Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Method of fabricating silicon thin film transistor

Номер патента: KR100654022B1
Опубликовано: 04-12-2006
Автор(ы): 백운서
Принадлежит: 네오폴리((주))
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of fabricating electrodes, method of fabricating thin film transistor, method of fabricating array substrate, thin film transistor, array substrate, and display apparatus

Номер патента: EP3535776A1. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2019-09-11.

Method for manufacturing thin film transistor and pixel unit thereof

Номер патента: US09679995B2. Автор: Peng Wei,Xiaojun Yu,Zihong Liu. Владелец: Shenzhen Royole Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Thin film transistor and method of preparing the same

Номер патента: US20180097115A1. Автор: Zhiwu Wang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-05.

Thin-film transistor and method for manufacturing same

Номер патента: US09825180B2. Автор: Toshihide Nabatame,Toyohiro Chikyo,Shinya Aikawa,Kazuhito Tsukagoshi. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2017-11-21.

CMOS thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030111691A1. Автор: Woo-Young So. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-19.

Thin film transistor substrate, display apparatus including the same, method of manufacturing thin film transistor substrate, and method of manufacturing display apparatus

Номер патента: US20160104726A1. Автор: Yoonho Khang,Youngki Shin,Woonghee Jeong,Joonhwa BAE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-14.

Thin film transistor and method of manufacturing same

Номер патента: US09859440B2. Автор: Kuo-Lung Fang,Yi-Chun Kao,Hsin-Hua Lin,Chih-Lung Lee,Po-Li Shih. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Thin-film transistor array substrate and method of manufacturing same

Номер патента: US20240030349A1. Автор: Yi ZHUO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Thin-film transistor array substrate and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4394891A1. Автор: Yi ZHUO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Thin-film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09780227B2. Автор: Takashi Okada,Arichika Ishida,Akihiro Hanada,Hajime Watakabe,Masayoshi Fuchi. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Thin-film transistor, method of manufacturing the same, and organic light-emitting diode (OLED) display including the same

Номер патента: US09412846B2. Автор: Ki Yeol BYUN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Thin film transistor

Номер патента: EP1552550A1. Автор: Peter W. Philips Intellect. Pty & Standard GREEN. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-07-13.

Thin film transistor, method of fabricating thin film transistor and array substrate

Номер патента: US20190267493A1. Автор: Zhen Song,Guoying Wang,Hongda Sun. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Thin film transistor, array substrate, method of fabricating same, and display device

Номер патента: US09508867B2. Автор: Wei Guo,Ning Chen,Dongsheng Li,Xingdong LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Thin-film transistor array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09876037B2. Автор: Xiaowen LV,Chihyu SU. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Thin film transistor manufactured by low-temperature process, manufacturing method of the same transistor, transistor device and electronic device including the same transistor

Номер патента: US20240222466A1. Автор: Byungwook Yoo,Min Suk Oh. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2024-07-04.

Oxide semiconductor thin film transistor and method of forming the same

Номер патента: US12094978B2. Автор: Jae Hyun Kim,Sun Young Choi,Jin Chae Jeon,Hyuk JI,Mi Jin Jeong. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Thin-film transistor and method of manufacturing the same field

Номер патента: US09911859B2. Автор: Takashi Okada,Arichika Ishida,Akihiro Hanada,Hajime Watakabe,Masayoshi Fuchi. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Thin film transistor, display device, electronic apparatus and method of manufacturing thin film transistor

Номер патента: US10707235B2. Автор: Akiko Honjo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-07-07.

Thin film transistor, with shaped base device, electronic apparatus and method of manufacturing thin film transistor

Номер патента: US10014324B2. Автор: Akiko Honjo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-07-03.

Manufacturing method of oxide semiconductor thin film transistor

Номер патента: US20150236137A1. Автор: Hsi-Ming Chang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Thin film transistor having gate insulating layer including different types of insulating layers, method of manufacturing the same, and display device comprising the same

Номер патента: US20200212076A1. Автор: Intak Cho,Jaeman JANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

Method of fabricating a top-gate type thin film transistor with dangling bonds of silicon partly combined with hydrogen

Номер патента: US5888856A. Автор: Koji Hamada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-03-30.

Method of controlling electric conductivity of metal oxide thin film and thin film transistor including the metal oxide film having the controlled electric conductivity

Номер патента: US10217871B2. Автор: Jin Seo Kim,Sang Yeon Lee,Hyungtak Seo. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2019-02-26.

Flat panel display device with oxide thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US09570483B2. Автор: Ki Tae Kim,Chang Hoon Han,Ki Young Jung. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Low temperature poly-silicon thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150179460A1. Автор: Xiangyang Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-25.

Thin-film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160149046A1. Автор: Takashi Okada,Akihiro Hanada,Hajime Watakabe,Masayoshi Fuchi,Arichika Ishiba. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-05-26.

Display apparatus including thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US10854644B2. Автор: Jongchan Lee,Yongsu Lee,Taehoon Yang,Woonghee Jeong,Jaeseob Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-01.

Self-aligned, planarized thin-film transistors, devices employing the same, and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20020117717A1. Автор: Louis Hsu,Jack Mandelman,Li-Kong Wang,William Tonti. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-08-29.

Thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09831350B2. Автор: Je-Hun Lee,Yeon-Keon MOON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Thin film transistor, array substrate and method of fabricating the same, and display device

Номер патента: US09570629B2. Автор: Jian Guo,Xiaohui Jiang,Jiaxiang ZHANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Thin film transistor, manufacturing method thereof, and array substrate

Номер патента: US20240222445A1. Автор: Jie Huang,Kun Zhao,Zhengliang Li,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Tianmin Zhou,Nianqi YAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09755054B2. Автор: Hyeon Jun Lee,Ki Hwan Kim,Kap Soo Yoon,Jeong Uk Heo,Myung Kwan Ryu. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Thin film transistor, array substrate, display device and manufacturing method of the thin film transistor and array substrate

Номер патента: US09711580B2. Автор: LI ZHANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Thin film transistor array substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US09502442B2. Автор: Jong-Hyun Choi,Jun-Seon Seo,Yong-Duck SONG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Thin film transistor and method of manufacturing the same, display substrate, and display apparatus

Номер патента: US09704998B2. Автор: Chunsheng Jiang,Jingfei Fang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Array substrate and manufacturing method thereof, display device, thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09478562B2. Автор: Zheng Liu,Chunping Long,Zuqiang Wang,Jang Soon Im. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09748395B2. Автор: Chih-Yuan Hou. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-08-29.

Manufacturing method of a thin film transistor

Номер патента: US20120135571A1. Автор: Chi-Neng Mo,Huang-Chung Cheng,Ying-Hui Chen,Ta-Chuan Liao,Sheng-Kai Chen. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2012-05-31.

Thin film transistor, display apparatus including the thin film transistor, and method of manufacturing the thin film transistor

Номер патента: US09343577B2. Автор: Sun Park,Yul-Kyu Lee,Kyu-Sik Cho. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-17.

Manufacturing method of a thin film transistor

Номер патента: US8247277B2. Автор: Chi-Neng Mo,Huang-Chung Cheng,Ying-Hui Chen,Ta-Chuan Liao,Sheng-Kai Chen. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2012-08-21.

Thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09711606B1. Автор: Yen-Yu Huang,Hsi-Ming Chang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of manufacturing low temperature polycrystalline silicon thin film and thin film transistor, thin film transistor, display panel and display device

Номер патента: US09842735B2. Автор: Chao Liu,Lei Chen,Yujun Zhang,Yanan NIU,Zengsheng He. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20070141767A1. Автор: Byoung-Keon Park,Keun-soo Lee. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Self-aligned thin film transistor with doping barrier and method of manufacturing the same

Номер патента: US9245978B2. Автор: Sang Hee Park,Chi Sun Hwang,Him Chan Oh. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2016-01-26.

Method of making a high performance small area, thin film transistor

Номер патента: CA1228180A. Автор: Meera Vijan. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 1987-10-13.

Polycrystalline silicon thin film transistor and method of fabricating the same, and display apparatus

Номер патента: US20180331206A1. Автор: Xiaolong Li,Tao Gao,Jian Min,Zhengyin Xu,Liangjian Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-15.

Polycrystalline silicon thin film transistor and method of fabricating the same, and display apparatus

Номер патента: EP3488471A1. Автор: Xiaolong Li,Tao Gao,Jian Min,Zhengyin Xu,Liangjian Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-29.

Method of manufacturing an electronic device comprising a thin film transistor

Номер патента: EP1547140A1. Автор: Nigel D. Young,David J. Mcculloch,Ian D. French,Soo Y. Yoon. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-06-29.

C-axis aligned crystalline igzo thin film and manufacture method thereof

Номер патента: US20190153595A1. Автор: Xuanyun Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Thin-film transistor, display apparatus including the same, and method of manufacturing display apparatus

Номер патента: US11864421B2. Автор: Kohei Ebisuno,Jongmin Lee,Heeyeon Kim,Jin Jeon,Youngin HWANG,Sugwoo Jung,Jinsuk Lee,Shinbeom Choi,Byungno Kim,Nalae Lee,Illhwan LEE,Joohyeon Jo,Changha Kwak,Yongseon Jo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Thin-film transistor, display apparatus including the same, and method of manufacuturing display apparatus

Номер патента: US20210265438A1. Автор: Kohei Ebisuno,Jongmin Lee,Heeyeon Kim,Jin Jeon,Youngin HWANG,Sugwoo Jung,Jinsuk Lee,Shinbeom Choi,Byungno Kim,Nalae Lee,Illhwan LEE,Joohyeon Jo,Changha Kwak,Yongseon Jo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Thin-film transistor substrate, display apparatus including the same, and method of manufacturing display apparatus

Номер патента: EP3869560A1. Автор: Kohei Ebisuno,Jongmin Lee,Heeyeon Kim,Jin Jeon,Youngin HWANG,Sugwoo Jung,Jinsuk Lee,Shinbeom Choi,Byungno Kim,Nalae Lee,Illhwan LEE,Joohyeon Jo,Changha Kwak,Yongseon Jo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-25.

Thin-film transistor, display apparatus including the same, and method of manufacturing display apparatus

Номер патента: US20240090265A1. Автор: Kohei Ebisuno,Jongmin Lee,Heeyeon Kim,Jin Jeon,Youngin HWANG,Sugwoo Jung,Jinsuk Lee,Shinbeom Choi,Byungno Kim,Nalae Lee,Illhwan LEE,Joohyeon Jo,Changha Kwak,Yongseon Jo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of Manufacturing Lower Temperature Polycrystal Silicon Thin Film Transistor Array Substrate

Номер патента: US20180122957A1. Автор: LU MACAI. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-03.

Method of manufacturing thin film transistor and method of manufacturing a display substrate having the thin film transistor

Номер патента: KR102266700B1. Автор: 박상호,김명화,임준형,구소영,마사타카 카노. Владелец: 삼성디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2021-06-22.

Method of manufacturing thin film transistor and method of manufacturing organic light emitting display having thin film transistor

Номер патента: US20090155940A1. Автор: Jin-Seong Park,Hyun-Soo Shin,Hun-Jung Lee,Jae-Kyeong Jeong,Jong-Han Jeong,Steve Y.G. Mo. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2009-06-18.

METHOD OF CONTROLLING ELECTRIC CONDUCTIVITY OF METAL OXIDE THIN FILM AND THIN FILM TRANSISTOR INCLUDING THE METAL OXIDE FILM HAVING THE CONTROLLED ELECTRIC CONDUCTIVITY

Номер патента: US20170092772A1. Автор: KIM Jin Seo,LEE Sang Yeon,Seo Hyungtak. Владелец: Industry-Academic Cooperation Foundation of Ajou University. Дата публикации: 2017-03-30.

Methods of crystalizing amorphous silicon layer and fabricating thin film transistors using the same

Номер патента: GB9913340D0. Автор: . Владелец: LG LCD Co Ltd. Дата публикации: 1999-08-11.

METHOD OF GROWING TWO-DIMENSIONAL TRANSITION METAL DICHALCOGENIDE THIN FILM AND METHOD OF MANUFACTURING DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20190164754A1. Автор: Lee Jaeho,SHIN Hyeonjin,KIM Haeryong,JO Sanghyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-05-30.

METHOD OF GROWING TWO-DIMENSIONAL TRANSITION METAL DICHALCOGENIDE THIN FILM AND METHOD OF MANUFACTURING DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20200335335A1. Автор: Lee Jaeho,SHIN Hyeonjin,KIM Haeryong,JO Sanghyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-10-22.

Thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US9620647B2. Автор: Longqiang Shi,Xiaowen LV,Wenhui Li,Chih-yu Su,Zhiyuan ZENG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160343877A1. Автор: Longqiang Shi,Xiaowen LV,Wenhui Li,Chih-yu Su,Zhiyuan ZENG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Thin film transistor substrate, method of manufacturing the same, and organic light emitting diode display using the same

Номер патента: US09425214B2. Автор: Young Sik Yoon,Youn Joon Kim,Ji Won Han,Sang Jo Lee,Seung Peom Noh. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of fabricating thin film transistor

Номер патента: US20010018240A1. Автор: Tae-Kyung Kim,Seung-Ki Joo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Metal oxide thin-film transistor, method of fabricating the same, and array substrate

Номер патента: US09634036B1. Автор: Jiangbo Yao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Thin film transistor, array substrate, display apparatus, and method of fabricating thin film transistor

Номер патента: EP3676876A1. Автор: WEI Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-08.

Thin film transistor assembly, array substrate method of manufacturing the same, and display device

Номер патента: US09543443B2. Автор: Jing NIU,Zhijun LV,Fangzhen Zhang,Shuang Sun. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Thin film transistor and method of manufacturing the same, array substrate and display device

Номер патента: US09748276B2. Автор: Qi Yao,Feng Zhang,Zhanfeng CAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Thin film transistors, methods of manufacturing thin film transistors, and semiconductor device including thin film transistors

Номер патента: US09564531B2. Автор: Sang-yoon Lee,Myung-kwan Ryu,Kyung-bae Park,Jong-baek Seon,Bon-Won Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Display device, thin-film transistor used for display device, and method of manufacturing thin-film transistors

Номер патента: US20130001572A1. Автор: Genshirou Kawachi,Takahiro Kawashima,Eiichi Satoh. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

Thin-film transistor, method of manufacturing the same, and display device

Номер патента: US09859437B2. Автор: Yoshihiro Oshima,Narihiro Morosawa. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Thin film transistor, a thin film transistor array panel including the same, and a method of manufacturing the same

Номер патента: US09991389B2. Автор: Sung Ho Kim,Min Chul Shin. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Thin film transistor, thin film transistor array panel including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160308063A1. Автор: Chong Sup Chang,Dong Jo Kim,Sang Ho Park,Jae Neung Kim,Yoon Ho KHANG,Dae Ho Kim,Sang Gab Kim,Yu-gwang Jeong,Yong Su LEE,Myoung Geun CHA,Se Hwan Yu,Hyun Jae NA. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-20.

Thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09647141B2. Автор: Tao Jiang,Botao SONG,Binbin CAO,Ling Han,Chengshao Yang,Junhao HAN. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Thin-film transistor substrate and method of manufacturing the thin-film transistor substrate

Номер патента: US09666602B2. Автор: Yoon-Ho Khang,Yong-Su Lee,Jong-Chan Lee,Dong-Jo Kim,Ji-seon Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Thin-film transistor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120032180A1. Автор: Hisao Nagai,Genshiro Kawachi,Sadayoshi Hotta. Владелец: Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

Method of fabricating optical sensor device and thin film transistor device

Номер патента: US09698180B2. Автор: Pei-Ming Chen,Shin-Shueh Chen. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-07-04.

Thin film transistor and a manufacturing method thereof, array substrate and a manufacturing method thereof, display device

Номер патента: US9773813B2. Автор: Zhenyu Xie. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Thin film transistor and a manufacturing method thereof, array substrate and a manufacturing method thereof, display device

Номер патента: US20160141311A1. Автор: Zhenyu Xie. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-19.

Oxide semiconductor thin-film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20220123147A1. Автор: Jin Jang,Md Mobaidul ISLAM,Ravindra Naik BUKKE. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2022-04-21.

Oxide semiconductor thin-film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US11664461B2. Автор: Jin Jang,Md Mobaidul ISLAM,Ravindra Naik BUKKE. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2023-05-30.

Method of fabricating thin-film transistor substrate

Номер патента: US09484442B2. Автор: Yuta Sugawara. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Method of forming oxide thin film and method of fabricating oxide thin film transistor using hydrogen peroxide

Номер патента: US09558941B2. Автор: Hyun Jae Kim,Jeong Moo Kwon. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2017-01-31.

Polycrystalline Si thin film structure and fabrication method thereof and method of fabricating TFT using the same

Номер патента: US20050263774A1. Автор: Jang-yeon Kwon,Do-Young Kim,Takashi Noguchi,Hans Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-12-01.

Method of fabricating thin film transistor structure

Номер патента: US09935182B2. Автор: Wen Shi. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Lower temperature polycrystalline silicon thin film transistor and method of manufacture thereof and oled display device

Номер патента: US20190386146A1. Автор: Songshan LI. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Method of fabricating polysilicon layer, thin film transistor, organic light emitting diode display device including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US09576797B2. Автор: Dong-Hyun Lee,Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Yun-Mo CHUNG,Jong-Ryuk Park,Kil-won Lee,Byung-Soo So,Tae-Hoon Yang,Bo-Kyung Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Thin film transistor and semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US6008076A. Автор: Takeshi Fukada,Naoya Sakamoto,Yukio Yamauchi,Mitsufumi Codama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1999-12-28.

Thin film transistor, manufacturing method thereof, array substrate, and display device

Номер патента: US09768312B2. Автор: Liang Sun,Yanan NIU,Hongwei TIAN,Zuqiang Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Thin film transistor, array substrate, display apparatus, and method of fabricating thin film transistor

Номер патента: EP3417485A1. Автор: Xu Wu,Jun Wang,Jianfei Shi,Yongliang Zhao,Zhonghao Huang,Baosheng HE,Yutong Yang. Владелец: Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-26.

Crystallization method of thin film transistor, thin film transistor array panel and manufacturing method for thin film transistor array panel

Номер патента: US09406807B2. Автор: Jae-hak Lee,Joo-Han Kim,Joo Seok Yeom,Jeong-Ju Park,Hyoung Cheol Lee,Tae-Kyung Yim,Hyuk Soon Kwon,Hwa-Dong Jung,So-Young Koo,Jee-Hun Lim,Wan-Soon Lim,Se-Myung Kwon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Method of manufacturing thin film transistor and organic light emitting diode display

Номер патента: US09401418B2. Автор: Xiaowen LV,Chihyuan Tseng. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-26.

Method of fabricating thin film transistor

Номер патента: US20110294267A1. Автор: Sung-Chul Kim,Ji-Su Ahn. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-01.

Thin film transistor, method of fabricating the same, and organic light emitting diode display device including the same

Номер патента: US20100001266A1. Автор: Sung-Chul Kim,Ji-Su Ahn. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-07.

Method of Fabricating Thin-Film Transistor

Номер патента: US20090050880A1. Автор: Takashi Fuyuki,Hiroya Kirimura,Yukiharu Uraoka. Владелец: Nara Institute of Science and Technology NUC. Дата публикации: 2009-02-26.

Manufacturing method of thin film transistor and manufacturing method of array substrate

Номер патента: US09508808B2. Автор: Huibin Guo,Xiaowei Liu,Shoukun WANG,Zongjie Guo,Yuchun FENG. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Thin-film transistor and its manufacturing method, array substrate and display device

Номер патента: US09564460B1. Автор: Wei Li,Yunyou Zheng,Shengnan Xiong,Yicun Zhang. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Thin film transistor, fabricating method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09754970B2. Автор: Jiangbo Chen,Dongfang Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Manufacturing method of low temperature polysilicon, low temperature polysilicon film and thin film transistor

Номер патента: US20150194502A1. Автор: Xueyan TIAN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

Crystallization process of oxide semiconductor, and method of manufacturing thin film transistor, a thin film transistor, a display panel, and an electronic device

Номер патента: US12062668B2. Автор: Soon Ho Choi,Hyo Min Kim,Chae Yeon HWANG. Владелец: ADRC Co. Дата публикации: 2024-08-13.

Method of manufacturing thin film transistor and method of manufacturing display substrate having the same

Номер патента: US09412771B2. Автор: Masataka Kano,Sangho Park,Myounghwa KIM,Jun Hyung LIM,Soyoung Koo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Method of fabricating thin film transistor

Номер патента: US20110300675A1. Автор: Sung-Chul Kim,Ji-Su Ahn. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-08.

Thin film transistor, method of fabricating the same, and organic light emitting diode display device including the same

Номер патента: US20100001265A1. Автор: Sung-Chul Kim,Ji-Su Ahn. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-07.

Polycrystalline silicon thin-film transistor

Номер патента: US09837542B2. Автор: Zheng Liu,Chunping Long,Xialong Li,Xiaoyong Lu,Yu-Cheng CHAN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Oxide thin film transistor, array substrate, methods of manufacturing the same and display device

Номер патента: US09627546B2. Автор: Fang Liu,CAN Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Poly-silicon thin film and method for fabricating the same, and thin film transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20190096926A1. Автор: Jun Liu,Tongshang Su. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Oxide semiconductor thin film, thin film transistor, manufacturing method and device

Номер патента: US09917205B2. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Guangcai Yuan,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2018-03-13.

Thin film transistor and manufacturing method of thin film transistor

Номер патента: US09911863B2. Автор: Noriyoshi Kanda. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of manufacturing thin film transistor substrate, method of manufacturing display apparatus, thin film transistor substrate, and display apparatus

Номер патента: US09653292B2. Автор: Yoonho Khang,Joonhwa BAE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09530806B2. Автор: Takahiro Tsuji,Junichiro Sakata,Masahiko Hayakawa,Masashi TSUBUKU,Shuhei Yoshitomi,Miyuki HOSOBA,Hiroyuki Tomatsu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Fabricating Method of Optical Sensing Device

Номер патента: US20170352764A1. Автор: Ching-Wen Chen,An-Thung Cho. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-12-07.

Method and apparatus for making p-channel thin film transistors for oled and led active matrix flat panel displays

Номер патента: WO2017112057A1. Автор: KHALED Ahmed,Prashant Majhi. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-06-29.

Method and apparatus for making p-channel thin film transistors for OLED and LED active matrix flat panel displays

Номер патента: US09559215B1. Автор: KHALED Ahmed,Prashant Majhi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Thin film transistor, manufacturing method of same, and display device

Номер патента: US09412765B2. Автор: Yujiro Hara,Hajime Yamaguchi,Tomomasa Ueda,Kentaro Miura,Shintaro Nakano,Nobuyoshi Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Array substrate, manufacturing method of array substrate and display device

Номер патента: US09653492B2. Автор: Wei Jiang,Xiao Guo,Xinxia ZHANG,Fengzhen LV,Songnan Chu,Kang Xiang. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of manufacturing thin-film transistor substrate

Номер патента: US09608089B2. Автор: Junghyun Kim,Jongyun Kim,Kiwan Ahn,Waljun Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Thin film transistor, display apparatus comprising the same, method of manufacturing thin film transistor, and method of manufacturing display apparatus

Номер патента: US09515154B2. Автор: Jongchan Lee,Myounghwa KIM,Yoonho Khang,Myounggeun Cha,Joonhwa BAE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Thin film transistor substrate, display apparatus including the same, method of manufacturing thin film transistor substrate, and method of manufacturing display apparatus

Номер патента: US9647089B2. Автор: Yoonho Khang,Youngki Shin,Woonghee Jeong,Joonhwa BAE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Thin film transistor substrate, display apparatus including the same, method of manufacturing thin film transistor substrate, and method of manufacturing display apparatus

Номер патента: US09647089B2. Автор: Yoonho Khang,Youngki Shin,Woonghee Jeong,Joonhwa BAE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Polycrystalline oxide thin-film transistor array substrate and method of manufacturing same

Номер патента: US09583517B2. Автор: Hehe HU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Thin film transistor and semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US6479334B1. Автор: Takeshi Fukada,Naoya Sakamoto,Yukio Yamauchi,Mitsufumi Codama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-12.

Thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20060263951A1. Автор: Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Tae-Hoon Yang. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-23.

Manufacturing method of polysilicon semiconductor layer,thin film transistor and manufacturing method

Номер патента: US20200006524A1. Автор: Ming-Jen Lu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Manufacturing method of low temperature polysilicon thin film transistor

Номер патента: US09647088B2. Автор: Xin Zhang,Jingfeng Xue,Gui Chen. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method Of Forming Polysilicon, Thin Film Transistor Using The Polysilicon, And Method Of Fabricating The Thin Film Transistor

Номер патента: US20130126880A1. Автор: Jun-hee Choi,Andrei Zoulkarneev. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-23.

