Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Magnesium-lithium alloys composed of gallium or indium

Magnesium-lithium alloys composed of gallium or indium

Номер патента: US20240271253A1
Опубликовано: 15-08-2024
Автор(ы): David Wesley CHRISTIANSON, Michele V. Manuel
Принадлежит: University of Florida Research Foundation Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

A kind of Mg Li Al magnesium lithium alloys and its processing technology with anti-flammability

Номер патента: CN107435114A. Автор: 杨长江. Владелец: Guangzhou Xianzhi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Er-containing quasi-crystal reinforced magnesium-lithium alloy and preparation method thereof

Номер патента: CN108456814B. Автор: 吴国华,彭翔,刘文才,冀浩,魏广玲,欧阳思杰. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2020-09-04.

A kind of ultralight LA141 magnesium lithium alloy deep cooling roll process of high-strength plasticity

Номер патента: CN110295307A. Автор: 王阳,刘宏宇,张景怀,廖阳,巫瑞智,侯乐干. Владелец: Harbin Engineering University. Дата публикации: 2019-10-01.

A kind of quasi-crystalline substance reinforcing magnesium lithium alloy and preparation method thereof containing Er

Номер патента: CN108456814A. Автор: 吴国华,彭翔,刘文才,冀浩,魏广玲,欧阳思杰. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2018-08-28.

Magnesium-lithium alloy, rolled stock made of magnesium-lithium alloy, and processed product including magnesium-lithium alloy as material

Номер патента: US20180010218A1. Автор: Takayuki Goto,Ayako Miura. Владелец: Subaru Corp. Дата публикации: 2018-01-11.

Magnesium-lithium alloy, rolled material, formed article, and process for producing same

Номер патента: US09708700B2. Автор: Takayuki Goto,Shinji Namba,Yuji Tanibuchi,Kenki Kin,Takeki Matsumura,Shinichi Umino,Yukihiro Yokoyama. Владелец: Santoku Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Magnesium-lithium alloy, rolled material, molded article, and process for producing same

Номер патента: US9702033B2. Автор: Takayuki Goto,Shinji Namba,Kenki Kin,Takeki Matsumura,Shinichi Umino. Владелец: Santoku Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Multi-element microalloyed high-strength high-modulus two-phase magnesium-lithium alloy and preparation method thereof

Номер патента: CN114540686A. Автор: 杨兴海,苏辉,王俊升,薛程鹏,田光元. Владелец: Beijing Institute of Technology BIT. Дата публикации: 2022-05-27.

Superplastic semi-solid extrusion forming magnesium-lithium alloy and preparation method thereof

Номер патента: CN114855011A. Автор: 李建文,冯建平. Владелец: Taishan Zhongmei Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-08-05.

High-elongation soluble magnesium-lithium alloy material and preparation method thereof

Номер патента: CN113355570A. Автор: 王瑞,范佳,柴东朗,韩金强. Владелец: XI'AN SIFANG ULTRA-LIGHT MATERIALS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-07.

Preparation method for reinforced and toughened magnesium-lithium alloy

Номер патента: CN105950927A. Автор: 高强,梁伟,赵子龙,边丽萍,郝欣伟,叶哲,李线绒. Владелец: TAIYUAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-09-21.

Rolled material made of magnesium-lithium alloy, magnesium-lithium alloy, and work piece containing magnesium-lithium alloy as material

Номер патента: JP6768637B2. Автор: 崇之 後藤,後藤　崇之,理子 三浦. Владелец: Subaru Corp. Дата публикации: 2020-10-14.

MAGNESIUM-LITHIUM ALLOY, METHOD OF MANUFACTURING MAGNESIUM-LITHIUM ALLOY, AIRCRAFT PART, AND METHOD OF MANUFACTURING AIRCRAFT PART

Номер патента: US20160281200A1. Автор: MIURA Ayako. Владелец: FUJI JUKOGYO KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2016-09-29.

Magnesium-lithium alloy, rolled material, molded article, and process for producing same

Номер патента: CN102753714A. Автор: 金贤姬,松村健树,难波信次,海野真一,后藤崇之. Владелец: Santoku Corp. Дата публикации: 2012-10-24.

A kind of high strength magnesium lithium alloy and preparation method thereof containing Er

Номер патента: CN108315619A. Автор: 吴国华,彭翔,丁文江,刘文才,高占奎,冀浩,魏广玲. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2018-07-24.

Corrosion-resistant magnesium-lithium alloy

Номер патента: CN111020325A. Автор: 李华军,陈东初,常萌蕾,魏红阳,陆稼聪,田耕宇. Владелец: Foshan University. Дата публикации: 2020-04-17.

Magnesium-lithium alloy, rolled material, formed article, and process for producing same

Номер патента: WO2011030474A1. Автор: 賢姫 金,健樹 松村,信次 難波,真一 海野,後藤　崇之,裕司 谷渕,横山　幸弘. Владелец: 株式会社三徳. Дата публикации: 2011-03-17.

Magnesium-lithium alloy, rolled material, formed article, and process for producing same

Номер патента: CN102741436A. Автор: 金贤姬,松村健树,难波信次,海野真一,后藤崇之,谷渕裕司,横山幸弘. Владелец: Santoku Corp. Дата публикации: 2012-10-17.

Magnesium-lithium alloy, rolled materials and molded products

Номер патента: JP6794264B2. Автор: 崇之 後藤,後藤　崇之. Владелец: Santoku Corp. Дата публикации: 2020-12-02.

Improve the heat treatment process that long-range structural order mutually strengthens two-phase magnesium lithium alloy performance

Номер патента: CN107523770B. Автор: 韩恩厚,许道奎. Владелец: Institute of Metal Research of CAS. Дата публикации: 2019-06-07.

Preparation method of high-strength high-plasticity magnesium-lithium alloy based on high solid solution content

Номер патента: CN114807703A. Автор: 张舜,杜春林,巫瑞智,贾昊阳,靳思远,孙冬鹏,杨振钊. Владелец: Harbin Engineering University. Дата публикации: 2022-07-29.

Magnesium-lithium alloy, rolled material, molded article, and process for producing same

Номер патента: EP2476770A4. Автор: Takayuki Goto,Shinji Namba,Kenki Kin,Takeki Matsumura,Shinichi Umino. Владелец: Santoku Corp. Дата публикации: 2016-09-28.

Heat treatment method of magnesium-lithium alloy

Номер патента: CN115572926A. Автор: 汪娟,曾钢,周承伟,熊雯瑛,康心锴. Владелец: Aerospace Science And Industry Changsha New Materials Research Institute Co ltd. Дата публикации: 2023-01-06.

MAGNESIUM-LITHIUM ALLOY, ROLLED MATERIAL AND SHAPED ARTICLE

Номер патента: US20170369972A1. Автор: GOTO Takayuki. Владелец: SANTOKU CORPORATION. Дата публикации: 2017-12-28.

Refining flux for magnesium-lithium alloy and preparation method thereof

Номер патента: CN113174505B. Автор: 吴国华,丁文江,刘文才,徐仕豪,温璐. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2022-04-26.

Improved aluminium-magnesium-lithium alloys and methods for producing same

Номер патента: RU2665655C2. Автор: Ральф Р. СОТЕЛЛ,Роберто Дж. РИОДЖА,Дирк К. МУИ,Франсин БОВАРД. Владелец: Арконик Инк.. Дата публикации: 2018-09-03.

Magnesium-lithium alloys composed of gallium or indium

Номер патента: WO2023048784A3. Автор: Michele V. Manuel,David Wesley CHRISTIANSON. Владелец: UNIVERSITY OF FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC.. Дата публикации: 2023-08-17.

Magnesium-lithium alloys composed of gallium or indium

Номер патента: WO2023048784A2. Автор: Michele V. Manuel,David Wesley CHRISTIANSON. Владелец: UNIVERSITY OF FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC.. Дата публикации: 2023-03-30.

High-purity purification and high-homogenization casting method for magnesium alloy and magnesium-lithium alloy

Номер патента: CN111057890A. Автор: 李永军,张奎,李兴刚,袁家伟,马鸣龙,石国梁. Владелец: GRIMN Engineering Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-24.

Method for producing magnesium-lithium alloy by vacuum aluminothermic reduction

Номер патента: CN111286653B. Автор: 王耀武,王天,彭建平,狄跃忠. Владелец: Northeastern University China. Дата публикации: 2021-06-22.

Quasi-crystal reinforced cast magnesium-lithium alloy and preparation method thereof

Номер патента: CN110592449B. Автор: 王宏伟,邹鹑鸣,魏尊杰. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2021-05-04.

Magnesium-lithium alloy member, manufacturing method thereof, optical apparatus, imaging apparatus, electronic apparatus and mobile object

Номер патента: US20200190636A1. Автор: Jun-Ichi Sakamoto. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

MAGNESIUM-LITHIUM ALLOY, ROLLED STOCK MADE OF MAGNESIUM-LITHIUM ALLOY, AND PROCESSED PRODUCT INCLUDING MAGNESIUM-LITHIUM ALLOY AS MATERIAL

Номер патента: US20180010218A1. Автор: GOTO Takayuki,MIURA Ayako. Владелец: SUBARU CORPORATION. Дата публикации: 2018-01-11.

Magnesium-lithium alloy

Номер патента: CA1086988A. Автор: Maheswar Sahoo,James T.N. Atkinson. Владелец: Minister of National Defence of Canada. Дата публикации: 1980-10-07.

Magnesium-lithium alloy and surface treatment method therefor

Номер патента: CN102762768B. Автор: 金贤姬,松村健树,难波信次,海野真一,后藤崇之. Владелец: Santoku Corp. Дата публикации: 2014-05-14.

Magnesium-lithium alloy and surface treatment method thereof

Номер патента: JP5431081B2. Автор: 崇之 後藤,賢姫 金,健樹 松村,信次 難波,真一 海野. Владелец: MILLION CHEMICALS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-03-05.

Magnesium-lithium alloy and surface treatment method therefor

Номер патента: KR101531871B1. Автор: 켄키 킨,타케키 마츠무라,신지 남바,신이치 우미노,타카유키 고토. Владелец: 가부시키가이샤 산도쿠. Дата публикации: 2015-06-26.

Magnesium-lithium alloys - contg hydrogen as shields against fast neutrons

Номер патента: DE2116261A1. Автор: Heinrich Dr. 6236 Eschborn. C22c 29-00 Winter. Владелец: Battelle Institut Ev. Дата публикации: 1972-10-12.

Magnesium-lithium alloy and surface treatment method therefor

Номер патента: WO2011030870A1. Автор: 崇之 後藤,賢姫 金,健樹 松村,信次 難波,真一 海野. Владелец: ミリオン化学株式会社. Дата публикации: 2011-03-17.

Magnesium-lithium alloy and surface treatment method therefor

Номер патента: CN102762768A. Автор: 金贤姬,松村健树,难波信次,海野真一,后藤崇之. Владелец: Santoku Corp. Дата публикации: 2012-10-31.

Method for the manufacturing of an aluminium-magnesium-lithium alloy product

Номер патента: EP1153152A1. Автор: Christian Joachim Keidel,Alfred Johann Peter Haszler. Владелец: Corus Aluminium Walzprodukte GmbH. Дата публикации: 2001-11-14.

Aluminum magnesium lithium alloy with improved fracture toughness

Номер патента: US20120291925A1. Автор: Frank Eberl,Bernard Bes. Владелец: Constellium France SAS. Дата публикации: 2012-11-22.

Method for improving mechanical property of binary magnesium-lithium alloy

Номер патента: CN114574790A. Автор: 张旭东,彭鹏,裴兴,徐远丽,马智锟,郑万朝,闫显涛. Владелец: LANZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-06-03.

High-strength high-thermal-stability ultralight magnesium-lithium alloy and preparation method thereof

Номер патента: CN114231809B. Автор: 冯涛,张子健,兰司,唐颂,寇宗德,任许乐,王熙权. Владелец: Nanjing University of Science and Technology. Дата публикации: 2023-02-28.

Magnesium-lithium alloy and magnesium-air battery

Номер патента: JPWO2018021360A1. Автор: 敦 作田,崇之 後藤,基史 松田,後藤　崇之. Владелец: Santoku Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

Magnesium-lithium alloy and magnesium-air battery

Номер патента: JP6993337B2. Автор: 敦 作田,崇之 後藤,基史 松田. Владелец: Santoku Corp. Дата публикации: 2022-02-15.

Magnesium-lithium alloy member, manufacturing method thereof, optical apparatus, imaging apparatus, electronic apparatus and mobile object

Номер патента: US20200190636A1. Автор: Jun-Ichi Sakamoto. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Magnesium-lithium alloy member, manufacturing method thereof, optical apparatus, imaging apparatus, electronic apparatus and mobile object

Номер патента: TWI766216B. Автор: 坂本淳一. Владелец: 日商佳能股份有限公司. Дата публикации: 2022-06-01.

Anti-aging high-strength-toughness corrosion-resistant two-phase magnesium-lithium alloy and preparation method thereof

Номер патента: CN113528911B. Автор: 史清宇,张弓,周梦然,陈高强. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-07-22.

Method for producing magnesium-lithium alloy by gaseous co-condensation method

Номер патента: CN111097920A. Автор: 干勇,杨培,张广立. Владелец: Sichuan Wanbang Shenghui New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-05.

Aluminium base - magnesium, lithium alloys

Номер патента: AU562606B2. Автор: Alan Gray,William Sinclair Miller. Владелец: Alcan International Ltd Canada. Дата публикации: 1987-06-11.

Method for producing magnesium-lithium alloy by means of gaseous co-condensation

Номер патента: EP3960337C0. Автор: Pei Yang,Jun Zhou,Guangli Zhang,Yong Gan. Владелец: Sichuan Union Shine New Energy Sci Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-09.

Aluminium alloy substrate for magnetic disk, method for fabricating the same, and magnetic disk composed of aluminium alloy substrate for magnetic disk

Номер патента: US20210201946A1. Автор: Takashi Nakayama,Hideyuki Hatakeyama,Makoto Yonemitsu,Kotaro Kitawaki,Kimie IMAKAWA. Владелец: UACJ Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Heat-resistant al-cu-mg-ag alloy and process for producing a semifinished part or product composed of such an aluminum alloy

Номер патента: CA2843325C. Автор: Matthias Hilpert,Gregor Terlinde,Thomas Witulski. Владелец: OTTO FUCHS KG. Дата публикации: 2019-04-23.

Metal wire rod composed of iridium or iridium alloy

Номер патента: EP3124136A1. Автор: Akira Yoshikawa,Koichi Sakairi,Kunihiro Tanaka,Muneki Nakamura,Yuui Yokota,Tatsuya Nakazawa. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2017-02-01.

Electrical steel sheet composed of (001) texture, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240212900A1. Автор: In Seok Choi,Nam Hoe Heo. Владелец: Thermvac Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

A powder composed of metallic silver nano-particles surface- conjugated with a silica carrier, a method of its manufacture and use

Номер патента: EP2244973A1. Автор: Piotr Bartczak,Helena Czepelak,Waclaw Lanowy,Bozena Malinowska-Kapcia,Przemyslaw Kasprzycki. Владелец: Poch SA. Дата публикации: 2010-11-03.

Highly pure lanthanum, sputtering target comprising highly pure lanthanum, and metal gate film mainly composed of highly pure lanthanum

Номер патента: AU2008344685B2. Автор: Masahiro Takahata,Yuichiro Shindo,Gaku Kanou. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Absorbable implant material composed of magnesium or a magnesium alloy containing doped nanodiamonds

Номер патента: CA3054958A1. Автор: Hajo Dieringa. Владелец: Helmholtz Zentrum Geesthacht Zentrum fuer Material und Kustenforschung GmbH. Дата публикации: 2020-04-10.

Improved electrical shielding material composed of metallized stainless steel or low carbon steel monofilament yarns

Номер патента: WO2022216300A1. Автор: Thomas F. Burke. Владелец: MicroMetal Technologies, Inc.. Дата публикации: 2022-10-13.

Electrical steel sheet composed of (001) texture, and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4317510A1. Автор: In Seok Choi,Nam Hoe Heo. Владелец: Thermvac Inc. Дата публикации: 2024-02-07.

Improved electrical shielding material composed of metallized stainless steel or low carbon steel monofilament yarns

Номер патента: EP4320297A1. Автор: Thomas F. Burke. Владелец: Micrometal Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-14.

Electrode catalyst layer composed of palladium, iridium, and tantalum, and sterile water generating module coated with electrode catalyst

Номер патента: US11932559B2. Автор: Sang-Young Lee,Sunhyeok PARK. Владелец: Coway Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Oxide dispersion-strengthened alloy and high temperature equipment composed of the alloy

Номер патента: US5510080A. Автор: Kishio Hidaka,Shigeyoshi Nakamura,Yutaka Fukui,Tetsuo Kashimura,Shinichi Nakahara,Kazuya Nishi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1996-04-23.

METHOD FOR PRODUCING MAGNESIUM-LITHIUM ALLOY BY GASEOUS CO-CONDENSATION METHOD

Номер патента: US20220307108A1. Автор: Gan Yong,Yang Pei,Zhou Jun,ZHANG Guangli. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-29.

Method for extraction of gallium from fly ash

Номер патента: RU2506332C1. Автор: Дачжао ГУ,Иньшань ЦЗЯН,Цуньди ВЭЙ,Чжаохуа ГО,Пин ЦЗОУ,Цзяньго ХАНЬ,Дэли ЮЙ,Исинь ЧЖАО,Чуньбинь ГО. Владелец: Чайна Шэньхуа Энерджи Компани Лимитед. Дата публикации: 2014-02-10.

Method for separation of gallium from aluminium

Номер патента: RU2586168C1. Автор: Мария Викторовна Цыганкова,Александр Маркович Резник,Елена Иосифовна Лысакова,Яна Юрьевна Ершова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский технологический университет". Дата публикации: 2016-06-10.

Method for extraction of gallium from fly ash

Номер патента: RU2507282C1. Автор: Дачжао ГУ,Вэнь ЛИН,Иньшань ЦЗЯН,Цуньди ВЭЙ,Нань ЛИ,Чжаохуа ГО,Дяньфань ЯН,Цзюньчжоу ЧИ,Пин ЦЗОУ. Владелец: Чайна Шэньхуа Энерджи Компани Лимитед. Дата публикации: 2014-02-20.

Method of separation of gallium and aluminum on weak-base anion exchanger d-403 from alkaline solutions

Номер патента: RU2667592C1. Автор: Ольга Владимировна Черемисина,Татьяна Евгеньевна Литвинова,Вадим Насырович Сагдиев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский горный университет". Дата публикации: 2018-09-21.

Recovery of gallium from alkali metal aluminate by liquid alloy treatment and electrolysis

Номер патента: CA1126683A. Автор: Raisa V. Ivanova,Arkady A. Belsky,Nikolai A. Novikov,Askar M. Kunaev,Leonid M. Butorin,Khoren A. Badaliants,Isaak A. Zatulovsky,Ivan M. Kostin,Tatyana D. Ostapenko,Gennady A. Romanov,Elena L. Shalavina,Arkady I. Zazubin,Nikolai S. Shmorgunenko,Alexandr V. Eljutin,Anna E. Danilina,Evgeny A. Isakov,Teodor G. Milberger,Petr F. Minin,Alexandr V. Peredereev,Garegin A. Peikarov,Natalya V. Tishevetskaya,Georgy P. Tkachenko,Leonid I. Finkelshtein,Anatolia I. Simanova. Владелец: VSESOJUZNY NAUCHNO-ISSLEDOVATELSKY I PROEKTNY INSTITUT ALJUMINIEVOI MAGN IEVOI I ELEKTRODNOI PROMYSHLENNOSTI. Дата публикации: 1982-06-29.

Recovery of gallium

Номер патента: CA1062017A. Автор: John J. Macgregor. Владелец: JOHNSON MATTHEY PLC. Дата публикации: 1979-09-11.

Purification of solutions of gallium values by liquid/liquid extraction

Номер патента: US4372923A. Автор: Alain Leveque,Jacques Helgorsky. Владелец: Rhone Poulenc Industries SA. Дата публикации: 1983-02-08.

Oxidative dissolution of gallium arsenide and separation of gallium from arsenic

Номер патента: CA1338030C. Автор: James Patrick Coleman,Bruce Francis Monzyk. Владелец: Met Tech Systems Ltd. Дата публикации: 1996-02-06.

Centrifugal apparatus for filtration of dense suspensions of gallium wastes

Номер патента: RU2680360C1. Автор: Виталий Евгеньевич Дьяков. Владелец: Виталий Евгеньевич Дьяков. Дата публикации: 2019-02-20.

Process for the purification of gallium by partial solidification

Номер патента: AU3712989A. Автор: Michel Leroy,Benoit Pouliquen,Hubert D'hondt. Владелец: Aluminium Pechiney SA. Дата публикации: 1990-01-04.

Process for recovery of gallium

Номер патента: CA2480808C. Автор: Patcha Ramachandra Rao,Archana Agrawal,Puvvada George Vijay Kumar,Indranil Chattoraj. Владелец: Council of Scientific and Industrial Research CSIR. Дата публикации: 2010-04-13.

Recovery of gallium/rare earth values from oxide mixtures thereof

Номер патента: US4927609A. Автор: Alain Leveque,Michel Triollier. Владелец: Rhone Poulenc Industries SA. Дата публикации: 1990-05-22.

Surface chemical treatment for liquid gallium or gallium alloy mirrors

Номер патента: CA2362106A1. Автор: Laurent Bonneviot,Ermanno F. Borra. Владелец: UNIVERSITE LAVAL. Дата публикации: 2002-05-20.

Process for the Oxidation of Gallium-Arsenide

Номер патента: GB1176928A. Автор: . Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1970-01-07.

Rapid Synthesis of Gallium Alloys

Номер патента: US20190062868A1. Автор: Boyle Timothy J.,Treadwell LaRico Juan. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

PROCESS FOR SELECTIVE SEPARATION AND CONCENTRATION OF GALLIUM OR INDIUM OR BOTH SOLUTIONS CONTAINING LOW RATES BUT CONTAINING HIGH RATES OF IONS OF OTHER METALS

Номер патента: FR2543977A1. Автор: Hitoshi Masuda,Kunio Sekine,Masahide Hirai,Kozo Kondo,Shozo Tomoshige,Kodo Ishibashi. Владелец: Dowa Mining Co Ltd. Дата публикации: 1984-10-12.

Extraction of gallium and/or arsenic from gallium arsenide

Номер патента: US09611521B2. Автор: Michael R. Sievers. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2017-04-04.

Extraction of gallium and/or arsenic from gallium arsenide

Номер патента: US20140061982A1. Автор: Michael R. Sievers. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2014-03-06.

Process for liquid/liquid extraction recovery of gallium contained in very basic solutions

Номер патента: CA1117767A. Автор: Alain Leveque,Jacques Helgorsky. Владелец: Rhone Poulenc Industries SA. Дата публикации: 1982-02-09.

Tri- or tetra-2-hydroxybenzyl-1,2-diaminoalkane derivatives, process for their preparation and their use for extraction of gallium

Номер патента: IE60341B1. Автор: . Владелец: Ici Plc. Дата публикации: 1994-06-29.

EXTRACTION OF GALLIUM AND/OR ARSENIC FROM GALLIUM ARSENIDE

Номер патента: US20140061982A1. Автор: SIEVERS Michael R.. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2014-03-06.

Extraction of gallium from bayer liquor with a soaked adsorbing resin

Номер патента: CA1332109C. Автор: Jean-Michel Lamerant. Владелец: Rhone Poulenc Chimie SA. Дата публикации: 1994-09-27.

Oxidative dissolution of gallium arsenide and separation of gallium from arsenic

Номер патента: EP0283740A2. Автор: James Patrick Coleman,Bruce Francis Monzyk. Владелец: Monsanto Co. Дата публикации: 1988-09-28.

Liquid/liquid extraction of gallium values from basic aqueous solutions thereof

Номер патента: US4241029A. Автор: Alain Leveque,Jacques Helgorsky. Владелец: Rhone Poulenc Industries SA. Дата публикации: 1980-12-23.

Solvent extraction of gallium from gallium complex and aqueous solution

Номер патента: JPS63144114A. Автор: ジェームス　パトリック　コールマン,チャールズ　リチャード　グラハム,ブルース　フランシス　モンジイック. Владелец: Monsanto Co. Дата публикации: 1988-06-16.

Process for the recovery of gallium from gallium-containing basic solutions

Номер патента: DK0433107T3. Автор: Jean-Louis Sabot,Yvette Pescher. Владелец: Rhone Poulenc Chimie. Дата публикации: 1994-02-28.

Liquid/liquid extraction of gallium values from basic aqueous solutions thereof

Номер патента: US4559203A. Автор: Jean-Louis Sabot,Patrick Fourre,Denise Bauer. Владелец: Rhone Poulenc Specialites Chimiques. Дата публикации: 1985-12-17.

Liquid/liquid extraction of gallium values from basic aqueous solutions thereof

Номер патента: US4485076A. Автор: Jean-Louis Sabot,Patrick Fourre,Denise Bauer. Владелец: Rhone Poulenc Specialites Chimiques. Дата публикации: 1984-11-27.

Gallium complexes and solvent extraction of gallium

Номер патента: EP0271468A2. Автор: James Patrick Coleman,Bruce Francis Monzyk,Charles Richard Graham. Владелец: Monsanto Co. Дата публикации: 1988-06-15.

The technique of separating Ge gallium in a kind of gallium material from germanium

Номер патента: CN108486390A. Автор: 陈世民,周再明. Владелец: Hunan Tengchi Environmental Protection & Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-04.

OXIDIZING SOLUTION OF GALLIUM ARSENIDE AND SEPARATION OF GALLIUM AND ARSENIC.

Номер патента: ATE97699T1. Автор: James Patrick Coleman,Bruce Francis Monzyk. Владелец: Monsanto Co. Дата публикации: 1993-12-15.

Process for liquid-liquid extraction of gallium from basic aqueous solutions by means of an organic extraction agent

Номер патента: AU3613484A. Автор: N.P. Wynn. Владелец: Gebrueder Sulzer AG. Дата публикации: 1985-06-03.

Recovery of gallium by solvent extraction

Номер патента: AU8291175A. Автор: Helgorsky And Alain Leveque Jacques. Владелец: Rhone Poulenc Industries SA. Дата публикации: 1977-01-13.

PROCESS FOR EXTRACTION OF ZINC, CADMIUM AND / OR INDIUM FROM METAL SALINE SOLUTIONS

Номер патента: DE2239591A1. Автор: Johannes Dr Kaschuba,Wilhelm Dr Roever,Reinhard Dr Schliebs,Siegbert Schmidt. Владелец: Bayer AG. Дата публикации: 1974-02-28.

EXTRACTION OF ZINC, CADMIUM AND / OR INDIUM FROM SOLUTIONS CONTAINING THEIR SALTS PLUS THOSE OF OTHER METALS

Номер патента: BE803472A. Автор: . Владелец: Duisburger Kupferhuette. Дата публикации: 1974-02-11.

Process for the liquid-liquid extraction of germanium or indium from aqueous solutions

Номер патента: DE3664928D1. Автор: Kunibert Dr Ing Hanusch,Wolfgang Dr Ing Krajewski. Владелец: Preussag AG Metall. Дата публикации: 1989-09-14.

METHOD OF EXTRACTING ZINC, CADMIUM OR INDIUM OR TWO OR MORE OF THESE METALS FROM SOLUTIONS THROUGH LIQUID EXTRACTION

Номер патента: SE400788B. Автор: R Schliebs,W Roever,S Schmidt,J Kaschuba. Владелец: Duisburger Kupferhuette. Дата публикации: 1978-04-10.

Extraction of zinc, cadmium and/or indium from solutions containing their salts plus those of other metals

Номер патента: CA1000060A. Автор: Siegbert Schmidt,Wilhelm Roever,Reinhard Schliebs,Johannes Kaschuba. Владелец: Bayer AG. Дата публикации: 1976-11-23.

Method of purification for recycling of gallium-69 isotope

Номер патента: US20150010447A1. Автор: LI MING-HSIN,Hsieh Hsin-Han. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-08.

Method of gallium extraction from aqueous strong alkalinous solution of sodium aluminate

Номер патента: SU1637665A3. Автор: Ламеран Жан-Мишель. Владелец: Алюминиюм Пешинэ (Фирма). Дата публикации: 1991-03-23.

Centrifugal apparatus for filtering dense suspensions of gallium waste

Номер патента: RU2017142214A. Автор: Виталий Евгеньевич Дьяков. Владелец: Виталий Евгеньевич Дьяков. Дата публикации: 2018-01-25.

Manufacturing method of gallium oxide powder

Номер патента: KR101375602B1. Автор: 정종열,조우석,김응수,김진호,이원준,황광택,김경자. Владелец: 한국세라믹기술원. Дата публикации: 2014-03-18.

PROCESS FOR RECOVERY OF GALLIUM CONTAINED IN A SODIUM ALUMINATE SOLUTION

Номер патента: FR2603034B1. Автор: Annie Decerle,Herve Masson. Владелец: Societe Miniere et Metallurgique de Penarroya . Дата публикации: 1990-10-05.

PROCESS FOR THE EXTRACTION OF GALLIUM WITH SUBSTITUTED HYDROXYQUINOLEIN.

Номер патента: FR2670803B1. Автор: LE ROUX Olivier,Sabot Jean-Louis,Pescher Yvette. Владелец: Rhone Poulenc Chimie SA. Дата публикации: 1993-03-19.

Process for the production of gallium from aluminate solutions

Номер патента: DE2547091C3. Автор: Boris A. Smirnov,Evgenij N. Nikolaev Bespalov,Tatjana D. Gusarova,Galina A. Donezk Ivanova,Askar M. Kunaev,Viktor D. Ponomarev (Verstorben),Elisaveta I. Ponomareva,Boris S. Povaschnyj,Igor V. Prokopov,Gennadij A. Alma-Ata Romanov,Arkadij I. Sasubin,Elena L. Schalavina,Salavat I. Turakbaev,Turar B. Tursunbaev,Viktor N. Vasiliev. Владелец: PAVLODARSKIJ ALJUMINIEVYJ ZAVOD IMENI 50- LETIJA SSR PAVLODAR. Дата публикации: 1978-09-14.

METHOD FOR RECOVERY OF GALLIUM BY CHELATE RESIN.

Номер патента: DE3872289D1. Автор: Yasuyuki Kato,Kenji Ochi,Massaki Matsuda. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1992-07-30.

Manufacturing method of gallium oxide powder

Номер патента: KR20130131619A. Автор: 정종열,조우석,김응수,김진호,이원준,황광택,김경자. Владелец: 한국세라믹기술원. Дата публикации: 2013-12-04.

Extraction of gallium

Номер патента: JPS5499726A. Автор: Herugorusuki Jiyatsuku,Rubeku Aran. Владелец: Rhone Poulenc Industries SA. Дата публикации: 1979-08-06.

Process for the recovery of gallium from basic solution

Номер патента: EP0433107A1. Автор: Jean-Louis Sabot,Yvette Pescher. Владелец: Rhone Poulenc Chimie SA. Дата публикации: 1991-06-19.

METHOD FOR RECOVERY OF GALLIUM FROM SCRAP.

Номер патента: DE3672741D1. Автор: Shigeki Kubo. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 1990-08-23.

Recovery of gallium component using adsorbent

Номер патента: JPS61286220A. Автор: Kenji Ochi,Koichi Yamada,Kimiaki Matsuda,Hisakatsu Kato,興一 山田,Shinro Yoshihara,松田　公昭,加藤　久勝,吉原　真郎,越智　賢二. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1986-12-16.

Production of gallium trichloride

Номер патента: JPS62153120A. Автор: Shigeki Kubo,久保　茂喜. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 1987-07-08.

PROCESS FOR THE EXTRACTION OF GALLIUM USING SUBSTITUTED HYDROXYQUINOLEINS AND ORGANOPHOSPHORUS COMPOUNDS

Номер патента: FR2532296B1. Автор: . Владелец: Rhone Poulenc Specialites Chimiques. Дата публикации: 1985-06-07.

Apparatus for the recovery of gallium

Номер патента: US3239203A. Автор: Bielfeldt Klaus,Laspeyres Max. Владелец: Vereinigte Aluminium Werke AG. Дата публикации: 1966-03-08.

The separation and recovery method of gallium in a kind of GaAs sludge

Номер патента: CN108004409B. Автор: 陈辉,朱刘,熊平,殷亮. Владелец: Qingyuan Xiandao Materials Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-12.

Process for recovery of gallium using liquid-liquid extraction

Номер патента: CN1020757C. Автор: 里卡尔·弗特欧赛,让·路易·萨包特. Владелец: Rhone Poulenc Chimie SA. Дата публикации: 1993-05-19.

