Method for producing a polycrystalline silicon layer, and apparatus for forming a metal mixed layer for same
Номер патента: WO2011105830A3
Опубликовано: 09-02-2012
Автор(ы): 박경완, 이병일, 장희섭
Принадлежит: 주식회사 테라세미콘
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 09-02-2012
Автор(ы): 박경완, 이병일, 장희섭
Принадлежит: 주식회사 테라세미콘
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Process for producing photovoltaic device and deposition apparatus
Номер патента: US20110201145A1. Автор: Kengo Yamaguchi,Hiroomi Miyahara. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2011-08-18.