生成沉积物的方法和硅基底表面上的沉积物
Номер патента: CN102892921A
Опубликовано: 23-01-2013
Автор(ы): J·史卡波
Принадлежит: BENEQ OY
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 23-01-2013
Автор(ы): J·史卡波
Принадлежит: BENEQ OY
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Systems and methods for uniform gas flow in a deposition chamber
Номер патента: US09852905B2. Автор: Su-Jen Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.