Integrated nanotube and field effect switching device .

Integrated nanotube and field effect switching device

Номер патента: WO2006078299A3
Опубликовано: 12-10-2006
Автор(ы): Claude L Bertin
Принадлежит: Claude L Bertin, Nantero Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Integrated nanotube and field effect switching devices

Номер патента: US7564269B2. Автор: Claude L. Bertin. Владелец: Nantero Inc. Дата публикации: 2009-07-21.

Methods of fabricating vertical carbon nanotube field effect transistors for arrangement in arrays and field effect transistors and arrays formed thereby

Номер патента: WO2005078819A1. Автор: David Vaclav Horak,Charles William Koburger, III,Larry Alan Nesbit,Mark Charles Hakey,Toshiharu Furukawa,Peter Mitchell,Steven John Holmes. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2005-08-25.

Methods of fabricating vertical carbon nanotube field effect transistors for arrangement in arrays and field effect transistors and arrays formed thereby

Номер патента: EP1714330A1. Автор: David Vaclav Horak,Charles William Koburger, III,Larry Alan Nesbit,Mark Charles Hakey,Toshiharu Furukawa,Peter Mitchell,Steven John Holmes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-10-25.

Junction field-effect floating gate quantum dot memory switch

Номер патента: US20150236029A1. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Bahman Hekmatshoartabari,Kailash Gopalakrishnan,Wilfried Ernst-August Haensch,Tze-Chiang Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Integrated switching device, and battery monitoring and protecting system including integrated switching device

Номер патента: US12100818B2. Автор: Jae Chan Lee,Chang Bog LEE. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Carbon nanotube-graphene hybrid transparent conductor and field effect transistor

Номер патента: US09954175B2. Автор: Bhupesh Chandra,George S. Tulevski,Glenn J. Martyna,Amal Kasry,Ahmed Maarouf,Ageeth A. Bol. Владелец: Egypt Nanotechnology Center EGNC. Дата публикации: 2018-04-24.

Carbon Nanotube-Graphene Hybrid Transparent Conductor and Field Effect Transistor

Номер патента: US20150340617A1. Автор: Bhupesh Chandra,George S. Tulevski,Glenn J. Martyna,Amal Kasry,Ahmed Maarouf,Ageeth A. Bol. Владелец: Egypt Nanotechnology Center EGNC. Дата публикации: 2015-11-26.

Steep-slope field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US11869950B2. Автор: Yang-Kyu Choi,Myung-Su Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-01-09.

Switching device for a radio pushbutton, radio pushbutton, and method for producing a switching signal of a switching device

Номер патента: US09922782B2. Автор: Eduard Ruff. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2018-03-20.

Loop restoration switching device

Номер патента: CA3130275C. Автор: Thomas J. Dyer,Alejandro Montenegro,Michael Quinlan,Joseph W. Milton,Michael R. Maroney,Goran Djogo,Daniel Desmond,Nicholas Seng. Владелец: S&C Electric Co. Дата публикации: 2023-09-12.

Constant current-controlled power supply circuit and field emission electron source

Номер патента: US11830698B2. Автор: Qinghui Zhang,Huaping Tang,Jinsong PAN,Zhanfeng Qin,Xiangyu YIN,Yangwei ZHAN. Владелец: NURAY TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Synapse array of a neuromorphic device including a synapse array having a plurality of ferroelectricity field effect transistors

Номер патента: US20220058470A1. Автор: Hyung-Dong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Field-effect tunable absorber with near-zero dielectric permittivity

Номер патента: RU2754985C2. Автор: Олексий АНОПЧЕНКО,Хо Вай Говард ЛИ. Владелец: Бэйлор Юниверсити. Дата публикации: 2021-09-08.

Design method for paralleled sic power switching devices based on wiring optimization

Номер патента: US20210133381A1. Автор: XUE Yuan,Jinxin WANG,Qianfan ZHANG,Jianzhen Qu,Shumei Cui. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2021-05-06.

Field effect transistor assemblies, integrated circuitry, and methods of forming field effect transistors and integrated circuitry

Номер патента: US20030094633A1. Автор: Fernando Gonzalez,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-22.

Field effect transistor assemblies, integrated circuitry, and methods of forming field effect transistors and integrated circuitry

Номер патента: US20010019868A1. Автор: Fernando Gonzalez,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-06.

Ferroelectric field effect transistors based approach for euclidean distance calculation in neuromorphic hardware

Номер патента: US20240194237A1. Автор: Rashmi Jha,Siddharth Barve. Владелец: Universty Of Cincinnati. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor Device Including a Ferroelectric Field-Effect Transistor, and Semiconductor Integrated Circuit Device Employing Same

Номер патента: US20080151599A1. Автор: Masato Moriwake,Daisuke Nishinohara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2008-06-26.

Vertical ferroelectric field effect transistor constructions, constructions comprising a pair of vertical ferroelectric field effect transistors, vertical strings of ferroelectric field effect transistors, and vertical strings of laterally opposing pairs of vertical ferroelectric field effect transistors

Номер патента: WO2015023403A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Chandra Mouli,Kamal M. Karda. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-02-19.

Nano multilayer film, field effect tube, sensor, random accessory memory and preparation method

Номер патента: US09559295B2. Автор: SYED RIZWAN,PENG Guo,Guo-Qiang Yu,Yi-Ran Chen,Xiu-Feng Han,Hou-Fang Liu,Da-Lai Li,Dong-Ping Liu. Владелец: Institute of Physics of CAS. Дата публикации: 2017-01-31.

Vertical ferroelectric field effect transistor constructions, constructions comprising a pair of vertical ferroelectric field effect transistors, vertical strings of ferroelectric field effect transistors, and vertical strings of laterally opposing pairs of vertical ferroelectric field effect transistors

Номер патента: US09559118B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Chandra Mouli,Kamal M. Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Field effect transistor, memory element and manufacturing method of charge storage structure

Номер патента: US20180366547A1. Автор: Fu-Chou Liu. Владелец: Nustorage Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-20.

Field-effect transistors, devices containing such field-effect transistors and methods of their formation

Номер патента: US11751386B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Processes using a masking layer for producing field effect devices having oxide isolation

Номер патента: US3698966A. Автор: Ronald E Harris. Владелец: North American Rockwell Corp. Дата публикации: 1972-10-17.

Vertical ferroelectric field effect transistor constructions, constructions comprising a pair of vertical ferroelectric field effect transistors, vertical strings of ferroelectric field effect transistors, and vertical strings of laterally opposing pairs of vertical ferroelectric field effect transistors

Номер патента: EP3033770A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Chandra Mouli,Kamal M. Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-22.

Feedback field-effect array device capable of converting between volatile and non-volatile operations and array circuit using the same

Номер патента: US20200075098A1. Автор: Hyun Gu Kang,Sang Sig Kim,Kyoung Ah Cho,Jin Sun CHO,Doo Hyeok LIM,Sol A WOO,Yoon Joong KIM. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2020-03-05.

Si/sige vertical junction field effect transistor

Номер патента: MY120718A. Автор: Khalid Ezzeldin Ismail,Bernard S Meyerson. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2005-11-30.

Field-effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US7825493B2. Автор: Keiji Ikeda. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-11-02.

Non-volatile static random access memory bit cells with ferroelectric field-effect transistors

Номер патента: EP4386755A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Bipul C. Paul,Pirooz Parvarandeh,Navneet Jain,Halid MULAOSMANOVIC. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Field-effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US8187957B2. Автор: Keiji Ikeda. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-05-29.

Field-effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: EP1763084A3. Автор: Keiji Ikeda. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-07-01.

Field effect chalcogenide devices

Номер патента: WO2004100217A3. Автор: Stanford R Ovshinsky. Владелец: Stanford R Ovshinsky. Дата публикации: 2005-02-03.

Field effect chalcogenide devices

Номер патента: EP1644993A2. Автор: Stanford R. Ovshinsky. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 2006-04-12.

Low-voltage flash memory integrated with a vertical field effect transistor

Номер патента: EP4226424A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-16.

Three-dimensional memory device containing peripheral circuit with fin and planar field effect transistors and method of making thereof

Номер патента: US20240371760A1. Автор: Mohan DUNGA,Satoru Mayuzumi,Sudarshan Narayanan. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Pillar-type field effect transistor having low leakage current

Номер патента: US09564200B2. Автор: Jong-ho Lee. Владелец: SNU R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2017-02-07.

Single field effect transistor capacitor-less memory device and method of operating the same

Номер патента: US09508854B2. Автор: Arnab Biswas,Mihai Adrian Ionescu,Nilay DAGTEKIN. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2016-11-29.

Insulated gate field effect transistor

Номер патента: US4316203A. Автор: Ryoiku Tohgei. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1982-02-16.

Method of making a field effect transistor having an elevated source and an elevated drain

Номер патента: US6057200A. Автор: Sujit Sharan,Kirk Prall,Pai-Hung Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-05-02.

Junction field-effect quantum dot memory switch

Номер патента: US9246113B2. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Kevin K. Chan,Kailash Gopalakrishnan,Wilfried Ernst-August Haensch,Tze-Chiang Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-01-26.

Semiconductor integrated circuit device composed of insulated gate field-effect transistors

Номер патента: CA1070436A. Автор: Hiroto Kawagoe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1980-01-22.

Method for fabricating a field-effect transistor with a self-aligned gate

Номер патента: CA1271850A. Автор: John Edward Cunningham,Erdmann Fred Schubert,Won Tien Tsang. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1990-07-17.

Transposable feedback field-effect electronic device and array circuit using the same

Номер патента: US20200075094A1. Автор: Sang Sig Kim,Kyoung Ah Cho,Jin Sun CHO,Doo Hyeok LIM,Sol A WOO. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2020-03-05.

Techniques for dopant implantation and multilayer oxides for resistive switching devices

Номер патента: US20200357991A1. Автор: Nicholas Fang,Zheng Jie Tan. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2020-11-12.

Electromagnet switching device

Номер патента: US20020130745A1. Автор: Wolfgang Kobow,Michael Dettmers. Владелец: DBT GmbH. Дата публикации: 2002-09-19.

Current sensing in power tool devices using a field effect transistor

Номер патента: US12105149B2. Автор: Timothy R. Obermann,Alexander T. Huber. Владелец: Milwaukee Electric Tool Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of making field effect layers

Номер патента: US3862858A. Автор: Thomas O Sedgwick,Melvyn E Cowher. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1975-01-28.

Vehicle and method of releasing fusion of switching device during charging of vehicle battery

Номер патента: US12095302B2. Автор: Yonghyun KIM. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Switch device and power supply control system

Номер патента: US09847199B2. Автор: Takahiro Fukutome. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Battery electromechanical switching device diagnostics system and methods

Номер патента: WO2018195490A1. Автор: Ronald J. Dulle,Mark R. Johnson,Michael R. Blemberg,Zoe H. Jin,Steven G. RINALDO,Douglas G. GRIMSLEY. Владелец: Johnson Controls Technology Company. Дата публикации: 2018-10-25.

N-Dopant for Carbon Nanotubes and Graphene

Номер патента: US20130143356A1. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Bhupesh Chandra,George S. Tulevski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-06.

Electrically addressable volatile and non-volatile molecular-based switching devices

Номер патента: WO2001043138A1. Автор: James Fraser Stoddart,Eric Wong,Charles Patrick Collier,Gunter Mattersteig,James Richard Heath,Françisco M. RAYMO. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2001-06-14.

Electrically addressable volatile and non-volatile molecular-based switching devices

Номер патента: EP1236206A4. Автор: James Fraser Stoddart,Eric Wong,Charles Patrick Collier,Gunter Mattersteig,James Richard Heath,Francisco M Raymo. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2004-05-19.

Electrically addressable volatile and non-volatile molecular-based switching devices

Номер патента: EP1236206A1. Автор: James Fraser Stoddart,Eric Wong,Charles Patrick Collier,Gunter Mattersteig,James Richard Heath,Françisco M. RAYMO. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2002-09-04.

Electrically addressable volatile and non-volatile molecular-based switching devices

Номер патента: AU6083600A. Автор: James Fraser Stoddart,Eric Wong,Charles Patrick Collier,Gunter Mattersteig,James Richard Heath,Françisco M. RAYMO. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2001-06-18.

Machine tool switching device

Номер патента: US09659720B2. Автор: Florian Esenwein,Manfred Lutz,Thomas Schomisch,Achim Trick. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-05-23.

Sensor using sensing mechanism having combined static charge and field effect transistor

Номер патента: US09634153B2. Автор: James Edward West,Won Kyu MOON,Yub JE,Min Sung,Kum Jae Shin. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2017-04-25.

Multiple carbon nanotube transfer and its applications for making high-performance carbon nanotube field-effect transistor (CNFET), transparent electrodes, and three-dimensional integration of CNFETs

Номер патента: US09748421B2. Автор: Chung Chun Wan,Subhasish Mitra,H.-S. Philip Wong,Nishant P. Patil. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2017-08-29.

Active switching rectifier employing MOSFET and current-based control using a hall-effect switch

Номер патента: US09966873B2. Автор: Yiqiang Jake Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-08.

Active switching rectifier employing MOSFET and current-based control using a hall-effect switch

Номер патента: US09762139B2. Автор: Yiqiang Jake Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-12.

Tunable homojunction field effect device-based artificial synapse circuit and implementation method thereof

Номер патента: US20230196084A1. Автор: CHEN Pan,Pengfei Wang,Shijun Liang,Feng Miao,Chenyu Wang. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-06-22.

Using a field effect device for identifying translocating charge-tagged molecules in a nanopore sequencing device

Номер патента: US09488636B2. Автор: William A. Goddard, Iii,Andres JARAMILLO-BOTERO. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2016-11-08.

Field effect transistor, method for manufacturing the same, and biosensor

Номер патента: US20110291075A1. Автор: Osamu Takahashi,Hiroaki Kikuchi,Motonori Nakamura,Tomoaki Yamabayashi,Agus Subagyo,Katsunori Kondo. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-01.

Field-effect transistor, single-electron transistor and sensor using the same

Номер патента: US09506892B2. Автор: Yutaka Yamada,Kazuhiro Nagaike,Hiroshi Mitani,Kazuhiko Matsumoto,Satoru Nagao,Masanori Katou,Atsuhiko Kojima,Yasuo Ifuku. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2016-11-29.

Nanowire Field Effect Transistor Detection Device and the Detection Method thereof

Номер патента: US20190206990A1. Автор: Chii Dong CHEN,Li Chu TSAI,Chia Jung CHU,Ying Pin WU. Владелец: Academia Sinica. Дата публикации: 2019-07-04.

Nanowire field effect transistor detection device and the detection method thereof

Номер патента: US10784343B2. Автор: Chii Dong CHEN,Li Chu TSAI,Chia Jung CHU,Ying Pin WU. Владелец: Academia Sinica. Дата публикации: 2020-09-22.

Switching device, generator-motor apparatus using switching device, drive system including generator-motor apparatus, and computer-readable recording medium on which a program for directing computer to perform control of generator-motor apparatus is recorded

Номер патента: WO2005011099A3. Автор: Katsunori Yagi. Владелец: Katsunori Yagi. Дата публикации: 2005-08-25.

Switching device, generator-motor apparatus using switching device, drive system including generator-motor apparatus, and computer-readable recording medium on which a program for directing computer to perform control of generator-motor apparatus is recorded

Номер патента: EP1649512A2. Автор: Katsunori; c/o Toyota Jidosha K. K. YAGI. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2006-04-26.

Electronic displays using organic-based field effect transistors

Номер патента: EP1105772A1. Автор: Paul Drzaic. Владелец: E Ink Corp. Дата публикации: 2001-06-13.

Electrochemically-gated field-effect transistor, methods for its manufacture, its use, and electronics comprising said field-effect transistor

Номер патента: US20140319466A1. Автор: Horst Hahn,Subho Dasgupta,Babak Nasr. Владелец: Karlsruher Institut fuer Technologie KIT. Дата публикации: 2014-10-30.

Test method for testing a disconnection function of a main switch device of an electrical connection device of a fuel cell system

Номер патента: US20240302434A1. Автор: Katharina Weingrill,David Weingrill. Владелец: AVL List GmbH. Дата публикации: 2024-09-12.

Protected sensor field effect transistors

Номер патента: US09857329B2. Автор: Raymond M. Roop,Md M. Hoque,Weize Chen,Patrice M. Parris,Richard J. De Souza,Jose FERNANDEZ VILLASENOR,David E. Niewolny. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Protected sensor field effect transistors

Номер патента: US09494550B1. Автор: Raymond M. Roop,Md M. Hoque,Weize Chen,Patrice M. Parris,Richard J. De Souza,Jose FERNANDEZ VILLASENOR,David E. Niewolny. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-11-15.

Layered metal oxide field effect material and its application

Номер патента: US11165031B2. Автор: Tao Zhang,Zhenghong Lu,Dengke Wang. Владелец: Yunnan University YNU. Дата публикации: 2021-11-02.

Bifunctional graphene dielectrophoresis (dep)-graphene field effect transistor (gfet) device and methods for using same

Номер патента: WO2023244489A1. Автор: Sang-Hyun Oh,Ruixue LI,Steven J. Koester,Nezhueyotl Izquierdo ARRIOLA. Владелец: Regents of the University of Minnesota. Дата публикации: 2023-12-21.

Control system for electric switching device and related to it electric switching device

Номер патента: RU2708063C2. Автор: НАТАЛЕ Габриэле Валентино ДЕ,Андреа РИЧЧИ,Фабио МАННИНО,Андреа КРЕСПИ. Владелец: АББ ШВАЙЦ АГ. Дата публикации: 2019-12-04.

Coil actuator for switching device and related switching device

Номер патента: RU2602087C2. Автор: НАТАЛЕ Габриэле Валентино ДЕ,Фабио МАННИНО. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ АГ. Дата публикации: 2016-11-10.

Threshold voltage-programmable field effect transistor-based memory cells and look-up table implemented using the memory cells

Номер патента: US11990171B2. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Switching device system, components therefore and methods relating thereto

Номер патента: EP1328953A1. Автор: Stefan Valdemarsson,Per Larsson,Per-Olof Thureson,Philip C. Kjaer,Sjoerd G. Bosga. Владелец: ABB AB. Дата публикации: 2003-07-23.

Threshold voltage-programmable field effect transistor-based memory cells and look-up table implemented using the memory cells

Номер патента: US20240221810A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for sensing welded contacts on a switching device

Номер патента: US09897656B2. Автор: Jeffrey P Lothamer,Daniel L Kelly. Владелец: Carrier Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Finger activated mouse device/switching device

Номер патента: US09627162B1. Автор: Qiankun Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-04-18.

Selective chemical sensitive field effect transistor transducers

Номер патента: US4273636A. Автор: Makoto Yano,Kyoichiro Shibatani,Tsutomu Makimoto,Kiyoo Shimada. Владелец: Kuraray Co Ltd. Дата публикации: 1981-06-16.

Static MOS memory cell using inverted N-channel field-effect transistor

Номер патента: US4352997A. Автор: Joseph H. Raymond, Jr.,Keith H. Gudger. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1982-10-05.

Method for implementing adaptive stochastic spiking neuron based on ferroelectric field effect transistor

Номер патента: US11868868B2. Автор: Jin Luo,Tianyi Liu,Ru Huang,Qianqian Huang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-01-09.

Method for implementing adaptive stochastic spiking neuron based on ferroelectric field effect transistor

Номер патента: US20230316052A1. Автор: Jin Luo,Tianyi Liu,Ru Huang,Qianqian Huang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-10-05.

Electronic switching device

Номер патента: EP4062453A1. Автор: Peer Kirsch,Marc Tornow,Mansour Moinpour,Henning SEIM,Itai Lieberman,Takuya Kamiyama,Shintaro Arai,Sebastian RESCH,Julian DLUGOSCH. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2022-09-28.

Method for determining the remaining service life of the switch contacts in an electric switching device and electric switching device with an evaluation unit for carrying out said method

Номер патента: US20020167776A1. Автор: Frank Berger,Matthias Fenner,Klaus-Jochen Froehlich,Eckhardt Pridoehl. Владелец: Moeller GmbH. Дата публикации: 2002-11-14.

Auxiliary module for an electrical switching device, and associated switching device and monitoring system

Номер патента: US12111358B2. Автор: Joseph Pellicano,Laurent Burdy,Flavien Dorlin. Владелец: Schneider Electric Industries SAS. Дата публикации: 2024-10-08.

Safety-oriented load switching device and method for operating a safety-oriented load switching device

Номер патента: US09991074B2. Автор: Martin Gehrke,Andreas HERZOG. Владелец: Festo SE and Co KG. Дата публикации: 2018-06-05.

Structure and field effect transistor

Номер патента: US20230378265A1. Автор: Tomomi Nakano,Hiroki Sato,Shinsuke Tani,Shota Ushiba,Naruto Miyakawa,Ayumi SHINAGAWA,Yuka TOKUDA,Madoka NISHIO. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Polyimide based copolymer and electronic component and field effect transistor comprising the same

Номер патента: US20210395457A1. Автор: Mitsuru Ueda,Chun-Kai Chen,Wen-Chang Chen,Yan-Cheng Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2021-12-23.

Metal oxide and field-effect transistor

Номер патента: US20230282648A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Field effect transistor and manufacturing method therefor, and switching circuit and circuit board

Номер патента: EP4300549A1. Автор: Yuhua Zhang,Xingfei Ke,Mingtao Zhou,Mengqi Yang,Gaochao XU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-03.

Field-effect device for evaluating and/or monitoring process parameter

Номер патента: RU2321116C2. Автор: Роберт ШМИДТ,Армин РУПП,Ира ХЕНКЕЛЬ. Владелец: Эндресс+Хаузер Гмбх+Ко.Кг. Дата публикации: 2008-03-27.

Drain current sensing and fault protection circuit based on gate voltage for gate current driven field effect transistors

Номер патента: US20220278523A1. Автор: Fei Wang,Edward A. Jones. Владелец: UNIVERSITY OF TENNESSEE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2022-09-01.

Driving system for switching device

Номер патента: US20240223186A1. Автор: Chang Xu,Kai Dong,Yuesen Guo. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Organic field-effect transistor and fabrication method therefor

Номер патента: US20230093494A1. Автор: Hong Meng,Xinwei Wang,Lin Ai,Yuhao SHI. Владелец: Peking University Shenzhen Graduate School. Дата публикации: 2023-03-23.

Field effect transistor and method for manufacturing the same, and display device

Номер патента: US20170104104A1. Автор: Hsiang Chih Hsiao,Hongyuan Xu,Chang I Su. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-13.

Electric assembly including a reverse conducting switching device and a rectifying device

Номер патента: US20170338815A1. Автор: Thomas Basler,Johannes Georg Laven,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-23.

Active layer and method for preparing the same, organic field-effect transistor and array substrate

Номер патента: US20170012210A1. Автор: Hongpeng LI. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-12.

Switching device of active display device and method of driving the switching device

Номер патента: US09343482B2. Автор: Kyoung-seok SON,Jang-yeon Kwon,Ji-sim Jung,Kwang-Hee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-17.

Modeling circuit of field effect transistor for symmetric modeling of electrostatic discharge characteristic, method of designing integrated circuit using the same and method of manufacturing integrated circuit using the same

Номер патента: US11907635B2. Автор: Seongjin MUN,Kiyoung MOON,Hyein LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Photosensitive field-effect transistor

Номер патента: US20210074869A1. Автор: Martti Voutilainen,Sami Kallioinen,Juha Rakkola. Владелец: EMBERION OY. Дата публикации: 2021-03-11.

Field-Effect Transistor, Production Method Thereof, Switching Circuit, and Circuit Board

Номер патента: US20240030351A1. Автор: Yuhua Zhang,Xingfei Ke,Mingtao Zhou,Mengqi Yang,Gaochao XU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Field effect transistor, display device , sensor, and method of manufacturing field effect transistor

Номер патента: US20130328045A1. Автор: Atsushi Tanaka,Masahiro Takata. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2013-12-12.

Point-Source Model for Simulating Near-Field Effects From Structures of an Antenna

Номер патента: US20220014289A1. Автор: Bruno F. Camps Raga. Владелец: Aptiv Technologies Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

Improved oxide-based field-effect transistors

Номер патента: WO2008129238A1. Автор: Donal Donat Conor Bradley,Thomas Anthopoulos,Saif Ahmed Haque. Владелец: IMPERIAL INNOVATIONS LIMITED. Дата публикации: 2008-10-30.

Graphene Field Effect Transistors for Detection of Ions

Номер патента: US20190293595A1. Автор: Hongmei Li,Kenneth Walsh,Goutam Koley,MD. Sayful Islam. Владелец: Clemson University. Дата публикации: 2019-09-26.

Ferroic sensor having tini-film field-effect transistor and ferroic layer applied to substrate

Номер патента: US8461636B2. Автор: Sigurd Wagner,Martin Kaltenbrunner,Siegfried Bauer,Reinhard Schwödiauer,Ingrid Graz,Christoph Keplinger,Stéphanie Perichon Lacour. Владелец: UNIVERSITAET LINZ. Дата публикации: 2013-06-11.

