Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Method of forming silicon thin film and silicon thin film solar cell

Method of forming silicon thin film and silicon thin film solar cell

Номер патента: AU2002232197C1
Опубликовано: 09-11-2006
Автор(ы): Eiji Kuribe, Takashi Suezaki
Принадлежит: Kaneka Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Transparent conductive oxide coating for thin film photovoltaic applications and methods of making the same

Номер патента: MY162545A. Автор: Kunio Masumo,Sveinn Otto Agustsson,Christopher R Cording. Владелец: Agc Flat Glass Europe S A. Дата публикации: 2017-06-15.

Method of forming continuous thin film and linear glass substrate with thin film

Номер патента: US8673396B2. Автор: Hisashi Koaizawa,Toshihiro Nakamura,Sadayuki Toda. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-18.

Method of forming continuous thin film and linear glass substrate with thin film

Номер патента: US20100021727A1. Автор: Hisashi Koaizawa,Toshihiro Nakamura,Sadayuki Toda. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-28.

Construction of thin-film solar module and method of its manufacture

Номер патента: RU2648341C2. Автор: Евгений Иванович Теруков,Александр Вячеславович Семенов,Алексей Валерьевич Кукин,Дмитрий Александрович Андроников,Алексей Станиславович Абрамов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике", ООО "НТЦ ТПТ". Дата публикации: 2018-03-23.

Bismuth ferrite thin-film solar cell and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160181451A1. Автор: Hui-Yun Bor,Cuo-Yo Nieh,Chao-Nan Wei,Chia-Shih Lin,Jenn-Ming Wu,Yueh-Hsuan Tsai. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2016-06-23.

Bismuth ferrite thin-film solar cell and method of manufacturing the same

Номер патента: US09525085B2. Автор: Hui-Yun Bor,Cuo-Yo Nieh,Chao-Nan Wei,Chia-Shih Lin,Jenn-Ming Wu,Yueh-Hsuan Tsai. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of production of semiconductor thin films

Номер патента: WO2012066116A1. Автор: Phillip Dale,Susanne Siebentritt,Dominik Berg,Alex Redinger. Владелец: UNIVERSITE DU LUXEMBOURG. Дата публикации: 2012-05-24.

Semiconductor Material and Method of Production

Номер патента: US20130269783A1. Автор: Phillip Dale,Susanne Siebentritt,Dominik Berg,Alex Redinger. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2013-10-17.

Semiconductor material and method of production

Номер патента: US9306111B2. Автор: Phillip Dale,Susanne Siebentritt,Dominik Berg,Alex Redinger. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2016-04-05.

Method of manufacturing a compound semiconductor thin film for a photoelectric or solar cell device

Номер патента: US5714391A. Автор: Kuniyoshi Omura,Mikio Murozono,Tsuyoshi Nishio,Hideaki Oyama,Satoshi Shibutani,Shigeo Kondoh,Akira Hanafusa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-02-03.

METAL OXIDE THIN FILM, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE EQUIPPED WITH THIS THIN FILM, SOLAR CELL, AND METHOD FOR PRODUCING THIN FILM

Номер патента: JPWO2016043234A1. Автор: 伸宏 中村,細野　秀雄,秀雄 細野,喜丈 戸田,暁 渡邉,宮川　直通,直通 宮川,伊藤　和弘,和弘 伊藤,俊成 渡邉,中村　伸宏. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2017-07-06.

Thin film forming device for solar cell and thin film forming method

Номер патента: US20130295751A1. Автор: Kenichi Hara,Masaki Narushima,Takamasa Kato. Владелец: University of Yamanashi NUC. Дата публикации: 2013-11-07.

A kind of preparation method of the non-laminar structure NiSe nano thin-film of large area

Номер патента: CN106129171B. Автор: 王敏,黄帆,许智豪,马杨,蔡曹元,贾飞翔,吴从军. Владелец: Hefei University of Technology. Дата публикации: 2018-12-18.

Methods of forming low resistivity titanium nitride thin film in horizontal vias and related devices

Номер патента: US20230175118A1. Автор: Mansour Moinpour,Daniel Moser,Ravindra Kanjolia,Andrew Kummel,Cheng-Hsuan Kuo,SeongUk Yun. Владелец: CALIFORNIA A CALIFORNIA, University of, Regents of. Дата публикации: 2023-06-08.

Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films

Номер патента: US09647114B2. Автор: John Tolle,Joe Margetis. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-05-09.

Metal thin film and semiconductor comprising a metal thin film

Номер патента: US7419920B2. Автор: Toshihide Nabatame,Koji Tominaga,Kunihiko Iwamoto. Владелец: Horiba Ltd. Дата публикации: 2008-09-02.

Source supplying unit, thin film depositing apparatus, and method for depositing thin film

Номер патента: WO2010126254A3. Автор: Chang Ho Kang,Sung Tae Namgoong,Kyung Bin Bae,Hyung Seok Yoon,Whang Sin Cho,Jun Seo Rho. Владелец: SNU PRECISION CO., LTD. Дата публикации: 2011-01-20.

Crystalline oxide semiconductor thin film, method for producing crystalline oxide semiconductor thin film, and thin film transistor

Номер патента: US20180219098A1. Автор: Shigekazu Tomai,Kazuyoshi Inoue,Futoshi Utsuno,Yuki Tsuruma,Kazuaki Ebata. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-02.

Plasma source utilizing macro-particle reduction coating and method of using plasma source for deposition of thin film coatings and surface modification

Номер патента: CN107615888B. Автор: Y·林,J·钱伯斯,H·约翰逊,P·马诗威茨. Владелец: AGC Flat Glass North America Inc. Дата публикации: 2022-01-04.

Method of improving field emission characteristics of diamond thin films

Номер патента: US5902640A. Автор: Dieter M. Gruen,Alan R. Krauss. Владелец: University of Chicago. Дата публикации: 1999-05-11.

Method of enhancing electrical conduction in gallium-doped zinc oxide films and films made therefrom

Номер патента: US11807936B2. Автор: Gary J. Cheng,Qiong Nian. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2023-11-07.

Method of enhancing electrical conduction in gallium-doped zinc oxide films and films made therefrom

Номер патента: US20190017164A1. Автор: Gary J. Cheng,Qiong Nian. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2019-01-17.

Method for preparing solid electrolyte comprising porous thin film and dye-sensitized solar cell using the same

Номер патента: US09484157B2. Автор: Sang-Hak Kim,Ji-Yong Lee,Yong-Gu Kim,Won-Jung Kim,Yong-Jun Jang,In-Woo Song,Ki-Chun Lee,Mi-Yeon Song. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2016-11-01.

Precursor compound for producing photoactive layer of thin film solar cell and production method thereof

Номер патента: US11130770B2. Автор: Hyun Jong Lee,Duk Young Jung,Ji Hyun CHA. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-09-28.

Method for manufacturing cigs light absorption layer for solar cell through chemical vapor deposition

Номер патента: EP4340047A1. Автор: Seung Hyun Lee,Hyuk Kyoo Jang,Gyu Hyun LEE,Hea Yong KWON,Tae Yeop Jeon,Tae Woo Eom. Владелец: Mecaroenergy Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-20.

Method for manufacturing absorber layers for solar cell

Номер патента: EP1649520A1. Автор: In-Hwan Choi. Владелец: In-Solar-Tech Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-26.

Apparatus for plasma activated vapour deposition and method of making multi-junction silicon thin-film modules and solar cell panels

Номер патента: RU2454751C1. Автор: Дау ВУ,Чарльз ДЕЛЮКА,Мохд АСЛАМИ. Владелец: СИЛИКА ТЕК, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2012-06-27.

Technique for Achieving Large-Grain Ag2ZnSn(S,Se)4 Thin Films

Номер патента: US20180006173A1. Автор: Talia S. Gershon,Yun Seog Lee,Michael S. Gordon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Thin film formation method for ferroelectric materials

Номер патента: US5976946A. Автор: Yoshihiro Hayashi,Takeo Matsuki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Film structure, electronic device, recording medium, and process of preparing ferroelectric thin films

Номер патента: US6121647A. Автор: Yoshihiko Yano,Takao Noguchi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2000-09-19.

Method of manufacturing surface-treated transparent conductive polymer thin film, and transparent electrode manufactured using the same

Номер патента: US09653217B2. Автор: Mikyoung Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of manufacturing a p-type compound semiconductor thin film containing a iii-group element and a v-group element by metal organics chemical vapor deposition

Номер патента: US5168077A. Автор: Kazuhiro Eguchi,Mitsuhiro Kushibe,Yasuo Ashizawa,Yoshihiro Kokubun,Takao Noda,Yasuo Ohba,Masahisa Funemizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-12-01.

Method for forming a film and method for manufacturing a thin film transistor

Номер патента: US5480818A. Автор: Yuji Murata,Junichi Watanabe,Kenichi Oki,Masahiro Okabe,Jun Inoue,Teruhiko Ichimura,Tomotaka Matsumoto,Mari Hodate,Yoshio Nagahiro. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1996-01-02.

Oxide film reaction surface control agent, method of forming oxide film using oxide film reaction surface control agent, semiconductor substrate including oxide film, and semiconductor device including semiconductor substrate

Номер патента: US20240352583A1. Автор: Seung Hyun Lee,Chang Bong Yeon,Jae Sun Jung,Deok Hyun Kim. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Apparatus for forming a transition metal chalcogenide thin-film

Номер патента: US09773668B2. Автор: Yong Soo Cho,Seung Min Lee,Gwan Hyoung Lee,So Jung Kang. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of fabricating silicon thin film layer

Номер патента: US20070048983A1. Автор: Jang-yeon Kwon,Ji-sim Jung,Do-Young Kim,Takashi Noguchi,Jong-Man Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

C-axis aligned crystalline igzo thin film and manufacture method thereof

Номер патента: US20190153595A1. Автор: Xuanyun Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Precursor solution of indium gallium zinc oxide film and method of manufacturing indium gallium zinc oxide thin film transistor

Номер патента: US12040408B2. Автор: Hang Zhou,Hejing Sun,Hengda Qiu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Methods of forming semiconductor films and methods of manufacturing transistors including semiconductor films

Номер патента: US09384973B2. Автор: Myung-kwan Ryu,Tae-Sang Kim,Jong-baek Seon,Chil Hee Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-05.

Cyclic Deposition Method for Thin Film Formation, Semiconductor Manufacturing Method, and Semiconductor Device

Номер патента: US20150187560A1. Автор: Jeong-Hoon Lee,Hai-Won Kim,Chang-Hun Shin,Seok-Yun Kim. Владелец: Eugene Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Method of forming tungsten film

Номер патента: US09640404B2. Автор: Kenji Suzuki,Koji Maekawa,Takanobu Hotta. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Thin film deposition apparatus, deposition method using the same, and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using the apparatus

Номер патента: US09624575B2. Автор: Jin-woo Park,Ung-Soo Lee,Su-Hyuk Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of manufacturing display apparatus that includes using an energy beam to form an encapsulation layer

Номер патента: US09614182B2. Автор: Jai-Hyuk Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of manufacturing semiconductor device, method of processing substrate, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: US09685317B2. Автор: Kazuhiro Yuasa,Naonori Akae. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of forming transition metal dichalcogenidethin film and method of manufacturing electronic device including the same

Номер патента: US11887849B2. Автор: Sangwoo Kim,Changhyun KIM,Hyeonjin Shin,Kyung-Eun Byun,Jaehwan Jung,Ahrum SOHN. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-01-30.

Metal thin-film precursor composition, method of forming thin film using metal thin-film precursor composition, and semiconductor substrate fabricated using method

Номер патента: US20240145301A1. Автор: Ji Hyun Nam,Chang Bong Yeon,Jae Sun Jung. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Thin film structure including dielectric material layer, and method of manufacturing the same, and electronic device employing the same

Номер патента: US12071690B2. Автор: Jooho Lee,Yongsung Kim,Narae HAN,Jeonggyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for manufacturing ferroelectric thin film device

Номер патента: US20180062068A1. Автор: Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Kazufumi Suenaga,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

Method and apparatus for forming silicon oxycarbonitride film, silicon oxycarbide film and silicon oxynitride film

Номер патента: US09425038B2. Автор: Akira Shimizu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for making polycrystalline silicon thin film

Номер патента: US5344796A. Автор: Jong Y. Shin,Suk B. Ma. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1994-09-06.

Method for forming ruthenium thin film

Номер патента: US12091748B2. Автор: Soo-Hyun Kim,Yohei KOTSUGI. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of manufacturing semiconductor device by alternatively increasing and decreasing pressure of process chamber

Номер патента: US09508531B2. Автор: Koei KURIBAYASHI,Shinya EBATA. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-11-29.

Free-standing lithium phosphorus oxynitride think films and methods of their manufacture

Номер патента: US20230313362A1. Автор: Thomas A. Wynn,Ying Shirley Meng,Diyi Cheng. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-10-05.

Method and apparatus for forming silicon oxycarbonitride film, silicon oxycarbide film and silicon oxynitride film

Номер патента: TWI561667B. Автор: Akira Shimizu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-12-11.

Method of forming transition metal dichalcogenide thin film

Номер патента: US11881399B2. Автор: Hyeonjin Shin,Kyung-Eun Byun,Yeonchoo CHO,Taejin Park,Hyoungsub Kim,Hoijoon KIM,Wonsik AHN,Mirine LEEM. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-01-23.

Transition metal dichalcogenide thin film, method for manufacturing the same and display device comprising the same

Номер патента: US20200181768A1. Автор: Sung-Yool Choi,Gi Woong SHIM,Woonggi HONG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2020-06-11.

Method of forming mixed-phase compressive tantalum thin films using nitrogen residual gas, thin films and fluid ejection devices including same

Номер патента: US6926390B2. Автор: Arjang Fartash. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2005-08-09.

Hybrid organic-inorganic thin film and producing method of the same

Номер патента: US9012891B2. Автор: Sang Ho Cho,Myung Mo SUNG,Kyu Seok Han,Ki Bok HAN. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2015-04-21.

Method for forming ruthenium thin film

Номер патента: US20230212741A1. Автор: Soo-Hyun Kim,Yohei KOTSUGI. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2023-07-06.

Methods of forming semiconductor films and methods of manufacturing transistors including semiconductor films

Номер патента: US20150064860A1. Автор: Myung-kwan Ryu,Tae-Sang Kim,Jong-baek Seon,Chil Hee Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-05.

Group 5 metal compound for thin film deposition and method of forming group 5 metal-containing thin film using same

Номер патента: TW202202511A. Автор: 李太榮,池成俊,白善英. Владелец: 南韓商Ｅｇｔｍ有限公司. Дата публикации: 2022-01-16.

Group 5 metal compound for thin film deposition and method of forming group 5 metal-containing thin film using the same

Номер патента: CN113943321A. Автор: 李太荣,池成俊,白善英. Владелец: Egtm Co ltd. Дата публикации: 2022-01-18.

Method of manufacturing display apparatus

Номер патента: US20150364719A1. Автор: Jai-Hyuk Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-17.

Lanthanoid compound, lanthanoid-containing thin film and formation of lanthanoid-containing thin film using the lanthanoid compound

Номер патента: US12065453B2. Автор: Takashi Ono,Christian Dussarrat,Tomohiro Seki. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-08-20.

2D Layered Thin Film Structure

Номер патента: US20240117487A1. Автор: Yi-Cheng Lin,Shu-Ju Tsai. Владелец: NATIONAL APPLIED RESEARCH LABORATORIES. Дата публикации: 2024-04-11.

Plasma enhanced deposition processes for controlled formation of oxygen containing thin films

Номер патента: US11776807B2. Автор: Sun Ja Kim,Oreste Madia,Viljami J. Pore,Marko Tuominen,Lingyun Jia. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-10-03.

Thin film magnet, method of manufacturing the same, and cylindrical ferromagnetic thin film

Номер патента: JP2957421B2. Автор: 健 荒木,良浩 谷,英男 池田,正志 岡部. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-10-04.

Composition for forming silicon-cobalt film, silicon-cobalt film and method for forming same

Номер патента: WO2005038891A1. Автор: Yasuo Matsuki,Tatsuya Sakai,Haruo Iwasawa,Daohai Wang. Владелец: JSR Corporation. Дата публикации: 2005-04-28.

Thin-film forming apparatus with magnetic bearings and a non-contact seal and drive

Номер патента: US5630881A. Автор: Naoaki Ogure,Yoichi Kanemitsu. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 1997-05-20.

Composition for forming silicon-cobalt film, silicon-cobalt film and method for forming same

Номер патента: KR101064799B1. Автор: 하루오 이와사와,다오하이 왕,야스오 마쯔끼,다쯔야 사까이. Владелец: 제이에스알 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2011-09-14.

Atomic layer deposition and etching of transition metal dichalcogenide thin films

Номер патента: US20230250534A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Jani Hämäläinen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-08-10.

Protective thin film for FPDs, method for producing said thin film and FPDs using said thin film

Номер патента: US20040234751A1. Автор: Yukiya Yamashita,Hideaki Sakurai,Yoshirou Kuromitsu. Владелец: Yoshirou Kuromitsu. Дата публикации: 2004-11-25.

Protective thin film for FPDS, method for producing said thin film and FPDS using said thin film

Номер патента: US6821616B1. Автор: Yukiya Yamashita,Hideaki Sakurai,Yoshirou Kuromitsu. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2004-11-23.

Method of CVD for forming silicon nitride film on substrate

Номер патента: CN100350574C. Автор: 加藤寿,菊地宏之,织户康一,真久眞吾. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-11-21.

METHODS OF FORMING HIGHLY P-TYPE DOPED GERMANIUM TIN FILMS AND STRUCTURES AND DEVICES INCLUDING THE FILMS

Номер патента: US20170047446A1. Автор: Tolle John,Margetis Joe. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-16.

Method of non-shrinkage fabrication of metal oxide thin film for solid oxide fuel cell by low temperature

Номер патента: KR101186929B1. Автор: 이종호,이해원,김형철,손지원,오은옥. Владелец: 한국과학기술연구원. Дата публикации: 2012-09-28.

LANTHANOID COMPOUND, LANTHANOID-CONTAINING THIN FILM AND FORMATION OF LANTHANOID-CONTAINING THIN FILM USING THE LANTHANOID COMPOUND

Номер патента: US20210061833A1. Автор: Dussarrat Christian,Ono Takashi,Seki Tomohiro. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-04.

Organic metal compound, composition for depositing semiconductor thin film, manufacturing method for thin film using thereof, and semiconductor device includinf thin film

Номер патента: KR102232509B1. Автор: 임상균,김용태,임설희,박인걸,허광수. Владелец: 삼성에스디아이 주식회사. Дата публикации: 2021-03-25.

Thin-film forming apparatus, thin-film forming method and method for cleaning thin-film forming apparatus

Номер патента: KR100779823B1. Автор: 가즈히데 하세베,미쯔히로 오까다,다까시 지바,쥰 오가와. Владелец: 도쿄 엘렉트론 가부시키가이샤. Дата публикации: 2007-11-28.

Low-temperature fabrication of metal oxide thin films and nanomaterial-derived metal composite thin films

Номер патента: KR101840077B1. Автор: 김명길,안토니오 파체티,헤 얀,토빈 제이 마크스,머쿠리 쥐 카나트지디스,윌리암 크리스토퍼 시츠,유 시아. Владелец: 플렉스테라, 인크.. Дата публикации: 2018-04-26.

Method of producing highly strained pecvd silicon nitride thin films at low temperature

Номер патента: US20060223290A1. Автор: Ying Li,Oleg Gluschenkov,Michael Belyansky,Anupama Mallikarjunan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-10-05.

Preparation method of a stretchable inorganic thermoelectric thin film and the stretchable inorganic thermoelectric thin film prepared by the same

Номер патента: US20230172067A1. Автор: Jae Sung Son,Seung Hwae HEO,Moon Kee CHOI,Jisu YOO. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2023-06-01.

Thin film, method of manufacturing thin film, and light-emitting device including thin film

Номер патента: US11737347B2. Автор: Hyungjun Kim,Yong Joo Lee,Yongchurl Kim,Byunghwa Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-22.

Process generating nonoparticles or filiform nonocrystals, process producing inorganic fuller-like structures of metal chalcogenide, inorganic fuller-like structures of metal chalocogenide, stable suspension of if structures of metal chalcogenide, process of production of thin films from if structures of metal chalcogenide, thin film produced by this process and attachment for scanning microscope

Номер патента: RU2194807C2. Автор: Моше ХОМИОНФЕР,Решеф ТЕННЕ,Йишай ФЕЛЬДМАН. Владелец: Йеда Рисерч Энд Дивелопмент Ко., Лтд.. Дата публикации: 2002-12-20.

Mask for thin film deposition and method of manufacturing OLED using the same

Номер патента: US09441288B2. Автор: Dong-Young Sung,Hong-Ryul Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for forming thin film

Номер патента: US20230260794A1. Автор: Young Woon Kim,Il Hyong CHO. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Ruthenium compound, method of producing the same, method of producing ruthenium-containing thin film using the same, and ruthenium-containing thin film

Номер патента: KR101748403B1. Автор: 타이시 후루카와,노리아키 오시마,카즈히사 카와노,히로카즈 치바. Владелец: 토소가부시키가이샤. Дата публикации: 2017-06-16.

Precursor for formation of europium-containing thin film, and method for forming europium-containing thin film

Номер патента: US8747965B2. Автор: Takayuki Mogi,Yoshinori Kuboshima,Shintaro Higashi,Kaoru KIKUKAWA. Владелец: Kojundo Kagaku Kenkyusho KK. Дата публикации: 2014-06-10.

CRYSTALLINE OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, METHOD FOR PRODUCING CRYSTALLINE OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, AND THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20180219098A1. Автор: INOUE Kazuyoshi,Ebata Kazuaki,Tomai Shigekazu,UTSUNO Futoshi,TSURUMA Yuki. Владелец: IDEMITSU KOSAN CO., LTD.. Дата публикации: 2018-08-02.

Liquid precursor injection for thin film deposition

Номер патента: US20230128366A1. Автор: Niloy Mukherjee,Miguel Saldana,Alex Finkelman. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Liquid precursor injection for thin film deposition

Номер патента: US20220154332A1. Автор: Niloy Mukherjee,Miguel Saldana,Alex Finkelman. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Liquid precursor injection for thin film deposition

Номер патента: WO2022109516A1. Автор: Niloy Mukherjee,Miguel Saldana,Alex Finkelman. Владелец: Eugenus, Inc.. Дата публикации: 2022-05-27.

Liquid precursor injection for thin film deposition

Номер патента: EP4247507A1. Автор: Niloy Mukherjee,Miguel Saldana,Alex Finkelman. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2023-09-27.

Method and system for adjusting location of a wafer and a top plate in a thin-film deposition process

Номер патента: US12014910B2. Автор: Che-Wei WU,Yu-Hsiang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Methods and apparatus of arc prevention during RF sputtering of a thin film on a substrate

Номер патента: EP2410075A3. Автор: Sean Timothy Halloran. Владелец: Primestar Solar Inc. Дата публикации: 2012-04-18.

Method and system for adjusting location of a wafer and a top plate in a thin-film deposition process

Номер патента: US20230105279A1. Автор: Che-Wei WU,Yu-Hsiang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Method and system for adjusting location of a wafer and a top plate in a thin-film deposition process

Номер патента: US20230395361A1. Автор: Che-Wei WU,Yu-Hsiang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of manufacturing surface-treated transparent conductive polymer thin film, and transparent electrode manufactured using same

Номер патента: WO2015071794A1. Автор: 김미경. Владелец: 주식회사 엘지화학. Дата публикации: 2015-05-21.

The preparation method of the voltage-controlled varactor of BZT thin film

Номер патента: CN107742579A. Автор: 孙正,李玲霞,于仕辉,郑浩然,陈思亮. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-02-27.

Tool and Method of Fabricating a Self-Aligned Solid State Thin Film Battery

Номер патента: US20190245246A1. Автор: Rossnagel Stephen M.,Shahidi Ghavam G.,Lee Ko-Tao,Libsch Frank Robert. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-08.

Multi-layer film and its use as a sealing material for a solar cell element and solar cell module

Номер патента: DE112009002670B4. Автор: Koichi Nishijima. Владелец: Dow Mitsui Polychemicals Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Method of producing self-supporting crystallised silicon thin film

Номер патента: RU2460167C1. Автор: Жан-Поль ГАРАНДЕ,Дени КАМЕЛЬ,Беатрис ДРЕВЕ. Владелец: Комиссарья А Л'Энержи Атомик Э Оз Энержи Альтернатив. Дата публикации: 2012-08-27.

Monolithically integrated thin-film electronic conversion unit for lateral multijunction thin-film solar cells

Номер патента: US09735309B2. Автор: Markus Schmidt,Hans-Juergen Eickelmann,Ruediger Kellmann,Hartmut Kuehl. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of fabricating copper indium gallium selenide (CIGS) thin film for solar cell using simplified co-vacuum evaporation and copper indium gallium selenide (CIGS) thin film for solar cell fabricated by the same

Номер патента: US09472708B2. Автор: Ara Cho,Jae-Ho Yun,Sung Woo Choi,SeJin Ahn,Jihye Gwak,Kyung Hoon YOON,Kee Shik Shin,SeoungKyu Ahn,Guk-Yeong Jeong,Hisun Park. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2016-10-18.

Full-laser grooving and scribing method of large-area copper indium gallium selenide thin-film solar cell module

Номер патента: GB2555277A9. Автор: Zhang Ning,YU Xinping,DAI Wanlei. Владелец: Beijing Sifang Crenergey Optoelectronics Tech Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-11.

Method for manufacturing CZTS based thin film having dual band gap slope, method for manufacturing CZTS based solar cell having dual band gap slope and CZTS based solar cell thereof

Номер патента: US09780246B2. Автор: Sang Hyun Park,Young Joo Eo,Ara Cho,SeJin Ahn,Jihye Gwak,Kyung Hoon YOON,Jae Ho Yun,Kee Shik Shin,SeoungKyu Ahn,Jun Sik Cho,Joo Hyung Park,Jin Su You. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2017-10-03.

Monolithically integrated thin-film electronic conversion unit for lateral multijunction thin-film solar cells

Номер патента: US20170033255A1. Автор: Markus Schmidt,Hans-Juergen Eickelmann,Ruediger Kellmann,Hartmut Kuehl. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-02.

Monolithically integrated thin-film electronic conversion unit for lateral multijunction thin-film solar cells

Номер патента: US20170338368A1. Автор: Markus Schmidt,Hans-Juergen Eickelmann,Ruediger Kellmann,Hartmut Kuehl. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-23.

Monolithically integrated thin-film electronic conversion unit for lateral multijunction thin-film solar cells

Номер патента: US9634171B2. Автор: Markus Schmidt,Hans-Juergen Eickelmann,Ruediger Kellmann,Hartmut Kuehl. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of using laser welding to ohmic contact of metallic thermal and diffusion barrier layer for foil-based metallization of solar cells

Номер патента: US09634178B1. Автор: Nils-Peter Harder,Robert Woehl,Gabriel Harley,Matthieu Moors,Taeseok Kim,Jens-Dirk MOSCHNER,Michel Arsène Olivier Ngamo Toko. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of fabricating copper indium gallium selenide (cigs) thin film for solar cell using simplified co-vacuum evaporation and copper indium gallium selenide (cigs) thin film for solar cell fabricated by the same

Номер патента: US20140326317A1. Автор: Ara Cho,Jae-Ho Yun,Sung Woo Choi,SeJin Ahn,Jihye Gwak,Kyung Hoon YOON,Kee Shik Shin,SeoungKyu Ahn,Guk-Yeong Jeong,Hisun Park. Владелец: KOREA INSTITUTE OF NERGY RESEARCH. Дата публикации: 2014-11-06.

Solar cell module with anti-glare film and method for manufacturing same, anti-glare film for solar cell modules and method for manufacturing same, and coating solution for forming anti-glare film

Номер патента: US09929286B2. Автор: Kazuhiro Shimizu,Takeyoshi Takahashi,Naoto Iitsuka. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Thin film inp-based solar cells using epitaxial lift-off

Номер патента: WO2013101317A3. Автор: Christopher Youtsey,Mark Wanlass,Noren Pan,Glen Hillier,Jessica Adams. Владелец: MICROLINK DEVICES, INC.. Дата публикации: 2014-02-20.

Functional thin film and method of its manufacture

Номер патента: RU2670303C2. Автор: Кё Сок ХАН,Мён Мо СУН. Владелец: Июкф-Хю (Индастри-Юниверсити-Кооперейшн Фаундейшн Ханян Юниверсити). Дата публикации: 2018-10-22.

Preparation of cuxinygazsen (X=0-2, Y=0-2, Z=0-2, N=0-3) precursor films by electrodeposition for fabricating high efficiency solar cells

Номер патента: US5730852A. Автор: Raghu N. Bhattacharya,Miguel A. Contreras,James Keane,Andrew L. Tennant,John R. Tuttle,Kannan Ramanathan,Rommel Noufi. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-03-24.

Preparation of cuxinygazsen (x=0-2, y=0-2, z=0-2, n=0-3) precursor films by electrodeposition for fabricating high efficiency solar cells

Номер патента: CA2239786C. Автор: Raghu N. Bhattacharya,Miguel A. Contreras,James Keane,Andrew L. Tennant,John R. Tuttle,Kannan Ramanathan,Rommel Noufi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-14.

