Method for manufacturing silicon single crystal .

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US8721787B2
Опубликовано: 13-05-2014
Автор(ы): Masaki Morikawa, Yukinaga AZUMA
Принадлежит: Japan Super Quartz Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Program for calculating pulling conditions for silicon single crystal, method for improving hot-zone of silicon single crystal, and method for generating silicon single crystal

Номер патента: TW201830269A. Автор: 末若良太. Владелец: 日商Ｓｕｍｃｏ股份有限公司. Дата публикации: 2018-08-16.

Program for calculating pulling conditions of silicon single crystal, method for improving hot zone of silicon single crystal, and method for growing silicon single crystal

Номер патента: CN110139951B. Автор: 末若良太. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2021-04-09.

Method for predicting precipitation behavior of oxygen in silicon single crystal, method for determining production parameter of silicon single crystal, and storage medium storing program for predicting precipitation behavior of oxygen in silicon single crystal

Номер патента: WO2005071144A1. Автор: Kozo Nakamura,Junsuke Tomioka,Shiro Yoshino,Tetsuro Akagi. Владелец: Komatsu Denshi Kinzoku Kabushiki Kaisha. Дата публикации: 2005-08-04.

Method for the Production of a Silicon Single Crystal, Silicon Single Crystal and Silicon Semiconductor Wafers with determined Defect Distributions

Номер патента: KR100588425B1. Автор: 아몬빌프리드폰,히르불리스자니스,베버마틴,베첼토마스,슈미트헤르베르트. Владелец: 실트로닉 아게. Дата публикации: 2006-06-12.

Method for evaluating metal contamination of silicon single crystals

Номер патента: JP4983705B2. Автор: 俊二倉垣. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2012-07-25.

Method for inspecting an apparatus for pulling a single crystal and apparatus for pulling a single crystal

Номер патента: DE102017220352B4. Автор: Dieter Knerer,Werner Schachinger,Stefan Welsch. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2023-02-02.

METHODS FOR MODELING THE IMPURITY CONCENTRATION OF A SINGLE CRYSTAL SILICON INGOT

Номер патента: US20200002837A1. Автор: Hudson Carissima Marie,Ryu JaeWoo. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

Methods for modeling the impurity concentration of a single crystal silicon ingot

Номер патента: US10954606B2. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-23.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US09809901B2. Автор: Shinji Nakano,Kouichi Ikeda,Satoshi Soeta. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US20160237589A1. Автор: Shinji Nakano,Kouichi Ikeda,Satoshi Soeta. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Silicon crystal material and method for manufacturing fz silicon single crystal by using the same

Номер патента: EP2143833A1. Автор: Yutaka Shiraishi,Shinji Togawa. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2010-01-13.

Method of manufacturing silicon single crystal and method of manufacturing wafer using the same

Номер патента: US20240191389A1. Автор: Hyeyun Park,Inji LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for growing a silicon single crystal while suppressing a generation of slip dislocations in a tail portion

Номер патента: US09988736B2. Автор: Masanori Takazawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for producing silicon ingot single crystal

Номер патента: US20230160095A1. Автор: Kazuo Nakajima,Masami Nakanishi,Wen-Ching Hsu,Yu Sheng Su. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: US20240328029A1. Автор: Keisuke Mihara. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for producing a silicon single crystal doped with nitrogen and having a controlled amount of carbon impurities

Номер патента: US12084788B2. Автор: Ryoji Hoshi,Kosei Sugawara,Tomohiko Ohta. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of estimating oxygen concentration in silicon single crystal, method of manufacturing silicon single crystal, and silicon single crystal manufacturing apparataus

Номер патента: US20240019397A1. Автор: Keiichi Takanashi,Ippei SHIMOZAKI. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Method of manufacturing silicon wafer

Номер патента: US20070068447A1. Автор: Hiroyuki Saito,Takashi Watanabe,Kazuhiko Kashima,Takeshi Senda,Koji Izunome,Yumiko Hirano. Владелец: Toshiba Ceramics Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-29.

Method of manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US20110114011A1. Автор: Yasuhito Narushima,Toshimichi Kubota,Fukuo Ogawa. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2011-05-19.

Method for manufacturing a defect-controlled low-oxygen concentration silicon single crystal wafer

Номер патента: US9650725B2. Автор: Ryoji Hoshi,Kosei Sugawara,Hiroyuki Kamada. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Silicon single crystal, a silicon wafer, an apparatus for producing the same, and a method for producing the same

Номер патента: US20070158653A1. Автор: Toshihiko Imai,Masahiro Kato,Makoto Iida,Katsuichi Sato,Miho Iwabuchi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-12.

Method of pulling up silicon single crystal and method of manufacturing epitaxial wafer

Номер патента: US20020000189A1. Автор: Toshiaki Ono,Tadami Tanaka,Eiichi Asayama. Владелец: Sumitomo Metal Industries Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Method for producing single crystal, and method for producing silicon wafer

Номер патента: US10233562B2. Автор: Yasuhito Narushima,Toshimichi Kubota,Fukuo Ogawa,Masayuki Uto. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2019-03-19.

Method for producing semiconductor wafers from silicon

Номер патента: US20220356601A1. Автор: Sergiy BALANETSKYY,Matthias Daniel. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2022-11-10.

Silicon single crystal substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: SG191518A1. Автор: Nakai Katsuhiko,Ohkubo Masamichi,Sakamoto Hikaru. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2013-07-31.

Method for growing silicon single crystal

Номер патента: US20040244674A1. Автор: Toshiaki Ono,Tadami Tanaka,Hideshi Nishikawa,Shigeru Umeno,Eiichi Asayama. Владелец: Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp. Дата публикации: 2004-12-09.

Method for growing a silicon single crystal

Номер патента: US20170044685A1. Автор: Masanori Takazawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-16.

Method For Growing Single-Crystal Silicon Ingots and Single-Crystal Silicon Ingots

Номер патента: US20240263351A1. Автор: Zhenliang Song,Shaojie Song. Владелец: Xian Eswin Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for preparing single crystal, and silicon crystal

Номер патента: EP4459013A1. Автор: Wei Wu,Chun-Hung Chen,Shuangli WANG. Владелец: Zhonghuan Advanced Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-06.

Method for Producing Nitrogen-Doped Single Crystal Silicon Ingot and Nitrogen-Doped Single Crystal Silicon Ingot

Номер патента: US20240287704A1. Автор: Yang Li,Xun Lan. Владелец: Xi’ An Eswin Material Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-08-29.

Silicon single crystal pulling apparatus comprising a vertically movable supporting member holding the heater and shield

Номер патента: US09869034B2. Автор: Atsushi Iwasaki,Shinobu Takeyasu. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Apparatus for manufacturing single crystal

Номер патента: US20240263342A1. Автор: Hirotaka Takahashi,Suguru Matsumoto,Kosei Sugawara,Takahide Onai. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for production of dislocation-free silicon single crystal

Номер патента: US6080237A. Автор: Toshio Iwasaki,Takayoshi Ishida,Atsushi Ikari,Shin-ichi Fujimoto,Hiroshi Isomura,Michiharu Tamura. Владелец: NSC Electron Corp. Дата публикации: 2000-06-27.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US09476142B2. Автор: Nobuaki Mitamura. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US09499924B2. Автор: Akihiro Kimura,Kiyotaka Takano,Junya Tokue. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US20140326174A1. Автор: Nobuaki Mitamura. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

Method for measuring distance between lower end surface of heat shielding member and surface of raw material melt, method for controlling distance between lower end surface of heat shielding member and surface of raw material melt and method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US20240026565A1. Автор: Masahiro Akiba,Katsuyuki Kitagawa,Kosei Sugawara,Takaki IMAI. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Single crystal ingot, apparatus and method for manufacturing the same

Номер патента: US09534314B2. Автор: Yong Jin Kim,Jin Woo Ahn,Il Soo CHOI,Hak Eui Wang. Владелец: LG Siltron Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for manufacturing single-crystal silicon

Номер патента: US09702055B2. Автор: Hideo Kato,Shinichi Kyufu. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for pulling silicon single crystal

Номер патента: US20100089309A1. Автор: Masahiro Mori,Satoshi Soeta. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-15.

Methods for producing off-orientation single crystal silicon wafers

Номер патента: US20240218557A1. Автор: Peter Albrecht,Carlo Zavattari,Maria Porrini,Michael RAFFEINER,Pietro Valcozzena,Fabrizio BONDA,Paolo Delpero,Massimo Gariddi,Patrizio Pregnolato. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for manufacturing N-type SiC single crystal by solution growth using a mixed gas atmosphere

Номер патента: US09512540B2. Автор: Nobuhiro Okada,Kazuhiko Kusunoki,Kazuhito Kamei,Nobuyoshi Yashiro,Hironori Daikoku,Katsunori Danno,Kouji Moriguchi. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Large-scale compound semiconductor single crystal growth system and method

Номер патента: US20240229291A1. Автор: Yang Wang,Shujie Wang,Xiaolan Li,Huisheng Liu,Niefeng SUN,Tongnian SUN,Yanlei SHI,Huimin SHAO,Lijie FU,Senfeng XU,Xin Ou,Ruiliang SONG. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for manufacturing dislocation-free silicon single crystal

Номер патента: KR100427148B1. Автор: 호시카와게이고,후앙지밍,후카미다쓰오,다이시도시노리. Владелец: 신슈 다이가쿠. Дата публикации: 2004-04-17.

Method for inspecting and manufacturing silicon single crystal

Номер патента: KR101349736B1. Автор: 다이스케 야마시타. Владелец: 가부시키가이샤 사무코. Дата публикации: 2014-01-10.

Method for the preparation of a silicon single crystal rod with uniform distribution of crystal defects and an apparatus therefor

Номер патента: EP0750057A2. Автор: Masahiro Sakurada,Wataru B404 Ryokufu-ryo Sato,Tomohiko 307 89-2 Aza Haranaka Ohta. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 1996-12-27.

Apparatus for manufacturing high-quality semiconductor single crystal ingot and method using the same

Номер патента: US20090183670A1. Автор: Hong-Woo Lee,Dae-Yeon Kim,Young-Ho Hong,Hyon-Jong Cho,Jong-Min Kang. Владелец: Siltron Inc. Дата публикации: 2009-07-23.

Method for producing compound semiconductor and compound semiconductor single crystal

Номер патента: JPWO2018179567A1. Автор: 朗野田,立一平野,啓太川平. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

Method for controlling the oxygen concentration in a single crystal.

Номер патента: DE69019487T2. Автор: Atsushi Ozaki,Tetsuhiro Oda,Susumu Sonokawa,Toshio Hisaichi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 1996-02-22.

Method for the preparation of doped garnet structure single crystals with diameters of up to 500 mm

Номер патента: US09499923B2. Автор: Jind{hacek over (r)}ich Hou{hacek over (z)}vi{hacek over (c)}ka,Karel Barto{hacek over (s)}. Владелец: Crytur sro. Дата публикации: 2016-11-22.

Simple method for detecting temperature distributions in single crystals and method for manufacturing silicon single crystals by employing the simple method

Номер патента: US6042646A. Автор: Kozo Nakamura,Toshiaki Saishoji,Fumitaka Ishikawa. Владелец: Komatsu Electronic Metals Co Ltd. Дата публикации: 2000-03-28.

Apparatus and method for producing single crystal, and silicon single crystal

Номер патента: US20060107889A1. Автор: Kazuyuki Egashira,Norihito Fukatsu,Senrin Fu. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2006-05-25.

Apparatus and method for producing single crystal, and silicon single crystal

Номер патента: US20080038179A1. Автор: Kazuyuki Egashira,Norihito Fukatsu,Senrin Fu. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2008-02-14.

Apparatus for manufacturing silicon single crystal and melt inlet pipe of the same

Номер патента: US10415150B2. Автор: Mitsuaki Hayashi,Wataru Sugimura,Ippei SHIMOZAKI. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2019-09-17.

Method for manufacturing single crystal

Номер патента: US20140238292A1. Автор: Atsushi Iwasaki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-28.

Method for pulling a single crystal composed of silicon from a melt contained in a crucible, and single crystal produced thereby

Номер патента: US09988739B2. Автор: Martin Weber,Erich Gmeilbauer,Robert Vorbuchner. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2018-06-05.

Single-crystal manufacturing method and single-crystal manufacturing apparatus

Номер патента: US20110214605A1. Автор: Takashi Mori,Susumu Sonokawa,Suguru Matsumoto,Toshiharu Uesugi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-08.

Method for manufacturing single crystal

Номер патента: US09863060B2. Автор: Atsushi Iwasaki,Shou Takashima,Yuuichi Miyahara,Yasuhiko Sawazaki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for evaluating crystal defects of silicon single crystal substrate

Номер патента: JP3417515B2. Автор: 正樹真島. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-16.

Vitreous silica crucible for pulling of silicon single crystal and method for manufacturing the same

Номер патента: US09758901B2. Автор: Tadahiro Sato,Fumie Yoshida,Toshiaki Sudo,Ken Kitahara,Akihiro Aiba,Eriko Kitahara,Kazushi OUSYUYA,Makiko HINOOKA. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Silicon single crystal growing apparatus and method for growing silicon single crystal

Номер патента: US09783912B2. Автор: Ryoji Hoshi,Kosei Sugawara. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

METHOD FOR EVALUATING METAL CONTAMINATION OF SILICON SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20130269595A1. Автор: KURAGAKI Shunji. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-17.

Method for pulling silicon single crystal

Номер патента: US09863059B2. Автор: Tadahiro Sato,Toshiaki Sudo,Ken Kitahara,Eriko Kitahara. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Manufacturing apparatus of SiC single crystal and method for manufacturing SiC single crystal

Номер патента: US09617655B2. Автор: Yoichiro Kawai,Hiroshi Suzuki,Tomokazu Ishii,Nobuhiro Okada,Kazuhiko Kusunoki,Hidemitsu Sakamoto,Kazuhito Kamei,Nobuyoshi Yashiro,Hironori Daikoku,Motohisa Kado,Kouji Moriguchi. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Manufacturing method of silicon single crystal having low-resistivity electrical characteristics

Номер патента: US09758899B2. Автор: Tomohiro Fukuda. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

A Silicon Single Crystal Ingot and Wafer, Growing Apparatus and Method Therof

Номер патента: US20070022943A1. Автор: Hyon-Jong Cho,Hong Lee,Young Ho Hong,Man Kwak,III-Soo Choi. Владелец: Siltron Inc. Дата публикации: 2007-02-01.

Crucible-supporting pedestal, quartz crucible-supporting device, and method for producing silicon single crystal

Номер патента: US20200283925A1. Автор: Kenji Munezane. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Method of producing silicon single crystal

Номер патента: US09938634B2. Автор: Masahiro Sakurada,Izumi Fusegawa,Ryoji Hoshi,Junya Tokue. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for producing silicon single crystals and silicon single crystal produced thereby

Номер патента: US7442251B2. Автор: Tsuyoshi Nakamura,Shuichi Inami,Nobumitsu Takase,Hiroki Murakami,Ken Hamada. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2008-10-28.

Method for Producing a Silicon Single Crystal and a Silicon Single Crystal

Номер патента: US20070266930A1. Автор: Izumi Fusegawa,Ryoji Hoshi,Naoki Nagai. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-22.

Manufacturing method for silicon single crystal

Номер патента: US20100175612A1. Автор: Tomohiro Fukuda,Shinichi Kawazoe,Yasuhito Narushima,Toshimichi Kubota,Fukuo Ogawa. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2010-07-15.

Method for producing si ingot single crystal, si ingot single crystal, and apparatus thereof

Номер патента: US20210363656A1. Автор: Kazuo Nakajima,Masami Nakanishi,Wen-Ching Hsu,Yu Sheng Su. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Method for producing Si ingot single crystal, Si ingot single crystal, and apparatus thereof

Номер патента: US12037696B2. Автор: Kazuo Nakajima,Masami Nakanishi,Wen-Ching Hsu,Yu Sheng Su. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Growth method for single crystals of magnesium aluminate spinel by edge-defined film-fed growth technique

Номер патента: US20240200225A1. Автор: Xiaoliang Wang,Haili Wang,Cunxin Huang,Muyun Lei. Владелец: Sinoma Synthetic Crystals Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for producing a silicon single crystal

Номер патента: US6136090A. Автор: Kenji Araki,Hideo Okamoto,Atsushi Iwasaki,Toshiharu Uesugi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2000-10-24.

Single crystal silicon ingots having doped axial regions with different resistivity and methods for producing such ingots

Номер патента: WO2018063967A1. Автор: Soubir Basak,Salvador Zepeda. Владелец: Corner Star Limited. Дата публикации: 2018-04-05.

Method and Apparatus for Reducing Impurities in a Single Crystal Based on Ingot Length

Номер патента: US20140102357A1. Автор: Keith Ritter. Владелец: Siemens Medical Solutions USA Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

Method For Pulling A Single Crystal Composed Of Silicon From A Melt Contained In A Crucible, and Single Crystal Produced Thereby

Номер патента: US20110195251A1. Автор: Martin Weber,Erich Gmeilbauer,Robert Vorbuchner. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2011-08-11.

Apparatus and method for producing silicon single crystal

Номер патента: US5152867A. Автор: Makoto Ito,Kaoru Kuramochi,Kiichiro Kitaura. Владелец: Kyushu Electronic Metal Co Ltd. Дата публикации: 1992-10-06.

Apparatus for producing Si ingot single crystal

Номер патента: US12037697B2. Автор: Kazuo Nakajima,Masami Nakanishi,Wen-Ching Hsu,Yu Sheng Su. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for growing 1-inch columnar gallium oxide single crystal by using guided mode method

Номер патента: CN112210823A. Автор: 付博,陶绪堂,贾志泰,穆文祥,尹延如. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2021-01-12.

METHOD FOR PREPARING COPPER THIN FILM BY USING SINGLE CRYSTAL COPPER TARGET

Номер патента: US20170369986A1. Автор: Lee Tae-Woo,Kim Ji-young,Lee Seung-Hun,JEONG Se-young,Park Sang-Eon,Cho Chae-ryong. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

A method for the preparation of doped garnet structure single crystals with diameters of up to 500 mm

Номер патента: IL227271A0. Автор: . Владелец: Crytur Spol S R O. Дата публикации: 2013-09-30.

Method for the preparation of doped garnet structure single crystals with diameters of up to 500 mm

Номер патента: IL227271A. Автор: Bartos Karel,HOUZVICKA Jindrich. Владелец: Crytur Spol S R O. Дата публикации: 2017-04-30.

Method for manufacturing silicon carbide single crystal and silicon carbide single crystal ingot

Номер патента: US20240110309A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO,Akiyoshi HORIAI,Kiyoshi Betsuyaku. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Method for manufacturing silicon single crystal wafer and silicon single crystal wafer

Номер патента: US11959191B2. Автор: wei feng Qu,Shizuo Igawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Method For Manufacturing Silicon Single Crystal Wafer

Номер патента: US20090000535A1. Автор: Koji Ebara. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-01.

Method for calculating a height position of silicon melt surface, method for pulling silicon single crystal, and silicon single crystal pulling apparatus

Номер патента: US09587325B2. Автор: Naoki Masuda,Takahiro Yanagimachi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for gettering transition metal impurities in silicon crystal

Номер патента: US7157354B2. Автор: Hiroshi Yoshida. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2007-01-02.

Method for manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20190127880A1. Автор: Shin Harada,Tsutomu Hori,Sho Sasaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Method of selecting silicon single crystalline substrate and silicon single crystalline substrate

Номер патента: EP3716315A1. Автор: Hiroshi Takeno. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-30.

Silicon wafer for hydrogen heat treatment and method for manufacturing the same

Номер патента: US6056931A. Автор: Kozo Nakamura,Junsuke Tomioka,Toshiaki Saishoji. Владелец: Komatsu Electronic Metals Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-02.

Silicon single crystal produced by crucible-free float zone pulling

Номер патента: US20030024469A1. Автор: Ludwig Altmannshofer,Janis Virbulis,Manfred Grundner. Владелец: Wacker Siltronic AG. Дата публикации: 2003-02-06.

Method for producing silicon wafer and silicon wafer

Номер патента: US7361219B2. Автор: Ken Yoshizawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-22.

Method for detecting crystal defects in a silicon single crystal substrate

Номер патента: US5766976A. Автор: Masaki Majima. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-16.

Method of sorting silicon single crystal substrate and silicon single crystal substrate

Номер патента: EP3790040A1. Автор: Hiroshi Takeno. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-10.

Electrochemical method for treatment of single-crystal silicon plates for solar batteries

Номер патента: RU2749534C1. Автор: Юрий Павлович Зайков,Ольга Леонидовна Семерикова,Алексей Алексеевич Трофимов,Сергей Викторович Вакарин,Александр Валерьевич Косов,Александр Алексеевич Панкратов,Анастасия Максимовна Леонова,Наталия Максимовна Леонова,Диана Михайловна Солодянкина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт высокотемпературной электрохимии Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2021-06-11.

System for manufacturing a high-quality semiconductor single crystal, and method of manufacturing same

Номер патента: EP4414480A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-08-14.

System for manufacturing a high-quality semiconductor single crystal, and method of manufacturing same

Номер патента: EP4414481A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-08-14.

System for manufacturing a high-quality semiconductor single crystal, and method of manufacturing same

Номер патента: US20240263346A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-08-08.

System for manufacturing a high-quality semiconductor single crystal, and method of manufacturing same

Номер патента: US20240263347A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-08-08.

Device and method for manufacturing aiii-bv - compound semiconductor single crystals as well as aiii-bv - compound semiconductor single crystal and wafer

Номер патента: WO2024153791A1. Автор: Gunnar Leibiger,Stefan Eichler,Marc Dietrich,Dmitry SUPTEL,Ulrich Kretzer,Berndt Weinert,Max Scheffer-Czygan,Theodor Milek. Владелец: FREIBERGER COMPOUND MATERIALS GMBH. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for preparing a charge for growing fluoride single crystals

Номер патента: RU2747503C1. Автор: Степан Эрвандович Саркисов,Валентин Александрович Юсим. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2021-05-05.

Method for forming identification marks on refractory material single crystal substrate, and refractory material single crystal substrate

Номер патента: US20160190069A1. Автор: Sadahiko Kondo. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Method for forming identification marks on refractory material single crystal substrate, and refractory material single crystal substrate

Номер патента: US09508655B2. Автор: Sadahiko Kondo. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for forming identification marks on refractory material single crystal substrate, and refractory material single crystal substrate

Номер патента: US9318443B2. Автор: Sadahiko Kondo. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2016-04-19.

Process for manufacturing boron-doped gallium arsenide single crystal

Номер патента: CA1212599A. Автор: Yasushi Nanishi,Shintaro Miyazawa,Toshihiro Kotani,Akihisa Kawasaki,Kohji Tada. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1986-10-14.

Method for preparing manganese-doped and high-water single-crystal trevorite under high-temperature and high-pressure condition

Номер патента: LU503613B1. Автор: Haiying Hu,Lidong Dai. Владелец: Inst Geochemistry Cas. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for preparing titanium-doped and high-water single-crystal coulsonite under high-temperature and high-pressure condition

Номер патента: LU503665B1. Автор: Haiying Hu,Lidong Dai. Владелец: Inst Geochemistry Cas. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for preparing calcium-doped and high-water single-crystal franklinite under high-temperature and high-pressure condition

Номер патента: LU503605B1. Автор: Haiying Hu,Lidong Dai. Владелец: Inst Geochemistry Cas. Дата публикации: 2023-09-12.

Method for preparing aluminum-doped and high-water single-crystal chromite under high-temperature and high-pressure condition

Номер патента: LU503631B1. Автор: Haiying Hu,Lidong Dai. Владелец: Inst Geochemistry Cas. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for preparing vanadium-doped and high-water single-crystal manganochromite under high-temperature and high-pressure condition

Номер патента: LU503654B1. Автор: Haiying Hu,Lidong Dai. Владелец: Inst Geochemistry Cas. Дата публикации: 2023-09-15.

Method for preparing nickel-doped and high-water single-crystal cochromite under high-temperature and high-pressure condition

Номер патента: LU503636B1. Автор: Haiying Hu,Lidong Dai. Владелец: Inst Geochemistry Cas. Дата публикации: 2023-09-14.

Large-area single-crystal silver thin-film structure using single-crystal copper thin-film buffer layer and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4242706A1. Автор: Se Young Jeong,You Sil LEE,Su Jae Kim. Владелец: University Industry Cooperation Foundation of Pusan National University. Дата публикации: 2023-09-13.

Large-area single-crystal silver thin-film structure using single-crystal copper thin-film buffer layer and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240027661A1. Автор: Se Young Jeong,You Sil LEE,Su Jae Kim. Владелец: University Industry Cooperation Foundation of Pusan National University. Дата публикации: 2024-01-25.

Method and apparatus for making continuous films ofa single crystal material

Номер патента: WO2004073024A3. Автор: Eric Chason,Clyde L Briant. Владелец: Univ Brown. Дата публикации: 2004-12-29.

Diamond single crystal substrate manufacturing method and diamond single crystal substrate

Номер патента: US20050155543A1. Автор: Takahiro Imai,Yoshiyuki Yamamoto,Kiichi Meguro. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2005-07-21.

Method for preparing large-scale two-dimensional single crystal stack having interlayer rotation angle

Номер патента: US20240183064A1. Автор: Can Liu,Dapeng Yu,Kaihui Liu,Enge Wang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for producing a diffraction grating of metal single-crystals, alloys thereof and semiconductors on a sheet material and a device for carrying out said method

Номер патента: WO2009096813A1. Автор: Grigory Avramovich Radutsky,Sergei Nikolaevich Maximovsky. Владелец: Sergei Nikolaevich Maximovsky. Дата публикации: 2009-08-06.

METHOD FOR THE PREPARATION OF DOPED GARNET STRUCTURE SINGLE CRYSTALS WITH DIAMETERS OF UP TO 500 MM

Номер патента: US20130291788A1. Автор: Houzvicka Jundrich,Bartos Karel. Владелец: CRYTUR SPOL. S.R.O.. Дата публикации: 2013-11-07.

Method for preparing large-area continuous single-layer single-crystal graphene film

Номер патента: CN110699749B. Автор: 武斌,刘云圻,张家宁. Владелец: Institute of Chemistry CAS. Дата публикации: 2020-11-24.

Method for producing SiC single crystals by control of an angle formed by the meniscus and the side face of the seed crystal and production device for the method

Номер патента: US09631295B2. Автор: Kazuhito Kamei,Hironori Daikoku. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for controlling donor concentration in silicon single crystal substrate

Номер патента: EP4131341A1. Автор: Hiroshi Takeno. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-08.

