Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20140159699A1
Опубликовано: 12-06-2014
Автор(ы): AKEBONO SACHIO, Hirono Daisuke, IGUCHI TAIKI, JEONG MOONJAE, Makigawa Kiyoshi
Принадлежит: SONY CORPORATION
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Bandgap reference circuit and bandgap reference current source with two operational amplifiers for generating zero temperature correlated current

Номер патента: US09459647B2. Автор: Min-Hung Hu,Chen-Tsung Wu,Zhen-Guo Ding. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2016-10-04.

Circuit and method for start-up of reference circuits in devices with a plurality of supply voltages

Номер патента: US20240275282A1. Автор: Asif Iqbal,Shivraj G. Dharne,Dzung T. Tran. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Bandgap reference circuit and bandgap reference current source

Номер патента: TW201209541A. Автор: Min-Hung Hu,Chen-Tsung Wu,Zhen-Guo Ding. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-03-01.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT AND DCDC CONVERTER HAVING THE SAME

Номер патента: US20170310204A1. Автор: Kawano Akihiro,GOTO Katsuya. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-26.

BANDGAP REFERENCE VOLTAGE GENERATING CIRCUIT AND ELECTRONIC SYSTEM USING THE SAME

Номер патента: US20140354259A1. Автор: DING Jaw-Ming,CHANG HSIN-CHIN. Владелец: ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING INC.. Дата публикации: 2014-12-04.

Startup circuit for reference circuits

Номер патента: US09667134B2. Автор: Matthias Arnold,Asif Qaiyum. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2017-05-30.

Band-gap reference circuit and DCDC converter with same

Номер патента: CN107305402B. Автор: 河野明大,后藤克也. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2020-09-18.

Band gap reference circuit and dcdc converter equipped with the same

Номер патента: KR102275664B1. Автор: 아키히로 가와노,가츠야 고토. Владелец: 에이블릭 가부시키가이샤. Дата публикации: 2021-07-09.

Bandgap reference circuit

Номер патента: US20200326742A1. Автор: Chia-Fu Chang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Startup Circuit for Reference Circuits

Номер патента: US20170077800A1. Автор: Matthias Arnold,Asif Qaiyum. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2017-03-16.

Ultra-low power bandgap reference using a clocked amplifier

Номер патента: US09866112B1. Автор: Rajat Chauhan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Bandgap reference circuit with capacitive bias

Номер патента: US20170285680A1. Автор: Matthias Eberlein. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT WITH CAPACITIVE BIAS

Номер патента: US20170285680A1. Автор: Eberlein Matthias. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-05.

Startup Circuit for Reference Circuits

Номер патента: US20170077800A1. Автор: Arnold Matthias,QAIYUM ASIF. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

Apparatus and Method for High Voltage Bandgap Type Reference Circuit with Flexible Output Setting

Номер патента: US20170131736A1. Автор: Acar Turev,Talay Selcuk,Dundar Burak. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

BAND-GAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20190235562A1. Автор: Tang Yuan. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-01.

Apparatus and method for high voltage bandgap type reference circuit with flexible output setting

Номер патента: US20190361477A1. Автор: Selcuk Talay,Burak Dundar,Turev Acar. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2019-11-28.

Band-gap reference circuit

Номер патента: CN108279730A. Автор: 唐原. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-13.

A voltage reference circuit and method of providing a voltage reference

Номер патента: EP3547540A1. Автор: Vinayak Mukund Kulkarni,Maitrey Kamble,Michael Coln. Владелец: Analog Devices Global ULC. Дата публикации: 2019-10-02.

Apparatus and method for high voltage bandgap type reference circuit with flexible output setting

Номер патента: US10379566B2. Автор: Selcuk Talay,Burak Dundar,Turev Acar. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2019-08-13.

Power-supply controller of electric and the reference circuit for power-supply controller of electric

Номер патента: CN204131387U. Автор: J·特尔奇,S·孔塞伊. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2015-01-28.

Irregular voltage detection and cutoff circuit using bandgap reference voltage generation circuit

Номер патента: KR100866967B1. Автор: 이창훈. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-11-05.

Automatic regulation of turbo-alternator sets - by sensing and processing alternator parameters, using reference circuit prior to supporting adjustable regulator

Номер патента: FR2475313A1. Автор: Ernest Irving,Claude Charcossey. Владелец: Electricite de France SA. Дата публикации: 1981-08-07.

CMOS SUBTHRESHOLD REFERENCE CIRCUIT WITH LOW POWER CONSUMPTION AND LOW TEMPERATURE DRIFT

Номер патента: US20180164842A1. Автор: ZHANG BO,WANG YAO,Wang Zhuo,Wang Anqi,Yu Hongming,ZHOU Zekun,CAO Jianwen,WANG Yunkun. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2018-06-14.

Interlocked speed reference circuit in process line

Номер патента: JPS5979301A. Автор: 陽一 青木,Yoichi Aoki,Hirotaka Ono,浩孝 小野. Владелец: Toshiba Engineering Corp. Дата публикации: 1984-05-08.

Voltage reference circuit

Номер патента: FR1205172A. Автор: . Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1960-02-01.

Vehicle charging system has noise compensation unit that compensates noise in reference signal generated by reference circuit which is connected in series with shunt resistor

Номер патента: DE102013200007A1. Автор: Miguel Angel Acena,Youssef Ghabbour. Владелец: Lear Corp. Дата публикации: 2013-07-11.

Bandgap reference voltage failure detection

Номер патента: US09606563B2. Автор: Johannes Gerber,Matthias Arnold,Frank Dornseifer. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2017-03-28.

Bandgap reference circuit, control circuit, and associated control method

Номер патента: US20200125128A1. Автор: Chung-Chieh Yang,Chih-Chiang Chang,Yung-Chow Peng,Nai Chen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Bandgap reference circuit, control circuit, and associated control method

Номер патента: US20200257326A1. Автор: Chung-Chieh Yang,Chih-Chiang Chang,Yung-Chow Peng,Nai Chen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-13.

Automatically controlled bandgap reference circuit

Номер патента: US20200401177A1. Автор: Bang Li LIANG. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2020-12-24.

Bandgap reference circuit including resistivity temperature coefficient cancellation circuit, and oscillator circuit including the bandgap reference circuit

Номер патента: US11789482B2. Автор: Taeik Kim,Chanyoung Jeong,Wooseok Kim,Jusung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Temperature-based bandgap reference circuit

Номер патента: US20220334606A1. Автор: Bang Li LIANG. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Bandgap reference circuit and method of using the same

Номер патента: US20180129237A1. Автор: Zhi Bing Deng,Wen Jun WENG,Josh Yang,Cheng Tai HUANG,Cheng Yi Huang,Jun Tao GUO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-10.

Bandgap Reference Voltage Failure Detection

Номер патента: US20190278315A1. Автор: Johannes Gerber,Matthias Arnold,Frank Dornseifer. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-09-12.

Mixed-signal control circuit for eliminating degenerate metastable state of bandgap reference circuit

Номер патента: US11892865B2. Автор: Patrick Bian Wu. Владелец: Excelio Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Mixed-signal control circuit for eliminating degenerate metastable state of bandgap reference circuit

Номер патента: US20230179177A1. Автор: Patrick Bian Wu. Владелец: Excelio Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Bandgap reference circuit

Номер патента: US09600013B1. Автор: Jian-Sing Liou. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Temperature-based bandgap reference circuit

Номер патента: US11797042B2. Автор: Bang Li LIANG. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Bandgap reference circuit

Номер патента: US11846962B2. Автор: Mario Motz,Francesco Polo. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-12-19.

Bandgap reference circuit and related method

Номер патента: EP1230682A2. Автор: Todd Mitchell,Mark W. Haley. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2002-08-14.

Bandgap reference circuit and related method

Номер патента: WO2001093333A2. Автор: Todd Mitchell,Mark W. Haley. Владелец: Philips Semiconductors, Inc.. Дата публикации: 2001-12-06.

Bandgap reference circuit and related method

Номер патента: WO2001093333A3. Автор: Todd Mitchell,Mark W Haley. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2002-04-18.

Bandgap Reference Circuit and Method for Providing a Reference Voltage

Номер патента: US20190324491A1. Автор: Lei Zou,Gino Rocca. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

CMOS image sensing with sampled bandgap reference

Номер патента: US11470272B1. Автор: Jinwen Xiao,Scott D Willingham. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-11.

Bandgap reference circuit including vertically stacked active SOI devices

Номер патента: US11309435B2. Автор: Timothy S. Miller,Peter P. Hang,Van Ton-That,Don Raymond Blackwell. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-04-19.

CMOS low voltage bandgap reference design with orthogonal output voltage trimming

Номер патента: US09696744B1. Автор: Wen Fang. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Bandgap reference circuit and method for providing a reference voltage

Номер патента: WO2018121917A1. Автор: Lei Zou,Gino Rocca. Владелец: EPCOS AG. Дата публикации: 2018-07-05.

Bandgap reference based power-on detect circuit including a supression circuit

Номер патента: US5852376A. Автор: William F. Kraus. Владелец: Ramtron International Corp. Дата публикации: 1998-12-22.

Bandgap reference based power-on detect circuit including a suppression circuit

Номер патента: US5867047A. Автор: William F. Kraus. Владелец: Ramtron International Corp. Дата публикации: 1999-02-02.

Semiconductor Work Function Reference Circuit for Radiation Detection

Номер патента: US20220392895A1. Автор: William Daniel Hunt,Elaine Rhoades,Aaron S. Green. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Semiconductor work function reference circuit for radiation detection

Номер патента: US11984447B2. Автор: William Daniel Hunt,Elaine Rhoades,Aaron S. Green. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Two-transistor bandgap reference circuit and finfet device suited for same

Номер патента: US20170212545A1. Автор: Peter Huang,Da-Wen Lin,Yvonne Lin,Sheng-Jier Yang,Paul Rousseau. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-27.

Bandgap reference with input amplifier for noise reduction

Номер патента: US11914411B2. Автор: Sandeep Shylaja Krishnan,Akshay Yashwant JADHAV,Tallam VISHWANATH. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Bandgap reference with input amplifier for noise reduction

Номер патента: US20240168510A1. Автор: Sandeep Shylaja Krishnan,Akshay Yashwant JADHAV,Tallam VISHWANATH. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Polysilicon diode bandgap reference

Номер патента: US09929150B2. Автор: Adrian Finney. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-27.

Inflexible voltage reference circuit card, and method for manufacturing an inflexible voltage reference circuit card

Номер патента: EP4395471A1. Автор: Hannu Ketonen. Владелец: BEAMEX OY AB. Дата публикации: 2024-07-03.

Inflexible voltage reference circuit card, and method for manufacturing an inflexible voltage reference circuit card

Номер патента: US20240215166A1. Автор: Hannu Ketonen. Владелец: BEAMEX OY AB. Дата публикации: 2024-06-27.

Pipeline ADC and reference load balancing circuit and method to balance reference circuit load

Номер патента: US09748965B2. Автор: Roswald Francis,Visvesvaraya A. Pentakota. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Bipolar transistor, band-gap reference circuit and virtual ground reference circuit and methods of fabricating thereof

Номер патента: US09577063B2. Автор: Min-Hwa Chi,Deyuan Xiao,Lihying Ching. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Low voltage current reference circuits

Номер патента: US20050046469A1. Автор: Stephen Geissler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-03-03.

Band-gap reference circuit for biasing an RF device

Номер патента: US09429975B2. Автор: ZIV Alon,Jing Sun,Tin Wai KWAN,Aleksey A. LYALIN. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Reference circuit and MRAM

Номер патента: US09734883B1. Автор: William J. Gallagher,Shy-Jay Lin,Chwen Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Master slave voltage reference circuit

Номер патента: US4931665A. Автор: Loren W. Yee. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1990-06-05.

Power-up logic reference circuit and related method

Номер патента: US20030122579A1. Автор: Lawrence Uzelac. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-07-03.

Voltage reference circuit, voltage detector and voltage detector system

Номер патента: WO2017187180A2. Автор: Guang Yang,Chunhong Zhang,Bernard Stark,Salah ADAMI,Plamen PROYNOV. Владелец: The University of Bristol. Дата публикации: 2017-11-02.

Low-power reading reference circuit for split-gate flash memory

Номер патента: US20070133275A1. Автор: Hsien-Yu Pan,Meng-Fan Chang,Ding-Ming Kwai,Yung-Fa Chou. Владелец: Intellectual Property Library Co. Дата публикации: 2007-06-14.

Voltage reference circuit, voltage detector and voltage detector system

Номер патента: US20200025807A1. Автор: Guang Yang,Chunhong Zhang,Bernard Stark,Salah ADAMI,Plamen PROYNOV. Владелец: University of Bristol. Дата публикации: 2020-01-23.

Reference circuit and method for mitigating switching jitter and delay-locked loop (dll) using same

Номер патента: EP2313976A1. Автор: William Petrie. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2011-04-27.

Mitigation of voltage shift induced by mechanical stress in bandgap voltage reference circuits

Номер патента: US20220300016A1. Автор: Masahiro Yoshioka,Jeffrey David Johnson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Mitigation of voltage shift induced by mechanical stress in bandgap voltage reference circuits

Номер патента: WO2022197880A1. Автор: Masahiro Yoshioka,Jeffrey David Johnson. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2022-09-22.

Current Generator with Reduced Power Consumption

Номер патента: US20240154512A1. Автор: Min-Chia Wang,Hsiu-Ming Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Reference voltage generation circuit and DCDC converter having the same

Номер патента: US09941787B2. Автор: Akihiro Kawano,Katsuya Goto. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Radio frequency switch generator applicable to 1.8 v and 1.2 v power supplies

Номер патента: US20240266958A1. Автор: Tingting Xie,Yujiao Wang,Wenhai Ni,Jianling GUAN,Dehang ZHOU,Wenhua XU NI. Владелец: SHANGHAI CANAANTEK CO Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT INCLUDING RESISTIVITY TEMPERATURE COEFFICIENT CANCELLATION CIRCUIT, AND OSCILLATOR CIRCUIT INCLUDING THE BANDGAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20220311424A1. Автор: LEE Jusung,KIM Taeik,Kim Wooseok,JEONG CHANYOUNG. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-29.

Bandgap reference circuit

Номер патента: US09876008B2. Автор: Chewn-Pu Jou,Chien-Jung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Bandgap reference circuit

Номер патента: US20160049912A1. Автор: Chewn-Pu Jou,Chien-Jung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

Two-transistor bandgap reference circuit and FinFET device suited for same

Номер патента: US10534393B2. Автор: Peter Huang,Da-Wen Lin,Yvonne Lin,Sheng-Jier Yang,Paul Rousseau. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-14.

Bandgap Reference Circuit and Method for Providing a Reference Voltage

Номер патента: US20190324491A1. Автор: Zou Lei,Rocca Gino. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-24.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT HAVING CLAMPING CONTROL CIRCUIT AND BEING CAPABLE OF IMPROVING RATE OF PROVIDING PREDETERMINED VOLTAGE

Номер патента: US20180323780A1. Автор: CHEN Chih-Sheng,Peng Tien-Yun. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-08.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT, CONTROL CIRCUIT, AND ASSOCIATED CONTROL METHOD

Номер патента: US20200125128A1. Автор: CHANG Chih-Chiang,Peng Yung-Chow,Yang Chung-Chieh,CHENG Nai Chen. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT, CONTROL CIRCUIT, AND ASSOCIATED CONTROL METHOD

Номер патента: US20200257326A1. Автор: CHANG Chih-Chiang,Peng Yung-Chow,Yang Chung-Chieh,CHENG Nai Chen. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-13.

Signal generating device, bandgap reference device and method of generating temperature-dependent signal

Номер патента: US11768513B2. Автор: Chia Liang Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT INCLUDING VERTICALLY STACKED ACTIVE SOI DEVICES

Номер патента: US20210280723A1. Автор: Miller Timothy S.,Blackwell Don Raymond,Hang Peter P.,Ton-That Van. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

Managing startups of bandgap reference circuits in memory systems

Номер патента: TWI736365B. Автор: 楊尚輯,林建旭. Владелец: 旺宏電子股份有限公司. Дата публикации: 2021-08-11.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20160049912A1. Автор: JOU Chewn-PU,Wang Chien-Jung. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-18.

MANAGING STARTUPS OF BANDGAP REFERENCE CIRCUITS IN MEMORY SYSTEMS

Номер патента: US20210098031A1. Автор: YANG Shang-Chi,Lin Jian-Syu. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2021-04-01.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT AND METHOD OF USING THE SAME

Номер патента: US20180129237A1. Автор: DENG Zhi Bing,HUANG Cheng Tai,WENG Wen Jun,YANG JOSH,HUANG Cheng Yi,GUO Jun Tao. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-10.

Two-transistor bandgap reference circuit and finfet device suited for same

Номер патента: US20170212545A1. Автор: Peter Huang,Da-Wen Lin,Yvonne Lin,Sheng-Jier Yang,Paul Rousseau. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-27.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT AND SENSOR CHIP USING THE SAME

Номер патента: US20180314282A1. Автор: TAN KOK-SIANG,TEO Wai-Lian. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-01.

AUTOMATICALLY CONTROLLED BANDGAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20200401177A1. Автор: Liang Bang Li. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-24.

Chopper stabilized bandgap reference circuit and methodology for voltage regulators

Номер патента: EP2256580A2. Автор: Kelly Joel Consoer. Владелец: Linear Technology LLC. Дата публикации: 2010-12-01.

Bandgap reference circuit and method

Номер патента: US20110260708A1. Автор: Dimitar T. Trifonov,Jerry L. Doorenbos. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-10-27.

Two-transistor bandgap reference circuit and finfet device suited for same

Номер патента: US20200019201A1. Автор: Peter Huang,Da-Wen Lin,Yvonne Lin,Sheng-Jier Yang,Paul Rousseau. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT, CORRESPONDING DEVICE AND METHOD

Номер патента: US20190113946A1. Автор: Nicollini Germano,Polesel Stefano. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2019-04-18.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT WITH OFFSET VOLTAGE REMOVAL

Номер патента: US20140224962A1. Автор: Pahr Per Olaf. Владелец: OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2014-08-14.

TWO-TRANSISTOR BANDGAP REFERENCE CIRCUIT AND FINFET DEVICE SUITED FOR SAME

Номер патента: US20180356852A1. Автор: Lin Da-Wen,Huang Peter,LIN Yvonne,YANG Sheng-Jier,Rousseau Paul. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-13.

Switched-capacitor bandgap reference circuit using chopping technique

Номер патента: CN106647906A. Автор: 许伟伟,P·厄帕德雅雅,N·刘,王晓悦. Владелец: Mawier International Trade Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-10.

Bandgap reference circuit

Номер патента: JP4314669B2. Автор: 一夫 栗原. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-08-19.

Bandgap reference circuit and sensor chip using the same

Номер патента: US10386875B2. Автор: Kok-Siang Tan,Wai-Lian TEO. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2019-08-20.

Operational amplifier, temperature-dependent system and bandgap reference circuit

Номер патента: CN101540586A. Автор: 林育信,蔡鸿杰. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2009-09-23.

Chopper stabilized bandgap reference circuit and methodology for voltage regulators

Номер патента: TW201115296A. Автор: Kelly Joel Consoer. Владелец: Linear Techn Inc. Дата публикации: 2011-05-01.

Bandgap reference circuit

Номер патента: KR100923831B1. Автор: 임준연. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-10-27.

Signal generating device, bandgap reference device and method of generating temperature-dependent signal

Номер патента: US20230367353A1. Автор: Chia Liang Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

BANDGAP REFERENCE VOLTAGE GENERATION CIRCUIT AND BANDGAP REFERNECE VOLTAGE GENERATION SYSTEM

Номер патента: US20190079553A1. Автор: Lee Jong Woo,JANG Woo Jin,Oh Seung Hyun. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-14.

Differential operational amplifier and bandgap reference voltage generating circuit

Номер патента: US09535444B2. Автор: Chiao-Hsing Wang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Bandgap Reference Voltage Failure Detection

Номер патента: US20170147027A1. Автор: Gerber Johannes,Arnold Matthias,Dornseifer Frank. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

BANDGAP REFERENCE POWER GENERATION CIRCUIT AND INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20200272185A1. Автор: Wang Ke. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-27.

OFFSET CORRECTED BANDGAP REFERENCE AND TEMPERATURE SENSOR

Номер патента: US20200278708A1. Автор: Tesch Bruce John. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-03.

Bandgap reference voltage source and method for operating the same

Номер патента: DE19735381C1. Автор: Franz Kuttner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-01-14.

Low noise bandgap reference architecture

Номер патента: US11914412B2. Автор: Sanjeev Praphulla Chandra NYSHADHAM,Subrato Roy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Low noise bandgap reference architecture

Номер патента: US20220413539A1. Автор: Sanjeev Praphulla Chandra NYSHADHAM,Subrato Roy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

START-UP CIRCUIT FOR BANDGAP REFERENCE

Номер патента: US20170012609A1. Автор: Chern Jenn-Gang,Chen Mao-Ter,Shen Chun-Ju. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-12.

LOW VOLTAGE BANDGAP REFERENCE GENERATOR

Номер патента: US20180052477A1. Автор: Dasgupta Uday. Владелец: MEDIATEK SINGAPORE PTE. LTD.. Дата публикации: 2018-02-22.

OSCILLATION CONTROL CIRCUIT FOR BIASING RING OSCILLATOR BY BANDGAP REFERENCE SIGNAL AND RELATED METHOD

Номер патента: US20140191814A1. Автор: Tung Ming-Sheng. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc.. Дата публикации: 2014-07-10.

SELF-BIASING INTEGRATED OSCILLATOR WITHOUT BANDGAP REFERENCE

Номер патента: US20180152177A1. Автор: Yang Li,Wu Charles Qingle. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

DIFFERENTIAL OPERATIONAL AMPLIFIER AND BANDGAP REFERENCE VOLTAGE GENERATING CIRCUIT

Номер патента: US20150185753A1. Автор: Wang Chiao-Hsing. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

Bandgap Reference Voltage Failure Detection

Номер патента: US20190278315A1. Автор: Gerber Johannes,Arnold Matthias,Dornseifer Frank. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-12.