Recovery of gallium

Номер патента: DE3663264D1. Автор: Kenji Ochi,Koichi Yamada,Masaaki Matsuda,Hisakatsu Kato,Masao Yoshihara. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1989-06-15.

Process for recovery of gallium by chelate resin

Номер патента: AU599219B2. Автор: Yasuyuki Kato,Kenji Ochi,Masaaki Matsuda. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1990-07-12.

Method for constructing super-hydrophobic corrosion-resistant conversion coating on surface of magnesium-lithium alloy and magnesium-lithium alloy with super-hydrophobic corrosion resistance

Номер патента: CN110592569A. Автор: 李玉华,宋丹,马爱斌,江静华,邱超,王国威,禚孝儒. Владелец: Suqian Research Institute Of Hohai University. Дата публикации: 2019-12-20.

Magnesium-lithium alloy surface composite oxidation treatment method

Номер патента: CN110983415B. Автор: 张小兵,郭晓光,马静,肖阳,刘金学,章文捷,解海涛. Владелец: Zhengzhou Qingyan Alloy Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-12-07.

Deposition method for abrasion-resisting electric conduction nickel plating layer on surface of magnesium-lithium alloy

Номер патента: CN105803510A. Автор: 胡江华,王志海,刘东光,刘文科,荣大伟. Владелец: CETC 38 Research Institute. Дата публикации: 2016-07-27.

Backing method for cyanide-free nickel electroplating on magnesium-lithium alloy

Номер патента: CN105780073A. Автор: 容毅,洪大照. Владелец: JIANGMEN REACH FINE CHEMICAL CO Ltd. Дата публикации: 2016-07-20.

Composition for forming magnesium-lithium alloy surface anticorrosive coating system and preparation method of anticorrosive coating system

Номер патента: CN112029394A. Автор: 李颖,王萌,李俊峰,赵立波,刘凤娟,雷辉,贺晨,罗正平,姜舟,孙理理,吴明泉. Владелец: Aerospace Research Institute of Materials and Processing Technology. Дата публикации: 2020-12-04.

Magnesium-lithium alloy ionic liquid chemical conversion solution and method for forming conductive oxide film

Номер патента: CN107740078B. Автор: 吴玉程,郑亮,罗来马,刘家琴,翟华,刘东光. Владелец: Hefei University of Technology. Дата публикации: 2021-01-26.

Magnesium-lithium alloy surface conductive anticorrosive coating and preparation method thereof

Номер патента: CN112195457A. Автор: 张小兵,马静,孙坤,章文捷,周雯. Владелец: CETC 20 Research Institute. Дата публикации: 2021-01-08.

Method of increasing the purity and resistivity of gallium arsenide

Номер патента: GB1368297A. Автор: . Владелец: Plessey Co Ltd. Дата публикации: 1974-09-25.

Method of gallium-68 production, application thereof, and relevant device for implementation of specified method

Номер патента: RU2343965C2. Автор: Ирина ВЕЛИКИАН,Бенгт ЛАНГСТРОМ,Герд Й. БЕЙЕР. Владелец: Джи-И Хелткер Лимитед. Дата публикации: 2009-01-20.

Method for regulating the content of gallium in scintillators based on gadolinium-gallium garnets

Номер патента: RU2670865C2. Автор: Марк С. АНДРЕАКО,Питер Карл КОЭН,Александер Эндрю КЭРИ. Владелец: СИМЕНС МЕДИКАЛ СОЛЮШЕНС ЮЭсЭй, ИНК.. Дата публикации: 2018-10-25.

Method of forming structures including a vanadium or indium layer

Номер патента: US20230078233A1. Автор: Qi Xie,Eric James Shero,Michael Eugene Givens,Charles DEZELAH,Giuseppe Alessio Verni. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-03-16.

Method for growing beta phase of gallium oxide (beta-ga2o3) single crystals from the melt contained within a metal crucible

Номер патента: EP3242965A1. Автор: Zbigniew GALAZKA,Reinhard Uecker,Matthias Bickermann,Detlef Klimm. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2017-11-15.

Process for extraction of gallium from alkaline gallium-containing solutions

Номер патента: US4061551A. Автор: Raisa Vasilievna Ivanova,Arkady Andreevich Belsky,Nikolai Alexandrovich Novikov,Nina Nikolaevna Alexeeva,Ljudmila Nikolaevna Nikitina,Nina Andreevna Ljubimova,Anna Evgenievna Dotsenko. Владелец: Individual. Дата публикации: 1977-12-06.

A method for reactive magnetron sputter deposition of gallium oxide thin films

Номер патента: EP4230761A1. Автор: Andris Azens,Martins Zubkins,Edgars BUTANOVS,Juris Purans. Владелец: Latvijas Universitates Cietvielu Fizikas Instituts. Дата публикации: 2023-08-23.

Reforming process using platinum-indium-thallium or indium catalyst

Номер патента: US3871995A. Автор: Jean Miquel,Pierre Duhaut. Владелец: Pro Catalyse SA. Дата публикации: 1975-03-18.

Process of extraction of gallium from aqueous solutions thereof

Номер патента: US4965054A. Автор: Roy G. Lewis. Владелец: Henkel Corp. Дата публикации: 1990-10-23.

High temperature electrical contact for Peltier-induced liquid phase epitaxy on intermetallic III-V compounds of gallium

Номер патента: US3993511A. Автор: Joseph John Daniele. Владелец: North American Philips Corp. Дата публикации: 1976-11-23.

METHOD FOR GROWING BETA PHASE OF GALLIUM OXIDE (β-Ga2O3) SINGLE CRYSTALS FROM THE MELT CONTAINED WITHIN A METAL CRUCIBLE

Номер патента: WO2016110385A1. Автор: Zbigniew GALAZKA,Reinhard Uecker,Matthias Bickermann,Detlef Klimm. Владелец: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.. Дата публикации: 2016-07-14.

Process for large-scale ammonothermal manufacturing of gallium nitride boules

Номер патента: US8979999B2. Автор: Mark P. D'Evelyn. Владелец: Soraa Inc. Дата публикации: 2015-03-17.

Method of making a liquid phase epitaxial layer of gallium phosphide

Номер патента: CA1054904A. Автор: Nobuyuki Izawa,Kazuya Tanabe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1979-05-22.

Control system composed of bar and feed pipe for heating of distribution pipe structures used at metal casting

Номер патента: RU2549817C2. Автор: Тимоти Джеймс КУПЕР,Джеймс А. ИМТЕРН. Владелец: Уэгстафф, Инк.. Дата публикации: 2015-04-27.

Capture mass composed of elemental sulphur deposited on a porous support for capturing heavy metals

Номер патента: RU2627876C2. Автор: Марк-Антуан ЛЕЛИА,Арно БОДО,Карэн БАРТЕЛЕ,Фабьен ПОРШЕРОН,Александр НИКОЛАОС,Тизьяна АРМАРОЛИ,Клотильд ЖЮБЕН. Владелец: Ифп Энержи Нувелль. Дата публикации: 2017-08-14.

Self-assembled structures composed of monomers of peptide nucleic acid and tunable photonic crystals made therefrom

Номер патента: US11124543B2. Автор: Ehud Gazit,Lihi Adler-Abramovich,Or BERGER. Владелец: Ramot at Tel Aviv University Ltd. Дата публикации: 2021-09-21.

Element composed of glass displaying reduced electrostatic charging

Номер патента: GB2585401A. Автор: DAIMER JOHANN,Zöttl Martin. Владелец: SCHOTT AG. Дата публикации: 2021-01-13.

Self-assembled structures composed of monomers of peptide nucleic acid and tunable photonic crystals made therefrom

Номер патента: US20180298062A1. Автор: Ehud Gazit,Lihi Adler-Abramovich,Or BERGER. Владелец: Ramot at Tel Aviv University Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Zirconia dental mill blank, manufacturing method therefor, method for manufacturing dental zirconia ceramic prosthesis, and method for manufacturing article composed of zirconia composite ceramic

Номер патента: EP4245286A1. Автор: Hiroshi Hara,Kei NAKASHIMA,Akari Hashimoto. Владелец: Tokuyama Dental Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Hydrogen ion electrode composed of composite material of nano iridium oxide and polymer resin and enabling surface regeneration, ph sensor using same, and method for manufacturing same

Номер патента: US20160187281A1. Автор: Moonhee Kim,Jong Man Park. Владелец: EZ SENSING Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

micro-patterned plate composed of an array of releasable elements surrounded with solid or gel walls

Номер патента: US20100285992A1. Автор: Yuli Wang,Nancy Allbritton. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-11.

Epoxy resin modifier, epoxy resin composition containing same, adhesive composed of epoxy resin composition, and resin cured product obtained by curing epoxy resin composition

Номер патента: US20240240059A1. Автор: Yohei Takahashi. Владелец: Otsuka Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for preparing gamma-type dicalcium silicate and high-strength carbonized material composed of gamma-type dicalcium silicate as main phase

Номер патента: LU501358B1. Автор: Lei Yang,Yuli Wang,Haibo Zhang,Songhui Liu,Minghui Zhao,Chonggen Pan,Xuemao Guan,Zhuangzhuang Jiang,Shuqiong Luo,Yuxiang Mao. Владелец: Univ Henan Polytechnic. Дата публикации: 2022-08-10.

process for the preparation of copolymer - 1 (cop-1), composed of l-alanine, l-lysine, l-glutamic acid and l-tyrosine-drug for the treatment of multiple sclerosis

Номер патента: US20120077952A1. Автор: Baijayantimala Garnaik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-29.

Aprocess for the preparation of copolymer - 1 (cop-i), composed of l-alanine, l-lysine, l-glutamic acid and l-tyrosine-drug for the treatment of multiple sclerosis

Номер патента: EP2438080A1. Автор: Baijayantimala Garnaik. Владелец: Council of Scientific and Industrial Research CSIR. Дата публикации: 2012-04-11.

Hydrogen ion electrode composed of composite material of nano iridium oxide and polymer resin and enabling surface regeneration, pH sensor using same, and method for manufacturing same

Номер патента: US09810655B2. Автор: Moonhee Kim,Jong Man Park. Владелец: EZ SENSING Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Micro-patterned plate composed of an array of releasable elements surrounded with solid or gel walls

Номер патента: US09487745B2. Автор: Yuli Wang,Nancy Allbritton. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2016-11-08.

Element composed of glass displaying reduced electrostatic charging

Номер патента: US20200216352A1. Автор: Johann Daimer,Martin Zottl. Владелец: SCHOTT AG. Дата публикации: 2020-07-09.

Cold-rolled narrow strip in the form of flat wire or profiles composed of a high-strength steel, for use in flexible pipes, particularly in flexible pipes for offshore applications, as well as method for the production of such cold-rolled narrow strips

Номер патента: MY177659A. Автор: Heino Buddenberg,Hans-Toni Junius,Norbert BRACHTHÄUSER,Dirk Wilmes. Владелец: C D Walzholz Gmbh. Дата публикации: 2020-09-23.

Process for the production of insecticide-modified bead material composed of expandable polystyrene and insecticide-modified moldings obtainable therefrom

Номер патента: WO2009080464A3. Автор: Bernhard Schmied,Klaus Hahn,Carsten Schips,Olaf Kriha,Michael Ishaque,Norbert Güntherberg,Clark D. Klein,Keith A. Holmes,Daniela Longo. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2010-06-24.

Copolymer composed of a polyphenylene and a flexible chain component

Номер патента: US20120302704A1. Автор: Maier Gerhard,Philipp Koelle,Hans-Georg Herz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-29.

Dual-molecular dna vaccine composed of a viral antigen and an immune costimulator

Номер патента: US20210338803A1. Автор: Li Yu,Mei Zhang,Zhen Zeng,Lian ZENG. Владелец: Sichuan Chengyu Biological Products Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Buffer material composed of bentonite modified with layered double hydroxide(ldh) and method of preparing the same

Номер патента: US20230381737A1. Автор: Ju Eun Kim,Seok Ju Hong,Woo Yong UM. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2023-11-30.

Paint material composed of cosmetic, diluent for paint material, paint, and paint set

Номер патента: US20230255860A1. Автор: Hisanori Tanaka,Mayuri Tanaka. Владелец: Mangata Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Beverages composed of fruit and/or vegetable components and methods for producing the same

Номер патента: US20240309302A1. Автор: Susanne Gardner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-19.

Nanoparticles and films composed of water-insoluble glucan

Номер патента: US09708417B2. Автор: Christopher D. Skory,Gregory L. Cote,Ryan Cormier. Владелец: US Department of Agriculture USDA. Дата публикации: 2017-07-18.

Acoustic product composed of composite material

Номер патента: US20170044335A1. Автор: Jouni Paltakari. Владелец: Oy All-Plast Ab. Дата публикации: 2017-02-16.

An acoustic product composed of composite material

Номер патента: EP3134894A1. Автор: Jouni Paltakari. Владелец: ALL-PLAST Oy AB. Дата публикации: 2017-03-01.

Alkaline soluble mixture composed of cellulose derivatives

Номер патента: EP1024401A3. Автор: Paola Puppo,Alberto Valsecchi,Luisa Tavella,Carlo Barlocco. Владелец: Ferrania SpA. Дата публикации: 2003-08-27.

Method for producing composite material mainly composed of carbon and boron

Номер патента: US5449529A. Автор: Osamu Okada,Toshiaki Sogabe,Hiroaki Ogura. Владелец: Toyo Tanso Co Ltd. Дата публикации: 1995-09-12.

Acoustic product composed of composite material

Номер патента: US09982100B2. Автор: Jouni Paltakari. Владелец: ALL-PLAST Oy AB. Дата публикации: 2018-05-29.

Led extractor composed of high index glass

Номер патента: EP2018590A1. Автор: Anatoly Z. Rosenflanz,Andrew J. Ouderkirk,Catherine A. Leatherdale,Kenton D. Budd,Amy S. Barnes. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2009-01-28.

Led extractor composed of high index glass

Номер патента: WO2007130779A1. Автор: Anatoly Z. Rosenflanz,Andrew J. Ouderkirk,Catherine A. Leatherdale,Kenton D. Budd,Amy S. Barnes. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2007-11-15.

Dental fillings and devices composed of a polycarbonate filled with presized glass fibers

Номер патента: US3559288A. Автор: Hermann Schnell,Wilhelm Hechelhammer,Hugo Streib,Hans-Joachim Rehberg. Владелец: Bayer AG. Дата публикации: 1971-02-02.

Pigment composed of particles containing calcium-titanium composite oxide as main component, and use thereof

Номер патента: US12065571B2. Автор: Wataru Mino,Naotaka SHIMOMURA,Chihiro NADA,Nami MATSUSHIMA. Владелец: Titan Kogyo KK. Дата публикации: 2024-08-20.

Automatic device and automatic method for filling the insulating glazing unit composed of at least two glass panes and at least one spacer frame with a gas other than air

Номер патента: US12024941B2. Автор: Fortunato Vianello,Riccardo Vianello,Dino Moschini. Владелец: FOREL SPA. Дата публикации: 2024-07-02.

Substrate composed of at least one cycloolefin copolymer for recording media and process for producing it

Номер патента: US5439722A. Автор: Thomas Weller,Michael-Joachim Brekner. Владелец: Hoechst AG. Дата публикации: 1995-08-08.

Polymeric compositions composed of ethylene-vinyl ester copolymers alkyl(meth)acrylates, processes for production thereof and use thereof as pour point depressants for crude oils, mineral oils or mineral oil products

Номер патента: RU2654059C9. Автор: КАСТРО Иветте ГАРСИА,Кай ГУМЛИХ,Штефан Френцель,Мариа ХОЙКЕН,Роувен КОНРАД,Карин НОЙБЕККЕР. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2018-12-03.

Coating, composed of an optically effective layer system, for substrates, whereby the layer system has a high anti-reflective effect, and method for the manufacturing of the coating

Номер патента: US5216542A. Автор: Stephan Roegels,Anton Zmelty,Klaus Hartig,Joachim Szczyrbowski. Владелец: Leybold AG. Дата публикации: 1993-06-01.

High dielectric material composed of sintered body of rare earth sulfide

Номер патента: CA2520699A1. Автор: Kazumasa Igarashi,Yoichiro Uemura,Shinji Hirai,Toshiyuki Nishimura,Shigenori Morita,Michihiro Ohta. Владелец: Muroran Institute Of Technology. Дата публикации: 2004-10-07.

Process for isolating and recovering meta- and para-cresols from crude cresol-containing compositions composed of cresol components, unreacted crymene components and high-boiling by-products

Номер патента: CA1152933A. Автор: Junichi Nakagawa,Yoshitaka Ohtani. Владелец: Mitsui Petrochemical Industries Ltd. Дата публикации: 1983-08-30.

Plating articles composed of thermoplastic resin and carbon black

Номер патента: CA1111367A. Автор: Isao Yoshida,Mikio Kodama,Akitoshi Ito,Hajime Sakano,Shigemitsu Kawagishi,Toshihiro Shoji,Miyuki Terada. Владелец: Sumika Polycarbonate Ltd. Дата публикации: 1981-10-27.

Plastic foam material composed of a polyolefin based resin composition and method for making same

Номер патента: CA2133385C. Автор: Masao Suzuki,Masao Ogasa,Kouichi Shibayama,Kenji Iuchi. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2002-06-18.

Process for the production of mixed fertilisers composed of ammonium nitrate, and ammonium sulphate

Номер патента: GB370996A. Автор: . Владелец: Ruhrchemie AG. Дата публикации: 1932-04-14.

HBsAG Particle composed of single polypeptide subunits and the preparation procedure

Номер патента: US4113712A. Автор: Satoshi Funakoshi. Владелец: Green Cross Corp Japan. Дата публикации: 1978-09-12.

Fuel oils composed of mineral distillates and oils of vegetable or animal origin and having improved cold flow properties

Номер патента: CA2490031C. Автор: Matthias Krull. Владелец: Clariant Produkte Deutschland GmbH. Дата публикации: 2013-07-09.

A dengue virus chimeric polyepitope composed of fragments of non structural proteins and its use in an immunogenic composition against dengue virus infection

Номер патента: PH12016502554A1. Автор: Tangy Frederic,SHAKUNTABAI Anavaj,SIMON-LORIERE Etienne,ROTH Claude,BUCHY Philippe. Владелец: Pasteur Institut. Дата публикации: 2017-04-10.

Porous structure provided with a pattern that is composed of conductive polymer and method of manufacturing the same

Номер патента: US9617649B2. Автор: Yuichiro Ido,Matsuhiko Nishizawa,Soichiro Sekine. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2017-04-11.

Process for chemically stripping a surface-protection layer with a high chromium content from the main body of a component composed of a nickel-based or cobalt-based superalloy

Номер патента: US4944807A. Автор: Vladimir Sova. Владелец: BBC Brown Boveri AG Switzerland. Дата публикации: 1990-07-31.

Copolyester, polyester composition containing the copolyester, and polyester laminated structure having layer composed of the copolyester or the polyester composition

Номер патента: CA2002369C. Автор: Mikio Hashimoto,Norio Kaneshige. Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 2000-10-31.

Method for preparing polymeric protein composed of monomeric protein produced by fusing protein having immunoglobulin fold structure to protein capable of serving as subunit structure

Номер патента: US10308969B2. Автор: Masayo Date,Kouhei Tsumoto,Daisuke Ejima,Haruna SATO. Владелец: Ajinomoto Co Inc. Дата публикации: 2019-06-04.

Fuel oils composed of middle distillates and oils of vegetable or animal origin and having improved cold flow properties

Номер патента: CA2489752C. Автор: Matthias Krull,Bettina Siggelkow,Martina Hess. Владелец: Clariant Produkte Deutschland GmbH. Дата публикации: 2012-09-11.

Method for producing semiconductor wafers composed of silicon having a diameter of at least 450 mm, and semiconductor wafer composed of silicon having a diameter of 450 mm

Номер патента: SG173278A1. Автор: Walter Heuwieser,Andreas Sattler,Georg Raming,Alfred Miller. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2011-08-29.

United product composed of glass plate and vinyl chloride resin molded body and method of producing the same

Номер патента: US4963413A. Автор: Katsuyuki Amano. Владелец: Tokai Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 1990-10-16.

Method for treating solid waste based on a gradient composed of two different heat sources

Номер патента: CA2846255C. Автор: Alberto Carlos PEREIRA FILHO. Владелец: Solum Ambiental e Equipamentos Electromecanicos Ltda. Дата публикации: 2018-12-04.

Element composed of glass displaying reduced electrostatic charging

Номер патента: US11932573B2. Автор: Johann Daimer,Martin Zottl. Владелец: SCHOTT AG. Дата публикации: 2024-03-19.

Support ring for supporting a semiconductor wafer composed of monocrystalline silicon during a thermal treatment, method for the thermal treatment of such a semiconductor wafer, and thermally treated semiconductor wafer composed of monocrystalline silicon

Номер патента: SG180109A1. Автор: Daub Erich,Kaiss Raimund,Kloesler Michael,Loch Thomas. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2012-05-30.

Methods of inhibiting the burning of natural fibers, synthetic fibers, or mixtures thereof, or fabric or yarn composed of natural fibers, synthetic fibers, or mixtures thereof, and products produced by such methods

Номер патента: WO2006026727A2. Автор: Jeanette M. Cardamone,Anand P. Kanchager. Владелец: The United States of America, as represented by the Secretary of Agriculture. Дата публикации: 2006-03-09.

Self-cleaning homogeneous mixer-bleeder system composed of a set of screens and a bleed manifold

Номер патента: US20230272314A1. Автор: Emilio Jimenez Macias,Julio Blanco Fernandez,Juan Carlos Sáenz-Díez Muro,Eduardo MARTÍNEZ CÁMARA,Daniel NIÑO MARTÍN,Roberto RUIZ CABEZA,Sergio MAMOLAR DOMENECH,M.ª Mercedes PÉREZ DE LA PARTE. Владелец: Talleres Ruiz SA. Дата публикации: 2023-08-31.

SEMICONDUCTOR NANO-PARTICLE COMPOSED OF AgAuS-BASED COMPOUND

Номер патента: US20240150646A1. Автор: Hiroki Sato,Tatsuya Kameyama,Yuusuke Ohshima,Tsukasa Torimoto,Shuhei Tsuneizumi,Yumezo Watanabe,Mariko Hasegawa. Владелец: Tokai National Higher Education and Research System NUC. Дата публикации: 2024-05-09.

Method of Producing High-Strength Composite Sheet Composed of Fiber-Reinforced Grown Biological Matrix

Номер патента: US20210214675A1. Автор: Moshe Sergei Buxbaum Kruger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-07-15.

Zirconia dental mill blank, manufacturing method therefor, method for manufacturing dental zirconia ceramic prosthesis, and method for manufacturing article composed of zirconia composite ceramic

Номер патента: US20240000670A1. Автор: Hiroshi Hara,Kei NAKASHIMA,Akari Hashimoto. Владелец: Tokuyama Dental Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Thermoplastic resin composition comprising a core-shell resin and a molded resin article composed of the thermoplastic resin composition

Номер патента: US11987702B2. Автор: Kentaro Watanabe. Владелец: Nissin Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Method and plant for disposing of wastes composed of plastic materials and biomasses

Номер патента: EP3107979A1. Автор: Giuseppe BENZI. Владелец: Benzi Giuseppe. Дата публикации: 2016-12-28.

Structure for filter or heat exchanger, composed of a fused single crystal acicular ceramic

Номер патента: US5194154A. Автор: John R. Moyer,Neal N. Hughes. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1993-03-16.

Integral turbine composed of a cast single crystal blade ring diffusion bonded to a high strength disk

Номер патента: EP1728971A1. Автор: Thomas E. Strangman. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2006-12-06.

Moldings composed of cordierite and a process for producing them

Номер патента: US5061421A. Автор: Helmut Stuhler,Gisbert Schulze,Paul Girmscheid, deceased. Владелец: CERAMTEC GMBH. Дата публикации: 1991-10-29.

Metallic screen; formed by electroplating a structure composed of strands or fibres

Номер патента: NZ277320A. Автор: Johannes Tonnis Snakenborg,Johannes Korsse. Владелец: Stork Screens BV. Дата публикации: 1997-05-26.

Method of forming short fibers composed of anisotropic polymers

Номер патента: US5104599A. Автор: Dusan C. Prevorsek,Kwok W. Lem,Hong B. Chin. Владелец: AlliedSignal Inc. Дата публикации: 1992-04-14.

Cross-linked elastomer composition and formed product composed of such cross-linked elastomer composition

Номер патента: EP1584661A4. Автор: Tsuyoshi Noguchi,Katsuhiko Higashino. Владелец: Daikin Industries Ltd. Дата публикации: 2008-10-29.

Anodizing bath for composite metal material composed of aluminum or aluminum alloy and different metal having a lower ionization tendency

Номер патента: US3956082A. Автор: Michiaki Hirochi,Chozo Yoshimura. Владелец: Shokosha KK. Дата публикации: 1976-05-11.

Electrophotographic plate comprising a conductive substrate and a photosensitive layer containing an organic photoconductor layer composed of a hydrazone compound

Номер патента: US4278747A. Автор: Tetsuo Murayama,Shigenori Otsuka,Tsunemitsu Tajima. Владелец: Mitsubishi Kasei Corp. Дата публикации: 1981-07-14.

Urethanes composed of aliphatic fluoroalcohols, isocyanates and aromatic compounds, a process for their preparation and their use

Номер патента: CA1296018C. Автор: Lothar Jaeckel,Rolf Kleber,Frank Wehowsky. Владелец: Hoechst AG. Дата публикации: 1992-02-18.

Composition Containing Swelling Agent Composed of Swellable Water-Soluble Polysaccharide, and Food, Anti-Obesity Agent and Constipation Alleviator Each Containing the Composition

Номер патента: US20080318897A1. Автор: Masayuki Nakamura,Yuji Uzuhashi. Владелец: INA Food Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-25.

Pigment Composed Of Particles Containing Calcium-Titanium Composite Oxide As Main Component, And Use Thereof

Номер патента: US20230340271A1. Автор: Wataru Mino,Naotaka SHIMOMURA,Chihiro NADA,Nami MATSUSHIMA. Владелец: Titan Kogyo KK. Дата публикации: 2023-10-26.

Method for producing a heat insulating material composed of a hydrophobic aerogel and the application thereof

Номер патента: US11767670B2. Автор: Jean-Hong CHEN,Shiu-Shiu Chen,Sheng-Hong PONG. Владелец: Taiwan Aerogel Technology Material Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Process for the hydrogenation of a polymer composed of diene monomer units and anitrile group-containing monomer units

Номер патента: AU5716800A. Автор: Johannes Wilhelmus Belt,Olav Marcus Aagaard. Владелец: DSM NV. Дата публикации: 2001-01-30.

Swab-Resistant Downhole Tools Comprising Sealing Elements Composed Of Shape Memory Polymers

Номер патента: US20170009552A1. Автор: Michael Linley Fripp,Zachary Ryan Murphree,Xiaoguang Allan Zhong,Thomas FROSELL. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2017-01-12.

Method for producing a cold resisting and heat insulating composite glue composed of a hydrophobic aerogel and the related product thereof

Номер патента: US20210332242A1. Автор: Jean-Hong CHEN. Владелец: Taiwan Aerogel Technology Material Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Method and Device for Producing Hollow Spheres Composed of Collagen and Collagen Derivatives and Hollow Spheres Composed of Collagen and Collagen Derivatives

Номер патента: US20240052166A1. Автор: Michael Meyer,Ina Prade,Claudia Krumbiegel. Владелец: Filk Freiberg Institute Ggmbh. Дата публикации: 2024-02-15.

Light emitting diode tube lamp including a glass tube body composed of a self diffusive glass composition

Номер патента: US20190101260A1. Автор: Shiyong Zhang,Philip Rioux. Владелец: LEDVANCE LLC. Дата публикации: 2019-04-04.

Process for the hydrogenation of a polymer composed of diene monomer units and a nitrile group-containing monomer units

Номер патента: EP1214353A1. Автор: Johannes Wilhelmus Belt,Olav Marcus Aagaard. Владелец: DSM NV. Дата публикации: 2002-06-19.

Electrolyzed ozone water generator composed of coated titanium anodes

Номер патента: US20220098063A1. Автор: Wei-Chun Hsu,Ming-Yung Hsu. Владелец: Yantai United Ozonetec Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Beverages composed of fruit and/or vegetable components and methods for producing the same

Номер патента: US12018238B1. Автор: Susanne Gardner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-25.

Detergent composed of hollow spherical pellets, and process for manufacturing the same

Номер патента: US3887614A. Автор: Minoru Yoshida,Masayoshi Nakamura,Susumu Ando,Hiroshi Hoshi,Rinnosuke Susuki,Toshisaburo Toyoda. Владелец: Lion Fat and Oil Co Ltd. Дата публикации: 1975-06-03.

Forging process of magnesium-lithium alloy

Номер патента: CN112893727A. Автор: 张超,张博,王世超,曹玉如,廉颖. Владелец: Shaanxi Changyu Aviation Equipment Co ltd. Дата публикации: 2021-06-04.

Magnesium-lithium alloy electric arc additive manufacturing welding wire, preparation method thereof and additive manufacturing method

Номер патента: CN115401361A. Автор: 童鑫,吴国华,刘文才,戴铮,庞松,肖旅,刘宏杰,陈培军,候正全. Владелец: Luoyang Shengya Magnesium Alloy Science And Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-11-29.

Die-casting process of magnesium-lithium alloy notebook shell

Номер патента: CN113787301A. Автор: 蒋红兵. Владелец: Guangde Zhuchang Electronic Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-12-14.

A kind of magnesium lithium alloy waveguide cold bend(ing) forming method

Номер патента: CN108906938A. Автор: 徐平,王彤,王子毅. Владелец: Leinas Technology (beijing) Ltd By Share Ltd. Дата публикации: 2018-11-30.

Preparation of magnesium lithium alloy from fused salt electrolysis

Номер патента: CN1908238A. Автор: 张密林,侯智尧,范路安,何立义. Владелец: Harbin Engineering University. Дата публикации: 2007-02-07.

Manufacturing method of gallium nitride film

Номер патента: US20230374649A1. Автор: Masanobu Ikeda. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Gallium precursors for deposition of gallium-containing oxide films

Номер патента: US20240287675A1. Автор: Julien Gatineau,Ziyun Wang,Yumin Liu,Bo Peng. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-08-29.

Solution of gallium phthalocyanine method for preparing the same method for producing gallium phthalocyanine crystal method for purifying composition containing gallium phthalocyanine and method for producing electrophotographic photosensitive member

Номер патента: US20150234298A1. Автор: Masato Tanaka,Tsutomu Nishida,Masataka Kawahara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Solution of gallium phthalocyanine method for preparing the same method for producing gallium phthalocyanine crystal method for purifying composition containing gallium phthalocyanine and method for producing electrophotographic photosensitive member

Номер патента: US9535345B2. Автор: Masato Tanaka,Tsutomu Nishida,Masataka Kawahara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Solution of gallium phthalocyanine method for preparing the same method for producing gallium phthalocyanine crystal method for purifying composition containing gallium phthalocyanine and method for producing electrophotographic photosensitive member

Номер патента: US09535345B2. Автор: Masato Tanaka,Tsutomu Nishida,Masataka Kawahara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Fabrication of gallium nitride layers by lateral growth

Номер патента: AU2349100A. Автор: Kevin J. Linthicum,Thomas Gehrke,Darren B. Thomson,Eric P. Carlson,Pradeep Rajagopal,Robert F Davis. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2000-06-19.

Method for the synthesis of gallium nitride with n2 near room temperature

Номер патента: WO2024054772A3. Автор: Zakaria Y. AL BALUSHI,Sara Christy SUSANTO. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2024-04-18.

Gallium precursors for deposition of gallium-containing oxide films

Номер патента: EP4355926A1. Автор: Julien Gatineau,Ziyun Wang,Yumin Liu,Bo Peng. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-04-24.

Compound based on an alkaline-earth, sulphur and aluminium, gallium or indium, method for preparing same and use thereof as luminophore

Номер патента: CA2450286C. Автор: Thierry Le Mercier,Olivier Le Roux. Владелец: Rhodia Electronics and Catalysis SAS. Дата публикации: 2009-11-24.

Electrodeposition of gallium for photovoltaics

Номер патента: US09410259B2. Автор: Raghu N. Bhattacharya. Владелец: Alliance for Sustainable Energy LLC. Дата публикации: 2016-08-09.

AQUEOUS INDIUM OR INDIUM ALLOY PLATING BATH AND PROCESS FOR DEPOSITION OF INDIUM OR AN INDIUM ALLOY

Номер патента: US20180355500A1. Автор: Pieper Stefan,ROHDE Dirk,KIRBS Andreas,SPERLING Jan,CASTELLANI Mauro,VAZHENIN Grigory. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-13.

