一种垂直结构的氮化镓异质结hemt.

一种垂直结构的氮化镓异质结hemt

Номер патента: CN106549038B
Опубликовано: 02-08-2019
Автор(ы): 周炳
Принадлежит: Ningbo Haite Gen Electric Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Enhancement mode gallium nitride transistor

Номер патента: EP4391080A1. Автор: James Fiorenza,Daniel Piedra. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-06-26.

Enhancement mode gallium nitride transistor

Номер патента: US20240213362A1. Автор: James G. Fiorenza,Daniel Piedra. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Vertical multichannel gallium nitride transistor

Номер патента: US20240097017A1. Автор: Christian Huber,Daniel Krebs,Jens Baringhaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-03-21.

Vertikaler Multikanal Gallium-Nitrid Transistor

Номер патента: DE102022209797A1. Автор: Christian Huber,Daniel Krebs,Jens Baringhaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-03-21.

Low-defect density gallium nitride semiconductor structures and fabrication methods

Номер патента: US20100171124A1. Автор: Pankaj B. Shah,Michael A. Derenge,Daniel J. Ewing,Tsvetanka S. Zheleva. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 2010-07-08.

Vertical semiconductor component on the basis of gallium nitride with a front-side measuring electrode

Номер патента: US20240128133A1. Автор: Klaus Heyers,Jens Baringhaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-04-18.

Gallium nitride epitaxial crystal, method for production thereof and field effect transistor

Номер патента: GB2460197A. Автор: Naohiro Nishikawa,Masahiko Hata,Hiroyuki Sazawa. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-25.

Transistor Structure Including a Scandium Gallium Nitride Back-barrier Layer

Номер патента: US20190006502A1. Автор: Robert L. Coffie. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-01-03.

Gallium nitride material devices and associated methods

Номер патента: EP1969635A1. Автор: Robert J. Therrien,Allen W. Hanson,Sameer Singhal,Jerry Wayne Johnson. Владелец: Nitronex Corp. Дата публикации: 2008-09-17.

Methods of Manufacturing Gallium Nitride Devices

Номер патента: US20170154989A1. Автор: Robert Joseph Therrien,Allen W. Hanson,Sameer Singhal,Jerry Wayne Johnson. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-06-01.

Methods of manufacturing gallium nitride devices

Номер патента: US09978858B2. Автор: Robert Joseph Therrien,Allen W. Hanson,Sameer Singhal,Jerry Wayne Johnson. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Gallium nitride material devices and associated methods

Номер патента: US09608102B2. Автор: Robert Joseph Therrien,Allen W. Hanson,Sameer Singhal,Jerry Wayne Johnson. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Normally-off gallium nitride-based semiconductor devices

Номер патента: US8802516B2. Автор: Jamal Ramdani. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-08-12.

Layer transfer transistor for gallium nitride (gan) integrated circuit technology

Номер патента: US20240203979A1. Автор: Han Wui Then,Samuel James Bader. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Insulated gate bipolar transistor with a lateral gate structure and gallium nitride substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160111519A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yu Yang,Tsung-Yi Huang,Tsung-Chieh Hsiao,Chih-Fang Huang,Ting-Fu Chang,Po-Chin Peng,Ya-Hsien Liu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-04-21.

Insulated gate bipolar transistor with a lateral gate structure and gallium nitride substrate

Номер патента: US9252219B2. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yu Yang,Tsung-Yi Huang,Tsung-Chieh Hsiao,Chih-Fang Huang,Ting-Fu Chang,Po-Chin Peng,Ya-Hsien Liu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-02-02.

Gallium-nitride device field-plate system

Номер патента: US20230101543A1. Автор: Chang Soo Suh,Dong Seup Lee,Jungwoo Joh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

High breakdown enhancement mode gallium nitride based high electron mobility transistors with integrated slant field plate

Номер патента: WO2008021544A3. Автор: Yuvaraj Dora,Chang Soo Suh,Umesh K Mishra. Владелец: Umesh K Mishra. Дата публикации: 2008-06-19.

Gallium nitride semiconductor devices and method making thereof

Номер патента: US8946771B2. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Fu-Chih Yang,Chih-Wen Hsiung,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-02-03.

Gallium Nitride Based Semiconductor Devices and Methods of Manufacturing the Same

Номер патента: EP2428995A3. Автор: Jae-Hoon Lee,Ki-se Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-29.

Methods of manufacturing the gallium nitride based semiconductor devices

Номер патента: US20140327049A1. Автор: Jae-Hoon Lee,Ki-se Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-11-06.

Screen layer integration in gallium nitride technology

Номер патента: US20240204055A1. Автор: Dong Seup Lee. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Gallium nitride (gan) with interlayers for integrated circuit technology

Номер патента: US20240204059A1. Автор: Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Pratik KOIRALA,Michael S. BEUMER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Reduced punchthrough breakdown in gallium-nitride transistors

Номер патента: US20190088773A1. Автор: Mark Armstrong,Han Wui Then. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Reduced punchthrough breakdown in gallium-nitride transistors

Номер патента: US10615280B2. Автор: Mark Armstrong,Han Wui Then. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-07.

Reduced punchthrough breakdown in gallium-nitride transistors

Номер патента: WO2017164841A1. Автор: Mark Armstrong,Han Wui Then. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-09-28.

Method for producing a vertical semiconductor device with epitaxially grown iii-v epitaxy using the substrate several times, and corresponding semiconductor device, in particular based on gallium nitride

Номер патента: US20240234546A1. Автор: Christian Huber,Stefan Regensburger. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

High electron mobility transistor with periodically carbon doped gallium nitride

Номер патента: US09608103B2. Автор: Jeffrey Craig Ramer,Karl Knieriem. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Gallium nitride high electron mobility transistor

Номер патента: US20230411509A1. Автор: Chu-Kuang Liu,Hung-Kun Yang. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Gallium nitride nmos on si (111) co-integrated with a silicon pmos

Номер патента: US20200286789A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Valluri R. Rao. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Verfahren zur Herstellung eines vertikalen Halbleiterbauelements mit epitaktisch gewachsener III-V-Epitaxie unter mehrmaliger Verwendung des Substrats sowie entsprechendes Halbleiterbauelement, insbesondere auf der Basis von Gallium-Nitrid

Номер патента: DE102023200123A1. Автор: Christian Huber,Stefan Regensburger. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

Gallium nitride power transistor

Номер патента: EP4241308A1. Автор: Gilberto Curatola. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-13.

Gallium nitride power transistor

Номер патента: US20230335597A1. Автор: Gilberto Curatola. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Normally off gallium nitride field effect transistors (fet)

Номер патента: US20180308967A1. Автор: Anup Bhalla,TingGang Zhu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2018-10-25.

CONTINUOUS CRYSTALLINE GALLIUM NITRIDE (GaN) PN STRUCTURE WITH NO INTERNAL REGROWTH INTERFACES

Номер патента: US20180212045A1. Автор: Jinqiao Xie,Edward A. Beam, III,Xing Gu. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-07-26.

Material structure for low thermal resistance silicon-based gallium nitride microwave and millimeter-wave devices and manufacturing method thereof

Номер патента: US12142643B2. Автор: LU Hao,Yue Hao,Zhihong Liu,Junwei Liu,Jincheng Zhang,Weihang Zhang,Yachao Zhang,Kunlu SONG. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2024-11-12.

Normally off gallium nitride field effect transistors (FET)

Номер патента: US09520480B1. Автор: Anup Bhalla,TingGang Zhu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-12-13.

Gallium nitride transistors for high-voltage radio frequency switches

Номер патента: US20190074368A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Normally off gallium nitride field effect transistors (fet)

Номер патента: US20170084730A1. Автор: TingGang Zhu,Anups Bhalla. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-03-23.

Gallium nitride (gan) transistors with lateral drain depletion

Номер патента: US20240021725A1. Автор: AHMAD Zubair,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Pratik KOIRALA,Samuel James Bader,Heli Chetanbhai VORA,Michael S. BEUMER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Normally off gallium nitride field effect transistors (fet)

Номер патента: US20160380073A1. Автор: Anup Bhalla,TingGang Zhu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-12-29.

Normally off gallium nitride field effect transistors (FET)

Номер патента: US10020389B2. Автор: Anup Bhalla,TingGang Zhu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2018-07-10.

Gallium nitride (gan) layer on substrate carburization for integrated circuit technology

Номер патента: US20240213331A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Pratik KOIRALA,Wesley Harrison. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

A kind of longitudinal type gallium nitride radical heterojunction semiconductor devices and its manufacturing method

Номер патента: CN105679823B. Автор: 罗文健,欧阳伟伦,梁安杰. Владелец: HONGKONG SHANGMOSIFEITE SEMICONDUCTOR CO Ltd. Дата публикации: 2019-09-03.

A kind of chip scale gallium nitride based transistor and preparation method thereof

Номер патента: CN103943677B. Автор: 刘志强,王军喜,李晋闽,李璟,伊晓燕,谢海忠,纪攀峰. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2016-08-17.

Gallium nitride component, method for manufacturing gallium nitride component, and electronic device

Номер патента: US20240204094A1. Автор: Daisuke Ueda,Hui Sun,Gaofei TANG,Hanxing WANG,Qilong Bao. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Folded channel gallium nitride based field-effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240355921A1. Автор: Xinyu Liu,Xinhua Wang,Qimeng JIANG,Sen Huang,Xinyue DAI. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-10-24.

Gallium nitride power transistor

Номер патента: EP4272254A1. Автор: Gilberto Curatola,Gaofei TANG,Qimeng JIANG,Hanxing WANG,Qilong Bao. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-08.

Gallium nitride device and manufacturing method therefor, and electronic apparatus

Номер патента: EP4336562A1. Автор: Daisuke Ueda,Hui Sun,Gaofei TANG,Hanxing WANG,Qilong Bao. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-13.

Gallium nitride device and drive circuit thereof

Номер патента: EP3926689A1. Автор: Zhaozheng Hou,Boning Huang,Qimeng JIANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-22.

Gallium nitride component and drive circuit thereof

Номер патента: US20220199795A1. Автор: Zhaozheng Hou,Boning Huang,Qimeng JIANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Gallium Nitride Power Transistor

Номер патента: US20230411486A1. Автор: Gilberto Curatola,Gaofei TANG,Qimeng JIANG,Hanxing WANG,Qilong Bao. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Gallium nitride material and methods associated with the same

Номер патента: WO2006012298A9. Автор: John Claassen Roberts,Pradeep Rajagopal,Edwin Lanier Piner. Владелец: Edwin Lanier Piner. Дата публикации: 2006-04-20.

Aluminum gallium nitride/gallium nitride high electron mobility transistors having a gate contact on a gallium nitride based cap segment and methods of fabricating same

Номер патента: CA2453318C. Автор: Richard Peter Smith. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2014-06-10.

Electronic device with gallium nitride transistors and method of making same

Номер патента: US20230343829A1. Автор: Dong Seup Lee,Nicholas S. Dellas,Qhalid RS Fareed. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Electronic device with gallium nitride transistors and method of making same

Номер патента: US11742390B2. Автор: Dong Seup Lee,Nicholas S. Dellas,Qhalid R S Fareed. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Packaged structures for lateral high voltage gallium nitride devices

Номер патента: US20240021677A1. Автор: Zhanming Li,Zeyu WAN. Владелец: Ganpower International Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Heteroepitaxial gallium nitride-based device formed on an off-cut substrate

Номер патента: WO2010039400A2. Автор: Uttiya Chowdhury,Jose L. Jimemez. Владелец: TRIQUINT SEMICONDUCTOR, INC.. Дата публикации: 2010-04-08.

Gallium nitride (gan) device with leakage current-based over-voltage protection

Номер патента: US20140054601A1. Автор: Andrew P. Ritenour. Владелец: RF Micro Devices Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Gallium nitride material transistors and methods associated with the same

Номер патента: US20070120147A1. Автор: Jerry Johnson,John Roberts,Jeffrey Brown,James Cook,Edwin Piner,Ricardo Borges,Kevin Linthicum,Andrei Vescan,Pradeep Rajagopal,Allen Hanson,Sameer Singhal,Walter NAGY,Robert Therrien,Apurva Chaudhari. Владелец: Nitronex Corp. Дата публикации: 2007-05-31.

Gallium nitride bidirectional switch device

Номер патента: US20240258385A1. Автор: Han Xu,NING Xu,Cheng Liu,Nien-Tze Yeh,Zhidong Lin,Danni YAN. Владелец: Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Current aperture vertical electron transistors with ammonia molecular beam epitaxy grown p-type gallium nitride as a current blocking layer

Номер патента: US09590088B2. Автор: Christophe Hurni,Ilan Ben-Yaacov,Srabanti Chowdhury,Umesh K. Mishra,Ramya Yeluri. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of fabricating a merged P-N junction and schottky diode with regrown gallium nitride layer

Номер патента: US09525039B2. Автор: Ozgur Aktas,Quentin Diduck,Isik C. Kizilyalli,Hui Nie,Thomas R. Prunty,Dave P. Bour. Владелец: Avogy Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Gallium nitride bi-directional high electron mobility transistor substrate voltage management circuit

Номер патента: US11838017B2. Автор: Michael J. Harrison,Patrick Lyle CHAPMAN,Christiaan Johannes van Antwerpen. Владелец: Enphase Energy Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Gallium nitride device and method for manufacturing high electron mobility transistor

Номер патента: US20240038847A1. Автор: Chun-Liang Hou,Chih Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Gallium nitride device and method for manufacturing high electron mobility transistor

Номер патента: EP4312276A1. Автор: Chun-Liang Hou,Chih Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-31.

Gallium nitride bi-directional high electron mobility transistor substrate voltage management circuit

Номер патента: EP4364205A1. Автор: Michael J. Harrison,Patrick Lyle CHAPMAN,Christiaan Johannes van Antwerpen. Владелец: Enphase Energy Inc. Дата публикации: 2024-05-08.

Gallium nitride transistor

Номер патента: US20220115528A1. Автор: Gokhan Atmaca. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-04-14.

Gallium nitride bi-directional high electron mobility transistor substrate voltage management circuit

Номер патента: US20220416784A1. Автор: Michael J. Harrison,Patrick Lyle CHAPMAN,Christiaan Johannes van Antwerpen. Владелец: Enphase Energy Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Island matrixed gallium nitride microwave and power switching transistors

Номер патента: CA2769940C. Автор: John Roberts,Greg Klowak,Ahmad Mizan,Girvan Patterson. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2016-04-26.

Gallium nitride transistor with a doped region

Номер патента: US11769824B2. Автор: Sameer Pendharkar,Pinghai Hao,Dong Seup Lee,Jungwoo Joh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Gallium nitride transistor with a doped region

Номер патента: WO2020106658A1. Автор: Sameer Pendharkar,Pinghai Hao,Dong Seup Lee,Jungwoo Joh. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2020-05-28.

Gallium nitride transistor for reducing input capacitance of multilayer field plate

Номер патента: EP4325582A1. Автор: Jun Pan,Shengyuan Zhang,Hailin XIAO. Владелец: Hefei Aichuang Microelectronics Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-02-21.

High Voltage Gallium Nitride Field Effect Transistor

Номер патента: US20220109048A1. Автор: Yan-Fei Liu,Zhanming Li,Wai Tung Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-04-07.

Gallium nitride material transistors and methods for wideband applications

Номер патента: WO2007041710A3. Автор: Kevin J Linthicum. Владелец: Kevin J Linthicum. Дата публикации: 2007-05-24.

Gallium nitride transistor with a doped region

Номер патента: US20230369482A1. Автор: Sameer Pendharkar,Pinghai Hao,Dong Seup Lee,Jungwoo Joh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Gallium nitride semiconductor device with improved termination scheme

Номер патента: US20180182853A9. Автор: TingGang Zhu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2018-06-28.

Heteroepitaxial gallium nitride-based device formed on an off-cut substrate

Номер патента: WO2010039400A3. Автор: Uttiya Chowdhury,Jose L. Jimemez. Владелец: TRIQUINT SEMICONDUCTOR, INC.. Дата публикации: 2010-05-27.

High voltage gallium nitride field effect transistor

Номер патента: CA3132833A1. Автор: Yan-Fei Liu,Zhanming Li,Wai Tung Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-04-06.

Layer transfer diode or thin-film resistor for gallium nitride (gan) integrated circuit technology

Номер патента: US20240203815A1. Автор: Han Wui Then,Nachiket Venkappayya Desai,Samuel James Bader. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Gallium nitride-based chip, chip preparation method, gallium nitride power device, and circuit

Номер патента: US20230085872A1. Автор: Zhaozheng Hou,Gaofei TANG,Hanxing WANG. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-23.

Integrated gallium nitride capacitor-transistor structures

Номер патента: WO2018174872A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-09-27.

Gallium nitride compound semiconductor device having schottky contact

Номер патента: US20040061194A1. Автор: Kaoru Inoue,Yoshito Ikeda,Yutaka Hirose,Katsunori Nishii. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-01.

Source/drain regrowth for low contact resistance to 2d electron gas in gallium nitride transistors

Номер патента: EP3213350A1. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Sanaz K. Gardner,Seung Hoon Sung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-06.

Vertical aluminum gallium nitride devices on crystalline metallic substrates

Номер патента: US20240088259A1. Автор: MVS Chandrashekhar,Marshall Brooks TELLEKAMP, JR.. Владелец: Alliance for Sustainable Energy LLC. Дата публикации: 2024-03-14.

Gallium nitride (GaN) based transistor with multiple p-GaN blocks

Номер патента: US12046666B2. Автор: Naveen Tipirneni,Chang Soo Suh,Sameer Prakash Pendharkar,Jungwoo Joh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Method for treating a gallium nitride layer comprising dislocations

Номер патента: US09991341B2. Автор: Arnaud Yvon. Владелец: STMicroelectronics Tours SAS. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for treating a gallium nitride layer comprising dislocations

Номер патента: US09536747B2. Автор: Arnaud Yvon. Владелец: STMicroelectronics Tours SAS. Дата публикации: 2017-01-03.

Low aluminum concentration aluminum gallium nitride interlayer for group iii-nitride (iii-n) devices

Номер патента: US20240204091A1. Автор: AHMAD Zubair,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Pratik KOIRALA,Samuel BADER,Heli Vora,Michael Beumer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Integrated depletion and enhancement mode gallium nitride high-electron mobility transistors

Номер патента: US20240063219A1. Автор: JERRY JOSEPH James,Francois Hebert,Richard J. Rassel,Santosh Sharma,Steven J. Bentley. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Gallium nitride compound semiconductor device having schottky contact

Номер патента: US7105907B2. Автор: Kaoru Inoue,Yoshito Ikeda,Yutaka Hirose,Katsunori Nishii. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-12.

Normally-on gallium nitride based transistor with p-type gate

Номер патента: US20240274705A1. Автор: Shoji Wada,Chang Soo Suh,Dong Seup Lee,Jungwoo Joh,Karen Hildegard Ralston Kirmse. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Gallium nitride-based device with step-wise field plate and method making the same

Номер патента: EP3945601A3. Автор: Wei Wang,Chun Lin Tsai,Ru-Yi Su,Yao-Chung Chang,Wei-Chen YANG,Yen-Ku Lin,Channing TSOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-20.

Gallium nitride-based high electron mobility transistor epitaxial wafer and preparation method therefor

Номер патента: US20230326996A1. Автор: Chen Su,Peng Li,HUI Wang,Jiahui Hu,Yuanyuan JIANG,Wubin Zhang. Владелец: HC Semitek Zhejiang Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Normally-on gallium nitride based transistor with p-type gate

Номер патента: US11978790B2. Автор: Shoji Wada,Chang Soo Suh,Dong Seup Lee,Jungwoo Joh,Karen Hildegard Ralston Kirmse. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Layer transfer clamp for gallium nitride (gan) integrated circuit technology

Номер патента: US20240203978A1. Автор: Han Wui Then,William J. Lambert,Harish Krishnamurthy,Nachiket Venkappayya Desai,Samuel James Bader,Jingshu Yu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

The manufacture method of gallium nitride transistor and gallium nitride transistor

Номер патента: CN107230700A. Автор: 陈建国,孙辉,刘美华,林信南. Владелец: Shenzhen Founder Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Compound semiconductor device having gallium nitride gate structures

Номер патента: US09502524B2. Автор: Chih-Wen Hsiung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Gallium nitride laminated substrate and semiconductor device

Номер патента: US20190348276A1. Автор: Hiroshi Ohta,Tomoyoshi Mishima,Masatomo Shibata,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-14.

Gallium nitride-on-silicon devices

Номер патента: US20240145587A1. Автор: Jun-De JIN,Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Gallium nitride-on-silicon devices

Номер патента: US11888055B2. Автор: Jun-De JIN,Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Gallium nitride-on-silicon devices

Номер патента: US20210305419A1. Автор: Jun-De JIN,Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Enhancement-mode gallium nitride high electron mobility transistor

Номер патента: WO2011011261A2. Автор: Jose L. Jimenez. Владелец: TRIQUINT SEMICONDUCTOR, INC.. Дата публикации: 2011-01-27.

Gallium nitride semiconductor structure and process for fabricating thereof

Номер патента: SG10201802435TA. Автор: KAPLUN Joseph,HOULI ARBIV Bilha. Владелец: ELTA SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2019-02-27.

Monolithic component comprising a gallium nitride power transistor

Номер патента: US20240021604A1. Автор: Arnaud Yvon,Mathieu Rouviere,Mohamed SAADNA,Vladimir Scarpa. Владелец: STMicroelectronics Tours SAS. Дата публикации: 2024-01-18.

Multi-terminal gallium nitride power transistor

Номер патента: US20230352542A1. Автор: Gilberto Curatola. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Monolithic component comprising a gallium nitride power transistor

Номер патента: US11810911B2. Автор: Arnaud Yvon,Mathieu Rouviere,Mohamed SAADNA,Vladimir Scarpa. Владелец: STMicroelectronics Tours SAS. Дата публикации: 2023-11-07.

Gallium Nitride Device with Field Plate Structure and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20230377952A1. Автор: Chung-Yi Chiu,Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Gallium nitride enhancement mode device

Номер патента: WO2020055984A1. Автор: James G. Fiorenza,Puneet Srivastava,Daniel Piedra. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2020-03-19.

Multi-terminal gallium nitride power transistor

Номер патента: EP4264666A1. Автор: Gilberto Curatola. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-25.

System and method for surge-testing a gallium nitride transistor device

Номер патента: US20200126874A1. Автор: Paul Brohlin,Sandeep Raj Bahl. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-04-23.

A kind of closed type gallium nitride HEMT device

Номер патента: CN108493245A. Автор: 李亦衡,夏远洋,朱廷刚,张葶葶. Владелец: JIANGSU NENGHUA MICROELECTRONIC TECHNOLOGY DEVELOPMENT Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-04.

Gallium nitride power transistor and method for producing a gan power transistor

Номер патента: EP4434091A1. Автор: Gilberto Curatola. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Fabrication of vertical doped fins for complementary metal oxide semiconductor field effect transistors

Номер патента: US09871041B1. Автор: Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Fabrication of vertical doped fins for complementary metal oxide semiconductor field effect transistors

Номер патента: US20180006036A1. Автор: Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Fabrication of vertical doped fins for complementary metal oxide semiconductor field effect transistors

Номер патента: US20180006037A1. Автор: Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Thin-film transistor having vertical structure and electronic device

Номер патента: US20240038900A1. Автор: Zhifu Li,Guanghui Liu,Dewei SONG,Chengzhi LUO,Fei AI. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190006184A1. Автор: Mori Daisuke,Tanaka Ryo,Teranishi Hideaki,Ueno Katsunori,MATSUYAMA Hideaki,TAKASHIMA Shinya,EDO Masaharu,SUDA Hirotaka,INOUE Chizuru. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-03.

Gallium nitride based semiconductor device and manufacturing method of gallium nitride based semiconductor device

Номер патента: US20190006184A1. Автор: Daisuke Mori,Katsunori Ueno,Chizuru Inoue,Ryo Tanaka,Hideaki Matsuyama,Masaharu Edo,Shinya Takashima,Hideaki Teranishi,Hirotaka SUDA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Vertical semiconductor component on the basis of gallium nitride with a structured intermediate layer

Номер патента: US20240234512A9. Автор: Kevin Dannecker,Stefan Regensburger. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

A kind of vertical-type gallium nitride Schottky diode device and preparation method thereof

Номер патента: CN110137267A. Автор: 张玉良,杨杨,邹新波. Владелец: UNIVERSITY OF SHANGHAI FOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2019-08-16.

Epitaxial gallium nitride alloy ferroelectronics

Номер патента: US20230070465A1. Автор: PING Wang,DING Wang,Zetian Mi. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2023-03-09.

Vertical semiconductor component on the basis of gallium nitride with a structured intermediate layer

Номер патента: US20240136407A1. Автор: Kevin Dannecker,Stefan Regensburger. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-04-25.

Stacked structure and gallium nitride-based semiconductor device

Номер патента: US20240282889A1. Автор: Masashi TSUBUKU,Masumi Nishimura,Masami Mesuda,Yoshihiro Ueoka,Yuya Suemoto. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Vertikales Halbleiterbauelement auf der Basis von Gallium-Nitrid mit strukturierter Zwischenschicht

Номер патента: DE102022211042A1. Автор: Kevin Dannecker,Stefan Regensburger. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-04-25.

Gallium nitride high electron mobility transistor and gate structure thereof

Номер патента: US20200212173A1. Автор: Chu-Kuang Liu,Hung-Kun Yang. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Fabrication of vertical field effect transistors with uniform structural profiles

Номер патента: US09837410B1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Array Of Vertical Transistors, An Array Of Memory Cells Comprising An Array Of Vertical Transistors, And A Method Used In Forming An Array Of Vertical Transistors

Номер патента: US20220068722A1. Автор: Marcello Mariani,Antonino Rigano,Marcello Calabrese. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Device architecture and method for precision enhancement of vertical semiconductor devices

Номер патента: US09997455B2. Автор: Thomas E. Harrington, III. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

Fabrication of a pair of vertical fin field effect transistors having a merged top source/drain

Номер патента: US09899515B1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Device architecture and method for precision enhancement of vertical semiconductor devices

Номер патента: US09589889B2. Автор: Thomas E. Harrington, III. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2017-03-07.

Gallium nitride (gan) three-dimensional integrated circuit technology

Номер патента: NL2029033A. Автор: Radosavljevic Marko,Choi Beomseok,KOIRALA Pratik,TALUKDAR Tushar,GOMES Wilfred,Wui Then Han,S Chau Robert,A Elsherbini Adel,M Swan Johanna,K Thomas Nicole,B Fischer Paul. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-05-24.

Gallium nitride (gan) three-dimensional integrated circuit technology

Номер патента: EP4218054A1. Автор: Paul B. Fischer,Robert S. Chau,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Adel A. Elsherbini,Johanna M. Swan,Nicole K. Thomas,Wilfred Gomes,Pratik KOIRALA,Tushar TALUKDAR,Beomseok CHOI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-02.

Semiconductor device and method of forming vertical structure

Номер патента: US12062705B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kai-Chieh Yang,Wai-Yi Lien,Shi-Ning Ju,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Vertical structure having an etch stop over portion of the source

Номер патента: US09805968B2. Автор: Teng-Chun Tsai,Ming-Hsing Tsai,Huang-Yi Huang,De-Fang Chen,Li-Ting Wang,Hui-Cheng Chang,Cheng-Tung Lin,Huan-Just Lin,Bing-Hung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and method of forming vertical structure

Номер патента: US09755033B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kai-Chieh Yang,Wai-Yi Lien,Shi-Ning Ju,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Fabrication of a pair of vertical fin field effect transistors having a merged top source/drain

Номер патента: US20180122938A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-03.

Fabrication of a pair of vertical fin field effect transistors having a merged top source/drain

Номер патента: US20200168511A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Fabrication of a pair of vertical fin field effect transistors having a merged top source/drain

Номер патента: US20200168512A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Fabrication of a pair of vertical fin field effect transistors having a merged top source/drain

Номер патента: US20200168510A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Fabrication of a pair of vertical fin field effect transistors having a merged top source/drain

Номер патента: US10734287B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-04.

Fabrication of a pair of vertical fin field effect transistors having a merged top source/drain

Номер патента: US10607894B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-31.

Thin-film transistor having a vertical structure and an electronic device

Номер патента: US20240234576A1. Автор: Zhifu Li,Guanghui Liu,Dewei SONG,Chengzhi LUO,Fei AI. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Negative differential resistance element having 3-dimension vertical structure

Номер патента: US20200357988A1. Автор: Jin Hong Park,Keun HEO,Kil Su JUNG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2020-11-12.

Non-volatile memory device having vertical structure and method of operating the same

Номер патента: US09564221B2. Автор: Han-Soo Kim,Jae-Hoon Jang,Won-Seok Cho,Jae-Hun Jeong,Sun-Il Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Non-volatile memory device having vertical structure and method of operating the same

Номер патента: US09478291B2. Автор: Han-Soo Kim,Jae-Hoon Jang,Won-Seok Cho,Jae-Hun Jeong,Sun-Il Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device including gate layer and vertical structure and method of forming the same

Номер патента: US20210005620A1. Автор: Junhyoung Kim,Jisung Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

Vertical structure and method of forming semiconductor device

Номер патента: US20160027917A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Ming-Hsing Tsai,Huang-Yi Huang,De-Fang Chen,Li-Ting Wang,Hui-Cheng Chang,Cheng-Tung Lin,Huan-Just Lin,Bing-Hung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-28.

Vertical structure and method of forming semiconductor device

Номер патента: US9577093B2. Автор: Teng-Chun Tsai,Ming-Hsing Tsai,Huang-Yi Huang,De-Fang Chen,Li-Ting Wang,Hui-Cheng Chang,Cheng-Tung Lin,Huan-Just Lin,Bing-Hung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Vertical Structure and Method of Forming Semiconductor Device

Номер патента: US20170154807A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Ming-Hsing Tsai,Huang-Yi Huang,De-Fang Chen,Li-Ting Wang,Hui-Cheng Chang,Cheng-Tung Lin,Huan-Just Lin,Bing-Hung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-01.