BANDGAP REFERENCE DIODE USING THIN FILM TRANSISTORS

Номер патента: US20190378794A1. Автор: Rachmady Willy,Dewey Gilbert,SHARMA Abhishek A.,LE VAN. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-12-12.

LOW NOISE BANDGAP REFERENCE ARCHITECTURE

Номер патента: US20220413539A1. Автор: ROY Subrato,NYSHADHAM Sanjeev Praphulla Chandra. Владелец: . Дата публикации: 2022-12-29.

Bandgap reference voltage generator for low power

Номер патента: KR100804153B1. Автор: 변상진,정춘석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-02-19.

Bandgap reference voltage generating circuit

Номер патента: TW200928656A. Автор: Eun-Sang Jo. Владелец: Dongbu Hitek Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-01.

Low noise bandgap reference architecture

Номер патента: US20240192718A1. Автор: Sanjeev Praphulla Chandra NYSHADHAM,Subrato Roy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Self-biasing integrated oscillator without bandgap reference

Номер патента: US20180152177A1. Автор: LI YANG,Charles Qingle Wu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2018-05-31.

METHOD OF FORMING BANDGAP REFERENCE INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20180145067A1. Автор: JOU Chewn-PU,Wang Chien-Jung. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-24.

Operational Amplifier for Bandgap Reference

Номер патента: KR101024633B1. Автор: 김태형. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2011-03-25.

Multi-layer circuit member with reference circuit

Номер патента: US09462676B2. Автор: Kent E. Regnier. Владелец: MOLEX LLC. Дата публикации: 2016-10-04.

Integrated circuit having an internal reference circuit to supply internal logic circuits with a reduced voltage

Номер патента: US5079441A. Автор: David B. Scott. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1992-01-07.

Reference circuit suitable for use with an analog to digital converter and an analog to digital converter including such a reference circuit

Номер патента: US20130249727A1. Автор: Christopher Peter Hurrell. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2013-09-26.

PIPELINE ADC AND REFERENCE LOAD BALANCING CIRCUIT AND METHOD TO BALANCE REFERENCE CIRCUIT LOAD

Номер патента: US20160072518A1. Автор: Francis Roswald,Pentakota Visvesvaraya A.. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2016-03-10.

Band-Gap Reference Circuit With Chopping Circuit

Номер патента: US20180095491A1. Автор: Lynch Michael W.,Lacy Cameron,Uhanov Sergei. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-05.

Bipolar transistor, band-gap reference circuit and virtual ground reference circuit

Номер патента: US20160218194A1. Автор: Min-Hwa Chi,Deyuan Xiao,Lihying Ching. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2016-07-28.

BIPOLAR TRANSISTOR, BAND-GAP REFERENCE CIRCUIT AND VIRTUAL GROUND REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20140354347A1. Автор: Xiao Deyuan,Chi Min-Hwa,CHING LIHYING. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-04.

Vehicle headlamp monitoring circuit - has threshold switch coupled to reference circuit which with differential amplifier is connected to alarm signal generator

Номер патента: FR2367401A1. Автор: Sylvain Joseph Lumbroso. Владелец: Jaeger. Дата публикации: 1978-05-05.

Multi-layer circuit member with reference circuit

Номер патента: WO2011056967A2. Автор: Kent E. Regnier. Владелец: Molex Incorporated. Дата публикации: 2011-05-12.

The phase shifter configuration method and microwave circuit of voltage reference circuit

Номер патента: CN109660230A. Автор: 王雪深,钟源,钟青,李劲劲,曹文会,王兰若. Владелец: National Institute of Metrology. Дата публикации: 2019-04-19.

Multi-layer circuit member with reference circuit

Номер патента: CN102687350A. Автор: 肯特·E·雷尼尔. Владелец: MOLEX LLC. Дата публикации: 2012-09-19.

Reference circuits for sampled-data circuits

Номер патента: US7522086B2. Автор: Hae-Seung Lee. Владелец: Cambridge Analog Technologies Inc. Дата публикации: 2009-04-21.

CHAMPIONSHIP BAND-GAP VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: ITMI911026D0. Автор: Sergio Pernici,Germano Nicollini. Владелец: Sgs Thomson Microelectronics. Дата публикации: 1991-04-12.

Oscillator module and reference circuit thereof

Номер патента: US20130271231A1. Автор: Wei-Kai Tseng. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2013-10-17.

VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT, VOLTAGE DETECTOR AND VOLTAGE DETECTOR SYSTEM

Номер патента: US20200025807A1. Автор: Yang Guang,Zhang Chunhong,Stark Bernard,Adami Salah,Proynov Plamen. Владелец: The University of Bristol. Дата публикации: 2020-01-23.

BICMOS CURRENT REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20140152348A1. Автор: ZHANG LEI,Hu Rong-Bin,Hu Gang-Yi,Fu Dong-Bing,Wang Yong-Lu,Zhang Zheng-Ping,Zhu Can,Gao Yu-Han,Ye Rong-Ke. Владелец: China Electronic Technology Corporation, 24th Research Institute. Дата публикации: 2014-06-05.

Memory Device with a Low-Current Reference Circuit

Номер патента: US20180151211A1. Автор: Chia-Fu Lee,Yu-Der Chih,Hon-Jarn Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

MITIGATION OF VOLTAGE SHIFT INDUCED BY MECHANICAL STRESS IN BANDGAP VOLTAGE REFERENCE CIRCUITS

Номер патента: US20220300016A1. Автор: Yoshioka Masahiro,Johnson Jeffrey David. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-22.

Bandgap voltage reference circuit capable of correcting voltage distortion

Номер патента: US20200159272A1. Автор: Chih-Chun Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

PRECISION REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20210240213A1. Автор: Hassan Mehedi,Sreenivasan Sreejish,Yang Tianhong. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-05.

Voltage reference circuit

Номер патента: US20180246538A1. Автор: Thierry Sicard. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-08-30.

CURRENT REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20200264647A1. Автор: Shreepathi Bhat Avinash. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-20.

BAND-GAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20170315576A1. Автор: TANG Chengwei. Владелец: SHANGHAI HUAHONG GRACE SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CORPORATION. Дата публикации: 2017-11-02.

REFERENCE CIRCUITS FOR BIASING RADIO FREQUENCY ELECTRONICS

Номер патента: US20160336979A1. Автор: Sun Jing,Alon Ziv,LYALIN Aleksey A.,Kwan Tin Wai. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-17.

BAND-GAP REFERENCE CIRCUIT FOR BIASING AN RF DEVICE

Номер патента: US20150365112A1. Автор: Sun Jing,Alon Ziv,LYALIN Aleksey A.,Kwan Tin Wai. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-17.

VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT WITH COMBINED POWER-ON RESET

Номер патента: US20200379498A1. Автор: Hermann Carsten. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-03.

Integrated chip with heating element and reference circuit

Номер патента: US9651981B2. Автор: Christian Lindholm,Henrik Hassander. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-16.

Band-gap reference circuit

Номер патента: KR100347680B1. Автор: 돈다야스히로. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2002-08-07.

Band gap reference circuit

Номер патента: KR100617893B1. Автор: 쿠리하라카주오. Владелец: 소니 가부시끼 가이샤. Дата публикации: 2006-09-06.

Bipolar complementary metal oxide semiconductor (BiCMOS) current-type reference circuit

Номер патента: CN102841629B. Автор: 张磊,胡刚毅,张正平,王永禄,付东兵,胡蓉彬,朱璨,高煜寒,叶荣科. Владелец: CETC 24 Research Institute. Дата публикации: 2014-07-30.

Voltage reference circuit with combined power-on reset

Номер патента: DE102018200785A1. Автор: Carsten Hermann. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2019-07-18.

DIGITAL TO ANALOG CONVERTER INCLUDING AN OPEN LOOP VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: FR2503490B1. Автор: Jimmy Ray Naylor,Williams Joseph Lillis,Anthony David Wang,Robert Lee White. Владелец: Burr Brown Research Corp. Дата публикации: 1988-03-04.

REFERENCE CIRCUIT FOR ACHIEVING ADJUSTABLE GROUP PROPAGATION TIMES.

Номер патента: FR2684821A1. Автор: Dick Rudolph. Владелец: Wandel and Golterman GmbH and Co. Дата публикации: 1993-06-11.

Continuous current value passage detector - has several stage reference circuit with switching transistor stages

Номер патента: FR2258634A1. Автор: . Владелец: Alcatel CIT SA. Дата публикации: 1975-08-18.

Reference circuit and control method of output current

Номер патента: JP2597941B2. Автор: コング・キュー. Владелец: サムスング・セミコンダクター・インコーポレイテッド. Дата публикации: 1997-04-09.

Floating-gate reference circuit

Номер патента: WO2004107076A1. Автор: David V. Anderson,Matthew Raymond Kucic,Haw-Jing Lo,Angelo W. Pereira,Philomena Cleopha Brady,Guillermo Jose Serrano,Farhan Adil,Paul Edward Hasler. Владелец: GEORGIA TECH RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2004-12-09.

Bandgap voltage reference circuit

Номер патента: US10551864B2. Автор: Che-Sheng CHEN,Shun-Nan Tai. Владелец: Richwave Technology Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Bandgap Voltage Reference Circuit

Номер патента: KR100539184B1. Автор: 김동희,장경희. Владелец: 페어차일드코리아반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-03-16.

Frequency reference circuit

Номер патента: GB2248353B. Автор: Roger James Williamson,Andrew Llewellyn Miles. Владелец: STC Ltd. Дата публикации: 1994-04-27.

Band gap reference circuit and electronic device

Номер патента: CN109995355B. Автор: 黄宇鹏. Владелец: Fuzhou BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-09.

Oscillator module and reference circuit thereof

Номер патента: TWI502896B. Автор: Wei Kai Tseng. Владелец: Himax Tech Ltd. Дата публикации: 2015-10-01.

DIGITAL-TO-ANALOG CONVERTER COMPRISING AN OPEN LOOP VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: FR2503490A1. Автор: Jimmy Ray Naylor,Williams Joseph Lillis,Anthony David Wang,Robert Lee White. Владелец: Burr Brown Research Corp. Дата публикации: 1982-10-08.

Method for calibrating bandgap voltage reference circuit

Номер патента: KR102476839B1. Автор: 엄지용. Владелец: 한남대학교 산학협력단. Дата публикации: 2022-12-09.

Band-gap reference circuit

Номер патента: EP1102400A2. Автор: Yasuhiro Nec IC Microcomputer Systems Ltd. Tonda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-05-23.

Variable-impedance reference circuit and varying method

Номер патента: US6798284B2. Автор: Yasuo Oda. Владелец: Wacom Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-28.

Voltage reference circuit having a threshold voltage shift

Номер патента: EP0718743A1. Автор: David C. McClure. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 1996-06-26.

System and method for using a network timing reference circuit as a phase detector in a synchronization loop

Номер патента: US6804318B1. Автор: Daniel Amrany,Laurent Alloin,Jean-Francois Lopez. Владелец: Brooktree Broadband Holding Inc. Дата публикации: 2004-10-12.

Ultra-low power consumption reference circuit and sampling method thereof

Номер патента: CN111258363A. Автор: 朱樟明,黄文斌,刘帘曦,云梦晗,邢奕赫. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2020-06-09.

Programmable current reference circuit

Номер патента: US6744277B1. Автор: Wanli Chang,Gregory W. Starr. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2004-06-01.

Reference circuits for biasing radio frequency electronics

Номер патента: US9571139B2. Автор: ZIV Alon,Jing Sun,Tin Wai KWAN,Aleksey A. LYALIN. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Low power, low noise digital-to-analog converter reference circuit

Номер патента: US20090009375A1. Автор: Xiaohong Quan,Lennart K-A Mathe. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2009-01-08.

Metal oxide semiconductor (MOS) bandgap voltage reference circuit

Номер патента: US6933770B1. Автор: Paul David Ranucci. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2005-08-23.

Programmable reference circuit

Номер патента: JP3213621B2. Автор: ハーマン ボス ピーター,ジェラルド フェラン カサール,ジェイムス デイビス トーマス,マイケル オコーネル コルマック,クリスティーン マテウス ヒーラウメス プフェニンフス レオナルダス,オントロプ ハンス. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2001-10-02.

LED driver and DAC reference circuit thereof

Номер патента: US11812531B1. Автор: Je-Kwang Cho. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2023-11-07.

Voltage reference circuit, voltage detector and voltage detector system

Номер патента: EP3449265B8. Автор: Guang Yang,Chunhong Zhang,Bernard Stark,Salah ADAMI,Plamen PROYNOV. Владелец: University of Bristol. Дата публикации: 2023-10-18.

Voltage reference circuit, voltage detector and voltage detector system

Номер патента: GB201706729D0. Автор: . Владелец: University of Bristol. Дата публикации: 2017-06-14.

Low-power reading reference circuit of split-gate flash memory

Номер патента: TW200723285A. Автор: Hsien-Yu Pan,Meng-Fan Chang,Ding-Ming Kwai,Yung-Fa Chou. Владелец: Intellectual Property Libarary Company. Дата публикации: 2007-06-16.

Bandgap reference apparatus and methods

Номер патента: US09958895B2. Автор: Mark Shane Peng,Chih-Chia Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Bandgap reference circuit and method of testing and calibrating the same

Номер патента: US20240345614A1. Автор: Zhi-Xin Chen. Владелец: Tritium Electronics Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Power efficient startup circuit for activating a bandgap reference circuit

Номер патента: WO2007123905A2. Автор: Bilal Manai,Xavier Rabeyrin,Maud Pierrel. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2007-11-01.

Auto-nulled bandgap reference system and strobed bandgap reference circuit

Номер патента: US20080079413A1. Автор: Michael A. Ashburn,Stephen W. Harston. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2008-04-03.

Power efficient startup circuit for activating a bandgap reference circuit

Номер патента: US20070241735A1. Автор: Bilal Manai,Xavier Rabeyrin,Maud Pierrel. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Power efficient startup circuit for activating a bandgap reference circuit

Номер патента: WO2007123905A3. Автор: Bilal Manai,Xavier Rabeyrin,Maud Pierrel. Владелец: Maud Pierrel. Дата публикации: 2008-05-02.

Power efficient startup circuit for activating a bandgap reference circuit

Номер патента: US7323856B2. Автор: Bilal Manai,Xavier Rabeyrin,Maud Pierrel. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2008-01-29.

Bandgap reference circuit

Номер патента: US09977442B1. Автор: Kok-Siang Tan. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Predicting a bandgap reference output voltage based on a model to trim a bandgap reference circuit

Номер патента: US11940832B2. Автор: Matthias Rose,Neha Goel,Maxim Kulesh. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-03-26.

Methods and apparatus for low input voltage bandgap reference architecture and circuits

Номер патента: US09857813B2. Автор: Aatmesh Shrivastava. Владелец: PSIKICK Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Bandgap reference circuit with curvature compensation

Номер патента: US09582021B1. Автор: Matthias Arnold,Asif Qaiyum. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2017-02-28.

Bandgap reference generation for multiple power supply domains

Номер патента: US20230409068A1. Автор: Gregory Edward Babcock,Bang Li LIANG. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Bandgap reference circuit with trimming circuit

Номер патента: US20230266786A1. Автор: Thierry Michel Alain Sicard,Guillaume Mouret,Yann CARGOUET. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Bandgap reference circuit for low supply voltage applications

Номер патента: US20030222706A1. Автор: Leonel Enriquez,Douglas Youngblood. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2003-12-04.

Overshoot-free fast start-up bandgap reference circuit, chip, and electronic device

Номер патента: EP4459415A2. Автор: CHENG Chen,Chunling Li,Chenyang GAO,Yongshou WANG. Владелец: Vanchip Tianjin Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-06.

Apparatus and method for a modified brokaw bandgap reference circuit for improved low voltage power supply

Номер патента: US09471084B2. Автор: Hidenori Kobayashi. Владелец: Dialog Semiconductor UK Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Bandgap reference circuit with a pre-regulator

Номер патента: US20020050854A1. Автор: Solomon Ng,Gang Zha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-02.

Low power bandgap reference circuit with increased accuracy and reduced area consumption

Номер патента: WO2007081634B1. Автор: Bogdan I Georgescu,Iulian C Gradinariu. Владелец: Iulian C Gradinariu. Дата публикации: 2008-01-10.

Low power bandgap reference circuit with increased accuracy and reduced area consumption

Номер патента: EP1966669A2. Автор: Bogdan I. Georgescu,Iulian C. Gradinariu. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-09-10.

Bandgap reference circuit and method for room temperature trimming with replica elements

Номер патента: US9804614B2. Автор: Cang Ji,Siarhei Meliukh. Владелец: Dialog Semiconductor UK Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Bandgap reference circuit and method for producing the circuit

Номер патента: US8305069B2. Автор: Leon C. M. Van Den Oever,Jeroen Bouwman. Владелец: EPCOS AG. Дата публикации: 2012-11-06.

Bandgap reference starting circuit with ultra-low power consumption

Номер патента: US11815924B2. Автор: Xiaoyu Li,Xiangyang Guo. Владелец: IPGoal Microelectronics Sichuan Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Bandgap reference circuit

Номер патента: US20180314280A1. Автор: Kok-Siang Tan. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2018-11-01.

Bandgap reference circuit

Номер патента: US10296027B2. Автор: Kok-Siang Tan. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2019-05-21.

Bandgap reference circuit

Номер патента: US20190235542A1. Автор: Kok-Siang Tan. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Bandgap reference circuit with reduced flicker noise

Номер патента: EP4097559A1. Автор: Evgueni Ivanov. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-07.

Bandgap reference circuit and method therefor

Номер патента: US09727074B1. Автор: Steven Terryn. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

Process-invariant bandgap reference circuit and method

Номер патента: WO2006102324A3. Автор: Ankit SEEDHER,Preetam Charan Anan Tadeparthy. Владелец: Preetam Charan Anan Tadeparthy. Дата публикации: 2007-03-15.

Amplifier for a bandgap reference circuit having a built-in startup circuit

Номер патента: US20030020443A1. Автор: Jeongjin Roh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-01-30.

Process-invariant bandgap reference circuit and method

Номер патента: EP1866721A2. Автор: Ankit SEEDHER,Preetam C. A. Jeevanadhi Satellite TADEPARTHY. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-12-19.

Bandgap reference circuit and power supply circuit

Номер патента: US09891647B2. Автор: Hideki Kiuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Bandgap reference circuit

Номер патента: US20120249115A1. Автор: Yu-Tsung Lu,Ting-Hao Wang,Wen-Hsien Chuang. Владелец: Global Unichip Corp. Дата публикации: 2012-10-04.

Curvature-corrected bandgap reference

Номер патента: US12111675B1. Автор: Sumer Can. Владелец: Itu472 LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Bandgap reference voltage generator

Номер патента: EP4043992A1. Автор: Mukul Pancholi,Sushil Kumar Gupta. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2022-08-17.

Overshoot-free fast start-up bandgap reference circuit, chip, and electronic device

Номер патента: US20240152172A1. Автор: CHENG Chen,Chunling Li,Chenyang GAO,Yongshou WANG. Владелец: Vanchip Tianjin Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Curvature-corrected bandgap reference

Номер патента: US20140117966A1. Автор: Derek Shaeffer,Nauman AFZAL. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2014-05-01.

Bandgap reference circuit

Номер патента: US09612606B2. Автор: Chung-Hui Chen,Kuo-Feng Yu,Jaw-Juinn Horng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Bandgap reference circuit with reduced power consumption

Номер патента: WO2009046150A1. Автор: Yunfei Feng,Kenneth Charles Barnett,Sasanta Sengupta. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2009-04-09.

Bandgap reference circuit

Номер патента: US20040169549A1. Автор: Ming-Huang Liu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2004-09-02.

Bandgap reference circuit and electronic device including the same

Номер патента: US11868152B2. Автор: Jaewook Kwon,Hyeongtae Kim,HaJun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Bandgap reference circuit and electronic device including the same

Номер патента: US20230367350A1. Автор: Jaewook Kwon,Hyeongtae Kim,HaJun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Bandgap reference circuit

Номер патента: EP4180901A1. Автор: Thierry Michel Alain Sicard. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-05-17.

Methods and apparatus for negative output voltage active clamping using a floating bandgap reference and temperature compensation

Номер патента: US20180181151A1. Автор: Yan He,Yang Wang,Jun Ma,Jingwei Xu,Zhenghao Cui,Qingjie Ma,Alvin XU. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Curvature correction of bipolar bandgap references

Номер патента: WO1989007793A1. Автор: Stephen R. Lewis,A. Paul Brokaw. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 1989-08-24.

Bandgap reference circuit and chip

Номер патента: US20230376061A1. Автор: Jianyong QIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Bandgap reference circuit

Номер патента: US20080297131A1. Автор: Yan-Hua Peng,Uei-Shan Uang,Mei-Show Chen. Владелец: Faraday Technology Corp. Дата публикации: 2008-12-04.

Bandgap reference circuit and chip

Номер патента: US11815927B1. Автор: Jianyong QIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Voltage reduction circuit for bandgap reference voltage circuit

Номер патента: US20220011804A1. Автор: Han-Hsiang Huang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Self-starting bandgap reference devices and methods thereof

Номер патента: US20190025868A1. Автор: Daniel J. Segarra. Владелец: Intrinsix Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Bandgap reference circuit and method for producing the circuit

Номер патента: US20110215789A1. Автор: Jeroen Bouwman,Léon C.M. van den Oever. Владелец: EPCOS AG. Дата публикации: 2011-09-08.

Current-mode bandgap reference voltage variation compensation

Номер патента: US20070052404A1. Автор: Donald Richardson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-03-08.

Bandgap reference voltage generator

Номер патента: US20220253087A1. Автор: Mukul Pancholi,Sushil Kumar Gupta. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2022-08-11.

Process-invariant bandgap reference circuit and method

Номер патента: WO2006102324A2. Автор: Preetam Charan Anand Tadeparthy,Ankit SEEDHER. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2006-09-28.

Bandgap reference circuit

Номер патента: US11921535B2. Автор: Sandeep Shylaja Krishnan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Voltage reference circuit

Номер патента: US20080224682A1. Автор: Holger Haiplik. Владелец: Cirrus Logic International UK Ltd. Дата публикации: 2008-09-18.

