Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

半導体単結晶育成法

Номер патента: JPS58110486A
Опубликовано: 01-07-1983
Автор(ы): Hideshi Kubota, Kiyomasa Sugii, 杉井　清昌, 英志 久保田
Принадлежит: Nippon Telegraph and Telephone Corp

Реферат: (57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた め要約のデータは記録されません。

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Ingot puller apparatus and methods for growing a single crystal silicon ingot with reduced lower chamber deposits

Номер патента: US20240247398A1. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson,Matteo Pannocchia,William Lynn Luter. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Ingot puller apparatus and methods for growing a single crystal silicon ingot with reduced lower chamber deposits

Номер патента: WO2024155776A1. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson,Matteo Pannocchia,William Lynn Luter. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for manufacturing silicon single crystals

Номер патента: TW201534775A. Автор: Takashi Yokoyama,Kazumi Tanabe,Tegi Kim. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2015-09-16.

Production method for compound semiconductor single crystal

Номер патента: WO2003068696A1. Автор: Kenji Sato,Toshiaki Asahi,Atsutoshi Arakawa. Владелец: Nikko Materials Co., Ltd.. Дата публикации: 2003-08-21.

Method for producing gaas single crystal and gaas single crystal wafer

Номер патента: CN103703172A. Автор: 村上元一,中村良一,宫地岳广. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-02.

Si-Doped GaAs single crystal ingot and process for producing the same, and Si-Doped GaAs single crystal wafer produced from Si-Doped GaAs single crystal ingot

Номер патента: US20110059294A1. Автор: Yoshikazu Oshika. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-10.

Method for cd1-xznxte single crystals growing, where 0≤x≤1, for inoculation at high pressure of inert gas

Номер патента: RU2633899C2. Автор: Владимир Дмитриевич Голышев,Светлана Викторовна Быкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "КристалсНорд". Дата публикации: 2017-10-19.

Device and method for pulling a single crystal of semiconductor material

Номер патента: US12116694B2. Автор: Rolf Schmid,Helmut Bergmann,Werner Joedecke. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2024-10-15.

Method for pulling a single crystal composed of semiconductor material from a melt contained in a crucible

Номер патента: US20190345630A1. Автор: Walter Heuwieser,Thomas Schroeck. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2019-11-14.

Methods for production of single-crystal graphenes

Номер патента: US09845551B2. Автор: Zheng Yan,James M. Tour. Владелец: William Marsh Rice University. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for pulling a single crystal of semiconductor material from a melt which is contained in a crucible

Номер патента: SG11201902696WA. Автор: Walter Heuwieser,Thomas SCHRÖCK. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2019-05-30.

Method for producing a single crystal from semiconductor material by the FZ method; device for carrying out the method and semiconductor silicon wafer

Номер патента: US11788201B2. Автор: Ludwig Altmannshofer,Simon Zitzelsberger,Goetz Meisterernst,Gundars Ratnieks. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2023-10-17.

Method for forming a single crystal by spraying the raw material onto a seed substrate

Номер патента: US09663871B2. Автор: Tsutomu Nanataki,Nobuyuki Kobayashi,Koichi Kondo,Jun Yoshikawa,Kazuki Maeda,Katsuhiro Imai. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Method for producing SiC single crystals by control of an angle formed by the meniscus and the side face of the seed crystal and production device for the method

Номер патента: US09631295B2. Автор: Kazuhito Kamei,Hironori Daikoku. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for calculating a height position of silicon melt surface, method for pulling silicon single crystal, and silicon single crystal pulling apparatus

Номер патента: US09587325B2. Автор: Naoki Masuda,Takahiro Yanagimachi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for manufacturing silicon single-crystal substrate and silicon single-crystal substrate

Номер патента: US20230212782A1. Автор: Weifeng Qu,Shizuo Igawa,Ken Sunakawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Compound semiconductor single crystal ingot for photoelectric conversion devices, photoelectric conversion device, and production method for compound semiconductor single crystal ingot for photoelectric conversion devices

Номер патента: US20160056313A1. Автор: Akira Noda,Ryuichi Hirano. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US09809901B2. Автор: Shinji Nakano,Kouichi Ikeda,Satoshi Soeta. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US09476142B2. Автор: Nobuaki Mitamura. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Silicon based melting composition and manufacturing method for silicon carbide single crystal using the same

Номер патента: US11873576B2. Автор: Chanyeup CHUNG,Junghwan Kim,Horim Lee,Jung Min Ko. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Silicon Based Melting Composition and Manufacturing Method for Silicon Carbide Single Crystal Using the Same

Номер патента: US20200224330A1. Автор: Chanyeup CHUNG,Junghwan Kim,Horim Lee,Jung Min Ko. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2020-07-16.

Device and method for producing tubular single crystals

Номер патента: EP3805436A1. Автор: Masatoshi Harada,Ichiro SAKANO,Akeo Fukui. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2021-04-14.

Method for producing nitride single crystal

Номер патента: US20180187328A1. Автор: Makoto Saito,Shigefusa Chichibu,Yuji Kagamitani,Tohru Ishiguro,Chiaki Yokoyama,Rinzo Kayano,Quanxi Bao,Daisuke TOMIDA,Mutsuo UEDA. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2018-07-05.

Method for producing nitride single crystal

Номер патента: US20150023862A1. Автор: Makoto Saito,Shigefusa Chichibu,Toru Ishiguro,Yuji Kagamitani,Chiaki Yokoyama,Rinzo Kayano,Quanxi Bao,Daisuke TOMIDA,Mutsuo UEDA. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-01-22.

Method for producing sic single crystal and method for suppressing dislocations in sic single crystal

Номер патента: EP4148167A1. Автор: Takehisa Minowa,Toshihiro Tsumori,Naofumi Shinya,Yu Hamaguchi,Norio Yamagata. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-15.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: US20240328029A1. Автор: Keisuke Mihara. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for producing SiC single crystal

Номер патента: US09982365B2. Автор: Kazuhiko Kusunoki,Kazuhito Kamei,Katsunori Danno. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for producing nitride single crystal

Номер патента: US09976229B2. Автор: Makoto Saito,Shigefusa Chichibu,Yuji Kagamitani,Tohru Ishiguro,Chiaki Yokoyama,Rinzo Kayano,Quanxi Bao,Daisuke TOMIDA,Mutsuo UEDA. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for producing SiC single crystal

Номер патента: US09777399B2. Автор: Katsunori Danno. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for manufacturing diamond single crystal substrate, and diamond single crystal substrate

Номер патента: US20060216220A1. Автор: Takahiro Imai,Yoshiyuki Yamamoto,Kiichi Meguro. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2006-09-28.

Method for producing SiC single crystal substrate in which a Cr surface impurity is removed using hydrochloric acid

Номер патента: US09873955B2. Автор: Akinori Seki. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for producing SiC single crystal

Номер патента: US09530642B2. Автор: Kazuhiko Kusunoki,Kazuhito Kamei,Motohisa Kado. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Quartz glass crucible, method for producing the same, and method for producing silicon single crystal

Номер патента: US09376336B2. Автор: Akihiro Kimura,Izumi Fusegawa,Katsuhiko Miki,Suguru Matsumoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

Method for producing sic single crystal

Номер патента: US20180100247A1. Автор: Katsunori Danno. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Electrochemical method for treatment of single-crystal silicon plates for solar batteries

Номер патента: RU2749534C1. Автор: Юрий Павлович Зайков,Ольга Леонидовна Семерикова,Алексей Алексеевич Трофимов,Сергей Викторович Вакарин,Александр Валерьевич Косов,Александр Алексеевич Панкратов,Анастасия Максимовна Леонова,Наталия Максимовна Леонова,Диана Михайловна Солодянкина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт высокотемпературной электрохимии Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2021-06-11.

Method for pulling a single crystal composed of silicon from a melt contained in a crucible, and single crystal produced thereby

Номер патента: US09988739B2. Автор: Martin Weber,Erich Gmeilbauer,Robert Vorbuchner. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for producing SiC single crystal

Номер патента: US09822468B2. Автор: Kazuaki Seki,Kazuhiko Kusunoki,Yutaka Kishida,Kazuhito Kamei,Hironori Daikoku. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for manufacturing a single-crystal 4H—SiC substrate

Номер патента: US09752254B2. Автор: Takanori Tanaka,Kenichi Hamano,Nobuyuki Tomita,Yoichiro Mitani,Zempei Kawazu,Akihito Ohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US09499924B2. Автор: Akihiro Kimura,Kiyotaka Takano,Junya Tokue. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for making MnBi2Te4 single crystal

Номер патента: US10883188B2. Автор: Yang Wu,HAO LI,Shou-Shan Fan,Yue-Gang Zhang. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-05.

Method for growing a single crystal by crystallizing the single crystal from a float zone

Номер патента: US9932691B2. Автор: Ludwig Altmannshofer,Martin Moeller,Georg Raming,Gundars Ratnieks,Frank Muemmler. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2018-04-03.

Systems and methods for producing a single crystal silicon ingot using a vaporized dopant

Номер патента: US20240309541A1. Автор: Richard J. Phillips,James Dean Eoff,William Lynn Luter,Yu-Chiao Wu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Self-healing method for fractured SiC single crystal nanowires

Номер патента: US10942099B2. Автор: Zhenyu Zhang,Junfeng Cui,Yuefeng DU,Dongming GUO. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2021-03-09.

Method for growing a single crystal by crystallizing the single crystal from a float zone

Номер патента: US09932691B2. Автор: Ludwig Altmannshofer,Martin Moeller,Georg Raming,Gundars Ratnieks,Frank Muemmler. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2018-04-03.

Silicon single crystal growing apparatus and method for growing silicon single crystal

Номер патента: US09783912B2. Автор: Ryoji Hoshi,Kosei Sugawara. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Base material on which single-crystal diamond is grown comprised of a base substrate, bonded single-crystal MgO layer, and heteroepitaxial film, and method for manufacturing a single-crystal diamond substrate on the base material

Номер патента: US09752255B2. Автор: Hitoshi Noguchi,Shozo Shirai. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for Manufacturing Boride Single Crystal and Substrate

Номер патента: US20070022944A1. Автор: Shinji Inoue,Kenji Hori,Mineo Isogami. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2007-02-01.

Methods for preparing a single crystal silicon ingot with reduced radial resistivity variation

Номер патента: WO2024177846A1. Автор: Jaewoo Ryu,Chun-Sheng Wu,Carissima Marie Hudson,Young Gil Jeong. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-08-29.

Manufacturing apparatus of SiC single crystal and method for manufacturing SiC single crystal

Номер патента: US09617655B2. Автор: Yoichiro Kawai,Hiroshi Suzuki,Tomokazu Ishii,Nobuhiro Okada,Kazuhiko Kusunoki,Hidemitsu Sakamoto,Kazuhito Kamei,Nobuyoshi Yashiro,Hironori Daikoku,Motohisa Kado,Kouji Moriguchi. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Methods for preparing a single crystal silicon ingot with reduced radial resistivity variation

Номер патента: US20240279840A1. Автор: Jaewoo Ryu,Chun-Sheng Wu,Carissima Marie Hudson,Young Gil Jeong. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for preparing homogeneous single crystal ternary III-V alloys

Номер патента: US5047112A. Автор: Theodore F. Ciszek. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 1991-09-10.

METHOD FOR PREPARING SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20180298519A1. Автор: Takehisa Minowa,Naofumi Shinya,Yu Hamaguchi,Norio Yamagata. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Method for manufacturing a single crystal by solution growth enabling trapping of parasitic crystals

Номер патента: US11952680B2. Автор: Bruno Pintault,Christian Belouet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-04-09.

METHOD FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20230042620A1. Автор: Takehisa Minowa,Naofumi Shinya,Yu Hamaguchi,Norio Yamagata. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Methods for producing a single crystal silicon ingot using boric acid as a dopant and ingot puller apparatus that use a solid-phase dopant

Номер патента: EP4394095A2. Автор: Nan Zhang,William L. Luter,Stephan Haringer,Hariprasad Sreedharamurthy,Richard J. Phillips,Yu-Chaio Wu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Methods for producing a single crystal silicon ingot using boric acid as a dopant and ingot puller apparatus that use a solid-phase dopant

Номер патента: WO2020263455A1. Автор: Nan Zhang,William L. Luter,Stephan Haringer,Hariprasad Sreedharamurthy,Richard J. Phillips,Yu-Chaio Wu. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-12-30.

Methods for producing a single crystal silicon ingot using boric acid as a dopant and ingot puller apparatus that use a solid-phase dopant

Номер патента: EP3990683A1. Автор: Nan Zhang,William L. Luter,Stephan Haringer,Hariprasad Sreedharamurthy,Richard J. Phillips,Yu-Chaio Wu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-04.

Methods for producing a single crystal silicon ingot using boric acid as a dopant and ingot puller apparatus that use a solid-phase dopant

Номер патента: US20200407869A1. Автор: Nan Zhang,William L. Luter,Stephan Haringer,Hariprasad Sreedharamurthy,Richard J. Phillips,Yu-Chaio Wu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Methods for forming a single crystal silicon ingot with reduced crucible erosion

Номер патента: EP4244411A1. Автор: Richard Joseph Phillips,Salvador Zepeda. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Methods for forming a single crystal silicon ingot with reduced crucible erosion

Номер патента: US12110609B2. Автор: Richard Joseph Phillips,Salvador Zepeda. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Methods for producing a single crystal silicon ingot using boric acid as a dopant and ingot puller apparatus that use a solid-phase dopant

Номер патента: EP4394095A3. Автор: Nan Zhang,William L. Luter,Stephan Haringer,Hariprasad Sreedharamurthy,Richard J. Phillips,Yu-Chiao Wu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-06.

Method for pulling silicon single crystal

Номер патента: US09863059B2. Автор: Tadahiro Sato,Toshiaki Sudo,Ken Kitahara,Eriko Kitahara. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Crucible-supporting pedestal, quartz crucible-supporting device, and method for producing silicon single crystal

Номер патента: US20200283925A1. Автор: Kenji Munezane. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Method for producing a single crystal of ferrite

Номер патента: US4339301A. Автор: Syunzo Mase,Soichiro Matsuzawa. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1982-07-13.

Simple method for detecting temperature distributions in single crystals and method for manufacturing silicon single crystals by employing the simple method

Номер патента: US6042646A. Автор: Kozo Nakamura,Toshiaki Saishoji,Fumitaka Ishikawa. Владелец: Komatsu Electronic Metals Co Ltd. Дата публикации: 2000-03-28.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US20140326174A1. Автор: Nobuaki Mitamura. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

Method for producing SiC single crystal, SiC single crystal, and SiC ingot

Номер патента: US10724152B2. Автор: Masakazu Kobayashi,Masanori Yamada,Tomohiro Shonai. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2020-07-28.

Method for producing sic single crystal

Номер патента: US20160122901A1. Автор: Katsunori Danno. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-05-05.

Method for producing SiC single crystal

Номер патента: US10023975B2. Автор: Nobuhira Abe. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-07-17.

Method for producing hexagonal single crystal, method for producing hexagonal single crystal wafer, hexagonal single crystal wafer, and hexagonal single crystal element

Номер патента: US20150376813A1. Автор: Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO. Владелец: CENTRAL RESEARCH INSTITUTE OF ELECTRIC POWER INDUSTRY. Дата публикации: 2015-12-31.

Method for pulling silicon single crystal

Номер патента: US20100089309A1. Автор: Masahiro Mori,Satoshi Soeta. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-15.

Method for producing sic single crystal, sic single crystal, and sic ingot

Номер патента: US20180355511A1. Автор: Masakazu Kobayashi,Masanori Yamada,Tomohiro Shonai. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2018-12-13.

Method for producing sic single crystal

Номер патента: US20160208409A1. Автор: Nobuhira Abe. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-07-21.

Method for evaluating silica glass crucible, method for producing silicon single crystals

Номер патента: US09809902B2. Автор: Tadahiro Sato,Toshiaki Sudo,Ken Kitahara,Eriko Kitahara,Makiko Kodama. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Method for producing nitride single crystal and autoclave used therefor

Номер патента: EP2725123A1. Автор: Kazuo Yoshida,Tsuguo Fukuda,Kensuke Aoki,Katsuhito Nakamura. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2014-04-30.

Silicon carbide single crystal, silicon carbide substrate and manufacturing method for silicon carbide single crystal

Номер патента: CA2524581C. Автор: Hiromu Shiomi,Hiroyuki Kinoshita. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-07-20.

Method for producing silicon single crystals and silicon single crystal produced thereby

Номер патента: US7442251B2. Автор: Tsuyoshi Nakamura,Shuichi Inami,Nobumitsu Takase,Hiroki Murakami,Ken Hamada. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2008-10-28.

Method for growing silicon single crystal

Номер патента: US20040244674A1. Автор: Toshiaki Ono,Tadami Tanaka,Hideshi Nishikawa,Shigeru Umeno,Eiichi Asayama. Владелец: Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp. Дата публикации: 2004-12-09.

Method for producing sic single crystal and method for suppressing dislocations in sic single crystal

Номер патента: EP4276227A2. Автор: Takehisa Minowa,Toshihiro Tsumori,Naofumi Shinya,Yu Hamaguchi,Norio Yamagata. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-15.

Production apparatus for metal oxide single crystal and production method for metal oxide single crystal

Номер патента: US20230235478A1. Автор: Takumi Kobayashi,Keigo Hoshikawa,Toshinori Taishi. Владелец: Shinshu University NUC. Дата публикации: 2023-07-27.

Method for producing sic single crystal and method for suppressing dislocations in sic single crystal

Номер патента: EP4276227A3. Автор: Takehisa Minowa,Toshihiro Tsumori,Naofumi Shinya,Yu Hamaguchi,Norio Yamagata. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-27.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US20160237589A1. Автор: Shinji Nakano,Kouichi Ikeda,Satoshi Soeta. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Method for producing nitride single crystal using nitrogen-containing solvent, mineralizer having fluorine atom, and raw material

Номер патента: US10501865B2. Автор: Makoto Saito,Shigefusa Chichibu,Yuji Kagamitani,Tohru Ishiguro,Chiaki Yokoyama,Rinzo Kayano,Quanxi Bao,Daisuke TOMIDA,Mutsuo UEDA. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2019-12-10.

Method For Pulling A Single Crystal Composed Of Silicon From A Melt Contained In A Crucible, and Single Crystal Produced Thereby

Номер патента: US20110195251A1. Автор: Martin Weber,Erich Gmeilbauer,Robert Vorbuchner. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2011-08-11.

Method for manufacturing silicon single crystal wafer and silicon single crystal wafer

Номер патента: US11959191B2. Автор: wei feng Qu,Shizuo Igawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Method For Growing A Single Crystal By Crystallizing The Single Crystal From A Float Zone

Номер патента: US20160177469A1. Автор: Ludwig Altmannshofer,Martin Moeller,Georg Raming,Gundars Ratnieks,Frank Muemmler. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2016-06-23.

Apparatus and method for producing silicon single crystal

Номер патента: US5152867A. Автор: Makoto Ito,Kaoru Kuramochi,Kiichiro Kitaura. Владелец: Kyushu Electronic Metal Co Ltd. Дата публикации: 1992-10-06.

Diamond single crystal, tool, and method for producing diamond single crystal

Номер патента: US20180141818A1. Автор: Hitoshi Sumiya,Katsuko Yamamoto,Keiko Arimoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Mg2Si SINGLE CRYSTAL, Mg2Si SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, INFRARED RAY-RECEIVING ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING Mg2Si SINGLE CRYSTAL

Номер патента: EP3995609A1. Автор: Haruhiko Udono. Владелец: Ibaraki University NUC. Дата публикации: 2022-05-11.

Method For Manufacturing Silicon Single Crystal Wafer

Номер патента: US20090000535A1. Автор: Koji Ebara. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-01.

GaN SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR MANUFACTURING GaN SINGLE CRYSTAL

Номер патента: EP3255181A1. Автор: Shinichiro Kawabata,Yutaka Mikawa,Hideo Fujisawa,Tae Mochizuki,Hideo NAMITA. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2017-12-13.

METHOD FOR PRODUCING AlN SINGLE CRYSTAL AND AlN SINGLE CRYSTAL

Номер патента: EP1806439A1. Автор: Makoto NGK Insulators Ltd. Iwai,Katsuhiro NGK Insulators Ltd. Imai. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2007-07-11.

Method for producing sic single crystal

Номер патента: WO2008155673A3. Автор: Hidemitsu Sakamoto. Владелец: Hidemitsu Sakamoto. Дата публикации: 2009-03-19.

Silica glass crucible for pulling up silicon single crystal, method for manufacturing thereof and method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US8506708B2. Автор: Satoshi Kudo,Masanori Fukui. Владелец: Japan Super Quartz Corp. Дата публикации: 2013-08-13.

Method for growing silicon single crystal

Номер патента: US5037503A. Автор: Tsutomu Kajimoto,Daizou Horie,Shin-ichi Sakurada. Владелец: Kyushu Electronic Metal Co Ltd. Дата публикации: 1991-08-06.

Method for measuring distance between lower end surface of heat shielding member and surface of raw material melt, method for controlling distance between lower end surface of heat shielding member and surface of raw material melt and method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US20240026565A1. Автор: Masahiro Akiba,Katsuyuki Kitagawa,Kosei Sugawara,Takaki IMAI. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for making mnbi2te4 single crystal

Номер патента: US20200370199A1. Автор: Yang Wu,HAO LI,Shou-Shan Fan,Yue-Gang Zhang. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Method for epitaxial growth from the vapour phase of semiconductor materials

Номер патента: CA1296241C. Автор: Peter Michael Frijlink. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1992-02-25.

Method for producing semiconductive single crystal

Номер патента: US4983249A. Автор: Tsunemasa Taguchi,Hirokuni Nanba. Владелец: Production Engineering Assoc. Дата публикации: 1991-01-08.

Methods for growing a single crystal silicon ingot using continuous czochralski method

Номер патента: WO2020214531A1. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-10-22.

Methods for producing a single crystal silicon ingot using a vaporized dopant

Номер патента: US11866844B2. Автор: Richard J. Phillips,James Dean Eoff,William Lynn Luter,Yu-Chiao Wu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Crucible and method for pulling a single crystal

Номер патента: US20100180815A1. Автор: Masaru Sato,Masaki Morikawa. Владелец: Japan Super Quartz Corp. Дата публикации: 2010-07-22.

Methods for growing a single crystal silicon ingot using continuous czochralski method

Номер патента: US20200332439A1. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-22.

Device and method for producing tubular single crystal

Номер патента: US20210214855A1. Автор: Masatoshi Harada,Ichiro SAKANO,Akeo Fukui. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2021-07-15.

Systems and methods for producing a single crystal silicon ingot using a vaporized dopant

Номер патента: US20240044041A1. Автор: Richard J. Phillips,James Dean Eoff,William Lynn Luter,Yu-Chiao Wu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Systems and methods for producing a single crystal silicon ingot using a vaporized dopant

Номер патента: EP4271864A1. Автор: Richard J. Phillips,James Dean Eoff,William Lynn Luter,Yu-Chiao Wu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-08.

Method for producing silicon single crystal ingot

Номер патента: SG182096A1. Автор: KATO Hideo,Murakami Hideaki. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2012-07-30.

Manufacturing method for manufacturing substrate of nitride crystal of group 13 element in periodic table

Номер патента: US20240293912A1. Автор: Yuri Ono,Mari YOSHIMORI HIGUCHI. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Cleaning method, method for producing silicon single crystal, and cleaning device

Номер патента: US20200346258A1. Автор: Koichi MAEGAWA,Satoru Hamakawa,Takuya Yotsui. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-11-05.

Method and apparatus for producing single crystals composed of semiconductor material

Номер патента: US09422636B2. Автор: Joerg Fischer,Helge Riemann,Matthias Renner,Nikolai V. Abrosimov. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2016-08-23.

SiC single-crystal ingot, SiC single crystal, and production method for same

Номер патента: US09732436B2. Автор: Takayuki Shirai,Katsunori Danno. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Hydrothermal method for growth of alkaline earth metal stannate bulk single crystals and crystals formed thereby

Номер патента: US11840772B2. Автор: Joseph W. Kolis,Colin D. McMillen,Rylan J. Terry. Владелец: Clemson University Research Foundation (CURF). Дата публикации: 2023-12-12.

Hydrothermal method for growth of alkaline earth metal stannate bulk single crystals and crystals formed thereby

Номер патента: US20220235488A1. Автор: Joseph W. Kolis,Colin D. McMillen,Rylan J. Terry. Владелец: Clemson University. Дата публикации: 2022-07-28.

Method for producing single crystal diamond, and single crystal diamond

Номер патента: EP4365338A1. Автор: Ryuji Oshima,Alexander Vul,Kanji Iizuka,Fedor Shakhov. Владелец: Ioffe Institute. Дата публикации: 2024-05-08.

Method for Producing Single Crystal Diamond and Single Crystal Diamond

Номер патента: US20240318348A1. Автор: Ryuji Oshima,Alexander Vul,Kanji Iizuka,Fedor Shakhov. Владелец: Ioffe Institute. Дата публикации: 2024-09-26.

Single-crystal diamond, method for manufacturing single-crystal diamond, and chemical vapor deposition device used in same

Номер патента: US20190031515A1. Автор: Yutaka Kobayashi,Yoshiki Nishibayashi,Natsuo Tatsumi,Hitoshi Sumiya,Akihiko Ueda,Takuya NOHARA. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC HARDMETAL CORP. Дата публикации: 2019-01-31.

Method and Apparatus for Reducing Impurities in a Single Crystal Based on Ingot Length

Номер патента: US20140102357A1. Автор: Keith Ritter. Владелец: Siemens Medical Solutions USA Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

Method For Growing Single-Crystal Silicon Ingots and Single-Crystal Silicon Ingots

Номер патента: US20240263351A1. Автор: Zhenliang Song,Shaojie Song. Владелец: Xian Eswin Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for producing single crystal

Номер патента: US09777400B2. Автор: Akira Matsushima,Tsutomu Hori,Shunsaku UETA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Production apparatus of SiC single crystal by solution growth method, method for producing SiC single crystal using the production apparatus, and crucible used in the production apparatus

Номер патента: US09702056B2. Автор: Nobuhiro Okada,Kazuhiko Kusunoki,Hidemitsu Sakamoto,Kazuhito Kamei,Nobuyoshi Yashiro,Hironori Daikoku,Motohisa Kado. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for preparing single crystal, and silicon crystal

Номер патента: EP4459013A1. Автор: Wei Wu,Chun-Hung Chen,Shuangli WANG. Владелец: Zhonghuan Advanced Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-06.

Method for manufacturing single crystal

Номер патента: US09863060B2. Автор: Atsushi Iwasaki,Shou Takashima,Yuuichi Miyahara,Yasuhiko Sawazaki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

SiC single crystal ingot and production method therefor

Номер патента: US09523156B2. Автор: Nobuhiro Okada,Kazuhiko Kusunoki,Hidemitsu Sakamoto,Hironori Daikoku,Motohisa Kado. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Sic single crystal substrate and production method therefor

Номер патента: EP4421219A1. Автор: Jun Yoshikawa,Kiyoshi MATSUSHIMA,Fumiyasu NOZAKI. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Apparatus for producing SiC single crystal by solution growth method, and method for producing SiC single crystal by using the production apparatus and crucible used in the production apparatus

Номер патента: US09783911B2. Автор: Nobuhiro Okada,Kazuhiko Kusunoki,Hidemitsu Sakamoto,Kazuhito Kamei,Nobuyoshi Yashiro,Hironori Daikoku,Motohisa Kado,Koji Moriguchi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Single-crystal 4H-SiC substrate

Номер патента: US09422640B2. Автор: Takanori Tanaka,Kenichi Hamano,Nobuyuki Tomita,Yoichiro Mitani,Zempei Kawazu,Akihito Ohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Single crystal, method for producing same, optical insulator and optical processor using same

Номер патента: RU2527082C2. Автор: Кийоси СИМАМУРА,Виллора Энкарнасион Антония ГАРСИА,Кадзуо САНАДА. Владелец: Нэшнл Инститьют Фор Матириалз Сайенс. Дата публикации: 2014-08-27.

SELF-STANDING GaN SUBSTRATE, GaN CRYSTAL, METHOD FOR PRODUCING GaN SINGLE CRYSTAL, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160233306A1. Автор: Kenji Fujito,Shuichi Kubo,Satoru Nagao,Yutaka Mikawa,Hideo Fujisawa,Tae Mochizuki,Hirotaka Ikeda,Yusuke Tsukada,Kazunori Kamada. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2016-08-11.