Method for producing a group III nitride semiconductor single crystal and method for producing a GaN substrate

Номер патента: US09567693B2. Автор: Shiro Yamazaki,Seiji Nagai,Miki Moriyama,Shohei Kumegawa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for producing a laminated body having a1-based group-iii nitride single crystal layer, laminated body produced by the method, method for producing a1-based group-iii nitride single crystal substrate employing the laminated body, and aluminum nitride single crystal substrate

Номер патента: CA2712148C. Автор: Kazuya Takada,Akinori Koukitu,Yoshinao Kumagai,Toru Nagashima,Masanari Ishizuki,Akira Hakomori. Владелец: Tokyo University of Agriculture and Technology NUC. Дата публикации: 2012-08-07.

Method for evaluating crystal defects of silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: EP4310893A1. Автор: Toru Takahashi,Yutaka Shiga,Hisao Muraki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-24.

Bismuth-substituted rare earth iron garnet single crystal, faraday rotator, optical isolator, and production method for bismuth-substituted rare earth iron garnet single crystal

Номер патента: CA3174520A1. Автор: Toshiaki Watanabe,Satoru Fukuda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-10-28.

A kind of system and method for EFG technique growing large-size sapphire single-crystal plate

Номер патента: CN109234796A. Автор: 邱文,黄小杰,邱一豇,冷和杰,邱豇. Владелец: Sichuan Union Crystal New Materials Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-18.

Base substrate, single crystal diamond multilayer substrate, method for producing base substrate, and method for producing single crystal diamond multilayer substrate

Номер патента: EP4431634A1. Автор: Hitoshi Noguchi,Hiroshi Hashigami,Shozo Shirai. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Laminate substrate, freestanding substrate, method for manufacturing laminate substrate, and method for manufacturing freestanding substrate

Номер патента: US20240332362A1. Автор: Hitoshi Noguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for manufacturing diamond single crystal substrate, and diamond single crystal substrate

Номер патента: US20060216220A1. Автор: Takahiro Imai,Yoshiyuki Yamamoto,Kiichi Meguro. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2006-09-28.

Laminate substrate, freestanding substrate, method for manufacturing laminate substrate, and method for manufacturing freestanding substrate

Номер патента: US12040362B2. Автор: Hitoshi Noguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for producing nitrogen-free diamond crystals

Номер патента: RU2766902C1. Автор: Юрий Николаевич Пальянов,Игорь Николаевич Куприянов,Александр Федорович Хохряков,Юрий Михайлович Борздов,Денис Валерьевич Нечаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева Сибирского отделения Российской академии наук (Институт геологии и менералогии СО РАН, ИГМ СО РАН). Дата публикации: 2022-03-16.

Method for Producing Single Crystal Diamond and Single Crystal Diamond

Номер патента: US20240318348A1. Автор: Ryuji Oshima,Alexander Vul,Kanji Iizuka,Fedor Shakhov. Владелец: Ioffe Institute. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for manufacturing rectangular parallelepiped-shaped single crystal, rectangular parallelepiped-shaped single crystal, method for manufacturing ceramics, ceramics, piezoelectric element, piezoelectric device, and electronic device

Номер патента: US20160273125A1. Автор: Takayuki Watanabe,Makoto Kubota,Shunsuke Murakami. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-09-22.

Method and apparatus for growth of high purity 6h-sic single crystal

Номер патента: EP2262934A1. Автор: Brian Wagner,Sean R. McLaughlin,David J. Knuteson,David Kahler,Thomas J. Knight,Narsingh B. Singh,Travis J. Randall,Andre E. Berghmans,Mark Usefara. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2010-12-22.

Method for manufacturing n-type silicon single crystal, n-type silicon single crystal ingot, silicon wafer and epitaxial silicon wafer

Номер патента: KR102315981B1. Автор: 후쿠오 오가와,야스히토 나루시마,코이치 마에가와,야스후미 카와카미,유우지 츠츠미. Владелец: 가부시키가이샤 사무코. Дата публикации: 2021-10-21.

Method for preparing calcium-doped and high-water single-crystal franklinite under high-temperature and high-pressure condition

Номер патента: ZA202302209B. Автор: Hu Haiying,Dai Lidong. Владелец: Inst Geochemistry Cas. Дата публикации: 2023-05-31.

Method for preparing vanadium-doped and high-water single-crystal manganochromite under high-temperature and high-pressure condition

Номер патента: ZA202302514B. Автор: Hu Haiying,Dai Lidong. Владелец: Inst Geochemistry Cas. Дата публикации: 2023-05-31.

Method for preparing nickel-doped and high-water single-crystal cochromite under high-temperature and high-pressure condition

Номер патента: ZA202302515B. Автор: Hu Haiying,Dai Lidong. Владелец: Inst Geochemistry Cas. Дата публикации: 2023-05-31.

Method for preparing aluminum-doped and high-water single-crystal chromite under high-temperature and high-pressure condition

Номер патента: ZA202302361B. Автор: Hu Haiying,Dai Lidong. Владелец: Inst Geochemistry Cas. Дата публикации: 2023-05-31.

Method for preparing titanium-doped and high-water single-crystal coulsonite under high-temperature and high-pressure condition

Номер патента: ZA202302516B. Автор: Hu Haiying,Dai Lidong. Владелец: Inst Geochemistry Cas. Дата публикации: 2023-05-31.

METHOD FOR PRODUCING N-TYPE GROUP III NITRIDE SINGLE CRYSTAL, N-TYPE GROUP III NITRIDE SINGLE CRYSTAL, AND CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20140369917A1. Автор: Iwata Hirokazu. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2014-12-18.

METHOD FOR FORMING IDENTIFICATION MARKS ON REFRACTORY MATERIAL SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, AND REFRACTORY MATERIAL SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20160190069A1. Автор: Kondo Sadahiko. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

Method for preparing large-area transition metal chalcogenide single crystal and product obtained by method

Номер патента: CN111826713B. Автор: 施毅,李涛涛,王欣然. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-03-15.

A kind of method for annealing for mixing iron indium phosphide single crystal wafer

Номер патента: CN107675262A. Автор: 卢伟,杨俊�,赵有文,段满龙. Владелец: Beijing Ding Tai Xinyuan Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-09.

Method for Preparing Large-area Transition Metal Dichalcogenide Single-Crystal Films and Products Obtained Therefrom

Номер патента: US20200385888A1. Автор: Wang Xinran,Shi Yi,Li Taotao. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-10.

Method for efficiently growing low-stress silicon carbide single crystals

Номер патента: CN112877772A. Автор: 不公告发明人. Владелец: Harbin Keyou Semiconductor Industry Equipment and Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-01.

Method for reducing macrodefects in the production of single-crystal or monocrystalline layers

Номер патента: WO2009052770A1. Автор: Jochen Friedrich,Stephan Hussy. Владелец: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.. Дата публикации: 2009-04-30.

Method for growing all-inorganic lead-free perovskite single crystal

Номер патента: CN115433999B. Автор: 王文武,张建宇,武莉莉,赵德威,张静全,李岸峰. Владелец: Sichuan University. Дата публикации: 2023-05-26.

Method for regulating and growing two-dimensional organic single crystal film by using viscous substrate and surfactant

Номер патента: CN110872730B. Автор: 胡文平,李荣金,姚佳荣. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-03-30.

Annealing method for removing residual stress of gallium antimonide single crystal wafer

Номер патента: CN112899790A. Автор: 周媛,杨俊�,谢辉,刘京明,赵有文,沈桂英. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2021-06-04.

Method for the sublimation growth of an SiC single crystal, involving heating under growth pressure

Номер патента: US20020083885A1. Автор: Rene Stein,Harald Kuhn,Johannes Voelkl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2002-07-04.

Method for preparing manganese-doped and high-water single-crystal trevorite under high-temperature and high-pressure condition

Номер патента: ZA202302208B. Автор: Hu Haiying,Dai Lidong. Владелец: Inst Geochemistry Cas. Дата публикации: 2023-05-31.

Method for growing B-Ga2O3-based single crystal

Номер патента: US09926646B2. Автор: Shinya Watanabe,Kazuyuki Iizuka,Kimiyoshi KOSHI,Daiki Wakimoto,Takekazu Masui. Владелец: Koha Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for cultivating β-Ga2O3-based single crystal, and β-Ga2O3-based single crystal substrate and method for producing same

Номер патента: US09915010B2. Автор: Kimiyoshi KOSHI,Masaru Takizawa,Takekazu Masui. Владелец: Koha Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Method for growing beta-Ga2O3-based single crystal, and beta-Ga2O3-based single crystal substrate and method for producing same

Номер патента: US09915009B2. Автор: Shinya Watanabe,Kimiyoshi KOSHI. Владелец: Koha Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Langasite single crystal ingot, substrate for piezoelectric device and method for manufacture thereof, and surface coustic wave device

Номер патента: US20040137727A1. Автор: Satoshi Uda,Shouqi Wang. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2004-07-15.

Method for forming identification marks on silicon carbide single crystal substrate, and silicon carbide single crystal substrate

Номер патента: US20130157009A1. Автор: Sadahiko Kondo. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2013-06-20.

Method for pretreatment of base substrate and method for manufacturing layered body using pretreated base substrate

Номер патента: US09896780B2. Автор: Hiroshi Furuya,Toshiyuki Obata. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for producing group III nitride semiconductor single crystal

Номер патента: US09932688B2. Автор: Miki Moriyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for manufacturing multilayer epitaxial silicon single crystal wafer, and multilayer epitaxial silicon single crystal wafer

Номер патента: CN101128919A. Автор: 金谷晃一. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-20.

Method for controlling donor concentration in silicon single crystal substrate

Номер патента: EP4131341A4. Автор: Hiroshi Takeno. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-01.

Method for controlling donor concentration in silicon single crystal substrate

Номер патента: EP4123686A4. Автор: Hiroshi Takeno. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-01.

Process for manufacturing synthetic single crystal diamond material

Номер патента: CA2866758C. Автор: Carlton Nigel Dodge,Raymond Anthony Spits,Dietrich Borse,Eugen GURA. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of manufacturing part with single-crystal structure by oriented crystallization and device for method embodiment

Номер патента: RU2167739C1. Автор: Е.В. Спиридонов,И.Е. Цацулина. Владелец: Цацулина Ирина Евгеньевна. Дата публикации: 2001-05-27.

Apparatus for manufacturing group iii nitride single crystal, method for manufacturing group iii nitride single crystal using the apparatus, and aluminum nitride single crystal

Номер патента: US20170330745A1. Автор: Masayuki Fukuda,Toru Nagashima. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2017-11-16.

Method for sorting silicon wafers according to their bulk lifetime

Номер патента: US20190247889A1. Автор: Jordi Veirman,Wilfried Favre,Elenore Letty. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2019-08-15.

Method for manufacturing epitaxial wafer

Номер патента: EP4283024A1. Автор: Katsuyoshi Suzuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Method for producing an epitaxial wafer

Номер патента: US20240063027A1. Автор: Katsuyoshi Suzuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Method for identifying molecular structure

Номер патента: US11815475B2. Автор: Makoto Fujita,Hiroki Takezawa,Daishi Fujita,Yuya Domoto. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2023-11-14.

Group iii nitride semiconductor single crystal, method for producing the same, self-standing substrate, and semiconductor device

Номер патента: US20140070370A1. Автор: Shiro Yamazaki,Miki Moriyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Method for Manufacturing Buried Insulating Layer Type Single Crystal Silicon Carbide Substrate and Manufacturing Device for the Same

Номер патента: US20040191966A1. Автор: Tomoyuki Tanaka,Motoi Nakao,Katsutoshi Izumi,Seisaku Hirai,Yoshiaki Ohbayashi,Keiji Mine,Fumihiko Jobe. Владелец: Osaka Prefecture. Дата публикации: 2004-09-30.

Method for controlling donor concentration in silicon single crystal substrate

Номер патента: WO2021186944A1. Автор: 竹野　博. Владелец: 信越半導体株式会社. Дата публикации: 2021-09-23.

Method for producing p-type 4H-SiC single crystal

Номер патента: US11542631B2. Автор: Tomohisa Kato,Hiromasa SUO,Kazuma ETO,Yuichiro TOKUDA. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2023-01-03.

Method for producing p-type 4h-sic single crystal

Номер патента: US20200325595A1. Автор: Tomohisa Kato,Hiromasa SUO,Kazuma ETO,Yuichiro TOKUDA. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2020-10-15.

Method for producing a laminated body having a1-based group-iii nitride single crystal layer, laminated body produced by the method, method for producing a1-based group-iii nitride single crystal substrate employing the laminated body, and aluminum nitride single crystal substrate

Номер патента: CA2712148A1. Автор: Kazuya Takada,Akinori Koukitu,Yoshinao Kumagai,Toru Nagashima,Masanari Ishizuki,Akira Hakomori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-23.

METHOD FOR PRODUCING A LAMINATED BODY HAVING Al-BASED GROUP-III NITRIDE SINGLE CRYSTAL LAYER, LAMINATED BODY PRODUCED BY THE METHOD, METHOD FOR PRODUCING Al-BASED GROUP-III NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE EMPLOYING THE LAMINATED BODY, AND ALUMINUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20110018104A1. Автор: Kazuya Takada,Akinori Koukitu,Yoshinao Kumagai,Toru Nagashima,Masanari Ishizuki,Akira Hakomori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-27.

Method for manufacturing composite wafer having oxide single crystal thin film

Номер патента: JP6454606B2. Автор: 昌次秋山,川合　信,信川合. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-16.

METHOD FOR MANUFACTURING COMPOSITE WAFER WITH OXIDE SINGLE CRYSTAL FILM

Номер патента: KR20180014701A. Автор: 쇼지 아키야마,마코토 카와이. Владелец: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2018-02-09.

Material having single crystal perovskite, device including the same, and manufacturing method thereof

Номер патента: US11615955B2. Автор: Minghwei Hong,Bo-Yu Yang,Chao Kai Cheng,Jueinai Kwo,Hsien-Wen WAN,Keng-Yung Lin,Yen-Hsun Lin,Kuan Chieh LU. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2023-03-28.

Material having single crystal perovskite, device including the same, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170352539A1. Автор: Minghwei Hong,Bo-Yu Yang,Chao Kai Cheng,Jueinai Kwo,Hsien-Wen WAN,Keng-Yung Lin,Yen-Hsun Lin,Kuan Chieh LU. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2017-12-07.

METHOD FOR PRODUCING N-TYPE GROUP III NITRIDE SINGLE CRYSTAL, N-TYPE GROUP III NITRIDE SINGLE CRYSTAL, AND CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20160362815A1. Автор: Iwata Hirokazu. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2016-12-15.

Method for producing N-type group III nitride single crystal, N-type group III nitride single crystal, and crystal substrate

Номер патента: US9464367B2. Автор: Hirokazu Iwata. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

METHOD FOR FORMING IDENTIFICATION MARKS ON SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, AND SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20130157009A1. Автор: Kondo Sadahiko. Владелец: HITACHI METALS ,LTD.. Дата публикации: 2013-06-20.

Bismuth-substituted rare earth iron garnet single crystal, faraday rotator, optical isolator, and production method for bismuth-substituted rare earth iron garnet single crystal

Номер патента: EP4141151A4. Автор: Toshiaki Watanabe,Satoru Fukuda. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-22.

METHOD FOR PRODUCING A GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING A GaN SUBSTRATE

Номер патента: US20130199438A1. Автор: NAGAI Seiji,Moriyama Miki,Kumegawa Shohei,Yamazaki Shiro. Владелец: TOYODA GOSEI CO., LTD.. Дата публикации: 2013-08-08.

METHOD FOR PRODUCING A GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING A GaN SUBSTRATE

Номер патента: US20170081780A1. Автор: NAGAI Seiji,Moriyama Miki,Kumegawa Shohei,Yamazaki Shiro. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-23.

Method for preparing phosphomolybdic acid modified high-nickel single crystal positive electrode material

Номер патента: CN113066980A. Автор: 郭玉国,盛航,石吉磊,邹玉刚,孟鑫海. Владелец: Institute of Chemistry CAS. Дата публикации: 2021-07-02.

Compound semiconductor wafer, photoelectric conversion element, and method for producing group iii-v compound semiconductor single crystals

Номер патента: EP4119703A1. Автор: Akira Noda,Masaru Ota,Ryuichi Hirano. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2023-01-18.

Method for producing composite wafer provided with oxide single-crystal thin film

Номер патента: WO2016194977A1. Автор: 昌次秋山,信川合. Владелец: 信越化学工業株式会社. Дата публикации: 2016-12-08.

A method for detecting a gas leak in a single crystal grower

Номер патента: KR101402843B1. Автор: 김재성. Владелец: 주식회사 엘지실트론. Дата публикации: 2014-06-03.

Method and device for manufacturing silicon carbide single-crystal

Номер патента: US20130239881A1. Автор: Shin Harada,Makoto Sasaki,Hiroki Inoue,Shinsuke Fujiwara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-09-19.

Method for manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20160340796A1. Автор: Akira Matsushima,Tsutomu Hori,Shunsaku UETA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09957638B2. Автор: Takahiro Yamamoto,Kenichi Hamano,Nobuyuki Tomita,Yoichiro Mitani,Akihito Ohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Methods for manufacturing silicon carbide single crystal ingot and silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: US12071709B2. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO,Yuichiro TOKUDA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Quartz crucible for growing silicon single crystal, method of manufacturing quartz crucible for growing silicon single crystal and method of manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US20130276694A1. Автор: Hidetoshi Utsuro,Masafumi Okamoto,Naoya Ryoki,Ryo Kuwabara. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-10-24.

Silicon carbide single crystal wafer, and methods for manufacturing silicon carbide single crystal ingot and the silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: US20210108334A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO,Yuichiro TOKUDA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2021-04-15.

Method for heat treatment of silicon single crystal wafer

Номер патента: US09850595B2. Автор: Ryoji Hoshi,Hiroyuki Kamada. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Silica glass crucible for pulling up silicon single crystal, method for manufacturing thereof and method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US8506708B2. Автор: Satoshi Kudo,Masanori Fukui. Владелец: Japan Super Quartz Corp. Дата публикации: 2013-08-13.

Method for producing quartz glass crucible for use in pulling silicon single crystal and quartz glass crucible produced by said method

Номер патента: EP1601823A1. Автор: Hiroshi Matsui,Yasuo Ohama. Владелец: Heraeus Quarzglas GmbH and Co KG. Дата публикации: 2005-12-07.

Zinc oxide free-standing substrate and method for manufacturing same

Номер патента: US20160145768A1. Автор: Tsutomu Nanataki,Jun Yoshikawa,Hirofumi Yamaguchi,Morimichi Watanabe. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2016-05-26.

Method for Manufacturing Boride Single Crystal and Substrate

Номер патента: US20070022944A1. Автор: Shinji Inoue,Kenji Hori,Mineo Isogami. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2007-02-01.

Silicon carbide single crystal growth apparatus and method for manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20210262119A1. Автор: Toru Takahashi,Hitoshi Ikeda,Yuichi Matsumoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Silicon carbide single crystal ingot, silicon carbide wafer, and method for manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20240110308A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Takahiro Kanda,Norihiro HOSHINO,Kiyoshi Betsuyaku. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Method for manufacturing a single-crystal 4H—SiC substrate

Номер патента: US09752254B2. Автор: Takanori Tanaka,Kenichi Hamano,Nobuyuki Tomita,Yoichiro Mitani,Zempei Kawazu,Akihito Ohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for manufacturing silicon carbide single crystal and silicon carbide substrate

Номер патента: US20170121844A1. Автор: Tomohiro Kawase. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Method for manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20180251909A1. Автор: Kiyoshi Kojima,Hiroyuki Deai,Masashi Nakabayashi,Kota Shimomura,Yukio Nagahata. Владелец: Nippon Steel and Sumikin Materials Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-06.

METHOD FOR REPEATED USE OF A SOLUTION-MELT IN THE SYNTHESIS OF 57FeBO3

Номер патента: RU2769681C1. Автор: Игорь Савельевич Любутин,Юлия Александровна Могиленец,Кира Андреевна Селезнева,Марк Борисович Стругацкий,Сергей Владимирович Ягупов,Никита Игоревич Снегирёв,Марианна Владимировна Любутина. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук". Дата публикации: 2022-04-05.

Method for growing mixed crystals of cobalt-nickel-potassium sulfate for optical filters of ultraviolet range

Номер патента: RU2758652C1. Автор: Наталья Александровна Васильева,Алексей Эдуардович Волошин,Владимир Михайлович Масалов,Андрей Анатольевич Жохов,Геннадий Анатольевич Емельченко,Надежда Сергеевна Сухинина,Вера Львовна Маноменова,Елена Борисовна Руднева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН). Дата публикации: 2021-11-01.

Method for producing single crystal sic

Номер патента: RU2761199C1. Автор: Виктор Викторович Лучинин,Александр Владимирович Марков,Наталья Владимировна Андреева,Андрей Олегович Лебедев,Юрий Олегович Быков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина). Дата публикации: 2021-12-06.

Methods for manufacturing silicon carbide single crystal ingot and silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: US20230374699A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO,Yuichiro TOKUDA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Method and apparatus for manufacturing silicon carbide single crystal, and silicon carbide single crystal ingot

Номер патента: US20220112623A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Takahiro Kanda,Norihiro HOSHINO. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2022-04-14.

Method for growing crystals of multicomponent fluorides with the structure of fluorite in mf2-cef3 systems

Номер патента: RU2659274C2. Автор: Борис Павлович Соболев,Денис Нуриманович Каримов,Всеволод Вадимович Киреев,Наталья Альбертовна Ивановская. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук". Дата публикации: 2018-06-29.

Method for producing bismuth silicate bi12sio20 by crystalization method in crubicle

Номер патента: RU2665626C1. Автор: Тимофей Владимирович Бермешев,Владимир Павлович Жереб. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет". Дата публикации: 2018-09-03.

Method for producing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20210230768A2. Автор: Yohei FUJIKAWA,Hidetaka Takaba. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2021-07-29.

Apparatus for producing single crystals and method for producing single crystals

Номер патента: US20020005160A1. Автор: Kouji Kitagawa,Kouji Mizuishi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-17.

Single-crystal 4H-SiC substrate

Номер патента: US09422640B2. Автор: Takanori Tanaka,Kenichi Hamano,Nobuyuki Tomita,Yoichiro Mitani,Zempei Kawazu,Akihito Ohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Silicon-Based Molten Composition And Method For Manufacturing Silicon Carbide Single Crystal Using The Same

Номер патента: US20190106806A1. Автор: Kyoung Hoon Kim,Chan Yeup Chung,Ho Rim Lee,Jung Min Ko. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2019-04-11.

Method for producing an n-type SiC single crystal from a Si—C solution comprising a nitride

Номер патента: US09702057B2. Автор: Takayuki Shirai. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Silicon carbide single crystal manufacturing apparatus and method of manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20220213617A1. Автор: Rimpei Kindaichi,Nobutoshi SUDOH. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2022-07-07.

Method for producing silicon carbide single crystal in a solution process using a seed crystal having a bottom face with a circular shape and at least a partially removed section

Номер патента: US10260167B2. Автор: Katsunori Danno. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-04-16.

Method for producing heteroepitaxial wafer

Номер патента: EP4431645A1. Автор: Tatsuo Abe,Atsushi Suzuki,Toshiki Matsubara,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Quartz glass crucible for pulling up silicon single crystal and method for producing the same

Номер патента: US20030159646A1. Автор: Hiroyuki Watanabe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-28.

Method for producing nitride single crystal

Номер патента: US20180187328A1. Автор: Makoto Saito,Shigefusa Chichibu,Yuji Kagamitani,Tohru Ishiguro,Chiaki Yokoyama,Rinzo Kayano,Quanxi Bao,Daisuke TOMIDA,Mutsuo UEDA. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2018-07-05.

Monocrystalline zirconia without low-temperature degradation properties and method for growing same

Номер патента: US20170137961A1. Автор: Jae Kun Lee. Владелец: Woojin Wtp Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Method for producing nitride single crystal

Номер патента: US20150023862A1. Автор: Makoto Saito,Shigefusa Chichibu,Toru Ishiguro,Yuji Kagamitani,Chiaki Yokoyama,Rinzo Kayano,Quanxi Bao,Daisuke TOMIDA,Mutsuo UEDA. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-01-22.

Method for producing sic single crystal and method for suppressing dislocations in sic single crystal

Номер патента: EP4148167A1. Автор: Takehisa Minowa,Toshihiro Tsumori,Naofumi Shinya,Yu Hamaguchi,Norio Yamagata. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-15.

Method for producing nitride single crystal

Номер патента: US09976229B2. Автор: Makoto Saito,Shigefusa Chichibu,Yuji Kagamitani,Tohru Ishiguro,Chiaki Yokoyama,Rinzo Kayano,Quanxi Bao,Daisuke TOMIDA,Mutsuo UEDA. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for producing SiC single crystal substrate in which a Cr surface impurity is removed using hydrochloric acid

Номер патента: US09873955B2. Автор: Akinori Seki. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US09845549B2. Автор: Shin Harada,Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Method of producing silicon single crystal ingot

Номер патента: US09777394B2. Автор: Wataru Sato,Nobuaki Mitamura,Susumu Sonokawa,Tomohiko Ohta. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for producing SiC single crystal

Номер патента: US09530642B2. Автор: Kazuhiko Kusunoki,Kazuhito Kamei,Motohisa Kado. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

METHOD FOR PRODUCING Bi4Ge3O12 BISMUTH GERMANATE BY CASTING

Номер патента: RU2753671C1. Автор: Тимофей Владимирович Бермешев,Владимир Павлович Жереб. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет". Дата публикации: 2021-08-19.

Method for epitaxial growth of monocrystals of metals nitrides of 3a group of chemical elements

Номер патента: RU2097452C1. Автор: Юрий Николаевич Макаров,Евгений Николаевич Мохов,Юрий Александрович Водаков,Марк Григорьевич Рамм,Александр Дмитриевич Роенков,Сергей Юрьевич Карпов,Марк Спиридонович Рамм. Владелец: Марк Спиридонович Рамм. Дата публикации: 1997-11-27.

Method for producing sic single crystal

Номер патента: US20180100247A1. Автор: Katsunori Danno. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Semiconductor Wafer Composed Of Monocrystalline Silicon And Method For Producing It

Номер патента: US20160053405A1. Автор: Timo Mueller,Gudrun Kissinger,Andreas Sattler,Dawid Kot. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2016-02-25.

Method for fabricating ultra thin single-crystal metal oxide wave retarder plates and a waveguide polarization mode converter using the same

Номер патента: WO2001075195A3. Автор: Miguel Levy,Richard M Osgood Jr,Antonije M Radojevic. Владелец: Antonije M Radojevic. Дата публикации: 2002-02-28.

Single crystal material having high density dislocations arranged one-dimensionally in straight line form, functional device using said single crystal material, and method for their preparation

Номер патента: EP1500722A4. Автор: Takahisa Yamamoto,Yuichi Ikuhara. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2007-10-10.

