Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Method of manufacturing bump electrode for integrated circuit device

Method of manufacturing bump electrode for integrated circuit device

Номер патента: JP2877168B2
Опубликовано: 31-03-1999
Автор(ы): 久 白畑
Принадлежит: Fuji Electric Co Ltd

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Pin block method of dispensing solder flux onto the I/O pads of an integrated circuit package

Номер патента: US5816481A. Автор: Ronald Allen Norell,Kenneth Walter Economy,Richard Leigh Bumann. Владелец: Unisys Corp. Дата публикации: 1998-10-06.

Integrated circuit packaging system with film assistance mold and method of manufacture thereof

Номер патента: US20130154121A1. Автор: Jaehyun Lee,DokOk Yu,Ki Youn Jang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-20.

Semiconductor device, semiconductor module, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050006762A1. Автор: Munehide Saimen. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-01-13.

Method of forming an integrated circuit device including a pillar capped by barrier layer

Номер патента: US09627339B2. Автор: Wei Sen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of packaging fuses

Номер патента: US20010015477A1. Автор: Inderjit Singh,Hem Takiar,Ranjan Mathew,Nikhil Kelkar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-23.

Carrierless chip package for integrated circuit devices, and methods of making same

Номер патента: US09673121B2. Автор: Lee Choon Kuan,Chong Chin Hui,David J. Corisis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of manufacturing an interconnection structure of an integrated circuit

Номер патента: US20230361064A1. Автор: Sylvie Del Medico,Marion CROISY. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-11-09.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20180090437A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160260668A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US10014253B2. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-07-03.

Integrated circuit packaging system withmolded interconnects and method ofmanufacture thereof

Номер патента: SG177075A1. Автор: Tai Do Byung,Senosa Trasporto Arnel,Pei Ee Chua Linda. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2012-01-30.

Integrated circuit package including sealed gaps and prevention of vapor induced failures and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2004030094A1. Автор: Xuejun Fan. Владелец: U.S. Philips Corporation. Дата публикации: 2004-04-08.

Electronic component, method of manufacturing the electronic component, and method of manufacturing electronic circuit device

Номер патента: US20020100964A1. Автор: Keiji Onishi,Akihiko Namba,Katsunori Moritoki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-01.

Integrated circuit packaging system with dielectric support and method of manufacture thereof

Номер патента: US20120146246A1. Автор: WonJun Ko,DeokKyung Yang,Yeongbeom Ko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-14.

Integrated circuit packaging system with bumps and method of manufacture thereof

Номер патента: US20100320589A1. Автор: Lionel Chien Hui Tay,Jose Alvin Caparas,Zigmund Ramirez Camacho,Emmanuel Espiritu. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2010-12-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110037147A1. Автор: Kiyonori Watanabe. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8110923B2. Автор: Kiyonori Watanabe. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-07.

A method of manufacturing integrated circuit sensors

Номер патента: AU2003249497A1. Автор: William Robert Betts,Steven Verlinden. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2004-02-25.

A method of manufacturing integrated circuit sensors

Номер патента: WO2004015400A1. Автор: William Robert Betts,Steven Verlinden. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2004-02-19.

A method of manufacturing integrated circuit sensors

Номер патента: EP1546681A1. Автор: William Robert Betts,Steven Verlinden. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2005-06-29.

Integrated circuit packaging system with under bump metallization and method of manufacture thereof

Номер патента: US09865554B2. Автор: Il Kwon Shim,HeeJo Chi,JunMo Koo,Zigmund Ramirez Camacho,Kyung Moon Kim,Bartholomew Liao Chung Foh. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor wafer, semiconductor device and method of manufacturing the same, circuit board, and electronic device

Номер патента: US20030052410A1. Автор: Yoshihiro Sugiura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-03-20.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20040140558A1. Автор: Yasuo Tanaka. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-22.

Method of improving adhesion of cap oxide to nanoporous silica for integrated circuit fabrication

Номер патента: US6876063B1. Автор: Rao Venkateswara Annapragada. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-04-05.

Methods of manufacturing an antenna or a strap for accommodating an integrated circuit, an antenna on a substrate, a strap for an integrated circuit and a transponder

Номер патента: WO2009069053A1. Автор: Christian Zenz,Dietmar Nessmann. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2009-06-04.

Systems and methods for integration of heterogeneous circuit devices

Номер патента: US20050095790A1. Автор: YI Su,Jingkuang Chen. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2005-05-05.

Gas-expanded liquids, methods of use thereof, and systems using gas-expanded liquids for cleaning integrated circuits

Номер патента: WO2004049062A3. Автор: Matthew T Spuller,Dennis W Hess. Владелец: Georgia Tech Res Inst. Дата публикации: 2004-08-26.

Electrical device and method of manufacturing electrical devices using film embossing techniques to embed integrated circuits into film

Номер патента: US20070141760A1. Автор: Scott Ferguson,Ali Mehrabi,Reza Mehrabi. Владелец: Avery Dennison Corp. Дата публикации: 2007-06-21.

Apparatus and method of surface treatment for electrolytic and electroless plating of metals in integrated circuit manufacturing

Номер патента: US20030034251A1. Автор: Chi-Hwa Tsang,Vinay Chikarmane. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Vibrating template method of placing solder balls on the I/O pads of an integrated circuit package

Номер патента: US5839191A. Автор: Ronald Allen Norell,Kenneth Walter Economy,Richard Leigh Bumann. Владелец: Unisys Corp. Дата публикации: 1998-11-24.

Systems and methods for integration of heterogeneous circuit devices

Номер патента: EP1339101A3. Автор: YI Su,Jingkuang Chen. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2005-11-30.

Positive electrode additive for a lithium secondary battery, a method of manufacturing same, and a positive electrode for a lithium secondary battery including same

Номер патента: US20240194876A1. Автор: Seung Min Oh,Chang Hoon SONG,Tae Hee Kim,Sang Hun Lee,Sung Min Park,Yong Hoon Kim,Sung Ho Ban,Ha Eun LEE,Min Sik Park,Da Bin Jang,Hyo Bin Lee. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of manufacturing porous metal plate and electrode for alkaline storage batteries

Номер патента: US20040060156A1. Автор: Kiyoto Watanabe,Hitoshi Mikuriya,Gota Asano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-01.

Preparation Method Of Patterned Substrate

Номер патента: US20190278172A1. Автор: Sung Soo Yoon,Jung Keun Kim,No Jin Park,Eun Young Choi,Je Gwon Lee,Se Jin Ku,Mi Sook Lee,Hyung Ju Ryu. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2019-09-12.

Three-dimensional integrated circuit structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210020601A1. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Sung-Feng Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Method of making air bridges as interelectrode connections of integrated circuits

Номер патента: RU2685082C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Артем Михайлович Чекушкин,Ренат Альбертович Юсупов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2019-04-16.

Method and apparatus for maintaining operational temperature of an integrated circuit

Номер патента: US20130062331A1. Автор: Toby Mark Padilla,Randall Dennis Bousfield,Martin Verwiebe,Ryan Neal Milbrandt. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-14.

Method and apparatus for maintaining operational temperature of an integrated circuit

Номер патента: US09917028B2. Автор: Toby Mark Padilla,Randall Dennis Bousfield,Martin Verwiebe,Ryan Neal Milbrandt. Владелец: ASSA ABLOY AB. Дата публикации: 2018-03-13.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US20190237454A1. Автор: Chen-Hua Yu,Shang-Yun Hou,Hsien-Pin Hu,Hsing-Kuo Hsia,Ying-Ching Shih,Chin-Fu Kao,Sung-Hui Huang,Kuan-Yu Huang,Chi-Hsi Wu,Li-Chung Kuo,Wen-Hsin Wei,Heh-Chang Huang,Yushun Lin,Chih-Chieh Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US20240297166A1. Автор: Chen-Hua Yu,Shang-Yun Hou,Hsien-Pin Hu,Hsing-Kuo Hsia,Ying-Ching Shih,Chin-Fu Kao,Sung-Hui Huang,Kuan-Yu Huang,Chi-Hsi Wu,Li-Chung Kuo,Wen-Hsin Wei,Heh-Chang Huang,Yushun Lin,Chih-Chieh Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor die, integrated circuits and driver circuits, and methods of maufacturing the same

Номер патента: US20150194421A1. Автор: Rob Van Dalen,Erik Spaan,Priscilla Boos. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2015-07-09.

Methods of manufacturing self aligned buried contact electrodes for vertical channel transistors

Номер патента: US20120149184A1. Автор: Jinyoung Kim,Jongchul Park,Sangsup Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-14.

Semiconductor die, integrated circuits and driver circuits, and methods of maufacturing the same

Номер патента: US09570437B2. Автор: Rob Van Dalen,Erik Spaan,Priscilla Boos. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-02-14.

Quantum dot optical devices with enhanced gain and sensitivity and methods of making same

Номер патента: EP1929531A2. Автор: Gerasimos KONSTANTATOS,Edward Sargent,Larissa Levina,Ian Howard,Jason Clifford,Ethan J. D. Klem. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-11.

Quantum dot optical devices with enhanced gain and sensitivity and methods of making same

Номер патента: WO2007102051A3. Автор: Gerasimos KONSTANTATOS,Edward Sargent,Larissa Levina,Ian Howard,Jason Clifford,Ethan J D Klem. Владелец: Ethan J D Klem. Дата публикации: 2007-11-29.

Integrated circuit with nano-conductor sensors, measuring device, method of measurement and method of manufacture

Номер патента: RU2638125C2. Автор: Йохан Хендрик КЛОТВИЙК,Марлен МЕСХЕР,Мануэль Эдуардо АЛАРКОН-РИВЕРО,ВИЛД Нико Марис Адриан ДЕ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-12-11.

Quantum dot optical devices with enhanced gain and sensitivity and methods of making same

Номер патента: US09806131B2. Автор: Gerasimos KONSTANTATOS,Larissa Levina,Ian Howard,Edward Hartley Sargent,Jason Paul Clifford,Ethan J. D. Klem. Владелец: InVisage Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Quantum dot optical devices with enhanced gain and sensitivity and methods of making same

Номер патента: US09570502B2. Автор: Gerasimos KONSTANTATOS,Larissa Levina,Ian Howard,Edward Hartley Sargent,Jason Paul Clifford,Ethan J. D. Klem. Владелец: InVisage Technologies Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Integrated circuits with magnetic tunnel junctions and methods for producing the same

Номер патента: US20170345999A1. Автор: Kangho Lee,Kazutaka Yamane,Seungmo Noh. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-11-30.

3DIC interconnect devices and methods of forming same

Номер патента: US09455158B2. Автор: Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Tzu-Hsuan Hsu,Jeng-Shyan Lin,Feng-Chi Hung,Shu-Ting Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Integrated circuits with memory cells and methods for producing the same

Номер патента: US20190043992A1. Автор: Shyue Seng Tan,Yuan Sun. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2019-02-07.

Integrated circuits with resistive non-volatile memory cells and methods for producing the same

Номер патента: US20200321396A1. Автор: Eng Huat Toh,Lanxiang Wang,Shyue Seng Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Integrated circuits with image sensors and methods for producing the same

Номер патента: US20200161365A1. Автор: Eng Huat Toh,Ping Zheng. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-05-21.

Integrated circuits with capacitors and methods for producing the same

Номер патента: US09646963B1. Автор: Shyue Seng Tan,Yuan Sun,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Structure and method of MOS transistor having increased substrate resistance

Номер патента: US20030207543A1. Автор: Zhiqiang Wu,Craig Salling,Che-Jen Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-06.

Integrated circuits with capacitors and methods for producing the same

Номер патента: US09978883B2. Автор: Shyue Seng Tan,Yuan Sun,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of forming shallow trench isolation (STI) structures

Номер патента: US09627246B2. Автор: Justin Hiroki Sato,Gregory Allen Stom. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Methods of forming multilevel conductive interconnections including capacitor electrodes for integrated circuit devices

Номер патента: US6262446B1. Автор: Ki-nam Kim,Bon-jae Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-07-17.

Methods and apparatus to place balls for second level interconnects of integrated circuit packages

Номер патента: US20240304473A1. Автор: Tingting Gao,Zewei Wang,George Frank Robinson, JR.,Viet Chau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of manufacturing a tungsten plug

Номер патента: US8822333B2. Автор: Jun Zhou. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-09-02.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US12015023B2. Автор: Chen-Hua Yu,Shang-Yun Hou,Hsien-Pin Hu,Hsing-Kuo Hsia,Ying-Ching Shih,Chin-Fu Kao,Sung-Hui Huang,Kuan-Yu Huang,Chi-Hsi Wu,Li-Chung Kuo,Wen-Hsin Wei,Heh-Chang Huang,Yushun Lin,Chih-Chieh Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Method of Double Patterning Lithography process Using Plurality of Mandrels for Integrated Circuit Applications

Номер патента: US20160079063A1. Автор: BAO Tien-I,Lee Chung-Ju,SHUE Shau-Lin,Yao Hsin-Chieh,Wu Yung-Hsu. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

Method of Double Patterning Lithography Process Using Plurality of Mandrels for Integrated Circuit Applications

Номер патента: US20170221702A1. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Chung-Ju Lee,Yung-Hsu WU,Hsin-Chieh Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Methods of manufacturing an antenna or a strap for accommodating an integrated circuit, an antenna on a substrate, a strap for an integrated circuit and a transponder

Номер патента: CN101874253B. Автор: 克里斯彻·赞兹,迪特马·耐斯曼. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2013-01-02.

Test system for vlsi digital circuit and method of testing

Номер патента: CA1222329A. Автор: Francois J. Henley. Владелец: DATAPROBE Corp. Дата публикации: 1987-05-26.

Method of double patterning lithography process using plurality of mandrels for integrated circuit applications

Номер патента: US9627206B2. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Chung-Ju Lee,Yung-Hsu WU,Hsin-Chieh Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Methods of manufacturing an antenna or a strap for accommodating an integrated circuit, an antenna on a substrate, a strap for an integrated circuit and a transponder

Номер патента: CN101874253A. Автор: 克里斯彻·赞兹,迪特马·耐斯曼. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2010-10-27.

Gas-expanded liquids, methods of use thereof, and systems using gas-expanded liquids for cleaning integrated circuits

Номер патента: AU2003294451A8. Автор: Matthew T Spuller,Dennis W Hess. Владелец: Georgia Tech Research Institute. Дата публикации: 2004-06-18.

Method of reducing power dissipation in a clock distribution network for integrated circuit

Номер патента: US20180196463A1. Автор: Tomas Alexander Dusatko. Владелец: Inphi Corp. Дата публикации: 2018-07-12.

Method of making a semiconductor substrate with embedded isolating layer for integrated circuits

Номер патента: EP1042812B1. Автор: Klaus-Detlef Bolze,Thomas Grabolla,Andre Wolff,Heide B. ERZGRÄBER. Владелец: IHP GMBH. Дата публикации: 2007-05-09.

Integrated circuit repair using multiple-photon absorption of laser light

Номер патента: US7041514B1. Автор: Rutger B. Vrijen. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2006-05-09.

Electrical device and method of manufacturing electrical devices using film embossing techniques to embed integrated circuits into film

Номер патента: US20090206474A1. Автор: Ali Mehrabi,Reza Mehrabi,Scott Wayne Ferguson. Владелец: Avery Dennison Corp. Дата публикации: 2009-08-20.

Electrical device and method of manufacturing electrical devices using film embossing techniques to embed integrated circuits into film

Номер патента: US8067253B2. Автор: Ali Mehrabi,Reza Mehrabi,Scott Wayne Ferguson. Владелец: Avery Dennison Corp. Дата публикации: 2011-11-29.

An inductor or low loss interconnect and a method of manufacturing an inductor or low loss interconnect in an integrated circuit

Номер патента: SG91840A1. Автор: Xie Ya-Hong,Moinian Shahriar,Belk Nathan,Thomas Cochran William,Ranjit Frei Michel,K Ng Kwok,Richard Pinto Mark,Clayton Goldthorp David. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-10-15.

An inductor or low loss interconnect and a method of manufacturing an inductor or low loss interconnect in an integrated circuit

Номер патента: TW550654B. Автор: William Thomas Cochran,Nathan Belk,Michel Ranjit Frei,Tsu-Rong Jerome Chu,David Goldthorp. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2003-09-01.

Method of making stress released VLSI structure by the formation of porous intermetal layer

Номер патента: US5393709A. Автор: Water Lur,J. Y. Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1995-02-28.

A method of manufacturing an insulated gate field effect transistor for semiconductor integrated circuits

Номер патента: DE2923969C2. Автор: Norio Yokohama Kanagawa Endo. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-12-19.

Methods of manufacturing trench isolated drain extended mos (demos) transistors and integrated circuits therefrom

Номер патента: US20100117150A1. Автор: Sameer Prakash Pendharkar,Binghua Na Hu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-05-13.

Integrated circuits with memory cells and methods for producing the same

Номер патента: US20190043922A1. Автор: Bhushan Bharat,Danny Pak-Chum Shum,Yi Jiang,Juan Boon Tan,Wanbing YI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2019-02-07.

Integrated circuits with vertical capacitors and methods for producing the same

Номер патента: US20180342556A1. Автор: Bhushan Bharat,Juan Boon Tan,Mahesh BHATKAR,Wanbing YI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-11-29.

Method of forming electrode and device for forming electrode for organic thin film transistor, method of manufacturing organic thin film transistor, and organic thin film transistor

Номер патента: WO2019208241A1. Автор: 弥生 芝藤,毅 関谷,隆文 植村,知玄 木村,武史 陶山. Владелец: 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス. Дата публикации: 2019-10-31.

CIRCUITS FOR AND METHODS OF IMPLEMENTING AN INDUCTOR AND A PATTERN GROUND SHIELD IN AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20180190584A1. Автор: Upadhyaya Parag,Jing Jing. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2018-07-05.

Methods of forming a resistor structure between adjacent transistor gates on an integrated circuit product and the resulting devices

Номер патента: US20180366461A1. Автор: Haiting Wang,Hui Zang,Manfred Eller,Daniel Jaeger. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-12-20.

Method of forming shallow trench isolation (sti) structures

Номер патента: US20160365272A1. Автор: Justin Hiroki Sato,Gregory Allen Stom. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-15.

Method of forming shallow trench isolation (sti) structures

Номер патента: EP3308394A1. Автор: Justin Hiroki Sato,Gregory Allen Stom. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-18.

Method of forming pitch multipled contacts

Номер патента: WO2007027558A3. Автор: Luan C Tran. Владелец: Luan C Tran. Дата публикации: 2007-05-18.

Method of making a barrier layer for via or contact opening of integrated circuit structure

Номер патента: US5770520A. Автор: Wilbur G. Catabay,Joe W. Zhao,Zhihai Wang. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1998-06-23.

A method of characterizing transistors for attenuating the effects of irradiation on an integrated circuit manufactured in SOI technology.

Номер патента: FR3109243A1. Автор: Alejandro Urena-Acuna,Jean-Marc Armani,Mariem Slimani. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2021-10-15.

Apparatus and method of surface treatment for electrolytic and electroless plating of metals in integrated circuit manufacturing

Номер патента: EP1417706A2. Автор: Chi-Hwa Tsang,Vinay Chikarmane. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-05-12.

METHODS OF FORMING NON-CONTINUOUS CONDUCTIVE LAYERS FOR CONDUCTIVE STRUCTURES ON AN INTEGRATED CIRCUIT PRODUCT

Номер патента: US20140246775A1. Автор: Ryan Vivian W.,Zhang Xunyuan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2014-09-04.

Methods of forming different finfet devices having different fin heights and an integrated circuit product containing such devices

Номер патента: US20140367795A1. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-18.

METHODS OF FORMING A RESISTOR STRUCTURE BETWEEN ADJACENT TRANSISTOR GATES ON AN INTEGRATED CIRCUIT PRODUCT AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20180366461A1. Автор: WANG Haiting,Zang Hui,Eller Manfred,JAEGER Daniel. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-20.

Vertical type nitride semiconductor light emitting device and method of of manufacturing the same

Номер патента: KR100723150B1. Автор: 김태준,오방원,백두고. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2007-05-30.

Method of dicing a semiconductor wafer and heat sink into individual semiconductor integrated circuits

Номер патента: US6784022B2. Автор: Masazumi Amagai,Norito Umehara. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-08-31.

Method of filling with a metal layer a recess formed in an integrated circuit chip

Номер патента: EP0392642B1. Автор: Andrew L. Wu. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1994-12-21.

Methods of forming different FinFET devices having different fin heights and an integrated circuit product containing such devices

Номер патента: US9530775B2. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Methods of forming non-continuous conductive layers for conductive structures on an integrated circuit product

Номер патента: US9059255B2. Автор: Xunyuan Zhang,Vivian W. Ryan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-06-16.

Gas-expanded liquids, methods of use thereof, and systems using gas-expanded liquids for cleaning integrated circuits

Номер патента: WO2004049062A2. Автор: Dennis W. Hess,Matthew T. Spuller. Владелец: GEORGIA TECH RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2004-06-10.

Conductive composite structure for electronic device, method of preparing the same, electrode for electronic device including the conductive composite structure, and electronic device including the conductive composite structure

Номер патента: US20190131030A1. Автор: Hyangsook LEE,Minsu Seol,Changseok Lee,Dongjin Yun,Seyun KIM,Seongheon Kim,Changhoon Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-02.

METHOD OF MEASURING GAS INTRODUCING HOLE PROVIDED IN ELECTRODE FOR PLASMA ETCHING DEVICE, ELECTRODE, ELECTRODE REGENERATION METHOD, REGENERATED ELECTRODE, PLASMA ETCHING DEVICE, AND GAS INTRODUCING HOLE STATE DISTRIBUTION DIAGRAM AND DISPLAY METHOD FOR SAME

Номер патента: US20170148612A1. Автор: Suzuki Takayuki. Владелец: A-SAT CORPORATION. Дата публикации: 2017-05-25.

Method of measuring gas introducing hole provided in electrode for plasma etching device, electrode, electrode regeneration method, regenerated electrode, plasma etching device, and gas introducing hole state distribution diagram and display method for same

Номер патента: KR101988437B1. Автор: Takayuki Suzuki. Владелец: 에이-삿토 가부시키가이샤. Дата публикации: 2019-06-12.

Method of measuring gas introducing hole provided in electrode for plasma etching device, electrode, electrode regeneration method, regenerated electrode, plasma etching device, and gas introducing hole state distribution diagram and display method for same

Номер патента: US10679828B2. Автор: Takayuki Suzuki. Владелец: A-Sat Corp. Дата публикации: 2020-06-09.

Method of measuring gas introducing hole provided in electrode for plasma etching device, electrode, electrode regeneration method, regenerated electrode, plasma etching device, and gas introducing hole state distribution diagram and display method

Номер патента: TW201630033A. Автор: Takayuki Suzuki. Владелец: A Sat Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

METHOD OF MAKING AND DEVICE HAVING A COMMON ELECTRODE FOR TRANSISTOR GATES AND CAPACITOR PLATES

Номер патента: US20190051694A1. Автор: Han Manhyeop,LEE Guensik,CHOO Kyoseop. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-14.

Electrically conductive barriers for integrated circuits

Номер патента: US20170052082A1. Автор: Andrew C. McNeil,Jinbang Tang,Chad S. Dawson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-02-23.

Electrically conductive barriers for integrated circuits

Номер патента: US09714879B2. Автор: Andrew C. McNeil,Jinbang Tang,Chad S. Dawson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Methods of manufacturing integrated circuit devices

Номер патента: US20200335348A1. Автор: Dohyun Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-22.

Method and Apparatuses for Integrated Circuit Substrate Manufacture

Номер патента: US20130001791A1. Автор: Edward Law,Fan Yeung,Raymond (Kwok Cheung) TSANG. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

Method for integrated circuit manufacturing

Номер патента: US09672320B2. Автор: Shih-Ming Chang,Chin-Yuan Tseng,Chien-Fu Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of manufacturing strained source/drain structures

Номер патента: US09698057B2. Автор: Yimin Huang,Ming-Huan Tsai,Chii-Ming Wu,Chun-Fai Cheng,Chun-Feng Nieh,Wei-Han Fan,Han-Ting Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070298562A1. Автор: Naoto Fujishima,C.Andre Salama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-27.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09991264B1. Автор: Ki-Il KIM,Jung-Gun You,Gi-gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09899388B2. Автор: Ki-Il KIM,Jung-Gun You,Gi-gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09779996B2. Автор: Weon-Hong Kim,Soo-Jung Choi,Moon-Kyun Song,Dong-Su Yoo,Min-Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09673330B2. Автор: Hwa-Sung Rhee,Hyun-Jo Kim,Se-Wan Park,Yoon-Seok Lee,Bo-Cheol Jeong,Jae-Yup Chung,Hee-Don Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Integrated circuit packaging system with embedded pad on layered substrate and method of manufacture thereof

Номер патента: US09607938B2. Автор: Dong Ju Jeon,KyoungHee Park,MinKyung Kang,YoungDal Roh. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Build-up package for integrated circuit devices, and methods of making same

Номер патента: US09355994B2. Автор: David J. Corisis,Chin Hui Chong,Choon Kuan Lee,Hong Wan Ng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-05-31.

Integrated circuit device having a resistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140138759A1. Автор: Keon-Soo Kim,Young-Ho Lee,Seong-Soon Cho,Jin- Hyun SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-22.

Bump structure and method of manufacturing bump structure

Номер патента: US20240258252A1. Автор: Ching-Yu Chang,Ming-Da Cheng,Ming-Hui Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240304666A1. Автор: Seunghun LEE,Jinbum Kim,Gyeom KIM,Hyojin Kim,Haejun YU,Kyungin Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Designing method of capacitive element in multilayer wirings for integrated circuit devices based on statistical process

Номер патента: US10163776B2. Автор: Kyoko Izuha,Hiroaki Ammo,Yoshiyuki Enomoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-12-25.

Integrated circuit device including through-silicon via structure and decoupling capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09691684B2. Автор: Kwang-jin Moon,Byung-lyul Park,Jae-hwa Park,Sung-Hee Kang,Suk-Chul Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of forming patterns and method of manufacturing integrated circuit device

Номер патента: US09613821B2. Автор: Dong-won Kim,Tae-hoon Kim,Ju-Young Kim,Yool Kang,Su-min Park,Hyung-Rae Lee,Hye-Ji Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-04.