AQUEOUS INDIUM OR INDIUM ALLOY PLATING BATH AND PROCESS FOR DEPOSITION OF INDIUM OR AN INDIUM ALLOY

Номер патента: US20200392637A1. Автор: Pieper Stefan,ROHDE Dirk,KIRBS Andreas,SPERLING Jan,CASTELLANI Mauro,VAZHENIN Grigory. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-17.

Process and apparatus for the purification of gallium

Номер патента: CA1123778A. Автор: John H. Wagenknecht. Владелец: Monsanto Co. Дата публикации: 1982-05-18.

Growing method of gallium nitride related compound semiconductor crystal and gallium nitride related compound semiconductor device

Номер патента: US5716450A. Автор: Hitoshi Okazaki,Seiji Togawa. Владелец: Japan Energy Corp. Дата публикации: 1998-02-10.

Forming indium gallium nitride comprises providing a layer of gallium nitride within a chamber, and epitaxially growing a layer of indium gallium nitride on a surface of the layer of gallium nitride

Номер патента: FR2972731A1. Автор: Pierre Tomasini,Christophe Figuet. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2012-09-21.

USE OF GALLIUM OR GALLIUM ALLOYS IN GLIVOKS FOR SKI.

Номер патента: NO165597C. Автор: Shoji Hashimoto. Владелец: Dowa Mining Co. Дата публикации: 1991-03-06.

Method for the synthesis of gallium nitride with n2 near room temperature

Номер патента: WO2024054772A2. Автор: Zakaria Y. AL BALUSHI,Sara Christy SUSANTO. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2024-03-14.

Manufacturing method of gallium oxide of high purity spherical for minimalize of loss of gallium and high purity spherical gallium oxide therefrom

Номер патента: KR101473716B1. Автор: 김태진,심종길,황수현,고정현,전덕일,최영종. Владелец: (주)티에스엠. Дата публикации: 2014-12-26.

Electrowinning of gallium

Номер патента: CA1054556A. Автор: Shou C. Liang,Horst E. Hirsch,Cecil L. Crossley. Владелец: Teck Metals Ltd. Дата публикации: 1979-05-15.

Electrodeposition of gallium for photovoltaics

Номер патента: US20140202870A1. Автор: Raghu N. Bhattacharya. Владелец: Alliance for Sustainable Energy LLC. Дата публикации: 2014-07-24.

Apparatus for large volume ammonothermal manufacture of gallium nitride crystals and methods of use

Номер патента: US09724666B1. Автор: Mark P. D'Evelyn,Douglas W. Pocius,Pakalapati Tirumala Rajeev. Владелец: Soraa Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

COMPOUND OF THE LAMO3 TYPE, M BEING ALUMINUM, GALLIUM OR INDIUM, IN POWDER FORM OR IN SINTERED FORM, PROCESS FOR PREPARING THE SAME AND USE THEREOF AS AN OXYGEN CONDUCTOR

Номер патента: FR2756270A1. Автор: Pierre Macaudiere,Thierry Seguelong. Владелец: Rhodia Chimie SAS. Дата публикации: 1998-05-29.

Lamo3 type composition, m being aluminium, gallium or indium, in powder or sintered form, method of preparation and use as conductor of oxygen

Номер патента: CA2273506A1. Автор: Pierre Macaudiere,Thierry Seguelong. Владелец: Thierry Seguelong. Дата публикации: 1998-05-28.

COMPOUND OF THE LAMO3 TYPE, M BEING ALUMINUM, GALLIUM OR INDIUM, IN POWDER FORM OR IN SINTERED FORM, PROCESS FOR PREPARING THE SAME AND USE THEREOF AS AN OXYGEN CONDUCTOR

Номер патента: FR2756270B1. Автор: Pierre Macaudiere,Thierry Seguelong. Владелец: Rhodia Chimie SAS. Дата публикации: 1999-03-26.

Process for indium or indium alloy deposition and article

Номер патента: US10753007B2. Автор: Dirk Rohde,Stefan Pieper,Grigory VAZHENIN,Andreas Kirbs,Jan SPERLING,Mauro CASTELLANI. Владелец: Atotech Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2020-08-25.

Reactive ion etching or indium tin oxide

Номер патента: US5286337A. Автор: Len Y. Tsou. Владелец: North American Philips Corp. Дата публикации: 1994-02-15.

PROCESS FOR INDIUM OR INDIUM ALLOY DEPOSITION AND ARTICLE

Номер патента: US20180298511A1. Автор: Pieper Stefan,ROHDE Dirk,KIRBS Andreas,SPERLING Jan,CASTELLANI Mauro,VAZHENIN Grigory. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-18.

Gallium or indium-bridged group 4 metal complexes

Номер патента: WO2001046201A1. Автор: Richard E. Campbell, Jr.,David D. Devore,Kevin A. Frazier,Jasson T. Patton,Shaoguang S. Feng,Daniel Patrick Green. Владелец: The Dow Chemical Company. Дата публикации: 2001-06-28.

Gallium or indium-bridged group 4 metal complexes

Номер патента: AU2054801A. Автор: Kevin A. Frazier,Shaoguang S. Feng,David D Devore,Jasson T Patton,Richard E. Campbell Jr.,Daniel Patrick Green. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 2001-07-03.

COMPOUND BASED ON AN ALKALINE EARTH, SULFUR AND ALUMINUM, GALLIUM OR INDIUM, METHOD FOR PREPARING SAME AND USE THEREOF AS LUMINOPHORE

Номер патента: FR2826016B1. Автор: . Владелец: Rhodia Electronics and Catalysis SAS. Дата публикации: 2004-07-23.

COMPOUND BASED ON AN ALKALINE EARTH, SULFUR AND ALUMINUM, GALLIUM OR INDIUM, METHOD FOR PREPARING SAME AND USE THEREOF AS LUMINOPHORE

Номер патента: FR2755122A1. Автор: Denis Huguenin,Pierre Macaudiere. Владелец: Rhodia Chimie SAS. Дата публикации: 1998-04-30.

Compound with base of an alkaline-earth, sulphur and aluminium, gallium or indium, method of preparing same and use as luminophore

Номер патента: CA2270577A1. Автор: Denis Huguenin,Pierre Macaudiere. Владелец: Pierre Macaudiere. Дата публикации: 1998-05-07.

Process for the removal of oxygen-containing contaminants from organo-gallium or -indium compounds

Номер патента: DE69421249D1. Автор: Tadaaki Yako,Yasuo Oga. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1999-11-25.

COMPOUND BASED ON AN ALKALINE EARTH, SULFUR AND ALUMINUM, GALLIUM OR INDIUM, METHOD FOR PREPARING SAME AND USE THEREOF AS LUMINOPHORE

Номер патента: FR2755122B1. Автор: Denis Huguenin,Pierre Macaudiere. Владелец: Rhodia Chimie SAS. Дата публикации: 1998-11-27.

Compound with base of alkaline-earth, sulphur and luminium, gallium or indium, method of preparing same and use as luminophore

Номер патента: CN1238744A. Автор: D·休古尼恩,P·马科迪里. Владелец: Rhone Poulenc Chimie SA. Дата публикации: 1999-12-15.

Chromium-doped gallium or indium antimonate near-infrared luminescent material, and preparation method and application thereof

Номер патента: CN113861980A. Автор: 宋振,刘泉林,赵甍. Владелец: University of Science and Technology Beijing USTB. Дата публикации: 2021-12-31.

Compound based on an alkaline-earth, sulphur and aluminium, gallium or indium, method for preparing same and use thereof as luminophore

Номер патента: CA2450286A1. Автор: Thierry Le Mercier,Olivier Le Roux. Владелец: Olivier Le Roux. Дата публикации: 2002-12-19.

Compound with Base of an Alkaline-Earth, Sulphur and Aluminium, Gallium or Indium, Method of Preparing Same and Use as Luminophore

Номер патента: KR100355729B1. Автор: 더니 위제니,피에르 마카디에르. Владелец: 로디아 쉬미. Дата публикации: 2002-10-19.

METHOD FOR THE PREPARATION OF GALLIUM OXIDE/COPPER GALLIUM OXIDE HETEROJUNCTION

Номер патента: US20200312659A1. Автор: Liang Hongwei,XIA Xiaochuan,ZHANG Heqiu. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-01.

Bridged gallium or indium containing group 4 metal complexes

Номер патента: US20020098973A1. Автор: Kevin Frazier,David Devore,Jasson Patton,Richard Campbell,Shaoguang Feng,D. Green. Владелец: Campbell Richard E.. Дата публикации: 2002-07-25.

Manufacturing method of gallium oxide nano particle using diethylene glycol and gallium oxide therefrom

Номер патента: KR101514945B1. Автор: 김태진,황수현,고정현,전덕일,최영종. Владелец: (주)티에스엠. Дата публикации: 2015-04-28.

It mixes the preparation method of gallium silicon ingot, mix gallium silicon ingot and silicon wafer

Номер патента: CN110438565A. Автор: 明亮,黄美玲,刘福刚,段金刚. Владелец: Hunan Red Sun Photoelectricity Science and Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-12.

Manufacturing method of gallium oxide substrate and polishing slurry for gallium oxide substrate

Номер патента: KR20210144694A. Автор: 유스케 히라바야시. Владелец: 에이지씨 가부시키가이샤. Дата публикации: 2021-11-30.

A method of manufacturing p-type gallium oxide by intrinsic doping, the resulting thin film of gallium oxide and its use

Номер патента: FR3085535B1. Автор: Teherani Ferechteh Hosseini-,Philippe Henri Bove,David Rogers,Vinod Eric Sandana. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-02-12.

Synthesis method of gallium oxide nanomaterials by using thermal plasma and the gallium oxide thereby

Номер патента: KR101566942B1. Автор: 김태희,박동화. Владелец: 인하대학교 산학협력단. Дата публикации: 2015-11-09.

Large gallium nitride monocrystals for cathodoluminescence - obtd. by reaction of gallium chloride and ammonia in vapour phase

Номер патента: FR2304400A1. Автор: Guy Jacob,Jean Hallais. Владелец: Radiotechnique Compelec RTC SA. Дата публикации: 1976-10-15.

A method of gallium is recycled from electrodeposition in alkaline solution containing gallium

Номер патента: CN109208032A. Автор: 刘建辉,邓涛,侯新常,付彦杰,蒋海萍. Владелец: ZHEJIANG KEFEI TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-15.

Preparation method of gallium nitride nanopowder by thermal plasma jet and the gallium nitride nanopowder thereby

Номер патента: KR101722044B1. Автор: 김태희,박동화. Владелец: 인하대학교 산학협력단. Дата публикации: 2017-04-03.

Compounds based on alkaline earth metals, sulfur and aluminum, gallium or indium, their preparation and their use as phosphors

Номер патента: JP2004529261A. Автор: ル メルシエ ティエリー,ル ルー オリヴィエ. Владелец: ロディア エレクトロニクス アンド カタリシス. Дата публикации: 2004-09-24.

Electrodeposition methods of gallium and gallium alloy films and related photovoltaic structures

Номер патента: US9401443B2. Автор: Qiang Huang,Hariklia Deligianni,Lubomyr T. Romankiw,Raman Vaidyanathan,Shafaat Ahmed,Kathleen B. Reuter. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-26.

Growing method of gallium nitride single crystal and gallium nitride single crystal

Номер патента: CN1938457B. Автор: 岩井真,今井克宏,今枝美能留. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2011-11-30.

Growing method of gallium oxide film by aerosol-assisted chemical vapor deposition and gallium oxide film

Номер патента: CN113388824A. Автор: 王飞,赵东旭,王云鹏,范翊. Владелец: Changchun Institute of Optics Fine Mechanics and Physics of CAS. Дата публикации: 2021-09-14.

Process for the separation and concentration of gallium from¹an aqueous solution that contains gallium together with¹aluminium, zinc and/or copper

Номер патента: IE910180A1. Автор: Ioannis Kirgios,Karl Schugerl,Kark Degener. Владелец: Europ Economic Community. Дата публикации: 1991-07-31.

Method for deposition of gallium arsenide from vapor phase gallium-arsenic complexes

Номер патента: IL77014A0. Автор: . Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1986-04-29.

Recovery of gallium oxide from solutions

Номер патента: AU7690574A. Автор: Clinton Snyder Harry Jr. Владелец: Aluminum Company Of America. Дата публикации: 1975-10-02.

Reactor for extended duration growth of gallium containing single crystals

Номер патента: US20030221619A1. Автор: Yuri Melnik,Vladimir Dmitriev,Vitali Soukhoveev,Vladimir Ivantsov,Katie Tsvetkov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-04.

Recovery of gallium oxide from solutions

Номер патента: AU462987B2. Автор: Clinton Snyder Harry Jr. Владелец: Aluminum Company Of America. Дата публикации: 1975-07-10.

Recovery of gallium oxide from solutions

Номер патента: AU465595B2. Автор: Clinton Snyder Harry Jr. Владелец: Aluminum Company Of America. Дата публикации: 1975-10-02.

Method for preparing a mixed crystal of gallium arsenide phosphide in the desired proportions of the arsenic and phosphor components

Номер патента: CA919060A. Автор: Akasaki Isamu,Hara Tohru,Asao Ichiro. Владелец: Ichiro Asao. Дата публикации: 1973-01-16.

Recovery of gallium oxide from solutions

Номер патента: AU7690674A. Автор: Clinton Snyder Harry Jr. Владелец: Aluminum Company Of America. Дата публикации: 1975-07-10.

Recovery of gallium and vanadium

Номер патента: AU526536B2. Автор: Sergei Pavlovich Yatsenko,Eduard Sergeevich Fomin,Ivan Vladimirovich Davydov,Valery Nikolaevich Diev,Arnold Fedorovich Eremeev,Anastasia Dmitrievna Grigorieva,Vladimir Nikolaevich Lavrenchuk,Ruslan Nurievich Moskov,Vladimir Iosifovich Ovsyannikov,Georgy Mikhailovich Rubinshtein,Evgeny Nikolaevich Starkov,Tatyana Mikhailovna Zlokazova. Владелец: Inst Khim Ural Nauchnogo Tsent. Дата публикации: 1983-01-20.

Seed crystal for growth of gallium nitride bulk crystal in supercritical ammonia and fabrication method

Номер патента: US20190096668A1. Автор: Tadao Hashimoto,Edward Letts,Daryl Key. Владелец: SixPoint Materials Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

COMPOSITIONS CONTAINING GALLIUM AND/OR INDIUM AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20180079913A1. Автор: Kirby Glen Harold,Wan Julin. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

COMPOSITIONS CONTAINING GALLIUM AND/OR INDIUM AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20190144346A1. Автор: Kirby Glen Harold,Wan Julin. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

Process for the preparation of alkylenecarbonate using lead halides and/or indium halides as catalyst

Номер патента: KR100321116B1. Автор: 이상득,김재준,김훈식,김홍곤,박건유. Владелец: 박호군. Дата публикации: 2002-03-18.

PROCESS FOR THE MANUFACTURE OF POLYCRYSTALLINE GRENATE COMPRISING ALUMINUM AND / OR GALLIUM AND / OR INDIUM AND AT LEAST ONE ELEMENT TAKEN IN THE GROUP CONSISTING OF RARE EARTHS AND YTTRIUM, CORRESPONDING SINGLE CRYSTALS

Номер патента: FR2469478A1. Автор: Bernard Boudot,Georges Nury. Владелец: Rhone Poulenc Industries SA. Дата публикации: 1981-05-22.

Zeolites containing gallium and/or indium, process for producing them and their use

Номер патента: EP0074651A1. Автор: Friedrich Dr. Wunder,Ernst Ingo Dr. Leupold,Herbert Dr. Baltes,Heinz Dr. Litterer. Владелец: Hoechst AG. Дата публикации: 1983-03-23.

Compositions containing gallium and/or indium and methods of forming the same

Номер патента: CA3036964A1. Автор: Glen Harold Kirby,Julin Wan. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2018-03-22.

Commutator lubricants - for electrical machines contg finely-divided metals esp tin and/or indium

Номер патента: DE2064601A1. Автор: Wolfgang Sarnen Krebs (Schweiz). MP. Владелец: Interelectric AG. Дата публикации: 1972-07-20.

Etching solution composition for molybdenum-titanium layer or indium oxide layer and method for etching molybdenum-titanium layer or metal oxide layer using the same

Номер патента: KR102245661B1. Автор: 김동기,김진성,윤영진. Владелец: 동우 화인켐 주식회사. Дата публикации: 2021-04-28.

Etching composition for etching copper-based/molybdenum based multilayer film or indium oxide film and method for etching metal layer using the same

Номер патента: KR101292449B1. Автор: 최용석,김순신,이석. Владелец: 동우 화인켐 주식회사. Дата публикации: 2013-07-31.

Process for vacuum evaporation of thin superconducting layers, in particular made of tin or indium

Номер патента: DE1230285B. Автор: Hollis Leland Caswell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1966-12-08.

Electrolytic refining of metals from their liq alloys - esp gallium, mercury, zinc, bismuth, lead, cadmium or indium

Номер патента: DE2519994B1. Автор: Fomina Nina A,Ljubimowa Nina A,Pestowa Geb Grysunowa Galina G,Smirnow Swetoslaw G,Smirnowa Geb Worobijewa Marg I,Selechowa Nina P,Gorbatschewa Geb Tschetwerik S,Erschowa Geb Ekimowa Ljubow W,Tiflow Aleksandr W. Владелец: GNI I PI REDKOMETALLITSCHESKOI. Дата публикации: 1976-11-25.

Compositions containing gallium and/or indium and methods of forming the same

Номер патента: US20180079913A1. Автор: Glen Harold Kirby,Julin Wan. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2018-03-22.

Compositions containing gallium and/or indium and methods of forming the same

Номер патента: CA3130995C. Автор: Glen Harold Kirby,Julin Wan. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2024-06-18.

LUMINESCENT MATERIAL OF GALLIUM INDIUM OXIDE AND PREPARATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20130234077A1. Автор: Liu Jun,Zhou Mingjie,Ma Wenbo. Владелец: . Дата публикации: 2013-09-12.

SEED CRYSTAL FOR GROWTH OF GALLIUM NITRIDE BULK CRYSTAL IN SUPERCRITICAL AMMONIA AND FABRICATION METHOD

Номер патента: US20190091807A1. Автор: HASHIMOTO Tadao,LETTS Edward,Key Daryl. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-28.

SEED CRYSTAL FOR GROWTH OF GALLIUM NITRIDE BULK CRYSTAL IN SUPERCRITICAL AMMONIA AND FABRICATION METHOD

Номер патента: US20190093256A1. Автор: HASHIMOTO Tadao,LETTS Edward,Key Daryl. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-28.

ELECTRODEPOSITION OF GALLIUM FOR PHOTOVOLTAICS

Номер патента: US20140202870A1. Автор: BHATTACHARYA Raghu N.. Владелец: ALLIANCE FOR SUSTAINABLE ENERGY, LLC. Дата публикации: 2014-07-24.

PROCESS FOR LARGE-SCALE AMMONOTHERMAL MANUFACTURING OF GALLIUM NITRIDE BOULES

Номер патента: US20150132926A1. Автор: "DEvelyn Mark P.",Ehrentraut Dirk,Kamber Derrick S.,DOWNEY BRADLEY C.. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-14.

Manufacturing method of gallium nitride substrate

Номер патента: US20180174823A1. Автор: Mi Hyun Kim,Jun Youn KIM,Sam Mook KANG,Young Jo TAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-21.

METHOD OF FORMING A DEVICE STRUCTURE USING SELECTIVE DEPOSITION OF GALLIUM NITRIDE AND SYSTEM FOR SAME

Номер патента: US20200194253A1. Автор: Banerjee Sourish,Aarnink Antonius,Kovalgin Alexey. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

METHOD OF PROCESSING DISCHARGE GAS DISCHARGED FROM PRODUCTION PROCESS OF GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20140322124A1. Автор: AKIYAMA Toshio,IZAKI Kansei,IWAKI Masanori,MIYANO Yasusada. Владелец: Japan Pionics Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-10-30.

METHOD FOR GROWING BETA PHASE OF GALLIUM OXIDE ([beta]-Ga2O3) SINGLE CRYSTALS FROM THE MELT CONTAINED WITHIN A METAL CRUCIBLE

Номер патента: US20170362738A1. Автор: Bickermann Matthias,Galazka Zbigniew,Uecker Reinhard,KLIMM Detlef. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-21.

In-situ and selective area etching of surfaces or layers, and high-speed growth of gallium nitride, by organometallic chlorine precursors

Номер патента: US20220356602A1. Автор: Jung Han,Bingjun Li. Владелец: YALE UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-11-10.

The use of gallium salts in presence of sulfonyl anhydrides or sulfonate anions, as Lewis acid catalysts for sulfonylation reactions, e.g. aromatic mesylation

Номер патента: FR2827194A1. Автор: Nicolas Roques,Roux Christophe Le,Magali Peyronneau. Владелец: Rhodia Chimie SAS. Дата публикации: 2003-01-17.

Production of gallium substitution type yig single crystal for microwave

Номер патента: JPS5815100A. Автор: Haruo Yoshida,Masao Kihara,Shigeyuki Kimura,Isamu Shindo,Michihiro Torii,Hirohito Goto,Hideaki Yuri,春雄 吉田,勇 進藤,木村　茂行,鳥居　道寛,木原　征夫,後藤　博仁,油利　秀明. Владелец: Takeda Riken Industries Co Ltd. Дата публикации: 1983-01-28.

A recovery method of gallium from the mo-cvd wastes

Номер патента: KR101539431B1. Автор: 심종길,김병조,이상유,박재훈,박정진. Владелец: 주식회사 엔코. Дата публикации: 2015-07-27.

Growing method of gallium nitride based on hexagonal boron nitride and magnetron sputtering aluminium nitride

Номер патента: CN105861987B. Автор: 张金,陈智斌,郝跃,宁静,张进成,庞凯,吕佳骐,朱家铎,许晟瑞,林志宇. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2019-02-19.

A kind of VGF methods prepare the device and method of gallium arsenide

Номер патента: CN108060454A. Автор: 周铁军,刘留,廖斌,王金灵. Владелец: Guangdong Forerunner Materials Ltd By Share Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of processing discharge gas discharged from production process of gallium nitride compound semiconductor

Номер патента: CN104117273A. Автор: 伊崎宽正,岩城雅典,宫野安定,秋山敏雄. Владелец: NIPPON PAIOUNI CO Ltd. Дата публикации: 2014-10-29.

High volume delivery system of gallium trichloride

Номер патента: JP5009367B2. Автор: アリーナ シャンタル,ウィークホーベン クリスチャン,アンドリュー シュタイデル トーマス,マイケル バーチャー チャールズ,ダニエル クラーク ロバート. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2012-08-22.

Process for large-scale ammonothermal manufacturing of gallium nitride boules

Номер патента: US10036099B2. Автор: Mark P. D'Evelyn,Dirk Ehrentraut,Bradley C. Downey,Derrick S. Kamber. Владелец: SLT Technologies Inc. Дата публикации: 2018-07-31.

Apparatus and method for seed crystal utilization in large-scale manufacturing of gallium nitride

Номер патента: US8430958B2. Автор: Mark P. D'Evelyn. Владелец: Soraa Inc. Дата публикации: 2013-04-30.

Synthesis method of gallium nitride single crystal

Номер патента: JPH11209199A. Автор: Hiroshi Shiomi,Masami Tatsumi,弘 塩見,雅美 龍見,Shigehiro Nishino,茂弘 西野. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1999-08-03.

Bulk single crystals of gallium-containing nitrides

Номер патента: JP4358646B2. Автор: イエジ・ガルチニスキ,康雄 神原,ロベルト・トマシュ・ドヴィリニスキ,ロマン・マレク・ドラジニスキ,レシェック・ピョートル・シェシュプトフスキ. Владелец: Ammono Sp zoo. Дата публикации: 2009-11-04.

Electrochemical extraction method of gallium

Номер патента: SU458987A3. Автор: Мияке Сигенобу. Владелец: Туо Татемоно Компани Лимитед (Фирма). Дата публикации: 1975-01-30.

Method for producing crystal of gallium iron oxide mixed crystal

Номер патента: JP3822150B2. Автор: 好紀 十倉,良夫 金子,茂樹 宮坂. Владелец: National Institute of Japan Science and Technology Agency. Дата публикации: 2006-09-13.

Growth method of gallium nitride-based cristal and heat treatment apparatus

Номер патента: KR20150091237A. Автор: 요스케 와타나베,고타 우메자와. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2015-08-10.

Manufacturing method of gallium nitride crystal film

Номер патента: JP7021750B2. Автор: 晃 山口,明伯 纐纈,尚 村上. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOKYO UNIVERSITY OF AGRICULUTURE & TECHNOLOGY. Дата публикации: 2022-02-17.

Fabrication of gallium nitride substrates by lateral growth through a mask.

Номер патента: JP5103014B2. Автор: ボーモン、ベルナール,フォーリエ、ジャン−ピエール,ジバール、ピエール. Владелец: サン−ゴバン クリストー エ デテクトゥール. Дата публикации: 2012-12-19.

Fabrication method of gallium manganese nitride single crystal nanowire

Номер патента: WO2006137631A1. Автор: Yun-Ki Byeun,Kyong Sop Han,Han Kyu Seong,Heon Jin Choi,Sung Churl Choi. Владелец: KOREA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2006-12-28.

Pharmaceutical composition of gallium complex of 3-hydroxy-4-pyrone

Номер патента: JP3348849B2. Автор: ローレンス リチャード バーンスタイン. Владелец: ローレンス リチャード バーンスタイン. Дата публикации: 2002-11-20.

Process for the preparation of gallium-alkyls

Номер патента: FR1294974A. Автор: . Владелец: Siemens Schuckertwerke AG. Дата публикации: 1962-06-01.

PROCESS FOR PRODUCING A MONOCRYSTAL OF GALLIUM AND INDIUM ARSENIDE

Номер патента: FR2570394B1. Автор: Marc Pierre Duseaux,Sylvie Alice Martin. Владелец: Laboratoires dElectronique et de Physique Appliquee. Дата публикации: 1986-12-05.

Improved systems and methods for synthesis of gallium nitride powders

Номер патента: KR100898478B1. Автор: 페르난도 에이. 폰세,라파엘 가르시아,애비개일 벨,앨런 씨. 토마스,마이클 알. 스티븐스. Владелец: 아리조나 보드 오브 리전트스, 아리조나주의 아리조나 주립대 대행법인. Дата публикации: 2009-05-21.

Process for the concentration and extraction of gallium compounds from aqueous liquor and other carbonization products

Номер патента: FR1086679A. Автор: . Владелец: ZH SEKITAN SOGO KENKYUJO. Дата публикации: 1955-02-15.

A kind of gallium oxide crystalline solids laser based on titanium doped graphene quantum dot

Номер патента: CN109301688A. Автор: 沈荣存. Владелец: Nanjing Tongli Crystal Materials Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-01.

Pharmaceutical compositions of gallium complexes of 3-hydroxy-4-pyrones

Номер патента: CA2122908A1. Автор: Lawrence Richard Bernstein. Владелец: Lawrence Richard Bernstein. Дата публикации: 1993-05-27.

Pharmaceutical compositions of gallium complexes of 3-hydroxy-4-pyrones

Номер патента: KR100217001B1. Автор: 로렌즈 리차드 베른스타인. Владелец: 로렌즈 리차드 베른스타인. Дата публикации: 1999-09-01.

Method for manufacturing crystal of gallium oxide-iron mixed crystal

Номер патента: JP2004075414A. Автор: Yoshio Kaneko,Yoshinori Tokura,Shigeki Miyasaka,十倉　好紀,金子　良夫,宮坂　茂樹. Владелец: Japan Science and Technology Corp. Дата публикации: 2004-03-11.

Preparation method and equipment of gallium trichloride

Номер патента: CN111072058B. Автор: 徐成,朱刘,刘华胜,周声万. Владелец: First Rare Materials Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-22.

Preparation method of a coating of gallium nitride

Номер патента: KR100897589B1. Автор: 세몽파브리스,마씨쟝끌로드,그랑쟝니꼴라스삐에르. Владелец: 상뜨르 나쇼날 드 라 러쉐르쉬 샹띠피끄 (쎄엔알에스). Дата публикации: 2009-05-14.

Growing of gallium-nitrade layer on silicon substrate

Номер патента: US8722526B2. Автор: Sang In LEE. Владелец: Veeco ALD Inc. Дата публикации: 2014-05-13.

PROCESS FOR PRODUCING A THICK EPITAXIAL LAYER OF GALLIUM NITRIDE ON A SILICON SUBSTRATE OR THE LIKE AND LAYER OBTAINED BY SAID METHOD

Номер патента: FR2977260A1. Автор: Mark Kennard,Yvon Cordier,David Schenk,Alexis Bavard,Eric Frayssinet,Daniel Rondi. Владелец: OMMIC. Дата публикации: 2013-01-04.

Separation and concentration of gallium from aqueous aluminum chloride solution

Номер патента: JPS5858186A. Автор: Ichiro Aoyanagi,Haruo Matsui,春夫 松井,青柳　一郎. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1983-04-06.

SUBSTRATE FOR THE EPITAXIAL GROWTH OF GALLIUM NITRIDE

Номер патента: FR2918791A1. Автор: Eric Mattmann,Pascal Reutler. Владелец: Compagnie de Saint Gobain SA. Дата публикации: 2009-01-16.

Methods of processing of gallium nitride

Номер патента: US20050042845A1. Автор: Wolfram Urbanek. Владелец: ALLEGIS TECHNOLOGIES Inc. Дата публикации: 2005-02-24.

Method for manufacturing a thick epitaxial layer of gallium nitride on a silicon or similar substrate and layer obtained using said method

Номер патента: KR102016046B1. Автор: 다비드 셴크,알렉시스 바바르,이봉 꼬르디에,에릭 프레이지네,마크 켄나드,다니엘 롱디. Владелец: 소이텍. Дата публикации: 2019-08-30.

A kind of growing method of gallium nitride based LED epitaxial slice

Номер патента: CN109440063A. Автор: 丁涛,李鹏,胡加辉,周飚,韦春余. Владелец: HC Semitek Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-08.

Manufacturing method of High density Target, utilizing waste Targets consisting of Gallium Oxide and Indium Oxide

Номер патента: KR101419438B1. Автор: 양승호,강민호,윤원규,임선권. Владелец: 희성금속 주식회사. Дата публикации: 2014-07-14.

Method for producing powders made of gallium nitride and apparatus for producing the same

Номер патента: US6911083B2. Автор: Kazuhiko Hara. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2005-06-28.

Substrate for the epitaxial growth of gallium nitride

Номер патента: EP2171751A2. Автор: Eric Mattmann,Fabien Lienhart,Pascal Reutler. Владелец: Compagnie de Saint Gobain SA. Дата публикации: 2010-04-07.

PROCESS FOR PRODUCING A THICK EPITAXIAL LAYER OF GALLIUM NITRIDE ON A SILICON SUBSTRATE OR THE LIKE AND LAYER OBTAINED BY SAID METHOD

Номер патента: FR2977260B1. Автор: Mark Kennard,Yvon Cordier,David Schenk,Alexis Bavard,Eric Frayssinet,Daniel Rondi. Владелец: OMMIC. Дата публикации: 2013-07-19.

Semiconductor structure of gallium nitride based semiconductor

Номер патента: JP4095066B2. Автор: シッピング グオ,ディヴィッド ゴットホールド,ミラン ポプリスティック,ボリス ピアズ,イヴァン エリアシェヴィッチ,ブライアン エス シェルトン,アレックス ディー セルッジ,マイケル マーフィー,リチャード エイ ストール. Владелец: エムコア・コーポレイション. Дата публикации: 2008-06-04.

METHOD FOR THE THERMAL TREATMENT OF GALLIUM ARSENIDE CRYSTALS.

Номер патента: DE68902668D1. Автор: Susumu Kuwahara,Takao Takenaka,Yutaka Kitigawara. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 1992-10-08.

Epitaxial layer of gallium nitride

Номер патента: CN114447096A. Автор: 李宁,张信,李克涛,杜晓沨. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-06.

Improved systems and methods for synthesis of gallium nitride powders

Номер патента: EP1838615A1. Автор: Alan C. Thomas,Fernando A. Ponce,Rafael Garcia,Abigail Bell,Michael R. Stevens. Владелец: ARIZONA BOARD REGENTS A BODY C. Дата публикации: 2007-10-03.

Methods of storage and/or transport of gallium chloride

Номер патента: KR102228897B1. Автор: 리차드 헤르만 바우덴베르그. Владелец: 누리온 케미칼즈 인터내셔널 비.브이.. Дата публикации: 2021-03-17.

A kind of preparation method of gallium alkene

Номер патента: CN108315814A. Автор: 孙凯,陶敏龙,王俊忠,涂玉兵. Владелец: SOUTHWEST UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-07-24.