Negative differential resistance element having 3-dimension vertical structure

Номер патента: US11437572B2. Автор: Jin Hong Park,Keun HEO,Kil Su JUNG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2022-09-06.

Preparation method of gallium nitride HEMT device with vertical structure

Номер патента: CN112713190A. Автор: 陈兴,王东,吴勇,陆俊,孙凯,汪琼,张进成,黄永,崔傲,袁珂,季亚军,操焰,陈军飞,穆潘潘. Владелец: Wuhu Research Institute of Xidian University. Дата публикации: 2021-04-27.

Methods and structures for preparing single crystal silicon wafers for use as substrates for epitaxial growth of crack-free gallium nitride FILMS and devices

Номер патента: US9337024B2. Автор: Ananda H. Kumar. Владелец: Siramics Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Interlayers in selective area growth of gallium nitride (gan) based structures

Номер патента: WO2018182633A1. Автор: Paul B. Fischer,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-10-04.

Over-voltage protection of gallium nitride semiconductor devices

Номер патента: US20150001551A1. Автор: RUI Zhou,Peter Micah Sandvik,Avinash Srikrishnan Kashyap. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2015-01-01.

Manufacturing a laser diode device from a plurality of gallium and nitrogen containing substrates

Номер патента: US9209596B1. Автор: James W. RARING,Melvin McLaurin,Po Shan Hsu,Alexander Sztein. Владелец: Soraa Laser Diode Inc. Дата публикации: 2015-12-08.

Package structure of common-source common-gate gallium nitride field-effect transistor

Номер патента: US11315864B2. Автор: Tsung Hsien Yen,Hsing Yeh Wang,Feng Jui Shen. Владелец: Gan Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-26.

Gallium-nitride-based module with enhanced electrical performance and process for making the same

Номер патента: US12062700B2. Автор: Michael Carroll,Julio C. Costa. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Gallium nitride material based semiconductor devices including thermally conductive regions

Номер патента: WO2002069373A2. Автор: T. Warren Weeks,Ricardo M. Borges,Kevin J. Linthicum,Thomas Gehrke. Владелец: Nitronex Corporation. Дата публикации: 2002-11-14.

Gallium-nitride-based module with enhanced electrical performance and process for making the same

Номер патента: US12062701B2. Автор: Michael Carroll,Julio C. Costa. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Gallium nitride apparatus with a trap rich region

Номер патента: US09923060B2. Автор: Shrenik Deliwala,James Fiorenza,Donghyun Jin. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Crystal producing apparatus, crystal producing method, substrate producing method, gallium nitride crystal, and gallium nitride substrate

Номер патента: US20080081015A1. Автор: Seiji Sarayama,Hirokazu Iwata. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Package structure of common-source common-gate gallium nitride field-effect transistor

Номер патента: US20220020677A1. Автор: Tsung Hsien Yen,Hsing Yeh Wang,Feng Jui Shen. Владелец: Gan Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Gallium-nitride-based module with enhanced electrical performance and process for making the same

Номер патента: US20210257464A1. Автор: Michael Carroll,Julio C. Costa. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Structure and manufacturing method of the structure, and gallium nitride-based semiconductor light-emitting device using the structure and manufacturing method of the device

Номер патента: US20140264372A1. Автор: Akira Inoue,Toshiya Yokogawa,Masaki Fujikane. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Gallium nitride material based semiconductor devices including thermally conductive regions

Номер патента: WO2002069373A9. Автор: Thomas Gehrke,Kevin J Linthicum,Ricardo M Borges,T Warren Weeks. Владелец: Nitronex Corp. Дата публикации: 2002-11-14.

Gallium nitride material based semiconductor devices including thermally conductive regions

Номер патента: EP1386354A2. Автор: T. Warren Weeks,Ricardo M. Borges,Kevin J. Linthicum,Thomas Gehrke. Владелец: Nitronex Corp. Дата публикации: 2004-02-04.

High density gallium nitride devices using island topology

Номер патента: CA2796155C. Автор: John Roberts,Greg Klowak,Ahmad Mizan,Girvan Patterson. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2013-11-05.

Phase shifters for gallium nitride amplifiers and related methods

Номер патента: WO2018071634A1. Автор: Thomas Kelly. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.. Дата публикации: 2018-04-19.

Phase shifters for gallium nitride amplifiers and related methods

Номер патента: US20200067465A1. Автор: Thomas Kelly. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

The preparation method and gallium nitride field effect transistor of gallium nitride field effect transistor

Номер патента: CN107230626A. Автор: 陈建国,孙辉,刘美华,林信南. Владелец: Shenzhen Founder Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Preparation method of gallium nitride diode and preparation method of gallium nitride triode

Номер патента: CN107316813B. Автор: 李亦衡,张葶葶,朱延刚. Владелец: JIANGSU NENGHUA MICROELECTRONIC TECHNOLOGY DEVELOPMENT Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-17.

Atomic layer deposition of barrier metal layer for electrode of gallium nitride material device

Номер патента: US12112983B2. Автор: Wayne Mack Struble,Timothy E. Boles,Gabriel R. Cueva. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Atomic layer deposition of barrier metal layer for electrode of gallium nitride material device

Номер патента: EP3961719A1. Автор: Wayne Mack Struble,Timothy E. Boles,Gabriel R. Cueva. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2022-03-02.

Method Of Manufacturing Gallium Nitride Substrate And Gallium Nitride Substrate Manufactured Thereby

Номер патента: US20130328059A1. Автор: Junyoung Bae,Junsung Choi,Joon Hoi Kim,Boik Park,Cheolmin Park,Dongyong Lee,Wonjo Lee,Sungkeun Lim,Woorihan Kim. Владелец: Samsung Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-12.

Gallium nitride drain structures and methods of forming the same

Номер патента: US20230387203A1. Автор: Chi-Ming Chen,Yung-Chang Chang,Kuei-Ming Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Gallium nitride base semiconductor device

Номер патента: US5239188A. Автор: ATSUSHI Watanabe,Tetsuya Takeuchi,Katsuhide Manabe,Isamu Akasaki,Hiroshi Amano. Владелец: Pioneer Electronic Corp. Дата публикации: 1993-08-24.

Method for etching deep, high-aspect ratio features into silicon carbide and gallium nitride

Номер патента: US11984321B1. Автор: Michael Pedersen,Michael A. Huff,Mehmet Ozgur. Владелец: Corp for National Research Initiatives. Дата публикации: 2024-05-14.

Gallium nitride (gan) devices with through-silicon vias

Номер патента: US20240213118A1. Автор: AHMAD Zubair,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Pratik KOIRALA,Paul NORDEEN,Thomas Hoff,Samuel James Bader,Nityan NAIR,Heli Chetanbhai VORA,Michael S. BEUMER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Gallium nitride-based sensor having heater structure and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2019066145A1. Автор: Hyeong Ho Park,Kyungho Park,Chuyoung CHO,Yu Min Koh. Владелец: Korea Advanced Nano Fab Center. Дата публикации: 2019-04-04.

Gallium nitride-based sensor having heater structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190097067A1. Автор: Hyeong Ho Park,Kyungho Park,Chuyoung CHO,Yu Min Koh. Владелец: Korea Advanced Nano Fab Center. Дата публикации: 2019-03-28.

Gallium nitride-based sensor having heater structure and method of manufacturing the same

Номер патента: EP3460468A3. Автор: Hyeong Ho Park,Kyungho Park,Chuyoung CHO,Yu Min Koh. Владелец: Korea Advanced Nano Fab Center. Дата публикации: 2019-04-24.

Operational gallium nitride devices

Номер патента: US20150263100A1. Автор: Gerald Deboy. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-09-17.

Operational gallium nitride devices

Номер патента: US09911731B2. Автор: Gerald Deboy. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-03-06.

Operational Gallium Nitride devices

Номер патента: US09472625B2. Автор: Gerald Deboy. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-10-18.

Gallium nitride-based III-V group compound semiconductor

Номер патента: US6093965A. Автор: Shuji Nakamura,Takao Yamada,Masayuki Senoh,Motokazu Yamada,Kanji Bando. Владелец: Nichia Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 2000-07-25.

Method and apparatus to model and monitor time dependent dielectric breakdown in multi-field plate gallium nitride devices

Номер патента: US20180308773A1. Автор: Sameer Pendharkar,Dong Seup Lee,Jungwoo Joh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-10-25.

Methods Of Forming An Array Comprising Pairs Of Vertically Opposed Capacitors And Arrays Comprising Pairs Of Vertically Opposed Capacitors

Номер патента: US20180315658A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-01.

Methods of forming an array comprising pairs of vertically opposed capacitors and arrays comprising pairs of vertically opposed capacitors

Номер патента: WO2018085022A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-05-11.

Method and apparatus to model and monitor time dependent dielectric breakdown in multi-field plate gallium nitride devices

Номер патента: US20180190550A1. Автор: Sameer Pendharkar,Dong Seup Lee,Jungwoo Joh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Vertical gallium nitride transistors and methods of fabricating the same

Номер патента: US20140225122A1. Автор: Motonobu Takeya,Young Do JONG,Kang Nyung Lee,June Sik Kwak,Kwan Hyun Lee. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-14.

The preparation method and gallium nitride field effect transistor of gallium nitride field effect transistor

Номер патента: CN107230629A. Автор: 陈建国,孙辉,刘美华,林信南. Владелец: Shenzhen Founder Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Gallium nitride semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11810783B2. Автор: Shoichi Onda,Masatake Nagaya,Daisuke Kawaguchi,Jun Kojima,Kazukuni Hara,Chiaki Sasaoka. Владелец: Tokai National Higher Education and Research System NUC. Дата публикации: 2023-11-07.

Gallium nitride devices with discontinuously graded transition layer

Номер патента: US09437686B2. Автор: Kevin J. Linthicum,T. Warren Weeks, Jr.,Thomas Gehrke,Edwin Lanier Piner. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Integrated circuit with vertical structures on nodes of a grid

Номер патента: US20200161310A1. Автор: Juergen Pille,Tobias Werner,Dieter Wendel,Rolf Sautter,Albert Frisch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Gallium nitride semiconductor structures with compositionally-graded transition layer

Номер патента: US8344417B2. Автор: Edwin L. Piner,Kevin J. Linthicum,T. Warren Weeks, Jr.,Thomas Gehrke. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2013-01-01.

Gallium nitride materials and methods

Номер патента: US6617060B2. Автор: Edwin L. Piner,Kevin J. Linthicum,T. Warren Weeks, Jr.,Thomas Gehrke. Владелец: Nitronex Corp. Дата публикации: 2003-09-09.

Gallium nitride transistors with drain field plates and their methods of fabrication

Номер патента: WO2019066877A1. Автор: Stephan Leuschner,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor structures with pair(s) of vertical field effect transistors, each pair having a shared source/drain region and methods of forming the structures

Номер патента: US20150221767A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-06.

Semiconductor structures with pair(s) of vertical field effect transistors, each pair having a shared source/drain region and methods of forming the structures

Номер патента: US20150243765A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-08-27.

Method for manufacturing a gallium nitride power field-effect transistor

Номер патента: RU2668635C1. Автор: Николай Анатольевич Торхов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2018-10-02.

Array of vertical transistors having channel regions connected by an elongated conductor line

Номер патента: US12119269B2. Автор: Haitao Liu,Kamal M. Karda,Deepak Chandra Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Three-Dimensional Semiconductor Devices Including Vertical Structures

Номер патента: US20190157282A1. Автор: Young Jin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-23.

Vertical structure non-volatile memory device having insulating regions that are formed as air gaps

Номер патента: US09406688B2. Автор: Sung-Min Hwang,Han-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-02.

Three-dimensional semiconductor devices including vertical structures

Номер патента: US20200168621A1. Автор: Young Jin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-28.

Non-volatile memory device having a vertical structure and method of fabricating the same

Номер патента: US8994091B2. Автор: Sang-Hoon Lee,Ki-Hyun Hwang,Jin-Gyun Kim,Koong-Hyun Nam,Hun-Hyeong Lim,Dong-Kyum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-31.

Transistor having vertical structure and electric device

Номер патента: US11777037B2. Автор: Jaeyoon Park,Sehee Park,Intak Cho,Jungseok Seo,SangYun SUNG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Gallium nitride semiconductor substrate with semiconductor film formed therein

Номер патента: US09472629B2. Автор: Masaki Ueno. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Surface morphology of non-polar gallium nitride containing substrates

Номер патента: US09831386B2. Автор: James W. RARING,Christiane Elsass. Владелец: Soraa Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Gallium nitride substrate and gallium nitride film deposition method

Номер патента: EP2019155A3. Автор: Seiji Nakahata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-09-22.

Method of fabricating single crystal gallium nitride semiconductor substrate, nitride gallium semiconductor substrate and nitride semiconductor epitaxial substrate

Номер патента: US20100251865A1. Автор: Masaki Ueno. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-10-07.

Method of fabricating single crystal gallium nitride semiconductor substrate, nitride gallium semiconductor substrate and nitride semiconductor epitaxial substrate

Номер патента: US20080029783A1. Автор: Masaki Ueno. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-07.

Gallium nitride semiconductor substrate with semiconductor film formed therein

Номер патента: US20130292688A1. Автор: Masaki Ueno. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-11-07.

Gallium nitride semiconductor substrate with semiconductor film formed therein

Номер патента: US20160087048A1. Автор: Masaki Ueno. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Gallium nitride semiconductor substrate with semiconductor film formed therein

Номер патента: US20150137136A1. Автор: Masaki Ueno. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

Selective gallium nitride regrowth on (100) silicon

Номер патента: US9099381B2. Автор: Devendra K. Sadana,Can Bayram,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-04.

Quantum Dot Device including Different Kinds of Quantum Dot layers

Номер патента: EP2602825A3. Автор: Tae-ho Kim,Byoung-Lyong Choi,Kyung-Sang Cho,Dae-Young Chung,Ji-yeon KU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-12.

A kind of gallium nitride film transistor and its manufacture method

Номер патента: CN107464851A. Автор: 李斌,刘远,陈荣盛,吴朝晖,李国元. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of manufacturing three-dimensional semiconductor memory device in which an oxide layer is formed at bottom of vertical structure of the device

Номер патента: US09490130B2. Автор: Youngwoo Park,Jin-Soo Lim,Hansoo Kim,Byoungkeun Son,Sung-hwan Jang,Jong In Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Heterostructural field-effect transistor based on gallium nitride with improved stability of the current-voltage characteristic to ionizing radiation

Номер патента: RU2646529C1. Автор: Александр Григорьевич Гудков,Владимир Николаевич Вьюгинов,Святослав Игоревич Видякин,Владимир Геннадьевич Тихомиров,Артем Аркадьевич Городничев,Андрей Артурович Зыбин,Яков Михайлович Парнес. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана (национальный исследовательский университет)" (МГТУ им. Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2018-03-05.

Gallium nitride based semiconductor light emitting diode and process for preparing the same

Номер патента: US20080286894A1. Автор: Jun Ho Seo,Seung Wan Chae,Hyoun Soo Shin,Jun Sub KWAK. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-20.

High temperature transducer using SOI, silicon carbide or gallium nitride electronics

Номер патента: US09915578B2. Автор: Anthony D. Kurtz,Wolf S. Landmann,Alexander A. Ned,Joseph R. VanDeWeert. Владелец: Kulite Semiconductor Products Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Gallium nitride-based semiconductor device on amorphous substrate

Номер патента: US20240250214A1. Автор: Masumi Nishimura,Hayata AOKI,Hiroumi Kinjo. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

High temperature transducer using soi, silicon carbide or gallium nitride electronics

Номер патента: US20150300901A1. Автор: Anthony D. Kurtz,Wolf S. Landmann,Alexander A. Ned,Joseph R. VanDeWeert. Владелец: Kulite Semiconductor Products Inc. Дата публикации: 2015-10-22.

Gallium nitride based semiconductor light emitting diode and process for preparing the same

Номер патента: US20060033116A1. Автор: Jun Seo,Seung Chae,Hyoun Shin,Jun Kwak. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-16.

Methods of Forming Memory Cells; and Methods of Forming Vertical Structures

Номер патента: US20140087558A1. Автор: Rex Stone,David A. Kewley,Stephen W. Russell,Anthony C. Krauth,Brian Cleereman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-03-27.

A kind of gallium nitride transverse direction MIS- Schottky mixing anode diode

Номер патента: CN108831932A. Автор: 张波,刘超,李佳,周琦,李茂林,崔兴涛,陈万军,信亚杰,施宜军. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2018-11-16.

A kind of gallium nitride diode of composite terminal structure

Номер патента: CN108538923A. Автор: 陆海,周东,刘文凯,徐尉宗. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-09-14.

Doping of gallium nitride by solid source diffusion and resulting gallium nitride structures

Номер патента: US20050211999A1. Автор: Gerald Negley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-29.

A kind of self-driven solar blind UV electric explorer face battle arrays of vertical stratification ZnMgO and preparation method thereof

Номер патента: CN106847954A. Автор: 杨海洋,黄六莲,陈礼辉,郑清洪,欧阳新华. Владелец: FUJIAN AGRICULTURE AND FORESTRY UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-06-13.

A kind of arc line shaped N electrode and light emitting diode (LED) chip with vertical structure

Номер патента: CN106972090A. Автор: 李国强,张云鹏,张子辰. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2017-07-21.

Etching method of enhanced gallium nitride heterojunction HEMT with groove gate

Номер патента: CN109390234B. Автор: 周炳,陈雨雁. Владелец: ZHANGJIAGANG EVER POWER SEMICONDUCTOR CO Ltd. Дата публикации: 2022-03-22.

Method of forming gallium nitride template with semipolar (20-23) orientation on silicon substrate and semiconductor light-emitting device made using said method

Номер патента: RU2540446C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Василий Николаевич БЕССОЛОВ,Елена Васильевна Коненкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии". Дата публикации: 2015-02-10.

Gallium nitride self-supported substrate, light-emitting device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09548418B2. Автор: Yukihisa Takeuchi,Tsutomu Nanataki,Jun Yoshikawa,Takashi Yoshino,Kei Sato,Morimichi Watanabe,Katsuhiro Imai,Tomohiko Sugiyama. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Integration of leds on gallium-nitride with devices on aluminum/gallium nitride, gallium nitride on silicon substrates for led ac

Номер патента: RU2615215C2. Автор: Теодор ЧУНГ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of depositing gallium nitride on a substrate

Номер патента: US11127878B2. Автор: Ahmad Shuhaimi Bin Abu Bakar,Mohd Adreen Shah Bin Azman Shah. Владелец: Universiti Malaya. Дата публикации: 2021-09-21.

Manufacturing method of gallium nitride film

Номер патента: US20230374649A1. Автор: Masanobu Ikeda. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Method for manufacturing inter-instrument insulation of high-power gallium nitride transistors

Номер патента: RU2761051C1. Автор: Владимир Александрович Беспалов,Алексей Александрович Зайцев,Владимир Ильич Егоркин,Валерий Евгеньевич Земляков,Максим Николаевич Журавлёв,Лариса Валентиновна Якимова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники". Дата публикации: 2021-12-02.

Fabrication of gallium nitride semiconductor layers by lateral growth from trench sidewalls

Номер патента: CA2331893C. Автор: Robert F. Davis,Kevin J. Linthicum,Thomas Gehrke,Darren B. Thomson,Tsvetanka Zheleva,Scott A. Smith. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 2007-01-23.

Fabrication of gallium nitride layers by lateral growth

Номер патента: AU2349100A. Автор: Kevin J. Linthicum,Thomas Gehrke,Darren B. Thomson,Eric P. Carlson,Pradeep Rajagopal,Robert F Davis. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2000-06-19.

Method for producing gallium nitride light emitting diode wafer

Номер патента: US7498187B2. Автор: Guocong Chen,Mengyuan Wang. Владелец: Podium Photonics Guangzhou Ltd. Дата публикации: 2009-03-03.

High efficiency light emitting diodes from bipolar gallium nitride

Номер патента: US5210051A. Автор: Calvin H. Carter, Jr.. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1993-05-11.

Buffer structure between silicon carbide and gallium nitride and resulting semiconductor devices

Номер патента: AU1300295A. Автор: Vladimir Dmitriev,John A. Edmond,Kenneth Irvine. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1995-07-03.

Method for producing by vapour-phase epitaxy a gallium nitride film with low defect density

Номер патента: US7455729B2. Автор: Jean-Pierre Faurie,Bernard Beaumont,Pierre Gibart. Владелец: Lumilog SA. Дата публикации: 2008-11-25.

Gallium nitride substrates and functional devices

Номер патента: US09653649B2. Автор: Masahiro Sakai,Makoto Iwai,Katsuhiro Imai,Yoshitaka Kuraoka. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Polycrystalline gallium nitride self-supported substrate and light emitting element using same

Номер патента: US20180351038A1. Автор: Tsutomu Nanataki,Kei Sato,Morimichi Watanabe,Katsuhiro Imai,Yoshitaka Kuraoka. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Method of depositing gallium nitride on a substrate

Номер патента: US20200411714A1. Автор: Ahmad Shuhaimi Bin Abu Bakar,Mohd Adreen Shah Bin Azman Shah. Владелец: Universiti Malaya. Дата публикации: 2020-12-31.

Method for producing gallium nitride light emitting diode wafer

Номер патента: US20070254395A1. Автор: Guocong Chen,Mengyuan Wang. Владелец: Podium Photonics Guangzhou Ltd. Дата публикации: 2007-11-01.

Growing method of gallium nitride related compound semiconductor crystal and gallium nitride related compound semiconductor device

Номер патента: US5716450A. Автор: Hitoshi Okazaki,Seiji Togawa. Владелец: Japan Energy Corp. Дата публикации: 1998-02-10.

Gallium nitride anodes for organic electroluminescent devices and displays

Номер патента: WO1997047051A1. Автор: Samuel Clagett Strite,Ching Wan Tang. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 1997-12-11.

Method for the reuse of gallium nitride epitaxial substrates

Номер патента: US09396943B2. Автор: Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,Daniel F. Feezell,Casey O. Holder. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2016-07-19.

Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound

Номер патента: CA2054242C. Автор: Masahiro Kotaki,Isamu Akasaki,Hiroshi Amano. Владелец: Nagoya University NUC. Дата публикации: 1996-06-25.

Gallium nitride material and device deposition on graphene terminated wafer and method of forming the same

Номер патента: US09574287B2. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Can Bayram,Keith E. Fogel,John A. Ott,Christos D. Dimitrakopoulos. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Kind of light-heat dual curing anisotropic conductive adhesive anisotropic conductive film and their preparation methods

Номер патента: US20140193599A1. Автор: Ren-Liang Xiao,Chang-Hou Zhao,Cheng-Cui Liu,Xian-Fei Wan,Chang-Wu Yang,Hua-Guo Yin. Владелец: SHENZHEN FISHER INDUSTRIAL CO LTD. Дата публикации: 2014-07-10.

Method for the reuse of gallium nitride epitaxial substrates

Номер патента: US9773704B2. Автор: Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,Daniel F. Feezell,Casey O. Holder. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-09-26.

Ultra-dense led projector using thinned gallium nitride

Номер патента: US20190179222A1. Автор: Kwong-Hin Henry Choy,Paul Scott Martin. Владелец: Tectus Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Stress relaxation trenches for gallium nitride microled layers on silicon substrates

Номер патента: US20230369532A1. Автор: Raghav SREENIVASAN,Tyler Sherwood. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of manufacture of integral elements of microcircuits on the epitaxial structures of gallium arsenide

Номер патента: RU2665368C1. Автор: Александр Сергеевич Федоров,Григорий Юрьевич Вечерко. Владелец: Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета" ОАО "ОКБ-Планета". Дата публикации: 2018-08-29.

Method of fabricating vertical structure compound semiconductor devices

Номер патента: US20060148115A1. Автор: Myung Yoo. Владелец: Supergate Technology USA Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Method for manufacturing self-supporting gallium nitride substrate

Номер патента: EP4404240A1. Автор: Shuai Wang,Junjie REN. Владелец: Sino Nitride Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Method of manufacturing gallium nitride single-crystal substrate and method of manufacturing single-crystal substrate of nitride of group 13 element in periodic table

Номер патента: US20240300064A1. Автор: Yuri OSUMI. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for stripping gallium nitride substrate

Номер патента: US20240332021A1. Автор: Tuo Li,Fen Guo,Hongtao Man,Kang SU. Владелец: Suzhou Metabrain Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of increasing the purity and resistivity of gallium arsenide

Номер патента: GB1368297A. Автор: . Владелец: Plessey Co Ltd. Дата публикации: 1974-09-25.

Gallium nitride structure, piezoelectric element, method of manufacturing piezoelectric element, and resonator using piezoelectric element

Номер патента: US11451211B2. Автор: Morito Akiyama,Masato Uehara,Keiichi Umeda,Yasuhiro Aida,Takaaki Mizuno,Toshimi Nagase. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2022-09-20.

Gallium nitride-based light emitting diode

Номер патента: WO2013125822A1. Автор: Kenji Shimoyama,Ki Bum Nam,Seung Kyu Choi,Chae Hon KIM,Jung Whan JUNG,Kaori Kurihara. Владелец: MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION. Дата публикации: 2013-08-29.

Gallium nitride structure, piezoelectric element, method of manufacturing piezoelectric element, and resonator using piezoelectric element

Номер патента: US20190007026A1. Автор: Morito Akiyama,Masato Uehara,Keiichi Umeda,Yasuhiro Aida,Takaaki Mizuno,Toshimi Nagase. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2019-01-03.

Gallium-nitride light emitting diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120248404A1. Автор: Sung Bum Bae,Eun Soo Nam,Jong Moo Lee,Han Youl RYU. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2012-10-04.

Method of fabricating nonpolar gallium nitride-based semiconductor layer, nonpolar semiconductor device, and method of fabricating the same

Номер патента: US09966497B2. Автор: Seung Kyu Choi,Chae Hon KIM,Jung Whan JUNG. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Gallium nitride-based light emitting diode

Номер патента: US09853182B2. Автор: Kenji Shimoyama,Ki Bum Nam,Seung Kyu Choi,Chae Hon KIM,Jung Whan JUNG,Kaori Kurihara. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of growing gallium nitride based semiconductor layers and method of fabricating light emitting device therewith

Номер патента: US09449815B2. Автор: Seung Kyu Choi,Chae Hon KIM,Woo Chul Kwak,Jung Whan JUNG. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Processes for the localized and deep diffusion of gallium into silicon

Номер патента: US3895976A. Автор: Guy H Dumas. Владелец: Silec Semi Conducteurs SA. Дата публикации: 1975-07-22.

Manufacturing method of vertically structured gan led device

Номер патента: WO2009002045A3. Автор: Meoung Whan Cho,Pil Guk Jang,Hyun Chul Ko,Byung Il Cho. Владелец: Byung Il Cho. Дата публикации: 2009-02-26.

Indium gallium nitride red light emitting diode and method of making thereof

Номер патента: US20230387350A1. Автор: Michael Jansen,Fan Ren,Nathan Gardner,Fariba DANESH,Richard P. Schneider. Владелец: GLO Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

Indium gallium nitride red light emitting diode and method of making thereof

Номер патента: EP3529838A1. Автор: Michael Jansen,Fan Ren,Nathan Gardner,Fariba DANESH,Richard P. SCHNEIDER JR.. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2019-08-28.

Indium gallium nitride red light emitting diode and method of making thereof

Номер патента: US20200403121A1. Автор: Michael Jansen,Fan Ren,Nathan Gardner,Richard P. Schneider, Jr.,Fariba DANESH. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2020-12-24.

Indium gallium nitride red light emitting diode and method of making thereof

Номер патента: US20200119229A1. Автор: Michael Jansen,Fan Ren,Nathan Gardner,Richard P. Schneider, Jr.,Fariba DANESH. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2020-04-16.

Gallium nitride substrate and semiconductor composite substrate

Номер патента: EP4220728A1. Автор: YU Xu,Ke Xu,Jianfeng Wang. Владелец: SUZHOU NANOWIN SCIENCE AND TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-02.

Method of making a gallium nitride device

Номер патента: US20170294517A1. Автор: Devendra K. Sadana,Stephen W. Bedell,Keith E. Fogel,Paul A. Lauro. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-12.

Fabrication of M-plane Gallium Nitride

Номер патента: US20170345650A1. Автор: Jenn-Kai Tsai,I-Kai LO,Shuo-Ting You. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2017-11-30.

Method of growing gallium nitride-based crystal and heat treatment apparatus

Номер патента: US09966258B2. Автор: Kota Umezawa,Yosuke Watanabe. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for manufacturing self-supporting gallium nitride substrate

Номер патента: US20240063016A1. Автор: Shuai Wang,Junjie REN. Владелец: Sino Nitride Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

High indium uptake and high polarization ratio for group-iii nitride optoelectronic devices fabricated on a semipolar (20-2-1) plane of a gallium nitride substrate

Номер патента: WO2012149531A3. Автор: Shinichi Tanaka,Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,James S. Speck,Daniel F. Feezell,Yuji Zhao,Chia-Yen Huang. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2014-05-08.

Large area synthesis of cubic phase gallium nitride on silicon

Номер патента: US20230235480A1. Автор: Can Bayram,Muhammad Ali Johar. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2023-07-27.

METHOD OF FORMING p-TYPE GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR, METHOD OF FORMING NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF FORMING EPITAXIAL WAFER

Номер патента: US20110111578A1. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Yusuke Yoshizumi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-05-12.

METHOD OF FORMING p-TYPE GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR, METHOD OF FORMING NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF FORMING EPITAXIAL WAFER

Номер патента: US20100279495A1. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Yusuke Yoshizumi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-11-04.

Large area synthesis of cubic phase gallium nitride on silicon

Номер патента: US20230238246A1. Автор: Can Bayram,Muhammad Ali Johar. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2023-07-27.

Method of making a gallium nitride device

Номер патента: US20170194449A1. Автор: Devendra K. Sadana,Stephen W. Bedell,Keith E. Fogel,Paul A. Lauro. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Gallium nitride/sapphire thin film having reduced bending deformation

Номер патента: US20080248259A1. Автор: Chang Ho Lee,Hae Yong Lee,Kisoo Lee,Choon Kon Kim. Владелец: Samsung Corning Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-09.

