Apparatus of preventing ESD and EMP using semiconductor having a wider band gap and method thereof
Номер патента: US11303117B2
Опубликовано: 12-04-2022
Автор(ы): Liann-Be Chang
Принадлежит: Chang Gung University CGU
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 12-04-2022
Автор(ы): Liann-Be Chang
Принадлежит: Chang Gung University CGU
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Apparatus of preventing esd and emp using semiconductor having a wider band gap and method thereof
Номер патента: US20210036511A1. Автор: Liann-Be Chang. Владелец: Chang Gung University CGU. Дата публикации: 2021-02-04.