USE OF GALLIUM-CONTAINING ALUMINOSILICATE CATALYST FOR THE FLAVORING OF C5-C7 LIGHT FRACTIONS.

Номер патента: DE69000576T2. Автор: Bernard Juguin,Henri Kessler,Jean-Paul Bournonville,Jean-Louis Guth,Francis Raatz. Владелец: IFP Energies Nouvelles IFPEN. Дата публикации: 1993-04-15.

Method for epitaxy of gallium selenide (gase) on a silicon substrate oriented (111)

Номер патента: EP3809452B1. Автор: Thierry Baron,Mickaël Martin. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-04-27.

Method of production of gallium from alkali-aluminate solutions of aluminous production

Номер патента: RU2264481C1. Автор: В.Н. Диев,С.П. Яценко,Л.А. Пасечник,Г.М. Рубинштейн,В.Б. Садовников. Владелец: Институт химии твердого тела Уральского Отделения Российской Академии наук. Дата публикации: 2005-11-20.

Method of manufacture of integral elements of microcircuits on the epitaxial structures of gallium arsenide

Номер патента: RU2665368C1. Автор: Александр Сергеевич Федоров,Григорий Юрьевич Вечерко. Владелец: Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета" ОАО "ОКБ-Планета". Дата публикации: 2018-08-29.

Method of electrochemical refining of gallium

Номер патента: RU2271400C1. Автор: Сергей Алексеевич Козлов,Михаил Валентинович Сажин,Михаил Папиевич Аганичев,Игорь Олегович Петрухин,Николай Алексеевич Потолоков. Владелец: ОАО Научно-исследовательский институт материалов электронной техники (НИИМЭТ). Дата публикации: 2006-03-10.

Method of gallium recovery from aluminate solutions

Номер патента: RU2157421C2. Автор: Л.К. Алтунина,Т.В. Павлова,А.Г. Филимошкин,Е.Б. Чернов,Г.А. Терентьева,Е.Г. Прибытков. Владелец: Институт химии нефти СО РАН. Дата публикации: 2000-10-10.

Synthesis of gallium oxide nanoparticles in supercritical water

Номер патента: RU2487835C2. Автор: Владимир Ильич Аникеев. Владелец: Учреждение Российской Академии наук Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения РАН. Дата публикации: 2013-07-20.

Mixture for production of gallium

Номер патента: RU2255129C1. Автор: С.А. Есиков,Л.П. Грош,Л.А. Ярыгин,С.А. Есиков (RU),Л.П. Грош (RU),Л.А. Ярыгин (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ТНП-Комплекс". Дата публикации: 2005-06-27.

Process for extraction of gallium from alkaline gallium-containing solutions

Номер патента: CA1094501A. Автор: Ljudmila N. Nikitina,Raisa V. Ivanova,Arkady A. Belsky,Nikolai A. Novikov,Nina N. Alexeeva,Nina A. Ljubimova,Anna E. Dotsenko. Владелец: GOSUDARSTVENNY NAUCHNO-ISSLEDOVATELSKY I PROEKTNY INSTITUT REDKOMETALLICHESKOI PROMYSHLENNOSTI "GIREDMET". Дата публикации: 1981-01-27.

Method of gallium recovery from gallium-containing oxides of rare-earth metals

Номер патента: RU2164259C2. Автор: Г.Г. Кознов. Владелец: ООО "Фомос-Технолоджи". Дата публикации: 2001-03-20.

Gallium complexes and solvent extraction of gallium

Номер патента: CA1291764C. Автор: James P. Coleman,Bruce F. Monzyk,Charles R. Graham. Владелец: Monsanto Co. Дата публикации: 1991-11-05.

Method of gallium-arsenic-bearing wastes processing

Номер патента: RU2078842C1. Автор: В.Н. Абрютин,О.Н. Калашник. Владелец: Кийко Михаил Юрьевич. Дата публикации: 1997-05-10.

Composite substrate of gallium nitride and metal oxide

Номер патента: US09431488B2. Автор: Tadao Hashimoto. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Processes for the localized and deep diffusion of gallium into silicon

Номер патента: US3895976A. Автор: Guy H Dumas. Владелец: Silec Semi Conducteurs SA. Дата публикации: 1975-07-22.

Manufacturing a laser diode device from a plurality of gallium and nitrogen containing substrates

Номер патента: US9209596B1. Автор: James W. RARING,Melvin McLaurin,Po Shan Hsu,Alexander Sztein. Владелец: Soraa Laser Diode Inc. Дата публикации: 2015-12-08.

Method of preparing a solution of gallium 68 from germanium 68

Номер патента: US4333911A. Автор: Bernard Maziere,Dominique Comar,Christian Loc'h. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1982-06-08.

Vertical semiconductor component on the basis of gallium nitride with a structured intermediate layer

Номер патента: US20240234512A9. Автор: Kevin Dannecker,Stefan Regensburger. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for the reuse of gallium nitride epitaxial substrates

Номер патента: US09396943B2. Автор: Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,Daniel F. Feezell,Casey O. Holder. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2016-07-19.

Use of gallium(iii) complexes for the treatment of melanomas

Номер патента: US20090137620A1. Автор: Bernhard Keppler. Владелец: Niiki Pharma Inc. Дата публикации: 2009-05-28.

Method for the reuse of gallium nitride epitaxial substrates

Номер патента: US9773704B2. Автор: Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,Daniel F. Feezell,Casey O. Holder. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-09-26.

Vertical semiconductor component on the basis of gallium nitride with a front-side measuring electrode

Номер патента: US20240128133A1. Автор: Klaus Heyers,Jens Baringhaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-04-18.

Use of gallium(iii) complexes for the treatment of melanomas

Номер патента: CA2640509A1. Автор: Bernhard Keppler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-23.

Vertical semiconductor component on the basis of gallium nitride with a structured intermediate layer

Номер патента: US20240136407A1. Автор: Kevin Dannecker,Stefan Regensburger. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-04-25.

Structural unit composed of discharge valve and bag hermetically fitted thereon

Номер патента: RU2350534C2. Автор: Адальберто ГЕЙЕР,Джузеппе ДАЛЬСАНТ. Владелец: Костер Текнологие Спесьяли С.П.А.. Дата публикации: 2009-03-27.

Railway sleeper composed of fibre-reinforced earthenware

Номер патента: RU2654652C2. Автор: Коля КУЗЕ,Матиас Мюллер,Эмер БУКАЛЕ. Владелец: Эмер БУКАЛЕ. Дата публикации: 2018-05-21.

Sandwiched film, fabrication of sandwiched film and article composed of at least one sandwiched film, and device for sandwiched film fabrication

Номер патента: RU2566143C2. Автор: Дирк ЭКЕНХОРСТ. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 2015-10-20.

Three-phase inverter, composed of three single phase inverters

Номер патента: RU2656877C1. Автор: Николай Петрович Кириллов,Владимир Иванович Полянский,Евгений Геннадиевич Квасов,Евгения Олеговна Соколова. Владелец: Акционерное общество "Корпорация "Стратегические пункты управления" АО "Корпорация "СПУ - ЦКБ ТМ". Дата публикации: 2018-06-07.

Laminated stator composed of symmetrically rotated packages of plates

Номер патента: US20230291246A1. Автор: Alexandre SCHMIDT FERREIRA,Wellington Renan Holler,Robson GOMES DA SILVA. Владелец: WEG Equipamentos Eletricos SA. Дата публикации: 2023-09-14.

Timber based panel composed of board-type construction members

Номер патента: RU2317382C2. Автор: Пер-Эрик СТРИДСМАН. Владелец: Сведвуд Интернэшнл Аб. Дата публикации: 2008-02-20.

Baking oven with open and shut pans composed of two halves and designed for baking thin-walled formed products

Номер патента: RU2193850C2. Автор: Йоханн ХААС,Йоханн ЗАКСЕНХОФЕР,Франц ст. ХААС. Владелец: Франц Хаас Ваффельмашинен-Индустри Акциенгезелльшафт. Дата публикации: 2002-12-10.

Negative resistance element composed of a semiconductor element

Номер патента: US4023196A. Автор: Shoei Kataoka,Hiroshi Tateno. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1977-05-10.

Photodetector designing method for photodetector having photoelectric conversion layer mostly composed of amorphous selenium and layer thickness designing method thereof, photodetector using the photoelectric conversion layer and photodetector manufacturing method thereof, and storage medium

Номер патента: US20230095246A1. Автор: Ken Okano,Joshua Dumenkosi JOHN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-03-30.

Photodetector designing method for photodetector having photoelectric conversion layer mostly composed of amorphous selenium and layer thickness designing method thereof, photodetector using the photoelectric conversion layer and photodetector manufacturing method thereof, and storage medium

Номер патента: US11817513B2. Автор: Ken Okano,Joshua Dumenkosi JOHN. Владелец: Eiwa Bussan Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Imager system comprising lens composed of a plurality of material layers

Номер патента: US20210166980A1. Автор: Girish S. Wable. Владелец: Jabil Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

Imager system comprising lens composed of a plurality of material layers

Номер патента: US10943839B2. Автор: Girish S. Wable. Владелец: Jabil Inc. Дата публикации: 2021-03-09.

Decorative panel, decorative covering composed of a plurality of such panels, method of manufacturing such a decorative panel and a method of identifying a polymer of such a decorative panel

Номер патента: WO2024056901A1. Автор: Eddy Alberic Boucke. Владелец: I4F Licensing NV. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for dividing workpieces composed of brittle-hard materials and elements producible by the method

Номер патента: US20240227084A1. Автор: Fabian Wagner,Andreas Ortner,Matthias Jotz,René Liebers,Christopher Mauer,Pascal Schumacher. Владелец: SCHOTT AG. Дата публикации: 2024-07-11.

A Broadband Antenna Composed of Lines and Its Application

Номер патента: US20210344108A1. Автор: Shunming Yuen,Wai Yin Mung,Ka Ming Wu. Владелец: Innovation Sound Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Process for the production of thin-walled hollow profiles which are composed of nonferrous metals and have small diameters

Номер патента: US11772144B2. Автор: Ralf Egerer,Olaf Petersen,Steven DINKEL. Владелец: Nexans SA. Дата публикации: 2023-10-03.

Broadband light source composed of supercontinuum light source and single-wavelength semiconductor laser diodes

Номер патента: US10277000B2. Автор: Weijia Yang,Kangkang CHEN. Владелец: Wuhan Yangtze Soton Laser Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-30.

Large-span corridor structure composed of arc-shaped cantilever trusses and stay cable supporting structures and constituting method thereof

Номер патента: US20240263407A1. Автор: YANG Zhao,ZHEN Wang,Xuelin Yang,Zhi Ding,Haochuan Qu,Junting Cheng,Ruhao WANG. Владелец: Zhejiang University City College ZUCC. Дата публикации: 2024-08-08.

Two-dimensional code composed of a plurality of types of cells

Номер патента: US20190108429A1. Автор: Toshio Morimoto,Masahiro Hara,Yosuke KANBE,Soutaro TABATA. Владелец: Denso Wave Inc. Дата публикации: 2019-04-11.

Cleaner structure composed of brush elements in a root crop digger with drum assembly rear

Номер патента: WO1982002473A1. Автор: Lauri Johannes Junnila. Владелец: Lauri Johannes Junnila. Дата публикации: 1982-08-05.

Temperature-regulating fabrics composed of natural fibers

Номер патента: US20220205146A1. Автор: Faisal YAQUB,Usman Tariq,Saif Ullah. Владелец: Naveena Exports Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Composite component comprising a piece of material composed of foam material or elastomer material

Номер патента: US20240050011A1. Автор: Marc-Stephan Weiser,Marco Ahlswede,Thorsten KRÄMER,Eike Wilhelm Kottkamp,Daniel Baasner,Klas-Moritz Kossel,Martin Hüttner,Bjarne Muth. Владелец: Innome GmbH. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for changing a visual display composed of fragments in a visible grid

Номер патента: US20240325872A1. Автор: Andreas Dante. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for connecting two conductors composed of different materials and connector and system therefor

Номер патента: US12034261B2. Автор: Jan-Phillip Kohler,Arne WILLMS. Владелец: Wobben Properties GMBH. Дата публикации: 2024-07-09.

Architectural panel system composed of a combination of sensory output tile modules and non-sensory-output tile modules, and components therefor

Номер патента: US09877406B2. Автор: Jeremy Hochman. Владелец: Revolution Display LLC. Дата публикации: 2018-01-23.

Hook for lockstitch sewing machine comprising a bobbin case with a slide composed of multiple components

Номер патента: US09797077B2. Автор: Daniele Cerliani. Владелец: CM CERLIANI Srl. Дата публикации: 2017-10-24.

Pixel array composed of pixel units, display and method for rendering image on a display

Номер патента: US09786210B2. Автор: Yuhsiung Feng. Владелец: EverDisplay Optronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Assembly composed of a saddle and a saddle compartment for motorcycles

Номер патента: US09745011B2. Автор: Alberto Gracci,Antonio Di Candia. Владелец: Piaggio and C SpA. Дата публикации: 2017-08-29.

Hand-held electrically driven tool composed of battery hammer drill

Номер патента: RU2538466C2. Автор: ШМИД Харди,ГЕРР Тобиас,РЮБЗАМЕН Хольгер. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 2015-01-10.

Wallet composed of steel fabric

Номер патента: US20120111953A1. Автор: Theo Stewart-Stand. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-05-10.

Light-shielding blade composed of beryllium-aluminum alloy for camera

Номер патента: US20010001625A1. Автор: Takao Ogawa,Nobuyoshi Inoue,Shigemi Takahashi,Noribumi Tachihara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-05-24.

Developer quantity control blade having blade member composed of a thermoplastic elastomer composition and image forming apparatus

Номер патента: US20160223939A1. Автор: Hiroshi Morishita,Mitsuru Okuda,Yoshinobu Ogawa,Sinya Tokitou. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Developer quantity control blade having blade member composed of a thermoplastic elastomer composition and image forming apparatus

Номер патента: US9411262B1. Автор: Hiroshi Morishita,Mitsuru Okuda,Yoshinobu Ogawa,Sinya Tokitou. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Device for the temporary interconnection of accessories to a truck or an articulated rig composed of tractor and trailer or semi trailer

Номер патента: EP3784552A1. Автор: Fabio Lago. Владелец: LAGO ACCESSORI Srl. Дата публикации: 2021-03-03.

Device for the temporary interconnection of accessories to a truck or an articulated rig composed of tractor and trailer or semi trailer

Номер патента: EP3784551A1. Автор: Fabio Lago. Владелец: LAGO ACCESSORI Srl. Дата публикации: 2021-03-03.

Slider composed of high-density silicon carbide sintered compact

Номер патента: US5075264A. Автор: Hisashi Kinugasa,Nobuto Mukae. Владелец: Nippon Pillar Packing Co Ltd. Дата публикации: 1991-12-24.

Three-dimensional structural body composed of silicon fine wire, its manufacturing method, and device using same

Номер патента: EP1510806A4. Автор: Hideki Kawakatsu,Dai Kobayashi. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2008-03-19.

Exchange-coupled film including pinned magnetic layer composed of a plurality of cobalt-iron alloys having different compositions disposed on antiferromagnetic layer, and magnetic sensing element

Номер патента: US20060098355A1. Автор: Naoya Hasegawa,Eiji Umetsu,Kazuaki Ikarashi,Takuya Seino,Kazumi Matsuzaka. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-05-11.

Molding device and method for producing a shell element reinforced with supporting elements and composed of fiber composite material

Номер патента: US11642862B2. Автор: Paul Jorn. Владелец: AIRBUS OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2023-05-09.

Manufacture of optical diffusers composed of reflowable materials

Номер патента: US12109771B2. Автор: Ji Wang,Qichuan Yu,Kam Wah LEONG,Yeu Woon CHAN. Владелец: Ams Sensors Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Molding device and method for producing a shell element reinforced with supporting elements and composed of fiber composite material

Номер патента: US20210260839A1. Автор: Paul Jorn. Владелец: AIRBUS OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2021-08-26.

Railway sleeper composed of fibre-reinforced stoneware

Номер патента: US09995006B2. Автор: Matthias Müller,Kolja Kuse,Omer Bucak. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-06-12.

System composed of a sill panel and a fastening clip

Номер патента: US09945407B2. Автор: Manuel Huebner. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for producing a capping layer composed of silicon oxide on an EUV mirror, EUV mirror, and EUV lithography apparatus

Номер патента: US09880476B2. Автор: Dirk Heinrich Ehm,Gisela von Blanckenhagen. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2018-01-30.

Alkaline battery including cathode can with coating composed of nickel-cobalt alloy

Номер патента: US09728752B2. Автор: Yoshiaki Ishitani,Shigeyuki Kuniya. Владелец: FDK Energy Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Arrangement for igniting thin rods composed of electrically conductive material, in particular thin silicon rods

Номер патента: US09698698B2. Автор: Günter Heid. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2017-07-04.

Wallet composed of steel fabric

Номер патента: US09486045B2. Автор: Theo Stewart-Stand. Владелец: COCKROACH DESIGN LLC. Дата публикации: 2016-11-08.

Developer quantity control blade having blade member composed of a thermoplastic elastomer composition and image forming apparatus

Номер патента: US09411262B1. Автор: Hiroshi Morishita,Mitsuru Okuda,Yoshinobu Ogawa,Sinya Tokitou. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Method for building an etching-free hybrid nonlinear waveguide composed of polymer and ion-implanted nonlinear crystal

Номер патента: US12038687B2. Автор: FENG CHEN,CHEN CHEN,Zhanghua HAN,Shengkun YAO. Владелец: SHANDONG NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor component having a dopant region formed by a dopant composed of an oxygen / vacancy complex

Номер патента: US20150123247A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Werner Schustereder,Franz Josef Niedernostheide,Thomas Neidhart,Alexander Susiti. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-05-07.

Micronized compositions composed of bone grafts and methods of making and using the same

Номер патента: CA2887568C. Автор: John Daniel,Randall Spencer,Robert Tofe. Владелец: Mimedx Group Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Wafer support fixture composed of silicon

Номер патента: US20010008232A1. Автор: Raanan Zehavi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-19.

Powder for cosmetic composition blending, said powder being composed of calcium titanium composite oxide

Номер патента: EP4410269A1. Автор: Wataru Mino,Naotaka SHIMOMURA,Chihiro NADA. Владелец: Titan Kogyo KK. Дата публикации: 2024-08-07.

Tissue grafts composed of micronized placental tissue and methods of making and using the same

Номер патента: US09943551B2. Автор: John Daniel,Thomas J. Koob,Randall Spencer. Владелец: Mimedx Group Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for producing a composite structure composed of porous carbon and electrochemical active material

Номер патента: US09780364B2. Автор: Christian Neumann,Jörg BECKER. Владелец: Heraeus Quarzglas GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-10-03.

Golf ball covers composed of PPDI-based thermoplastic polyurethane

Номер патента: US09700762B1. Автор: Shane R. Parnell. Владелец: Callaway Golf Co. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor component having a dopant region formed by a dopant composed of an oxygen/vacancy complex

Номер патента: US09412824B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Werner Schustereder,Franz Josef Niedernostheide,Thomas Neidhart,Alexander Susiti. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-08-09.

Electrolyte solvent for cathode active material composed of lithium oxo acid salt, electrolyte solution for cathode active material composed of lithium oxo acid salt, and lithium ion secondary battery

Номер патента: US09379413B2. Автор: LI YANG,Shaohua Fang. Владелец: Shoei Chemical Inc . Дата публикации: 2016-06-28.

Bile acid adsorbing agent composed of imidazole silane-treated silica

Номер патента: US20230380464A1. Автор: Shigeki Yasuda,Masaki Tanaka,Naoki Tanaka,Tsuneo Kimura,Munenao Hirokami. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2023-11-30.

Bile acid adsorbing agent composed of imidazole silane-treated silica

Номер патента: EP4238568A1. Автор: Shigeki Yasuda,Masaki Tanaka,Naoki Tanaka,Tsuneo Kimura,Munenao Hirokami. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2023-09-06.

Light emitting device with a heat sink composed of two materials

Номер патента: US20150219327A1. Автор: Daniel Robert Adema,Graham Hill,Simon Guthrie,Darren PASTRIK. Владелец: Christie Digital Systems USA Inc. Дата публикации: 2015-08-06.

Structure composed of lock core and key

Номер патента: US12054967B2. Автор: Yu-Pin Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-08-06.

Micronized compositions composed of bone grafts and methods of making and using the same

Номер патента: EP2904094A2. Автор: John Daniel,Randall Spencer,Robert Tofe. Владелец: Mimedx Group Inc. Дата публикации: 2015-08-12.

A trunk fixture for a trunking illumination system for line illumination, as well as a trunking illumination system composed of one or more of such trunk fixtures

Номер патента: EP4388249A1. Автор: Krzysztof Cezary ZAREMBA. Владелец: Signify Holding BV. Дата публикации: 2024-06-26.

Staircase avalanche photodiode with a staircase multiplication region composed of an AIInAsSb alloy

Номер патента: US09748430B2. Автор: Scott Maddox,Joe Campbell,Seth Bank,Wenlu Sun. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2017-08-29.

Light emitting device with a heat sink composed of two materials

Номер патента: US09651236B2. Автор: Daniel Robert Adema,Graham Hill,Simon Guthrie,Darren PASTRIK. Владелец: Christie Digital Systems USA Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Method and arrangement in connection with photovoltaic power generator composed of series-connected photovoltaic modules

Номер патента: US09625502B2. Автор: Anssi MÄKI,Seppo Valkealahti. Владелец: ABB Oy. Дата публикации: 2017-04-18.

X-ray tube rotating anode with an anode body composed of composite fiber material

Номер патента: US20040013234A1. Автор: Wolfgang Kutschera. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2004-01-22.

Amorphous nano-molecular aggregate composed of organic material, inorganic material, or salt thereof, and method for preparing same

Номер патента: EP4413975A1. Автор: Chul hwan Kim,Kyoung Hee Kim. Владелец: Scai Therapeutics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Amorphous nano-molecular aggregate composed of organic material, inorganic material, or salt thereof, and method for preparing same

Номер патента: US20240285652A1. Автор: Chul hwan Kim,Kyoung Hee Kim. Владелец: Scai Therapeutics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Bite-sized ices composed of natural ingredients and method for processing and apparatus for packaging the same

Номер патента: US09795153B2. Автор: Paulette Suzanne Fox. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-24.

Golf ball having core composed of a highly neutralized polymer

Номер патента: US09511265B1. Автор: David Bartels,Steve Ogg. Владелец: Callaway Golf Co. Дата публикации: 2016-12-06.

Long element-insert for grinding roll composed of two materials

Номер патента: RU2536903C2. Автор: Пекка СИИТОНЕН,Микко КАЙПИАЙНЕН,Яри ЛИИМАТАЙНЕН,Ларс ГРЕНВАЛЛЬ. Владелец: МЕТСО МИНЕРАЛЗ (ВЕАР ПРОТЕКШН) АБ. Дата публикации: 2014-12-27.

Bag for packaging of biological material, strip composed of these bags and set comprising such bag, and suspending device for it

Номер патента: RU2515533C2. Автор: Паскаль ЛЕКУЭНТ. Владелец: Имв Техноложи. Дата публикации: 2014-05-10.

Process of uninterrupted check of flow composed of mixture of steam, disperse particles and gases potentially containing hydrogen chloride and passing through exhaust pipes and system its implementation

Номер патента: RU2074389C1. Автор: Д.Бартман Кендейс,Х.Ренфрой Джеймс (младший),Л.Робадс Генри (младший),М.Коннолли Эрин. Владелец: Марин Шейл Проусессорз Инк.. Дата публикации: 1997-02-27.

Device composed of packing foil processing rollers and method of preparing packing foil for packing

Номер патента: RU2483874C2. Автор: Шарль БОЭГЛИ. Владелец: БОЭГЛИ-ГРАВЮР С.А.. Дата публикации: 2013-06-10.

Aircraft fuselage composed of lengthwise panels and method of its production

Номер патента: RU2489312C2. Автор: Гийом ГАЛЛАН,Филипп БЕРНАДЕ. Владелец: Эрбюс Операсьон (Сас). Дата публикации: 2013-08-10.

Multilayer moulding fabric, composed of two systems of beam threads with three ply connection

Номер патента: RU2347019C2. Автор: Бернард ФЕСТОР. Владелец: Олбани Интернешнл Корп.. Дата публикации: 2009-02-20.

Fuel injector with electromagnet armature composed of two parts

Номер патента: RU2517518C2. Автор: РЕТТИХ Андреас. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 2014-05-27.

Device and apparatus for preparation and dispensing of mixed products composed of main fluid and diluent

Номер патента: RU2502666C2. Автор: Эльмар Мок,Андре КЛОПФЕНШТЕЙН,Кристоф РУШ,Наоми БИТМИД. Владелец: Смиксен С.А.. Дата публикации: 2013-12-27.

Pneumatic tire including a carcass ply composed of a plurality of ply strips

Номер патента: US5372172A. Автор: Tsutomu Iseki. Владелец: Sumitomo Rubber Industries Ltd. Дата публикации: 1994-12-13.

Improvements relating to nets or bags composed of metal links

Номер патента: GB405803A. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1934-02-15.

Encoding or Decoding an Image Composed of a Plurality of Colour Components

Номер патента: GB2498982A. Автор: Edouard Francois,Christophe Gisquet. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-08-07.

Multilayer dosage forms which contain active substances and which comprise a neutral core and an inner and outer coating composed of methacrylate copolymers and methacrylate monomers

Номер патента: CA2502371C. Автор: Hans-Ulrich Petereit,Markus Rudolph,Thomas Beckert,Jennifer Dressman. Владелец: Evonik Roehm GmbH. Дата публикации: 2011-04-12.

Circuit arrangement for an indicator device having a matrix composed of bistable matrix points

Номер патента: CA2047911C. Автор: Erich Killinger. Владелец: Dambach Werke GmbH. Дата публикации: 1996-01-16.

Retrieval head for a drill bit composed of a plurality of bit segments

Номер патента: US6244363B1. Автор: Gavin T. McLeod. Владелец: DHT Technologies Ltd. Дата публикации: 2001-06-12.

Downhole tool having slip inserts composed of different materials

Номер патента: CA2988655C. Автор: James A. Rochen,Jonathan A. Young,Stephen J. Wiese,Matthew Stage. Владелец: Weatherford Technology Holdings LLC. Дата публикации: 2019-06-11.

Magnetoresistive element having spacer layer that includes two layered regions composed of oxide semiconductor and nonmagnetic conductor phase sandwiched therebetween

Номер патента: US20090040662A1. Автор: Tsutomu Chou,Tomohito Mizuno. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2009-02-12.

Solid capacitor having electrolyte composed of organic semiconductor and copolymer binder

Номер патента: CA1037248A. Автор: Masahito Yasuda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1978-08-29.

Mowing sickle comprising a sickle bar composed of bar sections

Номер патента: CA2452555C. Автор: Heinrich-Günter Schumacher. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-07.

Light receiving member having a multilayered light receiving layer composed of a lower layer made of aluminium-containing inorganic material and an upper layer made of non-single-crystal silicon material

Номер патента: CA1335242C. Автор: Tatsuyuki Aoike,Masafumi Sano,Toshimitsu Kariya,Hiroaki Niino,Takehito Yoshino. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1995-04-18.

Video stream composed of combined video frames and methods and systems for its generation, transmission, reception and reproduction

Номер патента: WO2012098567A1. Автор: Paolo D'amato,Roberto Dini,Saverio Celia. Владелец: SISVEL TECHNOLOGY S.R.L.. Дата публикации: 2012-07-26.

Magnetoresistor die composed of two reference mangetoresistors and a linear displacement sensing magnetoresistor

Номер патента: US6498482B2. Автор: Thaddeus Schroeder. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2002-12-24.

Method of checking the composition of multilayer units composed of sheetlike parts and apparatus for composing, and checking the composition of, such units

Номер патента: US5265733A. Автор: Ydo N. Hoekstra,Klaas Dreuth. Владелец: Hadewe BV. Дата публикации: 1993-11-30.

Semiconductor integrated circuit device composed of insulated gate field-effect transistor

Номер патента: US4365263A. Автор: Hiroto Kawagoe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1982-12-21.

Semiconductor integrated circuit device composed of insulated gate field-effect transistors

Номер патента: CA1070436A. Автор: Hiroto Kawagoe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1980-01-22.

The production of pellets composed of an ephedrine derivative

Номер патента: CA2105002C. Автор: Uwe Loeffler,Thomas Moest,Hans Waiblinger. Владелец: Nordmark Arzneimittel GmbH and Co KG. Дата публикации: 2003-12-09.

Process for the preparation of capsules composed of a core of liquid active material surrounded by an inorganic shell

Номер патента: NZ511368A. Автор: Dominique Dupuis,Catherine Jourdat. Владелец: Rhodia Chimie Sa. Дата публикации: 2003-09-26.

Railway car assembly composed of a series of articulately interconnected cars

Номер патента: CA1109335A. Автор: Michael B. Adams,Robert B. Morrison,John A. Angold,Robert E. Zimmerman. Владелец: Individual. Дата публикации: 1981-09-22.

Reflection rejection spherical optical train composed of tipped lens elements having cylindrical components

Номер патента: CA1159289A. Автор: William E. Humphrey. Владелец: Humphrey Instruments Inc. Дата публикации: 1983-12-27.

Unit for producing a tube with a tube wall composed of flexible material webs

Номер патента: US5632082A. Автор: Peter Hartmann. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-05-27.

Light receiving member having a multilayered light receiving layer composed of a lower layer made of aluminum-containing inorganic material and an upper layer made of non-single-crystal silicon material

Номер патента: CA1338971C. Автор: Tatsuyuki Aoike,Masafumi Sano,Toshimitsu Kariya,Hiroaki Niino,Takehito Yoshino. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1997-03-11.

Method of manufacturing semiconductor substrate and method of manufacturing semiconductor device composed of the substrate

Номер патента: US5227339A. Автор: Sadahiro Kishii. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1993-07-13.

Arrangement for an ink-jet printer head composed of individual ink printer modules

Номер патента: US5850240A. Автор: Ralf Kubatzki,Wolfgang Thiel,Junming Zhang. Владелец: Francotyp Postalia GmbH. Дата публикации: 1998-12-15.

Arrangement for underground advance driving of pipe trains composed of individual pipe lengths

Номер патента: US4630967A. Автор: Gerd Soltau. Владелец: Individual. Дата публикации: 1986-12-23.

Ultrafine grinding mill of which fed material flows down through an agitated bed composed of small grinding medium

Номер патента: CA2067840C. Автор: Hiroyuki Takahashi,Manabu Abe,Saburoh Yashima,Sadayuki Naitoh. Владелец: Fimatec Ltd. Дата публикации: 1996-10-29.

Downhole tool having slip inserts composed of different materials

Номер патента: CA2842373C. Автор: Jonathan A. Young,Stephen J. Wiese,Matthew Stage,James A Rochen. Владелец: Weatherford Technology Holdings LLC. Дата публикации: 2018-02-20.

Device for automatically maintaining a rotary electrode composed of single wires of a predetermined diameter

Номер патента: US3924096A. Автор: Nadejda Stefanova Yanakieva,Dragomirov Papazov. Владелец: DSO E L P R O M BU197303232307. Дата публикации: 1975-12-02.

Process and apparatus for the preparation of a mix composed of mineral fibers and inorganic hydraulic binders

Номер патента: US4615489A. Автор: Ange Lafata. Владелец: Projiso SA. Дата публикации: 1986-10-07.

Improvements in or relating to high-tension coils composed of round-section wire

Номер патента: GB187211A. Автор: . Владелец: Brown Boveri und Cie AG Germany. Дата публикации: 1923-07-12.

Surgical swab composed of non-woven fabric and textile polymer net

Номер патента: CA2960961C. Автор: Luis Salvador Viegas Nieto Guimaraes. Владелец: BASTOS VIEGAS SA. Дата публикации: 2022-11-29.

Data processing device composed of four data processing modules of identical construction, with protection both against simultaneous single-bit failures in the data processing modules and against failure of a single data processing module

Номер патента: US4882731A. Автор: Willibrordus J. Van Gils. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1989-11-21.

Light-shielding blade composed of beryllium-aluminum alloy for camera

Номер патента: US6190060B1. Автор: Takao Ogawa,Nobuyoshi Inoue,Shigemi Takahashi,Noribumi Tachihara. Владелец: Nidec Copal Corp. Дата публикации: 2001-02-20.

Process for transmitting or storing over disturbed channels a digitalized, encoded audio signal composed of a series of information blocks

Номер патента: CA2122011C. Автор: Detlef Wiese. Владелец: Institut fuer Rundfunktechnik GmbH. Дата публикации: 1999-06-08.