Gallium nitride/sapphire thin film having reduced bending deformation

Номер патента: US7518151B2. Автор: Chang Ho Lee,Hae Yong Lee,Kisoo Lee,Choon Kon Kim. Владелец: Samsung Corning Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-14.

Gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device, positive electrode for the device, light-emitting diode and lamp using the device

Номер патента: WO2005036657A1. Автор: Munetaka Watanabe. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2005-04-21.

Gallium nitride flip-chip light emitting diode

Номер патента: US09966519B2. Автор: Kei May Lau,Wing Cheung CHONG. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of making a gallium nitride device

Номер патента: US09748353B2. Автор: Devendra K. Sadana,Stephen W. Bedell,Keith E. Fogel,Paul A. Lauro. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Methods of fabricating gallium nitride semiconductor layers by lateral overgrowth through masks, and gallium nitride semiconductor structures fabricated thereby

Номер патента: CA2321118C. Автор: Robert F. Davis,Ok-Hyun Nam,Tsvetanka Zheleva,Michael D. Bremser. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 2008-06-03.

Gallium nitride compound-based semiconductor light emitting device and process for producing gallium nitride compound-based semiconductor thin film

Номер патента: MY114592A. Автор: Takeishi Hidemi,Kamei Hidenori,Oku Yasunari,Shinagawa Shuuichi. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-30.

Method for manufacturing gallium nitride single crystalline substrate using self-split

Номер патента: EP2077345A1. Автор: Yong-Jin Kim,Ho-Jun Lee,Doo-Soo Kim,Dong-Kun Lee. Владелец: Siltron Inc. Дата публикации: 2009-07-08.

Stacked quantum well aluminum indium gallium nitride light emitting diodes

Номер патента: US5684309A. Автор: Forrest Gregg McIntosh,Salah Mohamed Bedair,Nadia Ahmed El-Masry,John Claassen Roberts. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1997-11-04.

Silicon pmos with gallium nitride nmos for voltage regulation

Номер патента: US20190051650A1. Автор: Roza Kotlyar,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Valluri R. Rao,Peter G. Tolchinsky. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Architecture of drive unit employing gallium nitride switches

Номер патента: WO2014168607A1. Автор: William A. Veronesi,Daryl J. Marvin,Xin Wu,Shashank Krishnamurthy,Kyle W. ROGERS. Владелец: OTIS ELEVATOR COMPANY. Дата публикации: 2014-10-16.

Architecture of drive unit employing gallium nitride switches

Номер патента: EP2984742A1. Автор: William A. Veronesi,Daryl J. Marvin,Xin Wu,Shashank Krishnamurthy,Kyle W. ROGERS. Владелец: Otis Elevator Co. Дата публикации: 2016-02-17.

Method for manufacturing indium gallium nitride quantum well

Номер патента: US20230187576A1. Автор: I-Kai LO,Ying-Chieh Wang,Huei-Jyun Shih. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2023-06-15.

Indium-gallium-nitride light emitting diodes with increased quantum efficiency

Номер патента: US20240247407A1. Автор: Max Batres,Michael Chudzik,Michel Khoury. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Gallium nitride transistors with source and drain field plates and their methods of fabrication

Номер патента: US20200227545A1. Автор: Stephan Leuschner,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device and electrode for the same

Номер патента: US20070040183A1. Автор: Mineo Okuyama,Hideki Tomozawa,Noritaka Muraki,Soichiro Masuyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-22.

Gallium nitride transimpedance amplifier

Номер патента: US12132448B2. Автор: Cher-Ming TAN,Vimal Kant PANDEY. Владелец: Chang Gung University CGU. Дата публикации: 2024-10-29.

Optoelectronic device with light-emitting diodes a doped region of which incorporates an external segment based on aluminium and gallium nitride

Номер патента: US12074191B2. Автор: Benoit Amstatt,Pierre Tchoulfian. Владелец: Aledia. Дата публикации: 2024-08-27.

Embedded gallium-nitride in silicon

Номер патента: US09911602B2. Автор: Effendi Leobandung,Devendra K. Sadana,Ghavam G. Shahidi,William J. Gallagher. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Embedded gallium-nitride in silicon

Номер патента: US09685329B2. Автор: Effendi Leobandung,Devendra K. Sadana,Ghavam G. Shahidi,William J. Gallagher. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Gallium nitride on 3C—SiC composite wafer

Номер патента: US09515222B2. Автор: Peter Ward. Владелец: Anvil Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

System architecture of charging device for accumulators based on gallium nitride-based power supply devices

Номер патента: RU2721332C2. Автор: Камиар Дж. КАРИМИ,Юджин В. СОЛОДОВНИК. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2020-05-19.

Gallium nitride semiconductor device

Номер патента: CA2444273C. Автор: Kimihiro Kawagoe. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2012-05-22.

Gallium nitride compound semiconductor element

Номер патента: EP1387453A1. Автор: Kimihiro c/o NICHIA CORPORATION KAWAGOE. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2004-02-04.

Gallium nitride compound semiconductor element

Номер патента: EP1387453B1. Автор: Kimihiro c/o NICHIA CORPORATION KAWAGOE. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2009-11-11.

Method of growing gallium nitride based semiconductor layers and method of fabricating light emitting device therewith

Номер патента: WO2014092320A1. Автор: Seung Kyu Choi,Chae Hon KIM,Woo Chul Kwak,Jung Whan JUNG. Владелец: Seoul Viosys Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-06-19.

Method of manufacturing gallium nitride-based single crystal substrate

Номер патента: US20050072353A1. Автор: Hun Hahm,Young Park,Soo Min Lee. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-07.

Gallium nitride-based semiconductor optical device, method of fabricating gallium nitride-based semiconductor optical device, and epitaxial wafer

Номер патента: US20100220761A1. Автор: Keiji Ishibashi,Masaki Ueno,Hideki Osada,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-09-02.

Gallium nitride group compound semiconductor laser diode

Номер патента: US5247533A. Автор: Nobuo Okazaki,Katsuhide Manabe,Isamu Akasaki,Hiroshi Amano. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 1993-09-21.

Method for manufacturing gallium nitride semiconductor device

Номер патента: US11784039B2. Автор: Shoichi Onda,Masatake Nagaya,Daisuke Kawaguchi,Jun Kojima,Kazukuni Hara,Chiaki Sasaoka. Владелец: Tokai National Higher Education and Research System NUC. Дата публикации: 2023-10-10.

Method and system for diffusing magnesium in gallium nitride materials using sputtered magnesium sources

Номер патента: US11881404B2. Автор: Cem Basceri,Vladimir Odnoblyudov,Ozgur Aktas. Владелец: Qromis Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Method for fabricating p-type gallium nitride-based semiconductor, method for fabricating nitride-based semiconductor element, and method for fabricating epitaxial wafer

Номер патента: EP2333819A4. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Yusuke Yoshizumi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-11-20.

Semiconductor structures including a gallium nitride material component and a silicon germanium component

Номер патента: US20030132433A1. Автор: Edwin Piner,T. Weeks,Ricardo Borges,Kevin Linthicum. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-17.

Gallium nitride-based compound semiconductor light emitting device

Номер патента: US8188495B2. Автор: Noritaka Muraki,Munetaka Watanabe. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2012-05-29.

Method of making a liquid phase epitaxial layer of gallium phosphide

Номер патента: CA1054904A. Автор: Nobuyuki Izawa,Kazuya Tanabe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1979-05-22.

Gallium nitride substrate and semiconductor composite substrate

Номер патента: US11881679B2. Автор: YU Xu,Ke Xu,Jianfeng Wang. Владелец: SUZHOU NANOWIN SCIENCE AND TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

Gallium nitride substrate and semiconductor composite substrate

Номер патента: US20230327393A1. Автор: YU Xu,Ke Xu,Jianfeng Wang. Владелец: SUZHOU NANOWIN SCIENCE AND TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Method for directly depositing palladium onto a non-activated surface of a gallium nitride semiconductor

Номер патента: MY193073A. Автор: Andreas Walter. Владелец: ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2022-09-26.

Method for directly depositing palladium onto a non-activated surface of a gallium nitride semiconductor

Номер патента: EP3504355A1. Автор: Andreas Walter. Владелец: Atotech Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2019-07-03.

Method for directly depositing palladium onto a non-activated surface of a gallium nitride semiconductor

Номер патента: US20190242017A1. Автор: Andreas Walter. Владелец: Atotech Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2019-08-08.

METHOD FOR FABRICATING THREE-DIMENSIONAL GALLIUM NITRIDE STRUCTURES WITH PLANAR SURFACES AND LIGHT EMITTING DIODE (LED) USING THREE-DIMENSIONAL GALLIUM NITRIDE (GaN)PILLAR STRUCTURES WITH PLANAR SURFACES

Номер патента: WO2013099249A1. Автор: Changqing Zhan,Mark Albert Crowder,Paul J. Schuele. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2013-07-04.

Gallium nitride crystal, gallium nitride substrate, and method for producing gallium nitride substrate

Номер патента: EP4299801A1. Автор: Kazunobu Kojima,Yutaka Mikawa,Hirotaka Ikeda,Shigefusa Chichibu,Toru Ishiguro,Kohei SHIMA,Kouhei KURIMOTO,Quanxi Bao. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2024-01-03.

High indium uptake and high polarization ratio for group-iii nitride optoelectronic devices fabricated on a semipolar (20-2-1) plane of a gallium nitride substrate

Номер патента: EP2702618A2. Автор: Shinichi Tanaka,Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,James S. Speck,Daniel F. Feezell,Yuji Zhao,Chia-Yen Huang. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2014-03-05.

Method of manufacturing gallium nitride substrate

Номер патента: US20130260538A1. Автор: Hajime Fujikura. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Gallium nitride crystal, gallium nitride substrate, and method for producing gallium nitride substrate

Номер патента: US20230392280A1. Автор: Kazunobu Kojima,Yutaka Mikawa,Hirotaka Ikeda,Shigefusa Chichibu,Toru Ishiguro,Kohei SHIMA,Kouhei KURIMOTO,Quanxi Bao. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2023-12-07.

Method for fabricating p-type gallium nitride semiconductor and method of heat treatment

Номер патента: US20200066532A1. Автор: Shinichi Kato,Takahiro Yamada,Takayuki Aoyama,Hideaki TANIMURA. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

METHOD FOR DOPING GALLIUM NITRIDE (GaN) SUBSTRATES AND THE RESULTING DOPED GaN SUBSTRATE

Номер патента: WO2003063206A3. Автор: Hak Dong Cho,Sang Kyu Kang. Владелец: GAN Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-10-16.

Gallium nitride vertical light emitting diode structure and method of separating a substrate and a thin film in the structure

Номер патента: US20050186783A1. Автор: Mu-Jen Lai,Schang-Jing Hon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Multi-layer silicon/gallium nitride semiconductor

Номер патента: US20200227396A1. Автор: Paul B. Fischer,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Patrick Morrow,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Kimin Jun,Valluri R. Rao,Sansaptak W. DASGUPTA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Three-Dimensional Gallium Nitride (GaN) Pillar Structure Light Emitting Diode (LED)

Номер патента: US20150221827A1. Автор: Changqing Zhan,Mark Albert Crowder,Paul J. Schuele. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2015-08-06.

Method for doping gallium nitride (gan) substrates and the resulting doped gan substrate

Номер патента: WO2001004940A8. Автор: Hak Dong Cho,Sang Kyu Kang. Владелец: GAN Semiconductor Inc. Дата публикации: 2001-09-13.

METHOD FOR DOPING GALLIUM NITRIDE (GaN) SUBSTRATES AND THE RESULTING DOPED GaN SUBSTRATE

Номер патента: WO2003063206A2. Автор: Hak Dong Cho,Sang Kyu Kang. Владелец: Gan Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2003-07-31.

Method for doping gallium nitride (gan) substrates and the resulting doped gan substrate

Номер патента: WO2001004940A9. Автор: Hak Dong Cho,Sang Kyu Kang. Владелец: GAN Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-05-02.

Patterned substrate for gallium nitride-based light emitting diode and the light emitting diode using the same

Номер патента: US09899569B2. Автор: Hao Cui,Si Hyun Park. Владелец: Research Cooperation Foundation of Yeungnam University. Дата публикации: 2018-02-20.

Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound

Номер патента: CA2037198C. Автор: Shiro Yamazaki,Masafumi Hashimoto,Katsuhide Manabe,Isamu Akasaki,Akira Mabuchi,Norikatsu Koide,Hisaki Kato,Michinari Sassa. Владелец: Nagoya University NUC. Дата публикации: 1996-04-23.

Method of vertical contact structures making on semiconductor plates or printed circuit boards

Номер патента: RU2600514C1. Автор: Иван Николаевич Петухов,Владимир Михайлович Рощин,Кирилл Сергеевич Сеньченко,Анна Владимировна Рощина. Владелец: Открытое акционерное общество "Институт точной технологии и проектирования". Дата публикации: 2016-10-20.

Crystal growth method for gallium nitride-based compound semiconductor

Номер патента: US5290393A. Автор: Shuji Nakamura. Владелец: Nichia Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 1994-03-01.

Reflective positive electrode and gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device using the same

Номер патента: EP1761960A1. Автор: Koji c/o SHOWA DENKO K.K. KAMEI. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2007-03-14.

Gallium nitride semiconductor light emitting element with active layer having multiplex quantum well structure and semiconductor laser light source device

Номер патента: US6377597B1. Автор: Toshiyuki Okumura. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2002-04-23.

Electroluminescent gallium nitride semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: CA1098609A. Автор: Guy M. Jacob,Michel Boulou. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1981-03-31.

Gallium nitride based light emitting element

Номер патента: US20020000558A1. Автор: Taiji Morimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor wafer including gallium nitride layer and method for manufacturing the same and light emitting device

Номер патента: KR20110130165A. Автор: 이호준,김두수,김용진,이동건,이계진. Владелец: 주식회사 엘지실트론. Дата публикации: 2011-12-05.

Laser rapid fabrication method for flexible gallium nitride photodetector

Номер патента: US11894483B2. Автор: Lingfei Ji,Weigao SUN. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-02-06.

Method for manufacturing gallium nitride substrate using the hydride vapor phase epitaxy

Номер патента: US20190371597A1. Автор: Jea Gun Park,Tae Hun Shim,Jae Hyoung Shim. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2019-12-05.

Method Of Manufacturing Gallium Nitride Substrate And Gallium Nitride Substrate Manufactured By The Same

Номер патента: US20140001484A1. Автор: Junyoung Bae,Junsung Choi,Joon Hoi Kim,Boik Park,Cheolmin Park,Dongyong Lee,Wonjo Lee,Sungkeun Lim,Kwangje Woo,Woorihan Kim. Владелец: Samsung Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-02.

GALLIUM NITRIDE ON 3C-SiC COMPOSITE WAFER

Номер патента: US20160247967A1. Автор: Peter Ward. Владелец: Anvil Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Gallium nitride semiconductor device on soi and process for making same

Номер патента: EP2210284A1. Автор: Kishor Purushottam Gadkaree,Linda R Pinckney,Rajaram Bhat,Jérôme Napierala,Chung-En Zah. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2010-07-28.

Indium-gallium-nitride light emitting diodes with increased quantum efficiency

Номер патента: EP4295418A1. Автор: Max Batres,Michael Chudzik,Michel Khoury. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-12-27.

Gallium-Nitride Based Light-Emitting Diode Structure With High Reverse Withstanding Voltage And Anti-ESD Capability

Номер патента: US20070267636A1. Автор: Fen-Ren Chien,Liang-Wen Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-22.

Indium-gallium-nitride light emitting diodes with increased quantum efficiency

Номер патента: WO2022177761A1. Автор: Max Batres,Michael Chudzik,Michel Khoury. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-08-25.

Methods of Forming an Array Comprising Pairs of Vertically Opposed Capacitors and Arrays Comprising Pairs of Vertically Opposed Capacitors

Номер патента: US20180122798A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-05-03.

Methods of forming an array comprising pairs of vertically opposed capacitors and arrays comprising pairs of vertically opposed capacitors

Номер патента: WO2018085016A2. Автор: Durai Vishak Nirmai RAMASWAMY. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-05-11.

Vertical alignment method of vertical type micro led and led assembly manufacturing method using the same

Номер патента: US20210098430A1. Автор: Chi-Young YOON,Bae-Gun JUNG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-04-01.

Methods of forming an array comprising pairs of vertically opposed capacitors and arrays comprising pairs of vertically opposed capacitors

Номер патента: US09935114B1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Ashonita A. Chavan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Methods of forming an array comprising pairs of vertically opposed capacitors and arrays comprising pairs of vertically opposed capacitors

Номер патента: US09761580B1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Arrays of nonvolatile memory cells comprising a repetition of a unit cell, arrays of nonvolatile memory cells comprising a combination of vertically oriented and horizontally oriented memory cells, and arrays of vertically stacked tiers of nonvolatile memory cells

Номер патента: US09620174B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Vertical structure of semiconductor devices using nanotubes and method of making them

Номер патента: RU2342315C2. Автор: Тошихару ФУРУКАВА,Марк Чарлз ХЕЙКИ,Стивен Джон ХОЛМС,Дейвид Вацлав ХОРАК,Чарлз Уилль м КОУБУРГЕР III,Чарлз Уилльям КОУБУРГЕР III. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2008-12-27.

Vertical structure deep ultraviolet light emitting diode, manufacturing method thereof and epitaxial structure

Номер патента: US20240304757A1. Автор: Shitao Li,Jinchao Zhao,Jingfeng Bi,Shiman SHI,Weihong Fan,Maofang Guo,Quanxin Jin. Владелец: Xiamen Silan Advanced Compound Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, methods of forming arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, and methods of reading a data value stored by an array of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells

Номер патента: US8411477B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-04-02.

Rlink-ground shielding attachment structures and shadow voiding for data signal contacts of package devices; vertical ground shielding structures and shield fencing of vertical data signal interconnects of package devices; and ground shielding for electro optical module connector data signal contacts and contact pins of package devices

Номер патента: US20180331043A1. Автор: Sanka Ganesan,Jeff C. Morriss,Kemal Aygun,Zhiguo Qian,Eduard Roytman,Yidnekachew S. MEKONNEN,Yu Amos ZHANG,Gregorio R. Murtagian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Three-dimensional semiconductor memory device with vertical structures between contact plugs

Номер патента: US12082412B2. Автор: Jongsoo Kim,Dongwoo Kim,Sunil Shim,Wonseok Cho,Ju-Young Lim,Jesuk MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Vertically structured group III nitride semiconductor LED chip and method for manufacturing the same

Номер патента: US09502603B2. Автор: Ryuichi Toba,Yoshitaka Kadowaki,Meoung Whan Cho,Seog Woo Lee,Pil Guk Jang. Владелец: Wavesquare Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for manufacturing a gallium nitride substrate

Номер патента: KR102126186B1. Автор: 이현규,김진교,장동수,김동회,김화섭. Владелец: 경희대학교 산학협력단. Дата публикации: 2020-06-24.

Growing large surface area gallium nitride crystals

Номер патента: EP2004882A2. Автор: Makoto Saito,Shuji Nakamura,Tadao Hashimoto. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2008-12-24.

Non-polar a-plane gallium nitride thin films grown by metalorganic chemical vapor deposition

Номер патента: US20030198837A1. Автор: James Speck,Michael Craven. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2003-10-23.

Light-emitting device comprising a gallium-nitride-group compound-semiconductor

Номер патента: US20030132440A1. Автор: Yasunari Oku,Hidenori Kamei. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-17.

Method of zinc oxide film grown on the epitaxial lateral overgrowth gallium nitride template

Номер патента: KR101038069B1. Автор: 수 진 추아,하이롱 주,지엔이 린,후이 판. Владелец: 내셔널 유니버시티 오브 싱가포르. Дата публикации: 2011-06-01.

Dry etching method for a gallium nitride type compound semiconductor

Номер патента: US5693180A. Автор: Satoshi Sugahara,Katsuki Furukawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1997-12-02.

Active electronic devices based on gallium nitride and its alloys grown on silicon substrates with buffer layers of SiCAIN

Номер патента: US20040129200A1. Автор: John Kouvetakis,Ignatius Tsong,John Tolle,Radek Roucka. Владелец: Arizona Board of Regents of ASU. Дата публикации: 2004-07-08.

Gallium nitride vapor phase epitaxy apparatus used in vapor phase epitaxy not using organic metal as a gallium raw material and manufacturing method therefor

Номер патента: US11869767B2. Автор: Yuki Amano,Hiroshi Amano,Naoki Fujimoto,Kazuki Onishi,Shugo Nitta. Владелец: Tokai National Higher Education and Research System NUC. Дата публикации: 2024-01-09.

Method of manufacturing large area gallium nitride substrate

Номер патента: US20140073115A1. Автор: Sung-soo Park,Young-soo Park,Moon-sang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-13.

Method for making gallium nitride epitaxial layer by silicon substrate

Номер патента: US20180195204A1. Автор: Shou-Shan Fan,Qun-Qing Li,Yuan-Hao Jin. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-12.

Multi-function power control circuit using enhancement mode gallium nitride (gan) high electron mobility transistors (hemts)

Номер патента: US20170170731A1. Автор: Anthony G.P. Marini,James L. Larrauri,Simon P. Wainwright,Max Zafrani. Владелец: Freebird Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Integrated gallium nitride power device with protection circuits

Номер патента: US20230421046A1. Автор: Jason Zhang,Daniel M. Kinzer,Marco Giandalia,Hongwei Jia. Владелец: Navitas Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Device including semiconductor substrate containing gallium nitride and method for producing the same

Номер патента: EP3246433A3. Автор: Masaki Fujikane. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-27.

Gallium nitride compound semiconductor light emitting element and light source provided with said light emitting element

Номер патента: US20130126898A1. Автор: Shunji Yoshida,Toshiya Yokogawa,Ryou Kato. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-05-23.

Arrays of memory cells and methods of forming an array of vertically stacked tiers of memory cells

Номер патента: US10256275B2. Автор: Zengtao T. Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-09.

Integrated gallium nitride power device with protection circuits

Номер патента: US11791709B2. Автор: Jason Zhang,Daniel M. Kinzer,Marco Giandalia,Hongwei Jia. Владелец: Navitas Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Gallium-nitride based light emitting diode structure with enhanced light illuminance

Номер патента: US7087924B2. Автор: Fen-Ren Chien,Liang-Wen Wu,Tzu-Chi Wen,Ru-Chin Tu,Cheng-Tsang Yu. Владелец: Formosa Epitaxy Inc. Дата публикации: 2006-08-08.

Device including semiconductor substrate containing gallium nitride and method for producing the same

Номер патента: US20190284719A1. Автор: Masaki Fujikane. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Device including semiconductor substrate containing gallium nitride and method for producing the same

Номер патента: US20170335488A1. Автор: Masaki Fujikane. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-23.

Arrays of Memory Cells and Methods of Forming an Array of Vertically Stacked Tiers of Memory Cells

Номер патента: US20190189689A1. Автор: Zengtao T. Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Arrays Of Memory Cells And Methods Of Forming An Array Of Vertically Stacked Tiers Of Memory Cells

Номер патента: US20150123070A1. Автор: Zengtao T. Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-05-07.

Method for Fabricating Single-Crystalline Substrate Containing Gallium Nitride

Номер патента: US20100068872A1. Автор: Guan-Ting Chen,Jen-Inn Chyi,Hsueh-Hsing Liu. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2010-03-18.

Method Used In Forming An Array Of Vertical Transistors And Method Used In Forming An Array Of Memory Cells Individually Comprising A Vertical Transistor And A Storage Device Above The Vertical Transistor

Номер патента: US20220068934A1. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

High-Side Gate Driver for Gallium Nitride Integrated Circuits

Номер патента: US20190379374A1. Автор: Yue Fu,Yan-Fei Liu,Zhanming Li,Wai Tung Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-12-12.

Vertical structure LEDs

Номер патента: US09472727B2. Автор: In-kwon Jeong,Jong Lam Lee,Myung cheol Yoo. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Vertical structure of semiconductor device and method of formation thereof

Номер патента: RU2338683C2. Автор: Тошихару ФУРУКАВА,Марк Чарлз ХЕЙКИ,Стивен Джон ХОЛМС,Дейвид Вацлав ХОРАК,Питер МИТЧЕЛЛ,Ларри Алан НЕСБИТ. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2008-11-20.

Sidewall structures for memory cells in vertical structures

Номер патента: US20240298553A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Dual display device with vertical structure

Номер патента: US09299758B2. Автор: Sang Hee Park,Chi Sun Hwang. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2016-03-29.

Power semi-conductor converter for diesel locomotive with three-phase ac supply from synchronous diesel-generator with system of vertical air cooling

Номер патента: RU2342260C1. Автор: Николай Иванович Мишин,Александр Сергеевич Иванов,Сергей Анатольевич Варламов,Наталь Николаевна Колгина,Наталья Николаевна Колгина,Тамара Васильевна Алехина. Владелец: Открытое акционерное общество "РИФ". Дата публикации: 2008-12-27.

Vertically structured group iii nitride semiconductor led chip and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140001511A1. Автор: Ryuichi Toba,Yoshitaka Kadowaki,Meoung Whan Cho,Seog Woo Lee,Pil Guk Jang,Tatsunori Toyota. Владелец: Wavesquare Inc. Дата публикации: 2014-01-02.

Memory device having vertical structure

Номер патента: US20220122932A1. Автор: Sang Woo Park,Dong Hyuk Chae,Ki Soo Kim,Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Memory device having vertical structure and memory system including the same

Номер патента: US09941009B2. Автор: Sang-Won Shim,Bong-Soon Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Non-volatile memory device having vertical structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09899408B2. Автор: Young-woo Park,Jae-Duk Lee,Young-Hwan Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Supporting substrate for manufacturing vertically-structured semiconductor light-emitting device and semiconductor light-emitting device using the supporting substrate

Номер патента: US20110114984A1. Автор: Tae Yeon Seong. Владелец: Industry Academy Collaboration Foundation of Korea University. Дата публикации: 2011-05-19.

Supporting substrate for manufacturing vertically-structured semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting device using the supporting substrate

Номер патента: EP2333845A2. Автор: Tae Yeon Seong. Владелец: Industry Academy Collaboration Foundation of Korea University. Дата публикации: 2011-06-15.

Etching method for forming vertical structure, electronic device including vertical structure formed by the etching method, and method of manufacturing the electronic device

Номер патента: US11895922B2. Автор: Choongho RHEE,Sungchan Kang,Yongseop YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-06.

Etching method for forming vertical structure, electronic device including vertical structure formed by the etching method, and method of manufacturing the electronic device

Номер патента: US20220158074A1. Автор: Choongho RHEE,Sungchan Kang,Yongseop YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-19.

Sidewall structures for memory cells in vertical structures

Номер патента: EP4348715A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Semiconductor device including vertical structures and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20210066588A1. Автор: Wonjun Lee,Youngtak KIM,Sangjine Park,Hyeyeong SEO,Jaeuk SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor package with metal post having non-vertical structure

Номер патента: US11798864B2. Автор: Yun hwa CHOI. Владелец: JMJ Korea Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

A kind of method, structure and the power device of gallium nitride film growth on a silicon substrate

Номер патента: CN108400087A. Автор: 李东键,金荣善,金权济,骆薇薇,孙在亨. Владелец: Innovo Secco (zhuhai) Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-14.

Gallium nitride nano-superstructure, preparation methods therefor and gallium nitride-based laser

Номер патента: EP4235985A1. Автор: MIAO Wang,Ke Xu,Jianfeng Wang,Juemin YI. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2023-08-30.

Gallium Nitride Nano Superstructure and Preparation Method Thereof and Gallium Nitride-Based Laser

Номер патента: US20240288617A1. Автор: MIAO Wang,Ke Xu,Jianfeng Wang,Juemin YI. Владелец: SUZHOU INSTITUTE OF NANO-TECH AND NANO-BIONICS (SINANO) CAS. Дата публикации: 2024-08-29.

Gallium nitride particles and method for producing same

Номер патента: US20210139328A1. Автор: Hideto Kuramochi,Masami Mesuda. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

A kind of magnetic-like linear silicon carbide and preparation method and application thereof

Номер патента: NL2034109A. Автор: Zhang Rui,WANG Hailong,Guan Li,Zhang Xinyue,Fan Bingbing,Wang Xiangli,Gao Qiancheng,Hao Wending. Владелец: Univ Zhengzhou Aeronautics. Дата публикации: 2023-05-15.

A kind of magnetic-like linear silicon carbide and preparation method and application thereof

Номер патента: NL2034109B1. Автор: Zhang Rui,WANG Hailong,Guan Li,Zhang Xinyue,Fan Bingbing,Wang Xiangli,Gao Qiancheng,Hao Wending. Владелец: Univ Zhengzhou Aeronautics. Дата публикации: 2023-12-08.

A method for reactive magnetron sputter deposition of gallium oxide thin films

Номер патента: EP4230761A1. Автор: Andris Azens,Martins Zubkins,Edgars BUTANOVS,Juris Purans. Владелец: Latvijas Universitates Cietvielu Fizikas Instituts. Дата публикации: 2023-08-23.

Gallium nitride sintered body or gallium nitride molded article, and method for producing same

Номер патента: MY156733A. Автор: Mesuda Masami,Shibutami Tetsuo,MATSUMARU Keitaro,TAKAHASHI Koyata,KIKUCHI Ryou. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2016-03-31.

Signal feeder for separation of starting stage of vertically launching aircraft

Номер патента: RU2719799C1. Автор: Фёдор Юрьевич Калёнов. Владелец: Акционерное общество "Военно-промышленная корпорация "Научно-производственное объединение машиностроения". Дата публикации: 2020-04-23.

Gallium nitride-based sintered compact and method for manufacturing same

Номер патента: US11802049B2. Автор: Hideto Kuramochi,Masami Mesuda. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Kind of anti-adhesion device, a heating apparatus including the device, and method of operating the same

Номер патента: CA2788885C. Автор: Xiankun Huang,Yousheng Tang,Degang Liu,Guobin Yang,Fanghua Chen. Владелец: AO Smith Corp. Дата публикации: 2020-01-14.