Thin film transistor, display apparatus including the same, and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20210013281A1. Автор: Jihwan Kim,Dongmin LEE,Byungsoo So,Seunghyun JANG,Jongoh Seo,Jonghoon Choi,Dongsung Lee,Yeonhee Jeon,Byungkyu Son. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Method of manufacturing thin film transistor

Номер патента: US20150072482A1. Автор: Jae-Min Hong,Jung Ah Lim,Yong-Won Song,Won-Kook Choi,Dae Seong EOM. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2015-03-12.

Manufacturing method of thin film transistor substrate

Номер патента: US09691881B2. Автор: Kuan-Feng Lee. Владелец: Innocom Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Thin film transistor, method for manufacturing the same, array substrate and display device

Номер патента: US09502235B2. Автор: Xuehui Zhang,Zhanfeng CAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Thin Film Transistor and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20110315980A1. Автор: Jae Ho Kim. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-29.

Laser annealing method, laser annealing apparatus, and manufacturing process for thin film transistor

Номер патента: US20190245063A1. Автор: Michinobu Mizumura. Владелец: V Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Laser annealing method, laser annealing apparatus, and manufacturing process for thin film transistor

Номер патента: US20180040718A1. Автор: Michinobu Mizumura. Владелец: V Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-08.

Low temperature poly-silicon thin film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US09905698B2. Автор: Changming LU. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Low temperature poly-silicon thin-film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09899530B2. Автор: Jinming LI. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of manufacturing thin film transistor, and method of manufacturing display apparatus

Номер патента: US09837316B2. Автор: Jongchan Lee,Myounghwa KIM,Yoonho Khang,Myounggeun Cha,Joonhwa BAE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Thin film transistor device, manufacturing method thereof, and display apparatus

Номер патента: US09721978B2. Автор: WU Wang,Fei SHANG,Haijun Qiu,Guolei Wang. Владелец: Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Thin film transistor, method of fabricating the same, and organic light emitting diode display device having the same

Номер патента: US20100224882A1. Автор: Dong-Hyun Lee,Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Kil-won Lee,Jae-Wan Jung,Tae-Hoon Yang,Maxim Lisachenko. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-09.

Thin film transistor, array substrate and display device having the same, and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09806199B2. Автор: Liangchen YAN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Thin film transistor, array substrate, display apparatus, and method of fabricating thin film transistor

Номер патента: US20200258919A1. Автор: Xu Wu,Jun Wang,Jianfei Shi,Yongliang Zhao,Zhonghao Huang,Baosheng HE,Yutong Yang. Владелец: Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-13.

Polycrystalline silicon thin film transistor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09891501B2. Автор: Ting-Yu Hsu,Hsiang-Yun Hsiao,Pei-Yun Wang,Cheng-Wei JIANG,Ya-Qin HUANG,Chia-Kai CHEN,Shih-Liang Lin. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2018-02-13.

METHOD OF MANUFACTURING LOW TEMPERATURE POLYCRYSTALLINE SILICON THIN FILM AND THIN FILM TRANSISTOR, THIN FILM TRANSISTOR, DISPLAY PANEL AND DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20170004970A1. Автор: LIU CHAO,Chen Lei,Zhang Yujun,Niu Yanan,He Zengsheng. Владелец: BOE Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-01-05.

Thin film transistor and preparation method therefor, array substrate and preparation method therefor

Номер патента: EP3621120A1. Автор: Ling Wang,Baoxia ZHANG,Cuili Gai. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-11.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09543289B2. Автор: Hitoshi Abe,Noriaki Yao. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Preparation method of moisture triggered degradation P-type transient thin film transistor

Номер патента: CN113555287B. Автор: 杨帆,王超,赵阳,杨佳,王欢,高晓红,王艳杰,赵春雷,杨小天,迟耀丹,吕卅,吴博琦,闫兴振,龙玉洪,蔡乾顺. Владелец: Jilin Jianzhu University. Дата публикации: 2022-05-24.

Method of producing highly strained pecvd silicon nitride thin films at low temperature

Номер патента: US20060223290A1. Автор: Ying Li,Oleg Gluschenkov,Michael Belyansky,Anupama Mallikarjunan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-10-05.

Method of producing highly strained PECVD silicon nitride thin films at low temperature

Номер патента: CN101584025A. Автор: 李瑛�,迈克尔·P·贝尔扬斯基,奥利格·格卢申科夫,阿努帕马·马利卡朱南. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-11-18.

Method of manufacturing image display device using semiconductor thin film device

Номер патента: KR100821813B1. Автор: 무쯔꼬 하따노,신야 야마구찌,요시노부 기무라,성기 박. Владелец: 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼. Дата публикации: 2008-04-11.

Method of producing highly strained PECVD silicon nitride thin films at low temperature

Номер патента: US7585704B2. Автор: Ying Li,Oleg Gluschenkov,Anupama Mallikarjunan,Michael P. Belyansky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-09-08.

Method of producing highly strained pecvd silicon nitride thin films at low temperature

Номер патента: WO2006107669A3. Автор: Ying Li,Oleg Gluschenkov,Anupama Mallikarjunan,Michael P Belyansky. Владелец: Michael P Belyansky. Дата публикации: 2009-04-09.

Fabrication method of thin film transistor substrate for X-ray detector

Номер патента: US20030096441A1. Автор: Ik kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-22.

Thin film transistor substrate and method of fabricating the same

Номер патента: US09443886B2. Автор: Jung-Il Lee,Kum-Mi Oh. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Silicon thin film transistors, systems, and methods of making same

Номер патента: WO2009094639A1. Автор: John Snyder,John M. Heitzinger. Владелец: Soligie, Inc.. Дата публикации: 2009-07-30.

Top gate thin-film transistor and method of producing the same

Номер патента: US20030224561A1. Автор: David Mcculloch,Carl Glasse. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-12-04.

Top gate thin-film transistor and method of producing the same

Номер патента: EP1166348A1. Автор: David J. Mcculloch,Carl Glasse. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-01-02.

Thin film transistor and method of manufacturing the same, display panel, and display device

Номер патента: US20210043708A1. Автор: Chuni LIN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Fabricating method of thin film transistor

Номер патента: US20040191965A1. Автор: Binn Kim,Jong-Uk Bae,Hae-Yeol Kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-30.

Top gate thin-film transistor and method of producing the same

Номер патента: US20010026962A1. Автор: David Mcculloch,Carl Glasse. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Top gate thin-film transistor and method of producing the same

Номер патента: WO2001052313A1. Автор: David J. Mcculloch,Carl Glasse. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2001-07-19.

Thin film transistor and method of manufacturing the same, display panel, and display device

Номер патента: US11183546B2. Автор: Chuni LIN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-23.

Thin-film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US8823005B2. Автор: Seong-Hun Kim,Jean-Ho Song,Yang-Ho Bae,O-Sung SEO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-02.

Thin-film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120037913A1. Автор: Seong-Hun Kim,Jean-Ho Song,Yang-Ho Bae,O-Sung SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-02-16.

Thin-film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020153567A1. Автор: Ryoji Oritsuki,Kiyoshi Ogata,Yasushi Nakano,Kazuhiko Horikoshi,Toshihiko Itoga,Miwako Nakahara,Takuo Tamura,Takahiro Kamo. Владелец: Hitachi Displays Ltd. Дата публикации: 2002-10-24.

Method of fabricating thin film transistor and method of fabricating liquid crystal display

Номер патента: US20080318354A1. Автор: Hao-Chieh Lee,Chi-Hsun Hsu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2008-12-25.

A method of fabricating a transition metal chalcogenide thin film

Номер патента: KR20160017602A. Автор: 이우정,한원석,정용덕,조대형. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2016-02-16.

Thin film transistor substrate, display apparatus comprising the same, method of manufacturing thin film transistor substrate, and method of manufacturing display apparatus

Номер патента: US09437624B2. Автор: Myounghwa KIM,Dongjo Kim,Yoonho Khang,Myounggeun Cha,KyoungWon LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same

Номер патента: US09941169B2. Автор: Ho-Young Jeong,Young-Jang LEE. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Display panel, thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US09368634B2. Автор: Henry Wang,Xue-Hung TSAI,Chuang-Chuang Tsai,Wei-Tsung Chen,Hsiao-Wen Zan. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2016-06-14.

Thin film transistor gas sensor

Номер патента: US20200088674A1. Автор: Christopher Newsome,Nicholas Dartnell,Daniel Tobjork. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

Thin film transistor, thin film transistor array panel, and manufacturing method of thin film transistor

Номер патента: US09553201B2. Автор: Hiroshi Goto,Toshihiro Kugimiya,Shinya Morita,Je Hun Lee,Gun Hee Kim,Yeon Hong KIM,Yeon Gon Mo,Aya Miki,Byung Du Ahn,Kwang Suk Kim,Kyoung Won Lee,Ji Hun LIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Methods of manufacturing oxide semiconductor thin film transistor

Номер патента: US7799622B2. Автор: Youngsoo Park,Taesang Kim,Jangyeon Kwon,Sangyoon Lee,Kyungseok Son,Jisim Jung,Changjung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-21.

Method of manufacturing a thin-film transistor comprising a recombination center

Номер патента: US20030059989A1. Автор: Ichio Yudasaka,Piero Migliorato,Mitsutoshi Miyasaka. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-03-27.

Recrystallization method of polysilicon film in thin film transistor

Номер патента: US20020110964A1. Автор: Huang-Chung Cheng,Ching-Wei Lin,Li-Jing Cheng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010002047A1. Автор: Mitsuaki Suzuki,Shinichi Kamagami,Takuji Nakazono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-05-31.

Thin film transistor and method of manufacturing the same, array substrate and display apparatus

Номер патента: US09634033B2. Автор: Zhenfei Cai,Zhengwei Chen. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Thin film transistor array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US9520419B2. Автор: Hyun-Jung Lee,Ki-Won Kim,Young-Wook Lee,Woo-Geun Lee,Ji-Soo OH. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Method of manufacturing thin film transistor

Номер патента: US20020104994A1. Автор: Po-Sheng Shih. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2002-08-08.

Thin film transistor array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150311230A1. Автор: Hyun-Jung Lee,Ki-Won Kim,Young-Wook Lee,Woo-Geun Lee,Ji-Soo OH. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Thin film transistor, display substrate having the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09941143B2. Автор: DooHyoung Lee,Do-Hyun Kim,Xinxing Li,Junhyun Park,Chanwoo YANG,Jeongju PARK. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Encapsulation structure of display unit and method of forming the same

Номер патента: US20160322604A1. Автор: Huan JIANG,ChienLin Wu,Hsinju HO. Владелец: EverDisplay Optronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-03.

[low temperature polysilicon thin film transistor and method of forming polysilicon layer of same]

Номер патента: US20040197968A1. Автор: Chia-Tien Peng,Huan-Chao Wu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2004-10-07.

Method of manufacturing an electronic device comprising a thin film transistor

Номер патента: AU2003259510A1. Автор: Nigel D. Young,David J. Mcculloch,Ian D. French,Sooy. Yoon. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-04-19.

Method for manufacture of fully self-aligned tri-layer a-Si:H thin film transistors

Номер патента: US6566172B1. Автор: Daniel B. Thomasson,Thomas N. Jackson. Владелец: PENN STATE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2003-05-20.

Method of manufacturing flat panel backplanes, display transistors and displays made thereby

Номер патента: US4736229A. Автор: Richard A. Flasck,Scott H. Holmberg. Владелец: ALPHASIL Inc. Дата публикации: 1988-04-05.

A kind of preparation method of bottom emitting top-gated self-aligned thin film transistor

Номер патента: CN107808826A. Автор: 王国英,宋振,陈江博. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-16.

Method of fabricating array substrate, array substrate and display device

Номер патента: US20230230983A1. Автор: WEI YANG,Xinhong Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Manufacturing method of polycrystalline silicon thin film and manufacturing method of thin film transistor array substrate

Номер патента: US20190027513A1. Автор: Leilei Dong. Владелец: Actinium Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2019-01-24.

Poly-Silicon Thin Film and Preparation Method of Thin Film Transistor

Номер патента: US20200035490A1. Автор: Hongping Yu,Peng He. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Method of crystallizing silicon, apparatus therefore, thin film transistor and display apparatus

Номер патента: WO2005078168A3. Автор: Ui-Jin Chung,Dong-Byum Kim,Se-Jin Chung. Владелец: Se-Jin Chung. Дата публикации: 2007-07-12.

Method of crystallizing silicon, apparatus therefore, thin film transistor and display apparatus

Номер патента: WO2005078168A2. Автор: Ui-Jin Chung,Dong-Byum Kim,Se-Jin Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2005-08-25.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020127785A1. Автор: Naoto Kusumoto,Hongyong Zhang. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-12.

Thin film transistor, method of fabricating the same, array substrate and display device

Номер патента: US09812579B2. Автор: Qi Yao,Bin Zhang,Xiaolong He,Zhengliang Li,Jincheng GAO,Zhanfeng CAO,Xiangchun Kong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of fabricating array substrate, array substrate and display device

Номер патента: US11923382B2. Автор: WEI YANG,Xinhong Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Oxide thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US09941410B2. Автор: JongUk BAE. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Multi-Level Cell Thin-Film Transistor Memory and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20200119033A1. Автор: Wei Zhang,Wenjun Liu,Shibing QIAN,Shijin Ding. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-04-16.

Method of manufacturing of inverter and inverter

Номер патента: RU2433504C2. Автор: Хидея КУМОМИ,Масафуми САНО,Масато ОФУДЗИ,Кацуми АБЕ,Рио ХАЯСИ. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2011-11-10.

Semiconductor device, display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20010020702A1. Автор: Kiichi Hirano,Naoya Sotani,Toshifumi Yamaji,Yoshihiro Morimoto,Kiyoshi Yoneda. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2001-09-13.

Thin film transistor, array substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US09786791B2. Автор: Jie Song,Gaofei Shi,Yijun Wang,Tianzhen LIU. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Hydrogenated p-channel metal oxide semiconductor thin film transistors

Номер патента: US09985139B2. Автор: Kenji Nomura. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Array substrate, method of manufacturing the same, and display panel

Номер патента: US20230411528A1. Автор: Liang Hu,Bin Liu. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor, and display apparatus including the thin film transistor

Номер патента: EP4425557A2. Автор: Sohyung Lee,Jeongsuk YANG,Kwangmin Jo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor, and display apparatus including the thin film transistor

Номер патента: EP4425557A3. Автор: Sohyung Lee,Jeongsuk YANG,Kwangmin Jo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-13.

Manufacturing methods for low temperature poly-silicon array substrate and low temperature poly-silicon thin-film transistor

Номер патента: US20190386031A1. Автор: CHEN CHEN. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor, and display apparatus including the thin film transistor

Номер патента: US12034082B2. Автор: Sohyung Lee,Jeongsuk YANG,Kwangmin Jo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Tin based p-type oxide semiconductor and thin film transistor applications

Номер патента: US09647135B2. Автор: Kenji Nomura. Владелец: SnapTrack Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Thin film transistor, array substrate and method of manufacturing the same and display device

Номер патента: US09391097B2. Автор: Guangcai Yuan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-12.

Methods of forming transistors and devices comprising transistors

Номер патента: US20220189828A1. Автор: Kevin J. Torek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Low temperature poly-silicon thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09882057B2. Автор: Hui Tian. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Thin film transistor having germanium thin film and manufacturing method thereof, array substrate, display device

Номер патента: US09704891B2. Автор: Yanzhao Li,Yong Qiao,Long Wang,Yongchun Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate, display device

Номер патента: US20160197274A1. Автор: Yanzhao Li,Yong Qiao,Long Wang,Yongchun Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-07.

Method of manufacturing thin-film transistor substrate

Номер патента: US09741588B2. Автор: Yuji Kishida,Toshiaki Yoshitani. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of manufacturing thin-film transistor substrate

Номер патента: US09627515B2. Автор: Eiichi Satoh. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Thin film transistor and method of manufacturing the same, array substrate and display device

Номер патента: US09461066B2. Автор: Mian Zeng,Jaikwang Kim,Zhizhong TU,Yongjun Yoon. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Preparation method of oxide thin-film transistor

Номер патента: US09812472B2. Автор: Qi Yao,Feng Zhang,Bin Zhang,Xiaolong He,Zhengliang Li,Zhanfeng CAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Passivation layers for thin film transistors and methods of fabrication

Номер патента: US20240234579A1. Автор: Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Abhishek A. Sharma,Travis W. LaJoie,Noriyuki Sato,Hui Jae Yoo,Van Le,Matthew Metz,Sarah ATANASOV,Arnab SEN GUPTA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Oxide semiconductor sputtering target and method of fabricating thin-film transistor using same

Номер патента: US12119225B2. Автор: Shinhyuk Kang,Jeonghyun Moon,Kangmin Ok. Владелец: KV Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same

Номер патента: US09466818B2. Автор: Jun-Ho Lee,Myung-Seop Kim,Young-Hoon Shin. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Manufacturing method for silicon nitride thin film, thin film transistor and display panel

Номер патента: US20240153757A1. Автор: Je-Hao Hsu,Haijiang YUAN,En-Tsung Cho,Yuming XIA,Wanfei YONG. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Oxide thin-film transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210359133A1. Автор: Ming-Jiue Yu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Manufacturing method for silicon nitride thin film, thin film transistor and display panel

Номер патента: US11908683B2. Автор: Je-Hao Hsu,Haijiang YUAN,En-Tsung Cho,Yuming XIA,Wanfei YONG. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Thin film transistor array substrate, organic light-emitting display apparatus, and method of manufacturing the thin film transistor array substrate

Номер патента: US09887251B2. Автор: Jae-Wook Kang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, display substrate and display device

Номер патента: US09773917B2. Автор: Jiangbo Chen,Dongfang Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Thin film transistor array substrate, organic light-emitting display apparatus, and method of manufacturing the thin film transistor array substrate

Номер патента: US09601527B2. Автор: Jae-Wook Kang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Organic light emitting device and method of fabricating the same

Номер патента: US09583546B2. Автор: Myungseop Kim,SungJin Hong,Joongsun Yoon,Younghoon Shin. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190140106A1. Автор: Yung-Hui Yeh,Chun-Hung Chu,Hsiao-Chiang Yao,Tai-Jui Wang,Jui-Wen Yang. Владелец: Intellectual Property Innovation Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Manufacturing method of a thin film transistor and pixel unit thereof

Номер патента: US09583519B2. Автор: Peng Wei,Xiaojun Yu,Zihong Liu. Владелец: Shenzhen Royole Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Displays with silicon and semiconducting-oxide top-gate thin-film transistors

Номер патента: WO2018175177A1. Автор: Shinya Ono,Shang-Chih Lin,Jiun-Jye Chang,Chin-Wei Lin,Ching-Sang Chuang,Takahide Ishii,Keisuke Omoto,Ting-ku CHANG. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2018-09-27.

Thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor, and display apparatus including the thin film transistor

Номер патента: US20240313127A1. Автор: Sohyung Lee,Jeongsuk YANG,Kwangmin Jo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Thin film transistor, method of manufacturing the same, display unit, and electronic apparatus

Номер патента: US09698273B2. Автор: Tomoatsu Kinoshita. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Thin film transistor, method of fabricating the same, array substrate and display device

Номер патента: US20180019346A1. Автор: Qi Yao,Bin Zhang,Xiaolong He,Zhengliang Li,Jincheng GAO,Zhanfeng CAO,Xiangchun Kong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-18.

Display apparatus comprising thin film transistor

Номер патента: US12048194B2. Автор: Seungjin Kim,Sohyung Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Manufacturing method of polysilicon layer, and polysilicon thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150155390A1. Автор: Zuqiang Wang. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-04.

Thin film transistor, method of manufacturing the same, and display apparatus

Номер патента: US09905699B2. Автор: Hisato Yabuta,Ryo Hayashi,Nobuyuki Kaji. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Bottom gate type thin film transistor, method of manufacturing the same, and display apparatus

Номер патента: EP2092569A1. Автор: Hisato Yabuta,Ryo Hayashi,Nobuyuki Kaji. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2009-08-26.

Method of manufacturing semiconductor chips for display

Номер патента: MY114876A. Автор: Hisao Hayashi,Masumitsu Ino,Masahiro Minegishi,Takenobu Urazono,Shizuo Nishihara,Masafumi Kunii. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-02-28.

Array substrate, method of manufacturing thereof, and display panel

Номер патента: US20210296369A1. Автор: Suping XI. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Method of manufacturing organic light emitting display device

Номер патента: US09847486B2. Автор: Jin-Koo Chung,Byoung-Hee PARK,Joo-Hyeon LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Polycrystalline silicon thin film and method thereof, optical film, and thin film transistor

Номер патента: US20170186611A1. Автор: Dong Li,Zheng Liu,Chunping Long,Xiaoyong Lu,Shuai ZHANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-29.

Polycrystalline silicon thin film and method thereof, optical film, and thin film transistor

Номер патента: WO2017028543A1. Автор: Dong Li,Zheng Liu,Chunping Long,Xiaoyong Lu,Shuai ZHANG. Владелец: BOE Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-02-23.

Manufacturing method of array substrate, array substrate and display device

Номер патента: US09859304B2. Автор: Jing NIU,Fangzhen Zhang,Shuang Sun. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of manufacturing thin-film transistor

Номер патента: US09613860B2. Автор: Hiroto Miyake,Arichika Ishida,Yohei Yamaguchi,Hidekazu Miyake,Isao Suzumura. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of manufacturing semiconductor device including transistor and resistor incorporating hydrogen in oxide semiconductor

Номер патента: US09443888B2. Автор: Tetsunori Maruyama,Yuji Asano,Yuki Imoto,Jun Koyama,Junichiro Sakata,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437627B2. Автор: Ya-Ju Lu,Chin-Tzu Kao,Wen-Cheng Lu. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

A manufacturing method of a thin film transistor and pixel unit thereof

Номер патента: US20150349098A1. Автор: Peng Wei,Xiaojun Yu,Zihong Liu. Владелец: Shenzhen Royole Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-03.

Method of manufacturing thin film transistor

Номер патента: US20160118478A1. Автор: Kuo-Lung Fang,Yi-Chun Kao,Hsin-Hua Lin,Chih-Lung Lee,Po-Li Shih. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Microcrystalline silicon thin film transistor

Номер патента: US20090200552A1. Автор: Soo Young Choi,Tae Kyung Won,Beom Soo Park,Dong Kil Yim,Jriyan Jerry Chen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-08-13.

Method of manufacturing a thin film transistor

Номер патента: US20180138295A1. Автор: Macai Lu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Method of manufacturing a thin film transistor and a pixel structure

Номер патента: US09543330B1. Автор: Der-Chun Wu,Shin-Chuan Chiang,Yu-Hsien Chen,Yi-Hsien Lin,Po-Lung Chen,Cheng-Jung Yang,Kuo-Hsing Tseng. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of manufacturing thin film transistor

Номер патента: US09450077B2. Автор: Kuo-Lung Fang,Yi-Chun Kao,Hsin-Hua Lin,Chih-Lung Lee,Po-Li Shih. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Thin-film semiconductor device, lateral bipolar thin-film transistor, hybrid thin-film transistor, MOS thin-film transistor, and method of fabricating thin-film transistor

Номер патента: US8415746B2. Автор: Genshiro Kawachi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-04-09.

Thin film transistor substrate and method of manufacturing a thin film transistor substrate

Номер патента: US09825066B2. Автор: Myung-kwan Ryu,Hyun Kim,Seung-Ha Choi,Eok-su KIM,Kyoung Seok Son,Eun-Hye PARK,Byung-Hwan Chu,Sho-Yeon Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Oxide thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20180204952A1. Автор: JongUk BAE. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080064151A1. Автор: Woo-Young So. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-13.

Thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09754977B2. Автор: Jae hak Lee,Sung Hoon Lim,Young Gu Kang,Sung In Ro,Woong Ki JEON,Dong Gun Oh. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09559210B2. Автор: Jae hak Lee,Sung Hoon Lim,Young Gu Kang,Sung In Ro,Woong Ki JEON,Dong Gun Oh. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of fabricating a layer with tiny structure and thin film transistor comprising the same

Номер патента: US20090035898A1. Автор: Chao-An Jong. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2009-02-05.

Low-temperature fabrication of nanomaterial-derived metal composite thin films

Номер патента: US09412852B2. Автор: Yu Xia,He Yan,Tobin J. Marks,Antonio Facchetti,Mercouri G. Kanatzidis,William Christopher Sheets,Myung-Gil Kim. Владелец: Polyera Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Method of forming a thin film transistor on a transparent plate

Номер патента: US6861301B2. Автор: Yuan-Tung Dai. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2005-03-01.

Fabrication method for multi-zoned and short channel thin film transistors

Номер патента: US09472649B1. Автор: Burhan Bayraktaroglu,Kevin D Leedy. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 2016-10-18.

Thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09634148B2. Автор: Longqiang Shi,Xiaowen LV,Wenhui Li,Chih-yu Su,Zhiyuan ZENG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Low temperature poly-silicon thin film transistor and fabrication method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09768308B2. Автор: Zheng Liu,Chunping Long,Xiaolong Li,Liang Sun,Xiaoyong Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Manufacturing method of thin film transistor and thin film transistor

Номер патента: US09553170B2. Автор: Tao Wu,Jian Guo,Xuecheng Hou. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Manufacturing methods of thin film transistor having an ohmic contact region and array substrate including the same

Номер патента: US09935177B2. Автор: Yueping Zuo,Liangjian Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Manufacture method of LTPS thin film transistor and LTPS thin film transistor

Номер патента: US09786789B2. Автор: Xiaoxing Zhang,Xingyu Zhou. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Thin film transistor array substrate, display apparatus, and method of manufacturing thin film transistor array substrate

Номер патента: US20200295048A1. Автор: Jinwoo Lee,Jaehyuk JANG,Kiwan Ahn,Yongjae Jang,Yugwang Jeong,Waljun Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Manufacturing method of thin film transistor and display array substrate using same

Номер патента: US20150056761A1. Автор: Kuo-Lung Fang,Yi-Chun Kao,Wei-Chih Chang,I-Min Lu,I-Wei Wu,Hui-Chu Lin. Владелец: Ye Xin Technology Consulting Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-26.

Method of manufacturing thin-film transistor, thin-film transistor, and display apparatus including the same

Номер патента: US20160133725A1. Автор: Hyunduck CHO,Youngjun Chung. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-12.

Preparation method of poly-silicon TFT array substrate and array substrate thereof

Номер патента: US09653496B2. Автор: Jing NIU,Zhijun LV,Fangzhen Zhang,Shuang Sun. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of forming a bottom-gate thin film transistor

Номер патента: US20020045299A1. Автор: Nigel Young. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-04-18.

A method of forming a bottom-gate thin film transistor

Номер патента: EP1316109A1. Автор: Nigel D. Young. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-06-04.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09373723B2. Автор: Tamae Takano,Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-21.

Method of manufacturing thin-film transistor

Номер патента: US20020031872A1. Автор: Shingo Saigo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09620408B2. Автор: Junya Maruyama,Toru Takayama,Yuugo Goto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Precursor solution of indium gallium zinc oxide film and method of manufacturing indium gallium zinc oxide thin film transistor

Номер патента: US12040408B2. Автор: Hang Zhou,Hejing Sun,Hengda Qiu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Pixel block with thin-film transistor made of low-temperature polycrystalline silicon and method for manufacture thereof

Номер патента: RU2670219C1. Автор: Цзую ЯН. Владелец: Шэньчжэнь Чайна Стар Оптоэлектроникс Текнолоджи Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-10-19.

Method of crystallizing amorphous silicon for use in thin film transistor

Номер патента: US20040137671A1. Автор: Young-joo Kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-15.

Production method of lead zirconium titanate (PZT) based dielectric thin film

Номер патента: TWI586628B. Автор: Toshiaki Watanabe,Toshihiro Doi,Nobuyuki Soyama,Hideaki Sakurai. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2017-06-11.

Thin film transistor and method of fabricating the same, array substrate and method of fabricating the same, and display device

Номер патента: US09455324B2. Автор: Qi Yao,Bing Sun,Zhanfeng CAO,Xiangchun Kong,Luke Ding. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Manufacturing method of thin film transistor array panel and thin film transistor array panel

Номер патента: US09806100B2. Автор: Jong Chan Lee,Joon-Hwa Bae,Woong Hee Jeong,In Sun Hwang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20060073648A1. Автор: Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Tae-Hoon Yang. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-06.

Thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20060243193A1. Автор: Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Tae-Hoon Yang. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-02.

Thin film transistor and method for fabricating thin film transistor

Номер патента: US20110198592A1. Автор: Sun Jae Kim,Min Koo Han. Владелец: SNU R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2011-08-18.

Method of fabricating thin film transistor

Номер патента: US20030211668A1. Автор: Makoto Takatoku. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-13.

Thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030094658A1. Автор: Yoichi Takahara,Yoshinobu Kimura,Kiyoshi Ogata,Kazuhiko Horikoshi,Toshihiko Itoga,Hironobu Abe,Makoto Ohkura,Takuo Tamura,Hironaru Yamaguchi,Masakazu Saitou. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-05-22.

Displays with silicon and semiconducting oxide thin-film transistors

Номер патента: US09818765B2. Автор: Hiroshi Osawa,Shih Chang Chang,Kyung-Wook Kim,Yu-Cheng Chen,Ming-Chin Hung. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20020102773A1. Автор: Jr-Hong Chen,I-Min Lu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-01.

Method of manufacturing thin film transistor array substrate

Номер патента: US09954015B2. Автор: Jean Ho SONG,Jun Ho Song,Seung Hyun Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Electronic device manufacture comprising a thin-film-transistor

Номер патента: EP1275141A1. Автор: John R. A. Ayres,Nigel D. Young,Stanley D. Brotherton,Frank W. Rohlfing,Carole A. Fisher. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-01-15.

Thin-film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US10153379B2. Автор: Zhe Chen. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-11.

Thin-film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180226507A1. Автор: Zhe Chen. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-09.

Electronic device manufacture comprising a thin-film-transistor

Номер патента: WO2001078130A1. Автор: John R. A. Ayres,Nigel D. Young,Stanley D. Brotherton,Frank W. Rohlfing,Carole A. Fisher. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2001-10-18.

Organic thin film transistor, method of manufacturing organic thin film transistor, organic thin film transistor material, organic thin film transistor composition, organic semiconductor film, and compound

Номер патента: US20180155338A1. Автор: Tetsuya Watanabe,Yoshihisa Usami,Toshihiro Okamoto,Eiji Fukuzaki,Masatoshi Yumoto,Hiroaki Tsuyama,Masashi Koyanagi,Junichi Takeya. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2018-06-07.

Thin film transistor, organic EL light emitting device, and method of fabricating thin film transistor

Номер патента: US09620731B2. Автор: Takaaki Ukeda,Akihito Miyamoto,Norishige Nanai. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of fabricating a reverse staggered type silicon thin film transistor

Номер патента: US5053354A. Автор: SAKAE Tanaka,Yoshiaki Watanabe,Katsuo Shirai,Yoshihisa Ogiwara. Владелец: Seikosha KK. Дата публикации: 1991-10-01.

Thin film transistor array substrate

Номер патента: US09583514B2. Автор: Jean Ho SONG,Jun Ho Song,Seung Hyun Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of designing thin film transistor

Номер патента: US20240005077A1. Автор: LING Li,Ming Liu,Wenfeng Jiang,Jiawei Wang,Nianduan Lu,Di GENG. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-01-04.

Manufacturing method of thin film transistor, manufacturing method of array substrate and array substrate

Номер патента: US09806108B2. Автор: Heecheol KIM,Seungjin Choi,Youngsuk Song,Seongyeol Yoo. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Array substrate, display apparatus, and method of fabricating array substrate

Номер патента: US20210193768A1. Автор: Zhen Song,Guoying Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Display panel and method of fabricating the same

Номер патента: US20230087942A1. Автор: Yoon-Jong Cho,Seokje Seong,Seongjun Lee,Semyung Kwon,Suyeon YUN,Joonhoo Choi,Kyunghyun Baek. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-23.

Thin film transistor array substrate and method of fabricating the same

Номер патента: US09923036B2. Автор: Ki Soub Yang,Seung Ryul Choi,Kyoung Jin PARK,Kang Hyun KIM. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Thin film transistor array substrate and method of fabricating the same

Номер патента: US09748319B2. Автор: Ki Soub Yang,Seung Ryul Choi,Kyoung Jin PARK,Kang Hyun KIM. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Product method of thin-film transistor, thin-film transistor, display apparatus, and fingerprint recognition unit

Номер патента: US10720512B2. Автор: Yingwei Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-21.

Method Of Manufacturing Thin Film Transistor

Номер патента: US20020117671A1. Автор: Yoshinori Tateishi. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-08-29.

Thin-film transistor, method for manufacturing the same and display device comprising the same

Номер патента: US09761650B2. Автор: Seyeoul Kwon,Sangcheon Youn,Mingu CHO. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Thin film transistor array substrate and method of fabricating same

Номер патента: US09513523B2. Автор: Mei-Ling Wu,Hsin-An Cheng,Yang-Chu Lin,Chih-Yuan Hou. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Pixel structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09437618B2. Автор: Cheng-Wei Chou. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2016-09-06.

Co-planar thin film transistor having additional source/drain insulation layer

Номер патента: EP1743382A1. Автор: Kenneth R. Whight,Ian D. French. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-01-17.

Thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor and flat panel display having the thin film transistor

Номер патента: US09991319B2. Автор: Yoon-Ho Khang,Sang-Ho Park,Dae-Ho Kim,Hyun-Jae Na,Myoung-Geun CHA. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Thin film transistor substrate, organic light-emitting apparatus including the same, method of manufacturing the thin film transistor substrate, and method of manufacturing the organic light-emitting apparatus

Номер патента: US09595694B2. Автор: Dong-Won Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Thin film transistor, method of manufacturing thin film transistor and flat panel display having the thin film transistor

Номер патента: US09552998B2. Автор: Yoon-Ho Khang,Sang-Ho Park,Dae-Ho Kim,Hyun-Jae Na,Myoung-Geun CHA. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09508752B2. Автор: Toshihiro Sato,Kazuhiro ODAKA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Thin film transistor, method for manufacturing the same, and display device comprising the same

Номер патента: US09478666B2. Автор: Seyeoul Kwon,Sangcheon Youn,Mingu CHO. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Schottky barrier thin film transistor and its method of manufacture

Номер патента: WO2020128508A1. Автор: Aimin Song,Jiawei Zhang,Joshua Wilson. Владелец: THE UNIVERSITY OF MANCHESTER. Дата публикации: 2020-06-25.

Schottky barrier thin film transistor and its method of manufacture

Номер патента: EP3884525A1. Автор: Aimin Song,Jiawei Zhang,Joshua Wilson. Владелец: University of Manchester. Дата публикации: 2021-09-29.

Organic thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate

Номер патента: US10050200B2. Автор: Qiang SHI,Honhang FONG,Yingtao Xie,Shihong OUYANG,Shucheng CAI,Ze Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-14.

Organic thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate

Номер патента: US9728723B2. Автор: Qiang SHI,Honhang FONG,Yingtao Xie,Shihong OUYANG,Shucheng CAI,Ze Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Array substrate, display apparatus, and method of fabricating array substrate

Номер патента: US20210359063A1. Автор: WEI YANG,Ke Wang,ce Ning,Hehe HU,Xinhong Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Method of fabricating a thin film transistor

Номер патента: US20010026965A1. Автор: Joon-Young Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-04.

Organic Thin Film Transistor and Manufacturing Method Thereof, Array Substrate

Номер патента: US20170294584A1. Автор: Qiang SHI,Honhang FONG,Yingtao Xie,Shihong OUYANG,Shucheng CAI,Ze Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-12.

Method of fabricating a thin film transistor

Номер патента: US6281055B1. Автор: Joon-Young Yang. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-28.

Display device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09887294B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Organic thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate

Номер патента: US09728723B2. Автор: Qiang SHI,Honhang FONG,Yingtao Xie,Shihong OUYANG,Shucheng CAI,Ze Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Display substrate, display panel and method of fabricating display substrate

Номер патента: US20200273888A1. Автор: Wei He,Liang Lin,Chuan Chen,Zhixiang ZOU,Yunhai Wan. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Mask Plate, Manufacturing Method of Patterned Film Layer and Manufacturing Method of Thin Film Transistor

Номер патента: US20210232043A1. Автор: Tao Jiang,Botao SONG,Ling Han,Xinyang TANG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Thin film transistor substrate, liquid crystal display having same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09484420B2. Автор: Chong Sup Chang,Sangho Park,Jungkyu Lee,Su-Hyoung Kang,Yoonho Khang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Thin film transistor, method for fabricating the same, array substrate, and display device

Номер патента: US20200243576A1. Автор: Kui Gong,Xianxue Duan,Jilong Li. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Displays with silicon and semiconducting oxide thin-film transistors

Номер патента: US11876099B2. Автор: Hiroshi Osawa,Shih Chang Chang,Kyung-Wook Kim,Yu-Cheng Chen,Ming-Chin Hung. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Displays With Silicon and Semiconducting Oxide Thin-Film Transistors

Номер патента: US20240128274A1. Автор: Vasudha Gupta,Shih Chang Chang,Young Bae Park,Tsung-Ting Tsai,Jae Won Choi. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Array substrate, display panel and method of manufacturing thin film transistor

Номер патента: US9735278B2. Автор: WU Wang,Fei SHANG,Haijun Qiu,Guolei Wang. Владелец: Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Pixel circuit, driving method of pixel circuit, and display device including pixel circuit

Номер патента: US12062320B2. Автор: Wookyu Sang,Hyoungsik Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Array substrate, display panel and method of manufacturing thin film transistor

Номер патента: US09735278B2. Автор: WU Wang,Fei SHANG,Haijun Qiu,Guolei Wang. Владелец: Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Thin-film transistor, method of manufacturing the same, and method of manufacturing backplane for flat panel display

Номер патента: US20150028331A1. Автор: Jin Jang,Tae-Woong Kim,Young-Gug Seol,Christophe Avis. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2015-01-29.

Thin film transistor, flat panel display device therewith, and method of manufacturing the thin film transistor

Номер патента: US20060011917A1. Автор: Min-chul Suh,Hye-dong Kim,Jae-Bon Koo. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-19.

Method of transferring thin film, method of manufacturing thin film transistor, method of forming pixel electrode of liquid crystal display device

Номер патента: US20150318306A1. Автор: Yasutaka Nishi,Makoto NAKAZUMI. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2015-11-05.

Metal chalcogenide thin film, thin-film transistor including the same, and method of manufacturing the thin-film transistor

Номер патента: US20240128421A1. Автор: Hyungjun Kim,Junhyung LIM,Ao LIU,Yongyoung NOH. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Device including light blocking layer and method of patterning the light blocking layer

Номер патента: US09709710B2. Автор: Ho-Jeong PAEK,Sang-soo Kim,Bum-Jin LEE,Chan-Woo Kim,Jin-Hee Kang,Sung-Seo CHO. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of transferring thin film, method of manufacturing thin film transistor, method of forming pixel electrode of liquid crystal display device

Номер патента: US09536912B2. Автор: Yasutaka Nishi,Makoto NAKAZUMI. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of fabricating an improved polycrystalline silicon thin film transistor

Номер патента: US5064775A. Автор: Kun-Zen Chang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 1991-11-12.

Thin film transistor, semiconductor device and method of fabricating thin film transistor

Номер патента: US11855226B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Hung-Wei Li,Mauricio Manfrini,Neil Quinn Murray. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Passivation elements of a thin film transistor

Номер патента: WO2024165987A1. Автор: Michael Clark,Douglas W. Barlage,Lhing Gem SHOUTE. Владелец: Zinite Corporation. Дата публикации: 2024-08-15.

Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US09780155B2. Автор: Chungi You. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Silicon thin film transistor

Номер патента: US5121178A. Автор: SAKAE Tanaka,Yoshiaki Watanabe,Katsuo Shirai,Yoshihisa Ogiwara. Владелец: Seikosha KK. Дата публикации: 1992-06-09.

Thin film transistor, semiconductor device and method of fabricating thin film transistor

Номер патента: US20240097041A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Hung-Wei Li,Mauricio Manfrini,Neil Quinn Murray. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Thin film transistor, display panel, and method of manufacturing the display panel

Номер патента: US20240222389A1. Автор: Wen Shi. Владелец: Guangzhou China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Display apparatus having a silicon nitride buffer layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US11658190B2. Автор: Eunjin Kwak,Yeoungkeol Woo,Yungbin CHUNG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-23.

Method for manufacturing n-type and p-type chalcogenide material, doped homojunction chalcogenide thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: EP2068368A3. Автор: Kibong Song,Sangsu Lee. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2009-08-05.

Self-aligned thin film transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US9252241B2. Автор: Sang Hee Park,Chi Sun Hwang,Him Chan Oh. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2016-02-02.

Thin film transistor array and manufacturing method of the same

Номер патента: US09865664B2. Автор: Ryohei Matsubara. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Thin film transistor structure, method of manufacturing the same, and electronic device

Номер патента: US8445912B2. Автор: Hideki Ono,Mari Sasaki,Iwao Yagi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-05-21.

Array substrate, display device and manufacturing method of the array substrate

Номер патента: US09543324B2. Автор: Xu Chen,Jian Guo,Zhenyu Xie,Changjiang Yan,Jiaxiang ZHANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of fabricating thin film transistor array substrate

Номер патента: US20050142714A1. Автор: Jin Kim,Gee Chae. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of manufacturing thin film transistor substrate

Номер патента: US09941313B2. Автор: Junghyun Kim,Seunghwan CHO,Kiwan Ahn. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of forming thin film transistor array substrate

Номер патента: US20170012092A1. Автор: Ki Soub Yang,Seung Ryul Choi,Kyoung Jin PARK,Kang Hyun KIM,Sam Jong LEE. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-12.

Thin film transistor array panel and method of manufacturing the panel

Номер патента: US9455278B2. Автор: Hyun Kim,Seung-Ha Choi,Eun Hye PARK,Sho Yeon KIM,Byung Hwan CHU. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Thin film transistor array panel and method of manufacturing the panel

Номер патента: US9287297B2. Автор: Hyun Kim,Seung-Ha Choi,Eun Hye PARK,Sho Yeon KIM,Byung Hwan CHU. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-15.

Thin-film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140048883A1. Автор: Takaaki Ukeda,Akihito Miyamoto. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-02-20.

Thin film transistor array panel and method of manufacturing the panel

Номер патента: US20160181284A1. Автор: Hyun Kim,Seung-Ha Choi,Eun Hye PARK,Sho Yeon KIM,Byung Hwan CHU. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Thin film transistor array panel and method of manufacturing the panel

Номер патента: US20150200209A1. Автор: Hyun Kim,Seung-Ha Choi,Eun Hye PARK,Sho Yeon KIM,Byung Hwan CHU. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-16.

Method of forming thin film transistor array substrate

Номер патента: US09825111B2. Автор: Ki Soub Yang,Seung Ryul Choi,Kyoung Jin PARK,Kang Hyun KIM,Sam Jong LEE. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Reverse staggered type silicon thin film transistor

Номер патента: US4979006A. Автор: SAKAE Tanaka,Yoshiaki Watanabe,Katsuo Shirai,Yoshihisa Ogiwara. Владелец: Seikosha KK. Дата публикации: 1990-12-18.

Display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240304726A1. Автор: Sang Sub KIM,Yong Su LEE,Myoung Geun CHA,Sang Gun Choi,Keun Woo Kim,Ji Yeong SHIN,Ki Seok Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Fabrication of thin film fin transistor structure

Номер патента: US12080781B2. Автор: Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Abhishek A. Sharma,Travis W. LaJoie,Noriyuki Sato,Van H. Le,Hui Jae Yoo,Elliot N. Tan,Sarah ATANASOV,Jason Peck,Tobias Brown-Heft. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Manufacturing methods of thin film transistors and manufacturing methods of array substrates

Номер патента: US20180301481A1. Автор: Xiaolong CAI. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230223478A1. Автор: Sang Sub KIM,Yong Su LEE,Myoung Geun CHA,Sang Gun Choi,Keun Woo Kim,Ji Yeong SHIN,Ki Seok Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Display device and method of fabricating the same

Номер патента: US12015088B2. Автор: Sang Sub KIM,Yong Su LEE,Myoung Geun CHA,Sang Gun Choi,Keun Woo Kim,Ji Yeong SHIN,Ki Seok Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

System and method of manufacturing a thin film transistor substrate

Номер патента: US09748283B2. Автор: Dong-Min Lee,Hyun-Eok Shin,Sang-won Shin,Chan-Woo YANG,Su-Kyoung YANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Low temperature poly-silicon thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09923075B2. Автор: Jian Min. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Methods of fabricating crystalline silicon film and thin film transistors

Номер патента: WO2007004096A3. Автор: Ramesh Kakkad. Владелец: Ramesh Kakkad. Дата публикации: 2007-07-26.

Liquid crystal display device, thin film transistor array substrate and method of fabricating the same

Номер патента: US09638976B2. Автор: Liang Wen. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of manufacturing of amorphous silicon thin film transistor liquid crystal display device

Номер патента: US09454049B2. Автор: Dong-Gyu Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Method of manufacturing thin-film transistor, thin-film transistor, display apparatus, sensor, and digital x-ray image-capturing apparatus

Номер патента: US20130320338A1. Автор: Atsushi Tanaka,Masahiro Takata,Masayuki Suzuki,Masashi Ono. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Method of fabrication of display pixels driven by silicon thin film transistors

Номер патента: US5994174A. Автор: Patrick M. Smith,Paul G. Carey. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 1999-11-30.

Method of fabricating a thin film transistor substrate using a plurality of photo masks and liquid crystal display

Номер патента: US09536902B2. Автор: Qibiao LV. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of integrating inorganic light emitting diode with oxide thin film transistor for display applications

Номер патента: US09793252B2. Автор: Amalkumar P. Ghosh. Владелец: Emagin Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Vertical thin film transistor selection devices and methods of fabrication

Номер патента: US09711650B2. Автор: Seiji Shimabukuro. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of manufacturing nitride semiconductor and nitride semiconductor thin film prepared using the same

Номер патента: US20240154001A1. Автор: Min Ho Kim,Ok Hyun Nam,Uiho Choi. Владелец: Tech University Of Korea Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2024-05-09.

Array substrate and method of fabricating the same, display panel and display device

Номер патента: US20210217810A1. Автор: Xue Dong,Haisheng Wang,Yingming Liu,Xueyou CAO,Xiaoliang DING,Chunwei Wu,Yuzhen GUO,Chihjen Cheng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

Method of producing thin film transistor, thin film transistor, display device, image sensor, and X-ray sensor

Номер патента: US09673048B2. Автор: Atsushi Tanaka,Masahiro Takata,Masayuki Suzuki,Masashi Ono,Toshiya IDEUE. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Ferroelectric zao(zirconium aluminium oxide) compound, manufacturing method thereof, ferroelectric thin film transistor including the same, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240290862A1. Автор: Jin Jang,Islam Md Mobaidul. Владелец: University Industry Cooperation Group Ofkyung Hgee University. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of making liquid crystal display device with oxide thin film transistor

Номер патента: US09847353B2. Автор: Dong Kug KO,Jong Sang PYO,Ji Yong LIM. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Thin film transistor, thin film transistor array substrate and method of manufacturing thin film transistor

Номер патента: US20240194793A1. Автор: Deng-Kai Chang,Tai-Hsing LEE,Chan-Kuan Huang,Tuan-Fei Gu. Владелец: Century Technology Shenzhen Corp Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Laser annealing apparatus, and fabrication methods of polycrystalline silicon thin film and thin film transistor

Номер патента: US10872767B2. Автор: Jingshuai WANG. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-22.

Laser annealing apparatus, and fabrication methods of polycrystalline silicon thin film and thin film transistor

Номер патента: US20180151360A1. Автор: Jingshuai WANG. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Display device, method of manufacturing the same, and tiled display device including the same

Номер патента: US12087807B2. Автор: Jun Mo IM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Polishing slurry for silicon, method of polishing polysilicon and method of manufacturing a thin film transistor substrate

Номер патента: US09982165B2. Автор: Joon-Hwa Bae,Jin-Hyung Park,Joo-Woan Cho,In-Sun Hwang,Byoung-Ho Cheong,Byoung-Kwon Choo,Jeong-Kyun NA. Владелец: UBMATERIALS Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Display panel and method of manufacturing the same

Номер патента: US09910330B2. Автор: Koichi Sugitani,Hoon Kang,Chul-Won PARK,Jin-Ho Ju. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Liquid crystal display panel and method of manufacturing the same

Номер патента: US09733530B2. Автор: Shinsuke Ogata,Kazushi Yamayoshi,Naruhito HOKA,Osamu Miyakawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Manufacturing method of array substrate, array substrate and display apparatus

Номер патента: US09978782B2. Автор: Qiyu Shen. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Array substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US09977303B2. Автор: Hyun-Wuk Kim,Sung-In Ro,Eun-Je Jang,Ock-Soo SON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, photodiode array, and imaging apparatus

Номер патента: US09941324B2. Автор: Shuhei NARA. Владелец: NLT Technologeies Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Manufacturing method of thin film and metal line for display using the same, thin film transistor array panel, and method for manufacturing the same

Номер патента: US09799678B2. Автор: Jong-In Kim,Jean-Ho Song,Byeong-Beom Kim,Je-hyeong Park,Jae-Hyoung Youn. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of manufacturing components of display panel assembly from same mother substrate

Номер патента: US09437621B2. Автор: Sang-Myoung LEE,Osung Seo,Seungjun YU. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of fabricating a thin-film transistor and liquid-crystal display apparatus

Номер патента: US5576229A. Автор: Yasuaki Murata,Atsushi Yoshinouci. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1996-11-19.

Thin film transistor and method of driving same

Номер патента: US09660091B2. Автор: Kyoung-seok SON,Myung-kwan Ryu,Sung-hee Lee,Eok-su KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Thin film transistor, display panel and preparation method therefor

Номер патента: EP4407684A1. Автор: Minggang Liu,Nian Liu,Macai Lu. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Method of fabricating semiconductor device having epitaxially grown semiconductor single crystal film

Номер патента: US5759878A. Автор: Masaaki Kamiya,Yoshikazu Kojima,Hiroaki Takasu,Yutaka Hayashi. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1998-06-02.

System and method for fabricating silicon targets

Номер патента: US20020171123A1. Автор: John Hartzell,Apostolos Voutsas. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2002-11-21.

Thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US09947771B2. Автор: Byoung-Keon Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

METHOD OF FABRICATING OPTICAL SENSOR DEVICE AND THIN FILM TRANSISTOR DEVICE

Номер патента: US20170069667A1. Автор: Chen Pei-Ming,Chen Shin-Shueh. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-09.

Method of forming p-n junction on zno thin film and p-n junction thin film

Номер патента: US20030183818A1. Автор: Young-Chang Kim,Sang-Yeol Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-02.

Method of producing self-supporting crystallised silicon thin film

Номер патента: RU2460167C1. Автор: Жан-Поль ГАРАНДЕ,Дени КАМЕЛЬ,Беатрис ДРЕВЕ. Владелец: Комиссарья А Л'Энержи Атомик Э Оз Энержи Альтернатив. Дата публикации: 2012-08-27.

Method of manufacturing a p-type compound semiconductor thin film containing a iii-group element and a v-group element by metal organics chemical vapor deposition

Номер патента: US5168077A. Автор: Kazuhiro Eguchi,Mitsuhiro Kushibe,Yasuo Ashizawa,Yoshihiro Kokubun,Takao Noda,Yasuo Ohba,Masahisa Funemizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-12-01.

Method of improving the uniformity of PECVD-deposited thin films

Номер патента: US20080268176A1. Автор: Soo Young Choi,John M. White,Tae Kyung Won. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-10-30.

Method for forming a thin-film transistor

Номер патента: US09799752B1. Автор: Shelby Forrester Nelson,Carolyn Rae Ellinger. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2017-10-24.

Self-aligned thin-film transistor and method of forming same

Номер патента: US20090298240A1. Автор: William S. Wong,Rene Lujan. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2009-12-03.

Method of fabricating thin-film transistor

Номер патента: US20010035528A1. Автор: Fang-Chen Luo,Chien-Sheng Yang. Владелец: Unipac Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2001-11-01.

Methods of fabricating crystalline silicon film and thin film transistors

Номер патента: TW200707512A. Автор: Ramesh Kakkad. Владелец: Ramesh Kakkad. Дата публикации: 2007-02-16.

Patterned silicon substrate-silicon germanium, thin film composite structure and preparation methods and application thereof

Номер патента: US11769799B2. Автор: Jianjun Zhang,Jieyin Zhang. Владелец: Institute of Physics of CAS. Дата публикации: 2023-09-26.

Patterned silicon substrate-silicon germanium, thin film composite structure and preparation methods and application thereof

Номер патента: US20220157942A1. Автор: Jianjun Zhang,Jieyin Zhang. Владелец: Institute of Physics of CAS. Дата публикации: 2022-05-19.

METHOD OF MANUFACTURING LnCuO(S, Se, Te) MONOCRYSTALLINE THIN FILM

Номер патента: EP1489654B1. Автор: Hideo Hosono,Masahiro Hirano,Hiromichi Ota,Masahiro Orita,Kazushige Ueda,Hidenori Hiramatsu. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2014-05-21.

Method of fabricating thin film transistor using metal induced lateral crystallization by etch-stopper layer patterns

Номер патента: US20060003504A1. Автор: Woon Paik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-05.

Barrier stacks for printed and/or thin film electronics methods of manufacturing the same, and method of controlling a threshold voltage of a thin film transistor

Номер патента: WO2020086532A1. Автор: Aditi Chandra,Yoocharn Jeon,Raghav SREENIVASAN. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2020-04-30.

Manufacturing method of organic semiconductor film, organic semiconductor film, thin film transistor, active matrix device, electro-optical device, and electronic device

Номер патента: US09484538B2. Автор: Soichi Moriya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Method of manufacturing surface-treated transparent conductive polymer thin film, and transparent electrode manufactured using the same

Номер патента: US09653217B2. Автор: Mikyoung Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of making an electronic device having a thin film resistor formed on an LCP solder mask and related devices

Номер патента: US09795039B2. Автор: Louis Joseph Rendek, Jr.. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of making an electronic device having a thin film resistor formed on an LCP solder mask and related devices

Номер патента: US09521752B2. Автор: Louis Joseph Rendek, Jr.. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2016-12-13.

Method of controlling the composition of a photovoltaic thin film

Номер патента: WO2011029706A2. Автор: Hariklia Deligianni,Harold John Hovel,Raman Vaidyanathan. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2011-03-17.

Full-laser grooving and scribing method of large-area copper indium gallium selenide thin-film solar cell module

Номер патента: GB2555277A9. Автор: Zhang Ning,YU Xinping,DAI Wanlei. Владелец: Beijing Sifang Crenergey Optoelectronics Tech Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-11.

Method of making semiconductor device using a trimmable thin-film resistor

Номер патента: US5284794A. Автор: Masami Saito,Yoshihiko Isobe,Shoji Miura,Makio Iida,Mikimasa Suzuki,Keizou Kajiura. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1994-02-08.

Structure of thin film transistors and liquid crystal display device having the same

Номер патента: US20100110322A1. Автор: Masaki Kado,Mikio Murata,Arichika Ishida,Toshiya Kiyota,Masato Hiramatsu,Yoshiaki Nakazaki,Hajime Watakabe. Владелец: Toshiba Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-06.

Structure of thin film transistors and liquid crystal display device having the same

Номер патента: US8085355B2. Автор: Masaki Kado,Mikio Murata,Arichika Ishida,Toshiya Kiyota,Masato Hiramatsu,Yoshiaki Nakazaki,Hajime Watakabe. Владелец: Toshiba Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-27.

METHOD OF FABRICATING ULTRA SHORT GATE LENGTH THIN FILM TRANSISTORS USING OPTICAL LITHOGRAPHY

Номер патента: US20150294908A1. Автор: Bayraktaroglu Burhan. Владелец: Government of the United States, as represented by the Secretary of the Air Force. Дата публикации: 2015-10-15.

Thin film transistor substrate and method of fabricating the same

Номер патента: US20060281317A1. Автор: Katsunori Misaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-12-14.

Method for crystallizing amorphous silicon thin film and method for fabricating poly crystalline thin film transistor using the same

Номер патента: US20130273724A1. Автор: Tao Li,Yong Woo Lee,Se Wan Son,Hyun Mo KANG,Woo Chang Lim,Sang Joo Lee,Seung Ki Joo,Seol Ah Park,Chang Woo BYUN,Seung Jae YUN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-17.

Method of crystallizing amorphous semiconductor thin film and method of fabricating poly-crystalline thin film transistor using the same

Номер патента: US20050287726A1. Автор: Woon Paik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-29.

Method for crystallizing amorphous silicon thin-film for use in thin-film transistors and thermal annealing apparatus therefor

Номер патента: US20010001715A1. Автор: TAEKYUNG KIM,Seungki Joo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-05-24.

Methods of manufacturing thin film transistor and array substrate

Номер патента: US09881945B2. Автор: Qiyu Shen. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of Fabricating Thin, Crystalline Silicon Film and Thin Film Transistors

Номер патента: US20240234142A9. Автор: Ramesh kumar Harjivan Kakkad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of fabricating oxide thin film device using laser lift-off and oxide thin film device fabricated by the same

Номер патента: US8828845B2. Автор: Jin Sang Kim,Ji Won Choi,Hyun Cheol Song,Chong Yun Kang,Seung Hyub BAEK,Seok Jin Yoon,Young Ho Do. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2014-09-09.

Poly-crystalline thin film, thin film transistor formed from a poly-crystalline thin film and methods of manufacturing the same

Номер патента: US7851802B2. Автор: Sang-yoon Lee,Myung-kwan Ryu,Tae-Sang Kim,Jang-yeon Kwon,Kyung-bae Park,Ji-sim Jung,Jae-Young Choi,Hyeon-jin SHIN,Seon-mi Yoon,Kyung-seok SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-14.

Method of manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: US09328414B2. Автор: Masafumi Kunii. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-05-03.

Thin-film transistor substrate, method of manufacturing same, and organic light-emitting display apparatus including thin-film transistor substrate

Номер патента: US09525047B2. Автор: Kwan-Wook Jung,Jae-Beom Choi,Kwang-Hae Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Low temperature polysilicon film, thin film transistor, manufacturing method thereof and display panel

Номер патента: US20140332818A1. Автор: Zhen Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-13.

Thin film structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09337021B2. Автор: Sung Bo Lee,Heung Nam HAN. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2016-05-10.

Methods of forming thin films and methods of fabricating integrated circuit devices using the same

Номер патента: US09960032B2. Автор: Youn Soo Kim,Tsubasa Shiratori,Jae wan Chang. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Fabrication method of polycrystalline silicon TFT

Номер патента: US20040248422A1. Автор: Sang Kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-09.

A kind of low temperature liquid phase preparation method of high mobility indium gallium zinc oxygen thin film transistor (TFT)

Номер патента: CN106206292A. Автор: 张倩,王素梅,夏国栋. Владелец: Qilu University of Technology. Дата публикации: 2016-12-07.

Method of manufacturing layer-stacked wiring

Номер патента: US20110053354A1. Автор: Jun Tanaka,Hiroshi Kanoh. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

Method of forming single crystal silicon thin film using sequential lateral solidification (SLS)

Номер патента: US20050176189A1. Автор: Se-Young Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-11.

Thin film transistor, method of fabricating thin film transistor and pixel structure

Номер патента: US20120037908A1. Автор: Shine-Kai Tseng,Huang-Chun Wu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-02-16.

Method of producing light-absorbing layer of thin-film solar cells from copper-indium-gallium-sulphur-selenium

Номер патента: RU2446510C1. Автор: Фукианг ХУАНГ,Яоминг ВАНГ. Владелец: Шанхайский Институт Керамики Китайской Академии Наук. Дата публикации: 2012-03-27.

Display device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20080173873A1. Автор: Kunihiko Watanabe,Junichi Uehara,Miyo Ishii. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-24.

Thin film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020076862A1. Автор: Jr-Hong Chen,I-Min Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2002-06-20.

Manufacturing method of two-dimensional transition-metal chalcogenide thin film

Номер патента: US09460919B1. Автор: Henry Medina,Yu-Lun Chueh,Yu-Ze Chen,Yi-Chen Hsieh. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2016-10-04.

Method of manufacturing thin film transistor

Номер патента: US20160013222A1. Автор: Sang-jin Park,Myung-Ho Kim,Yoon-Jong Cho,Jun-Hwan Moon,Keun-Chang Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-14.

Method of fabricating nonvolatile organic bistable memory device including polymer thin film with nanoparticles serving as charge trapping region

Номер патента: WO2009022774A1. Автор: Jae-Hoon Jung,Tae-Whan Kim,Dong-Ick Son,Jae-Hyeon Leem. Владелец: INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION, HANYANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2009-02-19.

Method of fabricating a poly-silicon thin film

Номер патента: TW200722560A. Автор: Yu-Cheng Chen,Hung-Tse Chen,Jia-Xing Lin. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2007-06-16.

Organic Light-Emitting Display Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20120074412A1. Автор: Sung-Ho Kim. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-29.

Display device, method of manufacturing the same, and electronic unit

Номер патента: US20150060851A1. Автор: Toshiaki Arai,Yasuhiro Terai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-03-05.

Display panels, methods of manufacturing the same and organic light emitting display devices having the same

Номер патента: US09923039B2. Автор: Ki-Wan Ahn,Yong-Jae Jang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of manufacturing semiconductor device by alternatively increasing and decreasing pressure of process chamber

Номер патента: US09508531B2. Автор: Koei KURIBAYASHI,Shinya EBATA. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of reducing semiconductor window layer loss during thin film photovoltaic device fabrication, and resulting device structure

Номер патента: US09437760B2. Автор: Zhibo Zhao,Jigish Trivedi,Rick C. Powell,Daniel Damjanovic. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of fabricating high quality black phosphorous thin film by the treatment of oxide-layer removal and reactive oxygen reaction

Номер патента: KR101851339B1. Автор: 김정원,이은성,박재성,권혁상,서성원. Владелец: 한국표준과학연구원. Дата публикации: 2018-06-11.

Method of Forming P-Type ZnO Film

Номер патента: US20130256654A1. Автор: Seong Ju Park,Yong Seok Choi,Jang Won KANG. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2013-10-03.

Method of forming p-type ZnO film

Номер патента: US8772150B2. Автор: Seong Ju Park,Yong Seok Choi,Jang Won KANG. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2014-07-08.

Method of sealing open pores on surface of porous dielectric material using iCVD process

Номер патента: US10535514B2. Автор: Sung Gap Im,Byung Jin Cho,Seong Jun Yoon,Hyungsuk Alexander Yoon,Kwanyong Pak. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2020-01-14.

Methods of forming an amorphous silicon layer for thin film solar cell applications

Номер патента: WO2011049658A1. Автор: Shuran Sheng,Yong-Kee Chae. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2011-04-28.

Method of controlling the uniformity of PECVD-deposited thin films

Номер патента: US20050233092A1. Автор: John White,Soo Choi,Tae Won. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2005-10-20.

Method of improving the uniformity of PECVD-deposited thin films

Номер патента: US7754294B2. Автор: Soo Young Choi,John M. White,Tae Kyung Won. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2010-07-13.

A method of preparing copper and indium gallium tellurium thin films

Номер патента: CN108767059A. Автор: 李静,刘宏,刘科高,许超,赵忠新. Владелец: Shandong Jianzhu University. Дата публикации: 2018-11-06.

METHOD OF PROTECTING INTEGRATED CIRCUIT CHIPS BY INSULATING THIN FILM DEPOSITION

Номер патента: FR2797996A1. Автор: Philippe Patrice,Michel Papapietro. Владелец: Gemplus SA. Дата публикации: 2001-03-02.

Method of growing a beta-Ga2O3 single crystal thin film

Номер патента: EP2267194B1. Автор: Kazuo Aoki,Noboru Ichinose,Kiyoshi Shimamura,Encarnacion Antonia Garcia Villora. Владелец: WASEDA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-04-17.

Method of manufacturing a glass substrate for a thin film

Номер патента: WO1994018356A1. Автор: Katsuyoshi Harada,Satoshi Hattori. Владелец: Watkins-Johnson Company. Дата публикации: 1994-08-18.

Fabrication method of zinc oxide based transparent conductive oxide thin film

Номер патента: KR100682741B1. Автор: 김인호,김원목,이전국. Владелец: 한국과학기술연구원. Дата публикации: 2007-02-15.

Method of forming chalcogen compound light-absorption layer thin film for solar cell

Номер патента: US10056512B2. Автор: Ki-Hwan Kim,Ara Cho,Jae-Ho Yun,Seoung-Kyu Ahn,Jun-Sik Cho,SeJin Ahn,Jihye Gwak,Jin-Su Yoo,Joo-Hyung Park,Young-Joo Eo. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2018-08-21.

Method of affecting rram characteristics by doping pcmo thin films

Номер патента: US20060088974A1. Автор: David Evans,Sheng Hsu,Wei-Wei Zhuang,Fengyan Zhang. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2006-04-27.

Manufacturing method of composite wafer with oxide single crystal thin film

Номер патента: KR102554057B1. Автор: 쇼지 아키야마,마코토 카와이. Владелец: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2023-07-10.

Method of improving field emission characteristics of diamond thin films

Номер патента: US5902640A. Автор: Dieter M. Gruen,Alan R. Krauss. Владелец: University of Chicago. Дата публикации: 1999-05-11.

Mask, manufacturing method thereof and manufacturing method of a thin film transistor

Номер патента: US09741828B2. Автор: Rui Xu. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of manufacturing aluminum gate electrode

Номер патента: US6110768A. Автор: Ting-Chang Chang,Po-Sheng Shih,Du-Zen Peng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-08-29.

Method of forming channel in thin film transistor using non-ionic excited species

Номер патента: MY134102A. Автор: Sakai Masahiro,TERAUCHI Masaharu. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-30.

Method of manufacturing thin film transistor and display device

Номер патента: US20220262826A1. Автор: En-Tsung Cho,Yuming XIA,Wanfei YONG. Владелец: Chuzhou HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Manufacturing method of thin film transistor display panel

Номер патента: US09502536B2. Автор: Joo Hyung Lee,Dong Il Kim,Jae Woo Jeong. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Barrier Stacks for Printed and/or Thin Film Electronics, Methods of Manufacturing the Same, and Method of Controlling a Threshold Voltage of a Thin Film Transistor

Номер патента: US20200127021A1. Автор: CHANDRA Aditi,SREENIVASAN Raghav,Jeon Yoocharn. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2020-04-23.

Thin film transistor assembly, particularly suitable for liquid crystal display device, and process for fabricating the same

Номер патента: US20020110960A1. Автор: Woong-Kwon Kim,Joo-Young Kim,Young-Jin Oh. Владелец: LG LCD Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-15.

Flexible organic electroluminescent device and method of fabricating the same

Номер патента: US09647245B2. Автор: Nack Bong Choi. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of producing display device, display device, method of producing thin-film transistor substrate, and thin film transistor substrate

Номер патента: US20150076502A1. Автор: Hiroshi Sagawa,Naobumi Toyomura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Method of producing display device, display device, method of producing thin-film transistor substrate, and thin-film transistor substrate

Номер патента: US8034672B2. Автор: Hiroshi Sagawa,Naobumi Toyomura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-10-11.

Thin film transistor substrate, electronic apparatus, and methods for fabricating the same

Номер патента: US20100019243A1. Автор: Ming-Wei Sun,Chih-Wei Chao. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-01-28.

Thin film transistor substrate, electronic apparatus, and methods for fabricating the same

Номер патента: US20100176402A1. Автор: Ming-Wei Sun,Chih-Wei Chao. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-07-15.

Thin film transistor substrate, electronic apparatus, and methods for fabricating the same

Номер патента: US8093592B2. Автор: Ming-Wei Sun,Chih-Wei Chao. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-01-10.

Thin-film transistor substrate, display apparatus, method of manufacturing thin-film transistor substrate, and method of manufacturing display apparatus

Номер патента: US09721901B2. Автор: Jihyeon Ryu. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Mask for forming a thin-film transistor, thin-film transistor substrate manufactured using the same and method of manufacturing a thin-film transistor substrate using the same

Номер патента: US20080073718A1. Автор: Young-Wook Lee,Woo-Geun Lee,Youn-Hee Cha,Jung-In Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-27.

Thin film transistor and method of forming thin film transistor

Номер патента: US20060081855A1. Автор: Meng-Chi Liou,Hung-Jen Chu,Nei-Jen Hsiao,Hui-Chung Shen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-20.

Thin film transistor and method of forming thin film transistor

Номер патента: US7348609B2. Автор: Meng-Chi Liou,Hung-Jen Chu,Nei-Jen Hsiao,Hui-Chung Shen. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2008-03-25.

HGCDTE thin film transistor

Номер патента: US5534719A. Автор: Roland J. Koestner,Michael A. Kinch,Richard A. Schiebel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1996-07-09.

Construction of thin-film solar module and method of its manufacture

Номер патента: RU2648341C2. Автор: Евгений Иванович Теруков,Александр Вячеславович Семенов,Алексей Валерьевич Кукин,Дмитрий Александрович Андроников,Алексей Станиславович Абрамов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике", ООО "НТЦ ТПТ". Дата публикации: 2018-03-23.

Tin perovskite/silicon thin-film tandem solar cell

Номер патента: US09653696B2. Автор: Ashok CHAUDHARI. Владелец: Solar-Tectic LLC. Дата публикации: 2017-05-16.

Temperature sensor device and radiation thermometer using this device, production method of temperature sensor device, multi-layered thin film thermopile using photo-resist film and radiation thermometer using this thermopile, and production method of multi-layered thin film thermopile

Номер патента: US09759613B2. Автор: Mitsuteru Kimura,Nobuo Tanaka,Hironori Shimobayashi. Владелец: HME CO Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of enhancing the conductive and optical properties of deposited indium tin oxide (ito) thin films

Номер патента: EP2436044A1. Автор: Yiwei Lu,David M. Broadway. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2012-04-04.

Method of enhancing the conductive and optical properties of deposited indium tin oxide (ito) thin films

Номер патента: WO2010138157A1. Автор: Yiwei Lu,David M. Broadway. Владелец: Guardian Industries Corp.. Дата публикации: 2010-12-02.

Method of measuring thickness of a ultra-thin film

Номер патента: US11215450B2. Автор: Kyung Joong KIM,Tae Gun Kim. Владелец: Korea Research Institute of Standards and Science KRISS. Дата публикации: 2022-01-04.

Thin film transistor substrate and method of repairing signal line of the substrate

Номер патента: US9076748B2. Автор: Hyun-Tae Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-07.

Integration of embedded thin film capacitors in package substrates

Номер патента: US20160329153A1. Автор: Daniel N. Sobieski,Robert L. Sankman,Sri Ranga Sai Boyapati. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-10.

Integration of embedded thin film capacitors in package substrates

Номер патента: US09941054B2. Автор: Daniel N. Sobieski,Robert L. Sankman,Sri Ranga Sai Boyapati. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Integration of embedded thin film capacitors in package substrates

Номер патента: US09420693B2. Автор: Daniel N. Sobieski,Robert L. Sankman,Sri Ranga Sai Boyapati. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Method of making a tandem solar cell having a germanium perovskite/germanium thin-film

Номер патента: US09608159B2. Автор: Ashok CHAUDHARI. Владелец: Solar-Tectic LLC. Дата публикации: 2017-03-28.

Tin perovskite/silicon thin-film tandem solar cell

Номер патента: US20160322172A1. Автор: Ashok CHAUDHARI. Владелец: Solar-Tectic LLC. Дата публикации: 2016-11-03.

Tin perovskite/silicon thin-film tandem solar cell

Номер патента: WO2017196569A1. Автор: Ashok CHAUDHARI. Владелец: SOLAR-TECTIC, LLC. Дата публикации: 2017-11-16.

METHOD OF FABRICATING A(C)IGS BASED THIN FILM USING Se-Ag2Se CORE-SHELL NANOPARTICLES, A(C)IGS BASED THIN FILM FABRICATED BY THE SAME, AND TANDEM SOLAR CELLS INCLUDING THE A(C)IGS BASED THIN FILM

Номер патента: US20150287854A1. Автор: Gwak Jihye,Ahn Sejin,Ahn SeoungKyu,Cho Ara,Yoo Jin-Su,Yoon Kyung Hoon,Eo Young Joo,Cho Jun Sik,Park Joo Hyung,Yun Jae Ho,Shin Kee Shik. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-08.

Method of fabricating A(C)IGS based thin film using Se-Ag2Se core-shell nanoparticles, A(C)IGS based thin film fabricated by the same, and tandem solar cells including the A(C)IGS based thin film

Номер патента: US9634162B2. Автор: Young Joo Eo,Ara Cho,SeJin Ahn,Jihye Gwak,Jin-Su Yoo,Kyung Hoon YOON,Jae Ho Yun,Kee Shik Shin,SeoungKyu Ahn,Jun Sik Cho,Joo Hyung Park. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2017-04-25.

MANUFACTURING METHOD OF ORGANIC SEMICONDUCTOR FILM, ORGANIC SEMICONDUCTOR FILM, THIN FILM TRANSISTOR, ACTIVE MATRIX DEVICE, ELECTRO-OPTICAL DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20150249216A1. Автор: Moriya Soichi. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-03.

Method of making a copper oxide/silicon thin-film tandem solar cell using copper-inorganic film from a eutectic alloy

Номер патента: US9997661B2. Автор: Ashok CHAUDHARI. Владелец: Solar-Tectic LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

ORGANIC INSULATING LAYER COMPOSITION, METHOD OF FORMING ORGANIC INSULATING LAYER, AND ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR INCLUDING THE ORGANIC INSULATING LAYER

Номер патента: US20140001453A1. Автор: Baeg Kang-Jun,NOH Yong-Young,Cho Joon-Hyuk. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-02.

Method of making a iv-vi/silicon thin-film tandem solar cell

Номер патента: US20160329453A1. Автор: Ashok CHAUDHARI. Владелец: Solar-Tectic LLC. Дата публикации: 2016-11-10.

Full-laser grooving and scribing method of large-area copper indium gallium selenide thin-film solar cell module

Номер патента: GB201719020D0. Автор: . Владелец: Beijing Sifang Crenergey Optoelectronics Tech Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-03.

Method of measuring thickness of a ultra-thin film

Номер патента: US20210131802A1. Автор: Kyung Joong KIM,Tae Gun Kim. Владелец: Korea Research Institute of Standards and Science KRISS. Дата публикации: 2021-05-06.

Method of fabricating image sensors using a thin film photodiode above active CMOS circuitry

Номер патента: US20030057357A1. Автор: David Fraser,Kevin Connolly,Jack Uppal,Stephen Gospe. Владелец: Gospe Stephen Bradford. Дата публикации: 2003-03-27.

COATING LIQUID FOR FORMING PIEZOELECTRIC THIN FILM, METHOD OF PRODUCING COATING LIQUID FOR FORMING PIEZOELECTRIC THIN FILM, PIEZOELECTRIC THIN FILM, METHOD OF MANUFACTURING PIEZOELECTRIC THIN FILM, AND LIQUID EJECTION HEAD

Номер патента: US20170335111A1. Автор: Kobayashi Motokazu,Koketsu Naoyuki,Nakasu Minako,Uchida Fumio,Shimizu Chiemi. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

The method that is carried out by the device and method of quantitative analysis and obtains property of thin film for film

Номер патента: CN109786277A. Автор: 牛宝华,应继锋,苏纮仪. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-21.

A kind of preparation method of the non-laminar structure NiSe nano thin-film of large area

Номер патента: CN106129171B. Автор: 王敏,黄帆,许智豪,马杨,蔡曹元,贾飞翔,吴从军. Владелец: Hefei University of Technology. Дата публикации: 2018-12-18.

Method of controlling the composition of a photovoltaic thin film

Номер патента: TW201123469A. Автор: Hariklia Deligianni,Raman Vaidyanathan,Harold J Hovel. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2011-07-01.

Method of and apparatus for measuring thickness of thin film or thin layer

Номер патента: TW200406578A. Автор: Takashi Nishimura,Kazunari Shinya. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2004-05-01.

METHOD OF MANUFACTURING A LIGHT EMITTING DEVICE AND THIN FILM FORMING APPARATUS

Номер патента: US20130137194A1. Автор: Shibata Noriko,YAMAGATA Hirokazu,ADACHI Yoshimi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2013-05-30.

METHOD OF MAKING AN ELECTRONIC DEVICE HAVING A THIN FILM RESISTOR FORMED ON AN LCP SOLDER MASK AND RELATED DEVICES

Номер патента: US20180007797A1. Автор: Rendek,JR. Louis Joseph. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

Methods of Using A Two Terminal Multi-Layer Thin Film Resistance Switching Device With A Diffusion Barrier

Номер патента: US20160064660A1. Автор: Ignatiev Alex,Young-Fisher Kristina,Ebrahim Rabi,Wu Naijuan. Владелец: Board of Regents, University of Houston. Дата публикации: 2016-03-03.

METAL OXIDE NANOPARTICLE INK, METHOD OF PREPARING THE SAME, METAL OXIDE NANOPARTICLE THIN FILM MANUFACTURED USING THE SAME, AND PHOTOELECTRIC DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20210098202A1. Автор: PARK So Yeon,JUNG Hyun Suk,Kim Se Jin,NOH Jun Hong,YEOM Kyung Mun. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-01.

METHOD OF MAKING AN ELECTRONIC DEVICE HAVING A THIN FILM RESISTOR FORMED ON AN LCP SOLDER MASK AND RELATED DEVICES

Номер патента: US20190124777A1. Автор: Rendek,JR. Louis Joseph. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-25.

METHOD OF FORMING CHALCOGEN COMPOUND LIGHT-ABSORPTION LAYER THIN FILM FOR SOLAR CELL

Номер патента: US20170141250A1. Автор: Gwak Jihye,Ahn Sejin,Cho Ara,Yun Jae-Ho,Cho Jun-Sik,Yoo Jin-Su,Park Joo-Hyung,Eo Young-Joo,Kim Ki-Hwan,Ahn Seoung-Kyu. Владелец: KOREA INSTITUTE OF ENERGY RESEARCH. Дата публикации: 2017-05-18.

METHOD OF MANUFACTURING A LIGHT EMITTING DEVICE AND THIN FILM FORMING APPARATUS

Номер патента: US20150171330A1. Автор: Shibata Noriko,YAMAGATA Hirokazu,ADACHI Yoshimi. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-18.

METHOD OF REDUCING SEMICONDUCTOR WINDOW LAYER LOSS DURING THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE FABRICATION, AND RESULTING DEVICE STRUCTURE

Номер патента: US20140261687A1. Автор: Zhao Zhibo,Trivedi Jigish,Powell Rick C.,Damjanovic Dan. Владелец: FIRST SOLAR, INC. Дата публикации: 2014-09-18.

Preparation method of copper zinc tin sulfur selenium (CZTSSe) thin film material with controllable band gap

Номер патента: CN104393096A. Автор: 张春江. Владелец: SHANGHAI KEHUI SOLAR ENERGY TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-04.

METHOD OF MAKING A TEXTURED REFLECTOR FOR A THIN FILM PHOTOVOLTAIC CELL AND TEXTURED REFLECTOR THUS OBTAINED

Номер патента: FR2990059B1. Автор: Cédric Ducros,Helga Szambolics. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-11-18.

METHOD OF MAKING A TEXTURED REFLECTOR FOR A THIN FILM PHOTOVOLTAIC CELL AND TEXTURED REFLECTOR THUS OBTAINED

Номер патента: FR2990059A1. Автор: Cédric Ducros,Helga Szambolics. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2013-11-01.

Method of making an electronic device having a thin film resistor formed on an LCP solder mask and related devices

Номер патента: US10561023B2. Автор: Louis Joseph Rendek, Jr.. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2020-02-11.

Method of depositing gate electrode material for tipping thin film field effect transistor

Номер патента: JP2637078B2. Автор: ハロルド・ジョージ・パークス,ジョージ・エドワード・ポッシン. Владелец: JENERARU EREKUTORITSUKU CO. Дата публикации: 1997-08-06.

Preparation method of p-type semiconductor layer for inorganic thin-film solar cell

Номер патента: CN114068737A. Автор: 李秉勋,金镇赫,贾比材,李栋敏,张浚成,曹恩爱. Владелец: INDUSTRY FOUNDATION OF CHONNAM NATIONAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-02-18.

Method of forming crack trapping and arrest in thin film structures

Номер патента: US7491578B1. Автор: Griselda Bonilla,Howard S Landis,Thomas M Shaw,Michael W Lane,James P Doyle,Xio Hu Liu,Eric G Liniger. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-02-17.

Manufacturing method of antimony tin oxide transparent conducting oxide thin-film

Номер патента: KR20100097789A. Автор: 문두경,이우정,이장용,원종우,송인성,송호준,송관욱,허수원. Владелец: 건국대학교 산학협력단. Дата публикации: 2010-09-06.

Method of manufacturing surface-treated transparent conductive polymer thin film, and transparent electrode manufactured using same

Номер патента: WO2015071794A1. Автор: 김미경. Владелец: 주식회사 엘지화학. Дата публикации: 2015-05-21.

Method of fabricating silicon thin film layer

Номер патента: US20070048983A1. Автор: Jang-yeon Kwon,Ji-sim Jung,Do-Young Kim,Takashi Noguchi,Jong-Man Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Method of fabricating thin film transistor, thin film transistor, array substrate, and display apparatus

Номер патента: US10777588B2. Автор: HU Meng,Qi Huang,Xuelei Liang,Jiye XIA,Boyuan TIAN,Guodong Dong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-15.

Method of degassing thin layer and method of manufacturing silicon thin film

Номер патента: US20070264800A1. Автор: Jang-yeon Kwon,Kyung-bae Park,Ji-sim Jung,Jong-Man Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-11-15.

Method of making a polycrystalline thin film, a mask pattern used in the same and a method of making a flat panel display device using the same

Номер патента: US20070015320A1. Автор: Ki-Yong Lee,Hye-Hyang Park. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-18.

Method for modifying and controlling the threshold voltage of thin film transistors

Номер патента: US09640390B1. Автор: Joerg Rockenberger,Arvind Kamath,Fabio Zurcher,Wenzhuo Guo. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2017-05-02.

Method for depositing amorphous silicon thin film by chemical vapor deposition

Номер патента: WO2010032978A2. Автор: Chang Auck Choi,Byoung Gon Yu,Woo Seok Yang,Sang Hoon Cheon,Seong Mok Cho,Ho Jun Ryu. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2010-03-25.

Method and system for monitoring crystallization of amorphous silicon thin film, and method of manufacturing thin film transistor by using the method and system

Номер патента: US20140329343A1. Автор: Maidanchuk Ivan,Dong-Hyun Lee,Byung-Soo So,Won-Pil Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

Vertical thin film transistors in non-volatile storage systems

Номер патента: US09818798B2. Автор: Naoki Takeguchi,Hiroaki Iuchi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-11-14.

Vertical thin film transistors in non-volatile storage systems

Номер патента: US09362338B2. Автор: Naoki Takeguchi,Hiroaki Iuchi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-06-07.

Thin-film transistor array device, organic el display device, and method of manufacturing thin-film transistor array device

Номер патента: US20120032179A1. Автор: Tomoya Kato,Tohru Saitoh. Владелец: Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

Method of defining poly-silicon growth direction

Номер патента: US09589796B2. Автор: Wei Yu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of fabricating thin film transistor, thin film transistor, array substrate, and display apparatus

Номер патента: WO2019042118A1. Автор: HU Meng,Qi Huang,Xuelei Liang,Jiye XIA,Boyuan TIAN,Guodong Dong. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-03-07.

Method of fabricating thin film transistor, thin film transistor, array substrate, and display apparatus

Номер патента: US20200185422A1. Автор: HU Meng,Qi Huang,Xuelei Liang,Jiye XIA,Boyuan TIAN,Guodong Dong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-11.

Method of manufacturing laterally crystallized semiconductor layer and method of manufacturing thin film transistor using the same method

Номер патента: US20080067515A1. Автор: Jang-yeon Kwon,Kyung-bae Park,Ji-sim Jung,Jong-Man Kim,Kyung-yeup Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-20.

Apparatus for and method of crystallizing active layer of thin film transistor

Номер патента: US09620361B2. Автор: Hyun-Jin Cho,Joo-Woan Cho,Byoung-Ho Cheong,Sang-hoon Ahn,Byoung-Kwon Choo,Soo-Yeon Han. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Organic light emitting display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09515290B2. Автор: Jae Ik Lim,Won Sang Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Thin film transistor substrate, manufacture method thereof and liquid crystal display

Номер патента: US09477127B2. Автор: Jinlei Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Integrated circuit device including polycrystalline semiconductor film and method of manufacturing the same

Номер патента: US09576969B2. Автор: Han-mei Choi,Bong-Jin Kuh,Joong-Han SHIN,Dmitry MIKULIK,Wanit MANOROTKUL. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of fabricating silicon carbide material

Номер патента: US20220024773A1. Автор: Ching-Shan Lin. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Array substrate, display device and method of manufacturing the array substrate

Номер патента: US09553110B2. Автор: Shi Shu,Yonglian QI,Guanbao HUI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Display device and method of fabricating the same

Номер патента: US09917117B2. Автор: Moo Soon KO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Vertical bit line non-volatile memory systems and methods of fabrication

Номер патента: US09853090B2. Автор: Michael Konevecki,Luke Zhang,Natalie Nguyen,Vance Dunton,Steve Radigan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-26.

Vertical bit line non-volatile memory systems and methods of fabrication

Номер патента: US09558949B2. Автор: Michael Konevecki,Luke Zhang,Natalie Nguyen,Vance Dunton,Steve Radigan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-31.

Methods of fabricating silicon-on-insulator (SOI) semiconductor devices using blanket fusion bonding

Номер патента: US09721832B2. Автор: Alexander A. Ned,Sorin Stefanescu,Joseph R. VanDeWeert. Владелец: Kulite Semiconductor Products Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Fabrication method of display device

Номер патента: US20070161167A1. Автор: Akio Kawano,Jun Gotoh. Владелец: Hitachi Displays Ltd. Дата публикации: 2007-07-12.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09773823B2. Автор: Chang Oh Jeong,Su-Hyoung Kang,Gwang Min CHA. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Layered thin film heater and method of fabrication

Номер патента: US09499898B2. Автор: Dmitry Lubomirsky,Son T. Nguyen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Manufacturing method and structure of thin film transistor backplane

Номер патента: US20160240599A1. Автор: Longqiang Shi,Hejing ZHANG,Wenhui Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Manufacturing method and structure of thin film transistor backplane

Номер патента: US09490310B2. Автор: Longqiang Shi,Hejing ZHANG,Wenhui Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Light emitting diode device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230387096A1. Автор: Sang Gab Kim,Shin Il Choi,Su Bin Bae,Yu Gwang Jeong,Joon Geol Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Light emitting diode device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200091393A1. Автор: Sang Gab Kim,Shin Il Choi,Su Bin Bae,Yu Gwang Jeong,Joon Geol Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

Light emitting diode device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220005799A1. Автор: Sang Gab Kim,Shin Il Choi,Su Bin Bae,Yu Gwang Jeong,Joon Geol Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-06.

Method of fabricating openings

Номер патента: US20120270403A1. Автор: Feng-Yi Chang,Po-Chao Tsao,Pei-Yu Chou,Jiunn-Hsiung Liao,Chih-Wen Feng,Ying-Chih Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-25.

Method of recovery of MOTFT backplane after a-Si photodiode fabrication

Номер патента: US09947704B1. Автор: Chan-Long Shieh,Gang Yu,Guangming Wang. Владелец: CBRITE Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Display substrate comprising silicon organic glass layer, display apparatus, and method of fabricating display substrate

Номер патента: US12075664B2. Автор: Ling Wang,Pan Xu,Ying Han,Xing Zhang,Zhen Song,Zhan Gao,Yicheng Lin,Guoying Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Liquid crystal displays with oxide-based thin-film transistors

Номер патента: US09564478B2. Автор: Hiroshi Osawa,Szu-Hsien Lee,Shih Chang Chang,Ting-Kuo Chang,Cheng-Ho Yu,Abbas Jamshidi Roudbari,Kyung-Wook Kim,Chun-Yao Huang,Shang-Chih Lin,Yu-Cheng Chen,Ming-Chin Hung. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Thin film transistor substrate and method fabricating the same

Номер патента: US20130105790A1. Автор: Yao-Chou Tsai,Fang-An Shu,Wen-Chung Tang,Ted-Hong Shinn. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2013-05-02.

Substrate for display device and method of fabricating the same

Номер патента: US09865626B2. Автор: Seung-Ryong Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for manufacturing polycrystalline silicon thin-film solar cells by means method for crystallizing large-area amorphous silicon thin film using linear electron beam

Номер патента: US09680047B2. Автор: Sun Hwa Lee,Ho Sung Kim,Sang Ryu,Chae Hwan Jeong,Seong Jae Boo. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2017-06-13.

Pixel unit and method of fabricating the same, array substrate and display device

Номер патента: US09508755B2. Автор: Jun Cheng,Dongfang Wang,Hongda Sun,Xiangyong Kong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Array substrate, display apparatus, and method of fabricating array substrate

Номер патента: EP3485513A1. Автор: Yonglian QI,Lianjie QU,Xue Gao,Hebin ZHAO,Shuai LIU,Bingqiang GUI,Guangdong SHI,Xiaogai Chun. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-22.

Method of fabricating thin film transistor array

Номер патента: US6940095B2. Автор: Meng-Yi Hung. Владелец: Quanta Display Inc. Дата публикации: 2005-09-06.

Organic light-emitting display device and method of fabricating the same

Номер патента: US09978982B2. Автор: Chaun Gi Choi,Hui Won Yang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Flat panel display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110241010A1. Автор: Kyung-Min Park. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Organic light-emitting display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20140353606A1. Автор: Chaun Gi Choi,Hui Won Yang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-04.

Method of fabricating thin film transistor array

Номер патента: US20050032282A1. Автор: Meng-Yi Hung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-10.

Method of fabricating thin film transistor array

Номер патента: US20040104401A1. Автор: Meng-Yi Hung. Владелец: Quanta Display Inc. Дата публикации: 2004-06-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1953813A3. Автор: Kunio Hosoya,Saishi Fujikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-06.

[method of fabricating a thin film transistor array panelsubstrate]

Номер патента: US20040191968A1. Автор: Ko-Chin Yang. Владелец: Quanta Display Inc. Дата публикации: 2004-09-30.

Method of fabricating display device

Номер патента: US09466623B2. Автор: Ji Young Park,Sang Gab Kim,Dong II Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Display panel and method of fabricating the same

Номер патента: US09755184B2. Автор: Sun Ho Kim,Tae Woong Kim,Pil Suk Lee,Bo Ik PARK. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Organic electroluminescent display device and method of driving the same

Номер патента: US09530353B2. Автор: Hak-Su Kim,Won-Kyu Ha,Ho-min Lim,Seung-Tae Kim,Han-Jin BAE. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Array substrate, display apparatus, and method of fabricating array substrate

Номер патента: EP3991206A1. Автор: Hongfei Cheng. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-04.

Array substrate, display apparatus, and method of fabricating array substrate

Номер патента: WO2020258023A1. Автор: Hongfei Cheng. Владелец: Beijing Boe Technology Development Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-12-30.

Method of fabricating memory and memory

Номер патента: US20060063279A1. Автор: Shigeharu Matsushita,Kazunari Honma. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-23.

Array substrate, display apparatus, and method of fabricating array substrate

Номер патента: EP4104013A1. Автор: Ke Wang,Guoqiang Wang,Xiaoyan Zhu,Zhiwei Liang,Yingwei Liu,Zhanfeng CAO,Renquan Gu,Xiaoxin Song,Muxin DI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-21.

Fabrication method of electromechanical transducer film, fabrication method of electromechanical transducer element, electromechanical transducer element, liquid ejection head, and image forming apparatus

Номер патента: US09537085B2. Автор: Atsushi Takeuchi,Osamu Machida,Akira Shimofuku. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2503085C1. Автор: Масахико СУЗУКИ,Хирохико НИСИКИ,Такеси ХАРА,Юудзи МИДЗУНО,Есимаса ТИКАМА,Есифуми ОХТА,Тецуя АИТА,Митико ТАКЕИ,Окифуми НАКАГАВА,Есиюки ХАРУМОТО. Владелец: Шарп Кабусики Кайся. Дата публикации: 2013-12-27.

Method of manufacturing thin film transistor, thin film transistor manufactured using the method, and flat panel display device comprising the thin film transistor

Номер патента: US20060103773A1. Автор: Min-chul Suh,Jae-Bon Koo. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2006-05-18.

Method of manufacturing thin film transistor, thin film transistor manufactured using the method, and flat panel display device comprising the thin film transistor

Номер патента: US7341961B2. Автор: Min-chul Suh,Jae-Bon Koo. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-11.

Display device integrated with touch screen panel and method of fabricating the same

Номер патента: US09710086B2. Автор: Taehwan Kim,Minjoo KIM. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Thin film transistor substrate, method of inspecting the same, and display device including the same

Номер патента: US09508274B2. Автор: Jaehak LEE,Seunghyun PARK,Hyangyul Kim,Sungin RO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Thin film semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060267895A1. Автор: Jirou Yanase. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

MOTHERBOARD, PRODUCTION METHOD OF MOTHERBOARD, AND DEVICE SUBSTRATE (amended

Номер патента: US20110140110A1. Автор: Yohsuke Fujikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-16.

Array substrate, liquid crystal display device and drive method of liquid crystal display device

Номер патента: US20180046000A1. Автор: Xiangyang Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-15.

Thin film transistor type display device, method of manufacturing thin film element, thin film transistor circuit board, electro-optical device, and electronic apparatus

Номер патента: US20040256622A1. Автор: Mutsumi Kimura,Chiharu Iriguchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-12-23.

Display panel, display device, and driving method of display device

Номер патента: US09659541B2. Автор: YAO Lin,Zhaokeng Cao,Huijun Jin,Shoufu Jian. Владелец: Shanghai AVIC Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Organic semiconductor thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US09496511B2. Автор: Chang-Wook Han. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Organic thin film transistors and methods for their manufacturing and use

Номер патента: US09680097B2. Автор: Monica Katiyar,Saumen MANDAL. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY KANPUR. Дата публикации: 2017-06-13.

Display device and driving method of the same

Номер патента: US09577008B2. Автор: Hiroyuki Miyake,Tomoyuki Iwabuchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Liquid crystal display device and method of fabricating the same

Номер патента: US09500923B2. Автор: Hyuck Choi. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Method of fabricating copper indium gallium selenide (CIGS) thin film for solar cell using simplified co-vacuum evaporation and copper indium gallium selenide (CIGS) thin film for solar cell fabricated by the same

Номер патента: US09472708B2. Автор: Ara Cho,Jae-Ho Yun,Sung Woo Choi,SeJin Ahn,Jihye Gwak,Kyung Hoon YOON,Kee Shik Shin,SeoungKyu Ahn,Guk-Yeong Jeong,Hisun Park. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2016-10-18.

Liquid crystal display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080143909A1. Автор: Jung Il Lee,Seung Kwang Roh. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-19.

Deterministic Quantum Emitter Operating At Room Temperature In Optical Communication Wavelength Using Intersubband Transition Of Nitride-Based Semiconductor Quantum Dot, Method Of Fabricating Same, And Operating Method Thereof

Номер патента: US20190027645A1. Автор: Yong-Hoon Cho,Hwanseop Yeo,JongHoi Cho. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2019-01-24.

Thin film transistor, manufacturing method of same, and cmos inverter

Номер патента: US20210366989A1. Автор: Huafei XIE. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Thin film transistor, manufacturing method of same, and CMOS inverter

Номер патента: US11289543B2. Автор: Huafei XIE,Shujhih CHEN,Chiayu Lee. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-29.

Thin film transistor substrate, display apparatus including thin film transistor substrate, method of manufacturing thin film transistor substrate, and method of manufacturing display apparatus

Номер патента: US09893087B2. Автор: Moosoon Ko,Sangmok Hong. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Organic thin film transistor and method of manufacturing the same, array substrate and display device

Номер патента: US09620729B2. Автор: Qiang SHI,Honhang FONG,Yingtao Xie,Shihong OUYANG,Shucheng CAI,Ze Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Thin film transistor array substrate, display device and method

Номер патента: US09594280B2. Автор: WEI Hu,Tianlei Shi,Zailong Mo. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Organic thin film transistor and preparation method thereof, array substrate and preparation method thereof, and display device

Номер патента: US09583722B2. Автор: Qiang SHI,Honhang FONG,Yingtao Xie,Shihong OUYANG,Shucheng CAI,Ze Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of fabricating an organic light emitting diode display device including a selective melting and drying process with an organic solvent

Номер патента: US09881980B2. Автор: Hyo-Dae Bae,Jeong-won Lee,Jong-Hoon Yeo,Seung-Han Paek,Young-Mu Oh,Heon-Il SONG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of manufacturing thin film transistor, thin film transistor manufactured by the method, and electronic device comprising the thin film transistor

Номер патента: US09761818B2. Автор: Jiyoung JUNG,Ajeong CHOI,Jaewon Jang,Joo Young Kim,Byong Gwon Song,Youngjun YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Pixel circuit, display panel, and compensation method of reference voltage of pixel circuit

Номер патента: US20210407416A1. Автор: Xiang Xiao,Yan Xue. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Display substrate, method of forming the same, display panel and display device including sub-channel portions

Номер патента: US12021087B2. Автор: Chenyu CHEN,Yongfu DIAO,Wenkang WANG,Zhongliu Yang. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Thin film transistor, method of manufacturing same, and electronic device including thin same

Номер патента: US09923159B2. Автор: Eun Kyung Lee,Jiyoung JUNG,Jeong Il Park,Ajeong CHOI,Joo Young Kim,Woo Young Yang,Youngjun YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-20.

Pixel structure and display device for dot inversion, and driving method of display device

Номер патента: US09916801B2. Автор: YAO Lin,Zhaokeng Cao,Shoufu Jian,Tinghai Wang,Dandan QIN,Yinghua MO. Владелец: Shanghai AVIC Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Thin film transistor array and manufacturing method of the same

Номер патента: US09735381B2. Автор: Ryohei Matsubara. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Display apparatus and method of manufacturing same

Номер патента: US20230255096A1. Автор: Junyoung KIM,Seunggyu Tae,Kwangsoo Lee,Jongmoo Huh,Jonghyun YUN,Sangcheon HAN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Display Device and Method of Manufacturing Thin Film Transistor

Номер патента: US20150346565A1. Автор: Kazunori Okumoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-12-03.

System and Method for Thin Film Photovoltaic Modules and Back Contact for Thin Solar Cells

Номер патента: US20160027954A1. Автор: Alan E. Delahoy,Ken K. Chin,Zimeng Cheng. Владелец: NEW JERSEY INSTITUTE OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-01-28.

Display apparatus and method of manufacturing same

Номер патента: US20240268207A1. Автор: Junyoung KIM,Seunggyu Tae,Kwangsoo Lee,Jongmoo Huh,Jonghyun YUN,Sangcheon HAN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Thin film photovoltaic cell, cell pack and method of fabricating thin film photovoltaic cell

Номер патента: US12125925B2. Автор: YUAN Li,Liang Yang,Xiongcai XIE,Guang Huang. Владелец: Truly Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Thin film transistor array substrate, method of manufacturing the same, and display device having the same

Номер патента: US09871062B2. Автор: Su Wan WOO,Wan Soon Im. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Display device and method of manufacturing thin film transistor

Номер патента: US09733532B2. Автор: Kazunori Okumoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Substrate for in-cell type touch sensor liquid crystal display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20160054609A1. Автор: Min-Su Kim,Myeong-sik Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

Display device and method of fabricating the same

Номер патента: US09698168B2. Автор: Duk-Sung Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Liquid crystal display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09575374B2. Автор: Sung Hun Jung. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of fabricating thin film transistor substrate and negative photoresist composition used therein

Номер патента: US20100203449A1. Автор: Hi-Kuk Lee,Byung-Uk Kim,Hyoc-Min Youn,Ki-Hyuk Koo,Yeong-Beom Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-08-12.

X-ray detection panel of X-ray detector and method of manufacturing the same

Номер патента: US09935150B2. Автор: Seung Ik Jun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-03.

Display substrate and method of manufacturing the same, and display device

Номер патента: US09354478B2. Автор: Cheng Li,AN Seong Jun,Xueguang HAO,Xiangdong WEI,Bongyeol Ryu. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-31.

Method of producing a silicon photodiode

Номер патента: RU2689972C1. Автор: Евгений Алексеевич Климанов,Мария Николаевна Вильдяева. Владелец: Акционерное общество "НПО "Орион". Дата публикации: 2019-05-29.

Active matrix organic electroluminescence display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20030122497A1. Автор: Tae-Joon Ahn,Doo-Hyun Ko. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-03.

A method of manufacturing a monolithic display

Номер патента: WO2024115898A1. Автор: Simon Ogier,Chia Hung Tsai,Daniel Sharkey. Владелец: SMARTKEM LIMITED. Дата публикации: 2024-06-06.

Thin film transistor, thin film transistor array panel, and method of manufacturing a thin film transistor array panel

Номер патента: US20130277666A1. Автор: Hyun Kim,Bong-Kyun Kim,Seung-Ha Choi,Sang Gab Kim,Shin Il Choi,Su Bin Bae,Hong Sick Park,Sho Yeon KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-24.

Damascene patterning for thin-film transistor fabrication

Номер патента: WO2019009873A1. Автор: Kevin Lin,Jack Kavalieros,Van Le. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-01-10.

Method and apparatus of fabricating liquid crystal display device

Номер патента: US20070004108A1. Автор: Oh Kwon,Soon Yoo,Seung Nam,Heung Cho. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-04.

Method of making an organic thin film transistor

Номер патента: US09882128B2. Автор: Oana Diana Jurchescu,Peter James Diemer. Владелец: Wake Forest University. Дата публикации: 2018-01-30.

Thin film transistor substrate, method of manufacturing the same and display device having the same

Номер патента: US09575386B2. Автор: Jae-Sung Kim,Jin-Young Choi,Cha-Dong KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of making an organic thin film transistor

Номер патента: US09530975B2. Автор: Oana Diana Jurchescu,Peter James Diemer. Владелец: Wake Forest University. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for fabricating thin film transistor substrate

Номер патента: GB2433836A. Автор: Hyun Seok Hong,Chang Deok Lee. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-04.

Thin film transistor and method for producing the same

Номер патента: US20130193420A1. Автор: Nobuhide Yoneya,Mao Katsuhara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-08-01.

Metal oxide thin film precursor, method of fabricating metal thin film using the same, and semiconductor device including the metal oxide thin film

Номер патента: US20240239817A1. Автор: Woojin JEON,Sang Wook Park,Jongwook Park,SunWoo PARK,Hayoon LEE,Yoona CHOI,Yeong Jae HEO. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of fabricating organic light emitting diode display

Номер патента: US20130078748A1. Автор: Beung-Hwa Jeong,Yun-Sik Ham,Kwang-Nam Kim,Young-Ro Jung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-28.

Liquid crystal display and method of manufacturing the same

Номер патента: US09880411B2. Автор: Suk Won Jung,Seung Mi Seo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Organic light emitting display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09680122B1. Автор: Jong-woo Kim,Hyun-Sik Seo,Kyung-Han SEO. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Organic light emitting display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09601550B2. Автор: Jong-woo Kim,Hyun-Sik Seo,Kyung-Han SEO. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same

Номер патента: US09343514B2. Автор: Nam-jin Kim,Chul-Hwan Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-17.

Display panel, display apparatus, display substrate, and method of fabricating display panel and display apparatus

Номер патента: EP3803504A1. Автор: Zhen Song,Guoying Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-14.

Array substrate for liquid crystal display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20140099736A1. Автор: Jin-Seok Lee,Sang-Hyup Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-10.

Fabrication methods of thin film transistor substrates

Номер патента: US20080227252A1. Автор: Chih-Hung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2008-09-18.

Amorphous silicon/crystalline silicon thin-film tandem solar cell

Номер патента: US20170005209A1. Автор: Ashok CHAUDHARI. Владелец: Solar-Tectic LLC. Дата публикации: 2017-01-05.

Liquid crystal display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09869891B2. Автор: Takeshi Sato,Kimitoshi Ougiichi,Masateru Morimoto. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

CIGS/silicon thin-film tandem solar cell

Номер патента: US09859450B2. Автор: Ashok CHAUDHARI. Владелец: Solar-Tectic LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Array substrate for liquid crystal display device and method of fabricating the same

Номер патента: US09618816B2. Автор: Jin-Seok Lee,Sang-Hyup Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of making CMOS with organic and inorganic semiconducting region

Номер патента: US5612228A. Автор: Chan-Long Shieh,Donald E. Ackley. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1997-03-18.

Array substrate, display apparatus, and method of fabricating array substrate

Номер патента: US20210408088A1. Автор: Ke Wang,Shengguang Ban,Shuilang Dong,Zhanfeng CAO,Qingzhao Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Thin film transistor array and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110014737A1. Автор: Hong-Sick Park,Jong-Hyun Choung,Bong-Kyun Kim,Byeong-Jin Lee,Won-Suk Shin,Joo-Ae Youn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-20.

Display panel and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220123215A1. Автор: Mina Kim,Yongjun JO,Seulbee Lee,Kwangchul Jung. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Array substrate for liquid crystal display device and method of fabricating the same

Номер патента: US8629951B2. Автор: Jin-Seok Lee,Sang-Hyup Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-14.

Array substrate for in-plane switching mode liquid crystal display device having double-layered metal patterns and method of fabricating the same

Номер патента: US20130164871A1. Автор: Oh-Nam Kwon. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-27.

Organic light emitting display device and method of fabricating the same

Номер патента: US09978997B2. Автор: Sunghun Kim,Miso Kim,JunYoung KWON. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09947735B2. Автор: Hee-Chul Jeon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Array substrate and method of manufacturing the same, and display device

Номер патента: US09698171B2. Автор: Um Yoon Sung,Choi-Seung Jin. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Display device comprising a plurality of microcavities and an encapsulation layer that seals the plurality of microcavities and method of manufacturing the same

Номер патента: US09595549B2. Автор: Yong Seok Kim,Han Joon Yoo,Sung Hwan Won,Won Tae Kim,Pil Sook Kwon,Seon Uk LEE,Woo Jae Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Organic light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09548471B2. Автор: Chang Nam Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Organic light emitting display and method of manufacturing the same

Номер патента: US09496321B2. Автор: Jinwook Seo,Seihwan Jung,Taewook Kang,Kiyong Lee,Taehoon Yang,Byoungkeon Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220238607A1. Автор: Seho Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200303469A1. Автор: Seho Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Thin film transistor substrates and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110129952A1. Автор: Ju-han Bae,Jang-Kyum KIM. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-02.

Thin-film-transistor (tft) array panel and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170148822A1. Автор: Guoren HU. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-25.

Liquid crystal display and method of manufacturing the same

Номер патента: US09785002B2. Автор: Sang Il Kim,Yu Jin Kim,Kyung Tae CHAE,Kwang Soo BAE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Display device integrated with touch screen panel and method of fabricating the same

Номер патента: US09753590B2. Автор: Minjoo KIM,Sanghyuk Won. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US09728738B2. Автор: Chungi You. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Manufacturing method of a pixel structure

Номер патента: US09685470B2. Автор: Sikun HAO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Organic electroluminescent display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20140131695A1. Автор: Kyung-Tak Oh,Byoung-June Lee,Mi-Youn Yang. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-15.

Pixel structure of display panel and method of fabricating the same

Номер патента: US20130082265A1. Автор: Meng-Chi Liou. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2013-04-04.

Fabricating method of a thin film transistor substrate for liquid crystal display device of minimizing defects due to static electricity

Номер патента: US8476092B2. Автор: Young-hun Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-02.

Method of fabricating a sputtering target, sputtering target fabricated by using the method, and an organic light-emitting display apparatus fabricated using the sputtering target

Номер патента: US20150014652A1. Автор: Jin-woo Park,Hun Kim,Su-Hyuk Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-15.

Thin film transistor array panel and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110095300A1. Автор: Woong-Kwon Kim,Dae-Cheol Kim,Sang-Youn Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-28.

Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus

Номер патента: US20130161632A1. Автор: Joon-hoo Choi,Chun-Gi You. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-27.

Manufacturing method and apparatus of organic thin film transistor

Номер патента: US09899615B1. Автор: Zhe Liu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Color filter array substrate, display device and manufacturing method of color filter array substrate

Номер патента: US09753342B2. Автор: Yi Chen,Fujiang JIN. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Organic light emitting display and method of fabricating the same

Номер патента: US09461269B2. Автор: Jaeyoung Lee,Ji-Min Kim,Sangheun LEE,Joonwon Park,HaeRi HUH,Hunhoe Heo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240237479A9. Автор: Chong Sup Chang,Eui Kang HEO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US12063817B2. Автор: Hyun Kim,HYUNSOO LEE,Jaehyun Lee,Kwangsoo Lee,Seulki Kim,Seungrae Kim,Kisu Jin,Youngrok Kim,Shoyeon KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Thin-film transistor, display apparatus including the same, and method of preparing the thin-film transistor

Номер патента: US20230209994A1. Автор: Hyungjun Kim,Junhyung LIM,Huihui ZHU,Yongyoung NOH. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Display device and method of manufacturing the display device

Номер патента: US20240321904A1. Автор: Jihyun Kim,Hyuneok Shin,Taewook Kang,Byungsoo So,Wooseok JEON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Thin film transistor substrate, display panel including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09934723B2. Автор: Jung-Min Lee,Juhn Suk Yoo,Soo Hong KIM,Ji No Lee,Sung Ki Hong,Chang Heon Kang,Jae Soo Park,Ho Young KO. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09899458B2. Автор: Jiryun Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Display panel and method of manufacturing the same

Номер патента: US09841631B2. Автор: Yeo-Geon YOON,Sung-Hee Hong,Jang-Il KIM,Sei-Yong PARK. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Thin film transistor panel and method of manufacturing the same, and electronic device including the thin film transistor panel

Номер патента: US09484542B2. Автор: Eun Kyung Lee,Jeong Il Park,Bang Lin Lee,Bon Won Koo,Joo-Young Kim,Ji Youl LEE,Jong Won Chung,Ji Young Jung,Hye Yeon YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Display panel and method of manufacturing the same

Номер патента: US09466617B2. Автор: Yeo-Geon YOON,Sung-Hee Hong,Jang-Il KIM,Sei-Yong PARK. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Thin-film deposition mask, method of fabricating the same, and method of fabricating an organic light emitting display apparatus using the same

Номер патента: US09450185B2. Автор: Tae-Wook Kang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Silicon precursor and method of fabricating silicon-containing thin film using the same

Номер патента: US20210348026A1. Автор: Yeong-eun Kim,Jang-Hyun Seok,Jae-Seok AN,Jung-Woo Park. Владелец: Hansol Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Display panel assembly and method of manufacturing a display panel therefrom

Номер патента: US20170003527A1. Автор: JUNG Chul Woo,Ju Yong Park,Jun-Hee Lee,Hyun Wook Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-05.

Thin-film, flexible optoelectronic devices incorporating a single lattice-matched dilute nitride junction and methods of fabrication

Номер патента: US20190386169A1. Автор: Nikhil Jain,Gang He,Brendan M. Kayes. Владелец: Awbscqemgk Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Tft-lcd array substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130122622A1. Автор: Xu Chen,XIANG Liu,Seung Moo Rim,Zhenyu Xie. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-16.

Liquid crystal display and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150146138A1. Автор: Hoon Kang,Yang-Ho Jung,Seung Bo SHIM,Jin Ho JU. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-28.

Organic light emitting diode display and manufacturing method of the same

Номер патента: US20140138668A1. Автор: Joon-hoo Choi,Chun-Gi You. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-22.

Display panels and methods of manufacturing a display panel

Номер патента: US20240332472A1. Автор: Yi Zhang. Владелец: Guangzhou China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Organic light emitting display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09952284B2. Автор: Jaesung Lee,Joonsuk Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Curved liquid crystal panel wherein stage differences between primary and secondary photo-spacers decrease from a center to boundaries thereof and manufacturing method of the same

Номер патента: US09690144B2. Автор: Chuan Wu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Liquid crystal display and method of manufacturing the same

Номер патента: US09588367B2. Автор: Seung Ho Yang,Je Hyeong Park,Ki Kyung YOUK,Kyung-Bae KIM,Se Joon OH,Un Byoll KO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Thin film transistor display panel and method of manufacturing the same

Номер патента: US09548323B2. Автор: Young-Joon Cho. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Array substrate and method of fabricating the array substrate

Номер патента: US20180292718A1. Автор: Xingwu Chen,Lixuan Chen. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-11.

Thin film batteries and methods for manufacturing same

Номер патента: EP2291876A2. Автор: Michael Stowell,Nety Krishna,Byung Sung Kwak. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2011-03-09.

Liquid precursor injection for thin film deposition

Номер патента: US20230128366A1. Автор: Niloy Mukherjee,Miguel Saldana,Alex Finkelman. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Liquid precursor injection for thin film deposition

Номер патента: US20220154332A1. Автор: Niloy Mukherjee,Miguel Saldana,Alex Finkelman. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Underpotential deposition-mediated layer-by-layer growth of thin films

Номер патента: US09689085B2. Автор: Radoslav R. Adzic,Jia Xu WANG. Владелец: BROOKHAVEN SCIENCE ASSOCIATES LLC. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of producing a thin film battery having a protective packaging

Номер патента: WO2001073875A1. Автор: John Bates. Владелец: Johnson Research & Development Company, Inc.. Дата публикации: 2001-10-04.

Thin film battery assemblies

Номер патента: US09843066B2. Автор: Brian Menzel,Bernd Jurgen Neudecker,Shawn William Snyder,Keiichiro Yumiba,Timothy Wallen Scales. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of preparing cavity envelopes by means of thin-film procedures

Номер патента: US3788723A. Автор: W Lehrer. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1974-01-29.

Method of manufacturing coil unit in thin film type for compact actuator

Номер патента: US20180182543A9. Автор: Joung Sek Kwon. Владелец: ENEBRAIN Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

Method of manufacturing coil unit in thin film type for compact actuator

Номер патента: US20180019058A1. Автор: Joung Sek Kwon. Владелец: ENEBRAIN Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-18.

Liquid precursor injection for thin film deposition

Номер патента: WO2022109516A1. Автор: Niloy Mukherjee,Miguel Saldana,Alex Finkelman. Владелец: Eugenus, Inc.. Дата публикации: 2022-05-27.

Liquid precursor injection for thin film deposition

Номер патента: EP4247507A1. Автор: Niloy Mukherjee,Miguel Saldana,Alex Finkelman. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2023-09-27.

Method of using a phase plate in a transmission electron microscope

Номер патента: US20140326876A1. Автор: Bart Buijsse,Radostin Stoyanov Danev. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2014-11-06.

Methods and apparatus of arc prevention during RF sputtering of a thin film on a substrate

Номер патента: EP2410075A3. Автор: Sean Timothy Halloran. Владелец: Primestar Solar Inc. Дата публикации: 2012-04-18.

Thin film magnet, method of manufacturing the same, and cylindrical ferromagnetic thin film

Номер патента: JP2957421B2. Автор: 健 荒木,良浩 谷,英男 池田,正志 岡部. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-10-04.

Negative electrode material Si-Sb alloy thin film for sodium-ion battery and preparation method of negative electrode material Si-Sb alloy thin film

Номер патента: CN105680028A. Автор: 潘洋,周永宁. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-06-15.

Method of non-shrinkage fabrication of metal oxide thin film for solid oxide fuel cell by low temperature

Номер патента: KR101186929B1. Автор: 이종호,이해원,김형철,손지원,오은옥. Владелец: 한국과학기술연구원. Дата публикации: 2012-09-28.

Manufacturing method of drawing shell of socket connector with thin film sealing support wall

Номер патента: KR102135673B1. Автор: 문정훈. Владелец: 주식회사 제이앤티씨. Дата публикации: 2020-07-20.

Multicomponent nano composite oxide powder and a preparation method therefor, a fabrication method of an electrode using the same, a thin film battery having the electrode and a fabrication method for the battery

Номер патента: WO2011068389A2. Автор: 송용설,김종수,권상균,성채용. Владелец: 주식회사 아모그린텍. Дата публикации: 2011-06-09.

COMPOSITION AND METHOD OF MAKING A MONOLITHIC HETEROSTRUCTURE OF MULTIFERROIC THIN FILMS

Номер патента: US20220068536A1. Автор: JIANG Hua,Guo Xiaomei,Li Kewen Kevin,Zou Yingyin Kevin. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

Plasma source utilizing macro-particle reduction coating and method of using plasma source for deposition of thin film coatings and surface modification

Номер патента: CN107615888B. Автор: Y·林,J·钱伯斯,H·约翰逊,P·马诗威茨. Владелец: AGC Flat Glass North America Inc. Дата публикации: 2022-01-04.

A kind of preparation method of nanoscale primitive assembling compounded magnetic conductive thin-film material

Номер патента: CN105826069B. Автор: 王鹏,王悦,叶水生. Владелец: 江苏金羿先磁新材料科技有限公司. Дата публикации: 2019-04-09.

Method of making a variety of matched metallic thin film resistor structures

Номер патента: DE4123249C2. Автор: Wolfgang Dr Platen. Владелец: Mannesmann AG. Дата публикации: 1993-10-14.

The preparation method of the voltage-controlled varactor of BZT thin film

Номер патента: CN107742579A. Автор: 孙正,李玲霞,于仕辉,郑浩然,陈思亮. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-02-27.

Composition and method of making a monolithic heterostructure of multiferroic thin films

Номер патента: US11501905B2. Автор: Hua Jiang,Xiaomei Guo,Kewen Kevin Li,Yingyin Kevin Zou. Владелец: Boston Applied Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-15.

Composition and method of making a monolithic heterostructure of multiferroic thin films

Номер патента: US20220068536A1. Автор: Hua Jiang,Xiaomei Guo,Kewen Kevin Li,Yingyin Kevin Zou. Владелец: Boston Applied Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

METHOD OF MANUFACTURING SURFACE-TREATED TRANSPARENT CONDUCTIVE POLYMER THIN FILM, AND TRANSPARENT ELECTRODE MANUFACTURED USING THE SAME

Номер патента: US20160268056A1. Автор: Kim Mikyoung. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

Lithium Cobalt Sintered Body and Sputtering Target Produced by Using the Sintered Body, Production Method of Lithium Cobalt Oxide Sintered Body, and Thin Film Formed from Lithium Cobalt Oxide

Номер патента: US20170271134A1. Автор: Suzuki Ryo,Endo Yosuke,Sato Kazuyuki. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-21.

Lithium cobalt sintered body and sputtering target produced by using the sintered body, production method of lithium cobalt oxide sintered body, and thin film formed from lithium cobalt oxide

Номер патента: EP3219690A1. Автор: Yosuke Endo,Ryo Suzuki,Kazuyuki Satoh. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-09-20.

Thin films having large temperature coefficient of resistance and methods of fabricating same

Номер патента: US09664572B2. Автор: WEI Tian,Eric Walter Singleton,Declan Macken,Venkateswara Rao Inturi,Huaqing Yin. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-05-30.

Methods of fabricating porous membrane

Номер патента: US20220331747A1. Автор: Chung-Yuan Mou,Kuo-Lun Tung,Jingling Yang,Geng-Sheng Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2022-10-20.

Organic thin film transistor with modified surface of gate-dielectric

Номер патента: EP1481428A1. Автор: Mark J. Pellerite,Dennis E. Vogel,Larry D. Boardman,Terrance P. Smith,Timothy D. Dunbar,Kim M. Vogel,Tommie W. Kelley,Dawn V. Muyres. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2004-12-01.

Thin-film electrode assembly with soft overmold

Номер патента: WO2018212833A1. Автор: Brian Pepin,Bo Lu,Shiv SABESAN. Владелец: Verily Life Sciences LLC. Дата публикации: 2018-11-22.

Dense energy ultra-capacitor preform, thin film, module and fabrication methods therefor

Номер патента: US09899154B2. Автор: David Loron Frank. Владелец: Blue Horizons Innovations LLC. Дата публикации: 2018-02-20.

Thin-film electrode assembly with soft overmold

Номер патента: US20200030599A1. Автор: Brian Pepin,Bo Lu,Shiv SABESAN. Владелец: Verily Life Sciences LLC. Дата публикации: 2020-01-30.

Method of fabricating conductive thin film

Номер патента: US09966168B1. Автор: Hung-Tao CHEN,Chang-Shu Kuo,In-Gann Chen,Han-Hsuan Cheng. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of making a thin film memory

Номер патента: US3607677A. Автор: Irving W Wolf,Andre A Jaecklin. Владелец: Ampex Corp. Дата публикации: 1971-09-21.

Method of Fabricating Thin Film by Microplasma Processing and Apparatus for Same

Номер патента: US20120021132A1. Автор: Takeshi Sasaki,Yoshiki Shimizu,Naoto Koshizaki,Kazuhiro Kirihara,Davide Mariotti,Kazuo Terashima. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2012-01-26.

Method of forming amorphous titanium dioxide thin film using low temperature atomic layer deposition method and method of fabricating optical structure

Номер патента: US20230280505A1. Автор: Seokho YUN,Hyunjung Shin,Hongkyu PARK,Hyoungmin Park,Minwoo Lim. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-09-07.

Method of forming superconducting thin film with local regions of variable thickness

Номер патента: RU2580213C1. Автор: Александр Геннадьевич Кузин,Геннадий Михайлович Серопян,Андрей Анатольевич Теплоухов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского". Дата публикации: 2016-04-10.

Method of forming a planar thin film transistor

Номер патента: US5411909A. Автор: Monte Manning,Charles Dennison. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1995-05-02.

Method of high precision printing for manufacturing organic thin film transistor

Номер патента: US7632705B2. Автор: Jia-Chong Ho,Tarng-Shiang Hu,Cheng-Chung Lee,Liang-Ying Huang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2009-12-15.

Method of manufacturing superconducting thin film formed of oxide superconductor having non superconducting region in it, and method of manufacturing superconducting device utilizing the superconducting thin film

Номер патента: EP0534811A3. Автор: Michitomo Cabinet Ballot-Schmit Iiyama,So Cabinet Ballot-Schmit Tanaka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1993-06-02.

Conductive base material with thin film resistance layer, method of production of conductive base material with thin film resistance layer, and circuit board with thin film resistance layer

Номер патента: EP1841300A1. Автор: Yuuji Suzuki,Sadao Matsumoto,Yoshiaki Ogiwara,Yuuki Kikuchi,Satoru Zama. Владелец: Furukawa Circuit Foil Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-03.

Conductive base material with thin film resistance layer, method of production of conductive base material with thin film resistance layer, and circuit board with thin film resistance layer

Номер патента: CN101048037A. Автор: 铃木裕二,荻原吉章,座间悟,菊池勇贵,松本贞雄. Владелец: Furukawa Circuit Foil Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-03.

Thin film formation apparatus and method of manufacturing self-light-emitting device using thin film formation apparatus

Номер патента: TW495808B. Автор: Shunpei Yamazaki,Masaaki Hiroki,Noriko Ishimaru. Владелец: Semiconductor Energy Lab. Дата публикации: 2002-07-21.

EL element and method of forming cathode electrode film on organic thin film surface

Номер патента: JP3698506B2. Автор: 敏夫 根岸,達彦 越田. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2005-09-21.

A kind of preparation method of sulfur-bearing organic inorganic hybridization perovskite thin film and nanometer rods

Номер патента: CN109037452A. Автор: 张健,李兴鳌,楚亮,毛巍威,胡瑞媛. Владелец: Nanjing Post and Telecommunication University. Дата публикации: 2018-12-18.

The preparation method of electrode before a kind of organic thin film solar cell

Номер патента: CN105810833B. Автор: 王飞,刘玲玲,雷涛,田丙伦,赛博瑞·麦格. Владелец: Shanxi Yang Tai Long Yan Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-17.

METHOD OF MAKING AN ELECTRONIC DEVICE HAVING A THIN FILM RESISTOR FORMED ON AN LCP SOLDER MASK AND RELATED DEVICES

Номер патента: US20170055350A1. Автор: Rendek,JR. Louis Joseph. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

METHOD OF MAKING AN ELECTRONIC DEVICE HAVING A THIN FILM RESISTOR FORMED ON AN LCP SOLDER MASK AND RELATED DEVICES

Номер патента: US20160088734A1. Автор: Rendek,JR. Louis Joseph. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

Method of manufacturing a light emitting device and thin film forming apparatus

Номер патента: US8367439B2. Автор: Hirokazu Yamagata,Noriko Shibata,Yoshimi Adachi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-05.

Method of making a reflective display device using thin film transistor production techniques

Номер патента: WO2006036642A2. Автор: Clarence Chui. Владелец: Idc, Llc.. Дата публикации: 2006-04-06.

Composition and method of making high-reflection silver mirrors or thin-film optical filters

Номер патента: US20040114247A1. Автор: James Lane,Philip Buchsbaum. Владелец: Ocean Optics Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Method of generating a diffractive optical element having thin film layers having non uniform thickness, and illumination light guide having diffractive optical element thin film layers having

Номер патента: WO2024124040A1. Автор: Cheng Shi,Marcell KISS,Parashara PANDURANGA,Alexander Drayton,Jamie Dean Reynolds. Владелец: Snap Inc.. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of synthesis of hafnium nitrate for HfO2 thin film deposition via ALCVD process

Номер патента: US20040146448A1. Автор: David Evans,Sheng Hsu,Wei-Wei Zhuang. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2004-07-29.

Method of fabricating a semiconducting thin film of polymer with improved chain ordering by drying in solvent rich atmosphere

Номер патента: US6339012B1. Автор: Jianna Wang,THOMAS Jackson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-15.

Organic Thin Film Transistor, Method of Fabricating the Same, and Gate Insulating Layer Used in the Same

Номер патента: US20100230662A1. Автор: Jenn-Chang Hwang,Sheng-Wei Chen,Chung--Hua Wang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2010-09-16.

Thin-film transistor device and manufacturing method

Номер патента: EP2006929A3. Автор: Tadashi Arai,Tomihiro Hashizume,Takeo Shiba,Yuji Suwa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-05-18.

Array substrate, display apparatus, method of reducing current-resistance drop and data loss in display apparatus, and method of fabricating array substrate

Номер патента: EP3776660A1. Автор: Pan Xu,Xiaoyun Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-17.

Organic thin film transistor and method of manufacturing organic thin film transistor

Номер патента: US11765917B2. Автор: Eijiro Iwase. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Display panel and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240196666A1. Автор: Byung Yong Ahn,Won So Son,Chang Hyeon Cho. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Thin film transistor, manufacturing method thereof and display apparatus comprising the same

Номер патента: US20240224592A1. Автор: Daehwan Kim,Min-Gu Kang,Seungchan CHOI,Kyungchul OK,Jaeman JANG,Uyhyun Choi. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Organic thin film transistor, method of manufacturing the same, and organic light emitting display device having the same

Номер патента: EP1796184A3. Автор: Jin-Seong Park,Min-chul Suh,Taek Ahn. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-15.

Thin film transistor substrate and method of manufacturing the same and display apparatus comprising the same

Номер патента: US20240215314A1. Автор: Younghyun KO,ChanYong JEONG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Thin-film transistor substrate and method of manufacturing thin-film transistor

Номер патента: US20240215315A1. Автор: Jun Tanaka,Kazushige Takechi. Владелец: Xiamen Tianma Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Organic thin film transistor array substrate and method of producing the same

Номер патента: US20050087745A1. Автор: Cheng-Chung Lee,Yu-Wu Wang,Yih-Jun Wong,Horng-Long Cheng,Wei-Yang Chou. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2005-04-28.

Organic thin film transistor array substrate and method of producing the same

Номер патента: US20040209388A1. Автор: Cheng-Chung Lee,Yu-Wu Wang,Yih-Jun Wong,Horng-Long Cheng,Wei-Yang Chou. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2004-10-21.

Organic thin film transistors and methods of forming the same

Номер патента: US20100237443A1. Автор: Yong-Young Noh,In-Kyu You,Jae Bon Koo. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2010-09-23.

Thin film transistor and method for producing the same

Номер патента: US20120199836A1. Автор: Nobuhide Yoneya,Mao Katsuhara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-08-09.

Thin film transistor and method for producing the same

Номер патента: US8742409B2. Автор: Nobuhide Yoneya,Mao Katsuhara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-06-03.

Thin film transistor and method for producing the same

Номер патента: US8253133B2. Автор: Nobuhide Yoneya,Mao Katsuhara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-08-28.

Semiconductor thin film, method for manufacturing the same and stretchable electrode, organic thin film transister, electronic device comprising the same

Номер патента: US20240276742A1. Автор: Minwoo Jeong,Jin Young Oh,Min Hyouk Kim. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-08-15.

Display device and method of making display device

Номер патента: US20090256474A1. Автор: Dong-Won Lee,Jung-Soo Rhee,Joon-Chul Goh,Song-Mi Hong,Jianpu Wang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-15.

Method of manufacturing piezoelectric element array board, piezoelectric element array board, and poling apparatus

Номер патента: US20230241646A1. Автор: Kenji Sera,HIROSHI Haga,Kenichi Hayashi,Shin Takeuchi. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Piezoelectric thin film resonator and method of fabricating the same

Номер патента: US09716956B2. Автор: Hiroshi Kawakami,Shinji Taniguchi,Ryuichi Okamura,Tsuyoshi Yokoyama,Hiroomi KANEKO. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Organic electroluminescent display device and method of fabricating the same

Номер патента: US8651910B2. Автор: Kyung-Tak Oh,Byoung-June Lee,Mi-Youn Yang. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-18.

Biometric skin contact sensor and methods of operating a biometric skin contact sensor

Номер патента: US12100238B2. Автор: Toru Sakai,Michael Cowin,Henricus Derckx,Wilhelmus Van Lier. Владелец: Touch Biometrix Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Organic Light Emitting Diode Display and Manufacturing Method of the Same

Номер патента: US20120169229A1. Автор: Joon-hoo Choi,Chun-Gi You. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-05.

Thin-film bulk acoustic wave delay line

Номер патента: US09473106B2. Автор: William Hunt,James Geoffrey Maloney,Adam Wathen,Farasat Munir,Kyle Spencer Davis,Ryan Sloan Westafer. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Thin-film transistor substrate, method of manufacturing the same and display apparatus having the same

Номер патента: US20110254007A1. Автор: Jang-Soo Kim,Su-Hyoung Kang,Hye-Young Ryu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-20.

System and method of multi-objective capacity planning in TFT-LCD panel manufacturing industry

Номер патента: US8175735B2. Автор: Chin-Min Lin,Shih-Min Wang,Kung-Jeng Wang. Владелец: National Taiwan University of Science and Technology NTUST. Дата публикации: 2012-05-08.

Method of producing coating with high reproducibility of optical properties

Номер патента: RU2608412C1. Автор: Людмила Павловна Борило,Антон Сергеевич Бричков,Владимир Васильевич Козик,Анастасия Нафисовна Шамсутдинова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2017-01-18.

Method of preparing nano-thin film of cement hydration product

Номер патента: US11254612B2. Автор: XIANG Ji,Zhen He,Wei Zhou,Wenzhi Yu,Jingtao CHEN,Xiaofei XU,Shengwen Tang,Hubao A. Владелец: Wuhan University WHU. Дата публикации: 2022-02-22.

METHOD OF MEASURING A SILICON THIN FILM, METHOD OF DETECTING DEFECTS IN A SILICON THIN FILM, AND SILICON THIN FILM DEFECT DETECTION DEVICE

Номер патента: US20130265078A1. Автор: Voronov Alexander,Lee Seok-Ho,Jung Ji-Hunny,Heo Kyung-Hoe,Han Gyoo-Wan. Владелец: Samsung Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2013-10-10.

Method of measuring a silicon thin film, method of detecting defects in a silicon thin film, and apparatus for detecting defects in a silicon thin film

Номер патента: KR101913311B1. Автор: 이석호,정지헌,허경회,한규완,알렉산더 보로노브. Владелец: 삼성디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2019-01-15.

Method for producing thin film containing molybdenum

Номер патента: US09695207B2. Автор: Hiroki Sato,Junji Ueyama. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Thin-film-forming material including a molybdenum imide compound

Номер патента: US09988411B2. Автор: Hiroki Sato,Junji Ueyama. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Biological sensor and method of creation of biological sensors

Номер патента: RU2527699C1. Автор: Юрий Викторович Стебунов,Алексей Владимирович Арсенин. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский физико-технический институт (государственный университет). Дата публикации: 2014-09-10.

Method of forming patterned thin film and method of forming magnetic pole of thin-film magnetic head

Номер патента: US20020031727A1. Автор: Yuji Asanuma. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2002-03-14.

Method of synthesis of hafnium nitrate for HfO2 thin film deposition via ALCVD process

Номер патента: TW200424342A. Автор: David Russell Evans,Sheng Teng Hsu,Weiwei Zhuang. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2004-11-16.

Method of synthesis of hafnium nitrate for HFO2 thin film deposition via ALCVD process

Номер патента: TWI257434B. Автор: David Russell Evans,Sheng Teng Hsu,Weiwei Zhuang. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2006-07-01.

Thin film magnetic recording heads

Номер патента: US4195323A. Автор: Fred S. Lee. Владелец: Magnex Corp. Дата публикации: 1980-03-25.

Method of improving light current of silicon thin film solar cell

Номер патента: CN103094404A. Автор: 郝会颖. Владелец: China University of Geosciences Beijing. Дата публикации: 2013-05-08.

Thin films and methods for forming thin films utilizing ecae-targets

Номер патента: EP1563115A2. Автор: Stephane Ferrasse,Frank Alford,Howard L. Glass. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2005-08-17.

Functionalised thin-film polyamide membranes

Номер патента: RU2519377C9. Автор: Мартина Х. ШТЕНЦЕЛЬ,Рикардо ГОДОЙ-ЛОПЕС,Саймон ХАРРИСОН,Эцио РИЦЦАРДО. Владелец: Полимерс СРС Лимитед. Дата публикации: 2015-03-20.

Manufacturing method of array substrate having color filter on thin film transistor structure

Номер патента: TWI227794B. Автор: Woong-Kwon Kim,Youn-Gyoung Chang. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-11.

Magnetic recording medium and production method of magnetic recording medium

Номер патента: US20130034748A1. Автор: Shun Shibata,Shunji Ishio. Владелец: Akita University NUC. Дата публикации: 2013-02-07.

Method of forming magnetic pole section of perpendicular magnetic recording type thin-film magnetic head and manufacturing method of perpendicular magnetic recording type thin-film magnetic head

Номер патента: US20110240593A1. Автор: Hisayoshi Watanabe,Hideyuki Yatsu,Koichi Otani,Masachika Hashino. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Functionalized thin film polyamide membranes

Номер патента: CA2732873A1. Автор: Ezio Rizzardo,Ricardo Godoy-Lopez,Simon Harrisson,Martina H. Stenzel. Владелец: POLYMERS CRC LTD. Дата публикации: 2010-02-11.

Thin-film magnetic head for perpendicular recording and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070121246A1. Автор: Kiyoshi Kobayashi. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-31.

Preparation method of zinc oxide based diluted magnetic semiconductor thin film and in-situ regulation and control method of charge concentration of zinc oxide based diluted magnetic semiconductor thin film

Номер патента: CN104480427A. Автор: 李效民,郑仁奎,朱秋香. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2015-04-01.

Method of topographical and electrical nanostructuration of a thin film of electret polymer and thin film of electret polymer obtained

Номер патента: US20130106201A1. Автор: Laurence Ressier,Etienne Palleau. Владелец: Institut National Des Sciences Appliquees De Toulouse. Дата публикации: 2013-05-02.

Preparation method of double-structure suede transparent conducting oxide thin film of thin film cell

Номер патента: CN102368513A. Автор: 王辉,张丽,贾海军,冯燕,麦耀华. Владелец: Baoding Tianwei Group Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-07.

Preparation method of suede AZO (Aluminum-doped Zinc Oxide) thin film for silicon-based thin film solar battery

Номер патента: CN102832293A. Автор: 王芸,彭寿,曹欣,马立云,沈洪雪,崔介东. Владелец: China Triumph International Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-19.

A kind of preparation method of magnetic steering super-hydrophobic acrylate rubber thin film

Номер патента: CN106117418A. Автор: 马晓均. Владелец: 马晓均. Дата публикации: 2016-11-16.

A kind of preparation method of metal base surface corrosion resistance nano thin-film

Номер патента: CN108396353A. Автор: 赵倩. Владелец: Baoji University of Arts and Sciences. Дата публикации: 2018-08-14.

A kind of preparation method of Ce-MOF metal organic frameworks load thin film

Номер патента: CN108311173A. Автор: 刘世起,颜范勇. Владелец: TIANJIN SHIQI TECHNOLOGY DEVELOPMENT Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-24.

One kind is in MgO（111）The method of the various phase structure iron nitride thin films of substrate Epitaxial growth

Номер патента: CN106929812A. Автор: 马丽,侯登录,刘迪迪,李国科,元利勇. Владелец: SHIJIAZHUANG TIEDAO UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-07-07.

A kind of preparation method of the ultraviolet-resistant particle for optical thin film

Номер патента: CN106832355A. Автор: 肖�琳,叶航,朱闻闻. Владелец: Pioneer Nano Material Science And Technology (shanghai) Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Measure the Resonator device and measurement method of the impedance of high-temperature superconducting thin film Surface Intrinsic

Номер патента: CN105929240B. Автор: 陈健,吉争鸣,葛高炜. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-11-23.

A kind of WO3/CuWO4The preparation method of/NiFe LDH tri compound photoelectricity very thin films

Номер патента: CN109913898A. Автор: 熊贤强,范利亚,武承林. Владелец: Taizhou University. Дата публикации: 2019-06-21.

METHOD OF MANUFACTURING A MASK FRAME ASSEMBLY FOR THIN FILM DEPOSITION

Номер патента: US20130205568A1. Автор: KANG Taek-Kyo,Lee Sang-Shin,Ko Jung-Woo,HONG Seung-Ju. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-15.

Enhanced chemical-mechanical polishing (E-CMP) method of forming a planar surface on a thin film magnetic head to avoid pole recession

Номер патента: US5811355A. Автор: Stephen G. Jordan. Владелец: Aiwa Co Ltd. Дата публикации: 1998-09-22.

Preparation method of activated carbon nanotube modified PET antistatic thin film

Номер патента: CN106046708A. Автор: 王鹏,甄万清. Владелец: Jiaxing Gaozhenggao Polymer Material Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-26.

The exposure method of photoresist and substrate bearing device in thin film circuit plated through-hole

Номер патента: CN105353590B. Автор: 王斌,赵海轮,路波,胡莹璐,曹乾涛,宋振国,赵秉玉. Владелец: CETC 41 Institute. Дата публикации: 2018-01-02.

Preparation method of three-dimensional wedge-shaped lithium niobate thin film waveguide

Номер патента: CN113917605A. Автор: 尹志军,许志城,崔国新,汤济. Владелец: Nanjing Nanzhi Institute Of Advanced Optoelectronic Integration. Дата публикации: 2022-01-11.

Production method of noble metal fine particle supported photocatalyst thin film

Номер патента: JP3651200B2. Автор: 浩和 山本. Владелец: Nok Corp. Дата публикации: 2005-05-25.

Method of manufacturing an optically transparent and electroconductive thin-film pattern

Номер патента: DE3066926D1. Автор: Walter Dr Schmidt. Владелец: BBC Brown Boveri AG Switzerland. Дата публикации: 1984-04-19.

Manufacturing method of super thin bidirectional stretched polypropylene coarse thin film for capacitor

Номер патента: CN101863120B. Автор: 谢晋,申时林,苏里勇,柯希斌,李高聪. Владелец: Sichuan Dongcai Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-21.

Preparation method of CIGS (Copper, Indium, Gallium and Selenide) thin film solar cell window layer

Номер патента: CN101908583B. Автор: 李微,方小红. Владелец: CETC 18 Research Institute. Дата публикации: 2012-08-08.

Method of making a cosmetic sampler using bulk thin film application techniques

Номер патента: US6691872B1. Автор: Michael J. Berman,Michael Parrotta,William Deierlein,Phillip Cameron,Allan Cameron, III. Владелец: AKI Inc. Дата публикации: 2004-02-17.

Method of manufacturing an optically transparent and electroconductive thin-film pattern

Номер патента: EP0022279B1. Автор: Walter Dr.-Phys. Schmidt. Владелец: BBC Brown Boveri AG Switzerland. Дата публикации: 1984-03-14.

The manufacturing method of silicon carbide sinter with titanium ions thin film

Номер патента: KR100477184B1. Автор: 이호진. Владелец: 휴먼사이언스테크놀러지(주). Дата публикации: 2005-03-17.

Disilanamine compounds, method of preparing the same, and silicon-containing thin film deposition composition including the same

Номер патента: CN110536893B. Автор: 李相益,金铭云,张世珍,杨炳日,金成基,李相道,朴重进,朴廷主,李三东,朴建柱. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-07.

Preparation method of tunable FP optical filter based on thin film bonding

Номер патента: CN112499582A. Автор: 张云霄,孙文宝. Владелец: Tianjin Jinhang Institute of Technical Physics. Дата публикации: 2021-03-16.

Fabrication method of high quality Bi-based oxide superconducting thin film

Номер патента: JP4572386B2. Автор: 和弘 遠藤. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2010-11-04.

Electrophoretic display panel and method of fabricating the same

Номер патента: US20080037106A1. Автор: Keun Kyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-14.

Pixel circuit of organic light-emitting display and method of driving the same, and organic light-emitting display

Номер патента: US09653022B2. Автор: Tong Wu,Dong Qian. Владелец: Shanghai Tianma AM OLED Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Liquid crystal display panel, liquid crystal display, photodetector and method of regulating illumination

Номер патента: RU2444771C2. Автор: Чих-Чианг ЧЕН. Владелец: Асер Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-03-10.

Liquid-crystal display device with improved yield of production and method of fabricating the same

Номер патента: US20020085137A1. Автор: Tetsuya Fujikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-04.

Mechanical oscillator and method of its manufacturing

Номер патента: RU2352002C1. Автор: Даи КОБАЯСИ,Хидеки КАВАКАЦУ,Хироси ТОСИЕСИ. Владелец: Джапан Сайенс Энд Текнолоджи Эйдженси. Дата публикации: 2009-04-10.

Mother substrate for liquid crystal display device and method of fabricating the same

Номер патента: US8786792B2. Автор: Young-Seok Choi,Jae-woo Jung,Jeong-yeop Lee,Jae-myung Seok,Hyock-jae Shin. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-22.

Method of manufacturing active matrix substrate and liquid crystal display device

Номер патента: US12111555B2. Автор: Katsunori Misaki. Владелец: Sharp Display Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Complex spatial light modulator and method of fabricating the same

Номер патента: US09665066B2. Автор: Yong Hae Kim,Myung Lae Lee,Hye Yong Chu,Chi-Sun Hwang,Gi Heon Kim,Chunwon Byun,Hojun Ryu,Himchan OH. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-05-30.

Janus transition metal dichalcogenide thin film and method of fabricating the same

Номер патента: US20230151482A1. Автор: Won Jun Lee,Suk Ho Chol,Chan Wook Jang. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2023-05-18.

Liquid crystal display device including liquid crystal capsule and method of fabricating the same

Номер патента: US20190155073A1. Автор: Eun-Woo Lee,Min-Geun CHOI,Jung-Im HWANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Coating for photovoltaic cell and method of making same

Номер патента: RU2577174C1. Автор: Юрий Мидхатович Гинатулин,Андрей Викторович Десятов,Антон Владимирович Асеев,Любовь Владимировна Булибекова,Любовь Денсуновна Ли,Дмитрий Юрьевич Графов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Энергоэкотех". Дата публикации: 2016-03-10.

Indium tris n, n-diethylcarbamate, method of its production and obtaining of films of indium oxide on its basis

Номер патента: RU2649147C1. Автор: Андрей Сергеевич Левашов,Дмитрий Сергеевич Бурый,Александра Руслановна Латыпова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный университет" (ФГБОУ ВО "КубГУ"). Дата публикации: 2018-03-30.

Method of manufacturing electrophoretic display having organic thin film transistor control circuit and electrophoretic display manufactured using the method

Номер патента: US20080204848A1. Автор: Arthur Mathea,Marcus Schaedig. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Self-supporting laminated films, structural materials and medical devices manufactured therefrom and methods of making same

Номер патента: US09566148B2. Автор: Denes Marton. Владелец: Vactronix Scientific LLC. Дата публикации: 2017-02-14.

Pixel structure and detection method of promoting defect detection rate

Номер патента: US09523899B2. Автор: Zui Wang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Liquid crystal display device having gate sharing structure and method of driving the same

Номер патента: US09472148B2. Автор: Jun-Yeob Lee,Sang-Bum Ko,Su-Hong Cho,Sung-woo Lee,Soo-ho Kim,Moon-Chul KIM,Hyun-Jik Bae. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of producing multifunctional ceramic matrix composite materials (versions)

Номер патента: RU2603330C2. Автор: Сергей Викторович Соколов,Ольга Георгиевна Рыжова,Евгений Акимович Богачев,Иван Анатольевич Тимофеев,Екатерина Сергеевна Сафонова,Павел Анатольевич Тимофеев,Светлана Викторовна Жукова. Владелец: Государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Московской области "Технологический университет". Дата публикации: 2016-11-27.

Manufacturing method of liquid crystal display panel

Номер патента: US7639340B2. Автор: Meng-Chi Liou,Hsiao-Fen Chen. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2009-12-29.

Manufacturing method of liquid crystal display panel

Номер патента: US20080096300A1. Автор: Hsiao-Fen Chen,Meng-Chi Liu. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2008-04-24.

Hydrogen gas sensor and a method of fabricating thereof

Номер патента: US20190212293A1. Автор: Zain Hassan Yamani,Mohammad Kamal HOSSAIN,Qasem Ahmed DRMOSH. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2019-07-11.

Liquid crystal display device having a thin film transistor substrate with a multi-cell gap structure and method of manufacturing same

Номер патента: WO2004053570A2. Автор: Jae-Hyun Kim,Jae-Young Lee,Yong-kyu Jang,Sang-Woo Kim,Young-Nam Yun,Sung-Eun Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2004-06-24.

Display substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170293190A1. Автор: Duk Sung Kim,Ik Han Oh,Young Min Jung,Hyuk Jin Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-12.

In-cell touch liquid crystal display apparatus, method of manufacturing the same, method of manufacturing thin film transistor array substrate, and method of manufacturing color filter array substrate

Номер патента: US09778529B2. Автор: Jin Seong Kim,Yong Chan Park,Seung Kyeom KIM. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Self-capacitance in-cell touch screen and method of manufacturing the same, liquid crystal display

Номер патента: US09651815B2. Автор: Xiaojiang Yu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of determining a concentration of hydrogen gas with a hydrogen gas sensor

Номер патента: US20200064304A1. Автор: Zain Hassan Yamani,Mohammad Kamal HOSSAIN,Qasem Ahmed DRMOSH. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2020-02-27.

Array substrate, display panel, and method of controlling display panel

Номер патента: US20200209663A1. Автор: Wei Cheng. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

Methods of fabricating COA type liquid crystal display panels and COA type liquid crystal display panels

Номер патента: US09897882B1. Автор: JI Li,Xiaolong Ma. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Liquid crystal display and method of manufacturing the same

Номер патента: US09880438B2. Автор: Kikuo Ono,Daisuke Kajita,Ryutaro Oke. Владелец: Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Contact type plasmonic nano optical probe, parallel probe constituted of the same, plasmonic optical apparatus including the parallel probe, and a method of fabricating the parallel probe

Номер патента: US8490210B2. Автор: Jae Won Hahn. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2013-07-16.

Driver for driving display panel and method for reading / writing in memory thereof and thin film transistor liquid crystal display using the same

Номер патента: US20080170050A1. Автор: Heng-Sheng Chou,Chun-Hung Huang,Ying-Chi Wang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2008-07-17.

Method of fabricating a liquid crystal display device having image-displaying and viewing angle-adjusting sub pixels and method of driving the same

Номер патента: US20110316827A1. Автор: Kyung-Eon Lee,Tae-Han Kim,In-Hyuk Song. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-29.

Thermochromic window and method of fabricating the same

Номер патента: US09442313B2. Автор: Chang Gyu Kim,Yongwon Choi,Yung-Jin Jung,Hyun Bin Kim. Владелец: Samsung Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of fabricating thin film with varying thickness

Номер патента: US20220033954A1. Автор: Yu-Chi Lin,Chih-Chung Wu,Chi-Fang Huang,Cheng-Sheng Huang,Chi-Yung Hsieh. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2022-02-03.

Liquid crystal display and a method of manufacturing the same

Номер патента: US9488889B2. Автор: Jong Chan Lee,Dongjo Kim,Jungkyu Lee,Shin Il Choi,Sanggab Kim,Jiseon Lee,Yoonho Khang,Sehwan Yu. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Transflective spatial light modulator with enhanced diffusion of light and method of manufacture of the same

Номер патента: US12061401B1. Автор: Anjan Katta. Владелец: Daylight Computer Co. Дата публикации: 2024-08-13.

Array substrate, method of manufacturing the same, and liquid crystal display panel

Номер патента: US09897865B2. Автор: Peng Jiang,Haipeng Yang,Ke Dai,Yong Jun Yoon,Zhangtao Wang,Bingbing Yan. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Display panel and method of manufacturing the same

Номер патента: US09733520B2. Автор: Il-Gon Kim,Mee-Hye Jung,Se-Hyoung Cho,Sang-Hyeon SONG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Liquid crystal display and method of manufacturing the same

Номер патента: US09551895B2. Автор: Yang-Ho Jung,Jun Hong Park,Seung Bo SHIM,Pil Soon HONG,Jin Ho JU. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Method of fabricating patterned cellulose nanocrystal composite nanofibers and nano thin films and their applications

Номер патента: US20220177661A1. Автор: Wei-Chih Wang,Yen-Tse Cheng. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2022-06-09.

Method of fabricating patterned cellulose nanocrystal composite nanofibers and nano thin films and their applications

Номер патента: US11634549B2. Автор: Wei-Chih Wang,Yen-Tse Cheng. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2023-04-25.

Method of fabricating patterned cellulose nanocrystal composite nanofibers and nano thin films and their applications

Номер патента: US11649333B2. Автор: Wei-Chih Wang,Yen-Tse Cheng. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2023-05-16.

Method of fabricating patterned cellulose nanocrystal composite nanofibers and nano thin films and their applications

Номер патента: US20220185976A1. Автор: Wei-Chih Wang,Yen-Tse Cheng. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2022-06-16.

Use of polyvinylpyrrolidone in the preparation of ana-ZMOF thin film membranes for separation processes

Номер патента: US12017186B2. Автор: Mohamed Eddaoudi,Youssef BELMABKHOUT,Osama Shekhah,Valeriya CHERNIKOVA. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2024-06-25.

Liquid Crystal Panel, Liquid Crystal Display Device and Manufacturing Method of Array Substrate Thereof

Номер патента: US20130278864A1. Автор: Yangling Cheng. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-24.

Protective film for minimization of shield and pole tip recession in thin film shielded read heads and write heads

Номер патента: WO2001041133A1. Автор: James C. Cates. Владелец: STORAGE TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2001-06-07.

Use of polyvinylpyrrolidone in the preparation of ana-zmof thin film membranes for separation processes

Номер патента: EP3860749A1. Автор: Mohamed Eddaoudi,Youssef BELMABKHOUT,Osama Shekhah,Valeriya CHERNIKOVA. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2021-08-11.

Seamless hexagonal boron nitride atomic monolayer thin film and method of fabricating the same

Номер патента: US09963346B2. Автор: Minwoo Kim,Hwansoo Suh,Sangwoo Park,Sungjoo Lee,Youngjae Song,Qinke WU. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2018-05-08.

Liquid crystal display and method of manufacturing the same

Номер патента: US09625753B2. Автор: Jung Wook Lee,Koichi Sugitani,Min Su Kim,Hoon Kang,Seon-Il Kim,Hee-Keun Lee,Yeun Tae KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Display apparatus and display substrate having a display area and a black matrix area, and method of fabricating display substrate and display apparatus

Номер патента: US20190369437A1. Автор: Yan Fang,WU Wang,Yajie BAI,Xiaoyuan Wang,Ruilin Bi. Владелец: Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Thin film endovascular electrode array and method of fabrication

Номер патента: US20240215889A1. Автор: Ellis Meng,Brianna Leilani THIELEN. Владелец: University of Southern California USC. Дата публикации: 2024-07-04.

Polytetrafluoroethylene thin film with polydopamine adhesive layer

Номер патента: US09914152B2. Автор: Min Zou,Samuel George BECKFORD,Justin K Carter. Владелец: Surftec LLC. Дата публикации: 2018-03-13.

Liquid crystal display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120107980A1. Автор: Tae Joon Song,Jin Wuk Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-03.

Electro-optic electric field sensor and method of fabrication

Номер патента: US11815747B1. Автор: Payam Rabiei,Seyfollah Toroghi. Владелец: Partow Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-14.

Magnetic recording medium and method of fabricating the same

Номер патента: US20050048322A1. Автор: Hitoshi Wako. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-03-03.

Co2-philic thin film composite membranes

Номер патента: US20190366277A1. Автор: Klaus-Viktor Peinemann,Mahendra Kumar,Madhavan KARUNAKARAN,Faheem Hassan AKHTAR,Rahul Shevate. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2019-12-05.

Biometric skin contact sensor and methods of operating a biometric skin contact sensor

Номер патента: US12125307B2. Автор: Toru Sakai,Michael Cowin,Henricus Derckx,Wilhelmus Van Lier. Владелец: Touch Biometrix Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Liquid crystal display having injection holes with different heights and method of manufacturing the same

Номер патента: US09606402B2. Автор: Jung Wook Lee,Hae Ju Yun,Soo Jung Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Substrate for liquid crystal display device, liquid crystal display device provided with the same, and manufacturing method of the same

Номер патента: US20080204617A1. Автор: Kunio Matsubara. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-08-28.

Systems and methods for integration of thin film optical materials in silicon photonics

Номер патента: US20240255696A1. Автор: Ping Piu Kuo. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-08-01.

Display apparatus and method of driving the display apparatus

Номер патента: US09934737B2. Автор: Sung-Ryul Kim,Kyung-Suk Jung,Woo-Sung Sohn. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Liquid crystal photoalignment agent, liquid crystal display including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09857634B2. Автор: Bong Sung SEO,Baek Kyun Jeon,Suk Hoon KANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Liquid crystal display, liquid crystal panel, and method of driving the same

Номер патента: US09778524B2. Автор: Bong-Hyun You. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for improving image quality of a display device with low-temperature poly-silicon thin film transistor

Номер патента: US20080224979A1. Автор: Yu-Lin Lee,Chang-Cheng Lin,Ming-Jiun Liaw,Jan-Ruei Lin. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-09-18.

Transflective-type liquid crystal display device and method of fabricating the same

Номер патента: US7719639B2. Автор: Yong In Park,Sang Hyun Kim,Joon Young Yang. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-18.

Method of producing crystallographically aligned quasi monocrystalline intermetallic thin films

Номер патента: RU2597835C1. Автор: Сергей Викторович Макаров,Владимир Александрович Плотников,Денис Григорьевич Богданов,Борис Федорович Демьянов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Алтайский государственный университет". Дата публикации: 2016-09-20.

Method of pressure resistive tensor transducer built around thin-film nano- and microelectromechanical system (mamos)

Номер патента: RU2528541C1. Автор: Евгений Михайлович Белозубов,Алексей Геннадиевич Дмитриенко,Нина Евгеньевна Белозубова. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений". Дата публикации: 2014-09-20.

Method of and device for photochemical deposition of thin films

Номер патента: RU2059322C1. Автор: Владимир Михайлович Колешко,Анатолий Владимирович Гулай,Владимир Семенович Куликов,Анна Николаевна Мозолевская. Владелец: Научно-инженерно-технологический центр "Микроэлектроника" Белорусской инженерной технологической академии. Дата публикации: 1996-04-27.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF ARC DETECTION AND SUPPRESSION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000765A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS AND APPARATUS OF ARC PREVENTION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000767A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR SPUTTERING A RESISTIVE TRANSPARENT BUFFER THIN FILM FOR USE IN CADMIUM TELLURIDE BASED PHOTOVOLTAIC DEVICES

Номер патента: US20120000768A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacture and assembly of modified graphene thin film electrodes

Номер патента: AU2012903961A0. Автор: . Владелец: Murdoch University. Дата публикации: 2012-09-27.

MANUFACTURE METHODS OF DOUBLE LAYER GATE ELECTRODE AND RELEVANT THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20130078801A1. Автор: Dong Chengcai,Hsu Jehao. Владелец: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD.. Дата публикации: 2013-03-28.

Method of making a reflective display device using thin film transistor production techniques

Номер патента: CN101023021A. Автор: 克拉伦斯·徐. Владелец: IDC LLC. Дата публикации: 2007-08-22.

Manufacturing method of plastic particles with anti-bacterial silver thin film thereon and manufacturing equipment thereof

Номер патента: TW200641976A. Автор: zhao-ming Su. Владелец: Chinese United Semiconductor Equipment Mfg Inc. Дата публикации: 2006-12-01.

Manufacturing method of plastic particles with anti-bacterial silver thin film thereon and manufacturing equipment thereof

Номер патента: TWI260048B. Автор: Jau-Ming Su. Владелец: Chinese United Semiconductor E. Дата публикации: 2006-08-11.

Method of fabricating circuit board with etched thin film resistors

Номер патента: TW201103384A. Автор: wei-xiong Yang,han-qing Shi,zi-yuan Fan,zi-ming Xie. Владелец: Tripod Technology Corp. Дата публикации: 2011-01-16.

A kind of method of ultraviolet light preparation of zinc sulphide thin film by chemical bath deposition zinc sulfide film

Номер патента: CN104846352B. Автор: 张军,邵乐喜,莫德云,廖峻. Владелец: Lingnan Normal University. Дата публикации: 2018-05-01.

METHODS OF SUPPORTING A TRANSPARENT SUBSTRATE OF A THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20130153029A1. Автор: Knapp Jeffrey Todd,Reed Max William,Tsakalakos Loucas,Erlbaum Jeffrey Scott,Berens Troy Alan,Crume Bradley,Abbaraju Venkata Sai Rahul Chandra. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2013-06-20.

Method of determination of physico-mechanical characteristics of thin films

Номер патента: SU1657954A1. Автор: Ортаголи Шарипович Хакимов,Ефим Константинович Резник,Зуфар Алимович Джураев. Владелец: Специализированное Конструкторское Бюро С Опытным Производством Отдела Теплофизики Ан Узсср. Дата публикации: 1991-06-23.

Preparing method of activated carbon fibre loaded titanium oxide thin film and application method thereof

Номер патента: CN101011654B. Автор: 刘颖,张玉贞,石建稳,张延宗,曲险峰,李石,郑经堂,赵玉翠,于维钊,叶智刚. Владелец: China University of Petroleum East China. Дата публикации: 2010-05-19.

Method of production of heat-stable oxygen-free thin-film dielectric material

Номер патента: SU1742862A1. Автор: Роберт Леонидович Магунов,Юрий Георгиевич Сухарев,Владимир Ильич Цацко,Александр Викторович Андриянов. Владелец: Одесский Политехнический Институт. Дата публикации: 1992-06-23.

A kind of preparation method of the n-type cuprous oxide semiconductive thin film of Fluorin doped

Номер патента: CN104947165B. Автор: 余颖,邱明强,余罗. Владелец: Huazhong Normal University. Дата публикации: 2017-11-17.

A kind of preparation method of silver-nickel acid lanthanum composite conductive thin film material

Номер патента: CN106145898B. Автор: 王显威,崔瑞霞,侯新亚,王小二,邢玲迪. Владелец: Henan Normal University. Дата публикации: 2019-02-19.

A kind of method of chemical liquid phase reaction preparation selenizing thin film lead

Номер патента: CN109721036A. Автор: 刘琳,杨会生,高克玮,庞晓露. Владелец: University of Science and Technology Beijing USTB. Дата публикации: 2019-05-07.

Method of engraving components of topologic patterns on thin-film coatings

Номер патента: SU1380908A1. Автор: Вадим Иосифович Гвоздев. Владелец: Предприятие П/Я В-2183. Дата публикации: 1988-03-15.

It is a kind of to prepare SnO2The method of composite carbon nanometer tube electric-heating thin film

Номер патента: CN109890093A. Автор: 吴其胜,南丁天,王付华,童卫红,姚元英. Владелец: Yancheng City Hua Bang Alloy Electric Appliance Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-14.

Method of improving physical property of aromatic polyamid thin film

Номер патента: JPS5342265A. Автор: Akira Miyoshi,Katsuhiko Suyama,Masanori Shiyouda. Владелец: Unitika Ltd. Дата публикации: 1978-04-17.

Method of improving physical property of aromatic polyamid thin film

Номер патента: JPS5342266A. Автор: Akira Miyoshi,Katsuhiko Suyama,Masanori Shiyouda. Владелец: Unitika Ltd. Дата публикации: 1978-04-17.

Method of controlling resistance temperature coefficient of taalln thin film resistor

Номер патента: JPS55121606A. Автор: Minoru Terajima,Masataka Koyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1980-09-18.

Method of controlling resistance temperature coefficient of taalln thin film resistor

Номер патента: JPS55108710A. Автор: Minoru Terajima,Masataka Koyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1980-08-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND A THIN FILM

Номер патента: US20130105772A1. Автор: Kawahara Jun,Hayashi Yoshihiro. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2013-05-02.

Refining method of high-boiling point polymerizable compound by thin film distillation

Номер патента: JPS6082101A. Автор: Masaru Wada,勝 和田,Nobuyuki Kajimoto,Akihiro Tamaoki,晃弘 玉置,梶本　延之. Владелец: Mitsui Toatsu Chemicals Inc. Дата публикации: 1985-05-10.

Preparation method of donor-acceptor co-doped zinc oxide thin film based on nitrogen

Номер патента: CN103866268A. Автор: 张阳,李超波,夏洋,卢维尔,董亚斌,解婧. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2014-06-18.

Method of detecting inner mechanical compression stress in thin films

Номер патента: SU605487A1. Автор: Н.А. Федорович,В.А. Шеленшкевич. Владелец: Ордена Ленина физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе. Дата публикации: 1981-12-23.

Epitaxy preparation method of N type low-doped silicon carbide thin film under controlled growth pressure

Номер патента: CN104233218A. Автор: 张玉明,王悦湖,宋庆文,胡继超,张艺蒙. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2014-12-24.

Preparation method of modified casein drug-carrying controlled-release thin film

Номер патента: CN102935235B. Автор: 周建华,马建中,徐群娜. Владелец: SHAANXI UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2014-06-18.

Preparation method of sapphire-based controllable-peeling flexible PZT thin film

Номер патента: CN109768154B. Автор: 张晶,穆继亮,丑修建,何剑,耿文平,侯晓娟,范雪明. Владелец: NORTH UNIVERSITY OF CHINA. Дата публикации: 2022-05-20.

Preparation method of three-dimensional micrometer level porous copper thin film

Номер патента: CN103132111B. Автор: 赖川,杨文静,罗彬彬,黎学明,张代雄. Владелец: Chongqing University. Дата публикации: 2015-05-27.

Method of preparing nanometer scale twin crystal copper thin film

Номер патента: CN100503880C. Автор: 屈新萍,谢琦,蒋玉龙,茹国平,李炳宗. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2009-06-24.

Method of determining the heat transfer coefficient at thin-film boiling mode

Номер патента: SU584235A1. Автор: Павел Андреевич Морозов,Леонид Владимирович Зысин,Владимир Семенович Грановский,Владимир Бенцианович Хабенский. Владелец: Предприятие П/Я М-5301. Дата публикации: 1977-12-15.

Preparation method of gold-lanthanum nickelate layered composite conductive thin film material

Номер патента: CN104846370A. Автор: 王显威,崔瑞霞. Владелец: Henan Normal University. Дата публикации: 2015-08-19.

Manufacturing method of semiconductor device using high dielectric constant thin film

Номер патента: JP4826971B2. Автор: 平司 渡部. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-11-30.

The preparation method of modified graphene oxide piezopolymer energy storage thin-film device

Номер патента: CN105037763B. Автор: 安琪,张以河,佟望舒. Владелец: China University of Geosciences Beijing. Дата публикации: 2017-07-11.

Manufacture method of high coercivity FePt-Si3N4 granular composite thin films

Номер патента: TW432117B. Автор: Bo-Cheng Guo,Jr-Ming Guo. Владелец: Nat Science Council. Дата публикации: 2001-05-01.

Method of manufacturing zirconia solid electrolyte body having thin film electrodes

Номер патента: JPS53149693A. Автор: Norio Ichikawa,Kanemasa Sato,Sadayasu Ueno. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1978-12-27.

INSULATING LAYER, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR USING THE INSULATING LAYER, AND METHOD OF FABRICATING THE ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120001159A1. Автор: KANG Seung Youl,Baek Kyu Ha,Yoon Sung Min,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,YOU In Kyu,AHN Seong Deok. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing display device, display device, method of producing thin-film transistor substrate, and thin-film transistor substrate

Номер патента: US20120001183A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DISPLAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND DISPLAY PANEL HAVING THE SAME

Номер патента: US20120003796A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001167A1. Автор: Morosawa Narihiro. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of thin film transistor manufacturing

Номер патента: RU2571456C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2015-12-20.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120003769A1. Автор: CHOI Jae-Ho,KIM Sung-Ryul,LEE Czang-Ho,YANG Sung-Hoon,YOON KAP-SOO,Kim Byoung-June,Oh Hwa-Yeul,Choi Yong-Mo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC EL DISPLAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001186A1. Автор: ONO Shinya,KONDOH Tetsuro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ARRAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE ARRAY SUBSTRATE

Номер патента: US20120001191A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN ELECTROCHEMICAL DEVICE USING ULTRAFAST PULSED LASER DEPOSITION

Номер патента: US20120003395A1. Автор: CHE Yong,HU Zhendong. Владелец: IMRA AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Structure of LCD Panel and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20120002156A1. Автор: Yi Hung Meng,Hung Tsai Chu. Владелец: AU OPTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001182A1. Автор: Choi Jong-Hyun,Lee Dae-Woo. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

QUANTUM DOT SENSITIZED WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR PHOTOVOLTAIC DEVICES & METHODS OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120003773A1. Автор: Harkness,IV Samuel D.,Richter Hans J.. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making thin crystal silicon films for semiconductor devices

Номер патента: RU2333567C2. Автор: Дмитрий Евгеньевич Миловзоров. Владелец: Дмитрий Евгеньевич Миловзоров. Дата публикации: 2008-09-10.

METHOD OF STACKING FLEXIBLE SUBSTRATE

Номер патента: US20120000602A1. Автор: KIM Yong Hae,PARK Dong Jin,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,KIM Chul Am. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of thin film transistor manufacturing

Номер патента: RU2522930C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Марьям Мустафаевна Уянаева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (КБГУ). Дата публикации: 2014-07-20.

FLAT PANEL DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001534A1. Автор: KIM Tae-Woong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SILICON p-i-n PHOTODIODE

Номер патента: RU2541416C1. Автор: Сергей Иванович Денисов,Станислав Стефанович Демидов,Евгений Алексеевич Климанов,Марина Александровна Нури. Владелец: Открытое акционерное общество "НПО "Орион". Дата публикации: 2015-02-10.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON p-i-n PHOTODIODE

Номер патента: RU2537087C1. Автор: Сергей Иванович Денисов,Станислав Стефанович Демидов,Евгений Алексеевич Климанов,Марина Александровна Нури. Владелец: Открытое акционерное общество "НПО "Орион". Дата публикации: 2014-12-27.

Metal coating of upgraded adhesion to material of pad and method of fabrication of this coating

Номер патента: RU2358034C2. Автор: Александр Германович Ермилов,Сергей Иванович Сухонос,Дмитрий Николаевич Вовк. Владелец: Дмитрий Николаевич Вовк. Дата публикации: 2009-06-10.

Method of fabricating uniform layer of graphitic carbon nitride (g-c3n4) on conductive substrate and semiconductor device thereof

Номер патента: MY190658A. Автор: Asri Mat Teridi Mohd,Ahmad Ludin Norasikin,Fazli Ismail Aznan,Aida Mohamed Nurul,Safaei Javad,Adib Ibrahim Mohd. Владелец: Univ Kebangsaan Malaysia. Дата публикации: 2022-05-09.

MOBILE TERMINAL AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120003966A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THIN-FILM TRANSISTOR ARRAY AND IMAGE DISPLAY DEVICE IN WHICH THIN-FILM TRANSISTOR ARRAY IS USED

Номер патента: US20120001189A1. Автор: Matsubara Ryohei,ISHIZAKI Mamoru. Владелец: TOPPAN PRINTING CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ELECTROLYTIC CERAMIC COATING FOR METAL, ELECTROLYSIS SOLUTION FOR ELECTROLYTIC CERAMIC COATING FOR METAL, AND METALLIC MATERIAL

Номер патента: US20120000783A1. Автор: Konishi Tomoyoshi,Suda Arata. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS USING EPITAXIAL DEPOSITION

Номер патента: US20120000511A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000518A1. Автор: Tokioka Hidetada,ORITA Tae,YAMARIN Hiroya. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing thin film capacitor and thin film capacitor obtained by the same

Номер патента: US20120001298A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Perpendicular Magnetic Write head and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120002326A1. Автор: Matono Naoto,SASAKI Kenji,Mino Tetsuya,Onodera Ikuhito,Nishiyama Kazushi,Tsuchiya Michitoshi. Владелец: SAE Magnetics (H.K.) Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF STRETCHING ORGANIC PIEZOELECTRIC MATERIAL, METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC PIEZOELECTRIC MATERIAL, ULTRASONIC TRANSDUCER, ULTRASONIC WAVE PROBE AND ULTRASONIC WAVE MEDICAL IMAGE DIAGNOSIS DEVICE

Номер патента: US20120004555A1. Автор: . Владелец: Konica Minolta Medical & Graphic, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED THIN FILM SOLAR CELL INTERCONNECTION

Номер патента: US20120000502A1. Автор: Wiedeman Scott,Britt Jeffrey S.,Rhodes Zulima,Sheehan Eric. Владелец: Global Solar Energy, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM ARTICLE AND METHOD FOR FORMING A REDUCED CONDUCTIVE AREA IN TRANSPARENT CONDUCTIVE FILMS FOR PHOTOVOLTAIC MODULES

Номер патента: US20120000520A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel,FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING A SOLAR CELL WITH A TUNNEL DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20120000528A1. Автор: Smith David,Dennis Tim,Harrington Scott,Manning Jane,Waldhauer Ann. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INK FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, ORGANIC DISPLAY PANEL, ORGANIC DISPLAY APPARATUS, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT APPARATUS, INK , FORMING METHOD OF FUNCTIONAL LAYER, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE

Номер патента: US20120001124A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120001490A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL WAVEGUIDE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120002931A1. Автор: Watanabe Shinya. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEPARATOR FOR AN ELECTRICITY STORAGE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120003525A1. Автор: . Владелец: TOMOEGAWA CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003784A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus for Manufacturing Thin Film Photovoltaic Devices

Номер патента: US20120003789A1. Автор: . Владелец: Stion Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

REINFORCEMENT FOR ASPHALTIC PAVING, METHOD OF PAVING, AND PROCESS FOR MAKING A GRID WITH THE COATING FOR ASPHALTIC PAVING

Номер патента: US20120003889A1. Автор: Lee Sugjoon,NEWTON Mark J.,Fague Gary R.,Woolstencroft Jon,Goupil Richard,Hook Kerry. Владелец: SAINT-GOBAIN TECHNICAL FABRICS AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

RINSE ADDED AMINOSILICONE CONTAINING COMPOSITIONS AND METHODS OF USING SAME

Номер патента: US20120004156A1. Автор: Vetter Kerry Andrew,Panandiker Rajan Keshav,"ONeil Julie Ann",VETTER Nicholas David. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITE PRESSURE VESSEL AND METHOD OF ASSEMBLING THE SAME

Номер патента: US20120000916A1. Автор: Kleber Richard M.,Kia Hamid G.,Wang Chen-Shih,Carsley John E.,Berger Elisabeth J.,SUN Ce,Schultheis Valentin,Fell Stephan. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002132A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE ASSEMBLY, METHOD OF FABRICATING ELECTRODE ASSEMBLY, AND SECONDARY BATTERY INCLUDING ELECTRODE ASSEMBLY

Номер патента: US20120003506A1. Автор: SHIN Hosik. Владелец: Samsung SDI Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DIODE HAVING A THERMAL CONDUCTIVE SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003766A1. Автор: . Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method and Apparatus for Controllable Sodium Delivery for Thin Film Photovoltaic Materials

Номер патента: US20120003785A1. Автор: Mackie Neil M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Ear Implant Electrode and Method of Manufacture

Номер патента: US20120004715A1. Автор: Ramachandran Anup,Nielsen Stefan B.,Jolly Claude,Zimmerling Martin. Владелец: MED-EL Elektromedizinische Geraete GmbH. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of fabrication of apparatus for air cooling of gas, method of fabrication of apparatus heat exchanger section (versions), method of fabrication of apparatus chamber for gas inlet or outlet, method of hydraulic pressure testing of apparatus heat exchanger section and method of hydraulic pressure testing of apparatus manifold for gas supply and removal

Номер патента: RU2364811C2. Автор: Николай Павлович Селиванов. Владелец: Николай Павлович Селиванов. Дата публикации: 2009-08-20.

Organic-inorganic nanostructures and materials, consisting nanoparticles of noble metals, and methods of its receiving

Номер патента: RU2364472C2. Автор: Геннадий Борисович Хомутов. Владелец: Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова Российской академии наук. Дата публикации: 2009-08-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.