Self-standing GaN substrate, GaN crystal, method for producing GaN single crystal, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US12107129B2. Автор: Kenji Fujito,Shuichi Kubo,Satoru Nagao,Yutaka Mikawa,Hideo Fujisawa,Tae Mochizuki,Hirotaka Ikeda,Yusuke Tsukada,Kazunori Kamada. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Single crystal transition metal dichalcogenide thin film and method for synthesizing the same

Номер патента: US11859308B2. Автор: Soo Ho CHOI,Ki Kang KIM. Владелец: SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-01-02.

Methods of exfoliating single crystal materials

Номер патента: US20200395213A1. Автор: William Edwin McMAHON,Andrew Gordon Norman,Celeste Louise Melamed,Eric Steven Toberer. Владелец: Alliance for Sustainable Energy LLC. Дата публикации: 2020-12-17.

Silicon single crystal wafer, process for producing silicon single crystal wafer, and method for evaluating silicon single crystal wafer

Номер патента: TW201007865A. Автор: Kiyoshi Mitani,Takatoshi Nagoya,Fumio Tahara,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shinetsu Handotai Kk. Дата публикации: 2010-02-16.

Single crystal transition metal dichalcogenide thin film and method for synthesizing the same

Номер патента: US20210222322A1. Автор: Soo Ho CHOI,Ki Kang KIM. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-07-22.

Nonlinear single crystal of lithium chalcogenides and method for its preparation

Номер патента: RU2763463C1. Автор: Сергей Иванович Лобанов,Людмила Ивановна Исаенко,Александр Павлович Елисеев,Алина Александровна Голошумова,Алексей Федорович Курусь. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Новосибирский национальный исследовательский государственный университет" (Новосибирский государственный университет, НГУ). Дата публикации: 2021-12-29.

Support device for supporting a growing single crystal of semiconductor material and method for manufacturing a single crystal

Номер патента: JP4651032B2. Автор: クネーラー ディーター. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2011-03-16.

Compound semiconductor single crystals for photoelectric conversion elements, photoelectric conversion element, and production method for compound semiconductor single crystals for photoelectric conversion elements

Номер патента: EP2980282A4. Автор: Akira Noda,Ryuichi Hirano. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2016-10-05.

Method for controlling convection pattern of silicon melt, method for producing silicon single crystals, and device for pulling silicon single crystals

Номер патента: US20200399783A1. Автор: Naoki Matsushima,Hideki Sakamoto,Wataru Sugimura,Ryusuke Yokoyama. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Method for producing a single crystal of semiconductor material, device for carrying out the method and silicon semiconductor wafer

Номер патента: TWI707991B. Автор: 路德英格 歐曼薛佛,古特茲 麥斯特恩斯特,剛達斯 雷特尼克斯,賽門 希特賽斯伯格. Владелец: 德商世創電子材料公司. Дата публикации: 2020-10-21.

System for horizontal growth of high-quality semiconductor single crystals, and method of manufacturing same

Номер патента: EP3760765A1. Автор: Erwin Schmitt,Michael Vogel. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2021-01-06.

Mg2Si SINGLE CRYSTAL, Mg2Si SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, INFRARED RAY-RECEIVING ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING Mg2Si SINGLE CRYSTAL

Номер патента: EP3995609A4. Автор: Haruhiko Udono. Владелец: Ibaraki University NUC. Дата публикации: 2022-12-28.

Method for growing silicon single crystal

Номер патента: US20240003049A1. Автор: Yasufumi KAWAKAMI,Kazuyoshi Sakatani. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

GROWING METHOD OF SEMI-INSULATING SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: KR100775983B1. Автор: 오명환,송준석,서수형. Владелец: 네오세미테크 주식회사. Дата публикации: 2007-11-15.

Method for growing single crystals of vanadium dioxide

Номер патента: GB1095805A. Автор: . Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1967-12-20.

Method for manufacturing diamond single crystal substrate, and diamond single crystal substrate

Номер патента: EP1867760B1. Автор: Takahiro Imai,Yoshiyuki Yamamoto,Kiichi Meguro. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-05-22.

Base material for growing single crystal diamond and method for producing single crystal diamond substrate

Номер патента: US20110081531A1. Автор: Hitoshi Noguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-07.

Single crystals of chromium and method for producing the same

Номер патента: US4917722A. Автор: Tsutomu Kuniya,Koichi Hanawa,Tomoyuki Oikawa. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 1990-04-17.

Method for Producing Single Crystal of Polymer-Metal Complex

Номер патента: US20170016139A1. Автор: Bunnai Saito. Владелец: Takeda Pharmaceutical Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-19.

Method for pulling a single crystal of silicon in accordance with the czochralski method

Номер патента: US20220259762A1. Автор: Walter Heuwieser,Michael SKROBANEK,Karl Mangelberger. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2022-08-18.

Single crystal silicon ingot having axial uniformity

Номер патента: US20210363657A1. Автор: Carissima Marie Hudson,Jae-Woo Ryu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

METHOD FOR PRODUCING A SINGLE CRYSTAL OF SEMICONDUCTOR MATERIAL

Номер патента: US20130192518A1. Автор: Fischer Joerg,von Ammon Wilfried,ALTMANNSHOFER Ludwig,Riemann Helge. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2013-08-01.

Method for Growing Single Crystals of Metals

Номер патента: US20090120351A1. Автор: James R. Ciulik,Eric M. Taleff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-05-14.

Method for preparing single crystal oxide thin film

Номер патента: EP1314800A4. Автор: Masashi Kawasaki,Hideomi Koinuma,Yuji Matsumoto. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2007-02-14.

Single-crystal manufacturing method and single-crystal manufacturing apparatus

Номер патента: US20110214605A1. Автор: Takashi Mori,Susumu Sonokawa,Suguru Matsumoto,Toshiharu Uesugi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-08.

Method and apparatus for growing high quality single crystal

Номер патента: EP1201793A4. Автор: Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Takatomo Sasaki. Владелец: Japan Science and Technology Corp. Дата публикации: 2003-02-05.

Manufacturing method for silicon single crystal

Номер патента: US20100175612A1. Автор: Tomohiro Fukuda,Shinichi Kawazoe,Yasuhito Narushima,Toshimichi Kubota,Fukuo Ogawa. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2010-07-15.

Quartz glass crucible, method for producing silicon single crystal using same, method for measuring infrared transmittance of quartz glass crucible, and method for manufacturing quartz glass crucible

Номер патента: SG11202106610PA. Автор: Hiroshi Kishi,Masanori Fukui,Ken Kitahara,Eriko Kitahara,Tomokazu Katano. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Method for cleaning single crystal pulling apparatus, cleaning tool for use therein, and method for manufacturing single crystal

Номер патента: US10000863B2. Автор: Kenji Okita. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-06-19.

SiC single crystal manufacturing method, SiC single crystal manufacturing device, and SiC single crystal wafer

Номер патента: US11932967B2. Автор: Tadaaki Kaneko. Владелец: Toyota Tsusho Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Method for synthesizing intergrown twin Ni2Mo6S6O2/MoS2 two-dimensional nanosheet

Номер патента: US11946161B2. Автор: Qiong Liu,Hui Cheng,Fuxian WANG,Liling WEI. Владелец: Institute Of Analysis Guangdong Academy Of Sciences China National Analytical Center Guangzhou. Дата публикации: 2024-04-02.

Formation method of single crystal semiconductor layer, formation method of crystalline semiconductor layer, formation method of polycrystalline layer, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090111247A1. Автор: Koichiro Tanaka,Satoru Okamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-30.

SiC SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR

Номер патента: US20240141544A1. Автор: Jun Yoshikawa,Kiyoshi MATSUSHIMA,Fumiyasu NOZAKI. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for pulling a single crystal composed of semiconductor material from a melt contained in a crucible

Номер патента: US20190345630A1. Автор: Walter Heuwieser,Thomas Schroeck. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2019-11-14.

Apparatus for producing sic single crystal by solution growth method, method for producing sic single crystal using apparatus for producing sic single crystal by solution growth method, and crucible used in apparatus for producing sic single crystal

Номер патента: TW201313970A. Автор: Nobuhiro Okada,Kazuhiko Kusunoki,Hidemitsu Sakamoto,Kazuhito Kamei,Nobuyoshi Yashiro,Hironori Daikoku,Motohisa Kado. Владелец: Sumitomo Metal Ind. Дата публикации: 2013-04-01.

Apparatus for producing sic single crystal by solution growth method, method for producing sic single crystal using apparatus for producing sic single crystal by solution growth method, and crucible used in apparatus for producing sic single crystal by solution growth method

Номер патента: WO2012176647A1. Автор: 秀光 坂元,信宏 岡田,楠　一彦,亀井　一人,矢代　将斉,寛典 大黒,幹尚 加渡. Владелец: 住友金属工業株式会社. Дата публикации: 2012-12-27.

Method for growing a gaas single crystal by pulling from gaas melt

Номер патента: CA1228524A. Автор: Jun-ichi Nishizawa. Владелец: Zaidan Hojin Handotai Kenkyu Shinkokai. Дата публикации: 1987-10-27.

Method, apparatus, and computer-readable storage medium for growing single crystal by using czochralski technique

Номер патента: US20220389610A1. Автор: QIAO LI,Zhengyuan Wang,Feifei DOU. Владелец: Longi Green Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Systems and methods for forming single crystal silicon ingots with crucibles having a synthetic liner

Номер патента: US20240035198A1. Автор: Richard Joseph Phillips. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

ScAIMgO4 single crystal substrate and method for producing the same

Номер патента: US10767277B2. Автор: Masaki Nobuoka,Kentaro Miyano,Naoya Ryoki,Takehiro Asahi,Naoto YANAGITA. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2020-09-08.

Systems and methods for forming single crystal silicon ingots with crucibles having a synthetic liner

Номер патента: WO2024025821A1. Автор: Richard Joseph Phillips. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-02-01.

METHOD FOR PRODUCING HEXAGONAL SINGLE CRYSTAL, METHOD FOR PRODUCING HEXAGONAL SINGLE CRYSTAL WAFER, HEXAGONAL SINGLE CRYSTAL WAFER, AND HEXAGONAL SINGLE CRYSTAL ELEMENT

Номер патента: US20150376813A1. Автор: TSUCHIDA Hidekazu,KAMATA Isaho,HOSHINO Norihiro. Владелец: CENTRAL RESEARCH INSTITUTE OF ELECTRIC POWER INDUSTRY. Дата публикации: 2015-12-31.

Continuous single crystal growth of graphene

Номер патента: US20180187331A1. Автор: Ivan V. Vlassiouk,Frederick Alyious List, III,Yijing Y. Stehle,Sergei N. Smirnov. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2018-07-05.

Continuous single crystal growth of graphene

Номер патента: WO2018125591A1. Автор: Ivan V. Vlassiouk,Yijing Y. Stehle,Sergei N. Smirnov,III Frederick Alyious LIST. Владелец: UT-BATTELLE, LLC. Дата публикации: 2018-07-05.

Seed crystal for pulling silicon single crystal and method for manufacturing silicon single crystal by using the seed crystal

Номер патента: EP2186929A4. Автор: Nobumitsu Takase. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2015-03-04.

APPARATUS FOR MANUFACTURING COMPOUND SINGLE CRYSTAL, METHOD FOR MANUFACTURING COMPOUND SINGLE CRYSTAL, AND GaN SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20190330762A1. Автор: NAKAMURA Daisuke,KIMURA Taishi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOYOTA CHUO KENKYUSHO. Дата публикации: 2019-10-31.

Program for calculating pulling conditions of silicon single crystal, method for improving hot zone of silicon single crystal, and method for growing silicon single crystal

Номер патента: CN110139951B. Автор: 末若良太. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2021-04-09.

Apparatus for manufacturing silicon single crystal, method for manufacturing silicon single crystal, and silicon single crystal

Номер патента: US7368011B2. Автор: Satoshi Sato,Youji Suzuki. Владелец: Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp. Дата публикации: 2008-05-06.

Program for calculating pulling conditions for silicon single crystal, method for improving hot-zone of silicon single crystal, and method for generating silicon single crystal

Номер патента: TW201830269A. Автор: 末若良太. Владелец: 日商Ｓｕｍｃｏ股份有限公司. Дата публикации: 2018-08-16.

Method for growing a nitrogen doped single crystal silicon ingot using continuous czochralski method and a single crystal silicon ingot grown by this method

Номер патента: EP4245895A3. Автор: Carissima Marie Hudson,Jae-Woo Ryu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-15.

Method for manufacturing single-crystal semiconductor layer, structure comprising single-crystal semiconductor layer, and semiconductor device comprising structure

Номер патента: US11948795B2. Автор: Jin Won Jung,Myung Mo SUNG,Jong Chan Kim,Lynn Lee. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-04-02.

METHOD FOR GROWING SINGLE CRYSTAL GaN ON SILICON

Номер патента: EP1642327A2. Автор: Andrzej Peczalski,Thomas E. Nohava. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2006-04-05.

SELF-STANDING GaN SUBSTRATE, GaN CRYSTAL, METHOD FOR PRODUCING GaN SINGLE CRYSTAL, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200013860A1. Автор: Kenji Fujito,Shuichi Kubo,Satoru Nagao,Yutaka Mikawa,Hideo Fujisawa,Tae Mochizuki,Hirotaka Ikeda,Yusuke Tsukada,Kazunori Kamada. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Method for growing a nitrogen doped single crystal silicon ingot using continuous czochralski method and a single crystal silicon ingot grown by this method

Номер патента: EP4245894A3. Автор: Carissima Marie Hudson,Jae-Woo Ryu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-14.

Seed crystal for pulling silicon single crystal and method for manufacturing silicon single crystal using the same

Номер патента: TW200914651A. Автор: Nobumitsu Takase. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2009-04-01.

Directional solidification method for superalloy single crystal blade based on solid-liquid interface steady control

Номер патента: US12023729B2. Автор: Jun Li,Jianguo Li,Long ZENG,Binqiang Wang,Mingxu Xia,Neng REN. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2024-07-02.

Methods for producing a single crystal silicon ingot using boric acid as a dopant

Номер патента: EP3990683B1. Автор: Nan Zhang,William L. Luter,Stephan Haringer,Hariprasad Sreedharamurthy,Richard J. Phillips. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Apparatus and method for manufacturing semiconductor single crystal

Номер патента: TWI281521B. Автор: Akihiro Iida,Akiko Noda. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2007-05-21.

Device and method for pulling a single crystal

Номер патента: TW415978B. Автор: Erich Dornberger,Ammon Wilfried Von,Hans Oelkrug,Franz Segieth. Владелец: Wacker Siltronic Halbleitermat. Дата публикации: 2000-12-21.

Method for preparing sic single crystal

Номер патента: EP3388560B8. Автор: Takehisa Minowa,Naofumi Shinya,Yu Hamaguchi,Norio Yamagata. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-22.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: US12116691B2. Автор: Koichi MAEGAWA,Yasufumi KAWAKAMI. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Method For Growing A Single Crystal By Crystallizing The Single Crystal From A Float Zone

Номер патента: US20160177469A1. Автор: Raming Georg,Muemmler Frank,Moeller Martin,ALTMANNSHOFER Ludwig,RATNIEKS Gundars. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

Method for producing silicon single crystal with few crystal defects and silicon single crystal wafer

Номер патента: JP3747123B2. Автор: 雅規 木村,聡 鈴木,誠 飯田,栄一 飯野,正三 村岡. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-22.

Crucible for growing SiC single crystal, method for producing SiC single crystal, and SiC single crystal production apparatus

Номер патента: CN111424311B. Автор: 藤川阳平. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2022-06-28.

A method for pulling a single crystal of silicon and then produced single crystal

Номер патента: DE102009024473B4. Автор: Markus Bär. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2015-11-26.

Production and use of dynamic state charts when growing a single crystal silicon ingot

Номер патента: US11795571B2. Автор: Giorgio Agostini,Stephan Haringer,Marco Zardoni. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Method for growing a nitrogen doped single crystal silicon ingot using continuous czochralski method and a single crystal silicon ingot grown by this method

Номер патента: EP4245894A2. Автор: Carissima Marie Hudson,Jae-Woo Ryu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Method for growing a nitrogen doped single crystal silicon ingot using continuous czochralski method and a single crystal silicon ingot grown by this method

Номер патента: EP4245895A2. Автор: Carissima Marie Hudson,Jae-Woo Ryu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Production and use of dynamic state charts when growing a single crystal silicon ingot

Номер патента: WO2021018883A1. Автор: Giorgio Agostini,Stephan Haringer,Marco Zardoni. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-02-04.

SELF-STANDING GaN SUBSTRATE, GaN CRYSTAL, METHOD FOR PRODUCING GaN SINGLE CRYSTAL, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190312111A1. Автор: Kenji Fujito,Shuichi Kubo,Satoru Nagao,Yutaka Mikawa,Hideo Fujisawa,Tae Mochizuki,Hirotaka Ikeda,Yusuke Tsukada,Kazunori Kamada. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

SELF-STANDING GaN SUBSTRATE, GaN CRYSTAL, METHOD FOR PRODUCING GaN SINGLE CRYSTAL, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210273058A1. Автор: Kenji Fujito,Shuichi Kubo,Satoru Nagao,Yutaka Mikawa,Hideo Fujisawa,Tae Mochizuki,Hirotaka Ikeda,Yusuke Tsukada,Kazunori Kamada. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2021-09-02.

Synthetic single crystal diamonds, methods for manufacturing synthetic single crystal diamonds, and tools using synthetic single crystal diamonds

Номер патента: JP6752143B2. Автор: 夏生 辰巳,均 角谷,角谷　均,良樹 西林,豊 小林,西林　良樹,暁彦 植田,小林　豊. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC HARDMETAL CORP. Дата публикации: 2020-09-09.

Low temperature method of preparing GaN single crystals

Номер патента: US5868837A. Автор: Hisanori Yamane,Francis J. DiSalvo,Jay Molstad. Владелец: Cornell Research Foundation Inc. Дата публикации: 1999-02-09.

Silica glass crucible for pulling up silicon single crystal, method for manufacturing thereof and method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: KR101165598B1. Автор: 마사키 모리카와,마사노리 후쿠이,사토시 구도. Владелец: 쟈판 스파 쿼츠 가부시키가이샤. Дата публикации: 2012-07-23.

Method for manufacturing sic single-crystal substrate for epitaxial sic wafer, and sic single-crystal substrate for epitaxial sic wafer

Номер патента: WO2014196394A1. Автор: 藤本　辰雄,崇 藍郷,伊藤　渉. Владелец: 新日鐵住金株式会社. Дата публикации: 2014-12-11.

Silicon seed crystal and method for producing silicon single crystal

Номер патента: KR19990083017A. Автор: 기무라마사노리,이이노에이이찌. Владелец: 와다 다다시. Дата публикации: 1999-11-25.

Method for controlling convection pattern of silicon melt, method for producing silicon single crystals, and device for pulling silicon single crystals

Номер патента: US11781242B2. Автор: Naoki Matsushima,Hideki Sakamoto,Wataru Sugimura,Ryusuke Yokoyama. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Production and use of dynamic state charts when growing a single crystal silicon ingot

Номер патента: EP4004261A1. Автор: Giorgio Agostini,Stephan Haringer,Marco Zardoni. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-01.

MANUFACTURING APPARATUS OF SiC SINGLE CRYSTAL, JIG FOR USE IN THE MANUFACTURING APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20130305981A1. Автор: Okada Nobuhiro,Kamei Kazuhito,Kusunoki Kazuhiko,Yashiro Nobuyoshi,Daikoku Hironori,Kado Motohisa,SAKAMOTO Hidemitsu. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-21.

SELF-STANDING GaN SUBSTRATE, GaN CRYSTAL, METHOD FOR PRODUCING GaN SINGLE CRYSTAL, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200013860A1. Автор: FUJISAWA Hideo,Mikawa Yutaka,Kamada Kazunori,TSUKADA Yusuke,NAGAO Satoru,Kubo Shuichi,Ikeda Hirotaka,Fujito Kenji,Mochizuki Tae. Владелец: MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION. Дата публикации: 2020-01-09.

Method for producing a single-crystal film of aln material and substrate for the epitaxial growth of a single-crystal film of aln material

Номер патента: US20210032772A1. Автор: Bruno Ghyselen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2021-02-04.

COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL INGOT FOR PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICES, PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE, AND PRODUCTION METHOD FOR COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL INGOT FOR PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICES

Номер патента: US20160056313A1. Автор: NODA Akira,HIRANO Ryuichi. Владелец: JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION. Дата публикации: 2016-02-25.

STARTING MATERIAL ALUMINA FOR PRODUCTION OF SAPPHIRE SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING SAPPHIRE SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20150104375A1. Автор: Fukuda Tsuguo,OZAKI Hirotaka. Владелец: Sumitomo Chemical Company, Limited. Дата публикации: 2015-04-16.

APPARATUS FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20150152569A1. Автор: Okada Nobuhiro,Moriguchi Koji,Kamei Kazuhito,Kusunoki Kazuhiko,Yashiro Nobuyoshi,Daikoku Hironori,SAKAMOTO Hidemitsu,Kado Motohia. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-04.

APPARATUS FOR PRODUCING SIC SINGLE CRYSTAL BY SOLUTION GROWTH METHOD, AND METHOD FOR PRODUCING SIC SINGLE CRYSTAL BY USING THE PRODUCTION APPARATUS AND CRUCIBLE USED IN THE PRODUCTION APPARATUS

Номер патента: US20150191848A1. Автор: Okada Nobuhiro,Moriguchi Koji,Kamei Kazuhito,Kusunoki Kazuhiko,Yashiro Nobuyoshi,Daikoku Hironori,Kado Motohisa,SAKAMOTO Hidemitsu. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2015-07-09.

SELF-STANDING GaN SUBSTRATE, GaN CRYSTAL, METHOD FOR PRODUCING GaN SINGLE CRYSTAL, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160233306A1. Автор: FUJISAWA Hideo,Mikawa Yutaka,Kamada Kazunori,TSUKADA Yusuke,NAGAO Satoru,Kubo Shuichi,Ikeda Hirotaka,Fujito Kenji,Mochizuki Tae. Владелец: MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION. Дата публикации: 2016-08-11.

METHOD FOR CALCULATING A HEIGHT POSITION OF SILICON MELT SURFACE, METHOD FOR PULLING SILICON SINGLE CRYSTAL, AND SILICON SINGLE CRYSTAL PULLING APPARATUS

Номер патента: US20140373774A1. Автор: MASUDA Naoki,YANAGIMACHI Takahiro. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2014-12-25.

METHOD FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL AND APPARATUS FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20170298533A1. Автор: Moriguchi Koji,Kamei Kazuhito,Kusunoki Kazuhiko,Daikoku Hironori,KISHIDA Yutaka,DOI Masayoshi,KAIDO Hiroshi,SEKI Kazuaki. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-19.

SELF-STANDING GaN SUBSTRATE, GaN CRYSTAL, METHOD FOR PRODUCING GaN SINGLE CRYSTAL, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190312111A1. Автор: FUJISAWA Hideo,Mikawa Yutaka,Kamada Kazunori,TSUKADA Yusuke,NAGAO Satoru,Kubo Shuichi,Ikeda Hirotaka,Fujito Kenji,Mochizuki Tae. Владелец: MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION. Дата публикации: 2019-10-10.

METHOD FOR MANUFACTURING SIC SINGLE-CRYSTAL SUBSTRATE FOR EPITAXIAL SIC WAFER, AND SIC SINGLE-CRYSTAL SUBSTRATE FOR EPITAXIAL SIC WAFER

Номер патента: US20150361585A1. Автор: ITO Wataru,Aigo Takashi,Fujimoto Tatsuo. Владелец: NIPPON STEEL & SUMITOMO METAL CORPORATION. Дата публикации: 2015-12-17.

Method for controlling convection pattern of silicon melt, method for producing silicon single crystals, and device for pulling silicon single crystals

Номер патента: US20200399783A1. Автор: Naoki Matsushima,Hideki Sakamoto,Wataru Sugimura,Ryusuke Yokoyama. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Method for producing silicon single crystal having uniform distribution of crystal defects and apparatus for manufacturing same

Номер патента: KR970001619A. Автор: 마사히로 사꾸라다,와따루 사또,도모히꼬 오오따. Владелец: 신에쓰한도따이 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1997-01-24.

Crucible for growing sapphire single crystal and method for growing sapphire single crystal

Номер патента: JPWO2014148156A1. Автор: 博 横山,大 田賀,聖一 星. Владелец: ALMT Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

Method for indirectly controlling crystal pulling diameter and method for producing Czochralski single crystal ingot

Номер патента: CN111593403A. Автор: 河野贵之,马国忠,梁万亮,丁亚国,顾燕滨. Владелец: Ningxia Yinhe New Energy Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-08-28.

Apparatus for growing sic single crystal and method for growing sic single crystal using the same

Номер патента: KR101930997B1. Автор: 서상준,사공성환. Владелец: 주식회사 아르케. Дата публикации: 2019-03-11.

Silicon single crystal wafer for IGBT and method for manufacturing silicon single crystal wafer for IGBT

Номер патента: US8617311B2. Автор: Toshiaki Ono,Wataru Sugimura,Shigeru Umeno,Masataka Hourai. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2013-12-31.

Method for producing a single-crystal film of aln material and substrate for the epitaxial growth of a single-crystal film of aln material

Номер патента: EP3775333A2. Автор: Bruno Ghyselen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2021-02-17.

APPARATUS FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: KR101488125B1. Автор: 히로시 스즈키,히로노리 다이코쿠,히데미츠 사카모토,모토히사 가도,가즈히코 구스노키,노부히로 오카다,가즈히토 가메이,노부요시 야시로,고우지 모리구치,도모카즈 이시이,요이치로 가와이. Владелец: 신닛테츠스미킨 카부시키카이샤. Дата публикации: 2015-01-29.

Silicon single crystal wafer for igbt and method for manufacturing silicon single crystal wafer for igbt

Номер патента: TWI347985B. Автор: Toshiaki Ono,Wataru Sugimura,Shigeru Umeno,Masataka Hourai. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2011-09-01.

An apparatus for producing a single crystal and a method for producing a single crystal

Номер патента: DE102005060391B4. Автор: Yoshihiro Kodama. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-16.

APPARATUS FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: WO2012090946A1. Автор: 秀光 坂元,伴和 石井,信宏 岡田,洋一郎 河合,楠　一彦,亀井　一人,鈴木　寛,矢代　将斉,晃治 森口,寛典 大黒,幹尚 加渡. Владелец: 住友金属工業株式会社. Дата публикации: 2012-07-05.

Silicon single crystal wafer for igbt and method for manufacturing silicon single crystal wafer for igbt

Номер патента: SG170005A1. Автор: Toshiaki Ono,Wataru Sugimura,Shigeru Umeno,Masataka Hourai. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2011-04-29.

Compound semiconductor single crystal ingot for photoelectric conversion devices, photoelectric conversion device, and production method for compound semiconductor single crystal ingot for photoelectric conversion devices

Номер патента: US9362431B2. Автор: Akira Noda,Ryuichi Hirano. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2016-06-07.

Base substrate, single crystal diamond multilayer substrate, method for producing said base substrate, and method for producing said single crystal diamond multilayer substrate

Номер патента: WO2023153396A1. Автор: 仁 野口. Владелец: 信越化学工業株式会社. Дата публикации: 2023-08-17.

A method for producing a single crystal layer of a diamond or iridium material, and a substrate for epitaxially growing a single crystal layer of a diamond or iridium material.

Номер патента: JP2021518322A. Автор: ブルーノ ギスレン，. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2021-08-02.

Method and apparatus for growing silicon single crystal ingots

Номер патента: US20240003047A1. Автор: Woo Tae Kim. Владелец: SK Siltron Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Methods for growing a nitrogen doped single crystal silicon ingot using continuous czochralski method

Номер патента: US20210079554A1. Автор: Carissima Marie Hudson,Jae-Woo Ryu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Self-standing gan substrate, gan crystal, method for producing gan single crystal, and method for producing semiconductor device

Номер патента: EP3315639B1. Автор: Kenji Fujito,Shuichi Kubo,Satoru Nagao,Yutaka Mikawa,Hideo Fujisawa,Tae Mochizuki,Hirotaka Ikeda,Yusuke Tsukada,Kazunori Kamada. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2024-05-01.