Blue and green laser diodes with gallium nitride or indium gallium nitride cladding laser structure

Номер патента: EP1672757A3. Автор: Michael A. Kneissl. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2008-12-17.

Gallium nitride switch methodology

Номер патента: WO2010047943A1. Автор: Jonathan Hacker,Yin Tat Ma,Karim Boutros. Владелец: The Boeing Company. Дата публикации: 2010-04-29.

Linear vertical array of vertical polarization with circular azimuth pattern and built-in antenna channel of glonass/gps standard

Номер патента: RU2738332C1. Автор: Владимир Иосифович Винников,Александр Владимирович Сучков. Владелец: Публичное акционерное общество "Научно-производственное объединение "Алмаз" имени академика А.А. Расплетина". Дата публикации: 2020-12-11.

Gallium nitride compound semiconductor light emitting element and method for fabricating the same

Номер патента: US5970080A. Автор: Toshio Hata. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1999-10-19.

Gallium nitride-based compound semiconductor laser and method of manufacturing the same

Номер патента: US5966396A. Автор: Shinya Nunoue,Masayuki Ishikawa,Masahiro Yamamoto,Hidetoshi Fujimoto,Haruhiko Okazaki,Genichi Hatakoshi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-10-12.

Gallium nitride-based compound semiconductor laser and method of manufacturing the same

Номер патента: US6118801A. Автор: Shinya Nunoue,Masayuki Ishikawa,Masahiro Yamamoto,Hidetoshi Fujimoto,Genichi Hatakoshi,Johji Nishio. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-09-12.

Structure of Vertical Cavity Surface Emitting Laser

Номер патента: US20200403377A1. Автор: Chih-Cheng Chen,Jia-Yu Lin,Yen Hsiang Wu. Владелец: TrueLight Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Structure of vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US11831125B2. Автор: Chih-Cheng Chen,Jia-Yu Lin,Yen Hsiang Wu. Владелец: TrueLight Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

New kinds of fuel

Номер патента: RU2262161C2. Автор: Эмануэль ПЕЛЕД,Таир ДУВДЕВАНИ,Ави МЕЛМАН,Ади АХАРОН. Владелец: Тель-Авив Юниверсити Фьюче Текнолоджи Девелопмент Л.П.. Дата публикации: 2005-10-10.

Covering for any kind of cable to protect against animals and insects.

Номер патента: EP1237163A3. Автор: Juan Manuel Ortega Puigoriol. Владелец: OPTRAL SA. Дата публикации: 2003-09-17.

Covering for any kind of cable to protect against animals and insects.

Номер патента: EP1237163A8. Автор: Juan Manuel Ortega Puigoriol. Владелец: OPTRAL SA. Дата публикации: 2003-04-16.

Module type power distribution unit having a multi socket module for selectively supplying different kinds of power

Номер патента: US09450357B2. Автор: Hyun Woo Kim,Young Hwan Kim. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2016-09-20.

Joining structure of different kinds of conductors, joining method of different kinds of conductors, and joint of power cables

Номер патента: US20220172864A1. Автор: Hyun Su Kim,Sangyum Kim,Jeong Ik Kim. Владелец: LS Cable and Systems Ltd. Дата публикации: 2022-06-02.

Joining structure of different kinds of conductors, joining method of different kinds of conductors, and joint of power cables

Номер патента: US12014843B2. Автор: Hyun Su Kim,Sangyum Kim,Jeong Ik Kim. Владелец: LS Cable and Systems Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Forming indium gallium nitride comprises providing a layer of gallium nitride within a chamber, and epitaxially growing a layer of indium gallium nitride on a surface of the layer of gallium nitride

Номер патента: FR2972731A1. Автор: Pierre Tomasini,Christophe Figuet. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2012-09-21.

A heteroepitaxial wafer for the deposition of gallium nitride

Номер патента: EP4231335A1. Автор: Brian Murphy,Sarad Bahadur Thapa. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2023-08-23.

INTEGRATION OF GALLIUM NITRIDE LEDS WITH ALUMINUM GALLIUM NITRIDE/GALLIUM NITRIDE DEVICES ON SILICON SUBSTRATES FOR AC LEDS

Номер патента: US20150014628A1. Автор: Chung Theodore. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS N.V.. Дата публикации: 2015-01-15.

Integration of gallium nitride LEDs with aluminum gallium nitride/gallium nitride devices on silicon substrates for AC LEDs

Номер патента: TW201347228A. Автор: Theodore Chung. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2013-11-16.

Integration of gallium nitride leds with aluminum gallium nitride/gallium nitride devices on silicon substrates for ac leds

Номер патента: CN104170089A. Автор: T.钟. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2014-11-26.

A heteroepitaxial wafer for the deposition of gallium nitride

Номер патента: EP4312248A1. Автор: Brian Murphy,Sarad Bahadur Thapa. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2024-01-31.

A heteroepitaxial wafer for the deposition of gallium nitride

Номер патента: WO2024023004A1. Автор: Brian Murphy,Sarad Bahadur Thapa. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2024-02-01.

A kind of preparation method of the epitaxy of gallium nitride structure based on molybdenum disulfide graphene compound buffer layer

Номер патента: CN107768235A. Автор: 张健,张建,王文杰,李沫,李俊泽,代刚,杨浩军,谢武泽,邓泽佳. Владелец: Institute of Electronic Engineering of CAEP. Дата публикации: 2018-03-06.

A kind of growing method of gallium nitride based LED epitaxial slice

Номер патента: CN109440063A. Автор: 丁涛,李鹏,胡加辉,周飚,韦春余. Владелец: HC Semitek Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-08.

A kind of preparation method based on molybdenum disulfide-graphene compound buffer layer epitaxy of gallium nitride structure

Номер патента: CN107768235B. Автор: 张健,张建,王文杰,李沫,李俊泽,代刚,杨浩军,谢武泽,邓泽佳. Владелец: Institute of Electronic Engineering of CAEP. Дата публикации: 2019-11-22.

A kind of gallium nitride device

Номер патента: CN207753000U. Автор: 李孟,罗广豪,李幸辉. Владелец: Gallium Energy Semiconductor (foshan) Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-21.

A kind of method reducing defect density of gallium nitride nanowire array crystal

Номер патента: CN103531447B. Автор: 姜辛,刘宝丹. Владелец: Institute of Metal Research of CAS. Дата публикации: 2016-03-16.

A kind of epitaxial wafer of gallium nitride based light emitting diode and preparation method thereof

Номер патента: CN106876530B. Автор: 王江波,李鹏,王群,郭炳磊,董彬忠. Владелец: HC Semitek Zhejiang Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-08.

A kind of the three phase full bridge circuit and intelligent power module of gallium nitride chip

Номер патента: CN208739041U. Автор: 李孟,罗广豪,李幸辉. Владелец: Gallium Energy Semiconductor (foshan) Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-12.

A kind of epitaxy of gallium nitride silicon chip edge processing technology

Номер патента: CN109285762A. Автор: 张伟才,田原,杨玉梅,陈亚楠,王云彪,陶术鹤,李万策. Владелец: CETC 46 Research Institute. Дата публикации: 2019-01-29.

A kind of gallium nitride based LED epitaxial slice and preparation method thereof

Номер патента: CN109192831A. Автор: 李鹏,王群,胡加辉,郭炳磊,葛永晖,吕蒙普. Владелец: HC Semitek Zhejiang Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-11.

A kind of gallium nitride based LED epitaxial slice and preparation method thereof

Номер патента: CN109686823A. Автор: 李鹏,王群,郭炳磊,葛永晖,吕蒙普. Владелец: HC Semitek Zhejiang Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-26.

A kind of gallium nitride based LED epitaxial slice and preparation method thereof

Номер патента: CN109273571A. Автор: 李鹏,王群,郭炳磊,葛永晖,吕蒙普. Владелец: HC Semitek Zhejiang Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-25.

A kind of gallium nitride film and preparation method thereof and graphene film and preparation method thereof

Номер патента: CN106960781A. Автор: 刘志斌. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-18.

A kind of gallium nitride light-emitting diode and preparation method thereof

Номер патента: CN103531683B. Автор: 魏世祯,胡清富. Владелец: HC Semitek Corp. Дата публикации: 2016-06-22.

A kind of gallium nitride based LED epitaxial slice and preparation method thereof

Номер патента: CN109545918A. Автор: 李鹏,曹阳,王群,郭炳磊,葛永晖,吕蒙普. Владелец: HC Semitek Zhejiang Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-29.

A kind of gallium nitride based light emitting diode structure and preparation method thereof

Номер патента: CN106784204A. Автор: 张家宏,李政鸿,林兓兓,程志青,翁聪. Владелец: Anhui Sanan Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-31.

A kind of gallium nitride base high light efficiency LED extension base chip and preparation method thereof

Номер патента: CN110021685A. Автор: 孙明,庄文荣,颜建锋,敖辉,彭泽洋. Владелец: Dongguan Microtek Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-16.

Gallium nitride base substrate and fabrication method of gallium nitride wafer

Номер патента: KR101144844B1. Автор: 이기수,신현민,최준성. Владелец: 삼성코닝정밀소재 주식회사. Дата публикации: 2012-05-16.

Method for improving electrical properties and optical properties of gallium nitride through laser irradiation on gallium nitride epitaxial wafer

Номер патента: CN103956319A. Автор: 赵艳,蒋毅坚,谈浩琪. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2014-07-30.

Manufacturing method of gallium nitride based semiconductor laser using selective growth method and gallium nitride based semiconductor laser

Номер патента: JP3060973B2. Автор: 明隆木村,正明仁道. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-07-10.

Manufacture of gallium nitride semiconductor laser using selective growth method and gallium nitride semiconductor laser

Номер патента: JPH10190142A. Автор: Akitaka Kimura,明隆木村,Masaaki Nidou,正明仁道. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-07-21.

Preparation method of gallium nitride epitaxial layer and gallium nitride epitaxial layer

Номер патента: CN109119333B. Автор: 王波,李佳,张志荣,郭艳敏,房玉龙,尹甲运,芦伟立. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2021-01-12.

Method for manufacturing a layer of gallium nitride or gallium and aluminum nitride

Номер патента: KR101186032B1. Автор: 하첸 라레쉐. Владелец: 피코기가 인터내셔널. Дата публикации: 2012-09-25.

A heteroepitaxial wafer for the deposition of gallium nitride

Номер патента: WO2023156265A1. Автор: Brian Murphy,Sarad Bahadur Thapa. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2023-08-24.

Nitride growth substrate, especially for hetero epitaxial deposition of gallium nitride useful in optoelectronic devices, produced by bonding compliant thin films of growth and support substrates and thinning the growth substrate

Номер патента: FR2787919A1. Автор: Didier Pribat,Jean Charles Garcia,Jean Louis Guyaux,Daniel Rondi. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 2000-06-30.

Light emission element of gallium nitride

Номер патента: JPS56160084A. Автор: Yoshimasa Oki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1981-12-09.

A heteroepitaxial wafer for the deposition of gallium nitride

Номер патента: EP4231335C0. Автор: Brian Murphy,Sarad Bahadur Thapa. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2024-06-19.

A kind of vertical structure LED purple light epitaxial structure and preparation method thereof

Номер патента: CN106129197A. Автор: 赵俊,田伟,田进,刘波波,李谊. Владелец: Middle Northwest Co Ltd Of Study On Engineering Design Institute. Дата публикации: 2016-11-16.

A kind of method of the material of growing gallium nitride on a sapphire substrate, gallium nitride material and application thereof

Номер патента: CN107039250B. Автор: 林桂荣,邢志刚. Владелец: Zhongsheng Photoelectric Equipment (shanghai) Ltd By Share Ltd. Дата публикации: 2018-08-21.

Procedure for growth of layer of gallium nitride and procedure for production of nitride semi-conducting device

Номер патента: RU2414549C2. Автор: Евгений Владимирович Яковлев,Всеволод Владимирович Лундин,Роман Александрович ТАЛАЛАЕВ,Чангсунг Син КИМ. Владелец: Самсунг Лед Ко., Лтд.. Дата публикации: 2011-03-20.

A kind of vertical structure LED purple light epitaxial structure and preparation method thereof

Номер патента: CN106129197B. Автор: 赵俊,田伟,田进,刘波波,李谊. Владелец: Middle Northwest Co Ltd Of Study On Engineering Design Institute. Дата публикации: 2019-04-09.

A kind of method of the material of growing gallium nitride on a sapphire substrate, gallium nitride material and application thereof

Номер патента: CN107039250A. Автор: 林桂荣,邢志刚. Владелец: Zhongsheng Photoelectric Equipment (shanghai) Ltd By Share Ltd. Дата публикации: 2017-08-11.

Method for reducing the concentration of oxygen, carbon, and silicon impurities on nitrogen-polar surfaces of gallium nitride

Номер патента: US8669168B1. Автор: Glenn G. Jernigan,Douglas S. Katzer,David F. Storm,Steven C. Binari. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2014-03-11.

A kind of preparation process and application of the organic spin electric device of vertical-type-foreign lands

Номер патента: CN109962159A. Автор: 李�浩,李周,肖柱,方梅,张桑箭. Владелец: CENTRAL SOUTH UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-07-02.

Gallium nitride traveling wave structures

Номер патента: EP2115777A2. Автор: Paul Saunier,Hua-Quen Tserng,Kevin L. Robinson. Владелец: Triquint Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-11-11.

Gallium nitride traveling wave structures

Номер патента: WO2008100889A2. Автор: Paul Saunier,Hua-Quen Tserng,Kevin L. Robinson. Владелец: TRIQUINT SEMICONDUCTOR, INC.. Дата публикации: 2008-08-21.

Kind of computer network cable wiring fixing device

Номер патента: LU506182B1. Автор: Jun Liu. Владелец: Univ Baicheng Normal. Дата публикации: 2024-07-24.

Kind of LED phase cut dimming power supply

Номер патента: US09591710B1. Автор: Dehua Zheng,Xianyun Zhao. Владелец: Zhuhai Shengchang Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Printed circuit board for gallium nitride elements

Номер патента: US11576256B2. Автор: Tao Wu,Jian Qi. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-07.

Method for manufacturing core-shell coaxial gallium nitride (GaN) piezoelectric nanogenerator

Номер патента: US11963450B2. Автор: Xin Chen,Yun Chen,Zijian LI,Pengfei Yu,Aoke SONG,Maoxiang HOU. Владелец: GUANGDONG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-04-16.

Printed circuit board for gallium nitride elements

Номер патента: US20220201851A1. Автор: Tao Wu,Jian Qi. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Gallium nitride operational amplifier

Номер патента: US12028031B2. Автор: Cher-Ming TAN,Vimal Kant PANDEY. Владелец: Chang Gung University CGU. Дата публикации: 2024-07-02.

Ka-BAND GALLIUM-NITRIDE (GaN) MONOLITHIC-MICROWAVE INTEGRATED CIRCUIT (MMIC) POWER AMPLIFIER CIRCUIT AND AMPLIFIER

Номер патента: US20240267009A1. Автор: Yu Wang,Zhipeng Ren,Hanbin Qu,Zhaotan Cui,Xuelong Jiao,Pengbo Du. Владелец: North China Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Circuits and operating methods thereof for correcting phase errors caused by gallium nitride devices

Номер патента: US09974038B2. Автор: Damian McCann. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Gallium nitride operational amplifier

Номер патента: US20230039249A1. Автор: Cher-Ming TAN,Vimal Kant PANDEY. Владелец: Chang Gung University CGU. Дата публикации: 2023-02-09.

Gallium-nitride inverter

Номер патента: US20240171090A1. Автор: Chi-Ting Chen. Владелец: Aeris Hospitality Solutions LLC. Дата публикации: 2024-05-23.

Method of vertically assembling a generator of a wind turbine

Номер патента: US09627949B2. Автор: James Kenneth Booth,Rune Nielsen. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2017-04-18.

A Kind of Intelligent Home-based Care Service System for Elders

Номер патента: AU2020101527A4. Автор: Wei Xu,Ting Huang,Tao Zhou,Shuang Liang,Xin Luo,Zhihui Wu,Chengmin ZHOU. Владелец: NANJING FORESTRY UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-09-03.

System controlling convergence of collection of vertical formats

Номер патента: RU2108686C1. Автор: Родригес-Кавазос Энрике,Глайм Гунтер,Шовин Жак. Владелец: Томсон Конзьюмер Электроникс, Инк.. Дата публикации: 1998-04-10.

Electromechanical converter for electric drive of vertical control member vertical movement

Номер патента: RU2693935C1. Автор: Александр Юрьевич Смирнов,Владимир Владимирович Веллер,Александр Валерьевич Кифоренко,Дмитрий Андреевич Кудряшов. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2019-07-08.

YC-signal separation circuit responsive to magnitude of vertical correlation

Номер патента: US4754322A. Автор: Akihide Okuda,Isao Nakagawa,Kenji Katsumata,Masato Sugiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1988-06-28.

A kind of output/input conducting double-indicator-light solid-state relay

Номер патента: CA2938358A1. Автор: Chenzhong Yin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-02-05.

Probe head of vertical probe card and manufacturing method of composite board of probe head

Номер патента: SG196803A1. Автор: Che-Wei Lin,Horng-Kuang Fan,Ming-Chi Chen,Mao-Fa Shen,Ming-Chu Chueh,Bang-Shun Liu. Владелец: MPI Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Transport of vertical control protocol messages on a switched communications network

Номер патента: EP1228630A1. Автор: Stephen Terrill,Leslie Graf,Ian Rytina,Christian Groves. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2002-08-07.

Circuits and operating methods thereof for correcting phase errors caused by gallium nitride devices

Номер патента: US20180007650A1. Автор: Damian McCann. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2018-01-04.

Electric motor drive with gallium nitride power switches having low-side short circuit safe state

Номер патента: EP4085530A1. Автор: Martin Winter,Wolfgang BAECK,Michael NEUDORFHOFER. Владелец: Magna International Inc. Дата публикации: 2022-11-09.

Ka-BAND GALLIUM-NITRIDE (GaN) MONOLITHIC-MICROWAVE INTEGRATED CIRCUIT (MMIC) POWER AMPLIFIER CIRCUIT AND AMPLIFIER

Номер патента: LU103041B1. Автор: Yu Wang,Zhipeng Ren,Hanbin Qu,Zhaotan Cui,Xuelong Jiao,Pengbo Du. Владелец: North China Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-28.

Electric motor drive with gallium nitride power switches having low-side short circuit safe state

Номер патента: CA3165831A1. Автор: Martin Winter,Wolfgang BAECK,Michael NEUDORFHOFER. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-08-05.

System of solar modules configured for attachment to vertical structures

Номер патента: US09577572B2. Автор: Harold Godfrey Giles. Владелец: SOLARTONIC LLC. Дата публикации: 2017-02-21.

Circuit for reducing an offset component of a plurality of vertical hall elements arranged in one or more circles

Номер патента: US11802922B2. Автор: Hernan D. Romero,Bruno Luis Uberti,Gerardo A. Monreal. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Apparatus, systems and methods for improved vertical structural supports

Номер патента: US20190013767A1. Автор: William Dean Priefert,Rocky Christenberry,Tracy Metzger. Владелец: Priefert Manufacturing Co Inc. Дата публикации: 2019-01-10.

Probe head of vertical probe card and manufacturing method of composite board of probe head

Номер патента: SG177836A1. Автор: Che-Wei Lin,Horng-Kuang Fan,Ming-Chi Chen,Mao-Fa Shen,Ming-Chu Chueh,Bang-Shun Liu. Владелец: MPI Corp. Дата публикации: 2012-02-28.

Assembly of vertically aligned nanotube arrays containing particles and application thereof

Номер патента: EP3014624A1. Автор: WEI Han,David Tomanek. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-04.

Computerized system for analysis of vertices and edges of an electronic messaging system

Номер патента: US12101284B2. Автор: Benjamin Hathaway,David Setzer. Владелец: Virtual Connect Technoloties Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Transmission mechanism of vertical circuit board etching device

Номер патента: US20140021017A1. Автор: Ming-Hong Kuo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-01-23.

Memory cells with sidewall and bulk regions in vertical structures

Номер патента: US20240315150A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Apparatus, systems and methods for improved vertical structural supports

Номер патента: US11821207B2. Автор: William Dean Priefert,Rocky Christenberry,Tracy Metzger. Владелец: Priefert Manufacturing Co Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Method and apparatus for simultaneously reducing various kinds of noises from image

Номер патента: US20090052775A1. Автор: Young-Jin Yoo,Young-Su Moon,Si-Hwa Lee,Ho-lin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-26.

Image forming system, method of displaying various kinds of information of image forming apparatus, and program for displaying various kinds of information of image forming apparatus

Номер патента: US20060146364A1. Автор: Takuya Shirai. Владелец: Kyocera Mita Corp. Дата публикации: 2006-07-06.

Package having facility for performing mutual conversion among different kinds of signaling signals, time-division multiplexer equipped with package, and speech handling network using time-division multiplexer

Номер патента: US20020044566A1. Автор: Kimihide Ono. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-18.

Memory cells with sidewall and bulk regions in vertical structures

Номер патента: US11957068B2. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Retractable Cable Tray for Vertical Structures

Номер патента: US20130277508A1. Автор: Keith J. Orgeron,Mark W. Trevithick. Владелец: T&T Engineering Services Inc. Дата публикации: 2013-10-24.

Memory cells with sidewall and bulk regions in vertical structures

Номер патента: EP4348714A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Three-terminal electro-chemical memory cell with vertical structure for neuromorphic computation and memory cell array including the same

Номер патента: US11963372B2. Автор: Yun Seog Lee,Hyunjoon Lee. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-04-16.

Near-field UHF identification system and a method for identifying an object or the kind of an object that is or contains electrically conductive material using near-field identification

Номер патента: US09900058B2. Автор: Kaarle Jaakkola,Kaj Nummila,Petteri Koivu. Владелец: Valtion teknillinen tutkimuskeskus. Дата публикации: 2018-02-20.

Circuit for detecting plural kinds of multi-frame synchronization on a digital transmission line

Номер патента: CA1264384A. Автор: Nobuji Tajika. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1990-01-09.

Signal processor with a plurality of kinds of processors and a shared memory accessed through a versatile control unit

Номер патента: US6732240B2. Автор: Shinichi Yamashita,Kazuhiko Haruma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2004-05-04.

Handoff system and method between different kinds of devices, SIP server and operational method of SIP server

Номер патента: US8018899B2. Автор: Jeong-Ho Bang,Se-Jong Oh,Kyoung-hee Lee,Myung-cul Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2011-09-13.

Magnetic recording apparatus for recording two kinds of mutually different information signals on independent tracks of a magnetic tape

Номер патента: US4725896A. Автор: Osamu Inoue,Tsunehisa Ohira,Masato Mihara. Владелец: Victor Company of Japan Ltd. Дата публикации: 1988-02-16.

Device for playing back multiple kinds of optical disc selectively

Номер патента: MY123123A. Автор: Byung-Jin Kim,Jong-Sik Jeong,Chan-Dong Cho,Won-Woo Rhee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-31.

Portable communication terminal capable of communicating with information terminal and method of converting control protocol of the same between different kinds of networks

Номер патента: US20040053636A1. Автор: Kenji Oguma. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2004-03-18.

Device for automatically sorting cyber attack based on artificial intelligence using security event of different kinds of security devices

Номер патента: US20240154990A1. Автор: Do Won Kim,Tae Hyeon Kim,Tae Eun Kim,Ki Jong SON,Sae Woom LEE,Seul Ki Choi,Gyeong Jin NA. Владелец: Korea Internet and Security Agency. Дата публикации: 2024-05-09.

A kind of template and support system and construction method for the construction of vertical shaft inwall

Номер патента: CN110056358A. Автор: 王振华,张建平,张彬,敖翔,谢雷,胡芳,钟桂芳,黄丽霞,陈家亮,吴英成,林健生,陈俊兴,王付祥,孟宪禹,罗长荣,罗沪文,刘意兴,刘杰翀,李丽燕,胡承豪. Владелец: HUIZHOU HYDROPOWER CONSTRUCTION CO Ltd. Дата публикации: 2019-07-26.

A kind of horizontal Machining centers and the Compositions of metal-working machines of vertical machining centre combination

Номер патента: CN106736873A. Автор: 王�琦,张磊,张海涛,郭顺,王云霞,胡新林. Владелец: Anhui Technical College of Mechanical and Electrical Engineering. Дата публикации: 2017-05-31.

Method for the synthesis of gallium nitride with n2 near room temperature

Номер патента: WO2024054772A3. Автор: Zakaria Y. AL BALUSHI,Sara Christy SUSANTO. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2024-04-18.

Gallium nitride crystal, group 13 nitride crystal, group 13 nitride crystal substrate, and manufacturing method

Номер патента: US20150247257A1. Автор: Takashi Satoh,Masahiro Hayashi,Chiharu Kimura,Seiji Sarayama,Naoya Miyoshi,Hiroshi Nambu. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-03.

Gallium nitride crystal, group 13 nitride crystal, group 13 nitride crystal substrate, and manufacturing method

Номер патента: US09863058B2. Автор: Takashi Satoh,Masahiro Hayashi,Chiharu Kimura,Seiji Sarayama,Naoya Miyoshi,Hiroshi Nambu. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Manufacturing method of gallium nitride substrate

Номер патента: US20240149379A1. Автор: Asahi Nomoto. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Method for the synthesis of gallium nitride with n2 near room temperature

Номер патента: WO2024054772A2. Автор: Zakaria Y. AL BALUSHI,Sara Christy SUSANTO. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of Selecting Kind of Size of a Helmet and Shape of a Pad, Method of Adjusting Helmet Size by Using the Selection Method, and Head Size Measuring Tool Used in Aforesaid Selection Method

Номер патента: US20130158949A1. Автор: Takashi Ebisawa. Владелец: Shoei Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-20.

Apparatus for large volume ammonothermal manufacture of gallium nitride crystals and methods of use

Номер патента: US09724666B1. Автор: Mark P. D'Evelyn,Douglas W. Pocius,Pakalapati Tirumala Rajeev. Владелец: Soraa Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Kind of environment-friendly laundry beads with high stability and preparation method thereof

Номер патента: AU2023274148A1. Автор: Pingping WU,Quanwei WANG,Mingmei ZHANG. Владелец: Guangdong Youkai Technical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Sintered polycrystalline gallium nitride

Номер патента: EP1444165A2. Автор: Mark P. D'Evelyn,Dong-Sil Park,Suresh S. Vagarali,David C. Pender. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2004-08-11.

Kind of phycocyanin taro ball and preparation method

Номер патента: US20230329295A1. Автор: Meng Zhao,Xiaomei Wang,Xinyue Li,Zhongshan Zhang,Wenzhou XIANG,Bingquan Zhang,Zikang Ding. Владелец: Huzhou University. Дата публикации: 2023-10-19.

Blended tea brewed by using multiple kinds of tea leaves and tea blended by a tea blender

Номер патента: US20180116241A1. Автор: Yen Qi Cai,Siu Kam Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-03.

A Kind of Method for Making Fairy Tofu with Dried Leaves of Premna Puberula Pamp

Номер патента: AU2020101198A4. Автор: Yang Li,Mingsheng Zhang,Yanqiu Wang,Hongshen CHEN. Владелец: GUIZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-08-06.

Kind of cyclone type bend pipe electrostatic spraying device

Номер патента: LU505898B1. Автор: Liang Wang,Zhipeng Han,Yanqing Ji,Xunliang Shi,Mengfei Ji. Владелец: Hebei Hengtong Pipe Fittings Group Co ltd. Дата публикации: 2024-06-24.

A kind of flavoring agent which can replace the attractiveness of plasma protein powder and its application

Номер патента: AU2020103641A4. Автор: Yong Zhang,Ruiyang Zhang,Fangfang Li,Dafei YIN,Yujing Zhu. Владелец: Shenyang Agricultural University. Дата публикации: 2021-02-04.

A kind of regenerative cement soil used for roadbed top

Номер патента: GB2613146A. Автор: Fengming Chu,Wentao YAO,Xinzhuang Wang Binglei Cui. Владелец: Taisheng Env Services Shandong Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-31.

Kind of outdoor furniture with a non-welded and quick-installed structure

Номер патента: US20200248852A1. Автор: DING Wang,Jian Qiang Xie. Владелец: Yotrio Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

A Kind of Chemostat for Microalgae

Номер патента: LU102502B1. Автор: Zheng Zheng,Jian He,Peng GU,Weizhen Zhang,Xingzhang LUO,Kaizhi Wang. Владелец: Univ Fudan. Дата публикации: 2021-08-09.

Kind of method for preparing l-citrulline by using aeromonas sp.

Номер патента: US20220112530A1. Автор: Shijin Wu. Владелец: Zhejiang University of Technology ZJUT. Дата публикации: 2022-04-14.

A kind of modified starch/quartz sand composite microsphere and its preparation method and application

Номер патента: AU2020102174A4. Автор: Hu Yang,Pei Li,Aimin Li,Boqiang Gao. Владелец: NANJING TECH UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-10-15.

Process for large-scale ammonothermal manufacturing of gallium nitride boules

Номер патента: US8979999B2. Автор: Mark P. D'Evelyn. Владелец: Soraa Inc. Дата публикации: 2015-03-17.

Method and sectional module for installing vertical structures built up of sections

Номер патента: RU2075642C1. Автор: В.В. Демкин,Ю.Н. Горбунов,А.И. Забегаев,Ю.И. Новак,Ю.А. Закревский. Владелец: Товарищество с ограниченной ответственностью Фирма "Общемаш-Инжиниринг". Дата публикации: 1997-03-20.

A kind of oligosaccharides, their sulfates and dendrimers, and the uses of these compounds

Номер патента: EP1405855A4. Автор: Jianxin Gu,Fanzuo Kong,Jun Ning. Владелец: ShanghaiMed Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-04.