Method for producing SiC single crystal

Номер патента: US09982365B2. Автор: Kazuhiko Kusunoki,Kazuhito Kamei,Katsunori Danno. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

SiC single-crystal ingot, SiC single crystal, and production method for same

Номер патента: US09732436B2. Автор: Takayuki Shirai,Katsunori Danno. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor wafer composed of monocrystalline silicon and method for producing it

Номер патента: US09458554B2. Автор: Timo Mueller,Gudrun Kissinger,Andreas Sattler,Dawid Kot. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2016-10-04.

Method for producing SiC single crystal

Номер патента: US09822468B2. Автор: Kazuaki Seki,Kazuhiko Kusunoki,Yutaka Kishida,Kazuhito Kamei,Hironori Daikoku. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for producing SiC single crystal

Номер патента: US09777399B2. Автор: Katsunori Danno. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for growing a bulk single crystal nitride material

Номер патента: US09611564B2. Автор: Guoyi Zhang,Jiao Chen,Zhiwen LIANG,Nanliu LIU. Владелец: Dongguan Institute of Opto Electronics Peking University. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for silicon carbide crystal growth by reacting elemental silicon vapor with a porous carbon solid source material

Номер патента: US09580837B2. Автор: Thomas E. Anderson,Ilya Zwieback,Varatharajan Rengarajan,Michael C. Nolan,Bryan K. Brouhard. Владелец: II VI Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Hydrothermal method for growth of alkaline earth metal stannate bulk single crystals and crystals formed thereby

Номер патента: US11840772B2. Автор: Joseph W. Kolis,Colin D. McMillen,Rylan J. Terry. Владелец: Clemson University Research Foundation (CURF). Дата публикации: 2023-12-12.

Hydrothermal method for growth of alkaline earth metal stannate bulk single crystals and crystals formed thereby

Номер патента: US20220235488A1. Автор: Joseph W. Kolis,Colin D. McMillen,Rylan J. Terry. Владелец: Clemson University. Дата публикации: 2022-07-28.

Method for producing single crystal

Номер патента: US09777400B2. Автор: Akira Matsushima,Tsutomu Hori,Shunsaku UETA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

SiC single crystal ingot and production method therefor

Номер патента: US09523156B2. Автор: Nobuhiro Okada,Kazuhiko Kusunoki,Hidemitsu Sakamoto,Hironori Daikoku,Motohisa Kado. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Method and apparatus for producing a single crystal

Номер патента: MY133687A. Автор: Friedrich Nemetz. Владелец: Wacker Siltronic Halbleitermat. Дата публикации: 2007-11-30.

Method for growing a GaN single crystal film on a buffer layer on a ScAlMgO4 substrate and performing cooling so that the GaN film is peeled from the ScAlMgO4 substrate

Номер патента: US12065755B2. Автор: Haitao Zhang,Bin Xu,Bo PANG,Lianghong Liu. Владелец: Wuxi Wuyue Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Sublimation System And Method Of Growing At Least One Single Crystal

Номер патента: US20240309546A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-09-19.

Sublimation system and method of growing at least one single crystal of a semiconductor material

Номер патента: EP4431644A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-09-18.

Sublimation System and Method of Growing at Least One Single Crystal of a Semiconductor Material

Номер патента: US20240309545A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-09-19.

Sublimation system and method of growing at least one single crystal

Номер патента: EP4431643A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-09-18.

Silicon carbide powder and method for producing silicon carbide single crystal

Номер патента: US09816200B2. Автор: Masakazu Suzuki,Hideaki Tanaka,Tomohisa Kato,Kiyoshi Nonaka,Kenta Masuda,Kouki Ichitsubo. Владелец: Taiheiyo Cement Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for manufacturing silicon single-crystal substrate and silicon single-crystal substrate

Номер патента: US20230212782A1. Автор: Weifeng Qu,Shizuo Igawa,Ken Sunakawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Silicon carbide ingot, method for manufacturing silicon carbide ingot, and method for manufacturing silicon carbide wafer

Номер патента: US20230193510A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO,Akiyoshi HORIAI,Kiyoshi Betsuyaku. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Carbon-doped silicon single crystal wafer and method for manufacturing the same

Номер патента: US11761118B2. Автор: Weifeng Qu,Shizuo Igawa,Ken Sunakawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Method for heat-treating silicon single crystal wafer

Номер патента: US20210062366A1. Автор: Tadashi Nakasugi,wei feng Qu,Ken Sunakawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate, and silicon carbide epitaxial substrate

Номер патента: US09777404B2. Автор: Keiji Wada,Jun Genba,Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for manufacturing silicon epitaxial wafer

Номер патента: US20120231612A1. Автор: Tomosuke Yoshida. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-13.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide semiconductor device, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09978651B2. Автор: Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for heat treatment of silicon single crystal wafer

Номер патента: US09938640B2. Автор: Ryoji Hoshi,Hiroyuki Kamada. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Quartz glass crucible, method for producing the same, and method for producing silicon single crystal

Номер патента: US09376336B2. Автор: Akihiro Kimura,Izumi Fusegawa,Katsuhiko Miki,Suguru Matsumoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

Method for controlling resistivity and n-type silicon single crystal

Номер патента: US20170260645A1. Автор: Kiyotaka Takano,Ryoji Hoshi,Hiroyuki Kamada. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Silicon carbide epitaxial wafer, method for manufacturing silicon carbide epitaxial wafer, device for manufacturing silicon carbide epitaxial wafer, and silicon carbide semiconductor element

Номер патента: US09587326B2. Автор: Kentaro Tamura,Kazutoshi Kojima,Keiko MASUMOTO. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-03-07.

Epitaxial silicon wafer and method for manufacturing same

Номер патента: US09412622B2. Автор: Toshiaki Ono,Shigeru Umeno. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Method for manufacturing silicon carbide base body, method for manufacturing semiconductor device, silicon carbide base body, and semiconductor device

Номер патента: US20210217619A1. Автор: Chiharu Ota,Johji Nishio. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-07-15.

Manufacturing method and apparatus for manufacturing silicon carbide epitaxial wafer

Номер патента: US09564315B1. Автор: Takahiro Yamamoto,Yasuhiro Kimura,Masashi Sakai,Nobuyuki Tomita,Yoichiro Mitani,Akihito Ohno,Takuma Mizobe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Silicon carbide substrate, silicon carbide ingot, and methods for manufacturing silicon carbide substrate and silicon carbide ingot

Номер патента: US09605358B2. Автор: Makoto Sasaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Silicon carbide substrate, silicon carbide ingot, and methods for manufacturing silicon carbide substrate and silicon carbide ingot

Номер патента: US09422639B2. Автор: Makoto Sasaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP4400636A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Flexible single-crystal film and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1751788A1. Автор: Jae-Gun Park,Jong-wan Park. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2007-02-14.

Single-crystal diamond, method for manufacturing single-crystal diamond, and chemical vapor deposition device used in same

Номер патента: US20190031515A1. Автор: Yutaka Kobayashi,Yoshiki Nishibayashi,Natsuo Tatsumi,Hitoshi Sumiya,Akihiko Ueda,Takuya NOHARA. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC HARDMETAL CORP. Дата публикации: 2019-01-31.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20240371628A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for manufacturing semiconductor wafer

Номер патента: US20130295780A1. Автор: Shinya Sadohara. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Method for manufacturing semiconductor wafer

Номер патента: US8853103B2. Автор: Shinya Sadohara. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2014-10-07.

Method for manufacturing semiconductor wafer

Номер патента: US20110143526A1. Автор: Shinya Sadohara. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2011-06-16.

Production method for turbine component, repairing method, and turbine component

Номер патента: EP4260966A1. Автор: Hiroshi Harada,Toru Tanaka,Akihiro Sakamoto,Kyoko Kawagishi,Tadaharu Yokokawa,Toshio Osada,Yutaka Koizumi,Yoshiaki Sakai,Rie Sumiya,Hideshi Nakano,Makoto Osawa,Takehisa Hino,Kazuhiro Kitayama. Владелец: Toshiba Energy Systems and Solutions Corp. Дата публикации: 2023-10-18.

Epitaxial wafer for ultraviolet ray emission device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240258462A1. Автор: Masato Yamada,Keitaro Tsuchiya,Kazutoshi Nagata. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4442868A1. Автор: Kosei Sugawara,Keitaro Tsuchiya,Kazunori Hagimoto,Keisuke Mihara,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Apparatus and method for manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: EP2465980A2. Автор: Kazukuni Hara,Yuuichirou Tokuda. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-06-20.

Method for manufacturing a turbine engine vane and turbine engine vane

Номер патента: US12031447B2. Автор: Baptiste Romain Larrouy,Olivier Philippe David BERTEAUX,Philippe Gabriel Louis BELAYGUE. Владелец: Safran Helicopter Engines SAS. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor wafer and a method for producing the semiconductor wafer

Номер патента: US09923050B2. Автор: Ming Zhao,Norbert Werner,Peter Storck,Sarad Bahadur Thapa. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for manufacturing substrate for solar cell and substrate for solar cell

Номер патента: US11901475B2. Автор: Hiroyuki Otsuka,Shozo Shirai. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Method of evaluating silicon single-crystal ingot, method of evaluating silicon epitaxial wafer, method of manufacturing silicon epitaxial wafer, and method of evaluating silicon mirror polished wafer

Номер патента: US20240230553A1. Автор: Jun Furukawa,Kazuya Suzuki,Keiichiro Mori,Takahiro Nagasawa. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor substrate, semiconductor wafer, and method for manufacturing semiconductor wafer

Номер патента: EP4383315A1. Автор: Kohei Sasaki,Chia-hung Lin. Владелец: Novel Crystal Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-12.

Method for manufacturing aluminum-based group III nitride single crystal by hydride vapor phase epitaxy

Номер патента: US09708733B2. Автор: Yoshinao Kumagai,Toru Nagashima,Reiko OKAYAMA,Akinori Koukitsu. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

METHOD FOR PRODUCING CRYSTALS OF ALLOYS OF FLUORITE SOLID SOLUTIONS М1-X М'XF2, WHERE M = CA, SR, BA; M' = PB, CdD, X IS MOLE FRACTION OF VOLATILE COMPONENT M'F2 (VARIANTS)

Номер патента: RU2742638C1. Автор: Денис Нуриманович Каримов,Ирина Игоревна Бучинская,Юрий Меерович Дымшиц. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук". Дата публикации: 2021-02-09.

Single crystal silicon pulling silica container and manufacturing method thereof

Номер патента: US09382640B2. Автор: Shigeru Yamagata. Владелец: Shin Etsu Quartz Products Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Method for growing alumino-yttrium garnet doped with vanadium

Номер патента: RU2641828C1. Автор: Виктор Александрович Письменный,Александр Витальевич Сандуленко,Лариса Ивановна Крутова,Дмитрий Иванович Клименченко. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский и технологический институт оптического материаловедения Всероссийского научного центра "Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова" (АО "НИТИОМ ВНЦ "ГОИ им. С.И. Вавилова"). Дата публикации: 2018-01-22.

Base material on which single-crystal diamond is grown comprised of a base substrate, bonded single-crystal MgO layer, and heteroepitaxial film, and method for manufacturing a single-crystal diamond substrate on the base material

Номер патента: US09752255B2. Автор: Hitoshi Noguchi,Shozo Shirai. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Silicon carbide substrate, silicon carbide semiconductor device, method for manufacturing silicon carbide substrate, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20130092956A1. Автор: Keiji Ishibashi,Tsutomu Hori,Yu Saitoh,Kosuke Uchida,Shunsaku UETA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-04-18.

Layered substrate with a miscut angle comprising a silicon single crystal substrate and a group-III nitride single crystal layer

Номер патента: US09728609B2. Автор: Kenji Ito,Masaki Matsui,Kazuyoshi Tomita,Nobuyuki Otake,Tetsuo Narita,Shinichi Hoshi. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for manufacturing components made of single crystal (SX) or directionally solidified (DS) nickelbase superalloys

Номер патента: US09670571B2. Автор: Roland Mücke,Thomas Etter. Владелец: Ansaldo Energia IP UK Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate, and silicon carbide epitaxial substrate

Номер патента: US20160355949A1. Автор: Keiji Wada,Jun Genba,Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-12-08.

Method for manufacturing SOQ substrate

Номер патента: US20080118757A1. Автор: Koichi Tanaka,Atsuo Ito,Makoto Kawai,Yoshihiro Kubota,Shoji Akiyama,Yuuji Tobisaka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-22.

Apparatus and method for manufacturing a light-emitting device using a neutral particle beam

Номер патента: US20140017827A1. Автор: Suk Jae Yoo,Seong Bong Kim. Владелец: Korea Basic Science Institute KBSI. Дата публикации: 2014-01-16.

Silicon ingot, silicon block, silicon substrate, method for manufacturing silicon ingot, and solar cell

Номер патента: US20240026568A1. Автор: Hitoshi Matsuo,Hideyoshi Tanabe. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for producing semiconductor thin films on foreign substrates

Номер патента: US20150140795A1. Автор: Jean-Paul Theis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-05-21.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4386116A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Silicon carbide epitaxial substrate and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10396163B2. Автор: Keiji Wada,Kenji Kanbara,Hironori Itoh,Takemi Terao,Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-08-27.

Semiconductor film and method for manufacturing same

Номер патента: US20230162978A1. Автор: Kohei Sasaki,Quang Tu THIEU. Владелец: Novel Crystal Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Sic seed crystal and method for producing same, sic ingot produced by growing said sic seed crystal and method for producing same, and sic wafer produced from said sic ingot and sic wafer with epitaxial film and methods respectively for producing said sic wafer and said sic wafer with epitaxial film

Номер патента: EP4403677A3. Автор: Kiyoshi Kojima,Tadaaki Kaneko. Владелец: Toyota Tsusho Corp. Дата публикации: 2024-08-21.

Sic seed crystal and method for producing same, sic ingot produced by growing said sic seed crystal and method for producing same, and sic wafer produced from said sic ingot and sic wafer with epitaxial film and methods respectively for producing said sic wafer and said sic wafer with epitaxial film

Номер патента: EP4403677A2. Автор: Kiyoshi Kojima,Tadaaki Kaneko. Владелец: Toyota Tsusho Corp. Дата публикации: 2024-07-24.

Nonlinear optical and photoluminescent material of rare earth samarium scandoborate and method for synthesis thereof

Номер патента: RU2759536C1. Автор: Валерий Анатольевич Светличный,Артем Борисович Кузнецов,Константин Александрович Кох,Надежда Георгиевна Кононова,Вячеслав Сергеевич Шевченко,Екатерина Александровна Симонова,Александр Егорович Кох,Аммар Жамус. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева Сибирского отделения Российской академии наук (Институт геологии и минералогии СО РАН, ИГМ СО РАН). Дата публикации: 2021-11-15.

Method for producing piezoelectric composite substrate and method for producing piezoelectric element

Номер патента: US20110220275A1. Автор: Hajime Kando,Norihiro Hayakawa,Ippei HATSUDA. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-15.

Isotopically pure single crystal epitaxial diamond films and their preparation

Номер патента: AU7917991A. Автор: Thomas Richard Anthony,William Frank Banholzer,Dennis Mark Williams. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1992-01-02.

Isotopically pure single crystal epitaxial diamond films and¹their preparation

Номер патента: IE912296A1. Автор: . Владелец: Gen Electric. Дата публикации: 1992-01-15.

Isotopically pure single crystal epitaxial diamond films and their preparation

Номер патента: AU642744B2. Автор: Thomas Richard Anthony,William Frank Banholzer,Dennis Mark Williams. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1993-10-28.

Synthetic single crystal diamond and method for manufacturing same

Номер патента: US20230220584A1. Автор: Hitoshi Sumiya,Jin Hwa Lee,Minori Teramoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Method for evaluating silica glass crucible, method for producing silicon single crystals

Номер патента: US09809902B2. Автор: Tadahiro Sato,Toshiaki Sudo,Ken Kitahara,Eriko Kitahara,Makiko Kodama. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of manufacturing silicon carbide single crystal and silicon carbide single crystal substrate

Номер патента: US09799735B2. Автор: Tomohiro Kawase,Tsutomu Hori,Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for producing Ga2O3 based crystal film

Номер патента: US09657410B2. Автор: Kohei Sasaki. Владелец: Tamura Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for making jewelry from synthetic gemstone (options)

Номер патента: RU2770399C1. Автор: Тюл-Хун ТЁЙ,Дун-Вук СИНЬ,Инь-Сан ЁОН,Чун-Минь КИМ. Владелец: Виеа Лоджис Ко., Лтд.. Дата публикации: 2022-04-15.

Method of manufacturing silicon carbide single crystal and silicon carbide single crystal substrate

Номер патента: US20150010726A1. Автор: Tomohiro Kawase,Tsutomu Hori,Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-01-08.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor wafer

Номер патента: US20230160104A1. Автор: Takashi Ishida,Shoichi Onda,Daisuke Kawaguchi,Jun Kojima,Chiaki Sasaoka,Yoshitaka Nagasato,Junji Ohara. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Method for evaluating degree of crystal orientation in polycrystalline silicon, selection method for polycrystalline silicon rods, and production method for single-crystal silicon

Номер патента: US20150047554A1. Автор: Shigeyoshi Netsu,Junichi Okada,Shuichi Miyao. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-19.

Method for producing single crystal diamond, and single crystal diamond

Номер патента: EP4365338A1. Автор: Ryuji Oshima,Alexander Vul,Kanji Iizuka,Fedor Shakhov. Владелец: Ioffe Institute. Дата публикации: 2024-05-08.

Method for producing heteroepitaxial wafer

Номер патента: EP4407077A1. Автор: Tatsuo Abe,Atsushi Suzuki,Toshiki Matsubara,Keitaro Tsuchiya,Tsuyoshi Ohtsuki,Yukari Suzuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Method for Manufacturing a Component by Means of Layered Construction

Номер патента: US20240263339A1. Автор: Carolin Körner,Julian Pistor. Владелец: Friedrich Alexander Univeritaet Erlangen Nuernberg FAU. Дата публикации: 2024-08-08.

A phosphorus doped silicon single crystal

Номер патента: EP3414367A1. Автор: Theis Leth SVEIGAARD,Martin GRÆSVÆNGE,Christian Gammeltoft HINDRICHSEN,Sune Bo DUUN,Anders LEI. Владелец: Topsil GlobalWafers AS. Дата публикации: 2018-12-19.

Laser device and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20170294762A1. Автор: Sang Hoon Kim,Gyungock Kim,In Gyoo Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-10-12.

Magnesium oxide single crystal and method for producing the same

Номер патента: US20090053131A1. Автор: Yoshifumi Kawaguchi,Masaaki Kunishige,Atsuo Toutsuka. Владелец: TATEHO CHENMICAL Ind Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-26.

Laser device and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20180331504A1. Автор: Sang Hoon Kim,Gyungock Kim,In Gyoo Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2018-11-15.

Method for forming heteroepitaxial film

Номер патента: EP4414483A1. Автор: Tatsuo Abe,Atsushi Suzuki,Junya Ishizaki,Toshiki Matsubara,Kazunori Hagimoto,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Method for controlling donor concentration in Ga2O3-based and method for forming ohmic contact

Номер патента: US9611567B2. Автор: Kohei Sasaki,Masataka Higashiwaki. Владелец: Tamura Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Sic epitaxial wafer and method for manufacturing sic epitaxial wafer

Номер патента: US20180016706A1. Автор: Daisuke Muto,Koji Kamei,Akira Miyasaka,Yoshiaki KAGESHIMA,Jun NORIMATSU. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2018-01-18.

Destructive inspection method and quality determination method for vitreous silica crucible

Номер патента: US09964478B2. Автор: Takashi Watanabe,Tadahiro Sato,Toshiaki Sudo,Ken Kitahara,Eriko Kitahara. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for heat treatment of silicon single crystal wafer

Номер патента: US20170002480A1. Автор: Ryoji Hoshi,Hiroyuki Kamada. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-05.

Vanadium-compensated 4H and 6H single crystals of optical grade, and silicon carbide crystals and methods for producing same

Номер патента: US12060650B2. Автор: Ilya Zwieback,Andrew E. Souzis,Varatharajan Rengarajan,Gary Ruland. Владелец: Ii Vi Advanced Materials LLC. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate, nitride semiconductor substrate, and laminate structure

Номер патента: US12071707B2. Автор: Takehiro Yoshida. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Additively manufactured single-crystal metallic components, and methods for producing the same

Номер патента: US12076818B2. Автор: John H. Martin,Brennan D. YAHATA,Jacob M. Hundley. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2024-09-03.

Nitride semiconductor substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240321576A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate, nitride semiconductor substrate, and laminate structure

Номер патента: US20240368804A1. Автор: Takehiro Yoshida. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Vanadium-compensated 4h and 6h single crystals of optical grade, and silicon carbide crystals and methods for producing same

Номер патента: US20240352617A1. Автор: Ilya Zwieback,Andrew E. Souzis,Varatharajan Rengarajan,Gary Ruland. Владелец: Ii Vi Advanced Materials LLC. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for regulating the content of gallium in scintillators based on gadolinium-gallium garnets

Номер патента: RU2670865C2. Автор: Марк С. АНДРЕАКО,Питер Карл КОЭН,Александер Эндрю КЭРИ. Владелец: СИМЕНС МЕДИКАЛ СОЛЮШЕНС ЮЭсЭй, ИНК.. Дата публикации: 2018-10-25.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4394093A1. Автор: Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Method for the production of single crystals

Номер патента: US3634033A. Автор: Bernard J Sturm,Charles T Butler. Владелец: US Atomic Energy Commission (AEC). Дата публикации: 1972-01-11.

Method for manufacturing highly pure silicon, highly pure silicon obtained by this method, and silicon raw material for manufacturing highly pure silicon

Номер патента: US10167199B2. Автор: Jiro Kondo,Shinji Tokumaru,Yutaka Kishida,Masataka Hiyoshi,Shigeru Nakazawa,Hitoshi Dohnomae,Kozo Onoue. Владелец: Silicio Ferrosolar SL. Дата публикации: 2019-01-01.

Group III nitride semiconductor and method for producing same

Номер патента: US10923346B2. Автор: Hiroshi Ono,Akihiko Ishibashi,Kenya Yamashita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-16.

Nitride semiconductor substrate, laminated structure, and method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US12091774B2. Автор: Takehiro Yoshida. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Seed substrate for epitaxial growth and method for producing same, and semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4424888A1. Автор: Koichi Higuchi,Yoshihiro Kubota,Shigeru Konishi,Hiroshi Mogi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

IIIA-VA group semiconductor single crystal substrate and method for preparing same

Номер патента: US09691617B2. Автор: Morris Young,Yuanli Wang,Davis Zhang,Vincent Wensen Liu. Владелец: Beijing Tongmei Xtal Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Tantalum carbide-covered carbon material and method for manufacturing thereof

Номер патента: RU2576406C2. Автор: Мика КОНДО. Владелец: Тойо Тансо Ко., Лтд.. Дата публикации: 2016-03-10.

Epitaxial wafer for ultraviolet light emitting elements, method for producing metal bonded susbtrate for ultraviolet light emitting elements, method for producing ultraviolet light emitting element, and method for producing ultraviolet light emitting element array

Номер патента: EP4223912A1. Автор: Masato Yamada,Yoshihiro Kubota,Junya Ishizaki,Minoru Kawahara,Keitaro Tsuchiya. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-09.

Method for producing high-photoelectric-conversion-efficiency solar cell and high-photoelectric-conversion-efficiency solar cell

Номер патента: US20180342402A1. Автор: Takenori Watabe,Hiroshi Hashigami,Hiroyuki Ohtsuka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Method for depolarization suppression of rhombohedral relaxor-based ferroelectric single crystals

Номер патента: US11678580B2. Автор: Shuangjie ZHANG,Piqi SONG. Владелец: Harbin Engineering University. Дата публикации: 2023-06-13.

Surface machining method for single crystal SiC substrate, manufacturing method thereof, and grinding plate for surface machining single crystal SiC substrate

Номер патента: US09620374B2. Автор: Tomohisa Kato,Takanori Kido. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor structure, semiconductor device, and method for producing semiconductor structure

Номер патента: US09496345B2. Автор: Koji Nakayama,Hidekazu Tsuchida,Katsunori Asano,Kazutoshi Kojima,Tetsuya Miyazawa,Shiyang Ji,Tetsuro Hemmi. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for producing barium titanium oxide single-crystal piece using containerless processing

Номер патента: US7544245B2. Автор: Takehiko Ishikawa,Shinichi Yoda,Kentei Yono,Paul-Francois Paradis. Владелец: Japan Aerospace Exploration Agency JAXA. Дата публикации: 2009-06-09.

Method for making MnBi2Te4 single crystal

Номер патента: US10883188B2. Автор: Yang Wu,HAO LI,Shou-Shan Fan,Yue-Gang Zhang. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-05.

Surface machining method for single crystal SiC substrate, manufacturing method thereof, and grinding plate for surface machining single crystal SiC substrate

Номер патента: US09960048B2. Автор: Tomohisa Kato,Takanori Kido. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for separating surface layer or growth layer of diamond

Номер патента: US09410241B2. Автор: Hideaki Yamada,Yoshiaki Mokuno,Akiyoshi Chayahara. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2016-08-09.

Silicon carbide substrate, its manufacture method and the method for manufacturing manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CN107002280A. Автор: 冲田恭子,本家翼. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for evaluating crystal defects in silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: US20240142390A1. Автор: Toru Takahashi,Yutaka Shiga,Hisao Muraki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for protecting a detail made of a single-crystal, hafnium-free nickel-based superalloy from corrosion and oxidation

Номер патента: RU2742919C2. Автор: Амар САБУНДЖИ,Виржини ЖАКЕ. Владелец: Сафран. Дата публикации: 2021-02-11.

Method for preparing aluminum nitride and metal fluoride single crystals

Номер патента: US3607014A. Автор: James O Huml,Gilbert S Layne. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1971-09-21.

Method for inspecting and manufacturing silicon wafer, method for manufacturing semiconductor device, and silicon wafer

Номер патента: TWI267117B. Автор: Miho Iwabuchi. Владелец: Shinetsu Handotai Kk. Дата публикации: 2006-11-21.

Method for recovering and purifying argon gas from single-crystal-silicon production device, and device for recovering and purifying argon gas

Номер патента: KR102194221B1. Автор: 히데아키 마츠시마,이치로 오노자와,와타루 야지마. Владелец: 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤. Дата публикации: 2020-12-22.

Rinsing composition, and method for rinsing and manufacturing silicon wafer

Номер патента: US7772173B2. Автор: Hiroyuki Nakagawa. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2010-08-10.

Rinsing composition, and method for rinsing and manufacturing silicon wafer

Номер патента: US20050282718A1. Автор: Hiroyuki Nakagawa. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2005-12-22.