Methods for growing a nitrogen doped single crystal silicon ingot using continuous czochralski method

Номер патента: US20210363658A1. Автор: Carissima Marie Hudson,Jae-Woo Ryu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

System for manufacturing silicon single crystal and method for manufacturing silicon single crystal using this system

Номер патента: EP2039811B1. Автор: Makoto Iida,Nobuaki Mitamura,Takahiro Yanagimachi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-19.

Method and device for manufacturing silicon wafer, method for manufacturing silicon single crystal, and device for pulling up silicon single crystal

Номер патента: TW200415264A. Автор: Kozo Nakamura,Takashi Yokoyama,Koji Yoshihara,Ryota Suewaka,Toshiaki Saishoji. Владелец: Komatsu Denki Kinzoku Kabushiki Kaisha. Дата публикации: 2004-08-16.

SELF-STANDING GaN SUBSTRATE, GaN CRYSTAL, METHOD FOR PRODUCING GaN SINGLE CRYSTAL, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: EP3031958A4. Автор: Kenji Fujito,Shuichi Kubo,Satoru Nagao,Yutaka Mikawa,Hideo Fujisawa,Tae Mochizuki,Hirotaka Ikeda,Yusuke Tsukada,Kazunori Kamada. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2016-07-13.

Method for producing silicon single crystal wafer for particle monitoring and silicon single crystal wafer for particle monitoring

Номер патента: TW499509B. Автор: Katsuhiko Miki,Masaro Tamatsuka. Владелец: Shinetsu Handotai Kk. Дата публикации: 2002-08-21.

MANUFACTURING APPARATUS OF SiC SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR MANUFACTURING SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20130284083A1. Автор: Suzuki Hiroshi,Okada Nobuhiro,Kamei Kazuhito,Yashiro Nobuyoshi,Daikoku Hironori,Kado Motohisa,SAKAMOTO Hidemitsu,Ishii Tomokazu,KAWAI Yoichiro,Kasunoki Kazuhiko,Moriguchi Kouji. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-31.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON SINGLE CRYSTAL INGOT, AND SILICON SINGLE CRYSTAL INGOT MANUFACTURED BY THE METHOD

Номер патента: US20180002827A1. Автор: SONG Do Won,KANG Jong Min. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

Method for manufacturing silicon single crystal, flow straightening member, and single crystal pulling device

Номер патента: US20200027732A1. Автор: Yasuhito Narushima,Fukuo Ogawa,Koichi MAEGAWA,Yasufumi KAWAKAMI. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-01-23.

PRODUCTION APPARATUS OF SiC SINGLE CRYSTAL BY SOLUTION GROWTH METHOD, METHOD FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL USING THE PRODUCTION APPARATUS, AND CRUCIBLE USED IN THE PRODUCTION APPARATUS

Номер патента: US20140116325A1. Автор: Okada Nobuhiro,Kamei Kazuhito,Kusunoki Kazuhiko,Yashiro Nobuyoshi,Daikoku Hironori,Kado Motohisa,Kasamoto Hidamisu. Владелец: . Дата публикации: 2014-05-01.

METHOD FOR PRODUCING SILICON SINGLE CRYSTAL, HEAT SHIELD, AND SINGLE CRYSTAL PULLING DEVICE

Номер патента: US20200115821A1. Автор: NARUSHIMA Yasuhito,UTO Masayuki. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2020-04-16.

GaN SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR MANUFACTURING GaN SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20190127881A1. Автор: FUJISAWA Hideo,Mikawa Yutaka,KAWABATA SHINICHIRO,NAMITA Hideo,Mochizuki Tae. Владелец: MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION. Дата публикации: 2019-05-02.

METHOD FOR PRODUCING PIEZOELECTRIC SINGLE CRYSTAL INGOT AND PIEZOELECTRIC SINGLE CRYSTAL INGOT

Номер патента: US20200131667A1. Автор: Nakamura Keiichiro,ECHIZENYA Kazuhiko. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

Diamond single crystal, tool, and method for producing diamond single crystal

Номер патента: US20180141818A1. Автор: Hitoshi Sumiya,Katsuko Yamamoto,Keiko Arimoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

GaN SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR MANUFACTURING GaN SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20210230770A1. Автор: FUJISAWA Hideo,Mikawa Yutaka,KAWABATA SHINICHIRO,NAMITA Hideo,Mochizuki Tae. Владелец: MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION. Дата публикации: 2021-07-29.

SILICON SINGLE CRYSTAL GROWING APPARATUS AND METHOD FOR GROWING SILICON SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20150240379A1. Автор: Sugawara Kosei,Hoshi Ryoji. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

METHOD FOR MANUFACTURING A SINGLE CRYSTAL BY SOLUTION GROWTH ENABLING TRAPPING OF PARASITIC CRYSTALS

Номер патента: US20210348297A1. Автор: Pintault Bruno,BELOUET Christian. Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2021-11-11.

SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL PULLING APPARATUS AND METHOD FOR REMELTING SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL USING THIS

Номер патента: US20170292205A1. Автор: Urano Masahiko,MASUDA Naoki. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2017-10-12.

GaN SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR MANUFACTURING GaN SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20170327971A1. Автор: FUJISAWA Hideo,Mikawa Yutaka,KAWABATA SHINICHIRO,NAMITA Hideo,Mochizuki Tae. Владелец: MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION. Дата публикации: 2017-11-16.

METHOD FOR PRODUCING SIC SINGLE CRYSTAL, SIC SINGLE CRYSTAL, AND SIC INGOT

Номер патента: US20180355511A1. Автор: YAMADA Masanori,Shonai Tomohiro,KOBAYASHI Masakazu. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2018-12-13.

Method for preparing silicon single crystal and silicon single crystal

Номер патента: KR100735902B1. Автор: 후세가와이즈미,호시료지,이노코시고이치,오오타도모히코. Владелец: 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤. Дата публикации: 2007-07-04.

Method for producing silicon single crystal and silicon single crystal

Номер патента: KR100804459B1. Автор: 게이세이 아베. Владелец: 가부시키가이샤 사무코. Дата публикации: 2008-02-20.

Method for producing AlN single crystal and AlN single crystal

Номер патента: JP4780720B2. Автор: 克宏 今井,真 岩井. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2011-09-28.

Method for manufacturing silicon single crystal ingot and silicon single crystal ingot

Номер патента: CN110536980B. Автор: 杉村涉,小野敏昭,宝来正隆,藤原俊幸. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2021-06-29.

Silicon single crystal wafer and method for producing silicon single crystal

Номер патента: CN1296529C. Автор: 樱田昌弘,小林武史,森达生,布施川泉,太田友彦. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-24.

Silicon single crystal wafer and method for producing silicon single crystal wafer

Номер патента: EP0962557A1. Автор: Masaro c/o Isobe R & D Center Tamatsuka,Akihiro c/o Isobe R & D Center Kimura,Katsuhiko c/o Isobe R & D Center Miki,Makoto c/o Isobe R & D Center Iida. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 1999-12-08.

Semiconductor single crystal pulling apparatus and method for remelting semiconductor single crystal using same

Номер патента: KR102241325B1. Автор: 나오키 마스다,마사히코 우라노. Владелец: 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤. Дата публикации: 2021-04-16.

Method for making silicon single crystal and used seed crystal

Номер патента: CN1149306C. Автор: ,�˱�Т,阿部孝夫,木村雅规. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-12.

Method for producing silicon single crystal and, silicon single crystal and silicon wafer

Номер патента: WO2003091483A1. Автор: Sadayuki Okuni,Nobuaki Mitamura,Izumi Fusegawa,Tomohiko Ohta,Nobuo Katuoka. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2003-11-06.

Silicon carbide single crystal, silicon carbide substrate and manufacturing method for silicon carbide single crystal

Номер патента: KR100827970B1. Автор: 히로무 시오미,히로유키 기노시타. Владелец: 스미토모 덴키 고교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2008-05-08.

Method for producing silicon single crystal and, silicon single crystal and silicon wafer

Номер патента: EP1498517A4. Автор: T Ohta,I Fusegawa,S Okuni,N Mitamura,N Katuoka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-17.

Method for manufacturing silicon single-crystal ingot, and silicon single-crystal ingot

Номер патента: WO2018159108A1. Автор: 小野　敏昭,藤原　俊幸,宝来　正隆,渉 杉村. Владелец: 株式会社Sumco. Дата публикации: 2018-09-07.

Single crystal manufacturing apparatus and method for producing a single crystal

Номер патента: DE112009000526B4. Автор: Takao Abe. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-09.

Method for manufacturing silicon single crystal, silicon single crystal manufactured by the method, and silicon wafer

Номер патента: WO2001016410A1. Автор: Makoto Iida,Masanori Kimura,Hiroshi Takeno,Yoshinori Hayamizu. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2001-03-08.

Method for producing silicon single crystal with fewer crystal defects

Номер патента: KR960023272A. Автор: 마사히로 사꾸라다,기요따까 다까노,에이이찌 이이노,히로또시 야마기시. Владелец: 이가라시 유끼. Дата публикации: 1996-07-18.

Method for producing sapphire single crystal, and sapphire single crystal obtained by the method

Номер патента: WO2011001905A1. Автор: 智博 庄内. Владелец: 昭和電工株式会社. Дата публикации: 2011-01-06.

Apparatus and method for producing a single crystal, single crystal and semiconductor wafer

Номер патента: DE102006002682A1. Автор: Laszlo Dipl.-Chem. Dr. Fabry,Gunter Strebel,Hans Dipl.-Phys. Dr. Oelkrug. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2007-08-02.

Magnetic garnet single crystal and production method for magnetic garnet single crystal

Номер патента: WO2019193950A1. Автор: 中村　太郎,博貴 河合,直人 青柳,諒 柳田,紳保 岡野,忠史 平野. Владелец: 湖北工業株式会社. Дата публикации: 2019-10-10.

Method for producing silicon single crystal and silicon single crystal thin film

Номер патента: JP3312553B2. Автор: 等 羽深. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-12.

Method for manufacturing silicon single crystal ingot and silicon single crystal pulling apparatus

Номер патента: CN113302346A. Автор: 杉村涉,坂本英城. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2021-08-24.

Method for producing silicon single crystal wafer and silicon single crystal wafer

Номер патента: TW589415B. Автор: Makoto Iida,Norihiro Kobayashi,Masaro Tamatsuka. Владелец: Shinetsu Handotai Kk. Дата публикации: 2004-06-01.

Method for producing silicon single crystal, heat shield, and single crystal pulling device

Номер патента: WO2018116590A1. Автор: 康人 鳴嶋,雅之 宇都. Владелец: 株式会社Sumco. Дата публикации: 2018-06-28.

GaN single crystal and method for manufacturing GaN single crystal

Номер патента: US11001940B2. Автор: Shinichiro Kawabata,Yutaka Mikawa,Hideo Fujisawa,Tae Mochizuki,Hideo NAMITA. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2021-05-11.

Method for producing rangate single crystal and langate single crystal

Номер патента: JP6498301B2. Автор: 郁生 高橋,孝之 青木,陽一 野々垣,嘉将 木下,青木　孝之. Владелец: Citizen Fine Device Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-10.

Silicon single crystal and method for growing silicon single crystal

Номер патента: US7214267B2. Автор: Koji KATO. Владелец: Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp. Дата публикации: 2007-05-08.

Method for producing silicon single crystal and silicon single crystal wafer

Номер патента: WO2003091484A1. Автор: Masahiro Sakurada,Tatsuo Mori,Izumi Fusegawa,Tomohiko Ohta. Владелец: Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd.. Дата публикации: 2003-11-06.

Method for producing a single crystal and silicon single crystal wafer

Номер патента: US7326395B2. Автор: Nobuaki Mitamura,Izumi Fusegawa,Takahiro Yanagimachi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-05.

Method for producing a single crystal and silicon single crystal wafer

Номер патента: EP1662024B1. Автор: Izumi Shirakawa R&D Shin-Etsu Handotai FUSEGAWA,Nobuaki Shirakawa R&D Shin-Etsu Handota MITAMURA,Takahiro c/o Shirakawa R & D Center YANAGIMACHI. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-13.

Method for producing silicon single crystal wafer and silicon single crystal wafer

Номер патента: KR100581047B1. Автор: 이다마코토,타마츄카마사로,고베야시노리히로. Владелец: 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤. Дата публикации: 2006-05-17.

Method for drawing silicon single crystal rod and silicon single crystal rod

Номер патента: CN113463182A. Автор: 孙介楠. Владелец: Xian Eswin Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-01.

GaN single-crystal substrate and method for producing GaN single crystal

Номер патента: CN101404248A. Автор: 柴田真佐知,大岛佑一. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2009-04-08.

Single crystal pulling device and method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: JP7006573B2. Автор: 裕 早川. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2022-01-24.

Method for preparing garnet single crystal and garnet single crystal prepared thereby

Номер патента: CN100510202C. Автор: 尹泰铉,李钟柏,裴乘铁. Владелец: KIM YU KON. Дата публикации: 2009-07-08.

Silicon single crystal wafer and method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP3994665B2. Автор: 昌弘 桜田,友彦 太田,武史 小林,泉 布施川,達生 森. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-24.

Silicon single crystal wafer and method for producing silicon single crystal

Номер патента: EP1347083A4. Автор: Takeshi Kobayashi,Masahiro Sakurada,Tatsuo Mori,Izumi Fusegawa,Tomohiko Ohta. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-16.

Synthetic single crystal diamonds, tools, and methods for manufacturing synthetic single crystal diamonds

Номер патента: JPWO2019077888A1. Автор: 均 角谷,山本　佳津子,佳津子 山本,角谷　均,健成 濱木,三記 寺本. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Single crystal silicon ingot having axial uniformity

Номер патента: US20210079553A1. Автор: Carissima Marie Hudson,Jae-Woo Ryu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Quartz glass crucible, manufacturing method therefor, and method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US20240011183A1. Автор: Hideki Fujiwara,Hiroshi Kishi,Eriko Kitahara. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Silicon single crystal wafer and epitaxial wafer, and method for producing silicon single crystal

Номер патента: TW200401053A. Автор: Masahiro Sakurada,Nobuaki Mitamura,Izumi Fusegawa,Tomohiko Ohta. Владелец: Shinetsu Handotai Kk. Дата публикации: 2004-01-16.

Method for manufacturing a single crystal of nitride by epitaxial growth on a substrate preventing growth on the edges of the substrate

Номер патента: KR101426319B1. Автор: 베르나르 보몽,에릭 아우졸,장-피에르 파우리에. Владелец: 쌩-고벵 크리스톡스 에 드테끄퇴르. Дата публикации: 2014-08-06.

Method for drawing a single crystal of silicon with a section of constant diameter

Номер патента: DE102009056638A1. Автор: Thomas SCHRÖCK,Wilfried Von Dr. Ammon,Claus Kropshofer. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2011-06-09.

Method for manufacturing a single crystal of nitride by epitaxial growth on a substrate preventing growth on the edges of the substrate

Номер патента: US8557042B2. Автор: Jean-Pierre Faurie,Bernard Beaumont,Eric Aujol. Владелец: Saint Gobain Cristaux and Detecteurs SAS. Дата публикации: 2013-10-15.

Method for manufacturing a single crystal of nitride by epitaxial growth on a substrate preventing growth on the edges of the substrate

Номер патента: CN101600819B. Автор: B·博蒙,J-P·福里,E·奥若尔. Владелец: Lumilog SA. Дата публикации: 2012-08-15.

Axial core gradient transport apparatus and method for making large single crystals of silicon carbide

Номер патента: JP5179690B2. Автор: スナイダー，デヴィッド，ダブリュ,エヴァーソン，ウィリアム，ジェイ. Владелец: トゥー‐シックス・インコーポレイテッド. Дата публикации: 2013-04-10.

METHOD FOR MANUFACTURING A SINGLE CRYSTAL OF Doped CADMIUM TELLURIDE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: NL179927C. Автор: Paul Siffert,Alain Cornet,Jean Gallet,Bernard Schaub,Jean-Marie Koebel,Claude Potard. Владелец: Commissariat Energie Atomique. Дата публикации: 1986-12-01.

Method for producing a single crystal of AlN.

Номер патента: EP1612300B1. Автор: Koji Sumitomo Electric Industries Ltd. Uematsu,Seiji Sumitomo Electric Industries Ltd. Nakahata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-05-26.

METHOD FOR GROWING A SINGLE CRYSTAL OF A SEMICONDUCTOR CONNECTION.

Номер патента: DE3584746D1. Автор: Mikio C O Itami Works Morioka,Atsushi C O Itami Work Shimizu. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1992-01-09.

Method for producing a single crystal of titanium monoxide

Номер патента: RU2758402C1. Автор: Андрей Андреевич Ремпель,Альбина Ахметовна Валеева,Сергей Владимирович Наумов,Никита Сергеевич Ермолов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2021-10-28.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US7413605B2. Автор: Jun Furukawa. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2008-08-19.

POLYCRYSTALLINE SILICON ROD, PROCESSING METHOD FOR POLYCRYSTALLINE SILICON ROD, METHOD FOR EVALUATING POLYCRYSTALLINE SILICON ROD, AND METHOD FOR PRODUCING FZ SINGLE CRYSTAL SILICON

Номер патента: US20170341943A1. Автор: Netsu Shigeyoshi,Okada Junichi,Miyao Shuichi. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2017-11-30.

POLYCRYSTALLINE SILICON ROD, PROCESSING METHOD FOR POLYCRYSTALLINE SILICON ROD, METHOD FOR EVALUATING POLYCRYSTALLINE SILICON ROD, AND METHOD FOR PRODUCING FZ SINGLE CRYSTAL SILICON

Номер патента: US20200399132A1. Автор: Netsu Shigeyoshi,Okada Junichi,Miyao Shuichi. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2020-12-24.

Method for determining quality of silicon ingot, program for determining quality of silicon ingot, and method for producing silicon single crystal

Номер патента: CN111601916A. Автор: 工藤智司,金大基,斋藤康裕,仓垣俊二. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-08-28.

Method for measuring distance between bottom surface of heat shield member and raw material melt surface, control method for distance between bottom surface of heat shield member and raw material melt surface, method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP5577873B2. Автор: 孝世 菅原,亮二 星,雅彦 浦野. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-27.

QUARTZ GLASS CRUCIBLE, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND METHOD FOR PRODUCING SILICON SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20130174777A1. Автор: KIMURA Akihiro,Matsumoto Suguru,FUSEGAWA Izumi,Miki Katsuhiko. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2013-07-11.

Silica glass crucible, method for manufacturing same, and method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US20130340671A1. Автор: Nobuaki Mitamura,Akihiro Kimura,Ryoji Hoshi,Hiroyuki Kamada. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-26.

METHOD FOR PRODUCING NITRIDE SINGLE CRYSTAL AND AUTOCLAVE FOR USE IN THE METHOD

Номер патента: US20140205840A1. Автор: Fukuda Tsuguo,Aoki Kensuke,YOSHIDA Kazuo,Nakamura Katsuhito. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-24.

METHOD FOR PRODUCING A SINGLE CRYSTAL FROM SEMICONDUCTOR MATERIAL BY THE FZ METHOD; DEVICE FOR CARRYING OUT THE METHOD AND SEMICONDUCTOR SILICON WAFER

Номер патента: US20210222319A1. Автор: Meisterernst Goetz,Zitzelsberger Simon,ALTMANNSHOFER Ludwig,RATNIEKS Gundars. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2021-07-22.

METHOD FOR EVALUATING SILICA GLASS CRUCIBLE, METHOD FOR PRODUCING SILICON SINGLE CRYSTALS

Номер патента: US20140326172A1. Автор: SUDO Toshiaki,Sato Tadahiro,KITAHARA Ken,KITAHARA Eriko,Kodama Makiko. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2014-11-06.

Method for producing compound single crystal and production apparatus for use therein

Номер патента: US7435295B2. Автор: Yasuhito Takahashi,Yasuo Kitaoka,Fumio Kawamura,Yusuke Mori,Isao Kidoguchi,Takatomo Sasaki,Hisashi Minemoto. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-14.

Method for evaluating silica glass crucible, method for producing silicon single crystals

Номер патента: CN104145051A. Автор: 须藤俊明,佐藤忠广,北原贤,北原江梨子,小玉真喜子. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2014-11-12.

Quartz glass crucible, method for producing same, and method for producing silicon single crystal

Номер патента: WO2012140816A1. Автор: 木村　明浩,星　亮二,三田村　伸晃,洋之 鎌田. Владелец: 信越半導体株式会社. Дата публикации: 2012-10-18.

Method for manufacturing sic single- crystal substrate for epitaxial sic wafer

Номер патента: KR101968381B1. Автор: 와타루 이토,다카시 아이고,다츠오 후지모토. Владелец: 쇼와 덴코 가부시키가이샤. Дата публикации: 2019-04-11.

Method for producing silicon single crystal and method for producing silicon wafer

Номер патента: EP1897976A2. Автор: Shuichi Inami,Kuniharu Inoue,Manabu Moroishi,Tsuguya Fukagawa,Nobuhiro Kusaba. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2008-03-12.

Quartz glass crucible, method for manufacturing the same and method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: JP2022180695A. Автор: Hideki Fujiwara,Hiroshi Kishi,秀樹 藤原,江梨子 北原,弘史 岸,真美 大原,Eriko Kitahara,mami Ohara. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2022-12-07.

Method for producing nitride single crystal and autoclave for use in the method

Номер патента: CA2839868A1. Автор: Kazuo Yoshida,Tsuguo Fukuda,Kensuke Aoki,Katsuhito Nakamura. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2012-12-27.

Method for growing silicon single crystal and method for manufacturing silicon wafer

Номер патента: CN101198727A. Автор: 中村刚,小暮康弘,稻见修一,高濑伸光,滨田建. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2008-06-11.

Method for producing silicon single crystal and method for producing silicon wafer

Номер патента: EP1897976B1. Автор: Shuichi Inami,Kuniharu Inoue,Manabu Moroishi,Tsuguya Fukagawa,Nobuhiro Kusaba. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2013-04-17.

Method for controlling convection pattern of silicon melt, and method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: KR102409211B1. Автор: 와타루 스기무라,류스케 요코야마. Владелец: 가부시키가이샤 사무코. Дата публикации: 2022-06-14.

METHOD FOR PRODUCING PIEZOELECTRIC SINGLE CRYSTALS WITH A MULTI-DOMAIN STRUCTURE FOR PRECISION POSITIONING DEVICES

Номер патента: RU2003122259A. Автор: Юрий Николаевич Пархоменко,Владимир Валентинович Антипов,Александр Алексеевич Блистанов,Михаил Давыдович Малинкович,Юрий Николаевич Пархоменко (RU),Владимир Валентинович Антипов (RU),Александр Алексеевич Блистанов (RU),Михаил Давыдович Малинкович (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образовани "Московский государственный институт стали и сплавов" (технологический университет) (RU). Дата публикации: 2005-01-27.

Method for measuring carbon concentration in silicon sample and method for manufacturing silicon single crystal ingot

Номер патента: KR102170149B1. Автор: 슈이치 사마타,카즈타카 에리구치,아유미 마사다,노리토모 미츠기. Владелец: 가부시키가이샤 사무코. Дата публикации: 2020-10-26.

Silicon wafer, method for producing silicon wafer and method for growing silicon single crystal

Номер патента: US7637997B2. Автор: Toshiaki Ono,Wataru Sugimura,Masataka Hourai. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2009-12-29.

Manufacturing method for sic-volume single crystal and growth assembly for same

Номер патента: EP3699328A1. Автор: Ralf Dr. Müller,Bernhard DR. ECKER,Matthias DR. STOCKMEIER,Michael DR. VOGEL,Arnd-Dietrich DR. WEBER. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2020-08-26.

Method for growing multiple single crystals and device for using same

Номер патента: DE59309810D1. Автор: John D Holder. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 1999-11-11.

Method for manufacturing nitride single crystal substrate and method for manufacturing nitride semiconductor light emitting element using the same

Номер патента: JP2009023909A. Автор: 東 俊 金,Toshun Kin. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-05.

Silicon wafer, method for producing silicon wafer and method for growing silicon single crystal

Номер патента: KR20060121689A. Автор: 도시아키 오노,마사타카 호우라이,와타루 스기무라. Владелец: 가부시키가이샤 사무코. Дата публикации: 2006-11-29.

Additive feed systems, ingot puller apparatus and methods for forming a single crystal silicon ingot with use of such additive feed systems

Номер патента: EP4271863A1. Автор: Giorgio Agostini,Stephan Haringer,Marco Zardoni,Giancarlo ZAGO,James Eoff. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-08.

Device and method for producing bulk single crystals

Номер патента: US20130000552A1. Автор: Jason SCHMITT. Владелец: NITRIDE SOLUTIONS Inc. Дата публикации: 2013-01-03.

APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20130125810A1. Автор: Iwasaki Atsushi,Takashima Shou,Miyahara Yuuichi,Mitamura Nobuaki,Sonokawa Susumu. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2013-05-23.

METHOD FOR PRODUCING SIC SINGLE CRYSTALS AND PRODUCTION DEVICE

Номер патента: US20140007807A1. Автор: Kamei Kazuhito,Daikoku Hironori. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-09.

METHODS FOR PRODUCTION OF SINGLE-CRYSTAL GRAPHENES

Номер патента: US20140014030A1. Автор: Yan Zheng,Tour James M.. Владелец: William Marsh Rice University. Дата публикации: 2014-01-16.

METHOD FOR PRODUCING CALCITE SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20140020618A1. Автор: Yanagisawa Kazumichi,Sakaguchi Hide,SAKAGUCHI Arito. Владелец: JAPAN AGENCY FOR MARINE-EARTH SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2014-01-23.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON SINGLE CRYSTAL WAFER

Номер патента: US20150020728A1. Автор: Sugawara Kosei,Hoshi Ryoji,Kamada Hiroyuki. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2015-01-22.

METHOD FOR PRODUCING NITRIDE SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20150023862A1. Автор: Saito Makoto,KAGAMITANI Yuji,KAYANO Rinzo,CHICHIBU Shigefusa,ISHIGURO Toru,BAO Quanxi,YOKOYAMA Chiaki,TOMIDA Daisuke,UEDA Mutsuo. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

METHOD FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20160053402A1. Автор: Kamei Kazuhito,Kusunoki Kazuhiko,Daikoku Hironori,Kado Motohisa,SAKAMOTO Hidemitsu. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

Ozone gas generation processing apparatus, method of forming silicon oxide film, and method for evaluating silicon single crystal wafer

Номер патента: US20140134851A1. Автор: Fumitaka Kume. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-15.

METHOD FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20150075419A1. Автор: Kazuhiko Kusunoki,Kazuhito Kamei,Hironori Daikoku,Motohisa Kado. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

METHOD FOR MANUFACTURING A SINGLE CRYSTAL DIAMOND

Номер патента: US20150075420A1. Автор: KATO Hiromitsu,Yamasaki Satoshi,Noguchi Hitoshi,TAKEUCHI Daisuke,OGURA Masahiko,MAKINO Toshiharu,OKUSHI Hideyo. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-19.

SELF-HEALING METHOD FOR FRACTURED SIC SINGLE CRYSTAL NANOWIRES

Номер патента: US20200080921A1. Автор: GUO Dongming,Zhang Zhenyu,CUI Junfeng,DU Yuefeng. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

METHOD FOR PRODUCING SIC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20160090664A1. Автор: Kusunoki Kazuhiko,Daikoku Hironori,Danno Katsunori,DOI Masayoshi. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-31.

METHOD FOR PRODUCING SILICON SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20200087814A1. Автор: Maegawa Koichi,OGAWA Fukuo,NARUSHIMA Yasuhito,KAWAKAMI Yasufumi. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2020-03-19.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20140174339A1. Автор: KIMURA Akihiro,Takano Kiyotaka,Tokue Junya. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2014-06-26.

METHOD FOR PRODUCING SIC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20180100247A1. Автор: Danno Katsunori. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2018-04-12.

METHOD FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20180112328A1. Автор: Kamei Kazuhito,Kusunoki Kazuhiko,Daikoku Hironori,Danno Katsunori,DOI Masayoshi,SEKI Kazuaki. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-26.

METHOD FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20180112329A1. Автор: Kamei Kazuhito,Kusunoki Kazuhiko,Daikoku Hironori,Danno Katsunori,DOI Masayoshi,SEKI Kazuaki. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-26.

METHOD FOR PRODUCING SIC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20160122901A1. Автор: Danno Katsunori. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-05.

