

Semiconductor structures including a gallium nitride material component and a silicon germanium component

Номер патента: US20030132433A1. Автор: Edwin Piner,T. Weeks,Ricardo Borges,Kevin Linthicum. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-17.

Method and system for diffusing magnesium in gallium nitride materials using sputtered magnesium sources

Номер патента: US11881404B2. Автор: Cem Basceri,Vladimir Odnoblyudov,Ozgur Aktas. Владелец: Qromis Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Gallium nitride crystal, gallium nitride substrate, and method for producing gallium nitride substrate

Номер патента: EP4299801A1. Автор: Kazunobu Kojima,Yutaka Mikawa,Hirotaka Ikeda,Shigefusa Chichibu,Toru Ishiguro,Kohei SHIMA,Kouhei KURIMOTO,Quanxi Bao. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2024-01-03.

Method for fabricating p-type gallium nitride-based semiconductor, method for fabricating nitride-based semiconductor element, and method for fabricating epitaxial wafer

Номер патента: EP2333819A4. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Yusuke Yoshizumi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-11-20.

Gallium nitride crystal, gallium nitride substrate, and method for producing gallium nitride substrate

Номер патента: US20230392280A1. Автор: Kazunobu Kojima,Yutaka Mikawa,Hirotaka Ikeda,Shigefusa Chichibu,Toru Ishiguro,Kohei SHIMA,Kouhei KURIMOTO,Quanxi Bao. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2023-12-07.

Gallium nitride light emitting devices on diamond

Номер патента: US20120164786A1. Автор: Robert C. Linares. Владелец: Apollo Diamond Inc. Дата публикации: 2012-06-28.

Method of forming gallium nitride template with semipolar (20-23) orientation on silicon substrate and semiconductor light-emitting device made using said method

Номер патента: RU2540446C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Василий Николаевич БЕССОЛОВ,Елена Васильевна Коненкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии". Дата публикации: 2015-02-10.

Gallium nitride devices with discontinuously graded transition layer

Номер патента: US09437686B2. Автор: Kevin J. Linthicum,T. Warren Weeks, Jr.,Thomas Gehrke,Edwin Lanier Piner. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Gallium nitride substrates and functional devices

Номер патента: US09653649B2. Автор: Masahiro Sakai,Makoto Iwai,Katsuhiro Imai,Yoshitaka Kuraoka. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Growing method of gallium nitride related compound semiconductor crystal and gallium nitride related compound semiconductor device

Номер патента: US5716450A. Автор: Hitoshi Okazaki,Seiji Togawa. Владелец: Japan Energy Corp. Дата публикации: 1998-02-10.

Gallium nitride anodes for organic electroluminescent devices and displays

Номер патента: WO1997047051A1. Автор: Samuel Clagett Strite,Ching Wan Tang. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 1997-12-11.

Gallium nitride semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11810783B2. Автор: Shoichi Onda,Masatake Nagaya,Daisuke Kawaguchi,Jun Kojima,Kazukuni Hara,Chiaki Sasaoka. Владелец: Tokai National Higher Education and Research System NUC. Дата публикации: 2023-11-07.

Gallium nitride semiconductor structures with compositionally-graded transition layer

Номер патента: US8344417B2. Автор: Edwin L. Piner,Kevin J. Linthicum,T. Warren Weeks, Jr.,Thomas Gehrke. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2013-01-01.

Gallium nitride materials and methods

Номер патента: US6617060B2. Автор: Edwin L. Piner,Kevin J. Linthicum,T. Warren Weeks, Jr.,Thomas Gehrke. Владелец: Nitronex Corp. Дата публикации: 2003-09-09.

Gallium nitride-based semiconductor device on amorphous substrate

Номер патента: US20240250214A1. Автор: Masumi Nishimura,Hayata AOKI,Hiroumi Kinjo. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Red LED With Low Forward Voltage, High Wall Plug Efficiency, And High Operating Current Density

Номер патента: US20240297267A1. Автор: Robert Armitage. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of growing gallium nitride based semiconductor layers and method of fabricating light emitting device therewith

Номер патента: US09449815B2. Автор: Seung Kyu Choi,Chae Hon KIM,Woo Chul Kwak,Jung Whan JUNG. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Gallium nitride semiconductor device

Номер патента: CA2444273C. Автор: Kimihiro Kawagoe. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2012-05-22.

Host substrate for nitride based light emitting devices

Номер патента: US20100244195A1. Автор: SHU Yuan,Limin Lin,Bin Xie. Владелец: Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute ASTRI. Дата публикации: 2010-09-30.

Gallium nitride compound semiconductor element

Номер патента: EP1387453A1. Автор: Kimihiro c/o NICHIA CORPORATION KAWAGOE. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2004-02-04.

Gallium nitride compound semiconductor element

Номер патента: EP1387453B1. Автор: Kimihiro c/o NICHIA CORPORATION KAWAGOE. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2009-11-11.

Method of growing gallium nitride based semiconductor layers and method of fabricating light emitting device therewith

Номер патента: WO2014092320A1. Автор: Seung Kyu Choi,Chae Hon KIM,Woo Chul Kwak,Jung Whan JUNG. Владелец: Seoul Viosys Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-06-19.

Quantum-Confined Stark Effect Electro-Optic Modulator In Perovskite Quantum Wells Integrated On Silicon

Номер патента: US20230132224A1. Автор: Alexander A. Demkov,Agham POSADAS,John Elliott Ortmann, JR.. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2023-04-27.

Quantum-confined stark effect electro-optic modulator in perovskite quantum wells integrated on silicon

Номер патента: WO2021178959A1. Автор: Alexander A. Demkov,Agham POSADAS,John Elliott ORTMANN. Владелец: BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM. Дата публикации: 2021-09-10.

Aluminum gallium nitride/gallium nitride high electron mobility transistors having a gate contact on a gallium nitride based cap segment and methods of fabricating same

Номер патента: CA2453318C. Автор: Richard Peter Smith. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2014-06-10.

Layer transfer transistor for gallium nitride (gan) integrated circuit technology

Номер патента: US20240203979A1. Автор: Han Wui Then,Samuel James Bader. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Layer transfer clamp for gallium nitride (gan) integrated circuit technology

Номер патента: US20240203978A1. Автор: Han Wui Then,William J. Lambert,Harish Krishnamurthy,Nachiket Venkappayya Desai,Samuel James Bader,Jingshu Yu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Polycrystalline gallium nitride self-supported substrate and light emitting element using same

Номер патента: US20180351038A1. Автор: Tsutomu Nanataki,Kei Sato,Morimichi Watanabe,Katsuhiro Imai,Yoshitaka Kuraoka. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Light emitting diode on silicon substrate

Номер патента: RU2755933C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Ирина Павловна Смирнова,Александр Сергеевич Гращенко,Лев Константинович Марков,Андрей Евгеньевич Николаев,Алексей Сергеевич Павлюченко,Генадий Викторович Святец,Андрей Федорович Цацульников. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2021-09-23.

Gallium nitride based semiconductor light emitting diode and process for preparing the same

Номер патента: US20080286894A1. Автор: Jun Ho Seo,Seung Wan Chae,Hyoun Soo Shin,Jun Sub KWAK. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-20.

Patterned substrate for gallium nitride-based light emitting diode and the light emitting diode using the same

Номер патента: US09899569B2. Автор: Hao Cui,Si Hyun Park. Владелец: Research Cooperation Foundation of Yeungnam University. Дата публикации: 2018-02-20.

Gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device, positive electrode for the device, light-emitting diode and lamp using the device

Номер патента: WO2005036657A1. Автор: Munetaka Watanabe. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2005-04-21.

Gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device and electrode for the same

Номер патента: US20070040183A1. Автор: Mineo Okuyama,Hideki Tomozawa,Noritaka Muraki,Soichiro Masuyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-22.

Gallium nitride-based compound semiconductor light emitting device

Номер патента: US8188495B2. Автор: Noritaka Muraki,Munetaka Watanabe. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2012-05-29.

Gallium nitride-based semiconductor optical device, method of fabricating gallium nitride-based semiconductor optical device, and epitaxial wafer

Номер патента: US20100220761A1. Автор: Keiji Ishibashi,Masaki Ueno,Hideki Osada,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-09-02.

Gallium nitride group compound semiconductor laser diode

Номер патента: US5247533A. Автор: Nobuo Okazaki,Katsuhide Manabe,Isamu Akasaki,Hiroshi Amano. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 1993-09-21.

Parasitic capacitance reduction in gan-on-silicon devices

Номер патента: WO2019236702A1. Автор: Wayne Mack Struble,Timothy E. Boles,Gabriel R. Cueva. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.. Дата публикации: 2019-12-12.

Monolithic integration of high and low-side gan fets with screening back gating effect

Номер патента: US20230197784A1. Автор: Sridhar Seetharaman,Chang Soo Suh,Qhalid Fareed,Dong Seup Lee,Jungwoo Joh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Monolithic integration of high and low-side gan fets with screening back gating effect

Номер патента: EP4203034A1. Автор: Sridhar Seetharaman,Chang Soo Suh,Qhalid Fareed,Dong Seup Lee,Jungwoo Joh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-06-28.

Iii-nitride material semiconductor structures on conductive silicon substrates

Номер патента: US20240266405A1. Автор: Wayne Mack Struble,Timothy E. Boles. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Interlayers in selective area growth of gallium nitride (gan) based structures

Номер патента: WO2018182633A1. Автор: Paul B. Fischer,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-10-04.

Over-voltage protection of gallium nitride semiconductor devices

Номер патента: US20150001551A1. Автор: RUI Zhou,Peter Micah Sandvik,Avinash Srikrishnan Kashyap. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2015-01-01.

Integrated gallium nitride capacitor-transistor structures

Номер патента: WO2018174872A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-09-27.

Monolithic integration of high and low-side GaN FETs with screening back gating effect

Номер патента: US11888027B2. Автор: Sridhar Seetharaman,Chang Soo Suh,Qhalid Fareed,Dong Seup Lee,Jungwoo Joh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Monolithic integration of high and low-side gan fets with screening back gating effect

Номер патента: US20240120383A1. Автор: Sridhar Seetharaman,Chang Soo Suh,Qhalid Fareed,Dong Seup Lee,Jungwoo Joh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Gallium nitride-on-silicon devices

Номер патента: US20240145587A1. Автор: Jun-De JIN,Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Gallium nitride-on-silicon devices

Номер патента: US11888055B2. Автор: Jun-De JIN,Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Hetero integration of semiconductor materials on silicon

Номер патента: EP1525614A1. Автор: Suresh Venkatesan,Papa D. Maniar. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2005-04-27.

Gallium nitride-on-silicon devices

Номер патента: US20210305419A1. Автор: Jun-De JIN,Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Integration of active power device with passive components

Номер патента: US09704855B2. Автор: Shuming Xu,Wenhua Dai. Владелец: Coolstar Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Operational gallium nitride devices

Номер патента: US09911731B2. Автор: Gerald Deboy. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-03-06.

Operational Gallium Nitride devices

Номер патента: US09472625B2. Автор: Gerald Deboy. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-10-18.

Monolithic integration of silicon and group III-V devices

Номер патента: US20110210337A1. Автор: Michael A. Briere. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2011-09-01.

Monolithic integration of enhancement mode and depletion mode field effect transistors

Номер патента: US20200251469A1. Автор: Chia-Ming Chang,Jung-Tao CHUNG,Yan-Cheng Lin,Lung-Yi TSENG. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Monolithic integration of enhancement mode and depletion mode field effect transistors

Номер патента: US20200381425A1. Автор: Chia-Ming Chang,Jung-Tao CHUNG,Yan-Cheng Lin,Lung-Yi TSENG. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Layouts for the monolithic integration of cmos and deposited photonic active layers

Номер патента: EP1794797A1. Автор: Carlos J.R.P. Augusto. Владелец: Quantum Semiconductor LLC. Дата публикации: 2007-06-13.

High density gallium nitride devices using island topology

Номер патента: CA2796155C. Автор: John Roberts,Greg Klowak,Ahmad Mizan,Girvan Patterson. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2013-11-05.

Method for co-integration of III-V devices with group IV devices

Номер патента: US11557503B2. Автор: Amey Mahadev Walke,Liesbeth Witters. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-01-17.

Integrated depletion and enhancement mode gallium nitride high-electron mobility transistors

Номер патента: US20240063219A1. Автор: JERRY JOSEPH James,Francois Hebert,Richard J. Rassel,Santosh Sharma,Steven J. Bentley. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Manufacturing a laser diode device from a plurality of gallium and nitrogen containing substrates

Номер патента: US9209596B1. Автор: James W. RARING,Melvin McLaurin,Po Shan Hsu,Alexander Sztein. Владелец: Soraa Laser Diode Inc. Дата публикации: 2015-12-08.

Flip-chip welding metal layer structure for AC-LED (Alternating Current-Light Emitting Diode) chip structure

Номер патента: CN104752578A. Автор: 胡勇,曹清,陈阿平,吴维群,贾砚林,卢金雄,慎邦威. Владелец: Baosteel Metal Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-01.

Layer transfer diode or thin-film resistor for gallium nitride (gan) integrated circuit technology

Номер патента: US20240203815A1. Автор: Han Wui Then,Nachiket Venkappayya Desai,Samuel James Bader. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Aluminum gallium nitride/gallium nitride high electron mobility transistors having a gate contact on a gallium nitride based cap segment and methods of fabricating same

Номер патента: CA2453318A1. Автор: Richard Peter Smith. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-23.

Aluminum gallium nitride/gallium nitride high electron mobility transistors having a gate contact on a gallium nitride based cap segment and methods of fabricating same

Номер патента: US20020066908A1. Автор: Richard Smith. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-06.

Gallium nitride-based device with step-wise field plate and method making the same

Номер патента: EP3945601A3. Автор: Wei Wang,Chun Lin Tsai,Ru-Yi Su,Yao-Chung Chang,Wei-Chen YANG,Yen-Ku Lin,Channing TSOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-20.

Aluminum gallium nitride/gallium nitride high electron mobility transistors having a gate contact on a gallium nitride based cap segment

Номер патента: US6548333B2. Автор: Richard Peter Smith. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2003-04-15.

Aluminum gallium nitride/gallium nitride high electron mobility transistors

Номер патента: TW201025599A. Автор: Jing Chen,Mao-Jun Wang. Владелец: Univ Hong Kong Science & Techn. Дата публикации: 2010-07-01.

Integration of III-V compound materials on silicon

Номер патента: US10217632B2. Автор: SANGHOON Lee,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-02-26.

Integration of III-V compound materials on silicon

Номер патента: US09406566B1. Автор: SANGHOON Lee,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Monolithic visible-infrared focal plane array on silicon

Номер патента: US09911784B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Robert L. Wisnieff. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Monolithic visible-infrared focal plane array on silicon

Номер патента: US09685481B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Robert L. Wisnieff. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Monolithic integration of III-V cells for powering memory erasure devices

Номер патента: US09997475B2. Автор: Kenneth Rodbell,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Monolithic visible-infrared focal plane array on silicon

Номер патента: US09917122B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Robert L. Wisnieff. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Visible to longwave infrared photodetector on silicon

Номер патента: US20240347561A1. Автор: Clifford King,Baohua Li,Shui-Qing Fisher Yu. Владелец: University of Arkansas System. Дата публикации: 2024-10-17.

Integration of SiGe NPN and vertical PNP devices on a substrate

Номер патента: US7541231B1. Автор: Chun Hu,Amol Kalburge,Kenneth M. Ring,Paul D. Hurwitz. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2009-06-02.

Integration of finfet and gate-all-around devices

Номер патента: US20240194673A1. Автор: Guillaume Bouche,Hwichan Jun. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Substrate for forming a solid-state image pickup element, solid-state image pickup element using the same, and method of producing the same

Номер патента: US20060151813A1. Автор: Fumitoshi Toyokawa,Eiichi Okamoto,Haru Okawa. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-13.

Method and apparatus for treating silicon substrate

Номер патента: US20120083131A1. Автор: Kil Soo AN,Seung Il Chang. Владелец: Mmtech Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-05.

Co-integration of self-aligned and non-self aligned heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US09899375B1. Автор: Vibhor Jain,Qizhi Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of wafer-scale integration of semiconductor devices and semiconductor device

Номер патента: US09608035B2. Автор: Franz Schrank,Cathal Cassidy,Joerg Siegert. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Package structure of common-source common-gate gallium nitride field-effect transistor

Номер патента: US11315864B2. Автор: Tsung Hsien Yen,Hsing Yeh Wang,Feng Jui Shen. Владелец: Gan Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-26.

Method of forming a device with planar split gate non-volatile memory cells, planar hv devices, and finfet logic devices on a substrate

Номер патента: US20230290864A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technnology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Gallium nitride drain structures and methods of forming the same

Номер патента: US20230387203A1. Автор: Chi-Ming Chen,Yung-Chang Chang,Kuei-Ming Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Photodetector circuit comprising a compound semiconductor device on silicon

Номер патента: US11881498B2. Автор: Jonathan KLAMKIN. Владелец: Aeluma Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Photodetector circuit comprising a compound semiconductor device on silicon

Номер патента: US20240162270A1. Автор: Jonathan KLAMKIN. Владелец: Aeluma Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Integration of an auxiliary device with a clamping device in a transient voltage suppressor

Номер патента: US09853119B2. Автор: Tao Wei,Andrew J. Morrish. Владелец: Bourns Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Package structure of common-source common-gate gallium nitride field-effect transistor

Номер патента: US20220020677A1. Автор: Tsung Hsien Yen,Hsing Yeh Wang,Feng Jui Shen. Владелец: Gan Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Co-integration of tensile silicon and compressive silicon germanium

Номер патента: US09905478B2. Автор: Pierre Morin,Nicolas Loubet,Yann Mignot. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-02-27.

Co-integration of tensile silicon and compressive silicon germanium

Номер патента: US09679899B2. Автор: Pierre Morin,Nicolas Loubet,Yann Mignot. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-06-13.

Co-integration of tensile silicon and compressive silicon germanium

Номер патента: US20180144991A1. Автор: Pierre Morin,Nicolas Loubet,Yann Mignot. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-05-24.

Co-integration of tensile silicon and compressive silicon germanium

Номер патента: US20180315666A1. Автор: Pierre Morin,Nicolas Loubet,Yann Mignot. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-11-01.

Co-integration of tensile silicon and compressive silicon germanium

Номер патента: US20190304845A1. Автор: Pierre Morin,Nicolas Loubet,Yann Mignot. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2019-10-03.

Heterostructural field-effect transistor based on gallium nitride with improved stability of the current-voltage characteristic to ionizing radiation

Номер патента: RU2646529C1. Автор: Александр Григорьевич Гудков,Владимир Николаевич Вьюгинов,Святослав Игоревич Видякин,Владимир Геннадьевич Тихомиров,Артем Аркадьевич Городничев,Андрей Артурович Зыбин,Яков Михайлович Парнес. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана (национальный исследовательский университет)" (МГТУ им. Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2018-03-05.

Method for manufacturing inter-instrument insulation of high-power gallium nitride transistors

Номер патента: RU2761051C1. Автор: Владимир Александрович Беспалов,Алексей Александрович Зайцев,Владимир Ильич Егоркин,Валерий Евгеньевич Земляков,Максим Николаевич Журавлёв,Лариса Валентиновна Якимова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники". Дата публикации: 2021-12-02.

Fabrication of gallium nitride semiconductor layers by lateral growth from trench sidewalls

Номер патента: CA2331893C. Автор: Robert F. Davis,Kevin J. Linthicum,Thomas Gehrke,Darren B. Thomson,Tsvetanka Zheleva,Scott A. Smith. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 2007-01-23.

Low-defect density gallium nitride semiconductor structures and fabrication methods

Номер патента: US20100171124A1. Автор: Pankaj B. Shah,Michael A. Derenge,Daniel J. Ewing,Tsvetanka S. Zheleva. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 2010-07-08.

Fabrication of gallium nitride layers by lateral growth

Номер патента: AU2349100A. Автор: Kevin J. Linthicum,Thomas Gehrke,Darren B. Thomson,Eric P. Carlson,Pradeep Rajagopal,Robert F Davis. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2000-06-19.

Method for producing a vertical semiconductor device with epitaxially grown iii-v epitaxy using the substrate several times, and corresponding semiconductor device, in particular based on gallium nitride

Номер патента: US20240234546A1. Автор: Christian Huber,Stefan Regensburger. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

Reconstituted substrate for radio frequency applications

Номер патента: US12051653B2. Автор: Guan Huei See,Ramesh Chidambaram. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Gallium nitride material based semiconductor devices including thermally conductive regions

Номер патента: WO2002069373A2. Автор: T. Warren Weeks,Ricardo M. Borges,Kevin J. Linthicum,Thomas Gehrke. Владелец: Nitronex Corporation. Дата публикации: 2002-11-14.

Gallium nitride-based chip, chip preparation method, gallium nitride power device, and circuit

Номер патента: US20230085872A1. Автор: Zhaozheng Hou,Gaofei TANG,Hanxing WANG. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-23.

Active electronic devices based on gallium nitride and its alloys grown on silicon substrates with buffer layers of SiCAIN

Номер патента: US20040129200A1. Автор: John Kouvetakis,Ignatius Tsong,John Tolle,Radek Roucka. Владелец: Arizona Board of Regents of ASU. Дата публикации: 2004-07-08.

Atomic layer deposition of barrier metal layer for electrode of gallium nitride material device

Номер патента: US12112983B2. Автор: Wayne Mack Struble,Timothy E. Boles,Gabriel R. Cueva. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for producing a substrate for the epitaxial growth of a layer of a gallium-based iii-n alloy

Номер патента: US20230411151A1. Автор: Eric Guiot. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2023-12-21.

Method of manufacture of integral elements of microcircuits on the epitaxial structures of gallium arsenide

Номер патента: RU2665368C1. Автор: Александр Сергеевич Федоров,Григорий Юрьевич Вечерко. Владелец: Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета" ОАО "ОКБ-Планета". Дата публикации: 2018-08-29.

Gallium nitride based semiconductor device and manufacturing method of gallium nitride based semiconductor device

Номер патента: US20190006184A1. Автор: Daisuke Mori,Katsunori Ueno,Chizuru Inoue,Ryo Tanaka,Hideaki Matsuyama,Masaharu Edo,Shinya Takashima,Hideaki Teranishi,Hirotaka SUDA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US11557333B2. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Tahoe Research Ltd. Дата публикации: 2023-01-17.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US20210335414A1. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US20240029785A1. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Tahoe Research Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US11776619B2. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Tahoe Research Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US11056179B2. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-07-06.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US12087352B2. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Tahoe Research Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Photoelectric converter based on semiconductor compounds a2b4c5 2 formed on silicon substrate

Номер патента: RU2624831C2. Автор: Дмитрий Александрович Кудряшов,Жорес Иванович Алферов,Александр Сергеевич Гудовских,Иван Сергеевич Мухин,Алексей Михайлович Можаров,Алексей Дмитриевич Большаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования и науки "Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук". Дата публикации: 2017-07-07.

Method for placing nano-diamonds with nv-centers on silicon nitride

Номер патента: RU2761426C2. Автор: Вадим Владиславович Воробьев,Владимир Владимирович Сошенко,Степан Викторович Большедворский,Алексей Владимирович Акимов,Вадим Викторович Ковалюк,Григорий Наумович Гольцман,Павел Павлович Ан,Евгения Витальевна Зубкова,Анна Валерьевна Елманова,Илья Александрович Елманов,София Андреевна Комракова,Джавид Намик оглы Джавадзаде. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Московский педагогический государственный университет. Дата публикации: 2021-12-08.

Atomic layer deposition of barrier metal layer for electrode of gallium nitride material device

Номер патента: EP3961719A1. Автор: Wayne Mack Struble,Timothy E. Boles,Gabriel R. Cueva. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2022-03-02.

Gallium nitride material based semiconductor devices including thermally conductive regions

Номер патента: WO2002069373A9. Автор: Thomas Gehrke,Kevin J Linthicum,Ricardo M Borges,T Warren Weeks. Владелец: Nitronex Corp. Дата публикации: 2002-11-14.

Vertical semiconductor component on the basis of gallium nitride with a structured intermediate layer

Номер патента: US20240234512A9. Автор: Kevin Dannecker,Stefan Regensburger. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

A heteroepitaxial wafer for the deposition of gallium nitride

Номер патента: EP4312248A1. Автор: Brian Murphy,Sarad Bahadur Thapa. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2024-01-31.

A heteroepitaxial wafer for the deposition of gallium nitride

Номер патента: WO2024023004A1. Автор: Brian Murphy,Sarad Bahadur Thapa. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2024-02-01.

Gallium nitride material based semiconductor devices including thermally conductive regions

Номер патента: EP1386354A2. Автор: T. Warren Weeks,Ricardo M. Borges,Kevin J. Linthicum,Thomas Gehrke. Владелец: Nitronex Corp. Дата публикации: 2004-02-04.

Integration of boron arsenide into power devices and semiconductors for thermal management

Номер патента: EP4315407A1. Автор: Yongjie HU. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-02-07.

Vertical aluminum gallium nitride devices on crystalline metallic substrates

Номер патента: US20240088259A1. Автор: MVS Chandrashekhar,Marshall Brooks TELLEKAMP, JR.. Владелец: Alliance for Sustainable Energy LLC. Дата публикации: 2024-03-14.

Method for preparation of silicon nitride gallium diffusion barrier for use in molecular beam epitaxial growth of gallium arsenide

Номер патента: CA2118356C. Автор: James A. Walker,John E. Cunningham,Keith W. Goossen,William Y. Jan. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1998-08-18.

Method for preparation of silicon nitride gallium diffusion barrier for use in molecular beam epitaxial growth of gallium arsenide

Номер патента: US5468689A. Автор: James A. Walker,John E. Cunningham,Keith W. Goossen,William Y. Jan. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 1995-11-21.

Mixed Dielectric Materials for Improving Signal Integrity of Integrated Electronics Packages

Номер патента: US20230395444A1. Автор: Arun Ramakrishnan,Liming Tsau,Reza Sharifi,Dharmendra Saraswat,Sam Zhao,Sam Karikalan,Mayank Mayukh. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Fabrication method of nitride forming on silicon substrate

Номер патента: US20130217212A1. Автор: Chih-Yen Chen,Chih-Chung Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2013-08-22.

Fabrication method of nitride forming on silicon substrate

Номер патента: US9281184B2. Автор: Chih-Yen Chen,Chih-Chung Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-03-08.

Buffer layers for device isolation of devices grown on silicon

Номер патента: US20090218596A1. Автор: Mohamad A. Shaheen,Peter G. Tolchinsky,Mantu K. Hudait,Loren A. Chow,Dmitri Loubychev,Joel M. Fastenau,Amy W. K. Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-03.

Growing a III-V layer on silicon using aligned nano-scale patterns

Номер патента: US09601328B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Epitaxial buffer layers for group III-N transistors on silicon substrates

Номер патента: US09583574B2. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

External stontium tianate on silicon

Номер патента: US20210028009A1. Автор: Yong Liang. Владелец: Psiquantum Corp. Дата публикации: 2021-01-28.

Epitaxial strontium titanate on silicon

Номер патента: US20230197443A1. Автор: Yong Liang. Владелец: Psiquantum Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Epitaxial Growth of III-V Compound Semiconductors on Silicon Surfaces

Номер патента: US20110304021A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

Light-induced aluminum plating on silicon for solar cell metallization

Номер патента: US20240240346A1. Автор: MENG Tao,Laidong Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-18.

HgZnTe DETECTOR ON SILICON SUBSTRATE

Номер патента: US20240170600A1. Автор: Jeffrey M. Peterson. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-05-23.

Method for producing thin films of silicon carbide on silicon by pyrolysis of polymer films obtained by molecular layer deposition

Номер патента: RU2749573C9. Автор: Ильмутдин Магомедович Абдулагатов,Муртазали Хулатаевич Рабаданов,Рустам Русланович Амашаев,Азиз Ильмутдинович Абдулагатов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ". Дата публикации: 2021-08-17.