Wax mold method for avoiding recrystallization and micro-porosity of single-crystal hollow blade

Номер патента: CN113492197A. Автор: 张剑,郭媛媛,杨振宇,张迈,戴圣龙,赵云松,骆宇时. Владелец: AECC BEIJING INSTITUTE OF AERONAUTICAL MATERIALS. Дата публикации: 2021-10-12.

Rinsing composition, and method for rinsing and manufacturing silicon wafer

Номер патента: TW200601447A. Автор: Hiroyuki Nakagawa. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2006-01-01.

Method for the large-area contacting of a single-crystal silicon body

Номер патента: DE1279848B. Автор: Dr Phil Nat Norbert Schink,Dr Rer Nat Adolf Herlet. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1968-10-10.

Silicon Etching Solution, Method for Treating Substrate, and Method for Manufacturing Silicon Device

Номер патента: US20240170294A1. Автор: Tatsuya Hitomi,Yoshiki Seike,Kohsuke NORO,Kohshiro OKIMURA. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Method for manufacturing silicon clathrate active material, and method for manufacturing lithium ion battery

Номер патента: US20240343590A1. Автор: Mitsutoshi OTAKI,Takayuki Uchiyama. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for producing insulating composite material for silicone rubber socket and method for manufacturing silicone rubber socket including same

Номер патента: US20240161941A1. Автор: Hansang KWON. Владелец: lndustry University Cooperation Foundation of Pukyong National University. Дата публикации: 2024-05-16.

Method of manufacturing silicon rich oxide (SRO) and semiconductor device employing SRO

Номер патента: US20070072424A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Composition for depositing silicon-containing thin film containing bis(aminosilyl)alkylamine compound and method for manufacturing silicon-containing thin using the same

Номер патента: US11749522B2. Автор: Sang Ick Lee,Myong Woon Kim,Sang-Do Lee,Se Jin Jang,Sung Gi Kim,Byeong-Il Yang,Joong Jin Park,Jeong Joo Park,Sam Dong LEE. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Methods for manufacturing silicon nitride materials

Номер патента: WO2023049804A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal,Clayton Ashcroft. Владелец: Sintx Technologies, Inc.. Дата публикации: 2023-03-30.

Methods for manufacturing silicon nitride materials

Номер патента: EP4404875A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal,Clayton Ashcroft. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Composite piezomaterial and method for its manufacture

Номер патента: RU2751896C1. Автор: Александр Анатольевич Панич,Алексей Анатольевич Нестеров,Евгений Анатольевич Панич,Михаил Игоревич Толстунов,Любовь Александровна Дыкина. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Южный федеральный университет». Дата публикации: 2021-07-19.

Method for manufacturing silicon nitride substrate and silicon nitride substrate manufactured thereby

Номер патента: US20240116822A1. Автор: Kyu Hwan Park,Hun Cheong. Владелец: Amotech Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Method for manufacturing single sheet-type green sheet, method for manufacturing silicon nitride sintered body, single sheet-type green sheet, and silicon nitride sintered body

Номер патента: US20220098121A1. Автор: Koji Nishimura,Akimasa Yuasa,Seiji Kobashi,Yoshiyuki ESHIMA,Ryuhei Watanabe. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Method for manufacturing single sheet-type green sheet, method for manufacturing silicon nitride sintered body, single sheet-type green sheet and silicon nitride sintered body

Номер патента: EP3919247A1. Автор: Koji Nishimura,Akimasa Yuasa,Seiji Kobashi,Yoshiyuki ESHIMA,Ryuhei Watanabe. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-08.

Aqueous acidic solution and etching solution and method for texturizing surface of single crystal and polycrystal silicon substrates

Номер патента: EP2611881A1. Автор: Andreas Klipp,Christian Bittner,Cornelia RÖGER-GÖPFERT,Simon Braun,Chengwei Lin,Meichin Shen. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2013-07-10.

Method for recovering and purifying argon gas from silicon single crystal manufacturing apparatus and apparatus for recovering and purifying argon gas

Номер патента: US09890044B2. Автор: Hideaki Matsushima,Wataru Yajima,Ichiro Onozawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for manufacturing lithium-containing composite oxide

Номер патента: US09627686B2. Автор: Tomoya Futamura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Stable crystalline form of tipiracil hydrochloride and method for its crystallization

Номер патента: RU2674441C1. Автор: Хидеки КАДЗУНО,Томонобу МУЦУМИ. Владелец: Тайхо Фармасьютикал Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-12-10.

Blank for manufacturing test system for express diagnostics of helicobacter pylori infection by urease activity of biopsy material and method for manufacturing test system

Номер патента: RU2630651C9. Автор: Евгений Матвеевич Аксенов,Вадим Сергеевич Дмитриенко,Андрей Игоревич Киреев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Ассоциация Медицины и Аналитики" (ООО "АМА"). Дата публикации: 2017-10-30.

Blank for manufacturing test system for express diagnostics of helicobacter pylori infection by urease activity of biopsy material and method for manufacturing test system

Номер патента: RU2630651C1. Автор: Евгений Матвеевич Аксенов,Вадим Сергеевич Дмитриенко,Андрей Игоревич Киреев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Ассоциация Медицины и Аналитики" (ООО "АМА"). Дата публикации: 2017-09-11.

Stable crystalline form of typiracyl hydrochloride and method for its crystallization

Номер патента: RU2640417C2. Автор: Хидеки КАДЗУНО,Томонобу МУЦУМИ. Владелец: Тайхо Фармасьютикал Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for obtaining dispersion of silicon 2d nano-crystals in an organic solvent for photovoltaic applications

Номер патента: RU2672160C2. Автор: Валерий Николаевич Захаров,Леонид Александрович Асланов,Александр Васильевич Яценко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2018-11-12.

Method for manufacturing spherical blue fluorescent substance

Номер патента: EP1341870A1. Автор: Min-soo Kang,Tae-Hyun Kwon,Gyun-Joong Kim. Владелец: LG Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-10.

Method for manufacturing metal-ceramic dentures

Номер патента: RU2753135C1. Автор: Рамиль Наилевич Кашапов,Наиль Фаикович Кашапов,Ленар Наилевич Кашапов,Гульшат Тауфиковна Салеева,Ринат Ахмедуллович Салеев,Ляйсан Ринатовна Салеева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Казанский Государственный медицинский университет" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2021-08-11.

Granular material, method for manufacturing the granular material and method for manufacturing sintered ore

Номер патента: RU2765680C1. Автор: Кэнта ТАКЭХАРА,Тэцуя ЯМАМОТО,Масато КУРОИВА,Наото КОБАЯСИ,Тэцуя ДЗИННО. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2022-02-01.

Steel material for main pipes, method for its production and method for manufacturing the main pipe

Номер патента: RU2747774C1. Автор: Томоюки ЁКОТА,Кёно ЯСУДА,Акихико ТАНИДЗАВА,Рюдзи МУРАОКА,Кадзукуни ХАСЭ. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2021-05-13.

Gypsum slurry, hardened gypsum, gypsum-based building material, gypsum board, process for manufacturing gypsum slurry, process for manufacturing hardened gypsum, process for manufacturing gypsum-based building material, and process for manufacturing gypsum board

Номер патента: RU2655722C1. Автор: Кен ВАТАНАБЕ,Юдзи АТАКА. Владелец: Йосино Джипсум Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-05-29.

Sound absorbing material and method for manufacture thereof

Номер патента: RU2667584C2. Автор: Кеун Йоунг КИМ,Вон Дзин СЕО. Владелец: Хендэ Мотор Компани. Дата публикации: 2018-09-21.

Zirconium base alloy and method for manufacturing fuel-assembly element for nuclear reactor from this alloy

Номер патента: RU2261487C2. Автор: Даниель ШАРКЕ,Жан-Поль МАРДОН,Жан СЕНЕВА. Владелец: Фраматом Анп. Дата публикации: 2005-09-27.

Polylayers glass container from transparent glass and amber pigmented glass and method for manufacturing the same

Номер патента: RU2266261C2. Автор: Рональд Т. МАЙЕРС,Рональд А. ЧИРИНЧОНЕ,У. Алан ПУЛОС. Владелец: Оуэнс-Броквэй Гласс Контейнер Инк.. Дата публикации: 2005-12-20.

Method for manufacturing composite component of timepiece or jewelry part and composite component obtained by such method

Номер патента: RU2675608C2. Автор: Албан ДЮБАХ,Пабло РОДРИГЕЗ,Роберт ПОМПЕ. Владелец: Те Свотч Груп Рисерч Энд Дивелопмент Лтд. Дата публикации: 2018-12-20.

Mixed oxide active material, electrode, method for electrode manufacture, and electrochemical cell incorporating this electrode

Номер патента: RU2276430C2. Автор: ХЁВЕЛЬН Фредерик Хендрик ВАН,Ламбертус ПЛОМП,Герард ЭЛЬЗИНГА. Владелец: Энергиеондерзоек Сентрум Недерланд. Дата публикации: 2006-05-10.

Method for manufacturing de-powder device for piping, and method for installing same

Номер патента: US12024771B2. Автор: Gi Nam KIM. Владелец: Baron Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for manufacturing master mold, master mold manufactured thereby, method for manufacturing transparent photomask, transparent photomask manufactured thereby, and method for forming conductive mesh pattern using transparent photomask

Номер патента: US09880461B2. Автор: Bu Gon Shin,Jeongho Park,Jinmi JUNG,Yujin Jeong. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for manufacturing piezoelectric device

Номер патента: US09553253B2. Автор: Takashi Iwamoto,Hajime Kando. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Method for producing filler for rubber mixtures from composition of one-type granular technical carbons

Номер патента: RU2765552C2. Автор: Валентин Лукьянович Золотарев,Людмила Александровна Ковалева,Людмила Ромуальдовна Люсова,Игорь Павлович Левенберг. Владелец: Игорь Павлович Левенберг. Дата публикации: 2022-02-01.

Method for manufacturing anisotropic single-mode fiber-optic guides

Номер патента: RU2764240C1. Автор: Михаил Артемьевич Ероньян,Александр Алексеевич Унтилов,Александр Александрович Реуцкий. Владелец: Акционерное общество "Концерн "Центральный научно-исследовательский институт "Электроприбор". Дата публикации: 2022-01-14.

Method of production of the raw material for manufacture of the glass

Номер патента: RU2302379C2. Автор: Пьер ЖАНВУАН,ВЕРЖ Арно ЛЕ. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2007-07-10.

Glass making method for manufacturing glasstelle glass

Номер патента: RU2733761C2. Автор: Павел Павлович Баканов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "СЕНСТЭК АРТ". Дата публикации: 2020-10-06.

METHOD FOR MANUFACTURING A FORGED WORKPIECE IN THE FORM OF A ROD FROM (α+β)-TITANIUM ALLOYS

Номер патента: RU2758735C1. Автор: Сергей Владимирович Алтынбаев,Алексей Рассказов,Андрей Николаевич Кабанцев,Михаил Семенович Хорин,Максим Александрович Салтыков,Николай Игоревич Гребенкин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «Хермит Рус». Дата публикации: 2021-11-01.

Composition for manufacture of insulation system, electric machine and method for manufacturing an insulation system

Номер патента: RU2756232C1. Автор: Юрген ХУБЕР,Штеффен ЛАНГ,Игор РИТБЕРГ,Нильс МЮЛЛЕР,Маттиас ЮБЛЕР. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2021-09-28.

Method for manufacturing product for kindling

Номер патента: RU2747412C1. Автор: Алексей Александрович Бучнев. Владелец: Алексей Александрович Бучнев. Дата публикации: 2021-05-04.

High-strength steel having excellent low-temperature viscosity and excellent viscosity in thermally affected zone of welding joint (options), method for manufacturing such steel, method for manufacturing sheet from indicated steel, high-strength steel tube (option), and a method for manufacturing high-strength steel tube

Номер патента: RU2258762C2. Автор: Такуя ХАРА,Хитоси АСАХИ,Таку ХАРА (JP),Хитоси АСАХИ (JP). Владелец: Ниппон Стил Корпорейшн. Дата публикации: 2005-08-20.

Composition for producing electrical conducting hydrophobic coating based on varnish with carbon nanotubes and method for manufacture thereof

Номер патента: RU2677156C1. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Станислав Владимирович Кондрашов,Константин Александрович Шашкеев,Людмила Владимировна Соловьянчик,Татьяна Петровна Дьячкова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2019-01-15.

Method for manufacturing hot-rolled sheets from cryogenic steel (variants)

Номер патента: RU2759106C1. Автор: Петр Александрович Мишнев,Руслан Рафкатович Адигамов,Артем Викторович Митрофанов,Филипп Иосифович Мезин,Евгений Сергеевич Федотов,Татьяна Сергеевна Вархалева,Виталий Васильевич Ваурин,Василий Алексеевич Рябков,Сергей Германович Якушев,Николай Валентинович Нечаев. Владелец: Публичное акционерное общество "Северсталь" (ПАО "Северсталь"). Дата публикации: 2021-11-09.

Method for manufacturing a ceramic sanitary article, as well as ceramic sanitary article

Номер патента: RU2765906C1. Автор: Томас ШТАММЕЛЬ,Кристиан ЖИЛЛЬ. Владелец: Дуравит Акциенгезелльшафт. Дата публикации: 2022-02-04.

Method for manufacturing microelectronics module housings

Номер патента: RU2767928C1. Автор: Александр Сергеевич Еремеев,Антон Вячеславович Крюков,Андрей Валентинович Волков. Владелец: Акционерное общество "Центральный научно-исследовательский радиотехнический институт имени академика А.И. Берга". Дата публикации: 2022-03-22.

Compound useful for manufacturing salacinol, method for manufacturing the compound, method for manufacturing salacinol, methods for protecting and deprotecting diol group, and protective agent for diol group

Номер патента: US20180009777A1. Автор: Katsuyuki Watanabe,Taiji Katsumata,Yuuta FUJINO,Koki Nakamura,Hisato Nagase. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-01-11.

Compound useful for manufacturing salacinol, method for manufacturing the compound, method for manufacturing salacinol, methods for protecting and deprotecting diol group, and protective agent for diol group

Номер патента: US20170001974A1. Автор: Katsuyuki Watanabe,Taiji Katsumata,Yuuta FUJINO,Koki Nakamura,Hisato Nagase. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Compound useful for manufacturing salacinol, method for manufacturing the compound, method for manufacturing salacinol, methods for protecting and deprotecting diol group, and protective agent for diol group

Номер патента: US09802913B2. Автор: Katsuyuki Watanabe,Taiji Katsumata,Yuuta FUJINO,Koki Nakamura,Hisato Nagase. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Composition of heat-resistant composite material and method for manufacturing a product from heat-resistant composite material

Номер патента: RU2750808C1. Автор: Сергей Владимирович Романюта,Максим Александрович Чернышёв. Владелец: Сергей Владимирович Романюта. Дата публикации: 2021-07-02.

Method for manufacturing products from molybdenum alloys

Номер патента: RU2759282C1. Автор: Дмитрий Владимирович Прохоров,Виктор Иванович Внуков,Алла Игоревна Логачёва,Михаил Иванович Карпов,Константин Всеволодович Григорович,Александр Васильевич Логачев,Борис Абрамович Гнесин,Иван Борисович Гнесин,Ирина Сергеевна Желтякова,Татьяна Сергеевна Строганова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН). Дата публикации: 2021-11-11.

Method for manufacturing a nanocomposite material with biological activity

Номер патента: RU2659997C2. Автор: Вера Матвеевна Елинсон,Ольга Андреевна Сильницкая. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский авиационный институт (национальный исследовательский университет)". Дата публикации: 2018-07-04.

Water-based printing ink sets for ink-jet printing and methods for ink-jet printing

Номер патента: RU2750200C1. Автор: Енс ЛЕНАРТС,Надине ВИЛЛЕМС,Лионель ПЕТТОН,Амандин ЛИГО,Сонни ВИНАНТС. Владелец: Агфа Нв. Дата публикации: 2021-06-23.

Method for manufacturing a component of a device for precipitation of drops (variants)

Номер патента: RU2310566C2. Автор: Пол Рэймонд ДРУРИ. Владелец: Ксаар Текнолоджи Лимитед. Дата публикации: 2007-11-20.

Method for manufacturing a gypsum-based product

Номер патента: RU2762346C1. Автор: Лаура БРУКС,Николас Джонс,Дэвид КАТЛЕР,Кирсти УОЛТОН,Никола ЮПП. Владелец: Сен-Гобен Плако. Дата публикации: 2021-12-20.

Steel material for main pipes, method of its production and method for manufacturing main pipes

Номер патента: RU2749085C1. Автор: Томоюки ЁКОТА,Кёно ЯСУДА,Акихико ТАНИДЗАВА,Рюдзи МУРАОКА,Кадзукуни ХАСЭ. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2021-06-03.

Dry methods for modification of single-crystal battery cathode materials

Номер патента: WO2024147963A1. Автор: Susi JIN,Van At NGUYEN,Nutthaphon PHATTHARASUPAKUN,Kate Elise GONZALEZ WOODS,Ryan FIELDEN,Mark Mcarthur. Владелец: Novonix Battery Technology Solutions Inc.. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for forming pattern, method for manufacturing ornament, method for manufacturing belt for wristwatch, method for manufacturing structure for mounting wiring, method for manufacturing semiconductor device, and method for manufacturing printed circuit board

Номер патента: US10604859B2. Автор: Takuya Miyakawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-03-31.

Method for depolarization suppression of rhombohedral relaxor-based ferroelectric single crystals

Номер патента: US20230117560A1. Автор: Shuangjie ZHANG,Piqi SONG. Владелец: Harbin Engineering University. Дата публикации: 2023-04-20.

Method for forming pattern, method for manufacturing ornament, method for manufacturing belt for wristwatch, method for manufacturing structure for mounting wiring, method for manufacturing semiconductor device, and method for manufacturing printed circuit board

Номер патента: US20180087169A1. Автор: Takuya Miyakawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Method for manufacturing multi-functional bio-material conjugate using two kinds of particle, and multi-functional bio-material conjugate manufactured by means of same

Номер патента: US09880162B2. Автор: Min-Gon Kim,Hyou-Arm Joung,Ju Young BYUN,Yun Ju Sung,Young-Kyoung Oh. Владелец: Korea Research Institute of Bioscience and Biotechnology KRIBB. Дата публикации: 2018-01-30.

Composition for manufacturing heat-protective coating and method of its manufacture

Номер патента: RU2640523C2. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Лариса Владимировна Чурсова,Лаврентий Лаврентьевич Краснов,Зинаида Васильевна Кирина. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2018-01-09.

Tensioning device, method for regulating the roll of a steel strip and method for manufacturing a steel strip

Номер патента: RU2771056C1. Автор: Такаси ДОЙ,Сёдзи КАСАЙ,Тэрухико ТОБЭ. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2022-04-25.

Method for recycling mineral wool, method for manufacturing acoustic panel elements and such an acoustic panel element

Номер патента: RU2765184C1. Автор: Ола КАРЛССОН,Торбьёрн ПЕРССОН. Владелец: Сен-Гобен Экофон Аб. Дата публикации: 2022-01-26.

Method for manufacturing rotor of electrostatic gyroscope and device for implementation of this method

Номер патента: RU2638870C1. Автор: Александр Юрьевич Филиппов,Александр Григорьевич Щербак,Ольга Сергеевна Юльметова,Александр Михайлович Фомичев,Сергей Николаевич Беляев,Маргарита Алексеевна Туманова. Владелец: Акционерное общество "Концерн "Центральный научно-исследовательский институт "Электроприбор". Дата публикации: 2017-12-18.

Method for forming of ceramic coat, target for performing the same, and method for manufacturing the target

Номер патента: RU2320772C2. Автор: Бертран СЕН-РАМОН,Андре МАЛИ,Кристоф ШАПЮ,Кирилл ДЕЛАЖ,Изабель ПОРТЕ. Владелец: Снекма Моторс. Дата публикации: 2008-03-27.

Method for injection of filler-containing suspension into fibrous structure and method for manufacture of part of composite material

Номер патента: RU2770020C2. Автор: Паскаль ДИС,Эрик Лавассери. Владелец: Сафран Серамикс. Дата публикации: 2022-04-14.

Method for manufacturing charge dissipative surface layer

Номер патента: RU2655942C2. Автор: Клаус Циммерман,Кристел НЁМАЙР,Зелина ИСКАНДЕРОВА,Якоб КЛЯЙМАН. Владелец: Интегрити Тестинг Лэборэтори Инк.. Дата публикации: 2018-05-30.

Composition and method for manufacturing of roasting free silica heat-resistant concrete

Номер патента: RU2382007C1. Автор: Шахбутдин Даудович Батырмурзаев,Абдурахман Магомедович Даитбеков,Алимпаша Шахбутдинович Батырмурзаев,Мурад Ахмедович Ахмедов,Джамиля Гусейновна Магомедова,Арслан Арсенович Алиев,Хава Загировна Мантурова. Владелец: Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2010-02-20.

Method for manufacturing an optical module with sprayed anti-corrosion aluminum cover

Номер патента: RU2319181C9. Автор: Сун-вук КИМ,Сун-ик СИМ. Владелец: Эл Джи Кэйбл Лтд.. Дата публикации: 2008-05-20.

Method for producing a component as a result of additional forming of a pre-formed circuit

Номер патента: RU2743046C1. Автор: Маттиас Шнайдер,Штефан МЮТЦЕ,Себастьян ВЕСТХОЙЗЕР,Ингвер Асмус ДЕНКС. Владелец: Зальцгиттер Флахшталь Гмбх. Дата публикации: 2021-02-12.

Method for manufacturing coating composition, coating composition and use thereof

Номер патента: RU2647308C2. Автор: Ян-Луйкен ХЕММЕС,Сами ПУТТОНЕН,Киммо ХУХТАЛА,Кай ВИРТАЛА. Владелец: Кемира Ойй. Дата публикации: 2018-03-15.

Method for manufacturing an optical module with sprayed anti-corrosion aluminum cover

Номер патента: RU2319181C1. Автор: Сун-вук КИМ,Сун-ик СИМ. Владелец: Эл Джи Кэйбл Лтд.. Дата публикации: 2008-03-10.

Method for manufacturing high-silicon textured electrotechnical thick-sheet steel

Номер патента: RU2760149C1. Автор: Гобао ЛИ,Каньи ШЭНЬ,Хуабин ЧЖАН,Юнзцзе ЯН,Шуанцзе ЧУ,Вэнь СЯО,Баоцзунь ЛЮ,Дань ХАНЬ,Чжинин ХУ. Владелец: Баошань Айрон Энд Стил Ко., Лтд.. Дата публикации: 2021-11-22.

Fiber optic conductor for optical intensification of radiation at wavelengths ranging between 1000 and 1700 nm, methods for its manufacture, and fiber laser

Номер патента: RU2302066C1. Автор: Алексей Николаевич Гурьянов,Евгений Михайлович Дианов,Владислав Владимирович Двойрин,Валерий Михайлович Машинский,нов Алексей Николаевич Гурь,Андрей Александрович Умников. Владелец: Научный центр волоконной оптики при Институте общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук. Дата публикации: 2007-06-27.

Coloured fibre cement products and methods for production thereof

Номер патента: RU2762871C2. Автор: Игорь А. ИГНАТЬЕВ,Дейв ВЕРЛЕНЕ. Владелец: Этекс Сервисиз Нв. Дата публикации: 2021-12-23.

Method for manufacturing containers for cosmetic products

Номер патента: RU2756814C2. Автор: Пьетро ПЕРОЛИНИ. Владелец: О.М.Ц. Оффичина Мекканика Цанотти С.П.А.. Дата публикации: 2021-10-05.

Method for manufacturing flexible fibre-optic tape and tape

Номер патента: RU2759664C1. Автор: Эхсан ФАЛЛАХМОХАММАДИ,Брайан Дж. РИШ,Джон Р. САК,Джеффри Скотт БАРКЕР,Клинт АНДЕРСОН. Владелец: Призмиан С.П.А.. Дата публикации: 2021-11-16.

Powder composition and methods for powder bed fusion additive manufacturing

Номер патента: WO2024127220A1. Автор: Franciscus Johannes Marie Derks,Stijn Witters,Mark Petrus Franciscus PEPELS. Владелец: STRATASYS, INC.. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for manufacturing oil gel capsules and method for manufacturing contact part for vehicle, including oil gel capsules

Номер патента: US20210179966A1. Автор: Hong-Wook Lee,Kyung-Ku Yeo,Jeong-Uk An,In-Woong Lyo,Do-Young Wang,Ju-Yeong An,Myoung-Hwan Park,Yu-Ri Park. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Sahmyook University. Дата публикации: 2021-06-17.

Method for optimizing manufacturing condition for polyarylene sulfide resin composite, and method for manufacturing resin composite

Номер патента: US20230093987A1. Автор: Toru Suzuki,Yoshihiro Takebayashi,Shingo Takada,Takumi Ono,Satoshi Yoda,Toshinori Yamaji. Владелец: DIC Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

Method for manufacturing aqueous slurry and method for manufacturing powderous hydroxide therefrom

Номер патента: WO2024141374A1. Автор: Ville Hassinen,Janne Niittykoski,Timo Kankaanpaa,Ville VEHKAMÄKI,Jiachen DONG,Samuli Räsänen,Arto FRÄNTI,Janne Marjelund. Владелец: Umicore Finland Oy. Дата публикации: 2024-07-04.

Tetradentate diaminodiphosphine ligand and transition metal complex, and method for manufacturing same and application for same

Номер патента: US20230219983A1. Автор: Shigeru FUNANE. Владелец: Takasago International Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Method for fabricating metal substrates with high-quality surfaces

Номер патента: US7758695B2. Автор: LI Wang,Fengyi Jiang,Chuanbing Xiong,Wenqing Fang,Guping Wang. Владелец: Lattice Power Jiangxi Corp. Дата публикации: 2010-07-20.

Method for fabricating metal substrates with high-quality surfaces

Номер патента: US20080166582A1. Автор: LI Wang,Fengyi Jiang,Chuanbing Xiong,Wenqing Fang,Guping Wang. Владелец: Lattice Power Jiangxi Corp. Дата публикации: 2008-07-10.

Method for manufacturing aqueous slurry and method for manufacturing powderous hydroxide therefrom

Номер патента: EP4393886A1. Автор: Ville Hassinen,Janne Niittykoski,Timo Kankaanpaa,Ville VEHKAMÄKI,Jiachen DONG,Samuli Räsänen,Arto FRÄNTI,Janne Marjelund. Владелец: Umicore Finland Oy. Дата публикации: 2024-07-03.

METHOD FOR IMPROVING HIGH-TEMPERATURE MECHANICAL PROPERTY OF Ni3Al ALLOY

Номер патента: NL2030132B1. Автор: Liu Xin,Wang Jiang,Yin Li,Wu Shijun,REN Zhongming,SHUAI Sansan. Владелец: Univ Shanghai. Дата публикации: 2023-06-27.