Integrated circuit device system with elevated configuration and method of manufacture thereof

Номер патента: US09603252B1. Автор: Satyanarayan Shivkumar Iyer,Victor Mahran,Reuben J. Chang. Владелец: Smart Modular Technologies Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Photomask, method of correcting error thereof, integrated circuit device manufactured by using the photomask, and method of manufacturing the integrated circuit device

Номер патента: US09588413B2. Автор: Sang-Hyun Kim,Seong-Sue Kim,Dong-gun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Photomask, method of correcting error thereof, integrated circuit device manufactured by using the photomask, and method of manufacturing the integrated circuit device

Номер патента: US09465286B2. Автор: Sang-Hyun Kim,Seong-Sue Kim,Dong-gun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor integrated circuit device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020140048A1. Автор: Keiichi Yamada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Integrated circuit device, safety circuit, safety-critical system and method of manufacturing an integrated circuit device

Номер патента: US09638744B2. Автор: Yuan Gao,Valérie BERNON-ENJALBERT,Philippe Givelin,Guillaume FOUNAUD. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Substrate for integrated circuit devices including multi-layer glass core and methods of making the same

Номер патента: US20160322290A1. Автор: Qing Ma,Patrick Morrow,Chuan Hu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234485A1. Автор: Hyun-Suk Lee,Jun-Goo Kang,Gi-hee CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit device having parallel conductive lines with bulging end portion(s) and method of manufacturing the same

Номер патента: US12021027B2. Автор: Wandon Kim,Euibok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Method of manufacturing an electronic device and a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6660438B2. Автор: Toshihiko Tanaka,Norio Hasegawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-12-09.

Package devices and methods of manufacture

Номер патента: US20240264388A1. Автор: Jiun Yi Wu,Nien-Fang Wu,Shih Wei Liang,Yu-Ming Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of manufacturing integrated circuit device

Номер патента: US09953985B2. Автор: Seon-Ju Kim,Hye-won Kim,Hyun-Gi Kim,Sang-Moo Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Integrated circuit devices having air-gap spacers above gate electrodes

Номер патента: US09911851B2. Автор: Kang-ill Seo,Jin-Wook Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Substrate for integrated circuit devices including multi-layer glass core and methods of making the same

Номер патента: US09761514B2. Автор: Qing Ma,Patrick Morrow,Chuan Hu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Glass core substrate for integrated circuit devices and methods of making the same

Номер патента: US09686861B2. Автор: Qing Ma,Robert L. Sankman,Valluri R. Rao,Johanna M. Swan,Quan A. Tran. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US09627347B2. Автор: Motohiro Suzuki,Naoya Watanabe,Masahiro Aoyagi,Shunsuke Nemoto,Fumiki Kato,Thanh Tung Bui,Lai Na Ma. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-04-18.

Substrate for integrated circuit devices including multi-layer glass core and methods of making the same

Номер патента: US09420707B2. Автор: Qing Ma,Patrick Morrow,Chuan Hu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234312A1. Автор: Wandon Kim,Euibok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Photo mask, semiconductor integrated circuit device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080054354A1. Автор: Jee-Eun JUNG,Ho-Jin Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-06.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240194768A1. Автор: Taegon Kim,Gilhwan Son,Jihye Yi,Sihyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of manufacturing integrated circuit device

Номер патента: US20240003007A1. Автор: Kihyun Kim,Heesoo Lee,Pyung MOON,Hyoungsub Kim,Kongsoo Lee,Hoijoon KIM,Geunyoung Yeom. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-01-04.

Method of manufacturing integrated circuit device

Номер патента: US20240322004A1. Автор: Jiho Yoo,Jihoon CHA,Kihyung Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Photoresist composition including photosensitive polymer and method of manufacturing integrated circuit device

Номер патента: US20240302742A1. Автор: Songse YI,Yoonhyun Kwak,Sung Hwan Park,Juhyeon Park,Sungwon Choi,Jeong Ho MUN,Hogeun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09847225B2. Автор: Chun-Fai Cheng,Tsz-Mei Kwok,Hsien-Ching Lo,Hui-Min Lin,An-Shen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device including a transistor with a vertical channel

Номер патента: US09837470B2. Автор: Dong Yean Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor integrated circuit device having vertical channel and method of manufacturing the same

Номер патента: US09640587B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Large Dimension Device and Method of Manufacturing Same in Gate Last Process

Номер патента: US20140065786A1. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-03-06.

Etchant compositions and methods of manufacturing integrated circuit devices using the same

Номер патента: US20210202264A1. Автор: Hoon Han,Youngchan Kim,Youngtak KIM,Jungah Kim,Geunjoo Baek,Chisung Ihn,Sangmoon Yun. Владелец: Samyoung Pure Chemicals Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Solid-state imaging device and method of manufacturing the same, radiological imaging apparatus and method of manufacturing the same, and method of testing solid-state imaging device

Номер патента: US8653466B2. Автор: Harumichi Mori,Ryuji Kyushima,Kazuki Fujita. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2014-02-18.

Semiconductor integrated circuit device having reservoir capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150357377A1. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Solid-state imaging device and method of manufacturing the same, radiological imaging apparatus and method of manufacturing the same, and method of testing solid-state imaging device

Номер патента: US20120012753A1. Автор: Harumichi Mori,Ryuji Kyushima,Kazuki Fujita. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2012-01-19.

Method of manufacturing integrated circuit device using a metal-containing photoresist composition

Номер патента: US12112948B2. Автор: Kumagai Tomoya,Tsunehiro Nishi,Brian Cardineau,SooYoung CHOI,Chawon KOH,Soyeon Yoo,Kwangsub Yoon. Владелец: Inpria Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Integrated circuits devices with counter-doped conductive gates

Номер патента: US09991356B2. Автор: Md M. Hoque,Weize Chen,Patrice M. Parris,Richard J. De Souza. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor integrated circuit device with a surface and method of manufacturing the same

Номер патента: US09947546B2. Автор: Keun Kyu Kong,Min Seok Son,Jae Hee SIM,Jeong Hoon AN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

3D semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09935194B2. Автор: Young Ho Lee,Jin Ha Kim,Kang Sik Choi,Jun Kwan Kim,Su Jin Chae. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09666584B2. Автор: Masaaki Shinohara,Satoshi Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor integrated circuit device having protective split at peripheral area of bonding pad and method of manufacturing same

Номер патента: US09536821B2. Автор: Takashi Moriyama,Katsuhiko Hotta,Takuro Homma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Circuit device and method of manufacturing a circuit device for controlling a transmission of a vehicle

Номер патента: US09472486B2. Автор: Thomas Maier. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2016-10-18.

Integrated circuit devices with counter-doped conductive gates

Номер патента: US09437701B2. Автор: Md M. Hoque,Weize Chen,Patrice M. Parris,Richard J. De Souza. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-06.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240196603A1. Автор: Sungyeon KIM,Munjun KIM,Hyukwoo KWON,Younseok CHOI,Kwanghee CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same, and cell size calculation method for DRAM memory cells

Номер патента: US20020195669A1. Автор: Kazutami Arimoto,Toshinori Morihara,Hiroki Shimano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200381547A1. Автор: Seungmin Song,Junggil YANG,Junbeom PARK,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-03.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20230290881A1. Автор: Seungmin Song,Junggil YANG,Junbeom PARK,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220093786A1. Автор: Seungmin Song,Junggil YANG,Junbeom PARK,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Method of manufacturing integrated circuit device

Номер патента: US20240222467A1. Автор: Ji Young Park,Sangmoon Lee,Gyeom KIM,Sunhye HWANG,Jieun Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Slurry composition for polishing metal and method of manufacturing integrated circuit device using the same

Номер патента: US20230332015A1. Автор: Sangkyun Kim,Hyosan Lee,Boun Yoon,Yearin BYUN,Inkwon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Integrated circuit device and method of manufacturing

Номер патента: US20240371854A1. Автор: Chia-Lin Hsu,Yu-Ti Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Thermal conductivity for integrated circuit packaging

Номер патента: US20200323076A1. Автор: Brian J. Long. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7977238B2. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-12.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100203724A1. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-12.

Integrated circuit device and method of manufacturing

Номер патента: US20240274585A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Chun-Yen Lin,Yi-Kan Cheng,Jiann-Tyng Tzeng,Lee-Chung Lu,Ching-Yu Huang,Yung-Chin Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit device with antenna effect protection circuit and method of manufacturing

Номер патента: US12080658B2. Автор: Lei Pan,Xinyong Wang,Jialiang ZHONG,Yaqi Ma,Mingjian WANG,CunCun CHEN. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor integrated circuit device having single-element type non-volatile memory elements

Номер патента: US20020179963A1. Автор: Satoshi Meguro,Hitoshi Kume,Kazuhiro Komori,Toshiaki Nishimoto,Yoshiaki Kamigaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor integrated circuit device having single-element type non-volatile memory elements

Номер патента: US20010038119A1. Автор: Satoshi Meguro,Hitoshi Kume,Kazuhiro Komori,Toshiaki Nishimoto,Yoshiaki Kamigaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

Integrated circuit devices

Номер патента: US09922879B2. Автор: Weon-Hong Kim,Soo-Jung Choi,Moon-Kyun Song,Dong-Su Yoo,Min-Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-20.

Integrated circuit packaging system with interposer support structure mechanism and method of manufacture thereof

Номер патента: US09859200B2. Автор: Heesoo Lee,HeeJo Chi,KyuSang Kim,YeoChan Ko,SooSan Park,KeoChang Lee. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Packages for integrated circuits and methods of packaging integrated circuits

Номер патента: US09786838B2. Автор: Angelo V. Ugge. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Integrated circuit packaging system with joint assembly and method of manufacture thereof

Номер патента: US09748157B1. Автор: HeeJo Chi,NamJu Cho,HanGil Shin,Kyung Moon Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor integrated circuit device including nano-wire selector and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180061996A1. Автор: Dong Yean Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Methods of manufacturing integrated circuit devices by using photomask cleaning compositions

Номер патента: US09507255B2. Автор: Hyo-Sun Lee,Dong-Min Kang,Ho-Young Kim,Sung-Bae Kim,Hoon Han,Young-Taek Hong,Hong-kwon Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of manufacturing a chemoresistor based on nanostructures of manganese oxide by electrochemical method

Номер патента: RU2677095C1. Автор: Федор Сергеевич Федоров,Виктор Владимирович Сысоев,Максим Андреевич Соломатин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.). Дата публикации: 2019-01-15.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20220173002A1. Автор: Seungheon Lee,Jaekang Koh,Munjun KIM,Hyukwoo KWON,Taejong HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-02.

Layout design method and method of manufacturing integrated circuit device using the same

Номер патента: US20240104287A1. Автор: Inseop Lee,Hee JEONG,Dawoon Choi,Bongkeun Kim,Myungsoo Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Method of manufacturing integrated circuit device

Номер патента: US20210098260A1. Автор: Jihee KIM,Hyunchul YOON,Joonghee KIM,Yeongshin PARK,Mincheol KWAK,Jungheun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-01.

Through-board decoupling capacitance arrangements for integrated circuit devices

Номер патента: WO2020263422A1. Автор: William Paul Hovis,Garrett Douglas Blankenburg,Andres Felipe Hernandez Mojica,Gregory M. Daly,Rich Tat An. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2020-12-30.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210057339A1. Автор: ChoongHyun Lee,Youngju LEE,Joonyong Choe. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

An integrated circuit chip assembly and a method of mounting an integrated circuit chip to external circuitry

Номер патента: WO2023194698A1. Автор: David Summerland,Luke Knight. Владелец: Search For the Next Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Method of manufacturing modules with an integrated circuit

Номер патента: US20030087474A1. Автор: Christian Brugger,Reinhard Fritz,Johannus Weekamp,Anthonie De Lange,Johannes Van Roosmalen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-08.

Methods of manufacturing integrated circuit devices using carbonyl compounds

Номер патента: US20230215723A1. Автор: Soyoung LEE,Younjoung CHO,Kiyoshi Murata,Tomoharu Yoshino,Hoon Han,Hiroyuki Uchiuzou,Byungkeun Hwang,Jiyu CHOI,Thanh Cuong Nguyen,Daekeon Kim,Eunhyea Ko. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240321732A1. Автор: ChoongHyun Lee,Youngju LEE,Joonyong Choe. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit and computer-implemented method of manufacturing the same

Номер патента: US09991249B2. Автор: Hyo-sig Won,Seong-Min Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Through via structure, methods of forming the same

Номер патента: US09608026B2. Автор: Byung-Jun Park,Seung-Hun Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

METHOD OF MAKING SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES WITH ATOMICALLY SMOOTH InGaP AND InP STOP LAYERS ON GaAs AND InP SUBSTRATES

Номер патента: RU2690859C1. Автор: Андрей Геннадьевич Гладышев,Антон Юрьевич Егоров. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ. Дата публикации: 2019-06-06.

Method of fabricating non-volatile memory integrated circuit device and non-volatile memory integrated circuit device fabricated using the same

Номер патента: US20090159952A1. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Method of Fabricating Non-Volatile Memory Integrated Circuit Device and Non-Volatile Memory Integrated Circuit Device Fabricated Using the Same

Номер патента: US20080017915A1. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-24.

Integrated circuit device including a field-effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240243188A1. Автор: Seokhoon Kim,Sungkeun Lim,Pankwi Park,Unki Kim,Yuyeong Jo,Hyohoon Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Integrated circuit and method for manufacturing same

Номер патента: EP1523784A2. Автор: Stefan Kern. Владелец: Marconi Communications GmbH. Дата публикации: 2005-04-20.

Integrated circuit and method for manufacturing same

Номер патента: EP1523784B1. Автор: Stefan Kern. Владелец: ERICSSON AB. Дата публикации: 2008-03-12.

Method of fine-tuning process controls during integrated circuit chip manufacturing based on substrate backside roughness

Номер патента: US20160181166A1. Автор: Craig E. Schneider,Matthew D. Moon,Daniel A. Delibac,David A. DeMuynck,Shawn A. Adderly,Kyle Babinski,Shawn R. Goddard,Melissa J. Roma. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Integrated circuit device including a field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4401144A2. Автор: Seokhoon Kim,Sungkeun Lim,Pankwi Park,Unki Kim,Yuyeong Jo,Hyohoon Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-17.

Integrated circuit device including vertical memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09859207B2. Автор: Kwang-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Integrated circuit packaging system with a grid array with a leadframe and method of manufacture thereof

Номер патента: US09799589B2. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Arnel Senosa Trasporto. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Integrated circuit device having through-silicon-via structure

Номер патента: US09496218B2. Автор: Gil-heyun Choi,Byung-lyul Park,Do-Sun LEE,Kun-Sang Park,Seong-min Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of fine-tuning process controls during integrated circuit chip manufacturing based on substrate backside roughness

Номер патента: US09330988B1. Автор: Craig E. Schneider,Matthew D. Moon,Daniel A. Delibac,David A. DeMuynck,Shawn A. Adderly,Kyle Babinski,Shawn R. Goddard,Melissa J. Roma. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

Method of manufacturing an integrated circuit device

Номер патента: US12040326B2. Автор: Minju Kim,Junggil YANG,Donghyi KOH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Integrated Circuits and Methods of Design and Manufacture Thereof

Номер патента: US20100276759A1. Автор: Henning Haffner,Manfred Eller,Richard Lindsay. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-04.

Methods of reducing a registration error of a photomask, and related photomasks and methods of manufacturing an integrated circuit

Номер патента: US9176375B2. Автор: CHALYKH Roman,Sang-Hyun Kim,Seong-Sue Kim,Dong-gun Lee,Mun-Ja KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-03.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US20160293759A1. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US20170069586A1. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Method of manufacturing an integrated circuit having field effect transistors including a peak in a body dopant concentration

Номер патента: US9761665B2. Автор: Thorsten Meyer,Christoph Kadow,Stefan Decker,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of manufacturing an integrated circuit having field effect transistors including a peak in a body dopant concentration

Номер патента: US9355909B2. Автор: Thorsten Meyer,Christoph Kadow,Stefan Decker,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-05-31.

Integrated circuit packaging system with leadframe and method of manufacture thereof

Номер патента: US20110233743A1. Автор: Erwin Aguas Sangalang,Ramona Damalerio,Jayby Agno,Dexter Anonuevo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-29.

Etchant compositions for metal-containing films and methods of manufacturing integrated circuit devices using the etchant compositions

Номер патента: US20210115334A1. Автор: Kihun Song,Hyosan Lee,Minjung Kim,Jungmin Oh,Hyojoong YOON,Jongwook Baek. Владелец: Dongwoo Fine Chem Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240324188A1. Автор: Kyounghwan Kim,Sangbin AHN,Kangin KIM,Youngseung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210296431A1. Автор: Yoonyoung CHOI,Sangjae Park,Dongkyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-23.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09972692B2. Автор: Sun-jung Lee,Jung-Hun Choi,Da-Il Eom,Sung-Uk Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Display driver integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US09960193B2. Автор: Jin-woo Park,Siwoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09922979B2. Автор: Jong-Mil Youn,Hwa-Sung Rhee,Hyun-Jo Kim,Jae-Yup Chung,Hee-Don Jeong,Je-Min YOO,Jong-Shik Yoon,Kyu-man CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-20.

Metal only post-mask ECO for integrated circuit

Номер патента: US09892966B1. Автор: Sven Trester. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-02-13.

Integrated circuits and methods of design and manufacture thereof

Номер патента: US09767244B2. Автор: Henning Haffner,Manfred Eller,Richard Lindsay. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of manufacturing an integrated circuit having field effect transistors including a peak in a body dopant concentration

Номер патента: US09761665B2. Автор: Thorsten Meyer,Christoph Kadow,Stefan Decker,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-09-12.

Integrated circuit packaging system with conductive pillars and method of manufacture thereof

Номер патента: US09748203B2. Автор: Kyunghwan Kim,DeokKyung Yang,In Sang Yoon,SeongHun Mun. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US09537005B2. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Film interposer for integrated circuit devices

Номер патента: US09490240B2. Автор: Alan E. Johnson,Alan E. LUCERO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200118920A1. Автор: Seok-Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-16.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200243532A1. Автор: Sung-hee Han,Yoo-Sang Hwang,Bong-Soo Kim,Hui-jung Kim,Ki-Seok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-30.

Radiation imaging apparatus and manufacturing method of same

Номер патента: US20220187481A1. Автор: Yoshito Sasaki,Masato Inoue,Takamasa Ishii,Masato Ofuji. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Optical control modules for integrated circuit device patterning and reticles and methods including the same

Номер патента: US20200348587A1. Автор: Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis,Johannes Cobussen,Leendertjan Mekking. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Method of fabricating a charge trap nand flash memory device

Номер патента: US20130087849A1. Автор: Marcello Mariani,Giulio Albini,Paolo Tessariol,Umberto M. Meotto,Paola Bacciaglia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-04-11.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110204486A1. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-25.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US8093723B2. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-01-10.

Method of manufacturing integrated circuits

Номер патента: WO1988002182A1. Автор: Michael Geoffrey Pitt. Владелец: The General Electric Company, P.L.C.. Дата публикации: 1988-03-24.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240321980A1. Автор: Seunghyun Hwang,Heonjong Shin,Doohyun Lee,Jaehyun KANG,Seonbae KIM,Wangseop Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit packaging system with a lead and method of manufacture thereof

Номер патента: US20120326285A1. Автор: Zigmund Ramirez Camacho,Henry Descalzo Bathan,Emmanuel Espiritu,Elizar Andres. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-27.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240321976A1. Автор: Kanguk KIM,Dalhyeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated cooling assemblies including backside power/ground delivery and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240332129A1. Автор: Belgacem Haba,Cyprian Emeka Uzoh,Rajesh Katkar. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated cooling assemblies including backside power/ground delivery and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2024206837A1. Автор: Belgacem Haba,Cyprian Emeka Uzoh,Rajesh Katkar. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of Forming Metal Silicide Regions on a Semiconductor Device

Номер патента: US20130015527A1. Автор: Peter Baars,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-17.

Method of additively manufacturing an integrated circuit of an interconnect packaging structure

Номер патента: US12027477B2. Автор: Ioannis Papapolymerou,Premjeet Chahal,Michael Thomas CRATON,John D. ALBRECHT,Christopher OAKLEY. Владелец: Michigan State University MSU. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09905676B2. Автор: Yang Xu,Jinbum Kim,Kang Hun MOON,Choeun LEE,Sujin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09899323B2. Автор: Jae-Hwang Sim,Ho-Jun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Heterogeneous integration of integrated circuit device and companion device

Номер патента: US09865567B1. Автор: Inderjit Singh,Raghunandan Chaware,Amitava Majumdar,Glenn O'Rourke,Ganesh Hariharan. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09853029B2. Автор: Jung-Gun You,Gi-gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Integrated circuit devices having through-silicon via structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09824973B2. Автор: Ho-Jin Lee,Byung-lyul Park,Jin-ho An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor integrated circuit device including switching elements and method of manufacturing the same

Номер патента: US09741931B1. Автор: Hong Jung Kim,Young Hee YOON,Jeong Ho YI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Integrated circuit devices having through-silicon vias and methods of manufacturing such devices

Номер патента: US09735090B2. Автор: ATSUSHI Fujisaki,Ji-Soon Park,Ju-Il Choi,Jeong-Gi Jin,Byung-Iyul Park,Joo-Hee Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Integrated circuit with sensors and manufacturing method

Номер патента: US09606079B2. Автор: Matthias Merz. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-03-28.

Integrated circuit packaging system with chip stacking and method of manufacture thereof

Номер патента: US09530753B2. Автор: Daesik Choi,YoungJoon Kim,DaeSup Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Integrated circuit packaging system with photoimagable dielectric-defined trace and method of manufacture thereof

Номер патента: US09406531B1. Автор: HeeJo Chi,Zigmund Ramirez Camacho,Bartholomew Liao Chung Foh,Sheila Marie L. Alvarez,Dao Nguyen Phu Cuong. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Methods of forming a masking pattern for integrated circuits

Номер патента: EP2353172A2. Автор: Anton Devilliers. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-08-10.

Stress-aware design for integrated circuits

Номер патента: EP2721638A1. Автор: Arifur Rahman. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2014-04-23.

Stress-aware design for integrated circuits

Номер патента: WO2012173683A1. Автор: Arifur Rahman. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2012-12-20.

Method of manufacturing an integrated circuit involving performing an electrostatic discharge test and electrostatic discharge test system performing the same

Номер патента: US20220091171A1. Автор: Youngsoo JANG,Heesu KIM,Bonggyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Method to create flexible connections for integrated circuits

Номер патента: US20080029889A1. Автор: Chirag Patel,Leena Buchwalter,Russell Budd. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-02-07.

Integrated circuit packaging system with interlock and method of manufacture thereof

Номер патента: US20120074548A1. Автор: Zigmund Ramirez Camacho,Henry Descalzo Bathan,Emmanuel Espiritu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-29.

Integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220115266A1. Автор: Jyu-Horng Shieh,Yu-Yu Chen,Kuan-Wei Huang,Yi-Nien Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-14.

Integrated circuit packaging system with pad connection and method of manufacture thereof

Номер патента: US20120280376A1. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Arnel Senosa Trasporto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-08.

Method of manufacture of a thermal interface material, a thermal interface material formed therefrom, and an integrated circuit formed therefrom

Номер патента: US20240243033A1. Автор: Jeffrey Gelorme,Navid Kazem,Allyssa KERR,Keyton D. Feller. Владелец: Arieca Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Ic germanium insulator substrate and method of manufacture of ic substrate

Номер патента: WO2007148072A3. Автор: Harold Samuel Gamble,David William Mcneill,Neil Samuel John Mitchell,Brian Mervyn Amstrong. Владелец: Brian Mervyn Amstrong. Дата публикации: 2008-03-27.

Integrated circuit devices having contact holes exposing gate electrodes in active regions and methods of fabricating the same

Номер патента: US20060141715A1. Автор: Myoung-kwan Cho,Jeung-Hwan Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-29.

Integrated circuit system employing low-k dielectrics and method of manufacture thereof

Номер патента: US20100314763A1. Автор: WEI Liu,Fan Zhang,Yeow Kheng Lim,Dong Kyun Sohn,Bei Chao Zhang,Juan Boon Tan,Wuping Liu,Jing Hui Li,Luying Du. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2010-12-16.

Plastic package for an optical integrated circuit device and method of making

Номер патента: WO2000075986A9. Автор: Thomas P Glenn. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2002-06-20.

Leadless integrated circuit packaging system and method of manufacture thereof

Номер патента: US8709873B2. Автор: Zigmund Ramirez Camacho. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2014-04-29.

Leadless integrated circuit packaging system and method of manufacture thereof

Номер патента: US20100140765A1. Автор: Zigmund Ramirez Camacho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-10.

Integrated Circuit Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20210375866A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Integrated circuit packaging system with ultra-thin chip and method of manufacture thereof

Номер патента: US8716108B2. Автор: Hun Teak Lee,DaeWook Yang,Yeongbeom Ko. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2014-05-06.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020135028A1. Автор: Akio Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-26.

Leadless integrated circuit packaging system and method of manufacture thereof

Номер патента: US20110285001A1. Автор: Zigmund Ramirez Camacho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-24.

Integrated Circuit Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240274605A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit packaging system with ultra-thin chip and method of manufacture thereof

Номер патента: US20130249117A1. Автор: Hun Teak Lee,DaeWook Yang,Yeongbeom Ko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-26.

Integrated circuit with sensor and method of manufacturing such an integrated circuit

Номер патента: US09941222B2. Автор: Robertus Adrianus Maria Wolters,Roel Daamen,Youri Victorovitch Ponomarev,Rene Theodora Hubertus Rongen. Владелец: ams International AG. Дата публикации: 2018-04-10.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09893064B2. Автор: Jae-Yup Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Integrated circuit packaging system with support structure and method of manufacture thereof

Номер патента: US09768102B2. Автор: Koo Hong Lee,Sung Soo Kim,Dong Ju Jeon. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Gate stack for integrated circuit structure and method of forming same

Номер патента: US09748235B2. Автор: Joyeeta Nag,Shafaat Ahmed,Murshed M. Chowdhury,Shahrukh A. Khan,Mohammad Hasanuzzaman,Benjamin G. Moser,Aritra Dasgupta. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Integrated circuit device and repair method thereof

Номер патента: US09508717B2. Автор: Zhenghao Gan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor integrated circuit wafer

Номер патента: US09431321B2. Автор: Kazuyuki Higashi,Shinya Watanabe,Taku Kamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

A method of manufacturing a plurality of electronic assemblies

Номер патента: WO2006019674A2. Автор: John Beatty,Jason Garcia. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2006-02-23.

