Semiconductor device for generating a reference current or voltage in various temperatures.

Semiconductor device for generating a reference current or voltage in various temperatures

Номер патента: US11774997B2
Опубликовано: 03-10-2023
Автор(ы): Chan Keun KWON, Jong Seok JUNG, Jong Seok Kim, Young Kwan Lee
Принадлежит: SK hynix Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Apparatus and method for generating a temperature-dependent control signal

Номер патента: US09667259B2. Автор: Yi Yin,Birama GOUMBALLA,Cristian Pavao-Moreira. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device and voltage generation method

Номер патента: US11714440B2. Автор: Tetsuo OOMORI. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Monitor circuit, semiconductor integrated circuit, semiconductor device, and method of controlling power supply voltage of semiconductor device

Номер патента: US09647654B2. Автор: Hirotaka Hara,Tadashi Kameyama,Yohei Akita,Takanobu Naruse. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device outputting reference voltages

Номер патента: US09742356B2. Автор: Kei Takahashi,Yoshifumi Tanada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Temperature Independent Reference Current Generation For Calibration

Номер патента: US20160211031A1. Автор: Sridhar Yadala,Rangarao Samineni,Subodh Prakash Taigor. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-07-21.

Temperature independent reference current generation for calibration

Номер патента: US09704591B2. Автор: Sridhar Yadala,Rangarao Samineni,Subodh Prakash Taigor. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and electronic control device

Номер патента: US09461663B2. Автор: Masumi Kon,Jou Kudou. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Substrate voltage generator for a semiconductor device and method for generating a substrate voltage

Номер патента: DE4039524C2. Автор: Kazutami Arimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-08-31.

Semiconductor device and internal voltage adjusting method thereof

Номер патента: US20180323703A1. Автор: Chang-Hyun Lee,Jae-Boum Park,Bong-Hwa Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-11-08.

Reference current generating circuitry, A/D converter, and wireless communication device

Номер патента: US09874895B2. Автор: Kentaro Yoshioka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device and circuit with dynamic control of electric field

Номер патента: US09515644B2. Автор: Jan Willem Slotboom,Anco Heringa,Evelyne Gridelet,Tony Vanhoucke,Viet Thanh Dinh,Godefridus Antonius Maria Hurxk,Ivan Zahariev. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-12-06.

Reference voltage generation circuit and semiconductor device

Номер патента: US09906124B2. Автор: Yanzheng ZHANG. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor integrated circuit with circuits for generating stable reference potential

Номер патента: US5223744A. Автор: Kenji Anami,Shigeki Ohbayashi,Atsushi Ohba. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-06-29.

Delay line circuit for generating a fixed delay

Номер патента: US20100007397A1. Автор: Yong Wang,Yanbo Wang,Shengyuan Zhang. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2010-01-14.

Reference current generating circuitry, a/d converter, and wireless communication device

Номер патента: US20170242451A1. Автор: Kentaro Yoshioka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Ratiometric current or voltage source circuit with reduced temperature dependence

Номер патента: US11831314B1. Автор: Simone del Cesta. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Method of forming a semiconductor device and circuit

Номер патента: US20210288622A1. Автор: Martin PODZEMNY. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2021-09-16.

Phase locked loop circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20240106441A1. Автор: Seung Jin Kim,Kyung Min Lee,Gyu Sik Kim,Jae Hong JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Integrated circuit capable of providing a stable reference current and an electronic device with the same

Номер патента: US09710007B2. Автор: Hsu-Che Nee,Yi-Hsien Cheng,Liang-Hsin Chen. Владелец: Ali Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Device for generating a voltage reference comprising a non-volatile memory cell

Номер патента: US09691493B1. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Sandor Petenyi,Roberto Bregoli,Dario Livornesi. Владелец: STMicroelectronics Design and Application sro. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device and memory device comprising the same

Номер патента: US20230057178A1. Автор: Jae Woo Park,Jung Hwan Choi,Myoung Bo Kwak,Kyoung Jun ROH,Jun Han Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor device and memory device comprising the same

Номер патента: US12066849B2. Автор: Jae Woo Park,Jung Hwan Choi,Myoung Bo Kwak,Kyoung Jun ROH,Jun Han Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Reference voltage generator and semiconductor device including the same

Номер патента: US20190158109A1. Автор: Jeong-Don IHM,Byung-Hoon Jeong,Young-don Choi,Seon-Kyoo Lee,Anil KAVALA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20220238423A1. Автор: Haidong Sun. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor device having voltage generation circuit

Номер патента: US09436195B2. Автор: Shinya Sano,Masashi Horiguchi,Yasuhiko Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device

Номер патента: US09423806B2. Автор: Jong-Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor Device and Method of Monitoring a Temperature Thereof

Номер патента: US20240364315A1. Автор: Yi-Wen Chen,Jaw-Juinn Horng,Yung-Chow Peng,Chin-Ho Chang,Szu-Lin LIU,Bei-Shing Lien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and method of monitoring a temperature thereof

Номер патента: US12068747B2. Автор: Yi-Wen Chen,Jaw-Juinn Horng,Yung-Chow Peng,Chin-Ho Chang,Szu-Lin LIU,Bei-Shing Lien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device, in-vehicle valve system and solenoid driver

Номер патента: US20190080830A1. Автор: Satoshi Kondo,Kazuaki Kubo,Noriyuki Itano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20140376138A1. Автор: Jong-Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-12-25.

A semiconductor device comprising an output driver circuitry, a packaged semiconductor device and associated methods

Номер патента: EP2817824A1. Автор: Hubert Bode. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-12-31.

Voltage booster circuit, semiconductor device, and voltage booster circuit control method

Номер патента: US20150277459A1. Автор: Yosuke IWASA. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-01.

Semiconductor device

Номер патента: US12107569B2. Автор: Naoki Shimizu. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Voltage booster circuit, semiconductor device, and voltage booster circuit control method

Номер патента: US09703304B2. Автор: Yosuke IWASA. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Switching point detection circuit and semiconductor device using the same

Номер патента: US20040000944A1. Автор: Kwang-Rae Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-01-01.

Semiconductor device

Номер патента: US12047076B2. Автор: Shingo Taniguchi,Tetsuo OOMORI. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20230318583A1. Автор: Shingo Taniguchi,Tetsuo OOMORI. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20220311425A1. Автор: Tomoki Hikichi. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor device

Номер патента: US11962302B2. Автор: Tomoki Hikichi. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor device and overcurrent protection device

Номер патента: US20240223180A1. Автор: Shigeki Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device including oxide semiconductor

Номер патента: US09525073B2. Автор: Yoshiyuki Kobayashi,Shunpei Yamazaki,Yutaka Shionoiri,Tomoaki Atsumi,Shuhei Nagatsuka,Yuto Yakubo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20190295682A1. Автор: Junya Ogawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Apparatus and method for precision trimming of a semiconductor device

Номер патента: US20020105452A1. Автор: Lawrence Swanson,Glen Johnson,John Clapp,Douglas Lebo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-08.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20210336623A1. Автор: Kwang Chan LEE,Jeong Kwang Lee,Ho Jun YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor device, in-vehicle valve system and solenoid driver

Номер патента: US20160300653A1. Автор: Satoshi Kondo,Kazuaki Kubo,Noriyuki Itano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-13.

Method, computer system and apparatus for recipe generation for automated inspection of semiconductor devices

Номер патента: US09739720B2. Автор: Koen De Wel,Cedric Carette. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor integrated circuit device and electronic device for driving a power semiconductor device

Номер патента: US09835658B2. Автор: Makoto Tsurumaru. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09747984B2. Автор: Jae Il Kim,Seung Geun Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20170062050A1. Автор: Jae Il Kim,Seung Geun Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor device and method of generating power on reset signal

Номер патента: US20190393872A1. Автор: Tetsuaki Yotsuji. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Semiconductor device and method for generating random number

Номер патента: US20230048922A1. Автор: Yuki Mori. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-02-16.

Semiconductor device and method for generating integrated circuit layout

Номер патента: US20240014202A1. Автор: Chun-Cheng Ku,Kuan-Jung Jhu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device and control system

Номер патента: US09472510B2. Автор: Kazuki Watanabe,Yosuke TANNO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and method for setting voltage in semiconductor device

Номер патента: US20160291628A1. Автор: Makoto Suwada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Reference current source

Номер патента: EP4379497A1. Автор: Yasuhiro Kamijima. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2024-06-05.

Programming in a power conversion system with a reference pin

Номер патента: US09703311B2. Автор: Stefan Bäurle,Edward E. Deng. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and method for setting voltage in semiconductor device

Номер патента: US09563221B2. Автор: Makoto Suwada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Internal voltage generation circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US9740231B2. Автор: Yeon-Uk Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Internal voltage generation circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09939836B2. Автор: Yeon-Uk Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Internal voltage generation circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09740231B2. Автор: Yeon-Uk Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Bandgap reference circuit and bandgap reference current source with two operational amplifiers for generating zero temperature correlated current

Номер патента: US09459647B2. Автор: Min-Hung Hu,Chen-Tsung Wu,Zhen-Guo Ding. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2016-10-04.

Circuit for converting internal voltage of semiconductor device

Номер патента: US5929696A. Автор: Jong-Hyoung Lim,Sang-Seok Kang,Jae-hoon Joo,Jin-Seok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-07-27.

Internal voltage generator for semiconductor device

Номер патента: US20060104138A1. Автор: Kwan Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-05-18.

Semiconductor device with reference voltage circuit

Номер патента: US20240094756A1. Автор: Takeshi Koyama,Hisashi Hasegawa,Shinjiro Kato,Kohei Kawabata. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09933806B2. Автор: Shigeru Onoya. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Body bias voltage generator and semiconductor device including the same preliminary class

Номер патента: US12015024B2. Автор: Youngjae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Reference current generating circuit for generating a constant current

Номер патента: US5631600A. Автор: Yutaka Kobayashi,Takashi Akioka,Kinya Mitsumoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1997-05-20.

Semiconductor device and information processing system

Номер патента: US10276609B2. Автор: Hajime Ikeda,Yoichi Wada,Keisuke Ota,Toshinori Hasegawa,Tatsuhito Goden. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-04-30.

Semiconductor device and information processing system

Номер патента: US20170213859A1. Автор: Hajime Ikeda,Yoichi Wada,Keisuke Ota,Toshinori Hasegawa,Tatsuhito Goden. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-07-27.

Semiconductor device including delay circuit and operating method thereof

Номер патента: US09531362B1. Автор: Chang-Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor devices having ZQ calibration circuits and calibration methods thereof

Номер патента: US20110025373A1. Автор: Jun-Bae Kim,Yang-ki Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-03.

Semiconductor device for inverter controlling

Номер патента: US20030128146A1. Автор: Masaru Kohara,Koji Kawamichi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-10.

Semiconductor device including differential input circuit and calibration method thereof

Номер патента: US11323100B1. Автор: Yeonsu JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-03.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor device

Номер патента: US20190348093A1. Автор: Masashi Nakata,Yohei YASUDA,Nobuhiro Tsuji,Hiroki Ohkouchi,Shota NOTE. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Duty correction device including duty correction circuit and semiconductor device including duty correction device

Номер патента: US11894102B2. Автор: Jin Hyung Lee,Chang Kwon Lee,Su Hyun OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Dynamic reference current sensing

Номер патента: US09666246B2. Автор: Tien-Chun Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20170033778A1. Автор: Sung-Soo Chi,Young-Sik Heo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-02.

Semiconductor device performing training operation and operating method thereof

Номер патента: US12040045B2. Автор: Kwan Su SHON,Soon Sung AN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09455692B2. Автор: Seung Han Ok. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device

Номер патента: US9647652B2. Автор: Sung-Soo Chi,Young-Sik Heo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device including delay circuit and operating method thereof

Номер патента: US20160373096A1. Автор: Chang-Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-22.

Semiconductor device performing clock gating and operating method thereof

Номер патента: US20240319761A1. Автор: Jaehoon Kim,Jaeyoung Lee,Jongjin Lee,Jaegon Lee,Youngsan KIM,Byeongho LEE,Wookyeong Jeong,Byungsu KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device performing clock gating and operating method thereof

Номер патента: EP4436045A1. Автор: Jaehoon Kim,Jaeyoung Lee,Jongjin Lee,Jaegon Lee,Youngsan KIM,Byeongho LEE,Wookyeong Jeong,Byungsu KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-25.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09991887B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09673814B2. Автор: Saeng Hwan Kim,Won Kyung CHUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and control method in semiconductor device

Номер патента: US20070040038A1. Автор: Kazunori Kasuga. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-02-22.

Impedance calibration device for semiconductor device

Номер патента: US09998123B2. Автор: Hae Kang Jung,Yong Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09559691B1. Автор: Jae Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09450574B2. Автор: Sang Hoon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device for adjusting threshold thereof

Номер патента: US09443990B2. Автор: Yasumasa Yamane,Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura,Kiyoshi Kato,Takayuki Inoue,Toshihiko Takeuchi,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device, semiconductor system, and method of operating the semiconductor device

Номер патента: US20200388320A1. Автор: Soo Min Lee,Ki Hwan SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-10.

Semiconductor device with variable resistance switch and programming method therefor

Номер патента: US09508432B2. Автор: Toshitsugu Sakamoto,Munehiro Tada,Makoto Miyamura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09489992B2. Автор: Kie-Bong Ku. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

System, method, and computer device for transistor-based neural networks

Номер патента: US20240242061A1. Автор: Roger Levinson,John Linden Gosson. Владелец: Blumind Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for driving semiconductor device

Номер патента: US20140043068A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-13.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09998104B2. Автор: Kiyoshi Kato,Takanori Matsuzaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and method for generating test pulse signals

Номер патента: US12105144B2. Автор: Po-Lin Chen,Yueh-Shu Li. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Device for measurement of deviation from a reference axis

Номер патента: US09528827B2. Автор: Valerio Carniato. Владелец: Arking Pty Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Method and device for reference point indentation without a reference probe

Номер патента: US09895104B2. Автор: Randall Connor,Paul Hansma,Daniel Bridges. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2018-02-20.

A device for measurement of deviation from a reference axis

Номер патента: WO2016037228A1. Автор: Valerio Carniato. Владелец: Arking Pty Ltd. Дата публикации: 2016-03-17.

A device for measurement of deviation from a reference axis

Номер патента: EP3191793A1. Автор: Valerio Carniato. Владелец: Arking Pty Ltd. Дата публикации: 2017-07-19.

Method and device for reference point indentation without a reference probe

Номер патента: EP2598027A2. Автор: Connor Randall,Paul Hansma,Daniel Bridges. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2013-06-05.

Semiconductor device for a tuner and diversity receiver

Номер патента: WO2007005826A3. Автор: Hideyuki Jp Maejima. Владелец: Hideyuki Jp Maejima. Дата публикации: 2007-06-07.

Systems and methods for improved metrology for semiconductor device wafers

Номер патента: WO2022225549A1. Автор: Yoram Uziel,Ohad Bachar,Amnon Manassen,Daria Negri,Liran Yerushalmi,Yossi Simon,Etay Lavert,Nir BEN DAVID. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2022-10-27.

Systems and methods for improved metrology for semiconductor device wafers

Номер патента: US12131959B2. Автор: Yoram Uziel,Ohad Bachar,Amnon Manassen,Daria Negri,Liran Yerushalmi,Yossi Simon,Etay Lavert,Nir BEN DAVID. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device, motor control device, lens unit for imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US20170277169A1. Автор: Shigeyuki Endo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Method of manufacturing a semiconductor device and process control system for a semiconductor manufacturing assembly

Номер патента: US20220137607A1. Автор: Philip Gröger. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Method of manufacturing a semiconductor device and process control system for a semiconductor manufacturing assembly

Номер патента: EP4200903A1. Автор: Philip Gröger. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Method of manufacturing a semiconductor device and process control system for a semiconductor manufacturing assembly

Номер патента: WO2022093308A1. Автор: Philip Gröger. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US20110102031A1. Автор: Kwan-Dong Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-05.

Clock Generation Circuit and Semiconductor Device Including the Same

Номер патента: US20120173915A1. Автор: Takayuki Ikeda,Yoshiyuki Kurokawa,Masami Endo,Daisuke Kawae. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-05.

Substrate processing system, method of managing the same and method of manufacturing semiconductor device with the same

Номер патента: US9859175B2. Автор: Bum-soo Kim,Masayuki Tomoyasu,Kiwook Song,Kye Hyun Baek,Eunwoo LEE,Jong Seo Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device for generating a delay locked clock in early stage

Номер патента: US20090267665A1. Автор: Hyun-Woo Lee,Won-Joo Yun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-29.

Method and security module for adaptation of a reference value for generation of a bit stream

Номер патента: US09906247B2. Автор: Klaus Finkenzeller,Florian Pfeiffer. Владелец: Giesecke and Devrient Mobile Security GmbH. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20130198486A1. Автор: Hiroyuki Nakajima,Shigeyuki Ueno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-08-01.

Method and apparatus for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09703280B2. Автор: Sung-Won Choi,Chang-Ho Han,Han-Hum Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device including a clock generating circuit for generating an internal signal having a coarse delay line, a fine delay line and a selector circuit

Номер патента: US09472255B2. Автор: Katsuhiro Kitagawa. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2016-10-18.

Overheat detection circuit and semiconductor device

Номер патента: US09983067B2. Автор: Atsushi Igarashi,Masakazu Sugiura,Tsutomu Tomioka,Hideyuki SAWAI,Daisuke Okano,Nao OTSUKA. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Method and device for temperature measurement of finfet devices

Номер патента: US20180038742A1. Автор: Junhong Feng,Zhenghao Gan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-08.

Method and device for temperature measurement of FinFET devices

Номер патента: US09970981B2. Автор: Junhong Feng,Zhenghao Gan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Apparatus and method for measuring local surface temperature of semiconductor device

Номер патента: US20100322285A1. Автор: Rolf-Peter Vollertsen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-23.

Apparatus and method for measuring local surface temperature of semiconductor device

Номер патента: US8215830B2. Автор: Rolf-Peter Vollertsen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-07-10.

Integrated circuit chip and semiconductor device including the same

Номер патента: US20190293711A1. Автор: Dong-Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Integrated circuit chip and semiconductor device including the same

Номер патента: US10761132B2. Автор: Dong-Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-01.

Semiconductor device inspection device and semiconductor device inspection method

Номер патента: US09562944B2. Автор: Tomonori Nakamura,Mitsunori Nishizawa. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2017-02-07.

Voltage generating circuit and semiconductor device for suppressing leakage current

Номер патента: US12032396B2. Автор: Hiroki Murakami. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Internal voltage generator of semiconductor device and method for driving the same

Номер патента: US09690310B2. Автор: Yoon-Jae Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Monitoring system for manufacturing semiconductor device and monitoring method for manufacturing the semiconductor device using the same

Номер патента: US20240272559A1. Автор: Jeong-Gil Kim,Hyuck Shin,Dong-Hyub LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Heating system and method of testing a semiconductor device using a heating system

Номер патента: US09609693B2. Автор: Carlos Pereira,Maxime Clairet. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Roll map generating device for merge-wound electrode

Номер патента: EP4283695A1. Автор: Min Su Kim,Jae Hwan Lee,Jong Seok Park,Dong Yeop Lee,Ki Deok Han,Su Wan PARK,Gi Yeong Jeon,Jun Hyo Su,Byoung Eun Han,Seung Huh. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Device for analyzing failure in semiconductor device provided with internal voltage generating circuit

Номер патента: US20040012406A1. Автор: Kensaku Naito. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-01-22.

Semiconductor device arrangement, a method of analysing a performance of a functional circuit on a semiconductor device and a device analysis system

Номер патента: US09671456B2. Автор: Yoav Weizman,Shai Shperber,Jacob Fridburg. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Method And Device For Determining A Reference Current Progression For A Fuel Injector, For Determining The Instant Of A Predetermined Opening State Of The Fuel Injector

Номер патента: US20160102628A1. Автор: Frank Denk. Владелец: Continental Automotive GmbH. Дата публикации: 2016-04-14.

Method and device for determining a reference current progression for a fuel injector, for determining the instant of a predetermined opening state of the fuel injector

Номер патента: US09945315B2. Автор: Frank Denk. Владелец: Continental Automotive GmbH. Дата публикации: 2018-04-17.

Method and system for inspecting semiconductor wafer and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20230103349A1. Автор: Sujin Lee,Donggun Lee,Younghoon Sohn,Sung Yoon Ryu,Q-Han PARK,Seunghyeok SON,Chan Gi JEON,Su-Hyun GONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor device and current control method that controls amount of current used for voltage generation based on connection state of external capacitor

Номер патента: US09454165B2. Автор: Kikuo Utsuno. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20140091779A1. Автор: Kikuo Utsuno. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Compensation circuit for generating read/program/erase voltage

Номер патента: US20190377377A1. Автор: Ji-Hoon Lim,Youngsun Min,Surojit Sarkar,Vivek Venkata Kalluru. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-12.

Circuit and method for generating reference voltage based on temperature coefficient

Номер патента: US09874886B2. Автор: Jong-Cheol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Navigation signal transmitter and method for generating navigation signal

Номер патента: US09590802B2. Автор: Makoto Ishii,Hiroaki Maeda,Hideyuki Torimoto,Masahiro Asako. Владелец: GNSS Technologies Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Alignment monitoring structure and alignment monitoring method for semiconductor devices

Номер патента: US09589854B2. Автор: Dominik Olligs. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device measurement method using x-ray scattering and semiconductor device manufacturing method including the measurement method

Номер патента: US20230380783A1. Автор: Hidong Kwak,Jaeyong Lee,Minjung Shin,Chuhee LEE,Seungryeol Oh,Byunghyun HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device and burn-in method thereof

Номер патента: US6377063B1. Автор: Makoto Noda,Tadahiro Kuroda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-04-23.

A method and a device for functional test of a semiconductor valve

Номер патента: WO1999056141A1. Автор: Ari SEPPÄNEN. Владелец: ABB AB. Дата публикации: 1999-11-04.

Semiconductor device and burn-in method thereof

Номер патента: US5627477A. Автор: Makoto Noda,Tadahiro Kuroda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-05-06.

Semiconductor device for a system for measuring the temperature, and manufacturing method thereof

Номер патента: US9806216B2. Автор: Massimo Cataldo MAZZILLO. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-10-31.

Socket device for testing semiconductor device

Номер патента: US09494616B2. Автор: Dong Weon Hwang,Jae Baek Hwang,Jae Suk Hwang. Владелец: HICON CO Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Manufacturing method and program of semiconductor device

Номер патента: US20180217203A1. Автор: Tomoaki Tamura,Yoshiyuki Nakamura,Kouichi KUMAKI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

Reference current generation circuit

Номер патента: US20240176380A1. Автор: Hiroyuki Kimura. Владелец: Will Semiconductor Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Systems and methods for non-destructive inspection of semiconductor devices using reflective x-ray microscope tomographic imaging

Номер патента: US20230417687A1. Автор: Shogo Tomita,Michiaki Sano,Tatsuya Hinoue. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device inspection device and semiconductor device inspection method

Номер патента: US09618563B2. Автор: Tomonori Nakamura,Mitsunori Nishizawa. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2017-04-11.

Device for measuring and controlling the wave-front of a coherent light beam

Номер патента: US09466938B2. Автор: Arnaud Verdant,Gilles Tessier,Antoine Dupret,François RAMAZ,Sylvain Gigan. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-10-11.

Apparatus for measuring semiconductor device

Номер патента: US20170102343A1. Автор: Choon-Shik LEEM,Yeon-Joong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-13.

Apparatus for measuring semiconductor device

Номер патента: US10281412B2. Автор: Choon-Shik LEEM,Yeon-Joong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-07.

Test system of semiconductor device having a handler remote control and method of operating the same

Номер патента: US20060158211A1. Автор: Eun-Seok Lee,Sung-Ok Kim,Jeong-Ho Bang,Kyeong-Seon Shin,Dae-Gab Chi,Ae-Yong Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-07-20.

Method for screening semiconductor devices for contact coplanarity

Номер патента: US20030059965A1. Автор: Lik Wong. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-03-27.

Pattern weakness and strength detection and tracking during a semiconductor device fabrication process

Номер патента: US09846934B2. Автор: Ping Zhang,Ye Chen,Khurram Zafar,Yue Ma,Raymond Xu,Justin Chen,Chenmin Hu,Chingyun Hsiang,Abhishek Vikram. Владелец: Anchor Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Inspection method for semiconductor substrate, manufacturing method of semiconductor device and inspection device for semiconductor substrate

Номер патента: US09753082B2. Автор: Yohei Iwahashi,Hidemi Senda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Apparatus for testing package-on-package semiconductor device and method for testing the same

Номер патента: US09519024B2. Автор: Chien-Ming Chen. Владелец: Chroma ATE Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Regulator circuit and operational amplifier for generating high voltage side reference potential

Номер патента: US20240345608A1. Автор: Zhi-Xin Chen,Tse-Ju Liao. Владелец: Tritium Electronics Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Stacked semiconductor device and test method thereof

Номер патента: US11456283B2. Автор: Sangmuk OH,Kangseol LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-27.

Reference current source

Номер патента: US12055966B2. Автор: Shunichi Kubo,Yuji Gendai. Владелец: THine Electronics Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Information acquiring method, information acquiring apparatus, semiconductor device comprising array of plurality of unit components for detecting physical quantity distribution, and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US20090317935A1. Автор: Atsushi Toda,Hirofumi Sumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-12-24.

Method, System and Apparatus for Generating an Optimal Signal in Radar and Communication Systems

Номер патента: US20230204753A1. Автор: Ganesan THIAGARAJAN,Saravanakumar Ganeshan,Sanjeev Gurugopinath. Владелец: Mmrfic Technology Pvt Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Method of inspecting semiconductor device

Номер патента: US20240230554A1. Автор: Sunggon Jung,Yujeong Sin,Daehyun JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Regulator voltage detection circuit and semiconductor device

Номер патента: US20240319753A1. Автор: Takayoshi Fujino. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and battery voltage measuring method that prevents measurement error caused by parametric capacitance

Номер патента: US09966768B2. Автор: Naoaki Sugimura. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Reference current/voltage generator and circuit system using the same

Номер патента: US11774998B2. Автор: Hua-Chun Tseng,Yeh-Tai Hung,Hui-Chun Wang. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Method for measuring film thickness of semiconductor device

Номер патента: US20220307818A1. Автор: Yongshang SHENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Method for measuring film thickness of semiconductor device

Номер патента: US11867497B2. Автор: Yongshang SHENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Holographic microscope and manufacturing method of semiconductor device using the same

Номер патента: US20210200148A1. Автор: Seungbeom Park,Myungjun Lee,Sungmin Park,Jaehyeon Son,Heejun AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-01.

Holographic microscope and manufacturing method of semiconductor device using the same

Номер патента: US12038718B2. Автор: Seungbeom Park,Myungjun Lee,Sungmin Park,Jaehyeon Son,Heejun AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Analysis method, storage medium, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230118297A1. Автор: Yusuke Shimizu. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Holographic microscope and manufacturing method of semiconductor device using the same

Номер патента: US20240353795A1. Автор: Seungbeom Park,Myungjun Lee,Sungmin Park,Jaehyeon Son,Heejun AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and physical quantity measuring device

Номер патента: US20240302294A1. Автор: Kaoru KOHIRA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device including memory circuit and logic array

Номер патента: US09494644B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Inspection apparatus for inspecting semiconductor devices using charged particles

Номер патента: US11754517B2. Автор: Suyoung LEE,Jongmin Kim,Chungsam Jun,Kwangil SHIN,Ilsuk PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-12.

System for generating situational effects of live real-time sound receiving and application method thereof

Номер патента: US20240365454A1. Автор: Feng-Chou Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-31.

Systems and methods for generating composite media using distributed networks

Номер патента: US20230274545A1. Автор: Philip Martin Meier. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-08-31.

Systems and methods for generating composite media using distributed networks

Номер патента: US11676382B2. Автор: Philip Martin Meier. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-06-13.

Systems and methods for generating composite media using distributed networks

Номер патента: US12056927B2. Автор: Philip Martin Meier. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-08-06.

Systems And Methods For Generating Composite Media Using Distributed Networks

Номер патента: US20190370554A1. Автор: Philip Martin Meier. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-12-05.

Method and apparatus for generating a virtual image from a viewpoint selected by the user, from a camera array with default parameters associated to the selected type of sport event

Номер патента: CA3025471C. Автор: Kenichi Fujii,Katsumasa Tanaka,Michio Aizawa,Atsushi Date,Shogo Mizuno,Akihiro Matsushita,Keisuke Morisawa,Tomohiro Yano,Masahiro Handa,Mai Komiyama. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-09-14.

Method and apparatus for generating a virtual image from a viewpoint selected by the user, from a camera array with default parameters associated to the selected type of sport event

Номер патента: AU2017270400B2. Автор: Kenichi Fujii,Katsumasa Tanaka,Michio Aizawa,Atsushi Date,Shogo Mizuno,Akihiro Matsushita,Keisuke Morisawa,Tomohiro Yano,Masahiro Handa,Mai Komiyama. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

image reproducing apparatus, image reproducing apparatus capable of outputting a 3d image signal, semiconductor device and method for generating an image signal

Номер патента: BRPI1007244A2. Автор: Yoshiki Kuno,Tadayoshi Okuda,Shinichirou Takigawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2016-02-10.

Method and system for generating reference lines for autonomous driving vehicles using multiple threads

Номер патента: US20190235513A1. Автор: Dong Li,Yifei Jiang,Haoyang FAN,Liangliang Zhang,Yajia ZHANG,Jingtao Hu. Владелец: Baidu USA LLC. Дата публикации: 2019-08-01.

Method and device for generation of target path for autonomous vehicle

Номер патента: RU2731823C1. Автор: Йоситака ТАКАГИ. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-09-08.

Circuit for generating an output voltage and method for setting an output voltage of a low dropout regulator

Номер патента: US09715245B2. Автор: Cheng-Hsiung Kuo,Gu-Huan Li,Chung-chieh Chen,Chen-Lun Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Method for generating and transmitting a reference signal for uplink demodulation in a clustered DFT-spread OFDM transmission scheme

Номер патента: US12107781B2. Автор: Jae Young Ahn,Young Jo Ko,Bang Won Seo,Byung Jang Jeong. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-10-01.

Adjustable reference current generator, semiconductor device and adjustable reference current generating method

Номер патента: US09804630B2. Автор: Mamoru Kondo. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Current generation circuits and semiconductor devices including the same

Номер патента: US09836074B2. Автор: Hae Rang Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and wafer with reference circuit and related methods

Номер патента: US09791346B1. Автор: Jean-François Carpentier,Patrick Lemaitre,Charles Baudot,Jean-Robert Manouvrier,Bertrand Borot. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2017-10-17.

Generator and method for generating reference voltage and reference current

Номер патента: US20100117721A1. Автор: Chih-Yuan Hsieh,Maung Maung Win. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-05-13.

Semiconductor device and wafer with reference circuit and related methods

Номер патента: US20170307468A1. Автор: Jean-François Carpentier,Patrick Lemaitre,Charles Baudot,Jean-Robert Manouvrier,Bertrand Borot. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2017-10-26.

Calibration circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09454162B2. Автор: Hyun-Woo Lee,Sang-Ah HYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Boot-up method of E-fuse, semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09430247B2. Автор: Yun-Seok Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Generating a reference current for sensing

Номер патента: WO2018104699A1. Автор: Akshay Kumar. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-06-14.

Reference current source

Номер патента: US20170185095A1. Автор: Daniel M. Joffe,Daniel R. Chandler. Владелец: Adtran Inc. Дата публикации: 2017-06-29.

Mram reference current

Номер патента: US20240347090A1. Автор: Yi-Chun Shih,Chia-Fu Lee,Yu-Der Chih,Po-Hao Lee,Hon-Jarn Lin,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Reference circuit arrangement and method for generating a reference voltage

Номер патента: US20160224052A1. Автор: Lorenzo Paglino,Simone Verri. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2016-08-04.

Reference circuit arrangement and method for generating a reference voltage

Номер патента: WO2013017567A1. Автор: Lorenzo Paglino,Simone Verri. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2013-02-07.

Reference circuit arrangement and method for generating a reference voltage

Номер патента: US20140239936A1. Автор: Lorenzo Paglino,Simone Verri. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2014-08-28.

Reference circuit arrangement and method for generating a reference voltage

Номер патента: US09811106B2. Автор: Lorenzo Paglino,Simone Verri. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-11-07.

Method to limit the time a semiconductor device operates above a maximum operating voltage

Номер патента: US20230318286A1. Автор: Chung-Lung K. Shum,Stefan Payer,Alper Buyuktosunoglu,Christian Jacobi,Tobias Webel,Anthony Saporito,William V. Huott,Pawel Owczarczyk,Sean Michael Carey,Paul Jacob Logsdon,Karl Evan Smock ANDERSON,Adam Benjamin Collura,Michael Romain,Michael Joseph CADIGAN, JR.,Mark CICHANOWSKI. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Current source circuit and semiconductor device

Номер патента: US20110215859A1. Автор: Ikuo Fukami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Method and device for generating a predicted value of an image using interpolation and motion vectors

Номер патента: US09906788B2. Автор: Mingyuan Yang,Haoping Yu,Sixin Lin,Jiantong Zhou,Cunbin Pan. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Method and device for reference point indentation without a reference probe

Номер патента: EP2598027B1. Автор: Connor Randall,Paul Hansma,Daniel Bridges. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-09-27.

Reference circuit for supplying a reference level for sensing in a memory

Номер патента: US5654918A. Автор: Michael Charles Hammick. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Ltd. Дата публикации: 1997-08-05.

Method and device for generating two-dimensional barcode, program, two-dimensional barcode, and method and device for reading two-dimensional barcode

Номер патента: US20170235989A1. Автор: Tsutao Nishizaki. Владелец: Toppan TDK Label Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-17.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US12120443B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Takeshi Aoki,Munehiro KOZUMA,Takuro Kanemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device and method for generating test pulse signals

Номер патента: US20220413044A1. Автор: Po-Lin Chen,Yueh-Shu Li. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor device and method for generating test pulse signals

Номер патента: TWI783555B. Автор: 陳柏霖,李岳書. Владелец: 瑞昱半導體股份有限公司. Дата публикации: 2022-11-11.

Method of decomposing layout of semiconductor device for quadruple patterning technology process and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20160070848A1. Автор: Dong-Gyun Kim,Ji-Young JUNG,Dae-Kwon Kang,Jae-Seok Yang,Sung-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-10.

Method and device for generating a motion field for a video sequence

Номер патента: US20140363053A1. Автор: Philippe Robert,Tomas Enrique CRIVELLI,Pierre-Henri Conze. Владелец: Thomson Licensing SAS. Дата публикации: 2014-12-11.

Method of decomposing layout of semiconductor device for quadruple patterning technology process and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09841672B2. Автор: Dong-Gyun Kim,Ji-Young JUNG,Dae-Kwon Kang,Jae-Seok Yang,Sung-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor devices and semiconductor systems

Номер патента: US09817425B2. Автор: Jong Joo SHIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Method and device for generating a motion field for a video sequence

Номер патента: US09437010B2. Автор: Philippe Robert,Tomas Enrique CRIVELLI,Pierre-Henri Conze. Владелец: Thomson Licensing SAS. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of detecting and identifying explosives and narcotic substances and device for its implementation

Номер патента: RU2632564C1. Автор: Виктор Иванович Дикарев,Виктор Антонович Рогалев,Анатолий Алексеевич Дементьев. Владелец: Общественная организация Международная академия наук экологии, безопасности человека и природы. Дата публикации: 2017-10-05.

Semiconductor device including current control circuit of reference current source

Номер патента: US20060119422A1. Автор: Satoshi Sakurai,Noriaki Dobashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-08.

Method and computing device for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12093630B2. Автор: Sooyong Lee,Jeeyong Lee,Jaeho Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Event visualization device for generating hierarchical directed acyclic graph and related computer program product

Номер патента: US12086241B2. Автор: Cheng-Lin Yang,Che-Yu Lin,ming-wei Wu,Ming-Chang Chiu,Pei-Kan Tsung. Владелец: Cycarrier Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Temperature stable reference current

Номер патента: US09874894B2. Автор: Akinobu ONISHI. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-01-23.

Reference current generating circuit and memory device

Номер патента: US09870807B2. Автор: Tetsuya Ono. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device

Номер патента: US09819256B2. Автор: Koichiro Kamata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device

Номер патента: US09508301B2. Автор: Atsushi Umezaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US09454161B1. Автор: Yoshinori Ura. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2016-09-27.

Testing device for testing a device comprises a reference voltage feeder switch for applying a voltage to a tested device, a voltage level measuring switch, a reference voltage comparison switch and a judging switch

Номер патента: DE102007005751A1. Автор: Seiji Amanuma,Ken-Ichiro Hatake. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2007-08-02.

Semiconductor device and program method

Номер патента: GB2432698A. Автор: Hiroaki Wada,Minoru Yamashita,Kazuhiro Kurihara,Kazunari Kido,Yasushi Kasa. Владелец: Spansion Japan Ltd. Дата публикации: 2007-05-30.

Reference current generator

Номер патента: US20070019487A1. Автор: Tse-Chi Lin,Lionel Portmann. Владелец: Elan Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-01-25.

Reference current generator

Номер патента: US7388787B2. Автор: Tse-Chi Lin,Lionel Portmann. Владелец: Elan Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-06-17.

Semiconductor device for use in a light valve device, and process for manufacturing the same

Номер патента: EP1026733A1. Автор: Kunihiro Takahashi,Yoshikazu Kojima,Tsuneo Yamazaki,Hiroaki Takasu,Nobuyoshi Matsuyama,Hitoshi Niwa,Tomoyuki Yoshino. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2000-08-09.

Reference current generating circuit with process variation compensation

Номер патента: US20190072993A1. Автор: Byeong Hak Jo,Jong Ok HA,Jeong Hoon Kim,Kyu Jin Choi. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-07.

Reference current generating circuit with process variation compensation

Номер патента: US10429876B2. Автор: Byeong Hak Jo,Jong Ok HA,Jeong Hoon Kim,Kyu Jin Choi. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-01.

Image generating apparatus, image generating method and computer readable recording medium for recording program for generating new image from images related to reference image

Номер патента: US09930261B2. Автор: Hiroyuki Hoshino. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Generating a current with inverse supply voltage proportionality

Номер патента: US09785179B2. Автор: Heiko Koerner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device for controlling power-up sequences

Номер патента: US09755503B2. Автор: Jong-Cheol Kim,Seung-Jun Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Methods and systems for generating a fingerprint for verification of a reference object

Номер патента: US09659362B2. Автор: Martin A. Szarski,Andrew Klimovski. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-05-23.

Method and device for reference point indentation without a reference probe

Номер патента: EP2598027C0. Автор: Connor Randall,Paul Hansma,Daniel Bridges. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-09-27.

Semiconductor device and display device including the same

Номер патента: US20190206899A1. Автор: Kei Takahashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Mram reference current

Номер патента: US20210358532A1. Автор: Yi-Chun Shih,Chia-Fu Lee,Yu-Der Chih,Po-Hao Lee,Hon-Jarn Lin,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

MRAM reference current

Номер патента: US11961546B2. Автор: Yi-Chun Shih,Chia-Fu Lee,Yu-Der Chih,Po-Hao Lee,Hon-Jarn Lin,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Reference circuit arrangement and method for generating a reference voltage using a branched current path

Номер патента: US9317057B2. Автор: Lorenzo Paglino,Simone Verri. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2016-04-19.

Reference current source

Номер патента: US9720435B2. Автор: Daniel M. Joffe,Daniel R. Chandler. Владелец: Adtran Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Methods and systems for alignment to embedded patterns in semiconductor device processing

Номер патента: EP3935667A1. Автор: Daniel G. Patterson,Borirak OPASANONT,Abraham SALDIVAR-VALDES. Владелец: Utica Leaseco LLC. Дата публикации: 2022-01-12.

Methods and systems for alignment to embedded patterns in semiconductor device processing

Номер патента: WO2020181177A1. Автор: Daniel G. Patterson,Borirak OPASANONT,Abraham SALDIVAR-VALDES. Владелец: Alta Devices, Inc.. Дата публикации: 2020-09-10.

Method and apparatus for generating image information

Номер патента: US20180255282A1. Автор: YUAN LIN,Binbin ZHENG,Sili Chen,Yuhua Dong,Yijie Yan,Zhongqin Wu. Владелец: Baidu Online Network Technology Beijing Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-06.

Semiconductor device and method for operating semiconductor device

Номер патента: US11727873B2. Автор: Takayuki Ikeda,Kiyotaka Kimura,Hidetomo Kobayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device including write access transistor having channel region including oxide semiconductor

Номер патента: US09589961B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09390766B2. Автор: Yasuhiro Yoshikawa,Kazuhiko Hiranuma,Motoo Suwa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Device for authenticating coins, medals, and other flat metal items

Номер патента: RU2186422C2. Автор: Томас ЗАЙЦ,Джозеф РЮЭФФ. Владелец: АЙПИ-ТИПИДЖИ ХОУЛДКО С.а.р.л.. Дата публикации: 2002-07-27.

Device for generating transmission clock of sink and transmission method using generated transmission clock

Номер патента: US10164767B2. Автор: Tae Jin Kim,Dae Jung Shin. Владелец: DOESTEK. Дата публикации: 2018-12-25.

Method of generating layout and method of manufacturing semiconductor devices using same

Номер патента: US20190131139A1. Автор: Dong Hyun Kim,Sung Keun Park,Byung Sung Kim,Ho Jun Choi,In Wook OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-02.

Low-voltage reference current circuit

Номер патента: US20190384343A1. Автор: Ahmed Emira,Hassan Elwan,Mohamed Aboudina. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Memory device, and semiconductor device and electronic appliance including the same

Номер патента: US09715920B2. Автор: Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Methods and apparatus for generating signatures to identify media content using temporal signal characteristics

Номер патента: US10009635B2. Автор: Morris Lee. Владелец: Nielsen Co US LLC. Дата публикации: 2018-06-26.

Method and system for generating high-speed random numbers based on chaotic optical frequency comb

Номер патента: ZA202311221B. Автор: Yongbo Wang,Yuqi Hu,Xi Tang,Jiagui Wu,Zhengmao Wu,Guangqiong Xia. Владелец: Univ Southwest. Дата публикации: 2024-06-26.

Semiconductor device, computer, and electronic device

Номер патента: US09785566B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Voltage regulator, semiconductor device, and voltage generation method for voltage regulator

Номер патента: US09602003B2. Автор: Masayuki Otsuka. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

DEVICE FOR MEASUREMENT OF DEVIATION FROM A REFERENCE AXIS

Номер патента: US20160076886A1. Автор: Carniato Valerio. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

Method and device for determining the position of a reference point of a scanner relative to an incremental scale

Номер патента: EP0390725A2. Автор: Helmut Prof. Dr. Kellner. Владелец: E M S Technik GmbH. Дата публикации: 1990-10-03.

Method and device for tank leak diagnosis using a reference measurement method

Номер патента: DE10129695A1. Автор: Martin Streib,Volker Stegmann,Armin Hassdenteufel,Thorsten Fritz,Peter Wiltsch. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2003-01-30.

Method and device for diagnosing tank leaks using a reference measuring method

Номер патента: US6845652B2. Автор: Martin Streib,Armin Hassdenteufel,Thorsten Fritz,Peter Wiltsch,Volk r Stegmann. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2005-01-25.

A device for the multiple use of a reference mark

Номер патента: GB2259149B. Автор: Werner Jundt,Norbert Miller. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 1994-11-02.

Apparatus for generating reference voltage in semiconductor memory apparatus

Номер патента: US7532063B2. Автор: Ki-won Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-05-12.

Semiconductor device including charge pump circuit

Номер патента: US20200403504A1. Автор: Jong-Seok Kim,Geon-Hwi Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-24.

Non-volatile memory and reference current generator thereof

Номер патента: US20240161814A1. Автор: Chih-Yang Huang,Woan-Yun HSIAO. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Determining bias points for mos device for quantum signal generation

Номер патента: WO2024130315A1. Автор: Alvin Labios,Torsten LEHMAN,Julian KELEDJIAN. Владелец: Quintessence Labs Pty Ltd.. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device for infrared detection, method of manufacturing semiconductor device for infrared detection and infrared detector

Номер патента: US20220310857A1. Автор: Ingrid Jonak-Auer,Bernhard LÖFFLER,Gerald Meinhardt,Gernot Fasching. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20240257856A1. Автор: Youngnam HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Information processing apparatus, method of operating information processing apparatus, and program for generating virtual viewpoint image

Номер патента: US12112425B2. Автор: Yasunori Murakami,Takashi Aoki,Kazunori Tamura,Masahiko Miyata,Fuminori Irie. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Image processing device and associated methodology for generating panoramic images

Номер патента: US09906719B2. Автор: Kazuya SENTO. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Tritium direct conversion semiconductor device

Номер патента: US09887018B2. Автор: Peter Cabauy,Noren Pan,Larry C Olsen. Владелец: City Labs Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Tritium direct conversion semiconductor device

Номер патента: US09466401B1. Автор: Peter Cabauy,Noren Pan,Larry C Olsen. Владелец: City Labs Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Method and device for fast order processing

Номер патента: RU2753450C1. Автор: Линьцзе ГАО. Владелец: Бейдзин Цзиндун Сенчури Трэйдинг Ко., Лтд.. Дата публикации: 2021-08-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20120051122A1. Автор: Takaharu Tsuji,Genta Watanabe. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-03-01.

Method and device for cleaning substrates

Номер патента: US12032302B2. Автор: Hsin-Chang Lee,Chia-Jen Chen,Kuan-Wen Lin,Chen-Yang Lin,Chung-Hsuan Liu,Ku-Hsiang SUNG,Da-wei Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device including combination rows and method and system for generating layout diagram of same

Номер патента: US12061856B2. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method and device for generating a panoramic image

Номер патента: US20210289135A1. Автор: Yonglin Yang,Tong RAO,Mingyuan WANG,Yutong Chen. Владелец: Ke com Beijing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Method and device for generating a panoramic image

Номер патента: US20210352210A1. Автор: Yonglin Yang,Tong RAO,Mingyuan WANG,Yutong Chen. Владелец: Ke com Beijing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Circuit configuration for generating a d-c output voltage independent of fluctuations of a d-c supply voltage

Номер патента: US4423370A. Автор: Wilhelm Wilhelm. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1983-12-27.

Link file generating program product, method and apparatus for generating link file used for color matching system

Номер патента: US20040160454A1. Автор: Motohiro Asano. Владелец: Minolta Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-19.

Method and device for cleaning substrates

Номер патента: US20240310744A1. Автор: Hsin-Chang Lee,Chia-Jen Chen,Kuan-Wen Lin,Chen-Yang Lin,Chung-Hsuan Liu,Ku-Hsiang SUNG,Da-wei Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20240312532A1. Автор: Kensuke Yamamoto,Masaru Koyanagi,Ryo Fukuda,Junya Matsuno,Masato Dome,Kei Shiraishi,Kenro Kubota,Kazuhiko Satou. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, method for generating mask data, mask and computer readable recording medium

Номер патента: US09978737B2. Автор: Katsumi Mori,Kei Kawahara,Yoshikazu Kasuya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device

Номер патента: US09818750B2. Автор: Kazuaki Ohshima,Kiyoshi Kato,Tomoaki Atsumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device

Номер патента: US09760107B2. Автор: Jingo Nakanishi,Issei Kashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Test method of semiconductor device

Номер патента: US09536627B2. Автор: Kazuaki Ohshima,Tomoaki Atsumi,Shuhei Nagatsuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, method for generating mask data, mask and computer readable recording medium

Номер патента: US09455223B2. Автор: Katsumi Mori,Kei Kawahara,Yoshikazu Kasuya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices including a capacitance enhanced through via and method of manufacture

Номер патента: US09455189B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-27.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09431245B2. Автор: Jeong-Hoon Lee,Jee-Eun JUNG,Kyoung-Yun Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices including a capacitance enhanced through via and method of manufacture

Номер патента: US09431088B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-08-30.

Device for forming reference voltage with a reduced noise level

Номер патента: RU2672474C1. Автор: Сергей Николаевич Бондарь,Мария Сергеевна Жаворонкова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ставропольский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2018-11-15.

Device for generating multi-channel output signal

Номер патента: RU2361185C2. Автор: Юрген ХЕРРЕ,Кристоф ФАЛЛЕР,Саша ДИШ,Йоханнес ХИЛЬПЕРТ. Владелец: Эйджир Системс Инк.. Дата публикации: 2009-07-10.

Method and device for generating data characterizing a pixel beam

Номер патента: RU2734115C2. Автор: Лоран БЛОНДЕ,Вальтер ДРАЖИЧ,Моздех СЕЙФИ. Владелец: ИНТЕРДИДЖИТАЛ ВиСи ХОЛДИНГЗ, ИНК.. Дата публикации: 2020-10-13.

Memory Device, Semiconductor Device, and Driving Method Thereof

Номер патента: US20080144349A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Konami Izumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-19.

Methods and systems for generating a fingerprint for verification of a reference object

Номер патента: AU2016202964B2. Автор: Martin A. Szarski,Andrew Klimovski. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2021-05-27.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200192996A1. Автор: Jae-Myoung Lee,Myoung-ho KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor device including standard cell having split portions

Номер патента: US12039245B2. Автор: Ta-Pen Guo,Chien-Ying Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Production process standardization system of semiconductor device and method of same and storage medium storing that method

Номер патента: EP1187045A3. Автор: Nakamura Tadahiko,Kadowaki Tomohiko. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2006-05-03.

Semiconductor device from transferring programs from a ROM to an SRAM

Номер патента: US11392192B2. Автор: Kazuya Uejima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-07-19.

Semiconductor device and communication method

Номер патента: US20110089981A1. Автор: Atsufumi Shibayama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-04-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20200133381A1. Автор: Kazuya Uejima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Circuits for setting reference voltages and semiconductor devices including the same

Номер патента: US09785158B2. Автор: Seung Hun Lee,Won Kyung CHUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Image device for synchronizing timing of imaging by first and second image sensors, and endoscopic device

Номер патента: US09775492B2. Автор: Saeri Saito. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Voltage reference source and method for generating a reference voltage

Номер патента: US09753482B2. Автор: Thomas Mueller,Mark Niederberger. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-09-05.

Driving method for a semiconductor device with an oxide semiconductor layer between two gate electrodes

Номер патента: US09449706B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and driving method thereof

Номер патента: US09443563B2. Автор: Tomoaki Atsumi,Yoshiya Takewaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

DEVICE FOR PROCESSING OR GENERATING A SIGNAL, AND METHOD FOR ASCERTAINING AN ADJUSTMENT

Номер патента: US20180372842A1. Автор: Ott Michael,Steinbuch Dirk,Moertlbauer Karin,Steinhauer Matthias. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-27.

Device for forming reference voltage with a reduced noise level

Номер патента: RU2671856C1. Автор: Сергей Николаевич Бондарь,Мария Сергеевна Жаворонкова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ставропольский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2018-11-07.

Display device for executing plurality of applications and method for controlling same

Номер патента: RU2658176C2. Автор: Ки-Хиук ШИН,Сунг-Хван КИМ,Доо-Хван КИМ,Дзае-Йеол ЛИ,Кун-Воо БАЕК,Хее-Ран ЙОУН. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2018-06-19.

Circuit for generating reference voltage

Номер патента: US20140232453A1. Автор: Michael Choi,Marutha Muthu Muthuveeran. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-21.

METHOD AND DEVICE FOR NAVIGATION AND GENERATING A NAVIGATION VIDEO

Номер патента: US20170082451A1. Автор: LIU Guoming,ZHENG Zhiguang,Xie Long. Владелец: Xiaomi Inc.. Дата публикации: 2017-03-23.

Semiconductor device and method for operating the same

Номер патента: US09537470B2. Автор: Min-Su Kim,Uk-Rae Cho,Gun-Ok Jung,Chung-Hee Kim,Dae-Seong LEE,Ji-Kyum Kim,Emil KAGRAMANYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Input/output interfacing circuit, input/output interface, and semiconductor device having input/out interfacing circuit

Номер патента: US20020175708A1. Автор: Toshiya Uchida,Yoshimasa Yagishita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-11-28.

Method and Device for Doubling the Frequency of a Reference Signal of a Phase Locked Loop

Номер патента: US20180269886A1. Автор: Sebastien Dedieu,Marc Houdebine. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2018-09-20.

Method and Device for Doubling the Frequency of a Reference Signal of a Phase Locked Loop

Номер патента: US20180269886A1. Автор: Sebastien Dedieu,Marc Houdebine. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2018-09-20.

Automated simulation method based on database in semiconductor design process, automated simulation generation device and semiconductor design automation system performing the same, and manufacturing method of semiconductor device using the same

Номер патента: US20240142960A1. Автор: Jinwoo Park,Jaehoon Jeong,Songyi Han,Jiseong Doh,Yero Lee,Hyeonkyeong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Systems and methods for generating customized haptic boundaries

Номер патента: AU2023203914A1. Автор: Hyosig Kang,Jason Otto. Владелец: Mako Surgical Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Systems and methods for generating customized haptic boundaries

Номер патента: AU2021290300B2. Автор: Hyosig Kang,Jason Otto. Владелец: Mako Surgical Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Systems and methods for generating customized haptic boundaries

Номер патента: US09588587B2. Автор: Hyosig Kang,Jason Otto. Владелец: Mako Surgical Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of forming a digital signal of angular stabilization of a non-stationary object of control and a device for its implementation

Номер патента: RU2653409C1. Автор: Алексей Сергеевич Соловьев,Сергей Валентинович Кравчук,Анатолий Сергеевич Сыров,Александр Михайлович Пучков,Юрий Александрович Чернышов,Надежда Павловна Жданович. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Московское опытно-конструкторское бюро "Марс" (ФГУП МОКБ "Марс"). Дата публикации: 2018-05-08.

Monitoring device for a semiconductor component, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4443123A1. Автор: Geraint SEYMOUR,David Bock,Christian BURTON,Alejandro VILLARRUEL-PARRA,Phil Mawby. Владелец: Compound Semiconductor Applications Catapult Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Semiconductor device and measurement method

Номер патента: US09606007B2. Автор: Yosuke IWASA. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and test method

Номер патента: US09927309B2. Автор: Makoto Hara,Shuuji Matsumoto,Hirosi Ootuka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Monitoring device for a semiconductor component, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024208927A1. Автор: Geraint SEYMOUR,David Bock,Christian BURTON,Alejandro VILLARRUEL-PARRA,Phil Mawby. Владелец: Compound Semiconductor Applications Catapult Limited. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device, semiconductor system, and method for use in operating the same based on operation mode information

Номер патента: US20160372171A1. Автор: Bok Rim KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-22.

Semiconductor device, semiconductor system, and method for use in operating the same based on operation mode information

Номер патента: US09576627B2. Автор: Bok Rim KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Method and computing device for maintaining dependencies among reference elements

Номер патента: US09378269B1. Автор: Alexander Campbell,Dustin Hiatt,Dean Anthony Ritz. Владелец: Workiva Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Reference current generating circuit of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20070237000A1. Автор: Yasuhiko Honda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-11.

Process for fabricating semiconductor device and method for generating mask pattern data

Номер патента: US20060183310A1. Автор: Toshihiko Tanaka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-08-17.

Process for fabricating semiconductor device and method for generating mask pattern data

Номер патента: CN1791836B. Автор: 田中稔彦. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-08-18.

Process for fabricating semiconductor device and method for generating mask pattern data

Номер патента: EP1635217A1. Автор: Toshihiko c/o Renesas Technology Corp. TANAKA. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-03-15.

DEVICE FOR DETERMINING THE DEVIATION OF A REFERENCE SURFACE FROM A PRESCRIBED NOMINAL POSITION

Номер патента: DE2512321A1. Автор: James E Elliott. Владелец: MCA Discovision Inc. Дата публикации: 1975-10-02.

Data processing method and device for facial image generation, and medium

Номер патента: EP3961486A1. Автор: WEI Liu,Yong Zhang,Le Li,Zhifeng Li,Yanbo Fan,Baoyuan WU,Zhilei LIU. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-02.

Bird's-Eye View Image Generating Device for Vessel, and Calibration Method of the Same

Номер патента: AU2018260910B2. Автор: Toshiya Tsuchiya. Владелец: Yamaha Motor Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device inspection apparatus and semiconductor device inspection method

Номер патента: US20190271734A1. Автор: Toru Matsumoto,Akira Shimase. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2019-09-05.

Radiation evaluation for semiconductor device

Номер патента: US20240337689A1. Автор: Nam Ho Kim,Young Boo Kim,Hyeok Jae Lee,Sung Soo Chung,Ki Seog Kim,Seung Han Shin,Joong Sik KIH,Muhammad Saqib KHAN,Jie Seok KIM. Владелец: QRT Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Test mode circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09817065B2. Автор: Bo Kyeom Kim,Tae Seung SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device that supporting a built-in self-test (BIST) operation and multi-semiconductor package including the same

Номер патента: US09606174B2. Автор: Dae-Suk Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

A method for generating a reference signal in knock detector connected to an internal combustion engine,and a device for the implementation of the method

Номер патента: WO1981002323A1. Автор: S Jiewertz. Владелец: S Jiewertz. Дата публикации: 1981-08-20.

Method and device for pulse width estimation

Номер патента: US20140300385A1. Автор: Yung-Hsiang Lin,shi-wen Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

Semiconductor device inspection device and semiconductor device inspection method

Номер патента: US20180348297A1. Автор: Tomonori Nakamura. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor device inspection device and semiconductor device inspection method

Номер патента: US20170123003A1. Автор: Tomonori Nakamura. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2017-05-04.

Semiconductor device inspection device and semiconductor device inspection method

Номер патента: US9588175B2. Автор: Tomonori Nakamura. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device inspection device and semiconductor device inspection method

Номер патента: US20150276865A1. Автор: Tomonori Nakamura. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2015-10-01.

Semiconductor test apparatus, and method of testing semiconductor device

Номер патента: US20020106817A1. Автор: Shinji Yamada,Teruhiko Funakura,Hisaya Mori. Владелец: MITSUBISHI DENKI AND RYODEN SEMICONDUCTOR SYSTEM ENGINEERING Corp KK. Дата публикации: 2002-08-08.

Measuring apparatus, measuring method, and ion-sensitive semiconductor device

Номер патента: US20230097075A1. Автор: Masao Okihara. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Device for optical coherence tomography

Номер патента: US09429516B2. Автор: Wonshik Choi,Seungwon JEONG,Sungsam KANG. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20200209289A1. Автор: Akemi Watanabe,Masuo Okuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection apparatus

Номер патента: EP4148438A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Shigeru EURA,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-03-15.

Method and device for identifying an electronic code

Номер патента: US20110101098A1. Автор: Heikki Seppā,Anssi Rautiainen,Hannu Sipola,Panu Helistö. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-05.

Method and device for identifying an electronic code

Номер патента: EP2274707A1. Автор: Heikki Seppā,Anssi Rautiainen,Hannu Sipola,Panu Helistö. Владелец: Valtion teknillinen tutkimuskeskus. Дата публикации: 2011-01-19.

Semiconductor device

Номер патента: US10359451B2. Автор: Jong-Man Im,Yu-Ri LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-07-23.

Method and device for the optical non-contact oscillation measurement of an oscillating object

Номер патента: US09851243B2. Автор: Matthias Schussler,Christian Rembe,Alexander Drabenstedt,Christian Ehrmann,Volkmar Roth. Владелец: POLYTEC GMBH. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection device

Номер патента: US20230184825A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-15.

Method of testing semiconductor devices and system for testing semiconductor devices

Номер патента: US20180188311A1. Автор: Oh Song Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor device, biosensor, biosensor array, and logic circuit

Номер патента: US20230032228A1. Автор: Katsuya Ujimoto,Ryota Suto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-02-02.

Reference trajectory generating device, method, and computer program for generating reference trajectory

Номер патента: EP4411320A1. Автор: Masahiro Tanaka. Владелец: Woven by Toyota Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6365425B1. Автор: Aritoshi Sugimoto,Hisato Nakamura,Masami Ikota. Владелец: Hitachi Electronics Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-02.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection apparatus

Номер патента: US20230184827A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Shigeru EURA,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-15.

Reference trajectory generating device, method, and computer program for generating reference trajectory

Номер патента: US20240253662A1. Автор: Masahiro Tanaka. Владелец: Woven by Toyota Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Nucleic acid molecule having binding affinity to a target molecule and a method for generating the same

Номер патента: US09976145B2. Автор: Sven Klussmann,Christian Maasch,Werner Purschke,Florian Jarosch,Axel Vater,Simone Sell,Kai Hohlig. Владелец: NOXXON PHARMA AG. Дата публикации: 2018-05-22.

Difference-range-finding method for determining coordinates of radio-frequency source and device for realizing said radiation

Номер патента: RU2719770C1. Автор: Павел Леонидович Смирнов,Александр Сергеевич Наумов,Олег Владимирович Царик,Алексей Васильевич Терентьев,Александр Васильевич Золотов,Роман Андреевич Пирогов,Дмитрий Валерьевич Рачицкий. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Специальный Технологический Центр". Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20090243588A1. Автор: Hirokazu Okada. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-10-01.

Method for generating a reference trajectory within a lane, method for operating a vehicle, data processing apparatus, vehicle, and computer-readable medium

Номер патента: US20230236028A1. Автор: Derong YANG,Mats Jonasson. Владелец: Volvo Car Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device and method for controlling amplitude of signal in the semiconductor device

Номер патента: US20210058080A1. Автор: Seung Jin Kim,Seung Hyun Oh,Wan Kim,Byung Ki HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Metrology technique for semiconductor devices

Номер патента: US20240271926A1. Автор: Gilad Barak,Dror Shafir,Smadar Ferber,Jacob Ofek,Zvi Gorohovsky,Daphna Peimer,Tal Heilpern,Dana Szafranek. Владелец: Nova Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for estimating the end of lifetime for a power semiconductor device

Номер патента: EP2724170A1. Автор: Bjørn Rannestad,Paul Bach Thogersen. Владелец: KK-ELECTRONIC AS. Дата публикации: 2014-04-30.

Method for estimating the end of lifetime for a power semiconductor device

Номер патента: US09529037B2. Автор: Bjørn Rannestad,Paul Bach Thogersen. Владелец: Kk Wind Solutions As. Дата публикации: 2016-12-27.

Testing semiconductor devices

Номер патента: US09470719B2. Автор: Scott E. Meninger,Jonathan K. Brown,Rohan Arora. Владелец: Cavium LLC. Дата публикации: 2016-10-18.

Device for measuring electrode potentials on metallic surface

Номер патента: RU2661548C1. Автор: Евгений Сергеевич Павлюк,Андрей Вячеславович Лупачев. Владелец: Закрытое акционерное общество "СМИТ-ГРУПП". Дата публикации: 2018-07-17.

Semiconductor device with A/D converter

Номер патента: US20060082485A1. Автор: Keiko Kobayashi,Yoichi Takahashi,Akira Saitou,Fujio Higuchi,Tomotake Ooba,Keiichi Iwazumi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-04-20.

Method for generating a magnetic resonance image

Номер патента: GB2592492A. Автор: Michael Herbst. Владелец: BRUKER BIOSPIN MRI GMBH. Дата публикации: 2021-09-01.

Systems and methods for generating floorplans from large area scanning

Номер патента: US20240127427A1. Автор: Erkang Wei,James Nathan Swidersky,Claudio Sa. Владелец: Mappedin Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Method and apparatus for generating test pattern for circuit blocks

Номер патента: EP1059584A3. Автор: Shigekazu c/o NEC Corporation Otsuka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-02-07.

System for generating at least one radio frequency signal phase-locked to a reference signal, corresponding radio frequency transmitter and receiver

Номер патента: US20240205059A1. Автор: BAUDOUIN Martineau,Dominique Morche. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for generating road map for autonomous vehicle navigation

Номер патента: US12055410B2. Автор: Qiu Jin,Huan Chen,Chao Lin,Yiqing YANG,Chunlei Meng. Владелец: WeRide Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Method and device for counting objects

Номер патента: US09817027B2. Автор: Josep Segura Puchades,Christophe Premont. Владелец: Isorg SA. Дата публикации: 2017-11-14.

Device for determination of research nuclear installation fields neutron characteristics

Номер патента: RU2650810C1. Автор: Михаил Александрович Овчинников,Леонид Егорович Довбыш,Ольга Альбертовна Голубева,Галина Николаевна Пикулина,Виктор Александрович Юхневич. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2018-04-17.

Method and a device for measuring pressure with correction of the dynamic measurement error

Номер патента: RU2745106C1. Автор: Александр Леонидович Шестаков,Григорий Михайлович Грудцинов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южно-Уральский государственный университет (национальный исследовательский университет)" ФГАОУ ВО "ЮУрГУ (НИУ)". Дата публикации: 2021-03-19.

Device for detecting nuclear quadrupole resonance signals

Номер патента: RU2757363C1. Автор: Виктор Ефимович Пониматкин,Андрей Алексеевич Шпилевой,Владислав Алексеевич Гоглев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Балтийский федеральный университет имени Иммануила Канта" (БФУ им. И. Канта). Дата публикации: 2021-10-14.

Device for simulating a radio-electronic situation

Номер патента: RU2758591C1. Автор: Дмитрий Сергеевич Войнов,Владимир Владимирович Уткин,Руслан Рамильевич Мухамедов,Иван Владимирович Коликов,Алексей Андреевич Дружков,Александр Сергеевич Босый. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Военный ордена Жукова университет радиоэлектроники" Министерства обороны Российской Федерации (ФГКВОУВО "Военный ордена Жукова университет радиоэлектроники" МО РФ). Дата публикации: 2021-11-01.

Test system and the method for testing a semiconductor device

Номер патента: US11385276B2. Автор: Kunihiko Suzuki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-07-12.

Noise measuring system, noise measuring method, and semiconductor device

Номер патента: US7289934B2. Автор: Yasufumi Suzuki. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-10-30.

Test system and the method for testing a semiconductor device

Номер патента: US20210255234A1. Автор: Kunihiko Suzuki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Apparatus including a measurement time counting device for measuring an electrical characteristic of semiconductor

Номер патента: US5786689A. Автор: Mikihiro Kimura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-07-28.

Method, electronic device, and computer program product for generating target object

Номер патента: US12045935B2. Автор: Zhen Jia,Zijia Wang,Zhisong Liu. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-07-23.

Test circuit for 3d semiconductor device and method for testing thereof

Номер патента: US20170300392A1. Автор: Sung Ho Kang,In Geol LEE. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2017-10-19.

Optical tomography imaging system and imaging method for generating a reconstructed image according to plural disassembled sine waves

Номер патента: US11307088B2. Автор: Min-Chun Pan,Ya-Fen Hsu,Yan-Yang HSU. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2022-04-19.

AC current or voltage sensor

Номер патента: US09753061B2. Автор: Thomas Sorensen,Connor Valentine O'reilly. Владелец: National Microelectronics Applications Centre Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Product testing system for a semiconductor device

Номер патента: US09671455B2. Автор: Kenichi Kawasaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and semiconductor device examination method

Номер патента: US11740287B2. Автор: Koichi Kimura,Takeshi Yamaguchi,Kazuhito Hosaka,Nariyuki Fukuda,Isao Ooigawa,Tsutomu MIYAMAE,Suguru Tahara,Keitarou MISHIMA,Yuichiro SANUKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Method, non-transitory computer-readable storage medium, and device for deterioration diagnosis of electronic units

Номер патента: US20230316828A1. Автор: Hiroshi Ishikawa,Hodaka Tsuge. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Methods and devices for calibrating and/or monitoring optical measurement devices

Номер патента: EP4372366A3. Автор: David Opalsky,Byron J. Knight,George T. Walker,Norbert Hagen. Владелец: Gen Probe Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Abnormality detection circuit, semiconductor device,electronic apparatus, and vehicle

Номер патента: US20230266810A1. Автор: Keita Okamoto,Shojiro Kato. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device for electrical contacting semiconductor devices

Номер патента: US20080231303A1. Автор: Jochen Kallscheuer,Bernhard Ruf,Sascha Nerger. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-09-25.

Device for treating soil and method for operating such a device

Номер патента: US12052982B2. Автор: Sergio DE ANDRADE COUTINHO FILHO,Christopher Freimann. Владелец: ZASSO GROUP AG. Дата публикации: 2024-08-06.

Computing device executing program performing method of analyzing power noise in semiconductor device, semiconductor device design method, and program storage medium storing program

Номер патента: US09958495B2. Автор: Young Hoe Cheon,Chan Seok Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Device for detecting elevations and/or depressions on bottles, in particular in a labeling machine

Номер патента: US09533787B2. Автор: Rainer Kwirandt. Владелец: KRONES AG. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09503018B2. Автор: Akihisa Uchida,Tomohisa Suzuki,Toshiaki Tsutsumi,Takeshi Terasaki,Tomonori Okudaira,Tadato Yamagata,Yoshihiro Funato,Yoshiharu Kanegae. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device having input buffers to which internally-generated reference voltages are applied

Номер патента: US20030214328A1. Автор: Takashi Oguri. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-11-20.

Current-mode puf circuit based on reference current source

Номер патента: US20190097632A1. Автор: Gang Li,Pengjun WANG,Huihong ZHANG. Владелец: Ningbo University. Дата публикации: 2019-03-28.

Semiconductor device

Номер патента: US09467090B2. Автор: Katsuyoshi Mitsui,Tsukasa Oishi,Naoki Otani. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Oscillator circuit, device and method for generating an oscillator signal

Номер патента: US12047078B2. Автор: Cheng Zhang. Владелец: ams International AG. Дата публикации: 2024-07-23.

Current and/or voltage pulse source with rapid response time and sub-nanosecond jitter

Номер патента: US20240213966A1. Автор: Jean-Pierre Nikolovski,Driss ABOULKASSIMI. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20110193640A1. Автор: Katsuyoshi Mitsui,Tsukasa Oishi,Naoki Otani. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-08-11.

System, method, and apparatus for generating a ramp signal with a changing slope

Номер патента: US20170018593A1. Автор: Guangbin Zhang,Wenhao Qiao,Dennis Tunglin LEE. Владелец: Cista System Corp. Дата публикации: 2017-01-19.

Semiconductor device

Номер патента: US9509309B2. Автор: SukYong Kang,Han-gi Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20110180876A1. Автор: Jean Philippe Laine,Patrice Besse,Alexis Huot-Marchand. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-07-28.

Control unit, radio frequency power generator, and method for generating synchronized radio frequency output signals

Номер патента: US12126347B2. Автор: André Grede,Daniel Gruner,Anton Labanc,Manuel vor dem Brocke,Roland Schlierf. Владелец: Comet AG. Дата публикации: 2024-10-22.

Sample-and-hold circuit for generating a variable sample delay time of a transformer and method thereof

Номер патента: US20140043081A1. Автор: Yi-Lun Shen,Ren-Yi Chen. Владелец: Leadtrend Technology Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Circuits for generating sweep frequency signal

Номер патента: US09577651B2. Автор: Lei Zheng,Yuanjing Li,Yinong Liu,Ziran Zhao,Zhiqiang Chen,Wanlong Wu,Bin Sang,Wenguo Liu. Владелец: Nuctech Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Device for generating random signal with fractal properties

Номер патента: RU2609754C1. Автор: Николай Николаевич Скворцов,Антонина Сергеевна Шашкина,Михаил Владимирович Воротков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный институт кино и телевидения" (СПбГУКиТ). Дата публикации: 2017-02-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20110248749A1. Автор: Fukashi Morishita,Yoshiyuki Ezumi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-10-13.

Apparatus for generating pwm signal and apparatus for controlling light having the same

Номер патента: US20190350064A1. Автор: Kyu Won Cho. Владелец: Feelux Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-14.

Semiconductor device comprising passive magnetoelectric transducer structure

Номер патента: US20180182951A1. Автор: Javier BILBAO DE MENDIZABAL,Jan-Willem BURSSENS. Владелец: Melexis Bulgaria EOOD. Дата публикации: 2018-06-28.

Paralleled transistor cells of power semiconductor devices

Номер патента: US20230223933A1. Автор: Perry Schugart. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Apparatus for generating PWM signal and apparatus for controlling light having the same

Номер патента: US10524329B2. Автор: Kyu Won Cho. Владелец: Feelux Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-31.

Semiconductor device with integrated delay chain

Номер патента: US20100164585A1. Автор: Carlo Alberto Romani,Massimo Scipioni,Corrado Giorgio Castiglione,Elvio Romanucci,Donato Tancredi. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2010-07-01.

Paralleled transistor cells of power semiconductor devices

Номер патента: WO2023137315A1. Автор: Perry Schugart. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor device driving circuit

Номер патента: US20180205373A1. Автор: Dong Wang,Akihisa Yamamoto,Kazuya Hokazono. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

System and apparatus for generating ideal rise and fall time

Номер патента: US20090195073A1. Автор: Ryan Andrew Jurasek,Bret Roberts Dale,Darin James Daudelin,Dave Eugene Chapmen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-08-06.

Method and device for determining trim solution

Номер патента: US20080169854A1. Автор: Steffen Loeffler. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2008-07-17.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US09800130B2. Автор: Yoshikazu Tanaka,Hiroshi Yoshida,Nobuya Nishida,Shiori Uota,Kyoko OYAMA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and method of driving semiconductor device

Номер патента: US09673823B2. Автор: Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

High power converter comprising low power switches and a switch control device for generating a pulse with a reference value and at least two control values

Номер патента: US09641100B2. Автор: Alfred Permuy. Владелец: GE Energy Power Conversion Technology Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Driving device for semiconductor elements, and semiconductor device

Номер патента: US09627878B2. Автор: Masahiro Yamamoto,Yo Habu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device

Номер патента: US12068743B2. Автор: Motomitsu IWAMOTO. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Method and device for reset modification based on system state

Номер патента: US09712153B1. Автор: Markus Regner,Thomas H. Luedeke,Harald Michael Lüpken. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US09685862B2. Автор: Yoshikazu Tanaka,Hiroshi Yoshida,Nobuya Nishida,Shiori Uota,Kyoko OYAMA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device

Номер патента: US09571088B2. Автор: Masaki WASEKURA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and semiconductor package using the same

Номер патента: US20170033780A1. Автор: Jong Joo SHIM,Sun Ki CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-02.

Semiconductor device

Номер патента: US8325452B2. Автор: Hiroaki Ichikawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20190115910A1. Автор: Takanori Kohama,Yuya Abe. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

Semiconductor Device

Номер патента: US20170110585A1. Автор: Kei Takahashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor device

Номер патента: US09818882B2. Автор: Kei Takahashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device

Номер патента: US09537478B2. Автор: Kei Takahashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device, wireless communication device and method for generating a synthesized frequency signal

Номер патента: US20110151804A1. Автор: Norman Beamish,Niall Kearney,Aidan Murphy. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-06-23.

Semiconductor device and communication system including the same

Номер патента: US09847870B2. Автор: Do-Hyung Kim,Tae-Ik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device comprising analog to digital converters sharing reference capacitor and system on chip comprising the same

Номер патента: US09503117B2. Автор: Jong-Woo Lee,Seung-Hyun OH,Byung-Hak Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

AD conversion method, AD converter, semiconductor device for detecting distribution of physical quantities, and electronic apparatus

Номер патента: US20050231624A1. Автор: Noriyuki Fukushima,Yoshikazu Nitta,Yoshinori Muramatsu,Yukihiro Yasui. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-10-20.

Semiconductor device and control method for the same

Номер патента: US12126352B2. Автор: Fukashi Morishita,Wataru Saito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and radio communication terminal mounting the same

Номер патента: US20130093479A1. Автор: Takayasu Norimatsu,Taizo Yamawaki,Satoru Yamamoto. Владелец: Renesas Mobile Corp. Дата публикации: 2013-04-18.

Methods and devices for adaptive voltage steadying

Номер патента: US12052029B2. Автор: Michele Bartolini,Enrico Mammei,Nicola Lupo,Stefano Colli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device

Номер патента: US09608639B2. Автор: Hoon Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20140085119A1. Автор: Takaya MASUDA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Semiconductor device comprising analog to digital converters sharing reference capacitor and system on chip comprising the same

Номер патента: US20160269040A1. Автор: Jong-Woo Lee,Seung-Hyun OH,Byung-Hak Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-15.

A/d converter and semiconductor device

Номер патента: US20090027247A1. Автор: Toshio Kumamoto,Takashi Okuda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Reference current compensation circuit for d/a converter

Номер патента: US20120249350A1. Автор: James Scott Prater. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-10-04.

Semiconductor device

Номер патента: US7319575B2. Автор: Hiroki Yamashita,Masayoshi Yagyu,Tatsuya Kawashimo. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2008-01-15.

Circuit, an integrated circuit, a transmitter, a receiver, a transceiver, a method for obtaining calibration data and a method for generating a local oscillator signal

Номер патента: US09537585B2. Автор: Thomas Mayer,Stefan Tertinek,Peter Preyler. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Device and method for generating and decoding codes with direct correction of errors, having alternating speed of transmission in high speed wireless data transmission system

Номер патента: RU2309538C2. Автор: Мин-Гоо КИМ,Санг-Хиук ХА,Йоунг-Мо ГУ. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2007-10-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20180183411A1. Автор: Ryuichi Oikawa,Wataru SHIROI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-28.

Semiconductor device and semiconductor device operating method

Номер патента: US09722625B2. Автор: Takahiro Kawano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Improvements in or relating to devices for regulating the threshold voltages of IGFET transistors of integrated circuits

Номер патента: GB2001494A. Автор: . Владелец: Ebauches SA. Дата публикации: 1979-01-31.

Metadata describing nominal lighting conditions of a reference viewing environment for video playback

Номер патента: EP3308547A1. Автор: Gary J. Sullivan. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2018-04-18.

Metadata describing nominal lighting conditions of a reference viewing environment for video playback

Номер патента: EP4451682A2. Автор: Gary J. Sullivan. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-10-23.

Insulated power supply apparatus and semiconductor device for power supply control

Номер патента: US20240014741A1. Автор: Yukio Murata,Hiroki Matsuda,Takumi Hyugaji,Daisuke IMADE. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20120104553A1. Автор: Hiroki Fujii. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-05-03.

Dc fault clearing control method and device for hybrid mmc, and storage medium

Номер патента: EP4358335A1. Автор: Liu Yang,Yue Wu,Shukai XU,Yuebin Zhou,Wanyu CAO. Владелец: CSG Electric Power Research Institute. Дата публикации: 2024-04-24.

Semiconductor devices and methods for generating light

Номер патента: US7929588B2. Автор: CHEN Ji,Laura Giovane. Владелец: Avago Technologies Fiber IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2011-04-19.

Semiconductor Devices and Methods for Generating Light

Номер патента: US20100189147A1. Автор: CHEN Ji,Laura Giovane. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-29.

Method for generating and transmitting a reference signal for uplink demodulation in a clustered dft-spread ofdm transmission scheme

Номер патента: US20140016609A1. Автор: Jae Young Ahn,Young Jo Ko,Byung Jang Jeong,Bang-Won SEO. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2014-01-16.

Method for generating and transmitting a reference signal for uplink demodulation in a clustered dft-spread ofdm transmission scheme

Номер патента: US20150222404A1. Автор: Jae Young Ahn,Young Jo Ko,Bang Won Seo,Byung Jang Jeong. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2015-08-06.

Method for generating and transmitting a reference signal for uplink demodulation in a clustered DFT-spread OFDM transmission scheme

Номер патента: US9025684B2. Автор: Jae Young Ahn,Young Jo Ko,Byung Jang Jeong,Bang-Won SEO. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2015-05-05.

Method and device for voltage stabilization in power supply system of asynchronous auxiliary machines of alternating current electric locomotives

Номер патента: RU2754159C1. Автор: Максим Юрьевич Кейно. Владелец: Максим Юрьевич Кейно. Дата публикации: 2021-08-30.

TRANSMITTING/RECEIVING DEVICE FOR A BUS SYSTEM AND METHOD FOR REDUCING OSCILLATIONS OF A BUS DIFFERENTIAL VOLTAGE IN THE CASE OF COUPLED-IN INTERFERENCES

Номер патента: US20220417056A1. Автор: Pannwitz Axel,Walker Steffen. Владелец: . Дата публикации: 2022-12-29.

Transmitting / receiving device for a bus system and method for reducing oscillations of a bus differential voltage in the event of interference

Номер патента: DE102019220022A1. Автор: Axel Pannwitz,Steffen Walker. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2021-06-24.

System for reference current tracking in a semiconductor device

Номер патента: US20030016556A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-23.

Semiconductor device

Номер патента: US09851942B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device capable of suppressing variation of current or voltage to be supplied to external circuit

Номер патента: US7515150B2. Автор: Katsumi Abe,Masamichi Shimoda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-04-07.

Semiconductor device

Номер патента: US09570188B2. Автор: Akihiko Kanda,Tamiyu Kato. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Fusing device for instantly controlling power

Номер патента: US20070009274A1. Автор: Young-min Chae,Sang-yong Han,Hwan-guem Kim,Durk-hyun Cho,Su-Kyoung Chae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-11.

Fusing device for instantly controlling power

Номер патента: US20120008972A1. Автор: CHAE Young-min,Han Sang-yong,CHAE Su-kyoung,Kim Hwan-guem,Cho Durk-hyun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-12.

Semiconductor device including nonvolatile memory configured to switch between a reference current reading system and a complementary reading system

Номер патента: US09824766B2. Автор: Takanobu Suzuki,Tamiyu Kato. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device

Номер патента: US09978455B2. Автор: Takashi Kurafuji. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Method and electronic device for generating a reference voltage

Номер патента: US09746890B2. Автор: Hsin-Ting Chen,Jian-Tzuo Chen. Владелец: ASUSTeK Computer Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Self-refresh device and semiconductor device including the self-refresh device

Номер патента: US09460774B1. Автор: Hyeng Ouk LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Method for supplying reference potential to sense amplifier circuit in semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit, semiconductor device equipped with many of the semiconductor integrated circuits, and electronic apparatus using the simconductor device

Номер патента: US20020015324A1. Автор: Akira Maruyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Semiconductor device and error correction method

Номер патента: US09892784B2. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Dynamic trim selection based on operating voltage levels for semiconductor devices and associated methods and systems

Номер патента: US20220238166A1. Автор: James S. Rehmeyer,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20030107924A1. Автор: Hitoshi Tanaka,Takao Watanabe,Hiroyuki Mizuno,Mitsuru Hiraki. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-12.

Semiconductor device control circuit and method thereof

Номер патента: US09640272B2. Автор: Nobuhiko Ito. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Internal power supply circuit, semiconductor device, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09620177B2. Автор: Koichiro Hayashi. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-04-11.

Exposure device for controlling light emitting elements

Номер патента: US8237762B2. Автор: Atsushi Ugajin,Tetsuya Hori,Tomoaki SAKITA,Kohei Shioya,Satoshi Kurashima. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-07.

Reference current generator, and method of programming, adjusting and/or operating same

Номер патента: WO2004102631A2. Автор: MAHER Kayal,Marc Pastre,Michel Declercq,Lionel Portmann,Marija Blagojevic. Владелец: ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE. Дата публикации: 2004-11-25.

Reference current generator, and method of programming, adjusting and/or operating same

Номер патента: EP1620859B1. Автор: MAHER Kayal,Marc Pastre,Michel Declercq,Lionel Portmann,Marija Blagojevic. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2008-06-04.

Reference current generator, and method of programming, adjusting and/or operating same

Номер патента: WO2004102631A3. Автор: MAHER Kayal,Marc Pastre,Michel Declercq,Lionel Portmann,Marija Blagojevic. Владелец: Marija Blagojevic. Дата публикации: 2005-03-31.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09792969B1. Автор: Kwang-Soon Kim,Seung-Wook Oh,Hyun-seung KIM,Jin-Youp Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device including memory cell and sense amplifer, and IC card including semiconductor device

Номер патента: US9543007B2. Автор: Ryotaro Azuma,Yoshikazu Katoh. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Nonvolatile memory device, semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US20180336952A1. Автор: Takeshi Miyazaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Semiconductor device for mitigating through current and electronic apparatus thereof

Номер патента: US09892706B2. Автор: Noriyuki Ishii,Atsushi Shikata. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor devices having initialization circuits and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09524762B1. Автор: Haeng Seon CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Managing reference currents in semiconductor devices

Номер патента: US20240185899A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Shang-Chi Yang,Fu-Nian Liang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Managing reference currents in semiconductor devices

Номер патента: EP4383258A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Shang-Chi Yang,Fu-Nian Liang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20180182441A1. Автор: Jae Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Storage device, memory device and semiconductor device for improving data transfer speeds

Номер патента: US09653125B2. Автор: Kosuke Yanagidaira,Shouichi Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device having a secondary address generating unit for generating address signal in response to address signal from a first address generating unit

Номер патента: US09508410B1. Автор: Jae Il Kim,Seung Geun Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Nonvolatile memory device, semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US10566064B2. Автор: Takeshi Miyazaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-02-18.

Semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US20210397362A1. Автор: Ki Woong Lee,Sang Jin Lee,Young Gyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Nonvolatile semiconductor memory capable of generating read-mode reference current and verify-mode reference current from the same reference cell

Номер патента: US20040062072A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-01.

Method of setting a reference current in a nonvolatile memory device

Номер патента: US09934864B2. Автор: Cheng-Hsiung Kuo,Yue-Der Chih,Hsu-Shun Chen,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09792970B2. Автор: Kyeong Tae Kim,Cheol Hoe KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Current-mode sense amplifier and reference current circuitry

Номер патента: US09767872B2. Автор: Alexander Fritsch,Rolf Sautter,Michael Kugel,Gerhard Hellner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device configured to generate a refresh pulse for executing a refresh operation in response to the decoded count signal and temperature code

Номер патента: US09672893B2. Автор: Sang Kwon Lee,Mi Hyun Hwang,Man Keun Kang,Chul Moon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device

Номер патента: US09627020B1. Автор: Ho Uk Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Nonvolatile memory device and method of setting a reference current in a nonvolatile memory device

Номер патента: US09595340B2. Автор: Cheng-Hsiung Kuo,Yue-Der Chih,Hsu-Shun Chen,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Current-mode sense amplifier and reference current circuitry

Номер патента: US09564188B2. Автор: Alexander Fritsch,Rolf Sautter,Michael Kugel,Gerhard Hellner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Device, method, and medium for generating audio fingerprint and retrieving audio data

Номер патента: US09589283B2. Автор: Jiyeun Kim,Kiwan Eom,Xuan ZHU,Hyounggook Kim,Yuan Yuan She. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09583165B1. Автор: Kyeong Tae Kim,Cheol Hoe KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device having fuse array with disconnectable voltage generator and method of operating the same

Номер патента: US09466391B2. Автор: Yun-Seok Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device

Номер патента: US9846504B2. Автор: Kazuya Endo. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20230402080A1. Автор: Koichi Takeda,Akihiko Kanda,Takahiro Shimoi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20160098280A1. Автор: Hyun-Su Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-04-07.

Semiconductor device and method for operating the same

Номер патента: US20180108424A1. Автор: Jeong-Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20170278575A1. Автор: Takashi Kurafuji. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Nonvolatile semiconductor device and method for testing the same

Номер патента: US20130294175A1. Автор: Yoon Jae Shin,Sang Kug LYM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20180240524A1. Автор: Takashi Kurafuji. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-23.

Storage device, memory device and semiconductor device

Номер патента: US20170076756A1. Автор: Kosuke Yanagidaira,Shouichi Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

System and method for generating a flat mask design for projecting a circuit pattern to a spherical semiconductor device

Номер патента: US20020056074A1. Автор: Zhiqiang Feng,Atsuyuki Fukano,Hideki Koide. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09747113B2. Автор: Hyun-Su Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Circuits for control of time for read operation, using a current mirror circuit to mirror a reference current into the dummy device and generates time control signals based on the mirrored current

Номер патента: US09595310B2. Автор: Yong Zhang,Jun Xiao. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device performing refresh operation and method for driving the same

Номер патента: US09589628B2. Автор: Jae-Hoon Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09589603B2. Автор: Kang-Seol Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device

Номер патента: US09455016B2. Автор: Jong-Yeol Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US20120025900A1. Автор: Chul Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20150380074A1. Автор: Young Geun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-31.

Semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US20160284309A1. Автор: Noriyuki Ishii,Atsushi Shikata. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor system including semiconductor device

Номер патента: US20130107641A1. Автор: Jeong Hun Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-05-02.

Semiconductor device and SRAM having plural power supply voltages

Номер патента: US5825707A. Автор: Kenichi Nakamura,Takayuki Otani,Makoto Segawa,Yasumitsu Nozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-10-20.

Semiconductor device which performs an active operation

Номер патента: US09911475B1. Автор: Jae Il Kim,Ki Hun KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Method and apparatus for generation of gray scale adjustment voltage and panel driver circuit

Номер патента: US09875680B2. Автор: Yong Zhang,Xiaoping Tan. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device for controlling prefetch operation

Номер патента: US09697127B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Min-Sung Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device employing closed loop and open loop DVFS control and semiconductor system including the same

Номер патента: US09671847B2. Автор: Je-kook Kim,Young-Hoon Lee,Min-Shik Seok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Calibration circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US12033717B2. Автор: Daewoong Lee,Hyejung Kwon,Daehyun KWON,Jaehyeok Baek,Donggun AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and control method for semiconductor device

Номер патента: US20240170045A1. Автор: Shigeyuki Suzuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Method and device for measuring and registering statistical time variations for an optical data carrier

Номер патента: EP1025562B1. Автор: Ulf Wilhelmson. Владелец: Audio Development Informationsteknik I Malmo AB. Дата публикации: 2002-02-27.

Semiconductor devices detecting a defective buffer circuit

Номер патента: US20220076771A1. Автор: Kwang Soon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Method and device for measuring and registering statistical time variations for an optical data carrier

Номер патента: EP1025562A1. Автор: Ulf Wilhelmson. Владелец: AUDIO DEV INFORMATIONSTEKNIK I. Дата публикации: 2000-08-09.

Method of generating specific information on semiconductor device, method of managing specific information on semiconductor device, and manufacturing apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20240289570A1. Автор: Hiroshi Miyoshi,Noriyuki Yabuoshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device including power management unit for refresh operation

Номер патента: US09496022B2. Автор: Takuro Ohmaru. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and driving method thereof, and electronic device

Номер патента: US09478168B2. Автор: Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Device for generating phase shift in optical range

Номер патента: RU2697900C1. Автор: Григорий Валентинович Геликонов,Валентин Михайлович Геликонов,Павел Андреевич Шилягин,Дмитрий Александрович Терпелов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" (ИПФ РАН). Дата публикации: 2019-08-21.

Semiconductor device simulation system and semiconductor device simulation method

Номер патента: US20230130199A1. Автор: Sung Min Hong. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-04-27.

Methods and systems for generating segmentation masks

Номер патента: EP4388496A1. Автор: Lucas Janisch,Benjamin Samuel LUTZ. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2024-06-26.

Method and device of generating test circuit for semiconductor device

Номер патента: US20070274142A1. Автор: Ryota Nishikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-29.

System and method for semiconductor device compact modeling using multiple specialized artificial neural networks for each semiconductor device operation region

Номер патента: US20230385494A1. Автор: Jung Hwan Park,Chan Woo Park. Владелец: Alsemy Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20170032830A1. Автор: Woo Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-02.

Semiconductor device and method for operating the same

Номер патента: US20150371691A1. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-24.

Apparatus and method for generating an output audio data signal

Номер патента: WO2010114949A1. Автор: Holly Francois,Jon Gibbs. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2010-10-07.

Reception circuit, method for adjusting timing in reception circuit, and semiconductor device

Номер патента: US9620196B2. Автор: Hiroyuki Kano,Kazumi Kojima,Hiroaki Ukai,Takanori Aoshima. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Method and apparatus for generating a sequence of optical wavelength bands

Номер патента: US20030193710A1. Автор: Aref Chowdhury,Robert Jopson. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2003-10-16.

Method and device for driving an active matrix display panel

Номер патента: EP1620842A1. Автор: Mark T. Johnson,David A. Fish,Adrianus Sempel,Alan G. Knapp,Gerben J. Hekstra,Andrea Giraldo. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-02-01.

Semiconductor device for detecting defect in word line driver

Номер патента: US20240290415A1. Автор: Byeong Cheol Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device for generating an internal voltage

Номер патента: US20240345765A1. Автор: Min Jeong Kim,Yoon Jae Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and system including sense amplifier and pre-charge voltage by a variation

Номер патента: US09837134B2. Автор: Woo Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Reception circuit, method for adjusting timing in reception circuit, and semiconductor device

Номер патента: US09620196B2. Автор: Hiroyuki Kano,Kazumi Kojima,Hiroaki Ukai,Takanori Aoshima. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09613666B1. Автор: Sang Kwon Lee,In Sung Koh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Temperature compensated semiconductor device

Номер патента: US09589599B2. Автор: Won-Sun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Method and system for generating nuclear reactor core loading distribution

Номер патента: RU2672668C1. Автор: Николас У. ТОУРАН. Владелец: ТерраПауэр, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2018-11-19.

On-demand table model for semiconductor device evaluation

Номер патента: US20130116985A1. Автор: TONG Li,Peter Feldmann,David W. Winston,Ali Sadigh,Calvin J. Bittner,Richard D. Kimmel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-09.

Semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US20070214444A1. Автор: Nobuyuki Nakai,Yuji Yamasaki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Method, system, and program for generating three-dimension model

Номер патента: US20230316648A1. Автор: Takuya Ikeda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Method and apparatus for framing three dimensional target object for generation of virtual camera layout

Номер патента: US20230177693A1. Автор: Sanghun Park,Jaedong Kim,Junyong NOH,Kwanggyoon SEO,Jung Eun Yoo,Dawon LEE. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor device, semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20150294736A1. Автор: Young-Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-15.

Method for placing semiconductor devices in consideration of distance information from macro device

Номер патента: US20240249060A1. Автор: Seungju KIM,Wooshik MYUNG,Jiyoon LIM,Wonjun Yoo. Владелец: MakinaRocks Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Systems and methods for generating computational models of materials, interfaces, and devices

Номер патента: US20240020437A1. Автор: Tillmann C. Kubis,Han-Wei Hsiao. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-01-18.

Electronic device supporting manufacture of semiconductor device and operating method of electronic device

Номер патента: US20240346222A1. Автор: Sunghoon Kim,Jong-Seong Kim,Hyuckjoon Kwon,Jiho Han,Sungju Jang,Raehyun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device, driver IC, and electronic device

Номер патента: US09984624B2. Автор: Kei Takahashi,Roh YAMAMOTO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09851903B2. Автор: Young Jun YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device performing error correction operation

Номер патента: US09627092B2. Автор: Seung-Min Lee,Won-ha Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Apparatus and method for generating hologram pattern

Номер патента: US09618902B2. Автор: Seok Lee,Dong Kyung Nam,Ho Cheon Wey. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09613677B1. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor devices and semiconductor systems

Номер патента: US09589669B1. Автор: Sang Hee Kim,Ji Eun Jang,Young Hyun Baek,Bo Yeun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Method and apparatus for generating a reference for use with a magnetic tunnel junction

Номер патента: US09336847B2. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Built-in self trim for non-volatile memory reference current

Номер патента: US8687428B2. Автор: CHEN He,Yanzhuo Wang,Richard K. Eguchi. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-04-01.

Reference current generation in resistive memory device

Номер патента: US20150357036A1. Автор: Justin Kim,Seong Jun Jang,Geun-Young Park. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Reference cell circuit and method of producing a reference current

Номер патента: US20140071766A1. Автор: Ming-Huei Shieh,Chi-Shun Lin,Seow-Fong Lim. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor Device

Номер патента: US20090185433A1. Автор: Ki Chang Kwean,Hyung Wook Moon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-23.

Semiconductor device, semiconductor memory device and data strobe method

Номер патента: US7460417B2. Автор: Sung-Hoon Kim,Kwang-Il Park,Joung-yeal Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-02.

Semiconductor device, semiconductor memory device and data strobe method

Номер патента: US20060203573A1. Автор: Sung-Hoon Kim,Kwang-Il Park,Joung-yeal Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-09-14.

Semiconductor Device Simulation Platform

Номер патента: US20230394210A1. Автор: Zhiqiang Wu,Nuo XU,Zhengping Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device and memory system

Номер патента: US12040044B2. Автор: Yohei YASUDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US20180130544A1. Автор: Jae Won Cha,Sam Kyu Won,Myung Su KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor device and memory system

Номер патента: US20220059155A1. Автор: Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Jindo BYUN,Yonghoon Son,Hyeokjun CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-24.

Method and circuitry to generate a reference current for reading a memory cell, and device implementing same

Номер патента: US20080144403A1. Автор: Philippe Bauser. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20080054379A1. Автор: Tsutomu Hara,Yutaka Uematsu,Hideki Osaka,Yoji Nishio,Seiji Funaba. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-03-06.

Methods and systems for generating a patch surface model of a geometric structure

Номер патента: US09947142B2. Автор: Eric J. Voth. Владелец: St Jude Medical Cardiology Division Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09899102B2. Автор: Jae Won Cha,Sam Kyu Won,Myung Su KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of use time management for semiconductor device and semiconductor device including use time managing circuit

Номер патента: US09711205B2. Автор: Chul-woo Park,Young-Soo Sohn,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device(s) and method of refreshing the semiconductor device

Номер патента: US09711204B1. Автор: Youk Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Method, system and computer program product for generating layout for semiconductor device

Номер патента: US09659133B2. Автор: Chin-Chou Liu,Chung-Hsing Wang,Yen-Hung Lin,Yuan-Te Hou,Chi Wei Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and device for a semiconductor device

Номер патента: US09576684B1. Автор: Jae Il Kim,Seung Geun Baek,Don Hyun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and read operation method including a source line check circuit

Номер патента: US09508445B2. Автор: Sang Oh Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device design method, system and computer program product

Номер патента: US09305134B2. Автор: Chien-Wen Chen,Tsung-Hsin Yu,Yung-Chow Peng,Mu-Jen Huang,Wei-Ting Lin,Chih Chi HSIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-05.

Device for searching in fixed coding tables and method of searching in fixed coding tables

Номер патента: RU2425428C2. Автор: Хироюки ЕХАРА,Кодзи ЙОСИДА. Владелец: ПАНАСОНИК КОРПОРЭЙШН. Дата публикации: 2011-07-27.

Multichannel device for measuring time intervals

Номер патента: RU2627136C1. Автор: Николай Анатольевич Грязнов,Евгений Николаевич Соснов,Сергей Иванович Артамонов,Виктор Иванович Купренюк. Владелец: Федеральное государственное автономное научное учреждение "Центральный научно-исследовательский и опытно-конструкторский институт робототехники и технической кибернетики" (ЦНИИ РТК). Дата публикации: 2017-08-03.

Semiconductor device and error correction method

Номер патента: US20170117044A1. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-27.

Systems and methods for generating synthesizable netlists from register transfer level designs

Номер патента: EP3937057A1. Автор: Tze-Chiang HUANG,Chao-Chun LO,Boh-Yi HUANG,Chih-Yuan Stephen YU,Chen-Jih LUI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20230402081A1. Автор: Koichi Takeda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device having a non-voltaile memory with high speed-read operation

Номер патента: US20230117141A1. Автор: Yonghwan Kim,Sungbum Park,Keesik AHN,Weon-Hwa Jeong,Youngchul SEO,Chulgeun LIM. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Method, a system and a program storage device for modeling the resistance of a multi-contacted diffusion region

Номер патента: US20120311518A1. Автор: Ning Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Device for adjusting transmission signal level based on channel loading

Номер патента: US20120044236A1. Автор: Jang-Jin Nam,Yong-Weon Jeon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-02-23.

Semiconductor device

Номер патента: US8477535B2. Автор: Tamiyu Kato. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-07-02.

Semiconductor device

Номер патента: EP3923152A1. Автор: Masafumi Inoue,Tsutomu Matsuzaki,Masakatsu Uneme,Koki HIGUCHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-12-15.

Regulation method for the source voltage in a nonvolatile memory cell during programming and corresponding program circuit

Номер патента: EP1331644A3. Автор: Rino Micheloni,Maria Motta. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-02-04.

Semiconductor device and memory system

Номер патента: US20230047923A1. Автор: Kyoungho KIM,Chulwoo Kim,Hyunsu Park,Jincheol SIM. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2023-02-16.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US12046323B2. Автор: Min Jun Choi,Jeong Jin HWANG,Sung Nyou YU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Device for generating a gamma correction voltage and display ultilizing the same

Номер патента: US20060028265A1. Автор: Yung-Yu Tsai. Владелец: Chi Mei Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2006-02-09.

Method for testing memory cell in semiconductor device

Номер патента: US6556493B2. Автор: Tae-Kyu Kim,Yoon-Soo Jang,Young-Seon You,Mun-Hwa Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-04-29.

Methods and systems for generating a semantic computation graph for understanding and grounding referring expressions

Номер патента: US20230214600A1. Автор: Scott Cohen,Zhe Lin,Jonathan Brandt,Walter W. Chang,Franck Dernoncourt,Khoi Viet Pham. Владелец: Adobe Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Simulation device for semiconductor device, and short-circuit determination method for semiconductor device

Номер патента: US20170068757A1. Автор: Ryota NIHEI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor device, semiconductor system including the same and test method thereof

Номер патента: US09911507B2. Автор: Kwang-Hyun Kim,Kang-Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device

Номер патента: US09837138B1. Автор: Hong Ki Moon,Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Image processing apparatus, and non-transitory computer readable medium for generating a feature-reflected image and for changing a degree of reflection of a feature in the feature-reflected image

Номер патента: US09805284B2. Автор: Takayuki Yamamoto. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Tritium direct conversion semiconductor device for use with gallium arsenide or germanium substrates

Номер патента: US09799419B2. Автор: Peter Cabauy,Noren Pan,Larry C Olsen. Владелец: City Labs Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

System and method for generating and using user semantic dictionaries for natural language processing of user-provided text

Номер патента: US09727553B2. Автор: Anatoly Starostin,Egor Yakovlev. Владелец: ABBYY Production LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device design method, system and computer program product

Номер патента: US09501593B2. Автор: Chien-Wen Chen,Tsung-Hsin Yu,Yung-Chow Peng,Mu-Jen Huang,Wei-Ting Lin,Chih Chi HSIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09466396B2. Автор: Na Yeon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Method for generating descriptive reports from executable clinical protocols

Номер патента: RU2733114C2. Автор: Арвид Рандал НИКОЛААС,Хунчао НИЕ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2020-09-29.

Sense amplifier control circuit and semiconductor device using the same

Номер патента: US7675798B2. Автор: Woo Seok Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-09.

High-speed device for generating unique sequence used for depersonalizing data

Номер патента: RU2665899C1. Автор: Александр Геннадьевич Спеваков,Алексей Владимирович Плугатарев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2018-09-04.

Semiconductor device, for reading fuse data using a command, semiconductor system and operating method thereof

Номер патента: US10102918B2. Автор: Young Bo Shim,Tae Kyun SHIN,Hyeong Soo JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-10-16.

Mode control circuit for semiconductor device and semiconductor memory device having the mode control circuit

Номер патента: US20020186603A1. Автор: Kye-Hyun Kyung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-12.

Methods and devices for improved inverse iterative warping

Номер патента: US12014472B1. Автор: Seyedkoosha MIRHOSSEINI. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Regulation method for the source terminal voltage in a non-volatile memory cell during a program phase and corresponding program circuit

Номер патента: US6822905B2. Автор: Rino Micheloni,Ilaria Motta. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-11-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20020024881A1. Автор: Naohisa Nishioka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-02-28.

Coordinate transformation system for semiconductor device, coordinate transformation method and coordinate transformation program

Номер патента: US6721935B2. Автор: Hiroyuki Morinaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-04-13.

Semiconductor device for performing sum-of-product computation and operating method thereof

Номер патента: US20200133635A1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Chao-Hung Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor device testing memory cells and test method

Номер патента: US20100254196A1. Автор: Jung-Sik Kim,Joung-Wook Moon,Kwun-Soo Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-10-07.

Semiconductor device and programming method

Номер патента: US20070253266A1. Автор: WAI CHAN,Chi Yat Leung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-01.

Method for generating a photorealistic rendering of a cosmetic product

Номер патента: WO2022258273A1. Автор: Ruowei JIANG,Robin Kips,Sileye BA. Владелец: L'oreal. Дата публикации: 2022-12-15.

Method for generating a photorealistic rendering of a cosmetic product

Номер патента: US20240268541A1. Автор: Ruowei JIANG,Robin Kips,Sileye BA. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and memory system

Номер патента: US20240265978A1. Автор: Takayuki Tsukamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor device, and semiconductor memory device

Номер патента: US20240257884A1. Автор: Mikio Shiraishi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device including internal transmission path and stacked semiconductor device using the same

Номер патента: US20240194232A1. Автор: Jinhyung LEE,Chang Kwon Lee,Myeong Jae PARK,Su Hyun OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Method and device for simulating performance of semiconductor device, and system and method for evaluating performance of semiconductor device

Номер патента: US20240070362A1. Автор: Sung-min Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

System and Method for Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20230161942A1. Автор: Yung-Shun Chen,Chih-Chiang Chang,Tai-Yi CHEN,Tse-Hung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor device relating to generate target address to execute a refresh operation

Номер патента: US09947384B1. Автор: Dong Yoon KA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Sense amplifier driving device and semiconductor device including the same

Номер патента: US09552850B2. Автор: Young Geun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20040022091A1. Автор: Kaoru Mori,Shinichi Yamada,Masato Matsumiya,Toru Koga,Satoshi Eto,Toshikazu Nakamura,Kuninori Kawabata,Ayako Kitamoto,Hideki Kanou,Masato Takita,Masatomo Hasegawa,Yuki Ishii. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-02-05.

Semiconductor device and power supply using the same

Номер патента: US20090243575A1. Автор: Takashi Hirao,Takayuki Hashimoto,Koji Tateno,Noboru Akiyama,Takuya Ishigaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Method and device for generating and applying reference signal for broadcast channel for radio communication system

Номер патента: RU2765035C2. Автор: Тацуси АИБА,Тосидзо Ногами,Цзя ШЭН. Владелец: ЭфДжи ИННОВЕЙШН КОМПАНИ ЛИМИТЕД. Дата публикации: 2022-01-24.

Device for multichannel adaptive echo signal compensation

Номер патента: RU2722220C1. Автор: Юрий Анатольевич Кропотов,Алексей Анатольевич Белов,Александр Юрьевич Проскуряков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Владимирский Государственный Университет имени Александра Григорьевича и Николая Григорьевича Столетовых" (ВлГУ). Дата публикации: 2020-05-28.

Semiconductor device and receiver

Номер патента: US20150103931A1. Автор: Toshiya Aramaki,Kiyoshi Yanagisawa,Osamu Inagawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-04-16.

Device for application of edge offset

Номер патента: RU2686010C2. Автор: Мин ДЗАНГ. Владелец: Инфобридж Пте. Лтд.. Дата публикации: 2019-04-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20160043118A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20140319588A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-10-30.

Group-iii nitride semiconductor device, epitaxial substrate, and method of fabricating group-iii nitride semiconductor device

Номер патента: US20120299010A1. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Device and method for generating a high voltage

Номер патента: EP1193850B1. Автор: Jan Doutreloigne. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2010-11-10.

Semiconductor device having capacitance element, arranged close to mos transistor and having dielectric made of electrostrictive material

Номер патента: US20080061339A1. Автор: Kensuke Okonogi,Kiyonori Ohyu. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-03-13.

Semiconductor device and motor control system

Номер патента: US20210265933A1. Автор: Chengzhe LI,Hengquan Jin,Guanyuan Chen. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Power supply device, electronic device using the same, and semiconductor device

Номер патента: US20090273327A1. Автор: Tomoyuki Ito,Isao Yamamoto,Yoichi Tamegai,Koki Tamakawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-11-05.

Power supply and drive device for a permanent magnet electric motor

Номер патента: US09954433B2. Автор: Marco Venturini,Marco Calvini. Владелец: Phase Motion Control SpA. Дата публикации: 2018-04-24.

Electron cyclotron resonance -plasma source to process semiconductor structures, method to process semiconductor structures, process of manufacture of semiconductor devices and integrated circuits ( variants ), semiconductor device or integrated circuit ( variants )

Номер патента: RU2216818C1. Автор: Ю.С. Четверов,В.А. Тулин,С.Ю. Шаповал,ков В.Е. Земл,В.Е. Земляков,В.Л. Гуртовой. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЭпиЛаб". Дата публикации: 2003-11-20.

Discrete component backward traceability and semiconductor device forward traceability

Номер патента: EP2625708A1. Автор: Hem Takiar,Cheeman Yu,Frank Lu,Jiaming Shi,Didier Chavet,Chih-Chiang Tung. Владелец: SanDisk SemiConductor Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-14.

Communication system and semiconductor device

Номер патента: US10575161B2. Автор: Yasutake MANABE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-02-25.

Communication system and semiconductor device

Номер патента: US20180262896A1. Автор: Yasutake MANABE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-09-13.

Thermoelectric semiconductor device for thermoodontometry

Номер патента: RU2624806C1. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Ширали Абдулкадиевич Юсуфов,Тамила Арслановна Рагимова,Меджид Нисрединович Меджидов,Зейнаб Шахмандаровна Шахмаева. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2017-07-06.

Method for operating an optoelectronic semiconductor device and optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US20210385918A1. Автор: Uli Hiller,Martin Moritz,Sebastian Stigler,Benjamin Höflinger. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor device and battery monitoring system

Номер патента: US09887569B2. Автор: Kenji Yanagawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Power LDMOS semiconductor device with reduced on-resistance and manufacturing method thereof

Номер патента: US09484436B2. Автор: Antonello Santangelo,Salvatore Cascino,Leonardo Gervasi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-11-01.

Power LDMOS semiconductor device with reduced on-resistance and manufacturing method thereof

Номер патента: US09450076B2. Автор: Antonello Santangelo,Salvatore Cascino,Leonardo Gervasi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor Device Manufacturing Apparatus Capable Of Reducing Particle Contamination

Номер патента: US20120003837A1. Автор: Kenji Maeda,Hiroyuki Kobayashi,Kenetsu Yokogawa,Masaru Izawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-05.

Device for separation of composite structure from substrate on basis of semiconductor film (options)

Номер патента: RU2683808C1. Автор: Евгений Александрович Емельянов,Михаил Альбертович Путято,Валерий Владимирович Преображенский,Михаил Олегович Петрушков,Борис Рэмович Семягин,Дмитрий Федорович Феклин,Андрей Васильевич Васев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2019-04-02.

Interconnection structure, semiconductor device with interconnection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230046051A1. Автор: Jong Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Method and apparatus for generating reference signal

Номер патента: EP2555439A4. Автор: QIANG LI,Mingyu Zhou,Zuomin Wu,Yuan XIA. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-05.

Semiconductor device with appraisal circuitry

Номер патента: US20110297935A1. Автор: Andreas Roth,Andreas Laudenbach,Hubert Bode. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-12-08.

Edge Seal for Bonded Stacks of Different Size Semiconductor Devices

Номер патента: US20240038613A1. Автор: Arun Ramakrishnan,Liming Tsau,Reza Sharifi,Dharmendra Saraswat,Sam Zhao,Sam Karikalan,Mayank Mayukh. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Analysis method, computer-readable medium, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240347315A1. Автор: Yusuke Shimizu. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device

Номер патента: US09871036B2. Автор: Yasutaka Nakashiba,Yutaka Akiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Device for regulating physiological processes in biological object

Номер патента: RU2341851C1. Автор: Юрий Александрович Ткаченко,кин Александр Михайлович Кожем,Александр Михайлович Кожемякин. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Сем Технолоджи". Дата публикации: 2008-12-20.

Method for generating reference currents in proportion to enable control of average power and extinction ratio of laser modulation in an optical transmitter

Номер патента: WO2018184874A1. Автор: Dominique COUE,William REDMAN -WHITE. Владелец: HILIGHT SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2018-10-11.

A processing device for a network access node for generating phase compensated modulation symbols

Номер патента: WO2019101371A1. Автор: NENG Wang,Qian Zhang,Bengt Lindoff,Wenquan HU,Jingxin Wei. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-05-31.

Semiconductor device and method of manufaturing the same

Номер патента: US20070243684A1. Автор: Masahiro Yoshida,Noriyuki Ota,Nobuyuki Katsuki,Atsushi Nakagawa,Atsushi Oga,Kenta Arai,Shuuichi Senou,Tomotaka Murakami. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050087774A1. Автор: Masahiro Yoshida,Noriyuki Ota,Nobuyuki Katsuki,Atsushi Nakagawa,Atsushi Oga,Kenta Arai,Shuuichi Senou,Tomotaka Murakami. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-04-28.

Single chip semiconductor device for implementing a side-tone function in a telephone

Номер патента: EP1211874A3. Автор: Kosaku Aida,Tetsuya Nakagawa,Eiji Kubo,Mark Walton,Nobuya Kasai. Владелец: Hitachi Micro Systems Europe Ltd. Дата публикации: 2003-01-22.

Semiconductor device

Номер патента: US09673142B2. Автор: Kazuyuki Sakata,Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US09646872B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for Generating Reference Currents in Proportion to Enable Control of Average Power and Extinction Ratio of Laser Modulation in an Optical Transmitter

Номер патента: US20180294886A1. Автор: William Redman-White,Dominique COUE. Владелец: Hilight Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-10-11.

Semiconductor devices with graded dopant regions

Номер патента: US20160172447A1. Автор: G.R. Mohan Rao. Владелец: GREENTHREAD LLC. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor devices with graded dopant regions

Номер патента: US20210359086A1. Автор: G.R. Mohan Rao. Владелец: Vervain LLC. Дата публикации: 2021-11-18.

Semiconductor devices with graded dopant regions

Номер патента: US20170243876A1. Автор: G.R. Mohan Rao. Владелец: GREENTHREAD LLC. Дата публикации: 2017-08-24.

Semiconductor devices with graded dopant regions

Номер патента: US20200127095A1. Автор: G.R. Mohan Rao. Владелец: GREENTHREAD LLC. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor devices with graded dopant regions

Номер патента: US20210005716A1. Автор: G.R. Mohan Rao. Владелец: GREENTHREAD LLC. Дата публикации: 2021-01-07.

Semiconductor devices with graded dopant regions

Номер патента: US20130221488A1. Автор: G.R. Mohan Rao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-08-29.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20180350901A1. Автор: Takashi Yoshimura,Masayuki Miyazaki,Hiroshi TAKISHITA,Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

System and method for generating message reference number for a mobile communication station

Номер патента: US7236800B2. Автор: Hyun-Sung Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2007-06-26.

Electronic device for synchronizing time of different data records and method thereof

Номер патента: US12063609B2. Автор: Sungjun KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device

Номер патента: EP3703118A1. Автор: Soichiro UMEDA,Takenori ISHIOKA. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-02.

Semiconductor device for controlling power supply

Номер патента: US09960690B2. Автор: Hiroki Matsuda. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: US09768246B2. Автор: Takashi Yoshimura,Masayuki Miyazaki,Hiroshi TAKISHITA,Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device

Номер патента: US09741725B2. Автор: Nobuo Tsuboi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor devices with graded dopant regions

Номер патента: US09647070B2. Автор: G. R. Mohan Rao. Владелец: GREENTHREAD LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device for surface mounting

Номер патента: RU2635338C2. Автор: Йозеф Андреас ШУГ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-11-10.

Thermoelectric semiconductor device for massaging neck-collar zone

Номер патента: RU2634688C1. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Мадина Абдулаевна Хазамова,Тамила Арслановна Рагимова,Елена Гасанбековна Кациева,Тамара Азаматовна Рагимова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2017-11-02.

Application of industrial watch stone as the millimeter range wave length semiconductor device housing and the oscillator with such device

Номер патента: RU2657324C2. Автор: Елизавета Алексеевна Смирнова,Николай Федорович Карушкин,Илья Андреевич Обухов. Владелец: ООО "НПО "Синергетика". Дата публикации: 2018-06-13.

Light-emitting semiconductor device, optoelectronic component, projection device and electronic device

Номер патента: WO2023247720A1. Автор: Joerg Erich Sorg,Bilal SAIF. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-12-28.

Arrangements of power semiconductor devices for improved thermal performance

Номер патента: WO2023028412A1. Автор: Brice Mcpherson,Brandon PASSMORE,Benjamin A. Samples. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2023-03-02.

Arrangements of power semiconductor devices for improved thermal performance

Номер патента: EP4393014A1. Автор: Brice Mcpherson,Brandon PASSMORE,Benjamin A. Samples. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device whose internal power supply voltage is generated by voltage step-up circuit

Номер патента: US20090219082A1. Автор: Yuki Hosoe. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-09-03.

Circuits and methods for generating a continuous current sense signal

Номер патента: US12040692B2. Автор: Tim Wen Hui Yu,Buddhika Abesingha. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and data transfer system

Номер патента: US20040108880A1. Автор: Hiroshi Takase. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-06-10.

Method and Device for Regulating Separately Excited Synchronous Machines

Номер патента: US20130207589A1. Автор: Moritz MÄRGNER,Oliver Mill,Krzysztof Jaszczak. Владелец: Continental Automotive GmbH. Дата публикации: 2013-08-15.

Methods for fabricating a compound semiconductor protection device for low voltage and high speed data lines

Номер патента: US20030176042A1. Автор: Vrej Barkhordarian. Владелец: Linfinity Microelectronics Inc. Дата публикации: 2003-09-18.

Semiconductor device

Номер патента: US09911803B2. Автор: Jun Saito,Toshimasa Yamamoto,Yukihiko Watanabe,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor device containing oxygen-related thermal donors

Номер патента: US09825131B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Moriz Jelinek,Werner Schustereder,Michael Stadtmueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and an integrated circuit comprising an ESD protection device, ESD protection devices and a method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09825020B2. Автор: Patrice Besse,Alexis Huot-Marchand,Alain SALLES,Jean-Philippe Laine. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and related protection methods

Номер патента: US09780558B2. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Richard J. De Souza,Mazhar Ul Hoque. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09711659B2. Автор: Osamu Sasaki,Masaru Saito,Masaharu Yamaji,Taichi KARINO. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Method and apparatus for generating a reference frame and method and apparatus for encoding/decoding image using the same

Номер патента: US09686549B2. Автор: Byeungwoo Jeon,Joohee Moon,Yunglyul Lee,Haekwang Kim,Hayoon Kim,Daeyeon Kim,Donghoon Han,Kioh Kim. Владелец: SK TELECOM CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and an integrated circuit comprising an ESD protection device, ESD protection devices and a method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09620495B2. Автор: Patrice Besse,Alexis Huot-Marchand,Alain SALLES,Jean-Philippe Laine. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Device for holding multiple semiconductor devices during thermocompression bonding and method of bonding

Номер патента: US09484241B2. Автор: Chun Ho Fan,Man Chung CHAN. Владелец: ASM TECHNOLOGY SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Thermoelectric semiconductor device for neck-collar zone massage

Номер патента: RU2641849C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Мадина Абдулаевна Хазамова,Тамила Арслановна Рагимова,Елена Гасанбековна Кациева,Джамиля Кадировна Рамазанова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-01-22.

Thermoelectric semiconductor device for neck-collar zone massage

Номер патента: RU2641848C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Мадина Абдулаевна Хазамова,Тамила Арслановна Рагимова,Елена Гасанбековна Кациева,Джамиля Кадировна Рамазанова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-01-22.

An electrostatic discharge, esd, protection semiconductor device for providing esd protection between a first and a second terminal of another semiconductor device, as well as a corresponding metal oxide semiconductor, mos, field effect transistor, fet, and a related method

Номер патента: US20240120331A1. Автор: Manoj Kumar,Chinmoy Khaund,Kilian ONG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-04-11.

Controlled organic semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: EP4139972A1. Автор: Karl Leo,Hans Kleemann,Michael Sawatzki. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET DRESDEN. Дата публикации: 2023-03-01.

Controlled organic semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: WO2021214219A1. Автор: Karl Leo,Hans Kleemann,Michael Sawatzki. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAT DRESDEN. Дата публикации: 2021-10-28.

Deep trench capacitor for soi cmos devices for soft error immunity

Номер патента: US20110177660A1. Автор: Kerry Bernstein,Francis R. White,John E. Barth, Jr.,Ethan H. Cannon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-07-21.

Deep trench capacitor for soi cmos devices for soft error immunity

Номер патента: US20100052026A1. Автор: Kerry Bernstein,John Edward Barth, Jr.,Francis Roger White,Ethan Harrison Cannon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-03-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20240234261A1. Автор: Masaharu Yamaji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20240258389A1. Автор: Manabu Yanagihara,Hirotaka Otake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Compound semiconductor devices having buried resistors formed in buffer layer

Номер патента: US20160358905A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-08.

Compound semiconductor devices having buried resistors formed in buffer layer

Номер патента: US20190027471A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20140284756A1. Автор: Hiroshi Ohta,Hiroaki Yamashita,Syotaro Ono,Masaru Izumisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Semiconductor device, fabrication method, and electronic device

Номер патента: EP3958295A1. Автор: Weibin Chen,Zilan Li,Shuxin Zhang. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-23.

Method of forming a semiconductor device with a multi-layer WSix film with small grain size structure, and a semiconductor device having a polysilicon layer with a multi-layer WSix film formed thereon

Номер патента: US20030100184A1. Автор: Hsiao-Che Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240365677A1. Автор: Rai-Min Huang,Jia-Rong Wu,Yi-An Shih,I-Fan Chang,Hsiu-Hao Hu,Po Kai Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Device architecture and method for precision enhancement of vertical semiconductor devices

Номер патента: US09997455B2. Автор: Thomas E. Harrington, III. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device, semiconductor memory device and communication system

Номер патента: US09923627B2. Автор: Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, method for manufacturing semiconductor base, silicon carbide semiconductor device, and device for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09911811B2. Автор: Yusuke Fukuda,Yoshiyuki Watanabe. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Packaging devices and methods for semiconductor devices

Номер патента: US09893021B2. Автор: Wensen Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Apparatus for flipping semiconductor device for transferring the semiconductor device between substrates

Номер патента: US09754808B2. Автор: Chia-Liang Hsu,Chih-Wei WEI. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US09633998B2. Автор: Alexey Vert,Peter Almern Losee,Ahmed Elasser,Stanislav Ivanovich Soloviev,Alexander Viktorovich Bolotnikov. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-04-25.

Device architecture and method for precision enhancement of vertical semiconductor devices

Номер патента: US09589889B2. Автор: Thomas E. Harrington, III. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2017-03-07.

Pattern structures in semiconductor devices and methods of forming pattern structures in semiconductor devices

Номер патента: US09558993B2. Автор: Jaehan Lee,Jaehwang SIM,Keonsoo Kim,Jaeho Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Seal ring structure with rounded corners for semiconductor devices

Номер патента: US09530813B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Yun-Wei Cheng,Volume Chien,Chi-Cherng Jeng,Shiu-Ko Jangjian,I-l Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Vertical non-planar semiconductor device for system-on-chip (SoC) applications

Номер патента: US09520494B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park,Curtis Tsai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Chemical dielectric formation for semiconductor device fabrication

Номер патента: US09466495B2. Автор: Shao-Jyun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Device for transferring power from a first circuit to a second circuit

Номер патента: US09456257B2. Автор: Rajarshi Mukhopadhyay,Mark W. Morgan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Device for controlling a gas-discharge lamp for use in a motor vehicle

Номер патента: US5151634A. Автор: Andrea Nepote,Marcello Boella. Владелец: Marelli Autronica SpA. Дата публикации: 1992-09-29.

Method of fabricating semiconductor device, and plating apparatus

Номер патента: US8038864B2. Автор: Koji Arita,Ryohei Kitao. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-10-18.

Method for manufacturing semiconductor device, and device for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230377893A1. Автор: Tadahiro Ishizaka,Shunji YAMAKAWA,Kohichi Satoh,Masato Sakamoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210272797A1. Автор: Naoko Kodama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Method of fabricating semiconductor device, and plating apparatus

Номер патента: US20080023335A1. Автор: Koji Arita,Ryohei Kitao. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-01-31.

Semiconductor Device for Improving the Peak Induced Voltage in Switching Converter

Номер патента: US20100117142A1. Автор: Shih-Chieh Hung,Wei-Chieh Lin,Hsin-Yu Hsu,Jen-Hao Yeh,Hsin-Yen Chiu,Ho-Tai Chen,Li-Cheng Lin. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Method and Device for Generating Pulsed Laser Radiation

Номер патента: US20190199054A1. Автор: Thomas A. Puppe,Rafal Wilk,Ali Seer,Russell Kliese,Matthias Hohenleutner. Владелец: TOPTICA PHOTONICS AG. Дата публикации: 2019-06-27.

Substrate Processing Apparatus, Electrode Structure and Method of Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20230307212A1. Автор: Tsuyoshi Takeda,Hiroshi Nakajo,Daisuke Hara,Iichiro Tsuchikura. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Low mismatch semiconductor device and method for fabricating same

Номер патента: US20110186934A1. Автор: Akira Ito,Xiangdong Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-08-04.

Manufacturing method of semiconductor device and dry etching apparatus for the same

Номер патента: US20140273482A1. Автор: Masaki Matsui,Yoshinori Tsuchiya,Shinichi Hoshi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20080283965A1. Автор: Kazutoshi Nakamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-11-20.

Semiconductor device

Номер патента: US11476197B2. Автор: Kentaro Chikamatsu,Hirotaka Otake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-10-18.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: US6201291B1. Автор: Srdjan Kordic,Mareike K. Klee,Wilhelm A. Groen,Cornelis A. H. A. Mutsaers. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2001-03-13.

Process monitoring structures for via etch processes for semiconductor devices

Номер патента: US20240162097A1. Автор: YAN Luo,René Wientjes,Poh Cheng Tan,Deo Brat Singh,Sudeep Gudla. Владелец: Systems on Silicon Manufacturing Co Pte Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Optoelectronic semiconductor device, array of optoelectronic semiconductor devices and method for manufacturing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US20240322069A1. Автор: Tansen Varghese. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and semiconductor package comprising the same

Номер патента: US09966317B2. Автор: Jong-Hyun Choi,Joung-yeal Kim,Mi-Young Woo,Dae-Hyun KWON,Joon-Sun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Method and apparatus for cooling a semiconductor device

Номер патента: US09917034B2. Автор: Choon Meng Chua,Lian Ser Koh,Sze Wei CHOONG. Владелец: SEMICAPS PTE LTD. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871101B2. Автор: Chien-Hsun Wang,Chun-Hsiung Lin,Carlos H. Diaz,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device, imaging device, and electronic device

Номер патента: US09848144B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yuki Okamoto,Munehiro KOZUMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device

Номер патента: US09741798B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Takashi Shinohe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Shift control method in manufacture of semiconductor device

Номер патента: US20240379617A1. Автор: Chih-Wei Wu,Ying-Ching Shih,Hsien-Ju Tsou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

High voltage metal oxide semiconductor device and method for making same

Номер патента: US09627524B2. Автор: Hung-Der Su,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Huan-Ping Chu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-04-18.

PCSS-based semiconductor device, switching device, and method

Номер патента: US09595623B1. Автор: Chenggang Xie. Владелец: ROCKWELL COLLINS INC. Дата публикации: 2017-03-14.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09589923B2. Автор: Masatoshi Yasunaga,Kenya Hironaga,Soshi KURODA,Tatsuya Hirai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Apparatus and method for generating/recovering motion information based on predictive motion vector index encoding, and apparatus and method for image encoding/decoding using same

Номер патента: US09578330B2. Автор: Byeungwoo Jeon,Jinhan Song,Jeongyeon Lim,Joohee Moon,Yunglyul Lee,Haekwang Kim,Jongki Han. Владелец: SK TELECOM CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device

Номер патента: US09461016B2. Автор: Shuuichi Kariyazaki,Kenichi Kuboyama,Ryuichi Oikawa,Wataru SHIROI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Device for controlling the smoothing incidence of electric vaccuum cathodes

Номер патента: RU2745110C1. Автор: Анатолий Викторович Мазин,Александр Анатольевич Корнеев. Владелец: Александр Анатольевич Корнеев. Дата публикации: 2021-03-22.

Semiconductor device, method for testing same and transmitting circuit

Номер патента: US8761599B2. Автор: Toyoaki Uo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-24.

Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and program

Номер патента: EP4060077A2. Автор: Taketoshi Sato,Makoto Sambu,Hideharu Itatani. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2022-09-21.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: EP1792335A2. Автор: Steven T. Philips IP & Standards GmbH PEAKE. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2007-06-06.

Semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20160035713A1. Автор: Kazushige Iwamoto. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-04.

Semiconductor device having two-phase cooling structure

Номер патента: US20240203821A1. Автор: Seogwoo Hong,Sungchan Kang,Daehyuk SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Reliable gap-filling process and apparatus for performing the process in the manufacturing of semiconductor devices

Номер патента: US20090017595A1. Автор: Jin-Ho Jeon,Yong-Kyu Kim,Kyoung-Soo Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-15.

Semiconductor device and method of producing thereof

Номер патента: US20240113216A1. Автор: Carsten Schaeffer,Yuliya Lisunova,Andreas Frank Behrendt,Simon Paul Sindermann,Adriana Mercedes Sanchez Lotero,Silke Liebscher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-04-04.

Insulated-gate semiconductor device for a rectifier

Номер патента: US6649985B1. Автор: Ikuo Nishimoto,Tatsuya Ueno. Владелец: Azbil Corp. Дата публикации: 2003-11-18.

Semiconductor device for radio communication device, and radio communication device using said semiconductor device

Номер патента: US7088983B2. Автор: Junichi Hikita,Hiroo Mochida,Katsutoshi Nagi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-08-08.

Method of manufacturing silicon rich oxide (SRO) and semiconductor device employing SRO

Номер патента: US20070072424A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20230085217A1. Автор: Shigefumi Ishiguro. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor device having two-phase cooling structure

Номер патента: EP4386832A2. Автор: Seogwoo Hong,Sungchan Kang,Daehyuk SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-19.

Semiconductor device having two-phase cooling structure

Номер патента: EP4386832A3. Автор: Seogwoo Hong,Sungchan Kang,Daehyuk SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-17.

Integrated method for low-cost wide band gap semiconductor device manufacturing

Номер патента: WO2022115683A3. Автор: Bishnu Prasanna Gogoi,Tirunelveli Subramaniam Ravi. Владелец: Crystal Technologies LLC. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20060214705A1. Автор: Akira Ikeuchi,Kazuhiro Ooshita. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-28.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and camera

Номер патента: US20140008753A1. Автор: Yasushi Kurihara,Koji Tsuduki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-01-09.

Methods of manufacturing trench semiconductor devices with edge termination structures

Номер патента: US20160276475A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,Edouard deFresart. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor device, electronic device module and network system

Номер патента: US20160191752A1. Автор: Kazunori Masaki,Motoshige Ikeda,Yuichi Takitsune. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Method of manufacturing a thin dielectric layer using a heat treatment and a semiconductor device formed using the method

Номер патента: US7041557B2. Автор: Ji-hoon Park,Sung-Woo Park,Jeong-Uk Han,Sung-taeg Kang,Bo-Young Seo,Seung-Beom Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-09.

Wafer bonded access device for multi-layer phase change memory using lock-and-key alignment

Номер патента: US20110049455A1. Автор: Kuan-Neng Chen,Matthew J. Breitwisch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

Direct cooling device for integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266253A1. Автор: Hyun Wook Jung,Jong Won Lim,Min Soo Kang,Sung Jae Chang,Ho Kyun Ahn,Sang Heung LEE,Hae Cheon Kim,Seong Il Kim,Hyoung Soon Lee,Il Gyu CHOI,Jun Rae PARK. Владелец: Republic Of Korea Defense Acquisition Program Administration. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device, manufacturing method and electronic equipment

Номер патента: US12100759B2. Автор: Weibin Chen,Zilan Li,Shuxin Zhang. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: WO1999030363A3. Автор: Srdjan Kordic,Cornelis Adrianus Hen Mutsaers,Wilhelm Albert Groen,Mareike Katharine Klee. Владелец: Philips Svenska AB. Дата публикации: 1999-08-26.

Semiconductor device package having metal thermal interface material

Номер патента: US12119237B2. Автор: Chen-Shien Chen,Chien-Li Kuo,Chin-Fu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Energy harvest and storage device for semiconductor chips and methods for forming the same

Номер патента: US12057516B2. Автор: Kuo-Ching Huang,Yi Ching Ong,Fu-Hai Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device including oxide current aperture

Номер патента: US09978909B2. Автор: Martin F. Schubert,Michael Grundmann. Владелец: X Development LLC. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US09935093B2. Автор: Kazushige Iwamoto. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09893195B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yusuke Sekine,Tatsuya Honda,Kosei Noda,Hiroyuki Tomatsu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and display device

Номер патента: US09793801B2. Автор: Kei Takahashi,Yoshiaki Ito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device assembly with package interconnect extending into overlying spacer material, and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US09508686B2. Автор: Todd O. Bolken,Chan Yoo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of manufacturing semiconductor device and wafer

Номер патента: US09410233B2. Автор: HAIYANG Zhang,Xiaoying Meng,Junqing Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Method, system and device for cryptographic protection of communication channels of unmanned aerial systems

Номер патента: RU2704268C1. Автор: Юрий Васильевич Романец,Сергей Петрович Панасенко,Владимир Кимович Сырчин,Кирилл Викторович Борисов,Ирина Евгеньевна Любушкина,Артем Владимирович Сиротин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Фирма "Анкад". Дата публикации: 2019-10-25.

Device for generation and processing of broadband signals

Номер патента: RU2691733C1. Автор: Алексей Николаевич Асосков,Юрий Владимирович Левченко,Ирина Николаевна Малышева,Юрий Алексеевич Плахотнюк,Николай Николаевич Авдеев,Борис Владимирович Дедов. Владелец: Акционерное общество "Концерн "Созвездие". Дата публикации: 2019-06-18.

Method and device for generation of a zc sequence of a random access channel

Номер патента: RU2658551C1. Автор: Цян У,Цзянхуа ЛЮ,Чжихэн ГО,Леймин ЧЖАН,Цзянцинь ЛЮ. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-06-22.

Method for manufacturing semiconductor device using plasma-enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US12027364B2. Автор: Ting-Chuan Lee,Chun-Jung Tsai,Chun-Hsien Tsai,Kuang-Jui Chang,Tsung-Fu Yen. Владелец: Taiwan Carbon Nano Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Asymmetric threshold voltages in semiconductor devices

Номер патента: US20200381520A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20030209742A1. Автор: Masahiro Hayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-11-13.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200020536A1. Автор: Daisuke Arai,Koichi Murakami,Noriaki Suzuki,Takeshi Asada,Mizue Kitada. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Optically triggered semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20130153953A1. Автор: ARTHUR STEPHEN DALEY,Alexey Vert,Peter Almern Losee,Ahmed Elasser,Stanislav I. Soloviev. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2013-06-20.

Optically triggered semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US8691634B2. Автор: Stephen Daley Arthur,Alexey Vert,Peter Almern Losee,Ahmed Elasser,Stanislav Ivanovich Soloviev. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2014-04-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20240164118A1. Автор: Kazuaki TSUCHIYAMA,Tatsuaki Tsukuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device for emitting highly spin-polarized electron beam

Номер патента: CA2067843A1. Автор: Toshihiro Kato,Tsutomu Nakanishi,Takashi Saka,Hiromichi Horinaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-11-03.

Semiconductor device for transmitting electromagnetic radiation and method for production thereof

Номер патента: US11967666B2. Автор: Andreas Waag,Sönke Fündling,Frederik Steib. Владелец: Technische Universitaet Braunschweig Korperschaft Des Offentlichen Rechts. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20020073300A1. Автор: Kosaku Aida,Tetsuya Nakagawa,Eiji Kubo,Mark Walton,Nobuya Kasai. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-06-13.

High voltage semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080283915A1. Автор: Duck-Ki Jang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-11-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20120013342A1. Автор: Takeshi Osada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-19.

Semiconductor device, printed circuit board (PCB), and method of interfacing control pin (gate pin) of a power semiconductor device (MOSFET) to a printed circuit board (PCB)

Номер патента: US12080634B2. Автор: James Richard Stanfield,James P. Mcbride. Владелец: Noco Co. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060223274A1. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Yoshio Shimoida,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-05.

Dipping detecting device for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20080090311A1. Автор: Youn-Sung Ko,Yong-Kyun Sun,Dong-joo ROH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-17.

Driving Device for Driving a Light Emitting Unit

Номер патента: US20090302767A1. Автор: Chun-Ta Chen,Chun-Chuan Wang. Владелец: Power Up Inc. Дата публикации: 2009-12-10.

Substrates of semiconductor devices for heat dissipation

Номер патента: US20240222224A1. Автор: Steven Shank,Rajendran Krishnasamy,Siva P. Adusumilli,Yves Ngu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Current protection-type semiconductor device

Номер патента: EP4435864A1. Автор: Wenfang Du,Xinjiang LV,Xuqiang ZHU. Владелец: Nanjing Sinnopower Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Semiconductor device with 2-phase cooling structure

Номер патента: US20240321680A1. Автор: Seogwoo Hong,Sungchan Kang,Daehyuk SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device with 2-phase cooling structure

Номер патента: EP4435850A1. Автор: Seogwoo Hong,Sungchan Kang,Daehyuk SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-25.

Control of flatband voltage in deposition of halogenated dielectric oxide

Номер патента: WO2024167931A1. Автор: Ravi Kumar,Jennifer Leigh PETRAGLIA,Konner Eric Kurt HOLDEN. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device for audio

Номер патента: US20240304591A1. Автор: Yosuke Sato. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Coupled polysilicon guard rings for enhancing breakdown voltage in a power semiconductor device

Номер патента: US12136646B2. Автор: Sorin Georgescu,Kuo-Chang Yang. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device for a low-loss antenna switch

Номер патента: US20240371859A1. Автор: Jun-De JIN,Tzu-Jin Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device for a low-loss antenna switch

Номер патента: US12080706B2. Автор: Jun-De JIN,Tzu-Jin Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Bidirectional semiconductor device for protection against electrostatic discharges

Номер патента: US09991173B2. Автор: Philippe Galy,Johan Bourgeat. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2018-06-05.

Interleaved DC-DC converter and semiconductor device having interleaved DC-DC converter

Номер патента: US09973089B1. Автор: Akira Ichinose,Satoshi Nakamoto,Youichi TERASAWA,Yoshimichi TADAMASA. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Mounting and environmental protection device for an IGBT module

Номер патента: US09824953B1. Автор: Eric Andris,Daniel Sergison,William Mische,Basheer Qattum. Владелец: Caterpillar Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for manufacturing a semiconductor device having an oxide semiconductor layer

Номер патента: US09721811B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Methods and devices for back end of line via formation

Номер патента: US09691654B1. Автор: Sunil Kumar Singh,Ravi Prakash Srivastava,Sohan Singh Mehta. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device

Номер патента: US09640526B2. Автор: Koki Narita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Apparatus and method for generating a disparity map in a receiving device

Номер патента: US09628769B2. Автор: Thomas Edward Horlander. Владелец: Thomson Licensing DTV SAS. Дата публикации: 2017-04-18.

Methods and devices for metal filling processes

Номер патента: US09613909B2. Автор: Sunil Kumar Singh,Ravi Prakash Srivastava,Nicholas Robert STOKES. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device

Номер патента: US09613884B2. Автор: Chi Hoon Jun,Sang Choon KO,Eun Soo Nam,Hyung Seok Lee,Jeho NA,Dong Yun Jung. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-04-04.

Silicon carbide epitaxial wafer, method for manufacturing silicon carbide epitaxial wafer, device for manufacturing silicon carbide epitaxial wafer, and silicon carbide semiconductor element

Номер патента: US09587326B2. Автор: Kentaro Tamura,Kazutoshi Kojima,Keiko MASUMOTO. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-03-07.

Solder pad for semiconductor device package

Номер патента: US09548280B2. Автор: Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Vijay Sarihan. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device

Номер патента: US09531269B2. Автор: Chen Kong TEH. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Method and apparatus for generating a reference signal sequence in a wireless communication system

Номер патента: US09425936B2. Автор: Seung Hee Han,Min Seok Noh,Jae Hoon Chung,Hyun Soo Ko,Moon Il Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for generating a signal with software tuning of the operating frequency with variable parameters

Номер патента: RU2765862C1. Автор: Сергей Викторович Дворников,Александр Викторович Пшеничников,Михаил Александрович Семисошенко,Сергей Сергеевич Манаенко,Дмитрий Игоревич Кирик,Валерий Юрьевич Бобков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный университет телекоммуникаций им. проф. М.А. Бонч-Бруевича". Дата публикации: 2022-02-03.

Device for generating powerful broadband signals on amplitude modulators

Номер патента: RU2767454C1. Автор: Владимир Федорович Лукин. Владелец: Акционерное общество "Московский радиотехнический институт Российской академии наук" (АО "МРТИ РАН"). Дата публикации: 2022-03-17.

Planar device for generating magnetic field with arbitrary direction

Номер патента: RU2552514C2. Автор: Михаил Николаевич Макурин,Николай Николаевич Олюнин,Ки Ён Ким,Кум Су Сонг. Владелец: Корпорация "САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС Ко., Лтд.". Дата публикации: 2015-06-10.

Semiconductor device with built-in contacts (versions) and method of making semiconductor devices with built-in contacts (versions)

Номер патента: RU2394305C2. Автор: Кеннет Скотт Александр БАТЧЕР,Эп ФУКЕ Мари-Пьер Франсуаз ВИНТРЕБЕР,Аланна Хулия Хуне ФЕРНАНДЕС. Владелец: Гэлиэм Энтерпрайзис Пти Лтд. Дата публикации: 2010-07-10.

Semiconductor device, electronic system device, and driving method thereof

Номер патента: US20200321861A1. Автор: Kazuya Hashimoto,Kazuya Uejima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20170094280A1. Автор: Seiji Mochizuki,Toshiyuki Kaya,Ren Imaoka,Kazushi Akie,Ryoji Hashimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Semiconductor device

Номер патента: US10021397B2. Автор: Seiji Mochizuki,Toshiyuki Kaya,Ren Imaoka,Kazushi Akie,Ryoji Hashimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-07-10.

A device and method for generating ozone

Номер патента: WO2003070631A1. Автор: Bengt Jacobson. Владелец: RADIA AB. Дата публикации: 2003-08-28.

Device for absorbing impact applied to moving body

Номер патента: US20130037358A1. Автор: Eiji Itakura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-02-14.

Method and device for joint orthesis or prosthesis control

Номер патента: RU2533967C2. Автор: Филипп КАМПАС,Мартин ЗЕИР,Роланд ПАВЛИК,Свен КАЛЬТЕНБОРН. Владелец: Отто Бок Хелткэр Продактс Гмбх. Дата публикации: 2014-11-27.

Device for cleaning internal surfaces

Номер патента: RU2676071C1. Автор: Максим Витальевич Омельянюк,Ирина Альбертовна Пахлян. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный технологический университет" (ФГБОУ ВО "КубГТУ"). Дата публикации: 2018-12-25.

A holder device for a transformer

Номер патента: EP1570207A1. Автор: Jan Frode Haaland. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-07.

A holder device for a transformer

Номер патента: WO2004053390A1. Автор: Jan Frode Haaland. Владелец: Jan Frode Haaland. Дата публикации: 2004-06-24.

Method of slotting openings in plastic blank and a device for its implementation

Номер патента: RU2651001C1. Автор: Иосиф Отарович Сааташвили. Владелец: Иосиф Отарович Сааташвили. Дата публикации: 2018-04-18.

Device for cavitation-free flow of water

Номер патента: RU2706864C1. Автор: Валерий Иванович Реут,Роман Александрович Корнеев,Александра Игоревна Атаева. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт расходометрии" (ФГУП "ВНИИР"). Дата публикации: 2019-11-21.

METHOD AND DEVICE FOR REFERENCE POINT INDENTATION WITHOUT A REFERENCE PROBE

Номер патента: US20130122466A1. Автор: Bridges Daniel,Connor Randall,Hansma Paul. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-16.

"DEVICE FOR THE TREATMENT, IN THE PASS, OF A METAL CURRENT OR LIQUID ALLOY, BASED ON ALUMINUM OR MAGNESIUM".

Номер патента: ES516442A0. Автор: . Владелец: Societe de Vente de lAluminium Pechiney SA. Дата публикации: 1983-06-16.

Device for moving or generating a movement of a device-related part

Номер патента: DE102004036748A1. Автор: Kamal Daas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-23.

Multi-stage turbine device for driving electric generator, a generating set with low revolutions per minute

Номер патента: PL421869A1. Автор: Józef Sączek. Владелец: Józef Sączek. Дата публикации: 2018-12-17.

Rotating magnetic field generating device for modulating activity of cells

Номер патента: US20220257963A1. Автор: Jin Woo Cheon,Jae Hyun Lee,Jung Uk Lee. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2022-08-18.

Method and device for improving the component quality of objects manufactured by an additive manufacturing process

Номер патента: US20210001561A1. Автор: Peter Holfelder,Joerg Hamann,Manuel Walter,Ludger Huemmeler. Владелец: EOS GmbH. Дата публикации: 2021-01-07.

Method and device for generation of hydrogen and oxygen from water vapour with electric gravitational hydrogen cell

Номер патента: RU2546149C2. Автор: Виктор Иванович Павлов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Калининградский государственный технический университет". Дата публикации: 2015-04-10.

Emulation of sensory stimuli, emanating from a reference person, for a child

Номер патента: US09604029B2. Автор: Raphael Patrick Manfred Lang,Camilo Andres ANABALÓN ALAMOS. Владелец: Baybe GmbH. Дата публикации: 2017-03-28.

DEVICE FOR DISINFECTION

Номер патента: RU209997U1. Автор: Евгений Александрович Попов,Юрий Валерьевич Гвоздев. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Международная Промышленная Группа Ф7". Дата публикации: 2022-03-24.

Method for generating a low frequency electric stimulus signal and low frequency electric stimulus signal generating apparatus

Номер патента: US4875484A. Автор: Hiroshi Anzai,Atsunori Futsuki. Владелец: Total Human Medical Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1989-10-24.

Device for manufacturing a semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US20230212749A1. Автор: Jung Min Park,Su Hwan Kim,Han Jin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-06.

Method for generating electrical signals and computer-readable medium

Номер патента: US12070602B2. Автор: Jian-Hao Pan,Chi-Heng Chang. Владелец: GIMER MEDICAL CO Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for generating a reference information item of an eye, more particularly an optically displayed reference rhexis, and ophthalmic surgical apparatus

Номер патента: US11628019B2. Автор: Piotr Marczuk. Владелец: CARL ZEISS MEDITEC AG. Дата публикации: 2023-04-18.

Main semiconductor device for controlling air conditioner, and air conditioner of vehicle system having the same

Номер патента: US09994086B2. Автор: Jin Kim,Yongwook Kwon,Sukyoung Rho,Junekyu Park. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device to be embedded within a contact lens

Номер патента: US20160073872A1. Автор: Effendi Leobandung,Ghavam G. Shahidi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor device to be embedded within a contact lens

Номер патента: US09687181B2. Автор: Effendi Leobandung,Ghavam G. Shahidi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Apparatus for generating dental data for manufacturing an aligner and method of manufacturing clear aligner using the apparatus

Номер патента: US09572637B2. Автор: LEE Jinkyun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-21.

Device for non-invasive treatment of skin using laser light

Номер патента: RU2679295C2. Автор: Бабу ВАРГИЗ,Рико ВЕРХАГЕН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2019-02-06.

Thermoelectric semiconductor device for contrast thermoodontometry with removable radiator

Номер патента: RU2616999C1. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Олег Викторович Евдулов,Тамила Арслановна Рагимова,Меджид Нисрединович Меджидов,Тамара Азаматовна Рагимова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2017-04-19.

Device for generating of one-impulse shock wave

Номер патента: RU2352274C2. Автор: Ален ЛЕБЕ. Владелец: ЛМА Уролоджи Лтд.. Дата публикации: 2009-04-20.

Ultrasonic device and device for generation of mechanical oscillations

Номер патента: RU2717205C1. Автор: Цзиньхуа ШАО,Цзинь СУНЬ,Хоули ДУАНЬ,Цян Ван. Владелец: Вуси Хиски Медикал Текнолоджис Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-03-18.

Method and a device for computer assisted surgery

Номер патента: US09687308B2. Автор: Markus Windolf,Christoph Martin Notzli. Владелец: AO TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2017-06-27.

Device for treating a patient using low-intensity radio frequency electromagnetic waves

Номер патента: RU2663637C1. Автор: Сальваторе РИНАЛЬДИ,Ваниа ФОНТАНИ. Владелец: ИРФ Шанхай Медикал Сайенс Ко. Лтд.. Дата публикации: 2018-08-07.

Method and Apparatus for Generating Encoded Content Using Dynamically Optimized Conversion for 3D Movies

Номер патента: US20120002946A1. Автор: Antonellis Darcy,Ostrover Lewis S.,Collar Bradley Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device and method for generating frequency stability flag

Номер патента: JP6700014B2. Автор: 和仁小林,小林　和仁. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-27.

METHOD FOR GENERATING AND TRANSMITTING A REFERENCE SIGNAL FOR UPLINK DEMODULATION IN A CLUSTERED DFT-SPREAD OFDM TRANSMISSION SCHEME

Номер патента: US20120269285A1. Автор: . Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-10-25.

A device for measurement of deviation from a reference axis

Номер патента: AU2014903629A0. Автор: Valerio Carniato. Владелец: Arking Pty Ltd. Дата публикации: 2014-09-25.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Device for measurement of heat resistance transition-housing of semi-conductor device

Номер патента: RU2392631C1. Автор: Алексей Александрович Мальцев,Иван Алексеевич Мальцев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Казанский государственный технический университет им. А.Н. Туполева. Дата публикации: 2010-06-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Measuring device with a measuring section and a reference section

Номер патента: US20120001792A1. Автор: DINGLER Peter,Halder Dipl.-Ing. Ernst. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS AND DEVICES FOR THE SELECTIVE DETECTION OF MICROORGANISMS

Номер патента: US20120003661A1. Автор: . Владелец: C3 JIAN, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001294A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR GENERATING ENERGY BY MEANS OF THERMAL CYCLES WITH HIGH PRESSURE AND MODERATE TEMPERATURE STEAM

Номер патента: US20120000202A1. Автор: Menéndez Salcedo José María,Angulo Aramburu Jerónimo. Владелец: SENER GRUPO DE INGENIERIA, S.A.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND APPARATUS FOR TRANSMITTING A REFERENCE SIGNAL IN A WIRELESS COMMUNICATION SYSTEM

Номер патента: US20120002740A1. Автор: Chung Jae Hoon,Kwon Yeong Hyeon,Han Seung Hee. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Device and Method for Generating Alternating Current

Номер патента: US20120001491A1. Автор: Greizer Frank,Laschinski Joachim,Engel Bernd,Cramer Guenther. Владелец: SMA Solar Technology AG. Дата публикации: 2012-01-05.

CONTROL DEVICE FOR POWER TRANSMISSION DEVICE

Номер патента: US20120004064A1. Автор: . Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001194A1. Автор: Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US20120001230A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method and Apparatus For Inspecting Defect Of Pattern Formed On Semiconductor Device

Номер патента: US20120002861A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND APPARATUS FOR GENERATION OF FREE-SURFACE WAVES USING CAVITY RESONATOR

Номер патента: US20120001434A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RECEIVER, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SIGNAL TRANSMISSION METHOD

Номер патента: US20120002771A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Device for determining amplitude-frequency and phase-frequency characteristics of current shunts

Номер патента: RU2585326C1. Автор: Антон Иванович Заревич,Сергей Васильевич Муравьев,Елена Вячеславовна Бедарева. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2016-05-27.

Device for selection of identical in time operation single-type electromagnetic relays

Номер патента: RU2705558C1. Автор: Александр Гургенович Сукиязов,Леонид Александрович Леонид Александрович Терновской. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет", (ДГТУ). Дата публикации: 2019-11-08.

METHOD AND DEVICE FOR PULSE WIDTH MODULATED ACTIVATION OF AN ELECTRICAL DRIVE MOTOR OF AN ADJUSTMENT ARRANGEMENT

Номер патента: US20120001585A1. Автор: Holzinger Stefan,MORAWEK Roman,Zuffer Daniel. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Device for recording of imperfectness coefficient of semiconductor products voltage-current characteristics

Номер патента: RU2332678C2. Автор: Митрофан Иванович Горлов,Александр Петрович Жарких,Валерий Александрович Небольсин,Анатолий Антонович Щетинин,Николай Николаевич Козьяков,ков Николай Николаевич Козь. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2008-08-27.

SELF-CONTAINED HAND HELD YOKE-CONNECTED DEVICE FOR DISPENSNG A TWO-PART ADHESIVE AEROSOL

Номер патента: US20120000935A1. Автор: Jr. William Gerald,DiMaio,BRUNK DONALD H.. Владелец: E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE FOR THE ANALOG/DIGITAL CONVERSION OF SIGNALS IN A LARGE DYNAMIC RANGE

Номер патента: US20120001786A1. Автор: Hisch Martin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CONTROL DEVICE FOR VEHICLE LAMP, VEHICLE LAMP, AND METHOD OF CONTROLLING VEHICLE LAMP

Номер патента: US20120002430A1. Автор: Yamazaki Masashi,GOTO Kazuo,TOMONO Toshikazu. Владелец: KOITO MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of rejecting semiconductor devices for radiation resistance

Номер патента: RU2253875C2. Автор: В.М. Зыков,Н.Т. Юнда,В.Г. Арчаков,А.В. Шеремет. Владелец: Государственное научное учреждение "Научно-исследовательский институт интроскопии при Томском политехническом университете Министерства образования Российской Федерации" (ГНУ "НИИ ИН при ТПУ"). Дата публикации: 2005-06-10.

Method and device for providing blood constituents

Номер патента: US20120000299A1. Автор: . Владелец: ROCHE DIAGNOSTICS OPERATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Thermoelectric semiconductor device for local carvenous hypothermia

Номер патента: RU2343883C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Гарун Ильясович Аминов,Гарун Иль сович Аминов,Тамила Арслановна Рагимова. Владелец: Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2009-01-20.

Device for selective protection against ground faults in stator winding of generators operating in enlarged unit

Номер патента: RU2286636C1. Автор: Роберт Александрович Вайнштейн,Вера Васильевна Шестакова,Святослав Михайлович Юдин,Александр Михайлович Наумов,Иван Кондратьевич Райспих,Роберт Александрович Вайнштейн (RU),Вера Васильевна Шестакова (RU),Св тослав Михайлович Юдин (RU),Александр Михайлович Наумов (RU),Иван Кондратьевич Райспих (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский политехнический университет. Дата публикации: 2006-10-27.

METHOD AND DEVICE FOR REDUCING QUANTIFICATION NOISE FOR TRANSMITTING A MULTI-CARRIER SIGNAL

Номер патента: US20120002747A1. Автор: Isson Olivier. Владелец: SPIDCOM TECHNOLOGIES. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND DEVICE FOR OPERATING AN INTERNAL COMBUSTION ENGINE

Номер патента: US20120004803A1. Автор: Eser Gerhard,Azadeh Reza,MOSER Wolfgang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method and device for voltage conversion

Номер патента: RU2191462C2. Автор: В.И. Жемеров. Владелец: Государственное унитарное предприятие "Конструкторское бюро приборостроения". Дата публикации: 2002-10-20.

Method and Apparatus for Generating Mood-Based Haptic Feedback

Номер патента: US20120001749A1. Автор: . Владелец: IMMERSION CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND DEVICE FOR CALIBRATING AN ARRAY ANTENNA

Номер патента: US20120001810A1. Автор: Soualle Francis,Wolf Helmut. Владелец: Astrium GmbH. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE FOR CAPTURING CIRCULATING CELLS

Номер патента: US20120003711A1. Автор: . Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Generating a Trigger Signal by an EKG Signal as Well as an EKG Measuring Apparatus and a Magnetic Resonance Device

Номер патента: US20120004569A1. Автор: Frank Michael,Rößler Jürgen. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND CONTROL DEVICE FOR TRIGGERING PASSENGER PROTECTION MEANS FOR A VEHICLE

Номер патента: US20120004811A1. Автор: Becker Jens,HIEMER Marcus. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Device for encapsulating semiconductor devices and integrated circuits

Номер патента: RU2066898C1. Автор: Ю.П. Смирнов,А.Д. Сидоренко,В.Ф. Дибров,В.И. Самохвалов. Владелец: Сидоренко Александр Дмитриевич. Дата публикации: 1996-09-20.

Method and device for cooling down semiconductor wafers

Номер патента: RU2153209C1. Автор: В.К. Битюков,Г.В. Попов,Г.В. Абрамов,В.Б. Коваленко. Владелец: Воронежская государственная технологическая академия. Дата публикации: 2000-07-20.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001177A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE FOR QUICKLY GENERATING A TORQUE ON AN EXTENDED DYNAMIC RANGE WITH LOW INERTIA

Номер патента: US20120001572A1. Автор: Hayward Vincent,Regnier Stéphane,MILLET Guillaume,Haliyo Dogan Sinan. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.