METHOD FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20150136016A1. Автор: Kamei Kazuhito,Kusunoki Kazuhiko,Danno Katsunori. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

METHOD FOR PULLING SILICON SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20160153116A1. Автор: SUDO Toshiaki,Sato Tadahiro,KITAHARA Ken,KITAHARA Eriko. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-02.

CONTROL SYSTEM AND CONTROL METHOD FOR DIAMETER OF SINGLE CRYSTAL INGOT

Номер патента: US20180171507A1. Автор: Na Gwang-Ha,KIM Yun-Goo,AN Yun-Ha. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING TUBULAR SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20210214855A1. Автор: FUKUI Akeo,HARADA Masatoshi,SAKANO Ichiro. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-15.

METHOD FOR PRODUCING NITRIDE SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20180187328A1. Автор: Saito Makoto,KAGAMITANI Yuji,KAYANO Rinzo,CHICHIBU Shigefusa,BAO Quanxi,YOKOYAMA Chiaki,TOMIDA Daisuke,UEDA Mutsuo,Ishiguro Tohru. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-05.

Method for producing silicon single crystals

Номер патента: US20180187330A1. Автор: Yasuhiro Saito,Hideki Tanaka,Kazumi Tanabe,Tomokazu Katano,Kaoru KAJIWARA,Takahiro KANEHARA. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

METHOD FOR PRODUCING SIC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20160208409A1. Автор: ABE Nobuhira. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2016-07-21.

METHOD FOR PRODUCING SIC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20160215412A1. Автор: YAMASHIRO Kouji,ABE Nobuhira. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2016-07-28.

METHOD FOR PRODUCING SILICON SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20200199776A1. Автор: EGASHIRA Kazuyuki,SAITOU Masao. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2020-06-25.

METHOD FOR PRODUCING SIC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20150221511A1. Автор: Kamei Kazuhito,Kusunoki Kazuhiko,Kado Motohisa. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

METHOD FOR GROWING SILICON SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20150240380A1. Автор: Hoshi Ryoji,TAKAZAWA Masanori. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20160237589A1. Автор: Nakano Shinji,SOETA Satoshi,Ikeda Kouichi. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2016-08-18.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20140326174A1. Автор: Mitamura Nobuaki. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-06.

Silicon Based Melting Composition and Manufacturing Method for Silicon Carbide Single Crystal Using the Same

Номер патента: US20200224330A1. Автор: Kim Junghwan,Ko Jung Min,Chung Chanyeup,Lee Horim. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2020-07-16.

METHOD FOR PRODUCING SIC SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20150259829A1. Автор: Seki Akinori. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: US20190249331A1. Автор: Yasuhito Narushima,Toshimichi Kubota. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

METHOD FOR GROWING ß-Ga2O3 SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20140352604A1. Автор: Watanabe Shinya,Koshi Kimiyoshi,Matsubara Haruka. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-04.

METHOD FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20160273126A1. Автор: Kamei Kazuhito,Kusunoki Kazuhiko. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-22.

METHOD FOR PRODUCING SIC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20150299900A1. Автор: Kusunoki Kazuhiko,Daikoku Hironori,Kado Motohisa,SAKAMOTO Hidemitsu. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2015-10-22.

METHOD FOR MANUFACTURING A SINGLE-CRYSTAL 4H-SiC SUBSTRATE

Номер патента: US20160298262A1. Автор: Ohno Akihito,Tanaka Takanori,Tomita Nobuyuki,Hamano Kenichi,Mitani Yoichiro,Kawazu Zempei. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-13.

CRUCIBLE-SUPPORTING PEDESTAL, QUARTZ CRUCIBLE-SUPPORTING DEVICE, AND METHOD FOR PRODUCING SILICON SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20200283925A1. Автор: MUNEZANE Kenji. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2020-09-10.

METHOD FOR PREPARING SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20180298519A1. Автор: Minowa Takehisa,Shinya Naofumi,HAMAGUCHI Yu,YAMAGATA Norio. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2018-10-18.

Method for producing sic single crystal

Номер патента: US20160340794A1. Автор: Kazuaki Seki,Kazuhiko Kusunoki,Yutaka Kishida,Kazuhito Kamei,Hironori Daikoku. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

METHODS FOR GROWING A SINGLE CRYSTAL SILICON INGOT USING CONTINUOUS CZOCHRALSKI METHOD

Номер патента: US20200332439A1. Автор: Hudson Carissima Marie,Ryu JaeWoo. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-22.

CLEANING METHOD, METHOD FOR PRODUCING SILICON SINGLE CRYSTAL, AND CLEANING DEVICE

Номер патента: US20200346258A1. Автор: Maegawa Koichi,YOTSUI Takuya,HAMAKAWA Satoru. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2020-11-05.

METHOD FOR PRODUCING SILICON SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20180355508A1. Автор: KIM Tegi. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2018-12-13.

APPARATUS AND METHOD FOR GROWING SILICON SINGLE CRYSTAL INGOT

Номер патента: US20170362736A1. Автор: KIM Sang Hee,Jung Young Ho. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-21.

METHOD FOR MAKING MNBI2TE4 SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20200370199A1. Автор: FAN SHOU-SHAN,Li Hao,Wu Yang,ZHANG YUE-GANG. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-26.

METHODS FOR PRODUCING A SINGLE CRYSTAL SILICON INGOT USING BORIC ACID AS A DOPANT AND INGOT PULLER APPARATUS THAT USE A SOLID-PHASE DOPANT

Номер патента: US20200407869A1. Автор: Zhang Nan,Phillips Richard J.,Haringer Stephan,Luter William L.,Sreedharamurthy Hariprasad,Wu Yu-Chaio. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-31.

Apparatus and method for making a single crystal rod

Номер патента: DK1595006T3. Автор: Per Vabengard,Leif Jensen,Jan Eyving Petersen. Владелец: Topsil Semiconductor Materials. Дата публикации: 2006-11-06.

Method for producing sic single crystal

Номер патента: KR101679157B1. Автор: 히로노리 다이코쿠,히데미츠 사카모토,모토히사 가도,가즈히코 구스노키. Владелец: 도요타 지도샤（주）. Дата публикации: 2016-11-23.

Method for producing sic single crystal

Номер патента: KR20150063487A. Автор: 히로노리 다이코쿠,히데미츠 사카모토,모토히사 가도,가즈히코 구스노키. Владелец: 도요타 지도샤（주）. Дата публикации: 2015-06-09.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP3624827B2. Автор: 浩紀 村上,和幸 江頭. Владелец: 三菱住友シリコン株式会社. Дата публикации: 2005-03-02.

Method for producing silicon single crystal layer

Номер патента: JP5052728B2. Автор: 隆 柴山,義男 村上,隆之 新行内. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2012-10-17.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP4150167B2. Автор: 匡人 渡邉,実 江口,忠 神田,俊二 倉垣. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2008-09-17.

Automatic tailing method for CZ-80 single crystal furnace

Номер патента: CN105803520A. Автор: 程志,王会敏,颜超,刘钦,赵贝,何京辉,曹祥瑞,范晓甫,周子江,陈二星. Владелец: Xingtai Jinglong Electronic Material Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-27.

Apparatus and method for growing silicon single crystal ingot

Номер патента: KR101781463B1. Автор: 김세훈,방인식,김윤구,강인구. Владелец: 에스케이실트론 주식회사. Дата публикации: 2017-10-23.

Method for producing SiC single crystal

Номер патента: JP4179331B2. Автор: 秀光 坂元,由紀夫 寺島. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2008-11-12.

Method for pulling up single crystal and jig therefor

Номер патента: JPS61158892A. Автор: Yukio Kaneko,由基夫 金子. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 1986-07-18.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP6631406B2. Автор: 中村　　剛,中村　剛,栄一 川崎,省吾 小林,善博 大城. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-01-15.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JPWO2004018742A1. Автор: 若林　大介,斎藤　正夫,佐藤　智,智 佐藤,大介 若林,正夫 斎藤,古川　純,純 古川,北村　浩之介,浩之介 北村. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2005-12-15.

Method for producing silicon single crystal wafer

Номер патента: JP5167654B2. Автор: 善範 速水,博康 菊地. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-21.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: KR100665683B1. Автор: 와카바야시다이스케,사이토마사오,사토사토시,후루카와준,기타무라코우노스케. Владелец: 가부시키가이샤 섬코. Дата публикации: 2007-01-09.

Apparatus and Method for manufacturing semiconductor single crystal ingot using CUSP magnetic field

Номер патента: KR100991088B1. Автор: 정요한,김도연,이홍우,심복철. Владелец: 주식회사 실트론. Дата публикации: 2010-10-29.

Method for pulling up single crystal and apparatus therefor

Номер патента: JPS60155594A. Автор: Takashi Kijima,Katsumi Azuma,Yuzo Kashiyanagi,我妻　勝美,木島　孝,柏柳　雄三. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-08-15.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: KR101289400B1. Автор: 케이이치 타카나시. Владелец: 가부시키가이샤 사무코. Дата публикации: 2013-07-29.

Method for manufacturing GaN single crystal

Номер патента: KR100450781B1. Автор: 박성수,김대식. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-11-16.

Method for manufacturing silicon single crystal wafer

Номер патента: KR101416094B1. Автор: 요시노리 하야미즈,히로야스 키쿠치. Владелец: 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤. Дата публикации: 2014-07-08.

Method for manufacturing silicon single crystal, and silicon wafer

Номер патента: CN101160420A. Автор: 杉村涉,小野敏昭,宝来正隆. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2008-04-09.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP5488597B2. Автор: 英樹 渡邉,伸光 高瀬,康裕 齋藤. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2014-05-14.

Method for producing sic single crystals and production device

Номер патента: KR101579358B1. Автор: 히로노리 다이코쿠,가즈히토 가메이. Владелец: 신닛테츠스미킨 카부시키카이샤. Дата публикации: 2015-12-21.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: JP6927150B2. Автор: 孝世 菅原,亮二 星,星　亮二. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-25.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP5790766B2. Автор: 木村　明浩,明浩 木村,清隆 高野,潤也 徳江. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-07.

Silicon wafer and method for producing silicon single crystal

Номер патента: KR100606997B1. Автор: 김선미,조현정,정진수,이홍우. Владелец: 주식회사 실트론. Дата публикации: 2006-07-31.

Apparatus and method for manufacturing silicone single crystal ingot

Номер патента: KR102138121B1. Автор: 최석인,이운노. Владелец: 에스케이실트론 주식회사. Дата публикации: 2020-07-27.

A kind of method for preparing alumina single crystal

Номер патента: CN107829132A. Автор: 赵喆,王操,董行行. Владелец: Shanghai Institute of Technology. Дата публикации: 2018-03-23.

Method for growing gan single crystal

Номер патента: JPS58161997A. Автор: Kiyoshi Yoneda,清 米田. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1983-09-26.

Silicon based melting composition and manufacturing method for silicon carbide single crystal using the same

Номер патента: KR102091629B1. Автор: 김대성,이성수,고정민,정찬엽,이호림,박만식. Владелец: 주식회사 엘지화학. Дата публикации: 2020-03-20.

Method for producing SiC single crystal

Номер патента: JPWO2015072136A1. Автор: 一人 亀井,一彦 楠,楠　一彦,亀井　一人. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

METHOD FOR MANUFACTURING A SINGLE-CRYSTAL SEMICONDUCTOR LAYER ON AN INSULATING LAYER

Номер патента: FR2537607B1. Автор: TADASHI Nishimura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1988-11-10.

Method for producing SiC single crystal

Номер патента: CN104651938A. Автор: 旦野克典,楠一彦,龟井一人. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2015-05-27.

Method for manufacturing a single crystal semiconductor material

Номер патента: FR1345944A. Автор: . Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1963-12-13.

Method for manufacturing fz single crystal

Номер патента: WO2014020831A1. Автор: 佐藤　賢一,慶一 中澤,義博 児玉. Владелец: 信越半導体株式会社. Дата публикации: 2014-02-06.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP6699620B2. Автор: 和幸 江頭,正夫 斉藤. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-05-27.

Apparatus and method for growing silicon single crystal ingot

Номер патента: KR20170075278A. Автор: 김세훈,방인식,김윤구,강인구. Владелец: 주식회사 엘지실트론. Дата публикации: 2017-07-03.

Method for producing a single crystal

Номер патента: US20060272570A1. Автор: Ryoji Hoshi,Susumu Sonokawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-07.

Method for pulling a single crystal composed of silicon with a section having a diameter that remains constant

Номер патента: TW201120258A. Автор: Ammon Wilfried Von,Thomas Schroeck,Claus Kropshofer. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2011-06-16.

Method for manufacturing a single-crystal diamond

Номер патента: EP3173510B1. Автор: Yoshiki Nishibayashi,Natsuo Tatsumi,Hitoshi Sumiya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-11-17.

Method for producing a single crystal rod

Номер патента: DE2458026C2. Автор: Jean-Pierre Plumetot Par Douvres Besselere,Gerard de Evrecy Loynes. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1981-10-08.

Method for manufacturing nitride single crystal

Номер патента: WO2008117564A1. Автор: Yasuo Kitaoka,Fumio Kawamura,Yusuke Mori,Makoto Iwai,Takatomo Sasaki,Katsuhiro Imai,Mikiya Ichimura. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2008-10-02.

Method for producing SiC single crystal

Номер патента: JP6409955B2. Автор: 一人 亀井,一彦 楠,楠　一彦,亀井　一人,寛典 大黒,和明 関,克典 旦野,雅喜 土井. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-10-24.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP6680108B2. Автор: 康裕 齋藤,最勝寺　俊昭,俊昭 最勝寺,一美 田邉. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-04-15.

Method for producing tungstate single crystal

Номер патента: JP4037362B2. Автор: 誠司 小林,一富 山本. Владелец: Furukawa Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-23.

Method for manufacturing bismuth single crystal nonowires

Номер патента: EP2241534A2. Автор: Bongsoo Kim,Juneho In. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2010-10-20.

Method for producing silicon single crystal having no flaw

Номер патента: US20030041796A1. Автор: Kozo Nakamura,Susumu Maeda,Toshirou Kotooka,Toshiaki Saishoji,Shinji Togawa. Владелец: Komatsu Electronic Metals Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-06.

Method for supporting grown single crystals

Номер патента: JP6407115B2. Автор: ヨセフ・ベルガー,クルト・ニーデラー,ヘルムート・テレルデ,ゲッツ・マイスタエルンスト,フランク・ミュムラー,ジーモン・ツィツェルスベルガー. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2018-10-17.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP3094156B2. Автор: ヴィルフリート・フォン・アモン,エリヒ・トムヅィク,パウル・フーフス,プロフ・ユリ・ゲルフガト. Владелец: ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・アクチェンゲゼルシャフト. Дата публикации: 2000-10-03.

Method for producing calcite single crystal

Номер патента: JP5966186B2. Автор: 和道 柳澤,有人 坂口,秀 阪口. Владелец: Kochi University NUC. Дата публикации: 2016-08-10.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US8721787B2. Автор: Masaki Morikawa,Yukinaga AZUMA. Владелец: Japan Super Quartz Corp. Дата публикации: 2014-05-13.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: JP6786905B2. Автор: 康人 鳴嶋,利通 久保田. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-11-18.

Controlling method for growing of single crystal

Номер патента: JPS5899197A. Автор: Kazuo Oda,Hideshi Osawa,Kohei Ito,康平 伊藤,和男 小田,大沢　秀史. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 1983-06-13.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP3901092B2. Автор: 幸司 北川,昌弘 桜田,友彦 太田,亮二 星,泉 布施川. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-04.

Method for porducing silicon single crystal

Номер патента: KR19990083018A. Автор: 이이노에이이찌. Владелец: 와다 다다시. Дата публикации: 1999-11-25.

Method for manufacturing a single crystal semiconductor material

Номер патента: FR1433765A. Автор: . Владелец: Siemens Schuckertwerke AG. Дата публикации: 1966-04-01.

Method for growing ktp single crystal by flux method

Номер патента: KR950004344B1. Автор: 김희영,문상진,김형천. Владелец: 채영복. Дата публикации: 1995-04-28.

Method for producing SiC single crystal

Номер патента: CN107532329B. Автор: 旦野克典,楠一彦,龟井一人,关和明,大黑宽典,土井雅喜. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2020-06-26.

Method for producing silicon single crystal, and silicon wafer

Номер патента: CN114929950A. Автор: 鸣嶋康人,伊关崇志. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2022-08-19.

Method for synthesizing large single crystal diamonds

Номер патента: EP2125188B1. Автор: Carlton Nigel Dodge,Raymond Anthony Spits. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2017-11-15.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: JP6881214B2. Автор: 崇浩 金原,片野　智一,智一 片野. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2021-06-02.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: CN109666968B. Автор: 金原崇浩,片野智一. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2021-02-09.

Method for producing silicon single crystal by continuous charge method

Номер патента: JP3598642B2. Автор: 道明 小田,勇 原田,直樹 永井. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-08.

Device and method for producing a single crystal

Номер патента: DE59505372D1. Автор: Peter Vilzmann,Helmut Pinzhoffer. Владелец: Wacker Siltronic AG. Дата публикации: 1999-04-22.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: JP7036116B2. Автор: 浩一 前川,泰史 川上. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2022-03-15.

A method for preparing a single crystal lithium manganate material

Номер патента: KR20220131830A. Автор: 지안펭 왕,얀후아 마,춘보 자오. Владелец: 안후이 보시 하이-테크 뉴 머티어리얼스 컴퍼니, 리미티드. Дата публикации: 2022-09-29.

Method for producing diamond single crystal substrate

Номер патента: JP4385764B2. Автор: 喜之 山本,貴浩 今井,貴一 目黒. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2009-12-16.

Method for producing silicon single crystal and silicon wafer

Номер патента: CN110863240A. Автор: 梶原薰,原田和浩. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-03-06.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: US20210040642A1. Автор: Koichi MAEGAWA,Yasufumi KAWAKAMI. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Method for growing silicon single crystal, and silicon wafer

Номер патента: US20060225639A1. Автор: Toshiaki Ono,Wataru Sugimura,Masataka Hourai. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2006-10-12.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP5161492B2. Автор: 康人 鳴嶋,利通 久保田,福生 小川,真一 川添. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2013-03-13.

Apparatus and method for growing silicon single crystal ingot

Номер патента: WO2021141176A1. Автор: 김도연,구자석,안윤하,왕학의. Владелец: 에스케이실트론 주식회사. Дата публикации: 2021-07-15.

Method for manufacturing bismuth single crystal nonowires

Номер патента: WO2009093842A3. Автор: 김봉수,인준호. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2009-10-29.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US20100162944A1. Автор: Masaki Morikawa,Yukinaga AZUMA. Владелец: Japan Super Quartz Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP5875744B1. Автор: 昇二 橘,健 安村,橘　昇二. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2016-03-02.

Method for growing sic single crystal

Номер патента: KR102035786B1. Автор: 김장열,서한석,은태희,여임규. Владелец: 주식회사 포스코. Дата публикации: 2019-10-23.

Manufacturing method for Large area Single Crystal Silicon Wafer

Номер патента: KR101814111B1. Автор: 김수민,박성은,김현호,김동환,탁성주. Владелец: 고려대학교 산학협력단. Дата публикации: 2018-01-02.

METHOD FOR MANUFACTURING A SINGLE-CRYSTAL SEMICONDUCTOR LAYER ON AN INSULATING LAYER

Номер патента: FR2537607A1. Автор: TADASHI Nishimura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1984-06-15.

METHOD FOR PRODUCING SILICON SINGLE CRYSTALS

Номер патента: DE60041429D1. Автор: Eiichi Iino,Tomohiko Ohta,I Fusegawa,Kirio Itoi,T Ishizuka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-12.

METHOD FOR MANUFACTURING SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: WO2014167844A1. Автор: 秀光 坂元,楠　一彦,亀井　一人,寛典 大黒,幹尚 加渡. Владелец: 新日鐵住金株式会社. Дата публикации: 2014-10-16.

Method for producing GaAs single crystal

Номер патента: JPH0630339B2. Автор: 義弘 国分,潤一 西澤. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-04-20.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: CN108291328B. Автор: 金大基. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-11-17.

Method for Producing BaLiF3 Single Crystal

Номер патента: US20080213163A1. Автор: Naoto Mochizuki,Teruhiko Nawata,Tsuguo Fukuda,Hiroki Sato,Toshiro Mabuchi. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

Glowing equipment and methods for lithium tantalate single crystal by crucible structure

Номер патента: KR101842487B1. Автор: 츠구오 후쿠다. Владелец: 주식회사 퓨엠. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for producing spinel single crystal fiber

Номер патента: JP2642906B2. Автор: 省二 川上,英世 田端,豊章 山田,俊作 榊原. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1997-08-20.

Method for producing SiC single crystal

Номер патента: JP6287870B2. Автор: 信平 阿部,浩嗣 山城. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-03-07.

Method for heat treating single crystal

Номер патента: US20070277726A1. Автор: Yasushi Kurata,Naoaki Shimura,Tatsuya Usui,Kazuhisa Kurashige. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-06.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: US6506251B1. Автор: Koji Kitagawa,Susumu Sonokawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-14.

Method for producing a single crystal

Номер патента: EP2142686B1. Автор: Leif Jensen,Jan Eyving Petersen,Anne Nielsen,Per Vaabengaard,Theis Leth Larsen. Владелец: Topsil GlobalWafers AS. Дата публикации: 2018-12-12.

Method for manufacturing a single crystal semiconductor layer over a substrate

Номер патента: JP5254195B2. Автор: ルーベン・リーテン. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2013-08-07.

Apparatus and method for cleaning a single crystal puller

Номер патента: DE112018000650T5. Автор: Kenji Okita. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Preparation method for relaxor ferroelectric single crystal raw material

Номер патента: CN104480530A. Автор: 王富贵,李振荣,车俊,徐卓. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2015-04-01.

Methods for repair of single crystal superalloys by laser welding and products thereof

Номер патента: EP1689553B1. Автор: Yiping Hu,Murali Madhava,William F. Hehmann. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2013-03-13.

Silicon wafer and method for producing silicon single crystal

Номер патента: EP1275755A1. Автор: Ryoji Shin-Etsu Handotai Co. Ltd. HOSHI,Izumi Shin-Etsu Handotai Co. Ltd. FUSEGAWA,Tomohiko Shin-Etsu Handotai Co. Ltd. OHTA,Shigemaru Shin-Etsu Handotai Co. Ltd. MAEDA. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-15.

Method for growing silicon single crystal

Номер патента: TWI722480B. Автор: 末若良太,濱田建. Владелец: 日商Ｓｕｍｃｏ股份有限公司. Дата публикации: 2021-03-21.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: TW526299B. Автор: Koji Kitagawa,Toru Ishizuka,Susumu Sonokawa,Takahiro Yanagimachi. Владелец: Shinetsu Handotai Kk. Дата публикации: 2003-04-01.

METHOD FOR PRODUCING THIN SINGLE CRYSTAL LAYERS

Номер патента: DE2628366A1. Автор: Toshinori Takagi. Владелец: Futaba Corp. Дата публикации: 1977-01-13.

Silicon wafer and method for producing silicon single crystal

Номер патента: WO2001073169A1. Автор: Izumi Fusegawa,Ryoji Hoshi,Tomohiko Ohta,Shigemaru Maeda. Владелец: Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd.. Дата публикации: 2001-10-04.

Quality estimating method for cropping a single crystal ingot

Номер патента: KR100700082B1. Автор: 조현정,김진근,김유전. Владелец: 주식회사 실트론. Дата публикации: 2007-03-28.

Method for pulling silicon single crystal

Номер патента: JPH10167892A. Автор: Shigeki Nakamura,茂樹 中村,Yoshinobu Hiraishi,吉信 平石,Teruhiko Uchiyama,輝彦 内山. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 1998-06-23.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP6459944B2. Автор: 和幸 江頭,正夫 斉藤. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2019-01-30.

METHOD FOR MANUFACTURING A SINGLE CRYSTAL

Номер патента: NL8003163A. Автор: . Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1980-12-02.

METHOD FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: KR101083855B1. Автор: 히데미쯔 사까모또. Владелец: 도요타지도샤가부시키가이샤. Дата публикации: 2011-11-15.

Method for producing sic single crystal

Номер патента: KR101710814B1. Автор: 모토히사 가도,가즈히코 구스노키,가즈히토 가메이. Владелец: 도요타 지도샤（주）. Дата публикации: 2017-02-27.

Method for growing silicon single crystal

Номер патента: TW202014565A. Автор: 末若良太,濱田建. Владелец: 日商Ｓｕｍｃｏ股份有限公司. Дата публикации: 2020-04-16.

Method for pulling up single crystal

Номер патента: JPS59227797A. Автор: Koji Tada,Riyuusuke Nakai,龍資 中井,多田　紘二. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1984-12-21.

METHOD FOR GENERATING FERRITE SINGLE CRYSTALS

Номер патента: DE3012180A1. Автор: Isamu Sasaki,Michihiro Torii,Hirohito Goto,Utsuo Kihara. Владелец: FDK Corp. Дата публикации: 1980-10-09.

Method for growing silicon single crystal

Номер патента: JP4755740B2. Автор: 建 濱田. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2011-08-24.

Method for producing nitride single crystal and autoclave used therefor

Номер патента: EP2725123A4. Автор: Kazuo Yoshida,Tsuguo Fukuda,Kensuke Aoki,Katsuhito Nakamura. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2014-07-30.

Method for producing semiconductor single crystal wafer and laser processing device used therefor

Номер патента: CA2508733A1. Автор: Masayuki Nishikawa,Makoto Otsuki,Yasuyuki Matsui. Владелец: Yasuyuki Matsui. Дата публикации: 2004-12-29.

Method for preparing FePbSeTe single-crystal superconducting material by suspension smelting method

Номер патента: CN114182350A. Автор: 赵勇,刘禹彤,秦佳佳,周大进. Владелец: Fujian Normal University. Дата публикации: 2022-03-15.

PLANT AND METHOD FOR PRODUCING A SINGLE CRYSTAL

Номер патента: DE69827292D1. Автор: Kouji Kitagawa,Kouji Mizuishi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-02.

Methods for producing a single crystal silicon ingot using boric acid as a dopant and ingot puller apparatus that use a solid-phase dopant

Номер патента: US11585010B2. Автор: Nan Zhang,William L. Luter,Stephan Haringer,Hariprasad Sreedharamurthy,Richard J. Phillips,Yu-Chaio Wu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-21.

Apparatus and method for manufacturing semiconductor single crystal

Номер патента: US20080115720A1. Автор: Koichi Shimomura,Toshiaki Saishoji,Daisuke Ebi,Ryouta Suewaka. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2008-05-22.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: TW201917237A. Автор: 金原崇浩,片野智一. Владелец: 日商Ｓｕｍｃｏ股份有限公司. Дата публикации: 2019-05-01.

Method for pulling up single crystal

Номер патента: JPS6077197A. Автор: Shintaro Miyazawa,Koji Tada,Keigo Hoshikawa,Riyuusuke Nakai,龍資 中井,圭吾 干川,宮澤　信太郎,多田　紘二. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1985-05-01.

Thermal field device and method for high-quality single crystal growth by PVT (physical vapor transport) method

Номер патента: CN113337886A. Автор: 不公告发明人. Владелец: Harbin Keyou Semiconductor Industry Equipment and Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-03.

Method for producing sapphire single crystal

Номер патента: JP2013095611A. Автор: Koji Matsumoto,Toshiyuki Fujiwara,光二 松本,俊幸 藤原,Akihiko Endo,昭彦 遠藤,Wataru Sugimura,渉 杉村. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2013-05-20.

Method for producing SiC single crystal

Номер патента: JPWO2011007458A1. Автор: 洋一郎 河合,章憲 関,広明 斎藤,関　章憲,克典 旦野. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2012-12-20.

Methods for growing a single crystal silicon ingot using continuous czochralski method

Номер патента: EP3956499A1. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-23.

METHOD FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: WO2017043215A1. Автор: 藤本　辰雄,楠　一彦,和明 関,小桃 谷. Владелец: 新日鐵住金株式会社. Дата публикации: 2017-03-16.

Methods for forming a single crystal silicon ingot with reduced crucible erosion

Номер патента: TW202219331A. Автор: 薩凡朵 佐佩達,理查 喬瑟夫 菲力浦. Владелец: 環球晶圓股份有限公司. Дата публикации: 2022-05-16.

