Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • AlN单晶薄膜生长方法及具有该薄膜的声表面波谐振器

AlN单晶薄膜生长方法及具有该薄膜的声表面波谐振器

Номер патента: WO2022053038A1
Опубликовано: 17-03-2022
Автор(ы): 李红浪, 柯亚兵
Принадлежит: 广东广纳芯科技有限公司
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

AlN single crystal film growing method and surface acoustic wave resonator with same

Номер патента: CN112038217A. Автор: 其他发明人请求不公开姓名,李红浪,柯亚兵. Владелец: Guangdong Guangnaixin Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-12-04.

Method for manufacturing layers of precisely oriented selenium single crystals

Номер патента: FR1476976A. Автор: . Владелец: Noranda Inc. Дата публикации: 1967-04-14.

Method for evaluating concentration of defect in silicon single crystal substrate

Номер патента: US09773710B2. Автор: Ryoji Hoshi,Hiroyuki Kamada. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Method for producing a group III nitride semiconductor single crystal and method for producing a GaN substrate

Номер патента: US09567693B2. Автор: Shiro Yamazaki,Seiji Nagai,Miki Moriyama,Shohei Kumegawa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for manufacturing aluminum-based group III nitride single crystal by hydride vapor phase epitaxy

Номер патента: US09708733B2. Автор: Yoshinao Kumagai,Toru Nagashima,Reiko OKAYAMA,Akinori Koukitsu. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for manufacturing aluminum-based group iii nitride single crystal

Номер патента: US20160108554A1. Автор: Yoshinao Kumagai,Toru Nagashima,Reiko OKAYAMA,Akinori Koukitsu. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2016-04-21.

Method for producing group III nitride semiconductor single crystal

Номер патента: US09932688B2. Автор: Miki Moriyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for pretreatment of base substrate and method for manufacturing layered body using pretreated base substrate

Номер патента: US09896780B2. Автор: Hiroshi Furuya,Toshiyuki Obata. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Structure and method for fabricating and facilitating dataflow processor

Номер патента: US20030034488A1. Автор: Mihir Pandya,Peter Wilson,Raymond Essick. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-02-20.

Method for reducing dislocation in group iii nitride crystal and substrate for epitaxial growth

Номер патента: EP2045835A1. Автор: Tomohiko DOWA SEMICONDUCTOR AKITA CO. LTD. SHIBATA,Shigeaki NGK INSULATORS LTD. SUMIYA. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-08.

METHOD FOR GROWING SINGLE CRYSTAL GaN ON SILICON

Номер патента: EP1642327A2. Автор: Andrzej Peczalski,Thomas E. Nohava. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2006-04-05.

Method for heat treatment of silicon single crystal wafer

Номер патента: US09938640B2. Автор: Ryoji Hoshi,Hiroyuki Kamada. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for heat treatment of silicon single crystal wafer

Номер патента: US09850595B2. Автор: Ryoji Hoshi,Hiroyuki Kamada. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for producing an epitaxial wafer

Номер патента: US20240063027A1. Автор: Katsuyoshi Suzuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Method for manufacturing epitaxial wafer

Номер патента: EP4283024A1. Автор: Katsuyoshi Suzuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Method for heat treatment of silicon single crystal wafer

Номер патента: US20170002480A1. Автор: Ryoji Hoshi,Hiroyuki Kamada. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-05.

Method for manufacturing a laterally limited, single-crystal region on a substrate and the employment thereof for the manufacture of an MOS transistor and a bipolar transistor

Номер патента: US5498567A. Автор: Thomas Meister,Reinhard Stengl,Hans-Willi Meul,Helmut Klose. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1996-03-12.

METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING A SINGLE-CRYSTAL FILM ON AN INSULATOR

Номер патента: FR2560436B1. Автор: . Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1988-07-29.

METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING A SINGLE-CRYSTAL FILM ON AN INSULATOR

Номер патента: FR2560436A1. Автор: . Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1985-08-30.

Method for producing p-type 4H-SiC single crystal

Номер патента: US11542631B2. Автор: Tomohisa Kato,Hiromasa SUO,Kazuma ETO,Yuichiro TOKUDA. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2023-01-03.

Method for producing p-type 4h-sic single crystal

Номер патента: US20200325595A1. Автор: Tomohisa Kato,Hiromasa SUO,Kazuma ETO,Yuichiro TOKUDA. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2020-10-15.

Method for producing semiconductor wafers composed of silicon having a diameter of at least 450 mm, and semiconductor wafer composed of silicon having a diameter of 450 mm

Номер патента: SG173278A1. Автор: Walter Heuwieser,Andreas Sattler,Georg Raming,Alfred Miller. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2011-08-29.

Material having single crystal perovskite, device including the same, and manufacturing method thereof

Номер патента: US11615955B2. Автор: Minghwei Hong,Bo-Yu Yang,Chao Kai Cheng,Jueinai Kwo,Hsien-Wen WAN,Keng-Yung Lin,Yen-Hsun Lin,Kuan Chieh LU. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2023-03-28.

Material having single crystal perovskite, device including the same, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170352539A1. Автор: Minghwei Hong,Bo-Yu Yang,Chao Kai Cheng,Jueinai Kwo,Hsien-Wen WAN,Keng-Yung Lin,Yen-Hsun Lin,Kuan Chieh LU. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2017-12-07.

Semiconductor thin film and method of fabricating semiconductor thin film, apparatus for fabricating single crystal semiconductor thin film, and method of fabricating single crystal thin film, single crystal thin film substrate, and semiconductor device

Номер патента: US20050104125A1. Автор: Junichi Sato,Hideharu Nakajima,Yasuhiro Sakamoto,Yoshifumi Mori,Setsuo Usui. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-05-19.

Base material with single-crystal silicon carbide film, method of producing single-crystal silicon carbide film, and method of producing base material with single-crystal silicon carbide film

Номер патента: US8906487B2. Автор: Hiroyuki Shimada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2014-12-09.

Semiconductor thin film and method of fabricating semiconductor thin film, apparatus for fabricating single crystal semiconductor thin film, and method of fabricating single crystal thin film, single crystal thin film substrate, and semiconductor device

Номер патента: US6746942B2. Автор: Junichi Sato,Hideharu Nakajima,Yasuhiro Sakamoto,Yoshifumi Mori,Setsuo Usui. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-06-08.

METHOD FOR PRODUCING A GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING A GaN SUBSTRATE

Номер патента: US20170081780A1. Автор: NAGAI Seiji,Moriyama Miki,Kumegawa Shohei,Yamazaki Shiro. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-23.

METHOD FOR PRODUCING AN ALTERNATION OF LAYERS OF SINGLE-CRYSTAL SEMICONDUCTOR MATERIAL AND LAYERS OF INSULATING MATERIAL

Номер патента: FR2629636B1. Автор: Didier Pribat,Leonidas Karapiperis,Christian Collet,Guy Garry. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1990-11-16.

Method for manufacturing a wafer comprising a silicon single crystal substrate having a front surface and a back surface and a layer of SiGe deposited on said front surface

Номер патента: JP5159824B2. Автор: ブッシュハルト トーマス,シュトルク ペーター. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2013-03-13.

METHOD FOR PRODUCING AN ALTERNATION OF LAYERS OF SINGLE-CRYSTAL SEMICONDUCTOR MATERIAL AND LAYERS OF INSULATING MATERIAL

Номер патента: FR2629637B1. Автор: Didier Pribat,Leonidas Karapiperis. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1990-11-16.

Method for manufacturing composite wafer provided with oxide single crystal thin film

Номер патента: TW201804509A. Автор: 秋山昌次. Владелец: 信越化學工業股份有限公司. Дата публикации: 2018-02-01.

Noncrystal substrate with single crystal silicon thin film and its manufacture

Номер патента: JPS6046019A. Автор: Masaki Inada,稲田　雅紀. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1985-03-12.

Method for producing silicon oxide thin film or silicon oxynitride compound thin film and thin film obtained by this method

Номер патента: JP5305476B2. Автор: 俊英 鎌田,聖 植村. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2013-10-02.

method for depositing silicon-series nanoparticle thin film, silicon-series nanoparticle thin film, and apparatus for depositing silicon-series nanoparticle thin film

Номер патента: KR101199221B1. Автор: 박상현,송진수,조준식,이정철,김성범,구혜영. Владелец: 한국에너지기술연구원. Дата публикации: 2012-11-07.

Method for manufacturing microcrystalline semiconductor film, thin film transistor having microcrystalline semiconductor film, and photoelectric conversion device having microcrystalline semiconductor film

Номер патента: KR101534099B1. Автор: 히데카주 미야이리,야스히로 진보,코지 다이리키. Владелец: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼. Дата публикации: 2015-07-06.

Method for forming heteroepitaxial film

Номер патента: EP4414483A1. Автор: Tatsuo Abe,Atsushi Suzuki,Junya Ishizaki,Toshiki Matsubara,Kazunori Hagimoto,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Method for manufacturing silicon single-crystal substrate and silicon single-crystal substrate

Номер патента: US20230212782A1. Автор: Weifeng Qu,Shizuo Igawa,Ken Sunakawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Method for producing Ga2O3 based crystal film

Номер патента: US09657410B2. Автор: Kohei Sasaki. Владелец: Tamura Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for producing heteroepitaxial wafer

Номер патента: EP4407077A1. Автор: Tatsuo Abe,Atsushi Suzuki,Toshiki Matsubara,Keitaro Tsuchiya,Tsuyoshi Ohtsuki,Yukari Suzuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Method for growing beta-Ga2O3-based single crystal film, and crystalline layered structure

Номер патента: US11982016B2. Автор: Ken Goto,Akinori Koukitu,Yoshinao Kumagai,Kohei Sasaki,Hisashi Murakami. Владелец: Tamura Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Group III nitride semiconductor and method for producing same

Номер патента: US10923346B2. Автор: Hiroshi Ono,Akihiko Ishibashi,Kenya Yamashita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-16.

Sic seed crystal and method for producing same, sic ingot produced by growing said sic seed crystal and method for producing same, and sic wafer produced from said sic ingot and sic wafer with epitaxial film and methods respectively for producing said sic wafer and said sic wafer with epitaxial film

Номер патента: EP4403677A3. Автор: Kiyoshi Kojima,Tadaaki Kaneko. Владелец: Toyota Tsusho Corp. Дата публикации: 2024-08-21.

Sic seed crystal and method for producing same, sic ingot produced by growing said sic seed crystal and method for producing same, and sic wafer produced from said sic ingot and sic wafer with epitaxial film and methods respectively for producing said sic wafer and said sic wafer with epitaxial film

Номер патента: EP4403677A2. Автор: Kiyoshi Kojima,Tadaaki Kaneko. Владелец: Toyota Tsusho Corp. Дата публикации: 2024-07-24.

Methods of exfoliating single crystal materials

Номер патента: US20200395213A1. Автор: William Edwin McMAHON,Andrew Gordon Norman,Celeste Louise Melamed,Eric Steven Toberer. Владелец: Alliance for Sustainable Energy LLC. Дата публикации: 2020-12-17.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP4400636A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Method for forming crystalline deposited film

Номер патента: AU651568B2. Автор: Yutaka Hirai,Akira Sakai,Masao Ueki,Jinsho Matsuyama. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1994-07-28.

Single crystal transition metal dichalcogenide thin film and method for synthesizing the same

Номер патента: US20210222322A1. Автор: Soo Ho CHOI,Ki Kang KIM. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-07-22.

Single crystal transition metal dichalcogenide thin film and method for synthesizing the same

Номер патента: US11859308B2. Автор: Soo Ho CHOI,Ki Kang KIM. Владелец: SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-01-02.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20240371628A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Process for growing silicon carbide single crystal and device for the same

Номер патента: US20130305982A1. Автор: Young Shol Kim,Sung Wan Hong. Владелец: SK Innovation Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-21.

Structure and method for fabricating semiconductor structures having instruction decoders and dispatchers formed of monocrystaline compound semiconductor material

Номер патента: US20030034503A1. Автор: Timothy Johnson,David Gurney,Raymond Essick,Dale Bengtson. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-02-20.

Method for producing semiconductor thin films on foreign substrates

Номер патента: US20150140795A1. Автор: Jean-Paul Theis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-05-21.

Semiconductor substrate, semiconductor wafer, and method for manufacturing semiconductor wafer

Номер патента: EP4383315A1. Автор: Kohei Sasaki,Chia-hung Lin. Владелец: Novel Crystal Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-12.

Method for processing semiconductor wafer

Номер патента: US09881783B2. Автор: Toshiyuki Tanaka,Tomohiro Hashii,Yasuyuki Hashimoto. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for producing aluminum nitride single crystal substrate

Номер патента: US10822718B2. Автор: Masayuki Fukuda,Hiroyuki Yanagi,Toru Nagashima,Reiko OKAYAMA. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2020-11-03.

Method for growing beta-Ga2O3-based single crystal film, and crystalline layered structure

Номер патента: CN105992841A. Автор: 熊谷义直,佐佐木公平,村上尚,后藤健,绞缬明伯. Владелец: Tamura Corp. Дата публикации: 2016-10-05.

Method for manufacturing epitaxial wafer for ultraviolet ray emission device, method for manufacturing substrate for ultraviolet ray emission device, epitaxial wafer for ultraviolet ray emission device, and substrate for ultraviolet ray emission device

Номер патента: US20240234623A9. Автор: Masato Yamada,Keitaro Tsuchiya. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Systems and methods for growth of silicon carbide over a layer comprising graphene and/or hexagonal boron nitride and related articles

Номер патента: US20240153763A1. Автор: Rachael L. Myers-Ward,David Kurt Gaskill,Takuji Maekawa,Jeehwan Kim,Wei Kong,Noriyuki Masago,Kuan Qiao. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2024-05-09.

Systems and methods for growth of silicon carbide over a layer comprising graphene and/or hexagonal boron nitride and related articles

Номер патента: WO2019246515A1. Автор: Rachael L. Myers-Ward,David Kurt Gaskill,Takuji Maekawa,Jeehwan Kim,Wei Kong,Noriyuki Masago,Kuan Qiao. Владелец: The Government of the United State of America, as represented by the Secretary of the Navy. Дата публикации: 2019-12-26.

Systems and methods for growth of silicon carbide over a layer comprising graphene and/or hexagonal boron nitride and related articles

Номер патента: WO2019246515A8. Автор: Rachael L. Myers-Ward,David Kurt Gaskill,Takuji Maekawa,Jeehwan Kim,Wei Kong,Noriyuki Masago,Kuan Qiao. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2020-02-20.

Carbon-doped silicon single crystal wafer and method for manufacturing the same

Номер патента: US11761118B2. Автор: Weifeng Qu,Shizuo Igawa,Ken Sunakawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor apparatus, method for growing nitride semiconductor and method for producing semiconductor apparatus

Номер патента: US20060145166A1. Автор: Satoshi Kamiyama,Isamu Akasaki,Hiroshi Amano,Toshiya Matsuda,Takanori Yasuda. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2006-07-06.

Method for growing a semiconductor assembly and semiconductor assembly

Номер патента: US20230360908A1. Автор: Armin Dadgar,Florian Hörich. Владелец: Otto Von Guericke Universitaet Magdeburg. Дата публикации: 2023-11-09.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US09809901B2. Автор: Shinji Nakano,Kouichi Ikeda,Satoshi Soeta. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method for evaluating crystal defects in silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: US20240142390A1. Автор: Toru Takahashi,Yutaka Shiga,Hisao Muraki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for forming identification marks on refractory material single crystal substrate, and refractory material single crystal substrate

Номер патента: US20160190069A1. Автор: Sadahiko Kondo. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Method for forming identification marks on refractory material single crystal substrate, and refractory material single crystal substrate

Номер патента: US09508655B2. Автор: Sadahiko Kondo. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for forming identification marks on refractory material single crystal substrate, and refractory material single crystal substrate

Номер патента: US9318443B2. Автор: Sadahiko Kondo. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2016-04-19.

Method for controlling resistivity and n-type silicon single crystal

Номер патента: US20170260645A1. Автор: Kiyotaka Takano,Ryoji Hoshi,Hiroyuki Kamada. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Apparatus for forming non-single-crystal semiconductor thin film, method for forming non-single-crystal semiconductor thin film, and method for producing photovoltaic device

Номер патента: US6159300A. Автор: Shotaro Okabe,Yuzo Kohda,Tadashi Hori,Akira Sakai,Takahiro Yajima. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2000-12-12.

Method for producing a laminated body having a1-based group-iii nitride single crystal layer, laminated body produced by the method, method for producing a1-based group-iii nitride single crystal substrate employing the laminated body, and aluminum nitride single crystal substrate

Номер патента: CA2712148C. Автор: Kazuya Takada,Akinori Koukitu,Yoshinao Kumagai,Toru Nagashima,Masanari Ishizuki,Akira Hakomori. Владелец: Tokyo University of Agriculture and Technology NUC. Дата публикации: 2012-08-07.

Method for evaluating crystal defects of silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: EP4310893A1. Автор: Toru Takahashi,Yutaka Shiga,Hisao Muraki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-24.

Method for forming identification marks on silicon carbide single crystal substrate, and silicon carbide single crystal substrate

Номер патента: US20130157009A1. Автор: Sadahiko Kondo. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2013-06-20.

Method for producing thin oxidized carbon film, element having thin oxidized carbon film, and method for producing same

Номер патента: US20140134409A1. Автор: Akihiro Odagawa,Nozomu Matsukawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-05-15.

Method for growing thin film

Номер патента: US20090324824A1. Автор: Suyoun Lee,Jeung-Hyun Jeong,Taek Sung Lee,Won Mok Kim,Kyeong Seok Lee,Young Joon Baik,Jong-Keuk Park. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2009-12-31.

Method for growing thin film

Номер патента: US8247031B2. Автор: Suyoun Lee,Jeung-Hyun Jeong,Taek Sung Lee,Won Mok Kim,Kyeong Seok Lee,Young Joon Baik,Jong-Keuk Park. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2012-08-21.

Method for manufacturing semiconductor elemental device

Номер патента: US20060177984A1. Автор: Koichi Kishiro. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-10.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20140187004A1. Автор: Jong Seok Lee,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2014-07-03.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US8772112B1. Автор: Jong Seok Lee,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2014-07-08.

Semiconductor device, substrate with single-crystal semiconductor thin film and methods for manufacturing same

Номер патента: CN101855704A. Автор: 高藤裕,福岛康守,富安一秀,竹井美智子,中川和男. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-10-06.

Semiconductor device, substrate with single-crystal semiconductor thin film and methods for manufacturing same

Номер патента: WO2009084311A1. Автор: Yasumori Fukushima,Shin Matsumoto,Kazuo Nakagawa,Yutaka Takafuji,Kenshi Tada,Kazuhide Tomiyasu. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2009-07-09.

METHOD FOR MANUFACTURING COMPOSITE WAFER PROVIDED WITH OXIDE SINGLE CRYSTAL THIN FILM

Номер патента: US20190051525A1. Автор: Akiyama Shoji. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2019-02-14.

Method for manufacturing a metal film having giant single crystals and the metal film

Номер патента: KR100422333B1. Автор: 김승현,이동수,윤의준,하조웅,박동연,우현정. Владелец: 이노스텍 (주). Дата публикации: 2004-03-10.

METHOD FOR MANUFACTURING A SELF-CARRYING SUBSTRATE OF SINGLE-CRYSTAL SEMICONDUCTOR MATERIAL

Номер патента: FR2835096A1. Автор: Fabrice Letertre,Bruno Ghyselen,Carlos Mazure. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2003-07-25.

Method for producing composite wafer provided with oxide single-crystal thin film

Номер патента: WO2016194977A1. Автор: 昌次 秋山,信 川合. Владелец: 信越化学工業株式会社. Дата публикации: 2016-12-08.

Method for manufacturing ferroelectric capacitor

Номер патента: US20060166379A1. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-27.

QUALITY EVALUATION METHOD FOR LAMINATE HAVING PROTECTIVE LAYER ON SURFACE OF OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM AND QUALITY CONTROL METHOD FOR OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM

Номер патента: US20170184660A1. Автор: Miki Aya,HAYASHI Kazushi,KAWAKAMI Nobuyuki. Владелец: Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.). Дата публикации: 2017-06-29.

Method for producing photosensitive resin composition, polymer precursor, cured film, laminate, cured film, and semiconductor device

Номер патента: KR102365294B1. Автор: 아키노리 시부야,타케시 카와바타,켄타 요시다,유 이와이. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-02-21.

Method for manufacturing metal-oxide thin film using low temperature process, thin film, and electric device thereof

Номер патента: KR101456239B1. Автор: 김영훈,박성규,김지완,오민석. Владелец: 중앙대학교 산학협력단. Дата публикации: 2014-11-13.

Method for forming an electrically conductive oxide film, an electrically conductive oxide film, and uses for the same

Номер патента: US09892814B2. Автор: Jarmo Maula. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2018-02-13.

Methods for preparation of graphene nanoribbons from carbon nanotubes and compositions, thin films and devices derived therefrom

Номер патента: US8703090B2. Автор: James M. Tour,Dmitry V. Kosynkin,Amanda Higginbotham,Brandi Katherine Price. Владелец: William Marsh Rice University. Дата публикации: 2014-04-22.

Flexible single-crystal film and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1751788A1. Автор: Jae-Gun Park,Jong-wan Park. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2007-02-14.

Method for manufacturing SOI substrate in which crystal defects of a single crystal semiconductor layer are reduced and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09633892B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Takashi Shimazu,Eriko Nishida. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Acoustic wave devices

Номер патента: US12081188B2. Автор: Michio Kadota,Shuji Tanaka,Yoshimi Ishii. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for manufacturing elastic elements from single-crystal silicon

Номер патента: RU2770165C1. Автор: Валерий Евгеньевич Пауткин,Александр Евгеньевич Мишанин,Фархад Анвярович Абдуллин,Вера Владимировна Алексеева. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений". Дата публикации: 2022-04-14.

Method for manufacturing silicon single crystal wafer and electronic device

Номер патента: US9252025B2. Автор: Koji Ebara,Tetsuya Oka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-02.

Method for controlling donor concentration in Ga2O3-based and method for forming ohmic contact

Номер патента: US9611567B2. Автор: Kohei Sasaki,Masataka Higashiwaki. Владелец: Tamura Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

PREPARATION METHOD FOR GROWING GERMANIUM SULFIDE (GeS2) SINGLE-CRYSTAL THIN FILM ON SiO2 SUBSTRATE

Номер патента: US20240120431A1. Автор: SHENG Chen,Guoqiang Li,Wenliang Wang,Jixing CHAI. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2024-04-11.

Acoustic wave device, filter, and multiplexer

Номер патента: US20190207583A1. Автор: Takashi Matsuda,Masafumi Iwaki,Satoshi Imasu,Shinpei Miura. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2019-07-04.

Method of fabricating semiconductor device having epitaxially grown semiconductor single crystal film

Номер патента: US5759878A. Автор: Masaaki Kamiya,Yoshikazu Kojima,Hiroaki Takasu,Yutaka Hayashi. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1998-06-02.

Method for estimating twin defect density

Номер патента: US11733177B2. Автор: Jungkuk LEE,Soon-ku HONG,Si Trong NGO,Duy Duc LE. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Chungnam National University. Дата публикации: 2023-08-22.

Method for manufacturing microcontacts

Номер патента: RU2655953C1. Автор: Лариса Александровна Васильева,Владимир Михайлович Акимов,Евгений Алексеевич Климанов,Никита Александрович Иродов. Владелец: Акционерное общество "НПО "Орион". Дата публикации: 2018-05-30.

Method for sorting silicon wafers according to their bulk lifetime

Номер патента: US20190247889A1. Автор: Jordi Veirman,Wilfried Favre,Elenore Letty. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2019-08-15.

Group iii nitride semiconductor single crystal, method for producing the same, self-standing substrate, and semiconductor device

Номер патента: US20140070370A1. Автор: Shiro Yamazaki,Miki Moriyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Apparatus for forming non-single-crystal semiconductor thin film, method for forming non-single-crystal semiconductor thin film, and method for producing photovoltaic device

Номер патента: EP0849811A2. Автор: Shotaro Okabe,Yuzo Kohda,Tadashi Hori,Akira Sakai,Takahiro Yajima. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1998-06-24.

Method for producing a laminated body having a1-based group-iii nitride single crystal layer, laminated body produced by the method, method for producing a1-based group-iii nitride single crystal substrate employing the laminated body, and aluminum nitride single crystal substrate

Номер патента: CA2712148A1. Автор: Kazuya Takada,Akinori Koukitu,Yoshinao Kumagai,Toru Nagashima,Masanari Ishizuki,Akira Hakomori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-23.

METHOD FOR PRODUCING A LAMINATED BODY HAVING Al-BASED GROUP-III NITRIDE SINGLE CRYSTAL LAYER, LAMINATED BODY PRODUCED BY THE METHOD, METHOD FOR PRODUCING Al-BASED GROUP-III NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE EMPLOYING THE LAMINATED BODY, AND ALUMINUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20110018104A1. Автор: Kazuya Takada,Akinori Koukitu,Yoshinao Kumagai,Toru Nagashima,Masanari Ishizuki,Akira Hakomori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-27.

METHOD FOR PRODUCING N-TYPE GROUP III NITRIDE SINGLE CRYSTAL, N-TYPE GROUP III NITRIDE SINGLE CRYSTAL, AND CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20160362815A1. Автор: Iwata Hirokazu. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2016-12-15.

Method for producing N-type group III nitride single crystal, N-type group III nitride single crystal, and crystal substrate

Номер патента: US9464367B2. Автор: Hirokazu Iwata. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

METHOD FOR FORMING IDENTIFICATION MARKS ON REFRACTORY MATERIAL SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, AND REFRACTORY MATERIAL SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20140017447A1. Автор: Kondo Sadahiko. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-16.

METHOD FOR FORMING IDENTIFICATION MARKS ON SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, AND SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20140205803A1. Автор: Kondo Sadahiko. Владелец: HITACHI METALS, LTD.. Дата публикации: 2014-07-24.

METHOD FOR FORMING IDENTIFICATION MARKS ON REFRACTORY MATERIAL SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, AND REFRACTORY MATERIAL SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20160190069A1. Автор: Kondo Sadahiko. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

LARGE-AREA SINGLE-CRYSTAL MONOLAYER GRAPHENE FILM AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20160108546A1. Автор: Lee Min Yong,PARK Sun Mi,Kim Hansu,PARK Ho Bum,YOON Hee Wook. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-21.

METHOD FOR CONTROLLING RESISTIVITY AND N-TYPE SILICON SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20170260645A1. Автор: Hoshi Ryoji,Kamada Hiroyuki,Takano Kiyotaka. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2017-09-14.

METHOD FOR EVALUATING CONCENTRATION OF DEFECT IN SILICON SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20160300768A1. Автор: Hoshi Ryoji,Kamada Hiroyuki. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2016-10-13.

Method for fabrication of cmos image sensor using single crystal silicon growth

Номер патента: KR100670539B1. Автор: 황경진,성낙균. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2007-01-16.

Compound semiconductor wafer, photoelectric conversion element, and method for producing group iii-v compound semiconductor single crystals

Номер патента: EP4119703A1. Автор: Akira Noda,Masaru Ota,Ryuichi Hirano. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2023-01-18.

A method for detecting a gas leak in a single crystal grower

Номер патента: KR101402843B1. Автор: 김재성. Владелец: 주식회사 엘지실트론. Дата публикации: 2014-06-03.

Method for the large-area contacting of a single-crystal silicon body

Номер патента: DE1279848B. Автор: Dr Phil Nat Norbert Schink,Dr Rer Nat Adolf Herlet. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1968-10-10.

Solar cell module having high-performance single-crystal silicon thin film and manufacturing method thereof

Номер патента: KR101424716B1. Автор: 이석호,송승헌,임철현,백수웅,한창준. Владелец: 재단법인 녹색에너지연구원. Дата публикации: 2014-08-04.

Method for preparing tunnel oxide layer and amorphous silicon thin film, and topcon cell

Номер патента: EP4254519A1. Автор: Hao Chen,Guoqiang Xing,Xiajie Meng,Mingzhang DENG. Владелец: Tongwei Solar Meishan Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

Method for preparing tunnel oxide layer and amorphous silicon thin film, and topcon cell

Номер патента: AU2022397987A1. Автор: Hao Chen,Guoqiang Xing,Xiajie Meng,Mingzhang DENG. Владелец: Tongwei Solar Meishan Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for preparing tunnel oxide layer and amorphous silicon thin film, and topcon cell

Номер патента: US20240145611A1. Автор: Hao Chen,Guoqiang Xing,Xiajie Meng,Mingzhang DENG. Владелец: Tongwei Solar Meishan Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for manufacturing polycrystalline silicon thin film, polycrystalline silicon thin film, and acoustic sensor

Номер патента: US20200389747A1. Автор: Xiaohui Zhong,Wooicheang Goh,Kahkeen Lai,Kianheng Goh. Владелец: AAC Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2020-12-10.

Silicone skeleton-containing polymer compound and method for producing same, chemically amplified negative resist composition, photo-curable dry film and method for producing same, patterning process, layered product, and substrate

Номер патента: US10114287B2. Автор: Takayuki Fujiwara,Koji Hasegawa,Masahiro Fukushima,Katsuya Takemura,Masashi Iio,Hiroyuki Urano. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-30.

Anisotropically conductive film, method for producing the same, and connecting structure using the anisotropically conductive film and method for producing the same

Номер патента: TWI752515B. Автор: 篠原誠一郎. Владелец: 日商迪睿合股份有限公司. Дата публикации: 2022-01-11.