Method and computer program product for creating a plurality of mixed pseudo-records composed of weighted mixtures of existing records in a database

Номер патента: US5845284A. Автор: Marke James Robinson. Владелец: Media Plan Inc. Дата публикации: 1998-12-01.

Method of injection-moulding by injection of an article composed of at least three different materials and apparatus for carrying this method into effect

Номер патента: CA1049721A. Автор: Bernard L. Monnet. Владелец: Billion SAS. Дата публикации: 1979-03-06.

Anti-theft structure composed of lock core and key

Номер патента: US20230235594A1. Автор: Yu-Pin Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-07-27.

Method for regulating or controlling the conveyance speed of a wire composed of consumable material during a laser soldering or laser welding method, and laser soldering or laser welding device for carrying out such a method

Номер патента: US11931834B2. Автор: Andreas WALDHÖR,Manuel Binder. Владелец: FRONIUS INTERNATIONAL GMBH. Дата публикации: 2024-03-19.

Method for transferring by a relay at least one signal composed of complex symbols

Номер патента: EP2326031B1. Автор: Nicolas Gresset,Mélanie Plainchault,Ghaya Rekaya-Ben Othman. Владелец: Mitsubishi Electric R&D Centre Europe BV Netherlands. Дата публикации: 2012-05-02.

Method for regulating or controlling the conveyance speed of a wire composed of consumable material during a laser soldering or laser welding method, and laser soldering or laser welding device for carrying out such a method

Номер патента: US20230405702A1. Автор: Andreas WALDHÖR,Manuel Binder. Владелец: FRONIUS INTERNATIONAL GMBH. Дата публикации: 2023-12-21.

Treatment for infection composed of menstrual stem cells

Номер патента: WO2017064670A3. Автор: Maroun Khoury,Francisca ALCAYAGA. Владелец: Cells For Cells, S.P.A.. Дата публикации: 2017-06-01.

A Patch Antenna Composed of Bonding Wires and Its Application

Номер патента: US20210336344A1. Автор: Shunming Yuen,Wai Yin Mung,Ka Ming Wu. Владелец: Innovation Sound Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Frame Structural Part And Battery Housing With A Frame Structure Composed Of Such Frame Structural Parts

Номер патента: US20220278400A1. Автор: Aydogan Gündogan,Alexander Schauerte. Владелец: KIRCHHOFF AUTOMOTIVE DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2022-09-01.

Frame for installing arc-shaped LED display screen composed of LED display modules

Номер патента: US11723161B2. Автор: Weiqi JIAO,Xiaodong Wei,Zhenquan FAN,You Zeng. Владелец: Yaham Optoelectronics Co ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Managing multiview streaming video data composed of frames

Номер патента: US20100086023A1. Автор: Antonio Ortega,Takashi Sakamoto,Gene Cheung. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2010-04-08.

Method and apparatus for discharging the capacitors of a boost converter composed of plural bridge devices

Номер патента: WO2010122086A3. Автор: Laurent Foube,Gustavo Buiatti. Владелец: Mitsubishi Electric R&D Centre Europe B.V.. Дата публикации: 2011-07-07.

Method and apparatus for discharging the capacitors of a boost converter composed of plural bridge devices

Номер патента: EP2422438A2. Автор: Laurent Foube,Gustavo Buiatti. Владелец: Mitsubishi Electric R&D Centre Europe BV Netherlands. Дата публикации: 2012-02-29.

Method and apparatus for discharging the capacitors of a boost converter composed of plural bridge devices

Номер патента: WO2010122086A2. Автор: Laurent Foube,Gustavo Buiatti. Владелец: Mitsubishi Electric R&D Centre Europe B.V.. Дата публикации: 2010-10-28.

Heat sink composed of metal and method for the production of same

Номер патента: US11879695B2. Автор: Georg Siewert,Alexander Heitbrink. Владелец: ERWIN QUARDER SYSTEMTECHNIK GMBH. Дата публикации: 2024-01-23.

Turbine with oscillating wings composed of the partial elements and with vertical stabilizers

Номер патента: RS20110427A1. Автор: Ratko Isidorovic,Janko Isidorovic,Ksenija IVANIŠEVIĆ. Владелец: Ksenija IVANIŠEVIĆ. Дата публикации: 2013-04-30.

Wire core brush with a plurality of loops composed of a single filament

Номер патента: US20150026906A1. Автор: Benjamin Kohlmann,Rainer Burkhard. Владелец: GEKA GMBH. Дата публикации: 2015-01-29.

Flat-Plate Focusing Ultrasonic Transducer and Acoustic Lens Which are Composed of Annular Array Piezoelectric Element, and Methods of Manufacturing and Designing Thereof

Номер патента: US20220241818A1. Автор: Yong Tae Kim,Hyung Jin Lee,Il Doh,Kyung Min Baik,Sung Mok Kim. Владелец: Korea Research Institute of Standards and Science KRISS. Дата публикации: 2022-08-04.

Method of compaction of bases composed of weak mineral soils

Номер патента: US11795652B2. Автор: Zaven Grigor'evich TER-MARTIROSYAN,Anatoliy Yur'evich MIRNIY,Evgeniy Stanislavovich SOBOLEV,Vitaliy Valentinovich SIDOROV,Georgiy Olegovich ANZHELO,Ivan Nikolaevich LUZIN,Armen Zavenovich TER-MARTIROSYAN. Владелец: Rosenergoatom JSC. Дата публикации: 2023-10-24.

Application of litchi chinensis pericarp extract mainly composed of polymer polyphenols in preparation of alpha amylase inhibitor

Номер патента: US20210379135A1. Автор: LI ZHANG,Ziming Yang. Владелец: Guangxi Zhuang Autonomous Region And Chinese Academy Of Science Guangxi Institute Of Botonay. Дата публикации: 2021-12-09.

Yoke structure for the lamination core of a static electrical machine, composed of unwelded cut-to­ measure members

Номер патента: EP1929488A1. Автор: Gianfranco Colombini. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-11.

Application of litchi chinensis pericarp extract mainly composed of polymer polyphenols in preparation of α-amylase inhibitor

Номер патента: LU102361B1. Автор: LI ZHANG,Ziming Yang. Владелец: Guangxi Zhuang Autonomous Region And Chinese Academy Of Science Guangxi Inst Of Botany. Дата публикации: 2021-08-04.

Insect breeding system, optimized feed mixer and method for monitoring and self-optimized composing of a feed medium for insect breeding

Номер патента: WO2024105083A1. Автор: Rudolf Gasser,Mariana NIETO DE LEON. Владелец: Buhler AG. Дата публикации: 2024-05-23.

Biaxially stretched laminated polyester film, infrared light shielding structure for laminated glass composed of the same, and laminated glass composed of the same

Номер патента: US20140327958A1. Автор: Taro Oya,Tetsuo Yoshida,Mitsumasa Ono,Tomoka Yoshimura. Владелец: Teijin DuPont Films Japan Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

Method for the production of a heat sink composed of metal

Номер патента: US20240068757A1. Автор: Georg Siewert,Alexander Heitbrink. Владелец: ERWIN QUARDER SYSTEMTECHNIK GMBH. Дата публикации: 2024-02-29.

Decorative panel, decorative covering composed of a plurality of such panels, method of manufacturing such a decorative panel and a method of identifying a polymer of such a decorative panel

Номер патента: NL2033065B1. Автор: Alberic Boucké Eddy. Владелец: I4F Licensing NV. Дата публикации: 2024-03-25.

Anti-theft structure composed of lock core and key

Номер патента: US12006728B2. Автор: Yu-Pin Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-11.

Application of litchi chinensis pericarp extract mainly composed of polymer polyphenols in preparation of α-amylase inhibitor

Номер патента: LU102361A1. Автор: LI ZHANG,Ziming Yang. Владелец: Guangxi Zhuang Autonomous Region And Chinese Academy Of Science Guangxi Inst Of Botany. Дата публикации: 2021-07-01.

Method of compaction of bases composed of weak mineral soils

Номер патента: MY197508A. Автор: Zaven Grigor'evich TER-MARTIROSYAN,Anatoliy Yur'evich MIRNIY,Evgeniy Stanislavovich SOBOLEV,Vitaliy Valentinovich SIDOROV,Georgiy Olegovich ANZHELO,Ivan Nikolaevich LUZIN,Armen Zavenovich TER-MARTIROSYAN. Владелец: Rosenergoatom. Дата публикации: 2023-06-19.

Procedure, filter module, air cleaning device composed of such filter modules for the highly efficient cleaning of air containing small contaminating particles

Номер патента: EP3223955A2. Автор: Laszlo Schlemmer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-04.

Release film composed of a laminate

Номер патента: US5080979A. Автор: Hiromi Shigemoto,Mikio Katagiri. Владелец: Mitsui Petrochemical Industries Ltd. Дата публикации: 1992-01-14.

Method and apparatus for heating preform blanks composed of partly crystalline synthetic resins produced by injection molding

Номер патента: US5326258A. Автор: Uwe-Volker Roos,Franz Gittner. Владелец: Bekum Maschinenfabriken GmbH. Дата публикации: 1994-07-05.

Device usable in sanitary bath for producing massage flow composed of air and water

Номер патента: RU2294190C2. Автор: Бернд ВЁСТЕ. Владелец: Франц Кальдевай Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2007-02-27.

Solar cell module having a surface protective member composed of a fluororesin containing an ultraviolet absorber dispersed therein

Номер патента: US5582653A. Автор: Satoru Yamada,Ayako Komori,Takahiro Mori,Ichiro Kataoka,Hidenori Shiotsuka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1996-12-10.

Process for producing filament and filament assembly composed of thermotropic liquid crystal polymer

Номер патента: US6207273B1. Автор: Kazuhiko Kurihara,Hiroshi Yazawa,Toshikazu Oishi,Yoichi Mazawa. Владелец: Polymer Processing Research Institute Ltd. Дата публикации: 2001-03-27.

Method of manufacturing insulating boards composed of interconnected rodshaped mineral fibre elements

Номер патента: CA2095532C. Автор: Bent Jacobson,LUIS JõRGEN NORGAARD. Владелец: Rockwool International AS. Дата публикации: 2000-11-07.

Power rail, mounting and dismounting method and arrangement composed of combined power rails

Номер патента: CA2838305C. Автор: Jurgen Kranycan,Erwin ESTERBAUER,Thomas JUKL. Владелец: SPL Powerlines Austria GmbH and Co KG. Дата публикации: 2019-02-26.

Stacked josephson junction device composed of oxide superconductor material

Номер патента: CA2037949C. Автор: Hideo Itozaki,Keizo Harada. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1997-03-04.

Adsorbents composed of inorganic oxides modified with organic dyes

Номер патента: US5766312A. Автор: Thomas Schulz,Michael Hoffmeister,Kirsten Furhmann,Alf-Eric Wischnat. Владелец: Engelhard Process Chemicals GmbH. Дата публикации: 1998-06-16.

Process of manufacturing panels composed of units in, for example, ceramic, assembled by a thermoplastic material

Номер патента: US4000027A. Автор: Joseph Davidovits,Jean-Paul Dalle. Владелец: Omnium de Prospective Industrielle SA. Дата публикации: 1976-12-28.

Composite board composed of wood material

Номер патента: CA2957138C. Автор: Josef Hofer. Владелец: SWISS KRONO Tec AG. Дата публикации: 2019-03-05.

Anchoring dowel composed of two twisted half-dowels

Номер патента: US5061113A. Автор: Michel Vives. Владелец: Societe Europeenne de Propulsion SEP SA. Дата публикации: 1991-10-29.

Methods of improving shrink-resistance of natural fibers, synthetic fibers, or mixtures thereof, or fabric or yarn composed of natural fibers, synthetic fibers, or mixtures thereof

Номер патента: US20040261192A1. Автор: Jeanette Cardamone,Jiming Yao. Владелец: US Department of Agriculture USDA. Дата публикации: 2004-12-30.

Lattice, composed of strips with connecting brackets positioned in between

Номер патента: US4010796A. Автор: Christiaan Gustaaf Adolf Scholtus. Владелец: Reactor Centrum Nederland. Дата публикации: 1977-03-08.

Procedure for shifting a transmission composed of several gear units

Номер патента: US4802384A. Автор: Dieter Nobis,Reinhard Schwarz,Heinz Stuhrmann. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 1989-02-07.

Electrical installation composed of individual subassemblies

Номер патента: US5070430A. Автор: Josef Burger,Reinhard Schirbl,Otto Meusel,Günther Deinhardt. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1991-12-03.

Filling level measuring device operating with microwaves, having an insert composed of a dielectric, and process for producing the dielectric

Номер патента: CA2255192C. Автор: Alexander Hardell,Sergej Lopatin,Rolf Schwald. Владелец: Endress and Hauser SE and Co KG. Дата публикации: 2003-09-16.

Color separating lens composed of three lens units

Номер патента: US4711536A. Автор: Taira Kouchiwa. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1987-12-08.

Pulverulent products composed of a water-insoluble core substance and of a protective covering

Номер патента: CA2070706C. Автор: Gerhard Schwarz,Horst Schumacher,Wolfgang Bewert,Paul Grafen,Joachim U. Schneider. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 1999-11-23.

Composite board composed of wood material with a middle layer made of plywood

Номер патента: CA3014212C. Автор: Roger Braun,Josef Hofer. Владелец: SWISS KRONO Tec AG. Дата публикации: 2020-03-31.

Method for packaging bulk materials composed of elongated pieces

Номер патента: US4586313A. Автор: Steven C. Maglecic. Владелец: Maglecic Steven C. Дата публикации: 1986-05-06.

Method for manufacturing a cushion which is at least composed of a body, an intermediate foam layer and an upholstery layer

Номер патента: WO1992008601A1. Автор: Lucien Jourquin,Eric Cornelis,Bernard Debaes,Renaat Van Haute. Владелец: RECTICEL. Дата публикации: 1992-05-29.

Stacked Josephson junction device composed of oxide superconductor material

Номер патента: US5468973A. Автор: Hideo Itozaki,Keizo Harada. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1995-11-21.

Reclosable bag having a top closure attached to a bag body composed of multiple thermoplastic layers

Номер патента: US4971454A. Автор: Paul F. Edelman,Mark E. Branson. Владелец: KCL Corp. Дата публикации: 1990-11-20.

Method and apparatus for heating preform blanks composed of partly crystalline synthetic resins produced by injection molding

Номер патента: CA2093846C. Автор: Uwe-Volker Roos,Franz Gittner. Владелец: Bekum Maschinenfabriken GmbH. Дата публикации: 2004-08-10.

Cable sleeve composed of a pipe section and seal members at the face end

Номер патента: US5498839A. Автор: Martin Behrendt,Adolf Franz,Roland Roether,Roland Hunke. Владелец: RXS Schrumpftechnik Garnituren GmbH. Дата публикации: 1996-03-12.

Arrangement for recording characters composed of matrix-like rastered character elements

Номер патента: US4071130A. Автор: Reiner Lichti. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1978-01-31.

Tunnel lining composed of at least two concrete elements

Номер патента: CA3105498C. Автор: Jorg Riechers. Владелец: HERRENKNECHT AG. Дата публикации: 2023-08-22.

Method for processing a radiation image sequence composed of a number of successively acquired radiation images acquired with a dynamic image converter

Номер патента: US7142706B2. Автор: Heinz Horbaschek. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2006-11-28.

Assembly composed of a container for a fluid and a dispenser packaging

Номер патента: US20230192346A1. Автор: David Bouteloup,Fabrice Bourdier,Florence Bidamant. Владелец: CORADIN Sas. Дата публикации: 2023-06-22.

Decorative panel, decorative covering composed of a plurality of such panels, and decorative panel system

Номер патента: NL2032550B1. Автор: Alberic Boucké Eddy. Владелец: I4F Licensing NV. Дата публикации: 2024-01-26.

Tunnel lining composed of at least two concrete elements

Номер патента: US11834950B2. Автор: Jorg Riechers. Владелец: HERRENKNECHT AG. Дата публикации: 2023-12-05.

Tissue Grafts Composed Of Micronized Placental Tissue And Methods Of Making And Using The Same

Номер патента: US20180214493A1. Автор: John Daniel,Thomas J. Koob,Randall Spencer. Владелец: Mimedx Group Inc. Дата публикации: 2018-08-02.

Yarn-winding reel composed of an annular series of bent rod iron modular elements

Номер патента: US20010002685A1. Автор: Rossano Compagnucci. Владелец: Compagnucci SpA. Дата публикации: 2001-06-07.

Method for producing a composite structure composed of porous carbon and electrochemical active material

Номер патента: US20140232031A1. Автор: Christian Neumann,Jörg BECKER. Владелец: Heraeus Quarzglas GmbH and Co KG. Дата публикации: 2014-08-21.

System for disposing high-moisture mixed waste composed of kitchen garbage and water-containing sludge

Номер патента: US20220146094A1. Автор: Yu Zhang,WEI Liu,Guangyu Zhu,Xiaozhou LIU,Peibin LIN. Владелец: Guangzhou Herui Energy Conservation And Environmental Protection Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Bed board composed of basalt fibers for a diagnostic bed of a medical apparatus, and method for manufacturing a bed board

Номер патента: US10159449B2. Автор: Hong SHANG. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2018-12-25.

Dimples Composed of Letters or Symbols Inset into Cover

Номер патента: US20090054177A1. Автор: Vincent J. Simonds,Thomas A. Veilleux. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-26.

Light emitting device, in particular traffic signal light emitting device, which is composed of light emitting diodes

Номер патента: AU2003242770A1. Автор: Jose Monzo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-19.

Hoselike member having a circumference which is composed of a number of metal wires or tubes

Номер патента: WO2004046601A1. Автор: Soren B. Olsen,Carsten Post. Владелец: NORSK HYDRO ASA. Дата публикации: 2004-06-03.

Solid-state battery based on an ion-conductive matrix composed of camphor or 2-adamantanone

Номер патента: CA3071989A1. Автор: Matthias Busse,Katharina Koschek,Ingo Bardenhagen,Marc Soto,Julian Schwenzel. Владелец: KOSCHEK KATHARINA. Дата публикации: 2019-02-28.

System for disposing high-moisture mixed waste composed of kitchen garbage and water-containing sludge

Номер патента: US11982444B2. Автор: Yu Zhang,WEI Liu,Guangyu Zhu,Xiaozhou LIU,Peibin LIN. Владелец: Guangzhou Herui Energy Conservation And Environmental Protection Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Method for processing a radiation image sequence composed of a number of successively acquired radiation images acquired with a dynamic image converter

Номер патента: US20030210835A1. Автор: Heinz Horbaschek. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2003-11-13.

Releasing agent for die-cast moulding processes of nonferrous materials, composed of a mixture of silicone oils and biodegradable ester oil

Номер патента: WO2002081121A2. Автор: Vincenzo Ragaini,Roberto Petrocchi. Владелец: Alice S.P.A.. Дата публикации: 2002-10-17.

Pump with variable suction/discharge amount and drive device composed of the pump and driving method thereof

Номер патента: US20230136689A1. Автор: Jui-Cheng Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-05-04.

Method of manufacturing a can lid composed of a composite material

Номер патента: US20210046679A1. Автор: Gregor Anton Piech. Владелец: Top Cap Holding GmbH. Дата публикации: 2021-02-18.

Light emitting diode chip and display composed of light emitting diode chips

Номер патента: US10050188B2. Автор: Chia-Hui Shen,Tzu-Chien Hung,Shih-Cheng Huang,Chien-Chung Peng,Chih-Jung Liu,Chien-Shiang Huang. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2018-08-14.

Decorative panel, decorative covering composed of a plurality of such panels, and decorative panel system

Номер патента: WO2024017948A1. Автор: Eddy Alberic Boucke. Владелец: I4F Licensing NV. Дата публикации: 2024-01-25.

Decorative Panel, Decorative Covering Composed of a Plurality of Such Panels, and Decorative Panel System

Номер патента: US20240026688A1. Автор: Eddy Alberic Boucke. Владелец: I4F Licensing NV. Дата публикации: 2024-01-25.

Bed board composed of basalt fibers for a diagnostic bed of a medical apparatus, and method for manufacturing a bed board

Номер патента: US20180008211A1. Автор: Hong SHANG. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2018-01-11.

On-load tap-changer module, arrangement composed of an on-load tap-changer module and power transformer, and method for operating an on-load tap-changer module

Номер патента: AU2022264754A1. Автор: Manex Barrenetxea Iñarra,Jose María Canales Segade,Miguel Rodriguez Vazquez,Jürgen Schiele,Nils PRZYBILLA,Fernando SANTODOMINGO. Владелец: Siemens Gamesa Renewable Energy Innovation and Technology SL. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of manufacturing a can lid composed of a composite material

Номер патента: US12005613B2. Автор: Gregor Anton Piech. Владелец: Top Cap Holding GmbH. Дата публикации: 2024-06-11.

Heat sink composed of metal

Номер патента: US20240060730A1. Автор: Georg Siewert,Alexander Heitbrink. Владелец: ERWIN QUARDER SYSTEMTECHNIK GMBH. Дата публикации: 2024-02-22.

Method for building an etching-free hybrid nonlinear waveguide composed of polymer and ion-implanted nonlinear crystal

Номер патента: US20240069436A1. Автор: FENG CHEN,CHEN CHEN,Zhanghua HAN,Shengkun YAO. Владелец: SHANDONG NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-02-29.

A split oil seal composed of double springs and double rings

Номер патента: GB2604420A. Автор: ZHANG JUN,ZHAO Jingwei. Владелец: Aigi Environmental Inc. Дата публикации: 2022-09-07.

Insecticide-modified bead material composed of expandable polystyrene and insecticide-modified moldings obtainable therefrom

Номер патента: WO2009080487A3. Автор: Bernhard Schmied,Klaus Hahn,Carsten Schips,Olaf Kriha,Michael Ishaque,Norbert Güntherberg,Clark D. Klein,Keith A. Holmes,Daniela Longo. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2010-08-26.

Deformable substrate with microstructured surface composed of applied material, and method for producing such a substrate

Номер патента: US20100009122A1. Автор: Stefan Schlayer,Bernhard Wiedemann,Frank Schlipf. Владелец: DAIMLER AG. Дата публикации: 2010-01-14.

Golf ball having core composed of a highly neutralized polymer

Номер патента: US10343021B1. Автор: David Bartels,Steve Ogg. Владелец: Callaway Golf Co. Дата публикации: 2019-07-09.

Improvements in Electrical Heating Bodies Composed of Non-metallic Resistance Materials.

Номер патента: GB191307932A. Автор: . Владелец: Gebrueder Siemens and Co. Дата публикации: 1913-08-21.

Optical metastructures having meta-atoms composed of a high refractive index material

Номер патента: US20240111076A1. Автор: Maksim ZALKOVSKIJ,Brian Bilenberg. Владелец: Nilt Switzerland Gmbh. Дата публикации: 2024-04-04.

Optical metastructures having meta-atoms composed of a high refractive index material

Номер патента: EP4320466A1. Автор: Maksim ZALKOVSKIJ,Brian Bilenberg. Владелец: Nilt Switzerland Gmbh. Дата публикации: 2024-02-14.

Tool for producing an arrangement composed of an electrical line and contact device

Номер патента: US11876330B2. Автор: Uwe Bluemmel. Владелец: TE Connectivity Germany GmbH. Дата публикации: 2024-01-16.

X-ray emitting device comprising a focusing electrode composed of a ceramic-based material

Номер патента: WO2020204290A1. Автор: Hong Soo Choi,Se Hoon Gihm,Keun Soo Jeong. Владелец: AWEXOMERAY. Дата публикации: 2020-10-08.

Bite-sized ices composed of natural ingredients

Номер патента: WO2014151595A1. Автор: Paulette FOX. Владелец: Fox Paulette. Дата публикации: 2014-09-25.

Local administration of gallium compositions to treat pain

Номер патента: US09517198B2. Автор: Lawrence R. Bernstein. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-13.

Fabrication of gallium nitride semiconductor layers by lateral growth from trench sidewalls

Номер патента: CA2331893C. Автор: Robert F. Davis,Kevin J. Linthicum,Thomas Gehrke,Darren B. Thomson,Tsvetanka Zheleva,Scott A. Smith. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 2007-01-23.

Preparation method of gallium oxide device based on high-temperature annealing technology and gallium oxide device

Номер патента: US20240079478A1. Автор: Qiuyan Li,Xiaolong Zhao,Shibing Long,Guangwei XU,Qiming HE,Xuanze ZHOU. Владелец: University of Science and Technology of China USTC. Дата публикации: 2024-03-07.

Method for Preparing Isolation Area of Gallium Oxide Device

Номер патента: US20210013027A1. Автор: Xin Tan,Yuangang WANG,Zhihong FENG,Xubo Song,Xingye Zhou,Yuanjie Lv,Shixiong LIANG. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2021-01-14.

Method for preparing isolation area of gallium oxide device

Номер патента: US11244821B2. Автор: Xin Tan,Yuangang WANG,Zhihong FENG,Xubo Song,Xingye Zhou,Yuanjie Lv,Shixiong LIANG. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2022-02-08.

Local administration of gallium compositions to treat pain

Номер патента: US8506990B2. Автор: Lawrence Richard Bernstein. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-08-13.

Local administration of gallium compositions to treat pain

Номер патента: US20130034595A1. Автор: Lawrence Richard Bernstein. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-02-07.

Local administration of gallium compositions to treat pain

Номер патента: US20130323297A1. Автор: Lawrence Richard Bernstein. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-12-05.

Local administration of gallium compositions to treat pain

Номер патента: US8871246B2. Автор: Lawrence Richard Bernstein. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-10-28.

Method to improve the performance of gallium-containing micron-sized light-emitting devices

Номер патента: EP4302334A1. Автор: Steven P. DenBaars,Matthew S. WONG. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-01-10.

Local administration of gallium compositions to treat pain

Номер патента: US8293268B2. Автор: Lawrence Richard Bernstein. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-23.

Method to improve the performance of gallium-containing micron-sized light-emitting devices

Номер патента: US20240128400A1. Автор: Steven P. DenBaars,Matthew S. WONG. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-04-18.

Manufacturing method of gallium nitride substrate

Номер патента: US20240149379A1. Автор: Asahi Nomoto. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Pharmaceutical formulations of gallium salts

Номер патента: US09345725B2. Автор: Lewis Bender,Bavani Shankar,Catherina O'shaughnessy. Владелец: Emisphere Technologies Inc. Дата публикации: 2016-05-24.

Method of forming reproducible impurity zone of gallium or aluminum in a wafer by implanting through composite layers and diffusion annealing

Номер патента: US4426234A. Автор: Toshio Yonezawa,Yutaka Koshino,Jiro Ohshima,Takashi Ajima. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-01-17.

Method for manufacturing alloy I-III-VI for photovoltaic cell, involves subjecting element VI to heat treatment to obtain alloy I-III-VIB, where alkaline element ensures uniform distribution of gallium on thickness of obtained alloy layer

Номер патента: FR2978300A1. Автор: Cedric Broussillou,Ludovic Parissi,Alexandre Rogee. Владелец: Nexcis SAS. Дата публикации: 2013-01-25.

Gallium nitride based semiconductor device and manufacturing method of gallium nitride based semiconductor device

Номер патента: US20190006184A1. Автор: Daisuke Mori,Katsunori Ueno,Chizuru Inoue,Ryo Tanaka,Hideaki Matsuyama,Masaharu Edo,Shinya Takashima,Hideaki Teranishi,Hirotaka SUDA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Blue and green laser diodes with gallium nitride or indium gallium nitride cladding laser structure

Номер патента: EP1672757A3. Автор: Michael A. Kneissl. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2008-12-17.

INTEGRATION OF GALLIUM NITRIDE LEDS WITH ALUMINUM GALLIUM NITRIDE/GALLIUM NITRIDE DEVICES ON SILICON SUBSTRATES FOR AC LEDS

Номер патента: US20150014628A1. Автор: Chung Theodore. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS N.V.. Дата публикации: 2015-01-15.

SOLUTION OF GALLIUM PHTHALOCYANINE METHOD FOR PREPARING THE SAME METHOD FOR PRODUCING GALLIUM PHTHALOCYANINE CRYSTAL METHOD FOR PURIFYING COMPOSITION CONTAINING GALLIUM PHTHALOCYANINE AND METHOD FOR PRODUCING ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTOSENSITIVE MEMBER

Номер патента: US20140212804A1. Автор: Tanaka Masato,Nishida Tsutomu,Kawahara Masataka. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2014-07-31.

SOLUTION OF GALLIUM PHTHALOCYANINE METHOD FOR PREPARING THE SAME METHOD FOR PRODUCING GALLIUM PHTHALOCYANINE CRYSTAL METHOD FOR PURIFYING COMPOSITION CONTAINING GALLIUM PHTHALOCYANINE AND METHOD FOR PRODUCING ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTOSENSITIVE MEMBER

Номер патента: US20150234298A1. Автор: Tanaka Masato,Nishida Tsutomu,Kawahara Masataka. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

Pharmaceutical formulations of gallium salts

Номер патента: CA2591515C. Автор: Lewis Bender,Bavani Shankar,Catherina O'shaughnessy. Владелец: Emisphere Technologies Inc. Дата публикации: 2010-06-22.

Gallium and germanium absorbent, preparation method and application of gallium and germanium absorbent, and method for enriching gallium and germanium from zinc hydrometallurgy leaching agent

Номер патента: CN105177321A. Автор: 刘志宏,刘智勇,李启厚,李玉虎,李思唯,刘付朋,文达敏. Владелец: CENTRAL SOUTH UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-12-23.

Integration of gallium nitride LEDs with aluminum gallium nitride/gallium nitride devices on silicon substrates for AC LEDs

Номер патента: TW201347228A. Автор: Theodore Chung. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2013-11-16.

Atomic layer deposition of barrier metal layer for electrode of gallium nitride material device

Номер патента: EP3961719A1. Автор: Wayne Mack Struble,Timothy E. Boles,Gabriel R. Cueva. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2022-03-02.

Method for preparation of silicon nitride gallium diffusion barrier for use in molecular beam epitaxial growth of gallium arsenide

Номер патента: CA2118356C. Автор: James A. Walker,John E. Cunningham,Keith W. Goossen,William Y. Jan. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1998-08-18.

Method of fabricating hemt device with selective etching of gallium arsenide antimonide

Номер патента: US5118637A. Автор: Tomonori Ishikawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1992-06-02.

Integration of gallium nitride leds with aluminum gallium nitride/gallium nitride devices on silicon substrates for ac leds

Номер патента: CN104170089A. Автор: T.钟. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2014-11-26.

Process for the electron beam-induced etching of gallium contaminated layers

Номер патента: DE102008037951A1. Автор: Rainer Becker,Klaus Edinger,Nicole Auth,Petra Spies,Thorsten Hofmann. Владелец: Nawotec GmbH. Дата публикации: 2010-02-25.

Method for preparation of silicon nitride gallium diffusion barrier for use in molecular beam epitaxial growth of gallium arsenide

Номер патента: US5468689A. Автор: James A. Walker,John E. Cunningham,Keith W. Goossen,William Y. Jan. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 1995-11-21.

Hermetic sealing of gallium arsenide components

Номер патента: CA1207173A. Автор: Bertil Hok,Christer Ovren,Chantal Dubon. Владелец: ASEA AB. Дата публикации: 1986-07-08.

Alteration of gallium biodistribution using indium complexes for enhanced early imaging

Номер патента: US4448763A. Автор: John W. Triplett. Владелец: University of Kentucky Research Foundation. Дата публикации: 1984-05-15.

Devices related to barrier for metallization of gallium based semiconductor

Номер патента: US20160358907A1. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Cristian Cismaru. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2016-12-08.

Devices related to barrier for metallization of gallium based semiconductor

Номер патента: US20190123045A1. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Cristian Cismaru. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2019-04-25.

Method to improve the performance of gallium-containing light-emitting devices

Номер патента: EP4052284A1. Автор: Steven P. DenBaars,Jordan M. SMITH,Matthew S. WONG. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2022-09-07.

Nucleation layers for growth of gallium-and-nitrogen-containing regions

Номер патента: US20220319836A1. Автор: Michael Chudzik,Michel Khoury,Ria Someshwar,Daniel Deyo,Sha ZHAO. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Atomic layer deposition of barrier metal layer for electrode of gallium nitride material device

Номер патента: US12112983B2. Автор: Wayne Mack Struble,Timothy E. Boles,Gabriel R. Cueva. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

In situ etching of gallium arsenide during vapor phase growth of epitaxial gallium arsenide

Номер патента: CA966764A. Автор: James V. Dilorenzo. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1975-04-29.

Recovering method of indium or indium alloy

Номер патента: JP2013067829A. Автор: 裕一朗 新藤,Yuichiro Shindo,幸一 竹本,Koichi TAKEMOTO. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2013-04-18.

Gallium nitride base substrate and fabrication method of gallium nitride wafer

Номер патента: KR101144844B1. Автор: 이기수,신현민,최준성. Владелец: 삼성코닝정밀소재 주식회사. Дата публикации: 2012-05-16.

Single-side polishing method of gallium antimonide wafer and gallium antimonide polishing sheet

Номер патента: CN113894623A. Автор: 周铁军,宋向荣,唐林锋,马金峰,刘火阳,廖和杰. Владелец: Guangdong Vital Micro Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-07.

Method for improving electrical properties and optical properties of gallium nitride through laser irradiation on gallium nitride epitaxial wafer

Номер патента: CN103956319A. Автор: 赵艳,蒋毅坚,谈浩琪. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2014-07-30.

Direct die solder of gallium arsenide integrated circuit dies and methods of manufacturing gallium arsenide wafers

Номер патента: US9530719B2. Автор: HONG Shen. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

The preparation method and gallium nitride field effect transistor of gallium nitride field effect transistor

Номер патента: CN107230626A. Автор: 陈建国,孙辉,刘美华,林信南. Владелец: Shenzhen Founder Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Manufacturing method of gallium nitride based semiconductor laser using selective growth method and gallium nitride based semiconductor laser

Номер патента: JP3060973B2. Автор: 明隆 木村,正明 仁道. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-07-10.

Recovery of gallium from material containing intermetallic compound of gallium and arsenic

Номер патента: JPS61215214A. Автор: Akihiro Fujimoto,Tadanori Matsumura,藤本　明弘,松村　忠典. Владелец: Daihachi Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 1986-09-25.

Lithium vanadate with indium-cerium or indium-doped nanofiber structure and preparation method and application thereof

Номер патента: CN113062013B. Автор: 潘安强,谢雪芳,万远浪. Владелец: CENTRAL SOUTH UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-04-12.

Manufacture of gallium nitride semiconductor laser using selective growth method and gallium nitride semiconductor laser

Номер патента: JPH10190142A. Автор: Akitaka Kimura,明隆 木村,Masaaki Nidou,正明 仁道. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-07-21.

A heteroepitaxial wafer for the deposition of gallium nitride

Номер патента: WO2024023004A1. Автор: Brian Murphy,Sarad Bahadur Thapa. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2024-02-01.

GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190006184A1. Автор: Mori Daisuke,Tanaka Ryo,Teranishi Hideaki,Ueno Katsunori,MATSUYAMA Hideaki,TAKASHIMA Shinya,EDO Masaharu,SUDA Hirotaka,INOUE Chizuru. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-03.

Double-side polishing method of gallium antimonide wafer and gallium antimonide double-polished wafer

Номер патента: CN113894695A. Автор: 周铁军,宋向荣,唐林锋,马金峰,刘火阳,廖和杰. Владелец: Guangdong Vital Micro Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-07.

Single-side polishing method of gallium antimonide wafer and gallium antimonide polishing sheet

Номер патента: CN113894623B. Автор: 周铁军,宋向荣,唐林锋,马金峰,刘火阳,廖和杰. Владелец: Guangdong Vital Micro Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-17.

The preparation method and gallium nitride field effect transistor of gallium nitride field effect transistor

Номер патента: CN107230629A. Автор: 陈建国,孙辉,刘美华,林信南. Владелец: Shenzhen Founder Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Manufacturing method of gallium arsenide/gallium antimonide solar battery

Номер патента: CN101702413B. Автор: 廖华,杨培志,涂洁磊,申兰先,郝瑞亭,邓书康. Владелец: Yunnan Normal University. Дата публикации: 2012-05-23.

Preparation method of gallium nitride epitaxial layer and gallium nitride epitaxial layer

Номер патента: CN109119333B. Автор: 王波,李佳,张志荣,郭艳敏,房玉龙,尹甲运,芦伟立. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2021-01-12.

Process for comprehensive recovering gallium and arsenic from industrial waste material of gallium arsenide

Номер патента: CN1260381C. Автор: 杨斌,马文会,戴永年,刘永成,刘大春,姚耀春,陈为亮,杨部正,唐万启,顾玉丽,代健青,吴昆华. Владелец: KUNMING UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2006-06-21.

Preparation method of gallium-doped polycrystalline silicon film and application of gallium-doped polycrystalline silicon film in solar cell

Номер патента: CN111509082A. Автор: 叶继春,黄丹丹,王志学,廖明墩,曾俞衡,闫宝杰,郑晶茗,卢琳娜. Владелец: Ningbo Institute of Material Technology and Engineering of CAS. Дата публикации: 2020-08-07.

Manufacturing method of gallium arsenide/gallium antimonide solar battery

Номер патента: CN101702413A. Автор: 廖华,杨培志,涂洁磊,申兰先,郝瑞亭,邓书康. Владелец: Yunnan Normal University. Дата публикации: 2010-05-05.

The manufacture method of gallium nitride transistor and gallium nitride transistor

Номер патента: CN107230700A. Автор: 陈建国,孙辉,刘美华,林信南. Владелец: Shenzhen Founder Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Group III-nitride laser diode grown on a semi-polar orientation of gallium and nitrogen containing substrates

Номер патента: US9020003B1. Автор: James W. RARING,Melvin Barker Mclaurin. Владелец: Soraa Laser Diode Inc. Дата публикации: 2015-04-28.

Passivation of gallium arsenide electron devices

Номер патента: CA1299982C. Автор: Richard N. Nottenburg,Claude J. Sandroff. Владелец: Bell Communications Research Inc. Дата публикации: 1992-05-05.

Doping of gallium nitride by solid source diffusion and resulting gallium nitride structures

Номер патента: US20050211999A1. Автор: Gerald Negley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-29.

Preparation method of gallium nitride diode and preparation method of gallium nitride triode

Номер патента: CN107316813B. Автор: 李亦衡,张葶葶,朱延刚. Владелец: JIANGSU NENGHUA MICROELECTRONIC TECHNOLOGY DEVELOPMENT Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-17.

Interlayers in selective area growth of gallium nitride (gan) based structures

Номер патента: WO2018182633A1. Автор: Paul B. Fischer,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-10-04.

Self-healing gallium alloy electrode, lithium secondary battery using thereof and manufacturing method of gallium alloy electrode

Номер патента: KR100660949B1. Автор: 이규태,오승모. Владелец: 재단법인서울대학교산학협력재단. Дата публикации: 2006-12-26.

Method for manufacturing a layer of gallium nitride or gallium and aluminum nitride

Номер патента: KR101186032B1. Автор: 하첸 라레쉐. Владелец: 피코기가 인터내셔널. Дата публикации: 2012-09-25.

A heteroepitaxial wafer for the deposition of gallium nitride

Номер патента: EP4312248A1. Автор: Brian Murphy,Sarad Bahadur Thapa. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2024-01-31.

Over-voltage protection of gallium nitride semiconductor devices

Номер патента: US20150001551A1. Автор: RUI Zhou,Peter Micah Sandvik,Avinash Srikrishnan Kashyap. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2015-01-01.

Nucleation layers for growth of gallium-and-nitrogen-containing regions

Номер патента: EP4315434A1. Автор: Michael Chudzik,Michel Khoury,Ria Someshwar,Daniel Deyo,Sha ZHAO. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-02-07.

METHOD FOR EXTRACTION OF GALLIUM FROM ANODE ALLOY

Номер патента: RU2005101949A. Автор: Геннадий Иванович Мальцев,Станислав Степанович Набойченко,Владимир Иванович Скороходов,Андрей Борисович Лебедь,Алексей Александрович Хренников,Борис Константинович Радионов,Ирина Петровна Шидловская,Павел Викторович Дубровин,Андрей Борисович Лебедь (RU),Борис Константинович Радионов (RU),Станислав Степанович Набойченко (RU),Геннадий Иванович Мальцев (RU),Алексей Александрович Хренников (RU),Ирина Петровна Шидловска (RU),Павел Викторович Дубровин (RU),Владимир Иванович Скороходов (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Медногорский медносерный комбинат" (RU). Дата публикации: 2006-07-10.

Method and device for stabilizing length of engineering material using thermophysical characteristic of gallium

Номер патента: WO2002096564A1. Автор: Seung-Woo Kim,Taeho Keem. Владелец: KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2002-12-05.

A heteroepitaxial wafer for the deposition of gallium nitride

Номер патента: EP4231335A1. Автор: Brian Murphy,Sarad Bahadur Thapa. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2023-08-23.

A heteroepitaxial wafer for the deposition of gallium nitride

Номер патента: EP4231335C0. Автор: Brian Murphy,Sarad Bahadur Thapa. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2024-06-19.

Boron, bismuth co-doping of gallium arsenide and other compounds for photonic and heterojunction bipolar transistor devices

Номер патента: US09722122B2. Автор: Angelo Mascarenhas. Владелец: Alliance for Sustainable Energy LLC. Дата публикации: 2017-08-01.

SYNTHESIS OF GALLIUM OXIDE NANOPARTICLES IN SUPERCRITICAL WATER

Номер патента: RU2011145180A. Автор: Владимир Ильич Аникеев. Владелец: Учреждение Российской Академии наук Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения РАН. Дата публикации: 2013-05-20.

METHOD FOR EXTRACTION OF GALLIUM FROM ELECTROLYTIC REFINING WASTE OF ALUMINUM

Номер патента: RU2007109733A. Автор: Иоан Владимирович Давыдов,Александр Сергеевич Сенюта,Александр Сергеевич Сенюта (RU),Иоан Владимирович Давыдов (RU). Владелец: Открытое акционерное общество "РУСАЛ Всероссийский Алюминиево-магниевый Институт" (RU). Дата публикации: 2008-09-20.

Light emission element of gallium nitride

Номер патента: JPS56160084A. Автор: Yoshimasa Oki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1981-12-09.

Method for reducing the concentration of oxygen, carbon, and silicon impurities on nitrogen-polar surfaces of gallium nitride

Номер патента: US8669168B1. Автор: Glenn G. Jernigan,Douglas S. Katzer,David F. Storm,Steven C. Binari. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2014-03-11.

Systems and methods of isolation of gallium-68

Номер патента: US12121828B2. Автор: Joel Oscar Olsson Kumlin,Sogol Borjian Borojeni,Daniel Alexander Childs. Владелец: Telix Artms Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

METHOD OF FORMING STRUCTURES INCLUDING A VANADIUM OR INDIUM LAYER

Номер патента: US20210242011A1. Автор: Givens Michael Eugene,Xie Qi,Shero Eric James,Alessio Verni Giuseppe,Dezelah Charles. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-05.

Gas sensor with nanowires of zinc oxide or indium/zinc mixed oxides and method of detecting NOx gas

Номер патента: TWI281539B. Автор: Miao-Ju Chueh,Pi-Guey Su,Yih-Shiaw Huang,I-Cherng Chen,Tung-Sheng Shih. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2007-05-21.

Process for the preparation of injectable preparations of technetium 99m or indium 113m ions.

Номер патента: DK131546B. Автор: I Benes. Владелец: Solco Basel AG. Дата публикации: 1975-08-04.

Method for the preparation of technetium 99 m or indium 113 m injectable preparations.

Номер патента: FI51547C. Автор: Ivan Benes. Владелец: Solco Basel AG. Дата публикации: 1977-02-10.

Pharmaceutical Formulations for Iontophoretic Delivery of Gallium

Номер патента: US20130072899A1. Автор: Kim Hyun D.,Friden Phillip M.,Staff Kirsten,Brown Marc B.. Владелец: Nitric BloTherapeutics, Inc.. Дата публикации: 2013-03-21.

Method for the reuse of gallium nitride epitaxial substrates

Номер патента: US20130214284A1. Автор: Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,Daniel F. Feezell,Casey O. Holder. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2013-08-22.

Local administration of gallium compositions to treat pain

Номер патента: US20130323297A1. Автор: Bernstein Lawrence Richard. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-05.

Boron, Bismuth Co-Doping of Gallium Arsenide and Other Compounds for Photonic and Heterojunction Bipolar Transistor Devices

Номер патента: US20130327380A1. Автор: Mascarenhas Angelo. Владелец: ALLIANCE FOR SUSTAINABLE ENERGY, LLC. Дата публикации: 2013-12-12.

Apparatus For Measuring Quality Of Gallium Nitride

Номер патента: US20140002637A1. Автор: Park Cheol Min,Lim SungKeun,Park Boik,Lee DongYong,Kim Joon Hoi,Bae JunYoung,Lee WonJo,Choi Jun Sung. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-02.

COMPOSITE SUBSTRATE OF GALLIUM NITRIDE AND METAL OXIDE

Номер патента: US20140054595A1. Автор: HASHIMOTO Tadao. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-27.

Over-voltage protection of gallium nitride semiconductor devices

Номер патента: US20150001551A1. Автор: RUI Zhou,Peter Micah Sandvik,Avinash Srikrishnan Kashyap. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2015-01-01.

Method for Preparing Isolation Area of Gallium Oxide Device

Номер патента: US20210013027A1. Автор: Xin Tan,Yuangang WANG,Zhihong FENG,Xubo Song,Xingye Zhou,Yuanjie Lv,Shixiong LIANG. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2021-01-14.

Local administration of gallium compositions to treat pain

Номер патента: US20150037391A1. Автор: Bernstein Lawrence Richard. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-05.

MANUFACTURING METHOD OF GALLIUM OXIDE THIN FILM FOR POWER SEMICONDUCTOR USING DOPANT ACTIVATION TECHNOLOGY

Номер патента: US20220051892A1. Автор: JEON Dae-Woo,PARK Ji-Hyeon. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

COMPOSITIONS OF GALLIUM (III) COMPLEXES FOR ORAL ADMINISTRATION

Номер патента: US20200038334A1. Автор: RHINEBARGER Rickey Roy,STETSKO Gina G.. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

METHOD FOR THE REUSE OF GALLIUM NITRIDE EPITAXIAL SUBSTRATES

Номер патента: US20150048381A1. Автор: Nakamura Shuji,DenBaars Steven P.,Holder Casey O.,Feezell Daniel F.. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2015-02-19.

EPITAXIAL GROWTH OF GALLIUM ARSENIDE ON SILICON USING A GRAPHENE BUFFER LAYER

Номер патента: US20170047223A1. Автор: Wang Kang L.,Alaskar Yazeed. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-16.

Atomic layer deposition of barrier metal layer for electrode of gallium nitride material device

Номер патента: US20220068708A1. Автор: Wayne Mack Struble,Timothy E. Boles,Gabriel R. Cueva. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

METHOD FOR PREPARING OHMIC CONTACT ELECTRODE OF GALLIUM NITRIDE-BASED DEVICE

Номер патента: US20210057221A1. Автор: TAN Yongliang,FU Xingzhong,HU Zexian,LiU Xiangwu,ZHANG Lijiang,CUI Yuxing,FU Xingchang. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-25.

SEED CRYSTAL FOR GROWTH OF GALLIUM NITRIDE BULK CRYSTAL IN SUPERCRITICAL AMMONIA AND FABRICATION METHOD.,/

Номер патента: US20190096667A1. Автор: HASHIMOTO Tadao,LETTS Edward,Key Daryl. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-28.

SEED CRYSTAL FOR GROWTH OF GALLIUM NITRIDE BULK CRYSTAL IN SUPERCRITICAL AMMONIA AND FABRICATION METHOD

Номер патента: US20190096668A1. Автор: HASHIMOTO Tadao,LETTS Edward,Key Daryl. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-28.

Devices related to barrier for metallization of gallium based semiconductor

Номер патента: US20190123045A1. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Cristian Cismaru. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2019-04-25.

METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC DEVICE COMPRISING A PLURALITY OF GALLIUM NITRIDE DIODES

Номер патента: US20190131343A1. Автор: Templier Francois,Rabarot Marc,BENAISSA Lamine. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

COMPOSITIONS OF GALLIUM (III) COMPLEXES FOR ORAL ADMINISTRATION

Номер патента: US20180228734A1. Автор: RHINEBARGER Rickey Roy,STETSKO Gina G.. Владелец: Lexi Pharma Inc.. Дата публикации: 2018-08-16.

METHOD FOR MANUFACTURING A THICK EPTAXIAL LAYER OF GALLIUM NITRIDE ON A SILICON OR SIMILAR SUBSTRATE AND LAYER OBTAINED USING SAID METHOD

Номер патента: US20140327013A1. Автор: Kennard Mark,FRAYSSINET Eric,Cordier Yvon,Schenk David,Bavard Alexis,Rondi Daniel. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-06.

BORON, BISMUTH CO-DOPING OF GALLIUM ARSENIDE AND OTHER COMPOUNDS FOR PHOTONIC AND HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR DEVICES

Номер патента: US20150263209A1. Автор: Mascarenhas Angelo. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

Local administration of gallium compositions to treat pain

Номер патента: US20140348898A1. Автор: Lawrence R. Bernstein. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-11-27.

PROCESS FOR THE PRODUCTION OF GALLIUM RADIONUCLIDES

Номер патента: US20210327603A1. Автор: SCHOULTZ Bent Wilhelm,HENRIKSEN Gjermund. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-21.

METHOD FOR THE REUSE OF GALLIUM NITRIDE EPITAXIAL SUBSTRATES

Номер патента: US20160307801A1. Автор: Nakamura Shuji,DenBaars Steven P.,Holder Casey O.,Feezell Daniel F.. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2016-10-20.

COMPOSITE SUBSTRATE OF GALLIUM NITRIDE AND METAL OXIDE

Номер патента: US20150340242A1. Автор: HASHIMOTO Tadao. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-26.

COINTEGRATION OF GALLIUM NITRIDE AND SILICON

Номер патента: US20200328108A1. Автор: Zhao Ming,Collaert Nadine,Walke Amey Mahadev,Waldron Niamh. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-15.

DEVICES RELATED TO BARRIER FOR METALLIZATION OF GALLIUM BASED SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20160358907A1. Автор: JR. Peter J.,Cismaru Cristian,Zampardi. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-08.

METHOD FOR THE REUSE OF GALLIUM NITRIDE EPITAXIAL SUBSTRATES

Номер патента: US20150371849A1. Автор: Nakamura Shuji,DenBaars Steven P.,Holder Casey O.,Feezell Daniel F.. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2015-12-24.

Systems and methods of isolation of gallium-68

Номер патента: US20220351873A1. Автор: Joel Oscar Olsson Kumlin. Владелец: Artms Products Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Fabrication method of gallium nitride wafer

Номер патента: KR101137905B1. Автор: 정용식,유영조,공선환. Владелец: 삼성코닝정밀소재 주식회사. Дата публикации: 2012-05-03.

A kind of equally distributed copper-indium-galliun-selenium film solar cell of gallium element and preparation method thereof

Номер патента: CN106229383B. Автор: 袁伟,汤勇,陆龙生,李宗涛,万珍平,张晓清,黄云翔. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2018-12-11.

Packaging structure of gallium nitride chip in TO-247

Номер патента: CN216054685U. Автор: 梅宇峰,黄达鹏. Владелец: Quality Lead Electron Suzhou Co ltd. Дата публикации: 2022-03-15.

Laminated body of gallium arsenide and boron arsenide and manufacture thereof

Номер патента: JPS6047424A. Автор: Hidechika Yokoyama,Moriatsu Kondou,横山　英親,近藤　守厚. Владелец: KOUJIYUNDO KAGAKU KENKYUSHO KK. Дата публикации: 1985-03-14.

Vapor growth method of gallium arsenide

Номер патента: JPS5986215A. Автор: Michihiro Ito,伊藤　道弘. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1984-05-18.

Composite substrate of gallium nitride and metal oxide

Номер патента: KR102008494B1. Автор: 타다오 하시모토. Владелец: 식스포인트 머터리얼즈 인코퍼레이티드. Дата публикации: 2019-08-07.

METHOD OF ELECTROCHEMICAL REFINING OF GALLIUM

Номер патента: RU2004117355A. Автор: Сергей Алексеевич Козлов,Михаил Валентинович Сажин,Михаил Папиевич Аганичев,Игорь Олегович Петрухин,Николай Алексеевич Потолоков,Сергей Алексеевич Козлов (RU),Михаил Валентинович Сажин (RU),Михаил Папиевич Аганичев (RU),Игорь Олегович Петрухин (RU),Николай Алексеевич Потолоков (RU). Владелец: ОАО Научно-исследовательский институт материалов электронной техники (НИИМЭТ) (RU). Дата публикации: 2006-01-10.

A kind of electrochemical pre-treatment method of electrolytic extraction of gallium negative electrode

Номер патента: CN102268714B. Автор: 刘玲,李会泉,王志,王明涌,公旭中. Владелец: Institute of Process Engineering of CAS. Дата публикации: 2016-06-29.

A kind of gallium nitride based LED epitaxial slice and preparation method thereof

Номер патента: CN109192831A. Автор: 李鹏,王群,胡加辉,郭炳磊,葛永晖,吕蒙普. Владелец: HC Semitek Zhejiang Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-11.

Light-emitting device of gallium nitride compound semiconductor

Номер патента: EP1313153A3. Автор: Katsuhide c/o Toyoda Gosei Technical Ct. Manabe,Masahiro c/o Toyoda Gosei Technical Ct. Kotaki,Makoto c/o Toyoda Gosei Technical Ct. Tamaki,Masafumi Toyoda Gosei Technical Center Hashimoto. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-04.

METHOD FOR EXTRACTION OF GALLIUM FROM SOLUTIONS

Номер патента: RU2006139842A. Автор: Иоан Владимирович Давыдов,Александр Сергеевич Сенюта,Александр Сергеевич Сенюта (RU),Иоан Владимирович Давыдов (RU). Владелец: Открытое акционерное общество "РУСАЛ Всероссийский Алюминиево-магниевый Институт" (RU). Дата публикации: 2008-05-20.

Overvoltage protection circuit and method of gallium nitride power device

Номер патента: CN111030072A. Автор: 李成,袁理,李全春. Владелец: Qingdao Juneng Chuang Chip Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-17.

Preparation of Thick Film of Gallium Nitride by lower-layer Substrate-Sublimation and Reaction Apparatus Thereof

Номер патента: KR100338390B1. Автор: 민석기,이석우,유종훈. Владелец: 유종훈. Дата публикации: 2002-05-27.

Method for enhancing ohmic contact of gallium oxide semiconductor device

Номер патента: CN107993934B. Автор: 刘明,刘琦,吕杭炳,龙世兵,董航,何启鸣. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-09-11.

Composite substrate of gallium nitride and metal oxide

Номер патента: CN104781910A. Автор: 桥本忠朗. Владелец: Uncommon Baud Co. Дата публикации: 2015-07-15.

A kind of gallium nitride based LED epitaxial slice and preparation method thereof

Номер патента: CN109686823A. Автор: 李鹏,王群,郭炳磊,葛永晖,吕蒙普. Владелец: HC Semitek Zhejiang Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-26.

A kind of gallium nitride based sensor of integrated peripheral circuit and preparation method thereof

Номер патента: CN108682734B. Автор: 李斌,卢星. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2019-04-26.

Method for optimizing thickness of n-type layer of gallium nitride avalanche detector

Номер патента: CN111651714A. Автор: 王晓东,张伟,陈栋,张传胜,王兵兵,陈雨璐,童武林,胡永山,张晧星. Владелец: Shanghai Institute of Microwave Technology CETC 50 Research Institute. Дата публикации: 2020-09-11.

A kind of gallium oxide vertical field-effect transistor of fin raceway groove and preparation method thereof

Номер патента: CN108493234A. Автор: 刘晓燕,龚政,赵维,陈志涛,任远,卢星,黎子兰. Владелец: Guangdong Semiconductor Industry Technology Research Institute. Дата публикации: 2018-09-04.

A kind of preparation method based on molybdenum disulfide-graphene compound buffer layer epitaxy of gallium nitride structure

Номер патента: CN107768235B. Автор: 张健,张建,王文杰,李沫,李俊泽,代刚,杨浩军,谢武泽,邓泽佳. Владелец: Institute of Electronic Engineering of CAEP. Дата публикации: 2019-11-22.

A kind of preparation method of the epitaxy of gallium nitride structure based on molybdenum disulfide graphene compound buffer layer

Номер патента: CN107768235A. Автор: 张健,张建,王文杰,李沫,李俊泽,代刚,杨浩军,谢武泽,邓泽佳. Владелец: Institute of Electronic Engineering of CAEP. Дата публикации: 2018-03-06.

Monolithic integration of gallium nitride and silicon devices and circuits, structure and method

Номер патента: US8242510B2. Автор: Francois Hebert. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2012-08-14.

Growth of gallium nitride

Номер патента: JPS60207332A. Автор: Susumu Furuike,Toshio Matsuda,Toshiharu Kawabata,俊夫 松田,進 古池,川端　敏治. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1985-10-18.

A kind of gallium oxide semiconductor Schottky diode and preparation method thereof

Номер патента: CN109449214A. Автор: 辛倩,徐明升,宋爱民,杜路路. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2019-03-08.

A kind of method, structure and the power device of gallium nitride film growth on a silicon substrate

Номер патента: CN108400087A. Автор: 李东键,金荣善,金权济,骆薇薇,孙在亨. Владелец: Innovo Secco (zhuhai) Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-14.

The manufacturing method of gallium nitride HEMT

Номер патента: CN109346407A. Автор: 张海涛. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-02-15.

Decomposition of gallium phosphide scrap

Номер патента: JP4194703B2. Автор: 敏勝 植松,一富 山本,政志 佐藤. Владелец: Furukawa Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-10.

Apparatus for measuring quality of gallium nitride

Номер патента: EP2680058A1. Автор: Junyoung Bae,Junsung Choi,Joon Hoi Kim,Boik Park,Cheolmin Park,Dongyong Lee,Wonjo Lee,Sungkeun Lim. Владелец: Samsung Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-01.

Inxga1-xp stop-etch layer for selective recess of gallium arsenide-based eptitaxial field effect transistors and process therefor

Номер патента: CA2311564A1. Автор: Allen W. Hanson. Владелец: Allen W. Hanson. Дата публикации: 1999-06-03.

Oxide semiconductor - has crystalline substrate of gallium arsenide coated with oxide

Номер патента: FR2454183A1. Автор: . Владелец: Jerphagnon Jean. Дата публикации: 1980-11-07.

PROCESS FOR POLISHING FLAT SURFACES OF GALLIUM PHOSPHIDE

Номер патента: FR2354022A5. Автор: Jagtar S Basi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1977-12-30.

Nitride growth substrate, especially for hetero epitaxial deposition of gallium nitride useful in optoelectronic devices, produced by bonding compliant thin films of growth and support substrates and thinning the growth substrate

Номер патента: FR2787919A1. Автор: Didier Pribat,Jean Charles Garcia,Jean Louis Guyaux,Daniel Rondi. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 2000-06-30.

CGLAR CELLS WITH HIGH DEGREE OF ENERGY CONVERSION - using multilayer structure of gallium, indium, arsenic and phosphorus cpds

Номер патента: FR2302593A1. Автор: . Владелец: Varian Associates Inc. Дата публикации: 1976-09-24.

Electrode Fabrication Method of Gallium Nitride Light Emitting Device

Номер патента: KR100308419B1. Автор: 조장연,김근주. Владелец: (주)나리지* 온. Дата публикации: 2001-11-30.

Rapid thermal annealing of gallium nitride light emitting diode

Номер патента: CN102956476B. Автор: 王耘,A·M·霍利鲁克. Владелец: Ultratech Corp. Дата публикации: 2015-06-03.

Opto:electronic emissive diode - of gallium aluminium arsenide with titanium layer covering surface prior to formation of contact structure

Номер патента: FR2499318A1. Автор: Alain Beguin,Claude Marie,Marie-Claude Boissy. Владелец: Radiotechnique Compelec RTC SA. Дата публикации: 1982-08-06.

A kind of gallium nitride heterojunction HEMT of vertical structure

Номер патента: CN106549038B. Автор: 周炳. Владелец: Ningbo Haite Gen Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-02.

Use of gallium to treat inflammatory arthritis

Номер патента: CA2550119A1. Автор: Louis R. Bucalo,Sunil Sreedharan,Krishna Allamneni,Lawrence R. Bernstein. Владелец: Lawrence R. Bernstein. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of gallium extraction from sodium aluminate solutions

Номер патента: SU1648253A3. Автор: Тот Бела,Валло Ференц,Бакша Дьердь,Шомоши Иштван,Витез Янош,Пали Аттилла. Владелец: Мадьяр Алюминиумипари Трест (Инопредприятие). Дата публикации: 1991-05-07.

Preparation method of gallium nitride-based light emitting diode epitaxial wafer

Номер патента: CN104022196A. Автор: 王笃祥,刘晓峰,舒立明,张东炎,王良钧. Владелец: Tianjin Sanan Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-03.

Field effect transistor with a heterojunction using a semiconductor with a base of gallium and indium phosphide for improved performance

Номер патента: FR2868208A1. Автор: Linh Trong Nuyen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-30.

Sensing application of gallium metal organic framework material in detecting endocrine disruptors

Номер патента: CN109507317B. Автор: 王培龙,王瑞国,张苏,苏晓鸥,程劼,杨浩森,董姝君. Владелец: Institute of Agricultural Quality Standards and Testing Technology for Agro Products of CAAS. Дата публикации: 2021-05-28.

Method for optimizing thickness of n-type layer of gallium nitride avalanche detector

Номер патента: CN111651714B. Автор: 王晓东,张伟,陈栋,张传胜,王兵兵,陈雨璐,童武林,胡永山,张晧星. Владелец: Shanghai Institute of Microwave Technology CETC 50 Research Institute. Дата публикации: 2023-02-28.

Chelating resin special for adsorbing of gallium and preparation method and application thereof

Номер патента: CN101875004B. Автор: 刘金华,寇晓康,韦卫军. Владелец: SUNRESIN NEW MATERIALS Co Ltd XI'AN. Дата публикации: 2012-05-23.

Substrate of gallium nitride single crystal and process for producing the same

Номер патента: WO2004079802A1. Автор: Takayoshi Maeda,Kazumasa Hiramatsu,Yoshinobu Ono,Hideto Miyake,Shinya Bohyana. Владелец: Sumitomo Chemical Company, Limited. Дата публикации: 2004-09-16.

Fabrication of gallium nitride semiconductor layers by lateral growth from trench sidewalls

Номер патента: CA2331893A1. Автор: Robert F. Davis,Kevin J. Linthicum,Thomas Gehrke,Darren B. Thomson,Tsvetanka Zheleva,Scott A. Smith. Владелец: Scott A. Smith. Дата публикации: 1999-12-16.

IN x?Ga 1-x?P STOP-ETCH LAYER FOR SELECTIVE RECESS OF GALLIUM ARSENIDE-BASED EPTITAXIAL FIELD EFFECT TRANSISTORS AND PROCESS THEREFOR

Номер патента: EP1034569A2. Автор: Allen W. Hanson. Владелец: Whitaker LLC. Дата публикации: 2000-09-13.

A kind of gallium nitride based LED epitaxial slice and preparation method thereof

Номер патента: CN109273571A. Автор: 李鹏,王群,郭炳磊,葛永晖,吕蒙普. Владелец: HC Semitek Zhejiang Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-25.

Manufacture of gallium nitride semiconductor device

Номер патента: JPS6156474A. Автор: Susumu Furuike,Toshio Matsuda,Toshiharu Kawabata,俊夫 松田,進 古池,川端　敏治. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1986-03-22.

Manufacture of gallium nitride semiconductor device

Номер патента: JPS617621A. Автор: Susumu Furuike,Toshiharu Kawabata,進 古池,川端　敏治. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1986-01-14.

The preparation method of gallium nitride power triode

Номер патента: CN106876271A. Автор: 魏鸿源,李亦衡,朱廷刚,严文胜,张葶葶,王东盛,苗操. Владелец: JIANGSU NENGHUA MICROELECTRONIC TECHNOLOGY DEVELOPMENT Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

A kind of gallium nitride film and preparation method thereof and graphene film and preparation method thereof

Номер патента: CN106960781A. Автор: 刘志斌. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-18.

A kind of gallium arsenide substrate mHEMT active area electric isolation method

Номер патента: CN105070681B. Автор: 黄伟,李琦,丁志华,李海鸥,肖功利,首照宇,高喜,吉宪. Владелец: Guilin University of Electronic Technology. Дата публикации: 2019-02-12.

A kind of gallium nitride device

Номер патента: CN207753000U. Автор: 李孟,罗广豪,李幸辉. Владелец: Gallium Energy Semiconductor (foshan) Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-21.

The method of gallium nitride material layer roughing in surface

Номер патента: CN104425666B. Автор: 李俊杰,刘哲,顾长志,夏晓翔,杨海方. Владелец: Institute of Physics of CAS. Дата публикации: 2019-02-15.

The preparing and purifying method of gallium three chloride

Номер патента: KR20060085383A. Автор: 홍진희. Владелец: 홍진희. Дата публикации: 2006-07-27.