METHOD FOR PREPARING SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: KR102302938B1. Автор: 다께히사 미노와,나오후미 신야,유 하마구찌,노리오 야마가따. Владелец: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2021-09-17.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: WO2017082112A1. Автор: 良太 末若,崇浩 金原,梶原　薫,田中　英樹. Владелец: 株式会社Sumco. Дата публикации: 2017-05-18.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: US20240026564A1. Автор: Koichi MAEGAWA,Yasufumi KAWAKAMI. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Methods for growing a single crystal silicon ingot using continuous czochralski method

Номер патента: EP3956499B1. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: US11814745B2. Автор: Koichi MAEGAWA,Yasufumi KAWAKAMI. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Method for producing silicon single crystal ingot

Номер патента: TW201226640A. Автор: Hideaki Murakami,Hideo Kato. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2012-07-01.

Silicon-based molten composition and method for manufacturing sic single crystals using same

Номер патента: EP3316279A4. Автор: Dae Sung Kim,Sung Soo Lee,Chan Yeup Chung,Ho Rim Lee,Jung Min Ko,Chang Sun Eun. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-06-27.

Silicon based melting composition and manufacturing method for silicon carbide single crystal using the same

Номер патента: EP3636806B1. Автор: Chanyeup CHUNG,Junghwan Kim,Horim Lee,Jung Min Ko. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2022-07-06.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: EP1780314B1. Автор: Jun Furukawa. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2012-12-05.

Method for searching for condition for crystallization of biopolymer, and device for the method

Номер патента: WO2011115223A1. Автор: 直 堂前,秀行 宮武,真吾 恩田. Владелец: 日機装株式会社. Дата публикации: 2011-09-22.

Growth method for single crystals of magnesium aluminate spinel by edge-defined film-fed growth technique

Номер патента: US20240200225A1. Автор: Xiaoliang Wang,Haili Wang,Cunxin Huang,Muyun Lei. Владелец: Sinoma Synthetic Crystals Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for evaluating degree of crystal orientation in polycrystalline silicon, selection method for polycrystalline silicon rods, and production method for single-crystal silicon

Номер патента: US20150047554A1. Автор: Shigeyoshi Netsu,Junichi Okada,Shuichi Miyao. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-19.

Method for growing mixed crystals of cobalt-nickel-potassium sulfate for optical filters of ultraviolet range

Номер патента: RU2758652C1. Автор: Наталья Александровна Васильева,Алексей Эдуардович Волошин,Владимир Михайлович Масалов,Андрей Анатольевич Жохов,Геннадий Анатольевич Емельченко,Надежда Сергеевна Сухинина,Вера Львовна Маноменова,Елена Борисовна Руднева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН). Дата публикации: 2021-11-01.

METHOD FOR PRODUCING CRYSTALS OF ALLOYS OF FLUORITE SOLID SOLUTIONS М1-X М'XF2, WHERE M = CA, SR, BA; M' = PB, CdD, X IS MOLE FRACTION OF VOLATILE COMPONENT M'F2 (VARIANTS)

Номер патента: RU2742638C1. Автор: Денис Нуриманович Каримов,Ирина Игоревна Бучинская,Юрий Меерович Дымшиц. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук". Дата публикации: 2021-02-09.

Surface machining method for single crystal SiC substrate, manufacturing method thereof, and grinding plate for surface machining single crystal SiC substrate

Номер патента: US09620374B2. Автор: Tomohisa Kato,Takanori Kido. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for producing single crystal sic

Номер патента: RU2761199C1. Автор: Виктор Викторович Лучинин,Александр Владимирович Марков,Наталья Владимировна Андреева,Андрей Олегович Лебедев,Юрий Олегович Быков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина). Дата публикации: 2021-12-06.

Method for preparing a charge for growing fluoride single crystals

Номер патента: RU2747503C1. Автор: Степан Эрвандович Саркисов,Валентин Александрович Юсим. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2021-05-05.

Surface machining method for single crystal SiC substrate, manufacturing method thereof, and grinding plate for surface machining single crystal SiC substrate

Номер патента: US09960048B2. Автор: Tomohisa Kato,Takanori Kido. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for single crystal growth of photovoltaic perovskite material and devices

Номер патента: US09812660B2. Автор: Jinsong Huang,Qingfeng Dong. Владелец: NuTech Ventures Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Surface treatment method for single crystal SiC substrate, and single crystal SiC substrate

Номер патента: US09570306B2. Автор: Satoru Nogami,Satoshi TORIMI,Norihito YABUKI. Владелец: Toyo Tanso Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for growing crystals of multicomponent fluorides with the structure of fluorite in mf2-cef3 systems

Номер патента: RU2659274C2. Автор: Борис Павлович Соболев,Денис Нуриманович Каримов,Всеволод Вадимович Киреев,Наталья Альбертовна Ивановская. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук". Дата публикации: 2018-06-29.

Fabrication process for single-crystallization anti-evaporation X-ray tube anode target

Номер патента: GB2617028A. Автор: Zhu Huichong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-27.

Non-dash neck method for single crystal silicon growth

Номер патента: EP1012357A1. Автор: Kyong-Min Kim,Sadasivam Chandrasekhar. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2000-06-28.

Method of Preparing Nanostructured Single Crystal Silver

Номер патента: US20150128848A1. Автор: Lei Wang,Fei Wang,Jie Zhou,Hong Zhao,Binyuan Zhao,Yijian Lai,Yuesheng Ning. Владелец: SHANGHAI SWITCHDIY DIGITAL TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-14.

Substrate-triggered directional solidification process for single crystal superalloy

Номер патента: US12138683B2. Автор: Jun Li,Jianguo Li,Long ZENG,Binqiang Wang,Mingxu Xia. Владелец: SHANGHAI JIAO TONG UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-11-12.

Method for producing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20210230768A2. Автор: Yohei FUJIKAWA,Hidetaka Takaba. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2021-07-29.

Method and Apparatus for Single Crystal Growth, and Single Crystal

Номер патента: US20240247403A1. Автор: Chun-Hung Chen,Shuangli WANG,Chenguang Sun. Владелец: XUZHOU XINJING SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Growth of semiconductor single crystals

Номер патента: US6294017B1. Автор: Donald Thomas James Hurle,Gordon Charles Joyce,Kathryn Elizabeth Mckell. Владелец: National Research Development Corp UK. Дата публикации: 2001-09-25.

Modeling thermal donor formation and target resistivity for single crystal silicon ingot production

Номер патента: EP4416321A1. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson,Michael Robbin Seacrist. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Crystal pulling process for single-crystal silicon

Номер патента: AU2022205729A9. Автор: Qian Jin,Hao Deng,Zhiyan XIE. Владелец: Longi Green Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Heat shield structure for single crystal production furnace and single crystal production furnace

Номер патента: US20220002898A1. Автор: ZHAN Li,Tao Wei,XING Wei,Yun Liu,Minghao LI,Zhongying Xue. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Method for regulating the content of gallium in scintillators based on gadolinium-gallium garnets

Номер патента: RU2670865C2. Автор: Марк С. АНДРЕАКО,Питер Карл КОЭН,Александер Эндрю КЭРИ. Владелец: СИМЕНС МЕДИКАЛ СОЛЮШЕНС ЮЭсЭй, ИНК.. Дата публикации: 2018-10-25.

Wet-tip die for efg crystal growth apparatus and method for growing tubular crystalline bodies therewith

Номер патента: IL98267A. Автор: . Владелец: Mobil Solar Energy Corp. Дата публикации: 1995-06-29.

Vanadium-compensated 4H and 6H single crystals of optical grade, and silicon carbide crystals and methods for producing same

Номер патента: US12060650B2. Автор: Ilya Zwieback,Andrew E. Souzis,Varatharajan Rengarajan,Gary Ruland. Владелец: Ii Vi Advanced Materials LLC. Дата публикации: 2024-08-13.

System for manufacturing a high-quality semiconductor single crystal, and method of manufacturing same

Номер патента: EP4414480A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-08-14.

System for manufacturing a high-quality semiconductor single crystal, and method of manufacturing same

Номер патента: US20240263347A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-08-08.

Vanadium-compensated 4h and 6h single crystals of optical grade, and silicon carbide crystals and methods for producing same

Номер патента: US20240352617A1. Автор: Ilya Zwieback,Andrew E. Souzis,Varatharajan Rengarajan,Gary Ruland. Владелец: Ii Vi Advanced Materials LLC. Дата публикации: 2024-10-24.

Crystal growing method from evaporating solution-melt

Номер патента: RU2732513C1. Автор: Артем Борисович Кузнецов,Константин Александрович Кох,Екатерина Александровна Симонова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева Сибирского отделения Российской академии наук (Институт геологии и минералогии СО РАН, ИГМ СО РАН). Дата публикации: 2020-09-18.

METHOD FOR PRODUCING Bi4Ge3O12 BISMUTH GERMANATE BY CASTING

Номер патента: RU2753671C1. Автор: Тимофей Владимирович Бермешев,Владимир Павлович Жереб. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет". Дата публикации: 2021-08-19.

System for manufacturing a high-quality semiconductor single crystal, and method of manufacturing same

Номер патента: EP4414481A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-08-14.

System for manufacturing a high-quality semiconductor single crystal, and method of manufacturing same

Номер патента: US20240263346A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-08-08.

Additively manufactured single-crystal metallic components, and methods for producing the same

Номер патента: US12076818B2. Автор: John H. Martin,Brennan D. YAHATA,Jacob M. Hundley. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2024-09-03.

Crucible for growing sapphire single crystal, and method for producing crucible for growing sapphire single crystal

Номер патента: US09803291B2. Автор: Makoto Watanabe,Masahiro Katoh. Владелец: ALMT Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Cylinder assembly for improving region of defect-free growth of crystal ingot for single crystal pulling apparatus and single crystal pulling apparatus

Номер патента: US12116693B2. Автор: Wenwu Yang,Bokcheol Sim. Владелец: Xian Eswin Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Silicon single crystal, a silicon wafer, an apparatus for producing the same, and a method for producing the same

Номер патента: US20070158653A1. Автор: Toshihiko Imai,Masahiro Kato,Makoto Iida,Katsuichi Sato,Miho Iwabuchi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-12.

Sublimation system and method of growing at least one single crystal of a semiconductor material

Номер патента: EP4431644A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-09-18.

Sublimation System and Method of Growing at Least One Single Crystal of a Semiconductor Material

Номер патента: US20240309545A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-09-19.

Heat treatment method and heat treatment device for single crystal sapphire

Номер патента: US09988741B2. Автор: Sung Hwan Moon,Hee Choon Lee,Yi Sik Choi,Gye Won Jang,Bok Kee Na. Владелец: Sapphire Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Growing apparatus and single-crystal ingot growing method using the same

Номер патента: US20190017191A1. Автор: Jung Ha Hwang,Do Won Song,In Gu Kang. Владелец: SK Siltron Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-17.

Single crystal of silicon with <100> orientation, which is doped with n-type dopant, and method for producing such a single crystal

Номер патента: US20200270764A1. Автор: Jochen Friedrich,Georg Raming,Alfred Miller,Matthias Daniel,Ludwig STOCKMEIER. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2020-08-27.

Chemical polishing of single crystal dielectrics

Номер патента: US3964942A. Автор: Arnold Reisman,Melvin Berkenblit. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1976-06-22.

Method for controlled growth of silicon carbide and structures produced by same

Номер патента: US20130153928A1. Автор: Hudson M. Hobgood,Robert Tyler Leonard,William A. Thore. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2013-06-20.

Method for controlled growth of silicon carbide and structures produced by same

Номер патента: EP2563950A1. Автор: Hudson M. Hobgood,Robert Tyler Leonard,William A. Thore. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2013-03-06.

Method for controlled growth of silicon carbide and structures produced by same

Номер патента: US20110266556A1. Автор: Hudson M. Hobgood,Robert Tyler Leonard,William A. Thore. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

Method for controlled growth of silicon carbide and structures produced by same

Номер патента: WO2011137202A1. Автор: Hudson M. Hobgood,Robert Tyler Leonard,William A. Thore. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2011-11-03.

Growing method of gallium nitride related compound semiconductor crystal and gallium nitride related compound semiconductor device

Номер патента: US5716450A. Автор: Hitoshi Okazaki,Seiji Togawa. Владелец: Japan Energy Corp. Дата публикации: 1998-02-10.

Heat shield assembly and method of growing vacancy rich single crystal silicon

Номер патента: EP1015673A1. Автор: William L. Luter,Kyong-Min Kim,Robert J. Braun,Lee W. Ferry,Paolo Tosi,Umberto Martini,Mauro Dioda,Srdjan Ilic,Marco Gobbo. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2000-07-05.

Heat shield assembly and method of growing vacancy rich single crystal silicon

Номер патента: WO1999006615A1. Автор: William L. Luter,Kyong-Min Kim,Robert J. Braun,Lee W. Ferry,Paolo Tosi,Umberto Martini,Mauro Dioda,Srdjan Ilic,Marco Gobbo. Владелец: MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC.. Дата публикации: 1999-02-11.

METHOD FOR REPEATED USE OF A SOLUTION-MELT IN THE SYNTHESIS OF 57FeBO3

Номер патента: RU2769681C1. Автор: Игорь Савельевич Любутин,Юлия Александровна Могиленец,Кира Андреевна Селезнева,Марк Борисович Стругацкий,Сергей Владимирович Ягупов,Никита Игоревич Снегирёв,Марианна Владимировна Любутина. Владелец: Федеральное государственное учреждение &#34;Федеральный научно-исследовательский центр &#34;Кристаллография и фотоника&#34; Российской академии наук&#34;. Дата публикации: 2022-04-05.

Shielding member and apparatus for single crystal growth

Номер патента: US11261541B2. Автор: Yohei FUJIKAWA. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2022-03-01.

Semiconductor substrate, semiconductor wafer, and method for manufacturing semiconductor wafer

Номер патента: EP4383315A1. Автор: Kohei Sasaki,Chia-hung Lin. Владелец: Novel Crystal Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-12.

New laser uses for single-crystal cvd diamond

Номер патента: EP2126162A1. Автор: Russell J. Hemley,Ho-Kwang Mao,Chih-shiue Yan. Владелец: CARNEGIE INSTITUTION OF WASHINGTON. Дата публикации: 2009-12-02.

Single-crystal growth apparatus

Номер патента: US09657411B2. Автор: Jin Ho Son,Jun Hyuk Choi,Cheol Hwan Kim,Chang Youn Lee,Do Won Song. Владелец: LG Siltron Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Single crystal pulling apparatus and low heat conductive member used for single crystal pulling apparatus

Номер патента: US09453291B2. Автор: Osamu Okada,Masaaki Kawakami. Владелец: Toyo Tanso Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Single-crystal spinel plate

Номер патента: RU2335582C2. Автор: Милэн КОКТА,Дженнифер СТОУН-САНДБЕРГ,Ханг ОНГ,Роберт СИНК. Владелец: Сэнт-Гобэн Керамикс Энд Пластикс, Инк.. Дата публикации: 2008-10-10.

Substrate of single crystal of oxide, device using said substrate and method of producing said superconductive device

Номер патента: US5314871A. Автор: Kozo Nakamura. Владелец: KOMATSU LTD. Дата публикации: 1994-05-24.

Seed crystal for single crystal 4H—SiC growth and method for processing the same

Номер патента: US11781244B2. Автор: Takanori Kido,Masatake Nagaya,Hidetaka Takaba. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Single crystal diamond, manufacturing method for same, and manufacturing method for single crystal diamond plate

Номер патента: EP4317543A1. Автор: Yutaka Kobayashi,Yoshiki Nishibayashi,Hitoshi Sumiya,Jin Hwa Lee,Minori Teramoto,Yikang ZUO. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Method of manufacturing diamond tool intermediate and method of making determination for single-crystal diamond

Номер патента: US11878354B2. Автор: Kiichi Meguro,Masayuki Nishizawa. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC HARDMETAL CORP. Дата публикации: 2024-01-23.

Silicon single crystal growing method and silicon single crystal pulling device

Номер патента: US20220290323A1. Автор: Ryusuke Yokoyama,Norihito Fukatsu. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Bismuth-substituted rare earth iron garnet single crystal, faraday rotator, optical isolator, and method for producing bismuth-substituted rare earth iron garnet single crystal

Номер патента: US12012668B2. Автор: Toshiaki Watanabe,Satoru Fukuda. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Bismuth-substituted rare earth iron garnet single crystal, faraday rotator, optical isolator, and method for producing bismuth-substituted rare earth iron garnet single crystal

Номер патента: EP4141150A1. Автор: Toshiaki Watanabe,Satoru Fukuda. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-01.

Open czochralski furnace for single crystal growth

Номер патента: US20210180207A1. Автор: Yu Wang,Weiming Guan,Zhenxing Liang. Владелец: Meishan Boya Advanced Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Open czochralski furnace for single crystal growth

Номер патента: US20210054524A1. Автор: Yu Wang,Weiming Guan,Zhenxing Liang. Владелец: Meishan Boya Advanced Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Silicon carbide crystal growing apparatus and crystal growing method thereof

Номер патента: US20210246573A1. Автор: Min-Sheng Chu,Wei-Tse Hsu,chun-sheng Peng,Yun-Fu Chen. Владелец: Winsheng Material Technology Wmt Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Method for preparing single-crystal cubic sesquioxides and uses

Номер патента: US09945049B2. Автор: Philippe Veber,Matias Velazquez,Oudomsack Viraphong,Gabriel Buse. Владелец: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS. Дата публикации: 2018-04-17.

Dry methods for modification of single-crystal battery cathode materials

Номер патента: WO2024147963A1. Автор: Susi JIN,Van At NGUYEN,Nutthaphon PHATTHARASUPAKUN,Kate Elise GONZALEZ WOODS,Ryan FIELDEN,Mark Mcarthur. Владелец: Novonix Battery Technology Solutions Inc.. Дата публикации: 2024-07-11.

Apparatus for forming non-single-crystal semiconductor thin film, method for forming non-single-crystal semiconductor thin film, and method for producing photovoltaic device

Номер патента: US6159300A. Автор: Shotaro Okabe,Yuzo Kohda,Tadashi Hori,Akira Sakai,Takahiro Yajima. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2000-12-12.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US11757006B2. Автор: Hajime Nago,Toshiki Hikosaka,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US20220367644A1. Автор: Hajime Nago,Toshiki Hikosaka,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2022-11-17.

Method for purifying succinic acid by crystallization of culture broth

Номер патента: WO2009082050A1. Автор: Sang Yup Lee,Hyohak Song,Yun Suk Huh,Won Hi HONG,Yeon Ki Hong,Hyo Jin Won,Eun Zoo Lee. Владелец: KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2009-07-02.

Method for preparing phosphoric acid by crystallization of phosphoric acid semihydrate

Номер патента: RU2226499C2. Автор: Паула ИЛИНЕН,Ярмо ААЛТОНЕН,Сакари РИИХИМЯКИ,Андерс ВЕКМАН. Владелец: Кемира Кемикалс ОЙ. Дата публикации: 2004-04-10.

Method for producing high melting point crystals of phenoxypropionic acid derivative

Номер патента: US20020055634A1. Автор: Masami Yasukawa,Shinji Kuwahara. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2002-05-09.

Method for producing high melting point crystals of phenoxypropionic acid derivative

Номер патента: WO1999055685A1. Автор: Masami Yasukawa,Shinji Kuwahara. Владелец: NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.. Дата публикации: 1999-11-04.

Method for producing high melting point crystals of phenoxypropionic acid derivative

Номер патента: EP1075468A1. Автор: Masami Nissan Chemical Industries Ltd YASUKAWA,Shinji Nissan Chemical Industries Ltd KUWAHARA. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2001-02-14.

Polycrystalline cvd diamond substrate for single crystal epitaxial growth of semiconductors

Номер патента: ZA91697B. Автор: Thomas Richard Anthony,James Fulton Fleischer,Richard Anthony Thomas,Fulton Fleischer James. Владелец: Gen Electric. Дата публикации: 1991-12-24.

Method for producing monocrystalline ethanol solvate of acetate cortizone

Номер патента: RU2637504C1. Автор: Александр Владимирович Князев,Николай Викторович Сомов,Анастасия Сергеевна Шипилова,Екатерина Вадимовна Гусарова,Светлана Сергеевна Князева. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования &#34;Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского&#34;. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US11469304B2. Автор: Hajime Nago,Toshiki Hikosaka,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2022-10-11.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US20210234008A1. Автор: Hajime Nago,Toshiki Hikosaka,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

High purity, environmentally clean method and apparatus, for high rate, liquid anisotropic etching of single crystal silicon or etching of polycrystalline silicon, using an overpressure of ammonia gas above aqueous ammonium hydroxide

Номер патента: US20130012028A1. Автор: Alvin Gabriel Stern. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-10.

Apparatus for forming non-single-crystal semiconductor thin film, method for forming non-single-crystal semiconductor thin film, and method for producing photovoltaic device

Номер патента: EP0849811A2. Автор: Shotaro Okabe,Yuzo Kohda,Tadashi Hori,Akira Sakai,Takahiro Yajima. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1998-06-24.

HEAT TREATED NICKEL BASE SUPER ALLOY PRODUCT, METHOD FOR PRODUCING A SINGLE CRYSTAL NICKEL BASE SUPER ALLOY PRODUCT AND INTERMEDIATE SINGLE CRYSTAL PRODUCT

Номер патента: DE2949158A1. Автор: David Noel Duhl,Walter E Olson. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 1980-06-26.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING APPARATUS OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210234008A1. Автор: Nago Hajime,Hikosaka Toshiki,Tajima Jumpei. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2021-07-29.

Quartz glass crucible, method for producing the same, and method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP5488519B2. Автор: 明浩 木村,亮二 星. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-14.

METHOD FOR POLISHING GAN SINGLE CRYSTAL MATERIAL

Номер патента: US20170100815A1. Автор: SATO Makoto,OMORI Wataru,TAKAHASHI Maiko. Владелец: NORITAKE CO., LIMITED. Дата публикации: 2017-04-13.

Polishing method for indium antimonide single crystal wafer

Номер патента: CN114800058A. Автор: 陈基生,王永净. Владелец: Xiamen Huaxin Wafer Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2022-07-29.

Method for deforming metal single crystals

Номер патента: US3413204A. Автор: Rexer Ernst,Schlaubitz Karl,Zedler Erich,Muller Dieter. Владелец: Akademie der Wissenschaften der DDR. Дата публикации: 1968-11-26.

Method for cutting wafers from a crystal of brittle and hard material using a wire saw

Номер патента: TW490482B. Автор: Walter Frank,Maximilian Kaeser,Vernon Knepprath,Albert Pemwieser. Владелец: Wacker Siltronic Halbleitermat. Дата публикации: 2002-06-11.

CHEMICAL MECHANICAL POLISHING SLURRY, METHOD FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: US20170338123A1. Автор: Huang Shu-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

Method for manufacturing of metal line contact plug of semiconductor device

Номер патента: KR100444307B1. Автор: 권판기,이상익. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-08-16.

Method for manufacturing of metal line contact plug of semiconductor device

Номер патента: KR100442962B1. Автор: 권판기,안기철,정종구. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-08-04.

Moire target and method for using the same in measuring offset of semiconductor device

Номер патента: CN113330534B. Автор: M·吉诺乌克. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2023-01-13.

Method for enhancing solid solution stability and products resulting thereby

Номер патента: CA1069370A. Автор: Sam R. Turner,John M. Pochan. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1980-01-08.

Crystal of 5-hydroxy-1h-imidazole-4-carboxamide 3/4 hydrate, method for producing the same and crystal of 5-hydroxy-1h-imidazole-4-carboxamide hydrate

Номер патента: US20140275568A1. Автор: Tomoyuki Tanaka,Katsuyuki Hayashi,Tomohiro Hashimoto,Taisuke Fujimoto. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

CRYSTAL OF 5-HYDROXY-1H-IMIDAZOLE-4-CARBOXAMIDE 3/4 HYDRATE, METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND CRYSTAL OF 5-HYDROXY-1H-IMIDAZOLE-4-CARBOXAMIDE HYDRATE

Номер патента: US20150315156A1. Автор: Tanaka Tomoyuki,FUJIMOTO Taisuke,Hashimoto Tomohiro,HAYASHI Katsuyuki. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2015-11-05.

Crystal of 5-hydroxy-1h-imidazole-4-carboxamide 3/4 hydrate, method for producing the same and crystal of 5-hydroxy-1h-imidazole-4-carboxamide hydrate

Номер патента: AU2012317424A1. Автор: Tomoyuki Tanaka,Katsuyuki Hayashi,Tomohiro Hashimoto,Taisuke Fujimoto. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

Crystal of 5-hydroxy-1h-imidazole-4-carboxamide.3/4 hydrate, method for producing the same and crystal of 5-hydroxy-1h-imidazole-4-carboxamide hydrate

Номер патента: IL231677A0. Автор: . Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2014-05-28.

Method for producing powder containing anhydrous crystals of 2-O-alpha-D-glucosyl-L-ascorbic acid

Номер патента: CN106220696B. Автор: 涩谷孝,三宅俊雄,西本友之,福田惠温,伊泽精祐. Владелец: Hayashibara Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-24.

Method for producing reduced coenzyme q10 crystals of form ii or crystalline solid thereof

Номер патента: WO2022202213A1. Автор: 昴 谷崎,直生 大野,貴識 橋本. Владелец: 株式会社カネカ. Дата публикации: 2022-09-29.

Method for producing high melting point crystals of phenoxypropionic acid derivative

Номер патента: AU3343999A. Автор: Masami Yasukawa,Shinji Kuwahara. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 1999-11-16.

Method for producing high melting point crystals of phenoxypropionic acid derivative

Номер патента: IL139047A0. Автор: . Владелец: Nissan Chemical Ind Ltd. Дата публикации: 2001-11-25.

Method of local crystallization of glasses

Номер патента: RU2640604C2. Автор: Владимир Николаевич Сигаев,Алексей Сергеевич Липатьев,Сергей Викторович Лотарев,Татьяна Олеговна Липатьева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования &#34;Российский химико-технологический университет имени Д.И. Менделеева&#34; (РХТУ им. Д.И. Менделеева). Дата публикации: 2018-01-10.

Method for manufacturing silicon single crystal wafer and electronic device

Номер патента: US9252025B2. Автор: Koji Ebara,Tetsuya Oka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-02.

Method for slicing semiconductor single crystal ingot

Номер патента: US09876078B2. Автор: Hiroshi Noguchi. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Metal clip assembly, semiconductor device assembly, method for manufacturing semiconductor device assembly, and application of semiconductor device assembly

Номер патента: US20240250005A1. Автор: Xin Huang,Limin Wang. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for die-level unique authentication and serialization of semiconductor devices

Номер патента: WO2020214243A1. Автор: H. Jim Fulford,Anton Devilliers,Anthony Schepis. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2020-10-22.

Method for repairing a single crystal turbine blade

Номер патента: US09488053B2. Автор: Tobias Schmitt,Michael Seemann,Guenter Ambrosy,Hans Bissig,Stefan Schlegel,Hermann Emminger. Владелец: General Electric Technology GmbH. Дата публикации: 2016-11-08.

Manufacturing method of photomask, method for optical proximity correction, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8835083B2. Автор: Akira Imai,Ayumi Minamide,Akemi Moniwa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-09-16.

Manufacturing method of photomask, method for optical proximity correction, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20120183891A1. Автор: Akira Imai,Ayumi Minamide,Akemi Moniwa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-07-19.

Manufacturing method of photomask, method for optical proximity correction, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20140030657A1. Автор: Akira Imai,Ayumi Minamide,Akemi Moniwa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

Method for forming via profile of interconnect structure of semiconductor device structure

Номер патента: US09536964B2. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for manufacturing silicon single crystal wafer and electronic device

Номер патента: US20150001680A1. Автор: Koji Ebara,Tetsuya Oka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-01.

Method for forming dual silicide in manufacturing process of semiconductor structure

Номер патента: US20230420565A1. Автор: Ming-Hsing Tsai,Chih-Wei Chang,Li-Wei Chu,Hung-Hsu CHEN,Ying-Chi Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for fabricating an Al-Ge alloy wiring of semiconductor device

Номер патента: US5846877A. Автор: Jun-Ki Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1998-12-08.

Method for cleaning semiconductor wafer and manufacturing method of semiconductor wafer using the method for cleaning

Номер патента: US20200020552A1. Автор: Katsuro Wakasugi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Apparatuses and related methods for staggering power-up of a stack of semiconductor dies

Номер патента: US9785171B2. Автор: Trismardawi Tanadi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Apparatuses and related methods for staggering power-up of a stack of semiconductor dies

Номер патента: US20160209859A1. Автор: Trismardawi Tanadi. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-07-21.

Method for testing lifetime of surface state carrier of semiconductor

Номер патента: US11719739B2. Автор: QIAN Cheng,Yiming Chen,Ya GAO,Haonan ZHANG,Shiying WU,Weiya XIE,Yingna CHEN,Mengjiao ZHANG. Владелец: TONGJI UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-08-08.

Method for testing lifetime of surface state carrier of semiconductor

Номер патента: US20220043049A1. Автор: QIAN Cheng,Yiming Chen,Ya GAO,Haonan ZHANG,Shiying WU,Weiya XIE,Yingna CHEN,Mengjiao ZHANG. Владелец: TONGJI UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-02-10.

Method for repairing a single crystal turbine blade

Номер патента: EP2872286A1. Автор: Tobias Schmitt,Michael Seemann,Guenter Ambrosy,Hans Bissig,Stefan Schlegel,Hermann Emminger. Владелец: Alstom Technology AG. Дата публикации: 2015-05-20.

Method for measuring charge accumulation in fabrication process of semiconductor device and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20180286765A1. Автор: Chu-Fu Chen,Chun-Hao Liao,Jui-Yean Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Method for die-level unique authentication and serialization of semiconductor devices using electrical and optical marking

Номер патента: US20200328103A1. Автор: Anton J. deVilliers,H. Jim Fulford,Anthony Schepis. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Method for die-level unique authentication and serialization of semiconductor devices using electrical and optical marking

Номер патента: US11862497B2. Автор: Anton J. deVilliers,H. Jim Fulford,Anthony Schepis. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Method for die-level unique authentication and serialization of semiconductor devices using electrical and optical marking

Номер патента: WO2020214256A1. Автор: H. Jim Fulford,Anton Devilliers,Anthony Schepis. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2020-10-22.

Method for performing double clustering to evaluate placement of semiconductor devices

Номер патента: US12008297B1. Автор: Seungju KIM,Wooshik MYUNG,Jiyoon LIM,Wonjun Yoo. Владелец: MakinaRocks Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Method for estimating the frequency of single radiation effects in the onboard equipment of spacecrafs

Номер патента: RU2675669C1. Автор: Алексей Викторович Зубко. Владелец: Публичное акционерное общество &#34;Красногорский завод им. С.А. Зверева&#34;, ПАО КМЗ. Дата публикации: 2018-12-21.

Carbon-layered grain-free single-crystal cathode particles and method for preparing same

Номер патента: US20240234728A1. Автор: Youngho Shin. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Method and apparatus for manufacturing single crystal

Номер патента: US09959611B2. Автор: Ken Hamada. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: RU2644627C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования &#34;Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова&#34; (КБГУ). Дата публикации: 2018-02-13.

Method for measuring and correcting misregistration between layers in a semiconductor device, and misregistration targets useful therein

Номер патента: US20220199437A1. Автор: YOEL Feler,Roie VOLKOVICH,Liran Yerushalmi,Renan MILO,Moran Zaberchik,David Izraeli. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Method for manufacturing semiconductor device and manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US09793410B2. Автор: Yoshiharu Hirakata,Tetsuji Ishitani,Nozomu Sugisawa,Ryo HATSUMI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Apparatus and method for sawing single crystal ingot

Номер патента: WO2012050307A2. Автор: Ki-Soo Kwon,Heui-Don Cho,Dong-Ouk Ji. Владелец: LG Siltron Inc.. Дата публикации: 2012-04-19.

Apparatus and method for sawing single crystal ingot

Номер патента: EP2627488A2. Автор: Ki-Soo Kwon,Heui-Don Cho,Dong-Ouk Ji. Владелец: LG Siltron Inc. Дата публикации: 2013-08-21.

Method for manufacturing semiconductor device and manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US09460940B2. Автор: Yoshiharu Hirakata,Tetsuji Ishitani,Nozomu Sugisawa,Ryo HATSUMI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Jig, apparatus and method for inspecting semiconductor chip, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: TW201013832A. Автор: Nobuhiro Sawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

Multi-layered moiré targets and methods for using the same in measuring misregistration of semiconductor devices

Номер патента: EP3948938A1. Автор: YOEL Feler,Mark Ghinovker. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2022-02-09.

Single-crystal layer on a dielectric layer

Номер патента: US20070228384A1. Автор: Yves Campidelli,Olivier Kermarec. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2007-10-04.

System and method for spatially resolved optical emission spectroscopic monitoring of semiconductor processes

Номер патента: WO2024015515A3. Автор: Andrew Weeks Kueny. Владелец: Verity Instruments, Inc.. Дата публикации: 2024-04-04.

Material structure and method for deep silicon carbide etching

Номер патента: WO2018049081A1. Автор: Rachael L. Myers-Ward,Francis J. Kub,Karl D. Hobart,Eugene A. Imhoff. Владелец: The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy. Дата публикации: 2018-03-15.

Method for singulating an assemblage into semiconductor chips, and semiconductor chip

Номер патента: US20180047628A1. Автор: Mathias Kaempf. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-02-15.

Method for dividing a composite into semiconductor chips, and semiconductor chip

Номер патента: US20160204032A1. Автор: Mathias Kaempf. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-07-14.

Method for dividing a composite into semiconductor chips, and semiconductor chip

Номер патента: US9873166B2. Автор: Mathias Kaempf. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor testing apparatus and method for optimizing a wait time until stabilization of semiconductor device output signal

Номер патента: US6895548B2. Автор: Masatsugu Kitada,Motoyuki Katayama,Akiyoshi Kuramoto,Tatsuhisa Nii. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-05-17.

Method of forming defect-free single crystal thin layer of semiconductor material

Номер патента: JPS6466929A. Автор: Pandoya Ranjiyana,Maruchinetsu Andore. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1989-03-13.

Method for drying semiconductor substrates

Номер патента: US4412388A. Автор: Mikio Takagi,Hajime Kamioka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1983-11-01.

Method for measuring and correcting misregistration between layers in a semiconductor device, and misregistration targets useful therein

Номер патента: US20200312687A1. Автор: YOEL Feler,Roie VOLKOVICH,Liran Yerushalmi,Renan MILO,Moran Zaberchik,David Izraeli. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

A fixture and method for laser fabrication by in-situ cleaving of semiconductor bars

Номер патента: TW296501B. Автор: John George,Kumar Chakrabarti Utpal,Francavilla De Jone Judith,Frederick Schubert Erdmann,Dennis Wynn James. Владелец: At & T Corp. Дата публикации: 1997-01-21.

METHOD FOR EVALUATING SILICON SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20140363904A1. Автор: Hoshi Ryoji,Matsumoto Suguru,Kamada Hiroyuki. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-11.

METHOD FOR GROWING NITRIDE III SEMICONDUCTOR CRYSTAL OF GROUP III, METHOD FOR PRODUCING NITRIDE III SEMICONDUCTOR CRYSTAL OF GROUP III AND SEMICONDUCTOR CRYSTAL SUBSTRATE OF GROUP NITRIDE III

Номер патента: RU2008145803A. Автор: Томоки УЕМУРА,Такудзи ОКАХИСА,Томохиро КАВАСЕ,Мунейюки НИСИОКА,Сатоси АРАКАВА,Такудзи ОКАХИСА (JP),Томохиро КАВАСЕ (JP),Томоки УЕМУРА (JP),Мунейюки НИСИОКА (JP),Сатоси АРАКАВА (JP). Владелец: Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд. (Jp). Дата публикации: 2010-05-27.

Apparatus and method for measuring mechanical strength of neck portion of seed crystal and method for producing silicon single crystal

Номер патента: EP0942276A2. Автор: Isamu c/o Isobe Plant Harada,Michiaki c/o Isobe Plant Oda,Masaru C/O Isobe Plant Toyoshima,Toshinari C/O Isobe Plant Murai,Eiichi C/O Isobe Plant Iino. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 1999-09-15.

Apparatus and method for measuring mechanical strength of neck portion of seed crystal and method for producing silicon single crystal

Номер патента: KR19990077782A. Автор: 하라다이사무,오다미치아키,도요시마마사루,무라이도시나리,이노에이치. Владелец: 와다 다다시. Дата публикации: 1999-10-25.

Method for Manufacturing Semiconductor Device and Manufacturing Apparatus of Semiconductor Device

Номер патента: US20150348804A1. Автор: Yoshiharu Hirakata,Tetsuji Ishitani,Nozomu Sugisawa,Ryo HATSUMI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-03.

Method for Manufacturing Semiconductor Device and Manufacturing Apparatus of Semiconductor Device

Номер патента: US20170012137A1. Автор: Yoshiharu Hirakata,Tetsuji Ishitani,Nozomu Sugisawa,Ryo HATSUMI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-12.

Method for Manufacturing Semiconductor Device and Manufacturing Apparatus of Semiconductor Device

Номер патента: US20180047850A1. Автор: Yoshiharu Hirakata,Tetsuji Ishitani,Nozomu Sugisawa,Ryo HATSUMI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-15.

System and method for determining if deterioration occurs in interface of semiconductor die of electric power module

Номер патента: US20180188309A1. Автор: Stefan Mollov,Nicolas Degrenne. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

Diffusion bond mixture for healing single crystal alloys

Номер патента: WO2004004953A3. Автор: Federico Renteria,William Hahmann. Владелец: Honeywell Int Inc. Дата публикации: 2004-06-03.

X-ray analysis apparatus with single crystal X-ray aperture and method for manufacturing a single crystal X-ray aperture

Номер патента: US20130315375A1. Автор: Kleine Andreas,Kreith Josef,Hertlein Frank. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-28.

Method for machining of single-crystal material part e.g. sector of distributor of high pressure turbine of turbojet engine of aircraft, involves carrying out milling single-crystal material part in high speed machining

Номер патента: FR2956598A1. Автор: Damien Hebuterne,Christian Defrocourt,Olivier Dupouy,Thierry Baillot. Владелец: SNECMA SAS. Дата публикации: 2011-08-26.

Method for preparing semiconductor single crystal substrate by using two-dimensional crystal transition layer

Номер патента: CN109585269B. Автор: 沈波,王新强,刘放,吴洁君,荣新,盛博文,郑显通. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-06-26.

A method for transporting a semiconductor device, a laminate of semiconductor devices, and a laminate of semiconductor devices.

Номер патента: JP7024269B2. Автор: 忠彦 佐藤. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

Probe card, semiconductor device, method for testing semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: JP2013057523A. Автор: 敏一 田付,Toshiichi Tatsuke. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Apparatus and method for front side chemical mechanical planarization (cmp) of semiconductor workpieces

Номер патента: US20030143930A1. Автор: Uldis Ziemins,Raymond Khoury,Jose Ocasio. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-07-31.

METHOD FOR CLEANING SEMICONDUCTOR WAFER AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR WAFER USING THE METHOD FOR CLEANING

Номер патента: US20200020552A1. Автор: WAKASUGI Katsuro. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2020-01-16.

METHOD FOR MEASURING CHARGE ACCUMULATION IN FABRICATION PROCESS OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180286765A1. Автор: Liao Chun-Hao,Chen Chu-Fu,Chiu Jui-Yean. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-10-04.

A method for modeling the process of crystallization of vascular calcifications from an analogue of a human blood plasma solution under conditions close to physiological in vitro

Номер патента: RU2015133422A. Автор: Ольга Александровна Голованова,Ольга Владимировна Франк-Каменецская,Анна Александровна Солодянкина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования &#34;Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского&#34;. Дата публикации: 2017-02-15.

Method for Manufacturing Semiconductor Device and Manufacturing Apparatus of Semiconductor Device

Номер патента: US20170012137A1. Автор: Hirakata Yoshiharu,Ishitani Tetsuji,Sugisawa Nozomu,HATSUMI Ryo. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2017-01-12.

Method for Manufacturing Semiconductor Device and Manufacturing Apparatus of Semiconductor Device

Номер патента: US20140106503A1. Автор: Yoshiharu Hirakata,Tetsuji Ishitani,Nozomu Sugisawa,Ryo HATSUMI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Method for Manufacturing Semiconductor Device and Manufacturing Apparatus of Semiconductor Device

Номер патента: US20180047850A1. Автор: Yoshiharu Hirakata,Tetsuji Ishitani,Nozomu Sugisawa,Ryo HATSUMI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-15.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND ALIGNMENT MARK OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150145150A1. Автор: NODA Kotaro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-05-28.

Method for Manufacturing Semiconductor Device and Manufacturing Apparatus of Semiconductor Device

Номер патента: US20150348804A1. Автор: Hirakata Yoshiharu,Ishitani Tetsuji,Sugisawa Nozomu,HATSUMI Ryo. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2015-12-03.

METHOD FOR GROWING NITRIDE III SEMICONDUCTOR CRYSTAL OF GROUP III, METHOD FOR PRODUCING NITRIDE III SEMICONDUCTOR CRYSTAL FROM NITRIDE III GROUP AND NITRIDE III SEMICONDUCTOR CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: RU2008145801A. Автор: Томоки УЕМУРА,Такудзи ОКАХИСА,Томохиро КАВАСЕ,Мунейюки НИСИОКА,Сатоси АРАКАВА,Такудзи ОКАХИСА (JP),Томохиро КАВАСЕ (JP),Томоки УЕМУРА (JP),Мунейюки НИСИОКА (JP),Сатоси АРАКАВА (JP). Владелец: Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд. (Jp). Дата публикации: 2010-05-27.

Semiconductor device, card, system, and method for initializing and inspecting authenticity and discrimination of semiconductor device

Номер патента: JP4545438B2. Автор: ペトラ、エー．デ、ヨング,エドウィン、ロクス,ロベルツス、アー．エム．ウォルターズ,ヘルマヌス、エル．ピーク. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-09-15.

Semiconductor device overlay measurement mark and method for measuring overlay error between multiple patterns of semiconductor device using the same

Номер патента: JP2963855B2. Автор: 相 萬 ▲べい▼. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-10-18.

Method for polishing surface of edge of disk of semiconductor material e.g. silicon wafer, involves conveying polishing agent to surface of edge of semiconductor wafer disk through auxiliary borehole over suction opening at front side

Номер патента: DE102013212850A1. Автор: Jürgen Schwandner,Werner Aigner. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2013-09-12.

Tuneable, adjustment-stable semiconductor laser light source and a method for the optically stable, largely continuous tuning of semiconductor lasers

Номер патента: WO1997022166A3. Автор: Manfred Gabbert,Wolfgang Reinecke. Владелец: Wolfgang Reinecke. Дата публикации: 1997-08-14.

Method for detecting the alignment of a plurality of semiconductor chips of a semiconductor component stacked in the Z direction

Номер патента: DE112014002910B4. Автор: Daisuke Tsuji. Владелец: Longitude Licensing Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Method for selecting polycrystalline silicon rod and method for producing FZ single crystal silicon

Номер патента: JP5984741B2. Автор: 秀一 宮尾,祢津　茂義,茂義 祢津. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Method for fabricating flexible single-crystal film and flexible electro-optical device, apperatus for fabricating the same

Номер патента: KR100547237B1. Автор: 박재근,박종완. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2006-01-26.

Method for processing cylinderical single crystal silicon ingot block into square columnar block and complex processing device for chamfering used therein

Номер патента: KR101486113B1. Автор: 유타카 요시다,가즈오 고바야시,사토루 이데,히로츠구 사이토우. Владелец: 가부시키가이샤 오카모도 코사쿠 기카이 세이사쿠쇼. Дата публикации: 2015-01-23.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON SINGLE CRYSTAL WAFER AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20150001680A1. Автор: Oka Tetsuya,Ebara Koji. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

METHOD FOR CUTTING A SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20150165647A1. Автор: Bickermann Matthias,Filip Octavian,Epelbaum Boris,Winnacker Albrecht,Heimann Paul,Seitz Ulrich. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-18.

METHOD FOR REPAIRING A SINGLE CRYSTAL TURBINE BLADE

Номер патента: US20150184514A1. Автор: Schmitt Tobias,Schlegel Stefan,SEEMANN Michael,Ambrosy Guenter,Bissig Hans,EMMINGER Hermann. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

METHOD FOR SLICING SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL INGOT

Номер патента: US20140295126A1. Автор: Noguchi Hiroshi. Владелец: SUMCO TECHXIV CORPORATION. Дата публикации: 2014-10-02.

Method for polishing a single crystal or gadolinium gallium garnet

Номер патента: US4226623A. Автор: Isamu Koshiyama,Yoshisuke Naitou. Владелец: Fujimi Kenmazai Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 1980-10-07.

Method for fabricating GaN single crystal substrate

Номер патента: KR100438819B1. Автор: 이교열. Владелец: 삼성코닝 주식회사. Дата публикации: 2004-07-05.

METHOD FOR CASTING OF SINGLE-CRYSTAL METAL PARTS

Номер патента: RU2014108855A. Автор: Давид ЛОКАТЕЛЛИ,Бенуа Жорж Жослен МАРИ,Селин Яньси ЧАН. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2015-09-20.

Method for repair of single crystal turbine blades, particularly high-pressure turbine stage, involves removing damaged blade part of turbine blades at parting plane on remaining blade

Номер патента: DE102008058140A1. Автор: Karl-Hermann Dr. Richter. Владелец: MTU AERO ENGINES GMBH. Дата публикации: 2010-05-27.

Method for forming silicon single crystal film

Номер патента: JPS5796520A. Автор: Masakazu Kimura. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1982-06-15.

The method for cutting SiC single crystal simultaneously using diamond wire and diamond mortar

Номер патента: CN105818284B. Автор: 徐现刚,胡小波,陈秀芳,谢雪健. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2018-11-30.

Polishing method for indium antimonide single crystal wafer

Номер патента: CN112216602A. Автор: 王健,高飞,李晖,徐世海,程红娟,洪颖,于凯,霍晓青,刘卫丹. Владелец: CETC 46 Research Institute. Дата публикации: 2021-01-12.

Polishing method for indium antimonide single crystal wafer

Номер патента: CN112216602B. Автор: 王健,高飞,李晖,徐世海,程红娟,洪颖,于凯,霍晓青,刘卫丹. Владелец: CETC 46 Research Institute. Дата публикации: 2022-07-05.

Method for producing multilayer single crystal silicon thin film

Номер патента: JP6674568B2. Автор: 啓森 党. Владелец: 瀋陽硅基科技有限公司. Дата публикации: 2020-04-01.

METHOD FOR METALLIZING A SINGLE-CRYSTAL SILICON WAFER

Номер патента: FR2537778B1. Автор: Herbert J Gould,Anders Nilarp. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1986-12-19.

Method for producing non-single crystal semiconductor material

Номер патента: JP4899118B2. Автор: 道雄 近藤,学 伊藤. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 2012-03-21.

Method for processing a single crystal element

Номер патента: DE102016201252A1. Автор: Hiroshi Morikazu. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

METHOD FOR FORMING A SINGLE-CRYSTAL SEMICONDUCTOR FILM ON AN INSULATOR

Номер патента: FR2517123A1. Автор: TADASHI Nishimura,Yoji Mashiko. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1983-05-27.

Method for producing a single-crystal metal turbine blade

Номер патента: WO2020240108A1. Автор: Julio-Alejandro AGUILAR ORTIZ. Владелец: SAFRAN. Дата публикации: 2020-12-03.

Method for growing aln single crystal film and surface acoustic wave resonator having film

Номер патента: WO2022053038A1. Автор: 李红浪,柯亚兵. Владелец: 广东广纳芯科技有限公司. Дата публикации: 2022-03-17.

Method for plasma etching in process for fabrication of semiconductor device

Номер патента: CN1164761A. Автор: 李辉健,文大植,金成经,金敬勋,郭奎焕. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-11-12.

Method for plasma etching in process for fabrication of semiconductor device

Номер патента: CN1132232C. Автор: 李辉健,文大植,金成经,金敬勋,郭奎焕. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-12-24.

Method for controlling read-out or write in of semiconductor memory device and apparatus for the same

Номер патента: DE3276885D1. Автор: Miki Tanaka,Kazuo - Ooami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1987-09-03.

Method for manufacturing metal layer for capacitor electrode of semiconductor device

Номер патента: KR100475045B1. Автор: 이상협,김영선. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-05-27.

Method for evaluating sensitivity of photoresist, method for preparation of photoresist and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US7368209B2. Автор: Shinichi Ito,Tadahito Fujisawa,Kei Hayasaki,Eishi Shiobara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-05-06.

System and method for spatially resolved optical emission spectroscopic monitoring of semiconductor processes

Номер патента: WO2024015515A2. Автор: Andrew Weeks Kueny. Владелец: Verity Instruments, Inc.. Дата публикации: 2024-01-18.

SYSTEMATIC BENCHMARKING SYSTEM AND METHOD FOR STANDARDIZED DATA CREATION, ANALYSIS AND COMPARISON OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY NODE CHARACTERISTICS

Номер патента: US20130104096A1. Автор: Jamann Joseph J.,Parker James C.,Rao Vishwas M.. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2013-04-25.

Method for fabricating interconnecting lines inside via holes of semiconductor device

Номер патента: US20130157459A1. Автор: Chia Han Lin,Feng Yu Lee,Wei-Leun Fang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2013-06-20.

METHOD FOR FORMING A VIA CONTACTING SEVERAL LEVELS OF SEMICONDUCTOR LAYERS

Номер патента: US20130196500A1. Автор: Batude Perrine,Morand Yves. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-01.

MANUFACTURING METHOD OF PHOTOMASK, METHOD FOR OPTICAL PROXIMITY CORRECTION, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140030657A1. Автор: Imai Akira,MINAMIDE Ayumi,MONIWA Akemi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-01-30.

CIRCUIT AND METHOD FOR BIASING A PLATE-SHAPED SENSOR ELEMENT OF SEMICONDUCTOR MATERIAL

Номер патента: US20140103921A1. Автор: RAMAN Johan,ROMBOUTS Pieter. Владелец: MELEXIS TECHNOLOGIES N.V.. Дата публикации: 2014-04-17.

METHOD FOR TESTING LIFETIME OF SURFACE STATE CARRIER OF SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20220043049A1. Автор: Cheng Qian,Gao Ya,Zhang Haonan,Chen Yiming,XIE Weiya,CHEN Yingna,ZHANG Mengjiao,WU Shiying. Владелец: TONGJI UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-02-10.

APPARATUSES AND RELATED METHODS FOR STAGGERING POWER-UP OF A STACK OF SEMICONDUCTOR DIES

Номер патента: US20150070056A1. Автор: Tanadi Trismardawi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-03-12.

SYSTEM AND METHOD FOR INSPECTION AND METROLOGY OF FOUR SIDES OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20220146438A1. Автор: Vangilbergen Bert,Paredaens Harry,Brocatus Maarten,Chan Foon Ming. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-12.

SYSTEM AND METHOD FOR DETERMINING IF DETERIORATION OCCURS IN INTERFACE OF SEMICONDUCTOR DIE OF ELECTRIC POWER MODULE

Номер патента: US20180188309A1. Автор: DEGRENNE Nicolas,MOLLOV Stefan. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2018-07-05.

APPARATUSES AND RELATED METHODS FOR STAGGERING POWER-UP OF A STACK OF SEMICONDUCTOR DIES

Номер патента: US20160209859A1. Автор: Tanadi Trismardawi. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-21.

Multi-layered moiré targets and methods for using the same in measuring misregistration of semiconductor devices

Номер патента: US20210233821A1. Автор: YOEL Feler,Mark Ghinovker. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

MOIRÉ TARGET AND METHOD FOR USING THE SAME IN MEASURING MISREGISTRATION OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20200249585A1. Автор: GHINOVKER Mark. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-06.

APPARATUSES AND RELATED METHODS FOR STAGGERING POWER-UP OF A STACK OF SEMICONDUCTOR DIES

Номер патента: US20170336820A1. Автор: Tanadi Trismardawi. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

METHOD FOR DIE-LEVEL UNIQUE AUTHENTICATION AND SERIALIZATION OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20200328102A1. Автор: deVilliers Anton J.,Fulford H. Jim,SCHEPIS Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2020-10-15.

METHOD FOR DIE-LEVEL UNIQUE AUTHENTICATION AND SERIALIZATION OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING ELECTRICAL AND OPTICAL MARKING

Номер патента: US20200328103A1. Автор: deVilliers Anton J.,Fulford H. Jim,SCHEPIS Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2020-10-15.

METHOD FOR FORMING VIA PROFILE OF INTERCONNECT STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE

Номер патента: US20160351669A1. Автор: Chang Che-Cheng,CHENG Tai-Shin,CHEN Wei-Ting,SHIAO Wei-Yin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2016-12-01.

APPARATUSES AND RELATED METHODS FOR STAGGERING POWER-UP OF A STACK OF SEMICONDUCTOR DIES

Номер патента: US20180364749A1. Автор: Tanadi Trismardawi. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-20.

Method for identifying defective elements in array molding of semiconductor packaging

Номер патента: US6391666B2. Автор: Ya-Hui Huang,Chih-Chin Liao,Tzong-Dar Her. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-21.

Method for fabricating MIM capacitor and contact hole of semiconductor device

Номер патента: KR100572826B1. Автор: 박인성. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-04-25.

Method for forming titanium silicide ohmic contact layer of semiconductor device

Номер патента: KR100626741B1. Автор: 손현철,엄장웅. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-09-22.

Method for manufacturing multi-thickness gate dielectric layer of semiconductor device

Номер патента: KR100442885B1. Автор: 김영욱,김경수,유혁주,강희성,오창봉. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-08-02.

Method for forming pad region and fuse region of semiconductor

Номер патента: KR100680935B1. Автор: 조형철. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-08.

METHOD FOR FABRICATION OF SELF ALIGN CONTACT HOLE OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING ArF PHOTO LITHOGRAPHY

Номер патента: KR100942980B1. Автор: 이성권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-02-17.

Method for measuring leakage current in junction region of semiconductor device

Номер патента: CN1079168C. Автор: 张世亿,宋泰植. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-13.

Method for creating vacuum at load-lock chamber of semiconductor device fabricating equipment

Номер патента: KR100470998B1. Автор: 박봉진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-03-10.

Method for forming gate electrode and salicide contact of semiconductor devices

Номер патента: KR100315451B1. Автор: 김서원. Владелец: 아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2001-11-28.

Method for etching photoresistive layer deposited on substrat of semiconductor

Номер патента: CN1480996A. Автор: ,陈中泰. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-03-10.

System and method for predicting remaining useful life of component of semiconductor equipment

Номер патента: TWI570587B. Автор: 闕壯華,孔祥重,任佳珉,張森嘉. Владелец: 財團法人工業技術研究院. Дата публикации: 2017-02-11.

Method for removing bubbles from chip adhesive layer of semiconductor package

Номер патента: CN112908865A. Автор: 陈天翼,罗玉婷,厉玉生. Владелец: Shanghai Maoying New Energy Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-06-04.

Method for the simultaneous grinding of a plurality of semiconductor wafers

Номер патента: CN101269476B. Автор: G·皮奇,M·克斯坦,H·a·d·施普林. Владелец: PETER WOLTERS GmbH. Дата публикации: 2010-12-08.

Method for manufacturing multi-thickness gate dielectric layer of semiconductor device

Номер патента: US7179750B2. Автор: Young-wug Kim,Hee-Sung Kang,Kyung-Soo Kim,Chang-Bong Oh,Hyuk-ju Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-20.

Apparatus and Method for measuring the accumulation of ecthing waste of semiconductor

Номер патента: KR102498907B1. Автор: 신찬수. Владелец: 신찬수. Дата публикации: 2023-02-09.

Method for measuring and controlling of junction temperature of semiconductor memory device

Номер патента: KR20020091659A. Автор: 윤성준,김윤기,유진오. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2002-12-06.

Method for forming contact hole with different depth of semiconductor device

Номер патента: KR100257771B1. Автор: 서원준. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-06-01.

Method for self-aligning etch stopper in fabrication of semiconductor device

Номер патента: KR100707023B1. Автор: 김기용,최승진,최현묵,정봉관. Владелец: 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사. Дата публикации: 2007-04-11.

Method for bonding wire conductors to contact pads of semiconductor devices

Номер патента: WO2022050873A1. Автор: Алексей Александрович Подувальцев. Владелец: Алексей Александрович Подувальцев. Дата публикации: 2022-03-10.

Method for manufacturing a shallow trench isolation layer of semiconductor device

Номер патента: KR100501549B1. Автор: 이대근. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-07-18.

Method for forming contact hole in metal wiring of semiconductor device

Номер патента: KR950015589A. Автор: 서동량. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1995-06-17.

Method for manufacturing multi-thickness gate dielectric layer of semiconductor device

Номер патента: US20070117391A1. Автор: Young-wug Kim,Hee-Sung Kang,Kyung-Soo Kim,Chang-Bong Oh,Hyuk-ju Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-24.

System and method for detecting bonding status of bonding wire of semiconductor package

Номер патента: US6492828B2. Автор: Chen Chin-Te,Lee Ming-Hsun. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-10.

Method for covalently grafting dielectric film on surface of semiconductor

Номер патента: CN112103176A. Автор: 李明,曹亮亮,吴蕴雯. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2020-12-18.

Device and method for cleaning articles used in the production of semiconductor components

Номер патента: EP1297384B1. Автор: Jakob Blattner,Federici Rudy. Владелец: Brooks PRI Automation Switzerland GmbH. Дата публикации: 2006-11-02.

Apparatus and method for identifying memory device sharing external resistance of semiconductor device

Номер патента: CN111295710A. Автор: D·甘斯. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-16.

Method for the simultaneous grinding of a plurality of semiconductor wafers

Номер патента: KR100945755B1. Автор: 게오르크 핏쉬,미하엘 커스탄,하이코 아우스 뎀 스프링. Владелец: 페터 볼터스 게엠베하. Дата публикации: 2010-03-08.

Method for determining whether holes in insulated layer of semiconductor substrate are fully open

Номер патента: CA1019466A. Автор: Richard C. Stevens,Theodore H. Baker,Albert J. Tzou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1977-10-18.

Method for testing micro-pollution in through hole of semiconductor equipment part

Номер патента: CN113533489A. Автор: 张正伟,贺贤汉,蒋立峰,管方方,李文阁,金奇梅. Владелец: Shanghai Fullerde Intelligent Technology Development Co ltd. Дата публикации: 2021-10-22.

Method for removing polymer residue from metal lines of semiconductor device

Номер патента: US20090029548A1. Автор: Chung-Kyung Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-01-29.

System and method for inspection and metrology of four sides of semiconductor devices

Номер патента: EP4211714A1. Автор: Bert Vangilbergen,Harry Paredaens,Maarten Brocatus,Foon Ming Chan. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-07-19.

System and method for inspection and metrology of four sides of semiconductor devices

Номер патента: WO2022103606A1. Автор: Bert Vangilbergen,Harry Paredaens,Maarten Brocatus,Foon Ming Chan. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2022-05-19.

Method for reducing pesticide drift

Номер патента: CA1337159C. Автор: Donald Freepons. Владелец: Canbra Foods Ltd. Дата публикации: 1995-10-03.

Apparatus and method for determining the likelihood of crystallization of a salt in a liquid ion-containing sample

Номер патента: DE102013022253A1. Автор: Udo Grabowy,Heinz Busch,Norbert Laube. Владелец: NTTF Coatings GmbH. Дата публикации: 2015-07-02.

Method of manufacture of semiconductor structure containing a p-n junction under porous silicon film for implementation of a photoelectric converter

Номер патента: RU2662254C1. Автор: Николай Николаевич Мельник,Вадим Викторович Трегулов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования &#34;Рязанский государственный университет имени С.А. Есенина&#34;. Дата публикации: 2018-07-25.

Method for growing of broiler chickens

Номер патента: RU2736967C1. Автор: Лидия Владимировна Карпунина,Надежда Александровна Фокина,Галина Тимофеевна Урядова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования &#34;Саратовский государственный аграрный университет имени Н.И. Вавилова&#34;. Дата публикации: 2020-11-23.

Method for forming a super-noise-resistant bistable thermomagnetic storage element for recording and storing information

Номер патента: RU2771596C1. Автор: Дмитрий Анатольевич Великанов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение &#34;Федеральный исследовательский центр &#34;Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук&#34;. Дата публикации: 2022-05-06.

Method for cultivation of winter triticale on junk rice paddy field in conditions of astrakhan region

Номер патента: RU2691685C1. Автор: Людмила Вячеславовна Богосорьянская,Анастасия Николаевна Бондаренко,Наталья Владимировна Тютюма. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение &#34;Прикаскийский аграрный Федеральный научный центр Российской академии наук&#34; (ФГБНУ &#34;ПАФНЦ РАН&#34;). Дата публикации: 2019-06-17.

Method of using platinum metallization in system of redistribution of contact pads of crystals of integrated microcircuits and semiconductor devices

Номер патента: RU2717264C1. Автор: Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество &#34;Научно-исследовательский институт электронной техники&#34;. Дата публикации: 2020-03-19.

Method for intensive cultivation of hericium erinaceus

Номер патента: RU2601589C2. Автор: Борис Глебович Анненков,Василина Александровна Азарова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение &#34;Дальневосточный научно-исследовательский институт сельского хозяйства&#34; (ФГБНУ &#34;ДВ НИИСХ&#34;). Дата публикации: 2016-11-10.

Method for growing betula pubescens birch wood

Номер патента: RU2725473C1. Автор: Сергей Вениаминович Залесов,Юрий Валерьевич Зарипов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования &#34;Уральский государственный лесотехнический университет&#34;. Дата публикации: 2020-07-02.

Method for growing of broiler chickens

Номер патента: RU2716211C1. Автор: Василий Иванович Комлацкий,Лариса Анатольевна Зеленская,Анастасия Николаевна Комирняя. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования &#34;Кубанский государственный аграрный университет имени И.Т. Трубилина&#34;. Дата публикации: 2020-03-06.

Method for determining crystal defect concentration lower than 10 ppm in semiconductor materials based on photomodulated reflectance measurement

Номер патента: WO2023175362A1. Автор: György Nádudvari,Laszlo Balogh,Jozsef Gallai,Zsolt ZOLNAI,János SZIVOS. Владелец: SEMILAB Zrt.. Дата публикации: 2023-09-21.

Single crystal quartz chips for protein crystallization and X-ray diffraction data collection and related methods

Номер патента: US09632042B2. Автор: ZHONG Ren. Владелец: Renz Research Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Soya growing method

Номер патента: RU2712501C1. Автор: Марина Евгеньевна Белышкина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования &#34;Российский государственный аграрный университет - МСХА имени К.А. Тимирязева&#34; (ФГБОУ ВО РГАУ - МСХА имени К.А. Тимирязева). Дата публикации: 2020-01-29.

Manufacturing method of semiconductor substrate and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110244660A1. Автор: Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Method for accelerated selection of potatoes

Номер патента: RU2765634C2. Автор: Наталья Всеволодовна Мамедова. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью Крестьянско-Фермерское Хозяйство &#34;Прогресс&#34;. Дата публикации: 2022-02-01.

Method for increasing crop capacity of green mass of winter rape

Номер патента: RU2694622C1. Автор: Сарра Абрамовна Бекузарова,Магомед Алаудинович Базгиев,Аза Юсуповна Леймоева,Лиза Юсуповна Костоева,Магомет Карымсултанович Аушев. Владелец: ФГБОУ ВО Ингушский государственный университет. Дата публикации: 2019-07-16.

Method for cultivation of tomato seedlings in protected soil

Номер патента: RU2708321C1. Автор: Анзор Клишбиевич Езаов,Эльдар Заурович Шонтуков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования &#34;Кабардино-Балкарский государственный аграрный университет им. В.М. Кокова&#34; (ФГБОУ ВО Кабардино-Балкарский ГАУ). Дата публикации: 2019-12-05.

Method for obtaining a harmonic frequency using a potassium bromate nonlinear optical component

Номер патента: US3815973A. Автор: S Haussuehl. Владелец: Individual. Дата публикации: 1974-06-11.

Method for selection of wheat plants with high fruiting capacity

Номер патента: RU2676000C1. Автор: Борис Васильевич Романов,Сергей Валентинович Пасько,Гелий Алексеевич Козлечков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение &#34;Федеральный Ростовский аграрный научный центр&#34; (ФГБНУ ФРАНЦ). Дата публикации: 2018-12-25.

Method for manufacturing of acousto-optic device

Номер патента: RU2762515C1. Автор: Сергей Иванович Чижиков,Владимир Яковлевич Молчанов,Василий Викторович Гуров,Александр Ильич Чижиков. Владелец: Александр Ильич Чижиков. Дата публикации: 2021-12-21.

Method for the manufacture of semiconductor devices and circuits

Номер патента: US20020109139A1. Автор: Kramadhati Ravi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Growing method of rabbit young stock

Номер патента: RU2728183C1. Автор: Валерия Леонардовна Пащенко,Елена Евгеньевна Курчаева,Игорь Владимирович Максимов,Александр Викторович Востроилов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования &#34;Воронежский государственный аграрный университет им. императора Петра I&#34; (ФГБОУ ВО Воронежский ГАУ). Дата публикации: 2020-07-28.

On-die formation of single-crystal semiconductor structures

Номер патента: US20230276635A1. Автор: Anish A. Khandekar,Hung-Wei Liu,Sameer Chhajed,Jeffery Brandt Hull. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Planting method and further plants growing method

Номер патента: RU2725818C1. Автор: Виктор Иванович Панфилов,Алексей Алексеевич Белов,Ольга Борисовна Горюнова,Николай Семенович Марквичев,Александр Геннадьевич Буланов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования &#34;Российский химико-технологический университет имени Д.И. Менделеева&#34;. Дата публикации: 2020-07-06.

Method for extracting airways and pulmonary lobes and apparatus therefor

Номер патента: US09996919B2. Автор: Sang Joon Park,Jin Wook Chung,Doo Hee Lee,Yang Wook KIM,Jin Mo Goo. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2018-06-12.

Growing method of young sturgeon fishes

Номер патента: RU2363153C2. Автор: Дмитрий Иванович Иванов,Тамара Васильевна Каренгина,Сергей Валентинович Яковлев,Вера Васильевна Самотеева,Сергей Валентинович Вехов. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ УНИТАРНОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ &#34;Государственный научно-исследовательский институт озерного и речного рыбного хозяйства&#34;. Дата публикации: 2009-08-10.

Membrane substrate structure for single crystal acoustic resonator device

Номер патента: US09917568B2. Автор: Jeffrey B. Shealy. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Thermal diagnostic for single-crystal process fluid pressure sensor

Номер патента: US09568387B2. Автор: Robert C. Hedtke. Владелец: Rosemount Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

System and method for robust neural networking via noise injection

Номер патента: US20230078473A1. Автор: LI YANG,Yu Cao,Jae-sun Seo,Jingtao Li,Deliang Fan,Chaitali Chakrabarti,Adnan Siraj Rakin. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2023-03-16.

Method for production of single crystal lithium aluminate

Номер патента: RU2245402C2. Автор: Б.А. Дороговин,И.М. Филиппов,А.А. Цеглеев,Г.А. Лаптева,А.Б. Дубовский. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие &#34;Всероссийский научно-исследовательский институт синтеза минерального сырья&#34; (ФГУП &#34;ВНИИСИМС&#34;). Дата публикации: 2005-01-27.

METHOD FOR TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OF FERROMAGNETIC CONIAL ALLOY WITH CONTENT OF Ni 33 -35 at% AND Al 29 -30 at%

Номер патента: RU2641598C1. Автор: Юрий Иванович Чумляков,Елена Юрьевна Панченко,Анна Сергеевна Ефтифеева. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования &#34;Национальный исследовательский Томский государственный университет&#34; (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2018-01-18.

Method for production of single crystals of potassium and niobium silicate

Номер патента: RU2093616C1. Автор: О.В. Димитрова,Е.Е. Стрелкова. Владелец: Геологический факультет МГУ им.М.В.Ломоносова. Дата публикации: 1997-10-20.

Method for growing silicon single crystals

Номер патента: RU2077615C1. Автор: З.А. Сальник,Ю.А. Микляев. Владелец: Акционерное общество &#34;Подольский химико-металлургический завод&#34;. Дата публикации: 1997-04-20.

Method for comparative assessment of reliability of batches of semiconductor articles

Номер патента: RU2538032C2. Автор: Дмитрий Юрьевич Смирнов,Митрофан Иванович Горлов,Дмитрий Михайлович Жуков. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования &#34;Воронежский государственный технический университет&#34;. Дата публикации: 2015-01-10.

METHOD FOR PROTECTION OF SURFACE IN CRYSTALS OF p-n- TRANSITIONS BASED ON FUSIBLE GLASS

Номер патента: RU2370852C1. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Бийке Алиевна Шангереева,Айшат Расуловна Шахмаева. Владелец: Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования &#34;Дагестанский Государственный Технический Университет&#34; (Дгту). Дата публикации: 2009-10-20.

Method for growing of single crystals of chrysoberyl activated with ions of trivalent titanium

Номер патента: RU2038433C1. Автор: А.И. Алимпиев,П.В. Мокрушников. Владелец: Конструкторско-технологический институт монокристаллов СО РАН. Дата публикации: 1995-06-27.

Method for contactless definition of quantised hall resistance of semiconductors

Номер патента: RU2368982C2. Автор: Александр Антонович Корнилович. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Новосибирский государственный технический университет. Дата публикации: 2009-09-27.

Method for comparative assessment of reliability of batches of semiconductor articles

Номер патента: RU2511617C2. Автор: Митрофан Иванович Горлов,Дмитрий Михайлович Жуков,Денис Александрович Денисов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования &#34;Воронежский государственный технический университет&#34;. Дата публикации: 2014-04-10.

ANNEALED WAFER, METHOD FOR PRODUCING ANNEALED WAFER AND METHOD FOR FABRICATING DEVICE

Номер патента: US20120001301A1. Автор: Ebara Koji,KIKUCHI Hiroyasu,Hayamizu Yoshinori. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120003446A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for production of single crystals of solid solutions of antimony orthotantalate

Номер патента: RU2109856C1. Автор: В.А. Павлов,В.И. Пополитов,В.П. Александренков,В.В. Багров,В.В. Крючков. Владелец: Учебно-научный производственный центр &#34;Энергомаш&#34;. Дата публикации: 1998-04-27.

Growing method of magnesium fluoride barium single crystal

Номер патента: CN102534774A. Автор: 徐军,李红军,钱小波,王静雅,苏良碧,姜林文,钱国兴,武安华. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2012-07-04.

Apparatus for producing semiconductor single crystal and production of semiconductor single crystal

Номер патента: TW307416U. Автор: Yutaka Shiraishi,Toyoshi Iwakiri,Hiroshi Niikura,Shoei Kurosaka,Tadashi Hata. Владелец: Komatsu Denshi Kinzoku Kk. Дата публикации: 1997-06-01.

Method for production of single crystals of rare-earth metal borides

Номер патента: RU2040599C1. Автор: Абдукаюм Абдулхаиевич Таджиев. Владелец: Ташкентский государственный технический университет. Дата публикации: 1995-07-25.

METHOD FOR PRODUCING LiNbO3 SINGLE CRYSTALS AND A DEVICE FOR ITS IMPLEMENTATION

Номер патента: RU2006141089A. Автор: Александр Александрович Гамазов,Александр Александрович Гамазов (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образовани Кубанский государственный университет (КубГУ) (RU). Дата публикации: 2008-05-27.

METHOD FOR COMBINING DIAMOND SINGLE CRYSTAL WITH METAL

Номер патента: RU2006144466A. Автор: Владимир Давыдович Бланк,Вячеслав Максимович Прохоров,Рустэм Хамитович Баграмов,Владимир Давыдович Бланк (RU),Рустэм Хамитович Баграмов (RU),Вячеслав Максимович Прохоров (RU). Владелец: Федеральное государственное учреждение &#34;Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов&#34; (ФГУ ТИСНУМ) (RU). Дата публикации: 2008-06-20.

METHOD FOR GROWING GERMANY SINGLE CRYSTALS

Номер патента: RU2005112799A. Автор: Иван Александрович Каплунов,Александр Игоревич Колесников,Юрий Мстиславович Смирнов,Юрий Мстиславович Смирнов (RU),Иван Александрович Каплунов (RU),Александр Игоревич Колесников (RU). Владелец: ООО МНПП &#34;Кристалл&#34; (RU). Дата публикации: 2006-11-10.

METHOD FOR GROWING A SINGLE CRYSTAL

Номер патента: RU2006124273A. Автор: Александр Сергеевич Трофимов,Хачик Саакович Багдасаров,Герман Кимович Графов,Владимир Иванович Малинин,Степан Эрвандович Саркисов,Хачик Саакович Багдасаров (RU),Герман Кимович Графов (RU),Владимир Иванович Малинин (RU),Степан Эрвандович Саркисов (RU),Александр Сергеевич Трофимов (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью &#34;Рубитек&#34; (RU). Дата публикации: 2008-01-20.

Apparatus and method for pulling silicon single crystal

Номер патента: TW200704836A. Автор: Naoki Ono,Sen-Lin Fu. Владелец: Sumitomo Mitsubishi Silicon. Дата публикации: 2007-02-01.

Method for producing silicon single crystal, seed crystal and seed crystal holder

Номер патента: JP3402192B2. Автор: 雅規 木村. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-28.

Sapphire single crystal pulling apparatus, crucible for producing sapphire single crystal, and method for producing sapphire single crystal

Номер патента: JP2010173929A. Автор: Tsuguo Fukuda,承生 福田,Tomohiro Shonai,智博 庄内. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2010-08-12.

METHOD FOR COMPARATIVE ASSESSMENT OF RELIABILITY OF PARTIES OF SEMICONDUCTOR PRODUCTS

Номер патента: RU2008124486A. Автор: Митрофан Иванович Горлов,Екатерина Александровна Золотарева,Николай Николаевич Козьяков,Митрофан Иванович Горлов (RU),Екатерина Александровна Золотарева (RU),Николай Николаевич Козьяков (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования &#34;Воронежский государственный технический универси. Дата публикации: 2009-12-27.

METHOD FOR COMPARATIVE ASSESSMENT OF RELIABILITY OF PARTIES OF SEMICONDUCTOR PRODUCTS

Номер патента: RU2011140386A. Автор: Митрофан Иванович Горлов,Дмитрий Михайлович Жуков,Денис Александрович Денисов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования &#34;Воронежский государственный технический университет&#34;. Дата публикации: 2013-04-10.

METHOD FOR COMPARATIVE ASSESSMENT OF RELIABILITY OF PARTIES OF SEMICONDUCTOR PRODUCTS

Номер патента: RU2010130602A. Автор: Дмитрий Юрьевич Смирнов,Митрофан Иванович Горлов,Дмитрий Михайлович Жуков,Дмитрий Юрьевич Смирнов (RU),Митрофан Иванович Горлов (RU),Дмитрий Михайлович Жуков (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования &#34;Воронежский государственный технический универси. Дата публикации: 2012-01-27.

Method for measuring leakage current in junction region of semiconductor device

Номер патента: TW311251B. Автор: Jang Se-Aug,Song Tae-Sik. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1997-07-21.

Method for evaluating silicon single crystal and method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: JP6737232B2. Автор: 憲哉 鈴木. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-08-05.

A method for preparing a single crystal crystal for growing a multi-type compound

Номер патента: TWI542741B. Автор: Dai Liang Ma,Bang Ying Yu,Hsueh I Chen,Tsao Chun Peng,bo cheng Lin,zhi wei Guo. Владелец: Nat Inst Chung Shan Science & Technology. Дата публикации: 2016-07-21.

Method for producing SiC single crystal and method for producing SiC seed crystal

Номер патента: JP3745668B2. Автор: 大輔 中村,宏行 近藤. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2006-02-15.

Method for producing silicon single crystal and apparatus for producing silicon single crystal

Номер патента: JP2011157221A. Автор: 博史 大綱,Hiroshi Otsuna. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-18.

Substrate for growing single crystal diamond, and method for producing the single crystal diamond

Номер патента: JP2012001394A. Автор: Hitoshi Noguchi,Makoto Fukui,仁 野口,規夫 徳田,孝夫 猪熊,真 福井,Norio Tokuda,Takao Iguma. Владелец: Kanazawa University NUC. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for growing silicon single crystal and apparatus for pulling silicon single crystal

Номер патента: JP2021035899A. Автор: 竜介 横山,惇弘 山田,Atsuhiro Yamada,Ryusuke Yokoyama. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

METHOD FOR PRODUCING SAPPHIRE SINGLE CRYSTAL, AND SAPPHIRE SINGLE CRYSTAL OBTAINED BY THE METHOD

Номер патента: US20120015799A1. Автор: Shonai Tomohiro. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-19.

Method for producing β-Ga2O3 single crystal film and crystal laminated structure

Номер патента: JP5866727B2. Автор: 清史 島村,島村　清史,ビジョラ エンカルナシオン アントニア ガルシア,ビジョラ エンカルナシオン アントニア ガルシア,公平 佐々木. Владелец: Koha Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-17.

Method for synthesizing diamond single crystal and single crystal diamond

Номер патента: JP3452665B2. Автор: 敏 山下,哲朗 東城,和郎 中村,雅行 蜜石,加寿弘 片岡. Владелец: Tokyo Gas Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-29.

Sapphire single crystal and method for producing sapphire single crystal

Номер патента: JP2013147361A. Автор: Tomohiro Shonai,智博 庄内. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2013-08-01.

Method for growing silicon single crystal and silicon single crystal grown by the method

Номер патента: JP5169814B2. Автор: 純 古川. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2013-03-27.

Semiconductor wafer suited for inspection by wafer batch type probe card, method for inspecting a semiconductor device, and manufacture of semiconductor device

Номер патента: JPH11135580A. Автор: Tomoyuki Sasaki,智之 佐々木,Takeshi Arakawa,健 荒川. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1999-05-21.

Method for producing silicon single crystal with few crystal defects

Номер патента: JP2822887B2. Автор: 昌弘 桜田,浩利 山岸,清隆 高野,泉 布施川,栄一 飯野. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-11.

Method for producing FZ single crystal silicon using silicon crystal rod produced by CZ method as raw material

Номер патента: JP5070737B2. Автор: 聡 鈴木,義博 児玉. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-14.

METHOD FOR GROWING SAPPHIRE SINGLE CRYSTAL ON A SHOOTING CRYSTAL REMAINING IN THE MELT IN AUTOMATIC MODE

Номер патента: RU2009129784A. Автор: Борис Михайлович Синельников,Евгений Иванович Мотренко,Виталий Иванович Буков,Борис Михайлович Синельников (RU),Евгений Иванович Мотренко (RU),Виталий Иванович Буков (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственная фирма &#34;ЭКСИТОН&#34; (RU). Дата публикации: 2011-02-10.

METHOD FOR GROWING SAPPHIRE SINGLE CRYSTAL ON A SHARING CRYSTAL REMAINING IN THE MELT DURING GROWING

Номер патента: RU2009129789A. Автор: Борис Михайлович Синельников,Евгений Иванович Мотренко,Виталий Иванович Буков,Борис Михайлович Синельников (RU),Евгений Иванович Мотренко (RU),Виталий Иванович Буков (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственная фирма &#34;ЭКСИТОН&#34; (RU). Дата публикации: 2011-02-10.

Method for etching of single crystals of lithium tantalate

Номер патента: RU2040601C1. Автор: В.С. Исаев,О.В. Димитрова,В.Б. Грузиненко,Е.Е. Стрелкова,Б.И. Высоцкий,Г.Р. Рошкован,В.В. Безделкин. Владелец: Геологический факультет МГУ им.М.В.Ломоносова. Дата публикации: 1995-07-25.

Annealing method for infrared nonlinear single crystal of multi-component compound containing easily volatile components

Номер патента: CN102618935B. Автор: 程旭东,王振友,吴海信,倪友保,黄昌保,毛明生. Владелец: Anhui Institute of Optics and Fine Mechanics of CAS. Дата публикации: 2015-06-17.

Method for producing colourless single crystals of lead molybdate

Номер патента: SU1081244A1. Автор: Вальтер Боллманн. Владелец: Феб Карл-Цейсс-Йена (Инопредприятие). Дата публикации: 1984-03-23.

Method for preparing spherical single crystals of metals

Номер патента: SU1049577A1. Автор: Александр Иванович Евстюхин,Николай Александрович Крапивка. Владелец: Московский Ордена Трудового Красного Знамени Инженерно-Физический Институт. Дата публикации: 1983-10-23.

METHOD FOR MEASURING AND CONTROLLING DISTANCE BETWEEN LOWER END SURFACE OF HEAT SHIELDING MEMBER AND SURFACE OF RAW MATERIAL MELT AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20130058540A1. Автор: Sugawara Kosei,Urano Masahiko,Hoshi Ryoji. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2013-03-07.

Method for producing silicon single crystal and method for producing epitaxial wafer

Номер патента: JP4089137B2. Автор: 敏昭 小野,忠美 田中,英一 浅山. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2008-05-28.

Method for determining three-dimensional distribution of infrared absorption spectrum of silica glass crucible and method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP6162847B2. Автор: 忠広 佐藤,俊明 須藤,賢 北原,真喜子 小玉. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-07-12.

Tungsten crucible, method for producing the same, and method for producing sapphire single crystal

Номер патента: JP5808076B2. Автор: 誠 笠本,忠 井野. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-10.

Method for producing oxide single crystal and apparatus for producing the same

Номер патента: JP4579122B2. Автор: 和夫 藤浦,保典 古川,拡樹 香田,正弘 笹浦. Владелец: Oxide Corp. Дата публикации: 2010-11-10.

Method for growing silicon single crystal and method for manufacturing silicon wafer

Номер патента: JP3587242B2. Автор: 栄治 梶田,正隆 宝来. Владелец: 三菱住友シリコン株式会社. Дата публикации: 2004-11-10.

Method For Producing Silicon Single Crystal Ingot

Номер патента: US20120160154A1. Автор: KATO Hideo,Murakami Hideaki. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2012-06-28.

METHOD FOR MANUFACTURING A SINGLE CRYSTAL NANO-WIRE

Номер патента: US20120202325A1. Автор: . Владелец: UNIVERSITEIT TWENTE. Дата публикации: 2012-08-09.

DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING BULK SINGLE CRYSTALS

Номер патента: US20130000545A1. Автор: . Владелец: NITRIDE SOLUTIONS INC.. Дата публикации: 2013-01-03.

Method for producing ZnO single crystal

Номер патента: JP4427347B2. Автор: 郁生 新倉,安兵衛 柏葉. Владелец: Tokyo Denpa Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-03.

Method for manufacturing SiC single crystal substrate

Номер патента: JP5358996B2. Автор: 勉 堀,義昭 勝山,安照 柿本,和也 田路. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2013-12-04.

Method for growing semiconductor single crystal

Номер патента: JPS6483592A. Автор: Tateaki Sahira,Michio Kida,Yoshiaki Arai. Владелец: Mitsubishi Metal Corp. Дата публикации: 1989-03-29.

Ultrasonic quality control method for optically transparent single-crystal ingots

Номер патента: SU1640628A1. Автор: Михаил Иванович Сластен,Игорь Николаевич Каневский,Виктор Николаевич Казимиров,Борис Анатольевич Струков,Кима Андреевна Минаева. Владелец: Таганрогский радиотехнический институт им.В.Д.Калмыкова. Дата публикации: 1991-04-07.

Method for growing a single crystal from a polycrystalline material

Номер патента: JP5142287B2. Автор: 邦彦 岡,利充 伊藤,洋 永崎. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2013-02-13.

Vapor growth method for compound semiconductor single crystal

Номер патента: JPS6384110A. Автор: Hideki Mori,Shigenori Takagishi,成典 高岸,英樹 森. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1988-04-14.

Method for pulling compound single crystal

Номер патента: JPS62235292A. Автор: Koji Tada,Akihisa Kawasaki,河崎　亮久,多田　紘二. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1987-10-15.

Production method for compound semiconductor single crystal

Номер патента: CN1313652C. Автор: 佐藤贤次,荒川笃俊,朝日聪明. Владелец: Nippon Mining and Metals Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-02.

METHOD FOR GROWING GERMANY SINGLE CRYSTALS WITH A DIAMETER UP TO 6 INCHES BY OTF METHOD

Номер патента: RU2008119071A. Автор: Владимир Дмитриевич Голышев,Владимир Борисович Цветовский,Светлана Викторовна Быкова,Светлана Викторовна Быкова (RU),Владимир Дмитриевич Голышев (RU),Владимир Борисович Цветовский (RU). Владелец: Владимир Борисович Цветовский (RU). Дата публикации: 2009-11-20.

Method for producing AlN single crystal

Номер патента: JP4552516B2. Автор: 充 嶋津,英章 中幡,伸介 藤原,倫正 宮永. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-09-29.

Spontaneous nucleation growth method for thallium bromide single-crystal

Номер патента: CN100516318C. Автор: 刘欢,赵俊,郑志平,周东祥,龚树萍,傅邱云,余石金,胡云香,陈小炎. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2009-07-22.

Method for producing SiC single crystal

Номер патента: JP4270034B2. Автор: 昌照 中村. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2009-05-27.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP6658421B2. Автор: 洋二 鈴木,康裕 齋藤,鈴木　洋二. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-03-04.

Method for manufacturing SiC single crystal substrate

Номер патента: JP3761546B2. Автор: 泰典 廣岡. Владелец: Neomax Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-29.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP6729411B2. Автор: 洋二 鈴木,古川　純,純 古川,鈴木　洋二. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-07-22.

Method for producing oxide single crystal

Номер патента: JP3343014B2. Автор: 洋八 山下,耕一 原田,史郎 斉藤,専治 嶋貫. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-11-11.

Method for producing AlN single crystal film

Номер патента: JP4969860B2. Автор: 智彦 柴田,和政 平松,秀人 三宅,茂明 角谷. Владелец: Mie University NUC. Дата публикации: 2012-07-04.

Method for producing InP single crystal

Номер патента: JP4344021B2. Автор: 聰明 朝日,敬司 甲斐荘,竜也 野崎. Владелец: Nippon Mining and Metals Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-14.

Method for producing langate single crystal

Номер патента: JP5299908B2. Автор: 聡 宇田,克己 青田,律子 八百川. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2013-09-25.

Heat treatment method for compound semiconductor single crystal

Номер патента: JPH0776160B2. Автор: 賢次 佐藤,武彦 亀山,純三 高橋. Владелец: JAPAN ENAJII KK. Дата публикации: 1995-08-16.

Method for growing silicon single crystal

Номер патента: JP5136252B2. Автор: 貴 熱海,裕章 田口. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2013-02-06.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: JP2007084358A. Автор: Kiwa Sakuma,喜和 佐久間. Владелец: Toshiba Ceramics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP7247949B2. Автор: 孝世 菅原,佳祐 三原. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-29.

Method for producing nitride single crystal

Номер патента: JP4965465B2. Автор: 真 岩井. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2012-07-04.

SAPMAC method for preparing sapphire single-crystal with size above 300mm

Номер патента: CN101580963B. Автор: 宋波,左洪波,王玉平,杨鑫宏,王天成. Владелец: Harbin GongDa Aurora Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-13.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP5805527B2. Автор: 俊郎 南,一日児 鹿島,光朗 日笠,鹿島　一日児. Владелец: GlobalWafers Japan Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-04.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP5482547B2. Автор: 伸晃 三田村,淳 岩崎,祐一 宮原,祥 高島,勝之 北川. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-07.

Method for producing nitride single crystal

Номер патента: JP4670002B2. Автор: 和夫 真田,昇 一ノ瀬,利明 馬淵,信太郎 宮澤. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2011-04-13.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP4360208B2. Автор: 亮二 星,将 園川. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-11.

Method for manufacturing semiconductor single crystal layer

Номер патента: JP2500315B2. Автор: 茂 神林. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1996-05-29.

Annealing method for inorganic compound single crystal substrate

Номер патента: JP2516641B2. Автор: 山田　　豊,文夫 折戸,敏彦 井深. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 1996-07-24.

Method for forming si single crystal film

Номер патента: JPS61270294A. Автор: Koji Egami,江上　浩二. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1986-11-29.

Method for producing silicon single crystal by Czochralski method

Номер патента: JP2512340B2. Автор: 淳 岩崎. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 1996-07-03.

Method for producing fluoride single crystal

Номер патента: JP4024577B2. Автор: 誠一郎 大元,岳穂 川中,広 岡田. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2007-12-19.

METHOD FOR GROWING OF SINGLE CRYSTALS CdS AND CdSe

Номер патента: SU1279277A1. Автор: Н.Н. Колесников,М.П. Кулаков,И.Б. Савченко. Владелец: Институт физики твердого тела АН СССР. Дата публикации: 1996-09-27.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP6614091B2. Автор: 和幸 酒谷. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2019-12-04.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP2010042977A. Автор: Akihiro Kimura,明浩 木村,亮二 星,Ryoji Hoshi,Susumu Sonokawa,将 園川. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-25.

Adaptive variable-speed drawing simulation method for production of single-crystal blade

Номер патента: CN102426622B. Автор: 张航,唐宁,许庆彦,柳百成. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-05-22.

Method for producing nitride single crystal

Номер патента: JP4968708B2. Автор: 孝直 下平,真 岩井,宏治 平田,史郎 山崎,勇介 森,孝友 佐々木,史朗 川村,周平 東原. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2012-07-04.

Method for producing LiNbO single crystal piezoelectric substrate having domain-inverted region

Номер патента: JP2615019B2. Автор: 晴康 安藤,洋 清水,僖良 中村. Владелец: 清水 郁子. Дата публикации: 1997-05-28.

Method for producing oxide single crystal

Номер патента: JP5601273B2. Автор: 富男 梶ヶ谷. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2014-10-08.

Method for pulling up single crystal

Номер патента: JPS63295493A. Автор: Wataru Fuchigami,渕上　亘. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1988-12-01.

Method for producing SiC single crystal

Номер патента: JP6618179B2. Автор: 陽平 藤川,秀隆 鷹羽,宏行 近藤,近藤　宏行. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2019-12-11.

Method for growing silicon single crystal

Номер патента: CN1190528C. Автор: 杨德仁,李立本,马向阳,阙端麟. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2005-02-23.

Method for producing cinnabar single crystals

Номер патента: SU512790A1. Автор: Виктор Андреевич Кузнецов,Алексей Рэдович Котельников,Анатолий Николаевич Лобачев,Елена Павловна Ефремова. Владелец: Ордена Трудового Красного Знамени Институт Кристаллографии Им.А.В. Шубникова. Дата публикации: 1976-05-05.

Method for producing α-SiC single crystal

Номер патента: JPH0791153B2. Автор: 茂弘 西野. Владелец: Mitsui Engineering and Shipbuilding Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-04.

Method for producing nitride single crystal and autoclave used therefor

Номер патента: TW201300589A. Автор: Kazuo Yoshida,Tsuguo Fukuda,Kensuke Aoki,Katsuhito Nakamura. Владелец: Univ Tohoku. Дата публикации: 2013-01-01.

Method for dynamic growing single crystals

Номер патента: SU108256A1. Автор: С.К. Попов,Н.Н. Шефталь. Владелец: Н.Н. Шефталь. Дата публикации: 1956-11-30.

Method for forming nano single crystal silicon and making method of non volatile semiconductor memory

Номер патента: CN101106078A. Автор: 肖德元. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2008-01-16.

Method for producing SiC single crystal

Номер патента: JP5359796B2. Автор: 寛典 大黒. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2013-12-04.

Etching method for indium phosphorus single crystal to mirror face

Номер патента: JPS5413500A. Автор: Yorimitsu Nishitani,Kenzo Akita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1979-01-31.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP2521007B2. Автор: 隆 小池,正隆 宝来. Владелец: SUMITOMO SHICHITSUKUSU KK. Дата публикации: 1996-07-31.

Method for producing molybdenum single crystals

Номер патента: SU499889A1. Автор: Елена Рувимовна Добровинская,Евгений Михайлович Савицкий,Феликс Евгеньевич Гуляев,Валериан Владимирович Пищик,Гарри Меерович Цигельницкий. Владелец: Предприятие П/Я Р-6496. Дата публикации: 1976-01-25.

Method for growing SiC single crystal

Номер патента: JPH0788274B2. Автор: 和幸 古賀. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1995-09-27.

Method for growing ZnS single-crystal nanowire bundle

Номер патента: CN101691241A. Автор: 简基康,吴�荣,陶乐天,孙言飞,封丽,边延龙,刘前霞. Владелец: Xinjiang University. Дата публикации: 2010-04-07.

Method for growing silicon single crystal

Номер патента: JPS6385085A. Автор: Masao Mikami,三上　雅生. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1988-04-15.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: JP6922870B2. Автор: 中嶋　健,健 中嶋,恒成 朝長,篤史 黒川. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2021-08-18.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP2837903B2. Автор: 義正 宮崎. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1998-12-16.

Method for growing Si single crystal with controlled temperature fluctuation

Номер патента: JP2804455B2. Автор: 斉 佐々木,敦 碇,宏治 泉妻,茂行 木村,慎二 十河,荘六 川西. Владелец: Sumitomo Sitix Corp. Дата публикации: 1998-09-24.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP4237280B2. Автор: 栄一 飯野. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-11.

Method for preparing KTiOPO4 single crystal thin film through ion implantation in combination with chemical etching

Номер патента: CN105002471A. Автор: 许波,范冉冉,马长东,卢霏. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2015-10-28.

Method for producing silicon single crystal film

Номер патента: JP5769023B2. Автор: 正信 東,肇 白井,白井　肇. Владелец: Saitama University NUC. Дата публикации: 2015-08-26.

Apparatus and method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP3528888B2. Автор: 友彦 太田,亮二 星,泉 布施川,俊郎 林,将 園川. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-24.

Method for manufacturing SiC single crystal substrate

Номер патента: JP5014737B2. Автор: 昇 大谷,辰雄 藤本,正和 勝野,弘志 柘植,正史 中林,泰三 星野,崇 藍郷,弘克 矢代,宏平 巽,充 澤村. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2012-08-29.

Method for producing silicon single crystal, graphite sheet used therefor, and quartz crucible support container

Номер патента: JP6642349B2. Автор: 隆 横山,横山　隆. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-02-05.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP3627498B2. Автор: 昌弘 桜田,友彦 太田,隆弘 柳町. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-09.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP5776586B2. Автор: 淳 岩崎,志信 竹安,竹安　志信. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-09.

Method for producing β-Ga2O3 single crystal substrate

Номер патента: JP6402079B2. Автор: 誠 渡邊,渡邊　誠,公祥 輿,優 山岡,信也 渡辺. Владелец: Koha Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-10.

Adaptive variable-speed drawing simulation method for production of single-crystal blade

Номер патента: CN102426622A. Автор: 张航,唐宁,许庆彦,柳百成. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-04-25.

Method for producing oxide single crystal

Номер патента: JP2818342B2. Автор: 美能留 今枝,龍一 大内. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1998-10-30.

Method for manufacturing transparent single crystal wafer

Номер патента: JP2554377B2. Автор: 邦宏 伊藤,一良 渡辺,正宏 荻原,松夫 丸山. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1996-11-13.

Finish polishing method for silicon carbide single crystal wafer surface

Номер патента: JP4846445B2. Автор: 昇 大谷,辰雄 藤本,正和 勝野,弘志 柘植,正史 中林,崇 藍郷,弘克 矢代,充 澤村. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2011-12-28.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP6428574B2. Автор: 塁 川上. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-11-28.

Annealing method for lithium tantalate single crystal

Номер патента: JPH01172300A. Автор: Takeisa Arita,武功 有田,Atsushi Enjiyou,篤志 円城. Владелец: Asahi Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 1989-07-07.

Method for producing sapphire single crystal

Номер патента: JP4844428B2. Автор: 俊輔 上田,和央 蔵重. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-28.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP6007892B2. Автор: 佐藤　　賢一,佐藤　賢一,慶一 中澤,義博 児玉. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-19.

Heating method for producing similar single crystal silicon ingot materials by using casting method

Номер патента: CN102242390A. Автор: 石坚,熊涛涛. Владелец: ANYANG FENGHUANG PV TECHNOLOGICAL Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-16.

Method for producing TiO single crystal thin film

Номер патента: JP3116093B1. Автор: 拓 鈴木,龍太郎 左右田. Владелец: 科学技術庁無機材質研究所長. Дата публикации: 2000-12-11.

Method for producing nitride single crystal

Номер патента: JP4513264B2. Автор: 和田　　隆,紳一郎 川端,文夫 折戸. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2010-07-28.

Method for producing semiconductor single crystal and apparatus therefor

Номер патента: JPS62182189A. Автор: Masami Tatsumi,Koji Tada,Sukehisa Kawasaki,智博 川瀬,Tomohiro Kawase,雅美 龍見,河崎　亮久,多田　絋二. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1987-08-10.

Method for producing CdTe single crystal

Номер патента: JPH07108839B2. Автор: 聰明 朝日,稔 船木. Владелец: Japan Energy Corp. Дата публикации: 1995-11-22.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP5668764B2. Автор: 繁 梅野,梅野　繁. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Method for growing znse single crystal

Номер патента: JPS6451394A. Автор: Kiyoshi Yoneda,Hiroaki Ishii,Yoshiyuki Ishizuka,Yuji Hishida. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1989-02-27.

Method for growing of single crystals in system of bi-sr-ca-cu-o

Номер патента: RU2039853C1. Автор: А.В. Хорошилов,И.С. Шаплыгин. Владелец: Институт общей и неорганической химии им.Н.С.Курнакова РАН. Дата публикации: 1995-07-20.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP3787452B2. Автор: 斉 佐々木,宣正 内藤,俊信 三浦,ワイルド ピーター,ツオー ジェームス. Владелец: Mitsubishi Silicon America Corp. Дата публикации: 2006-06-21.

Method for producing CdTe single crystal

Номер патента: JPH0818917B2. Автор: 聰明 朝日,稔 船木. Владелец: Japan Energy Corp. Дата публикации: 1996-02-28.

Method for producing silicon single crystal ingot

Номер патента: JP3752890B2. Автор: 久 降屋,和浩 原田. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2006-03-08.

Method for producing oxide single crystal

Номер патента: JP2009242150A. Автор: 敏男 東風谷,利行 小見,憲治 村下,Toshiyuki Omi,Kenji Murashita,Toshio Kochiya. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2009-10-22.

Heat treatment method for compound semiconductor single crystal

Номер патента: JPH07115999B2. Автор: 賢次 佐藤,武彦 亀山,純三 高橋. Владелец: Japan Energy Corp. Дата публикации: 1995-12-13.

METHOD FOR GROWING GERMANY SINGLE CRYSTALS BY OTF METHOD

Номер патента: RU2006119535A. Автор: Владимир Дмитриевич Голышев,Михаил Александрович Гоник,Владимир Борисович Цветовский,Светлана Викторовна Быкова,Светлана Викторовна Быкова (RU),Владимир Дмитриевич Голышев (RU),Михаил Александрович Гоник (RU),Владимир Борисович Цветовский (RU). Владелец: ООО Научно Производственное Предпри тие &#34;ОТФ-Техно&#34; (RU). Дата публикации: 2007-12-27.

Apparatus and method for pulling silicon single crystal

Номер патента: JP3428625B2. Автор: 直樹 小野,康 島貫,道夫 喜田,森林 符. Владелец: 三菱住友シリコン株式会社. Дата публикации: 2003-07-22.

Method for producing silicon single crystal wafer

Номер патента: JP3611236B2. Автор: 昭彦 小林,浩司 荒木,昌彦 黒川,治 久保田,正樹 佐久間,俊一郎 松山,淳一 小山内,由美子 平野. Владелец: 東芝セラミックス株式会社. Дата публикации: 2005-01-19.

Method for growing nitride single crystal

Номер патента: JP2007254206A. Автор: Yusuke Mori,勇介 森,Takatomo Sasaki,孝友 佐々木,史朗 川村,幹也 市村,Mikiya Ichimura,Shiro Kawamura. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2007-10-04.

Method for manufacturing oxide single crystal substrate

Номер патента: JP2020033214A. Автор: Saneyuki Kakimoto,実行 柿本. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2020-03-05.

Method for producing magnesia single crystal

Номер патента: JP3264508B2. Автор: 明生 池末,武久 森. Владелец: Krosaki Harima Corp. Дата публикации: 2002-03-11.

METHOD FOR FORMING MASK FOR FORMING CONTACT HOLES OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120220129A1. Автор: LIM Hee-Youl. Владелец: . Дата публикации: 2012-08-30.

Method for checking design rules in layout data of semiconductor integrated circuit and apparatus for implementing the method

Номер патента: JP3019032B2. Автор: 将直 原田. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-03-13.

MANUFACTURING METHOD OF PHOTOMASK, METHOD FOR OPTICAL PROXIMITY CORRECTION, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120183891A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-07-19.

Method for pattern formation of mask or reticle of semiconductor device

Номер патента: KR980003797A. Автор: 조원석,백현철. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-03-30.

Method for enhancing ion implantation photoetching process window of semiconductor device

Номер патента: CN109712872B. Автор: 张彦伟,李润领,孟晓莹. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-02.

Method for fabricating patterned fine pitch circuit layer of semiconductor package substrate

Номер патента: TW592010B. Автор: Chien-Chih Chen,Shih-Ping Hsu,Suo-Hsia Tang. Владелец: Phoenix Prec Technology Corp. Дата публикации: 2004-06-11.

Method for determining temperature of electron-hole transition of semiconductor devices under load

Номер патента: SU150939A1. Автор: Ю.В. Сахаров,А.А. Алешков,Б.М. Юдович. Владелец: Б.М. Юдович. Дата публикации: 1961-11-30.

Method for predicting work voltage of service life of semiconductor device

Номер патента: CN104122492A. Автор: 郝鹏,黄如,王润声,蒋晓波,任鹏鹏,郭少峰. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-10-29.

Method for creation of conducting nanowires on surface of semiconductor substrates

Номер патента: RU2359356C1. Автор: Дмитрий Александрович Цуканов,Андрей Вадимович Зотов,Димитрий Вячеславович Грузнев,Мария Владимировна Рыжкова,Владимир Викторович Коробцов,Александр Александрович Саранин. Владелец: Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН. Дата публикации: 2009-06-20.

METHOD FOR DETERMINING THE BEGINNING OF CRYSTALLIZATION OF SOLUTIONS AND MELTS

Номер патента: RU2006145757A. Автор: Евгений Павлович Шелудяков,ков Евгений Павлович Шелуд (RU). Владелец: ков Евгений Павлович Шелуд (RU). Дата публикации: 2008-06-27.

Method for preparing porous ceramic with crystal of binary solution as template

Номер патента: CN102295466A. Автор: 赵康,汤玉斐. Владелец: Xian University of Technology. Дата публикации: 2011-12-28.

Method for synthesizing crystallites and block crystals of nitride by multistep reaction in-situ under hydrothermal condition

Номер патента: CN1215972C. Автор: 蒋民华,刘振刚,崔得良,于美燕,郝宵鹏. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2005-08-24.

GROWTH OF LARGE ALUMINUM NITRIDE SINGLE CRYSTALS WITH THERMAL-GRADIENT CONTROL

Номер патента: US20120000414A1. Автор: Schowalter Leo J.,Bondokov Robert T.,Rao Shailaja P.,Gibb Shawn Robert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003811A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003823A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF SINGLE CRYSTALS LiNbO3 PRODUCTION AND DEVICE FOR ITS IMPLEMENTATION

Номер патента: RU2330903C1. Автор: Александр Александрович Гамазов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кубанский государственный университет (КубГУ). Дата публикации: 2008-08-10.

Device to remove heat from crystal of semiconductor integrated circuit

Номер патента: RU2440641C1. Автор: Дмитрий Павлович Шматов,Игорь Геннадьевич Дроздов,Валерий Александрович Небольсин,Андрей Юрьевич Савинков,Дмитрий Альбертович Коновалов,Николай Николаевич Кожухов,Сергей Викторович Дахин. Владелец: Закрытое акционерное общество &#34;Кодофон&#34;. Дата публикации: 2012-01-20.

Large Area Nitride Crystal and Method for Making It

Номер патента: US20120000415A1. Автор: Speck James S.,"DEvelyn Mark P.". Владелец: Soraa, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR OPERATING RFID DEVICES ON SINGLE-USE CONNECTORS

Номер патента: US20120001731A1. Автор: . Владелец: GE HEALTHCARE BIOSCIENCE BIOPROCESS CORP.. Дата публикации: 2012-01-05.

PROCESS FOR PRODUCING A SINGLE-CRYSTAL COMPONENT MADE OF A NICKEL-BASED SUPERALLOY

Номер патента: US20120000577A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for growing of sapphire single crystals from melt

Номер патента: RU2350699C2. Автор: Николай Иванович Каргин,Маргарита Васильевна Николенко,Эдуард Викторович Еськов. Владелец: Открытое акционерное общество &#34;Концерн Энергомера&#34;. Дата публикации: 2009-03-27.

Facility for single crystals growing by method of axial heat current nearby solid-melt interface

Номер патента: RU2357021C1. Автор: Михаил Александрович Гоник. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью &#34;Центр теплофизических исследований &#34;ТЕРМО&#34;. Дата публикации: 2009-05-27.

Crystal growing method and apparatus for performing the same

Номер патента: RU2320791C1. Автор: Павел Владиславович Смирнов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью &#34;Серафим&#34;. Дата публикации: 2008-03-27.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for local crystallisation of lanthanum borogermanate glass

Номер патента: RU2579080C1. Автор: Владимир Николаевич Сигаев,Алексей Сергеевич Липатьев,Сергей Викторович Лотарев,Татьяна Олеговна Липатьева,Мария Олеговна Шааб. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования &#34;Российский химико-технологический университет имени Д.И. Менделеева (РХТУ им. Д.И. Менделеева). Дата публикации: 2016-03-27.

Method for manufacturing of semiconductor temperature-sensitive resistor

Номер патента: RU2084032C1. Автор: В.А. Крячков,С.Е. Хряпенков,Н.Г. Санжарлинский,М.И. Самойлович. Владелец: Товарищество с ограниченной ответственностью - Фирма &#34;БРОНКС&#34;. Дата публикации: 1997-07-10.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR TREATING BIPOLAR DISORDER

Номер патента: US20120004300A1. Автор: Melnick Susan Marie,Lee Sung James. Владелец: SK Holdings Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for growing edible mushroom lentinus edodes

Номер патента: RU2239983C1. Автор: В.Е. Никитина,О.М. Цивилева. Владелец: Институт биохимии и физиологии растений и микроорганизмов Российской Академии наук. Дата публикации: 2004-11-20.

Germanium monocrystal growing method

Номер патента: RU2261295C1. Автор: Ю.М. Смирнов,А.И. Колесников,И.А. Каплунов. Владелец: Каплунов Иван Александрович. Дата публикации: 2005-09-27.

Method for production of grape varieties

Номер патента: RU2415559C1. Автор: Григорий Павлович Малых,Леонид Васильевич Кравченко,Валентина Павловна Ильина. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт виноградарства и виноделия им. Я.И. Потапенко Российской академии сельскохозяйственных наук. Дата публикации: 2011-04-10.

Method for binding of diamond single crystal with metal

Номер патента: RU2347651C2. Автор: Владимир Давыдович Бланк,Вячеслав Максимович Прохоров,Рустэм Хамитович Баграмов,Владимир Давыдович Бланк (RU),Рустэм Хамитович Баграмов (RU),В чеслав Максимович Прохоров (RU). Владелец: Федеральное государственное учреждение &#34;Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов&#34; (ФГУ ТИСНУМ). Дата публикации: 2009-02-27.

METHODS FOR TREATING RESTLESS LEGS SYNDROME

Номер патента: US20120004301A1. Автор: Melnick Susan Marie,Taylor Duncan Paul. Владелец: SK Holdings Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for generation of semiconductor- insulator structure

Номер патента: RU2125323C1. Автор: В.И. Машанов,С.И. Романов,Б.И. Фомин,В.В. Кириенко,Л.В. Соколов,М.А. Ламин. Владелец: Институт физики полупроводников СО РАН. Дата публикации: 1999-01-20.

Method for preparing fertilizer for leguminous plants

Номер патента: RU2286972C2. Автор: Андрей Георгиевич Кощаев,Виктор Андреевич Ярошенко,Лили Петровна Шевченко,Лилия Петровна Шевченко. Владелец: Кубанский государственный аграрный университет. Дата публикации: 2006-11-10.

Method for growing single crystals of lanthanum-gallium silicate

Номер патента: RU2108417C1. Автор: О.А. Бузанов. Владелец: Товарищество с ограниченной ответственностью фирма &#34;ФОМОС&#34;. Дата публикации: 1998-04-10.

Method for growing of goat's beard grass

Номер патента: RU2156055C2. Автор: Г.Д. Харьков,Л.А. Трузина,Г.В. Белова. Владелец: Всероссийский научно-исследовательский институт кормов им. В.Р. Вильямса. Дата публикации: 2000-09-20.

Method for production of castings by directional crystallization

Номер патента: RU2093305C1. Автор: Е.В. Воробьева,В.И. Некрасов,Е.Н. Каблов,В.В. Герасимов,И.М. Демонис,Е.М. Висик,А.С. Шалимов. Владелец: Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов. Дата публикации: 1997-10-20.

METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001878A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002133A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,Hirakata Yoshiharu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method and apparatus for preparing of activated water, plant growing method and animal feeding method

Номер патента: RU2266255C1. Автор: ков М.В. Дь,М.В. Дьяков,И.М. Дьяков,Е.Б. Суханов,ков И.М. Дь. Владелец: Дьяков Игорь Михайлович. Дата публикации: 2005-12-20.

Growing method of fruits and vegetables in a greenhouse

Номер патента: RU2704825C1. Автор: Валерий Геннадьевич Правдин,Игорь Валерьевич Правдин,Любовь Захаровна Кравцова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью &#34;Научно-технический центр биологических технологий в сельском хозяйстве&#34; (ООО &#34;НТЦ БИО&#34;). Дата публикации: 2019-10-31.

Manufacturing method of semiconductor heterostructure

Номер патента: RU2570099C1. Автор: Александр Евгеньевич Обручников,Михаил Петрович Духновский,Анатолий Николаевич Бажинов,Юрий Петрович Пёхов,Юрий Андреевич Яцюк. Владелец: Акционерное общество &#34;Научно-производственное предприятие &#34;Исток&#34; имени А.И. Шокина&#34; (АО &#34;НПП &#34;Исток&#34; им. Шокина&#34;). Дата публикации: 2015-12-10.

Gallium arsenide monocrystal growing method for manufacturing integrated circuit substrates

Номер патента: RU2054495C1. Автор: Александр Иванович Кравченко,Александр Иванович Жуков,Геннадий Прокофьевич Ковтун,Александр Николаевич Стерлев,Алексей Петрович Щербань. Владелец: Национальный Научный Центр &#34;Харьковский Физико-Технический Институт&#34;. Дата публикации: 1996-02-20.

SINGLE CRYSTAL COOLING APPARATUS AND SINGLE CRYSTAL GROWER INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120000416A1. Автор: Wang Hak-Eui,Na Gwang-Ha. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Nozzle plate and method for manufacturing the nozzle plate, and inkjet printer head with the nozzle plate

Номер патента: US20120001986A1. Автор: Kim Young Jae. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of germanium single crystals growing by otf method

Номер патента: RU2330127C2. Автор: Владимир Дмитриевич Голышев,Михаил Александрович Гоник,Владимир Борисович Цветовский,Светлана Викторовна Быкова. Владелец: ООО Научно-Производственное Предприятие &#34;ОТФ-Техно&#34;. Дата публикации: 2008-07-27.

Seedling growing method

Номер патента: RU2265990C1. Автор: В.А. Спивак,О.В. Францева. Владелец: Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского. Дата публикации: 2005-12-20.

Green crop growing method

Номер патента: RU2368128C1. Автор: Владимир Викторович Чулков. Владелец: ФГОУ ВПО &#34;Донской государственный аграрный университет&#34;. Дата публикации: 2009-09-27.

Method of single crystal growth for semiconductors of type a3b5

Номер патента: RU2327824C1. Автор: Александр Владимирович Марков,Борис Николаевич Шаронов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие &#34;Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности &#34;Гиредмет&#34;. Дата публикации: 2008-06-27.

Refractory oxide monocrystals growing method

Номер патента: RU2320789C1. Автор: Александр Сергеевич Трофимов,Хачик Саакович Багдасаров,Герман Кимович Графов,Владимир Иванович Малинин,Степан Эрвандович Саркисов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью &#34;Рубитек&#34;. Дата публикации: 2008-03-27.

Method of growing star-shaped single crystals of refractory oxides by verneuil method

Номер патента: RU2124077C1. Автор: В.П. Герасимов,Фахраддин Халыгверди оглы Гусейнов,Д.М. Левин. Владелец: Левин Даниил Михайлович. Дата публикации: 1998-12-27.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.