Method for manufacturing steel sheet for cold press and method for manufacturing press component

Номер патента: EP3932579A1. Автор: Kinya Nakagawa,Yuichi Matsuki,Toyohisa Shinmiya. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2022-01-05.

Method for manufacturing a suspended single carbon nanowire and piled nano-electrode pairs

Номер патента: US09513555B2. Автор: Heung-Joo SHIN,Jeong-Il HEO,Yeong-Jin LIM. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Method for producing monocrystalline ethanol solvate of acetate cortizone

Номер патента: RU2637504C1. Автор: Александр Владимирович Князев,Николай Викторович Сомов,Анастасия Сергеевна Шипилова,Екатерина Вадимовна Гусарова,Светлана Сергеевна Князева. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2017-12-05.

Cutting device made from polycrystalline diamond and carbide and method for manufacture thereof

Номер патента: RU2668353C2. Автор: Цзе ЧЖЭН,Вэньтин Чэнь,Цюаньшэн Сун,Ань Чжэн. Владелец: Ухань Ритек Даймонд Ко., Лтд. Дата публикации: 2018-09-28.

Method for manufacture of array photodetector

Номер патента: RU2749957C2. Автор: Михаил Васильевич Седнев,Антон Станиславович Атрашков,Антон Владимирович Трухачев. Владелец: Акционерное общество "НПО "Орион". Дата публикации: 2021-06-21.

Method for manufacturing of nuclear reactor fuel elements and container for method implementation

Номер патента: RU2447519C2. Автор: Жером БРОЛИ,Жан-Марк ГУАЭНЕШ,Фабрис МАЗОДЬЕ,Франсис ЛАНГЛЭ,Жером БРОЛИ (FR),Жан-Марк ГУАЭНЕШ (FR),Фабрис МАЗОДЬЕ (FR),Франсис ЛАНГЛЭ (FR). Владелец: Комиссариат А Л'Энержи Атомик. Дата публикации: 2012-04-10.

Methods for manufacturing a turbine nozzle with single crystal alloy nozzle segments

Номер патента: US09844826B2. Автор: Jason Smoke,Bradley Reed Tucker,Ardeshir Riahi,Ed Zurmehly. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for manufacturing a cubic silicon carbide single crystal thin film and semiconductor device based on the cubic silicon carbide single crystal thin film

Номер патента: US20100270561A1. Автор: Masaaki Sakuta,Mitsuhiko Ogihara. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2010-10-28.

Method for manufacturing a cubic silicon carbide single crystal thin film and semiconductor device based on the cubic silicon carbide single crystal thin film

Номер патента: US8216366B2. Автор: Masaaki Sakuta,Mitsuhiko Ogihara. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Piezoelectric single-crystal element, mems device using same, and method for manufacturing same

Номер патента: US20230120240A1. Автор: Sang Goo Lee. Владелец: Ibule Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Method for manufacturing a laterally limited, single-crystal region on a substrate and the employment thereof for the manufacture of an MOS transistor and a bipolar transistor

Номер патента: US5498567A. Автор: Thomas Meister,Reinhard Stengl,Hans-Willi Meul,Helmut Klose. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1996-03-12.

Method for estimating twin defect density

Номер патента: US11733177B2. Автор: Jungkuk LEE,Soon-ku HONG,Si Trong NGO,Duy Duc LE. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Chungnam National University. Дата публикации: 2023-08-22.

METHOD FOR CALCULATING NITROGEN CONCENTRATION IN SILICON SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR CALCULATING RESISTIVITY SHIFT AMOUNT

Номер патента: US20140379276A1. Автор: Hoshi Ryoji,Kamada Hiroyuki. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2014-12-25.

Method for manufacturing self-supporting gallium nitride single crystal substrate and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: JP4696886B2. Автор: 健目黒,裕介河口. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2011-06-08.

METHODS FOR MANUFACTURING A TURBINE NOZZLE WITH SINGLE CRYSTAL ALLOY NOZZLE SEGMENTS

Номер патента: US20160024948A1. Автор: Tucker Bradley Reed,Smoke Jason,Riahi Ardeshir,Zurmehly Ed. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2016-01-28.

METHODS FOR MANUFACTURING A TURBINE NOZZLE WITH SINGLE CRYSTAL ALLOY NOZZLE SEGMENTS

Номер патента: US20190022781A1. Автор: Tucker Bradley Reed,Smoke Jason,Riahi Ardeshir,Zurmehly Ed. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2019-01-24.

Method for manufacturing composite wafer having oxide single crystal thin film

Номер патента: JP6396854B2. Автор: 昌次秋山,川合　信,信川合. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-26.

Method for manufacturing composite wafer with oxide single crystal film

Номер патента: TWI694497B. Автор: 秋山昌次,川合信. Владелец: 日商信越化學工業股份有限公司. Дата публикации: 2020-05-21.

Methods for manufacturing a turbine nozzle with single crystal alloy nozzle segments

Номер патента: EP2982471B1. Автор: Jason Smoke,Bradley Reed Tucker,Ardeshir Riahi,Ed Zurmehly. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2018-04-11.

METHOD FOR FORMING IDENTIFICATION MARKS ON REFRACTORY MATERIAL SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, AND REFRACTORY MATERIAL SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20140017447A1. Автор: Kondo Sadahiko. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-16.

METHOD FOR FORMING IDENTIFICATION MARKS ON SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, AND SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20140205803A1. Автор: Kondo Sadahiko. Владелец: HITACHI METALS, LTD.. Дата публикации: 2014-07-24.

METHOD FOR PRODUCING AN ALTERNATION OF LAYERS OF SINGLE-CRYSTAL SEMICONDUCTOR MATERIAL AND LAYERS OF INSULATING MATERIAL

Номер патента: FR2629636B1. Автор: Didier Pribat,Leonidas Karapiperis,Christian Collet,Guy Garry. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1990-11-16.

METHOD FOR PRODUCING AN ALTERNATION OF LAYERS OF SINGLE-CRYSTAL SEMICONDUCTOR MATERIAL AND LAYERS OF INSULATING MATERIAL

Номер патента: FR2629637B1. Автор: Didier Pribat,Leonidas Karapiperis. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1990-11-16.

Method for fabrication of cmos image sensor using single crystal silicon growth

Номер патента: KR100670539B1. Автор: 황경진,성낙균. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2007-01-16.

Method for for manufacturing reinforcing fabric for a transmission belt

Номер патента: EP3263947B1. Автор: Toshihiro Nishimura,Taisuke Kimura,Masakuni Yoshida. Владелец: Mitsuboshi Belting Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Method for manufacturing silicon single crystal wafer and electronic device

Номер патента: US9252025B2. Автор: Koji Ebara,Tetsuya Oka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-02.

Silicon carbide semiconductor substrate, method for manufacturing silicon carbide semiconductor substrate, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device where depression supression layer is formed on backside surface of base substrate opposite to main surface on which epitaxial layer is formed

Номер патента: US09818608B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Substrate for semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240313086A1. Автор: Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for manufacturing silicon single crystal wafer and electronic device

Номер патента: US20150001680A1. Автор: Koji Ebara,Tetsuya Oka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-01.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: EP4181182A1. Автор: Hiroshi Takeno,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-17.

Substrate for semiconductor devices and method for producing same

Номер патента: EP4379774A1. Автор: Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

Method for evaluating concentration of defect in silicon single crystal substrate

Номер патента: US09773710B2. Автор: Ryoji Hoshi,Hiroyuki Kamada. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Method for manufacturing elastic elements from single-crystal silicon

Номер патента: RU2770165C1. Автор: Валерий Евгеньевич Пауткин,Александр Евгеньевич Мишанин,Фархад Анвярович Абдуллин,Вера Владимировна Алексеева. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений". Дата публикации: 2022-04-14.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, method for manufacturing semiconductor base, silicon carbide semiconductor device, and device for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09911811B2. Автор: Yusuke Fukuda,Yoshiyuki Watanabe. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for detecting crystal defects

Номер патента: US09606030B2. Автор: wei feng Qu,Fumio Tahara,Yuuki OOI. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for manufacturing single-crystal sensing elements for high-voltage optical measuring voltage transformers

Номер патента: RU2748973C1. Автор: Сергей Александрович Сахаров,Владимир Владимирович Аленков,Светлана Сергеевна Базалевская,Дина Генриховна Евтушенко,Алексей Николаевич Забелин,Анатолий Анатольевич Мололкин. Владелец: Акционерное Общество "ФОМОС-МАТЕРИАЛЫ". Дата публикации: 2021-06-02.

Method for manufacturing epitaxial wafer for ultraviolet ray emission device, method for manufacturing substrate for ultraviolet ray emission device, epitaxial wafer for ultraviolet ray emission device, and substrate for ultraviolet ray emission device

Номер патента: US20240234623A9. Автор: Masato Yamada,Keitaro Tsuchiya. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for producing semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20230230926A1. Автор: Hiroshi Takeno,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Method for manufacturing of acousto-optic device

Номер патента: RU2762515C1. Автор: Сергей Иванович Чижиков,Владимир Яковлевич Молчанов,Василий Викторович Гуров,Александр Ильич Чижиков. Владелец: Александр Ильич Чижиков. Дата публикации: 2021-12-21.

Method for manufacturing bonded wafer

Номер патента: US20130102126A1. Автор: Hiroji Aga,Nobuhiko Noto,Satoshi Oka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-25.

Method for manufacturing SOI substrate in which crystal defects of a single crystal semiconductor layer are reduced and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09633892B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Takashi Shimazu,Eriko Nishida. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for manufacturing silicon wafer and silicon wafer

Номер патента: US20240304458A1. Автор: Susumu Maeda,Hisashi Matsumura,Tatsuhiko Aoki,Toru Yamashita,Haruo Sudo. Владелец: GlobalWafers Japan Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for manufacturing a semiconductor apparatus

Номер патента: RU2755175C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-09-13.

Optical element made from fluoride single crystal, method for manufacturing optical element, method for calculating birefringence of optical element and method for determining direction of minimum birefringence of optical element

Номер патента: US20010024314A1. Автор: Shigeru Sakuma,Shuuichi Takano. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

Method for manufacturing silicon flakes, silicon-containing negative electrode and method for manufacturing the same

Номер патента: US09905845B2. Автор: Han-Tu Lin,Chih-Hung Chan,Rong-Ruey Jeng,Kun-Fung Lin. Владелец: AUO Crystal Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09647081B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Mitsuhiko Sakai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of manufacturing silicon epitaxial wafer

Номер патента: US20070243699A1. Автор: Ryoji Hoshi,Tomosuke Yoshida,Ken Aihara,Fumitaka Kume,Satoshi Tobe,Fumio Tahara,Naohisa Toda. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-18.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4462465A1. Автор: Keitaro Tsuchiya,Weifeng Qu. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-13.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09530703B2. Автор: Hiroshi Sugimoto,Takuyo Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor pressure sensor and method for manufacturing the same

Номер патента: CA2030484C. Автор: Tetsuro Nakamura,Makoto Ishida,Shoji Kawahito,Yasuji Hikita. Владелец: Toyoko Kagaku Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-16.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20120261677A1. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-18.

Optical element made from fluoride single crystal and method for manufacturing the optical element

Номер патента: EP1271185A3. Автор: Shigeru Nikon Corp. Sakuma (Intell. Prop. HQ.),Shuuichi Nikon Corp. Takano (Intell. Prop. HQ.). Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2003-07-02.

Method for manufacturing silicon wafer

Номер патента: US20040023518A1. Автор: Yuichi Matsumoto,Norihiro Kobayashi,Shoji Akiyama,Masaru Shinomiya,Masaro Tamatsuka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2004-02-05.

Method and apparatus for manufacturing single crystal

Номер патента: US09959611B2. Автор: Ken Hamada. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for manufacturing an SOI substrate

Номер патента: EP1981079A3. Автор: ITO Atsuo,Koichi Tanaka,Makoto Kawai,Yoshihiro Kubota,Shoji Akiyama,Yuuji Tobisaka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2009-09-23.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device by selectively removing silicon from silicon carbide substrate to form protective carbon layer on silicon carbide substrate for activating dopants

Номер патента: US09659773B2. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160118250A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Method for manufacturing silicon carbide schottky barrier diode

Номер патента: US8980732B2. Автор: Jong Seok Lee,Kyoung Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2015-03-17.

Simox substrate and method for production thereof

Номер патента: EP1264339A1. Автор: Keisuke c/o NIPPON STEEL CORPORATION KAWAMURA,Atsuki c/o NIPPON STEEL CORPORATION MATSUMURA,Toshiyuki c/o NIPPON STEEL CORPORATION MIZUTANI. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2002-12-11.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09620358B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09543412B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Hideki Hayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

An electrode for lithium ion batteries and the method for manufacturing the same

Номер патента: EP2643875A1. Автор: Jun Yang,Longjie Zhou,Jingjun Zhang,Haiping Jia. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2013-10-02.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09881996B2. Автор: Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

METHOD FOR PRODUCING NANO-PROFILED ULTRA-THIN FILM Al2O3 ON SURFACE OF POROUS SILICON

Номер патента: RU2634326C2. Автор: Илья Сергеевич Тарасов,Александр Дмитриевич Бондарев,Иван Никитич Арсентьев,Александр Сергеевич Леньшин,Павел Владимирович Середин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет" (ФГБУ ВО ВГУ). Дата публикации: 2017-10-25.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20140045322A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-02-13.

Method, apparatus and program for manufacturing silicon structure

Номер патента: US20110097903A1. Автор: Takashi Yamamoto,Yoshiyuki Nozawa. Владелец: Sumitomo Precision Products Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120058612A1. Автор: Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-08.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12087821B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of manufacturing silicon nanowire array

Номер патента: US09780167B2. Автор: Myung Han YOON,Se Yeong LEE. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for manufacturing resistivity standard sample and method for measuring resistivity of epitaxial wafer

Номер патента: US20190326184A1. Автор: Fumitaka Kume. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-24.

Method for manufacturing vertical super junction drift layer of power semiconductor devices

Номер патента: US10056452B2. Автор: Bo Zhang,Jinping Zhang,Zehong LI,Hongming Gu,Xunyi SONG,Wenlong SONG,Youbiao ZOU. Владелец: Electronic And Information Engineering In Dongguan Uestc. Дата публикации: 2018-08-21.

Method for manufacturing vertical super junction drift layer of power semiconductor devices

Номер патента: US20160315142A1. Автор: Bo Zhang,Jinping Zhang,Zehong LI,Hongming Gu,Xunyi SONG,Wenlong SONG,Youbiao ZOU. Владелец: Electronic And Information Engineering In Dongguan Uestc. Дата публикации: 2016-10-27.

Method for manufacturing silicone foam having an air permeable structure

Номер патента: WO2009073717A1. Автор: Seoung Kyu Oh. Владелец: Air World, Inc.. Дата публикации: 2009-06-11.

Method for manufacturing photoelectric conversion device

Номер патента: US20110318864A1. Автор: Junpei Momo,Fumito Isaka,Sho Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-29.

Wafer separation apparatus and method, and method for manufacturing silicon wafer

Номер патента: US20240213050A1. Автор: Tomohiro Hashii,Sumihisa Masuda,Yasunori Yoshioka,Tsukasa Yoshihara,Kawahito SHINICHI. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for making silicon wafers

Номер патента: US4597822A. Автор: John L. Benjamin,William R. Van Dell. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1986-07-01.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor apparatus, and energization test apparatus

Номер патента: US09874596B2. Автор: Akihiro Koyama,Shigehisa Yamamoto,Yukiyasu Nakao,Kazuya Konishi,Shoyu Watanabe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09859401B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Takashi Shimazu,Takuya Hirohashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for producing epitaxial wafer with buried diffusion layer and epitaxial wafer with buried diffusion layer

Номер патента: US7799652B2. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Takashi Itami,Norimichi Tanaka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-21.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150072486A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9450068B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Plasma display panel and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100244687A1. Автор: Yoshiyuki Kaneko,Takashi Kawasaki,Takahiro Ueno,Hiroyuki Tachihara,Yasuhito Yamaryo,Atsuo OHTOMI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-30.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09450068B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7732316B2. Автор: Chi Hwan Jang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-08.

Method for manufacturing soi substrate

Номер патента: US20110287605A1. Автор: Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Motomu Kurata,Akihisa Shimomura,Junpei Momo,Taiga MURAOKA,Kosei Nei. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

Nitride semiconductor substrate, and method for producing nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP4435833A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Method for forming a super-noise-resistant bistable thermomagnetic storage element for recording and storing information

Номер патента: RU2771596C1. Автор: Дмитрий Анатольевич Великанов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук". Дата публикации: 2022-05-06.

Single crystal silicon substrate, liquid discharge head, and method for manufacturing single crystal silicon substrate

Номер патента: US20230364910A1. Автор: Koji Kitahara,Masahiro Fujii,Shinichi Yotsuya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Silicon epitaxial wafer, method for manufacturing the same, bonded SOI wafer and method for manufacturing the same

Номер патента: US8823130B2. Автор: Nobuhiko Noto,Masahiro Kato,Norihiro Kobayashi,Tohru Ishizuka,Satoshi Oka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-02.

Piezoelectric device and method for manufacturing piezoelectric device

Номер патента: US09647199B2. Автор: Korekiyo ITO. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Matrix auto emission cathode and method for manufacture thereof

Номер патента: RU2666784C1. Автор: Михаил Георгиевич Путря,Валерий Петрович Тимошенков,Александр Анатольевич Голишников,Татьяна Юрьевна Крупкина,Евгений Павлович Кицюк,Роман Михайлович Рязанов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники". Дата публикации: 2018-09-12.

Device and method for manufacturing packages with welded seam along perimeter

Номер патента: RU2763229C2. Автор: Клаус ШУМАНН,Рольф БЁМ,Торстен ГРУНЕНБЕРГ,Бернд ГРЮНЕС,Маркус БЕЕ,Анна ШЛЮТЕР. Владелец: Лтс Ломанн Терапи-Системе Аг. Дата публикации: 2021-12-28.

Soi substrate and method for manufacturing soi substrate

Номер патента: US20100025804A1. Автор: Koichi Tanaka,Atsuo Ito,Makoto Kawai,Yoshihiro Kubota,Shoji Akiyama,Yuuji Tobisaka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-04.

Electron source, method for manufacturing the same, and electron beam device using the same

Номер патента: US20210327674A1. Автор: Minoru Kaneda,Tomihiro Hashizume,Takashi Ohshima,Toshiaki Kusunoki,Noriaki Arai,Hiromitsu Seino,Keigo Kasuya,Soichiro Matsunaga. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Single crystal quartz chips for protein crystallization and X-ray diffraction data collection and related methods

Номер патента: US09632042B2. Автор: ZHONG Ren. Владелец: Renz Research Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for manufacturing semiconductor device using a gettering layer

Номер патента: US09385210B2. Автор: Hiroki Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Door frame plat band, method for manufacturing door frame plat band, workpiece for implementing the method

Номер патента: RU2749947C1. Автор: Евгений Валерьевич Макаров. Владелец: Евгений Валерьевич Макаров. Дата публикации: 2021-06-21.

Device for making hollow concrete products, a method for making hollow concrete products and a hollow concrete structure

Номер патента: RU2769634C1. Автор: Виктор Юрьевич Шмаков. Владелец: Виктор Юрьевич Шмаков. Дата публикации: 2022-04-04.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20130252400A1. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Vibrator device and method for manufacturing vibrator device

Номер патента: US12052009B2. Автор: Katsuya Suzuki,Kenichi Kurokawa,Naruki Teradaira. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Ink jet recording head, method for manufacturing the same, and ink jet recorder

Номер патента: EP1116588A4. Автор: Akira Matsuzawa,Yoshinao Miyata,Masato Shimada,Tsutomu Nishiwaki,Hiroyuki Kamei. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-07-11.

Integrated method for low-cost wide band gap semiconductor device manufacturing

Номер патента: WO2022115683A3. Автор: Bishnu Prasanna Gogoi,Tirunelveli Subramaniam Ravi. Владелец: Crystal Technologies LLC. Дата публикации: 2022-07-14.

Dual alloy turbine rotors and methods for manufacturing the same

Номер патента: EP3617455A1. Автор: Jason Smoke,David K. Jan,Don Mittendorf,Amendine MINER. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2020-03-04.

Method of manufacturing silicon wafers

Номер патента: US20240339315A1. Автор: Susumu Maeda,Hisashi Matsumura,Haruo Sudo. Владелец: GlobalWafers Japan Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Integrated method for low-cost wide band gap semiconductor device manufacturing

Номер патента: US12125697B2. Автор: Bishnu Gogoi,Tirunelveli Subramaniam Ravi. Владелец: Thinsic Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Dual alloy turbine rotors and methods for manufacturing the same

Номер патента: US09724780B2. Автор: Jason Smoke,Amandine Miner,Don Mittendorf,David K Jan. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Apparatus and method for manufacturing of suction layer for prosthesis

Номер патента: RU2263489C2. Автор: Хильмар ЯНУССОН,Фрейгароур ТОРСТЕЙНССОН,Сигуроур А. АСГЕЙРССОН,Пальми ЭЙНАРССОН. Владелец: Оссур, Инк.. Дата публикации: 2005-11-10.

Method for manufacturing parts of complex shape by hybrid casting-additive method

Номер патента: RU2752359C1. Автор: Виктор Борисович Федоров,Виктор Иванович Гузеев,Антон Дмитриевич Казанский. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Южно-Уральский государственный университет (национальный исследовательский университет)». Дата публикации: 2021-07-26.

Preparation of lenses with elements for manufacturing of ophtalmological lens

Номер патента: RU2630103C2. Автор: Кристофер УАЙЛДСМИТ,Марк П. ПАУЭЛЛ,Майкл УИДМЭН. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for manufacturing the absorbent component and method for manufacturing the absorbent product

Номер патента: RU2750537C1. Автор: Томоюки МОТЕГИ,Рюдзи МАЦУНАГА,Такуаки ХАРАДА,Юки КАТО,Хироюки ИВАСА. Владелец: КАО КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2021-06-29.

Device and a method for calibrating the irradiation system of the installation for manufacturing a three-dimensional product

Номер патента: RU2747975C1. Автор: Кристиан ТИЛЬ. Владелец: СЛМ Солюшенз Груп АГ. Дата публикации: 2021-05-18.

Method for manufacturing joints of connections of hull structures made of polymer composite materials (pcm)

Номер патента: RU2648432C1. Автор: Сергей Дмитриевич Козлов,Антон Владимирович Веденецкий,Николай Николаевич Федонюк,Алексей Владимирович Блинов,Дмитрий Юриевич Соосаар,Марина Владимировна Бирюкова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Крыловский государственный научный центр" (ФГУП "Крыловский государственный научный центр"). Дата публикации: 2018-03-27.

Component of tobacco industry product and method for manufacturing component of tobacco industry product

Номер патента: RU2764977C1. Автор: Пол ЛЬЮИС,Мэттью ХЕСФОРД,Эндрю БЕРТОН,Ян КИНГ,Сачин ПАТЕЛ,Райан ВЕЛД,Джереми КЛЕМЕНТС. Владелец: Бритиш Америкэн Тобэкко (Инвестментс) Лимитед. Дата публикации: 2022-01-24.

Method for application of coating on strips of metal-roll, production line for applying coating on strips of metal-roll

Номер патента: RU2664065C2. Автор: Дирк ХОЛЬШУМАХЕР,Андреас МЕШЕДЕ. Владелец: Тиссенкрупп Стил Юроп Аг. Дата публикации: 2018-08-14.

Method and device for manufacture of aerated food product and product manufactured with such method and device usage

Номер патента: RU2535260C2. Автор: Мелис АБИЛОВ,Шимон МАЦУРА,Тадеуш КЛАУС,Стефен ПИРСОН,Джули СИМОНСОН. Владелец: Крафт Фудз Ар Энд Ди, Инк.. Дата публикации: 2014-12-10.

Method and system for manufacturing multi-segment tobacco products

Номер патента: RU2748505C2. Автор: Кшиштоф СТОЛЯРСКИ. Владелец: Интернэшнл Тобакко Машинери Поланд Сп. з о.о.. Дата публикации: 2021-05-26.

Opening device, method for manufacturing such an opening device and packaging material for use in said method

Номер патента: RU2669275C2. Автор: Торбьерн АНДЕРССОН,Пер РЮДБЕРГ,Пер АНДЕРССОН,Пер ОЛЬССОН,Йеран ЙОХАНССОН,Маттиас ЛЕННАРТССОН. Владелец: ТЕТРА ЛАВАЛЬ ХОЛДИНГЗ ЭНД ФАЙНЭНС С.А.. Дата публикации: 2018-10-09.

Piezoelectric single crystal transducer element and a method for its manufacturing

Номер патента: WO2024161205A1. Автор: VENKATACHALAM Natarajan,Elangovan VARADARAJAN,Chandramohan MANIKANDAN,Sarveswaran GANESAMOORTHY,Ramaiyan Mahadevan SARGUNA,Palanimuthu VIJAYAKUMAR,Prabu Amaladass EDWARD,Mani AWADHESH,Shekar Nagar Venkataraman CHANDRA,Abisekaraj Isaac Abraham REGIVA. Владелец: Chairman, Defence Research And Development Organization. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for manufacturing silicon carbide (SiC) semiconductor device by introducing nitrogen concentration of 5X1019 cm-3 or more at a boundary surface between thermal oxide film and the SiC substrate and then removing the thermal oxide film

Номер патента: US09496366B2. Автор: Shunichi Nakamura,Yoshiyuki Watanabe,Yusuke Maeyama. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for manufacture of water-repelling catalyst for fuel-cell elements

Номер патента: RU2572106C1. Автор: Владимир Иванович Матренин,Игорь Викторович Щипанов,Анатолий Тихонович Овчинников,Сергей Ильич Хозяшев,Олег Всеволодович Чумаковский. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Завод электрохимических преобразователей" (ООО "ЗЭП"). Дата публикации: 2015-12-27.

Method for manufacturing a smoking product

Номер патента: RU2771509C1. Автор: Норио ЯМАМОТО,Риодзи Фудзита,Кадзухико КАТАЯМА,Такеси Синкава. Владелец: Джапан Тобакко Инк.. Дата публикации: 2022-05-05.

Method for manufacturing filtering rods from a pla bundle with low resistance to draw for reducing the smoking temperature

Номер патента: RU2761996C1. Автор: Тао ЯН,Цзыган ЯН,Синьлэй ФАНЬ,Ляньлун ЛЭЙ. Владелец: Юньнань Тобэкко Биолоджикал Текнолоджи Ко., Лтд. Дата публикации: 2021-12-14.

Method for manufacture of mineral fiber panel containing one or more cavities of predetermined shape

Номер патента: RU2265091C2. Автор: Оле Легтольт ПЕДЕРСЕН. Владелец: РОКВУЛ ИНТЕРНЭШНЛ А/С. Дата публикации: 2005-11-27.