Epitaxial gallium nitride alloy ferroelectronics

Номер патента: US20230070465A1. Автор: PING Wang,DING Wang,Zetian Mi. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2023-03-09.

Ultra-dense led projector using thinned gallium nitride

Номер патента: US20190179222A1. Автор: Kwong-Hin Henry Choy,Paul Scott Martin. Владелец: Tectus Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Silicon pmos with gallium nitride nmos for voltage regulation

Номер патента: US20190051650A1. Автор: Roza Kotlyar,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Valluri R. Rao,Peter G. Tolchinsky. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Vertical semiconductor component on the basis of gallium nitride with a front-side measuring electrode

Номер патента: US20240128133A1. Автор: Klaus Heyers,Jens Baringhaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-04-18.

Vertical multichannel gallium nitride transistor

Номер патента: US20240097017A1. Автор: Christian Huber,Daniel Krebs,Jens Baringhaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-03-21.

Vertical semiconductor component on the basis of gallium nitride with a structured intermediate layer

Номер патента: US20240136407A1. Автор: Kevin Dannecker,Stefan Regensburger. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-04-25.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US20200143870A1. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Gallium nitride (gan) devices with through-silicon vias

Номер патента: US20240213118A1. Автор: AHMAD Zubair,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Pratik KOIRALA,Paul NORDEEN,Thomas Hoff,Samuel James Bader,Nityan NAIR,Heli Chetanbhai VORA,Michael S. BEUMER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Methods of Manufacturing Gallium Nitride Devices

Номер патента: US20170154989A1. Автор: Robert Joseph Therrien,Allen W. Hanson,Sameer Singhal,Jerry Wayne Johnson. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-06-01.

Single molecule array on silicon substrate for quantum computer

Номер патента: EP1315667A1. Автор: Michelle Yvonne Simmons,Andrew Steven Dzurak,Robert Graham Clark,Jeremy Lloyd O'brien,Steven Richard Schofield. Владелец: Unisearch Ltd. Дата публикации: 2003-06-04.

Light engine based on silicon photonics tsv interposer

Номер патента: US20230299008A1. Автор: LIANG Ding,Radhakrishnan L. Nagarajan. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Light engine based on silicon photonics TSV interposer

Номер патента: US12057403B2. Автор: LIANG Ding,Radhakrishnan L. Nagarajan. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Methods of manufacturing gallium nitride devices

Номер патента: US09978858B2. Автор: Robert Joseph Therrien,Allen W. Hanson,Sameer Singhal,Jerry Wayne Johnson. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for manufacturing solar cells having nano-micro composite structure on silicon substrate and solar cells manufactured thereby

Номер патента: US09972732B2. Автор: Ho Sung Kim,Jong Hwan Lee,Chae Hwan Jeong,Chang Heon Kim. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2018-05-15.

Material structure for low thermal resistance silicon-based gallium nitride microwave and millimeter-wave devices and manufacturing method thereof

Номер патента: US12142643B2. Автор: LU Hao,Yue Hao,Zhihong Liu,Junwei Liu,Jincheng Zhang,Weihang Zhang,Yachao Zhang,Kunlu SONG. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2024-11-12.

MOCVD growth of highly mismatched III-V CMOS channel materials on silicon substrates

Номер патента: US09530888B2. Автор: David K. Carlson,Zhiyuan Ye,Errol Antonio C. Sanchez,Xinyu Bao,Keun-Yong BAN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for producing thin membranes of silicon carbide on silicon by pyrolysis of polymer membranes obtained by molecular layer precipitation

Номер патента: RU2749573C1. Автор: Ильмутдин Магомедович Абдулагатов,Муртазали Хулатаевич Рабаданов,Рустам Русланович Амашаев,Азиз Ильмутдинович Абдулагатов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ". Дата публикации: 2021-06-15.

Ionizing radiation sensor based on silicon of crucible-free melting zone of p-type conductivity

Номер патента: RU2634324C1. Автор: Владимир Александрович Елин,Михаил Моисеевич Меркин. Владелец: Публичное акционерное общество "Интерсофт Евразия", ПАО "Интерсофт Евразия". Дата публикации: 2017-10-25.

Metamorphic Growth Of III-V Semiconductor On Silicon Substrate By MOCVD for High Speed III-V Transistors

Номер патента: US20140209979A1. Автор: Kei May Lau,Chak Wah TANG. Владелец: Nano and Advanced Materials Institute Ltd. Дата публикации: 2014-07-31.

Rough buffer layer for group III-V devices on silicon

Номер патента: US11862720B2. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Kuei-Ming Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Rough buffer layer for group iii-v devices on silicon

Номер патента: US20240088285A1. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Kuei-Ming Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Silica-on-silicon-based hybrid integrated optoelectronic chip and manufacturing method therefor

Номер патента: US20150355424A1. Автор: Liang Zhou,Xiaoge Cao,Xianghong Yu. Владелец: Wuhan Telecommunication Devices Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

Backside integration of RF filters for RF front end modules and design structure

Номер патента: US09786835B2. Автор: Jeffrey P. Gambino,Anthony K. Stamper,Mark D. Jaffe,James W. Adkisson,Randy L. Wolf,Panglijen Candra,Thomas J. DUNBAR. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Silica-on-silicon-based hybrid integrated optoelectronic chip and manufacturing method therefor

Номер патента: US09482831B2. Автор: Liang Zhou,Xiaoge Cao,Xianghong Yu. Владелец: Wuhan Telecommunication Devices Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Strain compensated REO buffer for III-N on silicon

Номер патента: US09443939B2. Автор: Andrew Clark,Rytis Dargis,Michael Lebby,Radek Roucka,Erdem Arkun. Владелец: Translucent Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Masking technique for depositing gallium arsenide on silicon

Номер патента: US5256594A. Автор: Thomas George,Masayoshi Umeno,Shinji Nozaki,Albert T. Wu,Sandra S. Lee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1993-10-26.

Methods of etching silicon-containing films on silicon substrates

Номер патента: US20110028000A1. Автор: Dmitry Poplavskyy,Elena Rogojina,Eric Rosenfeld. Владелец: INNOVALIGHT INC. Дата публикации: 2011-02-03.

Method for on-silicon integration of a component iii-v and on-silicon integrated component iii-v

Номер патента: US20230145652A1. Автор: David BITAULD,Delphine Neel. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2023-05-11.

Gallium nitride material and methods associated with the same

Номер патента: WO2006012298A9. Автор: John Claassen Roberts,Pradeep Rajagopal,Edwin Lanier Piner. Владелец: Edwin Lanier Piner. Дата публикации: 2006-04-20.

Method and Structure of Forming Silicide and Diffusion Barrier Layer With Direct Deposited Film on Silicon

Номер патента: US20110309508A1. Автор: Kenneth P. Rodbell,John M. Cotte,Cyril Cabral, Jr.,Christian Lavoie,Zhu Liu,Laura L. Kosbar,Xiaoyan Shao,Kathryn C. Fisher. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Monolithic iii-v nanolaser on silicon with blanket growth

Номер патента: US20170012405A1. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-12.

High-quality gan high-voltage hfets on silicon

Номер патента: US20150364552A1. Автор: Jamal Ramdani,Linlin Liu,John P. EDWARDS. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2015-12-17.

Iii-n fet on silicon using field suppressing reo

Номер патента: US20130062609A1. Автор: David Williams,Rytis Dargis,Michael Lebby,Robin Smith. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-14.

Gallium nitride apparatus with a trap rich region

Номер патента: US09923060B2. Автор: Shrenik Deliwala,James Fiorenza,Donghyun Jin. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

High-quality GaN high-voltage HFETs on silicon

Номер патента: US09437688B2. Автор: Jamal Ramdani,Linlin Liu,John P. EDWARDS. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Utilization of miscut substrates to improve relaxed graded silicon-germanium and germanium layers on silicon

Номер патента: US6039803A. Автор: Eugene A. Fitzgerald,Srikanth B. Samavedam. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2000-03-21.

Method of forming functional coatings on silicon substrates

Номер патента: WO2014044922A2. Автор: Ari Kärkkäinen,Paul Williams,Milja Hannu-Kuure,Jarkko Leivo,Henna Jarvitalo,Jianhui Wang,Amir Hadzic. Владелец: OPTITUNE Oy. Дата публикации: 2014-03-27.

Growing a III-V Layer on Silicon using Aligned Nano-Scale Patterns

Номер патента: US20170194141A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Epitaxial buffer layers for group iii-n transistors on silicon substrates

Номер патента: WO2014051779A1. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2014-04-03.

Epitaxial buffer layers for group iii-n transistors on silicon substrates

Номер патента: US20170141219A1. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-18.

Packaged structures for lateral high voltage gallium nitride devices

Номер патента: US20240021677A1. Автор: Zhanming Li,Zeyu WAN. Владелец: Ganpower International Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Deposition of aln on a silicon substrate and gan semiconductor transition layer structure

Номер патента: EP4407065A1. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2024-07-31.

Operational gallium nitride devices

Номер патента: US20150263100A1. Автор: Gerald Deboy. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-09-17.

DEPOSITION OF AIN ON A SILICON SUBSTRATE AND GaN SEMICONDUCTOR TRANSITION LAYER STRUCTURE

Номер патента: WO2024156745A1. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2024-08-02.

Method of obtaining high quality silicon dioxide passivation on silicon carbide and resulting passivated structures

Номер патента: US5629531A. Автор: John W. Palmour. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1997-05-13.

Method of obtaining high quality silicon dioxide passivation on silicon carbide and resulting passivated structures

Номер патента: US5776837A. Автор: John W. Palmour. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1998-07-07.

Process for the hetero-integration of a semiconductor material of interest on a silicon substrate

Номер патента: US20210111022A1. Автор: Thierry Baron,Virginie Loup,Mickaël Martin. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2021-04-15.

Method of manufacturing large area gallium nitride substrate

Номер патента: US20140073115A1. Автор: Sung-soo Park,Young-soo Park,Moon-sang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-13.

Epitaxial buffer layers for group iii-n transistors on silicon substrates

Номер патента: EP2901471A1. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-08-05.

Process for the hetero-integration of a semiconductor material of interest on a silicon substrate

Номер патента: US11756787B2. Автор: Thierry Baron,Virginie Loup,Mickaël Martin. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-09-12.

Method of forming graphene on a silicon substrate

Номер патента: GB2600230A. Автор: Guiney Ivor,Dixon Sebastian,Charles Stewart Thomas Simon. Владелец: Paragraf Ltd. Дата публикации: 2022-04-27.

Structure and method for forming integral nitride light sensors on silicon substrates

Номер патента: US20140264358A1. Автор: Robert Forcier. Владелец: ROSESTREET LABS LLC. Дата публикации: 2014-09-18.

Growing compressively strained silicon directly on silicon at low temperatures

Номер патента: US20120205784A1. Автор: Alexander Reznicek,Devendra K. Sadana,Bahman Hekmatshoartabari,Ghavam G. Shahidi,Davood Shahrjerdi,Stephen W. Bedell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Gallium nitride power transistor and method for producing a gan power transistor

Номер патента: EP4434091A1. Автор: Gilberto Curatola. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Method for manufacturing solar cells having nano-micro composite structure on silicon substrate and solar cells manufactured thereby

Номер патента: US09530914B2. Автор: Ho Sung Kim,Jong Hwan Lee,Chae Hwan Jeong,Chang Heon Kim. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of integration of components to plate-base

Номер патента: RU2327311C2. Автор: Ристо ТУОМИНЕН. Владелец: Имбера Электроникс Ой. Дата публикации: 2008-06-20.

Substrate for solar cell and solar cell

Номер патента: RU2569902C2. Автор: Хироюки ОЦУКА,Такенори ВАТАБЕ,Хидео ООИВА,Казуо ХАРА. Владелец: Син-Эцу Кемикал Ко., Лтд.. Дата публикации: 2015-12-10.

Arsenic passivation for epitaxial deposition of ternary chalcogenide semiconductor films onto silicon substrates

Номер патента: US5306386A. Автор: Terence J. de Lyon. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1994-04-26.

Method of forming graphene on a silicon substrate

Номер патента: US11837635B2. Автор: SIMON Thomas,Ivor GUINEY,Sebastian Dixon. Владелец: Paragraf Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Liquid crystal on silicon panel, and preparation method thereof

Номер патента: US11940698B2. Автор: Yeuk-Keung Fung,Kuo-Lung Huang. Владелец: Advanced Silicon Display Optoelectronics Corp Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Method of forming graphene on a silicon substrate

Номер патента: US20240072118A1. Автор: SIMON Thomas,Ivor GUINEY,Sebastian Dixon. Владелец: Paragraf Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

III-V semiconductor interface with graded GeSn on silicon

Номер патента: US8889978B2. Автор: Scott Semans,Michael Lebby,Radek Roucka. Владелец: Translucent Inc. Дата публикации: 2014-11-18.

III-V SEMICONDUCTOR INTERFACE WITH GRADED GeSn ON SILICON

Номер патента: US20140076390A1. Автор: Scott Semans,Michael Lebby,Radek Roucka. Владелец: Radek Roucka. Дата публикации: 2014-03-20.

Liquid crystal on silicon panel, and preparation method thereof

Номер патента: US11953794B2. Автор: Rong Hsu,Kuo-Lung Huang. Владелец: Advanced Silicon Display Optoelectronics Corp Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Gallium nitride device and manufacturing method therefor, and electronic apparatus

Номер патента: EP4336562A1. Автор: Daisuke Ueda,Hui Sun,Gaofei TANG,Hanxing WANG,Qilong Bao. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-13.

Silicon-On-Oxide-On-Silicon

Номер патента: US20220130866A1. Автор: Alexander A. Demkov,Agham POSADAS,J. Elliott Ortmann. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2022-04-28.

Light-induced aluminum plating on silicon for solar cell metallization

Номер патента: US11932960B2. Автор: MENG Tao,Laidong Wang. Владелец: Arizona Board of Regents of ASU. Дата публикации: 2024-03-19.

Integration of boron arsenide into power devices and semiconductors for thermal management

Номер патента: US20240186216A1. Автор: Yongjie HU. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for the fabrication of indium-gallium nitride electrodes for electrochemical devices

Номер патента: EP3430659A1. Автор: Richard Noetzel,Stefano SANGUINETTI. Владелец: Universita degli Studi di Milano Bicocca. Дата публикации: 2019-01-23.

High voltage integrated switching devices on a bonded and trenched silicon substrate

Номер патента: WO2000065662A1. Автор: Nestore A. Polce,Scotten W. Jones,Mark F. Heisig. Владелец: C.P. Clare Corporation. Дата публикации: 2000-11-02.

Method for manufacturing self-supporting gallium nitride substrate

Номер патента: EP4404240A1. Автор: Shuai Wang,Junjie REN. Владелец: Sino Nitride Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Integration of multiple gate dielectrics by surface protection

Номер патента: WO2006044112A2. Автор: Laegu Kang,Choh-Fei Yeap,Sangwoo Lim. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-04-27.

Gallium-nitride device field-plate system

Номер патента: US20230101543A1. Автор: Chang Soo Suh,Dong Seup Lee,Jungwoo Joh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Methods and devices for solderless integration of multiple semiconductor dies on flexible substrates

Номер патента: WO2019199966A1. Автор: Rameen Hadizadeh. Владелец: WISPRY, INC.. Дата публикации: 2019-10-17.

Method for stripping gallium nitride substrate

Номер патента: US20240332021A1. Автор: Tuo Li,Fen Guo,Hongtao Man,Kang SU. Владелец: Suzhou Metabrain Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Nitsinitride and oxidized nitsinitride dielectrics on silicon

Номер патента: CA1252372A. Автор: Joseph P. Ellul,Sing P. Tay. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1989-04-11.

Method of increasing the purity and resistivity of gallium arsenide

Номер патента: GB1368297A. Автор: . Владелец: Plessey Co Ltd. Дата публикации: 1974-09-25.

Technique for threshold control over edges of devices on silicon-on-sapphire

Номер патента: US4070211A. Автор: Eliyahou Harari. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1978-01-24.

Ge QUANTUM DOTS FOR DISLOCATION ENGINEERING OF III-N ON SILICON

Номер патента: US20130069039A1. Автор: Andrew Clark,Erdem Arkun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-21.

Method for constructing heat resistant electrode structures on silicon substrates

Номер патента: WO1999010108A1. Автор: Leonard Boyer. Владелец: Radiant Technologies, Inc.. Дата публикации: 1999-03-04.

Strain compensated reo buffer for iii-n on silicon

Номер патента: US20160133708A1. Автор: Andrew Clark,Rytis Dargis,Michael Lebby,Radek Roucka,Erdem Arkun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-05-12.

Methods and devices for solderless integration of multiple semiconductor dies on flexible substrates

Номер патента: US20200303312A1. Автор: Rameen Hadizadeh. Владелец: Wispry Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Method for the fabrication of indium-gallium nitride electrodes for electrochemical devices

Номер патента: WO2017157960A1. Автор: Richard Noetzel,Stefano SANGUINETTI. Владелец: Universita' Degli Studi Di Milano Bicocca. Дата публикации: 2017-09-21.

Gallium nitride high electron mobility transistor

Номер патента: US20230411509A1. Автор: Chu-Kuang Liu,Hung-Kun Yang. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Gallium nitride component, method for manufacturing gallium nitride component, and electronic device

Номер патента: US20240204094A1. Автор: Daisuke Ueda,Hui Sun,Gaofei TANG,Hanxing WANG,Qilong Bao. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Aqueous acidic solution and etching solution and method for texturizing surface of single crystal and polycrystal silicon substrates

Номер патента: EP2611881A1. Автор: Andreas Klipp,Christian Bittner,Cornelia RÖGER-GÖPFERT,Simon Braun,Chengwei Lin,Meichin Shen. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2013-07-10.

Superior integrity of high-k metal gate stacks by capping sti regions

Номер патента: SG183635A1. Автор: Baars Peter,Scheiper Thilo,Beyer Sven. Владелец: Globalfoundries Dresden Mod 1. Дата публикации: 2012-09-27.

Method for decreasing an excess carrier induced degradation in a silicon substrate

Номер патента: US20140238490A1. Автор: Hele Savin,Antti Haarahiltunen,Marko Veli Yli-Koski. Владелец: Aalto Korkeakoulusäätiö sr. Дата публикации: 2014-08-28.

Method of manufacturing gallium nitride single-crystal substrate and method of manufacturing single-crystal substrate of nitride of group 13 element in periodic table

Номер патента: US20240300064A1. Автор: Yuri OSUMI. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Folded channel gallium nitride based field-effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240355921A1. Автор: Xinyu Liu,Xinhua Wang,Qimeng JIANG,Sen Huang,Xinyue DAI. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-10-24.

Integration of electronic chips onto a photonic chip

Номер патента: US09726840B2. Автор: Long Chen. Владелец: Acacia Communications Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Monolithic integration of plenoptic lenses on photosensor substrates

Номер патента: US09647150B2. Автор: Jorge Vicente Blasco Claret. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-05-09.

High electron mobility transistor with periodically carbon doped gallium nitride

Номер патента: US09608103B2. Автор: Jeffrey Craig Ramer,Karl Knieriem. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Circuit integrity detection system for detecting the integrity of a sensing wire in electrically heated textiles

Номер патента: US09519017B2. Автор: Gabriel Kohn. Владелец: Sunbeam Products Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Structure for III-V devices on silicon

Номер патента: US09373502B2. Автор: Errol Antonio C. Sanchez,Xinyu Bao. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-06-21.

Method for producing substrate based on silicon carbide and silicon carbide substrate

Номер патента: RU2756815C2. Автор: Содзи АКИЯМА,Йосихиро КУБОТА,Хироюки НАГАСАВА. Владелец: Кусик Инк.. Дата публикации: 2021-10-05.

Formation of thin-film resistors on silicon substrates

Номер патента: USH546H. Автор: George L. Schnable,Chung P. Wu. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 1988-11-01.

Gallium nitride device and drive circuit thereof

Номер патента: EP3926689A1. Автор: Zhaozheng Hou,Boning Huang,Qimeng JIANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-22.

Gallium nitride structure, piezoelectric element, method of manufacturing piezoelectric element, and resonator using piezoelectric element

Номер патента: US11451211B2. Автор: Morito Akiyama,Masato Uehara,Keiichi Umeda,Yasuhiro Aida,Takaaki Mizuno,Toshimi Nagase. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2022-09-20.

Gallium nitride power transistor

Номер патента: EP4272254A1. Автор: Gilberto Curatola,Gaofei TANG,Qimeng JIANG,Hanxing WANG,Qilong Bao. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-08.

INTEGRATION OF LOW ⊂ THIN FILMS AND Ta INTO Cu DAMASCENE

Номер патента: WO2002069395B1. Автор: Chung J Lee. Владелец: Dielectric Systems Inc. Дата публикации: 2004-07-08.

Gallium nitride structure, piezoelectric element, method of manufacturing piezoelectric element, and resonator using piezoelectric element

Номер патента: US20190007026A1. Автор: Morito Akiyama,Masato Uehara,Keiichi Umeda,Yasuhiro Aida,Takaaki Mizuno,Toshimi Nagase. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2019-01-03.

Gallium nitride substrate and semiconductor composite substrate

Номер патента: EP4220728A1. Автор: YU Xu,Ke Xu,Jianfeng Wang. Владелец: SUZHOU NANOWIN SCIENCE AND TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-02.

Fabrication of M-plane Gallium Nitride

Номер патента: US20170345650A1. Автор: Jenn-Kai Tsai,I-Kai LO,Shuo-Ting You. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2017-11-30.

Integrated micro-channel heatsink in DMD substrate for enhanced cooling capacity

Номер патента: US09971147B2. Автор: Francisco Zirilli,Mark A. Adiletta,Roger G. Leighton,Christopher D. Atwood,Ali R. Dergham. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Gallium nitride semiconductor substrate with semiconductor film formed therein

Номер патента: US09472629B2. Автор: Masaki Ueno. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Processes for the localized and deep diffusion of gallium into silicon

Номер патента: US3895976A. Автор: Guy H Dumas. Владелец: Silec Semi Conducteurs SA. Дата публикации: 1975-07-22.

Method for manufacturing self-supporting gallium nitride substrate

Номер патента: US20240063016A1. Автор: Shuai Wang,Junjie REN. Владелец: Sino Nitride Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Gallium nitride device and method for manufacturing high electron mobility transistor

Номер патента: US20240038847A1. Автор: Chun-Liang Hou,Chih Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Gallium nitride device and method for manufacturing high electron mobility transistor

Номер патента: EP4312276A1. Автор: Chun-Liang Hou,Chih Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-31.

Gallium nitride (gan) transistors with lateral drain depletion

Номер патента: US20240021725A1. Автор: AHMAD Zubair,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Pratik KOIRALA,Samuel James Bader,Heli Chetanbhai VORA,Michael S. BEUMER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Gallium nitride power devices

Номер патента: US20140103399A1. Автор: Umesh Mishra,Chang Soo Suh. Владелец: Transphorm Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

Integration of metal floating gate in non-volatile memory

Номер патента: EP3371812A1. Автор: FENG Zhou,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-12.

Screen layer integration in gallium nitride technology

Номер патента: US20240204055A1. Автор: Dong Seup Lee. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Structure and method for forming integral nitride light sensors on silicon substrates

Номер патента: US20150102450A1. Автор: Robert Forcier. Владелец: ROSESTREET LABS LLC. Дата публикации: 2015-04-16.

Solar-cell single-crystal silicon substrate, solar cell element, and method for producing the same

Номер патента: US20070089781A1. Автор: Kazuo Nakajima,Kyojiro Kaneko,Michio Kida,Kozo Fujiwara,Wugen Pan,Noritaka Usami. Владелец: Sumco Solar Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Verfahren zur Herstellung eines vertikalen Halbleiterbauelements mit epitaktisch gewachsener III-V-Epitaxie unter mehrmaliger Verwendung des Substrats sowie entsprechendes Halbleiterbauelement, insbesondere auf der Basis von Gallium-Nitrid

Номер патента: DE102023200123A1. Автор: Christian Huber,Stefan Regensburger. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

Sacrificial substrate for etching

Номер патента: WO2006047326B1. Автор: Jeffrey Birkmeyer,Stephen R Deming. Владелец: Stephen R Deming. Дата публикации: 2006-06-15.

Sacrificial substrate for etching

Номер патента: EP1814817A1. Автор: Jeffrey Birkmeyer,Stephen R. Deming. Владелец: Fujifilm Dimatix Inc. Дата публикации: 2007-08-08.

Gallium nitride compound semiconductor device having schottky contact

Номер патента: US20040061194A1. Автор: Kaoru Inoue,Yoshito Ikeda,Yutaka Hirose,Katsunori Nishii. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-01.

Gallium nitride nmos on si (111) co-integrated with a silicon pmos

Номер патента: US20200286789A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Valluri R. Rao. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Selective growth of silicon oxide or silicon nitride on silicon surfaces in the presence of silicon oxide

Номер патента: WO2018165598A1. Автор: Dennis M. Hausmann,David Charles Smith. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2018-09-13.

Composite poly-silicon substrate and solar cell having the same

Номер патента: US20130167924A1. Автор: Chao-Chieh Chu. Владелец: Innovation and Infinity Global Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

Source/drain regrowth for low contact resistance to 2d electron gas in gallium nitride transistors

Номер патента: EP3213350A1. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Sanaz K. Gardner,Seung Hoon Sung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-06.

Integration of ferroelectric memory devices with transistors

Номер патента: US11758738B2. Автор: Ramamoorthy Ramesh,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Gallium nitride/sapphire thin film having reduced bending deformation

Номер патента: US20080248259A1. Автор: Chang Ho Lee,Hae Yong Lee,Kisoo Lee,Choon Kon Kim. Владелец: Samsung Corning Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-09.

Integration of ferroelectric memory devices having stacked electrodes with transistors

Номер патента: US20240099018A1. Автор: Ramamoorthy Ramesh,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Gallium nitride/sapphire thin film having reduced bending deformation

Номер патента: US7518151B2. Автор: Chang Ho Lee,Hae Yong Lee,Kisoo Lee,Choon Kon Kim. Владелец: Samsung Corning Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-14.

Method and structure for implanting bonded substrates for electrical conductivity

Номер патента: WO2006058076A2. Автор: Francois J. Henley. Владелец: Silicon Genesis Corporation. Дата публикации: 2006-06-01.

Integration of ferroelectric memory devices having stacked electrodes with transistors

Номер патента: US12137574B2. Автор: Ramamoorthy Ramesh,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

High temperature transducer using SOI, silicon carbide or gallium nitride electronics

Номер патента: US09915578B2. Автор: Anthony D. Kurtz,Wolf S. Landmann,Alexander A. Ned,Joseph R. VanDeWeert. Владелец: Kulite Semiconductor Products Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Power module with the integration of control circuit

Номер патента: US09887183B2. Автор: Zeng Li,Tao Wang,Kai Lu,Zhenqing ZHAO. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

High-voltage nitride device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09831333B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Body-mountable device with a common substrate for electronics and battery

Номер патента: US09728494B2. Автор: Brian Otis,William James Biederman,Daniel James Yeager. Владелец: Verily Life Sciences LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

Substrate for diaphragm-type resonant MEMS devices, diaphragm-type resonant MEMS device and method for manufacturing same

Номер патента: US09688528B2. Автор: Takahiro Sano,Takayuki Naono. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Substrate processing method and method of manufacturing substrate for liquid discharge head including forming hole in substrate by dry etching

Номер патента: US09676193B2. Автор: Masataka Kato,Hiroshi Higuchi,Toshiyasu Sakai,Masaya Uyama,Seiko Minami,Yoshinao Ogata. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Processing method of silicon substrate, fabricating method of substrate for liquid ejection head, and fabricating method of liquid ejection head

Номер патента: US09545793B2. Автор: Ryoji Kanri,Atsunori Terasaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Compound semiconductor device having gallium nitride gate structures

Номер патента: US09502524B2. Автор: Chih-Wen Hsiung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

High-voltage nitride device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09455315B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Integration of optical components in integrated circuits by separating two substrates with an insulation layer

Номер патента: US09435947B2. Автор: Errol T. Ryan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Method for manufacturing gallium nitride single crystalline substrate using self-split

Номер патента: EP2077345A1. Автор: Yong-Jin Kim,Ho-Jun Lee,Doo-Soo Kim,Dong-Kun Lee. Владелец: Siltron Inc. Дата публикации: 2009-07-08.

Direct mombe and movpe growth of ii-vi materials on silicon

Номер патента: CA2128590C. Автор: John E. Jensen,Jennifer J. Zinck,Damodaran Rajavel. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1998-08-25.

Gallium nitride epitaxial crystal, method for production thereof and field effect transistor

Номер патента: GB2460197A. Автор: Naohiro Nishikawa,Masahiko Hata,Hiroyuki Sazawa. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-25.

Method for low-temperature, hetero-epitaxial growth of thin film cSi on amorphous and multi-crystalline substrates and c-Si devices on amorphous, multi-crystalline, and crystalline substrates

Номер патента: US20060208257A1. Автор: Howard Branz,Charles Teplin,David Ginley. Владелец: Midwest Research Institute. Дата публикации: 2006-09-21.

Architecture of drive unit employing gallium nitride switches

Номер патента: WO2014168607A1. Автор: William A. Veronesi,Daryl J. Marvin,Xin Wu,Shashank Krishnamurthy,Kyle W. ROGERS. Владелец: OTIS ELEVATOR COMPANY. Дата публикации: 2014-10-16.

Gallium nitride laminated substrate and semiconductor device

Номер патента: US20190348276A1. Автор: Hiroshi Ohta,Tomoyoshi Mishima,Masatomo Shibata,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-14.

Method for the fabrication of indium-gallium nitride electrodes for electrochemical devices

Номер патента: US10644303B2. Автор: Richard Noetzel,Stefano SANGUINETTI. Владелец: Universita degli Studi di Milano Bicocca. Дата публикации: 2020-05-05.

Architecture of drive unit employing gallium nitride switches

Номер патента: EP2984742A1. Автор: William A. Veronesi,Daryl J. Marvin,Xin Wu,Shashank Krishnamurthy,Kyle W. ROGERS. Владелец: Otis Elevator Co. Дата публикации: 2016-02-17.

Method Of Manufacturing Gallium Nitride Substrate And Gallium Nitride Substrate Manufactured Thereby

Номер патента: US20130328059A1. Автор: Junyoung Bae,Junsung Choi,Joon Hoi Kim,Boik Park,Cheolmin Park,Dongyong Lee,Wonjo Lee,Sungkeun Lim,Woorihan Kim. Владелец: Samsung Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-12.

Gallium nitride component and drive circuit thereof

Номер патента: US20220199795A1. Автор: Zhaozheng Hou,Boning Huang,Qimeng JIANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Method for the fabrication of indium-gallium nitride electrodes for electrochemical devices

Номер патента: US20190109319A1. Автор: Richard Noetzel,Stefano SANGUINETTI. Владелец: Universita degli Studi di Milano Bicocca. Дата публикации: 2019-04-11.

Method of manufacturing an insulation layer on silicon carbide and semiconductor device

Номер патента: EP3516682A1. Автор: Yuji Komatsu. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2019-07-31.

Gallium nitride power transistor

Номер патента: EP4241308A1. Автор: Gilberto Curatola. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-13.

Mechanical integration of buttons for piezo-electric actuators

Номер патента: US11502238B2. Автор: Guillaume Chauvette. Владелец: Boreas Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-15.

Gallium-nitride-based module with enhanced electrical performance and process for making the same

Номер патента: US12062700B2. Автор: Michael Carroll,Julio C. Costa. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Techniques for integration of ge-rich p-mos source/drain contacts

Номер патента: EP3120388A1. Автор: Nabil G. Mistkawi,Tahir Ghani,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Ying Pang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-25.

Gallium nitride transistors with source and drain field plates and their methods of fabrication

Номер патента: US20200227545A1. Автор: Stephan Leuschner,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Gallium-nitride-based module with enhanced electrical performance and process for making the same

Номер патента: US12062701B2. Автор: Michael Carroll,Julio C. Costa. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Substrate for semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020177328A1. Автор: Kimihiro Sasaki,Tomonobu Hata,Akira Kamisawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-11-28.

High-resistance resistor based on silicon carbide and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230317770A1. Автор: Kun Hu,Yuan Tian,Guohui Li,Bingshe Xu,Yanxia CUI,Yuying XI. Владелец: Institute Of New Materials And Chemical Engineering Zhejiang University Shanxi. Дата публикации: 2023-10-05.

Techniques for integration of Ge-rich p-MOS source/drain contacts

Номер патента: US09859424B2. Автор: Nabil G. Mistkawi,Tahir Ghani,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Ying Pang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of unit level liquid crystal display device assembly process for liquid crystal on silicon

Номер патента: US09829748B2. Автор: Chun Chiu Daniel Wong,Hiap Liew Ong. Владелец: Syndiant Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Integration of ALD barrier layer and CVD Ru liner for void-free Cu filling

Номер патента: US09607888B2. Автор: Tadahiro Ishizaka,Kaoru Maekawa,Toshio Hasegawa,Fumitaka Amano,Cory Wajda,Kai-Hung YU,Manabu OIE,Steven CONSIGLIO,Gert J. Leusink. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

System architecture of charging device for accumulators based on gallium nitride-based power supply devices

Номер патента: RU2721332C2. Автор: Камиар Дж. КАРИМИ,Юджин В. СОЛОДОВНИК. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2020-05-19.

FABRICATION AND PROCESSING OF GRAPHENE ELECTRONIC DEVICES ON SILICON WITH A SiO2 PASSIVATION LAYER

Номер патента: WO2023183987A1. Автор: Mohammad Choucair,Alexander James PORKOVICH. Владелец: Archer Materials Limited. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of fabricating single crystal gallium nitride semiconductor substrate, nitride gallium semiconductor substrate and nitride semiconductor epitaxial substrate

Номер патента: US20100251865A1. Автор: Masaki Ueno. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-10-07.

Method of fabricating single crystal gallium nitride semiconductor substrate, nitride gallium semiconductor substrate and nitride semiconductor epitaxial substrate

Номер патента: US20080029783A1. Автор: Masaki Ueno. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-07.

Wafer-scale integration of vacancy centers for spin qubits

Номер патента: US20190044066A1. Автор: Ravi Pillarisetty,David J. Michalak,James S. Clarke,Sansaptak DASGUPTA,Marko Radosavljevic,Nicole K. Thomas,Hubert C. George,Kanwaljit Singh,Jeanette M. Roberts,Roman CAUDILLO,Zachary R. Yoscovits,Lester Lampert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Methods related to radio-frequency filters on silicon-on-insulator substrate

Номер патента: US11817895B2. Автор: James Phillip Young. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Gallium Nitride Device with Field Plate Structure and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20230377952A1. Автор: Chung-Yi Chiu,Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Gallium Nitride Power Transistor

Номер патента: US20230411486A1. Автор: Gilberto Curatola,Gaofei TANG,Qimeng JIANG,Hanxing WANG,Qilong Bao. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

High-voltage lateral gan-on-silicon schottky diode

Номер патента: WO2017181120A3. Автор: Timothy E. Boles,Douglas CARLSON,Anthony Kaleta. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.. Дата публикации: 2017-12-28.

High-voltage lateral gan-on-silicon schottky diode

Номер патента: EP3443597A2. Автор: Timothy E. Boles,Douglas CARLSON,Anthony Kaleta. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2019-02-20.

Transistor Structure Including a Scandium Gallium Nitride Back-barrier Layer

Номер патента: US20190006502A1. Автор: Robert L. Coffie. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-01-03.

Active antenna device based on silicon ring field effect transistor array

Номер патента: US11784249B2. Автор: Kyung Rok Kim,Min Woo RYU,E San Jang,Sang Hyo AHN. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Active antenna device based on silicon ring field effect transistor array

Номер патента: US20220271160A1. Автор: Kyung Rok Kim,Min Woo RYU,E San Jang,Sang Hyo AHN. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Low aluminum concentration aluminum gallium nitride interlayer for group iii-nitride (iii-n) devices

Номер патента: US20240204091A1. Автор: AHMAD Zubair,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Pratik KOIRALA,Samuel BADER,Heli Vora,Michael Beumer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Germanium-On-Silicon Avalanche Photodetector In Silicon Photonics Platform, Method Of Making The Same

Номер патента: US20220406955A1. Автор: Yu Li,Masaki Kato. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Enhancement mode gallium nitride transistor

Номер патента: EP4391080A1. Автор: James Fiorenza,Daniel Piedra. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-06-26.

Enhancement mode gallium nitride transistor

Номер патента: US20240213362A1. Автор: James G. Fiorenza,Daniel Piedra. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Heterogeneous packaging integration of photonic and electronic elements

Номер патента: US20240241329A1. Автор: Mohammed Rabiul Islam,Stefan Rusu,Wei-wei Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Gallium nitride material devices and associated methods

Номер патента: EP1969635A1. Автор: Robert J. Therrien,Allen W. Hanson,Sameer Singhal,Jerry Wayne Johnson. Владелец: Nitronex Corp. Дата публикации: 2008-09-17.

Structure and process for fabricating semiconductor structures and devices utilizing the formation of a compliant substrate for materials used to form the same and including surface treatment of an oxide layer

Номер патента: US20030015714A1. Автор: Albert Talin. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-01-23.

Gallium nitride transistors with drain field plates and their methods of fabrication

Номер патента: WO2019066877A1. Автор: Stephan Leuschner,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-04-04.

Gallium nitride transimpedance amplifier

Номер патента: US12132448B2. Автор: Cher-Ming TAN,Vimal Kant PANDEY. Владелец: Chang Gung University CGU. Дата публикации: 2024-10-29.

Gallium nitride (GaN) based transistor with multiple p-GaN blocks

Номер патента: US12046666B2. Автор: Naveen Tipirneni,Chang Soo Suh,Sameer Prakash Pendharkar,Jungwoo Joh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Method for treating a gallium nitride layer comprising dislocations

Номер патента: US09991341B2. Автор: Arnaud Yvon. Владелец: STMicroelectronics Tours SAS. Дата публикации: 2018-06-05.

Method and system for hybrid integration of optical communication systems

Номер патента: US09829661B2. Автор: Mark Peterson,Thierry Pinguet,Sherif Abdalla,Gianlorenzo Masini,Peter DeDobbelaere. Владелец: Luxtera LLC. Дата публикации: 2017-11-28.

Method and system for hybrid integration of optical communication systems

Номер патента: US09625665B2. Автор: Mark Peterson,Thierry Pinguet,Sherif Abdalla,Gianlorenzo Masini. Владелец: Luxtera LLC. Дата публикации: 2017-04-18.

Gallium nitride material devices and associated methods

Номер патента: US09608102B2. Автор: Robert Joseph Therrien,Allen W. Hanson,Sameer Singhal,Jerry Wayne Johnson. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for treating a gallium nitride layer comprising dislocations

Номер патента: US09536747B2. Автор: Arnaud Yvon. Владелец: STMicroelectronics Tours SAS. Дата публикации: 2017-01-03.

Normally-off gallium nitride-based semiconductor devices

Номер патента: US8802516B2. Автор: Jamal Ramdani. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-08-12.

Method of manufacturing gallium nitride-based single crystal substrate

Номер патента: US20050072353A1. Автор: Hun Hahm,Young Park,Soo Min Lee. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-07.

Crystal producing apparatus, crystal producing method, substrate producing method, gallium nitride crystal, and gallium nitride substrate

Номер патента: US20080081015A1. Автор: Seiji Sarayama,Hirokazu Iwata. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Thick semi-insulating or insulating epitaxial gallium nitride layers and devices incorporating same

Номер патента: EP1869710A2. Автор: Adam William Saxler,Scott T. Sheppard,Primit Parikh,Umesh Mishra,Yifeng Wu,Richard Peter Smith. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2007-12-26.

Gallium nitride substrate and semiconductor composite substrate

Номер патента: US11881679B2. Автор: YU Xu,Ke Xu,Jianfeng Wang. Владелец: SUZHOU NANOWIN SCIENCE AND TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

Gallium nitride substrate and semiconductor composite substrate

Номер патента: US20230327393A1. Автор: YU Xu,Ke Xu,Jianfeng Wang. Владелец: SUZHOU NANOWIN SCIENCE AND TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

High temperature transducer using soi, silicon carbide or gallium nitride electronics

Номер патента: US20150300901A1. Автор: Anthony D. Kurtz,Wolf S. Landmann,Alexander A. Ned,Joseph R. VanDeWeert. Владелец: Kulite Semiconductor Products Inc. Дата публикации: 2015-10-22.

Electronic device with gallium nitride transistors and method of making same

Номер патента: US20230343829A1. Автор: Dong Seup Lee,Nicholas S. Dellas,Qhalid RS Fareed. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Method for manufacturing gallium nitride semiconductor device

Номер патента: US11784039B2. Автор: Shoichi Onda,Masatake Nagaya,Daisuke Kawaguchi,Jun Kojima,Kazukuni Hara,Chiaki Sasaoka. Владелец: Tokai National Higher Education and Research System NUC. Дата публикации: 2023-10-10.

Electronic device with gallium nitride transistors and method of making same

Номер патента: US11742390B2. Автор: Dong Seup Lee,Nicholas S. Dellas,Qhalid R S Fareed. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Gallium nitride semiconductor substrate with semiconductor film formed therein

Номер патента: US20130292688A1. Автор: Masaki Ueno. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-11-07.

Gallium nitride semiconductor substrate with semiconductor film formed therein

Номер патента: US20160087048A1. Автор: Masaki Ueno. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Gallium nitride semiconductor substrate with semiconductor film formed therein

Номер патента: US20150137136A1. Автор: Masaki Ueno. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

Method for etching deep, high-aspect ratio features into silicon carbide and gallium nitride

Номер патента: US11984321B1. Автор: Michael Pedersen,Michael A. Huff,Mehmet Ozgur. Владелец: Corp for National Research Initiatives. Дата публикации: 2024-05-14.

Manufacture of wafers of wide energy gap semiconductor material for the integration of electronic and/or optical and/or optoelectronic devices

Номер патента: US20140264385A1. Автор: Francesco La Via,Andrea Severino,Camarda Massimo. Владелец: Consiglio Nazionale delle Richerche CNR. Дата публикации: 2014-09-18.

Method of manufacturing gallium nitride substrate

Номер патента: US20130260538A1. Автор: Hajime Fujikura. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Gallium nitride compound semiconductor device having schottky contact

Номер патента: US7105907B2. Автор: Kaoru Inoue,Yoshito Ikeda,Yutaka Hirose,Katsunori Nishii. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-12.

Compliant silicon substrates for heteroepitaxial growth by hydrogen-induced exfoliation

Номер патента: US11710803B2. Автор: James PATTISON. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-07-25.

Off-axis silicon substrate for optimized optical coupling

Номер патента: US20030197236A1. Автор: Muhammad Arif,Rao Yelamarty,Jing-Hua He,Christina Arnold,Hak Byun. Владелец: Triquint Technology Holding Co. Дата публикации: 2003-10-23.

Gallium nitride nano-superstructure, preparation methods therefor and gallium nitride-based laser

Номер патента: EP4235985A1. Автор: MIAO Wang,Ke Xu,Jianfeng Wang,Juemin YI. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2023-08-30.

Gallium Nitride Nano Superstructure and Preparation Method Thereof and Gallium Nitride-Based Laser

Номер патента: US20240288617A1. Автор: MIAO Wang,Ke Xu,Jianfeng Wang,Juemin YI. Владелец: SUZHOU INSTITUTE OF NANO-TECH AND NANO-BIONICS (SINANO) CAS. Дата публикации: 2024-08-29.

Bulk nitride mono-crystal including substrate for epitaxy

Номер патента: US20070040240A1. Автор: Robert Dwilinski,Roman Doradzinski,Jerzy Garczynski,Leszek Sierzputowski,Yasuo Kanbara. Владелец: Ammono Sp zoo. Дата публикации: 2007-02-22.

Gallium nitride particles and method for producing same

Номер патента: US20210139328A1. Автор: Hideto Kuramochi,Masami Mesuda. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

Long wavelength VCSEL and integrated VCSEL systems on silicon substrates

Номер патента: US11769989B2. Автор: Elad Mentovich,Vladimir Iakovlev,Yuri Berk,Isabelle Cestier. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

III-V laser platforms on silicon with through silicon vias by wafer scale bonding

Номер патента: US11728616B2. Автор: Dominic F. Siriani,Vipulkumar K. Patel,Jock T. Bovington. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Iii-v laser platforms on silicon with through silicon vias by wafer scale bonding

Номер патента: US20210359490A1. Автор: Dominic F. Siriani,Vipulkumar K. Patel,Jock T. Bovington. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Iii-v laser platforms on silicon with through silicon vias by wafer scale bonding

Номер патента: US20200212649A1. Автор: Dominic F. Siriani,Vipulkumar K. Patel,Jock T. Bovington. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Template-based epitaxial growth of lattice mismatched materials on silicon

Номер патента: US20190033524A1. Автор: Harry E. Ruda,Igor SAVELYEV,Marina BLUMIN,Christina F. SOUZA. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-31.

An optical interconnect module with polymer waveguide on silicon substrate

Номер патента: WO2018213038A1. Автор: Abraham JOU,Paul Mao-Jen WU. Владелец: Adolite Inc.. Дата публикации: 2018-11-22.

Laser device integrated with semiconductor optical amplifier on silicon substrate

Номер патента: US09960567B2. Автор: Taek Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Blue and green laser diodes with gallium nitride or indium gallium nitride cladding laser structure

Номер патента: EP1672757A3. Автор: Michael A. Kneissl. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2008-12-17.

Heterogeneous integration of frequency comb generators for high-speed transceivers

Номер патента: US11791902B2. Автор: Elad Mentovich,Dimitrios Kalavrouziotis,Paraskevas BAKOPOULOS,Juan Jose VEGAS OLMOS. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Methods, compositions and devices for performing ionization desorption on silicon derivatives

Номер патента: WO2005001423A3. Автор: Bruce Compton,Gary Siuzdak,Zhouxin Shen,Eden Go,Edouard S P Bouvier. Владелец: Edouard S P Bouvier. Дата публикации: 2007-08-16.

Ultra-high q micro-resonator on silicon substrate and method of fabrication thereof

Номер патента: EP1554618A2. Автор: Sean M. Spillane,Kerry J. Vahala,Deniz K. Armani,Tobias J. Kippenberg. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2005-07-20.

Silicon substrates with thermal oxide windows for transmission electron microscopy

Номер патента: WO2006127736A3. Автор: James E Hutchison,Gregory J Kearns. Владелец: Gregory J Kearns. Дата публикации: 2009-06-11.

A method for reactive magnetron sputter deposition of gallium oxide thin films

Номер патента: EP4230761A1. Автор: Andris Azens,Martins Zubkins,Edgars BUTANOVS,Juris Purans. Владелец: Latvijas Universitates Cietvielu Fizikas Instituts. Дата публикации: 2023-08-23.

Apparatus and method for a diamond substrate for a multi-layered dielectric diffraction grating

Номер патента: US09835778B1. Автор: Eric C. Honea,Andrew Xing. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Integration of molten carbonate fuel cells in fischer-tropsch synthesis

Номер патента: US09735440B2. Автор: Frank Hershkowitz,Kevin Taylor,Paul J. Berlowitz,Timothy Andrew Barckholtz. Владелец: ExxonMobil Research and Engineering Co. Дата публикации: 2017-08-15.

Integration of molten carbonate fuel cells in fischer-tropsch synthesis

Номер патента: US09650246B2. Автор: Frank Hershkowitz,Paul J. Berlowitz,Timothy A. Barckholtz. Владелец: ExxonMobil Research and Engineering Co. Дата публикации: 2017-05-16.

Integration of molten carbonate fuel cells in Fischer-Tropsch synthesis

Номер патента: US09647284B2. Автор: Paul J. Berlowitz,Timothy Andrew Barckholtz,Frank H. Hershkowitz. Владелец: ExxonMobil Research and Engineering Co. Дата публикации: 2017-05-09.

Integration of molten carbonate fuel cells in methanol synthesis

Номер патента: US09343764B2. Автор: Frank Hershkowitz,Paul J. Berlowitz,Timothy Andrew Barckholtz,Anita S. Lee. Владелец: ExxonMobil Research and Engineering Co. Дата публикации: 2016-05-17.

Navigation radio-optical group reflector of circular action in horizontal plane with faces covered with aluminum foil

Номер патента: RU2749753C1. Автор: Владимир Леонидович Гулько,Николай Константинович Блинковский,Александр Алексеевич Мещеряков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники». Дата публикации: 2021-06-16.

METHOD FOR PRODUCING Li7La3Zr2O12 SOLID ELECTROLYTE DOPED WITH ALUMINUM

Номер патента: RU2682325C1. Автор: Владимир Иванович Иваненко,Галина Борисовна Куншина,Ирина Витальевна Бочарова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный исследовательский центр "Кольский научный центр Российской академии наук" (ФИЦ КНЦ РАН). Дата публикации: 2019-03-19.

Device on magnetostatic waves for spatial separation of microwave signals of different power level

Номер патента: RU2702916C1. Автор: Сергей Аполлонович Никитов,Юрий Павлович Шараевский,Мария Александровна Морозова,Олег Валерьевич Матвеев,Дмитрий Владимирович Романенко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2019-10-14.

Method and device for monitoring capacitor inputs for ac network

Номер патента: RU2764156C2. Автор: Карстен Фирек,Удо ХЕРТЕЛЬ,Цзюньлян ВУ. Владелец: Машиненфабрик Райнхаузен Гмбх. Дата публикации: 2022-01-13.

Method for increasing current density and degradation resistance of auto-emission codes on silicon plates

Номер патента: RU2654522C1. Автор: Сергей Петрович Тимошенков,Сергей Николаевич Орлов,Геннадий Яковлевич Красников,Валерий Петрович Тимошенков,Равиль Кяшшафович Яфаров,Евгений Сергеевич Горнев,Андрей Равильевич Яфаров. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники" (АО "НИИМЭ"). Дата публикации: 2018-05-21.

Gallium nitride sintered body or gallium nitride molded article, and method for producing same

Номер патента: MY156733A. Автор: Mesuda Masami,Shibutami Tetsuo,MATSUMARU Keitaro,TAKAHASHI Koyata,KIKUCHI Ryou. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2016-03-31.

Device for communication via power transmission line, having socket for ac power supply

Номер патента: RU2584154C2. Автор: Андреас ШВАГЕР. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2016-05-20.

On-chip integration of passive and active optical components enabled by hydrogenation

Номер патента: US20070153851A1. Автор: Peter Kiesel,Noble Johnson,Michael Kneissl,Christopher Chua. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2007-07-05.

Gallium nitride-based sintered compact and method for manufacturing same

Номер патента: US11802049B2. Автор: Hideto Kuramochi,Masami Mesuda. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Tantalum-silicon and niobium-silicon substrates for capacitor anodes

Номер патента: US20030217619A1. Автор: Anastasia Conlon,Leah Simkins. Владелец: HC Starck Inc. Дата публикации: 2003-11-27.

Gallium nitride traveling wave structures

Номер патента: EP2115777A2. Автор: Paul Saunier,Hua-Quen Tserng,Kevin L. Robinson. Владелец: Triquint Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-11-11.

Gallium nitride traveling wave structures

Номер патента: WO2008100889A2. Автор: Paul Saunier,Hua-Quen Tserng,Kevin L. Robinson. Владелец: TRIQUINT SEMICONDUCTOR, INC.. Дата публикации: 2008-08-21.

System and Methods for Integration of an Application Runtime Environment Into a User Computing Environment

Номер патента: US20240281233A1. Автор: Adrian Bourke,Damien Chavarria,Matt Meredith,Aaron Robinson,Blake Machado. Владелец: Sweetlabs Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Telecommunication hardware and software complex and method for ensuring seamless integration of communication networks via an ip network (variants)

Номер патента: RU2768799C1. Автор: Василий Васильевич Котляревский,Петр Геннадиевич Кусов,Владимир Владимирович Могильный. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «Инновационные технологии связи». Дата публикации: 2022-03-24.

Apparatus and method for guaranteeing integrity of real-time vehicle data and vehicle black box system using same

Номер патента: RU2500027C2. Автор: Донг-Хун ЛИ,Юн-Гю КИМ,Бум-Хан КИМ. Владелец: Анастасис Ко., Лтд.. Дата публикации: 2013-11-27.

Printed circuit board for gallium nitride elements

Номер патента: US11576256B2. Автор: Tao Wu,Jian Qi. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-07.

Printed circuit board for gallium nitride elements

Номер патента: US20220201851A1. Автор: Tao Wu,Jian Qi. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Verifying integrity of physical documents

Номер патента: US09922278B2. Автор: Scott Wentao Li,Timothy Winthrop Kingsbury,Robert James Kapinos,Russell Speight VanBlon. Владелец: Lenovo Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Method and device for verifying the integrity of platform software of an electronic device

Номер патента: US09881150B2. Автор: Nadarajah Asokan,Reza Serafat,Janne Mäntylä. Владелец: Conversant Wireless Licensing SARL. Дата публикации: 2018-01-30.

Method and device for verifying the integrity of platform software of an electronic device

Номер патента: US09438608B2. Автор: Nadarajah Asokan,Reza Serafat,Janne Mäntylä. Владелец: Core Wiresless Licensing SARL. Дата публикации: 2016-09-06.

Integration of system components in home communication system

Номер патента: RU2633383C2. Автор: Йорг ПЛАТТЕ. Владелец: Абб Аг. Дата публикации: 2017-10-12.

Method and device for verifying the integrity of platform software of an electronic device

Номер патента: US20180253546A1. Автор: Nadarajah Asokan,Reza Serafat,Janne Mäntylä. Владелец: Conversant Wireless Licensing SARL. Дата публикации: 2018-09-06.

Method and confirmation device for confirming the integrity of a system

Номер патента: US20200380137A1. Автор: Rainer Falk. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2020-12-03.

Using blockchain to track information for devices on a network

Номер патента: CA3083699A1. Автор: Bernd Moeller. Владелец: MyOmega Systems GmbH. Дата публикации: 2018-12-26.

Using blockchain to track information for devices on a network

Номер патента: CA3007206C. Автор: Bernd Moeller. Владелец: MyOmega Systems GmbH. Дата публикации: 2020-10-13.

Interaction and integration of various networks of radio access

Номер патента: RU2669780C2. Автор: Магнус СТАТТИН,Никлас ЙОХАНССОН,Яри ВИКБЕРГ,Оумер ТЕЙИБ,Карл НОРРМАН,Филип МЕСТАНОВ. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл). Дата публикации: 2018-10-16.

A method, apparatus and computer program for verifying the integrity of electronic messages

Номер патента: WO2020193016A1. Автор: Clifford Norman RUSSELL,Julian Robert Mark BARNES. Владелец: IPCO 2012 Limited. Дата публикации: 2020-10-01.

A method, apparatus and computer program for verifying the integrity of electronic messages

Номер патента: AU2020246796A1. Автор: Clifford Norman RUSSELL,Julian Robert Mark BARNES. Владелец: IPCO 2012 Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Integrity of a data processing system

Номер патента: EP1997265A2. Автор: Wilhelmus P. A. J. Michiels,Paulus M. H. M. A. Gorissen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-12-03.

Techniques for monitoring integrity of os security routine

Номер патента: US20170185771A1. Автор: Ned M. Smith,Vincent J. Zimmer,Mingqiu Sun,Rajesh Poornachandran,Sven Schrecker,Gopinatth Selvaraje. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-29.

Techniques for monitoring integrity of os security routine

Номер патента: WO2017112323A1. Автор: Ned M. Smith,Vincent J. Zimmer,Mingqiu Sun,Rajesh Poornachandran,Sven Schrecker,Gopinatth Selvaraje. Владелец: MCAFEE, INC.. Дата публикации: 2017-06-29.

Procedure for verifying the integrity of documents

Номер патента: EP2243104B1. Автор: Fernando Perez Gonzalez,Alberto MALVIDO GARCÌA. Владелец: Universidade de Vigo. Дата публикации: 2012-05-16.

Method and system for measuring the integrity of a power converter

Номер патента: US09880228B2. Автор: Norbert H. Wank,David H. Friedman. Владелец: INFINIREL CORP. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for protecting the integrity of a group of memory elements using an aggregate authentication code

Номер патента: US09443107B2. Автор: Alexander W. DENT. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

An apparatus for increasing an integrity of signals in a signaling network

Номер патента: EP4340424A1. Автор: Oscar Garcia Morchon. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2024-03-20.

Dual flexible cellulose-based matrix for the integration of electronics and microfluidics

Номер патента: EP3872257A1. Автор: Elvira Maria Correia Fortunato,Luis Miguel Nunes Pereira,Paula Cristina DE OLIVEIRA RODRIGUES PINTO,Ricardo Jorge ALVES RAMOS RODRIGUES,Antonio Paulo MENDES DE SOUSA,Jorge Filipe DA SILVA PEDROSA,Rodrigo FERRÃO PAIVA MARTINS. Владелец: Navigator Company SA. Дата публикации: 2021-09-01.

Method and system for machine learning based integration of bots

Номер патента: US20240264808A1. Автор: Nimesh Shivabhai Patel,Shreekant Waman Shiralkar,Zubeena Shireen Sheikh,Dhairya Maulesh Dholakia,Drashti Vijaybhai Patel. Владелец: Tata Consultancy Services Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method and system for machine learning based integration of bots

Номер патента: EP4411534A1. Автор: Nimesh Shivabhai Patel,Shreekant Waman Shiralkar,Zubeena Shireen Sheikh,Dhairya Maulesh Dholakia,Drashti Vijaybhai Patel. Владелец: Tata Consultancy Services Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Optical architecture with hybrid on-silicon III-V modulator

Номер патента: US12078909B2. Автор: Jin Hong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Optical architecture with hybrid on-silicon iii-v modulator

Номер патента: US20240369898A1. Автор: Jin Hong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Circuits and operating methods thereof for correcting phase errors caused by gallium nitride devices

Номер патента: US09974038B2. Автор: Damian McCann. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Method and system for facilitating the integration of a plurality of dissimilar systems

Номер патента: US09912722B2. Автор: Mitchell T. Christensen,Danny R. Sojka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-06.

System and method of verifying integrity of software

Номер патента: US09867051B2. Автор: Jeong Nyeo Kim,Kyung Soo Lim,Jae Deok Lim,Geon Lyang Kim,Su Wan PARK. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2018-01-09.

System and method for verifying integrity of software package in mobile terminal

Номер патента: US09832651B2. Автор: Kyung-Hee Lee,Tymur Korkishko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Systems and methods for the integration of framing oam&p, and forward error correction in pluggable optical transceiver devices

Номер патента: WO2008048372A3. Автор: Siraj Nour El-Ahmadi,Salam El-Ahmadi,Gabriel E Cardona,Adam R Hotchkiss. Владелец: Adam R Hotchkiss. Дата публикации: 2008-06-26.

Systems and methods for the integration of framing oam&p, and forward error correction in pluggable optical transceiver devices

Номер патента: EP2078361A2. Автор: Adam R. Hotchkiss,Siraj Nour El-Ahmadi,Salam El-Ahmadi,Gabriel E. Cardona. Владелец: Menara Networks Inc. Дата публикации: 2009-07-15.

Integrity of data records

Номер патента: WO2019063129A1. Автор: Peter HOOKHAM-MILLER. Владелец: Phm Associates Limited. Дата публикации: 2019-04-04.

An apparatus, a method and a computer program for verifying an integrity of a device connected to a telecommunication network

Номер патента: WO2021180557A1. Автор: Alexandru SERBANATI. Владелец: Sony Europe B.V.. Дата публикации: 2021-09-16.

An apparatus, a method and a computer program for verifying an integrity of a device connected to a telecommunication network

Номер патента: EP4118544A1. Автор: Alexandru SERBANATI. Владелец: Sony Europe BV. Дата публикации: 2023-01-18.

A method for indicating the integrity of a collection of digital objects

Номер патента: WO2005109141A3. Автор: Yanki Margalit,Dany Margalit,Michael Collins,Edna Cahanovic. Владелец: Aladdin Knowledge Systems Ltd. Дата публикации: 2008-11-13.

Method and system for verifying integrity of a digital asset using a distributed hash table and a peer to-peer distributed ledger

Номер патента: US20240248966A1. Автор: Stephane SAVANAH,Craig Steven WRIGHT. Владелец: Nchain Licensing AG. Дата публикации: 2024-07-25.

A method for indicating the integrity of a collection of digital objects

Номер патента: WO2005109141A2. Автор: Yanki Margalit,Dany Margalit,Michael Collins,Edna Cahanovic. Владелец: Aladdin Knowledge Systems Ltd.. Дата публикации: 2005-11-17.

Autonomic discovery and integration of complementary internet services

Номер патента: US9876861B2. Автор: Anurag Srivastava,Abhijit A. Deshmukh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Methods and devices for monitoring the integrity of an article during transporting said article

Номер патента: EP2565832A3. Автор: Christian Oertli. Владелец: Q tag AG. Дата публикации: 2015-03-25.

Methods and arrangements for determining an integrity of an air interface

Номер патента: WO2013074003A1. Автор: Andreas Olsson,Sven Sjolinder. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL). Дата публикации: 2013-05-23.

Method for checking the integrity of a clock tree

Номер патента: US20080231325A1. Автор: Frédéric Bancel,Nicolas Berard. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2008-09-25.

A method and device for automatic integration of farm climate and biometric variables

Номер патента: WO2019077551A1. Автор: José Miguel DA SILVA SIMÕES DE CARVALHO,Miguel António DAMAS DE MATOS,Samuel Carlos RIBEIRO ALVES DA SILVA. Владелец: RIBEIRO ALVES DA SILVA Samuel Carlos. Дата публикации: 2019-04-25.

Apparatus and method for checking the integrity of sensor-data streams

Номер патента: US12086291B2. Автор: Patrick LAMPLMAIR,Simon PFEIFHOFER,Thomas Plank. Владелец: Tributech Solutions GmbH. Дата публикации: 2024-09-10.

A method and device for automatic integration of farm climate and biometric variables

Номер патента: EP3698534A1. Автор: José Miguel DA SILVA SIMÕES DE CARVALHO,Miguel António DAMAS DE MATOS,Samuel Carlos RIBEIRO ALVES DA SILVA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-08-26.

Methods, systems, articles of manufacture and apparatus to verify integrity of model execution on computing resources using telemetry information

Номер патента: US20240356820A1. Автор: CHEN Liu,Abhishek Chakraborty,Jason Mou Lap Fung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of verifying integrity of data from a device under test

Номер патента: US20240370588A1. Автор: Kari Vierimaa,Miika NIIRANEN,Antti HUOPANA. Владелец: Siemens Industry Software Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Integration of a centralized network restoration system with a distributed network restoration system

Номер патента: WO1998030034A2. Автор: William D. Croslin. Владелец: Mci Communications Corporation. Дата публикации: 1998-07-09.

Method and system for verifying the integrity of computing devices

Номер патента: US09906493B1. Автор: Robert Stephen Rodgers,Philippe Gilbert LACROUTE,Michael John Beesley,Srivatsan Rajagopal,Thomas John Giuli,William Norman Eatherton,Stefan Alexander Dyckerhoff,Edward Ronald Swierk,Neil Vincent Geraghty,Keith Eric Holleman,Paul Edward Fraley,Vijay Krishnaji Tapaskar,Daniel Sergeevich Selifonov,Keith Anthony Low. Владелец: Skyport Systems LLC. Дата публикации: 2018-02-27.

Control unit for ac rotating machine

Номер патента: RU2576246C1. Автор: Масато ИТО,Йосуке ХАТИЯ,Сатору ТЕРАСИМА. Владелец: Мицубиси Электрик Корпорейшн. Дата публикации: 2016-02-27.

Methods and devices for integration of wide-coverage wireless networks with wireless local area networks

Номер патента: RU2693686C2. Автор: Магнус СТАТТИН,Никлас ЙОХАНССОН,Оумер ТЕЙЕБ,Кристофер ЛИНДХЕЙМЕР,Яри ВИКБЕРГ. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл). Дата публикации: 2019-07-03.

Technological board with modular integration of programmable controller and with extension

Номер патента: RU2313200C2. Автор: Освальд ДАХС,Дитер РАЙНЕККЕ,Карл-Рудольф ЛЮТТИХ,Райнер НИКЛЬ. Владелец: Демаг Эрготех Гмбх. Дата публикации: 2007-12-20.

Memory introspection engine for protecting integrity of virtual machines

Номер патента: RU2640300C2. Автор: Сандор ЛУКАКС,Андрей-Влад ЛУЦАС,Дан-Хоря ЛУЦАС. Владелец: БИТДЕФЕНДЕР АйПиАр МЕНЕДЖМЕНТ ЛТД. Дата публикации: 2017-12-27.

Method for protecting the integrity of a fixed-length data structure

Номер патента: WO2014123779A1. Автор: Alexander W. DENT,Billy B. Brumley,Can Erkin ACAR. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-08-14.

Integration of electrophysiological procedure systems

Номер патента: WO2024055046A3. Автор: Robert Joseph Krummen,Christopher J.T. Villongco,Christian David MARTON,Maurice J. PIRIO,Joe BRAIDWOOD. Владелец: Vektor Medical, Inc.. Дата публикации: 2024-04-25.

Method of digitization and acquisition of sensitive data on mobile devices that ensures the safety and integrity of the data

Номер патента: EP3458996A1. Автор: Achille Pievani,Gabriele Lavelli,Lorenzo Muratori,Luca Vegini. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-03-27.

Integration of electrophysiological procedure systems

Номер патента: WO2024055046A2. Автор: Robert Joseph Krummen,Christopher J.T. Villongco,Christian David MARTON,Maurice J. PIRIO,Joe BRAIDWOOD. Владелец: Vektor Medical, Inc.. Дата публикации: 2024-03-14.

Method and system for verifying integrity of GPS position information

Номер патента: US11442180B2. Автор: Byung Woon PARK,Ji Sun SHIN,Shin Cheol LEE,Ye Bin Lee. Владелец: INDUSTRY ACADEMY COOPERATION FOUNDATION OF SEJONG UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-09-13.

Systems and methods for integration of calendar applications with task facilitation services

Номер патента: EP4399592A1. Автор: Yoky Matsuoka,Nitin Viswanathan. Владелец: Yohana LLC. Дата публикации: 2024-07-17.

Universal controller for integration of cryogenic equipment, requiring different control mechanisms, onto a single operating platform

Номер патента: US20200348063A1. Автор: Gary S. Ash,Craig Hollabaugh,Frank P. JANKOWSKY. Владелец: Sumitomo SHI Cryogenics of America Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Universal controller for integration of cryogenic equipment, requiring different control mechanisms, onto a single operating platform

Номер патента: EP3701202A1. Автор: Gary S. Ash,Craig Hollabaugh,Frank P. JANKOWSKY. Владелец: Sumitomo SHI Cryogenics of America Inc. Дата публикации: 2020-09-02.

Circuit assembly for monitoring port activity and integrity of a multiport media converter

Номер патента: WO2002013460A2. Автор: Joseph Coffey. Владелец: ADC TELECOMMUNICATIONS, INC.. Дата публикации: 2002-02-14.

Substrate for diaphragm-type resonant mems devices, diaphragm-type resonant mems device and method for manufacturing same

Номер патента: US20160107880A1. Автор: Takahiro Sano,Takayuki Naono. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-04-21.

Method and apparatus for ensuring the integrity of a downloaded data set

Номер патента: WO2012105995A1. Автор: Michael J. Seilnacht,Thomas J. Holodnik,Christopher C. CHUNG. Владелец: INTUIT INC.. Дата публикации: 2012-08-09.

Computer-implemented methods for evidencing the existence of a digital document, anonymously evidencing the existence of a digital document, and verifying the data integrity of a digital document

Номер патента: WO2023086444A3. Автор: Michael Ming-Jae Lin,Johnson Zone An KONG,Wei Hsiung Nicolas YANG. Владелец: 707 Limited. Дата публикации: 2023-06-29.

Method and system for verifying integrity of gps position information

Номер патента: US20210149062A1. Автор: Byung Woon PARK,Ji Sun SHIN,Shin Cheol LEE,Ye Bin Lee. Владелец: INDUSTRY ACADEMY COOPERATION FOUNDATION OF SEJONG UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-05-20.

Circuit assembly for monitoring port activity and integrity of a multiport media converter

Номер патента: WO2002013460A3. Автор: Joseph Coffey. Владелец: ADC Telecommunications Inc. Дата публикации: 2002-08-15.

Systems and methods for integration of task management applications with task facilitation services

Номер патента: EP4399663A2. Автор: Yoky Matsuoka,Nitin Viswanathan. Владелец: Yohana LLC. Дата публикации: 2024-07-17.

Systems and methods for integration of electric vehicle charging stations with photovoltaic, wind, hydro, thermal and other alternative energy generation equipment

Номер патента: US20210229561A1. Автор: Alan White,Valery Miftakhov,Alexander Gurzhi. Владелец: Enel X North America Inc. Дата публикации: 2021-07-29.

Seamless Integration of Augmented, Alternate, Virtual, and/or Mixed Realities with Physical Realities for Enhancement of Web, Mobile and/or Other Digital Experiences

Номер патента: US20200294097A1. Автор: Nova Spivack,Yenyun FU,Matthew HOERL,Armando Pena. Владелец: Magical Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-17.

Circuit assembly for monitoring port activity and integrity of a multiport media converter

Номер патента: WO2002013460A8. Автор: Joseph Coffey. Владелец: ADC Telecommunications Inc. Дата публикации: 2003-10-30.

Method and Apparatus for Checking Integrity of Device Selection Process

Номер патента: US20210374944A1. Автор: Jinghui Li,Honggan Zhu,Yaxing Yao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-12-02.

Computer-implemented methods for evidencing the existence of a digital document, anonymously evidencing the existence of a digital document, and verifying the data integrity of a digital document

Номер патента: EP4433931A2. Автор: Michael Ming-Jae Lin,Johnson Zone An KONG,Wei Hsiung Nicolas YANG. Владелец: 707 Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Methods and arrangements for determining an integrity of an air interface

Номер патента: EP2781113A1. Автор: Andreas Olsson,Sven Sjolinder. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2014-09-24.

Method and Apparatus for Checking Integrity of Device Selection Process

Номер патента: US20200327656A1. Автор: Jinghui Li,Honggan Zhu,Yaxing Yao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-10-15.

Protecting the integrity of measurement data acquired by a sensor device

Номер патента: US12132822B2. Автор: Soeren Finster,Florian Kohnhaeuser. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-10-29.

Method and apparatus for checking integrity of device selection process

Номер патента: US11158037B2. Автор: Jinghui Li,Honggan Zhu,Yaxing Yao. Владелец: Auyora Shenzhen Inc. Дата публикации: 2021-10-26.

System and device for verifying the integrity of a system from its subcomponents

Номер патента: US09715590B2. Автор: Douglas J. Gardner,John J. Walsh,John Ross Wallrabenstein. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Method and structure for directly connecting coaxial or micro coaxial cables to the interior side of pads of a printed circuit board to improve signal integrity of an electrical circuit

Номер патента: US09674964B2. Автор: James V Russell. Владелец: Abacus Finance Group LLC. Дата публикации: 2017-06-06.

Testing integrity of property data of a device using a testing device

Номер патента: US09674216B2. Автор: Kai Fischer,Jens-Uwe Buβer. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2017-06-06.

Method for the integration of a fixed station or of a fixed radio sub-system, and devices implementing such a method

Номер патента: US09615403B2. Автор: Pierre Minot,Pierre Ngouat. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-04-04.

Integration of monolayer graphene with a semiconductor device

Номер патента: US20170350835A1. Автор: Seyedeh Maryam Mortazavi Zanjani,Deji Akinwande,Mir Mohammad Sadeghi,Milo Holt. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2017-12-07.

Integration of disparate systems through the use of multi-uid rfid encoding device system and method

Номер патента: US20190377912A1. Автор: Robert J. Duggan. Владелец: Consortium P Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Gallium nitride operational amplifier

Номер патента: US12028031B2. Автор: Cher-Ming TAN,Vimal Kant PANDEY. Владелец: Chang Gung University CGU. Дата публикации: 2024-07-02.

Seamless integration of radio broadcast audio with streaming audio

Номер патента: CA3127773A1. Автор: Jeffrey Thramann,Ben Good,Peter Shoebridge. Владелец: Clip Interactive LLC. Дата публикации: 2020-08-01.

Method and apparatus for providing and determining integrity of video

Номер патента: WO2012005746A1. Автор: David W. Kravitz. Владелец: MOTOROLA SOLUTIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-12.

Integrity of low bandwidth communications

Номер патента: WO2008044112A2. Автор: Guillaume Fumaroli,David Vigilant,Stéphanie Salgado. Владелец: GEMALTO S.A.. Дата публикации: 2008-04-17.

Seamless Integration of Radio Broadcast Audio with Streaming Audio

Номер патента: US20190238244A1. Автор: Jeffrey Thramann,Ben Good,Peter Shoebridge. Владелец: Clip Interactive LLC. Дата публикации: 2019-08-01.

Integration of speech processing functionality with organization systems

Номер патента: US12051415B1. Автор: Fred Torok,Gonzalo Alvarez BARRIO,Bharath Bhimanaik Kumar,Shantanu Vikas Kurhekar,Frederic J Deramat. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Seamless integration of radio broadcast audio with streaming audio

Номер патента: WO2019148120A1. Автор: Jeffrey Thramann,Ben Good,Peter Shoebridge. Владелец: CLIP INTERACTIVE, LLC. Дата публикации: 2019-08-01.

Integrity of low bandwidth communications

Номер патента: EP2074729A2. Автор: Guillaume Fumaroli,David Vigilant,Stéphanie Salgado. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2009-07-01.

Universal adapter for low-overhead integration of machine learning models with a web-based service platform

Номер патента: WO2024182248A1. Автор: Masroor Hussain Syed,Sumit Manchanda,Ankit Choudhari,Serena LEKHRAJANI. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2024-09-06.

Universal adapter for low-overhead integration of machine learning models with a web-based service platform

Номер патента: US20240296379A1. Автор: Masroor Hussain Syed,Sumit Manchanda,Ankit Choudhari,Serena LEKHRAJANI. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-09-05.

Mobile Device Integration of a Portable Metal Detector

Номер патента: US20200213434A1. Автор: Oleksandr Kravchenko,Oleksii Samkov,Semen Protsenko,Kostiantyn Tymonkin,Vilen Blinkov. Владелец: Air Md Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Integration of speech processing functionality with organization systems

Номер патента: US11756550B1. Автор: Fred Torok,Gonzalo Alvarez BARRIO,Bharath Bhimanaik Kumar,Shantanu Vikas Kurhekar,Frederic J Deramat. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Systems and methods for maintaining data integrity of removable media of an electronic device

Номер патента: US20080176600A1. Автор: Michael Andrew Goldsmith,Robert Henderson Wood,Jacek Pawel Nawrot. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2008-07-24.

Systems and methods for maintaining data integrity of removable media of an electronic device

Номер патента: US20100185786A1. Автор: Michael Andrew Goldsmith,Robert Henderson Wood,Jacek Pawel Nawrot. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2010-07-22.

Systems and methods for maintaining data integrity of removable media of an electronic device

Номер патента: US20110258390A1. Автор: Michael Andrew Goldsmith,Robert Henderson Wood,Jacek Pawel Nawrot. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2011-10-20.

Method for offloading decision and resource allocation based on integration of communication, sensing and computing

Номер патента: US20240284497A1. Автор: Shuo Sun,Qi Zhu. Владелец: NANJING UNIVERSITY OF POSTS AND TELECOMMUNICATIONS. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for Monitoring the Integrity of a Control Device

Номер патента: US20240305091A1. Автор: Andreas Schulze,Andreas Schusser. Владелец: Vitesco Technologies Germany GMBH. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for offloading decision and resource allocation based on integration of communication, sensing and computing

Номер патента: US12052735B1. Автор: Shuo Sun,Qi Zhu. Владелец: NANJING UNIVERSITY OF POSTS AND TELECOMMUNICATIONS. Дата публикации: 2024-07-30.

Methods, devices, and systems for integration of electric vehicle (EV) charging with virtual reality and augmented reality environments

Номер патента: US12039523B2. Автор: Kimberly Sarubbi. Владелец: Iotecha Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Method and system for integration of portable devices with flight deck displays

Номер патента: US09980298B2. Автор: Peter James BATSAKES,David E. Stulken,Paul Burkhead. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2018-05-22.

System and approach for integration of parameters from wearable cloud connected access control devices

Номер патента: US09727697B1. Автор: Naga Sundar,Jenifram Ponraman,Muthukumar Azhagesan. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

System and method for verifying integrity of cloud data using unconnected trusted device

Номер патента: US09641617B2. Автор: Ashutosh Saxena,Sravan Kumar Rondla,Nitin Singh Chauhan. Владелец: Infosys Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

System and method for digital analysis of authenticity and integrity of documents using portable devices

Номер патента: US09591173B2. Автор: Gustavo DE ALMEIDA NEVES,Eduardo TELMO FONSECA SANTOS,Eduardo MANUEL DE FREITAS JORGE,Ana Lúcia Lage Pereira,Geovane Dos Santos Anunciação,Nilton Vasquez Carvalho Junior. Владелец: Samsung Electronica da Amazonia Ltda. Дата публикации: 2017-03-07.

Techniques for visual integration of meeting space in calendar systems

Номер патента: US09436934B2. Автор: Jitender Bisht. Владелец: Novell Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Method for manufacturing core-shell coaxial gallium nitride (GaN) piezoelectric nanogenerator

Номер патента: US11963450B2. Автор: Xin Chen,Yun Chen,Zijian LI,Pengfei Yu,Aoke SONG,Maoxiang HOU. Владелец: GUANGDONG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-04-16.

Large scale integration of haptic devices

Номер патента: WO2018125246A1. Автор: Sean Jason Keller,Tristan Thomas Trutna. Владелец: Oculus VR, LLC. Дата публикации: 2018-07-05.

Integration of platforms for multi-platform content access

Номер патента: WO2023129556A1. Автор: Alvin LEUNG,Michael Druker,Christopher Hua. Владелец: Block, Inc.. Дата публикации: 2023-07-06.

Methods and apparatus of timing handling for integration of terrestrial network and non-terrestrial network communications

Номер патента: EP4079056A1. Автор: Dan Li,I-Kang Fu,Shiang-Jiun Lin,Xuancheng Zhu. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2022-10-26.

Method and system for AC line distance protection in AC/DC hybrid power grid, and storage medium

Номер патента: US12040609B2. Автор: CHEN Liu,Jing Ma,Yuchong WU,Jingya KANG. Владелец: NORTH CHINA ELECTRIC POWER UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-16.

Restoring integrity of a social media thread from a social network export

Номер патента: US20240256596A1. Автор: Kyle Shay. Владелец: Dropbox Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Method and System for AC Line Distance Protection in AC/DC Hybrid Power Grid, and Storage Medium

Номер патента: US20220021207A1. Автор: CHEN Liu,Jing Ma,Yuchong WU,Jingya KANG. Владелец: NORTH CHINA ELECTRIC POWER UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-01-20.

Total synergetic integration of all eternal energies solar, atmosferic, wind, geo thermal, and universal fuel capability with maximum efficiency systems

Номер патента: US20140373547A1. Автор: Marius Angelo Paul. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-12-25.

Apparatuses, systems and methods for generating and tracking molecular digital signatures to ensure authenticity and integrity of synthetic dna molecules

Номер патента: US20210104301A1. Автор: Jean Peccoud,Diptendu Mohan KAR,Jenna GALLEGOS,Indrajit Ray. Владелец: COLORADO STATE UNIVERSITY RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2021-04-08.

Process for producing a conductive sintered body based on silicon carbide

Номер патента: MY113141A. Автор: SCHMIDT Helmut,Aslan Mesut,Nab Rudiger. Владелец: Institut Fur Neue Mat Gemeinnutzige Gmbh. Дата публикации: 2001-11-30.

Systems and methods for integration of carrier-based sms and voice functionality within api platform

Номер патента: US20160335056A1. Автор: Scott Daniel,Ian Neale,Charles Drexler,Richard Rygg. Владелец: Inteliquent Inc. Дата публикации: 2016-11-17.

Managing mac address randomization to provide integrity of network policies and services across networks

Номер патента: US20240283869A1. Автор: Saurabh Verma. Владелец: Rakuten Mobile Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Apparatus, Device, Method, and Computer Program for Determining an Integrity of a Generated Cryptographic Signature

Номер патента: US20240031168A1. Автор: Qian Wang,Manoj Sastry,Santosh Ghosh,Lucian COJOCAR,Yingchen Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-01-25.

System and method for an application distribution and metrics system enabling the integration of distrubuted applications into host applications and the monetizing of distributed applications

Номер патента: US20140067559A1. Автор: Eric E. Tirk,Dean P. Fragnito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-06.

System and method for an application distribution and metrics system enabling the integration of distrubuted applications into host applications and the monetizing of distributed applications

Номер патента: US9325780B2. Автор: Eric E. Tirk,Dean P. Fragnito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-04-26.

Systems and methods for integration of carrier-based SMS and voice functionality within API platform

Номер патента: US09891891B2. Автор: Scott Daniel,Ian Neale,Charles Drexler,Richard Rygg. Владелец: Inteliquent Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Method and system making it possible to test a cryptographic integrity of an error tolerant data item

Номер патента: US09705675B2. Автор: Sandra Marcello,Eric Garrido,Philippe Painchault. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2017-07-11.

Providing integration of multi-bit-rate media streams

Номер патента: US09680892B2. Автор: Matthew Kaufman. Владелец: Adobe Systems Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Peak sample circuit for AC voltage and method thereof

Номер патента: US09577514B2. Автор: Siran Wang,Junming Zhang,Yuancheng Ren,Kun Yi,Yike Li,En Li. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of ensuring the integrity of data

Номер патента: RU2680033C2. Автор: Олег Анатольевич Финько,Дмитрий Владимирович Самойленко,Сергей Александрович Диченко. Владелец: федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Краснодарское высшее военное училище имени генерала армии С.М. Штеменко" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2019-02-14.

Converter control apparatus for ac-dc parallel power transmission system

Номер патента: CA1056451A. Автор: Yukio Yoshida,Hiroo Konishi,Takehiko Machida,Noriyoshi Fujii. Владелец: CENTRAL RESEARCH INSTITUTE OF ELECTRIC POWER INDUSTRY. Дата публикации: 1979-06-12.

System and methods for integration of an application runtime environment into a user computing environment

Номер патента: US11829186B2. Автор: Adrian Bourke,Damien Chavarria,Matt Meredith,Aaron Robinson,Blake Machado. Владелец: Sweetlabs Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Fabricating method of semi-polar gallium nitride

Номер патента: US20220056580A1. Автор: Ping-Hai CHIAO,Wen-Chung LI. Владелец: WAFER WORKS Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Method for the synthesis of gallium nitride with n2 near room temperature

Номер патента: WO2024054772A3. Автор: Zakaria Y. AL BALUSHI,Sara Christy SUSANTO. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2024-04-18.

Gallium nitride crystal, group 13 nitride crystal, group 13 nitride crystal substrate, and manufacturing method

Номер патента: US20150247257A1. Автор: Takashi Satoh,Masahiro Hayashi,Chiharu Kimura,Seiji Sarayama,Naoya Miyoshi,Hiroshi Nambu. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-03.

Gallium nitride crystal, group 13 nitride crystal, group 13 nitride crystal substrate, and manufacturing method

Номер патента: US09863058B2. Автор: Takashi Satoh,Masahiro Hayashi,Chiharu Kimura,Seiji Sarayama,Naoya Miyoshi,Hiroshi Nambu. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Manufacturing method of gallium nitride substrate

Номер патента: US20240149379A1. Автор: Asahi Nomoto. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

System and on-board device for integration of automotive device functions

Номер патента: RU2523181C2. Автор: Гуннар ШМИДТ,Ральф БОШ,Дирк ГАНДРАС. Владелец: Континенталь Аутомотиве Гмбх. Дата публикации: 2014-07-20.

Method for the synthesis of gallium nitride with n2 near room temperature

Номер патента: WO2024054772A2. Автор: Zakaria Y. AL BALUSHI,Sara Christy SUSANTO. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2024-03-14.

Apparatus for large volume ammonothermal manufacture of gallium nitride crystals and methods of use

Номер патента: US09724666B1. Автор: Mark P. D'Evelyn,Douglas W. Pocius,Pakalapati Tirumala Rajeev. Владелец: Soraa Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Sintered polycrystalline gallium nitride

Номер патента: EP1444165A2. Автор: Mark P. D'Evelyn,Dong-Sil Park,Suresh S. Vagarali,David C. Pender. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2004-08-11.

Liquid crystal on silicon display

Номер патента: US20060012734A1. Автор: Chia-Te Lin,Ta-Shuang Kuan,Chia-Tsung Chan. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-01-19.

Terahertz modulator based on silicon micro-nano structure and its preparation method

Номер патента: LU500934B1. Автор: Jingbo Liu,Dongxiong LING,Qinnan Zhang. Владелец: Univ Dongguan Technology. Дата публикации: 2022-06-01.

Control unit to check integrity of the tear-away occluding devices installed on corresponding apertures in the band-type packing material to form antiseptic sealed packings for fluid foodstuffs

Номер патента: RU2230666C2. Автор: Эудженио СИГИНОЛЬФИ. Владелец: ТЕТРА ЛАВАЛЬ ХОЛДИНГЗ ЭНД ФАЙНЭНС С.А.. Дата публикации: 2004-06-20.

Integration of virtual channels from doppler division multiplex (ddm) fmcw radar signal

Номер патента: US20240353527A1. Автор: David Addison,Markus Bichl,Dyson Wilkes. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-24.

Cvd reactor for synthesis of heteroepitaxial silicon carbide films on silicon substrates

Номер патента: RU2767098C2. Автор: Виктор Иванович Чепурнов,Олег Леонидович Сурнин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Открытый код". Дата публикации: 2022-03-16.

MATERIAL FOR CONVERSION OF VACUUM ULTRAVIOLET RADIATION INTO VISIBLE RANGE RADIATION IN FORM OF AMORPHOUS FILM OF SILICON OXIDE SiO2Sx ON SILICON SUBSTRATE

Номер патента: RU2584205C2. Автор: Всеволод Семенович Кортов,Анатолий Федорович Зацепин,Евгений Александрович Бунтов,Владимир Алексеевич Пустоваров,Фиттинг Ганс-Йохим. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2016-05-20.

Process for large-scale ammonothermal manufacturing of gallium nitride boules

Номер патента: US8979999B2. Автор: Mark P. D'Evelyn. Владелец: Soraa Inc. Дата публикации: 2015-03-17.

Nano-liquid crystal on silicon (lcos) chip having reduced noise

Номер патента: WO2007024924A3. Автор: Gihong Kim,Tae Soo Chun. Владелец: Sysview Technology Inc. Дата публикации: 2007-11-15.

Method for extraction of gallium from fly ash

Номер патента: RU2506332C1. Автор: Дачжао ГУ,Иньшань ЦЗЯН,Цуньди ВЭЙ,Чжаохуа ГО,Пин ЦЗОУ,Цзяньго ХАНЬ,Дэли ЮЙ,Исинь ЧЖАО,Чуньбинь ГО. Владелец: Чайна Шэньхуа Энерджи Компани Лимитед. Дата публикации: 2014-02-10.

Method of production of gallium from alkali-aluminate solutions of aluminous production

Номер патента: RU2264481C1. Автор: В.Н. Диев,С.П. Яценко,Л.А. Пасечник,Г.М. Рубинштейн,В.Б. Садовников. Владелец: Институт химии твердого тела Уральского Отделения Российской Академии наук. Дата публикации: 2005-11-20.

Method for separation of gallium from aluminium

Номер патента: RU2586168C1. Автор: Мария Викторовна Цыганкова,Александр Маркович Резник,Елена Иосифовна Лысакова,Яна Юрьевна Ершова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский технологический университет". Дата публикации: 2016-06-10.

Method for control and recovery of integrity of multidimensional data arrays

Номер патента: RU2771208C1. Автор: Олег Анатольевич Финько,Дмитрий Владимирович Самойленко,Сергей Александрович Диченко,Арсений Вячеславович Брянцев,Олег Петрович Шеметов,Дмитрий Иосифович Тали,Павел Евгеньевич Алиманов. Владелец: федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Краснодарское высшее военное орденов Жукова и Октябрьской Революции Краснознаменное училище имени генерала армии С.М. Штеменко" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2022-04-28.

Method and device for monitoring integrity of rail threads

Номер патента: RU2727427C1. Автор: Юрий Иосифович Полевой. Владелец: Юрий Иосифович Полевой. Дата публикации: 2020-07-21.

Two-component integration of messages into image

Номер патента: RU2331085C2. Автор: Михаил В чеславович Харинов,Михаил Вячеславович Харинов. Владелец: Санкт-петербургский институт информатики и автоматизации Российской академии наук. Дата публикации: 2008-08-10.

Method of electrochemical refining of gallium

Номер патента: RU2271400C1. Автор: Сергей Алексеевич Козлов,Михаил Валентинович Сажин,Михаил Папиевич Аганичев,Игорь Олегович Петрухин,Николай Алексеевич Потолоков. Владелец: ОАО Научно-исследовательский институт материалов электронной техники (НИИМЭТ). Дата публикации: 2006-03-10.

Method of gallium-68 production, application thereof, and relevant device for implementation of specified method

Номер патента: RU2343965C2. Автор: Ирина ВЕЛИКИАН,Бенгт ЛАНГСТРОМ,Герд Й. БЕЙЕР. Владелец: Джи-И Хелткер Лимитед. Дата публикации: 2009-01-20.

Device and method for real-time monitoring of integrity of satellite navigation system

Номер патента: RU2501039C2. Автор: Жан-Кристоф ЛЕВИ. Владелец: Таль. Дата публикации: 2013-12-10.

Systems and methods for integration of thin film optical materials in silicon photonics

Номер патента: US20240255696A1. Автор: Ping Piu Kuo. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-08-01.

Integration of braking action information with flight deck runway functions

Номер патента: US09643735B2. Автор: Ratan Khatwa,Visvanathan Thanigai Nathan,Sivakumar Kanagarajan. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for regulating the content of gallium in scintillators based on gadolinium-gallium garnets

Номер патента: RU2670865C2. Автор: Марк С. АНДРЕАКО,Питер Карл КОЭН,Александер Эндрю КЭРИ. Владелец: СИМЕНС МЕДИКАЛ СОЛЮШЕНС ЮЭсЭй, ИНК.. Дата публикации: 2018-10-25.

Control system of control valve and method of detecting change in mechanical integrity of valve shaft

Номер патента: RU2736903C2. Автор: Шон У. АНДЕРСОН,Кеннет Х. КАРДЕР. Владелец: ФИШЕР КОНТРОЛЗ ИНТЕРНЕШНЕЛ ЛЛС. Дата публикации: 2020-11-23.

Fluid ejection head and manufacturing method of substrate for fluid ejection head

Номер патента: RU2373067C1. Автор: Хироюки АБО,Мицуру ТИДА,Тосиясу САКАИ,Нориясу ОЗАКИ,Казуя АБЕ,Кендзи ОНО. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2009-11-20.

Device and method of checking integrity of system for rapid reactivation of gas turbine engine of helicopter

Номер патента: RU2686531C2. Автор: Патрик МАРКОНИ,Камель СЕРГИН,Стефен ЛАНГФОРД,Ромэн ТИРЬЕ,Жан-Мишель БАЗЕ,Жером ИРИГУАЙЕН. Владелец: Сафран Хеликоптер Энджинз. Дата публикации: 2019-04-29.

Systems and methods for using a management controller to securely monitor and enforce integrity of bios modules during boot process of information handling system

Номер патента: US20240265107A1. Автор: Adolfo S. Montero,Balasingh P. Samuel,Michael W. Arms. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for extraction of gallium from fly ash

Номер патента: RU2507282C1. Автор: Дачжао ГУ,Вэнь ЛИН,Иньшань ЦЗЯН,Цуньди ВЭЙ,Нань ЛИ,Чжаохуа ГО,Дяньфань ЯН,Цзюньчжоу ЧИ,Пин ЦЗОУ. Владелец: Чайна Шэньхуа Энерджи Компани Лимитед. Дата публикации: 2014-02-20.

Method for control of integrity of rail lines from rolling staff

Номер патента: RU2754374C1. Автор: Юрий Иосифович Полевой,Александр Владимирович Горелик,Леонид Викторович Мухин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Российский университет транспорта" (ФГАОУ ВО РУТ (МИИТ), РУТ (МИИТ). Дата публикации: 2021-09-01.

Method and mobile device for monitoring integrity of rail threads

Номер патента: RU2710840C1. Автор: Юрий Иосифович Полевой. Владелец: Юрий Иосифович Полевой. Дата публикации: 2020-01-14.

Method of monitoring integrity of object

Номер патента: RU2591692C1. Автор: Виктор Владимирович Крылов,Константин Борисович Круковский,Михаил Евгеньевич Муханов,Александр Николаевич Блаженов. Владелец: Акционерное общество "Инженерный Промышленный Концерн "СТРАЖ". Дата публикации: 2016-07-20.

Analogue integrator of pulse signals' sequence

Номер патента: RU2602377C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский,Игорь Алексеевич Филиппский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учрежедение высшего профессионального образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2016-11-20.

Method for creating model for comprehensive study of integration of osteotropic materials in experiment

Номер патента: RU2754630C1. Автор: Сергей Михайлович Кутепов,Кирилл Андреевич Тимофеев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уральский государственный медицинский университет" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБОУ ВО УГМУ Минздрава России). Дата публикации: 2021-09-06.

Method of testing integrity of valve seat

Номер патента: RU2592146C2. Автор: Брюс Ф. ГРУМСТРУП. Владелец: ФИШЕР КОНТРОЛЗ ИНТЕРНЕШНЕЛ ЛЛС. Дата публикации: 2016-07-20.

Alkaline-earth metal silicides on silicon

Номер патента: US6022410A. Автор: Jun Wang,Jonathan K. Abrokwah,Ravindranath Droopad,Daniel S. Marshall,Zhiyi Yu,Jerald A. Hallmark. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-02-08.

Method of gallium recovery from aluminate solutions

Номер патента: RU2157421C2. Автор: Л.К. Алтунина,Т.В. Павлова,А.Г. Филимошкин,Е.Б. Чернов,Г.А. Терентьева,Е.Г. Прибытков. Владелец: Институт химии нефти СО РАН. Дата публикации: 2000-10-10.

Method and system of checking integrity of measurements in navigation system

Номер патента: RU2464531C2. Автор: Шарли ВАШЕ,Гийом ИБАНЭ,Жан-Клод ГУДОН. Владелец: Сажем Дефанс Секюрите. Дата публикации: 2012-10-20.

System for monitoring integrity of continuously maintained data records logs

Номер патента: RU2637486C2. Автор: Николай Иванович Елисеев,Олег Анатольевич Финько,Сергей Владимирович Савин. Владелец: федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Краснодарское высшее военное училище имени генерала армии С.М. Штеменко" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2017-12-04.

Synthesis of gallium oxide nanoparticles in supercritical water

Номер патента: RU2487835C2. Автор: Владимир Ильич Аникеев. Владелец: Учреждение Российской Академии наук Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения РАН. Дата публикации: 2013-07-20.

Automated integration of a source modification engine

Номер патента: EP3956766A1. Автор: Erik Raymond Lotspeich. Владелец: RunSafe Security Inc. Дата публикации: 2022-02-23.

Automated integration of a source modification engine

Номер патента: WO2020215065A1. Автор: Erik Raymond Lotspeich. Владелец: RunSafe Security, Inc.. Дата публикации: 2020-10-22.

Method and system for monitoring the integrity of freight containers

Номер патента: US09828174B2. Автор: Wolfgang Busch,Klaus Hornbostel. Владелец: Airbus Defence and Space GmbH. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of determining location of prosthetic upper plane in patients with damaged integrity of dentitions

Номер патента: RU2470587C1. Автор: Евгений Михайлович Рощин,Валентин Дмитриевич Пантелеев,Александра Владимировна Рощина. Владелец: Евгений Михайлович Рощин. Дата публикации: 2012-12-27.

Method of separation of gallium and aluminum on weak-base anion exchanger d-403 from alkaline solutions

Номер патента: RU2667592C1. Автор: Ольга Владимировна Черемисина,Татьяна Евгеньевна Литвинова,Вадим Насырович Сагдиев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский горный университет". Дата публикации: 2018-09-21.

Increased production of fuels by integration of vacuum distillation with solvent deasphalting

Номер патента: RU2661875C2. Автор: Дэниэл Б. ГИЛЛИС,Джозеф ВУДСОН. Владелец: ФОСТЕР ВИЛЕР ЮЭсЭй КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2018-07-20.

Method for assessing tightness and integrity of system of valves of microfluid system

Номер патента: RU2585804C1. Автор: Дмитрий Андреевич Сахаров,Евгений Владиславович Трушкин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-технический центр "БиоКлиникум". Дата публикации: 2016-06-10.

Method of control of the integrity of the dielectric coating of a metal substrate

Номер патента: RU2656292C1. Автор: Сергей Борисович Сунцов,Валерий Александрович Лавринович,Андрей Александрович Кладько. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2018-06-04.

Method of determining integrity of casing of irradiated fuel elements

Номер патента: RU2410772C1. Автор: Сергей Сергеевич Сагалов,Алексей Васильевич Сухих,Сергей Владленович Павлов. Владелец: Открытое акционерное общество "Государственный научный центр Научно-исследовательский институт атомных реакторов". Дата публикации: 2011-01-27.

Biocompatible nanomaterial for the laser restoration of the integrity of the dissected biological tissues

Номер патента: RU2657611C1. Автор: Сергей Васильевич Селищев,Леван Павлович Ичкитидзе,Александр Юрьевич Герасименко,Виталий Маркович Подгаецкий,Наталья Николаевна Журбина,Ирина Борисовна Римшан. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники". Дата публикации: 2018-06-14.

Thermal integration of system for supplying air into power plant with oxygen-fired boiler

Номер патента: RU2674302C2. Автор: Тьерри ПУРШО,Франсуа ГРАНЬЕ,Фредерик ЖЕЙЖЕ. Владелец: Дженерал Электрик Текнолоджи Гмбх. Дата публикации: 2018-12-06.

Method for restoring integrity of sternum after sternotomy

Номер патента: RU2753389C1. Автор: Дмитрий Валерьевич Шумаков,Дмитрий Игоревич Зыбин,Михаил Александрович Попов,Владислав Викторович Донцов,Евгений Геннадьевич Агафонов. Владелец: Государственное бюджетное учреждение здравоохранения Московской области "Московский областной научно-исследовательский клинический институт им. М.Ф. Владимирского" (ГБУЗ МО МОНИКИ им. М.Ф. Владимирского). Дата публикации: 2021-08-13.

Tail apparatus for monitoring the integrity of a train

Номер патента: RU2764478C1. Автор: Сергей Иванович Краснолобов,Евгений Владимирович Павлов,Евгений Геннадьевич Щербина,Константин Васильевич Чернов,Антон Николаевич Капустин,Елена Игоревна Михеева. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «1520 Сигнал». Дата публикации: 2022-01-17.

Recovery of gallium from alkali metal aluminate by liquid alloy treatment and electrolysis

Номер патента: CA1126683A. Автор: Raisa V. Ivanova,Arkady A. Belsky,Nikolai A. Novikov,Askar M. Kunaev,Leonid M. Butorin,Khoren A. Badaliants,Isaak A. Zatulovsky,Ivan M. Kostin,Tatyana D. Ostapenko,Gennady A. Romanov,Elena L. Shalavina,Arkady I. Zazubin,Nikolai S. Shmorgunenko,Alexandr V. Eljutin,Anna E. Danilina,Evgeny A. Isakov,Teodor G. Milberger,Petr F. Minin,Alexandr V. Peredereev,Garegin A. Peikarov,Natalya V. Tishevetskaya,Georgy P. Tkachenko,Leonid I. Finkelshtein,Anatolia I. Simanova. Владелец: VSESOJUZNY NAUCHNO-ISSLEDOVATELSKY I PROEKTNY INSTITUT ALJUMINIEVOI MAGN IEVOI I ELEKTRODNOI PROMYSHLENNOSTI. Дата публикации: 1982-06-29.

Nano-liquid crystal on silicon (lcos) chip having reduced noise

Номер патента: WO2007024924A2. Автор: Gihong Kim,Tae Soo Chun. Владелец: Sysview Technology, Inc.. Дата публикации: 2007-03-01.

Device for the integration of fire-fighting systems in smart buildings

Номер патента: WO2022248990A1. Автор: Diego DE FECONDO. Владелец: Nir Srl. Дата публикации: 2022-12-01.

Device for the integration of fire-fighting systems in smart buildings

Номер патента: EP4348618A1. Автор: Diego DE FECONDO. Владелец: Nir Srl. Дата публикации: 2024-04-10.

A method and a device for evaluating the integrity of a control substance in a nuclear plant

Номер патента: EP1419508A1. Автор: Bjorn Bjurman,Lembit Sihver,Kurt-Åke MAGNUSSON. Владелец: Westinghouse Atom AB. Дата публикации: 2004-05-19.

Platform and method for intelligent management of integration of construction and maintenance of rail transportation work

Номер патента: US12012136B2. Автор: Gang Li,Yongli Hu,Zhiguo Li,Yongjun WANG,Linhai LU,Lianyong SUN,Bingbing HU,Jiahai LIU,Xuezeng LIU,Zhihai SUN. Владелец: Jinan Rail Transit Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Method for verifying the integrity of a master device of a master-slave robotic system for medical or surgical teleoperation and related robotic system

Номер патента: US20240227191A9. Автор: Massimiliano Simi,Emanuele Ruffaldi. Владелец: Medical Microinstruments Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

MAC method for monitoring, with common bias compensation, the integrity of a point positioning process using virtual beacons

Номер патента: GB2622473A. Автор: REVOL Marc. Владелец: Gts France Sas. Дата публикации: 2024-03-20.

Method of manufacturing polishing carrier and silicon substrate for magnetic recording medium, and silicon substrate for magnetic recording medium

Номер патента: WO2006013996A8. Автор: Katsuaki Aida. Владелец: Katsuaki Aida. Дата публикации: 2007-05-10.

Method of fabricating mirrors for liquid crystal on silicon display device

Номер патента: US20080135515A1. Автор: Yiqun Chen,Xianyong Pu,Jing Fu,Jianhong Mao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2008-06-12.

Method and system for enabling assortment tool and integration of applications for hyper localization

Номер патента: AU2022256083A1. Автор: Jeisobers Thirunavukkarasu,Shilpa Yadukumar Rao,Arun Rasika Karunakaran. Владелец: Tata Consultancy Services Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Method and system for verifying the integrity of data in a data warehouse and applying warehoused data to a plurality of predefined analysis models

Номер патента: EP1405238A2. Автор: Peter J. Zangari,Sourabh Banerji,Jhon Anthony Matero. Владелец: Goldman Sachs and Co LLC. Дата публикации: 2004-04-07.

Method and system for verifying the integrity of data in a data warehouse and applying warehoused data to a plurality of predefined analysis models

Номер патента: EP1405238A4. Автор: Sourabh Banerji,Jhon Anthony Matero,Peter J Zangari. Владелец: Goldman Sachs and Co LLC. Дата публикации: 2007-08-01.

Integrity of a civil structure

Номер патента: WO2013173860A2. Автор: Maximilian Ott,Thierry Rakotoarivelo,Peter Runcie,Athanassios BOULIS,Rodney BERRIMAN,Yuriy TSELISCHCHEV. Владелец: NATIONAL ICT AUSTRALIA LIMITED. Дата публикации: 2013-11-28.

Method to verify the execution integrity of an application in a target device

Номер патента: EP3378005A1. Автор: BRECHT Wyseur. Владелец: Nagravision SA. Дата публикации: 2018-09-26.

Integrity of a civil structure

Номер патента: EP2852819A2. Автор: Maximilian Ott,Thierry Rakotoarivelo,Peter Runcie,Athanassios BOULIS,Rodney BERRIMAN,Yuriy TSELISCHCHEV. Владелец: Nat ict australia Pty Ltd. Дата публикации: 2015-04-01.

Method of pre-etching glass substrate for reducing releasing time

Номер патента: US20040192047A1. Автор: Bing-Ru Chen,Long-Sun Huang,Shi-Yuan Tseng. Владелец: WALSIN LIHWA CORP. Дата публикации: 2004-09-30.

Evaluating method for integrity of vibration of steam dryer and test device steam dryer

Номер патента: US20100256963A1. Автор: Takashi Ito,Koji Nishida,Shiro Takahashi,Kazuhiro Yoshikawa,Akinori Tamura,Masaya Ohtsuka,Masaaki Tsubaki,Yasuhiro Mabuchi,Keita Okuyama. Владелец: Hitachi GE Nuclear Energy Ltd. Дата публикации: 2010-10-07.

Magnesium-lithium alloys composed of gallium or indium

Номер патента: US20240271253A1. Автор: Michele V. Manuel,David Wesley CHRISTIANSON. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Mass spectrometry system and method for providing an indication of integrity of a biological sample

Номер патента: US20240006036A1. Автор: Sebastian VIRREIRA WINTER,Philipp Emanuel GEYER,Maximilian Thomas STRAUSS,Sophia DOLL. Владелец: Omicera Diagnostics Gmbh. Дата публикации: 2024-01-04.

Mass spectrometry system and method for providing an indication of integrity of a biological sample

Номер патента: AU2021380964A9. Автор: Sebastian VIRREIRA WINTER,Philipp Emanuel GEYER,Maximilian Thomas STRAUSS,Sophia DOLL. Владелец: Exact Sciences Proteomics GmbH. Дата публикации: 2024-07-04.

Mass spectrometry system and method for providing an indication of integrity of a biological sample

Номер патента: EP4248448A1. Автор: Sebastian VIRREIRA WINTER,Philipp Emanuel GEYER,Maximilian Thomas STRAUSS,Sophia DOLL. Владелец: Exact Sciences Proteomics GmbH. Дата публикации: 2023-09-27.

Mass spectrometry system and method for providing an indication of integrity of a biological sample

Номер патента: CA3199135A1. Автор: Sebastian VIRREIRA WINTER,Philipp Emanuel GEYER,Maximilian Thomas STRAUSS,Sophia DOLL. Владелец: Exact Sciences Proteomics GmbH. Дата публикации: 2022-05-27.

Mass spectrometry system and method for providing an indication of integrity of a biological sample

Номер патента: AU2021380964A1. Автор: Sebastian VIRREIRA WINTER,Philipp Emanuel GEYER,Maximilian Thomas STRAUSS,Sophia DOLL. Владелец: Exact Sciences Proteomics GmbH. Дата публикации: 2023-06-22.

Mass spectrometry system and method for providing an indication of integrity of a biological sample

Номер патента: WO2022106658A1. Автор: Sebastian VIRREIRA WINTER,Philipp Emanuel GEYER,Maximilian Thomas STRAUSS,Sophia DOLL. Владелец: Omicera Diagnostics Gmbh. Дата публикации: 2022-05-27.

Mass spectrometry system and method for providing an indication of integrity of a biological sample

Номер патента: EP4002375A1. Автор: Sebastian VIRREIRA WINTER,Philipp Emanuel GEYER,Maximilian Thomas STRAUSS,Sophia DOLL. Владелец: Omicera Diagnostics Gmbh. Дата публикации: 2022-05-25.

Casing system for integration of modular internal intervention equipment in tubular lines

Номер патента: US12066140B2. Автор: Hugo Francisco LISBOA SANTOS,Ney Robinson Salvi Dos Reis,Igor MENDES URSINE KRETTLI,André VIEGAS WENTZ,Eduardo GERHARDT,Cristiane MIOTO BECKER,Antonio DROESCHER SANDRI. Владелец: Servico Nacional De Aprendizagem Industrial Departamento Regional De Santa Catarina Sena/sc. Дата публикации: 2024-08-20.

Method and apparatus for ensuring the operation and integrity of a three-dimensional integrated logistical system

Номер патента: US09824592B2. Автор: Yuan Qu,Gokul R. Anandayuvaraj,Eshan Halekote. Владелец: Vinveli Unmanned Systems Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Demonstrating integrity of a compartment of a compartmented operating system

Номер патента: US09633206B2. Автор: Christopher I. Dalton. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2017-04-25.

Integrity monitoring system and a method of monitoring integrity of a stationary structure

Номер патента: US09612189B2. Автор: Dirk Maiwald,Henrik Roland Hansen,Lars Hojsgaard. Владелец: ENERGINET. Дата публикации: 2017-04-04.

Energy efficient apparatus employing energy efficient process schemes providing enhanced integration of gasification-based multi-generation and hydrocarbon refining facilities and related methods

Номер патента: US09562201B2. Автор: Mahmoud Bahy Noureldin. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of gallium recovery from gallium-containing oxides of rare-earth metals

Номер патента: RU2164259C2. Автор: Г.Г. Кознов. Владелец: ООО "Фомос-Технолоджи". Дата публикации: 2001-03-20.

Mixture for production of gallium

Номер патента: RU2255129C1. Автор: С.А. Есиков,Л.П. Грош,Л.А. Ярыгин,С.А. Есиков (RU),Л.П. Грош (RU),Л.А. Ярыгин (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ТНП-Комплекс". Дата публикации: 2005-06-27.

Method of manufacturing composite material with aluminum matrix - steel deoxidizer

Номер патента: RU2673252C1. Автор: Максим Селезнев. Владелец: Максим Селезнев. Дата публикации: 2018-11-23.

Method of monitoring integrity of safety barriers during decommissioning of uranium-graphite nuclear reactor

Номер патента: RU2694817C1. Автор: Евгений Владимирович Беспала,Алексей Вячеславович Леонов,Даниил Валентинович Жирников,Дмитрий Олегович Чубреев. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Горно - Химический Комбинат" (Фгуп "Гхк"). Дата публикации: 2019-07-17.

Integration of corporate search engines with access control application programming special interfaces

Номер патента: RU2446456C2. Автор: Аршиш Сайрус КАПАДИА,Джоуна Сарбин БЕРК. Владелец: МАЙКРОСОФТ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2012-03-27.

Process for extraction of gallium from alkaline gallium-containing solutions

Номер патента: CA1094501A. Автор: Ljudmila N. Nikitina,Raisa V. Ivanova,Arkady A. Belsky,Nikolai A. Novikov,Nina N. Alexeeva,Nina A. Ljubimova,Anna E. Dotsenko. Владелец: GOSUDARSTVENNY NAUCHNO-ISSLEDOVATELSKY I PROEKTNY INSTITUT REDKOMETALLICHESKOI PROMYSHLENNOSTI "GIREDMET". Дата публикации: 1981-01-27.

Diagnostic technique in children of asthenic-vegetative syndrome under exposure conditions with aluminum

Номер патента: RU2687731C1. Автор: Нина Владимировна Зайцева,Олег Владимирович Долгих,Дина Гумяровна Дианова,Александр Владимирович Кривцов,Татьяна Андреевна Легостаева,Дмитрий Владимирович Ланин,Ирина Владимировна Перминова,Максим Анатольевич Гусельников,Алена Александровна Мазунина,Наталья Алексеевна Никоношина,Инга Николаевна Аликина. Владелец: Федеральное бюджетное учреждение науки "Федеральный научный центр медико-профилактических технологий управления рисками здоровью населения" Федеральной службы по надзору в сфере защиты прав потребителей и благополучия человека (ФБУН "ФНЦ медико-профилактических технологий управления рисками здоровью. Дата публикации: 2019-05-17.

Method for controlling integrity of gnss coordinate information for air traffic control

Номер патента: RU2601617C2. Автор: Сергей Вадимович Кузнецов,Иван Владимирович Алипов,Валентин Владимирович Дупиков,Андрей Александрович Тараканов,Владимир Борисович Спрысков,Карен Левонович Исаакян. Владелец: Сергей Вадимович Кузнецов. Дата публикации: 2016-11-10.

Diagnostic technique for early manifestations of respiratory allergosis in children in conditions of excessive contamination with aluminum

Номер патента: RU2693471C1. Автор: Нина Владимировна Зайцева,Олег Владимирович Долгих,Александр Владимирович Кривцов,Максим Анатольевич Гусельников,Алена Александровна Мазунина,Наталья Алексеевна Никоношина,Инга Николаевна Аликина,Юлия Александровна Челакова,Елена Александровна Мухачева. Владелец: Федеральное бюджетное учреждение науки "Федеральный научный центр медико-профилактических технологий управления рисками здоровью населения" Федеральной службы по надзору в сфере защиты прав потребителей и благополучия человека (ФБУН "ФНЦ медико-профилактических технологий управления рисками здоровью. Дата публикации: 2019-07-03.

A silicon mesa structure integrated in a glass-on-silicon waveguide, and a method of manufacturing it

Номер патента: EP1230717A1. Автор: Kent Erik Mattsson. Владелец: NKT Research Center AS. Дата публикации: 2002-08-14.

A method and a device for evaluating the integrity of the nuclear fuel in a nuclear plant

Номер патента: EP1031159A1. Автор: Bjorn Bjurman,Lembit Sihver,Inger Arleback. Владелец: ABB Atom AB. Дата публикации: 2000-08-30.

Apparatus and method for monitoring the structural integrity of a pipeline by means of a superconducting magnet

Номер патента: WO2013098729A1. Автор: Alberto Giulio Di Lullo,Giordano PINARELLO,Alessandro BAILINI. Владелец: ENI S.P.A.. Дата публикации: 2013-07-04.

Method of processing silicon substrate and method of manufacturing substrate for liquid discharge head

Номер патента: US8287747B2. Автор: Keisuke Kishimoto,Taichi YONEMOTO. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-10-16.

Coexistence of i2c slave devices and camera control interface extension devices on a shared control data bus

Номер патента: EP3055779A1. Автор: Shoichiro Sengoku. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-08-17.

Informatics radiomics integration system (iris): a novel combined informatics and radiomics method for integration of many types of data for classification into different groups for improved visualization

Номер патента: US20170112459A1. Автор: Michael A. Jacobs,Vishwa S. Parekh. Владелец: JOHNS HOPKINS UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-04-27.

Method of processing silicon substrate and method of manufacturing substrate for liquid discharge head

Номер патента: US20100323526A1. Автор: Keisuke Kishimoto,Taichi YONEMOTO. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2010-12-23.

Integrity of on demand code decryption

Номер патента: WO2018060459A1. Автор: Wyseur Brecht,Laurent Dore,Eric PIRET. Владелец: Nagravision SA. Дата публикации: 2018-04-05.

System for automated integration of events

Номер патента: US20110035348A1. Автор: Pin-Chuan Chen,Shu-Fen Lin,Yu-Huan Wang,Chen-Kun Hsu. Владелец: Chunghwa Telecom Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-10.

Monitoring integrity of low speed bearings using acoustic emission

Номер патента: WO2023247272A1. Автор: Lotfollah Pahlavan,Bart SCHEEREN. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2023-12-28.

Combined transposon-mediated integration and targeted integration of nucleic acids into host cells

Номер патента: US20240240156A1. Автор: Amy Shen,Shuet Ming YIP,Gavin Christian BARNARD. Владелец: Genentech Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Method and system for enabling assortment tool and integration of applications for hyper localization

Номер патента: EP4220524A1. Автор: Jeisobers Thirunavukkarasu,Shilpa Yadukumar Rao,Arun Rasika Karunakaran. Владелец: Tata Consultancy Services Ltd. Дата публикации: 2023-08-02.

Method and apparatus for verifying the integrity of an output circuit before and during application of a defibrillation pulse

Номер патента: WO1998039059A1. Автор: Richard C. Nova,Joseph L. Sullivan,Lawrence A. Borschowa. Владелец: Physio-Control Manufacturing Corporation. Дата публикации: 1998-09-11.

Systems and methiods for protection of data integrity of updatable data against unauthorized modification

Номер патента: WO2008059480B1. Автор: Rami Koren,Boris Dulganov. Владелец: Boris Dulganov. Дата публикации: 2008-07-03.

Method and device for monitoring integrity of wooden posts

Номер патента: WO2013121170A1. Автор: Frank Gerwin Kaufhold. Владелец: United Technologists Europe Limited. Дата публикации: 2013-08-22.

Apparatus and method for monitoring confidentiality and integrity of target system

Номер патента: US20180046804A1. Автор: Sangrok Lee,Junghee Lee. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2018-02-15.

Monitoring product integrity of a pharmaceutical product in a syringe using a miniaturized electronic sensor tag

Номер патента: EP3017402A1. Автор: Corneliu Tobescu. Владелец: Q tag AG. Дата публикации: 2016-05-11.

Method and apparatus for verifying the integrity of system data

Номер патента: EP1459314A2. Автор: Antonius A. M. Staring,Johan C. Talstra. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-09-22.

Preparation of nanometric arrays of biomolecules on oligo- or poly(ethylene glycol) films on silicon surfaces

Номер патента: WO2005112565A2. Автор: Jianhua Gu,Chengzhi Cai,Chin Ming Yam. Владелец: University of Houston. Дата публикации: 2005-12-01.

Integrity of on demand code decryption

Номер патента: US11244075B2. Автор: Wyseur Brecht,Laurent Dore,Eric PIRET. Владелец: Nagravision SA. Дата публикации: 2022-02-08.

Silicon substrate for magnetic recording and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090220821A1. Автор: Ken Ohashi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2009-09-03.

Method and apparatus for digitally measuring the frequency of a signal by integration of its signal phase

Номер патента: US20020061085A1. Автор: Gerhard Weidler. Владелец: EADS DEUTSCHLAND GmbH. Дата публикации: 2002-05-23.

Use of evaporatively activated color change for verifying the integrity of an object, such as a data storage medium or a gaming token

Номер патента: US20020021217A1. Автор: Nabil Lawandy. Владелец: Spectra Systems Corp. Дата публикации: 2002-02-21.

Method to assure integrity of integrated certified and non-certified sensors

Номер патента: EP3757518A1. Автор: Mark A. Ahlbrecht,Zdenek Kana,Milos SOTAK. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2020-12-30.

Method and device for determining dividing position and integration of automotive part

Номер патента: US20240320389A1. Автор: Takanobu Saito. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Process for the hybrid integration of at least one opto-electronic component and a waveguide, and an integrated electro-optical device

Номер патента: WO1997037261A1. Автор: Peter Martin Cyriel De Dobbelaere,Peter Paul Van Daele,Johan Eduard Van Der Linden. Владелец: AKZO NOBEL N.V.. Дата публикации: 1997-10-09.

Integration of processor and input/output hub

Номер патента: EP2577477A2. Автор: Anant S. Deval,Srikanth T. Srinivasan,Stephan J. Jourdan,Sin S. Tan,Lily Pao Looi,Selim Bilgin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-04-10.

Preparation of nanometric arrays of biomolecules on oligo- or poly(ethylene glycol) films on silicon surfaces

Номер патента: WO2005112565A3. Автор: Jianhua Gu,Chengzhi Cai,Chin Ming Yam. Владелец: Chin Ming Yam. Дата публикации: 2006-09-14.

Vacuum-assisted integration of implants

Номер патента: WO2024206121A2. Автор: David J. Neivandt,Ian D. Dickey,James A. Weber,Anne B. LICHTENWALNER. Владелец: UNIVERSITY OF MAINE SYSTEM BOARD OF TRUSTEES. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of verifying integrity of program using hash

Номер патента: US09842018B2. Автор: Jung Soo Kim,Jun Seok Oh,Jae Min NAM,Jung Geun PARK,Jun Ho HONG. Владелец: Inka Entworks Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Verifying the integrity of a computing platform

Номер патента: US09836611B1. Автор: Christopher Luis Hamlin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-12-05.

Monitoring product integrity of a pharmaceutical product in a syringe using a miniaturized electronic sensor tag

Номер патента: US09750868B2. Автор: Corneliu Tobescu. Владелец: Q-TAG AG. Дата публикации: 2017-09-05.

Determining integrity of braking control system

Номер патента: US09580058B2. Автор: George Howell,Matthieu DELLA NAVE. Владелец: Airbus Operations Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Vehicle integration of BLE nodes to enable passive entry and passive start features

Номер патента: US09536364B2. Автор: Timothy J. Talty,Neeraj R. Gautama,Amanda J. Kalhous. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2017-01-03.

Apparatus and method for monitoring the structural integrity of a pipeline by means of a superconducting magnet

Номер патента: US09535037B2. Автор: Alberto Giulio Di Lullo,Giordano PINARELLO,Alessandro BAILINI. Владелец: Eni Spa. Дата публикации: 2017-01-03.

Verifying the integrity of a computing platform

Номер патента: US09530002B1. Автор: Christopher Luis Hamlin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-27.

Growth reactor for gallium-nitride crystals using ammonia and hydrogen chloride

Номер патента: US09441311B2. Автор: Tadao Hashimoto,Edward Letts. Владелец: SixPoint Materials Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of gallium-arsenic-bearing wastes processing

Номер патента: RU2078842C1. Автор: В.Н. Абрютин,О.Н. Калашник. Владелец: Кийко Михаил Юрьевич. Дата публикации: 1997-05-10.

Glues based on silicon-acryl hybrid polymer

Номер патента: RU2544702C2. Автор: Чарльз У. ПОЛ,Юксиа ЛИУ,Джиангбо ОУЯНГ,Пол ФОРМАН,Лаксмиша М. СРИДХАР,Смита ШАХ. Владелец: Хенкель Корпорейшн. Дата публикации: 2015-03-20.

Method for producing ceramic composite material based on silicon carbide, reinforced with silicon carbide fibers

Номер патента: RU2744543C1. Автор: Дмитрий Дмитриевич Титов,Елена Иннокентьевна Истомина,Владимир Вячеславович Закоржевский,Антон Сергеевич Лысенков,Марианна Геннадьевна Фролова,Юрий Федорович Каргин,Константин Александрович Ким. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2021-03-11.

Method of transplanting biocomposite spheroids to ensure the possibility of restoring the integrity of the bone in case of defects that exceed the critical size

Номер патента: RU2744756C1. Автор: Алексей Вячеславович Ковалев,Михаил Михайлович Сморчков,Сергей Владимирович Бушнев,Ольга Сергеевна Зайцева,Мария Владимировна Коренкова. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Международный Центр Медицинских Исследований И Разработок" (Ооо "Мц Миир"). Дата публикации: 2021-03-15.

Integration of ultrasound and x-ray modalities

Номер патента: RU2676521C2. Автор: Рауль ФЛОРАН,Оливье Пьер НЕМПОН,Паскаль Ив Франсуа КАТЬЕ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2018-12-29.

Device for determining sealing integrity of container and method of its application

Номер патента: RU2544263C2. Автор: Энтони Эдвард ДЗИКОВИЧ. Владелец: НЕСТЕК С.А.. Дата публикации: 2015-03-20.

Integration of specimens storage and control in biomedical sciences

Номер патента: RU2418633C2. Автор: Рольф МЮЛЛЕР,Джуди МЮЛЛЕР-КОН,Корина ХЕРРНШТАДТ. Владелец: Байоматрика, Инк.. Дата публикации: 2011-05-20.

Process for extraction of gallium from alkaline gallium-containing solutions

Номер патента: US4061551A. Автор: Raisa Vasilievna Ivanova,Arkady Andreevich Belsky,Nikolai Alexandrovich Novikov,Nina Nikolaevna Alexeeva,Ljudmila Nikolaevna Nikitina,Nina Andreevna Ljubimova,Anna Evgenievna Dotsenko. Владелец: Individual. Дата публикации: 1977-12-06.

Gallium complexes and solvent extraction of gallium

Номер патента: CA1291764C. Автор: James P. Coleman,Bruce F. Monzyk,Charles R. Graham. Владелец: Monsanto Co. Дата публикации: 1991-11-05.

Recovery of gallium

Номер патента: CA1062017A. Автор: John J. Macgregor. Владелец: JOHNSON MATTHEY PLC. Дата публикации: 1979-09-11.

Purification of solutions of gallium values by liquid/liquid extraction

Номер патента: US4372923A. Автор: Alain Leveque,Jacques Helgorsky. Владелец: Rhone Poulenc Industries SA. Дата публикации: 1983-02-08.

Oxidative dissolution of gallium arsenide and separation of gallium from arsenic

Номер патента: CA1338030C. Автор: James Patrick Coleman,Bruce Francis Monzyk. Владелец: Met Tech Systems Ltd. Дата публикации: 1996-02-06.

Magnesium-lithium alloys composed of gallium or indium

Номер патента: WO2023048784A3. Автор: Michele V. Manuel,David Wesley CHRISTIANSON. Владелец: UNIVERSITY OF FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC.. Дата публикации: 2023-08-17.

Systems and methods for verifying integrity of associate training

Номер патента: US12026676B2. Автор: Andrew B. MILLHOUSE,Timothy J. Burleson,John S. Meredith,Jason S. Hayes,Jennifer L Hedges. Владелец: Walmart Apollo LLC. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for Processing and Assessing the Integrity of GNSS Position Information

Номер патента: US20240159913A1. Автор: Tomasz Bien. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-05-16.

Systems and methods for verifying integrity of associate training

Номер патента: US20200302399A1. Автор: Andrew B. MILLHOUSE,Timothy J. Burleson,John S. Meredith,Jason S. Hayes,Jennifer L. Hedges. Владелец: Walmart Apollo LLC. Дата публикации: 2020-09-24.

A method and a system for checking ownership and integrity of an ai model using distributed ledger technology (dlt)

Номер патента: EP4374269A1. Автор: Manojkumar Somabhai Parmar,Mayurbhai Thesia YASH,Shrey Arvind DABHI,Sunder Naik ANJALI. Владелец: Robert Bosch Engineering and Business Solutions Pvt Ltd. Дата публикации: 2024-05-29.

Method for determining the integrity of navigation data of a control unit of an automotive vehicle

Номер патента: US20200364206A1. Автор: Stephane Eloy,Nora-Marie Gouzenes,Francois De La Bourdonnaye. Владелец: Continental Automotive France SAS. Дата публикации: 2020-11-19.

Method for growing beta phase of gallium oxide (beta-ga2o3) single crystals from the melt contained within a metal crucible

Номер патента: EP3242965A1. Автор: Zbigniew GALAZKA,Reinhard Uecker,Matthias Bickermann,Detlef Klimm. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2017-11-15.

Method of forming urea by integration of an ammonia production process in a urea production process and a system therefor

Номер патента: US20150368191A1. Автор: Ulrich Koss,Frank Ennenbach. Владелец: General Electric Technology GmbH. Дата публикации: 2015-12-24.

Method and device for monitoring the integrity of a connection system

Номер патента: EP2519281A1. Автор: Kristian Solem,Bo Olde. Владелец: GAMBRO LUNDIA AB. Дата публикации: 2012-11-07.

Determining integrity of braking control system

Номер патента: EP4242079A2. Автор: George Howell,Matthieu DELLA NAVE. Владелец: Airbus Operations Ltd. Дата публикации: 2023-09-13.

System and method for diagnosing integrity of a cryogenic fuel tank

Номер патента: AU2022200532A1. Автор: Matthew J. ENGFEHR,Joshua T. Perko. Владелец: Caterpillar Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

A method and a system for checking ownership and integrity of an ai model using distributed ledger technology (dlt)

Номер патента: WO2023001708A1. Автор: Manojkumar Somabhai Parmar,Mayurbhai Thesia YASH,Shrey Arvind DABHI,Sunder Naik ANJALI. Владелец: Robert Bosch Engineering And Business Solutions Private Limited. Дата публикации: 2023-01-26.

Breathable and skin-conformal electronics with hybrid integration of microfabricated multifunctional sensors and kirigami-structured nanofibrous substrates

Номер патента: US20230389875A1. Автор: Lizhi Xu,Hegeng LI. Владелец: University of Hong Kong HKU. Дата публикации: 2023-12-07.

Integration of an integrated gasification combined cycle power plant and coal to liquid facility

Номер патента: EP2197984A1. Автор: Richard O. Sheppard,Joseph A. Regnery. Владелец: Rentech Inc. Дата публикации: 2010-06-23.

Method for Determining the Integrity of a Data Processing Operation, Device, and Data Processing Installations

Номер патента: US20240152627A1. Автор: Rainer Falk,Hans Aschauer,Christian Peter Feist,Hermann Seuschek,Thomas Zeschg,Omar Belhachemi. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2024-05-09.

Methods and Systems to Maintain Accessibility and Integrity of Equipment Contained in Underground Housings

Номер патента: US20110070026A1. Автор: George W. Keeney. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-24.

Integration of large nucleic acids into genomes

Номер патента: WO2023177424A1. Автор: Patrick Hsu,Alison FANTON,Matthew DURRANT,Chad MOON. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2023-09-21.

Verification Of The Integrity Of A Train Of Vehicles

Номер патента: US20190232986A1. Автор: FRANK Simon,Niklas Schaffrath,Guido Fritzsch,Moritz Reichensperger,Ireneus Suwalski. Владелец: Simens Mobility GmbH. Дата публикации: 2019-08-01.

Method and apparatus for monitoring physical integrity of a wall in a vessel

Номер патента: WO1998028611A1. Автор: Patrick J. Doyle,David L. Van Olinda. Владелец: Molten Metal Technology, Inc.. Дата публикации: 1998-07-02.

Integration of disparate system architectures using configurable isolated memory regions and trust domain conversion bridge

Номер патента: US20190042482A1. Автор: Peter Munguia,Gregg Lahti,Aditya Katragada. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Integration of a dehydrogenation unit and an alkylation unit

Номер патента: US20190002370A1. Автор: Charles P. Luebke,Raul Zavala,Christopher D. DiGiulio. Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 2019-01-03.

Defect inspection apparatus, sensitivity calibration method for the same, substrate for defect detection sensitivity calibration, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070035725A1. Автор: Naohiro Takahashi,Tamihide Yasumoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-02-15.

Method and apparatus for a commercial network system designed to facilitate, manage and support the implementation and integration of technology systems

Номер патента: US20010013033A1. Автор: Scott Marshall,Tom Burton,Lorin Jeter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-09.

Flicker-induced interocular transfer-of-oxygenation for non-invasively assessing neural integrity of a patient's central nervous system

Номер патента: US20010056247A1. Автор: Jocelyn Faubert,Vasile Diaconu. Владелец: UNIVERSITE DE MONTREAL. Дата публикации: 2001-12-27.

Preparation of Nanometric Arrays of Biomolecules on Oligo-or Poly(Ethylene Glycol) Films on Silicon Surfaces

Номер патента: US20070212555A1. Автор: Jianhua Gu,Chengzhi Cai,Chin Yam. Владелец: University of Houston. Дата публикации: 2007-09-13.

Method for enhancing integrity of epithelium using retinoic acid

Номер патента: US20020115720A1. Автор: Joseph Salamone,Richard Smerbeck,Andrea Lever,O. Lever. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-22.

Method and apparatus for a commercial network system designed to facilitate, manage and support the implementation and integration of technology systems

Номер патента: US20020073107A1. Автор: Scott Marshall,Tom Burton,Lorin Jeter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-13.

Method for producing gallium nitride crystal

Номер патента: US20210285124A1. Автор: Makoto Watanabe,Shinya AKIYAMA. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Method and Apparatus for Presenting Data Integrity of Transformer

Номер патента: US20240265594A1. Автор: HAO LIU,Jing Li,Dan Wang,Wen Tao HUA,Peng Fei Zhang. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2024-08-08.

Method and apparatus for a commercial network system designed to facilitate, manage and support the implementation and integration of technology systems

Номер патента: EP1221102A1. Автор: Scott A. Marshall,Tom C. Burton,Lorin E. Jeter. Владелец: Inroads Tech Inc. Дата публикации: 2002-07-10.

Method and apparatus for a commercial network system designed to facilitate, manage and support the implementation and integration of technology systems

Номер патента: EP1221102A4. Автор: Tom C Burton,Lorin E Jeter,Scott A Marshall. Владелец: Inroads Tech Inc. Дата публикации: 2005-06-01.

Method for checking the integrity of a compute node

Номер патента: US20240303346A1. Автор: Peter Schneider,Sascha Guebner,Sebastian Schildt, SR.. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-09-12.

Systems and methods for verifying the integrity of a software installation image

Номер патента: US12111958B2. Автор: Vladimir S. BURENKOV,Dmitry A. KLUAGIN. Владелец: Kaspersky Lab AO. Дата публикации: 2024-10-08.

Method and installation for testing the integrity of a capillary dialyzer

Номер патента: US12128362B2. Автор: Stefan Pitsch,Manuel Wilhelm. Владелец: FRESENIUS MEDICAL CARE DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2024-10-29.

Apparatus for verifying the integrity of the confinement boundary of a spent nuclear fuel dry storage canister in operation

Номер патента: US09976929B2. Автор: Yu-Tang Yang,Kuei-Jen Cheng,Ching-Wei Yang. Владелец: Institute of Nuclear Energy Research. Дата публикации: 2018-05-22.

Determining integrity of braking control system

Номер патента: US09969378B2. Автор: George Howell,Matthieu DELLA NAVE. Владелец: Airbus Operations Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Method and system for assessing structural integrity of street lighting luminaires

Номер патента: WO2024208649A1. Автор: JIN Yu,Peter Deixler,Yingnan Liu,Katie MONROE. Владелец: SIGNIFY HOLDING B.V.. Дата публикации: 2024-10-10.

Dynamic context-sensitive integration of content into a web portal application

Номер патента: US09754039B2. Автор: Stefan Liesche,Andreas Nauerz,Jurgen Schaeck. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Apparatus and method for monitoring the structural integrity of a pipeline

Номер патента: US09733216B2. Автор: Alberto Giulio Di Lullo,Giordano PINARELLO,Aldo Canova. Владелец: Eni Spa. Дата публикации: 2017-08-15.

Method and device for monitoring the integrity of a connection system

Номер патента: US09632018B2. Автор: Kristian Solem,Bo Olde. Владелец: GAMBRO LUNDIA AB. Дата публикации: 2017-04-25.

Integration of active devices with passive components and MEMS devices

Номер патента: US09481568B2. Автор: David J. Howard,Jeff Rose,Michael J. Debar. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2016-11-01.

Method of forming urea by integration of an ammonia production process in a urea production process and a system therefor

Номер патента: US09428449B2. Автор: Ulrich Koss,Frank Ennenbach. Владелец: Alstom Technology AG. Дата публикации: 2016-08-30.

Centrifugal apparatus for filtration of dense suspensions of gallium wastes

Номер патента: RU2680360C1. Автор: Виталий Евгеньевич Дьяков. Владелец: Виталий Евгеньевич Дьяков. Дата публикации: 2019-02-20.

Method of integration of railway wheel by automatic means of radio frequency identification

Номер патента: RU2606410C2. Автор: Сергей Григорьевич Иванов,Владимир Викторович Тимкин,Александр Олегович Ладыченко. Владелец: Александр Олегович Ладыченко. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of making ceramics based on silicon carbide, reinforced with silicon carbide fibres

Номер патента: RU2718682C2. Автор: Дмитрий Дмитриевич Титов,Елена Иннокентьевна Истомина,Антон Сергеевич Лысенков,Марианна Геннадьевна Фролова,Юрий Федорович Каргин,Константин Александрович Ким,Сергей Николаевич Перевислов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2020-04-13.

Method of granulating urea with acidic scrubbing system and subsequent integration of ammonia salt into urea granules

Номер патента: RU2485077C2. Автор: Маттиас ПОТТХОФФ,Харальд ФРАНЦРАЕ,Пауль НИХЮС,Роланд МОНСТРЕЙ. Владелец: Уде Фертилайзер Текнолоджи Б.В.. Дата публикации: 2013-06-20.

Ceramic nanostructured material based on silicon nitride and method of its production

Номер патента: RU2653182C2. Автор: Михаил Юрьевич Попов,Иван Павлович Иллич-Свитыч,Николай Владимирович Хохлов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов" (ФГБНУ ТИСНУМ). Дата публикации: 2018-05-07.

Method checking integrity of filtration element and filtration unit

Номер патента: RU2113706C1. Автор: Рандхан Хорст,Фогельманн Хартмут. Владелец: Полл Корпорейшн. Дата публикации: 1998-06-20.

Method of explosion welding of titanium with aluminum-magnesium alloy

Номер патента: RU2767327C1. Автор: Владимир Ильич Лысак,Сергей Викторович Кузьмин,Евгений Владимирович Кузьмин,Валентин Олегович Харламов,Михаил Петрович Королев,Павел Павлович Красиков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Волгоградский государственный технический университет" (ВолгГТУ). Дата публикации: 2022-03-17.

Method for obtaining a wear-resistant composite material based on silicon carbide

Номер патента: RU2759858C1. Автор: Петр Александрович Витязь,Александр Федорович Ильющенко,Лариса Николаевна Дьячкова,Владимир Анатольевич Осипов. Владелец: ГОСУДАРСТВЕННОЕ НАУЧНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ИНСТИТУТ ПОРОШКОВОЙ МЕТАЛЛУРГИИ ИМЕНИ АКАДЕМИКА О.В. РОМАНА. Дата публикации: 2021-11-18.

Composition for bonding ceramic composite materials based on silicon carbide

Номер патента: RU2604530C1. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Олег Юрьевич Сорокин,Денис Вячеславович Гращенков,Сергей Станиславович Солнцев,Мария Леонидовна Ваганова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2016-12-10.

Process for the purification of gallium by partial solidification

Номер патента: AU3712989A. Автор: Michel Leroy,Benoit Pouliquen,Hubert D'hondt. Владелец: Aluminium Pechiney SA. Дата публикации: 1990-01-04.

Integration of techniques for high-frequency reconstruction with reduced post-processing delay

Номер патента: RU2758199C1. Автор: Ларс ВИЛЛЕМОЕС,Хейко ПУРНХАГЕН,Пер ЭКСТРАНД,Кристофер ЧОЭРЛИНГ. Владелец: Долби Интернешнл Аб. Дата публикации: 2021-10-26.

Process for recovery of gallium

Номер патента: CA2480808C. Автор: Patcha Ramachandra Rao,Archana Agrawal,Puvvada George Vijay Kumar,Indranil Chattoraj. Владелец: Council of Scientific and Industrial Research CSIR. Дата публикации: 2010-04-13.

Magnesium-lithium alloys composed of gallium or indium

Номер патента: WO2023048784A2. Автор: Michele V. Manuel,David Wesley CHRISTIANSON. Владелец: UNIVERSITY OF FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC.. Дата публикации: 2023-03-30.

Integration of medical record software and advanced image processing

Номер патента: EP2852907A1. Автор: Robert James Taylor,Tiecheng Zhao,Tim Frandsen. Владелец: TeraRecon Inc. Дата публикации: 2015-04-01.

Method for Checking the Integrity of Reloadable Functional Units

Номер патента: US20230385500A1. Автор: Bernhard Fischer,Christian CECH,Martin Matschnig,Thomas Hinterstoisser,Joubin Djavan. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2023-11-30.

Integration of printing device to a smart space

Номер патента: US12025960B2. Автор: Dilinur Wushour. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Device for supplementing structural integrity of spent nuclear fuel assembly during handling

Номер патента: US12009113B2. Автор: Jae Jun Lee,Seong Ki Lee,Dong Geun Ha,Jong Sung Yoo,Hyeong Koo Kim,Gyu Cheol Shin,Jang Hwan Lim. Владелец: Kepco Nuclear Fuel Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Command read-back to verify integrity of command data written to disk drive

Номер патента: WO2002023547A3. Автор: James A Mcdonald,Richard J Biskup. Владелец: 3ware Inc. Дата публикации: 2003-09-25.

Gallium nitride crystal, gallium nitride substrate, and method for producing gallium nitride crystal

Номер патента: EP4394094A1. Автор: Yutaka Mikawa,Kouhei KURIMOTO,Quanxi Bao. Владелец: Japan Steel Works Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Methods and systems to maintain accessibility and integrity of equipment contained in underground housings

Номер патента: US20070063067A1. Автор: George Keeney. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-22.

Electronic circuit to verify the state of integrity of a diode

Номер патента: WO2023209620A1. Автор: Pasquale Forte,Paolo Lisanti,Francesco BERTINO. Владелец: Eldor Corporation S.P.A.. Дата публикации: 2023-11-02.

Electronic device for verifying integrity of image using plurality of execution environments, and control method therefor

Номер патента: EP4407501A2. Автор: Wooyong Lee,Jinha Hwang,Moongyu Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-31.

Experimental study method of integration of physical simulation and deposition numerical simulation based on source-sink system

Номер патента: NL2034192A. Автор: Jiang Zaixing,Xue Xinyu,Wei Siyuan,Hu Guangming,Liu Zhongbao. Владелец: Univ China Geosciences Beijing. Дата публикации: 2024-07-12.

Method for monitoring the integrity of a sieve device and apparatus for practice of the method

Номер патента: US9242276B2. Автор: Jan Kristian Vasshus,Arne Malmin. Владелец: Cubility AS. Дата публикации: 2016-01-26.

Method for producing ink-jet recording head, ink-jet recording head, substrate for recording head, and ink-jet cartridge

Номер патента: US20050285916A1. Автор: Kenji Fujii,Shuji Koyama,Shingo Nagata,Jun Yamamuro. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

System Containing An Integration Of Cost Savings Tracker And Spend Analyzer For Calculating Actual Effective Savings

Номер патента: US20150187023A1. Автор: Prasad Nair,Bikash Mohanty. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-07-02.

System Containing An Integration Of Cost Savings Tracker And Spend Analyzer For Calculating Actual Effective Savings

Номер патента: US20140358642A1. Автор: Prasad Nair,Bikash Mohanty. Владелец: Zycus Infotech Pvt Ltd. Дата публикации: 2014-12-04.

Testing the integrity of products in containers

Номер патента: CA2586740A1. Автор: Bernhard Heuft. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-18.

Method and device for monitoring integrity of wooden posts

Номер патента: US8915155B1. Автор: Frank Gerwin Kaufhold. Владелец: United Technologists Europe Ltd. Дата публикации: 2014-12-23.

Methods and systems to maintain accessibility and integrity of equipment contained in underground housings

Номер патента: CA2622412A1. Автор: George W. Keeney. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-29.

Methods and systems for testing the integrity of components of a hydrocarbon well system

Номер патента: EP2867443A2. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: BP Corp North America Inc. Дата публикации: 2015-05-06.

Systems and methods for integration of machine learning components within a pipelined search query to generate a graphic visualization

Номер патента: US11748634B1. Автор: Lin Ma,John C. Reed,Mohan Rajagopalan,Ram Sriharsha,Chinmay Madhav Kulkarni,Amir Malekpour. Владелец: Splunk Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Portable memory device and method of securing the integrity of stored data therein

Номер патента: WO1994015320A1. Автор: Alan J. Eisenberg. Владелец: Base 10 Systems, Inc.. Дата публикации: 1994-07-07.

Controller, storage device and computing system for ensuring integrity of data

Номер патента: US20240289030A1. Автор: Myung Hwan Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of testing an integrity of a structure separating a chamber from an adjacent environment, and related apparatus

Номер патента: EP3785002A1. Автор: Morten Kvernvold. Владелец: Scanwell Technology AS. Дата публикации: 2021-03-03.

Method of verifying integrity of control module arithmetic logic unit (ALU)

Номер патента: US20060036911A1. Автор: Ananth Krishnan,William Mayhew,Steven Sullivan,Mark Costin,Jinchun Peng,Timothy Hartrey,Tyrus Valascho. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2006-02-16.

System and method for determining the integrity of containers by optical measurement

Номер патента: EP3698116A1. Автор: Mikael Sebesta,Märta LEWANDER XU,Patrik LUNDIN,Lee Michael Vine,Axel Fredrik Bohman. Владелец: Ishida Europe Ltd. Дата публикации: 2020-08-26.

Method for enhancing integrity of epithelium using retinoic acid

Номер патента: US20040225110A1. Автор: Joseph Salamone,Richard Smerbeck,Andrea Lever,O. Lever. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-11.

Method for marker-less integration of a sequence of interest into the genome of a cell

Номер патента: US20060026706A1. Автор: Erik Vijgenboom,Gilles Wezel. Владелец: UNIVERSITEIT LEIDEN. Дата публикации: 2006-02-02.

System for integration of a hexagonal image processing framework within a technical environment

Номер патента: US20210390345A1. Автор: Madhusudhanan Krishnamoorthy. Владелец: Bank of America Corp. Дата публикации: 2021-12-16.

Device and methods for managing the data integrity of read and write operations

Номер патента: US20240248794A1. Автор: Yang Liu,Peng Xu,HAO WANG,Fei Liu,Sheng Qiu,Wei Tang,Ming Lin,Kyoungryun Bae. Владелец: Lemon Inc USA. Дата публикации: 2024-07-25.

Integration of a dehydrogenation unit and an alkylation unit

Номер патента: US20190241487A1. Автор: Charles P. Luebke,Raul Zavala,Christopher D. DiGiulio. Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 2019-08-08.

Impact Hydroforming Mold and Impact Hydroforming Method with Integration of Blank Holder and Feeding

Номер патента: US20240351087A1. Автор: HAO LI,Yong Xu,Hongliang Zhu,Wenlong Xie,Liangliang Xia,Shihong ZHANG,Xingyu Duan. Владелец: Institute of Metal Research of CAS. Дата публикации: 2024-10-24.

Systems, methods, and devices for diagnosing integrity of electrical conductor-carrying systems

Номер патента: US09977066B2. Автор: Joseph Michael Manahan,Jesse Wade Taylor. Владелец: Cooper Technologies Co. Дата публикации: 2018-05-22.

Bile acids and biguanides as protease inhibitors for preserving the integrity of peptides in the gut

Номер патента: US09913850B2. Автор: Roger R. C. New,Glen Travers. Владелец: Axcess Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Integration of news into direct social communications and interactions

Номер патента: US09886506B2. Автор: Sally Anderson,Mark R. Anderson,Scott Schramke. Владелец: SNS CONFERENCE Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Satellite subset selection for use in monitoring the integrity of computed navigation solutions

Номер патента: US09885788B2. Автор: Jussi Raasakka,Jakub Skalicky,Martin Orejas. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Simultaneous site-specific integrations of multiple gene-copies

Номер патента: US09850501B2. Автор: Hiroaki Udagawa. Владелец: Novozymes AS. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of governing the elevation, attitude and structural integrity of a pressure-containing vessel in a body of liquid

Номер патента: US09797525B2. Автор: Michael W. N. Wilson. Владелец: ECOSSE SUBSEA SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Method and device for verifying the integrity of gas valve operators in a gas appliance

Номер патента: US09777924B2. Автор: Pierluigi Bertelli. Владелец: Bertelli and Partners Srl. Дата публикации: 2017-10-03.

Simultaneous site-specific integrations of multiple gene-copies in filamentous fungi

Номер патента: US09574199B2. Автор: Hiroaki Udagawa. Владелец: Novozymes AS. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of verifying integrity of electronic device, storage medium, and electronic device

Номер патента: US09507941B2. Автор: Peng Ning,Min-Jung Kim,Moo-Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Methods and systems for testing the integrity of components of a hydrocarbon well system

Номер патента: US09429010B2. Автор: Stephen Edwards,Jim Mckay,Warren Winters,Ronald Livesay. Владелец: BP Corp North America Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Method for selectively depositing a polycrystalline diamond coating on silicon bases

Номер патента: RU2656627C1. Автор: Степан Андреевич Линник,Виталий Владимирович Охотников,Александр Валерьевич Гайдайчук. Владелец: Александр Валерьевич Гайдайчук. Дата публикации: 2018-06-06.

Method of depositing aluminium oxide coating on silicon carbide-coated substrate

Номер патента: RU2468361C2. Автор: Фредерик ЛЕМАН,Софи КОСТИЛЬ,Кристиан КОДДЕ,Пьер БЕРТРАН,Себастьен ЛЮКА. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2012-11-27.

Composite material with aluminum matrix and carbon fiber and method for its production

Номер патента: RU2759840C1. Автор: Сергей Николаевич Галышев,Андрей Игоревич Гомзин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «ЦФАЛ». Дата публикации: 2021-11-18.

Antimicrobial compositions for oral cavity based on silicon dioxide

Номер патента: RU2727205C2. Автор: Терри НАССИВЕРА,Карл ГАЛЛИС,Эрик ЛИНДКВИСТ,Линда МАУЛЛЕР. Владелец: Эвоник Оперейшнс Гмбх. Дата публикации: 2020-07-21.

Parts with aluminum-silicon alloy coating

Номер патента: RU2243865C2. Автор: ЗЕЗЕКЕ-КОЙРО Ульрих,ФРЕЗЕ Йоахим,БЕККЕР Андреас. Владелец: Зольвай Флуор Унд Деривате Гмбх. Дата публикации: 2005-01-10.

Deletion workflow that preserves data integrity of a records management system

Номер патента: US20150370820A1. Автор: Li Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-24.

System and method for testing closure integrity of a sealed container at cryogenic temperatures

Номер патента: EP3877737A1. Автор: Louis J. BRASTEN,James MCCAW. Владелец: West Pharmaceutical Services Inc. Дата публикации: 2021-09-15.

Fabrication integration of micro-components

Номер патента: WO2002097767A2. Автор: Arthur S. Morris, III,Shawn J. Cunningham,Dana R. Dereus. Владелец: Conventor, Incorporated. Дата публикации: 2002-12-05.

Production method and production system that detect the integrity of the hermetic seal of a container containing a product

Номер патента: US20200264069A1. Автор: Eugene SCHREIBER. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-08-20.

Method for evaluating contact pin integrity of electronic components having multiple contact pins

Номер патента: US20030067296A1. Автор: Alan Renfrow. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-10.

Edta and egta for use in preserving the integrity of therapeutic compounds

Номер патента: US20240238231A1. Автор: Glen Travers,Roger R.C. New. Владелец: Axcess Uk Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Sgrna guiding pd1 gene for cleavage to achieve efficient integration of exogenous sequences

Номер патента: EP3995579A1. Автор: Bing Du,Mingyao Liu,Yue Tian,Zaixi XI,Dali Li,Jiqin ZHANG,Jiaxuan Yang. Владелец: Brl Medicine Inc. Дата публикации: 2022-05-11.

Information about structural integrity of vehicles

Номер патента: WO2005017695A3. Автор: Kerri Jean Seim,Randy L Gard. Владелец: Randy L Gard. Дата публикации: 2007-04-19.

Deletion workflow that preserves data integrity of a records management system

Номер патента: US20150370846A1. Автор: Li Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-24.

A system for maintaining integrity of a dry pipe system with heated cabinet and flow restrictor valve

Номер патента: CA3119894A1. Автор: Bentley F. Gleeson,James P. Mchugh,George J. Mchugh, Iv,Michael B. Ferrucci. Владелец: AGF Manufacturing Inc. Дата публикации: 2021-11-27.

Systems and methods for testing the integrity of a virus removal filter

Номер патента: CA3213052A1. Автор: Michael D. Brandt. Владелец: Asahi Kasei Bioprocess Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Facilitating integrity of telemetry connectivity between an implantable device and a remote device

Номер патента: US20180085592A1. Автор: Bo Zhang,Gary P. Kivi,Matthew R. Yoder,Richard A. Sanden. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2018-03-29.

Compositions and methods for improved restoration and preservation of the integrity of tissue barriers

Номер патента: WO2017184766A1. Автор: Howard M. SIMON. Владелец: Rejuvenation Science, Inc.. Дата публикации: 2017-10-26.

Ensuring integrity of a displayed web page

Номер патента: US9811509B2. Автор: Thomas H. Gnech,Steffen Koenig,Oliver Petrik. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Fluorescence immunoassay device based on integration of photonic crystal and magnetic beads

Номер патента: US20220260490A1. Автор: Yang Chen,Wen-Syang Hsu,Ying-Bin Wang,Cheng-Sheng Huang,Lin-Yun Su. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2022-08-18.

Integration of plasma and hydrogen process with combined cycle power plant and steam reformers

Номер патента: EP3099397A1. Автор: Peter L. Johnson,Robert J. Hanson,Roscoe W. Taylor. Владелец: Monolith Materials Inc. Дата публикации: 2016-12-07.

System for monitoring the integrity of a roof

Номер патента: US12072263B2. Автор: Joseph C. COBB,Jeffrey CACIOPPO. Владелец: Ram Companies LLC. Дата публикации: 2024-08-27.

System, apparatus, and method for integration of facial nonverbal communication in extravehicular activity or space operations

Номер патента: US20240264441A1. Автор: Avner Bendheim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-08-08.

Systems and methods for testing the integrity of a virus removal filter

Номер патента: US12076721B2. Автор: Michael D. Brandt. Владелец: Asahi Kasei Bioprocess Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Integration of the virtual library system

Номер патента: US20110035415A1. Автор: Slavomir RYBAR. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-02-10.

Evaluating the integrity of a forward osmosis membrane using transmembrane pressure

Номер патента: US20240246037A1. Автор: Christian Vartia. Владелец: GAMBRO LUNDIA AB. Дата публикации: 2024-07-25.

Pharmaceutical Composition and Method for Improving Biomechanical Integrity of the Pelvic Floor

Номер патента: US20240238233A1. Автор: Peter Takacs. Владелец: Fempharma LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Systems, methods, apparatuses, and computer program products for facilitating integration of third party technology with a database

Номер патента: WO2013003175A1. Автор: Steven Scott GUILFORD. Владелец: Guilford Steven Scott. Дата публикации: 2013-01-03.

Device and method for testing the mechanical integrity of cartridges for liquid medicaments

Номер патента: EP3177903A1. Автор: Michael Fischer,Jasmin Groeschke,Hanno Juhnke,Jan-Peter Spengler,Matthias Scharf,Michael Schrack,Olaf Zeckai. Владелец: Sanofi Aventis Deutschland GmbH. Дата публикации: 2017-06-14.

Searchable integration of geospatial based information with captured images during worksite operations

Номер патента: US20240344299A1. Автор: Travis J. Davis. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 2024-10-17.

Searchable integration of geospatial based information with captured images during worksite operations

Номер патента: EP4445709A1. Автор: Travis J. Davis. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 2024-10-16.

Method and system for testing the integrity of filters

Номер патента: US20240319064A1. Автор: Kirit CHATTERJEE. Владелец: SARTORIUS STEDIM BIOTECH GMBH. Дата публикации: 2024-09-26.

Methods and apparatus to verify the integrity of a model

Номер патента: US20240330466A1. Автор: Mona Vij,Cory CORNELIUS,Marcin Spoczynski,Anjo Lucas Vahldiek-Oberwagner,Marcin Andrzej Chrapek,Scott Douglas Constable. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

End-to-end integration of dialog history for spoken language understanding

Номер патента: US12119008B2. Автор: Samuel Thomas,Hong-Kwang Kuo,Brian E. D. Kingsbury,Vishal Sunder,Jatin Ganhotra,Eric Fosler-Lussier. Владелец: Ohio State University. Дата публикации: 2024-10-15.

Safety device for monitoring the integrity of a train assembly

Номер патента: WO2024219970A2. Автор: Maarten Matthijs BURGHOUT,Jeroen LEBOUILLE. Владелец: Ricardo Nederland Bv. Дата публикации: 2024-10-24.

Apparatus and methods for testing the integrity of containment sumps

Номер патента: US20180372578A1. Автор: Daniel W. Brevard. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-12-27.

Diagnostic system and method for testing integrity of stack during ultrasonic welding

Номер патента: US09981337B2. Автор: John Massa,William P. Simon,James A. Markus. Владелец: Sonics and Materials Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Apparatus and method for checking the integrity of visual display information

Номер патента: US09958318B2. Автор: Michael Staudenmaier,Vincent Aubineau,Wilhard Von Wendorff. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Methods for evaluating the integrity of a uterine cavity

Номер патента: US09883907B2. Автор: Csaba Truckai,Robin Bek,Dominique Filloux,Akos Toth,Tejas N. Mazmudar. Владелец: Minerva Surgical Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Facilitating integrity of telemetry connectivity between an implantable device and a remote device

Номер патента: US09833628B2. Автор: Bo Zhang,Gary P. Kivi,Matthew R. Yoder,Richard A. Sanden. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2017-12-05.

Methods for evaluating the integrity of a uterine cavity

Номер патента: US09788890B2. Автор: Csaba Truckai,Robin Bek,Dominique Filloux,Akos Toth,Tejas N. Mazmudar. Владелец: Minerva Surgical Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Apparatus for evaluating the integrity of a uterine cavity

Номер патента: US09775542B2. Автор: Akos Toth. Владелец: Minerva Surgical Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Magnetic resonance imaging with switched-mode current-source amplifier having gallium nitride field effect transistors for parallel transmission in MRI

Номер патента: US09747789B2. Автор: Michael Twieg,Mark Griswold. Владелец: CASE WESTERN RESERVE UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-08-29.

Method and apparatus for monitoring operational integrity of a sensor and processing chain

Номер патента: US12130314B2. Автор: Michael Homann,Matthias Krings. Владелец: IAV GMBH INGENIEURGESELLSCHAFT AUTO UND VERKEHR. Дата публикации: 2024-10-29.

Unit and method for monitoring an integrity of a signal path, signal processing system and sensor system

Номер патента: US09678138B2. Автор: Friedrich Rasbornig,Kirk Herfurth,Bernhard Forster,Christoph Schroers,Mihai Alexandru Ionescu. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-13.

Methods and systems for evaluating the integrity of a uterine cavity

Номер патента: US09655557B2. Автор: Robin Bek,Dominique Filloux,Akos Toth. Владелец: Minerva Surgical Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Seamless integration of non-native windows with dynamically scalable resolution into host operating system

Номер патента: US09588657B1. Автор: Alexander G. Tormasov,Serguei M. Beloussov,Alexander V. Grechishkin,Alexey B. Koryakin,Nikolay N. Dobrovolskiy,Andrey A. Omelyanchuk,Sergei Malykhin. Владелец: PARALLELS IP HOLDINGS GMBH. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for monitoring the integrity of a flexible line extending through a fluid exploitation facility, and associated flexible line, kit and production process

Номер патента: US09588074B2. Автор: Frédéric Demanze. Владелец: Technip France SAS. Дата публикации: 2017-03-07.

Process and machinery for integration of discrete parts into composite containers

Номер патента: US09574307B2. Автор: Dennis E. Schramm,Romeo Graham,Julie Corbett,Robert Watters,Michael Sirois,Luc Boucher,Ken KLIPPENSTEIN. Владелец: Eco Logic Brands Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Systems and methods for integration of a positron emission tomography (PET) detector with a computed-tomography (CT) gantry

Номер патента: US09560970B2. Автор: Chad Allan Smith,Timothy Patrick Rose,Michael D. Maki. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-02-07.

Methods, apparatus, and computer programs for verifying the integrity of a probe

Номер патента: US09464317B2. Автор: William McMillan,Stanley H. Sakai. Владелец: Cepheid. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of producing sensitive elements based on silicon-carbon composites and making gas sensors based thereon

Номер патента: RU2732802C1. Автор: Наталья Васильевна Меньшутина,Мария Геннадьевна Гордиенко,Ирина Сергеевна Бриллиантова,Дмитрий Давидович Белоус,Павел Юрьевич Циганков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Российский химико-технологический университет имени Д.И. Менделеева" (РХТУ им. Д.И. Менделеева). Дата публикации: 2020-09-22.

Sintered refractory block based on silicon carbide with silicon nitride binder

Номер патента: RU2395477C9. Автор: Эрик ЖОРЖ,Оливье Маргюэн. Владелец: Сен-Гобен Сантр Де Решерш Э Д'Этюд Эропен. Дата публикации: 2010-10-10.

Recovery of gallium/rare earth values from oxide mixtures thereof

Номер патента: US4927609A. Автор: Alain Leveque,Michel Triollier. Владелец: Rhone Poulenc Industries SA. Дата публикации: 1990-05-22.

Process of extraction of gallium from aqueous solutions thereof

Номер патента: US4965054A. Автор: Roy G. Lewis. Владелец: Henkel Corp. Дата публикации: 1990-10-23.

High temperature electrical contact for Peltier-induced liquid phase epitaxy on intermetallic III-V compounds of gallium

Номер патента: US3993511A. Автор: Joseph John Daniele. Владелец: North American Philips Corp. Дата публикации: 1976-11-23.

Method of preparing a solution of gallium 68 from germanium 68

Номер патента: US4333911A. Автор: Bernard Maziere,Dominique Comar,Christian Loc'h. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1982-06-08.

METHOD FOR GROWING BETA PHASE OF GALLIUM OXIDE (β-Ga2O3) SINGLE CRYSTALS FROM THE MELT CONTAINED WITHIN A METAL CRUCIBLE

Номер патента: WO2016110385A1. Автор: Zbigniew GALAZKA,Reinhard Uecker,Matthias Bickermann,Detlef Klimm. Владелец: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.. Дата публикации: 2016-07-14.

Systems and methods for integration of thin film optical materials in silicon photonics

Номер патента: CA3239358A1. Автор: Ping Piu Kuo. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-06-08.

System for maintaining integrity of a dry pipe system with heated cabinet and flow restrictor valve

Номер патента: EP3925674A3. Автор: Bentley F. Gleeson,James P. Mchugh,Michael B. Ferrucci,George J. McHUGH IV. Владелец: AGF Manufacturing Inc. Дата публикации: 2022-04-27.

High-throughput testing and module integration of rotationally variant optical lens systems

Номер патента: US20230073048A1. Автор: Fei Liu,Chadwick Brian Martin,Di XU. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2023-03-09.

Method and system for determining the integrity of auditory nerve fibers and synapses

Номер патента: EP4099907A1. Автор: Sarah Verhulst,Viacheslav Vasilkov. Владелец: Universiteit Gent. Дата публикации: 2022-12-14.

Method and system for determining the integrity of auditory nerve fibers and synapses

Номер патента: CA3164535A1. Автор: Sarah Verhulst,Viacheslav Vasilkov. Владелец: Universiteit Gent. Дата публикации: 2021-08-12.

Method and system for determining the integrity of auditory nerve fibers and synapses

Номер патента: AU2021216121A1. Автор: Sarah Verhulst,Viacheslav Vasilkov. Владелец: Universiteit Gent. Дата публикации: 2022-08-04.

Method and apparatus for automated bi-directional integration of peripheral data sources for a production tool

Номер патента: WO2005008413A3. Автор: Tim Robinson,Ron Hadar,Gerhard Rupp,John Alexander Smith,Lior Landesmann,Brent Elliot,Uzi Lev-Ami,Mark Attwood,Bernhard Schimunek. Владелец: Bernhard Schimunek. Дата публикации: 2005-05-12.

Device for testing the integrity of a signalling line

Номер патента: WO2012125030A1. Автор: Willemjan Johannes JONKMAN. Владелец: Astrea Intellectueel Eigendomsrecht B.V.. Дата публикации: 2012-09-20.

System for maintaining integrity of a dry pipe system with heated cabinet and flow restrictor valve

Номер патента: US20210370114A1. Автор: Bentley F. Gleeson,James P. Mchugh,George J. Mchugh, Iv,Michael B. Ferrucci. Владелец: AGF Manufacturing Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

End-to-end integration of disparate data systems in claims processing

Номер патента: US20240257260A1. Автор: Ashish Patel,Nicole Blohm,Merlyn Evans. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Device for testing the integrity of a signalling line

Номер патента: EP2686838A1. Автор: Willemjan Johannes JONKMAN. Владелец: ASTREA INTELLECTUEEL EIGENDOMSRECHT BV. Дата публикации: 2014-01-22.

Care and/or makeup composition comprising a silicone elastomer containing carboxylic acid functions and a copolymer based on silicone resin and on silicone of dimethiconol type

Номер патента: EP4401704A1. Автор: Guillaume Kergosien,Kévin DU. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2024-07-24.

Systems and methods for providing backup storage and verifying the integrity of backup files

Номер патента: WO2022146607A3. Автор: Stuart Christopher Marshall. Владелец: Verified Backups LLC. Дата публикации: 2022-08-25.

Systems and methods for providing backup storage and verifying the integrity of backup files

Номер патента: WO2022146607A2. Автор: Stuart Christopher Marshall. Владелец: Verified Backups LLC. Дата публикации: 2022-07-07.

Systems and methods for providing backup storage and verifying the integrity of backup files

Номер патента: EP4256445A2. Автор: Stuart Christopher Marshall. Владелец: Verified Backups LLC. Дата публикации: 2023-10-11.

Coating for inspecting the internal integrity of a structure and vehicle including same

Номер патента: US20170173629A1. Автор: Mikhail Zheludkevich,Sophie Senani,Mario Ferreira,Joao Tedim,Sylvere BARUT,Frederico MAIA. Владелец: UNIVERSIDADE DE AVEIRO. Дата публикации: 2017-06-22.

Care and/or makeup composition comprising a silicone elastomer containing carboxylic acid functions and a copolymer based on silicone resin and on silicone of dimethiconol type

Номер патента: US20240358622A1. Автор: Guillaume Kergosien,Kévin DU. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2024-10-31.

Integration of web information architecture taxonomy and web metrics taxonomy

Номер патента: US09971841B2. Автор: Tracy H. Wallman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Integration of non-woody biorefining at pulp and paper plants

Номер патента: US09856605B2. Автор: Theodora Retsina. Владелец: API Intellectual Property Holdings LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Method and apparatus for preserving structural integrity of 3-dimensional models when printing at varying scales

Номер патента: US09817388B2. Автор: Abhishek Kumar,Mayur Hemani,Naveen Prakash Goel. Владелец: Adobe Systems Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Method and system for ensuring integrity of critical data

Номер патента: US09710313B2. Автор: Christian Reynolds Decker,Troy Stephen Brown. Владелец: GE AVIATION SYSTEMS LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Signalling method and device for controlling integrity of structures

Номер патента: RU2559704C2. Автор: Максим Владимирович Сомов. Владелец: Максим Владимирович Сомов. Дата публикации: 2015-08-10.

Method for monitoring integrity of gemstone crystals in processes of technological processing

Номер патента: RU2656032C1. Автор: Владимир Александрович Карнацкий,Игорь Викторович Макарский,Дмитрий Николаевич Никитин,Лариса Геннадьевна Тарасова. Владелец: Акционерная Компания "АЛРОСА" (публичное акционерное общество) (АК "АЛРОСА" (ПАО)). Дата публикации: 2018-05-30.

Apparatus for checking integrity of cores of cable-harness products

Номер патента: RU2733333C1. Автор: Михаил Валерьевич Назаров,Владимир Алексеевич Непомнящий. Владелец: Акционерное общество "Военно-промышленная корпорация "Научно-производственное объединение машиностроения". Дата публикации: 2020-10-01.

Method for calculating the dose of haematopoiesis precursor cells in a leukocytapheresis product by taking into account the change in the integrity of cell membranes during storage

Номер патента: RU2723164C1. Автор: Андрей Александрович Костяев,Филипп Сергеевич Шерстнев,Юлия Сергеевна Змеева,Наталья Васильевна Исаева,Наталья Викторовна Минаева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки "Кировский научно-исследовательский институт гематологии и переливания крови Федерального медико-биологического агентства". Дата публикации: 2020-06-09.

Catalyst based on tantalum deposited on silicon oxide for converting ethanol to butadiene

Номер патента: RU2726116C2. Автор: Александра ШОМОННО,Николя КАДРАН. Владелец: Ифп Энержи Нувелль. Дата публикации: 2020-07-09.

Composition based on zirconium oxide, titanium oxide or mixed zirconium and titanium oxide, deposited on silicon oxide support, methods of producing said composition and use thereof as catalyst

Номер патента: RU2448908C1. Автор: Симон ИФРА,Стефан ВЕРДЬЕ,Гийом КРИНЬЕР,КОЭЛЬО МАРКЕШ Руй ЖОРЖЕ. Владелец: Родиа Операсьон. Дата публикации: 2012-04-27.

Method of producing porous material based on silicon nitride

Номер патента: RU2736195C1. Автор: Владимир Николаевич Манжай,Мария Сергеевна Фуфаева,Константин Александрович Болгару. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Томский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук (ТНЦ СО РАН). Дата публикации: 2020-11-12.

Method of making ceramics based on silicon nitride - titanium nitride composite

Номер патента: RU2697987C1. Автор: Дмитрий Дмитриевич Титов,Антон Сергеевич Лысенков,Марианна Геннадьевна Фролова,Юрий Федорович Каргин,Константин Александрович Ким,Светлана Николаевна Ивичева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2019-08-21.

Composition, based on zirconium oxide, titanium oxide or mixed zirconium and titanium oxide, applied on silicon oxide carrier, methods of obtaining thereof, applying thereof and applying thereof as catalyst

Номер патента: RU2531306C2. Автор: Симон ИФРА,Стефан ВЕРДЬЕ,Гийом КРИНЬЕР,КОЭЛЬО МАРКЕШ Руй ЖОРЖЕ. Владелец: Родиа Операсьон. Дата публикации: 2014-10-20.

Hybrid integration of active and passive optical components on an si-board

Номер патента: CA2378972A1. Автор: Jochen F. Kuhmann,Mogens Rysholt Poulsen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-01-25.

A process for fabricating an optical device in a silicon substrate

Номер патента: CA2323683C. Автор: Ya-Hong Xie,Joseph Shmulovich,Allan James Bruce,Alexei Glebov. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2006-06-06.

Tracking power supply for ac and dc corotrons

Номер патента: CA1123481A. Автор: John Hartman,Donald J. Weikel, Jr.. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1982-05-11.

Pre-coated steel sheet with aluminum or aluminum alloy pre-coating, manufacturing method and hot stamped components

Номер патента: US20240026513A1. Автор: Shu Zhou,Xiaochuan XIONG,Hongliang Yi,Zeran HOU. Владелец: Ironovation Materials Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Long signal integration of multiple velocity hypotheses

Номер патента: US11846701B1. Автор: Amnon Jonas,Oded Bialer. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2023-12-19.

Gallium nitride crystal, gallium nitride substrate, and method for producing gallium nitride crystal

Номер патента: US20240191395A1. Автор: Yutaka Mikawa,Kouhei KURIMOTO,Quanxi Bao. Владелец: Japan Steel Works Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Long signal integration of multiple velocity hypotheses

Номер патента: US20230393260A1. Автор: Amnon Jonas,Oded Bialer. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2023-12-07.

Saltcore for die-casting with aluminum and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180178271A1. Автор: Ji-Yong Lee,Cheol-Ung Lee. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2018-06-28.

Process for the production of mouldings from materials based on silicon nitride

Номер патента: WO1982004245A1. Автор: Robert Pompe. Владелец: Robert Pompe. Дата публикации: 1982-12-09.

Crystal growth method of gallium nitride, gallium nitride substrate, and manufacturing method thereof

Номер патента: JP2006066496A. Автор: 健作 元木,Kensaku Motoki,成二 中畑,龍 弘田,Takuji Okahisa,Seiji Nakahata,Koji Uematsu,拓司 岡久,康二 上松,Tatsu Hirota. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2006-03-09.

Ultrafine gallium nitride powder preparation method

Номер патента: RU2319667C1. Автор: Александр Александрович Громов,Александр Андреевич Дитц,Юли Игоревна Строкова,Юлия Игоревна Строкова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский политехнический университет. Дата публикации: 2008-03-20.

Group iii nitride photonic devices on silicon carbide substrates with conductive buffer interlayer structure

Номер патента: CA2493503C. Автор: John Adam Edmond,Hua-Shuang Kong,Kathleen Marie Doverspike,Michelle Turner Leonard. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-11-29.

CONTROLLER FOR AC ROTARY MACHINE

Номер патента: US20120001573A1. Автор: . Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of obtaining gallium nitride

Номер патента: RU2516404C2. Автор: Александр Петрович Амосов,Юрий Михайлович Марков,Георгий Владимирович Бичуров,Людмила Александровна Шиганова,Дамир Ленарович Тазиев,Юлия Владимировна Титова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Самарский государственный технический университет". Дата публикации: 2014-05-20.

Formation technique of ultrahard alloyed carbonic coating on silicon in vacuum

Номер патента: RU2342468C1. Автор: Марина Евгеньевна Галкина,Александр Яковлевич Колпаков,Ольга Вениаминовна Сафронова,Ирина Васильевна Суджанска,Ирина Васильевна Суджанская. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Белгородский государственный университет". Дата публикации: 2008-12-27.

SYSTEM AND METHOD FOR OPERATING RFID DEVICES ON SINGLE-USE CONNECTORS

Номер патента: US20120001731A1. Автор: . Владелец: GE HEALTHCARE BIOSCIENCE BIOPROCESS CORP.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for precipitation of monocrystalline film of cubic boron nitride on semi-conductor silicon substrate

Номер патента: RU2572503C1. Автор: Олег Рауфович Абдуллаев,Михаил Валерьевич Меженный,Леонид Владимирович Гаршенин. Владелец: Открытое акционерное общество "Оптрон". Дата публикации: 2016-01-10.

Method of making silicon carbide films on silicon substrate

Номер патента: RU2341847C1. Автор: Елена Николаевна Федорова,Валентин Михайлович Иевлев,Сергей Владимирович Канныкин,Сергей Борисович Кущев,Сергей Анатольевич Солдатенко,Николай Владимирович Черников. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2008-12-20.

Method of growing epitaxial europium monoxide films on silicon

Номер патента: RU2557394C1. Автор: Петр Евгеньевич Тетерин,Дмитрий Валерьевич Аверьянов,Вячеслав Григорьевич Сторчак,Юрий Григорьевич Садофьев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2015-07-20.

Substrate for growing gallium arsenide epitaxial layers

Номер патента: RU2308784C1. Автор: Сабир Абенович Айтхожин. Владелец: ИНСТИТУТ РАДИОТЕХНИКИ И ЭЛЕКТРОНИКИ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (ИРЭ РАН). Дата публикации: 2007-10-20.

METHOD OF OBTAINING CONVERTER OF VACUUM ULTRAVIOLET RADIATION INTO VISIBLE RANGE RADIATION IN FORM OF AMORPHOUS SILICON OXIDE SiOX FILM ON SILICON SUBSTRATE

Номер патента: RU2534173C2. Автор: Всеволод Семенович Кортов,Анатолий Федорович Зацепин,Евгений Александрович Бунтов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2014-11-27.

Tin ion-implanted silicon oxide film on silicon substrate

Номер патента: RU2535244C1. Автор: Всеволод Семенович Кортов,Анатолий Федорович Зацепин,Евгений Александрович Бунтов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2014-12-10.

High-voltage gallium nitride high-electron mobility transistor

Номер патента: RU2534002C1. Автор: Николай Иванович Каргин,Роман Валериевич Рыжук,Руслан Иванович Иванов,Павел Игоревич Блинов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2014-11-27.

Sealing of oled hardware and oled micro display built around silicon substrate with help of vitreous paste

Номер патента: RU2594958C2. Автор: Владимир Игоревич Иванов,Николай Николаевич Усов,Александр Вадимович Нуриев,Борис Афанасьевич Кондрацкий,Олег Алексеевич Грачев,Людмила Александровна Костышина,Мария Владимировна Маркелова,Анатолий Анатольевич Морозов. Владелец: Открытое акционерное общество Центральный научно-исследовательский институт "ЦИКЛОН". Дата публикации: 2016-08-20.

Substrate for growing epitaxial layers of gallium arsenide

Номер патента: RU2489533C1. Автор: Юрий Шарапутдинович Темиров,Сабир Абенович Айтхожин,Камил Сайпуевич Щамхалов. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН. Дата публикации: 2013-08-10.

Cvd-reactor and method of synthesis of hetero-epitaxial films of silicon carbide on silicon

Номер патента: RU2394117C2. Автор: Борис Михайлович Синельников,Виталий Алексеевич Тарала,Иван Сергеевич Митченко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью научно-производственная фирма "Эпикрист". Дата публикации: 2010-07-10.

Formation of III-V Based Devices on Semiconductor Substrates

Номер патента: US20120001239A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,KO Chih-Hsin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing heteroepitaxial silicon carbide films on silicon substrate

Номер патента: RU2521142C2. Автор: Шихгасан Муфтялиевич Рамазанов,Гусейн Муфтялиевич Рамазанов,Газимагомед Убайдулаевич Газимагомедов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "СИКЛАБ". Дата публикации: 2014-06-27.

Method of preparing thin-film metal structure of tungsten on silicon

Номер патента: RU2375785C1. Автор: Геннадий Михайлович Михайлов,Светлана Всеволодовна Плющева,Сергей Юрьевич Шаповал,Александра Викторовна Андреева,Геннадий Михайлович Михайлов (RU),Светлана Всеволодовна Плющева (RU),Сергей Юрьевич Шаповал (RU),Александра Викторовна Андреева (RU). Владелец: Учреждение Российской Академии наук Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов. Дата публикации: 2009-12-10.

Fabrication of nanoboulders on silicon surfaces

Номер патента: NZ523921A. Автор: Andreas Markwitz. Владелец: Inst Of Geol & Nuclear Science. Дата публикации: 2005-08-26.

Seamless Integration of Multi-GPU Rendering

Номер патента: US20120001905A1. Автор: . Владелец: ATI Technologies, ULC. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of verification of integrity of earthed thermoelectric couples during heat resistance tests of structures and measurement information system for its implementation (versions)

Номер патента: RU2538046C1. Автор: Вячеслав Васильевич Шевчук,Евгений Георгиевич Зубов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный аэрогидродинамический институт имени профессора Н.Е. Жуковского" (ФГУП "ЦАГИ"). Дата публикации: 2015-01-10.

Method for continuous monitoring of integrity of aircraft at all flight phases thereof

Номер патента: RU2542746C2. Автор: Вячеслав Владимирович Воронин,Владимир Андреевич Морковкин,Александр Геннадьевич Нечаенко,Владислав Витольдович Бейнарович,Виктор Александрович Обуховец. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС"). Дата публикации: 2015-02-27.

METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE WAFER

Номер патента: US20120003824A1. Автор: Lee Ho-jun,KIM Yong-Jin,Lee Dong-Kun,Kim Doo-Soo,Lee Kye-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of determining integrity of high-precision navigation determinations of consumer and system therefor

Номер патента: RU2577846C1. Автор: Владимир Викторович Куршин,Андрей Владимирович Молоканов. Владелец: Открытое акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (ОАО "Российские космические системы"). Дата публикации: 2016-03-20.

Process of manufacture of contacts of integrated circuits based on silicon

Номер патента: RU2034364C1. Автор: В.А. Хрусталев,А.И. Мочалов,Д.Г. Громов,В.П. Пугачевич,А.А. Азаров. Владелец: Московский институт электронной техники. Дата публикации: 1995-04-30.

Substrate for growing epitaxial layers of gallium arsenide

Номер патента: RU2209260C2. Автор: С.А. Айтхожин. Владелец: Институт радиотехники и электроники РАН (Фрязинское отделение). Дата публикации: 2003-07-27.

Method of gallium oxide production

Номер патента: RU2354611C1. Автор: Георгий Георгиевич Кознов,Елена Евгеньевна Кознова,Елена Георгиевна Кознова. Владелец: Елена Георгиевна Кознова. Дата публикации: 2009-05-10.

Method for flaw inspection of silicon dioxide films on silicon substrates

Номер патента: RU2127927C1. Автор: В.Д. Скупов,В.К. Смолин,В.В. Лашманов. Владелец: Научно-исследовательский институт измерительных систем. Дата публикации: 1999-03-20.

Method of obtaining big-volume monocrystals of gallium antimonide with low dislocation density

Номер патента: RU2534106C1. Автор: Вадим Сергеевич Ежлов,Алла Георгиевна Мильвидская,Елена Владимировна Молодцова. Владелец: Открытое акционерное общество "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности ОАО "Гиредмет". Дата публикации: 2014-11-27.

Device for damaging integrity of bone

Номер патента: RU2321896C1. Автор: Наталь Виловна Петровска,Наталья Виловна Петровская,Эдуард Валентович Бурлаков,Дмитрий Владимирович Алатов,Сергей Александрович Ерофеев,Евгений Анатольевич Наумов. Владелец: Федеральное государственное учреждение науки "Российский научный центр "Восстановительная травматология и ортопедия" имени академика Г.А. Илизарова Федерального агентства по здравоохранению и социальному развитию". Дата публикации: 2008-04-10.

Device for controlling field integrity of navigation space vehicles

Номер патента: RU2636386C1. Автор: Виктор Вениаминович Бельтюков,Анатолий Иванович Гладышев,Станислав Викторович Бельтюков. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ КАЗЕННОЕ ВОЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Военная академия Ракетных войск стратегического назначения имени Петра Великого" МИНИСТЕРСТВА ОБОРОНЫ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ. Дата публикации: 2017-11-23.

Method for real-time monitoring of integrity of navigation field of global navigation satellite system

Номер патента: RU2584091C1. Автор: Сергей Васильевич Стрельников,Галина Геннадьевна Родионова. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военная академия Ракетных войск стратегического назначения имени Петра Великого" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2016-05-20.

Process of control over composition of gallium-containing zeolite catalyst for aromatization of hydrocarbons c3- c4

Номер патента: RU2043626C1. Автор: Ю.И. Малов,Б.Л. Воробьев,Ю.Н. Кошелев,Е.П. Хворова,А.А. Харченко. Владелец: Товарищество с ограниченной ответственностью Научно-производственное объединение "Ленар". Дата публикации: 1995-09-10.

COORDINATED INTEGRATION OF SECONDARY WIRELESS COMMUNICATION TERMINALS INTO A PRIMARY WIRELESS COMMUNICATION NETWORK

Номер патента: US20120002644A1. Автор: Rost Peter,Fettweis Gerhard,Nitzold Walter. Владелец: Vodafone Holding GmbH. Дата публикации: 2012-01-05.

Process for extraction of gallium from sodium

Номер патента: CA1054801A. Автор: Boris A. Smirnov,Askar M. Kunaev,Igor V. Prokopov,Salavat I. Turakbaev,Turar B. Tursunbaev,Viktor N. Vasiliev,Elizaveta I. Ponomareva,Tatyana D. Ostapenko,Galina A. Ivanova,Evgeny N. Bespalov,Viktor D. Ponomarev,Gennady A. Romanov,Boris S. Povazhny,Elena L. Shalavina,Arkady I. Zazubin. Владелец: PAVLODARSKY ALJUMINIEVY ZAVOD IMENI 50-LETIA SSSR. Дата публикации: 1979-05-22.

Method for local nanocrystallisation of gallium-containing oxide glass

Номер патента: RU2550622C1. Автор: Владимир Николаевич Сигаев,Алексей Сергеевич Липатьев,Николай Михайлович Лепехин,Юрий Степанович Присеко,Сергей Викторович Лотарев,Никита Владиславович Голубев,Елена Сергеевна Игнатьева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский химико-технологический университет им. Д.И. Менделеева (РХТУ им. Д.И. Менделеева). Дата публикации: 2015-05-10.

METHOD OF OBTAINING FIRE-PROOF MATERIAL BASED ON SILICON BETA-NITRIDE β-Si3N4

Номер патента: RU2490232C1. Автор: Игорь Михайлович Шатохин,Мансур Хузиахметович Зиатдинов. Владелец: Мансур Хузиахметович Зиатдинов. Дата публикации: 2013-08-20.

Method of monitoring emergency situations based on integration of computer and information components of grid system

Номер патента: RU2569568C1. Автор: Сергей Владимирович Иванов,Юрий Иванович Нечаев,Александр Валерьевич Бухановский,Сергей Валерьевич Ковальчук,Петрус Мария Арнолдус Слоот. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО). Дата публикации: 2015-11-27.

Method of producing refractory material based on silicon carbide and silicon

Номер патента: RU2439032C1. Автор: Сергей Викторович Дигонский,Виталий Вячеславович Тен. Владелец: Виталий Вячеславович Тен. Дата публикации: 2012-01-10.

Method of improving integrity of used navigation satellite signals using local monitoring and correction station (lmcs) based on anomalous ionospheric effect

Номер патента: RU2542326C1. Автор: Олег Иванович Завалишин. Владелец: Олег Иванович Завалишин. Дата публикации: 2015-02-20.

Recovery of gallium oxide from solutions

Номер патента: CA1042628A. Автор: Harry C. Snyder (Jr.). Владелец: Aluminum Company Of America. Дата публикации: 1978-11-21.

Underwater storage tank, system of assessing the physical integrity of an underwater tank, method for detecting a loss of physical integrity of an underwater storage tank.

Номер патента: OA20649A. Автор: Sandro Matterazzo,Yvan Albani. Владелец: SAIPEM S.p.A.. Дата публикации: 2022-12-28.

Pig for deoxidation of steel with aluminum

Номер патента: RU2152440C1. Автор: Ю.М. Маматов,Н.С. Анашкин,Н.А. Козырев,С.Н. Хитрых,А.П. Некрасов. Владелец: Акционерное общество "Кузнецкий металлургический комбинат". Дата публикации: 2000-07-10.

METHOD FOR MICROWAVE PLASMA FORMATION OF CUBIC SILICON CARBIDE FILMS ON SILICON (3C-SiC)

Номер патента: RU2538358C1. Автор: Петр Павлович Мальцев,Юрий Владимирович Федоров,Виталий Васильевич Аристов,Сергей Викторович Редькин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН). Дата публикации: 2015-01-10.

Method of outer corner over-etching compensation in figures etched on silicon plates with surface orientation (100)

Номер патента: RU2331137C1. Автор: Вадим Николаевич Лапенко,Сергей Петрович Тимошенков,Валерий Федорович Шилов,Юрий Александрович Чаплыгин,Владимир Николаевич Максимов,Елена Сергеевна Морозова,Вадим Григорьевич Рубчиц,Вячеслав Евгеньевич Плеханов,Виктор Владимирович Калугин,Степан Александрович Анчутин,В чеслав Евгеньевич Плеханов,Сергей Александрович Зотов,Олег Михайлович Бритков,Владимир Николаевич Балычев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет). Дата публикации: 2008-08-10.

Method of controlling integration of contextual advertising and video and system for implementing said method

Номер патента: RU2495492C2. Автор: Артур Флюрович Гареев,Александр Николаевич Зевайкин. Владелец: Александр Николаевич Зевайкин. Дата публикации: 2013-10-10.

Method for control of power and design of resistance converter for ac electric machines

Номер патента: RU2388136C2. Автор: Татьяна Леонидовна Алексеева,Ксения Павловна Рябченок,Леонид Алексеевич Астраханцев. Владелец: Леонид Алексеевич Астраханцев. Дата публикации: 2010-04-27.

Method of control over integrity of current conducting coat on dielectric material

Номер патента: RU2504730C1. Автор: Владимир Васильевич Прокофьев,Александр Иванович Никонов,Александр Сергеевич Самсонов,Александр Николаевич Филатов,Роман Александрович Помельников. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Самарский государственный технический университет (ФГБОУ ВПО "СамГТУ"). Дата публикации: 2014-01-20.

Method of trusted integration of active network hardware control systems with distributed computer systems and system to this end

Номер патента: RU2557482C2. Автор: Дмитрий Петрович Зегжда,Максим Олегович Калинин,Артем Станиславович Коноплев. Владелец: ООО "НеоБИТ". Дата публикации: 2015-07-20.

Chiropractic tool for manual integration of muscle tissue

Номер патента: CA143256S. Автор: . Владелец: SCOTT D HOWITT. Дата публикации: 2012-06-28.

Method for presorting of cmos chips made on silicon-on-insulator structures, by resistance to radiation effect

Номер патента: RU2364880C1. Автор: Александр Юрьевич Никифоров,Виталий Арсеньевич Телец,Игорь Борисович Яшанин,Георгий Георгиевич Давыдов,Андрей Юлиевич Седаков,Армен Вагоевич Согоян,Алексей Владимирович Скобелев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2009-08-20.

Design of sensitive element of pressure converter based on silicon-on-insulator structure

Номер патента: RU2474007C1. Автор: Игорь Валерьевич Годовицын. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Учреждение "Научно-Производственный Комплекс "Технологический Центр" Миэт". Дата публикации: 2013-01-27.

Method for chemicodynamic treatment of gallium arsenide wafers

Номер патента: RU2045108C1. Автор: В.П. Гаранин,В.Г. Гарипов,Н.И. Шмелев. Владелец: Научно-исследовательский институт молекулярной электроники. Дата публикации: 1995-09-27.

Dopand material based on silicon nitride and method of its production

Номер патента: RU2218440C2. Автор: М.Х. Зиатдинов. Владелец: Зиатдинов Мансур Хузиахметович. Дата публикации: 2003-12-10.

Method for manufacturing self-aligning planar two-gate mos transistor on silicon-0n-insulator substrate

Номер патента: RU2312422C2. Автор: Евгений Васильевич Кузнецов,Александр Николаевич Сауров,Елена Николаевна Рыбачек. Владелец: Государственное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского государственного института электронной техники". Дата публикации: 2007-12-10.

Method and system for determining the integrity of a received signal

Номер патента: WO1997031425B1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1997-10-02.

Uninterrupted power supply source for ac loads

Номер патента: RU2426215C2. Автор: Георгий Александрович Жемчугов,Юрий Теодорович Портной,Лев Яковлевич Раскин,Лев Николаевич Седов,Владимир Григорьевич Яцук. Владелец: Федеральное космическое агентство Федеральное государственное унитарное предприятие НАУЧНО-ПРОИЗВОДСТВЕННОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ ВСЕРОССИЙСКИЙ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОМЕХАНИКИ С ЗАВОДОМ имени А.Г. ИОСИФЬЯНА НПП ВНИИЭМ. Дата публикации: 2011-08-10.

Process of steel killing with aluminum

Номер патента: RU2275431C2. Автор: Владимир Иванович Жучков,Олег Юрьевич Шешуков,Лариса Александровна Маршук,Сергей Валерьевич Виноградов. Владелец: Государственное Учреждение Институт металлургии Уральского отделения Российской Академии Наук (ГУ ИМЕТ УрО РАН). Дата публикации: 2006-04-27.

Method for desorption of gallium

Номер патента: RU2091161C1. Автор: Юрий Александрович Фомичев,Ольга Павловна Полякова,Александр Юрьевич Скворцов. Владелец: Николаевский глиноземный завод. Дата публикации: 1997-09-27.

Method to reject cmos microchips manufactured on silicon-on-insulator structures, by resistance to radiation exposure

Номер патента: RU2411527C1. Автор: Александр Юрьевич Никифоров,Виталий Арсеньевич Телец,Игорь Борисович Яшанин,Николай Николаевич Киселев,Георгий Георгиевич Давыдов,Вячеслав Викторович Маслов,Армен Вагоевич Согоян,Лев Анатольевич Синегубко. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2011-02-10.

Process of production of alloying material based on silicon nitride

Номер патента: RU2210615C1. Автор: В.А. Чернов,И.М. Шатохин,А.Д. Носов,М.Х. Зиатдинов. Владелец: Чернов Валерий Александрович. Дата публикации: 2003-08-20.

Manufacturing method of items from ceramic material by hot pressing based on silicon nitride

Номер патента: RU2443659C1. Автор: Георгий Юрьевич Сморчков,Анатолий Иванович Рачковский,Игорь Евгеньевич Вичканский,Валентина Павловна Белова. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" - Госкорпорация "Росатом". Дата публикации: 2012-02-27.

Method for Purification of Gallium from Impurities

Номер патента: GEP19981363B. Автор: David Tsivtsivadze,Batu Kutelia,Elgudja Kutelia,Paata Kervalishvili. Владелец: Elgudja Kutelia. Дата публикации: 1998-08-25.

METHODS AND COMPOSITIONS FOR DOPING SILICON SUBSTRATES WITH MOLECULAR MONOLAYERS

Номер патента: US20120003826A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Flux for welding steels coated with aluminum

Номер патента: RU2279342C2. Автор: Владимир Петрович Сидоров,Александр Иванович Ковтунов,В чеслав Александрович Лабзин,Вячеслав Александрович Лабзин,Тать на Владимировна Чермашенцева,Татьяна Владимировна Чермашенцева. Владелец: Негосударственное образовательное учреждение технический учебный центр "Спектр". Дата публикации: 2006-07-10.

Method of quantative evaluation of integration of functional systems of organism by value of coefficient of functional involvement

Номер патента: RU2357657C1. Автор: Марина Яковлевна Домрачева,Александр Анатольевич Домрачев,Валерий Серафимович Медведев. Владелец: Государственное общеобразовательное учреждение высшего профессионального образования "Красноярская государственная медицинская академия Федерального агентства по здравоохранению и социальному развитию". Дата публикации: 2009-06-10.

Ceramic material based on silicon carbide and nitride and method of manufacturing products from it

Номер патента: RU2511415C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Вадим Александрович Некрасов,Дмитрий Сергеевич Оболенский,Андрей Николаевич Фалькович. Владелец: Максим Вячеславович Бушуев. Дата публикации: 2014-04-10.

Method of producing through holes in silicon substrate

Номер патента: RU2525668C1. Автор: Дмитрий Алексеевич Пузанков,Руслан Ильфатович Давутов,Фаат Хасанович Вахитов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский национальный исследовательский технический университет им. А.Н. Туполева-КАИ" (КНИТУ-КАИ). Дата публикации: 2014-08-20.

Method to sort cmos microcircuit chips manufactured on silicon-on-insulator structures by radiation resistance

Номер патента: RU2444742C1. Автор: Игорь Борисович Яшанин,Алексей Владимирович Скобелев,Максим Николаевич Зубарев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2012-03-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.