Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Semiconductor device including a clock generating circuit for generating an internal signal having a coarse delay line, a fine delay line and a selector circuit

Semiconductor device including a clock generating circuit for generating an internal signal having a coarse delay line, a fine delay line and a selector circuit

Номер патента: US09472255B2
Опубликовано: 18-10-2016
Автор(ы): Katsuhiro Kitagawa
Принадлежит: PS4 Luxco SARL
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Clock synchronization circuit and semiconductor device having the same

Номер патента: US20010009275A1. Автор: Seung-wook Lee,Won-Chan Kim,Dae-Yun Shim,Yeon-jae Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-07-26.

Digital phase interpolator, clock signal generator, and volatile memory device including the clock signal generator

Номер патента: US11750181B2. Автор: Junsub YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Internal clock generating circuit and method for generating internal clock signal with data signal

Номер патента: TW201140280A. Автор: Jang-Jin Nam,Yong-Weon Jeon. Владелец: TLI Inc. Дата публикации: 2011-11-16.

Semiconductor device realizing internal operational factor corresponding to an external operational factor stably regardless of fluctuation of the external operational factor

Номер патента: US6072345A. Автор: Tsukasa Ooishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-06-06.

Systems and methods for driving semiconductor devices and sensing device parameters

Номер патента: US11936347B2. Автор: Ronald Chang,Denpol Kultran,Harry Bourne MARR, Jr.,Padraig James Cooney. Владелец: Epirus Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Systems and methods for driving semiconductor devices and sensing device parameters

Номер патента: US20240186962A1. Автор: Ronald Chang,Denpol Kultran,Harry Bourne MARR, Jr.,Padraig James Cooney. Владелец: Epirus Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Substate bias voltage generation circuits and methods to control leakage in semiconductor memory device

Номер патента: US09577636B1. Автор: Yun Seok Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09559691B1. Автор: Jae Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Power control device and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09984733B2. Автор: Jae Wook Lee,Jong Ho Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Sampling circuit for sampling signal input and related control method

Номер патента: US20150333755A1. Автор: Yuan-Ching Lien. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2015-11-19.

Row driver circuit for nand memories including a decoupling inverter

Номер патента: US20130077412A1. Автор: Stefano Sivero. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-03-28.

Semiconductor device comprising pipe latch circuit and auto-precharge signal generation circuit

Номер патента: US09659615B1. Автор: Tae Yong Lee,Seung Hun Lee,Myung Kyun KWAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

High voltage generation circuit and method for generating high voltage

Номер патента: US20080191786A1. Автор: Oh Suk Kwon,Ki Hwan CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-14.

Memory device including multiple gate-induced drain leakage current generator circuits

Номер патента: US20180211710A1. Автор: Shuji Tanaka,Masanobu Saito,Shinji Sato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-26.

Memory device including multiple gate-induced drain leakage current generator circuits

Номер патента: US09916901B1. Автор: Shuji Tanaka,Masanobu Saito,Shinji Sato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor memory device with a bypass circuit for verifying the characteristics of an internal clock signal

Номер патента: US20050002261A1. Автор: Jung-hwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-01-06.

Multilayered semiconductor device

Номер патента: US20160133301A1. Автор: Tetsuo FUKUSHI,Atsunori Hirobe,Muneaki Matsushige. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-12.

Semiconductor device structure with air gap structure and method for preparing the same

Номер патента: US20210351140A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20230309310A1. Автор: Hiroyuki Yamashita,Yuta Saito,Shinji Mori,Kazuhiro Matsuo,Kota Takahashi,Satoshi Nagashima,Shota KASHIYAMA,Keiichi SAWA,Junichi KANEYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20230105551A1. Автор: Ryo Kanai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20210296356A1. Автор: Ryo Kanai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Separate testing of continuity between an internal terminal in each chip and an external terminal in a stacked semiconductor device

Номер патента: US20090153177A1. Автор: Kayoko Shibata. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-06-18.

Clock generating circuit and method for generating clock signal

Номер патента: US12028080B2. Автор: Tsung-Ming Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Clock generating circuit and method for generating clock signal

Номер патента: US20230253973A1. Автор: Tsung-Ming Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device, semiconductor system, and method for use in operating the same based on operation mode information

Номер патента: US20160372171A1. Автор: Bok Rim KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-22.

Semiconductor device, semiconductor system, and method for use in operating the same based on operation mode information

Номер патента: US09576627B2. Автор: Bok Rim KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Three-Dimensional Semiconductor Devices Including Vertical Structures

Номер патента: US20190157282A1. Автор: Young Jin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor devices

Номер патента: US09595305B1. Автор: Jae Hoon Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Junctionless semiconductor device having buried gate, apparatus including the same, and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09455329B2. Автор: KYUNG Kyu Min,Min Soo Yoo,Il Woong KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Electronic device including two circuit modules with long-distance signal transmission

Номер патента: US20240170033A1. Автор: Jeong-Fa Sheu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device for controlling prefetch operation

Номер патента: US09697127B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Min-Sung Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Reclaimable semiconductor device package and associated systems and methods

Номер патента: US09875808B2. Автор: Yueping Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor Device with Semiconductor Fins and Floating Gate

Номер патента: US20130285135A1. Автор: Frank Hui,Neal Kistler. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Semiconductor device

Номер патента: US20230290394A1. Автор: Haeng Seon CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device delaying mode control signals

Номер патента: US11967398B2. Автор: Haeng Seon CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Three-dimensional semiconductor devices including vertical structures

Номер патента: US20200168621A1. Автор: Young Jin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-28.

Semiconductor device capable of switching operation voltage

Номер патента: US20240170040A1. Автор: Yuki Miura,Moeha Shibuya,Saaya Izumi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device, method for fabricating the semiconductor device, and memory device and system including the semiconductor device

Номер патента: US20220122916A1. Автор: Nam-Jae Lee,Nam-Kuk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device, method for fabricating the semiconductor device, and memory device and system including the semiconductor device

Номер патента: US20200350249A1. Автор: Nam-Jae Lee,Nam-Kuk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Semiconductor device, method for fabricating the semiconductor device, and memory device and system including the semiconductor device

Номер патента: US11804437B2. Автор: Nam-Jae Lee,Nam-Kuk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor device, method for fabricating the semiconductor device, and memory device and system including the semiconductor device

Номер патента: US20240030141A1. Автор: Nam-Jae Lee,Nam-Kuk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Reclaimable semiconductor device package and associated systems and methods

Номер патента: US11854635B2. Автор: Yueping Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Methods of Arranging L-Shaped Cell Blocks In Semiconductor Devices

Номер патента: US20110286295A1. Автор: HongSik Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-24.

Semiconductor devices having L-shaped cell blocks

Номер патента: US20100140666A1. Автор: HongSik Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-10.

Semiconductor device having inversion inducing gate

Номер патента: US5895949A. Автор: Tetsuo Endoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-04-20.

Semiconductor memory device including a capacitor

Номер патента: US20190157292A1. Автор: Chanho Kim,Bongsoon LIM,Pansuk Kwak,ChaeHoon KIM,Hongsoo Jeon,Jeunghwan Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor memory device including cache latch circuit

Номер патента: US20210074367A1. Автор: Dong Hyuk Kim,Sung Lae OH,Soo Nam JUNG,Tae Sung Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-03-11.

Memory device including multiple gate-induced drain leakage current generator circuits

Номер патента: US20180211710A1. Автор: Shuji Tanaka,Masanobu Saito,Shinji Sato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-26.

Memory device including multiple gate-induced drain leakage current generator circuits

Номер патента: TWI654611B. Автор: 修二 田中,慎司 佐藤,政信 齊藤. Владелец: 美商美光科技公司. Дата публикации: 2019-03-21.

Control signal generation circuit and method for generating control signal controlled in units of bit time

Номер патента: US20040135616A1. Автор: Jang-Seok Choi,Sang-Gyu Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-07-15.

Semiconductor memory device including a resistance change element and a control circuit for changing resistance of the resistance change element

Номер патента: US09679647B2. Автор: Takashi Hase,Yoshihiro Hayashi,Makoto Ueki,Masaharu Matsudaira,Koji MASUZAKI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20210336623A1. Автор: Kwang Chan LEE,Jeong Kwang Lee,Ho Jun YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-28.

Automatic test equipment for semiconductor device

Номер патента: EP1260822B1. Автор: Ronald A. Sartschev,Gerald F. Muething, Jr.. Владелец: Teradyne Inc. Дата публикации: 2005-06-08.

Circuit and method for generating multiphase clock

Номер патента: US6137336A. Автор: Mitsuo Baba,Hiroki Teramoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-10-24.

Enable signal generation circuit and semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US11817175B2. Автор: Mino KIM,Hyeong Soo JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Enable signal generation circuit and semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US20210183424A1. Автор: Mino KIM,Hyeong Soo JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Clock generation circuit and method for generating clock signal

Номер патента: CN107710622B. Автор: 李华,高岩,马胜. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-07.

Semiconductor device having counter circuit

Номер патента: US8937843B2. Автор: Hiroto Kinoshita. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2015-01-20.

Semiconductor device control circuit and method thereof

Номер патента: US09640272B2. Автор: Nobuhiko Ito. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09870813B2. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20160336058A1. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-17.

Semiconductor device including threshold voltage measurement circuitry

Номер патента: US20180052196A1. Автор: Richard Stephen Roy. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2018-02-22.

Semiconductor device performing in-memory processing and operation method thereof

Номер патента: US11875840B2. Автор: Hae Rang Choi,Sungjoo YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Circuit for generating switching control signal

Номер патента: US5953282A. Автор: Tae-Hyung Jung,Dong-Gyeun Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-09-14.

Error detection for a semiconductor device

Номер патента: US20230395183A1. Автор: Matthew Young,John E. Riley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Spindle motor and recording disk driving device including the same

Номер патента: US20140218819A1. Автор: Je Hyun Bang,Ho Kyung Jang. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-07.

Timer circuit for a video camera

Номер патента: WO2010026162A1. Автор: John Hommel,Chris Kuppens,Giselaine van der Horst. Владелец: THOMSON LICENSING. Дата публикации: 2010-03-11.

Digital clock filter circuit for a gapped clock of a non-isochronous data signal having a selected one of at least two nominal data rates

Номер патента: US7702946B2. Автор: Wolfgang Thiele,Michael Joachim Wolf. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2010-04-20.

Semiconductor devices providing test mode related to reliability

Номер патента: US20240282350A1. Автор: Yun Suk HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Clock jitter measurement circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09989588B2. Автор: Ji-Hyun Kim,Woo-Seok Kim,Kang-Yeop Choo,Hyun-ik KIM,Tae-Ik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Clock jitter measurement circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20180011142A1. Автор: Ji-Hyun Kim,Woo-Seok Kim,Kang-Yeop Choo,Hyun-ik KIM,Tae-Ik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-11.

Voltage generation circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20060120179A1. Автор: Young-Hyun Jun,Hyong-Ryol Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-08.

Voltage generation circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20080122523A1. Автор: Young-Hyun Jun,Hyoung-Ryol Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09589603B2. Автор: Kang-Seol Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor devices

Номер патента: US20190279696A1. Автор: Woongrae Kim,Tae Yong Lee,Myung Kyun KWAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-12.

Clock generating device

Номер патента: US09647650B2. Автор: Ching-Hua Chu,Cheng-Hsien Chang,Shin-Wen Lin. Владелец: Chroma ATE Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US12046323B2. Автор: Min Jun Choi,Jeong Jin HWANG,Sung Nyou YU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Testing apparatus and method for testing a semiconductor devices array

Номер патента: US20100156452A1. Автор: Chih Hui YEH. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Testing apparatus and method for testing a semiconductor devices array

Номер патента: US8164356B2. Автор: Chih Hui YEH. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-04-24.

Semiconductor device generating a refresh signal

Номер патента: US09514801B1. Автор: Hyeng Ouk LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Apparatus and methods for low power clock generation in multi-channel high speed devices

Номер патента: WO2022119909A1. Автор: Yuriy Greshishchev,Mahdi PARVIZI,Naim Ben-Hamida,Sadok Aouini,Douglas Stuart McPherson. Владелец: Ciena Corporation. Дата публикации: 2022-06-09.

Apparatus and methods for low power clock generation in multi-channel high speed devices

Номер патента: EP4256711A1. Автор: Yuriy Greshishchev,Mahdi PARVIZI,Naim Ben-Hamida,Sadok Aouini,Douglas Stuart McPherson. Владелец: Ciena Corp. Дата публикации: 2023-10-11.

Semiconductor device

Номер патента: US09568505B2. Автор: Masaki WASEKURA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Sequence circuit and semiconductor device using sequence circuit

Номер патента: EP1204119A3. Автор: Masaharu Wada,Atsushi c/o Fujitsu Limited Takeuchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-02-04.

Voltage generation circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20240274212A1. Автор: Jungyu Lee,Jihyun Park,ChiWeon Yoon,Yumin KIM,Eunchan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Delay line circuit for generating a fixed delay

Номер патента: US20100007397A1. Автор: Yong Wang,Yanbo Wang,Shengyuan Zhang. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2010-01-14.

Semiconductor device having integrated memory and logic

Номер патента: US6785187B2. Автор: Shoji Sakamoto,Tomonori Fujimoto,Kiyoto Ohta. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-31.

Protection voltage generating circuit with monotonic and stable power supply voltage behavior

Номер патента: GB2626648A. Автор: Thomsen Axel,Angel C Abusleme Hoffman. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Circuit for controlling the threshold voltage in a semiconductor device

Номер патента: US5909140A. Автор: Jin Kook Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-06-01.

Constant current generation circuit for optocoupler isolation amplifier and current precision adjustment method

Номер патента: US11934216B2. Автор: Wei Wang,Lei Han,Ke Wang,Jun Pan,Lei QIU,Dianwu LI,Fenfen JI. Владелец: Hefei Aichuangwei Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Constant current generation circuit for optocoupler isolation amplifier and current precision adjustment method

Номер патента: US20220236755A1. Автор: Wei Wang,Lei Han,Ke Wang,Jun Pan,Lei QIU,Dianwu LI,Fenfen JI. Владелец: Hefei Aichuangwei Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Up-conversion mixer having a reduced third order harmonic

Номер патента: US09674016B2. Автор: Chewn-Pu Jou,Huan-Neng CHEN,Mei-Show Chen,Ying-Ta Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Up-conversion mixer having a reduced third order harmonic

Номер патента: US20140049309A1. Автор: Chewn-Pu Jou,Huan-Neng CHEN,Mei-Show Chen,Ying-Ta Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-02-20.

Adaptive phase-shifted synchronization clock generation circuit and method for generating phase-shifted synchronization clock

Номер патента: US20110280353A1. Автор: An-Tung Chen,Isaac Chen. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2011-11-17.

Error correction device and electronic device including the same

Номер патента: US20200067538A1. Автор: Dae Sung Kim,Soon Young KANG,Myung Jin Jo,Wan Je Sung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Device having a touch-sensitive free-form surface and method for the production thereof

Номер патента: US20190369770A1. Автор: Johannes Rhede,Carsten Temming. Владелец: VOLKSWAGEN AG. Дата публикации: 2019-12-05.

Driving circuit for a circuit generating an ultrasonic pulse, in particular an ultrasonic transducer, and corresponding driving method.

Номер патента: WO2011063974A1. Автор: Giulio Ricotti,Sandro Rossi. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2011-06-03.

Tracking control apparatus including a servo head having a tapered transducing gap

Номер патента: US5398145A. Автор: Frederick J. Jeffers,John Rolker. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1995-03-14.

Device having clock generating capabilities and a method for generating a clock signal

Номер патента: US20090322385A1. Автор: Michael Priel,Anton Rozen,Amir Zaltzman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-31.

Segregated test mode clock gating circuits in a clock distribution network of a circuit for controlling power consumption during testing

Номер патента: WO2018044482A1. Автор: Anand BHAT,Joseph Fang,Kunal Jain,Moitrayee Ghosh. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-03-08.

Measurement amplifying circuit for piezoelectric sensor positioned in an internal combustion engine

Номер патента: US09658127B2. Автор: David Mirassou. Владелец: Contintental Automotive France. Дата публикации: 2017-05-23.

Segregated test mode clock gating circuits in a clock distribution network of a circuit for controlling power consumption during testing

Номер патента: US20180067515A1. Автор: Anand BHAT,Joseph Fang,Kunal Jain,Moitrayee Ghosh. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

System and method for generating an electronic model for a dental impression having a common coordinate system

Номер патента: US7702492B2. Автор: Michael Craig Marshall. Владелец: GeoDigm Corp. Дата публикации: 2010-04-20.

Semiconductor devices including localized semiconductor-on-insulator (soi) regions and related methods

Номер патента: WO2024229217A1. Автор: Hideki Takeuchi,Keith Doran Weeks,DongHun Kang,Yi-Ann Chen. Владелец: Atomera Incorporated. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor devices including localized semiconductor-on-insulator (soi) regions

Номер патента: US20240371943A1. Автор: Hideki Takeuchi,Keith Doran Weeks,DongHun Kang,Yi-Ann Chen. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device for use in a light valve device, and process for manufacturing the same

Номер патента: EP1026733A1. Автор: Kunihiro Takahashi,Yoshikazu Kojima,Tsuneo Yamazaki,Hiroaki Takasu,Nobuyoshi Matsuyama,Hitoshi Niwa,Tomoyuki Yoshino. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2000-08-09.

Semiconductor device

Номер патента: US09705004B2. Автор: Yoshiyuki Kobayashi,Shinpei Matsuda,Daisuke Matsubayashi,Hiroyuki TOMISU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device with CMOS process based hall sensor and manufacturing method

Номер патента: US12035637B2. Автор: Jungmun JUNG. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device, update data-providing method, update data-receiving method, and program

Номер патента: EP3742665A1. Автор: Daisuke Suzuki,Daisuke Moriyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-11-25.

Clock generation circuit and semiconductor apparatus using the clock generation circuit

Номер патента: US12057847B2. Автор: Young Suk SEO,Sung Hyun SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Cooling apparatus for semiconductor device

Номер патента: SG144855A1. Автор: Young Bae Chung. Владелец: Isc Technology Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Internal voltage generation circuit

Номер патента: US09843256B2. Автор: Ji-Yong UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Phase locked loop clock generator

Номер патента: US5347232A. Автор: Yoshito Nishimichi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1994-09-13.

Cooling apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20080180124A1. Автор: Young Bae Chung. Владелец: ISC Tech Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-31.

Semiconductor device inspection device and semiconductor device inspection method

Номер патента: US09618563B2. Автор: Tomonori Nakamura,Mitsunori Nishizawa. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device, display device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09583510B2. Автор: Naoki Ueda,Sumio Katoh. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device manufacturing system, semiconductor device inspection device, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US12051629B2. Автор: Younghwan Kim,Youngsu Ryu,Seunghwa Hyun,Hwayoung Park,Yusang Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20180102310A1. Автор: Toshitsugu Ishii,Hidekazu Iwasaki,Jun MATSUHASHI,Naohiro Makihira. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Semiconductor device

Номер патента: US09881900B2. Автор: Yoshihisa Takada,Hirofumi Takeda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device

Номер патента: US09559028B2. Автор: Yoshihisa Takada,Hirofumi Takeda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of preventing dielectric breakdown of semiconductor device and semiconductor device preventing dielectric breakdown

Номер патента: US20070253276A1. Автор: Tsuneo Ochi. Владелец: Kawasaki Microelectronics Inc. Дата публикации: 2007-11-01.

Semiconductor device structures for burn-in testing and methods thereof

Номер патента: US20190064257A1. Автор: Mark E. Tuttle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor device inspection device and semiconductor device inspection method

Номер патента: US09562944B2. Автор: Tomonori Nakamura,Mitsunori Nishizawa. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2017-02-07.

Measuring semiconductor device features using stepwise optical metrology

Номер патента: US09482519B2. Автор: Yunlin Zhang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Overlay marks, methods of forming the same, and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US9711395B2. Автор: Chang-hoon Lee,Tae-Hwan OH,Jong-Su Kim,Yong-Kug Bae,Dong-Woon Park,Tae-hoi Park,Boo-Hyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Overlay marks, methods of forming the same, and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US20160035617A1. Автор: Chang-hoon Lee,Tae-Hwan OH,Jong-Su Kim,Yong-Kug Bae,Dong-Woon Park,Tae-hoi Park,Boo-Hyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-04.

Overlay marks, methods of forming the same, and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US09711395B2. Автор: Chang-hoon Lee,Tae-Hwan OH,Jong-Su Kim,Yong-Kug Bae,Dong-Woon Park,Tae-hoi Park,Boo-Hyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Apparatus and method for measuring and controlling the internal temperature of a semiconductor device

Номер патента: US09568537B1. Автор: Jason Christopher McCullough. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and production method therefor

Номер патента: US09496287B2. Автор: Mitsunori Harada,Yasuhiro Kohara,Hijiri Nakahara. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Clock generation circuit and semiconductor apparatus using the clock generation circuit

Номер патента: US20230396258A1. Автор: Young Suk SEO,Sung Hyun SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20160035897A1. Автор: Yoshiyuki Kobayashi,Shinpei Matsuda,Daisuke Matsubayashi,Hiroyuki TOMISU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-04.

Clock generation circuit and semiconductor apparatus using the clock generation circuit

Номер патента: US11777506B2. Автор: Young Suk SEO,Sung Hyun SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Method of obtaining an initial guess for a semiconductor device simulation

Номер патента: US20240078367A1. Автор: Sung Min Hong,Kwang-Woon Lee. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-03-07.

Clock generators and clock generation methods thereof

Номер патента: US20090128201A1. Автор: Bo-Jiun Chen,Ping-Ying Wang,Shang-Ping Chen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2009-05-21.

Semiconductor device using close proximity wireless communication

Номер патента: US20120241888A1. Автор: Takeshi Nakayama,Masahiro Ishii,Daisaku Kitagawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Measuring semiconductor device features using stepwise optical metrology

Номер патента: US20160161248A1. Автор: Yunlin Zhang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Package structure for power semiconductor devices with improved parasitic parameters

Номер патента: US20230326907A1. Автор: Wei Gong,Ke Jiang,Chunlin ZHU. Владелец: Nexperia Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device structure with fine patterns and method for forming the same

Номер патента: US20210280425A1. Автор: Yi-Hsien CHOU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Electronic device including vapor chamber

Номер патента: US11871541B2. Автор: Yoonsun Park,Hyunjoo Lee,Kyungha KOO,Hongki MOON,Youngjae You,Joseph Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device packages with electrical routing improvements and related methods

Номер патента: WO2020091993A1. Автор: Ekgachai Kenganantanon,Wichai Kovitsophon,Oliver Mabutas,Tarapong SOONTORNVIPART,Peerapat Bunkhem. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor device structures for burn-in testing and methods thereof

Номер патента: US20190170811A1. Автор: Mark E. Tuttle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-06.

Apparatus for inspecting substrate and method for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US12105027B2. Автор: Myung Jun Lee,Sung Ho Jang,Jang Ryul Park,Kwang Rak KIM,Soon Yang KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device driving circuit and method of testing the same

Номер патента: US20140139245A1. Автор: Daisuke Hirata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-05-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20240186406A1. Автор: Masumi Nishimura,Hayata AOKI,Hiroumi Kinjo. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US20160349556A1. Автор: Seiji Kaneko,Yohsuke Kanzaki,Takao Saitoh,Yutaka Takamaru,Keisuke IDE. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Display device and electronic device including the same

Номер патента: US12135854B2. Автор: Minjoo KIM,Kicheol KIM,Mikyung SEO,Jaeyoon CHANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Electronic device including air vent

Номер патента: US12019484B2. Автор: Yanggyun JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Electronic device including wiring on a stretchable/contractible base

Номер патента: US09826629B2. Автор: Jong Ho Hong,Won Il Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Display device and electronic device including the same

Номер патента: US11733813B2. Автор: Minjoo KIM,Kicheol KIM,Mikyung SEO,Jaeyoon CHANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Display device and electronic device including the same

Номер патента: US20230393695A1. Автор: Minjoo KIM,Kicheol KIM,Mikyung SEO,Jaeyoon CHANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Camera module and electronic device including the same

Номер патента: US12028614B2. Автор: Chanyoung Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Systems and methods for generating and displaying a symbolic representation of a network model

Номер патента: US5845124A. Автор: Jeremy S. Berman. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1998-12-01.

Apparatus for generating extreme ultraviolet (euv), method of manufacturing the same, and euv system

Номер патента: US20220167492A1. Автор: Jihoon Na,Mun Ja KIM,Byungchul YOO,Jaewhan Sung,Hyunjune Cho,Jibeom Yoo,Hakseok Lee,Myeongjin Jeong. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2022-05-26.

Mobile apparatus including template based flash image generation function and method for generating flash image using the same

Номер патента: EP2059874A1. Автор: Young Muk Cha. Владелец: MOBIDERS Inc. Дата публикации: 2009-05-20.

Apparatus for generating extreme ultraviolet (EUV), method of manufacturing the same, and EUV system

Номер патента: US11729896B2. Автор: Jihoon Na,Mun Ja KIM,Byungchul YOO,Jaewhan Sung,Hyunjune Cho,Jibeom Yoo,Hakseok Lee,Myeongjin Jeong. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device and method including a superlattice as a gettering layer

Номер патента: EP3635789A1. Автор: Hideki Takeuchi. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2020-04-15.

Semiconductor device, package structure including a heat dissipation element having a conductive base and a plurality of antenna patterns and method of fabricating the semiconductor device

Номер патента: US11444023B2. Автор: Sen-Kuei HSU,Hsin-Yu Pan,Yi-Che CHIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-13.

Semiconductor device with die-skipping wire bonds

Номер патента: US20200098728A1. Автор: Xinzhi Xing,John T. Contreras. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor device manufacturing method including a counter layer for power conversion

Номер патента: US9461140B2. Автор: Yuichi Onozawa,Takashi SHIIGI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Phase locked loop circuit for video hard copy controller

Номер патента: US4203075A. Автор: Louis E. Wessler. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1980-05-13.

Aperiodic clock generation with spur suppression

Номер патента: US10218338B1. Автор: Nikolaus Klemmer,Jaimin Mehta,Hamid Safiri,Srinadh Madhavapeddi,Chan Fernando,Atul Kumar Jain. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-02-26.

Semiconductor device

Номер патента: EP4187836A1. Автор: Jiyoung Kim,Jaehyun Park,Seuk SON,Dongchul Choi,Sooeun Lee,Hyeonju Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-31.

Semiconductor device having input buffers to which internally-generated reference voltages are applied

Номер патента: US20030214328A1. Автор: Takashi Oguri. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-11-20.

Semiconductor device driving circuit

Номер патента: US20180205373A1. Автор: Dong Wang,Akihisa Yamamoto,Kazuya Hokazono. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Clock Signal generator for generating sub-sampling clock signals with fast and precisely-timed edges

Номер патента: EP1050792A3. Автор: Robert M. R. Neff. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2005-01-05.

Semiconductor devices with a mixed crystal region

Номер патента: EP3840058A1. Автор: Jan Willem Slotboom,Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Tony Vanhoucke,Mahmoud Shehab Mohammad Al-Sa di. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2021-06-23.

Clock generator

Номер патента: US11929745B1. Автор: Yu-Shyang Huang,Sheng-Zhe Lin. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Clock Pulse Duty Cycle Control Circuit for a Clock Fanout Chip

Номер патента: US20080197903A1. Автор: James S. Humble. Владелец: Mayo Foundation for Medical Education and Research. Дата публикации: 2008-08-21.

Instantaneous phase detecting circuit and clock recovery signal generating circuit incorporated in differential demodulator

Номер патента: US5537442A. Автор: Seizo Nakamura,Yuji Iguchi,Akinobu Kodama. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1996-07-16.

Semiconductor device

Номер патента: US11888446B2. Автор: Takayuki Ikeda,Kiyotaka Kimura,Hidetomo Kobayashi,Takeya HIROSE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Systems and methods of compensating for narrowband distortion in power semiconductor devices

Номер патента: US20210194521A1. Автор: DONG Chen,Stephen Summerfield,Mark Cope,Patrick Joseph Pratt,Christopher Mayer,Praveen Chandrasekaran. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor device and semiconductor circuit

Номер патента: US20240258413A1. Автор: Yoko Iwakaji,Tomoko Matsudai,Hiroko Itokazu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device drive circuit

Номер патента: US20240072791A1. Автор: Kazuya Hokazono,Jun Fukudome. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Instantaneous phase detecting circuit and clock recovery signal generating circuit incorporated in differential demodulator

Номер патента: CA2132442C. Автор: Seizo Nakamura,Yuji Iguchi,Akinobu Kodama. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1999-02-23.

Compound semiconductor device including diffusion preventing layer to suppress current collapse phenomenon, method of manufacturing compound semiconductor device, power supply unit, and amplifier

Номер патента: US10217829B2. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-02-26.

Output driving circuit for generating output voltage based on plurality of bias voltages and operating method thereof

Номер патента: US11955963B2. Автор: Eonguk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20210257358A1. Автор: Petrus Hubertus Cornelis Magnee,Mustafa Acar,Dominicus Martinus Wilhelmus Leenaerts. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor device

Номер патента: US5243456A. Автор: Noriyuki Hirakata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1993-09-07.

Multi-bit gray code generation circuit

Номер патента: US11757453B2. Автор: Yoshinao Morikawa. Владелец: Sharp Semiconductor Innovation Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Common gate drive circuit for switching high voltage device

Номер патента: US20240195401A1. Автор: Tetsuo Sato. Владелец: Renesas Electronics America Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Method and system for generating a ramping signal

Номер патента: US09894307B2. Автор: Guangbin Zhang,Dennis Tunglin LEE. Владелец: Cista System Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Method and system for generating a ramping signal

Номер патента: US09584102B2. Автор: Guangbin Zhang,Dennis Tunglin LEE. Владелец: Cista System Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20180240792A1. Автор: Masanori Miyata,Masaru Senoo. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-08-23.

Semiconductor device driving circuit

Номер патента: US20180198442A1. Автор: Dong Wang,Akihisa Yamamoto,Kazuya Hokazono. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-07-12.

Semiconductor device and semiconductor circuit

Номер патента: US11984495B2. Автор: Yoko Iwakaji,Tomoko Matsudai,Hiroko Itokazu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Systems and methods of compensating for narrowband distortion in power semiconductor devices

Номер патента: EP3843267A1. Автор: DONG Chen,Stephen Summerfield,Mark Cope,Patrick Pratt,Praveen Chandrasekaran,Chris Mayer. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-06-30.

Radio frequency transmitter capable of selecting output power control range and wireless communication device including the same

Номер патента: US20210367630A1. Автор: Wan Kim,Daechul Jeong,Jiseon PAEK,Youngsea CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor device having a plurality of bipolar transistors with different heights between their respective emitter layers and emitter electrodes

Номер патента: US10964693B2. Автор: Yasunari Umemoto,Takayuki Tsutsui,Isao Obu,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20240088886A1. Автор: Toru TAKUMA,Shuntaro Takahashi,Makoto Sada. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device having a plurality of bipolar transistors with different heights between their respective emitter layers and emitter electrodes

Номер патента: US20210183854A1. Автор: Yasunari Umemoto,Takayuki Tsutsui,Isao Obu,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20200027876A1. Автор: Yasunari Umemoto,Takayuki Tsutsui,Isao Obu,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-23.

Electroacoustic semiconductor device employing an igfet

Номер патента: US3749984A. Автор: C Benyon,D Liebowitz. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1973-07-31.

ADAPTIVE PHASE-SHIFTED SYNCHRONIZATION CLOCK GENERATION CIRCUIT AND METHOD FOR GENERATING PHASE-SHIFTED SYNCHRONIZATION CLOCK

Номер патента: US20140055178A1. Автор: CHEN AN-TUNG,Chen Isaac. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION, R.O.C.. Дата публикации: 2014-02-27.

Solid resonator based oscillator having a phase control circuit

Номер патента: US5767745A. Автор: Sadakazu Murakami. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1998-06-16.

A circuit for protection against current or voltage peaks, and a clock circuit utilizing the protection circuit, for use with integrated circuits

Номер патента: FR2827443A1. Автор: Richard Ferrant,Philippe Roche,Jean Francois Hugues. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2003-01-17.

Transversal filter having a tapped and an untapped delay line of equal delay, concatenated to effectively provide sub-divided delays along both lines

Номер патента: US3297951A. Автор: Herman L Blasbalg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1967-01-10.

Transformerless drive circuit for field-effect transistors

Номер патента: WO1985005742A1. Автор: John J. Nesler. Владелец: Hughes Aircraft Company. Дата публикации: 1985-12-19.

Multi-function detection circuit for a photoelectric switch using an integrated circuit with reduced interconnections

Номер патента: US5030821A. Автор: Toshifumi Fukuyama. Владелец: Astex Co Ltd. Дата публикации: 1991-07-09.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: EP1568131A2. Автор: Steve Baker. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2005-08-31.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: WO2004047289A3. Автор: Steve Baker. Владелец: Steve Baker. Дата публикации: 2005-05-26.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: WO2004047289A2. Автор: Steve Baker. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2004-06-03.

Control circuit and semiconductor device including same

Номер патента: US20010048619A1. Автор: Yasumichi Mori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Control circuit and semiconductor device including same

Номер патента: EP1150201A3. Автор: Yasumichi Mori. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-08-18.

Semiconductor device simulation apparatus, computer readable medium storing thereon program for causing computer to execute semiconductor device simulation method, and semiconductor device simulation method

Номер патента: US20100082317A1. Автор: Takashi Kurusu,Hiroyoshi Tanimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-01.

Semiconductor device testing apparatus

Номер патента: US20140167806A1. Автор: Jae Kyoung Mun,Eun Soo Nam,Dong Min Kang,Sang-Heung Lee,Hyung Sup Yoon,Jong-Won Lim,Chul Won Ju,Seong-Il Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor Device Testing with Lead Extender

Номер патента: US20240302426A1. Автор: Nee Wan Khoo,Soon Lai Kho. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device examination method and semiconductor device examination device

Номер патента: US12044729B2. Автор: Kazuhiro Hotta,Takafumi Higuchi,Tomochika Takeshima. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-07-23.

Apparatus for testing semiconductor device

Номер патента: US11585848B1. Автор: Ji Man PARK,Jong Kyoung Shin. Владелец: EXICON Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-21.

Apparatus and method for controlling die force in a semiconductor device testing assembly

Номер патента: WO2006138655A9. Автор: Troy Taylor,Steve Wetzel. Владелец: Steve Wetzel. Дата публикации: 2007-04-19.

Method and Apparatus of Patterning Semiconductor Device

Номер патента: US20120227018A1. Автор: Ru-Gun Liu,Jiing-Feng Yang,Chii-Ping Chen,Wen-Chun Huang,Ming-Hui Chih,Cheng-Kun Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-09-06.

Apparatus and method for inspecting semiconductor device

Номер патента: US20240077424A1. Автор: Hidong Kwak,Jeongho Ahn,Seulji SONG,Hyunwoo RYOO,Minji Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20080309378A1. Автор: Hiroki Taniguchi,Kazunari Ikeda,Masaya Hirose,Kinya Daio,Takahisa Tokushige. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-18.

Data receiving device including an envelope detector and related methods

Номер патента: US09696351B2. Автор: Surendra Kumar,Daljeet KUMAR,Tapas Nandy. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-07-04.

Column driver integrated circuit for low-power driving and devices including the same

Номер патента: US11967287B2. Автор: Donghan Lee,Yong-Hun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-23.

Method and apparatus for diagnosing fault in semiconductor device

Номер патента: US20060006886A1. Автор: Masatsugu Yamashita,Kiyoshi Nikawa,Masayoshi Tonouchi,Kodo Kawase,Toshihiro Kiwa. Владелец: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research. Дата публикации: 2006-01-12.

Method and circuit for detecting input voltage of power converter

Номер патента: US20080169802A1. Автор: Ta-Yung Yang,Chien-Yuan Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-17.

Memory including a band width conversion unit, memory system and memory control method using the same

Номер патента: US09483425B2. Автор: Haruhiko Terada,Naohiro Adachi,Lui Sakai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Pixel clock generator, optical scanner and image forming device incorporating same

Номер патента: US20140028776A1. Автор: Shintaro Kawamura. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-30.

Pixel circuit and display device including the same

Номер патента: US20240274077A1. Автор: Bon-Yong Koo,Minjae Jeong,Taegyun Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Image projection apparatus including a shield

Номер патента: US09395607B2. Автор: Yasunari Mikutsu. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-19.

Display device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11640088B2. Автор: Akihiro Hanada,Hajime Watakabe,Ryo ONODERA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2023-05-02.

Display device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210240042A1. Автор: Akihiro Hanada,Hajime Watakabe,Ryo ONODERA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Segregated test mode clock gating circuits in a clock distribution network of a circuit for controlling power consumption during testing

Номер патента: US20180067515A1. Автор: Anand BHAT,Joseph Fang,Kunal Jain,Moitrayee Ghosh. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Circuit for correcting sensor temperature characteristics

Номер патента: EP1903313A3. Автор: Nobuyasu C/O FUJITSU VLSI LIMITED Mizuno. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-04-03.

Memory control unit and data storage device including the same

Номер патента: US09501351B2. Автор: Kwang Hyun Kim,Jae Woo Kim,Joong Hyun AN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Tapped optical fiber delay line

Номер патента: CA1212853A. Автор: John E. Bowers,Steven A. Newton. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 1986-10-21.

Apparatus and method for generating an enhanced signal using independent noise-filling at random values and scaling thereupon

Номер патента: US11908484B2. Автор: Sascha Disch,Andreas NIEDERMEIER,Stephan Wilde,Matthias Neusinger,Benjamin SCHUBERT,Ralf Geiger,Konstantin Schmidt,Christian Neukam. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2024-02-20.

Apparatus and method for generating an enhanced signal using independent noise-filling

Номер патента: US20230386487A1. Автор: Sascha Disch,Andreas NIEDERMEIER,Stephan Wilde,Matthias Neusinger,Benjamin SCHUBERT,Ralf Geiger,Konstantin Schmidt,Christian Neukam. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2023-11-30.

System and method for generating a recipe player

Номер патента: WO2019083853A1. Автор: Sundaresan Kumbakonam. Владелец: Sundaresan Kumbakonam. Дата публикации: 2019-05-02.

MEASUREMENT AMPLIFYING CIRCUIT FOR PIEZOELECTRIC SENSOR POSITIONED IN AN INTERNAL COMBUSTION ENGINE

Номер патента: US20150323406A1. Автор: MIRASSOU David. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-12.

IMPROVED MEASUREMENT AMPLIFIER CIRCUIT FOR PIEZOELECTRIC SENSOR POSITIONED IN AN INTERNAL COMBUSTION ENGINE

Номер патента: FR2996639B1. Автор: David Mirassou. Владелец: Continental Automotive France SAS. Дата публикации: 2014-11-07.

System and method for generating and executing a platform emulation based on a selected application

Номер патента: EP1992123A2. Автор: Maria Gaos,Nazih Youssef. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-19.

Devices and methods for generating an sql query based on a natural language query

Номер патента: WO2024120610A1. Автор: David Tuckey,Jeff Pan,Nikos PAPASARANTOPOULOS,Pavlos VOUGIOUKLIS,Danna ZHENG. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-13.

MEMS DEVICE INCLUDING A MOBILE ELEMENT AND A RESISTIVE SENSOR, AND METHOD FOR GENERATING A SIGNAL INDICATING THE POSITION OF THE MOBILE ELEMENT

Номер патента: US20140062506A1. Автор: MURARI Bruno,Defazio Marco. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2014-03-06.

Digital signal processing method and apparatus including a graphic template display

Номер патента: US5337403A. Автор: Edwin E. Klingman. Владелец: Individual. Дата публикации: 1994-08-09.

A thermal comfort sensor device and an anthropomorphic dummy for simulating heat exchange which includes a plurality of such devices

Номер патента: EP1459105A1. Автор: Carloandrea Malvicino,Carlo Canta. Владелец: Centro Ricerche Fiat SCpA. Дата публикации: 2004-09-22.

A thermal comfort sensor device and an anthropomorphic dummy for simulating heat exchange which includes a plurality of such devices

Номер патента: WO2003052461A1. Автор: Carloandrea Malvicino,Carlo Canta. Владелец: C.R.F. Societa Consortile per Azioni. Дата публикации: 2003-06-26.

Current Sensor Having A Flux Concentrator For Redirecting A Magnetic Field Through Two Magnetic Field Sensing Elements

Номер патента: US20200333380A1. Автор: Yannick Vuillermet,Cedric Gillet,Loïc André Messier,Xavier BLANC. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Method and control unit for operating a line circuit for waste heat utilization of an internal combustion engine

Номер патента: US20130096801A1. Автор: Andreas Wengert,Hans-Christoph Magel,Dieter Seher,Gregory Rewers,Nadja Eisenmenger,Achim Brenk. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2013-04-18.

Method and control unit for operating a line circuit for waste heat utilization of an internal combustion engine

Номер патента: US10006312B2. Автор: Andreas Wengert,Hans-Christoph Magel,Dieter Seher,Gregory Rewers,Nadja Eisenmenger,Achim Brenk. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-06-26.

Low stress semiconductor devices with thermal oxide isolation

Номер патента: US20020093060A1. Автор: Hideo Miura,Makoto Ogasawara,Jun Murata,Hiroo Masuda,Noriaki Okamoto,Eiji Wakimoto,Shinji Sakata,Yasunobu Tanizaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-18.

Clock synchronization signal generating circuit

Номер патента: CA1183579A. Автор: Hideo Suzuki,Shunsuke Honda,Haruki Yahata. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-03-05.

Semiconductor device having a fine pitch bondpad

Номер патента: US20090108447A1. Автор: Seung-Kon Mok,Sang-Gui Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-30.

Semiconductor device package and method of making the same

Номер патента: US09564393B1. Автор: Chi-Tsung Chiu,Kuo-Hua Chen,Chih-Yi Huang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device including a superlattice and providing reduced gate leakage

Номер патента: US20210391426A1. Автор: Hideki Takeuchi,Yung-Hsuan Yang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Method and apparatus for semiconductor device with reduced device footprint

Номер патента: US09978635B2. Автор: Chien-Hsien Song. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Power semiconductor device with source trench and termination trench implants

Номер патента: US09620583B2. Автор: Ling Ma,Robert Haase,Hugo Burke,Timothy D. Henson,Kapil Kelkar,Mary Bigglestone,Adam Amali. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Mounting structure of semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09583416B2. Автор: Masato Mikami,Takanori Sekido. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor devices

Номер патента: US20240258410A1. Автор: Dongwoo Kim,Jinbum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device including a superlattice and adjacent semiconductor layer with doped regions defining a semiconductor junction

Номер патента: CA2603407A1. Автор: Robert John Stephenson,Robert J. Mears. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-12.

Vertically mountable semiconductor device and methods

Номер патента: US20020031857A1. Автор: Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor device and semiconductor storage device

Номер патента: US20240322045A1. Автор: Takahiro Fujii,Kotaro Noda,Takanori Akita,Kasumi Okabe. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Three-dimensional semiconductor memory devices including a vertical channel

Номер патента: US09865685B2. Автор: Youngwoo Park,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Three-dimensional semiconductor memory devices including a vertical channel

Номер патента: US09559115B2. Автор: Youngwoo Park,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Mounting structure of semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09490191B2. Автор: Masato Mikami,Takanori Sekido. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device package and method of fabricating the same

Номер патента: US20220148948A1. Автор: Younghwan Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Jaejoon Oh,Soogine Chong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor devices including hyper-abrupt junction region including a superlattice and associated methods

Номер патента: EP4000102A1. Автор: Robert J. Mears,Marek Hytha,Richard Burton. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2022-05-25.

Semiconductor devices including hyper-abrupt junction region including spaced-apart superlattices and associated methods

Номер патента: EP4000101A1. Автор: Robert J. Mears,Marek Hytha,Richard Burton. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2022-05-25.

Semiconductor device

Номер патента: US09704868B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09685511B2. Автор: Rolf Weis. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-06-20.

Methods of fabricating semiconductor devices with blocking layer patterns

Номер патента: US09559002B2. Автор: Eun-ji Kim,Seung-Taek Lee,Yeong-lyeol Park,Sung-Dong Cho,Sin-Woo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device, substrate and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09520374B2. Автор: Hiroaki Matsubara,Yasumasa Kasuya,Motoharu Haga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device including a stacked wire structure

Номер патента: US20170301787A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Cheng-Hsien Wu,Chih-Chieh Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-19.

Semiconductor device including a stacked wire structure

Номер патента: US20170148907A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Cheng-Hsien Wu,Chih-Chieh Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-25.

Semiconductor device, control device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200058600A1. Автор: Katsuji Ando,Takahiko Murakami,Ryoji MURAI,Arata Iizuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor device including a channel region and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09704985B2. Автор: Yasushi Hamazawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device having inductor

Номер патента: US09583555B2. Автор: Sheng-Yuan Lee. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device including protrusion type isolation layer

Номер патента: US20100258860A1. Автор: Dong-Hyun Kim,Jai-kyun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-10-14.

Semiconductor device including a body contact region and method of forming the same

Номер патента: US20230352536A1. Автор: Anupam DUTTA,Vvss Satyasuresh Choppalli,Aaron Lee VALLETT. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20220059428A1. Автор: Daisuke Nakaya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor device

Номер патента: US12027438B2. Автор: Daisuke Nakaya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Insulated gate semiconductor device and method for manufacturing the insulated gate semiconductor device

Номер патента: US20170025516A1. Автор: Jun Saito,Toshimasa Yamamoto,Tomoyuki Shoji,Tomoharu IKEDA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor device having different size active regions and method of making

Номер патента: US20230275090A1. Автор: Chun-Yen Lin,Yi-Kan Cheng,Jiann-Tyng Tzeng,Sheng-Feng Huang,Shang-Wei Fang,Lee-Chung Lu,Kam-Tou SIO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230378272A1. Автор: Takeshi Ishida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer in which thickness of the oxide semiconductor layer is greater than or equal to width of the oxide semiconductor layer

Номер патента: US09887297B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Hiromichi Godo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device including sense insulated-gate bipolar transistor

Номер патента: US09876092B2. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of forming semiconductor device including protrusion type isolation layer

Номер патента: US09741611B2. Автор: Dong-Hyun Kim,Jai-kyun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device including sense insulated-gate bipolar transistor

Номер патента: US09659901B2. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device

Номер патента: US09508672B2. Автор: Hiroshi Okumura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor Manufacturing Device, Push-up Unit, and Method of Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20240312825A1. Автор: Akira Saito,Yuta ONO,Takumi SASSA. Владелец: Fasford Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20140329363A1. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20090057723A1. Автор: Atsushi Kaneko,Yasuo Okada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US9240332B2. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-19.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240194781A1. Автор: Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20210043598A1. Автор: Shohei Ogawa,Takumi Shigemoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor Devices Including FINFET Structures with Increased Gate Surface

Номер патента: US20240224487A1. Автор: Ki-Il KIM,Jung-Gun You,Gi-gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20190164835A1. Автор: Tuoh-Bin Ng,Chii-Horng Li,Li-Li Su,Yi-Fang Pai,Wei-Hao LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Method for inducing stress in semiconductor devices

Номер патента: US11757039B2. Автор: Gaspard Hiblot,Geert Van Der Plas. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device package and the method of manufacturing the same

Номер патента: US12107056B2. Автор: Ya Fang CHAN,Yuan-Feng CHIANG,Po-Wei LU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device packages including conductors electrically connecting stacked semiconductor devices by extending along surfaces of the semiconductor devices

Номер патента: US12062635B2. Автор: Yu Jen Chen,Po Chih Yang,Po Chen Kuo,Shih Wei Liang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US12051684B2. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device structure with stacked semiconductor dies

Номер патента: US09923011B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Hsun-Ying Huang,Min-Feng KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device

Номер патента: US09917183B2. Автор: Masatoshi Arai,Tatsuya Nishiwaki,Yoshitaka Hokomoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device with isolation structure

Номер патента: US12142692B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Huan-Chieh Su,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09876117B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Cheng-Yi Peng,Chih-Chieh Yeh,Hung-Ming Chen,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor devices including insulating gates and methods for fabricating the same

Номер патента: US09755079B2. Автор: Bo-Un Yoon,Sang-Jine Park,Ha-Young Jeon,Do-hyoung Kim,Kyoung-hwan Yeo,Kee-Sang KWON,Seung-Seok HA,Keun-Hee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09755067B2. Автор: Jung Hwan Lee,Min Gyu Lim,Yi Sun Chung. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner

Номер патента: US09721865B2. Автор: Osamu Miyata,Kazumasa Tanida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device structure with embedded epitaxial structure

Номер патента: US20240379862A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device structure with etch stop layer

Номер патента: US20220223736A1. Автор: Chung-Ting Ko,Bo-Cyuan Lu,Chi-On CHUI,Jr-Hung Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device structures

Номер патента: US20210125943A1. Автор: Jian-Hsing Lee,Shao-Chang Huang,Hwa-Chyi Chiou,Chih-Hsuan Lin,Karuna NIDHI,Yu-Kai Wang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Redistribution layer having a sideview non-planar profile

Номер патента: EP4280266A1. Автор: Wen Hung HUANG,Yufu Liu,Kuan-Hsiang Mao,Tsung Nan Lo. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-11-22.

Semiconductor device package

Номер патента: US20240222285A1. Автор: Sang Youl Lee,Eun Dk LEE,Ki Man Kang. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device structure with fluorine-catching layer

Номер патента: US20230378070A1. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device structure with conductive contacts of different widths and method for preparing the same

Номер патента: US20240258235A1. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device structure with stacked conductive plugs and method for preparing the same

Номер патента: US12051644B2. Автор: Jung-Hsing Chien. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US12046507B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device structure comprising source and drain protective circuits against electrostatic discharge (esd)

Номер патента: US20220415828A1. Автор: Jian-Hsing Lee,Shao-Chang Huang,Hwa-Chyi Chiou,Chih-Hsuan Lin,Karuna NIDHI,Yu-Kai Wang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate stack

Номер патента: US20220037491A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Huan-Chieh Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Semiconductor device assembly with heat transfer structure formed from semiconductor material

Номер патента: US20190348401A1. Автор: James M. Derderian,Jaspreet S. Gandhi,Sameer S. Vadhavkar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Semiconductor device assembly with heat transfer structure formed from semiconductor material

Номер патента: US10297577B2. Автор: James M. Derderian,Jaspreet S. Gandhi,Sameer S. Vadhavkar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-21.

Semiconductor device assembly with heat transfer structure formed from semiconductor material

Номер патента: US20190229096A1. Автор: James M. Derderian,Jaspreet S. Gandhi,Sameer S. Vadhavkar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-25.

Semiconductor device structure with fine boron nitride spacer patterns and method for forming the same

Номер патента: US20220037155A1. Автор: Pei-Cheng Fan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-03.

Semiconductor device structure with conductive bumps

Номер патента: US20240258259A1. Автор: Ming-Da Cheng,Wei-Hung Lin,Hui-min Huang,Kai-Jun Zhan,Yung-Sheng Lin,Chang-Jung Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: EP3945557A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Semiconductor device structure with dielectric liner portions and method for preparing the same

Номер патента: US20240266294A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device structure and manufacturing method

Номер патента: US20150262955A1. Автор: Chun-Jen Chen,Yi-Chen Liu,Yi-Jen LAI,Hsi-Kuei Cheng,Yung-Sheng Liu,Li-Guo LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor device with contact structures

Номер патента: US20200020584A1. Автор: Yi-Hsun CHIU,Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor device structure with backside contact

Номер патента: US20240290851A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen,Shih-Chuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device with fin structures

Номер патента: US12080602B2. Автор: Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang,Chang-Ta Yang,Wen-Chun KENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20170133490A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-11.

Structure of Semiconductor Device Structure Having Fins

Номер патента: US20200312985A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20180308956A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Structure of semiconductor device structure having fins

Номер патента: US10686059B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-06-16.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate

Номер патента: US10014394B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-03.

Semiconductor device structure having air gap and method for forming the same

Номер патента: US20210265218A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Chia-Lin Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Electric Field Modification for Nitrogen-Polar Group III-Nitride Semiconductor Devices

Номер патента: US20240290847A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240250017A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device structures

Номер патента: US20180005942A1. Автор: Ting-You LIN,Chi-Li TU. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor device structure with dielectric liner portions and method for preparing the same

Номер патента: US20240266293A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Thermally regulated semiconductor device

Номер патента: US20240347413A1. Автор: Chong Leong Gan,Chen Yu Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240355671A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Thermally regulated semiconductor device

Номер патента: WO2024215485A1. Автор: Chong Leong Gan,Chen Yu Huang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device structure with dielectric stressor

Номер патента: US12132115B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Systems and methods for integrated diode field-effect transistor semiconductor devices

Номер патента: US20200212182A1. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,Reza Ghandi. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-07-02.

Systems and methods for integrated diode field-effect transistor semiconductor devices

Номер патента: EP3903351A1. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,Reza Ghandi. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2021-11-03.

Semiconductor device having fin-shaped semiconductor layer

Номер патента: US09991381B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device structure and manufacturing method

Номер патента: US09806046B2. Автор: Chun-Jen Chen,Yi-Chen Liu,Yi-Jen LAI,Hsi-Kuei Cheng,Yung-Sheng Liu,Li-Guo LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09779959B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device assembly with heat transfer structure formed from semiconductor material

Номер патента: US09768149B2. Автор: James M. Derderian,Jaspreet S. Gandhi,Sameer S. Vadhavkar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09735267B1. Автор: Yi-Hsien Lin,Steve S. Chung,E-Ray HSIEH. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US09673204B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu,Tsung-Hsueh Yang,Chung-Chiang Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09614089B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device structure

Номер патента: US09608113B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yi-Jen Chen,Yung-Jung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Wafer with SOI structure having a buried insulating multilayer structure and semiconductor device structure

Номер патента: US09590118B1. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Elliot John Smith,Nigel Chan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09577078B1. Автор: Samuel C. Pan,Steve S. Chung,E-Ray HSIEH,yu-bin Zhao. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-02-21.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09553090B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device package including bonding layer having Ag3Sn

Номер патента: US09520377B2. Автор: Jeong-Won Yoon,Seong-Woon Booh,Baik-Woo Lee,Chang-mo JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device structure having multi-layered insulating cap layers over metal gate

Номер патента: US09502527B2. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09450099B1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Mechanisms for semiconductor device structure

Номер патента: US09425048B2. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Hsien-Cheng WANG,Hsin-Ying Lin,Audrey Hsiao-Chiu HSU,Shih-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device structure with inner spacer layer

Номер патента: US20240234549A1. Автор: Pinyen Lin,Fang-Wei Lee,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Chansyun David Yang,Tze-Chung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11282917B2. Автор: Akira Matsumoto,Kazuhiko IWAKIRI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-03-22.

Semiconductor device structure with liner layer having tapered sidewall and method for preparing the same

Номер патента: US20240234313A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device structure with liner layer having tapered sidewall and method for preparing the same

Номер патента: US20240234314A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor devices

Номер патента: US20240213253A1. Автор: Geumjong BAE,Ho-jun Kim,Jaehyeoung Ma. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Structure and formation method of semiconductor device with backside contact

Номер патента: US12015060B2. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20240234343A1. Автор: Hyun-Seung Song,Dong Il Bae,Beomjin PARK,Noh Yeong PARK,Sangwon BAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device structure with air gap

Номер патента: US20210366762A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20210159184A1. Автор: Naganivetha Thiyagarajah,Suk Hee JANG,Hyunwoo YANG,De Wei Shawn WONG. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-05-27.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210035912A1. Автор: Hsing Kuo TIEN,Chih Cheng Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor devices having shielding elements

Номер патента: WO2023143626A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor device structure with air gap and method for forming the same

Номер патента: US20210090939A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20240258401A1. Автор: Akira Takashima,Yasushi Nakasaki,Yusuke Nakajima,Tsunehiro Ino. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device structure with stacked conductive plugs and method for preparing the same

Номер патента: US20240258231A1. Автор: Yi-Hsien CHOU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20180069135A1. Автор: Nariaki Tanaka,Kazuya Hasegawa,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-08.

Method for preparing semiconductor device structure with multiple liners

Номер патента: US11764105B2. Автор: Chia-Hsiang Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device structure with movable membrane

Номер патента: US12043538B2. Автор: Chia-Hua Chu,Chun-Wen Cheng,Yi-Chuan Teng,Chun-Yin Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210082782A1. Автор: Ian HU,Ming-Han WANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20240274656A1. Автор: Yoko Iwakaji,Tomoko Matsudai. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266396A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Che-Lun Chang,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device structure with magnetic element

Номер патента: US12074193B2. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Wei-Li Huang,Chih-Hung Su,Kuang-Yi Wu,Chi-Cheng Chen,Chun-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device with contact structures

Номер патента: US20230290683A1. Автор: Yi-Hsun CHIU,Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device structure with metal gate stack

Номер патента: US11769819B2. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor device structure with magnetic element

Номер патента: US20230238422A1. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Wei-Li Huang,Chih-Hung Su,Kuang-Yi Wu,Chi-Cheng Chen,Chun-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20230290859A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US11195749B2. Автор: Yoshiharu Kato,Tohru SHIRAKAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-07.

Semiconductor device structures and printed circuit boards comprising semiconductor devices

Номер патента: US20130228922A1. Автор: Mark E. Tuttle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230298974A1. Автор: Maiko HATANO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20140124854A1. Автор: Jongchul Park,Ji-Young Min,Heedon Hwang,Insang JEON,Woogwan SHIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-08.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20220262711A1. Автор: On Lok Chau,Fei WONG,Billie BI,Ivan Shiu,William Hor. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-08-18.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20240274691A1. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao,Kuo-Hui Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device

Номер патента: US12100688B2. Автор: Akihiro Kimura,Kaito Inoue. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200243515A1. Автор: Zhi-Biao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20240324180A1. Автор: Ryosuke Yamamoto,Takuya KIKUCHI,Ken SHIMOMORI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20240321995A1. Автор: Shosuke Fujii,Masayuki Tanaka,Kazuhiro Matsuo,Kota Takahashi,Masaya Toda,Wakako Moriyama,Shoichi Kabuyanagi,Kenichiro TORATANI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device with a through dielectric via

Номер патента: US20240339433A1. Автор: Bharat Bhushan,Kunal R. Parekh,Nevil N. Gajera,Akshay N. Singh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device with a through dielectric via

Номер патента: WO2024215492A1. Автор: Bharat Bhushan,Kunal R. Parekh,Nevil N. Gajera,Akshay N. Singh. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device structure with stacked conductive plugs and method for preparing the same

Номер патента: US20240332168A1. Автор: Jung-Hsing Chien. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device structure with backside contact

Номер патента: US20240339510A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device structure with nanostructure

Номер патента: US20240355881A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Ching-Wei Tsai,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor devices having shielding elements

Номер патента: EP4437591A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Semiconductor device structure with air gap

Номер патента: US12087620B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device having fin structures

Номер патента: US12057505B2. Автор: Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang,Chang-Ta Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device structure with fuse and resistor and method for preparing the same

Номер патента: US20240371856A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device structure with resistive element

Номер патента: US12119262B2. Автор: Chii-Ping Chen,Yu-Hsiang Chen,Wen-Sheh Huang,Hsiu-Wen Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device structure with fuse and resistor and method for preparing the same

Номер патента: US20240371857A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device connection structure, ultrasonic module, and ultrasonic endoscope system having ultrasonic module

Номер патента: US09997449B2. Автор: Junya Yamada. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09972725B2. Автор: Nariaki Tanaka,Kazuya Hasegawa,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device

Номер патента: US09960097B2. Автор: Yo Sakamoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device comprising a transistor cell including a source contact in a trench, method for manufacturing the semiconductor device and integrated circuit

Номер патента: US09859418B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser,Detlef Weber,Karl-Heinz Gebhardt. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-01-02.

Structure and formation method of semiconductor device structure with gate stack

Номер патента: US09837487B2. Автор: Chih-Wei Lin,Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device structure with metal ring on silicon-on-insulator (SOI) substrate

Номер патента: US09799557B2. Автор: Kuan-Chi Tsai,Kuo-Yu Cheng,Wei-Kung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09673331B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09660025B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Cheng-Yi Peng,Chih-Chieh Yeh,Hung-Ming Chen,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09634144B2. Автор: Gab-jin Nam,Tae-Hyun AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09620513B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Sung Ik Moon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US09502409B2. Автор: Zhiqiang Wu,Chih Chieh Yeh,Yi-Ming Sheu,Tsung-Hsing Yu,Ken-Ichi Goto,Wen-Hsing Hsieh,Jon-Hsu Ho,Chih-Ching Wang,Ching-Fang Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US09496387B2. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device with an interconnect structure and method for forming the same

Номер патента: US09478626B2. Автор: Chih-Hung Lu,Wei-Chin Chen,Chia-Der Chang,Guo-Chiang CHI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device structure with raised source/drain having cap element

Номер патента: US09431536B1. Автор: Shing-Huang Wu,Jian-Shian Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor devices comprising electrical redistribution layer along with ground line and signal line and methods for manufacturing thereof

Номер патента: US11798874B2. Автор: Christoph Wagner,Walter Hartner,Helmut Kollmann,Vincenzo Fiore,Tuncay Erdoel,Francesca Arcioni,Arif Roni,Emanuele Stavagna. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor devices

Номер патента: US20230413557A1. Автор: Taeyoung Kim,Yongseok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device

Номер патента: US12027578B2. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US9899301B2. Автор: Katsuhito Kamachi,Hideaki Tamimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20180019189A1. Автор: Katsuhito Kamachi,Hideaki Tamimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-18.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US9806007B2. Автор: Katsuhito Kamachi,Hideaki Tamimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Stacked die modules for semiconductor device assemblies and methods of manufacturing stacked die modules

Номер патента: US20240258243A1. Автор: Jong Sik Paek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device package

Номер патента: US20230268638A1. Автор: Cheng-Yu Ho,Meng-Wei Hsieh. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor devices

Номер патента: US20190181088A1. Автор: Doo-Hwan Park,Woo Kyung YOU,Jong Min Baek,Eui Bok LEE,Sang Hoon AHN,Hyeok Sang OH,Deok Young Jung,Sang Bom KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-13.

Method of manufacturing electronic device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050029593A1. Автор: Osamu Ohara,Manabu Kudo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-02-10.

Semiconductor device package assemblies with direct leadframe attachment

Номер патента: US20240250042A1. Автор: Seungwon Im,Oseob Jeon. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, inverter circuit, drive device, vehicle, and elevator

Номер патента: US12062691B2. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20100171110A1. Автор: Hiroshi Sato. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-07-08.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices and corresponding multi-die semiconductor device

Номер патента: US20240249955A1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20240290693A1. Автор: Bin Zhang. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Discontinuous patterned bonds for semiconductor devices and associated systems and methods

Номер патента: WO2013032688A2. Автор: Vladimir Odnoblyudov,Scott D. Schellhammer,Jeremy S. FREI. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-03-07.

Hybrid semiconductor device assembly interconnection pillars and associated methods

Номер патента: US20240038704A1. Автор: Hong Wan Ng,Faxing Che,Yeow Chon Ong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20150333070A1. Автор: Takeshi Nagai,Kanta Saino. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2015-11-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20240347586A1. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device structure with movable membrane

Номер патента: US20240343551A1. Автор: Chia-Hua Chu,Chun-Wen Cheng,Yi-Chuan Teng,Chun-Yin Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device for audio

Номер патента: US20240304591A1. Автор: Yosuke Sato. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device structure with metal gate stack

Номер патента: US12132096B2. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US09871137B2. Автор: Kuan-Yu Lin,Kai-Hsiang Chang,Ming-Shan Tsai,Shin-Yeh HUANG,Chih-Chen JIANG,Yi-Wei PENG,Ching-Lun Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device having a chip under package

Номер патента: US09859251B2. Автор: Gottfried Beer,Peter Ossimitz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device having a step provided in a lateral surface of a trench formed in a surface of a semiconductor substrate

Номер патента: US09847414B2. Автор: Hidefumi Takaya,Shinichiro Miyahara,Sachiko Aoi,Katsuhiro KUTSUKI. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device, related manufacturing method, and related electronic device

Номер патента: US09824928B2. Автор: YONG Cheng,Ming Wang,Qiancheng MA,Lihua TENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device having conductive bump with improved reliability

Номер патента: US09768135B2. Автор: Ze-Qiang Yao,Fayou Yin,Xiaodan Shang. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Film for semiconductor device production, method for producing film for semiconductor device production, and method for semiconductor device production

Номер патента: US09761475B2. Автор: Fumiteru Asai,Naohide Takamoto,Goji Shiga. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

FinFET having a multi-portioned gate stack

Номер патента: US09748394B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor devices having dummy patterns and methods of fabricating the same

Номер патента: US09748257B2. Автор: Jaehan Lee,Won-Seok Jung,Kyungjoong JOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device, related manufacturing method, and related electronic device

Номер патента: US09620427B2. Автор: Wei Wang,Chao ZHENG,Liangliang Guo,Junde Ma. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device packages and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09589814B2. Автор: Che-heung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US09520476B2. Автор: Makoto Nakazawa,Seiichi Uchida,Yasuyuki Ogawa,Shigeyasu Mori,Tadayoshi Miyamoto,Kazuatsu Ito,Mitsunobu Miyamoto,Takuya Matsuo. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device production method and semiconductor device

Номер патента: US09490362B2. Автор: XINPENG WANG,Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura,Nozomu Harada,Yisuo Li,Zhixian Chen,Aashit Ramachandra Kamath,Teng Soong PHUA,Patrick Guo-Qiang Lo. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Stacked semiconductor devices

Номер патента: EP2579307A1. Автор: Kevin J. Hess,Perry H Pelley,Michael B. McShane. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-04-10.

Semiconductor devices

Номер патента: US20200381555A1. Автор: SANGHOON Lee,Kyoungmin CHOI,Myunggil Kang,Krishna Bhuwalka. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor Device Assembly with Pillar Array

Номер патента: US20190341270A1. Автор: Kyle K. Kirby,Owen R. Fay,Akshay N. Singh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-07.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20220262712A1. Автор: Ricardo Yandoc,Dilder Chowdhury,Ilyas Dchar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor device package and fabricating method thereof

Номер патента: US20090020881A1. Автор: Sang Chul Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-01-22.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20090174029A1. Автор: Takehiro Ueda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-07-09.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20060281248A1. Автор: Yukinobu Hikosaka,Hirotoshi Tachibana. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-12-14.

Semiconductor device and related fabrication methods

Номер патента: EP2673806A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,D Defresart EDOUARD. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-12-18.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170200682A1. Автор: Chieh-Chen Fu,Cheng-Nan Lin,Kuo Hsien Liao,I-Chia Lin. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Reverse-conducting semiconductor device and method for manufacturing such a reverse-conducting semiconductor device

Номер патента: US20100270587A1. Автор: Munaf Rahimo,Wolfgang Janisch,Eustachio Faggiano. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090152615A1. Автор: Ji-Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080246125A1. Автор: Yoshiyuki Kikuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-10-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20230090448A1. Автор: Shigeru Harada. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor device structure having air gap

Номер патента: US20240282623A1. Автор: Shau-Lin Shue,Chung-Ju Lee,Chih-Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Hsin-Chieh Yao,Yu-Teng Dai,Wei-Hao Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Molded packaging for wide band gap semiconductor devices

Номер патента: US12087677B2. Автор: Jerome Teysseyre,Romel N Manatad,Bigildis Dosdos,Erwin Ian Vamenta ALMAGRO,Maria Clemens Ypil QUINONES. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device manufacturing method, curable resin composition for temporary fixation material, film for temporary fixation material, and laminated film for temporary fixation material

Номер патента: US12084599B2. Автор: Takashi Kawamori,Yoshihito Inaba,Emi Miyazawa,Tsuyoshi Hayasaka,Shinichiro SUKATA,Keisuke NISHIDO. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor devices and methods for fabricating thereof

Номер патента: US12089397B2. Автор: Young-Lim Park,Jong-bom Seo,Sang Yeol Kang,Se Hyoung Ahn,Chang Mu An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device layout structure

Номер патента: US09997510B2. Автор: Ching-Wen Wang,Karuna NIDHI,Chi-Li TU. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device

Номер патента: US09905536B2. Автор: Makoto MODA. Владелец: J Devices Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US09871005B2. Автор: Chieh-Chen Fu,Cheng-Nan Lin,Kuo Hsien Liao,I-Chia Lin. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09853139B2. Автор: Jun Saito,Toshimasa Yamamoto,Akitaka SOENO,Hidefumi Takaya,Narumasa Soejima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US09508815B2. Автор: Po-Jen Shih,Cheng-Chun Tsai,Hung-Hsin Liang,Fu-An Li,Ting-Hsien Chen,Mu-Kai Tung,Ben-Zu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Integrated fabrication of semiconductor devices

Номер патента: US09502556B2. Автор: Shih-Chang Lin,Meng-Yi Wu,Hsing-Chih LIN,Chieh-Shuo Liang,Yu-Lung Yeh,Ming-Chi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Method and apparatus for semiconductor device with reduced device footprint

Номер патента: US20150279987A1. Автор: Chien-Hsien Song. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Radio frequency (rf) semiconductor devices including a ground plane layer having a superlattice and associated methods

Номер патента: EP4295409A1. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2023-12-27.

Semiconductor device having redistribution layers formed on an active wafer and methods of making the same

Номер патента: US20230307374A1. Автор: Chia-Ching Lin,Chien-Chung Wang,Kuo-Chiang Ting,Tu-Hao Yu,Shun-Jang Laio. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device including a plurality of circuit element chips and a manufacturing method thereof

Номер патента: US7321163B2. Автор: Makoto Terui. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-22.

Semiconductor device including a plurality of circuit element chips and a manufacturing method thereof

Номер патента: US7482202B2. Автор: Makoto Terui. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-27.

Mounting structure of semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140021624A1. Автор: Masato Mikami,Takanori Sekido. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Semiconductor devices including protection patterns and methods of forming the same

Номер патента: US20150340314A1. Автор: Eun-ji Kim,Seung-Taek Lee,Yeong-lyeol Park,Sung-Dong Cho,Hyoung-Yol Mun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-26.

Semiconductor device including a plurality of circuit element chips and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20080090330A1. Автор: Makoto Terui. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-17.

Radio frequency (RF) semiconductor devices including a ground plane layer having a superlattice

Номер патента: US12020926B2. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Mounting structure of semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160181229A1. Автор: Masato Mikami,Takanori Sekido. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor device structure

Номер патента: US12029025B2. Автор: Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for manufacturing vertical super junction drift layer of power semiconductor devices

Номер патента: US10056452B2. Автор: Bo Zhang,Jinping Zhang,Zehong LI,Hongming Gu,Xunyi SONG,Wenlong SONG,Youbiao ZOU. Владелец: Electronic And Information Engineering In Dongguan Uestc. Дата публикации: 2018-08-21.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120181593A1. Автор: Ji-Young Kim,Kang L. Wang,Yong-Jik Park,Jeong-hee Han,Augustin Jinwoo Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-07-19.

Semiconductor device

Номер патента: EP4152378A1. Автор: Yoko Yamamoto. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-03-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20020047204A1. Автор: Hiroshi Hayashizaki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-04-25.

Semiconductor device with low concentration opposite type doping drain end gate electrode

Номер патента: WO2024226119A1. Автор: Henry Litzmann Edwards. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2024-10-31.

Wire bonded wide I/O semiconductor device

Номер патента: US09899347B1. Автор: Gokul Kumar,Chih-Chin Liao,Hem Takiar,Venkatesh P. Ramachandra,Michael Mostovoy,Vinayak Ghatawade,Ning Ye. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-20.

System for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09793093B2. Автор: Shinji Kimura,Hiroyuki Kawahara,Daisuke Morita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device manufacturing method, and photoelectric conversion device

Номер патента: US09559136B2. Автор: Yu Nishimura,Hiroaki Naruse,Aiko Kato,Keita Torii. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor Device Manufacturing Apparatus Capable Of Reducing Particle Contamination

Номер патента: US20120003837A1. Автор: Kenji Maeda,Hiroyuki Kobayashi,Kenetsu Yokogawa,Masaru Izawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Devices Including Resistor Structures

Номер патента: US20210098563A1. Автор: Jun-soo Kim,Tae-Yeol Kim,Hyon-wook Ra,Seo-bum Lee,Chung-Hwan Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor Devices Including Resistor Structures

Номер патента: US20240014250A1. Автор: Jun-soo Kim,Tae-Yeol Kim,Hyon-wook Ra,Seo-bum Lee,Chung-Hwan Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and electronic device

Номер патента: EP4307360A1. Автор: Takushi Shigetoshi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-01-17.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200251353A1. Автор: Wen-Long Lu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2020-08-06.

Semiconductor device including a superlattice and an asymmetric channel and related methods

Номер патента: US11869968B2. Автор: Hideki Takeuchi,Richard Burton,Yung-Hsuan Yang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor devices including resistor structures

Номер патента: US11804516B2. Автор: Jun-soo Kim,Tae-Yeol Kim,Hyon-wook Ra,Seo-bum Lee,Chung-Hwan Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20100018760A1. Автор: Jung-Bae Lee,Ki-whan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-28.

Semiconductor device including a superlattice and an asymmetric channel and related methods

Номер патента: US20220238710A1. Автор: Hideki Takeuchi,Richard Burton,Yung-Hsuan Yang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor device including a circuit for transmitting a signal

Номер патента: US11158617B2. Автор: Kenji Sakata,Toshihiko Akiba,Nobuhiro Kinoshita,Yosuke Katsura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-10-26.

Semiconductor device module

Номер патента: US20190131213A1. Автор: Natsuki Tsuji,Korehide Okamoto,Arata Iizuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-05-02.

Semiconductor device module

Номер патента: US10510642B2. Автор: Natsuki Tsuji,Korehide Okamoto,Arata Iizuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-12-17.

Semiconductor device package and method of fabricating the same

Номер патента: EP4002448A1. Автор: Younghwan Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Jaejoon Oh,Soogine Chong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-25.

Semiconductor device including a superlattice and an asymmetric channel and related methods

Номер патента: US20200343380A1. Автор: Hideki Takeuchi,Richard Burton,Yung-Hsuan Yang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor device including a superlattice and an asymmetric channel and related methods

Номер патента: US20240097026A1. Автор: Hideki Takeuchi,Richard Burton,Yung-Hsuan Yang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device including a superlattice and an asymmetric channel and related methods

Номер патента: EP3959747A1. Автор: Hideki Takeuchi,Richard Burton,Yung-Hsuan Yang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2022-03-02.

Semiconductor device, semiconductor module, and electronic apparatus including process monitoring pattern overlapping with I/O pad

Номер патента: US20100102318A1. Автор: Dong-Hyun Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-29.

Apparatus and Method for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20070148928A1. Автор: In Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Apparatus for and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200299829A1. Автор: Minkyung Lee,Daehan Kim,Keewon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20220190118A1. Автор: Hiroshi Kono,Shunsuke Asaba. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-06-16.

Method for manufacturing vertical super junction drift layer of power semiconductor devices

Номер патента: US20160315142A1. Автор: Bo Zhang,Jinping Zhang,Zehong LI,Hongming Gu,Xunyi SONG,Wenlong SONG,Youbiao ZOU. Владелец: Electronic And Information Engineering In Dongguan Uestc. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor device having multiple electrostatic discharge (esd) paths

Номер патента: US20240178216A1. Автор: Jam-Wem Lee,Li-Wei Chu,Ming-Fu Tsai,Yu-Ti Su,Po-Lin PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Power distribution network and semiconductor device

Номер патента: US20240105616A1. Автор: Jin Hyun Kim,Myeong Jin KIM,Ki Bum KANG,Yun RA,Gyu Sun PARK,Sei Hyung JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Method for manufacturing semiconductor device having gate structure with reduced threshold voltage

Номер патента: US10224324B2. Автор: Wei-Hsin Liu,Pi-Hsuan Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-03-05.

Semiconductor device having gate structure with reduced threshold voltage and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170345819A1. Автор: Wei-Hsin Liu,Pi-Hsuan Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-30.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20220223697A1. Автор: Phil Rutter,Hungjin Kim. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-07-14.

Laterally double-diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US11742423B2. Автор: Jing Zhu,Sen Zhang,Longxing Shi,Weifeng Sun,Nailong He,Shaohong Li,Guichuang Zhu. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Reverse-conducting semiconductor device

Номер патента: US20130228823A1. Автор: Munaf Rahimo,Wolfgang Janisch,Eustachio Faggiano. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor device having gate structure with reduced threshold voltage and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170309621A1. Автор: Wei-Hsin Liu,Pi-Hsuan Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190027358A1. Автор: Kuan-Yu Wang,Yan-Da Chen,Chang-Sheng Hsu,Yuan Sheng Lin,Weng Yi Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20230092735A1. Автор: Hiroshi Kono,Makoto Mizukami,Shunsuke Asaba. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20150137255A1. Автор: Chang-Tzu Wang,Kuan-Cheng Su,Tien-Hao Tang,Yung-Ju Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-05-21.

Thin-film semiconductor device and liquid crystal display

Номер патента: US20040063253A1. Автор: Kenji Sera,Mitsuasa Takahashi,Naoki Matsunaga. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2004-04-01.

Semiconductor device and interconnect structure

Номер патента: US20080111160A1. Автор: Hsuan-Hsu Chen,Yuan-Sheng Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-05-15.

Cleaning apparatus of semiconductor device

Номер патента: US20080283089A1. Автор: Sang-wook Ryu,Jim-Ho Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-11-20.

Semiconductor device

Номер патента: US12107127B2. Автор: Hiroshi Kono,Takahiro Ogata,Teruyuki Ohashi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device, electronic system including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: EP4432804A1. Автор: Ahreum LEE,Sukkang SUNG,Woosung YANG,Jimo GU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor device, electronic system including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US20240315023A1. Автор: Ahreum LEE,Sukkang SUNG,Woosung YANG,Jimo GU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10475640B2. Автор: Kuan-Yu Wang,Yan-Da Chen,Chang-Sheng Hsu,Yuan Sheng Lin,Weng Yi Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-11-12.

Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus

Номер патента: US09966252B2. Автор: Yoshiro Hirose,Yosuke Ota,Naonori Akae,Ryota Sasajima,Kojiro Yokozawa. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus

Номер патента: US09966251B2. Автор: Yoshiro Hirose,Yosuke Ota,Naonori Akae,Ryota Sasajima,Kojiro Yokozawa. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device manufacturing apparatus having plurality of gas exhausting pipes and gas sensors

Номер патента: US09951422B2. Автор: Sukjin CHUNG,Jongcheol Lee,Jaechul Shin,Geunkyu CHOI,MinHwa Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09929005B1. Автор: Masanori Nakayama,Teruo Yoshino,Satoshi Shimamoto,Tadashi Terasaki. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device having silicon-germanium layer on fin and method for manufacturing the same

Номер патента: US09899498B2. Автор: Chun-Yu Chen,Tien-Chen Chan,Shu-Yen Chan,Ming-Hua Chang,Yu-Shu Lin,Yen-Hsing Chen,Chung-Ting Huang,Yi-Fan Li,Zih-Hsuan Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Lateral diffused semiconductor device with ring field plate

Номер патента: US09859399B2. Автор: Chih-Jen Huang,Chien-Hsien Song,Sue-Yi Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09818612B2. Автор: Hidetami Yaegashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20210328028A1. Автор: Chih-Yen Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor devices having buried contact structures

Номер патента: US09812539B2. Автор: Dae-won Kim,Yong-Jun Kim,Jae-Rok Kahng,Sung-In KIM,Jung-Woo SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device

Номер патента: US09793345B1. Автор: Su Xing,Wanxun He. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device having gate structure with reduced threshold voltage and method for manufacturing the same

Номер патента: US09793267B1. Автор: Wei-Hsin Liu,Pi-Hsuan Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device having silicon-germanium layer on fin and method for manufacturing the same

Номер патента: US09680022B1. Автор: Chun-Yu Chen,Tien-Chen Chan,Shu-Yen Chan,Ming-Hua Chang,Yu-Shu Lin,Yen-Hsing Chen,Chung-Ting Huang,Yi-Fan Li,Zih-Hsuan Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Structure of semiconductor device

Номер патента: US12148723B2. Автор: Ming-Tse Lin,Chien En Hsu,Zhirui Sheng,Hui-Ling Chen,Chung-hsing Kuo,Chun-Ting Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor device having asymmetric fin-shaped pattern

Номер патента: US09601628B2. Автор: Se-Wan Park,Jung-Gun You,Baik-Min Sung,Bo-Cheol Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device

Номер патента: US09564436B2. Автор: Chang-Tzu Wang,Kuan-Cheng Su,Tien-Hao Tang,Yung-Ju Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device manufacturing method and substrate processing method including a cleaning method

Номер патента: US09546422B2. Автор: Tetsuaki Inada,Yoshihiko Yanagisawa. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device package integrated with coil for wireless charging and electromagnetic interference shielding, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09461001B1. Автор: Wei-Yu Chen,Ming-Horng Tsai,Huan Wun Li,Chun-Chia Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device

Номер патента: US09397214B1. Автор: Chun-Yu Chen,Tien-Chen Chan,Neng-Hui Yang,Ming-Hua Chang,Hsin-Chang Wu,Chung-Min Tsai,Sheng-Hsu Liu,Chieh-Lung Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor device, control device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11063004B2. Автор: Katsuji Ando,Takahiko Murakami,Ryoji MURAI,Arata Iizuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-07-13.

Semiconductor device including a through wiring area

Номер патента: US20200043830A1. Автор: Seok Cheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductor devices including diffusion break regions

Номер патента: US20200058652A1. Автор: Ju Youn Kim,Jun Mo Park,Eui Chul Hwang,Hyung Joo Na,Sang Min Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor devices and substrates used in thereof

Номер патента: US20040135249A1. Автор: Wei Lin,Chung Wu,Wen-Yu Lo,Wen-Dong Yen. Владелец: SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP. Дата публикации: 2004-07-15.

Semiconductor device and fabrication method thereof, and memory system

Номер патента: US20240164090A1. Автор: LIANG XIAO,Huan WANG,Shu Wu,Mingkang ZHANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7485909B2. Автор: Takanori Matsumoto,Masahito Shinohe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-02-03.

Semiconductor device including sense insulated-gate bipolar transistor

Номер патента: US11942531B2. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor devices including diffusion break regions

Номер патента: US20210118885A1. Автор: Ju Youn Kim,Jun Mo Park,Eui Chul Hwang,Hyung Joo Na,Sang Min Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor device package

Номер патента: US20180151790A1. Автор: Young Hyun Jeon,Eun Joo Kim,Jung Hwan Son,Ga Yeon Kim,Nak Hun KIM. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor device including protrusion type isolation layer

Номер патента: US8115246B2. Автор: Dong-Hyun Kim,Jai-kyun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-02-14.

Semiconductor device and electronic apparatus encapsulated in resin with embedded filler particles

Номер патента: US10319656B2. Автор: Tomoyuki Furuhata. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2019-06-11.

Semiconductor device and method for its manufacture

Номер патента: US20020113295A1. Автор: Ryoichi Nakamura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-08-22.

Substrate for semiconductor device

Номер патента: EP3855484A1. Автор: Yuji Umeda. Владелец: NGK Electronics Devices Inc. Дата публикации: 2021-07-28.

Semiconductor devices having fin active regions

Номер патента: US09941174B2. Автор: Dohyoung Kim,Kwang-Yong Yang,Ah-young Cheon,Myungil KANG,Yoonhae Kim,Kyungin Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device with modified pad spacing structure

Номер патента: US09922948B2. Автор: Po-Chen Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device package integrated with coil for wireless charging and electromagnetic interference shielding, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09922938B2. Автор: Wei-Yu Chen,Ming-Horng Tsai,Huan Wun Li,Chun-Chia Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09502580B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device having conductive vias

Номер патента: US09502333B2. Автор: Shih-Kuang Chiu,Yi-Che Lai,Meng-Tsung Lee. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20240063262A1. Автор: Kyung Ho Kim,Ki Hwan Kim,Kang Hun MOON,Cho Eun LEE,Yong Uk JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20200381416A1. Автор: Hidetoshi Tanaka. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20190109148A1. Автор: Toshiyuki Kanaya,Tsuyoshi Hosono. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-04-11.

Semiconductor device including through vias in molded columns

Номер патента: US20200006221A1. Автор: Yazhou Zhang,Cong Zhang,Chin-Tien Chiu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor device including transistor including horizontal gate structure and vertical channel layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240186410A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device including transistor including horizontal gate structure and vertical channel layer and method for fabricating the same

Номер патента: US11942544B2. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device with suppression of electric field concentration

Номер патента: US10593685B2. Автор: Toshiyuki Kanaya,Tsuyoshi Hosono. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-03-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20170250137A1. Автор: Koji Araki,Satoshi Hattori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-31.

Controlled organic semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: EP4139972A1. Автор: Karl Leo,Hans Kleemann,Michael Sawatzki. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET DRESDEN. Дата публикации: 2023-03-01.

Controlled organic semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: WO2021214219A1. Автор: Karl Leo,Hans Kleemann,Michael Sawatzki. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAT DRESDEN. Дата публикации: 2021-10-28.

Fabrication method of integrated circuit semiconductor device

Номер патента: US20200395241A1. Автор: Jiyoung Kim,Dongsoo Woo,Joonyoung Choi,Junsoo Kim,Namho Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor device and display device

Номер патента: US20240332428A1. Автор: Masahiro Watabe,Toshinari Sasaki,Masashi TSUBUKU,Hajime Watakabe,Ryo ONODERA,Takaya Tamaru,Marina Mochizuki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method of fabrication thereof, electronic module, and electronic instrument

Номер патента: US20050127467A1. Автор: Tatsuhiro Urushido. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-06-16.

3d semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240074185A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150357264A1. Автор: Yoshiharu Kaneda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9240368B2. Автор: Yoshiharu Kaneda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-19.

Semiconductor device including transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20220328687A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Semiconductor device including vertical structures and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20210066588A1. Автор: Wonjun Lee,Youngtak KIM,Sangjine Park,Hyeyeong SEO,Jaeuk SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190097008A1. Автор: Hiroshi Yanagigawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Standalone flex circuit for intravascular imaging device and associated devices, systems, and methods

Номер патента: US20240188929A1. Автор: Jeremy Stigall,Maritess Minas,Princeton SAROHA,David Kenneth WROLSTAD. Владелец: Philips Image Guided Therapy Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device package

Номер патента: US20200194327A1. Автор: Meng-Jen Wang,Chi-Tsung Chiu,Cheng-Hsi CHUANG,Hui-Ying HSIEH,Hui Hua LEE. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020061642A1. Автор: Hiroshi Haji,Shoji Sakemi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-23.

Arrangement for switching a clock to a clock having the same frequency but a lagging clock phase

Номер патента: US5099501A. Автор: Imre Sarkoezi. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1992-03-24.

Semiconductor device sorting system and semiconductor device

Номер патента: US10566222B2. Автор: Shigeru Mori,Hiroyuki Nakamura,Toru Iwagami,Maki Hasegawa,Shuhei Yokoyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-18.

Semiconductor device structure with high voltage device

Номер патента: US11942543B2. Автор: Kuo-Ming Wu,Yi-Min Chen,Yi-Cheng CHIU,Hung-Chou Lin,Karthick Murukesan,Shiuan-Jeng Lin,Wen-Chih Chiang,Chen-Chien Chang,Chih-Yuan Chan,Chun-Lin Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device structure with composite interconnect structure and method for preparing the same

Номер патента: US20240047358A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device with isolation structure

Номер патента: US11923361B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi-Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a silicon-germanium layer beneath a portion of the gate

Номер патента: US11888062B2. Автор: Peter Baars,Felix Holzmüller,Ruchil K. Jain. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US20180308928A1. Автор: Yeur-Luen Tu,Yu-Hung Cheng,Cheng-ta Wu,Wei-Kung Tsai,Ming-Che Yang,Kuo-Hwa Tzeng,Yong-En Syu,Ke-Dian WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Combined semiconductor device packaging system

Номер патента: US20220392877A1. Автор: Uthayarajan A/L Rasalingam,Toh Kok Wei. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

Semiconductor device sorting system and semiconductor device

Номер патента: US20190103297A1. Автор: Shigeru Mori,Hiroyuki Nakamura,Toru Iwagami,Maki Hasegawa,Shuhei Yokoyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090311840A1. Автор: Takashi Onizawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-12-17.

Semiconductor device having optimized drain termination and method therefor

Номер патента: US20200066838A1. Автор: Moshe Agam,Johan Camiel Julia Janssens,Jaroslav Pjencak. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-02-27.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US20170207339A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Cheng-Yi Peng,Chih-Chieh Yeh,Hung-Ming Chen,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240038850A1. Автор: Kazuyuki Sato,Shingo Sato,Masatsugu Nagai. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device structure with high contact area

Номер патента: US11855215B2. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Pang-Yen Tsai,Shuen-Shin Liang,Keng-Chu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device with isolation structure

Номер патента: US20230378367A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Huan-Chieh Su,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Structure and formation method of semiconductor device with oxide semiconductor channel

Номер патента: US20210327705A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device structure with serpentine conductive feature and method for forming the same

Номер патента: US20220293519A1. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor device structure

Номер патента: US20230282704A1. Автор: Ming-Lung Cheng,Ming-Shuan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Techniques for forming semiconductor device packages and related packages, intermediate products, and methods

Номер патента: US20210091036A1. Автор: Yu Jen Chen,Po Chih Yang,Po Chen Kuo,Shih Wei Liang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20160141415A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Gyu Lim,Yi Sun Chung. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-05-19.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US20230420440A1. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device assemblies and associated methods

Номер патента: US20240014170A1. Автор: Bharat Bhushan,Kunal R. Parekh,Akshay N. Singh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device package with exposed bond wires

Номер патента: US11942459B2. Автор: Hua Tan,Cong Zhang,Jerry Tang,Hope Chiu,Weiting Jiang,Simon Dong,Elley Zhang,Rosy Zhao. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device structure with composite interconnect structure and method for preparing the same

Номер патента: US20240047359A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Formation method of semiconductor device structure with semiconductor nanostructures

Номер патента: US11978773B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen,Shih-Chuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor device structure with resistive element

Номер патента: US20180337125A1. Автор: Chung-Hui Chen,Wei-Chih Chen,Sheng-Feng Liu,Bi-Ling Lin,Chii-Ping Chen,Wen-Sheh Huang,Wan-Te CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Structure and formation method of semiconductor device with conductive bumps

Номер патента: US11990440B2. Автор: Ming-Da Cheng,Wei-Hung Lin,Hui-min Huang,Kai-Jun Zhan,Yung-Sheng Lin,Chang-Jung Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Structure and formation method of semiconductor device with stacked conductive structures

Номер патента: US20210225697A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Combined semiconductor device packaging system

Номер патента: US11948924B2. Автор: Toh Kok Wei,Uthayarajan A L Rasalingam. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US20230013960A1. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US20210202454A1. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US11749665B2. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Structure and formation method of semiconductor device with stressor

Номер патента: US20210135008A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Redistribution layer having a sideview zig-zag profile

Номер патента: US20230378107A1. Автор: Wen Hung HUANG,Yufu Liu,Kuan-Hsiang Mao,Tsung Nan Lo. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device structure with inner spacer

Номер патента: US20220190162A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi-On CHUI,Chien-Ning YAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Protection circuit for brushless dc motor, and control device

Номер патента: US20180351348A1. Автор: Weilin GUO,Lina Yao,Wenxian WU,Anyong HU. Владелец: Gree Electric Appliances Inc of Zhuhai. Дата публикации: 2018-12-06.

Charged particle beam apparatus, charged particle beam irradiation method, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040211925A1. Автор: Hideaki Abe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-28.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: US09607885B2. Автор: Peter Zhang,Steven Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Structure and formation method of semiconductor device structure with nanowires

Номер патента: US10991811B2. Автор: Tsung-Lin Lee,Chih-Chieh Yeh,Chao-Ching Cheng,Wei-Sheng Yun,Shao-Ming Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-27.

Providing electrical connection between an active region and a conductive layer in a semiconductor device using carbon nanotubes

Номер патента: EP1361608A3. Автор: Gad S. Haase. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-11-24.

Ringing circuit for use in portable telephone set

Номер патента: US5337356A. Автор: Nobuhisa Shinozaki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-08-09.

Semiconductor device and method for manufacturing the same, circuit board, electronic apparatus, and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US20040115920A1. Автор: Masahiro Kubo,Ichiro Hazeyama,Sakae Kitajo,Hirobumi Inoue,Hidehiko Kuroda,Takao Yamazaki,Yoshimichi Sogawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2004-06-17.

Semiconductor Device, Memory Module, and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20090273044A1. Автор: Rainer Leuschner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-05.

Semiconductor device and method of its manufacture

Номер патента: CA2612807A1. Автор: Takashi Sakurada,Makoto Kiyama,Shinsuke Fujiwara,Yusuke Yoshizumi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2008-05-30.

Semiconductor device structure with metal gate stack

Номер патента: US20220359695A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Huan-Chieh Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240072055A1. Автор: Cheng-Wei Chang,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device structure with metal gate stacks

Номер патента: US20240047557A1. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Chih-Chang Hung,Chih-Ming Sun,Shu-Yuan Ku,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device structure with high contact area

Номер патента: US20240105848A1. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Pang-Yen Tsai,Shuen-Shin Liang,Keng-Chu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device structure with metal gate stack

Номер патента: US11929413B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Huan-Chieh Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor Device with Tunable Antenna Using Wire Bonds

Номер патента: US20220140468A1. Автор: Shijian Luo,Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor device structure

Номер патента: US11908744B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Laterally-diffused metal-oxide-semiconductor devices with a multiple-thickness buffer dielectric layer

Номер патента: US11908930B2. Автор: Shiang Yang Ong,Namchil MUN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20190305113A1. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao,Kuo-Hui Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20220359726A1. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao,Kuo-Hui Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a gap between the drain and body wells

Номер патента: US20230268436A1. Автор: Upinder Singh,Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO,Huihua Jiang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20190288060A1. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Semiconductor device assemblies including spacer with embedded semiconductor die

Номер патента: US20200105706A1. Автор: Yong Liu,Yusheng Lin,Huibin CHEN. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-04-02.

Cooling Cover and Packaged Semiconductor Device Including the Same

Номер патента: US20230420337A1. Автор: Chih-Hang Tung,Chung-Jung Wu,Tung-Liang Shao,Sheng-Tsung HSIAO,Jen Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US11901252B2. Автор: Ian HU,Ming-Han WANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device structure

Номер патента: US20230343638A1. Автор: Chun-Hung LIAO,Huang-Lin Chao,Chia-Hao Chang,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Manufacturing method for semiconductor device embedded substrate

Номер патента: US20100112804A1. Автор: Toshio Kobayashi,Tadashi Arai,Takaharu Yamano. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-06.

Structure and formation method of semiconductor device structure with gate stacks

Номер патента: US20170365705A1. Автор: Tsung-Yu CHIANG,Ya-Wen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US20170062561A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Cheng-Yi Peng,Chih-Chieh Yeh,Hung-Ming Chen,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20230402543A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi-On CHUI,Chien-Ning YAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Structure and formation method of semiconductor device with nanosheet structure

Номер патента: US11855167B2. Автор: De-Fang Chen,Wei-Yang Lee,Ting-Yeh Chen,Po-Cheng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device structure with raised source/drain having cap element

Номер патента: US20160276481A1. Автор: Shing-Huang Wu,Jian-Shian Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor device with cap element

Номер патента: US20190115429A1. Автор: Shing-Huang Wu,Jian-Shian Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

Semiconductor devices and data storage systems including the same

Номер патента: EP4319532A1. Автор: Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Dohyung Kim,Sukkang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-07.

Structure and formation method of semiconductor device structure with a dummy fin structure

Номер патента: US20170033194A1. Автор: LUNG Chen,Kang-Min Kuo,Wen-Hsin CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-02.

Semiconductor device with fin structures

Номер патента: US20230317522A1. Автор: Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang,Chang-Ta Yang,Wen-Chun KENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20210098307A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190067074A1. Автор: Kensuke Yamaoka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor device structure with metal gate stacks

Номер патента: US11830926B2. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Chih-Chang Hung,Chih-Ming Sun,Shu-Yuan Ku,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device module and method of assembly

Номер патента: US20210183841A1. Автор: Elmar Wisotzki. Владелец: Littelfuse Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Structure and formation method of semiconductor device structure with gate stack

Номер патента: US20230378253A1. Автор: Chih-Wei Lin,Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device structure with air gap and method for forming the same

Номер патента: US20210175116A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-06-10.

Manufacturing method for semiconductor device embedded substrate

Номер патента: US20100112759A1. Автор: Toshio Kobayashi,Tadashi Arai,Takaharu Yamano. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-06.

Semiconductor device with fin structures

Номер патента: US20230282521A1. Автор: Chi On Chui,Chunyao Wang,Kun-Yu LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20200020579A1. Автор: Yoshiharu Kato,Tohru SHIRAKAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230352340A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20220028780A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20220359267A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Package-on-package semiconductor device assemblies including one or more windows and related methods and packages

Номер патента: EP3479405A1. Автор: Matthew Monroe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-08.

Package-on-package semiconductor device assemblies including one or more windows and related methods and packages

Номер патента: US20180005983A1. Автор: Matthew Monroe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-04.

Package-on-package semiconductor device assemblies including one or more windows and related methods and packages

Номер патента: WO2018005189A1. Автор: Matthew Monroe. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11862698B2. Автор: Hiroaki Katou,Toshifumi NISHIGUCHI,Saya SHIMOMURA. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Wide band gap semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: EP4258364A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Jens Peter Konrath,Rudolf Elpelt,Konrad Schraml. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-10-11.

Semiconductor device structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190148511A1. Автор: Hsiang-Wei Lin,Chung-Chi Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US11869892B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device with cap element

Номер патента: US20210043732A1. Автор: Shing-Huang Wu,Jian-Shian Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor device structure with resistive element

Номер патента: US11798848B2. Автор: Chii-Ping Chen,Yu-Hsiang Chen,Wen-Sheh Huang,Hsiu-Wen Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor device structure with conductive contacts of different widths and method for preparing the same

Номер патента: US20230031274A1. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20230328957A1. Автор: Kazuhiro Matsuo,Kota Takahashi,Kiwamu Sakuma,Shoji Honda,Mutsumi Okajima,Masaya Toda,Taro SHIOKAWA,Kenichiro TORATANI,Takafumi Ochiai,Ha Hoang,Tomoki ISHIMARU. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20200006303A1. Автор: Kenji Sakata,Toshihiko Akiba,Nobuhiro Kinoshita,Yosuke Katsura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor device having a closed cavity structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US9397116B2. Автор: Herb He Huang,Clifford I. Drowley. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Structure and formation method of semiconductor device with carbon-containing conductive structure

Номер патента: US20230230881A1. Автор: Chih-Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Hsin-Chieh Yao,Yu-Teng Dai,Wei-Hao Liao,Hwei-Jay CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor device having nanostructure transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20230352594A1. Автор: Yen-Ting Chen,Yee-Chia Yeo,Wei-Yang Lee,Chii-Horng Li,Chien-I Kuo,Chih-Chiang Chang,Chia-Pin Lin,Yuan-Ching Peng,Wen-Hsing Hsieh,Chih-Ching Wang,Chung-Chi WEN,Yen-Sheng Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device with multi-layer etch stop structure

Номер патента: US20240079267A1. Автор: Tze-Liang Lee,Jen-Hung Wang,Yu-Kai Lin,Po-Cheng Shih,Su-Jen Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device

Номер патента: NL2022617B1. Автор: SHINOTAKE Yohei,NAKAGAWA Masao,Kuwano Ryoji. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2020-02-10.

Semiconductor device structure with resistive element

Номер патента: US20230326795A1. Автор: Chii-Ping Chen,Yu-Hsiang Chen,Wen-Sheh Huang,Hsiu-Wen Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US20180012769A1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-11.

Semiconductor device having vertical channel transistor and methods of fabricating the same

Номер патента: US20130113029A1. Автор: Dae-Ik Kim,Hyeong-Sun HONG,Yoo-Sang Hwang,Yong-Chul Oh,Gyo-Young Jin,Hyung-woo Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-09.

Semiconductor devices

Номер патента: US11978739B2. Автор: Geumjong BAE,Ho-jun Kim,Jaehyeoung Ma. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: EP3944293A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-26.

Semiconductor device

Номер патента: US11961806B2. Автор: Hyun-Seung Song,Dong Il Bae,Beomjin PARK,Noh Yeong PARK,Sangwon BAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor device

Номер патента: US11984473B2. Автор: Yoko Iwakaji,Tomoko Matsudai. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device structure with resistive element

Номер патента: US20190279933A1. Автор: Chung-Hui Chen,Wei-Chih Chen,Sheng-Feng Liu,Bi-Ling Lin,Chii-Ping Chen,Wen-Sheh Huang,Wan-Te CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-09-12.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20030077856A1. Автор: Yukihiko Furukawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US6723571B2. Автор: Yukihiko Furukawa. Владелец: Fujitsu Quantum Devices Ltd. Дата публикации: 2004-04-20.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150270191A1. Автор: Shoji Hayashi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

Semiconductor device structure with metal gate stacks

Номер патента: US20200052090A1. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Chih-Chang Hung,Chih-Ming Sun,Shu-Yuan Ku,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Semiconductor device structure with metal gate stacks

Номер патента: US20220102532A1. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Chih-Chang Hung,Chih-Ming Sun,Shu-Yuan Ku,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor device structure with barrier portion

Номер патента: US20230395505A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor Device Having an Implanted Precipitate Region and a Method of Manufacture Therefor

Номер патента: US20080210976A1. Автор: Kaiping Liu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor device

Номер патента: EP4246596A1. Автор: Yoko Iwakaji,Tomoko Matsudai,Keiko Kawamura,Hiroko Itokazu,Kaori Fuse. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Semiconductor device structure and method for preparing the same

Номер патента: US20240087895A1. Автор: Cheng-Hsiang Fan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device structure and method for preparing the same

Номер патента: US20230386842A1. Автор: Cheng-Hsiang Fan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024108491A1. Автор: Kai Hu,King Yuen Wong,Huixin He,Zhongyu ZHANG. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device substrate and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20020064899A1. Автор: Itaru Matsuo,Hiroshi Ryu,Kayo Miyamura. Владелец: Renesas Semiconductor Engineering Corp. Дата публикации: 2002-05-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20240088220A1. Автор: Ryohei GEJO. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Structure and formation method of interconnection structure of semiconductor device

Номер патента: US20190027406A1. Автор: Tai-I Yang,Chia-Tien Wu,Hsiang-Wei Liu,Wei-Chen CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor device structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US9059126B1. Автор: Chien-Hsuan Liu,Chao-Chi Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-06-16.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US11948879B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240047230A1. Автор: Hiroshi Yokota,Naoki Furukawa,Yutaka Okada,Naoki Maruyama,Tomohiko Kotake,Tomoko Higashiuchi,Nozomi Matsubara. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device assemblies with lids including circuit elements

Номер патента: US20180358330A1. Автор: Thomas H. Kinsley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor device assemblies with lids including circuit elements

Номер патента: US20200126954A1. Автор: Thomas H. Kinsley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor device assemblies with lids including circuit elements

Номер патента: WO2018231497A1. Автор: Thomas H. Kinsley. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-12-20.

Semiconductor device assembly with a thermally-conductive channel

Номер патента: US20240145337A1. Автор: Walter L. Moden,Quang Nguyen,Christopher Glancey,Koustav Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130001680A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2013-01-03.

Semiconductor device, related manufacturing method, and related electronic device

Номер патента: US20150187793A1. Автор: Herb He Huang,Clifford I. Drowley. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20160190268A1. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu,Tsung-Hsueh Yang,Chung-Chiang Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Semiconductor device structure with energy removable structure and method for preparing the same

Номер патента: US20240186243A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device structure with energy removable structure and method for preparing the same

Номер патента: US20240186244A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

High-yield semiconductor device modules and related systems

Номер патента: US20190067233A1. Автор: John F. Kaeding,Chan H. Yoo,Ashok Pachamuthu,Szu-Ying Ho. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor device, fabrication method for semiconductor device, power supply apparatus and high-frequency amplifier

Номер патента: US20170352755A1. Автор: Atsushi Yamada,Tatsuya Hirose,Masato Nishimori. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-12-07.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240186201A1. Автор: Ian HU,Ming-Han WANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20070272984A1. Автор: Hisashi Hasegawa,Jun Osanai,Akiko Tsukamoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-29.

Semiconductor device manufacturing method with spin-coating of photoresist material

Номер патента: US7790555B2. Автор: Hisashi Hasegawa,Jun Osanai,Akiko Tsukamoto. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2010-09-07.

Semiconductor device

Номер патента: EP4340039A1. Автор: Ryohei GEJO. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-03-20.

Semiconductor device structure comprising source and drain protective circuits against electrostatic discharge (ESD)

Номер патента: US11810872B2. Автор: Jian-Hsing Lee,Shao-Chang Huang,Hwa-Chyi Chiou,Chih-Hsuan Lin,Karuna NIDHI,Yu-Kai Wang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20230187221A1. Автор: Masayuki Momose,Naoki Kuneshita,Takane YAMADA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Structure and formation method of interconnection structure of semiconductor device structure

Номер патента: US20180261501A1. Автор: Chang-Ming Wu,Lee-Chuan Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240072114A1. Автор: Yi-Chen Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US12002872B2. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao,Kuo-Hui Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20230282723A1. Автор: Chung-Ting Ko,Chih-Chung Chang,Sung-En Lin,Yi-Hsiu Liu,Po-Shao LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor laminate, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230245883A1. Автор: Hiroshi Hashigami. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor device structure with magnetic element

Номер патента: US20210280477A1. Автор: Mirng-Ji Lii,Mill-Jer Wang,Chi-Chang Lai,Tang-Jung CHIU,Chia-Heng TSAI,Weii LIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor device, semiconductor wafer and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20180301366A1. Автор: Masamichi Yanagida,Nobuyoshi Matsuura. Владелец: Ubiq Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor device with doped region adjacent isolation structure in extension region

Номер патента: US20210126126A1. Автор: Srikanth Balaji Samavedam,Jagar Singh,Frank Scott Johnson,Anvitha Shampur,Luigi Pantisano. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device structure

Номер патента: US20160071976A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yi-Jen Chen,Yung-Jung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-10.

Semiconductor device packages having stacked semiconductor dice

Номер патента: US20220199601A1. Автор: Wei Zhou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor device structure with bottom capacitor electrode having crown-shaped structure and interconnect portion and method for forming the same

Номер патента: US20220208955A1. Автор: Hung-Chi Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-06-30.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170040413A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-02-09.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190237578A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210384347A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240074188A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device structure with conductive polymer liner and method for forming the same

Номер патента: US20220068855A1. Автор: Yu-Han Hsueh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US20170222044A1. Автор: Yi-Hsien Lin,Steve S. Chung,E-Ray HSIEH. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-08-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210066445A1. Автор: Akira Matsumoto,Kazuhiko IWAKIRI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210202413A1. Автор: Wen-Long Lu,Chi-Chang Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor device with isolation structure

Номер патента: US20240194674A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi-Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Tunnel Dielectric Comprising Nitrogen For Use With A Semiconductor Device And A Process For Forming The Device

Номер патента: US20100099235A1. Автор: Akira Goda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7230322B2. Автор: Hiroshi Sawano,Masataka Nanba,Norihide Funato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-06-12.

Semiconductor device production method and semiconductor device

Номер патента: US9666688B2. Автор: XINPENG WANG,Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura,Nozomu Harada,Yisuo Li,Zhixian Chen,Aashit Ramachandra Kamath,Teng Soong PHUA,Patrick Guo-Qiang Lo. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10431520B2. Автор: Susumu Iwamoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-01.

Diode and manufacturing method therefor, and semiconductor device

Номер патента: US20240072178A1. Автор: Yan Gu,HUA Song,Sen Zhang,Nailong He. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device package assemblies with direct leadframe attachment

Номер патента: US11901309B2. Автор: Seungwon Im,Oseob Jeon. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device package

Номер патента: US20230307380A1. Автор: Ming-Chiang Lee,Yung-I Yeh,Cheng-Nan Lin. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device structure with resistive element

Номер патента: US11901289B2. Автор: Chung-Hui Chen,Wei-Chih Chen,Sheng-Feng Liu,Bi-Ling Lin,Chii-Ping Chen,Wen-Sheh Huang,Wan-Te CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Discontinuous patterned bonds for semiconductor devices and associated systems and methods

Номер патента: US20150357314A1. Автор: Vladimir Odnoblyudov,Scott D. Schellhammer,Jeremy S. FREI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Discontinuous patterned bonds for semiconductor devices and associated systems and methods

Номер патента: US20140295594A1. Автор: Vladimir Odnoblyudov,Scott D. Schellhammer,Jeremy S. FREI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-10-02.

Discontinuous patterned bonds for semiconductor devices and associated systems and methods

Номер патента: EP2751831A2. Автор: Vladimir Odnoblyudov,Scott D. Schellhammer,Jeremy S. FREI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-09.

Discontinuous patterned bonds for semiconductor devices and associated systems and methods

Номер патента: US11901342B2. Автор: Vladimir Odnoblyudov,Scott D. Schellhammer,Jeremy S. FREI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: US20240030035A1. Автор: Jerry Peijun Chen,Fred Alokozai. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-01-25.

Apparatus for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220259739A1. Автор: Hirotaka Mori,Hiroaki FUJIBAYASHI,Yuya KOIDE. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Memory scaling semiconductor device

Номер патента: US20210104495A1. Автор: Srinivasan Sivaram,Shrikar Bhagath,Nagesh Vodrahalli,Rama Shukla,Chih Yang Li. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-04-08.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20210242165A1. Автор: Tomoaki Ichikawa,Ryota Mita. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2021-08-05.

Semiconductor device with negative capacitance structure and method for forming the same

Номер патента: US10861968B1. Автор: Chih-Hao Wang,Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi-On CHUI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-08.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: EP4312253A1. Автор: Akira Mori,Masatake Nagaya,Masakazu Takeda,Mitsuru Kitaichi,Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,naoya Kiyama,Masaru OKUDA. Владелец: Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-31.

Semiconductor device structure with composite bottle-shaped through silicon via and method for prepriang the same

Номер патента: US20230352433A1. Автор: Sheng-hui Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Structure and formation method of semiconductor device structure with nanowire

Номер патента: US20190140105A1. Автор: Cheng-Hsien Wu,Stefan Rusu,Wilman Tsai,I-Sheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20210074813A1. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20240014269A1. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor element, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor element

Номер патента: US20230378223A1. Автор: Kentaro Akiyama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor devices with single-photon avalanche diodes and light spreading lenses

Номер патента: US11876109B2. Автор: Brian Patrick McGarvey. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11849586B2. Автор: Tatsuo Izumi,Shigeo Kondo,Hideto Takekida,Takahisa Kanemura,Kaito SHIRAI,Reiko SHAMOTO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor device with negative capacitance structure and method for forming the same

Номер патента: US20200381559A1. Автор: Chih-Hao Wang,Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi-On CHUI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Manufacturing method for semiconductor device embedded substrate

Номер патента: US20100112802A1. Автор: Toshio Kobayashi,Tadashi Arai,Takaharu Yamano. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-06.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, inverter circuit, drive device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20230299192A1. Автор: Ryosuke Iijima,Shinichi Kimoto,Shinsuke Harada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230402521A1. Автор: Chen-Yu Tai,Chih-Chang Hung,Chun-Liang Lai,Tzu-Ging LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, inverter circuit, drive device, vehicle, and elevator

Номер патента: US11824083B2. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor device

Номер патента: US11848251B2. Автор: Hiroyoshi Araki,Takanobu Naruse. Владелец: Aisin Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor device housing package, and semiconductor apparatus and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20140008780A1. Автор: Mahiro Tsujino,Manabu Miyahara. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2014-01-09.

Multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US20150162334A1. Автор: Zhiqiang Wu,Chih-Chieh Yeh,Yi-Ming Sheu,Tsung-Hsing Yu,Ken-Ichi Goto,Wen-Hsing Hsieh,Jon-Hsu Ho,Chih-Ching Wang,Ching-Fang Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-06-11.

Stacked die modules for semiconductor device assemblies and methods of manufacturing stacked die modules

Номер патента: WO2023287482A1. Автор: Jong Sik Paek. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device structure with composite bottle-shaped through silicon via

Номер патента: US20230352434A1. Автор: Sheng-hui Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device

Номер патента: US11810952B2. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor devices with single-photon avalanche diodes and light spreading lenses

Номер патента: US20240105753A1. Автор: Brian Patrick McGarvey. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device manufacturing method and jig set

Номер патента: US20230154889A1. Автор: Manabu Ishikawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: US11810788B2. Автор: Jerry Peijun Chen,Fred Alokozai. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor device structure with magnetic element

Номер патента: US20230361156A1. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Wei-Li Huang,Chi-Cheng Chen,Chien-Chih Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Esd protection diode and electronic device including the same

Номер патента: US20180096986A1. Автор: Jongdae Kim,Yil Suk Yang,Yong-Seo Koo,Jimin Oh. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Dankook University. Дата публикации: 2018-04-05.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8043917B2. Автор: Masanori Terahara,Takayuki Wada,Junji Oh. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-10-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11817483B2. Автор: Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US20140361295A1. Автор: Makoto Nakazawa,Seiichi Uchida,Yasuyuki Ogawa,Shigeyasu Mori,Tadayoshi Miyamoto,Kazuatsu Ito,Mitsunobu Miyamoto,Takuya Matsuo. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2014-12-11.

Semiconductor device structure with magnetic element

Номер патента: US11908885B2. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Wei-Li Huang,Chi-Cheng Chen,Chun-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor Device with Tunable Antenna Using Wire Bonds

Номер патента: US20200076051A1. Автор: Shijian Luo,Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230027173A1. Автор: Tatsuo Izumi,Shigeo Kondo,Hideto Takekida,Takahisa Kanemura,Kaito SHIRAI,Reiko SHAMOTO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230369455A1. Автор: Ling-Sung Wang,Yung-Yu Chen,Yi-Ming Lin,Jhen-Wei CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240178069A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device assemblies including low-stress spacer

Номер патента: US20210193551A1. Автор: Chee Hiong Chew,Atapol Prajuckamol. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2021-06-24.

Formation method and structure of semiconductor device with source/drain structures

Номер патента: US20180294357A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Zheng-Yang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-11.

Semiconductor devices

Номер патента: US20200118926A1. Автор: Doo-Hwan Park,Woo Kyung YOU,Jong Min Baek,Eui Bok LEE,Sang Hoon AHN,Hyeok Sang OH,Deok Young Jung,Sang Bom KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor device modules and related methods

Номер патента: US20190252342A1. Автор: John F. Kaeding,Chan H. Yoo,Ashok Pachamuthu,Szu-Ying Ho. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-15.

Semiconductor device with improved current flow distribution

Номер патента: US20200161423A1. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20200035819A1. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Semiconductor device package assemblies and methods of manufacture

Номер патента: US20240162110A1. Автор: Seungwon Im,Oseob Jeon,Byoungok Lee,Jeungdae Kim. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210134752A1. Автор: Wen-Long Lu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor mounting substrate

Номер патента: US20150216040A1. Автор: Daisuke Mizutani,Mamoru Kurashina. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-07-30.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor mounting substrate

Номер патента: US9048332B2. Автор: Daisuke Mizutani,Mamoru Kurashina. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-06-02.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, inverter circuit, drive device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20240047514A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Discontinuous patterned bonds for semiconductor devices and associated systems and methods

Номер патента: US20240186298A1. Автор: Vladimir Odnoblyudov,Scott D. Schellhammer,Jeremy S. FREI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device structure with metal gate stack

Номер патента: US20230378321A1. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device

Номер патента: EP4109520A2. Автор: Ming-Tse Lin,Chung-hsing Kuo,Chun-Ting Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

Semiconductor device

Номер патента: EP4109520A3. Автор: Ming-Tse Lin,Chung-hsing Kuo,Chun-Ting Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Semiconductor device and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240055485A1. Автор: Sung-Li Wang,Shuen-Shin Liang,Cheng-Wei Chang,Shahaji B. More,Yi-Ying Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20200343377A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Shi-Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Stacked die modules for semiconductor device assemblies and methods of manufacturing stacked die modules

Номер патента: EP4371156A1. Автор: Jong Sik Paek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-22.

High voltage semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20230343870A1. Автор: Ho Jin YUN. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device and method of producing semiconductor device

Номер патента: US20110207281A1. Автор: Junichi KAMOSHITA. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-25.

Embedded component package structure having a magnetically permeable layer

Номер патента: US11715694B2. Автор: Hsing Kuo TIEN,Chih Cheng Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-08-01.

Semiconductor device package

Номер патента: US20210202410A1. Автор: Yi Chuan Ding,Guo-Cheng Liao. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Sealing sheet and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20200006167A1. Автор: Takashi Sugino,Yusuke Nezu. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: EP4343856A1. Автор: Tatsuya Nishiwaki,Kentaro Ichinoseki,Keiko Kawamura,Kohei Oasa. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-03-27.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170221803A1. Автор: Katsuhito Kamachi,Hideaki Tamimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20110147832A1. Автор: Woong Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-23.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120009752A1. Автор: Masanori Terahara,Takayuki Wada,Junji Oh. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-01-12.

Semiconductor device manufacturing method, semiconductor device, and display device

Номер патента: US20150041947A1. Автор: Katsuyuki Suga. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Systems and methods of masking during high-energy implantation when fabricating wide band gap semiconductor devices

Номер патента: US20200105879A1. Автор: Reza Ghandi,Christopher Bauer,Shaoxin Lu,William Gregg Hawkins. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP2529426A1. Автор: Nicolaas Aldegonda Jan Maria Van Aerle,Christoph Wilhelm Sele,Eduard Jacobus Antonius Lassauw. Владелец: Polymer Vision BV. Дата публикации: 2012-12-05.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12148671B2. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chia-Hao Yu,Chen-Ping CHEN,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Manufacturing method of a group III-V compound semiconductor device

Номер патента: US11417524B2. Автор: Eiji Nakai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-08-16.

Apparatus for wiring semiconductor device using energy beam and wiring method by using the same

Номер патента: US5149973A. Автор: Hiroaki Morimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-09-22.

Semiconductor device manufacturing method using a sealing layer for sealing of a gap between two wafers bonded to each other

Номер патента: WO2016071064A1. Автор: Wolfgang Janisch,Sven Matthias,Atze De Vries. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2016-05-12.

Methods of uniformly removing silicon oxide and an intermediate semiconductor device

Номер патента: US8435904B2. Автор: Nishant Sinha,Joseph N. Greeley,Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-07.

Power semiconductor device package

Номер патента: US3839660A. Автор: H Stryker. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1974-10-01.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: EP4290583A3. Автор: Alexander Viktorovich Bolotnikov,Peter Almem LOSEE,Yang Sui. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-12-27.

Wire bonded wide i/o semiconductor device

Номер патента: US20180174996A1. Автор: Gokul Kumar,Chih-Chin Liao,Hem Takiar,Venkatesh P. Ramachandra,Michael Mostovoy,Vinayak Ghatawade,Ning Ye. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-06-21.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a notched gate electrode

Номер патента: US11791392B2. Автор: Upinder Singh,Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20230091217A1. Автор: Yoko Yamamoto. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Memory scaling semiconductor device

Номер патента: US20210104494A1. Автор: Shrikar Bhagath,Nagesh Vodrahalli,Rama Shukla. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-04-08.

Memory scaling semiconductor device

Номер патента: US20210104493A1. Автор: Nagesh Vodrahalli. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-04-08.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: EP4262335A1. Автор: Taeyoung Kim,Bongyong Lee,Hyunmog Park,Siyeon Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-18.

Semiconductor device and related fabrication methods

Номер патента: US20150162328A1. Автор: Jingjing Chen,Edouard D. De Frèsart,Peilin Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-06-11.

Semiconductor device with die bumps aligned with substrate balls

Номер патента: US20200395326A1. Автор: Arkady Katz,Victor Kviat. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor device

Номер патента: US11881509B2. Автор: Junbeom PARK,Minyi Kim,Sangmo KOO,Seokhyeon YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220359325A1. Автор: Shoji Saito,Katsuhiko Kondo,Takuya SHIRATSURU. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor device, inverter circuit, drive device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20230317844A1. Автор: Shinya Kyogoku,Ryosuke Iijima,Shinichi Kimoto,Shinsuke Harada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device manufacturing method, curable resin composition for temporary fixation material, film for temporary fixation material, and laminated film for temporary fixation material

Номер патента: US11840648B2. Автор: Takashi Kawamori,Yoshihito Inaba,Emi Miyazawa,Tsuyoshi Hayasaka,Shinichiro SUKATA,Keisuke NISHIDO. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor device manufacturing method, curable resin composition for temporary fixation material, film for temporary fixation material, and laminated film for temporary fixation material

Номер патента: US20200399506A1. Автор: Takashi Kawamori,Yoshihito Inaba,Emi Miyazawa,Tsuyoshi Hayasaka,Shinichiro SUKATA,Keisuke NISHIDO. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Semiconductor Device And Method For Manufacturing Thereof

Номер патента: US20150221640A1. Автор: Po-Jen Shih,Cheng-Chun Tsai,Hung-Hsin Liang,Fu-An Li,Ting-Hsien Chen,Mu-Kai Tung,Ben-Zu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-08-06.

Compound semiconductor device, power supply unit, and amplifier

Номер патента: US10008572B2. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-06-26.

Compound semiconductor device, power supply unit, and amplifier

Номер патента: US20180090575A1. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor devices having discretely located passivation material, and associated systems and methods

Номер патента: US10896886B2. Автор: Jonathan S. Hacker,Christopher J. Gambee,Chandra S. Tiwari,Mayukhee Das. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-19.

Semiconductor devices having discretely located passivation material, and associated systems and methods

Номер патента: US10262961B2. Автор: Jonathan S. Hacker,Christopher J. Gambee,Chandra S. Tiwari,Mayukhee Das. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-16.

Semiconductor devices having discretely located passivation material, and associated systems and methods

Номер патента: WO2019032146A1. Автор: Jonathan S. Hacker,Christopher J. Gambee,Chandra S. Tiwari,Mayukhee Das. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor device and related fabrication methods

Номер патента: WO2012106833A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,D Defresart EDOUARD. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc. Are. Дата публикации: 2012-08-16.

Semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device

Номер патента: US20230335410A1. Автор: Tsuyoshi Kawakami,Akira KIYOI,Naoyuki Kawabata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device structure with patterns having coplanar bottom surfaces and method for preparing the same

Номер патента: US20240128083A1. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20160056255A1. Автор: Po-Jen Shih,Cheng-Chun Tsai,Hung-Hsin Liang,Fu-An Li,Ting-Hsien Chen,Mu-Kai Tung,Ben-Zu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

Apparatus and Semiconductor Structure including a Multilayer Package Substrate

Номер патента: US20160225689A1. Автор: Nathan Perkins. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor device

Номер патента: US11967568B2. Автор: Kouta Tomita. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor devices and methods for fabricating thereof

Номер патента: US20230292496A1. Автор: Young-Lim Park,Jong-bom Seo,Sang Yeol Kang,Se Hyoung Ahn,Chang Mu An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Method of forming self-aligned silicide layers on semiconductor devices

Номер патента: US20020182860A1. Автор: Jerry Lin,Cheng-Kuo Yuan,Chi-Wei Chou. Владелец: SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor device structure with patterns having coplanar bottom surfaces and method for preparing the same

Номер патента: US20240128084A1. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device, inverter circuit, drive device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20230299193A1. Автор: Ryosuke Iijima,Shinichi Kimoto,Shinsuke Harada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: EP4290583A2. Автор: Alexander Viktorovich Bolotnikov,Peter Almem LOSEE,Yang Sui. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-12-13.

Integrated fabrication of semiconductor devices

Номер патента: US20160005860A1. Автор: Shih-Chang Lin,Meng-Yi Wu,Hsing-Chih LIN,Chieh-Shuo Liang,Yu-Lung Yeh,Ming-Chi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20240071923A1. Автор: Jongmin Lee,Joongwon Shin,Jimin CHOI,Nara Lee,Minjun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Sic semiconductor device manufacturing method and sic semiconductor device

Номер патента: US20230307503A1. Автор: Takuma Kobayashi,Tsunenobu Kimoto,Keita TACHIKI. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor devices having discretely located passivation material, and associated systems and methods

Номер патента: US20190189576A1. Автор: Jonathan S. Hacker,Christopher J. Gambee,Chandra S. Tiwari,Mayukhee Das. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor devices having discretely located passivation material, and associated systems and methods

Номер патента: US20190051623A1. Автор: Jonathan S. Hacker,Christopher J. Gambee,Chandra S. Tiwari,Mayukhee Das. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Vertical semiconductor device and method of manufacturing vertical semiconductor device

Номер патента: US20190267486A1. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor device manufacturing method, curable resin composition for temporary fixation material, film for temporary fixation material, and laminated film for temporary fixation material

Номер патента: US20240093059A1. Автор: Takashi Kawamori,Yoshihito Inaba,Emi Miyazawa,Tsuyoshi Hayasaka,Shinichiro SUKATA,Keisuke NISHIDO. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor Device Assembly with Pillar Array

Номер патента: US20210183662A1. Автор: Kyle K. Kirby,Owen R. Fay,Akshay N. Singh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US7338815B2. Автор: Yukinobu Hikosaka,Hirotoshi Tachibana. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-03-04.

Semiconductor device fabrication apparatus and semiconductor device fabrication method using the same

Номер патента: US20240071768A1. Автор: Seong Gi Jeon,Sang - Il CHOI,Yeong Jun JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor Device

Номер патента: US20240120250A1. Автор: Hans-Juergen Funke,Sönke HABENICHT,Nam Khong Then. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-04-11.

Method of manufacturing semiconductor device mounting structure

Номер патента: US20140193953A1. Автор: Manabu Watanabe,Takashi Kanda,Masateru Koide,Kenji Fukuzono. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-07-10.

Semiconductor device mounting structure, method of manufacturing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US20130341767A1. Автор: Manabu Watanabe,Takashi Kanda,Masateru Koide,Kenji Fukuzono. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-12-26.

Semiconductor devices and methods for fabricating thereof

Номер патента: US20210125996A1. Автор: Young-Lim Park,Jong-bom Seo,Sang Yeol Kang,Se Hyoung Ahn,Chang Mu An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor devices and methods for fabricating thereof

Номер патента: US11244946B2. Автор: Young-Lim Park,Jong-bom Seo,Sang Yeol Kang,Se Hyoung Ahn,Chang Mu An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-08.

Compound semiconductor device and method of manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US20180108768A1. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-04-19.

Semiconductor device structure with metal gate stack

Номер патента: US20240222458A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Huan-Chieh Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Electrochemical device separator including porous organic/inorganic composite coating layer and electrochemical device including same

Номер патента: US20240332736A1. Автор: Seung Hyun Lee,Min Ji Kim,Dong Wook Sung,Kyung Ryun Ka. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and structure

Номер патента: US10777540B2. Автор: Zvi Or-Bach. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2020-09-15.

Light-emitting aluminum gallium indium nitride compound semiconductor device having an improved luminous intensity

Номер патента: US6265726B1. Автор: Shiro Yamazaki,Masayoshi Koike,Katsuhide Manabe,Makoto Asai,Hisaki Kato,Naoki Shibata,Michinari Sassa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-24.

Semiconductor device and method for high-k gate dielectrics

Номер патента: US7355235B2. Автор: Chih-Hao Wang,Ching-Wei Tsai,Shang-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-04-08.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US8399351B2. Автор: Masashi Takahashi. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-19.

Semiconductor device manufacturing method and plasma etching apparatus

Номер патента: US8772172B2. Автор: Eiichi Nishimura,Masato Kushibiki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-07-08.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240021717A1. Автор: Isamu Nishimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device assemblies including stacked individual modules

Номер патента: US20220271011A1. Автор: Blaine J. Thurgood. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Asymmetrical field-effect semiconductor device with sti region

Номер патента: WO2007072292A1. Автор: Theodore James Letavic. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2007-06-28.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230378325A1. Автор: Sheng-Hsuan Lin,I Lee,feng-yu Chang,Shu-Lan CHANG,Chun-Yen Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device with novel spacer structures having novel configurations

Номер патента: US20190363173A1. Автор: Peter Baars,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-11-28.

Semiconductor device assemblies including stacked individual modules

Номер патента: US11842984B2. Автор: Blaine J. Thurgood. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor Device Manufacturing Method and Substrate Processing Apparatus

Номер патента: US20150214045A1. Автор: Tatsuyuki Saito,Masanori Sakai,Yukinao Kaga,Takashi Yokogawa. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2015-07-30.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus

Номер патента: US20240006193A1. Автор: Hiroaki Yoshino,Shinsuke Tei. Владелец: Shinkawa Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device

Номер патента: US11728386B2. Автор: Hiroshi Kono,Takuma Suzuki,Shigeto Fukatsu,Souzou KANIE. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Structure of semiconductor device

Номер патента: US20220093741A1. Автор: Chia-Jung Hsu,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin,Tsai-Yu Wen,Shi You Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Structure of semiconductor device

Номер патента: US11646349B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin,Tsai-Yu Wen,Shi You Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-05-09.

Semiconductor device manufacturing method and wafer structural object

Номер патента: US20230343578A1. Автор: Minoru Nakagawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device

Номер патента: US11749722B2. Автор: Takuma Suzuki,Kazuhisa Goto,Susumu Obata,Sozo Kanie,Chiharu Ota. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device manufacturing method, and photoelectric conversion device

Номер патента: US20150228683A1. Автор: Yu Nishimura,Hiroaki Naruse,Aiko Kato,Keita Torii. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-08-13.

Mobile wireless communications device including a power divider connecting an lna to multiple receive signal chains

Номер патента: US20120176944A1. Автор: Wen-Yen Chan. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2012-07-12.

Method of supplying flux to semiconductor device

Номер патента: WO2006046806A1. Автор: Myung-Soon Park. Владелец: Korea Semiconductor System Co., Ltd.. Дата публикации: 2006-05-04.

Semiconductor device

Номер патента: US11955543B2. Автор: Hiroshi Kono. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Doping for Semiconductor Device with Conductive Feature

Номер патента: US20230352533A1. Автор: Lun-Kuang Tan,Chia-Cheng Chen,Liang-Yin Chen,Chang-Miao Liu,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Huai-Tei Yang,Kuo-Ju Chen,Chun-Hung Wu,Wei-Ming You. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Manufacturing apparatus and method for semiconductor device

Номер патента: US20110092075A1. Автор: Kunihiko Suzuki,Shinichi Mitani. Владелец: Nuflare Technology Inc. Дата публикации: 2011-04-21.

SiC SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SiC MOSFET

Номер патента: US20240071764A1. Автор: Tsunenobu Kimoto,Keita TACHIKI. Владелец: KYOTO UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-02-29.

Lid structure and semiconductor device package including the same

Номер патента: US11776862B2. Автор: Chun-Han Chen,Hsun-Wei Chan,Mei-Yi Wu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US11769800B2. Автор: Hiroshi Kono,Shunsuke Asaba. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor device-manufacturing method

Номер патента: US20030059979A1. Автор: Ikuo Mori,Naotake Watanabe,Yasunari Ukita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-27.

Semiconductor device assemblies including stacked individual modules

Номер патента: US20210202443A1. Автор: Blaine J. Thurgood. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor device having wafer level chip scale packaging substrate decoupling

Номер патента: WO2009029566A2. Автор: Baher S. Haroun,Robert F. Mccarthy,Rajen M. Murugan. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor device and data storage system including the same

Номер патента: EP4336986A1. Автор: Sangjae Lee,Seungyoon Kim,Jaehwang SIM,Minkyu Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-13.

Semiconductor device having fin-type pattern with varying widths along a center vertical line thereof

Номер патента: US11956937B2. Автор: Ki-Il KIM,Jung-Gun You,Gi-gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-09.

Asymmetrical field-effect semiconductor device with sti region

Номер патента: EP1966828A1. Автор: Theodore James Letavic. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-09-10.

Semiconductor device package and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20190131231A1. Автор: Wen-Long Lu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20220216310A1. Автор: Taro Kondo. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Capacitor and manufacturing method thereof, and semiconductor device

Номер патента: US20230170382A1. Автор: Weiping BAI,Xingsong SU,Mengkang YU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor device having multiple electrostatic discharge (ESD) paths

Номер патента: US11929363B2. Автор: Jam-Wem Lee,Li-Wei Chu,Ming-Fu Tsai,Yu-Ti Su,Po-Lin PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor device having wafer level chip scale packaging substrate decoupling

Номер патента: WO2009029566A3. Автор: Robert F Mccarthy,Baher S Haroun,Rajen M Murugan. Владелец: Rajen M Murugan. Дата публикации: 2009-05-28.

Doping for semiconductor device with conductive feature

Номер патента: US12015055B2. Автор: Lun-Kuang Tan,Chia-Cheng Chen,Liang-Yin Chen,Chang-Miao Liu,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Huai-Tei Yang,Kuo-Ju Chen,Chun-Hung Wu,Wei-Ming You. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Light-emitting element and light-emitting device including a first p-side semiconductor layer and a second p-side semiconductor layer

Номер патента: US9780261B2. Автор: Yoshiki Inoue,Hiroaki Kageyama,Keiji Emura. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: NL2022578A. Автор: Nishimura Hideki,SHINOTAKE Yohei,NAKAGAWA Masao,Kuwano Ryoji. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor device and wafer structure having a planar buried interconnect by wafer bonding

Номер патента: US5260233A. Автор: Rajiv V. Joshi,Joseph F. Shepard,Taqi N. Buti,Louis L-C. Hsu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-11-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH TRANSISTOR INCLUDING A BODY CONTACT PART AND PRODUCTION METHOD FOR THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: DE102016104317A1. Автор: Andreas Meiser,Till Schlosser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-10-20.

Supporting system for the delay line of a travelling wave tube

Номер патента: US4358705A. Автор: Hinrich Heynisch. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1982-11-09.

Method of manufacturing a semiconductor device with a copper wiring layer

Номер патента: US5084412A. Автор: Yasushi Nakasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-01-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110241107A1. Автор: Jin Yul Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-10-06.

Standalone flex circuit for intravascular imaging device and associated devices, systems, and methods

Номер патента: US11903759B2. Автор: Jeremy Stigall,Maritess Minas,Princeton SAROHA,David Kenneth WROLSTAD. Владелец: Philips Image Guided Therapy Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230411479A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Chun-Fu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Supply circuit for power module with built-in isolation transformer and associated power module

Номер патента: US20230268112A1. Автор: Rabih KHAZAKA,Jean Sylvio NGOUA TEU MAGAMBO,Thanh Long Le. Владелец: Safran SA. Дата публикации: 2023-08-24.

Integrated light engine having a low-power standby mode

Номер патента: US20240334566A1. Автор: Louis Chen,Michael Archer,Yuko Nakazawa,Steven C. KRATTIGER,James H. Mohan,Vachik Javadian,Erik Morales. Владелец: ERP Power LLC. Дата публикации: 2024-10-03.

DC link circuit for an electronically commutated motor

Номер патента: US5513058A. Автор: Robert K. Hollenbeck. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1996-04-30.

Solid-sate camera with solid-state memory for holding characteristic code representing characteristic of an internal circuit

Номер патента: US5821996A. Автор: Takashi Suzuki,Nobuaki Date,Hideaki Kawamura,Akihiko Tojo,Hiroyuki Horii,Seiichi Ozaki,Toshihiko Mimura,Kan Takaiwa,Yoshitaka Murata. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1998-10-13.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US11854899B2. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chia-Hao Yu,Chen-Ping CHEN,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Offset controllable spread spectrum clock generator apparatus

Номер патента: US20070091986A1. Автор: Shang-Hsiu Wu. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2007-04-26.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240014073A1. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chia-Hao Yu,Chen-Ping CHEN,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Resin sealed semiconductor device

Номер патента: US20020084523A1. Автор: Masayoshi Kikuchi,Kazuaki Sorimachi. Владелец: Citizen Watch Co Ltd. Дата публикации: 2002-07-04.

Lighting system including a fast low-power startup circuit

Номер патента: US20240334569A1. Автор: Louis Chen,Michael Archer,Yuko Nakazawa,Steven C. KRATTIGER,James H. Mohan,Vachik Javadian,Erik Morales. Владелец: ERP Power LLC. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and sensor including a single photon avalanche diode (spad) structure

Номер патента: US20190312070A1. Автор: Claudio Piemonte. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2019-10-10.

Semiconductor device gate structure including a gettering layer

Номер патента: US20100048010A1. Автор: Chien-Hao Chen,Yong-Tian Hou,Peng-Fu Hsu,Kuo-Tai Huang,Donald Y. Chao,Cheng-Lung Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-02-25.

Semiconductor device gate structure including a gettering layer

Номер патента: US7989321B2. Автор: Chien-Hao Chen,Yong-Tian Hou,Peng-Fu Hsu,Kuo-Tai Huang,Donald Y. Chao,Cheng-Lung Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-08-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH OTHER INCLUDING A FIELD POWER TRANSISTOR

Номер патента: SE437094B. Автор: J A Appels,M G Collet,P A H Hart,J F C M Verhoeven. Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1985-02-04.

Semiconductor device and sensor including a single photon avalanche diode (SPAD) structure

Номер патента: US10636818B2. Автор: Claudio Piemonte. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2020-04-28.

Light emitting element and display device including the same and method for manufacturing display device

Номер патента: US11955468B2. Автор: Jaehoon Kim,Changhee Lee,Junwoo PARK,Jae Hong Park,Yunku JUNG,Minki NAM,Jaekook HA,Sungwoon KIM,Hyunmi DOH,Yunhyuk KO,Myoungjin Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor integrated circuit for minimizing a deviation of an internal power supply from a desired value

Номер патента: US8065535B2. Автор: Shingo Nakashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-11-22.

Heterocyclic compound and organic light-emitting device including the same

Номер патента: US20130032787A1. Автор: Seok-Hwan Hwang,Young-Kook Kim,Hye-jin Jung,Jin-O Lim,Jong-hyuk Lee,Se-Jin Cho,Sang-hyun Han. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-07.

Starting switch circuit for a fluorescent lamp

Номер патента: US6137241A. Автор: Masayoshi Gyoten. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2000-10-24.

Control circuit for use in a switching-type regulator

Номер патента: US4180852A. Автор: Hiroshi Nakazawa,Akio Koizumi,Mitsuo Ohsawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1979-12-25.

Systems and methods for cooling a fluid circuit for cooling a rack of servers

Номер патента: US11937405B2. Автор: Chao-Jung Chen,Yu Nien Huang,Jen-Mao CHEN,Sin-Hong LIEN. Владелец: QUANTA COMPUTER INC. Дата публикации: 2024-03-19.

Electronic device including antenna

Номер патента: US11984647B2. Автор: Seungmin WOO. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-05-14.

Systems And Methods For Cooling A Fluid Circuit For Cooling A Rack Of Servers

Номер патента: US20240179875A1. Автор: Chao-Jung Chen,Yu-Nien Huang,Jen-Mao CHEN,Sin-Hong LIEN. Владелец: QUANTA COMPUTER INC. Дата публикации: 2024-05-30.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09834435B1. Автор: Ping-Yin Liu,Xin-Hua Huang,Jung-Huei Peng,Yeong-Jyh Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Electronic-fuel-injection-system enrichment circuit for use during engine cranking

Номер патента: CA1083692A. Автор: Roger A. Moon. Владелец: Ford Motor Company of Canada Ltd. Дата публикации: 1980-08-12.

Integrated ignition and electronic auto-choke module for an internal combustion engine

Номер патента: US20160377009A1. Автор: Michael Robert KLECZEWSKI,Michael J. Tursky,Pezaan Sham PATRAWALA,Awadhesh Kumar THAKUR. Владелец: Kohler Co. Дата публикации: 2016-12-29.

Integrated ignition and electronic auto-choke module for an internal combustion engine

Номер патента: US20190211766A1. Автор: Michael Robert KLECZEWSKI,Michael J. Tursky,Pezaan Sham PATRAWALA,Awadhesh Kumar THAKUR. Владелец: Kohler Co. Дата публикации: 2019-07-11.

Cooling circuit for internal combustion engines

Номер патента: RU2647349C1. Автор: Хироюки НАГАИ. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-03-15.

Semiconductor device module

Номер патента: AU2012227357A1. Автор: Josuke Nakata. Владелец: Kyosemi Corp. Дата публикации: 2012-10-18.

Connecting clutch for a hybrid drive train having a torque sensor

Номер патента: US20170297423A1. Автор: Tim Schmid,Marc Finkenzeller,Daniel Helmer. Владелец: Schaeffler Technologies AG and Co KG. Дата публикации: 2017-10-19.

Adhesive film for polarizing plate, adhesive composition for the same, polarizing plate including the same, and optical display device including the same

Номер патента: US09765244B2. Автор: Won Kim,In Cheon Han,Irina Nam,Ri Ra Jung,Ha Yun Cho. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Dental implant handle, and dental implant package including a dental implant handle

Номер патента: US5062800A. Автор: Gerald A. Niznick. Владелец: Core Vent Corp. Дата публикации: 1991-11-05.

Bio-wave device including bio-wave card and sticky

Номер патента: US20030170430A1. Автор: Ren-Sheng Ou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-11.

Valve drive of an internal combustion engine

Номер патента: US8584639B2. Автор: Harald Elendt,Andreas Nendel,Heiko Schmidt,Mathias Boegershausen,Lars PFÜTZENREUTER,Markus Schnepp,Detlef Axmacher. Владелец: Schaeffler Technologies AG and Co KG. Дата публикации: 2013-11-19.

Integrated circuit device including a spectrum spread clock generator, method for controlling the device, and ink-jet recording apparatus including the device

Номер патента: US20030063193A1. Автор: Masayuki Hongou. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2003-04-03.

A piston for a cylinder for an internal combustion engine

Номер патента: US20190128213A1. Автор: Aurelien Tricoire,Frank LÖFSKOG. Владелец: Volvo Truck Corp. Дата публикации: 2019-05-02.

Heating device for an exhaust system of an internal combustion engine

Номер патента: EP4375492A1. Автор: Mauro Brignone,Luigi Lubrano,Emanuele Milani,Marco LA SANA,Marco Bovina,Francesco Napoli,Salvatore Pizza. Владелец: Marelli Europe Spa. Дата публикации: 2024-05-29.

Deactivating cam system for a valve train of an internal combustion engine

Номер патента: US20100319640A1. Автор: Jeffrey Shewell. Владелец: Schaeffler Technologies AG and Co KG. Дата публикации: 2010-12-23.

Reducing emissions from an internal combustion engine

Номер патента: WO1995018293A1. Автор: Thomas Tsoi-Hei Ma. Владелец: Ford Werke Ag. Дата публикации: 1995-07-06.

Transportation system including a hovering vehicle

Номер патента: US09937912B2. Автор: John Goelet. Владелец: LTA Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Cooling channel cover for a one-piece piston of an internal combustion engine

Номер патента: WO2005040585A1. Автор: Dieter Gabriel,Michael T. Lapp. Владелец: Mahle GmbH. Дата публикации: 2005-05-06.

Internal combustion engine block having a cylinder liner shunt flow cooling system and method of cooling same

Номер патента: CA2139106C. Автор: Lawrence C. Kennedy. Владелец: Detroit Diesel Corp. Дата публикации: 2002-09-17.

Cooling channel cover for a one-piece piston of an internal combustion engine

Номер патента: US6892690B2. Автор: Dieter Gabriel,Michael T. Lapp. Владелец: Mahle GmbH. Дата публикации: 2005-05-17.

Cooling channel cover for a one-piece piston of an internal combustion engine

Номер патента: WO2005040584A1. Автор: Dieter Gabriel,Michael T. Lapp. Владелец: Mahle GmbH. Дата публикации: 2005-05-06.

Apparatus and method for generating bubbles

Номер патента: US20210260496A1. Автор: Nai Yang,Ami Shapiro,Jeff FALERNI. Владелец: Honor Metro Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Apparatus and method for generating bubbles

Номер патента: WO2021167808A1. Автор: Nai Yang,Ami Shapiro,Jeff FALERNI. Владелец: Honor Metro Limited. Дата публикации: 2021-08-26.

LINE CIRCUIT AND METHOD FOR OPERATING A LINE CIRCUIT FOR WASTE-HEAT UTILIZATION OF AN INTERNAL COMBUSTION ENGINE

Номер патента: US20140075934A1. Автор: Eisenmenger Nadja,Magel Hans-Christoph,Wengert Andreas,Rewers Gregory,Brenk Achim,Seher Dieter. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2014-03-20.

Electronic control circuit for the ignition device of an internal combustion engine

Номер патента: DE2338563C3. Автор: Gerhard 7064 Geradstetten Soehner,Gerd 7140 Ludwigsburg Hoehne,Norbert Dr.-Ing. Rittmannsberger,Gert Strelow. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 1978-10-19.

Feed circuit for an ignition coil of an internal combustion engine

Номер патента: WO2000065229A1. Автор: Pierre Heritier-Best. Владелец: Sagem. Дата публикации: 2000-11-02.

Circuit and method for operating a circuit for waste heat utilization of an internal combustion engine

Номер патента: DE102011075557A1. Автор: Andreas Wengert,Hans-Christoph Magel,Dieter Seher,Gregory Rewers,Nadja Eisenmenger,Achim Brenk. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2012-11-15.

Vent circuit for a cooling system at an internal combustion engine

Номер патента: SE541131C2. Автор: Dieter Jahns,Mats Ekman,Fredrik Kållberg. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2019-04-16.

CYLINDER BORE FOR A CYLINDER HOUSING OF AN INTERNAL COMBUSTION ENGINE, AND ARRANGEMENT HAVING A CYLINDER BORE AND A PISTON

Номер патента: US20180149109A1. Автор: Bischofberger Ulrich,GAISELMANN Stefan. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

DEVICE FOR GENERATING TURBULENCE IN AN INTERNAL COMBUSTION ENGINE AND METHOD FOR OPERATING THIS ENGINE

Номер патента: FR2471476B1. Автор: . Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 1985-11-15.

METHOD AND APPARATUS FOR REMOVING MATERIAL FROM AN INTERNAL SURFACE OF A PART HAVING A CLOSED CURVED SHAPE.

Номер патента: FR2653366A1. Автор: Allan E Boothroyd,Richard J Dansereau. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 1991-04-26.

Article of footwear including a sole structure

Номер патента: US20240225188A9. Автор: Thomas J. RUSHBROOK,Jessica Small,II Fidencio CAMPOS,Zachary M. Elder,Jonathan Kosenick,Roger Paul Murphy,Shawn G. Carboy,Matthew W. THORNTON. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Transport system having a carriage with self-adjusting bearings

Номер патента: EP3995713A1. Автор: Gervase Leslie Forster,Steven Philip Rendall. Владелец: Hepco Slide Systems Ltd. Дата публикации: 2022-05-11.

Stented prosthetic heart valve having a wrap and delivery devices

Номер патента: US12036114B2. Автор: James R. Keogh,Cynthia Clague,Jeffrey Sandstrom,Joel Racchini,Michael Bateman. Владелец: Medtronic Vascular Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

A paver having a hopper

Номер патента: WO2020259812A1. Автор: Guido Hanel,Marc Kappel,Dennis GÄSSLER,Julian FREIGANG. Владелец: VOLVO CONSTRUCTION EQUIPMENT AB. Дата публикации: 2020-12-30.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MODULATION PROFILE GENERATOR AND SPREAD SPECTRUM CLOCK GENERATOR INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120001658A1. Автор: . Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CIRCUIT FOR THE OPTIMIZATION OF THE PROGRAMMING OF A FLASH MEMORY

Номер патента: US20120002479A1. Автор: . Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSFORMER AND FLAT PANEL DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120001886A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRONIC BALLAST HAVING A PARTIALLY SELF-OSCILLATING INVERTER CIRCUIT

Номер патента: US20120001560A1. Автор: Taipale Mark S.,Jr. Robert C.,Newman. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Ringing circuit for use in portable telephone set

Номер патента: CA2140679C. Автор: Nobuhisa Shinozaki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-10-14.

Ringing circuit for use in portable telephone set

Номер патента: CA2140680C. Автор: Nobuhisa Shinozaki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-02-18.

Mobile wireless communications device including a power divider connecting an lna to multiple receive signal channels and related methods

Номер патента: CA2695572C. Автор: Wen-Yen Chan. Владелец: BlackBerry Ltd. Дата публикации: 2015-09-08.

Semiconductor integrated circuit for minimizing a deviation of an internal power supply from a desired value

Номер патента: US20120119826A1. Автор: NAKASHIMA Shingo. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-17.

METHOD AND CONTROL UNIT FOR OPERATING A LINE CIRCUIT FOR WASTE HEAT UTILIZATION OF AN INTERNAL COMBUSTION ENGINE

Номер патента: US20130096801A1. Автор: Eisenmenger Nadja,Magel Hans-Christoph,Wengert Andreas,Rewers Gregory,Brenk Achim,Seher Dieter. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2013-04-18.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.