Circuit for and method of transmitting a signal in an integrated circuit device

Номер патента: EP3912269A1. Автор: Ramakrishna K. Tanikella,Sundeep Ram Gopal Agarwal. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2021-11-24.

Controlling warping in integrated circuit devices

Номер патента: US20110250742A1. Автор: John W. Osenbach,Weidong Xie,Thomas H. Shilling. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2011-10-13.

Filler cells for integrated circuit design

Номер патента: US12050850B2. Автор: Krishnan Mohan,Shankar Kalyanasundaram,Ananth Nag Raja Darla,Amit Bipinbhai Patel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Carrier mobility enhanced channel devices and method of manufacture

Номер патента: WO2009148992A1. Автор: Kangguo Cheng,Haining S. Yang. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2009-12-10.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10256237B2. Автор: Hyun-Jung Lee,Seung-Hun Lee,Jeong-Yun Lee,Myung-Il Kang,Sun-Wook Kim,Sun-Ghil Lee,Jung-han Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-09.

Integrated circuit packaging system with vertical interconnects and method of manufacture thereof

Номер патента: US20120326325A1. Автор: Dongsam Park,A Leam Choi,Yongduk Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-27.

Integrated circuit devices including a back side power distribution network structure and methods of forming the same

Номер патента: EP4439669A1. Автор: Tae Sun Kim,Kang-ill Seo,Jongjin Lee,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-02.

Photonic integrated circuit packages and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240321657A1. Автор: Robert May,Srinivas PIETAMBARAM,Darko Grujicic,Rengarajan SHANMUGAM,Suddhasattwa NAD,Rahul Manepalli,Marcel WALL,Sashi KANDANUR. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit devices including a back side power distribution network structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240332185A1. Автор: Tae Sun Kim,Kang-ill Seo,Jongjin Lee,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Photonic integrated circuit packages and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2024205678A1. Автор: Robert May,Srinivas PIETAMBARAM,Darko Grujicic,Rengarajan SHANMUGAM,Suddhasattwa NAD,Rahul Manepalli,Marcel WALL,Sashi KANDANUR. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit packaging system with shielding and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09997468B2. Автор: Il Kwon Shim,Yaojian Lin,Sungsoo Kim,DeokKyung Yang,SungWon Cho,In Sang Yoon,Byung Joon Han,Hun Teak Lee,KyoWang Koo,KyoungHee Park,SeungYong Chai. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09972625B2. Автор: Hisashi Hasegawa,Keisuke Uemura,Hirofumi Harada,Hideo Yoshino,Shinjiro Kato. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of forming pattern and method of manufacturing integrated circuit device by using the same

Номер патента: US09960039B2. Автор: Je-min Park,Eun-Jung Kim,Dae-Ik Kim,Yoo-Sang Hwang,Bong-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Integrated circuits using silicon on insulator substrates and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09922868B2. Автор: Guan Huei See,Rui Tze TOH,Shaoqiang Zhang,Raj Verma Purakh. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-03-20.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09859392B2. Автор: Ha-Jin Lim,Weon-Hong Kim,Gi-gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of manufacturing an integrated circuit substrate

Номер патента: US09786568B2. Автор: Martin Mischitz,Andrew Wood,Claudia Sgiarovello. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-10.

Packaging for fingerprint sensors and methods of manufacture

Номер патента: US09754852B2. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,David Bolognia,Robert Francis Darveaux,Brett Arnold Dunlap. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of forming pattern and method of manufacturing integrated circuit device by using the same

Номер патента: US09659790B2. Автор: Seok-Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Methods of forming fine patterns and methods of manufacturing integrated circuit devices using the methods

Номер патента: US09653294B2. Автор: DAE-YONG KANG,Eun-Sung Kim,Shi-Yong Yi,Seung-chul Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of manufacturing a device comprising an integrated circuit and photovoltaic cells

Номер патента: US09647161B2. Автор: Julien Buckley,Haykel Ben Jamaa. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-05-09.

Integrated circuit packaging system with routable trace and method of manufacture thereof

Номер патента: US09576873B2. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Arnel Senosa Trasporto. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09508651B2. Автор: Junichi Kasai,Masanori Onodera. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of manufacturing an integrated circuit comprising a pressure sensor

Номер патента: US09481570B2. Автор: Axel Nackaerts,Willem Frederik Adrianus Besling,Klaus Reimann. Владелец: ams International AG. Дата публикации: 2016-11-01.

Integrated circuit packaging system with substrate and method of manufacture thereof

Номер патента: US09412624B1. Автор: Byung Tai Do,Kyung Moon Kim,Jeffrey David Punzalan,KyungOe Kim,Bartholomew Liao Chung Foh,Dao Nguyen Phu Cuong,Soo Won Lee,SeungYong Chai,Kwok Keung Szeto. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Methods of manufacturing semiconductor devices from multi-device semiconductor wafers

Номер патента: US12033855B2. Автор: Tae-Kyu Kim,Soo Kyung Kim,Woo Jin Jung,Jang Hoon Kim,Young Kuk Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of manufacturing a plurality of electronic assemblies

Номер патента: US20130032953A1. Автор: Jason A. Garcia,John J. Beatty. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-02-07.

Optical integrated circuit device, fabrication method of the same and module of optical communication transmission and receiving apparatus using the same

Номер патента: US20030153117A1. Автор: Ki Shin. Владелец: Iljin Corp. Дата публикации: 2003-08-14.

Optical integrated circuit device, fabrication method of the same and module of optical communication transmission and receiving apparatus using the same

Номер патента: WO2002042811A1. Автор: Ki Chul Shin. Владелец: Iljin Corporation. Дата публикации: 2002-05-30.

Integrated circuit packaging system with conductive pillars and molded cavities and method of manufacture thereof

Номер патента: US20130241053A1. Автор: Daesik Choi,KyungHoon Lee,Sooyoung Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-19.

Mechanical stiffener for integrated circuit package with varying heat dissipation modes

Номер патента: US20240250068A1. Автор: Wolfgang Sauter,Richard Graf,Dwayne Richard Shirley,Alaba Bamido. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Integrated circuit devices including device isolation structures and methods of fabricating the same

Номер патента: US20110248357A1. Автор: Tae-jung Lee,Sun-hyun Kim,Oh-Kyum Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-13.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020187596A1. Автор: Kenichi Kuroda,Shuji Ikeda,Toshiaki Yamanaka,Akio Nishida,Shinichiro Kimura,Masataka Minami,Eiichi Murakami,Hideyuki Matsuoka,Yasuko Yoshida,Shiro Kamohara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-12-12.

Method of manufacturing ESD protection structure

Номер патента: US20040058502A1. Автор: Jun Cai,Jun Song,Keng Lo,Guang Hua. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2004-03-25.

Bias-controlled deep trench substrate noise isolation integrated circuit device structures

Номер патента: US20110291238A1. Автор: David Goren,Shlomo Shlafman,Rajendran Krishnasamy,Raminderpal Singh,Benny Sheinman,Wayne H. Woods,Phillip Francis Chapman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-12-01.

Display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240347684A1. Автор: Koichi Miyasaka,Yoshikatsu Imazeki,Shuichi Osawa,Yoichi KAMIJO,Yoshifumi Kamei. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20240347461A1. Автор: Chun-Wei Wang,Jen-I Lai,Rou-Wei Wang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Integrated circuit device including stacked transistors and methods of fabrication the same

Номер патента: US20240363633A1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Seungchan Yun,Myung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Integrated circuit device including stacked transistors and methods of fabricating the same

Номер патента: EP4456124A1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Seungchan Yun,Myung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-30.

Sensor module and method of manufacture

Номер патента: US09964606B2. Автор: Mark Isler. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-05-08.

Substrate target for in-situ lithography metrology, metrology method for in-situ lithography, and method of manufacturing integrated circuit device by using in-situ metrology

Номер патента: US09927720B2. Автор: Kwang-sub Yoon,Tae-Hwa Jeong,Ji-myung Kim,Gyu-min Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor devices with duplicated die bond pads and associated device packages and methods of manufacture

Номер патента: US09875993B2. Автор: Nathan J. Sirocka,Trismardawi Tanadi,Andrew D. Proescholdt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Methods of forming conductive and insulating layers

Номер патента: US09865575B2. Автор: HeeJo Chi,HanGil Shin,KyungMoon Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of forming fine pattern and method of manufacturing integrated circuit device using the method

Номер патента: US09704722B2. Автор: Jae-woo Nam,Hyun-Woo Kim,Eun-Sung Kim,Shi-Yong Yi,Seung-chul Kwon,Jeong-Ju Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Methods of manufacturing three-dimensional integrated circuit structures

Номер патента: US12136619B2. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Sung-Feng Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Method and apparatus for forming an integrated circuit with a metalized resistor in a standard cell configuration

Номер патента: US09478533B2. Автор: Kuo-Ji Chen,Li-Chun Tien,Bo-Ting Chen,Ting Yu CHEN,Wei Yu Ma. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Integrated circuit interposer and method of manufacturing the same

Номер патента: US09455193B2. Автор: Ido Bourstein,Carol Pincu. Владелец: Marvell Israel MISL Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Integrated circuit devices including a via structure and methods of fabricating integrated circuit devices including a via structure

Номер патента: US09337125B2. Автор: Kwang-jin Moon,Byung-lyul Park,Jae-hwa Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-10.

Less-secure processors, integrated circuits, wireless communications apparatus, methods for operation thereof, and methods for manufacturing thereof

Номер патента: US20200081846A1. Автор: Erdal Paksoy,Olivier Schuepbach,Charles W. Brokish,Steve Karouby,Narendar Madurai Shankar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-03-12.

Etching composition and method of manufacturing integrated circuits using the same

Номер патента: US20240059967A1. Автор: Hyosan Lee,Mihyun PARK,Wook Jang,Sangwon BAE,Daihyun Kim,Taesoo Kwon,Yeonsoek YOO. Владелец: OCI Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Integrated circuit package structure with conductive stair structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20230268258A1. Автор: Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Integrated circuit package structure with conductive stair structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US11984389B2. Автор: Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Integrated circuit package structure with conductive stair structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20220375837A1. Автор: Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-11-24.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200395436A1. Автор: Jooho Lee,Younsoo Kim,Kyooho JUNG,Jeonggyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US8633038B2. Автор: Hideo Kawano,Haruko Tamegai,Tooru YASHIMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-01-21.

A method of manufacturing an organic light emitting diode display device

Номер патента: US20130295816A1. Автор: Woo-Suk Jung,Duk-Jin Lee,Noh-Min Kwak,Sang-Hun Park,Kyu-Ho Jung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-11-07.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20010051421A1. Автор: Kiyonori Watanabe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-13.

Solder Bump Configurations in Circuitry and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20240178174A1. Автор: Anwar Hashmi. Владелец: Sonova AG. Дата публикации: 2024-05-30.

Apparatus and method for forming compound integrated circuits

Номер патента: WO2005043601A2. Автор: Douglas John Bailey,Stephen Charles Bateman,David John Coakley. Владелец: Chipx Incorporated. Дата публикации: 2005-05-12.

Apparatus for detecting X-ray, method of manufacturing the same, and method of repairing the same

Номер патента: US9161730B2. Автор: Hyung-Jin Ham. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-20.

Integrated circuit devices having contact holes exposing gate electrodes in active regions

Номер патента: US7034365B2. Автор: Myoung-kwan Cho,Jeung-Hwan Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-25.

Integrated circuit devices including strained channel regions and methods of forming the same

Номер патента: US20150123075A1. Автор: Mark S. Rodder,Jorge A. Kittl,Robert C. Bowen,Ryan M. Hatcher. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-05-07.

Identification element and method of manufacturing an identification element

Номер патента: AU758260B2. Автор: Richard Altwasser. Владелец: Meto International GmbH. Дата публикации: 2003-03-20.

Integrated circuit and manufacturing method

Номер патента: US20140191348A1. Автор: Roel Daamen,Aurelie Humbert,Youri Victorovitch Ponomarev. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2014-07-10.

Integrated circuit system with sealring and method of manufacture thereof

Номер патента: SG169276A1. Автор: Tan Soon Yoeng,TANG Teck Jung. Владелец: Globalfoundries Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2011-03-30.

Method of forming pattern and method of manufacturing integrated circuit device by using the same

Номер патента: US20160336192A1. Автор: Seok-Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-17.

Integrated circuit, memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230071284A1. Автор: Chih-Wei Hung,Kuo-Pin Chang,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-09.

Apparatus and method for forming compound integrated circuits

Номер патента: WO2005043601A3. Автор: Douglas John Bailey,Stephen Charles Bateman,David John Coakley. Владелец: David John Coakley. Дата публикации: 2005-12-01.

Integrated circuit with scribe lane patterns for defect reduction

Номер патента: EP4042474A1. Автор: Stephen Arlon Meisner,Adrian Salinas,William Keith McDonald,Scott Alexander JOHANNESMEYER,Robert Paul LUCKIN. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-08-17.

Integrated circuit with scribe lane patterns for defect reduction

Номер патента: WO2021067909A1. Автор: Stephen Arlon Meisner,Adrian Salinas,William Keith McDonald,Scott Alexander JOHANNESMEYER,Robert Paul LUCKIN. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2021-04-08.

Copper alloy interconnections for integrated circuits and methods of making same

Номер патента: WO2002045142A9. Автор: Valery M Dubin,Christopher D Thomas. Владелец: Christopher D Thomas. Дата публикации: 2003-02-06.

Method of making cell regions of integrated circuits

Номер патента: US12124785B2. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Jia-Hong Gao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Integrated circuit devices including a conductive via and methods of forming the same

Номер патента: US20240355727A1. Автор: Se Jung Park,Jaemyung CHOI,Kang -Ill Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Methods of forming integrated circuit devices using cutting tools to expose metalization pads through a cap structure and related cutting devices

Номер патента: US20210249272A1. Автор: Brook Hosse,Robert C. Dry. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US09929185B2. Автор: Shinya Suzuki,Akihiko Yoshioka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Integrated circuit and manufacturing method

Номер патента: US09818905B2. Автор: Roel Daamen,Aurelie Humbert,Youri Victorovitch Ponomarev. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-11-14.

Integrated circuit device having an interfacial layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US09786761B2. Автор: Dong-Soo Lee,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Hu-Yong Lee,Taek-Soo Jeon,Won-keun CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of forming pattern and method of manufacturing integrated circuit device by using the same

Номер патента: US09768032B2. Автор: Seok-Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US09748191B2. Автор: Shinya Suzuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Integrated circuit devices including source/drain extension regions and methods of forming the same

Номер патента: US09741811B2. Автор: Borna J. Obradovic,Ryan M. Hatcher. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Integrated circuit packaging system with interposer structure and method of manufacture thereof

Номер патента: US09659897B1. Автор: Zigmund Ramirez Camacho,Emmanuel Espiritu,Jeffrey David Punzalan,Bartholomew Liao Chung Foh,Dao Nguyen Phu Cuong. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Integrated circuit packaging system with unplated leadframe and method of manufacture thereof

Номер патента: US09620480B1. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Arnel Senosa Trasporto,Garret Dimaculangan. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of manufacturing package system

Номер патента: US09570324B2. Автор: Chen-Hua Yu,Shin-puu Jeng,Shang-Yun Hou,Wei-Cheng Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of fabricating an integrated circuit device

Номер патента: US09564509B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Chi-Ming Yang,Chin-Hsiang Lin,Hsien-Hsin Lin,Yi-Fang Pai,Ying-Hsueh Chang Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Integrated circuit devices including strained channel regions and methods of forming the same

Номер патента: US09525053B2. Автор: Mark S. Rodder,Jorge A. Kittl,Robert C. Bowen,Ryan M. Hatcher. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US09508630B2. Автор: Shinya Suzuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US09484287B2. Автор: Shinya Suzuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US09484286B2. Автор: Shinya Suzuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor devices and methods of manufacture

Номер патента: US12142574B2. Автор: Yao-Te Huang,Jiing-Feng Yang,Yung-Shih Cheng,Hui LEE,Hong-Wei Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Methods of forming printable integrated circuit devices and devices formed thereby

Номер патента: US09443883B2. Автор: Joseph Carr,Etienne Menard,Matthew Meitl,Christopher Bower. Владелец: Semprius Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Integrated circuit devices including contacts and methods of forming the same

Номер патента: US09431492B2. Автор: Mark S. Rodder,Jorge A. Kittl,Dharmendar Reddy Palle. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Integrated circuit with nanowire sensors comprising a shielding layer, sensing apparatus, measuring method and manufacturing method

Номер патента: US09423375B2. Автор: Johan Hendrik Klootwijk,Nico Maris Adriaan De Wild,Marleen MESCHER,Manuel Eduardo ALARCON-RIVERO. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2016-08-23.

Integrated circuit devices including a vertical field-effect transistor (vfet) and methods of forming the same

Номер патента: US20200403096A1. Автор: Seon Bae Kim,Seung Hyun Song,Young Chai Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-24.

Integrated Circuit Device Having Defined Gate Spacing And Method Of Designing And Fabricating Thereof

Номер патента: US20140332893A1. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Po-Nien Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-11-13.

Device Having Pocketless Regions and Methods of Making the Device

Номер патента: US20090263946A1. Автор: Greg Baldwin,Shashank Ekbote,Kamel Benaissa. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-10-22.

Moscap-based circuitry for wireless communication devices, and methods of making and using the same

Номер патента: EP3292567A1. Автор: Somnath Mukherjee. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2018-03-14.

MOSCAP-Based Circuitry for Wireless Communication Devices, and Methods of Making and Using the Same

Номер патента: US20170317719A1. Автор: Somnath Mukherjee. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2017-11-02.

Semiconductor integrated circuit device and layout method of patterns for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: EP1381085A3. Автор: Hideo c/o NEC Electronics Corporation Sonohara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-09-23.

Identification element and method of manufacturing an identification element

Номер патента: AU1486800A. Автор: Richard Altwasser. Владелец: Meto International GmbH. Дата публикации: 2000-08-17.

Backside source-drain contact for integrated circuit transistor devices and method of making same

Номер патента: US20150357477A1. Автор: John Hongguang Zhang,Walter Kleemeier. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2015-12-10.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210272917A1. Автор: Akira Matsumoto,Yoshiaki Sato,Kentaro Saito,Yoshinori Deguchi,Mitsunobu WANSAWA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-09-02.

Semiconductor integrated circuit device having encapsulation film and method of fabricating the same

Номер патента: US20160190439A1. Автор: Se Ho LEE,Hae Chan PARK,Sang Chul Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Integrated circuit devices including a vertical field-effect transistor (vfet) and methods of forming the same

Номер патента: US20210376126A1. Автор: Seon-Bae Kim,Seung Hyun Song,Chang Woo SOHN,Young Chai Jung,Min Cheol Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-02.

Integrated circuit system with a floating dielectric region and method of manufacture thereof

Номер патента: SG166052A1. Автор: Lee Jae Gon,Tan Chung Foong,TEO Lee Wee,Yin Chunshan. Владелец: Globalfoundries Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2010-11-29.

Integrated circuit device and method of enabling thermal regulation within an integrated circuit device

Номер патента: US20140085758A1. Автор: Sergey Sofer,Valery Neiman,Moty Groissman. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-03-27.

Semiconductor integrated circuit device and method of laying out clock driver used in the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020014898A1. Автор: Nobuyuki Ikeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Integrated circuits with inactive gates and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20160190012A1. Автор: Ming Zhu,Yiang Aun Nga. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-06-30.

Electronic component and method of manufacturing the same

Номер патента: US9559030B2. Автор: Hisayuki Yazawa,Hideki Gocho,Shuji Yanagi,Masaya Yamatani. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Immersion cooling for integrated circuit devices

Номер патента: US20230125822A1. Автор: Je-Young Chang,Devdatta Kulkarni,Abdulafeez Adebiyi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-04-27.

Methods of fabricating different thickness silicon-germanium layers on semiconductor integrated circuit devices and semiconductor integrated circuit devices fabricated thereby

Номер патента: US8207033B2. Автор: Ho Lee,Myung-sun Kim,Hwa-Sung Rhee,Ji-Hye Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-26.

Integrated circuit devices including a vertical field-effect transistor (vfet) and methods of forming the same

Номер патента: US20210111270A1. Автор: Seon-Bae Kim,Seung Hyun Song,Chang Woo SOHN,Young Chai Jung,Min Cheol Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-15.

Integrated circuit devices including discharging path and methods of forming the same

Номер патента: US12087669B1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Electronic module, method of manufacturing electronic module, and endoscope

Номер патента: US12082784B2. Автор: Takanori Sekido. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Methods of fabricating integrated circuit devices having raised via contacts

Номер патента: US20210082821A1. Автор: Kuo-Chiang Tsai,Jyh-Huei Chen,Jye-Yen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor IC device including passivation layer for inactivating a dopant in a p-type semiconductor layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US12119397B2. Автор: Younghwan Park,Junhyuk Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Joonyong Kim,Jaejoon Oh,Injun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Integrated circuit devices including a back side power distribution network structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240363491A1. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Panjae PARK,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

MOSCAP-based circuitry for wireless communication devices, and methods of making and using the same

Номер патента: US09985691B2. Автор: Somnath Mukherjee. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2018-05-29.

Mandrel spacer patterning in multi-pitch integrated circuit manufacturing

Номер патента: US09911606B2. Автор: Ru-Gun Liu,Tsai-Sheng Gau,Wen-Chun Huang,Ya-Ting Chang,Chia-Ping Chiang,Ming-Hui Chih,Nian-Fuh Cheng,Wen-Li Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Buried source-drain contact for integrated circuit transistor devices and method of making same

Номер патента: US09793171B2. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,William J. Taylor,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-10-17.

MOSCAP-based circuitry for wireless communication devices, and methods of making and using the same

Номер патента: US09742466B2. Автор: Somnath Mukherjee. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2017-08-22.

Integrated circuit structure and method for manufacturing thereof

Номер патента: US09711408B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Tsung-Yu CHIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Integrated circuit packaging system with plated copper posts and method of manufacture thereof

Номер патента: US09693455B1. Автор: Heesoo Lee,Minjung Kim,Changhwan KIM,Seong Won Park,Hun Teak Lee,GwangTae Kim,WoonJae Beak,ByungHyun Kwak. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Devices and methods of forming epi for aggressive gate pitch

Номер патента: US09685384B1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Soon-Cheon Seo,Christopher Prindle,Shogo Mochizuki,Ruilong Xie,Pietro Montanini. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Devices and methods of improving device performance through gate cut last process

Номер патента: US09679985B1. Автор: Xusheng Wu,Haigou Huang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Integrated circuits with inactive gates and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09640438B2. Автор: Ming Zhu,Yiang Aun Nga. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Integrated circuit devices including a back side power distribution network structure and methods of forming the same

Номер патента: EP4456122A1. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Panjae PARK,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-30.

Electronic component and method of manufacturing the same

Номер патента: US09559030B2. Автор: Hisayuki Yazawa,Hideki Gocho,Shuji Yanagi,Masaya Yamatani. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Backside source-drain contact for integrated circuit transistor devices and method of making same

Номер патента: US09543397B2. Автор: John Hongguang Zhang,Walter Kleemeier. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor integrated circuit device having encapsulation film and method of fabricating the same

Номер патента: US09502646B2. Автор: Se Ho LEE,Hae Chan PARK,Sang Chul Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Bottom package having routing paths connected to top package and method of manufacturing the same

Номер патента: US09502355B2. Автор: Leilei Zhang. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Moulded lens forming led-module of integrated circuit scale and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2617880C2. Автор: Серж Йоэль Арманд БИРХЭЙЗЕН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-04-28.

Method of manufacture of semiconductor structure containing a p-n junction under porous silicon film for implementation of a photoelectric converter

Номер патента: RU2662254C1. Автор: Николай Николаевич Мельник,Вадим Викторович Трегулов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный университет имени С.А. Есенина". Дата публикации: 2018-07-25.

Inductor for integrated circuit and methods of manufacture

Номер патента: WO2001039220A9. Автор: Donald Gardner. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-08-15.

Method of manufacturing a redistribution layer, redistribution layer, integrated circuit and method for electrically testing the integrated circuit

Номер патента: US20220384371A1. Автор: Paolo Colpani,Samuele Sciarrillo. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-12-01.

Integrated circuit packaging system with heat spreader and method of manufacture thereof

Номер патента: US20150084178A1. Автор: SeIl Jung,Heesoo Lee,Jae Han Chung,Oh Han Kim,YoungChul KIM. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-03-26.

Modular memory blocks for integrated circuit devices

Номер патента: US20240222347A1. Автор: Randy B. Osborne,Kuljit S. Bains,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma,Don Douglas Josephson,Christopher Philip Mozak,Surhud V. Khare. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Resin-encapsulated semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180286827A1. Автор: Noriyuki Kimura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

Resin-encapsulated semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190333888A1. Автор: Noriyuki Kimura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Semiconductor device package and method of manufacture

Номер патента: US20140338956A1. Автор: Stephen R. Hooper,Dwight L. Daniels,Alan J. Magnus,Justin E. Poarch. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-11-20.

A 3-dimensional printing process for integrated magnetics

Номер патента: US20180286940A1. Автор: Donald Ray Disney,Lulu Peng,Lawrence Selvaraj SUSAI,Rajesh Sankaranarayanan NAIR. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-10-04.

3-dimensional printing process for integrated magnetics

Номер патента: US10825888B2. Автор: Donald Ray Disney,Lulu Peng,Lawrence Selvaraj SUSAI,Rajesh Sankaranarayanan NAIR. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-11-03.

Architecture and packaging for integrated circuits

Номер патента: US20230075607A1. Автор: Jie Xue,D. Brice Achkir,Mark Charles Nowell. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-09.