Led element with a thin-layer semiconductor element made of gallium nitride

Номер патента: EP2279534B1. Автор: Stefan Tasch. Владелец: Tridonic Jennersdorf GmbH. Дата публикации: 2016-10-19.

Boron, bismuth co-doping of gallium arsenide and other compounds for photonic and heterojunction bipolar transistor devices

Номер патента: CA2931227C. Автор: Angelo Mascarenhas. Владелец: Alliance for Sustainable Energy LLC. Дата публикации: 2019-05-14.

Method for improving yield of gallium nitride device

Номер патента: CN111883450A. Автор: 李丹妮,邹旭,王馨梅,段鹏冲. Владелец: Xian University of Technology. Дата публикации: 2020-11-03.

Enhanced efficiency growth processes based on rapid thermal processing of gallium nitride films

Номер патента: US20100248499A1. Автор: Scott M. Zimmerman,Karl W. Beeson,William R. Livesay. Владелец: Goldeneye Inc. Дата публикации: 2010-09-30.

Preparation method of gallium arsenide-based MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) gate medium

Номер патента: CN106531622A. Автор: 刘洪刚,孙兵,王盛凯,苏玉玉. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-03-22.

Preparation method of gallium nitride spin injection junction with self-oxidized surface

Номер патента: CN116013961B. Автор: 李国平,沈波,樊腾,唐宁,陈帅宇,孙真昊,张仕雄,姜稼阳. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-06-02.

Manufacture of gallium phosphide light emitting diode

Номер патента: JPS5918687A. Автор: Kentaro Inoue,健太郎 井上. Владелец: Tottori Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-01-31.

A kind of Application in Sensing of gallium metal organic framework material in detection incretion interferent

Номер патента: CN109507317A. Автор: 王培龙,王瑞国,张苏,苏晓鸥,程劼,杨浩森,董姝君. Владелец: Institute of Agricultural Quality Standards and Testing Technology for Agro Products of CAAS. Дата публикации: 2019-03-22.

Rapid thermal annealing of gallium arsenide with trimethyl arsenic overpressure

Номер патента: US4879259A. Автор: Scott K. Reynolds,Dietrich W. Vook,James F. Gibbons. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 1989-11-07.

Vapor growth of gallium arsenide and its apparatus

Номер патента: JPH01140711A. Автор: 延弘 今泉,Nobuhiro Imaizumi,Yasuo Naganuma,真也 飯島,Shinya Iijima,靖雄 長沼. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-06-01.

Fabrication of gallium nitride semiconductor layers by lateral growth from treach sidewalls

Номер патента: CN1305639A. Автор: S·A·史密斯,T·热尔伊娃,D·B·汤姆森,K·J·林西克姆,T·格尔克,R·F·戴维斯. Владелец: NORTH CARLINA STATE UNIVERSITY. Дата публикации: 2001-07-25.

Pharmaceutical formulations of gallium salts

Номер патента: WO2006072070A2. Автор: Lewis Bender,Bavani Shankar,Catherina O'shaughnessy. Владелец: Emisphere Technologies, Inc.. Дата публикации: 2006-07-06.

Procedure for growth of layer of gallium nitride and procedure for production of nitride semi-conducting device

Номер патента: RU2414549C2. Автор: Евгений Владимирович Яковлев,Всеволод Владимирович Лундин,Роман Александрович ТАЛАЛАЕВ,Чангсунг Син КИМ. Владелец: Самсунг Лед Ко., Лтд.. Дата публикации: 2011-03-20.

Pendeoepitaxial growth of gallium nitride layers on sapphire substrates

Номер патента: KR100810192B1. Автор: 토마스 게흐르케,케빈 제이. 린씨쿰,로버트 에프. 데이비스. Владелец: 노쓰 캐롤라이나 스테이트 유니버시티. Дата публикации: 2008-03-06.

compositions of gallium complexes (iii) for oral administration

Номер патента: BR112019016400A2. Автор: G Stetsko Gina,Roy Rhinebarger Rickey. Владелец: Altum Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2020-04-07.

Electrode system of gallium nitride-based luminescent device and manufacturing method of electrode system

Номер патента: CN104617202A. Автор: 刘志强,王莉,黄亚军,郭金霞,梁萌,伊晓燕,王良臣. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2015-05-13.

Heterojunction avalanche diode with a ternary alloy of gallium, indium and arsenic, and a binary alloy of indium and phosphorus

Номер патента: US4186407A. Автор: Daniel Delagebeaudeuf,Thomas Pearsall. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1980-01-29.

Activation method for improving quantum efficiency of gallium arsenide photocathode

Номер патента: CN111584327B. Автор: 石峰,钱芸生,张益军,张锴珉,舒昭鑫,荣敏敏,程宏昌,李诗曼. Владелец: Nanjing University of Science and Technology. Дата публикации: 2022-09-27.

meticulous grinding screening plant of gallium oxide

Номер патента: CN110560218A. Автор: 堵锡华,庄文昌,王汐璆. Владелец: Xuzhou University of Technology. Дата публикации: 2019-12-13.

Epitaxial lateral overgrowth of gallium nitride based semiconductive oxide selective growth mask and method for fabricating the same

Номер патента: US6320209B1. Автор: Toshio Hata,Shigetoshi Ito. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2001-11-20.

METHOD FOR MANUFACTURING AT LEAST ONE SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING A STACK OF ONE OR MORE LAYERS OF GALLIUM-ALUMINUM ARSENIURE

Номер патента: FR3047840A1. Автор: Giuseppe Leo,Oleksandr STEPANENKO,Aristide Lemaitre. Владелец: Paris Diderot - Paris 7, University of. Дата публикации: 2017-08-18.

Use of gallium-labeled gastrin analogues and methods for imaging CCKB receptor positive tumors or cancers

Номер патента: KR20230044463A. Автор: 프레데릭 레비,앙투안 애팅거. Владелец: 폴 슈레 앙스띠뛰. Дата публикации: 2023-04-04.

A kind of comprehensive grinding apparatus of gallium antimonide monocrystalline piece

Номер патента: CN109531308A. Автор: 陈琳,王歆,吴秀丽. Владелец: Hunan Dahe New Material Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-29.

Preparation method and structure of gallium oxide SBD

Номер патента: CN112820643B. Автор: 谭鑫,刘宏宇,吕元杰,周幸叶,王元刚,冯志红,梁士雄,韩婷婷,敦少博,孙肇峰. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2022-11-08.

Method of gallium extraction from wastes of electrolytic refining of aluminium

Номер патента: RU2346067C2. Автор: Иоан Владимирович Давыдов,Александр Сергеевич Сенюта. Владелец: Открытое акционерное общество "РУСАЛ Всероссийский Алюминиево-магниевый Институт". Дата публикации: 2009-02-10.

Process for the deposition of gallium nitride on silicon substrates

Номер патента: DE19725900C2. Автор: Alois Krost,Dieter Bimberg,Andre Strittmatter. Владелец: Andre Strittmatter. Дата публикации: 2003-03-06.

Laser peeling method of gallium nitride-based epitaxial film

Номер патента: CN101555627B. Автор: 杨辉,孔俊杰,王怀兵,梁秉文. Владелец: SUZHOU NAJING OPTICAL CO Ltd. Дата публикации: 2012-01-25.

COMPOSITIONS OF GALLIUM (III) COMPLEXES FOR ORAL ADMINISTRATION

Номер патента: RU2019128191A. Автор: Рики Рой РАЙНБАРДЖЕР,Джина Г. СТЕТСКО. Владелец: Альтум Фармасьютикалз Инк.. Дата публикации: 2021-03-10.

Substrate of gallium nitride single crystal and process for producing the same

Номер патента: CN1759469A. Автор: 小野善伸,三宅秀人,坊山晋也,平松和政,前田尚良. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-12.

HETEROJUNCTION DIODE MADE OF GALLIUM OXIDE/4H-SiC AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: KR102348439B1. Автор: 이영재,구상모,변동욱. Владелец: 광운대학교 산학협력단. Дата публикации: 2022-01-10.

Purification method of gallium

Номер патента: JP3784332B2. Автор: 克行 齊藤. Владелец: Dowa Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-07.

Method of manufacturing products from aluminum/magnesium/lithium alloy

Номер патента: RU2232828C2. Автор: Кристиан Йоахим КАЙДЕЛЬ,Альфред Йоханн Петер ХАСЦЛЕР. Владелец: Корус Алюминиум Вальцпродукте Гмбх. Дата публикации: 2004-07-20.

Magnesium-lithium alloy surface electrocoppering solution and magnesium-lithium alloy surface electrocoppering treatment method

Номер патента: CN102776535A. Автор: 尹婷婷,张密林,冷哲,张景怀,巫瑞智,杜冠军. Владелец: Harbin Engineering University. Дата публикации: 2012-11-14.

High-purity purification and high-homogenization casting system for magnesium alloy and magnesium-lithium alloy ingot blank

Номер патента: CN211848096U. Автор: 李永军,张奎,李兴刚,袁家伟,马鸣龙,石国梁. Владелец: GRIMN Engineering Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-03.

Method for thermomechanical treatment of semi-finished products from aluminum-magnesium-lithium alloys

Номер патента: RU1533357C. Автор: С.Т. Басюк,О.Е. Грушко,Л.М. Шевелева,Н.А. Пархоменко,Г.Л. Шнейдер,А.Н. Грибков,Г.К. Никишева,Г.Ф. Булгаков,Б.С. Комаров,А.И. Зубов,И.В. Нерезькова. Владелец: Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов. Дата публикации: 1995-08-09.

Surface etching method for magnesium-lithium alloy

Номер патента: TW201120248A. Автор: Cheng-Chang Huang,Chi-Yuan Kao,Ku-Chuan Yeh. Владелец: Anvil Nano Shielding Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-16.

Preparation method of high-strength and high-toughness ultra-light magnesium lithium alloy wire suitable for arc additive manufacturing

Номер патента: CN118932163A. Автор: 王涛,曹鑫,梁明,钟峰. Владелец: Northwest Institute for Non Ferrous Metal Research. Дата публикации: 2024-11-12.

MAGNESIUM-LITHIUM ALLOY, ROLLED MATERIAL, FORMED ARTICLE, AND PROCESS FOR PRODUCING SAME

Номер патента: US20120222784A1. Автор: GOTO Takayuki,Yokoyama Yukihiro,Kin Kenki,Matsumura Takeki,Namba Shinji,Umino Shinichi,Tanibuchi Yuji. Владелец: SANTOKU CORPORATION. Дата публикации: 2012-09-06.

MAGNESIUM-LITHIUM ALLOY, ROLLED MATERIAL, MOLDED ARTICLE, AND PROCESS FOR PRODUCING SAME

Номер патента: US20120227868A1. Автор: GOTO Takayuki,Kin Kenki,Matsumura Takeki,Namba Shinji,Umino Shinichi. Владелец: SANTOKU CORPORATION. Дата публикации: 2012-09-13.

Method for processing large-size semiproducts of magnesium-lithium alloys

Номер патента: SU1044665A1. Автор: Борис Константинович Метелев,Владимир Петрович Казанцев,Лазарь Леонович Рохлин,Николай Иванович Сотников,Николай Николаевич Аляев,Виктор Петрович Шишменцев,Владимир Михайлович Баранчиков,Михаил Ефимович Дриц,Надежда Ивановна Никитина,Иван Иванович Гурьев,Федор Михайлович Елкин,Наталья Александровна Нарышкина,Зоя Васильевна Макарова,Тамара Алексеевна Власова,Валентина Владимировна Брабец,Александр Николаевич Чеканов. Владелец: Предприятие П/Я Г-4908. Дата публикации: 1983-09-30.

Aqueous solution for the oxidation of magnesium-lithium alloys

Номер патента: SU556197A1. Автор: Анастасия Дмитриевна Сергиевская,Валентина Егоровна Дорохина,Лев Ильич Стоклицкий,Клара Павловна Елкина. Владелец: Предприятие П/Я Г-4361. Дата публикации: 1977-04-30.

Low rare earth high strength magnesium lithium alloy and preparation method thereof

Номер патента: CN101787471B. Автор: 徐春杰,孟令楠,张忠明. Владелец: Xian University of Technology. Дата публикации: 2012-06-13.

Method for preparing magnesium-lithium alloy coating from precursor polymers

Номер патента: CN102268678A. Автор: 王涛,孙鹏飞,刘洪丽,蔡民,潘翠云. Владелец: Jiamusi University. Дата публикации: 2011-12-07.

A kind of magnesium lithium alloy surface processing device

Номер патента: CN104862685B. Автор: 王瑞,柴东朗,韩金强. Владелец: XI'AN SIFANG ULTRA-LIGHT MATERIAL Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-16.

Biodegradable magnesium-lithium alloy material and preparation method thereof

Номер патента: CN102505089A. Автор: 周铁涛. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-06-20.

Biodegradable magnesium-lithium alloy material and preparation method thereof

Номер патента: CN102505089B. Автор: 周铁涛. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-07-24.

Chemical conversion treatment method of magnesium-lithium alloy

Номер патента: JP6649578B2. Автор: 浩一 木村,長沼　靖雄,靖雄 長沼,木村　浩一. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2020-02-19.

High-strength magnesium-lithium alloy with weak basal plane texture and preparation method thereof

Номер патента: CN114277295A. Автор: 李永刚,赵红亮,翁康荣,范宇恒,董祥雷,郭春文,李婧婷. Владелец: ZHENGZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-04-05.

Method for preparing magnesium-lithium alloy surface micro-arc oxidation self-assembling super hydrophobic composite coating

Номер патента: CN103205789B. Автор: 李智君,张密林,袁艺,景晓燕. Владелец: Harbin Engineering University. Дата публикации: 2015-06-17.

Preparation method for magnesium-lithium alloy with enhanced long-period structure phase

Номер патента: CN103122431B. Автор: 张丽,张密林,冷哲,张景怀,巫瑞智. Владелец: Harbin Engineering University. Дата публикации: 2015-04-08.

A kind of thermal treatment process suppressing accurate brilliant strengthen magnesium lithium alloy plastic instability

Номер патента: CN104131247B. Автор: 韩恩厚,许道奎. Владелец: Institute of Metal Research of CAS. Дата публикации: 2016-03-02.

Surface treating method for magnesium lithium alloy

Номер патента: CN101245485A. Автор: 张密林,袁艺,于方,朱果逸,景晓燕,宋来文. Владелец: Harbin Engineering University. Дата публикации: 2008-08-20.

Magnesium-lithium alloy with enhanced long-period structure phase and preparation method thereof

Номер патента: CN103122431A. Автор: 张丽,张密林,冷哲,张景怀,巫瑞智. Владелец: Harbin Engineering University. Дата публикации: 2013-05-29.

Low rare earth high strength magnesium lithium alloy and preparation method thereof

Номер патента: CN101787471A. Автор: 徐春杰,孟令楠,张忠明. Владелец: Xian University of Technology. Дата публикации: 2010-07-28.

Gd-doped magnesium lithium alloy

Номер патента: CN101429611A. Автор: 王君,张密林,刘岩峰,李茹民,景晓燕,门枢. Владелец: Harbin Engineering University. Дата публикации: 2009-05-13.

A method of improving Mg-10Li-3Al-3Zn magnesium lithium alloy corrosion resistance of surface

Номер патента: CN109811285A. Автор: 张海波,张延斌,孙旭,徐梅,张林杰,宁杰,郭潜,朱增辉,张颖云,王涔鸿,马茹原. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2019-05-28.

High-strength magnesium-lithium alloy

Номер патента: CN100430502C. Автор: 王涛,刘滨,张密林,牛中毅,巫瑞智. Владелец: Harbin Engineering University. Дата публикации: 2008-11-05.

Magnesium-lithium alloy surface treatment device

Номер патента: CN104862685A. Автор: 王瑞,柴东朗,韩金强. Владелец: XI'AN SIFANG ULTRA-LIGHT MATERIAL Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-26.

Method for thermally treating aluminum-magnesium-lithium alloys

Номер патента: RU1697449C. Автор: С.М. Можаровский,А.М. Дриц,С.Б. Комаров,С.Ф. Данилов,Е.Н. Малышева,Т.А. Горохова,А.А. Семенченков,М.В. Самарина,Н.Н. Киркина. Владелец: Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов. Дата публикации: 1994-11-30.

Additive Ag reinforced magnesium-lithium alloy

Номер патента: CN101403064B. Автор: 王君,张密林,李茹民,门枢. Владелец: Harbin Engineering University. Дата публикации: 2010-09-08.

Split magnesium-lithium alloy vacuum smelting furnace

Номер патента: CN102767948A. Автор: 韩百峰,柴东朗. Владелец: XI'AN SIFANG ULTRA-LIGHT MATERIAL Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-07.

Magnesium-lithium alloy and manufacture method thereof

Номер патента: CN1924055A. Автор: 张慧,陈琦,钟皓,闫蕴琪,翁文凭. Владелец: SUZHOU NON-FERROUS METALS PROCESSING RESEARCH INST. Дата публикации: 2007-03-07.

High-strength two-phase ultralight magnesium lithium alloy and preparation method thereof

Номер патента: CN104233024A. Автор: 周啸,周海涛,彭谦之,秦径为. Владелец: CENTRAL SOUTH UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-12-24.

Magnesium-lithium alloy ingot mould provided with shrinkage-cavity prevention structure

Номер патента: CN203140706U. Автор: 王俊红,宫国强,程龙银. Владелец: Taizhou City Hong Fa Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-21.

Magnesium-lithium alloy addition device

Номер патента: CN105568013A. Автор: 张勇,马家俊,曹凤红,冉方圆. Владелец: Engineering and Technical College of Chengdu University of Technology. Дата публикации: 2016-05-11.

The technique of isotropic high-ductility magnesium lithium alloy plate in preparation face

Номер патента: CN109943737A. Автор: 刘磊,李晓燕,沟引宁,麻彦龙,郭非,蒋璐瑶,石裕琳. Владелец: Chongqing University of Technology. Дата публикации: 2019-06-28.

High-strength magnesium-lithium alloy and preparation method thereof

Номер патента: CN103290284A. Автор: 张丽,尹婷婷,张密林,冷哲,张景怀,巫瑞智,费鹏飞,郭旭英,林华益. Владелец: Harbin Engineering University. Дата публикации: 2013-09-11.

One kind has excellent high temperature mechanical property two-phase magnesium lithium alloy and its processing technology

Номер патента: CN107604224A. Автор: 杨长江. Владелец: Guangzhou Xianzhi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-19.

Application of magnesium-lithium alloy on the speaker membrance

Номер патента: TWI253869B. Автор: Po-Chun Hsu,Jian-Yih Wang,Chang-Chuan Hsu,Wei-Pirn Hong,Ta-Chan Chou. Владелец: Chung Shan Inst Of Science. Дата публикации: 2006-04-21.

Application of magnesium-lithium alloy on the speaker membrance

Номер патента: TW200408293A. Автор: Po-Chun Hsu,Jian-Yih Wang,Chang-Chuan Hsu,Wei-Pirn Hong,Ta-Chan Chou,Shu-Hui Peng,Der Jiun Fann. Владелец: Chung Shan Inst Of Science. Дата публикации: 2004-05-16.

Magnesium-lithium alloys containing less than 01 % sodium

Номер патента: AU322346A. Автор: . Владелец: MATHIESON ALKALI WORKS Inc. Дата публикации: 1946-07-01.

Chemical conversion coating method for magnesium-lithium alloy.

Номер патента: TW201120243A. Автор: Cheng-Chang Huang,Chi-Yuan Kao,Ku-Chuan Yeh. Владелец: Anvil Nano Shielding Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-16.

Substrate for growing epitaxial layers of gallium arsenide

Номер патента: RU2489533C1. Автор: Юрий Шарапутдинович Темиров,Сабир Абенович Айтхожин,Камил Сайпуевич Щамхалов. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН. Дата публикации: 2013-08-10.

Method of gallium oxide production

Номер патента: RU2354611C1. Автор: Георгий Георгиевич Кознов,Елена Евгеньевна Кознова,Елена Георгиевна Кознова. Владелец: Елена Георгиевна Кознова. Дата публикации: 2009-05-10.

Process of control over composition of gallium-containing zeolite catalyst for aromatization of hydrocarbons c3- c4

Номер патента: RU2043626C1. Автор: Ю.И. Малов,Б.Л. Воробьев,Ю.Н. Кошелев,Е.П. Хворова,А.А. Харченко. Владелец: Товарищество с ограниченной ответственностью Научно-производственное объединение "Ленар". Дата публикации: 1995-09-10.

Method of obtaining big-volume monocrystals of gallium antimonide with low dislocation density

Номер патента: RU2534106C1. Автор: Вадим Сергеевич Ежлов,Алла Георгиевна Мильвидская,Елена Владимировна Молодцова. Владелец: Открытое акционерное общество "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности ОАО "Гиредмет". Дата публикации: 2014-11-27.

Process for extraction of gallium from sodium

Номер патента: CA1054801A. Автор: Boris A. Smirnov,Askar M. Kunaev,Igor V. Prokopov,Salavat I. Turakbaev,Turar B. Tursunbaev,Viktor N. Vasiliev,Elizaveta I. Ponomareva,Tatyana D. Ostapenko,Galina A. Ivanova,Evgeny N. Bespalov,Viktor D. Ponomarev,Gennady A. Romanov,Boris S. Povazhny,Elena L. Shalavina,Arkady I. Zazubin. Владелец: PAVLODARSKY ALJUMINIEVY ZAVOD IMENI 50-LETIA SSSR. Дата публикации: 1979-05-22.

Method for local nanocrystallisation of gallium-containing oxide glass

Номер патента: RU2550622C1. Автор: Владимир Николаевич Сигаев,Алексей Сергеевич Липатьев,Николай Михайлович Лепехин,Юрий Степанович Присеко,Сергей Викторович Лотарев,Никита Владиславович Голубев,Елена Сергеевна Игнатьева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский химико-технологический университет им. Д.И. Менделеева (РХТУ им. Д.И. Менделеева). Дата публикации: 2015-05-10.

Recovery of gallium oxide from solutions

Номер патента: CA1042628A. Автор: Harry C. Snyder (Jr.). Владелец: Aluminum Company Of America. Дата публикации: 1978-11-21.

Method for desorption of gallium

Номер патента: RU2091161C1. Автор: Юрий Александрович Фомичев,Ольга Павловна Полякова,Александр Юрьевич Скворцов. Владелец: Николаевский глиноземный завод. Дата публикации: 1997-09-27.

Method for chemicodynamic treatment of gallium arsenide wafers

Номер патента: RU2045108C1. Автор: В.П. Гаранин,В.Г. Гарипов,Н.И. Шмелев. Владелец: Научно-исследовательский институт молекулярной электроники. Дата публикации: 1995-09-27.

Substrate for growing epitaxial layers of gallium arsenide

Номер патента: RU2209260C2. Автор: С.А. Айтхожин. Владелец: Институт радиотехники и электроники РАН (Фрязинское отделение). Дата публикации: 2003-07-27.

Method for Purification of Gallium from Impurities

Номер патента: GEP19981363B. Автор: David Tsivtsivadze,Batu Kutelia,Elgudja Kutelia,Paata Kervalishvili. Владелец: Elgudja Kutelia. Дата публикации: 1998-08-25.

Reconditioning of gas turbine plant including nozzle blades from nickel or cobalt alloys composed of multibank structure

Номер патента: RU2550055C2. Автор: Антон Владимирович Новиков,Андрей Александрович Быбин,Алексей Владимирович Дементьев,Ринат Рашидович Бекишев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Производственное предприятие Турбинаспецсервис". Дата публикации: 2015-05-10.

Method for cleaning of compost composed of solid domestic wastes from ballast fractions

Номер патента: RU2271878C2. Автор: Леонид Никифорович Реутович,Михаил Павлович Арлиевский,Константин Анатольевич Маловичко,Надежда Александровна Аверьянова,Михаил Павлович Арлиевский (RU),Леонид Никифорович Реутович (RU),Константин Анатольевич Маловичко (RU),нова Надежда Александровна Аверь (RU). Владелец: Ооо "Гипрохим-Технолог". Дата публикации: 2006-03-20.

Device for composing of relief-point image

Номер патента: RU2142881C1. Автор: А.Д. Кухарев,А.А. Блинов,Ю.К. Гришин. Владелец: Государственное предприятие Калужский научно-исследовательский институт телемеханических устройств. Дата публикации: 1999-12-20.

Security element for valuable document composed of sandwiched polymer structure with magnetic ply and article with security element

Номер патента: RU2509652C1. Автор: Андрей Борисович Курятников,Анатолий Павлович Губарев,Игорь Васильевич Павлов,Георгий Валентинович Корнилов,Елена Самуиловна Туркина,Елена Михайловна Федорова,Владимир Александрович Скиданов,Петр Михайлович Ветошко. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Гознак" (Фгуп "Гознак"). Дата публикации: 2014-03-20.

Adapter composed of reinforced tapered shell of revolution from polymer composite materials

Номер патента: RU2483927C2. Автор: Сергей Александрович Еремин,Владимир Евгеньевич Биткин,Александр Владимирович Денисов,Ольга Геннадьевна Жидкова,Аркадий Александрович Воронин,Ольга Владимировна Биткина,Артур Михайлович Митюшкин,Наталья Михайловна Мелехина,Ольга Николаевна Сухих,Денис Александрович Солдатов. Владелец: Открытое акционерное общество "Пластик". Дата публикации: 2013-06-10.

Building member (variants) and wall composed of building members

Номер патента: RU2285096C1. Автор: ков Николай Николаевич Тепл,Николай Николаевич Тепляков,Николай Васильевич Свиридов,Владимир Евгеньевич Муслов,Виктор Ильич Леваньков. Владелец: ООО "Научно-производственное предприятие "МОДУЛЬ". Дата публикации: 2006-10-10.

Tricycle with rocking body composed of cargo platform for highland farming

Номер патента: RU2532002C1. Автор: Александр Сергеевич Мельников,Герас Ильич Мамити,Марат Савкузович Льянов,Сослан Хазбиевич Плиев,Александр Олегович Зокоев,Ахмед Эльбердович Кодзаев,Ацамаз Георгиевич Наниев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Горский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2014-10-27.

The Production of Bi- and Multicolored Effects on Mixed Goods composed of Cotton and Wool by Dyeing with Sulphur Coloring Matters

Номер патента: GB190703609A. Автор: Philip Arthur Newton. Владелец: Individual. Дата публикации: 1908-01-30.

Process of producing an herbal oil composed of tawa-tawa (euphorbia hirta) with malunggay (moringa oleifera) and garlic (allium sativum)

Номер патента: PH22017000091Y1. Автор: Loyalda T Bolivar. Владелец: Loyalda T Bolivar. Дата публикации: 2017-12-13.

The Production of Bi- and Multicolored Effects on Mixed Goods composed of Cotton and Wool by Dyeing with Sulphur Coloring Matters

Номер патента: GB190713132A. Автор: Philip Arthur Newton. Владелец: Individual. Дата публикации: 1908-01-23.

Process of producing an herbal oil composed of tawa-tawa (euphorbia hirta) with malunggay (moringa oleifera) and garlic (allium sativum)

Номер патента: PH22017000091U1. Автор: Loyalda T Bolivar. Владелец: Bolivar Loyalda. Дата публикации: 2017-12-13.

Tank car and rolling stock composed of tank cars

Номер патента: RU2560938C1. Автор: Кирилл Вальтерович Кякк,Роман Александрович Савушкин,Сергей Александрович Федоров,Иван Андреевич Хилов,Александр Сергеевич Кононенко,Владимир Иванович Гуськов,Юрий Владимирович Почиталов. Владелец: РЕЙЛ1520 АйПи ЛТД. Дата публикации: 2015-08-20.

Method for processing bottomhole zone of formation composed of carbonate rocks with oil resources complicated to extract

Номер патента: RU2288358C2. Автор: Рустем Шафагатович Тахаутдинов,Азат Хафизович Сафин,Ильнур Наилевич Шигапов. Владелец: Открытое акционерное общество "Шешмаойл". Дата публикации: 2006-11-27.

Tunable antenna array composed of compensated electrically "short" antennae

Номер патента: RU2489780C2. Автор: Станислав Георгиевич Долгополов. Владелец: Станислав Георгиевич Долгополов. Дата публикации: 2013-08-10.

Method for installing blocking device composed of profiled and cylindrical pipes inside well

Номер патента: RU2265115C1. Автор: Н.Г. Ибрагимов,Ш.Ф. Тахаутдинов,Г.С. Абдрахманов,нов Н.Х. Хамить,Н.Х. Хамитьянов,Х.З. Кавеев,В.И. Московкин,С.Л. Багнюк. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" им. В.Д. Шашина. Дата публикации: 2005-11-27.

Active antenna with compensation (its variants) and antenna array composed of active antennas with compensation

Номер патента: RU2292613C2. Автор: Станислав Георгиевич Долгополов. Владелец: Станислав Георгиевич Долгополов. Дата публикации: 2007-01-27.

Apparatus for electric tranquilization and device for electric tranquilization composed of at least two apparatuses for tranquilization

Номер патента: RU2271231C1. Автор: Эдуард Михайлович Каструбин,Валентин Матвеевич Ножников. Владелец: Эдуард Михайлович Каструбин. Дата публикации: 2006-03-10.

Semiconductor integrated circuit device composed of insulated gate field-effect transistors

Номер патента: CA1079865A. Автор: Hiroto Kawagoe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1980-06-17.

Semiconductor integrated circuit device composed of insulated gate field-effect transistors

Номер патента: CA1079409A. Автор: Hiroto Kawagoe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1980-06-10.

Method of producing tin hypothiophosphate or indium ortho-thiophosphate

Номер патента: RU2089491C1. Автор: А.А. Нестеров,С.Н. Свирская,И.Н. Рыбина,Т.Г. Лупейко,Н.П. Проценко,Е.Д. Рогач. Владелец: Ростовский государственный университет. Дата публикации: 1997-09-10.

Gallium oxide, gallium nitride nano-powder are prepared by raw material two-step method of gallium

Номер патента: CN106744730A. Автор: 余乐书,吕英英,黎春根,杨流赛. Владелец: Shangrao Normal University. Дата публикации: 2017-05-31.

Method of preparing of gallium ortho-phosphate monocrystals

Номер патента: RU2019583C1. Автор: Л.Н. Демьянец,О.В. Зверева,Ю.М. Мининзон. Владелец: Институт кристаллографии им.А.В.Шубникова РАН. Дата публикации: 1994-09-15.

The method of the recovery of gallium and arsenic from the gallium arsenide GaAs grinding powder waste generated by optoelectronics manufacturer by hydrometallurgy

Номер патента: TW200842196A. Автор: Chia-Cheng Wu,Shien-Jen Yang,Ting-Che Hsiao,Jun-Yi Wu,Wei-Sheng Chen,Min Shing Tsai. Владелец: Univ Nat Cheng Kung. Дата публикации: 2008-11-01.

Recovery of gallium from gallium-containing solutions

Номер патента: AU254454B2. Автор: Klaus Bielefeldt Dr.. Владелец: Vereinigte Aluminium Werke AG. Дата публикации: 1963-08-29.

Recovery of gallium from gallium-containing solutions

Номер патента: AU1469662A. Автор: Klaus Bielefeldt Dr.. Владелец: Vereinigte Aluminium Werke AG. Дата публикации: 1963-08-29.

Gallium nitride compound semiconductor light emitting element and manufacture of gallium nitride compound semiconductor thin film

Номер патента: JPH1154795A. Автор: 英見 武石,Yasunari Oku,Hidenori Kamei,英徳 亀井,Hidemi Takeishi,保成 奥,Shuichi Shinagawa,修一 品川. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1999-02-26.

Preparation method of gallium oxide-doped membrane and gallium oxide-doped membrane

Номер патента: CN103469299A. Автор: 柳阳,梁红伟,杜国同,胡礼中,夏晓川,申人升. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2013-12-25.

ELECTRODEPOSITION METHODS OF GALLIUM AND GALLIUM ALLOY FILMS AND RELATED PHOTOVOLTAIC STRUCTURES

Номер патента: US20120055612A1. Автор: Deligianni Hariklia,Romankiw Lubomyr T.,Huang Qiang,Ahmed Shafaat,Reuter Kathleen B.,Vaidyanathan Raman. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-03-08.

METHOD FOR MANUFACTURING A LAYER OF GALLIUM NITRIDE OR GALLIUM AND ALUMINUM NITRIDE

Номер патента: US20120074427A1. Автор: Lahreche Hacene. Владелец: S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES. Дата публикации: 2012-03-29.

EXTRACTION OF GALLIUM AND/OR ARSENIC FROM GALLIUM ARSENIDE

Номер патента: US20120260774A1. Автор: . Владелец: Empire Technology Development, LLC. Дата публикации: 2012-10-18.