Method of manufacturing pzt-based ferroelectric thin film

Номер патента: US20130260142A1. Автор: Toshiaki Watanabe,Toshihiro Doi,Nobuyuki Soyama,Hideaki Sakurai. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2013-10-03.

Apparatus, method, and recording medium storing command for controlling thin-film deposition process

Номер патента: US20230279538A1. Автор: Young Kyun Noh. Владелец: Ivworks Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Lithium Cobalt Sintered Body and Sputtering Target Produced by Using the Sintered Body, Production Method of Lithium Cobalt Oxide Sintered Body, and Thin Film Formed from Lithium Cobalt Oxide

Номер патента: US20170271134A1. Автор: Suzuki Ryo,Endo Yosuke,Sato Kazuyuki. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-21.

Silicon inks for thin film solar solar cell formation, corresponding methods and solar cell structures

Номер патента: WO2011035306A2. Автор: Shivkumar Chiruvolu,Uma Srinivasan,Guojun Liu,Clifford M. Morris,Igor Altman. Владелец: NanoGram Corporation. Дата публикации: 2011-03-24.

Conductive base material with thin film resistance layer, method of production of conductive base material with thin film resistance layer, and circuit board with thin film resistance layer

Номер патента: EP1841300A1. Автор: Yuuji Suzuki,Sadao Matsumoto,Yoshiaki Ogiwara,Yuuki Kikuchi,Satoru Zama. Владелец: Furukawa Circuit Foil Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-03.

Conductive base material with thin film resistance layer, method of production of conductive base material with thin film resistance layer, and circuit board with thin film resistance layer

Номер патента: CN101048037A. Автор: 铃木裕二,荻原吉章,座间悟,菊池勇贵,松本贞雄. Владелец: Furukawa Circuit Foil Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-03.

Manufacturing method of silicon carbide thin film for transparent solar cell

Номер патента: US20240120433A1. Автор: Jae Kwang YOON,Chan Uk JON,Jun Yong Bak. Владелец: ARCHE Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Crosslinked nanoparticle thin film and preparation method therefor, and thin film optoelectronic device

Номер патента: EP3611756A1. Автор: SONG Chen,LEI QIAN,Chaoyu XIANG,Yixing YANG,Weiran Cao. Владелец: TCL Corp. Дата публикации: 2020-02-19.

Method of producing an epitaxial film of a multilayer silicen intercalated by europium

Номер патента: RU2663041C1. Автор: Дмитрий Валерьевич Аверьянов,Андрей Михайлович Токмачев,Вячеслав Григорьевич Сторчак,Анастасия Федоровна Королева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2018-08-01.

Method for producing semiconductor thin films on foreign substrates

Номер патента: US20150140795A1. Автор: Jean-Paul Theis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-05-21.

Solvent-less method to manufacture thin film devices

Номер патента: CA3036194C. Автор: Alberto Argoitia,Kangning Liang,Jaroslaw Zieba,Johannes P. Seydel. Владелец: VIAVI SOLUTIONS INC. Дата публикации: 2023-09-26.

ORGANIC THIN FILM AND METHOD FOR PRODUCING ORGANIC THIN FILM, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, DISPLAY DEVICE, LIGHTING DEVICE, ORGANIC THIN FILM SOLAR CELL, PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, THIN FILM TRANSISTOR, COATING COMPOSITION AND MATERIAL FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENTS

Номер патента: US20220310937A1. Автор: Shimizu Takahisa,FUKAGAWA Hirohiko,MORII Katsuyuki,HASEGAWA Munehiro,Fukudome Hiroki,SASAKI Tsubasa,OONO Taku. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-29.

Method for producing semiconductor thin films on foreign substrates

Номер патента: US9293327B2. Автор: Jean-Paul Theis. Владелец: Solar Carbide Sarl. Дата публикации: 2016-03-22.

Underpotential deposition-mediated layer-by-layer growth of thin films

Номер патента: US09689085B2. Автор: Radoslav R. Adzic,Jia Xu WANG. Владелец: BROOKHAVEN SCIENCE ASSOCIATES LLC. Дата публикации: 2017-06-27.

Method for Selective Delamination and Transfer of Thin Film Using Liquid Platform

Номер патента: US20200387073A1. Автор: Sumin Kang,Taek-Soo Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2020-12-10.

Method of forming silicon-contained crystal thin film

Номер патента: US20010019877A1. Автор: Kiyoshi Ogata,Koji Miyake. Владелец: Nissin Electric Co Ltd. Дата публикации: 2001-09-06.

Organic semiconductor thin film and method of manufacturing the same and thin film transistor and electronic device

Номер патента: US20170331045A1. Автор: Jie Xu,Zhenan Bao,Jong Won Chung,Sangyoon Lee. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2017-11-16.

Semiconductor thin film and method of fabricating semiconductor thin film, apparatus for fabricating single crystal semiconductor thin film, and method of fabricating single crystal thin film, single crystal thin film substrate, and semiconductor device

Номер патента: US6746942B2. Автор: Junichi Sato,Hideharu Nakajima,Yasuhiro Sakamoto,Yoshifumi Mori,Setsuo Usui. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-06-08.

Semiconductor thin film and method of fabricating semiconductor thin film, apparatus for fabricating single crystal semiconductor thin film, and method of fabricating single crystal thin film, single crystal thin film substrate, and semiconductor device

Номер патента: US20050104125A1. Автор: Junichi Sato,Hideharu Nakajima,Yasuhiro Sakamoto,Yoshifumi Mori,Setsuo Usui. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-05-19.

COATING LIQUID FOR FORMING PIEZOELECTRIC THIN FILM, METHOD OF PRODUCING COATING LIQUID FOR FORMING PIEZOELECTRIC THIN FILM, PIEZOELECTRIC THIN FILM, METHOD OF MANUFACTURING PIEZOELECTRIC THIN FILM, AND LIQUID EJECTION HEAD

Номер патента: US20170335111A1. Автор: Kobayashi Motokazu,Koketsu Naoyuki,Nakasu Minako,Uchida Fumio,Shimizu Chiemi. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

Method of forming a thin film structure and stack structure comprising the thin film

Номер патента: US20080296739A1. Автор: Sang-jin Park,Eun-ha Lee,Sang-Moo Choi,Kwang-Soo Seol. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-04.

Method for manufacturing vertically-growing open carbon nanotube thin film

Номер патента: US09884768B2. Автор: YANG Zhao,Zhaoxiang Zhong,Zhong YAO. Владелец: NANJING TECH UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-02-06.

Alkoxysilane/organic polymer composition for use in producing an insulating thin film and use thereof

Номер патента: CA2289782C. Автор: Tsuneaki Tanabe,Takaaki Ioka. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2004-07-13.

Thin film transistor and display substrate having the same

Номер патента: US11769834B2. Автор: Youngdae Kim,Jong Yun Kim,Taekyung AHN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Method of preparing carbon thin film, electronics comprising carbon thin film, and electrochemical device comprising carbon thin film

Номер патента: CN102515135A. Автор: 李泰雨,崔喜哲,卞善祯. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2012-06-27.

ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR, ORGANIC SEMICONDUCTOR FILM, COMPOUND, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR-FORMING COMPOSITION, AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20190131546A1. Автор: FUKUZAKI Eiji,Watanabe Tetsuya,Takeya Junichi,Tani Yukio,USAMI Yoshihisa,OKAMOTO Toshihiro. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR, ORGANIC SEMICONDUCTOR FILM, COMPOUND, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR-FORMING COMPOSITION, AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20210351363A1. Автор: FUKUZAKI Eiji,Watanabe Tetsuya,Takeya Junichi,Tani Yukio,USAMI Yoshihisa,OKAMOTO Toshihiro. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-11.

Organic thin film transistor, organic semiconductor film, compound, organic thin film transistor-forming composition, and method of manufacturing organic thin film transistor

Номер патента: US11107996B2. Автор: Tetsuya Watanabe,Yoshihisa Usami,Toshihiro Okamoto,Eiji Fukuzaki,Yukio Tani,Junichi Takeya. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2021-08-31.

Organic thin film transistor, polymer, composition, organic semiconductor film, and compound

Номер патента: US20220238809A1. Автор: Toshihiro Ise,Hiroki Sugiura. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2022-07-28.

Film, silica film and method of forming the same, composition for forming silica film, and electronic part

Номер патента: EP1829945A1. Автор: Haruaki c/o Yamazaki Works SAKURAI,Takahiro c/o Yamazaki Works YOSHIKAWA. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-05.

Film, silica film and method of forming the same, composition for forming silica film, and electronic part

Номер патента: KR100996324B1. Автор: 하루아키 사쿠라이,타카히로 요시카와. Владелец: 히다치 가세고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2010-11-23.

Film, silica film and method of forming the same, composition for forming silica film, and electronic part

Номер патента: WO2006068181A1. Автор: Takahiro Yoshikawa,Haruaki Sakurai. Владелец: HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2006-06-29.

Film, silica film and method of forming the same, composition for forming silica film, and electronic part

Номер патента: TW200641075A. Автор: Takahiro Yoshikawa,Haruaki Sakurai. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-01.

Solution processed thin films and laminates, devices comprising such thin films and laminates, and method for their use and manufacture

Номер патента: EP2078046A4. Автор: Jeremy Anderson,Douglas A Keszler,Peter A Hersh,Jason K Stowers,Stephen T Meyers. Владелец: Oregon State. Дата публикации: 2015-04-22.

Solution processed thin films and laminates, devices comprising such thin films and laminates, and method for their use and manufacture

Номер патента: WO2008082448A1. Автор: Douglas A. Keszler,Jeremy Anderson,Peter A. Hersh,Jason K. Stowers,Stephen T. Meyers. Владелец: State Of Oregon Acting By And Through The State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University. Дата публикации: 2008-07-10.

Solution processed thin films and laminates, devices comprising such thin films and laminates, and method for their use and manufacture

Номер патента: TW200919718A. Автор: Jeremy Anderson,Douglas A Keszler,Peter A Hersh,Jason K Stowers,Stephen T Mayers. Владелец: Oregon State. Дата публикации: 2009-05-01.

High capacity cathodes for all-solid-state thin-film batteries

Номер патента: WO2023101761A2. Автор: Fei Hu,Wyatt E. Tenhaeff,William Clark WEST. Владелец: Nanoear Corporation, Inc.. Дата публикации: 2023-06-08.

High capacity cathodes for all-solid-state thin-film batteries

Номер патента: WO2023101761A3. Автор: Fei Hu,Wyatt E. Tenhaeff,William Clark WEST. Владелец: Nanoear Corporation, Inc.. Дата публикации: 2023-08-17.

Composition for forming silicon-containing resist underlayer film, patterning process, and silicon compound

Номер патента: JP2022100122A. Автор: 勤 荻原,恵介 新井田,Tsutomu Ogiwara,Keisuke Araida,佑典 甲斐,Yusuke Kai. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-05.

Organic thin film transistor, organic semiconductor film, compound, composition for organic thin film transistor, and method for producing organic thin film transistor

Номер патента: JP6555667B2. Автор: 征夫 谷,由久 宇佐美,哲也 渡邉,純一 竹谷,岡本　敏宏,敏宏 岡本,英治 福▲崎▼,渡邉　哲也,宇佐美　由久. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2019-08-07.

Organic thin-film transistor, organic semiconductor film, compound, organic-thin-film-transistor composition, and organic-thin-film-transistor manufacturing method

Номер патента: WO2018003701A1. Автор: 征夫 谷,純一 竹谷,岡本　敏宏,英治 福▲崎▼,渡邉　哲也,宇佐美　由久. Владелец: 国立大学法人東京大学. Дата публикации: 2018-01-04.

ETCHING SOLUTION FOR AN ALUMINUM OXIDE FILM, AND METHOD FOR MANUFACTURING A THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE ETCHING SOLUTION

Номер патента: US20150099327A1. Автор: Higashi Hirofumi,Hidaka Yoshiharu. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2015-04-09.

Method of manufacturing a piezoelectric thin film

Номер патента: US12063023B2. Автор: Sang Jeong An. Владелец: Wavelord Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method of controlling the composition of a photovoltaic thin film

Номер патента: WO2011029706A2. Автор: Hariklia Deligianni,Harold John Hovel,Raman Vaidyanathan. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2011-03-17.

Organic thin film and method for manufacturing organic thin film, organic electroluminescence element, display device, illumination device, organic thin film solar cell, thin film transistor, and coating composition

Номер патента: US20190081239A1. Автор: Takahisa Shimizu,Munehiro Hasegawa,Katsuyuki Morii,Syun GOHDA,Hirohiko Fukagawa. Владелец: Nippon Hoso Kyokai NHK. Дата публикации: 2019-03-14.

Poly-crystalline thin film, thin film transistor formed from a poly-crystalline thin film and methods of manufacturing the same

Номер патента: US7851802B2. Автор: Sang-yoon Lee,Myung-kwan Ryu,Tae-Sang Kim,Jang-yeon Kwon,Kyung-bae Park,Ji-sim Jung,Jae-Young Choi,Hyeon-jin SHIN,Seon-mi Yoon,Kyung-seok SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-14.

Method of making an electronic device having a thin film resistor formed on an LCP solder mask and related devices

Номер патента: US09795039B2. Автор: Louis Joseph Rendek, Jr.. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of making an electronic device having a thin film resistor formed on an LCP solder mask and related devices

Номер патента: US09521752B2. Автор: Louis Joseph Rendek, Jr.. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2016-12-13.

Poly-crystalline thin film, thin film transistor formed from a poly-crystalline thin film and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20090127560A1. Автор: Sang-yoon Lee,Myung-kwan Ryu,Tae-Sang Kim,Jang-yeon Kwon,Kyung-bae Park,Ji-sim Jung,Jae-Young Choi,Hyeon-jin SHIN,Seon-mi Yoon,Kyung-seok SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-05-21.

Method of making semiconductor device using a trimmable thin-film resistor

Номер патента: US5284794A. Автор: Masami Saito,Yoshihiko Isobe,Shoji Miura,Makio Iida,Mikimasa Suzuki,Keizou Kajiura. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1994-02-08.

Preparation method of a stretchable inorganic thermoelectric thin film and the stretchable inorganic thermoelectric thin film prepared by the same

Номер патента: US11864463B2. Автор: Jae Sung Son,Seung Hwae HEO,Moon Kee CHOI,Jisu YOO. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Systems and methods for a thin film capacitor having a composite high-K thin film stack

Номер патента: US09424993B2. Автор: Marina Zelner,Mircea Capanu,Susan C. Nagy. Владелец: BlackBerry Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of producing a freestanding thin film of nano-crystalline graphite

Номер патента: US20150151972A1. Автор: Bart Buijsse,Kasim Sader,Radostin Stoyanov Danev. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2015-06-04.

Method of producing a freestanding thin film of nano-crystalline graphite

Номер патента: US9908778B2. Автор: Bart Buijsse,Kasim Sader,Radostin Stoyanov Danev. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of Producing a Freestanding Thin Film of Nano-Crystalline Carbon

Номер патента: US20160096734A2. Автор: Bart Buijsse,Kasim Sader,Radostin Stoyanov Danev. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2016-04-07.

Conductive composition for thin film printing and method for forming thin film conductive pattern

Номер патента: US09845404B2. Автор: Hiroshi Uchida,Jun Dou,Takahiko Ono,Masumi Kuritani,Shoichiro Wakabayashi. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2017-12-19.

Polypropylene resin composite and its manufacture method, biaxially-stretched film and its manufacture method and thin film capacitor electricity container film

Номер патента: CN107406543A. Автор: 樋口匡史,田村聪. Владелец: Prime Polymer Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

METHOD OF MANUFACTURING SURFACE-TREATED TRANSPARENT CONDUCTIVE POLYMER THIN FILM, AND TRANSPARENT ELECTRODE MANUFACTURED USING THE SAME

Номер патента: US20160268056A1. Автор: Kim Mikyoung. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

METAL OXIDE THIN FILM, METHOD FOR DEPOSITING METAL OXIDE THIN FILM AND DEVICE COMPRISING METAL OXIDE THIN FILM

Номер патента: US20170316847A1. Автор: HITOSUGI TARO. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

Metal oxide thin film, method for depositing metal oxide thin film and device comprising metal oxide thin film

Номер патента: KR20170063749A. Автор: 타로 히토수기. Владелец: 플란제 에스이. Дата публикации: 2017-06-08.

Metal oxide thin film, method for depositing metal oxide thin film and device comprising metal oxide thin film

Номер патента: TWI702189B. Автор: 一杉太郎. Владелец: 奧地利商攀時歐洲公司. Дата публикации: 2020-08-21.

Composition for thin film capacitance element, insulating film of high dielectric constant, thin film capacitance element, thin film laminated capacitor and method for manufacturing thin film capacita

Номер патента: CN1742121A. Автор: 坂下幸雄,Y·宫本. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2006-03-01.

Method of producing light-absorbing layer of thin-film solar cells from copper-indium-gallium-sulphur-selenium

Номер патента: RU2446510C1. Автор: Фукианг ХУАНГ,Яоминг ВАНГ. Владелец: Шанхайский Институт Керамики Китайской Академии Наук. Дата публикации: 2012-03-27.

Microcrystalline silicon deposition for thin film solar applications

Номер патента: EP2206156A1. Автор: Soo Young Choi,Shuran Sheng,Yong Kee Chae. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2010-07-14.

Scribing apparatus for thin film solar cells

Номер патента: EP2352163A3. Автор: Masanobu Soyama. Владелец: Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-28.

Method for forming thin film chalcogenide layers

Номер патента: US09647153B2. Автор: Marc Meuris,Marie Buffiere,Hossam ElAnzeery. Владелец: King Abdulaziz City for Science and Technology KACST. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of manufacturing a chalcopyrite-based translucent thin-film solar module

Номер патента: RU2682836C1. Автор: Дмитрий Александрович Яковлев,Евгений Рашитович Закиров. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Солартек". Дата публикации: 2019-03-21.

Method of enhancing the conductive and optical properties of deposited indium tin oxide (ito) thin films

Номер патента: EP2436044A1. Автор: Yiwei Lu,David M. Broadway. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2012-04-04.

Method of enhancing the conductive and optical properties of deposited indium tin oxide (ito) thin films

Номер патента: WO2010138157A1. Автор: Yiwei Lu,David M. Broadway. Владелец: Guardian Industries Corp.. Дата публикации: 2010-12-02.

Method of making a tandem solar cell having a germanium perovskite/germanium thin-film

Номер патента: US09608159B2. Автор: Ashok CHAUDHARI. Владелец: Solar-Tectic LLC. Дата публикации: 2017-03-28.

Thin refractory metal layer used as contact barrier to improve the performance of thin-film solar cells

Номер патента: US10103281B2. Автор: Salvatore Lombardo,Marina Foti,Cristina Tringali,Sebastiano Ravesi,Nicola COSTA,Stella Loverso,Cosimo Gerardi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-10-16.

Method of forming a microcrystalline silicon thin film and method of fabricating a thin-film silicon solar cell using the same

Номер патента: KR100387982B1. Автор: 이창현,임굉수. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2003-06-18.

Full-laser grooving and scribing method of large-area copper indium gallium selenide thin-film solar cell module

Номер патента: GB201719020D0. Автор: . Владелец: Beijing Sifang Crenergey Optoelectronics Tech Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-03.

High efficiency solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2008004791A1. Автор: Don-Hee Lee,Kwy-Ro Lee,Seh-Won Ahn,Heon-Min Lee,Kun-Ho Ahn. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2008-01-10.

Solar cell and manufacturing method therefor

Номер патента: AU2023350326A1. Автор: Guoqiang Xing,Mingzhang DENG. Владелец: Tongwei Solar Meishan Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Manufacturing method for cigs thin film type absorber layer, manufacturing method for thin film solar cell using thereof and thin film solar cell

Номер патента: KR20200081939A. Автор: 조아라,박주형,조준식,김기환,안승규,정인영,유진수,곽지혜,안세진,윤재호,어영주,신동협. Владелец: 한국에너지기술연구원. Дата публикации: 2020-07-08.

Method of making a copper oxide/silicon thin-film tandem solar cell using copper-inorganic film from a eutectic alloy

Номер патента: US9997661B2. Автор: Ashok CHAUDHARI. Владелец: Solar-Tectic LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

Methods of forming colloidal nanocrystal-based thin film devices

Номер патента: US20160336474A1. Автор: Aaron T. Fafarman,Cherie R. Kagan,Christopher B. Murray,Yuming LAI,Sung-Hoon Hong,Sangameshwar Rao Saudari,Soong Ju Oh,David K. KIM,Ji-Hyuk Choi,Weon-kyu Koh. Владелец: University of Pennsylvania Penn. Дата публикации: 2016-11-17.

Method of making a iv-vi/silicon thin-film tandem solar cell

Номер патента: US20160329453A1. Автор: Ashok CHAUDHARI. Владелец: Solar-Tectic LLC. Дата публикации: 2016-11-10.

Preparation method of p-type semiconductor layer for inorganic thin-film solar cell

Номер патента: CN114068737A. Автор: 李秉勋,金镇赫,贾比材,李栋敏,张浚成,曹恩爱. Владелец: INDUSTRY FOUNDATION OF CHONNAM NATIONAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-02-18.

Monolithically integrated thin-film electronic conversion unit for lateral multijunction thin-film solar cells

Номер патента: US20170338368A1. Автор: Markus Schmidt,Hans-Juergen Eickelmann,Ruediger Kellmann,Hartmut Kuehl. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-23.

Monolithically integrated thin-film electronic conversion unit for lateral multifunction thin-film solar cells

Номер патента: GB201417577D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-11-19.

Thin layer p-n type heterojunction solar cells

Номер патента: CA1185347A. Автор: Reid A. Mickelsen,Wen S. Chen. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 1985-04-09.

Thin film device with additional conductive lines and method for producing it

Номер патента: EP3718145A1. Автор: BASTIAN SIEPCHEN,MICHAEL HARR,SHOU PENG,KRISHNAKUMAR VELAPPAN,Xinjian Yin,Ganhua FU. Владелец: China Triumph International Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-07.

High efficiency solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: EP2036133A1. Автор: Don-Hee Lee,Kwy-Ro Lee,Seh-Won Ahn,Heon-Min Lee,Kun-Ho Ahn. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2009-03-18.

Method of reducing semiconductor window layer loss during thin film photovoltaic device fabrication, and resulting device structure

Номер патента: US09437760B2. Автор: Zhibo Zhao,Jigish Trivedi,Rick C. Powell,Daniel Damjanovic. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Multi-junction solar cells and methods and apparatuses for forming the same

Номер патента: WO2008089043A2. Автор: Soo-Young Choi,Shuran Sheng,Yong-Kee Chae. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2008-07-24.

Multi-junction solar cells and methods and apparatuses for forming the same

Номер патента: EP2104955A2. Автор: Soo-Young Choi,Shuran Sheng,Yong-Kee Chae. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-09-30.

Methods and apparatus for forming thin-film heterojunction solar cells from 1-111-v1 chalcopyrite compounds and solar cells produced thereby

Номер патента: GB2106316B. Автор: Wen Shuh Chen,Reid A Mickelsen. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 1985-09-25.

Method for making thin film devices intended for solar cells or SOI applications

Номер патента: EP1385200A3. Автор: Jef Poortmans,Renat Bilyalov,Chetan Singh Solanki. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2005-03-09.

Oxide thin film, methods of manufacturing oxide thin film and electronic devices including oxide thin film

Номер патента: US9053979B2. Автор: Sang-yoon Lee,Myung-kwan Ryu,Kyung-bae Park,Jong-baek Seon,Bon-Won Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-06-09.

Oxide thin film, methods of manufacturing oxide thin film and electronic devices including oxide thin film

Номер патента: EP2369641B1. Автор: Myung-kwan Ryu,Kyung-bae Park,Sang Yoon Lee,Jong-baek Seon,Bon Won Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-09-02.

Oxide thin film, methods of manufacturing oxide thin film and electronic devices including oxide thin film

Номер патента: US8394668B2. Автор: Sang-yoon Lee,Myung-kwan Ryu,Kyung-bae Park,Jong-baek Seon,Bon-Won Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-03-12.

Dielectric thin film device with lead erbium zirconate titanate

Номер патента: US5578845A. Автор: Yoshiyuki Masuda,Noboru Ootani,Yasushi Ogimoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1996-11-26.

Composition for ferroelectric thin film formation, ferroelectric thin film and liquid-jet head

Номер патента: US7544240B2. Автор: Hiroyuki Kamei. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-06-09.

Composition for ferroelectric thin film formation, ferroelectric thin film and liquid-jet head

Номер патента: US20100203236A1. Автор: Hiroyuki Kamei. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2010-08-12.

Composition for ferroelectric thin film formation, ferroelectric thin film and liquid-jet head

Номер патента: US20090009563A1. Автор: Hiroyuki Kamei. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-01-08.

Thin-film crystalline silicon solar cell using a nanoimprinted photonic-plasmonic back-reflector structure

Номер патента: US20220310870A1. Автор: David Keogh,Vikram Dalal. Владелец: LOWA STATE UNIVERSITY RESEARCH FOUNDATION Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Thin film inp-based solar cells using epitaxial lift-off

Номер патента: US20150255668A1. Автор: Christopher Youtsey,Mark Wanlass,Noren Pan,Glen Hillier,Jessica Adams. Владелец: Microlink Devices Inc. Дата публикации: 2015-09-10.

Ion implantation fabrication process for thin-film crystalline silicon solar cells

Номер патента: US8420435B2. Автор: Mehrdad M. Moslehi,Virendra V. Rana,Pawan Kapur. Владелец: Solexel Inc. Дата публикации: 2013-04-16.

Trench Formation Method For Releasing A Thin-Film Substrate From A Reusable Semiconductor Template

Номер патента: US20100203711A1. Автор: David Xuan-Qi Wang,Mehrdad Moslehi. Владелец: Solexel Inc. Дата публикации: 2010-08-12.

Ion implantation fabrication process for thin-film crystalline silicon solar cells

Номер патента: US20100304522A1. Автор: Mehrdad M. Moslehi,Virendra V. Rana,Pawan Kapur. Владелец: Solexel Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Preparation method of gallium-doped polycrystalline silicon film and application of gallium-doped polycrystalline silicon film in solar cell

Номер патента: CN111509082A. Автор: 叶继春,黄丹丹,王志学,廖明墩,曾俞衡,闫宝杰,郑晶茗,卢琳娜. Владелец: Ningbo Institute of Material Technology and Engineering of CAS. Дата публикации: 2020-08-07.

Thin film gallium arsenide solar cell upper electrode and preparation method thereof

Номер патента: CN112750915B. Автор: 高鹏,刘兴江,张璐,姜明序,吴致丞. Владелец: CETC 18 Research Institute. Дата публикации: 2022-11-11.

METHOD OF MAKING AN ELECTRONIC DEVICE HAVING A THIN FILM RESISTOR FORMED ON AN LCP SOLDER MASK AND RELATED DEVICES

Номер патента: US20160088734A1. Автор: Rendek,JR. Louis Joseph. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

A method of preparing copper and indium gallium tellurium thin films

Номер патента: CN108767059A. Автор: 李静,刘宏,刘科高,许超,赵忠新. Владелец: Shandong Jianzhu University. Дата публикации: 2018-11-06.

Method of manufacturing low temperature polycrystalline silicon thin film and thin film transistor, thin film transistor, display panel and display device

Номер патента: US09842735B2. Автор: Chao Liu,Lei Chen,Yujun Zhang,Yanan NIU,Zengsheng He. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of forming single crystal silicon thin film using sequential lateral solidification (SLS)

Номер патента: US20050176189A1. Автор: Se-Young Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-11.

Low Temperature Poly-Silicon Thin Film, Method for Making The Thin Film, and Transistor Made from The Thin Film

Номер патента: US20150194310A1. Автор: Longxian Zhang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

Low temperature poly-silicon thin film, method for making the thin film, and transistor made from the thin film

Номер патента: US9209025B2. Автор: Longxian Zhang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-08.

Thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor, and display apparatus including the thin film transistor

Номер патента: EP4425557A3. Автор: Sohyung Lee,Jeongsuk YANG,Kwangmin Jo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-13.

Thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor, and display apparatus including the thin film transistor

Номер патента: US12034082B2. Автор: Sohyung Lee,Jeongsuk YANG,Kwangmin Jo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor, and display apparatus including the thin film transistor

Номер патента: EP4425557A2. Автор: Sohyung Lee,Jeongsuk YANG,Kwangmin Jo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Manufacturing method of organic semiconductor film, organic semiconductor film, thin film transistor, active matrix device, electro-optical device, and electronic device

Номер патента: US09484538B2. Автор: Soichi Moriya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for manufacturing low-temperature poly-silicon thin film transistor, low-temperature poly-silicon thin film transistor and display device

Номер патента: US20180294344A1. Автор: Kui Gong. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-11.

Method of manufacturing an electronic device comprising a thin film transistor

Номер патента: EP1547140A1. Автор: Nigel D. Young,David J. Mcculloch,Ian D. French,Soo Y. Yoon. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-06-29.

Thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor, and display apparatus including the thin film transistor

Номер патента: US20240313127A1. Автор: Sohyung Lee,Jeongsuk YANG,Kwangmin Jo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of controlling electric conductivity of metal oxide thin film and thin film transistor including the metal oxide film having the controlled electric conductivity

Номер патента: US10217871B2. Автор: Jin Seo Kim,Sang Yeon Lee,Hyungtak Seo. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2019-02-26.

Inhibitor for selectively depositing thin film and method for selectively depositing thin film

Номер патента: US20240243010A1. Автор: Soyoung LEE,Younjoung CHO,Kiyoshi Murata,Jihyun Lee,Tomoharu Yoshino,Hoon Han,Hiroyuki Uchiuzou,Byungkeun Hwang,Eun Hyea Ko,Thanh Cuong Nguyen. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Barrier stacks for printed and/or thin film electronics methods of manufacturing the same, and method of controlling a threshold voltage of a thin film transistor

Номер патента: WO2020086532A1. Автор: Aditi Chandra,Yoocharn Jeon,Raghav SREENIVASAN. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2020-04-30.

Method of preparing substrate surface from aluminum nitride ceramic with holes formed by laser cutting, for thin-film metallisation

Номер патента: RU2723475C1. Автор: Евгений Матвеевич Савченко,Владимир Алексеевич Сидоров,Алексей Геннадьевич Чупрунов,Александра Сергеевна Гришаева,Яна Сергеевна Маскалец. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2020-06-11.

Thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor, and display apparatus including the thin film transistor

Номер патента: EP3799133A1. Автор: Sohyung Lee,Jeongsuk YANG,Kwangmin Jo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-31.

Method of improving the uniformity of PECVD-deposited thin films

Номер патента: US20080268176A1. Автор: Soo Young Choi,John M. White,Tae Kyung Won. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-10-30.

Method of manufacturing nitride semiconductor and nitride semiconductor thin film prepared using the same

Номер патента: US20240154001A1. Автор: Min Ho Kim,Ok Hyun Nam,Uiho Choi. Владелец: Tech University Of Korea Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2024-05-09.

Thin-film semiconductor device and method for fabricating thin-film semiconductor device

Номер патента: US20130161630A1. Автор: Kenichirou Nishida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Thin film transistor, method for manufacturing the thin film transistor, and display device including the thin film transistor

Номер патента: US20220310948A1. Автор: Hyungjun Kim,Yong-Young Noh,Jun Hyung LIM,Soyoung Koo,Huihui ZHU. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-29.

Thin film transistor, method for manufacturing the thin film transistor and display device comprising the thin film transistor

Номер патента: US12142691B2. Автор: Dohyung Lee,Juheyuck BAECK,ChanYong JEONG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Method of making a high performance small area, thin film transistor

Номер патента: CA1228180A. Автор: Meera Vijan. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 1987-10-13.

Evaluation method for oxide semiconductor thin film, quality control method for oxide semiconductor thin film, and evaluation element and evaluation device used in the evaluation method

Номер патента: US20150371906A1. Автор: Kazushi Hayashi,Toshihiro Kugimiya,Tomoya Kishi. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2015-12-24.

Methods of forming uniformly doped deep implanted regions in silicon carbide and silicon carbide layers including uniformly doped implanted regions

Номер патента: US20230420575A1. Автор: Steven Rogers,Edward Robert Van Brunt,Rahul R. Potera. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Thin film transistor, method for manufacturing the thin film transistor and display device comprising the thin film transistor

Номер патента: EP3993063A3. Автор: Jeongsuk YANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-25.

Thin film transistor, method for manufacturing the thin film transistor and display device comprising the thin film transistor

Номер патента: US11817509B2. Автор: Jeongsuk YANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Thin film transistor, method for manufacturing the thin film transistor and display device comprising the thin film transistor

Номер патента: EP3993063A2. Автор: Jeongsuk YANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-04.

Thin-film transistor and method for producing a thin-film transistor

Номер патента: US20220165970A1. Автор: Michael Hoffmann,Somchith Nique,Falk Schütze,Herbert A. WOLTER,Stephanie Schreiber. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2022-05-26.

Thin-film transistor, liquid crystal display panel, and thin-film transistor manufacturing method

Номер патента: US20180097117A1. Автор: Xiaobo Hu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-05.

Thin film transistor, method for manufacturing the thin film transistor and display device comprising the thin film transistor

Номер патента: US20220209019A1. Автор: Dohyung Lee,Juheyuck BAECK,ChanYong JEONG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Organic semiconductor thin film, transistor, method for producing organic semiconductor thin film, method for producing transistor, and method for producing electronic device

Номер патента: US20240090243A1. Автор: Hao Wu,Jun-Ichi Hanna,Hiroaki Iino. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of ion-plasma sputtering of metal cathode on polymer film and device therefor

Номер патента: RU2606750C2. Автор: Сергей Владимирович Борисов,Николай Александрович Хлебников. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Нанокомпозитные трековые мембраны". Дата публикации: 2017-01-10.

Solar cell and method of making the same

Номер патента: WO2023234793A1. Автор: Brahim Aissa,Adnan Ali. Владелец: QATAR FOUNDATION FOR EDUCATION, SCIENCE AND COMMUNITY DEVELOPMENT. Дата публикации: 2023-12-07.

MONOLITHICALLY INTEGRATED THIN-FILM ELECTRONIC CONVERSION UNIT FOR LATERAL MULTIJUNCTION THIN-FILM SOLAR CELLS

Номер патента: US20170033255A1. Автор: Schmidt Markus,Eickelmann Hans-Juergen,Kellmann Ruediger,Kuehl Hartmut. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

MONOLITHICALLY INTEGRATED THIN-FILM ELECTRONIC CONVERSION UNIT FOR LATERAL MULTIJUNCTION THIN-FILM SOLAR CELLS

Номер патента: US20160099369A1. Автор: Schmidt Markus,Eickelmann Hans-Juergen,Kellmann Ruediger,Kuehl Hartmut. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

METHOD OF FABRICATING COPPER INDIUM GALLIUM SELENIDE (CIGS) THIN FILM FOR SOLAR CELL USING SIMPLIFIED CO-VACUUM EVAPORATION AND COPPER INDIUM GALLIUM SELENIDE (CIGS) THIN FILM FOR SOLAR CELL FABRICATED BY THE SAME

Номер патента: US20140326317A1. Автор: Gwak Jihye,Ahn Sejin,Ahn SeoungKyu,Cho Ara,Yun Jae-Ho,Yoon Kyung Hoon,Choi Sung Woo,Shin Kee Shik,Jeong Guk-Yeong,Park Hisun. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-06.

Solar array system with electrically conductive adhesive and method of manufacturing

Номер патента: US20240055547A1. Автор: Brian Anthony,Matthew Johnson,Scott Christiansen,Rodney Dobson. Владелец: Sierra Space Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Solar array system with electrically conductive adhesive and method of manufacturing

Номер патента: WO2024035723A1. Автор: Brian Anthony,Matthew Johnson,Scott Christiansen,Rodney Dobson. Владелец: Sierra Space Corporation. Дата публикации: 2024-02-15.

METHOD FOR MANUFACTURING CZTS BASED THIN FILM HAVING DUAL BAND GAP SLOPE, METHOD FOR MANUFACTURING CZTS BASED SOLAR CELL HAVING DUAL BAND GAP SLOPE AND CZTS BASED SOLAR CELL THEREOF

Номер патента: US20140338736A1. Автор: Gwak Jihye,Ahn Sejin,Ahn SeoungKyu,Cho Ara,PARK Sang Hyun,Yoon Kyung Hoon,Eo Young Joo,Cho Jun Sik,Park Joo Hyung,You Jin Su,Yun Jae Ho,Shin Kee Shik. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-20.

THIN-FILM COMPOUND PHOTOVOLTAIC CELL, METHOD FOR MANUFACTURING THIN-FILM COMPOUND PHOTOVOLTAIC CELL, THIN-FILM COMPOUND PHOTOVOLTAIC CELL ARRAY, AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN-FILM COMPOUND PHOTOVOLTAIC CELL ARRAY

Номер патента: US20180233612A1. Автор: TAKAMOTO Tatsuya. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-16.

SOLAR CELL MODULE WITH ANTI-GLARE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME, ANTI-GLARE FILM FOR SOLAR CELL MODULES AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND COATING SOLUTION FOR FORMING ANTI-GLARE FILM

Номер патента: US20150249166A1. Автор: Takahashi Takeyoshi,SHIMIZU Kazuhiro,Iitsuka Naoto. Владелец: KANEKA CORPORATION. Дата публикации: 2015-09-03.

POLYESTER FILM AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME, BACK SHEET FOR SOLAR CELL, AND SOLAR CELL MODULE

Номер патента: US20150007885A1. Автор: HASHIMOTO Kiyokazu. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2015-01-08.

METHOD OF REDUCING SEMICONDUCTOR WINDOW LAYER LOSS DURING THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE FABRICATION, AND RESULTING DEVICE STRUCTURE

Номер патента: US20140261687A1. Автор: Zhao Zhibo,Trivedi Jigish,Powell Rick C.,Damjanovic Dan. Владелец: FIRST SOLAR, INC. Дата публикации: 2014-09-18.

Method of manufacturing mask blank and method of manufacturing transfer mask

Номер патента: US09664997B2. Автор: Hiroaki Shishido,Osamu Nozawa,Atsushi Kominato. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Transparent laminated film and method for producing the same

Номер патента: US20140193592A1. Автор: Tetsuya Takeuchi,Tetsuji Narasaki,Hiroki Inagaki,Yoshihiro Tokunaga,Masataka Inuzuka. Владелец: Sumitomo Riko Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-10.

Transparent electro-conductive film and liquid crystal display using the same

Номер патента: US5140450A. Автор: Masaru Nikaido. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-08-18.

Method for producing thin film, thin film forming material, optical thin film, and optical member

Номер патента: US20190025466A1. Автор: Hirofumi Tanaka,Gentaro Tanaka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Quinoxaline compound, organic light emitting diode, organic thin film transistor and solar cell

Номер патента: DE102008058230B4. Автор: Michael Limmert,Carsten Rothe,Omrane Fadhel. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2021-01-07.

Sputtering process for producing single crystal thin films

Номер патента: US3726776A. Автор: A Mayadas,J Cuomo,R Rosenberg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1973-04-10.

Composition for producing electronic device, method for producing composition for producing electronic device, organic thin film, and method for producing organic thin film

Номер патента: JPWO2018168225A1. Автор: 北　弘志,弘志 北,達夫 田中,田中　達夫. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2020-01-16.

Tin perovskite/silicon thin-film tandem solar cell

Номер патента: US09653696B2. Автор: Ashok CHAUDHARI. Владелец: Solar-Tectic LLC. Дата публикации: 2017-05-16.

Tin perovskite/silicon thin-film tandem solar cell

Номер патента: US20160322172A1. Автор: Ashok CHAUDHARI. Владелец: Solar-Tectic LLC. Дата публикации: 2016-11-03.

Tin perovskite/silicon thin-film tandem solar cell

Номер патента: WO2017196569A1. Автор: Ashok CHAUDHARI. Владелец: SOLAR-TECTIC, LLC. Дата публикации: 2017-11-16.

Method of manufacturing resin film, polarizing plate made of resin film and liquid crystal display device made of polarizing plate

Номер патента: US20050266178A1. Автор: Kazuyuki Shimizu. Владелец: Konica Minolta Opto Inc. Дата публикации: 2005-12-01.

Solar cell and preparation method, and power generation device

Номер патента: AU2023281492A1. Автор: Zhou Chen. Владелец: Tongwei Solar Jintang Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Fabrication method of CIGS thin films and its application to CIGS thin film solar cells

Номер патента: KR101410673B1. Автор: 이승현,김태원,박재철,이전량,구보라. Владелец: 한국생산기술연구원. Дата публикации: 2014-06-25.

Fabrication method of tandem-type CIGS thin films and its application to CIGS thin film solar cells

Номер патента: KR101438486B1. Автор: 이승현,김태원,박재철,이전량,구보라. Владелец: 한국생산기술연구원. Дата публикации: 2014-11-04.

Fabrication method of cis thin films and its application to cis thin film solar cells

Номер патента: KR20140037355A. Автор: 김태원,박재철,김호성,오익현. Владелец: 한국생산기술연구원. Дата публикации: 2014-03-27.

Fabrication method of cigs thin films and its application to cigs thin film solar cells

Номер патента: KR20140040889A. Автор: 이승현,김태원,박재철,이전량,구보라. Владелец: 한국생산기술연구원. Дата публикации: 2014-04-04.

Space solar cell

Номер патента: US20040231718A1. Автор: Masayoshi Umeno,Tetsuo Soga,Mitsuru Imaizumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-25.

Tandem solar cell module

Номер патента: US20220173137A1. Автор: Jeung Hyun JEONG,Hyeong Geun Yu,Yoon Hee JANG,Gee Yeong KIM. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2022-06-02.

Tandem solar cell module

Номер патента: US11764235B2. Автор: Jeung Hyun JEONG,Hyeong Geun Yu,Yoon Hee JANG,Gee Yeong KIM. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-09-19.

Thin films and a method for making the same

Номер патента: US20190049629A1. Автор: Douglas A. Keszler,Juan Carlos Ramos,Cory K. Perkins,Ryan Helmut Mansergh. Владелец: Oregon State University. Дата публикации: 2019-02-14.

Space solar cell

Номер патента: US20020139417A1. Автор: Masayoshi Umeno,Tetsuo Soga,Mitsuru Imaizumi. Владелец: Nagoya Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2002-10-03.

Thin-film silicon tandem solar cell and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120325284A1. Автор: Tobias Roschek,Hanno Goldbach. Владелец: Oerlikon Solar AG. Дата публикации: 2012-12-27.

Thin-film silicon tandem solar cell and method for manufacturing the same

Номер патента: EP2517267A2. Автор: Tobias Roschek,Hanno Goldbach. Владелец: Oerlikon Solar AG. Дата публикации: 2012-10-31.

PROCESS FOR THE PREPARATION OF SEMICONDUCTOR ELEMENTS WITH THIN FILMS, IN PARTICULAR SOLAR CELLS

Номер патента: FR2573249B1. Автор: Gerhard Winterling. Владелец: Messerschmitt Bolkow Blohm AG. Дата публикации: 1991-11-08.

Thin-film silicon tandem solar cell and method for manufacturing the same

Номер патента: CN102656707B. Автор: T.罗舍克,H.戈德巴赫. Владелец: Oerlikon Solar AG. Дата публикации: 2015-04-01.

Device for thin film encapsulation and solar cell

Номер патента: WO2019232905A1. Автор: 张雨,张鹏举,李胜春,鱼志坚,谈笑天. Владелец: 汉能新材料科技有限公司. Дата публикации: 2019-12-12.

Thin-film silicon tandem solar cell and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2011076466A3. Автор: Tobias Roschek,Hanno Goldbach. Владелец: OERLIKON SOLAR AG, TRUEBBACH. Дата публикации: 2011-09-09.

Reinforcing structures for thin-film photovoltaic device substrates, and associated methods

Номер патента: US8207442B2. Автор: Bizhong Zhu,Michitaka Suto,Dimitris Elias Katsoulis,Hidekatsu Hatanaka,Joseph H. Armstrong,Lawrence M. Woods,Thomas Duncan Barnard,Maki Itoh,Rosine M. Ribelin,Yukinari Harimoto,Nicole R. Anderson,Herschel Henry Reese. Владелец: ITN Energy Systems Inc. Дата публикации: 2012-06-26.

Method of controlling the composition of a photovoltaic thin film

Номер патента: TW201123469A. Автор: Hariklia Deligianni,Raman Vaidyanathan,Harold J Hovel. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2011-07-01.

METHOD OF MAKING A TEXTURED REFLECTOR FOR A THIN FILM PHOTOVOLTAIC CELL AND TEXTURED REFLECTOR THUS OBTAINED

Номер патента: FR2990059B1. Автор: Cédric Ducros,Helga Szambolics. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-11-18.

METHOD OF MAKING A TEXTURED REFLECTOR FOR A THIN FILM PHOTOVOLTAIC CELL AND TEXTURED REFLECTOR THUS OBTAINED

Номер патента: FR2990059A1. Автор: Cédric Ducros,Helga Szambolics. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2013-11-01.

Method for crystallizing amorphous silicon thin-film for use in thin-film transistors and thermal annealing apparatus therefor

Номер патента: US20010001715A1. Автор: TAEKYUNG KIM,Seungki Joo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-05-24.

Method of producing electrotechnical thin films at room temperature and electrotechnical thin film

Номер патента: RU2720133C2. Автор: Гангадаран ПУФАНЕНДРАЛИНГАМ,Патрик ЛИНДЕР,Даниль ЛИНДЕР. Владелец: Дайнемик Солар Системс Аг. Дата публикации: 2020-04-24.

Organic thin film and method for producing organic thin film, organic electroluminescent element, display device, lighting device, organic thin film solar cell, photoelectric conversion element, thin film transistor, coating composition and material for organic electroluminescent elements

Номер патента: EP4026881A4. Автор: Takahisa Shimizu,Munehiro Hasegawa,Katsuyuki Morii,Hiroki Fukudome,Taku Oono,Hirohiko Fukagawa,Tsubasa Sasaki. Владелец: Nippon Hoso Kyokai NHK. Дата публикации: 2023-07-26.

Foldable display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US09455306B2. Автор: Hyeong-Gwon Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Stretchable Piezoelectric Biocrystal Thin Films

Номер патента: US20240341196A1. Автор: Jun Li,Xudong Wang. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-10-10.

A method of improving the charge injection to organic films in organic thin film devices

Номер патента: CA2573593A1. Автор: PING Wang,Chuan-Fan Ding. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-19.

Thin film semiconductor device and method of production

Номер патента: US5389580A. Автор: Mitsutoshi Miyasaka. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1995-02-14.

Thin film heater and method of making

Номер патента: US20220201803A1. Автор: James Andrew DICKSON. Владелец: Thinnovations LLC. Дата публикации: 2022-06-23.

Organic thin film and method for producing organic thin film, organic electroluminescent element, display device, lighting device, organic thin film solar cell, photoelectric conversion element, thin film transistor, coating composition and material for organic electroluminescent elements

Номер патента: TW202116776A. Автор: 深川弘彦,森井克行,福留裕樹,清水貴央,佐木翼,長谷川宗弘,大野拓. Владелец: 日本放送協會. Дата публикации: 2021-05-01.

Beta tungsten thin films with giant spin Hall effect for use in compositions and structures with perpendicular magnetic anisotropy

Номер патента: US20170338021A1. Автор: Gang Xiao,Qiang Hao. Владелец: BROWN UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-11-23.

Beta tungsten thin films with giant spin hall effect for use in compositions and structures with perpendicular magnetic anisotropy

Номер патента: US10157633B2. Автор: Gang Xiao,Qiang Hao. Владелец: BROWN UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-12-18.

Beta tungsten thin films with giant spin Hall effect for use in compositions and structures with perpendicular magnetic anisotropy

Номер патента: US20190139568A1. Автор: Gang Xiao,Qiang Hao. Владелец: BROWN UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-05-09.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020019089A1. Автор: Masahiro Shimizu,Takashi Miyajima,Toshinori Morihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-14.

Thin film production method and organic el device production method

Номер патента: US20190054494A1. Автор: Motoo NODA,Hidekazu Shiomi,Akihide Suzuki. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-21.

Method of making a magnetoresistance element

Номер патента: US3584377A. Автор: Toshiyuki Yamada. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1971-06-15.

Method for preparing single crystal oxide thin film

Номер патента: EP1314800A4. Автор: Masashi Kawasaki,Hideomi Koinuma,Yuji Matsumoto. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2007-02-14.

Method of fabricating an improved polycrystalline silicon thin film transistor

Номер патента: US5064775A. Автор: Kun-Zen Chang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 1991-11-12.

Fixtures and methods for facilitating the fabrication of devices having thin film materials

Номер патента: WO2004021489A2. Автор: Werner Kraus,Raymond Puffer,Jürgen PAWLIK,Glen Hoppes,Stephen Derby,Glenn Saunders,Louise Courtois. Владелец: Pemeas GmbH. Дата публикации: 2004-03-11.

Thin-film transistor substrate, display apparatus including the same, and method of manufacturing display apparatus

Номер патента: EP3869560A1. Автор: Kohei Ebisuno,Jongmin Lee,Heeyeon Kim,Jin Jeon,Youngin HWANG,Sugwoo Jung,Jinsuk Lee,Shinbeom Choi,Byungno Kim,Nalae Lee,Illhwan LEE,Joohyeon Jo,Changha Kwak,Yongseon Jo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-25.

Thin film capacitor element with protection elements

Номер патента: EP1090423B1. Автор: John M. Shannon,Stephen J. Battersby,Darren T. Murley. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-10-26.

Thin film capacitor element with protection elements

Номер патента: EP1090423A1. Автор: John M. Shannon,Stephen J. Battersby,Darren T. Murley. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-04-11.

Thin-film transistor, display apparatus including the same, and method of manufacturing display apparatus

Номер патента: US11864421B2. Автор: Kohei Ebisuno,Jongmin Lee,Heeyeon Kim,Jin Jeon,Youngin HWANG,Sugwoo Jung,Jinsuk Lee,Shinbeom Choi,Byungno Kim,Nalae Lee,Illhwan LEE,Joohyeon Jo,Changha Kwak,Yongseon Jo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Thin-film transistor, display apparatus including the same, and method of manufacuturing display apparatus

Номер патента: US20210265438A1. Автор: Kohei Ebisuno,Jongmin Lee,Heeyeon Kim,Jin Jeon,Youngin HWANG,Sugwoo Jung,Jinsuk Lee,Shinbeom Choi,Byungno Kim,Nalae Lee,Illhwan LEE,Joohyeon Jo,Changha Kwak,Yongseon Jo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Thin-film transistor, display apparatus including the same, and method of manufacturing display apparatus

Номер патента: US20240090265A1. Автор: Kohei Ebisuno,Jongmin Lee,Heeyeon Kim,Jin Jeon,Youngin HWANG,Sugwoo Jung,Jinsuk Lee,Shinbeom Choi,Byungno Kim,Nalae Lee,Illhwan LEE,Joohyeon Jo,Changha Kwak,Yongseon Jo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Piezoelectric thin-film element, microelectromechanical system, and ultrasound transducer

Номер патента: US20240224808A1. Автор: Yusuke Sato. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of preparing thin film, thin film, apparatus for manufacturing thin film and electronic device including the thin film

Номер патента: KR101830780B1. Автор: 이상윤,선종백,류명관. Владелец: 삼성디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2018-04-05.

Thin-film capacitor device

Номер патента: US20140300327A1. Автор: Kanji Shimizu. Владелец: K S INTERNATIONAL CO Ltd. Дата публикации: 2014-10-09.

Manufacturing method of organic semiconductor element, organic semiconductor element, growth method of organic single crystal thin film, organic single crystal thin film, electronic device, and organic single crystal thin film group

Номер патента: US20140312335A1. Автор: Osamu Goto,Yosuke Murakami,Daisuke Hobara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-10-23.

Method of forming a passivated densified nanoparticle thin film on a substrate

Номер патента: US20090233426A1. Автор: Maxim Kelman,Dmitry Poplavskyy,Mason Terry. Владелец: INNOVALIGHT INC. Дата публикации: 2009-09-17.

Display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230371311A1. Автор: Jaewoo JEONG,Byungsoo So,Jongjun Baek. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200135824A1. Автор: Jaewoo JEONG,Byungsoo So,Jongjun Baek. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Thin film semiconductor device containing polycrystalline Si-Ge alloy and method for producing thereof

Номер патента: US20030049892A1. Автор: Mutsuko Hatano,Shinya Yamaguchi,Takeo Shiba,Seong-Kee Park. Владелец: Hitachi Displays Ltd. Дата публикации: 2003-03-13.

Method of fabricating thin film pattern and flat display having the thin film pattern

Номер патента: KR101341024B1. Автор: 이정일,김강일,김정오,방정호,백정선. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2013-12-13.

PREPARATION METHOD OF CZTSe-BASED THIN FILM USING CO-EVAPORATION AND CZTSe-BASED THIN FILM PREPARED BY THE SAME

Номер патента: KR101279370B1. Автор: 조아라,박상현,정성훈,안승규,윤경훈,곽지혜,안세진,윤재호,신기식. Владелец: 한국에너지기술연구원. Дата публикации: 2013-07-04.

Substrate for flexible device, thin film transistor substrate for flexible device, flexible device, substrate for thin film element, thin film element, thin film transistor, method for manufacturing substrate for thin film element, method for manufacturing thin film element, and method for manufacturing thin film transistor

Номер патента: US9024312B2. Автор: Koji Ichimura,Katsuya Sakayori,Shunji Fukuda,Keita Arihara,Kei Amagai. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2015-05-05.

Thin film transistor array substrate and organic light emitting diode panel

Номер патента: US20210126067A1. Автор: Hongyu Xu,Bin Xu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Pattern manufacturing equipments, organic thin-film transistors and manufacturing methods for organic thin-film transistor

Номер патента: TW200805674A. Автор: Tomohiro Inoue,Masahiko Andou,Syuji Imazeki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2008-01-16.

Thin film characteristic measuring apparatus and method and thin film processing apparatus and method

Номер патента: TW201104215A. Автор: Takashi Uda,Takashi Tokuda. Владелец: Nihon Micronics Kk. Дата публикации: 2011-02-01.

Thin film lamination, thin film magnetic sensor using the thin film lamination and method for manufacturing the thin film lamination

Номер патента: US20100045282A1. Автор: Ichiro Shibasaki,Hirotaka Geka,Atsushi Okamoto. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2010-02-25.

Thin film and p-type zinc oxide thin film manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: JP3834658B2. Автор: 雅司 川崎,明 大友,知昭 福村,敦 塚▲崎▼,亮 大谷. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2006-10-18.

METHOD OF MAKING AN ELECTRONIC DEVICE HAVING A THIN FILM RESISTOR FORMED ON AN LCP SOLDER MASK AND RELATED DEVICES

Номер патента: US20180007797A1. Автор: Rendek,JR. Louis Joseph. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

METHOD OF MAKING AN ELECTRONIC DEVICE HAVING A THIN FILM RESISTOR FORMED ON AN LCP SOLDER MASK AND RELATED DEVICES

Номер патента: US20190124777A1. Автор: Rendek,JR. Louis Joseph. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-25.

Preparation method of copper zinc tin sulfur selenium (CZTSSe) thin film material with controllable band gap

Номер патента: CN104393096A. Автор: 张春江. Владелец: SHANGHAI KEHUI SOLAR ENERGY TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-04.

Method of making an electronic device having a thin film resistor formed on an LCP solder mask and related devices

Номер патента: US10561023B2. Автор: Louis Joseph Rendek, Jr.. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2020-02-11.

Method of manufacturing a piezoelectric thin film resonator, manufacturing apparatus for a piezoelectric thin film resonator, piezoelectric thin film resonator, and electronic component

Номер патента: US20040200050A1. Автор: Eiju Komuro. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2004-10-14.

Method of synthesis of hafnium nitrate for HfO2 thin film deposition via ALCVD process

Номер патента: US20040146448A1. Автор: David Evans,Sheng Hsu,Wei-Wei Zhuang. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2004-07-29.

Production method for oxidized carbon thin film, and element having oxidized carbon thin film and production method therefor

Номер патента: US20130023070A1. Автор: Akihiro Odagawa,Nozomu Matsukawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-01-24.

Organic thin film transistor and method for manufacturing organic thin film transistor

Номер патента: EP3843128A1. Автор: Eijiro Iwase. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-06-30.

Organosilicon compound, thin film forming composition using same, and organic thin film

Номер патента: US09481801B2. Автор: Toshiaki Takahashi,Tomoya Hidaka,Daisuke Asanuma. Владелец: Nippon Soda Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Organosilicon compound, thin film forming composition using same, and organic thin film

Номер патента: US20150148483A1. Автор: Toshiaki Takahashi,Tomoya Hidaka,Daisuke Asanuma. Владелец: Nippon Soda Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-28.

Organosilicon compound, thin film forming composition using same, and organic thin film

Номер патента: US20160237286A1. Автор: Toshiaki Takahashi,Tomoya Hidaka,Daisuke Asanuma. Владелец: Nippon Soda Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Antifouling coating film and method of manufacturing same, water contacting structure with antifouling coating film, and antifouling tape and method of manufacturing same

Номер патента: US11993727B2. Автор: Soichiro TANINO. Владелец: Chugoku Marine Paints Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Method of controlling structural quality of thin films for light-absorbing solar cell layers and device for its implementation

Номер патента: RU2631237C2. Автор: Вячеслав Николаевич Павловский,Илья Евгеньевич Свитенков,Евгений Викторович Луценко,Геннадий Петрович Яблонский,Александр Викторович Мудрый,Вадим Дмитриевич Живулько,Ольга Николаевна Бородавченко,Михаил Васильевич Якушев. Владелец: Государственное научно-производственное объединение "Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению". Дата публикации: 2017-09-19.