Kind of Ply Yarns and Ply Yarns Fabric

Номер патента: US20090130936A1. Автор: Weihua Ma,Yucheng Ma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-05-21.

Kind of High Oil-Absorbable Resin (HOAR) Comprising of Acrylic Polymers and its Preparation Methods and Uses

Номер патента: US20120065290A1. Автор: Gang Tang,Xiangyang He,Yuee Fang. Владелец: SHANGHAI FINETAC PRECISION TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-15.

Method for extraction of gallium from fly ash

Номер патента: RU2506332C1. Автор: Дачжао ГУ,Иньшань ЦЗЯН,Цуньди ВЭЙ,Чжаохуа ГО,Пин ЦЗОУ,Цзяньго ХАНЬ,Дэли ЮЙ,Исинь ЧЖАО,Чуньбинь ГО. Владелец: Чайна Шэньхуа Энерджи Компани Лимитед. Дата публикации: 2014-02-10.

Method of production of gallium from alkali-aluminate solutions of aluminous production

Номер патента: RU2264481C1. Автор: В.Н. Диев,С.П. Яценко,Л.А. Пасечник,Г.М. Рубинштейн,В.Б. Садовников. Владелец: Институт химии твердого тела Уральского Отделения Российской Академии наук. Дата публикации: 2005-11-20.

Method for separation of gallium from aluminium

Номер патента: RU2586168C1. Автор: Мария Викторовна Цыганкова,Александр Маркович Резник,Елена Иосифовна Лысакова,Яна Юрьевна Ершова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский технологический университет". Дата публикации: 2016-06-10.

A kind of space concept where food and drink service is provided.

Номер патента: WO2021071458A3. Автор: Aziz KESGİN. Владелец: Kesgin Aziz. Дата публикации: 2021-07-29.

Kind of anti-permeability dry and wet multi-functional powder puff

Номер патента: US20200187622A1. Автор: Zhen-Guo Jin. Владелец: Guangzhou Meiyingrong Cosmetics Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-18.

Method of electrochemical refining of gallium

Номер патента: RU2271400C1. Автор: Сергей Алексеевич Козлов,Михаил Валентинович Сажин,Михаил Папиевич Аганичев,Игорь Олегович Петрухин,Николай Алексеевич Потолоков. Владелец: ОАО Научно-исследовательский институт материалов электронной техники (НИИМЭТ). Дата публикации: 2006-03-10.

Method for regulating the content of gallium in scintillators based on gadolinium-gallium garnets

Номер патента: RU2670865C2. Автор: Марк С. АНДРЕАКО,Питер Карл КОЭН,Александер Эндрю КЭРИ. Владелец: СИМЕНС МЕДИКАЛ СОЛЮШЕНС ЮЭсЭй, ИНК.. Дата публикации: 2018-10-25.

Method of gallium-68 production, application thereof, and relevant device for implementation of specified method

Номер патента: RU2343965C2. Автор: Ирина ВЕЛИКИАН,Бенгт ЛАНГСТРОМ,Герд Й. БЕЙЕР. Владелец: Джи-И Хелткер Лимитед. Дата публикации: 2009-01-20.

Method for extraction of gallium from fly ash

Номер патента: RU2507282C1. Автор: Дачжао ГУ,Вэнь ЛИН,Иньшань ЦЗЯН,Цуньди ВЭЙ,Нань ЛИ,Чжаохуа ГО,Дяньфань ЯН,Цзюньчжоу ЧИ,Пин ЦЗОУ. Владелец: Чайна Шэньхуа Энерджи Компани Лимитед. Дата публикации: 2014-02-20.

Method of gallium recovery from aluminate solutions

Номер патента: RU2157421C2. Автор: Л.К. Алтунина,Т.В. Павлова,А.Г. Филимошкин,Е.Б. Чернов,Г.А. Терентьева,Е.Г. Прибытков. Владелец: Институт химии нефти СО РАН. Дата публикации: 2000-10-10.

Synthesis of gallium oxide nanoparticles in supercritical water

Номер патента: RU2487835C2. Автор: Владимир Ильич Аникеев. Владелец: Учреждение Российской Академии наук Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения РАН. Дата публикации: 2013-07-20.

Magnesium-lithium alloys composed of gallium or indium

Номер патента: US20240271253A1. Автор: Michele V. Manuel,David Wesley CHRISTIANSON. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of separation of gallium and aluminum on weak-base anion exchanger d-403 from alkaline solutions

Номер патента: RU2667592C1. Автор: Ольга Владимировна Черемисина,Татьяна Евгеньевна Литвинова,Вадим Насырович Сагдиев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский горный университет". Дата публикации: 2018-09-21.

Mixture for production of gallium

Номер патента: RU2255129C1. Автор: С.А. Есиков,Л.П. Грош,Л.А. Ярыгин,С.А. Есиков (RU),Л.П. Грош (RU),Л.А. Ярыгин (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ТНП-Комплекс". Дата публикации: 2005-06-27.

Recovery of gallium from alkali metal aluminate by liquid alloy treatment and electrolysis

Номер патента: CA1126683A. Автор: Raisa V. Ivanova,Arkady A. Belsky,Nikolai A. Novikov,Askar M. Kunaev,Leonid M. Butorin,Khoren A. Badaliants,Isaak A. Zatulovsky,Ivan M. Kostin,Tatyana D. Ostapenko,Gennady A. Romanov,Elena L. Shalavina,Arkady I. Zazubin,Nikolai S. Shmorgunenko,Alexandr V. Eljutin,Anna E. Danilina,Evgeny A. Isakov,Teodor G. Milberger,Petr F. Minin,Alexandr V. Peredereev,Garegin A. Peikarov,Natalya V. Tishevetskaya,Georgy P. Tkachenko,Leonid I. Finkelshtein,Anatolia I. Simanova. Владелец: VSESOJUZNY NAUCHNO-ISSLEDOVATELSKY I PROEKTNY INSTITUT ALJUMINIEVOI MAGN IEVOI I ELEKTRODNOI PROMYSHLENNOSTI. Дата публикации: 1982-06-29.

Method of gallium recovery from gallium-containing oxides of rare-earth metals

Номер патента: RU2164259C2. Автор: Г.Г. Кознов. Владелец: ООО "Фомос-Технолоджи". Дата публикации: 2001-03-20.

Process for extraction of gallium from alkaline gallium-containing solutions

Номер патента: CA1094501A. Автор: Ljudmila N. Nikitina,Raisa V. Ivanova,Arkady A. Belsky,Nikolai A. Novikov,Nina N. Alexeeva,Nina A. Ljubimova,Anna E. Dotsenko. Владелец: GOSUDARSTVENNY NAUCHNO-ISSLEDOVATELSKY I PROEKTNY INSTITUT REDKOMETALLICHESKOI PROMYSHLENNOSTI "GIREDMET". Дата публикации: 1981-01-27.

Growth reactor for gallium-nitride crystals using ammonia and hydrogen chloride

Номер патента: US09441311B2. Автор: Tadao Hashimoto,Edward Letts. Владелец: SixPoint Materials Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of gallium-arsenic-bearing wastes processing

Номер патента: RU2078842C1. Автор: В.Н. Абрютин,О.Н. Калашник. Владелец: Кийко Михаил Юрьевич. Дата публикации: 1997-05-10.

Gallium complexes and solvent extraction of gallium

Номер патента: CA1291764C. Автор: James P. Coleman,Bruce F. Monzyk,Charles R. Graham. Владелец: Monsanto Co. Дата публикации: 1991-11-05.

Recovery of gallium

Номер патента: CA1062017A. Автор: John J. Macgregor. Владелец: JOHNSON MATTHEY PLC. Дата публикации: 1979-09-11.

Oxidative dissolution of gallium arsenide and separation of gallium from arsenic

Номер патента: CA1338030C. Автор: James Patrick Coleman,Bruce Francis Monzyk. Владелец: Met Tech Systems Ltd. Дата публикации: 1996-02-06.

Method for growing beta phase of gallium oxide (beta-ga2o3) single crystals from the melt contained within a metal crucible

Номер патента: EP3242965A1. Автор: Zbigniew GALAZKA,Reinhard Uecker,Matthias Bickermann,Detlef Klimm. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2017-11-15.

Method for producing gallium nitride crystal

Номер патента: US20210285124A1. Автор: Makoto Watanabe,Shinya AKIYAMA. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Process for extraction of gallium from alkaline gallium-containing solutions

Номер патента: US4061551A. Автор: Raisa Vasilievna Ivanova,Arkady Andreevich Belsky,Nikolai Alexandrovich Novikov,Nina Nikolaevna Alexeeva,Ljudmila Nikolaevna Nikitina,Nina Andreevna Ljubimova,Anna Evgenievna Dotsenko. Владелец: Individual. Дата публикации: 1977-12-06.

Purification of solutions of gallium values by liquid/liquid extraction

Номер патента: US4372923A. Автор: Alain Leveque,Jacques Helgorsky. Владелец: Rhone Poulenc Industries SA. Дата публикации: 1983-02-08.

Magnesium-lithium alloys composed of gallium or indium

Номер патента: WO2023048784A3. Автор: Michele V. Manuel,David Wesley CHRISTIANSON. Владелец: UNIVERSITY OF FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC.. Дата публикации: 2023-08-17.

Foldable pot with removable hook for the configuration of vertical gardens

Номер патента: US20220217915A1. Автор: Jose Carlos Bejarano Bernal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-07-14.

Foldable pot with removable hook for the configuration of vertical gardens

Номер патента: US11910765B2. Автор: Jose Carlos Bejarano Bernal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-02-27.

Magnesium-lithium alloys composed of gallium or indium

Номер патента: WO2023048784A2. Автор: Michele V. Manuel,David Wesley CHRISTIANSON. Владелец: UNIVERSITY OF FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC.. Дата публикации: 2023-03-30.

Centrifugal apparatus for filtration of dense suspensions of gallium wastes

Номер патента: RU2680360C1. Автор: Виталий Евгеньевич Дьяков. Владелец: Виталий Евгеньевич Дьяков. Дата публикации: 2019-02-20.

Process for the purification of gallium by partial solidification

Номер патента: AU3712989A. Автор: Michel Leroy,Benoit Pouliquen,Hubert D'hondt. Владелец: Aluminium Pechiney SA. Дата публикации: 1990-01-04.

Process for recovery of gallium

Номер патента: CA2480808C. Автор: Patcha Ramachandra Rao,Archana Agrawal,Puvvada George Vijay Kumar,Indranil Chattoraj. Владелец: Council of Scientific and Industrial Research CSIR. Дата публикации: 2010-04-13.

Gallium nitride crystal, gallium nitride substrate, and method for producing gallium nitride crystal

Номер патента: EP4394094A1. Автор: Yutaka Mikawa,Kouhei KURIMOTO,Quanxi Bao. Владелец: Japan Steel Works Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Method of vertical gardening of yard areas areas

Номер патента: RU2714639C1. Автор: Владимир Степанович Григорьев. Владелец: Владимир Степанович Григорьев. Дата публикации: 2020-02-18.

Recovery of gallium/rare earth values from oxide mixtures thereof

Номер патента: US4927609A. Автор: Alain Leveque,Michel Triollier. Владелец: Rhone Poulenc Industries SA. Дата публикации: 1990-05-22.

Process of extraction of gallium from aqueous solutions thereof

Номер патента: US4965054A. Автор: Roy G. Lewis. Владелец: Henkel Corp. Дата публикации: 1990-10-23.

High temperature electrical contact for Peltier-induced liquid phase epitaxy on intermetallic III-V compounds of gallium

Номер патента: US3993511A. Автор: Joseph John Daniele. Владелец: North American Philips Corp. Дата публикации: 1976-11-23.

Method of preparing a solution of gallium 68 from germanium 68

Номер патента: US4333911A. Автор: Bernard Maziere,Dominique Comar,Christian Loc'h. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1982-06-08.

METHOD FOR GROWING BETA PHASE OF GALLIUM OXIDE (β-Ga2O3) SINGLE CRYSTALS FROM THE MELT CONTAINED WITHIN A METAL CRUCIBLE

Номер патента: WO2016110385A1. Автор: Zbigniew GALAZKA,Reinhard Uecker,Matthias Bickermann,Detlef Klimm. Владелец: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.. Дата публикации: 2016-07-14.

Fabricating method of semi-polar gallium nitride

Номер патента: US20220056580A1. Автор: Ping-Hai CHIAO,Wen-Chung LI. Владелец: WAFER WORKS Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Magnetic resonance imaging with switched-mode current-source amplifier having gallium nitride field effect transistors for parallel transmission in MRI

Номер патента: US09747789B2. Автор: Michael Twieg,Mark Griswold. Владелец: CASE WESTERN RESERVE UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-08-29.

Aircraft of vertical take-off and vertical landing

Номер патента: RU2722517C1. Автор: Борис Соломонович Бабицкий. Владелец: Борис Соломонович Бабицкий. Дата публикации: 2020-06-01.

Vertically oriented turbojet engine of power plant of vertical take-off and landing aircraft, vertical take-off and landing aircraft power plant, as well as vertical take-off and landing aircraft

Номер патента: RU2717409C1. Автор: Аслан Солтамбекович Тедтоев. Владелец: Аслан Солтамбекович Тедтоев. Дата публикации: 2020-03-23.

Kind of optical lens and a kind of miner's helmet lamp

Номер патента: US20150043222A1. Автор: Jinbo Jiang,Wenda Jiang. Владелец: Huizhou Light Engine Ltd. Дата публикации: 2015-02-12.

Control method for controlling yaw and roll angle of vertically launching aircraft

Номер патента: RU2765064C2. Автор: Джонатан ХЕССЕЛЬБАРТ. Владелец: Вингкоптер Гмбх. Дата публикации: 2022-01-25.

Method for development of oil deposits by system of vertical and horizontal wells

Номер патента: RU2752179C1. Автор: Раис Салихович Хисамов,Вадим Валерьевич Ахметгареев,Владлен Борисович Подавалов. Владелец: Публичное акционерное общество «Татнефть» имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2021-07-23.

Multifunctional aircraft of vertical take-off and landing

Номер патента: RU2635024C1. Автор: Николай Петрович Дядченко. Владелец: Николай Петрович Дядченко. Дата публикации: 2017-11-08.

Method of matching speeds of vertical and horizontal rolls of universal cage of rolling mill

Номер патента: RU2687354C1. Автор: Александр Сергеевич Карандаев,Борис Михайлович Логинов,Андрей Александрович Радионов,Вадим Рашитович Гасияров,Сергей Николаевич Басков,Станислав Сергеевич Воронин. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южно-Уральский государственный университет (национальный исследовательский университет)". Дата публикации: 2019-05-13.

Wing of special aerodynamic profile with vertical combs and carrying system of aircraft of vertical take-off and landing (a vtoal), using this wing

Номер патента: RU2742396C2. Автор: Виталий Степанович Платонов. Владелец: Виталий Степанович Платонов. Дата публикации: 2021-02-05.

Convective shaft of boiler with node for sealing of passage of vertical pipes

Номер патента: RU2702314C1. Автор: Михаил Юрьевич Сербиновский,Максим Павлович Курепин. Владелец: Открытое акционерное общество "Таганрогский котлостроительный завод "Красный котельщик" (ОАО ТКЗ "Красный котельщик"). Дата публикации: 2019-10-07.

Autogyro with possibility of vertical take-off

Номер патента: RU2674743C1. Автор: Владимир Николаевич Каргопольцев. Владелец: Владимир Николаевич Каргопольцев. Дата публикации: 2018-12-12.

Method for control of vertical loads on roller wheels and device for implementation thereof

Номер патента: RU2731808C1. Автор: Владимир Александрович Нилов,Владимир Алексеевич Жулай. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2020-09-08.

Electromagnetic suspension of vertical rotor shaft

Номер патента: RU2626794C1. Автор: Юрий Владимирович Москалев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный университет путей сообщения". Дата публикации: 2017-08-01.

Use of gallium(iii) complexes for the treatment of melanomas

Номер патента: US20090137620A1. Автор: Bernhard Keppler. Владелец: Niiki Pharma Inc. Дата публикации: 2009-05-28.

Use of gallium(iii) complexes for the treatment of melanomas

Номер патента: CA2640509A1. Автор: Bernhard Keppler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-23.

Gallium nitride crystal, gallium nitride substrate, and method for producing gallium nitride crystal

Номер патента: US20240191395A1. Автор: Yutaka Mikawa,Kouhei KURIMOTO,Quanxi Bao. Владелец: Japan Steel Works Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

System and method for harmonization of vertical projections for displaying of geospatial object data in mediated reality

Номер патента: WO2023065050A3. Автор: Alexandre PESTOV. Владелец: Vgis Inc.. Дата публикации: 2023-07-13.

System and method for harmonization of vertical projections for displaying of geospatial object data in mediated reality

Номер патента: WO2023065050A2. Автор: Alexandre PESTOV. Владелец: Vgis Inc.. Дата публикации: 2023-04-27.

Method of depositing a gallium nitride-based III-V group compound semiconductor crystal layer

Номер патента: US5433169A. Автор: Shuji Nakamura. Владелец: Nichia Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 1995-07-18.

Device for protection of vertical reservoir with floating roof for storage of liquid hydrocarbons from ice and snow loads

Номер патента: RU2707897C1. Автор: Валерий Иванович Паутов. Владелец: Валерий Иванович Паутов. Дата публикации: 2019-12-02.

Reinforcing bar binding machine, wire reel, wire, and method of determining kind of wire

Номер патента: US8122916B2. Автор: Takahiro Nagaoka,Ichiro Kusakari. Владелец: Max Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-28.

Reinforcing bar binding machine, wire reel, wire, and method of determining kind of wire

Номер патента: CA2565299C. Автор: Takahiro Nagaoka,Ichiro Kusakari. Владелец: Max Co Ltd. Дата публикации: 2009-06-16.

Vertical structures

Номер патента: GB2159551A. Автор: Bernard Viry. Владелец: Viry & Fils Chaudronnerie. Дата публикации: 1985-12-04.

A kind of chemical wastewater treatment equipment

Номер патента: LU504400B1. Автор: Xiaoli He,Xudong Yin,Wenyu XIE,Jiahao LIANG,Zhisen Liu,Dehao LI,Zhimin Song,Yueping Zhu,Changgang Li. Владелец: Zhongke Guangdong Refining And Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-04.

Gallium nitride reference voltage generation circuit

Номер патента: US20240045454A1. Автор: Tao Liu,Songming Zhou. Владелец: Navitas Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

System and method for harmonization of vertical projections for displaying of geospatial object data in mediated reality

Номер патента: WO2023065050A8. Автор: Alexandre PESTOV. Владелец: Vgis Inc.. Дата публикации: 2023-08-31.

Test device for measuring the discharge coefficient of vertical storm drainage inlets

Номер патента: LU503703B1. Автор: Yu Tian,Lin Sun,Hongjian Shi,Xiaolan Chen,Anqi SONG,Binbin WU,Chunguo Liu,Ying Jiao,Haijun YU,Wangyang Yu,Chenliang Li,Jie MU,Xiaoli Hao. Владелец: China Inst Water Resources & Hydropower Res. Дата публикации: 2023-09-25.

Device for simulating process of vertical loading and removal of loading characteristic of point jacking device of rolling stock fixing on sorting tracks of stations

Номер патента: RU2691161C1. Автор: Юрий Алектинович Панин,Анатолий Николаевич Оленцов. Владелец: Акционерное общество Научно-исследовательский и конструкторско-технологический институт подвижного состава (АО "ВНИКТИ"). Дата публикации: 2019-06-11.

Method for ensuring pliability of support of vertical trunk located in salt rocks

Номер патента: RU2748790C1. Автор: Вячеслав Юрьевич Синегубов,Максим Анатольевич Карасев,Андрей Максимович Катеров. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский горный университет". Дата публикации: 2021-05-31.

Method for indirect measurement of vertical coordinate of center of gravity of object

Номер патента: RU2736325C1. Автор: Геннадий Филиппович Долгов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Владимирский Государственный Университет имени Александра Григорьевича и Николая Григорьевича Столетовых" (ВлГУ). Дата публикации: 2020-11-13.

Combined power plant of vertical take-off and landing aircraft

Номер патента: RU2758744C1. Автор: Юрий Иванович Безруков. Владелец: Юрий Иванович Безруков. Дата публикации: 2021-11-01.

Method of low-temperature local loading of the bottom of vertical steel tanks with the acoustic-emission method of non-destructive control

Номер патента: RU2653593C1. Автор: Александр Михайлович Большаков,Яков Михайлович Андреев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физико-технических проблем Севера им. В.П. Ларионова СО РАН. Дата публикации: 2018-05-11.

Postal transport system on magnetic suspension, device of switchover of this system, device of its point of loading and unloading, device of vertical switch unit of this system

Номер патента: RU2706615C2. Автор: Сергей Анатольевич Брюханов. Владелец: Сергей Анатольевич Брюханов. Дата публикации: 2019-11-19.

A kind of light emitting diode luminaire

Номер патента: CA2893603C. Автор: Huanhuan YU,Ying Yong. Владелец: SHENZHEN YAORONG TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Kind of easy to remove the bottom clean wash gargle cup

Номер патента: US20220192431A1. Автор: Fang-Ping Ou Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-06-23.

A kind of plant-based food production formula and its preparation method

Номер патента: AU2021101649A4. Автор: Bo LV,Yuhua Wang,Jian Wei,Yaohui Hu,Xiaoquan Hu,Junmei Liu,Chunhong Piao,Hansong Yu,Nannan Zhu. Владелец: Jilin Friend Food Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

A kind of diet capable of enhancing the immune function of baby dogs and its preparation and usage

Номер патента: US20230200409A1. Автор: Shaojun He,Youfang Gu,Chongmei Ruan,Qianqian HU,Pengfei Ye,Deyi Liu,Man Ren,Yongjie Xiong,Zuhuai Ding,Xuecheng Song. Владелец: ANHUI UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-06-29.

A Kind of Method for Early Warning of Price Fluctuation of Agricultural Product and Its System

Номер патента: AU2020101238A4. Автор: SHENGWEI Wang,Jiajia Liu,Shiwei XU,Dongjie Wang,Jiayu ZHUANG. Владелец: Agricultural Information Institute of CAAS. Дата публикации: 2020-08-06.

A kind of slurry mixing equipment for geotechnical engineering

Номер патента: LU504439B1. Автор: Qingguo Wang. Владелец: Univ Henan Urban Construction. Дата публикации: 2023-12-07.

A kind of bio-organic fertilizer for ground growing flue cured tobacco and its preparation method

Номер патента: AU2021102005A4. Автор: Xing Li,Wei Yu,Yi Zhang,XIANG Ye,Dong Wang,Wei Ma,Haixia Liu,Yan Cai,Yinghui Zhang,Huizhan GU,Jixian HE,Qingbin Zeng,Qili Zhang. Владелец: SICHUAN TOBACCO CORP PANZHIHUA BRANCH. Дата публикации: 2021-06-10.

A kind of hydrochloric piperphentonamine freeze-dried powder injection, preparation methods and uses thereof

Номер патента: EP2151239A4. Автор: Yonghe Li,Xiaohui Zhong,Huayin Wan,Rubing Li,Lijian Zhou,Tieqiu Liu. Владелец: Guangzhou Zhongwei Biotechnology Ltd. Дата публикации: 2010-11-24.

kind of piperphentonamine hydrochloride lyophilized powder for injection and preparation and use thereof

Номер патента: US20100197731A1. Автор: Yonghe Li,Xiaohui Zhong,Huayin Wan,Rubing Li,Lijian Zhou,Tieqiu Liu. Владелец: Guangzhou Zhongwei Biotechnology Ltd. Дата публикации: 2010-08-05.

Kind of piperphentonamine hydrochloride lyophilized powder for injection and preparation and use thereof

Номер патента: US8513301B2. Автор: Yonghe Li,Xiaohui Zhong,Huayin Wan,Rubing Li,Lijian Zhou,Tieqiu Liu. Владелец: Guangzhou Zhongwei Biotechnology Ltd. Дата публикации: 2013-08-20.

Yarn creel assembly adapted for carrying multiple interconnected yarn packages in a plurality of vertically spaced package stations

Номер патента: EP2893065A1. Автор: Donald Lynn Hoover. Владелец: American Linc LLC. Дата публикации: 2015-07-15.

Method of continuous dry grinding by means of vertical mill and vertical mill

Номер патента: RU2453372C2. Автор: Штефан Герль,Йенс ЗАХВЕ. Владелец: Машиненфабрик Густав Айрих Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2012-06-20.

Transformable amphibian aircraft of vertical take-off and landing

Номер патента: RU2662311C1. Автор: Сергей Васильевич Григорьев. Владелец: Сергей Васильевич Григорьев. Дата публикации: 2018-07-25.

Vacuum cleaner of vertical type comprising valve of switching of suction tracts

Номер патента: RU2463944C2. Автор: Джунг-гьюн ХАН,Бьюнг-джо ЛИ,Джоунг-соо ПАРК,Тэй-гванг КИМ,Сее-хьюн КИМ. Владелец: Самсунг Гуангджу Электроникс Ко., Лтд.. Дата публикации: 2012-10-20.

Method for lifting and retention of vertical steel reservoir

Номер патента: RU2584713C1. Автор: Анатолий Евгеньевич Курышев,Денис Валериевич Еремин. Владелец: Акционерное общество "Институт по проектированию магистральных трубопроводов" (АО "Гипротрубопровод"). Дата публикации: 2016-05-20.

Method for erection of steel constructions of vertical mine opening shaft and armoring unit for implementation of the method

Номер патента: RU2601647C2. Автор: Александр Александрович Кисель,Валерий Константинович Садчиков,Альберт Фатихович Загитов. Владелец: Альберт Фатихович Загитов. Дата публикации: 2016-11-10.

Method of vertical seismic profiling

Номер патента: RU2730105C1. Автор: Александр Петрович Жуков,Григорий Аронович Шехтман,Ильнур Айратович Сираев,Михаил Львович Владов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Российский университет дружбы народов" (РУДН). Дата публикации: 2020-08-17.

Hydraulic damper for reduction of vertical and/or horizontal vibrations of facility or mechanism structure

Номер патента: RU2474738C2. Автор: Михаэль РАЙТЕРЕР,Андреас КЛУИБЕНШЕДЛ. Владелец: Бернард Инженере Цт Гмбх. Дата публикации: 2013-02-10.

An Improvement in Certain Kinds of Buttons.

Номер патента: GB191021912A. Автор: Walter Francis Gaunt. Владелец: Individual. Дата публикации: 1911-06-15.

A kind of flaxseed flake protein extraction process

Номер патента: AU2018101568A4. Автор: Feng Tian,Lihua Zhu,Yongqiang HU,Haide Lu,Yongxie Zhao,Tongyong Zhou. Владелец: Qinghai Science And Technology Information Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

A kind of monitoring method for drinking behavior of laboratory mice, and its system and device

Номер патента: US20220129427A1. Автор: FENG HAN,Qigang Zhou,Chunyu Yin,Dongya Zhu,Liandi Li,Peijin Xu. Владелец: NANJING MEDICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-04-28.

A kind of health tea for stomach cold and its preparation method

Номер патента: AU2020102077A4. Автор: NAN Wu,Xiu Wang,Xiaoke WU,Yupei Zhang,Yanduo Tao,Ruitao Yu,Ruixue Yu. Владелец: Northwest Institute of Plateau Biology of CAS. Дата публикации: 2020-10-22.

Kind of bending bolt type anti-loosening nut

Номер патента: US20240191744A1. Автор: Yu Liu,Wei Wang,Meng Fan,Ming Liu,PENG Wang,Qing Liu,Xiaoying Wang,Ting Gao,Jie Fan,Xiaohong Wang,Junfeng Liu,Quanxi Liu,Xuyang Liu,Jianyi Liu. Владелец: Xi'an Xiongfeng Energy Saving Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Phototechnical apparatus of vertical arrangement for continuous development of photographic materials, particularly photographic plates

Номер патента: US4710009A. Автор: Laszlo Schneider. Владелец: CACAOFABRIEK DE ZAAN BV PO BOX 2 1540 AA KOOG AAN DE ZAAN NETHERLANDS A CORP OF NETHERLANDS. Дата публикации: 1987-12-01.

Method of radar-location determination of vertical speed of ballistic object and device for its implementation

Номер патента: RU2646854C2. Автор: Пётр Зотеевич Белоногов,Александр Иванович Стучилин,Эфир Иванович Шустов,Александр Васильевич Щербинко. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научно-исследовательский центр "Резонанс" (ЗАО "НИЦ "Резонанс"). Дата публикации: 2018-03-12.

Mooring embankment of vertical type

Номер патента: RU2690426C1. Автор: Лев Романович Мороз,Михаил Михайлович Капустин,Алексей Александрович Курыпов,Александр Витальевич Соколов,Сергей Дмитриевич Бычковский,Егор Викторович Фальковский,Владислав Витальевич Филиппов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-исследовательский институт мостов и гидротехнических сооружений". Дата публикации: 2019-06-03.

System and method of vertical seismic profiling with presentation of survey data in form of combination of parameterised compression, shear and dispersive wave fields

Номер патента: RU2593687C2. Автор: Ричард Д. ФОЙ. Владелец: Лэндмарк Графикс Корпорейшн. Дата публикации: 2016-08-10.

Uav of vertical takeoff and landing

Номер патента: RU2747006C1. Автор: Роман Викторович Федоренко,Александр Сергеевич Климчик,Дмитрий Владимирович Девитт,Сергей Игоревич Савин,Олег Алексеевич Балахнов. Владелец: Автономная некоммерческая организация высшего образования "Университет Иннополис". Дата публикации: 2021-04-23.

Friction drive of vertical lift carriage

Номер патента: RU2666040C2. Автор: Алексей Иванович Карпенков,Николай Юрьевич Силаков. Владелец: Николай Юрьевич Силаков. Дата публикации: 2018-09-05.

Method for calculating measurement results of vertical component of vector of magnetic induction of marine technical object from the earth coordinate system to own coordinate of object

Номер патента: RU2680409C1. Автор: Евгений Валерьевич Лукин. Владелец: Евгений Валерьевич Лукин. Дата публикации: 2019-02-21.

Two-sided toy car with possibility of vertical turn along closed-loop track

Номер патента: RU2654448C1. Автор: Дунцин ЦАЙ. Владелец: Гуанчжоу Альфа Калчер Коммьюникейшнз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-05-17.

Gallium nitride bulk crystals and their growth method

Номер патента: US8253221B2. Автор: Shuji Nakamura,Tadao Hashimoto. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2012-08-28.

Definition method of vertical and horizontal specific resistance, and also angles of relative inclination in anisotropic geological materials

Номер патента: RU2368922C2. Автор: ФАНИНИ Отто,МЕРЧАНТ Гуламаббас,ФАНИНИ Отто (US),МЕРЧАНТ Гуламаббас (US). Владелец: Бейкер Хьюз Инкорпорейтед. Дата публикации: 2009-09-27.

Control of vertical heat treating vessels

Номер патента: CA1047765A. Автор: James R. Summer. Владелец: AA CAPITAL Corp. Дата публикации: 1979-02-06.

System and method for harmonization of vertical projections for displaying of geospatial object data in mediated reality

Номер патента: US11836855B2. Автор: Alexandre PESTOV. Владелец: Vgis Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Parameter extraction method for quasi-physical large-signal model for microwave gallium nitride high-electron-mobility transistors

Номер патента: US20210279379A1. Автор: Bo Yan,Yunqiu Wu,Yuehang Xu,Shuman Mao,Ruimin Xu. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2021-09-09.

Kind of Online PM2.5 Concentrated Collection Instrument

Номер патента: US20220026317A1. Автор: LING Li,Jianmin Chen,Chao Zhu,Guodong Sui,Jianfeng Sun,Xiaona SHANG,Huihui KANG. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-01-27.

Kind of online PM2.5 concentrated collection instrument

Номер патента: US11733133B2. Автор: LING Li,Jianmin Chen,Chao Zhu,Guodong Sui,Jianfeng Sun,Xiaona SHANG,Huihui KANG. Владелец: Fudan Universitv. Дата публикации: 2023-08-22.

A kind of sipsi

Номер патента: WO2023200415A1. Автор: Ibrahim Cirit. Владелец: Omsa Grup Diş Ti̇caret Ti̇caret Li̇mi̇ted Şi̇rketi̇. Дата публикации: 2023-10-19.

Sweet mesh ( new kind of cheese )

Номер патента: WO2012010179A1. Автор: Safaa Mohammed Abdelaal. Владелец: Safaa Mohammed Abdelaal. Дата публикации: 2012-01-26.

Free-standing vertical structures for displaying botanic media

Номер патента: EP2465107A1. Автор: H. Gene Silverberg. Владелец: Sage Botanic Media Llc. Дата публикации: 2012-06-20.

A pair of vertically-adjacent storeys for a building configured for mixed laboratory use

Номер патента: GB2627011A. Автор: Saltykov Andrei,William Lacey Thomas,Koshelev Andrei. Владелец: Lacey & Saltykov Arch Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Double-sided toy car capable of vertical turning within sealed track

Номер патента: US09975055B2. Автор: Dongqing Cai. Владелец: Guangdong Auldey Animation and Toys Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Free-standing vertical structures for displaying botanic media

Номер патента: US09837003B2. Автор: H. Gene Silverberg. Владелец: Sage Vertical Garden Systems LLC. Дата публикации: 2017-12-05.

Aircraft capable of vertical take-off

Номер патента: RU2704771C2. Автор: Ханс НИДЦБАЛЛА. Владелец: Эйрбас Дефенс Энд Спэйс Гмбх. Дата публикации: 2019-10-30.

Rotor of vertical axial wind-driven unit

Номер патента: RU2705531C1. Автор: Михаил Валерьевич Коротаев,Сергей Юрьевич Костров,Михаил Александрович Козлов,Александр Евгеньевич Завацкий. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НАУЧНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ЦЕНТР "СОЛНЕЧНАЯ ЭНЕРГЕТИКА". Дата публикации: 2019-11-07.

Friction drive of vertical hoist carriage

Номер патента: RU2637702C2. Автор: Алексей Иванович Карпенков,Николай Юрьевич Силаков. Владелец: Николай Юрьевич Силаков. Дата публикации: 2017-12-06.

Method of vertical moving underwater vehicle by means of solar energy using control buoyancy thereof

Номер патента: RU2664613C1. Автор: Валерий Сергеевич Комаров,Наталья Борисовна Птицына. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт океанологии им. П.П. Ширшова Российской академии наук. Дата публикации: 2018-08-21.

Method for completing the part of the profile of vertical distribution of the speed of sound measured from the sea surface to the bottom

Номер патента: RU2769550C1. Автор: Игорь Иванович Микушин,Александр Александрович Щербаков. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Военный учебно-научный центр Военно-Морского Флота "Военно-морская академия им. Адмирала Флота Советского Союза Н.Г. Кузнецова". Дата публикации: 2022-04-04.

Aircraft capable of vertical take-off

Номер патента: RU2670356C2. Автор: Михаэль ЙЮДАС,Фридерике ШТРАТЕНБЕРГ,Ян ВАН-ТОР,Вернер ШОЛЬЦ,Бертольд КАРРАИС,Вольфганг ШТАНГЛЬ. Владелец: Эрбас Дифенс Энд Спейс Гмбх. Дата публикации: 2018-10-22.

Submersible water-filled synchronous generator of vertical design

Номер патента: RU2483417C2. Автор: Владимир Иванович Загрядцкий,Филипп Сергеевич Загрядцкий. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Государственный университет - учебно-научно-производственный комплекс" (ФГОУ ВПО "Госуниверситет-УНПК"). Дата публикации: 2013-05-27.

Method of packaging viscous product into three-shear seals from thermoplastic polymer film and packaging and film machine of vertical execution, implementing the method

Номер патента: RU2631695C1. Автор: Виктор Александрович Михайлов,Василий Николаевич Кузьмин,Владимир Всеволодович Благовещенский. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ВМПАВТО". Дата публикации: 2017-09-26.

System of landing of unmanned aerial vehicle and landing vehicle of vertical take-off and landing

Номер патента: RU2666975C1. Автор: Вячеслав Константинович Барбасов,Константин Валентинович Барбасов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "СЪЕМКА С ВОЗДУХА". Дата публикации: 2018-09-13.

Double-sided toy car capable of vertical turning within sealed track

Номер патента: CA2950224C. Автор: Dongqing Cai. Владелец: Guangdong Auldey Animation and Toys Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-24.

Method and system for design and modeling of vertical interconnects for 3DI applications

Номер патента: US8793637B2. Автор: David Goren,Rachel Gordin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-29.

Systems and Methods for the Manufacture of Vertically Oriented Fluted Multiwalls

Номер патента: US20190084256A1. Автор: Oren Sitton. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-03-21.

System and method for the manufacture of vertically oriented fluted multiwalls

Номер патента: WO2017025960A2. Автор: Oren Sitton. Владелец: Oren Sitton. Дата публикации: 2017-02-16.

Method of vertical and inclined workings driving and supporting and guard system for its implementation

Номер патента: RU2607824C1. Автор: Александр Николаевич Семенов,Геннадий Семенович Бузов,Ибрагим Магомедович Паланкоев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "РусШахтСпецСтройПроект" (ООО "РусШахтСпецСтройПроект"). Дата публикации: 2017-01-20.

Method of grouting rocks during the construction of vertical shafts

Номер патента: RU2684629C1. Автор: Анатолий Анатольевич Мишедченко,Евгений Александрович Косенко,Евгений Владимирович Колонтаевский,Евгений Витальевич Грохов,Михаил Викторович Бочаров. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Горно-строительная компания - Шахтпроект". Дата публикации: 2019-04-10.

Method for repair of base of vertical metal tanks for oil products and oil

Номер патента: RU2756591C1. Автор: Юрий Аркадьевич Нифонтов,Роман Александрович Кондратьев,Александр Анатольевич Никулин,Юрий Викторович Ефимов,Ян Николаевич Сколяров,Андрей Викторович Бунаков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Завод Буровых Технологий". Дата публикации: 2021-10-01.

Method of vertical extinguishing, containing of fire

Номер патента: RU2130793C1. Автор: В.М. Петраков,Е.А. Коняев,Д.В. Галяев,С.В. Петраков,В.М. Монашев. Владелец: Петраков Валерий Михайлович. Дата публикации: 1999-05-27.

Apparatuses for continuously casting metal strip, electromagnetic attachment preventing escape of liquid metal through opened side of vertically extended gap between two horizontally spaced members and process for performing the same

Номер патента: RU2116863C1. Автор: Ховард Л. Гербер. Владелец: Инлэнд Стил Кампани. Дата публикации: 1998-08-10.

Design of missile containers fixture in device of vertical missile launcher

Номер патента: RU2393411C2. Автор: Доминик МОНТЕЙ,Эрве БРЮНО. Владелец: Дснс. Дата публикации: 2010-06-27.

Volkov's method of producing chemically active metals and application of vertical stationary "vsp" plasma generator

Номер патента: RU2401477C2. Автор: Анатолий Евгеньевич Волков,Анатолий Евгеньевич Волков (RU). Владелец: Анатолий Евгеньевич Волков. Дата публикации: 2010-10-10.

Travelling carriage for strips of vertical blinds

Номер патента: CA1161356A. Автор: Ursula Benthin. Владелец: SUNTEC SONNENSCHUTZECHNIK GmbH. Дата публикации: 1984-01-31.

Process and device for checking the solidity of vertically anchored masts

Номер патента: CA2246705C. Автор: Mathias Roch,Oliver Roch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-25.

Worm drive for setting the angular position of vertical lamella blinds

Номер патента: CA1316096C. Автор: Horst Spohr,Walter Hugin. Владелец: Bautex Adolf Stover Sohne GmbH and Co KG. Дата публикации: 1993-04-13.

A pair of vertically-adjacent, non-identical, storeys for a building

Номер патента: WO2023017270A1. Автор: Andrei SALTYKOV,Thomas William LACEY. Владелец: Lacey & Saltykov Architects Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

Installation tool for affixing objects to a plurality of vertical surfaces and methods using thereof

Номер патента: US11781850B1. Автор: Christopher Jason Roy Marshall,Adam Willis Groshong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-10.

A method and apparatus of vertical positioning of slab-shaped objects on a pallet and of fastening of the slab-shaped objects to one another and to the pallet

Номер патента: WO2018055571A1. Автор: Luca IACARUSO. Владелец: LK LAB S.R.L.. Дата публикации: 2018-03-29.

Method for optimizing a continuous complex system using a set of vertices and dynamic hierarchical constraints

Номер патента: EP1178376A3. Автор: Ronald N. Perry. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-09-18.

Installation tool for affixing objects to a plurality of vertical surfaces and methods using thereof

Номер патента: CA3159513A1. Автор: Christopher Jason Roy Marshall,Adam Willis Groshong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-20.

Control system and working method of vertical purple sweet potato-pear composite vinegar fermentation tank

Номер патента: AU2021101745A4. Автор: Wen Li,Tao Wang. Владелец: Xuzhou University of Technology. Дата публикации: 2021-05-20.

A method and apparatus of vertical positioning of slab-shaped objects on a pallet and of fastening of the slab-shaped objects to one another and to the pallet

Номер патента: EP3515828A1. Автор: Luca IACARUSO. Владелец: Lk Lab Srl. Дата публикации: 2019-07-31.

Espresso coffee machine of vertical type with several dispensing units

Номер патента: EP1651085A1. Автор: Andrea Fregnan. Владелец: Elektra Srl. Дата публикации: 2006-05-03.

Espresso coffee machine of vertical type with several dispensing units

Номер патента: WO2005013783A1. Автор: Andrea Fregnan. Владелец: Elektra S.R.L.. Дата публикации: 2005-02-17.

Meteorological equipment to support flight operations of vertical takeoff and landing aircraft

Номер патента: US12043410B2. Автор: Manuela Sauer. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-07-23.

A method and computer processing apparatus for generating data relating to a vertical structure of a built environment and detecting a floor change

Номер патента: US20200049832A1. Автор: Zankar Upendrakumar Sevak,Firas Alsehly,Ivo DIMITROV. Владелец: Sensewhere Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Production method of vertical freezers

Номер патента: WO2008034595A3. Автор: Augusto Buosi,Marco Beni. Владелец: ELECTROLUX HOME PRODUCTS CORPORATION N.V.. Дата публикации: 2014-01-03.

Localization Using 2D Maps Which Capture Vertical Structures In 3D Point Data

Номер патента: US20180210087A1. Автор: Edwin Olson,Carl KERSHAW. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2018-07-26.

Device and method for detecting leakage point of vertically laid high-resistance impermeable membrane

Номер патента: ZA202401793B. Автор: Qian Yin,Qiang Zhang,Guilei Han,Shengchao Yuan,Sizhe Ye. Владелец: North China Engineering Investig Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Distortion information for each iteration of vertices reconstruction

Номер патента: US20240355001A1. Автор: Rajan Laxman Joshi,Madhukar Budagavi,Youngkwon Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Meteorological equipment to support flight operations of vertical takeoff and landing aircraft

Номер патента: US20240327029A1. Автор: Manuela Sauer. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-10-03.

Distortion information for each iteration of vertices reconstruction

Номер патента: WO2024219825A1. Автор: Rajan Laxman Joshi,Madhukar Budagavi,Youngkwon Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-10-24.

Floating structure for installation in water, a closed ring-structure and a tubular element for building a floating structure, and a method for building a vertical structure

Номер патента: EP4355092A1. Автор: Finn Sandmael. Владелец: Aquafloat. Дата публикации: 2024-04-24.

Floating structure for installation in water, a closed ring-structure and a tubular element for building a floating structure, and a method for building a vertical structure

Номер патента: US20240180128A1. Автор: Finn Sandmael. Владелец: Aquafloat. Дата публикации: 2024-06-06.

System and method of vertical soil treatment with shallow disc blades

Номер патента: RU2529910C2. Автор: Майкл Джордж КОВАЧ,Трейси Дуан МЕЙНЕРС,Дин Ален НОБЛОЧ,Гэйлен Джеймс КРОММИНГА,Грегори С. СМАРТ. Владелец: СиЭнЭйч БЕЛДЖИУМ Н.В.. Дата публикации: 2014-10-10.

Packing of vertical reactor

Номер патента: RU2168355C1. Автор: А.И. Гусев,А.А. Прокопьев,Ю.А. Сергеев,Н.М. Кузнецов,В.В. Потапов,С.В. Жестков,Н.П. Назаров,И.В. Есин,И.Н. Сонин,В.М. Косырев,А.Д. Беспалов. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Научно-Исследовательский И Проектный Институт Карбамида И Продуктов Органического Синтеза". Дата публикации: 2001-06-10.

Method of formation of vertical seismic sections in process of drilling of holes

Номер патента: RU2144684C1. Автор: Анджелери Джампьеро,Персолья Серджио,Полетто Флавио,Рокка Фабио. Владелец: Оссерваторио Джеофизико Спериментале. Дата публикации: 2000-01-20.

Array of vertical axis turbines

Номер патента: GB2544466A. Автор: Franklin Steel Paul. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-05-24.

Method of making calibration solution for verifying calibration and linearity of vertical photometers

Номер патента: US5183761A. Автор: Gary M. Freeman,Mary J. Freeman. Владелец: Individual. Дата публикации: 1993-02-02.

Heat exchanger having a plurality of vertical pipes for upward passage of a first heat-exchanging medium

Номер патента: CA1162911A. Автор: Dick G. Klaren. Владелец: Esmil BV. Дата публикации: 1984-02-28.

Device for multimeasurement of vertical position variation and a level-setting system equipped with said device

Номер патента: US5010768A. Автор: Patrice Le Baud. Владелец: Etudes Techniques et d Entreprises Generales Sodeteg Ste. Дата публикации: 1991-04-30.

Determining orientation of vertical fractures with well logging tools

Номер патента: US5402392A. Автор: Sen-Tsuen Chen,Chih-Ping J. Lu,Long D. Pham. Владелец: Exxon Production Research Co. Дата публикации: 1995-03-28.

Cultivation of hazel tree with the crown having the form of vertical spindle on the support

Номер патента: GEP20146047B. Автор: Vlado Moulis. Владелец: Vlado Moulis. Дата публикации: 2014-02-25.

Apparatus for treatment of vertically disposed surfaces

Номер патента: US3788010A. Автор: J Goff. Владелец: Individual. Дата публикации: 1974-01-29.

Wrist rest capable of vertically storing up a keyboard

Номер патента: US6942407B2. Автор: Kuan-Nan Chou. Владелец: Behavior Technical Computer Corp. Дата публикации: 2005-09-13.

Meteorological equipment to support flight operations of vertical takeoff and landing aircraft

Номер патента: US20230271721A1. Автор: Manuela Sauer. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2023-08-31.

A process and system for automated online fouling prevention of vertical shell and tube gas-to-gas heat exchangers

Номер патента: AU2022218245A1. Автор: Shadi Saberi,Andreas Tsangaris,Douglas Michael Feasby,Thomas Edward Wagler,Xiaoping Zou,Marc Bacon,Scott Reid,Jonathan ENNS. Владелец: Omni Conversion Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Multi-compartment device for the treatment of vertical flow wastewater

Номер патента: WO2014114378A1. Автор: Alfredo ZUFIAUR FERNÁNDEZ DE BETOÑO. Владелец: Zufiaur Fernandez De Beto O Alfredo. Дата публикации: 2014-07-31.

Wall-climbing robot for measuring capacity of vertical metal tanks

Номер патента: US11906342B2. Автор: Yiping Wu,Haocai HUANG,Huadong HAO,Cunjun LI,Xianlei CHEN,Haolei SHI. Владелец: Zhoushan Institute Of Calibration And Testing For Quality And Technology Supervision. Дата публикации: 2024-02-20.

Reducing peak out-of-vertical loads in a wind turbine

Номер патента: EP4065837A1. Автор: Jacob Deleuran GRUNNET,Anders Steen NIELSEN,James Alexander NICHOLS. Владелец: Vestas Wind Systems AS. Дата публикации: 2022-10-05.

A process and system for automated online fouling prevention of vertical shell and tube gas-to-gas heat exchangers

Номер патента: US20240125568A1. Автор: Shadi Saberi,Andreas Tsangaris,Douglas Michael Feasby,Thomas Edward Wagler,Xiaoping Zou,Marc Bacon,Scott Reid,Jonathan ENNS. Владелец: Omni Conversion Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

A process and system for automated online fouling prevention of vertical shell and tube gas-to-gas heat exchangers

Номер патента: EP4288739A1. Автор: Shadi Saberi,Andreas Tsangaris,Douglas Michael Feasby,Thomas Edward Wagler,Xiaoping Zou,Marc Bacon,Scott Reid,Jonathan ENNS. Владелец: Omni Conversion Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-13.

System and method for implementing federated learning engine for integration of vertical and horizontal ai

Номер патента: EP4384942A1. Автор: Rajarshi Bhose,Siddhant Jain,Shahid Reza. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2024-06-19.

Reducing peak out-of-vertical loads in a wind turbine

Номер патента: US12000381B2. Автор: Jacob Deleuran GRUNNET,Anders Steen NIELSEN,James Alexander NICHOLS. Владелец: Vestas Wind Systems AS. Дата публикации: 2024-06-04.

System and method for correcting a model-derived vertical structure of ocean temperature and ocean salinity based on velocity observations

Номер патента: WO2014163953A1. Автор: Scott R. Smith,Gregg Arthur Jacobs,Robert W. Helber. Владелец: The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy. Дата публикации: 2014-10-09.

A facility for and method of take-in, storage and take-out containers or platforms, either loaded or unloaded, in multi-level vertical structures (sections) arranged as a line or as several parallel lines

Номер патента: CA2652635A1. Автор: Alex Likhterman,Aaron Burger,Moishe Burger,Yakov Likhterman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-23.

Inert anode aluminum electrolytic cell with vertical structure

Номер патента: AU2023312378A1. Автор: Xu Shi,Shengzhong BAO,Xinping Tang,Fangfang Zhang,Kaibin Chen,Yanhui Liu,Guanghui Hou,Lifen LUO,Huaijiang WANG. Владелец: Zhengzhou Non Ferrous Metals Res Institute Co Ltd Of Chalco. Дата публикации: 2024-07-18.

Independent self-climbing form system for building vertical structures

Номер патента: AU2024204671A1. Автор: Oliver MORK. Владелец: Om Eng Pty Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

System and method for correcting a model-derived vertical structure of ocean temperature and ocean salinity based on velocity observations

Номер патента: US09811614B2. Автор: Scott R. Smith,Gregg Arthur Jacobs,Robert W. Helber. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-11-07.

Method for production of polycation-based bioconjugates useful in delivery of various kinds of active substances into organism

Номер патента: RU2250782C2. Автор: Петер СЕГЕ. Владелец: Петер СЕГЕ. Дата публикации: 2005-04-27.

Free-standing vertical structures for displaying botanic media

Номер патента: WO2011019555A1. Автор: H. Gene Silverberg. Владелец: Sage Botanic Media Llc. Дата публикации: 2011-02-17.

General-purpose quickly removable anti-slippage boot covers for all kinds of summer and winter footwear, intended for use in health care establishments and on slippery surfaces, preventing falling of users

Номер патента: RU2664335C2. Автор: Леонид Николаевич Михайлов. Владелец: Леонид Николаевич Михайлов. Дата публикации: 2018-08-16.

Tableware for simultaneous cooking of different kinds of food in crockpots

Номер патента: RU2626708C2. Автор: Олег Александрович Волох. Владелец: Олег Александрович Волох. Дата публикации: 2017-07-31.

Vertical structure containing a movable frame and having the functions of a seat and/or a partition screen

Номер патента: CA2540803C. Автор: Maurizio Domolato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-23.

Carrier device for coupling different kinds of payload bodies

Номер патента: EP2379369A1. Автор: Hans Regnell,Jens Gustafsson,Christer Klasa. Владелец: VOLVO LASTVAGNAR AB. Дата публикации: 2011-10-26.

Battery apparatus for different kinds of notebook computers

Номер патента: US20070097614A1. Автор: Terry Chang,Mao-Chen Hsiao. Владелец: QUANTA COMPUTER INC. Дата публикации: 2007-05-03.

Synthetic resin usable for various purposes that contains different kinds of tiny particles each with a diameter of nanometers and method for manufacture of such a synthetic resin

Номер патента: US20080039553A1. Автор: Masataka Furui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-14.

Device and method for testing transparency effect of transparent display substrate using a reference object with two kinds of regions of different colors

Номер патента: US09818320B2. Автор: Xinli MA,Hangman LAI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Gas turbine combustor with two kinds of gas fuel supply systems

Номер патента: US09739488B2. Автор: Hiromi Koizumi,Tatsuya Sekiguchi,Akinori Hayashi. Владелец: Mitsubishi Hitachi Power Systems Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Game control device, system, and method of causing a user character to perform a desired motion among a plurality of kinds of motion

Номер патента: US09616332B2. Автор: Masaki Nakamura,Tatsuya Ishida,Yuji Fujishiro,Kei Masuda,Ippei Kondo. Владелец: Konami Digital Entertainment Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Cosmetic container capable of storing and discharging two kinds of contents

Номер патента: US09486056B2. Автор: Do Hoon LEE. Владелец: Pum Tech Korea Co ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of manufacturing new kind of fruit and berry beverage of increased biological and functional values

Номер патента: RU2621137C1. Автор: Татьяна Григорьевна Причко,Наталья Васильевна Дрофичева,Александра Андреевна Кудряшева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Северо-Кавказский зональный научно-исследовательский институт садоводства и виноградарства". Дата публикации: 2017-05-31.

Method and a device for allowing only a specific kind of hardware to correctly execute software

Номер патента: US20060070057A1. Автор: Hiroaki Sano,Makoto Hanawa,Momoto Watanabe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-30.

Cosmetic container assembly capable of simultaneously discharging multiple kinds of contents

Номер патента: US20220055054A1. Автор: Jae Kyung Lee,Yong Dae Lee. Владелец: Apollo Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

One kind of Live Bacteria Preparation of Bacillus Coagulans and Preparation Method thereof

Номер патента: US20200197450A1. Автор: Zhifeng Han. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-06-25.

Electronic equipment displaying various kinds of information available by wearing on body

Номер патента: US20160062481A1. Автор: Wataru Endo,Akira Yuki,Ayaka Ikejima,Masato Tanba. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2016-03-03.

Cosmetic container assembly capable of simultaneously discharging multiple kinds of contents

Номер патента: US11678732B2. Автор: Jae Kyung Lee,Yong Dae Lee. Владелец: Apollo Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-20.

Cosmetic container assembly capable of simultaneously discharging multiple kinds of contents

Номер патента: US20220104601A1. Автор: Jae Kyung Lee,Yong Dae Lee. Владелец: Apollo Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-07.

All kinds of printing materials be recorded in all kinds of recordable materials for sale

Номер патента: US20060098537A1. Автор: Henri Duong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-11.

Aspergillus oryzae strain producing mycelium including all kinds of essential amino acids

Номер патента: EP4435089A1. Автор: Florian Viton,Ja Young Lee,Kyung Chan Jeon,Hae Bom KIM,Ki Joo Jang. Владелец: CJ CHEILJEDANG CORP. Дата публикации: 2024-09-25.

System for recovering multiple kinds of ions

Номер патента: US09919937B2. Автор: Jung Ho Ryu,In Su Park,Hye Jin Hong,Tae Gong Ryu,Byoung Gyu Kim,Kang Sup Chung. Владелец: Korea Institute of Geoscience and Mineral Resources KIGAM. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for manufacturing multi-functional bio-material conjugate using two kinds of particle, and multi-functional bio-material conjugate manufactured by means of same

Номер патента: US09880162B2. Автор: Min-Gon Kim,Hyou-Arm Joung,Ju Young BYUN,Yun Ju Sung,Young-Kyoung Oh. Владелец: Korea Research Institute of Bioscience and Biotechnology KRIBB. Дата публикации: 2018-01-30.

GeXP detection kits for identification of 11 kinds of duck virus diseases

Номер патента: US09637801B2. Автор: Yanfang Zhang,Qing Fan,Zhixun Xie,Liji Xie,Jiabo LIU,Sisi Luo,Xianwen Deng,Zhiqin Xie,Yaoshan Pang. Владелец: Guangxi Veterinary Research Institute. Дата публикации: 2017-05-02.

Device and method for adhering different kinds of materials

Номер патента: US09623517B2. Автор: Hyunwoo Lee,Sung Phil Ryu. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2017-04-18.

Independent self-climbing form system for building vertical structures

Номер патента: EP4065794A1. Автор: Oliver MORK. Владелец: OM Engineering Pty Ltd. Дата публикации: 2022-10-05.

System and method for correcting a model-derived vertical structure of ocean temperature and ocean salinity based on sea surface height observations

Номер патента: US10268783B2. Автор: Scott R. Smith,Gregg Arthur Jacobs,Robert W. Helber. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2019-04-23.

Independent self-climbing form system for building vertical structures

Номер патента: CA3159823A1. Автор: Oliver MORK. Владелец: OM Engineering Pty Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

System and method for correcting a model-derived vertical structure of ocean temperature and ocean salinity based on sea surface height observations

Номер патента: US20160117423A1. Автор: Scott R. Smith,Gregg Arthur Jacobs,Robert W. Helber. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2016-04-28.

Photoacid generator containing two kinds of sulfonium salt compound, chemically amplified resist containing the same and pattern transfer method

Номер патента: US20020182535A1. Автор: Shigeyuki Iwasa,Etsuo Hasegawa,Katsumi Maeda,Kaichiro Nakano. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Pump-type cosmetic container having structure for discharging different kinds of contents and method for manufacturing the same

Номер патента: US09517482B2. Автор: Sung-Hwan Kim,Hak-Chan Kim,Shin-Bok Jung. Владелец: Yonwoo Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Golf club that can be tailored to user using various kinds of blocks

Номер патента: US20180290031A1. Автор: Myoung-Goo KIM. Владелец: BLOCKGOLF. Дата публикации: 2018-10-11.

Application system serving to animate any kinds of object and game characters on the display

Номер патента: WO2018212737A3. Автор: Raşit AKAR. Владелец: Akalli Oyuncak Ve Plasti̇k İthalat İhracaat Sanayi̇ Ti̇caret Li̇mi̇ted Şi̇rketi̇. Дата публикации: 2019-02-21.

Application system serving to animate any kinds of object and game characters on the display

Номер патента: WO2018212737A2. Автор: Raşit AKAR. Владелец: Akalli Oyuncak Ve Plasti̇k İthalat İhracaat Sanayi̇ Ti̇caret Li̇mi̇ted Şi̇rketi̇. Дата публикации: 2018-11-22.

Transposone-based new kind of genetic marker

Номер патента: RU2279482C2. Автор: Тома БЮРО,Руйинг ЧАНГ,Бенуа ЛЭНДРИ,Луиз Стефани О`ДОНАХЬЮ. Владелец: Дна Лэндмаркс Инк.. Дата публикации: 2006-07-10.

Method of training and testing sportsmen in game kinds of sports

Номер патента: RU2690570C1. Автор: Владимир Евгеньевич Афоньшин,Игорь Евгеньевич Коновалов,Юрий Семенович Андрианов,Денис Юрьевич Андрианов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Поволжский государственный технологический университет". Дата публикации: 2019-06-04.

Method for raising of cadus morhua kind of codfish in coastal regions of western and eastern murman

Номер патента: RU2297138C2. Автор: Валентина Сергеевна Анохина,Юрий Викторович Колечкин. Владелец: ФГУП Полярный научно-исследовательский институт морского рыбного хозяйства и океанографии им. Н.М. Книповича (ФГУП ПИНРО). Дата публикации: 2007-04-20.

PROCEDURE FOR PRELIMINARY PURIFICATION OF CRUDE FOR PRODUCTION OF AT LEAST TWO KINDS OF OIL Pa, Pb NOT CONTAINING PYROBITUMEN AND ONE KIND OF OIL Pc CONTAINING PYROBITUMEN

Номер патента: RU2394875C2. Автор: Эрик ЛЕНГЛЕ. Владелец: Энститю Франсэ Дю Петроль. Дата публикации: 2010-07-20.

Grinding elements of a grinding mill, especially for a production of special kinds of papers and cardboard

Номер патента: CA1116453A. Автор: Rudolf Kmeco,Jaroslav Varhanicek,Jiri Muller. Владелец: PAPCEL STROJIRNY PRO PRDMYSL CELULOSY A PAPIRU NARODNI PODNIK. Дата публикации: 1982-01-19.

Liquid Ejection Head Having Plurality of Sets of Rows of Pressure Chambers, and Capable of Avoiding Mixture of Different Kinds of Liquid

Номер патента: US20200079081A1. Автор: Taisuke Mizuno. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2020-03-12.

Method for detecting a target nucleic acid by using an interaction of two kinds of reagents

Номер патента: US5705346A. Автор: Tadashi Okamoto,Nobuko Yamamoto,Masahiro Kawaguchi,Akira Murakami,Keisuke Makino,Yoshinori Tomida. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1998-01-06.

Independent pocket for incorporating into any kind of clothing

Номер патента: US4602390A. Автор: Ignacio G. Morera,Francisco T. Antunano. Владелец: Individual. Дата публикации: 1986-07-29.

Method and apparatus for determining fertilizer thrower adjustment parameters for providing required throwing width and amounts of fertilizer to be thrown depending on kind of fertilizer, method for adjustment of fertilizer thrower dosing devices mounted above throwing units, and fertilizer thrower

Номер патента: RU2104629C1. Автор: Бернд ШОЙФЛЕР. Владелец: Амазонен-Верке Х.Драйер ГмбХ унд Ко. КГ. Дата публикации: 1998-02-20.

Multidisk player including a display that indicates titles and kinds of disks within the player

Номер патента: US5228021A. Автор: Hitoshi Sato,Kenji Kaneko,Toshiyuki Kimura,Junichi Nishida,Kiyoshi Furukawa,Fumio Endo,Akira Hayama. Владелец: Pioneer Electronic Corp. Дата публикации: 1993-07-13.

Method for simultaneously calcining first kind of pulverized materials containing combustible compounds and second kind of pulverized materials

Номер патента: US4135876A. Автор: Mitsuo Nagaoka,Tsuneo Kobayashi,Norio Nakamura,Satoshi Tominaga. Владелец: IHI Corp. Дата публикации: 1979-01-23.

Apparatus and method for determining kind of steel material

Номер патента: CA2775288C. Автор: Kenji Fujiwara,Masami Ikeda,Kazuhiro Uchida,Makoto Sakamoto,Takeo Nakata. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2014-12-02.

Apparatus and method for determining kind of steel material

Номер патента: CA2775304C. Автор: Kenji Fujiwara,Masami Ikeda,Kazuhiro Uchida,Makoto Sakamoto,Takeo Nakata. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2014-11-25.

Automatic performance apparatus for causing different kinds of sound sources to synchronously generate tones

Номер патента: US5189238A. Автор: Tokuji Hayakawa. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 1993-02-23.

Control circuit for designating paper feed opening to which optimum kind of copy sheet is to be set in image forming apparatus

Номер патента: US5153641A. Автор: Kenichi Takahashi. Владелец: Minolta Co Ltd. Дата публикации: 1992-10-06.

Promoting agents of the activity of some antitumor agents against various kinds of tumor cells including multiple drug resistant tumor cells andtheir synthetic methods

Номер патента: CA1309717C. Автор: Makoto Inaba,Fujio Iinuma,Hirotaka Shinoda. Владелец: Kyorin Pharmaceutical Co Ltd. Дата публикации: 1992-11-03.

Lifting and lowering mechanism for all kinds of worktables

Номер патента: CA1275433C. Автор: Rolf Guttormsen. Владелец: A/S SABA MEDICAL. Дата публикации: 1990-10-23.

Fluid container unit and method for injecting different kinds of fluids into fluid usage equipment

Номер патента: CA2740768A1. Автор: Ryo Inoue,Yoshiyuki Sato,Suguru Nishio,Kojiro Kotani,Takayoshi Iwanami. Владелец: Saraya Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-02.

Speech recognition method and apparatus for recognizing phonemes using a plurality of speech analyzing and recognizing methods for each kind of phoneme

Номер патента: US5893058A. Автор: Tetsuo Kosaka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1999-04-06.

Machine for the automatic manufacture of mixtures of different kinds of caoutchouc intended to form part of a filler mixture

Номер патента: CA1092544A. Автор: Gaetano Di Rosa. Владелец: Fata -Fabbrica Apparecchi Di Sollevamento E Trasporto Ed Affini Sp A. Дата публикации: 1980-12-30.

Fluid container unit and method for injecting different kinds of fluids into fluid usage equipment

Номер патента: CA2740768C. Автор: Ryo Inoue,Yoshiyuki Sato,Suguru Nishio,Kojiro Kotani,Takayoshi Iwanami. Владелец: Saraya Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-05.

System for discriminating kinds of surges on power transmission lines

Номер патента: US5508619A. Автор: Masaaki Ozawa,Sakari Ohira. Владелец: Kyokuto Boeki Kaisha Ltd. Дата публикации: 1996-04-16.

Structure for prevention of mixing of different kinds of oils for oil-feeding couplings

Номер патента: US4444419A. Автор: Sozaburo Maeshiba. Владелец: Individual. Дата публикации: 1984-04-24.

Temperature rise controllable anechoic sound absorber using two different kinds of scattering particle and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170345405A1. Автор: Yong Tae Kim,Bong Young Ahn. Владелец: Korea Research Institute of Standards and Science KRISS. Дата публикации: 2017-11-30.

Apparatus and method for managing a plurality of kinds of storage devices

Номер патента: US20110252354A1. Автор: Yasuyuki Mimatsu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-10-13.

Intelligent analysis system applied to ethology of various kinds of high-density minimal polypides

Номер патента: US20230401896A1. Автор: Chen Fang,Jie Su,Jianping Zhang,Jiamin GU. Владелец: Shihezi University. Дата публикации: 2023-12-14.

System for applying at least two kinds of liquid onto respective targeted areas of a substrate and method therefor

Номер патента: EP3609364A1. Автор: Gaurav Agarwal,Hiroyuki Ogata. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2020-02-19.

System for applying at least two kinds of liquid onto respective targeted areas of a substrate and method therefor

Номер патента: US20200015573A1. Автор: Gaurav Agarwal,Hiroyuki Ogata. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2020-01-16.

One kind of man-made ski resort transportation system and transportation method

Номер патента: EP3895090A1. Автор: Pierre-Nicolas-Jean BOJARSKI. Владелец: Claydon Group Ltd. Дата публикации: 2021-10-20.

One kind of man-made ski resort transportation system and transportation method

Номер патента: WO2020119520A1. Автор: Pierre-Nicolas-Jean BOJARSKI. Владелец: CLAYDON GROUP LIMITED. Дата публикации: 2020-06-18.

Method for joining different kinds of metal materials

Номер патента: US20240017345A1. Автор: Hiroshi Adachi,Makoto Aoyama,Katsuhiro Nagasawa,Shuhei Ogura,Tomohiko Sekiguchi,Shotaro Kurokawa,Daisuke Yanagibashi,Keiichirou INAGAKI. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Pharmaceutical activity and manufacturing method of the compound recipe product of 4 kinds of plants to increase testosterone

Номер патента: US20050142221A1. Автор: Wei Jiang,Jiao Gong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-30.

Fluorescence immunochromatographic kit for simultaneous detection of four kinds of nitrofuran metabolites, preparation method and application thereof

Номер патента: NL2028742B1. Автор: WANG Hong,Lin Hong,Gao Xue,LI Jianrong,Guo Xiaohua,Li Xuepeng,Yu Jianyang,Cheng Yuanyuan,Liu Xiuying,Lao Minjun,Tang Yiwei. Владелец: Univ Bohai. Дата публикации: 2022-04-08.

Apparatus and method for managing a plurality of kinds of storage devices

Номер патента: US20080098106A1. Автор: Yasuyuki Mimatsu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2008-04-24.

Intelligent analysis system applied to ethology of various kinds of high-density minimal polypides

Номер патента: US11967182B2. Автор: Chen Fang,Jie Su,Jianping Zhang,Jiamin GU. Владелец: Shihezi University. Дата публикации: 2024-04-23.

Method and a device for allowing only a specific kind of hardware to correctly execute software

Номер патента: US7451491B2. Автор: Hiroaki Sano,Makoto Hanawa,Momoto Watanabe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-11.

Device with protection net and assembly procedure suitable as barrier for all kinds of building openings

Номер патента: EP2182160A3. Автор: Andrea Luisa GRUN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-19.

Airless type mixing container for two kinds of contents capable of discharging all contents

Номер патента: US20210276785A1. Автор: Kam Sub SONG. Владелец: TAESUNG INDUSTRIAL CO Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Apparatus and method for validating various kinds of data and digital twin operation

Номер патента: US20240078218A1. Автор: Yong Tae Lee,Young Soo Park,Eui Suk JUNG,Myung-Sun Baek. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-03-07.

Solid surface materials based on reaction mixtures with two kind of blowing agents

Номер патента: WO2024079004A1. Автор: Fernando SIMON GUERRERO,Ernesto MONTON. Владелец: Arcesso Dynamics S.L.. Дата публикации: 2024-04-18.

Fluorescence triple-correlation spectroscopy system for analyzing interaction between three kinds of molecules

Номер патента: US11530988B1. Автор: Jicun REN,Chaoqing DONG. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2022-12-20.

Solid surface materials based on reaction mixtures with two kind of blowing agents

Номер патента: EP4375307A1. Автор: Fernando SIMON GUERRERO,Ernesto MONTON. Владелец: Arcesso Dynamics SL. Дата публикации: 2024-05-29.

Fluorescence triple-correlation spectroscopy system for analyzing interaction between three kinds of molecules

Номер патента: US20220381690A1. Автор: Jicun REN,Chaoqing DONG. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2022-12-01.

A kind of gallium nitride based sensor of integrated peripheral circuit and preparation method thereof

Номер патента: CN108682734B. Автор: 李斌,卢星. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2019-04-26.

A kind of fault handling system and unit structure of doubly-fed wind turbine generator

Номер патента: AU2020101819A4. Автор: Yu Ge,Junli Zhang,Ruju Fang,Guanzhong Hu,Geli Zhang. Владелец: Xuchang University. Дата публикации: 2020-09-24.

A kind of preparation method of gallium nitride/aluminium oxide nano composite corrosion proof coating

Номер патента: CN108893727A. Автор: 郭锐,刘勇,王楠,熊志华,罗岚,徐福民. Владелец: Nanchang University. Дата публикации: 2018-11-27.

A kind of light-translucent artificial leatherette and a preparation method therefor, a kind of composite leatherette and an automotive interior

Номер патента: CA3170549A1. Автор: HAO CHENG,Qiang Guo,Jianhong Liu,Weifeng SONG. Владелец: Canadian General Tower Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Preparation method of gallium nitride nanopowder by thermal plasma jet and the gallium nitride nanopowder thereby

Номер патента: KR101722044B1. Автор: 김태희,박동화. Владелец: 인하대학교 산학협력단. Дата публикации: 2017-04-03.

Growing method of gallium nitride single crystal and gallium nitride single crystal

Номер патента: CN1938457B. Автор: 岩井真,今井克宏,今枝美能留. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2011-11-30.

A Kind of Dendrobium Planting Net Bag

Номер патента: AU2020104374A4. Автор: Juan Zhao,Yijun FAN,Aoxue LUO,Kaigang Yang,Xueyan TAN,Shengdi WU. Владелец: Sichuan Agricultural University. Дата публикации: 2021-03-18.

Growing method of gallium nitride based on hexagonal boron nitride and magnetron sputtering aluminium nitride

Номер патента: CN105861987B. Автор: 张金,陈智斌,郝跃,宁静,张进成,庞凯,吕佳骐,朱家铎,许晟瑞,林志宇. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2019-02-19.

A kind of round tube extension ladder

Номер патента: GB201120003D0. Автор: . Владелец: ZHOU KEHAI. Дата публикации: 2012-01-04.

Large gallium nitride monocrystals for cathodoluminescence - obtd. by reaction of gallium chloride and ammonia in vapour phase

Номер патента: FR2304400A1. Автор: Guy Jacob,Jean Hallais. Владелец: Radiotechnique Compelec RTC SA. Дата публикации: 1976-10-15.

The technique of separating Ge gallium in a kind of gallium material from germanium

Номер патента: CN108486390A. Автор: 陈世民,周再明. Владелец: Hunan Tengchi Environmental Protection & Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-04.

A Kind of Holding the Hoop Reinforcement Frame

Номер патента: NL2033976B1. Автор: Lu Xiaohui,Peng Lei,Zhang Geping,Wang Hengwei,Lu Shujian,Han Dandan. Владелец: China Railway Seventh Eng Bureau Group Guangzhou Eng Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

A kind of noise reduction barrier consisting of multiple cavities and porous sound-absorbing materials

Номер патента: LU102185B1. Автор: Wei Jia,Xianchao Liang. Владелец: Jinling Inst Technology. Дата публикации: 2021-05-12.

A kind of light-transparent fabric, artificial leather and automotive interior

Номер патента: CA3170559A1. Автор: Weifeng SONG,Dongqing YU. Владелец: Canadian General Tower Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

A kind of anti-theft system detecting high magnetic fields in stores

Номер патента: WO2021061080A8. Автор: Haci ÇALIŞKAN. Владелец: Caliskan Haci. Дата публикации: 2022-06-09.

Gallium precursors for deposition of gallium-containing oxide films

Номер патента: US20240287675A1. Автор: Julien Gatineau,Ziyun Wang,Yumin Liu,Bo Peng. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-08-29.

Extraction of gallium and/or arsenic from gallium arsenide

Номер патента: US09611521B2. Автор: Michael R. Sievers. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2017-04-04.

Growing method of gallium nitride based on magnetron sputtering aluminium nitride on graphene

Номер патента: CN105734530B. Автор: 陈智斌,郝跃,张进成,吕佳骐. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2018-05-25.

A kind of tinplate cylindrical can screen process printing technology

Номер патента: US20130340636A1. Автор: Hongzhong LIN. Владелец: DONGGUAN RENAULTIN METAL PRODUCTS CO Ltd. Дата публикации: 2013-12-26.

Structure of gallium nitride based light-emitting diode with 3D (Three-Dimensional) vertical structure

Номер патента: CN102969418A. Автор: 刘志强,张扬,杨华,王军喜,李晋闽,王国宏,李璟,伊晓燕,谢海忠. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2013-03-13.

A kind of geometric construction method for drawing the vertical sighting distance envelope of vertical sag curve

Номер патента: CN104850701B. Автор: 王海燕,闫正,徐真真,朱彬,田珂,崔文博,杨文哲,娄中波,曹高尚,宋瀛,陶学谦,苑中丹,张李明. Владелец: Tianjin Municipal Engineering Design and Research Institute. Дата публикации: 2017-11-17.

A kind of unmanned measurement apparatus of the underground space for the exploration of vertical pipe well

Номер патента: CN206830165U. Автор: 刘美君. Владелец: Qingyuan Starter Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Ultrafine gallium nitride powder preparation method

Номер патента: RU2319667C1. Автор: Александр Александрович Громов,Александр Андреевич Дитц,Юли Игоревна Строкова,Юлия Игоревна Строкова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский политехнический университет. Дата публикации: 2008-03-20.

Method of obtaining gallium nitride

Номер патента: RU2516404C2. Автор: Александр Петрович Амосов,Юрий Михайлович Марков,Георгий Владимирович Бичуров,Людмила Александровна Шиганова,Дамир Ленарович Тазиев,Юлия Владимировна Титова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Самарский государственный технический университет". Дата публикации: 2014-05-20.

Method for diagnostics of kind of aero-elastic vibrations of working blades of axial turbo-machine

Номер патента: RU2402751C1. Автор: Анатолий Алексеевич Хориков. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный институт авиационного моторостроения имени П.И. Баранова". Дата публикации: 2010-10-27.

A Kind of Delivery Molecule and Nanoparticle, its Preparation Method, and the Use

Номер патента: AU2020101588A4. Автор: BO LIU,Junwei Li,Qingxia MA. Владелец: Qingdao Agricultural University. Дата публикации: 2020-09-10.

A kind of space concept where food and drink service is provided.

Номер патента: WO2021071458A2. Автор: Aziz KESGİN. Владелец: Kesgin Aziz. Дата публикации: 2021-04-15.

Substrate for growing epitaxial layers of gallium arsenide

Номер патента: RU2489533C1. Автор: Юрий Шарапутдинович Темиров,Сабир Абенович Айтхожин,Камил Сайпуевич Щамхалов. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН. Дата публикации: 2013-08-10.

METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE WAFER

Номер патента: US20120003824A1. Автор: Lee Ho-jun,KIM Yong-Jin,Lee Dong-Kun,Kim Doo-Soo,Lee Kye-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of gallium oxide production

Номер патента: RU2354611C1. Автор: Георгий Георгиевич Кознов,Елена Евгеньевна Кознова,Елена Георгиевна Кознова. Владелец: Елена Георгиевна Кознова. Дата публикации: 2009-05-10.

Process of control over composition of gallium-containing zeolite catalyst for aromatization of hydrocarbons c3- c4

Номер патента: RU2043626C1. Автор: Ю.И. Малов,Б.Л. Воробьев,Ю.Н. Кошелев,Е.П. Хворова,А.А. Харченко. Владелец: Товарищество с ограниченной ответственностью Научно-производственное объединение "Ленар". Дата публикации: 1995-09-10.

Method of obtaining big-volume monocrystals of gallium antimonide with low dislocation density

Номер патента: RU2534106C1. Автор: Вадим Сергеевич Ежлов,Алла Георгиевна Мильвидская,Елена Владимировна Молодцова. Владелец: Открытое акционерное общество "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности ОАО "Гиредмет". Дата публикации: 2014-11-27.

High-voltage gallium nitride high-electron mobility transistor

Номер патента: RU2534002C1. Автор: Николай Иванович Каргин,Роман Валериевич Рыжук,Руслан Иванович Иванов,Павел Игоревич Блинов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2014-11-27.

Process for extraction of gallium from sodium

Номер патента: CA1054801A. Автор: Boris A. Smirnov,Askar M. Kunaev,Igor V. Prokopov,Salavat I. Turakbaev,Turar B. Tursunbaev,Viktor N. Vasiliev,Elizaveta I. Ponomareva,Tatyana D. Ostapenko,Galina A. Ivanova,Evgeny N. Bespalov,Viktor D. Ponomarev,Gennady A. Romanov,Boris S. Povazhny,Elena L. Shalavina,Arkady I. Zazubin. Владелец: PAVLODARSKY ALJUMINIEVY ZAVOD IMENI 50-LETIA SSSR. Дата публикации: 1979-05-22.

Recovery of gallium oxide from solutions

Номер патента: CA1042628A. Автор: Harry C. Snyder (Jr.). Владелец: Aluminum Company Of America. Дата публикации: 1978-11-21.

Method for local nanocrystallisation of gallium-containing oxide glass

Номер патента: RU2550622C1. Автор: Владимир Николаевич Сигаев,Алексей Сергеевич Липатьев,Николай Михайлович Лепехин,Юрий Степанович Присеко,Сергей Викторович Лотарев,Никита Владиславович Голубев,Елена Сергеевна Игнатьева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский химико-технологический университет им. Д.И. Менделеева (РХТУ им. Д.И. Менделеева). Дата публикации: 2015-05-10.

Method for desorption of gallium

Номер патента: RU2091161C1. Автор: Юрий Александрович Фомичев,Ольга Павловна Полякова,Александр Юрьевич Скворцов. Владелец: Николаевский глиноземный завод. Дата публикации: 1997-09-27.

Method for chemicodynamic treatment of gallium arsenide wafers

Номер патента: RU2045108C1. Автор: В.П. Гаранин,В.Г. Гарипов,Н.И. Шмелев. Владелец: Научно-исследовательский институт молекулярной электроники. Дата публикации: 1995-09-27.

Substrate for growing epitaxial layers of gallium arsenide

Номер патента: RU2209260C2. Автор: С.А. Айтхожин. Владелец: Институт радиотехники и электроники РАН (Фрязинское отделение). Дата публикации: 2003-07-27.

Method for Purification of Gallium from Impurities

Номер патента: GEP19981363B. Автор: David Tsivtsivadze,Batu Kutelia,Elgudja Kutelia,Paata Kervalishvili. Владелец: Elgudja Kutelia. Дата публикации: 1998-08-25.

Structural row of vertical electrically driven oil pumps

Номер патента: RU2472039C1. Автор: Сергей Георгиевич Валюхов,Алексей Иванович Житенёв,Сергей Вячеславович Житенёв,Сергей Владимирович Печкуров,Николай Павлович Селиванов. Владелец: Закрытое Акционерное Общество Научно-Производственное Объединение "Тэн". Дата публикации: 2013-01-10.

Method to determine coefficient of vertical diffusion of emissions of industrial enterprises in atmospheric boundary layer

Номер патента: RU2570392C2. Автор: Надежда Кирилловна Рыжакова,Елена Александровна Покровская. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2015-12-10.

Method of formation of vertically oriented vine trunk on total area of its plantation (version of russian logic)

Номер патента: RU2537328C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2015-01-10.

Method to lay concrete behind tubbing lining of vertical mine and complex of equipment for realisation of method

Номер патента: RU2514338C1. Автор: Александр Александрович Кисель. Владелец: Александр Александрович Кисель. Дата публикации: 2014-04-27.

Device for repair of vertical wall of steel scroll tank

Номер патента: RU2553804C1. Автор: Анатолий Евгеньевич Курышев. Владелец: Акционерное общество "Институт по проектированию магистральных трубопроводов". Дата публикации: 2015-06-20.

Device for attachment of vertical antenna to mast

Номер патента: RU2582905C1. Автор: Сергей Николаевич Ревнев,Дмитрий Иванович Юдин,Михаил Анатольевич Донских. Владелец: Открытое акционерное общество научно-внедренческое предприятие "ПРОТЕК". Дата публикации: 2016-04-27.

Method of determining value and direction of roll of vertical cylindrical reservoir

Номер патента: RU2597958C2. Автор: Андрей Викторович Иванов,Владимир Адольфович Середович,Александр Владимирович Середович,Галина Николаевна Ткачева. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет геосистем и технологий " (ФГБОУ ВО "СГУГИТ"). Дата публикации: 2016-09-20.

Method of determining value and direction of deviation of external outline of bottom of vertical cylindrical reservoir from horizontal line

Номер патента: RU2590342C1. Автор: Андрей Викторович Иванов,Владимир Адольфович Середович,Александр Владимирович Середович,Галина Николаевна Ткачева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет геосистем и технологий" (СГУГиТ). Дата публикации: 2016-07-10.

Method of ornamental decoration of vertically oriented supports by means of woody plants with instable stem (version of russian logic - version 1)

Номер патента: RU2533123C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2014-11-20.

Method of growing gallium nitride film

Номер патента: RU2578870C2. Автор: Наталия Владимировна Садовская,Юрий Яковлевич Томашпольский,Владимир Михайлович Матюк. Владелец: Открытое акционерное общество "Ордена Трудового Красного Знамени Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (ОАО "НИФХИ им. Л.Я. Карпова"). Дата публикации: 2016-03-27.

Automated calibration plant of linear movements and method for improving accuracy of vertical plants for metrological qualification of two level gauges simultaneously

Номер патента: RU2495384C1. Автор: Александр Сергеевич Галкин,Андрей Иванович Лакеев,Наиль Явдатович Мустаев,Евгений Моисеевич Равикович,Иван Михайлович Быстров. Владелец: Закрытое акционерное общество "НТФ НОВИНТЕХ". Дата публикации: 2013-10-10.

"carousel" antenna of circular radiation of vertical polarisation

Номер патента: RU2356137C1. Автор: Владимир Иванович Милкин,Сергей Александрович Демиденко. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "МУРМАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ФГОУ ВПО "МГТУ"). Дата публикации: 2009-05-20.

Method of vertical landscaping light openings and walls of residential and administrative buildings and device therefor

Номер патента: RU2576927C1. Автор: Владимир Степанович Григорьев. Владелец: Владимир Степанович Григорьев. Дата публикации: 2016-03-10.

Drive of vertical rotary plants

Номер патента: RU2275243C1. Автор: Владимир Иванович Бородавко,Эдуард Леонидович Бороха,Владимир Васильевич Воробьёв,Анатолий Викторович Горобец,Григорий Михайлович Лускин. Владелец: Научно-производственное республиканское унитарное предприятие "НПО "Центр". Дата публикации: 2006-04-27.

Lining of smoke flue of vertical multichamber radiant-convective furnace

Номер патента: RU2246087C1. Автор: В.Е. Гельфенбейн,Ю.Л. Журавлев,тин С.Р. Зам,С.Р. Замятин,А.В. Малышкин. Владелец: Закрытое акционерное общество "Опытный завод огнеупоров". Дата публикации: 2005-02-10.

Method for correction of vertical position of buildings and structures on panel-wall foundation

Номер патента: RU2352723C1. Автор: Леонид Викторович Нуждин,Матвей Леонидович Нуждин. Владелец: Матвей Леонидович Нуждин. Дата публикации: 2009-04-20.

Electric arc welding process of vertical seam by up-down method with use of coated electrode

Номер патента: RU2288821C2. Автор: Андрей Александрович Морозов,Виталий Сергеевич Милютин,Алексей Владимирович Дмитриенко. Владелец: ЗАО "Уралтермосвар". Дата публикации: 2006-12-10.

Device for definition of vertical and radial force of seeds growth

Номер патента: RU2374811C1. Автор: Виктор Андреевич Савельев. Владелец: ФГОУ ВПО Курганская государственная сельскохозяйственная академия имени Т.С. Мальцева. Дата публикации: 2009-12-10.

Long length load-bearing structural element of vertical column type from polymeric composition material

Номер патента: RU2529206C1. Автор: Владимир Александрович Нелюб,Алексей Сергеевич Бородулин,Иван Андреевич Буянов,Илья Владимирович Чуднов,Наталья Сергеевна Кириллова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (МГТУ им. Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2014-09-27.

Method for treating the cases of vertical fracture-dislocations of animal pelvic ring

Номер патента: RU2259177C1. Автор: В.В. Краснов,К.П. Кирсанов,гина О.В. Дюр,О.В. Дюрягина. Владелец: Государственное учреждение Российский научный центр "Восстановительная травматология и ортопедия" им. акад. Г.А. Илизарова. Дата публикации: 2005-08-27.

Device for perfecting performances of vertical steel tanks

Номер патента: RU2500486C1. Автор: Юрий Дмитриевич Земенков,Роман Евгеньевич Левитин,Владимир Олегович Некрасов,Иван Витальевич Тырылгин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тюменский государственный нефтегазовый университет" (ТюмГНГУ). Дата публикации: 2013-12-10.

Method of isolating signal caused by influence of vertical component of terrestrial magnetic field in ship onboard magnetic field multi-transducer control system

Номер патента: RU2466903C2. Автор: Владимир Александрович Быстров,Александр Леонидович Пермяков,Владимир Александрович Быстров (RU),Александр Леонидович Пермяков (RU). Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт имени академика А.Н. Крылова" (ФГУП "ЦНИИ им. акад. А.Н. Крылова"). Дата публикации: 2012-11-20.

Flying wing of vertical take off and landing (fwvtl)

Номер патента: RU2364551C2. Автор: Юрий Иванович Безруков. Владелец: Юрий Иванович Безруков. Дата публикации: 2009-08-20.

Packing of vertical direct-flow reactor

Номер патента: RU2195364C1. Автор: С.В. Жестков,В.М. Косырев. Владелец: Косырев Владимир Михайлович. Дата публикации: 2002-12-27.

Universal spindle of drive unit of vertical rolls

Номер патента: RU2222391C2. Автор: В.С. Смирнов,В.М. Медведев,В.Д. Плахтин,В.Ф. Модеев,С.В. Ильин. Владелец: Открытое акционерное общество "Северсталь". Дата публикации: 2004-01-27.

Tubing ring for attachment of vertical shafts of mine workings

Номер патента: RU2436959C2. Автор: Игорь Иванович Васильев. Владелец: ОАО "Днепротяжмаш". Дата публикации: 2011-12-20.

Method decorative arrangement of vertically oriented supports by means of woody flowering plants with unstable stalk (version of russian logic)

Номер патента: RU2535390C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2014-12-10.

Method for provision of even distribution of vertical stress in bearing walls of multistory building with slab-pile foundation

Номер патента: RU2386756C1. Автор: Геннадий Исаакович Шапиро,Роман Васильевич Юрьев. Владелец: Государственное унитарное предприятие города Москвы "Московский научно-исследовательский и проектный институт типологии, экспериментального проектирования" (ГУП МНИИТЭП). Дата публикации: 2010-04-20.

Method of determining deviation of edges walls of vertical cylindrical reservoir from vertical

Номер патента: RU2572502C1. Автор: Андрей Викторович Иванов,Владимир Адольфович Середович,Александр Владимирович Середович,Галина Николаевна Ткачева. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет геосистем и технологий "(ФГБОУ ВО "СГУГИТ"). Дата публикации: 2016-01-10.

Design of vertical inclination of surgical table of yui rusanov's computed-assisted diagnostic and surgical, and resuscitation robotic system

Номер патента: RU2492845C1. Автор: Юрий Иванович Русанов. Владелец: Юрий Иванович Русанов. Дата публикации: 2013-09-20.

Set of devices for selection of vertical soil monoliths

Номер патента: RU2505792C1. Автор: Анатолий Алексеевич Ксензов,Жанна Анатольевна Архипова. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт сельскохозяйственного использования мелиорированных земель Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ ВНИИМЗ Россельхозакадемии). Дата публикации: 2014-01-27.