Smoking product and method for smoking product manufacture

Номер патента: RU2542548C2. Автор: ФИБЕЛКОРН Ричард,КАЛДЖУРА Карл,НАППИ Леонардо. Владелец: Бритиш Америкэн Тобэкко (Инвестментс) Лимитед. Дата публикации: 2015-02-20.

Method for making magnetizable core with winding for electric machine (variants), magnetizable core manufactured using said method, with winding, and also an electric machine with core manufactured by said method, with winding

Номер патента: RU2267215C2. Автор: Клаус ПФЛЮГЕР,Хельмут КРОЙЦЕР,Эберхард РАУ,Адам ВИЛЛЬМОТТ,Алан ФАССИ,Уилль мс НЕЙЛ,Уилльямс НЕЙЛ,Мартин ХЕННЕ. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 2005-12-27.

Surgical implant for repairing tissue or muscle wall defects, method for manufacture of raised areas in implant and method for production of implant

Номер патента: RU2670683C9. Автор: Йорг ПРИВЕ. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Медикал Гмбх. Дата публикации: 2018-12-13.

Surgical implant for repairing tissue or muscle wall defects, method for manufacture of raised areas in implant and method for production of implant

Номер патента: RU2670683C2. Автор: Йорг ПРИВЕ. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Медикал Гмбх. Дата публикации: 2018-10-24.

Method for manufacture of tobacco fabric, method for manufacture of cigarettes containing tobacco fabric and cigarette

Номер патента: RU2475168C1. Автор: Мицухару СУГИО,Суити МИЯЗАВА,Таканори ЯГАСИРА. Владелец: Джапан Тобакко Инк.. Дата публикации: 2013-02-20.

Method for manufacturing a vacuum-tight beryllium outlet window

Номер патента: RU2760320C1. Автор: Михаил Юрьевич Русин,Александр Васильевич Терехин,Николай Ефимович Шер,Валерий Дмитриевич Малыгин. Владелец: Акционерное общество "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология" им. А.Г.Ромашина". Дата публикации: 2021-11-23.

Method for manufacturing hollow reinforcement structures intersecting one another

Номер патента: RU2670864C9. Автор: Лука БОТТЕРО,Массимо ГРЕГОРИ. Владелец: Алениа Аэрмакки С.п.А.. Дата публикации: 2018-12-04.

Method for manufacturing high-frequency printed circuit boards

Номер патента: RU2765105C1. Автор: Николай Владимирович Луконин,Сергей Анатольевич Толмачев,Андрей Глебович Масанов,Вадим Юрьевич Изотов,Владимир Сергеевич Катышев. Владелец: Акционерное общество «Информационные спутниковые системы» имени академика М.Ф.Решетнёва». Дата публикации: 2022-01-25.

METHOD FOR MANUFACTURING OF COMPOSITE SUPERCONDUCTING WIRE BASED ON Nb3Sn COMPOSITION AND PRODUCTION LINE FOR MANUFACTURING OF COMPOSITE SUPERCONDUCTING WIRE BASED ON Nb3Sn COMPOSITION

Номер патента: RU2559803C2. Автор: Александр Константинович Шиков,Дмитрий Константинович Фигуровский,Александра Евгеньевна Воробьёва,Ильдар Мансурович Абдюханов,Елена Александровна Дергунова,Евгений Васильевич Никуленков,Мансур Нурахметович Насибулин,Надежда Викторовна Трактирникова. Владелец: Акционерное общество "Высокотехнологический научно-исследовательский институт неорганических материалов имени академика А.А. Бочвара". Дата публикации: 2015-08-10.

Method for manufacturing brushless dc motor stator and stator of brushless dc motor manufactured by this method

Номер патента: RU2287888C2. Автор: Йоунг-Кван КИМ,Биунг-Таек КИМ,Дзанг-Хо ШИМ. Владелец: Эл Джи Электроникс Инк.. Дата публикации: 2006-11-20.

Device and method for manufacturing blanks of thermoplastic bags for vacuum cleaners

Номер патента: RU2659047C1. Автор: Владимир Евгеньевич Зарецкий. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Топ-маркет". Дата публикации: 2018-06-27.

Method for manufacturing metal-plastic tooling and a device for its implementation

Номер патента: RU2759368C1. Автор: Сергей Витальевич Мартыненко,Хакимжан Хамазанович Байков,Виталий Валерьевич Пузанков,Юрий Александрович Гурин,Ольга Владимировна Райкова. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственная корпорация "Уралвагонзавод" имени Ф.Э. Дзержинского". Дата публикации: 2021-11-12.

Structural unit, device and method for its manufacture and laminated panel produced of structural unit

Номер патента: RU2294827C2. Автор: Йозеф ШТУТЦ. Владелец: Кроноспан Текникал Компани Лтд.. Дата публикации: 2007-03-10.

Avalanche photodiode and method for its manufacture

Номер патента: RU2769749C1. Автор: Наталья Александровна Валишева,Татьяна Александровна Левцова,Евгений Александрович Емельянов,Игорь Борисович Чистохин,Михаил Альбертович Путято,Валерий Владимирович Преображенский,Игорь Ильич Рябцев,Михаил Олегович Петрушков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2022-04-05.

Method for creating 3d object from materials with low adhesive strength to each other, and device for its implementation

Номер патента: RU2751442C1. Автор: Рамиль Наилевич Кашапов,Наиль Фаикович Кашапов,Рустам Ринатович Фарахов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Казанский (Приволжский) федеральный университет" (ФГАОУ ВО КФУ). Дата публикации: 2021-07-13.

Method and device for manufacturing of separator for polymer-electrolyte fuel element

Номер патента: RU2516342C2. Автор: Нобухиро ТАДЗОЕ. Владелец: АйЭйчАй КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2014-05-20.

Heat exchange element, method for its manufacture and device for its implementation

Номер патента: RU2759309C1. Автор: Эдуард Аркадьевич Петровский,Олег Александрович Коленчуков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет". Дата публикации: 2021-11-11.

Device and method for manufacturing pressed brick workpieces

Номер патента: RU2761452C2. Автор: Лотар БАУЭРЗАХС. Владелец: Лангенштайн И Шеманн Гмбх. Дата публикации: 2021-12-08.

Method for manufacture of floor panel from two different wood materials

Номер патента: RU2351722C2. Автор: Мартин ШТАЙНВЕНДЕР,Штефан ПЛЕТЦЕР,Вальтер ШИГЛЬ. Владелец: Е.Ф.П. Флор Продактс Фусбеден Гмбх. Дата публикации: 2009-04-10.

Method for manufacturing of shoe sole consisting of wearing part of sole containing vulcanizate, connected to polyurethane substrate, and composition used in this method

Номер патента: RU2318419C2. Автор: Лоренцо ЛОРЕНЦИН. Владелец: Мэйн Груп С.П.А.. Дата публикации: 2008-03-10.

Group iia metal fluoride single crystals suitable for below 200 nm optical lithography and a method for selecting such crystals

Номер патента: US20050031970A1. Автор: Chong An,Charlene Smith. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2005-02-10.

Method for manufacturing image display device and image display device

Номер патента: US20230290808A1. Автор: Hajime Akimoto. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Group iia metal fluoride single crystals for lithography below 200 nm and method for selecting such crystals

Номер патента: WO2005017626A3. Автор: Chong Pyung An,Charlene M Smith. Владелец: Charlene M Smith. Дата публикации: 2005-04-14.

Group iia metal fluoride single crystals for lithography below 200 nm and method for selecting such crystals

Номер патента: WO2005017626A2. Автор: Chong Pyung An,Charlene M. Smith. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2005-02-24.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130017671A1. Автор: Hiroyuki Kitabayashi,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-01-17.

Quantum size effect type micro electron gun and flat display unit using it and method for manufacturing the same

Номер патента: US20030109091A1. Автор: Shunri Oda,Katsuhiko Nishiguchi,Xinwei Zhao. Владелец: Japan Science and Technology Corp. Дата публикации: 2003-06-12.

Method for manufacturing soi substrate

Номер патента: US20120184085A1. Автор: Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-19.

Semiconductor substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240332081A1. Автор: Mitsuru Morimoto,Makoto Takamura,Takuji Maekawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09954073B2. Автор: Jun Sakakibara,Shoji Mizuno,Yuichi Takeuchi,Nozomu Akagi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Piezoelectric device and method for manufacturing piezoelectric device

Номер патента: US09570668B2. Автор: Takashi Iwamoto. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Device for aseptic storage and method for manufacture and assembly thereof

Номер патента: RU2684373C2. Автор: Роберто Консоларо,Анджело Консоларо,Раджив КАББУР. Владелец: Бреветти Анджела С.Р.Л.. Дата публикации: 2019-04-08.

Method for manufacturing contactless chip-card and chip-card

Номер патента: RU2291484C2. Автор: Петер Штампка,Франк ПЮШНЕР,Райнхард ПРОСКЕ,Андреас МЮЛЛЕР-ХИППЕР. Владелец: Серкл Смарт Кард Аг. Дата публикации: 2007-01-10.

Method for manufacturing a bimetallic turbine impeller

Номер патента: RU2766654C1. Автор: Александр Сергеевич Никитин,Любовь Александровна Магеррамова,Евгений Павлович Кратт,Валентин Васильевич Ясинский,Георгий Борисович Ремпель. Владелец: Акционерное общество "Объединенная двигателестроительная корпорация" (АО "ОДК"). Дата публикации: 2022-03-15.

Method for manufacturing osteosynthesis devices, osteosynthesis devices and implants made of semi-synthetic hybrid material obtained by structural modification of components of a natural marine biomaterial

Номер патента: RU2669926C2. Автор: Жорж КАМПРАС,Серж КАМПРАС. Владелец: Мбп (Моришес) Лтд. Дата публикации: 2018-10-17.

Insulated structure for tank and method for manufacture thereof

Номер патента: RU2676630C2. Автор: Марк ЭЛЬБИНГ,Нильс МОМАЙЕР,Бернд ФРИККЕ. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2019-01-09.

Method for manufacturing brush head using molded bundle holder and support plate, as well as brush head

Номер патента: RU2770726C2. Автор: Флориан КОПЕЙНИГ,Михаэль МАЙДЛЬ,Мартин ВАРХ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2022-04-21.

Method for manufacturing a container for explosives

Номер патента: RU2744060C1. Автор: Василий Степанович Бессмертный,Наталья Михайловна Здоренко,Дмитрий Владимирович Кочурин,Олег Владимирович Пучка,Марина Алексеевна Бондаренко,Андрей Викторович Черкасов,Екатерина Михайловна Бурьянова. Владелец: Автономная некоммерческая организация высшего образования "Белгородский университет кооперации, экономики и права". Дата публикации: 2021-03-02.

Method for manufacturing a handle

Номер патента: RU2676112C2. Автор: Карл-Олоф ХОЛМ,Йоуни РИИКОНЕН. Владелец: Фискарс Финлэнд Ой Аб. Дата публикации: 2018-12-26.

Method for manufacturing the surfaces of the assembly body of the coffin, the surface manufactured by the described method, and the body of the coffin with the group of the specified surfaces

Номер патента: RU2746455C2. Автор: Кристос МИКАЛАКОС,Фотиос КУТРОПУЛОС,Каралабос МИКАЛАКОС. Владелец: Каралабос МИКАЛАКОС. Дата публикации: 2021-04-14.

Method for manufacture of hollow vane for gas-turbine engine

Номер патента: RU2349437C2. Автор: Ален ЛОРЬЕ,Даниель Гастон ЛОММ,Жан-Пьер ФЕРТЕ,Жан-Мишель Патрик Морис ФРАНШЭ. Владелец: Снекма Мотер. Дата публикации: 2009-03-20.

Method for manufacturing thin-film tunnel junctions by the method of separate lithography

Номер патента: RU2757762C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Артем Михайлович Чекушкин,Александра Анатольевна Гунбина,Михаил Юрьевич Фоминский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2021-10-21.

Netted web of papermaking machine for manufacture of paper with thread-marks and method for manufacture of such a netted web

Номер патента: RU2300596C2. Автор: Карлхайнц МАЙЕР,Виттих КАУЛЕ,Томас ГЕРХАРДТ,Гюнтер ВИЛЬД,Бернд ШТУМБЕКК,Вольфганг ВЕНЗАУЕР,Андреас АИГНЕР,Виттих КАУЛЕ (DE),Карлхайнц МАЙЕР (DE),Бернд ШТУМБЕКК (DE),Вольфганг ВЕНЗАУЕР (DE),Гюнтер ВИЛЬД (DE),Томас ГЕРХАРДТ (DE),Андреас АИГНЕР (DE). Владелец: Гизеке Унд Девриент Гмбх. Дата публикации: 2007-06-10.

Method for manufacturing unidirectional textile fabric

Номер патента: RU2756286C2. Автор: Ронни ВОККАТЦ,Сюхей ЙОСИДА,Дирк ОРТМАННС,Йосуке НАКАМУРА,Хидекадзу ЙОСИКАВА. Владелец: Тейджин Карбон Юроп Гмбх. Дата публикации: 2021-09-29.

Method for manufacturing an electric power device, electric power device and use of an electric power device

Номер патента: RU2760843C1. Автор: Франческо АГОСТИНИ,Пьер ЭЛЬСЕР,Лукаш МАТЫСЯК,Роберт СЕКУЛЯ. Владелец: Абб Пауэр Гридс Свитцерланд Аг. Дата публикации: 2021-11-30.

Counterfeit-proof paper, method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: RU2315832C2. Автор: Тео Бурхард,Михаэль БЁМ,Хорст РАЙГЛЬ. Владелец: Гизеке Унд Девриент Гмбх. Дата публикации: 2008-01-27.

Method for manufacture of products for children alimentation

Номер патента: RU2472399C2. Автор: Франк ВЕБЕР,Мартинас КУСЛЮС,Саймон ХУТШЕНРОЙТЕР,Томас РЕДЛЕР,Хуберт РАЙНЛЬ. Владелец: НЕСТЕК С.А.. Дата публикации: 2013-01-20.

Method for manufacture of composite high-voltage insulator, high-voltage insulator, as well as plastic for use in such insulator and method for manufacture of non-cylindrical structural member

Номер патента: RU2256252C2. Автор: Антон ВЕРМЕЛИНГЕР. Владелец: Вермелингер Аг. Дата публикации: 2005-07-10.

Method for manufacturing confectionery product

Номер патента: RU2670011C1. Автор: Александр Иванович Максимов. Владелец: Александр Иванович Максимов. Дата публикации: 2018-10-17.

Charge accumulator, method of its manufacturing, method for manufacturing of electroconductive structure for charge accumulator, mobile electronic device using charge accumulator and microelectronic device containing charge accumulator

Номер патента: RU2553981C2. Автор: Дональд С. ГАРДНЕР,Эрик К. ХАННА,Джон Л. ГУСТАФСОН,Жун ЧЭН. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2015-06-20.

Method for manufacturing of tape, and tape used for manufacture of padded cloths and towels, as well as non-woven articles and materials

Номер патента: RU2317360C2. Автор: Чарльз И. КРАМЕР,Морис ПАКЕН,Джон СКЕЛТОН,Джозеф Дж. О'КОННОР. Владелец: Олбани Интернэшнл Корп.. Дата публикации: 2008-02-20.

Method for manufacture of parts for means of travel

Номер патента: RU2351699C2. Автор: Хендрикус Антониус ХОГЛАНД. Владелец: Эсим Текнолоджиз Б.В.. Дата публикации: 2009-04-10.

Method for manufacturing transparent one-piece watch component

Номер патента: RU2571740C2. Автор: Ксавье ТЕНГЕЛИ,Кристиан ПОФФЕ,Филипп ГЕХТЕР. Владелец: Эта Са Мануфактюр Орложэр Сюис. Дата публикации: 2015-12-20.

Sleeper pad and method for its manufacture, construction of railway sleeper with sleeper pad fixed in it and method for connecting sleeper pad with railway sleeper

Номер патента: RU2756929C1. Автор: Андрей Александрович Смирнов,Александр Владимирович Замуховский,Александр Владимирович Шутько,Никита Александрович Терентьев,Марина Дмитриевна Лимонова. Владелец: Камарян Хачатур Оганесович. Дата публикации: 2021-10-07.

Method and device for manufacture of objects that have optimised response characteristics

Номер патента: RU2343527C2. Автор: ВИЛЛЕ Джеймс А. СТ.. Владелец: ВИЛЛЕ Джеймс А. СТ.. Дата публикации: 2009-01-10.

Method for manufacturing a multilayer printed circuit board

Номер патента: RU2602084C2. Автор: Геннадий Васильевич Мылов,Игорь Владимирович Дрожжин,Михаил Владимирович Ларин. Владелец: Акционерное общество "Государственный Рязанский приборный завод". Дата публикации: 2016-11-10.

Plate-type heat exchanger and method for its manufacturing

Номер патента: RU2404396C2. Автор: Эрманно Филиппи,Энрико РИЦЦИ,Мирко ТАРОЦЦО. Владелец: Метанол Касале С.А.. Дата публикации: 2010-11-20.

Method for manufacturing thermally insulated closed-form structures

Номер патента: RU2764205C1. Автор: Сергей Витальевич Перетятков. Владелец: Сергей Витальевич Перетятков. Дата публикации: 2022-01-14.

Method for manufacturing a knitted thermal underwear set

Номер патента: RU2670145C1. Автор: Сергей Анатольевич Гончаров,Егор Андреевич Глебов,Кирилл Анатольевич Сягаев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "СпецВоенПром" (ООО "СпецВоенПром"). Дата публикации: 2018-10-18.

Method for manufacturing a plate heat exchanger

Номер патента: RU2758665C1. Автор: Алексей Анатольевич Колегов,Глеб Станиславович Софиенко. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики имени академика Е.И. Забабахина". Дата публикации: 2021-11-01.

Method for manufacturing nicotine-containing sheet

Номер патента: RU2754551C2. Автор: Коринн ДЕФОРЕЛЬ,Жерар Зюбер,Юдит УОЛЛЕР. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2021-09-03.

A method for manufacturing a substrate wafer for building group iii-v devices thereon and a substrate wafer for building group iii-v devices thereon

Номер патента: WO2023165808A1. Автор: Brian Murphy,Sarad Bahadur Thapa. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2023-09-07.

A method for manufacturing a substrate wafer for building group iii-v devices thereon and a substrate wafer for building group iii-v devices thereon

Номер патента: EP4239658A1. Автор: Brian Murphy,Sarad Bahadur Thapa. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2023-09-06.

Production line for manufacture of a food extruded product and a method for production of a food extruded product

Номер патента: RU2723718C1. Автор: Николай Владимирович Семенякин. Владелец: Николай Владимирович Семенякин. Дата публикации: 2020-06-17.

Napkin for cleaning textile products based on biodegradable composition, method for organizing a napkin for cleaning textile products based on biodegradable composition

Номер патента: RU2654845C1. Автор: Дмитрий Николаевич Дегтярев,Алексей Викторович Паршин. Владелец: Алексей Викторович Паршин. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for manufacturing a semiconductor apparatus

Номер патента: RU2756003C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-09-24.

Composition of chewing gum and confectioneries, containing colorant eliminating complex, and methods for manufacturing and using the same

Номер патента: RU2320194C2. Автор: Петрос ГЕБРЕСЕЛАССИ,Навроз БОГХАНИ,Шиух Джон ЛУО. Владелец: КЭДБЕРИ АДАМС ЮЭсЭй ЛЛС. Дата публикации: 2008-03-27.

Semiconductor resistive sensors manufacturing methods for the ozone in the air content measurements

Номер патента: RU2665348C2. Автор: Александр Константинович Аветисов,Марина Петровна Дмитриева,Людмила Алексеевна Обвинцева,Татьяна Борисовна Шарова,Ирина Петровна Сухарева. Владелец: Акционерное общество "Ордена Трудового Красного Знамени Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (АО "НИФХИ им. Л.Я. Карпова"). Дата публикации: 2018-08-29.

Method for manufacturing fraud-proof paper (versions) and fraud-proof paper (versions)

Номер патента: RU2344219C1. Автор: Андрей Борисович Курятников,Аркадий Владимирович Трачук,Александр Георгиевич Писарев,Елена Самуиловна Туркина,тников Андрей Борисович Кур,Борис Петрович Борисов,Игорь Михайлович Петров,пушкин Петр Александрович Стр,Петр Александрович Стряпушкин,Сергей Иванович Чернышов,Валерий Анатольевич Витвинин,Станислав Глебович Ермаков,Михаил Анатольевич Остреров,Олег Станиславович Бусырев. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Гознак" (Фгуп "Гознак"). Дата публикации: 2009-01-20.

Method for evaluating spectacle lenses, method for calculating spectacle lenses, method for manufacturing spectacle lenses, system for spectacle lenses manufacturing and spectacle lenses

Номер патента: RU2442125C2. Автор: Тетсума ЯМАКАДЖИ. Владелец: Хойа Корпорейшн. Дата публикации: 2012-02-10.

Electronic module with an element which is visible on one surface, and method for manufacturing such a module

Номер патента: RU2316817C2. Автор: Франсуа ДРОЗ. Владелец: Награид Са. Дата публикации: 2008-02-10.

Method for manufacturing sealed lead accumulator

Номер патента: RU2693047C1. Автор: Сергей Владимирович Иванов,Оксана Александровна Шуткова,Александр Борисович Архипов,Сергей Васильевич Петряев,Алексей Станиславович Кайров. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Аккумулятор инноваций". Дата публикации: 2019-07-01.

Method for manufacturing printed goods, device for the continuous production of printed goods and device for synthesized image formation

Номер патента: RU2747162C2. Автор: Аксель ЛУНДВАЛЛЬ. Владелец: Роллинг Оптикс Инновейшн АБ. Дата публикации: 2021-04-28.

Device for manufacturing a laminated core and method of its manufacture

Номер патента: RU2677657C1. Автор: Кунихиро СЕНДА,Ёсихико ОДА,Масанори УЭСАКА,Ёсихидэ КАМИТАНИ,Ясухито СИОЙРИ. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2019-01-18.

Methods for introducing flavoring substances into collagen shells

Номер патента: RU2769984C2. Автор: Юджин ГОЛДФЭРБ,Дэвид Мэтьюз,Стивен ХЭТЧ,Масанори КИСИМОТО. Владелец: ВИСКОФЭН КОЛЛАГЕН ЮЭсЭЭй ИНК.. Дата публикации: 2022-04-12.

Method for manufacture of extruded leguminous micropellets

Номер патента: RU2576448C2. Автор: Номан ХАН,Сара ВЕРТМАН. Владелец: Дзе Квейкер Оутс Компани. Дата публикации: 2016-03-10.

Method for manufacture of pulp and black lye recycling

Номер патента: RU2348749C2. Автор: Эндрю Тимоти ХАРРИС,Тревор Вилль м Риджли ДИН,Тревор Вилльям Риджли ДИН. Владелец: Байоридженл Минимиллз (Ю Кей) Лимитед. Дата публикации: 2009-03-10.

Method for manufacturing a dust collector and its connecting plate

Номер патента: RU2709912C1. Автор: Берт ШОЙФЕН,Патрик ВЕРИУС. Владелец: Актиеболагет Электролюкс. Дата публикации: 2019-12-23.

Protective jacket of fuel shell, method for manufacturing of fuel rods and device for its realisation

Номер патента: RU2403636C2. Автор: Мишель МАРШАН,Жан-Пьер БАРИТО. Владелец: Арева Нс. Дата публикации: 2010-11-10.

Method for manufacturing absorbent product

Номер патента: RU2757840C2. Автор: Казуо ЙОКОБОРИ,Хидео АОКИ. Владелец: КАО КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2021-10-21.

Method and device for manufacturing corrugated material sheet

Номер патента: RU2765704C2. Автор: Шарлотт КОЛЛУ. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2022-02-02.

Transceiver device and method for its manufacture

Номер патента: RU2770237C1. Автор: Владимир Денисович Бурцев,Дмитрий Сергеевич Филонов,Татьяна Сергеевна Вошева. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)». Дата публикации: 2022-04-14.

Lyocell material with modified cross section for tobacco filters and method for manufacture thereof

Номер патента: RU2666427C2. Автор: Санг Ву ДЗИН,Ву Чул КИМ,Дзонг Чеол ДЗЕОНГ,Санг Мок ЛИ,Санг Йоел ЛИ,Дзонг Йеол КИМ,Соо Хо КИМ,Бонг Су ЧЕОНГ,Хиун Сук ЧО,Сунг Дзонг КИ. Владелец: Колон Индастриз, Инк.. Дата публикации: 2018-09-07.

Method for manufacturing high-pressure vessel and apparatus for impregnating reinforcing material with binding agent for implementation thereof

Номер патента: RU2750827C1. Автор: Олег Станиславович Клюнин. Владелец: Олег Станиславович Клюнин. Дата публикации: 2021-07-05.

Intermediate product for individual orthopedic insole and method for manufacturing individual orthopedic insole

Номер патента: RU2306118C2. Автор: Виктор Геннадьевич Процко,Эльмар Маисович Султанов,Заур Хамидович Хамоков,Сергей Владимирович Дронь. Владелец: Сергей Владимирович Дронь. Дата публикации: 2007-09-20.

Method for manufacturing pallet for vibrocompression

Номер патента: RU2640241C2. Автор: Валерий Егорович Керат,Полина Евгеньевна Керат. Владелец: Полина Евгеньевна Керат. Дата публикации: 2017-12-27.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CA2667247A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Kazuhiro Fujikawa. Дата публикации: 2008-05-08.

Solar-cell single-crystal silicon substrate, solar cell element, and method for producing the same

Номер патента: US20070089781A1. Автор: Kazuo Nakajima,Kyojiro Kaneko,Michio Kida,Kozo Fujiwara,Wugen Pan,Noritaka Usami. Владелец: Sumco Solar Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Method for forming a patterned film, method for manufacturing optical component, method for manufacturing circuit board, and method for manufacturing electronic component

Номер патента: EP3061121A1. Автор: Keita Sakai,Toshiki Ito,Shingo Ishida,Youji Kawasaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-08-31.

Gate electrode and method for manufacturing the same, and method for manufacturing array substrate

Номер патента: US20210242033A1. Автор: Tingting Zhou,Bin Zhang,Yucheng CHAN,Xuefei Sun,Chienhung Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Method for producing semiconductor element

Номер патента: US20210327722A1. Автор: Toshimasa Hara,Motohisa Kado,Katsunori Danno,Hayate Yamano. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Method for manufacturing a plurality of nozzle sectors using casting

Номер патента: US11712737B2. Автор: Ngadia Taha Niane,Said Boukerma,Camille Mettoux. Владелец: Safran SA. Дата публикации: 2023-08-01.

Carbon-layered grain-free single-crystal cathode particles and method for preparing same

Номер патента: US20240234728A1. Автор: Youngho Shin. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for transferring a layer from a single-crystal substrate

Номер патента: US09768057B2. Автор: Ludovic Ecarnot,Nicolas Daval,Francois Boedt,Nadia Ben Mohamed,Carole David,Isabelle Guerin. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for detecting electromagnetic property of oriented silicon steel

Номер патента: US09460054B2. Автор: Jie Huang,Guobao Li,Kanyi Shen,Guohua Yang,Meihong Wu,Weizhong Jin,Huande Sun. Владелец: Baoshan Iron and Steel Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Transportable clean zone, method for manufacturing a transportable clean zone, and method for filling a container for medication in a transportable clean zone

Номер патента: RU2764772C2. Автор: Штефан МОССИГ. Владелец: Феттер Фарма-Фертигунг Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2022-01-21.

Method for manufacturing cast insulation for conductors

Номер патента: RU2755923C1. Автор: Владимир Николаевич Вариводов,Дмитрий Игоревич Ковалев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ПСК ПЛАСТМЕТАЛЛ" (ООО "ПСК Пластметалл"). Дата публикации: 2021-09-23.

Method for manufacturing a flexible humidity sensor

Номер патента: RU2764380C1. Автор: Петр Петрович Шарин,Светлана Афанасьевна Смагулова,Захар Иванович Евсеев,Данил Валериевич Николаев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Северо-Восточный федеральный университет имени М.К.Аммосова". Дата публикации: 2022-01-17.

Method and device for manufacturing pelletized fuel for fuel elements (alternatives)

Номер патента: RU2293379C2. Автор: Константин Юрьевич Вергазов,Евгений Александрович Филиппов,Игорь Геннадьевич Чапаев,Александр Михайлович Лузин,Владимир Дмитриевич Бачурин. Владелец: Открытое акционерное общество "Новосибирский завод химконцентратов". Дата публикации: 2007-02-10.

Device and method for manufacturing and/or improving quality of treatment of fibrous linen

Номер патента: RU2364672C2. Автор: Райнер КЛОИБХОФЕР,Кристоф ХААЗЕ,Томас ГРУБЕР-НАДЛИНГЕР,Херберт БОДЕН,Эрих РОЛЛЕНИТЦ,Манфред ГЛОЗЕР. Владелец: ФОЙТ ПАТЕНТ ГМБХ. Дата публикации: 2009-08-20.

Method for manufacturing high functional low-viscosity kraft fibers with use of acid bleaching sequence and fiber produced therewith

Номер патента: RU2671653C2. Автор: Артур Дж. НОННИ,Чарльз Э. КУРШЕН. Владелец: ДжиПи СЕЛЛЬЮЛОУС ГМБХ. Дата публикации: 2018-11-06.

Method for manufacturing a stretching element from composite material and a device for manufacturing

Номер патента: RU2744421C2. Автор: Кендзи Кобаяси,Ацуси ИВАСАКИ. Владелец: КАО КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2021-03-09.

Ball valve of composite materials and method for its manufacture

Номер патента: RU2628827C1. Автор: Александр Алексеевич Кульков,Николай Степанович Норкин,Аркадий Витальевич Пашутов,Анатолий Николаевич Базарко. Владелец: Открытое акционерное общество Центральный научно-исследовательский институт специального машиностроения. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for manufacturing of pole tip of automatic circuit breaker

Номер патента: RU2572811C2. Автор: Венкай ШАНГ. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ АГ. Дата публикации: 2016-01-20.

GAS SENSOR, A CHEMORESISTIVE TYPE MULTI-SENSOR RULER BASED ON OXIDIZED TWO-DIMENSIONAL TITANIUM CARBIDE (MXene) AND A METHOD FOR PRODUCTION THEREOF

Номер патента: RU2709599C1. Автор: Денис Валерьевич Кузнецов,Игорь Николаевич Бурмистров,Виктор Владимирович Сысоев,Алексей Сергеевич Варежников,Илья Анатольевич Плугин,Анна Ивановна Позняк. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.). Дата публикации: 2019-12-18.

Assembly of light-emitting diode (led) lead-frame unit, led group using this lead-frame and method for manufacturing of led group

Номер патента: RU2488195C2. Автор: Тхе Тран НГУЙЕН. Владелец: Непес Лед Корпорейшн. Дата публикации: 2013-07-20.

Method for manufacturing a radiopaque composite paste for post mortem angiography

Номер патента: RU2697825C1. Автор: Дмитрий Александрович Карпов,Роман Михайлович Тимофеев. Владелец: Роман Михайлович Тимофеев. Дата публикации: 2019-08-21.

Method for manufacturing wafer holder to use it in electrostatic wafer chuck

Номер патента: RU2486631C2. Автор: Масахико ИСИДА,Наоки МОРИМОТО,Такахиро НАНБА,Коудзи СОГАБЕ. Владелец: Улвак, Инк.. Дата публикации: 2013-06-27.

Method for manufacturing dry mixture for children nutrition

Номер патента: RU2272536C2. Автор: Олег Иванович Квасенков,Владимир Дмитриевич Надыкта,Муслимат Юнусовна Яхутль,Кирилл Викторович Чередниченко,Людмила Владимировна Донченко,Людмила Яковлевна Родионова. Владелец: Кубанский государственный аграрный университет. Дата публикации: 2006-03-27.

Method for assembling rigid probe heads

Номер патента: RU2753495C1. Автор: Алексей Алексеевич Лопухин,Владимир Михайлович Акимов,Илья Владимирович Ефимов,Никита Александрович Иродов. Владелец: Акционерное общество "НПО "Орион". Дата публикации: 2021-08-17.

Method for manufacturing dry mixture for children nutrition

Номер патента: RU2272537C2. Автор: Олег Иванович Квасенков,Владимир Дмитриевич Надыкта,Муслимат Юнусовна Яхутль,Кирилл Викторович Чередниченко,Людмила Владимировна Донченко,Людмила Яковлевна Родионова. Владелец: Кубанский государственный аграрный университет. Дата публикации: 2006-03-27.

Method for manufacturing flat hull sections of watercrafts

Номер патента: RU2754420C1. Автор: Николай Алексеевич Носырев,Владимир Владимирович Лисицкий,Алексей Анатольевич Васильев,Константин Дмитриевич Могилко,Юрий Михайлович Габдрафиков. Владелец: Акционерное общество "Центр технологии судостроения и судоремонта" (АО "ЦТСС"). Дата публикации: 2021-09-02.

Method for manufacture of electric machine rotor windings manufacture as well as electric machine with rotor winding manufactured by this method

Номер патента: RU2488935C2. Автор: Геральд РОС. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 2013-07-27.

A method for manufacturing a post-and-core inlay for restoring single-root teeth and a device for its implementation

Номер патента: RU2749694C1. Автор: Альфред Мидхатович Сулейманов,Раис Габбасович Хафизов,Ирек Раисович Хафизов,Руслан Марселевич Миргазизов,Максим Михайлович Романов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Казанский (Приволжский) федеральный университет" (ФГАОУ ВО КФУ). Дата публикации: 2021-06-16.

Method and device for manufacturing tyre tread

Номер патента: RU2747529C2. Автор: Марко РУППРЕХТ,Йёрг РАЙНЕФАЛЬ. Владелец: Крауссмаффай Берсторфф Гмбх. Дата публикации: 2021-05-06.

Method for manufacturing doped regions

Номер патента: RU2654984C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2018-05-23.

Method for manufacturing an aircraft engine impeller from a composite material

Номер патента: RU2769595C1. Автор: Владимир Александрович Грибановский. Владелец: Владимир Александрович Грибановский. Дата публикации: 2022-04-04.

Method for manufacturing of mineral cotton blocks

Номер патента: RU2651922C2. Автор: Юрий Михайлович Егоров,Вячеслав Михайлович Горбаненко,Вячеслав Всеволодович Сербин,Юрий Михайлович Белецкий,Павел Николаевич Коновалов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Изомин". Дата публикации: 2018-04-24.

Winding machine for production lines for manufacturing polymer film, specifically stretching polymer film, and method for winding polymer film reels

Номер патента: RU2422350C2. Автор: Франческо ЛОМБАРДИНИ. Владелец: Колинес С.п.А.. Дата публикации: 2011-06-27.

Method for manufacturing sections of three-layer structure from polymer composite materials

Номер патента: RU2653459C2. Автор: Владимир Александрович Середохо,Антон Владимирович Веденецкий,Николай Николаевич Федонюк,Алексей Юрьевич Софронов,Александр Александрович Безруков. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Крыловский государственный научный центр" (ФГУП "Крыловский государственный научный центр"). Дата публикации: 2018-05-08.

Electric motor stator assembly and method for its manufacture

Номер патента: RU2280935C2. Автор: Дзин-Соо ПАРК,Биунг-Таек КИМ. Владелец: Эл Джи Электроникс Инк.. Дата публикации: 2006-07-27.

Method for manufacturing a composite structure

Номер патента: RU2645895C2. Автор: Себастьян КЕРДИЛЕ,Гийом ШАБАННЕ,Франсуа БОЙЕ,Аурелиа ПИЕРРЕТ,Хавьер ШНАЙДЕР,Дидье ЛАНДРУ. Владелец: Соитек. Дата публикации: 2018-02-28.

Sealing shaft and sealing shaft member designed, in particular, for manufacture of woman's hygienic pad, and method for manufacture of pad

Номер патента: RU2255865C2. Автор: Ханс-Вернер ШЕЛЛИНГ. Владелец: Джонсон энд Джонсон ГмбХ. Дата публикации: 2005-07-10.

Method for manufacturing weldable multilayer metal-polymer composite

Номер патента: RU2753692C2. Автор: Томас ФРЁЛИХ,Филип НИННЕМАН,Томас ХЮНДГЕН,Стефан Линднер. Владелец: Оутокумпу Оюй. Дата публикации: 2021-08-19.

Propeller blade of aircraft and method for manufacturing it

Номер патента: RU2749051C1. Автор: Айрат Наилевич Галиев,Дмитрий Николаевич Махотин,Владимир Николаевич Мымрин,Александр Валерьевич Козловский. Владелец: Акционерное общество «Московский машиностроительный завод «Вперед». Дата публикации: 2021-06-03.

Method for manufacturing a tank boiler with a heating jacket and a tank boiler with a heating jacket

Номер патента: RU2761059C1. Автор: Максим Васильевич Агинских,Максим Сергеевич Лобанов,Екатерина Витальевна Шилова. Владелец: Ооо "Рейл1520 Ай Пи". Дата публикации: 2021-12-02.

Method for increasing current density and degradation resistance of auto-emission codes on silicon plates

Номер патента: RU2654522C1. Автор: Сергей Петрович Тимошенков,Сергей Николаевич Орлов,Геннадий Яковлевич Красников,Валерий Петрович Тимошенков,Равиль Кяшшафович Яфаров,Евгений Сергеевич Горнев,Андрей Равильевич Яфаров. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники" (АО "НИИМЭ"). Дата публикации: 2018-05-21.

Conveyor for canvas and method for absorbing product manufacturing

Номер патента: RU2524598C2. Автор: Хироки ЯМАМОТО. Владелец: Юни-Чарм Корпорейшн. Дата публикации: 2014-07-27.

Device and method for manufacturing of water reflector on hardening concrete roof tiling

Номер патента: RU2390411C2. Автор: Петер СРОСТЛИК,Гюнтер ВАЙСС. Владелец: Лафарж Руфинг Текникал Сентерс Гмбх. Дата публикации: 2010-05-27.

Method for manufacturing reinforced concrete box unit

Номер патента: RU2650151C1. Автор: Александр Иванович Цыбань. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Выбор ОБД". Дата публикации: 2018-04-09.

Method for manufacturing fiber-reinforced polymer molded product and a device for its manufacture

Номер патента: RU2755905C1. Автор: Кэн ХАТТА. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2021-09-22.

Method for manufacturing laminate consisting of a carrier plate and decorative paper

Номер патента: RU2766327C1. Автор: Норберт КАЛЬВА. Владелец: Флуринг Текнолоджис Лтд.. Дата публикации: 2022-03-15.

Method for manufacturing device based on flexible conductor paths, device based on flexible conductor paths and neurostimulation system

Номер патента: RU2695256C2. Автор: Хоа ФАМ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2019-07-22.

Method and computer program for creating manufacturing data, and method for manufacturing an orthopedic device

Номер патента: US20240024133A1. Автор: Michael Schmidt,Christian Käppel,Christian Daur. Владелец: Ottobock SE and Co KGaA. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for manufacturing monocrystalline silicon wafer containing arced side, method for manufacturing monocrystalline silicon cell, and photovoltaic module

Номер патента: US11742453B2. Автор: Hao Jin,Xinyu Zhang,Jun Yang,Peiyuan Wang,Xiaolong BAI,Jide Huang,Lizhu He,Ziyang Ou,Weize Shang. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Method for manufacturing root segment sections for a root segment of a turbine blade, method for manufacturing the root segment and method for manufacturing the turbine blade

Номер патента: US12044203B2. Автор: David Stien Pedersen. Владелец: Siemens Gamesa Renewable Energy AS. Дата публикации: 2024-07-23.

Composite substrate, semiconductor structure, and manfufacturing method for composite substrate

Номер патента: US20240304675A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for inspecting for surface defects on a cast part made of single-crystal metal and system for implementing same

Номер патента: US20240310294A1. Автор: Franck Michaud. Владелец: Safran SA. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for manufacturing contact windows with a reduced size for semiconductor devices

Номер патента: RU2767484C1. Автор: Самвел Грантович Тадевосян,Андрей Григорьевич Шелегеда,Михаил Валентинович Хохлов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Монолит". Дата публикации: 2022-03-17.

Method for manufacturing elastic synthetic medical gloves

Номер патента: RU2770380C1. Автор: Александр Викторович Ходос. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Инновационные технологии". Дата публикации: 2022-04-15.

Method for manufacturing rotation shells and device for its implementation

Номер патента: RU2638857C1. Автор: Александр Олегович Звонов,Александр Викторович Зубарев,Олег Валерьевич Васильев,Алексей Сергеевич Разнатовский. Владелец: федеральное государственное унитарное предприятие "Федеральный научно-производственный центр "Прогресс" (ФГУП "ФНПЦ "Прогресс"). Дата публикации: 2017-12-18.

Cylinder housing of lightweight/hybrid construction and method for the production thereof

Номер патента: RU2651192C2. Автор: Рудольф Марк,Мартин ФИДЛЕР,Готтфрид БРАУН. Владелец: Марк Хидраулик Гмбх. Дата публикации: 2018-04-18.

Method for manufacturing package with increased barrier properties

Номер патента: RU2756338C2. Автор: Дмитрий Викторович Савельев. Владелец: Дмитрий Викторович Савельев. Дата публикации: 2021-09-29.

Method for manufacturing an unlimited length cellular geogrid and a device for its implementation

Номер патента: RU2654108C1. Автор: Евгений Анатольевич Пономаренко,Марина Александровна Яблокова,Александр Юрьевич Иваненко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет)". Дата публикации: 2018-05-16.

Method for rod manufacture for application as aerosol-forming substrate with adjustable distribution of porosity

Номер патента: RU2639117C1. Автор: Марин ЖАРРЬО,Йоханнес Петрус Мария Пейненбург. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2017-12-19.

Equipment and method for manufacturing frozen confectionery product with layered structure, having external shell

Номер патента: RU2640426C2. Автор: Томас Алоизиус Валентинус АМЕНД,Чанпу МА. Владелец: НЕСТЕК С.А.. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for manufacturing a light-transmitting composite material amenable to subsequent thermoforming

Номер патента: RU2753814C1. Автор: Ирина Яковлевна Пьяхова. Владелец: Ирина Яковлевна Пьяхова. Дата публикации: 2021-08-23.

Method for manufacturing laminated glass

Номер патента: RU2745956C1. Автор: Штефан ГИР,Уве Ван Дер Мелен,Рихард БРОККЕР,Роберт БЕСЛЕР,Рене БИШОФ,Штефан ЛУККЕ. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2021-04-05.

Devices and methods for manufacturing by additive technology

Номер патента: RU2695684C2. Автор: Адам Р. БРОУДА. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2019-07-25.

Cone-shaped cup of cereals, method for manufacturing the same and method for imparting specific attractiveness to cup of cereals

Номер патента: RU2307509C2. Автор: Освальдо ДЖЕРОМИНИ,Эрнст ХЕК,Зилке НАЙДЛИНГЕР. Владелец: Сосьете де Продюи Нестле С.А.. Дата публикации: 2007-10-10.

Method for manufacturing a system of separation of structural elements

Номер патента: RU2763219C1. Автор: Александр Сергеевич Стрельников. Владелец: Акционерное Общество "Государственное Машиностроительное Конструкторское Бюро "Радуга" Имени А.Я. Березняка". Дата публикации: 2021-12-28.

Method for adaptive operation control of group of devices for manufacturing and packaging

Номер патента: RU2713361C2. Автор: Рене КЕНИГ,Файзан ИСЛАМ,Гвидо Норберт ФРОЙНД. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2020-02-04.

Cardboard product and method for its manufacture

Номер патента: RU2322353C2. Автор: Йорма МАТТИЛА,Ханну СУКСИ,Иско КАЯНТО,Таисто РИНТАМЯКИ. Владелец: Авенира Ои. Дата публикации: 2008-04-20.

Method for manufacturing of nuclear reactor fuel element

Номер патента: RU2380206C2. Автор: Андрей Николаевич Петров,Александр Владимирович Струков,Игорь Геннадьевич Чапаев,Александр Михайлович Лузин,Александр Антонович Кислицкий,Петр Михайлович Юрин,Сергей Викторович Яичников. Владелец: Открытое акционерное общество "Новосибирский завод химконцентратов". Дата публикации: 2010-01-27.

Method for forming the emitting surface of auto-emission cathodes

Номер патента: RU2645153C1. Автор: Александр Николаевич Сауров,Сергей Николаевич Козлов,Александр Алексеевич Павлов,Сергей Викторович Булярский,Алексей Васильевич Живихин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук. Дата публикации: 2018-02-16.

Method for manufacturing multi-focus lenses

Номер патента: RU2300791C2. Автор: Пьер ЖЕРЛИГАН,Амитава ГУПТА,Уилльям КОКОНАСКИ,Уилль м КОКОНАСКИ,Син МакДЖИННИС. Владелец: Эссилор Энтернасьональ (Компани Женераль Д`Оптик). Дата публикации: 2007-06-10.

METHOD FOR PRODUCTION OF DRY CONSENTRATE FOR MANUFACTURING ALCOHOL-FREE BEVERAGE CONTAINING Fe, AMBROSIA AND VITAMIN C

Номер патента: RU2405387C2. Автор: Милос МОГОРОВИЦ. Владелец: Милос МОГОРОВИЦ. Дата публикации: 2010-12-10.

Turbomachine housing with at least one lid, turbomachine and method for manufacturing lid

Номер патента: RU2761502C1. Автор: Маркус МЕЙЕР,Ларс КОРБМАХЕР,Штеффен ПЕТРИ,Кай ШИКМАНН. Владелец: Сименс Энерджи Глоубл Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2021-12-08.

Method for manufacturing two-layer cylinder cylinder bushing by centrifugal casting method

Номер патента: RU2750302C1. Автор: Владимир Павлович Булгаков,Ирина Николаевна Рубан. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Астраханский государственный технический университет. Дата публикации: 2021-06-25.

Tubular cell (alternatives) for batteries of high-temperature electrochemical devices using thin-layer solid electrolyte and method for its manufacture

Номер патента: RU2310256C2. Автор: Виктор Владимирович Иванов,Сергей Николаевич Паранин,Александр Сергеевич Липилин,Алексей Викторович Спирин,Владимир Рудольфович Хрустов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Национальная инновационная компания "Новые энергетические проекты". Дата публикации: 2007-11-10.

Multilayer cellulose casing, method for manufacture and extrusion head for producing the same

Номер патента: RU2304393C2. Автор: ВИСКАРРА Агустин ГАРСИА,ОСЕТ Хосе Абель ОИСА. Владелец: Вискофан, Индустрия Наварра Де Энвольтурас Келюлозикас, С.А.. Дата публикации: 2007-08-20.

Biscuit with filler and corresponding method for production thereof

Номер патента: RU2715851C2. Автор: Гаэтано АРСИ,Марко МОЛЛО. Владелец: СОРЕМАРТЕК С.А.. Дата публикации: 2020-03-03.

METHOD FOR MANUFACTURING SUPERCONDUCTIVE MATERIAL BASED ON Bi-2223 WITH CRITICAL TRANSITION TEMPERATURE OF 197 K

Номер патента: RU2568463C1. Автор: Ксения Сергеевна Рабинович,Леонид Леонидович Самойленко,Александр Георгиевич Шнейдер. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Иркутский государственный технический университет" (ФГБОУ ВПО "ИрГТУ"). Дата публикации: 2015-11-20.

Method for making decorative panels with the proper color

Номер патента: RU2767019C1. Автор: Марк МАХИ. Владелец: Агфа Нв. Дата публикации: 2022-03-16.

Wire weaving and method for manufacturing a spiral thread for wire weaving

Номер патента: RU2664845C1. Автор: Коринна ВЕНДЕЛЕР-ГЁГГЕЛЬМАНН. Владелец: Геобругг Аг. Дата публикации: 2018-08-23.

Method for manufacturing a sample of honeycomb core for tests

Номер патента: RU2646082C2. Автор: Николай Владимирович Выморков,Алексей Геннадьевич Попов,Николай Викторович Степанов,Ирина Евгеньевна Перова,Ольга Леонидовна Петрова. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2018-03-01.

Paper pallet of deep extract, method and device (versions) for manufacture of such pallet and product packaging with such pallet

Номер патента: RU2631038C2. Автор: Яри РЯСЯНЕН,Оути КЮЛЛИЯЙНЕН,Ниило ПЕЙХЕНЕН,Мари ХИЛЬТУНЕН. Владелец: СТОРА ЭНСО ОЙЙ. Дата публикации: 2017-09-15.

Method for manufacturing of cardboard and method for reducing moisture-permeability of cardboard

Номер патента: RU2303673C2. Автор: Ари ЮППО,Реетта СТРЕНГЕЛЛ,Аарто ПАРЕН,Юкка ЯКЯРЯ. Владелец: Кемира Ойй. Дата публикации: 2007-07-27.

Method for manufacturing an ionising emission meter

Номер патента: RU2765146C1. Автор: Евгений Аркадьевич Митрофанов,Сергей Борисович Симакин,Алексей Вячеславович Шабалкин. Владелец: Алексей Вячеславович Шабалкин. Дата публикации: 2022-01-26.

Blood purification apparatus such as highly porous hollow-fibre membranes and method for manufacturing thereof

Номер патента: RU2389513C2. Автор: Кимихиро МАБУТИ,Хидеюки ЙОКОТА,Норико МОНДЕН,Синия КОЯМА,Нориаки КАТО,Юуки ХАТАКЕЯМА,Такаси СУНОХАРА,Тосиаки МАСУДА. Владелец: Нипро Корпорейшн. Дата публикации: 2010-05-20.

Device and method for manufacturing pre-fastened absorbing underwear

Номер патента: RU2393746C2. Автор: Джозеф Дэниел КОИНЕН,Чарльз Роберт ТОМСОВИЧ,Томас Э. УИЛЬЯМСОН,Брайан Томас АНДЕРСОН,Скотт БЕК,Робин НЕЙСОН. Владелец: Кимберли-Кларк Ворлдвайд, Инк.. Дата публикации: 2010-07-10.

Milling medium manufactured from high carbon steel or cast iron, and method for manufacturing the same

Номер патента: RU2292240C2. Автор: Алин МИНЬЕ,РУИ Мерьен У.,Иларио САЛА. Владелец: Вилабратор-Аллевар. Дата публикации: 2007-01-27.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: RU2755774C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-09-21.

Method for manufacturing ceiling slope on door or window opening

Номер патента: RU2752745C1. Автор: Александр Иванович Худолий. Владелец: Александр Иванович Худолий. Дата публикации: 2021-08-03.

Method for manufacturing racetrack winding from current-conducting tape

Номер патента: RU2632474C2. Автор: Людмила Александровна Егошкина,Дмитрий Сергеевич Дежин,Владимир Николаевич Полтавец,Евгений Максимович Каштанов,Сергей Сергеевич Козуб,Вениамин Валентинович Сытник,Виктор Иванович Шувалов. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом". Дата публикации: 2017-10-05.

Method for calculating warpage of bonded soi wafer and method for manufacturing bonded soi wafer

Номер патента: US20140186977A1. Автор: Hiroji Aga,Isao Yokokawa,Yasushi Mizusawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-03.

Method for calculating warpage of bonded SOI wafer and method for manufacturing bonded SOI wafer

Номер патента: US8962352B2. Автор: Hiroji Aga,Isao Yokokawa,Yasushi Mizusawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-24.

Method for manufacturing source-drain electrode, method for manufacturing array substrate, and display mechanism

Номер патента: US12040334B2. Автор: Haijiang YUAN,En-Tsung Cho,Yuming XIA. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for obtaining a harmonic frequency using a potassium bromate nonlinear optical component

Номер патента: US3815973A. Автор: S Haussuehl. Владелец: Individual. Дата публикации: 1974-06-11.

Method for manufacturing container and apparatus for manufacturing container

Номер патента: CA3191752A1. Автор: Takeshi Murase,Shouta Tanaka,Nobuhiro Sasajima,Erika Sato. Владелец: Toyo Seikan Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-07.

Method for manufacturing magnetic core module in magnetic head, magnetic core module in magnetic head and magnetic head

Номер патента: US20170365278A1. Автор: Masao Horiguchi,Ruining GAO. Владелец: TECHRECO COMPANY Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Positive electrode for non-aqueous electrolyte secondary battery, method for manufacturing same, and method for inspecting same, and non-aqueous electrolyte secondary battery and method for manufacturing same

Номер патента: EP4235845A1. Автор: Yuta TAKAICHI. Владелец: Maxell Ltd. Дата публикации: 2023-08-30.

Light emitting diode element and method for producing the same

Номер патента: US20120037923A1. Автор: Toshiyuki Kondo,Satoshi Kamiyama,Isamu Akasaki,Hiroshi Amano,Takuya Nishimura,Motoaki Iwaya,Fumiharu Teramae. Владелец: MEIJO UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-02-16.

Method for manufacturing bar elements of a temporary dental prosthesis and said prosthesis

Номер патента: WO2024170927A1. Автор: Oleksiy Oleksandrovych SHTAGER,Mykhailo Volodymyrovych DZIUBA. Владелец: Dziuba Mykhailo Volodymyrovych. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for manufacturing a preform element, method for manufacturing a wind turbine rotor blade, and mold arrangement

Номер патента: EP4426530A1. Автор: Samuel Robert van Oosterom. Владелец: Siemens Gamesa Renewable Energy AS. Дата публикации: 2024-09-11.

Method for manufacturing a tire and tire manufacturing machine

Номер патента: NL2034376B1. Автор: Theunis Bijl Keimpe,Koldenhof Jeroen. Владелец: VMI Holland BV. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for manufacturing bar elements of a temporary dental prosthesis and said prosthesis

Номер патента: EP4436512A1. Автор: Oleksiy Oleksandrovych SHTAGER,Mykhailo Volodymyrovych DZIUBA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-02.

Methods and systems for providing training data for manufacturing processes

Номер патента: EP4432024A1. Автор: Murat Samil Aslan. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2024-09-18.

Method for manufacturing solar cells having nano-micro composite structure on silicon substrate and solar cells manufactured thereby

Номер патента: US09972732B2. Автор: Ho Sung Kim,Jong Hwan Lee,Chae Hwan Jeong,Chang Heon Kim. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for manufacturing magnetic core module in magnetic head, magnetic core module in magnetic head and magnetic head

Номер патента: US09761251B2. Автор: Masao Horiguchi,Ruining GAO. Владелец: Techreco Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for selecting nanoporous carbon material for polarizable electrode, method for manufacturing such polarizable electrodes and method for manufacturing electrochemical double layer capacitor

Номер патента: US09524830B2. Автор: Yuriy Maletin,Natalia Stryzhakova,Denys Gromadskyi,Sergii Zelinskyi,Sergii Tychyna. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-20.

Method for manufacturing harrow discs

Номер патента: RU2770808C1. Автор: Михаил Иванович Поксеваткин. Владелец: Михаил Иванович Поксеваткин. Дата публикации: 2022-04-21.

Method for manufacturing decorative (art) item and decorative item produced by such method

Номер патента: RU2638249C2. Автор: Борис Маркович Кац. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ПАННА". Дата публикации: 2017-12-12.

Osb board (oriented strand board) based on a wood material with improved characteristics and method for manufacture thereof

Номер патента: RU2766676C2. Автор: Норберт КАЛЬВА,Инго ЛЕНХОФФ. Владелец: СВИСС КРОНО Тек АГ. Дата публикации: 2022-03-15.

Method for manufacturing castings

Номер патента: RU2763865C1. Автор: Геннадий Григорьевич Копытов,Вячеслав Моисеевич Грузман. Владелец: Вячеслав Моисеевич Грузман. Дата публикации: 2022-01-11.

Method for manufacture of portion packages in film hose and apparatus for manufacture of portion packages in film hose

Номер патента: RU2297768C2. Автор: Юрген ХАНТЕН,Юрген ХАНТЕН (DE). Владелец: Поли-Клип Зюстем Гмбх Унд Ко.Кг. Дата публикации: 2007-04-27.

Method for manufacturing a one-piece lining of an upper supporting garment section

Номер патента: RU2658817C1. Автор: Елена Георгиевна Андреева,Галина Петровна Зарецкая,Марина Анатольевна Гусева,Татьяна Васильевна Мезенцева,Олег Вячеславович Кащеев,Асмик Араевна Симонян. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Российский государственный университет им. А.Н. Косыгина (Технологии. Дизайн. Искусство)". Дата публикации: 2018-06-22.

Method for manufacturing empty vibration insulator

Номер патента: RU2745594C2. Автор: Владимир Александрович Антипов,Геннадий Васильевич Лазуткин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Самарский государственный университет путей сообщения" (СамГУПС). Дата публикации: 2021-03-29.

Installation and method for manufacturing sand core

Номер патента: RU2745270C2. Автор: Луис Альфонсо ФЕРНАНДЕС ОРИВЕ,Альберто ОРТИС ДЕ ЭЛЬГУЭА ГАСТЬЯЙН. Владелец: ЛОРАМЕНДИ, С.КООП.. Дата публикации: 2021-03-22.

Method for manufacturing melted sour cream

Номер патента: RU2646158C1. Автор: Николай Михайлович Аветикян,Наталья Валерьевна Воропаева,Кондрат Здзислав Корчак. Владелец: Акционерное общество "ДАНОН РОССИЯ". Дата публикации: 2018-03-01.

Method for manufacturing items by roll powder sintering

Номер патента: RU2609911C2. Автор: Вячеслав Рубинович Шулунов. Владелец: Вячеслав Рубинович Шулунов. Дата публикации: 2017-02-07.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: RU2748455C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-05-25.

Method for manufacturing microcontacts

Номер патента: RU2655953C1. Автор: Лариса Александровна Васильева,Владимир Михайлович Акимов,Евгений Алексеевич Климанов,Никита Александрович Иродов. Владелец: Акционерное общество "НПО "Орион". Дата публикации: 2018-05-30.

Methods for manufacturing and application of ophthalmological devices with power supply, with energy saving mode

Номер патента: RU2641917C2. Автор: Адам ТОНЕР,Джеймс Дэниел РАЙЕЛЛ,Рэндалл Б. ПЬЮ,Фредерик А. ФЛИТШ,Дэниел Б. ОТТС,Кэмилл ХИГХАМ,Скотт Р. ХАМФРИЗ. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for preparing alkyd oligomers and alkyd lacquer containing alkyd oligomer

Номер патента: RU2285705C1. Автор: Андрей Николаевич Утробин,Игорь Викторович Казеннов,Генрих Маркович Цейтлин,Юрий Петрович Кобзев,Екатерина Евгеньевна Казакова,Михаил Васильевич Клубникин. Владелец: Открытое акционерное общество "Пигмент". Дата публикации: 2006-10-20.

Method for manufacturing of needle stitched fibrous structures in real time mode and needle stitching apparatus for effectuating the same

Номер патента: RU2289644C2. Автор: Рено Дюваль,Робер ЖАН,Тьери МАРЖОЙЕ. Владелец: Мессье-Бугатти. Дата публикации: 2006-12-20.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Reaction cell of high-pressure gang-die apparatus for growth of asymmetrically zonal diamond single crystals

Номер патента: RU2176690C1. Автор: А.А. Чепуров,А.И. Чепуров,И.И. Федоров,В.М. Сонин,нцев Д.Г. Багр,Д.Г. Багрянцев,Е.И. Жимулев,Ю.М. Григораш. Владелец: Ооо "Маин". Дата публикации: 2001-12-10.

METHOD FOR PREPARING SOURCE RAW MATERIAL FOR GROWING SINGLE CRYSTALS

Номер патента: RU2007142751A. Автор: Александр Юрьевич Волошко,Владимир Петрович Семиноженко,Олег Валерьевич Шишкин,Дмитрий Семенович Софронов,Александр Михайлович Кудин,Константин Александрович Кудин,Александр Юрьевич Волошко (UA),Владимир Петрович Семиноженко (UA),Олег Валерьевич Шишкин (UA),Александр Михайлович Кудин (UA),Константин Александрович Кудин (UA),Дмитрий Семенович Софронов (UA). Владелец: Государственное научное учреждение "Научно-технологический комплекс "Институт монокристаллов" НАН Украины" (UA). Дата публикации: 2009-05-27.

Czochralski method prepares the method for drawing thin neck during silicon single crystal rod

Номер патента: CN105177703B. Автор: 程志,王会敏,颜超,刘钦,何京辉,曹祥瑞,周子江,陈二星. Владелец: Xingtai Jinglong Electronic Material Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for preparing industrial-grade vanadium-doped unhydrous single-crystal noble spinel

Номер патента: ZA202302058B. Автор: Hu Haiying,Dai Lidong. Владелец: Inst Geochemistry Cas. Дата публикации: 2023-05-31.

Method for smoothing gas flow in silicon single crystal growth furnace and apparatus for realizing the same

Номер патента: KR970027374A. Автор: 강홍규,안춘호. Владелец: 이창세. Дата публикации: 1997-06-24.

Method for producing graphite crucible for silicon single crystal production

Номер патента: JP4834702B2. Автор: 秀彦薄葉,庄司神谷,文人森川. Владелец: NIPPON TECHNO-CARBON CO., LTD.. Дата публикации: 2011-12-14.

Method for evaluating carbon concentration in silicon single crystal

Номер патента: JP6904313B2. Автор: 鈴木　克佳,克佳鈴木,竹野　博,博竹野. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-14.

Inert gas flow rate control device and method for controlling flow rate of silicon single crystal pulling device

Номер патента: JP4131176B2. Автор: 直樹小野,森林符. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2008-08-13.

Inert gas flow rate control device and method for controlling flow rate of silicon single crystal pulling device

Номер патента: JP4168725B2. Автор: 森林符. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2008-10-22.

Method for controlling oxygen concentration in silicon single crystal

Номер патента: JP3564830B2. Автор: 淳岩崎,哲宏小田,敏治上杉,日出夫岡本. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-15.

Method for manufacturing group iii metal nitride single crystal and template substrate

Номер патента: JP2013063908A. Автор: 真岩井,Makoto Iwai,周平東原,Shuhei Higashihara. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2013-04-11.

METHOD FOR PRODUCING N-TYPE GROUP III NITRIDE SINGLE CRYSTAL, N-TYPE GROUP III NITRIDE SINGLE CRYSTAL, AND CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20120049137A1. Автор: Iwata Hirokazu. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2012-03-01.

Novel thermal field for manufacturing high-quality ingot casting single crystal

Номер патента: CN210620995U. Автор: 张亮,孙海龙,唐青岗,周绪成,甄良欣. Владелец: SHENZHEN GOLD STONE TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-26.

A method for automatically controlling the process of growing single crystals by the Czochralski method

Номер патента: SU485763A1. Автор: Сергей Миронович Вишневский,Анатолий Федорович Лавров,Владимир Дмитриевич Цицугин. Владелец: Предприятие П/Я Г-4147. Дата публикации: 1975-09-30.

Method for producing p-type cubic silicon carbide single crystal thin film

Номер патента: JP4123319B2. Автор: 正人吉川,一聡児島. Владелец: 独立行政法人日本原子力研究開発機構. Дата публикации: 2008-07-23.

Method for finding and controlling seeding temperature of single crystal furnace

Номер патента: CN102586864A. Автор: 袁玉平. Владелец: CHANGZHOU BAIER PHOTOELECTRIC EQUIPMENT Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-18.

System and method for simultaneously growing two large-size sapphire single crystal plates

Номер патента: CN109811411B. Автор: 邱文,黄小杰,邱一豇,吴立昌,冷和杰. Владелец: Sichuan United Crystal New Material Co ltd. Дата публикации: 2021-10-08.

Method for producing optical component made of rutile single crystal

Номер патента: JP3062031B2. Автор: 明夫高橋,利光稲垣. Владелец: 富士電気化学株式会社. Дата публикации: 2000-07-10.

ANNEALED WAFER, METHOD FOR PRODUCING ANNEALED WAFER AND METHOD FOR FABRICATING DEVICE

Номер патента: US20120001301A1. Автор: Ebara Koji,KIKUCHI Hiroyasu,Hayamizu Yoshinori. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SINGLE CRYSTAL COOLING APPARATUS AND SINGLE CRYSTAL GROWER INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120000416A1. Автор: Wang Hak-Eui,Na Gwang-Ha. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL MODULATOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120003767A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Nozzle plate and method for manufacturing the nozzle plate, and inkjet printer head with the nozzle plate

Номер патента: US20120001986A1. Автор: Kim Young Jae. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003811A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003823A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Large Area Nitride Crystal and Method for Making It

Номер патента: US20120000415A1. Автор: Speck James S.,"DEvelyn Mark P.". Владелец: Soraa, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNESIUM DIBORIDE SUPERCONDUCTING WIRE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120004110A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for making medical devices of silicone rubber compositions with antimicrobial coating, method for manufacturing silicone pessaries with antimicrobial coating and silicone pessary manufactured by this method

Номер патента: RU2542428C1. Автор: Александр Владимирович Горшков,Борис Львович Бибер,Вера Васильевна Муравьева,Михаил Григорьевич Шнейдерман,Екатерина Евгеньевна Жукова,Сергей Дмитриевич Митрохин. Владелец: Закрытое акционерное общество "МедСил". Дата публикации: 2015-02-20.

Method for manufacturing silicon-on-sapphire mis transistor

Номер патента: RU2298856C2. Автор: Алексей Сергеевич Адонин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электроники и математики (технический университет). Дата публикации: 2007-05-10.

Method for growing silicon single crystals

Номер патента: RU2077615C1. Автор: З.А. Сальник,Ю.А. Микляев. Владелец: Акционерное общество "Подольский химико-металлургический завод". Дата публикации: 1997-04-20.

Method for manufacturing of gas permeable membrane

Номер патента: RU2365403C1. Автор: Александр Васильевич Бобыль,Владимир Петрович Улин,Геннадий Федорович Терещенко,Михаил Петрович Федоров,Федор Юрьевич Солдатенков,Самуил Гиршевич Конников,Александр Николаевич Чусов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский Государственный политехнический университет" (ГОУ "СПбГПУ"). Дата публикации: 2009-08-27.

Method of cutting silicon single crystals

Номер патента: RU2155131C2. Автор: Л.В. Худобин,О.Г. Крупенников. Владелец: Ульяновский государственный технический университет. Дата публикации: 2000-08-27.

Method for forming palatine surface geometry of removable plate prosthesis base

Номер патента: RU2255704C1. Автор: . Владелец: Ковалев Олег Анатольевич. Дата публикации: 2005-07-10.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003781A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000517A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacture of matrix of multipoint autoemissive cathode based on single-crystal silicon

Номер патента: RU2484548C1. Автор: Равиль Кяшшафович Яфаров. Владелец: Равиль Кяшшафович Яфаров. Дата публикации: 2013-06-10.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002133A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,Hirakata Yoshiharu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120003446A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GROWTH OF LARGE ALUMINUM NITRIDE SINGLE CRYSTALS WITH THERMAL-GRADIENT CONTROL

Номер патента: US20120000414A1. Автор: Schowalter Leo J.,Bondokov Robert T.,Rao Shailaja P.,Gibb Shawn Robert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001878A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing of high-temperature superconducting josephson junction

Номер патента: RU2105390C1. Автор: Михаил Юрьевич Куприянов,Сергей Николаевич Поляков,Анатолий Михайлович Балбашов,Олег Васильевич Снигирев,Эрнст Константинович Ковьев,Игорь Иванович Венгрус,Игорь Юрьевич Парсегов. Владелец: Игорь Юрьевич Парсегов. Дата публикации: 1998-02-20.

Method for growing single crystals of lanthanum-gallium silicate

Номер патента: RU2108417C1. Автор: О.А. Бузанов. Владелец: Товарищество с ограниченной ответственностью фирма "ФОМОС". Дата публикации: 1998-04-10.

Method for growing of sapphire single crystals from melt

Номер патента: RU2350699C2. Автор: Николай Иванович Каргин,Маргарита Васильевна Николенко,Эдуард Викторович Еськов. Владелец: Открытое акционерное общество "Концерн Энергомера". Дата публикации: 2009-03-27.

Method for manufacturing of multilayer structure of porous silicon-on-insulator

Номер патента: RU2554298C1. Автор: Валерий Викторович Болотов,Константин Евгеньевич Ивлев,Егор Владимирович Князев,Владислав Евгеньевич Росликов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Омский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук (ОНЦ СО РАН). Дата публикации: 2015-06-27.

Method for production of single crystal lithium aluminate

Номер патента: RU2245402C2. Автор: Б.А. Дороговин,И.М. Филиппов,А.А. Цеглеев,Г.А. Лаптева,А.Б. Дубовский. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт синтеза минерального сырья" (ФГУП "ВНИИСИМС"). Дата публикации: 2005-01-27.

Apparatus and Method for Viewing an Object

Номер патента: US20120004513A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING A DROPLET DISCHARGE HEAD

Номер патента: US20120000595A1. Автор: Mase Atsushi,Shimizu Hideki,TANAKA Hidehiko. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE, POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL OF SECOND BATTERY USING THE METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SECONDARY BATTERY USING THE POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003539A1. Автор: MIKAMI Mayumi,Nara Koji. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for local crystallisation of lanthanum borogermanate glass

Номер патента: RU2579080C1. Автор: Владимир Николаевич Сигаев,Алексей Сергеевич Липатьев,Сергей Викторович Лотарев,Татьяна Олеговна Липатьева,Мария Олеговна Шааб. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский химико-технологический университет имени Д.И. Менделеева (РХТУ им. Д.И. Менделеева). Дата публикации: 2016-03-27.

Method and Device for Manufacturing a Three-Layer Cord of the Type Rubberized in Situ

Номер патента: US20120000174A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING AMINO ACID LIQUID FERTILIZER USING LIVESTOCK BLOOD AND AMINO ACID LIQUID FERTILIZER MANUFACTURED THEREBY

Номер патента: US20120000260A1. Автор: Oh Jin Yeol. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NANOPOROUS FILMS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000845A1. Автор: Park Han Oh,Kim Jae Ha,JIN Myung Kuk. Владелец: BIONEER CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003139A1. Автор: Kawakami Takahiro,Miwa Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLAME-RETARDANT POLY LACTIC ACID-CONTAINING FILM OR SHEET, AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120003459A1. Автор: . Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD, SYSTEM AND MOLDING TOOL FOR MANUFACTURING COMPONENTS FROM COMPOSITE FIBER MATERIALS

Номер патента: US20120003480A1. Автор: BECHTOLD Michael,JUNG Manuel. Владелец: AIRBUS OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2012-01-05.

ENERGY STORAGE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003535A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE WAFER

Номер патента: US20120003824A1. Автор: Lee Ho-jun,KIM Yong-Jin,Lee Dong-Kun,Kim Doo-Soo,Lee Kye-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING A DROPLET DISCHARGE HEAD

Номер патента: US20120003902A1. Автор: Mase Atsushi,Shimizu Hideki,TANAKA Hidehiko. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITE GEAR BLANK AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120000307A1. Автор: Oolderink Rob,Nizzoli Ermanno,Vandenbruaene Hendrik. Владелец: QUADRANT EPP AG. Дата публикации: 2012-01-05.

Solar Cell And Method For Manufacturing Solar Cell

Номер патента: US20120000512A1. Автор: HASHIMOTO Masanori,SAITO Kazuya,SHIMIZU Miho. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods for Manufacturing a Vacuum Chamber and Components Thereof, and Improved Vacuum Chambers and Components Thereof

Номер патента: US20120000811A1. Автор: . Владелец: Kurt J. Lesker Company. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE WIRE FOR WIRE ELECTRICAL DISCHARGE MACHINING, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD FOR ELECTRICAL DISCHARGE MACHINING USING THE SAME

Номер патента: US20120000889A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing thin film capacitor and thin film capacitor obtained by the same

Номер патента: US20120001298A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD FOR SPARK PLUGS

Номер патента: US20120001532A1. Автор: Kyuno Jiro,Kure Keisuke. Владелец: NGK SPARK PLUG CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DUST CORE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001719A1. Автор: Oshima Yasuo,Handa Susumu,Akaiwa Kota. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRONIC DEVICE CASE HAVING ANTENNA PATTERN EMBEDDED THEREIN, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, MOLD FOR MANUFACTURING ANTENNA PATTERN FRAME, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20120001807A1. Автор: HONG Ha Ryong,Lee Dae Kyu,An Chan Gwang,Chang Ki Won,Cho Sung Eun,SUNG Jae Suk. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, LIQUID CRYSTAL PANEL, METHOD FOR PRODUCING LIQUID CRYSTAL PANEL, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY UNIT, AND TELEVISION RECEIVER

Номер патента: US20120001838A1. Автор: Tsubata Toshihide. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

HOLOGRAM RECORDING MEDIUM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, HOLOGRAM REPRODUCTION APPARATUS, AND HOLOGRAM REPRODUCTION METHOD

Номер патента: US20120002257A1. Автор: Shirakura Akira,Baba Shigeyuki,Arai Toshiyuki,Higashihara Teruaki. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, ANTIGLARE FILM, POLARIZER WITH OPTICAL LAYER, AND DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120002282A1. Автор: Suzuki Ryo,Haga Yumi,Nagahama Tsutomu,Matsumura Shinichi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002285A1. Автор: Matsuda Manabu. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SUSPENSION SUBSTRATE, SUSPENSION, HEAD SUSPENSION, HARD DISK DRIVE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SUSPENSION

Номер патента: US20120002366A1. Автор: OHNUKI Masao,YAMAZAKI Tsuyoshi. Владелец: Dai Nippon Printing Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION FILM, DECORATION DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003441A1. Автор: CHEN CHIA-FU. Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

HOLLOW MEMBER AND AN APPARATUS AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: US20120003496A1. Автор: Tomizawa Atsushi,Kubota Hiroaki. Владелец: Sumitomo Metal Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, CAPACITOR, BATTERY, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120003544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE HAVING POROUS COATING LAYER, ELECTRODE MANUFACTURED THEREFROM, AND ELECTROCHEMICAL DEVICE COMPRISING THE SAME

Номер патента: US20120003545A1. Автор: Kim Jong-Hun,LEE Joo Sung,Hong Jang-Hyuk,Yoon Su-Jin,PARK Pil-kyu,Shin Byoung-Jin,Cho Byeong-Gyu,Jin Sun-Mi,Kim In-Chul. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20120003776A1. Автор: Park Sang Hyuk. Владелец: Intellectual Ventures II LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR REGION AND METHOD FOR MANUFACTURING POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003807A1. Автор: SHIMAZU Takashi,FURUNO Makoto. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OF FERROMAGNETIC CONIAL ALLOY WITH CONTENT OF Ni 33 -35 at% AND Al 29 -30 at%

Номер патента: RU2641598C1. Автор: Юрий Иванович Чумляков,Елена Юрьевна Панченко,Анна Сергеевна Ефтифеева. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2018-01-18.

METHOD FOR MANUFACTURING PASTE-TYPE ELECTRODE OF LEAD-ACID BATTERY AND APPARATUS THEREFOR

Номер патента: US20120000070A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SCANDIUM ALUMINUM NITRIDE FILM

Номер патента: US20120000766A1. Автор: Kano Kazuhiko,Nishikubo Keiko,TESHIGAHARA Akihiko,AKIYAMA Morito,Tabaru Tatsuo. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FILLET WELD JOINT AND METHOD FOR GAS SHIELDED ARC WELDING

Номер патента: US20120003035A1. Автор: Suzuki Reiichi,Kinefuchi Masao,KASAI RYU. Владелец: Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.). Дата публикации: 2012-01-05.

Methods and Apparatus for Manufacturing Plasma Based Plastics and Bioplastics Produced Therefrom

Номер патента: US20120003193A1. Автор: Burgess James E.,Smith Jason,Campbell Phil G.,Weiss Lee E.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods and Apparatus for Manufacturing Plasma Based Plastics and Bioplastics Produced Therefrom

Номер патента: US20120003279A1. Автор: Burgess James E.,Smith Jason,Campbell Phil G.,Weiss Lee E.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION FILM, DECORATION DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003433A1. Автор: . Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus for Manufacturing Thin Film Photovoltaic Devices

Номер патента: US20120003789A1. Автор: . Владелец: Stion Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING EMBEDDED SUBSTRATE

Номер патента: US20120003793A1. Автор: HWANG Sun-Uk,Cho Young-Woong,Yoon Kyoung-Ro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEANS AND METHODS FOR MANUFACTURING HIGHLY PURE NEUROTOXIN

Номер патента: US20120004179A1. Автор: Taylor Harold Victor,Eisele Karl-Heinz,PFEIL Michael,Friedrich Josef,Brünn Cornelia. Владелец: Merz Pharma GmbH & Co. KGaA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING NATURAL FIBER STRIPE-QUILTED FABRIC HAVING PROTRUDED WRINKLE PATTERNS ON ITS SURFACE

Номер патента: US20120000406A1. Автор: RYU Kwang Yeol. Владелец: DONG JIN BEDDING CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND METHOD FOR MANUFACTURING AN IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001287A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Lead Frame and Method For Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001307A1. Автор: . Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CASTING METHOD FOR MANUFACTURING A WORK PIECE

Номер патента: US20120003101A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING CAPSULE SERIES, AND RELATED CAPSULE SERIES

Номер патента: US20120003285A1. Автор: Bibette Jérôme,Chu Liang-yin,Santanach Carreras Enric,Royere Audrey,Bremond Nicolas. Владелец: CAPSUM. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR INDUCING AN IMMUNE RESPONSE

Номер патента: US20120003298A1. Автор: Maj Roberto,Pattarino Franco,Mura Emanuela,Barberis Alcide. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods and Apparatus for Manufacturing Plasma Based Plastics and Bioplastics Produced Therefrom

Номер патента: US20120003324A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SQUARE-CELL BATTERY AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20120003528A1. Автор: Tani Yuji,Maeda Hitoshi,Fujiwara Masayuki,Shinyashiki Yoshitaka,Kusukawa Masao,Funahashi Atsuhiro. Владелец: SANYO ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING METAL GATE STACK STRUCTURE IN GATE-FIRST PROCESS

Номер патента: US20120003827A1. Автор: Xu Qiuxia,Li Yongliang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING OPTICAL FIBER PREFORM

Номер патента: US20120000249A1. Автор: HAMADA Takahiro. Владелец: FUJIKURA LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING PLASTIC LABELS WITH SELF-ADHESIVE PATTERN, AND ATTACHING SUCH LABELS TO A TIN

Номер патента: US20120000598A1. Автор: . Владелец: REYNDERS ETIKETTEN, NAAMLOZE VENNOOTSCHAP. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Light Emitting Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001202A1. Автор: Horng Ray-Hua. Владелец: NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING ANISOPTROPIC BULK MATERIALS

Номер патента: US20120001368A1. Автор: Filippov Andrey V.,Milia Charlotte Diane. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Preparing Small Volume Reaction Containers

Номер патента: US20120003675A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR CUTTING AND EVACUATING TISSUE

Номер патента: US20120004595A1. Автор: DUBOIS Brian R.,NIELSEN James T.,GORDON Alexander. Владелец: LAURIMED, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR AUTOMATICALLY SHIFTING A BASE LINE

Номер патента: US20120004890A1. Автор: Chen Po-Tsang. Владелец: INOTERA MEMORIES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacture of heat exchanging device, method of device heat exchanging unit manufacture (versions), method for manufacture of intermediate and/or upper heat exchanging unit of device, method for manufacture of lower heat exchanging unit of device, method for manufacture of device heat exchanging unit air supply or exhaust headers, technological complex of equipment for manufacture of device heat exchanging units, berth for assembly of device heat exchanging unit (versions) and device for vertical storage of mostly four-leg bend pipes of device (versions)

Номер патента: RU2344916C2. Автор: Николай Павлович Селиванов,Николай Павлович Селиванов (RU). Владелец: Николай Павлович Селиванов. Дата публикации: 2009-01-27.

METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRIC WIRE WITH TERMINAL

Номер патента: US20120000069A1. Автор: Hirai Hiroki,Tanaka Tetsuji,Ono Junichi,Otsuka Takuji,Shimoda Hiroki,HAGI Masahiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.