Thermochromic window doped with dopant and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140002886A1. Автор: Yong Won Choi,Yung-Jin Jung,Dong Gun Moon,Jee Yun Cha. Владелец: Samsung Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-02.

Fractal-Edge Thin Film And Method Of Manufacture

Номер патента: US20160005774A1. Автор: Oray Orkun Cellek. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2016-01-07.

Fractal-Edge Thin Film And Method Of Manufacture

Номер патента: US20170005133A1. Автор: Oray Orkun Cellek. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2017-01-05.

Thin film transistor based light sensor

Номер патента: US20230063673A1. Автор: Katherine H. Chiang,Shih-Llen Linus LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

THIN FILM INP-BASED SOLAR CELLS USING EPITAXIAL LIFT-OFF

Номер патента: US20130133730A1. Автор: YOUTSEY Christopher,Pan Noren,Wanlass Mark,Hillier Glen,Adams Jessica. Владелец: MICROLINK DEVICES, INC.. Дата публикации: 2013-05-30.

ION IMPLANTATION FABRICATION PROCESS FOR THIN-FILM CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS

Номер патента: US20130330872A1. Автор: Moslehi Mehrdad M.,Kapur Pawan,Rana Virendra V.. Владелец: SOLEXEL, INC.. Дата публикации: 2013-12-12.

THIN FILM COMPOUND SEMICONDUCTOR SOLAR CELLS

Номер патента: US20150349157A1. Автор: Chung Choong-Heui. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

Stacked Thin-Film Photoconductive Semiconductor Switch

Номер патента: US20220271181A1. Автор: Joseph D. Teague. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 2022-08-25.

THIN-FILM ENCAPSULATION, OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR BODY COMPRISING A THIN-FILM ENCAPSULATION AND METHOD FOR PRODUCING A THIN-FILM ENCAPSULATION

Номер патента: US20130292736A1. Автор: Perzlmaier Korbinian,Taeger Sebastian,EBERHARD Franz. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2013-11-07.

Manufacturing method of polycrystalline silicon thin film and manufacturing method of thin film transistor array substrate

Номер патента: US20190027513A1. Автор: Leilei Dong. Владелец: Actinium Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2019-01-24.

Method of fabricating thin film transistor using metal induced lateral crystallization by etch-stopper layer patterns

Номер патента: US20060003504A1. Автор: Woon Paik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-05.

Poly-Silicon Thin Film and Preparation Method of Thin Film Transistor

Номер патента: US20200035490A1. Автор: Hongping Yu,Peng He. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Method of forming p-n junction on zno thin film and p-n junction thin film

Номер патента: US20030183818A1. Автор: Young-Chang Kim,Sang-Yeol Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-02.

Method of crystallizing amorphous semiconductor thin film and method of fabricating poly-crystalline thin film transistor using the same

Номер патента: US20050287726A1. Автор: Woon Paik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-29.

Method of manufacturing display panel substrate

Номер патента: US09853070B2. Автор: Hidefumi Yoshida,Shinya Kadowaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Polycrystalline Si thin film structure and fabrication method thereof and method of fabricating TFT using the same

Номер патента: US20050263774A1. Автор: Jang-yeon Kwon,Do-Young Kim,Takashi Noguchi,Hans Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-12-01.

Method of crystallizing silicon, apparatus therefore, thin film transistor and display apparatus

Номер патента: WO2005078168A3. Автор: Ui-Jin Chung,Dong-Byum Kim,Se-Jin Chung. Владелец: Se-Jin Chung. Дата публикации: 2007-07-12.

Method of crystallizing silicon, apparatus therefore, thin film transistor and display apparatus

Номер патента: WO2005078168A2. Автор: Ui-Jin Chung,Dong-Byum Kim,Se-Jin Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2005-08-25.

Method of fabricating array substrate, array substrate and display device

Номер патента: US20230230983A1. Автор: WEI YANG,Xinhong Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Methods of forming thin films and methods of fabricating integrated circuit devices using the same

Номер патента: US09960032B2. Автор: Youn Soo Kim,Tsubasa Shiratori,Jae wan Chang. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Methods of forming transistors and devices comprising transistors

Номер патента: US20220189828A1. Автор: Kevin J. Torek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Integration of embedded thin film capacitors in package substrates

Номер патента: US20160329153A1. Автор: Daniel N. Sobieski,Robert L. Sankman,Sri Ranga Sai Boyapati. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-10.

Integration of embedded thin film capacitors in package substrates

Номер патента: US09941054B2. Автор: Daniel N. Sobieski,Robert L. Sankman,Sri Ranga Sai Boyapati. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Temperature sensor device and radiation thermometer using this device, production method of temperature sensor device, multi-layered thin film thermopile using photo-resist film and radiation thermometer using this thermopile, and production method of multi-layered thin film thermopile

Номер патента: US09759613B2. Автор: Mitsuteru Kimura,Nobuo Tanaka,Hironori Shimobayashi. Владелец: HME CO Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Integration of embedded thin film capacitors in package substrates

Номер патента: US09420693B2. Автор: Daniel N. Sobieski,Robert L. Sankman,Sri Ranga Sai Boyapati. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Low voltage drive ferroelectric capacitor and method of manufacturing same

Номер патента: US20040110309A1. Автор: Chao-Hsiung Wang,Tai-Bor Wu,Yuan-Chieh Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-06-10.

Preparation method of oxide thin-film transistor

Номер патента: US09812472B2. Автор: Qi Yao,Feng Zhang,Bin Zhang,Xiaolong He,Zhengliang Li,Zhanfeng CAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of manufacturing storage electrode in semiconductor device

Номер патента: US20010048127A1. Автор: Dong Kim,Sang Park,Seung Lee,Cha Dong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Method of manufacturing storage electrode in semiconductor device

Номер патента: US20020066918A1. Автор: Dong Kim,Sang Park,Seung Lee,Cha Dong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-06-06.

Display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240304726A1. Автор: Sang Sub KIM,Yong Su LEE,Myoung Geun CHA,Sang Gun Choi,Keun Woo Kim,Ji Yeong SHIN,Ki Seok Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of producing bonded wafer with uniform thickness distribution

Номер патента: US09859149B2. Автор: Hiroji Aga,Norihiro Kobayashi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Thin-film transistor and its manufacturing method, array substrate and display device

Номер патента: US09564460B1. Автор: Wei Li,Yunyou Zheng,Shengnan Xiong,Yicun Zhang. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Method and system for monitoring crystallization of amorphous silicon thin film, and method of manufacturing thin film transistor by using the method and system

Номер патента: US20140329343A1. Автор: Maidanchuk Ivan,Dong-Hyun Lee,Byung-Soo So,Won-Pil Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

Dense energy ultra-capacitor preform, thin film, module and fabrication methods therefor

Номер патента: US09899154B2. Автор: David Loron Frank. Владелец: Blue Horizons Innovations LLC. Дата публикации: 2018-02-20.

Manufacturing method of two-dimensional transition-metal chalcogenide thin film

Номер патента: US09460919B1. Автор: Henry Medina,Yu-Lun Chueh,Yu-Ze Chen,Yi-Chen Hsieh. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2016-10-04.

Oxide semiconductor thin film transistor and method of forming the same

Номер патента: US12094978B2. Автор: Jae Hyun Kim,Sun Young Choi,Jin Chae Jeon,Hyuk JI,Mi Jin Jeong. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Fractal-edge thin film and method of manufacture

Номер патента: US09679940B2. Автор: Oray Orkun Cellek. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Display device, method of manufacturing the same, and electronic unit

Номер патента: US20150060851A1. Автор: Toshiaki Arai,Yasuhiro Terai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-03-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09893202B2. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of fabricating array substrate, array substrate and display device

Номер патента: US11923382B2. Автор: WEI YANG,Xinhong Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1953813A3. Автор: Kunio Hosoya,Saishi Fujikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-06.

Manufacturing method of display device and exposure system for that

Номер патента: US7655510B2. Автор: Takahiro Miyazaki,Yoshiaki Nakayoshi,Ken Ohara,Jun Ooida. Владелец: Hitachi Displays Ltd. Дата публикации: 2010-02-02.

Method for manufacturing niobate-system ferroelectric thin film device

Номер патента: US9385297B2. Автор: Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Kazufumi Suenaga,Masaki Noguchi,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Flat panel display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110241010A1. Автор: Kyung-Min Park. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Method for manufacturing niobate-system ferroelectric thin film device

Номер патента: US20150064804A1. Автор: Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Kazufumi Suenaga,Masaki Noguchi,Fumimasa Horikiri. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Ink-jet printing method and manufacturing method of OLED display device

Номер патента: US09929342B2. Автор: Qing Dai. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for manufacturing niobate-system ferroelectric thin film device

Номер патента: US09685603B2. Автор: Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Kazufumi Suenaga,Masaki Noguchi,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of measuring thickness of a ultra-thin film

Номер патента: US11215450B2. Автор: Kyung Joong KIM,Tae Gun Kim. Владелец: Korea Research Institute of Standards and Science KRISS. Дата публикации: 2022-01-04.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09543289B2. Автор: Hitoshi Abe,Noriaki Yao. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Thin film processing method and thin film processing apparatus

Номер патента: US20040009632A1. Автор: Hiroshi Tanabe,Akihiko Taneda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2004-01-15.

Thin film transistor, method of fabricating thin film transistor and array substrate

Номер патента: US20190267493A1. Автор: Zhen Song,Guoying Wang,Hongda Sun. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09755054B2. Автор: Hyeon Jun Lee,Ki Hwan Kim,Kap Soo Yoon,Jeong Uk Heo,Myung Kwan Ryu. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Organic thin film transistor and preparation method thereof, array substrate and preparation method thereof, and display device

Номер патента: US09583722B2. Автор: Qiang SHI,Honhang FONG,Yingtao Xie,Shihong OUYANG,Shucheng CAI,Ze Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Thin film transistor substrate, display apparatus comprising the same, method of manufacturing thin film transistor substrate, and method of manufacturing display apparatus

Номер патента: US09437624B2. Автор: Myounghwa KIM,Dongjo Kim,Yoonho Khang,Myounggeun Cha,KyoungWon LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Pixel block with thin-film transistor made of low-temperature polycrystalline silicon and method for manufacture thereof

Номер патента: RU2670219C1. Автор: Цзую ЯН. Владелец: Шэньчжэнь Чайна Стар Оптоэлектроникс Текнолоджи Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-10-19.

Method of forming a polysilicon film, thin film transistor including a polysilicon film and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050139919A1. Автор: Jang-yeon Kwon,Kyung-bae Park,Do-Young Kim,Takashi Noguchi,Se-Young Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor device and method of producing thereof

Номер патента: US20240113216A1. Автор: Carsten Schaeffer,Yuliya Lisunova,Andreas Frank Behrendt,Simon Paul Sindermann,Adriana Mercedes Sanchez Lotero,Silke Liebscher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-04-04.

Oxide semiconductor thin-film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20220123147A1. Автор: Jin Jang,Md Mobaidul ISLAM,Ravindra Naik BUKKE. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2022-04-21.

Oxide semiconductor thin-film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US11664461B2. Автор: Jin Jang,Md Mobaidul ISLAM,Ravindra Naik BUKKE. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2023-05-30.

Thin film transistor array substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US09502442B2. Автор: Jong-Hyun Choi,Jun-Seon Seo,Yong-Duck SONG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

METHOD OF MANUFACTURING LOW TEMPERATURE POLYCRYSTALLINE SILICON THIN FILM AND THIN FILM TRANSISTOR, THIN FILM TRANSISTOR, DISPLAY PANEL AND DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20170004970A1. Автор: LIU CHAO,Chen Lei,Zhang Yujun,Niu Yanan,He Zengsheng. Владелец: BOE Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-01-05.

Thin film transistor type display device, method of manufacturing thin film element, thin film transistor circuit board, electro-optical device, and electronic apparatus

Номер патента: US20040256622A1. Автор: Mutsumi Kimura,Chiharu Iriguchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-12-23.

Thin-film transistor substrate, display apparatus, method of manufacturing thin-film transistor substrate, and method of manufacturing display apparatus

Номер патента: US09721901B2. Автор: Jihyeon Ryu. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of producing bonded wafer

Номер патента: US09673086B2. Автор: Isao Yokokawa,Masahiro Kato. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of producing an electro-optical device

Номер патента: US5879958A. Автор: Kenji Yamamoto,Akira Nakano,Hiroyuki Hebiguchi,Chisato Iwasaki,Ken Kawahata,Hirofumi Fukui. Владелец: Frontec Inc. Дата публикации: 1999-03-09.

Method of forming transition metal dichalcogenide thin film

Номер патента: US20210043452A1. Автор: Changhyun KIM,Hyeonjin Shin,Sang-Woo Kim,Kyung-Eun Byun,Jaehwan Jung,Ahrum SOHN. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-02-11.

Method of forming transition metal dichalcogenide thin film

Номер патента: US11869768B2. Автор: Changhyun KIM,Hyeonjin Shin,Sang-Woo Kim,Kyung-Eun Byun,Jaehwan Jung,Ahrum SOHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Thin film transistor gas sensor

Номер патента: US20200088674A1. Автор: Christopher Newsome,Nicholas Dartnell,Daniel Tobjork. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

Thin film transistor, thin film transistor array panel, and manufacturing method of thin film transistor

Номер патента: US09553201B2. Автор: Hiroshi Goto,Toshihiro Kugimiya,Shinya Morita,Je Hun Lee,Gun Hee Kim,Yeon Hong KIM,Yeon Gon Mo,Aya Miki,Byung Du Ahn,Kwang Suk Kim,Kyoung Won Lee,Ji Hun LIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Thin film transistor substrate, liquid crystal display having same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09484420B2. Автор: Chong Sup Chang,Sangho Park,Jungkyu Lee,Su-Hyoung Kang,Yoonho Khang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

ORGANIC THIN FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC THIN FILM, ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT, DISPLAY DEVICE, ILLUMINATION DEVICE, ORGANIC THIN FILM SOLAR CELL, THIN FILM TRANSISTOR, AND COATING COMPOSITION

Номер патента: US20190081239A1. Автор: Shimizu Takahisa,FUKAGAWA Hirohiko,MORII Katsuyuki,HASEGAWA Munehiro,GOHDA Syun. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-14.

Uniform large-grained and grain boundary location manipulated polycrystalline thin film semiconductors formed using sequential lateral solidification and devices formed thereon

Номер патента: US20090189164A1. Автор: James S. Im,Robert S. Sposili,Mark A. Crowder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-30.

Methods of forming semiconductor structures comprising thin film transistors including oxide semiconductors

Номер патента: US20200335405A1. Автор: Kevin J. Torek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Methods of forming semiconductor structures comprising thin film transistors including oxide semiconductors

Номер патента: US20190067453A1. Автор: Kevin J. Torek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Methods of forming semiconductor structures comprising thin film transistors including oxide semiconductors

Номер патента: WO2019046374A1. Автор: Kevin J. Torek. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-03-07.

Pixel unit and method of fabricating the same, array substrate and display device

Номер патента: US09508755B2. Автор: Jun Cheng,Dongfang Wang,Hongda Sun,Xiangyong Kong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Displays with silicon and semiconducting-oxide top-gate thin-film transistors

Номер патента: WO2018175177A1. Автор: Shinya Ono,Shang-Chih Lin,Jiun-Jye Chang,Chin-Wei Lin,Ching-Sang Chuang,Takahide Ishii,Keisuke Omoto,Ting-ku CHANG. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2018-09-27.

Electronic device manufacture comprising a thin-film-transistor

Номер патента: EP1275141A1. Автор: John R. A. Ayres,Nigel D. Young,Stanley D. Brotherton,Frank W. Rohlfing,Carole A. Fisher. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-01-15.

Electronic device manufacture comprising a thin-film-transistor

Номер патента: WO2001078130A1. Автор: John R. A. Ayres,Nigel D. Young,Stanley D. Brotherton,Frank W. Rohlfing,Carole A. Fisher. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2001-10-18.

Organic thin film transistor with modified surface of gate-dielectric

Номер патента: EP1481428A1. Автор: Mark J. Pellerite,Dennis E. Vogel,Larry D. Boardman,Terrance P. Smith,Timothy D. Dunbar,Kim M. Vogel,Tommie W. Kelley,Dawn V. Muyres. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2004-12-01.

Method of producing a thin film battery having a protective packaging

Номер патента: WO2001073875A1. Автор: John Bates. Владелец: Johnson Research & Development Company, Inc.. Дата публикации: 2001-10-04.

Display device, method of manufacturing the same, and tiled display device including the same

Номер патента: US12087807B2. Автор: Jun Mo IM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Liquid crystal display and method of manufacturing the same

Номер патента: US09785002B2. Автор: Sang Il Kim,Yu Jin Kim,Kyung Tae CHAE,Kwang Soo BAE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same

Номер патента: US09343514B2. Автор: Nam-jin Kim,Chul-Hwan Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-17.

Array substrate, display apparatus, and method of fabricating array substrate

Номер патента: EP3991206A1. Автор: Hongfei Cheng. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-04.

Array substrate, display apparatus, and method of fabricating array substrate

Номер патента: WO2020258023A1. Автор: Hongfei Cheng. Владелец: Beijing Boe Technology Development Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-12-30.

Color filter array substrate, display device and manufacturing method of color filter array substrate

Номер патента: US09753342B2. Автор: Yi Chen,Fujiang JIN. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Perpendicularly magnetized thin film structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09355669B2. Автор: Byoung Chul Min,Kyung Ho Shin,Gyung Min CHOI. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2016-05-31.

Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder

Номер патента: US20160170314A1. Автор: Nicolaas Ten Kate,Nina Vladimirovna DZIOMKINA,Raymond Wilhelmus Louis Lafarre,Hendrik Huisman,Jacobus Josephus Leijssen,Yogesh Pramod KARADE,Elisabeth Corinne RODENBURG,Siegfried Alexander Tromp,Maurice Wilhelmus Leonardus Hendricus Feijts. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2016-06-16.

Low Temperature Poly-Silicon Thin Film, Method for Making The Thin Film, and Transistor Made from The Thin Film

Номер патента: US20150194310A1. Автор: Zhang Longxian. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-09.

Thin film transistor and the method of fabricating the same using silicon thin film cristalzation

Номер патента: KR100290014B1. Автор: 윤진모. Владелец: 구본준, 론 위라하디락사. Дата публикации: 2001-05-15.

Method for use in making electronic devices having thin-film magnetic components

Номер патента: US20110008915A1. Автор: Jason Reid,Jean Pierre Nozieres. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2011-01-13.

Fabrication method of all solid-state thin-film battery

Номер патента: US20180287186A1. Автор: Yun Seog Lee,Devendra K. Sadana,Joel P. de Souza,Kunal Mukherjee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Fabrication method of all solid-state thin-film battery

Номер патента: US20180287188A1. Автор: Yun Seog Lee,Devendra K. Sadana,Joel P. de Souza,Kunal Mukherjee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor, and display apparatus including the thin film transistor

Номер патента: EP3799133B1. Автор: Sohyung Lee,Jeongsuk YANG,Kwangmin Jo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Method for manufacturing niobate-system ferroelectric thin-film device

Номер патента: US10181407B2. Автор: Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Kenji Kuroiwa,Kazufumi Suenaga,Masaki Noguchi,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-15.

Thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor, and display substrate having the thin film transistor

Номер патента: TW200746433A. Автор: Sang-Hoon Jung,Hong-Koo Lee. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-16.

Thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor, and display substrate having the thin film transistor

Номер патента: TWI322506B. Автор: Hong Koo Lee,Sang Hoon Jung. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-21.

Beta tungsten thin films with giant spin hall effect for use in compositions and structures

Номер патента: WO2016069547A4. Автор: Gang Xiao,Qiang Hao. Владелец: BROWN UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-07-28.

Thin film battery assemblies

Номер патента: US09843066B2. Автор: Brian Menzel,Bernd Jurgen Neudecker,Shawn William Snyder,Keiichiro Yumiba,Timothy Wallen Scales. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Thin film transistor array panel

Номер патента: US6911669B2. Автор: Han-Chung Lai. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2005-06-28.

Composition for tin oxide semiconductor and method of formation of tin oxide semiconductor thin film

Номер патента: US20150011044A1. Автор: Hyun-Jae Kim,Yeon-Gon Mo,Chaun-Gi Choi,You-Seung RIM,Hyun-Soo LIM,Si-Joon Kim,Tae-Soo Jung. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2015-01-08.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110039389A1. Автор: Koji Yamashita,Yasushi Akasaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-02-17.

Production methods of pattern thin film, semiconductor element, and circuit substrate, and resist material, semiconductor element, and circuit substrate

Номер патента: US20110042674A1. Автор: Takeshi Hara,Yuichi Saito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-02-24.

Ferroelectric thin film device and method for making the same

Номер патента: US5817532A. Автор: Seungki Joo,Jaehyun Joo. Владелец: Seungki Joo. Дата публикации: 1998-10-06.

Method of manufacturing a resonant tag

Номер патента: US5201988A. Автор: Takeshi Matsumoto,Yuji Suzuki. Владелец: Tokai Metals Co Ltd. Дата публикации: 1993-04-13.

Germanium based metal-insulator transition thin film, metal-insulator transition device including the metal-insulator transition thin film, and method of fabricating the metal-insulator transition device

Номер патента: WO2009017305A1. Автор: Hyun-Tak Kim,Yong-Wook Lee,Bong-Jun Kim,Sung-Youl CHOI,Jae-Yeob Shim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2009-02-05.

Self-aligned thin film transistor with doping barrier and method of manufacturing the same

Номер патента: US9245978B2. Автор: Sang Hee Park,Chi Sun Hwang,Him Chan Oh. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2016-01-26.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8119510B2. Автор: Hitoshi Itoh,Hiroshi Sato,Kenji Matsumoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-02-21.

Germanium based metal-insulator transition thin film, metal-insulator transition device including the metal-insulator transition thin film, and method of fabricating the metal-insulator transition device

Номер патента: US20110233616A1. Автор: Hyun-Tak Kim,Yong-Wook Lee,Bong-Jun Kim,Sung-Youl CHOI,Jae-Yeob Shim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2011-09-29.

Display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230223478A1. Автор: Sang Sub KIM,Yong Su LEE,Myoung Geun CHA,Sang Gun Choi,Keun Woo Kim,Ji Yeong SHIN,Ki Seok Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20100210097A1. Автор: Hitoshi Itoh,Hiroshi Sato,Kenji Matsumoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-08-19.

Display device and method of fabricating the same

Номер патента: US12015088B2. Автор: Sang Sub KIM,Yong Su LEE,Myoung Geun CHA,Sang Gun Choi,Keun Woo Kim,Ji Yeong SHIN,Ki Seok Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, and display panel

Номер патента: US10204933B2. Автор: Youngsuk Song,Hongda Sun,Jingang Fang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-12.

Thin film patterning method and method of manufacturing semiconductor device using the thin film patterning method

Номер патента: US20130183609A1. Автор: Sang-yoon Lee,Myung-kwan Ryu,Jong-baek Seon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-18.

Dense energy ultra-capacitor preform, thin film, module and fabrication methods therefor

Номер патента: US20160155576A1. Автор: David Loron Frank. Владелец: David L. Frank. Дата публикации: 2016-06-02.

METHOD FOR MANUFACTURING LOW-TEMPERATURE POLY-SILICON THIN FILM TRANSISTOR, LOW-TEMPERATURE POLY-SILICON THIN FILM TRANSISTOR AND DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20180294344A1. Автор: GONG Kui. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-11.

Method of fabricating a gate dielectric layer for a thin film transistor

Номер патента: US20020090767A1. Автор: David Jones,Richard Bullock. Владелец: ESM Ltd. Дата публикации: 2002-07-11.

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE INCLUDING A THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, AND METHOD OF FORMING A THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20170117304A1. Автор: NOH SoYoung,KIM Wonkyung,SHIN Hyunsoo,MOON Kyeongju. Владелец: LG DISPLAY CO., LTD.. Дата публикации: 2017-04-27.

Thin film transistor substrate, display device including a thin film transistor substrate, and method of forming a thin film transistor substrate

Номер патента: US9806105B2. Автор: Soyoung Noh,Hyunsoo Shin,Wonkyung KIM,Kyeongju Moon. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of manufacturing magnesium diboride superconducting thin film wire and magnesium diboride superconducting thin film wire

Номер патента: US20180069165A1. Автор: Hiroyuki Yamamoto,Toshiaki Kusunoki,Ryoko Sugano. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-03-08.

Display substrate, display panel and method of fabricating display substrate

Номер патента: US20200273888A1. Автор: Wei He,Liang Lin,Chuan Chen,Zhixiang ZOU,Yunhai Wan. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Method of Manufacturing Lower Temperature Polycrystal Silicon Thin Film Transistor Array Substrate

Номер патента: US20180122957A1. Автор: LU MACAI. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-03.

Method of forming dense tin and tisix thin film and fabrication method of semiconductor device therewith

Номер патента: KR0156219B1. Автор: 변정수,김학남. Владелец: 문정환. Дата публикации: 1998-12-01.

Method of fabricating bottom-gated polycrystalline silicon thin film transistor

Номер патента: CN1309034C. Автор: 俞载成. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-04.

Method of fabricating bottom-gated polycrystalline silicon thin film transistor

Номер патента: CN1577772A. Автор: 俞载成. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-09.

Thin film transistor and method of making same

Номер патента: US20030038288A1. Автор: Hiroshi Suzuki,Takatoshi Tsujimura. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-02-27.

Thin film transistor and preparation method therefor, array substrate and preparation method therefor

Номер патента: EP3621120A1. Автор: Ling Wang,Baoxia ZHANG,Cuili Gai. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-11.

Patterned silicon substrate-silicon germanium, thin film composite structure and preparation methods and application thereof

Номер патента: US11769799B2. Автор: Jianjun Zhang,Jieyin Zhang. Владелец: Institute of Physics of CAS. Дата публикации: 2023-09-26.

Patterned silicon substrate-silicon germanium, thin film composite structure and preparation methods and application thereof

Номер патента: US20220157942A1. Автор: Jianjun Zhang,Jieyin Zhang. Владелец: Institute of Physics of CAS. Дата публикации: 2022-05-19.

Method of manufacturing an electronic device comprising a thin film transistor

Номер патента: AU2003259510A1. Автор: Nigel D. Young,David J. Mcculloch,Ian D. French,Sooy. Yoon. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-04-19.

Thin film transistor having high-purity crystalline indium oxide semiconductor film, and method for manufacturing the thin film transistor

Номер патента: TW201023357A. Автор: Koki Yano,Shigekazu Tomai,Kazuyoshi Inoue,Hirokazu Kawashima,Masashi Kasami. Владелец: Idemitsu Kosan Co. Дата публикации: 2010-06-16.

Method for forming titanium silicide of dense titanium nitride film and dense titanium nitride film / thin film and manufacturing method of semiconductor device using same

Номер патента: KR960032643A. Автор: 변정수,김학남. Владелец: Lg 반도체 주식회사. Дата публикации: 1996-09-17.

Method for producing self-sustained thin films

Номер патента: RU2767034C2. Автор: Иван Александрович Корж. Владелец: Акционерное общество "Омский научно-исследовательский институт приборостроения" (АО "ОНИИП"). Дата публикации: 2022-03-16.

Semiconductor thin film, thin film transistor, method of manufacturing the semiconductor thin film, method of manufacturing the thin film transistor, and manufacturing device of semiconductor thin film

Номер патента: TW200814163A. Автор: TAKEGUCHI Toru,Yura Shinsuke. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2008-03-16.

Organic light emitting display device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP2207206A1. Автор: Jin-Seong Park,Min-Kyu Kim,Yeon-Gon Mo,Tae-kyung Ahn,Jae-Kyeong Jeong,Hyun-Joong Chung. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-14.

Methods of forming conductive polysilicon lines and bottom gated thin film transistors, and conductive polysilicon lines and thin film transistors

Номер патента: US6200835B1. Автор: Monte Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-03-13.

Dual mode plasma etching system and method of plasma endpoint detection

Номер патента: US5242532A. Автор: John L. Cain. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1993-09-07.

Thin film transistor, semiconductor device and method of fabricating thin film transistor

Номер патента: US11855226B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Hung-Wei Li,Mauricio Manfrini,Neil Quinn Murray. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Thin film transistor substrate and method of repairing signal line of the substrate

Номер патента: US9076748B2. Автор: Hyun-Tae Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-07.

Thin-film transistor, display device including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US11984509B2. Автор: Jeyong JEON,Jaeyoon Park,Pilsang YUN,Sehee Park,Jungseok Seo,ChanYong JEONG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Thin-film transistor, display device including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US11621356B2. Автор: Jeyong JEON,Jaeyoon Park,Pilsang YUN,Sehee Park,Jungseok Seo,ChanYong JEONG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-04.