Ultra low temperature drift bandgap reference with single point calibration technique

Номер патента: US09851731B2. Автор: Rajeev Jain,Chandrajit Debnath. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-12-26.

Method and device for generating an adjustable bandgap reference voltage

Номер патента: US09454163B2. Автор: Jimmy Fort,Thierry Soude. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2016-09-27.

A bandgap reference voltage source with high power supply rejection ratio

Номер патента: GB2541287A. Автор: He Xiaoyong,Li Mengshi,CAI Min,Wu Qinghua,He Junliang. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2017-02-15.

Switching bandgap reference circuit with compounded ΔV.sub.βΕ

Номер патента: US5867012A. Автор: Michael G. Tuthill. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 1999-02-02.

Resistance trimming in bandgap reference voltage sources

Номер патента: US20060043957A1. Автор: Carlos Carvalho. Владелец: Potentia Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-03-02.

Bandgap reference circuit using heterogeneous power and electronic device having the same

Номер патента: US20230295908A1. Автор: Kyung-Min Kim,Hyeongji LEE,Yunhwan Jung,Haesick Sul,Sunyood KANG,Yungong KIM,Seongnam-si SUH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Circuit including bandgap reference

Номер патента: US5367249A. Автор: Edward H. Honnigford. Владелец: Delco Electronics LLC. Дата публикации: 1994-11-22.

Bandgap reference circuit using heterogeneous power and electronic device having the same

Номер патента: US20210382513A1. Автор: Kyung-Min Kim,Sunyool Kang,Yunhwan Jung,Haesick Sul,Yunhong Kim,Hyeonji Lee,Seungmin SUH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-09.

Compensation for low gain bipolar transistors in voltage and current reference circuits

Номер патента: US5349286A. Автор: Andrew Marshall,Ross E. Teggatz,Thomas A. Schmidt. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1994-09-20.

Bandgap Reference Circuit

Номер патента: US20230152837A1. Автор: Thierry Michel Alain Sicard. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Temperature-compensated low-voltage bandgap reference

Номер патента: US20180307258A1. Автор: Petr Kadanka. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-10-25.

Bandgap reference circuit

Номер патента: US20180032097A1. Автор: Jian-Sing Liou. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-01.

Bandgap voltage reference circuit with current mirror loop

Номер патента: US20240168507A1. Автор: Sandeep Krishnan,Tallam VISHWANATH,Akshay Jadhav. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Circuit and method for generating a bandgap reference voltage

Номер патента: US09568933B2. Автор: Ansgar Pottbaecker,Panny Cai. Владелец: STMicroelectronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Bandgap reference and related method

Номер патента: US09915966B2. Автор: Yue-Der Chih,Chung-Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Current-mode bandgap reference with proportional to absolute temperature current and zero temperature coefficient current generation

Номер патента: US09817428B2. Автор: Eric Bohannon,Kevin FRONCZAK. Владелец: Synaptics Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Current mirror type bandgap reference voltage generator

Номер патента: US6501299B2. Автор: Young Hee Kim,Jong Doo Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-12-31.

Low power hybrid reverse bandgap reference and digital temperature sensor

Номер патента: US12061493B2. Автор: You Li,David Duarte,Yongping Fan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Low-power bandgap reference voltage generator using leakage current

Номер патента: US09671811B2. Автор: Jong Mi LEE,Jae Yoon Sim,Young Woo JI. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2017-06-06.

Reverse bandgap reference circuit with bulk diode, and switch capacitor temperature sensor with duty-cycle output

Номер патента: US20210041928A1. Автор: Matthias Eberlein. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

True low voltage bandgap reference with improved power supply rejection

Номер патента: US20060238184A1. Автор: Todd Rasmus. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-10-26.

Reverse bandgap reference circuit with bulk diode, and switch capacitor temperature sensor with duty-cycle output

Номер патента: WO2021029992A1. Автор: Matthias Eberlein. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2021-02-18.

Bandgap reference voltage generator

Номер патента: CA1172315A. Автор: John F. Holloway,Salvatore R. Riggio, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-08-07.

Fractional bandgap reference voltage generator

Номер патента: US09898030B2. Автор: Abhirup LAHIRI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2018-02-20.

Robust start-up circuit for CMOS bandgap reference

Номер патента: US6133719A. Автор: Prabir C. Maulik. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2000-10-17.

Process and temperature invariant power on reset circuit using a bandgap reference and a long delay chain

Номер патента: US7881144B1. Автор: Thomas Henry White,William Bradley Vest,Leo Min Maung. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2011-02-01.

Low power hybrid reverse bandgap reference and digital temperature sensor

Номер патента: US20240353882A1. Автор: You Li,David Duarte,Yongping Fan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Start-up circuit for bandgap references in a nand flash

Номер патента: US20240331787A1. Автор: Arvind Thakur,Subodh Prakash Taigor,Shubham Raj SINGH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

A start-up circuit for bandgap references in a nand flash

Номер патента: EP4439561A1. Автор: Arvind Thakur,Subodh Prakash Taigor,Shubham Raj SINGH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-02.

Electronic device and method for generating a curvature compensated bandgap reference voltage

Номер патента: US09372496B2. Автор: Matthias Arnold. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-06-21.

Bandgap reference voltage generator

Номер патента: US4396883A. Автор: John F. Holloway,Salvatore R. Riggio, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1983-08-02.

Band-gap reference circuit based on temperature compensation

Номер патента: US09588539B2. Автор: Lei Zhang,Can Zhu,Guang-Bing Chen,Rong-Bin Hu,Yong-Lu Wang,Zheng-Ping Zhang,Rong-Ke Ye,Yu-Han Gao,Gnag-Yi Hu. Владелец: CETC 24 Research Institute. Дата публикации: 2017-03-07.

Memory device with dynamically operated reference circuits

Номер патента: US09576642B2. Автор: Richard Ferrant,Roland Thewes. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-02-21.

Precision reference circuit and related method

Номер патента: US09726696B2. Автор: Matthew Powell,David R. Welland. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Leakage-current start-up reference circuit

Номер патента: US20150153758A1. Автор: Chao-Jen Huang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2015-06-04.

A bandgap voltage reference circuit and a method for producing a temperature curvature corrected voltage reference

Номер патента: EP1599776A1. Автор: Stefan Marinca. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2005-11-30.

Current reference circuit for low supply voltages

Номер патента: US20020196071A1. Автор: Antonino Conte,Oreste Concepito. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-12-26.

Band gap reference circuit

Номер патента: US09696746B2. Автор: Yuan-Long Siao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Bandgap voltage reference circuit topology including a feedback circuit with a scaling amplifier

Номер патента: US12045074B1. Автор: Shang-Yuan Chuang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Temperature-stable voltage reference circuit

Номер патента: WO2006069157A3. Автор: Brian J Cherek. Владелец: Brian J Cherek. Дата публикации: 2006-10-05.

Current reference circuit and semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US09996100B2. Автор: Ho-Young Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Voltage reference circuit

Номер патента: US09983614B1. Автор: Hamada Ahmed,John M. Pigott,Ivan Victorovich KOCHKIN. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Reference circuit to compensate for pvt variations in single-ended sense amplifiers

Номер патента: WO2014057033A1. Автор: Roland Thewes. Владелец: SOITEC. Дата публикации: 2014-04-17.

Voltage reference circuit

Номер патента: US09594390B2. Автор: Amit KUNDU,Jaw-Juinn Horng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Reference circuit to compensate for PVT variations in single-ended sense amplifiers

Номер патента: US09478275B2. Автор: Roland Thewes. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2016-10-25.

Hybrid self-tracking reference circuit for rram cells

Номер патента: US20210241830A1. Автор: Chung-Cheng Chou,Yu-Der Chih,Pei-Ling Tseng,Zheng-Jun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Hybrid self-tracking reference circuit for rram cells

Номер патента: US20230065104A1. Автор: Chung-Cheng Chou,Yu-Der Chih,Pei-Ling Tseng,Zheng-Jun Lin. Владелец: Ltd Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Дата публикации: 2023-03-02.

Temperature compensation arrangement and current reference circuit

Номер патента: WO1999066973A3. Автор: Andreas Rusznyak. Владелец: Andreas Rusznyak. Дата публикации: 2002-05-30.

Voltage reference circuit and method for providing reference voltage

Номер патента: US12072726B2. Автор: Alexander Kalnitsky,Eric Soenen,Alan Roth,Hsin-Li Cheng,Liang-Tai Kuo,Yen-Ting WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Hybrid self-tracking reference circuit for rram cells

Номер патента: US20240257870A1. Автор: Chung-Cheng Chou,Yu-Der Chih,Pei-Ling Tseng,Zheng-Jun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Temperature compensation arrangement and current reference circuit

Номер патента: EP1144034A2. Автор: Andreas Rusznyak. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2001-10-17.

Temperature compensation arrangement and current reference circuit

Номер патента: WO1999066973A2. Автор: Andreas Rusznyak. Владелец: Motorola Inc.. Дата публикации: 1999-12-29.

Voltage reference circuit and method for providing reference voltage

Номер патента: US20240361795A1. Автор: Alexander Kalnitsky,Eric Soenen,Alan Roth,Hsin-Li Cheng,Liang-Tai Kuo,Yen-Ting WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Methods and apparatuses for a CMOS-based process insensitive current reference circuit

Номер патента: US09977454B1. Автор: Hareesh Pathamadai Krishnamoorthy. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and wafer with reference circuit and related methods

Номер патента: US09791346B1. Автор: Jean-François Carpentier,Patrick Lemaitre,Charles Baudot,Jean-Robert Manouvrier,Bertrand Borot. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2017-10-17.

Memory device and reference circuit thereof

Номер патента: US09754639B2. Автор: Yi-Chun Shih,Chia-Fu Lee,Yu-Der Chih,Hon-Jarn Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Adaptive overshoot-voltage suppression circuit, reference circuit, chip and communication terminal

Номер патента: EP4379495A1. Автор: CHENG Chen,Chunling Li,Chenyang GAO,Yongshou WANG. Владелец: Vanchip Tianjin Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

Bandgap voltage reference circuit with an npn current bypass circuit

Номер патента: CA1321816C. Автор: Suresh M. Menon,Jay L. Cohan. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1993-08-31.

Circuit starting method, control circuit and voltage reference circuit

Номер патента: US20170227976A1. Автор: Binbin Li. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Low power voltage reference circuits

Номер патента: US20210004031A1. Автор: Giuseppe Palmisano,Germano Nicollini,Marco Orazio Cavallaro. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-01-07.

Adaptive overshoot-voltage suppression circuit, reference circuit, chip and communication terminal

Номер патента: US20240143006A1. Автор: CHENG Chen,Chunling Li,Chenyang GAO,Yongshou WANG. Владелец: Vanchip Tianjin Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Band-gap reference circuit

Номер патента: US20190235547A1. Автор: Yuan Tang. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Reference circuit for supplying a reference level for sensing in a memory

Номер патента: US5654918A. Автор: Michael Charles Hammick. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Ltd. Дата публикации: 1997-08-05.

Low Output Impedance Voltage Reference Circuit

Номер патента: US20230297127A1. Автор: Matthias Eberlein. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Reference circuit

Номер патента: EP1810108A1. Автор: Ivan Kotchkine,Alexandre Makarov. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-07-25.

Low output impedance voltage reference circuit

Номер патента: US11983026B2. Автор: Matthias Eberlein. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Temperature-compensating fluidic reference circuit

Номер патента: US3602240A. Автор: Jeffrey N Shinn,Thomas H Vogelsang. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1971-08-31.

Precision non-volatile cmos reference circuit

Номер патента: WO2007106135A3. Автор: Sorin S Georgescu,Illie Marian I Poenaru,Sabin A Eftimie. Владелец: Catalyst Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-05-07.

Precision non-volatile cmos reference circuit

Номер патента: WO2007106135A2. Автор: Sorin S. Georgescu,Sabin A. Eftimie,Illie Marian I. Poenaru. Владелец: Catalyst Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2007-09-20.

Reference circuit arrangement and method for generating a reference voltage

Номер патента: US20160224052A1. Автор: Lorenzo Paglino,Simone Verri. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2016-08-04.

Reference circuit arrangement and method for generating a reference voltage

Номер патента: WO2013017567A1. Автор: Lorenzo Paglino,Simone Verri. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2013-02-07.

Reference circuit arrangement and method for generating a reference voltage

Номер патента: US20140239936A1. Автор: Lorenzo Paglino,Simone Verri. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2014-08-28.

Temperature-compensated current reference circuit

Номер патента: WO2004025390A3. Автор: Mauro Chinosi,Lorenzo Bedarida,Giorgio Oddone. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2005-06-16.

Temperature Independent Reference Circuit

Номер патента: US20120146715A1. Автор: David Kung,Leif Lund. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2012-06-14.

Reference circuit in ferroelectric memory and method for driving the same

Номер патента: US20030002318A1. Автор: Hee Kang,Geun Lee,Duck Kim,Hun Kye,Je Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-01-02.

Current reference circuit and an electronic device including the same

Номер патента: US09946290B2. Автор: Sung-jin Kim,Ji-Hyun Kim,Tae-Ik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Reference circuit arrangement and method for generating a reference voltage

Номер патента: US09811106B2. Автор: Lorenzo Paglino,Simone Verri. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-11-07.

Signal adjustment circuit with reference circuit

Номер патента: US20060283231A1. Автор: Hung-Yi Kuo,Hui-Mei Chen. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2006-12-21.

Temperature compensated voltage reference circuit

Номер патента: US4491780A. Автор: Robert A. Neidorff. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1985-01-01.

Temperature compensated voltage regulator and reference circuit

Номер патента: US5023543A. Автор: Lawrence T. Tse. Владелец: Gennum Corp. Дата публикации: 1991-06-11.

Zero temperature coefficient reference circuit

Номер патента: CA1094651A. Автор: Robert B. Turner. Владелец: Johnson and Johnson. Дата публикации: 1981-01-27.

Band-gap reference circuit for use with cmos ic chips

Номер патента: CA1275439C. Автор: Adrian Paul Brokaw. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 1990-10-23.

Bandgap voltage reference circuit topology including a feedback circuit with a scaling amplifier

Номер патента: US20240219945A1. Автор: Shang-Yuan Chuang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

EEPROM circuit voltage reference circuit and method for providing a low temperature-coefficient voltage reference

Номер патента: US6882582B2. Автор: Thierry Sicard,Eric Scott Carman. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2005-04-19.

Voltage reference circuit

Номер патента: US4460864A. Автор: Kenneth I. Ray. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1984-07-17.

Voltage reference circuit

Номер патента: US20160147245A1. Автор: Amit KUNDU,Jaw-Juinn Horng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-26.

Voltage reference circuit with temperature compensation

Номер патента: US20110001557A1. Автор: Ming-Chieh Huang,Tien-Chun Yang,Steven Swei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-01-06.

A reference circuit and a power management unit

Номер патента: EP4261650A1. Автор: Chutham SAWIGUN,CHANG En-Chi. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-10-18.

Band gap reference circuit under low supply voltage

Номер патента: US20240176378A1. Автор: Kyung Min Shin,Harim CHOI,YongSung AHN. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Reference circuit and a power management unit

Номер патента: US20230333580A1. Автор: Chutham SAWIGUN,En-Chi CHANG. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-10-19.

Band gap reference circuit under low supply voltage

Номер патента: EP4375788A2. Автор: Kyung Min Shin,Harim CHOI,YongSung AHN. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-29.

Bandgap voltage reference circuit and method with low TCR resistor in parallel with high TCR and in series with low TCR portions of tail resistor

Номер патента: US5291122A. Автор: Jonathan M. Audy. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 1994-03-01.

Reference circuit

Номер патента: AU2003230038A1. Автор: Christofer Toumazou,Julius Georgiou. Владелец: Toumaz Technology Ltd. Дата публикации: 2003-12-02.

A voltage reference circuit and a power management unit

Номер патента: EP4266144A1. Автор: Xiaolin Yang,Chutham SAWIGUN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-10-25.

Voltage reference circuit

Номер патента: US20200301462A1. Автор: Thierry Michel Alain Sicard. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Voltage reference circuit with temperature compensation

Номер патента: US9442506B2. Автор: Ming-Chieh Huang,Tien-Chun Yang,Steven Swei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Voltage reference circuit and a power management unit

Номер патента: US20230333584A1. Автор: Xiaolin Yang,Chutham SAWIGUN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device and wafer with reference circuit and related methods

Номер патента: US20170307468A1. Автор: Jean-François Carpentier,Patrick Lemaitre,Charles Baudot,Jean-Robert Manouvrier,Bertrand Borot. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2017-10-26.

Accurate voltage reference circuit and method therefor

Номер патента: US20080150511A1. Автор: Paolo Migliavacca. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-26.

Hybrid self-tracking reference circuit for RRAM cells

Номер патента: US11984162B2. Автор: Chung-Cheng Chou,Yu-Der Chih,Pei-Ling Tseng,Zheng-Jun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Voltage reference circuit

Номер патента: US20130076331A1. Автор: Fumiyasu Utsunomiya,Taro Yamasaki. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2013-03-28.

Voltage reference circuit with linearized temperature behavior

Номер патента: US5001414A. Автор: Marco Morelli,Giampietro Maggioni,Paolo Menegoli,Massimiliano Brambilla. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1991-03-19.

Temperature-correction network with multiple corrections as for extrapolated band-gap voltage reference circuits

Номер патента: US4325018A. Автор: Otto H. Schade, Jr.. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1982-04-13.

Complementary band-gap voltage reference circuit

Номер патента: US20110187445A1. Автор: Thierray Sicard. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-08-04.

A voltage reference circuit and a power management unit

Номер патента: US20230315137A1. Автор: Chutham SAWIGUN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-10-05.

Low noise reference circuit

Номер патента: GB2598742A. Автор: Marinca Stefan,Gerard O'dwyer Thomas. Владелец: Analog Design Services Ltd. Дата публикации: 2022-03-16.

A voltage reference circuit and a power management unit

Номер патента: EP4254127A1. Автор: Chutham SAWIGUN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-10-04.

Current reference circuit

Номер патента: EP4180900A1. Автор: Thierry Michel Alain Sicard. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-05-17.

Reference circuit arrangement and method for generating a reference voltage using a branched current path

Номер патента: US9317057B2. Автор: Lorenzo Paglino,Simone Verri. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2016-04-19.

Reference voltage generator having at least one bipolar junction transistor biased by negative base voltage and associated reference voltage generating method

Номер патента: US09755507B2. Автор: Ta-Hsin Lin. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Bandgap reference circuit

Номер патента: US20210263549A1. Автор: Moez KANOUN. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2021-08-26.

Current generation circuit, and bandgap reference circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09891650B2. Автор: Yuichi Okuda,Atsushi Motozawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Current generation circuit, and bandgap reference circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09678526B2. Автор: Yuichi Okuda,Atsushi Motozawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Bandgap reference circuit, corresponding device and method

Номер патента: US20210349491A1. Автор: Germano Nicollini,Stefano Ramorini. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-11-11.

Bandgap reference circuit, corresponding device and method

Номер патента: US20210165438A1. Автор: Germano Nicollini,Stefano Ramorini. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-06-03.

Bandgap reference circuit with low output impedance stage and power-on detector

Номер патента: US09921592B2. Автор: Oleg Dadashev,Fabrice Paillet,Joseph Shor,George L. Geannopoulos,Lan D. VU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

A method of operating a startup circuit for a bandgap reference circuit, methods of assisting startup of a bandgap reference circuit, and electronic circuitry for performing the methods

Номер патента: DE102006031549B4. Автор: Dieter Draxelmayr. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-08-04.

Low Noise Bandgap References

Номер патента: US20110241646A1. Автор: Robert L. Vyne. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2011-10-06.

Bandgap reference circuit with beta-compensation

Номер патента: US09568929B2. Автор: Matthias Eberlein. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT WITH INVERTED BANDGAP PAIRS

Номер патента: US20180292849A1. Автор: Krishnan Sandeep Shylaja. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-11.

Bandgap reference circuit with inverted bandgap pairs

Номер патента: CN108693912B. Автор: S·S·克利斯南. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-05-25.

Switched capacitor temperature independent bandgap reference

Номер патента: CA1178338A. Автор: Richard W. Ulmer,Roger A. Whatley. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1984-11-20.

Precision bandgap referance circuit

Номер патента: TW407346B. Автор: David M Susak. Владелец: Microchip Tech Inc. Дата публикации: 2000-10-01.

Programmable bandgap reference voltage

Номер патента: US09377805B2. Автор: Raymond Louis Barrett, Jr.,Mark Chirachanchai. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Bandgap reference circuit and power supply circuit

Номер патента: EP2595028A3. Автор: Hideki Kiuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-01.

Bandgap reference circuit

Номер патента: TW201239573A. Автор: Yu-Tsung Lu,Ting-Hao Wang,Wen-Hsien Chuang. Владелец: Global Unichip Corp. Дата публикации: 2012-10-01.

Bandgap reference circuit

Номер патента: TWI324714B. Автор: Yue Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-05-11.

Voltage bandgap reference circuit

Номер патента: TW201100996A. Автор: Wen-Chang Cheng. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-01-01.

Bandgap reference circuit

Номер патента: TW200925823A. Автор: Bo-Wei Chen. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2009-06-16.

Shutdown mode for bandgap reference to reduce turn-on time

Номер патента: US20210318708A1. Автор: Bang Li LIANG,Gabriel Bogdan Gheorghiu. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Bandgap Reference Circuit with an Output Insensitive to Offset Voltage

Номер патента: US20120212208A1. Автор: Wen-Shen Chou,Chi-Ping Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-08-23.

Bandgap reference circuit and power supply circuit

Номер патента: US20180113485A1. Автор: Hideki Kiuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-26.

CURRENT GENERATION CIRCUIT, AND BANDGAP REFERENCE CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20170248984A1. Автор: OKUDA Yuichi,MOTOZAWA Atsushi. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-31.

Bandgap reference circuit with startup circuit and method of operation

Номер патента: US9110486B2. Автор: Joshua Siegel,Khoi B. Mai. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-08-18.

Current generation circuit, and bandgap reference circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: CN104977957A. Автор: 奥田裕一,元泽笃史. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-10-14.