Method for manufacturing CMOS image sensor

Номер патента: US20050064621A1. Автор: Keun Lim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-24.

Method for producing tin-silver alloy plating film, tin-silver alloy plating film, and lead frame for electronic component provided with the same

Номер патента: JP3395772B2. Автор: 久裕 田中,剛 常盤,松夫 舛田. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2003-04-14.

METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE WITH TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, SUBSTRATE WITH TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, AND SOLAR CELL

Номер патента: US20200198063A1. Автор: IWAMA Masaki. Владелец: FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2020-06-25.

Amine Compound, Method for Preparing the same, Liquid Crystal Alignment Agent, Liquid Crystal Alignment Film and Liquid Crystal Display Device

Номер патента: KR102016949B1. Автор: 이성규,안용호,최진욱,소상완. Владелец: (주)켐넥스. Дата публикации: 2019-09-02.

Quantum dot film, method for producing quantum dot film, opto-electronic device including quantum dot film, and image sensor including opto-electronic device

Номер патента: US20230136511A1. Автор: Kyungsang Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-04.

Method for producing a structure with a carrier consisting of a structured film and a self-aligned electronic device

Номер патента: DE69302532T2. Автор: Avishay Katz,David Isaac Caplan. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 1996-10-02.

Surface acoustic wave device, method for making the same, and communication apparatus including the same

Номер патента: US6734601B2. Автор: Shigeto Taga. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-11.

Tunable surface acoustic wave resonators and SAW filters with digital to analog converters

Номер патента: US20200036364A1. Автор: Chunong Qiu,Ishiang Shih,Cindy X. Qiu,Yi-Chi Shih,Andy Shih,Julia Qiu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-01-30.

Frequency adjustment method of surface acoustic wave device, surface acoustic wave device, and electronic device

Номер патента: US20050275487A1. Автор: Masahiro Oshio. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-12-15.

Method for forming a piezoelectric film

Номер патента: US20230113584A1. Автор: Stefan Bader,Alexandre Augusto Shirakawa,Kwang Jae Shin,Kezia Cheng. Владелец: Skyworks Global Pte Ltd. Дата публикации: 2023-04-13.

Method for manufacturing surface acoustic wave apparatus

Номер патента: US20150236665A1. Автор: Toru Fukano. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Method for manufacturing surface acoustic wave apparatus

Номер патента: US09882540B2. Автор: Toru Fukano. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Surface acoustic wave resonator mounting with low acceleration sensitivity

Номер патента: AU2011323966B2. Автор: Roger L. Clark,Gary K. Montress,Seth A. Berman,Robert E. Kozlowski. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2015-03-05.

Elastic wave device using SH surface acoustic wave

Номер патента: US09413334B2. Автор: Hajime Kando. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Applications of a superconducting device that mixes surface acoustic waves and microwave signals

Номер патента: US20200036332A1. Автор: Baleegh ABDO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Superconducting device that mixes surface acoustic waves and microwave signals

Номер патента: US20210297056A1. Автор: Baleegh ABDO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Superconducting device that mixes surface acoustic waves and microwave signals

Номер патента: US20210099129A1. Автор: Baleegh ABDO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Superconducting device that mixes surface acoustic waves and microwave signals

Номер патента: US20200036331A1. Автор: Baleegh ABDO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Surface acoustic wave resonator structure

Номер патента: US20190259806A1. Автор: Paul Fischer,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Edris Mohammed. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Passive wireless surface acoustic wave ultraviolet radiation sensor

Номер патента: RU2613590C1. Автор: Геворк Яковлевич Карапетьян,Евгений Михайлович Кайдашев,Денис Анатольевич Жилин,Владимир Евгеньевич Кайдашев. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет". Дата публикации: 2017-03-17.

Method of manufacturing surface acoustic wave device and surface acoustic wave device

Номер патента: US20020057037A1. Автор: Rieko Chujo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Method of manufacturing surface acoustic wave device and surface acoustic wave device

Номер патента: US6731045B2. Автор: Rieko Chujo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-05-04.

1-port type surface acoustic wave device

Номер патента: US6166476A. Автор: Hideya Morishita,Koji Nakashima. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2000-12-26.

Acoustic wave device

Номер патента: US10250231B2. Автор: Osamu Kawachi,Minako Sakurai. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2019-04-02.

Acoustic wave clock distribution

Номер патента: WO2023236153A1. Автор: Andrew Martwick,Jason A. MIX,Liwei ZHAO,Sarah Shahraini,Alexander T. Hoang,Ruth Y. Vidana Morales,Andrea S. Muljono. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2023-12-14.

Acoustic wave devices with thermal bypass

Номер патента: US20230027129A1. Автор: Joshua James CARON,Benjamin Paul Abbott,Eesa Rahimi. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Acoustic wave devices with improved heat management

Номер патента: US20230024270A1. Автор: Joshua James CARON,Benjamin Paul Abbott,Eesa Rahimi. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Method for manufacturing SOQ substrate

Номер патента: US20080118757A1. Автор: Koichi Tanaka,Atsuo Ito,Makoto Kawai,Yoshihiro Kubota,Shoji Akiyama,Yuuji Tobisaka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-22.

Laser-marked packaged surface acoustic wave devices

Номер патента: US20200076398A1. Автор: Takashi Inoue,Li Ann Koo,Vivian Sing Zhi Lee,Ping Yi Tan. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2020-03-05.

Laser-marked packaged surface acoustic wave devices

Номер патента: US20240243716A1. Автор: Takashi Inoue,Li Ann Koo,Vivian Sing Zhi Lee,Ping Yi Tan. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120058612A1. Автор: Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-08.

Small volume thin film and high energy density crystal capacitors

Номер патента: WO2007008920A9. Автор: Deborah P Partlow,Abigail Kirschenbaum,Gregory C Desalvo,John J Talvacchio,James J Murduck,Rowland Chris Clarke. Владелец: Rowland Chris Clarke. Дата публикации: 2007-06-28.

Base material on which single-crystal diamond is grown comprised of a base substrate, bonded single-crystal MgO layer, and heteroepitaxial film, and method for manufacturing a single-crystal diamond substrate on the base material

Номер патента: US09752255B2. Автор: Hitoshi Noguchi,Shozo Shirai. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of producing surface acoustic wave device and the surface acoustic wave device

Номер патента: US20070278897A1. Автор: Kyosuke Ozaki. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-06.

Packaged surface acoustic wave devices

Номер патента: US11777465B2. Автор: Takashi Inoue,Li Ann Koo,Vivian Sing Zhi Lee,Ping Yi Tan. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Surface acoustic wave filter

Номер патента: US20050062559A1. Автор: Hiroshi Kushitani,Yuki Satoh,Toru Sakuragawa,Tetsuro Shimamura,Koji Seo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-03-24.

Compact hybrid acoustic wave filter structure

Номер патента: US20240258995A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Kai Liu,Jonghae Kim,Nosun Park,Jui-Yi Chiu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Compact hybrid acoustic wave filter structure

Номер патента: WO2024158575A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Kai Liu,Jonghae Kim,Nosun Park,Jui-Yi Chiu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-08-02.

Surface acoustic wave devices using beryllium conductors

Номер патента: US20190123710A1. Автор: Viktor Plesski,Julius Koskela. Владелец: Resonant Inc. Дата публикации: 2019-04-25.

Surface acoustic wave device

Номер патента: US20180145657A1. Автор: Zhuohui Chen. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Surface acoustic wave device and communication apparatus including the same

Номер патента: US20020180307A1. Автор: Shigeto Taga. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Individually identifiable surface acoustic wave sensors, tags and systems

Номер патента: US09537677B2. Автор: Leland P. Solie,Jacqueline H. Hines,Andrew T. Hines,Dana Y. G. Tucker. Владелец: SENSANNA Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Flexible substrate and preparation method therefor, method for detecting bending, and flexible display device

Номер патента: EP3675192A1. Автор: Zhiwei Liang,Yingwei Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-01.

Structure of surface acoustic wave device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220166402A1. Автор: Kai-Kuang Ho,Chen-Hsiao Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Silicon carbide ingot, method for manufacturing silicon carbide ingot, and method for manufacturing silicon carbide wafer

Номер патента: US20230193510A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO,Akiyoshi HORIAI,Kiyoshi Betsuyaku. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Bulk acoustic wave resonator

Номер патента: US20180083182A1. Автор: Cui Jing,Chul Soo Kim,Moon Chul Lee,Duck Hwan Kim,In Sang Song,Jea Shik Shin,Sang Uk Son,Ho Soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-22.

Bulk acoustic wave resonator

Номер патента: US09899593B2. Автор: Cui Jing,Chul Soo Kim,Moon Chul Lee,Duck Hwan Kim,In Sang Song,Jea Shik Shin,Sang Uk Son,Ho Soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Laser-marked packaged surface acoustic wave devices

Номер патента: US11784622B2. Автор: Takashi Inoue,Li Ann Koo,Vivian Sing Zhi Lee,Ping Yi Tan. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Organic semiconductor device, method for manufacturing organic semiconductor single crystal film, and method for manufacturing organic semiconductor device

Номер патента: US20220140265A1. Автор: Mari Sasaki,Junichi Takeya,Shunichiro Watanabe,Tatsuyuki MAKITA. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2022-05-05.

Surface acoustic wave filter device

Номер патента: EP2284998A3. Автор: Mitsuo Takeda,Norio Taniguchi,Toshiaki Takata. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-16.

Acoustic wave device, multiplexer, high-frequency front end circuit, and communication device

Номер патента: US20200328823A1. Автор: Hideki Iwamoto,Tsutomu Takai,Ryo Nakagawa. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Surface acoustic wave element and manufacturing method of the same

Номер патента: US20030025422A1. Автор: Hiroki Watanabe,Hideharu Ieki. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-06.

Method for growing nitride film

Номер патента: EP4184553A1. Автор: Hae Yong Lee,Young Jun Choi,Hae Gon OH. Владелец: LUMIGNTECH CO Ltd. Дата публикации: 2023-05-24.

Pouch film for secondary battery with excellent room temperature and high temperature sealing strength, method for preparing the pouch film, secondary battery using the same and method for manufacturing the secondary battery

Номер патента: US20240222749A1. Автор: Hee Sik Han,Nok Jung Song,Huihun KIM,Jee Eun Jang. Владелец: Youlchon Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

METHOD FOR PRODUCING SURFACE-TREATED MATERIAL FROM METAL TITANIUM OR MATERIAL FROM TITANIUM ALLOY AND SURFACE-TREATED MATERIAL

Номер патента: RU2015141001A. Автор: Теруки ТАКАЯСУ,Киндзи ОНОДА,Синго МОРИ. Владелец: Мори Косан Ко., Лтд.. Дата публикации: 2017-03-31.

Method for preparing phosphomolybdic acid modified high-nickel single crystal positive electrode material

Номер патента: CN113066980A. Автор: 郭玉国,盛航,石吉磊,邹玉刚,孟鑫海. Владелец: Institute of Chemistry CAS. Дата публикации: 2021-07-02.

Pouch film for secondary battery with excellent room temperature and high temperature sealing strength, method for preparing the pouch film, secondary battery using the same and method for manufacturing the secondary battery

Номер патента: EP4393691A1. Автор: Hee Sik Han,Nok Jung Song,Huihun KIM,Jee Eun Jang. Владелец: Youlchon Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

METHOD FOR PRODUCING THIN OXIDIZED CARBON FILM, ELEMENT HAVING THIN OXIDIZED CARBON FILM, AND METHOD FOR PRODUCING SAME

Номер патента: US20140134409A1. Автор: ODAGAWA Akihiro,MATSUKAWA Nozomu. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2014-05-15.

METHOD FOR FORMING AN ELECTRICALLY CONDUCTIVE OXIDE FILM, AN ELECTRICALLY CONDUCTIVE OXIDE FILM, AND USES FOR THE SAME

Номер патента: US20160172070A1. Автор: Maula Jarmo. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-16.

Method for forming an electrically conductive oxide film, an electrically conductive oxide film, and uses for the same

Номер патента: US9290840B2. Автор: Jarmo Maula. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2016-03-22.

Methods for preparation of graphene nanoribbons from carbon nanotubes and compositions, thin films and devices derived therefrom

Номер патента: KR101614564B1. Автор: 제임스 엠. 투르,드미트리 브이. 코신킨,아만다 듀크,캐서린 브랜디 프라이스. Владелец: 윌리엄 마쉬 라이스 유니버시티. Дата публикации: 2016-04-21.

Method for disentangling hollow carbon microfibers, electrically conductive transparent carbon microfibers aggregation film and coating composition for forming such film

Номер патента: TW442589B. Автор: Daisuke Shibuta. Владелец: Hyperion Catalysis Int. Дата публикации: 2001-06-23.

Method for untangling hollow carbon microfibers, electrically conductive transparent carbon microfiber agglomeration film, and coating composition for forming such a film

Номер патента: JP2000511245A. Автор: 大介 渋田. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2000-08-29.

Silver-coated copper powder and method for producing the same, and conductive paste, conductive adhesive agent, conductive film, and electric circuit containing the silver-coated copper powder

Номер патента: JP2012214898A. Автор: Kazuyuki Hayashi,Keisuke Iwasaki,Hiroko Morii,一之 林,敬介 岩崎,弘子 森井,峰子 大杉,Mineko Osugi. Владелец: Toda Kogyo Corp. Дата публикации: 2012-11-08.

Method for disentangling hollow carbon microfibers, electrically conductive transparent carbon microfibers aggregation film and coating composition for forming such film

Номер патента: EP0921939A1. Автор: Daisuke Shibuta. Владелец: Hyperion Catalysis International Inc. Дата публикации: 1999-06-16.

Transfer film, method for fabricating thin film for display apparatus panel using the transfer film, and display apparatus having thin film fabricated by the method

Номер патента: US7011886B2. Автор: Koji Fujita,Kazumasa Nomura,Katsutoshi Ohno. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-03-14.

Transfer film, method for fabricating thin film for display apparatus panel using the transfer film, and display apparatus having thin film fabricated by the method

Номер патента: US20050142358A1. Автор: Koji Fujita,Kazumasa Nomura,Katsutoshi Ohno. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-06-30.

A method for forming an electrically conductive oxide film, an electrically conductive oxide film, and uses for the same

Номер патента: TW201132788A. Автор: Jarmo Maula. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2011-10-01.

An optical film, an antireflection film, a reflection film, a method for forming the optical film, the antireflection film or the reflection film and an optical device

Номер патента: CA2128743C. Автор: Shuichi Miura,Nobumasa Okada,Shigeo Ohsaka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2000-04-11.

Photosensitive resin composition, method for producing patterned cured film, interlayer insulating film, covercoat, surface protective film, and electronic component

Номер патента: CN114245882A. Автор: 松川大作,榎本哲也,齐藤伸行,田原真吾. Владелец: Actri Microsystems Co ltd. Дата публикации: 2022-03-25.

Method for growing alumino-yttrium garnet doped with vanadium

Номер патента: RU2641828C1. Автор: Виктор Александрович Письменный,Александр Витальевич Сандуленко,Лариса Ивановна Крутова,Дмитрий Иванович Клименченко. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский и технологический институт оптического материаловедения Всероссийского научного центра "Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова" (АО "НИТИОМ ВНЦ "ГОИ им. С.И. Вавилова"). Дата публикации: 2018-01-22.

Methods for growing carbon nanotubes on single crystal substrates

Номер патента: WO2007047949A3. Автор: Zhifeng Ren,Dezhi Wang,Guangyong Xiong,Baoqing Zeng. Владелец: Baoqing Zeng. Дата публикации: 2009-04-30.

Surface acoustic wave resonator, filter, duplexer and communication apparatus

Номер патента: US6218763B1. Автор: Koji Fujimoto,Michio Kadota,Toshimaro Yoneda. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2001-04-17.

Liquid sample introduction system and method, for analytical plasma spectrometer

Номер патента: US12068145B2. Автор: Ayrat Murtazin. Владелец: Thermo Fisher Scientific Bremen GmbH. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for growing high-quality graphene layer

Номер патента: US09428829B2. Автор: Byung Jin Cho,Jeong Hun Mun. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2016-08-30.

Method for producing surface-treated metal titanium material or titanium alloy material and surface-treated material

Номер патента: RU2660793C2. Автор: Теруки ТАКАЯСУ,Киндзи ОНОДА,Синго МОРИ. Владелец: Мори Косан Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-07-09.

Bulk acoustic wave resonator having a plurality of compensation layers and duplexer using same

Номер патента: US09735754B2. Автор: Chul Soo Kim,Young Il Kim,Jae Chun Lee,Duck Hwan Kim,In Sang Song,Jea Shik Shin,Sang Uk Son,Hyung Rak Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Giant nonreciprocity of surface acoustic waves enabled by the magnetoelastic interaction

Номер патента: US20220367998A1. Автор: Michael R Page,Piyush J Shah,Derek A Bas. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 2022-11-17.

Device for reading information from wireless sensor on surface acoustic waves

Номер патента: RU2748391C1. Автор: Геворк Яковлевич Карапетьян,Евгений Михайлович Кайдашев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Южный федеральный университет». Дата публикации: 2021-05-25.

Over temperature protection for acoustic wave filter

Номер патента: US11973491B2. Автор: Joshua James CARON,Joel Anthony Penticoff. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Methods for fabricating a laser cavity

Номер патента: US20030030062A1. Автор: Joyce Yamamoto,Paige Holm,Barbara Barenburg,Fred Richard. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-02-13.

Bulk acoustic wave resonator and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP2502346A1. Автор: Heikki Kuisma,Antti Jaakkola. Владелец: VTI TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2012-09-26.

Low lead content magnetic garnet single crystal film, method for manufactuing the same and magnetostatic wave device having the same

Номер патента: US20010006038A1. Автор: Masaru Fujino. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-05.

Surface acoustic wave transponder package for down-hole applications

Номер патента: US20150207204A1. Автор: Duke Loi. Владелец: HM ENERGY LLC. Дата публикации: 2015-07-23.

Surface acoustic wave transponder package for down-hole applications

Номер патента: US20120019394A1. Автор: Duke Loi. Владелец: HM ENERGY LLC. Дата публикации: 2012-01-26.

Ultraviolet light generating target, electron-beam-excited ultraviolet light source, and method for producing ultraviolet light generating target

Номер патента: US20140034853A1. Автор: Koji Kawai,Takashi Suzuki,Yoshinori Honda,Norio Ichikawa,Fumitsugu Fukuyo,Takeaki HATTORI,Shucheng Chu. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2014-02-06.

Multiferroic surface acoustic wave antenna

Номер патента: US09660349B2. Автор: Gregory Paul Carman,Scott Macklin Keller,Paul Killian Nordeen,Kyle Wetzlar,Michael F. Moon,Scott Richard Burnside. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Lamb wave resonator and other type of acoustic wave resonator included in one or more filters

Номер патента: US20220014169A1. Автор: Joshua James CARON,Toru Jibu,Benjamin Paul Abbott. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Method for manufacturing charge dissipative surface layer

Номер патента: RU2655942C2. Автор: Клаус Циммерман,Кристел НЁМАЙР,Зелина ИСКАНДЕРОВА,Якоб КЛЯЙМАН. Владелец: Интегрити Тестинг Лэборэтори Инк.. Дата публикации: 2018-05-30.

Method and apparatus for making continuous films ofa single crystal material

Номер патента: WO2004073024A3. Автор: Eric Chason,Clyde L Briant. Владелец: Univ Brown. Дата публикации: 2004-12-29.

Method and apparatus for growing Fe-Ga based alloy single crystal

Номер патента: JP6606638B2. Автор: 鈴木　　茂,清和 渡辺,承生 福田,敏幸 上野,十輝 南都. Владелец: FUKUDA CRYSTAL LABORATORY LTD.. Дата публикации: 2019-11-20.

Method for manufacturing composite substrate provided with piezoelectric single crystal film

Номер патента: WO2021225102A1. Автор: 和寿 永田. Владелец: 信越化学工業株式会社. Дата публикации: 2021-11-11.

Method for manufacturing composite substrate provided with piezoelectric single crystal film

Номер патента: EP4148995A4. Автор: Kazutoshi Nagata. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

Method for the production of printed structures, screen printing machine, screen printing doctor blade and surface printed with structures

Номер патента: WO2002000437A1. Автор: Thomas Konig,Rolf Schaeben,Johannes Deutges,Dirk Giebelen. Владелец: Maschinenbau Gerold Gmbh & Co. Kg. Дата публикации: 2002-01-03.

Production method for a low-dislocation bulk aln single crystal and low-dislocation monocrystalline aln substrate

Номер патента: US20100255305A1. Автор: Thomas Straubinger,Ralph-Uwe Barz. Владелец: SiCrystal AG. Дата публикации: 2010-10-07.

Isotopically pure single crystal epitaxial diamond films and their preparation

Номер патента: AU7917991A. Автор: Thomas Richard Anthony,William Frank Banholzer,Dennis Mark Williams. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1992-01-02.

Isotopically pure single crystal epitaxial diamond films and¹their preparation

Номер патента: IE912296A1. Автор: . Владелец: Gen Electric. Дата публикации: 1992-01-15.

Isotopically pure single crystal epitaxial diamond films and their preparation

Номер патента: AU642744B2. Автор: Thomas Richard Anthony,William Frank Banholzer,Dennis Mark Williams. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1993-10-28.

Method for growing an .alpha.-sic bulk single crystal

Номер патента: CA2368380C. Автор: Rene Stein,Johannes VÖLKL,Harald Kuhn. Владелец: SiCrystal AG. Дата публикации: 2008-07-29.

Method for the preparation of doped garnet structure single crystals with diameters of up to 500 mm

Номер патента: US09499923B2. Автор: Jind{hacek over (r)}ich Hou{hacek over (z)}vi{hacek over (c)}ka,Karel Barto{hacek over (s)}. Владелец: Crytur sro. Дата публикации: 2016-11-22.

Preparation method for polytetrafluoroethylene composition, polytetrafluoroethylene composition, forming product, conductive pipe, heat conduction film, and substrate ccl

Номер патента: EP3892681A1. Автор: Taku Yamanaka,Shuji Tagashira,Katsusada Tokuhira,Haijun Yang,Zhengmao Quan. Владелец: Daikin Fluorochemicals China Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

Preparation method for polytetrafluoroethylene composition, polytetrafluoroethylene composition, forming product, conductive pipe, heat conduction film, and substrate ccl

Номер патента: US20210332228A1. Автор: Taku Yamanaka,Shuji Tagashira,Katsusada Tokuhira,Haijun Yang,Zhengmao Quan. Владелец: Daikin Fluorochemicals China Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Method for manufacturing terbium aluminium-based paramagnetic garnet single crystal

Номер патента: EP1391544A3. Автор: Takenori Sekijima, (A 170),Mikio Geho, (A 170). Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-19.

Method for detecting crystal defects in a silicon single crystal substrate

Номер патента: US5766976A. Автор: Masaki Majima. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-16.

Phenolic configurationally locked polyene bulk single crystals, crystalline thin films and waveguides for electro-optics and thz-wave applications

Номер патента: EP2291712A1. Автор: PETER Gunter,Christoph Hunziker,Harry Figi,Seong-Ji Kwon,Mojca Jazbinsek,O-Pil Kwon. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zurich ETHZ. Дата публикации: 2011-03-09.

Phenolic configurationally locked polyene bulk single crystals, crystalline thin films and waveguides for electro-optics and thz-wave applications

Номер патента: US20110128610A1. Автор: PETER Gunter,Christoph Hunziker,Harry Figi,Seong-Ji Kwon,Mojca Jazbinsek,O-Pil Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-02.

Method for protecting a detail made of a single-crystal, hafnium-free nickel-based superalloy from corrosion and oxidation

Номер патента: RU2742919C2. Автор: Амар САБУНДЖИ,Виржини ЖАКЕ. Владелец: Сафран. Дата публикации: 2021-02-11.

Method for preparing manganese-doped and high-water single-crystal trevorite under high-temperature and high-pressure condition

Номер патента: LU503613B1. Автор: Haiying Hu,Lidong Dai. Владелец: Inst Geochemistry Cas. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for preparing titanium-doped and high-water single-crystal coulsonite under high-temperature and high-pressure condition

Номер патента: LU503665B1. Автор: Haiying Hu,Lidong Dai. Владелец: Inst Geochemistry Cas. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for preparing vanadium-doped and high-water single-crystal manganochromite under high-temperature and high-pressure condition

Номер патента: LU503654B1. Автор: Haiying Hu,Lidong Dai. Владелец: Inst Geochemistry Cas. Дата публикации: 2023-09-15.

Method for preparing calcium-doped and high-water single-crystal franklinite under high-temperature and high-pressure condition

Номер патента: LU503605B1. Автор: Haiying Hu,Lidong Dai. Владелец: Inst Geochemistry Cas. Дата публикации: 2023-09-12.

Method for preparing nickel-doped and high-water single-crystal cochromite under high-temperature and high-pressure condition

Номер патента: LU503636B1. Автор: Haiying Hu,Lidong Dai. Владелец: Inst Geochemistry Cas. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for preparing aluminum-doped and high-water single-crystal chromite under high-temperature and high-pressure condition

Номер патента: LU503631B1. Автор: Haiying Hu,Lidong Dai. Владелец: Inst Geochemistry Cas. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for preparing aluminum nitride and metal fluoride single crystals

Номер патента: US3607014A. Автор: James O Huml,Gilbert S Layne. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1971-09-21.

Bismuth-substituted rare earth iron garnet single crystal, faraday rotator, optical isolator, and production method for bismuth-substituted rare earth iron garnet single crystal

Номер патента: CA3174520A1. Автор: Toshiaki Watanabe,Satoru Fukuda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-10-28.

Method for producing polyimide precursor, method for producing photosensitive resin composition, method for producing pattern cured product, method for producing interlayer insulating film, cover coat layer or surface protective film, and method for producing electronic component

Номер патента: US11807721B2. Автор: Satoshi Yoneda,Tetsuya Enomoto. Владелец: HD MicroSystems Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Surface acoustic wave element, frequency filter, oscillator, electronic circuit, and electronic instrument

Номер патента: US20040233017A1. Автор: Setsuya Iwashita,Hiromu Miyazawa,Takamitsu Higuchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-11-25.

Surface acoustic wave resonator having comb electrodes with different overlapping lengths

Номер патента: US8084915B2. Автор: Hiroyuki Nakamura,Hidekazu Nakanishi,Rei GOTO,Yosuke Hamaoka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-12-27.

Method of optimizing input impedance of surface acoustic wave filter

Номер патента: US20180205365A1. Автор: Balam Quitze Andres Willemsen Cortes,James R. Costa. Владелец: Resonant Inc. Дата публикации: 2018-07-19.

Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave filter and surface acoustic wave duplexer, and communications equipment

Номер патента: US20060214748A1. Автор: Kiyohiro Iioka,Yuuko Yokota,Masayuki Funami. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2006-09-28.

Surface acoustic wave resonator and surface acoustic wave device

Номер патента: US20090230816A1. Автор: Hideo Kidoh. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2009-09-17.

Surface acoustic wave resonator and surface acoustic wave device in which spurious responses that occur when a SiO2 protective film is provided are suppressed

Номер патента: US7915784B2. Автор: Hideo Kidoh. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-29.

Surface acoustic wave device and surface acoustic wave filter

Номер патента: US11601114B2. Автор: Noriyoshi OTA. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-07.

Surface acoustic wave device

Номер патента: US20050156687A1. Автор: Satoru Matsuda,Osamu Kawachi. Владелец: Fujitsu Media Devices Ltd. Дата публикации: 2005-07-21.

Langasite single crystal ingot, substrate for piezoelectric device and method for manufacture thereof, and surface coustic wave device

Номер патента: US20040137727A1. Автор: Satoshi Uda,Shouqi Wang. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2004-07-15.

Method of optimizing input impedance of surface acoustic wave filter

Номер патента: US20170063336A1. Автор: Balam Quitze Andres Willemsen Cortes,James R. Costa. Владелец: Resonant Inc. Дата публикации: 2017-03-02.

Method of optimizing input impedance of surface acoustic wave filter

Номер патента: US09948277B2. Автор: Balam Quitze Andres Willemsen Cortes,James R. Costa. Владелец: Resonant Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave filter, duplexer, communication apparatus, and surface acoustic wave device

Номер патента: EP1037382A3. Автор: Michio c/o Kadota (A170) Intellectual Prop. Dep.,Jun c/o Nakanishi (A170) Intellectual Prop. Dep.,Makoto Kumatoriya, (A170) Intellectual Prop. Dep.. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2000-12-20.

Composite substrate for surface acoustic wave device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12136907B2. Автор: Masayuki Tanno,Shoji Akiyama. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Surface acoustic wave filter, and communication apparatus using the same

Номер патента: US20020093399A1. Автор: Toshiaki Takata. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2002-07-18.

Surface acoustic wave filter, and communications apparatus using the same

Номер патента: EP1227583A3. Автор: Takata c/o Toshiaki (A170) Intell. Prop. Dept.. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-08.

Surface acoustic wave resonator with multi-layer piezoelectric substrate with heat dissipation

Номер патента: US12047053B2. Автор: Rei GOTO,Keiichi MAKI,Gong Bin Tang,Yosuke Hamaoka. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Surface acoustic wave filter and mobile communication system using same

Номер патента: CA2110362C. Автор: Hiromi Yatsuda. Владелец: Japan Radio Co Ltd. Дата публикации: 1998-01-06.

Surface acoustic wave resonator

Номер патента: RU2633658C2. Автор: Сергей Владимирович Богословский,Геннадий Анатольевич Сапожников,Иван Георгиевич Анцев,Сергей Александрович Жгун,Александр Сергеевич Швецов,Михаил Михайлович Деркач. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Радар ммс". Дата публикации: 2017-10-16.

Method of manufacturing acoustic wave device with multi-layer piezoelectric substrate

Номер патента: US20240364290A1. Автор: Rei GOTO,Benjamin Paul Abbott. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Single crystal film bulk acoustic wave resonator, and preparation method and application thereof

Номер патента: US20240305268A1. Автор: Guoqiang Li. Владелец: Heyuan Aifo Light Communication Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Composite substrate for manufacturing acoustic wave resonator and surface acoustic wave resonator, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220247375A1. Автор: Wei Li,Herb He Huang,Hailong LUO,Fei Qi. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Surface acoustic wave filter and multistage surface acoustic wave filter

Номер патента: US20020014934A1. Автор: Toru Yamada,Hiroyuki Nakamura,Toshio Ishizaki,Kazunori Nishimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-07.

Surface acoustic wave filter

Номер патента: US20010013816A1. Автор: Norio Taniguchi. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-16.

Surface acoustic wave filter and multistage surface acoustic wave filter

Номер патента: US20010010484A1. Автор: Toru Yamada,Hiroyuki Nakamura,Toshio Ishizaki,Kazunori Nishimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-02.

Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave oscillator, and electronic apparatus

Номер патента: US09537464B2. Автор: Kunihito Yamanaka. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

High-frequency surface acoustic wave resonator and method for making the same

Номер патента: US11804821B2. Автор: Kai Huang,Hongyan Zhou,Xin Ou,Shibin Zhang,Chengli WANG,Pengcheng ZHENG. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2023-10-31.

Moving member for surface acoustic wave actuator and surface acoustic wave actuator using same

Номер патента: US20020101131A1. Автор: Katsuhiko Asai. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-01.

Bulk acoustic wave resonator, related devices, and preparation method for bulk acoustic wave resonator

Номер патента: EP4401311A1. Автор: Linping Li. Владелец: Jwl Zhejiang Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Acoustic wave filter including two types of acoustic wave resonators

Номер патента: GB2573052A. Автор: James Caron Josua. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2019-10-23.

Surface acoustic wave device, duplexer and communication device using the same

Номер патента: EP1976117A3. Автор: Takeshi Takenoshita,Yuuko Yokota,Masayuki Funami. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2014-03-26.

Method for manufacturing surface acoustic wave element, as well as surface acoustic wave element manufactured by the same method

Номер патента: US20050273996A1. Автор: Yuji Mitsui. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-12-15.

Surface acoustic wave device, module device, oscillation circuit, and method for manufacturing surface acoustic wave device

Номер патента: US20090152981A1. Автор: Yuji Mitsui,Takuya Owaki,Yuzuru Yoshizawa. Владелец: Miyazaki Epson Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Edge reflection type surface acoustic wave device and manufacturing method for the same

Номер патента: US20040207289A1. Автор: Takao Mukai,Yasuhiro Kuratani,Tomoyasu Miyata,Hideharu Yoshikawa. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-21.

Surface acoustic wave resonator with an open circuit grating for high temperature environments

Номер патента: US20110278985A1. Автор: Mauricio Pereira da Cunha,Bennett MEULENDYK. Владелец: University of Maine System. Дата публикации: 2011-11-17.

Surface acoustic wave resonator element and electronic apparatus comprising said surface acoustic wave resonator element

Номер патента: EP4430748A1. Автор: Ventsislav Yantchev,Kiryl Kustanovich. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Surface acoustic wave filter, duplexer, and communications device

Номер патента: EP1037385A3. Автор: Yuichi c/o(A170) Intel. Prop. Dept. Takamine,Norio c/o(A170) Intel. Prop. Dept. Taniguchi. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-21.

Oscillation circuit having an active circuit portion and a surface acoustic wave resonance device

Номер патента: US5856764A. Автор: Tadashi Imai,Kozo Kobayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-01-05.

Bulk acoustic wave resonator and manufacturing method, bulk acoustic wave resonator unit, filter and electronic device

Номер патента: EP4089918A1. Автор: Wei Pang,Qingrui YANG,Menglun ZHANG. Владелец: ROFS Microsystem Tianjin Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-16.

Applications of surface acoustic wave resonators coupled to a josephson ring modulator

Номер патента: US10348245B1. Автор: Baleegh ABDO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-09.

Composite substrate for surface acoustic wave device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230370043A1. Автор: Masayuki Tanno,Shoji Akiyama. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Acoustic wave filter including two types of resonators

Номер патента: US20190319605A1. Автор: Hiroyuki Nakamura,Yoshiaki Ando,Yasuyuki Saito. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2019-10-17.

Acoustic wave device with through via on multilayer piezoelectric substrate

Номер патента: US20230208389A1. Автор: Rei GOTO,Keiichi MAKI,Hironori Fukuhara. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Edge reflection type surface acoustic wave device and manufacturing method for the same

Номер патента: US6791238B2. Автор: Takao Mukai,Yasuhiro Kuratani,Tomoyasu Miyata,Hideharu Yoshikawa. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-14.

Duplexer with a series trap element and a specifically connected capacitance or elastic wave resonator

Номер патента: US09762209B2. Автор: Yuichi Takamine. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Filter assembly with two types of acoustic wave resonators

Номер патента: US20220006444A1. Автор: Hiroyuki Nakamura,Yoshiaki Ando,Yasuyuki Saito. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Acoustic wave resonator, acoustic wave filter, multiplexer, communication apparatus, and method designing acoustic wave resonator

Номер патента: US20180323769A1. Автор: Daisuke Yamamoto. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2018-11-08.

Applications of surface acoustic wave resonators coupled to a josephson ring modulator

Номер патента: WO2020025458A2. Автор: Baleegh ABDO. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2020-02-06.

Tunable surface acoustic wave resonator

Номер патента: WO2024091759A1. Автор: W. Richard SMITH. Владелец: MURATA MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2024-05-02.

Multiplexer including filter with two types of acoustic wave resonators

Номер патента: US20190319772A1. Автор: Hiroyuki Nakamura,Yoshiaki Ando,Yasuyuki Saito. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2019-10-17.

Multiplexer including filter with two types of acoustic wave resonators

Номер патента: US20240063775A1. Автор: Hiroyuki Nakamura,Yoshiaki Ando,Yasuyuki Saito. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Bulk acoustic wave resonator, manufacturing method therefor, filter and electronic device

Номер патента: EP4415260A1. Автор: Linping Li. Владелец: Jwl Zhejiang Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Surface acoustic wave device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070103038A1. Автор: Atsushi Kamijo. Владелец: Nihon Dempa Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-10.

Bulk acoustic wave resonator on surface acoustic wave device

Номер патента: US11923822B2. Автор: Rei GOTO,Keiichi MAKI,Hironori Fukuhara. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Acoustic wave device having reduced size

Номер патента: US20230361755A1. Автор: Rei GOTO. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Filter including two types of acoustic wave resonators

Номер патента: US20190319606A1. Автор: Hiroyuki Nakamura,Yoshiaki Ando,Yasuyuki Saito. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2019-10-17.

Surface acoustic wave resonator with modulated pitch

Номер патента: US20230009576A1. Автор: Tomoya KOMATSU,Yiliu Wang. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Rayleigh mode surface acoustic wave resonator

Номер патента: US20230378930A1. Автор: Rei GOTO,Keiichi MAKI. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of manufacturing an acoustic wave device with through via on multilayer piezoelectric substrate

Номер патента: US20230208376A1. Автор: Rei GOTO,Keiichi MAKI,Hironori Fukuhara. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Applications of a superconducting device that mixes surface acoustic waves and microwave signals

Номер патента: EP3830953A1. Автор: Baleegh ABDO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-09.

Method of producing lithium tantalate substrate for surface acoustic wave element

Номер патента: WO2004030047A1. Автор: Yoon-Seong Kim,Soo-Byong Chea,Jin-Ki Kang,Han-Gyun Kim. Владелец: ILJIN DIAMOND CO., LTD.. Дата публикации: 2004-04-08.

Single crystal ferroelectric thin film acoustic wave resonator

Номер патента: NL2030944B1. Автор: LEE Martin,Caviglia Andrea,Gerard Steeneken Peter,Sjoerd Jan Van Der Zant Herre,Lesne Edouard,Makars Šiškins. Владелец: Univ Delft Tech. Дата публикации: 2023-08-21.

Bulk acoustic wave resonators with patterned mass loading layers

Номер патента: US20240297635A1. Автор: Jae Hyung Lee,Alexandre Augusto Shirakawa,Kwang Jae Shin,Jiansong LIU,Yiliu Wang,Jong Duk Han,Yosuke Hamaoka,Benfeng Zhang. Владелец: Skyworks Global Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Surface acoustic wave resonator having electrode structure with improved performance and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240333252A1. Автор: Kang Ho Kim,Hun Yong LEE,Sang Hoon MYEONG,Min Hyeong LEE. Владелец: Wisol Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Balanced type surface acoustic wave device

Номер патента: US5721519A. Автор: Shunichi Seki,Kazuo Eda,Yutaka Taguchi,Keiji Onishi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-02-24.

Surface acoustic wave filter with subset of velocity adjusted resonators

Номер патента: US20210135655A1. Автор: Rei GOTO,Hironori Fukuhara. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

Surface acoustic wave filter with subset of velocity adjusted resonators

Номер патента: US11843366B2. Автор: Rei GOTO,Hironori Fukuhara. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Surface acoustic wave resonator with asymmetric reflectors

Номер патента: US20230010291A1. Автор: Tomoya KOMATSU,Yiliu Wang. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Surface acoustic wave resonator device and method for manufacturing the same and filter

Номер патента: US20240171148A1. Автор: Jie Zou,Gongbin Tang,Chencheng ZHOU. Владелец: Shenzhen Newsonic Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Method of manufacturing acoustic wave device with multi-layer piezoelectric substrate

Номер патента: US12009795B2. Автор: Rei GOTO,Benjamin Paul Abbott. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Surface acoustic wave resonator device and method for manufacturing same, and filter

Номер патента: US20240186977A1. Автор: Jie Zou,Gongbin Tang,Chencheng ZHOU. Владелец: Shenzhen Newsonic Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Surface acoustic wave element and surface acoustic wave device comprising the element

Номер патента: US20070229191A1. Автор: YOSHIKAZU Kihara,Eiko Wakata,Masahiro Yamaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-10-04.

Acoustic wave resonator, rf filter circuit and system

Номер патента: US20230336139A1. Автор: Dae Ho Kim,Jeffrey B. Shealy,Ramakrishna Vetury,Mary Winters. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Method for forming bulk acoustic wave resonance device

Номер патента: EP4027516A1. Автор: YuHao LIU. Владелец: Changzhou Chemsemi Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-13.

Method for fabricating bulk acoustic wave resonator with mass adjustment structure

Номер патента: US20200177148A1. Автор: Chia-Ta Chang,Chun-Ju Wei,Kuo-Lung Weng. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2020-06-04.

Tunable surface acoustic wave resonators and filters

Номер патента: US09906206B2. Автор: Chunong Qiu,Ishiang Shih,Cindy X. Qiu,Yi-Chi Shih,Andy Shih,Julia Qiu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-02-27.

Surface acoustic wave resonator device

Номер патента: CA1180436A. Автор: Shigefumi Morishita,Yasuo Ebata. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-01-02.

Acoustic wave devices with common glass substrate

Номер патента: US11349454B2. Автор: Hiroyuki Nakamura,Kwang Jae Shin. Владелец: Skyworks Global Pte Ltd. Дата публикации: 2022-05-31.

Surface acoustic wave modulator using single crystal films of lithium ferrite

Номер патента: US4177438A. Автор: Carmine Vittoria. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1979-12-04.

Superconducting device that mixes surface acoustic waves and microwave signals

Номер патента: EP3830952A1. Автор: Baleegh ABDO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-09.

Superconducting device that mixes surface acoustic waves and microwave signals

Номер патента: WO2020025459A1. Автор: Baleegh ABDO. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2020-02-06.

Method for realizing surface acoustic wave filter arrangements and filter arrangement obtained in accordance to this method

Номер патента: US20050110367A1. Автор: Serguei Kondratiev. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-26.

Surface acoustic-wave resonator filter having shifted resonant frequencies

Номер патента: US5699028A. Автор: Katsuhiro Ikada,Akira Hiraishi. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1997-12-16.

Surface acoustic wave device

Номер патента: US5302877A. Автор: Takahiro Sato,Hidenori Abe. Владелец: Nikko Kyodo Co Ltd. Дата публикации: 1994-04-12.

Method for producing a surface acoustic wave resonator

Номер патента: WO2024027920A1. Автор: Ventsislav Yantchev,Kiryl Kustanovich. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-02-08.

Minimally diffracting surface-acoustic-wave resonator

Номер патента: US20230336156A1. Автор: Konrad Lehnert,Alec Emser,Lucas Sletten,Brendon Rose. Владелец: US Department of Commerce. Дата публикации: 2023-10-19.

Surface acoustic wave filter, surface acoustic wave device and communication device

Номер патента: US20020153970A1. Автор: Kenichi Noto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-24.

Surface acoustic wave resonator device and method of manufacturing the same, filter

Номер патента: US20240195385A1. Автор: Jie Zou,Gongbin Tang,Chencheng ZHOU. Владелец: Shenzhen Newsonic Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Surface acoustic wave resonator with piston mode design and electrostatic discharge protections

Номер патента: EP4285485A1. Автор: Volker Schulz,Philipp Michael JAEGER. Владелец: RF360 Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Surface acoustic wave device

Номер патента: US20230071292A1. Автор: Noritoshi Kimura,Shoji KAKIO. Владелец: Piezo Studio Inc. Дата публикации: 2023-03-09.

Method for manufacturing surface acoustic wave apparatus

Номер патента: US20020157224A1. Автор: Koji Fujimoto,Masatoshi Nakagawa,Takeshi Nakao,Yoshihiro Koshido,Makoto Tose. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-31.

Increased dielectric film thickness reflector in a temperature compensated surface acoustic wave resonator

Номер патента: US20240267028A1. Автор: Satoru Ikeuchi,Joji Fujiwara. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Bulk acoustic wave resonators having convex surfaces, and methods of forming the same

Номер патента: US11742825B2. Автор: Ting-Ta Yen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Method for producing piezoelectric composite substrate and method for producing piezoelectric element

Номер патента: US20110220275A1. Автор: Hajime Kando,Norihiro Hayakawa,Ippei HATSUDA. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-15.

Surface acoustic wave device structure and electronic apparatus

Номер патента: US20240243724A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Bulk acoustic wave resonance device and method for forming same, filtering device, and radio frequency front end device

Номер патента: US20240322783A1. Автор: Jian Zhou,Xing HAN. Владелец: Changzhou Chemsemi Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Surface acoustic wave resonator device and method of manufacturing the same, filter

Номер патента: US12101081B2. Автор: Jie Zou,Gongbin Tang,Chencheng ZHOU. Владелец: Shenzhen Newsonic Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Bulk acoustic wave resonator having doped piezoelectric layer

Номер патента: US09455681B2. Автор: John Choy,Chris Feng,Phil Nikkel,Kevin J. Grannen,Tangshiun Yeh. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Filter, bulk acoustic wave resonator assembly and method for manufacturing same, and electronic device

Номер патента: EP4142152A1. Автор: Long Hao,Yang Xu,Wei Pang. Владелец: ROFS Microsystem Tianjin Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-01.

Surface acoustic wave device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230009982A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Shih-Hung Tsai,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-01-12.

System and method for dissipating static charge generated in a surface acoustic wave device

Номер патента: US20020089255A1. Автор: James Flowers. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Method for manufacturing a surface acoustic wave element having an interdigital transducer (IDT) electrode

Номер патента: US7484280B2. Автор: Aritsugu Yajima,Takamitsu Higuchi,Yoshikazu Kasuya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-02-03.

Method for performing a layout of a bulk acoustic wave filter

Номер патента: US20240305272A1. Автор: Alexandre Augusto Shirakawa,Jiansong LIU,Benjamin Paul Abbott,David Albert Feld,Mats Erik Fredriksson. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Duplexer with a ladder filter portion and a specifically connected capacitor or elastic wave resonator

Номер патента: US09806693B2. Автор: Yuichi Takamine. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Filter on surface acoustic waves

Номер патента: RU2210177C1. Автор: О.В. Николаев,В.Ю. Голицын. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Воронежский научно-исследовательский институт связи". Дата публикации: 2003-08-10.

Surface acoustic wave filter

Номер патента: GB2337886A. Автор: Norio Taniguchi,Tadamasa Ushiroku. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1999-12-01.

Surface acoustic wave resonator with suppressed transverse modes using second bus bar

Номер патента: US11870421B2. Автор: Rei GOTO,Yuya Hiramatsu,Yumi Torazawa. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Surface Acoustic Wave Resonator and Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20240039508A1. Автор: Shumin Zhang,Genlin ZHENG. Владелец: Hangzhou Sappland Microelectronics Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Surface acoustic wave device

Номер патента: US20050190014A1. Автор: Osamu Kawachi,Yasuyuki Saitou. Владелец: Fujitsu Media Devices Ltd. Дата публикации: 2005-09-01.

Surface acoustic wave resonator with reduced frequency shift

Номер патента: US11804822B2. Автор: Keiichi MAKI,Hironori Fukuhara,Yuya Hiramatsu. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Layered temperature-compensated surface acoustic wave resonator and packaging method

Номер патента: US20230261633A1. Автор: Jing Chen. Владелец: Spreadtrum Communications Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Surface acoustic wave resonator, its manufacturing method, and radio circuit

Номер патента: US11569794B2. Автор: Hiroaki Yokota,Kazuhito KISHIDA,Shoji KAKIO,Kengo Ogawa. Владелец: Japan Steel Works Ltd. Дата публикации: 2023-01-31.

Surface acoustic wave resonator element and electronic apparatus comprising said surface acoustic wave resonator element

Номер патента: WO2023241786A1. Автор: Ventsislav Yantchev. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-12-21.

Surface acoustic wave resonator, its manufacturing method, and radio circuit

Номер патента: US20220069796A1. Автор: Hiroaki Yokota,Kazuhito KISHIDA,Shoji KAKIO,Kengo Ogawa. Владелец: Japan Steel Works Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Surface acoustic wave resonator device and method for manufacturing the same and filter

Номер патента: US20240204749A1. Автор: Jie Zou,Gongbin Tang,Chencheng ZHOU. Владелец: Shenzhen Newsonic Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Resin composition for acoustic matching layer, cured product, acoustic matching sheet, acoustic wave probe, acoustic wave measuring apparatus, method for manufacturing acoustic wave probe, and material set for acoustic matching layer

Номер патента: US20200253582A1. Автор: Yoshihiro Nakai,Kazuhiro Hamada. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Acoustic wave device, multiplexer, high-frequency front end circuit, and communication device

Номер патента: US11764880B2. Автор: Hideki Iwamoto,Tsutomu Takai,Katsuya Daimon,Ryo Nakagawa. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Surface acoustic wave (SAW) device with one or more intermediate layers for self-heating improvement

Номер патента: US12081199B2. Автор: Matthias Honal,Tomasz Jewula. Владелец: RF360 Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Integration method and integration structure for control circuit and surface acoustic wave filter

Номер патента: US20220077844A1. Автор: Xiaoshan QIN. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp Shanghai Branch. Дата публикации: 2022-03-10.

Methods of packaging acoustic wave resonator devices on wafers and related wafers and structures

Номер патента: US20240258991A1. Автор: Robert Charles DRY,Mary Winters,Kenneth Fallon,Carlos R. Padilla,Ethan Gram,Westbrook Hoose. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Low loss temperature compensated surface acoustic wave filter and duplexer

Номер патента: US20210006225A1. Автор: Koichi Hatano. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Single-crystal bulk acoustic wave resonator and method of making thereof

Номер патента: US11817839B2. Автор: Shing-Kuo Wang,Liping Daniel Hou,Yuefei Yang. Владелец: Global Communication Semiconductors LLC. Дата публикации: 2023-11-14.

Surface acoustic wave element, method of manufacturing the same and surface acoustic wave device

Номер патента: EP1542361A3. Автор: Takashi Seiko Epson Corporation Yamazaki,Keigo Seiko Epson Corporation Iizawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-08-17.

Substrate for surface acoustic wave device and surface acoustic wave device comprising the same

Номер патента: US20240030888A1. Автор: Chang Ki Baek,Seok Hyun Yoon,Seung Ho Lee,Byoung Don KONG,Hyeon Su CHO,Gyeong Min SEO. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2024-01-25.

Acoustic wave filters with thermally conductive sheet

Номер патента: US20180367116A1. Автор: Toru Yamaji,Rei GOTO. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2018-12-20.

Low velocity surface acoustic wave device

Номер патента: US20230043197A1. Автор: Kyohei Kobayashi,Joji Fujiwara,Riho Sasaki,Noriaki Amo. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Device and method for fabricating locally heterogeneous composite material based on time-frequency regulated surface acoustic waves (SAWs)

Номер патента: US12011890B2. Автор: Yancheng WANG,Chengyao XU,Deqing MEI,Chenyang HAN. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2024-06-18.

Power-free gyroscope using surface acoustic wave, and wired/wireless method for measuring angular velocity

Номер патента: US09528832B2. Автор: Kee Keun Lee,Sang Sik Yang,Hae Kwan Oh. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2016-12-27.

Composite piezomaterial and method for its manufacture

Номер патента: RU2751896C1. Автор: Александр Анатольевич Панич,Алексей Анатольевич Нестеров,Евгений Анатольевич Панич,Михаил Игоревич Толстунов,Любовь Александровна Дыкина. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Южный федеральный университет». Дата публикации: 2021-07-19.

Edge-reflection surface acoustic wave filter

Номер патента: US20020130736A1. Автор: Michio Kadota,Takao Mukai,Hideya Horiuchi,Mamoru Ikeura. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-19.

Surface acoustic wave resonator and multiplexer including the same

Номер патента: US20220029605A1. Автор: Matthias Knapp,Christian Huck. Владелец: RF360 Europe GmbH. Дата публикации: 2022-01-27.

Acoustic wave device with high thermal conductivity layer on interdigital transducer

Номер патента: GB2580496A. Автор: MAKI Keiichi,Fukuhara Hironori,Gogo Rei. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2020-07-22.

Small sized acoustic wave device with partially different interdigital transducer electrode thicknesses

Номер патента: US20230378937A1. Автор: Shoji Okamoto,Rei GOTO,Hironori Fukuhara. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Surface acoustic wave resonator and multiplexer including the same

Номер патента: WO2020127270A1. Автор: Matthias Knapp,Christian Huck. Владелец: RF360 Europe GmbH. Дата публикации: 2020-06-25.

Surface acoustic wave resonators

Номер патента: US20230238939A1. Автор: Akira Ochiai. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Surface acoustic wave resonator with suppressed transverse modes using selective dielectric removal

Номер патента: US11811392B2. Автор: Rei GOTO,Yuya Hiramatsu,Yumi Torazawa. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Acoustic wave resonator with multiple resonant frequencies

Номер патента: US11799447B2. Автор: Yasufumi Kaneda,Tomoya KOMATSU,Yiliu Wang. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Acoustic wave resonator with multiple resonant frequencies

Номер патента: US20240088867A1. Автор: Yasufumi Kaneda,Tomoya KOMATSU,Yiliu Wang. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Surface acoustic wave resonator structure and method of forming the same, and filter

Номер патента: US20230299740A1. Автор: Guojun WENG,Gongbin Tang,Jingyong LIU. Владелец: Shenzhen Newsonic Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Composite substrate, surface acoustic wave resonator, and fabricating methods thereof

Номер патента: US20220352870A1. Автор: Wei Li,Herb He Huang,Hailong LUO,Fei Qi. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2022-11-03.

Surface acoustic wave resonator structure and method of forming the same, and filter

Номер патента: US11990891B2. Автор: Guojun WENG,Gongbin Tang,Jingyong LIU. Владелец: Shenzhen Newsonic Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Surface Acoustic Wave Device and Communication Apparatus

Номер патента: US20090116340A1. Автор: Hiroyuki Tanaka,Tsuyoshi Nakai,Kiyohiro Iioka. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2009-05-07.

Acoustic wave filter with second harmonic emission suppression

Номер патента: US20240178811A1. Автор: Li Chen,Yiliu Wang,Zhaogeng Xu. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Acoustic wave filter

Номер патента: US20240223158A1. Автор: Naoki Oshima. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Surface acoustic wave devices with high electromechanical coupling coefficient and thermal stability

Номер патента: US20240113680A1. Автор: Rei GOTO,Hironori Fukuhara,Benjamin Paul Abbott. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Piezoelectric oxide single crystal wafer

Номер патента: EP1178135A1. Автор: Yoshinori Kuwabara,Toshinari Murai. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-06.

Loaded resonators for adjusting frequency response of acoustic wave resonators

Номер патента: US20200083862A1. Автор: Tuomas Pensala,Markku Ylilammi,James Dekker,Tapani Makkonen. Владелец: VTT Technical Research Centre of Finland Ltd. Дата публикации: 2020-03-12.

Loaded resonators for adjusting frequency response of acoustic wave resonators

Номер патента: US20210075401A1. Автор: Tuomas Pensala,Markku Ylilammi,James Dekker,Tapani Makkonen. Владелец: VTT Technical Research Centre of Finland Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Loaded resonators for adjusting frequency response of acoustic wave resonators

Номер патента: EP3847748A1. Автор: Tuomas Pensala,Markku Ylilammi,James Dekker,Tapani Makkonen. Владелец: VTT Technical Research Centre of Finland Ltd. Дата публикации: 2021-07-14.

Acoustic wave filter with acoustic velocity adjustment structure

Номер патента: US20240243720A1. Автор: Joshua James CARON,Hiroyuki Nakamura,Rei GOTO,Benjamin Paul Abbott. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Television signal receiver with a universal output for surface-acoustic wave filters of different types

Номер патента: US20050105004A1. Автор: Ernst Bressau,Hendricus Van Der Wijst. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-05-19.

Piezoelectric oxide single crystal wafer

Номер патента: US20010048266A1. Автор: Yoshinori Kuwabara,Toshinari Murai. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-06.

Acoustic wave device with multi-layer substrate including ceramic

Номер патента: US20240283424A1. Автор: Rei GOTO,Keiichi MAKI,Hironori Fukuhara. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Bulk acoustic wave resonator with multilayer electrode

Номер патента: US20230109580A1. Автор: Kwang Jae Shin,Benjamin Paul Abbott,Mihir Shailesh Patel. Владелец: Skyworks Global Pte Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Resonant cavity surface acoustic wave (SAW) filters

Номер патента: US12095449B2. Автор: Sylvain Ballandras,Thierry Laroche. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-09-17.

Television signal receiver with a universal output for surface-acoustic wave filters of different types

Номер патента: EP1464166A1. Автор: Ernst Bressau,Hendricus M. Van Der Wijst. Владелец: Philips Corporate Intellectual Property GmbH. Дата публикации: 2004-10-06.

Bulk acoustic wave resonators having doped piezoelectric material and frame elements

Номер патента: US09520855B2. Автор: John Choy,Chris Feng,Phil Nikkel,Kevin J. Grannen,Tina L. Lamers. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Longitudinally-coupled-resonator-type surface acoustic wave filter

Номер патента: US09425763B2. Автор: Takahiro Norichi. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Radio-queried element on surface acoustic waves with optimal code volume

Номер патента: RU2253149C2. Автор: Франк ШМИДТ,Мартин ФОССИК,Оливер СЧЕСНИ,Леонхард РАЙНДЛЬ,Мартин ФОССИК (DE),Франк ШМИДТ (DE),Оливер СЧЕСНИ (DE),Леонхард РАЙНДЛЬ (DE). Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2005-05-27.

Surface acoustic wave device

Номер патента: RU2295193C1. Автор: Валерий Викторович Прапорщиков,Олег Всеволодович Машинин,Тать на Викторовна Синицына,Татьяна Викторовна Синицына,Елена Юрьевна Шермагина. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "БУТИС". Дата публикации: 2007-03-10.

Passive anti-collision temperature sensor on the surface acoustic waves with the frequency-time coding distinction

Номер патента: RU2665496C1. Автор: Александр Павлович Шепета,Александр Васильевич Сорокин,Гисбертх Мауритс Ваттимена. Владелец: Гисбертх Мауритс Ваттимена. Дата публикации: 2018-08-30.

Surface acoustic wave device having a langasite single crystal substrate

Номер патента: US6163099A. Автор: Michio Kadota,Makoto Kumatoriya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2000-12-19.

Surface acoustic wave device

Номер патента: CA2197018C. Автор: Shin-ichi Shikata,Hiroyuki Kitabayashi,Kenjiro Higaki,Satoshi Fujii,Hideaki Nakahata,Masashi Narita. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-06-14.

Methods for fabrication of bonded wafers and surface acoustic wave devices using same

Номер патента: US20220352862A1. Автор: Robert Aigner,Shogo Inoue,Marc Solal. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Methods for fabrication of bonded wafers and surface acoustic wave devices using same

Номер патента: US20190334498A1. Автор: Robert Aigner,Shogo Inoue,Marc Solal. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Filter and method for adjusting performance of filter

Номер патента: US20190312570A1. Автор: Le Zhang,Jian Gu,Arto Turo Ilmari NURMELA. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-10.

Bulk acoustic wave resonators with patterned mass loading layers

Номер патента: US12021506B2. Автор: Jae Hyung Lee,Alexandre Augusto Shirakawa,Kwang Jae Shin,Jiansong LIU,Yiliu Wang,Jong Duk Han,Yosuke Hamaoka,Benfeng Zhang. Владелец: Skyworks Global Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Acoustic wave filter including two types of acoustic wave resonators

Номер патента: US20240223159A1. Автор: Joshua James CARON. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Bulk acoustic wave resonator and bulk acoustic wave filter

Номер патента: US20230102044A1. Автор: Jian Wang,CHAO Gao,Chengliang SUN,Yaping Zhou,Yao Cai,Bowoon SOON,Junwu Zhao,Kunli ZHAO. Владелец: Wuhan Memsonics Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Bulk acoustic wave resonator structure for second harmonic suppression

Номер патента: US20200274515A1. Автор: Li Chen,Kwang Jae Shin,Renfeng Jin. Владелец: Skyworks Global Pte Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Acoustic wave filter with series resonator for filter steepness

Номер патента: US20230096749A1. Автор: Tomoya KOMATSU,Yiliu Wang,Jinbaek SONG. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Surface acoustic wave filter device with a shared reflector and portable telephone comprising same

Номер патента: US6424240B1. Автор: Shuichi Yoshikawa. Владелец: Sanyo Electronic Components Co Ltd. Дата публикации: 2002-07-23.

Surface acoustic wave passband control

Номер патента: US20080258843A1. Автор: Robert Bruce Stokes,Alvin Ming-Wei Kong. Владелец: Northrop Grumman Space and Mission Systems Corp. Дата публикации: 2008-10-23.

Acoustic wave device with multi-layer substrate including ceramic

Номер патента: US20240213950A1. Автор: Rei GOTO,Keiichi MAKI,Hironori Fukuhara. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Resonant cavity surface acoustic wave (saw) filters

Номер патента: US20240348234A1. Автор: Sylvain Ballandras,Thierry Laroche. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-10-17.

Surface acoustic wave filter, surface acoustic wave filter device, and duplexer including a shared reflector

Номер патента: US09667225B2. Автор: Yuichi Takamine. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Thin film acoustic wave devices with composite substrate

Номер патента: EP3830955A1. Автор: Alexandre Augusto Shirakawa,Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-06-09.

Acoustic wave bandpass filter comprising integrated acoustic guiding

Номер патента: US09450563B2. Автор: Alexandre Reinhardt,Marie Gorisse. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for measuring the speed of surface acoustic waves in a piezo-substrate

Номер патента: RU2738454C1. Автор: Сергей Владимирович Богословский,Геннадий Анатольевич Сапожников,Александр Ростиславович Жежерин,Иван Георгиевич Анцев,Константин Владимирович Терехин. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2020-12-14.

Method for forming a super-noise-resistant bistable thermomagnetic storage element for recording and storing information

Номер патента: RU2771596C1. Автор: Дмитрий Анатольевич Великанов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук". Дата публикации: 2022-05-06.

Boundary acoustic wave filter device

Номер патента: US20080122557A1. Автор: Norihiko Nakahashi,Hajime Kando,Teruhisa Shibahara. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-29.

Method of manufacturing potassium niobate single crystal thin film, surface acoustic wave element, frequency filter, frequency oscillator, electronic circuit, and electronic apparatus

Номер патента: US20050076829A1. Автор: Setsuya Iwashita,Hiromu Miyazawa,Takamitsu Higuchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-04-14.

Resonator having multilayer protrusion structure and manufacturing method therefor, filter, and electronic device

Номер патента: EP3979495A1. Автор: Wei Pang,Qingrui YANG,Menglun ZHANG. Владелец: ROFS Microsystem Tianjin Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-06.

5.5 GHz Wi-Fi 5G COEXISTENCE ACOUSTIC WAVE RESONATOR RF FILTER CIRCUIT

Номер патента: US20230327649A1. Автор: Jeffrey B. Shealy,Rohan W. HOULDEN,David M. AICHELE,Ya SHEN. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

5.5 GHz WI-FI 5G COEXISTENCE ACOUSTIC WAVE RESONATOR RF FILTER CIRCUIT

Номер патента: US20190199316A1. Автор: Jeffrey B. Shealy,Rohan W. HOULDEN,David M. AICHELE. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Method for forming acoustic wave device

Номер патента: US20230147060A1. Автор: Takeshi Furusawa,Atsushi Takano,Mitsuhiro Furukawa. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-05-11.

5.2 GHz Wi-Fi COEXISTENCE ACOUSTIC WAVE RESONATOR RF FILTER CIRCUIT

Номер патента: US20190020327A1. Автор: Shawn R. Gibb,Jeffrey B. Shealy,Rohan W. HOULDEN,David M. AICHELE. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

Reflective structure for surface acoustic wave devices (saw)

Номер патента: EP4222860A2. Автор: Sylvain Ballandras,Thierry Laroche,Florent Bernard,Julien Garcia,Emilie Courjon,Alexandre Clairet. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2023-08-09.

Bulk acoustic wave resonator, manufacturing method of the same, and filter

Номер патента: US20210359663A1. Автор: Wei Wang,Ping Li,Bin Jia,Nianchu Hu. Владелец: Epicmems Xiamen CoLtd. Дата публикации: 2021-11-18.

Acoustic wave filter and multiplexer

Номер патента: US20240080014A1. Автор: Tomohisa Komura. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Suppressing parasitic sidebands in lateral bulk acoustic wave resonators

Номер патента: WO2021078916A2. Автор: Tuomas Pensala,Markku Ylilammi,Tapani Makkonen. Владелец: VTT Technical Research Centre of Finland Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Surface acoustic wave device and communication apparatus including the same

Номер патента: US20040077325A1. Автор: Yuichi Takamine. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-22.

End-surface reflection type surface acoustic wave filter

Номер патента: US6806796B2. Автор: Michio Kadota,Takeshi Nakao,Hideya Horiuchi,Junya Ago,Yasuhiro Kuratani. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-19.

Film bulk acoustic wave resonator wafer and method of fabricating a film bulk acoustic wave resonator

Номер патента: US20050104689A1. Автор: Kenji Inoue. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2005-05-19.

Acoustic wave device

Номер патента: US20240250658A1. Автор: Kentaro Nakamura,Takuro OKADA,Takuya Yabu. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Packaged bulk acoustic wave resonator on acoustic wave device

Номер патента: US12081189B2. Автор: Rei GOTO,Keiichi MAKI,Hironori Fukuhara. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Bulk acoustic wave resonators having convex surfaces, and methods of forming the same

Номер патента: US12119803B2. Автор: Ting-Ta Yen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Surface acoustic wave filter device and duplexer

Номер патента: US09774314B2. Автор: Yuichi Takamine. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Acoustic wave device

Номер патента: US09722574B2. Автор: Satoru Ikeuchi. Владелец: Skyworks Filter Solutions Japan Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for raising temperature stability of narrow-bans surface acoustic-wave device

Номер патента: RU2260902C2. Автор: И.А. Корж. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие Омский научно-исследовательский институт приборостроения. Дата публикации: 2005-09-20.

Method for manufacturing single-crystal sensing elements for high-voltage optical measuring voltage transformers

Номер патента: RU2748973C1. Автор: Сергей Александрович Сахаров,Владимир Владимирович Аленков,Светлана Сергеевна Базалевская,Дина Генриховна Евтушенко,Алексей Николаевич Забелин,Анатолий Анатольевич Мололкин. Владелец: Акционерное Общество "ФОМОС-МАТЕРИАЛЫ". Дата публикации: 2021-06-02.

Surface acoustic wave multistrip coupler

Номер патента: US4166987A. Автор: Larry A. Coldren. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1979-09-04.

5G n41 2.6 GHz band acoustic wave resonator RF filter circuit

Номер патента: US11418169B2. Автор: Jeffrey B. Shealy,Rohan W. HOULDEN,David M. AICHELE. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2022-08-16.

Method for manufacturing electronic component, electronic component, and surface acoustic wave filter

Номер патента: US20030231082A1. Автор: Michio Kadota,Yasuji Yamamoto,Eiichi Takata,Genji Inuidani. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-18.

Surface acoustic wave device

Номер патента: US20190356299A1. Автор: Koichiro Kawasaki. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-21.

Bulk acoustic wave filter and a method of frequency tuning for bulk acoustic wave resonator of bulk acoustic wave filter

Номер патента: US10594286B2. Автор: Chia-Ta Chang,Chun-Ju Wei,Kuo-Lung Weng. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2020-03-17.

Bulk acoustic wave filter and a method of frequency tuning for bulk acoustic wave resonator of bulk acoustic wave filter

Номер патента: US20180191327A1. Автор: Chia-Ta Chang,Chun-Ju Wei,Kuo-Lung Weng. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

Surface-acoustic-wave resonator and filter utilizing effective reflecting structure

Номер патента: US20230078097A1. Автор: Chih-Chung Hsiao,Bao-De Huang. Владелец: Tai-Saw Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-16.

Surface acoustic wave resonator with piston mode design and electrostatic discharge protections

Номер патента: US11929734B2. Автор: Volker Schulz,Philipp Michael JAEGER. Владелец: RF360 Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Acoustic wave filter with overtone mode resonator and fundamental mode resonator

Номер патента: US20220321101A1. Автор: Alexandre Augusto Shirakawa,Kwang Jae Shin,Jiansong LIU,Yiliu Wang. Владелец: Skyworks Global Pte Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Bulk acoustic wave resonator and capacitor with silicon support

Номер патента: US20230216462A1. Автор: Alexandre Augusto Shirakawa,David Albert Feld,Lisha Shi. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Bulk Acoustic Wave Filter and a Method of Frequency Tuning for Bulk Acoustic Wave Resonator of Bulk Acoustic Wave Filter

Номер патента: US20200169238A1. Автор: Chia-Ta Chang,Chun-Ju Wei,Kuo-Lung Weng. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Acoustic wave device

Номер патента: US20240171150A1. Автор: Shinichi Shioi,Kanehisa KIMBARA. Владелец: Sanan Japan Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Surface acoustic wave device, module device, oscillation circuit, and method for manufacturing surface acoustic wave device

Номер патента: US20110080225A1. Автор: Yuji Mitsui,Takuya Owaki,Yuzuru Yoshizawa. Владелец: Miyazaki Epson Corp. Дата публикации: 2011-04-07.

Longitudinally coupled surface acoustic wave resonator filter

Номер патента: US20030090341A1. Автор: Masahiro Hiramoto. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-15.

Bulk acoustic wave resonator, filter, electronic device, and method for adjusting electromechanical coupling coefficient

Номер патента: EP4148997A1. Автор: Yang Xu,Shengguang Ban,Wei Pang. Владелец: ROFS Microsystem Tianjin Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-15.

Narrow bandwidth surface acoustic wave filter

Номер патента: US20240235526A1. Автор: Qian Dong,Zhiyuan Zhang,Wenhao Zhu,Serguei N. Kondratiev,Xiaobin Chen,Zhongyun ZHANG,Yangang Jiang,Xieqian SHEN,Weiyu FENG. Владелец: Zhejiang Huayuan Micro Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Bulk acoustic wave resonance device, filter device, and radio frequency front-end device

Номер патента: EP4401309A1. Автор: Yali ZOU. Владелец: Changzhou Chemsemi Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Surface acoustic wave device

Номер патента: US12040784B2. Автор: Hiroyuki Nakamura,Rei GOTO,Gong Bin Tang. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Surface acoustic wave device on composite substrate

Номер патента: US20240250659A1. Автор: Sylvain Ballandras,Thierry Laroche. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-07-25.

Harmonic suppression in bulk acoustic wave duplexer

Номер патента: US20210075400A1. Автор: Jae Myoung JHUNG. Владелец: Skyworks Global Pte Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Bulk acoustic wave resonator and bulk acoustic wave filter

Номер патента: US11955948B1. Автор: Yan Liu,Chengliang SUN,Bowoon SOON,Tiancheng LUO,Kunli ZHAO. Владелец: Wuhan Memsonics Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

High quality factor transducers for surface acoustic wave devices

Номер патента: US12052011B2. Автор: Shogo Inoue,Marc Solal. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Acoustic wave device with ceramic substrate

Номер патента: US12063027B2. Автор: Hiroyuki Nakamura,Rei GOTO,Keiichi MAKI,Hironori Fukuhara. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Multi-mode bulk-acoustic-wave resonators

Номер патента: US20120062068A1. Автор: William Hunt,Christopher D. Corso,Adam Wathen,Farasat Munir,Anthony J. Dickherber. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2012-03-15.

Stacked acoustic wave resonator package with laser-drilled vias

Номер патента: US20210099157A1. Автор: Takeshi Furusawa,Atsushi Takano,Mitsuhiro Furukawa. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Acoustic wave filter device

Номер патента: US20230336160A1. Автор: Masakazu Mimura. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Surface acoustic wave device with acoustic wave energy confinement

Номер патента: US20240305265A1. Автор: Joshua James CARON,Koichi Hatano,Hidehito Shimizu,Stephen Joseph Kovacic,Benjamin Paul Abbott,Takuya Ushiyama. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Acoustic wave filter device

Номер патента: US20210083653A1. Автор: Masakazu Mimura. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Acoustic wave filter device

Номер патента: US20180226951A1. Автор: Masakazu Mimura. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-09.

Acoustic wave filter device

Номер патента: US20200252052A1. Автор: Masakazu Mimura. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Acoustic wave device with ceramic substrate

Номер патента: US20240356519A1. Автор: Hiroyuki Nakamura,Rei GOTO,Keiichi MAKI,Hironori Fukuhara. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Surface acoustic wave device

Номер патента: US20240339987A1. Автор: Hiroyuki Nakamura,Rei GOTO,Gong Bin Tang. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Acoustic wave filter device

Номер патента: US20240348233A1. Автор: Akira Noguchi. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Bulk acoustic wave resonator

Номер патента: US09634643B2. Автор: Chul Soo Kim,Moon Chul Lee,Duck Hwan Kim,In Sang Song,Jea Shik Shin,Sang Uk Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Substrate for a temperature-compensated surface acoustic wave device or volume acoustic wave device

Номер патента: US12143093B2. Автор: Ionut Radu,Marcel Broekaart,Oleg Kononchuk,Thierry Barge,Pascal Guenard,Eric Desbonnets. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-11-12.

Surface acoustic wave device and oscillator circuit

Номер патента: US09369109B2. Автор: Kazuhiro Hirota,Osamu Tokuda. Владелец: Nihon Dempa Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-14.

Thermo-stable filter on surface acoustic waves

Номер патента: RU2284649C2. Автор: Иван Александрович Корж. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие Омский научно-исследовательский институт приборостроения. Дата публикации: 2006-09-27.

Circuit to excite surface acoustic waves and generator of oscillations on its basis

Номер патента: RU2480891C2. Автор: Гвидо МОИРАГИ,Лука МОИРАГИ,Паоло МОИРАГИ. Владелец: СТЕ С.А.С. ДИ Дж. МОИРАГИ энд К.. Дата публикации: 2013-04-27.

Temperature compensated orientations of berlinite for surface acoustic wave devices

Номер патента: CA1233094A. Автор: Jeffrey C. Andle,John F. Vetelino,Donald L. Lee,Dana S. Bailey,Bruce H. Chai. Владелец: Allied Corp. Дата публикации: 1988-02-23.

Surface acoustic wave filter

Номер патента: US3965446A. Автор: John Stuart Heeks,George Frederick Craven,Graham Marshall. Владелец: International Standard Electric Corp. Дата публикации: 1976-06-22.

Method for producing hall effect sensor for magnetic recording head

Номер патента: US4828966A. Автор: Michael Mallary,Christine Bisagni,Shu-Huei Liu. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1989-05-09.

Method for generating mist and microbubbles using surface acoustic waves and device for generating mist and microbubbles

Номер патента: EP2446956A1. Автор: Shigeki Fujiwara,Masanori Okano,Youhei Ishigami. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-05-02.

Temperature compensated orientation of berlinite for surface acoustic wave devices

Номер патента: CA1217853A. Автор: Jeffrey C. Andle,John F. Vetelino,Donald L. Lee,Dana S. Bailey,Bruce H. Chai. Владелец: Allied Corp. Дата публикации: 1987-02-10.

FRONT END MODULE FOR 6.1 GHz Wi-Fi ACOUSTIC WAVE RESONATOR RF FILTER CIRCUIT

Номер патента: US20210203402A1. Автор: Jeffrey B. Shealy,Rohan W. HOULDEN,David M. AICHELE. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Bulk acoustic wave resonator

Номер патента: US11777472B2. Автор: Jian Wang,Guojun WENG. Владелец: Shenzhen Newsonic Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Piezoelectric single crystal transducer element and a method for its manufacturing

Номер патента: WO2024161205A1. Автор: VENKATACHALAM Natarajan,Elangovan VARADARAJAN,Chandramohan MANIKANDAN,Sarveswaran GANESAMOORTHY,Ramaiyan Mahadevan SARGUNA,Palanimuthu VIJAYAKUMAR,Prabu Amaladass EDWARD,Mani AWADHESH,Shekar Nagar Venkataraman CHANDRA,Abisekaraj Isaac Abraham REGIVA. Владелец: Chairman, Defence Research And Development Organization. Дата публикации: 2024-08-08.

System and method for factoring a merged wave field into independent components

Номер патента: EP1057291B1. Автор: Malcolm W. P. Strandberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-11.

Surface acoustic wave device

Номер патента: EP3542462A1. Автор: Zhuohui Chen. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-25.

Bulk acoustic wave resonator

Номер патента: EP2805415A1. Автор: Jing Cui,Chul Soo Kim,Moon Chul Lee,Duck Hwan Kim,In Sang Song,Jea Shik Shin,Sang Uk Son,Ho Soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-11-26.

Bulk acoustic wave resonator with patterned mass loading layer and recessed frame

Номер патента: US12088278B2. Автор: Jae Hyung Lee,Alexandre Augusto Shirakawa,Kwang Jae Shin,Jiansong LIU,Yiliu Wang,Jong Duk Han,Yosuke Hamaoka,Benfeng Zhang. Владелец: Skyworks Global Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Stacked surface acoustic wave device

Номер патента: US20240333260A1. Автор: Rei GOTO. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Bulk acoustic wave device structure with circuit element including buried conductor

Номер патента: US20240356514A1. Автор: Jae Hyung Lee,Alexandre Augusto Shirakawa,Kwang Jae Shin,Taecheol Shon,Stephen Joseph Kovacic,David Albert Feld,Zongliang Cao. Владелец: Skyworks Global Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Filter with bulk acoustic wave resonator in parallel with capacitor

Номер патента: US20240356531A1. Автор: Jae Hyung Lee,Alexandre Augusto Shirakawa,Kwang Jae Shin,Taecheol Shon,David Albert Feld,Zongliang Cao. Владелец: Skyworks Global Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Bulk acoustic wave device structure with metal-insulator-metal capacitor

Номер патента: US20240356529A1. Автор: Jae Hyung Lee,Alexandre Augusto Shirakawa,Kwang Jae Shin,Taecheol Shon,David Albert Feld,Zongliang Cao. Владелец: Skyworks Global Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Bulk acoustic wave resonator and manufacturing method therefor

Номер патента: US11949397B2. Автор: Chen Sun,Wei Pang,Menglun ZHANG. Владелец: ROFS Microsystem Tianjin Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Bulk acoustic wave resonator having a frame spaced apart from an electrode

Номер патента: US09998094B2. Автор: Yeong Gyu Lee,Jea Shik Shin,Ho Soo Park. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Bulk acoustic wave resonator having piezoelectric layer with varying amounts of dopant

Номер патента: US09602073B2. Автор: John Choy,Kevin J. Grannen. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

High-frequency unidirectional converter of surface acoustic waves

Номер патента: RU2171008C1. Автор: В.С. Орлов,В.Б. Швец. Владелец: Орлов Виктор Семенович. Дата публикации: 2001-07-20.

Method of manufacturing surface acoustic ware modules

Номер патента: US5996199A. Автор: Hideaki Adachi,Kentaro Setsune,Yo Ichikawa,Syunichiro Kawashima. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1999-12-07.

End surface reflection type surface acoustic wave apparatus utilizing waves with a longitudinal wave or shear vertical wave main component

Номер патента: US6600391B2. Автор: Michio Kadota,Kenya Hashimoto. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-29.

Acoustic wave device

Номер патента: US20170288631A1. Автор: Takahiro Sato,Kensei Uehara. Владелец: Wisol Japan Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

Acoustic wave device

Номер патента: US20230361752A1. Автор: Michio Kadota,Shuji Tanaka. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2023-11-09.

Surface acoustic wave filter

Номер патента: US20160380616A1. Автор: Yuichi Takamine. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-29.

Surface acoustic wave amplifier capable of achieving wavelet reconstruction function

Номер патента: ZA202400872B. Автор: Hua Jiang,Yongjie Yang,Guoan Zhang,Jianwei Jiang. Владелец: Univ Nantong. Дата публикации: 2024-02-28.

Acoustic wave device with multilayer interdigital transducer electrode

Номер патента: US20230101360A1. Автор: Kyohei Kobayashi,Joji Fujiwara,Riho Sasaki,Yosuke Hamaoka,Noriaki Amo. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Acoustic wave filter

Номер патента: US11962287B2. Автор: Yuta Takeuchi. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Surface acoustic wave element, surface acoustic wave device, duplexer, and method of making surface acoustic wave element

Номер патента: US20050200234A1. Автор: Katsunori Osanai,Masaki Sobu. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2005-09-15.

Organic semiconductor device, method for manufacturing organic semiconductor single-crystal film, and method for manufacturing organic semiconductor device

Номер патента: EP3930018A1. Автор: Mari Sasaki,Junichi Takeya,Shunichiro Watanabe,Tatsuyuki MAKITA. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2021-12-29.

Method for making a with bulk acoustic wave filter

Номер патента: US20240195377A1. Автор: Alexandre Reinhardt,Marie Bousquet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-06-13.

N-polar rare-earth iii-nitride bulk acoustic wave resonator

Номер патента: EP4388659A1. Автор: John A. Logan,Clay T. Long,Adam E. Peczalski. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-06-26.

Acoustic wave resonator with fractal active region and method of forming it

Номер патента: WO2023235645A1. Автор: Thomas A. Winslow,Rathnait LONG,Mihir S. PATEL,Douglas J. CARLSON. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor Device and Method of Forming High KT2 High Q Acoustic Wave Resonator

Номер патента: US20230396234A1. Автор: Thomas A. Winslow,Rathnait LONG,Mihir S. PATEL,Douglas J. CARLSON. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Multiplexer formed on multi-layer piezoelectric substrate and temperature compensated surface acoustic wave device dies

Номер патента: US20230344416A1. Автор: Li Chen,Rei GOTO. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Surface acoustic wave device

Номер патента: US20070132338A1. Автор: Michio Kadota,Takeshi Nakao,Masakazu Mimura. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-14.

Devices and methods for growing crops using ventilated lighting and non-fibrous substrate

Номер патента: WO2024049436A1. Автор: Schuyler MILTON. Владелец: Kappa Agtech, Llc. Дата публикации: 2024-03-07.

Bulk Acoustic Wave Resonator with Improved Lateral Wave Suppression

Номер патента: US20240243723A1. Автор: Liping D. Hou,Shing-Kuo Wang,Yuefei Yang,Kun-Mao Pan,Andy Chien-Hsiang Chen,Romain Gerbe. Владелец: Global Communication Semiconductors LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Temperature compensated acoustic wave device with multilayer interdigital transducer electrode including buffer layer

Номер патента: US20230318566A1. Автор: Takanori Yasuda,Michael David Hill,Rei GOTO,Keiichi MAKI,Yumi Torazawa. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

METHOD FOR PRODUCING Bi4Ge3O12 BISMUTH GERMANATE BY CASTING

Номер патента: RU2753671C1. Автор: Тимофей Владимирович Бермешев,Владимир Павлович Жереб. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет". Дата публикации: 2021-08-19.

Method and apparatus for growth of high purity 6h-sic single crystal

Номер патента: EP2262934A1. Автор: Brian Wagner,Sean R. McLaughlin,David J. Knuteson,David Kahler,Thomas J. Knight,Narsingh B. Singh,Travis J. Randall,Andre E. Berghmans,Mark Usefara. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2010-12-22.

Device for growing profiled crystals from solution

Номер патента: RU2133307C1. Автор: В.И. Кацман. Владелец: Институт прикладной физики РАН. Дата публикации: 1999-07-20.

Reactor for extended duration growth of gallium containing single crystals

Номер патента: US20030221619A1. Автор: Yuri Melnik,Vladimir Dmitriev,Vitali Soukhoveev,Vladimir Ivantsov,Katie Tsvetkov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-04.

Base substrate, single crystal diamond multilayer substrate, method for producing base substrate, and method for producing single crystal diamond multilayer substrate

Номер патента: EP4431634A1. Автор: Hitoshi Noguchi,Hiroshi Hashigami,Shozo Shirai. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

System for horizontal growth of high-quality semiconductor single crystals, and method of manufacturing same

Номер патента: EP3760765A1. Автор: Erwin Schmitt,Michael Vogel. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2021-01-06.

Method for production of rolls of pre-stretched film and machine for its implementation

Номер патента: RU2713357C1. Автор: Александр Сергеевич Иванов. Владелец: Александр Сергеевич Иванов. Дата публикации: 2020-02-04.

Copolymerised polyamide resin, method for production thereof, resin composition and moulded article made from copolymerised polyamide resin or resin composition

Номер патента: RU2565069C2. Автор: Минору КИКУТИ,Кацуми СИНОХАРА,Томомити КАНДА,Хидеюки КУРОСЕ. Владелец: Мицубиси Гэс Кемикал Компани, Инк.. Дата публикации: 2015-10-20.

Systems and methods for manipulating a 3D object in a 3D model using a software widget and surface constraints

Номер патента: US09594487B2. Автор: Ryan Michael SCHMIDT. Владелец: Autodesk Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Method for growing p-type sic semiconductor single crystal and p-type sic semiconductor single crystal

Номер патента: CN101932757B. Автор: 藤原靖幸,关章宪. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2013-03-06.

Multi-crucible gradient condensation crystal growth device and method for growing large-size lanthanum bromide single crystal by using same

Номер патента: CN110592659B. Автор: 刘涛,牛晓冉. Владелец: Harbin Yuanya New Material Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-09-21.

Method for manufacturing liquid crystal display device

Номер патента: US09977290B2. Автор: Isamu Miyake,Koichi Miyachi,Hiroaki ASAGI. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for preparing large-scale two-dimensional single crystal stack having interlayer rotation angle

Номер патента: US20240183064A1. Автор: Can Liu,Dapeng Yu,Kaihui Liu,Enge Wang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for Preparing Large-area Transition Metal Dichalcogenide Single-Crystal Films and Products Obtained Therefrom

Номер патента: US20200385888A1. Автор: Wang Xinran,Shi Yi,Li Taotao. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-10.

Method for identifying molecular structure

Номер патента: US11815475B2. Автор: Makoto Fujita,Hiroki Takezawa,Daishi Fujita,Yuya Domoto. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2023-11-14.

Method for preparing calcium-doped and high-water single-crystal franklinite under high-temperature and high-pressure condition

Номер патента: ZA202302209B. Автор: Hu Haiying,Dai Lidong. Владелец: Inst Geochemistry Cas. Дата публикации: 2023-05-31.

Method for preparing vanadium-doped and high-water single-crystal manganochromite under high-temperature and high-pressure condition

Номер патента: ZA202302514B. Автор: Hu Haiying,Dai Lidong. Владелец: Inst Geochemistry Cas. Дата публикации: 2023-05-31.

Method for preparing nickel-doped and high-water single-crystal cochromite under high-temperature and high-pressure condition

Номер патента: ZA202302515B. Автор: Hu Haiying,Dai Lidong. Владелец: Inst Geochemistry Cas. Дата публикации: 2023-05-31.

Method for preparing aluminum-doped and high-water single-crystal chromite under high-temperature and high-pressure condition

Номер патента: ZA202302361B. Автор: Hu Haiying,Dai Lidong. Владелец: Inst Geochemistry Cas. Дата публикации: 2023-05-31.

Method for preparing titanium-doped and high-water single-crystal coulsonite under high-temperature and high-pressure condition

Номер патента: ZA202302516B. Автор: Hu Haiying,Dai Lidong. Владелец: Inst Geochemistry Cas. Дата публикации: 2023-05-31.

Method and device for growing magnesium-doped lithium niobate single crystal

Номер патента: CN111893560A. Автор: 夏文英,夏钰坤,夏宗仁,曹远虎,曹义育. Владелец: Jiangxi Junjing Photoelectric Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-11-06.

Process for growing a water-soluble optical single crystal exhibiting a high resistance to damage by laser

Номер патента: FR2622213A1. Автор: Kunio Yoshida,Takatomo Sasaki,Sadao Nakai. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 1989-04-28.

Method for regulating and growing two-dimensional organic single crystal film by using viscous substrate and surfactant

Номер патента: CN110872730B. Автор: 胡文平,李荣金,姚佳荣. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-03-30.

Method for cleaning bacterial cellulose

Номер патента: RU2751429C1. Автор: Леонид Михайлович Короленок,Владимир Николаевич Кавказский,Дмитрий Юрьевич Графов,Денис Евгеньевич Кулешов,Алексей Евгеньевич Снегирев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Петербургский государственный университет путей сообщения Императора Александра I". Дата публикации: 2021-07-13.

Measurement, compensation and control of equivalent shear rate in acoustic wave sensors

Номер патента: US20050132784A1. Автор: Jeffrey Andle. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-23.

Manufacturing a component of single crystal or directionally solidified material

Номер патента: EP2751304A1. Автор: Detlef Haje,Anthony Davis. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2014-07-09.

METHOD FOR PRODUCING N-TYPE GROUP III NITRIDE SINGLE CRYSTAL, N-TYPE GROUP III NITRIDE SINGLE CRYSTAL, AND CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20140369917A1. Автор: Iwata Hirokazu. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2014-12-18.

Signal processing method, acoustic wave processing apparatus, and recording medium

Номер патента: US10537249B2. Автор: Nobuhito Suehira. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-01-21.

Method for inspecting an apparatus for pulling a single crystal and apparatus for pulling a single crystal

Номер патента: DE102017220352B4. Автор: Dieter Knerer,Werner Schachinger,Stefan Welsch. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2023-02-02.

Isotopically pure single crystal epitaxial diamond films and their preparation

Номер патента: ZA914629B. Автор: Thomas Richard Anthony,Richard Anthony Thomas,William Frank Banholzer,Dennis Mark Williams,Frank Banholzer William,Mark Williams Dennis. Владелец: Gen Electric. Дата публикации: 1992-06-24.

METHOD FOR FORMING IDENTIFICATION MARKS ON SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, AND SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20130157009A1. Автор: Kondo Sadahiko. Владелец: HITACHI METALS ,LTD.. Дата публикации: 2013-06-20.

Bismuth-substituted rare earth iron garnet single crystal, faraday rotator, optical isolator, and production method for bismuth-substituted rare earth iron garnet single crystal

Номер патента: EP4141151A4. Автор: Toshiaki Watanabe,Satoru Fukuda. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-22.

Preparation method for polytetrafluoroethylene composition, polytetrafluoroethylene composition, forming product, conductive pipe, heat conduction film, and substrate ccl

Номер патента: EP3892681A4. Автор: Taku Yamanaka,Shuji Tagashira,Katsusada Tokuhira,Haijun Yang,Zhengmao Quan. Владелец: Daikin Fluorochemicals China Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-24.

Method for manufacturing sheet joined body, sheet joined body, roll body, optical film and polarized film

Номер патента: TW201141643A. Автор: Naoyuki Matsuo,Atsushi Hino,ryuta Kibe. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2011-12-01.

METHOD FOR PRODUCING A GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING A GaN SUBSTRATE

Номер патента: US20130199438A1. Автор: NAGAI Seiji,Moriyama Miki,Kumegawa Shohei,Yamazaki Shiro. Владелец: TOYODA GOSEI CO., LTD.. Дата публикации: 2013-08-08.

Method for producing a diffraction grating of metal single-crystals, alloys thereof and semiconductors on a sheet material and a device for carrying out said method

Номер патента: WO2009096813A1. Автор: Grigory Avramovich Radutsky,Sergei Nikolaevich Maximovsky. Владелец: Sergei Nikolaevich Maximovsky. Дата публикации: 2009-08-06.

METHOD FOR THE PREPARATION OF DOPED GARNET STRUCTURE SINGLE CRYSTALS WITH DIAMETERS OF UP TO 500 MM

Номер патента: US20130291788A1. Автор: Houzvicka Jundrich,Bartos Karel. Владелец: CRYTUR SPOL. S.R.O.. Дата публикации: 2013-11-07.

METHODS FOR MODELING THE IMPURITY CONCENTRATION OF A SINGLE CRYSTAL SILICON INGOT

Номер патента: US20200002837A1. Автор: Hudson Carissima Marie,Ryu JaeWoo. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

METHOD FOR MANUFACTURING ALUMINUM-BASED GROUP III NITRIDE SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20160108554A1. Автор: KUMAGAI Yoshinao,KOUKITSU Akinori,NAGASHIMA Toru,OKAYAMA Reiko. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-21.

METHOD FOR PREPARING COPPER THIN FILM BY USING SINGLE CRYSTAL COPPER TARGET

Номер патента: US20170369986A1. Автор: Lee Tae-Woo,Kim Ji-young,Lee Seung-Hun,JEONG Se-young,Park Sang-Eon,Cho Chae-ryong. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

Method for recovering and purifying argon gas from single-crystal-silicon production device, and device for recovering and purifying argon gas

Номер патента: KR102194221B1. Автор: 히데아키 마츠시마,이치로 오노자와,와타루 야지마. Владелец: 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤. Дата публикации: 2020-12-22.

Method for manufacturing or repairing cooling channels in single crystal gas turbine components

Номер патента: EP1065026A1. Автор: Maxim Konter,Kurz Wilfried. Владелец: Alstom Power Schweiz AG. Дата публикации: 2001-01-03.

Method for efficiently growing low-stress silicon carbide single crystals

Номер патента: CN112877772A. Автор: 不公告发明人. Владелец: Harbin Keyou Semiconductor Industry Equipment and Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-01.

Method for manufacturing or repairing cooling channels in single crystal gas turbine components

Номер патента: EP1065026B1. Автор: Wilfried Kurz,Maxim Konter. Владелец: Alstom Technology AG. Дата публикации: 2004-04-28.

Method for preparing large-area transition metal chalcogenide single crystal and product obtained by method

Номер патента: CN111826713B. Автор: 施毅,李涛涛,王欣然. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-03-15.

Method for preparing large-area continuous single-layer single-crystal graphene film

Номер патента: CN110699749B. Автор: 武斌,刘云圻,张家宁. Владелец: Institute of Chemistry CAS. Дата публикации: 2020-11-24.

Methods for modeling the impurity concentration of a single crystal silicon ingot

Номер патента: US10954606B2. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-23.

Method for reducing macrodefects in the production of single-crystal or monocrystalline layers

Номер патента: WO2009052770A1. Автор: Jochen Friedrich,Stephan Hussy. Владелец: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.. Дата публикации: 2009-04-30.

A kind of system and method for EFG technique growing large-size sapphire single-crystal plate

Номер патента: CN109234796A. Автор: 邱文,黄小杰,邱一豇,冷和杰,邱豇. Владелец: Sichuan Union Crystal New Materials Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-18.

Method for injection of dopant, n-type silicon single crystal, doping device and pulling device

Номер патента: DE112007001701T5. Автор: Shinichi Omura Kawazoe,Yasuhito Omura Narushima,Toshimichi Omura Kubota. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2009-06-04.

METHOD FOR MAKING SURFACE LAYERS WITH IMPROVED ANTICORROSIVE PROPERTIES ON IRON-CHROME ALLOY ARTICLES AND SURFACE LAYERS OBTAINED WITH THIS METHOD

Номер патента: IT7850493D0. Автор: . Владелец: Gunnar Hultquist Christofer Le. Дата публикации: 1978-07-27.

Method for regenerating an element in a silicon single crystal pulling apparatus

Номер патента: DE112016003008T5. Автор: Toshiro Kotooka. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-03-15.

Method for manufacturing mechanical parts using nickel-based single crystal superalloy

Номер патента: JPH0768606B2. Автор: タサデュク・カーン,ピエール・キャロン,ジャン−ルイ・ラフステイン. Владелец: オフィス・ナショナル・デチュード・エ・ド・ルシエルシュ・アエロスパシアル. Дата публикации: 1995-07-26.

Wax mold method for avoiding recrystallization and micro-porosity of single-crystal hollow blade

Номер патента: CN113492197A. Автор: 张剑,郭媛媛,杨振宇,张迈,戴圣龙,赵云松,骆宇时. Владелец: AECC BEIJING INSTITUTE OF AERONAUTICAL MATERIALS. Дата публикации: 2021-10-12.

Method for producing compound semiconductor and compound semiconductor single crystal

Номер патента: JPWO2018179567A1. Автор: 朗 野田,立一 平野,啓太 川平. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

Method for controlling the oxygen concentration in a single crystal.

Номер патента: DE69019487T2. Автор: Atsushi Ozaki,Tetsuhiro Oda,Susumu Sonokawa,Toshio Hisaichi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 1996-02-22.

Annealing method for removing residual stress of gallium antimonide single crystal wafer

Номер патента: CN112899790A. Автор: 周媛,杨俊�,谢辉,刘京明,赵有文,沈桂英. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2021-06-04.

A kind of method for annealing for mixing iron indium phosphide single crystal wafer

Номер патента: CN107675262A. Автор: 卢伟,杨俊�,赵有文,段满龙. Владелец: Beijing Ding Tai Xinyuan Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-09.

Method for the sublimation growth of an SiC single crystal, involving heating under growth pressure

Номер патента: US20020083885A1. Автор: Rene Stein,Harald Kuhn,Johannes Voelkl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2002-07-04.

A method for the preparation of doped garnet structure single crystals with diameters of up to 500 mm

Номер патента: IL227271A0. Автор: . Владелец: Crytur Spol S R O. Дата публикации: 2013-09-30.

Method for the preparation of doped garnet structure single crystals with diameters of up to 500 mm

Номер патента: IL227271A. Автор: Bartos Karel,HOUZVICKA Jindrich. Владелец: Crytur Spol S R O. Дата публикации: 2017-04-30.

Method for preparing manganese-doped and high-water single-crystal trevorite under high-temperature and high-pressure condition

Номер патента: ZA202302208B. Автор: Hu Haiying,Dai Lidong. Владелец: Inst Geochemistry Cas. Дата публикации: 2023-05-31.

SYSTEMS AND METHODS FOR MANIPULATING A 3D OBJECT IN A 3D MODEL USING A SOFTWARE WIDGET AND SURFACE CONSTRAINTS

Номер патента: US20170185262A1. Автор: SCHMIDT Ryan Michael. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

Single-crystal metal thin film and preparing method thereof

Номер патента: KR102010420B1. Автор: 장현식,최재영,김범준,황동목. Владелец: 성균관대학교 산학협력단. Дата публикации: 2019-08-13.

Machine learning devices and methods for optimizing the speed and accuracy of thread mill, inner diameter, outer shape, and surface machine tools

Номер патента: US10921774B2. Автор: Hiroshi Matsumura. Владелец: FANUC Corp. Дата публикации: 2021-02-16.

Method for detecting content of tyramine in aquatic product based on azo coupling reaction and surface enhanced resonance Raman scattering

Номер патента: CN110618124A. Автор: 张进杰,徐大伦,黄栋玮,郭小莹,杨君萍,俞青瑶. Владелец: Ningbo University. Дата публикации: 2019-12-27.

Method for manufacturing cold-rolled steel sheet for deep drawing with excellent secondary workability and surface treatment

Номер патента: JPH0757892B2. Автор: 一夫 小山,康男 浜本,松男 臼田,嘉邦 古野. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1995-06-21.

Isotopically pure single crystal epitaxial diamond films and their preparation

Номер патента: CA2042268A1. Автор: Thomas R. Anthony,William F. Banholzer,Dennis M. Williams. Владелец: Dennis M. Williams. Дата публикации: 1992-01-03.

Preparation method of single crystal titanium dioxide film and evaporation frame for preparation

Номер патента: CN108950532B. Автор: 王国成,宋小霞. Владелец: Shenzhen Institute of Advanced Technology of CAS. Дата публикации: 2020-09-18.

Method for manufacturing liquid crystal display device

Номер патента: US20160178968A1. Автор: Isamu Miyake,Koichi Miyachi,Hiroaki ASAGI. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

METHOD FOR PRODUCING POLYIMIDE PRECURSOR, METHOD FOR PRODUCING PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING PATTERN CURED PRODUCT, METHOD FOR PRODUCING INTERLAYER INSULATING FILM, COVER COAT LAYER OR SURFACE PROTECTIVE FILM, AND METHOD FOR PRODUCING ELECTRONIC COMPONENT

Номер патента: US20210018837A1. Автор: Yoneda Satoshi,ENOMOTO Tetsuya. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-21.

Method for producing a laminate polarizing plate and an optical member using thereof

Номер патента: US20050269020A1. Автор: Yoshiki Matsuoka. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-08.

Layered shrink film, method for producing layered shrink film, and container using layered shrink film

Номер патента: EP2054237A1. Автор: Kenji c/o Matsushita Electric Industrial Co.Ltd. OSHIMA,Shigeyuki c/o Matsushita Electric Industrial Co.Ltd. TAKAO. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-05-06.

Silicon-containing compound, urethane resin, stretchable film and method for forming the same

Номер патента: US11142640B2. Автор: Jun Hatakeyama,Koji Hasegawa,Motoaki Iwabuchi,Yuji Harada,Shiori Nonaka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-12.

Method for producing a multilayer composite film, multilayer composite film, and use thereof

Номер патента: AU2021266119B2. Автор: Jurgen Michael Schiffmann. Владелец: Kuhne Anlagenbau GmbH. Дата публикации: 2024-05-02.

Silicon-containing compound, urethane resin, stretchable film and method for forming the same

Номер патента: US20190264028A1. Автор: Jun Hatakeyama,Koji Hasegawa,Motoaki Iwabuchi,Yuji Harada,Shiori Nonaka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Meat processing unit and method for the production of an extruded meat product

Номер патента: US20210100255A1. Автор: Josep Lagares Gamero. Владелец: Metalquimia SA. Дата публикации: 2021-04-08.

SILICONE SKELETON-CONTAINING POLYMER COMPOUND AND METHOD FOR PRODUCING SAME, CHEMICALLY AMPLIFIED NEGATIVE RESIST COMPOSITION, PHOTO-CURABLE DRY FILM AND METHOD FOR PRODUCING SAME, PATTERNING PROCESS, LAYERED PRODUCT, AND SUBSTRATE

Номер патента: US20160097973A1. Автор: Hasegawa Koji,Urano Hiroyuki,Takemura Katsuya,Fujiwara Takayuki,FUKUSHIMA Masahiro,IIO Masashi. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2016-04-07.

Composition for producing liquid crystal alignment film, liquid crystal alignment film using same, method for producing same, liquid crystal display element having liquid crystal alignment film, and method for producing same

Номер патента: CN108369358B. Автор: 原田佳和. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2022-02-25.

Resin film and manufacturing method for the same, and resin laminated metal sheet using said resin film and manufacturing method for the same

Номер патента: CA2447667A1. Автор: Takeshi Suzuki,Akihiko Furuta,Masaaki Yamashita,Hiroshi Kubo,Hiroki Iwasa,Yasuhide Yoshida,Keiji Sugawara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-05.

Coating solution for forming transparent film, method for producing coating solution for forming transparent film, substrate with transparent film, and method for manufacturing substrate with transparent film

Номер патента: JP6647820B2. Автор: 通郎 小松,美紀 江上,良 村口,小松　通郎,宏忠 荒金,俊晴 平井,平井　俊晴. Владелец: Catalysts and Chemicals Industries Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-14.

Composition for manufacturing liquid-crystal alignment film, liquid-crystal alignment film using same composition and method for manufacturing same, liquid-crystal display element having liquid-crystal alignment film and method for manufacturing same

Номер патента: WO2017061541A1. Автор: 佳和 原田. Владелец: 日産化学工業株式会社. Дата публикации: 2017-04-13.

Composition for producing liquid crystal alignment film, liquid crystal alignment film using same, method for producing same, liquid crystal display element having liquid crystal alignment film, and method for producing same

Номер патента: CN107924092B. Автор: 森内正人. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2021-01-22.

Method for treating inner peripheral face of fluororesin tubular film, fluororesin tubular film, apparatus for treating inner peripheral face of fluororesin tubular film, method for treating inner peripheral face of pfa tubular film, pfa tubular film, and apparatus and roller for trating inner peripheral face of pfa tubular

Номер патента: WO2006028016A1. Автор: Shigeki Ito,Shinji Goda,Hidetugu Shimatani,Sadamitu Ochiai. Владелец: AIR WATER INC.. Дата публикации: 2006-03-16.

An adsorption film and a method for producing the same, and an adsorption film having a release film and a method for producing the same

Номер патента: TWI555635B. Автор: Junichi Moriyama. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

White powder and method for producing the same

Номер патента: US20070184268A1. Автор: Kiyoshi Hoshino,Akira Kishimoto,Shinichi Ogura,Katsuto Nakatsuka,Takafurmi Atarashi,Tetsurou Hoshiba. Владелец: Nittetsu Mining Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-09.

METHODS FOR PREPARATION OF GRAPHENE NANORIBBONS FROM CARBON NANOTUBES AND COMPOSITIONS, THIN FILMS AND DEVICES DERIVED THEREFROM

Номер патента: US20140120024A1. Автор: Tour James M.,Kosynkin Dmitry V.,Price-Hoelscher Brandi Katherine,Dugue Amanda. Владелец: William Marsh Rice University. Дата публикации: 2014-05-01.

COPOLYMER FOR SUPPRESSING PROTEIN ADSORPTION, METHOD FOR PRODUCING COPOLYMER, RESIN MODIFIER, MOLDING MATERIAL, COPOLYMER-CONTAINING COMPOSITION, COATING FILM, AND ARTICLE

Номер патента: US20210206896A1. Автор: Aso Hiromi,Mukunoki Kazunori,Saeki Yumiko,NISHIMURA Masanari,Oonuma Taeko. Владелец: MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION. Дата публикации: 2021-07-08.

APPARATUSES AND METHODS FOR DIAGNOSING AND/OR TREATING LIPID TRANSPORT DEFICIENCY IN OCULAR TEAR FILMS, AND RELATED COMPONENTS AND DEVICES

Номер патента: US20150216725A1. Автор: Korb Donald R.,Grenon Stephen M.,Blackie Caroline,Bacich Steve. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

Apparatuses and methods for diagnosing and/or treating lipid transport deficiency in ocular tear films, and related components and devices

Номер патента: WO2014031857A2. Автор: Donald R. Korb,Stephen M. Grenon,Steven R. Bacich,Caroline Blackie. Владелец: TearScience, Inc.. Дата публикации: 2014-02-27.

Method for lining a transparent or translucent honeycomb panel with a filter film and compressed air device for projecting a strip of thin material into a very long cavity.

Номер патента: FR2715679B1. Автор: Jacques Devillers. Владелец: Jacques Devillers. Дата публикации: 1996-04-26.

Automatic machine and method for the packaging of a series of editorial products in plastic film and relative packaging

Номер патента: CA2586962A1. Автор: Aris Ballestrazzi,Lamberto Tassi. Владелец: SITMA Societa Italiana Macchine Automatiche SpA. Дата публикации: 2007-11-09.

Method for producing foldable packaging containers and container parts made of thermoplastic films and packaging blanks produced according to said method

Номер патента: CA2431772A1. Автор: Thorsten Seufert. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Method for Producing a Metallic Coating in Certain Areas a Substrate, Transfer Film, and Use Thereof

Номер патента: US20080095956A1. Автор: Heinrich Wild,Ludwig Brehm. Владелец: Leonhard Kurz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2008-04-24.

A method for controlling retroreflectivity by applying a printed pattern to a retroreflective film and sheet produced by said method

Номер патента: ES2719199T3. Автор: Nikhil Agashe. Владелец: Avery Dennison Corp. Дата публикации: 2019-07-09.

Automatic machine and method for the packaging of a series of editorial products in plastic film and relative packaging

Номер патента: US20070261371A1. Автор: Aris Ballestrazzi,Lamberto Tassi. Владелец: SITMA Societa Italiana Macchine Automatiche SpA. Дата публикации: 2007-11-15.

Method for determining the thickness of the resin layer of the insert film, and method for manufacturing the resin molded product with the insert film

Номер патента: JP6853278B2. Автор: 良次 岡部,保徳 渡邊,航介 池田,奥田　晃久,晃久 奥田,佳奈 佐近. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2021-03-31.

Method for the production of biologically-degradable packagings made from biaxially-drawn films and such packagings

Номер патента: EP1395415B1. Автор: Detlef D. Busch,Marlies Rosenbaum. Владелец: Treofan Germany GmbH and Co KG. Дата публикации: 2010-12-22.

Method for producing liquid crystal alignment film, liquid crystal alignment film, optical film and image display device

Номер патента: JP3923062B2. Автор: 卓史 上条,清司 梅本,秀行 米澤,育郎 川本. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2007-05-30.

Method for manufacturing sheet joined body, sheet joined body, roll body, optical film and polarized film

Номер патента: KR101718169B1. Автор: 나오유끼 마쯔오,류따 기베,아쯔시 히노. Владелец: 닛토덴코 가부시키가이샤. Дата публикации: 2017-03-20.

Thiol compound, method for producing thiol compound, polymer, composition, curable composition, color composition, cured film, and color filter

Номер патента: WO2016052069A1. Автор: 金子　祐士,純一 伊藤,賢 鮫島,宏明 出井,彰宏 原,昌之 原田. Владелец: 富士フイルム株式会社. Дата публикации: 2016-04-07.

Substrate with transparent conductive film, method for producing the same, display element using substrate with transparent conductive film, and solar cell using substrate with transparent conductive film

Номер патента: JP5449836B2. Автор: 正樹 松森,泰雄 今西,三夫 田口. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2014-03-19.

Method for electrolyzing acidic copper chloride to electrolyze copper without using ion film and having higher recycling rate

Номер патента: TW201712157A. Автор: Bao-Ji Ye. Владелец: Dongguan Jin Wei Water Treatment And Accessories Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-01.

Method for producing laminated sheet thermoplastic resin film, laminated sheet thermoplastic resin film and thermoformed product thereof

Номер патента: JP4073978B2. Автор: 淳司 藤井,勝美 内山,章 船木,徹 行本. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-09.

Polyimide precursor, resin composition, photosensitive resin composition, method for producing patterned cured film, interlayer insulating film, covercoat, surface protective film, and electronic component

Номер патента: CN114502617A. Автор: 松川大作,齐藤伸行,永见直斗,吉泽笃太郎. Владелец: Actri Microsystems Co ltd. Дата публикации: 2022-05-13.

Preparation method for polytetrafluoroethylene composition, polytetrafluoroethylene composition, forming product, conductive pipe, heat conduction film, and substrate ccl

Номер патента: WO2020114419A1. Автор: 山中拓,德平胜贞,杨海俊,全正茂,田头修二. Владелец: 大金工业株式会社. Дата публикации: 2020-06-11.

Method for producing fluorine-containing copolymer composition, coating composition, article having coating film, and molded article

Номер патента: JPWO2011129407A1. Автор: 岡野　邦子,邦子 岡野,中野　貴志,貴志 中野. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-18.

Thiol compound, method for producing thiol compound, polymer, composition, curable composition, color composition, cured film, and color filter

Номер патента: KR101982554B1. Автор: 준이치 이토,유시 카네코,히로아키 이데이,아키히로 하라,마사유키 하라다,수구루 사메지마. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2019-05-27.

Packaging body, method for storing or transporting polyvinyl alcohol-based film, polyvinyl alcohol-based film, and polarizing film

Номер патента: TW201714936A. Автор: 早川誠一郎,久保田哲哉,清水俊宏. Владелец: 日本合成化學工業股份有限公司. Дата публикации: 2017-05-01.

Surface acoustic wave resonator using reflectors as heating elements

Номер патента: RU2491712C1. Автор: Михаил Петрович Ерофеев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Ростовский-на-Дону научно-исследовательский институт радиосвязи" (ФГУП "РНИИРС"). Дата публикации: 2013-08-27.

Acoustic wave torque sensor

Номер патента: WO2007019502A1. Автор: Richard M. Andrews,James Zt Liu,Steven J. Magee,Scott L. Bunyer,Fred W. Hintz,Randy J. Hasken. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2007-02-15.

Method for growing a GaN single crystal film on a buffer layer on a ScAlMgO4 substrate and performing cooling so that the GaN film is peeled from the ScAlMgO4 substrate

Номер патента: US12065755B2. Автор: Haitao Zhang,Bin Xu,Bo PANG,Lianghong Liu. Владелец: Wuxi Wuyue Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for growing mixed crystals of cobalt-nickel-potassium sulfate for optical filters of ultraviolet range

Номер патента: RU2758652C1. Автор: Наталья Александровна Васильева,Алексей Эдуардович Волошин,Владимир Михайлович Масалов,Андрей Анатольевич Жохов,Геннадий Анатольевич Емельченко,Надежда Сергеевна Сухинина,Вера Львовна Маноменова,Елена Борисовна Руднева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН). Дата публикации: 2021-11-01.

Apparatus and methods for simultaneous surface acoustic wave and surface plasmon resonance measurements

Номер патента: EP1636569A1. Автор: Andrew Campitelli,Jean-Michel Friedt,Laurent Francis. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2006-03-22.

METHOD FOR PRODUCING CRYSTALS OF ALLOYS OF FLUORITE SOLID SOLUTIONS М1-X М'XF2, WHERE M = CA, SR, BA; M' = PB, CdD, X IS MOLE FRACTION OF VOLATILE COMPONENT M'F2 (VARIANTS)

Номер патента: RU2742638C1. Автор: Денис Нуриманович Каримов,Ирина Игоревна Бучинская,Юрий Меерович Дымшиц. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук". Дата публикации: 2021-02-09.

Method for preparing a charge for growing fluoride single crystals

Номер патента: RU2747503C1. Автор: Степан Эрвандович Саркисов,Валентин Александрович Юсим. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2021-05-05.

Method for growing crystals of multicomponent fluorides with the structure of fluorite in mf2-cef3 systems

Номер патента: RU2659274C2. Автор: Борис Павлович Соболев,Денис Нуриманович Каримов,Всеволод Вадимович Киреев,Наталья Альбертовна Ивановская. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук". Дата публикации: 2018-06-29.

Method for growing B-Ga2O3-based single crystal

Номер патента: US09926646B2. Автор: Shinya Watanabe,Kazuyuki Iizuka,Kimiyoshi KOSHI,Daiki Wakimoto,Takekazu Masui. Владелец: Koha Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for epitaxial growth of monocrystals of metals nitrides of 3a group of chemical elements

Номер патента: RU2097452C1. Автор: Юрий Николаевич Макаров,Евгений Николаевич Мохов,Юрий Александрович Водаков,Марк Григорьевич Рамм,Александр Дмитриевич Роенков,Сергей Юрьевич Карпов,Марк Спиридонович Рамм. Владелец: Марк Спиридонович Рамм. Дата публикации: 1997-11-27.

Monocrystalline zirconia without low-temperature degradation properties and method for growing same

Номер патента: US20170137961A1. Автор: Jae Kun Lee. Владелец: Woojin Wtp Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Method for growing a silicon single crystal while suppressing a generation of slip dislocations in a tail portion

Номер патента: US09988736B2. Автор: Masanori Takazawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

System for manufacturing a high-quality semiconductor single crystal, and method of manufacturing same

Номер патента: EP4414480A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-08-14.

System for manufacturing a high-quality semiconductor single crystal, and method of manufacturing same

Номер патента: US20240263347A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for growing beta-Ga2O3-based single crystal, and beta-Ga2O3-based single crystal substrate and method for producing same

Номер патента: US09915009B2. Автор: Shinya Watanabe,Kimiyoshi KOSHI. Владелец: Koha Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Method For Growing Single-Crystal Silicon Ingots and Single-Crystal Silicon Ingots

Номер патента: US20240263351A1. Автор: Zhenliang Song,Shaojie Song. Владелец: Xian Eswin Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

System for manufacturing a high-quality semiconductor single crystal, and method of manufacturing same

Номер патента: EP4414481A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-08-14.

System for manufacturing a high-quality semiconductor single crystal, and method of manufacturing same

Номер патента: US20240263346A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-08-08.

Acoustic wave atomizer

Номер патента: US12017241B2. Автор: Victor Nizet,James Friend,Sean Collignon,Gopesh TILVAWALA,William CONNACHER,Monika Kumaraswamy. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-06-25.

Method for Operation of Resonator

Номер патента: US20200132633A1. Автор: Andrew Flewitt,Girish RUGHOOBUR,Enrique Iborra,Teona Mirea,Mario DE MIGUEL-RAMOS. Владелец: UNIVERSIDAD POLITECNICA DE MADRID. Дата публикации: 2020-04-30.

Method for operation of resonator

Номер патента: EP3622283A1. Автор: Andrew Flewitt,Girish RUGHOOBUR,Enrique Iborra,Teona Mirea,Mario DE MIGUEL-RAMOS. Владелец: UNIVERSIDAD POLITECNICA DE MADRID. Дата публикации: 2020-03-18.

Method of testing acoustic wave devices

Номер патента: WO2022164496A1. Автор: Chun Sing Lam,Toru Jibu,Zhaogeng Xu. Владелец: SKYWORKS SOLUTIONS, INC.. Дата публикации: 2022-08-04.

Crucible for growing sapphire single crystal, and method for producing crucible for growing sapphire single crystal

Номер патента: US09803291B2. Автор: Makoto Watanabe,Masahiro Katoh. Владелец: ALMT Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Large-scale compound semiconductor single crystal growth system and method

Номер патента: US20240229291A1. Автор: Yang Wang,Shujie Wang,Xiaolan Li,Huisheng Liu,Niefeng SUN,Tongnian SUN,Yanlei SHI,Huimin SHAO,Lijie FU,Senfeng XU,Xin Ou,Ruiliang SONG. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2024-07-11.

Sublimation System And Method Of Growing At Least One Single Crystal

Номер патента: US20240309546A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-09-19.

Sublimation system and method of growing at least one single crystal of a semiconductor material

Номер патента: EP4431644A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-09-18.

Sublimation System and Method of Growing at Least One Single Crystal of a Semiconductor Material

Номер патента: US20240309545A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-09-19.

Sublimation system and method of growing at least one single crystal

Номер патента: EP4431643A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-09-18.

Silicon single crystal growing apparatus and method for growing silicon single crystal

Номер патента: US09783912B2. Автор: Ryoji Hoshi,Kosei Sugawara. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for producing heteroepitaxial wafer

Номер патента: EP4431645A1. Автор: Tatsuo Abe,Atsushi Suzuki,Toshiki Matsubara,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Method for growing a bulk single crystal nitride material

Номер патента: US09611564B2. Автор: Guoyi Zhang,Jiao Chen,Zhiwen LIANG,Nanliu LIU. Владелец: Dongguan Institute of Opto Electronics Peking University. Дата публикации: 2017-04-04.

Systems integration of a surface acoustic wave biosensor for point-of-care-diagnostic use

Номер патента: WO2024211791A2. Автор: Vanaja V. Ragavan,Anand Tushar SINGH. Владелец: AVIANA MOLECULAR TECHNOLOGIES, LLC. Дата публикации: 2024-10-10.

Method for growing beta phase of gallium oxide (beta-ga2o3) single crystals from the melt contained within a metal crucible

Номер патента: EP3242965A1. Автор: Zbigniew GALAZKA,Reinhard Uecker,Matthias Bickermann,Detlef Klimm. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2017-11-15.

System and method for detecting venous needle dislodgement

Номер патента: EP4176281A1. Автор: Dipen N. Sinha,Martin J. Crnkovich,Robert Schaefer,Scott Macintosh,Peter G. Espina,Gareth T. SCHAEFER. Владелец: Awe Technologies LLC. Дата публикации: 2023-05-10.

Integrated surface acoustic wave biosensor system for point-of-care-diagnostic use

Номер патента: EP4416496A1. Автор: Vanaja V. Ragavan. Владелец: Aviana Molecular Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-21.

Method for cultivating β-Ga2O3-based single crystal, and β-Ga2O3-based single crystal substrate and method for producing same

Номер патента: US09915010B2. Автор: Kimiyoshi KOSHI,Masaru Takizawa,Takekazu Masui. Владелец: Koha Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

System and method for surface acoustic wave treatment of skin

Номер патента: US09585977B2. Автор: Jona Zumeris,Yanina Zumeris,Harold Jacob,Hanan Raskin,Gera Kratysh. Владелец: NanoVibronix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for grape wine quality determination

Номер патента: RU2628029C1. Автор: Татьяна Анатольевна Кучменко,Раиса Павловна Лисицкая. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2017-08-14.

Method and Apparatus for Reducing Impurities in a Single Crystal Based on Ingot Length

Номер патента: US20140102357A1. Автор: Keith Ritter. Владелец: Siemens Medical Solutions USA Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

Integrated surface acoustic wave biosensor system for point-of-care-diagnostic use

Номер патента: CA3234567A1. Автор: Vanaja V. Ragavan,Anand Tushar SINGH. Владелец: Aviana Molecular Technologies LLC. Дата публикации: 2023-04-20.

Integrated surface acoustic wave biosensor system for point-of-care-diagnostic use

Номер патента: AU2022362129A1. Автор: Vanaja V. Ragavan,Anand Tushar SINGH. Владелец: Aviana Molecular Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for growing silicon carbide crystal

Номер патента: US09945047B2. Автор: Takehisa Minowa,Naofumi Shinya,Yu Hamaguchi,Norio Yamagata. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for silicon carbide crystal growth by reacting elemental silicon vapor with a porous carbon solid source material

Номер патента: US09580837B2. Автор: Thomas E. Anderson,Ilya Zwieback,Varatharajan Rengarajan,Michael C. Nolan,Bryan K. Brouhard. Владелец: II VI Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Temperature control for surface acoustic wave sensor

Номер патента: WO2018017709A1. Автор: Yin SUN. Владелец: Pulmostics Limited. Дата публикации: 2018-01-25.

Ingot puller apparatus and methods for growing a single crystal silicon ingot with reduced lower chamber deposits

Номер патента: US20240247398A1. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson,Matteo Pannocchia,William Lynn Luter. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Ingot puller apparatus and methods for growing a single crystal silicon ingot with reduced lower chamber deposits

Номер патента: WO2024155776A1. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson,Matteo Pannocchia,William Lynn Luter. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-07-25.

Composition for acoustic lens, acoustic lens, acoustic wave probe, ultrasound probe, acoustic wave measurement apparatus, ultrasound diagnostic apparatus, photoacoustic wave measurement apparatus, ultrasonic endoscope, and method for manufacturing acoustic wave probe

Номер патента: US20240279472A1. Автор: Yoshihiro Nakai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Composition for acoustic lens, acoustic lens, acoustic wave probe, ultrasonic probe, acoustic wave measuring device, ultrasound diagnostic device, photoacoustic wave measuring device, ultrasonic endoscope, and method for producing acoustic wave probe

Номер патента: EP4434468A1. Автор: Yoshihiro Nakai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Method and device for growing plants in single or multi-tiered hydroponic installations

Номер патента: RU2757985C1. Автор: Александр Иосифович Селянский,Евгений Васильевич Лобашев. Владелец: Александр Иосифович Селянский. Дата публикации: 2021-10-25.

Piezoelectric single crystal wafer

Номер патента: US6580196B1. Автор: Yoshinori Kuwabara,Toshihiko Ryuo,Yoshiyuki Shiono. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-17.

Method for growing low-defect single crystal heteroepitaxial films

Номер патента: WO2003027363A1. Автор: Philip G. Neudeck,J. Anthony Powell. Владелец: The Government Of The United States Of America, As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration (Nasa). Дата публикации: 2003-04-03.

Surface acoustic waveguide device and manufacturing method

Номер патента: US5187756A. Автор: Akira Inagaki,Minoru Yoshida,Masataka Shiba,Kenchi Ito,Kazumi Kawamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1993-02-16.

Monocrystalline zirconia without low-temperature degradation properties and method for growing same

Номер патента: US20160010240A1. Автор: Jae Kun Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-01-14.

Temperature control for surface acoustic wave sensor

Номер патента: US20200011842A1. Автор: Yin SUN. Владелец: Pulmostics Ltd. Дата публикации: 2020-01-09.

Method and system for fabricating liquid crystal film and method for fabricating brightening film

Номер патента: US20050280767A1. Автор: Charles Chang,Chun-Fa Chen,Kun-Mao Yu. Владелец: Charmica Photoelectronic Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-22.

Methods for growing single crystal silicon ingots that involve silicon feed tube inert gas control

Номер патента: WO2023131634A8. Автор: Matteo Pannocchia,Maria Porrini. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-08-22.

Device and method for detecting a sub-surface btex component

Номер патента: CA3230960A1. Автор: John-Richard Ordonez-Varela,Jean-Michel Friedt,Lilia Arapan,Aurélie Le Beulze,Frédéric CHERIOUX,Anthony CREDOZ,David Rabus. Владелец: TotalEnergies Onetech SAS. Дата публикации: 2023-03-16.

Device and method for detecting a sub-surface btex component

Номер патента: EP4399516A1. Автор: John-Richard Ordonez-Varela,Jean-Michel Friedt,Lilia Arapan,Aurélie Le Beulze,Frédéric CHERIOUX,Anthony CREDOZ,David Rabus. Владелец: TotalEnergies Onetech SAS. Дата публикации: 2024-07-17.

Device and method for detecting a sub-surface btex component

Номер патента: WO2023037135A1. Автор: John-Richard Ordonez-Varela,Jean-Michel Friedt,Lilia Arapan,Aurélie Le Beulze,Frédéric CHERIOUX,Anthony CREDOZ,David Rabus. Владелец: TOTALENERGIES ONETECH. Дата публикации: 2023-03-16.

Method of forming surface acoustic wave tag-based gas sensors

Номер патента: US09970902B2. Автор: Donald Malocha,Brian Fisher. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for growing giant oyster crassostrea gigas in black sea

Номер патента: RU2541459C1. Автор: Анна Васильевна Пиркова,Людмила Владимировна Ладыгина. Владелец: Институт биологии южных морей им. А.О. Ковалевского. Дата публикации: 2015-02-10.

Autonomous transportable module based on the iso-container for growing plants, autonomous transportable complex based on autonomous transportable modules based on iso-containers for growing plants, method of growing plants in an autonomous transportable module based on an iso-container and in a complex based on autonomous transportable modules based on iso-containers

Номер патента: RU2720919C1. Автор: Борис Германович Левин,Сергей Викторович Пасечник. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ГридПоинт Дайнамикс". Дата публикации: 2020-05-14.

Mulching biodegradable polymer film and method for production thereof (embodiments)

Номер патента: RU2737425C1. Автор: Елена Евгеньевна Масталыгина,Петр Васильевич Пантюхов,Анатолий Анатольевич Попов,Зубаржат Рафисовна Ахметшина,Анастасия Юрьевна Анпилова. Владелец: Петр Васильевич Пантюхов. Дата публикации: 2020-11-30.

Polarizing liquid crystal film and method for manufacturing the same, light guide plate integrated with polarizing liquid crystal film and backlight unit

Номер патента: US7455895B2. Автор: Sung Tae Kim,Seong Sik Choi,Hun Kyun Pak,Tae Seok JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-11-25.

Method for the rapid interrogation of a passive sensor, in particular of the surface acoustic waves type, and system for measuring the unique frequency of such a sensor

Номер патента: US09784775B2. Автор: Gerard Prieur,Omar EL MAZRIA,Mohamed M'Jahed. Владелец: UNIVERSITE DE LORRAINE. Дата публикации: 2017-10-10.

Surface acoustic wave sensor

Номер патента: US09739675B2. Автор: Shuji Tanaka,Toshihiko Takahata,Akihiko Teshigahara,Masayoshi Esashi,Kenya Hashimoto,Takao Iwaki. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for determining optimal amount of tilapia for growing in tank within mixed culture

Номер патента: RU2264710C1. Автор: А.В. Жигин. Владелец: ФГУП Всероссийский научно-исследовательский институт рыбного хозяйства и океанографии (ВНИРО). Дата публикации: 2005-11-27.

Method for controlling and regulating of plant growing process and apparatus for performing the same

Номер патента: RU2282979C1. Автор: Александр Владимирович Дубровин,Александр Николаевич Обыночный. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ). Дата публикации: 2006-09-10.

Surface acoustic wave harmonic analysis

Номер патента: WO1999053289A2. Автор: William B. Dress,Michael R. Moore,Kofi Korsah,Cheng Yu Ma. Владелец: Lockheed Martin Energy Research Corporation. Дата публикации: 1999-10-21.

Method for growing a single crystal by crystallizing the single crystal from a float zone

Номер патента: US9932691B2. Автор: Ludwig Altmannshofer,Martin Moeller,Georg Raming,Gundars Ratnieks,Frank Muemmler. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for forming nitride crystals

Номер патента: EP2078105A1. Автор: Steven Alfred Tysoe,Dong-Sil Park,Kristi Narang,Huicong Hong,Mark D'Evelyn,John Thomas Leman. Владелец: Momentive Performance Materials Inc. Дата публикации: 2009-07-15.

Liquid crystal film, method for preparing the film, temperature-responsive device comprising the film, and circular polarizer made therefrom

Номер патента: US20150353828A1. Автор: Feifei Wang,Dan Wang,Xibin Shao,Seungmin Lee,Honglin ZHANG. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

Method for growing a single crystal by crystallizing the single crystal from a float zone

Номер патента: US09932691B2. Автор: Ludwig Altmannshofer,Martin Moeller,Georg Raming,Gundars Ratnieks,Frank Muemmler. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2018-04-03.

Liquid crystal film, method for preparing the film, temperature-responsive device comprising the film, and circular polarizer made therefrom

Номер патента: US09631143B2. Автор: Feifei Wang,Dan Wang,Xibin Shao,Seungmin Lee,Honglin ZHANG. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of creating a water mode of soil for growing seedlings from seeds of flowering plants

Номер патента: RU2711014C1. Автор: Михаил Иванович Голубенко. Владелец: Михаил Иванович Голубенко. Дата публикации: 2020-01-14.

Method for complex utilization of water and coastal areas of complex-purpose basins

Номер патента: RU2262845C1. Автор: В.И. Белякова,кова В.И. Бел,Г.Е. Серветник,А.М. Наумова,А.Ю. Наумова,И.А. Алимов,Л.В. Домбровска,Л.В. Домбровская,Л.С. Чистова,О.А. Пронина,И.Н. Скворцова,н Е.А. Шахпендер,Е.А. Шахпендерян. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт ирригационного рыбоводства Росельхозакадемии. Дата публикации: 2005-10-27.

Method for planting, growing crops and selective felling with the harvesting of assortments by machines on artificially renewable forest areas

Номер патента: RU2769472C1. Автор: Владимир Николаевич Коновалов,Юрий Александрович Ширнин,Александр Юрьевич Ширнин,Ильшат Гилазтинович Гайсин,Сергей Владимирович Марихин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Поволжский государственный технологический университет". Дата публикации: 2022-04-01.

Method for producing single crystal sic

Номер патента: RU2761199C1. Автор: Виктор Викторович Лучинин,Александр Владимирович Марков,Наталья Владимировна Андреева,Андрей Олегович Лебедев,Юрий Олегович Быков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина). Дата публикации: 2021-12-06.

METHOD FOR REPEATED USE OF A SOLUTION-MELT IN THE SYNTHESIS OF 57FeBO3

Номер патента: RU2769681C1. Автор: Игорь Савельевич Любутин,Юлия Александровна Могиленец,Кира Андреевна Селезнева,Марк Борисович Стругацкий,Сергей Владимирович Ягупов,Никита Игоревич Снегирёв,Марианна Владимировна Любутина. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук". Дата публикации: 2022-04-05.

Method for growing fish fry in an artificial biostimulating medium

Номер патента: RU2741648C1. Автор: Павел Евгеньевич Гарлов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2021-01-28.

Device for growing monocrystals of fluorides and synthesis method thereof

Номер патента: RU2599672C1. Автор: Александр Кондратьевич Наумов,Олег Александрович Морозов,Александр Владимирович Ловчев. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Казанский (Приволжский) федеральный университет" (ФГАОУ ВО КФУ). Дата публикации: 2016-10-10.

Method for growing calves with ard

Номер патента: RU2709748C1. Автор: Михаил Иванович Барашкин,Ольга Григорьевна Петрова,Андрей Анатольевич Петров,Игорь Маркович Мильштейн,Сергей Витальевич Патрушев. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждения Высшего Образования "Уральский Государственный Аграрный Университет" (ФГБОУ ВО Уральский ГАУ). Дата публикации: 2019-12-19.

Chip level packaging for wireless surface acoustic wave sensor

Номер патента: EP1951533A1. Автор: Georgescu Ion,Cornel Cobianu,Buiculescu Vlad. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2008-08-06.

Multilayer liquid crystal film, polarizing plate and method for preparing polarizing plate

Номер патента: US20200241365A1. Автор: Youngjin Kim,Ji Young Kim,Dae Hee Lee,Kyun Do PARK. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Apparatus for growing crystals

Номер патента: US4332773A. Автор: Delmer H. Kimberling. Владелец: Individual. Дата публикации: 1982-06-01.

A Silicon Single Crystal Ingot and Wafer, Growing Apparatus and Method Therof

Номер патента: US20070022943A1. Автор: Hyon-Jong Cho,Hong Lee,Young Ho Hong,Man Kwak,III-Soo Choi. Владелец: Siltron Inc. Дата публикации: 2007-02-01.

Surface acoustic wave (SAW) based strain sensor

Номер патента: US09702772B2. Автор: Nicholas Kozlovski,Robert J. Peterman,D Mark Haines. Владелец: Mnemonics Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Homeotropic alignment liquid crystal film without alignment layer and method for preparing the same

Номер патента: US09470928B2. Автор: Eun-Kyung Kim,Dae-Hee Lee,Seung-Hun Chae,Moon-Soo Park,Sin-Young Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Atomic layer deposition inverted passivated surface acoustic wave sensor for early detection of biofilm growth

Номер патента: US09417216B2. Автор: Young Wook Kim,Reza Ghodssi,William E. Bentley,Agisilaos A. Iliadis,Mariana Tsacoumis Meyer. Владелец: University of Maryland at Baltimore. Дата публикации: 2016-08-16.

Method for radio-frequency identification of large and small cattle and device for implementation thereof

Номер патента: RU2725728C1. Автор: Виктор Иванович Дикарев,Владимир Александрович Мельников,Андрей Николаевич Терехин,Людмила Ивановна Бережкова. Владелец: Открытое акционерное общество "Авангард". Дата публикации: 2020-07-03.

Method of determining acoustic wave velocity in porous medium

Номер патента: RU2573620C1. Автор: Владимир Викторович Абашкин,Алексей Александрович Шевченко,Дмитрий Александрович Белов. Владелец: Шлюмберже Текнолоджи Б.В.. Дата публикации: 2016-01-20.

Devyatkin slate method for growing carrots and device for its implementation

Номер патента: RU2733436C1. Автор: Викторий Данилович Девяткин. Владелец: Викторий Данилович Девяткин. Дата публикации: 2020-10-01.

Method for growing of green crops

Номер патента: RU2289912C1. Автор: Михаил Васильевич Авдеев,Виталий Матвеевич Попов,Елена Михайловна Басарыгина. Владелец: Министерство сельского хозяйства Российской Федерации Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Челябинский государственный агроинженерный университет" (ФГОУ ВПО ЧГАУ). Дата публикации: 2006-12-27.

Base material for growing single crystal diamond and method for producing single crystal diamond substrate

Номер патента: US20110081531A1. Автор: Hitoshi Noguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-07.

Directly modulated sonobuoy transmitter using surface acoustic wave sensor

Номер патента: US4315324A. Автор: Albert M. Bates,Michael T. Junod. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1982-02-09.

Method, apparatus, and computer-readable storage medium for growing single crystal by using czochralski technique

Номер патента: US20220389610A1. Автор: QIAO LI,Zhengyuan Wang,Feifei DOU. Владелец: Longi Green Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Method for growing a silicon single crystal

Номер патента: US20170044685A1. Автор: Masanori Takazawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-16.

Method for growing beta-ga2o3-based single crystal

Номер патента: US20160032485A1. Автор: Shinya Watanabe,Kazuyuki Iizuka,Haruka MATSUBARA,Kei DOIOKA,Takekazu Masui. Владелец: Koha Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-04.

Biodegradable growing media for growing plants, assembly provided therewith, and method for manufacturing such growing media

Номер патента: WO2022066006A8. Автор: Martijn BELJAARS,Vincent VAN ASSEN,Wilfred ROO,Floris Lodewijk KROL. Владелец: FOAMPLANT B.V.. Дата публикации: 2023-01-05.

Method for producing non-linear optical organic crystal film

Номер патента: US20020041427A1. Автор: Bunsen Fan,Jianjun Xu. Владелец: Reveo Inc. Дата публикации: 2002-04-11.

Method for producing non-linear optical organic crystal film

Номер патента: US20040033038A1. Автор: Bunsen Fan,Jianjun Xu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-19.

Method for producing SiC single crystals by control of an angle formed by the meniscus and the side face of the seed crystal and production device for the method

Номер патента: US09631295B2. Автор: Kazuhito Kamei,Hironori Daikoku. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for measurement of average size of material grain by surface acoustic waves

Номер патента: RU2350944C1. Автор: Сергей Константинович Паврос,Владимир Александрович Бритвин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Компания "Нординкрафт". Дата публикации: 2009-03-27.

Method for producing bismuth silicate bi12sio20 by crystalization method in crubicle

Номер патента: RU2665626C1. Автор: Тимофей Владимирович Бермешев,Владимир Павлович Жереб. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет". Дата публикации: 2018-09-03.

Method for controlling functioning of temperature mode of crystallization plant

Номер патента: RU2765556C1. Автор: Владимир Анатольевич Федоров,Владимир Владимирович Арсеньев,Владимир Михайлович Каневский,Евгений Вячеславович Антонов,Вячеслав Георгиевич Карайченцев. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук". Дата публикации: 2022-02-01.

Feed supplement for growing colostural calves under extreme conditions

Номер патента: RU2771181C1. Автор: Василий Павлович Короткий,Виктор Анатольевич Рыжов,Иван Васильевич Короткий,Надежда Ивановна Гибалкина,Владимир Викторович Мунгин,Николай Петрович Буряков,Мария Алексеевна Бурякова,Дарья Алексеевна Баженова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-Технический Центр "Химинвест". Дата публикации: 2022-04-28.

Method for growing of broiler chickens

Номер патента: RU2738353C1. Автор: Людмила Николаевна Скворцова,Андрей Сергеевич Короткин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный аграрный университет имени И.Т. Трубилина". Дата публикации: 2020-12-11.

Method for growing betula pubescens birch wood

Номер патента: RU2725473C1. Автор: Сергей Вениаминович Залесов,Юрий Валерьевич Зарипов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уральский государственный лесотехнический университет". Дата публикации: 2020-07-02.

Method for growing silicon whisker crystals

Номер патента: RU2750732C1. Автор: Нада Свайкат. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образования учреждение высшего образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2021-07-01.

Method for producing nitrogen-free diamond crystals

Номер патента: RU2766902C1. Автор: Юрий Николаевич Пальянов,Игорь Николаевич Куприянов,Александр Федорович Хохряков,Юрий Михайлович Борздов,Денис Валерьевич Нечаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева Сибирского отделения Российской академии наук (Институт геологии и менералогии СО РАН, ИГМ СО РАН). Дата публикации: 2022-03-16.

Method for growing of broiler chickens

Номер патента: RU2736967C1. Автор: Лидия Владимировна Карпунина,Надежда Александровна Фокина,Галина Тимофеевна Урядова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный аграрный университет имени Н.И. Вавилова". Дата публикации: 2020-11-23.

Method for growing potatoes with sprouts

Номер патента: RU2638840C1. Автор: Сарра Абрамовна Бекузарова,Заурбек Ахсарбекович Царикаев,Солтан Сосланбекович Басиев,Лариса Ильинична Вайсфельд,Зарема Адесовна Болиева,Магомет Дзанхотович Газдаров,Эмма Темболатовна Кибизова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Горский государственный аграрный университет. Дата публикации: 2017-12-18.

Method for increasing productivity of rabbits

Номер патента: RU2711917C1. Автор: Лариса Игоревна Лыткина,Евгения Сергеевна Шенцова,Елена Евгеньевна Курчаева,Игорь Владимирович Максимов,Александр Викторович Востроилов,Софья Алексеевна Переверзева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет инженерных технологий" (ФГБОУ ВО "ВГУИТ"). Дата публикации: 2020-01-23.

Method for growing fly larvae and processing organic wastes

Номер патента: RU2734522C1. Автор: Андрей Николаевич Максимов,Георгий Викторович Зорин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЭНТОПРОТЕИН". Дата публикации: 2020-10-19.

Method for growing green hydroponic fodders

Номер патента: RU2727329C1. Автор: Владимир Николаевич Кравченко,Юрий Васильевич Мазаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Российский государственный аграрный университет - МСХА имени К.А. Тимирязева" (ФГБОУ ВО РГАУ - МСХА имени К.А. Тимирязева). Дата публикации: 2020-07-21.

Method for growing of broiler chickens

Номер патента: RU2716211C1. Автор: Василий Иванович Комлацкий,Лариса Анатольевна Зеленская,Анастасия Николаевна Комирняя. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный аграрный университет имени И.Т. Трубилина". Дата публикации: 2020-03-06.

Method for growing compound semiconductor crystal

Номер патента: US4853066A. Автор: Toshio Kikuta,Seikoh Yoshida,Yuzo Kashiwayanagi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1989-08-01.

Method and apparatus for growing high quality single crystal

Номер патента: EP1201793A4. Автор: Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Takatomo Sasaki. Владелец: Japan Science and Technology Corp. Дата публикации: 2003-02-05.

Surface acoustic wave sensor device and method of controlling liquid using the same

Номер патента: US20120266664A1. Автор: Hun Joo Lee,Soo Suk Lee,Eun Chul CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-10-25.

Method for growing skill of game character in game-guild and system thereof

Номер патента: WO2007066894A1. Автор: Dae Il Kim. Владелец: NHN CORPORATION. Дата публикации: 2007-06-14.

Single crystal silicon ingot having axial uniformity

Номер патента: US20210363657A1. Автор: Carissima Marie Hudson,Jae-Woo Ryu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

A method for growing single crystals

Номер патента: WO2001090449A1. Автор: Moshe Einav. Владелец: Nanogate Ltd.. Дата публикации: 2001-11-29.

Growth of semiconductor single crystals

Номер патента: US6294017B1. Автор: Donald Thomas James Hurle,Gordon Charles Joyce,Kathryn Elizabeth Mckell. Владелец: National Research Development Corp UK. Дата публикации: 2001-09-25.

Apparatus for producing single crystals and method for producing single crystals

Номер патента: US20020005160A1. Автор: Kouji Kitagawa,Kouji Mizuishi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-17.

Czochralski apparatus for growing crystals and purification method of waste salts using the same

Номер патента: US20090139444A1. Автор: Yoon-Sang Lee,In-Tae Kim,Jong-Hyeon Lee,Eung-ho Kim,Han-Soo Lee. Владелец: Korea Hydro and Nuclear Power Co Ltd. Дата публикации: 2009-06-04.

Foam substrate for growing plants wherein the foam substrate is configured as a plug, and method for manufacturing of such plug

Номер патента: WO2021066651A1. Автор: Martin TIETEMA,Martijn BELJAARS,Vincent VAN ASSEN,Marjolein VENHUIZEN. Владелец: FOAMPLANT B.V.. Дата публикации: 2021-04-08.

Biological sample sorting method, surface acoustic wave microfluidic chip, system, terminal, and storage medium

Номер патента: US20230151313A1. Автор: LONG Meng,Weixing Chen,Xiaoyu Cui,Hairong Zheng,Lili NIU. Владелец: Shenzhen Institute of Advanced Technology of CAS. Дата публикации: 2023-05-18.

Method for calculating a height position of silicon melt surface, method for pulling silicon single crystal, and silicon single crystal pulling apparatus

Номер патента: US09587325B2. Автор: Naoki Masuda,Takahiro Yanagimachi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of forming a temperature gradient in a thermal unit of a furnace for growing fluoride crystals and a device for its implementation

Номер патента: RU2765962C1. Автор: Александр Кондратьевич Наумов,Стелла Леонидовна Кораблева,Радик Дависович Аглямов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Казанский (Приволжский) федеральный университет» (ФГАОУ ВО КФУ). Дата публикации: 2022-02-07.

Method for remote monitoring and diagnostics of condition of structures and engineering structures and device for its implementation

Номер патента: RU2685578C1. Автор: Виктор Иванович Дикарев,Александр Николаевич Бирюков,Юрий Александрович Бирюков,Николай Александрович Савчук,Дмитрий Владимирович Бирюков,Евгений Олегович Добрышкин,Дмитрий Валерьевич Курлапов,Анатолий Петрович Лебедкин,Сергей Андреевич Баранов,Андрей Владимирович Хабарков. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Военная академия материально-технического обеспечения имени генерала армии А.В. Хрулёва" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2019-04-22.

Method for applying artificial reflectors to the body of the sample made of polymeric composite materials

Номер патента: RU2752561C1. Автор: Виктор Анатольевич Стрижак,Андрей Васильевич Пряхин,Роберт Расилевич Хасанов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ижевский государственный технический университет имени М.Т. Калашникова". Дата публикации: 2021-07-29.

Acoustic method for detection of unmanned aerial vehicles

Номер патента: RU2749651C1. Автор: Юрий Игоревич Тихов,Алексей Александрович Косогор,Петр Юрьевич Деркачев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Ростовский-на-Дону научно-исследовательский институт радиосвязи" (ФГУП "РНИИРС"). Дата публикации: 2021-06-16.

Stable crystalline form of tipiracil hydrochloride and method for its crystallization

Номер патента: RU2674441C1. Автор: Хидеки КАДЗУНО,Томонобу МУЦУМИ. Владелец: Тайхо Фармасьютикал Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-12-10.

Method for growing winter wheat in the conditions of the southern regions of russia

Номер патента: RU2760750C1. Автор: Ольга Леонидовна Овсиенко,Людмила Александровна Чайковская,Валентина Васильевна Ключенко,Марина Ивановна Баранская,Нина Николаевна Клименко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки "Научно-исследовательский институт сельского хозяйства Крыма". Дата публикации: 2021-11-30.

Method for growing single crystals of dissociative compounds

Номер патента: US4664742A. Автор: Koichi Sassa,Kenji Tomizawa,Yasushi Shimanuki. Владелец: Research Development Corp of Japan. Дата публикации: 1987-05-12.

Device for growing of protein single crystals

Номер патента: RU2040595C1. Автор: В.Н. Кузнецов,Г.А. Простова,О.В. Митичкин,В.Я. Другов. Владелец: Головное конструкторское бюро научно-производственного объединения "Энергия" им.акад.С.П.Королева. Дата публикации: 1995-07-25.

Nonlinear optical and photoluminescent material of rare earth samarium scandoborate and method for synthesis thereof

Номер патента: RU2759536C1. Автор: Валерий Анатольевич Светличный,Артем Борисович Кузнецов,Константин Александрович Кох,Надежда Георгиевна Кононова,Вячеслав Сергеевич Шевченко,Екатерина Александровна Симонова,Александр Егорович Кох,Аммар Жамус. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева Сибирского отделения Российской академии наук (Институт геологии и минералогии СО РАН, ИГМ СО РАН). Дата публикации: 2021-11-15.

Surface acoustic wave sensor for wireless passive measurement of displacements

Номер патента: RU2586086C1. Автор: Геннадий Анатольевич Сапожников,Иван Георгиевич Анцев,Валерий Федорович Дмитриев,Кирилл Сергеевич Метелкин. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Радар ммс". Дата публикации: 2016-06-10.

Method for breeding diamondback moth plutella xylostella l

Номер патента: RU2735251C1. Автор: Ирина Валерьевна Андреева,Елена Игоревна Шаталова,Екатерина Георгиевна Ульянова. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ СИБИРСКИЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ НАУЧНЫЙ ЦЕНТР АГРОБИОТЕХНОЛОГИЙ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (СФНЦА РАН). Дата публикации: 2020-10-29.

Method of testing acoustic wave devices

Номер патента: US20220244301A1. Автор: Chun Sing Lam,Toru Jibu,Zhaogeng Xu. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

Method for growing iii nitride single crystal

Номер патента: EP2000567A9. Автор: Hideaki Nakahata,Shinsuke Fujiwara,Tomohiro Kawase,Michimasa Miyanaga,Naho Mizuhara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2009-03-25.

Method for producing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20210230768A2. Автор: Yohei FUJIKAWA,Hidetaka Takaba. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2021-07-29.

Quartz crucible for growing silicon single crystal, method of manufacturing quartz crucible for growing silicon single crystal and method of manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US20130276694A1. Автор: Hidetoshi Utsuro,Masafumi Okamoto,Naoya Ryoki,Ryo Kuwabara. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-10-24.

A revolving valve for feeding air pulses to a resonance tube for generating low-frequency sound and a method for feeding these pulses in an optimal way

Номер патента: EP4288669A1. Автор: Mats Olsson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-12-13.

A revolving valve for feeding air pulses to a resonance tube for generating low-frequency sound and a method for feeding these pulses in an optimal way

Номер патента: WO2022167425A1. Автор: Mats Olsson. Владелец: Mats Olsson. Дата публикации: 2022-08-11.

An independent aeroponic farming unit and method for independent aeroponic farming

Номер патента: FI20205971A1. Автор: Raine HERMANS,Sami TUOMINEN,Markku Peittola. Владелец: Aeropod Oy. Дата публикации: 2022-04-06.

Optical element made from fluoride single crystal, method for manufacturing optical element, method for calculating birefringence of optical element and method for determining direction of minimum birefringence of optical element

Номер патента: US20010024314A1. Автор: Shigeru Sakuma,Shuuichi Takano. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

A method for growing botanical items and providing a decorative cover for same

Номер патента: CA2099904A1. Автор: Donald E. Weder,William F. Straeter. Владелец: Highland Supply Corp. Дата публикации: 1994-01-31.

Shear horizontal-surface acoustic wave system and method for measurement and speciation of hydrocarbons in groundwater

Номер патента: CA2989408C. Автор: Antonio J. Ricco,Florian Bender,Fabien J. Josse,Ravindra Vasant KOLHATKAR,Rachel Ellen Mohler. Владелец: Chevron USA Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Cultivation system for energy crops having rhizome, growing medium for this purpose, and method for growing energy crops having rhizome

Номер патента: EP4430943A1. Автор: Farkas Bela. Владелец: Envirotis Holding Zartkoerueen Muekoedoe Reszvenytarsasag. Дата публикации: 2024-09-18.

Growing methods for plants in containers

Номер патента: US20190208712A1. Автор: Elie Gendloff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-07-11.

Apparatus and method for real-time in-situ simultaneous measurement of temperature and mechanical parameters

Номер патента: US20240302203A1. Автор: Shuang Li,Dan Hu,Qiulin Tan,Xiaorui LIANG. Владелец: NORTH UNIVERSITY OF CHINA. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for growing tomato in field with returned straw

Номер патента: AU2023202135A1. Автор: Hong Wei,Yingying HU,Chuanwei ZHANG,Yongjun Hu,Youxin Xu,Guiyu Lin,Subo Tian,Yansu LI,Ronghuan ZHANG. Владелец: Shandong Colorful Manor Vegetable And Food Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Method for producing surface-treated glass fiber film and flexible fiber substrate

Номер патента: US09902649B2. Автор: Toshio Shiobara,Yoshihira Hamamoto,Saiko AKAHANE. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Method and arrangement for growing plants

Номер патента: US09675014B2. Автор: Hans HASSLE. Владелец: PLANTAGON INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2017-06-13.

Single crystal quartz chips for protein crystallization and X-ray diffraction data collection and related methods

Номер патента: US09632042B2. Автор: ZHONG Ren. Владелец: Renz Research Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US09476142B2. Автор: Nobuaki Mitamura. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Passive wireless ultraviolet radiation sensor on surface acoustic waves

Номер патента: RU2692832C1. Автор: Геворк Яковлевич Карапетьян,Евгений Михайлович Кайдашев,Владимир Евгеньевич Кайдашев. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет". Дата публикации: 2019-06-28.

Stable crystalline form of typiracyl hydrochloride and method for its crystallization

Номер патента: RU2640417C2. Автор: Хидеки КАДЗУНО,Томонобу МУЦУМИ. Владелец: Тайхо Фармасьютикал Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-01-09.

Diamond single crystal substrate manufacturing method and diamond single crystal substrate

Номер патента: US20050155543A1. Автор: Takahiro Imai,Yoshiyuki Yamamoto,Kiichi Meguro. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2005-07-21.

Method for growing lysine-producing gram-positive bacterium for biologically active compounds delivery to ruminant animals; feed supplement (versions) and ruminant animals feeding method

Номер патента: RU2416636C2. Автор: Лайл М. РОУД,Джеймс К. НЬЮБОЛД. Владелец: Сейдж Байосайенсиз Инк.. Дата публикации: 2011-04-20.

Crystal puller and method for growing a monocrystalline ingot

Номер патента: US8147613B2. Автор: Milind Kulkarni. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2012-04-03.

Method for obtaining dispersion of silicon 2d nano-crystals in an organic solvent for photovoltaic applications

Номер патента: RU2672160C2. Автор: Валерий Николаевич Захаров,Леонид Александрович Асланов,Александр Васильевич Яценко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2018-11-12.

Method for making jewelry from synthetic gemstone (options)

Номер патента: RU2770399C1. Автор: Тюл-Хун ТЁЙ,Дун-Вук СИНЬ,Инь-Сан ЁОН,Чун-Минь КИМ. Владелец: Виеа Лоджис Ко., Лтд.. Дата публикации: 2022-04-15.

Method for growing silicon single crystal

Номер патента: US20040244674A1. Автор: Toshiaki Ono,Tadami Tanaka,Hideshi Nishikawa,Shigeru Umeno,Eiichi Asayama. Владелец: Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp. Дата публикации: 2004-12-09.

Method for growing single crystals

Номер патента: US20240035200A1. Автор: Robert Ebner,Ghassan Barbar,Kanaparin Ariyawong,Chih-yung Hsiung. Владелец: EBNER INDUSTRIEOFENBAU GMBH. Дата публикации: 2024-02-01.

Surface acoustic wave filter using novel peizoelectric single crystal substrate

Номер патента: US20020185933A1. Автор: Hyeong-Joon Kim,Jin-Yong Kim,Sang-Goo Lee. Владелец: Ibule Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-12.

Method and device for manufacturing silicon carbide single-crystal

Номер патента: US20130239881A1. Автор: Shin Harada,Makoto Sasaki,Hiroki Inoue,Shinsuke Fujiwara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-09-19.

Method for evaluating degree of crystal orientation in polycrystalline silicon, selection method for polycrystalline silicon rods, and production method for single-crystal silicon

Номер патента: US20150047554A1. Автор: Shigeyoshi Netsu,Junichi Okada,Shuichi Miyao. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-19.

Lighting assembly, enclosure and method for growing plants using specific wavelength LED's

Номер патента: NZ583334A. Автор: Johannes Otto Rooymans. Владелец: Lemnis Lighting Patent Holding B V. Дата публикации: 2012-04-27.

Method and device for cloaking acoustic wave by using scattering media having spatial periodicity

Номер патента: US20170103747A1. Автор: Do Yeol Ahn. Владелец: Industry Cooperation Foundation of University of Seoul. Дата публикации: 2017-04-13.

Method for producing single crystal diamond, and single crystal diamond

Номер патента: EP4365338A1. Автор: Ryuji Oshima,Alexander Vul,Kanji Iizuka,Fedor Shakhov. Владелец: Ioffe Institute. Дата публикации: 2024-05-08.

Magnesium oxide single crystal and method for producing the same

Номер патента: US20090053131A1. Автор: Yoshifumi Kawaguchi,Masaaki Kunishige,Atsuo Toutsuka. Владелец: TATEHO CHENMICAL Ind Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-26.

Method for growing high-quality heteroepitaxial monoclinic gallium oxide crystal

Номер патента: US12049709B2. Автор: Fatih AKYOL. Владелец: Yildiz Teknoloji Transfer Ofisi AS. Дата публикации: 2024-07-30.

Method for producing silicon carbide single crystal in a solution process using a seed crystal having a bottom face with a circular shape and at least a partially removed section

Номер патента: US10260167B2. Автор: Katsunori Danno. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-04-16.

Wet-tip die for efg crystal growth apparatus and method for growing tubular crystalline bodies therewith

Номер патента: IL98267A. Автор: . Владелец: Mobil Solar Energy Corp. Дата публикации: 1995-06-29.

Method for growing leaf vegetables and/or herbs and/or potato plants and device there for

Номер патента: CA3239829A1. Автор: Thomas Peters,Hendricus Johannes Richard BRUINS,Sina SAMIMI-SEDEH,Robert Luc TISSINGH,Ronaldus Cornelis Maria PETERS,Theun PETERS. Владелец: Ferr Tech BV. Дата публикации: 2023-03-30.

Method for producing single crystal, and method for producing silicon wafer

Номер патента: US10233562B2. Автор: Yasuhito Narushima,Toshimichi Kubota,Fukuo Ogawa,Masayuki Uto. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2019-03-19.

Automatic vertical farming system and method for growing plants in a soilless growing environment

Номер патента: WO2022023333A1. Автор: . Владелец: Infarm - Indoor Urban Farming GmbH. Дата публикации: 2022-02-03.

Method for growing leaf vegetables and/or herbs and/or potato plants and device there for

Номер патента: EP4404732A1. Автор: Thomas Peters,Hendricus Johannes Richard BRUINS,Sina SAMIMI-SEDEH,Robert Luc TISSINGH,Ronaldus Cornelis Maria PETERS,Theun PETERS. Владелец: Ferr Tech BV. Дата публикации: 2024-07-31.

Apparatus and method for producing single crystal, and silicon single crystal

Номер патента: US20060107889A1. Автор: Kazuyuki Egashira,Norihito Fukatsu,Senrin Fu. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2006-05-25.

Apparatus and method for producing single crystal, and silicon single crystal

Номер патента: US20080038179A1. Автор: Kazuyuki Egashira,Norihito Fukatsu,Senrin Fu. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2008-02-14.

Apparatus, system and methods for improved vertical farming

Номер патента: US20240215507A1. Автор: Jacob David Counne. Владелец: Wilder Fields LLC. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for Producing Single Crystal Diamond and Single Crystal Diamond

Номер патента: US20240318348A1. Автор: Ryuji Oshima,Alexander Vul,Kanji Iizuka,Fedor Shakhov. Владелец: Ioffe Institute. Дата публикации: 2024-09-26.

Touch sensor and method for determining the position of a touch

Номер патента: EP2350795A1. Автор: Gerhard Lindner,Gerhard Tritt,Andreas Buchholz,Michael Munch. Владелец: HOCHSCHULE FUER ANGEWANDTE WISSENSCHAFTEN FACHHOCHSCHULE COBURG. Дата публикации: 2011-08-03.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: US20240328029A1. Автор: Keisuke Mihara. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Apparatus and method for real-time in-situ simultaneous measurement of temperature and mechanical parameters

Номер патента: US12072231B1. Автор: Shuang Li,Dan Hu,Qiulin Tan,Xiaorui LIANG. Владелец: NORTH UNIVERSITY OF CHINA. Дата публикации: 2024-08-27.

Silicon single crystal growing device and method of growing the same

Номер патента: US09777395B2. Автор: Su-In Jeon. Владелец: LG Siltron Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for producing an n-type SiC single crystal from a Si—C solution comprising a nitride

Номер патента: US09702057B2. Автор: Takayuki Shirai. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Property measuring device for object to be measured and property measuring method for object to be measured

Номер патента: US09551688B2. Автор: Kenji Ikushima. Владелец: Tokyo University of Agriculture and Technology NUC. Дата публикации: 2017-01-24.

Sustainable aquaponic system and method for growing plants like medical cannabis

Номер патента: US09538733B2. Автор: Trent Jones. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of interrogating a sensor of surface acoustic wave type

Номер патента: US09435768B2. Автор: Sylvain Ballandras,Jean-Michel Friedt,Thibault Retornaz. Владелец: SENSEOR. Дата публикации: 2016-09-06.

Quartz glass crucible, method for producing the same, and method for producing silicon single crystal

Номер патента: US09376336B2. Автор: Akihiro Kimura,Izumi Fusegawa,Katsuhiko Miki,Suguru Matsumoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

Apparatus and method for manufacturing of suction layer for prosthesis

Номер патента: RU2263489C2. Автор: Хильмар ЯНУССОН,Фрейгароур ТОРСТЕЙНССОН,Сигуроур А. АСГЕЙРССОН,Пальми ЭЙНАРССОН. Владелец: Оссур, Инк.. Дата публикации: 2005-11-10.

Method for installing facing elements on the bearing surface (variants) and surface facing

Номер патента: RU2761224C1. Автор: Алексей Николаевич Петров. Владелец: Яцун Андрей Николаевич. Дата публикации: 2021-12-06.

Method for piglets colibacillosis prevention and treatment

Номер патента: RU2739305C1. Автор: Вера Михайловна Усевич,Михаил Иванович Барашкин,Анатолий Дмитриевич Алексеев,Ольга Григорьевна Петрова,Игорь Маркович Мильштейн,Светлана Юрьевна Кочергина,Сергей Витальевич Патрушев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уральский государственный аграрный университет" (ФГБОУ ВО Уральский ГАУ). Дата публикации: 2020-12-22.

Method for manufacturing the surfaces of the assembly body of the coffin, the surface manufactured by the described method, and the body of the coffin with the group of the specified surfaces

Номер патента: RU2746455C2. Автор: Кристос МИКАЛАКОС,Фотиос КУТРОПУЛОС,Каралабос МИКАЛАКОС. Владелец: Каралабос МИКАЛАКОС. Дата публикации: 2021-04-14.

Hydrogel material based on a chitosan-containing salt and a method for production thereof

Номер патента: RU2707973C1. Автор: Татьяна Григорьевна Хонина,Ольга Николаевна Малинкина,Анна Борисовна Шиповская,Юлия Юрьевна Журавлева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского". Дата публикации: 2019-12-03.

Cellular line human immortalized keratinocytes (variants) and method for immortalizing human skin cells

Номер патента: RU2244005C2. Автор: Маркус БАУР. Владелец: Сосьете де Продюи Нестле С.А.. Дата публикации: 2005-01-10.

Surface acoustic wave die methods and systems

Номер патента: US20060055286A1. Автор: James Cook,Wayne Ehlers,Gary Eisenhower,Brian Marsh. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2006-03-16.

Method for determining critical concentration of surface-active micellular formation

Номер патента: RU2743736C1. Автор: Наталья Анатольевна Иванова,Виктор Михайлович Флягин. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Тюменский государственный университет". Дата публикации: 2021-02-25.

Method for growing GZO (ZnO:Ga) crystals

Номер патента: US9458553B2. Автор: Qiang Wang,Yue Wang,Yunfeng Ma,Yijian Jiang,Xiaoping Mei,Chunping ZHANG,Yangli Xu. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-10-04.

Aln bulk single crystal, semiconductor device using the same and method for producing the same

Номер патента: CA2719826C. Автор: Shunro Nagata,Albrecht Winnacker,Boris M Epelbaum,Matthias Bickermann,Octavian Filip,Paul Heimann. Владелец: Crystal N GmbH. Дата публикации: 2013-05-28.

Method for growing gallium oxide single crystal by casting and semiconductor device containing gallium oxide single crystal

Номер патента: US11898266B2. Автор: Ning Xia,HUI Zhang,Yingying LIU,Deren Yang,Keke Ma. Владелец: Hangzhou Garen Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Method for growing gallium oxide single crystal by casting and semiconductor device containing gallium oxide single crystal

Номер патента: US20230340689A1. Автор: Ning Xia,HUI Zhang,Yingying LIU,Deren Yang,Keke Ma. Владелец: Hangzhou Garen Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Apparatus for growing a SiC single crystal ingot comprising a filter unit having a porous body surrounding an opening unit that is located under a seed crystal

Номер патента: US11859305B2. Автор: Jung-Gyu Kim,Byung Kyu Jang,Jung Woo Choi,Sang Ki Ko,Kap-Ryeol KU. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Apparatus and Method for Growing a Crystal and Heating an Annular Channel Circumscribing the Crystal

Номер патента: US20090007840A1. Автор: Olexy V. Radkevich,Keith Ritter,Mehmed Becirovic. Владелец: Siemens Medical Solutions USA Inc. Дата публикации: 2009-01-08.

Pressure monitoring systems and methods for monitoring pressure of evacuation assembly charge cylinders

Номер патента: US20220196501A1. Автор: Karthik Jegatheeswaran,Venkata Sai Sudheer Kumar Vennelakanti. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Method of growing semi-insulating silicon carbide single crystal ingot and apparatus for growing silicon carbide single crystal ingot

Номер патента: US20230193506A1. Автор: Jung-Gyu Kim,Byung Kyu Jang,Jung Woo Choi,Sang Ki Ko,Kap-Ryeol KU. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Omnidirectional spiral surface acoustic wave generation

Номер патента: WO2020232348A1. Автор: Naiqing Zhang,James Friend,Gopesh TILVAWALA,Jiyang MEI. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2020-11-19.

Method for growing single crystals

Номер патента: US20230357952A1. Автор: Robert Ebner,Ghassan Barbar,Kanaparin Ariyawong,Chih-yung Hsiung. Владелец: EBNER INDUSTRIEOFENBAU GMBH. Дата публикации: 2023-11-09.

Shield member and apparatus for growing single crystal equipped with the same

Номер патента: US20120318198A1. Автор: Akihiro Matsuse. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2012-12-20.

Method for producing sic single crystal

Номер патента: US20180100247A1. Автор: Katsunori Danno. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Method for manufacturing silicon carbide single crystal and silicon carbide single crystal ingot

Номер патента: US20240110309A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO,Akiyoshi HORIAI,Kiyoshi Betsuyaku. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Control systems and methods for managing a localized growing environment

Номер патента: CA3215653A1. Автор: Ulf Jonsson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-10-27.

Method for producing silicon ingot single crystal

Номер патента: US20230160095A1. Автор: Kazuo Nakajima,Masami Nakanishi,Wen-Ching Hsu,Yu Sheng Su. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Method for growing long-seed dkdp crystal by two-dimensional motion

Номер патента: US20230227995A1. Автор: Bin Wang,Hang Liu,Chuan Zhou,Hongji QI,Jianda SHAO,Duanyang Chen,Mingwel Li,Huawei Yin. Владелец: Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics of CAS. Дата публикации: 2023-07-20.

Method for producing nitride single crystal

Номер патента: US20180187328A1. Автор: Makoto Saito,Shigefusa Chichibu,Yuji Kagamitani,Tohru Ishiguro,Chiaki Yokoyama,Rinzo Kayano,Quanxi Bao,Daisuke TOMIDA,Mutsuo UEDA. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2018-07-05.

Method for manufacturing single crystal

Номер патента: US20140238292A1. Автор: Atsushi Iwasaki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-28.

Method for producing nitride single crystal

Номер патента: US20150023862A1. Автор: Makoto Saito,Shigefusa Chichibu,Toru Ishiguro,Yuji Kagamitani,Chiaki Yokoyama,Rinzo Kayano,Quanxi Bao,Daisuke TOMIDA,Mutsuo UEDA. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-01-22.

Device for growing an artificially produced single crystal, in particular a sapphire single crystal

Номер патента: US20240068129A1. Автор: Robert Ebner,Jong Kwan Park,Ghassan Barbar,Gourav SEN. Владелец: Fametec GmbH. Дата публикации: 2024-02-29.

Compositions and methods for growing the population of microorganisms in a gut of monogastric animals

Номер патента: WO2020249246A1. Автор: Emmanuelle Apper,Mathieu CASTEX,Caroline ACHARD. Владелец: DANSTAR FERMENT AG. Дата публикации: 2020-12-17.

Method for producing si ingot single crystal, si ingot single crystal, and apparatus thereof

Номер патента: US20210363656A1. Автор: Kazuo Nakajima,Masami Nakanishi,Wen-Ching Hsu,Yu Sheng Su. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Method for producing Si ingot single crystal, Si ingot single crystal, and apparatus thereof

Номер патента: US12037696B2. Автор: Kazuo Nakajima,Masami Nakanishi,Wen-Ching Hsu,Yu Sheng Su. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Bioactive coating for surface acoustic wave sensor

Номер патента: EP3649464A1. Автор: Amitava Gupta,Soumen Das,John Martin HAMLYN. Владелец: Aviana Molecular Technologies LLC. Дата публикации: 2020-05-13.

Group iia metal fluoride single crystals suitable for below 200 nm optical lithography and a method for selecting such crystals

Номер патента: US20050031970A1. Автор: Chong An,Charlene Smith. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2005-02-10.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for growing red aluminum oxide gemstone single crystal

Номер патента: CN104790035A. Автор: 李永峰,高玉强,宗艳民,张志海,王希杰,刘耀华,于国建,杨树莲. Владелец: SICC Science and Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-22.

Method for growing large-size square sapphire single crystal

Номер патента: CN103556223A. Автор: 陈晨,程鹏,刘维娜,陈洪建,阎文博,卢纪军,刘彩池,王运满. Владелец: TANGSHAN RISTAL PHOTOELECTRIC SCIENCE & TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-05.

METHOD FOR MEASURING AND CONTROLLING DISTANCE BETWEEN LOWER END SURFACE OF HEAT SHIELDING MEMBER AND SURFACE OF RAW MATERIAL MELT AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20130058540A1. Автор: Sugawara Kosei,Urano Masahiko,Hoshi Ryoji. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2013-03-07.

Method for preparing industrial-grade vanadium-doped unhydrous single-crystal noble spinel

Номер патента: ZA202302058B. Автор: Hu Haiying,Dai Lidong. Владелец: Inst Geochemistry Cas. Дата публикации: 2023-05-31.

Method and device for growing high dissociation pressure compound single crystal for semiconductor by double-sealed melt pulling method

Номер патента: JPS5580796A. Автор: Kenji Tomizawa,Mikio Kishimoto,Fukuhiko Suga,Mizuhiro Umehara,Kazutoshi Asakusa. Владелец: Mitsubishi Metal Corp. Дата публикации: 1980-06-18.

Graphite crucible for growing large-size silicon carbide single crystal by physical vapor deposition method and application thereof

Номер патента: CN102534763A. Автор: 高玉强,胡小波,郝霄鹏. Владелец: SICC Science and Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-04.

Process for growing high-quality compound semiconductor single crystal by means of rotation-vertical gradient freeze (R-VGF) method

Номер патента: CN104073872A. Автор: 徐兰兰,张学锋,王玉辰. Владелец: DAQING JIACHANG JINGNENG INFORMATION MATERIALS Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-01.

Seedholder mechanism used for growing of large-size sapphire single crystal

Номер патента: CN203007476U. Автор: 徐秋峰,蔡建华,段金柱,王勤峰,樊志远,马劲松,段斌斌. Владелец: TDG HOLDING CO Ltd. Дата публикации: 2013-06-19.

Method for etching medium carbon steel matrix, antifriction and antiwear composite lubricating film, and preparation method therefor

Номер патента: ZA202110765B. Автор: Jian Zhang,Yong Wan,Mingming Liu,Yifang Liu,Zhongqian Wang. Владелец: Univ Qilu Technology. Дата публикации: 2022-03-30.

METHOD FOR PRODUCING N-TYPE GROUP III NITRIDE SINGLE CRYSTAL, N-TYPE GROUP III NITRIDE SINGLE CRYSTAL, AND CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20120049137A1. Автор: Iwata Hirokazu. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2012-03-01.

Surface-treated copper or copper alloy product, surface treatment method for copper or copper alloy, surface treatment agent used for the surface treatment, and surface treatment agent kit used for the surface treatment

Номер патента: JP2005068473A. Автор: Kazuhiko Arimatsu,信義 南部,一比古 有松,Nobuyoshi Nanbu. Владелец: Chubu Chelest Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-17.

BASE MATERIAL WITH SINGLE-CRYSTAL SILICON CARBIDE FILM, METHOD OF PRODUCING SINGLE-CRYSTAL SILICON CARBIDE FILM, AND METHOD OF PRODUCING BASE MATERIAL WITH SINGLE-CRYSTAL SILICON CARBIDE FILM

Номер патента: US20120021173A1. Автор: Shimada Hiroyuki. Владелец: SEIKO EPSON CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-26.

A method for automatically controlling the process of growing single crystals by the Czochralski method

Номер патента: SU485763A1. Автор: Сергей Миронович Вишневский,Анатолий Федорович Лавров,Владимир Дмитриевич Цицугин. Владелец: Предприятие П/Я Г-4147. Дата публикации: 1975-09-30.

Method for measuring point defect distribution of silicon single crystal ingot

Номер патента: JP4200845B2. Автор: 一成 栗田. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2008-12-24.

Method for producing p-type cubic silicon carbide single crystal thin film

Номер патента: JP4123319B2. Автор: 正人 吉川,一聡 児島. Владелец: 独立行政法人 日本原子力研究開発機構. Дата публикации: 2008-07-23.

Method for finding and controlling seeding temperature of single crystal furnace

Номер патента: CN102586864A. Автор: 袁玉平. Владелец: CHANGZHOU BAIER PHOTOELECTRIC EQUIPMENT Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-18.

System and method for simultaneously growing two large-size sapphire single crystal plates

Номер патента: CN109811411B. Автор: 邱文,黄小杰,邱一豇,吴立昌,冷和杰. Владелец: Sichuan United Crystal New Material Co ltd. Дата публикации: 2021-10-08.

Method for producing optical component made of rutile single crystal

Номер патента: JP3062031B2. Автор: 明夫 高橋,利光 稲垣. Владелец: 富士電気化学株式会社. Дата публикации: 2000-07-10.

SYSTEMS AND METHODS FOR MANIPULATING A 3D OBJECT IN A 3D MODEL USING A SOFTWARE WIDGET AND SURFACE CONSTRAINTS

Номер патента: US20130227493A1. Автор: SCHMIDT Ryan Michael. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-29.

Method for detecting organic pollutants by virtue of combination of solid phase micro-extraction and surface enhancement Raman

Номер патента: CN104458698A. Автор: 占金华,刘翠翠. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2015-03-25.

METHOD FOR PRODUCING SOFT MAGNETIC METAL POWDER COATED WITH MG-CONTAINING OXIDE FILM AND METHOD FOR PRODUCING COMPOSITE SOFT MAGNETIC MATERIAL USING SAID POWDER

Номер патента: US20120070567A1. Автор: . Владелец: Diamet Corporation. Дата публикации: 2012-03-22.

METHOD FOR FORMING AN ELECTRICALLY CONDUCTIVE OXIDE FILM, AN ELECTRICALLY CONDUCTIVE OXIDE FILM, AND USES FOR THE SAME

Номер патента: US20120217454A1. Автор: . Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2012-08-30.

Organic thin film, method for selecting the same, method for measuring the number of trap carriers in the organic thin film, and electronic device

Номер патента: JP5568410B2. Автор: 弥 外山,卓郎 椙山. Владелец: ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド. Дата публикации: 2014-08-06.

Method for manufacturing liquid crystal alignment film, liquid crystal alignment film, optical film and image viewing display

Номер патента: CN100392488C. Автор: 川本育郎,米泽秀行,上条卓史,梅本清司. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2008-06-04.

Method for producing white heat-shrinkable polyester film, white heat-shrinkable polyester film, and package

Номер патента: JP2014031011A. Автор: Katsuhiko Nose,Masatoshi Hashimoto,克彦 野瀬,雅幸 春田,幸伸 向山,Masayuki Haruta,正敏 橋本,Yukinobu Mukoyama. Владелец: Toyobo Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-20.

Method for producing coating film with use of aerosol, particulate therefor, coating film and composite material

Номер патента: TW200706695A. Автор: Hironori Hatono,Junichi Iwasawa,Hiroaki Ashizawa. Владелец: TOTO LTD. Дата публикации: 2007-02-16.

GROWTH OF LARGE ALUMINUM NITRIDE SINGLE CRYSTALS WITH THERMAL-GRADIENT CONTROL

Номер патента: US20120000414A1. Автор: Schowalter Leo J.,Bondokov Robert T.,Rao Shailaja P.,Gibb Shawn Robert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Hydrophone on surface acoustic waves

Номер патента: RU2368099C1. Автор: Михаил Юрьевич Двоешерстов. Владелец: ОТКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "Научно-производственное объединение "ЭРКОН". Дата публикации: 2009-09-20.

Method for growing single crystals of lanthanum-gallium silicate

Номер патента: RU2108417C1. Автор: О.А. Бузанов. Владелец: Товарищество с ограниченной ответственностью фирма "ФОМОС". Дата публикации: 1998-04-10.

Large Area Nitride Crystal and Method for Making It

Номер патента: US20120000415A1. Автор: Speck James S.,"DEvelyn Mark P.". Владелец: Soraa, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003811A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003823A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SINGLE CRYSTAL COOLING APPARATUS AND SINGLE CRYSTAL GROWER INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120000416A1. Автор: Wang Hak-Eui,Na Gwang-Ha. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for growing of sapphire single crystals from melt

Номер патента: RU2350699C2. Автор: Николай Иванович Каргин,Маргарита Васильевна Николенко,Эдуард Викторович Еськов. Владелец: Открытое акционерное общество "Концерн Энергомера". Дата публикации: 2009-03-27.

Method for manufacturing filter on surface acoustic waves

Номер патента: RU2640961C2. Автор: Олег Всеволодович Машинин,Роман Викторович Егоров,Татьяна Викторовна Синицина,Ольга Викторовна Саввина,Виктор Валерьевич Прапорщиков. Владелец: ООО "Бутис". Дата публикации: 2018-01-12.

ANNEALED WAFER, METHOD FOR PRODUCING ANNEALED WAFER AND METHOD FOR FABRICATING DEVICE

Номер патента: US20120001301A1. Автор: Ebara Koji,KIKUCHI Hiroyasu,Hayamizu Yoshinori. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for growing silicon single crystals

Номер патента: RU2077615C1. Автор: З.А. Сальник,Ю.А. Микляев. Владелец: Акционерное общество "Подольский химико-металлургический завод". Дата публикации: 1997-04-20.

FLAME-RETARDANT POLY LACTIC ACID-CONTAINING FILM OR SHEET, AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120003459A1. Автор: . Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making surface acoustic wave devices

Номер патента: RU2540784C2. Автор: Иван Александрович Корж,Ольга Ивановна СОЛОДОВНИКОВА,Игорь Анатольевич Тихонов,Борис Андреевич Косарев. Владелец: Открытое акционерное общество "Омский научно-исследовательский институт приборостроения" (ОАО "ОНИИП"). Дата публикации: 2015-02-10.

Method for detection, identification and determination of space coordinates of objects at surfacing of underwater vehicle

Номер патента: RU2308052C1. Автор: Сергей Алексеевич Бахарев. Владелец: Сергей Алексеевич Бахарев. Дата публикации: 2007-10-10.

MAGNESIUM DIBORIDE SUPERCONDUCTING WIRE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120004110A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for production of single crystals of potassium and niobium silicate

Номер патента: RU2093616C1. Автор: О.В. Димитрова,Е.Е. Стрелкова. Владелец: Геологический факультет МГУ им.М.В.Ломоносова. Дата публикации: 1997-10-20.

OPTICAL FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, ANTIGLARE FILM, POLARIZER WITH OPTICAL LAYER, AND DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120002282A1. Автор: Suzuki Ryo,Haga Yumi,Nagahama Tsutomu,Matsumura Shinichi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of growing single crystals of lanthanum-gallium silicate

Номер патента: RU2126064C1. Автор: О.А. Бузанов,В.В. Аленков,А.Б. Гриценко. Владелец: Рафида Девелопментс Инкорпорейтед. Дата публикации: 1999-02-10.

Method to measure deformation of sensitive element on surface acoustic waves

Номер патента: RU2487326C1. Автор: Георгий Владимирович Анцев,Сергей Владимирович Богословский,Геннадий Анатольевич Сапожников,Иван Георгиевич Анцев,Анатолий Валерианович Виноградов,Мария Вадимовна Степанец. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Радар ммс". Дата публикации: 2013-07-10.

Method for detection of vessels in distress

Номер патента: RU2514131C1. Автор: Виктор Иванович Дикарев,Вячеслав Адамович Заренков,Дмитрий Вячеславович Заренков,Борис Васильевич Койнаш. Владелец: Борис Васильевич Койнаш. Дата публикации: 2014-04-27.

Method for after-development of photoresist deposited on piezoelectric substrate

Номер патента: RU2401321C2. Автор: Сергей Суренович Нерсесов,Александр Алексеевич Голубский,Анатолий Аркадьевич Трусов. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Элпа" с опытным производством" (ОАО "НИИ "Элпа"). Дата публикации: 2010-10-10.

SURFACE ACOUSTIC WAVE SENSOR DEVICE INCLUDING TARGET BIOMOLECULE ISOLATION COMPONENT

Номер патента: US20120000779A1. Автор: LEE Hun Joo,LEE Soo Suk,HAN Kyung Yeon,KIM Jae Ho,SONG Mi Jeong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL MODULATOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120003767A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITION AND METHOD FOR CONTROLLING PLANT DISEASES

Номер патента: US20120004099A1. Автор: Kurahashi Makoto,Matsuzaki Yuichi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Multi-channel filter on surface acoustic waves

Номер патента: RU2333596C2. Автор: Константин Валентинович Николаенко,Михаил Афанасьевич Евдокимов,Сергей Александрович Доберштейн. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие Омский научно-исследовательский институт приборостроения. Дата публикации: 2008-09-10.

METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001878A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Nozzle plate and method for manufacturing the nozzle plate, and inkjet printer head with the nozzle plate

Номер патента: US20120001986A1. Автор: Kim Young Jae. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002133A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,Hirakata Yoshiharu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120003446A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Sensitive element of resonant gyroscope on surface acoustic waves with driver

Номер патента: RU2345446C1. Автор: Владимир Сергеевич Богословский. Владелец: Владимир Сергеевич Богословский. Дата публикации: 2009-01-27.

Method for vibratory bed treatment in injection wells

Номер патента: RU2276255C1. Автор: Юрий Александрович Савиных,Лариса Александровна Клепалова,Альфира Хусаиновна Утешева,Алик Каюмович Ягофаров. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Тюменский государственный нефтегазовый университет. Дата публикации: 2006-05-10.

Method for manufacturing of high-temperature superconducting josephson junction

Номер патента: RU2105390C1. Автор: Михаил Юрьевич Куприянов,Сергей Николаевич Поляков,Анатолий Михайлович Балбашов,Олег Васильевич Снигирев,Эрнст Константинович Ковьев,Игорь Иванович Венгрус,Игорь Юрьевич Парсегов. Владелец: Игорь Юрьевич Парсегов. Дата публикации: 1998-02-20.

SYSTEM AND METHOD FOR DISTINGUISHING INPUT OBJECTS

Номер патента: US20120001855A1. Автор: TRENT,JR. Raymond Alexander,Palsan Carmen. Владелец: SYNAPTICS INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120002693A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHOD FOR REPLICATING A USER INTERFACE AT A DISPLAY

Номер патента: US20120004033A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Passive identification mark on surface acoustic waves with resonator

Номер патента: RU2350982C2. Автор: Владимир Сергеевич Богословский. Владелец: Владимир Сергеевич Богословский. Дата публикации: 2009-03-27.

Frequency-selective device for processing surface acoustic wave signals

Номер патента: RU2507677C1. Автор: Сергей Аполлонович Никитов,Дмитрий Владимирович Калябин,Иван Викторович Лисенков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2014-02-20.

Using amosov method for growing monocrystals from melt

Номер патента: RU2261297C1. Автор: В.И. Амосов. Владелец: Амосов Владимир Ильич. Дата публикации: 2005-09-27.

Method for growing lithium iodate monocrystal out of solution at continuous drawing of grown crystal outside growth chamber

Номер патента: RU2291919C1. Автор: Олег Григорьевич Портнов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный институт стали и сплавов" (технологический университет). Дата публикации: 2007-01-20.

Monocrystal for manufacture of disks in surface acoustic wave devices and method of obtaining monocrystal

Номер патента: RU2172362C2. Автор: Т.А. Степанова,В.И. Курочкин,В.П. Горохов,Б.А. Дороговин,И.М. Филиппов,А.А. Цеглеев,Г.А. Лаптева,А.Б. Дубовский,С.Ю. Степанов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт синтеза минерального сырья". Дата публикации: 2001-08-20.

Method of generating acoustic waves

Номер патента: RU2371259C1. Автор: Михаил Исаакович Самойлович,Светлана Михайловна Клещева,Алексей Федорович Белянин,Николай Владимирович Чернега,Анна Дмитриевна Кудрявцева. Владелец: Открытое акционерное общество ЦНИТИ "Техномаш" (ОАО ЦНИТИ "Техномаш"). Дата публикации: 2009-10-27.

Method for measurement of resonance frequency and device for its realisation

Номер патента: RU2367965C1. Автор: Валерий Яковлевич Фатеев. Владелец: Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН. Дата публикации: 2009-09-20.

Multichannel reflecting delay line on surface acoustic waves

Номер патента: RU2522886C2. Автор: Сергей Петрович Дорохов,Игорь Алексеевич Князев,Алексей Сергеевич Салов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2014-07-20.

Method for preparation of fiber optic waveguide blank parts, device for its implementation and blank part made thereof

Номер патента: RU2362745C2. Автор: Юрий Васильевич Гуляев,Леонид Михайлович Блинов,Александр Павлович Герасименко. Владелец: Александр Павлович Герасименко. Дата публикации: 2009-07-27.

System of radio-frequency identification on surface acoustic waves

Номер патента: RU2344437C2. Автор: Геворк Яковлевич Карапетьян,н Сергей Александрович Багдасар,Сергей Александрович Багдасарян,Наира Александровна Нефедова,Александр Сергеевич Багдасарян,н Александр Сергеевич Багдасар,н Геворк Яковлевич Карапеть. Владелец: ООО "Научно-производственное предприятие "Технологии радиочастотной идентификации и связи" (НПП "ТРИиС"). Дата публикации: 2009-01-20.

Method for growing edible pleurotus fungi

Номер патента: RU2442823C2. Автор: Ольга Владимировна Камзолкина,Максим Юрьевич Дьяков,Ольга Александровна Кудрявцева,Дарья Николаевна Новоселова. Владелец: Биологический факультет МГУ имени М.В. Ломоносова. Дата публикации: 2012-02-20.

Method for production of single crystal lithium aluminate

Номер патента: RU2245402C2. Автор: Б.А. Дороговин,И.М. Филиппов,А.А. Цеглеев,Г.А. Лаптева,А.Б. Дубовский. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт синтеза минерального сырья" (ФГУП "ВНИИСИМС"). Дата публикации: 2005-01-27.

Radio-frequency identification device operating on surface acoustic waves

Номер патента: RU2486665C1. Автор: Геннадий Анатольевич Сапожников,Иван Георгиевич Анцев,Валерий Федорович Дмитриев. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Радар ммс". Дата публикации: 2013-06-27.

Method for seismic prospecting hydrocarbons and method of determining attitude of producing formations on hydrocarbons and seismic station for realising said method

Номер патента: RU2433425C2. Автор: Павел Григорьевич Бродский,Виктор Сергеевич Аносов,Владимир Васильевич Чернявец,Юрий Николаевич Жуков,Валерий Павлович Леньков,Сергей Яковлевич Суконкин,Юрий Владимирович Румянцев,Дмитрий Герасимович Левченко,Виктор Валентинович Леденев,Сергей Юрьевич Червинчук,Елена Раилевна Павлюкова. Владелец: Елена Раилевна Павлюкова. Дата публикации: 2011-11-10.

Microcarrier for growing substrate-dependent animal cells in vitro

Номер патента: RU2328527C1. Автор: Александр Вадимович Белявский,Владимир Васильевич Кузнецов,Олег Феофанович Кандараков,Тать на Сергеевна Гриненко,Татьяна Сергеевна Гриненко,вский Александр Вадимович Бел. Владелец: Государственное учреждение Институт молекулярной биологии им. В.А. Энгельгардта Российской Академии Наук. Дата публикации: 2008-07-10.

Monocrystal with calcium gallogermanate structure for manufacture of disks in devices on surface-acoustic waves and method of production of such crystal

Номер патента: RU2250938C1. Автор: А.С. Степанов,Г.М. Кузьмичёва,И.М. Филиппов,А.Б. Дубовский,С.Ю. Степанов,М.А. Архипов,Е.Н. Доморощина. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт синтеза минерального сырья" (ФГУП "ВНИИСИМС"). Дата публикации: 2005-04-27.

Apparatus and Method for Viewing an Object

Номер патента: US20120004513A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for growing of fruit trees

Номер патента: RU2273984C2. Автор: Владимир Иванович Сусов,Виталий Михайлович Индолов. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московская сельскохозяйственная академия им. К.А. Тимирязева". Дата публикации: 2006-04-20.

Method for local crystallisation of lanthanum borogermanate glass

Номер патента: RU2579080C1. Автор: Владимир Николаевич Сигаев,Алексей Сергеевич Липатьев,Сергей Викторович Лотарев,Татьяна Олеговна Липатьева,Мария Олеговна Шааб. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский химико-технологический университет имени Д.И. Менделеева (РХТУ им. Д.И. Менделеева). Дата публикации: 2016-03-27.

Resonator based on surface acoustic waves with non-equidistant transducer for deformation measurement

Номер патента: RU2331842C1. Автор: Владимир Сергеевич Богословский. Владелец: Владимир Сергеевич Богословский. Дата публикации: 2008-08-20.

Interleaving and deinterleaving method for preventing periodic position interference

Номер патента: US20120002808A1. Автор: Wang Ruixun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS FOR USING NADH OXIDASES

Номер патента: US20120003688A1. Автор: Bommarius Bettina,Bommarius Andreas,Hirano Jun-Ichiro,Thangavel Vaijayanthi,Park Jonathan Taejoo. Владелец: GEORGIA TECH RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for growing garlic

Номер патента: RU2388202C1. Автор: Павел Хаджумарович Цаболов,Зита Таймуразовна Айлярова. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Горский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2010-05-10.

Method for growing of oyster mushrooms

Номер патента: RU2284099C1. Автор: Виктор Владимирович Стрельников,Алексей Михайлович Кудр,Алексей Михайлович Кудря. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кубанский государственный аграрный университет. Дата публикации: 2006-09-27.

Reaction cell of high-pressure gang-punch apparatus for growing asymmetrically zonal diamond monocrystals

Номер патента: RU2162734C2. Автор: А.А. Чепуров,А.И. Чепуров,И.И. Федоров,В.М. Сонин,нцев Д.Г. Багр,Д.Г. Багрянцев,Е.И. Жимулев,Ю.М. Григораш. Владелец: Ооо "Маин". Дата публикации: 2001-02-10.

Method for growing edible mushroom lentinus edodes

Номер патента: RU2239983C1. Автор: В.Е. Никитина,О.М. Цивилева. Владелец: Институт биохимии и физиологии растений и микроорганизмов Российской Академии наук. Дата публикации: 2004-11-20.

Method for underwater massage

Номер патента: RU2577177C1. Автор: Альберт Иванович Гореликов,Валерий Николаевич Багрянцев,Владимир Алексеевич Кантур,Владимир Иванович Короченцев. Владелец: Федеральное Государственное Автономное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дальневосточный Федеральный Университет" (Двфу). Дата публикации: 2016-03-10.

Sensor for remotely controlling physical value on surface acoustic waves

Номер патента: RU2296950C2. Автор: Юрий Васильевич Гуляев,Геворк Яковлевич Карапетьян,н Сергей Александрович Багдасар,Сергей Александрович Багдасарян,Александр Сергеевич Багдасарян,ев Юрий Васильевич Гул,н Александр Сергеевич Багдасар,н Геворк Яковлевич Карапеть. Владелец: ООО "Научно-производственное предприятие "Технологии дистанционного контроля и связи". Дата публикации: 2007-04-10.

METHOD FOR TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OF FERROMAGNETIC CONIAL ALLOY WITH CONTENT OF Ni 33 -35 at% AND Al 29 -30 at%

Номер патента: RU2641598C1. Автор: Юрий Иванович Чумляков,Елена Юрьевна Панченко,Анна Сергеевна Ефтифеева. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2018-01-18.

APPARATUSES AND METHODS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120000422A1. Автор: Zheng Bo,Ai Hua,YU SANG HO,UMOTOY Salvador P.,Lam Hyman,Jackson Michael,Yuan Xiaoxiong (John),Wang Hou Gong. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR ENHANCED PROCESSING CHAMBER CLEANING

Номер патента: US20120000490A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR FORMING DOUBLE EMULSION DROPLET COMPOSITIONS AND POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120000777A1. Автор: Garrell Robin L.,Tucker-Schwartz Alexander K.,Shepherd Heather,Chatterjee Debalina. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2012-01-05.

SUPERHYDROPHILIC AND OLEOPHOBIC POROUS MATERIALS AND METHODS FOR MAKING AND USING THE SAME

Номер патента: US20120000853A1. Автор: Mabry Joseph M.,TUTEJA Anish,Kota Arun Kumar,Kwon Gibum. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR COMPRESSING DATA AND CONTROLLING DATA COMPRESSION IN BOREHOLE COMMUNICATION

Номер патента: US20120001776A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

BELTS FOR ELECTROSTATOGRAPHIC APPARATUS AND METHODS FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20120003415A1. Автор: FROMM Paul M.. Владелец: XEROX CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, CAPACITOR, BATTERY, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120003544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Preparing Small Volume Reaction Containers

Номер патента: US20120003675A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR THE DIAGNOSIS OF AGE-ASSOCIATED VASCULAR DISORDERS

Номер патента: US20120004133A1. Автор: Lakatta Edward G.,Wang Mingyi,Fu Zongming,Van Eyk Jennifer. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

REAGENT AND METHOD FOR PROVIDING COATINGS ON SURFACES

Номер патента: US20120004339A1. Автор: . Владелец: SURMODICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SUBSTITUTED BENZAZOLOPORPHYRAZINES FOR POLYMERIZATION AND SURFACE ATTACHMENT AND ARTICLES FORMED THEREFROM

Номер патента: US20120004384A1. Автор: Lindsey Jonathan S.,Youngblood W. Justin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method for Joint Resurface Repair

Номер патента: US20120004663A1. Автор: . Владелец: ARTHROSURFACE INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MICROELECTORODE ARRAY, METHODS FOR PREPARING THE SAME AND USES THEREOF

Номер патента: US20120004716A1. Автор: Langhammer Christopher,Firestein-Miller Bonnie L.,Zahn Jeffrey. Владелец: Rutgers, The State University of New Jersey. Дата публикации: 2012-01-05.

Device for growing of the rectangular monocrystals of sapphire

Номер патента: RU2310020C2. Автор: Николай Иванович Блецкан. Владелец: Ф и Джи СЭПФАЙЕ Текнолоджи Корп.. Дата публикации: 2007-11-10.

Detector of physical value on surface acoustic waves

Номер патента: RU2387051C1. Автор: Геворк Яковлевич Карапетьян,Валерий Григорьевич Днепровский,Сергей Александрович Багдасарян,Александр Сергеевич Багдасарян. Владелец: Федеральное Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Южный Федеральный Университет". Дата публикации: 2010-04-20.

Method for drying and disinfection of products using waves of different physical nature

Номер патента: RU2464793C1. Автор: Сергей Алексеевич Бахарев. Владелец: Сергей Алексеевич Бахарев. Дата публикации: 2012-10-27.

Passive radio identification label on surface acoustic waves

Номер патента: RU2534733C1. Автор: Сергей Германович Сучков,Дмитрий Сергеевич Сучков,Сергей Сергеевич Янкин,Виктор Андреевич Николаевцев,Владимир Владимирович Ермишин. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Саратовский Государственный Университет Имени Н.Г. Чернышевского". Дата публикации: 2014-12-10.

Method for growing broiler chickens

Номер патента: RU2517745C2. Автор: Денис Васильевич Осепчук,Людмила Николаевна Скворцова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2014-05-27.

Method for growing of plant material of fruit and tree crops

Номер патента: RU2310307C1. Автор: Александр Макарович Салдаев,Анатолий Александрович Астахов,Анатолий Вениаминович Ломтев,Александр Васильевич Маслов,Игорь Олегович Яблонский. Владелец: Игорь Олегович Яблонский. Дата публикации: 2007-11-20.

Sensitive element of resonant gyroscope on surface acoustic waves

Номер патента: RU2335738C1. Автор: Владимир Сергеевич Богословский. Владелец: Владимир Сергеевич Богословский. Дата публикации: 2008-10-10.

Device of radio frequency identification on surface acoustic waves

Номер патента: RU2344438C2. Автор: Геворк Яковлевич Карапетьян,н Сергей Александрович Багдасар,Сергей Александрович Багдасарян,Наира Александровна Нефедова,Александр Сергеевич Багдасарян,н Александр Сергеевич Багдасар,н Геворк Яковлевич Карапеть. Владелец: ООО "Научно-производственное предприятие "Технологии радиочастотной идентификации и связи" (НПП "ТРИиС"). Дата публикации: 2009-01-20.

Method for growing of water melon on unirrigated land

Номер патента: RU2106077C1. Автор: Гасан Юсиф оглы Кулиев,Шикар Аббас оглы Алиев. Владелец: Шикар Аббас оглы Алиев. Дата публикации: 1998-03-10.

Surface acoustic waves (saw) based corrosion sensor

Номер патента: MY187778A. Автор: JEOTI Varun,Che Ismail Mokhtar,Arif Burhanudin Zainal,Farooq Malik Aamir,Hashim Uda. Владелец: Institute Of Tech Petronas Sdn Bhd. Дата публикации: 2021-10-21.

Composition and method for dust suppression wetting agent

Номер патента: US20120000361A1. Автор: Weatherman Greg,Cash Marcia. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Systems and Methods for the Collection, Retention, and Redistribution of Rainwater and Methods of Construction of the Same

Номер патента: US20120000546A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method for Soil Saturation and Digging

Номер патента: US20120000710A1. Автор: Gomez Randy Christopher. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SURFACE-MOUNTABLE MAGNETIC FIELD SENSOR HAVING A SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR PRODUCING A CIRCUIT BOARD HAVING A MAGNETIC FIELD SENSOR

Номер патента: US20120001627A1. Автор: STEGER Jürgen,Flock Stefan,Krella Uwe. Владелец: Conti Temic Microeletronic GMBH. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for non-destructive inspection of defects using surface acoustic waves

Номер патента: RU2569039C2. Автор: Геворк Яковлевич Карапетьян,Валерий Григорьевич Днепровский,Олег Андреевич Зорин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "ЮЖНЫЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ". Дата публикации: 2015-11-20.

Sensitive element of gyroscope on surface acoustic waves

Номер патента: RU2335739C1. Автор: Владимир Сергеевич Богословский. Владелец: Владимир Сергеевич Богословский. Дата публикации: 2008-10-10.

Yeast having higher sulphur content, method for sampling and cultivation thereof

Номер патента: RU2557292C2. Автор: Сергей Павлович Синеокий,Марина Геннадьевна Тарутина,Татьяна Анатольевна ДУТОВА,Хироаки НИСИУТИ. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие государственный научно-исследовательский институт генетики и селекции промышленных микроорганизмов (ФГУП ГосНИИгенетика). Дата публикации: 2015-07-20.

Method for growing of fruit crop seedlings on clone rootstocks

Номер патента: RU2270556C2. Автор: Василий Иванович Деменко,Василий Иванович Деменко (RU). Владелец: Московская сельскохозяйственная академия им. К.А. Тимирязева (МСХА). Дата публикации: 2006-02-27.

Device of identification at surface acoustic waves

Номер патента: RU2326403C2. Автор: Юрий Васильевич Гуляев,Геворк Яковлевич Карапетьян,Сергей Александрович Багдасарян,Александр Сергеевич Багдасарян,н Сергей Александрович Багдасар (RU),н Александр Сергеевич Багдасар (RU),н Геворк Яковлевич Карапеть (RU),ев Юрий Васильевич Гул (RU). Владелец: ООО "Научно-производственное предприятие "Технологии радиочастотной идентификации и связи". Дата публикации: 2008-06-10.

Syrface acoustic wave accelerometer

Номер патента: RU2018131C1. Автор: В.И. Баженов,В.М. Соловьев. Владелец: Раменское приборостроительное конструкторское бюро. Дата публикации: 1994-08-15.

Method for manufacturing of gas permeable membrane

Номер патента: RU2365403C1. Автор: Александр Васильевич Бобыль,Владимир Петрович Улин,Геннадий Федорович Терещенко,Михаил Петрович Федоров,Федор Юрьевич Солдатенков,Самуил Гиршевич Конников,Александр Николаевич Чусов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский Государственный политехнический университет" (ГОУ "СПбГПУ"). Дата публикации: 2009-08-27.

Method for laboratory monitoring fibre parametres in mass

Номер патента: RU2398224C1. Автор: Анатолий Федорович Костюков. Владелец: Анатолий Федорович Костюков. Дата публикации: 2010-08-27.

Method for Making Internally Overlapped Conditioners

Номер патента: US20120000045A1. Автор: Anthony William M.,Anthony David,Anthony Anthony. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

UZM-5, UZM-5P, AND UZM-6 CRYSTALLINE ALUMINOSILICATE ZEOLITES AND METHODS FOR PREPARING THE SAME

Номер патента: US20120004485A1. Автор: . Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Sensitive element on surface acoustic waves for temperature measurement

Номер патента: RU2592055C1. Автор: Сергей Владимирович Богословский,Геннадий Анатольевич Сапожников,Иван Георгиевич Анцев,Дмитрий Андреевич Шмидт. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Радар ммс". Дата публикации: 2016-07-20.

Sensitive element on surface acoustic waves for temperature measurement

Номер патента: RU2590228C1. Автор: Сергей Владимирович Богословский,Геннадий Анатольевич Сапожников,Иван Георгиевич Анцев,Константин Владимирович Терехин. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Радар ммс". Дата публикации: 2016-07-10.

Thermally stable narrow-band surface acoustic wave filter

Номер патента: RU2464701C2. Автор: Иван Александрович Корж,Игорь Анатольевич Тихонов. Владелец: Открытое акционерное общество "Омский научно-исследовательский институт приборостроения" (ОАО "ОНИИП"). Дата публикации: 2012-10-20.

Device for growing of refractory single crystal

Номер патента: RU2361020C1. Автор: Сергей Николаевич Соловьев,Евгений Андреевич Гарибин,Алексей Александрович Демиденко,Игорь Алексеевич Миронов. Владелец: Закрытое акционерное общество (ЗАО) "ИНКРОМ". Дата публикации: 2009-07-10.

Thermally stable narrow-band surface acoustic wave filter

Номер патента: RU2523958C2. Автор: Иван Александрович Корж,Игорь Анатольевич Тихонов,Борис Андреевич Косарев. Владелец: Открытое акционерное общество "Омский научно-исследовательский институт приборостроения" (ОАО "ОНИИП"). Дата публикации: 2014-07-27.

Method for measuring surface of object in scanning probe microscope mode

Номер патента: RU2597959C1. Автор: Антон Евгеньевич Ефимов,Дмитрий Юрьевич Соколов,Игорь Иванович Агапов,Ольга Игоревна Агапова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Федеральный научный центр трансплантологии и искусственных органов имени академика В.И. Шумакова" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for binding of diamond single crystal with metal

Номер патента: RU2347651C2. Автор: Владимир Давыдович Бланк,Вячеслав Максимович Прохоров,Рустэм Хамитович Баграмов,Владимир Давыдович Бланк (RU),Рустэм Хамитович Баграмов (RU),В чеслав Максимович Прохоров (RU). Владелец: Федеральное государственное учреждение "Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов" (ФГУ ТИСНУМ). Дата публикации: 2009-02-27.

Accelerometer with converters based on surface acoustic wave

Номер патента: RU2139546C1. Автор: А.А. Винокуров. Владелец: Военный инженерно-космический университет им.А.Ф.Можайского. Дата публикации: 1999-10-10.

Method for preparing colza (brassica napus l) fertility restorer

Номер патента: RU2366705C2. Автор: Владимир Владимирович Карпачев,Екатерина Борисовна Горягина,Владимир Алексеевич Никоноренков,Ольга Анатольевна Подвигина. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский и проектно-технологический институт рапса. Дата публикации: 2009-09-10.

Method for promoting growth and development of seedlings

Номер патента: RU2275788C2. Автор: Михаил Валентинович Драпалюк,Иван Михайлович Бартенев,Руслан Николаевич Кораблев,Юли Владимировна Дерюгина,Юлия Владимировна Дерюгина. Владелец: Воронежская государственная лесотехническая академия. Дата публикации: 2006-05-10.

RECOMBINANT PLASMID DNA pACYC-LANS(KM), STRAINS OF Escherichia coli BL21(DE3), TRANSFORMED RECOMBINANT DNA pACYC-LANS(KM) AND METHOD FOR PRODUCING A SUBSTANCE OF THE RECOMBINANT L-ASPARAGINASE FROM Erwinia carotovora

Номер патента: RU2441916C1. Автор: Михаил Анатольевич Эльдаров,Ольга Владимировна Гончарова,Николай Николаевич Соколов,Марина Владимировна Покровская,Владимир Григорьевич Богуш,Константин Васильевич Сидорук,Надежда Михайловна Чугунова,Светлана Серебеджановна Александрова,Наталья Михайловна Омельянюк. Владелец: Учреждение Российской академии медицинских наук Научно-исследовательский институт биомедицинской химии имени В.Н. Ореховича РАМН (ИБМХ РАМН). Дата публикации: 2012-02-10.

Method for growing of rice

Номер патента: RU2310319C1. Автор: Вячеслав Тимофеевич Островский,Акоп Карписович Семерджян,В чеслав Тимофеевич Островский,Николай В чеславович Островский,Николай Вячеславович Островский,Александр Сергеевич Шишкин,Антон Вячеславович Варнаков,н Акоп Карписович Семердж,Антон В чеславович Варнаков,ков Антон Сергеевич Треть,Антон Сергеевич Третьяков. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кубанский государственный аграрный университет. Дата публикации: 2007-11-20.

Method of tuning resonator on surface acoustic waves

Номер патента: RU2452079C1. Автор: Геннадий Николаевич Галанов,Сергей Суренович Нерсесов,Александр Алексеевич Голубский,Анатолий Аркадьевич Трусов,Александр Алексеевич Голубский (RU),Анатолий Аркадьевич Трусов (RU),Геннадий Николаевич Галанов (RU),Сергей Суренович Нерсесов (RU). Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Элпа" с опытным производством" (ОАО "НИИ "Элпа"). Дата публикации: 2012-05-27.

Method for monitoring of average parametres in compact set of fibres

Номер патента: RU2380697C1. Автор: Анатолий Федорович Костюков. Владелец: Анатолий Федорович Костюков. Дата публикации: 2010-01-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.