Display device, method of manufacturing display device, and electronic apparatus

Номер патента: US11985857B2. Автор: Hitoshi Tsuno. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Display device, method of manufacturing display device, and electronic apparatus

Номер патента: US20210210574A1. Автор: Hitoshi Tsuno. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

Thin-film transistor, display device including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230207702A1. Автор: Jeyong JEON,Jaeyoon Park,Pilsang YUN,Sehee Park,Jungseok Seo,ChanYong JEONG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Thin-film transistor, display device including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210384357A1. Автор: Jeyong JEON,Jaeyoon Park,Pilsang YUN,Sehee Park,Jungseok Seo,ChanYong JEONG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Thin film transistor, semiconductor device and method of fabricating thin film transistor

Номер патента: US20240097041A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Hung-Wei Li,Mauricio Manfrini,Neil Quinn Murray. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of fabricating a p-i-n light emitting diode using cu-doped p-type zno

Номер патента: WO2007024041A1. Автор: Won-Kook Choi,Yeon-Sik Jung. Владелец: KOREA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2007-03-01.

Display device, method of manufacturing display device, and electronic apparatus

Номер патента: US20230354644A1. Автор: Hitoshi Tsuno. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20060263951A1. Автор: Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Tae-Hoon Yang. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-23.

Method of measuring thickness of a ultra-thin film

Номер патента: US20210131802A1. Автор: Kyung Joong KIM,Tae Gun Kim. Владелец: Korea Research Institute of Standards and Science KRISS. Дата публикации: 2021-05-06.

Display device, method of manufacturing display device, and electronic apparatus

Номер патента: US20190148471A1. Автор: Hitoshi Tsuno. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Display device, method of manufacturing display device, and electronic apparatus

Номер патента: US20200227495A1. Автор: Hitoshi Tsuno. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Thin film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220037531A1. Автор: Ting-Chang Chang,Yu-Lin Tsai,Yu-Ching Tsao,Po-Hsun Chen,Hong-Chih Chen,Mao-Chou Tai,Shin-Ping Huang. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2022-02-03.

Fabrication of thin-film devices using selective area epitaxy

Номер патента: US09905727B2. Автор: Thomas Wunderer. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Fabrication of thin-film devices using selective area epitaxy

Номер патента: US09490119B2. Автор: Thomas Wunderer. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Thin film of low-temperature polycrystalline silicon, method of manufacture of such thin film and transistor made of such thin film

Номер патента: RU2642140C2. Автор: Лунсянь ЧЖАН. Владелец: Шэньчжэнь Чайна Стар Оптоэлектроникс Текнолоджи Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-01-24.

Flat panel display device comprising polysilicon thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130230976A1. Автор: Ji-Yong Park,Jae-Bon Koo,Ul-Ho Lee,Ki-Yong Lee,Hye-Hyang Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-05.

Method of manufacturing thin film element, thin film transistor circuit substrate, active matrix display device, electro-optical device, and electronic apparatus

Номер патента: US20050130344A1. Автор: Mutsumi Kimura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-06-16.

Electronic device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20200006404A1. Автор: Chin-Tang LI. Владелец: Gio Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor device, wiring board and method of making same

Номер патента: US20040104487A1. Автор: Akira Chinda. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2004-06-03.

Thin-film transistor, display device including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US11195956B2. Автор: Dohyung Lee,Juheyuck BAECK,ChanYong JEONG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-07.

Thin-film transistor array substrate and method of manufacturing same

Номер патента: US20240030349A1. Автор: Yi ZHUO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Thin-film transistor, display device including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200176603A1. Автор: Dohyung Lee,Juheyuck BAECK,ChanYong JEONG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150287758A1. Автор: Yuuya Ando. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Thin-film transistor substrate, display apparatus, method of manufacturing thin-film transistor substrate, and method of manufacturing display apparatus

Номер патента: US20160086892A1. Автор: Jihyeon Ryu. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Thin-film transistor array substrate and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4394891A1. Автор: Yi ZHUO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Thin-film transistor device

Номер патента: US20230178660A1. Автор: Po-Tsun Liu,Zhen-Hao Li,Tsung-Che Chiang,Po-Yi Kuo. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2023-06-08.

Electronic component with thin-film shield layer

Номер патента: US20190363055A1. Автор: Hirokazu Yazaki,Keito Yonemori. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-28.

Piezoelectric thin film-stacked body, piezoelectric thin film substrate, piezoelectric thin film device, piezoelectric actuator, piezoelectric sensor, head assembly, head stack assembly, hard disk drive, printer head, and ink-jet printer device

Номер патента: US20180159020A1. Автор: Hitoshi Sakuma,Kenta Ishii,Tomohisa Azuma. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-06-07.

Thin-film transistor having a vertical structure and an electronic device

Номер патента: US20240234576A1. Автор: Zhifu Li,Guanghui Liu,Dewei SONG,Chengzhi LUO,Fei AI. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Thin film transistor, thin film transistor manufacturing method and liquid crystal display panel

Номер патента: US20190043995A1. Автор: Songshan LI. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-07.

Method for forming a thin-film layer pattern, display substrate and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US20160020231A1. Автор: Ming Tian,Junwei Wang,Liyan XU. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-21.

Thin film battery module, thin film battery package, thin film battery package manufacturing device, and thin film battery package manufacturing method

Номер патента: US09728754B2. Автор: Yong Yeon Kim,San Moo Kwon,Soo Tae Choi,Eun Hang Cho,Eun Jong Hwang,Sung Gyu Bang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Thin film transistor

Номер патента: US09508856B2. Автор: Toshihiro Kugimiya,Hiroaki Tao,Gun Hee Kim,Takeaki Maeda,Aya Miki,Byung Du Ahn,So Young Koo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for forming a thin-film layer pattern, display substrate and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US09502444B2. Автор: Ming Tian,Junwei Wang,Liyan XU. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

METHOD OF MANUFACTURING MULTI-LAYERED THIN FILMS, MULTI-LAYERED THIN FILMS FORMED BY THE SAME, METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR INCLUDING THE SAME, AND ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR MANUFACTURED BY THE SAME

Номер патента: US20160013411A1. Автор: LIM Jung Ah,SONG Yong-Won,LEE Su Jin,CHOI Won-Kook. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

METHOD OF CONTROLLING ELECTRIC CONDUCTIVITY OF METAL OXIDE THIN FILM AND THIN FILM TRANSISTOR INCLUDING THE METAL OXIDE FILM HAVING THE CONTROLLED ELECTRIC CONDUCTIVITY

Номер патента: US20170092772A1. Автор: KIM Jin Seo,LEE Sang Yeon,Seo Hyungtak. Владелец: Industry-Academic Cooperation Foundation of Ajou University. Дата публикации: 2017-03-30.

Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9859520B2. Автор: Kyungman Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of making planar thin film transistors, transistor arrays

Номер патента: US4389481A. Автор: Joseph J. Wysocki,Michael Poleshuk. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1983-06-21.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11437232B2. Автор: Atsushi Takahashi,Takaya Ishino,Kazunori Zaima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-06.

Thin Film Inductor, Power Conversion Circuit, and Chip

Номер патента: US20200005985A1. Автор: Wei Chen,Yongfa Zhu,Shijun Yang,Heqian YANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Array substrate and method of manufacturing same

Номер патента: US20220059578A1. Автор: Dewei SONG,Fei AI,Guoheng YIN. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190189423A1. Автор: Atsushi Takahashi,Takaya Ishino,Kazunori Zaima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Tunable resistance thin film resistor for integrated circuits

Номер патента: US20220102271A1. Автор: Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Thin film electronic component

Номер патента: US9722013B2. Автор: Daiki Ishii,Kentaro Morito. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Active layer, thin film transistor, array substrate, and display apparatus and fabrication methods

Номер патента: EP3403281A1. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Guangcai Yuan,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2018-11-21.

Recessed thin film landing pad structure

Номер патента: US20020146900A1. Автор: Richard Surprenant,Edward Begle,Nancy Hannon,Mathias Jeanneret. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-10-10.

Nanocrystal thin film fabrication methods and apparatus

Номер патента: US09865465B2. Автор: Cherie R. Kagan,Yuming LAI,David K. KIM,Ji-Hyuk Choi. Владелец: University of Pennsylvania Penn. Дата публикации: 2018-01-09.

Oxide Thin Film, Methods Of Manufacturing Oxide Thin Film And Electronic Devices Including Oxide Thin Film

Номер патента: US20130248851A1. Автор: LEE Sang-Yoon,SEON Jong-Baek,RYU Myung-kwan,PARK Kyung-Bae,KOO Bon-Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-09-26.

Methods of forming magnetic shielding for a thin-film memory element

Номер патента: US20060063278A1. Автор: Jeffrey Sather,Theodore Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-03-23.

Method of forming polycrystalline silicon layer and thin film transistor and organic light emitting device

Номер патента: CN102386090A. Автор: 李东炫,朴炳建,李卓泳,徐晋旭,李基龙,李吉远,郑胤谟,郑珉在,朴钟力,孙榕德,苏炳洙,朴承圭,郑在琓,伊凡·马伊达楚克. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-21.

Method for manufacture of fully self-aligned tri-layer a-Si:H thin film transistors

Номер патента: US6566172B1. Автор: Daniel B. Thomasson,Thomas N. Jackson. Владелец: PENN STATE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2003-05-20.

Method of forming a top-gate type thin film transistor device

Номер патента: TW579604B. Автор: Chih-Chiang Chen,Jiun-Jye Chang,Ching-Sang Chung. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2004-03-11.

Method of forming polycrystalline silicon layer and thin film transistor and organic light emitting device including the polycrystalline silicon layer

Номер патента: KR101752400B1. Автор: 박승규,이동현,서진욱,정윤모,정민재,이기용,이탁영,박병건,이길원,박종력,소병수,손용덕,정재완. Владелец: 삼성디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2017-06-30.

Method of depositing multilayer thin films

Номер патента: US6447839B1. Автор: Hari Hegde,Jinsong Wang,Adrian Devasahayam. Владелец: Veeco Instruments Inc. Дата публикации: 2002-09-10.

Thin film transistor substrate and display apparatus comprising the same

Номер патента: US20240222516A1. Автор: Wonsang Ryu,Youngjin Yi,Sungsoo SHIN. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Nanocrystal thin film device fabrication methods and apparatus

Номер патента: WO2014113655A3. Автор: Cherie R. Kagan,Yuming LAI,David K. KIM,Ji-Hyuk Choi. Владелец: THE TRUSTEES OF THE UNIVERSITY OF PENNSYLVANIA. Дата публикации: 2014-10-16.

Thin film transistor comprising oxide semiconductor layer and silicon semiconductor layer and display apparatus comprising the same

Номер патента: US11495692B2. Автор: Pilsang YUN,Jiyong NOH,Intak Cho,Jaeman JANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-08.

Complementary thin film transistor circuit, electro-optical device, and electronic apparatus

Номер патента: US7012302B2. Автор: Mitsutoshi Miyasaka. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-03-14.

Thin film transistor and array substrate

Номер патента: US20200328310A1. Автор: HU Meng,Qi Huang,Xuelei Liang,Jiye XIA. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Pattern forming method for thin film, making method for thin film transistor, making method for substrate of thin film transistor, and the substrate of thin film transistor

Номер патента: TW200729504A. Автор: Eiji Shibata,Terushige Hino. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2007-08-01.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, array substrate, display panel, and display device

Номер патента: US20210265478A1. Автор: Gong Chen,Zheng BAO,Yanxia Xin,Hongwei Hu,Yihao WU,Yiyang Zhang,Guangzhou Zhao. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Thin-film transistor and preparation method therefor, and display substrate and display panel

Номер патента: EP4113628A1. Автор: Zheng Liu,Lizhong Wang,Shuilang Dong,Hehe HU,Dapeng XUE,Nianqi YAO. Владелец: Fuzhou BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-04.

Radiographic imaging array fabrication process for metal oxide thin-film transistors with reduced mask count

Номер патента: US09911771B2. Автор: Timothy J. Tredwell,Ravi K. MRUTHYUNJAYA,Jeff Hsin Chang. Владелец: Carestream Health Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US09761614B2. Автор: Jae-Hyun Park,Young Jae Jeon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Thin film transistor array substrate

Номер патента: US09508747B2. Автор: Hee Dong Choi. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Thin film transistor and display device using the same

Номер патента: US09478612B2. Автор: Hun Jeoung,Mingyeong KIM,Hyuncheol Jang,Moon Seok Jung. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

METHOD AND APPARATUS FOR FORMING SILICON OXYCARBONITRIDE FILM, SILICON OXYCARBIDE FILM AND SILICON OXYNITRIDE FILM

Номер патента: US20150118865A1. Автор: Shimizu Akira. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-30.

Barrier Stacks for Printed and/or Thin Film Electronics, Methods of Manufacturing the Same, and Method of Controlling a Threshold Voltage of a Thin Film Transistor

Номер патента: US20200127021A1. Автор: CHANDRA Aditi,SREENIVASAN Raghav,Jeon Yoocharn. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2020-04-23.

Method of manufacturing thin film transistor and method of manufacturing a display substrate having the thin film transistor

Номер патента: KR102266700B1. Автор: 박상호,김명화,임준형,구소영,마사타카 카노. Владелец: 삼성디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2021-06-22.

A method of manufacturing a thin film transistor and a structure of a thin film transistor manufactured by the method

Номер патента: KR970072480A. Автор: 류기현. Владелец: Lg 전자 주식회사. Дата публикации: 1997-11-07.

Pixel structure of a thin film transistor liquid crystal display and fabricating method thereof

Номер патента: US7939875B2. Автор: Mao-Tsun Huang,Tzufong Huang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2011-05-10.

The method that is carried out by the device and method of quantitative analysis and obtains property of thin film for film

Номер патента: CN109786277A. Автор: 牛宝华,应继锋,苏纮仪. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-21.

Method of manufacturing thin film transistor and method of manufacturing organic light emitting display having thin film transistor

Номер патента: US20090155940A1. Автор: Jin-Seong Park,Hyun-Soo Shin,Hun-Jung Lee,Jae-Kyeong Jeong,Jong-Han Jeong,Steve Y.G. Mo. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2009-06-18.

Thin film transistor, display device, and thin film transistor manufacturing method

Номер патента: US11955559B2. Автор: Shigeru Ishida,Takao Matsumoto,Yoshiaki Matsushima,Nobutake Nodera,Ryohei Takakura,Satoru Utsugi,Satoshi Michinaka. Владелец: Sakai Display Products Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Thin film transistor, manufacturing method thereof, array substrate and display panel

Номер патента: US20240297255A1. Автор: Jie Huang,Kun Zhao,Zhengliang Li,Feifei Li,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Jiayu HE,Nianqi YAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

THIN-FILM TRANSISTOR, METHOD OF FABRICATING THE THIN-FILM TRANSISTOR, AND DISPLAY SUBSTRATE USING THE THIN-FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20130295718A1. Автор: LEE Woo-Geun,Lee Young-Wook,YUN Pil-Sang. Владелец: Samsung Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2013-11-07.

THIN FILM TRANSISTOR, METHOD OF MANUFACTURING THE THIN FILM TRANSISTOR, AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20210091233A1. Автор: YANG JeongSuk,JO KwangMin,LEE Sohyung. Владелец: LG DISPLAY CO., LTD.. Дата публикации: 2021-03-25.

METHOD OF MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR, THIN FILM TRANSISTOR, AND ELECTRONIC DEVICE COMPRISING THE THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20180123064A1. Автор: Kim Joo Young,YUN Youngjun,CHOI Ajeong,JUNG Jiyoung,Lee Yong-Uk. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2018-05-03.

MANUFACTURING METHOD OF ORGANIC SEMICONDUCTOR FILM, ORGANIC SEMICONDUCTOR FILM, THIN FILM TRANSISTOR, ACTIVE MATRIX DEVICE, ELECTRO-OPTICAL DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20150249216A1. Автор: Moriya Soichi. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-03.

Method of manufacturing thin film transistor array substrate, low temperature polysilicon thin film transistor and low temperature polysilicon thin film transistor

Номер патента: KR20190091336A. Автор: 샤오밍 첸. Владелец: 선전 로욜 테크놀로지스 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2019-08-05.

Method of manufacturing piezoelectric thin film and piezoelectric sensor using piezoelectric thin film

Номер патента: KR102103353B1. Автор: 김종현,이웅희,남산,권상효. Владелец: 고려대학교 산학협력단. Дата публикации: 2020-04-23.

Thin film transistor using boron-doped oxide semiconductor thin film and method of fabricating the same

Номер патента: US20100155716A1. Автор: Chi Sun Hwang,Hye Yong Chu,Woo Seok Cheong,Sung Mook Chung,Min Ki Ryu. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2010-06-24.

Thin film transistor, method of fabricating the thin film transistor, and display device including the thin film transistor

Номер патента: EP2003695A2. Автор: Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Tae-Hoon Yang. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-17.

Method of manufacturing piezoelectric thin film and piezoelectric sensor using piezoelectric thin film

Номер патента: KR20200037181A. Автор: 김종현,이웅희,남산,권상효. Владелец: 고려대학교 산학협력단. Дата публикации: 2020-04-08.

Method for manufacturing thin film transistor and related active layer for thin film transistor, thin film transistor, array substrate, and display apparatus

Номер патента: EP3241239A1. Автор: Lujiang Huangfu,Chien Hung Liu,Zuqiang Wang,Yucheng CHAN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-08.

Method for manufacturing thin film transistor and related active layer for thin film transistor, thin film transistor, array substrate, and display apparatus

Номер патента: US20170005115A1. Автор: Lujiang Huangfu,Chien Hung Liu,Zuqiang Wang,Yu Cheng Chan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-05.

Thin film transistor array panel and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140332889A1. Автор: KANG Moon Jo,Seung-Ho Jung,Woo-Seok Jeon,Woo Geun Lee,Young Joo Choi,Sho Yeon KIM,Joon Geol KIM,Byung Hwan CHU. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-13.

Thin-film transistor and display panel

Номер патента: US20210184047A1. Автор: Weiwei Yang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Thin-film transistor and display panel

Номер патента: US11189731B2. Автор: Weiwei Yang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-30.

Thin film transistor made with photoconductive material

Номер патента: US20020096676A1. Автор: Jia-Pang Pang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2002-07-25.

Method for manufacturing thin film transistor and related active layer for thin film transistor, thin film transistor, array substrate, and display apparatus

Номер патента: US09887213B2. Автор: Lujiang Huangfu,Chien Hung Liu,Zuqiang Wang,Yu Cheng Chan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

CRYSTALLINE ALUMINUM CARBIDE THIN FILM, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE HAVING THE ALUMINUM CARBIDE THIN FILM FORMED THEREON AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130237037A1. Автор: Sakai Shiro. Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2013-09-12.

METHOD OF GROWING TWO-DIMENSIONAL TRANSITION METAL DICHALCOGENIDE THIN FILM AND METHOD OF MANUFACTURING DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20190164754A1. Автор: Lee Jaeho,SHIN Hyeonjin,KIM Haeryong,JO Sanghyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-05-30.

METHOD OF GROWING TWO-DIMENSIONAL TRANSITION METAL DICHALCOGENIDE THIN FILM AND METHOD OF MANUFACTURING DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20200335335A1. Автор: Lee Jaeho,SHIN Hyeonjin,KIM Haeryong,JO Sanghyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-10-22.

The fabrication method of thermoelectric thin film dispersed nano particles and the thermoelectric thin film using the same

Номер патента: KR101944160B1. Автор: 김병근,김나경,최순목. Владелец: 한국기술교육대학교 산학협력단. Дата публикации: 2019-04-18.

Method of transferring layer-by-layer thin films using adhesion difference, and photoreflective transferred thin film manufactured by the same

Номер патента: KR102181145B1. Автор: 정아름,염봉준,하나리. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2020-11-20.

Negative electrode material Si-Sb alloy thin film for sodium-ion battery and preparation method of negative electrode material Si-Sb alloy thin film

Номер патента: CN105680028A. Автор: 潘洋,周永宁. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-06-15.

Thin-film transistor circuit

Номер патента: US5144392A. Автор: Stanley D. Brotherton. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1992-09-01.

Crystalline aluminum carbide thin film, semiconductor substrate having the aluminum carbide thin film formed thereon and method of fabricating the same

Номер патента: US8624291B2. Автор: Shiro Sakai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-01-07.

Method of sealing open pores on surface of porous dielectric material using iCVD process

Номер патента: US10535514B2. Автор: Sung Gap Im,Byung Jin Cho,Seong Jun Yoon,Hyungsuk Alexander Yoon,Kwanyong Pak. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2020-01-14.

Opticmask for crystalization and manufacturing method of thin film transistor array panel using the same, thin film transistor array panel

Номер патента: KR101090244B1. Автор: 정의진,조성환. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2011-12-06.

Thin-film semiconductor device having a thin-film transistor for circuits that differs from a thin-film transistor for pixels

Номер патента: US6563136B2. Автор: Masafumi Kunii. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-05-13.

Method of fabricating thin film transistor for liquid crystal display and thin film transistor fabricated by the same

Номер патента: KR20060126167A. Автор: 김재성,이희국. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-12-07.

Display substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US8598577B2. Автор: Dong-Hoon Lee,Jae-Woo Park,Young-Joo Choi,Sung-Haeng CHO,Woo-Geun Lee,Hye-Young Ryu. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-03.

Methods of producing high uniformity in thin film transistor devices fabricated on laterally crystallized thin films by changing the shape, size, or laser beam

Номер патента: TW200939481A. Автор: James S Im. Владелец: Univ Columbia. Дата публикации: 2009-09-16.

Apparatus for measuring thin film thickness and deposition apparatus for manufacturing thin film and method for measuring thin film thickness

Номер патента: KR102003730B1. Автор: 임정은,김승균,박기성,신오철,박장훈. Владелец: 케이맥(주). Дата публикации: 2019-10-01.

Thin film field effect transistor

Номер патента: US5847406A. Автор: Charles H. Dennison,Monte Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-12-08.

Method of manufacturing flat panel backplanes, display transistors and displays made thereby

Номер патента: US4736229A. Автор: Richard A. Flasck,Scott H. Holmberg. Владелец: ALPHASIL Inc. Дата публикации: 1988-04-05.

A kind of preparation method without hole mobile material perovskite thin film hetero-junction solar cell

Номер патента: CN104600197B. Автор: 赵兴中,卜呈浩,余桢华. Владелец: Wuhan University WHU. Дата публикации: 2017-03-29.

Thin Film Transistor Substrate and Display Apparatus Comprising the Same

Номер патента: US20240054961A1. Автор: Wonsang Ryu,Hanseok Lee,Youngyoung Chang,Hyeji JEON,Sungsoo SHIN,Jungyul YANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Thin film battery module, thin film battery package, thin film battery package manufacturing device, and thin film battery package manufacturing method

Номер патента: US20140370364A1. Автор: Yong Yeon Kim,San Moo Kwon,Soo Tae Choi,Eun Hang Cho,Eun Jong Hwang,Sung Gyu Bang. Владелец: GS Energy Corp. Дата публикации: 2014-12-18.

Light emitting element package with thin film pad and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190348591A1. Автор: Seung Hyun Oh,Hyo Gu Jeon,Chi Gyun Song,Jung Hye PARK. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-14.

Thin film transistor structure, GOA circuit, and display device

Номер патента: US11855160B2. Автор: Gongtan LI,HyunSik Seo. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Thin film transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120286279A1. Автор: Wei-Lun Hsu,Chia-Chun Kao,Shou-Peng Weng. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-11-15.

Miniaturized electronics package with patterned thin film solid state battery

Номер патента: US20180323472A1. Автор: John U. Knickerbocker,Bing Dang,Qianwen Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-08.

Miniaturized electronics package with patterned thin film solid state battery

Номер патента: US20200185781A1. Автор: John U. Knickerbocker,Bing Dang,Qianwen Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Miniaturized electronics package with patterned thin film solid state battery

Номер патента: US20180323473A1. Автор: John U. Knickerbocker,Bing Dang,Qianwen Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-08.

Process of manufacturing of thin film perovskite based solar cells (pbsc) with laser shaping or patterning of one or more constituent layers

Номер патента: ITRM20130516A1. Автор: Fabio Matteocci,Carlo Aldo Di,Girolamo MINCUZZI,Simone Casaluci,Giacomo Francesco Di,Stefano Razza. Владелец: Stefano Razza. Дата публикации: 2015-03-17.

Thin film transistor substrate and display apparatus comprising the same

Номер патента: US20230329047A1. Автор: Wonsang Ryu,Hanseok Lee,Youngyoung Chang,Youngjin Yi,Sungsoo SHIN,Yubeen LIM,JungJune KIM,Jihwan JUNG,Jungyul YANG,Soyang CHOI. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Thin-film transistor array substrate for AMOLED and manufacturing method thereof

Номер патента: US10157970B2. Автор: Hejing ZHANG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-18.

Thin film transistor and pixel structure having the thin film transistor

Номер патента: TW201218383A. Автор: Chun-Yao Huang,Chen-Yi Wu,Yih-Chyun Kao. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-05-01.

Solution processed thin films and laminates, devices comprising such thin films and laminates, and method for their use and manufacture

Номер патента: US20120119202A1. Автор: Douglas A. Keszler,Jeremy Anderson,Peter A. Hersh,Jason K. Stowers,Stephen T. Meyers. Владелец: Oregon State Board of Higher Education. Дата публикации: 2012-05-17.

Solution processed thin films and laminates, devices comprising such thin films and laminates, and method for their use and manufacture

Номер патента: US8318407B2. Автор: Douglas A. Keszler,Jeremy Anderson,Peter A. Hersh,Jason K. Stowers. Владелец: Oregon State University. Дата публикации: 2012-11-27.

Hydrocarbon thin film, preparation method for hydrocarbon thin film and semiconductor devices comprisiing hydrocarbon thin film

Номер патента: KR102314727B1. Автор: 김동욱,이종훈,김의태. Владелец: 울산과학기술원. Дата публикации: 2021-10-19.

Multicomponent nano composite oxide powder and a preparation method therefor, a fabrication method of an electrode using the same, a thin film battery having the electrode and a fabrication method for the battery

Номер патента: WO2011068389A2. Автор: 송용설,김종수,권상균,성채용. Владелец: 주식회사 아모그린텍. Дата публикации: 2011-06-09.

Thin film transistor, method for manufacturing the thin film transistor, thin film transistor substrate having the thin film transistor and display apparatus having the thin film transistor substrate

Номер патента: KR101418586B1. Автор: 최재호,김성렬,오화열,윤갑수,양성훈,최용모. Владелец: 삼성디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2014-07-14.

Miniaturized electronics package with patterned thin film solid state battery

Номер патента: US11539081B2. Автор: John U. Knickerbocker,Bing Dang,Qianwen Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-12-27.

Miniaturized electronics package with patterned thin film solid state battery

Номер патента: US10651507B2. Автор: John U. Knickerbocker,Bing Dang,Qianwen Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-12.

Thin film transistor comprising oxide semiconductor layer and silicon semiconductor layer and display apparatus comprising the same

Номер патента: US11901461B2. Автор: Pilsang YUN,Jiyong NOH,Intak Cho,Jaeman JANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Radiographic imaging array fabrication process for metal oxide thin-film transistors with reduced mask count

Номер патента: EP2873097A1. Автор: Timothy J. Tredwell,Ravi K. MRUTHYUNJAYA,Jeff Hsin Chang. Владелец: Carestream Health Inc. Дата публикации: 2015-05-20.

Radiographic imaging array fabrication process for metal oxide thin-film transistors with reduced mask count

Номер патента: US20150236062A1. Автор: Timothy J. Tredwell,Ravi K. MRUTHYUNJAYA,Jeff Hsin Chang. Владелец: Carestream Health Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Radiographic imaging array fabrication process for metal oxide thin-film transistors with reduced mask count

Номер патента: WO2014011607A1. Автор: Timothy J. Tredwell,Ravi K. MRUTHYUNJAYA,Jeff Hsin Chang. Владелец: Carestream Health, Inc. Дата публикации: 2014-01-16.

Thin film transistor and array substrate

Номер патента: US20240047548A1. Автор: Xiaobo Hu. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Thin film transistor array substrate and display apparatus

Номер патента: US10756120B2. Автор: Guanghui HONG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-25.

Thin film transistor, display device, and method for manufacturing thin film transistor

Номер патента: US20190237587A1. Автор: Simon Chen. Владелец: Shenzhen Royole Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Miniaturized electronics package with patterned thin film solid state battery

Номер патента: US20200194841A1. Автор: John U. Knickerbocker,Bing Dang,Qianwen Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Nanocrystal thin film fabrication methods and apparatus

Номер патента: US20150364324A1. Автор: Cherie R. Kagan,Yuming LAI,David K. KIM,Ji-Hyuk Choi. Владелец: University of Pennsylvania Penn. Дата публикации: 2015-12-17.

Thin Film Transistor Comprising Oxide Semiconductor Layer and Silicon Semiconductor Layer and Display Apparatus Comprising the Same

Номер патента: US20210202754A1. Автор: Pilsang YUN,Jiyong NOH,Intak Cho,Jaeman JANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Laser annealing device and thin film crystallization method using same

Номер патента: US20210057218A1. Автор: Dong-Min Lee,Ji-Hwan Kim,Jongoh Seo,Byung Soo SO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Thin-film transistor substrate

Номер патента: US20200243570A1. Автор: Tae-Jin Kim,Jong-Hyun Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Thin film transistor array substrate and display apparatus

Номер патента: US20190386028A1. Автор: Guanghui HONG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Oxide semiconductor, thin film transistor array substrate and production method thereof, and display device

Номер патента: US20140367683A1. Автор: Masahiko Suzuki,Hirohiko Nishiki,Takeshi Hara,Michiko Takei,Yoshimasa Chikama,Go Mori,Okifumi Nakagawa,Yoshifumi Ohta,Tetsuya Aita,Yoshiyuki Harumoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2014-12-18.

Oxide semiconductor, thin film transistor array substrate and production method thereof, and display device

Номер патента: US9076718B2. Автор: Masahiko Suzuki,Hirohiko Nishiki,Takeshi Hara,Michiko Takei,Yoshimasa Chikama,Go Mori,Okifumi Nakagawa,Yoshifumi Ohta,Tetsuya Aita,Yoshiyuki Harumoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2015-07-07.

EVALUATION METHOD FOR OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, QUALITY CONTROL METHOD FOR OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, AND EVALUATION ELEMENT AND EVALUATION DEVICE USED IN THE EVALUATION METHOD

Номер патента: US20150371906A1. Автор: Kugimiya Toshihiro,HAYASHI Kazushi,Kishi Tomoya. Владелец: Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.). Дата публикации: 2015-12-24.

Silicone film and manufacturing method thereof, and thin-film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100218500B1. Автор: 이주형,진용석,배병성,정병후,황장원. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-09-01.

Method of controlling the uniformity of PECVD-deposited thin films

Номер патента: US20050233092A1. Автор: John White,Soo Choi,Tae Won. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2005-10-20.

A kind of preparation method of bottom emitting top-gated self-aligned thin film transistor

Номер патента: CN107808826A. Автор: 王国英,宋振,陈江博. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-16.

Method of and apparatus for measuring thickness of thin film or thin layer

Номер патента: TW200406578A. Автор: Takashi Nishimura,Kazunari Shinya. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2004-05-01.

MAGNETIC THIN FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREOF (MAGNETIC THIN FILM AND PRODUCTION METHOD THEREFOR)

Номер патента: KR970705158A. Автор: 미가꾸 다까하시. Владелец: 미가꾸 다까하시. Дата публикации: 1997-09-06.

Method of improving the uniformity of PECVD-deposited thin films

Номер патента: US7754294B2. Автор: Soo Young Choi,John M. White,Tae Kyung Won. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2010-07-13.

Driving substrate with a thin film transistor that is divided into multiple active blocks

Номер патента: US20230071623A1. Автор: May PAN. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2023-03-09.

Method for forming oxide thin film and method for fabricating oxide thin film transistor implementing channel doping and passivation in one step

Номер патента: KR101465114B1. Автор: 김정현,김현재,임유승. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2014-12-05.

A kind of low temperature liquid phase preparation method of high mobility indium gallium zinc oxygen thin film transistor (TFT)

Номер патента: CN106206292A. Автор: 张倩,王素梅,夏国栋. Владелец: Qilu University of Technology. Дата публикации: 2016-12-07.

Crystalline semiconductor thin film and manufacturing method thereof, and thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: JP4495805B2. Автор: 幸治 鈴木,雅人 平松. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-07.

Semiconductor device and thin film transistor comprising multi-layered metal oxide thin films, and method for fabricating the same

Номер патента: KR101451928B1. Автор: 윤석현,김현재,김시준,탁영준. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2014-10-23.

Thin film transistor and display device

Номер патента: US20190140100A1. Автор: Xiao Wang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Driving substrate with a thin film transistor divided into multiple active blocks that are connected to each other by a bridge

Номер патента: US11916080B2. Автор: May PAN. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, array substrate and display apparatus

Номер патента: US20190181271A1. Автор: Tao Jiang,Guanbao HUI,Ji Zhang,Jincheng GAO,Guanglong Guo. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-13.

Thin film transistor based temperature sensor

Номер патента: US20230061108A1. Автор: Shih-Lien Linus Lu,Katherine H. Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Thin film structure, semiconductor device including the same, and semiconductor apparatus including semiconductor device

Номер патента: US20220393016A1. Автор: Jinseong Heo,Sanghyun JO,Dukhyun CHOE,Taehwan MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-08.

Evaluation method for oxide semiconductor thin film, quality control method for oxide semiconductor thin film, and evaluation element and evaluation device used in said evaluation method

Номер патента: EP2944948A4. Автор: Kazushi Hayashi,Toshihiro Kugimiya,Tomoya Kishi. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2016-08-03.

Evaluation method for oxide semiconductor thin film, quality control method for oxide semiconductor thin film, and evaluation element and evaluation device used in said evaluation method

Номер патента: EP2944948B1. Автор: Kazushi Hayashi,Toshihiro Kugimiya,Tomoya Kishi. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2017-08-16.

METHOD OF MANUFACTURING A LIGHT EMITTING DEVICE AND THIN FILM FORMING APPARATUS

Номер патента: US20130137194A1. Автор: Shibata Noriko,YAMAGATA Hirokazu,ADACHI Yoshimi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2013-05-30.

Low-Temperature Fabrication of Metal Oxide Thin Films and Nanomaterial-Derived Metal Composite Thin Films

Номер патента: US20130196469A1. Автор: Xia Yu,Marks Tobin J.,Kanatzidis Mercouri G.,Facchetti Antonio,Kim Myung-Gil,Sheets William Christopher,Yan He. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-01.

Low-Temperature Fabrication of Metal Oxide Thin Films and Nanomaterial-Derived Metal Composite Thin Films

Номер патента: US20130217180A1. Автор: Xia Yu,Marks Tobin J.,Kanatzidis Mercouri G.,Facchetti Antonio,Kim Myung-Gil,Sheets William Christopher,Yan He. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-22.

METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR AND RELATED ACTIVE LAYER FOR THIN FILM TRANSISTOR, THIN FILM TRANSISTOR, ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20170005115A1. Автор: Liu Chien Hung,HUANGFU Lujiang,Wang Zuqiang,CHAN YU CHENG. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-05.

THIN-FILM TRANSISTOR, METHOD FOR PRODUCING THIN-FILM TRANSISTOR AND IMAGE DISPLAY APPARATUS USING THIN-FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20180026141A1. Автор: IKEDA Noriaki,Nishizawa Makoto. Владелец: TOPPAN PRINTING CO., LTD.. Дата публикации: 2018-01-25.

Methods of Using A Two Terminal Multi-Layer Thin Film Resistance Switching Device With A Diffusion Barrier

Номер патента: US20160064660A1. Автор: Ignatiev Alex,Young-Fisher Kristina,Ebrahim Rabi,Wu Naijuan. Владелец: Board of Regents, University of Houston. Дата публикации: 2016-03-03.

METAL OXIDE NANOPARTICLE INK, METHOD OF PREPARING THE SAME, METAL OXIDE NANOPARTICLE THIN FILM MANUFACTURED USING THE SAME, AND PHOTOELECTRIC DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20210098202A1. Автор: PARK So Yeon,JUNG Hyun Suk,Kim Se Jin,NOH Jun Hong,YEOM Kyung Mun. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-01.

METHOD OF MANUFACTURING A LIGHT EMITTING DEVICE AND THIN FILM FORMING APPARATUS

Номер патента: US20150171330A1. Автор: Shibata Noriko,YAMAGATA Hirokazu,ADACHI Yoshimi. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-18.

THIN FILM TRANSISTOR, METHOD FOR MANUFACTURING THE THIN FILM TRANSISTOR, AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20220310948A1. Автор: NOH Yong-Young,Kim Hyungjun,LIM Jun Hyung,Koo Soyoung,Zhu Huihui. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-29.

METHOD FOR FORMING OXIDE THIN FILM AND METHOD FOR FABRICATING OXIDE THIN FILM TRANSISTOR EMPLOYING GERMANIUM DOPING

Номер патента: US20150279671A1. Автор: Kim Hyun Jae,JUNG Tae Soo,KIM Si Joon,KIM Chul Ho. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-01.

MAGNETIC THIN FILM AND APPLICATION DEVICE INCLUDING MAGNETIC THIN FILM

Номер патента: US20160372657A1. Автор: SHIMATSU Takehito,NAKATA Hitoshi. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-22.

Methods of fabricating a semiconductor integrated circuit with thin film transistors using a selective epitaxial growth technique and a partial planarization technique and semiconductor integrated circuits fabricated thereby

Номер патента: KR100663349B1. Автор: 김성진,장재훈,조원석,곽근호,김종혁,임훈,정순문,황병준. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-01-02.

Soft magnetic film and mr/inductive composite type thin-film magnetic head using the same

Номер патента: KR100270825B1. Автор: 나오야 하세가와. Владелец: 알프스 덴키 가부시키가이샤. Дата публикации: 2000-11-01.

Oxide for semiconductor layer for thin film transistor, semiconductor layer for thin film transistor which comprises said oxide, and thin film transistor

Номер патента: KR20140033348A. Автор: 신야 모리타,아야 미키,도시히로 구기미야,사토시 야스노,재우 박,제훈 이,병두 안,건희 김,히로아키 다오. Владелец: 가부시키가이샤 고베 세이코쇼. Дата публикации: 2014-03-18.

Oxide for semiconductor layer for thin film transistor, semiconductor layer for thin film transistor which comprises said oxide, and thin film transistor

Номер патента: KR101509115B1. Автор: 신야 모리타,아야 미키,도시히로 구기미야,사토시 야스노,재우 박,제훈 이,병두 안,건희 김,히로아키 다오. Владелец: 삼성디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2015-04-07.

Thin Film Transistor Including a High-k Insulating Thin Film and Method for Manufacturing The Same

Номер патента: KR102000829B1. Автор: 이지원,정재경. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2019-07-16.

Methods of fabricating a semiconductor integrated circuit with thin film transistors using a damascene technique and a selective epitaxial growth technique and semiconductor integrated circuits fabricated thereby

Номер патента: KR100629268B1. Автор: 김성진,장재훈,조원석,곽근호,김종혁,임훈,정순문,황병준,한명식. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-09-29.

Positive photosensitive resin composition for spray coating, method of forming cured film using the same, cured film and semiconductor device

Номер патента: JPWO2009014113A1. Автор: 敏夫 番場,番場　敏夫,秀樹 折原. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-07.

Method of fabricating crystalline IGZO semiconductor layer and thin film transistor

Номер патента: TW201712134A. Автор: 葉家宏. Владелец: 友達光電股份有限公司. Дата публикации: 2017-04-01.

Method of fabricating crystalline igzo semiconductor layer and thin film transistor

Номер патента: TWI542715B. Автор: 葉家宏. Владелец: 友達光電股份有限公司. Дата публикации: 2016-07-21.

METHOD OF PROTECTING INTEGRATED CIRCUIT CHIPS BY INSULATING THIN FILM DEPOSITION

Номер патента: FR2797996A1. Автор: Philippe Patrice,Michel Papapietro. Владелец: Gemplus SA. Дата публикации: 2001-03-02.

Methods of fabricating a semiconductor integrated circuit with thin film transistors using a damascene technique and a selective epitaxial growth technique and semiconductor integrated circuits fabricated thereby

Номер патента: KR20050098749A. Автор: 김성진,장재훈,조원석,곽근호,김종혁,임훈,정순문,황병준,한명식. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-10-12.

Organic thin-film transistor and method for producing organic thin-film transistor

Номер патента: EP3920238A1. Автор: Eijiro Iwase. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-12-08.

Organic thin film transistor and method for manufacturing organic thin film transistor

Номер патента: EP2113944A1. Автор: Takeshi Hakii. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2009-11-04.

Method of forming thin films, device for forming thin films, and thin film forming process monitoring method

Номер патента: RU2324765C2. Автор: Тосиаки КАКЕМУРА,Хирото КАСИМА,Манабу ЦУДЗИНО. Владелец: Топпан Принтинг Ко., Лтд.. Дата публикации: 2008-05-20.

Method of forming a MOCVD-TiN thin film

Номер патента: US20020022089A1. Автор: Hyung-Seok Kim,Byoung-Youp Kim. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-21.

Janus transition metal dichalcogenide thin film and method of fabricating the same

Номер патента: US20230151482A1. Автор: Won Jun Lee,Suk Ho Chol,Chan Wook Jang. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2023-05-18.

Method of forming highly adhesive copper thin films on metal nitride substrates via CVD

Номер патента: US20030031790A1. Автор: David Evans,Sheng Hsu,Wei-Wei Zhuang. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2003-02-13.

Method of preparing nano-thin film of cement hydration product

Номер патента: US11254612B2. Автор: XIANG Ji,Zhen He,Wei Zhou,Wenzhi Yu,Jingtao CHEN,Xiaofei XU,Shengwen Tang,Hubao A. Владелец: Wuhan University WHU. Дата публикации: 2022-02-22.

Novel compound, precursor composition comprising same, and method for preparing thin film using same

Номер патента: US20240218005A1. Автор: Min-Sung Park,Jang-Hyeon Seok,Hyo-Suk Kim,Min-Hyuk Nim,Jung-Woo Park. Владелец: Hansol Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method and apparatus of forming thin films

Номер патента: US5755888A. Автор: Shigenori Hayashi,Hideo Torii,Ryoichi Takayama,Eiji Fujii. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-05-26.

Method for producing thin film containing molybdenum

Номер патента: US09695207B2. Автор: Hiroki Sato,Junji Ueyama. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Precursor delivery system with selective filtration and method of using same

Номер патента: US20240279801A1. Автор: H. William Lucas, JR.,Chong JIANG,Vinay Shankar VIDYARTHI,Jose A. Palencia,Francisco Z. Araiza. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Precursor delivery system with selective filtration and method of using same

Номер патента: WO2024173540A2. Автор: H. William Lucas, JR.,Chong JIANG,Vinay Shankar VIDYARTHI,Jose A. Palencia,Francisco Z. Araiza. Владелец: Eugenus, Inc.. Дата публикации: 2024-08-22.

Precursor delivery system with selective filtration and method of using same

Номер патента: WO2024173540A3. Автор: H. William Lucas, JR.,Chong JIANG,Vinay Shankar VIDYARTHI,Jose A. Palencia,Francisco Z. Araiza. Владелец: Eugenus, Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Thin-film-forming material including a molybdenum imide compound

Номер патента: US09988411B2. Автор: Hiroki Sato,Junji Ueyama. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Thin film deposition method and resulting product

Номер патента: US09481603B2. Автор: Nicolas Nadaud,Vincent Reymond,Andriy Kharchenko. Владелец: Saint Gobain Glass France SAS. Дата публикации: 2016-11-01.

Variable refractive index thin films

Номер патента: WO2023205062A1. Автор: Alejo Lifschitz Arribio. Владелец: Meta Platforms Technologies, LLC. Дата публикации: 2023-10-26.

Biological sensor and method of creation of biological sensors

Номер патента: RU2527699C1. Автор: Юрий Викторович Стебунов,Алексей Владимирович Арсенин. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский физико-технический институт (государственный университет). Дата публикации: 2014-09-10.

Preparation method of zinc oxide based diluted magnetic semiconductor thin film and in-situ regulation and control method of charge concentration of zinc oxide based diluted magnetic semiconductor thin film

Номер патента: CN104480427A. Автор: 李效民,郑仁奎,朱秋香. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2015-04-01.

Tin dioxide oxide thin film, preparation method thereof and application thereof in hydrogen detection

Номер патента: NL2030680A. Автор: Dan Xu,Di Zhu,Baofeng Zhao,Shuyuan Wang,Haibin Guan,Angang Song. Владелец: Energy Res Inst Shandong Academy Sciences. Дата публикации: 2022-10-24.

Tin dioxide oxide thin film, preparation method thereof and application thereof in hydrogen detection

Номер патента: NL2030680B1. Автор: Dan Xu,Di Zhu,Baofeng Zhao,Shuyuan Wang,Haibin Guan,Angang Song. Владелец: Energy Res Inst Shandong Academy Sciences. Дата публикации: 2022-10-28.

Method for coating thin film in rolling manner and apparatus for coating thin film by using the same

Номер патента: US10583452B2. Автор: Sumin Kang,Taek-Soo Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2020-03-10.

Method for coating thin film in rolling manner and apparatus for coating thin film by using the same

Номер патента: US20180078966A1. Автор: Sumin Kang,Taek-Soo Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-03-22.

Gradient thin films

Номер патента: RU2666198C1. Автор: Альпана РАНАДЕ,Марви А. МАТОС. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2018-09-06.

Method for production of diamond-like thin films

Номер патента: RU2668246C2. Автор: Сергей Викторович Макаров,Владимир Александрович Плотников,Владимир Иванович Ярцев,Борис Федорович Демьянов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Алтайский государственный университет". Дата публикации: 2018-09-27.

Method of forming manganese nickel-based oxide thin film

Номер патента: JP3183313B2. Автор: 政 米沢,武司 曽江. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2001-07-09.

Method of forming manganese cobalt copper oxide thin film

Номер патента: JP3183309B2. Автор: 政 米沢,清二 山中,武司 曽江. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2001-07-09.

Manufacturing method of thin film containing molybdenum, raw material for forming thin film, and molybdenum imide compound

Номер патента: JPWO2014077073A1. Автор: 佐藤　宏樹,宏樹 佐藤,潤二 上山. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Thin film deposition method

Номер патента: US20240263307A1. Автор: Yong Hyun Kim,Yong Hyun Lee,Jun Seok Lee,Dong Hwan Lee,Chang Kyun PARK,Byung Gwan LIM,Il Houng PARK,Won Ju OH. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Manufacturing method of thin film containing molybdenum, raw material for forming thin film, and molybdenum imide compound

Номер патента: JP6198280B2. Автор: 佐藤　宏樹,宏樹 佐藤,潤二 上山. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2017-09-20.

Raw material composition for the production of chemically resistant material fiber and thin films

Номер патента: RU2741984C1. Автор: Александр Геннадьевич Новицкий,Павел Анатольевич Петров. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «БАЗОВЫЕ МИНЕРАЛ ТЕХНОЛОГИИ». Дата публикации: 2021-02-01.

Composition for forming silicon-aluminum film, silicon-aluminum film and method for forming the same

Номер патента: US20060257667A1. Автор: Yasuo Matsuki,Yasuaki Yokoyama,Naomi Shinoda,Michiko Yokoyama,Risa Yokoyama. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2006-11-16.

Thin-film micromesh covers for medical devices and related methods

Номер патента: US11020254B2. Автор: Vikas Gupta,Ian A. Cook,Colin Kealey. Владелец: Monarch Biosciences Inc. Дата публикации: 2021-06-01.

High heat-resistant conductive thin film manufacturing method, high heat-resistant conductive thin film obtained by the manufacturing method, laminated film, and device including the laminated film

Номер патента: JP4362586B2. Автор: 秀明 永井,猛 奥谷,守人 秋山,直広 上野,敏浩 蒲原. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2009-11-11.

Production device and production method for thin film catalyst

Номер патента: EP4335945A1. Автор: Ruoqi QIAN,Jingji QIAN. Владелец: Suzhou Taone Sincere Nanomaterial Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-13.

Alkoxide compound, thin film-forming material, and method for manufacturing thin film

Номер патента: EP4180417A4. Автор: Atsushi Sakurai,Masako HATASE,Ryota FUKUSHIMA,Nana OKADA. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-07-24.

Thin film forming raw material for atomic layer deposition method, thin film forming raw material, method for producing thin film and compound

Номер патента: TW202026452A. Автор: 吉野智晴,山下敦史,岡田奈奈. Владелец: 日商Ａｄｅｋａ股份有限公司. Дата публикации: 2020-07-16.

Apparatus for pre-oxided porous metal thin film, method for manufacturing porous metal oxide thin film and porous metal oxide thin film manufactured thereby

Номер патента: KR20220128184A. Автор: 박세용,이희철,노순호. Владелец: 한국공학대학교산학협력단. Дата публикации: 2022-09-20.

Organometallic precursors for deposition of metal and ceramic films, and deposition process of the thin films

Номер патента: KR100900272B1. Автор: 김준영,신현국. Владелец: 주식회사 유피케미칼. Дата публикации: 2009-05-29.

Organometallic precursors for deposition of ruthenium metal and/or ruthenium oxide thin films, and deposition process of the thin films

Номер патента: KR20100060482A. Автор: 박정우,김준영,신현국,이경은,류경희. Владелец: 주식회사 유피케미칼. Дата публикации: 2010-06-07.

Method and mask for forming thin film

Номер патента: US4704306A. Автор: Takeshi Nakamura. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1987-11-03.

One kind is in MgO（111）The method of the various phase structure iron nitride thin films of substrate Epitaxial growth

Номер патента: CN106929812A. Автор: 马丽,侯登录,刘迪迪,李国科,元利勇. Владелец: SHIJIAZHUANG TIEDAO UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-07-07.

Engineering doped thin-film structure and device

Номер патента: WO2023091546A1. Автор: Supratik Guha,Manish Kumar Singh. Владелец: The Unversity Of Chicago. Дата публикации: 2023-05-25.

Method of manufacturing thermochromic substrate

Номер патента: US9657385B2. Автор: Yong Won Choi,Yung-Jin Jung,Hyun Bin Kim,Seulgi Bae. Владелец: Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of manufacturing thermochromic substrate

Номер патента: US09657385B2. Автор: Yong Won Choi,Yung-Jin Jung,Hyun Bin Kim,Seulgi Bae. Владелец: Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Manufacturing method of electrode outer casing

Номер патента: US12103289B2. Автор: Satoshi Nakashima. Владелец: Prime Planet Energy and Solutions Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Micro thin-film structure, MEMS switch employing such a micro thin-film, and method of fabricating them

Номер патента: EP1653494A3. Автор: Sang-Hun Lee,Che-heung Kim,Hyung-jae Shin,Soon-cheol Kweon,Byung-Hee Jeon,Seok-Kwan Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-22.

Micro thin-film structure, MEMS switch employing such a micro thin-film, and method of fabricating them

Номер патента: US20060087716A1. Автор: Sang-Hun Lee,Che-heung Kim,Hyung-jae Shin,Soon-cheol Kweon,Byung-Hee Jeon,Seok-Kwan Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-27.

Thin-film electrode assembly with soft overmold

Номер патента: US20200030599A1. Автор: Brian Pepin,Bo Lu,Shiv SABESAN. Владелец: Verily Life Sciences LLC. Дата публикации: 2020-01-30.

Thin-film electrode assembly with soft overmold

Номер патента: WO2018212833A1. Автор: Brian Pepin,Bo Lu,Shiv SABESAN. Владелец: Verily Life Sciences LLC. Дата публикации: 2018-11-22.

Method Of Manufacturing Thermochromic Substrate

Номер патента: US20130149441A1. Автор: Yong Won Choi,Yung-Jin Jung,Hyun Bin Kim,Seulgi Bae. Владелец: Samsung Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-13.

Variable sloped etching of thin film heads

Номер патента: IE53267B1. Автор: . Владелец: Memorex Corp. Дата публикации: 1988-09-28.

Method of manufacturing electron-emitting device, electron source and image-forming apparatus

Номер патента: AU687926B2. Автор: Toshikazu Ohnishi,Takashi Noma,Fumio Kishi,Michiyo Nishimura,Masato Yamanobe,Seijiro Kato,Takahiro Horiguchi,Hisaaki Kawade,Kumiko Uno. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1998-03-05.

Self-adherent flexible thin film stacks and photovoltaic devices including same

Номер патента: US20240276745A1. Автор: Mahshid Sam,Alfonso Fabian De La Fuente Sanchez. Владелец: Solaires Entreprises Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Thin-film-based assembly

Номер патента: US20240272042A1. Автор: Pauline Martha Gerardina VAN DEURSEN. Владелец: Vitrotem BV. Дата публикации: 2024-08-15.

NTC thin film thermistor and method for producing an NTC thin film thermistor

Номер патента: US12033774B2. Автор: Jan Ihle,Thomas Bernert,Christl Lisa Mead,Thomas STENDEL,Marko Vrabelj,Sebastian Redolfi. Владелец: TDK Electronics AG. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of preparing cavity envelopes by means of thin-film procedures

Номер патента: US3788723A. Автор: W Lehrer. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1974-01-29.

Metal-non-containing thin-film photocatalyst for molecular oxygen reduction and a method for production thereof

Номер патента: RU2708398C1. Автор: Виктор Андреевич Броцман,Алексей Анатольевич Горюнков,Алексей Владимирович Рыбальченко,Наталья Сергеевна Луконина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2019-12-06.

Thin-Film Multilayered Electrodes and Method of Fabricating Same

Номер патента: CA2184022A1. Автор: Masato Kobayashi,Yoshihiko Goto,Yukio Yoshino,Yuzo Katayama. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1997-02-24.

Method of manufacturing coil unit in thin film type for compact actuator

Номер патента: US20180182543A9. Автор: Joung Sek Kwon. Владелец: ENEBRAIN Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

Method of manufacturing coil unit in thin film type for compact actuator

Номер патента: US20180019058A1. Автор: Joung Sek Kwon. Владелец: ENEBRAIN Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-18.

Method of fabricating a thin film conductor coil assembly

Номер патента: US5853558A. Автор: Arun Malhotra,G. Robert Gray. Владелец: Aiwa Research and Development Inc. Дата публикации: 1998-12-29.

Manufacturing method of electrode outer casing

Номер патента: US20220153011A1. Автор: Satoshi Nakashima. Владелец: Prime Planet Energy and Solutions Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Method of using a phase plate in a transmission electron microscope

Номер патента: US20140326876A1. Автор: Bart Buijsse,Radostin Stoyanov Danev. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2014-11-06.

Thin film electrode assembly

Номер патента: US20240252816A1. Автор: Norbert Kaula,Dan Oster,Jeremy Lug,Johnny Khith. Владелец: Cirtec Medical Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Perpendicularly magnetized thin film structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130130063A1. Автор: Byoung Chul Min,Kyung Ho Shin,Gyung Min CHOI. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2013-05-23.

Method for forming thin film conductors on a substrate

Номер патента: EP2926367A1. Автор: Andrew E. Edd,Charles C. Munson. Владелец: NCC Nano LLC. Дата публикации: 2015-10-07.

Thin Film Inductor and Power Conversion Circuit

Номер патента: US20180301270A1. Автор: Yongfa Zhu,Heqian YANG,Xiaolong Luo. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

METAL OXIDE SEMICONDUCTOR ELECTRODE HAVING POROUS THIN FILM, DYE-SENSITIZED SOLAR CELL USING SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20140124025A1. Автор: KWON Young-soo,SONG In Young,Park Taiho,LIM Jong Chul,Park Sung Hae. Владелец: POSTECH ACADEMY-INDUSTRY FOUNDATION. Дата публикации: 2014-05-08.

Thin film electrode assembly

Номер патента: US11975188B2. Автор: Norbert Kaula,Dan Oster,Jeremy Lug,Johnny Khith. Владелец: Cirtec Medical Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Thin Film Electrode Assembly

Номер патента: US20210220641A1. Автор: Norbert Kaula,Dan Oster,Jeremy Lug,Johnny Khith. Владелец: Cirtec Medical Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

COMPOSITION AND METHOD OF MAKING A MONOLITHIC HETEROSTRUCTURE OF MULTIFERROIC THIN FILMS

Номер патента: US20220068536A1. Автор: JIANG Hua,Guo Xiaomei,Li Kewen Kevin,Zou Yingyin Kevin. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

Manufacturing method of drawing shell of socket connector with thin film sealing support wall

Номер патента: KR102135673B1. Автор: 문정훈. Владелец: 주식회사 제이앤티씨. Дата публикации: 2020-07-20.

A kind of preparation method of nanoscale primitive assembling compounded magnetic conductive thin-film material

Номер патента: CN105826069B. Автор: 王鹏,王悦,叶水生. Владелец: 江苏金羿先磁新材料科技有限公司. Дата публикации: 2019-04-09.

Method of making a variety of matched metallic thin film resistor structures

Номер патента: DE4123249C2. Автор: Wolfgang Dr Platen. Владелец: Mannesmann AG. Дата публикации: 1993-10-14.

Composition and method of making a monolithic heterostructure of multiferroic thin films

Номер патента: US11501905B2. Автор: Hua Jiang,Xiaomei Guo,Kewen Kevin Li,Yingyin Kevin Zou. Владелец: Boston Applied Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-15.

Composition and method of making a monolithic heterostructure of multiferroic thin films

Номер патента: US20220068536A1. Автор: Hua Jiang,Xiaomei Guo,Kewen Kevin Li,Yingyin Kevin Zou. Владелец: Boston Applied Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Spin valve thin film element and thin film magnetic head using the spin valve thin film element

Номер патента: JP3854107B2. Автор: 直也 長谷川,正路 斎藤. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-06.

Chemically absorbed film and method of manufacturing the same

Номер патента: CA2060294C. Автор: Norihisa Mino,Kazufumi Ogawa,Mamoru Soga. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2000-01-18.

Functionalised thin-film polyamide membranes

Номер патента: RU2519377C9. Автор: Мартина Х. ШТЕНЦЕЛЬ,Рикардо ГОДОЙ-ЛОПЕС,Саймон ХАРРИСОН,Эцио РИЦЦАРДО. Владелец: Полимерс СРС Лимитед. Дата публикации: 2015-03-20.

Functionalized thin film polyamide membranes

Номер патента: CA2732873A1. Автор: Ezio Rizzardo,Ricardo Godoy-Lopez,Simon Harrisson,Martina H. Stenzel. Владелец: POLYMERS CRC LTD. Дата публикации: 2010-02-11.

Slip-resistant polyolefin film and process for preparation thereof

Номер патента: US5332624A. Автор: Kenneth Nichols. Владелец: Wastecorp International Investments Inc. Дата публикации: 1994-07-26.

Magnetic thin film interference device or pigment and method of manufacturing it, printing ink or coating composition, security document, and use of such magnetic thin film interference device

Номер патента: ES2262795T5. Автор: Edgar Müller,Myron Seto,Thomas Tiller,Claude Alain Despland. Владелец: SICPA HOLDING SA. Дата публикации: 2014-06-02.

Thin-film material and method for producing same

Номер патента: US20050129935A1. Автор: Toyoki Kunitake,Mineo Hashizume. Владелец: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research. Дата публикации: 2005-06-16.

Method of heat recovery of waste process fluids

Номер патента: RU2694771C1. Автор: Александр Сергеевич Кондратьев,Владимир Александрович Будник,Роман Игоревич Бобровский,Марат Ринатович Смаков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ХАММЕЛЬ". Дата публикации: 2019-07-16.

Composition and method of making high-reflection silver mirrors or thin-film optical filters

Номер патента: US20040114247A1. Автор: James Lane,Philip Buchsbaum. Владелец: Ocean Optics Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Preparation method of polyamide thin film composite reverse osmosis membrane and polyamide thin film composite reverse osmosis membrane prepared therefrom

Номер патента: WO2007035019A1. Автор: Je-Kang Yoo,Sun-Yong Lee,Youn-Kook Kim. Владелец: Woongjincoway Co, Ltd, .. Дата публикации: 2007-03-29.

Methods of peeling and transferring hetero-epitaxially grown graphene films and products containing said films

Номер патента: RU2568718C2. Автор: Виджайен С. ВЕЕРАСАМИ. Владелец: Гардиан Индастриз Корп.. Дата публикации: 2015-11-20.

Method of producing coating with high reproducibility of optical properties

Номер патента: RU2608412C1. Автор: Людмила Павловна Борило,Антон Сергеевич Бричков,Владимир Васильевич Козик,Анастасия Нафисовна Шамсутдинова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2017-01-18.

Method of manufacturing cell-nanoscale thin film composite

Номер патента: US20190127693A1. Автор: Toshiaki Abe,Nobuhiro Nagai,Jin Suzuki,Hirokazu Kaji. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2019-05-02.

Elastomeric formulations useful in films and sheets

Номер патента: US09631084B2. Автор: Brian K. CHAPMAN,Heith A. FOSTER. Владелец: Kuraray America Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Ferroelectric thin film and forming method thereof

Номер патента: US20230323562A1. Автор: Jungwon Park,Kunwoo Park. Владелец: INSTITUTE FOR BASIC SCIENCE. Дата публикации: 2023-10-12.

Method for forming high tc superconductive thin films

Номер патента: US5922651A. Автор: Masahiro Kawamura,Hiroki Hoshizaki. Владелец: Advanced Mobile Telecommunication Technology Inc. Дата публикации: 1999-07-13.

Thin-film composite retrievable endovascular devices and method of use

Номер патента: US09579427B2. Автор: Animesh CHOUBEY,Ramesh Marrey. Владелец: Cordis Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

The preparation method of electrode before a kind of organic thin film solar cell

Номер патента: CN105810833B. Автор: 王飞,刘玲玲,雷涛,田丙伦,赛博瑞·麦格. Владелец: Shanxi Yang Tai Long Yan Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-17.

Manufacturing method of composite film

Номер патента: US9878525B2. Автор: Hiroshi Shimoda,Hirokazu Wakabayashi. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Variable refractive index thin films

Номер патента: US20230340286A1. Автор: Alejo Lifschitz Arribio. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-26.

Method for manufacturing piezoelectric thin film resonator, piezoelectric thin film resonator, frequency filter; method for manufacturing oscillator, oscillator, electronic circuit, and electronic apparatus

Номер патента: US20060037183A1. Автор: Setsuya Iwashita,Takamitsu Higuchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-02-23.

Perovskite precursor solution for improving stability of perovskite solar cell

Номер патента: US20230225193A1. Автор: Li Chen,Yanqing Li,Jianxin Tang,Jingde Chen. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-07-13.

Flexible crystalline silicon thin film/perovskite laminated solar cell module

Номер патента: CN113225012A. Автор: 张群芳,任建强. Владелец: Zhejiang Hete Photoelectricity Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-06.

Flexible crystalline silicon thin film/perovskite laminated solar cell module

Номер патента: CN113225012B. Автор: 张群芳,任建强. Владелец: Zhejiang Hete Photoelectricity Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-24.

Foldable display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230315185A1. Автор: Hyeong-Gwon Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Foldable display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US11687141B2. Автор: Hyeong-Gwon Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-27.

Method of synthesis of hafnium nitrate for HfO2 thin film deposition via ALCVD process

Номер патента: TW200424342A. Автор: David Russell Evans,Sheng Teng Hsu,Weiwei Zhuang. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2004-11-16.

Method of synthesis of hafnium nitrate for HFO2 thin film deposition via ALCVD process

Номер патента: TWI257434B. Автор: David Russell Evans,Sheng Teng Hsu,Weiwei Zhuang. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2006-07-01.

Geometric shape control of thin film ferroelectrics and resulting structures

Номер патента: US6080235A. Автор: Frederick J. Walker,Rodney A. Mckee. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2000-06-27.

Organic-inorganic perovskite solar cell with directional arrangement of intrinsic perovskite dipoles and preparation method thereof

Номер патента: US20240114759A1. Автор: Yutong Wu,Longwei YIN. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2024-04-04.

Preparation method of titanium dioxide thin film for perovskite solar cell

Номер патента: CN105322094A. Автор: 李娟�,张建军,于海龙,张德贤,蔡宏琨,朱景洁,倪牮,杜阳阳,孙小香. Владелец: Nankai University. Дата публикации: 2016-02-10.

Elastomeric formulations useful in films and sheets

Номер патента: CA2826711C. Автор: Brian K. CHAPMAN,Heith A. FOSTER. Владелец: Kuraray America Inc. Дата публикации: 2020-07-14.

Heteropyrene-based semiconductor materials for electronic devices and methods of making the same

Номер патента: US20090001353A1. Автор: Deepak Shukla,Douglas R. Robello,Ann L. Carroll-Lee,Wendy G. Ahearn,Thomas R. Welter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-01.

Ti-nb oxide sintered body sputtering target, ti-nb oxide thin film, and method for producing the thin film

Номер патента: TW201035347A. Автор: Masataka Yahagi,Hideo Takami. Владелец: Nippon Mining Co. Дата публикации: 2010-10-01.

Process for preparing a polypropylene-based sponge-like porous thin film

Номер патента: US11883792B1. Автор: Junaid Saleem,Zubair Khalid Baig Moghal,Safdar Hossain S K,Gordan McKay. Владелец: King Faisal University SA. Дата публикации: 2024-01-30.

Method for manufacturing shield printed wiring board, and shield film and shield printed wiring board

Номер патента: US20160249446A1. Автор: Hiroshi Tajima,Masayoshi Iwasaki,Yusuke Haruna,Kenji Kamino. Владелец: Tatsuta Electric Wire and Cable Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Method for manufacturing shield printed wiring board, and shield film and shield printed wiring board

Номер патента: US20150373835A1. Автор: Hiroshi Tajima,Masayoshi Iwasaki,Yusuke Haruna,Kenji Kamino. Владелец: Tatsuta Electric Wire and Cable Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-24.

Nitride Semiconductor Photocatalytic Thin Film and Method for Manufacturing Nitride Semiconductor Photocatalytic Thin Film

Номер патента: US20230201810A1. Автор: Takeshi Komatsu,Yoko Ono,Yuya Uzumaki,Sayumi Sato. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Manufacturing Method of Graphene Coated Carbon Ultra-Thin Film and Graphene Coated Carbon Ultra-Thin film by same the method

Номер патента: KR102219873B1. Автор: 박지웅,남준식,샴슈딘 모하메드. Владелец: 광주과학기술원. Дата публикации: 2021-02-25.

Method of manufacturing superconducting thin film formed of oxide superconductor having non superconducting region in it, and method of manufacturing superconducting device utilizing the superconducting thin film

Номер патента: EP0534811A3. Автор: Michitomo Cabinet Ballot-Schmit Iiyama,So Cabinet Ballot-Schmit Tanaka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1993-06-02.

Methods of manufacturing nanocrystal thin films and electrochromic devices containing nanocrystal thin films

Номер патента: US20190367749A1. Автор: Hai Wang,Bonil Koo,Guillermo Garcia,Nicholas YIU,Liam RUSSELL,Megan GENTES. Владелец: Heliotrope Technologies Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Method of fabricating substrateless thin film field-effect devices and an organic thin film transistor obtainable by the method

Номер патента: US20060263953A1. Автор: Annalisa Bonfiglio. Владелец: Istituto Nazionale per la Fisica della Materia INFM CNR. Дата публикации: 2006-11-23.

Forming method of calcium carbonate thin film through underwater growth and calcium carbonate thin film manufactured by the method

Номер патента: KR101724688B1. Автор: 이승우,채수천,박용찬. Владелец: 한국지질자원연구원. Дата публикации: 2017-04-11.

Nanoporous thin film and method for fabricating the same

Номер патента: US9925530B2. Автор: Chung-Yi Su,Hsueh-Shih Chen,Tsong-Pyng Perng,Po-Hsun Chen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2018-03-27.

Photoconductive film formed of a grafted silane polymer, preparation method, method of forming an electrostatic image implementing such a film and optical valve comprising such a film.

Номер патента: FR2712893A1. Автор: Moisan Jean-Yves,Sepulchre Maurice,Lemmer Marc,Spassky Nicolas. Владелец: France Telecom SA. Дата публикации: 1995-06-02.

Polysilazane-based coating material, a method of manufacturing a coating thin film using the same, and a coating thin film manufactured through the same

Номер патента: KR102494283B1. Автор: 이효선,배근열,최경호,신교직,백정주. Владелец: 한국생산기술연구원. Дата публикации: 2023-02-08.

Large-area single-crystal silver thin-film structure using single-crystal copper thin-film buffer layer and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4242706A1. Автор: Se Young Jeong,You Sil LEE,Su Jae Kim. Владелец: University Industry Cooperation Foundation of Pusan National University. Дата публикации: 2023-09-13.

Method of stabilizing anhydrous sodium dithionite

Номер патента: US3677699A. Автор: Kazuo Maeda,Eiji Ohara,Ryozo Fujiwara. Владелец: Mitsui Toatsu Chemicals Inc. Дата публикации: 1972-07-18.

A kind of preparation method of sulfur-bearing organic inorganic hybridization perovskite thin film and nanometer rods

Номер патента: CN109037452A. Автор: 张健,李兴鳌,楚亮,毛巍威,胡瑞媛. Владелец: Nanjing Post and Telecommunication University. Дата публикации: 2018-12-18.

Thin film piezoelectric device for acoustic resonators

Номер патента: EP1054460A3. Автор: Yoshihiko Yano,Takao Noguchi,Hidenori Abe,Hisatoshi Saitou. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2005-01-19.

A kind of multithread drying air knife and the method for preparing perovskite thin film in perovskite solar cell using the air knife

Номер патента: CN106252520B. Автор: 杨冠军,李成新,李长久,高黎黎. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2018-10-30.

Large-area single-crystal silver thin-film structure using single-crystal copper thin-film buffer layer and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240027661A1. Автор: Se Young Jeong,You Sil LEE,Su Jae Kim. Владелец: University Industry Cooperation Foundation of Pusan National University. Дата публикации: 2024-01-25.

WATER-RESISTANT ORGANIC THIN-FILM, METHOD FOR PRODUCING WATER-RESISTANT ORGANIC THIN-FILM, AND IMAGE DISPLAY DEVICE INCLUDING WATER-RESISTANT ORGANIC THIN-FILM

Номер патента: US20150141629A1. Автор: Umemoto Toru,Matsuda Shoichi,Kameyama Tadayuki,Tomohisa Hiroshi. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2015-05-21.

The measuring method of the birefringent temperature dependency of adhesive, design/manufacture adhesive method, adhesive, display and optical thin film

Номер патента: CN107960128B. Автор: 小池康博,多加谷明广,小田纯久. Владелец: Saiden Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-14.

Thin-film-like composite of nanocrystal

Номер патента: EP3594180A1. Автор: Kazuhiko Kurusu,Yoshikazu Tsuzuki,Mariko Wakae. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-15.

Thin-film-like composite of nanocrystal

Номер патента: US11958756B2. Автор: Kazuhiko Kurusu,Yoshikazu Tsuzuki,Mariko Wakae. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

A kind of preparation method of metal base surface corrosion resistance nano thin-film

Номер патента: CN108396353A. Автор: 赵倩. Владелец: Baoji University of Arts and Sciences. Дата публикации: 2018-08-14.

A kind of preparation method of Ce-MOF metal organic frameworks load thin film

Номер патента: CN108311173A. Автор: 刘世起,颜范勇. Владелец: TIANJIN SHIQI TECHNOLOGY DEVELOPMENT Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-24.

A kind of preparation method of the ultraviolet-resistant particle for optical thin film

Номер патента: CN106832355A. Автор: 肖�琳,叶航,朱闻闻. Владелец: Pioneer Nano Material Science And Technology (shanghai) Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

A kind of preparation method of magnetic steering super-hydrophobic acrylate rubber thin film

Номер патента: CN106117418A. Автор: 马晓均. Владелец: 马晓均. Дата публикации: 2016-11-16.

Method for producing resin thin film, and composition for forming resin thin film

Номер патента: KR102345844B1. Автор: 나오히코 수에무라,방-칭 호,야스유키 코이데,첸-지아 예. Владелец: 닛산 가가쿠 가부시키가이샤. Дата публикации: 2021-12-31.

Laminated thin film and method for producing laminated thin film

Номер патента: KR102393911B1. Автор: 유키히로 오노. Владелец: 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-05-03.

Preparation method of activated carbon nanotube modified PET antistatic thin film

Номер патента: CN106046708A. Автор: 王鹏,甄万清. Владелец: Jiaxing Gaozhenggao Polymer Material Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-26.

Method of generating a diffractive optical element having thin film layers having non uniform thickness, and illumination light guide having diffractive optical element thin film layers having

Номер патента: WO2024124040A1. Автор: Cheng Shi,Marcell KISS,Parashara PANDURANGA,Alexander Drayton,Jamie Dean Reynolds. Владелец: Snap Inc.. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of making a reflective display device using thin film transistor production techniques

Номер патента: WO2006036642A2. Автор: Clarence Chui. Владелец: Idc, Llc.. Дата публикации: 2006-04-06.

Method of performing visualized measurement on thickness distribution of paint film and apparatus therefor

Номер патента: US20210223037A1. Автор: Jiho Park,Hoon Sohn,Soonkyu HWANG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2021-07-22.

Thin film multivariate optical element and detector combinations, thin film optical detectors, and downhole optical computing systems

Номер патента: US20220178819A1. Автор: JIAN Li,Bin Dai,John Laureto MAIDA, JR.,Christopher Michael Jones,Daniel Stark,James M. Price. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Thin film multivariate optical element and detector combinations, thin film optical detectors, and downhole optical computing systems

Номер патента: US20200256788A1. Автор: JIAN Li,Bin Dai,Christopher Michael Jones,Daniel Stark,James M. Price,John Laureto Maida. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

Method for manufacturing thin-film tunnel junctions by the method of separate lithography

Номер патента: RU2757762C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Артем Михайлович Чекушкин,Александра Анатольевна Гунбина,Михаил Юрьевич Фоминский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2021-10-21.

Sealed thin-film device, method of and system for repairing a sealing layer applied to a thin-film device

Номер патента: EP2436059A1. Автор: Herbert Lifka,Coen A. Verschuren,Rifat A. M. Hikmet. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2012-04-04.

Thin film transistor, manufacturing method thereof and display apparatus comprising the same

Номер патента: US20240224592A1. Автор: Daehwan Kim,Min-Gu Kang,Seungchan CHOI,Kyungchul OK,Jaeman JANG,Uyhyun Choi. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Thin-film bulk acoustic wave delay line

Номер патента: US09473106B2. Автор: William Hunt,James Geoffrey Maloney,Adam Wathen,Farasat Munir,Kyle Spencer Davis,Ryan Sloan Westafer. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of making flexible thermoelectric module

Номер патента: RU2601209C2. Автор: Александр Евгеньевич Шупенев,Александр Григорьевич Григорьянц,Иван Валерьевич Куликов,Людмила Михайловна Ремез. Владелец: Людмила Михайловна Ремез. Дата публикации: 2016-10-27.

Method for forming fine pattern of polymer thin film

Номер патента: US20100159139A1. Автор: Sang Chul Lim,Doo Hyeb Youn,Seong Hyun Kim,Yong Suk Yang,Zin Sig Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2010-06-24.

Method for treating tantalum metal thin film, quantum device, and quantum chip

Номер патента: US20240164221A1. Автор: Hao Deng,Xiaohang Zhang. Владелец: Alibaba Damo Hangzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Thin-film thermo-electric generator and fabrication method thereof

Номер патента: US20110197942A1. Автор: Ping Fan,Dongping Zhang,Guangxing Liang,Zhuangghao Zjemg. Владелец: SHENZHEN UNIVERSITY. Дата публикации: 2011-08-18.

P-channel thin film transistor having a gate on the drain region of a field effect transistor

Номер патента: US6046478A. Автор: Richard K. Klein. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-04-04.

Sealed thin-film device as well as method of repairing, system for repairing and computer program product

Номер патента: EP2786436A1. Автор: Coen Verschuren,Antonius Maria Bernardus Van Mol,Peter Van De Weijer. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2014-10-08.

Method of transfer of organic semiconductor films to a substrate and electronic devices made therefrom

Номер патента: EP4315445A1. Автор: Antony George,Andrey Turchanin,Bert Nickel,Sirri Batuhan KALKAN. Владелец: Friedrich Schiller Universtaet Jena FSU. Дата публикации: 2024-02-07.

Method of transfer of organic semiconductor films to a substrate and electronic devices made therefrom

Номер патента: US20240164199A1. Автор: Antony George,Andrey Turchanin,Bert Nickel,Sirri Batuhan KALKAN. Владелец: Friedrich Schiller Universtaet Jena FSU. Дата публикации: 2024-05-16.

Wiring circuit board and method of producing the same

Номер патента: US20230133282A1. Автор: Takahiro Ikeda,Teppei Niino. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Mechanical design of thin-film diamond crystal mounting apparatus with optimized thermal contact and crystal strain for coherence preservation x-ray optics

Номер патента: US09966161B2. Автор: Deming Shu,Stanislav Stoupin,Kwang-Je Kim,Yury Shvydko. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of forming a conductive pattern, a thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: CN1825548B. Автор: 具在本,徐旼彻,安泽,金慧东,F·乔格,W·亨伯斯. Владелец: Samsung SDI Germany GmbH. Дата публикации: 2011-07-20.

Thin-film electroluminescent display and method for driving a thin-film electroluminescent display

Номер патента: US20240249655A1. Автор: Mika Sirkiä. Владелец: Lumineq Oy. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of forming a gate insulator and thin film transistor incorporating the same

Номер патента: US7405120B2. Автор: Ho-nyeon Lee,Ick-hwan KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-29.

Display device including a lens array and method of manufacturing the same

Номер патента: US11825688B2. Автор: Jung Hun NOH,Yi Joon Ahn,Beom Shik Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240049503A1. Автор: Jung Hun NOH,Yi Joon Ahn,Beom Shik Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Thin film piezoelectric vibrator, thin film piezoelectric bulk acoustic wave resonator, and radio-frequency filter using such resonator

Номер патента: US20110181154A1. Автор: Atsushi Isobe,Hisanori Matsumoto,Kengo Asai. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-07-28.

Thermoelectric transducing material thin film, sensor device, and its manufacturing method

Номер патента: US20060063291A1. Автор: Noriya Izu,Norimitsu Murayama,Woosuck Shin,Ichiro Matsubara,Fabin Qiu. Владелец: NATIONAL INSTITUTE OF ADV INDUSTRIAL SCI AND Technology. Дата публикации: 2006-03-23.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240179959A1. Автор: Hyuneok Shin,Sukyoung YANG,Joonyong Park,Dokeun SONG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Thin film formation apparatus and method of manufacturing self-light-emitting device using thin film formation apparatus

Номер патента: TW495808B. Автор: Shunpei Yamazaki,Masaaki Hiroki,Noriko Ishimaru. Владелец: Semiconductor Energy Lab. Дата публикации: 2002-07-21.

An electrical element comprising a multilayer thin film ceramic member, an electrical component comprising the same, and uses thereof

Номер патента: EP3791433A1. Автор: Peter Mardilovich,Song Won Ko,Susan Trolier-Mckinstry,Charalampos FRAGKIADAKIS,Wanlin ZHU. Владелец: Xaar Technology Ltd. Дата публикации: 2021-03-17.

Automatic Thin Film Peeling Machine and Thin Film Peeling Method Thereof

Номер патента: US20180295727A1. Автор: Ching-Chih Chang. Владелец: Tomort Automation Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-11.

Organic thin film transistor and organic thin film light emitting transistor

Номер патента: US20100019234A1. Автор: Yuki Nakano,Masatoshi Saito,Hiroaki Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-28.

A piezoelectric thin film element

Номер патента: GB2539296A. Автор: Mardilovich Peter,Trolier-Mckinstry Susan,Sivaramakrishnan Subramanian. Владелец: Xaar Technology Ltd. Дата публикации: 2016-12-14.

Thin film transistor array panel using organic semiconductor and a method for manufacturing the same

Номер патента: US20110084260A1. Автор: Mun-Pyo Hong,Bo Sung Kim,Yong-Uk Lee,Min-Seong Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-14.

Method of enhancing electric output of piezoelectric polymer and fabrication process of piezoelectric/conductive polymer hybrid thin film

Номер патента: TWI529985B. Автор: 洪健中,林楷倫,劉通敏. Владелец: 國立清華大學. Дата публикации: 2016-04-11.

Piezoelectric thin film and manufacturing method thereof, piezoelectric thin film manufacturing apparatus, and liquid discharge head

Номер патента: JP6614764B2. Автор: 本和 小林,佳範 小谷,直行 纐纈. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-12-04.

Thin film, biosensor, and method for producing them

Номер патента: US20240094161A1. Автор: Toshiya Sakata,Reiko SHIRATORI,Shoichi NISHITANI. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2024-03-21.

Thin film, biosensor, and method for manufacturing same

Номер патента: EP4280287A1. Автор: Toshiya Sakata,Reiko SHIRATORI,Shoichi NISHITANI. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2023-11-22.

METHOD OF MAKING AN ELECTRONIC DEVICE HAVING A THIN FILM RESISTOR FORMED ON AN LCP SOLDER MASK AND RELATED DEVICES

Номер патента: US20170055350A1. Автор: Rendek,JR. Louis Joseph. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

Method of high precision printing for manufacturing organic thin film transistor

Номер патента: US7632705B2. Автор: Jia-Chong Ho,Tarng-Shiang Hu,Cheng-Chung Lee,Liang-Ying Huang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2009-12-15.

Post-formable multilayer optical films and methods of forming

Номер патента: US09588270B2. Автор: Michael F. Weber,Andrew J. Ouderkirk,Olester Benson, Jr.,James M. Jonza,William W. Merrill,Roger J. Stumo,Janet T. Keller. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of improving light current of silicon thin film solar cell

Номер патента: CN103094404A. Автор: 郝会颖. Владелец: China University of Geosciences Beijing. Дата публикации: 2013-05-08.

Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder

Номер патента: US20240264533A1. Автор: Sjoerd Nicolaas Lambertus Donders,Nicolaas Ten Kate,Nina Vladimirovna DZIOMKINA,Raymond Wilhelmus Louis Lafarre,Yogesh Pramod KARADE,Elisabeth Corinne RODENBURG. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2024-08-08.

Flux Transformer Formed of an Oxide Superconducting Thin Film and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: CA2145827A1. Автор: Tatsuoki Nagaishi,Hirokazu Kugai. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-09-30.

Preparation method of CIGS (Copper, Indium, Gallium and Selenide) thin film solar cell window layer

Номер патента: CN101908583B. Автор: 李微,方小红. Владелец: CETC 18 Research Institute. Дата публикации: 2012-08-08.

System and method of multi-objective capacity planning in TFT-LCD panel manufacturing industry

Номер патента: US8175735B2. Автор: Chin-Min Lin,Shih-Min Wang,Kung-Jeng Wang. Владелец: National Taiwan University of Science and Technology NTUST. Дата публикации: 2012-05-08.

Method of manufacturing a flexible display substrate and process film for manufacturing a flexible display substrate

Номер патента: US20240246328A1. Автор: Soo-Jin Moon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Preparation method of suede AZO (Aluminum-doped Zinc Oxide) thin film for silicon-based thin film solar battery

Номер патента: CN102832293A. Автор: 王芸,彭寿,曹欣,马立云,沈洪雪,崔介东. Владелец: China Triumph International Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-19.

Thin film strip structure, solar cell and manufacturing method of thin film strip structure

Номер патента: CN102832116B. Автор: 朱慧珑,尹海洲,骆志炯. Владелец: JURI (SUZHOU) TECHNOLOGY CO LTD. Дата публикации: 2015-03-25.

Method of using evaporating and laser annealing to construct a semiconductor structure in display panel and thin film solar panel manufacturing process

Номер патента: TW201029069A. Автор: Da-Shuang Guan. Владелец: Da-Shuang Guan. Дата публикации: 2010-08-01.

Thin film forming method, thin film forming apparatus, solar cell panel manufacturing method, and solar cell panel manufacturing apparatus

Номер патента: JP5221234B2. Автор: 正樹 荒木,良 井崎. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2013-06-26.

Method for manufacturing a liquid crystal display by applying a laser to remove at least a portion of a polymer thin film layer and a substrate

Номер патента: US09910305B2. Автор: Myung Hwan Kim,Myeong Hee Kim,Dae Ho Lee,Hee-Keun Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder

Номер патента: US10898955B2. Автор: Sjoerd Nicolaas Lambertus Donders,Nicolaas Ten Kate,Nina Vladimirovna DZIOMKINA,Raymond Wilhelmus Louis Lafarre,Yogesh Pramod KARADE,Elisabeth Corinne RODENBURG. Владелец: Asme Netherlands BV. Дата публикации: 2021-01-26.

Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder

Номер патента: US11960213B2. Автор: Sjoerd Nicolaas Lambertus Donders,Nicolaas Ten Kate,Nina Vladimirovna DZIOMKINA,Raymond Wilhelmus Louis Lafarre,Yogesh Pramod KARADE,Elisabeth Corinne RODENBURG. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2024-04-16.

Thin-film transistor circuit, design method for thin-film transistor, design program for thin-film transistor circuit, design program recording medium, design library database, and display device

Номер патента: US20090044161A1. Автор: Genshiro Kawachi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-12.

Method of bonding a metal foil with a synthetic material film and method of making a dental female mould by bonding a metal foil with a synthetic material film

Номер патента: PL319716A1. Автор: Beat Kilcher,Weissenfluh Beat A V. Владелец: Weissenfluh Hawe Neos. Дата публикации: 1997-11-10.

Thin film peeling apparatus

Номер патента: CA1311642C. Автор: Shigeo Sumi,Mitsuhiro Seki. Владелец: Somar Corp. Дата публикации: 1992-12-22.

Micro-Fluid Ejection Devices, Methods For Making Micro-Fluid Ejection Heads, and Micro-Fluid Ejection Head Having High Resistance Thin Film Heaters

Номер патента: US20080165227A1. Автор: Yimin Guan,Stuart Jacobsen,Carl Edmond Sullivan. Владелец: Lexmark International Inc. Дата публикации: 2008-07-10.

Preparation method of double-structure suede transparent conducting oxide thin film of thin film cell

Номер патента: CN102368513A. Автор: 王辉,张丽,贾海军,冯燕,麦耀华. Владелец: Baoding Tianwei Group Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-07.

Preparation method of polyamide thin film composite reverse osmosis membrane and polyamide thin film composite reverse osmosis membrane prepared therefrom

Номер патента: US7598296B2. Автор: Je-Kang Yoo,Sun-Yong Lee,Youn-Kook Kim. Владелец: Woongjin Coway Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-06.

Thin film crystalline Si solar cell

Номер патента: JP4903314B2. Автор: 浩一郎 新楽,浩文 千田,宏樹 奥井. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2012-03-28.

Structure and manufacturing of silicon-based nanometer zinc oxide powder thin film hetero-junction solar cell

Номер патента: CN102185001B. Автор: 徐可为,商世广. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2013-04-17.

Design of five-layered structure of tandem thin-film amorphous silicon solar cell

Номер патента: CN102097509A. Автор: 吕思宇,屈晓升. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2011-06-15.

Thin film actuated mirror array and method for the manufacture thereof

Номер патента: US5900998A. Автор: Dong-Kuk Kim,Seok-Won Lee,Jeong-Beom Ji. Владелец: Daewoo Electronics Co Ltd. Дата публикации: 1999-05-04.

Method for manufacturing insulating substrate for thin film polycrystalline silicon solar cell

Номер патента: JP4526197B2. Автор: 淳 梶本,智訓 牧野,克全 阿波. Владелец: Nippon Steel Nisshin Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-18.

Barrier type silicon-based thin film semi-laminated solar cell

Номер патента: CN102157596A. Автор: 祝俊,丁建宁,卢超,程广贵,郭立强,林爱国. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2011-08-17.

Chalcogenides/perovskite thin film double heterojunction solar cell

Номер патента: CN116056471A. Автор: 李卫,武莉莉,冯良桓,曾广根. Владелец: Sichuan University. Дата публикации: 2023-05-02.

Thin film magnetic head

Номер патента: US4901178A. Автор: Hiroyuki Suzukawa,Tomio Kobayashi,Kazuo Kashiwa,Iwao Abe,Yukihiro Aizawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1990-02-13.

Process of forming a multilayer nanoparticle-containing thin film self-assembly

Номер патента: US6805904B2. Автор: Shouheng Sun,Simone Anders. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-10-19.

Adhesive coated thin film label

Номер патента: CA2475223C. Автор: Richard Spear,Richard Fearn. Владелец: Spear USA LLC. Дата публикации: 2011-05-03.

Bonded body composed of carbon thin film-coated article and rubber

Номер патента: EP2537672A1. Автор: Kazuto Yamakawa,Yuusuke Matsuya. Владелец: Yokohama Rubber Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-26.

A kind of WO3/CuWO4The preparation method of/NiFe LDH tri compound photoelectricity very thin films

Номер патента: CN109913898A. Автор: 熊贤强,范利亚,武承林. Владелец: Taizhou University. Дата публикации: 2019-06-21.

Precursor for forming semiconductor thin film and method for producing semiconductor thin film

Номер патента: JP3519543B2. Автор: 隆博 和田,幹彦 西谷,卓之 根上,正治 寺内. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2004-04-19.

Applicator for rotary sprayer and method of its operation

Номер патента: RU2430790C2. Автор: Ханс-Юрген НОЛЬТЕ,Харальд ГУММЛИХ. Владелец: Дюрр Системз Гмбх. Дата публикации: 2011-10-10.

METHOD OF MEASURING A SILICON THIN FILM, METHOD OF DETECTING DEFECTS IN A SILICON THIN FILM, AND SILICON THIN FILM DEFECT DETECTION DEVICE

Номер патента: US20130265078A1. Автор: Voronov Alexander,Lee Seok-Ho,Jung Ji-Hunny,Heo Kyung-Hoe,Han Gyoo-Wan. Владелец: Samsung Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2013-10-10.

Method of measuring a silicon thin film, method of detecting defects in a silicon thin film, and apparatus for detecting defects in a silicon thin film

Номер патента: KR101913311B1. Автор: 이석호,정지헌,허경회,한규완,알렉산더 보로노브. Владелец: 삼성디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2019-01-15.

Method of forming magnetic pole section of perpendicular magnetic recording type thin-film magnetic head and manufacturing method of perpendicular magnetic recording type thin-film magnetic head

Номер патента: US20110240593A1. Автор: Hisayoshi Watanabe,Hideyuki Yatsu,Koichi Otani,Masachika Hashino. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Magnetic recording medium and production method of magnetic recording medium

Номер патента: US20130034748A1. Автор: Shun Shibata,Shunji Ishio. Владелец: Akita University NUC. Дата публикации: 2013-02-07.

A method and apparatus for thin film quality control

Номер патента: EP2212680A2. Автор: Moshe Finarov. Владелец: Brightview Systems Ltd. Дата публикации: 2010-08-04.

Method and apparatus for photovoltaic thin film quality control

Номер патента: WO2010007617A3. Автор: Moshe Finarov. Владелец: Brightview Systems Ltd.. Дата публикации: 2010-03-18.

Method of making thin-film humidity sensor

Номер патента: RU2682259C1. Автор: Иван Михайлович Филиппов,Павел Васильевич Винокуров,Айыысхан Иванович Алексеев,Альберт Николаевич Капитонов,Светлана Афанасьевна Смагулова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Северо-Восточный федеральный университет имени М.К.Аммосова". Дата публикации: 2019-03-18.

Method of preparing laminated packaging material

Номер патента: US5314561A. Автор: Yuji Komiya. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 1994-05-24.

Thin film magnetic recording heads

Номер патента: US4195323A. Автор: Fred S. Lee. Владелец: Magnex Corp. Дата публикации: 1980-03-25.

Display device and mounting method of the same

Номер патента: US20240184037A1. Автор: Chao-Chun Cheng. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Ultra-thin thin-film optical interference filters

Номер патента: US20240272340A1. Автор: Esmaeil Banaei. Владелец: Everix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Optical diffraction grating and method of manufacture

Номер патента: US20080062523A1. Автор: James Rancourt. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2008-03-13.

Drug injection stopper with thin film lubricant

Номер патента: AU2021413356B2. Автор: Peter Heicksen,Naomi DELONG. Владелец: WL Gore and Associates Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Segmented-width thin-film sense resistors with width-distributed terminal land connections

Номер патента: US20240361356A1. Автор: Michael J. Murphy,Aleksey KHENKIN. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Thin-film magnetic head for perpendicular recording and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070121246A1. Автор: Kiyoshi Kobayashi. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-31.

Two-wavelength antireflection film and objective lens coated with two-wavelength antireflection film

Номер патента: US20040218282A1. Автор: Tadashi Watanabe,Takao Yamauchi,Kiyonobu Kurata,Hideto Yamashita,Masato Kohsaka. Владелец: Olympus Optical Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-04.

Wavelength determining apparatus, method and program for thin film thickness monitoring light

Номер патента: US20070223008A1. Автор: Takahiro Itoh,You Mimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-27.

Driving thin film switchable optical devices

Номер патента: CA3205173A1. Автор: Gordon Jack,Anshu Pradhan,Disha Mehtani. Владелец: View Inc. Дата публикации: 2014-02-13.

In-mold reprint manufacturing system for thin film texture and a method thereof

Номер патента: US20090302492A1. Автор: Chu-Chia Tsai,Chun-Yen Hung,Ya-Chi Hsiao. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2009-12-10.

Methods for marketing and generating revenue from edible thin films

Номер патента: WO2004045306A2. Автор: David B. Kroll,Steven P. Barton,Donna M. Dikselis. Владелец: WM. WRIGLEY JR. COMPANY. Дата публикации: 2004-06-03.

Oral thin films with low water activity

Номер патента: WO2024008954A1. Автор: Markus Müller,Michael Linn,Sabine Warnus,Claudia Norelli,Mario FICKER,Martin Richter-Friis. Владелец: ALK-ABELLO A/S. Дата публикации: 2024-01-11.

Oral thin films with low water activity

Номер патента: EP4302751A1. Автор: Markus Müller,Michael Linn,Sabine Warnus,Claudia Norelli,Mario FICKER,Martin Richter-Friis. Владелец: ALK Abello AS. Дата публикации: 2024-01-10.

Optical thin film and mirror using the same

Номер патента: WO2005024848A3. Автор: Kyoko Imai,Kenji Ando,Hidehiro Kanazawa. Владелец: Hidehiro Kanazawa. Дата публикации: 2005-06-23.

Method of topographical and electrical nanostructuration of a thin film of electret polymer and thin film of electret polymer obtained

Номер патента: US20130106201A1. Автор: Laurence Ressier,Etienne Palleau. Владелец: Institut National Des Sciences Appliquees De Toulouse. Дата публикации: 2013-05-02.

Optical thin-film hydrogen sensing material based on tantalum or other group v element alloy

Номер патента: EP4241070A1. Автор: Herman Schreuders,Lars Johannes BANNENBERG. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2023-09-13.

Non-linear optical thin film, non-linear optical device using the same, and optical switch using the same

Номер патента: US20040070814A1. Автор: Takashi Naito,Yuichi Sawai,Hideto Momose,Hiroyuki Akata,Mitsutoshi Honda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-04-15.

Non-linear optical thin film, non-linear optical device using the same, and optical switch using the same

Номер патента: US6804043B2. Автор: Takashi Naito,Yuichi Sawai,Hideto Momose,Hiroyuki Akata,Mitsutoshi Honda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-10-12.

Method for measuring thickness of thin-filmed dielectric materials

Номер патента: RU2652156C2. Автор: Алексей Владимирович Хорват. Владелец: Алексей Владимирович Хорват. Дата публикации: 2018-04-25.

Ultra-thin thin-film optical interference filters

Номер патента: US11906765B2. Автор: Esmaeil Banaei. Владелец: Everix Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Ultra-thin thin-film optical interference filters

Номер патента: EP3665517A1. Автор: Esmaeil Banaei. Владелец: Everix Inc. Дата публикации: 2020-06-17.

LTPS Semiconductor thin-film transistor-based GOA circuit

Номер патента: GB2564583A. Автор: Li Yafeng. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-16.

Thin film superconductor magnetic bearings

Номер патента: US5479059A. Автор: Bernard R. Weinberger. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 1995-12-26.

Quality inspection of thin film materials

Номер патента: US10267836B2. Автор: Amaia Zurutuza Elorza,Eduardo Azanza Ladrón,Magdalena CHUDZIK,Alex LÓPEZ ZORZANO,David ETAYO SALINAS,Luis Eduardo HUESO ARROYO. Владелец: Das Nano SL. Дата публикации: 2019-04-23.

Drug injection stopper with thin film lubricant

Номер патента: EP4271450A1. Автор: Peter Heicksen,Naomi DELONG. Владелец: WL Gore and Associates Inc. Дата публикации: 2023-11-08.

Apparatus for holding and tuning a thin-film optical assembly

Номер патента: EP1060422A1. Автор: Jing-Yu Xu. Владелец: Chorum Technologies Inc. Дата публикации: 2000-12-20.

Thin film application device and thin film forming method

Номер патента: US20190200732A1. Автор: Masayo SHINODA,Takashi Shiga,Kazuma Tsujita,Hiroshi Kanemaru. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Drug injection stopper with thin film lubricant

Номер патента: US20240189517A1. Автор: Peter Heicksen,Naomi S. DELONG. Владелец: W.L. Gore & Associates, Inc.. Дата публикации: 2024-06-13.

Thin film magnetoresistive head with reduced lead-shield shorting

Номер патента: US5557492A. Автор: David E. Heim,Hardayal S. Gill. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1996-09-17.

Thin film processing apparatus

Номер патента: US20140130982A1. Автор: Sung-Cheng Hu,Chiung-Chieh Su,Meng-Chiuan Yu,Ming-June Lin,Chin-Horng Yau,Lin-Sheng Jin. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2014-05-15.

Measure the Resonator device and measurement method of the impedance of high-temperature superconducting thin film Surface Intrinsic

Номер патента: CN105929240B. Автор: 陈健,吉争鸣,葛高炜. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-11-23.

Thin-film Structures for Optical Applications Comprising Fluoride Mixtures

Номер патента: US20230258848A1. Автор: Axel Scherer,Jack Jewell,Taeyoon JEON. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2023-08-17.

METHOD OF MANUFACTURING A MASK FRAME ASSEMBLY FOR THIN FILM DEPOSITION

Номер патента: US20130205568A1. Автор: KANG Taek-Kyo,Lee Sang-Shin,Ko Jung-Woo,HONG Seung-Ju. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-15.

A method for preparing thin film transistor having polycrystalline Si layer, a thin film transistor prepared by the method and a flat pannel display comprising the thin film transistor

Номер патента: KR100696507B1. Автор: 신현수,구재본,정재경,모연곤. Владелец: 삼성에스디아이 주식회사. Дата публикации: 2007-03-19.

Method of producing crystallographically aligned quasi monocrystalline intermetallic thin films

Номер патента: RU2597835C1. Автор: Сергей Викторович Макаров,Владимир Александрович Плотников,Денис Григорьевич Богданов,Борис Федорович Демьянов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Алтайский государственный университет". Дата публикации: 2016-09-20.

Method of single-stage breast reconstruction in cancer using acellular dermal matrix and silicone implant

Номер патента: RU2584133C2. Автор: Андрей Дмитриевич Каприн,Мария Владимировна Ермощенкова,Азиз Дильшодович Зикиряходжаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный медицинский исследовательский радиологический центр" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБУ "НМИРЦ" Минздрава России). Дата публикации: 2016-05-20.

Method of pressure resistive tensor transducer built around thin-film nano- and microelectromechanical system (mamos)

Номер патента: RU2528541C1. Автор: Евгений Михайлович Белозубов,Алексей Геннадиевич Дмитриенко,Нина Евгеньевна Белозубова. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений". Дата публикации: 2014-09-20.

Method of and device for photochemical deposition of thin films

Номер патента: RU2059322C1. Автор: Владимир Михайлович Колешко,Анатолий Владимирович Гулай,Владимир Семенович Куликов,Анна Николаевна Мозолевская. Владелец: Научно-инженерно-технологический центр "Микроэлектроника" Белорусской инженерной технологической академии. Дата публикации: 1996-04-27.

UNDERSIDE PROTECTIVE SHEET FOR SOLAR CELL, SOLAR CELL MODULE, AND GAS-BARRIER FILM

Номер патента: US20120000527A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing display device, display device, method of producing thin-film transistor substrate, and thin-film transistor substrate

Номер патента: US20120001183A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

INSULATING LAYER, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR USING THE INSULATING LAYER, AND METHOD OF FABRICATING THE ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120001159A1. Автор: KANG Seung Youl,Baek Kyu Ha,Yoon Sung Min,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,YOU In Kyu,AHN Seong Deok. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN ELECTROCHEMICAL DEVICE USING ULTRAFAST PULSED LASER DEPOSITION

Номер патента: US20120003395A1. Автор: CHE Yong,HU Zhendong. Владелец: IMRA AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001167A1. Автор: Morosawa Narihiro. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

LAMINATE OPTICAL BODY, OPTICAL FILM, LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS USING SAID OPTICAL FILM, AND METHOD FOR PRODUCING LAMINATE OPTICAL BODY

Номер патента: US20120003400A1. Автор: Takeda Kentarou,Kitagawa Takeharu,Nishimura Akinori,Inagaki Junichi,Yaginuma Hironori,YOSHIMI Hiroyuki,Kinoshita Ryoji. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing thin film capacitor and thin film capacitor obtained by the same

Номер патента: US20120001298A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR SPUTTERING A RESISTIVE TRANSPARENT BUFFER THIN FILM FOR USE IN CADMIUM TELLURIDE BASED PHOTOVOLTAIC DEVICES

Номер патента: US20120000768A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS AND APPARATUS OF ARC PREVENTION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000767A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN-FILM TRANSISTOR ARRAY AND IMAGE DISPLAY DEVICE IN WHICH THIN-FILM TRANSISTOR ARRAY IS USED

Номер патента: US20120001189A1. Автор: Matsubara Ryohei,ISHIZAKI Mamoru. Владелец: TOPPAN PRINTING CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Solar Cell And Method For Manufacturing Solar Cell

Номер патента: US20120000512A1. Автор: HASHIMOTO Masanori,SAITO Kazuya,SHIMIZU Miho. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000518A1. Автор: Tokioka Hidetada,ORITA Tae,YAMARIN Hiroya. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF ARC DETECTION AND SUPPRESSION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000765A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120003769A1. Автор: CHOI Jae-Ho,KIM Sung-Ryul,LEE Czang-Ho,YANG Sung-Hoon,YOON KAP-SOO,Kim Byoung-June,Oh Hwa-Yeul,Choi Yong-Mo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of layer-by-layer analysis of thin films

Номер патента: RU2229116C1. Автор: С.А. Гынгазов,А.П. Суржиков,н Т.С. Франгуль,Т.С. Франгульян,вский А.В. Черн,А.В. Чернявский. Владелец: Томский политехнический университет. Дата публикации: 2004-05-20.

THIN FILM PHOTOELECTRIC COVERSION MODULE

Номер патента: US20120000505A1. Автор: Chan Chung-Pui,Yeh Hsieh-Hsin. Владелец: Du Pont Apollo Limited. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of creating shallowly-lying nanosized alloyed layers in silicon

Номер патента: RU2523732C1. Автор: Анатолий Федорович Вяткин,Владимир Иосифович Зиненко,Юрий Андреевич Агафонов,Владимир Васильевич Сарайкин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "научно-исследовательский институт Физических проблем им. Ф.В. Лукина (ФГУП НИИФП им. Ф.В. Лукина). Дата публикации: 2014-07-20.

Method of obtaining metal nanoparticles on base surface

Номер патента: RU2373303C1. Автор: Татьяна Викторовна Панова,Владимир Степанович Ковивчак,Рудиарий Борисович Бурлаков. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского". Дата публикации: 2009-11-20.

Method of forming nanoscale structures

Номер патента: RU2529458C1. Автор: Антон Евгеньевич Ефимов,Дмитрий Юрьевич Соколов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "СНОТРА". Дата публикации: 2014-09-27.

Apparatus for electrically controlled optical device and method of making same

Номер патента: RU2572523C1. Автор: Владимир Владимирович Чесноков,Дмитрий Владимирович Чесноков,Дмитрий Михайлович Никулин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный универститет геоситем и технологий" (СГУГиТ). Дата публикации: 2016-01-20.

Solvent-less method to manufacture thin film devices

Номер патента: CA3208589A1. Автор: Alberto Argoitia,Kangning Liang,Jaroslaw Zieba,Johannes P. Seydel. Владелец: VIAVI SOLUTIONS INC. Дата публикации: 2019-09-14.

Method of activating surface of polymer material modified by betulin antimicrobial additive

Номер патента: RU2422475C1. Автор: Ольга Борисовна Федотова,Дмитрий Михайлович Мяленко,Ольга Борисовна Федотова (RU),Дмитрий Михайлович Мяленко (RU). Владелец: Государственное научное учреждение "Всероссийский научно-исследовательский институт молочной промышленности" (ГНУ ВНИМИ Россельхозакадемии). Дата публикации: 2011-06-27.

Method of manufacture and assembly of modified graphene thin film electrodes

Номер патента: AU2012903961A0. Автор: . Владелец: Murdoch University. Дата публикации: 2012-09-27.

Manufacturing method of plastic particles with anti-bacterial silver thin film thereon and manufacturing equipment thereof

Номер патента: TW200641976A. Автор: zhao-ming Su. Владелец: Chinese United Semiconductor Equipment Mfg Inc. Дата публикации: 2006-12-01.

Manufacturing method of plastic particles with anti-bacterial silver thin film thereon and manufacturing equipment thereof

Номер патента: TWI260048B. Автор: Jau-Ming Su. Владелец: Chinese United Semiconductor E. Дата публикации: 2006-08-11.

Film-forming device, film-forming method of thin-film film, and manufacturing method of organic EL display device

Номер патента: JP6754474B2. Автор: 克彦 岸本,崎尾　進,進 崎尾,秀謙 尾方. Владелец: Sakai Display Products Corp. Дата публикации: 2020-09-09.

Electrostatic adhesion tester for thin film conductors

Номер патента: WO1998044334A9. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1999-03-11.

METHOD OF PREPARING CARBON THIN FILM, ELECTRONICS COMPRISING CARBON THIN FILM, AND ELECTROCHEMICAL DEVICE COMPRISING CARBON THIN FILM

Номер патента: US20120021250A1. Автор: . Владелец: POSTECH ACADEMY-INDUSTRY FOUNDATION. Дата публикации: 2012-01-26.

Method of forming polycrystalline silicon layer and thin film transistor and organic light emitting device including the polycrystalline silicon layer

Номер патента: US20120049188A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-01.

METHOD OF FORMING POLYCRYSTALLINE SILICON LAYER, AND THIN FILM TRANSISTOR AND ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE INCLUDING THE POLYCRYSTALLINE SILICON LAYER

Номер патента: US20120056187A1. Автор: LEE Dong-Hyun,CHUNG Yun-Mo,PARK Jong-Ryuk,SEO Jin-Wook,Lee Tak-Young,Lee Kil-Won,PARK Byoung-Keon,LEE Ki-Yong,JEONG Min-Jae,Jung Jae-Wan,SON Yong-Duck,SO Byung-Soo,PARK Seung-Kyu. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-08.

Method of forming high dielectric constant oxide thin film

Номер патента: JP2770856B2. Автор: 康夫 垂井,正宏 松井,哲史 岡. Владелец: TOKYO NOKO DAIGAKUCHO. Дата публикации: 1998-07-02.

METHOD OF PRODUCING Zn64 ISOTOPE IMPOVERISHED ZINC OXIDE, PURIFIED FROM TIN AND SILICON IMPURITIES

Номер патента: RU2464229C2. Автор: Дмитрий Васильевич Тимофеев,Дмитрий Борисович Кононов,Олег Анатольевич Морозов,Александр Николаевич Гилев,Рустам Усейнович Кулиев. Владелец: Открытое акционерное общество "Производственное объединение Электрохимический завод" (ОАО "ПО ЭХЗ"). Дата публикации: 2012-10-20.

Method of forming glass coat layer in thin film resistor element

Номер патента: JP2568305B2. Автор: 泰人 矢島,洋 水野. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1997-01-08.

Superconducting device having layered structure composed of oxide superconductor thin film and insulator thin film and method for manufacturing the same

Номер патента: CA2047413A1. Автор: Michitomo Iiyama,Sou Tanaka,Mitsuchika Saitoh. Владелец: Mitsuchika Saitoh. Дата публикации: 1992-01-20.

Method of manufacturing optical thin film and substrate having this optical thin film

Номер патента: JP3585276B2. Автор: 宣明 三田村,健 川俣. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2004-11-04.

A kind of method of ultraviolet light preparation of zinc sulphide thin film by chemical bath deposition zinc sulfide film

Номер патента: CN104846352B. Автор: 张军,邵乐喜,莫德云,廖峻. Владелец: Lingnan Normal University. Дата публикации: 2018-05-01.

CRYSTALLINE ALUMINUM CARBIDE THIN FILM, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE HAVING THE ALUMINUM CARBIDE THIN FILM FORMED THEREON AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120193640A1. Автор: Sakai Shiro. Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-08-02.

SUBSTRATE FOR FLEXIBLE DEVICE, THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE FOR FLEXIBLE DEVICE, FLEXIBLE DEVICE, SUBSTRATE FOR THIN FILM ELEMENT, THIN FILM ELEMENT, THIN FILM TRANSISTOR, METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE FOR THIN FILM ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120187399A1. Автор: FUKUDA Shunji,SAKAYORI Katsuya,ARIHARA Keita,ICHIMURA Koji,Amagai Kei. Владелец: Dai Nippon Printing Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-07-26.

Thin-film resistor

Номер патента: RU2319246C1. Автор: Геннадий Сергеевич Власов,Александр Николаевич Лугин,Михаил Михайлович Оземша. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт электронно-механических приборов" (ФГУП "НИИЭМП"). Дата публикации: 2008-03-10.

Preparing method of activated carbon fibre loaded titanium oxide thin film and application method thereof

Номер патента: CN101011654B. Автор: 刘颖,张玉贞,石建稳,张延宗,曲险峰,李石,郑经堂,赵玉翠,于维钊,叶智刚. Владелец: China University of Petroleum East China. Дата публикации: 2010-05-19.

Thin film structure of solar cell absorption layer

Номер патента: CN202917501U. Автор: 周德才,谢祥渊. Владелец: GUANGDONG GOLD PV ENERGY INVESTMENT CO Ltd. Дата публикации: 2013-05-01.

Thin film actuated mirror array having dielectric layers

Номер патента: MY114982A. Автор: Yong-Geun Lim. Владелец: Daewoo Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-31.

SOLUTION PROCESSED THIN FILMS AND LAMINATES, DEVICES COMPRISING SUCH THIN FILMS AND LAMINATES, AND METHOD FOR THEIR USE AND MANUFACTURE

Номер патента: US20130052583A1. Автор: Keszler Douglas A.,Anderson Jeremy,Hersh Peter A.,Stowers Jason K.,Meyers Stephen T.. Владелец: State of Oregon acting by and through the State Board of Higher Education on behalf of Oregon. Дата публикации: 2013-02-28.

Method of determination of physico-mechanical characteristics of thin films

Номер патента: SU1657954A1. Автор: Ортаголи Шарипович Хакимов,Ефим Константинович Резник,Зуфар Алимович Джураев. Владелец: Специализированное Конструкторское Бюро С Опытным Производством Отдела Теплофизики Ан Узсср. Дата публикации: 1991-06-23.

The method of measuring the surface temperature of the substrate in the process of vacuum deposition of thin films

Номер патента: SU477317A1. Автор: Анатолий Иванович Жаравин. Владелец: Ижевский механический институт. Дата публикации: 1975-07-15.

A kind of preparation method of the n-type cuprous oxide semiconductive thin film of Fluorin doped

Номер патента: CN104947165B. Автор: 余颖,邱明强,余罗. Владелец: Huazhong Normal University. Дата публикации: 2017-11-17.

PRODUCTION METHOD FOR OXIDIZED CARBON THIN FILM, AND ELEMENT HAVING OXIDIZED CARBON THIN FILM AND PRODUCTION METHOD THEREFOR

Номер патента: US20130023070A1. Автор: ODAGAWA Akihiro,MATSUKAWA Nozomu. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2013-01-24.

METHODS OF SUPPORTING A TRANSPARENT SUBSTRATE OF A THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20130153029A1. Автор: Knapp Jeffrey Todd,Reed Max William,Tsakalakos Loucas,Erlbaum Jeffrey Scott,Berens Troy Alan,Crume Bradley,Abbaraju Venkata Sai Rahul Chandra. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2013-06-20.

A kind of preparation method of silver-nickel acid lanthanum composite conductive thin film material

Номер патента: CN106145898B. Автор: 王显威,崔瑞霞,侯新亚,王小二,邢玲迪. Владелец: Henan Normal University. Дата публикации: 2019-02-19.

A kind of method of chemical liquid phase reaction preparation selenizing thin film lead

Номер патента: CN109721036A. Автор: 刘琳,杨会生,高克玮,庞晓露. Владелец: University of Science and Technology Beijing USTB. Дата публикации: 2019-05-07.

Method of engraving components of topologic patterns on thin-film coatings

Номер патента: SU1380908A1. Автор: Вадим Иосифович Гвоздев. Владелец: Предприятие П/Я В-2183. Дата публикации: 1988-03-15.

Method of production of heat-stable oxygen-free thin-film dielectric material

Номер патента: SU1742862A1. Автор: Роберт Леонидович Магунов,Юрий Георгиевич Сухарев,Владимир Ильич Цацко,Александр Викторович Андриянов. Владелец: Одесский Политехнический Институт. Дата публикации: 1992-06-23.

Smashing and ridging machine capable of automatically covering thin film and method for automatically covering thin film by smashing and ridging machine

Номер патента: CN104904339A. Автор: 李深文. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-09-16.

It is a kind of to prepare SnO2The method of composite carbon nanometer tube electric-heating thin film

Номер патента: CN109890093A. Автор: 吴其胜,南丁天,王付华,童卫红,姚元英. Владелец: Yancheng City Hua Bang Alloy Electric Appliance Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-14.

Method of improving physical property of aromatic polyamid thin film

Номер патента: JPS5342265A. Автор: Akira Miyoshi,Katsuhiko Suyama,Masanori Shiyouda. Владелец: Unitika Ltd. Дата публикации: 1978-04-17.

Method of improving physical property of aromatic polyamid thin film

Номер патента: JPS5342266A. Автор: Akira Miyoshi,Katsuhiko Suyama,Masanori Shiyouda. Владелец: Unitika Ltd. Дата публикации: 1978-04-17.

Method of controlling resistance temperature coefficient of taalln thin film resistor

Номер патента: JPS55121606A. Автор: Minoru Terajima,Masataka Koyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1980-09-18.

Method of controlling resistance temperature coefficient of taalln thin film resistor

Номер патента: JPS55108710A. Автор: Minoru Terajima,Masataka Koyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1980-08-21.

MANUFACTURE METHODS OF DOUBLE LAYER GATE ELECTRODE AND RELEVANT THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20130078801A1. Автор: Dong Chengcai,Hsu Jehao. Владелец: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD.. Дата публикации: 2013-03-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND A THIN FILM

Номер патента: US20130105772A1. Автор: Kawahara Jun,Hayashi Yoshihiro. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2013-05-02.

Spin-valve thin-film element and thin-film magnetic head using the spin-valve thin-film element

Номер патента: JP3040750B2. Автор: 直也 長谷川,正路 斎藤. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-15.

Spin-valve thin-film element and thin-film magnetic head using the spin-valve thin-film element

Номер патента: JP3249499B2. Автор: 直也 長谷川,正路 斎藤. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-21.

Refining method of high-boiling point polymerizable compound by thin film distillation

Номер патента: JPS6082101A. Автор: Masaru Wada,勝 和田,Nobuyuki Kajimoto,Akihiro Tamaoki,晃弘 玉置,梶本　延之. Владелец: Mitsui Toatsu Chemicals Inc. Дата публикации: 1985-05-10.

Thin film element manufacturing method, thin film element, head gimbal assembly using the thin film element, and hard disk drive

Номер патента: JP5085623B2. Автор: 克行 倉知,和彦 前島. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2012-11-28.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.