Photosensitive field-effect transistor including a two-dimensional material

Номер патента: EP3707754A1. Автор: Mark Allen,Alexander Bessonov. Владелец: EMBERION OY. Дата публикации: 2020-09-16.

Photosensitive field-effect transistor including a two-dimensional material

Номер патента: WO2019092313A1. Автор: Mark Allen,Alexander Bessonov. Владелец: EMBERION OY. Дата публикации: 2019-05-16.

An electrolyte-gated field-effect transistor with surfactant layer

Номер патента: WO2020216901A1. Автор: Qiaoming ZHANG,Marta Mas Torrent,Francesca LEONARDI. Владелец: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS. Дата публикации: 2020-10-29.

Field-effect transistor, display element, display, system, and method of manufacturing field-effective transistor

Номер патента: US20170141237A1. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Sadanori ARAE,Minehide KUSAYANAGI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Nanowire field-effect sensor including nanowires having network structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09846139B2. Автор: Ki Hyun Kim,Dong Hoon Kim,Jeong Soo Lee,Chan Oh PARK. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2017-12-19.

Nanowire field-effect sensor including nanowires having network structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09638659B2. Автор: Ki Hyun Kim,Dong Hoon Kim,Jeong Soo Lee,Chan Oh PARK. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2017-05-02.

Graphene field effect transistor for radiation detection

Номер патента: US09508885B1. Автор: Zhihong Chen,Mary J. Li. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2016-11-29.

Current stabilizer comprising enhancement field-effect transistors

Номер патента: US4399375A. Автор: Adrianus Sempel. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1983-08-16.

Junction field-effect transistor with raised source and drain regions formed by selective epitaxy

Номер патента: US9236499B2. Автор: John J. Pekarik,John J. Ellis-Monaghan,Kevin K. Chan,Qizhi Liu,David L. Harame. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-01-12.

Conformal organic field-effect transistor, transistor array, and preparation method thereof

Номер патента: US11411190B2. Автор: Xiaoli Zhao,Yi Chun Liu,Qing xin TANG,Yan hong TONG. Владелец: NorthEast Normal University. Дата публикации: 2022-08-09.

Hybrid field effect transistor and surface enhanced infrared absorption based biosensor

Номер патента: US20210181098A1. Автор: Abram L. Falk,Sufi Zafar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Photosensitive field-effect transistor

Номер патента: EP3724928A1. Автор: Martti Voutilainen,Sami Kallioinen,Juha Rakkola. Владелец: EMBERION OY. Дата публикации: 2020-10-21.

Conformal organic field-effect transistor, transistor array, and preparation method thereof

Номер патента: US20210210704A1. Автор: Xiaoli Zhao,Yi Chun Liu,Qing xin TANG,Yan hong TONG. Владелец: NorthEast Normal University. Дата публикации: 2021-07-08.

Field effect transistor, gas sensor, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210325336A1. Автор: Junzo Ukai,Taishi Shiotsuki,Tsuyoshi Minami,Yui Sasaki. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2021-10-21.

Method for measuring an interface resistance of a field effect transistor

Номер патента: US20240036100A1. Автор: Yang Wei,Shou-Shan Fan,Yue-Gang Zhang,Xuan-Zhang Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Series-parallel switching device and battery pack including series-parallel switching device

Номер патента: US11749829B2. Автор: Guanghui Chen,Guoping ZHAN,Shengxuan WANG. Владелец: Dongguan Nvt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Detection circuit for open, close and suspension states of high and low level effective switch in vehicle

Номер патента: US11585843B2. Автор: Jiawei Chen,Yongduan Song,Shuaicheng Hou,Mi Fang. Владелец: Chongqing Yingdi Industry Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-21.

Detection circuit for open, close and suspension states of high and low level effective switch in vehicle

Номер патента: US20220291276A1. Автор: Jiawei Chen,Yongduan Song,Shuaicheng Hou,Mi Fang. Владелец: Db Chongqing Intelligent Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

On-vehicle communication system, switching device and on-vehicle communication method

Номер патента: US20190229948A1. Автор: Akihiro Ogawa,Akihito Iwata,Yasuhiro Yabuuchi,Takeshi Hagihara,Hirofumi Urayama. Владелец: AutoNetworks Technologies Ltd. Дата публикации: 2019-07-25.

Carbon allotrope composite field effect artificial aurora generating device

Номер патента: US11014061B2. Автор: Honggang Wang,Lihan LIU,Tielin LIU,Nanlin LIU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-05-25.

Composition for making hole injecting or hole transporting layers in electroluminescent devices, organic solar cells, organic laser diodes, organic thin-film transistors or organic field effect transistors of for making electrodes or electroconductive coatings, electroluminescent device, as well as organic light-emitting diode

Номер патента: RU2382809C2. Автор: Кнуд РОЙТЕР,Андреас ЭЛЬШНЕР,Петер Вилфрид ЛЕВЕНИХ. Владелец: Х.К. Штарк Гмбх. Дата публикации: 2010-02-27.

Method, system and device for acquisition and processing of elastic waves and field sensor data for real-time in-situ monitoring of additive manufacturing

Номер патента: US20240255915A9. Автор: Cetin Cetinkaya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-08-01.

Temperature sensing system for switching device

Номер патента: US09995636B2. Автор: Ki Jong Lee,Kang Ho Jeong,Jee Hye Jeong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2018-06-12.

Piecewise temperature compensation for power switching devices

Номер патента: US09917435B1. Автор: Chingchi Chen,Michael W. Degner,Xi LU,Ke Zou,Zhuxian Xu. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2018-03-13.

Systems and methods of protecting structures from radioactive radiation and magnetic field effects

Номер патента: RU2735388C2. Автор: Цзянь ДУН,Навид Моайед ХУССЕЙН. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2020-10-30.

System and method for controlling at least one switching device, especially for use in aircraft

Номер патента: US09935539B2. Автор: Stephane Guenot,Jean-Clair Pradier. Владелец: Zodiac Aero Electric SAS. Дата публикации: 2018-04-03.

Switching device and voltage limiting device having a switching device

Номер патента: US20220148837A1. Автор: Julian Beuchelt. Владелец: Rail Power Systems GmbH. Дата публикации: 2022-05-12.

Voltage limiting device having a switching device

Номер патента: US12125654B2. Автор: Julian Beuchelt. Владелец: Rail Power Systems GmbH. Дата публикации: 2024-10-22.

Manually operated switching device for a vehicle with a sensor activation device

Номер патента: US09712163B2. Автор: Onofrio Intini. Владелец: VALEO SCHALTER UND SENSOREN GMBH. Дата публикации: 2017-07-18.

Lever-type switching device

Номер патента: RU2518477C2. Автор: Хидэкадзу ВАКИТА,Хисаси МАЦУХАСИ. Владелец: Найлз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2014-06-10.

Switching device for vehicle with electric drive and electric vehicle

Номер патента: RU2586810C2. Автор: Томас БАУМАНН,Дитер Хофер. Владелец: Рихард Аг. Дата публикации: 2016-06-10.

Method for making field effect transistor and field effect transistor formed

Номер патента: US11322496B2. Автор: Wenyin Weng. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-05-03.

Method for making field effect transistor and field effect transistor formed

Номер патента: US20220045058A1. Автор: Wenyin Weng. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-02-10.

Tunneling field effect transistor switch device

Номер патента: US20100295058A1. Автор: Jin Cho. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2010-11-25.

Method for producing an organic field effect transistor and an organic field effect transistor

Номер патента: US09978967B2. Автор: Karl Leo,Hans Kleemann,Alexander Zakhidov,Bjoern Luessem. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for producing an organic field effect transistor and an organic field effect transistor

Номер патента: US09722196B2. Автор: Karl Leo,Hans Kleemann,Alexander Zakhidov,Bjoern Luessem. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2017-08-01.

Aligned carbon nanotubes for use in high performance field effect transistors

Номер патента: US9728734B2. Автор: Padma Gopalan,Michael Scott Arnold,Gerald Joseph Brady,Yongho Joo. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2017-08-08.

Camera with hall effect switch

Номер патента: WO2014197285A1. Автор: Amy Aimei Han. Владелец: MICROSOFT CORPORATION. Дата публикации: 2014-12-11.

Electronic unit of field instrument and field instrument (versions)

Номер патента: RU2343554C1. Автор: Роберт ЛАЛЛА. Владелец: Эндресс+Хаузер Флоутек Аг. Дата публикации: 2009-01-10.

Multifunctional current mirror on complementary field-effect transistors with control pn-junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2720557C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-12.

Degenerative-type voltage stabilizer on field-effect transistors for operation at low temperatures

Номер патента: RU2736548C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Илья Викторович Пахомов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-11-18.

Field effect transistor and preparation method therefor, and semiconductor structure

Номер патента: EP4160696A1. Автор: Wen YIN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-05.

Complementary field-effect transistors

Номер патента: US20210210349A1. Автор: Alexander Reznicek,Jingyun Zhang,Ruilong Xie,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

Complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and method thereof

Номер патента: US09875943B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Non-inverting current mirror on complementary field-effect transistors with pn-junction control for operation at low temperatures

Номер патента: RU2720554C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-12.

Fabrication method of field emitter electrode and field emission device produced by using the same

Номер патента: US20050258737A1. Автор: Hyo Soon Shin. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2005-11-24.

Camera with hall effect switch

Номер патента: EP2992672A1. Автор: Amy Aimei Han. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2016-03-09.

System and method for switching device primary/secondary roles for use in wireless communications

Номер патента: GB2596954A. Автор: WANG JIANFENG,Xu Zhiyong,WANG Guolong. Владелец: Wu Qi Tech Inc. Дата публикации: 2022-01-12.

Gate-all-around field-effect-transistor with wrap-around-channel inner spacer

Номер патента: EP4449502A1. Автор: Veeraraghavan Basker,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Andrew Greene,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-23.

Stacked nanosheet field-effect transistor with diode isolation

Номер патента: US09847391B1. Автор: Hui Zang,Jae Gon Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Method of expanding zone of sensitivity of protective switching device to short-circuit currents

Номер патента: RU2744513C1. Автор: Александр Владимирович Виноградов,Алина Васильевна Виноградова,Алексей Валерьевич Букреев,Вадим Евгеньевич Большев,Андрей Анатольевич Мусенко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный научный агроинженерный центр ВИМ" (ФГБНУ ФНАЦ ВИМ). Дата публикации: 2021-03-11.

Method switch device control in resonance power converter, particularly to ensure required power, particularly for x-ray generator

Номер патента: RU2522962C2. Автор: Кристиан ХАТТРУП,Петер ЛЮРКЕНС,Томас ШЕЛЬ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2014-07-20.

Switching device for automatic gearbox

Номер патента: RU2492380C2. Автор: Михель ЗИККАРТ. Владелец: ДР. ИНГ. Х.Ц.Ф. ПОРШЕ АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2013-09-10.

Logic-in-memory inverter using feedback field-effect transistor

Номер патента: US11695420B2. Автор: Sang Sig Kim,Kyoung Ah Cho,Jae Min SON,Eun Woo BAEK. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2023-07-04.

Field-effect transistors with isolation pillars

Номер патента: US20240072050A1. Автор: Tao Li,Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory, gate-all-around field-effect transistor, and producing method

Номер патента: EP4261889A1. Автор: Jeffrey Junhao XU,Yanxiang Liu,Luming FAN,Zhaozhao HOU,Francis Lionel Benistant. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-18.

Memory, Gate-All-Around Field-Effect Transistor, and Manufacturing Method

Номер патента: US20230352552A1. Автор: Jeffrey Junhao XU,Yanxiang Liu,Luming FAN,Zhaozhao HOU,Francis Lionel Benistant. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Logic-in-memory inverter using feedback field-effect transistor

Номер патента: US20230012345A1. Автор: Sang Sig Kim,Kyoung Ah Cho,Jae Min SON,Eun Woo BAEK. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2023-01-12.

Method for operating an electrical switching device within an electrical switchgear system

Номер патента: US20190377308A1. Автор: Thomas Rudolph. Владелец: Schneider Electric Industries SAS. Дата публикации: 2019-12-12.

Control system, control device, composite switch device, and control method

Номер патента: US20110228688A1. Автор: Akiko Yamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-09-22.

Switching device for facilitating communication of data

Номер патента: US20190050359A1. Автор: Michael Levine,Ricardo Velez-McCaskey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-02-14.

Electric field effect read/write head, method of manufacturing the same, and electric field effect storage apparatus having the same

Номер патента: US20090141396A1. Автор: Hyoung-Soo Ko,Chul-min Park,Seung-bum Hong,Dae-Young Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-04.

Field-effect transistor and preparation method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4428919A1. Автор: Jun Lin. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-11.

Driver for a power field-effect transistor, related system and integrated circuit

Номер патента: US09935626B2. Автор: Aldo Davide Gariboldi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-04-03.

Organic field effect transistor and method for producing the same

Номер патента: US09899616B2. Автор: Karl Leo,Alexander Zakhidov,Bjoern Luessem,Hans Kleeman. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2018-02-20.

Field-effect transistor with two-dimensional channel realized with lateral heterostructures based on hybridized graphene

Номер патента: US09620634B2. Автор: Giuseppe IANNACCONE,Fiori Gianluca. Владелец: UNIVERSITÀ DI PISA. Дата публикации: 2017-04-11.

Nanoscale field-effect transistors for biomolecular sensors and other applications

Номер патента: US09541522B2. Автор: Charles M. Lieber,Xueliang Liu,Hwan Sung Choe. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2017-01-10.

Configuration of networks using switch device access of remote server

Номер патента: US09531591B2. Автор: John Mead,John Seligson,Zenon Kuc. Владелец: Avaya Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and method thereof

Номер патента: US10553496B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Circuit with metal-oxide semiconductor field-effect transistor and diode module and implemetation mehtod thereof

Номер патента: US20230043861A1. Автор: Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Hsiang Chi Meng,Chih Ming Yu. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Nanosheet field effect transistor with a source drain epitaxy replacement

Номер патента: US11942374B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Field effect transistor, method of fabricating field effect transistor, and electronic device

Номер патента: US20200328294A1. Автор: Shibo LIANG. Владелец: Beijing Hua Tan Yuan Xin Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Tunnel field-effect transistor and method for manufacturing tunnel field-effect transistor

Номер патента: US20180261689A1. Автор: Jing Zhao,Chen-Xiong Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Gate-all-around field-effect-transistor with wrap-around-channel inner spacer

Номер патента: US20230187516A1. Автор: Kangguo Cheng,Andrew M. Greene,Ruilong Xie,Veeraraghavan S. Basker,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Circuits based on complementary field-effect transistors

Номер патента: US20190214469A1. Автор: Ruilong Xie,Bipul C. Paul,Puneet Harischandra Suvarna. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

Audio switching device

Номер патента: US20240236238A1. Автор: Tsung-Hsien Lai,Chien-Kuan Ho,Tzung-Ling LIN. Владелец: Bizlink International Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Inrush current detection and control with solid-state switching devices

Номер патента: WO2019084257A1. Автор: Yu Du,Taosha Jiang,Rostan RODRIGUES. Владелец: Abb S.P.A. Дата публикации: 2019-05-02.

A method for switching power supply with a quick switching device, and a quick switching device

Номер патента: WO2024047099A1. Автор: Xin Li,Sebastian Schneider,Yan Ma,Di Jun GAO,Xue Lin ZHANG,Shan Shan LIU. Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2024-03-07.

Automatic switching device operation determination based on received notifications

Номер патента: US12052323B2. Автор: Ashish D. Aggarwal,Andrew E. Einaudi. Владелец: Caavo Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Field-effect transistor and fabrication method of field-effect transistor

Номер патента: US11043575B2. Автор: Stephane Badel,Xiaolong Ma,Riqing Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-22.

Method for dynamically reducing peak electromagnetic interference from a group of switching devices connected on a communications bus

Номер патента: US20190124801A1. Автор: Michael Carter,Kevin M Jefferies,Benjamin W Edwards. Владелец: Schneider Electric USA Inc. Дата публикации: 2019-04-25.

Ambipolar vertical field effect transistor

Номер патента: EP2926376A1. Автор: BO LIU,Andrew Gabriel Rinzler,Mitchell Austin Mccarthy. Владелец: University Of Florida. Дата публикации: 2015-10-07.

Inrush current detection and control with solid-state switching devices

Номер патента: EP3701610A1. Автор: Yu Du,Taosha Jiang,Rostan RODRIGUES. Владелец: ABB SpA. Дата публикации: 2020-09-02.

Metal-oxide semiconductor field-effect transistor with asymmetric parallel die and implementation method thereof

Номер патента: US20230037951A1. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Hsiang Chi Meng,Chih Ming Yu. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Self-aligned substrate isolation (sasi) of gate-all-around nanosheet field effect transistors

Номер патента: US20240290860A1. Автор: Andrew M. Greene,Shogo Mochizuki,Ruilong Xie,Eric Miller,Julien Frougier,Anthony I. Chou,Andrew Gaul,Nicolas Jean Loubet,Curtis S. Durfee,Susan Ng Emans,Ronald Newhart,Choudhury Mahboob Ellahi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Control method, control device and startup switching device for intelligent terminal startup

Номер патента: US20240264842A1. Автор: Bo Li,Zhikang YAN. Владелец: Shenzhen SDMC Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Metal-oxide semiconductor field-effect transistor with asymmetric parallel dies and method of using the same

Номер патента: US12101026B2. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Hsiang Chi Meng,Chih Ming Yu. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Self-aligned substrate isolation (sasi) of gate-all-around nanosheet field effect transistors

Номер патента: WO2024175381A1. Автор: Shogo Mochizuki,Ruilong Xie,Eric Miller,Julien Frougier,Anthony I-Chih Chou,Andrew Gaul,Andrew Mark Greene,Nicolas Jean Loubet,Susan Ng Emans,Ronald Newhart,Choudhury Mahboob Ellahi,Curtis Scott DURFEE. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2024-08-29.

Nanovesicle comprising heterodimeric G-protein coupled receptor, method for preparing nanovesicle, field effect transistor-based taste sensor comprising nanovesicle, and method for manufacturing taste sensor

Номер патента: US12099060B2. Автор: Seung Hun Hong,Hyun Seok Song,Tai Hyun Park,Hye Jun Jin,Sae Ryun Ahn. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-09-24.

Tunnel field-effect transistor

Номер патента: US09853102B2. Автор: Teng-Chun Tsai,De-Fang Chen,Li-Ting Wang,Hung-Ta Lin,Chien-Hsun Wang,Cheng-Tung Lin,Chih-tang Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Field effect transistor array using single wall carbon nano-tubes

Номер патента: US09806273B2. Автор: Shashi P. Karna,Govind Mallick. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 2017-10-31.

Tunnel field-effect transistor, method for manufacturing same, and switch element

Номер патента: US09634114B2. Автор: Takashi Fukui,Katsuhiro Tomioka. Владелец: Hokkaido University NUC. Дата публикации: 2017-04-25.

Ambipolar vertical field effect transistor

Номер патента: US09601707B2. Автор: BO LIU,Andrew Gabriel Rinzler,Mitchell Austin Mccarthy. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Power conversion apparatus having a switching circuit unit that includes a switching device and an auxiliary switching device

Номер патента: US09543823B2. Автор: Daisuke Fukuda,Sohei Okamoto,Keiji Akamatsu,Takaaki Norisada,Goh Yamada. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Systems and methods for controlling inrush electrical currents using a virtual miller capacitor and a metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET)

Номер патента: US09513681B2. Автор: Lei Wang,Mehran Mirjafari,Padmanabh R. Gharpure. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2016-12-06.

Short-gate tunneling field effect transistor having non-uniformly doped vertical channel and fabrication method thereof

Номер патента: US09508839B2. Автор: Chao Wang,Ru Huang,Jiaxin Wang,Qianqian Huang,Chunlei Wu,Yangyuan Wang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-11-29.

Field effect transistor switched temperature control circuit

Номер патента: CA1150800A. Автор: Arlon D. Kompelien. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 1983-07-26.

Single diffusion break isolation for gate-all-around field-effect transistor devices

Номер патента: US20210118878A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Groove-type field effect transistor biosensor based on atomic layer deposited semiconductor channel

Номер патента: US20230384257A1. Автор: BO Wang,Mingwei Wang,Diaoyang LI,Benhui LIN. Владелец: FUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-11-30.

Driver for a power field-effect transistor, related system and integrated circuit

Номер патента: US20180175850A1. Автор: Aldo Davide Gariboldi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-06-21.

Hybrid complementary field effect transistor device

Номер патента: US11777034B2. Автор: Chen Zhang,Jingyun Zhang,Ruilong Xie,Junli Wang,Pietro Montanini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Tunnel field effect transistor with improved subthreshold swing

Номер патента: EP2309544A3. Автор: Anne S. Verhulst. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2012-10-10.

Organic field-effect transistor and fabrication method therefor

Номер патента: US11937438B2. Автор: Hong Meng,Xinwei Wang,Lin Ai,Yuhao SHI. Владелец: Peking University Shenzhen Graduate School. Дата публикации: 2024-03-19.

Single diffusion break isolation for gate-all-around field-effect transistor devices

Номер патента: US20200381426A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Nanoscale field-effect transistors for biomolecular sensors and other applications

Номер патента: US20150212039A1. Автор: Charles M. Lieber,Xueliang Liu,Hwan Sung. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2015-07-30.

Imaging system switching device

Номер патента: US20040190100A1. Автор: Sean Chang. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2004-09-30.

Switching device for routing data, comuter interconnection network and routing method using such device

Номер патента: US20130311697A1. Автор: Mitch Gusat,Cyriel Minkenberg,Francois Abel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Switching device for routing data, computer interconnection network and routing method using such device

Номер патента: WO2011148320A1. Автор: Mircea Gusat,Cyriel J. A. Minkenberg,Francois Abel. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2011-12-01.

Switch device and recording medium recording failure detection program

Номер патента: US11206224B2. Автор: Yuya Ikuta,Takeshi Umezuki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2021-12-21.

Switching Device and System

Номер патента: US20080247777A1. Автор: Jerry Wayne Smith. Владелец: Lexmark International Inc. Дата публикации: 2008-10-09.

Information processing device, and switching device

Номер патента: US20170097719A1. Автор: Tasuku Kohara. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-06.

Two-terminal resistance switching device and semiconductor device

Номер патента: US20100193757A1. Автор: Tetsuo Shimizu,Hiroshi Suga,Masayo Horikawa,Yasuhisa Naitou. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2010-08-05.

Handle switch device

Номер патента: US12091120B2. Автор: Yuichi Shimizu,Naoyuki Yamate,Noritaka Kimura,Yusuke Tominaga. Владелец: Toyo Denso Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Resistance-switching device having conductive fiber, fabric type resistance-switching device array having the same, memory and sensor having the device or the array

Номер патента: US09853219B2. Автор: Mijung Lee,Suji Kim,Younhee Kim,Chaewon KIM,Youngdae SEO,Museok KO,Anjae JO,Heejoo Kim. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kookmin University. Дата публикации: 2017-12-26.

Control circuits and methods for controlling switching devices

Номер патента: US09621020B2. Автор: Wing Ling Cheng,Ying QU,Zong Bo Hu,Kevin Donald Wildash,Wai Kin Chan. Владелец: Astec International Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Scalable light-induced metallic to semiconducting conversion of carbon nanotubes and applications to field-effect transistor devices

Номер патента: US8324087B2. Автор: Chongwu Zhou,Akshay Kumar,Lewis Gomez De Arco. Владелец: University of Southern California USC. Дата публикации: 2012-12-04.

Semiconductor integrated circuit device implemented by bipolar and field effect transistors and having stable sense amplifier

Номер патента: US5550778A. Автор: Hiroyuki Takahashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-08-27.

System and method for switching high voltages with switching device and exactly one packet of resistors

Номер патента: RU2742214C1. Автор: Лутц-Рюдигер ЕНИККЕ,Йорг ТАЙХМАНН,Бернд КРУСКА,Райнхард ГЕЛЕР,Субодх КАЛЕ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2021-02-03.

Switching device with improved electric arc quenching performed using permanent magnets

Номер патента: RU2726162C1. Автор: Роберт КРАЛИК. Владелец: ШАЛЬТБАУ ГМБХ. Дата публикации: 2020-07-09.

Spring drive for electrical switching device

Номер патента: RU2537950C2. Автор: Ульф ОКЕССОН,Йоханнес ТРЕДОУКС,Даниель СТАФФАС,Матс ХОЛЬМАН. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ АГ. Дата публикации: 2015-01-10.

Switching device with the arc extinction with the help of permanent magnets

Номер патента: RU2629563C2. Автор: Роберт КРАЛИК. Владелец: ШАЛЬТБАУ ГМБХ. Дата публикации: 2017-08-30.

Electric switching device with electromagnetic drive

Номер патента: RU2749091C1. Автор: Виктор Николаевич Петров,Геннадий Петрович Свинцов,Юрий Михайлович Зайцев,Николай Николаевич Сорокин,Николай Николаевич Николаев,Евгений Григорьевич Егоров,Николай Юрьевич Зайцев,Денис Семенович Сазанов,Валентин Юрьевич Котик,Наталия Юрьевна Луия. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чувашский государственный университет имени Ильи Николаевича Ульянова". Дата публикации: 2021-06-04.

Switching device

Номер патента: RU2629568C2. Автор: Анджей НОВАКОВСКИ,Фридрих ЛЕБНЕР,Мартин КРЕНКЕ,Фолькер ЛЕМАНН,Раду-Мариан ЦЕРНАТ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2017-08-30.

Contact switching device and electromagnet relay

Номер патента: RU2465674C1. Автор: Дзун Сасаки,Кадзухиро ЦУЦУИ,Йосиаки МИМУРА. Владелец: Омрон Корпорейшн. Дата публикации: 2012-10-27.

Device for indication of switching device state

Номер патента: RU2598897C2. Автор: Даниель ЙОХАНССОН. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ ЛТД. Дата публикации: 2016-10-10.

Electric circuit assembly comprising a ferroelectric field effect transistor, and memory cell

Номер патента: US20240055036A1. Автор: Thomas KÄMPFE,Nelli Laleni. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2024-02-15.

Electric switching device

Номер патента: WO2012010672A1. Автор: Ralph Kriechel. Владелец: EATON INDUSTRIES GMBH. Дата публикации: 2012-01-26.

User interface device for low voltage switching devices

Номер патента: WO2010026013A1. Автор: Romano Manzoli,Paolo Bonomi. Владелец: ABB S.p.A.. Дата публикации: 2010-03-11.

Electric switching device

Номер патента: EP2596514A1. Автор: Ralph Kriechel. Владелец: Eaton Electrical IP GmbH and Co KG. Дата публикации: 2013-05-29.

Improved solid-state switch device

Номер патента: RU2633389C2. Автор: Стефано БЕЗАНА,Флавио ПАСКУАЛЕ. Владелец: АББ С.п.А.. Дата публикации: 2017-10-12.

Actuating switching device

Номер патента: RU2707879C1. Автор: Владимир Николаевич Китаев,Елена Николаевна Китаева. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики имени академика Е.И. Забабахина". Дата публикации: 2019-12-02.

Switching device

Номер патента: RU2422937C2. Автор: Эрнст ХАММЕРМАЙЕР. Владелец: Меллер Гебойдеаутомацион Гмбх. Дата публикации: 2011-06-27.

Direct current switching device

Номер патента: RU2654533C2. Автор: Херберт ГАМБАХ,Доминик ЭРГИН,Йорг ДОРН. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2018-05-21.

Multi-position switching device

Номер патента: RU2751176C1. Автор: Максим Владимирович Меш,Алексей Сергеевич Драчков,Антон Алексеевич Дорофеев. Владелец: Акционерное общество "Специальное конструкторско-технологическое бюро Кольцова". Дата публикации: 2021-07-09.

Switching device and components at connection side

Номер патента: RU2582574C2. Автор: Карстен ГЕРВИНГ. Владелец: ИТОН ЭЛЕКТРИКАЛ АйПи ГМБХ УНД КО. КГ. Дата публикации: 2016-04-27.

Switching device

Номер патента: EP1334500A1. Автор: Lars JÖNSSON,Mats Svensson,Magnus Backman,Philip Kjaer,Per Larsson,Sjoerd Bosga,Freddy Magnussen,Stefan Valdermarsson,Per-Olof Thureson. Владелец: ABB AB. Дата публикации: 2003-08-13.

A switch device and a lever device including said switch device

Номер патента: WO2024084498A1. Автор: Yogesh Kumar Gupta,Tarun Ojha. Владелец: Hero MotoCorp Limited. Дата публикации: 2024-04-25.

Contact levitation triggering mechanisms for use with switching devices incorporating pyrotechnic features

Номер патента: US12040145B2. Автор: David Hatch,Daniel Sullivan,Murray Stephan McTigue,Bernard Bush. Владелец: Gigavac LLC. Дата публикации: 2024-07-16.

Tie bar for three pole switching device

Номер патента: WO2008060414A2. Автор: Brian Timothy Mccoy. Владелец: Siemens Energy & Automation, Inc.. Дата публикации: 2008-05-22.

Mems switching device protection

Номер патента: EP1908088A1. Автор: Geoffrey Haigh,Cammen Chan. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2008-04-09.

A handle arrangement for a switching device

Номер патента: EP4416749A1. Автор: Rishin NAIR,Lakshmi Narayanan RAMALINGAM. Владелец: Novateur Electrical and Digital Systems Pvt Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Protective device and combination switching device

Номер патента: US20100296216A1. Автор: Ruediger Schweitzer,Klaus Wittmann,Richard Kommert. Владелец: ABB AG Germany. Дата публикации: 2010-11-25.

Switching device and method for operating a switching device

Номер патента: US20240266133A1. Автор: Robin Abendschoen. Владелец: EGO Elektro Geratebau GmbH. Дата публикации: 2024-08-08.

Short circuit indicator module for an electrical switching device and electrical switching device

Номер патента: US20130234810A1. Автор: Michael Freimuth,Jürgen Renner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2013-09-12.

Switching device with pyrotechnic actuation apparatus

Номер патента: EP4459656A1. Автор: Shuming ZHONG,Wenguang DAI,Songsheng CHEN,Yaosheng HONG. Владелец: Xiamen Hongfa Electric Power Controls Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-06.

Integrated circuit comprising field effect transistors and a programmable read-only memory

Номер патента: IE56337B1. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1991-06-19.

Electrical switch device

Номер патента: US09991062B2. Автор: Trent Zimmer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-06-05.

Negative supply rail positive boost write-assist circuits for memory bit cells employing a P-type field-effect transistor (PFET) write port(s), and related systems and methods

Номер патента: US09984730B2. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoan Huu Nguyen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Switching device having terminal cover, and method

Номер патента: US09842712B2. Автор: Jung Soo Park,Ashish Mishra,Allison Conner,Anurag Arjundas Jivanani,Piotr Slawomir WORONKOWICZ. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-12-12.

Wordline negative boost write-assist circuits for memory bit cells employing a P-type field-effect transistor (PFET) write port(s), and related systems and methods

Номер патента: US09842634B2. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoan Huu Nguyen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Switching device and related switchgear

Номер патента: US09659722B2. Автор: Roberto Penzo,Carlo Boffelli. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2017-05-23.

Thermal trip device having a current redirecting linking element, switching device, thermal magnetic circuit breaker and method for protecting an electric circuit

Номер патента: US09508516B2. Автор: Roberto Federico Cantu Gonzalez. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2016-11-29.

Thermal trip device, switching device, thermal magnetic circuit breaker and method for protecting an electrical circuit from damage

Номер патента: US09449775B2. Автор: Luis Miguel FRANCO CABALLERO,Adrian CARRILLO SOTO. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2016-09-20.

Switching device for bodies equipped with protection against external influences

Номер патента: RU2701865C2. Автор: Пэй ЛИ,Стэнли Феликс АМИРТАСАМИ,Марван БРАМА,Ричард Дж. ВИНКЛЕР. Владелец: ФИШЕР КОНТРОЛЗ ИНТЕРНЕШНЕЛ ЛЛС. Дата публикации: 2019-10-02.

Switching device and household appliance containing such switching device

Номер патента: RU2561452C2. Автор: Франк ХУГЕТ,Кристоф БЛЮМЛЬ. Владелец: Электролюкс Хоум Продактс Корпорейшн Н.В.. Дата публикации: 2015-08-27.

Electric switching device

Номер патента: RU2568676C2. Автор: Норберт ЛЮТИ,Томаш МАГЕР,Манфред МАЙНХЕРЦ,Клеменс РЮТНИК. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2015-11-20.

Electric switching device comprising a switching mechanism and at least one auxiliary unit

Номер патента: RU2717348C2. Автор: Кристоф Грюмель,Ален БРУЙЯ. Владелец: ШНЕЙДЕР ЭЛЕКТРИК ЭНДЮСТРИ САС. Дата публикации: 2020-03-23.

Switching device protective disconnection device

Номер патента: RU2613329C2. Автор: Оливер ДУВЕ,Томас ХИЛКЕР. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2017-03-16.

Shift register using complementary induced channel field effect semiconductor devices

Номер патента: US3588527A. Автор: James Ronald Cricchi. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1971-06-28.

Insulated gate field effect transistor memory array

Номер патента: US3609712A. Автор: Robert H Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1971-09-28.

Switching device with breaking and/or earthing function

Номер патента: RU2340977C2. Автор: Диего СОЛОГУРЕН-САНЧЕС,Вальтер ХОЛАУС,Бо н ПАВЛОВИЧ,Боян ПАВЛОВИЧ,Даниель БЛЕЙКЕР,Мартин ВИЗЕР. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ АГ. Дата публикации: 2008-12-10.

Electric drive for switching devices arranged as capable of electric energy accumulation

Номер патента: RU2464661C2. Автор: Паоло НАВА,Даниеле НОВАТИ. Владелец: Бтичино С.П.А.. Дата публикации: 2012-10-20.

Storage system having bilateral field effect transistor personalization

Номер патента: CA1169556A. Автор: Wilbur D. Pricer,James E. Selleck. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-06-19.

Electronic switch device with ceramic sheets

Номер патента: US20170330716A1. Автор: Sung-Jen Wu. Владелец: Song Chuan Precision Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-16.

Switching contact drive device and switching device

Номер патента: US20200273644A1. Автор: Christian Bradler,Alexander Rose-Poetzsch. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2020-08-27.

Damper and latching assemblies for electrical switching devices

Номер патента: EP4377979A1. Автор: Robert Michael Slepian,Andrew L. Gottschalk,Jayaraman Muniyappan,Santhose Kumar CHAMARAJANAGAR GOVINDA NAYAKA. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

Operating mechanism and switching device

Номер патента: ZA202309876B. Автор: WEI Yao,Denggui Ao,Yongfu XU,Chuncui WANG,Gaoqiang SHEN,Dajun CAO. Владелец: Chint Low Voltage Electrical Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Switch device

Номер патента: US20130112534A1. Автор: Atsushi Harada,Kiyotsugu Arai,Kohki Kamagome. Владелец: Nittei Musen Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-09.

Switching device

Номер патента: US12051552B2. Автор: Akihiro Kusaka,Shunsuke Kimura,Tetsu Numata,Reiji KOYAMA,Shigeto GORAI. Владелец: Alps Alpine Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Security switching device and a system of security switching devices

Номер патента: AU4244901A. Автор: Richard Veil,Jürgen Pullmann. Владелец: Pilz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2001-09-17.

Electrical switching device with locking function

Номер патента: US20240145200A1. Автор: Korbinian Kreuzpointner,Andrej Ignatov,Martin Geschke. Владелец: Schaltbau GmbH. Дата публикации: 2024-05-02.

Release unit for tripping a tripping element of an electrical switching device and electrical switching device

Номер патента: US20140204495A1. Автор: Jürgen Renner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2014-07-24.

Switching device and switching device arrangement

Номер патента: US20170256921A1. Автор: Herbert Roth. Владелец: Ellenberger and Poensgen GmbH. Дата публикации: 2017-09-07.

Dc voltage switching device having earth fault protection

Номер патента: US20240266820A1. Автор: Lutz Heuer,Detlev SCHUERGENS,Tobias Grote. Владелец: Phoenix Contact GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-08-08.

Foot switch device and medical device system

Номер патента: US20240242908A1. Автор: Andreas HÖRLLE,Antonios Patelis. Владелец: OLYMPUS Winter and Ibe GmbH. Дата публикации: 2024-07-18.

Switching device with terminal contacts

Номер патента: GB2624720A. Автор: Linden Ralph,Konietzko Thomas,Zacharias Albert,Hrishikesh Sabale Varsha,Das Asish,Nandan Bharat. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2024-05-29.

DC voltage switching device having earth fault protection

Номер патента: US12081012B2. Автор: Lutz Heuer,Detlev SCHUERGENS,Tobias Grote. Владелец: Phoenix Contact GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-09-03.

Electrical switching device

Номер патента: CA2012478A1. Автор: Guy Leclerc,Nevenka Prijic,Serge Bernier,Philippe Lalande. Владелец: Honeywell Amplitrol Inc. Дата публикации: 1991-09-19.

Service switching device

Номер патента: US20020149462A1. Автор: Winrich Habedank,Walter Kahl,Ralf Wieland,Bernd Siedelhofer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-17.

Switching device for switching an electrical load

Номер патента: US11742166B2. Автор: Robert Hoffmann,Jonas Weinhardt. Владелец: TDK Electronics AG. Дата публикации: 2023-08-29.

Interlocking mechanism for a switching device

Номер патента: US20230133635A1. Автор: James Windelon Adams,Seth Tyler O'Brien. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Electromechanical switching device with a shock resistance mechanism

Номер патента: WO2024187032A1. Автор: Stefan Vasilev Metodiev,Nikolay Stoyanov CHEHLAROV. Владелец: Sensata Technologies Inc.. Дата публикации: 2024-09-12.

Electromechanical switching device with a ball locking mechanism

Номер патента: WO2024182697A1. Автор: Cory Zephir Bousquet,Stefan Vasilev Metodiev,Nikolay Stoyanov CHEHLAROV. Владелец: Sensata Technologies Inc.. Дата публикации: 2024-09-06.

Carrier shaft for an electromechanical switching device and electromechanical switching device

Номер патента: US09972469B2. Автор: Christoph Weber,Milos Petracek,Daniel Vavra,Pavel NAIMAN. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2018-05-15.

Switching device and switching device arrangement

Номер патента: US09899807B2. Автор: Herbert Roth. Владелец: Ellenberger and Poensgen GmbH. Дата публикации: 2018-02-20.

Information display system for switching device, switching device, and method

Номер патента: US09870878B2. Автор: Jung Soo Park,Allison Stacey Conner,Ashish Mishra,Simhadri Ramalingeswara Rao Gupta,Anurag Arjundas Jivanani,Jason Edward Harmon,Malik HOCINE,David Adam OUELLETTE,Piotr Slawomir WORONKOWICZ. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2018-01-16.

Switch device and use of the switch device

Номер патента: US09859886B2. Автор: Michael ten Hompel,Jan Soeren EMMERICH. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2018-01-02.

Electrical switching device

Номер патента: US09646777B2. Автор: Markus Finger,Michael Schnitker. Владелец: Bernstein AG. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of manufacturing field-effect transistor array by direct carbon nanotube printing and field effect transistor array manufactured by the same

Номер патента: US20240204078A1. Автор: Yoonhee Lee,Hongki KANG,Soohyun PARK,Minhye Shin. Владелец: DAEGU GYEONGBUK INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-06-20.

Amorphous oxide and field-effect transistor using said oxide

Номер патента: RU2369940C2. Автор: Хидео ХОСОНО,Кендзи НОМУРА,Масафуми САНО,Кацуми НАКАГАВА,Тосио КАМИЯ. Владелец: Токио Инститьют Оф Текнолоджи. Дата публикации: 2009-10-10.

Methods of enhancing performance of field-effect transistors and field-effect transistors made thereby

Номер патента: WO2010085304A2. Автор: Ajaykumar R. Jain. Владелец: VERSATILIS LLC. Дата публикации: 2010-07-29.

Methods of enhancing performance of field-effect transistors and field-effect transistors made thereby

Номер патента: WO2010085304A3. Автор: Ajaykumar R. Jain. Владелец: VERSATILIS LLC. Дата публикации: 2010-09-16.

Fin field effect transistor with field plating

Номер патента: US20230085365A1. Автор: Ming-Yeh Chuang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Fin field effect transistor with field plating

Номер патента: WO2022008977A1. Автор: Ming-Yeh Chuang. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2022-01-13.

Fin field effect transistor with field plating

Номер патента: US12074216B2. Автор: Ming-Yeh Chuang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Long-Term Implantable Silicon Carbide Neural Interface Device Using the Electrical Field Effect

Номер патента: US20140194719A1. Автор: Christopher Leroy Frewin,Stephen E. Saddow. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2014-07-10.

Long-term implantable silicon carbide neural interface device using the electrical field effect

Номер патента: WO2013010161A3. Автор: Christopher Leroy Frewin,Stephen E. Saddow. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2013-03-14.

Long-term implantable silicon carbide neural interface device using the electrical field effect

Номер патента: EP2731498A2. Автор: Christopher Leroy Frewin,Stephen E. Saddow. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2014-05-21.

Method for introducing channel stress and field effect transistor fabricated by the same

Номер патента: US20120032239A1. Автор: Xing Zhang,Ru Huang,Xia An,Quanxin Yun. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-02-09.

Amorphous oxide and field-effect transistor using said oxide

Номер патента: RU2399989C2. Автор: Хидео ХОСОНО,Кендзи НОМУРА,Масафуми САНО,Кацуми НАКАГАВА,Тосио КАМИЯ. Владелец: Токио Инститьют Оф Текнолоджи. Дата публикации: 2010-09-20.

Method of forming field effect transistors relative to a semiconductor substrate and field effect transistors produced according to the method

Номер патента: US5597746A. Автор: Kirk Prall. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1997-01-28.

Power supply circuit and field emission electron source

Номер патента: US20230036712A1. Автор: Huaping Tang,Jinsong PAN,Zhanfeng Qin,Xiangyu YIN,Yangwei ZHAN. Владелец: NURAY TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Methods for forming carbon nanotube/metal composite films and field emission cathodes therefrom

Номер патента: WO2022070095A1. Автор: Cheng Qian. Владелец: Ncx Corporation. Дата публикации: 2022-04-07.

Methods of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and field effect transistors

Номер патента: US20210343958A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Timothy Vasen,Gerben Doombos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Methods of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and field effect transistors

Номер патента: US20200161574A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Methods for forming carbon nanotube/metal composite films and field emission cathodes therefrom

Номер патента: CA3194243A1. Автор: Cheng Qian. Владелец: NCX Corp. Дата публикации: 2022-04-07.

Methods for forming carbon nanotube/metal composite films and field emission cathodes therefrom

Номер патента: EP4222772A1. Автор: Cheng Qian. Владелец: NCX Corp. Дата публикации: 2023-08-09.

Merged Field Effect Transistor Cells For Switching

Номер патента: US20090224334A1. Автор: Randy L. Wolf,Lawrence F. Wagner, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-09-10.

Filter designs utilizing parasitic and field effects

Номер патента: US6147576A. Автор: Augusto Arevalo. Владелец: Ameramp LLC. Дата публикации: 2000-11-14.

Amorphous boron nitride film, semiconductor device and field effect transistor including same, and method of manufacturing boron nitride film

Номер патента: US20240242965A1. Автор: Jaewon Kim,Minsu Kim,Taehoon Kim,Hyeonjin Shin,Taejin CHOI,Hyeonsuk Shin,Van Luan NGUYEN. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Vertical device with sidewall spacer, methods of forming sidewall spacers and field effect transistors, and patterning method

Номер патента: US20070254442A1. Автор: Christoph Ludwig,Hans Lindemann,Jyoti Gupta,Dirk Manger. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-11-01.

Display element and field-effect type transistor

Номер патента: US20100111505A1. Автор: Hiroo Hongo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2010-05-06.

Semiconductor device and field effect transistor with controllable threshold voltage

Номер патента: US09530879B2. Автор: Yuji Ando,Takashi Inoue,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Kazuki Ota. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Cascode amplifier structures including wide bandgap field effect transistor with field plates

Номер патента: US7126426B2. Автор: Primit Parikh,Umesh Mishra,Yifeng Wu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2006-10-24.

Semiconductor switch device

Номер патента: US20170373054A1. Автор: Thomas Francois,Olivier Tesson. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-12-28.

Method of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and a field effect transistor

Номер патента: US20240284688A1. Автор: Mark Van Dal,Gerben Doornbos,Matthias Passlack,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Ferroelectric semiconducting floating gate field-effect transistor

Номер патента: WO2022140453A1. Автор: Carlos A. Paz de Araujo,Jolanta B. Celinska,Christopher R. McWilliams,Jason E. Nobles. Владелец: Advanced Nanoscale Devices. Дата публикации: 2022-06-30.

Method of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and a field effect transistor

Номер патента: US20200075875A1. Автор: Mark Van Dal,Gerben Doornbos,Matthias Passlack,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

High current and field-managed transistor

Номер патента: US20240332397A1. Автор: James G. Fiorenza,Daniel Piedra. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Gallium nitride epitaxial crystal, method for production thereof and field effect transistor

Номер патента: GB2460197A. Автор: Naohiro Nishikawa,Masahiko Hata,Hiroyuki Sazawa. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-25.

Semiconductor device and field effect transistor with controllable threshold voltage

Номер патента: US9231096B2. Автор: Yuji Ando,Takashi Inoue,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Kazuki Ota. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-05.

Fabrication Method Of Semiconductor Film, Semiconductor Film, And Field Effect Transistor

Номер патента: US20180053701A1. Автор: Junichi Takeya,Junshi SOEDA. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2018-02-22.

Silicon field effect emitter

Номер патента: US20200388459A1. Автор: Jörg FREUDENBERGER,Anja Fritzler. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2020-12-10.

Switching device

Номер патента: US8797086B2. Автор: Yuichi Inaba,Yosiaki Honda. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-08-05.

Optically switched device

Номер патента: WO1981003550A1. Автор: Hamamsy M El. Владелец: Western Electric Co. Дата публикации: 1981-12-10.

Field-effect transistor stack voltage compensation

Номер патента: US09721936B2. Автор: David Scott Whitefield,Yu Zhu,Guillaume Alexandre Blin,Ambarish Roy. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor heterostructure of field-effect transistor

Номер патента: RU2316076C1. Автор: Дмитрий Михайлович Красовицкий,Алексей Николаевич Алексеев,Юрий Васильевич Погорельский,Виктор Петрович ЧАЛЫЙ,Алексей Петрович Шкурко,Игорь Альбертович Соколов. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Светлана-Рост". Дата публикации: 2008-01-27.

Method and field-emission lamp for controlling field emission current of lamp

Номер патента: RU2316844C1. Автор: Виктор Григорьевич Бондаренко,Виктор Григорьевич Бондаренко (RU). Владелец: Виктор Григорьевич Бондаренко. Дата публикации: 2008-02-10.

Methods for forming carbon nanotube/metal composite films and field emission cathodes therefrom

Номер патента: US20230411103A1. Автор: Cheng Qian. Владелец: NCX Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Controlled Resistance Integrated Snubber for Power Switching Device

Номер патента: US20200185377A1. Автор: Ling Ma,Hugo Burke,Kapil Kelkar. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Power field effect transistor, a power field effect transistor device and a method of manufacturing a power field effect transistor

Номер патента: US09660044B2. Автор: Jean Michel Reynes,Pierre Jalbaud,Dale Neil VAUGHAN,Graeme John Anderson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Field-effect transistor manufacturing method

Номер патента: RU2706296C1. Автор: Юкико АБЕ,Наоюки УЕДА,Юки НАКАМУРА,Синдзи МАЦУМОТО,Юдзи СОНЕ,Риоити САОТОМЕ,Саданори АРАЕ,Минехиде КУСАЯНАГИ. Владелец: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД.. Дата публикации: 2019-11-15.

Coating liquid for forming thin metal oxide film, thin metal oxide film, field-effect transistor and method of making field-effect transistor

Номер патента: RU2546725C2. Автор: Юкико АБЕ,Наоюки УЕДА,Юки НАКАМУРА,Юдзи СОНЕ. Владелец: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД.. Дата публикации: 2015-04-10.

Heterostructural field-effect transistor based on gallium nitride with improved stability of the current-voltage characteristic to ionizing radiation

Номер патента: RU2646529C1. Автор: Александр Григорьевич Гудков,Владимир Николаевич Вьюгинов,Святослав Игоревич Видякин,Владимир Геннадьевич Тихомиров,Артем Аркадьевич Городничев,Андрей Артурович Зыбин,Яков Михайлович Парнес. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана (национальный исследовательский университет)" (МГТУ им. Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2018-03-05.

Sense amplifier configuration having a field-effect transistor having a short channel length and an adjustable threshold voltage

Номер патента: US6417722B1. Автор: Helmut Schneider,Jürgen Lindolf,Hermann Ruckerbauer,Thomas Borst. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-07-09.

Method for Operating Field-Effect Transistor, Field-Effect Transistor and Circuit Configuration

Номер патента: US20140184306A1. Автор: Markus Zundel,Peter Nelle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-07-03.

Field Effect Transistor Device

Номер патента: US20240304729A1. Автор: Dongli Zhang,Mingxiang WANG,Lekai Chen,Huaisheng WANG. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-09-12.

Field-Effect Transistor Device with Equivalent Source and Drain Region Optimization

Номер патента: US20240371937A1. Автор: Dongli Zhang,Mingxiang WANG,Lekai Chen,Huaisheng WANG,Yeye Guo. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-11-07.

Field-effect transistor with schottky barrier

Номер патента: RU2743225C1. Автор: Сергей Александрович Богданов,Юрий Михайлович Богданов,Константин Сергеевич Журавлев,Владимир Михайлович Лукашин,Владимир Григорьевич Лапин,Андрей Борисович Пашковский. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2021-02-16.

Magnetic field effect transconductors

Номер патента: US20190051821A1. Автор: Yong Kyu YOON,Arian Rahimi. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Self-adjusting gate bias network for field effect transistors

Номер патента: WO2010029186A1. Автор: Roland Gesche,Armin Liero,Silvio Kuehn,M. Ibrahim Khalil. Владелец: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.. Дата публикации: 2010-03-18.

Complementary Field Effect Transistors Using Gallium Polar and Nitrogen Polar III-Nitride Material

Номер патента: US20150221649A1. Автор: Charles R. Eddy, Jr.,Francis J. Kub,Travis J. Anderson,Michael A. Mastro,Jennifer K. Hite. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2015-08-06.

High-voltage bidirectional field effect transistor

Номер патента: WO2024112426A1. Автор: Chirag Gupta,Shubhra S. Pasayat. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-05-30.

Circuit Including a Field-Effect Transistor and a Bipolar Transistor

Номер патента: US20190074374A1. Автор: Gary Horst Loechelt. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-03-07.

Three-dimensional memory device with vertical field effect transistors and method of making thereof

Номер патента: US20220068966A1. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-03-03.

Gated field effect devices and methods of forming a gated field effect device

Номер патента: EP1759415A2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Cem Basceri,Kunal R. Parekh,Montgomery H. Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-03-07.

Gated field effect devices and methods of forming a gated field effect device

Номер патента: WO2005122270A9. Автор: Cem Basceri,Gurtej S Sandhu,Kunal R Parekh,Montgomery H Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-05-18.

Gated field effect devices and methods of forming a gated field effect devices

Номер патента: SG138602A1. Автор: Cem Basceri,Gurtej S Sandhu,Kunal R Parekh,Montgomery H Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-01-28.

CHARGE TRANSFER LOGIC (CTL) USING COMPLEMENTARY CURRENT FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES (CiFET) AND / OR COMPLEMENTARY SWITCHED CURRENT FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES (CsiFET)

Номер патента: US20210020766A1. Автор: Terrence R. Hudrlik,Susan Marya SCHOBER,Robert C. Schober,Aaron CURRY,Timothy Howard Richards. Владелец: Circuit Seed LLC. Дата публикации: 2021-01-21.

Field effect transistor, and multilayered epitaxial film for use in preparation of field effect transistor

Номер патента: US09954087B2. Автор: Yuji Ando,Takashi Inoue,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto,Kazuki Ota,Naotaka Kuroda,Akio Wakejima,Yasuhiro Murase,Katsumi Yamanoguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Fin-shaped field effect transistor and capacitor structures

Номер патента: US09941271B2. Автор: Akira Ito,Changyok Park,Shom Surendran PONOTH. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Interconnects for vertical-transport field-effect transistors

Номер патента: US09887192B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Combination metal oxide semi-conductor field effect transistor (MOSFET) and junction field effect transistor (JFET) operable for modulating current voltage response or mitigating electromagnetic or radiation interference effects by altering current flow through the MOSFETs semi-conductive channel region (SCR)

Номер патента: US09595519B2. Автор: Patrick L. Cole,Mark Savage,Jeffrey L. Titus,Adam R. Duncan. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-03-14.

Method of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and a field effect transistor

Номер патента: US20210020745A1. Автор: Georgios Vellianitis,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Matthias Passlack,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Method of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and a field effect transistor

Номер патента: US20230369397A1. Автор: Georgios Vellianitis,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Matthias Passlack,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and a field effect transistor

Номер патента: US11769798B2. Автор: Georgios Vellianitis,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Matthias Passlack,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Method of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and a field effect transistor

Номер патента: US20220367824A1. Автор: Mark Van Dal,Gerben Doornbos,Matthias Passlack,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Method of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and a field effect transistor

Номер патента: US12010856B2. Автор: Mark Van Dal,Gerben Doornbos,Matthias Passlack,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Method of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and a field effect transistor

Номер патента: US20200358015A1. Автор: Mark Van Dal,Gerben Doornbos,Matthias Passlack,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Field-effect transistor having dual channels

Номер патента: US20200328211A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-15.

Ferroelectric field-effect transistor with high permittivity interfacial layer

Номер патента: US20240234574A9. Автор: Sayeef Salahuddin,Ava Jiang TAN. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-07-11.

Gate structure for field effect transistor

Номер патента: WO2009133515A1. Автор: Markus Mueller,Jasmine Petry,Guillaume Boccardi. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2009-11-05.

Ferroelectric field-effect transistor and a method for forming the same

Номер патента: WO2024177575A1. Автор: Kah-Wee Ang,Heng XIANG,Yu-Chieh CHIEN,Lingqi LI. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2024-08-29.

Diketopyrrolopyrrole Polymers for Use in Organic Field Effect Transistors

Номер патента: US20180331296A1. Автор: Beat Schmidhalter,Pascal Hayoz,Jean-Charles Flores,Mathieu G. R. Turbiez,Mathias DÜGGELI,Marta Fonrodona Turon,Mahmoud Zaher Eteish,Olivier Aebischer,Margherita Fontana,Marian Lanz. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2018-11-15.

Diketopyrrolopyrrole polymers for use in organic field effect transistors

Номер патента: US20190027690A9. Автор: Beat Schmidhalter,Pascal Hayoz,Jean-Charles Flores,Mathieu G.R. Turbiez,Mathias DÜGGELI,Olivier Frédéric AEBISCHER,Marta Fonrodona Turon,Mahmoud Zaher Eteish,Margherita Fontana,Marian Lanz. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2019-01-24.

Field effect transistor including strained germanium fins

Номер патента: US20170148680A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Junction field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2011053932A1. Автор: Andrew David Bain,Bernard Patrick Stenson,William Allan Lane,Patrick Martin McGuinness,Derek Frederick Bowers,Paul Malachy Daly,Anne Maria Deignan,Michael Thomas Dunbar. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2011-05-05.

Method for producing a shallow trench isolation for n- and p- channel field-effect transistors in a semiconductor module

Номер патента: US20030181019A1. Автор: Hans-Peter Moll,Andreas Wich-Glasen,Dirk Efferenn. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-09-25.

Field-effect transistor and method for manufacturing a field-effect transistor

Номер патента: US20080211019A1. Автор: Rudolf Zelsacher,Martin Poelzl,Dietmar Kotz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-09-04.

Group III-Nitride compound heterojunction tunnel field-effect transistors and methods for making the same

Номер патента: US09954085B2. Автор: Debdeep Jena,Patrick Fay,Wenjun Li,Lina Cao. Владелец: University of Notre Dame . Дата публикации: 2018-04-24.

Field effect transistor including strained germanium fins

Номер патента: US09953884B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Diketopyrrolopyrrole polymers for use in organic field effect transistors

Номер патента: US09893288B2. Автор: Beat Schmidhalter,Pascal Hayoz,Jean-Charles Flores,Mathieu G. R. Turbiez,Mathias DÜGGELI,Marta Fonrodona Turon,Mahmoud Zaher Eteish,Olivier Aebischer,Margherita Fontana,Marian Lanz. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2018-02-13.

Buried contact structures for a vertical field-effect transistor

Номер патента: US09831317B1. Автор: Hui Zang,Tek Po Rinus Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Field effect transistor including strained germanium fins

Номер патента: US09799568B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

High reliability field effect power device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09780176B2. Автор: Hyun Wook Jung,Ho Kyun Ahn,Chull Won JU,Jong Min Lee,Dong-Young Kim,Dong Min Kang,Sang-Heung Lee,Hyung Sup Yoon,Jong-Won Lim,Hae Cheon Kim,Seong-Il Kim,Byoung-Gue Min,Kyu Jun CHO,Jae Won DO. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device having field-effect structures with different gate materials, and method for manufacturing thereof

Номер патента: US09773706B2. Автор: Walter Rieger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-09-26.

Fin tunnel field effect transistor (FET)

Номер патента: US09614049B2. Автор: Krishna Bhuwalka. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Field effect transistor including strained germanium fins

Номер патента: US09570443B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Field-effect transistor structure for preventing from shorting

Номер патента: US09520343B1. Автор: Chung Hsing Tzu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-13.

Field effect transistors having multiple effective work functions

Номер патента: US09484427B2. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Min Dai,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Integrated circuit chips having field effect transistors with different gate designs

Номер патента: US09425275B2. Автор: Mark S. Rodder,Borna J. Obradovic,Dharmendar Reddy Palle. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for manufacturing a gallium nitride power field-effect transistor

Номер патента: RU2668635C1. Автор: Николай Анатольевич Торхов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2018-10-02.

Field-effect transistor

Номер патента: RU2222845C1. Автор: А.Н. Алексеев,И.А. Соколов,В.П. Чалый,Ю.В. Погорельский,Д.М. Красовицкий. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научное и технологическое оборудование". Дата публикации: 2004-01-27.

Integrated circuit using an insulated gate field effect transistor

Номер патента: CA1091815A. Автор: Minoru Yamamoto,Masaichi Shinoda,Tetsuo Nakamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1980-12-16.

A field-effect transistor

Номер патента: CA2317759A1. Автор: Rolf Magnus Berggren,Bengt Göran GUSTAFSSON,Johan Roger Axel Karlsson. Владелец: Johan Roger Axel Karlsson. Дата публикации: 1999-08-12.

Integrated circuits having strained channel field effect transistors and methods of making

Номер патента: US20070099360A1. Автор: Haining Yang,Yong Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-05-03.

Method for effective fabrication of a field effect transistor with elevated drain and source contact structures

Номер патента: US6087235A. Автор: Bin Yu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-07-11.

Semiconductor processing method of providing electrical isolation between adjacent semiconductor diffusion regions of different field effect transistors and integrated circuitry having adjacent electrically isolated field effect transistors

Номер патента: US5895243A. Автор: Trung Tri Doan,Charles H. Dennison. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-04-20.

Field Effect Transistor Device, and Method for Improving Short-Channel Effect and Output Characteristic Thereof

Номер патента: US20230223466A1. Автор: Dongli Zhang,Mingxiang WANG,Lekai Chen,Huaisheng WANG. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-07-13.

Three-dimensional monolithic vertical field effect transistor logic gates

Номер патента: US20190181055A1. Автор: Chen Zhang,Joshua Rubin,Ardasheir Rahman,Terry Hook. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Method of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and a field effect transistor

Номер патента: US20210074810A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Devices and methods related to switch linearization by compensation of a field-effect transistor

Номер патента: US11855361B2. Автор: Nuttapong Srirattana,Zhiyang Liu. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

DRAM circuitry, method of forming a field emission device, and field emission device

Номер патента: US20020068448A1. Автор: Richard Lane,Brenda Kraus. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-06.

Method of forming a field effect transistor having a gate structure with a first section having a first effective work function above a center portion of the channel region and with second sections having a second effective work function above opposing sidewalls of the channel region

Номер патента: US20140070330A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Field effect transistor, manufacturing method therefor, and switching circuit

Номер патента: EP4300587A1. Автор: Gilberto Curatola,Gaofei TANG,Qimeng JIANG,Hanxing WANG,Qilong Bao. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-03.

Gate-last ferroelectric field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US11996454B2. Автор: Min Liao,Yichun ZHOU,Binjian ZENG,Jiajia LIAO,Qiangxiang PENG,Yanwei HUAN. Владелец: XIANGTAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-05-28.

Devices and methods related to switch linearization by compensation of a field-effect transistor

Номер патента: US20240204401A1. Автор: Nuttapong Srirattana,Zhiyang Liu. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Replacement metal gate process for vertical transport field-effect transistors with multiple threshold voltages

Номер патента: US20200066603A1. Автор: Brent A. Anderson,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Capacitive control of electrostatic field effect optoelectronic device

Номер патента: US12015105B2. Автор: Jing Zhang,Matthew Hartensveld. Владелец: ROCHESTER INSTITUTE OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-06-18.

Interfacial layer regrowth control in high-k gate structure for field effect transistor

Номер патента: EP2294609A1. Автор: Markus Mueller,Jasmine Petry,Guillaume Boccardi. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-03-16.

Package structure of common-source common-gate gallium nitride field-effect transistor

Номер патента: US11315864B2. Автор: Tsung Hsien Yen,Hsing Yeh Wang,Feng Jui Shen. Владелец: Gan Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-26.

Field effect transistor and method for manufacturing same, and display panel

Номер патента: US20240213373A1. Автор: Jie Huang,Dongfang Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Lateral field-effect transistor and preparing method

Номер патента: US20230299128A1. Автор: NING Xu,Cheng Liu,Nien-Tze Yeh,Wenbi Cai. Владелец: Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Lateral field-effect transistor and preparation method therefor

Номер патента: EP4228006A1. Автор: NING Xu,Cheng Liu,Nien-Tze Yeh,Wenbi Cai. Владелец: Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Unltra-Shallow Junction Semiconductor Field-Effect Transistor and Method of Making

Номер патента: US20140306271A1. Автор: Peng Xu,Wei Zhang,Dongping Wu,Shili Zhang,Xiangbiao Zhou. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-10-16.

Methods of Forming Field Effect Transistors on Substrates

Номер патента: US20130230957A1. Автор: Sanh D. Tang,Robert J. Hanson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-05.

Vertical fin field effect transistor, vertical fin field effect transistor arrangement, and method for forming a vertical fin field effect transistor

Номер патента: US20230118158A1. Автор: Joachim Rudhard,Wolfgang Feiler,Daniel Krebs,Jens Baringhaus,Alberto MARTINEZ-LIMIA. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-04-20.

Method for producing a switching device with a moisture-tight and electrically insulating cover and for producing an arrangement therewith

Номер патента: US20160120038A1. Автор: Christian Göbl,Heinrich Heilbronner. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-04-28.

Multi-gate field-effect transistor with enhanced and adaptable low-frequency noise

Номер патента: US20120168868A1. Автор: Hsin Chen,Jeng Gong,Tang-Jung CHIU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-05.

Dual dielectric tri-gate field effect transistor

Номер патента: US20110063019A1. Автор: Josephine B. Chang,Jeffrey W. Sleight,Leland Chang,Chung-Hsun Lin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-03-17.

Field effect electron emitter with grouped part emission surfaces

Номер патента: US20240290567A1. Автор: Joerg Freudenberger,Michael Wimmer,Anja Fritzler,Peter Geithner,Christoph Jud. Владелец: Siemens Healthineers AG. Дата публикации: 2024-08-29.

Field-effect transistor having improved layout

Номер патента: NL2024135B1. Автор: Valk Patrick. Владелец: Ampleon Netherlands Bv. Дата публикации: 2021-07-19.

Field-Effect Transistor and Method for Producing a Field-Effect Transistor

Номер патента: US20100308404A1. Автор: Rainer Minixhofer,Verena Vescoli,Jong Mun Park. Владелец: austriamicrosystems AG. Дата публикации: 2010-12-09.

Field effect transistor and solid state image pickup device

Номер патента: US20070290238A1. Автор: Satoru Adachi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-12-20.

A Method for Producing an Organic Field Effect Transistor and an Organic Field Effect Transistor

Номер патента: US20160049603A1. Автор: Karl Leo,Hans Kleemann,Bjoern Luessem,Alrun Guenther. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor device having a field effect transistor with improved linearity

Номер патента: US4717944A. Автор: Leonard J. M. Esser,Petrus J. A. M. Van de Wiel. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1988-01-05.

Field effect transistor

Номер патента: EP4273938A1. Автор: Hideaki Yamada,Takahiro Yamaguchi,Junichi Kaneko,Hitoshi Koizumi,Shinya OHMAGARI,Hitoshi Umezawa,Naohisa HOSHIKAWA. Владелец: Ookuma Diamond Device Inc. Дата публикации: 2023-11-08.

Optically triggered wide bandgap bipolar power switching devices and circuits

Номер патента: EP1880470A1. Автор: Anant K. Agarwal,Sumithra Krishnaswami,James T. Richmond, Jr.. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2008-01-23.

Optically triggered wide bandgap bipolar power switching devices and circuits

Номер патента: EP1880470B1. Автор: Anant K. Agarwal,Sumithra Krishnaswami,James T. Richmond, Jr.. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2010-06-02.

Field-effect transistor and corresponding manufacturing method

Номер патента: US20020089006A1. Автор: Federico Pio,Paola Zuliani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-07-11.

Single-Gate Field Effect Transistor and Method for Modulating the Drive Current Thereof

Номер патента: US20230120523A1. Автор: Dongli Zhang,Jinfeng Zhao,Mingxiang WANG,Huaisheng WANG. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-04-20.

Field-effect transistor having improved layout

Номер патента: WO2021086189A1. Автор: Patrick Valk. Владелец: Ampleon Netherlands B.V.. Дата публикации: 2021-05-06.

Field-effect transistor having improved layout

Номер патента: EP4052300A1. Автор: Patrick Valk. Владелец: Samba Holdco Netherlands BV. Дата публикации: 2022-09-07.

Silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3813127A1. Автор: Song BAI,Tongtong YANG. Владелец: CETC 55 Research Institute. Дата публикации: 2021-04-28.

Method for producing a vertical field-effect transistor structure and corresponding vertical field-effect transistor structure

Номер патента: US20240371928A1. Автор: Daniel Krebs,Kevin Dannecker. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-11-07.

Single-gate field effect transistor and method for modulating the drive current thereof

Номер патента: US11908935B2. Автор: Dongli Zhang,Jinfeng Zhao,Mingxiang WANG,Huaisheng WANG. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-02-20.

Junction field effect transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US09947785B2. Автор: Guipeng Sun,Guangtao Han. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Group III-nitride compound heterojunction tunnel field-effect transistors and methods for making the same

Номер патента: US09905647B2. Автор: Debdeep Jena,Patrick Fay,Wenjun Li. Владелец: University of Notre Dame . Дата публикации: 2018-02-27.

Method for producing a switching device with a moisture-tight and electrically insulating cover and for producing an arrangement therewith

Номер патента: US09883596B2. Автор: Christian Göbl,Heinrich Heilbronner. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of manufacturing fin field effect transistor

Номер патента: US09853153B2. Автор: Huilong Zhu,Qingqing Liang,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-12-26.

Fabrication of vertical field effect transistors with uniform structural profiles

Номер патента: US09837410B1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

N-stacked field effect transistor based traveling wave power amplifier for monolithic microwave integrated circuits

Номер патента: US09780746B1. Автор: Kohei Fujii. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Ferroelectric field effect transistors, pluralities of ferroelectric field effect transistors arrayed in row lines and column lines, and methods of forming a plurality of ferroelectric field effect transistors

Номер патента: US09761715B2. Автор: Kirk D. Prall,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for producing an organic field effect transistor and an organic field effect transistor

Номер патента: US09705098B2. Автор: Karl Leo,Hans Kleemann,Bjoern Luessem,Alrun Guenther. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2017-07-11.

Field effect transistor with a multilevel gate electrode for integration with a multilevel memory device

Номер патента: US09620512B1. Автор: Masatoshi Nishikawa,Fumiaki TOYAMA,Junji Oh,Hiroaki Koketsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-11.

PCSS-based semiconductor device, switching device, and method

Номер патента: US09595623B1. Автор: Chenggang Xie. Владелец: ROCKWELL COLLINS INC. Дата публикации: 2017-03-14.

Field-effect transistor including oxide semiconductor, and memory and semiconductor circuit including the same

Номер патента: US09548395B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura,Hiromichi Godo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Thin-film field effect transistor, driving method thereof, array substrate, display device, and electronic product

Номер патента: US09515191B2. Автор: Bo Wu,Xiaojing QI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Diode having a reduced surface field effect trench structure and method of manufacturing a diode having a reduced surface field effect trench structure

Номер патента: US09461183B2. Автор: Jan Fischer,Tim BOETTCHER. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-10-04.

Field effect semiconductor devices and methods of manufacturing field effect semiconductor devices

Номер патента: US09450071B2. Автор: Jong-Seob Kim,In-jun Hwang,Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Hyuk-soon Choi,Ki-ha Hong,Ho-Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Dual channel vertical field effect transistor including an embedded electrode

Номер патента: US09343507B2. Автор: Seje TAKAKI. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2016-05-17.

Reducing direct source-to-drain tunneling in field effect transistors with low effective mass channels

Номер патента: US09337255B1. Автор: Jeffrey W. Sleight,Anirban Basu,Amlan Majumdar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Radiation-resistant and low-temperature operational amplifier on complementary field-effect transistors

Номер патента: RU2741056C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2021-01-22.

Field-effect transistor using oxide film to transmit information and preparation method thereof

Номер патента: RU2400865C2. Автор: Тацуя ИВАСАКИ,Хидея КУМОМИ,Тацуя ИВАСАКИ (JP),Хидея КУМОМИ (JP). Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2010-09-27.

Insulated-Gate Field-Effect Transistor

Номер патента: GB1175601A. Автор: . Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1969-12-23.

A semiconductor device including stress inducing films formed over n-channel and p-channel field effect transistors and a method of manufacturing the same

Номер патента: MY135557A. Автор: Yusuke Nonaka,Akihiro Shimizu,Nagatoshi Ooki,Katsuhiko Ichinose. Владелец: Hitachi Ulsi Sys Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-30.

Fabrication of test field effect transistor structure

Номер патента: US6436773B1. Автор: Bin Yu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-08-20.

Enhancing drive current and increasing device yield in N-type carbon nanotube field effect transistors

Номер патента: US10141529B1. Автор: Shu-Jen Han,Damon B. Farmer,Jianshi Tang,John J. Yurkas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-27.

Field effect transistor with a short channel lenght

Номер патента: CA1153831A. Автор: Hans-Jorg Pfleiderer,Ernst Hebenstreit,Dezso Takacs,Michael Pomper,Heinrich Klar. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1983-09-13.

Methods of Forming Field Effect Transistors, Methods of Forming Field Effect Transistor Gates, Methods of Forming Integrated Circuitry Comprising a Transistor Gate Array and Circuitry Peripheral to the Gate Array, and Methods of Forming Integrated Circuitry Comprising a Transistor Gate Array Including First Gates and Second Grounded Isolation Gates

Номер патента: US20100173456A1. Автор: Young Pil Kim,Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-07-08.

Split gate field effect transistor (FET) device employing dielectric barrier layer and method for fabrication thereof

Номер патента: US20020093044A1. Автор: Chia-Ta Hsieh,Wen-Ting Chu,Chuan-Li Chang,Di-Son Kuo,Jake Yeh,Sheng-Wei Tsaur. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-07-18.

Field effect transistor structure and method for making same

Номер патента: CA1061014A. Автор: Robert C. Dockerty,Shakir A. Abbas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-08-21.

A field-effect transistor

Номер патента: CA2317759C. Автор: Rolf Magnus Berggren,Bengt Göran GUSTAFSSON,Johan Roger Axel Karlsson. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2004-06-22.

Field emission cathode and field emission display

Номер патента: AU2943199A. Автор: Gehan Anil Joseph Amaratunga,William Eccleston,Ismail Musa. Владелец: University of Liverpool. Дата публикации: 1999-10-11.

Three-dimensional memory device with vertical field effect transistors and method of making thereof

Номер патента: US11569215B2. Автор: Peter Rabkin,Kwang-Ho Kim. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-01-31.

A semiconductor device, comprising an insulated gate field effect transistor connected in series with a field effect transistor

Номер патента: WO2021049990A1. Автор: Klas-Håkan Eklund,Lars Vestling. Владелец: K.EKLUND INNOVATION. Дата публикации: 2021-03-18.

Staggered pitch stacked vertical transport field-effect transistors

Номер патента: US20240063223A1. Автор: Brent A. Anderson,Albert M. Chu,Junli Wang,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Filter circuit based on a MOS field effect transistor and chip including the same

Номер патента: US10930643B2. Автор: Jianxing Chen. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-23.

Device architecture and method for temperature compensation of vertical field effect devices

Номер патента: EP2973720A2. Автор: Thomas E. HARRINGTON. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2016-01-20.

Device architecture and method for temperature compensation of vertical field effect devices

Номер патента: WO2014160453A2. Автор: Thomas E. HARRINGTON. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2014-10-02.

Method for fabricating quasi-soi source/drain field effect transistor device

Номер патента: US20160118245A1. Автор: Ming Li,Ru Huang,Yuancheng YANG,Hanming Wu,Jiewen Fan,Weihai Bu,Haoran Xuan. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-04-28.

Silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor device

Номер патента: US20230387290A1. Автор: Min Wang,Lijun Li,Yonghong Tao,Zhidong Lin,Zhigao Peng,Yuanxu GUO. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Field-effect transistors with independently-tuned threshold voltages

Номер патента: US20210091202A1. Автор: Xiaoli He,Bingwu Liu,Tao Chu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Field-effect transistors with a grown silicon-germanium channel

Номер патента: US20200051808A1. Автор: Simeon MORVAN,Berthold Reimer,Carsten Metze. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-02-13.

Fin field effect transistor device structure

Номер патента: US11791215B2. Автор: Yi-Hsun CHIU,Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Method for manufacturing a vertical field effect transistor structure and corresponding vertical field effect transistor structure

Номер патента: US20240128372A1. Автор: Christian Huber,Daniel Krebs. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-04-18.

Hybrid gate field effect transistor and manufacturing method therefor, and switch circuit

Номер патента: EP4187614A1. Автор: Hui Sun,Boning Huang,Zhibin Chen,Qimeng JIANG,Ruihong Luo,Qilong Bao. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-31.

Methods of forming material on a substrate, and a method of forming a field effect transistor gate oxide on a substrate

Номер патента: US20060040056A1. Автор: Gurtej Sandhu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-23.

Three-dimensional memory device with vertical field effect transistors and method of making thereof

Номер патента: US11963352B2. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-16.

Vertical field-effect transistor with isolation pillars

Номер патента: US20240072051A1. Автор: Brent A. Anderson,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Method of making bipolar transistor with integrated base contact and field plate

Номер патента: US20040036145A1. Автор: Sheldon Haynie. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-02-26.

A semiconductor device, comprising an insulated gate field effect transistor connected in series with a field effect transistor

Номер патента: EP4029063A1. Автор: Klas-Håkan Eklund,Lars Vestling. Владелец: K EKLUND INNOVATION. Дата публикации: 2022-07-20.

Ferroelectric field-effect transistor with high permittivity interfacial layer

Номер патента: WO2022216371A2. Автор: Sayeef Salahuddin,Ava Jiang TAN. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2022-10-13.

Field effect transistor, control method for controling such a field effect transistor and a frequency mixer means including such a field effect transistor

Номер патента: US20010013622A1. Автор: Joannes Mathilda Josephus Sevenhans. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2001-08-16.

Hybrid gate field effect transistor, method for preparing hybrid gate field effect transistor, and switch circuit

Номер патента: US20230187523A1. Автор: Hui Sun,Boning Huang,Zhibin Chen,Qimeng JIANG,Ruihong Luo,Qilong Bao. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

High frequency field-effect transistor

Номер патента: EP2269219A1. Автор: Lukas Frederik Tiemeijer. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-01-05.

High frequency field-effect transistor

Номер патента: WO2009128035A1. Автор: Lukas Frederik Tiemeijer. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2009-10-22.

Resistive random access memory integrated under a vertical field effect transistor

Номер патента: US20210175285A1. Автор: Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Bahman Hekmatshoartabari,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-10.

Staggered pitch stacked vertical transport field-effect transistors

Номер патента: WO2024041858A1. Автор: Brent Anderson,Albert Chu,Junli Wang,Hemanth Jagannathan. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2024-02-29.

Buried contact structures for a vertical field-effect transistor

Номер патента: US20180254327A1. Автор: Hui Zang,Tek Po Rinus Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-09-06.

Self-adjusting gate bias network for field effect transistors

Номер патента: US20110181324A1. Автор: Roland Gesche,Armin Liero,Silvio Kuehn,Ibrahim M. Khalil. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2011-07-28.

Filter circuit based on a mos field effect transistor and chip including the same

Номер патента: US20190067272A1. Автор: Jianxing Chen. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Ferroelectric field-effect transistor with high permittivity interfacial layer

Номер патента: US20240136437A1. Автор: Sayeef Salahuddin,Ava Jiang TAN. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-04-25.

Fin field effect transistor device structure

Номер патента: US20220375794A1. Автор: Yi-Hsun CHIU,Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

A semiconductor device comprising an insulated gate field transistor connected on series with a high voltage field effect transistor

Номер патента: WO2019177529A1. Автор: Klas-Håkan Eklund,Lars Vestling. Владелец: K.EKLUND INNOVATION. Дата публикации: 2019-09-19.

Methods of Forming Material on a Substrate, and a Method of Forming a Field Effect Transistor Gate Oxide on a Substrate

Номер патента: US20120021610A1. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-26.

Vertical field-effect transistor with isolation pillars

Номер патента: WO2024041867A1. Автор: Brent Anderson,Ruilong Xie. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for fabricating complementary tunneling field effect transistor based on standard cmos ic process

Номер патента: US20140220748A1. Автор: ZHAN Zhan,Ru Huang,Qianqian Huang,Yingxin Qiu,Yangyuan Wang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-08-07.

Stacked field effect transistors with reduced gate-to-drain parasitic capacitance

Номер патента: US20230317793A1. Автор: Shogo Mochizuki,Gen Tsutsui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Field effect transistor, preparation method thereof, and switch circuit

Номер патента: US20230420537A1. Автор: Gilberto Curatola,Gaofei TANG,Qimeng JIANG,Hanxing WANG,Qilong Bao. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Esd field-effect transistor and integrated diffusion resistor

Номер патента: US20130020645A1. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Rahul Mishra,Shunhua T. Chang,Kiran V. Chatty,Junjun Li,John B. Campi, JR.,Mujahid Muhammad. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-01-24.

Fin field effect transistor (FinFET) device structure with dummy fin structure

Номер патента: US12020988B2. Автор: Yen-Ming Chen,Tsung-Lin Lee,Chih-Chieh Yeh,Tzung-Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Field effect transistor, electronic apparatus including the same, and method of manufacturing the field effect transistor

Номер патента: US20230103876A1. Автор: Minsu Seol,JunYoung KWON,Minseok YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-06.

Logic and flash field-effect transistors

Номер патента: US20180158835A1. Автор: Ralf Richter,Thomas Melde,Elke Erben. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-07.

Integrated device with vertical field-effect transistors and hybrid channels

Номер патента: US20200161303A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Vertical transport field-effect transistors with uniform threshold voltage

Номер патента: US20200119010A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Field effect transistor with a negative capacitance gate structure

Номер патента: US20220344471A1. Автор: Igor Lukyanchuk,Yurii TIKHONOV,Valerii VINOKOUR,Anna Razumnaya. Владелец: Terra Quantum AG. Дата публикации: 2022-10-27.

Non-planar field effect transistor devices with low-resistance metallic gate structures

Номер патента: US20200075719A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Non-planar field effect transistor devices with low-resistance metallic gate structures

Номер патента: US20200075717A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Fin field-effect transistor structure and manufacturing process thereof

Номер патента: US20120241863A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Chin-Fu Lin,Chin-Cheng Chien. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Junction field-effect transistors

Номер патента: US20240234498A9. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Forming a combination of long channel devices and vertical transport fin field effect transistors on the same substrate

Номер патента: US20190341489A1. Автор: Chen Zhang,CHENG Chi,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Three-dimensional tunneling field-effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20200176592A1. Автор: Chang Hwan Choi,Dong Hwan Lim. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2020-06-04.

Field effect transistor having same gate and source doping, cell structure, and preparation method

Номер патента: EP4141960A1. Автор: Xing Huang,Xin Lu CHEN. Владелец: Pn Junction Semiconductor Hangzhou Co ltd. Дата публикации: 2023-03-01.

Silicon carbide power device with an enhanced junction field effect transistor region

Номер патента: WO2023278794A3. Автор: Mrinal Kanti Das. Владелец: Mrinal Kanti Das. Дата публикации: 2023-04-06.

Split gate power semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20170040428A1. Автор: Johnny Kin On Sin,Jiajin LIANG,Chun Wai Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-09.

Vertical field-effect transistor structure and method for producing a vertical field-effect transistor structure

Номер патента: US20240222495A1. Автор: Daniel Krebs. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-04.

Field effect transistor and method for fabricating field effect transistor

Номер патента: US20160013272A1. Автор: Yi Chuen Eng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Field effect transistor with enhanced insulator structure

Номер патента: WO2005057623A2. Автор: Robert Beach. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2005-06-23.

Super-saturation current field effect transistor and trans-impedance mos device

Номер патента: US20200027880A1. Автор: Susan Marya SCHOBER,Robert C. Schober. Владелец: Circuit Seed LLC. Дата публикации: 2020-01-23.

Field effect transistor having staggered field effect transistor cells

Номер патента: EP3539158A1. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2019-09-18.

Field-effect transistor, and methods for production

Номер патента: US20240234568A9. Автор: Dick Scholten,Daniel Krebs. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

Field-effect transistor, and method of production

Номер патента: US20240234571A1. Автор: Klaus Heyers,Jens Baringhaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

Vertical field-effect transistor

Номер патента: EP3347915A1. Автор: Franky So,Do Young Kim,Bhabendra K. Pradhan,Hyeonggeun Yu. Владелец: Nanoholdings LLC. Дата публикации: 2018-07-18.

Field effect transistor having an asymmetric gate electrode

Номер патента: US20120104513A1. Автор: Huilong Zhu,Qingqing Liang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-03.

Method of manufacturing field effect transistor

Номер патента: US6803288B2. Автор: Yasuhiro Doumae. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-12.

Metal oxide semiconductor field effect transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210351292A1. Автор: Yung-Chang Chen,Hsin-Yu Hsu,Chen-Huang Wang. Владелец: Cystech Electronics Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Junction field effect transistor with an epitaxially grown gate structure

Номер патента: US8647936B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Tak H. Ning,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-11.

Microelectronic device with two field-effect transistors

Номер патента: US20240030221A1. Автор: Sylvain Barraud,Joris Lacord. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-01-25.

Field effect transistor with enhanced insulator structure

Номер патента: WO2005057623A3. Автор: Robert Beach. Владелец: Robert Beach. Дата публикации: 2008-01-03.

Structure and fabrication of field-effect transistor having source/drain extension defined by multiple local concentration maxima

Номер патента: WO2010110900A8. Автор: Constantin Bulucea,William D. French. Владелец: National Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2011-07-28.

Two-dimensional electrostrictive field effect transistor (2d-efet)

Номер патента: US20200335637A1. Автор: Saptarshi Das. Владелец: PENN STATE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2020-10-22.

Methods of Forming CoSi2, Methods of Forming Field Effect Transistors, and Methods of Forming Conductive Contacts

Номер патента: US20110269288A1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

Methods of forming CoSi2, methods of forming field effect transistors, and methods of forming conductive contacts

Номер патента: US20070032071A1. Автор: Yongjun Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-02-08.

METHODS OF FORMING CoSi2, METHODS OF FORMING FIELD EFFECT TRANSISTORS, AND METHODS OF FORMING CONDUCTIVE CONTACTS

Номер патента: WO2007018968A1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-02-15.

Methods of Forming CoSi2, Methods of Forming Field Effect Transistors, and Methods of Forming Conductive Contacts

Номер патента: US20090035938A1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-05.

Field effect transistor having staggered field effect transistor cells

Номер патента: WO2018089424A1. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2018-05-17.

Method for manufacturing an integrated circuit comprising a junction field effect transistor (JFET)

Номер патента: US11830776B2. Автор: Jean JIMENEZ MARTINEZ. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-11-28.

Vertical field-effect transistor and method for forming same

Номер патента: US20240055528A1. Автор: Dick Scholten,Daniel Krebs,Jens Baringhaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-02-15.

Field-effect transistors with a high-temperature hardmask and self-aligned p-shield

Номер патента: US20240258421A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated device with vertical field-effect transistors and hybrid channels

Номер патента: US20200161302A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Field effect transistor with a negative capacitance gate structure

Номер патента: AU2022202468A1. Автор: Igor Lukyanchuk,Yurii TIKHONOV,Valerii VINOKOUR,Anna Razumnaya. Владелец: Terra Quantum AG. Дата публикации: 2022-11-03.

Field effect transistor with a negative capacitance gate structure

Номер патента: CA3156440A1. Автор: Igor Lukyanchuk,Yurii TIKHONOV,Valerii VINOKOUR,Anna Razumnaya. Владелец: Terra Quantum AG. Дата публикации: 2022-10-15.

Field effect transistor with a negative capacitance gate structure

Номер патента: AU2022202468B2. Автор: Igor Lukyanchuk,Yurii TIKHONOV,Valerii VINOKOUR,Anna Razumnaya. Владелец: Terra Quantum AG. Дата публикации: 2023-11-02.

Fin field-effect transistor structure and manufacturing process thereof

Номер патента: US20130089957A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Chin-Fu Lin,Chin-Cheng Chien. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-04-11.

Forming a combination of long channel devices and vertical transport fin field effect transistors on the same substrate

Номер патента: US20180337278A1. Автор: Chen Zhang,CHENG Chi,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Forming a combination of long channel devices and vertical transport fin field effect transistors on the same substrate

Номер патента: US20190334033A1. Автор: Chen Zhang,CHENG Chi,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Junction field effect transistor structure

Номер патента: US20120001240A1. Автор: Rongwei Yu. Владелец: IPGoal Microelectronics Sichuan Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Stressed channel bulk fin field effect transistor

Номер патента: US20160035626A1. Автор: Hiroshi Itokawa,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker,Akira Hokazono. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Fin field effect transistor (finfet) device structure with dummy fin structure

Номер патента: US20230163031A1. Автор: Yen-Ming Chen,Tsung-Lin Lee,Chih-Chieh Yeh,Tzung-Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Junction field effect transistor, integrated circuit for switching power supply, and switching power supply

Номер патента: US20120319177A1. Автор: Masaru Saito,Koji SONOBE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-20.

Method for manufacturing high-performance and low-power field effect transistor of which surface roughness scattering is minimized or removed

Номер патента: US20170243953A1. Автор: Sung Ho Kim,Kyung Rok Kim,Jong Yul PARK. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Method for manufacturing high-performance and low-power field effect transistor of which surface roughness scattering is minimized or removed

Номер патента: US9780198B2. Автор: Sung Ho Kim,Kyung Rok Kim,Jong Yul PARK. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Split gate power semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20150372103A1. Автор: Johnny Kin On Sin,Jiajin LIANG,Chun Wai Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-12-24.

Novel III-V Heterojunction Field Effect Transistor

Номер патента: US20180254326A1. Автор: Zhihua Dong,Guohua Liu,Zhiqun Cheng,Huajie Ke. Владелец: Hangzhou Dianzi University. Дата публикации: 2018-09-06.

Field effect transistor

Номер патента: US11527629B2. Автор: Yoichi Nogami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-12-13.

Field effect transistor with a high breakdown voltage and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060141726A1. Автор: Ji-Su Kim,Sung-Hoan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-29.

Different gate widths for upper and lower transistors in a stacked vertical transport field-effect transistor structure

Номер патента: US20200328120A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Heng Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-15.

Forming a combination of long channel devices and vertical transport fin field effect transistors on the same substrate

Номер патента: US20180269320A1. Автор: Chen Zhang,CHENG Chi,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Self-aligned gate structure for field effect transistor

Номер патента: WO2013090401A1. Автор: Daniel J. Grimm,Gregory Dix,Harold Kline,Rodney Schroeder. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2013-06-20.

Field effect transistor

Номер патента: US20210043743A1. Автор: Yoichi Nogami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Field-effect transistors with self-aligned p-shield contacts

Номер патента: US20240274712A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for producing a vertical field-effect transistor structure and corresponding vertical field-effect transistor structure

Номер патента: US20240290880A1. Автор: Daniel Krebs,Kevin Dannecker. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-08-29.

Field-effect transistors with deposited gate dielectric layers

Номер патента: EP4421878A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Field-effect transistors with deposited gate dielectric layers

Номер патента: US20240290879A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Junction field effect transistor

Номер патента: US20150357481A1. Автор: Cheng-Chi Lin,Ching-Lin Chan. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

Switch comprising a field effect transistor and integrated circuit

Номер патента: US10582580B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-03-03.

Method of manufacturing field effect transistor

Номер патента: US20030013243A1. Автор: Yasuhiro Doumae. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-16.

Field-effect transistor devices having proximity contact features

Номер патента: US10014331B2. Автор: Jerod F. Mason,Dylan Charles BARTLE,Hailing Wang,Hanching Fuh. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2018-07-03.

Field-effect transistors with a body pedestal

Номер патента: US11764060B2. Автор: Steven M. Shank,Alvin J. Joseph,Michel J. Abou-Khalil,Michael J. Zierak. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Method of manufacturing a semiconductor device comprising a field effect transistor

Номер патента: WO1999027576A3. Автор: Louis Praamsma. Владелец: Philips Svenska AB. Дата публикации: 1999-09-02.

Field-effect transistor and method for the fabrication thereof

Номер патента: US20150145032A1. Автор: Klaus Kohler,Rüdiger QUAY. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2015-05-28.

Hetero-junction field effect transistor

Номер патента: US6320210B1. Автор: Yuji Ando. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-11-20.

Field-effect transistors with self-aligned p-shield contacts

Номер патента: EP4415051A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Integrated circuit comprising a junction field effect transistor

Номер патента: US11342449B2. Автор: Jean JIMENEZ MARTINEZ. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2022-05-24.

Integrated circuit comprising a junction field effect transistor (jfet) and method for manufacturing such an integrated circuit

Номер патента: US20220254905A1. Автор: Jean JIMENEZ MARTINEZ. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2022-08-11.

Field-effect transistors with a gate dielectric layer formed on a surface treated by atomic layer etching

Номер патента: US20240290617A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Field-effect transistors with a high-temperature hardmask and self-aligned p-type buried shield

Номер патента: EP4411823A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Tunneling field effect transistor structure and method for forming the same

Номер патента: US20130105764A1. Автор: Jing Wang,Jun Xu,Renrong Liang,Ning Cui. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-05-02.

Mos field-effect transistor and method for the production thereof

Номер патента: US20160118494A1. Автор: Achim Trautmann,Ning Qu,Michael Grieb. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-04-28.

Method of manufacturing a field effect transistor by tilted implantation of dopants into inner sidewalls of gate spacers

Номер патента: US12062707B2. Автор: Chang-Miao Liu,xu-sheng Wu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for Fabricating Silicon Nanowire Field Effect Transistor Based on Wet Etching

Номер патента: US20120302027A1. Автор: Xin Huang,Ru Huang,Yujie Ai,Jiewen Fan,Shuai Sun,Runsheng Wang,Jibin Zou. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-11-29.

Methods of forming an asymmetric field effect transistor

Номер патента: US7442613B2. Автор: Joo-Sung Park,Kyung-Seok Oh,Ki-Jae Hur,Jung-Hyun Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-28.

Asymmetric field effect transistor

Номер патента: US20070034926A1. Автор: Joo-Sung Park,Kyung-Seok Oh,Ki-Jae Hur,Jung-Hyun Shin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-15.

Field-Effect Semiconductor Device and Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20140061647A1. Автор: Wolfgang Werner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-03-06.

Rotated channel semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20130181215A1. Автор: James Fiorenza,Bunmi T. Adekore. Владелец: RAMGOSS Inc. Дата публикации: 2013-07-18.

Deep buried channel junction field effect transistor (DBCJFET)

Номер патента: US20070275515A1. Автор: Xiaoju Wu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-11-29.

Schottky barrier field effect transistor with carbon-containing insulation layer and method for fabricating the same

Номер патента: WO2013117028A1. Автор: Wei Wang,Jing Wang,Mei Zhao,Renrong Liang. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-08-15.

Composition for arcing and charging prevention film and field emission device including arcing and charging prevention film formed from the same

Номер патента: US20090115307A1. Автор: Myung-Ick Hwang. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-07.

Field effect transistor and method of making

Номер патента: US20020036329A1. Автор: Robert Baird,Steven Merchant,Phillipe Dupuy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-28.

MOS field-effect transistor

Номер патента: US20060006470A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-12.

Strain-compensated field effect transistor and associated method of forming the transistor

Номер патента: US20080315264A1. Автор: Brian J. Greene,Edward J. Nowak,Alberto Escobar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-25.

Strain-compensated field effect transistor and associated method of forming the transistor

Номер патента: US20110312143A1. Автор: Brian J. Greene,Edward J. Nowak,Alberto Escobar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Methods of forming a field effect transistors

Номер патента: US20030068865A1. Автор: Haining Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-10.

Gate-all-around field-effect transistor with extended source/drain

Номер патента: US20240282839A1. Автор: Sang Uk LEE,Rock-Hyun Baek. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2024-08-22.

Photonics chips including a fully-depleted silicon-on-insulator field-effect transistor

Номер патента: US20230038887A1. Автор: Yusheng Bian,George R. Mulfinger,Ryan Sporer. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Field-effect transistor and method for producing a field-effect transistor

Номер патента: WO2009060078A1. Автор: Rainer Minixhofer,Verena Vescoli,Jong Mun Park. Владелец: austriamicrosystems AG. Дата публикации: 2009-05-14.

Strain-compensated field effect transistor and associated method of forming the transistor

Номер патента: US8420468B2. Автор: Brian J. Greene,Edward J. Nowak,Alberto Escobar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-04-16.

Stacked field effect transistor devices with replacement gate

Номер патента: US12094937B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Patterning method for preparing top-gate, bottom-contact organic field effect transistors

Номер патента: US20210036248A1. Автор: Stefan Becker,Mi Zhou,Wei Hsiang Lin,Junmin Lee,Giseok LEE. Владелец: Clap Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Patterning method for preparing top-gate, bottom-contact organic field effect transistors

Номер патента: US20220293873A1. Автор: Stefan Becker,Mi Zhou,Wei Hsiang Lin,Junmin Lee,Giseok LEE. Владелец: Clap Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Resin, insulating film and organic field effect transistor comprising same

Номер патента: EP4421851A1. Автор: Takashi Fukuda,Shinya OKU,Shohei YUMINO,Yuta Iijima,Rei SHIWAKU. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2024-08-28.

Monolithic temperature compensation scheme for field effect transistor integrated circuits

Номер патента: EP1273044A2. Автор: Carl W. Pobanz,Mehran M. Matloubian. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2003-01-08.

Replacement source/drain contact method in complementary field effect transistor (cfet) devices

Номер патента: US20240332297A1. Автор: ASHISH Pal,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,El Mehdi Bazizi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Horizontally depleted metal semiconductor field effect transistor

Номер патента: EP2191498A2. Автор: Trevor John Thornton,Joseph E. Ervin. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2010-06-02.

Power semiconductor module having a pressure device acting on a switching device

Номер патента: US12112994B2. Автор: Harald Kobolla,Stefan Oehling,Matthias Hager,Verena Gulitsch. Владелец: Semikron Danfoss Elektronik & Co Kg GmbH. Дата публикации: 2024-10-08.

Multi-fin fin-type field effect transistor with fine-tuned effective channel width

Номер патента: US20240347638A1. Автор: Hong Yu,James P. Mazza,Navneet K. Jain,Romain H.A. Feuillette,David Charles PRITCHARD. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Vertical field-effect transistor with wrap-around contact structure

Номер патента: US12119346B2. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Field effect transistor with spacers and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355898A1. Автор: Chang-Miao Liu,xu-sheng Wu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Replacement source/drain contact method in complementary field effect transistor (cfet) devices

Номер патента: WO2024205835A1. Автор: ASHISH Pal,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,El Mehdi Bazizi. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Field Effect Transistor Having Loop Distributed Field Effect Transistor Cells

Номер патента: US20170053910A1. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-02-23.

Field effect transistor having loop distributed field effect transistor cells

Номер патента: EP3338308A1. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2018-06-27.

Field effect transistor having loop distributed field effect transistor cells

Номер патента: WO2017030825A1. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2017-02-23.

Junction Field Effect Transistor Cell with Lateral Channel Region

Номер патента: US20150137143A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-05-21.

Oxide semiconductor field effect transistor

Номер патента: US12027629B2. Автор: Hui-Ling Chen,Chien-Ming Lai,Sheng-Yao HUANG,Yen-Chen Chen,Jen-Po Huang,Qinggang Xing,Ding-Lung Chen,Li Li Ding,Yao-Hung Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Negative-capacitance and ferroelectric field-effect transistor (NCFET and FE-FET) devices

Номер патента: US12136659B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device having a polarization super junction field effect transistor, electric equipment, bidirectional field effect transistor, and mounted structure body having the same

Номер патента: US09991335B2. Автор: Fumihiko Nakamura,Shuichi Yagi,Hiroji Kawai,Souta Matsumoto,Shoko ECHIGOYA. Владелец: Powdec KK. Дата публикации: 2018-06-05.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US09972700B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor structure having a junction field effect transistor and a high voltage transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US09947786B2. Автор: Young Bae Kim,Kwang Il Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Multiple-layer spacers for field-effect transistors

Номер патента: US09947769B1. Автор: TAO Han,Zhenyu Hu,Jinping Liu,Jianwei PENG,Hsien-Ching Lo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Tunneling field effect transistors and transistor circuitry employing same

Номер патента: US09941117B2. Автор: Paul R. Berger. Владелец: Ohio State Innovation Foundation. Дата публикации: 2018-04-10.

Annealed metal source drain overlapping the gate of a fin field effect transistor

Номер патента: US09935200B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Self-aligned channel-only semiconductor-on-insulator field effect transistor

Номер патента: US09935178B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device comprising a field effect transistor and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09917163B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-13.

Tunneling field effect transistors (TFETs) for CMOS architectures and approaches to fabricating N-type and P-type TFETs

Номер патента: US09911835B2. Автор: Gilbert Dewey,Ian A. Young,Uygar E. Avci,Roza Kotlyar,Benjamin Chu-Kung,Kelin J. Kuhn,Stephen M. Cea,Rafael Rios,Anurag Chaudhry,Thomas D. Linton, Jr.. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Vertical-transport field-effect transistors with a damascene gate strap

Номер патента: US09911738B1. Автор: Brent A. Anderson,Junli Wang,Kwan-Yong Lim,Hiroaki Niimi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Organic single crystal field effect circuit and preparing method thereof

Номер патента: US09893286B2. Автор: Xiaoli Zhao,Yichun Liu,Yanhong Tong,Qingxin Tang. Владелец: NorthEast Normal University. Дата публикации: 2018-02-13.

Device architecture and method for improved packing of vertical field effect devices

Номер патента: US09865727B2. Автор: Thomas E. Harrington, III,Robert Kuo-Chang Yang. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2018-01-09.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US09865705B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Field effect transistor with elevated active regions and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09859422B2. Автор: Akira Inoue,Masatoshi Nishikawa,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of manufacturing semiconductor device that includes forming junction field effect transistor including recessed gate

Номер патента: US09842908B2. Автор: Kouichi Arai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Split gate power semiconductor field effect transistor

Номер патента: US09825149B2. Автор: Johnny Kin On Sin,Jiajin LIANG,Chun Wai Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-11-21.

Field effect transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US09812560B2. Автор: Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Formation of a bottom source-drain for vertical field-effect transistors

Номер патента: US09799765B1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Junli Wang,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Vertical field effect transistor including extension and stressors

Номер патента: US09793401B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Tunnelling field effect transistor

Номер патента: US09793351B2. Автор: Jin He,Dan Li,Haijun LOU,Xinnan LIN. Владелец: Peking University Shenzhen Graduate School. Дата публикации: 2017-10-17.

Large area diode co-integrated with vertical field-effect-transistors

Номер патента: US09754933B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Hybrid circuit including a tunnel field-effect transistor

Номер патента: US09748271B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,Tamilmani Ethirajan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Fin-double-gated junction field effect transistor

Номер патента: US09748239B2. Автор: Kangguo Cheng,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Isolated gate field effect transistor and manufacture method thereof

Номер патента: US09722064B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Fin field effect transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US09716178B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Field-effect transistor

Номер патента: US09698235B2. Автор: Hiroyuki Ota,Koichi Fukuda,Shinji Migita. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-07-04.

Field effect transistor having loop distributed field effect transistor cells

Номер патента: US09698144B2. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-07-04.

Field effect transistor having two-dimensionally distributed field effect transistor cells

Номер патента: US09685438B2. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-06-20.

Modified tunneling field effect transistors and fabrication methods

Номер патента: US09673757B2. Автор: Min-Hwa Chi,Yanxiang Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Fin-shaped field effect transistor

Номер патента: US09660086B2. Автор: Chun-Yu Chen,Tien-Chen Chan,Ming-Hua Chang,Yen-Hsing Chen,Chung-Ting Huang,Hsin-Chang Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Field effect transistors including fin structures with different doped regions and semiconductor devices including the same

Номер патента: US09653551B2. Автор: Bomsoo Kim,Myung Gil Kang,Changwoo Oh,Jongshik Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

High voltage junctionless field effect device and its method of fabrication

Номер патента: US09634151B1. Автор: Richard R. Chang,Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Fin field effect transistor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09634125B2. Автор: Yi-Wei Chen,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Chung-Fu Chang,Chia-Jong Liu,Yen-Liang Wu,Man-Ling Lu,Wen-Jiun Shen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Field effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US09634112B2. Автор: Chull Won JU,Jae Kyoung Mun,Dong Min Kang,Hyung Sup Yoon,Jong-Won Lim,Sang Heung LEE,Hokyun Ahn,Seong-Il Kim,Byoung-Gue Min. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-04-25.

Power semiconductor module with switching device and assembly

Номер патента: US09627343B2. Автор: Christian Göbl,Harald Kobolla,Björn Tauscher,Christian Kroneder,Alexej Walter. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-04-18.

Hybrid junction field-effect transistor and active matrix structure

Номер патента: US09620726B2. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Bahman Hekmatshoartabari,Ghavam G. Shahidi,Tze-Chiang Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device comprising a field effect transistor and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09608070B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Trench field-effect device and method of fabricating same

Номер патента: US09601336B2. Автор: Hongwei Zhou,Dongyue Gao. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Gate electrode of field effect transistor

Номер патента: US09589803B2. Автор: Neng-Kuo Chen,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann,Yi-An Lin,Chun-Wei Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

III-V gate-all-around field effect transistor using aspect ratio trapping

Номер патента: US09583567B2. Автор: SANGHOON Lee,Guy M. Cohen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Embedded hydrogen inhibitors for semiconductor field effect transistors

Номер патента: US09577083B1. Автор: Richard Lai,Yeong-Chang Chou,Hsu-Hwei Chen,Quin W. Kan,Keang H. Kho,Matthew R. Parlee. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Tunnel field effect transistors

Номер патента: US09577079B2. Автор: Harald Gossner,Ramgopal Rao,Ram Asra. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY BOMBAY. Дата публикации: 2017-02-21.

High voltage field effect transitor finger terminations

Номер патента: US09564497B2. Автор: Andrew P. Ritenour,Kevin Wesley Kobayashi,Haldane S. Henry. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Junction field effect transistor cell with lateral channel region

Номер патента: US09548399B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-17.

Self-aligned contacts for vertical field effect transistors

Номер патента: US09548385B1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi,Wilfried Ernst-August Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Complementary metal oxide semiconductor field effect transistor, metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09536792B2. Автор: Chien-Ting Lin,Shih-Hung Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Fin-double-gated junction field effect transistor

Номер патента: US09536789B1. Автор: Kangguo Cheng,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Power electronic switching device and assembly

Номер патента: US09530712B2. Автор: Christian Göbl. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-12-27.

Lateral field effect transistor device

Номер патента: US09502501B2. Автор: Priyanka DE SOUZA. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2016-11-22.

Device architecture and method for improved packing of vertical field effect devices

Номер патента: US09496386B2. Автор: Thomas E. Harrington, III,Robert Kuo-Chang Yang. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2016-11-15.

Stressed channel bulk fin field effect transistor

Номер патента: US09484262B2. Автор: Hiroshi Itokawa,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker,Akira Hokazono. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

N-type field effect transistors, arrays comprising N-type vertically-oriented transistors, methods of forming an N-type field effect transistor, and methods of forming an array comprising vertically-oriented N-type transistors

Номер патента: US09472663B2. Автор: Allen Mcteer,Yongjun Jeff Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Junction field effect transistor, integrated circuit for switching power supply, and switching power supply

Номер патента: US09461115B2. Автор: Masaru Saito,Koji SONOBE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Fin-type field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09455255B2. Автор: Shuai ZHANG,Shaofeng Yu,Jianhua Ju. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Junction field effect transistor cell with lateral channel region

Номер патента: US09425327B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-08-23.

Self-aligned contacts for vertical field effect transistors

Номер патента: US09312383B1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi,Wilfried Ernst-August Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-12.

Method for manufacturing field-effect transistor with periodically doped channel

Номер патента: RU2191444C1. Автор: В.К. Смирнов,Д.С. Кибалов,В.А. Гергель. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Агентство маркетинга научных разработок". Дата публикации: 2002-10-20.

Amorphous oxide and field transistor using it

Номер патента: RU2402106C2. Автор: Хидео ХОСОНО,Кендзи НОМУРА,Масафуми САНО,Кацуми НАКАГАВА,Тосио КАМИЯ. Владелец: Токио Инститьют Оф Текнолоджи. Дата публикации: 2010-10-20.

Method of depositing polysilicon, method of fabricating a field effect transistor, method of forming a contact to a substrate, method of forming a capacitor

Номер патента: US6159852A. Автор: Er-Xuan Ping,Michael Nuttall,Yongjun Jeff Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-12-12.

High-frequency traveling wave field-effect transistor

Номер патента: US5627389A. Автор: Alison Schary. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-05-06.

Antenna switching device (asd)

Номер патента: RU2633654C1. Автор: Владимир Матвеевич Темнов,Вера Юрьевна Андрюшина. Владелец: Акционерное общество "Федеральный научно-производственный центр "Нижегородский научно-исследовательский институт радиотехники". Дата публикации: 2017-10-16.

Radio frequency network having plural electrically interconnected field effect transistor cells

Номер патента: US4456888A. Автор: Yalcin Ayasli. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1984-06-26.

Thin film field effect transistor

Номер патента: US5847406A. Автор: Charles H. Dennison,Monte Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-12-08.

Field effect transistors, field emission apparatuses, and a thin film transistor

Номер патента: US6504170B1. Автор: John Lee,Benham Moradi,J. Ung Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-01-07.

Semi-conductor inverter using complementary junction field effect transistor pair

Номер патента: US4329700A. Автор: Kojiro Tanaka. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 1982-05-11.

Semiconductor device including a field effect transistor and a bipolar transistor and a method of manufacturing the same

Номер патента: US5471083A. Автор: Tatsuhiko Ikeda,Kazuhito Niwano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-11-28.

Hybrid bipolar/field-effect power transistor in group III-V material system

Номер патента: US5359220A. Автор: Julia J. Brown,Lawrence E. Larson,Peter Asbeck. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1994-10-25.

Method of making high voltage vertical field effect transistor with improved safe operating area

Номер патента: US4970173A. Автор: Stephen P. Robb. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1990-11-13.

Method for producing integrated mos field effect transistors with an additional interconnect of metal silicides

Номер патента: CA1200616A. Автор: Ulrich Schwabe,Franz Neppl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1986-02-11.

Field effect structure including carbon alloyed channel region and source/drain region not carbon alloyed

Номер патента: US20090230475A1. Автор: Xuefeng Liu,Ephrem G. Gebreselasie,William F. Clark, Jr.,Robert Russell Robison. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-17.

Integrated circuit switching device, structure and method of manufacture

Номер патента: WO2008134225A2. Автор: Madhu P. Vora. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2008-11-06.

Field-effect transistors with vertically-serpentine gates

Номер патента: US20200357892A1. Автор: Anthony K. Stamper,Steven M. Shank,Siva P. Adusumilli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Field-effect transistors with diffusion blocking spacer sections

Номер патента: US20200287019A1. Автор: Hong Yu,George R. Mulfinger,Jianwei PENG,Man Gu,Michael Aquilino. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

Methods related to radio-frequency switching devices having improved voltage handling capability

Номер патента: US11901243B2. Автор: Christophe Masse,Aniruddha B. Joshi,Guillaume Alexandre Blin. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Combination of tensilely strained n-type fin field effect transistors and compressively strained p-type fin field effect transistors

Номер патента: US20200381308A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Three-dimensional stacked vertical transport field effect transistor logic gate with buried power bus

Номер патента: US20190221484A1. Автор: Chen Zhang,Joshua Rubin,Ardasheir Rahman,Terry Hook. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Tunnel field-effect transistor (TFET) with lateral oxidation

Номер патента: US10312355B2. Автор: Han Zhao,Jack C. Lee. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2019-06-04.

Field effect transistor including strained germanium fins

Номер патента: US20170148684A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Replacement metal gate process for vertical transport field-effect transistor with self-aligned shared contacts

Номер патента: US20200212220A1. Автор: Brent A. Anderson,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Transistor component having gate electrodes and field electrodes

Номер патента: US11810958B2. Автор: Markus Zundel,Felix Buth,Margarete Deckers,Christian Feuerbaum,Uwe Schmalzbauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-07.

Insulated gate field-effect transistor device and method of making the same

Номер патента: EP4243080A3. Автор: Stephen Daley Arthur,Ramakrishna Rao,Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,Kevin Sean Matocha. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-11-08.

Vertical field effect transistor inverter with single fin device

Номер патента: US11817497B2. Автор: Chen Zhang,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor process, planar field effect transistor and fin-shaped field effect transistor

Номер патента: US9773880B2. Автор: Wei-Chih Chen,I-Chang Wang,Teng-Chuan Hu,Yi Chuen Eng,Hsiu-Kuan Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor process, planar field effect transistor and fin-shaped field effect transistor

Номер патента: US20170069730A1. Автор: Wei-Chih Chen,I-Chang Wang,Teng-Chuan Hu,Yi Chuen Eng,Hsiu-Kuan Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Vertical field effect transistor device and method of making thereof

Номер патента: WO2015138314A1. Автор: Seje TAKAKI. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2015-09-17.

Integrated circuit device with series-connected field effect transistors and integrated voltage equalization and method of forming the device

Номер патента: US20120208329A1. Автор: Andres Bryant,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Silicon carbide field effect transistor

Номер патента: US9685552B2. Автор: Cheng-Tyng Yen,Chien-Chung Hung,Chwan-Ying Lee,Hsiang-Ting Hung. Владелец: Hestia Power Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

A semiconductor device comprising a low voltage insulated gate field effect transistor connected in series with a high voltage field effect transistor

Номер патента: SE1850300A1. Автор: Klas-Håkan Eklund,Lars Vestling. Владелец: Klas Haakan Eklund Med Firma K Eklund Innovation. Дата публикации: 2019-09-17.

Reduced parasitic resistance two-dimensional material field-effect transistor

Номер патента: US20230163203A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Julien Frougier,Andrew Gaul. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor device, comprising an insulated gate field effect transistor connected in series with a field effect transistor

Номер патента: US20210083066A1. Автор: Klas-Håkan Eklund,Lars Vestling. Владелец: K EKLUND INNOVATION. Дата публикации: 2021-03-18.

Ferroelectric field-effect transistors with a hybrid well

Номер патента: US20240120420A1. Автор: Stefan Dunkel,Halid MULAOSMANOVIC,Zhixing ZHAO,Dominik Martin Kleimaier. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2024-04-11.

Gate-last process for vertical transport field-effect transistor

Номер патента: US20200219777A1. Автор: Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Semiconductor device including a field effect transistor and a passive capacitor having reduced leakage current and an improved capacitance per unit area

Номер патента: EP1535332A1. Автор: Karsten Wieczorek,Thomas Feudel,Gert Burbach. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-06-01.

Field-effect transistor with a total control of the electrical conductivity on its channel

Номер патента: US11316017B2. Автор: Damien Lenoble. Владелец: Luxembourg Institute of Science and Technology LIST. Дата публикации: 2022-04-26.

Tunnel field-effect transistor (tfet) with lateral oxidation

Номер патента: US20180108761A1. Автор: Han Zhao,Jack C. Lee. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2018-04-19.

Field effect transistor having a gate dielectric with a dipole layer and having a gate stressor layer

Номер патента: US11984506B2. Автор: Szuya S. LIAO,Rishabh Mehandru,Dan S. Lavric,Michal MLECZKO,Vishal Tiwari. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Field effect transistor with adjustable effective gate length

Номер патента: US20240097029A1. Автор: NAN Wu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

High frequency field-effect transistor

Номер патента: US20110024835A1. Автор: Lukas Frederik Tiemeijer. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-02-03.

Stacked vertical field-effect transistors with sacrificial layer patterning

Номер патента: US20200303263A1. Автор: Chen Zhang,Oleg Gluschenkov,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Replacement metal gate process for vertical transport field-effect transistor with self-aligned shared contacts

Номер патента: US20200066903A1. Автор: Brent A. Anderson,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Three-dimensional stacked vertical transport field effect transistor logic gate with buried power bus

Номер патента: US20190181054A1. Автор: Chen Zhang,Joshua Rubin,Ardasheir Rahman,Terry Hook. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Tunnel field effect transistor (TFET) with lateral oxidation

Номер патента: US9853135B2. Автор: Han Zhao,Jack C. Lee. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for manufacturing suspended fin and gate-all-around field effect transistor

Номер патента: US20120149162A1. Автор: Yi Song,Qiuxia Xu,Huajie Zhou. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-06-14.

Package structure of common-source common-gate gallium nitride field-effect transistor

Номер патента: US20220020677A1. Автор: Tsung Hsien Yen,Hsing Yeh Wang,Feng Jui Shen. Владелец: Gan Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

High reliability field effect power device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170133471A1. Автор: Hyun Wook Jung,Ho Kyun Ahn,Chull Won JU,Jong Min Lee,Dong-Young Kim,Dong Min Kang,Sang-Heung Lee,Hyung Sup Yoon,Jong-Won Lim,Hae Cheon Kim,Seong-Il Kim,Byoung-Gue Min,Kyu Jun CHO,Jae Won DO. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-05-11.

Hybrid orientation fin field effect transistor and planar field effect transistor

Номер патента: WO2014058552A1. Автор: Shom Ponoth,Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Balasubramanian S. Haran. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-04-17.

Field effect transistor with a multilevel gate electrode for integration with a multilevel memory device

Номер патента: EP3326205A1. Автор: Masatoshi Nishikawa,Fumiaki TOYAMA,Junji Oh,Hiroaki Koketsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-30.

Field effect transistor with a multilevel gate electrode for integration with a multilevel memory device

Номер патента: WO2017074546A1. Автор: Masatoshi Nishikawa,Fumiaki TOYAMA,Junji Oh,Hiroaki Koketsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-04.

Vertical field effect transistor device and method of making thereof

Номер патента: EP3108506A1. Автор: Seje TAKAKI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-28.

Method for farbricating field-effect transistors in integrated semiconductor circuits and integrated semiconductor circuit fabricated with a field-effect transistor of this type

Номер патента: US20020037639A1. Автор: Wolfgang Angermann,Andreas Bänisch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-03-28.

Replacement metal gate process for vertical transport field-effect transistors with multiple threshold voltages

Номер патента: US20200211908A1. Автор: Brent A. Anderson,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Field effect transistor having channel silicon germanium

Номер патента: SG168481A1. Автор: Hiroyuki Ota,Vincent Sih. Владелец: Toshiba America Electronic. Дата публикации: 2011-02-28.

Field effect transistor

Номер патента: US20240194759A1. Автор: Manabu Yanagihara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Field-effect transistor with a total control of the electrical conductivity on its channel

Номер патента: EP3688812A1. Автор: Damien Lenoble,Renaud Leturcq,Jonathan CREPELLIERE,Petru LUNCA POPA. Владелец: Luxembourg Institute of Science and Technology LIST. Дата публикации: 2020-08-05.

Field-effect transistor with a total control of the electrical conductivity on its channel

Номер патента: WO2019063703A1. Автор: Damien Lenoble. Владелец: Luxembourg Institute of Science and Technology (LIST). Дата публикации: 2019-04-04.

Field-effect transistor with a total control of the electrical conductivity on its channel

Номер патента: US20200266277A1. Автор: Damien Lenoble. Владелец: Luxembourg Institute of Science and Technology LIST. Дата публикации: 2020-08-20.

Method for preparing diamond-based field effect transistor, and corresponding field effect transistor

Номер патента: US20210066471A1. Автор: CUI Yu,Jingjing Wang,Qingbin Liu,Zhihong FENG,Chuangjie Zhou,Zezhao HE,Xuedong GAO,Jianchao GUO. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2021-03-04.

Method of forming source and drain of field-effect-transistor and structure thereof

Номер патента: SG144827A1. Автор: Tan Shyue Seng,Lee Jae Gon,TEO Lee Wee,Mishra Shailendra,Henry K Utomo. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-08-28.

Field-effect transistor, field-effect transistor array structure and method of manufacturing field-effect transistor

Номер патента: US20220149166A1. Автор: Kwanghee Lee,Sangwook Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-12.

Field effect transistor

Номер патента: US20130292670A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-07.

Semiconductor switch devices having a region with three distinct zones and their manufacture

Номер патента: US20010054747A1. Автор: Holger Schligtenhorst,Godefridus A.M. Hurkx,Andrew M. Warwick. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-27.

High voltage switching device

Номер патента: US12027623B2. Автор: Abhijeet Paul,Simon Edward Willard,Alain Duvallet. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor switch devices and their manufacture

Номер патента: WO1999046821A3. Автор: Holger Schligtenhorst,Godefridus A M Hurkx,Andrew M Warwick. Владелец: Philips Svenska AB. Дата публикации: 1999-11-25.

Thermal management solution for power stage comprising top-cooled power semiconductor switching devices

Номер патента: US20240306348A1. Автор: Juncheng LU,Ruoyu Hou. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Switching device, method of fabricating the same, and resistive random access memory including the switching device as a selection device

Номер патента: US09917250B2. Автор: Beom Yong KIM,Soo Gil Kim,Won Ki JU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Spacer system for a semiconductor switching device

Номер патента: US09698067B2. Автор: Thomas Stiasny. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2017-07-04.

Carbon nanotube field effect transistor

Номер патента: WO2008091273A2. Автор: Hong Zhang,John Douglas Adam,Norman Goldstein,James Baumgardner,Aaron Anthony Pesetski,John Przybysz,Jim Murduck. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2008-07-31.

Carbon nanotube field effect transistor

Номер патента: EP2038933A2. Автор: Hong Zhang,John Douglas Adam,Norman Goldstein,James Baumgardner,Aaron Anthony Pesetski,John Przybysz,Jim Murduck. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2009-03-25.

Switch device, vehicle-mounted communication device, vehicle-mounted communication system, time correction method, and time correction program

Номер патента: US20210006435A1. Автор: Akihito Iwata,Yasuhiro Yabuuchi,Takeshi Hagihara. Владелец: AutoNetworks Technologies Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Image forming apparatus with switching device that switches on and off depending on difference in rigidity of sheet

Номер патента: US12036789B2. Автор: Takuya Hamada. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Vehicle seat assembly having a field effect sensor for detecting seat position

Номер патента: GB2410089A. Автор: Matthew Zuzga,Samuel Hanlon. Владелец: Lear Corp. Дата публикации: 2005-07-20.

Switch device, in-vehicle communication system, and communication method

Номер патента: US12021658B2. Автор: Tadashi Matsumoto,Hisashi Furukawa,Hideki Goto,Tatsuya Izumi,Hideki Maeda,Akihito Iwata,Takeshi Hagihara,Shu ISHIZUKA,Masashi AMESARA,Hirofumi Urayama,Darmawan GO. Владелец: AutoNetworks Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

A safety power switching device, a voltage converter and an electrified vehicle

Номер патента: WO2023117800A1. Автор: Emmanuel Talon,Jianping Li. Владелец: VALEO SYSTEMES DE CONTROLE MOTEUR. Дата публикации: 2023-06-29.

IP-address distribution system utilizing a plurality of switching devices grouped into two or more groups

Номер патента: US09813503B2. Автор: Shingo Honda,Tetsuya Shigeeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Micro optical switch device, image display apparatus including the same, and method of manufacturing the micro optical switch device

Номер патента: US09664894B2. Автор: Hyung Choi,Dong-sik Shim,Woon-bae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Methods of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and field effect transistors

Номер патента: US12069874B2. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Collapsible inverted-magnetron vacuum-gauge converter with additional carbon field-effect emitter, protected from ion bombardment

Номер патента: RU2610214C1. Автор: Владимир Алексеевич Гапонов,Леонид Николаевич Розанов,Дмитрий Валерьевич Ратушный,Максим Николаевич Белов. Владелец: Федеральное государственное автономное научное учреждение "Центральный научно-исследовательский и опытно-конструкторский институт робототехники и технической кибернетики" (ЦНИИ РТК). Дата публикации: 2017-02-08.

Switching device with series connection of junction field-effect transistors

Номер патента: RU2550551C2. Автор: Йюрген БИЛА,Даниэль АГГЕЛЕР,Иоганн Вальтер КОЛАР. Владелец: Этх Цюрих. Дата публикации: 2015-05-10.

Discrete circuit for driving field effect transistors

Номер патента: EP1635463A3. Автор: Balakrishnan V. Nair,Gerald A. Kilgour. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2007-04-25.

Methods of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and field effect transistors

Номер патента: US20230276640A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Field effect transistor-based biosensor for detecting whole-cell bacteria and field effect transistor-based biosensor assembly including the same

Номер патента: US20210215683A1. Автор: Yuh-Shyong Yang,Daisy Cheng,Chen-Yun Lin. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2021-07-15.

Double-flash switching device and server

Номер патента: US20240264860A1. Автор: CHAO Gao,Dong Wang. Владелец: Suzhou Metabrain Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Thienopyrazine compound and field effect transistor containing the same

Номер патента: US20120248428A1. Автор: Takashi Sugioka,Yoshiro Yamashita,Hikaru Nakayama. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2012-10-04.

Label Free Analyte Detection by Electronic Desalting and Field Effect Transistors

Номер патента: US20170176379A1. Автор: Rashid Bashir,Bobby Reddy, JR.,Vikhram VILASUR SWAMINATHAN,Eric M. SALM,Carlos DUARTE-GUEVARA. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2017-06-22.

Label Free Analyte Detection by Electronic Desalting and Field Effect Transistors

Номер патента: US20200103370A1. Автор: Rashid Bashir,Bobby Reddy, JR.,Vikhram VILASUR SWAMINATHAN,Eric M. SALM,Carlos DUARTE-GUEVARA. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2020-04-02.

Circuit for switching device, switching system, and processing method for switching device

Номер патента: US20230336171A1. Автор: Yusuke Kinoshita,Satoshi Nakazawa,Ryosuke Maeda,Yuta NAGATOMI. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Electronic switching device

Номер патента: EP4423098A1. Автор: Peer Kirsch,Marc Tornow,Frank Voges,Henning SEIM,Julian DLUGOSCH. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2024-09-04.

Triggering asynchronous d trigger on field-effect transistors

Номер патента: RU2689197C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2019-05-24.

Operational amplifier on complementary field-effect transistors

Номер патента: RU2770916C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Алексей Евгеньевич Титов,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-04-25.

Broadband voltage-to-current converter on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2739213C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук,Алексей Евгеньевич Титов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-12-22.

Mix/effects switch arrangement and mix/effects switching system

Номер патента: CA1082799A. Автор: Ole Skrydstrup. Владелец: Central Dynamics Ltd. Дата публикации: 1980-07-29.

Differential amplifier on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2766861C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Владислав Евгеньевич Чумаков,Алексей Вадимович Кунц,Алексей Арсеньевич Павлючик. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-03-16.

Self-snubbing bipolar/field effect (biofet) switching circuits and method

Номер патента: US4366522A. Автор: Richard H. Baker. Владелец: Reliance Electric Co. Дата публикации: 1982-12-28.

Desaturation protection of power field-effect transistor

Номер патента: WO2024176172A1. Автор: Nan Xing,Zhemin Zhang,Yinglai Xia,Yalong Li. Владелец: Infineon Technologies Canada Inc.. Дата публикации: 2024-08-29.

Trigger logic element and-not/or-not on field-effect transistors

Номер патента: RU2756096C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Юго-Западный государственный университет» (ЮЗГУ). Дата публикации: 2021-09-28.

Differential cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction of class ab with variable voltage of restriction of pass characteristic

Номер патента: RU2712414C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-28.

Hall effect switching device

Номер патента: US3660696A. Автор: Albert D Rittmann. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1972-05-02.

Method for processing input variables by means of a processing device comprising at least two field-effect transistors, device for executing the method, computing device, and use

Номер патента: US20240259031A1. Автор: Tobias Kirchner,Taha Soliman. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-08-01.

Desaturation protection of power field-effect transistor

Номер патента: US20240283441A1. Автор: Nan Xing,Zhemin Zhang,Yinglai Xia,Yalong Li. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Differential amplifier based on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2736412C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Анна Витальевна Бугакова,Дмитрий Геннадьевич Дроздов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-11-17.

Operational amplifier with "floating" input differential cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2741055C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук,Владислав Евгеньевич Чумаков,Дмитрий Владимирович Клейменкин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2021-01-22.

Differential amplifier on arsenide-gallium field-effect transistors

Номер патента: RU2770912C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Владислав Евгеньевич Чумаков,Алексей Вадимович Кунц. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-04-25.

Composite transistor based on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2710846C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Дмитрий Геннадьевич Дроздов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Interfacing unit (versions) and method, for communication between computer and field device

Номер патента: RU2434270C2. Автор: Марк С. ШУМАХЕР. Владелец: Роузмаунт, Инк.. Дата публикации: 2011-11-20.

Binding molecules specific to il-21, and field of application thereof

Номер патента: RU2708336C2. Автор: Мелисса ДАМШРОДЕР,Стейси ДРАБИК,Рональд ХЕРБСТ,Сяодун СЯО,Кэтрин ЭТТИНГЕР,Джоди КАРНЕЛЛ,Парта ЧАУДХАРИ,Пин ЦУЙ,Рина ВАРКЕЙ,Лаура КАРТЕР,Цунь ДУ,Брайан Майкл НАЙМАН. Владелец: Бостон Фармасьютикалс Инк.. Дата публикации: 2019-12-05.

Trigger logic element on field-effect transistors

Номер патента: RU2715178C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2020-02-25.

Buffer amplifier of class ab on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2721940C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Елена Владимировна Овсепян,Екатерина Петровна Никитина. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-25.

Flip-flop on field-effect transistors of opposite conductivity type

Номер патента: RU2694152C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2019-07-09.

Rotated field effect transistor topology amplifier

Номер патента: US9866175B1. Автор: Peter W. Evans. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Differential amplifier with increased slope on field-effect transistors

Номер патента: RU2770915C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Анна Витальевна Бугакова,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-04-25.

Operational amplifier on complementary field-effect transistors

Номер патента: RU2766864C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Владислав Евгеньевич Чумаков,Дарья Юрьевна Денисенко. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2022-03-16.

Differential operational amplifier on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2739577C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-12-28.

Input stage of differential operational amplifier with paraphase output on complementary field-effect transistors

Номер патента: RU2721945C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Алексей Андреевич Жук,Елена Владимировна Овсепян. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-25.

Low-temperature two-stage operational amplifier with paraphase output on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2721942C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Дмитрий Геннадьевич Дроздов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-25.

Operational amplifier with low zero offset voltage on complementary field-effect transistors

Номер патента: RU2770913C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Анна Витальевна Бугакова,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-04-25.

Differential amplifier on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2688225C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-05-21.

Trigger logic element and/and-not on field-effect transistors

Номер патента: RU2763585C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Юго-Западный государственный университет» (ЮЗГУ). Дата публикации: 2021-12-30.

Photo-switchable and electrically-switchable organic field-effect transistor, manufacturing method thereof and use thereof as storage device

Номер патента: RU2580905C2. Автор: Сергей Михайлович Алдошин,Павел Анатольевич Трошин,Наталия Алексеевна Санина,Любовь Анатольевна Фролова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем химической физики Российской Академии наук (ИПХФ РАН). Дата публикации: 2016-04-10.

Differential amplifier of class ab on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2736549C1. Автор: Петр Сергеевич Будяков,Илья Викторович Пахомов,Алексей Андреевич Жук,Иван Николаевич Третьяк. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-11-18.

Low-temperature operational amplifier with high attenuation of input in-phase signal on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2732583C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Илья Викторович Пахомов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-09-21.

Device for integrated water quality monitoring in stationary and field conditions

Номер патента: RU2741308C1. Автор: Андрей Анатольевич Гордеев,Вадим Сергеевич Никонов,Роман Витальевич Аниськов,Андрей Аркадьевич Игнатьев,Суад Зухер Черемисин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное объединение "АМБ". Дата публикации: 2021-01-25.

Gas-sensitive sensor based on field-effect transistor and process of determination of concentration of gases

Номер патента: RU2169363C2. Автор: В.А. Березкин,И.Г. Шкуропат,В.К. Дмитриев,В.Г. Певгов. Владелец: Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина. Дата публикации: 2001-06-20.

Statistical record linkage calibration at the field and field value levels without the need for human interaction

Номер патента: CA2749310C. Автор: David Bayliss. Владелец: LexisNexis Risk Solutions FL Inc. Дата публикации: 2015-06-02.

Switching circuit with mos field effect transistor

Номер патента: CA1127724A. Автор: Tadao Yoshida,Tadao Suzuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1982-07-13.

Field effect transistor (fet) transconductance device with varying gate lengths

Номер патента: US20240056042A1. Автор: Kevin Wesley Kobayashi. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Magneto-resistive field effect transistor

Номер патента: WO2014199144A1. Автор: Daniel Anthony Allwood,Hadi Rasam Alqahtani,Matthew Thomas BRYAN,Martin Friedrich GRELL. Владелец: THE UNIVERSITY OF SHEFFIELD. Дата публикации: 2014-12-18.

Methods of forming flash field effect transistor gates and non-flash field effect transistor gates

Номер патента: US20030129801A1. Автор: Kevin Beaman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Display device and method for mature ears of seed and field corn

Номер патента: US5377435A. Автор: Eldon L. Dalton. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-01-03.

Apparatus having series-connected switching devices and related method

Номер патента: EP4432538A1. Автор: Mohsen ASOODAR. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Apparatus having series-connected switching devices and related method

Номер патента: WO2024188808A1. Автор: Mohsen ASOODAR. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for determining time differences between signals measured by at least two coupled measuring devices and measurement system and corresponding switching device

Номер патента: US09678153B2. Автор: Kurt Schmidt,Manfred Mueller,Markus Freidhof,Johannes Steffens. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-06-13.

Buffer amplifier on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2684489C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Евгеньевич Титов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-04-09.

Differential cascade on complementary field-effect transistors

Номер патента: RU2684473C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Олег Владимирович Дворников,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-04-09.

Differential amplifier on complementary field-effect transistors with high stability of static mode

Номер патента: RU2710930C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Илья Викторович Пахомов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Buffer amplifier based on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2710923C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Дмитрий Геннадьевич Дроздов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Method of determining dimensions and spatial location of hydraulic fracturing based on geological and field data

Номер патента: RU2769492C1. Автор: Дмитрий Александрович Мартюшев,Владислав Игнатьевич Галкин,Инна Николаевна Пономарева. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Пермский национальный исследовательский политехнический университет". Дата публикации: 2022-04-01.

Trigger two-stage d trigger on field-effect transistors

Номер патента: RU2734428C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования. "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2020-10-16.

Analogue microcircuit output cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2710917C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Екатерина Петровна Никитина. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Differential cascade on complementary jfet field-effect transistors with high attenuation of input in-phase signal

Номер патента: RU2710296C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-12-25.

Switching device

Номер патента: RU2310878C1. Автор: Михель ХАКНЕР. Владелец: Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф.. Дата публикации: 2007-11-20.

Method for protecting a power line from a remote short circuit and informing a network manager about disconnecting a protective switching device from a short circuit or for another reason

Номер патента: RU2763036C1. Автор: Александр Владимирович Виноградов,Алина Васильевна Виноградова,Алексей Валерьевич Букреев,Иван Александрович Седых,Вадим Евгеньевич Большев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение «Федеральный научный агроинженерный центр ВИМ» (ФГБНУ ФНАЦ ВИМ). Дата публикации: 2021-12-27.

High voltage system using enhancement and depletion field effect transistors

Номер патента: US5051618A. Автор: Perry W. Lou. Владелец: Idesco Oy. Дата публикации: 1991-09-24.

Switching device, power conversion device, engine exciter, air pump, compressor, air conditioner, fridge and freezer

Номер патента: RU2632916C1. Автор: Йосуке СИНОМОТО,Такуя СИМОМУГИ,Кеисуке УЕМУРА,Коити АРИСАВА,Сигео УМЕХАРА,Синитиро УРА,Макото ТАНИКАВА. Владелец: Мицубиси Электрик Корпорейшн. Дата публикации: 2017-10-11.

Switching device, controller, switching device configuration method and method and system for the package processing

Номер патента: RU2628476C1. Автор: Шиюн ТАНЬ. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2017-08-17.

Transistor amplifier having field effect transistors with stabilized drain bias current

Номер патента: CA1042995A. Автор: Tadao Suzuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1978-11-21.

Organic field effect transistor and semiconductor device

Номер патента: US20120032160A1. Автор: Shinobu Furukawa,Kaoru Kato,Ryota Imahayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

Co2 sensor based on a diamond field effect transistor

Номер патента: US20150177184A1. Автор: Bogdan Catalin Serban,Mihai Brezeanu,Octavian Buiu,Viorel Georgel Dumitru. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Logic inverter, and a multi-output logic operator derived from this inverter, using at least two low-voltage-threshold field-effect transistors

Номер патента: US4485316A. Автор: Tung Pham Ngu,Gerard Nuzillat,Georges Bert. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1984-11-27.

Switching device and method of manufacturing same

Номер патента: EP2255267A1. Автор: Daniel Wiler. Владелец: Belkin International Inc. Дата публикации: 2010-12-01.

Switching device and method of manufacturing same

Номер патента: WO2009103016A1. Автор: Daniel Wilner. Владелец: BELKIN INTERNATIONAL, INC.. Дата публикации: 2009-08-20.

Linearizing field effect transistors in the ohmic region

Номер патента: US20130187683A1. Автор: Omid Foroudi. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2013-07-25.

A method for producing an organic field effect transistor and an organic field effect transistor

Номер патента: WO2014173738A1. Автор: Karl Leo,Björn Lüssem,Hans Kleemann,Alrun Günther. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2014-10-30.

Switching device for car-to-x communication and communication device

Номер патента: US20130065530A1. Автор: Tobias Gansen,Nils Oppermann. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2013-03-14.

Information processing system, switching device, and method for controlling information processing system

Номер патента: US20150124591A1. Автор: Kazuki Hyoudou,Yukihiro Nakagawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-05-07.

Field effect transistor and a gas detector including a plurality of field effect transistors

Номер патента: US9683957B2. Автор: Bonex Wakufwa Mwakikunga. Владелец: Council for Scientific and Industrial Research CSIR. Дата публикации: 2017-06-20.

Automatically discovering architectural roles of packet switching devices

Номер патента: US20080225754A1. Автор: PING Wang,Alok Verma,Shun Jiang. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2008-09-18.

Thermal droop compensation in power amplifiers with field-effect transistors (fets)

Номер патента: US20240275339A1. Автор: John Bellantoni,Michael Simcoe,Michael Kevin O'Neal. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Hybrid metal-oxide semiconductor field-effect transistor with variable gate impedance and implementation method thereof

Номер патента: US20230039285A1. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Shiu Hui Lee,Cho Lan Peng,Chuo Chien TSAO. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Field effect transistor and method of producing the same

Номер патента: WO2005086253A1. Автор: Makoto Kubota,Daisuke Miura,Satomi Sugiyama,Tomonari Nakayama,Akane Masumoto,Toshinobu Ohnishi. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2005-09-15.

Information processing system, switching device, and method for controlling information processing system

Номер патента: US09960955B2. Автор: Kazuki Hyoudou,Yukihiro Nakagawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

System, switch device and method of controlling a plurality of switch devices

Номер патента: US09853857B2. Автор: Keiichi Nakatsugawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

End-to-end multipathing through network having switching devices compatible with different protocols

Номер патента: US09847933B2. Автор: Casimer M. DeCusatis,Keshav G. Kamble,Abhijit P. Kumbhare. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Methods, systems, and computer readable media for precise measurement of switching latency of packet switching devices

Номер патента: US09806980B2. Автор: Michael D. Hutchison,Christopher M. Kowalski. Владелец: IXIA. Дата публикации: 2017-10-31.

Switching device driving apparatus

Номер патента: US09712148B2. Автор: Toru DAIGO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Field effect transistor and a gas detector including a plurality of field effect transistors

Номер патента: US09683957B2. Автор: Bonex Wakufwa Mwakikunga. Владелец: Council for Scientific and Industrial Research CSIR. Дата публикации: 2017-06-20.

Determining correlation coefficient(s) among different field effect transistor types and/or among different electrical parameter types

Номер патента: US09679094B2. Автор: Ning Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

End-to-end multipathing through network having switching devices compatible with different protocols

Номер патента: US09660899B2. Автор: Casimer M. DeCusatis,Keshav G. Kamble,Abhijit P. Kumbhare. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Connection interface switching device for multiple portable devices

Номер патента: US09639491B2. Автор: Yi-Cheng Chang. Владелец: Good Way Tech Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Drive device having first and second switching devices with different gate widths

Номер патента: US09634655B2. Автор: Osamu Tabata,Shuichi Nagai. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Relay system and switching device

Номер патента: US09590815B2. Автор: Makoto Yasuda,Shigeru TSUBOTA. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Wireless communication system and method for automatically switching device identifications

Номер патента: US09554290B2. Автор: Chiung-Yu CHU. Владелец: Moxa Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Identification of paths in a network of mixed routing/switching devices

Номер патента: US09544217B2. Автор: Jeffrey John ROPER. Владелец: Entuity Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Camera system and switching device

Номер патента: US09516219B2. Автор: Takanori Okada. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Input differential cascade on complementary field-effect transistors for operation at low temperatures

Номер патента: RU2712416C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Олег Владимирович Олег Владимирович Дворников. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-28.

Trigger adder on modulus two on field-effect transistors

Номер патента: RU2714105C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2020-02-11.

Buffer amplifier with low zero-offset voltage on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2712410C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-28.

Control of metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

Номер патента: RU2754501C1. Автор: Юрген БЕМЕР,Эберхард Ульрих КРАФФТ,Ян ВАЙГЕЛЬ,Марк-Маттиас БАКРАН,Андреас НАГЕЛЬ,Мартин ХЕЛЬСПЕР,Бернд ЛАСКА,Штефан Ханс Вернер ШЕНЕВОЛЬФ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2021-09-02.

Non-reactionable hydrophilic polymers with terminal siloxanes and fields of application thereof

Номер патента: RU2565591C2. Автор: Зохра ФАДЛИ,Шивкумар МАХАДЕВАН,Брент Мэттью ХИЛИ,Куниси ВЕНКАТАСУББАН,Чарльз СКЕЙЛС,Кэрри ДЭВИС. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2015-10-20.

Diketopyrrolopyrrole polymers for use in organic field effect transistors

Номер патента: EP3456756A3. Автор: Beat Schmidhalter,Pascal Hayoz,Jean-Charles Flores,Mathieu G. R. Turbiez,Mathias Dueggeli,Marta Fonrodona Turon,Mahmoud Zaher Eteish,Olivier Aebischer,Margherita Fontana,Marian Lanz. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2019-05-01.

Protective circuit for field effect transistor amplifier

Номер патента: US3912981A. Автор: Katsuaki Tsurushima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1975-10-14.

Wide range linear controller using junction field effect transistors

Номер патента: CA1260076A. Автор: Edward S. Parsons,John J. Ludwick. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1989-09-26.

Electromagnetic interference regulator by use of capacitive parameters of field-effect transistor

Номер патента: US11804834B2. Автор: Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Shiu Hui Lee,Hsiang Chi Meng,Cho Lan Peng,Chuo Chien TSAO. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Electronic rod reader and field notebook

Номер патента: WO2016049349A1. Автор: Michael Bank. Владелец: TRIMBLE NAVIGATION LIMITED. Дата публикации: 2016-03-31.

Field effect transistor (fet) transconductance device with varying gate lengths

Номер патента: WO2022164601A1. Автор: Kevin Wesley Kobayashi. Владелец: QORVO US, INC.. Дата публикации: 2022-08-04.

Power Supply Device and Method for Checking a Field Effect Transistor of Such a Power Supply Device

Номер патента: US20240056070A1. Автор: Klaus Schürmann,Matthias Plöger,Michael Buschkamp,Tobias Blome. Владелец: Weidmueller Interface GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for enhancing the performance of pentacene organic field-effect transistor and the structure of pentacence organic field-effect transistor

Номер патента: US11980042B2. Автор: JIANG Yin,Zhiguo Liu,Yiru WANG,Limin Kang,Yidong Xia. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-05-07.

Electronic rod reader and field notebook

Номер патента: EP3198222A1. Автор: Michael Bank. Владелец: TRIMBLE NAVIGATION LTD. Дата публикации: 2017-08-02.

Electronic rod reader and field notebook

Номер патента: US20160091312A1. Автор: Michael Bank. Владелец: TRIMBLE NAVIGATION LTD. Дата публикации: 2016-03-31.

Method for determining the service life of a switching device

Номер патента: US20230065957A1. Автор: Michael Haas. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-03-02.

System for determining leakage current of a field effect transistor over temperature

Номер патента: US20240230748A1. Автор: Henry Litzmann Edwards,Robert Allan Neidorff. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Design and application for improving switch speed of power electronic switch device

Номер патента: AU2019419890A1. Автор: Jianhua Lyu,Xinghua LYU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-10-15.

High power rf field effect transistor switching using dc biases

Номер патента: WO2014085140A2. Автор: William Henry VON NOVAK III,Cody Burton Wheeland,Linda Stacey Irish,Gabriel Issac Mayo. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-06-05.

Buffer configuration method and switching device

Номер патента: US20230164094A1. Автор: Tao Wu,Huafeng Wen,Jian Yan,Heyang Liu,Yongxian CHEN,Liyang SUN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Packaging, transporting, and field-releasing device for natural enemies of predatory pentatomoidea

Номер патента: ZA202309890B. Автор: Jun Wang,Zheng Sun,Haibin Deng,Ziyi YOU,Dexin Chen. Владелец: Guangdong Inst Of Tobacco Science. Дата публикации: 2024-05-30.

Cache configuration method and switching device

Номер патента: EP4170938A1. Автор: Tao Wu,Huafeng Wen,Jian Yan,Heyang Liu,Yongxian CHEN,Liyang SUN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-26.

Design for increasing switching speed of power electronic switching device, and application

Номер патента: EP3745592A1. Автор: Jianhua Lyu,Xinghua LYU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-12-02.

Pcie system expanding method, pcie switch device, and pcie system

Номер патента: EP4167100A1. Автор: Xingqiang Liu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-19.

A field effect transistor current source

Номер патента: WO1986002180A1. Автор: Bernard Lee Morris,Jeffrey Jay Nagy,Lawrence Arthur Walter. Владелец: American Telephone & Telegraph Company. Дата публикации: 1986-04-10.

Current measuring system for switching devices arranged in a matrix configuration

Номер патента: WO2024146681A1. Автор: Gerard Cornelis Schoonenberg,Elise MORSKIEFT. Владелец: Eaton Intelligent Power Limited. Дата публикации: 2024-07-11.

Field-Effect Transistor and Method and Control Unit for Operating a Field-Effect Transistor

Номер патента: US20160305904A1. Автор: Philipp Nolte. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-10-20.

Method of forming a switching device and structure therefor

Номер патента: US20030189454A1. Автор: Frantisek Sukup,Josef Halamik. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2003-10-09.

Optical path switching device

Номер патента: US20050201750A1. Автор: Morio Kobayashi,Masayuki Togawa. Владелец: Nabtesco Corp. Дата публикации: 2005-09-15.

Power convertion circuit using high-speed characterisics of switching devices

Номер патента: US8947898B2. Автор: Shun-Ichi Nakamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-03.

Field effect transistor (fet) and fet circuitry

Номер патента: WO2001035500A3. Автор: William Eccleston,Giles Christian Rome Lloyd. Владелец: Giles Christian Rome Lloyd. Дата публикации: 2002-05-10.

Method, switching device and packet capturing system

Номер патента: US20180123933A1. Автор: Kazuhiro Suzuki,Hiroyuki Yamashima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-05-03.

Field effect transistor (fet) biosensor for detection of viral particles

Номер патента: EP4278184A1. Автор: Marco Farina,Daniele DI MARINO,Mattia D'AGOSTINO,Chiara ARDICCIONI,Alice ROMAGNOLI,Ilda D'ANNESSA,Davide MENCARELLI,Eleonora PAVONI,Paolo CRIPPA,Giorgio BIAGETTI,Luca PIERANTONI. Владелец: Universita Politechnica delle Marche. Дата публикации: 2023-11-22.

Apparatus having series-connected switching devices

Номер патента: EP4432537A1. Автор: Mohsen ASOODAR. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Field effect transistor (fet) biosensor for detection of viral particles

Номер патента: US20240310320A1. Автор: Marco Farina,Daniele DI MARINO,Mattia D'AGOSTINO,Chiara ARDICCIONI,Alice ROMAGNOLI,Ilda D'ANNESSA,Davide MENCARELLI,Eleonora PAVONI,Paolo CRIPPA,Giorgio BIAGETTI,Luca PIERANTONI. Владелец: Universita Politechnica delle Marche. Дата публикации: 2024-09-19.

Field effect transistor (fet) biosensor for detection of viral particles

Номер патента: WO2022153185A1. Автор: Marco Farina,Daniele DI MARINO,Mattia D'AGOSTINO,Chiara ARDICCIONI,Alice ROMAGNOLI,Ilda D'ANNESSA,Davide MENCARELLI,Eleonora PAVONI,Paolo CRIPPA,Giorgio BIAGETTI,Luca PIERANTONI. Владелец: UNIVERSITÀ POLITECNICA DELLE MARCHE. Дата публикации: 2022-07-21.

A method of manufacturing a field-effect transistor substantially consisting of organic materials

Номер патента: WO1999010939A9. Автор: Leeuw Dagobert Michel De,Christopher John Drury,Cornelis Marcus Johan Mutsaers. Владелец: Philips Svenska AB. Дата публикации: 2006-05-26.

Method for producing a hybrid organic silicon field effect transistor structure

Номер патента: EP1506392A1. Автор: Wouter Olthuis,Ernst Jan Robert Sudholter,Piet Bergveld,Louis Cornelia Patrick Maria De Smet,Han Zuilhof,Alexander Bernardus Sieval,E. J. Faber,Gerben Machiel Visser. Владелец: Stichting voor de Technische Wetenschappen STW. Дата публикации: 2005-02-16.

Method for producing a hybrid organic silicon field effect transistor structure

Номер патента: WO2003098204A1. Автор: Wouter Olthuis,Ernst Jan Robert Sudholter,Piet Bergveld,Louis Cornelia Patrick Maria De Smet,Han Zuilhof,Alexander Bernardus Sieval,E. J. Faber,Gerben Machiel Visser. Владелец: Stichting voor de Technische Wetenschappen. Дата публикации: 2003-11-27.

Switch device, power conversion device, motor drive device, air blower, compressor, air conditioner, refrigerator, and freezer

Номер патента: US09960702B2. Автор: Keisuke Uemura,Takuya Shimomugi,Yosuke Shinomoto,Shigeo Umehara,Koichi Arisawa,Makoto Tanikawa,Shinichiro URA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Image switching device for vehicle

Номер патента: US09930296B2. Автор: Norio Ninomiya,Kunitomo Aoki. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Communicating with power switching devices

Номер патента: US09748945B2. Автор: Alexander Mayer,Robert Illing,Paolo Del Croce. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-29.

Driving circuit of switching device for electric power control

Номер патента: US09722600B2. Автор: Sung-Hee Kang,Kyoung-Hun NAM. Владелец: LSIS Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Tag-based interface between a switching device and servers for use in frame processing and forwarding

Номер патента: US09667442B2. Автор: Cynthia Ann Gabriel,Bill Shao,Tienwei Chao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Communication path switching device, communication path switching method and communication path switching program

Номер патента: US09491043B2. Автор: Osamu Takada,Kazuma Yumoto,Junji Kinoshita,Sayuri Kaneko. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Monolithic integrated circuit switch device with output current balancing for parallel-connection

Номер патента: US09467136B1. Автор: James Nguyen. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Packet switching device including cascaded aggregation nodes

Номер патента: US09444728B2. Автор: Dezhong Cai,Praveen Bhagwatula,Sanjeev Debdutta Rampal. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Voltage control using field-effect transistors

Номер патента: US09419474B2. Автор: Larry O'Neal Reeder,David KNAGGS. Владелец: Telect Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Two-step output stage of class ab of analogue microcircuits on complementary field-effect transistors for operation at low temperatures

Номер патента: RU2706869C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Александр Игоревич Серебряков,Анна Витальевна Бугакова,Дмитрий Владимирович Клейменкин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-11-21.

Lightning detection system utilizing triangulation and field amplitude comparison techniques

Номер патента: CA1118520A. Автор: Edmund P. Krider,Ralph C. Noggle,Martin A. Uman. Владелец: LIGHTNING LOCATION AND PROTECTION Inc. Дата публикации: 1982-02-16.

Usb-switch device and connection method of smart card by means of usb interface

Номер патента: RU2530337C1. Автор: Донгшенг ЛИ. Владелец: Тендирон Корпорейшн. Дата публикации: 2014-10-10.

Determination method of protection operating time of conductive contact joints of switching devices from overheat

Номер патента: RU2635385C1. Автор: Валерий Павлович Шерышев,Андрей Анатольевич Болтенков,Ерлан Алиаскарович Сарсенбаев,Максим Владимирович Селиверстов,Амангельды Бекбаев. Владелец: Андрей Анатольевич Болтенков. Дата публикации: 2017-11-13.

Biasing network for use with field effect transistor ring mixer

Номер патента: US5153469A. Автор: Brian E. Petted,Jeffrey P. Ortiz,Leo J. Wilz,Robert J. Baeten. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1992-10-06.

Field effect transistor circuit for modulator and demodulator applications

Номер патента: US4413239A. Автор: George W. McIver,Donald E. Romeo. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1983-11-01.

Field effect transistor device means control system

Номер патента: CA1154089A. Автор: Arlon D. Kompelien. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 1983-09-20.

Field effect transistor current source

Номер патента: CA1252835A. Автор: Bernard L. Morris,Jeffrey J. Nagy,Lawrence A. Walter. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1989-04-18.

Field effect transistor device means control system

Номер патента: US4280069A. Автор: Arlon D. Kompelien. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 1981-07-21.

Ion-sensitive field effect transistor and method for producing an ion-sensitive field effect transistor

Номер патента: US20050263798A1. Автор: Christian Kunath,Eberhard Kurth,Heinrich Grüger. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2005-12-01.

A field effect transistor and a gas detector including a plurality of field effect transistors

Номер патента: US20160116434A1. Автор: Bonex Wakufwa Mwakikunga. Владелец: Council for Scientific and Industrial Research CSIR. Дата публикации: 2016-04-28.

Modeling the total parasitic resistances of the source/drain regions of a multi-fin multi-gate field effect transistor

Номер патента: US20130289964A1. Автор: Ning Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

System and method for generating a field effect transistor corner model

Номер патента: US20150089464A1. Автор: Ning Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-03-26.

Frame coding and field coding judgment method, image coding method, image coding apparatus, and program

Номер патента: US20090304087A1. Автор: Takahiro Nishi,Youji Shibahara. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-12-10.

Organic field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100025667A1. Автор: Hsin-Fei Meng,Chien-Cheng Liu,Sheng-fu Horng. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2010-02-04.

Apparatus and method for the detection of localised fluctuations of ionic charge by ion sensitive field effect transistors during a chemical reaction

Номер патента: EP1379863A2. Автор: Christofer Toumazou,Sunil Purushothaman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-14.

Node isolation method, and switching device and ethernet storage system

Номер патента: EP4398518A1. Автор: Jiao Li,Huafeng Wen,Qinzhi WU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Methods of forming acoustic resonator device wafers integrated with electronic semiconductor switching device wafers using a wafer transfer process and related structures

Номер патента: US20240196753A1. Автор: Daeho Kim,Ramakrishna Vetury,Abhay Saranswarup Kochhar,Kamran Cheema. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

System and method for controlling voltage across switching devices present in circuit

Номер патента: WO2022018757A1. Автор: Kamalesh Hatua,Vamshi Krishna Miryala,Saravanan DHANASEKARAN,Ganesan PERUMAL. Владелец: Centre For Development Of Advanced Computing, Thiruvananthapuram. Дата публикации: 2022-01-27.

Current measuring system for switching devices arranged in a matrix configuration

Номер патента: GB2625992A. Автор: Morskieft Elise,Cornelis Schoonenberg Gerard. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Method and apparatus for controlling a switching device

Номер патента: WO1999017559A3. Автор: Peter Larsson. Владелец: Ericsson Telefon Ab L M. Дата публикации: 1999-05-20.

Method and apparatus for controlling a switching device

Номер патента: EP1018273A2. Автор: Peter Larsson. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2000-07-12.

Method and apparatus for controlling a switching device

Номер патента: EP1018273B1. Автор: Peter Larsson. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2006-08-30.

Software controlled switch device

Номер патента: US20010046281A1. Автор: John Perkins. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-29.

Node Isolation Method, Switching Device, and Ethernet Storage System

Номер патента: US20240259344A1. Автор: Jiao Li,Huafeng Wen,Qinzhi WU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Communication system, communication method, transmitting side switching device, receiving side switching device, and program

Номер патента: US20230336501A1. Автор: Hideaki Kimura,Shinichi Yoshihara,Hideo Kawata,Nobuhiro Shibata. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Method for connecting an expansion module to a programmable electric switching device

Номер патента: US20020073266A1. Автор: Dieter Bauerfeind,Olaf Dung. Владелец: Moeller GmbH. Дата публикации: 2002-06-13.

Redundant safety switching device for switching a load

Номер патента: EP1131684A1. Автор: Petrus Johannes Plechelmus SCHASFOORT,Edward Stanley Limon. Владелец: Holec Holland NV. Дата публикации: 2001-09-12.

Method, apparatus and system for monitoring a switching device

Номер патента: WO2023141752A1. Автор: Guang Yang,Kaiyu LIU. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2023-08-03.

Contactless switching device

Номер патента: US20030030521A1. Автор: Michael Palazzola,Robert Sweet,James Nickerson. Владелец: Thyssen Elevator Capital Corp. Дата публикации: 2003-02-13.

Liquid crystal composite material, light switching device, display device and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20210215957A1. Автор: Wenbo Li. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

Electrically controlled viewing angle switching device and display device

Номер патента: US20210333578A1. Автор: Chung-Yang Fang,Ping-Yen Chen. Владелец: Coretronic Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Communication system, communication method, transmitting side switching device, receiving side switching device, and program

Номер патента: US12088511B2. Автор: Hideaki Kimura,Shinichi Yoshihara,Hideo Kawata,Nobuhiro Shibata. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Switching device and communication system

Номер патента: US20240333334A1. Автор: Shinichirou Adachi,Hiroki Nishino,Masaomi Kawashita. Владелец: Icom Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Communication method, communication system, resource pool management system, switch device and control device

Номер патента: US09992104B2. Автор: Chen Li,Lu Huang,Zhiheng LIU. Владелец: China Mobile Communications Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Switch device and control method of switch device

Номер патента: US09832041B2. Автор: Osamu Shiraki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Portable voice communications digital switching device for communications systems

Номер патента: US09819804B2. Автор: Joseph John Miller. Владелец: Telegenix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Controlled bootstrap driver for high side electronic switching device

Номер патента: US09705423B1. Автор: Dragan Micic. Владелец: Woodward Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Switch device, information processing system, and method for controlling switch device

Номер патента: US09699101B2. Автор: Takeshi Shimizu,Yukihiro Nakagawa,Chunghan LEE. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Transitioning a routing switch device between network protocols

Номер патента: US09699063B2. Автор: YUAN Li,Liang Yang,Jing He,Yi Bo Song. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Determining characteristics of a connection traversing a packet switching device

Номер патента: US09634908B2. Автор: William C. Versteeg,Daniel G. Wing,Reinaldo de Azevedo Penno Filho. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Connected field effect transistors

Номер патента: US11827512B2. Автор: Eric Martin,Tsuyoshi Yamashita,Rogelio Cicili. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2023-11-28.

Connected field effect transistors

Номер патента: EP3857599A1. Автор: Eric Martin,Tsuyoshi Yamashita,Rogelio Cicili. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2021-08-04.

Connected field effect transistors

Номер патента: WO2020068035A1. Автор: Eric Martin,Tsuyoshi Yamashita,Rogelio Cicili. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2020-04-02.

Quick switch device for toy vehicle

Номер патента: US20180251181A1. Автор: Zhong Huang. Владелец: UPRIGHT MANUFACTURERS (SHENZHEN) LTD. Дата публикации: 2018-09-06.

Potential difference-based diversion electrode arrangement and field intensity compensation method

Номер патента: US10717119B2. Автор: Bo Wu,Jianing Wang,Shuhai Guo,Fengmei Li. Владелец: Institute of Applied Ecology of CAS. Дата публикации: 2020-07-21.

Potential difference-based diversion electrode arrangement and field intensity compensation method

Номер патента: US20180043406A1. Автор: Bo Wu,Jianing Wang,Shuhai Guo,Fengmei Li. Владелец: Institute of Applied Ecology of CAS. Дата публикации: 2018-02-15.

Fluid actuators connected to field effect transistors

Номер патента: US20210206161A1. Автор: Eric Martin,James R Przybyla,Rogelio Cicili. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2021-07-08.

Liquid switching device

Номер патента: RU2696651C1. Автор: Кристиан КЛЯЙН,Фабиан МЕЛЛЕ. Владелец: Хансгрое СЕ. Дата публикации: 2019-08-05.

Switching Device for a Transmission of a Motor Vehicle and Method for Operating Such a Switching Device

Номер патента: US20240011530A1. Автор: Tobias Schuster,Thomas Stegmaier,Lukas Becker,Thomas Doster,Nils Hirsemann,Wadim Belewitsch,Udo Scharrer. Владелец: Mercedes Benz Group AG. Дата публикации: 2024-01-11.

Handle switch device

Номер патента: US12091124B2. Автор: Tomoyuki Tajima,Yusuke Tominaga,Shingo MIYAYAMA. Владелец: Toyo Denso Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Switching device for cryogenic fluids and multiple filter arrangement for cryogenic fluids

Номер патента: WO2024154041A1. Автор: Michael Dahmen,Karsten Cartarius,Tobias DRESEN. Владелец: BOLL & KIRCH FILTERBAU GMBH. Дата публикации: 2024-07-25.

Switching device for a transmission of a motor vehicle and method for operating such a switching device

Номер патента: US12117046B2. Автор: Tobias Schuster,Thomas Stegmaier,Lukas Becker,Thomas Doster,Nils Hirsemann,Wadim Belewitsch,Udo Scharrer. Владелец: Mercedes Benz Group AG. Дата публикации: 2024-10-15.

Modular switch device for temporarily storing workpiece carriers for a linear conveyor system

Номер патента: US12049368B2. Автор: Udo Schuster,Maria Heller,Maximilian Preusche. Владелец: MD ELEKTRONIK GMBH. Дата публикации: 2024-07-30.

Air conditioned object in the interior of a motor vehicle with a switching device

Номер патента: US09815347B2. Автор: Jonathan Zhang. Владелец: Gentherm GmbH. Дата публикации: 2017-11-14.

Device for stimulation by means of electric and magnetic fields, and field applicators for this purpose

Номер патента: US20090248098A1. Автор: Roland Fischer,Werner Schmidt,Manfred Krauss,Stewart Penny,Mario MÖBIUS. Владелец: Goldenrule Aust Pty Ltd. Дата публикации: 2009-10-01.

Oil and gas well and field integrity protection system

Номер патента: US09879401B2. Автор: Gary Michael Lynch. Владелец: FUTURE ENERGY INNOVATIONS PTY LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Inflammable composition and field of use

Номер патента: RU2417972C2. Автор: Ален БАСС. Владелец: Шеддит Франс. Дата публикации: 2011-05-10.

Physiological information processing system, signal processing device, switching device, and non-transitory computer-readable storage medium

Номер патента: US20230277128A1. Автор: Tetsuo Suzuki,Yoshiharu Harada. Владелец: Nihon Kohden Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Internal combustion engine with liquid cooling with switching device and method of controlling switching device of internal combustion engine of this type

Номер патента: RU2688123C2. Автор: Ян МЕРИНГ,Кай ХОЕНБЕКЕН,Штефан КВИРИНГ,Бернд ШТАЙНЕР,Михаэль ТОБЕРГТЕ,Берт ПИНГЕН. Владелец: ФОРД ГЛОУБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2019-05-17.

Load switching device for sports simulator

Номер патента: RU2673142C1. Автор: Григорий Иванович Васильев. Владелец: Григорий Иванович Васильев. Дата публикации: 2018-11-22.

Magnetic switching device

Номер патента: US09687667B2. Автор: Sang Won Yoon,William Choe. Владелец: Cardiac Lead Tech LLC. Дата публикации: 2017-06-27.

Programmable switching device for implantable electrical stimulation device

Номер патента: EP1761304A2. Автор: Anthony J. Varrichio,John H. Erickson. Владелец: Advanced Neuromodulation Systems Inc. Дата публикации: 2007-03-14.

Mode switching device and a grill machine including the same

Номер патента: US20190183287A1. Автор: Yuan Yang. Владелец: Tsann Kuen Zhangzhou Enterprise Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-20.

Temperature stable radiation-resistant reference-voltage source based on differential pair of field-effect transistors

Номер патента: RU2546083C1. Автор: Олег Владимирович Дворников,Евгений Иванович Старченко,Иван Васильевич Барилов. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2015-04-10.

GATE ELECTRODE AND GATE CONTACT PLUG LAYOUTS FOR INTEGRATED CIRCUIT FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20120001271A1. Автор: YAMADA Satoru,Chae Kyo-Suk,CHOI Young-Jin,Kim Wook-Je,HAN Sang-Yeon. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Field emission electrode, method of manufacturing the same, and field emission device comprising the same

Номер патента: US20120003895A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Traffic light two-filament lamp switching device

Номер патента: RU2153996C2. Автор: Ю.И. Зенкович,А.Г. Каменнов,М.М. Молдавский,Д.А. Коган,В.В. Карлин,Ю.Е. Сегал,Э.И. Пожидаев. Владелец: Зенкович Юрий Иосифович. Дата публикации: 2000-08-10.

Transceiving antenna switching device

Номер патента: RU2453017C1. Автор: Виктор Вячеславович Беляев,Борис Михайлович Чубаков. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский радиотехнический институт имени академика А.И. Берга". Дата публикации: 2012-06-10.

Junction field effect transistor structure

Номер патента: US20120001240A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Field Effect Resistor for ESD Protection

Номер патента: US20120003818A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of determining athlete's predisposition to training in track and field athletics, specialising in all-round events

Номер патента: RU2444992C1. Автор: Ирина Леонидовна Левина,Ирина Викторовна Овечкина,Наталья Владимировна Минченкова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кузбасская государственная педагогическая академия. Дата публикации: 2012-03-20.

Flip-flop logic element not on field-effect transistors

Номер патента: RU2704748C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский,Максим Сергеевич Брусов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2019-10-30.

Production method of super-high frequency (shf) field-effect transistor with schottki barrier

Номер патента: RU2361319C1. Автор: Александр Михайлович Темнов,Владимир Григорьевич Лапин,Константин Игнатьевич Петров. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток"). Дата публикации: 2009-07-10.

Method of making microwave field-effect transistor

Номер патента: RU2523060C2. Автор: Геннадий Андреевич Блинов,Елена Васильевна Бутенко. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт микроприборов-технология" (ЗАО "НИИМП-Т"). Дата публикации: 2014-07-20.

Method of field effect transistor production with schottky barrier

Номер патента: RU2349987C1. Автор: Вадим Леонидович Романов,Максим Викторович Драгуть. Владелец: Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета". Дата публикации: 2009-03-20.

Distributing Packets to Line Cards of a Packet Switching Device Based on Bridge Indication Values Received Therewith

Номер патента: US20120002673A1. Автор: Filsfils Clarence,Boutros Sami,Mohapatra Pradosh,Bettink John H. W.. Владелец: Cisco Technology, Inc., a corporation of Californi. Дата публикации: 2012-01-05.

Heterostructure modulated-doped field-effect transistor

Номер патента: RU2534437C1. Автор: Грачик Хачатурович Аветисян,Юрий Владимирович Колковский,Вадим Минхатович Миннебаев,Алексей Анатольевич Дорофеев. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2014-11-27.

Method for detection of crimean hemorragic fever virus in biological and field materials

Номер патента: RU2276362C1. Автор: Евгений Николаевич Афанасьев,Ирина Викторовна Жарникова,Александр Евгеньевич Платонов,Ирина Степановна Тюменцева,Герман Александрович Шипулин,Виталий Иванович Ефременко,Надежда Филипповна Василенко,Ольга Ивановна Цыганкова,Евгений Иванович Ерёменко,Олег Иванович Вышемирский,Людмила Станиславовна Карань. Владелец: Ставропольский научно-исследовательский противочумный институт. Дата публикации: 2006-05-10.

Field-effect cathode-luminescent matrix screen

Номер патента: RU2298854C1. Автор: Николай Павлович Абаньшин,Борис Исаакович Горфинкель. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ВОЛГА-СВЕТ". Дата публикации: 2007-05-10.

Process of fabrication of self-scaling field-effect transistor with struct ure of superself-aligned bipolar transistor

Номер патента: RU2230392C2. Автор: Н.М. Манжа,Н.А. Щербаков,М.И. Лукасевич,Е.С. Горнев,М.И. Клычников. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2004-06-10.

Switching device

Номер патента: RU2110884C1. Автор: В.А. Александров,В.А. Майоров,В.А. Галахов. Владелец: Центральный научно-исследовательский институт "Морфизприбор". Дата публикации: 1998-05-10.

Composite bearing block and field connection of bearing blocks of prefabricated building structure

Номер патента: RU2519021C2. Автор: Владимир Мордухович Фридкин,Александр Викторович Зенин,Петр Михайлович Токарев,Денис Алексеевич Савкин,Александр Владимирович Замуховский,Валентин Александрович Грудский,Иван Викторович Пономарёв,Ксения Алановна Цомаева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет путей сообщения" (МИИТ). Дата публикации: 2014-06-10.

Field effect semiconductor device

Номер патента: CA1151774A. Автор: Thomas E. Hendrickson,Ronald G. Koelsch. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 1983-08-09.

Device for arcless disconnection of direct current by contact switching device

Номер патента: RU2391735C1. Автор: Эльхан Шахбаба оглы Мурадов,Алексей Григорьевич Морозов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Технос". Дата публикации: 2010-06-10.

Method of making field-effect nanotransistor with schottky contacts with short nanometre-length control electrode

Номер патента: RU2504861C1. Автор: Александр Александрович Орликовский,Владимир Владимирович Вьюрков,Анатолий Дмитриевич Кривоспицкий,Владимир Федорович Лукичев,Алексей Александрович Окшин,Константин Васильевич Руденко,Юрий Федорович Семин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт Российской академии наук. Дата публикации: 2014-01-20.

Field-effect nanotransistor

Номер патента: RU2250535C1. Автор: В.П. Попов,Ю.В. Настаушев,О.В. Наумова. Владелец: Институт физики полупроводников Объединенного института физики полупроводников СО РАН. Дата публикации: 2005-04-20.

Precision operational amplifier based on radiation resistant bipolar and field process

Номер патента: RU2568384C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Николай Владимирович Бутырлагин,Олег Владимирович Дворников,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2015-11-20.

Method for determination of thermal resistance for junction field-effect transistors

Номер патента: RU2516609C2. Автор: Николай Николаевич Беспалов,Алексей Евгеньевич Лысенков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва". Дата публикации: 2014-05-20.

High-voltage semiconducting switching device

Номер патента: RU2421840C1. Автор: Валентин Александрович Мартыненко,Евгений Альбертович Копелович,Владимир Александрович Осин,Игорь Владимирович Галахов,Юрий Яковлевич Бродский,Василий Матвеевич Муругов,Феликс Александрович Флат,Геннадий Дмитриевич Чумаков,Виктор Иванович Шуляпов. Владелец: Виктор Иванович Шуляпов. Дата публикации: 2011-06-20.

Method for direct current interruption by direct current hybrid switching device and direct current hybrid switching device for implementation of this method

Номер патента: RU2375779C1. Автор: Виктор Васильевич Шипицын,Эльхан Шахбаба оглы Мурадов,Алексей Григорьевич Морозов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Технос". Дата публикации: 2009-12-10.

Process of manufacture of field-effect transistor with submicronic shottky-barrier gate

Номер патента: RU2046453C1. Автор: А.А. Чернявский,А.Ф. Мозгунов,В.Л. Романов. Владелец: Акционерное общество открытого типа "Планета". Дата публикации: 1995-10-20.

Field-effect p-n transistor and its manufacturing process

Номер патента: RU2102818C1. Автор: Соломон Давидович Эдлин. Владелец: Соломон Давидович Эдлин. Дата публикации: 1998-01-20.

Method for diagnosing electric switching device

Номер патента: RU2580183C1. Автор: Евгений Владимирович Кириевский,Вячеслав Игорьевич Дубров. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени М.И. Платова". Дата публикации: 2016-04-10.

Field-effect electron emitter and process of its manufacture ( versions )

Номер патента: RU2150154C1. Автор: С.К. Гордеев,В.Г. Ральченко,А.В. Карабутов,П.И. Белобров,М.А. Негодаев. Владелец: Акционерное общество закрытого типа "Карбид". Дата публикации: 2000-05-27.

Field effect transistor having improved threshold stability

Номер патента: CA1063251A. Автор: Ingrid E. Magdo,Richard C. Joy,Alfred Phillips (Jr.). Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-09-25.

New mixtures of perfluoro-, alpha-chloroperfluoro- and alpha,omega-dichloroperfluoroalkanes, method for preparing and field in using

Номер патента: RU2264375C2. Автор: А.Я. Запевалов,Т.И. Горбунова,Н.А. Чемоданов,В.И. Салоутин,О.Н. Чупахин. Владелец: Учреждение Институт органического синтеза Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2005-11-20.

Method to determine length of jump during track and field horizontal jump events

Номер патента: RU2488419C1. Автор: Владимир Фридрихович Стерин,Евгений Федорович Скляр,Ольга Федоровна Скляр,Руза Бадрединовна Кочеткова,Наталья Александровна Ушакова,Владимир Николаевич Трубочкин. Владелец: Владимир Николаевич Трубочкин. Дата публикации: 2013-07-27.

Reversible semiconductor switching device operating for inductive load

Номер патента: RU2562778C1. Автор: Мая Ивановна Стальная,Сергей Юрьевич Еремочкин,Дмитрий Анатольевич Королев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Алтайский государственный технический университет им. И.И. Ползунова" (АлтГТУ). Дата публикации: 2015-09-10.

Integrated nanotube and field effect switching device

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты