Nitride growth substrate, especially for hetero epitaxial deposition of gallium nitride useful in optoelectronic devices, produced by bonding compliant thin films of growth and support substrates and thinning the growth substrate
Номер патента: FR2787919A1
Опубликовано: 30-06-2000
Автор(ы): Daniel Rondi, Didier Pribat, Jean Charles Garcia, Jean Louis Guyaux
Принадлежит: Thomson CSF SA
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 30-06-2000
Автор(ы): Daniel Rondi, Didier Pribat, Jean Charles Garcia, Jean Louis Guyaux
Принадлежит: Thomson CSF SA
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Fabrication of gallium nitride layers by lateral growth
Номер патента: AU2349100A. Автор: Kevin J. Linthicum,Thomas Gehrke,Darren B. Thomson,Eric P. Carlson,Pradeep Rajagopal,Robert F Davis. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2000-06-19.