Start-Up Circuits for Starting Up Bandgap Reference Circuits

Номер патента: US20110025291A1. Автор: Chia-Fu Lee,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-02-03.

Bandgap reference circuit and regulator circuit with common amplifier

Номер патента: US9030186B2. Автор: Rakesh K. Gupta,Jaideep Banerjee,Sanjay K. Wadhwa. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-05-12.

Startup circuit of a bandgap reference circuit

Номер патента: KR100454215B1. Автор: 권종기,정희범,조한진. Владелец: 브이케이 주식회사. Дата публикации: 2004-10-26.

Bandgap Reference Circuit with an Output Insensitive to Offset Voltage

Номер патента: US20100207597A1. Автор: Wen-Shen Chou,Chi-Ping Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-08-19.

Precision bandgap reference with trim adjustment

Номер патента: US20200183440A1. Автор: Todd Morgan Rasmus. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Bandgap reference circuit and power supply circuit

Номер патента: US20160282895A1. Автор: Hideki Kiuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

CURRENT GENERATION CIRCUIT, AND BANDGAP REFERENCE CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20150293552A1. Автор: OKUDA Yuichi,MOTOZAWA Atsushi. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-15.

Adjustable second-order-compensation bandgap reference

Номер патента: US20130234781A1. Автор: Gabriele Bernardinis. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2013-09-12.

Bandgap Reference Circuit and Related Method

Номер патента: US20150054486A1. Автор: LI Chih-Feng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-02-26.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20200081477A1. Автор: HORNG Jaw-Juinn,Chen Yi-Wen,Chang Chin-Ho. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

Bandgap reference circuit capable of trimming using additional resistor

Номер патента: KR100809716B1. Автор: 김형석. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-03-06.

Low-voltage bandgap reference circuit

Номер патента: US20020180515A1. Автор: Ion Opris. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Bandgap Reference Circuits With Isolated Trim Elements

Номер патента: US20080116874A1. Автор: Michael J. Mottola. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 2008-05-22.

TEMPERATURE ADAPTIVE BANDGAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20130314068A1. Автор: ZHANG BO,Luo Ping,Yang Kang,Zhen Shaowei,Yang Ruhui. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2013-11-28.

Bandgap Reference Circuit with Beta-Compensation

Номер патента: US20160026198A1. Автор: Eberlein Matthias. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20180032097A1. Автор: LIOU Jian-Sing. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-01.

LOW VOLTAGE BANDGAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20140176112A1. Автор: Wu Chung-Cheng,CHANG Ching-Hung,Chen Chung-Hao,KUO CHUN-LUNG,WU CHING-TANG. Владелец: Integrated Circuit Solution Inc.. Дата публикации: 2014-06-26.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT, CORRESPONDING DEVICE AND METHOD

Номер патента: US20210165438A1. Автор: Ramorini Stefano,Nicollini Germano. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2021-06-03.

LOW SUPPLY VOLTAGE BANDGAP REFERENCE CIRCUIT AND METHOD

Номер патента: US20140247034A1. Автор: Lok Chi Fung,Shen Le Feng. Владелец: Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited. Дата публикации: 2014-09-04.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20190163224A1. Автор: HORNG Jaw-Juinn,Chen Yi-Wen,Chang Chin-Ho. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20160252923A1. Автор: Nien Shu-Han. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-01.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20180314280A1. Автор: TAN KOK-SIANG. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-01.

Bandgap Reference Circuit and Method for Room Temperature Trimming with Replica Elements

Номер патента: US20160334816A1. Автор: Ji Cang. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-17.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20200326742A1. Автор: Chang Chia-Fu. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-15.

Low supply voltage sub-bandgap reference circuit

Номер патента: US6281743B1. Автор: James T. Doyle. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2001-08-28.

Bandgap reference circuits

Номер патента: CN1967428A. Автор: 林大新. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2007-05-23.

Low voltage bandgap reference circuit with reduced area

Номер патента: US20050052173A1. Автор: Philip Neaves. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-03-10.

Bandgap reference circuit

Номер патента: US9141124B1. Автор: Shu-Han Nien. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2015-09-22.

Low voltage ultra-low power continuous time reverse bandgap reference circuit

Номер патента: US10642304B1. Автор: Avinash Shreepathi Bhat. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-05-05.

Liquid crystal display apparatus and bandgap reference circuit thereof

Номер патента: TW200929149A. Автор: Ming-Dou Ker,Hsiao-Wen Zan,Ting-Chou Lu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2009-07-01.

Volatage bandgap reference circuit

Номер патента: US20100315156A1. Автор: Wen-Chang Cheng. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2010-12-16.

Bandgap reference circuit

Номер патента: TW200910048A. Автор: Chia-Wei Chang,Yan-Hua Peng,Uei-Shan Uang. Владелец: Faraday Tech Corp. Дата публикации: 2009-03-01.

Bandgap reference circuit

Номер патента: TW202202968A. Автор: 莫茲 卡農. Владелец: 美商半導體組件工業公司. Дата публикации: 2022-01-16.

Bandgap reference circuit and method

Номер патента: CN1202039A. Автор: 托马斯·A·索莫威勒,罗伯特·L·乌恩. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-12-16.

Bandgap reference circuits

Номер патента: US20050237045A1. Автор: Wen-Cheng Yen,Chao-Chi Lee. Владелец: Faraday Technology Corp. Дата публикации: 2005-10-27.

Intermittently activated bandgap reference circuit

Номер патента: US20120326695A1. Автор: Chung-Zen Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2012-12-27.

Bandgap Reference Circuit and Self-Referenced Regulator

Номер патента: US20140077789A1. Автор: HU Min-Hung,Wu Chen-Tsung,Huang Chiu-Huang. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2014-03-20.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT AND HIGH-ORDER TEMPERATURE COMPENSATION METHOD

Номер патента: US20200073429A1. Автор: Chen Junjie,HE Shuzhuan,JIANG Zhaoyu. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

Low voltage ultra-low power continuous time reverse bandgap reference circuit

Номер патента: US20200142438A1. Автор: Avinash Shreepathi Bhat. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Bandgap Reference Circuit

Номер патента: US20140266139A1. Автор: Eberlein Matthias. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20170177017A1. Автор: Yu Kuo-Feng,CHEN Chung-Hui,HORNG Jaw-Juinn. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20140266413A1. Автор: Eberlein Matthias. Владелец: Intel Mobile Communications GmbH. Дата публикации: 2014-09-18.

Apparatus and Method for a Modified Brokaw Bandgap Reference Circuit for Improved Low Voltage Power Supply

Номер патента: US20150227156A1. Автор: KOBAYASHI Hidenori. Владелец: Dialog Semiconductor GmbH. Дата публикации: 2015-08-13.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20210247792A1. Автор: SHOU Xiaoqiang. Владелец: ZJW Microelectronics Limited. Дата публикации: 2021-08-12.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20210263549A1. Автор: KANOUN Moez. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2021-08-26.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT WITH LOW OUTPUT IMPEDANCE STAGE AND POWER-ON DETECTOR

Номер патента: US20160246315A1. Автор: Shor Joseph,Paillet Fabrice,Geannopoulos George L.,VU Lan D.,DADASHEV Oleg. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-25.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20190235542A1. Автор: TAN KOK-SIANG. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-01.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20140340068A1. Автор: Lin Wen-Sheng. Владелец: UPI SEMICONDUCTOR CORP.. Дата публикации: 2014-11-20.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20170269627A1. Автор: Cook Aaron. Владелец: Allegro Microsystems, LLC. Дата публикации: 2017-09-21.

Bandgap Reference Circuit Using Comparator

Номер патента: KR100930500B1. Автор: 이길재,정성익. Владелец: 신코엠 주식회사. Дата публикации: 2009-12-09.

Cmos bandgap reference circuit

Номер патента: US20070152741A1. Автор: Matthias Arnold,Gabriel RINCON-MORA. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2007-07-05.

Bandgap reference circuits

Номер патента: US7679352B2. Автор: Yan-Hua Peng,Uei-Shan Uang. Владелец: Faraday Technology Corp. Дата публикации: 2010-03-16.

Bandgap reference circuits

Номер патента: US20100102794A1. Автор: Rogelio L. Erbito, JR.. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-04-29.

Bandgap reference circuit

Номер патента: US7619401B2. Автор: Ming-Tse Lin,An-Chung Chen,Hung-Cheng Huang,Wen-Lung Cheng. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2009-11-17.

Low voltage bandgap reference circuit

Номер патента: US6426669B1. Автор: Jay Friedman,Ion E. Opris. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-07-30.

Low power bandgap reference circuit with increased accuracy and reduced footprint

Номер патента: JP2009522661A. Автор: ジョージェスク，ボグダン・アイ,グラディナリウ，イウリアン・シイ. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-06-11.

Self-adaptive temperature bandgap reference circuit

Номер патента: CN102141818A. Автор: 张波,罗萍,甄少伟,杨康,杨汝辉. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2011-08-03.

Bandgap reference circuit

Номер патента: TW200536259A. Автор: Wen-Cheng Yen,Chao-Chi Lee. Владелец: Faraday Tech Corp. Дата публикации: 2005-11-01.

Bandgap reference circuit and method

Номер патента: TW386302B. Автор: Thomas A Somerville,Robert L Vyne. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-04-01.

Low voltage bandgap reference circuit

Номер патента: TW201024956A. Автор: Chih-Hsun Yang. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-07-01.

Bandgap reference circuit and method of operating the same

Номер патента: CN110597345B. Автор: 刘海玲,刘迎迎,董怀朋. Владелец: Appropriate Semiconductor Suzhou Co ltd. Дата публикации: 2021-01-08.

Low noise bandgap reference apparatus

Номер патента: US20190101948A1. Автор: Matthias Eberlein. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Managing curvature compensation in bandgap reference voltage output in compensation circuit

Номер патента: EP4435556A1. Автор: Subodh Prakash Taigor,Shubham Raj SINGH,Ravindra Kumar Singh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-25.

Managing curvature compensation in bandgap reference voltage output in compensation circuit

Номер патента: US20240319754A1. Автор: Subodh Prakash Taigor,Shubham Raj SINGH,Ravindra Kumar Singh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Method and device for generating an adjustable bandgap reference voltage

Номер патента: US09804631B2. Автор: Jimmy Fort,Thierry Soude. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-10-31.

System and Method for a Low Voltage Bandgap Reference

Номер патента: US20130169259A1. Автор: Vivek Verma,Saurabh SAXENA. Владелец: STMICROELECTRONICS PVT LTD. Дата публикации: 2013-07-04.

PROGRAMMABLE BANDGAP REFERENCE VOLTAGE

Номер патента: US20150102856A1. Автор: Barrett,JR. Raymond Louis,Chirachanchai Mark. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-16.

A leakage-based startup-free bandgap reference generator

Номер патента: KR101733157B1. Автор: 심재윤,이종미,지영우. Владелец: 포항공과대학교 산학협력단. Дата публикации: 2017-05-08.

Bandgap reference voltage generating circuit

Номер патента: CN114253338B. Автор: 张�杰,迮德东. Владелец: Shanghai Frequen Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2022-10-18.

Low voltage bandgap reference (BGR) circuit

Номер патента: US7170336B2. Автор: Jenshou Hsu. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2007-01-30.

Curvature-corrected bandgap reference

Номер патента: US9740229B2. Автор: Nauman AFZAL. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Bandgap reference voltage circuit

Номер патента: US20070035286A1. Автор: Tsung-Hsiu Wu,Jian-Lung Lee. Владелец: Analog Integrations Corp. Дата публикации: 2007-02-15.

Electronic Device and Method for Generating a Curvature Compensated Bandgap Reference Voltage

Номер патента: US20130249527A1. Автор: Arnold Matthias. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2013-09-26.

CIRCUIT AND METHOD FOR GENERATING A BANDGAP REFERENCE VOLTAGE

Номер патента: US20140070788A1. Автор: Pottbaecker Ansgar,Cai Panny. Владелец: STMicroelectronics R&D (Shanghai) Co. Ltd.. Дата публикации: 2014-03-13.

CURVATURE-CORRECTED BANDGAP REFERENCE

Номер патента: US20140117966A1. Автор: SHAEFFER Derek,AFZAL Nauman. Владелец: InvenSense, Inc.. Дата публикации: 2014-05-01.

Bandgap reference voltage circuit and electronic apparatus thereof

Номер патента: US20150048879A1. Автор: Ching-Rong Chang,Bou-Ching Fung. Владелец: ILI Techonology Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

LOW POWER HYBRID REVERSE BANDGAP REFERENCE AND DIGITAL TEMPERATURE SENSOR

Номер патента: US20220100221A1. Автор: LI You,Fan Yongping,Duarte David. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-03-31.

ULTRA LOW TEMPERATURE DRIFT BANDGAP REFERENCE WITH SINGLE POINT CALIBRATION TECHNIQUE

Номер патента: US20160124445A1. Автор: Jain Rajeev,Debnath Chandrajit. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-05.

BANDGAP REFERENCE CIRCUITRY

Номер патента: US20190129461A1. Автор: SONE Yasuhiko. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

SCALABLE LOW OUTPUT IMPEDANCE BANDGAP REFERENCE WITH CURRENT DRIVE CAPABILITY AND HIGH-ORDER TEMPERATURE CURVATURE COMPENSATION

Номер патента: US20200125129A1. Автор: IBRAHIM Sameh Assem,VEERAVALLI RAGHUPATHY Anand,TOUBAR Mostafa Mohamed Hesham Kamel,ROBINSON Moises Emanuel. Владелец: Vidatronic Inc.. Дата публикации: 2020-04-23.

LOW-POWER PULSED BANDGAP REFERENCE

Номер патента: US20170160763A1. Автор: Barbelenet Cedric. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

METHODS AND APPARATUS FOR NEGATIVE OUTPUT VOLTAGE ACTIVE CLAMPING USING A FLOATING BANDGAP REFERENCE AND TEMPERATURE COMPENSATION

Номер патента: US20180181151A1. Автор: Ma Jun,Wang Yang,He Yan,Xu Jingwei,Ma Qingjie,XU Alvin,CUI Zhenghao. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-28.

SHUTDOWN MODE FOR BANDGAP REFERENCE TO REDUCE TURN-ON TIME

Номер патента: US20210318708A1. Автор: Liang Bang Li,Gheorghiu Gabriel Bogdan. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-14.

Bandgap Reference Voltage Failure Detection

Номер патента: US20150286236A1. Автор: Gerber Johannes,Arnold Matthias,Dornseifer Frank. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2015-10-08.

VERIFICATION OF BANDGAP REFERENCE STARTUP

Номер патента: US20150309088A1. Автор: Gerber Johannes,Arnold Matthias,QAIYUM ASIF. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2015-10-29.

Electronic Device and Method for Generating a Curvature Compensated Bandgap Reference Voltage

Номер патента: US20150331439A1. Автор: Arnold Matthias. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-19.

Low-power bandgap reference voltage generator using leakage current

Номер патента: US20160334826A1. Автор: Jong Mi LEE,Jae Yoon Sim,Young Woo JI. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2016-11-17.

Method and Device for Generating an Adjustable Bandgap Reference Voltage

Номер патента: US20160357213A1. Автор: Fort Jimmy,Soude Thierry. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-08.

Self-biased bandgap reference voltage generation circuit

Номер патента: KR100585141B1. Автор: 박광일. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-05-30.

Bandgap reference voltage generator

Номер патента: KR101944359B1. Автор: 정재호,이광천,조영균. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2019-01-31.

Bandgap reference voltage generating circuit, integrated circuit, and electronic device

Номер патента: CN113778162B. Автор: 范明浩,韩书光. Владелец: Beijing Shimao Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2022-08-09.

Circuit arrangement for the generation of a bandgap reference voltage

Номер патента: US10019026B2. Автор: Calogero Marco Ippolito,Mario Chiricosta. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-07-10.

Start-up circuit for generating bandgap reference voltage

Номер патента: US8008966B2. Автор: Eun Sang Cho. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-08-30.

Bandgap reference voltage with low noise sensitivity

Номер патента: US6411158B1. Автор: Daniel L. Essig. Владелец: Conexant Systems LLC. Дата публикации: 2002-06-25.

CMOS voltage bandgap reference with improved headroom

Номер патента: CN1732419A. Автор: 斯蒂范·玛丽卡. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2006-02-08.

Low-power start-up circuit for bandgap reference voltage generator

Номер патента: US7659705B2. Автор: Kenneth Wai Ming Hung. Владелец: Smartech Worldwide Ltd. Дата публикации: 2010-02-09.

Bandgap reference circuitry

Номер патента: US10379567B2. Автор: Yasuhiko Sone. Владелец: Synaptics Inc. Дата публикации: 2019-08-13.

Folded cascode bandgap reference voltage circuit

Номер патента: CN1577204A. Автор: B·罗森塞尔. Владелец: ANALOGIC MICROELECTRONIC Inc. Дата публикации: 2005-02-09.

Method and device for generating an adjustable bandgap reference voltage

Номер патента: CN102789254A. Автор: J·弗特,T·索德. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2012-11-21.

Switched capacitor bandgap reference.

Номер патента: EP0070315A4. Автор: Richard Walter Ulmer,Roger A Whatley. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1983-06-17.

Device for generating an adjustable bandgap reference voltage with large power supply rejection rate

Номер патента: CN102789260A. Автор: J·弗特,T·索德. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2012-11-21.

Low-voltage source bandgap reference voltage circuit and integrated circuit

Номер патента: US20110309818A1. Автор: Hongquan Sun. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-22.

Perfectly curvature correted bandgap reference

Номер патента: TW200728950A. Автор: Scott C Mcleod. Владелец: Standard Microsyst Smc. Дата публикации: 2007-08-01.

밴드갭(Bandgap) 기준전압(Reference)회로

Номер патента: KR970055516A. Автор: 김영생. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-07-31.

FRACTIONAL BANDGAP REFERENCE VOLTAGE GENERATOR

Номер патента: US20180017986A1. Автор: Lahiri Abhirup. Владелец: STMICROELECTRONICS INTERNATIONAL N.V.. Дата публикации: 2018-01-18.

SELF-STARTING BANDGAP REFERENCE DEVICES AND METHODS THEREOF

Номер патента: US20190025868A1. Автор: Segarra Daniel J.. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

METHODS AND APPARATUS FOR LOW INPUT VOLTAGE BANDGAP REFERENCE ARCHITECTURE AND CIRCUITS

Номер патента: US20160041570A1. Автор: Shrivastava Aatmesh. Владелец: PSIKICK, INC.. Дата публикации: 2016-02-11.

Bandgap Reference and Related Method

Номер патента: US20150054485A1. Автор: Yue-Der Chih,Chung-Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-02-26.

Circuit arrangement for the generation of a bandgap reference voltage

Номер патента: US20190072994A1. Автор: Calogero Marco Ippolito,Mario Chiricosta. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-03-07.

Bandgap reference voltage generator

Номер патента: US20140159700A1. Автор: Jae Ho Jung,Kwang Chun Lee,Young Kyun Cho. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2014-06-12.

LOW NOISE BANDGAP REFERENCE APPARATUS

Номер патента: US20190101948A1. Автор: Eberlein Matthias. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-04-04.

BANDGAP REFERENCE VOLTAGE CIRCUIT

Номер патента: US20220179441A1. Автор: Sicard Thierry Michel Alain. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-09.

BANDGAP REFERENCE VOLTAGE GENERATING CIRCUIT

Номер патента: US20210157351A1. Автор: Kang Sungchan,KIM Cheheung,KANG Hyunwook,RHEE Choongho,HONG Hyeokki,YOON Yongseop. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-05-27.

FRACTIONAL BANDGAP REFERENCE VOLTAGE GENERATOR

Номер патента: US20180129239A1. Автор: Lahiri Abhirup. Владелец: STMICROELECTRONICS INTERNATIONAL N.V.. Дата публикации: 2018-05-10.

Method and Device for Generating an Adjustable Bandgap Reference Voltage

Номер патента: US20150145487A1. Автор: Fort Jimmy,Soude Thierry. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-28.

Device for Generating an Adjustable Bandgap Reference Voltage with Large Power Supply Rejection Rate

Номер патента: US20150153753A1. Автор: Fort Jimmy,Soude Thierry. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-04.

BANDGAP REFERENCE VOLTAGE GENERATING CIRCUIT

Номер патента: US20150185746A1. Автор: Wang Chiao-Hsing. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

PRECISION BANDGAP REFERENCE WITH TRIM ADJUSTMENT

Номер патента: US20200183440A1. Автор: Rasmus Todd Morgan. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-11.

BANDGAP REFERENCE VOLTAGE CIRCUIT

Номер патента: US20160209860A1. Автор: KUO Cheng-Hsiung,YEN CHEN-LUN. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-21.

SUB-BANDGAP REFERENCE VOLTAGE SOURCE

Номер патента: US20200192414A1. Автор: Pigott John,Mouret Guillaume,Sicard Thierry Michel Alain. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

DIGITAL SWITCH-CAPACITOR BASED BANDGAP REFERENCE AND THERMAL SENSOR

Номер патента: US20160224146A1. Автор: Malevsky Sharon. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

METHODS AND APPARATUS FOR LOW INPUT VOLTAGE BANDGAP REFERENCE ARCHITECTURE AND CIRCUITS

Номер патента: US20180217622A1. Автор: Shrivastava Aatmesh. Владелец: PSIKICK, INC.. Дата публикации: 2018-08-02.

PRECISION BANDGAP REFERENCE

Номер патента: US20160266598A1. Автор: Jain Rajeev,Wong Mong Chit,Shahrokhinia Sassan,Wang Bo-Ren,Dang Nam Van. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

CIRCUIT ARRANGEMENT FOR THE GENERATION OF A BANDGAP REFERENCE VOLTAGE

Номер патента: US20200264648A1. Автор: Ippolito Calogero Marco,Chiricosta Mario. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2020-08-20.

AUTO-CALIBRATED BANDGAP REFERENCE

Номер патента: US20190278312A1. Автор: LIN Hsiao-Ming. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2019-09-12.

TEMPERATURE-COMPENSATED LOW-VOLTAGE BANDGAP REFERENCE

Номер патента: US20180307258A1. Автор: Kadanka Petr. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2018-10-25.

CURVATURE-CORRECTED BANDGAP REFERENCE

Номер патента: US20150338872A1. Автор: AFZAL Nauman. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-26.

BANDGAP REFERENCE VOLTAGE GENERATOR CIRCUITS

Номер патента: US20150346746A1. Автор: NGUYEN Bai Yen,HUANG Zhiqi,TAM Yoke Weng,LAU Benjamin Shui Chor. Владелец: GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2015-12-03.

CURRENT-MODE BANDGAP REFERENCE WITH PROPORTIONAL TO ABSOLUTE TEMPERATURE CURRENT AND ZERO TEMPERATURE COEFFICIENT CURRENT GENERATION

Номер патента: US20160349786A1. Автор: Bohannon Eric,FRONCZAK Kevin. Владелец: SYNAPTICS INCORPORATED. Дата публикации: 2016-12-01.

A strat-up circuit for bandgap reference voltage generation

Номер патента: KR100940150B1. Автор: 조은상. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2010-02-03.

Bandgap reference voltage generating circuit

Номер патента: CN110083193B. Автор: 王钊,姜伟,常星. Владелец: Nanjing Zgmicro Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-27.

Methods and apparatus for low input voltage bandgap reference architecture and circuits

Номер патента: US9158320B1. Автор: Aatmesh Shrivastava. Владелец: PSIKICK Inc. Дата публикации: 2015-10-13.

Bandgap reference voltage generator

Номер патента: KR100353815B1. Автор: Young Hee Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-09-28.

Bandgap reference voltage circuit

Номер патента: JP2747313B2. Автор: エルケ・ホール. Владелец: Philips Electronics NV. Дата публикации: 1998-05-06.

Bandgap reference voltage generating circuit and electronic system using the same

Номер патента: TWI502304B. Автор: Jaw Ming Ding,Hsin Chin Chang. Владелец: Advanced Semiconductor Eng. Дата публикации: 2015-10-01.

Bandgap reference voltage generator circuits

Номер патента: US9489004B2. Автор: Zhiqi Huang,Yoke Weng Tam,Bai Yen NGUYEN,Benjamin Shui Chor Lau. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Low voltage bandgap reference source

Номер патента: US20080265860A1. Автор: Dennis A. Dempsey,Stefan Marinca. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2008-10-30.

Bandgap reference voltage generating circuit

Номер патента: KR20210064497A. Автор: 이충호,윤용섭,강현욱,김재흥,홍혁기,강성찬. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-06-03.

Start-up circuit for bandgap reference

Номер патента: US9710010B2. Автор: Chun-Ju SHEN,Mao-Ter Chen,Jenn-Gang Chern. Владелец: SK Hynix Memory Solutions America Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

CMOS circuit for providing a bandgap reference voltage

Номер патента: EP0701190A2. Автор: Walter C. Seelbach. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1996-03-13.

Bandgap reference voltage circuit

Номер патента: CN105807836A. Автор: 严振伦,郭政雄. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-27.

Bandgap reference voltage circuit.

Номер патента: DE68911708T2. Автор: Eerke Holle. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1994-06-30.

Bandgap reference voltage generator with vcc compensation

Номер патента: WO1985002472A1. Автор: Tsen-Shau Yang. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1985-06-06.

Low supply voltage BICMOS self-biased bandgap reference using a current summing architecture

Номер патента: US6181121B1. Автор: Bertrand J. Williams,Brian Kirkland,Steven Meyers. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-01-30.

Fast start-up low-voltage bandgap reference voltage generator

Номер патента: TWI399631B. Автор: Kwan Jen Chu,Nien Hui Kung,Hsuan Kai Wang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2013-06-21.

--- bandgap reference voltage generation circuit

Номер патента: DE10156812B4. Автор: Kevin Scoones. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2004-07-08.

Bandgap reference voltage generating circuit

Номер патента: TWI720610B. Автор: 林俊谷,吳昌憲. Владелец: 新唐科技股份有限公司. Дата публикации: 2021-03-01.

CMOS bandgap reference voltage circuits.

Номер патента: ES8707042A1. Автор: . Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1987-07-16.

CMOS bandgap reference with low voltage operation

Номер патента: US20040155700A1. Автор: Richard Gower,Bhupendra Ahuja. Владелец: Exar Corp. Дата публикации: 2004-08-12.

CIRCUIT ARRANGEMENT FOR THE GENERATION OF A BANDGAP REFERENCE VOLTAGE

Номер патента: US20180299920A1. Автор: Ippolito Calogero Marco,Chiricosta Mario. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2018-10-18.

CIRCUIT ARRANGEMENT FOR THE GENERATION OF A BANDGAP REFERENCE VOLTAGE

Номер патента: US20160327972A1. Автор: Ippolito Calogero Marco,Chiricosta Mario. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2016-11-10.

Bandgap reference voltage generator and semiconductor device thereof

Номер патента: KR100825029B1. Автор: 변상진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-04-24.

Reading circuit, reference circuit, and semiconductor memory device

Номер патента: EP1387362A3. Автор: Takeshi Nojima,Shinsuke Anzai,Yasumichi Mori,Takahiko Yoshimoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-02-28.

Highly tunable ultra-low temperature coefficient bandgap precision reference circuit

Номер патента: US20230393603A1. Автор: Richard Kok Keong Lum,Jodi Lee Mei Hong. Владелец: Mpics Innovations Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Reference circuit for write driver circuit with programmable write current, overshoot duration and overshoot amplitude control

Номер патента: US20030081339A1. Автор: Tuan Ngo,Raymond Barnett,Scott Sorenson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-05-01.

Curvature compensation circuits for bandgap voltage reference circuits

Номер патента: US20240241535A1. Автор: Uwe Eckhardt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Curvature compensation circuits for bandgap voltage reference circuits

Номер патента: EP4400935A1. Автор: Uwe Eckhardt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

All-cmos, low-voltage, wide-temperature range, voltage reference circuit

Номер патента: EP3000006A2. Автор: Julius Georgiou,Charalambos Micheal ANDREOU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-30.

All-CMOS, low-voltage, wide-temperature range, voltage reference circuit

Номер патента: US09864392B2. Автор: Charalambos Andreou,Julius Georgiou. Владелец: Cyprus, University of. Дата публикации: 2018-01-09.

Current reference circuit with process, voltage, and wide-range temperature compensation

Номер патента: US20240077902A1. Автор: Martin LUEKER-BODEN,Mohammad Reza Mahmoodi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-07.

Voltage reference circuit and power supply circuit based on same

Номер патента: US20240338044A1. Автор: Szu-Lin LIU,Bei-Shing Lien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

LDO/band gap reference circuit

Номер патента: US12147255B2. Автор: Yi-Wen Chen,Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO,Bindu Madhavi Kasina. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Regulator circuit and reference circuit having high PSRR and switch circuit thereof

Номер патента: US11927975B2. Автор: Chuang-Shen Voo. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Regulator circuit and reference circuit having high psrr and switch circuit thereof

Номер патента: US20230168704A1. Автор: Chuang-Shen Voo. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2023-06-01.

Reference circuit for a non-volatile ferroelectric memory

Номер патента: US5424975A. Автор: Tyler A. Lowrey,Wayne I. Kinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1995-06-13.

Reading circuit, reference circuit, and semiconductor memory device

Номер патента: TW200411674A. Автор: Takeshi Nojima,Shinsuke Anzai,Yasumichi Mori,Takahiko Yoshimoto. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2004-07-01.

Reading circuit, reference circuit, and semiconductor memory device

Номер патента: TWI226069B. Автор: Takeshi Nojima,Shinsuke Anzai,Yasumichi Mori,Takahiko Yoshimoto. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2005-01-01.

Reading circuit, reference circuit, and semiconductor memory device

Номер патента: EP1387362B1. Автор: Takeshi Nojima,Shinsuke Anzai,Yasumichi Mori,Takahiko Yoshimoto. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-27.

Reference circuit and signal adjusting circuit

Номер патента: TW200701651A. Автор: Hung-Yi Kuo,Jenny Chen. Владелец: Via Tech Inc. Дата публикации: 2007-01-01.

Voltage reference circuit

Номер патента: US09864393B2. Автор: Amit KUNDU,Jaw-Juinn Horng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Dynamically controlled voltage reference circuit

Номер патента: US5589794A. Автор: David C. McClure. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 1996-12-31.

Temperature insensitive reference circuit for use in a voltage detection circuit

Номер патента: US20070170977A1. Автор: Matthew Von Thun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-26.

ELECTRONIC CIRCUIT HAVING BAND-GAP REFERENCE CIRCUIT AND START-UP CIRCUIT, AND METHOD OF STARTING-UP BAND-GAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20140340070A1. Автор: LEE Chia-Fu,LI Chih-Feng. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-20.

A voltage reference circuit for ultra-thin oxide technology and low voltage applications

Номер патента: US20060170487A1. Автор: John Fifield,Wagdi Abadeer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-08-03.

Voltage reference circuit

Номер патента: FR2653572A1. Автор: Breugnot Frederic,Edme Frank. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1991-04-26.

Circuit starting method, control circuit and voltage reference circuit

Номер патента: US20170227976A1. Автор: Binbin Li. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Pixels and reference circuits and timing techniques

Номер патента: US10657895B2. Автор: Gholamreza Chaji,Yaser Azizi,Arash Moradi,Hongxin Liu. Владелец: Ignis Innovation Inc. Дата публикации: 2020-05-19.

Circuit for providing positive temperature coefficient current, circuit for providing negative temperature coefficient current and current reference circuit using the same

Номер патента: KR100596978B1. Автор: 이승훈,짱웨이청. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-07-05.

Improvements in or relating to voltage reference circuits

Номер патента: GB828646A. Автор: . Владелец: GEORGE COWAN FLEMING. Дата публикации: 1960-02-24.

Voltage reference circuit and voltage detection circuit using the voltage reference circuit

Номер патента: JP2935819B2. Автор: ヒュー、マッキンタイアー. Владелец: ESU TEII MAIKUROEREKUTORONIKUSU Ltd. Дата публикации: 1999-08-16.

Circuit start method, control circuit and voltage reference circuit

Номер патента: EP3182242A4. Автор: Binbin Li. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2017-09-06.

LDO/Band Gap Reference Circuit

Номер патента: US20230244258A1. Автор: Yi-Wen Chen,Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO,Bindu Madhavi Kasina. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Memory device and reference circuit thereof

Номер патента: US11848040B2. Автор: Yi-Chun Shih,Chia-Fu Lee,Yu-Der Chih,Hon-Jarn Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Constant current circuit and voltage reference circuit

Номер патента: US20130106394A1. Автор: Yuji Kobayashi. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2013-05-02.

Proportional to Absolute Temperature Reference Circuit and a Voltage Reference Circuit

Номер патента: US20180059707A1. Автор: Marinca Stefan. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

CURRENT REFERENCE CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20170075377A1. Автор: SHIN HO-YOUNG. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

STARTUP CIRCUIT TO INITIALIZE VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20180217625A1. Автор: Li Cheng,CHEN CHIN-HUI,HUANG Tsung-Ching. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-02.

CURRENT REFERENCE CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20180284831A1. Автор: SHIN HO-YOUNG. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

High-order temperature compensation circuit and low-temperature drift voltage reference circuit

Номер патента: CN111176364A. Автор: 罗家俊,刘海南,韩郑生,陆航,蔡小五. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-05-19.

Current reference circuit and electronic device including the current reference circuit

Номер патента: KR102349418B1. Автор: 김성진,김지현,김태익. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2022-01-10.

Generator of regulated voltage for integrated circuit, comprises potential barrier reference circuit with load resistance chosen to compensate voltage variations in gain stage due to temperature

Номер патента: FR2814253A1. Автор: Edith Kussener. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2002-03-22.

Electrical regulator apparatus including a zero temperature coefficient voltage reference circuit

Номер патента: US3617859A. Автор: Robert C Dobkin,Robert J Widlar. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1971-11-02.

Reference circuit, integrated circuit, and electronic device

Номер патента: CN113885639B. Автор: 陈世超,许建超,孙添平,戴贵荣,戴庆田. Владелец: Shenzhen Aixiesheng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-05.

Self-adaptive overshoot voltage suppression circuit, reference circuit, chip and communication terminal

Номер патента: CN113311896A. Автор: 陈成,李春领,林升,王永寿. Владелец: Vanchip Tianjin Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-27.

Bias circuit for a voltage reference circuit

Номер патента: EP0918272B1. Автор: Raymond D. Zoellick. Владелец: Fluke Corp. Дата публикации: 2001-11-28.

A bandgap voltage reference circuit and a current biasing circuit

Номер патента: TWI459176B. Автор: Stefan Marinca. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2014-11-01.

Proportional to absolute temperature reference circuit and voltage reference circuit

Номер патента: CN107783584B. Автор: S·玛林卡. Владелец: Analog Devices Global ULC. Дата публикации: 2020-09-15.

A band gap reference circuit and a circuit for generating a voltage using the same

Номер патента: KR100654047B1. Автор: 임재형. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-12-05.

Eeprom circuit, voltage reference circuit and method for providing a low temperature-coefficient voltage reference

Номер патента: EP1271549B1. Автор: Thierry Sicard,Eric Scott Carman. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2005-02-02.

Low-noise reference circuit and low-dropout linear voltage stabilizing circuit thereof

Номер патента: CN114489215A. Автор: 王海波,杨国江. Владелец: Jiangsu Changjing Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-05-13.

Self-adaptive overshoot voltage suppression circuit, reference circuit, chip and communication terminal

Номер патента: CN113311896B. Автор: 陈成,李春领,林升,王永寿. Владелец: Vanchip Tianjin Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-17.

Temperature compensated bandgap voltage reference circuit

Номер патента: US4447784A. Автор: Robert C. Dobkin. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1984-05-08.

Equipment for measuring excitation current in vehicle generator, comprises transistors in excitation and reference circuits, comparator which controls counter and current in reference circuit

Номер патента: FR2839365A1. Автор: Guenter Nasswetter,Volker Haller. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2003-11-07.

A tunable reference circuit comprising magnetic tunnel junction elements for a semiconductor memory circuit

Номер патента: CN104272391A. Автор: X·李,T·金,J·P·金. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-01-07.

Current reference circuit utilizing a current replication circuit

Номер патента: US8358119B2. Автор: Hyoung-Rae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-22.

Power supply with reference circuit and stabilized circuit

Номер патента: KR100260064B1. Автор: 요한네스 요세푸스 코르넬리스 롬메르스 안토니우스. Владелец: 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.. Дата публикации: 2000-08-01.

Voltage reference circuits

Номер патента: GB2098370A. Автор: . Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1982-11-17.

Current-mode programmable reference circuits and methods therefor

Номер патента: HK1160939A1. Автор: ．雅各布,．佩特羅伊努. Владелец: 半導體元件工業有限責任公司. Дата публикации: 2012-08-17.

Current-mode programmable reference circuits and methods therefor

Номер патента: TW201144971A. Автор: Alexandra-Oana Petroianu,Radu H Iacob. Владелец: Semiconductor Components Ind. Дата публикации: 2011-12-16.

Systems and methods for a reference circuit in a dual bit flash memory device

Номер патента: US20070058439A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Han-Sung Chen,Nai-Ping Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-15.

Voltage reference circuit

Номер патента: SG97090G. Автор: . Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1991-01-18.

Temperature-stable voltage reference circuit

Номер патента: TW200632613A. Автор: Brian J Cherek. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2006-09-16.

Temperature-stable voltage reference circuit

Номер патента: TWI313798B. Автор: Brian J Cherek. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2009-08-21.

Low noise reference circuit

Номер патента: GB2598742B. Автор: Marinca Stefan,Gerard O'dwyer Thomas. Владелец: Analog Design Services Ltd. Дата публикации: 2022-11-02.

Systems and methods for a reference circuit in a dual bit flash memory device

Номер патента: TWI332663B. Автор: Chun Hsiung Hung,Nai Ping Kuo,Ken Hui Chen,Han Sung Chen. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2010-11-01.

Temperature compensation arrangement and current reference circuit

Номер патента: EP1144034A3. Автор: Andreas Rusznyak. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2002-08-07.

Temparature compensation arrangement and current reference circuit

Номер патента: GB9813586D0. Автор: . Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-08-19.

Temperature compensation arrangement and current reference circuit

Номер патента: EP1144034B1. Автор: Andreas Rusznyak. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2004-04-28.

A voltage reference circuit

Номер патента: EP3712739B1. Автор: Thierry Michel Alain Sicard. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-02.

Voltage reference circuit

Номер патента: US09600014B2. Автор: Stefan Marinca,Gabriel Banarie. Владелец: Analog Devices Global ULC. Дата публикации: 2017-03-21.

Temperature and process compensated current reference circuits

Номер патента: US09436206B2. Автор: Yong Feng Liu. Владелец: STMicroelectronics Shenzhen R&D Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

ULTRA-LOW NOISE VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20130200878A1. Автор: Kalb Arthur J.,Shafran John Sawa. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2013-08-08.

BAND GAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20140266138A1. Автор: Siao Yuan-Long. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited. Дата публикации: 2014-09-18.

VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20160357212A1. Автор: HORNG Jaw-Juinn,KUNDU Amit. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-08.

Pixels and reference circuits and timing techniques

Номер патента: US10373554B2. Автор: Gholamreza Chaji,Yaser Azizi. Владелец: Ignis Innovation Inc. Дата публикации: 2019-08-06.

Broadband low-power-consumption band-gap reference circuit

Номер патента: CN110347203B. Автор: 李大刚,范龙,张克林,林亚立,杨宇啸,徐建恩. Владелец: Chengdu Sino Microelectronics Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-12-25.

IMPROVED PROHIBITED BAND VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: FR2566146A1. Автор: Stephen R Burnham,Paul M Henry. Владелец: Burr Brown Corp. Дата публикации: 1985-12-20.

Voltage reference circuit of ZTC operating point based on MOSFET

Номер патента: CN112731998A. Автор: 刘锡锋. Владелец: JIANGSU VOCATIONAL COLLEGE OF INFORMATION TECHNOLOGY. Дата публикации: 2021-04-30.

A kind of novel band-gap reference circuit structure

Номер патента: CN107066006B. Автор: 霍长兴,刘璟,纪书江. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-07-20.

Current reference circuit

Номер патента: DE60214452T2. Автор: Katsuji Kimura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-09-13.

A kind of low-power consumption Low Drift Temperature CMOS subthreshold value reference circuits

Номер патента: CN107390757A. Автор: 张波,王卓,周泽坤,石跃,马亚东,汪尧,王韵坤. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2017-11-24.

Bandgap voltage reference circuit

Номер патента: US20090243708A1. Автор: Stefan Marinca. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2009-10-01.

Rrecision voltage and current reference circuit

Номер патента: TWI367412B. Автор: Kuan Yu Chen,Din Jiun Huang,Yuan Hsun Chang. Владелец: Faraday Tech Corp. Дата публикации: 2012-07-01.

Voltage reference circuit based on temperature compensation

Номер патента: US9128497B2. Автор: Tao Liu,TING Li,Yuxin Wang,Mingyuan Xu,Zhengfan Zhang. Владелец: CETC 24 Research Institute. Дата публикации: 2015-09-08.

BAND GAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20130241524A1. Автор: Inoue Fumihiro. Владелец: . Дата публикации: 2013-09-19.

VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20130249525A1. Автор: TAKADA Kosuke,OTSUKA Nao. Владелец: SEIKO INSTRUMENTS INC.. Дата публикации: 2013-09-26.

LOW-VOLTAGE BAND-GAP VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20130307517A1. Автор: HUANG Lei. Владелец: Fairchild Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2013-11-21.

VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT BASED ON TEMPERATURE COMPENSATION

Номер патента: US20130328620A1. Автор: Liu Tao,LI Ting,Zhang Zhengfan,Xu Mingyuan,Wang Yuxin. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-12.

Voltage reference circuit with temperature compensation

Номер патента: US20140035553A1. Автор: Ming-Chieh Huang,Tien-Chun Yang,Steven Swei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-02-06.

Voltage Measurement Through Reference Circuit Based Impedance Detection

Номер патента: US20210003618A1. Автор: Barrenscheen Jens. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-07.

LOW POWER VOLTAGE REFERENCE CIRCUITS

Номер патента: US20210004031A1. Автор: Cavallaro Marco Orazio,PALMISANO Giuseppe,Nicollini Germano. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-07.

BANDGAP VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20200012308A1. Автор: CHEN Che-Sheng,Tai Shun-Nan. Владелец: RICHWAVE TECHNOLOGY CORP.. Дата публикации: 2020-01-09.

LOW TEMPERATURE DRIFT VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20140104964A1. Автор: Liu Zutao,PENG SHAOHUA. Владелец: Shanghai SIM-BCD Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-04-17.

LOW NOISE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20220075405A1. Автор: Marinca Stefan,"ODwyer Thomas". Владелец: . Дата публикации: 2022-03-10.

CURRENT REFERENCE CIRCUIT AND AN ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20170060165A1. Автор: Kim Ji-Hyun,KIM Sung-jin,KIM Tae-ik. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

PIXELS AND REFERENCE CIRCUITS AND TIMING TECHNIQUES

Номер патента: US20180068611A1. Автор: Chaji Gholamreza,Azizi Yaser,MORADI Arash,Liu Hongxin. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-08.

BAND-GAP REFERENCE CIRCUIT BASED ON TEMPERATURE COMPENSATION

Номер патента: US20160077540A1. Автор: ZHANG LEI,Hu Rong-Bin,Wang Yong-Lu,Zhang Zheng-Ping,Zhu Can,Gao Yu-Han,Ye Rong-Ke,HU GNAG-YI,CHEN GUANG-BING. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

AREA-EFFICIENT HIGH-ACCURACY BANDGAP VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20180074533A1. Автор: Jennings John K.,Kamath Umanath R.. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2018-03-15.

PIXELS AND REFERENCE CIRCUITS AND TIMING TECHNIQUES

Номер патента: US20170076670A1. Автор: Chaji Gholamreza,Azizi Yaser. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

MEMORY DEVICE WITH DYNAMICALLY OPERATED REFERENCE CIRCUITS

Номер патента: US20160086652A1. Автор: Ferrant Richard,Thewes Roland. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

BAND GAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20160098056A1. Автор: Siao Yuan-Long. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

VOLTAGE REFERENCE CIRCUITS WITH PROGRAMMABLE TEMPERATURE SLOPE AND INDEPENDENT OFFSET CONTROL

Номер патента: US20180101190A1. Автор: LEE Sang-Soo. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-12.

MOS-BASED VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20150115717A1. Автор: CHEN Chung-Hui,HORNG Jaw-Juinn,Peng Yung-Chow,KUNDU Amit. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited. Дата публикации: 2015-04-30.

MEMORY DEVICE AND REFERENCE CIRCUIT THEREOF

Номер патента: US20190115061A1. Автор: Shih Yi-Chun,CHIH Yu-Der,LEE Chia-Fu,Lin Hon-Jarn. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-04-18.

High Precision Voltage Reference Circuit

Номер патента: US20180120887A1. Автор: Tanimoto Susumu,Ohyama Soichiro. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-03.

MEMORY DEVICE AND REFERENCE CIRCUIT THEREOF

Номер патента: US20170125071A1. Автор: Shih Yi-Chun,CHIH Yu-Der,LEE Chia-Fu,Lin Hon-Jarn. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

MEMORY DEVICE AND REFERENCE CIRCUIT THEREOF

Номер патента: US20200118610A1. Автор: Shih Yi-Chun,CHIH Yu-Der,LEE Chia-Fu,Lin Hon-Jarn. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-04-16.

VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20160147245A1. Автор: HORNG Jaw-Juinn,KUNDU Amit. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.

LEAKAGE-CURRENT START-UP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20150153758A1. Автор: Huang Chao-Jen. Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2015-06-04.

VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20180150098A1. Автор: Pigott John M.,KOCHKIN IVAN VICTOROVICH,Ahmed Hamada. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

REFERENCE CIRCUIT ARRANGEMENT AND METHOD FOR GENERATING A REFERENCE VOLTAGE

Номер патента: US20140239936A1. Автор: PAGLINO Lorenzo,VERRI Simone. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2014-08-28.

REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20160170430A1. Автор: Ueda Norihiro. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-16.

Reference circuits

Номер патента: US20180173266A1. Автор: Tangxiang Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

TEMPERATURE AND PROCESS COMPENSATED CURRENT REFERENCE CIRCUITS

Номер патента: US20150185754A1. Автор: Liu Yong Feng. Владелец: STMicroelectronics (Shenzhen) R&D Co. Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20170185097A1. Автор: HORNG Jaw-Juinn,KUNDU Amit. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

Reference Circuit for Metrology System

Номер патента: US20170199089A1. Автор: Savoj Jafar,Fritchman Daniel J.. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-13.

HYBRID SELF-TRACKING REFERENCE CIRCUIT FOR RRAM CELLS

Номер патента: US20210241830A1. Автор: CHIH Yu-Der,CHOU Chung-Cheng,Tseng Pei-Ling,Lin Zheng-Jun. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-05.

REFERENCE CIRCUIT ARRANGEMENT AND METHOD FOR GENERATING A REFERENCE VOLTAGE

Номер патента: US20160224052A1. Автор: PAGLINO Lorenzo,VERRI Simone. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

Reference Circuit for Metrology System

Номер патента: US20200217729A1. Автор: Savoj Jafar,Fritchman Daniel J.. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-09.

VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT AND METHOD FOR PROVIDING REFERENCE VOLTAGE

Номер патента: US20210255656A1. Автор: Kuo Liang-Tai,Kalnitsky Alexander,SOENEN Eric,Roth Alan,CHENG HSIN-LI,WANG Yen-Ting. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-19.

BAND-GAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20190235547A1. Автор: Tang Yuan. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-01.

All-CMOS, Low-voltage, Wide-temperature Range, Voltage Reference Circuit

Номер патента: US20140340143A1. Автор: Charalambos Andreou,Julius Georgiou. Владелец: Julius Georgiou. Дата публикации: 2014-11-20.

VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20170255221A1. Автор: Marinca Stefan,Banarie Gabriel. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-07.

REFERENCE CIRCUIT TO COMPENSATE FOR PVT VARIATIONS IN SINGLE-ENDED AMPLIFIERS

Номер патента: US20150279448A1. Автор: Thewes Roland. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-01.

HIGH ACCURACY ZENER BASED VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20210389791A1. Автор: Liu Hongwei,Gao Yuan,Huynh Estelle. Владелец: . Дата публикации: 2021-12-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND WAFER WITH REFERENCE CIRCUIT AND RELATED METHODS

Номер патента: US20170307468A1. Автор: Carpentier Jean-Francois,MANOUVRIER Jean-Robert,Baudot Charles,LeMaitre Patrick,BOROT Bertrand. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-26.

Voltage reference circuit

Номер патента: US20150323950A1. Автор: Stefan Marinca,Gabriel Banarie. Владелец: ANALOG DEVICES TECHNOLOGY. Дата публикации: 2015-11-12.

VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20200301462A1. Автор: Sicard Thierry Michel Alain. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-24.

PIXELS AND REFERENCE CIRCUITS AND TIMING TECHNIQUES

Номер патента: US20190311676A1. Автор: Chaji Gholamreza,Azizi Yaser. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-10.

ZENER DIODE VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20190317542A1. Автор: Brule Simon. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-17.

MEMORY AND REFERENCE CIRCUIT CALIBRATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20170330602A1. Автор: WANG TAO,Ni Hao,ZHOU Yao,TANG Tian Shen. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-16.

MEMORY DEVICE AND REFERENCE CIRCUIT THEREOF

Номер патента: US20170330608A1. Автор: Shih Yi-Chun,CHIH Yu-Der,LEE Chia-Fu,Lin Hon-Jarn. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-11-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND WAFER WITH REFERENCE CIRCUIT AND RELATED METHODS

Номер патента: US20170363507A1. Автор: Carpentier Jean-Francois,MANOUVRIER Jean-Robert,Baudot Charles,Le Maitre Patrick,BOROT Bertrand. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-21.

Low Noise Subsurface Spectrogram with Cascaded Reference Circuit

Номер патента: US20200390343A1. Автор: Felix Jason,Chertok Leslie A.,Verma Vandana. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-17.

A Low Power Consumption Voltage Reference Circuit

Номер патента: KR100618863B1. Автор: 김효진,조윤제,채정석. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-08-31.

Reference circuit

Номер патента: KR900000053B1. Автор: Robert G Pollachek. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1990-01-18.

Ferroelectric random access memory device having a reference circuit which generates a reference voltage changed according to a variation of a polarization state of a ferroelectric capacitor

Номер патента: KR100373854B1. Автор: 최문규,전병길. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-02-26.

Low-temperature drift band gap reference circuit based on concave-convex curvature compensation

Номер патента: CN110320954B. Автор: 李泽宏,孙河山,洪至超,蔡景宜,杨耀杰,仪梦帅. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2020-05-01.

A band-gap voltage reference circuit having a high power supply voltage rejection ratio (PSRR) and a curve correction

Номер патента: JP4463112B2. Автор: マリンカ，ステファン. Владелец: アナログ・デバイシズ・インコーポレーテッド. Дата публикации: 2010-05-12.

High-Speed low static current reference circuit

Номер патента: KR100365425B1. Автор: 안흥준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-12-18.

High-order temperature compensation band gap reference circuit

Номер патента: CN108664072B. Автор: 吴传奎,程剑涛,董渊,黄建刚,王云松. Владелец: Shanghai Awinic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-12.

A kind of band-gap reference circuit of no amplifier

Номер патента: CN108037791B. Автор: 王慧,王宇恒,李琴琴,来新泉. Владелец: Xian University of Electronic Science and Technology. Дата публикации: 2019-10-11.

Temperature coefficient automatic tuning method for reference circuit

Номер патента: CN105739589A. Автор: 周泽坤,石跃. Владелец: Chengdu University of Information Technology. Дата публикации: 2016-07-06.

Voltage reference circuit with high power supply rejection ratio

Номер патента: CN112416044A. Автор: 杨健,罗萍,王远飞,杨秉中. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2021-02-26.

Reference circuit for metrology system

Номер патента: KR102179316B1. Автор: 다니엘 제이. 프리치맨,자파르 사보즈. Владелец: 애플 인크.. Дата публикации: 2020-11-16.

Adaptive reference circuit with wide voltage withstanding range, chip and communication terminal

Номер патента: CN106569533B. Автор: 李艳丽. Владелец: Vanchip Tianjin Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-25.

Band gap reference circuit with low power consumption

Номер патента: CN113703510B. Автор: 袁国顺,何越峰. Владелец: Jiangsu Jicui Intelligent Integrated Circuit Design Technology Research Institute Co ltd. Дата публикации: 2022-07-22.

Reference circuit and method

Номер патента: JPH11134048A. Автор: Vladimir Koifman,Yachin Afek,ブラディミア・コイフマン,ヤチン・アフェク. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-05-21.

Voltage generator and energy band gap reference circuit

Номер патента: CN103472883A. Автор: 王慧,刘寅,项骏,崇华明. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2013-12-25.

A kind of adjustable band-gap reference circuit of numeral

Номер патента: CN107544600A. Автор: 张雷,任艳,董海,王宗民,张铁良,侯贺刚,文治平,彭新芒,管海涛,王金豪. Владелец: Mxtronics Corp. Дата публикации: 2018-01-05.

Band gap reference circuit

Номер патента: JP5353548B2. Автор: 美臣 椎名. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-11-27.

ELECTRONIC VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT.

Номер патента: FR2906903B1. Автор: Thierry Masson,Jean Francois Debroux,Pierre Coquille. Владелец: e2v Semiconductors SAS. Дата публикации: 2009-02-20.

IMPROVED BANDBAND VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: FR2566146B1. Автор: Stephen R Burnham,Paul M Henry. Владелец: Burr Brown Corp. Дата публикации: 1989-02-10.

Automatic biasing band-gap reference circuit with wide input voltage range and high-precision output

Номер патента: CN105116954A. Автор: 许育森. Владелец: Excelio Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-02.

VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT HAVING TEMPERATURE COMPENSATION

Номер патента: FR2486677A1. Автор: James C Schmoock. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1982-01-15.

A kind of low-power consumption Low Drift Temperature CMOS subthreshold value reference circuits

Номер патента: CN107390757B. Автор: 张波,王卓,周泽坤,石跃,马亚东,汪尧,王韵坤. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2018-07-13.

Tunable voltage reference circuit

Номер патента: WO1993009487A1. Автор: Donald C. Thelen, Jr.. Владелец: Lattice Semiconductor Corporation. Дата публикации: 1993-05-13.

The calibration method and device of band-gap reference circuit

Номер патента: CN108664069A. Автор: 袁俊,顾艺,陈光胜. Владелец: Shanghai Eastsoft Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2018-10-16.

Energy gap reference circuit

Номер патента: CN108345336B. Автор: 刘建兴. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-28.

Programmable voltage reference with a voltage reference circuit having a self-cascode metal-oxide semiconductor field-effect transistor structure

Номер патента: US8093880B2. Автор: André Luis VILAS BOAS,Alfredo Olmos,Stefano Pietri. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-01-10.

Band gap reference circuit and chip

Номер патента: CN112416045A. Автор: 刘利书. Владелец: Guangdong Midea White Goods Technology Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-26.

High accuracy zener based voltage reference circuit

Номер патента: US11480989B2. Автор: Yuan Gao,HONGWEI LIU,Estelle Huynh. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-10-25.

MOS-based voltage reference circuit

Номер патента: US9791879B2. Автор: Chung-Hui Chen,Amit KUNDU,Jaw-Juinn Horng,Yung-Chow Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Read Reference Circuit for a Sense Amplifier Within a Chalcogenide Memory Device

Номер патента: US20100002500A1. Автор: BIN Li,Adam Matthew Bumgarner,Daniel Pirkl. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2010-01-07.

Programmable temperature coefficient analog second-order curvature compensation voltage reference and fine tuning technique of voltage reference circuit

Номер патента: CN111448531B. Автор: D·沃尔什,U·R·卡马斯,J·K·詹宁斯,E·库伦,I·C·西卡尔. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2022-09-09.

Current bandgap voltage reference circuits and related methods

Номер патента: US20030038672A1. Автор: Frederick Buckley,Paul Hildebrant. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-02-27.

Reference circuit and method

Номер патента: CN1119734C. Автор: 弗拉基米尔·考伊夫曼,亚钦·阿非克. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-08-27.

High-order temperature drift compensation band-gap reference circuit without operational amplifier

Номер патента: CN105786077A. Автор: 章国豪,余凯,何全,陈忠学. Владелец: GUANGDONG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-07-20.

Precision non-volatile cmos reference circuit

Номер патента: WO2007097933A2. Автор: Sabin Eftimie,Alina I. Negut,Sorin S. Georgescu. Владелец: Catalyst Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2007-08-30.

Reference circuit

Номер патента: GB0211564D0. Автор: . Владелец: TOURNAZ TECHNOLOGY Ltd. Дата публикации: 2002-06-26.

Voltage reference circuit

Номер патента: DE69512001D1. Автор: Hugh Mcintyre. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Ltd. Дата публикации: 1999-10-14.

Current reference circuit capable of outputting multiple temperature coefficients

Номер патента: CN113050743B. Автор: 张波,甄少伟,张有润,程雨凡,赵乙蔷,康仕杰,章登福,李逸康. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2022-03-08.

Band gap reference circuit and band gap reference chip

Номер патента: CN115576383B. Автор: 丁光彩. Владелец: Beijing Jusisian Semiconductor Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-06-13.

Beta enhanced voltage reference circuit

Номер патента: US8471625B1. Автор: Hao Zhou,Tao Shui,Bingkun Yao,Yonghua Song. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2013-06-25.

Bandgap voltage reference circuit with an increased difference voltage

Номер патента: US6232829B1. Автор: Ronald N. Dow. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-05-15.

Electrically adjustable CMOS integrated voltage reference circuit

Номер патента: US6414536B1. Автор: Robert L. Chao. Владелец: Robert L. Chao. Дата публикации: 2002-07-02.

Voltage reference circuits with programmable temperature slope and independent offset control

Номер патента: US9971376B2. Автор: Sang-soo Lee. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

BANDGAP VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT.

Номер патента: IT1312244B1. Автор: Rino Micheloni,Luca Crippa. Владелец: St Microelectronics Srl. Дата публикации: 2002-04-09.

Band-gap voltage reference circuit

Номер патента: WO2009037532A1. Автор: Thierry Sicard. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2009-03-26.

Single event effect radiation resistant reinforced band gap reference circuit

Номер патента: CN114756079A. Автор: 邱旻韡,屈柯柯. Владелец: CETC 58 Research Institute. Дата публикации: 2022-07-15.

Temperature compensated voltage regulator and reference circuit

Номер патента: CA2025415A1. Автор: Lawrence T. Tse. Владелец: Lawrence T. Tse. Дата публикации: 1991-03-16.

Bootstrap Reference Circuit for reducing leakage current in power down mode

Номер патента: KR100555500B1. Автор: 원남정. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-03-03.

VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT FOR A CARDIAC PACEMAKER.

Номер патента: ES2110180T3. Автор: Lawrence J Stotts. Владелец: Sulzer Intermedics Inc. Дата публикации: 1998-02-01.

Band gap reference circuit

Номер патента: CN115016589A. Автор: 刘明,李曙光. Владелец: Nanjing Yingruichuang Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-06.

ZERO TEMPERATURE COEFFICIENT REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: FR2377663A1. Автор: Robert Turner. Владелец: Johnson and Johnson. Дата публикации: 1978-08-11.

Reference circuit with temperature compensation

Номер патента: US11609591B2. Автор: Chun-Yao Lu. Владелец: Hycon Technology Corp. Дата публикации: 2023-03-21.

Reference circuit and method

Номер патента: CN1208873A. Автор: 弗拉基米尔·考伊夫曼,亚钦·阿非克. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-02-24.

VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: DE3328082A1. Автор: Paul Michael 85718 Tucson Ariz. Henry. Владелец: Burr Brown Research Corp. Дата публикации: 1984-03-29.

Band-gap voltage reference circuit

Номер патента: US20070076483A1. Автор: Derek Colman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-04-05.

Voltage reference circuit and method for providing reference voltage

Номер патента: TWI776383B. Автор: 鄭新立,王彥婷,艾倫 羅斯,艾力克 蘇寧,亞歷山大 卡爾尼斯基,郭良泰. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2022-09-01.

Bandgap voltage reference circuit

Номер патента: US6362612B1. Автор: Larry L. Harris. Владелец: Larry L. Harris. Дата публикации: 2002-03-26.

Curvature-corrected band-gap voltage reference circuit

Номер патента: US6563370B2. Автор: Edmond Patrick Coady. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2003-05-13.

A bandgap voltage reference circuit

Номер патента: TW200944988A. Автор: Stefan Marinca. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2009-11-01.

Voltage reference circuit

Номер патента: TWI528130B. Автор: 須悠克 穆罕默德 艾爾,艾利克斯 卡尼斯基. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2016-04-01.

Voltage reference circuit

Номер патента: EP0952509A2. Автор: Franz Dr. Wachter. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-10-27.

Temperature compensated current reference circuit

Номер патента: US7965129B1. Автор: Saurabh Srivastava,Sanjay K. Wadhwa. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-06-21.

A kind of band-gap reference circuit with resnstance transformer

Номер патента: CN108345344A. Автор: 杨燕,赵健雄. Владелец: Chengdu University of Information Technology. Дата публикации: 2018-07-31.

Voltage reference circuit

Номер патента: DE10257142B4. Автор: Bernhard Engl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-07-03.

Low power voltage reference circuit

Номер патента: US7994848B2. Автор: Badri Kothandaraman,Arun Khamesra,T. V. Chanakya Rao. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-08-09.

High-precision voltage reference circuit

Номер патента: CN112068632B. Автор: 居水荣,黄传伟. Владелец: Wuxi Roum Semiconductor Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-04-26.

Bandgap voltage reference circuit

Номер патента: TWI361967B. Автор: Ching Chuan Lin,Tzuen Hwan Lee. Владелец: RALINK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2012-04-11.

Current compensation device and band-gap reference circuit

Номер патента: CN106708152A. Автор: 王钊. Владелец: Hefei Sino Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-24.

Low ripple voltage reference circuit

Номер патента: US5920184A. Автор: Petr Kadanka. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-07-06.

Band-gap reference circuit

Номер патента: CN106997221A. Автор: 刘飞,杨海峰,徐丽,唐华,荀本鹏. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

A temperature independent low voltage reference circuit

Номер патента: GB0317891D0. Автор: . Владелец: Zetex PLC. Дата публикации: 2003-09-03.

Programmable temperature coefficient analog second-order curvature compensated voltage reference and trim techniques for voltage reference circuits

Номер патента: EP3721314A1. Автор: Edward Cullen,John K. Jennings,Darragh Walsh,Umanath R. KAMATH,Ionut C. CICAL. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2020-10-14.

Band gap reference circuit

Номер патента: CN111427410A. Автор: 刘飞,霍宗亮,陈腾,王颀. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-07-17.

Temperature compensated voltage regulator and reference circuit

Номер патента: AU6252890A. Автор: Lawrence T. Tse. Владелец: Gennum Corp. Дата публикации: 1991-03-21.

Memory and reference circuit calibration method thereof

Номер патента: EP3244416A1. Автор: Yao Zhou,Tao Wang,Hao Ni,Tianshen TANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-11-15.

Temperature compensated low voltage reference circuit

Номер патента: EP1783578B1. Автор: Paul M Werking. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2009-08-05.

A kind of double loop controls the band-gap reference circuit of high PSRR

Номер патента: CN106249796A. Автор: 刘阳,张国俊. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2016-12-21.

Voltage reference circuit

Номер патента: EP3327538A1. Автор: Hamada Ahmed,John M. Pigott,Ivan Victorovich KOCHKIN. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-05-30.

Acceleration reference circuit

Номер патента: CA909364A. Автор: William L. Carter, Jr.,Raymnd G. Stein, Jr.. Владелец: Westinghouse Air Brake Co. Дата публикации: 1972-09-05.

Voltage reference circuit

Номер патента: TW200928648A. Автор: Chi-Sung Hsieh,Yu-Hua Liu. Владелец: Airoha Tech Corp. Дата публикации: 2009-07-01.

Low noise voltage reference circuit

Номер патента: TW200848972A. Автор: Stefan Marinca. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2008-12-16.

Operational amplifier-free band gap reference circuit with pre-voltage stabilization structure

Номер патента: CN111240394B. Автор: 刘晨,王宇恒,来新泉,孙昂勃,武晋翔. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2021-11-09.

Band gap reference circuit

Номер патента: CN114115422A. Автор: 殷宁淳. Владелец: Boda Rongke Beijing Information Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-03-01.

A kind of high-order temperature compensated band-gap reference circuit

Номер патента: CN109254612B. Автор: 郭涛,周前能,李红娟,彭志强,范霆铠. Владелец: Chongqing University of Post and Telecommunications. Дата публикации: 2019-09-10.

Ultra-low voltage CMOS threshold band-gap reference circuit

Номер патента: CN105955386A. Автор: 王旭,朱樟明,杨银堂,李娅妮,孙亚东. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2016-09-21.

Memory and reference circuit calibration method thereof

Номер патента: US10008246B2. Автор: Yao Zhou,Tao Wang,Hao Ni,Tian Shen TANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-06-26.

Apparatus and Method for Controlling Voltage and Frequency Using Multiple Reference Circuits

Номер патента: US20080186083A1. Автор: Michael Priel,Dan Kuzmin,Anton Rozen. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-08-07.

TEMPERATURE DEPENDENT VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: SE390843B. Автор: Jr C F Wheatley. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1977-01-24.

High-performance band-gap reference circuit

Номер патента: CN112987836A. Автор: 李响,董渊,蔡胜凯. Владелец: Wuxi Indie Microelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-18.

BiCMOS reference circuit

Номер патента: JP2912660B2. Автор: ブイ．トラン ヒープ. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1999-06-28.

A reference circuit having a controlled temperature dependence

Номер патента: EP0698236B1. Автор: Robert Blauschild. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-05-10.

Band-gap reference circuit with offset elimination

Номер патента: CN114740936A. Автор: 陈君杰,蒋召宇,张若平,赵茂. Владелец: Nanjing Huanxuan Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2022-07-12.

One kind is without amplifier band-gap reference circuit

Номер патента: CN107992146A. Автор: 罗永波,肖培磊,宣志斌,阮建新. Владелец: CETC 58 Research Institute. Дата публикации: 2018-05-04.

Memory device and reference circuit thereof

Номер патента: US11211106B2. Автор: Yi-Chun Shih,Chia-Fu Lee,Yu-Der Chih,Hon-Jarn Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-28.

Dynamically controlled voltage reference circuit

Номер патента: DE69518616D1. Автор: David C Mcclure. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2000-10-05.

Voltage reference circuit with reduced current consumption

Номер патента: US9798346B2. Автор: Fumiyasu Utsunomiya. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Temperature-stable CMOS voltage reference circuits

Номер патента: US8487660B2. Автор: Brian Harold Floyd. Владелец: Aptus Power Semiconductor. Дата публикации: 2013-07-16.

Self-biased band gap reference circuit

Номер патента: CN110888485B. Автор: 朱敏,关宇恒. Владелец: Elownipmicroelectronics Beijing Co ltd. Дата публикации: 2022-01-18.

Sectional multi-order compensation high-precision voltage and current reference circuit

Номер патента: CN106708150A. Автор: 李卓,时飞,岳素格,莫艳图,杨学硕. Владелец: Mxtronics Corp. Дата публикации: 2017-05-24.

Band-gap reference circuit based on SOI technology

Номер патента: CN114967819B. Автор: 刘辉,陈浪,项勇,戈泽宇,唐玖虎,汪智斌. Владелец: Suzhou Xixin Rf Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2022-10-25.

Current reference circuit with low power supply voltage and active feedback for PLL

Номер патента: EP0829797A3. Автор: Alan Fiedler,Shuran Wei,Paul Torgerson. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1999-03-03.

Power supply rejection ratio (PSRR) is high and the bandgap voltage reference circuit of curvature correction arranged

Номер патента: CN100541382C. Автор: 斯蒂范·玛丽卡. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2009-09-16.

MEMORY DEVICE WITH DYNAMICALLY OPERATED REFERENCE CIRCUITS.

Номер патента: FR3005195B1. Автор: Richard Ferrant,Roland Thewes. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2016-09-02.

Zener diode voltage reference circuit

Номер патента: US10955868B2. Автор: Simon BRULE. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2021-03-23.

Low noise voltage reference circuit

Номер патента: US7714563B2. Автор: Stefan Marinca. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2010-05-11.

Reduce the band-gap reference circuit of offset voltage using switching capacity

Номер патента: CN107368140A. Автор: 董桥. Владелец: WUXI ZETAI MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Voltage reference circuit, power supply and electronic equipment

Номер патента: CN114924604A. Автор: 吴翰,黄欣然,姜俊敏,刘寻. Владелец: SOUTHWEST UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2022-08-19.

Reference circuit with start-up control, generator, device, system and method including same

Номер патента: US7728574B2. Автор: Vignesh Kalyanaraman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-06-01.

Band gap reference circuit for the use of low voltage and semiconductor device with the same

Номер патента: KR100694985B1. Автор: 김유성. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-03-14.

A kind of high voltage band-gap reference circuit structure

Номер патента: CN107272818B. Автор: 李育超,陈然斌. Владелец: Fujian Fuxin Electronic Technology Co ltd. Дата публикации: 2019-04-02.

Band-gap reference circuit and band-gap reference chip

Номер патента: CN115576383A. Автор: 丁光彩. Владелец: Beijing Jusisian Semiconductor Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-01-06.

Band gap reference circuit

Номер патента: CN103309395A. Автор: 井上文裕. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-18.

Overshoot-free quick-start band gap reference circuit, chip and electronic equipment

Номер патента: CN113985957A. Автор: 陈成,李春领,高晨阳,王永寿. Владелец: Vanchip Tianjin Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-28.

Bit line reference circuits for binary and multiple-bit-per-cell memories

Номер патента: US20030043621A1. Автор: Sau Wong. Владелец: Multi Level Memory Technology. Дата публикации: 2003-03-06.

Ultra-low noise voltage reference circuit

Номер патента: CN104094180A. Автор: A·J·卡尔布,J·S·沙弗兰. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2014-10-08.

Leakage-current start-up reference circuit

Номер патента: TWI497855B. Автор: Chao Jen Huang. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2015-08-21.

All-cmos, low-voltage, wide-temperature range, voltage reference circuit

Номер патента: EP3000006B1. Автор: Julius Georgiou,Charalambos Micheal ANDREOU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-02-28.

Temperature independent reference circuit

Номер патента: TWI505062B. Автор: David Kung,Leif Lund. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2015-10-21.

Temperature-stable voltage reference circuit

Номер патента: US20060132223A1. Автор: Brian Cherek. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2006-06-22.

Low Drift Temperature current source reference circuit

Номер патента: CN108469862B. Автор: 李鹏,罗凯,陈波,王菡,苟超,梁盛铭,孙毛毛,刘一杉,朱哲序. Владелец: CETC 24 Research Institute. Дата публикации: 2019-09-03.

Low-power-voltage band gap reference circuit and method

Номер патента: CN103353782B. Автор: 骆智峰,沈乐丰. Владелец: Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute ASTRI. Дата публикации: 2015-07-08.

A bandgap voltage reference circuit and a method for producing a temperature curvature corrected voltage reference

Номер патента: WO2004077192A1. Автор: Stefan Marinca. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2004-09-10.

High-precision band-gap reference circuit

Номер патента: CN106055009A. Автор: 陈杰,高岑,徐文静,赵士彬. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-10-26.

Reference circuit and method for providing a reference

Номер патента: US20100001711A1. Автор: Stefan Marinca. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2010-01-07.

A kind of voltage reference circuit

Номер патента: CN107817858A. Автор: 杨佳,祝乃儒. Владелец: Fujian Fuxin Electronic Technology Co ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Reference circuit capable of supplying low voltage precisely

Номер патента: US20070109039A1. Автор: Hirofumi Watanabe. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-17.

Temperature compensated band gap reference circuit

Номер патента: DE102020214185A1. Автор: Kaihua Zheng. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2021-06-17.

Band gap reference circuit for low voltage and semiconductor device including the same

Номер патента: TW200743114A. Автор: You-Sung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-11-16.

Precision voltage reference circuit with tunable resistance

Номер патента: US9405305B1. Автор: Alfio Zanchi. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2016-08-02.

Temperature compensation cmos voltage reference circuit

Номер патента: JPS6269306A. Автор: デレク・エフ・ボウアーズ,アリ・タスデイグヒ. Владелец: Precision Monolithics Inc. Дата публикации: 1987-03-30.

Calibration method and device of band-gap reference circuit

Номер патента: CN108664069B. Автор: 袁俊,顾艺,陈光胜. Владелец: Shanghai Eastsoft Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2019-12-31.

Voltage reference circuit for a cardiac pacemaker.

Номер патента: EP0627242A3. Автор: Lawrence J Stotts. Владелец: Intermedics Inc. Дата публикации: 1995-02-08.

CMOS reference voltage generator employing separate reference circuits for each output transistor

Номер патента: US4788455A. Автор: Shigeru Mori,Hiroshi Miyamoto,Michihiro Yamada,Kazutami Arimoto,Tadato Yamagata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1988-11-29.

Voltage reference circuit

Номер патента: US20150323950A1. Автор: Stefan Marinca,Gabriel Banarie. Владелец: ANALOG DEVICES TECHNOLOGY. Дата публикации: 2015-11-12.

Current reference circuit

Номер патента: EP1079293B1. Автор: William Bryan STMicroelectronics Ltd. Barnes. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Ltd. Дата публикации: 2004-09-15.

Voltage reference circuit

Номер патента: GB2054219A. Автор: . Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1981-02-11.

A high accuracy zener based voltage reference circuit

Номер патента: EP3926437B1. Автор: Yuan Gao,HONGWEI LIU,Estelle Huynh. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-04-03.

Current reference circuit

Номер патента: EP1079294B1. Автор: William Bryan STMicroelectronics Limited Barnes. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Ltd. Дата публикации: 2004-09-22.

Voltage reference circuit

Номер патента: GB9704341D0. Автор: . Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-04-23.

Voltage reference circuit with fast enable and disable capabilities

Номер патента: TW200824236A. Автор: Ming-Da Tsai. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2008-06-01.

Low noise reference circuit

Номер патента: GB202014195D0. Автор: . Владелец: Analog Design Services Ltd. Дата публикации: 2020-10-21.

Reference circuit to compensate for pvt variations in single-ended sense amplifiers

Номер патента: SG11201502532QA. Автор: Roland Thewes. Владелец: Soitec Silicon On Insulator. Дата публикации: 2015-04-29.

Precision non-volatile CMOS reference circuit

Номер патента: TW200731277A. Автор: Georgescu Sorin,Marian I Poenaru Ilie,A Eftimie Sabin. Владелец: Catalyst Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-08-16.

Accurate voltage reference circuit and method therefor

Номер патента: TW200827977A. Автор: Paolo Migliavacca. Владелец: Semiconductor Components Ind. Дата публикации: 2008-07-01.

Band gap reference circuit and temperature information output apparatus using the same

Номер патента: TWI336477B. Автор: Chun-Seok Jeong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-01-21.

Low-voltage reference circuit

Номер патента: EP2500793B1. Автор: Jun Liu,Qi Xiang,Albert Ratnakumar,Simardeep Maangat. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-04-27.

Fixed frequency voltage regulator

Номер патента: US4388586A. Автор: Mihaly Lamoth. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1983-06-14.

Clock signal generator and operating method thereof

Номер патента: US20240267034A1. Автор: Jungyu Lee,Bilal Ahmad Janjua,Jihyun Park,ChiWeon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Clock signal generator and operating method thereof

Номер патента: EP4415262A1. Автор: Bilal Ahmad,Jungyu Lee,Jihyun Park,ChiWeon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-14.

System and method for a low voltage supply bandgap

Номер патента: US20240111323A1. Автор: Shao-Yu Chou,Min-Shin WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

System and method for a low voltage supply bandgap

Номер патента: US12117860B2. Автор: Shao-Yu Chou,Min-Shin WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Sensor chip using having low power consumption

Номер патента: US20190324483A1. Автор: Kok-Siang Tan,Wai-Lian TEO. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Method and apparatus for trimming die-to-die variation of an on-chip generated voltage reference

Номер патента: EP2489042A1. Автор: Martin L. Voogel,Leon L. Nguyen. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2012-08-22.

Method and apparatus for trimming die-to-die variation of an on-chip generated voltage reference

Номер патента: WO2011046702A1. Автор: Martin L. Voogel,Leon L. Nguyen. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2011-04-21.

Biasing of cascode power amplifiers for multiple power supply domains

Номер патента: US20210218433A1. Автор: Thomas Obkircher,Guillaume Alexandre Blin,Bang Li LIANG. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Biasing of cascode power amplifiers for multiple power supply domains

Номер патента: US11936416B2. Автор: Thomas Obkircher,Guillaume Alexandre Blin,Bang Li LIANG. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Biasing of cascode power amplifiers for multiple power supply domains

Номер патента: US20230291431A1. Автор: Thomas Obkircher,Guillaume Alexandre Blin,Bang Li LIANG. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Apparatus and methods for phase-locked loops with temperature compensated calibration voltage

Номер патента: US09413366B2. Автор: Michael F. Keaveney,Hyman Shanan. Владелец: Analog Devices Global ULC. Дата публикации: 2016-08-09.

Clamp circuit device

Номер патента: US20050206429A1. Автор: Akira Suzuki,Hideaki Ishihara,Yasuyuki Ishikawa,Yoshinori Teshima,Toshiharu Muramatsu,Katsutoyo Misawa. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2005-09-22.

Compensation of thermally induced voltage errors

Номер патента: US11876490B2. Автор: Sandeep Shylaja Krishnan,Akshay Yashwant JADHAV,Tallam VISHWANATH. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Compensation of thermally induced voltage errors

Номер патента: US20240097621A1. Автор: Sandeep Shylaja Krishnan,Akshay Yashwant JADHAV,Tallam VISHWANATH. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Compensation of thermally induced voltage errors

Номер патента: WO2022221180A1. Автор: Sandeep Shylaja Krishnan,Akshay Yashwant JADHAV,Tallam VISHWANATH. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2022-10-20.

High-stability reset circuit for monitoring supply undervoltage and overvoltage

Номер патента: US8723554B2. Автор: Alfio Zanchi. Владелец: Aeroflex Colorado Springs Inc. Дата публикации: 2014-05-13.

Power harvest architecture for near field communication devices

Номер патента: US09762292B2. Автор: ABHISHEK Agrawal,Yogesh Darwhekar,Yaniv Tzoreff,Koby Levy,Srikanth Manian,Erez Shalom. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device for generating a reference current or voltage in various temperatures

Номер патента: US20230229185A1. Автор: Jong Seok Kim,Young Kwan Lee,Chan Keun KWON,Jong Seok JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Wide supply range precision startup current source

Номер патента: US20180232000A1. Автор: Christopher D. Nilson. Владелец: Avnera Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Power-on-reset circuitry

Номер патента: EP2793396A3. Автор: Weiying Ding,Leo Min Maung,Ping XING. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2015-04-22.

Power-on-reset circuitry

Номер патента: EP1986323A3. Автор: Ping Xiao,Weiying Ding,Leo Min Maung. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2008-12-10.

온도 변화에도 기준 전류 혹은 기준 전압을 생성하는 반도체 장치

Номер патента: KR20230112326A. Автор: 김종석,이영관,정종석,권찬근. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2023-07-27.

Power-on-reset circuitry

Номер патента: US20130285717A1. Автор: Ping Xiao,Leo Min Maung,Weiyding Ding. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Method of minimizing package-shift effects in integrated circuits by using a thick metallic overcoat

Номер патента: US20020182780A1. Автор: Gabriel RINCON-MORA,David Briggs,Roy Hastings,Buddhika Abesingha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor device which minimizes package-shift effects in integrated circuits by using a thick metallic overcoat

Номер патента: US6750553B2. Автор: Roy Alan HASTINGS,Gabriel A. Rincon-Mora,Buddhika J. Abesingha,David D. Briggs. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-06-15.

Voltage-mode transmitter

Номер патента: US20230179200A1. Автор: Bo-Hao Hsu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Voltage-mode transmitter

Номер патента: US12081206B2. Автор: Bo-Hao Hsu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device for generating a reference current or voltage in various temperatures

Номер патента: US11774997B2. Автор: Jong Seok Kim,Young Kwan Lee,Chan Keun KWON,Jong Seok JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

System and method for testing reference voltage circuit

Номер патента: US20190041433A1. Автор: Yeh-Tai Hung,Te-Ming Tseng,Wen-Yi LI. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Small-circuit-scale reference voltage generating circuit

Номер патента: US09785176B2. Автор: Kenji Furusawa,Mitsuya FUKAZAWA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Reference voltage circuit

Номер патента: US09989984B2. Автор: Wei-Chan Hsu,Yeh-Tai Hung,Te-Ming Tseng,Wen-Yi LI. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Reference voltage circuit

Номер патента: US20170199540A1. Автор: Wei-Chan Hsu,Yeh-Tai Hung,Te-Ming Tseng,Wen-Yi LI. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2017-07-13.

Circuit, trim, and layout for temperature compensation of metal resistors in semi-conductor chips

Номер патента: EP2356533A1. Автор: Bernhard Helmut Engl. Владелец: Linear Technology LLC. Дата публикации: 2011-08-17.

Circuit, trim, and layout for temperature compensation of metal resistors in semi-conductor chips

Номер патента: WO2010062285A8. Автор: Bernhard Helmut Engl. Владелец: LINEAR TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2010-09-10.

Startup circuit and methods thereof

Номер патента: US11921534B2. Автор: Rashid Iqbal. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2024-03-05.

Startup circuit and methods thereof

Номер патента: US20230046259A1. Автор: Rashid Iqbal. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2023-02-16.

Reference power generating circuit and electronic circuit using the same

Номер патента: US20150261234A1. Автор: Muh-rong Yang. Владелец: MIDASTEK MICROELECTRONIC Inc. Дата публикации: 2015-09-17.

Multi-stable electronic circuit state control

Номер патента: US20090309569A1. Автор: Frank Joseph Schulz. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2009-12-17.

Bandgap-referenced thermal sensor

Номер патента: US7724068B1. Автор: Paul Wilson,Paul AD Smith. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 2010-05-25.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20220228929A1. Автор: Takayuki Tsukamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor integrated circuit with configurable setting based on temperature information

Номер патента: US11835399B2. Автор: Takayuki Tsukamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20080089165A1. Автор: Yasuhiko Honda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-17.

Semiconductor device

Номер патента: US7623407B2. Автор: Yasuhiko Honda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-11-24.

Reference voltage source with calibration of output voltage

Номер патента: RU2715215C1. Автор: Ярослав Ярославович Петричкович,Александр Андреевич Щекин. Владелец: Акционерное общество Научно-производственный центр "Электронные вычислительно-информационные системы". Дата публикации: 2020-02-26.

Voltage generator arrangement

Номер патента: US20040130310A1. Автор: Ralf Schneider,Joerg Vollrath,Stephan Schroder,Manfred Pröll. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-07-08.

Layout of a reference generating system

Номер патента: US8148971B2. Автор: Tsung-Yu Wu,Cheng-Hung Li,Yi-Chang Lu,Chung-Yui Kuo. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2012-04-03.

Layout of a Reference Generating System

Номер патента: US20100213918A1. Автор: Tsung-Yu Wu,Cheng-Hung Li,Yi-Chang Lu,Chung-Yui Kuo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-26.

Bandgap voltage circuit with low-beta bipolar device

Номер патента: US20150346754A1. Автор: Yong Siang Teo. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-12-03.

Power manager circuit and electronic device for detecting internal errors

Номер патента: US20210294365A1. Автор: Sangho Kim,Jaeseung LEE,Tae-hwang Kong,Sungmin YOO,Joowon Park,Hyunmyoung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-23.

Power manager circuit and electronic device for detecting internal errors

Номер патента: US11543841B2. Автор: Sangho Kim,Jaeseung LEE,Tae-hwang Kong,Sungmin YOO,Joowon Park,Hyunmyoung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-03.

Bandgap circuit for current and voltage

Номер патента: US09612607B2. Автор: AJAY Kumar,Rahul Bhandarkar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Bandgap voltage circuit with low-beta bipolar device

Номер патента: US09703310B2. Автор: Yong Siang Teo. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Low Supply Voltage Bandgap System

Номер патента: US20090058511A1. Автор: Maofeng Lan,Kuoyuan (Peter) Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2009-03-05.

Power Supply Powering-On Structure

Номер патента: US20210018945A1. Автор: Ning Zhang,Yifei Qian. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Bandgap circuit with noise reduction and temperature stability

Номер патента: US20230288951A1. Автор: Moez KANOUN. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-09-14.

Voltage generator arrangement

Номер патента: US6900626B2. Автор: Ralf Schneider,Joerg Vollrath,Stephan Schroder,Manfred Pröll. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-05-31.

Reference voltage generating circuit

Номер патента: US8988137B2. Автор: Kenji Furusawa,Mitsuya FUKAZAWA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-03-24.

Abnormal voltage monitoring device, and storage and vehicle comprising the abnormal voltage monitoring device

Номер патента: US11782467B2. Автор: Ji Soo Lee,Sung Yun Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-10.

Wide supply range precision startup current source

Номер патента: US09946277B2. Автор: Christopher D. Nilson. Владелец: Avnera Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Regulating temperature-compensated output voltage

Номер патента: US10037046B1. Автор: Petr Kadanka. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-07-31.

Ldo circuit having power supply rejection function, chip and communication terminal

Номер патента: US20240281012A1. Автор: Sheng Lin,Chenyang GAO. Владелец: Vanchip Tianjin Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Systems and methods for trimming bandgap offset with bipolar diode elements

Номер патента: EP2359210A1. Автор: Minh Le,Woowai Martin. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2011-08-24.

Reference power supply circuit

Номер патента: WO2012079454A1. Автор: LIANG Cheng. Владелец: Csmc Technologies Fab2 Co.,Ltd.. Дата публикации: 2012-06-21.

Simplified transistor base current compensation circuitry

Номер патента: US4978868A. Автор: Salomon Vulih,Raymond L. Giordano. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1990-12-18.

Low power and high accuracy voltage monitor with built-in reference

Номер патента: US20240295589A1. Автор: Ricardo Pureza Coimbra,Mateus Ribeiro Vanzella. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-09-05.

Bandgap voltage generation

Номер патента: US09651980B2. Автор: Subrato Roy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Miniaturized digital temperature sensor

Номер патента: US20190324490A1. Автор: Joseph Shor,Ori Bass. Владелец: Birad Research and Development Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-24.

Wide supply range precision startup current source

Номер патента: US20170277210A1. Автор: Christopher D. Nilson. Владелец: Avnera Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Ldo circuit having power supply rejection function, chip and communication terminal

Номер патента: EP4379496A1. Автор: Sheng Lin,Chenyang GAO. Владелец: Vanchip Tianjin Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

Gain and temperature tolerant bandgap voltage reference

Номер патента: US20240103558A1. Автор: Dimitar Trifonov,Jerry Doorenbos,Sudheer Gangula. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and test method of semiconductor device

Номер патента: US20200209075A1. Автор: Masanori Ikeda,Tadashi Kameyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor device and test method of semiconductor device

Номер патента: US11573134B2. Автор: Masanori Ikeda,Tadashi Kameyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-02-07.

Auto-calibrating a voltage reference

Номер патента: US20130162341A1. Автор: Grigori Temkine,Oleg Drapkin,Filipp Chekmazov. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2013-06-27.

Temperature compensated reference voltage circuit

Номер патента: US09864389B1. Автор: Sharad Vijaykumar. Владелец: Analog Devices Global ULC. Дата публикации: 2018-01-09.

Correction current output circuit and reference voltage circuit with correction function

Номер патента: US20200333821A1. Автор: Yukihiro Tomonaga,Kazutaka Honda. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT AND METHOD OF STARTING BANDGAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20130021016A1. Автор: IDE Akira. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2013-01-24.

Bandgap reference circuits and methods for generating a bandgap voltage

Номер патента: TWI330309B. Автор: yan hua Peng,Uei Shan Uang. Владелец: Faraday Tech Corp. Дата публикации: 2010-09-11.

Low supply voltage bandgap reference circuit and negative temperature coefficient current generation unit thereof and method for supplying bandgap reference current

Номер патента: TW200736878A. Автор: Kuen-Shan Chang,Mei-Show Chen,Uei-Shan Wang,Chia-Ming Hong. Владелец: Faraday Tech Corp. Дата публикации: 2007-10-01.

Bandgap Reference Circuit and Bandgap Reference Current Source

Номер патента: US20120043955A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-02-23.

Bandgap reference circuit and method of generating bandgap reference voltage

Номер патента: TW201248351A. Автор: Jui-Jer Huang,Nan-Yen Lee. Владелец: Advanced Analog Technology Inc. Дата публикации: 2012-12-01.

A non-linearity compensation circuit and a bandgap reference circuit using the same

Номер патента: TWI321713B. Автор: Kuen Shan Chang,Uei Shan Wang. Владелец: Faraday Tech Corp. Дата публикации: 2010-03-11.

A non-linearity compensation circuit and a bandgap reference circuit using the same

Номер патента: TW200741405A. Автор: Kuen-Shan Chang,Wei-Shan Wang. Владелец: Faraday Tech Corp. Дата публикации: 2007-11-01.

Bandgap reference circuit

Номер патента: TW200533079A. Автор: Ming-Dou Ker,Wen-Yu Lo,Ching-Yun Chu. Владелец: Silicon Integrated Sys Corp. Дата публикации: 2005-10-01.

Bandgap reference circuit

Номер патента: TW200424826A. Автор: Wei-Wen Feng,ming-nan Zhuang. Владелец: Analog Integrations Corp. Дата публикации: 2004-11-16.

Bandgap reference circuit

Номер патента: TWI232637B. Автор: Ming-Dou Ker,Wen-Yu Lo,Ching-Yun Chu. Владелец: Silicon Integrated Sys Corp. Дата публикации: 2005-05-11.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT FOR PROVIDING REFERENCE VOLTAGE

Номер патента: US20130257396A1. Автор: Tung Ming-Sheng. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-03.

CMOS (complementary metal oxide semiconductor)-process-based chopper bandgap reference circuit and reference voltage chip

Номер патента: CN203552113U. Автор: 刘宝生,乔爱国,谭迁宁. Владелец: Chipsea Technologies Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-16.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT AND POWER SUPPLY CIRCUIT

Номер патента: US20130119967A1. Автор: Kiuchi Hideki. Владелец: Renesas Electronics Corporation. Дата публикации: 2013-05-16.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT WITH STARTUP CIRCUIT AND METHOD OF OPERATION

Номер патента: US20140062451A1. Автор: Siegel Joshua,Mai Khoi B.. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-06.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT AND REGULATOR CIRCUIT WITH COMMON AMPLIFIER

Номер патента: US20140015509A1. Автор: Gupta Rakesh K.,Banerjee Jaideep,Wadhwa Sanjay K.. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. Дата публикации: 2014-01-16.

Voltage Generator and Bandgap Reference Circuit

Номер патента: US20130328542A1. Автор: Liu Yin,Wang Hui,Xiang Jun,Chong Huaming. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-12.

Bandgap Reference Circuit with an Output Insensitive to Offset Voltage

Номер патента: US20120212208A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-08-23.

A kind of low noise bandgap references circuit reducing offset influence

Номер патента: CN104503528B. Автор: 刘洋,李甜,于奇,刘伟忠,徐振涛,毛文彪,李耀合. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2016-03-30.

Bandgap reference circuits

Номер патента: TWI380154B. Автор: Jr Rogelio L Erbito. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 2012-12-21.

Bandgap reference circuit

Номер патента: TWI237170B. Автор: Ming-Nan Juang,Wei-Wen Feng. Владелец: Analog Integrations Corp. Дата публикации: 2005-08-01.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20130307516A1. Автор: Yu Kuo-Feng,CHEN Chung-Hui,HORNG Jaw-Juinn. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-11-21.

Bandgap reference circuit

Номер патента: JP6896547B2. Автор: 洋一 示野. Владелец: New Japan Radio Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-30.

Bandgap reference circuit

Номер патента: CN104777870A. Автор: 周宁. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2015-07-15.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20120249115A1. Автор: Chuang Wen-Hsien,Wang Ting-Hao,Lu Yu-Tsung. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-04.

Multi-output bandgap reference circuit with function of nonlinear temperature compensation

Номер патента: CN102591398B. Автор: 胡建国,王伟,刘鹏飞,何琦,佘龙,郎君,王永寿,萧经华,代建宾,朱传森. Владелец: HI-TREND TECHNOLOGY (SHANGHAI) Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-26.

Bandgap reference circuit

Номер патента: TW200832099A. Автор: Yan-Hua Peng,Mei-Show Chen,Uei-Shan Wang. Владелец: Faraday Tech Corp. Дата публикации: 2008-08-01.

Bandgap reference voltage circuit device

Номер патента: TW200418271A. Автор: de-xun Huang. Владелец: Feature Integration Technology Inc. Дата публикации: 2004-09-16.

Method and Device for Generating an Adjustable Bandgap Reference Voltage

Номер патента: US20120293143A1. Автор: Fort Jimmy,Soude Thierry. Владелец: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS. Дата публикации: 2012-11-22.

Device for Generating an Adjustable Bandgap Reference Voltage with Large Power Supply Rejection Rate

Номер патента: US20120293149A1. Автор: . Владелец: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS. Дата публикации: 2012-11-22.

BANDGAP REFERENCE VOLTAGE GENERATOR

Номер патента: US20130106393A1. Автор: Chang Hui-Ju,HONG Shuo-Jyun. Владелец: SILICON MOTION, INC.. Дата публикации: 2013-05-02.

POLYSILICON DIODE BANDGAP REFERENCE

Номер патента: US20140043096A1. Автор: Finney Adrian. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-13.

Bandgap reference voltage circuit and electronic device

Номер патента: TWI497255B. Автор: I Hsiu Ho. Владелец: Elite Semiconductor Esmt. Дата публикации: 2015-08-21.

Startup circuit and bandgap reference source circuit with startup circuit

Номер патента: CN103389762B. Автор: 胡胜发,潘少辉. Владелец: Anyka Guangzhou Microelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-11.

Startup circuit and bandgap reference source circuit with startup circuit

Номер патента: CN103389762A. Автор: 胡胜发,潘少辉. Владелец: Anyka Guangzhou Microelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-13.

Current mode bandgap reference voltage source with subthreshold current compensation function

Номер патента: CN104035471A. Автор: 孙伟锋,陆生礼,时龙兴,祝靖,张允武,黄泽祥. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-09-10.

Bandgap reference voltage generator for low supply voltage

Номер патента: TW201129892A. Автор: Kwan-Jen Chu,Isaac Yao-Zhou Chen. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2011-09-01.

SUPPLY INVARIANT BANDGAP REFERENCE SYSTEM

Номер патента: US20120081099A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-04-05.

Bandgap Reference Apparatus and Methods

Номер патента: US20120176186A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-07-12.

ADJUSTABLE SECOND-ORDER-COMPENSATION BANDGAP REFERENCE

Номер патента: US20130234781A1. Автор: Bernardinis Gabriele. Владелец: . Дата публикации: 2013-09-12.

A kind of super low-power consumption non-resistance non-bandgap reference source

Номер патента: CN104076856B. Автор: 张波,吴刚,王霞,王卓,周泽坤,石跃. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2015-09-09.

Resistance-less bandgap reference source

Номер патента: CN103399612B. Автор: 刘楠,贺红荔,庄在龙. Владелец: JIANGSU XINCHUANGYI ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-15.

Bandgap reference voltage source circuit

Номер патента: CN202502430U. Автор: 王帅旗,贾晓伟,邓龙利. Владелец: Beijing Jingwei Hirain Tech Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-24.

Low voltage bandgap reference, chip, portable power source, drive recorder and electronic equipment

Номер патента: CN206639083U. Автор: 莫昌文. Владелец: Jianrong Integrated Circuit Technology Zhuhai Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

A kind of High Precision Bandgap Reference

Номер патента: CN104571240B. Автор: 李正大. Владелец: Changsha University. Дата публикации: 2017-01-04.

Low-temperature-offset-coefficient bandgap reference voltage generation circuit

Номер патента: CN104035470A. Автор: 周云,吕坚,阙隆成,牛润梅,张壤匀. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2014-09-10.

A proportional to absolute temperature current and voltage of bandgap reference with start-up circuit

Номер патента: TW201104381A. Автор: Guo-Ming Sung,You-Hsiang Lu. Владелец: Univ Nat Taipei Technology. Дата публикации: 2011-02-01.

Ultra-low-power-consumption non-resistance non-bandgap reference source

Номер патента: CN104076856A. Автор: 张波,吴刚,王霞,王卓,周泽坤,石跃. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2014-10-01.

ELECTRONIC CIRCUIT HAVING BAND-GAP REFERENCE CIRCUIT AND START-UP CIRCUIT, AND METHOD OF STARTING-UP BAND-GAP REFERNCE CIRCUIT

Номер патента: US20130082770A1. Автор: LEE Chia-Fu,LI Chih-Feng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-04-04.

Semiconductor Device With A Test Circuit And A Reference Circuit

Номер патента: US20120062257A1. Автор: Baumann Thomas,Pacha Christian,GEORGAKOS Georg,TCHEGHO KAMGAING Anselme Urlick. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-15.

MULTI-LAYER CIRCUIT MEMBER WITH REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20120280766A1. Автор: Regnier Kent E.. Владелец: Molex Incorporated. Дата публикации: 2012-11-08.

Starting circuit of reference circuit with wide working voltage range

Номер патента: CN201616036U. Автор: 石万文,徐挺,徐君怡,雷红军. Владелец: SUZHOU HUAXIN MICRO-ELECTRONICS Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-27.

CIRCUIT FOR INTERFACE OF SUBSCRIBERS 'TERMINALS IN TELEPHONE CENTERS THE INTERCEPTATION AND REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: BR9201899A. Автор: Carlos Alberto Neves Botelho. Владелец: Carlos Alberto Neves Botelho. Дата публикации: 1993-11-09.

Voltage reference circuit

Номер патента: TW200944984A. Автор: David Lin,Hsin-Chi Lai,Zhi-Ming Lin. Владелец: Univ Nat Changhua Education. Дата публикации: 2009-11-01.

Reference circuit and method

Номер патента: GB202403254D0. Автор: . Владелец: OXFORD BROOKES UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-04-17.

Voltage reference circuit

Номер патента: HK108090A. Автор: Kenneth Irving Ray. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1990-12-28.

Energy band gap reference circuit

Номер патента: CN105300464B. Автор: 粘书瀚. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-15.

High-precision high-power-supply-rejection-ratio depletion type voltage reference circuit

Номер патента: CN211827062U. Автор: 王勇,董磊,王婉,夏雪. Владелец: Xi'an Aerosemi Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-10-30.

Voltage reference circuit

Номер патента: JP3514303B2. Автор: 守 宇賀神,恒夫 束原. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2004-03-31.

Temperature-Stable CMOS Voltage Reference Circuits

Номер патента: US20120092064A1. Автор: Floyd Brian Harold. Владелец: Aptus Power Semiconductor. Дата публикации: 2012-04-19.

Temperature Independent Reference Circuit

Номер патента: US20120146715A1. Автор: Kung David,Lund Leif. Владелец: POWER INTEGRATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-06-14.

BANDGAP VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT, SYSTEM, AND METHOD FOR REDUCED OUTPUT CURVATURE

Номер патента: US20120169413A1. Автор: Choi Davy. Владелец: STMicroelectronics Inc.. Дата публикации: 2012-07-05.

VERY LOW VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20120235662A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-09-20.

SWITCHING POWER CONVERTER CURRENT LIMIT REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20120308218A1. Автор: GALLOWAY GAVIN,McPartlin Michael. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-06.

CONFIGURABLE REFERENCE CIRCUIT FOR LOGIC GATES

Номер патента: US20120319727A1. Автор: Katti Romney R.. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2012-12-20.

Temperature Independent Reference Circuit

Номер патента: US20120326697A1. Автор: . Владелец: POWER INTEGRATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-12-27.

PSRR IN A VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20130069715A1. Автор: Missiroli Chiara,Passerini Marco,Mannino Francesco. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2013-03-21.

VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20130076331A1. Автор: YAMASAKI Taro,UTSUNOMIYA Fumiyasu. Владелец: SEIKO INSTRUMENTS INC.. Дата публикации: 2013-03-28.

CURVATURE-COMPENSATED BAND-GAP VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20130106390A1. Автор: Wadhwa Sameer. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-05-02.

LOW-POWER VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20130120050A1. Автор: Suh Jungwon,Hao Wuyang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-05-16.

TUNABLE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20130293286A1. Автор: Li Xia,Kim Taehyun,Kim Jung Pill. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-11-07.

REFERENCE CIRCUIT WITH CURVATURE CORRECTION USING ADDITIONAL COMPLEMENTARY TO TEMPERATURE COMPONENT

Номер патента: US20140022662A1. Автор: Bibee Matthew. Владелец: LSI Corporation. Дата публикации: 2014-01-23.

Integrated Chip with Heating Element and Reference Circuit

Номер патента: US20140043052A1. Автор: Lindholm Christian,Hassander Henrik. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-02-13.

LOW-POWER RESISTOR-LESS VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20140070873A1. Автор: Mahooti Kevin,Gunther Andre. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2014-03-13.

LOW POWER FAST SETTLING VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20140077791A1. Автор: Zhang Junmou. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2014-03-20.

Current reference circuit

Номер патента: CN103412597B. Автор: 李源,潘华,方健,彭宜建,王贺龙,程春云. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2015-06-17.

Strain signal synchronous acquisition analog front end and reference circuit

Номер патента: CN216486180U. Автор: 纪铁军,李佳城,贺子桐,李沂涛,徐志达. Владелец: Harbin University of Science and Technology. Дата публикации: 2022-05-10.

Voltage reference circuit

Номер патента: CN104656732A. Автор: 孟晨,李海启,傅金. Владелец: Galaxycore Shanghai Ltd Corp. Дата публикации: 2015-05-27.

Band gap reference circuit and band gap reference current source

Номер патента: CN102375468A. Автор: 丁振国,胡敏弘,吴振聪. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-03-14.

A kind of based on degenerative CMOS band-gap reference circuit

Номер патента: CN103064457B. Автор: 林昱,林春,郭东辉,李晓潮. Владелец: XIAMEN UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-09-23.

A kind of can the voltage reference circuit of fixed temperature coefficient

Номер патента: CN104460810B. Автор: 包应江. Владелец: WUHAN ZHONGWEI INFORMATION TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-06.

Low-voltage band-gap reference circuit

Номер патента: CN103926966B. Автор: 李正平,谭守标,蔺智挺,吴秀龙,陈军宁,戚颖. Владелец: ANHUI UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-07-08.

Band-gap reference circuit

Номер патента: CN105116960B. Автор: 沈煜,胡上. Владелец: INTERNATIONAL GREEN CHIP (TIANJIN) CO Ltd. Дата публикации: 2017-01-18.

Band-gap reference circuit with small temperature coefficient

Номер патента: CN105259969B. Автор: 亚历山大. Владелец: Xian Unilc Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-19.

Low pressure and low power-consumption band-gap reference circuit

Номер патента: CN104977972A. Автор: 刘铭,邓龙利. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2015-10-14.

A kind of band-gap reference circuit of integrated temperature protection and curvature compensation function

Номер патента: CN207623828U. Автор: 张建辉,宗宇,柏晓鹤. Владелец: Mxtronics Corp. Дата публикации: 2018-07-17.

Low-power-consumption full-MOS tube band-gap reference circuit and converter based on same

Номер патента: CN109901656B. Автор: 张晨,钟慧,石玉,王诗元,尉旭波,彭春瑞. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2020-11-10.

A kind of band-gap reference circuit

Номер патента: CN103412608B. Автор: 潘华,方健,谷洪波,王贺龙,贾姚瑶,袁同伟. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2015-10-21.

Electric current and voltage reference circuit

Номер патента: CN100429600C. Автор: 林崇伟. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-10-29.

Band-gap reference circuit with power supply ripple rejection under low voltage

Номер патента: CN203025599U. Автор: 董晓敏,耿靖斌,孔阳阳. Владелец: Datang Microelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-26.

Energy-gap reference circuit

Номер патента: CN100594462C. Автор: 彭彦华,王为善. Владелец: Faraday Technology Corp. Дата публикации: 2010-03-17.

Current reference circuit with temperature compensation

Номер патента: CN212322146U. Автор: 赵铮,金芬,戴金樑. Владелец: Hangzhou Ruimeng Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-01-08.

Teaching method for reference circuit board data of automatic inspecting device

Номер патента: JPS62182809A. Автор: Teruhisa Yotsuya,輝久 四ツ谷. Владелец: Omron Tateisi Electronics Co. Дата публикации: 1987-08-11.

There is the current source reference circuit of low-temperature coefficient

Номер патента: CN103631306B. Автор: 李林,田磊,来新泉,邵丽丽. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2016-08-17.

Band gap reference circuit

Номер патента: JP2793393B2. Автор: 茂樹 森崎,善一 樋口. Владелец: NIPPON DENKI ENJINIARINGU KK. Дата публикации: 1998-09-03.

There is not low output voltage high power supply rejection ratio band gap reference circuit that fortune was put

Номер патента: CN204808099U. Автор: 刘铭,邓龙利. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2015-11-25.

Band-gap reference circuit applied to passive ultra-high frequency radio frequency identification device (UHFRFID) label chip

Номер патента: CN102354250A. Автор: 李小明,刘伟峰,庄奕琪,靳钊,景鑫,杜永乾. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2012-02-15.

Band-gap reference circuit applied to ultra-low voltage scene

Номер патента: CN213814438U. Автор: 邹亮,宋利军. Владелец: Inperson Semiconductor Shanghai Co ltd. Дата публикации: 2021-07-27.

NMOS drive output band-gap reference circuit

Номер патента: CN104714590A. Автор: 刘军,朱彤,许明,苏秀敏. Владелец: VERISILICON HOLDINGS CO Ltd. Дата публикации: 2015-06-17.

Band-gap reference circuit

Номер патента: CN100535821C. Автор: 张家玮,彭彦华,王为善. Владелец: Faraday Technology Corp. Дата публикации: 2009-09-02.

Continuous-output full-integration switched capacitor band-gap reference circuit

Номер патента: CN103440014A. Автор: 张波,王卓,周泽坤,苟超,明鑫,刘德尚,许天辉. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2013-12-11.

Voltage reference circuit with switch control characteristic

Номер патента: CN102073333B. Автор: 崔文兵. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-13.

High-performance band-gap reference circuit

Номер патента: CN115857601A. Автор: 刘轶,赵科伟,王贵宇. Владелец: NANJING UNIVERSITY OF POSTS AND TELECOMMUNICATIONS. Дата публикации: 2023-03-28.

Low pressure and low power-consumption band-gap reference circuit

Номер патента: CN104977973A. Автор: 刘铭,邓龙利. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2015-10-14.

A kind of band-gap reference circuit

Номер патента: CN206270791U. Автор: 刘铭,邓龙利. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Voltage reference circuit of pulse width modulation

Номер патента: CN1901344A. Автор: 李丽,李伟,陈思远,何书专,高明伦,郎君,杨盛光. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2007-01-24.

Low-voltage low-power-consumption band-gap reference circuit

Номер патента: CN213276404U. Автор: 卿琼. Владелец: Dongguan Junrensi Electronic Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-05-25.

Simple and efficient LCD voltage reference circuit

Номер патента: CN216210699U. Автор: 吕申. Владелец: Pulisheng Xiamen Electromechanical Co ltd. Дата публикации: 2022-04-05.

Band-gap reference circuit capable of eliminating offset influence by chopping technology

Номер патента: CN102323848A. Автор: 王玮冰,黄卓磊. Владелец: Jiangsu IoT Research and Development Center. Дата публикации: 2012-01-18.

Reference circuit under low power supply voltage

Номер патента: CN211123820U. Автор: 王钊. Владелец: Nanjing Zgmicro Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-28.

A kind of current reference circuit

Номер патента: CN207067831U. Автор: 舒清明,方海彬. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2018-03-02.

Band-gap reference circuit applied to passive ultra-high frequency radio frequency identification device (UHFRFID) label chip

Номер патента: CN102354250B. Автор: 李小明,刘伟峰,庄奕琪,靳钊,景鑫,杜永乾. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2013-08-14.

Voltage reference circuit

Номер патента: CN101901018B. Автор: 崔文兵. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-20.

Band gap reference circuit

Номер патента: JP2003263232A. Автор: Koji Tomioka,Hidetoshi Nakamura,英俊 中村,幸治 富岡. Владелец: Asahi Kasei Microsystems Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-19.

High-precision band-gap reference circuit

Номер патента: CN102681583A. Автор: 高静,徐江涛,于海明,姚素英,史再峰,陈思海. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-09-19.

Band-gap reference circuit with current compensation

Номер патента: CN103744464A. Автор: 姜伟,赵野,付佳,杜晓伟,郝炳贤. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2014-04-23.

Reference circuit capable of adjusting temperature coefficient

Номер патента: TW200923611A. Автор: Xian-Hong Wu. Владелец: CMSC Inc. Дата публикации: 2009-06-01.

Voltage and current reference circuit

Номер патента: TW201205229A. Автор: Yen-Hua Lin. Владелец: Alpha Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-02-01.

Voltage reference circuit

Номер патента: TWI361343B. Автор: David Lin,Zhiming Lin,Hsinchi Lai. Владелец: Univ Nat Changhua Education. Дата публикации: 2012-04-01.

DATA ACQUISITION

Номер патента: US20120001076A1. Автор: Chappo Marc,Luhta Randall P.,Vrettos Christopher J.,Harwood Brian E.. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2012-01-05.

Integrating (SLOPE) DAC Architecture

Номер патента: US20120001784A1. Автор: . Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.