Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Bandgap reference circuit

Номер патента: US20190235542A1
Опубликовано: 01-08-2019
Автор(ы): Kok-Siang Tan
Принадлежит: PixArt Imaging Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Power efficient startup circuit for activating a bandgap reference circuit

Номер патента: WO2007123905A2. Автор: Bilal Manai,Xavier Rabeyrin,Maud Pierrel. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2007-11-01.

Power efficient startup circuit for activating a bandgap reference circuit

Номер патента: US20070241735A1. Автор: Bilal Manai,Xavier Rabeyrin,Maud Pierrel. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Bandgap reference circuit, control circuit, and associated control method

Номер патента: US20200125128A1. Автор: Chung-Chieh Yang,Chih-Chiang Chang,Yung-Chow Peng,Nai Chen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Power efficient startup circuit for activating a bandgap reference circuit

Номер патента: WO2007123905A3. Автор: Bilal Manai,Xavier Rabeyrin,Maud Pierrel. Владелец: Maud Pierrel. Дата публикации: 2008-05-02.

Power efficient startup circuit for activating a bandgap reference circuit

Номер патента: US7323856B2. Автор: Bilal Manai,Xavier Rabeyrin,Maud Pierrel. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2008-01-29.

Bandgap reference circuit

Номер патента: US09977442B1. Автор: Kok-Siang Tan. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Bandgap reference circuit, control circuit, and associated control method

Номер патента: US20200257326A1. Автор: Chung-Chieh Yang,Chih-Chiang Chang,Yung-Chow Peng,Nai Chen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-13.

Methods and apparatus for low input voltage bandgap reference architecture and circuits

Номер патента: US09857813B2. Автор: Aatmesh Shrivastava. Владелец: PSIKICK Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Automatically controlled bandgap reference circuit

Номер патента: US20200401177A1. Автор: Bang Li LIANG. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2020-12-24.

Overshoot-free fast start-up bandgap reference circuit, chip, and electronic device

Номер патента: EP4459415A2. Автор: CHENG Chen,Chunling Li,Chenyang GAO,Yongshou WANG. Владелец: Vanchip Tianjin Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-06.

Temperature-based bandgap reference circuit

Номер патента: US20220334606A1. Автор: Bang Li LIANG. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Bandgap reference circuit and method for room temperature trimming with replica elements

Номер патента: US9804614B2. Автор: Cang Ji,Siarhei Meliukh. Владелец: Dialog Semiconductor UK Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Bandgap reference circuit

Номер патента: US20180314280A1. Автор: Kok-Siang Tan. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2018-11-01.

Bandgap reference circuit

Номер патента: US10296027B2. Автор: Kok-Siang Tan. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2019-05-21.

Temperature-based bandgap reference circuit

Номер патента: US11797042B2. Автор: Bang Li LIANG. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Overshoot-free fast start-up bandgap reference circuit, chip, and electronic device

Номер патента: US20240152172A1. Автор: CHENG Chen,Chunling Li,Chenyang GAO,Yongshou WANG. Владелец: Vanchip Tianjin Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Ultra low temperature drift bandgap reference with single point calibration technique

Номер патента: US09851731B2. Автор: Rajeev Jain,Chandrajit Debnath. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-12-26.

Method and device for generating an adjustable bandgap reference voltage

Номер патента: US09454163B2. Автор: Jimmy Fort,Thierry Soude. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2016-09-27.

Bandgap reference circuit using heterogeneous power and electronic device having the same

Номер патента: US20230295908A1. Автор: Kyung-Min Kim,Hyeongji LEE,Yunhwan Jung,Haesick Sul,Sunyood KANG,Yungong KIM,Seongnam-si SUH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Bandgap reference circuit using heterogeneous power and electronic device having the same

Номер патента: US20210382513A1. Автор: Kyung-Min Kim,Sunyool Kang,Yunhwan Jung,Haesick Sul,Yunhong Kim,Hyeonji Lee,Seungmin SUH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-09.

Temperature-compensated low-voltage bandgap reference

Номер патента: US20180307258A1. Автор: Petr Kadanka. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-10-25.

Robust start-up circuit for CMOS bandgap reference

Номер патента: US6133719A. Автор: Prabir C. Maulik. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2000-10-17.

Adaptive overshoot-voltage suppression circuit, reference circuit, chip and communication terminal

Номер патента: EP4379495A1. Автор: CHENG Chen,Chunling Li,Chenyang GAO,Yongshou WANG. Владелец: Vanchip Tianjin Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

Circuit starting method, control circuit and voltage reference circuit

Номер патента: US20170227976A1. Автор: Binbin Li. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Adaptive overshoot-voltage suppression circuit, reference circuit, chip and communication terminal

Номер патента: US20240143006A1. Автор: CHENG Chen,Chunling Li,Chenyang GAO,Yongshou WANG. Владелец: Vanchip Tianjin Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Band-gap reference circuit

Номер патента: US20190235547A1. Автор: Yuan Tang. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

A reference circuit and a power management unit

Номер патента: EP4261650A1. Автор: Chutham SAWIGUN,CHANG En-Chi. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-10-18.

Band gap reference circuit under low supply voltage

Номер патента: US20240176378A1. Автор: Kyung Min Shin,Harim CHOI,YongSung AHN. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Reference circuit and a power management unit

Номер патента: US20230333580A1. Автор: Chutham SAWIGUN,En-Chi CHANG. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-10-19.

Band gap reference circuit under low supply voltage

Номер патента: EP4375788A2. Автор: Kyung Min Shin,Harim CHOI,YongSung AHN. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-29.

Bandgap reference circuit and method of using the same

Номер патента: US20180129237A1. Автор: Zhi Bing Deng,Wen Jun WENG,Josh Yang,Cheng Tai HUANG,Cheng Yi Huang,Jun Tao GUO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-10.

Mixed-signal control circuit for eliminating degenerate metastable state of bandgap reference circuit

Номер патента: US11892865B2. Автор: Patrick Bian Wu. Владелец: Excelio Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Mixed-signal control circuit for eliminating degenerate metastable state of bandgap reference circuit

Номер патента: US20230179177A1. Автор: Patrick Bian Wu. Владелец: Excelio Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Bandgap reference voltage generator

Номер патента: EP4043992A1. Автор: Mukul Pancholi,Sushil Kumar Gupta. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2022-08-17.

Voltage reduction circuit for bandgap reference voltage circuit

Номер патента: US20220011804A1. Автор: Han-Hsiang Huang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Bandgap reference voltage generator

Номер патента: US20220253087A1. Автор: Mukul Pancholi,Sushil Kumar Gupta. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2022-08-11.

Voltage reference circuit

Номер патента: US20080224682A1. Автор: Holger Haiplik. Владелец: Cirrus Logic International UK Ltd. Дата публикации: 2008-09-18.

Reverse bandgap reference circuit with bulk diode, and switch capacitor temperature sensor with duty-cycle output

Номер патента: US20210041928A1. Автор: Matthias Eberlein. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Reverse bandgap reference circuit with bulk diode, and switch capacitor temperature sensor with duty-cycle output

Номер патента: WO2021029992A1. Автор: Matthias Eberlein. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2021-02-18.

Low power voltage reference circuits

Номер патента: US20210004031A1. Автор: Giuseppe Palmisano,Germano Nicollini,Marco Orazio Cavallaro. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-01-07.

Bandgap reference circuit with low output impedance stage and power-on detector

Номер патента: US09921592B2. Автор: Oleg Dadashev,Fabrice Paillet,Joseph Shor,George L. Geannopoulos,Lan D. VU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT WITH INVERTED BANDGAP PAIRS

Номер патента: US20180292849A1. Автор: Krishnan Sandeep Shylaja. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-11.

Bandgap reference circuit with inverted bandgap pairs

Номер патента: CN108693912B. Автор: S·S·克利斯南. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-05-25.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT, CONTROL CIRCUIT, AND ASSOCIATED CONTROL METHOD

Номер патента: US20200125128A1. Автор: CHANG Chih-Chiang,Peng Yung-Chow,Yang Chung-Chieh,CHENG Nai Chen. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT, CONTROL CIRCUIT, AND ASSOCIATED CONTROL METHOD

Номер патента: US20200257326A1. Автор: CHANG Chih-Chiang,Peng Yung-Chow,Yang Chung-Chieh,CHENG Nai Chen. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-13.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT AND METHOD OF USING THE SAME

Номер патента: US20180129237A1. Автор: DENG Zhi Bing,HUANG Cheng Tai,WENG Wen Jun,YANG JOSH,HUANG Cheng Yi,GUO Jun Tao. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-10.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20180314280A1. Автор: TAN KOK-SIANG. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-01.

Bandgap Reference Circuit and Method for Room Temperature Trimming with Replica Elements

Номер патента: US20160334816A1. Автор: Ji Cang. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-17.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT WITH LOW OUTPUT IMPEDANCE STAGE AND POWER-ON DETECTOR

Номер патента: US20160246315A1. Автор: Shor Joseph,Paillet Fabrice,Geannopoulos George L.,VU Lan D.,DADASHEV Oleg. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-25.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20190235542A1. Автор: TAN KOK-SIANG. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-01.

Managing curvature compensation in bandgap reference voltage output in compensation circuit

Номер патента: EP4435556A1. Автор: Subodh Prakash Taigor,Shubham Raj SINGH,Ravindra Kumar Singh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-25.

Managing curvature compensation in bandgap reference voltage output in compensation circuit

Номер патента: US20240319754A1. Автор: Subodh Prakash Taigor,Shubham Raj SINGH,Ravindra Kumar Singh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Method and device for generating an adjustable bandgap reference voltage

Номер патента: US09804631B2. Автор: Jimmy Fort,Thierry Soude. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-10-31.

A leakage-based startup-free bandgap reference generator

Номер патента: KR101733157B1. Автор: 심재윤,이종미,지영우. Владелец: 포항공과대학교 산학협력단. Дата публикации: 2017-05-08.

ULTRA LOW TEMPERATURE DRIFT BANDGAP REFERENCE WITH SINGLE POINT CALIBRATION TECHNIQUE

Номер патента: US20160124445A1. Автор: Jain Rajeev,Debnath Chandrajit. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-05.

Method and device for generating an adjustable bandgap reference voltage

Номер патента: CN102789254A. Автор: J·弗特,T·索德. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2012-11-21.

METHODS AND APPARATUS FOR LOW INPUT VOLTAGE BANDGAP REFERENCE ARCHITECTURE AND CIRCUITS

Номер патента: US20160041570A1. Автор: Shrivastava Aatmesh. Владелец: PSIKICK, INC.. Дата публикации: 2016-02-11.

Method and Device for Generating an Adjustable Bandgap Reference Voltage

Номер патента: US20150145487A1. Автор: Fort Jimmy,Soude Thierry. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-28.

BANDGAP REFERENCE VOLTAGE GENERATING CIRCUIT

Номер патента: US20150185746A1. Автор: Wang Chiao-Hsing. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

METHODS AND APPARATUS FOR LOW INPUT VOLTAGE BANDGAP REFERENCE ARCHITECTURE AND CIRCUITS

Номер патента: US20180217622A1. Автор: Shrivastava Aatmesh. Владелец: PSIKICK, INC.. Дата публикации: 2018-08-02.

AUTO-CALIBRATED BANDGAP REFERENCE

Номер патента: US20190278312A1. Автор: LIN Hsiao-Ming. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2019-09-12.

TEMPERATURE-COMPENSATED LOW-VOLTAGE BANDGAP REFERENCE

Номер патента: US20180307258A1. Автор: Kadanka Petr. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2018-10-25.

BANDGAP REFERENCE VOLTAGE GENERATOR CIRCUITS

Номер патента: US20150346746A1. Автор: NGUYEN Bai Yen,HUANG Zhiqi,TAM Yoke Weng,LAU Benjamin Shui Chor. Владелец: GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2015-12-03.

LOW NOISE BANDGAP REFERENCE ARCHITECTURE

Номер патента: US20220413539A1. Автор: ROY Subrato,NYSHADHAM Sanjeev Praphulla Chandra. Владелец: . Дата публикации: 2022-12-29.

Methods and apparatus for low input voltage bandgap reference architecture and circuits

Номер патента: US9158320B1. Автор: Aatmesh Shrivastava. Владелец: PSIKICK Inc. Дата публикации: 2015-10-13.

LDO/band gap reference circuit

Номер патента: US12147255B2. Автор: Yi-Wen Chen,Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO,Bindu Madhavi Kasina. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Regulator circuit and reference circuit having high PSRR and switch circuit thereof

Номер патента: US11927975B2. Автор: Chuang-Shen Voo. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Regulator circuit and reference circuit having high psrr and switch circuit thereof

Номер патента: US20230168704A1. Автор: Chuang-Shen Voo. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2023-06-01.

Circuit starting method, control circuit and voltage reference circuit

Номер патента: US20170227976A1. Автор: Binbin Li. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Circuit start method, control circuit and voltage reference circuit

Номер патента: EP3182242A4. Автор: Binbin Li. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2017-09-06.

LDO/Band Gap Reference Circuit

Номер патента: US20230244258A1. Автор: Yi-Wen Chen,Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO,Bindu Madhavi Kasina. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Self-adaptive overshoot voltage suppression circuit, reference circuit, chip and communication terminal

Номер патента: CN113311896A. Автор: 陈成,李春领,林升,王永寿. Владелец: Vanchip Tianjin Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-27.

Self-adaptive overshoot voltage suppression circuit, reference circuit, chip and communication terminal

Номер патента: CN113311896B. Автор: 陈成,李春领,林升,王永寿. Владелец: Vanchip Tianjin Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-17.

AREA-EFFICIENT HIGH-ACCURACY BANDGAP VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20180074533A1. Автор: Jennings John K.,Kamath Umanath R.. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2018-03-15.

Reference circuit with temperature compensation

Номер патента: US11609591B2. Автор: Chun-Yao Lu. Владелец: Hycon Technology Corp. Дата публикации: 2023-03-21.

A kind of high-order temperature compensated band-gap reference circuit

Номер патента: CN109254612B. Автор: 郭涛,周前能,李红娟,彭志强,范霆铠. Владелец: Chongqing University of Post and Telecommunications. Дата публикации: 2019-09-10.

Overshoot-free quick-start band gap reference circuit, chip and electronic equipment

Номер патента: CN113985957A. Автор: 陈成,李春领,高晨阳,王永寿. Владелец: Vanchip Tianjin Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-28.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT HAVING CLAMPING CONTROL CIRCUIT AND BEING CAPABLE OF IMPROVING RATE OF PROVIDING PREDETERMINED VOLTAGE

Номер патента: US20180323780A1. Автор: CHEN Chih-Sheng,Peng Tien-Yun. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-08.

Precision bandgap reference with trim adjustment

Номер патента: US20200183440A1. Автор: Todd Morgan Rasmus. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20140266413A1. Автор: Eberlein Matthias. Владелец: Intel Mobile Communications GmbH. Дата публикации: 2014-09-18.

TWO-TRANSISTOR BANDGAP REFERENCE CIRCUIT AND FINFET DEVICE SUITED FOR SAME

Номер патента: US20180356852A1. Автор: Lin Da-Wen,Huang Peter,LIN Yvonne,YANG Sheng-Jier,Rousseau Paul. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-13.

Bandgap reference circuit and sensor chip using the same

Номер патента: US10386875B2. Автор: Kok-Siang Tan,Wai-Lian TEO. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2019-08-20.

Low noise bandgap reference architecture

Номер патента: US11914412B2. Автор: Sanjeev Praphulla Chandra NYSHADHAM,Subrato Roy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Low noise bandgap reference architecture

Номер патента: US20220413539A1. Автор: Sanjeev Praphulla Chandra NYSHADHAM,Subrato Roy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Bandgap reference voltage generator circuits

Номер патента: US9489004B2. Автор: Zhiqi Huang,Yoke Weng Tam,Bai Yen NGUYEN,Benjamin Shui Chor Lau. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Low noise bandgap reference architecture

Номер патента: US20240192718A1. Автор: Sanjeev Praphulla Chandra NYSHADHAM,Subrato Roy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Bandgap reference voltage generator and semiconductor device thereof

Номер патента: KR100825029B1. Автор: 변상진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-04-24.

Dynamically controlled voltage reference circuit

Номер патента: US5589794A. Автор: David C. McClure. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 1996-12-31.

Bias circuit for a voltage reference circuit

Номер патента: EP0918272B1. Автор: Raymond D. Zoellick. Владелец: Fluke Corp. Дата публикации: 2001-11-28.

Temperature and process compensated current reference circuits

Номер патента: US09436206B2. Автор: Yong Feng Liu. Владелец: STMicroelectronics Shenzhen R&D Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20130249525A1. Автор: TAKADA Kosuke,OTSUKA Nao. Владелец: SEIKO INSTRUMENTS INC.. Дата публикации: 2013-09-26.

LOW POWER VOLTAGE REFERENCE CIRCUITS

Номер патента: US20210004031A1. Автор: Cavallaro Marco Orazio,PALMISANO Giuseppe,Nicollini Germano. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-07.

MITIGATION OF VOLTAGE SHIFT INDUCED BY MECHANICAL STRESS IN BANDGAP VOLTAGE REFERENCE CIRCUITS

Номер патента: US20220300016A1. Автор: Yoshioka Masahiro,Johnson Jeffrey David. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-22.

CMOS SUBTHRESHOLD REFERENCE CIRCUIT WITH LOW POWER CONSUMPTION AND LOW TEMPERATURE DRIFT

Номер патента: US20180164842A1. Автор: ZHANG BO,WANG YAO,Wang Zhuo,Wang Anqi,Yu Hongming,ZHOU Zekun,CAO Jianwen,WANG Yunkun. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2018-06-14.

Band-gap voltage reference circuit

Номер патента: US20070076483A1. Автор: Derek Colman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-04-05.

Temperature compensated current reference circuit

Номер патента: US7965129B1. Автор: Saurabh Srivastava,Sanjay K. Wadhwa. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-06-21.

Dynamically controlled voltage reference circuit

Номер патента: DE69518616D1. Автор: David C Mcclure. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2000-10-05.

Precision voltage reference circuit with tunable resistance

Номер патента: US9405305B1. Автор: Alfio Zanchi. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2016-08-02.

Bandgap reference apparatus and methods

Номер патента: US09958895B2. Автор: Mark Shane Peng,Chih-Chia Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Bandgap reference circuit and method of testing and calibrating the same

Номер патента: US20240345614A1. Автор: Zhi-Xin Chen. Владелец: Tritium Electronics Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Bandgap reference voltage failure detection

Номер патента: US09606563B2. Автор: Johannes Gerber,Matthias Arnold,Frank Dornseifer. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2017-03-28.

Auto-nulled bandgap reference system and strobed bandgap reference circuit

Номер патента: US20080079413A1. Автор: Michael A. Ashburn,Stephen W. Harston. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2008-04-03.

Predicting a bandgap reference output voltage based on a model to trim a bandgap reference circuit

Номер патента: US11940832B2. Автор: Matthias Rose,Neha Goel,Maxim Kulesh. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-03-26.

Bandgap reference circuit with curvature compensation

Номер патента: US09582021B1. Автор: Matthias Arnold,Asif Qaiyum. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2017-02-28.

Bandgap reference circuit and bandgap reference current source with two operational amplifiers for generating zero temperature correlated current

Номер патента: US09459647B2. Автор: Min-Hung Hu,Chen-Tsung Wu,Zhen-Guo Ding. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2016-10-04.

Bandgap reference generation for multiple power supply domains

Номер патента: US20230409068A1. Автор: Gregory Edward Babcock,Bang Li LIANG. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Bandgap reference circuit including resistivity temperature coefficient cancellation circuit, and oscillator circuit including the bandgap reference circuit

Номер патента: US11789482B2. Автор: Taeik Kim,Chanyoung Jeong,Wooseok Kim,Jusung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Bandgap reference circuit with trimming circuit

Номер патента: US20230266786A1. Автор: Thierry Michel Alain Sicard,Guillaume Mouret,Yann CARGOUET. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Bandgap reference circuit for low supply voltage applications

Номер патента: US20030222706A1. Автор: Leonel Enriquez,Douglas Youngblood. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2003-12-04.

Startup circuit for reference circuits

Номер патента: US09667134B2. Автор: Matthias Arnold,Asif Qaiyum. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2017-05-30.

Apparatus and method for a modified brokaw bandgap reference circuit for improved low voltage power supply

Номер патента: US09471084B2. Автор: Hidenori Kobayashi. Владелец: Dialog Semiconductor UK Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Bandgap Reference Voltage Failure Detection

Номер патента: US20190278315A1. Автор: Johannes Gerber,Matthias Arnold,Frank Dornseifer. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-09-12.

Bandgap reference circuit with a pre-regulator

Номер патента: US20020050854A1. Автор: Solomon Ng,Gang Zha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-02.

Low power bandgap reference circuit with increased accuracy and reduced area consumption

Номер патента: WO2007081634B1. Автор: Bogdan I Georgescu,Iulian C Gradinariu. Владелец: Iulian C Gradinariu. Дата публикации: 2008-01-10.

Low power bandgap reference circuit with increased accuracy and reduced area consumption

Номер патента: EP1966669A2. Автор: Bogdan I. Georgescu,Iulian C. Gradinariu. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-09-10.

Bandgap reference circuit

Номер патента: US20200326742A1. Автор: Chia-Fu Chang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Bandgap reference circuit and method for producing the circuit

Номер патента: US8305069B2. Автор: Leon C. M. Van Den Oever,Jeroen Bouwman. Владелец: EPCOS AG. Дата публикации: 2012-11-06.

Bandgap reference starting circuit with ultra-low power consumption

Номер патента: US11815924B2. Автор: Xiaoyu Li,Xiangyang Guo. Владелец: IPGoal Microelectronics Sichuan Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Bandgap reference circuit

Номер патента: US09600013B1. Автор: Jian-Sing Liou. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Bandgap reference circuit with reduced flicker noise

Номер патента: EP4097559A1. Автор: Evgueni Ivanov. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-07.

Bandgap reference circuit and method therefor

Номер патента: US09727074B1. Автор: Steven Terryn. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

Process-invariant bandgap reference circuit and method

Номер патента: WO2006102324A3. Автор: Ankit SEEDHER,Preetam Charan Anan Tadeparthy. Владелец: Preetam Charan Anan Tadeparthy. Дата публикации: 2007-03-15.

Amplifier for a bandgap reference circuit having a built-in startup circuit

Номер патента: US20030020443A1. Автор: Jeongjin Roh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-01-30.

Process-invariant bandgap reference circuit and method

Номер патента: EP1866721A2. Автор: Ankit SEEDHER,Preetam C. A. Jeevanadhi Satellite TADEPARTHY. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-12-19.

Bandgap reference circuit

Номер патента: US11846962B2. Автор: Mario Motz,Francesco Polo. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-12-19.

Bandgap reference circuit and power supply circuit

Номер патента: US09891647B2. Автор: Hideki Kiuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Bandgap reference circuit

Номер патента: US20120249115A1. Автор: Yu-Tsung Lu,Ting-Hao Wang,Wen-Hsien Chuang. Владелец: Global Unichip Corp. Дата публикации: 2012-10-04.

Curvature-corrected bandgap reference

Номер патента: US12111675B1. Автор: Sumer Can. Владелец: Itu472 LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Bandgap Reference Circuit and Method for Providing a Reference Voltage

Номер патента: US20190324491A1. Автор: Lei Zou,Gino Rocca. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Curvature-corrected bandgap reference

Номер патента: US20140117966A1. Автор: Derek Shaeffer,Nauman AFZAL. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2014-05-01.

Bandgap reference circuit

Номер патента: US09612606B2. Автор: Chung-Hui Chen,Kuo-Feng Yu,Jaw-Juinn Horng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Bandgap reference circuit with reduced power consumption

Номер патента: WO2009046150A1. Автор: Yunfei Feng,Kenneth Charles Barnett,Sasanta Sengupta. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2009-04-09.

Startup Circuit for Reference Circuits

Номер патента: US20170077800A1. Автор: Matthias Arnold,Asif Qaiyum. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2017-03-16.

Bandgap reference circuit

Номер патента: US20040169549A1. Автор: Ming-Huang Liu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2004-09-02.

Bandgap reference circuit and electronic device including the same

Номер патента: US11868152B2. Автор: Jaewook Kwon,Hyeongtae Kim,HaJun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Bandgap reference circuit including vertically stacked active SOI devices

Номер патента: US11309435B2. Автор: Timothy S. Miller,Peter P. Hang,Van Ton-That,Don Raymond Blackwell. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-04-19.

Bandgap reference circuit and electronic device including the same

Номер патента: US20230367350A1. Автор: Jaewook Kwon,Hyeongtae Kim,HaJun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Bandgap reference circuit

Номер патента: EP4180901A1. Автор: Thierry Michel Alain Sicard. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-05-17.

CMOS low voltage bandgap reference design with orthogonal output voltage trimming

Номер патента: US09696744B1. Автор: Wen Fang. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Methods and apparatus for negative output voltage active clamping using a floating bandgap reference and temperature compensation

Номер патента: US20180181151A1. Автор: Yan He,Yang Wang,Jun Ma,Jingwei Xu,Zhenghao Cui,Qingjie Ma,Alvin XU. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Curvature correction of bipolar bandgap references

Номер патента: WO1989007793A1. Автор: Stephen R. Lewis,A. Paul Brokaw. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 1989-08-24.

Bandgap reference circuit and chip

Номер патента: US20230376061A1. Автор: Jianyong QIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Bandgap reference circuit

Номер патента: US20080297131A1. Автор: Yan-Hua Peng,Uei-Shan Uang,Mei-Show Chen. Владелец: Faraday Technology Corp. Дата публикации: 2008-12-04.

Bandgap reference circuit and chip

Номер патента: US11815927B1. Автор: Jianyong QIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Bandgap reference circuit and method for providing a reference voltage

Номер патента: WO2018121917A1. Автор: Lei Zou,Gino Rocca. Владелец: EPCOS AG. Дата публикации: 2018-07-05.

Self-starting bandgap reference devices and methods thereof

Номер патента: US20190025868A1. Автор: Daniel J. Segarra. Владелец: Intrinsix Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Bandgap reference circuit and method for producing the circuit

Номер патента: US20110215789A1. Автор: Jeroen Bouwman,Léon C.M. van den Oever. Владелец: EPCOS AG. Дата публикации: 2011-09-08.

Current-mode bandgap reference voltage variation compensation

Номер патента: US20070052404A1. Автор: Donald Richardson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-03-08.

Process-invariant bandgap reference circuit and method

Номер патента: WO2006102324A2. Автор: Preetam Charan Anand Tadeparthy,Ankit SEEDHER. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2006-09-28.

Bandgap reference circuit

Номер патента: US11921535B2. Автор: Sandeep Shylaja Krishnan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

A bandgap reference voltage source with high power supply rejection ratio

Номер патента: GB2541287A. Автор: He Xiaoyong,Li Mengshi,CAI Min,Wu Qinghua,He Junliang. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2017-02-15.

Switching bandgap reference circuit with compounded ΔV.sub.βΕ

Номер патента: US5867012A. Автор: Michael G. Tuthill. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 1999-02-02.

Resistance trimming in bandgap reference voltage sources

Номер патента: US20060043957A1. Автор: Carlos Carvalho. Владелец: Potentia Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-03-02.

Circuit including bandgap reference

Номер патента: US5367249A. Автор: Edward H. Honnigford. Владелец: Delco Electronics LLC. Дата публикации: 1994-11-22.

Bandgap reference based power-on detect circuit including a supression circuit

Номер патента: US5852376A. Автор: William F. Kraus. Владелец: Ramtron International Corp. Дата публикации: 1998-12-22.

Bandgap reference based power-on detect circuit including a suppression circuit

Номер патента: US5867047A. Автор: William F. Kraus. Владелец: Ramtron International Corp. Дата публикации: 1999-02-02.

Semiconductor Work Function Reference Circuit for Radiation Detection

Номер патента: US20220392895A1. Автор: William Daniel Hunt,Elaine Rhoades,Aaron S. Green. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Semiconductor work function reference circuit for radiation detection

Номер патента: US11984447B2. Автор: William Daniel Hunt,Elaine Rhoades,Aaron S. Green. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Two-transistor bandgap reference circuit and finfet device suited for same

Номер патента: US20170212545A1. Автор: Peter Huang,Da-Wen Lin,Yvonne Lin,Sheng-Jier Yang,Paul Rousseau. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-27.

Compensation for low gain bipolar transistors in voltage and current reference circuits

Номер патента: US5349286A. Автор: Andrew Marshall,Ross E. Teggatz,Thomas A. Schmidt. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1994-09-20.

Bandgap Reference Circuit

Номер патента: US20230152837A1. Автор: Thierry Michel Alain Sicard. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Bandgap reference circuit

Номер патента: US20180032097A1. Автор: Jian-Sing Liou. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-01.

Bandgap voltage reference circuit with current mirror loop

Номер патента: US20240168507A1. Автор: Sandeep Krishnan,Tallam VISHWANATH,Akshay Jadhav. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Circuit and method for generating a bandgap reference voltage

Номер патента: US09568933B2. Автор: Ansgar Pottbaecker,Panny Cai. Владелец: STMicroelectronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Bandgap reference and related method

Номер патента: US09915966B2. Автор: Yue-Der Chih,Chung-Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Current-mode bandgap reference with proportional to absolute temperature current and zero temperature coefficient current generation

Номер патента: US09817428B2. Автор: Eric Bohannon,Kevin FRONCZAK. Владелец: Synaptics Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Current mirror type bandgap reference voltage generator

Номер патента: US6501299B2. Автор: Young Hee Kim,Jong Doo Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-12-31.

Bandgap reference with input amplifier for noise reduction

Номер патента: US11914411B2. Автор: Sandeep Shylaja Krishnan,Akshay Yashwant JADHAV,Tallam VISHWANATH. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Low power hybrid reverse bandgap reference and digital temperature sensor

Номер патента: US12061493B2. Автор: You Li,David Duarte,Yongping Fan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Low-power bandgap reference voltage generator using leakage current

Номер патента: US09671811B2. Автор: Jong Mi LEE,Jae Yoon Sim,Young Woo JI. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2017-06-06.

True low voltage bandgap reference with improved power supply rejection

Номер патента: US20060238184A1. Автор: Todd Rasmus. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-10-26.

Bandgap reference with input amplifier for noise reduction

Номер патента: US20240168510A1. Автор: Sandeep Shylaja Krishnan,Akshay Yashwant JADHAV,Tallam VISHWANATH. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Bandgap reference voltage generator

Номер патента: CA1172315A. Автор: John F. Holloway,Salvatore R. Riggio, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-08-07.

Fractional bandgap reference voltage generator

Номер патента: US09898030B2. Автор: Abhirup LAHIRI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2018-02-20.

Low power hybrid reverse bandgap reference and digital temperature sensor

Номер патента: US20240353882A1. Автор: You Li,David Duarte,Yongping Fan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Start-up circuit for bandgap references in a nand flash

Номер патента: US20240331787A1. Автор: Arvind Thakur,Subodh Prakash Taigor,Shubham Raj SINGH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

A start-up circuit for bandgap references in a nand flash

Номер патента: EP4439561A1. Автор: Arvind Thakur,Subodh Prakash Taigor,Shubham Raj SINGH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-02.

Ultra-low power bandgap reference using a clocked amplifier

Номер патента: US09866112B1. Автор: Rajat Chauhan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Electronic device and method for generating a curvature compensated bandgap reference voltage

Номер патента: US09372496B2. Автор: Matthias Arnold. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-06-21.

Bandgap reference voltage generator

Номер патента: US4396883A. Автор: John F. Holloway,Salvatore R. Riggio, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1983-08-02.

Band-gap reference circuit based on temperature compensation

Номер патента: US09588539B2. Автор: Lei Zhang,Can Zhu,Guang-Bing Chen,Rong-Bin Hu,Yong-Lu Wang,Zheng-Ping Zhang,Rong-Ke Ye,Yu-Han Gao,Gnag-Yi Hu. Владелец: CETC 24 Research Institute. Дата публикации: 2017-03-07.

Precision reference circuit and related method

Номер патента: US09726696B2. Автор: Matthew Powell,David R. Welland. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Leakage-current start-up reference circuit

Номер патента: US20150153758A1. Автор: Chao-Jen Huang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2015-06-04.

A bandgap voltage reference circuit and a method for producing a temperature curvature corrected voltage reference

Номер патента: EP1599776A1. Автор: Stefan Marinca. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2005-11-30.

Current reference circuit for low supply voltages

Номер патента: US20020196071A1. Автор: Antonino Conte,Oreste Concepito. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-12-26.

Band gap reference circuit

Номер патента: US09696746B2. Автор: Yuan-Long Siao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Bandgap voltage reference circuit topology including a feedback circuit with a scaling amplifier

Номер патента: US12045074B1. Автор: Shang-Yuan Chuang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Temperature-stable voltage reference circuit

Номер патента: WO2006069157A3. Автор: Brian J Cherek. Владелец: Brian J Cherek. Дата публикации: 2006-10-05.

Current reference circuit and semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US09996100B2. Автор: Ho-Young Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Voltage reference circuit

Номер патента: US09983614B1. Автор: Hamada Ahmed,John M. Pigott,Ivan Victorovich KOCHKIN. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Bipolar transistor, band-gap reference circuit and virtual ground reference circuit and methods of fabricating thereof

Номер патента: US09577063B2. Автор: Min-Hwa Chi,Deyuan Xiao,Lihying Ching. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Voltage reference circuit

Номер патента: US09594390B2. Автор: Amit KUNDU,Jaw-Juinn Horng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Band-gap reference circuit for biasing an RF device

Номер патента: US09429975B2. Автор: ZIV Alon,Jing Sun,Tin Wai KWAN,Aleksey A. LYALIN. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Temperature compensation arrangement and current reference circuit

Номер патента: WO1999066973A3. Автор: Andreas Rusznyak. Владелец: Andreas Rusznyak. Дата публикации: 2002-05-30.

Voltage reference circuit and method for providing reference voltage

Номер патента: US12072726B2. Автор: Alexander Kalnitsky,Eric Soenen,Alan Roth,Hsin-Li Cheng,Liang-Tai Kuo,Yen-Ting WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Temperature compensation arrangement and current reference circuit

Номер патента: EP1144034A2. Автор: Andreas Rusznyak. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2001-10-17.

Temperature compensation arrangement and current reference circuit

Номер патента: WO1999066973A2. Автор: Andreas Rusznyak. Владелец: Motorola Inc.. Дата публикации: 1999-12-29.

Voltage reference circuit and method for providing reference voltage

Номер патента: US20240361795A1. Автор: Alexander Kalnitsky,Eric Soenen,Alan Roth,Hsin-Li Cheng,Liang-Tai Kuo,Yen-Ting WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Methods and apparatuses for a CMOS-based process insensitive current reference circuit

Номер патента: US09977454B1. Автор: Hareesh Pathamadai Krishnamoorthy. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Bandgap voltage reference circuit with an npn current bypass circuit

Номер патента: CA1321816C. Автор: Suresh M. Menon,Jay L. Cohan. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1993-08-31.

Master slave voltage reference circuit

Номер патента: US4931665A. Автор: Loren W. Yee. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1990-06-05.

Reference circuit for supplying a reference level for sensing in a memory

Номер патента: US5654918A. Автор: Michael Charles Hammick. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Ltd. Дата публикации: 1997-08-05.

Low Output Impedance Voltage Reference Circuit

Номер патента: US20230297127A1. Автор: Matthias Eberlein. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Reference circuit

Номер патента: EP1810108A1. Автор: Ivan Kotchkine,Alexandre Makarov. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-07-25.

Low output impedance voltage reference circuit

Номер патента: US11983026B2. Автор: Matthias Eberlein. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Reference circuit arrangement and method for generating a reference voltage

Номер патента: US20160224052A1. Автор: Lorenzo Paglino,Simone Verri. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2016-08-04.

Reference circuit arrangement and method for generating a reference voltage

Номер патента: WO2013017567A1. Автор: Lorenzo Paglino,Simone Verri. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2013-02-07.

Reference circuit arrangement and method for generating a reference voltage

Номер патента: US20140239936A1. Автор: Lorenzo Paglino,Simone Verri. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2014-08-28.

Temperature-compensated current reference circuit

Номер патента: WO2004025390A3. Автор: Mauro Chinosi,Lorenzo Bedarida,Giorgio Oddone. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2005-06-16.

Temperature Independent Reference Circuit

Номер патента: US20120146715A1. Автор: David Kung,Leif Lund. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2012-06-14.

Current reference circuit and an electronic device including the same

Номер патента: US09946290B2. Автор: Sung-jin Kim,Ji-Hyun Kim,Tae-Ik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Reference circuit arrangement and method for generating a reference voltage

Номер патента: US09811106B2. Автор: Lorenzo Paglino,Simone Verri. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-11-07.

Temperature compensated voltage reference circuit

Номер патента: US4491780A. Автор: Robert A. Neidorff. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1985-01-01.

Temperature compensated voltage regulator and reference circuit

Номер патента: US5023543A. Автор: Lawrence T. Tse. Владелец: Gennum Corp. Дата публикации: 1991-06-11.

Zero temperature coefficient reference circuit

Номер патента: CA1094651A. Автор: Robert B. Turner. Владелец: Johnson and Johnson. Дата публикации: 1981-01-27.

Band-gap reference circuit for use with cmos ic chips

Номер патента: CA1275439C. Автор: Adrian Paul Brokaw. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 1990-10-23.

Bandgap voltage reference circuit topology including a feedback circuit with a scaling amplifier

Номер патента: US20240219945A1. Автор: Shang-Yuan Chuang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Voltage reference circuit

Номер патента: US4460864A. Автор: Kenneth I. Ray. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1984-07-17.

Voltage reference circuit, voltage detector and voltage detector system

Номер патента: WO2017187180A2. Автор: Guang Yang,Chunhong Zhang,Bernard Stark,Salah ADAMI,Plamen PROYNOV. Владелец: The University of Bristol. Дата публикации: 2017-11-02.

Voltage reference circuit

Номер патента: US20160147245A1. Автор: Amit KUNDU,Jaw-Juinn Horng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-26.

Voltage reference circuit with temperature compensation

Номер патента: US20110001557A1. Автор: Ming-Chieh Huang,Tien-Chun Yang,Steven Swei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-01-06.

Voltage reference circuit, voltage detector and voltage detector system

Номер патента: US20200025807A1. Автор: Guang Yang,Chunhong Zhang,Bernard Stark,Salah ADAMI,Plamen PROYNOV. Владелец: University of Bristol. Дата публикации: 2020-01-23.

Bandgap voltage reference circuit and method with low TCR resistor in parallel with high TCR and in series with low TCR portions of tail resistor

Номер патента: US5291122A. Автор: Jonathan M. Audy. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 1994-03-01.

Reference circuit

Номер патента: AU2003230038A1. Автор: Christofer Toumazou,Julius Georgiou. Владелец: Toumaz Technology Ltd. Дата публикации: 2003-12-02.

A voltage reference circuit and a power management unit

Номер патента: EP4266144A1. Автор: Xiaolin Yang,Chutham SAWIGUN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-10-25.

Voltage reference circuit

Номер патента: US20200301462A1. Автор: Thierry Michel Alain Sicard. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Voltage reference circuit with temperature compensation

Номер патента: US9442506B2. Автор: Ming-Chieh Huang,Tien-Chun Yang,Steven Swei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Voltage reference circuit and a power management unit

Номер патента: US20230333584A1. Автор: Xiaolin Yang,Chutham SAWIGUN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-10-19.

Accurate voltage reference circuit and method therefor

Номер патента: US20080150511A1. Автор: Paolo Migliavacca. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-26.

Voltage reference circuit

Номер патента: US20130076331A1. Автор: Fumiyasu Utsunomiya,Taro Yamasaki. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2013-03-28.

Voltage reference circuit with linearized temperature behavior

Номер патента: US5001414A. Автор: Marco Morelli,Giampietro Maggioni,Paolo Menegoli,Massimiliano Brambilla. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1991-03-19.

Temperature-correction network with multiple corrections as for extrapolated band-gap voltage reference circuits

Номер патента: US4325018A. Автор: Otto H. Schade, Jr.. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1982-04-13.

Complementary band-gap voltage reference circuit

Номер патента: US20110187445A1. Автор: Thierray Sicard. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-08-04.

A voltage reference circuit and a power management unit

Номер патента: US20230315137A1. Автор: Chutham SAWIGUN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-10-05.

Low noise reference circuit

Номер патента: GB2598742A. Автор: Marinca Stefan,Gerard O'dwyer Thomas. Владелец: Analog Design Services Ltd. Дата публикации: 2022-03-16.

A voltage reference circuit and a power management unit

Номер патента: EP4254127A1. Автор: Chutham SAWIGUN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-10-04.

Current reference circuit

Номер патента: EP4180900A1. Автор: Thierry Michel Alain Sicard. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-05-17.

Mitigation of voltage shift induced by mechanical stress in bandgap voltage reference circuits

Номер патента: US20220300016A1. Автор: Masahiro Yoshioka,Jeffrey David Johnson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Mitigation of voltage shift induced by mechanical stress in bandgap voltage reference circuits

Номер патента: WO2022197880A1. Автор: Masahiro Yoshioka,Jeffrey David Johnson. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2022-09-22.

Reference circuit arrangement and method for generating a reference voltage using a branched current path

Номер патента: US9317057B2. Автор: Lorenzo Paglino,Simone Verri. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2016-04-19.

Reference power generating circuit and electronic circuit using the same

Номер патента: US20150261234A1. Автор: Muh-rong Yang. Владелец: MIDASTEK MICROELECTRONIC Inc. Дата публикации: 2015-09-17.

Power Supply Powering-On Structure

Номер патента: US20210018945A1. Автор: Ning Zhang,Yifei Qian. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Wide supply range precision startup current source

Номер патента: US09946277B2. Автор: Christopher D. Nilson. Владелец: Avnera Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Regulating temperature-compensated output voltage

Номер патента: US10037046B1. Автор: Petr Kadanka. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-07-31.

Wide supply range precision startup current source

Номер патента: US20180232000A1. Автор: Christopher D. Nilson. Владелец: Avnera Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Wide supply range precision startup current source

Номер патента: US20170277210A1. Автор: Christopher D. Nilson. Владелец: Avnera Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Correction current output circuit and reference voltage circuit with correction function

Номер патента: US20200333821A1. Автор: Yukihiro Tomonaga,Kazutaka Honda. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Bandgap reference circuit

Номер патента: US20210263549A1. Автор: Moez KANOUN. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2021-08-26.

Current generation circuit, and bandgap reference circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09891650B2. Автор: Yuichi Okuda,Atsushi Motozawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Current generation circuit, and bandgap reference circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09678526B2. Автор: Yuichi Okuda,Atsushi Motozawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Bandgap reference circuit, corresponding device and method

Номер патента: US20210349491A1. Автор: Germano Nicollini,Stefano Ramorini. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-11-11.

Bandgap reference circuit, corresponding device and method

Номер патента: US20210165438A1. Автор: Germano Nicollini,Stefano Ramorini. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-06-03.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT INCLUDING RESISTIVITY TEMPERATURE COEFFICIENT CANCELLATION CIRCUIT, AND OSCILLATOR CIRCUIT INCLUDING THE BANDGAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20220311424A1. Автор: LEE Jusung,KIM Taeik,Kim Wooseok,JEONG CHANYOUNG. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-29.

A method of operating a startup circuit for a bandgap reference circuit, methods of assisting startup of a bandgap reference circuit, and electronic circuitry for performing the methods

Номер патента: DE102006031549B4. Автор: Dieter Draxelmayr. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-08-04.

Low Noise Bandgap References

Номер патента: US20110241646A1. Автор: Robert L. Vyne. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2011-10-06.

Bandgap reference circuit with capacitive bias

Номер патента: US20170285680A1. Автор: Matthias Eberlein. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Bandgap reference circuit and bandgap reference current source

Номер патента: TW201209541A. Автор: Min-Hung Hu,Chen-Tsung Wu,Zhen-Guo Ding. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-03-01.

Bandgap reference circuit with beta-compensation

Номер патента: US09568929B2. Автор: Matthias Eberlein. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Switched capacitor temperature independent bandgap reference

Номер патента: CA1178338A. Автор: Richard W. Ulmer,Roger A. Whatley. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1984-11-20.

Precision bandgap referance circuit

Номер патента: TW407346B. Автор: David M Susak. Владелец: Microchip Tech Inc. Дата публикации: 2000-10-01.

Programmable bandgap reference voltage

Номер патента: US09377805B2. Автор: Raymond Louis Barrett, Jr.,Mark Chirachanchai. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Bandgap reference circuit and power supply circuit

Номер патента: EP2595028A3. Автор: Hideki Kiuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-01.

Bandgap reference circuit

Номер патента: TW201239573A. Автор: Yu-Tsung Lu,Ting-Hao Wang,Wen-Hsien Chuang. Владелец: Global Unichip Corp. Дата публикации: 2012-10-01.

Bandgap reference circuit

Номер патента: TWI324714B. Автор: Yue Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-05-11.

Voltage bandgap reference circuit

Номер патента: TW201100996A. Автор: Wen-Chang Cheng. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-01-01.

Bandgap reference circuit

Номер патента: TW200925823A. Автор: Bo-Wei Chen. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2009-06-16.

Two-transistor bandgap reference circuit and FinFET device suited for same

Номер патента: US10534393B2. Автор: Peter Huang,Da-Wen Lin,Yvonne Lin,Sheng-Jier Yang,Paul Rousseau. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-14.

Shutdown mode for bandgap reference to reduce turn-on time

Номер патента: US20210318708A1. Автор: Bang Li LIANG,Gabriel Bogdan Gheorghiu. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Bandgap Reference Circuit and Method for Providing a Reference Voltage

Номер патента: US20190324491A1. Автор: Zou Lei,Rocca Gino. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-24.

Bandgap Reference Circuit with an Output Insensitive to Offset Voltage

Номер патента: US20120212208A1. Автор: Wen-Shen Chou,Chi-Ping Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-08-23.

Bandgap reference circuit and power supply circuit

Номер патента: US20180113485A1. Автор: Hideki Kiuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-26.

CURRENT GENERATION CIRCUIT, AND BANDGAP REFERENCE CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20170248984A1. Автор: OKUDA Yuichi,MOTOZAWA Atsushi. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-31.

Bandgap reference circuit with startup circuit and method of operation

Номер патента: US9110486B2. Автор: Joshua Siegel,Khoi B. Mai. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-08-18.

Current generation circuit, and bandgap reference circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: CN104977957A. Автор: 奥田裕一,元泽笃史. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-10-14.

Start-Up Circuits for Starting Up Bandgap Reference Circuits

Номер патента: US20110025291A1. Автор: Chia-Fu Lee,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-02-03.

Bandgap reference circuit and regulator circuit with common amplifier

Номер патента: US9030186B2. Автор: Rakesh K. Gupta,Jaideep Banerjee,Sanjay K. Wadhwa. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-05-12.

Startup circuit of a bandgap reference circuit

Номер патента: KR100454215B1. Автор: 권종기,정희범,조한진. Владелец: 브이케이 주식회사. Дата публикации: 2004-10-26.

Bandgap Reference Circuit with an Output Insensitive to Offset Voltage

Номер патента: US20100207597A1. Автор: Wen-Shen Chou,Chi-Ping Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-08-19.

Bandgap reference circuit and power supply circuit

Номер патента: US20160282895A1. Автор: Hideki Kiuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

CURRENT GENERATION CIRCUIT, AND BANDGAP REFERENCE CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20150293552A1. Автор: OKUDA Yuichi,MOTOZAWA Atsushi. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-15.

Signal generating device, bandgap reference device and method of generating temperature-dependent signal

Номер патента: US11768513B2. Автор: Chia Liang Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Adjustable second-order-compensation bandgap reference

Номер патента: US20130234781A1. Автор: Gabriele Bernardinis. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2013-09-12.

Bandgap Reference Circuit and Related Method

Номер патента: US20150054486A1. Автор: LI Chih-Feng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-02-26.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20200081477A1. Автор: HORNG Jaw-Juinn,Chen Yi-Wen,Chang Chin-Ho. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

Managing startups of bandgap reference circuits in memory systems

Номер патента: TWI736365B. Автор: 楊尚輯,林建旭. Владелец: 旺宏電子股份有限公司. Дата публикации: 2021-08-11.

Bandgap reference circuit capable of trimming using additional resistor

Номер патента: KR100809716B1. Автор: 김형석. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-03-06.

Low-voltage bandgap reference circuit

Номер патента: US20020180515A1. Автор: Ion Opris. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Bandgap Reference Circuits With Isolated Trim Elements

Номер патента: US20080116874A1. Автор: Michael J. Mottola. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 2008-05-22.

TEMPERATURE ADAPTIVE BANDGAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20130314068A1. Автор: ZHANG BO,Luo Ping,Yang Kang,Zhen Shaowei,Yang Ruhui. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2013-11-28.

Bandgap Reference Circuit with Beta-Compensation

Номер патента: US20160026198A1. Автор: Eberlein Matthias. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20180032097A1. Автор: LIOU Jian-Sing. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-01.

LOW VOLTAGE BANDGAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20140176112A1. Автор: Wu Chung-Cheng,CHANG Ching-Hung,Chen Chung-Hao,KUO CHUN-LUNG,WU CHING-TANG. Владелец: Integrated Circuit Solution Inc.. Дата публикации: 2014-06-26.

MANAGING STARTUPS OF BANDGAP REFERENCE CIRCUITS IN MEMORY SYSTEMS

Номер патента: US20210098031A1. Автор: YANG Shang-Chi,Lin Jian-Syu. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2021-04-01.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT, CORRESPONDING DEVICE AND METHOD

Номер патента: US20210165438A1. Автор: Ramorini Stefano,Nicollini Germano. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2021-06-03.

LOW SUPPLY VOLTAGE BANDGAP REFERENCE CIRCUIT AND METHOD

Номер патента: US20140247034A1. Автор: Lok Chi Fung,Shen Le Feng. Владелец: Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited. Дата публикации: 2014-09-04.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20190163224A1. Автор: HORNG Jaw-Juinn,Chen Yi-Wen,Chang Chin-Ho. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

Two-transistor bandgap reference circuit and finfet device suited for same

Номер патента: US20170212545A1. Автор: Peter Huang,Da-Wen Lin,Yvonne Lin,Sheng-Jier Yang,Paul Rousseau. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-27.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20160252923A1. Автор: Nien Shu-Han. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-01.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT AND SENSOR CHIP USING THE SAME

Номер патента: US20180314282A1. Автор: TAN KOK-SIANG,TEO Wai-Lian. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-01.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20200326742A1. Автор: Chang Chia-Fu. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-15.

AUTOMATICALLY CONTROLLED BANDGAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20200401177A1. Автор: Liang Bang Li. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-24.

Low supply voltage sub-bandgap reference circuit

Номер патента: US6281743B1. Автор: James T. Doyle. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2001-08-28.

Chopper stabilized bandgap reference circuit and methodology for voltage regulators

Номер патента: EP2256580A2. Автор: Kelly Joel Consoer. Владелец: Linear Technology LLC. Дата публикации: 2010-12-01.

Bandgap reference circuits

Номер патента: CN1967428A. Автор: 林大新. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2007-05-23.

Low voltage bandgap reference circuit with reduced area

Номер патента: US20050052173A1. Автор: Philip Neaves. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-03-10.

Bandgap reference circuit

Номер патента: US9141124B1. Автор: Shu-Han Nien. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2015-09-22.

Low voltage ultra-low power continuous time reverse bandgap reference circuit

Номер патента: US10642304B1. Автор: Avinash Shreepathi Bhat. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-05-05.

Liquid crystal display apparatus and bandgap reference circuit thereof

Номер патента: TW200929149A. Автор: Ming-Dou Ker,Hsiao-Wen Zan,Ting-Chou Lu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2009-07-01.

Volatage bandgap reference circuit

Номер патента: US20100315156A1. Автор: Wen-Chang Cheng. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2010-12-16.

Bandgap reference circuit and method

Номер патента: US20110260708A1. Автор: Dimitar T. Trifonov,Jerry L. Doorenbos. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-10-27.

Bandgap reference circuit

Номер патента: TW200910048A. Автор: Chia-Wei Chang,Yan-Hua Peng,Uei-Shan Uang. Владелец: Faraday Tech Corp. Дата публикации: 2009-03-01.

Bandgap reference circuit

Номер патента: TW202202968A. Автор: 莫茲 卡農. Владелец: 美商半導體組件工業公司. Дата публикации: 2022-01-16.

Bandgap reference circuit and method

Номер патента: CN1202039A. Автор: 托马斯·A·索莫威勒,罗伯特·L·乌恩. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-12-16.

Bandgap reference circuits

Номер патента: US20050237045A1. Автор: Wen-Cheng Yen,Chao-Chi Lee. Владелец: Faraday Technology Corp. Дата публикации: 2005-10-27.

Two-transistor bandgap reference circuit and finfet device suited for same

Номер патента: US20200019201A1. Автор: Peter Huang,Da-Wen Lin,Yvonne Lin,Sheng-Jier Yang,Paul Rousseau. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Bandgap Reference Circuit and Self-Referenced Regulator

Номер патента: US20140077789A1. Автор: HU Min-Hung,Wu Chen-Tsung,Huang Chiu-Huang. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2014-03-20.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT AND HIGH-ORDER TEMPERATURE COMPENSATION METHOD

Номер патента: US20200073429A1. Автор: Chen Junjie,HE Shuzhuan,JIANG Zhaoyu. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT, CORRESPONDING DEVICE AND METHOD

Номер патента: US20190113946A1. Автор: Nicollini Germano,Polesel Stefano. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2019-04-18.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT WITH OFFSET VOLTAGE REMOVAL

Номер патента: US20140224962A1. Автор: Pahr Per Olaf. Владелец: OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2014-08-14.

Low voltage ultra-low power continuous time reverse bandgap reference circuit

Номер патента: US20200142438A1. Автор: Avinash Shreepathi Bhat. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Bandgap Reference Circuit

Номер патента: US20140266139A1. Автор: Eberlein Matthias. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20170177017A1. Автор: Yu Kuo-Feng,CHEN Chung-Hui,HORNG Jaw-Juinn. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

Apparatus and Method for a Modified Brokaw Bandgap Reference Circuit for Improved Low Voltage Power Supply

Номер патента: US20150227156A1. Автор: KOBAYASHI Hidenori. Владелец: Dialog Semiconductor GmbH. Дата публикации: 2015-08-13.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20210247792A1. Автор: SHOU Xiaoqiang. Владелец: ZJW Microelectronics Limited. Дата публикации: 2021-08-12.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20210263549A1. Автор: KANOUN Moez. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2021-08-26.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20140340068A1. Автор: Lin Wen-Sheng. Владелец: UPI SEMICONDUCTOR CORP.. Дата публикации: 2014-11-20.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20170269627A1. Автор: Cook Aaron. Владелец: Allegro Microsystems, LLC. Дата публикации: 2017-09-21.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT WITH CAPACITIVE BIAS

Номер патента: US20170285680A1. Автор: Eberlein Matthias. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-05.

Bandgap Reference Circuit Using Comparator

Номер патента: KR100930500B1. Автор: 이길재,정성익. Владелец: 신코엠 주식회사. Дата публикации: 2009-12-09.

Switched-capacitor bandgap reference circuit using chopping technique

Номер патента: CN106647906A. Автор: 许伟伟,P·厄帕德雅雅,N·刘,王晓悦. Владелец: Mawier International Trade Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-10.

Bandgap reference circuit

Номер патента: JP4314669B2. Автор: 一夫 栗原. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-08-19.

Operational amplifier, temperature-dependent system and bandgap reference circuit

Номер патента: CN101540586A. Автор: 林育信,蔡鸿杰. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2009-09-23.

Cmos bandgap reference circuit

Номер патента: US20070152741A1. Автор: Matthias Arnold,Gabriel RINCON-MORA. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2007-07-05.

Bandgap reference circuits

Номер патента: US7679352B2. Автор: Yan-Hua Peng,Uei-Shan Uang. Владелец: Faraday Technology Corp. Дата публикации: 2010-03-16.

Bandgap reference circuits

Номер патента: US20100102794A1. Автор: Rogelio L. Erbito, JR.. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-04-29.

Bandgap reference circuit

Номер патента: US7619401B2. Автор: Ming-Tse Lin,An-Chung Chen,Hung-Cheng Huang,Wen-Lung Cheng. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2009-11-17.

Low voltage bandgap reference circuit

Номер патента: US6426669B1. Автор: Jay Friedman,Ion E. Opris. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-07-30.

Low power bandgap reference circuit with increased accuracy and reduced footprint

Номер патента: JP2009522661A. Автор: ジョージェスク，ボグダン・アイ,グラディナリウ，イウリアン・シイ. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-06-11.

Self-adaptive temperature bandgap reference circuit

Номер патента: CN102141818A. Автор: 张波,罗萍,甄少伟,杨康,杨汝辉. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2011-08-03.

Chopper stabilized bandgap reference circuit and methodology for voltage regulators

Номер патента: TW201115296A. Автор: Kelly Joel Consoer. Владелец: Linear Techn Inc. Дата публикации: 2011-05-01.

Bandgap reference circuit

Номер патента: TW200536259A. Автор: Wen-Cheng Yen,Chao-Chi Lee. Владелец: Faraday Tech Corp. Дата публикации: 2005-11-01.

Bandgap reference circuit and method

Номер патента: TW386302B. Автор: Thomas A Somerville,Robert L Vyne. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-04-01.

Low voltage bandgap reference circuit

Номер патента: TW201024956A. Автор: Chih-Hsun Yang. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-07-01.

Bandgap reference circuit and method of operating the same

Номер патента: CN110597345B. Автор: 刘海玲,刘迎迎,董怀朋. Владелец: Appropriate Semiconductor Suzhou Co ltd. Дата публикации: 2021-01-08.

Bandgap reference circuit

Номер патента: KR100923831B1. Автор: 임준연. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-10-27.

Signal generating device, bandgap reference device and method of generating temperature-dependent signal

Номер патента: US20230367353A1. Автор: Chia Liang Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

BANDGAP REFERENCE VOLTAGE GENERATION CIRCUIT AND BANDGAP REFERNECE VOLTAGE GENERATION SYSTEM

Номер патента: US20190079553A1. Автор: Lee Jong Woo,JANG Woo Jin,Oh Seung Hyun. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-14.

Differential operational amplifier and bandgap reference voltage generating circuit

Номер патента: US09535444B2. Автор: Chiao-Hsing Wang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Low noise bandgap reference apparatus

Номер патента: US20190101948A1. Автор: Matthias Eberlein. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

System and Method for a Low Voltage Bandgap Reference

Номер патента: US20130169259A1. Автор: Vivek Verma,Saurabh SAXENA. Владелец: STMICROELECTRONICS PVT LTD. Дата публикации: 2013-07-04.

PROGRAMMABLE BANDGAP REFERENCE VOLTAGE

Номер патента: US20150102856A1. Автор: Barrett,JR. Raymond Louis,Chirachanchai Mark. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-16.

Bandgap Reference Voltage Failure Detection

Номер патента: US20170147027A1. Автор: Gerber Johannes,Arnold Matthias,Dornseifer Frank. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

BANDGAP REFERENCE POWER GENERATION CIRCUIT AND INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20200272185A1. Автор: Wang Ke. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-27.

Bandgap reference voltage generating circuit

Номер патента: CN114253338B. Автор: 张�杰,迮德东. Владелец: Shanghai Frequen Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2022-10-18.

Low voltage bandgap reference (BGR) circuit

Номер патента: US7170336B2. Автор: Jenshou Hsu. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2007-01-30.

Curvature-corrected bandgap reference

Номер патента: US9740229B2. Автор: Nauman AFZAL. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Bandgap reference voltage circuit

Номер патента: US20070035286A1. Автор: Tsung-Hsiu Wu,Jian-Lung Lee. Владелец: Analog Integrations Corp. Дата публикации: 2007-02-15.

Electronic Device and Method for Generating a Curvature Compensated Bandgap Reference Voltage

Номер патента: US20130249527A1. Автор: Arnold Matthias. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2013-09-26.

CIRCUIT AND METHOD FOR GENERATING A BANDGAP REFERENCE VOLTAGE

Номер патента: US20140070788A1. Автор: Pottbaecker Ansgar,Cai Panny. Владелец: STMicroelectronics R&D (Shanghai) Co. Ltd.. Дата публикации: 2014-03-13.

CURVATURE-CORRECTED BANDGAP REFERENCE

Номер патента: US20140117966A1. Автор: SHAEFFER Derek,AFZAL Nauman. Владелец: InvenSense, Inc.. Дата публикации: 2014-05-01.

Bandgap reference voltage circuit and electronic apparatus thereof

Номер патента: US20150048879A1. Автор: Ching-Rong Chang,Bou-Ching Fung. Владелец: ILI Techonology Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

LOW POWER HYBRID REVERSE BANDGAP REFERENCE AND DIGITAL TEMPERATURE SENSOR

Номер патента: US20220100221A1. Автор: LI You,Fan Yongping,Duarte David. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-03-31.

BANDGAP REFERENCE CIRCUITRY

Номер патента: US20190129461A1. Автор: SONE Yasuhiko. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

SCALABLE LOW OUTPUT IMPEDANCE BANDGAP REFERENCE WITH CURRENT DRIVE CAPABILITY AND HIGH-ORDER TEMPERATURE CURVATURE COMPENSATION

Номер патента: US20200125129A1. Автор: IBRAHIM Sameh Assem,VEERAVALLI RAGHUPATHY Anand,TOUBAR Mostafa Mohamed Hesham Kamel,ROBINSON Moises Emanuel. Владелец: Vidatronic Inc.. Дата публикации: 2020-04-23.

LOW-POWER PULSED BANDGAP REFERENCE

Номер патента: US20170160763A1. Автор: Barbelenet Cedric. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

METHODS AND APPARATUS FOR NEGATIVE OUTPUT VOLTAGE ACTIVE CLAMPING USING A FLOATING BANDGAP REFERENCE AND TEMPERATURE COMPENSATION

Номер патента: US20180181151A1. Автор: Ma Jun,Wang Yang,He Yan,Xu Jingwei,Ma Qingjie,XU Alvin,CUI Zhenghao. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-28.

SHUTDOWN MODE FOR BANDGAP REFERENCE TO REDUCE TURN-ON TIME

Номер патента: US20210318708A1. Автор: Liang Bang Li,Gheorghiu Gabriel Bogdan. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-14.

Bandgap Reference Voltage Failure Detection

Номер патента: US20150286236A1. Автор: Gerber Johannes,Arnold Matthias,Dornseifer Frank. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2015-10-08.

OFFSET CORRECTED BANDGAP REFERENCE AND TEMPERATURE SENSOR

Номер патента: US20200278708A1. Автор: Tesch Bruce John. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-03.

VERIFICATION OF BANDGAP REFERENCE STARTUP

Номер патента: US20150309088A1. Автор: Gerber Johannes,Arnold Matthias,QAIYUM ASIF. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2015-10-29.

Electronic Device and Method for Generating a Curvature Compensated Bandgap Reference Voltage

Номер патента: US20150331439A1. Автор: Arnold Matthias. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-19.

Low-power bandgap reference voltage generator using leakage current

Номер патента: US20160334826A1. Автор: Jong Mi LEE,Jae Yoon Sim,Young Woo JI. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2016-11-17.

Method and Device for Generating an Adjustable Bandgap Reference Voltage

Номер патента: US20160357213A1. Автор: Fort Jimmy,Soude Thierry. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-08.

Self-biased bandgap reference voltage generation circuit

Номер патента: KR100585141B1. Автор: 박광일. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-05-30.

Bandgap reference voltage generator

Номер патента: KR101944359B1. Автор: 정재호,이광천,조영균. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2019-01-31.

Bandgap reference voltage generating circuit, integrated circuit, and electronic device

Номер патента: CN113778162B. Автор: 范明浩,韩书光. Владелец: Beijing Shimao Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2022-08-09.

Circuit arrangement for the generation of a bandgap reference voltage

Номер патента: US10019026B2. Автор: Calogero Marco Ippolito,Mario Chiricosta. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-07-10.

Start-up circuit for generating bandgap reference voltage

Номер патента: US8008966B2. Автор: Eun Sang Cho. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-08-30.

Bandgap reference voltage with low noise sensitivity

Номер патента: US6411158B1. Автор: Daniel L. Essig. Владелец: Conexant Systems LLC. Дата публикации: 2002-06-25.

Bandgap reference voltage source and method for operating the same

Номер патента: DE19735381C1. Автор: Franz Kuttner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-01-14.

CMOS voltage bandgap reference with improved headroom

Номер патента: CN1732419A. Автор: 斯蒂范·玛丽卡. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2006-02-08.

Low-power start-up circuit for bandgap reference voltage generator

Номер патента: US7659705B2. Автор: Kenneth Wai Ming Hung. Владелец: Smartech Worldwide Ltd. Дата публикации: 2010-02-09.

Bandgap reference circuitry

Номер патента: US10379567B2. Автор: Yasuhiko Sone. Владелец: Synaptics Inc. Дата публикации: 2019-08-13.

Folded cascode bandgap reference voltage circuit

Номер патента: CN1577204A. Автор: B·罗森塞尔. Владелец: ANALOGIC MICROELECTRONIC Inc. Дата публикации: 2005-02-09.

Switched capacitor bandgap reference.

Номер патента: EP0070315A4. Автор: Richard Walter Ulmer,Roger A Whatley. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1983-06-17.

Device for generating an adjustable bandgap reference voltage with large power supply rejection rate

Номер патента: CN102789260A. Автор: J·弗特,T·索德. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2012-11-21.

Low-voltage source bandgap reference voltage circuit and integrated circuit

Номер патента: US20110309818A1. Автор: Hongquan Sun. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-22.

Perfectly curvature correted bandgap reference

Номер патента: TW200728950A. Автор: Scott C Mcleod. Владелец: Standard Microsyst Smc. Дата публикации: 2007-08-01.

밴드갭(Bandgap) 기준전압(Reference)회로

Номер патента: KR970055516A. Автор: 김영생. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-07-31.

START-UP CIRCUIT FOR BANDGAP REFERENCE

Номер патента: US20170012609A1. Автор: Chern Jenn-Gang,Chen Mao-Ter,Shen Chun-Ju. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-12.

FRACTIONAL BANDGAP REFERENCE VOLTAGE GENERATOR

Номер патента: US20180017986A1. Автор: Lahiri Abhirup. Владелец: STMICROELECTRONICS INTERNATIONAL N.V.. Дата публикации: 2018-01-18.

SELF-STARTING BANDGAP REFERENCE DEVICES AND METHODS THEREOF

Номер патента: US20190025868A1. Автор: Segarra Daniel J.. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Bandgap Reference and Related Method

Номер патента: US20150054485A1. Автор: Yue-Der Chih,Chung-Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-02-26.

LOW VOLTAGE BANDGAP REFERENCE GENERATOR

Номер патента: US20180052477A1. Автор: Dasgupta Uday. Владелец: MEDIATEK SINGAPORE PTE. LTD.. Дата публикации: 2018-02-22.

Circuit arrangement for the generation of a bandgap reference voltage

Номер патента: US20190072994A1. Автор: Calogero Marco Ippolito,Mario Chiricosta. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-03-07.

Bandgap reference voltage generator

Номер патента: US20140159700A1. Автор: Jae Ho Jung,Kwang Chun Lee,Young Kyun Cho. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2014-06-12.

LOW NOISE BANDGAP REFERENCE APPARATUS

Номер патента: US20190101948A1. Автор: Eberlein Matthias. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-04-04.

BANDGAP REFERENCE VOLTAGE CIRCUIT

Номер патента: US20220179441A1. Автор: Sicard Thierry Michel Alain. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-09.

BANDGAP REFERENCE VOLTAGE GENERATING CIRCUIT

Номер патента: US20210157351A1. Автор: Kang Sungchan,KIM Cheheung,KANG Hyunwook,RHEE Choongho,HONG Hyeokki,YOON Yongseop. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-05-27.

FRACTIONAL BANDGAP REFERENCE VOLTAGE GENERATOR

Номер патента: US20180129239A1. Автор: Lahiri Abhirup. Владелец: STMICROELECTRONICS INTERNATIONAL N.V.. Дата публикации: 2018-05-10.

Device for Generating an Adjustable Bandgap Reference Voltage with Large Power Supply Rejection Rate

Номер патента: US20150153753A1. Автор: Fort Jimmy,Soude Thierry. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-04.

DIFFERENTIAL OPERATIONAL AMPLIFIER AND BANDGAP REFERENCE VOLTAGE GENERATING CIRCUIT

Номер патента: US20150185753A1. Автор: Wang Chiao-Hsing. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

PRECISION BANDGAP REFERENCE WITH TRIM ADJUSTMENT

Номер патента: US20200183440A1. Автор: Rasmus Todd Morgan. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-11.

BANDGAP REFERENCE VOLTAGE CIRCUIT

Номер патента: US20160209860A1. Автор: KUO Cheng-Hsiung,YEN CHEN-LUN. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-21.

SUB-BANDGAP REFERENCE VOLTAGE SOURCE

Номер патента: US20200192414A1. Автор: Pigott John,Mouret Guillaume,Sicard Thierry Michel Alain. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

PRECISION BANDGAP REFERENCE

Номер патента: US20160266598A1. Автор: Jain Rajeev,Wong Mong Chit,Shahrokhinia Sassan,Wang Bo-Ren,Dang Nam Van. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

CIRCUIT ARRANGEMENT FOR THE GENERATION OF A BANDGAP REFERENCE VOLTAGE

Номер патента: US20200264648A1. Автор: Ippolito Calogero Marco,Chiricosta Mario. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2020-08-20.

Bandgap Reference Voltage Failure Detection

Номер патента: US20190278315A1. Автор: Gerber Johannes,Arnold Matthias,Dornseifer Frank. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-12.

CURVATURE-CORRECTED BANDGAP REFERENCE

Номер патента: US20150338872A1. Автор: AFZAL Nauman. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-26.

CURRENT-MODE BANDGAP REFERENCE WITH PROPORTIONAL TO ABSOLUTE TEMPERATURE CURRENT AND ZERO TEMPERATURE COEFFICIENT CURRENT GENERATION

Номер патента: US20160349786A1. Автор: Bohannon Eric,FRONCZAK Kevin. Владелец: SYNAPTICS INCORPORATED. Дата публикации: 2016-12-01.

BANDGAP REFERENCE DIODE USING THIN FILM TRANSISTORS

Номер патента: US20190378794A1. Автор: Rachmady Willy,Dewey Gilbert,SHARMA Abhishek A.,LE VAN. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-12-12.

A strat-up circuit for bandgap reference voltage generation

Номер патента: KR100940150B1. Автор: 조은상. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2010-02-03.

Bandgap reference voltage generating circuit

Номер патента: CN110083193B. Автор: 王钊,姜伟,常星. Владелец: Nanjing Zgmicro Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-27.

Bandgap reference voltage generator

Номер патента: KR100353815B1. Автор: Young Hee Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-09-28.

Bandgap reference voltage circuit

Номер патента: JP2747313B2. Автор: エルケ・ホール. Владелец: Philips Electronics NV. Дата публикации: 1998-05-06.

Bandgap reference voltage generating circuit and electronic system using the same

Номер патента: TWI502304B. Автор: Jaw Ming Ding,Hsin Chin Chang. Владелец: Advanced Semiconductor Eng. Дата публикации: 2015-10-01.

Low voltage bandgap reference source

Номер патента: US20080265860A1. Автор: Dennis A. Dempsey,Stefan Marinca. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2008-10-30.

Bandgap reference voltage generating circuit

Номер патента: KR20210064497A. Автор: 이충호,윤용섭,강현욱,김재흥,홍혁기,강성찬. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-06-03.

Start-up circuit for bandgap reference

Номер патента: US9710010B2. Автор: Chun-Ju SHEN,Mao-Ter Chen,Jenn-Gang Chern. Владелец: SK Hynix Memory Solutions America Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

CMOS circuit for providing a bandgap reference voltage

Номер патента: EP0701190A2. Автор: Walter C. Seelbach. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1996-03-13.

Bandgap reference voltage circuit

Номер патента: CN105807836A. Автор: 严振伦,郭政雄. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-27.

Bandgap reference voltage generator for low power

Номер патента: KR100804153B1. Автор: 변상진,정춘석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-02-19.

Bandgap reference voltage circuit.

Номер патента: DE68911708T2. Автор: Eerke Holle. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1994-06-30.

Bandgap reference voltage generator with vcc compensation

Номер патента: WO1985002472A1. Автор: Tsen-Shau Yang. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1985-06-06.

Low supply voltage BICMOS self-biased bandgap reference using a current summing architecture

Номер патента: US6181121B1. Автор: Bertrand J. Williams,Brian Kirkland,Steven Meyers. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-01-30.

Fast start-up low-voltage bandgap reference voltage generator

Номер патента: TWI399631B. Автор: Kwan Jen Chu,Nien Hui Kung,Hsuan Kai Wang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2013-06-21.

--- bandgap reference voltage generation circuit

Номер патента: DE10156812B4. Автор: Kevin Scoones. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2004-07-08.

Bandgap reference voltage generating circuit

Номер патента: TWI720610B. Автор: 林俊谷,吳昌憲. Владелец: 新唐科技股份有限公司. Дата публикации: 2021-03-01.

CMOS bandgap reference voltage circuits.

Номер патента: ES8707042A1. Автор: . Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1987-07-16.

CMOS bandgap reference with low voltage operation

Номер патента: US20040155700A1. Автор: Richard Gower,Bhupendra Ahuja. Владелец: Exar Corp. Дата публикации: 2004-08-12.

Bandgap reference voltage generating circuit

Номер патента: TW200928656A. Автор: Eun-Sang Jo. Владелец: Dongbu Hitek Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-01.

CIRCUIT ARRANGEMENT FOR THE GENERATION OF A BANDGAP REFERENCE VOLTAGE

Номер патента: US20180299920A1. Автор: Ippolito Calogero Marco,Chiricosta Mario. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2018-10-18.

CIRCUIT ARRANGEMENT FOR THE GENERATION OF A BANDGAP REFERENCE VOLTAGE

Номер патента: US20160327972A1. Автор: Ippolito Calogero Marco,Chiricosta Mario. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2016-11-10.

Highly tunable ultra-low temperature coefficient bandgap precision reference circuit

Номер патента: US20230393603A1. Автор: Richard Kok Keong Lum,Jodi Lee Mei Hong. Владелец: Mpics Innovations Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Curvature compensation circuits for bandgap voltage reference circuits

Номер патента: US20240241535A1. Автор: Uwe Eckhardt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Curvature compensation circuits for bandgap voltage reference circuits

Номер патента: EP4400935A1. Автор: Uwe Eckhardt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

All-cmos, low-voltage, wide-temperature range, voltage reference circuit

Номер патента: EP3000006A2. Автор: Julius Georgiou,Charalambos Micheal ANDREOU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-30.

All-CMOS, low-voltage, wide-temperature range, voltage reference circuit

Номер патента: US09864392B2. Автор: Charalambos Andreou,Julius Georgiou. Владелец: Cyprus, University of. Дата публикации: 2018-01-09.

Current reference circuit with process, voltage, and wide-range temperature compensation

Номер патента: US20240077902A1. Автор: Martin LUEKER-BODEN,Mohammad Reza Mahmoodi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-07.

Voltage reference circuit and power supply circuit based on same

Номер патента: US20240338044A1. Автор: Szu-Lin LIU,Bei-Shing Lien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Voltage reference circuit

Номер патента: US09864393B2. Автор: Amit KUNDU,Jaw-Juinn Horng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

ELECTRONIC CIRCUIT HAVING BAND-GAP REFERENCE CIRCUIT AND START-UP CIRCUIT, AND METHOD OF STARTING-UP BAND-GAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20140340070A1. Автор: LEE Chia-Fu,LI Chih-Feng. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-20.

A voltage reference circuit for ultra-thin oxide technology and low voltage applications

Номер патента: US20060170487A1. Автор: John Fifield,Wagdi Abadeer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-08-03.

Voltage reference circuit

Номер патента: FR2653572A1. Автор: Breugnot Frederic,Edme Frank. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1991-04-26.

Circuit for providing positive temperature coefficient current, circuit for providing negative temperature coefficient current and current reference circuit using the same

Номер патента: KR100596978B1. Автор: 이승훈,짱웨이청. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-07-05.

Improvements in or relating to voltage reference circuits

Номер патента: GB828646A. Автор: . Владелец: GEORGE COWAN FLEMING. Дата публикации: 1960-02-24.

Voltage reference circuit and voltage detection circuit using the voltage reference circuit

Номер патента: JP2935819B2. Автор: ヒュー、マッキンタイアー. Владелец: ESU TEII MAIKUROEREKUTORONIKUSU Ltd. Дата публикации: 1999-08-16.

Constant current circuit and voltage reference circuit

Номер патента: US20130106394A1. Автор: Yuji Kobayashi. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2013-05-02.

Proportional to Absolute Temperature Reference Circuit and a Voltage Reference Circuit

Номер патента: US20180059707A1. Автор: Marinca Stefan. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

CURRENT REFERENCE CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20170075377A1. Автор: SHIN HO-YOUNG. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

Startup Circuit for Reference Circuits

Номер патента: US20170077800A1. Автор: Arnold Matthias,QAIYUM ASIF. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

Band-Gap Reference Circuit With Chopping Circuit

Номер патента: US20180095491A1. Автор: Lynch Michael W.,Lacy Cameron,Uhanov Sergei. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-05.

Bipolar transistor, band-gap reference circuit and virtual ground reference circuit

Номер патента: US20160218194A1. Автор: Min-Hwa Chi,Deyuan Xiao,Lihying Ching. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2016-07-28.

STARTUP CIRCUIT TO INITIALIZE VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20180217625A1. Автор: Li Cheng,CHEN CHIN-HUI,HUANG Tsung-Ching. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-02.

CURRENT REFERENCE CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20180284831A1. Автор: SHIN HO-YOUNG. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

High-order temperature compensation circuit and low-temperature drift voltage reference circuit

Номер патента: CN111176364A. Автор: 罗家俊,刘海南,韩郑生,陆航,蔡小五. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-05-19.

Current reference circuit and electronic device including the current reference circuit

Номер патента: KR102349418B1. Автор: 김성진,김지현,김태익. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2022-01-10.

Generator of regulated voltage for integrated circuit, comprises potential barrier reference circuit with load resistance chosen to compensate voltage variations in gain stage due to temperature

Номер патента: FR2814253A1. Автор: Edith Kussener. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2002-03-22.

Electrical regulator apparatus including a zero temperature coefficient voltage reference circuit

Номер патента: US3617859A. Автор: Robert C Dobkin,Robert J Widlar. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1971-11-02.

Reference circuit, integrated circuit, and electronic device

Номер патента: CN113885639B. Автор: 陈世超,许建超,孙添平,戴贵荣,戴庆田. Владелец: Shenzhen Aixiesheng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-05.

A bandgap voltage reference circuit and a current biasing circuit

Номер патента: TWI459176B. Автор: Stefan Marinca. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2014-11-01.

Proportional to absolute temperature reference circuit and voltage reference circuit

Номер патента: CN107783584B. Автор: S·玛林卡. Владелец: Analog Devices Global ULC. Дата публикации: 2020-09-15.

Low-noise reference circuit and low-dropout linear voltage stabilizing circuit thereof

Номер патента: CN114489215A. Автор: 王海波,杨国江. Владелец: Jiangsu Changjing Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-05-13.

Temperature compensated bandgap voltage reference circuit

Номер патента: US4447784A. Автор: Robert C. Dobkin. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1984-05-08.

Current reference circuit utilizing a current replication circuit

Номер патента: US8358119B2. Автор: Hyoung-Rae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-22.

Power supply with reference circuit and stabilized circuit

Номер патента: KR100260064B1. Автор: 요한네스 요세푸스 코르넬리스 롬메르스 안토니우스. Владелец: 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.. Дата публикации: 2000-08-01.

Voltage reference circuits

Номер патента: GB2098370A. Автор: . Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1982-11-17.

Current-mode programmable reference circuits and methods therefor

Номер патента: HK1160939A1. Автор: ．雅各布,．佩特羅伊努. Владелец: 半導體元件工業有限責任公司. Дата публикации: 2012-08-17.

Current-mode programmable reference circuits and methods therefor

Номер патента: TW201144971A. Автор: Alexandra-Oana Petroianu,Radu H Iacob. Владелец: Semiconductor Components Ind. Дата публикации: 2011-12-16.

Voltage reference circuit

Номер патента: SG97090G. Автор: . Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1991-01-18.

Temperature-stable voltage reference circuit

Номер патента: TW200632613A. Автор: Brian J Cherek. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2006-09-16.

Temperature-stable voltage reference circuit

Номер патента: TWI313798B. Автор: Brian J Cherek. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2009-08-21.

Low noise reference circuit

Номер патента: GB2598742B. Автор: Marinca Stefan,Gerard O'dwyer Thomas. Владелец: Analog Design Services Ltd. Дата публикации: 2022-11-02.

Temperature compensation arrangement and current reference circuit

Номер патента: EP1144034A3. Автор: Andreas Rusznyak. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2002-08-07.

Temparature compensation arrangement and current reference circuit

Номер патента: GB9813586D0. Автор: . Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-08-19.

Temperature compensation arrangement and current reference circuit

Номер патента: EP1144034B1. Автор: Andreas Rusznyak. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2004-04-28.

A voltage reference circuit

Номер патента: EP3712739B1. Автор: Thierry Michel Alain Sicard. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-02.

Voltage reference circuit

Номер патента: US09600014B2. Автор: Stefan Marinca,Gabriel Banarie. Владелец: Analog Devices Global ULC. Дата публикации: 2017-03-21.

ULTRA-LOW NOISE VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20130200878A1. Автор: Kalb Arthur J.,Shafran John Sawa. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2013-08-08.

BAND GAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20140266138A1. Автор: Siao Yuan-Long. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited. Дата публикации: 2014-09-18.

VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20160357212A1. Автор: HORNG Jaw-Juinn,KUNDU Amit. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-08.

Broadband low-power-consumption band-gap reference circuit

Номер патента: CN110347203B. Автор: 李大刚,范龙,张克林,林亚立,杨宇啸,徐建恩. Владелец: Chengdu Sino Microelectronics Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-12-25.

IMPROVED PROHIBITED BAND VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: FR2566146A1. Автор: Stephen R Burnham,Paul M Henry. Владелец: Burr Brown Corp. Дата публикации: 1985-12-20.

Voltage reference circuit of ZTC operating point based on MOSFET

Номер патента: CN112731998A. Автор: 刘锡锋. Владелец: JIANGSU VOCATIONAL COLLEGE OF INFORMATION TECHNOLOGY. Дата публикации: 2021-04-30.

A kind of novel band-gap reference circuit structure

Номер патента: CN107066006B. Автор: 霍长兴,刘璟,纪书江. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-07-20.

Current reference circuit

Номер патента: DE60214452T2. Автор: Katsuji Kimura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-09-13.

A kind of low-power consumption Low Drift Temperature CMOS subthreshold value reference circuits

Номер патента: CN107390757A. Автор: 张波,王卓,周泽坤,石跃,马亚东,汪尧,王韵坤. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2017-11-24.

Bandgap voltage reference circuit

Номер патента: US20090243708A1. Автор: Stefan Marinca. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2009-10-01.

Rrecision voltage and current reference circuit

Номер патента: TWI367412B. Автор: Kuan Yu Chen,Din Jiun Huang,Yuan Hsun Chang. Владелец: Faraday Tech Corp. Дата публикации: 2012-07-01.

Voltage reference circuit based on temperature compensation

Номер патента: US9128497B2. Автор: Tao Liu,TING Li,Yuxin Wang,Mingyuan Xu,Zhengfan Zhang. Владелец: CETC 24 Research Institute. Дата публикации: 2015-09-08.

Band-gap reference circuit and DCDC converter with same

Номер патента: CN107305402B. Автор: 河野明大,后藤克也. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2020-09-18.

BAND GAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20130241524A1. Автор: Inoue Fumihiro. Владелец: . Дата публикации: 2013-09-19.

Oscillator module and reference circuit thereof

Номер патента: US20130271231A1. Автор: Wei-Kai Tseng. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2013-10-17.

LOW-VOLTAGE BAND-GAP VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20130307517A1. Автор: HUANG Lei. Владелец: Fairchild Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2013-11-21.

VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT BASED ON TEMPERATURE COMPENSATION

Номер патента: US20130328620A1. Автор: Liu Tao,LI Ting,Zhang Zhengfan,Xu Mingyuan,Wang Yuxin. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-12.

Voltage reference circuit with temperature compensation

Номер патента: US20140035553A1. Автор: Ming-Chieh Huang,Tien-Chun Yang,Steven Swei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-02-06.

BANDGAP VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20200012308A1. Автор: CHEN Che-Sheng,Tai Shun-Nan. Владелец: RICHWAVE TECHNOLOGY CORP.. Дата публикации: 2020-01-09.

VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT, VOLTAGE DETECTOR AND VOLTAGE DETECTOR SYSTEM

Номер патента: US20200025807A1. Автор: Yang Guang,Zhang Chunhong,Stark Bernard,Adami Salah,Proynov Plamen. Владелец: The University of Bristol. Дата публикации: 2020-01-23.

LOW NOISE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20220075405A1. Автор: Marinca Stefan,"ODwyer Thomas". Владелец: . Дата публикации: 2022-03-10.

CURRENT REFERENCE CIRCUIT AND AN ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20170060165A1. Автор: Kim Ji-Hyun,KIM Sung-jin,KIM Tae-ik. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

BAND-GAP REFERENCE CIRCUIT BASED ON TEMPERATURE COMPENSATION

Номер патента: US20160077540A1. Автор: ZHANG LEI,Hu Rong-Bin,Wang Yong-Lu,Zhang Zheng-Ping,Zhu Can,Gao Yu-Han,Ye Rong-Ke,HU GNAG-YI,CHEN GUANG-BING. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

BAND GAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20160098056A1. Автор: Siao Yuan-Long. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

VOLTAGE REFERENCE CIRCUITS WITH PROGRAMMABLE TEMPERATURE SLOPE AND INDEPENDENT OFFSET CONTROL

Номер патента: US20180101190A1. Автор: LEE Sang-Soo. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-12.

MOS-BASED VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20150115717A1. Автор: CHEN Chung-Hui,HORNG Jaw-Juinn,Peng Yung-Chow,KUNDU Amit. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited. Дата публикации: 2015-04-30.

High Precision Voltage Reference Circuit

Номер патента: US20180120887A1. Автор: Tanimoto Susumu,Ohyama Soichiro. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-03.

Apparatus and Method for High Voltage Bandgap Type Reference Circuit with Flexible Output Setting

Номер патента: US20170131736A1. Автор: Acar Turev,Talay Selcuk,Dundar Burak. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20160147245A1. Автор: HORNG Jaw-Juinn,KUNDU Amit. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.

LEAKAGE-CURRENT START-UP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20150153758A1. Автор: Huang Chao-Jen. Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2015-06-04.

VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20180150098A1. Автор: Pigott John M.,KOCHKIN IVAN VICTOROVICH,Ahmed Hamada. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

REFERENCE CIRCUIT ARRANGEMENT AND METHOD FOR GENERATING A REFERENCE VOLTAGE

Номер патента: US20140239936A1. Автор: PAGLINO Lorenzo,VERRI Simone. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2014-08-28.

REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20160170430A1. Автор: Ueda Norihiro. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-16.

Bandgap voltage reference circuit capable of correcting voltage distortion

Номер патента: US20200159272A1. Автор: Chih-Chun Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Reference circuits

Номер патента: US20180173266A1. Автор: Tangxiang Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

TEMPERATURE AND PROCESS COMPENSATED CURRENT REFERENCE CIRCUITS

Номер патента: US20150185754A1. Автор: Liu Yong Feng. Владелец: STMicroelectronics (Shenzhen) R&D Co. Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20170185097A1. Автор: HORNG Jaw-Juinn,KUNDU Amit. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

PRECISION REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20210240213A1. Автор: Hassan Mehedi,Sreenivasan Sreejish,Yang Tianhong. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-05.

REFERENCE CIRCUIT ARRANGEMENT AND METHOD FOR GENERATING A REFERENCE VOLTAGE

Номер патента: US20160224052A1. Автор: PAGLINO Lorenzo,VERRI Simone. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT AND METHOD FOR PROVIDING REFERENCE VOLTAGE

Номер патента: US20210255656A1. Автор: Kuo Liang-Tai,Kalnitsky Alexander,SOENEN Eric,Roth Alan,CHENG HSIN-LI,WANG Yen-Ting. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-19.

BAND-GAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20190235547A1. Автор: Tang Yuan. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-01.

BAND-GAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20190235562A1. Автор: Tang Yuan. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-01.

All-CMOS, Low-voltage, Wide-temperature Range, Voltage Reference Circuit

Номер патента: US20140340143A1. Автор: Charalambos Andreou,Julius Georgiou. Владелец: Julius Georgiou. Дата публикации: 2014-11-20.

Voltage reference circuit

Номер патента: US20180246538A1. Автор: Thierry Sicard. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-08-30.

VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20170255221A1. Автор: Marinca Stefan,Banarie Gabriel. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-07.

CURRENT REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20200264647A1. Автор: Shreepathi Bhat Avinash. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-20.

HIGH ACCURACY ZENER BASED VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20210389791A1. Автор: Liu Hongwei,Gao Yuan,Huynh Estelle. Владелец: . Дата публикации: 2021-12-16.

Voltage reference circuit

Номер патента: US20150323950A1. Автор: Stefan Marinca,Gabriel Banarie. Владелец: ANALOG DEVICES TECHNOLOGY. Дата публикации: 2015-11-12.

VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20200301462A1. Автор: Sicard Thierry Michel Alain. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-24.

BAND-GAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20170315576A1. Автор: TANG Chengwei. Владелец: SHANGHAI HUAHONG GRACE SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CORPORATION. Дата публикации: 2017-11-02.

REFERENCE CIRCUITS FOR BIASING RADIO FREQUENCY ELECTRONICS

Номер патента: US20160336979A1. Автор: Sun Jing,Alon Ziv,LYALIN Aleksey A.,Kwan Tin Wai. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-17.

ZENER DIODE VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20190317542A1. Автор: Brule Simon. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-17.

BAND-GAP REFERENCE CIRCUIT FOR BIASING AN RF DEVICE

Номер патента: US20150365112A1. Автор: Sun Jing,Alon Ziv,LYALIN Aleksey A.,Kwan Tin Wai. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-17.

Apparatus and method for high voltage bandgap type reference circuit with flexible output setting

Номер патента: US20190361477A1. Автор: Selcuk Talay,Burak Dundar,Turev Acar. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2019-11-28.

VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT WITH COMBINED POWER-ON RESET

Номер патента: US20200379498A1. Автор: Hermann Carsten. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-03.

Integrated chip with heating element and reference circuit

Номер патента: US9651981B2. Автор: Christian Lindholm,Henrik Hassander. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-16.

Band-gap reference circuit

Номер патента: KR100347680B1. Автор: 돈다야스히로. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2002-08-07.

A Low Power Consumption Voltage Reference Circuit

Номер патента: KR100618863B1. Автор: 김효진,조윤제,채정석. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-08-31.

Band gap reference circuit

Номер патента: KR100617893B1. Автор: 쿠리하라카주오. Владелец: 소니 가부시끼 가이샤. Дата публикации: 2006-09-06.

Low-temperature drift band gap reference circuit based on concave-convex curvature compensation

Номер патента: CN110320954B. Автор: 李泽宏,孙河山,洪至超,蔡景宜,杨耀杰,仪梦帅. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2020-05-01.

A band-gap voltage reference circuit having a high power supply voltage rejection ratio (PSRR) and a curve correction

Номер патента: JP4463112B2. Автор: マリンカ，ステファン. Владелец: アナログ・デバイシズ・インコーポレーテッド. Дата публикации: 2010-05-12.

High-order temperature compensation band gap reference circuit

Номер патента: CN108664072B. Автор: 吴传奎,程剑涛,董渊,黄建刚,王云松. Владелец: Shanghai Awinic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-12.

A kind of band-gap reference circuit of no amplifier

Номер патента: CN108037791B. Автор: 王慧,王宇恒,李琴琴,来新泉. Владелец: Xian University of Electronic Science and Technology. Дата публикации: 2019-10-11.

Temperature coefficient automatic tuning method for reference circuit

Номер патента: CN105739589A. Автор: 周泽坤,石跃. Владелец: Chengdu University of Information Technology. Дата публикации: 2016-07-06.

Bipolar complementary metal oxide semiconductor (BiCMOS) current-type reference circuit

Номер патента: CN102841629B. Автор: 张磊,胡刚毅,张正平,王永禄,付东兵,胡蓉彬,朱璨,高煜寒,叶荣科. Владелец: CETC 24 Research Institute. Дата публикации: 2014-07-30.

Voltage reference circuit with high power supply rejection ratio

Номер патента: CN112416044A. Автор: 杨健,罗萍,王远飞,杨秉中. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2021-02-26.

Adaptive reference circuit with wide voltage withstanding range, chip and communication terminal

Номер патента: CN106569533B. Автор: 李艳丽. Владелец: Vanchip Tianjin Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-25.

Band gap reference circuit with low power consumption

Номер патента: CN113703510B. Автор: 袁国顺,何越峰. Владелец: Jiangsu Jicui Intelligent Integrated Circuit Design Technology Research Institute Co ltd. Дата публикации: 2022-07-22.

Reference circuit and method

Номер патента: JPH11134048A. Автор: Vladimir Koifman,Yachin Afek,ブラディミア・コイフマン,ヤチン・アフェク. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-05-21.

Voltage generator and energy band gap reference circuit

Номер патента: CN103472883A. Автор: 王慧,刘寅,项骏,崇华明. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2013-12-25.

A kind of adjustable band-gap reference circuit of numeral

Номер патента: CN107544600A. Автор: 张雷,任艳,董海,王宗民,张铁良,侯贺刚,文治平,彭新芒,管海涛,王金豪. Владелец: Mxtronics Corp. Дата публикации: 2018-01-05.

Voltage reference circuit with combined power-on reset

Номер патента: DE102018200785A1. Автор: Carsten Hermann. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2019-07-18.

DIGITAL TO ANALOG CONVERTER INCLUDING AN OPEN LOOP VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: FR2503490B1. Автор: Jimmy Ray Naylor,Williams Joseph Lillis,Anthony David Wang,Robert Lee White. Владелец: Burr Brown Research Corp. Дата публикации: 1988-03-04.

Band gap reference circuit

Номер патента: JP5353548B2. Автор: 美臣 椎名. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-11-27.

ELECTRONIC VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT.

Номер патента: FR2906903B1. Автор: Thierry Masson,Jean Francois Debroux,Pierre Coquille. Владелец: e2v Semiconductors SAS. Дата публикации: 2009-02-20.

IMPROVED BANDBAND VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: FR2566146B1. Автор: Stephen R Burnham,Paul M Henry. Владелец: Burr Brown Corp. Дата публикации: 1989-02-10.

Automatic biasing band-gap reference circuit with wide input voltage range and high-precision output

Номер патента: CN105116954A. Автор: 许育森. Владелец: Excelio Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-02.

VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT HAVING TEMPERATURE COMPENSATION

Номер патента: FR2486677A1. Автор: James C Schmoock. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1982-01-15.

A kind of low-power consumption Low Drift Temperature CMOS subthreshold value reference circuits

Номер патента: CN107390757B. Автор: 张波,王卓,周泽坤,石跃,马亚东,汪尧,王韵坤. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2018-07-13.

Tunable voltage reference circuit

Номер патента: WO1993009487A1. Автор: Donald C. Thelen, Jr.. Владелец: Lattice Semiconductor Corporation. Дата публикации: 1993-05-13.

The calibration method and device of band-gap reference circuit

Номер патента: CN108664069A. Автор: 袁俊,顾艺,陈光胜. Владелец: Shanghai Eastsoft Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2018-10-16.

Reference circuit and control method of output current

Номер патента: JP2597941B2. Автор: コング・キュー. Владелец: サムスング・セミコンダクター・インコーポレイテッド. Дата публикации: 1997-04-09.

Energy gap reference circuit

Номер патента: CN108345336B. Автор: 刘建兴. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-28.

Programmable voltage reference with a voltage reference circuit having a self-cascode metal-oxide semiconductor field-effect transistor structure

Номер патента: US8093880B2. Автор: André Luis VILAS BOAS,Alfredo Olmos,Stefano Pietri. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-01-10.

Band gap reference circuit and chip

Номер патента: CN112416045A. Автор: 刘利书. Владелец: Guangdong Midea White Goods Technology Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-26.

Band-gap reference circuit

Номер патента: CN108279730A. Автор: 唐原. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-13.

Floating-gate reference circuit

Номер патента: WO2004107076A1. Автор: David V. Anderson,Matthew Raymond Kucic,Haw-Jing Lo,Angelo W. Pereira,Philomena Cleopha Brady,Guillermo Jose Serrano,Farhan Adil,Paul Edward Hasler. Владелец: GEORGIA TECH RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2004-12-09.

High accuracy zener based voltage reference circuit

Номер патента: US11480989B2. Автор: Yuan Gao,HONGWEI LIU,Estelle Huynh. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-10-25.

MOS-based voltage reference circuit

Номер патента: US9791879B2. Автор: Chung-Hui Chen,Amit KUNDU,Jaw-Juinn Horng,Yung-Chow Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Programmable temperature coefficient analog second-order curvature compensation voltage reference and fine tuning technique of voltage reference circuit

Номер патента: CN111448531B. Автор: D·沃尔什,U·R·卡马斯,J·K·詹宁斯,E·库伦,I·C·西卡尔. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2022-09-09.

Bandgap voltage reference circuit

Номер патента: US10551864B2. Автор: Che-Sheng CHEN,Shun-Nan Tai. Владелец: Richwave Technology Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Current bandgap voltage reference circuits and related methods

Номер патента: US20030038672A1. Автор: Frederick Buckley,Paul Hildebrant. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-02-27.

Reference circuit and method

Номер патента: CN1119734C. Автор: 弗拉基米尔·考伊夫曼,亚钦·阿非克. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-08-27.

High-order temperature drift compensation band-gap reference circuit without operational amplifier

Номер патента: CN105786077A. Автор: 章国豪,余凯,何全,陈忠学. Владелец: GUANGDONG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-07-20.

Reference circuit

Номер патента: GB0211564D0. Автор: . Владелец: TOURNAZ TECHNOLOGY Ltd. Дата публикации: 2002-06-26.

Voltage reference circuit

Номер патента: DE69512001D1. Автор: Hugh Mcintyre. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Ltd. Дата публикации: 1999-10-14.

Current reference circuit capable of outputting multiple temperature coefficients

Номер патента: CN113050743B. Автор: 张波,甄少伟,张有润,程雨凡,赵乙蔷,康仕杰,章登福,李逸康. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2022-03-08.

Band gap reference circuit and band gap reference chip

Номер патента: CN115576383B. Автор: 丁光彩. Владелец: Beijing Jusisian Semiconductor Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-06-13.

Beta enhanced voltage reference circuit

Номер патента: US8471625B1. Автор: Hao Zhou,Tao Shui,Bingkun Yao,Yonghua Song. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2013-06-25.

Bandgap voltage reference circuit with an increased difference voltage

Номер патента: US6232829B1. Автор: Ronald N. Dow. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-05-15.

Band gap reference circuit and electronic device

Номер патента: CN109995355B. Автор: 黄宇鹏. Владелец: Fuzhou BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-09.

Electrically adjustable CMOS integrated voltage reference circuit

Номер патента: US6414536B1. Автор: Robert L. Chao. Владелец: Robert L. Chao. Дата публикации: 2002-07-02.

Voltage reference circuits with programmable temperature slope and independent offset control

Номер патента: US9971376B2. Автор: Sang-soo Lee. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

BANDGAP VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT.

Номер патента: IT1312244B1. Автор: Rino Micheloni,Luca Crippa. Владелец: St Microelectronics Srl. Дата публикации: 2002-04-09.

Band-gap voltage reference circuit

Номер патента: WO2009037532A1. Автор: Thierry Sicard. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2009-03-26.

Single event effect radiation resistant reinforced band gap reference circuit

Номер патента: CN114756079A. Автор: 邱旻韡,屈柯柯. Владелец: CETC 58 Research Institute. Дата публикации: 2022-07-15.

Temperature compensated voltage regulator and reference circuit

Номер патента: CA2025415A1. Автор: Lawrence T. Tse. Владелец: Lawrence T. Tse. Дата публикации: 1991-03-16.

Band gap reference circuit

Номер патента: CN115016589A. Автор: 刘明,李曙光. Владелец: Nanjing Yingruichuang Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-06.

ZERO TEMPERATURE COEFFICIENT REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: FR2377663A1. Автор: Robert Turner. Владелец: Johnson and Johnson. Дата публикации: 1978-08-11.

Reference circuit and method

Номер патента: CN1208873A. Автор: 弗拉基米尔·考伊夫曼,亚钦·阿非克. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-02-24.

VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: DE3328082A1. Автор: Paul Michael 85718 Tucson Ariz. Henry. Владелец: Burr Brown Research Corp. Дата публикации: 1984-03-29.

Voltage reference circuit and method for providing reference voltage

Номер патента: TWI776383B. Автор: 鄭新立,王彥婷,艾倫 羅斯,艾力克 蘇寧,亞歷山大 卡爾尼斯基,郭良泰. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2022-09-01.

Bandgap voltage reference circuit

Номер патента: US6362612B1. Автор: Larry L. Harris. Владелец: Larry L. Harris. Дата публикации: 2002-03-26.

Curvature-corrected band-gap voltage reference circuit

Номер патента: US6563370B2. Автор: Edmond Patrick Coady. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2003-05-13.

Oscillator module and reference circuit thereof

Номер патента: TWI502896B. Автор: Wei Kai Tseng. Владелец: Himax Tech Ltd. Дата публикации: 2015-10-01.

A bandgap voltage reference circuit

Номер патента: TW200944988A. Автор: Stefan Marinca. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2009-11-01.

DIGITAL-TO-ANALOG CONVERTER COMPRISING AN OPEN LOOP VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: FR2503490A1. Автор: Jimmy Ray Naylor,Williams Joseph Lillis,Anthony David Wang,Robert Lee White. Владелец: Burr Brown Research Corp. Дата публикации: 1982-10-08.

Voltage reference circuit

Номер патента: TWI528130B. Автор: 須悠克 穆罕默德 艾爾,艾利克斯 卡尼斯基. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2016-04-01.

Voltage reference circuit

Номер патента: EP0952509A2. Автор: Franz Dr. Wachter. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-10-27.

Band gap reference circuit and dcdc converter equipped with the same

Номер патента: KR102275664B1. Автор: 아키히로 가와노,가츠야 고토. Владелец: 에이블릭 가부시키가이샤. Дата публикации: 2021-07-09.

A kind of band-gap reference circuit with resnstance transformer

Номер патента: CN108345344A. Автор: 杨燕,赵健雄. Владелец: Chengdu University of Information Technology. Дата публикации: 2018-07-31.

Voltage reference circuit

Номер патента: DE10257142B4. Автор: Bernhard Engl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-07-03.

Low power voltage reference circuit

Номер патента: US7994848B2. Автор: Badri Kothandaraman,Arun Khamesra,T. V. Chanakya Rao. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-08-09.

High-precision voltage reference circuit

Номер патента: CN112068632B. Автор: 居水荣,黄传伟. Владелец: Wuxi Roum Semiconductor Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-04-26.

Bandgap voltage reference circuit

Номер патента: TWI361967B. Автор: Ching Chuan Lin,Tzuen Hwan Lee. Владелец: RALINK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2012-04-11.

Current compensation device and band-gap reference circuit

Номер патента: CN106708152A. Автор: 王钊. Владелец: Hefei Sino Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-24.

Method for calibrating bandgap voltage reference circuit

Номер патента: KR102476839B1. Автор: 엄지용. Владелец: 한남대학교 산학협력단. Дата публикации: 2022-12-09.

Low ripple voltage reference circuit

Номер патента: US5920184A. Автор: Petr Kadanka. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-07-06.

Band-gap reference circuit

Номер патента: CN106997221A. Автор: 刘飞,杨海峰,徐丽,唐华,荀本鹏. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

A temperature independent low voltage reference circuit

Номер патента: GB0317891D0. Автор: . Владелец: Zetex PLC. Дата публикации: 2003-09-03.

Band-gap reference circuit

Номер патента: EP1102400A2. Автор: Yasuhiro Nec IC Microcomputer Systems Ltd. Tonda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-05-23.

Programmable temperature coefficient analog second-order curvature compensated voltage reference and trim techniques for voltage reference circuits

Номер патента: EP3721314A1. Автор: Edward Cullen,John K. Jennings,Darragh Walsh,Umanath R. KAMATH,Ionut C. CICAL. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2020-10-14.

Band gap reference circuit

Номер патента: CN111427410A. Автор: 刘飞,霍宗亮,陈腾,王颀. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-07-17.

Temperature compensated voltage regulator and reference circuit

Номер патента: AU6252890A. Автор: Lawrence T. Tse. Владелец: Gennum Corp. Дата публикации: 1991-03-21.

Temperature compensated low voltage reference circuit

Номер патента: EP1783578B1. Автор: Paul M Werking. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2009-08-05.

A kind of double loop controls the band-gap reference circuit of high PSRR

Номер патента: CN106249796A. Автор: 刘阳,张国俊. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2016-12-21.

Voltage reference circuit

Номер патента: EP3327538A1. Автор: Hamada Ahmed,John M. Pigott,Ivan Victorovich KOCHKIN. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-05-30.

Voltage reference circuit

Номер патента: TW200928648A. Автор: Chi-Sung Hsieh,Yu-Hua Liu. Владелец: Airoha Tech Corp. Дата публикации: 2009-07-01.

Low noise voltage reference circuit

Номер патента: TW200848972A. Автор: Stefan Marinca. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2008-12-16.

Voltage reference circuit having a threshold voltage shift

Номер патента: EP0718743A1. Автор: David C. McClure. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 1996-06-26.

Operational amplifier-free band gap reference circuit with pre-voltage stabilization structure

Номер патента: CN111240394B. Автор: 刘晨,王宇恒,来新泉,孙昂勃,武晋翔. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2021-11-09.

Band gap reference circuit

Номер патента: CN114115422A. Автор: 殷宁淳. Владелец: Boda Rongke Beijing Information Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-03-01.

Ultra-low voltage CMOS threshold band-gap reference circuit

Номер патента: CN105955386A. Автор: 王旭,朱樟明,杨银堂,李娅妮,孙亚东. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2016-09-21.

TEMPERATURE DEPENDENT VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: SE390843B. Автор: Jr C F Wheatley. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1977-01-24.

High-performance band-gap reference circuit

Номер патента: CN112987836A. Автор: 李响,董渊,蔡胜凯. Владелец: Wuxi Indie Microelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-18.

BiCMOS reference circuit

Номер патента: JP2912660B2. Автор: ブイ．トラン ヒープ. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1999-06-28.

A reference circuit having a controlled temperature dependence

Номер патента: EP0698236B1. Автор: Robert Blauschild. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-05-10.

Band-gap reference circuit with offset elimination

Номер патента: CN114740936A. Автор: 陈君杰,蒋召宇,张若平,赵茂. Владелец: Nanjing Huanxuan Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2022-07-12.

One kind is without amplifier band-gap reference circuit

Номер патента: CN107992146A. Автор: 罗永波,肖培磊,宣志斌,阮建新. Владелец: CETC 58 Research Institute. Дата публикации: 2018-05-04.

Voltage reference circuit with reduced current consumption

Номер патента: US9798346B2. Автор: Fumiyasu Utsunomiya. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Temperature-stable CMOS voltage reference circuits

Номер патента: US8487660B2. Автор: Brian Harold Floyd. Владелец: Aptus Power Semiconductor. Дата публикации: 2013-07-16.

Apparatus and method for high voltage bandgap type reference circuit with flexible output setting

Номер патента: US10379566B2. Автор: Selcuk Talay,Burak Dundar,Turev Acar. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2019-08-13.

Self-biased band gap reference circuit

Номер патента: CN110888485B. Автор: 朱敏,关宇恒. Владелец: Elownipmicroelectronics Beijing Co ltd. Дата публикации: 2022-01-18.

Sectional multi-order compensation high-precision voltage and current reference circuit

Номер патента: CN106708150A. Автор: 李卓,时飞,岳素格,莫艳图,杨学硕. Владелец: Mxtronics Corp. Дата публикации: 2017-05-24.

Band-gap reference circuit based on SOI technology

Номер патента: CN114967819B. Автор: 刘辉,陈浪,项勇,戈泽宇,唐玖虎,汪智斌. Владелец: Suzhou Xixin Rf Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2022-10-25.

Current reference circuit with low power supply voltage and active feedback for PLL

Номер патента: EP0829797A3. Автор: Alan Fiedler,Shuran Wei,Paul Torgerson. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1999-03-03.

Power supply rejection ratio (PSRR) is high and the bandgap voltage reference circuit of curvature correction arranged

Номер патента: CN100541382C. Автор: 斯蒂范·玛丽卡. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2009-09-16.

Zener diode voltage reference circuit

Номер патента: US10955868B2. Автор: Simon BRULE. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2021-03-23.

Low noise voltage reference circuit

Номер патента: US7714563B2. Автор: Stefan Marinca. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2010-05-11.

Reduce the band-gap reference circuit of offset voltage using switching capacity

Номер патента: CN107368140A. Автор: 董桥. Владелец: WUXI ZETAI MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Voltage reference circuit, power supply and electronic equipment

Номер патента: CN114924604A. Автор: 吴翰,黄欣然,姜俊敏,刘寻. Владелец: SOUTHWEST UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2022-08-19.

Reference circuit with start-up control, generator, device, system and method including same

Номер патента: US7728574B2. Автор: Vignesh Kalyanaraman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-06-01.

Band gap reference circuit for the use of low voltage and semiconductor device with the same

Номер патента: KR100694985B1. Автор: 김유성. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-03-14.

A kind of high voltage band-gap reference circuit structure

Номер патента: CN107272818B. Автор: 李育超,陈然斌. Владелец: Fujian Fuxin Electronic Technology Co ltd. Дата публикации: 2019-04-02.

Band-gap reference circuit and band-gap reference chip

Номер патента: CN115576383A. Автор: 丁光彩. Владелец: Beijing Jusisian Semiconductor Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-01-06.

Ultra-low power consumption reference circuit and sampling method thereof

Номер патента: CN111258363A. Автор: 朱樟明,黄文斌,刘帘曦,云梦晗,邢奕赫. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2020-06-09.

Band gap reference circuit

Номер патента: CN103309395A. Автор: 井上文裕. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-18.

Ultra-low noise voltage reference circuit

Номер патента: CN104094180A. Автор: A·J·卡尔布,J·S·沙弗兰. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2014-10-08.

Leakage-current start-up reference circuit

Номер патента: TWI497855B. Автор: Chao Jen Huang. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2015-08-21.

All-cmos, low-voltage, wide-temperature range, voltage reference circuit

Номер патента: EP3000006B1. Автор: Julius Georgiou,Charalambos Micheal ANDREOU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-02-28.

Temperature independent reference circuit

Номер патента: TWI505062B. Автор: David Kung,Leif Lund. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2015-10-21.

Reference circuits for biasing radio frequency electronics

Номер патента: US9571139B2. Автор: ZIV Alon,Jing Sun,Tin Wai KWAN,Aleksey A. LYALIN. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Temperature-stable voltage reference circuit

Номер патента: US20060132223A1. Автор: Brian Cherek. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2006-06-22.

Low Drift Temperature current source reference circuit

Номер патента: CN108469862B. Автор: 李鹏,罗凯,陈波,王菡,苟超,梁盛铭,孙毛毛,刘一杉,朱哲序. Владелец: CETC 24 Research Institute. Дата публикации: 2019-09-03.

Low-power-voltage band gap reference circuit and method

Номер патента: CN103353782B. Автор: 骆智峰,沈乐丰. Владелец: Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute ASTRI. Дата публикации: 2015-07-08.

A bandgap voltage reference circuit and a method for producing a temperature curvature corrected voltage reference

Номер патента: WO2004077192A1. Автор: Stefan Marinca. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2004-09-10.

High-precision band-gap reference circuit

Номер патента: CN106055009A. Автор: 陈杰,高岑,徐文静,赵士彬. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-10-26.

Reference circuit and method for providing a reference

Номер патента: US20100001711A1. Автор: Stefan Marinca. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2010-01-07.

A kind of voltage reference circuit

Номер патента: CN107817858A. Автор: 杨佳,祝乃儒. Владелец: Fujian Fuxin Electronic Technology Co ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Reference circuit capable of supplying low voltage precisely

Номер патента: US20070109039A1. Автор: Hirofumi Watanabe. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-17.

Metal oxide semiconductor (MOS) bandgap voltage reference circuit

Номер патента: US6933770B1. Автор: Paul David Ranucci. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2005-08-23.

Temperature compensated band gap reference circuit

Номер патента: DE102020214185A1. Автор: Kaihua Zheng. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2021-06-17.

Band gap reference circuit for low voltage and semiconductor device including the same

Номер патента: TW200743114A. Автор: You-Sung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-11-16.

Temperature compensation cmos voltage reference circuit

Номер патента: JPS6269306A. Автор: デレク・エフ・ボウアーズ,アリ・タスデイグヒ. Владелец: Precision Monolithics Inc. Дата публикации: 1987-03-30.

Calibration method and device of band-gap reference circuit

Номер патента: CN108664069B. Автор: 袁俊,顾艺,陈光胜. Владелец: Shanghai Eastsoft Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2019-12-31.

CMOS reference voltage generator employing separate reference circuits for each output transistor

Номер патента: US4788455A. Автор: Shigeru Mori,Hiroshi Miyamoto,Michihiro Yamada,Kazutami Arimoto,Tadato Yamagata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1988-11-29.

Voltage reference circuit

Номер патента: US20150323950A1. Автор: Stefan Marinca,Gabriel Banarie. Владелец: ANALOG DEVICES TECHNOLOGY. Дата публикации: 2015-11-12.

Current reference circuit

Номер патента: EP1079293B1. Автор: William Bryan STMicroelectronics Ltd. Barnes. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Ltd. Дата публикации: 2004-09-15.

Voltage reference circuit

Номер патента: GB2054219A. Автор: . Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1981-02-11.

A high accuracy zener based voltage reference circuit

Номер патента: EP3926437B1. Автор: Yuan Gao,HONGWEI LIU,Estelle Huynh. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-04-03.

Current reference circuit

Номер патента: EP1079294B1. Автор: William Bryan STMicroelectronics Limited Barnes. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Ltd. Дата публикации: 2004-09-22.

Voltage reference circuit

Номер патента: GB9704341D0. Автор: . Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-04-23.

Voltage reference circuit with fast enable and disable capabilities

Номер патента: TW200824236A. Автор: Ming-Da Tsai. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2008-06-01.

Voltage reference circuit, voltage detector and voltage detector system

Номер патента: EP3449265B8. Автор: Guang Yang,Chunhong Zhang,Bernard Stark,Salah ADAMI,Plamen PROYNOV. Владелец: University of Bristol. Дата публикации: 2023-10-18.

Voltage reference circuit, voltage detector and voltage detector system

Номер патента: GB201706729D0. Автор: . Владелец: University of Bristol. Дата публикации: 2017-06-14.

Low noise reference circuit

Номер патента: GB202014195D0. Автор: . Владелец: Analog Design Services Ltd. Дата публикации: 2020-10-21.

Accurate voltage reference circuit and method therefor

Номер патента: TW200827977A. Автор: Paolo Migliavacca. Владелец: Semiconductor Components Ind. Дата публикации: 2008-07-01.

Band gap reference circuit and temperature information output apparatus using the same

Номер патента: TWI336477B. Автор: Chun-Seok Jeong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-01-21.

Low-voltage reference circuit

Номер патента: EP2500793B1. Автор: Jun Liu,Qi Xiang,Albert Ratnakumar,Simardeep Maangat. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-04-27.

Clock signal generator and operating method thereof

Номер патента: US20240267034A1. Автор: Jungyu Lee,Bilal Ahmad Janjua,Jihyun Park,ChiWeon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Clock signal generator and operating method thereof

Номер патента: EP4415262A1. Автор: Bilal Ahmad,Jungyu Lee,Jihyun Park,ChiWeon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-14.

Voltage generator arrangement

Номер патента: US20040130310A1. Автор: Ralf Schneider,Joerg Vollrath,Stephan Schroder,Manfred Pröll. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-07-08.

Sensor chip using having low power consumption

Номер патента: US20190324483A1. Автор: Kok-Siang Tan,Wai-Lian TEO. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Reference voltage generation circuit and DCDC converter having the same

Номер патента: US09941787B2. Автор: Akihiro Kawano,Katsuya Goto. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Radio frequency switch generator applicable to 1.8 v and 1.2 v power supplies

Номер патента: US20240266958A1. Автор: Tingting Xie,Yujiao Wang,Wenhai Ni,Jianling GUAN,Dehang ZHOU,Wenhua XU NI. Владелец: SHANGHAI CANAANTEK CO Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Process and temperature invariant power on reset circuit using a bandgap reference and a long delay chain

Номер патента: US7881144B1. Автор: Thomas Henry White,William Bradley Vest,Leo Min Maung. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2011-02-01.

Memory device with dynamically operated reference circuits

Номер патента: US09576642B2. Автор: Richard Ferrant,Roland Thewes. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-02-21.

Inflexible voltage reference circuit card, and method for manufacturing an inflexible voltage reference circuit card

Номер патента: EP4395471A1. Автор: Hannu Ketonen. Владелец: BEAMEX OY AB. Дата публикации: 2024-07-03.

Inflexible voltage reference circuit card, and method for manufacturing an inflexible voltage reference circuit card

Номер патента: US20240215166A1. Автор: Hannu Ketonen. Владелец: BEAMEX OY AB. Дата публикации: 2024-06-27.

Reference circuit to compensate for pvt variations in single-ended sense amplifiers

Номер патента: WO2014057033A1. Автор: Roland Thewes. Владелец: SOITEC. Дата публикации: 2014-04-17.

Reference circuit to compensate for PVT variations in single-ended sense amplifiers

Номер патента: US09478275B2. Автор: Roland Thewes. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2016-10-25.

Hybrid self-tracking reference circuit for rram cells

Номер патента: US20210241830A1. Автор: Chung-Cheng Chou,Yu-Der Chih,Pei-Ling Tseng,Zheng-Jun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Hybrid self-tracking reference circuit for rram cells

Номер патента: US20230065104A1. Автор: Chung-Cheng Chou,Yu-Der Chih,Pei-Ling Tseng,Zheng-Jun Lin. Владелец: Ltd Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Дата публикации: 2023-03-02.

Hybrid self-tracking reference circuit for rram cells

Номер патента: US20240257870A1. Автор: Chung-Cheng Chou,Yu-Der Chih,Pei-Ling Tseng,Zheng-Jun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and wafer with reference circuit and related methods

Номер патента: US09791346B1. Автор: Jean-François Carpentier,Patrick Lemaitre,Charles Baudot,Jean-Robert Manouvrier,Bertrand Borot. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2017-10-17.

Memory device and reference circuit thereof

Номер патента: US09754639B2. Автор: Yi-Chun Shih,Chia-Fu Lee,Yu-Der Chih,Hon-Jarn Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Reference circuit and MRAM

Номер патента: US09734883B1. Автор: William J. Gallagher,Shy-Jay Lin,Chwen Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Precision non-volatile cmos reference circuit

Номер патента: WO2007106135A3. Автор: Sorin S Georgescu,Illie Marian I Poenaru,Sabin A Eftimie. Владелец: Catalyst Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-05-07.

Precision non-volatile cmos reference circuit

Номер патента: WO2007106135A2. Автор: Sorin S. Georgescu,Sabin A. Eftimie,Illie Marian I. Poenaru. Владелец: Catalyst Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2007-09-20.

Reference circuit in ferroelectric memory and method for driving the same

Номер патента: US20030002318A1. Автор: Hee Kang,Geun Lee,Duck Kim,Hun Kye,Je Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-01-02.

Signal adjustment circuit with reference circuit

Номер патента: US20060283231A1. Автор: Hung-Yi Kuo,Hui-Mei Chen. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2006-12-21.

EEPROM circuit voltage reference circuit and method for providing a low temperature-coefficient voltage reference

Номер патента: US6882582B2. Автор: Thierry Sicard,Eric Scott Carman. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2005-04-19.

Low-power reading reference circuit for split-gate flash memory

Номер патента: US20070133275A1. Автор: Hsien-Yu Pan,Meng-Fan Chang,Ding-Ming Kwai,Yung-Fa Chou. Владелец: Intellectual Property Library Co. Дата публикации: 2007-06-14.

Semiconductor device and wafer with reference circuit and related methods

Номер патента: US20170307468A1. Автор: Jean-François Carpentier,Patrick Lemaitre,Charles Baudot,Jean-Robert Manouvrier,Bertrand Borot. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2017-10-26.

Hybrid self-tracking reference circuit for RRAM cells

Номер патента: US11984162B2. Автор: Chung-Cheng Chou,Yu-Der Chih,Pei-Ling Tseng,Zheng-Jun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Intermittently activated bandgap reference circuit

Номер патента: US20120326695A1. Автор: Chung-Zen Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2012-12-27.

DIGITAL SWITCH-CAPACITOR BASED BANDGAP REFERENCE AND THERMAL SENSOR

Номер патента: US20160224146A1. Автор: Malevsky Sharon. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

Irregular voltage detection and cutoff circuit using bandgap reference voltage generation circuit

Номер патента: KR100866967B1. Автор: 이창훈. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-11-05.

Reading circuit, reference circuit, and semiconductor memory device

Номер патента: EP1387362A3. Автор: Takeshi Nojima,Shinsuke Anzai,Yasumichi Mori,Takahiko Yoshimoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-02-28.

Reference circuit for write driver circuit with programmable write current, overshoot duration and overshoot amplitude control

Номер патента: US20030081339A1. Автор: Tuan Ngo,Raymond Barnett,Scott Sorenson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-05-01.

Reference circuit for a non-volatile ferroelectric memory

Номер патента: US5424975A. Автор: Tyler A. Lowrey,Wayne I. Kinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1995-06-13.

Reading circuit, reference circuit, and semiconductor memory device

Номер патента: TW200411674A. Автор: Takeshi Nojima,Shinsuke Anzai,Yasumichi Mori,Takahiko Yoshimoto. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2004-07-01.

Reading circuit, reference circuit, and semiconductor memory device

Номер патента: TWI226069B. Автор: Takeshi Nojima,Shinsuke Anzai,Yasumichi Mori,Takahiko Yoshimoto. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2005-01-01.

Reading circuit, reference circuit, and semiconductor memory device

Номер патента: EP1387362B1. Автор: Takeshi Nojima,Shinsuke Anzai,Yasumichi Mori,Takahiko Yoshimoto. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-27.

Reference circuit and signal adjusting circuit

Номер патента: TW200701651A. Автор: Hung-Yi Kuo,Jenny Chen. Владелец: Via Tech Inc. Дата публикации: 2007-01-01.

Temperature insensitive reference circuit for use in a voltage detection circuit

Номер патента: US20070170977A1. Автор: Matthew Von Thun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-26.

Pixels and reference circuits and timing techniques

Номер патента: US10657895B2. Автор: Gholamreza Chaji,Yaser Azizi,Arash Moradi,Hongxin Liu. Владелец: Ignis Innovation Inc. Дата публикации: 2020-05-19.

Memory device and reference circuit thereof

Номер патента: US11848040B2. Автор: Yi-Chun Shih,Chia-Fu Lee,Yu-Der Chih,Hon-Jarn Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Eeprom circuit, voltage reference circuit and method for providing a low temperature-coefficient voltage reference

Номер патента: EP1271549B1. Автор: Thierry Sicard,Eric Scott Carman. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2005-02-02.

Equipment for measuring excitation current in vehicle generator, comprises transistors in excitation and reference circuits, comparator which controls counter and current in reference circuit

Номер патента: FR2839365A1. Автор: Guenter Nasswetter,Volker Haller. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2003-11-07.

A tunable reference circuit comprising magnetic tunnel junction elements for a semiconductor memory circuit

Номер патента: CN104272391A. Автор: X·李,T·金,J·P·金. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-01-07.

Systems and methods for a reference circuit in a dual bit flash memory device

Номер патента: US20070058439A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Han-Sung Chen,Nai-Ping Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-15.

Systems and methods for a reference circuit in a dual bit flash memory device

Номер патента: TWI332663B. Автор: Chun Hsiung Hung,Nai Ping Kuo,Ken Hui Chen,Han Sung Chen. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2010-11-01.

Pixels and reference circuits and timing techniques

Номер патента: US10373554B2. Автор: Gholamreza Chaji,Yaser Azizi. Владелец: Ignis Innovation Inc. Дата публикации: 2019-08-06.

CHAMPIONSHIP BAND-GAP VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: ITMI911026D0. Автор: Sergio Pernici,Germano Nicollini. Владелец: Sgs Thomson Microelectronics. Дата публикации: 1991-04-12.

Voltage Measurement Through Reference Circuit Based Impedance Detection

Номер патента: US20210003618A1. Автор: Barrenscheen Jens. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-07.

LOW TEMPERATURE DRIFT VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20140104964A1. Автор: Liu Zutao,PENG SHAOHUA. Владелец: Shanghai SIM-BCD Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-04-17.

PIXELS AND REFERENCE CIRCUITS AND TIMING TECHNIQUES

Номер патента: US20180068611A1. Автор: Chaji Gholamreza,Azizi Yaser,MORADI Arash,Liu Hongxin. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-08.

PIXELS AND REFERENCE CIRCUITS AND TIMING TECHNIQUES

Номер патента: US20170076670A1. Автор: Chaji Gholamreza,Azizi Yaser. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

MEMORY DEVICE WITH DYNAMICALLY OPERATED REFERENCE CIRCUITS

Номер патента: US20160086652A1. Автор: Ferrant Richard,Thewes Roland. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

MEMORY DEVICE AND REFERENCE CIRCUIT THEREOF

Номер патента: US20190115061A1. Автор: Shih Yi-Chun,CHIH Yu-Der,LEE Chia-Fu,Lin Hon-Jarn. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-04-18.

MEMORY DEVICE AND REFERENCE CIRCUIT THEREOF

Номер патента: US20170125071A1. Автор: Shih Yi-Chun,CHIH Yu-Der,LEE Chia-Fu,Lin Hon-Jarn. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

MEMORY DEVICE AND REFERENCE CIRCUIT THEREOF

Номер патента: US20200118610A1. Автор: Shih Yi-Chun,CHIH Yu-Der,LEE Chia-Fu,Lin Hon-Jarn. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-04-16.

Memory Device with a Low-Current Reference Circuit

Номер патента: US20180151211A1. Автор: Chia-Fu Lee,Yu-Der Chih,Hon-Jarn Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Reference Circuit for Metrology System

Номер патента: US20170199089A1. Автор: Savoj Jafar,Fritchman Daniel J.. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-13.

HYBRID SELF-TRACKING REFERENCE CIRCUIT FOR RRAM CELLS

Номер патента: US20210241830A1. Автор: CHIH Yu-Der,CHOU Chung-Cheng,Tseng Pei-Ling,Lin Zheng-Jun. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-05.

Reference Circuit for Metrology System

Номер патента: US20200217729A1. Автор: Savoj Jafar,Fritchman Daniel J.. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-09.

REFERENCE CIRCUIT TO COMPENSATE FOR PVT VARIATIONS IN SINGLE-ENDED AMPLIFIERS

Номер патента: US20150279448A1. Автор: Thewes Roland. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND WAFER WITH REFERENCE CIRCUIT AND RELATED METHODS

Номер патента: US20170307468A1. Автор: Carpentier Jean-Francois,MANOUVRIER Jean-Robert,Baudot Charles,LeMaitre Patrick,BOROT Bertrand. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-26.

PIXELS AND REFERENCE CIRCUITS AND TIMING TECHNIQUES

Номер патента: US20190311676A1. Автор: Chaji Gholamreza,Azizi Yaser. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-10.

MEMORY AND REFERENCE CIRCUIT CALIBRATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20170330602A1. Автор: WANG TAO,Ni Hao,ZHOU Yao,TANG Tian Shen. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-16.

MEMORY DEVICE AND REFERENCE CIRCUIT THEREOF

Номер патента: US20170330608A1. Автор: Shih Yi-Chun,CHIH Yu-Der,LEE Chia-Fu,Lin Hon-Jarn. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-11-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND WAFER WITH REFERENCE CIRCUIT AND RELATED METHODS

Номер патента: US20170363507A1. Автор: Carpentier Jean-Francois,MANOUVRIER Jean-Robert,Baudot Charles,Le Maitre Patrick,BOROT Bertrand. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-21.

Reference circuit

Номер патента: KR900000053B1. Автор: Robert G Pollachek. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1990-01-18.

Ferroelectric random access memory device having a reference circuit which generates a reference voltage changed according to a variation of a polarization state of a ferroelectric capacitor

Номер патента: KR100373854B1. Автор: 최문규,전병길. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-02-26.

Reference circuit for metrology system

Номер патента: KR102179316B1. Автор: 다니엘 제이. 프리치맨,자파르 사보즈. Владелец: 애플 인크.. Дата публикации: 2020-11-16.

Continuous current value passage detector - has several stage reference circuit with switching transistor stages

Номер патента: FR2258634A1. Автор: . Владелец: Alcatel CIT SA. Дата публикации: 1975-08-18.

Read Reference Circuit for a Sense Amplifier Within a Chalcogenide Memory Device

Номер патента: US20100002500A1. Автор: BIN Li,Adam Matthew Bumgarner,Daniel Pirkl. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2010-01-07.

Precision non-volatile cmos reference circuit

Номер патента: WO2007097933A2. Автор: Sabin Eftimie,Alina I. Negut,Sorin S. Georgescu. Владелец: Catalyst Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2007-08-30.

Bootstrap Reference Circuit for reducing leakage current in power down mode

Номер патента: KR100555500B1. Автор: 원남정. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-03-03.

Memory and reference circuit calibration method thereof

Номер патента: EP3244416A1. Автор: Yao Zhou,Tao Wang,Hao Ni,Tianshen TANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-11-15.

Acceleration reference circuit

Номер патента: CA909364A. Автор: William L. Carter, Jr.,Raymnd G. Stein, Jr.. Владелец: Westinghouse Air Brake Co. Дата публикации: 1972-09-05.

Memory and reference circuit calibration method thereof

Номер патента: US10008246B2. Автор: Yao Zhou,Tao Wang,Hao Ni,Tian Shen TANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-06-26.

Apparatus and Method for Controlling Voltage and Frequency Using Multiple Reference Circuits

Номер патента: US20080186083A1. Автор: Michael Priel,Dan Kuzmin,Anton Rozen. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-08-07.

Memory device and reference circuit thereof

Номер патента: US11211106B2. Автор: Yi-Chun Shih,Chia-Fu Lee,Yu-Der Chih,Hon-Jarn Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-28.

MEMORY DEVICE WITH DYNAMICALLY OPERATED REFERENCE CIRCUITS.

Номер патента: FR3005195B1. Автор: Richard Ferrant,Roland Thewes. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2016-09-02.

Bit line reference circuits for binary and multiple-bit-per-cell memories

Номер патента: US20030043621A1. Автор: Sau Wong. Владелец: Multi Level Memory Technology. Дата публикации: 2003-03-06.

LED driver and DAC reference circuit thereof

Номер патента: US11812531B1. Автор: Je-Kwang Cho. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2023-11-07.

Reference circuit to compensate for pvt variations in single-ended sense amplifiers

Номер патента: SG11201502532QA. Автор: Roland Thewes. Владелец: Soitec Silicon On Insulator. Дата публикации: 2015-04-29.

Low-power reading reference circuit of split-gate flash memory

Номер патента: TW200723285A. Автор: Hsien-Yu Pan,Meng-Fan Chang,Ding-Ming Kwai,Yung-Fa Chou. Владелец: Intellectual Property Libarary Company. Дата публикации: 2007-06-16.

Precision non-volatile CMOS reference circuit

Номер патента: TW200731277A. Автор: Georgescu Sorin,Marian I Poenaru Ilie,A Eftimie Sabin. Владелец: Catalyst Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-08-16.

Bandgap reference circuit and related method

Номер патента: EP1230682A2. Автор: Todd Mitchell,Mark W. Haley. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2002-08-14.

Bandgap reference circuit and related method

Номер патента: WO2001093333A2. Автор: Todd Mitchell,Mark W. Haley. Владелец: Philips Semiconductors, Inc.. Дата публикации: 2001-12-06.

Bandgap reference circuit and related method

Номер патента: WO2001093333A3. Автор: Todd Mitchell,Mark W Haley. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2002-04-18.

CMOS image sensing with sampled bandgap reference

Номер патента: US11470272B1. Автор: Jinwen Xiao,Scott D Willingham. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-11.

Polysilicon diode bandgap reference

Номер патента: US09929150B2. Автор: Adrian Finney. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-27.

Circuit and method for start-up of reference circuits in devices with a plurality of supply voltages

Номер патента: US20240275282A1. Автор: Asif Iqbal,Shivraj G. Dharne,Dzung T. Tran. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Pipeline ADC and reference load balancing circuit and method to balance reference circuit load

Номер патента: US09748965B2. Автор: Roswald Francis,Visvesvaraya A. Pentakota. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Low voltage current reference circuits

Номер патента: US20050046469A1. Автор: Stephen Geissler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-03-03.

Power-up logic reference circuit and related method

Номер патента: US20030122579A1. Автор: Lawrence Uzelac. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-07-03.

Temperature-compensating fluidic reference circuit

Номер патента: US3602240A. Автор: Jeffrey N Shinn,Thomas H Vogelsang. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1971-08-31.

Reference circuit and method for mitigating switching jitter and delay-locked loop (dll) using same

Номер патента: EP2313976A1. Автор: William Petrie. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2011-04-27.

Small-circuit-scale reference voltage generating circuit

Номер патента: US09785176B2. Автор: Kenji Furusawa,Mitsuya FUKAZAWA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Reference voltage circuit

Номер патента: US09989984B2. Автор: Wei-Chan Hsu,Yeh-Tai Hung,Te-Ming Tseng,Wen-Yi LI. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Reference voltage circuit

Номер патента: US20170199540A1. Автор: Wei-Chan Hsu,Yeh-Tai Hung,Te-Ming Tseng,Wen-Yi LI. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2017-07-13.

Circuit, trim, and layout for temperature compensation of metal resistors in semi-conductor chips

Номер патента: EP2356533A1. Автор: Bernhard Helmut Engl. Владелец: Linear Technology LLC. Дата публикации: 2011-08-17.

Circuit, trim, and layout for temperature compensation of metal resistors in semi-conductor chips

Номер патента: WO2010062285A8. Автор: Bernhard Helmut Engl. Владелец: LINEAR TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2010-09-10.

Startup circuit and methods thereof

Номер патента: US11921534B2. Автор: Rashid Iqbal. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2024-03-05.

Startup circuit and methods thereof

Номер патента: US20230046259A1. Автор: Rashid Iqbal. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2023-02-16.

Multi-stable electronic circuit state control

Номер патента: US20090309569A1. Автор: Frank Joseph Schulz. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2009-12-17.

Bandgap-referenced thermal sensor

Номер патента: US7724068B1. Автор: Paul Wilson,Paul AD Smith. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 2010-05-25.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20220228929A1. Автор: Takayuki Tsukamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor integrated circuit with configurable setting based on temperature information

Номер патента: US11835399B2. Автор: Takayuki Tsukamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Reference voltage source with calibration of output voltage

Номер патента: RU2715215C1. Автор: Ярослав Ярославович Петричкович,Александр Андреевич Щекин. Владелец: Акционерное общество Научно-производственный центр "Электронные вычислительно-информационные системы". Дата публикации: 2020-02-26.

Reference voltage generator having at least one bipolar junction transistor biased by negative base voltage and associated reference voltage generating method

Номер патента: US09755507B2. Автор: Ta-Hsin Lin. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

System and method for a low voltage supply bandgap

Номер патента: US20240111323A1. Автор: Shao-Yu Chou,Min-Shin WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

System and method for a low voltage supply bandgap

Номер патента: US12117860B2. Автор: Shao-Yu Chou,Min-Shin WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Layout of a reference generating system

Номер патента: US8148971B2. Автор: Tsung-Yu Wu,Cheng-Hung Li,Yi-Chang Lu,Chung-Yui Kuo. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2012-04-03.

Layout of a Reference Generating System

Номер патента: US20100213918A1. Автор: Tsung-Yu Wu,Cheng-Hung Li,Yi-Chang Lu,Chung-Yui Kuo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-26.

Method and apparatus for trimming die-to-die variation of an on-chip generated voltage reference

Номер патента: EP2489042A1. Автор: Martin L. Voogel,Leon L. Nguyen. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2012-08-22.

Method and apparatus for trimming die-to-die variation of an on-chip generated voltage reference

Номер патента: WO2011046702A1. Автор: Martin L. Voogel,Leon L. Nguyen. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2011-04-21.

Bandgap voltage circuit with low-beta bipolar device

Номер патента: US20150346754A1. Автор: Yong Siang Teo. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-12-03.

Power manager circuit and electronic device for detecting internal errors

Номер патента: US20210294365A1. Автор: Sangho Kim,Jaeseung LEE,Tae-hwang Kong,Sungmin YOO,Joowon Park,Hyunmyoung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-23.

Power manager circuit and electronic device for detecting internal errors

Номер патента: US11543841B2. Автор: Sangho Kim,Jaeseung LEE,Tae-hwang Kong,Sungmin YOO,Joowon Park,Hyunmyoung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-03.

Bandgap circuit for current and voltage

Номер патента: US09612607B2. Автор: AJAY Kumar,Rahul Bhandarkar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Bandgap voltage circuit with low-beta bipolar device

Номер патента: US09703310B2. Автор: Yong Siang Teo. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Low Supply Voltage Bandgap System

Номер патента: US20090058511A1. Автор: Maofeng Lan,Kuoyuan (Peter) Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2009-03-05.

Bandgap circuit with noise reduction and temperature stability

Номер патента: US20230288951A1. Автор: Moez KANOUN. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-09-14.

Bandgap reference circuit

Номер патента: US09876008B2. Автор: Chewn-Pu Jou,Chien-Jung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Voltage generator arrangement

Номер патента: US6900626B2. Автор: Ralf Schneider,Joerg Vollrath,Stephan Schroder,Manfred Pröll. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-05-31.

Bandgap reference circuit

Номер патента: US20160049912A1. Автор: Chewn-Pu Jou,Chien-Jung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

Reference voltage generating circuit

Номер патента: US8988137B2. Автор: Kenji Furusawa,Mitsuya FUKAZAWA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-03-24.

Abnormal voltage monitoring device, and storage and vehicle comprising the abnormal voltage monitoring device

Номер патента: US11782467B2. Автор: Ji Soo Lee,Sung Yun Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-10.

Ldo circuit having power supply rejection function, chip and communication terminal

Номер патента: US20240281012A1. Автор: Sheng Lin,Chenyang GAO. Владелец: Vanchip Tianjin Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT INCLUDING VERTICALLY STACKED ACTIVE SOI DEVICES

Номер патента: US20210280723A1. Автор: Miller Timothy S.,Blackwell Don Raymond,Hang Peter P.,Ton-That Van. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20160049912A1. Автор: JOU Chewn-PU,Wang Chien-Jung. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-18.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20140159699A1. Автор: Hirono Daisuke,AKEBONO SACHIO,Makigawa Kiyoshi,JEONG MOONJAE,IGUCHI TAIKI. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-12.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT AND DCDC CONVERTER HAVING THE SAME

Номер патента: US20170310204A1. Автор: Kawano Akihiro,GOTO Katsuya. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-26.

Compensation of thermally induced voltage errors

Номер патента: US11876490B2. Автор: Sandeep Shylaja Krishnan,Akshay Yashwant JADHAV,Tallam VISHWANATH. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Compensation of thermally induced voltage errors

Номер патента: US20240097621A1. Автор: Sandeep Shylaja Krishnan,Akshay Yashwant JADHAV,Tallam VISHWANATH. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Compensation of thermally induced voltage errors

Номер патента: WO2022221180A1. Автор: Sandeep Shylaja Krishnan,Akshay Yashwant JADHAV,Tallam VISHWANATH. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2022-10-20.

Systems and methods for trimming bandgap offset with bipolar diode elements

Номер патента: EP2359210A1. Автор: Minh Le,Woowai Martin. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2011-08-24.

Reference power supply circuit

Номер патента: WO2012079454A1. Автор: LIANG Cheng. Владелец: Csmc Technologies Fab2 Co.,Ltd.. Дата публикации: 2012-06-21.

Simplified transistor base current compensation circuitry

Номер патента: US4978868A. Автор: Salomon Vulih,Raymond L. Giordano. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1990-12-18.

Semiconductor device for generating a reference current or voltage in various temperatures

Номер патента: US20230229185A1. Автор: Jong Seok Kim,Young Kwan Lee,Chan Keun KWON,Jong Seok JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

OSCILLATION CONTROL CIRCUIT FOR BIASING RING OSCILLATOR BY BANDGAP REFERENCE SIGNAL AND RELATED METHOD

Номер патента: US20140191814A1. Автор: Tung Ming-Sheng. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc.. Дата публикации: 2014-07-10.

SELF-BIASING INTEGRATED OSCILLATOR WITHOUT BANDGAP REFERENCE

Номер патента: US20180152177A1. Автор: Yang Li,Wu Charles Qingle. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

BANDGAP REFERENCE VOLTAGE GENERATING CIRCUIT AND ELECTRONIC SYSTEM USING THE SAME

Номер патента: US20140354259A1. Автор: DING Jaw-Ming,CHANG HSIN-CHIN. Владелец: ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING INC.. Дата публикации: 2014-12-04.

Self-biasing integrated oscillator without bandgap reference

Номер патента: US20180152177A1. Автор: LI YANG,Charles Qingle Wu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2018-05-31.

METHOD OF FORMING BANDGAP REFERENCE INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20180145067A1. Автор: JOU Chewn-PU,Wang Chien-Jung. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-24.

Operational Amplifier for Bandgap Reference

Номер патента: KR101024633B1. Автор: 김태형. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2011-03-25.

Bandgap voltage generation

Номер патента: US09651980B2. Автор: Subrato Roy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Miniaturized digital temperature sensor

Номер патента: US20190324490A1. Автор: Joseph Shor,Ori Bass. Владелец: Birad Research and Development Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-24.

Ldo circuit having power supply rejection function, chip and communication terminal

Номер патента: EP4379496A1. Автор: Sheng Lin,Chenyang GAO. Владелец: Vanchip Tianjin Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

온도 변화에도 기준 전류 혹은 기준 전압을 생성하는 반도체 장치

Номер патента: KR20230112326A. Автор: 김종석,이영관,정종석,권찬근. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2023-07-27.

Gain and temperature tolerant bandgap voltage reference

Номер патента: US20240103558A1. Автор: Dimitar Trifonov,Jerry Doorenbos,Sudheer Gangula. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Multi-layer circuit member with reference circuit

Номер патента: US09462676B2. Автор: Kent E. Regnier. Владелец: MOLEX LLC. Дата публикации: 2016-10-04.

Integrated circuit having an internal reference circuit to supply internal logic circuits with a reduced voltage

Номер патента: US5079441A. Автор: David B. Scott. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1992-01-07.

Auto-calibrating a voltage reference

Номер патента: US20130162341A1. Автор: Grigori Temkine,Oleg Drapkin,Filipp Chekmazov. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2013-06-27.

Automatic regulation of turbo-alternator sets - by sensing and processing alternator parameters, using reference circuit prior to supporting adjustable regulator

Номер патента: FR2475313A1. Автор: Ernest Irving,Claude Charcossey. Владелец: Electricite de France SA. Дата публикации: 1981-08-07.

Semiconductor device for generating a reference current or voltage in various temperatures

Номер патента: US11774997B2. Автор: Jong Seok Kim,Young Kwan Lee,Chan Keun KWON,Jong Seok JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

System and method for testing reference voltage circuit

Номер патента: US20190041433A1. Автор: Yeh-Tai Hung,Te-Ming Tseng,Wen-Yi LI. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Temperature compensated reference voltage circuit

Номер патента: US09864389B1. Автор: Sharad Vijaykumar. Владелец: Analog Devices Global ULC. Дата публикации: 2018-01-09.

Reference circuit suitable for use with an analog to digital converter and an analog to digital converter including such a reference circuit

Номер патента: US20130249727A1. Автор: Christopher Peter Hurrell. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2013-09-26.

PIPELINE ADC AND REFERENCE LOAD BALANCING CIRCUIT AND METHOD TO BALANCE REFERENCE CIRCUIT LOAD

Номер патента: US20160072518A1. Автор: Francis Roswald,Pentakota Visvesvaraya A.. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2016-03-10.

BIPOLAR TRANSISTOR, BAND-GAP REFERENCE CIRCUIT AND VIRTUAL GROUND REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20140354347A1. Автор: Xiao Deyuan,Chi Min-Hwa,CHING LIHYING. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-04.

Vehicle headlamp monitoring circuit - has threshold switch coupled to reference circuit which with differential amplifier is connected to alarm signal generator

Номер патента: FR2367401A1. Автор: Sylvain Joseph Lumbroso. Владелец: Jaeger. Дата публикации: 1978-05-05.

Multi-layer circuit member with reference circuit

Номер патента: WO2011056967A2. Автор: Kent E. Regnier. Владелец: Molex Incorporated. Дата публикации: 2011-05-12.

A band gap reference circuit and a circuit for generating a voltage using the same

Номер патента: KR100654047B1. Автор: 임재형. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-12-05.

The phase shifter configuration method and microwave circuit of voltage reference circuit

Номер патента: CN109660230A. Автор: 王雪深,钟源,钟青,李劲劲,曹文会,王兰若. Владелец: National Institute of Metrology. Дата публикации: 2019-04-19.

Multi-layer circuit member with reference circuit

Номер патента: CN102687350A. Автор: 肯特·E·雷尼尔. Владелец: MOLEX LLC. Дата публикации: 2012-09-19.

Reference circuits for sampled-data circuits

Номер патента: US7522086B2. Автор: Hae-Seung Lee. Владелец: Cambridge Analog Technologies Inc. Дата публикации: 2009-04-21.

BICMOS CURRENT REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20140152348A1. Автор: ZHANG LEI,Hu Rong-Bin,Hu Gang-Yi,Fu Dong-Bing,Wang Yong-Lu,Zhang Zheng-Ping,Zhu Can,Gao Yu-Han,Ye Rong-Ke. Владелец: China Electronic Technology Corporation, 24th Research Institute. Дата публикации: 2014-06-05.

Low Noise Subsurface Spectrogram with Cascaded Reference Circuit

Номер патента: US20200390343A1. Автор: Felix Jason,Chertok Leslie A.,Verma Vandana. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-17.

Interlocked speed reference circuit in process line

Номер патента: JPS5979301A. Автор: 陽一 青木,Yoichi Aoki,Hirotaka Ono,浩孝 小野. Владелец: Toshiba Engineering Corp. Дата публикации: 1984-05-08.

High-Speed low static current reference circuit

Номер патента: KR100365425B1. Автор: 안흥준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-12-18.

REFERENCE CIRCUIT FOR ACHIEVING ADJUSTABLE GROUP PROPAGATION TIMES.

Номер патента: FR2684821A1. Автор: Dick Rudolph. Владелец: Wandel and Golterman GmbH and Co. Дата публикации: 1993-06-11.

Bandgap Voltage Reference Circuit

Номер патента: KR100539184B1. Автор: 김동희,장경희. Владелец: 페어차일드코리아반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-03-16.

Frequency reference circuit

Номер патента: GB2248353B. Автор: Roger James Williamson,Andrew Llewellyn Miles. Владелец: STC Ltd. Дата публикации: 1994-04-27.

Voltage reference circuit

Номер патента: FR1205172A. Автор: . Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1960-02-01.

VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT FOR A CARDIAC PACEMAKER.

Номер патента: ES2110180T3. Автор: Lawrence J Stotts. Владелец: Sulzer Intermedics Inc. Дата публикации: 1998-02-01.

Variable-impedance reference circuit and varying method

Номер патента: US6798284B2. Автор: Yasuo Oda. Владелец: Wacom Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-28.

A voltage reference circuit and method of providing a voltage reference

Номер патента: EP3547540A1. Автор: Vinayak Mukund Kulkarni,Maitrey Kamble,Michael Coln. Владелец: Analog Devices Global ULC. Дата публикации: 2019-10-02.

System and method for using a network timing reference circuit as a phase detector in a synchronization loop

Номер патента: US6804318B1. Автор: Daniel Amrany,Laurent Alloin,Jean-Francois Lopez. Владелец: Brooktree Broadband Holding Inc. Дата публикации: 2004-10-12.

Programmable current reference circuit

Номер патента: US6744277B1. Автор: Wanli Chang,Gregory W. Starr. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2004-06-01.

Low power, low noise digital-to-analog converter reference circuit

Номер патента: US20090009375A1. Автор: Xiaohong Quan,Lennart K-A Mathe. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2009-01-08.

Vehicle charging system has noise compensation unit that compensates noise in reference signal generated by reference circuit which is connected in series with shunt resistor

Номер патента: DE102013200007A1. Автор: Miguel Angel Acena,Youssef Ghabbour. Владелец: Lear Corp. Дата публикации: 2013-07-11.

Programmable reference circuit

Номер патента: JP3213621B2. Автор: ハーマン ボス ピーター,ジェラルド フェラン カサール,ジェイムス デイビス トーマス,マイケル オコーネル コルマック,クリスティーン マテウス ヒーラウメス プフェニンフス レオナルダス,オントロプ ハンス. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2001-10-02.

Power-supply controller of electric and the reference circuit for power-supply controller of electric

Номер патента: CN204131387U. Автор: J·特尔奇,S·孔塞伊. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2015-01-28.

Voltage reference circuit for a cardiac pacemaker.

Номер патента: EP0627242A3. Автор: Lawrence J Stotts. Владелец: Intermedics Inc. Дата публикации: 1995-02-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20080089165A1. Автор: Yasuhiko Honda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-17.

Semiconductor device

Номер патента: US7623407B2. Автор: Yasuhiko Honda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-11-24.

Low power and high accuracy voltage monitor with built-in reference

Номер патента: US20240295589A1. Автор: Ricardo Pureza Coimbra,Mateus Ribeiro Vanzella. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-09-05.

Power-on-reset circuitry

Номер патента: EP2793396A3. Автор: Weiying Ding,Leo Min Maung,Ping XING. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2015-04-22.

Power-on-reset circuitry

Номер патента: EP1986323A3. Автор: Ping Xiao,Weiying Ding,Leo Min Maung. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2008-12-10.

Power-on-reset circuitry

Номер патента: US20130285717A1. Автор: Ping Xiao,Leo Min Maung,Weiyding Ding. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Semiconductor device and test method of semiconductor device

Номер патента: US20200209075A1. Автор: Masanori Ikeda,Tadashi Kameyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor device and test method of semiconductor device

Номер патента: US11573134B2. Автор: Masanori Ikeda,Tadashi Kameyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-02-07.

Current Generator with Reduced Power Consumption

Номер патента: US20240154512A1. Автор: Min-Chia Wang,Hsiu-Ming Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Biasing of cascode power amplifiers for multiple power supply domains

Номер патента: US20210218433A1. Автор: Thomas Obkircher,Guillaume Alexandre Blin,Bang Li LIANG. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Biasing of cascode power amplifiers for multiple power supply domains

Номер патента: US11936416B2. Автор: Thomas Obkircher,Guillaume Alexandre Blin,Bang Li LIANG. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Biasing of cascode power amplifiers for multiple power supply domains

Номер патента: US20230291431A1. Автор: Thomas Obkircher,Guillaume Alexandre Blin,Bang Li LIANG. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Apparatus and methods for phase-locked loops with temperature compensated calibration voltage

Номер патента: US09413366B2. Автор: Michael F. Keaveney,Hyman Shanan. Владелец: Analog Devices Global ULC. Дата публикации: 2016-08-09.

Clamp circuit device

Номер патента: US20050206429A1. Автор: Akira Suzuki,Hideaki Ishihara,Yasuyuki Ishikawa,Yoshinori Teshima,Toshiharu Muramatsu,Katsutoyo Misawa. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2005-09-22.

High-stability reset circuit for monitoring supply undervoltage and overvoltage

Номер патента: US8723554B2. Автор: Alfio Zanchi. Владелец: Aeroflex Colorado Springs Inc. Дата публикации: 2014-05-13.

Power harvest architecture for near field communication devices

Номер патента: US09762292B2. Автор: ABHISHEK Agrawal,Yogesh Darwhekar,Yaniv Tzoreff,Koby Levy,Srikanth Manian,Erez Shalom. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Fixed frequency voltage regulator

Номер патента: US4388586A. Автор: Mihaly Lamoth. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1983-06-14.

Method of minimizing package-shift effects in integrated circuits by using a thick metallic overcoat

Номер патента: US20020182780A1. Автор: Gabriel RINCON-MORA,David Briggs,Roy Hastings,Buddhika Abesingha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor device which minimizes package-shift effects in integrated circuits by using a thick metallic overcoat

Номер патента: US6750553B2. Автор: Roy Alan HASTINGS,Gabriel A. Rincon-Mora,Buddhika J. Abesingha,David D. Briggs. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-06-15.

Voltage-mode transmitter

Номер патента: US20230179200A1. Автор: Bo-Hao Hsu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Voltage-mode transmitter

Номер патента: US12081206B2. Автор: Bo-Hao Hsu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT AND METHOD OF STARTING BANDGAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20130021016A1. Автор: IDE Akira. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2013-01-24.

Bandgap reference circuits and methods for generating a bandgap voltage

Номер патента: TWI330309B. Автор: yan hua Peng,Uei Shan Uang. Владелец: Faraday Tech Corp. Дата публикации: 2010-09-11.

Low supply voltage bandgap reference circuit and negative temperature coefficient current generation unit thereof and method for supplying bandgap reference current

Номер патента: TW200736878A. Автор: Kuen-Shan Chang,Mei-Show Chen,Uei-Shan Wang,Chia-Ming Hong. Владелец: Faraday Tech Corp. Дата публикации: 2007-10-01.

Bandgap Reference Circuit and Bandgap Reference Current Source

Номер патента: US20120043955A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-02-23.

Bandgap reference circuit and method of generating bandgap reference voltage

Номер патента: TW201248351A. Автор: Jui-Jer Huang,Nan-Yen Lee. Владелец: Advanced Analog Technology Inc. Дата публикации: 2012-12-01.

A non-linearity compensation circuit and a bandgap reference circuit using the same

Номер патента: TWI321713B. Автор: Kuen Shan Chang,Uei Shan Wang. Владелец: Faraday Tech Corp. Дата публикации: 2010-03-11.

A non-linearity compensation circuit and a bandgap reference circuit using the same

Номер патента: TW200741405A. Автор: Kuen-Shan Chang,Wei-Shan Wang. Владелец: Faraday Tech Corp. Дата публикации: 2007-11-01.

Bandgap reference circuit

Номер патента: TW200533079A. Автор: Ming-Dou Ker,Wen-Yu Lo,Ching-Yun Chu. Владелец: Silicon Integrated Sys Corp. Дата публикации: 2005-10-01.

Bandgap reference circuit

Номер патента: TW200424826A. Автор: Wei-Wen Feng,ming-nan Zhuang. Владелец: Analog Integrations Corp. Дата публикации: 2004-11-16.

Bandgap reference circuit

Номер патента: TWI232637B. Автор: Ming-Dou Ker,Wen-Yu Lo,Ching-Yun Chu. Владелец: Silicon Integrated Sys Corp. Дата публикации: 2005-05-11.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT FOR PROVIDING REFERENCE VOLTAGE

Номер патента: US20130257396A1. Автор: Tung Ming-Sheng. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-03.

CMOS (complementary metal oxide semiconductor)-process-based chopper bandgap reference circuit and reference voltage chip

Номер патента: CN203552113U. Автор: 刘宝生,乔爱国,谭迁宁. Владелец: Chipsea Technologies Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-16.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT AND POWER SUPPLY CIRCUIT

Номер патента: US20130119967A1. Автор: Kiuchi Hideki. Владелец: Renesas Electronics Corporation. Дата публикации: 2013-05-16.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT WITH STARTUP CIRCUIT AND METHOD OF OPERATION

Номер патента: US20140062451A1. Автор: Siegel Joshua,Mai Khoi B.. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-06.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT AND REGULATOR CIRCUIT WITH COMMON AMPLIFIER

Номер патента: US20140015509A1. Автор: Gupta Rakesh K.,Banerjee Jaideep,Wadhwa Sanjay K.. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. Дата публикации: 2014-01-16.

Voltage Generator and Bandgap Reference Circuit

Номер патента: US20130328542A1. Автор: Liu Yin,Wang Hui,Xiang Jun,Chong Huaming. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-12.

Bandgap Reference Circuit with an Output Insensitive to Offset Voltage

Номер патента: US20120212208A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-08-23.

A kind of low noise bandgap references circuit reducing offset influence

Номер патента: CN104503528B. Автор: 刘洋,李甜,于奇,刘伟忠,徐振涛,毛文彪,李耀合. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2016-03-30.

Bandgap reference circuits

Номер патента: TWI380154B. Автор: Jr Rogelio L Erbito. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 2012-12-21.

Bandgap reference circuit

Номер патента: TWI237170B. Автор: Ming-Nan Juang,Wei-Wen Feng. Владелец: Analog Integrations Corp. Дата публикации: 2005-08-01.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20130307516A1. Автор: Yu Kuo-Feng,CHEN Chung-Hui,HORNG Jaw-Juinn. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-11-21.

Bandgap reference circuit

Номер патента: JP6896547B2. Автор: 洋一 示野. Владелец: New Japan Radio Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-30.

Bandgap reference circuit

Номер патента: CN104777870A. Автор: 周宁. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2015-07-15.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20120249115A1. Автор: Chuang Wen-Hsien,Wang Ting-Hao,Lu Yu-Tsung. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-04.

Multi-output bandgap reference circuit with function of nonlinear temperature compensation

Номер патента: CN102591398B. Автор: 胡建国,王伟,刘鹏飞,何琦,佘龙,郎君,王永寿,萧经华,代建宾,朱传森. Владелец: HI-TREND TECHNOLOGY (SHANGHAI) Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-26.

Bandgap reference circuit

Номер патента: TW200832099A. Автор: Yan-Hua Peng,Mei-Show Chen,Uei-Shan Wang. Владелец: Faraday Tech Corp. Дата публикации: 2008-08-01.

Bandgap reference voltage circuit device

Номер патента: TW200418271A. Автор: de-xun Huang. Владелец: Feature Integration Technology Inc. Дата публикации: 2004-09-16.

Method and Device for Generating an Adjustable Bandgap Reference Voltage

Номер патента: US20120293143A1. Автор: Fort Jimmy,Soude Thierry. Владелец: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS. Дата публикации: 2012-11-22.

Device for Generating an Adjustable Bandgap Reference Voltage with Large Power Supply Rejection Rate

Номер патента: US20120293149A1. Автор: . Владелец: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS. Дата публикации: 2012-11-22.

BANDGAP REFERENCE VOLTAGE GENERATOR

Номер патента: US20130106393A1. Автор: Chang Hui-Ju,HONG Shuo-Jyun. Владелец: SILICON MOTION, INC.. Дата публикации: 2013-05-02.

POLYSILICON DIODE BANDGAP REFERENCE

Номер патента: US20140043096A1. Автор: Finney Adrian. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-13.

Bandgap reference voltage circuit and electronic device

Номер патента: TWI497255B. Автор: I Hsiu Ho. Владелец: Elite Semiconductor Esmt. Дата публикации: 2015-08-21.

Startup circuit and bandgap reference source circuit with startup circuit

Номер патента: CN103389762B. Автор: 胡胜发,潘少辉. Владелец: Anyka Guangzhou Microelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-11.

Startup circuit and bandgap reference source circuit with startup circuit

Номер патента: CN103389762A. Автор: 胡胜发,潘少辉. Владелец: Anyka Guangzhou Microelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-13.

Current mode bandgap reference voltage source with subthreshold current compensation function

Номер патента: CN104035471A. Автор: 孙伟锋,陆生礼,时龙兴,祝靖,张允武,黄泽祥. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-09-10.

Bandgap reference voltage generator for low supply voltage

Номер патента: TW201129892A. Автор: Kwan-Jen Chu,Isaac Yao-Zhou Chen. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2011-09-01.

SUPPLY INVARIANT BANDGAP REFERENCE SYSTEM

Номер патента: US20120081099A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-04-05.

Bandgap Reference Apparatus and Methods

Номер патента: US20120176186A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-07-12.

ADJUSTABLE SECOND-ORDER-COMPENSATION BANDGAP REFERENCE

Номер патента: US20130234781A1. Автор: Bernardinis Gabriele. Владелец: . Дата публикации: 2013-09-12.

A kind of super low-power consumption non-resistance non-bandgap reference source

Номер патента: CN104076856B. Автор: 张波,吴刚,王霞,王卓,周泽坤,石跃. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2015-09-09.

Resistance-less bandgap reference source

Номер патента: CN103399612B. Автор: 刘楠,贺红荔,庄在龙. Владелец: JIANGSU XINCHUANGYI ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-15.

Bandgap reference voltage source circuit

Номер патента: CN202502430U. Автор: 王帅旗,贾晓伟,邓龙利. Владелец: Beijing Jingwei Hirain Tech Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-24.

Low voltage bandgap reference, chip, portable power source, drive recorder and electronic equipment

Номер патента: CN206639083U. Автор: 莫昌文. Владелец: Jianrong Integrated Circuit Technology Zhuhai Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

A kind of High Precision Bandgap Reference

Номер патента: CN104571240B. Автор: 李正大. Владелец: Changsha University. Дата публикации: 2017-01-04.

Low-temperature-offset-coefficient bandgap reference voltage generation circuit

Номер патента: CN104035470A. Автор: 周云,吕坚,阙隆成,牛润梅,张壤匀. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2014-09-10.

A proportional to absolute temperature current and voltage of bandgap reference with start-up circuit

Номер патента: TW201104381A. Автор: Guo-Ming Sung,You-Hsiang Lu. Владелец: Univ Nat Taipei Technology. Дата публикации: 2011-02-01.

Ultra-low-power-consumption non-resistance non-bandgap reference source

Номер патента: CN104076856A. Автор: 张波,吴刚,王霞,王卓,周泽坤,石跃. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2014-10-01.

ELECTRONIC CIRCUIT HAVING BAND-GAP REFERENCE CIRCUIT AND START-UP CIRCUIT, AND METHOD OF STARTING-UP BAND-GAP REFERNCE CIRCUIT

Номер патента: US20130082770A1. Автор: LEE Chia-Fu,LI Chih-Feng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-04-04.

Semiconductor Device With A Test Circuit And A Reference Circuit

Номер патента: US20120062257A1. Автор: Baumann Thomas,Pacha Christian,GEORGAKOS Georg,TCHEGHO KAMGAING Anselme Urlick. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-15.

MULTI-LAYER CIRCUIT MEMBER WITH REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20120280766A1. Автор: Regnier Kent E.. Владелец: Molex Incorporated. Дата публикации: 2012-11-08.

Starting circuit of reference circuit with wide working voltage range

Номер патента: CN201616036U. Автор: 石万文,徐挺,徐君怡,雷红军. Владелец: SUZHOU HUAXIN MICRO-ELECTRONICS Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-27.

CIRCUIT FOR INTERFACE OF SUBSCRIBERS 'TERMINALS IN TELEPHONE CENTERS THE INTERCEPTATION AND REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: BR9201899A. Автор: Carlos Alberto Neves Botelho. Владелец: Carlos Alberto Neves Botelho. Дата публикации: 1993-11-09.

Voltage reference circuit

Номер патента: TW200944984A. Автор: David Lin,Hsin-Chi Lai,Zhi-Ming Lin. Владелец: Univ Nat Changhua Education. Дата публикации: 2009-11-01.

Reference circuit and method

Номер патента: GB202403254D0. Автор: . Владелец: OXFORD BROOKES UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-04-17.

Voltage reference circuit

Номер патента: HK108090A. Автор: Kenneth Irving Ray. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1990-12-28.

Energy band gap reference circuit

Номер патента: CN105300464B. Автор: 粘书瀚. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-15.

High-precision high-power-supply-rejection-ratio depletion type voltage reference circuit

Номер патента: CN211827062U. Автор: 王勇,董磊,王婉,夏雪. Владелец: Xi'an Aerosemi Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-10-30.

Voltage reference circuit

Номер патента: JP3514303B2. Автор: 守 宇賀神,恒夫 束原. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2004-03-31.

Temperature-Stable CMOS Voltage Reference Circuits

Номер патента: US20120092064A1. Автор: Floyd Brian Harold. Владелец: Aptus Power Semiconductor. Дата публикации: 2012-04-19.

Temperature Independent Reference Circuit

Номер патента: US20120146715A1. Автор: Kung David,Lund Leif. Владелец: POWER INTEGRATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-06-14.

BANDGAP VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT, SYSTEM, AND METHOD FOR REDUCED OUTPUT CURVATURE

Номер патента: US20120169413A1. Автор: Choi Davy. Владелец: STMicroelectronics Inc.. Дата публикации: 2012-07-05.

VERY LOW VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20120235662A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-09-20.

SWITCHING POWER CONVERTER CURRENT LIMIT REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20120308218A1. Автор: GALLOWAY GAVIN,McPartlin Michael. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-06.

CONFIGURABLE REFERENCE CIRCUIT FOR LOGIC GATES

Номер патента: US20120319727A1. Автор: Katti Romney R.. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2012-12-20.

Temperature Independent Reference Circuit

Номер патента: US20120326697A1. Автор: . Владелец: POWER INTEGRATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-12-27.

PSRR IN A VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20130069715A1. Автор: Missiroli Chiara,Passerini Marco,Mannino Francesco. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2013-03-21.

VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20130076331A1. Автор: YAMASAKI Taro,UTSUNOMIYA Fumiyasu. Владелец: SEIKO INSTRUMENTS INC.. Дата публикации: 2013-03-28.

CURVATURE-COMPENSATED BAND-GAP VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20130106390A1. Автор: Wadhwa Sameer. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-05-02.

LOW-POWER VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20130120050A1. Автор: Suh Jungwon,Hao Wuyang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-05-16.

TUNABLE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20130293286A1. Автор: Li Xia,Kim Taehyun,Kim Jung Pill. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-11-07.

REFERENCE CIRCUIT WITH CURVATURE CORRECTION USING ADDITIONAL COMPLEMENTARY TO TEMPERATURE COMPONENT

Номер патента: US20140022662A1. Автор: Bibee Matthew. Владелец: LSI Corporation. Дата публикации: 2014-01-23.

Integrated Chip with Heating Element and Reference Circuit

Номер патента: US20140043052A1. Автор: Lindholm Christian,Hassander Henrik. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-02-13.

LOW-POWER RESISTOR-LESS VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20140070873A1. Автор: Mahooti Kevin,Gunther Andre. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2014-03-13.

LOW POWER FAST SETTLING VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20140077791A1. Автор: Zhang Junmou. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2014-03-20.

Current reference circuit

Номер патента: CN103412597B. Автор: 李源,潘华,方健,彭宜建,王贺龙,程春云. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2015-06-17.

Strain signal synchronous acquisition analog front end and reference circuit

Номер патента: CN216486180U. Автор: 纪铁军,李佳城,贺子桐,李沂涛,徐志达. Владелец: Harbin University of Science and Technology. Дата публикации: 2022-05-10.

Voltage reference circuit

Номер патента: CN104656732A. Автор: 孟晨,李海启,傅金. Владелец: Galaxycore Shanghai Ltd Corp. Дата публикации: 2015-05-27.

Band gap reference circuit and band gap reference current source

Номер патента: CN102375468A. Автор: 丁振国,胡敏弘,吴振聪. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-03-14.

A kind of based on degenerative CMOS band-gap reference circuit

Номер патента: CN103064457B. Автор: 林昱,林春,郭东辉,李晓潮. Владелец: XIAMEN UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-09-23.

A kind of can the voltage reference circuit of fixed temperature coefficient

Номер патента: CN104460810B. Автор: 包应江. Владелец: WUHAN ZHONGWEI INFORMATION TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-06.

Low-voltage band-gap reference circuit

Номер патента: CN103926966B. Автор: 李正平,谭守标,蔺智挺,吴秀龙,陈军宁,戚颖. Владелец: ANHUI UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-07-08.

Band-gap reference circuit

Номер патента: CN105116960B. Автор: 沈煜,胡上. Владелец: INTERNATIONAL GREEN CHIP (TIANJIN) CO Ltd. Дата публикации: 2017-01-18.

Band-gap reference circuit with small temperature coefficient

Номер патента: CN105259969B. Автор: 亚历山大. Владелец: Xian Unilc Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-19.

Low pressure and low power-consumption band-gap reference circuit

Номер патента: CN104977972A. Автор: 刘铭,邓龙利. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2015-10-14.

A kind of band-gap reference circuit of integrated temperature protection and curvature compensation function

Номер патента: CN207623828U. Автор: 张建辉,宗宇,柏晓鹤. Владелец: Mxtronics Corp. Дата публикации: 2018-07-17.

Low-power-consumption full-MOS tube band-gap reference circuit and converter based on same

Номер патента: CN109901656B. Автор: 张晨,钟慧,石玉,王诗元,尉旭波,彭春瑞. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2020-11-10.

A kind of band-gap reference circuit

Номер патента: CN103412608B. Автор: 潘华,方健,谷洪波,王贺龙,贾姚瑶,袁同伟. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2015-10-21.

Electric current and voltage reference circuit

Номер патента: CN100429600C. Автор: 林崇伟. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-10-29.

Band-gap reference circuit with power supply ripple rejection under low voltage

Номер патента: CN203025599U. Автор: 董晓敏,耿靖斌,孔阳阳. Владелец: Datang Microelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-26.

Energy-gap reference circuit

Номер патента: CN100594462C. Автор: 彭彦华,王为善. Владелец: Faraday Technology Corp. Дата публикации: 2010-03-17.

Current reference circuit with temperature compensation

Номер патента: CN212322146U. Автор: 赵铮,金芬,戴金樑. Владелец: Hangzhou Ruimeng Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-01-08.

Teaching method for reference circuit board data of automatic inspecting device

Номер патента: JPS62182809A. Автор: Teruhisa Yotsuya,輝久 四ツ谷. Владелец: Omron Tateisi Electronics Co. Дата публикации: 1987-08-11.

There is the current source reference circuit of low-temperature coefficient

Номер патента: CN103631306B. Автор: 李林,田磊,来新泉,邵丽丽. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2016-08-17.

Band gap reference circuit

Номер патента: JP2793393B2. Автор: 茂樹 森崎,善一 樋口. Владелец: NIPPON DENKI ENJINIARINGU KK. Дата публикации: 1998-09-03.

There is not low output voltage high power supply rejection ratio band gap reference circuit that fortune was put

Номер патента: CN204808099U. Автор: 刘铭,邓龙利. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2015-11-25.

Band-gap reference circuit applied to passive ultra-high frequency radio frequency identification device (UHFRFID) label chip

Номер патента: CN102354250A. Автор: 李小明,刘伟峰,庄奕琪,靳钊,景鑫,杜永乾. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2012-02-15.

Band-gap reference circuit applied to ultra-low voltage scene

Номер патента: CN213814438U. Автор: 邹亮,宋利军. Владелец: Inperson Semiconductor Shanghai Co ltd. Дата публикации: 2021-07-27.

NMOS drive output band-gap reference circuit

Номер патента: CN104714590A. Автор: 刘军,朱彤,许明,苏秀敏. Владелец: VERISILICON HOLDINGS CO Ltd. Дата публикации: 2015-06-17.

Band-gap reference circuit

Номер патента: CN100535821C. Автор: 张家玮,彭彦华,王为善. Владелец: Faraday Technology Corp. Дата публикации: 2009-09-02.

Continuous-output full-integration switched capacitor band-gap reference circuit

Номер патента: CN103440014A. Автор: 张波,王卓,周泽坤,苟超,明鑫,刘德尚,许天辉. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2013-12-11.

Voltage reference circuit with switch control characteristic

Номер патента: CN102073333B. Автор: 崔文兵. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-13.

High-performance band-gap reference circuit

Номер патента: CN115857601A. Автор: 刘轶,赵科伟,王贵宇. Владелец: NANJING UNIVERSITY OF POSTS AND TELECOMMUNICATIONS. Дата публикации: 2023-03-28.

Low pressure and low power-consumption band-gap reference circuit

Номер патента: CN104977973A. Автор: 刘铭,邓龙利. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2015-10-14.

A kind of band-gap reference circuit

Номер патента: CN206270791U. Автор: 刘铭,邓龙利. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Voltage reference circuit of pulse width modulation

Номер патента: CN1901344A. Автор: 李丽,李伟,陈思远,何书专,高明伦,郎君,杨盛光. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2007-01-24.

Low-voltage low-power-consumption band-gap reference circuit

Номер патента: CN213276404U. Автор: 卿琼. Владелец: Dongguan Junrensi Electronic Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-05-25.

Simple and efficient LCD voltage reference circuit

Номер патента: CN216210699U. Автор: 吕申. Владелец: Pulisheng Xiamen Electromechanical Co ltd. Дата публикации: 2022-04-05.

Band-gap reference circuit capable of eliminating offset influence by chopping technology

Номер патента: CN102323848A. Автор: 王玮冰,黄卓磊. Владелец: Jiangsu IoT Research and Development Center. Дата публикации: 2012-01-18.

Reference circuit under low power supply voltage

Номер патента: CN211123820U. Автор: 王钊. Владелец: Nanjing Zgmicro Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-28.

A kind of current reference circuit

Номер патента: CN207067831U. Автор: 舒清明,方海彬. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2018-03-02.

Band-gap reference circuit applied to passive ultra-high frequency radio frequency identification device (UHFRFID) label chip

Номер патента: CN102354250B. Автор: 李小明,刘伟峰,庄奕琪,靳钊,景鑫,杜永乾. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2013-08-14.

Voltage reference circuit

Номер патента: CN101901018B. Автор: 崔文兵. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-20.

Band gap reference circuit

Номер патента: JP2003263232A. Автор: Koji Tomioka,Hidetoshi Nakamura,英俊 中村,幸治 富岡. Владелец: Asahi Kasei Microsystems Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-19.

High-precision band-gap reference circuit

Номер патента: CN102681583A. Автор: 高静,徐江涛,于海明,姚素英,史再峰,陈思海. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-09-19.

Band-gap reference circuit with current compensation

Номер патента: CN103744464A. Автор: 姜伟,赵野,付佳,杜晓伟,郝炳贤. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2014-04-23.

Reference circuit capable of adjusting temperature coefficient

Номер патента: TW200923611A. Автор: Xian-Hong Wu. Владелец: CMSC Inc. Дата публикации: 2009-06-01.

Voltage and current reference circuit

Номер патента: TW201205229A. Автор: Yen-Hua Lin. Владелец: Alpha Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-02-01.

Voltage reference circuit

Номер патента: TWI361343B. Автор: David Lin,Zhiming Lin,Hsinchi Lai. Владелец: Univ Nat Changhua Education. Дата публикации: 2012-04-01.

DATA ACQUISITION

Номер патента: US20120001076A1. Автор: Chappo Marc,Luhta Randall P.,Vrettos Christopher J.,Harwood Brian E.. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2012-01-05.

Integrating (SLOPE) DAC Architecture

Номер патента: US20120001784A1. Автор: . Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.