Core structure of inductor element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240145155A1. Автор: Shih-Ping Hsu,Che-Wei Hsu,Pao-Hung Chou. Владелец: Phoenix Pioneer Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Fabrication method of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070259522A1. Автор: Shinichi Nakabayashi,Hirofumi Tsuchiyama,Ryousei Kawai,Toshiyuki Arai,Fumiyuki Kanai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-08.

Method of manufacturing integrated circuit configured with two or more single crystal acoustic resonator devices

Номер патента: US20230025951A1. Автор: Jeffrey B. Shealy. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Manufacturing method of photomask and photomask

Номер патента: US20040086789A1. Автор: Toshihiko Tanaka,Kazutaka Mori,Norio Hasegawa,Joji Okada,Ko Miyazaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-06.

Integrated circuit and associated method of manufacture

Номер патента: GB2627043A. Автор: Price Richard,ALKHALIL Feras,Van Fraassen Niels. Владелец: Pragmatic Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Method of manufacturing integrated circuit configured with two or more single crystal acoustic resonator devices

Номер патента: US20190158058A1. Автор: Jeffrey B. Shealy. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Silicide pattern structures and methods of fabricating the same

Номер патента: US20020155696A1. Автор: Salman Akram,Y. Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-24.

Silicide pattern structures and methods of fabricating the same

Номер патента: US20010010971A1. Автор: Salman Akram,Y. Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-02.

Methods of forming integrated circuit devices having gate oxide layers with different thicknesses and integrated circuit devices formed thereby

Номер патента: US20030030111A1. Автор: Dong-Woo Kim,Seung-hoon Han,Duck-Hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-02-13.

Methods of forming a P-well in an integrated circuit device

Номер патента: US20060024927A1. Автор: Frank Thiel,Ranadeep Dutta. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-02.

Capacitive element, designing method of the same and integrated circuit device including the same

Номер патента: US20100207242A1. Автор: Kyoko Izuha,Hiroaki Ammo,Yoshiyuki Enomoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-08-19.

Integrated circuit device and method of making the same

Номер патента: WO1998000872A1. Автор: Derryl D. J. Allman,John W. Gregory,James P. Yakura,John J. Seliskar,Dim Lee Kwong. Владелец: Gill, David, Alan. Дата публикации: 1998-01-08.

Microwave integrated circuit and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240347485A1. Автор: Wei Zhao,Shenghou LIU,Xiguo SUN,Zlichen WANG. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Feeding overlay data of one layer to next layer for manufacturing integrated circuit

Номер патента: US09871001B2. Автор: En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of manufacturing a package for embedding one or more electronic components

Номер патента: US09848500B2. Автор: Thomas Merkle,Stefan Koch,Joo-Young Choi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

3D field programmable gate array system with reset management and method of manufacture thereof

Номер патента: US09843328B1. Автор: Ping Xiao. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Lid for integrated circuit package

Номер патента: US09793190B2. Автор: Dwayne Richard Shirley. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Integrated circuit structures comprising conductive vias and methods of forming conductive vias

Номер патента: US09704802B2. Автор: Zengtao T. Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Integrated circuit packaging system with coreless substrate and method of manufacture thereof

Номер патента: US09673171B1. Автор: Heesoo Lee,HeeJo Chi,Omin Kwon. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Integrated circuits with overlay marks and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09646934B2. Автор: Lei Wang,Alex See,Shijie Wang,Yong Feng Fu,Siew Yong Leong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Methods of forming integrated circuit packages

Номер патента: US20240379602A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou,Shih Ting Lin,Szu-Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Structure and method to reduce polysilicon loss from flash memory devices during replacement gate (RPG) process in integrated circuits

Номер патента: US09589976B2. Автор: Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Integrated circuits with memory cells and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09537092B2. Автор: Alex See,Shyue Seng Tan,Zheng Zou. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of manufacturing an integrated circuit

Номер патента: US09502253B2. Автор: Zhiqiang Wu,Kuan-Lun Cheng,Chih-Pin TSAO,Yi-Ming Sheu,Chun-Fu CHENG,Wen-Yuan Chen,Tsung-Hsing Yu,Chih-Ching Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Integrated circuit packaging system with insulated trace and method of manufacture thereof

Номер патента: US09406642B1. Автор: HeeJo Chi,Zigmund Ramirez Camacho,Bartholomew Liao Chung Foh,Sheila Marie L. Alvarez,Dao Nguyen Phu Cuong. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Method of manufacturing a package for embedding one or more electronic components

Номер патента: US09398694B2. Автор: Thomas Merkle,Stefan Koch,Joo-Young Choi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Method of manufacture of integral elements of microcircuits on the epitaxial structures of gallium arsenide

Номер патента: RU2665368C1. Автор: Александр Сергеевич Федоров,Григорий Юрьевич Вечерко. Владелец: Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета" ОАО "ОКБ-Планета". Дата публикации: 2018-08-29.

Method of manufacturing open frame diode for solar cells of space vehicles

Номер патента: RU2656126C1. Автор: Андрей Александрович Жуков,Владимир Анатольевич Харитонов,Андрей Андреевич Басовский,Павел Игоревич Дидык,Любовь Владимировна Анурова. Владелец: Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (АО "Российские космические системы"). Дата публикации: 2018-05-31.

Interconnects having long grains and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200357740A1. Автор: Harsono Simka,Jorge A. Kittl,Ganesh Hegde. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-12.

Semiconductor integrated circuit device, printed board and manufacturing method of the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20180049323A1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor integrated circuit device, printed board and manufacturing method of the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20170354038A1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

Discreet placement of radiation sources on integrated circuit devices

Номер патента: US20090236699A1. Автор: Kenneth P. Rodbell,Michael S. Gordon,Nancy C. Labianca. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-24.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070254426A1. Автор: Yoshifumi Yoshida,Miwa Wake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-01.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030129792A1. Автор: Yoshifumi Yoshida,Miwa Wake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6713325B2. Автор: Yoshifumi Yoshida,Miwa Wake. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2004-03-30.

Integrated circuit devices including stacked elements and methods of forming the same

Номер патента: EP4235783A2. Автор: Byounghak Hong,Kangill Seo,Seungchan Yun,Gilhwan Son,Saehan Park,Jeonghyuk Yim,Inchan HWANG,Seungyoung Lee,Janggeun LEE,MyungHoon JUNG,Buhyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-30.

Hall integrated circuit and corresponding method of manufacturing of a hall integrated circuit using wafer stacking

Номер патента: US12048166B2. Автор: Carsten Schmidt,Gerhard Spitzlsperger,Mario BLASINI,Alessandro MONTAGNA. Владелец: LFoundry SRL. Дата публикации: 2024-07-23.

Planarization for integrated circuits

Номер патента: US20030186558A1. Автор: Michael Brenner. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-10-02.

Method for making integrated circuit device using copper metallization on 1-3 pzt composite

Номер патента: WO2011137450A1. Автор: Yakub Aliyu,Deda Diatezua. Владелец: Sonavation, Inc.. Дата публикации: 2011-11-03.

Electronic device cooling with microjet impingement and method of assembly

Номер патента: US20140160677A1. Автор: Stanton Earl Weaver, Jr.,Hendrik Pieter Jacobus De Bock,Gary Dwayne Mandrusiak,Raj Bahadur,Eric Ayres Browne. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2014-06-12.

Integrated circuit probing apparatus having a temperature-adjusting mechanism

Номер патента: US20080150567A1. Автор: Choon Leong Lou,Li Min Wang. Владелец: STAr Technologies Inc. Дата публикации: 2008-06-26.

Integrated circuit probing apparatus having a temperature-adjusting mechanism

Номер патента: US20090015283A1. Автор: Choon Leong Lou,Li Min Wang. Владелец: STAr Technologies Inc. Дата публикации: 2009-01-15.

Resin-sealed type semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US6249043B1. Автор: Shinji Ohuchi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-19.

Method of manufacturing semiconductor chips for display

Номер патента: MY114876A. Автор: Hisao Hayashi,Masumitsu Ino,Masahiro Minegishi,Takenobu Urazono,Shizuo Nishihara,Masafumi Kunii. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-02-28.

Methods of forming fine patterns in integrated circuit devices

Номер патента: US20100096719A1. Автор: Young-Ho Lee,Jae-Hwang Sim,Jae-Kwan Park,Sang-Yong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-22.

Semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050185440A1. Автор: Shigeru Kawanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-08-25.

Methods of forming integrated circuit devices having ion-cured electrically insulating layers therein

Номер патента: SG152150A1. Автор: Zuo Biao,LUN Zhao,PARK Jae Eon,Richard Anthony Conti,William C Wille,Johnny Widodo,Kim Jun Jung,Kim Joo Chan. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-05-29.

Method of manufacturing a circuit device

Номер патента: US09998032B2. Автор: Akira Sakurai,Fumio Horiuchi,Shigeaki Mashimo,Kiyoaki KUDO,Yuhki Inagaki. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

Layered benzocyclobutene interconnected circuit and method of manufacturing same

Номер патента: US09997425B2. Автор: Horst Schmidt,Sazzadur Chowdhury. Владелец: UNIVERSITY OF WINDSOR. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for integrated circuit patterning

Номер патента: US09941125B2. Автор: Shih-Chi Fu,Tsung-Lin Yang,Kuei-Shun Chen,Hua Feng Chen,Yuan-Hsiang Lung,Yan-Tso Tsai,Min-Yann Hsieh,Po-Hsueh Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Pixel of a multi-stacked CMOS image sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09899453B2. Автор: Kyung-bae Park,Yong-wan Jin,Woong Choi,Kwang-Hee Lee,Kyu-Sik Kim,Do-Hwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Integrated circuit device and method of fabricating the same

Номер патента: US09875938B2. Автор: Gi-gwan PARK,Yongkuk Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Methods of forming semiconductor devices using semi-bidirectional patterning and islands

Номер патента: US09865473B1. Автор: Atsushi Ogino. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor integrated circuit device, printed board and manufacturing method of the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09839130B1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of manufacturing a circuit device

Номер патента: US09793826B2. Автор: Akira Sakurai,Fumio Horiuchi,Shigeaki Mashimo,Kiyoaki KUDO,Yuhki Inagaki. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-10-17.

Methods of forming integrated circuit devices

Номер патента: US09780107B2. Автор: Marcello Mariani,Giulio Albini,Paolo Tessariol,Umberto M. Meotto,Paola Bacciaglia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Methods of forming semiconductor devices using semi-bidirectional patterning

Номер патента: US09748251B1. Автор: Atsushi Ogino. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for packaging an integrated circuit device with stress buffer

Номер патента: US09691637B2. Автор: Navas Khan Oratti Kalandar,Nishant Lakhera,Akhilesh K. Singh. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Integrated sensor chip package with directional light sensor, apparatus including such a package and method of manufacturing such an integrated sensor chip package

Номер патента: US09666637B2. Автор: Coenraad Cornelis Tak,Zoran ZIVKOVIC. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-05-30.

Integrated circuit and method of manufacturing an integrated circuit

Номер патента: US09525058B2. Автор: Britta Wutte. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Chip comprising a phase change material based protecting device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US09520366B2. Автор: Luca Perniola,Yann Lamy. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-12-13.

Method of manufacturing IC comprising a bipolar transistor and IC

Номер патента: US09431524B2. Автор: Petrus Hubertus Cornelis Magnee,Hans Mertens,Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Evelyne Gridelet,Tony Vanhoucke,Blandine Duriez. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of manufacturing of powerful silicon shf ldmos transistors with modernized gate node of elementary cells

Номер патента: RU2639579C2. Автор: Виктор Васильевич Бачурин,Станислав Михайлович Романовский,Ирина Петровна Семешина. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2017-12-21.

Method of manufacturing plated-through microholes in silicon substrate

Номер патента: RU2629926C1. Автор: Андрей Александрович Жуков,Юрий Михайлович Заботин,Алексей Евгеньевич Ануров,Сергей Геннадьевич Подгородецкий. Владелец: Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (АО "Российские космические системы"). Дата публикации: 2017-09-04.

Method of manufacture of a multi-site high-speed silicon pin-photosensitive element

Номер патента: RU2654961C1. Автор: Андрей Константинович Будтолаев,Павел Евгеньевич Хакуашев,Галина Владимировна Либерова,Андрей Викторович Рыбаков,Владимир Евгеньевич Степанюк. Владелец: Акционерное общество "НПО "Орион". Дата публикации: 2018-05-23.

Method of manufacture of elastic elements of micromechanical sensors

Номер патента: RU2648287C1. Автор: Валерий Евгеньевич Пауткин,Александр Евгеньевич Мишанин. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений". Дата публикации: 2018-03-23.

Method of manufacturing of inverter and inverter

Номер патента: RU2433504C2. Автор: Хидея КУМОМИ,Масафуми САНО,Масато ОФУДЗИ,Кацуми АБЕ,Рио ХАЯСИ. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2011-11-10.

Bump structure and method of manufacturing bump structure

Номер патента: US11923326B2. Автор: Ching-Yu Chang,Ming-Da Cheng,Ming-Hui Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Bump structure and method of manufacturing bump structure

Номер патента: US20210134746A1. Автор: Ching-Yu Chang,Ming-Da Cheng,Ming-Hui Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Bump structure and method of manufacturing bump structure

Номер патента: US20220406741A1. Автор: Ching-Yu Chang,Ming-Da Cheng,Ming-Hui Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Package structure for integrated circuit device and method of the same

Номер патента: US7943426B2. Автор: Lu-Chen Hwan. Владелец: Mutual Pak Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-17.

Less-secure processors, integrated circuits, wireless communications apparatus, methods and processes of making

Номер патента: US8996848B2. Автор: Erdal Paksoy,Charles W. Brokish,Steve Karouby,Olivier Schuepach,Narender Madurai Shankar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-03-31.

Less-secure processors, integrated circuits, wireless communications apparatus, methods and processes of making

Номер патента: US10353823B2. Автор: Erdal Paksoy,Olivier Schuepbach,Charles W. Brokish,Steve Karouby,Narendar Madurai Shankar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-07-16.

Positive active material for nonaqueous electrolyte secondary battery, method of manufacturing the positive active material, electrode for nonaqueous electrolyte secondary battery, nonaqueous electrolyte secondary battery and method of manufacturing the secondary battery

Номер патента: US09543055B2. Автор: Tetsuya Murai,Masafumi Shibata,Yoshihiro Katayama,Daisuke Endo. Владелец: GS YUASA INTERNATIONAL LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Negative electrode for lithium secondary battery and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4297116A1. Автор: Gwi Ok Park,In Ae Lee,Hyo Shik Kil,Eun Jun Park. Владелец: SK On Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-27.

Negative electrode for lithium secondary battery and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240120471A1. Автор: Gwi Ok Park,In Ae Lee,Hyo Shik Kil,Eun Jun Park. Владелец: SK On Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Negative electrode for lithium secondary battery and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230420666A1. Автор: Gwi Ok Park,In Ae Lee,Hyo Shik Kil,Eun Jun Park. Владелец: SK On Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Negative electrode for lithium secondary battery and method of manufacturing the same

Номер патента: US12074312B2. Автор: Gwi Ok Park,In Ae Lee,Hyo Shik Kil,Eun Jun Park. Владелец: SK On Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method and apparatus for optical coupling of optical signals for a photonic integrated circuit

Номер патента: US20200183085A1. Автор: Elad Mentovich,Sylvie Rockman,Xin Yin,Hercules Avramopoulos,Dimitrios Kalavrouziotis,Paraskevas BAKOPOULOS,Itshak Kalifa,Geert Van Steenberge,Giannis POULOPOULOS,Anna Sandomirsky. Владелец: Institute Of Communications And Computer Systems. Дата публикации: 2020-06-11.

A method of manufacturing a surface type negative electrode for a lead acid battery

Номер патента: RU2015148828A. Автор: Сергей Геннадьевич Емельянов,Виктор Александрович Шлыков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2017-05-17.

Electrode active material for lithium secondary battery, method of preparing the electrode active material, electrode for lithium secondary battery including the same, and lithium secondary battery using the same

Номер патента: US09917302B2. Автор: Jong-Seo Choi,Jae-Hyuk Kim,Sung-Hwan Moon,Yury Matulevich,Chang-Ui Jeong,Myung-Hwan Jeong,Hee-Young Chu. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Transparent electrode for solar cell and method of manufacturing same

Номер патента: US20230084039A1. Автор: Sang Il Lee,Kyoung Han Ryu,In Sik YUN,Yeong Hee Lee,Ri Ra Kang,Byung Hong Lee,Jang Ung Park. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2023-03-16.

Method of producing a workpiece of a positive electrode of prismatic chemical current sources

Номер патента: RU2718955C1. Автор: Сергей Владимирович Гришин,Роман Петросович Папикян,Леонид Александрович Новокрещёнов,Александр Петрович Шаронов,Игорь Юрьевич Земсков. Владелец: Акционерное общество "Литий-Элемент". Дата публикации: 2020-04-15.

Integrated circuit and method of performing a bist procedure

Номер патента: US20210359773A1. Автор: Estelle Nguyen,Christophe ATHANASSIOU,Jerome MALLET. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

METHOD OF REDUCING POWER DISSIPATION IN A CLOCK DISTRIBUTION NETWORK FOR INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20190163230A1. Автор: DUSATKO Tomas Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

Negative electrode for lithium secondary battery and method of manufacturing the same

Номер патента: US11870065B1. Автор: Gwi Ok Park,In Ae Lee,Hyo Shik Kil,Eun Jun Park. Владелец: SK On Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Negative electrode for lithium secondary battery and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4297117A1. Автор: Gwi Ok Park,In Ae Lee,Hyo Shik Kil,Eun Jun Park. Владелец: SK On Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-27.

Negative electrode for lithium secondary battery and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230420642A1. Автор: Gwi Ok Park,In Ae Lee,Hyo Shik Kil,Eun Jun Park. Владелец: SK On Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

POSITIVE ACTIVE MATERIAL FOR NONAQUEOUS ELECTROLYTE SECONDARY BATTERY, METHOD OF MANUFACTURING THE POSITIVE ACTIVE MATERIAL, ELECTRODE FOR NONAQUEOUS ELECTROLYTE SECONDARY BATTERY, NONAQUEOUS ELECTROLYTE SECONDARY BATTERY AND METHOD OF MANUFACTURING THE SECONDARY BATTERY

Номер патента: US20130313471A1. Автор: Endo Daisuke,MURAI Tetsuya,KATAYAMA Yoshihiro,Shibata Masafumi. Владелец: GS Yuasa International Ltd.. Дата публикации: 2013-11-28.

POSITIVE ACTIVE MATERIAL FOR NONAQUEOUS ELECTROLYTE SECONDARY BATTERY, METHOD OF MANUFACTURING THE POSITIVE ACTIVE MATERIAL, ELECTRODE FOR NONAQUEOUS ELECTROLYTE SECONDARY BATTERY, NONAQUEOUS ELECTROLYTE SECONDARY BATTERY AND METHOD OF MANUFACTURING THE SECONDARY BATTERY

Номер патента: US20170117544A1. Автор: Endo Daisuke,MURAI Tetsuya,KATAYAMA Yoshihiro,Shibata Masafumi. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

METHOD OF MANUFACTURING BATTERY CELL INCLUDING REFERENCE ELECTRODE FOR MEASURING RELATIVE ELECTRODE POTENTIAL, AND BATTERY CELL MANUFACTURED THEREFROM

Номер патента: US20180205049A1. Автор: Kim Seok Koo,Oh Sei Woon,LEE Eun Ju,MIN Ji Won,Woo Sun Hwak. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2018-07-19.

METHOD OF MANUFACTURING A METAL / PLASTIC COMPOSITE ELECTRODE FOR ACCUMULATORS OR OTHERS

Номер патента: FR2383529A1. Автор: . Владелец: Rheinisch Westfaelisches Elektrizitaetswerk AG. Дата публикации: 1978-10-06.

Method of manufacturing metal synthetic resin composite electrode for storage battery and like

Номер патента: JPS53112433A. Автор: Fuaaberu Peeteru. Владелец: Rheinisch Westfaelisches Elektrizitaetswerk AG. Дата публикации: 1978-09-30.

Silicon oxide-based negative electrode active material for secondary battery, method of producing the same, and negative electrode for secondary battery including the same

Номер патента: EP4365980A1. Автор: Eun Jun Park,Joon Hyung Moon,Sang Hye Shin,Jung Hyun Yun,Nak Won Kim. Владелец: SK On Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-08.

Carbon nanotube dispersion liquid, slurry for secondary battery electrode, method of producing slurry for secondary battery electrode, electrode for secondary battery, and secondary battery

Номер патента: US12034167B2. Автор: Naoki Takahashi,Tomoya Murase,Shinsuke SUGAWARA. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Particles of complex nickel-cobalt hydroxide and method of their production, active material of positive electrode for secondary battery with anhydrous electrolyte and method of its production, as well as secondary battery with anhydrous electrolyte

Номер патента: RU2718939C2. Автор: Хидэки ЁСИДА,Масато СОНОО,Такахиро КИТАГАВА. Владелец: Нития Корпорейшн. Дата публикации: 2020-04-15.

Carbon-metal oxide composite electrode for a supercapacitor and method of making a carbon-metal oxide composite electrode

Номер патента: US11923140B2. Автор: Gang Wang,Yaofeng Chen,Joseph W. Lyding. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2024-03-05.

CARBON NANOTUBE DISPERSION LIQUID, SLURRY FOR SECONDARY BATTERY ELECTRODE, METHOD OF PRODUCING SLURRY FOR SECONDARY BATTERY ELECTRODE, ELECTRODE FOR SECONDARY BATTERY, AND SECONDARY BATTERY

Номер патента: US20210005894A1. Автор: TAKAHASHI Naoki,MURASE Tomoya,SUGAWARA Shinsuke. Владелец: ZEON CORPORATION. Дата публикации: 2021-01-07.

Hydrogen-absorbing alloy, method of surface modification of the alloy, negative electrode for battery and alkaline secondary battery

Номер патента: US6759165B2. Автор: Tatsuoki Kohno,Shinji Tsuruta,Motoya Kanda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-07-06.

Method of patterning surface of lithium metal and electrode for lithium secondary battery obtained using the same

Номер патента: CN110537273B. Автор: 禹相昱,金银卿,蔡午秉,姜允雅,秋素英,姜铢熙,曺根植. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2022-07-26.

Hydrogen-absorbing alloy, method of surface modification of the alloy, negative electrode for battery and alkaline secondary battery

Номер патента: CN1279638C. Автор: 河野龙兴,神田基,鹤田慎司. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-10-11.

Non-stoichiometric titanium compound, carbon composite of the same, manufacturing method of the compound, active material of negative electrode for lithium-ion secondary battery containing the compound, and lithium-ion secondary battery using the active material of negative electrode

Номер патента: US20110262809A1. Автор: Naoaki Kumagai,Daisuke Yoshikawa,Yoshihiro Kadoma. Владелец: Inc National Univ Iwate University. Дата публикации: 2011-10-27.

Manufacturing method of nonaqueous electrolyte secondary battery, and negative electrode for the nonaqueous electrolyte secondary battery

Номер патента: CN101356669A. Автор: 本田和义,佐藤俊忠,柏木克巨,末次大辅. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-28.

Method of making a catalytically active gas diffusion electrode for electrochemical cells

Номер патента: EP0641033A1. Автор: Christoph Dr.Dipl.-Phys. Braden,Martina Gojowczik,Karl-Heinz Dr. Dipl.-Chem. Pettinger. Владелец: Compur Monitors Sensor Tech. Дата публикации: 1995-03-01.

Method of manufacturing a YIG oscillator

Номер патента: US20010024143A1. Автор: Shuji Nojima,Tomohiko Ezura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-27.

Method of manufacturing catalyst slurry for fuel cells and method of manufacturing electrode for fuel cells using the same

Номер патента: US12002968B2. Автор: Kook Il Han,Yoon Hwan Cho,Su Won SEOL. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Method of manufacturing catalyst slurry for fuel cells and method of manufacturing electrode for fuel cells using the same

Номер патента: US20210175516A1. Автор: Kook Il Han,Yoon Hwan Cho,Su Won SEOL. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2021-06-10.

Method of manufacturing nonreciprocal circuit device, nonreciprocal circuit device, and communication apparatus

Номер патента: US20020097104A1. Автор: Takashi Hasegawa,Yasuhiro Nakagawa,Takashi Kawanami,Yoshihiro Murai. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2002-07-25.

Method of manufacturing a photonic integrated circuit optically coupled to a laser of III-V material

Номер патента: US09507089B2. Автор: Alain Chantre,Sebastien Cremer. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2016-11-29.

Flexible thin-film positive electrode and method of manufacture thereof

Номер патента: RU2722687C1. Автор: Алексей Михайлович Кашин,Дмитрий Викторович Новиков,Лолита Сергеевна Самохина. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Инэнерджи". Дата публикации: 2020-06-03.

Negative electrode for lithium secondary battery and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230335750A1. Автор: Chang Bum Ahn,Jea Bong JUNG,Sang Jin Seo,Yeong Cheol Jang. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Positive electrode for non-aqueous electrolyte battery and method of manufacturing the same, and non-aqueous electrolyte battery and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120040086A1. Автор: Naoki Imachi,Nobuhiro Sakitani. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-16.

Method of manufacturing electrode for lithium secondary battery and electrode manufactured using the same

Номер патента: US09780359B2. Автор: Jae Hyun Lee,Jihyun Kim,Daehong Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of manufacturing electrode for lithium secondary battery and electrode manufactured using the same

Номер патента: US09673444B2. Автор: Jae Hyun Lee,Daehong Kim,Tae Jin Park. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of manufacturing positive electrode for all-solid-state batteries and positive electrode for all-solid-state batteries manufactured using the same

Номер патента: US12148879B2. Автор: Hye Ri Jung,Lak Young Choi,Hyea Eun Han. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Unit for manufacture of packaged electrode and method of manufacture of packaged electrode

Номер патента: RU2551843C1. Автор: Хироси ЮХАРА,Манабу ЯМАСИТА,Такахиро ЯНАГИ. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2015-05-27.

Method of manufacturing radome

Номер патента: RU2677943C2. Автор: Франц ШТАДЛЕР,Томас ШУСТЕР,Бернхард ШЁНЛИННЕР,Ульрих ПРЕХТЕЛЬ,Михель ЗАБИЛЬНИ,Герберт ЦИППОЛЬД,Кай В. ДИТРИХ,Маркус РОТЕНХОЙСЛЕР,Вильгельм ВУЛЬБРАНД,Томас КЁРВИН. Владелец: Эйрбас Дефенс Энд Спэйс Гмбх. Дата публикации: 2019-01-22.

Method of manufacturing an electrode for a gas discharge lamp.

Номер патента: EP2638557A1. Автор: Stijn Poortmans,Benny Van Daele,Kurt Marcel Frieda Van Bylen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2013-09-18.

Electrode for membrane-electrode assembly and method of manufacturing same

Номер патента: US20240266550A1. Автор: Yoon Hwan Cho,Su Won SEOL,Ji Hoon Yang. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of manufacturing electrodes and drying apparatus

Номер патента: EP4415066A1. Автор: Shinji Suzuki,Koji Nakajima,Shigeki Matsumoto. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2024-08-14.

Charged particle-optical element, charged particle-optical module, assessment apparatus, chip assembly, method of manufacturing

Номер патента: EP4418302A1. Автор: Marco Jan-Jaco Wieland,Yue Ma,Erwin Slot,Laura DEL TIN,Alrik VAN DEN BROM,André Luís Rodrigues Mansano. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2024-08-21.

Charged particle-optical element, charged particle-optical module, assessment apparatus, chip assembly, method of manufacturing

Номер патента: WO2024170229A2. Автор: Marco Jan-Jaco Wieland,Yue Ma,Erwin Slot,Laura DEL TIN,Alrik VAN DEN BROM,André Luís Rodrigues Mansano. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2024-08-22.

Intermittently coated dry electrode for energy storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12126009B2. Автор: YUDI Yudi,Joon Ho Shin,Hieu Minh Duong,Ziying Wang. Владелец: Maxwell Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for manufacturing electrode for all-solid-state battery, and electrode for all-solid-state battery

Номер патента: EP4439688A1. Автор: Hyejin Kwon,Ki Tae Kim,Taegon Kim,Sohee Kim,Choonghyeon LEE,Jeonggil KIM,Myeongsoo Kim. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Method of manufacturing positive electrode material for lithium ion secondary battery, positive electrode material for lithium ion secondary battery, positive electrode for lithium ion secondary battery and lithium ion secondary battery

Номер патента: US09793544B2. Автор: Akinori Yamazaki,Kazuyo Yamamoto,Ryuuta Yamaya. Владелец: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of manufacturing fuel cell anode

Номер патента: US09450251B2. Автор: Hoonhui Lee. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of manufacturing a single multilayer cell of solid oxide fuel cell

Номер патента: RU2706417C1. Автор: Юлия Георгиевна Лягаева,Геннадий Константинович Вдовин,Дмитрий Андреевич Медведев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт высокотемпературной электрохимии Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2019-11-19.

Wide tape out of amorphous alloy based on iron and method of its manufacturing

Номер патента: RU2569327C1. Автор: Цзянь ВАН,Пэй ЧЖАО,Цюань ЛИ,Шаосюн ЧЖОУ,Годун ЛЮ,Вэньчжи ЧЭНЬ,Лидун ДИН,Чжиин ЧЖАН. Владелец: Эдванст Текнолоджи Энд Матириалз Ко., Лтд. Дата публикации: 2015-11-20.

Insulation composition, insulating product, method of their manufacturing and component product for the electrical cable on their basis

Номер патента: RU2628332C2. Автор: Ин Ши,Мин ЧЖАН,Ци СУ,Хуншень СЮЙ,Мен ЧЖУАН,Ямин ВАН,Цзинцян ХОУ,Сяолинь ЦЗИНЬ. Владелец: 3М Инновейтив Пропертиз Компани. Дата публикации: 2017-08-16.

Method of manufacture of components of an electrochemical cell for thermal chemical current sources and tooling design for manufacture thereof

Номер патента: RU2745745C2. Автор: Александр Иванович Верещагин,Ирина Викторовна Королева,Александр Евгеньевич Приказчиков,Юлия Викторовна Шевченко. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2021-03-31.

Methods of manufacture of biocompatible energisation elements for biomedical devices containing multilayer composites and objected divisions

Номер патента: RU2670422C1. Автор: Адам ТОНЕР,Джеймс Дэниел РАЙЕЛЛ,Шивкумар МАХАДЕВАН,Рэндалл Б. ПЬЮ,Фредерик А. ФЛИТШ,Дэниел Б. ОТТС. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2018-10-23.

Method of rotary printing for applying magnetic compositions

Номер патента: RU2671961C2. Автор: Рэндалл БУДУРИС,Дональд Е. АЛЬБРЕХТ. Владелец: Мэгнетноутс, Лтд.. Дата публикации: 2018-11-08.

Method of manufacturing of a field emission element

Номер патента: RU2678192C1. Автор: Александр Николаевич Сауров,Александр Александрович Павлов,Сергей Николаевич Козлов,Алексей Васильевич Живихин,Евгений Павлович Кицюк. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук. Дата публикации: 2019-01-24.

Electrode for lithium secondary battery and method of manufacturing the same

Номер патента: EP3996165A1. Автор: Sung Jun Park,Yong Hee Kang,Byung Chan Kang,Byung Wook JO. Владелец: SK Innovation Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-11.

Circuits for and methods of generating clock signals enabling the latching of data in an integrated circuit

Номер патента: US09559669B1. Автор: Brian C. Gaide. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Circuit arrangement for and a method of enabling a partial reconfiguration of a circuit implemented in an integrated circuit device

Номер патента: US9722613B1. Автор: David P. Schultz,Weiguang Lu,Paige A. Kolze. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Methods of using one of a plurality of configuration bitstreams for an integrated circuit

Номер патента: US7853916B1. Автор: Stephen M. Trimberger,Babak Ehteshami. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2010-12-14.

Method of producing a carrier for electronic components for the interconnection of integrated-circuit chips

Номер патента: EP0044247B1. Автор: Jean-Marie Mariotte,Pierre Hamaide. Владелец: Socapex SA. Дата публикации: 1985-10-30.

Power distribution communication network wire link and the mutually standby interlock method of Radio Link and system, vacant lot are mutually for integrated apparatus

Номер патента: CN107453849A. Автор: 刘志文,董旭柱,陈宝仁,洪丹轲,陈立明,吴争荣,曹叠,吴运. Владелец: CETC 7 Research Institute. Дата публикации: 2017-12-08.

Apparatus for and method of filtering in an digital hearing aid, including an application specific integrated circuit and a programmable digital signal processor

Номер патента: US6240192B1. Автор: Robert Brennan,Anthony Todd Schneider. Владелец: Dspfactory Ltd. Дата публикации: 2001-05-29.

Method Of Manufacturing Oscillator And Oscillator

Номер патента: US20230246593A1. Автор: Naoki Ii,Yosuke ITASAKA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

Systems and methods of integrated circuit clocking

Номер патента: US20110316602A1. Автор: Deanne Tran Vo,Thomas Jeffrey Bingel. Владелец: East West Innovation Corp. Дата публикации: 2011-12-29.

Integrated circuit device system with elevated stacked configuration and method of manufacture thereof

Номер патента: US09648754B1. Автор: Robert S. Pauley, Jr.,Satyanarayan Shivkumar Iyer,Victor Mahran. Владелец: Smart Modular Technologies Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240324190A1. Автор: Yeji Kim,Jooncheol Kim,Subin SON,Yunho Song,Namkyeong LEE,Bosu KIM,Hyundon YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Circuits for impedance adjustment having multiple termination devices with switchable resistances and methods of adjusting impedance

Номер патента: US09621160B2. Автор: Qiang Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Integrated circuit device, memory device, and method of manufacturing

Номер патента: US20240334689A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG,I-Hsin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240306375A1. Автор: Kyungwook Park,Yoongoo Kang,Changwoo Seo,Suyoun SONG,Youmin Ban,Hyunchul Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: EP4429434A1. Автор: Kyungwook Park,Yoongoo Kang,Changwoo Seo,Suyoun SONG,Youmin Ban,Hyunchul Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-11.

Integrated circuit devices having memory and methods of implementing memory in an integrated circuit device

Номер патента: WO2014138479A1. Автор: Ephrem C. Wu. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2014-09-12.

Secure provisioning of secret keys during integrated circuit manufacturing

Номер патента: US09742563B2. Автор: Jiangtao Li,Kevin C. Gotze,Gregory M. Iovino. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of fabricating a semiconductor IC DRAM device enjoying enhanced focus margin

Номер патента: US5670409A. Автор: Atsuyoshi Koike,Kazuyuki Miyazawa,Hiroshi Otori,Fumiyuki Kanai,Kazuhiko Kajigaya,Masaharu Kubo. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1997-09-23.

Method of manufacturing a CMOS device including molecular storage elements in a via level

Номер патента: US8445378B2. Автор: Ralf Richter,Stephan Kronholz,Markus Lenski. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-05-21.

Circuit for and method of configuring and partially reconfiguring function blocks of an integrated circuit device

Номер патента: WO2020198377A1. Автор: David P. Schultz,Ian A. Swarbrick,Nagendra Donepudi. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2020-10-01.

Method of manufacturing integrated circuit

Номер патента: US20240365552A1. Автор: Chih-Wei Hung,Kuo-Pin Chang,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Contact protection for integrated circuit device loading

Номер патента: US09681556B2. Автор: Jeffory L. Smalley,David J. Llapitan,Neal E. Ulen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor integrated circuit device having function for detecting degradation of semiconductor device and method of driving the same

Номер патента: US09429618B2. Автор: Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor integrated circuit device and method of detecting delay error in the same

Номер патента: US20040113670A1. Автор: Minari Arai. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Integrated circuit, memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12063785B2. Автор: Chih-Wei Hung,Kuo-Pin Chang,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

NFC/RF mechanism with multiple valid states for detecting an open container, and methods of making and using the same

Номер патента: US09846835B2. Автор: Matthew A. Bright. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2017-12-19.

NFC/RF mechanism with multiple valid states for detecting an open container, and methods of making and using the same

Номер патента: US09519904B2. Автор: Matthew A. Bright. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2016-12-13.

Transceiver integrated circuit device and method of operation thereof

Номер патента: US09515906B2. Автор: Hee Jun Lee,Sang Hyun Jang. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Artificial Neural Network Computation using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240086691A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of Manufacturing an Integrated Circuit

Номер патента: US20090159558A1. Автор: Stéphane CHOLET. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Artificial Neural Network Computation using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240249130A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Moisture detection and ingression monitoring systems and methods of manufacture

Номер патента: US20190250116A1. Автор: WEN Liu,Fen Chen,Jeffrey P. Gambino,Prakash Periasamy,Carole D. Graas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Moisture detection and ingression monitoring systems and methods of manufacture

Номер патента: US20180356359A1. Автор: WEN Liu,Fen Chen,Jeffrey P. Gambino,Prakash Periasamy,Carole D. Graas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Moisture detection and ingression monitoring systems and methods of manufacture

Номер патента: US20200049651A1. Автор: WEN Liu,Fen Chen,Jeffrey P. Gambino,Prakash Periasamy,Carole D. Graas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

Ultrasonic imaging system probe, and a system and a method of imaging

Номер патента: RU2734129C2. Автор: Сотир Филипов УЗУНОВ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2020-10-13.

Semiconductor device, integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US12114511B2. Автор: Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device, integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240373650A1. Автор: Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device, integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US12133396B2. Автор: Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Method and apparatus for secure provisioning of an integrated circuit device

Номер патента: US09729518B1. Автор: Sean R. Atsatt. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of manufacturing electrodes for flat heat generator

Номер патента: US09351345B2. Автор: Mitsuyoshi Aizawa,Kisaku NISHIGUCHI. Владелец: TEM-TECH LAB Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

Method for manufacturing thin-film tunnel junctions by the method of separate lithography

Номер патента: RU2757762C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Артем Михайлович Чекушкин,Александра Анатольевна Гунбина,Михаил Юрьевич Фоминский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2021-10-21.

Switching circuit utilizing a high voltage transistor protection technique for integrated circuit devices incorporating dual supply voltage sources

Номер патента: US20020125919A1. Автор: Kim Hardee. Владелец: United Memories Inc. Дата публикации: 2002-09-12.

Standby modes for integrated circuit devices

Номер патента: US20090096512A1. Автор: Gunnar Munder. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2009-04-16.

Terminal, service method and system for integrated identifier management system for integrated identifier and user interface

Номер патента: CA3091522C. Автор: Jaedoo KIM. Владелец: Pax S&t Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Method of manufacture of a radio apparatus

Номер патента: RU2657174C1. Автор: Александр Николаевич Сауров,Александр Александрович Павлов,Сергей Николаевич Козлов,Алексей Васильевич Живихин,Евгений Павлович Кицюк. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук. Дата публикации: 2018-06-08.

Integrated circuit device configuration methods adapted to account for retiming

Номер патента: US20160098507A1. Автор: David Lewis,Ryan Fung,Valavan Manohararajah. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-04-07.

Method of manufacturing elements of a precipitation electrode for an electrofilter

Номер патента: RU2743551C1. Автор: Лев Валентинович Чекалов,Виталий Александрович Гузаев,Павел Михайлович Смирнов. Владелец: Акционерное общество "Кондор-Эко". Дата публикации: 2021-02-19.

Method of producing phase masks in an automated layout generation for integrated circuits

Номер патента: US6485871B1. Автор: Thomas KRÜGER,Werner Schiele. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-11-26.

Process of manufacture of highly active hydrogen electrode for chemical source of electric energy

Номер патента: RU2042236C1. Автор: В.В. Галкин,В.П. Кулыга,С.Д. Лихоносов,Н.Ф. Першина,А.М. Гучинская,Г.Ф. Тэз. Владелец: Научно-производственное предприятие "Сатурн". Дата публикации: 1995-08-20.

Method of producing graphene and holey graphene and electrode for the same

Номер патента: WO2024121783A1. Автор: Monserrat Gutierrez MUNOZ,Eva CORREIA,Nitul RAJPUT,Meriam MOHAMMEDTURE,Alya ALHAMMADI,Nesma ABOULKHAIR. Владелец: Technology Innovation Institute – Sole Proprietorship LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of Producing Graphene and Holey Graphene and Electrode for the Same

Номер патента: US20240317588A1. Автор: Monserrat Gutierrez MUNOZ,Eva CORREIA,Nitul RAJPUT,Meriam MOHAMMEDTURE,Alya ALHAMMADI,Nesma ABOULKHAIR. Владелец: Technology Innovation Institute Sole Proprietorship LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of and device for determining and controlling the distance between an integrated circuit and a substrate

Номер патента: EP2229574A2. Автор: Christian Zenz. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-09-22.

Method of and device for determining and controlling the distance between an integrated circuit and a substrate

Номер патента: WO2009069075A3. Автор: Christian Zenz. Владелец: Christian Zenz. Дата публикации: 2009-08-13.

A method of preparing wood-derived self-supporting composite electrode for overall water splitting

Номер патента: AU2021107338A4. Автор: PENG Jia,XIN ZHAO,Bin Zheng,Jinyang Zhang,Jiawei Zhang,Zhongjian TIAN,Xingxiang JI,Kaili Xia. Владелец: Qilu University of Technology. Дата публикации: 2021-12-16.

Method to optimize general-purpose input/output interface pad assignments for integrated circuit

Номер патента: US9842181B1. Автор: Kyung Suk Oh,Loke Yip Foo,Wai Ling Lee,Yee Huan Yew,Chee Cheong Tan,Mei See Chin,Chooi Ian Loh,Hui Lee Teng. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Method to optimize general-purpose input/output interface pad assignments for integrated circuit

Номер патента: US09842181B1. Автор: Kyung Suk Oh,Loke Yip Foo,Wai Ling Lee,Yee Huan Yew,Chee Cheong Tan,Mei See Chin,Chooi Ian Loh,Hui Lee Teng. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Integrated circuit with suppression of spurious acoustic modes and method of producing same

Номер патента: RU2547165C2. Автор: Цзе Чэнь,Уилльям ОССМАН,Берни Дж. СЕЙВОРД,Род Дж. СОЛОМОН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2015-04-10.

System and method of compensating for the effects of on-chip processing variation on an integrated circuit

Номер патента: US20060212735A1. Автор: David Allen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-09-21.

System and Method of Compensating for the Effects of On-Chip Processing Variation on an Integrated Circuit

Номер патента: US20080034244A1. Автор: David Allen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-07.

Lidar, data processing method, and apparatus for integrated light detection, data collection, and processing

Номер патента: WO2024222823A1. Автор: Shaoqing Xiang,Shiwei Zheng,Zhenhui QIN. Владелец: Hesai Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of assigning chip I/O's to package channels

Номер патента: US20030061589A1. Автор: Faraydon Pakbaz,Pascal Nsame. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-03-27.

Selective application method of test circuit and interface circuit of test element for integrated circuit

Номер патента: KR19980081092A. Автор: 하소운조셉하니,가스바로제임스에이. Владелец: 노들런드디크레이그. Дата публикации: 1998-11-25.

Systems and methods for implementing tile-level predication within a machine perception and dense algorithm integrated circuit

Номер патента: US20210209286A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Daniel Firu,Nigel Drego,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Method for accessing a memory cell in an integrated circuit, method of determining a set of word line voltage identifiers in an integrated circuit, method for classifying memory cells in an integrated circuit, method for determining a word line voltage for accessing a memory cell in an integrated circuit and integrated circuits

Номер патента: US20080253217A1. Автор: Konrad Seidel,Detlev Richter,Luca De Ambroggi,Andreas Taeuber,Robert Petter,Marco Ziegelmayer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-10-16.

System for integrated management of manufacturing of radioactive waste container, and method for integrated management of manufacturing of radioactive waste container, using same

Номер патента: WO2019221578A1. Автор: 홍상범,하재현,박승국,구대서,정관성,서범경. Владелец: 한국원자력연구원. Дата публикации: 2019-11-21.

Model-based refinement of the placement process in integrated circuit generation

Номер патента: US20200104453A1. Автор: Gi-Joon Nam,Myung-Chul Kim,Paul G. Villarrubia,Shyam Ramji,Benjamin N. Trombley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Constructing equivalent waveform models for static timing analysis of integrated circuit designs

Номер патента: US8924905B1. Автор: Igor Keller,Jijun Chen,Joel R. Philips. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2014-12-30.

Systems and methods for alternative to serial peripheral interface communication in dumb display driver integrated circuits

Номер патента: WO2008021821A1. Автор: Ken K. Foo,John W. Kaehler,Pinky Yu. Владелец: Motorola Inc.. Дата публикации: 2008-02-21.

Method for aligning contact pins in an integrated circuit testing apparatus

Номер патента: US20230314501A1. Автор: Wei Kuong Foong,Eng Kiat Lee,Kok Sing Goh,Shamal Mundiyath,Caleb LIM. Владелец: JF Microtechnology Sdn Bhd. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of Detecting the Frequency of an Input Clock Signal of an Integrated Circuit and Integrated Circuit

Номер патента: US20090058468A1. Автор: Mikael Hjelm,Charlotta Hedenaes,Bjoern Wiklund. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-03-05.

Photonics package including optic plug receptacle with support portion for photonics integrated circuit and lens assembly

Номер патента: US20230204878A1. Автор: Xiaoqian Li,Srikant Nekkanty,Vineeth ABRAHAM,Wesley B. Morgan,Sufi R. Ahmed,Sivakumar Yagnamurthy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Method of manufacturing of ion selective composite electrode for desalinization and composite electrode therefrom

Номер патента: KR101841941B1. Автор: 정경열,민병호. Владелец: 공주대학교 산학협력단. Дата публикации: 2018-05-14.

Method of automating creation of a clock control distribution network in an integrated circuit floorplan

Номер патента: US7979838B2. Автор: Christopher J. Berry,Jose Luis Pontes Correia Neves,Lawrence David Curley,Patrick James Meaney,Travis Wellington Pouarz,William J. Scarpero, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-07-12.

METHOD OF ATTACHING GALVANIC CONTACTS OF AN IDENTIFICATION DOCUMENT COMPRISING AN INTEGRATED INTEGRATED CIRCUIT MODULE

Номер патента: FR2483102B1. Автор: Werner Obrecht. Владелец: GAO Gesellschaft fuer Automation und Organisation mbH. Дата публикации: 1986-02-14.

Method of Integrating All Active and Passive Optical Devices on Silicon-based Integrated Circuit

Номер патента: US20150331187A1. Автор: LEE MING-CHANG,Tseng Chih-Kuo. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-19.

Method of silicon substrate coupling noise modeling and analysis for mixed signal integrated circuit design

Номер патента: KR100396530B1. Автор: 심종인. Владелец: 기가트론 주식회사. Дата публикации: 2003-09-02.

Edge protector for electrolytic electrode, spreader bar thereof and method of attaching same to electrolytic electrode

Номер патента: CA2094473C. Автор: Hiroshi Tanaka,Yasuo Masuda. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2000-10-31.

Ink jet recording device and method of producing the same

Номер патента: CA2187415C. Автор: Takashi Ota,Koji Shigemura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-12-05.

Ink Jet Recording Device and Method of Producing the Same

Номер патента: CA2187415A1. Автор: Takashi Ota,Koji Shigemura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-04-10.

A kind of preparation method of 4- tertiary butyl p tertButylcalixarene modified electrodes for electrochemical process identification amino acid enantiomer

Номер патента: CN108254427A. Автор: 谭文胜,孔泳,杨嘉佩. Владелец: CHANGZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-07-06.

A kind of method of tryptamines content in collaurum/clay modified electrode for determining tryptamines and measure rice vinegar, white wine or Yoghourt

Номер патента: CN107389765A. Автор: 赵晓娟,白卫东,周婵媛,易丽娟,容颖媚. Владелец: Zhongkai University of Agriculture and Engineering. Дата публикации: 2017-11-24.

Manufacturing method of current collector for flexible secondary battery, electrode for flexible secondary battery, electrode laminated assembly for flexible secondary battery, flexible secondary battery and electrode for flexible secondary battery

Номер патента: JP6771292B2. Автор: 賢一 川瀬,元 土屋. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-21.

Manufacturing method of color filter by electrodeposition method and electrode for manufacturing color filter

Номер патента: KR960014974A. Автор: 쯔도무 와따나베,도시아끼 오다,쯔요시 나까노. Владелец: 신토 도료 가부시키가이샤. Дата публикации: 1996-05-22.

Preparation method of three-dimensional porous polypyrrole modified titanium electrode for catalyst carrier

Номер патента: CN108262071B. Автор: 牛青山,苗娟,张军杰,魏学锋,万晓阳,张瑞昌,曾来源. Владелец: Henan University of Science and Technology. Дата публикации: 2021-01-29.

Clock frequency adjustment for workload changes in integrated circuit devices

Номер патента: WO2021055048A1. Автор: William Paul Hovis,Andrew Benson Maki,Francine Mary SHAMMAMI. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2021-03-25.

Integrated circuit with nano-conductive sensors in field transistors, manufactured by chemical method, sensor device, method of measurement and method of manufacture

Номер патента: RU2638132C2. Автор: Йохан Хендрик КЛОТВИЙК,Марлен МЕСХЕР,Мануэль Эдуардо АЛАРКОН-РИВЕРО,ВИЛД Нико Марис Адриан ДЕ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-12-11.

Design method for integrated circuit chips

Номер патента: US20030121014A1. Автор: Junichi Goto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-06-26.

System for and method of improving the yield of integrated circuits

Номер патента: US20240264227A1. Автор: Manoj Sachdev. Владелец: Zinite Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

System for and method of improving the yield of integrated circuits

Номер патента: WO2024165935A1. Автор: Manoj Sachdev. Владелец: Zinite Corporation. Дата публикации: 2024-08-15.

METHOD OF ELECTROCHEMICAL DEPOSITION OF PERMALLOY FILMS Ni81Fe19 FOR INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: RU2710749C1. Автор: Роберт Дмитриевич Тихонов. Владелец: Роберт Дмитриевич Тихонов. Дата публикации: 2020-01-13.

Method of searching for wiring route in integrated circuit, automatic wiring device for integrated circuit, and program therefor

Номер патента: US20080209384A1. Автор: Ikuo Ohtsuka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Method and software tool for automatic generation of software for integrated circuit

Номер патента: US20090049415A1. Автор: Alex Jones,Marlin H. Mickle,James T. Cain,Raymond R. Hoare,Swapna Dontharaju. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 2009-02-19.

Integrated circuit system with sub-geometry removal and method of manufacture thereof

Номер патента: SG190490A1. Автор: Byoung-IL Choi,Huey Ming Chong,Soon Yeong Tan,Soo Muay Goh. Владелец: Globalfoundries Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2013-06-28.

Method for designing and manufacturing an integrated circuit, system for carrying out the method, and system for verifying an integrated circuit

Номер патента: US09965579B2. Автор: Sung-wook Ahn,Seung-Jae Jung,Su-Hyeon Kim,Sang-hoon BAEK,Chul-Hong Park,Sang-Kyu Oh,Kyoung-Yun Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Optical integrated circuit comprising light path turning micro-mirror inside the optical waveguide and method of manufacturing the same

Номер патента: US09671574B2. Автор: Chan Yong Park,Sang Hwan Lee,Young Hye KIM. Владелец: Wooriro Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of catalytic electrode manufacturing based on heteropoly compounds for hydrogen and methanol fuel elements

Номер патента: RU2561711C2. Автор: Юрий Анатольевич Добровольский,Любовь Анатольевна Фролова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем химической физики РАН (ИПХФ РАН). Дата публикации: 2015-09-10.

Method and apparatus for constraint graph based layout compaction for integrated circuits

Номер патента: US7086027B1. Автор: Mikhail Anatolievich Sotnikov,Venkata K. R. Chiluvuri,Alexander Mikhailovich Marchenko. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2006-08-01.

Wiring design method of integrated circuit device, system thereof, and program product thereof

Номер патента: US20030227032A1. Автор: Takashi Yoneda,Toshikatsu Hosono,Takanori Nawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-12-11.

Assignment of select input/output blocks to banks for integrated circuits using integer linear programming with proximity optimization

Номер патента: US8010924B1. Автор: Guenter Stenz,Parivallal Kannan,Victor Z. Slonim. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2011-08-30.

Circuits for and methods of processing data in an integrated circuit device

Номер патента: US09606572B2. Автор: Santosh Kumar Sood. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Moat router for integrated circuits

Номер патента: WO1988010472A1. Автор: Richard K. Mcgehee. Владелец: Seattle Silicon Corporation. Дата публикации: 1988-12-29.

Method of manufacturing capacitive deionization (cdi) device, cdi device and apparatus for treating water, electrode for capacitive deionization and method of forming same

Номер патента: SG11201903410XA. Автор: Cheng Zhou,Meng Ding,Hui Ying YANG,Zhi Yi LEONG,Francois Zaviska,Xianfen Wang. Владелец: Univ Singapore Technology & Design. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor device having reduced leakage and method of operating the same

Номер патента: US20020181291A1. Автор: Shi-Tron Lin,Wei-Fan Chen,Chen-Hsin Lien. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Methods of preparing photo mask data and manufacturing a photo mask

Номер патента: US20240362396A1. Автор: Yan Feng,LIN Zhang,Danping Peng,Zhiru YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Methods of preparing photo mask data and manufacturing a photo mask

Номер патента: US12056431B2. Автор: Yan Feng,LIN Zhang,Danping Peng,Zhiru YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

System and method for integrated circuit handling and tracking

Номер патента: US09697402B1. Автор: Tze Hern Khor,Wei Yee Jocelyn Teo,Hung Wei Ng,Chen Huat Ng,Hsao Hsien Yang,Mini Padmanabhan. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of manufacturing preform for multicore fiber and method of manufacturing multicore fiber

Номер патента: US09586852B2. Автор: Shoichiro Matsuo,Itaru ISHIDA. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Integrated circuit system with non-volatile memory stress suppression and method of manufacture thereof

Номер патента: US09530469B2. Автор: Makoto Kitagawa,Wataru Otsuka,Tomohito Tsushima,Takafumi Kunihiro. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for integrated circuit mask patterning

Номер патента: US09495507B2. Автор: Ru-Gun Liu,Pi-Tsung Chen,Jue-Chin Yu,Lun Hsieh,Shuo-Yen Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

System of electrodes for deep stimulation of brain

Номер патента: RU2467773C2. Автор: Хуберт С.Ф. МАРТЕНС,Мишель М.Ж. ДЕКР,Эудженио КАНТАТОРЕ. Владелец: Сапиенс Стиринг Брейн Стимьюлейшн Б.В.. Дата публикации: 2012-11-27.

Probe card for fine pitch circuit probe testing of semiconductor integrated circuit devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240272200A1. Автор: Yuan-Li Lin,Hsiao Kang LI,I-Tee LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Command signal management in integrated circuit devices

Номер патента: US20160005467A1. Автор: Nicholas Hendrickson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-07.

Weight calibration check for integrated circuit devices having analog inference capability

Номер патента: US12100455B2. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Integrated circuit with CO2 sensor, composition and manufacturing method of such an IC

Номер патента: US09683099B2. Автор: Rafael Sablong,Aurelie Humbert,Cornelis Bastiaansen,Dimitri Soccol,Jan KOLIJN,Dirk Gravesteijn,Bjorn Tuerlings. Владелец: ams International AG. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of manufacturing active mass components of negative electrodes for alkaline accumulators during their regenerative recycling

Номер патента: RU2344520C2. Автор: Виктор Петрович Дмитриенко,Юрий Юрьевич Холин,Виктор Иванович Песецкий. Владелец: Закрытое акционерное общество "Кузбассэлемент". Дата публикации: 2009-01-20.

Load adjusted populations of integrated circuit decoupling capacitors

Номер патента: US20240103604A1. Автор: William Paul Hovis,Vlad Radu CALUGARU. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Load adjusted populations of integrated circuit decoupling capacitors

Номер патента: WO2023091279A1. Автор: William Paul Hovis,Vlad Radu CALUGARU. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC.. Дата публикации: 2023-05-25.

Method of testing a stacked integrated circuit device

Номер патента: US12032021B2. Автор: Stephen Felix,Phillip HORSFIELD. Владелец: Graphcore Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Circuit for and method of enabling the transfer of data by an integrated circuit

Номер патента: WO2013081683A1. Автор: Sanjay A. KULKARNI. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2013-06-06.

Virtual component having a detachable verification-supporting circuit, a method of verifying the same, and a method of manufacturing an integrated circuit

Номер патента: US20020138814A1. Автор: Isao Katayama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-09-26.

Optoelectronic component and method of manufacturing an optoelectronic component

Номер патента: US20230305250A1. Автор: Elad Mentovich,Dimitrios Kalavrouziotis,Paraskevas BAKOPOULOS,Boaz Atias,Anna Sandomirsky,James Steven Fields, Jr.. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Integrated circuit and manufacturing method therefor

Номер патента: US09632049B2. Автор: Roel Daamen,Aurelie Humbert,Youri Victorovitch Ponomarev,Matthias Merz. Владелец: ams International AG. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of manufacture of the thermoinsulating cylindrical vacuum boards and the board manufactured by the method

Номер патента: RU2295445C2. Автор: ГРЕГОРИО Пьераттилио ДИ. Владелец: Саес Геттерс С.П.А.. Дата публикации: 2007-03-20.

Photomask with detector for optimizing an integrated circuit production process and method of manufacturing an integrated circuit using the same

Номер патента: US20080261123A1. Автор: Christopher Progler. Владелец: Photronics Inc. Дата публикации: 2008-10-23.

Method and system for the inspection of integrated circuit devices having leads

Номер патента: WO2008104066A1. Автор: Bojko Vodanovic. Владелец: Aceris 3D Inspection Inc.. Дата публикации: 2008-09-04.

Method of manufacturing an extreme ultraviolet (EUV) mask and the mask manufactured therefrom

Номер патента: US9664995B2. Автор: Yuan-Chih Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Method Of Manufacturing An Extreme Ultraviolet (EUV) Mask And The Mask Manufactured Therefrom

Номер патента: US20150030970A1. Автор: Yuan-Chih Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-01-29.

Method of manufacturing an extreme ultraviolet (euv) mask and the mask manufactured therefrom

Номер патента: US20160223897A1. Автор: Yuan-Chih Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-04.

Design method of semiconductor integrated circuit device, a program, and the support method of measurement evaluation

Номер патента: US20070079263A1. Автор: Yasuyoshi Noguchi,Kei Mohara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Method of detecting irregular current flow in an integrated circuit device and apparatus therefor

Номер патента: US09606064B2. Автор: Michael Priel,Anton Rozen,Leonid Fleshel,Yoav Weizman. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Method and the installation of manufacture of the non-vulcanized tires

Номер патента: RU2302341C2. Автор: Штефан БАКОШ,Йозеф ЖЕМЛА,Ян ШЕДИК,Петер МИХАЛИК. Владелец: Матадор а.с.. Дата публикации: 2007-07-10.

Method of obtaining mixture of carboxylic acid/diol suitable for use during manufacture of polyester

Номер патента: RU2330014C2. Автор: Роберт ЛИН. Владелец: Истман Кемикал Компани. Дата публикации: 2008-07-27.

Method of manufacturing stand for toothpicks, method of manufacturing holder for toothpicks, method of manufacturing of guide for toothpicks and method of manufacturing bearing surface for toothpicks

Номер патента: RU2465801C1. Автор: Александр Иванович Максимов. Владелец: Александр Иванович Максимов. Дата публикации: 2012-11-10.

Integrated circuit device design method and system

Номер патента: US12039250B2. Автор: Ya-Min ZHANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Integrated circuit device for a wireless keyboard array

Номер патента: US20030080879A1. Автор: Chih-Jen Lo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-01.

Method of restoring encapsulated integrated circuit devices

Номер патента: EP1613970A4. Автор: Timothy Calvin Visser,Gary Michael Uhl. Владелец: Smiths Aerospace LLC. Дата публикации: 2006-12-13.

Method of managing electro migration in logic designs and design structure thereof

Номер патента: US20110173583A1. Автор: Jeanne P. S. Bickford,John E. Barwin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-07-14.

Integrated Circuit, Cell Arrangement, Method of Manufacturing an Integrated Circuit, Method of Operating an Integrated Circuit, and Memory Module

Номер патента: US20090285012A1. Автор: Rok Dittrich. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-19.

Method of restoring encapsulated integrated circuit devices

Номер патента: WO2004097893A3. Автор: Timothy Calvin Visser,Gary Michael Uhl. Владелец: Gary Michael Uhl. Дата публикации: 2005-04-28.

Method of restoring encapsulated integrated circuit devices

Номер патента: WO2004097893A2. Автор: Timothy Calvin Visser,Gary Michael Uhl. Владелец: Smiths Aerospace, Inc.. Дата публикации: 2004-11-11.

Method of restoring encapsulated integrated circuit devices

Номер патента: EP1613970A2. Автор: Timothy Calvin Visser,Gary Michael Uhl. Владелец: Smiths Aerospace LLC. Дата публикации: 2006-01-11.

Method of managing electro migration in logic designs and design structure thereof

Номер патента: US20130332895A1. Автор: John E. Barwin,Jeanne S. BICKFORD. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-12.

Internal voltage monitoring for integrated circuit devices

Номер патента: US09804207B1. Автор: Austin H. Lesea. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor integrated circuit device including a leakage current sensing unit and method of operating the same

Номер патента: US09460786B2. Автор: Seok Joon KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor integrated circuit device including a leakage current sensing unit and method of operating the same

Номер патента: US09455032B2. Автор: Seok Joon KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Hotspot avoidance method of manufacturing integrated circuits

Номер патента: US20240378362A1. Автор: Kei-Wei Chen,William Weilun HONG,I-Shuo Liu,Chih Hung Chen,Chih-Chun Hsia,Hsin-Ting Chou,Kuanhua Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Method of manufacture of the laminated paper of the high density and with the high oxygen permeability and the paper of the high-density produced by this method

Номер патента: RU2299812C2. Автор: Кнут Магне ФУРУХЕЙМ. Владелец: Кнут Магне ФУРУХЕЙМ. Дата публикации: 2007-05-27.

Method of manufacturing a product of complex form based on hybrid composite matrix

Номер патента: RU2670869C1. Автор: Иван Соломонович Пятов,Сергей Викторович Ладанов,Андрей Александрович Степашкин,Юлия Ибремовна Врублевская,Ксения Вячеславовна Шапошникова. Владелец: Иван Соломонович Пятов. Дата публикации: 2018-10-25.

Method of sliding bearing manufacturing

Номер патента: RU2741972C2. Автор: Владимир Васильевич Быков,Вениамин Семенович Найман,Виктор Юрьевич Прохоров,Никита Владиславович Синюков,Сергей Васильевич Тащилов. Владелец: Виктор Юрьевич Прохоров. Дата публикации: 2021-02-01.

Method of manufacturing stand for toothpicks, method of manufacturing holder for toothpicks, method of manufacturing guide for toothpick and method of manufacturing bearing surfaces of toothpick

Номер патента: RU2463938C1. Автор: Александр Иванович Максимов. Владелец: Александр Иванович Максимов. Дата публикации: 2012-10-20.

Method of manufacture of rubber composition, rubber composition and tire

Номер патента: RU2668919C1. Автор: Ясуси ЯМАГИСИ. Владелец: Бриджстоун Корпорейшн. Дата публикации: 2018-10-04.

Method of manufacture of the plastic container for liquids

Номер патента: RU2286879C1. Автор: . Владелец: Шютц Гмбх Унд Ко. Кгаа. Дата публикации: 2006-11-10.

Method of manufacture of the molded laminated formed component and the press used in the method

Номер патента: RU2270756C2. Автор: ВИНТЕР Хюго ДЕ,Иван ВАНЛЮЧЕН. Владелец: Ректисель. Дата публикации: 2006-02-27.

Method of manufacture of a rubber coating

Номер патента: RU2250915C2. Автор: кин В.Ф. Мит,В.Ф. Митякин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Фабрика резиновых покрытий "МАСТЕРФАЙБР". Дата публикации: 2005-04-27.

Method of manufacture of mineral fiber

Номер патента: RU2747186C2. Автор: Себастьен БРОНЬЕ,Гийом ГЕРИ. Владелец: СЭН-ГОБЭН ИЗОВЕР. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor integrated circuit device and method of designing thereof

Номер патента: US20070240087A1. Автор: Hiroshige Fujii,Fujio Ishihara,Toshihiko Himeno,Ryubi Okuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-11.

Method of manufacturing an extreme ultraviolet (euv) mask and the mask manufactured therefrom

Номер патента: US20160161838A1. Автор: Ming-Yun Chen,Chia-Hao Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

Probe card for testing semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010015650A1. Автор: Masahiro Tanaka,Yoshihiro Kashiba,Shigeki Maekawa,Yoshinori Deguchi,Megumi Takemoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-08-23.

Thin Gage Open Loop System Cards and Method of Manufacture

Номер патента: US20130341408A1. Автор: Michael J. Hale,Peter A. Pyhrr. Владелец: PAP Investments Ltd. Дата публикации: 2013-12-26.

Design method for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6785876B2. Автор: Kazuyoshi Takemura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-31.

Fabric-based rfid tags and methods of manufacture

Номер патента: EP4402606A1. Автор: Daniel Smith,Mohammed RAMZAN. Владелец: Sml Brand Identification Solutions Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Design method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060095875A1. Автор: Yasuyoshi Noguchi,Kei Mohara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-05-04.

Ultrasound transducer array architecture and method of manufacture

Номер патента: US12109591B2. Автор: James Wilson Rose,Warren Lee,Kevin Mathew Durocher. Владелец: GE Precision Healthcare LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Method of manufacturing an extreme ultraviolet (EUV) mask and the mask manufactured therefrom

Номер патента: US09817307B2. Автор: Ming-Yun Chen,Chia-Hao Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of designing layout of integrated circuit and method of manufacturing integrated circuit

Номер патента: US09436792B2. Автор: Tae-Joong Song,Seung-Young Lee,Sang-hoon BAEK,Sang-Kyu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of integrated control of rail joint weld quality

Номер патента: RU2698510C1. Автор: Валерий Сергеевич Фадеев,Николай Михайлович Паладин,Евгений Николаевич Емельянов,Николай Александрович Семашко,Анастасия Николаевна Атапина,Дмитрий Евгеньевич Егоров,Татьяна Евгеньевна Флянтикова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Информационные технологии" (ООО "ИнфоТех"). Дата публикации: 2019-08-28.

Method of manufacturing or repairing a part of a rotary machine, as well as a part manufactured or repaired using such a method

Номер патента: RU2749240C2. Автор: Робин РЕТТБЕРГ,Бруно МАРОЧЧА. Владелец: Зульцер Мэнэджмент Аг. Дата публикации: 2021-06-07.

Method and device for integrated volumetric fire extinguishing in air-tight manned objects, mainly submarines

Номер патента: RU2600716C1. Автор: Василий Александрович Петров,Вадим Сергеевич Михайленко,Дмитрий Олегович Семенов,Владимир Алексеевич Михеев,Игорь Владимирович Капустин,Игорь Викторович Кротов,Алексей Прокопович Прасолин. Владелец: Открытое акционерное общество "Ассоциация разработчиков и производителей систем мониторинга". Дата публикации: 2016-10-27.

Method of manufacture of an absorbent soundproofing element and absorbent soundproofing element of automobile panelling

Номер патента: RU2744359C2. Автор: Фолькмар ШУЛЬЦЕ,Норберт НИКОЛАЙ,Хельмут БЕККЕР,Фолькер КУРШ,Маурицио ТАРЕЛЛО. Владелец: Адлер Пельцер Холдинг Гмбх. Дата публикации: 2021-03-05.

Method of manufacturing fiber-reinforced foam blocks and slabs, line for manufacturing fiber-reinforced foam blocks and slabs

Номер патента: RU2678458C1. Автор: Михаил Михайлович Бирюков,Анатолий Борисович Шмаков,Евгений Петрович Афанасьев. Владелец: Российская Федерация в лице Министерства промышленности и торговли Российской Федерации (МИНПРОМТОРГ РОССИИ). Дата публикации: 2019-01-29.

Manufacturing method of the component with abradable coating

Номер патента: RU2646656C2. Автор: Лоран ФЕРРЕ. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2018-03-06.

Integrated connecting rod and method of its manufacture

Номер патента: RU2653822C2. Автор: Бенуа БОВЕРУ,Даниель ДАРДЕН. Владелец: Бд Инвент Са. Дата публикации: 2018-05-14.

Method of assembling an ionizing radiation source

Номер патента: RU2739280C1. Автор: Дмитрий Владимирович Будников,Николай Валентинович Завьялов,Алексей Иванович Морев,Владимир Борисович Гречушкин,Вячеслав Алексеевич Деманов,Сергей Александрович Картанов,Юрий Михайлович Лимарь,Андрей Владимирович Машагин,Игорь Юрьевич Дроздов,Ирина Алексеевна Горшкова,Карлен Гагикович Плузян,Владимир Павлович Завалюев. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2020-12-22.

System and method of localizing failures when determining angular spatial position of aircraft

Номер патента: RU2692743C2. Автор: Джон Р. МОРРИСОН,Марк А. АЛЬБРЕХТ,Майкл Р. ИБИС. Владелец: Ханивелл Интернешнл Инк.. Дата публикации: 2019-06-26.

Method of manufacture of the double-layer reinforced concrete products

Номер патента: RU2288843C1. Автор: Тол Амирович Хежев,Толя Амирович Хежев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2006-12-10.

Layered structure with barrier layer, garment with the said layered structure and method of manufacture this layered structure

Номер патента: RU2462966C1. Автор: Александер ЦАГГЛЬ,Хольгер ЦОУДЛИК,Хельмут КЛУГ. Владелец: В.Л. Гор Энд Эсошиейтс Гмбх. Дата публикации: 2012-10-10.

Manufacturing method of stator component (versions)

Номер патента: RU2362886C2. Автор: Ян ЛУНДГРЕН,Матс ХАЛЛЬКВИСТ. Владелец: Вольво Аэро Корпорейшн. Дата публикации: 2009-07-27.

Method of manufacture of combined polyurethane-rubber tire

Номер патента: RU2340458C2. Автор: Хаи ЖАНГ,Юхуа ЙИ,Тиеджун МА. Владелец: Гуангжоу Скут Бестри Ауто Ко., Лтд.. Дата публикации: 2008-12-10.

Method of generating numerical pseudocores using borehole images, digital rock samples, and multi-point statistics

Номер патента: RU2444031C2. Автор: Туаньфен ЧЖАН,Вейшу ЧЖАО,Нейл Фрэнсис ХЕРЛИ. Владелец: Шлюмбергер Текнолоджи Б.В.. Дата публикации: 2012-02-27.

Sound-absorbing material, the sound-absorbing mats, the method of manufacture of the sound-absorbing material, application of the straw in the capacity of the sound-absorbing material

Номер патента: RU2309965C2. Автор: Аксель Г. ШМИДТ. Владелец: Аксель Г. ШМИДТ. Дата публикации: 2007-11-10.

Method of manufacturing abrasive non-woven fabric

Номер патента: RU2347024C2. Автор: Михаэль ШВАРЦМАН,Юваль БЕРЕНСТЕЙН,Нахми СЕГАЛ. Владелец: Н.Р. Спантек Индастриес Лтд.. Дата публикации: 2009-02-20.

Manufacturing method of bath

Номер патента: RU2651859C1. Автор: Вадим Евгеньевич Казанцев. Владелец: Вадим Евгеньевич Казанцев. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of manufacture of the plastic containers for liquids

Номер патента: RU2302339C2. Автор: . Владелец: Протехна С.А.. Дата публикации: 2007-07-10.

Method of manufacturing stabilizing bar supplied with rubber sleeve and rubber sleeve stabilizing bar therewith

Номер патента: RU2669764C2. Автор: Дайсуке ХИГУТИ,Ёхэй ОКАДА,Такуя МАЦУДА. Владелец: Мицубиси Стил Мфг. Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-10-15.

METHOD OF MANUFACTURING FUNCTIONAL MATERIAL WITH REVERSIBLE SHAPE MEMORY FROM TiNi-TiCu INTERMETALLIC SYSTEM QUASI-BINARY ALLOY (EMBODIMENTS)

Номер патента: RU2692711C1. Автор: Николай Николаевич Ситников,Александр Васильевич Шеляков,Кирилл Анатольевич Бородако,Алексей Павлович Менушенков,Дина Викторовна Шейфер. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2019-06-26.

Film, sheet of the laminated material and the methods of their manufacture

Номер патента: RU2319615C2. Автор: Кеннет Л. ЛИЛЛИ,Лэрри Хьюи МаКЭМИШ. Владелец: Клоупэй Плэстик Продактс Компани, Инк.. Дата публикации: 2008-03-20.

Machine and method of manufacture of logs of paper material

Номер патента: RU2745969C1. Автор: Фабио ПЕРИНИ. Владелец: ФУТУРА С.п.а.. Дата публикации: 2021-04-05.

Method of manufacturing a sector of a drawing of a sector vulcanization mold press form for tires of vehicles and a vulcanizing press form and a tire for vehicle

Номер патента: RU2663162C1. Автор: Карстен ВЕНЦЕЛЬ,Магнус ХАССЕЛЛЁВ. Владелец: КОНТИНЕНТАЛЬ РАЙФЕН ДОЙЧЛАНД ГМБХ. Дата публикации: 2018-08-01.

Method of manufacturing current products of different types

Номер патента: RU2675139C1. Автор: Лусио АРРЕДОНДО. Владелец: Бритиш Американ Тобакко Мексико,С.А. Де С.В.. Дата публикации: 2018-12-17.

Head for immobilizing microorganisms at biological cleaning of sewage water and method of its manufacture

Номер патента: RU2259960C1. Автор: Николай Николаевич Васильченко,Виктор Романович Дядюшко,Виталий Андреевич Заярнюк,Юрий Николаевич Киреев,Сергей Александрович Ковригин,Николай Иванович Наумов,Николай Владимирович Пискунов,Константин Кириллович Савченко,дюшко Виктор Романович Д,рнюк Виталий Андреевич За. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью Предприятие Материально-Технического Снабжения "Спецснаб" (Ооо Пмтс "Спецснаб"). Дата публикации: 2005-09-10.

Method of manufacturing of warm footwear from felt

Номер патента: RU2664236C1. Автор: Елена Александровна Кирсанова,Ирина Николаевна Леденёва,Богдан Петрович Зарицкий. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Российский государственный университет им. А.Н. Косыгина (Технологии. Дизайн. Искусство)". Дата публикации: 2018-08-15.

Method of manufacturing a staircase volumetric module

Номер патента: RU2747028C1. Автор: Александр Сергеевич Мещеряков,Сергей Александрович Амбарцумян. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «Комбинат Инновационных Технологий-МонАрх». Дата публикации: 2021-04-23.

Liquid-permeable device, refrigerator and method of manufacture of such device

Номер патента: RU2644593C1. Автор: Минь Ли,Эньвэй ДИН,Госинь ЮЙ,Вэйин ЧЖАН,Айминь ВАН,Юншэн СУНЬ,Жуйтао ТАО. Владелец: Циндао Хайер Джойнт Сток Ко., Лтд. Дата публикации: 2018-02-13.

Apparatus for manufacturing a rod of aerosol generating material, methods of manufacturing a rod of aerosol generating material and methods of manufacturing an article for an aerosol provision system

Номер патента: WO2023118857A3. Автор: John Richardson,Barry DIMMICK. Владелец: Nicoventures Trading Limited. Дата публикации: 2023-08-10.

Method of defining an intensity selective exposure photomask

Номер патента: US20140170537A1. Автор: Ru-Gun Liu,George Liu,Kuei Shun Chen,Chih-Yang Yeh,Te-Chih Huang,Yao-Ching Ku,Shu-Chen Lu,Tsai-Sheng Gau,Wen-Hao Liu,Tsong-Hua Ou,Ying-Chou Cheng,Yu Lun Liu,Wen-Chun Huang,Boren Luo,Yu-Po Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

Integrated circuit having memory array including ecc and/or column redundancy, and method of programming, controlling and/or operating same

Номер патента: WO2008002513A2. Автор: Anant Pratap Singh. Владелец: Innovative Silicon S.A.. Дата публикации: 2008-01-03.

Touch control display panel, method of manufacturing the same, driving method, and display device

Номер патента: US20170177143A1. Автор: Lei Wang,WEI Liu,Xue Dong,Xiaochuan Chen,Rui Xu,Haisheng Wang,Yingming Liu,Changfeng LI,Shengji Yang,Weijie Zhao,Xiaoliang DING,Hongjuan Liu. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-22.

System and method of running application integrations in a serverless cloud environment

Номер патента: WO2024108342A1. Автор: Yu Zhao,Yongjia Luo,Jinrong LUO. Владелец: Huawei Cloud Computing Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-30.

Thin-film magnetic head material and method of manufacturing same and method of manufacturing thin-film magnetic head

Номер патента: US20010023030A1. Автор: Yoshitaka Sasaki,Hiroyuki Itoh. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2001-09-20.

Article with embedded rfid labels and methods of manufacture thereof

Номер патента: US20240303458A1. Автор: Puneet KAPOOR,Alok Kapoor. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-12.

Multi-modal layered multi-objective distributed optimization acceleration method for integrated energy system

Номер патента: ZA202310899B. Автор: Likun Hu,Linfei Yin,Wenyu Ding. Владелец: Univ Guangxi. Дата публикации: 2024-06-26.

Semiconductor integrated circuit device and method of regulating output voltage thereof

Номер патента: US09791873B2. Автор: Hirofumi Harada,Shinjiro Kato. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Apparatus for manufacturing compound powder, method of manufacturing iron-boron compound powder by using the apparatus, boron alloy powder mixture, method of manufacturing the boron alloy powder mixture, combined powder structure, method of manufacturing the combined powder structure, steel pipe, and method of manufacturing the steel pipe

Номер патента: US09725789B2. Автор: Kee-Seok Nam,Jung-Dae Kwon,Jong-Joo RHA,Hee-Chan Ahn,Tae-Su Lim. Владелец: KMT CO Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of manufacturing laminated packaging material and laminated packaging material

Номер патента: RU2676426C2. Автор: Петер ЭМАН. Владелец: ТЕТРА ЛАВАЛЬ ХОЛДИНГЗ ЭНД ФАЙНЭНС С.А.. Дата публикации: 2018-12-28.

Method of manufacture of a noise absorbing material

Номер патента: RU2745020C1. Автор: Татьяна Алексеевна Биспен,Дмитрий Дмитриевич Молдавский,Сергей Прокопьевич Бардаханов,Владимир Николаевич Говердовский,Чен-Мён Ли. Владелец: Владимир Николаевич Говердовский. Дата публикации: 2021-03-18.

Method of manufacturing cellulose surgical cotton

Номер патента: RU2675219C1. Автор: Юрий Григорьевич Вавилов,Вячеслав Александрович Лашков,Марат Наильевич Ахлямов,Вера Юрьевна Никонова,Радик Ильясович Шакиров,Олег Викторович Нестеров,Наталья Сергеевна Кореева. Владелец: Вячеслав Александрович Лашков. Дата публикации: 2018-12-17.

Method of manufacturing channel charge of mixed rocket solid fuel secured with casing

Номер патента: RU2673917C1. Автор: Андрей Владимирович Литвинов,Андрей Валерьевич Курбатов,Владимир Васильевич Кодолов,Игорь Иванович Анисимов,Николай Михайлович Карманов,Евгений Алексеевич Чащихин. Владелец: Акционерное общество "Федеральный научно-производственный центр "Алтай". Дата публикации: 2018-12-03.

Method of manufacturing splint for lower jaw

Номер патента: RU2683895C1. Автор: Сергей Егорович Жолудев,Олег Валентинович Сиваев,Денис Сергеевич Жолудев. Владелец: Олег Валентинович Сиваев. Дата публикации: 2019-04-02.

Method of processing a polymer blank for use in a joint prosthesis

Номер патента: RU2695170C1. Автор: Хельмут Д. ЛИНК,Карстен ШЕТТЛЕР. Владелец: Вальдемар Линк Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2019-07-22.

Method of manufacturing absorbing core, which has multitude of first areas and second area, surrounding each of first areas

Номер патента: RU2494713C2. Автор: Иваир Луис ДУАРТЕ,Франсиску Антонью РИМОЛИ,КАРВАЛЬЮ Антонью Карлос Рибейру ДЕ,Мария Марсия Р. Кальдас САЛЛЕС,Марсия Элена Тейшейра ФАЖОЛЛИ. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Индустриал Лтда. Дата публикации: 2013-10-10.

Method of container manufacture for content of substance to be delivered by air pump, and container obtained by this method

Номер патента: RU2634884C2. Автор: Маттео МОРЕТТИ. Владелец: ЛУМСОН С.п.А.. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of manufacturing oil-saturated rocks or asphaltenes petrographic sections

Номер патента: RU2662519C1. Автор: Лилия Владимировна Музалевская,Олег Юрьевич Андрушкевич. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского". Дата публикации: 2018-07-26.

Method of manufacture of container casing for tuk with casing from high-duty cast iron with globular graphite

Номер патента: RU2646852C1. Автор: Илья Романович Шегельман,Алексей Сергеевич Васильев,Александр Натанович Капилевич,Вадим Александрович Тряпичкин,Дмитрий Михайлович Богданов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Петрозаводский государственный университет". Дата публикации: 2018-03-12.

Method of manufacturing small-sized nuclear cells with alkali metal atom vapors

Номер патента: RU2676296C1. Автор: Владимир Леонидович Величанский,Алексей Борисович Егоров,Рафаил Ионович Фишман,Дмитрий Сергеевич Чучелов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Атомикс". Дата публикации: 2018-12-27.

Method of manufacture of therapeutic individual orthotics

Номер патента: RU2665955C2. Автор: Артур Витович Жиурис. Владелец: Артур Витович Жиурис. Дата публикации: 2018-09-05.

Method of manufacturing quartz light guide preform

Номер патента: RU2649989C1. Автор: Алексей Юрьевич КУЛЕШ,Петр Андреевич Злобин,Сергей Валерьевич УСТИНОВ,Иван Анатольевич Клочков. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное объединение Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова" (АО "НПО ГОИ им. С.И. Вавилова"). Дата публикации: 2018-04-06.

Method of manufacturing flat products from hafnium-containing alloy based on titanium

Номер патента: RU2675011C1. Автор: Михаил Юрьевич Корниенко,Нина Васильевна Нестерова,Сергей Юрьевич Осипов,Владислав Константинович Орлов. Владелец: Акционерное общество "Высокотехнологический научно-исследовательский институт неорганических материалов имени академика А.А. Бочвара". Дата публикации: 2018-12-14.

Method for integrity check of intervals of casing string for installation of cement bridge in wells for liquidation

Номер патента: RU2702045C2. Автор: Максим Вячеславович Волков,Мохаммад Абшенас. Владелец: Ооо "Сонограм". Дата публикации: 2019-10-03.

Method of manufacturing small-sized finned sheet parts

Номер патента: RU2682580C1. Автор: Алексей Анатольевич Васильев,Валерий Михайлович Левшаков,Роман Петрович Животовский,Михаил Николаевич Зеленин,Павел Дмитриевич Метелкин,Виталий Вячеславович Степанов. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России). Дата публикации: 2019-03-19.

Method of manufacturing sterilised and calibrated medical device based on biosensor (versions)

Номер патента: RU2357759C2. Автор: Мария ТЕОДОРЧИК. Владелец: Лайфскен, Инк.. Дата публикации: 2009-06-10.

Method of manufacture of surface structure on press tool by depositing metal layers

Номер патента: RU2659953C2. Автор: Вольфганг ШТОФФЕЛЬ,Мартин МАРКСЕН. Владелец: Хуек Райнише Гмбх. Дата публикации: 2018-07-04.

Pultruded method of production of continuous profile

Номер патента: RU2446948C2. Автор: Михель БЕХТОЛЬД. Владелец: Эйрбас Оперэйшнз Гмбх. Дата публикации: 2012-04-10.

Method of manufacturing decorative panel “facade system”

Номер патента: RU2661814C1. Автор: Григорий Сергеевич Джелаухов. Владелец: Григорий Сергеевич Джелаухов. Дата публикации: 2018-07-19.

Driving belt and the method of manufacture

Номер патента: RU2272711C2. Автор: Крэйг КОПАНГ. Владелец: Дзе Гейтс Корпорейшн. Дата публикации: 2006-03-27.

Method of manufacturing fiber-reinforced thermoplastic composite structure with ultrasound exposure and uhf electromagnetic field

Номер патента: RU2675563C1. Автор: Николай Валерьевич Бекренев,Ирина Владимировна Злобина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.). Дата публикации: 2018-12-19.

Method of manufacturing of the antifriction bearing with antifriction filler

Номер патента: RU2654893C1. Автор: Олег Владиславович Любимов,Сергей Владимирович Герасименко. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кузбасский государственный технический университет имени Т.Ф. Горбачева" (КузГТУ). Дата публикации: 2018-05-23.

Method of authenticating and manufacturing quality of protective holograms made based on diffraction microstructures, and device for implementation thereof

Номер патента: RU2722335C1. Автор: Михаил Викторович Максимов,Виктор Павлович Бессмельцев,Вадим Викторович Вилейко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения Российской академии наук (ИАиЭ СО РАН). Дата публикации: 2020-05-29.

Shoe insert for footwear and method of manufacturing it

Номер патента: RU2743545C1. Автор: Юрий Олегович Фомушкин. Владелец: Юрий Олегович Фомушкин. Дата публикации: 2021-02-19.

Gypsum plasterboard with perforated cover sheet and system and method of its manufacture

Номер патента: RU2748593C2. Автор: Роналд Э. ШЕНК,Дейл М. ШУБЕРТ,Томас Грегори РОУЛЕНД,Джон Меттью ВИЛЛИ. Владелец: Юнайтед Стейтс Джипсэм Компани. Дата публикации: 2021-05-27.

Method of manufacture of paper with transparent sites and paper with transparent sites, manufactured by this method

Номер патента: RU2639809C1. Автор: Андрей Борисович Курятников,Аркадий Владимирович Трачук,Александр Игоревич Мочалов,Игорь Васильевич Павлов,Николай Васильевич Хомутинников,Георгий Валентинович Корнилов,Елена Михайловна Федорова,Михаил Анатольевич Остреров,Игорь Олегович Говязин,Валентина Владимировна Боброва,Елена Михайловна Ермакова. Владелец: Акционерное общество "ГОЗНАК". Дата публикации: 2017-12-22.

Method of manufacturing a spherical rotor of a cryogenic gyroscope

Номер патента: RU2680261C1. Автор: Сергей Александрович Кузнецов,Егор Александрович Махаев,Антон Решатович Дубровский,Максим Александрович Окунев,Людмила Петровна Рябова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный исследовательский центр "Кольский научный центр Российской академии наук" (ФИЦ КНЦ РАН). Дата публикации: 2019-02-19.

Method of manufacturing laminate containing from the bearing plate and decorative paper

Номер патента: RU2681864C1. Автор: Норберт КАЛЬВА. Владелец: Флуринг Текнолоджис Лтд.. Дата публикации: 2019-03-13.

Manufacturing method of knitted berets

Номер патента: RU2715878C1. Автор: Юлия Геннадиевна Фомина,Владимир Михайлович Апарин. Владелец: Владимир Михайлович Апарин. Дата публикации: 2020-03-03.

Strip of holes and method of its manufacture

Номер патента: RU2745955C1. Автор: Марк ВАЙНШТОК. Владелец: Зарстедт Аг Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2021-04-05.

Method of manufacture of multisegment filtering rods

Номер патента: RU2527709C1. Автор: Ханс-Райнер ХОФФМАНН. Владелец: Интернэшнл Тобакко Машинери Поланд Сп. з о.о.. Дата публикации: 2014-09-10.

Method of manufacture of products by method of casting and device for its implementation

Номер патента: RU2646907C1. Автор: Михаил Андреевич Гарькуша. Владелец: Михаил Андреевич Гарькуша. Дата публикации: 2018-03-12.

Method of manufacturing a heat-resistant filled high density foam

Номер патента: RU2651156C1. Автор: Евгений Владимирович Седов,Ирина Юрьевна Андреева,Галина Васильевна Котко. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики имени академика Е.И. Забабахина". Дата публикации: 2018-04-18.

Method of manufacturing decorative item and set for manufacturing decorative item

Номер патента: RU2628963C1. Автор: Борис Маркович Кац. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ПАННА". Дата публикации: 2017-08-23.

Method of manufacturing supporting substrate and led display device

Номер патента: RU2591771C1. Автор: Ся ЛАНЬ. Владелец: Бейджин Глукс Криэйтив Текнолоджи Ко., Лтд. Дата публикации: 2016-07-20.

Method of manufacturing sensitive element of cryogenic gyroscope

Номер патента: RU2678707C1. Автор: Сергей Львович Левин,Василий Васильевич Святый,Александр Григорьевич Щербак,Ольга Сергеевна Юльметова,Маргарита Алексеевна Туманова,Людмила Петровна Рябова. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2019-01-31.

Fine fiber compositions, methods for preparation thereof, and a method of manufacturing fine-fiber material

Номер патента: RU2300543C2. Автор: Марк А. ГОГИНС,Томас М. УИК,Ху Й. ЧАНГ,Джон Р. Б. ХОЛЛ,Дуглас Г. КРОФУТ. Владелец: Дональдсон Компани, Инк.. Дата публикации: 2007-06-10.

Coated panel and method of manufacturing coated panel

Номер патента: RU2712992C1. Автор: Дитер ДЁРИНГ,Манфред БИЛЕР. Владелец: Ксило Текнолоджиз АГ. Дата публикации: 2020-02-03.

Geotextile cementing shell and method of its manufacture

Номер патента: RU2632887C1. Автор: Виталий Васильевич Пронь,Сергей Михайлович Вострокнутов. Владелец: Сергей Михайлович Вострокнутов. Дата публикации: 2017-10-11.

Form of rotor blade for manufacturing rotor blade of wind power plant and method of its manufacture

Номер патента: RU2538798C2. Автор: Штефан ХАРМС,Уве КОЛЬБЕ,Торстен ОФЕРЛАНДЕР. Владелец: Воббен Пропертиз Гмбх. Дата публикации: 2015-01-10.

Method of manufacture of ventilation blocks

Номер патента: RU2653170C1. Автор: Владимир Николаевич Нешта. Владелец: Владимир Николаевич Нешта. Дата публикации: 2018-05-07.

Method of manufacturing turbo machine housing of composite material and relevant hosing

Номер патента: RU2637282C2. Автор: Сильвен КОРРАДИНИ,Тимоте ЕЛИССЕЕФФ. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2017-12-01.

Method of manufacture of model of multi-stage aircraft

Номер патента: RU2639041C1. Автор: Николай Павлович Шоромов. Владелец: Николай Павлович Шоромов. Дата публикации: 2017-12-19.

Low-dielectric phosphorus-containing polyester composite and method of manufacturing the same

Номер патента: US9790361B2. Автор: Tung-Ying Hsieh,Qi Shen,Jung-Che Lu,Ti-Kai YU. Владелец: Jiangsu Yoke Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

METHOD AND SYSTEM FOR ALIGNMENT OF INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20120001340A1. Автор: . Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

Process of manufacture of self-aligned built-in copper metallization of in tegrated circuits

Номер патента: RU2230391C2. Автор: С.Н. Орлов,А.С. Валеев. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2004-06-10.

Method of and apparatus for the manufacture of electrodes for galvanic cells

Номер патента: CA589200A. Автор: Salauze Jean. Владелец: SAFT Societe des Accumulateurs Fixes et de Traction SA. Дата публикации: 1959-12-22.

Improvements in or relating to methods of relatively fixing metallic objects, more particularly electrodes for cathode-ray tubes

Номер патента: AU210070B2. Автор: Harnois and Franciscus Antonius Jacobs Harm. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1957-05-16.

Method of relatively fixing metallic objects, more particularly electrodes for cathode-ray tubes

Номер патента: CA623117A. Автор: Harhuis Harm,A. Jacobs Franciscus. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1961-07-04.

Improvements in or relating to methods of relatively fixing metallic objects, more particularly electrodes for cathode-ray tubes

Номер патента: AU2320856A. Автор: Harnois and Franciscus Antonius Jacobs Harm. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1957-05-16.

TOUCH SCREEN SENSOR INTEGRATED CIRCUITS, METHODS OF OPERATING THE SAME, AND SYSTEMS HAVING THE TOUCH SCREEN SENSOR INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20130063396A1. Автор: KIM Ki-Duk,CHOI Yoon Kyung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-03-14.

METHODS OF MANUFACTURING SELF ALIGNED BURIED CONTACT ELECTRODES FOR VERTICAL CHANNEL TRANSISTORS

Номер патента: US20120149184A1. Автор: Park Jongchul,Kim Jinyoung,Jeong Sangsup. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-14.

A method of manufacturing carborundum rod or tubular electrodes for arc cutting and welding metals

Номер патента: SU77289A1. Автор: К.А. Караянопуло. Владелец: . Дата публикации: 1975-04-15.

Process of manufacture of original of topological pattern of large-scale integration circuit

Номер патента: SU1075867A1. Автор: Н.Г. Полякова,Э.И. Точицкий,Э.И. Погоцкий. Владелец: Институт электроники АН БССР. Дата публикации: 1996-11-27.

Preparation method of MQ branched-chain modified silicon resin polymer for large-scale integrated circuit package

Номер патента: CN104804192A. Автор: 薛中群,惠正权,熊诚,宋坤忠. Владелец: JIANGSU SANMU CHEMICAL CO Ltd. Дата публикации: 2015-07-29.

Integration method of high-integration high-reliable controllable working-temperature thin-film hybrid integrated circuit

Номер патента: CN102522412A. Автор: 杨成刚,苏贵东. Владелец: Guizhou Zhenhua Fengguang Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-27.

Method of electroanesthesia of postoperational stomatologic patients and electrode for its realization

Номер патента: SU1079252A1. Автор: Рубен Ашотович Дуринян,Виталий Кузьмич Решетняк,Олег Николаевич Московец,Владимир Александрович Яковлев,Александр Сергеевич Прокудин,Владимир Федорович Рудько,Алексей Федорович Бизяев,Игорь Александрович Шугаилов,Николай Иванович Ивенскии. Владелец: Московский Ордена Трудового Красного Знамени Медицинский Стоматологический Институт Им.Семашко Н.А.. Дата публикации: 1984-03-15.

Method of monitoring wear degree of surface of electrode for contact spot welding

Номер патента: SU1006131A1. Автор: Яков Соломонович Напельбаум,Глеб Николаевич Дьяков. Владелец: Всесоюзный Научно-Исследовательский,Проектно-Конструкторский И Технологический Институт Электросварочного Оборудования. Дата публикации: 1983-03-23.

Preparation method of fluoride removal electric adsorption lanthanum-loaded electrode for drinking water and fluoride removal electrode

Номер патента: CN103641201A. Автор: 冯晶,王毅力,文双喜,孙文童. Владелец: Beijing Forestry University. Дата публикации: 2014-03-19.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY SYSTEM, MEMORY TEST SYSTEM AND METHOD OF TESTING MEMORY SYSTEM AND MEMORY TEST SYSTEM

Номер патента: US20120002495A1. Автор: SUH Sung-Dong,HA Kyoung-Ho,Song Ki-Jae,KIM Seong-gu,JOE In-sung,Cho Soo-Haeng,Kim Yeoung-kum. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, RADIOLOGICAL IMAGING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD OF TESTING SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120001081A1. Автор: . Владелец: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE ELECTRODE AND GATE CONTACT PLUG LAYOUTS FOR INTEGRATED CIRCUIT FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20120001271A1. Автор: YAMADA Satoru,Chae Kyo-Suk,CHOI Young-Jin,Kim Wook-Je,HAN Sang-Yeon. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ETCHING SACRIFICIAL LAYER

Номер патента: US20120003835A1. Автор: Yeh Chiu-Hsien,Yang Chan-Lon,Wang Yeng-Peng. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS AND SYSTEMS FOR INTEGRATED INTERROGATION OF RFID SENSORS

Номер патента: US20120001730A1. Автор: Potyrailo Radislav Alexandrovich,Tomlinson,JR. Harold Woodruff,Morris William Guy. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MODULES AND SEMICONDUCTOR MODULE

Номер патента: US20120001349A1. Автор: Suzuki Yoshikazu,KANEKO Takahisa,HARADA Daisuke,ISHIYAMA Hiroshi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Manufacturing Vertical Pin Diodes

Номер патента: US20120001305A1. Автор: Peroni Marco,Pantellini Alessio. Владелец: SELEX SISTEMI INTEGRATI S.P.A.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS OF USE OF TARGETING PEPTIDES FOR DIAGNOSIS AND THERAPY OF HUMAN CANCER

Номер патента: US20120003152A1. Автор: Pasqualini Renata,Arap Wadih,KOLONIN Mikhail G.,Mintz Paul J.,Zurita Amado J.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Electrode Material

Номер патента: US20120001120A1. Автор: Yamakaji Masaki,Miwa Takuya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Antireflective Coatings for Via Fill and Photolithography Applications and Methods of Preparation Thereof

Номер патента: US20120001135A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING DEVICE AND DRIVING METHOD OF PLASMA DISPLAY PANEL, AND PLASMA DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120001882A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEPARATOR FOR AN ELECTRICITY STORAGE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120003525A1. Автор: . Владелец: TOMOEGAWA CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL FOR LITHIUM ION BATTERY, POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL FOR LITHIUM ION BATTERY, ELECTRODE FOR LITHIUM ION BATTERY, AND LITHIUM ION BATTERY

Номер патента: US20120003540A1. Автор: Nakano Masatsugu,YAMAZAKI Akinori. Владелец: Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ACTINIC-RAY- OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION AND METHOD OF FORMING PATTERN USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003585A1. Автор: TSUBAKI Hideaki,Tsuchimura Tomotaka,Yatsuo Tadateru,TSUCHIHASHI Toru,SHIRAKAWA Koji. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF STRETCHING ORGANIC PIEZOELECTRIC MATERIAL, METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC PIEZOELECTRIC MATERIAL, ULTRASONIC TRANSDUCER, ULTRASONIC WAVE PROBE AND ULTRASONIC WAVE MEDICAL IMAGE DIAGNOSIS DEVICE

Номер патента: US20120004555A1. Автор: . Владелец: Konica Minolta Medical & Graphic, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Field emission electrode, method of manufacturing the same, and field emission device comprising the same

Номер патента: US20120003895A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of production of nano-fibers

Номер патента: RU2270164C2. Автор: Виктор Яковлевич Принц,Александр Викторович Принц. Владелец: Александр Викторович Принц. Дата публикации: 2006-02-20.

Method of treating fluoroplastic objects

Номер патента: RU2368981C1. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Бийке Алиевна Шангереева,Айшат Расуловна Шахмаева. Владелец: Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2009-09-27.

BUMETANIDE, FUROSEMIDE, PIRETANIDE, AZOSEMIDE, AND TORSEMIDE ANALOGS, COMPOSITIONS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004225A1. Автор: COLLINS Stephen D.,Partridge John J.,Wanaski Stephen. Владелец: NeuroTherapeutics Pharma, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ELECTROLYTIC CERAMIC COATING FOR METAL, ELECTROLYSIS SOLUTION FOR ELECTROLYTIC CERAMIC COATING FOR METAL, AND METALLIC MATERIAL

Номер патента: US20120000783A1. Автор: Konishi Tomoyoshi,Suda Arata. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

MULTI-CHIP PACKAGE WITH THERMAL FRAME AND METHOD OF ASSEMBLING

Номер патента: US20120001314A1. Автор: Schuetz Roland. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD OF ILLUMINATING INTERFEROMETRIC MODULATORS USING BACKLIGHTING

Номер патента: US20120001962A1. Автор: Tung Ming-Hau,Chui Clarence. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Estimation of Traffic Information, Device of Estimation of Traffic Information and Car Navigation Device

Номер патента: US20120004836A1. Автор: . Владелец: Xanavi Informatics Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing interconnections for semiconductor devices

Номер патента: RU2593415C1. Автор: Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Евгений Александрович Лебедев,Борис Николаевич Рыгалин,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2016-08-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING INORGANIC PEROVSKITE NANOWHISKERS OF CsPbBr3 TYPE

Номер патента: RU2705082C1. Автор: Сергей Владимирович Макаров,Анатолий Петрович Пушкарев,Дарья Игоревна Маркина,Вячеслав Игоревич Королёв. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет ИТМО" (Университет ИТМО). Дата публикации: 2019-11-01.

Manufacturing method of electrodes for biological potentials removal

Номер патента: RU2342070C1. Автор: Любовь Валентиновна Лабутина,Дмитрий Николаевич Самсонов,Александр Иванович Панаков,Дмитрий Николаевич Самсонов (RU),Александр Иванович Панаков (RU),Любовь Валентиновна Лабутина (RU). Владелец: Александр Иванович Панаков. Дата публикации: 2008-12-27.

Field emission microtriode and method of manufacture

Номер патента: RU2360321C2. Автор: Николай Иванович Татаренко. Владелец: Николай Иванович Татаренко. Дата публикации: 2009-06-27.

PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000518A1. Автор: Tokioka Hidetada,ORITA Tae,YAMARIN Hiroya. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SYNTHETIC RESIN CAP AND METHOD OF MANUFACTURING SYNTHETIC RESIN CAP

Номер патента: US20120000881A1. Автор: SUDO Nobuo. Владелец: DAIKYO SEIKO, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

STAMPER, METHOD OF MANUFACTURING THE STAMPER, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM MANUFACTURING METHOD USING THE STAMPER

Номер патента: US20120000885A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC EL DISPLAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001186A1. Автор: ONO Shinya,KONDOH Tetsuro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

FREQUENCY SPECIFIC CLOSED LOOP FEEDBACK CONTROL OF INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20120001651A1. Автор: Burr James B.,Koniaris Kleanthes G.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PIEZORESISTIVE DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND PIEZORESISTIVE-TYPE TOUCH PANEL HAVING THE SAME

Номер патента: US20120001870A1. Автор: LEE Kang Won,Lee Seung Seob. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

System For Monitoring Foreign Particles, Process Processing Apparatus And Method Of Electronic Commerce

Номер патента: US20120002196A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003503A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Packaging Electronic Devices and Integrated Circuits

Номер патента: US20120003791A1. Автор: . Владелец: WAFER-LEVEL PACKAGING PORTFOLIO LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003812A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT WAFER DICING METHOD

Номер патента: US20120003817A1. Автор: Lin Ching-San,Wu Kun-Tai,Wang Chih-Chao. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FIELD-PORTABLE IMPEDANCE READER AND METHODS OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20120004851A1. Автор: Potyrailo Radislav Alexandrovich,Morris William Guy,Ashe Jeffrey Michael,Surman Cheryl Margaret. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

Engine systems and methods of operating an engine

Номер патента: US20120000435A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOVOLTAIC MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000506A1. Автор: Kim Dong-Jin,KANG Ku-Hyun,NAM Yuk-Hyun,Lee Jung-Eun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001182A1. Автор: Choi Jong-Hyun,Lee Dae-Woo. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ARRAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE ARRAY SUBSTRATE

Номер патента: US20120001191A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, AND LIGHTING SYSTEM

Номер патента: US20120001196A1. Автор: CHOI Kwang Ki,JEONG Hwan Hee,MOON Ji hyung,LEE Sang Youl,SONG June O,JUNG Se Yeon,SEONG Tae Yeon. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001308A1. Автор: FUKUTANI Keita,NISHIHATA Masayoshi,Mamitsu Kuniaki,Ookura Yasushi,Wado Hiroyuki,Sugiura Syun. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

STATOR FOR ELECTRIC ROTATING MACHINE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001516A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

COORDINATE INPUT APPARATUS, LIGHT RECEIVING APPARATUS OF THE COORDINATE INPUT APPARATUS, AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002217A1. Автор: Kobayashi Katsuyuki,Yoshimura Yuichiro. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Perpendicular Magnetic Write head and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120002326A1. Автор: Matono Naoto,SASAKI Kenji,Mino Tetsuya,Onodera Ikuhito,Nishiyama Kazushi,Tsuchiya Michitoshi. Владелец: SAE Magnetics (H.K.) Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Power control of an integrated circuit memory

Номер патента: US20120002499A1. Автор: Chong Yew Keong,Kinkade Martin Jay,Yeung Gus. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Optical Module, and Optical Printed Circuit Board and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20120002916A1. Автор: . Владелец: LG Innoteck Co., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL WAVEGUIDE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120002931A1. Автор: Watanabe Shinya. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

VIRUS LIKE PARTICLE COMPOSITIONS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120003266A1. Автор: . Владелец: The United States of America,as represented by The Secretary, National Institues of Health. Дата публикации: 2012-01-05.

MANURACTURING METHOD OF EGG WITH EDIBLE COMPOSITION

Номер патента: US20120003368A1. Автор: LEE Hye-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE ASSEMBLY, METHOD OF FABRICATING ELECTRODE ASSEMBLY, AND SECONDARY BATTERY INCLUDING ELECTRODE ASSEMBLY

Номер патента: US20120003506A1. Автор: SHIN Hosik. Владелец: Samsung SDI Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTROPHOTOGRAPHY PHOTORECEPTOR, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTROPHOTOGRAPHY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120003574A1. Автор: Tanaka Yasushi,Nakamura Yoichi,Kitagawa Seizo,EMORI Hiroshi,Ichiyanagi Hiroyuki. Владелец: FUJI ELECTRIC SYSTEMS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING WAX-CONTAINING POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120003581A1. Автор: Yang Xiqiang,Bennett James R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacture of the construction product made out of the foamed concrete and the formwork for the method realization

Номер патента: RU2302943C1. Автор: Михаил Юрьевич Слесарев,Елена Анатольевна Король,Валерий Иванович Теличенко. Владелец: Московский государственный строительный университет. Дата публикации: 2007-07-20.

Method of manufacturing printed circuit board having flow preventing dam

Номер патента: US20120000067A1. Автор: CHOI Jin Won,KIM Seung Wan. Владелец: SAMSUNG ELLECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing composite parts

Номер патента: US20120000597A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTED CIRCUIT BOARD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000697A1. Автор: KIM Kwang Soo,Choi Seog Moon,PARK Sung Keun,Lim Chang Hyun,KANG Jung Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF ARC DETECTION AND SUPPRESSION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000765A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Knuckle Formed Through The Use Of Improved External and Internal Sand Cores and Method of Manufacture

Номер патента: US20120000877A1. Автор: Smerecky Jerry R.,Nibouar F. Andrew,SMITH Douglas. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLAT PANEL DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001534A1. Автор: KIM Tae-Woong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Systems and Methods for Minimizing Static Leakage of an Integrated Circuit

Номер патента: US20120001684A1. Автор: Caplan Randy J.,Schwake Steven J.. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID ELECTROLYTIC CAPACITOR WITH SMALL LEAKAGE CURRENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002350A1. Автор: Suzuki Satoshi,NOBUTA Tomoki,TAKAHASHI Naoki,Nishiyama Toshihiko,Kobayakawa Ryuta. Владелец: NEC TOKlN CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND APPARATUS FOR INTEGRATED CABLE DROP COMPENSATION OF A POWER CONVERTER

Номер патента: US20120002451A1. Автор: . Владелец: POWER INTEGRATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

WAVELENGTH MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002918A1. Автор: . Владелец: FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING OPTICAL WAVEGUIDE

Номер патента: US20120003385A1. Автор: Naito Ryusuke. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING OPTICAL WAVEGUIDE

Номер патента: US20120003393A1. Автор: . Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003570A1. Автор: Devoe Alan,Devoe Lambert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120003769A1. Автор: CHOI Jae-Ho,KIM Sung-Ryul,LEE Czang-Ho,YANG Sung-Hoon,YOON KAP-SOO,Kim Byoung-June,Oh Hwa-Yeul,Choi Yong-Mo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003784A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Regenerating a Polishing Pad Using a Polishing Pad Sub Plate

Номер патента: US20120003903A1. Автор: SUZUKI Eisuke,SUZUKI Tatsutoshi. Владелец: Toho Engineering. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacture of the volumetric structure made out of the composite materials and the volumetric structure produced by this method

Номер патента: RU2288842C2. Автор: Александр Викторович Евдокимов. Владелец: Александр Викторович Евдокимов. Дата публикации: 2006-12-10.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING A DRESSING

Номер патента: US20120001366A1. Автор: . Владелец: BOEHRINGER TECHNOLOGIES, L.P.. Дата публикации: 2012-01-05.

MOLDED ELASTOMERIC FLEXURAL ELEMENTS FOR USE IN A LASER SCANNING ASSEMBLIES AND SCANNERS, AND METHODS OF MANUFACTURING, TUNING AND ADJUSTING THE SAME

Номер патента: US20120002259A1. Автор: Plesko George. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE MANAGEMENT DEVICE, IMAGE MANAGEMENT METHOD, PROGRAM, RECORDING MEDIUM, AND INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20120002881A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

EDIBLE BREAD CUP AND METHOD OF PRODUCTION

Номер патента: US20120003363A1. Автор: Beloff Arthur L.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003571A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DISPLAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND DISPLAY PANEL HAVING THE SAME

Номер патента: US20120003796A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SCREENING METHOD OF ANTI-LUNG OR ESOPHAGEAL CANCER COMPOUNDS

Номер патента: US20120004172A1. Автор: Nakamura Yusuke,Tsunoda Takuya,Daigo Yataro. Владелец: Oncotherapy Science, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS OF DELIVERY OF PHARMACOLOGICAL AGENTS

Номер патента: US20120004177A1. Автор: Trieu Vuong,Desai Neil P.,Soon-Shiong Patrick. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacture of the ballistite solid propellant charge(versions)

Номер патента: RU2300513C2. Автор: Энсар Халиуллович Афиатуллов,Геннадий Васильевич Куценко,Наиль Гумерович Ибрагимов,Эмиль Наилевич Ибрагимов,Владимир Федорович Молчанов,Алексей Васильевич Козьяков,Василий Тихонович Никитин,ков Алексей Васильевич Козь,Лиди Алексеевна Журавлева,Лидия Алексеевна Журавлева,Мария Александровна Печенкина,Мари Александровна Печенкина. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт полимерных материалов". Дата публикации: 2007-06-10.

Method of manufacture of the blasting explosive and the blasting explosive produced by this method

Номер патента: RU2301788C1. Автор: Александр Васильевич Старшинов,Владимир Павлович Ферафонтов,Анатолий Михайлович Казаков,Витольд Понговский,Игорь Анатольевич Ананьин,Александр Юрьевич Глумов,Виктор Рихартович Нейман. Владелец: Владимир Павлович Ферафонтов. Дата публикации: 2007-06-27.

Method of manufacture of the metal-polymeric products of the cylindrical shape

Номер патента: RU2317203C1. Автор: Юрий Константинович Машков,Зиновий Николаевич Овчар. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирская государственная автомобильно-дорожная академия (СибАДИ)". Дата публикации: 2008-02-20.

Method of production of the multilayered panel

Номер патента: RU2317210C1. Автор: Петр Александрович Абрамов,Олег Евгеньевич Котов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2008-02-20.

Method of manufacturing upper edge of belt product

Номер патента: RU2475172C1. Автор: Галина Германовна Харьковская,Елена Ивановна Помазкова,Дарья Викторовна Жукова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Амурский государственный университет". Дата публикации: 2013-02-20.

Method of Making a Combustion Turbine Component Having a Plurality of Surface Cooling Features and Associated Components

Номер патента: US20120000072A9. Автор: James Allister W.,Morrison Jay A.,Merrill Gary B.,Fraser Iain A.,Paulus John R.,Lane Jay E.,Appleby Mike P.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS USING EPITAXIAL DEPOSITION

Номер патента: US20120000511A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

PLATE, HEAT EXCHANGER AND METHOD OF MANUFACTURING A HEAT EXCHANGER

Номер патента: US20120000637A1. Автор: NOËL-BARON Olivier,Vännman Erik. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

MULTI-LAYER PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING SUCH A PANEL

Номер патента: US20120002288A1. Автор: Maass Uwe. Владелец: MUSION SYSTEMS LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002690A1. Автор: Watanabe Hideki,Ikeda Masao,Yokoyama Hiroyuki,Miyajima Takao,Oki Tomoyuki,Kono Shunsuke. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002695A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SINGLE LAYER PHOTORECEPTOR AND METHODS OF USING THE SAME

Номер патента: US20120003578A1. Автор: HEUFT Matthew A.,Klenkler Richard A.,McGuire Gregory. Владелец: XEROX CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPANION ANIMAL COMPOSITIONS INCLUDING PYRUVIC ACID AND SALTS THEREOF AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120004291A1. Автор: Yamka Ryan Michael,Frantz Nolan Zebulon,Zicker Steven C.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Ear Implant Electrode and Method of Manufacture

Номер патента: US20120004715A1. Автор: Ramachandran Anup,Nielsen Stefan B.,Jolly Claude,Zimmerling Martin. Владелец: MED-EL Elektromedizinische Geraete GmbH. Дата публикации: 2012-01-05.

High-speed method of manufacture of building products with high void ratio by volumetric vertical moulding from heterogeneous mixes, building product with high void ratio, process line for manufacture of building products with high void ratio by volumetric vertical moulding from heterogeneous mixes

Номер патента: RU2533475C1. Автор: Дахир Курманбиевич Семенов. Владелец: Дахир Курманбиевич Семенов. Дата публикации: 2014-11-20.

Multilayer product and the method of its manufacture (versions)

Номер патента: RU2298480C1. Автор: Ольга Александровна Савватеева,шова Нина Васильевна Кудр,Нина Васильевна Кудряшова,Тать на Николаевна Щербакова,Татьяна Николаевна Щербакова,Валентина Владимировна Сереженкова,Хайдар Яншович Яншин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный космический научно-производственный центр им. М.В. Хруничева". Дата публикации: 2007-05-10.

Method of manufacture of the deposited metallic catalytic agents (versions)

Номер патента: RU2294240C2. Автор: нин Владимир Александрович Соб,Владимир Александрович Собянин,Денис Владимирович Козлов,Павел Валерьевич Снытников,Юрий Викторович Шубин,Александр Валерьевич Воронцов,Сергей Васильевич Коренев,Анатолий Борисович Венедиктов,Александр Иридиевич Губанов,Кирилл Валерьевич Юсенко. Владелец: Институт неорганической химии имени А.В. Николаева Сибирского отделения Российской Академии наук. Дата публикации: 2007-02-27.

Removable denture and method of its manufacturing

Номер патента: RU2396937C2. Автор: Михаил Юрьевич Огородников,Валерий Викторович Иванов,Юрий Маркович Альтер. Владелец: Юрий Маркович Альтер. Дата публикации: 2010-08-20.

Method of production of knitted goods with specified structural parameters of web

Номер патента: RU2514814C2. Автор: Ипполит Георгиевич Цитович,Фоат Фагимович Комаров,Надежда Владимировна Галушкина. Владелец: Открытое акционерное общество "Альметьевская чулочно-носочная фабрика "Алсу". Дата публикации: 2014-05-10.

Method of manufacture of the blasting explosive and the blasting explosive produced by this method

Номер патента: RU2301789C1. Автор: Александр Васильевич Старшинов,Владимир Павлович Ферафонтов,Анатолий Михайлович Казаков,Витольд Понговский,Игорь Анатольевич Ананьин,Александр Юрьевич Глумов,Виктор Рихартович Нейман. Владелец: Владимир Павлович Ферафонтов. Дата публикации: 2007-06-27.

Ice and/or snow acetate-based remover, method of manufacturing thereof and method of ice and/or snow melting on road surfaces using such remover

Номер патента: RU2331729C2. Автор: Михаил Николаевич Киреев,Олег Анатольевич Широбоков,Анатолий Николаевич Авраменко,Александр Владимирович Дудкин,Людмила Петровна Шестакова,Борис Павлович Резников. Владелец: Открытое акционерное общество "Минерально-химическая компания "ЕвроХим" (ОАО "МХК "ЕвроХим"). Дата публикации: 2008-08-20.

Method of registering change of energy index of living organism, device for its realisation and method of manufacturing thermosensitive element of thereof (versions)

Номер патента: RU2496408C1. Автор: Александр Игоревич Мартынов,Юрий Геннадьевич Усанов,Евгений Леонидович Игонин,Алексей Владимирович Меркушов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Государственный научный центр "Институт иммунологии" Федерального медико-биологического агентства (ФГБУ "ГНЦ Институт иммунологии" ФМБА России). Дата публикации: 2013-10-27.

Method of erection of structure from building blocks and/or building boards and method of manufacture of building block or board

Номер патента: RU2566350C1. Автор: Виктор Павлович Ремез. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-Производственное предприятие "Эксорб". Дата публикации: 2015-10-27.

Method of manufacture of the granulated armored composition based on the thermoplastic elastomer used for the solid rocket propellant charges

Номер патента: RU2305629C1. Автор: Геннадий Васильевич Куценко,Владимир Федорович Молчанов,Алексей Васильевич Козьяков,Василий Тихонович Никитин,Федор Сергеевич Красильников,Елена Юрьевна Филимонова,Борис Павлович Летов,ков Алексей Васильевич Козь,Надежда Федоровна Чернопазова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт полимерных материалов". Дата публикации: 2007-09-10.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ALLOCATING RADIO RESOURCE

Номер патента: US20120002634A1. Автор: Seok Yong Ho. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF TREATING DEGENERATIVE BONE CONDITIONS

Номер патента: US20120004594A1. Автор: Howe James,Schulz Olaf,Swaim Rick,Huber Bryan,Batts Joel,Harness David,Belaney Ryan. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS FOR AND A METHOD OF DETERMINING SURFACE CHARACTERISTICS

Номер патента: US20120004888A1. Автор: . Владелец: Taylor Hobson Limited. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing extruded semi-finished products (versions)

Номер патента: RU2335999C1. Автор: Газибег Омарович Магомедов,Альбина Яковлевна Олейникова,Виктор Иванович Ряжских,Татьяна Анатольевна Шевякова,кова Тать на Анатольевна Шев,жских Виктор Иванович Р,Елена Александровна Онищенко,Марина Юсуповна Ахмедова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Воронежская государственная технологическая академия. Дата публикации: 2008-10-20.

Electrochromic device with lithium polymer electrolyte and method of manufacturing thereof

Номер патента: RU2534119C2. Автор: Анатолий Ильич Сапрыкин,Пётр Сергеевич Галкин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт неорганической химии им. А.В. Николаева Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2014-11-27.

Method of filtering elements manufacturing

Номер патента: RU2553877C1. Автор: Александр Иванович Ермаков,Федор Васильевич Паровай,Изольд Давидович Эскин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королева" (национальный исследовательский университет)" (СГАУ). Дата публикации: 2015-06-20.

Production method of aromatised yacon-malt drink

Номер патента: RU2377855C1. Автор: Олег Иванович Квасенков,Татьяна Леонидовна Троянова. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2010-01-10.

Method of measuring thickness and device for realising said method

Номер патента: RU2419068C2. Автор: Иван Тимофеевич Тоцкий,Владимир Иванович Шлычков,Александр Устинович Кислицын,Ильгис Даудович Мулахметов,Игорь Викторович Сергеев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский государственный университет им. А.М. Горького". Дата публикации: 2011-05-20.

Production method of aromatised yacon-malt drink

Номер патента: RU2377853C1. Автор: Олег Иванович Квасенков,Татьяна Леонидовна Троянова. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2010-01-10.

Method of manufacture of high-pressure cylinders

Номер патента: RU2320920C1. Автор: Владимир Николаевич Привалов,Сергей Алексеевич Медведев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственная компания "Балко". Дата публикации: 2008-03-27.

Electrode for welding low carbon steels and method of its manufacture

Номер патента: RU2120367C1. Автор: В.Н. Макаров,А.Я. Ханин,А.В. Пряхин,А.С. Табатчиков,В.И. Шумяков,А.И. Колышницын,С.В. Михайлицын. Владелец: Товарищество с ограниченной ответственностью Научно-технический центр "Сварка". Дата публикации: 1998-10-20.

Production method of aromatised yacon-malt drink

Номер патента: RU2377857C1. Автор: Олег Иванович Квасенков,Татьяна Леонидовна Троянова. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2010-01-10.

Method of tin manufacturing from cassiterite concentrate

Номер патента: RU2333268C2. Автор: Вячеслав Григорьевич Комков,Хосен Ри,Эрнст Хосенович Ри,Станислав Вячеславович Дорофеев,Виктор Владимирович Гостищев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тихоокеанский государственный университет". Дата публикации: 2008-09-10.

Method of manufacturing bar of variable section from composite material

Номер патента: RU2339773C2. Автор: Лев Валентинович Фурсов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Композит-Сервис". Дата публикации: 2008-11-27.

Method of manufacture of ceramic items on base of wollastonite

Номер патента: RU2298537C1. Автор: Михаил Юрьевич Русин,Мария Михайловна Цветкова,Евгений Иванович Суздальцев,Пётр Михайлович Савченко,Владимир Васильевич Викулин,Галина Ивановна Куликова,Лидия Николаевна Русанова,Михаил Кириллович Алексеев,Анна Юрьевна Конанова,Лидия Ивановна Горчакова,Игорь Николаевич Бизин,Лиди Николаевна Русанова,Мари Михайловна Цветкова,Лиди Ивановна Горчакова,Ольга Петровна Шушкова,Елена Николаевна Молодкина. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология". Дата публикации: 2007-05-10.

Method of manufacture of spring from memorized-shape effect alloy and spring manufactured by this method

Номер патента: RU2309192C2. Автор: Владимир Петрович Воронин. Владелец: Владимир Петрович Воронин. Дата публикации: 2007-10-27.

Method of manufacture of the antifrictional products

Номер патента: RU2293023C2. Автор: Анатолий Петрович Богачев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тихоокеанский государственный университет". Дата публикации: 2007-02-10.

Method of manufacture of the article made out of the blenderized solid propellant

Номер патента: RU2318788C1. Автор: Николай Николаевич Федченко,Геннадий Васильевич Куценко,Геннадий Эдуардович Кузьмицкий,Семен Ионович Гринберг,Николай Сергеевич Божья-Воля,Рафис Фассахович Салахов,Анатолий Михайлович Кранидов,Владимир Михайлович Лисовский,Радус Фассахович Салахов,Нина Александровна Малахова. Владелец: Федеральное казенное предприятие "Пермский пороховой завод"(ФКП"Пермский пороховой завод"). Дата публикации: 2008-03-10.

Method of manufacture of sliding bearings

Номер патента: RU2257297C1. Автор: В.А. Иванов,А.П. Богачев,С.П. Захарычев,А.Т. Тарасенко. Владелец: Хабаровский государственный технический университет. Дата публикации: 2005-07-27.

Method of manufacturing and assemblage/disassemblage of harmonic tight drive and device for their implementation

Номер патента: RU2551691C2. Автор: Валентин Алексеевич Абрамов. Владелец: Валентин Алексеевич Абрамов. Дата публикации: 2015-05-27.

Method of producing of composite casting

Номер патента: RU2356711C2. Автор: Анатолий Петрович Пудовкин,Сергей Петрович Москвитин,Евгений Евгеньевич Чванов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тамбовский государственый технический университет" (ГОУ ВПО "ТГТУ"). Дата публикации: 2009-05-27.

Method of manufacturing sleeve

Номер патента: RU2409999C1. Автор: Ольга Константиновна Терпенова. Владелец: Ольга Константиновна Терпенова. Дата публикации: 2011-01-27.

Actuating element of lock device and method of its manufacturing out of alloy with shape memory effect

Номер патента: RU2555890C1. Автор: Сергей Иванович Синельников,Алла Игоревна Логачёва,Александр Васильевич Логачев,Валентина Григорьевна Кобелева,Николай Геннадьевич Александров,Игорь Геннадьевич Оленин. Владелец: Открытое акционерное общество "Композит" (ОАО "Композит"). Дата публикации: 2015-07-10.

Method of manufacturing fermented milk beverage

Номер патента: RU2329652C1. Автор: Светлана Андреевна Рябцева,Андрей Георгиевич Храмцов,Алексей Дмитриевич Лодыгин,бцева Светлана Андреевна Р,Анна Сергеевна Гришина,чина Дарь Олеговна М,Дарья Олеговна Мячина. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Северо-Кавказский государственный технический университет". Дата публикации: 2008-07-27.

Method of manufacture of studded tire

Номер патента: RU2281203C2. Автор: Фьоренцо БРИВИО,Стефано КАЦЦАНТИ,Джузеппе КОРНО. Владелец: Пирелли Пнеуматичи С.П.А.. Дата публикации: 2006-08-10.

Method of selection of highly reliable integral printed circuits

Номер патента: RU2295735C1. Автор: Митрофан Иванович Горлов,Владимир Иванович Плебанович,Николай Николаевич Козьяков,ков Николай Николаевич Козь. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2007-03-20.

Method of manufacturing of heating unit body with cavity for coolant

Номер патента: RU2528240C1. Автор: Сергей Леонидович Белеуш. Владелец: Сергей Леонидович Белеуш. Дата публикации: 2014-09-10.

Method of manufacture of aircraft airframe components from polymer composite materials and mandrel for realization of this method

Номер патента: RU2312790C1. Автор: Александр Федорович Разин,Валерий Витальевич Васильев,Вячеслав Александрович Барынин,Александр Алексеевич Кульков,В чеслав Александрович Барынин. Владелец: Закрытое акционерное общество "Центр перспективных разработок Открытого акционерного общества "Центральный научно-исследовательский институт специального машиностроения" (ЗАО "Центр перспективных разработок ОАО ЦНИИСМ"). Дата публикации: 2007-12-20.

Radio-electronic block and method of its manufacturing

Номер патента: RU2365070C1. Автор: Павел Павлович Мягконосов,Владимир Анатольевич Молчановский. Владелец: Открытое акционерное общество "Климов". Дата публикации: 2009-08-20.

Method of manufacture of the strong ceramics

Номер патента: RU2286316C2. Автор: Сергей Николаевич Кульков,Татьяна Юрьевна Саблина,Николай Леонидович Савченко,Александр Григорьевич Мельников,Тать на Юрьевна Саблина. Владелец: Институт физики прочности и материаловедения (ИФПМ) СО РАН. Дата публикации: 2006-10-27.

Method of manufacture of the liquid-crystal cell

Номер патента: RU2283338C1. Автор: Павел Аркадьевич Стороженко,Александр Николаевич Поливанов,Дианара Васильевна Назарова,Михаил Борисович Лотарев,ев Виктор Васильевич Бел,Виктор Васильевич Беляев,Вера Генриховна Мазаева. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт химии и технологии элементоорганических соединений" (ФГУП ГНИИХТЭОС). Дата публикации: 2006-09-10.

High-strength steel sheet with high proof/ultimate factor, high-strength cold-rolled steel sheet with high proof/ultimate factor, high-strength galvanised steel sheet with high proof/ultimate factor, high-strength dip galvanised steel sheet with high proof/ultimate factor, high-strength annealed dip galvanised steel sheet with high proof/ultimate factor, method of manufacture of high-strength cold-rolled steel sheet with high proof/ultimate factor, method of manufacture of high-strength dip galvanised steel sheet with high proof/ultimate factor, and method of manufacture of high-strength annealed dip galvanised steel sheet with high proof/ultimate factor

Номер патента: RU2531216C2. Автор: Ясунобу НАГАТАКИ,Хироси ХАСЭГАВА,Ёсиясу КАВАСАКИ,Синдзиро КАНЭКО. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2014-10-20.

Method of manufacturing products

Номер патента: RU2460449C1. Автор: Ольга Константиновна Терпенова. Владелец: Ольга Константиновна Терпенова. Дата публикации: 2012-09-10.

Method of manufacture of the optic fiber

Номер патента: RU2302381C1. Автор: Любовь Михайловна Журавлева,Владимир Георгиевич Плеханов,Любовь Михайловна Журавлева (RU),Владимир Георгиевич Плеханов (EE). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный университет путей сообщения (МИИТ). Дата публикации: 2007-07-10.

Production method of aromatised yacon-malt drink

Номер патента: RU2377851C1. Автор: Олег Иванович Квасенков,Татьяна Леонидовна Троянова. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2010-01-10.

Method of manufacture of the filtering material and the filtering material

Номер патента: RU2299087C1. Автор: Александр Михайлович Фридкин,Николай Романович Гребенщиков,Валерий Мансурович Сафин,Максим Ильич Серушкин,Станислав Михайлович Кочергин. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Акватория" (Ооо "Акватория"). Дата публикации: 2007-05-20.

Method of manufacturing and burning fuel briquets from high-power energy carbon-containing substances

Номер патента: RU2636314C2. Автор: Анатолий Николаевич Селезнев,Евгений Иванович Крамаренко,Станислав Сергеевич Будаев,Михаил Александрович Николаев. Владелец: Евгений Иванович Крамаренко. Дата публикации: 2017-11-22.

Single-crystal emitter shell and method of its manufacture

Номер патента: RU2550744C1. Автор: Александр Степанович Гонтарь,Валерий Иванович Выбыванец,Виктор Анатольевич Зазноба,Михаил Васильевич Нелидов,Виктор Петрович Смирнов,Николай Алексеевич Бочков,Леонид Евгеньевич Кошкин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт Научно-производственное объединение "ЛУЧ" (ФГУП "НИИ НПО "ЛУЧ"). Дата публикации: 2015-05-10.

Method of manufacturing picture and set for manufacturing picture

Номер патента: RU2474499C2. Автор: Виктория Александровна Ильина. Владелец: Виктория Александровна Ильина. Дата публикации: 2013-02-10.

Production method of aromatised yacon-cereal drink

Номер патента: RU2377849C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2010-01-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.