ELECTRODEPOSITION METHODS OF GALLIUM AND GALLIUM ALLOY FILMS AND RELATED PHOTOVOLTAIC STRUCTURES

Номер патента: US20130008798A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-01-10.

Method for extraction of gallium from alkali aluminum-containing solutions

Номер патента: RU2049824C1. Автор: Юрий Александрович Фомичев,Александр Борисович Толкачев,Александр Юрьевич Скворцов. Владелец: Николаевский глиноземный завод. Дата публикации: 1995-12-10.

Manufacturing method of gallium nitride-based light emitting device and gallium nitride-based light emitting device manufactured by the same

Номер патента: KR20090028289A. Автор: 김용천,심현욱,강중서. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2009-03-18.

Crystal growth method of gallium nitride, gallium nitride substrate, and manufacturing method thereof

Номер патента: JP2006066496A. Автор: 健作 元木,Kensaku Motoki,成二 中畑,龍 弘田,Takuji Okahisa,Seiji Nakahata,Koji Uematsu,拓司 岡久,康二 上松,Tatsu Hirota. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2006-03-09.

Etching agent for precision chemical polishing of gallium antimonide monocrystals and gallium antimonide-base solid solutions

Номер патента: SU1135382A1. Автор: С.А. Лазарев,М.Л. Яссен,Б.Д. Луфт,Л.Б. Хусид. Владелец: Ордена Трудового Красного Знамени Институт Радиотехники И Электроники Ан Ссср. Дата публикации: 1986-10-15.

Base substrate for gallium nitride, fabrication method of base substrate, and fabrication method of gallium nitride

Номер патента: KR101157426B1. Автор: 유영조,신현민. Владелец: 삼성코닝정밀소재 주식회사. Дата публикации: 2012-06-22.

Method for growing high-quality gallium nitride epitaxial film on basis of gallium nitride substrate

Номер патента: CN102719887B. Автор: 李亮. Владелец: CETC 55 Research Institute. Дата публикации: 2014-12-10.

Crucible for growing gallium oxide single crystal and manufacturing method of gallium oxide single crystal

Номер патента: JP2017061396A. Автор: Toshiyuki Fujiwara,俊幸 藤原,Wataru Sugimura,藤原　俊幸,渉 杉村. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Process for the extraction of gallium from raw aluminum containing gallium

Номер патента: AT175706B. Автор: Francis Cowles Frary. Владелец: Francis Cowles Frary. Дата публикации: 1953-08-10.

Treatment method of porous gallium nitride substrate and growth method of gallium nitride film

Номер патента: CN102644119A. Автор: 刘德新,谢华,王新中,杜军,高潮,王瑞春,何国荣. Владелец: SHENZHEN INSTITUTE OF INFORMATION TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-08-22.

Preparation method of gallium oxide film with hole conduction characteristic as well as gallium oxide film with hole conduction characteristic

Номер патента: CN103469173A. Автор: 柳阳,梁红伟,杜国同,胡礼中,夏晓川,申人升. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2013-12-25.

Improvements in or relating tothe production of solutions containing dissolved gallium and tothe production of gallium therefrom

Номер патента: AU146267B2. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1948-04-29.

Improvements in or relating tothe production of solutions containing dissolved gallium and tothe production of gallium therefrom

Номер патента: AU1962848A. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1948-04-29.

Epitaxial growth of gallium arsenide and gallium phosphide

Номер патента: AU1784562A. Автор: Richard Morat Rupert. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1963-11-21.

Epitaxial growth of gallium arsenide and gallium phosphide

Номер патента: AU266629B2. Автор: Richard Morat Rupert. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1963-11-21.

The method of the recovery of gallium and arsenic from the gallium arsenide gaas grinding powder waste generated by optoelectronics manufacturer by hydrometallurgy

Номер патента: TWI340767B. Автор: Chia Cheng Wu,Wei Sheng CHEN,Jun Yi Wu,Shien Jen Yang,Ting Che Hsiao,Min Shing Tsai. Владелец: Univ Nat Cheng Kung. Дата публикации: 2011-04-21.

Method for extracting of gallium from sludge in aluminum production

Номер патента: RU2232199C2. Автор: С.В. Быстров,А.П. Лысенко,А.В. Кожевников,В.А. Бекишев,В.Н. Горьков,Е.А. Кляцкина,А.П. Лысенко (RU),А.В. Кожевников (RU),С.В. Быстров (RU),цкина Е.А. Кл (RU),В.А. Бекишев (RU),В.Н. Горьков (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ВИКОР". Дата публикации: 2004-07-10.

Structure of gallium-nitride based (GaN-based) light-emitting diode with high luminance

Номер патента: TW200610182A. Автор: Liang-Wen Wu,Ru-Chin Tu,Jeng-Jang You,Tz-Ji Wen,Feng-Ren Jian. Владелец: Formosa Epitaxy Inc. Дата публикации: 2006-03-16.

Method of slowing down aging of gallium/HZSM-5 catalyst used in low carbon conversion reaction

Номер патента: TW249208B. Автор: Been-Ru Wann,Jiann-Tzuoh Lin,Jyh-Yeu Gau. Владелец: Nat Science Committee. Дата публикации: 1995-06-11.

Production and purification of gallium arsenide

Номер патента: AU6741260A. Автор: Edward Johnson and Edward Walter Medal Rowland. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1962-12-13.

Cutting method of gallium phosphide crystal substrate

Номер патента: JPS57123900A. Автор: Masakatsu Kojima. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1982-08-02.

Fabricating method of gallium phosphide green color emitting element

Номер патента: JPS55120184A. Автор: Masami Iwamoto,Makoto Tashiro,Akinobu Kasami,Tatsuro Bessho. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1980-09-16.

Treatment of gallium arsenide

Номер патента: CA756283A. Автор: S. Fuller Calvin. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1967-04-04.

Method of manufacturing bulk single crystal of gallium nitride

Номер патента: AU2002306223A1. Автор: Robert Dwilinski,Roman Doradzinski,Jerzy Garczynski,Leszek Sierzputowski,Yasuo Kanbara. Владелец: Ammono Sp zoo. Дата публикации: 2002-12-23.

Electrode of gallium phosphide light-emitting diode

Номер патента: JPS54152481A. Автор: Masato Yamashita,Yasuhisa Oana. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1979-11-30.

Method for thermic treatment of gallium arsenide crystals

Номер патента: BG47126A1. Автор: Ivan D Nikhtjanov,Georgi N Korudanov,Julijana D Giteva,Eliezer P Ilel,Dimitar N Popov. Владелец: Inst Tsvetna Metalurgija. Дата публикации: 1990-05-15.

Improvements in or relating tothe production of gallium

Номер патента: AU146209B2. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1948-08-19.

Method of recovery of gallium from wastes formed in aluminium production

Номер патента: PL129647B2. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1984-05-31.

Method of preparation of gallium monocrystals of specified shape and crystallographic orientation

Номер патента: PL129599B2. Автор: Zbigniew Bojarski,Marian Surowiec,Leszek Mirek. Владелец: Univ Slaski. Дата публикации: 1984-05-31.

Method and device for manufacture of gallium phosphide luminous component

Номер патента: TW506144B. Автор: Takeshi Aihara,Makoto Kawasaki,Susumu Higuchi,Yukari Suzuki. Владелец: Shinetsu Handotai Kk. Дата публикации: 2002-10-11.

Method of obtaining active pharmaceutical substance for synthesis of gallium-68 preparations

Номер патента: RU2522892C1. Автор: Александр Борисович Брускин,Галина Евгеньевна Кодина,Антон Алексеевич Ларенков. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом". Дата публикации: 2014-07-20.

METHOD FOR ELECTROCHEMICAL REFINING OF GALLIUM BY ANODE POLARIZATION METHOD

Номер патента: RU2007145300A. Автор: Сергей Алексеевич Козлов,Михаил Валентинович Сажин,Сергей Алексеевич Козлов (RU),Михаил Валентинович Сажин (RU). Владелец: ОАО Научно-исследовательский институт материалов электронной техники (НИИМЭТ) (RU). Дата публикации: 2009-06-20.

Dry etching method of gallium nitride based compound semiconductor

Номер патента: TW200303051A. Автор: Shinji Nakagami,Hiramoto Michihiko,Furuto Nobusuke,Hiroyuki Ogiya. Владелец: Shamk Internat Inst Co Ltd. Дата публикации: 2003-08-16.

Dry etching method of gallium nitride based compound semiconductor

Номер патента: TWI267136B. Автор: Shinji Nakagami,Hiromichi Ogiya,Michihiro Hiramoto,Shinsuke Furuto. Владелец: Samco Internat Inc. Дата публикации: 2006-11-21.

Structure of gallium nitride series light emitting diode

Номер патента: TW200810150A. Автор: Lu-Sheng Hong,Long-Jian Chen,Zhen-Bin Huang. Владелец: Zhen-Bin Huang. Дата публикации: 2008-02-16.

A method for parameter evaluation of solid target process of gallium-68 and germanium-68 generator

Номер патента: TW201110143A. Автор: Wuu-Jyh Lin,Ting-Shien Duh,Ming-Hsin Li. Владелец: Iner Aec Executive Yuan. Дата публикации: 2011-03-16.

Recovery of gallium and vanadium

Номер патента: AU6106579A. Автор: G M Rubinshtein. Владелец: Inst Khim Ural Nauchnogo Tsent. Дата публикации: 1981-03-26.

Manufacture of gallium-phosphide green light emitting element

Номер патента: JPS54145489A. Автор: Tatsuro Beppu,Masami Iwamoto,Makoto Tashiro,Akinobu Kasami. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1979-11-13.

Electrode of gallium phosphide light-emitting diode

Номер патента: JPS54152482A. Автор: Osamu Hirao,Masato Yamashita,Yasuhisa Oana. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1979-11-30.

Crystals of gallium compounds

Номер патента: IE27378L. Автор: . Владелец: Western Electric Co. Дата публикации: 1964-01-09.

Recovery of gallium and vanadium

Номер патента: AU5106579A. Автор: Sergei Pavlovich Yatsenko,Eduard Sergeevich Fomin,Ivan Vladimirovich Davydov,Valery Nikolaevich Diev,Arnold Fedorovich Eremeev,Anastasia Dmitrievna Grigorieva,Vladimir Nikolaevich Lavrenchuk,Ruslan Nurievich Moskov,Vladimir Iosifovich Ovsyannikov,Georgy Mikhailovich Rubinshtein,Evgeny Nikolaevich Starkov,Tatyana Mikhailovna Zlokazova. Владелец: Institut Kuntans. Дата публикации: 1981-03-26.

Process for recovery of gallium from wastes from aluminium production process

Номер патента: PL130598B2. Автор: Zdzislaw Ciurla,Maria Stankiewicz,Bogumila Ornowska. Владелец: Politechnika Wrocławska. Дата публикации: 1984-08-31.

The method of obtaining basic formate or indium acetate

Номер патента: SU454198A1. Автор: Людмила Михайловна Петрова,Нина Михайловна Колодько,Валентина Даниловна Замедянская,Анна Афанасьевна Казакова. Владелец: Предприятие П/Я В-8130. Дата публикации: 1974-12-25.

Method of synthesis of tin hypothiophosphate or indium ortho-thiophosphate

Номер патента: RU2089492C1. Автор: А.А. Нестеров,С.Н. Свирская,И.Н. Рыбина,Т.Г. Лупейко,Н.П. Проценко,Е.Д. Рогач. Владелец: Ростовский государственный университет. Дата публикации: 1997-09-10.

OPTICAL FILTER MATERIAL MADE OF GALLIUM-DOPED QUARTZ GLASS, FILTER COMPONENT AND METHOD FOR IRRADIATION BY MEANS OF A UV RADIATION SOURCE

Номер патента: US20120056106A1. Автор: . Владелец: HERAEUS QUARZGLAS GMBH & CO. KG. Дата публикации: 2012-03-08.

Method of Fabricating Optical Devices Using Laser Treatment of Contact Regions of Gallium and Nitrogen Containing Material

Номер патента: US20120104359A1. Автор: Schmidt Mathew C.,Felker Andrew,Raring James W.,THOMSON KENNETH JOHN,Aldaz Rafael,Pfister Nicholas J.,Vickers Nicholas A.,Press David. Владелец: Soraa, Inc.. Дата публикации: 2012-05-03.

Oxine Modified Silican Polyamine Composites for the Separation of Gallium from Aluminum, Ferric From Nickel and Copper from Nickel

Номер патента: US20120128556A1. Автор: ROSENBERG Edward,Miranda Paul,Wong Yuen Onn. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-24.

Local administration of gallium compositions to treat pain

Номер патента: US20120171275A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-07-05.

Local administration of gallium compositions to treat pain

Номер патента: US20130034595A1. Автор: Bernstein Lawrence Richard. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-07.

CARBON DOPING OF GALLIUM ARSENIDE VIA HYDRIDE VAPOR PHASE EPITAXY

Номер патента: US20130337636A1. Автор: Schulte Kevin,Kuech Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-19.

GROWING OF GALLIUM-NITRADE LAYER ON SILICON SUBSTRATE

Номер патента: US20140027777A1. Автор: LEE Sang In. Владелец: SYNOS TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-01-30.

Manufacturing method of gallium nitride based semiconductor

Номер патента: JP3353527B2. Автор: 清司 大仲,明彦 石橋,正也 萬濃,英見 武石. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2002-12-03.

Production of gallium arsenide semiconductor element

Номер патента: JPS5574132A. Автор: Takashi Udagawa. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1980-06-04.

Method of extractional fluorimetric determination of gallium

Номер патента: SU821408A1. Автор: Сергей Борисович Саввин,Евгений Сергеевич Данилин,Тамара Михайловна Малютина. Владелец: Государственный Ордена Октябрьскойреволюции Научно-Исследовательский Ипроектный Институт Редкометаллическойпромышленности. Дата публикации: 1981-04-15.

Crystal growth of gallium arsenide from vapor phase

Номер патента: JPS5277898A. Автор: Masao Aoki,Takashi Kajimura,Motonao Hirao. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1977-06-30.

Impurity doping method of gallium arsenide vapor growth crystal

Номер патента: JPS5255471A. Автор: Osamu Mizuno. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1977-05-06.

Preparing process of gallium nitride based LED large power chip

Номер патента: CN101335311B. Автор: 苏娟,梁晖,阎占彪,黄光辉. Владелец: Shanghai Blue Light Technology Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-04.

3-sulfo-5-nitro-4ъ-diethylamino-2,2ъ-dioxybenzene as agent for photometric determination of gallium,indium,molybdenum and vanadium

Номер патента: SU1330139A1. Автор: Юрий Маркович Дедков,Людмила Владимировна Ермоленко. Владелец: Всесоюзный Научно-Исследовательский Институт Водоснабжения,Канализации,Гидротехнических Сооружений,Инженерной Гидрогеологии. Дата публикации: 1987-08-15.

Ion-exchange method for isolation of gallium from alkali solutions

Номер патента: RU2092242C1. Автор: Евгений Петрович Коваленко,Борис Николаевич Ласкорин,Александр Иванович Фролов,Лев Иванович Водолазов,Юрий Александрович Фомичев,Александр Борисович Толкачев,Ольга Павловна Полякова,Александр Юрьевич Скворцов,Татьяна Викторовна Молчанова,Евгения Васильевна Жарова,Виталий Вениаминович Мешин. Владелец: Виталий Вениаминович Мешин. Дата публикации: 1997-10-10.

Method for combined processing of gallium-containing aluminate solutions

Номер патента: RU2049825C1. Автор: А.Ю. Скворцов,Ю.А. Фомичев,А.Б. Толкачев. Владелец: Николаевский глиноземный завод. Дата публикации: 1995-12-10.

The method of obtaining alkyl derivatives of gallium

Номер патента: SU388563A1. Автор: Б.Г. Грибов,Л.М. Голубинская,В.И. Брегадзе,Б.И. Козыркин. Владелец: Предприятие П/Я Х-5476. Дата публикации: 1976-04-05.

Thin film growing device and manufacture of gallium nitride compound semiconductor using the same

Номер патента: JPH10149992A. Автор: 英見 武石,Yasunari Oku,Hidenori Kamei,英徳 亀井,Hidemi Takeishi,保成 奥. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-02.

Double buffer layer process for radio-frequency plasma molecular beam epitaxial growth of gallium nitride

Номер патента: CN1395291A. Автор: 赵智彪,齐鸣,李爱珍. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2003-02-05.

The method of extraction of gallium from the anode alloy

Номер патента: SU127421A1. Автор: Б.Н. Ласкорин,А.И. Южин. Владелец: А.И. Южин. Дата публикации: 1959-11-30.

Method of gallium extraction from alkaline solutions

Номер патента: RU2051113C1. Автор: Евгений Петрович Коваленко,Виктор Михайлович Александров,Борис Николаевич Ласкорин,Александр Иванович Фролов,Лев Иванович Водолазов,Владимир Васильевич Родионов,Юрий Александрович Фомичев,Александр Борисович Толкачев,Александр Юрьевич Скворцов,Татьяна Викторовна Молчанова,Евгения Васильевна Жарова,Виталий Вениаминович Мешин,Анжелла Георгиевна Маурина,Олег Владимирович Гончарук. Владелец: Николаевский глиноземный завод. Дата публикации: 1995-12-27.

Method of producing single crystals of gallium phosphide

Номер патента: SU1701758A1. Автор: Юрий Алексеевич Окунев,Игорь Михайлович Искорнев,Валерий Геннадьевич Елсаков,Юрий Анатольевич Росс. Владелец: Научно-исследовательский институт материаловедения им.А.Ю.Малинина. Дата публикации: 1991-12-30.

Manufacture of gallium phosphate

Номер патента: JPS569205A. Автор: Hiroshi Endo,Hideki Matsunaga,Masayuki Watanabe,Jisaburo Ushizawa. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1981-01-30.

Method for vapor growth of gallium nitride compound semiconductor

Номер патента: JPS63188933A. Автор: Nobuo Okazaki,Katsuhide Manabe,Isamu Akasaki,Kazumasa Hiramatsu,Hiroshi Amano,勝英 真部,勇 赤崎,浩 天野,和政 平松,伸夫 岡崎. Владелец: Nagoya University NUC. Дата публикации: 1988-08-04.

Crystal growth method of gallium nitride based compound semiconductor and method of manufacturing semiconductor laser

Номер патента: JP2830814B2. Автор: 敦史 山口,明隆 木村,晴夫 砂川,正明 仁道. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-12-02.

Method for amperometric titration of gallium

Номер патента: SU555325A1. Автор: Наталья Викторовна Шведене,Галина Львовна Олиференко,Зоя Александровна Галлай,Нина Михайловна Шеина. Владелец: Московский Ордена Ленина И Ордена Трудового Красного Знамени Государственный Университет Им.М.В.Ломоносова. Дата публикации: 1977-04-25.

Manufacture of gallium nitride family compound semiconductor light emitting device

Номер патента: JPH11346035A. Автор: Nobuo Okazaki,Katsuhide Manabe,Isamu Akasaki,Hiroshi Amano,勝英 真部,勇 赤崎,浩 天野,伸夫 岡崎. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 1999-12-14.

Etching agent for chemical polishing of gallium phosphide monocrystals

Номер патента: SU1127477A1. Автор: М.Л. Яссен,Б.Д. Луфт,Л.Б. Хусид,Г.В. Герасимова. Владелец: Ордена Трудового Красного Знамени Институт Радиотехники И Электроники Ан Ссср. Дата публикации: 1986-10-15.

Method of producing single crystals of gallium arsenide

Номер патента: RU1810400C. Автор: Геннадий Николаевич Кожемякин,Виктор Григорьевич Косушкин,Сергей Юрьевич Курочкин,Олег Александрович Кизяев. Владелец: Всесоюзный научно-исследовательский институт материалов электронной техники. Дата публикации: 1993-04-23.

Production of gallium phosphide light emitting element

Номер патента: JPS52155081A. Автор: Susumu Yoshida. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1977-12-23.

Process of local etching of gallium phosphide

Номер патента: SU1814446A1. Автор: Ю.А. Пухляков,Н.А. Либо,Е.И. Пригода. Владелец: Всесоюзный научно-исследовательский институт материалов электронной техники. Дата публикации: 1995-11-10.

The method of extraction of gallium from waste production of primary aluminum

Номер патента: SU108488A1. Автор: П.Г. Манвелян,н П.Г. Манвел. Владелец: н П.Г. Манвел. Дата публикации: 1956-11-30.

A kind of gallium nitride based LED epitaxial slice structure and preparation method thereof

Номер патента: CN102842660B. Автор: 陈静. Владелец: EPITOP OPTOELECTRONIC Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-11.

Method for hydrothermal recrystalization of gallium orthophosphate

Номер патента: SU1692942A1. Автор: Владислав Иванович Пополитов,Иосиф Соломонович Рез,Ольга Владимировна Димитрова,Игорь Михайлович Ярославский. Владелец: МГУ им.М.В.Ломоносова. Дата публикации: 1991-11-23.

A kind of gallium nitride device Making programme of effectively lifting high frequency performance

Номер патента: CN107644833A. Автор: 吴俊鹏,大藤彻,谢明达,叶顺闵. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-30.

A kind of method of gallium oxide surface carrier concentration regulation

Номер патента: CN109767990A. Автор: 陶绪堂,贾志泰,穆文祥. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2019-05-17.

A kind of Gallium nitride homoepitaxy method based on original position etching

Номер патента: CN103614769B. Автор: 李忠辉,李亮,罗伟科,张东国,彭大青,董逊. Владелец: CETC 55 Research Institute. Дата публикации: 2016-03-16.

Crystal growth method of gallium nitride based compound semiconductor

Номер патента: JP2956489B2. Автор: 修二 中村. Владелец: Nichia Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 1999-10-04.

METHOD FOR OBTAINING NON-INTERCOOLING DURING EUTECTIC TURNING OF GALLIUM ALLOYS

Номер патента: SU425957A1. Автор: А. В. Чесноков Р. П. Башук П. Е. Шурай А. Г. Долесов И. Т. Срывалин В. Н. Данилин. Владелец: Лщш Дхп. Дата публикации: 1974-04-30.

METHOD OF ELECTROCHEMICAL CLEANING OF GALLIUM AND HIS ALLOYS

Номер патента: SU1170793A1. Автор: В.Н. Диев,С.П. Яценко,Г.М. Рубинштейн,А.С. Панов,В.Г. Хаяк,Э.Н. Диева. Владелец: Институт химии Уральского научного центра АН СССР. Дата публикации: 2000-05-10.

Purification of gallium trichloride

Номер патента: JPS5474298A. Автор: Osamu Nakamura,Junjiro Goto,Tomomasa Ozeki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1979-06-14.

Method for growth of gallium arsenide monocrystal by gradient freeze method in horizontal three-temperature-zone furnace

Номер патента: CN1844487A. Автор: 尹庆民,姚荣华. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-11.

Production of gallium arsenide single crystal containing added silicon

Номер патента: JPS6385100A. Автор: Kazutaka Terajima,Joshi Nishio,譲司 西尾,一高 寺嶋. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1988-04-15.

Technology for preparing electrode of gallium phosphide led

Номер патента: CN1039681A. Автор: 林秀华,江炳熙. Владелец: XIAMEN UNIVERSITY. Дата публикации: 1990-02-14.

Manufacture of gallium phosphate

Номер патента: JPS569206A. Автор: Hiroshi Endo,Hideki Matsunaga,Masayuki Watanabe,Jisaburo Ushizawa. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1981-01-30.

Method for fabrication of emission device of gallium arsenide

Номер патента: JPS5258098A. Автор: Yukio Watanabe,Masayuki Iida,Jisaburo Ushizawa. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1977-05-13.

Manufacture of gallium arsenide semiconductor device

Номер патента: JPS55110047A. Автор: Shutaro Nanbu,Masahiro Hagio. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1980-08-25.

Process of manufacture of heteroepitaxial layers of gallium arsenide

Номер патента: SU1589918A1. Автор: М.Н. Мизеров,О.В. Селиверстов,А.В. Абрамов,Н.Г. Дерягин,Д.Н. Третьяков,А.В. Долганов. Владелец: Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе. Дата публикации: 1996-11-27.

Manufacture of gallium phosphide green light emitting diode

Номер патента: JPS63151086A. Автор: Masahiro Sato,Koji Otsuka,康二 大塚,雅裕 佐藤. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 1988-06-23.

A kind of gallium nitride based light emitting diode and epitaxial growth method thereof

Номер патента: CN103311394B. Автор: 王春霞,张�雄,崔一平,王书昶. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-04-13.

A method for reducing the supercooling of gallium and its alloys

Номер патента: SU466292A1. Автор: Борис Викторович Шапошников,Алексей Григорьевич Долесов,Ремир Александрович Петренко,Вадим Николаевич Данилин,Петр Елисеевич Шурай,Иван Тихонович Срывалин. Владелец: Краснодарский политехнический институт. Дата публикации: 1975-04-05.

Structure of gallium nitride series light-emitting diode (LED) and manufacturing method thereof

Номер патента: TW201007999A. Автор: Rui-Ming Lin,Zhong-Hao Jiang,Bo-Ren Fang. Владелец: Univ Chang Gung. Дата публикации: 2010-02-16.

Electrode structure of gallium nitride compound semiconductor light emitting device

Номер патента: JP3710573B2. Автор: 俊雄 幡. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-10-26.

Manufacture of gallium arsenide field-effect transistor

Номер патента: JPS6390862A. Автор: Kazuo Nakamura,和夫 中村. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1988-04-21.

Solution for local etching of gallium arsenide films

Номер патента: SU513117A1. Автор: Юрий Иванович Федоров,Евгения Исааковна Кершман,Людмила Ивановна Максимова. Владелец: Предприятие П/Я В-2194. Дата публикации: 1976-05-05.

Structure of gallium nitride based light-emitting diode with 3D (Three-Dimensional) vertical structure

Номер патента: CN102969418A. Автор: 刘志强,张扬,杨华,王军喜,李晋闽,王国宏,李璟,伊晓燕,谢海忠. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2013-03-13.

Manufacture of gallium nitride-based compound semiconductor light emitting element

Номер патента: JPH10173236A. Автор: Satoshi Sugawara,Masaki Furukawa,聰 菅原,勝紀 古川. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1998-06-26.

A kind of gallium nitride base light emitting element with Bragg reflecting layer structure

Номер патента: CN209045596U. Автор: 顾伟. Владелец: Jiangxi Zhao Chi Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-28.

Process for producing alpha- and/or beta-modification of gallium/iii/-oxide of minimally 4n purity

Номер патента: HU205885B. Автор: Istvan Somosi,Janos Vitez,Jozsefne Fodor. Владелец: Ajkai Timfoeldgyar Aluminium. Дата публикации: 1992-07-28.

Method for chemically polishing substrates of gallium-gadolinium garnet

Номер патента: SU927863A1. Автор: Евгений Иванович Николаев,Надежда Григорьевна Макарова,Любовь Евгеньевна Яремчук,Виктор Васильевич Парамонов. Владелец: Предприятие П/Я В-2836. Дата публикации: 1982-05-15.

Method for pre-epitaxy cleaning of gallium arsenide plates

Номер патента: SU1593513A1. Автор: З.В. Тюнькова,О.С. Башевская,Т.П. Колмакова,П.Б. Пащенко. Владелец: О.С. Башевская. Дата публикации: 1996-12-27.

Double-wall quartz crucible for growth of gallium arsenide crystals and preparation method thereof

Номер патента: CN102161564A. Автор: 张尧,濮晓明,陶明顿,濮阳坤,王婧姝,吕德润,王光才. Владелец: FUDONG LIGHTING LLC. Дата публикации: 2011-08-24.

Method of producing epitaxial layers of gallium nitride

Номер патента: SU1705425A1. Автор: Хусайн Исрапилович Зелимханов,Лариса Алексеевна Марасина,Игорь Геннадьевич Пичугин. Владелец: Ленинградский электротехнический институт им.В.И.Ульянова (Ленина). Дата публикации: 1992-01-15.

Method for quantitative determination of gallium

Номер патента: SU116838A1. Автор: А.М. Лукин,Е.А. Божевольнов,М.Н. Градинарская,М.Н. Градинарска. Владелец: М.Н. Градинарска. Дата публикации: 1958-11-30.

Process of treatment of surface of gallium arsenide semiconductor structures

Номер патента: SU1542332A1. Автор: Ю.А. Матвеев,Т.П. Колмакова,И.И. Авдеев,М.Л. Мкртчан. Владелец: И.И. Авдеев. Дата публикации: 1996-02-20.

Recovery of gallium from strongly basic aqueous solution

Номер патента: JPS59186683A. Автор: Yoshiaki Iwaya,岩屋　嘉昭. Владелец: Unitika Ltd. Дата публикации: 1984-10-23.

Method for measuring electric parameter of gallium arsenide pseudomorphic HEMT (high electron mobility transistor) material

Номер патента: CN102313835B. Автор: 王伟,杨瑞霞,牛晨亮,武一宾. Владелец: HEBEI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2013-09-04.

Method for interoperation preservation of gallium arsenide plates

Номер патента: SU1582921A1. Автор: Т.П. Колмакова,П.Б. Пащенко,С.С. Сарманов. Владелец: Т.П. Колмакова. Дата публикации: 1996-12-27.

Grinding method of gallium nitride

Номер патента: JP7257830B2. Автор: 賢太 増田,将治 鈴木,美育 高野. Владелец: Taiheiyo Cement Corp. Дата публикации: 2023-04-14.

Epitaxial structure of gallium nitride series compound semiconductor and mfg. method

Номер патента: CN1677697A. Автор: 洪详竣,赖穆人. Владелец: JUXIN SCI-TECH Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-05.

Structure for improving Schottky performance of grid electrode of gallium nitride based transistor in high electron mobility

Номер патента: CN1797787A. Автор: 王晓亮,王军喜,曾一平,李晋闽,李建平,胡国新,王翠梅. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2006-07-05.

A kind of gallium arsenide solar cell

Номер патента: CN206961839U. Автор: 姜帅,贾锐,陶科,孙恒超. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-02-02.

A kind of gallium nitride-based field effect transistor and preparation method thereof

Номер патента: CN104701364B. Автор: 徐宸科,林科闯,叶念慈. Владелец: Integrated Circuit Co Ltd Is Pacified By Xiamen City Three. Дата публикации: 2017-12-05.

Passivation method of gallium nitride epitaxial wafer

Номер патента: CN107644813B. Автор: 王波,李佳,张志荣,冯志红,郭艳敏,房玉龙,尹甲运,芦伟立. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2020-11-24.

Quartz boat and method for completing polycrystalline synthesis and single crystal growth of gallium selenide by utilizing same

Номер патента: CN109868501B. Автор: 陈亮,杨春晖,马天慧,郝树伟,雷作涛,朱崇强. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2021-04-23.

Method of growing low-dislocation single crystals of gallium arsenide

Номер патента: SU1730217A1. Автор: Виктор Александрович Савельев,Владимир Алексеевич Антонов,Михаил Алексеевич Булеков,Юрий Анатольевич Алешин. Владелец: Научно-исследовательский институт материаловедения им.А.Ю.Малинина. Дата публикации: 1992-04-30.

Fabrication method of gallium nitride light emitting diode with back reflector and heat dissipation layer

Номер патента: TWI443871B. Автор: . Владелец: Univ Chang Gung. Дата публикации: 2014-07-01.

Production process for growing crystals of gallium scandium gadolinium garnets for passive q-switches

Номер патента: RU2324018C2. Автор: Игорь Алексеевич Миронов,Александр Николаевич Титов,Лариса Ивановна Крутова,Василий Николаевич Ветров,Борис Александрович Игнатенков. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский и технологический институт оптического материаловедения Всероссийского научного центра "Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова" (ФГУП "НИТИОМ ВНЦ "ГОИ им. С.И. Вавилова"). Дата публикации: 2008-05-10.

The SCF and preparation method of gallium nitride base low-leakage current cantilever beam

Номер патента: CN104953980B. Автор: 廖小平,褚晨蕾. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of analysis of gallium

Номер патента: SU1506351A1. Автор: Игорь Владимирович Пятницкий,Любовь Леонтьевна Коломиец,Ольга Владимировна Лысенко,Мария Григорьевна Собко. Владелец: Киевский Государственный Университет Им.Т.Г.Шевченко. Дата публикации: 1989-09-07.

Structure and making method of gallium nitride high electron mobility transistor

Номер патента: CN1326208C. Автор: 王晓亮,王军喜,曾一平,李晋闽,胡国新. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2007-07-11.

Manufacture of gallium-arsenic seed crystal

Номер патента: JPH10194898A. Автор: Hiromasa Yamamoto,Takayuki Inoue,裕正 山本,孝行 井上. Владелец: Japan Energy Corp. Дата публикации: 1998-07-28.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.