Device for cleaning inner surface of vertical garbage chutes

Номер патента: RU2447956C1. Автор: Николай Александрович Макаровец,Александр Михайлович Евсеев,Сергей Владимирович Северьянов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Конструкторское бюро точного приборостроения". Дата публикации: 2012-04-20.

Method for remote definition of vertical component of magnetic induction of rocks in ancient epochs particularly to paleomagnetism

Номер патента: RU2303799C1. Автор: Виль Сайдельевич Якупов,Мансур Вильевич Якупов,Сергей Вильевич Якупов,Виль Сайдельевич Якупов (RU),Мансур Вильевич Якупов (RU),Сергей Вильевич Якупов (RU). Владелец: Институт космофизических исследований и аэрономии СО РАН. Дата публикации: 2007-07-27.

Method for external heating of vertical cylindrical thin-wall vessel from below

Номер патента: RU2457637C1. Автор: Геннадий Дмитриевич Лузгин,Василий Борисович Моисеев,Виталий Вадимович Голубовский,Юрий Степанович Почивалов,Александр Дмитриевич Нелюдов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пензенская государственная технологическая академия". Дата публикации: 2012-07-27.

Multi-seater vessel launcher of vertical launch

Номер патента: RU2374591C1. Автор: Владимир Федорович Потапов,Алексей Васильевич Рассадин,Василий Максимович Бородин,Борис Петрович Игнатьев,Юрий Игоревич Шубников. Владелец: Открытое акционерное общество "Конструкторское бюро специального машиностроения". Дата публикации: 2009-11-27.

Modular support of vertical shaft

Номер патента: RU2474693C1. Автор: Владимир Иванович Голик,Станислав Александрович Масленников,Сергей Георгиевич Страданченко,Альберт Юрьевич Прокопов,Карина Эдуардовна Ткачева. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт)". Дата публикации: 2013-02-10.

Method for erection of vertical drain

Номер патента: RU2483162C1. Автор: Владимир Иванович Сметанин,Виктор Владимирович Пчелкин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет природообустройства". Дата публикации: 2013-05-27.

Method for erection of vertical drain

Номер патента: RU2415998C1. Автор: Владимир Иванович Сметанин,Виктор Владимирович Пчелкин. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет природообустройства" (МГУП). Дата публикации: 2011-04-10.

Method of conversion of vertical take-off and landing aircraft

Номер патента: RU2549429C1. Автор: Владимир Александрович Павлов,Виталий Владимирович Павлов,Азат Марселович Гирфанов. Владелец: Виталий Владимирович Павлов. Дата публикации: 2015-04-27.

Method for fishing in process of vertical fish migration

Номер патента: RU2480985C1. Автор: Сергей Алексеевич Бахарев. Владелец: Сергей Алексеевич Бахарев. Дата публикации: 2013-05-10.

Device of vertical design

Номер патента: RU2589239C1. Автор: Сергей Иванович Чекалин. Владелец: Сергей Иванович Чекалин. Дата публикации: 2016-07-10.

A system of vertical and horizontal tube-like concrete masonry units

Номер патента: PH12019050072A1. Автор: Ardel G Satorre. Владелец: Ardel G Satorre. Дата публикации: 2021-03-01.

Compact vertical antenna array consisting of vertical dipoles spatially combined with support

Номер патента: RU2573224C2. Автор: Александр Михайлович Плотников,Дмитрий Вячеславович Лучин,Александр Викторович Невский,Алексей Павлович Трофимов,Вячеслав Викторович Юдин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие ордена трудового красного знамени научно-исследовательский институт радио (ФГУП НИИР). Дата публикации: 2016-01-20.

Method to repair vertical wall of vertical steel reservoir

Номер патента: RU2559987C2. Автор: Анатолий Евгеньевич Курышев. Владелец: Акционерное общество "Институт по проектированию магистральных трубопроводов". Дата публикации: 2015-08-20.

Method for construction and operation of vertical well for steam assisted gravity drainage of high-viscosity oil or bitumen

Номер патента: RU2516077C1. Автор: Равиль Рустамович Ибатуллин,Фарит Фоатович Ахмадишин,Рауф Нухович Рахманов,Марат Инкилапович Амерханов,Габдрашит Султанович Абдрахманов. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2014-05-20.

Method of recovery of vertical position for handicapped persons suffering from affection in central nervous system

Номер патента: RU2305534C1. Автор: Нина Геннадьевна Коновалова,Владимир Владимирович Коновалов,Анна Владимировна Коновалова. Владелец: Государственное образовательное учреждение дополнительного профессионального образования "Новокузнецкий государственный институт усовершенствования врачей Федерального агентства по здравоохранению и социальному развитию". Дата публикации: 2007-09-10.

Method for surgical treatment of vertical squint

Номер патента: RU2612836C1. Автор: Юрий Александрович Белый,Александр Владимирович Терещенко,Ирина Георгиевна Трифаненкова,Александра Андреевна Выдрина. Владелец: федеральное государственное бюджетное учреждение "Межотраслевой научно-технический комплекс "Микрохирургия глаза" имени академика С.Н. Федорова" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2017-03-13.

Method of formation of vertically oriented helically trunk of vine on total area of its planting (version of russian logic)

Номер патента: RU2529746C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2014-09-27.

Method of vertical dynamic balancing of workpiece and device for its implementation

Номер патента: RU2539810C1. Автор: Евгений Владимирович Матвеев,Евгений Васильевич Кочкин,Елена Николаевна Матвеева. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-Производственное Объединение "Техномаш". Дата публикации: 2015-01-27.

Improvements in the Construction of Vertical Compound Steam Engines and in Apparatus for Automatically Lubricating the same.

Номер патента: GB189813498A. Автор: Walter Martin Musgrave. Владелец: Individual. Дата публикации: 1899-05-13.

Well directional probe and well directional survey system to determine subsidance of vertical rocks and filling mass with its use

Номер патента: RU2558556C1. Автор: Василий Дмитриевич Барышников,Владислав Генрихович Качальский,Дмитрий Васильевич Барышников. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт горного дела им. Н.А. Чинакала Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2015-08-10.

Method of protection of junctions of vertical shafts with mine workings in salt rocks

Номер патента: RU2372482C1. Автор: Вячеслав Алексеевич Соловьев,Владимир Давыдович Гухман,Андрей Александрович Коровенков,Валерий Владимирович Латынин,Светлана Александровна Константинова,Сергей Андреевич Чернопазов. Владелец: ОАО "Уральский научно-исследовательский и проектный институт галургии" (ОАО "Галургия"). Дата публикации: 2009-11-10.

Way of vertical-angular drainage

Номер патента: RU2206656C1. Автор: П.А. Пегин,В.В. Лопашук. Владелец: Хабаровский государственный технический университет. Дата публикации: 2003-06-20.

Support for attachment of vertical units

Номер патента: RU2410595C2. Автор: Владимир Александрович Кузнецов,Сергей Витальевич СУХОВ,Геннадий Георгиевич Валявин,Рамиль Равильевич Суюнов,Алмаз Марсельевич Валитов,Андрей Анатольевич Хаустов,Анатолий Владимирович Тихонов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Информ-технология" (ООО "Информ-технология"). Дата публикации: 2011-01-27.

Drive of vertical rotor vehicles

Номер патента: RU2274493C1. Автор: Владимир Иванович Бородавко,Эдуард Леонидович Бороха,Владимир Васильевич Воробьёв,Анатолий Викторович Горобец,Григорий Михайлович Лускин. Владелец: Научно-производственное республиканское унитарное предприятие "НПО "Центр". Дата публикации: 2006-04-20.

Device for separation of signal caused by effect of vertical component of earth magnetic field on on-board system of magnetic field monitoring for underwater objects

Номер патента: RU2522688C2. Автор: Александр Владимирович Игнатов,Владимир Александрович Быстров,Александр Леонидович Пермяков. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России). Дата публикации: 2014-07-20.

Device for even filling of vertical vessels by loose material

Номер патента: RU2520580C1. Автор: Виктор Яковлевич Базотов,Татьяна Петровна Евсеева,Александр Васильевич Станкевич,Инна Юрьевна Суркова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский национальный исследовательский технологический университет" (ФГБОУ ВПО "КНИТУ"). Дата публикации: 2014-06-27.

Method of vertical mine backfilling

Номер патента: RU2449129C1. Автор: Татьяна Владимировна Хмеленко,Андрей Владимирович Угляница,Алексей Владимирович Исаенко,Людмила Николаевна Гладких,Татьяна Владимировна Хмеленко (RU),Андрей Владимирович Угляница (RU),Алексей Владимирович Исаенко (RU),Людмила Николаевна Гладких (RU). Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кузбасский государственный технический университет имени Т.Ф. Горбачева" (КузГТУ). Дата публикации: 2012-04-27.

Spatial augmentation of vertices and continuous level of detail transition for smoothly varying terrain polygon density

Номер патента: CA2065736C. Автор: Richard Economy,Thomas Arpad Piazza,Anthony John Pelham,Lee Tanya Quick,William Arthur Kelly. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-04-08.

Spatial augmentation of vertices and continuous level of detail transition for smoothly varying terrain polygon density

Номер патента: CA2065736A1. Автор: Richard Economy,Thomas Arpad Piazza,Anthony John Pelham,Lee Tanya Quick,William Arthur Kelly. Владелец: Real 3D, Inc.. Дата публикации: 1992-11-04.

Improvements in the Construction of Vertical Boilers for Steam Generating Purposes.

Номер патента: GB190614133A. Автор: William Ramsay Marshall. Владелец: Individual. Дата публикации: 1906-10-04.

Method for tunnelling of vertical shafts in watered unstable rocks and device for its realisation

Номер патента: RU2398967C1. Автор: Анатолий Данилович Мишедченко,Андрей Владимирович Корчак,Борис Арнольдович Картозия,Александра Владимировна Кузина,Александр Сергеевич Вознесенский,Анатолий Анатольевич Мишедченко. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный горный университет (МГГУ). Дата публикации: 2010-09-10.

Safe aeroplane of vertical take-off and landing

Номер патента: RU2324626C1. Автор: Леонид Петрович Шингель. Владелец: Леонид Петрович Шингель. Дата публикации: 2008-05-20.

Device and method for flight through air with possibility of vertical takeoff and landing

Номер патента: RU2566177C2. Автор: Александр Евгеньевич Кишалов,Ксения Васильевна Маркина,Олег Игоревич Игнатьев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уфимский государственный авиационный технический университет". Дата публикации: 2015-10-20.

Dynamic damper of vertical vibrations

Номер патента: RU2268423C1. Автор: Владимир Александрович Карнацкий,Евгений Геннадьевич Попадьин,Павел Абрамович Лонцих,бьев Сергей Георгиевич Ал,Сергей Георгиевич Алябьев,Александр Николаевич Шулешко. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Иркутский государственный технический университет" (ГОУ ИрГТУ). Дата публикации: 2006-01-20.

Method of construction of vertical drains

Номер патента: RU2539530C1. Автор: Замир Галимович Ламердонов,Татьяна Юрьевна Хаширова,Хазрит Станиславович Нартоков. Владелец: Замир Галимович Ламердонов. Дата публикации: 2015-01-20.

Vertical oil electric pump unit (versions), and shaft line of vertical electric pump unit (versions)

Номер патента: RU2468255C1. Автор: Сергей Георгиевич Валюхов,Алексей Иванович Житенёв,Сергей Вячеславович Житенёв,Сергей Владимирович Печкуров,Николай Павлович Селиванов. Владелец: Закрытое Акционерное Общество Научно-Производственное Объединение "Тэн". Дата публикации: 2012-11-27.

Thermal probe for measurement of vertical distribution of water temperature

Номер патента: RU2513635C1. Автор: Виктор Сергеевич Аносов,Владимир Васильевич Чернявец,Алексей Славович Амирагов,Андрей Федорович Зеньков,Николай Николаевич Жильцов,Евгений Евгеньевич Павлюченко,Алексей Филиппович Мирончук,Александр Ефимович Дроздов,Вадим Юрьевич Шаромов. Владелец: Вадим Юрьевич Шаромов. Дата публикации: 2014-04-20.

Damping system of vertical vibrations of railway passenger car body

Номер патента: RU2386063C1. Автор: Александр Николаевич Скачков,Андрей Валентинович Зайцев,Виктор Валентинович Василевский. Владелец: Закрытое акционерное общество Научная организация "Тверской институт вагоностроения" (ЗАО НО "ТИВ"). Дата публикации: 2010-04-10.

Design of vertical shaft support with adjustable mode of operation

Номер патента: RU2433269C2. Автор: Станислав Александрович Масленников,Сергей Георгиевич Страданченко,Денис Игоревич Шинкарь. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт)". Дата публикации: 2011-11-10.

Formation method of vertically directed fracture at hydraulic fracturing of productive formation

Номер патента: RU2510456C2. Автор: Наталья Ивановна Макеева. Владелец: Наталья Ивановна Макеева. Дата публикации: 2014-03-27.

Support of vertical ventilation drilling connection and device for its mounting

Номер патента: RU2135773C1. Автор: В.Ю. Изаксон,В.Н. Власов,И.Н. Власов. Владелец: Институт горного дела Севера СО РАН. Дата публикации: 1999-08-27.

Method for arrangement of vertical and lateral flooding

Номер патента: RU2531074C2. Автор: Сумбат Набиевич Закиров,Эрнест Сумбатович Закиров,Илья Михайлович Индрупский,Даниил Павлович Аникеев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Дельта++". Дата публикации: 2014-10-20.

Precast support of vertical shaft

Номер патента: RU2478789C1. Автор: Владимир Иванович Голик,Виталий Иванович Комащенко,Станислав Александрович Масленников,Сергей Георгиевич Страданченко. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт)". Дата публикации: 2013-04-10.

Method of cyclic sinking of vertical mine shafts and device for its implementation

Номер патента: RU2547851C1. Автор: Ибрагим Магомедович Паланкоев. Владелец: Ибрагим Магомедович Паланкоев. Дата публикации: 2015-04-10.

Plain bearing of vertical-shaft water-wheel generator

Номер патента: RU2283972C1. Автор: Александр Степанович Постников,Николай Алексеевич Канискин,Владимир Георгиевич Шамин,Виктор Васильевич Адаменко,Виктор Васильевич Адаменко (RU),Владимир Георгиевич Шамин (RU),Николай Алексеевич Канискин (RU),Александр Степанович Постников (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЭЛСИБ-У". Дата публикации: 2006-09-20.

Lining of vertical shaft with controlled operating conditions

Номер патента: RU2524082C1. Автор: Станислав Александрович Масленников,Наталья Викторовна Меренкова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт)". Дата публикации: 2014-07-27.

Method for decorative finishing of vertical surfaces

Номер патента: RU2384418C1. Автор: Андрей Анатольевич Ватлин. Владелец: Андрей Анатольевич Ватлин. Дата публикации: 2010-03-20.

Self-contained hydrophisical station of vertical profiling

Номер патента: RU2406639C1. Автор: Анатолий Емельянович Малашенко,Владимир Ильич Белов,Виктор Васильевич Перунов,Мен Себ Ким. Владелец: Специальное конструкторское бюро средств автоматизации морских исследований Дальневосточного отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2010-12-20.

Lining of vertical well bore

Номер патента: RU2519279C1. Автор: Станислав Александрович Масленников,Игорь Евгеньевич Колесниченко. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт)". Дата публикации: 2014-06-10.

Horizontal wells at corners of vertical well patterns for improving oil recovery efficiency

Номер патента: CA1259563A. Автор: Wann-Sheng Huang,Margaret A. Hight. Владелец: Texaco Development Corp. Дата публикации: 1989-09-19.

Rotor shaft of vertical-shaft water-wheel generator

Номер патента: RU2276443C1. Автор: Владимир Васильевич Чернявец,вец Владимир Васильевич Черн,Евгений Николаевич Виноградов,Сергей Александрович Тилес,Ольга Львовна Знаменска,Ольга Львовна Знаменская. Владелец: Ольга Львовна Знаменская. Дата публикации: 2006-05-10.

Reinforcement of vertical piles made in soil and perceiving indentation loads

Номер патента: RU2465403C2. Автор: Сергей Ашотович Мадатян,Валерий Яковлевич Еремин,Алексей Валерьевич Еремин,Кирилл Дмитриевич Молчанов,Валерий Яковлевич Еремин (RU),Алексей Валерьевич Еремин (RU),Сергей Ашотович Мадатян (RU),Кирилл Дмитриевич Молчанов (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "МПО РИТА". Дата публикации: 2012-10-27.

Device for monolithic finish of vertical joints, seams between slabs or floors of buildings and structures

Номер патента: RU2100546C1. Автор: Х.Б. Ткач,А.Я. Тишков,П.В. Родионов,Ю.И. Еременко,С.Я. Левенсон,Л.И. Гендлина. Владелец: Институт горного дела СО АН. Дата публикации: 1997-12-27.

Conical ribbed dome of cover of vertical cylindrical reservoir

Номер патента: RU2502850C1. Автор: Илья Аркадьевич Порываев,Марат Нуритдинович Сафиуллин,Александр Александрович Семенов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уфимский государственный нефтяной технический университет". Дата публикации: 2013-12-27.

Complex hydraulic channel of vertical electrically driven oil pump

Номер патента: RU2472044C1. Автор: Сергей Георгиевич Валюхов,Алексей Иванович Житенёв,Сергей Вячеславович Житенёв,Сергей Владимирович Печкуров,Николай Павлович Селиванов. Владелец: Закрытое Акционерное Общество Научно-Производственное Объединение "Тэн". Дата публикации: 2013-01-10.

Method of removing deposit from inner side of vertical steel oil tanks

Номер патента: RU2307976C1. Автор: Рузиль Файзуллович Рамазанов,Игорь Юрьевич Дмитриев,Георгий Георгиевич Славов,Олег Валерьевич Козлов,Валерий Анатольевич Сокирка,Роберт Викторович Минеев. Владелец: Роберт Викторович Минеев. Дата публикации: 2007-10-10.

Rotation stabilising device of vertical rotor

Номер патента: RU2489613C1. Автор: Николай Петрович Глухов,Андрей Викторович Петруненков. Владелец: Закрытое акционерное общество "Центротех-СПб". Дата публикации: 2013-08-10.

Mobile telescopic drilling device of vertical drilling

Номер патента: RU2538550C1. Автор: Александр Николаевич Рыбников. Владелец: Александр Николаевич Рыбников. Дата публикации: 2015-01-10.

Cyclic self-contained hydrophisical station of vertical profiling

Номер патента: RU2406640C1. Автор: Анатолий Емельянович Малашенко,Виктор Васильевич Перунов. Владелец: Специальное конструкторское бюро средств автоматизации морских исследований Дальневосточного отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2010-12-20.

Complex for construction of vertical shafts

Номер патента: RU2556764C1. Автор: Геннадий Семенович Бузов,Ибрагим Магомедович Паланкоев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "РусШахтСпецСтройПроект" (ООО "РусШахтСпецСтройПроект"). Дата публикации: 2015-07-20.

Modular multi-seat shipboard launcher of vertical launch

Номер патента: RU2393409C1. Автор: Владимир Викторович Николаев,Лев Владимирович Белюстин,Александр Викторович Бобров,Александр Борисович Максичев,Валерий Юрьевич Мельников,Олег Николаевич Смирнов,Михаил Алексеевич Хомяков,Гурупрасад Сиддалингаппа,Арвинд Катти Шритхар,Прасад Гоод Аласани,Кумар Санджей,Пурушутам Кришнамурти. Владелец: Открытое акционерное общество "Военно-промышленная корпорация "Научно-производственное объединение машиностроения". Дата публикации: 2010-06-27.

Construction method of process branch of vertical well shaft and device for its implementation

Номер патента: RU2539454C1. Автор: Александр Александрович Кисель. Владелец: Александр Александрович Кисель. Дата публикации: 2015-01-20.

Method of vertical gastroplasty for treatment of alimentary obesity

Номер патента: RU2414859C1. Автор: Александр Васильевич Сучков,Евгений Витальевич Николаев. Владелец: Евгений Витальевич Николаев. Дата публикации: 2011-03-27.

General-purpose transport system of vertical oil electric pump unit

Номер патента: RU2468256C1. Автор: Сергей Георгиевич Валюхов,Алексей Иванович Житенёв,Сергей Вячеславович Житенёв,Сергей Владимирович Печкуров,Николай Павлович Селиванов. Владелец: Закрытое Акционерное Общество Научно-Производственное Объединение "Тэн". Дата публикации: 2012-11-27.

Method of sinking of vertical main shafts of unstable and waterflooded rocks

Номер патента: RU2534274C1. Автор: Ибрагим Магомедович Паланкоев. Владелец: Ибрагим Магомедович Паланкоев. Дата публикации: 2014-11-27.

Head for case holes boring intended for securing in spindle of vertical drilling machine

Номер патента: RU2553758C1. Автор: Борис Федорович Тарасенко,Николай Иванович Богатырев,Владимир Леонидович Лихачев,Евгений Александрович Шапиро,Сергей Олегович Олейник,Юрий Дорофеевич Янчин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2015-06-20.

Method for suppression of vertical oscillations of object with pneumatic suspension

Номер патента: RU2405990C2. Автор: Геннадий Сергеевич Аверьянов,Рустам Нуриманович Хамитов. Владелец: Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Омский Государственный Технический Университет". Дата публикации: 2010-12-10.

An unmanned aerial vehicle capable of vertical take off and landing

Номер патента: AU2022224741A1. Автор: Ahmad Aliff A. S. Ahmad Shariffuddin,Mohamad Faizal Abd Rahman,Saaidal Razalli Azzuhri,Muhammad Farris Khyasudeen,Muhammad Badri Mhd Noor,Nik Muhammad Izwan Nik Mohd Kamel,Pathmanathan Radhakrishnan,Abdul Malek Saidina Omar. Владелец: Collaborative Research In Engineering Science & Technology Center Crest. Дата публикации: 2023-03-23.

Definition method of heat flow sharing coefficient between friction pairs of different kinds of frictional units in band-block brakes of draw works (versions)

Номер патента: RU2386061C2. Автор: Александр Иванович Вольченко,Дмитрий Александрович Вольченко,Николай Александрович Вольченко,Анатолий Алексеевич Петрик. Владелец: Ивано-Франковский национальный технический университет нефти и газа. Дата публикации: 2010-04-10.

Method for making conversion tubes of hard-to-form kinds of steels and alloys with increased linear expansion factor

Номер патента: RU2220794C2. Автор: А.В. Сафьянов,нов А.В. Сафь,А.А. Фёдоров,Л.И. Лапин,И.А. Романцов,С.В. Ненахов,В.В. Игнатьев,В.А. Логовиков,Н.П. Климов. Владелец: ОАО "Челябинский трубопрокатный завод". Дата публикации: 2004-01-10.

Method of separating water flow with complex pollutions to kinds of pollution and device to this end

Номер патента: RU2457011C2. Автор: Гай Владимирович Беднягин,Владислав Васильевич Бурлов,Александр Сергеевич Гаген,Леонид Исидорович Пукшанский,Владимир Михайлович Седов,Владимир Константинович Хвалько. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное объединение "НЕФТЕХИМ". Дата публикации: 2012-07-27.

Method for producing of bread from various kinds of cereal crops

Номер патента: RU2266654C1. Автор: Т.В. Санина,Н.Н. Алехина,В.В. Скорынина. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Воронежская государственная технологическая академия. Дата публикации: 2005-12-27.

Method for production of various kinds of vodka

Номер патента: RU2059707C1. Автор: И.И. Бурачевский,В.С. Волков,Т.А. Агапкина,З.А. Розенфельд,Т.В. Гладкова. Владелец: Ликеро-водочный завод "Александровский". Дата публикации: 1996-05-10.

Device for simultaneous and alternating burning of p\lumpy fuel with other kind of fuel

Номер патента: RU2239127C1. Автор: В.И. Сухинин,К.А. Штым,Д.Н. Балабин. Владелец: Автономная некоммерческая научно-образовательная организация ДВГТУ "Научно-технический и внедренческий центр "Модернизация котельной техники". Дата публикации: 2004-10-27.

Method of inspection of trainability of sportsmen/women dealing with cyclical kinds of sports

Номер патента: RU2322181C2. Автор: Анатолий Михайлович Якимов,Сергей Константинович Старостин,Денис Алексеевич Зиновьев. Владелец: Денис Алексеевич Зиновьев. Дата публикации: 2008-04-20.

A New or Improved Process for the Manufacture of Bread consisting of Various Kinds of Dough.

Номер патента: GB190521092A. Автор: Hugo Siegert. Владелец: Individual. Дата публикации: 1906-03-22.

Improvements in Pins of Hair Buckles, Brooches, other Kinds of Pins & Combs.

Номер патента: GB190317596A. Автор: Renee De Witt. Владелец: Individual. Дата публикации: 1903-12-10.

Improvements in Furnaces and Apparatus for and in the Recovery and Purifying of Iron, Metals, Slag and Cinder, Tap Ores, and other kinds of Waste Products, and for other purposes.

Номер патента: GB189813332A. Автор: William John Clapp. Владелец: Individual. Дата публикации: 1898-08-13.

Improvements in Rolls for Rolling Taper Bars, Spoke Bars, Knee Bars and other kinds of Taper Bars and articles of Iron or Steel.

Номер патента: GB189704523A. Автор: Jabez Lones,Edward Holden Trading A Holden. Владелец: Individual. Дата публикации: 1897-12-04.

An Improved Method or Process of Whetting or Setting Razors, Knives, and other kinds of Cutlery.

Номер патента: GB189819989A. Автор: John Weston. Владелец: Individual. Дата публикации: 1899-08-05.

Improvements in or Applicable to Machines for Breaking up all Kinds of Soft and Hard Waste and Rags of Cotton and other Fibrous Materials.

Номер патента: GB189709679A. Автор: Louis Alfred Porritt,Ellis Schofield Howarth Barnes. Владелец: Individual. Дата публикации: 1898-02-12.

Motor-Car Bogie for all kinds of Road Vehicles.

Номер патента: GB189700748A. Автор: Lucie Marzia Ponsard. Владелец: Individual. Дата публикации: 1897-07-03.

Method for making seamless hot rolled conversion elongated tubes of hard-to-form kinds of steels and alloys

Номер патента: RU2226132C2. Автор: А.В. Сафьянов,нов А.В. Сафь,А.А. Фёдоров,Л.И. Лапин,И.А. Романцов,С.В. Ненахов,нов М.Р. Хамедз,М.Р. Хамедзянов,В.В. Игнатьев,Н.Г. Дановский. Владелец: ОАО "Челябинский трубопрокатный завод". Дата публикации: 2004-03-27.

Method for producing hot rolled commercial and conversion tubes of large and mean diameters of corrosion resistant hard-to-form kinds of steels and alloys in tube rolling plants with pilger mills

Номер патента: RU2315673C2. Автор: Александр Анатольевич Федоров,Леонид Игнатьевич Лапин,Анатолий Васильевич Сафьянов,Валерий Андреевич Логовиков,Кирилл Николаевич Никитин,Александр Юрьевич Матюшин,Николай Петрович Климов,Константин Эдуардович Бубнов,Валерий Александрович Головинов,Николай Григорьевич Дановский,Борис Семёнович Литвак,Исаак Иосифович Вольберг. Владелец: ОАО "Челябинский трубопрокатный завод". Дата публикации: 2008-01-27.

Method and device for identifying kind of deposits on intermediate span conductor in overhead power transmission line

Номер патента: RU2308136C2. Автор: Виталий Яковлевич Башкевич. Владелец: Виталий Яковлевич Башкевич. Дата публикации: 2007-10-10.

Visual method of investigation of kind of damage to walls of casing string of well, and device for its implementation

Номер патента: RU2543239C1. Автор: Сергей Алексеевич Егурцов,Юрий Владимирович Иванов,Татьяна Владимировна Скрынник. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ИННОВАЦИОННЫЕ НЕФТЕГАЗОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ". Дата публикации: 2015-02-27.

Genetic panel and method for determination of predisposition of person to various kinds of physical working capacity

Номер патента: RU2339701C2. Автор: Михаил Владимирович Асеев,Андрей Сергеевич Глотов,Олег Сергеевич Глотов. Владелец: ООО "Биогармония". Дата публикации: 2008-11-27.

Acoustic-optic arrangement for detection of broadband phase-shift keyed signals and determination and definition of the kind of their phase modulation

Номер патента: RU2290650C1. Автор: Геннадий Симонович Нахмансон,Павел Леонидович Маньков,Юрий Александрович Оганджанян,Геннадий Симонович Нахмансон (RU),Павел Леонидович Маньков (RU),н Юрий Александрович Оганджан (RU). Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Воронежский научно-исследовательский институт связи". Дата публикации: 2006-12-27.

Номер патента: RU2378359C1. Автор: Наталья Михайловна Агеева,Рафаил Вартанович Аванесьянц,Рафаил Артурович Аванесьянц. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-внедренческое предприятие "Эффект-91". Дата публикации: 2010-01-10.

Improvements in Means for Playing Phonograph Cylinder Records and all kinds of Disc Records upon a Gramophone, or Gramophone Disc Motor.

Номер патента: GB190812002A. Автор: Alfred Edwin Bawtree. Владелец: Individual. Дата публикации: 1909-05-27.

Gallium nitride compound semiconductor light emitting element and manufacture of gallium nitride compound semiconductor thin film

Номер патента: JPH1154795A. Автор: 英見武石,Yasunari Oku,Hidenori Kamei,英徳亀井,Hidemi Takeishi,保成奥,Shuichi Shinagawa,修一品川. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1999-02-26.

METHOD FOR MANUFACTURING A LAYER OF GALLIUM NITRIDE OR GALLIUM AND ALUMINUM NITRIDE

Номер патента: US20120074427A1. Автор: Lahreche Hacene. Владелец: S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES. Дата публикации: 2012-03-29.

Manufacturing method of gallium nitride-based light emitting device and gallium nitride-based light emitting device manufactured by the same

Номер патента: KR20090028289A. Автор: 김용천,심현욱,강중서. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2009-03-18.

一种垂直结构的氮化镓异质结hemt

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты