Manufacturing method of gallium nitride crystal film
Номер патента: JP7021750B2
Опубликовано: 17-02-2022
Автор(ы): 尚 村上, 明伯 纐纈, 晃 山口
Принадлежит: NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOKYO UNIVERSITY OF AGRICULUTURE & TECHNOLOGY, Taiyo Nippon Sanso Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 17-02-2022
Автор(ы): 尚 村上, 明伯 纐纈, 晃 山口
Принадлежит: NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOKYO UNIVERSITY OF AGRICULUTURE & TECHNOLOGY, Taiyo Nippon Sanso Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method Of Manufacturing Gallium Nitride Substrate And Gallium Nitride Substrate Manufactured Thereby
Номер патента: US20130328059A1. Автор: Junyoung Bae,Junsung Choi,Joon Hoi Kim,Boik Park,Cheolmin Park,Dongyong Lee,Wonjo Lee,Sungkeun Lim,Woorihan Kim. Владелец: Samsung Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-12.