一种低功耗的带隙基准电路
Номер патента: CN113703510B
Опубликовано: 22-07-2022
Автор(ы): 何越峰, 袁国顺
Принадлежит: Jiangsu Jicui Intelligent Integrated Circuit Design Technology Research Institute Co ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 22-07-2022
Автор(ы): 何越峰, 袁国顺
Принадлежит: Jiangsu Jicui Intelligent Integrated Circuit Design Technology Research Institute Co ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Low power consumption and high precision resistance-free CMOS reference voltage source
Номер патента: US12093067B1. Автор: Jun Lu,Haibo Huang,Yi Zhao,Shuo CAI,Fan SUN,Shiwei Xiao,Huizhe Chen,Jixiang Sui,Shiqing Cheng,Yulin Kong,Wenju Lv,Zihan Lv. Владелец: Hubei University of Automotive Technology. Дата публикации: 2024-09-17.